WO2024111269A1 - 導電性フィルム - Google Patents

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WO2024111269A1
WO2024111269A1 PCT/JP2023/036769 JP2023036769W WO2024111269A1 WO 2024111269 A1 WO2024111269 A1 WO 2024111269A1 JP 2023036769 W JP2023036769 W JP 2023036769W WO 2024111269 A1 WO2024111269 A1 WO 2024111269A1
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WO
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layer
substrate
wiring
metal
conductive
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/036769
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English (en)
French (fr)
Inventor
拓海 落合
涼輔 八塚
亘 田村
Original Assignee
パナソニックＩｐマネジメント株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by パナソニックＩｐマネジメント株式会社 filed Critical パナソニックＩｐマネジメント株式会社
Publication of WO2024111269A1 publication Critical patent/WO2024111269A1/ja

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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern

Definitions

  • This disclosure relates to a conductive film used as a wiring board, etc.
  • Wiring boards are used as touch sensor substrates with sensor electrodes, or as mounting substrates on which electronic components such as circuit elements are mounted.
  • a touch panel equipped with a touch sensor substrate in which fine wiring that serves as sensor electrodes is formed in a mesh pattern on a transparent film substrate is known as an electrical device that uses a wiring board as a touch sensor substrate.
  • the fine wiring is, for example, metal wiring such as copper wiring with a line width on the order of micrometers.
  • the imprinting method is a technique in which a die member (mold) with a fine uneven structure is used to transfer the uneven structure to an insulating substrate made of a resin material, or to a resin insulating layer on the substrate, to form fine grooves, and then the wiring is embedded in the grooves.
  • a technique for forming wiring by plating is known as a method for embedding wiring in grooves formed in an insulating substrate made of a resin material or a resin insulating layer on a substrate.
  • a seed layer that serves as a base layer is first formed by sputtering over the entire surface of the insulating substrate or resin insulating layer that has a groove, then a plating layer is laminated on top of the seed layer by electrolytic plating, and then excess seed layer and plating layer are removed. This allows fine metal wiring, with the plating layer (metal layer) that serves as the main wiring layer laminated on the seed layer, to be embedded in the groove.
  • Fine metal wiring with a line width of 100 ⁇ m or less is difficult to see with the naked eye. For this reason, a wiring board in which fine metal wiring with a line width of 100 ⁇ m or less is formed on a transparent resin film substrate appears to be a transparent film. However, even with fine metal wiring with a line width of 100 ⁇ m or less, the presence of the metal wiring may be noticeable depending on the viewing angle due to surface reflections of the metal wiring, etc.
  • a black film which acts as a low-reflective film, on the back surface of the metal wiring.
  • the seed layer which is a conductive layer
  • a black film form a black film on the back surface of the plating layer (metal layer) or seed layer (conductive layer), or blacken the back surface of the seed layer or plating layer.
  • Patent Document 1 discloses a product for blackening treatment that can perform a treatment (blackening treatment) to reduce the reflectance of copper-based metals or silver-based metals without roughening the surface.
  • Patent Document 2 discloses a wiring board having a transparent base layer (conductive layer) with catalytic action formed on a transparent film, a transparent insulating layer with a trench groove formed on the base layer, a metal layer that serves as the main wiring layer and is formed to fill the trench groove, and a black film formed between the metal layer and the insulating layer.
  • black films generally have high electrical resistance, making it difficult for them to function as the main wiring layer on their own, so a metal layer that will become the main wiring layer must be formed separately.
  • the method of forming a black film separately requires additional manufacturing processes and lengthens the takt time, increasing manufacturing costs and reducing productivity.
  • blackening after processing only targets the parts exposed on the surface, so only the parts exposed on the surface can be blackened. For this reason, if the aim is to reduce the reflectance of the back side of the metal wiring (specifically the reflectance of the interface between the substrate and the conductive layer), the blackening method cannot be used.
  • the present disclosure has been made to solve these problems, and aims to provide a conductive film or the like having a structure that can reduce the reflectance at the interface between the substrate and the conductive layer without adding a black film.
  • one embodiment of the conductive film according to the present disclosure comprises a light-transmitting substrate and a conductive layer provided on at least one surface of the substrate, the conductive layer and the substrate are in contact with each other via a fine particle layer, the fine particle layer contains metal fine particles that absorb light, and the interface between the conductive layer and the fine particle layer has an uneven structure.
  • FIG. 1 is a diagram showing a conductive film according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a partial cross-sectional view of a conductive film according to an embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining a method for manufacturing a conductive film according to an embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining a step of forming a conductive layer on a substrate in the method for producing a conductive film according to the embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional SEM image showing the periphery of the fine particle layer in an actually produced conductive film.
  • FIG. 6 is a diagram showing the results of an analysis of the metal composition in the conductive layer and the fine particle layer in an actually produced conductive film.
  • FIG. 1 is a diagram showing a conductive film according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a partial cross-sectional view of a conductive film according to an embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining a method for manufacturing a conductive
  • FIG. 7 shows cross-sectional SEM images of the periphery of the fine particle layer and the wavelength dependence of reflectance for three conductive films actually produced with fine particle layers of different thicknesses.
  • FIG. 8 shows cross-sectional SEM images of the periphery of the fine particle layer and the wavelength dependence of reflectance for three conductive films actually produced with fine particle layers of different thicknesses.
  • FIG. 9A is a diagram showing cross-sectional SEM images before and after testing of two types of conductive film samples having different compositions of fine particle layers (metal fine particles).
  • FIG. 9B is a graph showing the wavelength dependence of reflectance after testing for the two types of conductive film samples of FIG. 9A.
  • FIG. 10 is a diagram showing the measurement results of reflectance after a reliability test for six samples having different Cu/Ni composition ratios in the particle layer.
  • each figure is a schematic diagram and is not necessarily an exact illustration. Therefore, the scales and the like do not necessarily match between the figures. Furthermore, in each figure, the same reference numerals are used for substantially the same configuration, and duplicate explanations are omitted or simplified. Furthermore, in this specification, the terms “upper” and “lower” do not necessarily refer to the upper direction (vertically upward) and the lower direction (vertically downward) in an absolute spatial sense.
  • Figure 1 is a diagram showing a conductive film 1 according to an embodiment.
  • Figure 2 is a partial cross-sectional view of the conductive film 1 according to an embodiment.
  • Figure 2 shows a cross section taken along line II-II in Figure 1.
  • the conductive film 1 in this embodiment is a wiring board on which wiring is formed as a conductor.
  • the conductive film 1 is a film-like flexible wiring board that has flexibility.
  • the conductive film 1 is also a light-transmitting wiring board that can transmit light.
  • the conductive film 1 is a transparent wiring board on which fine wiring is formed on a transparent substrate.
  • the conductive film 1 has a first wiring 10 and a second wiring 20 as wiring.
  • the first wiring 10 and the second wiring 20 are formed on the same plane.
  • the first wiring 10 and the second wiring 20 are integrated.
  • the first wiring 10 and the second wiring 20 may be located on different planes and formed to intersect at a three-dimensional intersection.
  • the first wiring 10 extends in a first direction
  • the second wiring 20 extends in a second direction that intersects with the first direction.
  • the first wiring 10 and the second wiring 20 are not perpendicular to each other, but may be perpendicular to each other.
  • Each of the first wiring 10 and the second wiring 20 is formed in a plurality of wires.
  • the first wiring 10 and the second wiring 20 are formed over the entire conductive film 1 so as to form a mesh.
  • the first wiring 10 and the second wiring 20 are fine wirings with a line width on the order of micrometers.
  • the line width of each of the first wiring 10 and the second wiring 20 is 100 ⁇ m or less, and in this embodiment, it is 10 ⁇ m or less.
  • the conductive film 1 has a substrate 2 and an insulating layer 3 formed above the substrate 2. Note that the insulating layer 3 does not have to be formed. In other words, the conductive film 1 may be composed only of the substrate 2 on which the first wiring 10 and the second wiring 20 are formed.
  • the substrate 2 is an insulating substrate having insulating properties.
  • the substrate 2 is an insulating resin substrate made of an insulating resin material.
  • the substrate 2 is also a flexible sheet-like film substrate, and serves as the base film for the conductive film 1.
  • the substrate 2 is translucent.
  • the substrate 2 is a film base material that is translucent at least to visible light, and is made of a translucent insulating resin material.
  • the substrate 2 may be a transparent resin substrate made of a transparent resin material with a high transmittance that allows the other side to be seen through.
  • the translucent resin material constituting the substrate 2 may be, for example, PET (polyethylene terephthalate) resin, polyimide resin, cycloolefin resin, polycarbonate resin, acrylic resin, or the like.
  • the insulating layer 3 is located above the substrate 2. In this embodiment, the insulating layer 3 is formed directly above the substrate 2. Therefore, the upper surface of the substrate 2 is in contact with the lower surface of the insulating layer 3.
  • the insulating layer 3 is a resin layer made of an insulating resin material.
  • the insulating layer 3 is made of an insulating resin material having light-transmitting properties.
  • the insulating layer 3 is made of a transparent insulating resin material.
  • the resin material constituting the insulating layer 3 is a thermosetting resin or an ultraviolet-curing resin. Examples of the resin material constituting the insulating layer 3 include PET resin, polyimide resin, cycloolefin resin, polycarbonate resin, and acrylic resin.
  • the insulating layer 3 may be fixed to the substrate 2 by a transparent adhesive layer (not shown) or the like.
  • the insulating layer 3 functions, for example, as a protective film.
  • the substrate 2 has a groove 2a.
  • the groove 2a is a groove-like recess formed so that the surface of the substrate 2 is recessed, and is formed in an elongated shape. Specifically, the groove 2a is formed in a straight or curved shape. In this embodiment, the groove 2a is linear and formed on only one surface of the substrate 2.
