AT516575B1 - Backvorrichtung für einen Wafer, der mit einer ein Lösungsmittel enthaltenden Beschichtung beschichtet ist - Google Patents

Backvorrichtung für einen Wafer, der mit einer ein Lösungsmittel enthaltenden Beschichtung beschichtet ist Download PDF

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Abstract

Es wird eine Backvorrichtung (10) für einen Wafer (14) beschrieben, der mit einer ein Lösungsmittel enthaltenden Beschichtung (15) beschichtet ist, wobei die Backvorrichtung eine Backkammer (16), einen Träger (12) für den Wafer (14), einen Einlass (30) für ein Spülgas und eine Ausleitung (40) für das Spülgas aufweist, das mit aus der Beschichtung (15) verdampftem Lösungsmittel beladen ist. Der Einlass ist als Diffusionselement (30) ausgebildet, das über dem Wafer (14) angeordnet ist, damit das Spülgas gleichmäßig über im Wesentlichen die gesamte Oberfläche des Wafers (14) eingeleitet wird, und die Ausleitung ist als Ausleitungsring (40) ausgebildet, der das Diffusionselement (30) radial umgibt und an einer Decke (22) der Backkammer (16) angeordnet ist.

Description

Beschreibung
[0001] Die Erfindung betrifft eine Backvorrichtung für einen Wafer, der mit einer ein Lösungsmittel enthaltenden Beschichtung beschichtet ist, mit einer Backkammer, einem Träger für den Wafer, einem Einlass für ein Spülgas und einer Ausleitung für das Spülgas, das mit aus der Beschichtung verdampftem Lösungsmittel beladen ist.
[0002] Bei Verfahren zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente wie zum Beispiel Halbleiterchips besteht einer der ersten Schritte darin, einen Wafer mit einer ein Lösungsmittel enthaltenden Beschichtung (bei einigen Anwendungen einem Fotolack) zu beschichten. Dies kann durch Schleuderbeschichten, Sprühbeschichten oder andere Beschichtungsverfahren erfolgen.
[0003] Nach dem Beschichtungsschritt wird der Wafer mit der Beschichtung einem Vorbacken (Softbake) unterzogen, um überschüssiges Lösungsmittel aus der Beschichtung zu entfernen. Der Wafer kann zum Beispiel für 30 bis 60 Sekunden Temperaturen von 90 bis 100°C ausgesetzt werden, während er sich auf einem beheizten Träger befindet. Falls gewünscht, kann der Druck in der Kammer, wo das Vorbacken stattfindet, geringfügig unter Atmosphärendruck verringert werden.
[0004] Während des Softbake-Schrittes verdampft Lösungsmittel aus der Beschichtung. Das L6sungsmittel muss aus der Kammer, in der das Vorbacken stattfindet, entfernt werden, da es sonst in der Kammer kondensieren könnte. Dies könnte dazu führen, dass ein Lösungsmitteltropfen auf die Waferoberfläche fällt, was die Gleichmäßigkeit der Beschichtung beeinträchtigen könnte oder sogar zu einer Beschädigung einer auf dem Wafer vorgesehenen dreidimensionalen Struktur führen würde.
[0005] Es reicht jedoch nicht aus, das Lösungsmittel einfach so aus der Kammer zu entfernen, dass ein Kondensieren vermieden wird. Es ist auch wesentlich, dass die Konzentration des L6Ösungsmittels direkt über dem Wafer möglichst gleichmäßig ist, da sich die dort vorhandene Menge an Lösungsmittel auf die Verdampfungsgeschwindigkeit des Lösungsmittels auswirkt. Ein Gefälle in der Lösungsmittelkonzentration entlang der Oberfläche des Wafers direkt über seiner Oberfläche würde daher zu lokalen Abweichungen der Dicke der Beschichtung nach dem SoftbakeSchritt führen.
[0006] Es ist aus dem Stand der Technik bekannt, in der Backkammer eine Strömung mit einem Spülgas (typischerweise Luft oder N») zu etablieren, das sich mit dem Lösungsmittel mischen und dieses zu einer Ausleitungsöffnung führen soll. Diese bekannten Vorrichtungen haben jedoch gewisse Defizite dahingehend, eine gleichmäßigen Konzentration des verdampften Lösungsmittels über dem Wafer herzustellen.
