WO2024070581A1

WO2024070581A1 - 電力変換ユニット

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Publication number: WO2024070581A1
Application number: PCT/JP2023/032800
Authority: WO
Inventors: 幸太郎柴田
Original assignee: ローム株式会社
Priority date: 2022-09-26
Filing date: 2023-09-08
Publication date: 2024-04-04

Abstract

電力変換ユニットは、複数の半導体装置と、取付対象物と、１つの取付部材とを備える。前記複数の半導体装置の各々は、半導体素子と当該半導体素子を覆う封止部とを備える。前記取付対象物は、前記複数の半導体装置の各々に接する本体部を含む。前記１つの取付部材は、前記複数の半導体装置の各々を前記取付対象物に保持する。前記１つの取付部材は、前記取付対象物に固定された固定部と、前記複数の半導体装置を前記本体部に押し付ける押圧部と、を含む。

Description

電力変換ユニット

　本開示は、電力変換ユニットに関する。

　従来、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）およびＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などの半導体素子を備える半導体装置が知られている。たとえば、特許文献１には、従来の半導体装置の一例であるパワーモジュールが開示されている。特許文献１に記載のパワーモジュールは、パワー素子と、セラミック基板と、封止樹脂とを備える。パワー素子は、たとえばＩＧＢＴである。セラミック基板の一方の面には、導体パターンが形成されている。パワー素子は、当該導体パターンに接合される。セラミック基板の他方の面には、導体膜が形成されてる。当該導体膜は、封止樹脂から露出する。このような半導体装置は、たとえばパワー素子からの熱を効率的に外部に放出するために、外部冷却体に取り付けられる。このとき、封止樹脂から露出する導体膜は、外部冷却体に接する。

特開２０１１－１７２４８３号公報

　三相インバータなどの電力変換ユニットでは、複数の半導体装置が用いられる。このような電力変換ユニットにおいて、複数の半導体装置は、共通の外部冷却体に取り付けられることがある。このとき、たとえば外部冷却体と各半導体装置との間に隙間があると、各パワー素子からの熱の放熱性が低下する。つまり、複数の半導体装置を外部冷却体に適切に取り付けなければ、電力変換ユニットにおける放熱性が低下する。

　本開示は、従来より改良が施された電力変換ユニットを提供することを一の課題とする。特に本開示は、上記事情に鑑み、放熱性の低下を抑制することが可能な電力変換ユニットを提供することをその一の課題とする。

　本開示の一の側面によって提供される電力変換ユニットは、半導体素子と当該半導体素子を覆う封止部とを各々が備える複数の半導体装置と、前記複数の半導体装置に接する本体部を含む取付対象物と、前記複数の半導体装置を前記取付対象物に保持する１つの取付部材と、を備える。前記１つの取付部材は、前記取付対象物に固定された固定部と、前記複数の半導体装置を前記本体部に押し付ける押圧部と、を含む。

　上記構成によれば、放熱性の低下を抑制することが可能となる。

図１は、第１実施形態にかかる電力変換ユニットを示す斜視図である。図２は、図１の斜視図において、配線基板を省略した図である。図３は、第１実施形態にかかる電力変換ユニットを示す平面図である。図４は、図３の平面図において、配線基板を省略した図である。図５は、第１実施形態にかかる電力変換ユニットを示す正面図である。図６は、第１実施形態にかかる電力変換ユニットを示す底面図である。図７は、第１実施形態にかかる電力変換ユニットを示す左側面図である。図８は、第１実施形態にかかる電力変換ユニットを示す右側面図である。図９は、図４のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。図１０は、図４のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。図１１は、図４のＸＩ－ＸＩ線に沿う断面図である。図１２は、図４のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿う断面図である。図１３は、図４のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。図１４は、第１実施形態にかかる電力変換ユニットの部分拡大断面図である。図１５は、第１実施形態にかかる電力変換ユニットの半導体装置を示す斜視図である。図１６は、第１実施形態にかかる電力変換ユニットの半導体装置を示す平面図である。図１７は、図１６の平面図において、封止部を想像線で示した図である。図１８は、図１７の平面図において、封止部および第２導通部材を省略した図である。図１９は、第１実施形態にかかる電力変換ユニットの半導体装置を示す正面図である。図２０は、第１実施形態にかかる電力変換ユニットの半導体装置を示す底面図である。図２１は、図１７のＸＸＩ－ＸＸＩ線に沿う断面図である。図２２は、図２１の部分拡大断面図である。図２３は、図２１の部分拡大断面図である。図２４は、図１７のＸＸＩＶ－ＸＸＩＶ線に沿う断面図である。図２５は、図１７のＸＸＶ－ＸＸＶ線に沿う断面図である。図２６は、図１７のＸＸＶＩ－ＸＸＶＩ線に沿う断面図である。図２７は、第２実施形態にかかる電力変換ユニットを示す平面図であって、配線基板を省略した図である。図２８は、図２７のＸＸＶＩＩＩ－ＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図２９は、図２７のＸＸＩＸ－ＸＸＩＸ線に沿う断面図である。図３０は、図２７のＸＸＸ－ＸＸＸ線に沿う断面図である。図３１は、第２実施形態の第１変形例にかかる電力変換ユニットを示す平面図であって、配線基板を省略した図である。図３２は、図３１のＸＸＸＩＩ－ＸＸＸＩＩ線に沿う断面図である。図３３は、第２実施形態の第１変形例にかかる電力変換ユニットの組み立て前の状態を示す右側面図である。図３４は、第２実施形態の第２変形例にかかる電力変換ユニットを示す平面図であって、配線基板を省略した図である。図３５は、図３４のＸＸＸＶ－ＸＸＸＶ線に沿う断面図である。図３６は、図３４のＸＸＸＶＩ－ＸＸＸＶＩ線に沿う断面図である。図３７は、第３実施形態にかかる電力変換ユニットを示す平面図であって、配線基板を省略した図である。図３８は、図３７のＸＸＸＶＩＩＩ－ＸＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図３９は、図３７のＸＸＸＩＸ－ＸＸＸＩＸ線に沿う断面図である。図４０は、変形例にかかる電力変換ユニットを示す平面図であって、配線基板を省略した図である。

　本開示の電力変換ユニットの好ましい実施の形態について、図面を参照して、以下に説明する。以下では、同一あるいは類似の構成要素に、同じ符号を付して、重複する説明を省略する。本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。

　本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置していること」を含む。また、「ある方向に見てある物Ａがある物Ｂに重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。また、「ある物Ａ（の材料）がある材料Ｃを含む」とは、「ある物Ａ（の材料）がある材料Ｃからなる場合」、および、「ある物Ａ（の材料）の主成分がある材料Ｃである場合」を含む。

　図１～図１４は、第１実施形態にかかる電力変換ユニットＡ１０を示している。電力変換ユニットＡ１０は、複数の半導体装置Ｂ１、１つの取付対象物Ｃ１、１つの取付部材Ｄ１および１つの配線基板Ｅ１を備える。

　以下の説明では、互いに直交する厚さ方向ｚ、第１方向ｘおよび第２方向ｙを参照する。厚さ方向ｚは、電力変換ユニットＡ１０の厚さ方向に相当する。また、「平面視」とは、厚さ方向ｚに見たときをいう。第１方向ｘは、厚さ方向ｚに直交する。第２方向ｙは、厚さ方向ｚおよび第１方向ｘに直交する。なお、第１方向ｘの一方側を第１方向ｘのｘ１側、第１方向ｘの他方側を第１方向ｘのｘ２側と称する。また、第２方向ｙの一方側を第２方向ｙのｙ１側、第２方向ｙの他方側を第２方向ｙのｙ２側と称する。また、厚さ方向ｚの一方側を厚さ方向ｚのｚ１側、厚さ方向ｚの他方側を厚さ方向ｚのｚ２側と称する。また、厚さ方向ｚのｚ１側を上方といい、厚さ方向ｚのｚ２側を下方ということがある。なお、「上」、「下」、「上方」、「下方」、「上面」および「下面」などの記載は、厚さ方向ｚにおける各部品等の相対的位置関係を示すものであり、必ずしも重力方向との関係を規定する用語ではない。

