AT219655B - Anordnung zur rauscharmen Verstärkung kurzer und sehr kurzer elektromagnetischer Wellen unter Verwendung eines Reaktanzmodulators - Google Patents

Anordnung zur rauscharmen Verstärkung kurzer und sehr kurzer elektromagnetischer Wellen unter Verwendung eines Reaktanzmodulators

Info

Publication number
AT219655B
AT219655B AT430960A AT430960A AT219655B AT 219655 B AT219655 B AT 219655B AT 430960 A AT430960 A AT 430960A AT 430960 A AT430960 A AT 430960A AT 219655 B AT219655 B AT 219655B
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
frequency
modulator
reactance
short
arrangement
Prior art date
Application number
AT430960A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Application granted granted Critical
Publication of AT219655B publication Critical patent/AT219655B/de

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Anordnung zur rauscharmen Verstärkung kurzer und sehr kurzer elektromagnetischer Wellen unter Verwendung eines
Reaktanzmodulators 
Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung zur rauscharmen Verstärkung kurzer und sehr kurzer elektromagnetischer Wellen unter Verwendung eines Reaktanzmodulators, dem sowohl die Energie eines
Eingangssignals als auch die Energie eines Pumposzillators zugeführt wird. 



   Verstärker der vorbezeichneten Art, die beispielsweise durch die Zeitschrift Proceedings of the IRE,
Juni 1958,   S. 3. 301-1303 vorbekannt   sind, bestehen aus einem Modulator mit einer nichtlinearen Reaktanz, beispielsweise einer nichtlinearen Kapazität, der die zu verstärkenden Wellen und eine Überlagerungs- schwingung höherer Frequenz zugeführt werden. Infolge der nichtlinearen Eigenschaften der Reaktanz- die z. B. aus einer im Sperrgebiet betriebenen, als Kapazität wirkenden Kristalldiode besteht-entstehen hiebei oberhalb und unterhalb der Überlagerungsfrequenz gelegene Seitenbänder.

   In der Schaltung wird ein derartiger Reaktanzmodulator bisher in der Weise verwendet, dass dem Eingang des Reaktanzmodulators die zu verstärkenden Schwingungen   zugefuhrt werden,   dass der Modulator ausserdem die Energie eines
Pumposzillators erhält und dass an dem Ausgang ein sogenannter Idlerkreis angeschaltet wird. Im Eingang des Reaktanzmodulators entsteht dann ein negativer Widerstand, der auch so aufgefasst werden kann, dass aus dem Reaktanzmodulatoreingang eine verstärkte Welle entnehmbar ist. In der Praxis wird diese verstärkte Welle von der zugeführten Signalwelle in der Weise getrennt, dass an dem Eingang des Reaktanzmodulators eine Richtungsgabel angeschaltet wird.

   Eine andere Schaltungsanordnung mit einem Reaktanzmodulator arbeitet in der Weise, dass dem Eingang des Reaktanzmodulators die zu verstärkende Signalspannung zugeführt wird und der Modulator in üblicher Weise die Energie eines Pumposzillators erhält. Dem Ausgang des Pumposzillators wird dann das untere Seitenband, entsprechend der Differenzfrequenz aus der Pumpfrequenz und der Eingangssignalfrequenz, verstärkt entnommen. Weitere Kreise sind bei dieser Schaltungsart nicht vorgesehen. Nachteilig bei diesen beiden grundsätzlichen Schaltungsarten ist, dass die Frequenz des Pumposzillators über der Frequenz der Eingangssignalschwingung liegen muss. Um diesem Nachteil zu begegnen, hat man an sich in der Weise geholfen, dass man mit Anordnungen gearbeitet hat, deren Ladungskennlinie möglichst kubischen Verlauf hat.

   Wenn einem Reaktanzmodulator mit einer derartigen Ladungskennlinie von einem Oszillator unterhalb der Eingangssignalfrequenz gelegene Schwingungen zugeführt werden, so ist erreichbar, dass die Harmonischen dieser Oszillatorschwingung über der Eingangssignalfrequenz liegen und als Pumpfrequenz dienen können. Die Pumpfrequenz kann auch als Summe zweier Oszillatorfrequenzen gebildet werden. Dies wurde bisher in der Weise realisiert, dass dem Reaktanzmodulator zwei Oszillatorschwingungen zugeführt werden, aus denen sich dann im Reaktanzmodulator die Summenfrequenz bildet.

