AT124635B - Verfahren zum elektrolytischen Reduzieren der Oxydschicht von Metalloxyd-, insbesondere Kupferoxyd-Gleichrichterelementen. - Google Patents

Verfahren zum elektrolytischen Reduzieren der Oxydschicht von Metalloxyd-, insbesondere Kupferoxyd-Gleichrichterelementen.

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AT124635B
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   <Desc/Clms Page number 1> 
 
 EMI1.1 
 
Das gewöhnlichste Verfahren, um elektrolytische Reaktionen an der Oberfläche von Metallkörpern, die mit einer   Metallverbindungsschicht   bedeckt sind, durchzuführen, besteht darin, dass der Metallkörper als Kathode in eine den Elektrolyten enthaltende Zelle gehängt wird. Sind jedoch die zu behandelnden Metallkörper zu gross oder zu schwer, um sie in ein elektrolytisehes Bad hineinhängen zu können, so kann man nach einem ebenfalls bekannten Verfahren die Metallverbindungsschicht mit einem als Träger des Elektrolyten dienenden durchlässigen Körpers überstreichen, wobei der zu behandelnde Metallkörper mit dem einen und der mit dem Elektrolyten getränkte durchlässige Körper mit dem andern Pol der Stromquelle in Verbindung steht.

   Mit dem zuletzt genannten Verfahren lassen sich grössere   Metallgegenstände   sowohl verzinken als auch verkupfern bzw. mit einem Überzug aus Silber, Gold oder Nickel versehen. 



   Das Verfahren gemäss der Erfindung hat einen völlig andern Zweck, obwohl es dem zuletzt erwähnten 
 EMI1.2 
 

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 ist und mit der Oxydschicht S in Verbindung steht. Dieses Glied 11 besteht aus einem in der leitenden Hülse 13 befestigten Docht aus Asbestgewebe, dessen von der Kupferplatte 1 abgewendetes oberes Ende 
 EMI2.1 
 lyten 15 abwärts nach seinem unteren Ende   16,   das über die Oberfläche der Oxydsehieht 2 so lange bewegt wird, bis die gewünschte Reduktion stattgefunden hat. Hiedurch wird ebenfalls ein Eindringen des Elektrolyten in die Oberfläche der Oxydschicht 2 verhindert. Bei diesem Verfahren kann eine höhere Stromdichte angewendet werden als bei den üblichen elektrolytischen Prozessen. Z. B. gibt eine Stromdichte von 10   Amp./cM   die besten Ergebnisse. 



   Infolge der   Ventilwirkung zwischen   der Kupferplatte und ihrer Oxydsehieht kann auch an Stelle des Gleichstromes ein Wechselstrom für die elektrolytische Reaktion verwendet werden. da durch die   Ventilwirkung   jede zweite Halbwelle   unterdrückt   wird, so dass die Wirkung derjenigen einer Gleichstromquelle gleichwertig ist.

Claims (1)

  1. PATENT-ANSPRUCH : Verfahren zum elektrolytischen Reduzieren der Oxydschicht von Metalloxyd-, insbesondere Kupfer- oxyd-Gleichrichterelementen, dadurch gekennzeichnet, dass die zu reduzierende Oxydschicht in an sich bekannter Weise mit einem mit dem Elektrolyten getränkten saugfähigen Stoff in Berührung gebracht wird, während das von der Oxydschicht bedeckte Grundmetall des Gleiehrichterelementes und der den Elektrolyten enthaltende saugfähige Stoff Teile eines elektrischen Stromkreises bilden. EMI2.2
AT124635D 1927-09-30 1928-09-19 Verfahren zum elektrolytischen Reduzieren der Oxydschicht von Metalloxyd-, insbesondere Kupferoxyd-Gleichrichterelementen. AT124635B (de)

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