　複数の半導体装置Ｂ１は、図２、図４、図７および図８に示すように、第２方向ｙに沿って配置される。複数の半導体装置Ｂ１はそれぞれ、複数の半導体素子２１を備える。後に詳述される構成から理解されるように、複数の半導体素子２１は、たとえばＭＯＳＦＥＴおよびＩＧＢＴなどのスイッチング素子であり、複数の半導体装置Ｂ１はそれぞれ、たとえばハーフブリッジ型のスイッチング回路を構成する。また、複数の半導体装置Ｂ１はそれぞれ、図１～図９に示すように、複数の電力端子１３と、複数の信号端子１７と、封止部５０とを備える。複数の半導体装置Ｂ１の各々において、複数の半導体素子２１は、封止部５０に覆われている。複数の電力端子１３は、封止部５０の側面（後述の第２側面５３２）から第１方向ｘに突出する。複数の信号端子１７は、封止部５０の上面（後述の頂面５１）から厚さ方向ｚに突出する。

　図示された例では、電力変換ユニットＡ１０は、３つの半導体装置Ｂ１を備えているが、２つまたは４つ以上の半導体装置Ｂ１を備える構成であってもよい。以下の説明において、３つの半導体装置Ｂ１を区別する場合、第１装置Ｂ１１、第２装置Ｂ１２および第３装置Ｂ１３という。第１装置Ｂ１１は、複数の半導体装置Ｂ１のうち最も第２方向ｙのｙ１側に位置する。第３装置Ｂ１３は、複数の半導体装置Ｂ１のうち最も第２方向ｙのｙ２側に位置する。第２装置Ｂ１２は、第２方向ｙにおいて、第１装置Ｂ１１と第３装置Ｂ１３との間に位置する。

　取付対象物Ｃ１は、複数の半導体装置Ｂ１を支持する。取付対象物Ｃ１は、たとえばヒートシンクである。取付対象物Ｃ１は、ヒートシンクではなく、電子機器および電気自動車などの筐体（フレーム等）であってもよい。取付対象物Ｃ１の大半は、複数の半導体装置Ｂ１に対して、厚さ方向ｚの下方（ｚ２側）に位置する。取付対象物Ｃ１は、複数の半導体装置Ｂ１の封止部５０の下面（後述の底面５２）に対向する。取付対象物Ｃ１の材料は、たとえばアルミニウムを含む。当該材料は、アルミニウムに限定されず、他の金属材料、または樹脂材料（好ましくは熱伝導率の良いもの）などでもよい。取付対象物Ｃ１は、本体部７１、複数の台座部７２および複数の位置決め部７３を含む。

　本体部７１は、板材である。複数の半導体装置Ｂ１は、本体部７１に搭載される。よって、図２、図４、図７および図８に示すように、複数の半導体装置Ｂ１は、本体部７１上に第２方向ｙに沿って配列されている。本体部７１は、複数の半導体装置Ｂ１の各封止部５０の下面（後述の底面５２）に対向する。本体部７１は、各半導体装置Ｂ１に接する。本体部７１は、たとえば平面視矩形状である。

　複数の台座部７２はそれぞれ、図２、図５および図７～図１３に示すように、本体部７１から厚さ方向ｚ上方に突き出る。図示された例では、複数の台座部７２は、本体部７１と一体的に形成されているが、本体部７１に対して、別体として取り付けられていてもよい。

　複数の台座部７２の各々は、図９～図１３に示すように、第１部７２１および第２部７２２を含む。第１部７２１は、厚さ方向ｚにおいて、配線基板Ｅ１と本体部７１との間に介在する。第１部７２１の厚さ方向ｚの寸法は、各半導体装置Ｂ１の封止部５０の厚さ方向ｚの寸法よりも大きい。第２部７２２は、第１部７２１上に配置される。配線基板Ｅ１は、第１部７２１と第２部７２２とに挟持される。このような構成により、配線基板Ｅ１は、本体部７１の上面に対して、一定の間隔を空けて配置される。

　図示された例では、第１部７２１には、雌ネジ加工された凹部があり、第２部７２２には、雄ネジ加工された凸部がある。第１部７２１の雌ネジ部分（凹部）に、第２部７２２の雄ネジ部分（凸部）が挿入されることで、第１部７２１に第２部７２２が締結される。なお、各台座部７２は、第１部７２１と第２部７２２とが嵌合される構造のものであればよい。たとえば、第１部７２１に第２部７２２が圧入される構造のものでもよい。また、第１部７２１に凸部があり、第２部７２２に凹部があってもよい。

　複数の位置決め部７３はそれぞれ、図２および図１３に示すように、本体部７１から厚さ方向ｚ上方に突き出る。図示された例（たとえば図１３）では、複数の位置決め部７３はそれぞれ、本体部７１に対して、別体として取り付けられている。この例と異なり、各位置決め部７３は、本体部７１と一体的に形成されていてもよい。図１３に示す例では、各位置決め部７３は、本体部７１に形成された貫通孔に圧入されている。各位置決め部７３は、円柱状であり、厚さ方向ｚのｚ１側の先端が先細りした形状である。図示された例において、平面視における各位置決め部７３の径は、平面視における各台座部７２の径よりも小さい。図３および図４に示すように、複数の位置決め部７３には、第１装置Ｂ１１よりも第２方向ｙのｙ１側に配置されたものと、第３装置Ｂ１３よりも第２方向ｙのｙ２側に配置されたものとがある。

　取付部材Ｄ１は、複数の半導体装置Ｂ１を取付対象物Ｃ１に保持する。取付部材Ｄ１は、たとえば板バネである。取付部材Ｄ１の弾性力により、複数の半導体装置Ｂ１が取付対象物Ｃ１に押さえ付けられる。取付部材Ｄ１の材料は、何ら限定されないが、たとえば銅、鉄、チタン、あるいは、これらのいずれかを含む合金（たとえばステンレスを含む）などである。図４、図７～図１３に示すように、取付部材Ｄ１は、複数の押圧部８１および複数の固定部８２を含む。

　複数の押圧部８１はそれぞれ、複数の半導体装置Ｂ１に対してそれぞれ個別に設けられる。複数の押圧部８１はそれぞれ、対応する半導体装置Ｂ１の封止部５０（頂面５１）に接する。各押圧部８１は、接する半導体装置Ｂ１を取付対象物Ｃ１の本体部７１に押し付ける。

　複数の固定部８２はそれぞれ、取付対象物Ｃ１に固定され、本実施形態では、本体部７１に固定されている。複数の固定部８２はそれぞれ、たとえばｘ－ｙ平面に平行（あるいは略平行）な平板状である。複数の固定部８２の各々には、貫通孔が形成されている。当該貫通孔には、締結具８９（図示された例では六角ボルト）が挿通される。当該締結具８９によって、固定部８２は、本体部７１に固定される。

　複数の固定部８２は、複数の両端配置部８２１および複数の中間配置部８２２を含む。電力変換ユニットＡ１０では、複数の固定部８２は、一対の両端配置部８２１および２つの中間配置部８２２を含む。図４および図１０に示すように、一対の両端配置部８２１の一方は、第１装置Ｂ１１よりも第２方向ｙのｙ１側に位置し、一対の両端配置部８２１の他方は、第３装置Ｂ１３よりも第２方向ｙのｙ２側に位置する。２つの中間配置部８２２の一方は、第１装置Ｂ１１と第２装置Ｂ１２との間に位置し、２つの中間配置部８２２の他方は、第２装置Ｂ１２と第３装置Ｂ１３との間に位置する。

　図４に示す例では、各両端配置部８２１の幅（第１方向ｘの寸法）は、各押圧部８１の幅（第１方向ｘの寸法）および各中間配置部８２２の幅（第１方向ｘの寸法）よりも小さい。これにより、取付部材Ｄ１（各両端配置部８２１）と各位置決め部７３との干渉を回避している。この例とは異なり、押圧部８１の幅および各中間配置部８２２の幅は、各両端配置部８２１の幅と同じ（あるいは略同じ）であってもよい。この場合、取付部材Ｄ１を、平面視において矩形状（帯状）に形成できる。あるいは、各中間配置部８２２の幅は、各両端配置部８２１の幅と同じ（あるいは略同じ）であってもよい。

