KR101629342B1 - 레이저 직접 성형 물질의 향상된 무전해 도금 막 성능 - Google Patents

레이저 직접 성형 물질의 향상된 무전해 도금 막 성능 Download PDF

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Abstract

본 발명의 레이저 직접 성형 공정에 사용될 수 있는 열가소성 조성물은 강화된 도금 성능 및 우수한 물리적 특성을 제공한다. 본 발명의 조성물은 열가소성 베이스 수지, 레이저 직접 성형 첨가제 및 백색 안료를 포함한다. 본 발명의 조성물은 개인용 컴퓨터, 노트북 및 휴대용 컴퓨터, 핸드폰 안테나 및 다른 통신 장치, 의약용품, RFID 용품, 및 자동차 용품과 같이, 다양한 용도에 사용될 수 있다.

Description

레이저 직접 성형 물질의 향상된 무전해 도금 막 성능{IMPROVED ELECTROLESS PLATING PERFORMANCE OF LASER DIRECT STRUCTURING MATERIALS}
본 발명은 열가소성 조성물, 바람직하게는 레이저 직접 성형(laser direct structuring) 공정에 사용될 수 있는 열가소성 조성물에 관한 것이다. 또한 본 발명은 상기 조성물 및 상기 조성물을 포함하는 제품(articles)의 제조방법에 관한 것이다.
바람직한 인쇄 도체(printed conductors)와 함께 사출 성형 장치(MID, molded injection devices)로 제공될 수 있는 전기 부품(Electrical components)으로는 일부 경우에 화학적 도금이 2-중 사출 성형에 사용되기 때문에, MID 기술로 제조되는 경우, 상이한 방법 예를 들어 마스킹 방법(masking method)을 사용하여 연속적 전기도금 (또는 무전해 도금)을 가진 2-중 사출 성형이 있다. 섬유 강화 플라스틱 등으로 만들어진 기존의 회로기판과 달리, 상기 방법으로 제조된 MID 부품은 집적화된 인쇄 도체 레이아웃(layout) 및 나아가 전자 또는 전기기계의 부품을 가진 3-차원 성형 부품이다. 상기 유형의 MID 부품의 사용은, 부품이 인쇄 도체만을 가지고 있고 전기 또는 전자 장치 안에 기존의 와이어링(wiring)을 대체하는데 사용됨에도 불구하고, 관련 장치의 소형화를 가능하게 하여 공간을 절약하고, 많은 조립 및 접촉 단계를 감소시킴으로써 제조 단가를 낮춘다. 상기 MID 장치는 핸드폰, PDA 및 노트북 용품(application)에 매우 유용하다.
MID를 제조하기 위한 3가지 기존의 기술로는 금속 스템프(Stamp metal), 장착된 연성 인쇄 회로기판(FPCB) 및 이중사출성형(two-shot molding) 방법이 있다. 그러나, 스템핑(stamping) 및 FPCB 장착 공정은 패턴 형상에 제한이 있으며, 툴링(tooling)은 비싸고, RF 패턴을 대체하는 것은 툴링에 있어서 고가(high-priced)이고 시간 소비가 큰 변형을 가져온다. 이중사출성형(2중 사출성형(two-component injection molding)) 공정은 실제 3차원 구조를 가진 3D-MID를 생산하는데 사용되어 왔다. 안테나는 그 후의 화학적 부식, 화학적 표면 활성화, 및 선택적인 금속 코팅과 함께 형성될 수 있다. 상기 방법은 높은 초기비용과 관계되며, 높은 생산량에 대해 단지 경제성이 있다. 또한 이중사출성형은 경제적인 공정이 아니다. 상기 세가지 방법 모두는 도구-기반(tool-based) 기술이며, 제한된 유연성, 오랜 개발주기, 복잡한 원형(difficult prototype), 값비싼 디자인 변화, 및 제한된 소형화 문제를 갖는다.
따라서, 레이저 직접 성형(LDS) 공정을 사용하여 MID를 형성하는 것이 점점 일반화되고 있다. LDS 공정에서, 컴퓨터-제어 레이저 빔은 전도 경로가 위치할 장소에서 플라스틱 표면을 활성화시키기 위해 MID 위로 이동한다(travel over). 레이저 직접 성형 공정으로, (150 마이크로미터 이하와 같은) 작은 전도 경로 너비를 얻는 것이 가능하다. 또한, 전도 경로들 사이의 공간은 작을 수 있다. 결국, 상기 공정으로 형성된 MID는 최종-사용 용품에서 무게 및 공간을 절약한다. 레이저 직접 성형의 다른 장점은 유연성이다. 회로의 디자인이 변경되는 경우, 레이저를 제어하는 컴퓨터를 다시 프로그래밍하는 것이 간단하다.
현재, LDS 물질에 대한 첨가제로는 일반적으로 구리 크롬 옥사이드와 같은 스피넬계 금속 옥사이드, 구리 히드록사이드 포스페이트, 유기 금속 복합물 등과 같은 금속염이 있다. 상기 LDS 첨가제는 제작된 플라스틱 현상액 조성물(development compositions)을 생산하기 위해, 폴리카보네이트(PC), 폴리카보네이트/아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌(PC/ABS), 폴리페닐렌 옥사이드(PPO), 나일론 등과 같은 많은 수지에서 사용될 수 있다. 그러나 현재 LDS 첨가제는 값비싸며, 당해 기술의 사용과 관련하여 비용을 증가시킨다.
따라서, 더 적은 LDS 첨가제를 사용하여 당해 물질과 관련된 비용을 감소시키면서, 우수한 도금 성능을 가진 LDS 조성물을 제공하는 것이 필요하다. 또한, 우수한 성능과 더 적은 비용으로 인해, 더 다양한 용품에서 사용될 수 있는 LDS 물질 조성물을 제공하는 것이 필요하다. 또한 레이저 직접 성형 공정에서 사용될 수 있는 열가소성 조성물을 제공하는 것이 필요하다.
본 발명은 레이저 직접 성형 공정에 사용될 수 있는 착색가능한 열가소성 조성물을 제공한다. 본 발명의 조성물은 열가소성 베이스(base) 수지, 레이저 직접 성형 첨가제 및 백색 안료를 포함한다. 상기 조성물은 개인 컴퓨터, 노트북 및 휴대용 컴퓨터, 핸드폰 안테나 및 다른 통신 장치, 의료용품(medical application), RFID 용품, 및 자동차용품과 같은 다양한 용품에 사용될 수 있다.
따라서, 본 발명의 일측면은 열가소성 베이스 수지 65 내지 92 중량%; 레이저 직접 성형 첨가제 0.5 내지 20 중량%; 및 아나티제(anatise), 루틸(rutile), 코팅형 및 무-코팅형을 포함하는 TiO2, ZnO, BaSO4, CaCO3, BaTiO3로부터 선택되어진 하나 이상의 백색 안료 0.5 내지 15 중량%을 포함하는 열가소성 조성물을 제공하며, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용하여 활성화된 후 도금될 수 있다.
본 발명의 다른 일측면은 압출기에서, 열가소성 베이스 수지 65 내지 92 중량%; 레이저 직접 성형 첨가제 0.5 내지 20 중량%; 및 아나티제, 루틸, 코팅형 및 무-코팅형을 포함하는 TiO2, ZnO, BaSO4, CaCO3, BaTiO3로부터 선택되어진 하나 이상의 안료 0.5 내지 15 중량%를 블렌딩(blending)하는 단계를 포함하는 열가소성 조성물의 형성 방법을 제공하며, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용하여 활성화된 후 도금될 수 있다.
본 발명의 또 다른 일측면은 열가소성 베이스 수지 70 내지 90 중량%; 중금속 혼합물 옥사이드 스피넬(mixture oxide spinel), 구리염, 또는 상기 레이저 직접 성형 첨가제들 중 하나 이상을 포함하는 조합으로부터 선택된 레이저 직접 성형 첨가제 1 내지 10 중량%; 및 아나티제, 루틸, 코팅형 및 무-코팅형을 포함하는 TiO2, ZnO, BaSO4, CaCO3, BaTiO3, 또는 상기 안료들 중 하나 이상을 포함하는 조합으로부터 선택되어진 하나 이상의 안료 1 내지 10 중량%로 필수적으로 이루어진(consisting essentially of) 열가소성 조성물을 제공하며, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용하여 활성화된 후 도금될 수 있다.
본 발명의 또 다른 일측면은 전도 경로(conductive path)를 갖는 성형품(molded article) 및 전도 경로에 도금된 금속층을 포함하여 제조물을 제공하며, 상기 금속층은 ASTM B568로 측정시 0.8 마이크로미터(micrometer) 이상의 두께를 가지고, IPC-TM-650로 측정시 0.3N/mm 이상의 박리강도(peel strength)를 가지며, 상기 성형품은 열가소성 베이스 수지 65 내지 92 중량%; 레이저 직접 성형 첨가제 0.5 내지 20 중량%; 및 아나티제, 루틸, 코팅형 및 무-코팅형을 포함하는 TiO2, ZnO, BaSO4, CaCO3, BaTiO3, 또는 상기 안료들 중 하나 이상을 포함하는 조합으로부터 선택되어진 하나 이상의 안료 0.5 내지 15 중량%으로 필수적으로 이루어진(consisting essentially of) 조성물로부터 형성된다.
본 발명의 또 다른 일측면은 전도 경로를 갖는 성형품 및 전도 경로에 도금된 구리층을 포함하는 제조물을 제공하며, 상기 구리층은 ASTM B568로 측정시 0.8 마이크로미터 이상의 두께를 갖고 상기 금속층은 IPC-TM-650로 측정시 0.3N/mm 이상의 박리강도를 가지며, 나아가 상기 성형품은 열가소성 베이스 수지 70 내지 90 중량%; 중금속 혼합물 옥사이드 스피넬, 구리염, 또는 상기 레이저 직접 성형 첨가제들 중 하나 이상을 포함하는 조합으로부터 선택된 레이저 직접 성형 첨가제 1 내지 10 중량%; 및 아나티제, 루틸, 코팅형 및 무-코팅형을 포함하는 TiO2, ZnO, BaSO4, CaCO3, BaTiO3, 또는 상기 안료들 중 하나 이상을 포함하는 조합으로부터 선택된 하나 이상의 안료 1 내지 10 중량%로 필수적으로 이루어진(consisting essentially of) 조성물로부터 형성된다.
본 발명의 또 다른 일측면은 조성물로부터 제품을 성형하는 단계; 레이저를 사용하여 성형품에 전도 경로를 형성하는 단계; 및 전도 경로에 구리층을 도금하는 단계를 포함하는 제품 형성 방법을 제공하며, 상기 구리층은 ASTM B568로 측정시 0.8 마이크로미터 이상의 두께를 가지고, IPC-TM-650로 측정시 0.3N/mm 이상의 박리강도를 가지며, 나아가 상기 성형품은 열가소성 베이스 수지 70 내지 90 중량%; 중금속 혼합물 옥사이드 스피넬, 구리염, 또는 상기 레이저 직접 성형 첨가제들 중 하나 이상을 포함하는 조합으로부터 선택된 레이저 직접 성형 첨가제 1 내지 10 중량%; 및 아나티제, 루틸, 코팅형 및 무-코팅형을 포함하는 TiO2, ZnO, BaSO4, CaCO3, BaTiO3, 또는 상기 안료들 중 하나 이상을 포함하는 조합으로부터 선택된 하나 이상의 안료 1 내지 10 중량%로 필수적으로 이루어진(consisting essentially of) 조성물로부터 형성된다.
도 1은 실시예에서 조성물 1-3의 도금 성능의 예를 나타낸다.
도 2는 실시예에서 조성물 4-7의 도금 성능의 예를 나타낸다.
도 3은 실시예에서 조성물 8-12의 도금 성능의 예를 나타낸다.
본 발명의 다양한 수정 및 변형이 가능함은 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하며, 하기의 설명 및 실시예는 단지 본 발명을 보다 자세하게 설명하기 위함이다. 명세서 및 청구항에서 사용된 용어 “포함하는(comprising)”은 구현예인 “이루어진(consisting of)” 및 “필수적으로 이루어진(consisting essentially of)”을 포함할 수 있다. 본 발명의 모든 범위는 경계를 포함하며 독립적으로 조합된다. 본 발명의 범위의 경계 및 임의의 값은 정확한 범위 또는 경계에 제한되는 것은 아니며, 부정확하여 상기 범위 및/또는 값의 근사치 값도 포함한다.
