AT124635B - Verfahren zum elektrolytischen Reduzieren der Oxydschicht von Metalloxyd-, insbesondere Kupferoxyd-Gleichrichterelementen. - Google Patents
Verfahren zum elektrolytischen Reduzieren der Oxydschicht von Metalloxyd-, insbesondere Kupferoxyd-Gleichrichterelementen.Info
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Description
<Desc/Clms Page number 1> EMI1.1 Das gewöhnlichste Verfahren, um elektrolytische Reaktionen an der Oberfläche von Metallkörpern, die mit einer Metallverbindungsschicht bedeckt sind, durchzuführen, besteht darin, dass der Metallkörper als Kathode in eine den Elektrolyten enthaltende Zelle gehängt wird. Sind jedoch die zu behandelnden Metallkörper zu gross oder zu schwer, um sie in ein elektrolytisehes Bad hineinhängen zu können, so kann man nach einem ebenfalls bekannten Verfahren die Metallverbindungsschicht mit einem als Träger des Elektrolyten dienenden durchlässigen Körpers überstreichen, wobei der zu behandelnde Metallkörper mit dem einen und der mit dem Elektrolyten getränkte durchlässige Körper mit dem andern Pol der Stromquelle in Verbindung steht. Mit dem zuletzt genannten Verfahren lassen sich grössere Metallgegenstände sowohl verzinken als auch verkupfern bzw. mit einem Überzug aus Silber, Gold oder Nickel versehen. Das Verfahren gemäss der Erfindung hat einen völlig andern Zweck, obwohl es dem zuletzt erwähnten EMI1.2 <Desc/Clms Page number 2> ist und mit der Oxydschicht S in Verbindung steht. Dieses Glied 11 besteht aus einem in der leitenden Hülse 13 befestigten Docht aus Asbestgewebe, dessen von der Kupferplatte 1 abgewendetes oberes Ende EMI2.1 lyten 15 abwärts nach seinem unteren Ende 16, das über die Oberfläche der Oxydsehieht 2 so lange bewegt wird, bis die gewünschte Reduktion stattgefunden hat. Hiedurch wird ebenfalls ein Eindringen des Elektrolyten in die Oberfläche der Oxydschicht 2 verhindert. Bei diesem Verfahren kann eine höhere Stromdichte angewendet werden als bei den üblichen elektrolytischen Prozessen. Z. B. gibt eine Stromdichte von 10 Amp./cM die besten Ergebnisse. Infolge der Ventilwirkung zwischen der Kupferplatte und ihrer Oxydsehieht kann auch an Stelle des Gleichstromes ein Wechselstrom für die elektrolytische Reaktion verwendet werden. da durch die Ventilwirkung jede zweite Halbwelle unterdrückt wird, so dass die Wirkung derjenigen einer Gleichstromquelle gleichwertig ist.
Claims (1)
- PATENT-ANSPRUCH : Verfahren zum elektrolytischen Reduzieren der Oxydschicht von Metalloxyd-, insbesondere Kupfer- oxyd-Gleichrichterelementen, dadurch gekennzeichnet, dass die zu reduzierende Oxydschicht in an sich bekannter Weise mit einem mit dem Elektrolyten getränkten saugfähigen Stoff in Berührung gebracht wird, während das von der Oxydschicht bedeckte Grundmetall des Gleiehrichterelementes und der den Elektrolyten enthaltende saugfähige Stoff Teile eines elektrischen Stromkreises bilden. EMI2.2
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US124635XA | 1927-09-30 | 1927-09-30 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
AT124635B true AT124635B (de) | 1931-09-25 |
Family
ID=21755088
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
AT124635D AT124635B (de) | 1927-09-30 | 1928-09-19 | Verfahren zum elektrolytischen Reduzieren der Oxydschicht von Metalloxyd-, insbesondere Kupferoxyd-Gleichrichterelementen. |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
AT (1) | AT124635B (de) |
-
1928
- 1928-09-19 AT AT124635D patent/AT124635B/de active
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