　配線基板Ｅ１は、図１、図３、図７および図８に示すように、複数の半導体装置Ｂ１に対して共通に設けられる。この構成とは異なり、複数の配線基板Ｅ１が、複数の半導体装置Ｂ１に対してそれぞれ個別に設けられていてもよい。図９および図１１から理解されるように、配線基板Ｅ１には、複数の半導体装置Ｂ１の各信号端子１７がそれぞれ挿通される。配線基板Ｅ１は、各信号端子１７に導通する。配線基板Ｅ１は、たとえば複数の半導体装置Ｂ１の各半導体素子２１の駆動を制御する駆動回路である。各半導体素子２１がＭＯＳＦＥＴまたはＩＧＢＴである例において、配線基板Ｅ１は、ゲートドライバである。配線基板Ｅ１は、複数の半導体装置Ｂ１の各封止部５０の上面（頂面５１）に対向する。配線基板Ｅ１は、複数の半導体装置Ｂ１に対して、取付対象物Ｃ１の本体部７１と反対側に位置する。配線基板Ｅ１は、平面視において、複数の半導体装置Ｂ１の各封止部５０に重なる。配線基板Ｅ１は、複数の台座部７２により、厚さ方向ｚに一定の距離を空けて保持される。

　図１４に示すように、配線基板Ｅ１は、基板９１、主部配線９２、裏部配線９３および内部配線９４を有する。基板９１には、厚さ方向ｚに貫通する複数のスルーホール９１１が設けられている。主部配線９２は、基板９１の上面（厚さ方向ｚのｚ１側を向く面）に形成されている。裏部配線９３は、基板９１の下面（厚さ方向ｚのｚ２側を向く面）に形成されている。内部配線９４は、複数のスルーホール９１１の内面に配置されている。内部配線９４は、主部配線９２および裏部配線９３に繋がる。主部配線９２は、裏部配線９３および内部配線９４と、配線基板Ｅ１に設けられた回路とが相互に導通するための経路をなしている。

　複数の半導体装置Ｂ１の各信号端子１７は、配線基板Ｅ１の複数のスルーホール９１１のうち対応する１つにそれぞれ挿通される。図１４には、複数の半導体装置Ｂ１のいずれかの信号端子１７が、基板９１のスルーホール９１１に挿通された状態を示している。なお、複数の半導体装置Ｂ１の各信号端子１７はすべて、図１４に示すように、基板９１のスルーホール９１１に挿通される。

　図１４に示すように、各信号端子１７は、基部１７０Ａおよび膨出部１７０Ｂを有する。基部１７０Ａの厚さ方向ｚの一方側は、複数の半導体装置Ｂ１の複数のスリーブ６４（後述）のいずれかに圧入されている。膨出部１７０Ｂは、基部１７０Ａの厚さ方向ｚの一方側（ｚ１側）に設けられている。膨出部１７０Ｂは、厚さ方向ｚに直交する方向に膨らんでいる。

　図１４に示すように、各信号端子１７は、配線基板Ｅ１の複数のスルーホール９１１のいずれかに圧入されている。これにより、複数のスルーホール９１１のいずれかに配置された内部配線９４は、当該スルーホール９１１に挿通される信号端子１７の膨出部１７０Ｂに圧接される。したがって、各信号端子１７は、スルーホール９１１に厚さ方向ｚに圧入されることにより、配線基板Ｅ１に導通している。各信号端子１７が複数のスルーホール９１１の対応する１つに圧入されることで、配線基板Ｅ１は、各信号端子１７により支持される。この構成とは異なり、各信号端子１７は、膨出部１７０Ｂを含まず、基部１７０Ａのみで構成されていてもよい。つまり、各信号端子１７は、太さに変化がないストレートピンであってもよい。この場合、各信号端子１７は、スルーホール９１１に挿通した上で、配線基板Ｅ１にはんだで接合される。

　図３、図９および図１１～図１３に示すように、配線基板Ｅ１には、複数の取付孔９５１および複数の位置決め孔９５２が形成されている。

　複数の取付孔９５１には、図３、図９および図１１～図１３に示すように、複数の台座部７２（たとえば第２部７２２）がそれぞれ個別に挿通される。各取付孔９５１は、たとえば平面視において真円に形成される。平面視における各取付孔９５１の径は、平面視における各台座部７２（特に第１部７２１）の径よりも小さい。このため、配線基板Ｅ１は、第１部７２１の厚さ方向ｚの上方（ｚ１側）で保持される。

　複数の位置決め孔９５２には、図３および図１３に示すように、複数の位置決め部７３がそれぞれ個別に挿通される。図示された例では、配線基板Ｅ１には、２つの位置決め孔９５２が形成されている。２つの位置決め孔９５２の一方（第２方向ｙのｙ１側に配置された位置決め孔９５２）は、真円に形成され、２つの位置決め孔９５２の他方（第２方向ｙのｙ２側に配置された位置決め孔９５２）は、長孔に形成されている。これにより、取付対象物Ｃ１に対する配線基板Ｅ１の位置決めが容易となる。このとき、２つの位置決め孔９５２の一方が長孔に形成されることで、製造誤差による取付対象物Ｃ１および配線基板Ｅ１の微妙なずれを抑制することができる。

　次に、複数の半導体装置Ｂ１の構成例について、図１５～図２６を参照して説明する。図１５～図２６は、複数の半導体装置Ｂ１のいずれか１つを拡大したものである。複数の半導体装置Ｂ１はいずれも、同じ構造である。以下で説明する半導体装置Ｂ１は、特段の断りがない限り、第１装置Ｂ１１、第２装置Ｂ１２および第３装置Ｂ１３で共通する。

　図１５～図２６に示すように、各半導体装置Ｂ１（第１装置Ｂ１１、第２装置Ｂ１２および第３装置Ｂ１３の各々）は、上述した複数の電力端子１３、複数の信号端子１７、複数の半導体素子２１および封止部５０の他、支持基板１１、一対のサーミスタ２２、第１導通部材３１、第２導通部材３２、複数のワイヤ、および一対の制御配線６０を備える。複数の電力端子１３は、第１電力端子１４、２つの第２電力端子１５および２つの第３電力端子１６を含み、複数の信号端子１７は、第１信号端子１７１、第２信号端子１７２、第３信号端子１７３、第４信号端子１７４、一対の第５信号端子１８１および一対の第６信号端子１８２を含む。複数のワイヤは、複数の第１ワイヤ４１、複数の第２ワイヤ４２、複数の第３ワイヤ４３および第４ワイヤ４４を含む。

　各半導体装置Ｂ１は、第１電力端子１４と、２つの第２電力端子１５とに印加された直流の電源電圧を、複数の半導体素子２１により交流電力に変換する。変換された交流電力は、２つの第３電力端子１６からモータなどの電力供給対象に入力される。

　支持基板１１は、図１８および図２１に示すように、厚さ方向ｚにおいて複数の半導体素子２１を支持する。支持基板１１は、たとえばＤＢＣ（Direct Bonded Copper）基板から構成される。図２１～図２６に示すように、支持基板１１は、絶縁層１１１、第１配線層１１２および第２配線層１１３を含む。支持基板１１は、第２配線層１１３の一部を除き封止部５０に覆われている。

　図２１～図２６に示すように、絶縁層１１１は、厚さ方向ｚにおいて、第１配線層１１２と第２配線層１１３との間に介在する部分を含む。絶縁層１１１は、熱伝導性が比較的高い材料からなる。絶縁層１１１は、たとえば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を含むセラミックスからなる。絶縁層１１１は、セラミックスの他、絶縁樹脂シートからなる構成でもよい。

　図１８、図２１～図２６に示すように、第１配線層１１２は、厚さ方向ｚにおいて、絶縁層１１１の上方（ｚ１側）に位置する。第１配線層１１２の組成は、銅（Ｃｕ）を含む。図１８に示すように、第１配線層１１２は、平面視において、絶縁層１１１の周縁に囲まれている。図１８、図２１～図２６に示すように、第１配線層１１２は、第１搭載部１１２１および第２搭載部１１２２を含む。第１搭載部１１２１および第２搭載部１１２２はそれぞれ、平面視において、矩形状である。第１搭載部１１２１と第２搭載部１１２２は、第１方向ｘにおいて互いに離れている。複数の半導体素子２１はそれぞれ、第１搭載部１１２１または第２搭載部１１２２のいずれかに接合される。