   Die Verwendung der Schaltungsanordnung geschah dabei in der Weise, dass dem Eingang des Reaktanzmodulators die Eingangssignalschwingung zugeführt und an dem Ausgang des Modulators ein auf die Differenz aus der Summenfrequenz der beiden Oszillatoren und der Eingangssignalfrequenz abgestimmter Idlerkreis angeschaltet wurde. Die gesamte Anordnung arbeitet demnach so wie der vorerwähnte Verstärker auf der   BasisnegativenEingangswiderstandes.   Nachteilig an dieser bekannten Anordnung ist, dass die kubische Ladungskennlinie des Reaktanzmodulators unerlässlich ist. 

 <Desc/Clms Page number 2> 

 



   Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, einen Weg zu weisen, auf dem es möglich Ist, vor allem diesen Schwierigkeiten in einfacher Weise zu begegnen. 



   Diese Aufgabe wird gemäss der Erfindung ausgehend von einer Anordnung zur rauscharmen   Verstar-   kung kurzer und sehr kurzer elektromagnetischer Wellen unter Verwendung eines Reaktanzmodulators, dem sowohl die Energie eines Eingangssignals als auch die Energie eines Pumposzillators zugeführt wird, in der Weise gelöst, dass die Frequenz des Pumposzillators niedriger als die des Eingangssignals gewählt ist, und dass an den Reaktanzmodulator ausser dem Kreis für das Eingangssignal und dem Kreis für die
Pumpfrequenz getrennte Stromkreise für das untere Seitenband und die Spiegelwelle die dem Wirksam- machen eines ohmschen Verbrauchers bei diesen Frequenzen dienen, angeschaltet sind. 



   Für die Anwendung der Anordnung nach der Erfindung bestehen zwei Möglichkeiten, nämlich einer- seits, dass der Reaktanzmodulator mit einem Ausgang versehen ist, der das untere Seitenband als Nutz- schwingung zugänglich macht und eine hievon getrennte Beeinflussung der Spiegelwelle durch einen ohmschen Verbraucher   ermöglicht ; anderseits   dass der Ausgang des Reaktanzmodulators mit einem Ab- schluss für das untere Seitenband versehen ist, und dass der Eingang des Reaktanzmodulators für die Signal- schwingungen als Ausgang für die verstärkten Signalschwingungen vorgesehen ist. Bei der letzten Anord- nung wird eine Trennung der dem Reaktanzmodulator zugeführten Signalschwingungen und der in diesem verstärkten Signalschwingungen zweckmässig mittels einer Richtungsgabel vorgenommen.

   Ausserdem empfiehlt es sich, dass der Ausgang des Reaktanzmodulators hinsichtlich des Wirkleitwertes des Verbrau- chers für das untere Seitenband und für die Spiegelwelle unabhängig einstellbar ist. Vorteilhaft ist es ausserdem, die Wirkkomponente der an den Ausgang des Reaktanzmodulators angeschalteten Ausgangs- impedanz derart zu wählen, dass bei einer vorgegebenen Bandbreite die Verstärkung ihren maximalen
Wert hat. Für die Abtrennung vorzugsweise der Spiegelwelle haben sich eine Weichenanordnung oder eine
Brückenanordnung als zweckmässig erwiesen.

   Vorteilhaft kann zur Abtrennung, vorzugsweise der Spiegel- welle auch   die Abschlussimpedanz   mit der für eine weitere der Wellen vorzusehenden gemeinsam sein und an den Ausgang des Reaktanzmodulators unter Zwischenschaltung eines für eine dieser Wellen frequenz- selektiven Transformationsgliedes angeschaltet sein. Für die Ladungskennlinie des Reaktanzmodulators ist bei allen diesen Anordnungen vorauszusetzen, dass der Arbeitsbereich wenigstens näherungsweise quadra- tischen Verlauf hat. 