[0007] Aus der WO 99/56307 A ist eine Prozesskammer für ein CVD-Verfahren bekannt, wobei oberhalb der Substrat-Position ein mit Löchern versehener Verteiler für Prozessgas vorgesehen ist.
[0008] In der US 2006/0151462 A1 ist eine Backvorrichtung für ein Substrat mit Fotoresist-Lack gezeigt, bei der Stickstoff als Spülgas dem Substrat zugeführt wird.
[0009] Die KR 100763698 B1 betrifft eine Wafer-Backvorrichtung, bei der oberhalb der WaferPosition ein Kühlluft-Einlass angeordnet ist.
[0010] Der Backvorgang kann natürlich auch über einen längeren Zeitraum und/oder bei höheren Temperaturen durchgeführt werden, so dass man ihn nicht als "Vorbacken" (Softbake), sondern als "Backen" bezeichnen würde.
[0011] Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstellung einer Vorrichtung zum Backen eines Wafers, der mit einer ein Lösungsmittel enthaltenden Beschichtung beschichtet ist, wobei mit der Vorrichtung sichergestellt ist, dass das Lösungsmittel auf eine gleichmäßige und homogene Weise aus der Beschichtung verdampft wird und Probleme mit der Kondensation des Lösungsmittels vermieden werden.
[0012] Um diese Aufgabe zu lösen, stellt die Erfindung eine Backvorrichtung der oben genannten Art bereit, bei welcher der Einlass als ein über dem Wafer angeordnetes Diffusionselement ausgebildet ist, damit das Spülgas gleichmäßig über im Wesentlichen die gesamte Oberfläche des Wafers eingeleitet wird, wobei die Ausleitung als Ausleitungsring ausgebildet ist, der das Diffusionselement radial umgibt und an einer Decke der Backkammer angeordnet ist. Die Erfindung basiert auf dem Prinzip, das Spülgas in die Kammer auf derselben Seite einzuleiten, auf der es auch ausgeleitet wird, nämlich auf der Oberseite der Kammer. Es wird also eine Spülgasströmung hergestellt, die zunächst insgesamt nach unten und radial nach außen und dann nach oben zur Ausleitung hin gerichtet ist. Ein erster Vorteil dieser Spülgasströmung liegt darin, dass sie es ermöglicht, eine gleichmäßige Lösungsmittelkonzentration in der Nähe der Oberfläche des Wafers herzustellen. Ein zweiter Vorteil liegt darin, dass das mit Lösungsmittel beladene Spülgas im Abstand von den Außenwänden der Kammer ausgeleitet wird, so dass keine Gefahr des Kondensierens besteht. Außerdem ist die Lösungsmittelkonzentration an der Decke über dem Wafer minimal, da dort frisches Spülgas eingeleitet wird, wodurch dort Probleme mit dem Kondensieren des Lösungsmittels vermieden werden.
[0013] Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform hat das Diffusionselement eine große Zahl von Einlassöffnungen, die über die Oberfläche des Diffusionselements verteilt sind. Damit ist sichergestellt, dass das Spülgas auf homogene Weise in die Kammer eingeleitet wird.
[0014] Das Diffusionselement kann eine gesinterte Platte mit einer definierten Gasporosität sein. Eine solche Platte hat eine gleichmäßige Durchlässigkeit für das Spülgas, so dass eine gleichmäßige Spülgasströmung in die Kammer hergestellt werden kann.
[0015] Das Diffusionselement kann auch eine Platte sein, bei der die Einlassöffnungen durch Atzen, Laserbohren oder mechanisches Bohren gebildet wurden. Eine solche Platte kann aus Blech gebildet sein, und die Einlassöffnungen können nach einem gewünschten Muster angeordnet sein und/oder einen vordefinierten Querschnitt haben, so dass die Spülgasströmung in die Kammer auf die gewünschte Weise hergestellt werden kann.