본 명세서에서, 유사어(approximating language)는 관련된 기본 개념(function)의 변화 없이, 다양할 수 있는 정량적 표현을 변형하는데 사용될 수 있다. 따라서, “약”, 및 “상당히”와 같은 용어(들)로 수식된 값은 일부 경우에, 정확한 규정값에 제한되지 않을 수 있다. 적어도 일부 예에서, 유사어는 값을 측정하는 기구의 정밀성과 관계될 수 있다.
본 발명은 레이저 직접 성형 공정에 사용될 수 있는 보다 효과적인 열가소성 조성물을 제공한다. 상기 조성물은 열가소성 수지, 레이저 직접 성형 첨가제 및 아나티제, 루틸, 코팅형 및 무-코팅형을 포함하는 TiO2, ZnO, BaSO4, CaCO3, BaTiO3로부터 선택된 하나 이상의 안료를 포함한다. 상기 안료의 하나 이상의 사용은 LDS 물질 제형에서 레이저 직접 성형 첨가제와 함께 상승효과를 갖는 것이 밝혀졌다. 상기 상승효과는 LDS 물질의 금속화 성능을 크게 개선시키고, 레이저 직접 성형 첨가제의 더 적은 로딩(loading) 양을 사용하면서 무전해 도금한 후에 형성된 금속층의 질을 개선시킨다. 결과적으로, 본 발명의 조성물은 우수한 도금 특성을 제공하며, 또한 조성물 형성과 관련된 총 비용이 감소된다.
본 발명은 바람직하게는 새로운 레이저 직접 성형 조성물, 및 레이저 직접 성형 공정에 사용되는 조성물로부터 만들어지는 제품을 제공한다. 본 발명의 공정은 제품에 전도 경로를 형성하며, 다음 제품은 구리와 같은 금속으로 도금된다. 본 발명의 조성물은 무전해 도금 시간 30분 안에 백색 안료 없이 만들어진 제품에서 경로 위에 도금된 구리층보다 3 내지 8배 더 두껍게, 레이저 직접 성형 공정 동안에 형성된 경로 위에 구리층이 도금될 수 있도록 백색 안료를 이용한다. 백색 안료는 박리강도에 부정적인 영향을 주지 않으며, 제품에 도금된 구리층의 고접착성을 유지할 수 있다. 상기와 같이, 백색 안료는 당해 기술분야의 기존의 물질과 동일한 도금 조건 및 도금 시간 하에서, 더 두꺼운 구리층을 얻고 도금 공정을 가속화시킴으로써 도금 성능을 개선시킬 수 있다. 백색 안료는 또한 도금 공정 윈도우를 넓혀서, 더 낮은 레이저 파워(power)를 사용하여 금속화 품질을 가능하게 한다. 상기 결과는 백색 안료 물질의 사용에 의해 단순히 예측되지는 않는다.
따라서, 본 발명의 일측면에서, 열가소성 조성물은 조성물의 베이스(base)로서 열가소성 수지를 사용한다. 본 발명에 사용될 수 있는 열가소성 수지의 예는 이에 제한되지는 않지만, 폴리카보네이트 또는 폴리카보네이트/아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 수지 블렌드; 폴리페닐렌 옥사이드 수지와 같은 폴리(아릴렌 에테르)수지, 나일론계 수지, 폴리프탈아미드 수지, 폴리페닐렌 옥사이드 수지 또는 상기 수지들 중 하나 이상을 포함하는 조합을 포함한다.
따라서, 하나의 실시형태에서 열가소성 조성물은 폴리카보네이트계 수지를 사용한다. 상기 폴리카보네이트계 수지는 폴리카보네이트 또는 폴리카보네이트를 포함하는 수지 혼합으로부터 선택될 수 있다. 따라서, 하나의 실시형태에서 폴리카보네이트는 조성물에서 베이스 수지로 사용될 수 있다. 방향족 카보네이트 사슬 단위를 포함하는 폴리카보네이트는 하기 식 (Ⅰ)의 구조적 단위를 가진 조성물을 포함한다.
Figure 112013034050763-pct00001
상기에서, R1기는 방향족, 지방족 또는 지환식 라디칼이다. 바람직하게, R1은 방향족 유기 라디칼 및, 다른 실시형태에서, 하기 식 (Ⅱ)의 라디칼이다.
Figure 112013034050763-pct00002
상기에서, A1 및 A2 각각은 단환식(monocyclic) 2가 아릴 라디칼이고 Y1은 A1을 A2로부터 분리시키는 영(zero), 하나, 또는 두 개의 원자를 가진 브리징(bridging) 라디칼이다. 예시적인 실시형태에서, 하나의 원자는 A1을 A2로부터 분리시킨다. 상기 유형의 라디칼의 예시적인 예는 -O-, -S-, -S(O)-, -S(O2)-, -C(O)-, 메틸렌, 시클로헥실-메틸렌, 2-[2,2,1]-비시클로헵틸리덴, 에틸리덴, 이소프로필리덴, 네오펜틸리덴, 시클로헥실리덴, 시클로펜타데실리덴, 시클로도데실리덴, 아다만틸리덴, 등 이다. 다른 실시형태에서, 0개의 원자는 예시적인 예로 비스페놀과 함께, A1을 A2로부터 분리시킨다. 브리징 라디칼 Y1은 메틸렌, 시클로헥실리덴 또는 이소프로필리덴과 같은 탄화수소기 또는 포화된 탄화수소기일 수 있다.
폴리카보네이트는 디히드록시 화합물을 가진 카보네이트 전구체의 쇼텐-바우만(Schotten-Bauman) 계면반응에 의해 생성될 수 있다. 전형적으로, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화칼슘 등과 같은 수성 베이스는 벤젠, 톨루엔, 이황화탄소, 또는 디클로로메탄과 같은 유기, 수불혼화성(water immiscible) 용매와 혼합되며, 디히드록시 화합물을 포함한다. 상 수송제(phase transfer agent)는 일반적으로 반응을 용이하게 하는데 사용된다. 분자량 조절제는 반응 혼합물에 단독 또는 혼합으로 첨가될 수 있다. 또한 하기에 개시될 분지제(Branching agents)는 단독 또는 혼합으로 첨가될 수 있다.
폴리카보네이트는 단지 하나의 원자가 A1 및 A2를 분리시키는 디히드록시 화합물과 같은 계면반응 폴리머 전구체에 의해 생성될 수 있다. 본 명세서에서 사용하듯이, 용어 “디히드록시 화합물”은 예를 들어, 하기 일반식 (Ⅲ)을 가진 비스페놀 화합물을 포함한다:
Figure 112013034050763-pct00003
상기에서, Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 또는 1가 탄화수소기를 나타내고; p 및 q는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이며; Xa는 식 (Ⅳ)의 기 중 하나를 나타낸다.
Figure 112013034050763-pct00004
상기에서, Rc 및 Rd는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가 선형 또는 환형 탄화수소기를 나타내고, Re는 2가 탄화수소기이다.
식 (Ⅳ)로 나타낼 수 있는 비스페놀 화합물의 유형의 예는 1,1-비스(4-히드록시페닐)메탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)에탄, 2,2-비스(4-히드록시페닐)프로판 (또는 비스페놀-A), 2,2-비스(4-히드록시페닐)부탄, 2,2-비스(4-히드록시페닐)옥탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)프로판, 1,1-비스(4-히드록시페닐)n-부탄, 비스(4-히드록시페닐)페닐메탄, 2,2-비스(4-히드록시-1-메틸페닐)프로판, 1,1-비스(4-히드록시-t-부틸페닐)프로판, 2,2-비스(4-히드록시-3-브로모페닐)프로판, 등과 같은 비스(히드록시아릴)알칸 시리즈(series); 1,1-비스(4-히드록시페닐)시클로펜탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)시클로헥산, 등과 같은 비스(히드록시아릴) 시클로알칸 시리즈, 또는 상기 비스페놀 화합물들 중 하나 이상을 포함하는 조합을 포함한다.
식 (Ⅲ)로 나타낼 수 있는 다른 비스페놀 화합물은 X가 -O-, -S-, -SO- 또는 -SO2-인 화합물을 포함한다. 상기 비스페놀 화합물의 일부 예는 4,4'-디히드록시 디페닐에테르, 4,4'-디히드록시-3,3'-디메틸페닐 에테르, 등과 같은 비스(히드록시아릴)에테르; 4,4'-디히드록시 디페닐 설파이드, 4,4'-디히드록시-3,3'-디메틸 디페닐 설파이드, 등과 같은 비스(히드록시 디아릴)설파이드; 4,4'-디히드록시 디페닐 설폭사이드, 4,4'-디히드록시-3,3'-디메틸 디페닐 설폭사이드, 등과 같은 비스(히드록시 디아릴)설폭사이드; 4,4'-디히드록시 디페닐 술폰, 4,4'-디히드록시-3,3'-디메틸 디페닐 술폰, 등과 같은 비스(히드록시 디아릴)술폰; 또는 상기 비스페놀 화합물들 중 하나 이상을 포함하는 조합이 있다.
폴리카보네이트의 중축합에서 이용될 수 있는 다른 비스페놀 화합물은 하기 식 (Ⅴ)으로 나타낸다.
Figure 112013034050763-pct00005
상기에서, Rf는 1 내지 10개의 탄소 원자를 가진 탄화수소기의 할로겐 원자 또는 할로겐 치환된 탄화수소기이고; n은 0 내지 4의 값이다. n이 2 이상인 경우, Rf는 동일하거나 상이할 수 있다. 식 (Ⅳ)로 나타낼 수 있는 비스페놀 화합물의 예로는 3-메틸 레조르신, 3-에틸 레조르신, 3-프로필 레조르신, 3-부틸 레조르신, 3-t-부틸 레조르신, 3-페닐 레조르신, 3-큐밀(cumyl) 레조르신, 2,3,4,6-테트라플루오로 레조르신, 2,3,4,6-테트라브로모 레조르신, 등과 같은 레조르시놀, 치환된 레조르시놀 화합물; 3-메틸 히드로퀴논, 3-에틸 히드로퀴논, 3-프로필 히드로퀴논, 3-부틸 히드로퀴논, 3-t-부틸 히드로퀴논, 3-페닐 히드로퀴논, 3-큐밀 히드로퀴논, 2,3,5,6-테트라메틸 히드로퀴논, 2,3,5,6-테트라-t-부틸 히드로퀴논, 2,3,5,6-테트라플루오로 히드로퀴논, 2,3,5,6-테트라브로모 히드로퀴논, 등과 같은 치환된 히드로퀴논, 히드로퀴논, 카테콜; 또는 상기 비스페놀 화합물들 중 하나 이상을 포함하는 조합이 있다.
하기 식 (Ⅵ)으로 나타내는 2,2,2',2'-테트라히드로-3,3,3',3'-테트라메틸-1,1'-스파이로비(spirobi)-[1H-인덴]-6,6'-디올과 같은 비스페놀 화합물도 또한 사용될 수 있다.
Figure 112013034050763-pct00006
하나의 실시형태에서, 비스페놀 화합물은 비스페놀 A이다.
전형적인 카보네이트 전구체는 카르보닐 할라이드, 예를 들어 카르보닐 클로라이드(포스겐), 및 카르보닐 브로마이드; 비스-할로포르메이트, 예를 들어 비스페놀 A, 히드로퀴논, 등과 같은 디히드릭 페놀의 비스-할로포르메이트, 및 에틸렌 글리콜 및 네오펜틸 글리콜과 같은 글리콜의 비스-할로포르메이트; 및 디페닐 카보네이트, 디(톨릴) 카보네이트, 및 디(나프틸) 카보네이트와 같은 디아릴 카보네이트를 포함한다. 하나의 실시형태에서, 계면반응을 위한 카보네이트 전구체는 카르보닐 클로라이드이다.
또한, 호모폴리머보다 오히려 카보네이트 코폴리머가 사용되는 경우에, 둘 이상의 상이한 디히드릭 페놀의 중합(polymerization) 또는 글리콜을 갖거나 히드록시- 또는 산-말단화 폴리에스테르를 갖거나 이염기산을 갖거나 히드록시 산을 갖거나 지방족 이산을 가진 디히드릭 페놀의 코폴리머로부터 발생되는 폴리카보네이트를 사용할 수 있다. 일반적으로, 유용한 지방족 이산은 약 20 내지 약 40개의 탄소를 갖는다. 유익한 지방족 이산은 도데칸이산이다.