   Nachstehend wird die Erfindung an Hand von Ausführungsbeispielen näher erläutert, die in zum Teil wesentlichen Einzelheiten in der Zeichnung wiedergegeben sind. 



   In Fig. 1 ist das der Diskussion des Erfindungsgegenstandes zugrunde gelegte Ersatzschaltbild eines parametrischen Verstärkers mit einer nichtlinearen Kapazität als nichtlineare Reaktanz dargestellt. Hier- in bedeuten Co und Cv die durch die nichtlineare Kapazität gebildeten elektrischen Grössen. Dabei ist. eine Unterscheidung in der Weise vorgenommen, dass Co die mittlere Kapazität und Cv die durch die
Wechselspannungen hervorgerufene Änderung der mittleren Kapazität ist. In dem die Kapazitätskennlinie beschreibenden Polynom entspricht somit Co dem konstanten   Anfangsglied, während Cv   durch das quadra- tische Glied dieses Polynoms bestimmt ist. Der Deutlichkeit halber ist in dem Ersatzschaltbild die nicht- lineare Reaktanz durch einen gestrichelt eingezeichneten Rahmen hervorgehoben.

   An diese nichtlineare
Reaktanz sind vier Zweige parallel angeschaltet. Die einzelnen Zweige sind mit 0, 1, 2 und 3 bezeichnet. Der Zweig 0 dient der Zuführung der Energie des Pumposzillators mit der Frequenz fo, der aus dem Ge- neratorleitwert Go und der Stromquelle Jo besteht. Der Zweig 1 dient der Zuführung der Energie der Si- gnalquelle mit der Frequenz   f1.   Die Signalquelle besteht aus dem Generatorleitwert Gl und der Signal- stromquelle Ji. Lo, Co und Ll, Cl sind die Eingangskreise für die Oszillatorfrequenz und für die dem Eingang zugeführte Signalfrequenz in den jeweiligen Zweigen.

   Der Zweig 2 stellt die dem unteren Seitenband   (fz   =   f1 - fo)   sich   anbietende Ausgangsimpedanz des Reaktanzmodulators dar, während   der Zweig 3 die der Spiegelwelle   (fg   =   fo'fz) sich darbietende   Ausgangsimpedanz ist. Jeder dieser Zweige umfasst einen der Herausfilterung von Blindkomponenten dienenden Kreis L, C und einen Wirkleitwert G, die im Ersatzschaltbild mit dem jeweiligen Index des Zweiges versehen sind. Den weiteren Betrachtungen wird zugrunde gelegt, dass in der Gesamtanordnung Mittel vorgesehen sind, die sicherstellen, dass in jedem der Zweige nur solche Energie vorhanden ist, die die für diesen Zweig vorgesehene Frequenz hat. Mit andern Worten bedeutet dies, dass keiner der Zweige die jeweiligen drei andern Zweige stört. 



   Das Verhalten einer derartigen Anordnung lässt sich wie folgt beschreiben. Der Wirkleitwert   Ga   im Zweig 3 hat zur Folge, dass an den Eingangsklemmen I des parametrischen Verstärkers eine Eingangsimpedanz erscheint, zu der G3 einen negativen Wirkleitwert als Anteil beisteuert. Durch Wahl von G2 und Gs lässt sich an den Anschlussklemmen I des parametrischen Verstärkers ein beliebiger positiver oder negativer Wirkleitwert als Eingangsleitwert erzwingen. Die Verstärkung der im Ersatzschaltbild beschrie- 

 <Desc/Clms Page number 3> 

 benen Anordnung lässt sich wie folgt beeinflussen, wenn das Ersatzschaltbild nach Fig. 3 zugrundegelegt wird, in der mit G1', G2', G3' die Eingangsimpedanzen des parametrischen Verstärkers von de jeweili- gen Anschlüssen aus betrachtet, bezeichnet sind.