[0016] Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform ist hinter dem Diffusionselement eine Verteilkammer vorgesehen. Die Verteilkammer bildet ein Volumen, in dem sich der Druck des durch eine Spülgasquelle zugeführten Spülgases ausgleicht, um eine homogene Spülgasströmung durch das Diffusionselement herzustellen. "Hinter" bezeichnet hier die von dem Waferträger abgewandte Seite des Diffusionselements.
[0017] Vorzugsweise ist der Ausleitungsring radial auswärts von dem Wafer angeordnet, wodurch sichergestellt ist, dass das Spülgas radial über den gesamten Wafer strömt, bevor es an der Decke der Kammer ausgeleitet wird.
[0018] Der Durchmesser des Ausleitungsrings kann ungefähr dem Durchmesser des Waferträgers entsprechen. Dies ergibt eine kompakte Bauweise.
[0019] Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform ist hinter dem Ausleitungsring ein ringförmiger Ausleitungskanal gebildet. Der Ausleitungskanal dient zur Herstellung eines niedrigen Drucks hinter dem Ausleitungsring, der auf dem gesamten Umfang des Ausleitungsrings gleichmäßig ist, wodurch sichergestellt wird, dass die Ausleitungsgeschwindigkeit des mit dem Lösungsmittel beladenen Spülgases entlang des Umfangs des Waferträgers gleichmäßig ist. "Hinter" bezeichnet hier die von dem Waferträger abgewandte Seite des Ausleitungsrings.
[0020] Vorzugsweise verbindet ein Austragsystem den Ausleitungskanal mit einer Absauganlage, wobei das Austragsystem eine Vielzahl von Austragkanälen umfasst, die an gleichmäßig verteilten Punkten mit dem Ausleitungskanal verbunden sind. Der Begriff "Austrag" bezeichnet hier ein System, welches das mit Lösungsmittel beladene Spülgas von dem Ausleitungskanal zu der Absauganlage transportiert und das Schläuche, Kanäle und ggf. eine Pumpe umfasst.
[0021] Durch die Verbindung der Absauganlage mit dem Ausleitungskanal an einer Vielzahl von Punkten ist sichergestellt, dass die maximale Länge eines Strömungswegs im Ausleitungskanal in Richtung zum nächstgelegenen Austragkanal vergleichsweise gering ist, womit verhindert wird,
dass entlang des Strömungswegs von einer bestimmten Öffnung im Ausleitungsring in Richtung zum nächstgelegenen Ausleitungskanal ein Druckgefälle entsteht.
[0022] Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ist ein zusätzlicher Spülgaseintritt in die Backkammer entlang des Umfangs des Waferträgers vorgesehen. Der zusätzliche Eintritt für Spülgas schafft einen aus Spülgas gebildeten "Vorhang" zwischen dem mit Lösungsmittel aus der Beschichtung beladenen Spülgas einerseits und den Wänden der Kammer andererseits, wodurch verhindert wird, dass Lösungsmittel an den Wänden kondensiert.
[0023] Falls das Risiko eines Kondensierens von Lösungsmittel auf einer Oberfläche der Backkammer weiter verringert werden soll, ist es möglich, ein Heizsystem für mindestens eine der Oberflächen der Backkammer bereitzustellen. Eine solche Heizung ist insbesondere zum Beheizen des Ausleitungsrings von Vorteil, da dieser Teil der höchsten Konzentration von Lösungsmittel in der Backkammer ausgesetzt ist und somit hier das höchste Risiko eines Kondensierens des Lösungsmittels besteht.
[0024] Um das Verdampfen des Lösungsmittels aus der Beschichtung zu beschleunigen, kann in den Waferträger ein Heizsystem integriert sein.
[0025] Die Erfindung wird nun anhand einer in den beigefügten Zeichnungen dargestellten Ausführungsform beschrieben. In den Zeichnungen zeigen:
[0026] Figur 1 in einem schematischen Querschnitt eine Backvorrichtung gemäß der Erfindung;
[0027] Figur 2 in einer perspektivischen, geschnittenen schematischen Ansicht die Backkammer der Backvorrichtung von Figur 1;
[0028] Figur 3 in einer schematischen Darstellung das Strömen von Spülgas und Lösungsmittel in der Backkammer der Backvorrichtung von Figur 1; und
[0029] Figur 4 in einer schematischen, perspektivischen Ansicht ein Deckenelement der Backvorrichtung von Figur 1.
