AT324429B - Verfahren und vorrichtung zum herstellen von halbleiterstäben durch thermische zersetzung einer halbleiterverbindung - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zum herstellen von halbleiterstäben durch thermische zersetzung einer halbleiterverbindung

Info

Publication number
AT324429B
AT324429B AT219572A AT219572A AT324429B AT 324429 B AT324429 B AT 324429B AT 219572 A AT219572 A AT 219572A AT 219572 A AT219572 A AT 219572A AT 324429 B AT324429 B AT 324429B
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
semiconductor
thermal decomposition
joint
rods
manufacturing semiconductor
Prior art date
Application number
AT219572A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Application granted granted Critical
Publication of AT324429B publication Critical patent/AT324429B/de

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24Deposition of silicon only
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02Silicon
    • C01B33/021Preparation
    • C01B33/027Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/035Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
AT219572A 1971-04-06 1972-03-15 Verfahren und vorrichtung zum herstellen von halbleiterstäben durch thermische zersetzung einer halbleiterverbindung AT324429B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19712116746 DE2116746C3 (de) 1971-04-06 1971-04-06 Verfahren zum Herstellen von Halbleiterstäben durch thermische Zersetzung einer Halbleiterverbindung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
AT324429B true AT324429B (de) 1975-08-25

Family

ID=5804021

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT219572A AT324429B (de) 1971-04-06 1972-03-15 Verfahren und vorrichtung zum herstellen von halbleiterstäben durch thermische zersetzung einer halbleiterverbindung

Country Status (12)

Country Link
JP (1) JPS5312358B1 (de)
AT (1) AT324429B (de)
BE (1) BE778746A (de)
CA (1) CA969839A (de)
CS (1) CS169753B2 (de)
DD (1) DD100404A5 (de)
DE (1) DE2116746C3 (de)
DK (1) DK142625C (de)
FR (1) FR2132404B1 (de)
GB (1) GB1378302A (de)
IT (1) IT950953B (de)
NL (1) NL7201633A (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2609564A1 (de) * 1976-03-08 1977-09-15 Siemens Ag Verfahren zum abscheiden von elementarem silicium aus der gasphase
DE102007041803A1 (de) * 2007-08-30 2009-03-05 Pv Silicon Forschungs Und Produktions Gmbh Verfahren zur Herstellung von polykristallinen Siliziumstäben und polykristalliner Siliziumstab
CN101224888B (zh) * 2007-10-23 2010-05-19 四川永祥多晶硅有限公司 多晶硅氢还原炉的硅芯棒加热启动方法
DE102009010086B4 (de) * 2009-01-29 2013-04-11 Centrotherm Sitec Gmbh Anordnung und Verfahren zur Messung der Temperatur und des Dickenwachstums von Siliziumstäben in einem Silizium-Abscheidereaktor
US20120322175A1 (en) * 2011-06-14 2012-12-20 Memc Electronic Materials Spa Methods and Systems For Controlling SiIicon Rod Temperature

Also Published As

Publication number Publication date
PL73356B1 (de) 1974-08-30
DK142625C (da) 1981-08-03
BE778746A (fr) 1972-05-16
JPS5312358B1 (de) 1978-04-28
DE2116746C3 (de) 1978-12-07
CA969839A (en) 1975-06-24
FR2132404A1 (de) 1972-11-17
DE2116746A1 (de) 1972-10-19
CS169753B2 (de) 1976-07-29
IT950953B (it) 1973-06-20
DE2116746B2 (de) 1978-04-13
FR2132404B1 (de) 1974-08-02
GB1378302A (en) 1974-12-27
NL7201633A (de) 1972-10-10
DD100404A5 (de) 1973-09-20
DK142625B (da) 1980-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AT330565B (de) Verfahren und vorrichtung zum beschichten einer materialbahn
AT349748B (de) Verfahren und vorrichtung zum anformen einer muffe
CH520525A (de) Verfahren und Vorrichtung zum Austausch von Materie zwischen einem Trägergas und einer Substratfläche
CH541989A (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Einkristallstäben aus halbleitenden Verbindungen
AT348478B (de) Verfahren und vorrichtung zum kompressiven laengsschrumpfen einer warenbahn
AT339055B (de) Verfahren und einrichtung zum thermischen umwandeln von stoffgemischen
CH546711A (de) Verfahren und vorrichtung zum herstellen von gemustertem glas.
CH546379A (de) Verfahren zum zersetzen durch erhitzen eines materials.
AT329948B (de) Verfahren und vorrichtung zum herstellen von geschweissten rohren verschiedener dimensionen
CH544592A (de) Verfahren zum gleichzeitigen Ziehen einer Anzahl von Drähten und Vorrichtung zur Ausführung des Verfahrens
AT323664B (de) Verfahren und vorrichtung zum behandeln einer biologisch abbaubare abfallstoffe enthaltenden flüssigkeit
AT324429B (de) Verfahren und vorrichtung zum herstellen von halbleiterstäben durch thermische zersetzung einer halbleiterverbindung
CH420072A (de) Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Halbleiterstäben
CH526848A (de) Verfahren zum Herstellen einer Spule
CH540045A (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Tampons
CH417019A (de) Verfahren und Einrichtung zum kontinuierlichen Herstellen einer zickzackförmigen Fachwerksausfachung
CH516476A (de) Verfahren zum Herstellen eines Kristalls einer Halbleiterverbindung
AT322948B (de) Verfahren zum herstellen von schienen
CH536128A (de) Verfahren und Vorrichtung zum Entwässern eines Granulat-Wasser-Gemischs
AT258090B (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer Schweißverbindung
ATA893072A (de) Verfahren zum sterilisieren von gasen
AT315081B (de) Verfahren zum Bilden einer Trägerpackung und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
AT339034B (de) Verfahren und vorrichtung zum herstellen eines biegsamen rohres
AT302774B (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Einnahtformrohren
AT304230B (de) Verfahren und Einrichtung zum Herstellen einer Schweißverbindung

Legal Events

Date Code Title Description
ELJ Ceased due to non-payment of the annual fee