   Dieses Ersatzschaltbild   Ist   insofern vereinfacht, als der
Zweig 0 für die Zuführung der Energie des Oszillators ausser Betracht geblieben ist, und dass nur die Wirkleitwerte der jeweiligen Eingangsimpedanzen in Betracht gezogen sind. Es lassen sich folgende Beziehun- gen zwischen den einzelnen Wirkleitwerten feststellen : 
 EMI3.1 
 Cv ist dabei die vorerwähnte Konstante der quadratischen Ladungskennlinie. Bezeichnet man mit   VUt   die Leistungsverstärkung vom Signaleingang 1 nach dem Ausgang   2,   so gilt 
 EMI3.2 
 
Wie aus der Gleichung für   Gui',     1   ersichtlich, lässt sich der Eingangsleitwert durch Wahl von mis und somit durch Wahl von   G ;   bzw. Gs einem vorgegebenen Wert entsprechend positiv oder negativ einstellen. 



  Das Verhalten der Gesamtanordnung bei Zuführung des Eingangssignals zu den Anschlussklemmen   l   und Entnahme der Nutzschwingung im Zweig   2.   das durch die Gleichung für   Vn   beschrieben ist, ist im Schaubild der Fig. 3 wiedergegeben. Setzt man Gs entsprechend dem bekannten Fall gleich Unendlich (Kurzschluss), so wird die Verstärkung des parametrischen Verstärkers gleich dem Verhältnis von f2 zu f1, u. zw. bei Anpassung. Bei Fehlanpassung wird die Verstärkung geringer. Sobald jedoch für Gs ein reeller endlicher Wert vorgesehen wird, wird die Verstärkung grösser als dem reinen Frequenzverhältnis von      zu   f1   entspricht.

   Allgemein lässt sich aus den Gleichungen die Regel ableiten, dass die Verstärkung umso grö- sser ist, je mehr   G :   am Energieverbrauch beteiligt wird. Für ein gegebenes reelles G3 wird die Verstärkung weiterhin umso grösser, je niedriger   G :   gewählt wird. Man hat es demnach durch entsprechende Wahl von G2 und Gs auch in der Hand, einen vorgegebenen Verstärkungswert zu realisieren,   u. zw.   im stabilen Zustand.

   Die Stabilitätsbedingung für einen derartigen Verstärker lautet,   me.   2- m23 muss grösser   als-l sein.   Im Schaubild nach Fig. 3 ist auf der Abszisse die Grösse   mund   auf der Ordinate die Grösse 
 EMI3.3 
 dem Schaubild entspricht dem bekannten Fall, dass Gs = Unendlich sein soll und somit die Verstärkung nur von dem Verhältnis f2 zu fi abhängt. 



   Für den Fall der Verstärkung auf der Basis eines negativen Widerstands, bei dem der Eingang für die zu verstärkende Signalspannung zugleich den Ausgang für die verstärkte Signalspannung bildet, ergibt sich für die Leistungsverstärkung   Vudes   zu verstärkenden Signals die Gleichung 
 EMI3.4 
 
Die Stabilitätsbedingung ist in diesem Fall die gleiche wie im vorerwähnten. Das durch diese Gleichung beschriebene Verhalten des parametrischen   Verstärkers in dieser Schaltungsweise ist 1m   Schaubild der Fig. 4 wiedergegeben. Auf der Abszisse ist die Grösse   m12   und auf der Ordinate die Grösse Vu aufgetragen. Als Parameter dient in diesem Falle die Grösse m2s.

   Eine Verstärkung wird in diesem Fall erzielt, wenn die Grösse mas grösser als   mi : und   kleiner als m12   + l gewählt   ist. 



   Nachstehend soll noch gezeigt werden, wie z. B. in der Praxis die Trennung der Frequenzen durchgeführt werden kann. Dabei ist zu beachten, dass   fl, f.   und   f ; nicht   nur einzelne Frequenzen sein sollen, sondern wegen der endlichen Bandbreite des Signals mit der Frequenz   f1   auch die Signale mit den Frequenzen   f   und fs endliche Bandbreite haben. 



   Beim Abwärtsumsetzer wird in der Regel die Frequenz des unteren Seitenbandes relativ niedrig liegen, während die Spiegelwelle frequenzmässig in der Grössenordnung des Oszillators bzw. der Eingangssi- 

 <Desc/Clms Page number 4> 

 gnalwelle liegt. In diesem Falle ist eine besondere Schwierigkeit gegeben hinsichtlich der Abtrennung der Spiegelwelle vom Eingangssignal bzw. dem Oszillator. 