[0030] Figur 1 zeigt eine Backvorrichtung 10, die einen Träger 12 für einen Wafer 14 aufweist. Der Wafer kann ein Halbleiterwafer sein und ist mit einer dünnen Beschichtung 15 versehen, die ein Lösungsmittel enthält. Zum besseren Verständnis wird die ein Lösungsmittel enthaltende Beschichtung 15 im Folgenden als Fotolack oder "Resist" bezeichnet, selbst wenn die Backvorrichtung 10 auch zum Backen anderer Beschichtungen verwendet werden kann.
[0031] Der Träger 12 ist in einer Backkammer 16 angeordnet, die durch einen Boden 18, Seitenwände 20 und eine Decke 22 begrenzt wird. Eine Heizung 24 ist in den Träger 12 integriert, So dass ein auf dem Träger 12 angeordneter Wafer gleichmäßig erwärmt werden kann.
[0032] Optional ist den Seitenwänden 20 eine zusätzliche Heizung 25 zugeordnet.
[0033] Die Backvorrichtung 10 hat allgemein den Zweck, einen Teil des im Resist enthaltenen Lösungsmittels zu verdampfen, nachdem dieser auf die Oberfläche des Wafers aufgebracht wurde. Durch Entfernen eines Teils des Lösungsmittels wird die Viskosität des Resists von Werten, die zum Aufbringen des Resists auf dem Wafer geeignet sind, auf Werte erhöht, die für die anschließende Verarbeitung bevorzugt werden.
[0034] Um einen gleichmäßigen, homogenen Zustand des Resists nach dem Backen zu erreichen, ist es wesentlich, dass die Verdampfungsgeschwindigkeit des Lösungsmittels über die gesamte Oberfläche des Wafers homogen ist. Andernfalls würden die Konzentration des Lösungsmittels im Resist und damit auch die Eigenschaften des Resists schwanken.
[0035] Das aus dem Resist 15 verdampfte Lösungsmittel wird aus der Kammer 16 mit Hilfe eines Spülgases (typischerweise Luft oder N») entfernt, das in die Backkammer 16 eingeleitet wird, sich mit dem verdampften Lösungsmittel mischt und dann aus der Kammer 16 ausgeleitet wird.
[0036] Zum Einleiten des Spülgases ist ein Einlass vorgesehen, der ein an der Decke 22 der Backkammer 16 angeordnetes Diffusionselement 30 umfasst. Im Hinblick darauf, dass Wafer 14 normalerweise scheibenförmig sind, hat das Diffusionselement 30 eine kreisrunde Form und ist
konzentrisch mit dem Träger 12 angeordnet.
[0037] Das Diffusionselement 30 hat den Zweck, das Spülgas gleichmäßig verteilt als homogenen Strom von der Decke in die Backkammer 16 einzuleiten. Dazu ist das Diffusionselement 30 als Platte ausgebildet, die mit einer großen Zahl von (in den Figuren nicht sichtbaren) Einlassöffnungen versehen ist, die jeweils einen kleinen Querschnitt haben.
[0038] Das Diffusionselement 30 kann als Blechplatte ausgebildet sein, in die die Einlassöffnungen durch Laserbohren, mechanisches Bohren oder Atzen eingebracht sind. Alternativ ist es möglich, das Diffusionselement 30 als gesinterte Platte mit einer definierten Porosität für Gas auszubilden, so dass das Spülgas durch die Hohlräume strömt, die nach dem Sintervorgang zurückbleiben.
[0039] Über dem Diffusionselement 30 (oder vom Träger aus gesehen "hinter" dem Diffusionselement) ist eine Verteilkammer 32 ausgebildet, die von einer Spülgasversorgung 34 mit dem Spülgas versorgt wird. Die Spülgasversorgung 34 leitet das Spülgas mit einem kontrollierten Druck in die Verteilkammer 32 ein, in der das Spülgas einen homogenen Druck herstellt, so dass es homogen durch das Diffusionselement 30 strömt.