  • the groove 2a is formed to correspond to the first wiring 10. For example, a plurality of grooves 2a are formed in the substrate 2 so as to be parallel to each other at a predetermined interval.
  • the substrate 2 also has a groove corresponding to the second wiring 20.
  • the groove 2a corresponding to the second wiring 20 is the same as the groove 2a corresponding to the first wiring 10.
  • the groove portion 2a has a bottom surface and side surfaces that are continuously connected to the bottom surface.
  • the cross-sectional shape of the groove portion 2a when cut in a cross section perpendicular to the longitudinal direction of the groove portion 2a is rectangular.
  • the groove portion 2a has a planar bottom surface and a pair of opposing side surfaces that are each planar.
  • the substrate 2 having the groove portion 2a may be formed by an imprinting method, or may be formed by cutting out the surface of a flat substrate by laser scribing or the like.
  • the first wiring 10 is provided on one surface of the substrate 2.
  • the first wiring 10 is a metal wiring and has a conductive layer 11 and a metal layer 12 laminated on the conductive layer 11. Therefore, the conductive layer 11 and the metal layer 12 are provided on one surface of the substrate 2.
  • the first wiring 10 is provided on only one surface of the substrate 2. Therefore, the conductive layer 11 and the metal layer 12 are provided on only one surface of the substrate 2.
  • the first wiring 10 is embedded inside a groove 2a provided on one surface of the substrate 2. Therefore, the cross-sectional shape of the first wiring 10 when cut at a cross section perpendicular to the longitudinal direction of the first wiring 10 is the same as the cross-sectional shape of the groove 2a, and in this embodiment, the cross-sectional shape of the first wiring 10 is rectangular.
  • the conductive layer 11 is formed in the groove portion 2a of the substrate 2. Specifically, the conductive layer 11 is formed along the inner surface of the groove portion 2a. In other words, the conductive layer 11 is formed as a thin film so as to cover the bottom and side surfaces of the groove portion 2a without completely filling the groove portion 2a.
  • the conductive layer 11 is made of a conductive material.
  • the conductive layer 11 is a seed layer that serves as a base layer for forming the metal layer 12 by a plating method. Therefore, the conductive layer 11 is preferably made of a conductive material with low electrical resistance.
  • the conductive layer 11 is a metal layer (metal film) made of a metal material containing copper, which is a low-resistance material.
  • the conductive layer 11 may be made of only copper, but may also contain copper and other metals such as nickel.
  • the conductive layer 11 is made of copper and nickel.
  • the conductive layer 11 is a CuNi plating film, and is formed by an electroless plating method.
  • the conductive layer 11 does not have to be formed by electroless plating.
  • the conductive layer 11 may be formed by sputtering or the like.
  • the conductive layer 11 is a single film made of only one metal film, but is not limited to this.
  • the conductive layer 11 may be a laminated film in which multiple metal films are stacked.
  • the fine particle layer 2b is a layer that contains metal fine particles 4 that absorb light.
  • the metal fine particles 4 not only absorb light, but also scatter and reflect light. Specifically, the metal fine particles 4 absorb, scatter, and reflect visible light.
  • the metal particles 4 are nanoparticles with particle sizes on the order of nanometers.
  • the metal particles 4, which are nanoparticles can absorb visible light of a specific wavelength through localized surface plasmon resonance.
  • the metal particles 4, which are nanoparticles have the property of exhibiting different light attenuation depending on the particle size.
  • a plurality of metal fine particles 4 are present randomly.
  • the particle size of the plurality of metal fine particles 4 present in the fine particle layer 2b is 10 nm or more and 30 nm or less.
  • the fine particle layer 2b may contain metal fine particles 4 having a particle size of 10 nm or less.
  • the fine particle layer 2b is a layer in which the majority (e.g., 50% or more) of the plurality of metal fine particles 4 present in the fine particle layer 2b are metal fine particles 4 having a particle size of 10 nm or more and 30 nm or less.
  • the cross-sectional density of the metal fine particles 4 having a particle size of 10 nm or more is 1 ⁇ 10 3 particles/ ⁇ m 2 to 3 ⁇ 10 3 particles/ ⁇ m 2 .
  • the metal microparticles 4 contain copper and nickel.
  • the metal microparticles 4 are microparticles made of a copper-nickel alloy formed by the growth of copper and nickel around palladium particles (Pd particles) with a particle size of several nm as nuclei.
  • the fine particle layer 2b is a part of the substrate 2, which is a resin substrate. Specifically, the fine particle layer 2b is a surface layer that exists near the surface of the substrate 2. Therefore, the fine particle layer 2b contains the resin material that constitutes the substrate 2. Note that the fine particle layer 2b does not have to contain the resin material that constitutes the substrate 2.
  • the thickness of the fine particle layer 2b is thinner than the thickness of the conductive layer 11. As an example, the thickness of the fine particle layer 2b is 30 nm or more and 150 nm or less.
  • the fine particle layer 2b and the conductive layer 11 are in contact with each other.
  • the interface between the conductive layer 11 and the fine particle layer 2b has an uneven structure. That is, the lower surface of the conductive layer 11 and the upper surface of the fine particle layer 2b have an uneven structure.
  • the fine particle layer 2b is part of the substrate 2, which is a resin substrate, so the interface between the conductive layer 11 and the substrate 2 (resin) has an uneven structure.
  • This uneven structure is composed of countless concaves and convexities with random depths and heights.
  • the surface roughness Ry of this uneven structure is on the order of nanometers, specifically, 10 nm or more and 50 nm or less. In this way, the interface between the conductive layer 11 and the fine particle layer 2b has a nano-anchor structure due to the uneven structure.
  • the metal microparticles 4 may be present in places other than the microparticle layer 2b, but the density of the metal microparticles 4 in the microparticle layer 2b is highest in the conductive film 1. In other words, the density of the metal microparticles 4 in the microparticle layer 2b is higher than the density of the metal microparticles 4 in the parts of the conductive film 1 other than the microparticle layer 2b. Specifically, the density of the metal microparticles 4 in the microparticle layer 2b is higher than the density of the metal microparticles 4 in the substrate 2 (parts of the substrate 2 other than the microparticle layer 2b) or the conductive layer 11. In this embodiment, the metal microparticles 4 are present only in the microparticle layer 2b. In other words, the density of the metal microparticles 4 in the substrate 2 or the conductive layer 11 is zero.
  • the metal layer 12 laminated on the conductive layer 11 is formed as an example of a conductive layer.
  • the metal layer 12 is the main wiring layer of the first wiring 10. Therefore, the metal layer 12 is thicker than the conductive layer 11.
  • the metal layer 12 is formed so as to fill the groove portion 2a whose inner surface is covered with the conductive layer 11.
  • the metal layer 12 constitutes the majority of the groove portion 2a. As an example, the metal layer 12 occupies 80% or more of the first wiring 10 in the cross-sectional view of FIG. 2.
  • the metal layer 12 is made of a metal material such as copper, aluminum, or silver.
  • the metal layer 12, which is the main wiring layer is made of copper. Therefore, the first wiring 10 is a copper wiring.
  • the metal layer 12 may be made of copper alone or may be a copper alloy.
  • the metal layer 12 is a plating film formed by a plating method using the conductive layer 11 as an underlayer (seed layer).
  • the metal layer 12 is an electrolytic plating film formed by an electrolytic plating method.
  • the metal layer 12 is a Cu plating film made of copper.
  • the second wiring 20 is a metal wiring and has a metal layer as the main wiring layer.
  • the second wiring 20 has the same structure as the first wiring 10.
  • the second wiring 20 is a copper wiring and has a laminated structure of a conductive layer which is a CuNi plating film formed by electroless plating and a metal layer which is a Cu plating film formed by electrolytic plating.
  • the second wiring 20 may have a different structure from the first wiring 10, or may be made of a different metal material from the first wiring 10.
  • the first wiring 10 and the second wiring 20 can be insulated via an insulating layer 3
  • the second wiring 20 can be an upper layer wiring formed in the insulating layer 3 above the first wiring 10
  • the first wiring 10 can be a lower layer wiring formed below the insulating layer 3.
  • the conductive layer 11 and the substrate 2 are in contact with each other via the light-absorbing fine particle layer 2b, and the interface between the conductive layer 11 and the fine particle layer 2b, which is the surface layer of the substrate 2, has an uneven structure.
  • the fine particle layer 2b is formed as a low-reflection layer with low reflectance at the interface between the substrate 2 and the conductive layer 11. This makes it possible to reduce the reflectance at the interface between the substrate 2 and the conductive layer 11. Therefore, it is possible to make it difficult to recognize the first wiring 10 when the conductive film 1 is viewed from the back side.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the manufacturing method of the conductive film 1 according to the embodiment.
  • a substrate 2 having a groove portion 2a is prepared.
  • a substrate 2 having a groove portion 2a can be produced by an imprint method.
  • a substrate 2 made of a thermoplastic resin is prepared, and the temperature is raised to soften the substrate 2, and a die member (mold) 100 that serves as a transfer plate is pressed against the substrate 2 to form a groove portion 2a in the substrate 2.
  • the die member 100 is then removed. This allows a substrate 2 having a groove portion 2a to be produced, as shown in FIG. 3(b).
  • the substrate 2 having the groove portion 2a may be produced by a photoimprint method using a photocurable resin, instead of a thermal imprint method using a thermoplastic resin.
  • the liquid photocurable resin is sandwiched between a first mold member and a second mold member that serve as a transfer plate, and the photocurable resin is cured by irradiating it with light (ultraviolet rays). The first mold member and the second mold member are then removed.
  • the groove portion 2a can be formed in the substrate 2 made of photocurable resin.
  • the substrate 2 may be formed from a thermosetting resin, rather than a photocurable resin.