   Für den nachfolgenden Fall ist angenommen, dass der Oszillator   sehr frequenzselektivin den Reak-   tanzmodulator eingekoppelt ist und schon aus diesem Grunde ausser Betracht bleiben kann und dass die
Hauptschwierigkeit in der Abtrennung der Spiegelwelle von der Eingangssignalwelle liegt. Bei dem in
Fig. 5 hiezu gezeigten Ausführungsbeispiel dient zur Trennung der Eingangssignalwelle und der Spiegel- welle ein frequenzselektives Transformationsglied. Die Anordnung ist in der Weise ausgestaltet, dass in einem Hohlleiter l beispielsweise rechteckförmigen Querschnittes zwischen gegenüberliegende Wan- dungsteile eine als-nichtlineare Kapazität dienende Kristalldiode 2 im elektrischen Abstand von einem
Viertel der   Hohlleiterwellenlänge   von der Kurzschlussstelle aus gerechnet eingeschaltet ist.

   Die Kristall- diode ist mit zwei Zuführungen in Form von Koaxialleitungen (3,4) versehen, die nach Art einer Serien- einspeisung einerseits die Zuführung der Oszillatorfrequenz fo und die Entnahme des unteren Seitenbandes mit der Mittenfrequenz f2 ermöglichen. In Verlängerung des offenen Endes der Hohlleitung 1 ist ein
Transformationsglied 5 eingeschaltet, an das sich ein Bandfilter 6 anschliesst, das für die Eingangssignal- frequenz   f1   durchlässig ist, jedoch die Spiegelwelle mit der Frequenz fa sperrt.

   Das frequenzselektive Transformationsglied 5 ist nun hinsichtlich seiner elektrischen   Länge,   seiner Querschnittsabmessung und seines Wellenwiderstandes derart bemessen, dass es die bei der Spiegelwelle auftretende Eingangsimpedanz des Bandfilters 6 in einen vorgegebenen Wirkleitwert in der Querschnittsebene der Kristalldiode 2 transformiert, während für die Eingangssignalwelle Anpassung gegeben ist. 



   Der Fall, dass der parametrische Verstärker ähnlich einem negativen Widerstand zur Verstärkung ausgenutzt wird, ist in Fig. 6 an einem Beispiel erläutert. Für die Frequenzwahl ist dabei angenommen, dass die Eingangssignalfrequenz fi und die Frequenz fo des Pumposzillators derart   zueinander gewählt sind,   dass die Spiegelwelle   fg   relativ eng benachbart zu dem unteren Seitenband f2 ist. Die Eingangssignalfrequenz   f 1   wird einem Zirkulator 7 eingespeist, an dessen ersten Ausgang eine Hohlleitung 8 angeschaltet ist, deren Grenzwellenlänge nur die Übertragung der Eingangssignalwelle   f1   erlaubt. Diese Hohlleitung 8 ist mit einer Koppelsonde versehen, die in eine Koaxialleitung 9 überführt.

   Die elektrische Länge   l   dieser Koaxialleitung 9 ist derart gross gewählt, dass der Leerlauf an der Stelle der Kopplungssonde für die Frequenzen f2 und   fg   als Kurzschluss an der Anschaltungsstelle eines Stichleitungsfilters 10 erscheint. Dieses Stichleitungsfilter bewirkt, dass sich über die Koaxialleitung 9 hinaus in die Hohlleitung 8 keine Energie des Pumposzillators mit der Frequenz   f,   ausbreiten kann. In Fortsetzung der Koaxialleitung 9 ist ein weiterer Koaxialleitungsabschnitt 11 vorgesehen, der die nichtlineare Reaktanz 12, beispielsweise eine Kristalldiode in Reihenschaltung mit dem Innenleiter der Koaxialleitung 11 enthält.