[0040] Entlang des Umfangs des Waferträgers 12 ist ein zusätzlicher Eintritt 36 von Spülgas in die Backkammer 16 vorgesehen. Der zusätzliche Spülgaseintritt 36 ist zudem mit der Spülgasversorgung 34 verbunden und leitet Spülgas in Form einer ringförmigen Strömung in Richtung nach oben in die Backkammer 16 ein.
[0041] Zum Ausleiten des mit verdampftem Lösungsmittel beladenen Spülgases ist ein Ausleitungssystem vorgesehen, das einen Ausleitungsring 40 umfasst. Der Ausleitungsring 40 ist an der Decke 22 angeordnet und erstreckt sich vollständig um das Diffusionselement 30. Mit anderen Worten: der Ausleitungsring 40 ist radial auswärts von dem Diffusionselement 30 und damit konzentrisch angeordnet.
[0042] Die Heizung 25 kann zudem mit dem Ausleitungsring 40 in Verbindung stehen, um das Risiko zu beseitigen, dass dort Lösungsmittel kondensiert. Zum Beispiel kann eine elektrische Widerstandsheizung auf der Innenseite des Ausleitungsrings 40 angeordnet sein, um die Temperatur des Ausleitungsrings 40 auf ein gewünschtes Niveau anzuheben.
[0043] Wie aus Figur 1 hervorgeht, entspricht der Durchmesser des Diffusionselements 30 im Wesentlichen dem Durchmesser des (größten) Wafers 14 auf dem Träger 12.
[0044] Der Durchmesser des Ausleitungsrings 40 entspricht im Wesentlichen dem Durchmesser des Trägers 12.
[0045] Der Ausleitungsring 40 umfasst eine Vielzahl kleiner Ausleitungsöffnungen 41 (s. Figur 2 und 3), die in einen ringförmigen Ausleitungskanal 42 führen, der über dem Ausleitungsring 40 ausgebildet ist. Mit anderen Worten: der Ausleitungskanal 42 ist hinter dem Ausleitungsring 40 auf der dem Träger 12 abgewandten Seite ausgebildet.
[0046] Wie aus Figur 2 hervorgeht, kann der Ausleitungsring 40 zum Festklemmen des Diffusionselements 30 an der Decke 22 verwendet werden.
[0047] Aus dem Ausleitungskanal 42 wird das mit dem verdampften Lösungsmittel beladene Spülgas mit Hilfe einer Absauganlage ausgeleitet, die eine Vielzahl von Absaugkanälen 44 umfasst, die mit einer Austrageinheit 46 verbunden sind, die an die Absaugkanäle 44 ein leichtes Vakuum anlegt.
[0048] Mit dem Ausleitungskanal 42 soll sichergestellt werden, dass sich das durch die Austrageinheit 46 bereitgestellte partielle Vakuum gleichmäßig darin verteilt, obwohl die Absaugkanäle 44 das Spülgas an getrennten Punkten aus dem Ausleitungskanal 42 abziehen. Demzufolge muss der Querschnitt des Ausleitungskanals 42 groß genug sein, um einen Druckabfall im Ausleitungskanal zu verhindern, wenn das Spülgas darin zum nächstgelegenen Absaugkanal 44 strömt.
[0049] Ein homogener Druck im Ausleitungskanal 42 wird ferner dadurch unterstützt, dass die
Absaugkanäle 42 an einer Vielzahl von Punkten 48 (siehe Figur 4), nämlich an vier entlang des Umfangs des Ausleitungskanals gleichmäßig voneinander beabstandeten Punkten, mit dem Ausleitungskanal 42 verbunden sind. Damit wird sichergestellt, dass die längste Strecke, die das in den Ausleitungskanal 42 eintretende Spülgas strömen muss, bevor es zu den Absaugkanälen hin abgeführt wird, 45° entlang des Umfangs des Ausleitungskanals beträgt.
[0050] Es kann offensichtlich auch eine größere Zahl von Absaugkanälen 44 verwendet werden.
[0051] Wie weiter aus Figur 4 hervorgeht, die eine Draufsicht eines Deckenelements 50 zeigt, das die Decke 22 der Backkammer 16 bildet, sind der Ausleitungskanal 42 und die Absaugkanäle 44 in das Deckenelement 50 integriert, das in seiner Mitte das Diffusionselement 30 umfasst. Die Absaugkanäle 44 sind "über" dem Diffusionselement 30 auf seiner der Backkammer 16 abgewandten Seite angeordnet.
