JP6791378B2 - セラミック電子部品の製造方法 - Google Patents
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Description
BaTiO3+パルスレーザ→BaTiOX+O2↑
ここで、BaTiOXは一種の半導体であり、xは2より大きく、3より小さい。
平均パワー密度(W/cm2)=ピークパワー密度(W/cm2)×パルス幅(s)×周波数(Hz)
次に、BaTiO3系セラミック単板を基材とし、ピークパワー密度と周波数とを変化させてパルスレーザの照射実験を行った。パルスレーザとしてYVO4ファイバーレーザを使用し、レーザの走査条件は100mm/s、ピッチ間隔は30μmとした。レーザ照射範囲は5mm×5mmの四角形領域とした。レーザ照射した箇所の抵抗を測定し、低抵抗化しているか調べた。その結果を、表1に示す。結果の○印は、低抵抗部を形成できたことを示す。
図1、図2に示したように、BaTiO3を基材とするセラミック素体10に対し、その底面の両端部のみにパルスレーザを表3に記載した条件で照射した。レーザ照射したセラミック素体10を表4の条件で電解Niめっきしたところ、レーザ照射箇所(低抵抗部)と内部電極が露出した両端面とにNiが連続的に析出した。Niめっきは特に低抵抗化度が大きくなければ析出しない。表3の条件の場合、抵抗値の低い低抵抗部が形成されたため、良好なめっき電極を形成できた。
図1、図2に示したように、BaTiO3を基材とするセラミック素体10にYVO4固体SHGレーザ(波長:532nm)を表5の条件で照射した。照射の際アッテネータを使用した。なお、ピークパワー密度はアッテネータによる光の減衰を考慮した値である。照射範囲は実施例2と同様である。レーザ照射したセラミック素体10を表6の条件で電解Cuめっきしたところ、照射部(低抵抗部)及び両端面にCuめっきが析出した。
10 セラミック素体
11a,11b 低抵抗部
12、13 内部電極
14、15 外部電極(めっき電極)
PL パルスレーザ
Claims (5)
- チタンを含む金属酸化物を含有するセラミック素体を準備する工程と、
前記セラミック素体の表層部の一部にパルスレーザを照射し、前記金属酸化物を改質して低抵抗部を形成する工程と、
前記低抵抗部上に電極を電解めっき処理により形成する工程と、
を備え、
前記パルスレーザのピークパワー密度を、
平均パワー密度(W/cm 2 )=ピークパワー密度(W/cm 2 )×パルス幅(s)×周波数(Hz)
と定義したとき、
前記パルスレーザを、ピークパワー密度1×106W/cm2〜1×109W/cm2、周波数500kHz以下で照射することを特徴とする、セラミック電子部品の製造方法。 - 前記低抵抗部では、前記金属酸化物がn型半導体化している、請求項1に記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記パルスレーザを、ピークパワー密度1×106W/cm2〜1×108W/cm2、周波数10kHz〜100kHzで照射することを特徴とする、請求項1又は2に記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記セラミック素体はBaTiO3を含有している、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記セラミック電子部品は積層セラミックコンデンサであり、
前記セラミック電子部品の両端面には複数の内部電極の端部が露出しており、
前記セラミック電子部品の両端面に隣接する少なくとも1つの側面であって、前記両端面との近傍部分に前記低抵抗部が形成され、
前記電極は、前記セラミック電子部品の両端面と前記低抵抗部上とに連続的に形成されている、
請求項1乃至4のいずれか1項に記載のセラミック電子部品の製造方法。
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