　図２１～図２６に示すように、第２配線層１１３は、厚さ方向ｚにおいて、絶縁層１１１の下方（ｚ２側）に位置する。図２０に示すように、第２配線層１１３は、封止部５０から露出している。第２配線層１１３は、取付対象物Ｃ１の本体部７１の上面（厚さ方向ｚのｚ１側を向く面）に接する。第２配線層１１３の組成は、銅を含む。第２配線層１１３は、平面視において矩形状である。第２配線層１１３は、平面視において、絶縁層１１１の周縁に囲まれてる。

　複数の半導体素子２１の各々は、図１８および図２１に示すように、第１搭載部１１２１および第２搭載部１１２２のいずれかに搭載されている。各半導体素子２１は、たとえばＭＯＳＦＥＴである。この他、各半導体素子２１は、ＩＧＢＴなどのスイッチング素子あるいはダイオードでもよい。半導体装置Ｂ１の説明においては、半導体素子２１は、ｎチャンネル型であり、かつ縦型構造のＭＯＳＦＥＴを対象とする。半導体素子２１は、化合物半導体基板を含む。当該化合物半導体基板の組成は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）またはケイ素（Ｓｉ）を含む。

　図１８および図２１に示すように、各半導体装置Ｂ１においては、複数の半導体素子２１は、複数の第１素子２１Ａおよび複数の第２素子２１Ｂを含む。複数の第２素子２１Ｂの各々の構造は、複数の第１素子２１Ａの各々の構造と同一である。図１８、図２１および図２２に示すように、複数の第１素子２１Ａは、第１搭載部１１２１に搭載されている。複数の第１素子２１Ａは、第２方向ｙに沿って配列されている。図１８、図２１および図２３に示すように、複数の第２素子２１Ｂは、第２搭載部１１２２に搭載されている。複数の第２素子２１Ｂは、第２方向ｙに沿って配列されている。

　図１８、図２２および図２３に示すように、複数の半導体素子２１は、第１電極２１１、第２電極２１２、第３電極２１３および２つの第４電極２１４を有する。

　図２２および図２３に示すように、第１電極２１１は、第１搭載部１１２１および第２搭載部１１２２のいずれかに対向している。第１電極２１１には、半導体素子２１により変換される前の電力に対応する電流が流れる。すなわち、第１電極２１１は、半導体素子２１のドレイン電極に相当する。

　図２２および図２３に示すように、第２電極２１２は、厚さ方向ｚにおいて第１電極２１１とは反対側に位置する。第２電極２１２には、半導体素子２１により変換された後の電力に対応する電流が流れる。すなわち、第２電極２１２は、半導体素子２１のソース電極に相当する。

　図１８に示すように、第３電極２１３は、厚さ方向ｚにおいて第２電極２１２と同じ側に位置する。第３電極２１３には、半導体素子２１を駆動するための駆動信号（ゲート電圧）が入力される。すなわち、第３電極２１３は、半導体素子２１のゲート電極に相当する。図１８に示すように、平面視において、第３電極２１３の面積は、第２電極２１２の面積よりも小さい。

　図１８、図２２および図２３に示すように、２つの第４電極２１４はそれぞれ、厚さ方向ｚにおいて第２電極２１２と同じ側に位置し、かつ第１方向ｘにおいて第３電極２１３の隣に位置する。図示された例では、２つの第４電極２１４は、第１方向ｘにおいて、第３電極２１３を挟んで、第３電極２１３の両隣に配置される。各第４電極２１４の電位は、第２電極２１２の電位と等しい。図示された例と異なり、各半導体素子２１は、２つの第４電極２１４のうちの一方のみを含んでいてもよいし、２つの第４電極２１４のいずれも含んでいなくてもよい。

　導電接合層２３は、図２２および図２３に示すように、第１搭載部１１２１および第２搭載部１１２２のいずれかと、複数の半導体素子２１のいずれかの第１電極２１１との間に介在している。導電接合層２３は、たとえばはんだである。この他、導電接合層２３は、金属粒子の焼結体を含むものでもよい。複数の第１素子２１Ａの第１電極２１１は、導電接合層２３を介して、第１搭載部１１２１に導電接合されている。これにより、複数の第１素子２１Ａの各第１電極２１１は、第１搭載部１１２１に導通している。複数の第２素子２１Ｂの第１電極２１１は、導電接合層２３を介して第２搭載部１１２２に導電接合されている。これにより、複数の第２素子２１Ｂの各第１電極２１１は、第２搭載部１１２２に導通している。

　複数の電力端子１３はそれぞれ、複数の半導体素子２１に導通する。複数の電力端子１３には、複数の半導体素子２１によって変換される前の電力に対応する電流あるいは複数の半導体素子２１によって変換された後の電力に対応する電流が流れる。複数の電力端子１３は、第１電力端子１４、２つの第２電力端子１５および２つの第３電力端子１６を含む。

　第１電力端子１４は、図１８および図２４に示すように、第１搭載部１１２１に接合される。この接合は、何ら限定されず、図示しない導電性接合材（たとえばはんだ）による接合でもよいし、レーザ溶接による接合でもよいし、かしめ接合でもよい。第１電力端子１４は、第１搭載部１１２１を介して、複数の第１素子２１Ａの第１電極２１１に導通する。第１電力端子１４は、電力変換対象となる直流の電源電圧が印加されるＰ端子（正極）である。第１電力端子１４は、図１８に示すように、第１方向ｘにおいて第１搭載部１１２１を間に挟んで第２搭載部１１２２とは反対側に位置する。第１電力端子１４は、第１搭載部１１２１から第１方向ｘの一方側（ｘ１側）に延びており、封止部５０から第１方向ｘの一方側（ｘ１側）に突き出る。図１７および図２４に示すように、第１電力端子１４は、封止部５０に覆われた部分と封止部５０から露出する部分とを含む。第１電力端子１４において、封止部５０に覆われた部分が、第１搭載部１１２１に接合される。また、第１電力端子１４において、封止部５０から露出する部分が、各半導体装置Ｂ１の先述のＰ端子として用いられる。

　２つの第２電力端子１５には、第２導通部材３２が接合される。２つの第２電力端子１５は、第２導通部材３２を介して、複数の第２素子２１Ｂの第２電極２１２に導通する。２つの第２電力端子１５は、電力変換対象となる直流の電源電圧が印加されるＮ端子（負極）である。２つの第２電力端子１５は、第２方向ｙにおいて互いに離れている。２つの第２電力端子１５の間には、第１電力端子１４が位置する。２つの第２電力端子１５はそれぞれ、図１８に示すように、第１方向ｘにおいて、第１搭載部１１２１および第２搭載部１１２２に対して第１電力端子１４と同じ側に位置する。２つの第２電力端子１５はそれぞれ、第１搭載部１１２１および第２搭載部１１２２から離れている。２つの第２電力端子１５はそれぞれ、第１方向ｘに延びており、封止部５０から第１方向ｘの一方側（ｘ１側）に突き出る。図１７および図２１に示すように、２つの第２電力端子１５はそれぞれ、封止部５０に覆われた部分と封止部５０から露出する部分とを含む。各第２電力端子１５において、封止部５０に覆われた部分に、第２導通部材３２が接合される。また、各第２電力端子１５において、封止部５０から露出する部分が、各半導体装置Ｂ１の先述のＮ端子として用いられる。