[0052] Die besondere Form der Absaugkanäle 44 dient zwei Zwecken: Auf der einen Seite soll durch die Saugwirkung der Austrageinheit 46 auf homogene Weise in den Ausleitungskanal 42 abgeführt werden. Dazu muss die Länge der Absaugkanäle zwischen den Punkten 48, wo die Absaugkanäle mit dem Ausleitungskanal 42 verbunden sind, und die Länge der Verbindung zu der Austrageinheit 46 gleich sein. Auf der anderen Seite kann sich die Verbindung zu der Austrageinheit 46 praktischerweise dort befinden, wo sie gebraucht wird, damit ein Deckenelement mit einer vorbekannten Bauweise durch ein Deckenelement 50 ersetzt werden kann, ohne dass signifikante Modifikationen am allgemeinen Layout der Backvorrichtung notwendig sind.
[0053] Die soweit beschriebene Backvorrichtung 10 wird in folgender Weise betrieben:
[0054] Ein mit einer Beschichtung aus Resist 15 versehener Wafer 14 wird in die Backkammer 16 eingeführt. Die Backkammer 16 wird geschlossen, und ein Backzeitgeber wird aktiviert. Die Heizung 24 wird normalerweise auf einem konstanten Niveau betrieben.
[0055] Außerdem wird die Spülgasversorgung 34 aktiviert, die einen Spülgasstrom in Richtung zu der Verteilkammer 32 erzeugt. Aus der Verteilkammer 32 strömt das Spülgas gleichmäßig verteilt und auf homogene Weise nach unten in die Backkammer 16 (s. die Pfeile P in Figur 1 und 3).
[0056] Ein zusätzlicher Spülgasstrom tritt über den zusätzlichen Spülgaseintritt 36 in die Backkammer 16 ein (s. die Pfeile A in Figur 1 und 3).
[0057] Infolge des Erwärmens des Wafers 14 verdampft ein Teil des im Resist 15 vorhandenen Lösungsmittels (s. die Pfeile S in Figur 1 und 3). Lösungsmittel S mischt sich mit Spülgas P und wird mit dem Spülgas zum Ausleitungsring 40 befördert (s. die Pfeile PS in Figur 1 und 3), von wo es auf homogene Weise aus der Backkammer 16 ausgeleitet wird.
[0058] Falls gewünscht, kann der Druck in der Backkammer 16 geringfügig unter Atmosphärendruck verringert werden, um die Geschwindigkeit zu erhöhen, mit der das Lösungsmittel aus dem Resist verdampft.
[0059] Allgemein gesagt wird ein Spülgasstrom hergestellt, der an der Decke 22 (d.h. an der Oberseite der Backkammer 16) beginnt, nach unten zum Wafer 14 verläuft, wo Lösungsmittel aufgenommen wird, dann radial nach außen und dann über den Ausleitungsring 40 aus der Backkammer 16 abgeführt wird.
[0060] Wenn man das Spülgas über die gesamte Oberfläche des Wafers 14 von der Decke der Backkammer 16 aus in die Backkammer 16 eintreten lässt und weiterhin das mit Lösungsmittel beladene Spülgas radial auswärts von dem Wafer 14 an der Decke 22 der Backkammer 16 ausleitet, ergibt sich eine Vielzahl von Vorteilen:
- Die Lösungsmittelkonzentration an der Decke 22 der Backkammer 16 über dem Wafer 14 ist minimal, wodurch vermieden wird, dass Lösungsmittel an einem Punkt kondensiert, von dem es als Tropfen auf den Wafer herabfallen könnte.
- Die Lösungsmittelkonzentration im Spülgas ist in einem sehr hohen Maß über die gesamte Oberfläche des Wafers 14 homogen. Dies wird durch Betrachtung eines virtuellen Volumens an
Spülgas deutlich, das beispielsweise mittig auf den Wafer 14 geleitet wird. Wenn es entlang der Oberfläche des Wafers radial nach außen wandert, wird zusätzliches Lösungsmittel aufgenommen. Gleichzeitig wird das virtuelle Volumen "ausgedehnt", wenn es radial nach außen wandert, und zusätzliches Spülgas wird aus dem Diffusionselement 30 zugefügt, womit die Lösungsmittelkonzentration auf einem konstanten Niveau gehalten wird.