분지형 폴리카보네이트, 뿐만 아니라 선형 폴리카보네이트 및 분지형 폴리카보네이트의 블렌드가 조성물에서 또한 사용될 수 있다. 분지형 폴리카보네이트는 중합하는 동안 분지제를 첨가함으로써 제조될 수 있다. 상기 분지제는 세 개 이상의 작용기를 포함하는 다작용성 유기 화합물을 포함할 수 있고, 히드록실, 카르복실, 카르복실산 무수물, 할로포르밀, 및 상기 분지제들 중 하나 이상을 포함하는 조합일 수 있다. 바람직한 예는 트리멜리트산, 무수 트리멜리트, 트리멜리틱 트리클로라이드, 트리스-p-히드록시 페닐 에탄, 이사틴-비스-페놀, 트리스-페놀 TC(1,3,5-트리스((p-히드록시페닐)이소프로필)벤젠), 트리스-페놀 PA (4(4(1,1-비스(p-히드록시페닐)-에틸) α,α-디메틸 벤질)페놀), 4-클로로포르밀 무수 프탈산, 트리메스산(trimesic acid), 벤조페논 테트라카르복실산, 등, 또는 상기 분지제들 중 하나 이상을 포함하는 조합을 포함한다. 분지제는 소정의 층에서 폴리카보네이트의 총 중량에 기초하여, 약 0.05 내지 약 2.0 중량% 정도로 첨가될 수 있다.
하나의 실시형태에서, 폴리카보네이트는 디히드록시 화합물 및 탄산 디에스테르 간의 용융 축중합 반응(melt polycondensation reaction)에 의해 생성될 수 있다. 폴리카보네이트를 생성하는데 이용될 수 있는 탄산 디에스테르의 예는 디페닐 카보네이트, 비스(2,4-디클로로페닐)카보네이트, 비스(2,4,6-트리클로로페닐) 카보네이트, 비스(2-시아노페닐) 카보네이트, 비스(o-니트로페닐) 카보네이트, 디톨릴 카보네이트, m-크레실(cresyl) 카보네이트, 디나프틸 카보네이트, 비스(디페닐) 카보네이트, 비스(메틸살리실)카보네이트, 디에틸 카보네이트, 디메틸 카보네이트, 디부틸 카보네이트, 디시클로헥실 카보네이트, 등, 또는 상기 탄산 디에스테르들 중 하나 이상을 포함하는 조합이다. 하나의 실시형태에서, 탄산 디에스테르는 디페닐 카보네이트 또는 비스(메틸살리실)카보네이트이다.
바람직하게는, 폴리카보네이트의 수평균 분자량은 3,000 내지 1,000,000 그램/몰(g/mole)이다. 상기 범위 안에서, 하나의 실시형태에서 10,000 이상, 다른 실시형태에서 20,000 이상, 및 또 다른 실시형태에서 25,000g/mole 이상의 수평균 분자량을 갖는 것은 바람직하다. 또한, 하나의 실시형태에서 100,000 이하, 다른 실시형태에서 75,000 이하, 또 다른 실시형태에서 50,000 이하, 및 또 다른 실시형태에서 35,000g/mole 이하의 수평균 분자량을 갖는 것은 바람직하다.
다른 실시형태에서, 열가소성 조성물에 사용되는 폴리카보네이트계 수지는 폴리카보네이트 수지 블렌드를 포함하며, 폴리카보네이트는 다른 수지와 블렌드된다. 하나의 실시형태에서, 폴리카보네이트계 수지는 폴리카보네이트와 폴리스티렌 폴리머의 블렌드를 포함한다. 예로는 폴리카보네이트/아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 수지 블렌드가 있다. 본 명세서에서 사용되는 용어 “폴리스티렌”은 서스펜션 및 에멀젼 중합으로 대량으로 제조된 폴리머를 포함하며, 하기 식 (Ⅶ)의 단량체로부터 유래된 구조적 단위를 가진 폴리머 전구체의 25 중량% 이상을 포함한다.
Figure 112013034050763-pct00007
상기에서, R5는 수소, 저급 알킬 또는 할로겐이고; Z1은 비닐, 할로겐 또는 저급 알킬이며; 및 p는 0 내지 약 5이다. 상기 유기 폴리머는 스티렌, 클로로스티렌 및 비닐톨루엔의 호모폴리머, 아크릴로니트릴, 부타디엔, 알파-메틸스티렌, 에틸비닐벤젠, 디비닐벤젠 및 무수 말레산으로 예시되는 단량체의 하나 이상과 스티렌의 랜덤 코폴리머, 및 블렌드 및 그라프트를 포함하는 고무-변성(modified) 폴리스티렌을 포함하며, 상기 고무는 폴리부타디엔 또는 약 98 내지 약 70 중량%의 스티렌 및 약 2 내지 약 30 중량%의 디엔 단량체의 고무 코폴리머이다. 폴리스티렌은 폴리페닐렌 에테르와 모든 비율로 혼화성(miscible)이 있고, 상기의 임의의 블렌드는 폴리머의 총 중량에 기초하여, 약 5 내지 약 95 중량% 및 바람직하게는 약 25 내지 약 75 중량%의 양으로 폴리스티렌을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에서, 열가소성 조성물은 폴리아미드 수지와 같은 나일론계 수지를 포함한다. 폴리아미드는 일반적으로 4 내지 12개의 탄소 원자를 가진 유기 락탐의 중합으로부터 유래된다. 하나의 실시형태에서, 락탐은 하기 식 (Ⅷ)으로 나타낸다.
Figure 112013034050763-pct00008
상기에서, n은 3 내지 11이다. 하나의 실시형태에서, 락탐은 n이 5인 입실론-카프로락탐이다.
또한, 폴리아미드는 4 내지 12개의 탄소 원자를 가진 아미노산으로부터 합성될 수 있다. 하나의 실시형태에서, 아미노산은 하기 식 (Ⅸ)으로 나타낸다.
Figure 112013034050763-pct00009
상기에서, n은 3 내지 11이다. 하나의 실시형태에서, 아미노산은 n이 5인 입실론-아미노카프로산이다.
또한, 폴리아미드는 4 내지 12개의 탄소 원자를 가진 지방족 디카르복실산 및 2 내지 12개의 탄소 원자를 가진 지방족 디아민으로부터 중합될 수 있다. 하나의 실시형태에서, 지방족 디아민은 하기 식 (Ⅹ)으로 나타낸다.
Figure 112013034050763-pct00010
상기에서, n은 약 2 내지 약 12이다. 하나의 실시형태에서, 지방족 디아민은 헥사메틸렌디아민(H2N(CH2)6NH2)이다. 하나의 실시형태에서, 디카르복실산 대 디아민의 몰 비는 0.66 내지 1.5이다. 상기 범위에서, 몰 비는 0.81 이상인 것이 바람직하다. 다른 실시형태에서, 몰 비는 0.96 이상이다. 또 다른 실시형태에서, 몰 비는 1.22 이하이다. 또 다른 실시형태에서, 몰 비는 1.04 이하이다. 본 발명에서 바람직한 폴리아미드의 예는 이에 제한되지는 않지만, 나일론 6, 나일론 6,6, 나일론 4,6, 나일론 6,12, 나일론 10, 등, 또는 상기 폴리아미드들 중 하나 이상을 포함하는 조합을 포함한다.
폴리아미드에스테르의 합성은 또한 4 내지 12개의 탄소 원자를 가진 지방족 락톤 및 4 내지 12개의 탄소 원자를 가진 지방족 락탐으로부터 수행될 수 있다. 지방족 락톤 대 지방족 락탐의 비는 최종 코폴리머로 선택된 조성물, 뿐만 아니라 락톤 및 락탐의 상대적인 반응성에 따라 매우 다양할 수 있다. 하나의 실시형태에서, 지방족 락탐 대 지방족 락톤의 초기 몰 비는 0.5 내지 4이다. 상기 범위에서, 약 1 이상의 몰 비가 바람직하다. 다른 실시형태에서, 2 이하의 몰 비가 이용된다.
전도성 전구체 조성물은 촉매 또는 개시제를 더 포함할 수 있다. 일반적으로, 상응하는 열중합에 적합한 임의의 공지의 촉매 또는 개시제가 사용될 수 있다. 대신, 중합반응이 촉매 또는 개시제 없이 수행될 수도 있다. 예를 들어, 지방족 디카르복실산 및 지방족 디아민으로부터 폴리아미드를 합성하는 것에 있어서, 특정 실시형태는 촉매를 사용하지 않을 수 있다.
락탐으로부터 폴리아미드를 합성하기 위해, 적절한 촉매는 합성에 사용되는 개환된(ring-opened, 가수분해된(hydrolyzed)) 락탐에 상응하는 오메가-아미노산 및 물을 포함한다. 다른 적절한 촉매는 금속 알루미늄 알킬레이트(MAl(OR)3H; M은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속이고, R은 C1-C12 알킬이다), 나트륨 디히드로비스(2-메톡시에톡시)알루미네이트, 리튬 디히드로비스(터트-부톡시)알루미네이트, 알루미늄 알킬레이트(Al(OR)2R; R은 C1-C12 알킬이다), N-나트륨 카프로락탐, 입실론-카프로락탐의 염화마그네슘 또는 브롬화마그네슘의 염(MgXC6H10NO, X=Br 또는 Cl), 디알콕시 알루미늄 수소화물을 포함한다. 적합한 개시제는 이소프탈로일비스카프로락탐(isophthaloybiscaprolactam), N-아세탈카프로락탐, 이소시아네이트 입실론-카프로락탐 부가물, 알코올(ROH; R은 C1-C12 알킬이다), 디올(HO-R-OH; R은 C1-C12 알킬렌이다), 오메가-아미노카프로산, 및 나트륨 메톡사이드를 포함한다.
락톤 및 락탐으로부터 폴리아미드에스테르를 합성하는데 있어서, 적합한 촉매는 금속 수소화물 화합물, 예컨대 식 LiAl(H)x(R1)y를 갖고, x는 1 내지 4이고, y는 0 내지 3이며, x+y는 4이고, R1은 C1-C12 알킬 및 C1-C12 알콕시로 이루어진 군으로부터 선택된 리튬 알루미늄 수소화물 촉매를 포함한다. 보다 바람직한 촉매는 LiAl(H)(OR2)3로서, R2는 C1-C8 알킬로부터 선택된 것을 포함하며, 보다 더 바람직한 촉매로는 LiAl(H)(OC(CH3)3)3가 있다. 다른 적합한 촉매 및 개시제는 폴리(입실론-카프로락탐) 및 폴리(입실론-카프로락톤)의 중합에 대해 상기에서 개시한 물질을 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시형태에서, 열가소성 조성물은 폴리(아릴렌 에테르)수지를 포함한다. 본 명세서에서 사용하듯이, “폴리(아릴렌 에테르)”는 하기 식 (ⅩⅠ)의 복수의 구조적 단위를 포함한다.
Figure 112013034050763-pct00011
상기에서, 각각의 구조적 단위에 대해 Q1 각각은 독립적으로 할로겐, 1차 또는 2차의 저급 알킬(예를 들어, 1 내지 7개의 탄소 원자를 포함하는 알킬), 페닐, 할로알킬, 아미노알킬, 알켄일알킬, 알킨일알킬, 히드로카르보녹시, 및 2개 이상의 탄소 원자가 수소 및 산소 원자를 분리하는 할로히드로카르보녹시이고; Q2 각각은 독립적으로 수소, 할로겐, 1차 또는 2차 저급 알킬, 페닐, 할로알킬, 아미노알킬, 알켄일알킬, 알킨일알킬, 히드로카르보녹시, 및 2개 이상의 탄소 원자가 수소 및 산소 원자를 분리하는 할로히드로카르보녹시이다. 일부 실시형태에서, Q1 각각은 독립적으로 알킬 또는 페닐, 예를 들어 C1 -4 알킬이고, Q2 각각은 독립적으로 수소 또는 메틸이다. 폴리(아릴렌 에테르)는 아미노알킬-함유 말단기를 갖고, 전형적으로 오르쏘(ortho) 위치에 수산기를 갖는 분자를 포함할 수 있다. 또한, 전형적으로 부산물 디페노퀴논이 존재하는 반응 혼합물로부터 얻어지는 4-히드록시비페닐 말단기가 존재한다.
폴리(아릴렌 에테르)는 호모폴리머; 코폴리머; 그라프트 코폴리머; 이오노머(ionomer); 예를 들어 아릴렌 에테르 단위 및 알켄일 방향족 화합물로부터 유래되는 블록을 포함하는 블록 코폴리머; 뿐만 아니라 상기 중 하나 이상을 포함하는 조합의 형태로 존재할 수 있다. 폴리(아릴렌 에테르)는 2,3,6-트리메틸-1,4-페닐렌 에테르 단위와 선택적으로 조합하는 2,6-디메틸-1,4-페닐렌 에테르 단위를 포함하는 폴리페닐렌 에테르를 포함한다.