　２つの第３電力端子１６はそれぞれ、図１８および図２１に示すように、第２搭載部１１２２に接合される。この接合は、何ら限定されず、図示しない導電性接合材（たとえばはんだ）による接合でもよいし、レーザ溶接による接合でもよいし、かしめ接合でもよい。２つの第３電力端子１６はそれぞれ、第２搭載部１１２２を介して、複数の第２素子２１Ｂの第１電極２１１に導通する。また、２つの第３電力端子１６はそれぞれ、第２搭載部１１２２および第１導通部材３１を介して、複数の第１素子２１Ａの第２電極２１２に導通する。２つの第３電力端子１６から、複数の半導体素子２１（複数の第１素子２１Ａおよび複数の第２素子２１Ｂ）により変換された交流電力が出力される。つまり、２つの第３電力端子１６はそれぞれ、当該交流電力の出力端子である。２つの第３電力端子１６は、第２方向ｙにおいて互いに離れている。２つの第３電力端子１６はそれぞれ、図１８に示すように、第１方向ｘにおいて第２搭載部１１２２を間に挟んで第１搭載部１１２１とは反対側に位置する。２つの第３電力端子１６はそれぞれ、第２搭載部１１２２から第１方向ｘの他方側（ｘ２側）に延びており、封止部５０から第１方向ｘの他方側（ｘ２側）に突き出る。図１７および図２１に示すように、２つの第３電力端子１６はそれぞれ、封止部５０に覆われた部分と封止部５０から露出する部分とを含む。各第３電力端子１６において、封止部５０に覆われた部分が、第２搭載部１１２２に接合される。また、各第３電力端子１６において、封止部５０から露出する部分が、各半導体装置Ｂ１の先述の出力端子として用いられる。

　一対の制御配線６０は、複数の信号端子１７と、複数の半導体素子２１との導電経路の一部を構成している。図１７、図１８および図２４に示すように、一対の制御配線６０は、第１配線６０１および第２配線６０２を含む。第１配線６０１は、第１方向ｘにおいて、複数の第１素子２１Ａと、第１電力端子１４および２つの第２電力端子１５との間に位置する。第１配線６０１は、図１８および図２４に示すように、第１搭載部１１２１に接合されている。第２配線６０２は、第１方向ｘにおいて、複数の第２素子２１Ｂと、２つの第３電力端子１６との間に位置する。第２配線６０２は、図１８および図２４に示すように、第２搭載部１１２２に接合されている。一対の制御配線６０は、絶縁層６１、複数の配線層６２、金属層６３および複数のスリーブ６４を有する。一対の制御配線６０は、複数のスリーブ６４の各々の一部を除き封止部５０に覆われている。以下で説明する絶縁層６１、複数の配線層６２、金属層６３および複数のスリーブ６４は、特段の断りがない限り、一対の制御配線６０（第１配線６０１および第２配線６０２）で共通する。

　図２４に示すように、絶縁層６１は、厚さ方向ｚにおいて複数の配線層６２と、金属層６３との間に介在する部分を含む。絶縁層６１は、たとえばセラミックスからなる。絶縁層６１は、セラミックスの他、絶縁樹脂シートからなる構成でもよい。

　図２４に示すように、複数の配線層６２は、絶縁層６１の厚さ方向ｚの上方（ｚ１側）に位置する。複数の配線層６２の組成は、銅を含む。図１８に示すように、複数の配線層６２は、第１配線層６２１、第２配線層６２２、第３配線層６２３、第４配線層６２４および第５配線層６２５を含む。

　図２４に示すように、金属層６３は、厚さ方向ｚにおいて絶縁層６１を間に挟んで複数の配線層６２とは反対側に位置する。金属層６３の組成は、銅を含む。第１配線６０１の金属層６３は、図示しない接着層により第１搭載部１１２１に接合されている。第２配線６０２の金属層６３は、図示しない接着層により第２搭載部１１２２に接合されている。これらの接着層は、導電性の有無を問わない材料からなる。たとえば、これらの接着層は、はんだである。

　図２４に示すように、複数のスリーブ６４の各々は、図示しない導電性接合層（たとえばはんだ）により複数の配線層６２のいずれかに接合されている。複数のスリーブ６４は、金属などの導電性材料からなる。複数のスリーブ６４の各々は、厚さ方向ｚに沿って延びる筒状である。複数のスリーブ６４の一端（厚さ方向ｚのｚ２側の端縁）は、複数の配線層６２のいずれかに導電接合されている。図２４に示すように、複数のスリーブ６４の他端（厚さ方向ｚのｚ１側の端縁）は、封止部５０から露出している。

　一対のサーミスタ２２の一方は、図１８に示すように、第１配線６０１の一対の第３配線層６２３に跨って、これらに導通接合されている。一対のサーミスタ２２の他方は、図１８に示すように、第２配線６０２の一対の第３配線層６２３に跨って、これらに導通接合されている。一対のサーミスタ２２はそれぞれ、たとえばＮＴＣ（Negative Temperature Coefficient）サーミスタである。ＮＴＣサーミスタは、温度上昇に対して緩やかに抵抗が低下する特性を有する。一対のサーミスタ２２はそれぞれ、半導体装置Ｂ１の温度検出用センサとして用いられる。

　複数の信号端子１７はそれぞれ、図１５および図２４に示すように、厚さ方向ｚに延びる金属ピンからなる。複数の信号端子１７は、封止部５０の後述する頂面５１から突出している。複数の信号端子１７は、一対の制御配線６０の複数のスリーブ６４に個別に圧入されている。これにより、複数の信号端子１７の各々は、複数のスリーブ６４のいずれかに支持され、且つ、複数の配線層６２のいずれに導通する。複数の信号端子１７は、第１信号端子１７１、第２信号端子１７２、第３信号端子１７３、第４信号端子１７４、一対の第５信号端子１８１、一対の第６信号端子１８２および第７信号端子１９を含む。これらの第１信号端子１７１、第２信号端子１７２、第３信号端子１７３、第４信号端子１７４、一対の第５信号端子１８１、一対の第６信号端子１８２および第７信号端子１９は、配線基板Ｅ１に挿通され、当該配線基板Ｅ１に各信号を入力または出力する。

　第１信号端子１７１は、複数のスリーブ６４のうち、第１配線６０１の第１配線層６２１に接合されたスリーブ６４に圧入されている。これにより、第１信号端子１７１は、当該スリーブ６４に支持されるとともに、第１配線６０１の第１配線層６２１に導通している。さらに、第１信号端子１７１は、複数の第１素子２１Ａの第３電極２１３に導通している。第１信号端子１７１には、複数の第１素子２１Ａが駆動するためのゲート電圧が印加される。

　第２信号端子１７２は、複数のスリーブ６４のうち、第２配線６０２の第１配線層６２１に接合されたスリーブ６４に圧入されている。これにより、第２信号端子１７２は、当該スリーブ６４に支持されるとともに、第２配線６０２の第１配線層６２１に導通している。さらに、第２信号端子１７２は、複数の第２素子２１Ｂの第３電極２１３に導通している。第２信号端子１７２には、複数の第２素子２１Ｂが駆動するためのゲート電圧が印加される。

　第３信号端子１７３は、図１８に示すように、第２方向ｙにおいて第１信号端子１７１の隣に位置する。第３信号端子１７３は、複数のスリーブ６４のうち、第１配線６０１の第２配線層６２２に接合されたスリーブ６４に圧入されている。これにより、第３信号端子１７３は、当該スリーブ６４に支持されるとともに、第１配線６０１の第２配線層６２２に導通している。さらに、第３信号端子１７３は、複数の第１素子２１Ａの第４電極２１４に導通している。第３信号端子１７３には、複数の第１素子２１Ａの各々の第４電極２１４に流れる電流のうち最大となる電流に対応した電圧が印加される。

　第４信号端子１７４は、図８に示すように、第２方向ｙにおいて第２信号端子１７２の隣に位置する。第４信号端子１７４は、複数のスリーブ６４のうち、第２配線６０２の第２配線層６２２に接合されたスリーブ６４に圧入されている。これにより、第４信号端子１７４は、当該スリーブ６４に支持されるとともに、第２配線６０２の第２配線層６２２に導通している。さらに第４信号端子１７４は、複数の第２素子２１Ｂの第４電極２１４に導通している。第４信号端子１７４には、複数の第２素子２１Ｂの各々の第４電極２１４に流れる電流のうち最大となる電流に対応した電圧が印加される。