- Der zusätzliche Spülgasstrom A wirkt als Sperre oder Vorhang zwischen den Seitenwänden 20 der Backkammer 16 und dem mit Lösungsmittel beladenen Spülgas, wodurch ein Kondensieren von Lösungsmittel an den Seitenwänden verhindert wird.
- Soweit das Spülgas eine Kühlwirkung auf den Wafer 14 hat, ist diese Wirkung homogen. Dies unterstützt, dass der Resist nach dem Backen einen homogenen Zustand hat.

Claims (12)

Patentansprüche
1. Backvorrichtung (10) für einen Wafer (14), der mit einer ein Lösungsmittel enthaltenden Beschichtung (15) beschichtet ist, mit einer Backkammer (16), einem Träger (12) für den Wafer (14), einem Einlass (30) für ein Spülgas und einer Ausleitung (40) für das Spülgas, das mit Lösungsmittel beladen ist, das aus der Beschichtung (15) verdampft ist, dadurch gekennzeichnet, dass der Einlass als Diffusionselement (30) ausgebildet ist, das über dem Wafer (14) angeordnet ist, um das Spülgas gleichmäßig über im Wesentlichen die gesamte Oberfläche des Wafers (14) einzuleiten, und dass die Ausleitung als Ausleitungsring (40) ausgebildet ist, der das Diffusionselement (30) radial umgibt und an einer Decke (22) der Backkammer (16) angeordnet ist.
2, Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Diffusionselement (30) eine große Zahl von Einlassöffnungen besitzt, die über seine Oberfläche verteilt sind.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei das Diffusionselement (30) eine gesinterte Platte mit einer definierten Gasporosität ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei das Diffusionselement (30) eine Platte ist, bei der die Einlassöffnungen durch Atzen, Laserbohren oder mechanisches Bohren gebildet sind.
5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Verteilkammer (32) hinter dem Diffusionselement (30) vorgesehen ist.
6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Ausleitungsring (40) radial auswärts des Wafers (14) angeordnet ist.
7. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Durchmesser des Ausleitungsrings (40) ungefähr dem Durchmesser des Waferträgers (12) entspricht.
8. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein ringförmiger Ausleitungskanal (42) hinter dem Ausleitungsring (40) gebildet ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei ein Austragsystem den Ausleitungskanal mit einer Absauganlage verbindet, wobei das Austragsystem eine Vielzahl von Austragkanälen (44) umfasst, die an gleichmäßig verteilten Punkten (48) mit dem Ausleitungskanal (42) verbunden sind.
10. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein zusätzlicher Spülgaseintritt (36) in die Backkammer (16) entlang des Umfangs des Waferträgers (12) vorgesehen ist.
11. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Heizsystem (25) für mindestens eine der Oberflächen der Backkammer (16) vorgesehen ist, insbesondere zum Beheizen des Ausleitungsrings (40).
12. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Heizsystem (24) in den Waferträger (12) integriert ist.