   An dem Resonanzkreis 10 abgewandten Ende der Koaxialleitung 11 ist ein weiterer Koaxialleitungsresonator 13 angeschaltet, der in seiner elektrischen Länge derart bemessen ist, dass an seiner Anschaltungsstelle ein Kurzschluss zwischen dem Innenleiter und dem Aussenleiter der Koaxialleitung 11 für die Eingangssignalfrequenz   f1   gebildet wird. Von der Anschaltungsstelle dieses Kreises 13 aus ist eine Verzweigung vorgesehen, die einerseits über eine Koaxialleitung 14 und eine Koppelsonde 15 in eine der Zuführung der Oszillatorschwingung mit der Frequenz fo dienende Hohlleitung übergeht. Diese Koaxialleitung 14 hat eine elektrische Länge von einer halben Wellenlänge für eine zwischen den Frequenzen   f2   und   und   gelegene Frequenz.

   Von der Verzweigungsstelle geht weiterhin eine Koaxialleitung 17 zu der Trennung von f2 und fa. Zusätzlich ist eine Sperre für die Oszillatorfrequenz fo vorgesehen, die aus einer Resonanzverdrosselung 16 für die Oszillatorfrequenz fo besteht. Die Koaxialleitung 17 läuft zum Abzweigungspunkt für die Frequenz   fg. Am Abzweigpunkt   ist eine Koaxialleitung 18 parallel angeschaltet, über die die Energie des unteren Seitenbandes mit der Mittenfrequenz   f :   entnommen werden kann.

   In diese Koaxialleitung 18 ist ein Stichleitungsfilter 19 eingeschaltet, das sich in einer elektrischen Entfernung von einem Viertel der 
 EMI4.1 
 
StichleituI1gs-filter 19 erzeugt an seiner Anschaltungsstelle in der Koaxialleitung 18 einen Kurzschluss für die Frequenz   fg   und damit einen Leerlauf an die Anschaltungsstelle der Koaxialleitung 18 an die Koaxialleitung 17. Es ist somit erreicht, durch Absorber oder weitere Filter die einzelnen Energieanteile gesondert in der vorerwähnten Weise behandeln zu können. 



   Beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 6 kann die Koaxialleitung 17 auch mit einem gemeinsamen Abschluss für die Frequenzen f2 und   fg   versehen werden. In diesem Fall empfiehlt es sich, die Leitung 17 so in der elektrischen Länge und im Wellenwiderstand zu bemessen und auszubilden, dass die gesamte Anordnung in dieser Richtung breitbandig ist. Das ist gleichbedeutend dem Fall, dass   G   und   Gs   in den vorhergehenden Gleichungen gleich gross sind.

   In diesem Fall ist dann zwischen den Ausgang des Zirkulators 7, an dendie Hohlleitung 8 angeschaltet ist, und die nichtlineare Reaktanz 12 ein Transformationsvierpol 

 <Desc/Clms Page number 5> 

 einzuschalten, der die vom Zirkulator angebotene Eingangsimpedanz   Gi   für die Eingangssignalfrequenz   fl   derart transformiert, dass sich die geforderte Verstärkung ergibt. Die Beziehungen für die Wahl dieser Reaktanz lassen sich aus den vorstehenden Gleichungen ersehen. In der Praxis ist es zweckmässig, dieses Transformationsglied unmittelbar in der Hohlleitung 8vorzusehen, weil es in den Koaxialleitungen 9 bzw. 11 die Transformationsbedingungen für die übrigen Wellen stören könnte. Ähnliche Verhältnisse lassen sich auch mit Brückenanordnungen herstellen. 



    PATENTANSPRÜCHE :    
1. Anordnung zur rauscharmen Verstärkung kurzer und sehr kurzer elektromagnetischer Wellen unter Verwendung eines Reaktanzmodulators, dem sowohl die Energie eines Eingangssignals als auch die Energie eines Pumposzillators zugeführt wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Frequenz (fo) des Pumposzil- 
 EMI5.1 
 machen eines ohmschen Verbrauchers (G2, G3) bei diesen Frequenzen dienen, angeschaltet sind (Fig. 1).