폴리(아릴렌 에테르)는 2,6-자이레놀 및/또는 2,3,6-트리메틸페놀과 같이, 모노히드록시방향족 화합물(들)의 산화 커플링에 의해 제조될 수 있다. 촉매 시스템은 일반적으로 상기 커플링에 사용되고, 구리, 마그네슘 또는 코발트 화합물과 같은 중금속 화합물(들), 2차 아민, 3차 아민, 할라이드 또는 상기들 중 둘 이상의 조합과 같은 다양한 다른 물질의 통상적인 조합을 포함할 수 있다.
폴리(아릴렌 에테르)는 겔 투과 크로마토그래피로 측정시, 3,000 내지 40,000 원자 단위 질량(amu)의 수평균 분자량 및 5,000 내지 80,000amu의 중량평균 분자량을 가질 수 있다. 폴리(아릴렌 에테르)는 25℃ 클로로포름에서 측정시, 0.10 내지 0.60 데시리터 퍼 그램(dl/g), 또는 보다 바람직하게는 0.29 내지 0.48 dl/g의 고유점도를 가질 수 있다. 높은 고유점도의 폴리(아릴렌 에테르) 및 낮은 고유점도의 폴리(아릴렌 에테르)의 조합을 이용하는 것도 가능하다. 두 개의 고유점도가 사용되는 경우, 정확한 비율을 정하는 것은 사용된 폴리(아릴렌 에테르)의 정확한 고유점도 및 선택된 최종적인 물리적 특성에 따라 다소 달라진다.
본 발명에 사용될 수 있는 폴리페닐렌 에테르 폴리머의 예는 이에 제한되지는 않지만, 폴리(2,6-디메틸-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2,3,6-트리메틸-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2,6-디에틸-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2-메틸-6-프로필-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2,6-디프로필-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2-에틸-6-프로필-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2,6-디라우릴-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2,6-디페닐-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2,6-디메톡시-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2,6-디에톡시-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2-메톡시-6-에톡시-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2-에틸-6-스테아릴옥시(stearyloxy)-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2,6-디클로로-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2-메틸-6-페닐-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2,6-디벤질-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2-에톡시-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2-클로로-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2,6-디브로모-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(3-브로모-2,6-디메틸-1,4-페닐렌)에테르; 그 코폴리머 및 그 혼합물, 등을 포함한다. 본 발명의 특정 실시형태에서, 조성물에서의 사용을 위한 폴리페닐렌 에테르 폴리머는 폴리(2,6-디메틸-1,4-페닐렌)에테르, 폴리(2,3,6-트리메틸-1,4-페닐렌)에테르, 상기 폴리머의 블렌드 및 2,3,6-트리메틸-1,4-페닐렌 에테르의 단위 및 2,6-디메틸-1,4-페닐렌 에테르의 단위를 포함하는 코폴리머를 포함한다. 상기 폴리머 및 코폴리머의 예는 또한 미국 특허 제4,806,297호에 개시되어 있다.
본 발명의 또 다른 실시형태에서, 열가소성 조성물은 폴리프탈아미드 수지를 포함한다. 하나의 실시형태에서, 폴리프탈아미드는 (ⅰ) 헥사메틸렌 디아민 또는 헥사메틸렌 디아민 및 트리메틸 헥사메틸렌 디아민의 혼합물, 및 (ⅱ) 테레프탈산, 및 선택적으로 (ⅲ) 반응물 (ⅲ)이 존재하지 않는 경우에 디아민의 혼합물이 사용된다면, 이소프탈산 또는 아디프산으로부터 선택된 하나 이상의 산의 반응 생성물을 포함한다. 상기 폴리프탈아미드는 일반적으로 자연상태에서 결정성이고, 개선된 인장강도 및 높은 열변형 온도(heat deflection temperature)를 보인다. 상기 폴리프탈아미드 및 그 제조방법은, 미국 특허 제4,603,166호 및 제4,617,342호, 및 유럽 특허 출원 제121,983호, 121,984호, 121,985호, 제122,688호 및 395,414호에 개시되어 있다.
예를 들어, 미국 특허 제 4,603,166호 및 유럽 특허 출원 제121,984호는 헥사메틸렌 디아민, 테레프탈산 및 아디프산으로 제조되거나, 헥사메틸렌 디아민, 테레프탈산, 이소프탈산 및 아디프산으로 제조된 폴리프탈아미드를 개시한다. 상기에서 사용된 헥사메틸렌 디아민: 테레프탈산: 이소프탈산: 아디프산의 몰 비는 약 100: 65-95: 25-0: 35-5의 범위내이다. 미국 특허 제4,617,342호 및 유럽 특허 출원 제122,688호는 헥사메틸렌 디아민 및 트리메틸 헥사메틸렌 디아민의 혼합물로부터 약 98:2 내지 약 60:4의 몰 비로 형성된 폴리프탈아미드 및 테레프탈산 및 이소프탈산의 혼합물로부터 적어도 80:20 내지 약 99:1의 몰 비로 형성된 폴리프탈아미드를 개시한다. 유럽 특허 출원 제121,985호는 약 55/45 내지 약 95/5의 몰 비의 헥사메틸렌 디아민 및 트리메틸 헥사메틸렌 디아민의 혼합물 및 테레프탈산으로부터 제조된 폴리프탈아미드를 개시한다. 테레프탈산 대 디아민의 몰 비는 바람직하게는 1.2:1 내지 1:1.2의 범위이고, 보다 바람직하게는 약 1:1이다. 유럽 특허 출원 제121,983호는 헥사메틸렌 디아민 및 트리메틸 헥사메틸렌 디아민의 혼합물과, 테레프탈산 및 아디프산의 혼합물, 또는 테레프탈산, 이소프탈산 및 아디프산의 혼합물로부터 제조된 폴리프탈아미드를 개시한다. 헥사메틸렌 디아민 대 트리메틸 헥사메틸렌 디아민의 몰 비는 약 55/45 내지 약 98/2의 범위 내이다. 테레프탈산 및 아디프산의 혼합물이 사용되는 경우, 디아민, 테레프탈산 및 아디프산의 몰 비는 약 100/61/39 내지 100/95/5의 범위 내이다. 테레프탈산, 이소프탈산 및 아디프산의 혼합물이 사용되는 경우, 디아민, 테레프탈산, 및 이소프탈산 및 아디프산의 혼합물의 몰 비는 약 100/61/39 내지 100/95/5의 범위 내이고, 혼합물 내에서 이소프탈산 대 아디프산의 몰 비는 약 38/1 내지 1/38이다. 상기 결정성 폴리프탈아미드의 일부는 본 발명의 조성물에서의 사용에 적합하고, 전술한 미국 특허 등(Poppe et al) 및 인용한 유럽 특허 출원의 개시에 따라서 제조될 수 있다.
본 발명의 열가소성 조성물에서 사용되는 열가소성 수지의 양은 열가소성 조성물 뿐만 아니라 상기 조성물로부터 제조된 성형품의 특정 특성에 따라 다를 수 있다. 다른 요소로는 사용된 LDS 첨가제의 유형 및/또는 양, 및/또는 사용된 안료의 유형 및/또는 양이 있다. 하나의 실시형태에서, 열가소성 수지는 60 내지 97 중량%의 양으로 존재한다. 다른 실시형태에서, 열가소성 수지는 65 내지 95 중량%의 양으로 존재한다. 또 다른 실시형태에서, 열가소성 수지는 70 내지 90 중량%의 양으로 존재한다.
또한, 본 발명의 조성물은 레이저 직접 성형(LDS) 첨가제를 포함한다. LDS 첨가제는 조성물이 레이저 직접 성형 공정에서 사용되도록 하기 위해 선택된다. LDS 공정에서, 레이저 빔은 LDS 첨가제가 열가소성 조성물의 표면에 위치하고, LDS 첨가제로부터 금속 원자를 활성화시키도록 감광시킨다(expose). 상기와 같이, LDS 첨가제는 레이저 빔에 감광되는 경우, 금속 원자가 활성화되고 감광되고, 레이저 빔에 감광되지 않은 부분은 금속 원자가 감광되지 않도록 하기 위해 사용된다. 또한, LDS 첨가제는 레이저 빔에 감광된 후에, 식각 영역(etching area)이 전도성 구조체를 형성하기 위해 도금될(plate) 수 있도록 하기 위해 사용된다. 본 명세서에서 사용하듯이, “도금될 수 있는(capable of being plated)”은 상당히 균일한 금속 도금층이 레이저-에칭된 영역에서 도금될 수 있고 레이저 파라미터에 대해 와이드 윈도우(wide window)를 보여주는 물질을 의미한다. 상기 공정은 에너지 방사선의 효과 아래서 레이저 마킹(laser marking)의 주요한 결과가 물질에서의 색상 변화인 레이저 마킹과는 다르다. 또한 레이저 마킹의 주요한 특징은 표시 및 기재 사이의 차이이다.
반대로 LDS에 대한 목표는 하기 도금 공정 동안 레이저 에칭 표면, 및 최종 금속화 층에 금속 시드(seeds)를 형성하는 것이다. 도금층의 도금율 및 접착성은 주요한 평가 요구사항이다. 그러나, 개시하였듯이, 본 발명은 도금 성능에 상승작용(synergy) 효과를 주기 위해 LDS와 함께 백색 안료를 포함하여서, 우수한 도금 특성을 유지하는데 더 적은 로딩의 LDS 첨가제를 사용할 수 있게 한다.
본 발명에서 유용한 LDS 첨가제의 예는 이에 제한되지는 않지만, 구리 크롬 옥사이드 스피넬과 같은 중금속 혼합물 옥사이드 스피넬; 수산화 구리 인산, 구리 인산, 황산구리, 티오시아네이트 제1구리와 같은 구리염; 또는 상기 LDS 첨가제들 중 하나 이상을 포함하는 조합을 포함한다.
포함되는 LDS 첨가제의 양은 물리적 특성에 악영향을 미치지 않으면서, 레이저에 의해 활성화된 후, 형성되는 트랙의 도금을 충분히 가능하게 한다. 하나의 실시형태에서, LDS 첨가제는 0.5 내지 20 중량%의 양으로 존재한다. 다른 실시형태에서, LDS 첨가제는 1 내지 15 중량%의 양으로 존재한다. 또 다른 실시형태에서, LDS 첨가제는 2 내지 10 중량%의 양으로 존재한다.
개시하였듯이, LDS 첨가제는 레이저와의 활성화 후에, 도전 경로가 하기의 표준 무전해 도금 공정에 의해서 형성될 수 있도록 하기 위해 선택된다. LDS 첨가제는 레이저에 감광되는 경우, 금속 원소는 방출된다(released). 레이저는 일부에서 회로패턴을 그리고, 삽입된(embedded) 금속 입자를 포함하는 거친 표면을 남긴다. 상기 입자들은 구리 도금 공정과 같이, 연속적인 도금 공정 동안에 결정 성장을 위한 핵(nuclei)으로서 역할한다. 사용될 수 있는 다른 무전해 도금 공정은 이에 제한되지는 않지만, 금 도금, 니켈 도금, 은 도금, 아연 도금, 주석 도금 등을 포함한다.
또한 열가소성 수지 및 LDS 첨가제와 함께, 본 발명의 조성물은 선택적으로 안료를 포함한다. LDS 첨가제에 안료를 사용함으로써, 생성되는 조성물이 LDS 첨가제의 더 적은 양을 사용하여도 무전해 도금 공정에서 우수한 도금 특성을 여전히 제공할 수 있음이 밝혀졌다. 바람직하게도, 본 발명의 조성물은 백색 안료를 이용하여서, 안료 없이 만들어진 물품에서 경로 위에 도금된 금속층보다 더 두꺼운 금속층이 레이저 직접 성형 공정 동안에 형성된 경로 위에 도금되도록 할 수 있다. 안료는 박리강도에 부정적인 영향을 미치지 않으며, 여전히 물품에 대한 도금층의 높은 접착성을 유지한다. 안료는 당해 기술분야의 기존의 물질과 동일한 도금 조건 및 도금 시간 하에서, 더 두꺼운 금속층을 얻고 도금 공정을 가속화시킴으로써 도금 성능을 개선시킬 수 있다. 또한 안료는 도금 공정 윈도우를 넓혀서, 더 적은 레이저 파워를 사용하여 금속화 품질을 가능하게 한다.