Hierzu 4 Blatt Zeichnungen
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180000928A (ko) * 2016-06-24 2018-01-04 세메스 주식회사 가열 처리 유닛, 이를 갖는 베이크 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
JP6872328B2 (ja) * 2016-09-06 2021-05-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 減圧乾燥装置、減圧乾燥システム、減圧乾燥方法
JP6829053B2 (ja) * 2016-11-09 2021-02-10 コマツ産機株式会社 マシンルーム
CN107362953A (zh) * 2017-09-01 2017-11-21 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 光阻烘烤设备
US11779871B2 (en) * 2018-12-21 2023-10-10 Xia Tai Xin Semiconductor (Qing Dao) Ltd. Exhaust module for wafer baking apparatus and wafer processing system having the same
CN109830451B (zh) * 2019-01-23 2021-07-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 基板干燥装置
CN113249707A (zh) * 2021-04-21 2021-08-13 拓荆科技股份有限公司 一种薄膜沉积装置和薄膜沉积方法
KR20220145984A (ko) * 2021-04-22 2022-11-01 삼성전자주식회사 베이크 장치

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5595602A (en) * 1995-08-14 1997-01-21 Motorola, Inc. Diffuser for uniform gas distribution in semiconductor processing and method for using the same
WO1999056307A1 (en) * 1998-04-28 1999-11-04 Applied Materials, Inc. Improved heater for use in substrate processing apparatus to deposit tungsten
US20050244759A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Myoung-Kuy Lee Bake apparatus for use in spin-coating equipment
US20060151462A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor wafer baking apparatus
KR100763698B1 (ko) * 2006-07-20 2007-10-04 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자 제조를 위한 베이크 유닛
US20110092075A1 (en) * 2009-10-16 2011-04-21 Kunihiko Suzuki Manufacturing apparatus and method for semiconductor device
US20130078816A1 (en) * 2011-09-27 2013-03-28 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate Processing Apparatus, Method of Manufacturing Semiconductor Device and Non-Transitory Computer-Readable Recording Medium

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3405454A (en) * 1965-12-06 1968-10-15 Arde Inc Waste management system
US4793283A (en) 1987-12-10 1988-12-27 Sarkozy Robert F Apparatus for chemical vapor deposition with clean effluent and improved product yield
US4820371A (en) 1987-12-15 1989-04-11 Texas Instruments Incorporated Apertured ring for exhausting plasma reactor gases
JPH0645335A (ja) 1992-07-24 1994-02-18 Nec Corp 半導体装置の配線修正装置
JP2909944B2 (ja) * 1992-09-28 1999-06-23 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP2586600Y2 (ja) * 1992-11-19 1998-12-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板加熱処理装置
US6248168B1 (en) 1997-12-15 2001-06-19 Tokyo Electron Limited Spin coating apparatus including aging unit and solvent replacement unit
JP2000124096A (ja) * 1998-10-16 2000-04-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 熱処理炉装置
US6143079A (en) 1998-11-19 2000-11-07 Asm America, Inc. Compact process chamber for improved process uniformity
JP2002313701A (ja) * 2001-04-16 2002-10-25 Canon Inc 加熱装置
EP1421606A4 (de) * 2001-08-06 2008-03-05 Genitech Co Ltd Geräte für die plasmaverstärkte atomische schichtablagerung (peald) und verfahren zur bildung eines dünnen leitfähigen films damit dafür
JP3764357B2 (ja) * 2001-08-23 2006-04-05 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置
US7256370B2 (en) 2002-03-15 2007-08-14 Steed Technology, Inc. Vacuum thermal annealer
JP4066255B2 (ja) * 2002-09-27 2008-03-26 東京エレクトロン株式会社 基板の処理装置及び基板の処理方法
CN101176187A (zh) 2005-04-18 2008-05-07 东京毅力科创株式会社 喷淋板及其制造方法
JP4601070B2 (ja) * 2006-01-17 2010-12-22 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US7351936B1 (en) * 2007-01-22 2008-04-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method and apparatus for preventing baking chamber exhaust line clog
JP4930495B2 (ja) * 2008-12-04 2012-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板加熱装置及び基板加熱方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5595602A (en) * 1995-08-14 1997-01-21 Motorola, Inc. Diffuser for uniform gas distribution in semiconductor processing and method for using the same
WO1999056307A1 (en) * 1998-04-28 1999-11-04 Applied Materials, Inc. Improved heater for use in substrate processing apparatus to deposit tungsten
US20050244759A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Myoung-Kuy Lee Bake apparatus for use in spin-coating equipment
US20060151462A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor wafer baking apparatus
KR100763698B1 (ko) * 2006-07-20 2007-10-04 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자 제조를 위한 베이크 유닛
US20110092075A1 (en) * 2009-10-16 2011-04-21 Kunihiko Suzuki Manufacturing apparatus and method for semiconductor device
US20130078816A1 (en) * 2011-09-27 2013-03-28 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate Processing Apparatus, Method of Manufacturing Semiconductor Device and Non-Transitory Computer-Readable Recording Medium

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