Claims (1)

  1. 2. Anordnung nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, dass der Reaktanzmodulator (Cv) mit einem Ausgang versehen ist, der das untere Seitenband (f ;) als Nutzschwingung zugänglich macht und eine hie- EMI5.2 tanzmodulators (Cv) für die Signalschwingung (fil) als Ausgang für die verstärkten Signalschwingungen (fi') vorgesehen ist (Fig. 1).
    4. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass eine Trennung der dem Reaktanzmodulator (Cv) zugeführten Signalschwingungen (fi) und der in diesem verstärkten Signalschwingungen (fl') mittels einer Richtungsgabel (7) vorgesehen ist (Fig. 6).
    5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Ausgang des Reaktanzmodulators (Cv) hinsichtlich des Wirkleitwertes (G :, G ) des Verbrauchers für das untere Seitenband (f2) und für die Spiegelwelle (fla) unabhängig einstellbar ist (Fig. 1).
    6. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass zur Abtrennung der Spiegelwelle (fla) eine Weichenanordnung vorgesehen ist.
    7. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass zur Abtrennung vorzugsweise der Spiegelwelle (fs) die Abschlussimpedanz mit der für eine weitere der Wellen gemeinsam ist und an den Ausgang des Reaktanzmodulators (Cv) unter Zwischenschaltung eines für eine dieser Wellen frequenzselektiven Transformationsgliedes angeschaltet ist (Fig. 5).
    8. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass zur Abtrennung vorzugsweise der Spiegelwelle (fs) eine Brückenschaltung vorgesehen ist.
AT430960A 1959-06-11 1960-06-07 Anordnung zur rauscharmen Verstärkung kurzer und sehr kurzer elektromagnetischer Wellen unter Verwendung eines Reaktanzmodulators AT219655B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE219655T 1959-06-11

Publications (1)

Publication Number Publication Date
AT219655B true AT219655B (de) 1962-02-12

Family

ID=29592979

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT430960A AT219655B (de) 1959-06-11 1960-06-07 Anordnung zur rauscharmen Verstärkung kurzer und sehr kurzer elektromagnetischer Wellen unter Verwendung eines Reaktanzmodulators

Country Status (1)

Country Link
AT (1) AT219655B (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3750667T2 (de) Leistungsverstärker.
DE626359C (de) Schaltung zur Phasenmodulation von Hochfrequenzstroemen
AT219655B (de) Anordnung zur rauscharmen Verstärkung kurzer und sehr kurzer elektromagnetischer Wellen unter Verwendung eines Reaktanzmodulators
DE3024533A1 (de) Schaltungsanordnung zur breitbandigen kompensation von intermodulationsprodukten dritter ordnung
DE921995C (de) Schaltungsanordnung zum Verstaerken einer elektrischen Signalschwingung mittels eines Transistors
DE1059057B (de) Zylindrischer Hohlraumresonator mit veraenderbarer Abstimmfrequenz
DE1087647B (de) Anordnung zur Verstaerkung kurzer und sehr kurzer elektromagnetischer Wellen mit einem Reaktanzmodulator
DE3002590C2 (de) Oszillatorschaltung
DE1087646B (de) Anordnung zur Verstaerkung kurzer und sehr kurzer elektromagnetischer Wellen
DE849720C (de) Schaltanordnung zur Frequenzmodulation eines Senders oder zur Frequenzgegenkopplung eines Empfaengers
AT206022B (de) System für die Signalverstärkung
DE897722C (de) Frequenzdiskriminator
DE1175294B (de) Parametrischer Verstaerker mit Kapazitaetsdioden
DE947622C (de) Anordnung zur Verhinderung der Selbsterregung bei gegengekoppelten Verstaerkern mit Ausgangsuebertrager
DE621697C (de) Verstaerkeranordnung
DE1541951A1 (de) Sperrkreis fuer elektrische Einrichtungen
DE2816105A1 (de) Modulationsschaltung
AT234146B (de) Einrichtung zur Verstärkung sehr kurzer elektromagnetischer Wellen
AT110381B (de) Einrichtung zur Verstärkung von Wellenströmen.
AT223654B (de) Anordnung zur rauscharmen Verstärkung kurzer und sehr kurzer elektromagnetischer Wellen
AT210923B (de) Wanderwellenverstärker
AT132657B (de) Elektrisches Filter.
DE691809C (de) Absorptionsmodulationsschaltung
AT223234B (de) Schaltungsanordnung mit einer negative Widerstandscharakteristik zeigenden Diode
DD141740A1 (de) Aktives filter mit elektromechanischen oder piezoelektrischen schwingern