본 발명에서 사용될 수 있는 안료의 예는 이에 제한되지는 않지만, 아나티제, 루틸을 포함하는 TiO2, ZnO, BaSO4, CaCO3, BaTiO3, 또는 상기 안료들 중 하나 이상을 포함하는 조합을 포함한다. 하나의 실시형태에서, 안료는 0.5 내지 15 중량%의 양으로 존재한다. 다른 실시형태에서, 안료는 1 내지 12 중량%의 양으로 존재한다. 또 다른 실시형태에서, 안료는 2 내지 10 중량%의 양으로 존재한다. 상기에서 개시하였듯이, 상기의 안료의 양은 우수한 물리적 특성을 유지하면서, 더 적은 로딩의 LDS 첨가제가 사용되는 것을 가능하게 한다.
본 발명의 조성물은 강화된 도금 성능 및 우수한 물리적 특성을 갖는 조성물을 만들기 위해, 안료 및 LDS 첨가제 사이에 상승작용을 이용한다. 본 발명의 조성물로부터 만들어진 물품은, 무전해 도금 시간 30 분 안에 안료 없이 만들어진 물품에서 경로 위에 도금된 금속층보다 3 내지 8배 더 두꺼운 금속층을 갖는다. 하나의 실시형태에서, 금속층은 0.7N/mm 이상의 박리강도를 갖는다. 다른 실시형태에서, 금속층은 0.8N/mm 이상의 박리강도를 갖는다. 금속층의 두께는 하나의 실시형태에서 0.8 마이크로미터 이상이다. 다른 실시형태에서, 금속층의 두께는 1.0 마이크로미터 이상이다.
또한 열가소성 수지, LDS 첨가제, 및 안료와 함께, 본 발명의 열가소성 조성물은 상기 유형의 수지 조성물에 통상적으로 포함되는 다양한 첨가제를 포함할 수 있다. 첨가제의 혼합물도 사용될 수 있다. 상기 첨가제는 조성물을 형성하기 위해 구성성분을 혼합하는 동안에 적절한 때에 혼합될(mix) 수 있다. 하나 이상의 첨가제는 열가소성 조성물 및 그로부터 만들어진 임의의 성형품에 하나 이상의 특정 특성을 주기(impart) 위해 열가소성 조성물에 포함된다. 본 발명에 포함될 수 있는 첨가제의 예는 이에 제한되지는 않지만, 열 안정제, 공정 안정제, 항산화제, 광 안정제, 가소제, 대전방지제, 이형제(mold releasing agents), UV 흡수제, 윤활제, 유동 촉진제(flow promoters), 내충격성 개질제(impact modifiers), 또는 상기 첨가제들 중 하나 이상의 조합을 포함한다.
적합한 열 안정제는 예를 들어, 트리페닐 포스파이트, 트리스-(2,6-디메틸페닐)포스파이트, 트리스-(혼합형 모노- 및 디-노닐페닐)포스파이트 등과 같은 유기 포스파이트; 디메틸벤젠 포스포네이트 등과 같은 포스포네이트; 트리메틸 포스페이트 등과 같은 포스페이트, 또는 상기 열 안정제들 중 하나 이상을 포함하는 조합을 포함한다. 열 안정제는 임의의 충전물(filler)을 제외하고서, 조성물의 총 중량의 100 부(parts) 기준으로 0.01 내지 0.5 중량부의 양으로 일반적으로 사용된다.
적합한 항산화제는 예를 들어, 트리스(노닐 페닐)포스파이트, 트리스(2,4-디-티(t)-부틸페닐)포스파이트, 비스(2,4-디-티-부틸페닐)펜타에리스리톨 디포스파이트, 디스테아릴 펜타에리스리톨 디포스파이트 등과 같은 유기 포스파이트; 알킬화 모노페놀 또는 폴리페놀; 테트라키스[메틸렌(3,5-디-터트-부틸-4-히드록시히드로신나메이트)]메탄 등과 같은 디엔을 가진 폴리페놀의 알킬화 반응 생성물; 파라-크레졸 또는 디시클로펜타디엔의 부틸화 반응 생성물; 알킬화 히드로퀴논; 히드록실화 티오디페닐 에테르; 알킬리덴-비스페놀; 벤질 화합물; 모노히드릭 또는 폴리히드릭 알코올을 가진 베타-(3,5-디-터트-부틸-4-히드록시페닐)-프로피온산의 에스테르; 모노히드릭 또는 폴리히드릭 알코올을 가진 베타-(5-터트-부틸-4-히드록시-3-메틸페닐)-프로피온산의 에스테르; 디스테아릴티오프로피오네이트, 디라우릴티오프로피오네이트, 디트리데실티오디프로피오네이트, 옥타데실-3-(3,5-디-터트-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트, 펜타에리스리틸-테트라키스[3-(3,5-디-터트-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트 등과 같은 티오알킬 또는 티오아릴 화합물의 에스테르; 베타-(3,5-디-터트-부틸-4-히드록시페닐)-프로피온산 등의 아미드; 또는 상기 항산화제들 중 하나 이상을 포함하는 조합을 포함한다. 항산화제는 임의의 충전물을 제외하고서, 조성물의 총 중량의 100 부(parts) 기준으로, 0.01 내지 0.5 중량부의 양으로 일반적으로 사용된다.
적합한 광 안정제는 예를 들어, 2-(2-히드록시-5-메틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-터트-옥틸페닐)-벤조트리아졸, 및 2-히드록시-4-n-옥토시 벤조페논 등 또는 상기 광 안정제들 중 하나 이상을 포함하는 조합과 같은 벤조트리아졸을 포함한다. 광 안정제는 임의의 충전물을 제외하고서, 조성물 총 중량의 100부 기준으로, 0.1 내지 1.0 중량부의 양으로 일반적으로 사용된다.
적합한 가소제는 예를 들어, 디옥틸-4,5-에폭시-헥사히드로프탈레이트, 트리스-(옥토시카르보닐에틸)이소시아누레이트, 트리스테아린, 에폭시화 콩기름 등, 또는 상기 가소제들 중 하나 이상을 포함하는 조합과 같은 프탈산 에스테르를 포함한다. 가소제는 임의의 충전물을 제외하고서, 조성물 총 중량의 100부 기준으로, 0.5 내지 3.0 중량부의 양으로 일반적으로 사용된다.
적합한 대전 방지제는 예를 들어, 글리세롤 모노스테아레이트, 나트륨 스테아릴 설포네이트, 나트륨 도데실벤젠설포네이트 등, 또는 상기 대전 방지제의 조합을 포함한다. 하나의 실시형태에서, 탄소 섬유, 탄소 나노섬유, 탄소 나노튜브, 탄소 블랙, 또는 상기 물질들 중 임의의 조합이 화학적 대전 방지제를 포함하는 폴리머 수지에서 사용될 수 있으며, 정전기적으로 분산하는 조성물을 제공한다.
적합한 이형제는 예를 들어, 금속 스테아레이트, 스테아릴 스테아레이트, 펜타에리스리톨 테트라스테아레이트, 밀랍(beeswax), 몬탄 왁스(montan wax), 파라핀 왁스 등, 또는 상기 이형제들 중 하나 이상을 포함하는 조합을 포함한다. 이형제는 임의의 충전물을 제외하고서, 조성물 총 중량의 100부 기준으로, 0.1 내지 1.0 중량부의 양으로 일반적으로 사용된다.
적합한 UV 흡수제는 예를 들어, 히드록시벤조페논; 히드록시벤조트리아졸; 히드록시벤조트리아진; 시아노아크릴레이트; 옥사닐라이드; 벤즈옥사지논; 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)-페놀(CYASORBTM5411); 2-히드록시-4-n-옥틸옥시벤조페논(CYASORBTM531); 2-[4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진-2-일]-5-(옥틸옥시)-페놀(CYASORBTM1164); 2,2'-(1,4-페닐렌)비스(4H-3,1-벤즈옥사진-4-온) (CYASORBTMUV- 3638); 1,3-비스[(2-시아노-3,3-디페닐아크릴오일)옥시]-2,2-비스[[(2-시아노-3,3-디페닐아크릴오일)옥시]메틸]프로판(UVINULTM3030); 2,2'-(1,4-페닐렌)비스(4H-3,1-벤즈옥사진-4-온); 1,3-비스[(2-시아노-3,3-디페닐아크릴오일)옥시]-2,2-비스[[(2-시아노-3,3-디페닐아크릴오일)옥시]메틸]프로판; 모두 100 나노미터 이하의 입자 크기를 가진, 산화티타늄, 산화세륨, 및 산화아연과 같은 나노-입자의 무기 물질; 등, 또는 상기 UV 흡수제들 중 하나 이상을 포함하는 조합을 포함한다. UV 흡수제는 임의의 충전물을 제외하고서, 조성물 총 중량의 100부 기준으로, 0.01 내지 3.0 중량부의 양으로 일반적으로 사용된다.
적합한 윤활제는 예를 들어, 알킬 스테아릴 에스테르 예를 들어, 메틸 스테아레이트 등과 같은 지방산 에스테르; 폴리에틸렌 글리콜 폴리머, 폴리프로필렌 글리콜 폴리머, 및 그 코폴리머를 포함하는 친수성 및 소수성 계면활성제와 메틸 스테아레이트의 혼합물 예를 들어, 적합한 용매에서 메틸 스테아레이트 및 폴리에틸렌-폴리프로필렌 글리콜 코폴리머의 혼합물; 또는 상기 윤활제들 중 하나 이상을 포함하는 조합을 포함한다. 윤활제는 임의의 충전물을 제외하고서, 조성물 총 중량의 100부 기준으로, 0.1 내지 5 중량부의 양으로 일반적으로 사용된다.
적합한 발포제(blowing agents)는 예를 들어, 저융점의(low boiling) 할로탄화수소 및 이산화탄소를 발생시키는 물질; 상온에서 고체이고, 분해 온도 이상의 온도로 가열될 때, 아조디카본아미드, 아조디카본아미드의 금속염, 4,4'-옥시비스(벤젠설포닐히드라지드), 나트륨 비카보네이트, 암모늄 카보네이트, 등, 또는 상기 발포제들 중 하나 이상을 포함하는 조합과 같이, 질소, 이산화탄소, 암모늄 가스와 같은 가스를 발생시키는 발포제를 포함한다. 발포제는 임의의 충전물을 제외하고서, 조성물 총 중량의 100부 기준으로, 1 내지 20 중량부의 양으로 일반적으로 사용된다.
또한, 유동성(flow) 및 다른 특성을 향상시키기 위한 물질이 저 분자량 탄화수소 수지와 같이 조성물에 첨가될 수 있다. 특히, 저 분자량 탄화수소 수지의 유용한 부류는 석유 크래킹으로부터 얻어진 불포화된 C5 내지 C9 모노머로부터 유래된 석유 C5 내지 C9 공급원으로부터 유래된 물질이다. 비-제한적 예로는 올레핀 예를 들어, 펜텐, 헥센, 헵텐, 등; 디올레핀 예를 들어, 펜타디엔, 헥사디엔 등; 시클릭 올레핀 및 디올레핀 예를 들어, 시클로펜텐, 시클로펜타디엔, 시클로헥센, 시클로헥사디엔, 메틸 시클로펜타디엔 등; 시클릭 디올레핀 디엔 예를 들어, 디시클로펜타디엔, 메틸시클로펜타디엔 다이머 등; 및 방향족 탄화수소 예를 들어, 비닐톨루엔, 인덴, 메틸인덴 등을 포함한다. 또한 상기 수지는 부분적 또는 완전히 수소화된다.
본 발명의 열가소성 조성물은 열가소성 수지를 형성하기 위해, 다수의 구성성분을 조합하는 공지된 방법을 사용하여 형성될 수 있다. 하나의 실시형태에서, 구성성분은 먼저 고속 믹서기(high-speed mixer)에서 블렌드된다. 이에 제한되지는 않지만, 수동 믹싱(mixing)을 포함하는 다른 저 전단(shear) 공정은 또한 상기 블렌딩(blending)을 수반할 수 있다. 그 후 상기 블렌드를 호퍼(hopper)를 통하여 이축 압출기(twin-screw extruder)의 입출부(throat)에 넣는다. 대안으로, 하나 이상의 구성성분이 사이드스퍼터(sidestuffer)를 통해서 입출부 및/또는 하부(downstream)에서 압출기에 직접 공급됨으로써, 조성물에 포함될 수 있다. 압출기는 조성물이 유동성을 갖기 위해 필요한 온도보다 더 높은 온도에서 일반적으로 작동한다. 상기 압축물은 물 배치(water batch)에서 즉시 퀀칭(quenched)되고 펠렛된다(pelletized). 압출물을 자를(cut) 때 사용하는 펠렛은 바람직하게는 1/4 인치 이하의 길이일 수 있다. 상기 펠렛은 연속적인 성형, 쉐이핑(shaping), 또는 형성을 위해 사용될 수 있다.
