AT206006B - Zuleitung zu einer Legierungsstelle einer Kristallode des Legierungstyps - Google Patents

Description

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   Zuleitung zu einer Legierungsstelle einer Kristallode des Legierungstyps 
Die Erfindung betrifft eine Zuleitung zu einer Legierungsstelle einer Kristallode des Legierungstyps, die auf die Legierungsstelle nur eine geringe Kraft ausübt. Es ist bereits bekannt, Zuleitungen zu einer Kristallode des Legierungstyps als dünne Drähte auszubilden, um das Auftreten grösserer Kräfte infolge   von Erschütterungen oder Temperaturspannungen   durch Betriebswärme oder beim Fertigungsprozess zu vermeiden. Aus diesem Grunde hat man bisher Zuleitungen als dünne Kupferdrähte ausgebildet, die zur bes- 
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 gen ausgebildet sind.   1s   hat sich aber herausgestellt, dass eine sc ausgebildete Kristallode immer noch wegen auftretender mechanischer Spannungen ausfällt, weil sich der Kontakt der Zuleitung an der Legierungsstelle löst.

   Oft treten solche Kontaktunterbrechungen erst nach Tagen oder Monaten ein. 



   Gemäss der Erfindung wird vorgeschlagen, dass die Zuleitung als dünnes Bändchen ausgebildet ist, das zumindest an seiner Oberfläche überwiegend aus Silber besteht und das zumindest an seinen Enden verzinnt, vorzugsweise feuerverzinnt, und an einem Ende mit der flachen Seite mit der Legierungsstelle und am andern Ende mit einer   stabilen. dmch einen Gehäuseteilhindurchgefühnen   Zuleitung verlötet ist. Nach den gemachten Erfahrungen treten bei einer neuerungsgemässen Ausführung Kontaktuuterbrechungen an den Legierungsstellen praktisch nicht mehr auf. 



   Bevorzugte Ausführungsformen werden noch einmal an Hand der Figuren erläutert. 



   In Fig. 1 ist ein auf einen Gehäuseteil 1 montierter Transistor des Legierungstyps gezeigt. Durch den Gehäuseteil 1 sind die als dünne Kupfermanteldrähte ausgebildeten Zuführungen hindurchgeführt, u. zw. die Basiszuleitung 2, die Emitterzuleitung 3 und die Kollektorzuleitung 4. Die Zuleitungsdrähte sind an ihren Enden verzinnt. An der Basiszuleitung 2 ist der Ringbasisanschluss 5 angeschweisst, der das Germaniumplättchen 6 ohmisch leitend. kontaktiert. Auf das   Basisp1Åattchen   6 sind die Emitterpille 7 und die Kollektorpille 8 auflegiert. Die Pille 7 ist mit der gemäss einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ausgebildeten Zuleitung 9 verbunden, die an ihren beiden Enden verzinnt ist. An der Stelle 11 ist diese Zuleitung mittels einer Punktschweissmaschine durch eine sogenannte Presslötung an der Zuleitung 3 befestigt.

   Die Zuleitung. 9 ist in der gezeigten Weise zweimal um einen rechten Winkel geknickt. Der Knick 13 am emitterseitigen Ende ist derart angeordnet, dass der eine Schenkel parallel und der andere Schenkel senkrecht zur Legierungsfläche und zum Germaniumplättchen liegt. Das Bändchen 9 wird. dabei in der Zeichnung von der schmalen Kante her betrachtet. In gleicher Weise wie das Bändchen 9 auf der Emitterseite ist das Bändchen 10 auf der Kollektorseite ausgebildet, das an der Stelle 12 mit seiner Zuführung 4 durch eine Presslötung verbunden ist und am andern Ende mit der Kollektorpille 8 so, dass der eine Schenkel des Knickes 14 wieder parallel zur Legierungsfläche   l1nd   zum Germaniumplättchen liegt, während der andere Schenkel wieder senkrecht steht.

   Als Material für das Bändchen hat sich eine Legierung aus etwa   80o   Silber und   200   Kupfer bewährt. 



   Das dünne Bändchen 9 aus Fig. 1 ist noch einmal für sich in der Fig. 2 dargestellt. Es ist ai seinen Enden, d. h. an der Stelle 11 und dem Knick 13 durch Eintauchen in ein Zinnbad verzinnt. Dabei sind die Breite des Bändchens und die Lage des Knickes 13 derart bemessen, dass das so vorgefertigte Bändchen beim Eintauchen in ein Zinnbad definierter Temperatur sich vermöge der Oberflächenspannung im Knick 

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