　一対の第５信号端子１８１は、図１８に示すように、第２方向ｙにおいて、第１信号端子１７１を挟んで第３信号端子１７３とは反対側に位置する。一対の第５信号端子１８１は、第２方向ｙにおいて互いに隣り合っている。一対の第５信号端子１８１は、第１配線６０１の一対の第３配線層６２３にそれぞれ接合された一対のスリーブ６４に個別に圧入されている。これにより、一対の第５信号端子１８１は、当該一対のスリーブ６４に個別に支持されるとともに、第１配線６０１の一対の第３配線層６２３に個別に導通している。さらに、一対の第５信号端子１８１は、第１配線６０１上のサーミスタ２２に導通している。

　一対の第６信号端子１８２は、図１８に示すように、第２方向ｙにおいて、第２信号端子１７２を挟んで第４信号端子１７４とは反対側に位置する。一対の第６信号端子１８２は、第２方向ｙにおいて互いに隣り合っている。一対の第６信号端子１８２は、第２配線６０２の一対の第３配線層６２３にそれぞれ接合された一対のスリーブ６４に個別に圧入されている。これにより、一対の第６信号端子１８２は、当該一対のスリーブ６４に個別に支持されるとともに、第２配線６０２の一対の第３配線層６２３に個別に導通している。さらに、一対の第６信号端子１８２は、第２配線６０２上のサーミスタ２２に導通している。

　第７信号端子１９は、図１８に示すように、第２方向ｙにおいて、第３信号端子１７３を間に挟んで第１信号端子１７１とは反対側に位置する。第７信号端子１９は、第１配線６０１の第５配線層６２５に接合されたスリーブ６４に圧入されている。これにより、第７信号端子１９は、当該スリーブ６４に支持されるとともに、第１配線６０１の第５配線層６２５に導通している。さらに、第７信号端子１９は、第１搭載部１１２１に導通している。第７信号端子１９には、第１電力端子１４に入力された直流電力に相当する電圧が印加される。

　複数の第１ワイヤ４１、複数の第２ワイヤ４２、複数の第３ワイヤ４３および第４ワイヤ４４はそれぞれ、互いに離間する部位間を電気的に接続する。複数の第１ワイヤ４１、複数の第２ワイヤ４２、複数の第３ワイヤ４３および第４ワイヤ４４はそれぞれ、ボンディングワイヤである。なお、図１７および図２１～図２４においては、複数の第１ワイヤ４１、複数の第２ワイヤ４２、複数の第３ワイヤ４３および第４ワイヤ４４を省略する。

　複数の第１ワイヤ４１のいくつかは、図１８に示すように、複数の第１素子２１Ａの第３電極２１３と、第１配線６０１の第４配線層６２４とに導通接合されている。複数の第３ワイヤ４３のいくつかは、図１８に示すように、第１配線６０１の第４配線層６２４と、第１配線６０１の第１配線層６２１とに導通接合されている。これにより、第１信号端子１７１は、複数の第１素子２１Ａの第３電極２１３に導通している。複数の第１ワイヤ４１、および複数の第３ワイヤ４３の組成は、金（Ａｕ）を含む。この他、複数の第１ワイヤ４１、および複数の第３ワイヤ４３の組成は、銅を含む場合や、アルミニウムを含む場合でもよい。

　さらに複数の第１ワイヤ４１のいくつかは、図１８に示すように、複数の第２素子２１Ｂの第３電極２１３と、第２配線６０２の第４配線層６２４とに導電接合されている。さらに複数の第３ワイヤ４３のいくつかは、図１８に示すように第２配線６０２の第４配線層６２４と、第２配線６０２の第１配線層６２１とに導電接合されている。これにより、第２信号端子１７２は、複数の第２素子２１Ｂの第３電極２１３に導通している。

　複数の第２ワイヤ４２のいくつかは、図１８に示すように、複数の第１素子２１Ａの２つの第４電極２１４のいずれかと、第１配線６０１の第２配線層６２２とに導電接合されている。これにより、第３信号端子１７３は、複数の第１素子２１Ａの２つの第４電極２１４のいずれかに導通している。さらに複数の第２ワイヤ４２のいくつかは、図１８に示すように、複数の第２素子２１Ｂの２つの第４電極２１４のいずれかと、第２配線６０２の第２配線層６２２とに導電接合されている。これにより、第４信号端子１７４は、複数の第２素子２１Ｂの２つの第４電極２１４のいずれかに導通している。複数の第２ワイヤ４２の組成は、金を含む。この他、複数の第２ワイヤ４２の組成は、銅を含む場合や、アルミニウムを含む場合でもよい。なお、各半導体素子２１（複数の第１素子２１Ａおよび複数の第２素子２１Ｂの各々）が、２つの第４電極２１４のいずれも含んでいない場合、複数の第２ワイヤ４２は、複数の半導体素子２１の第２電極２１２にそれぞれ１つずつ接合される。

　第４ワイヤ４４は、図１８に示すように、第１配線６０１の第５配線層６２５と、第１搭載部１１２１とに導電接合されている。これにより、第７信号端子１９は、第１搭載部１１２１を介して、複数の第１素子２１Ａの第１電極２１１に導通している。第４ワイヤ４４の組成は、金を含む。この他、第４ワイヤ４４の組成は、銅を含む場合や、アルミニウムを含む場合でもよい。

　第１導通部材３１は、図１８および図２１に示すように、複数の第１素子２１Ａの第２電極２１２と、第２搭載部１１２２とに導電接合されている。これにより、複数の第１素子２１Ａの第２電極２１２は、第２搭載部１１２２に導通している。第１導通部材３１の組成は、銅を含む。第１導通部材３１は、金属クリップである。図１８および図２１に示すように、第１導通部材３１は、本体部３１１、複数の第１接合部３１２および複数の第２接合部３１３を有する。

　本体部３１１は、第１導通部材３１の主要部をなしている。図１８に示すように、本体部３１１は、第１方向ｘに延びている。図１８および図２１に示すように、本体部３１１は、第１搭載部１１２１と第２搭載部１１２２との間を跨いでいる。図１８に示す例では、本体部３１１には、複数の貫通孔が形成されている。複数の貫通孔はそれぞれ、本体部３１１を厚さ方向ｚに貫通する。複数の貫通孔は、平面視において、第１搭載部１１２１と第２搭載部１１２２との間に重なる。これにより、封止部５０の形成時において、本体部３１１の厚さ方向ｚ下方（厚さ方向ｚのｚ２側）への封止部５０の流入が良好となる。

　図１８、図２１および図２２に示すように、複数の第１接合部３１２は、複数の第１素子２１Ａの第２電極２１２に個別に接合されている。複数の第１接合部３１２の各々は、複数の第１素子２１Ａのいずれかの第２電極２１２に対向している。平面視において、各第１接合部３１２は、本体部３１１から第１方向ｘのｘ１側に延びる。図示された例において、複数の第１接合部３１２は、本体部３１１から二股に分かれているが、二股に分かれていなくてもよい。各第１接合部３１２の基端（本体部３１１に繋がる側の端部）は、厚さ方向ｚ下方（厚さ方向ｚのｚ２側）に屈曲している。よって、各第１接合部３１２の先端（本体部３１１に繋がる側と反対側の端部）は、厚さ方向ｚにおいて、本体部３１１よりも厚さ方向ｚ下方（厚さ方向ｚのｚ２側）に位置する。

　図１８および図２１に示すように、複数の第２接合部３１３は、第２搭載部１１２２に接合されている。複数の第２接合部３１３の各々は、第２搭載部１１２２に対向している。平面視において、各第２接合部３１３は、本体部３１１から第１方向ｘのｘ２側に延びる。各第２接合部３１３の基端（本体部３１１に繋がる側の端部）は、厚さ方向ｚ下方（厚さ方向ｚのｚ２側）に屈曲している。よって、各第２接合部３１３の先端（本体部３１１に繋がる側と反対側の端部）は、厚さ方向ｚにおいて、本体部３１１よりも厚さ方向ｚ下方（厚さ方向ｚのｚ２側）に位置する。