  • a conductive layer 11 is formed on the inner surface of the groove portion 2a.
  • the conductive layer 11 is formed not only on the groove portion 2a, but also on the entire surface of the substrate 2 other than the groove portion 2a. In other words, the conductive layer 11 is formed over the entire surface of the substrate 2.
  • the conductive layer 11 made of a CuNi plating film is formed by electroless plating. Details of this process will be described later.
  • a metal layer 12 is formed on the conductive layer 11. Specifically, the metal layer 12 is formed on the entire surface of the conductive layer 11 so as to fill the grooves 2a.
  • the metal layer 12 is formed by electrolytic plating. Specifically, the metal layer 12 made of a Cu plating film is formed on the conductive layer 11 using the conductive layer 11 as a seed layer.
  • a portion of the substrate 2 on which the conductive layer 11 and metal layer 12 are formed is removed to form a first wiring 10 consisting of the conductive layer 11 and metal layer 12.
  • the conductive layer 11 and metal layer 12 are removed until the surface of the substrate 2 in the portion where the groove portion 2a is not formed is exposed.
  • unnecessary portions of the conductive layer 11 and metal layer 12 are removed so as to leave the conductive layer 11 and metal layer 12 embedded in the groove portion 2a. This makes it possible to obtain a substrate 2 in which the first wiring 10 is embedded in the groove portion 2a.
  • an insulating layer 3 having grooves in which the second wiring 20 is embedded is then formed on the substrate 2 on which the first wiring 10 is formed. This makes it possible to produce the conductive film 1 shown in Figures 1 and 2.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining the process of forming the conductive layer 11 on the substrate 2 in the method for producing the conductive film 1 according to the embodiment.
  • a low-pressure mercury lamp is used to irradiate the entire surface of the substrate 2 with ultraviolet light having two peak wavelengths, 185 nm and 256 nm.
  • the thickness t of the modified layer 2s formed at this time is 30 nm or more and 150 nm or less.
  • a catalyst 4a is supported on the substrate 2.
  • palladium particles (Pd particles) with a particle diameter of ⁇ 5 nm are used as the catalyst 4a.
  • the substrate 2 is cleaned by a cleaning process using a cleaner, and then the substrate 2 is immersed in an aqueous PdCl2 solution to support Pd particles as the catalyst 4a on the substrate 2.
  • the catalyst 4a (Pd particles) can penetrate not only the surface of the substrate 2 but also into the interior of the substrate 2. Specifically, the catalyst 4a can penetrate into the interior of the modified layer 2s.
  • a conductive layer 11 is formed on the substrate 2.
  • the conductive layer 11 is formed by electroless plating. Specifically, the substrate 2 carrying the catalyst 4a is immersed in a CuNi plating solution. As a result, copper and nickel are precipitated and grown by a catalytic reaction caused by the catalyst 4a (Pd particles) carried on the substrate 2, and a CuNi plating film, which is an electroless plating film, is formed on the substrate 2 as the conductive layer 11.
  • the catalyst 4a is scattered even inside the modified layer 2s of the substrate 2, copper and nickel are precipitated by the catalyst 4a present inside the modified layer 2s. In other words, copper and nickel grow around the catalyst 4a (Pd particles) as nuclei, and countless metal microparticles 4 made of a copper-nickel alloy are formed. As a result, the modified layer 2s, which is the surface layer of the substrate 2, becomes a microparticle layer 2b containing countless metal microparticles 4.
  • the catalyst 4a causes the conductive layer 11 made of a plating film to be layered on the substrate 2, and also forms a fine particle layer 2b containing metal fine particles 4.
  • metal fine particles 4 made of the same metal as the plating film grow below the conductive layer 11.
  • the metal that makes up the conductive layer 11 and the metal fine particles 4 are the same.
  • the metal that makes up the conductive layer 11 and the metal fine particles 4 are both copper-nickel alloys.
  • both the conductive layer 11 and the fine particle layer 2b are formed by the simultaneous growth of metals precipitated by the catalyst 4a.
  • the conductive layer 11 is formed by the unrestricted growth of copper and nickel, resulting in an alloy film with a dense membrane structure, whereas the fine particle layer 2b is thought to be a layer made up of countless metal fine particles 4, as copper and nickel grow with restrictions inside the resin substrate 2. For this reason, it is thought that the interface between the conductive layer 11 and the fine particle layer 2b has an uneven structure. Furthermore, the fine particle layer 2b has a coarser membrane structure than the conductive layer 11.
  • a baking process is performed. This can relieve the internal stress of the fine particle layer 2b and the conductive layer 11 and can also dehydrate them.
  • the heating temperature for the baking process is, for example, 100°C.
  • Figure 5 is a cross-sectional SEM (Scanning Electron Microscope) image of a portion of the conductive film 1 actually produced by the above method.
  • Figure 5 shows the peripheral portion of the fine particle layer 2b.
  • the conductive layer 11 and the substrate 2 are in contact with each other via the fine particle layer 2b. It can also be seen that the fine particle layer 2b and the conductive layer 11 have different film structures, and that the fine particle layer 2b is composed of countless metal fine particles 4. It can also be seen that the interface between the conductive layer 11 and the fine particle layer 2b has an uneven structure.
  • FIG. 6 also shows the results of an analysis of the metal composition in the conductive layer 11 and the fine particle layer 2b in the actually produced conductive film 1.
  • the composition of the conductive layer 11 shows the results of an analysis of the area A1 surrounded by the dashed line in FIG. 5
  • the composition of the fine particle layer 2b i.e., the composition of the metal fine particles 4
  • the conductive layer 11 and the particle layer 2b (metallic particle 4) both contain copper (Cu), nickel (Ni) and phosphorus (P) as metals.
  • Cu copper
  • Ni nickel
  • P phosphorus
  • the weight ratio of Cu is "W Cu "
  • the weight ratio of Ni is "W Ni "
  • the composition ratio of Cu and Ni (W Cu ⁇ W Ni ) is "Cu/Ni composition ratio”
  • the Cu/Ni composition ratio of the particle layer 2b (metallic particle 4) is greater than the Cu/Ni composition ratio of the conductive layer 11.
  • the thickness of the fine particle layer 2b can be controlled, for example, in the above manufacturing method, by changing the conditions (output, time, etc.) when irradiating the substrate 2 with ultraviolet light, by changing the particle size of the catalyst 4a, or by changing the conditions (time, etc.) when performing the electroless plating process.
  • Figures 7 and 8 show cross-sectional SEM images of the peripheral portion of the fine particle layer 2b and the wavelength dependence of reflectance for three conductive films 1 actually produced with different thicknesses of the fine particle layer 2b.
  • the cross-sectional SEM images in Figures 7 and 8 are the same, and correspond to the same portion as the cross-sectional SEM image shown in Figure 5.
  • the cross-sectional SEM images on the right side of Figures 7 and 8 are the same as the cross-sectional SEM image in Figure 5 (i.e., they are the same sample conductive film).
  • the thickness of the fine particle layer 2b varies within a range of 30 nm to 150 nm.
  • the surface roughness Ry of the uneven structure is 50 nm or less in all cases.
  • the reflectance can be increased or decreased by controlling the thickness of the fine particle layer 2b or the particle size of the metal fine particles 4.
  • the particle size of the metal microparticles 4 increases as the thickness of the microparticle layer 2b increases, but this is not limited to the above. In other words, even if the thickness of the microparticle layer 2b increases, the particle size of the metal microparticles 4 does not necessarily increase.
  • the cross-sectional densities (cross-sectional particle densities) of the three samples were 1.2 ⁇ 103 particles/ ⁇ m2 , 1.3 ⁇ 103 particles/ ⁇ m2 , and 2.9 ⁇ 103 particles/ ⁇ m2 , respectively, and it was found that the thicker the microparticle layer 2b, the higher the cross-sectional density.
  • Figure 9A shows cross-sectional SEM images before and after testing of two types of conductive film samples with different compositions of the particle layer 2b (metallic particle 4).
  • Figure 9B shows the wavelength dependence of the reflectance after testing of the two types of conductive film samples in Figure 9A.
  • the composition of Cu and Ni in the particle layer 2b of the first sample is such that the weight ratio of Cu is 96 wt%, the weight ratio of Ni is 4 wt%, and the Cu/Ni composition ratio is 24.
  • the composition of Cu and Ni in the particle layer 2b of the second sample is such that the weight ratio of Cu is 43 wt%, the weight ratio of Ni is 57 wt%, and the Cu/Ni composition ratio is 0.75.
  • test conditions 1 to 3 Reliability tests were conducted on these two samples under three test conditions, test conditions 1 to 3.
  • the first test condition, test condition 1, was a temperature of 85°C and humidity of 85%
  • the second test condition, test condition 2, was a temperature of 60°C and humidity of 93%
  • the third test condition, test condition 3, was a temperature of 95°C (humidity was not controlled).
  • the test time for each test was 512 hours.
  • Figure 9A shows the oxygen concentration in the particle layer 2b of each sample.
  • the oxygen concentration in the particle layer 2b of each sample is shown as the oxygen concentration in the area surrounded by the solid line in the SEM cross section of each sample.
  • the reflectance can be significantly reduced. Specifically, by setting the Cu/Ni composition ratio to 2 or less, the reflectance can be reduced to 20% or less.
  • the conductive film 1 includes a substrate 2 and a conductive layer 11 provided on at least one surface of the substrate 2.
  • the conductive layer 11 and the substrate 2 are in contact with each other via a fine particle layer 2b containing metal fine particles 4 that absorb light, and the interface between the conductive layer 11 and the fine particle layer 2b has an uneven structure.
  • the conductive film 1 of this structure can be produced simply by forming a conductive layer 11 on the substrate 2.