또한, 본 발명은 열가소성 조성물을 포함하는 쉐이핑된, 형성된, 또는 성형된 제품을 제공한다. 열가소성 조성물은 사출 성형, 압출, 회전 성형(rotational molding), 블로우 성형(blow molding), 및 열성형(thermoforming)과 같은 다양한 방법에 의해 유용한 쉐이핑 제품 안으로(into) 성형될 수 있어서, 예를 들어 개인용 컴퓨터, 노트북, 및 휴대용 컴퓨터 등을 위한 하우징(housings); 핸드폰 및 다른 통신 장치를 위한 하우징; 의약 용품; RFID 용품; 자동차 용품, 등과 같은 제품을 형성한다.
본 발명의 하나의 실시형태는 금속층이 도금되어 있는 전도 경로를 갖는 성형품을 포함한다. 하나의 실시형태에서, 금속층은 0.3N/mm 이상의 박리강도를 갖는다. 다른 실시형태에서, 금속층은 0.7N/mm 이상의 박리강도를 갖는다. 또 다른 실시형태에서, 금속층은 0.8N/mm 이상의 박리강도를 갖는다. 하나의 실시형태의 일측면에서, 금속층은 0.8마이크로미터 이상의 두께를 가진다. 다른 실시형태에서, 금속층은 1.0마이크로미터 이상의 두께를 가진다.
본 발명은 하기의 비-제한적인 예에 의해 추가로 설명된다.
실시예
상기의 실시예에서, 폴리머 조성물의 도금성(platability) 및 물리적 특성에 대한 LDS 첨가제와 조합한 안료의 효과가 검토되었다. 상기 실시예에서, 폴리머 베이스 수지는 폴리카보네이트/아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 수지 블렌드(사빅 이노베이티브 플라스틱(SABIC Innovative Plastics)사 제)이었고, LDS 첨가제는 구리 히드록사이드 포스페이트(머크(Merck)사 제)로 제조되었다. 안료는 TiO2(듀퐁(DuPont)사 제)였다. 모든 실시예에서 3.77 중량%의 추가적인 첨가제 및 충전물이 사용되었다. 상기 실시예에서 사용된 제형을 하기 표 1-3에 나타내었다.
Figure 112013034050763-pct00012
표 1에 나타낸 제형을 사용하여, 도금 성능에 있어서 TiO2 및 LDS 첨가제의 상승작용을, LDS 첨가제만을 또는 안료만을 포함하는 실시예와 비교하여 나타낸다. 일반적으로, 조성물의 무전해 도금 능력을 결정하기 위해, 조성물은 도금된 구리층 두께, 베이스 매트릭스(matrix)에 대한 구리층의 접착성, 구리층 및 도금 공정 윈도우의 거칠기(roughness)를 측정함으로써 검사된다.
도금 공정 윈도우는 레이저 성형 공정 파라미터의 상이한 조합의 측정에 기초하여 결정되었다. 상기 공정 파라미터는 레이저 파워(power) 및 레이저 주파수(frequency)였다. 실시예에서, 4%의 LDS 첨가제를 사용하였다. 도금 공정 윈도우는 레이저 파워를 3W, 4W, 5W, 6W, 8W 및 10W로 하여 검사하였고, 레이저 주파수는 레이저 에칭(레이저 성형)을 위해 40kHz, 60kHz, 80kHz 및 100kHz에서 검사하였다. 각 제형별로 24회의 시험을 실시했다.
상기 결과에서도 볼 수 있듯이, 단지 TiO2 안료를, 특히 10%의 높은 로딩을 사용한 화합물은 안테나 용품과 같은 도체 트랙 구조를 LDS 기술을 사용함으로써 생산할 수 없었다. 상기 실시예에서, 금속층 (구리)은 표 1의 제형 2를 사용하는 조성물에 대해 상술된 파라미터의 조합을 사용하여, 레이저-에칭된 부분의 어디에서도 증착될 수 없었고, 여기서 공정 윈도우는 상기 제형에 대해 0(zero)이었다.
그러나, 단지 구리 히드록사이드 포스페이트 LDS 첨가제(표 1에서 제형 1)를 가진 화합물을 LDS 기술을 사용하여 도체 트랙 구조를 생산하는데 사용할 수 있었다. 도 1에서 볼 수 있듯이, 가장 낮은 레이저 파워 조건(3W)에서 에칭된 블록 및 4W 및 100kHz의 에칭된 블록을 제외하고서, 다른 레이저 에칭된 블록 위에 우수한 구리층을 증착시키는 것이 가능하였고, 이것은 제형 1의 공정 윈도우가 제형 2보다 더 우수하다는 것을 나타낸다.
그러나, 본 발명의 내용에 따른 조성물의 제조에 있어서, TiO2 안료 및 구리 히드록사이드 포스페이트 LDS 첨가제가 모두 화합물(표 1의 제형 3)에 첨가되는 경우, 결과는 제형 1보다 더 대규모의 무전해 도금 공정 윈도우였다. 도 1에서 볼 수 있듯이, 모든 레이저 에칭된 블록은 가장 낮은 파워 및 가장 높은 주파수(3W 및 100kHz)에서의 블록을 제외하고는 도금될 수 있으며, 이것은 제형 1에서 개선된 것이며, 여기서 3W 샘플 및 4W 및 100kHz 샘플은 불량한 도금을 보였다. TiO2는 단지 혼자 사용되었을 때, LDS 첨가제로서 어떠한 특성도 보이지 않았기 때문에, LDS 첨가제와 조합하여 사용되는 경우 도금 성능에 있어 개선점을 보여줄 것으로 기대되지 않았다. 도금 공정 윈도우에 있어서의 상기 개선은 TiO2가 LDS 조성물의 특성을 향상시키기 위해, LDS 첨가제와 시너지 효과를 가짐을 나타낸다.
TiO2의 상이한 로딩양의 영향은 표 2에 나타낸 제형 세트를 사용하여 또한 계산하였다. 도 2에서 볼 수 있듯이, 1%의 TiO2는 금속화 성능을 향상시킬 수 있고, TiO2의 양이 증가됨에 따라 금속화 성능도 향상된다. 표 3은 5% TiO2 로딩에서, 요구되는 기계적 특성에 불리한 영향을 주지 않고서, 향상된 도금 성능이 조성물 6에서 얻어질 수 있음을 나타낸다.
Figure 112013034050763-pct00013
Figure 112013034050763-pct00014
CaCO3, BaSO4, BaTiO3, 및 ZnO와 같이 다른 안료는 모두 LDS 조성물의 도금 성능을 향상시킬 뿐만 아니라 레이저 활성화 첨가제와 함께 시너지 효과를 나타냈다. 표 4에 개시된 제형의 사용에 있어서, 대조 샘플보다 상기 안료 각각의 경우에 더 큰 공정 윈도우가 있음이 관찰되었다. 결과는 도 3에 나타냈다.
Figure 112013034050763-pct00015
구리층을 ASTM B568 표준과 함께 XRF 방법을 사용하여 검사하였다. 상기 표준에서, 레이저 파워는 3W이고, 레이저 펄스(pulse)는 60KHz이고, 레이저 속도는 2m/s이고, 도금 시간은 30분이었다. 표 5에서, 금속층 두께를 검사하였고, 다양한 백색 안료의 사용은 백색 안료를 사용하지 않은 조성물에 비하여 금속층의 두께를 증가시켰고, 이것은 백색 안료가 LDS 성능을 향상시킬 수 있음을 의미한다. 상기 실시예는 상기 조성물 4-7 및 10-12에 기초한다.
구리층의 접착성은 박리 시험 기계를 사용하여 박리강도를 검사함으로써 결정하였다. 상기 시험 방법은 IPC-TM-650였다. 상기 표준에서, 레이저 파워는 5W이고, 레이저 펄스는 60KHz이고, 레이저 속도는 2m/s이고, 도금된 구리층 두께는 30-35um이고 박리 속도는 50mm/min였다. 표 5에서, 다양한 백색 안료의 사용이 특정 실시형태에서 박리강도에 부정적 영향을 미치지 않음을 확인하기 위해 박리강도를 검사하였다. 박리강도는 0.7N/mm 이상일 수 있다. 상기 실시예는 상기 조성물 4-7 및 10-12에 기초한다.
Figure 112013034050763-pct00016
하나의 실시형태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 베이스 수지 65 내지 92중량%; b) 레이저 직접 성형 첨가제 0.5 내지 20 중량%; 및 c) 아나티제, 루틸, 코팅형 및 무-코팅형을 포함하는 TiO2, ZnO, BaSO4, CaCO3, BaTiO3, 또는 상기 안료들 중 하나 이상을 포함하는 조합으로부터 선택되어진 하나 이상의 안료 0.5 내지 15 중량%로 필수적으로 구성(consisting essentially of)될 수 있다. 열가소성 조성물은 레이저를 사용하여 활성화된 후에 도금될 수 있다.
다양한 실시형태에서, (ⅰ) 염가소성 베이스 수지는 폴리카보네이트, 폴리카보네이트/아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 수지 블렌드, 폴리(아릴렌 에테르)수지, 나일론계 수지, 폴리프탈아미드 수지, 폴리페닐렌 옥사이드 수지, 또는 상기 수지들 중 하나 이상을 포함하는 조합으로부터 선택될 수 있고; 및/또는 (ⅱ) 레이저 직접 성형 첨가제는 중금속 혼합물 옥사이드 스피넬, 구리염, 또는 상기 레이저 직접 성형 첨가제들 중 하나 이상을 포함하는 조합으로부터 선택되고; 및/또는 (ⅲ) 조성물은 a) 열가소성 베이스 수지 70 내지 90 중량%; b) 중금속 혼합물 옥사이드 스피넬, 구리염, 또는 상기 레이저 직접 성형 첨가제들 중 하나 이상을 포함하는 조합으로부터 선택된 레이저 직접 성형 첨가제 1 내지 10 중량%; 및 c) 아나티제, 루틸, 코팅형 및 무-코팅형을 포함하는 TiO2, ZnO, BaSO4, CaCO3, BaTiO3, 또는 상기 안료들 중 하나 이상을 포함하는 조합으로부터 선택된 하나 이상의 안료 1 내지 10 중량%로 필수적으로 구성(consisting essentially of)될 수 있고; 및/또는 (ⅳ) 조성물은 구리층으로 도금될 수 있다.
하나의 실시형태에서, 제품의 형성방법은 상기 개시된 조성물로부터 제품을 성형하는 단계; 레이저를 사용하여 성형품에 전도 경로를 형성하는 단계; 및 전도 경로에 구리층을 도금하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 금속층은 ASTM B568로 측정시 0.8 마이크로미터 이상의 두께를 가질 수 있고, 상기 금속층은 IPC-TM-650로 측정시 0.3N/mm 이상의 박리강도를 가진다.
하나의 실시형태에서, 제조 제품은 그 위에 전도 경로를 갖는 성형품, 및 전도 경로에 도금된 금속층을 포함할 수 있다. 성형품은 상기 개시된 조성물로부터 형성된다. 상기 금속층은 ASTM B568로 측정시 0.8 마이크로미터 이상의 두께를 가질 수 있고, 상기 금속층은 IPC-TM-650로 측정시 0.3N/mm 이상의 박리강도를 가진다.
다양한 실시형태에서, (ⅰ) 금속층은 구리층을 포함할 수 있고; 및/또는 (ⅱ) 조성물은 a) 열가소성 베이스 수지 70 내지 90 중량%; b) 중금속 혼합물 옥사이드 스피넬, 구리염, 또는 상기 레이저 직접 성형 첨가제들 중 하나 이상을 포함하는 조합으로부터 선택된 레이저 직접 성형 첨가제 1 내지 10 중량%; 및 c) 아나티제, 루틸, 코팅형 및 무-코팅형을 포함하는 TiO2, ZnO, BaSO4, CaCO3, BaTiO3, 또는 상기 안료들 중 하나 이상을 포함하는 조합으로부터 선택된 하나 이상의 안료 1 내지 10 중량%로 필수적으로 구성(consisting essentially of)될 수 있으며; 및/또는 (ⅲ) 열가소성 베이스 수지는 폴리카보네이트, 폴리카보네이트/아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 수지 블렌드, 폴리(아릴렌 에테르)수지, 나일론계 수지, 폴리프탈아미드 수지, 폴리페닐렌 옥사이드 수지 또는 상기 수지들 중 하나 이상을 포함하는 조합으로부터 선택될 수 있고; 및/또는 (ⅳ) 레이저 직접 성형 첨가제는 중금속 혼합물 옥사이드 스피넬, 구리염, 또는 상기 레이저 직접 성형 첨가제들 중 하나 이상을 포함하는 조합으로부터 선택될 수 있으며; 및/또는 (ⅴ) 금속층은 ASTM B568로 측정시 1.0 마이크로미터 이상의 두께를 가질 수 있고; 및/또는 (ⅵ) 금속층은 IPC-TM-650로 측정시 0.7N/mm 이상의 박리강도를 가질 수 있으며; 및/또는 (ⅶ) 금속층은 IPC-TM-650로 측정시 0.8N/mm 이상의 박리강도를 가질 수 있고; 및/또는 (ⅷ) 제품은 컴퓨터, 핸드폰, 통신 장치, 의료용품, RFID 용품, 또는 자동차용품으로부터 선택될 수 있다.