　半導体装置Ｂ１は、図２２に示すように、第１導電接合層３３をさらに備える。第１導電接合層３３は、複数の第１素子２１Ａの第２電極２１２と、複数の第１接合部３１２との間に介在している。第１導電接合層３３は、複数の第１素子２１Ａの第２電極２１２と、複数の第１接合部３１２とを導電接合する。第１導電接合層３３は、たとえばはんだである。この他、第１導電接合層３３は、金属粒子の焼結体を含むものでもよい。

　半導体装置Ｂ１は、図２１に示すように、第２導電接合層３４をさらに備える。第２導電接合層３４は、第２搭載部１１２２と、第２接合部３１３との間に介在している。第２導電接合層３４は、第２搭載部１１２２と第２接合部３１３とを導電接合する。第２導電接合層３４は、たとえばはんだである。この他、第２導電接合層３４は、金属粒子の焼結体を含むものでもよい。

　第２導通部材３２は、図１７に示すように、複数の第２素子２１Ｂの第２電極２１２と、２つの第２電力端子１５とに導電接合されている。これにより、複数の第２素子２１Ｂの第２電極２１２は、２つの第２電力端子１５に導通している。第２導通部材３２の組成は、銅を含む。第２導通部材３２は、金属クリップである。図１７および図２１～図２６に示すように、第２導通部材３２は、本体部３２１、複数の第３接合部３２２および一対の第４接合部３２３を含む。

　本体部３２１は、第２導通部材３２の主要部をなしている。図２１および図２５に示すように、本体部３２１は、第１搭載部１１２１の上面および第２搭載部１１２２の上面に対して平行（あるいは略平行）に配置されている。本体部３２１は、第１導通部材３１の本体部３１１から離れるとともに、第１搭載部１１２１および第２搭載部１１２２から離れている。

　図１７、図２１および図２３に示すように、複数の第３接合部３２２は、複数の第２素子２１Ｂの第２電極２１２に個別に接合されている。複数の第３接合部３２２の各々は、複数の第２素子２１Ｂのいずれかの第２電極２１２に対向している。平面視において、複数の第３接合部３２２は、本体部３２１から第１方向ｘに延びる。各第３接合部３２２の基端（本体部３２１に繋がる側の端部）は、厚さ方向ｚ下方（厚さ方向ｚのｚ２側）に屈曲している。よって、各第３接合部３２２の先端（本体部３２１に繋がる側と反対側の端部）は、厚さ方向ｚにおいて、本体部３２１よりも厚さ方向ｚ下方（厚さ方向ｚのｚ２側）に位置する。

　図１７および図２１に示すように、一対の第４接合部３２３は、２つの第２電力端子１５に個別に接合される。一対の第４接合部３２３の各々は、２つの第２電力端子１５の対応する１つに対向している。

　半導体装置Ｂ１は、図２３に示すように、第３導電接合層３５をさらに備える。第３導電接合層３５は、複数の第２素子２１Ｂの第２電極２１２と、複数の第３接合部３２２との間に介在している。第３導電接合層３５は、複数の第２素子２１Ｂの第２電極２１２と、複数の第３接合部３２２とを導電接合する。第３導電接合層３５は、たとえばはんだである。この他、第３導電接合層３５は、金属粒子の焼結体を含むものでもよい。

　半導体装置Ｂ１は、図２１に示すように、第４導電接合層３６をさらに備える。第４導電接合層３６は、２つの第２電力端子１５と一対の第４接合部３２３との間に介在している。第４導電接合層３６は、２つの第２電力端子１５と一対の第４接合部３２３とを導電接合する。第４導電接合層３６は、たとえばはんだである。この他、第４導電接合層３６は、金属粒子の焼結体を含むものでもよい。

　封止部５０は、図１５～図２６に示すように、複数の半導体素子２１、第１導通部材３１、第２導通部材３２、複数の第１ワイヤ４１、複数の第２ワイヤ４２、複数の第３ワイヤ４３および第４ワイヤ４４を覆う。さらに、封止部５０は、支持基板１１、複数の電力端子１３、複数の信号端子１７の各々の一部ずつを覆う。封止部５０は、電気絶縁性を有する。封止部５０は、たとえば黒色のエポキシ樹脂を含む。封止部５０は、たとえばモールド成形により形成される。図１５～図１７および図１９～図２６に示すように、封止部５０は、頂面５１、底面５２、複数の樹脂側面５３、および一対の凹部５５を有する。

　図２１および図２４～図２６に示すように、頂面５１は、厚さ方向ｚにおいて、第１搭載部１１２１の上面および第２搭載部１１２２の上面と同じ方向を向く。各半導体装置Ｂ１の頂面５１は、取付部材Ｄ１に接する。図１９、図２１および図２４～図２６に示すように、底面５２は、厚さ方向ｚにおいて頂面５１とは反対側を向く。図２０、図２１および図２４～図２６に示すように、底面５２から支持基板１１の第２配線層１１３が露出している。各半導体装置Ｂ１の底面５２は、取付対象物Ｃ１の本体部７１に接する。

　複数の樹脂側面５３は、頂面５１に繋がる。複数の樹脂側面５３は、一対の第１側面５３１および一対の第２側面５３２を含む。

　図１６、図１７、図１９～図２１および図２４に示すように、一対の第１側面５３１は、第１方向ｘにおいて互いに離れて位置する。一対の第１側面５３１は、第１方向ｘにおいて互いに反対側を向き、かつ第２方向ｙに延びている。一対の第１側面５３１は、頂面５１に繋がっている。一対の第１側面５３１のうちの第１方向ｘのｘ１側の第１側面５３１から、第１電力端子１４および２つの第２電力端子１５がそれぞれ突き出る。一対の第１側面５３１のうちの第１方向ｘのｘ２側の第１側面５３１から、２つの第３電力端子１６がそれぞれ突き出る。

　図１６、図１７、図２０、図２５および図２６に示すように、一対の第２側面５３２は、第２方向ｙにおいて互いに離れて位置する。一対の第２側面５３２は、第２方向ｙにおいて互いに反対側を向き、かつ第１方向ｘに延びている。一対の第２側面５３２は、頂面５１および底面５２に繋がっている。

　図１６、図１７および図２０に示すように、一対の凹部５５は、一対の第１側面５３１のうちの第１方向ｘのｘ１側の第１側面５３１から第１方向ｘに向けて凹んでいる。一対の凹部５５は、厚さ方向ｚにおいて頂面５１から底面５２に至っている。一対の凹部５５は、第１電力端子１４の第２方向ｙの両側に位置する。

　以上で説明した半導体装置Ｂ１の具体的な構成は、一例であって、上記した例に限定されない。たとえば、複数の信号端子１７の数、または、各信号端子１７が入出力する信号、複数の半導体素子２１の数、第１配線６０１および第２配線６０２の構成などは、適宜変更されうる。また、支持基板１１は、第１配線層１１２（第１搭載部１１２１および第２搭載部１１２２のそれぞれ）上に導電性の板状部材が接合されていてもよい。この場合、当該導電性の板状部材に複数の半導体素子２１（複数の第１素子２１Ａおよび複数の第２素子２１Ｂのそれぞれ）および一対の制御配線６０などが搭載される。

　電力変換ユニットＡ１０の作用および効果は、次の通りである。

　電力変換ユニットＡ１０では、取付部材Ｄ１は、取付対象物Ｃ１に固定された固定部８２と、複数の半導体装置Ｂ１を本体部７１（取付対象物Ｃ１）に押し付ける押圧部８１とを含む。この構成によれば、取付部材Ｄ１によって、複数の半導体装置Ｂ１を本体部７１に押し付けるので、たとえば取付対象物Ｃ１と各半導体装置Ｂ１との間に隙間が生じることを抑制できる。したがって、電力変換ユニットＡ１０は、放熱性の低下を抑制することが可能である。特に、電力変換ユニットＡ１０では、１つの取付部材Ｄ１によって、複数の半導体装置Ｂ１に押圧力を加える。この構成では、半導体装置Ｂ１ごとに取付部材を個別に取り付ける場合よりも、第２方向ｙに隣り合う２つの半導体装置Ｂ１同士の距離を小さくすることが可能となる。つまり、電力変換ユニットＡ１０は、放熱性の低下を抑制しつつ、平面視面積の縮小化を図ることができる。