  • a modified layer 2s is formed as the surface layer of the substrate 2, which is a resin substrate, and a conductive layer 11 (plating film) is formed on the substrate 2 having the modified layer 2s by electroless plating, thereby forming a fine particle layer 2b containing metal fine particles 4 as a low-reflection layer between the conductive layer 11 and the resin base material constituting the substrate 2.
  • the conductive film 1 can provide a structure that can reduce the reflectance at the interface between the substrate 2 and the conductive layer 11 without adding a black film.
  • the density of the metal microparticles 4 in the microparticle layer 2b is higher than the density of the metal microparticles 4 in the substrate 2 (portions of the substrate 2 other than the microparticle layer 2b).
  • This configuration increases the light absorption and scattering effect in the fine particle layer 2b, further reducing the reflectance at the interface between the substrate 2 and the conductive layer 11.
  • the thickness of the fine particle layer 2b is thinner than the thickness of the conductive layer 11.
  • This configuration allows the fine particle layer 2b to effectively absorb and scatter light, further effectively reducing the reflectance at the interface between the substrate 2 and the conductive layer 11.
  • the cross-sectional density of metal fine particles having a particle size of 10 nm or more contained in the fine particle layer 2b is 1 ⁇ 10 3 particles/ ⁇ m 2 to 3 ⁇ 10 3 particles/ ⁇ m 2 .
  • This configuration allows the light absorption and scattering effect in the fine particle layer 2b to be exerted more effectively, so that the reflectance of the interface between the substrate 2 and the conductive layer 11 can be reduced even more effectively.
  • the single-component metals constituting the conductive layer 11 and the fine particle layer 2b (metal fine particles 4) were Cu and Ni, but are not limited thereto.
  • the single-component metals constituting the conductive layer 11 and the fine particle layer 2b (metal fine particles 4) may be Co, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Sb, Pt, Au, Pb, Bi, etc.
  • the metal of the alloy or added component (component intentionally alloyed or added) constituting the conductive layer 11 and the fine particle layer 2b (metal fine particles 4) was P, but are not limited thereto.
  • the metal of the alloy or added component constituting the conductive layer 11 and the fine particle layer 2b (metal fine particles 4) may be Fe, Cr, Mn, Zn, W, B, C, Si, etc.
  • the first wiring 10 is provided on only one side of the substrate 2, but this is not limited to the above.
  • the first wiring 10 may be provided on both sides of the substrate 2.
  • the conductive layer 11 and the metal layer 12 may be provided on both sides of the substrate 2. In this way, it is sufficient that the conductive layer 11 and the metal layer 12 are provided on at least one side of the substrate 2.
  • the second wiring 20 may also be provided on both sides of the substrate 2.
  • the first wiring 10 and the second wiring 20 cross over each other in a three-dimensional manner, but this is not limited to this.
  • the first wiring 10 and the second wiring 20 may be formed in the same layer.
  • the first wiring 10 and the second wiring 20 that cross over each other in a three-dimensional manner are insulated from each other via the insulating layer 3.
  • contact portions may be formed at some of the multiple intersections between the first wiring 10 and the second wiring 20.
  • the first wiring 10 and the second wiring 20 may be electrically connected.
  • the conductive film 1 is a wiring substrate having translucency, and can be used as a touch sensor substrate in a touch panel, but is not limited thereto.
  • the conductive film 1, which is a wiring substrate having translucency may be used as a mounting substrate in a display device having a plurality of LED elements arranged in a matrix, or as a connection substrate for electrically connecting electronic components, or as an antenna substrate having wiring formed in a predetermined pattern as a pattern antenna such as a 5G antenna, or as a heater substrate using wiring as a heating wire.
  • the first wiring 10 and the second wiring 20 are formed on the conductive film 1, but this is not limited to this.
  • the conductive film 1 may have only the first wiring 10.
  • the first wiring 10 is formed in the groove portion 2a formed in the substrate 2, but this is not limited to this, and the first wiring 10 may be formed on the surface of the substrate 2 where the groove portion 2a is not formed.
  • the conductive film 1 is used as a wiring board having wiring, but this is not limited to this. Specifically, the conductive film 1 may be used for purposes other than a wiring board. In this case, the conductive film 1 may be configured such that only the conductive layer 11 is formed on the substrate 2 with the fine particle layer 2b interposed therebetween.
