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Die Erfindung betrifft ein regelbares, spulenloses Doppel-T-Netzwerk, bestehend aus der Parallelschaltung eines Hochpasses mit kapazitiven Widerständen in den Längszweigen und einem ohm'schen Widerstand im Querzweig und eines Tiefpasses mit ohm'schen Widerständen in den Längszweigen und einem kapazitiven Widerstand im Querzweig. Derartige Anordnungen werden in Filter- und Oszillatorschaltungen verwendet.
Zur Erreichung ausreichender Werte der fiktiven Kreisgüte werden bei bekannten Ausführungsformen alle Blindwiderstände verändert, um eine Änderung der Durchlass- und Sperrbereiche zu erzielen. Dies bringt Schwierigkeiten bei einer elektronischen Beeinflussung, da auch Elemente beeinflusst werden müssen, die an keinem festen Potential, also Bezugspotential, liegen.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein regelbares, spulenloses Doppel-T-Netzwerk anzugeben, das diesen Nachteil vermeidet.
Erfindungsgemäss wird dies dadurch erreicht, dass zur Veränderung der Durchlass- und Sperrbereiche nur die beiden in den Querzweigen befindlichen Widerstände veränderbar sind.
Da die Querzweige mit einem Ende an Masse liegen, bestehen hier keine Schwierigkeiten bei einer elektronischen Beeinflussung mit wirtschaftlichem Aufwand.
Eine erfindungsgemässe Ausgestaltung ist dadurch gekennzeichnet, dass zur Änderung der Widerstandswerte in den Querzweigen durch Steuerspannungen gesteuerte Halbleiterelemente vorgesehen sind. Dabei kann vorgesehen sein, dass die durch Steuerspannungen gesteuerten Halbleiterelemente von Gleichspannungen gesteuerte symmetrische Transistoren oder Feldeffekt-Transistoren sind oder dass die durch Steuerspannungen gesteuerten Halbleiterelemente Feldeffekt-Transistoren mit zwei Steuerelektroden sind, die jeweils an einer Steuerelektrode durch Gleichspannung und an der zweiten Steuerelektrode durch eine von der Senkenelektrode des andern Feldeffekt-Transistors abgenommene Spannung direkt oder über einen Spannungsteiler gesteuert sind.
Die Erfindung wird nun an Hand der Zeichnungen näher erläutert. Fig. l zeigt den Aufbau eines spulenlosen Doppel-T-Filters bekannter Art mit drei veränderbaren Kondensatoren, Fig. 2 ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemässen regelbaren Filters mit Feldeffekt-Transistoren, Fig. 3 ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemässen Filters mit Feldeffekt-Transistoren mit zwei Steuerelektroden.
Das in Fig. l dargestellte Doppel-T-Netzwerk wird durch die Parallelschaltung eines Hochpasses und eines Tiefpasses gebildet. Der Hochpass besteht aus den regelbaren Kondensatoren --Cl'und C2'-- in den Längszweigen und dem ohm'schen Widerstand-R3'-im Querzweig. Der Tiefpass besteht aus den ohm'schen Widerständen --RI'und R2'-- in den Längszweigen und dem regelbaren Kondensator --C3'-- im Querzweig. Die Durchlass- und Sperrbereiche dieses Doppel-T-Netzwerkes können durch Veränderung aller drei Kondensatoren verändert werden.
Bei dem Beispiel eines erfindungsgemässen Filters nach Fig. 2 sind die Durchlass- und Sperrbereiche durch Änderung der Widerstandwerte der Querzweige veränderbar. Auch dieses Netzwerk besteht aus der Parallelschaltung eines Hochpasses und eines Tiefpasses. Der Hochpass hat nichtregelbare Kondensatoren-Cl und Cain seinen Längszweigen, während im Querzweig ohm'sche Widerstände--R3, R4 und R5-und ein
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Querzweiges variabel. Der Tiefpass besteht aus zwei ohm'schen Widerständen-Rl und Rain den Längszweigen und einer Anordnung aus zwei Kondensatoren--C3 und C4--, einem ohm'schen Widerstand - und einem Feldeffekt-Transistor-Tr2-im Querzweig.
Durch Änderung der Steuerspannung --Stc-- am Feldeffekt-Transistor--Tr2--wird der Strom durch --C3-- verändert, was wieder die Wirkung eines veränderlichen kapazitiven Widerstandes im Querzweig hat.
Bei dem Ausführungsbeispiel der Erfindung nach Fig. 3 sind in den Querzweigen an Stelle der Feldeffekt-Transistoren--Trl und Tr2--in Fig. 2 Feldeffekt-Transistoren mit zwei Steuerelektroden-HT1 und HT2-- angeordnet. Je ein Steuereingang der Feldeffekt-Transistoren mit zwei Steuerelektroden liegt wieder an den Steuerspannungen-Stc'bzw. StR'--. Der jeweils andere Steuereingang ist über einen komplexen Widerstand-Zl bzw. Zaan den Fusspunkt der T-Schaltung angeschlossen und ausserdem über einen weiteren komplexen Widerstand-Z3 bzw. Z4--mit der Senkenelektrode des jeweils andern Feldeffekt-Transistors mit zwei Steuerelektroden verbunden.
Bei diesen Schaltungen gemäss der Erfindung kann durch Anlegen entsprechender Steuerspannungen die Änderung von Sperr- und Durchlassbereichen in beliebigem zeitlichem Ablauf geschehen. Dabei werden gute fiktive Güten erreicht, so dass ausreichende Stabilitäten in Filter- und Oszillatorschaltungen bei mässiger Änderung der Kenn-Impedanzen erhalten werden.
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