AT233065B - Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von HalbleiteranordnungenInfo
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Description
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Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
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Die Heizwicklung 2a des Ofens 2 ist etwa in der Mitte des Ofens angeordnet. Dies hat zur Folge, dass innerhalb des Heizrohres des Ofens ein Temperaturprofil auftritt, wie es neben dem Ofen 2 dargestellt ist (Temperatur T in Abhängigkeit von der Ofenlänge 1). In der Mitte befindet sich ein Bereich mit etwa ziemlich gleichmässiger Temperatur, während die Temperatur nach oben und unten etwa linear abfällt. Das Quarzrohr 3 wird nach dem Einbringen der Halbleiterkörper 4 und des Reaktionsgases etwa in der Mitte zugeschmolzen. Das Quarzrohr 3 wird dann in dem Ofen so angeordnet, dass die Abschmelzstelle 3a in dem Bereich der gleichmässigen Temperatur liegt. Die Halbleiterscheiben 4 liegen im Bereich des unteren Wärmegefälles, so dass eine Wärmebewegung des Reaktionsgases praktisch vollkommen ausgeschlossen ist.
BeidenHalbleiterkörpern kann es sich beispielsweise um Siliciumscheiben abwechselnden Leitfähigkeitstyps handeln. Der Innenraum des Quarzrohres wird in diesem Falle zweckmässigerweise mit einer Mischung von Siliciumtetrachlorid und Wasserstoff im Verhältnis 1 : 10 gefüllt. Das Wärmegefälle vom oberen zum unteren Ende des Halbleiterstapels beträgt beispielsweise 50 C. Zum Beispiel kann das obere Ende des Halbleiterstapels sich auf einer Temperatur von 11900C befinden, während das untere Ende eine Temperatur von 11400C aufweist. Nach einer Wärmebehandlung von etwa 30 min Dauer wird durch Herausziehen des Quarzrohres 3 aus dem Ofen 2 ein Einfrieren des erhaltenen Zustandes bewirkt.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH : Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit einem einkristallinen Halbleiterkörper und mehreren Schichten unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps oder unterschiedlicher Dotierungskonzentration durch einkristalline Abscheidung von Halbleitermaterial aus gasförmigen Halogeniden dieses Halbleitermaterials auf einem Trägerkörper aus Halbleitermaterial gleicher Gitterstruktur unter Erwärmung des Trägerkörpers, wobei gemäss Patent Nr.229373 in einem verschliessbaren Gefäss Halbleiterscheiben unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps oder unterschiedlicher Dotierungskonzentration abwechselnd aufeinander gestapelt werden und bei Anwesenheit eines mit dem Halbleitermaterial gasförmige Verbindungen bildenden Reaktionsmittels ein Wärmegefälle von einem zum andern Ende des Stapels erzeugt wird, dadurch gekennzeichnet, dass der Stapel lotrecht angeordnet und ein von oben nach unten gerichtetes Wärmegefälle erzeugt wird.
Applications Claiming Priority (2)
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- 1963-02-14 AT AT115863A patent/AT233065B/de active
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