  • this disclosure also includes forms obtained by applying various modifications to the above embodiments that a person skilled in the art may conceive, and forms realized by arbitrarily combining the components and functions of the embodiments within the scope of the present disclosure.
  • this disclosure also includes any combination of two or more claims from among the multiple claims described in the claims at the time of filing this application, within the scope of technical compatibility. For example, when a cited-form claim described in the claims at the time of filing this application is made into a multiple claim or multiple-multi claim that cites all of the higher claims within the scope of technical compatibility, the combination of all claims included in that multiple claim or multiple-multi claim is also included in this disclosure.
  • the conductive film disclosed herein can be used in a variety of electrical devices, including touch panels.

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Abstract

導電性フィルム（１）は、基板（２）と、基板（２）の少なくとも一方の面に設けられた導電層（１１）と、を備え、導電層（１１）と基板（２）とは、微粒子層（２ｂ）を介して接しており、微粒子層（２ｂ）は、光を吸収する金属微粒子（４）を含み、導電層（１１）と微粒子層（２ｂ）との界面は、凹凸構造である。

Description

導電性フィルム
　本開示は、配線基板等として用いられる導電性フィルムに関する。
　電気機器には、基板に配線が形成された配線基板が用いられている。配線基板は、センサ電極が設けられたタッチセンサ基板として用いられたり、回路素子等の電子部品が実装される実装基板として用いられたりする。例えば、配線基板をタッチセンサ基板として用いた電気機器として、センサ電極となる微細な配線が透明フィルム基板にメッシュ状に形成されたタッチセンサ基板を備えるタッチパネルが知られている。微細な配線は、例えば、線幅がマイクロメートルオーダサイズの銅配線等の金属配線である。
　マイクロメートルオーダサイズの微細な配線を形成する技術として、絶縁基板そのものに又は基板上の絶縁層に溝部を形成し、その溝部の中に配線を埋め込む技術がある。この種の技術として、例えばインプリント法が知られている。インプリント法は、微細な凹凸構造を有する金型部材（モールド）を用いて凹凸構造を樹脂材料からなる絶縁基板又は基板上の樹脂絶縁層に転写して微細な溝部を形成し、この溝部内に配線を埋め込む技術である。
　樹脂材料からなる絶縁基板又は基板上の樹脂絶縁層に形成された溝部に配線を埋め込む方法としては、めっき法により配線を形成する技術が知られている。この場合、まず、溝部を有する絶縁基板又は樹脂絶縁層の全面にスパッタ法により下地層となるシード層を形成し、次いでシード層の上に電解めっき法によりめっき層を積層し、その後、余剰分のシード層及びめっき層を除去する。これにより、主配線層となるめっき層（金属層）がシード層上に積層された微細な金属配線を溝部内に埋め込むことができる。
　線幅が１００μｍ以下の微細な金属配線は、人の肉眼では認識されにくい。このため、透明な樹脂フィルム基板に線幅が１００μｍ以下の微細な金属配線が形成された配線基板は、透明フィルムのように感じられる。しかしながら、線幅が１００μｍ以下の微細な金属配線であっても、金属配線の表面反射等によって、見る角度等によっては金属配線の存在が認識されてしまう場合もある。
　そこで、微細な金属配線をより見えにくくするために、金属配線の裏面に低反射膜となる黒色膜を形成する技術が検討されている。例えば、上記のようにめっき法により金属配線を形成した場合、導電層であるシード層を黒色膜にしたり、めっき層（金属層）又はシード層（導電層）の裏面に黒色膜を形成したり、シード層又はめっき層の裏面を黒化処理したりすることが考えられる。
　この種の黒色膜に関連する技術として、特許文献１には、銅系金属又は銀系金属の表面を荒さずに反射率を低減する処理（黒化処理）をすることができる黒化処理用生成物が開示されている。また、特許文献２には、透明フィルム上に形成された触媒作用のある透明な下地層（導電層）と、その下地層の上に形成され、トレンチ溝を有する透明な絶縁層と、トレンチ溝を充填するように形成された主配線層となる金属層と、金属層と絶縁層との間に形成された黒色膜とを有する配線基板が開示されている。
特許第５８６２９１６号公報 特開２０１９－２９６５８号公報
　しかしながら、黒色膜は、一般的に電気抵抗が大きく、それだけでは主配線層として機能させることが難しいので、主配線層となる金属層を別途形成する必要がある。そのため、黒色膜を別途形成する手法は、製造工程を追加する必要があったりタクトタイムが長くなったりして、製造コストが増加したり生産性が低下したりする。
　しかも、金属配線の裏面に黒色膜を形成したとしても黒色膜が薄いと光が透過してしまい、黒色膜を透過した光が金属配線と黒色膜との界面で反射してしまう。一方、これを避けるために黒色膜の厚さを厚くすると、配線基板全体の厚さが厚くなってしまう。このため、黒色膜を厚くする場合、薄さが求められる導電性フィルム等のフィルム状の配線基板については、黒色膜を追加する工程が必要なだけではなく、基板の表面を予め削っておく工程が必要になってしまい、製造コストの増加及び生産性の低下に加えて、設計上の制限が生じてしまう。
　他方、後処理による黒化処理は、表面に露出している部分のみが処理対象となるため、表面に露出している部分のみしか黒化することができない。このため、金属配線の裏側部分の反射率（具体的には基板と導電層との界面の反射率）を低減することを目的とする場合には、黒化処理の手法を採用することができない。
　本開示は、このような課題を解決するためになされたものであり、黒色膜を追加することなく基板と導電層との界面の反射率を低減することができる構造を有する導電性フィルム等を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本開示に係る導電性フィルムの一態様は、透光性を有する基板と、前記基板の少なくとも一方の面に設けられた導電層と、を備え、前記導電層と前記基板とは、微粒子層を介して接しており、前記微粒子層は、光を吸収する金属微粒子を含み、前記導電層と前記微粒子層との界面は、凹凸構造である。
　黒色膜を追加することなく基板と導電層との界面の反射率を低減することができる構造を有する導電性フィルムを実現できる。
図１は、実施の形態に係る導電性フィルムを示す図である。 図２は、実施の形態に係る導電性フィルムの部分断面図である。 図３は、実施の形態に係る導電性フィルムの製造方法を説明するための図である。 図４は、実施の形態に係る導電性フィルムの製造方法において、基板の上に導電層を形成する工程を説明するための図である。 図５は、実際に作製した導電性フィルムにおける微粒子層の周辺部分を示す断面ＳＥＭ像である。 図６は、実際に作製した導電性フィルムにおいて、導電層及び微粒子層における金属の組成分析結果を示す図である。 図７は、微粒子層の厚さを異ならせて実際に作製した３つの導電性フィルムについて、微粒子層の周辺部分の断面ＳＥＭ像と反射率の波長依存性とを示す図である。 図８は、微粒子層の厚さを異ならせて実際に作製した３つの導電性フィルムについて、微粒子層の周辺部分の断面ＳＥＭ像と反射率の波長依存性とを示す図である。 図９Ａは、微粒子層（金属微粒子）の組成が異なる２種類の導電性フィルムの試料における試験前後の断面ＳＥＭ像を示す図である。 図９Ｂは、図９Ａの２種類の導電性フィルムの試料における試験後の反射率の波長依存性を示す図である。 図１０は、微粒子層におけるＣｕ／Ｎｉ組成比が異なる６つの試料における信頼性試験後の反射率の測定結果を示す図である。
　以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、並びに、工程（ステップ）及び工程の順序等は、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
　なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、各図において縮尺などは必ずしも一致していない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。また、本明細書において、「上」及び「下」という用語は、必ずしも、絶対的な空間認識における上方向（鉛直上方）及び下方向（鉛直下方）を指すものではない。
　（実施の形態）
　まず、実施の形態に係る導電性フィルム１の構成について、図１及び図２を用いて説明する。図１は、実施の形態に係る導電性フィルム１を示す図である。図２は、実施の形態に係る導電性フィルム１の部分断面図である。図２は、図１におけるＩＩ－ＩＩ線における断面を示している。
　本実施の形態における導電性フィルム１は、導電体として配線が形成された配線基板である。具体的には、導電性フィルム１は、可撓性を有するフィルム状のフレキシブル配線基板である。また、導電性フィルム１は、光を透過することができる透光性配線基板である。例えば、導電性フィルム１は、透明な基板に微細な配線が形成された透明配線基板である。
　図１に示すように、導電性フィルム１は、配線として、第１配線１０及び第２配線２０を有する。本実施の形態において、第１配線１０及び第２配線２０は、同一平面上に形成されている。つまり、第１配線１０及び第２配線２０は、一体である。なお、第１配線１０及び第２配線２０は、別平面上に位置し、立体交差するように形成されていてもよい。
　第１配線１０は、第１方向に延在しており、第２配線２０は、第１方向に交差する第２方向に延在している。本実施の形態において、第１配線１０及び第２配線２０は、直交していないが、直交していてもよい。
　第１配線１０及び第２配線２０の各々は、複数本形成されている。例えば、第１配線１０及び第２配線２０は、メッシュ状となるように導電性フィルム１の全体にわたって形成されている。第１配線１０及び第２配線２０は、線幅がマイクロメートルオーダサイズの微細な配線である。一例として、第１配線１０及び第２配線２０の各々の線幅は、１００μｍ以下であり、本実施の形態では、１０μｍ以下である。
　図２に示すように、導電性フィルム１は、基板２と、基板２の上方に形成された絶縁層３とを有する。なお、絶縁層３は形成されていなくてもよい。つまり、導電性フィルム１は、第１配線１０及び第２配線２０が形成された基板２のみによって構成されていてもよい。
　基板２は、絶縁性を有する絶縁基板である。例えば、基板２は、絶縁性樹脂材料によって構成された絶縁性を有する樹脂基板である。また、基板２は、フレキシブル性を有するシート状のフィルム基材であり、導電性フィルム１のベースフィルムとなる。