전형적인 실시형태는 본 발명의 설명을 위해 개시되었으며, 상기 설명은 본 발명의 범위를 제한하는 것이 아니다. 따라서, 본 발명의 의미 및 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정, 변형, 및 대체가 당해 기술분야의 통상의 기술자에게서 발생될 수 있다.

Claims (15)

  1. 열가소성 조성물로, 상기 열가소성 조성물은
    a) 폴리카보네이트, 폴리카보네이트/아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 수지 블렌드(blend), 폴리페닐렌 옥사이드 수지, 또는 상기 수지들 중 하나 이상을 포함하는 조합으로부터 선택되는 열가소성 베이스(base) 수지 65 내지 92 중량%;
    b) 레이저 직접 성형(laser direct structuring) 첨가제 0.5 내지 20 중량%; 및
    c) 아나티제(anatise), 루틸(rutile), 코팅형 및 무-코팅형을 포함하는 TiO2, ZnO, BaSO4, CaCO3, BaTiO3, 또는 상기 안료들 중 하나 이상을 포함하는 조합으로부터 선택되어진 하나 이상의 안료 0.5 내지 15 중량%로 필수적으로 이루어지며(consisting essentially of),
    상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용하여 활성화된 후에 도금될 수 있고,
    상기 조성물의 레이저 활성화는 상기 레이저 직접 성형 첨가제의 금속 원자를 감광시켜, 금속 시드(seeds)가 상기 레이저에 의해 활성화된 상기 조성물 부분에 형성되는, 열가소성 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 레이저 직접 성형 첨가제는 중금속 혼합물(mixture) 옥사이드 스피넬, 구리염, 또는 상기 레이저 직접 성형 첨가제들 중 하나 이상을 포함하는 조합으로부터 선택된 열가소성 조성물.
  3. 열가소성 조성물로, 상기 열가소성 조성물은
    a) 폴리카보네이트, 폴리카보네이트/아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 수지 블렌드(blend), 폴리페닐렌 옥사이드 수지, 또는 상기 수지들 중 하나 이상을 포함하는 조합으로부터 선택되는 열가소성 베이스 수지 70 내지 90 중량%;
    b) 중금속 혼합물 옥사이드 스피넬, 구리염, 또는 상기 레이저 직접 성형 첨가제들 중 하나 이상을 포함하는 조합으로부터 선택된 레이저 직접 성형 첨가제 1 내지 10 중량%; 및
    c) 아나티제, 루틸, 코팅형 및 무-코팅형을 포함하는 TiO2, ZnO, BaSO4, CaCO3, BaTiO3, 또는 상기 안료들 중 하나 이상을 포함하는 조합으로부터 선택되어진 하나 이상의 안료 1 내지 10 중량%로 필수적으로 이루어지며(consisting essentially of),
    상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용하여 활성화된 후에 도금될 수 있고,
    상기 조성물의 레이저 활성화는 상기 레이저 직접 성형 첨가제의 금속 원자를 감광시켜, 금속 시드(seeds)가 상기 레이저에 의해 활성화된 상기 조성물 부분에 형성되는, 열가소성 조성물.
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Families Citing this family (101)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9867530B2 (en) 2006-08-14 2018-01-16 Volcano Corporation Telescopic side port catheter device with imaging system and method for accessing side branch occlusions
EP2178442B1 (en) 2007-07-12 2017-09-06 Volcano Corporation Catheter for in vivo imaging
US10219780B2 (en) 2007-07-12 2019-03-05 Volcano Corporation OCT-IVUS catheter for concurrent luminal imaging
US9596993B2 (en) 2007-07-12 2017-03-21 Volcano Corporation Automatic calibration systems and methods of use
EP2632734B1 (en) * 2010-10-26 2016-03-23 SABIC Global Technologies B.V. Laser direct structuring materials with all color capability
US11141063B2 (en) 2010-12-23 2021-10-12 Philips Image Guided Therapy Corporation Integrated system architectures and methods of use
US11040140B2 (en) 2010-12-31 2021-06-22 Philips Image Guided Therapy Corporation Deep vein thrombosis therapeutic methods
WO2013033489A1 (en) 2011-08-31 2013-03-07 Volcano Corporation Optical rotary joint and methods of use
EP2581469B1 (en) * 2011-10-10 2015-04-15 Enthone, Inc. Aqueous activator solution and process for electroless copper deposition on laser-direct structured substrates
WO2013066663A2 (en) * 2011-10-31 2013-05-10 Ticona Llc Thermoplastic composition for use in forming a laser direct structured substrate
CN104619783B (zh) * 2012-09-14 2017-06-16 三菱工程塑料株式会社 热塑性树脂组合物、树脂成型品和带镀层的树脂成型品的制造方法
JP6190812B2 (ja) * 2012-09-14 2017-08-30 三菱エンジニアリングプラスチックス株式会社 熱可塑性樹脂組成物、樹脂成形品、及びメッキ層付樹脂成形品の製造方法
US9185800B2 (en) * 2012-09-17 2015-11-10 Sabic Global Technologies B.V. Laser direct structuring materials with improved plating performance and acceptable mechanical properties
US9292918B2 (en) 2012-10-05 2016-03-22 Volcano Corporation Methods and systems for transforming luminal images
JP2015532536A (ja) 2012-10-05 2015-11-09 デイビッド ウェルフォード, 光を増幅するためのシステムおよび方法
US9286673B2 (en) 2012-10-05 2016-03-15 Volcano Corporation Systems for correcting distortions in a medical image and methods of use thereof
US11272845B2 (en) 2012-10-05 2022-03-15 Philips Image Guided Therapy Corporation System and method for instant and automatic border detection
US10568586B2 (en) 2012-10-05 2020-02-25 Volcano Corporation Systems for indicating parameters in an imaging data set and methods of use
US10070827B2 (en) 2012-10-05 2018-09-11 Volcano Corporation Automatic image playback
US9307926B2 (en) 2012-10-05 2016-04-12 Volcano Corporation Automatic stent detection
US9367965B2 (en) 2012-10-05 2016-06-14 Volcano Corporation Systems and methods for generating images of tissue
US9324141B2 (en) 2012-10-05 2016-04-26 Volcano Corporation Removal of A-scan streaking artifact
US9858668B2 (en) 2012-10-05 2018-01-02 Volcano Corporation Guidewire artifact removal in images
US9840734B2 (en) 2012-10-22 2017-12-12 Raindance Technologies, Inc. Methods for analyzing DNA
EP2931132B1 (en) 2012-12-13 2023-07-05 Philips Image Guided Therapy Corporation System for targeted cannulation
EP2935431B1 (en) 2012-12-19 2017-02-01 DSM IP Assets B.V. Thermoplastic composition
CA2895770A1 (en) 2012-12-20 2014-07-24 Jeremy Stigall Locating intravascular images
US10939826B2 (en) 2012-12-20 2021-03-09 Philips Image Guided Therapy Corporation Aspirating and removing biological material
US10595820B2 (en) 2012-12-20 2020-03-24 Philips Image Guided Therapy Corporation Smooth transition catheters
EP2934310A4 (en) 2012-12-20 2016-10-12 Nathaniel J Kemp RECONFIGURABLE OPTICAL COHERENCE TOMOGRAPHY SYSTEM BETWEEN DIFFERENT IMAGING MODES
US11406498B2 (en) 2012-12-20 2022-08-09 Philips Image Guided Therapy Corporation Implant delivery system and implants
US10942022B2 (en) 2012-12-20 2021-03-09 Philips Image Guided Therapy Corporation Manual calibration of imaging system
JP2016508233A (ja) 2012-12-21 2016-03-17 ナサニエル ジェイ. ケンプ, 光学スイッチを用いた電力効率のよい光学バッファリング
WO2014099760A1 (en) 2012-12-21 2014-06-26 Mai Jerome Ultrasound imaging with variable line density
JP2016507892A (ja) 2012-12-21 2016-03-10 デイビッド ウェルフォード, 光の波長放出を狭幅化するためのシステムおよび方法
US9612105B2 (en) 2012-12-21 2017-04-04 Volcano Corporation Polarization sensitive optical coherence tomography system
US10058284B2 (en) 2012-12-21 2018-08-28 Volcano Corporation Simultaneous imaging, monitoring, and therapy
CA2895769A1 (en) 2012-12-21 2014-06-26 Douglas Meyer Rotational ultrasound imaging catheter with extended catheter body telescope
US9226711B2 (en) 2012-12-21 2016-01-05 Volcano Corporation Laser direct structured catheter connection for intravascular device
US10420530B2 (en) 2012-12-21 2019-09-24 Volcano Corporation System and method for multipath processing of image signals
WO2014100530A1 (en) 2012-12-21 2014-06-26 Whiseant Chester System and method for catheter steering and operation
CA2895993A1 (en) 2012-12-21 2014-06-26 Jason Spencer System and method for graphical processing of medical data
US9486143B2 (en) 2012-12-21 2016-11-08 Volcano Corporation Intravascular forward imaging device
DE102013100016A1 (de) * 2013-01-02 2014-07-03 Lpkf Laser & Electronics Ag Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitfähigen Struktur auf einem nichtleitenden Trägermaterial sowie ein hierzu bestimmtes Additiv und Trägermaterial
EP2965263B1 (en) 2013-03-07 2022-07-20 Bernhard Sturm Multimodal segmentation in intravascular images
US10226597B2 (en) 2013-03-07 2019-03-12 Volcano Corporation Guidewire with centering mechanism
CN105228518B (zh) 2013-03-12 2018-10-09 火山公司 用于诊断冠状微脉管疾病的系统和方法
US20140276923A1 (en) 2013-03-12 2014-09-18 Volcano Corporation Vibrating catheter and methods of use
US11026591B2 (en) 2013-03-13 2021-06-08 Philips Image Guided Therapy Corporation Intravascular pressure sensor calibration
US9301687B2 (en) 2013-03-13 2016-04-05 Volcano Corporation System and method for OCT depth calibration
JP6339170B2 (ja) 2013-03-13 2018-06-06 ジンヒョン パーク 回転式血管内超音波装置から画像を生成するためのシステム及び方法
US10292677B2 (en) 2013-03-14 2019-05-21 Volcano Corporation Endoluminal filter having enhanced echogenic properties
WO2014152365A2 (en) 2013-03-14 2014-09-25 Volcano Corporation Filters with echogenic characteristics
US10219887B2 (en) 2013-03-14 2019-03-05 Volcano Corporation Filters with echogenic characteristics
US9944768B2 (en) 2013-04-01 2018-04-17 Sabic Global Technologies B.V. High modulus laser direct structuring polycarbonate composites with enhanced plating performance and broad laser window and methods for the manufacture and use thereof
KR20140124918A (ko) * 2013-04-02 2014-10-28 김한주 레이저 직접 구조화 공정용 조성물
US20140353543A1 (en) * 2013-06-04 2014-12-04 Sabic Global Technologies B.V. Thermally conductive polymer compositions with laser direct structuring function
JP5710826B2 (ja) * 2013-07-09 2015-04-30 三菱エンジニアリングプラスチックス株式会社 樹脂組成物、樹脂成形品、樹脂成形品の製造方法およびレーザーダイレクトストラクチャリング添加剤
CN103450654B (zh) * 2013-09-04 2016-03-30 上海锦湖日丽塑料有限公司 一种可激光直接成型的树脂及其制备方法
KR102067119B1 (ko) 2013-09-06 2020-01-17 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이. 첨가제로서 금속 산화물 및 금속 파우더의 조합을 사용하는 향상된 도금 성능
EP2991080A4 (en) 2013-09-27 2016-10-19 Lg Chemical Ltd COMPOSITION FOR FORMING A CONDUCTIVE STRUCTURE, METHOD FOR FORMING A CONDUCTIVE STRUCTURE THEREFOR AND RESIN STRUCTURE WITH CONDUCTIVE STRUCTURE
TWI561132B (en) 2013-11-01 2016-12-01 Ind Tech Res Inst Method for forming metal circuit, liquid trigger material for forming metal circuit and metal circuit structure
KR101633846B1 (ko) 2013-11-25 2016-06-27 주식회사 엘지화학 도전성 패턴 형성용 조성물 및 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체
CN110272616B (zh) * 2013-11-27 2022-03-15 高新特殊工程塑料全球技术有限公司 通过反射添加剂具有增强镀敷性能和宽激光窗的高模量激光直接构建聚碳酸酯复合材料