　本実施の形態において、基板２は、透光性を有する。具体的には、基板２は、少なくとも可視光に対して透光性を有するフィルム基材であり、透光性を有する絶縁性樹脂材料によって構成されている。この場合、基板２は、向こう側が透けて見える程度に透過率が高い透明樹脂材料によって構成された透明樹脂基板であってもよい。
　基板２を構成する透光性を有する樹脂材料としては、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）樹脂、ポリイミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂又はアクリル樹脂等を用いることができる。
　絶縁層３は、基板２の上方に位置している。本実施の形態において、絶縁層３は、基板２の直上に形成されている。したがって、基板２の上面は、絶縁層３の下面に接している。
　絶縁層３は、絶縁性樹脂材料によって構成された樹脂層である。本実施の形態において、絶縁層３は、透光性を有する絶縁性樹脂材料によって構成されている。具体的には、絶縁層３は、透明な絶縁性樹脂材料によって構成されている。絶縁層３を構成する樹脂材料は、熱硬化性樹脂又は紫外線硬化性樹脂である。絶縁層３を構成する樹脂材料としては、例えば、ＰＥＴ樹脂、ポリイミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂又はアクリル樹脂等を用いることができる。絶縁層３は、透明な粘着層（図示せず）などによって基板２に固定されていてよい。絶縁層３は、例えば、保護膜として機能する。
　基板２は、溝部２ａを有する。溝部２ａは、基板２の表面が窪むように形成された溝状の凹部であり、長尺状に形成されている。具体的には、溝部２ａは、直線状あるいは曲線状に形成されている。本実施の形態において、溝部２ａは、直線状であり、基板２の一方の面のみに形成されている。溝部２ａは、第１配線１０に対応して形成されている。例えば、溝部２ａは、所定の間隔で互いに平行となるように、基板２に複数本形成されている。なお、図示されていないが、基板２には、第２配線２０に対応する溝部も形成されている。第２配線２０に対応する溝部２ａは、第１配線１０に対応する溝部２ａと同じである。
　溝部２ａは、底面と、底面と連続的に繋がった側面とを有する。本実施の形態において、溝部２ａの長手方向に直交する断面で切断したときの溝部２ａの断面形状は、矩形状である。この断面において、溝部２ａは、平面状の底面と、各々が平面状で且つ対向する一対の側面とを有する。溝部２ａを有する基板２は、インプリント法により形成してもよいし、平板状の基材の表面をレーザスクライブ等で切り欠くことで形成してもよい。
　第１配線１０は、基板２の一方の面に設けられている。第１配線１０は、金属配線であり、導電層１１と、導電層１１に積層された金属層１２とを有する。したがって、導電層１１及び金属層１２は、基板２の一方の面に設けられている。本実施の形態において、第１配線１０は、基板２の一方の面のみに設けられている。したがって、導電層１１及び金属層１２は、基板２の一方の面のみに設けられている。
　第１配線１０は、基板２の一方の面に設けられた溝部２ａの内部に埋め込まれている。したがって、第１配線１０の長手方向に直交する断面で切断したときの第１配線１０の断面形状は、溝部２ａの断面形状と同じであり、本実施の形態において、第１配線１０の断面形状は、矩形状である。
　導電層１１は、基板２の溝部２ａに形成されている。具体的には、導電層１１は、溝部２ａの内面に沿って形成されている。つまり、導電層１１は、溝部２ａを完全に埋めることなく、溝部２ａの底面及び側面の表面を覆うように薄膜で形成されている。
　導電層１１は、導電性材料によって構成されている。本実施の形態において、導電層１１は、金属層１２をめっき法により形成するための下地層となるシード層である。したがって、導電層１１は、電気抵抗が低い導電材料によって構成されているとよい。例えば、導電層１１は、低抵抗材料である銅を含む金属材料によって構成された金属層（金属膜）である。この場合、導電層１１は、銅のみによって構成されていてもよいが、銅とニッケル等の他の金属とを含んでいてもよい。本実施の形態において、導電層１１は、銅及びニッケルによって構成されている。具体的には、導電層１１は、ＣｕＮｉめっき膜であり、無電解めっき法によって形成されている。
　なお、導電層１１は、無電解めっき法によって形成されていなくてもよい。例えば、導電層１１は、スパッタ法等によって形成されていてもよい。また、導電層１１は、１つのみの金属膜によって構成された単膜であるが、これに限るものではない。具体的には、導電層１１は、複数の金属膜が積層された積層膜であってもよい。
　導電層１１の下方には、微粒子層２ｂが存在している。導電層１１と基板２とは、微粒子層２ｂを介して接している。微粒子層２ｂは、光を吸収する金属微粒子４を含む層である。金属微粒子４は、光を吸収するだけではなく、光を散乱したり反射したりする。具体的には、金属微粒子４は、可視光を、吸収したり散乱したり反射したりする。
　金属微粒子４は、粒径サイズがナノメートルオーダサイズのナノ粒子である。ナノ粒子である金属微粒子４は、局在表面プラズモン共鳴によって特定の波長の可視光を吸収することができる。また、ナノ粒子である金属微粒子４は、粒子サイズに依存して異なる減光を示す特性を有する。
　微粒子層２ｂには、複数の金属微粒子４がランダムに存在している。微粒子層２ｂに存在する複数の金属微粒子４の粒径サイズは、１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。なお、微粒子層２ｂには、粒径サイズが１０ｎｍ以下の金属微粒子４が含まれていてもよい。微粒子層２ｂは、微粒子層２ｂに存在する複数の金属微粒子４のうち粒径サイズが１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下の金属微粒子４が大半を占めている（例えば５０％以上）層になっている。微粒子層２ｂにおいて、粒径サイズが１０ｎｍ以上の金属微粒子４の断面密度は、１×１０３個／μｍ２～３×１０３個／μｍ２である。
　本実施の形態において、金属微粒子４は、銅及びニッケルを含む。具体的には、金属微粒子４は、粒径サイズが数ｎｍのパラジウム粒子（Ｐｄ粒子）を核として銅及びニッケルが成長することにより形成された銅ニッケル合金からなる微粒子である。
　微粒子層２ｂは、樹脂基板である基板２の一部である。具体的には、微粒子層２ｂは、基板２の表面付近に存在する表面層である。したがって、微粒子層２ｂには、基板２を構成する樹脂材料が含まれている。なお、微粒子層２ｂには、基板２を構成する樹脂材料が含まれていなくてもよい。微粒子層２ｂの厚さは、導電層１１の厚さよりも薄い。一例として、微粒子層２ｂの厚さは、３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。
　微粒子層２ｂと導電層１１とは接している。本実施の形態において、導電層１１と微粒子層２ｂとの界面は、凹凸構造になっている。つまり、導電層１１の下面及び微粒子層２ｂの上面が凹凸構造になっている。本実施の形態では、微粒子層２ｂが樹脂基板である基板２の一部であるので、導電層１１と基板２（樹脂）との界面が凹凸構造になっている。この凹凸構造は、深さ及び高さがランダムな無数の凹部と無数の凸部とによって構成されている。この凹凸構造の表面粗さＲｙは、ナノメートルオーダサイズであり、具体的には、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。このように、導電層１１と微粒子層２ｂとの界面は、凹凸構造によるナノアンカー構造になっている。
　なお、金属微粒子４は、微粒子層２ｂ以外にも存在していてもよいが、微粒子層２ｂにおける金属微粒子４の密度は、導電性フィルム１において最も高くなっている。つまり、微粒子層２ｂにおける金属微粒子４の密度は、導電性フィルム１における微粒子層２ｂ以外の部分の金属微粒子４の密度よりも高くなっている。具体的には、微粒子層２ｂにおける金属微粒子４の密度は、基板２（基板２の微粒子層２ｂ以外の部分）又は導電層１１における金属微粒子４の密度よりも高くなっている。本実施の形態では、金属微粒子４は、微粒子層２ｂのみに存在している。つまり、基板２又は導電層１１における金属微粒子４の密度は、ゼロである。
　導電層１１に積層された金属層１２は、導電層の一例として形成されている。金属層１２は、第１配線１０の主配線層である。したがって、金属層１２は、導電層１１より厚さが厚い。金属層１２は、内面が導電層１１で被覆された溝部２ａを埋めるように形成されている。金属層１２は、溝部２ａの大部分を構成している。一例として、金属層１２は、図２の断面視において第１配線１０の８０％以上を占めている。
　金属層１２は、銅、アルミニウム又は銀等の金属材料によって構成されている。本実施の形態において、主配線層である金属層１２は、銅によって構成されている。したがって、第１配線１０は、銅配線である。この場合、金属層１２は、銅単体で構成されていてもよいし、銅合金であってもよい。
　また、金属層１２は、導電層１１を下地層（シード層）としてめっき法により形成されためっき膜である。本実施の形態において、具体的には、金属層１２は、電解めっき法により形成された電解めっき膜である。具体的には、金属層１２は、銅によって構成されたＣｕめっき膜である。
　第２配線２０は、金属配線であり、主配線層として金属層を有する。本実施の形態において、第２配線２０は、第１配線１０と同じ構造である。具体的には、第２配線２０は、銅配線であり、無電解めっき法により形成されたＣｕＮｉめっき膜である導電層と、電解めっき法により形成されたＣｕめっき膜である金属層との積層構造である。
　なお、例えば第１配線１０と第２配線２０とがそれぞれが異なる平面に配置される場合などには、第２配線２０は、第１配線１０とは異なる構造であってもよいし、第１配線１０とは異なる金属材料によって構成されていてもよい。この場合、第１配線１０と第２配線２０とを絶縁層３を介して絶縁し、第２配線２０を、第１配線１０の上の絶縁層３に形成された上層配線とし、第１配線１０を、絶縁層３より下に形成された下層配線とすることができる。
　このように、本実施の形態に係る導電性フィルム１では、導電層１１と基板２とが光を吸収する微粒子層２ｂを介して接しており、また、導電層１１と基板２の表面層である微粒子層２ｂとの界面が凹凸構造になっている。
　この構成により、第１配線１０の裏面側から入射する光は、金属微粒子４を含む微粒子層２ｂによって吸収されるともに、導電層１１と微粒子層２ｂとの界面における凹凸構造によって乱反射する。また、第１配線１０の裏面側から入射する光は、微粒子層２ｂに含まれる金属微粒子４によって散乱もする。このように、本実施の形態に係る導電性フィルム１には、基板２と導電層１１との界面に、反射率が低い低反射層として微粒子層２ｂが形成されている。これにより、基板２と導電層１１との界面の反射率を低減することができる。したがって、導電性フィルム１を裏側から見たときに、第１配線１０を認識させにくくすることができる。
　次に、実施の形態に係る導電性フィルム１の製造方法について、図３を用いて説明する。図３は、実施の形態に係る導電性フィルム１の製造方法を説明するための図である。
　まず、溝部２ａを有する基板２を準備する。例えば、インプリント法によって、溝部２ａを有する基板２を作製することができる。この場合、まず、図３の（ａ）に示すように、熱可塑性樹脂からなる基板２を準備し、温度を上昇させて基板２を柔らかくして転写版となる金型部材（モールド）１００を基板２に押し付けることで基板２に溝部２ａを形成する。その後、金型部材１００を取り外す。これにより、図３の（ｂ）に示すように、溝部２ａを有する基板２を作製することができる。
　なお、熱可塑性樹脂を用いた熱インプリント法ではなく、光硬化性樹脂を用いた光インプリント法によって、溝部２ａを有する基板２を作製してもよい。この場合、液状の光硬化性樹脂を転写版となる第１金型部材と第２金型部材とで挟み込み、光（紫外線）を照射することで光硬化性樹脂を硬化させる。その後、第１金型部材及び第２金型部材を取り外す。これにより、光硬化性樹脂からなる基板２に溝部２ａを形成することができる。また、光硬化性樹脂ではなく、熱硬化性樹脂によって基板２を形成してもよい。
　次に、図３の（ｃ）に示すように、溝部２ａの内面に導電層１１を形成する。具体的には、溝部２ａだけではなく、溝部２ａ以外の基板２の表面全体にも導電層１１を形成する。つまり、基板２の全面にわたって導電層１１を形成する。本実施の形態では、無電解めっき法によってＣｕＮｉめっき膜からなる導電層１１を形成した。なお、この工程の詳細については、後述する。
　次に、図３の（ｄ）に示すように、導電層１１の上に金属層１２を形成する。具体的には、溝部２ａを埋めるようにして、導電層１１の全面に金属層１２を形成する。本実施の形態では、電解めっき法により金属層１２を形成した。具体的には、導電層１１をシード層として導電層１１上にＣｕめっき膜からなる金属層１２を形成した。
　次に、図３の（ｅ）に示すように、導電層１１及び金属層１２が形成された基板２の一部を除去し、導電層１１及び金属層１２からなる第１配線１０を形成する。具体的には、溝部２ａが形成されていない部分の基板２の表面が露出するまで導電層１１及び金属層１２を除去する。つまり、溝部２ａに埋め込まれた導電層１１及び金属層１２を残すように、導電層１１及び金属層１２の不要な部分を除去する。これにより、溝部２ａに第１配線１０が埋め込まれた基板２を得ることができる。
　なお、図示しないが、その後、第１配線１０が形成された基板２の上に、第２配線２０が埋め込まれた溝部を有する絶縁層３を形成する。これにより、図１及び図２に示される導電性フィルム１を作製することができる。
　ここで、基板２の上に導電層１１を形成する工程（図３の（ｃ）の工程）について、図４を用いて詳細に説明する。図４は、実施の形態に係る導電性フィルム１の製造方法において、基板２の上に導電層１１を形成する工程を説明するための図である。
　この工程では、まず、図４の（ａ）に示すように、溝部２ａが形成された基板２の表面に紫外線を照射する。これにより、基板２の表面層に存在するＣ＝Ｃ結合を切断することができる。本実施の形態では、低圧水銀ランプを用いて、１８５ｎｍ及び２５６ｎｍの２つにピーク波長を有する紫外線を基板２の表面全体に照射した。
　次に、図４の（ｂ）に示すように、アルカリ処理を行う。具体的には、紫外線を照射した基板２をＮａＯＨ水溶液に浸漬させる。このように、紫外線を照射した後にアルカリ処理を行うことで、基板２の表面層に存在するＣ＝Ｃ結合を切断して官能基を付与することができる。これにより、基板２の表面近傍に基板２の表面層が改質された改質層２ｓを形成することができる。このとき形成される改質層２ｓの厚さｔは、３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。
　次に、図４の（ｃ）に示すように、基板２に触媒４ａを担持させる。本実施の形態では、触媒４ａとして粒子径がφ５ｎｍのパラジウム粒子（Ｐｄ粒子）を用いた。
　具体的には、まず、クリーナーによりクリーナー処理を施して基板２を洗浄する。その後、基板２をＰｄＣｌ２水溶液に浸漬して、触媒４ａとしてＰｄ粒子を基板２に担持させる。
　このとき、基板２の表面近傍に改質層２ｓが形成されているので、基板２の表面だけではなく基板２の内部にまで触媒４ａ（Ｐｄ粒子）を浸透させることができる。具体的には、改質層２ｓの内部にまで触媒４ａを浸透させることができる。
　次に、図４の（ｄ）に示すように、基板２に導電層１１を形成する。本実施の形態では、無電解めっき法により導電層１１を形成した。具体的には、触媒４ａが担持された基板２をＣｕＮｉめっき液に浸漬する。これにより、基板２に担持された触媒４ａ（Ｐｄ粒子）による触媒反応によって銅とニッケルとが析出して成長し、導電層１１として無電解めっき膜であるＣｕＮｉめっき膜が基板２の上に形成される。
　このとき、基板２の改質層２ｓの内部にまで触媒４ａが点在しているので、改質層２ｓの内部に存在する触媒４ａによって銅とニッケルとが析出する。つまり、触媒４ａ（Ｐｄ粒子）を核として銅及びニッケルが成長し、銅ニッケル合金からなる無数の金属微粒子４が形成される。これにより、基板２の表面層である改質層２ｓは、無数の金属微粒子４が含有された微粒子層２ｂとなる。
　このように、触媒４ａが担持された基板２に無電解めっき処理を施すことで、触媒４ａによって基板２の上にめっき膜からなる導電層１１が積層していくとともに金属微粒子４を含む微粒子層２ｂも形成される。つまり、基板２の上に導電層１１となるめっき膜が堆積していくとともに導電層１１の下方にはめっき膜と同じ金属からなる金属微粒子４が成長していく。つまり、導電層１１を構成する金属と金属微粒子４を構成する金属とは同じである。本実施の形態において、導電層１１を構成する金属と金属微粒子４を構成する金属とは、いずれも銅ニッケル合金である。
　また、導電層１１及び微粒子層２ｂは、いずれも触媒４ａによって析出された金属が同時に成長することで形成されたものであるが、導電層１１は、銅とニッケルとが制限を受けることなく成長して形成されるので緻密な膜質構造の合金膜となるが、微粒子層２ｂは、樹脂基板である基板２の内部で銅とニッケルとが制限を受けながら成長するため無数の金属微粒子４で構成された層になると考えられる。このため、導電層１１と微粒子層２ｂとの界面が凹凸構造になると考えられる。また、微粒子層２ｂは、導電層１１よりも膜質構造が粗になっている。
　なお、図示しないが、基板２に導電層１１を形成した後は、ベーキング処理を行う。これにより、微粒子層２ｂ及び導電層１１の内部応力を緩和させるとともに脱水を行うことができる。なお、ベーキング処理の加熱温度は、例えば１００℃である。
　図５は、上記の方法で実際に作製した導電性フィルム１の一部の断面ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）像である。図５では、微粒子層２ｂの周辺部分を示している。
　図５に示すように、導電層１１と基板２とが微粒子層２ｂを介して接していることが確認できる。また、微粒子層２ｂと導電層１１とは膜構造が異なり、微粒子層２ｂは、無数の金属微粒子４によって構成されていることも確認できる。さらに、導電層１１と微粒子層２ｂとの界面が凹凸構造になっていることも確認できる。
　また、図６は、実際に作製した導電性フィルム１において、導電層１１及び微粒子層２ｂにおける金属の組成分析結果を示している。図６において、導電層１１の組成は、図５の破線で囲まれる領域Ａ１の分析結果を示しており、微粒子層２ｂの組成（つまり金属微粒子４の組成）は、図５の破線で囲まれる領域Ａ２の分析結果を示している。
　図６に示すように、導電層１１及び微粒子層２ｂ（金属微粒子４）は、金属として、いずれも、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）及びリン（Ｐ）を含むことが分かる。また、Ｃｕの重量比率を「ＷＣｕ」とし、Ｎｉの重量比率を「ＷＮｉ」とし、Ｃｕ及びＮｉの組成比（ＷＣｕ÷ＷＮｉ）を「Ｃｕ／Ｎｉ組成比」とすると、微粒子層２ｂ（金属微粒子４）のＣｕ／Ｎｉ組成比は、導電層１１のＣｕ／Ｎｉ組成比よりも大きくなることが分かった。
　なお、微粒子層２ｂの厚さを変える等して微粒子層２ｂの膜組成が異なる導電性フィルム１を複数作製したところ、微粒子層２ｂ（金属微粒子４）のＣｕ／Ｎｉ組成比は、０．１～１．８であることも分かった。
　微粒子層２ｂの厚さは、例えば、上記の製造方法において、基板２に紫外線を照射するときの条件（出力、時間等）を変えたり、触媒４ａの粒径サイズを変えたり、無電解めっき処理を施す際の条件（時間等）を変えたりすることで制御することができる。
　図７及び図８は、微粒子層２ｂの厚さを異ならせて実際に作製した３つの導電性フィルム１について、微粒子層２ｂの周辺部分の断面ＳＥＭ像と反射率の波長依存性とを示している。図７の断面ＳＥＭ像と図８の断面ＳＥＭ像とは同じであり、また、図５に示される断面ＳＥＭ像と同じ部分に対応している。なお、図７及び図８の右側の断面ＳＥＭ像は、図５の断面ＳＥＭ像と同じである（つまり同じ試料の導電性フィルムである）。
　図７に示すように、微粒子層２ｂの厚さは、３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲内で変化していることが分かる。この場合、凹凸構造の表面粗さＲｙは、いずれも５０ｎｍ以下になっている。
　そして、図７に示すように、微粒子層２ｂの厚さが厚くなればなるほど、また、金属微粒子４の粒径サイズが大きくなればなるほど、可視光（波長３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）に対する最大反射率が低下していくことが分かる。特に、高波長領域での反射率が低下することが分かる。
　このように、本実施の形態における導電性フィルム１によれば、微粒子層２ｂの厚さ又は金属微粒子４の粒径サイズを制御することによって、反射率を大きくしたり小さくしたりすることができる。
　なお、図７では、微粒子層２ｂの厚さが厚くなればなるほど、金属微粒子４の粒径サイズも大きくなっているが、これに限らない。つまり、微粒子層２ｂの厚さが厚くなっても、金属微粒子４の粒径サイズが必ずしも大きくなるとは限らない。
　また、図８に示すように、微粒子層２ｂに含まれる金属微粒子４のうち粒径サイズが１０ｎｍ以上の金属微粒子４の断面密度を測定すると、３つの試料のそれぞれの断面密度（断面粒子密度）は、１．２×１０３個／μｍ２、１．３×１０３個／μｍ２、２．９×１０３個／μｍ２であり、微粒子層２ｂの厚さが厚くなればなるほど、断面密度も大きくなることが分かった。
　次に、微粒子層２ｂ（金属微粒子４）のＣｕ／Ｎｉ組成比と導電性フィルム１の反射率の変動との関係についての信頼性試験を行ったので、その試験結果について、図９Ａ及び図９Ｂを用いて説明する。図９Ａは、微粒子層２ｂ（金属微粒子４）の組成が異なる２種類の導電性フィルムの試料における試験前後の断面ＳＥＭ像を示している。図９Ｂは、図９Ａの２種類の導電性フィルムの試料における試験後の反射率の波長依存性を示している。
　図９Ａに示すように、１つ目の試料の微粒子層２ｂにおけるＣｕ及びＮｉの組成（組成１）は、Ｃｕの重量比率が９６ｗｔ％で、Ｎｉの重量比率が４ｗｔ％で、Ｃｕ／Ｎｉ組成比が２４である。２つ目の試料の微粒子層２ｂにおけるＣｕ及びＮｉの組成（組成２）は、Ｃｕの重量比率が４３ｗｔ％で、Ｎｉの重量比率が５７ｗｔ％で、Ｃｕ／Ｎｉ組成比が０．７５である。
　この２つの試料について、試験条件１～３の３つの試験条件で信頼性試験を行った。１つ目の試験条件１は、温度８５℃、湿度８５％で、２つ目の試験条件２は、温度６０℃、湿度９３％で、３つ目の試験条件３は、温度９５℃（湿度は無管理）である。試験時間は、いずれも５１２時間とした。
　試験後の各試料の反射率を測定したところ、図９Ｂに示す結果が得られた。図９Ｂに示すように、組成１よりも組成２の試料の方が、反射率の変動が小さいことが分かる。つまり、Ｃｕに対するＮｉの割合（Ｃｕに対するＮｉの濃度）が高い微粒子層２ｂを有する試料の方が、反射率の変動が小さい。これは、微粒子層２ｂに含まれる酸素含有濃度がその原因の一つであると考えられる。
　ここで、試験前後の各試料における微粒子層２ｂの酸素含有濃度を測定したところ、図９Ａに示す結果が得られた。図９Ａに、各試料における微粒子層２ｂの酸素含有濃度を示している。各試料の微粒子層２ｂの酸素含有濃度は、各試料のＳＥＭ断面の実線で囲まれる部分の酸素含有濃度を示している。