KR101717753B1 (ko) 2013-11-29 2017-03-17 주식회사 엘지화학 도전성 패턴 형성용 조성물, 이를 사용한 도전성 패턴 형성 방법과, 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체
CN105849197B (zh) * 2013-12-20 2018-11-09 Ems 专利股份公司 聚酰胺模塑料和其应用
EP2886605B2 (de) * 2013-12-20 2021-09-01 Ems-Chemie Ag Kunststoffformmasse und deren Verwendung
KR101631701B1 (ko) 2013-12-30 2016-06-24 주식회사 엘지화학 도전성 패턴 형성용 조성물 및 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체
EP3108033B1 (en) * 2014-01-27 2019-10-16 BYD Company Limited Method for metalizing polymer substrate
US10519356B2 (en) 2014-02-25 2019-12-31 Polyone Corporation Thermally conductive polyamide compounds containing laser direct structuring additives
US10174180B2 (en) 2014-03-25 2019-01-08 Dsm Ip Asset B.V. Polymer composition, an article thereof and a process for preparing the same
WO2015160209A1 (ko) 2014-04-16 2015-10-22 주식회사 엘지화학 도전성 패턴 형성용 조성물, 이를 사용한 도전성 패턴 형성 방법과, 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체
DE102014008963A1 (de) * 2014-06-23 2016-01-07 Merck Patent Gmbh Additiv für LDS-Kunststoffe
KR101698159B1 (ko) 2014-08-04 2017-01-19 주식회사 엘지화학 도전성 패턴 형성용 조성물 및 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체
WO2016031691A1 (ja) * 2014-08-29 2016-03-03 株式会社村田製作所 多層回路基板の製造方法および多層回路基板
KR101737566B1 (ko) 2014-09-11 2017-05-18 주식회사 엘지화학 도전성 패턴 형성용 조성물, 이를 사용한 도전성 패턴 형성 방법과, 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체
KR101698160B1 (ko) 2014-09-17 2017-01-19 주식회사 엘지화학 도전성 패턴 형성용 조성물 및 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체
KR101774041B1 (ko) 2014-09-17 2017-09-01 주식회사 엘지화학 도전성 패턴 형성용 조성물 및 도전성 패턴을 가지는 수지 구조체
US20170218245A1 (en) * 2014-10-07 2017-08-03 Polyone Corporation Thermally conductive polymer articles for electronic circuitry
KR101722744B1 (ko) 2014-10-23 2017-04-03 주식회사 엘지화학 전자기파 조사에 의한 도전성 패턴 형성용 조성물, 이를 사용한 도전성 패턴 형성 방법과, 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체
WO2016089090A1 (ko) 2014-12-01 2016-06-09 (주) 엘지화학 폴리카보네이트 수지 조성물 및 이의 제조방법
KR101783528B1 (ko) 2014-12-01 2017-09-29 주식회사 엘지화학 폴리카보네이트 수지 조성물 및 이의 제조방법
CN107250275A (zh) * 2015-02-20 2017-10-13 沙特基础工业全球技术公司 具有激光标记功能的浅色导热聚合物组合物
EP3303477B1 (en) 2015-05-28 2022-01-05 DSM IP Assets B.V. A thermoplastic polymer composition, an article made thereof and a process for preparing the same
US20190269012A1 (en) 2016-11-30 2019-08-29 Dsm Ip Assets B.V. Thermoplastic composition
KR102272924B1 (ko) 2017-01-11 2021-07-06 에스에이치피피 글로벌 테크놀러지스 비.브이. 광물 충전제 표면 상에 코팅된 금속 화합물을 갖는 코어-쉘 구조 lds 첨가제에 의한 레이저 도금 성능 및 열전도도를 갖는 조성물
JP6791378B2 (ja) * 2017-05-31 2020-11-25 株式会社村田製作所 セラミック電子部品の製造方法
CN107236275A (zh) * 2017-07-11 2017-10-10 安特普工程塑料(苏州)有限公司 一种浅色可激光直接成型高分子复合材料及其制备方法
WO2020126189A1 (en) * 2018-12-19 2020-06-25 Mep Europe B.V. Polycarbonate composition for laser direct structuring
CN109796737B (zh) * 2018-12-26 2021-05-11 中山市木林森光电有限公司 一种用于接收红外信号的能一次注射成型的电源外壳及其制备方法
US11637365B2 (en) 2019-08-21 2023-04-25 Ticona Llc Polymer composition for use in an antenna system
US11258184B2 (en) 2019-08-21 2022-02-22 Ticona Llc Antenna system including a polymer composition having a low dissipation factor
US11912817B2 (en) 2019-09-10 2024-02-27 Ticona Llc Polymer composition for laser direct structuring
US11555113B2 (en) 2019-09-10 2023-01-17 Ticona Llc Liquid crystalline polymer composition
US11646760B2 (en) 2019-09-23 2023-05-09 Ticona Llc RF filter for use at 5G frequencies
US11917753B2 (en) 2019-09-23 2024-02-27 Ticona Llc Circuit board for use at 5G frequencies
CN112706485A (zh) * 2019-10-24 2021-04-27 中国石油化工股份有限公司 一种功能性复合材料及其制备方法
US11721888B2 (en) 2019-11-11 2023-08-08 Ticona Llc Antenna cover including a polymer composition having a low dielectric constant and dissipation factor
EP4111834A1 (en) 2020-02-26 2023-01-04 Ticona LLC Circuit structure
CN112759818B (zh) * 2020-12-25 2022-09-30 深圳力越新材料有限公司 一种手机天线用的lds功能母粒及其制备方法
US11728559B2 (en) 2021-02-18 2023-08-15 Ticona Llc Polymer composition for use in an antenna system

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080280064A1 (en) * 2005-12-21 2008-11-13 Ngk Insulators, Ltd. Marking composition and information display method
US20090292051A1 (en) * 2008-05-23 2009-11-26 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. High dielectric constant laser direct structuring materials

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4617342A (en) 1983-02-16 1986-10-14 Amoco Corporation Crystalline copolyamide from terephthalic acid, isophthalic acid and C.sub.6
US4603166A (en) 1983-02-16 1986-07-29 Amoco Corporation Crystalline polyamide composition from dicarboxylic acid mixture and diamine
CA1207941A (en) 1983-02-16 1986-07-15 Bp Amoco Corporation Crystalline copolyamides from terephthalic acid, isophthalic acid and c.sub.6 diamines
CA1244186A (en) 1983-02-16 1988-11-01 Wassily Poppe Filled molded polyamide compositions
US4476280A (en) 1983-02-16 1984-10-09 Standard Oil Company Polyamide compositions from mixtures of trimethylhexamethylene diamine, hexamethylene diamine and diacids
CA1207940A (en) 1983-02-16 1986-07-15 Wassily Poppe Crystalline copolyamides from terephthalic acid and hexamethylenediamine and trimethylhexamethylenediamine
US4806297A (en) 1986-02-11 1989-02-21 General Electric Company Solvent-resistant, compatible blends of polyphenylene ethers and linear polyesters
CA2015324C (en) 1989-04-27 1998-09-15 Gary T. Brooks Crystalline polyphthalamide composition having improved heat resistance properties
DE3917294A1 (de) 1989-05-27 1990-11-29 Huels Chemische Werke Ag Mit laserlicht beschriftbare hochpolymere materialien
DE4133124A1 (de) * 1991-10-05 1993-04-08 Basf Ag Anorganische nebengruppenmetallsalze enthaltende thermoplastische formmassen
US5489639A (en) 1994-08-18 1996-02-06 General Electric Company Copper salts for laser marking of thermoplastic compositions
DE4436897A1 (de) * 1994-10-15 1996-04-18 Elastogran Gmbh Verfahren zur Beschriftung von Formkörpern
JPH10273537A (ja) 1997-03-28 1998-10-13 Ronbitsuku:Kk ポリオレフィン系樹脂組成物
US6075223A (en) 1997-09-08 2000-06-13 Thermark, Llc High contrast surface marking
JP2001071645A (ja) 1999-09-08 2001-03-21 Daicel Chem Ind Ltd 黒色マーキング用樹脂組成物
US6207344B1 (en) 1999-09-29 2001-03-27 General Electric Company Composition for laser marking
US6706785B1 (en) 2000-02-18 2004-03-16 Rona/Emi Industries, Inc. Methods and compositions related to laser sensitive pigments for laser marking of plastics
DE10063105A1 (de) 2000-12-18 2002-06-20 Merck Patent Gmbh Lasermarkierbare Kunststoffe sowie ihre Herstellung und Verwendung
CN1326435C (zh) 2001-07-05 2007-07-11 Lpkf激光和电子股份公司 导体轨道结构的制造方法
DE10132092A1 (de) 2001-07-05 2003-01-23 Lpkf Laser & Electronics Ag Leiterbahnstrukturen und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE10136479A1 (de) 2001-07-27 2003-02-06 Merck Patent Gmbh Farbige Beschriftung und Markierung von Kunststoffen und Lacken
US7728048B2 (en) 2002-12-20 2010-06-01 L-1 Secure Credentialing, Inc. Increasing thermal conductivity of host polymer used with laser engraving methods and compositions
GB0226597D0 (en) 2002-11-14 2002-12-24 Sun Chemical Bv Laser marking process
US20070032569A1 (en) 2003-09-17 2007-02-08 Langdon Donald R Laser markable polymeric compositions
DE10344512A1 (de) 2003-09-24 2005-04-28 Mitsubishi Polyester Film Gmbh Einschichtige, orientierte, mittels elektromagnetischer Strahlung strukturierbare Folie aus thermoplastischem Polyester zur Herstellung selektiv metallisierter Folien
DE102004041867A1 (de) 2004-08-27 2006-03-16 Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg Dekorierter Spritzgussartikel, sowie Transferfolie und Verfahren zur Herstellung eines solchen
CN101390253B (zh) 2004-10-01 2013-02-27 L.皮尔·德罗什蒙 陶瓷天线模块及其制造方法
DE102004050555B4 (de) * 2004-10-15 2006-09-21 Ticona Gmbh Lasermarkierbare flammgeschützte Formmassen und daraus erhältliche lasermarkierbare und lasermarkierte Produkte sowie Verfahren zur Lasermarkierung
DE102004050557B4 (de) * 2004-10-15 2010-08-12 Ticona Gmbh Lasermarkierbare Formmassen und daraus erhältliche Produkte und Verfahren zur Lasermarkierung
DE102004057918A1 (de) 2004-11-30 2006-06-01 Merck Patent Gmbh Laserkennzeichnung von Wertdokumenten
US8501390B2 (en) 2006-06-27 2013-08-06 Xiper Innovations, Inc. Laser engravable flexographic printing articles based on millable polyurethanes, and method
WO2008002980A2 (en) 2006-06-27 2008-01-03 Stork Prints America, Inc. Laser engraveable flexographic printing article
DE102006038043A1 (de) 2006-08-14 2008-02-21 Chemische Fabrik Budenheim Kg Laserbeschriftbares Polymermaterial
KR101491198B1 (ko) 2007-08-17 2015-02-06 미츠비시 케미칼 유럽 게엠베하 방향족 폴리카보네이트 조성물
US8492464B2 (en) 2008-05-23 2013-07-23 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Flame retardant laser direct structuring materials
EP2390282A1 (en) 2010-05-28 2011-11-30 Mitsubishi Chemical Europe GmbH Aromatic polycarbonate composition
CN102071421B (zh) * 2010-01-15 2012-01-04 比亚迪股份有限公司 一种塑料制品的制备方法及一种塑料制品
JP5437539B2 (ja) 2011-03-18 2014-03-12 ミツビシ ケミカル ヨーロッパ ゲーエムベーハー 回路基板の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080280064A1 (en) * 2005-12-21 2008-11-13 Ngk Insulators, Ltd. Marking composition and information display method
US20090292051A1 (en) * 2008-05-23 2009-11-26 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. High dielectric constant laser direct structuring materials

Also Published As

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