　組成１の試料と組成２の試料との微粒子層２ｂの酸素含有濃度を比べて分かるように、Ｃｕに対するＮｉの割合が高い組成２の試料の方が、酸素含有濃度が低くなっていることが分かる。つまり、微粒子層２ｂは、Ｃｕに対するＮｉの比率が高いほど、酸化が抑制されているといえる。この結果、組成２の方が反射率の変動が小さくなったと考えられる。
　また、微粒子層２ｂにおけるＣｕ／Ｎｉ組成比が異なる６つの試料（試料１～６）について、信頼性試験後の反射率を測定したところ、図１０に示される結果が得られた。
　図１０に示すように、微粒子層２ｂにおいて、銅（Ｃｕ）とニッケル（Ｎｉ）との組成比であるＣｕ／Ｎｉ組成比を２以下にすることで、反射率を大きく下げられることが分かる。具体的には、Ｃｕ／Ｎｉ組成比のＣｕ／Ｎｉ組成比を２以下にすることで、反射率を２０％以下にすることができる。
　以上説明したように、本実施の形態に係る導電性フィルム１は、基板２と、基板２の少なくとも一方の面に設けられた導電層１１とを備えており、導電層１１と基板２とは、光を吸収する金属微粒子４を含む微粒子層２ｂを介して接しており、導電層１１と微粒子層２ｂとの界面が凹凸構造になっている。
　この構成により、微粒子層２ｂによって光が吸収されるともに、導電層１１と微粒子層２ｂとの界面における凹凸構造によって光を乱反射させることができる。これにより、基板２と導電層１１との界面の反射率を低減することができる構造を有する導電性フィルム１を実現することができる。
　また、この構造の導電性フィルム１は、基板２に導電層１１を形成するだけで作製することができる。具体的には、上述のように、樹脂基板である基板２の表面層として改質層２ｓを形成し、その改質層２ｓを有する基板２に対して無電解めっき法により導電層１１（めっき膜）を形成することで、導電層１１と基板２を構成する樹脂基材との間に、低反射層として金属微粒子４を含む微粒子層２ｂを形成することができる。
　このように、本実施の形態に係る導電性フィルム１によれば、黒色膜を追加することなく、基板２と導電層１１との界面の反射率を低減することができる構造を得ることができる。
　また、本実施の形態に係る導電性フィルム１において、微粒子層２ｂにおける金属微粒子４の密度は、基板２（基板２の微粒子層２ｂ以外の部分）における金属微粒子４の密度よりも高くなっている。
　この構成により、微粒子層２ｂにおける光の吸収・散乱効果を大きくすることができるので、基板２と導電層１１との界面の反射率をさらに低減することができる。
　また、本実施の形態に係る導電性フィルム１において、微粒子層２ｂの厚さは、導電層１１の厚さよりも薄い。
　このように、厚さの薄い微粒子層２ｂであっても、基板２と導電層１１との界面の反射率を効果的に低減することができる。
　また、本実施の形態に係る導電性フィルム１において、微粒子層２ｂの厚さは、３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であり、金属微粒子４の粒径サイズは、１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。
　この構成により、微粒子層２ｂにおける光の吸収・散乱効果を効果的に発揮させることができるので、基板２と導電層１１との界面の反射率をさらに効果的に低減することができる。
　また、本実施の形態に係る導電性フィルム１において、微粒子層２ｂに含まれる粒径サイズが１０ｎｍ以上の金属微粒子の断面密度は、１×１０３個／μｍ２～３×１０３個／μｍ２である。
　この構成により、微粒子層２ｂにおける光の吸収・散乱効果をより効果的に発揮させることができるので、基板２と導電層１１との界面の反射率を一層効果的に低減することができる。
　（変形例）
　以上、本開示に係る導電性フィルムについて、実施の形態に基づいて説明したが、本開示は、上記実施の形態に限定されるものではない。
　例えば、上記実施の形態において、導電層１１及び微粒子層２ｂ（金属微粒子４）を構成する単一成分の金属は、Ｃｕ及びＮｉであったが、これに限らない。例えば、導電層１１及び微粒子層２ｂ（金属微粒子４）を構成する単一成分の金属としては、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｂｉ等であってもよい。また、上記実施の形態において、導電層１１及び微粒子層２ｂ（金属微粒子４）を構成する合金又は添加成分（意図的に合金化・添加される成分）の金属は、Ｐであったが、これに限らない。例えば、導電層１１及び微粒子層２ｂ（金属微粒子４）を構成する合金又は添加成分の金属としては、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｗ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ等であってもよい。
　また、上記実施の形態において、第１配線１０は、基板２の一方の面のみに設けられていたが、これに限らない。具体的には、第１配線１０は、基板２の両面に設けられていてもよい。つまり、導電層１１及び金属層１２は、基板２の両面に設けられていてもよい。このように、導電層１１及び金属層１２は、基板２の少なくとも一方の面に設けられていればよい。なお、第２配線２０も基板２の両面に設けられていてもよい。
　また、上記実施の形態において、第１配線１０と第２配線２０とは立体交差しているが、これに限らない。例えば、第１配線１０と第２配線２０とは、同一層に形成されていてもよい。なお、上記実施の形態において、立体交差する第１配線１０と第２配線２０とは、絶縁層３を介して絶縁されている。ただし、第１配線１０と第２配線２０との複数の交点のうちの一部にコンタクト部（ビア）が形成されていてもよい。つまり、第１配線１０と第２配線２０とは電気的に接続されていてもよい。
　また、上記実施の形態において、導電性フィルム１は、透光性を有する配線基板であり、一例として、タッチパネルにおけるタッチセンサ基板として用いることができるが、これに限らない。例えば、透光性を有する配線基板である導電性フィルム１は、マトリクス状に配列された複数のＬＥＤ素子を有するディスプレイデバイスにおける実装基板として用いられてもよいし、電子部品同士を電気的に接続するための接続基板として用いられてもよいし、５Ｇアンテナ等のパターンアンテナとして所定のパターンで形成された配線を有するアンテナ基板として用いられてもよいし、配線を電熱線として用いたヒータ基板として用いられてもよい。
　また、上記実施の形態において、導電性フィルム１には第１配線１０及び第２配線２０が形成されていたが、これに限らない。例えば、導電性フィルム１は第１配線１０のみを有していてもよい。この場合、第１配線１０は、基板２に形成された溝部２ａに形成されていたが、これに限るものではなく、溝部２ａが形成されていない基板２の表面に形成されていてもよい。
　また、上記実施の形態において、導電性フィルム１は、配線を有する配線基板として用いたが、これに限らない。具体的には、導電性フィルム１は、配線基板以外の用途として用いられてもよい。この場合、導電性フィルム１は、基板２の上に微粒子層２ｂを介して導電層１１のみが形成された構成であってもよい。
　その他、上記実施の形態に対して当業者が思い付く各種変形を施して得られる形態や、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。また、本願出願時の請求の範囲に記載された複数の請求項の中から技術的に矛盾しない範囲で２つ以上の請求項を任意に組み合わせたものも本開示に含まれる。例えば、本願出願時の請求の範囲に記載された引用形式請求項を、技術的に矛盾しない範囲で上位請求項の全てを引用するようにマルチクレーム又はマルチマルチクレームとしたときに、そのマルチクレーム又はマルチマルチクレームに含まれる全ての請求項の組み合わせも本開示に含まれる。
　本開示に係る導電性フィルムは、タッチパネル等をはじめとして種々の電気機器に利用することができる。
　１　導電性フィルム
　２　基板
　２ａ　溝部
　２ｂ　微粒子層
　２ｓ　改質層
　３　絶縁層
　４　金属微粒子
　４ａ　触媒
　１０　第１配線
　１１　導電層
　１２　金属層
　２０　第２配線
　１００　金型部材

Claims (12)

  1. 　透光性を有する基板と、
    　前記基板の少なくとも一方の面に設けられた導電層と、を備え、
    　前記導電層と前記基板とは、微粒子層を介して接しており、
    　前記微粒子層は、光を吸収する金属微粒子を含み、
    　前記導電層と前記微粒子層との界面は、凹凸構造である、
    　導電性フィルム。
  2. 　前記微粒子層における前記金属微粒子の密度は、前記基板における前記金属微粒子の密度よりも高い、
    　請求項１に記載の導電性フィルム。
  3. 　前記微粒子層の厚さは、前記導電層の厚さよりも薄い、
    　請求項１に記載の導電性フィルム。
  4. 　前記微粒子層の厚さは、３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であり、
    　前記金属微粒子の粒径サイズは、１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である、
    　請求項１に記載の導電性フィルム。
  5. 　前記微粒子層に含まれる粒径サイズが１０ｎｍ以上の前記金属微粒子の断面密度は、１×１０３個／μｍ２～３×１０３個／μｍ２である
    　請求項１に記載の導電性フィルム。
  6. 　前記金属微粒子は、銅及びニッケルを含む、
    　請求項１に記載の導電性フィルム。
  7. 　前記銅と前記ニッケルとの組成比であるＣｕ／Ｎｉ組成比は、２以下である、
    　請求項６に記載の導電性フィルム。
  8. 　前記導電層は、銅及びニッケルによって構成されている、
    　請求項６又は７に記載の導電性フィルム。
  9. 　前記基板は、透明樹脂基板である、
    　請求項１～７のいずれか１項に記載の導電性フィルム。
  10. 　さらに、前記導電層に積層された金属層を有する、
    　請求項１～７のいずれか１項に記載の導電性フィルム。
  11. 　前記導電性フィルムは、配線基板であり、
    　前記導電層及び前記金属層は、前記基板に形成された溝に埋め込まれた配線である、
    　請求項１０に記載の導電性フィルム。
  12. 　前記金属層は、前記導電層を下地層として形成されためっき膜である、
    　請求項１１に記載の導電性フィルム。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016133535A (ja) * 2015-01-16 2016-07-25 凸版印刷株式会社 タッチパネル一体型カラーフィルタ基板、それを用いた表示装置、及びそれを用いた情報入力画像表示装置
WO2016208636A1 (ja) * 2015-06-22 2016-12-29 株式会社フジクラ 配線体、配線基板、及びタッチセンサ
WO2020017646A1 (ja) * 2018-07-20 2020-01-23 株式会社フジクラ 配線体、配線板、及びタッチセンサ

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016133535A (ja) * 2015-01-16 2016-07-25 凸版印刷株式会社 タッチパネル一体型カラーフィルタ基板、それを用いた表示装置、及びそれを用いた情報入力画像表示装置
WO2016208636A1 (ja) * 2015-06-22 2016-12-29 株式会社フジクラ 配線体、配線基板、及びタッチセンサ
WO2020017646A1 (ja) * 2018-07-20 2020-01-23 株式会社フジクラ 配線体、配線板、及びタッチセンサ

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