　電力変換ユニットＡ１０では、取付部材Ｄ１の固定部８２は、取付対象物Ｃ１の本体部７１に取り付けられており、取付部材Ｄ１の押圧部８１は、半導体装置Ｂ１の封止部５０の上面に接する。この構成では、取付部材Ｄ１は、各半導体装置Ｂ１に対して、当該半導体装置Ｂ１の第２方向ｙのｙ１側の固定部８２から封止部５０に沿って厚さ方向ｚ上方に屈曲して押圧部８１に繋がる。また、押圧部８１から封止部５０に沿って厚さ方向ｚ下方に屈曲して第２方向ｙのｙ２側の固定部８２に繋がる。したがって、各半導体装置Ｂ１の封止部５０は、第２方向ｙの側面が取付部材Ｄ１に囲まれた状態となる。つまり、電力変換ユニットＡ１０は、各半導体装置Ｂ１の第２方向ｙへの位置ずれを制限することができる。

　電力変換ユニットＡ１０では、取付対象物Ｃ１は、本体部７１から厚さ方向ｚ上方に突き出た複数の台座部７２を含む。複数の台座部７２の各々は、配線基板Ｅ１を保持する。この構成によれば、複数の半導体装置Ｂ１の各封止部５０から厚さ方向ｚに一定の距離を空けて、配線基板Ｅ１を配置することができる。したがって、各信号端子１７の膨出部１７０Ｂと各スルーホール９１１との厚さ方向ｚの位置ずれを抑制できるので、電力変換ユニットＡ１０は、各信号端子１７と配線基板Ｅ１との導通不良を抑制できる。

　電力変換ユニットＡ１０では、取付対象物Ｃ１は、本体部７１から厚さ方向ｚ上方に突き出た位置決め部７３を含む。位置決め部７３は、配線基板Ｅ１の位置決め孔９５２に挿通される。この構成によれば、配線基板Ｅ１の位置決めが容易となる。

　電力変換ユニットＡ１０では、各半導体装置Ｂ１の封止部５０に、当該半導体装置Ｂ１を取付対象物Ｃ１に取り付けるための貫通孔などが形成されていない。当該貫通孔を封止部５０に設けるには、封止部５０の平面視面積を拡張する必要がある。この場合、半導体装置Ｂ１の平面視面積を拡大させることになり、電力変換ユニットＡ１０の小型化が困難である。一方で、電力変換ユニットＡ１０では、取付部材Ｄ１により各半導体装置Ｂ１を取付対象物Ｃ１に取り付けることが可能であるので、先述の通り、各半導体装置Ｂ１には取付対象物Ｃ１に取り付けるための貫通孔などを形成する必要がない。したがって、各半導体装置Ｂ１において封止部５０の平面視面積を極力小さくすることが可能であるので、電力変換ユニットＡ１０は、平面視面積の縮小化を図ることができる。

　以下に、本開示の電力変換ユニットの他の実施形態および変形例について、説明する。各実施形態および各変形例における各部の構成は、技術的な矛盾が生じない範囲において相互に組み合わせ可能である。

　図２７～図３０は、第２実施形態にかかる電力変換ユニットＡ２０を示している。電力変換ユニットＡ２０は、電力変換ユニットＡ１０と比較して、取付部材Ｄ１の構成で異なる。具体的には、電力変換ユニットＡ２０の取付部材Ｄ１では、その全体が各半導体装置Ｂ１の封止部５０よりも厚さ方向ｚのｚ１側に位置する。

　取付部材Ｄ１は、各固定部８２（各両端配置部８２１および各中間配置部８２２）は、複数の台座部７２のうちの対応する１つに固定される。このとき、各固定部８２は、対応する台座部７２の第１部７２１と第２部７２２とに挟持される。

　図示された例では、各固定部８２は、平面視において、第１方向ｘを長手方向とする帯状である。各固定部８２の第１方向ｘの寸法は、押圧部８１の第１方向ｘの寸法よりも大きい。各固定部８２には、２つの貫通孔８５１が形成されている。当該２つの貫通孔８５１はそれぞれ、平面視において、複数の台座部７２のうちの対応する１つに重なる。各貫通孔８５１には、取付孔９５１とともに、台座部７２の第２部７２２が挿通される。

　また、電力変換ユニットＡ２０では、複数の固定部８２のうちの各両端配置部８２１には、貫通孔８５２が形成されてる。各両端配置部８２１において、貫通孔８５２には、位置決め孔９５２とともに、位置決め部７３がそれぞれ挿通される。

　電力変換ユニットＡ２０の取付部材Ｄ１は、各半導体装置Ｂ１に対して、当該半導体装置Ｂ１の第２方向ｙのｙ１側の固定部８２から厚さ方向ｚ下方に屈曲して押圧部８１に繋がる。また、押圧部８１から厚さ方向ｚ上方に屈曲して第２方向ｙのｙ２側の固定部８２に繋がる。第２方向ｙに隣接する押圧部８１と固定部８２とを繋ぐ部分は、ｘ－ｙ平面に対して傾斜する。

　電力変換ユニットＡ２０においても、電力変換ユニットＡ１０と同様に、取付部材Ｄ１は、取付対象物Ｃ１に固定された固定部８２と、複数の半導体装置Ｂ１を本体部７１（取付対象物Ｃ１）に押し付ける押圧部８１とを含む。したがって、電力変換ユニットＡ２０は、電力変換ユニットＡ１０と同様に、取付対象物Ｃ１と各半導体装置Ｂ１との間に隙間が生じることを抑制できるので、放熱性の低下を抑制することが可能である。特に、電力変換ユニットＡ２０は、電力変換ユニットＡ１０と同様に、１つの取付部材Ｄ１によって、複数の半導体装置Ｂ１に押圧力を加えるので、放熱性の低下を抑制しつつ、電力変換ユニットＡ１０の平面視面積の縮小化を図ることができる。

　電力変換ユニットＡ２０では、取付部材Ｄ１の固定部８２は、台座部７２に固定される。この構成によれば、配線基板Ｅ１を取り付けるための台座部７２に、取付部材Ｄ１を取り付けることができるので、取付部材Ｄ１を取り付けるための穴を本体部７１に形成する必要がない。つまり、電力変換ユニットＡ２０は、取付対象物Ｃ１に、取付部材Ｄ１を取り付けるための加工が不要となる。

　図３１～図３３は、第２実施形態の第１変形例にかかる電力変換ユニットＡ２１を示している。電力変換ユニットＡ２１は、電力変換ユニットＡ２０と比較して、次の点で異なる。それは、取付部材Ｄ１の固定部８２は、中間配置部８２２を含んでない。

　図３２に示すように、本変形例の取付部材Ｄ１は、第１装置Ｂ１１に対する押圧部８１と第３装置Ｂ１３に対する押圧部８１との間が、少し厚さ方向ｚ上方に湾曲している。本変形例の取付部材Ｄ１は、図３３に示すように、取付対象物Ｃ１に取り付ける前の状態では、次のような構成である。それは、第１装置Ｂ１１および第３装置Ｂ１３に対応する各押圧部８１は、各両端配置部８２１よりも厚さ方向ｚ下方（ｚ２側）に位置する。また、第２装置Ｂ１２に対応する押圧部８１は、第１装置Ｂ１１および第３装置Ｂ１３に対応する各押圧部８１よりも厚さ方向ｚ下方（ｚ２側）に位置する。このような取付部材Ｄ１を取付対象物Ｃ１に取り付ける際、まず、第２装置Ｂ１２に対応する押圧部８１が第２装置Ｂ１２の封止部５０に接する。その後も、さらに取付部材Ｄ１を厚さ方向ｚ下方に押し下げると、第２装置Ｂ１２に対する押圧部８１が第２装置Ｂ１２に係止したまま、次いで、第１装置Ｂ１１および第３装置Ｂ１３に対する各押圧部８１が、対応する第１装置Ｂ１１および第３装置Ｂ１３の封止部５０に接する。このとき、第２方向ｙに隣接する２つの押圧部８１間が当該２つの押圧部８１よりも厚さ方向ｚ上方に湾曲する。このように、取付部材Ｄ１が、図３２に示すように弾性変形することで、中間配置部８２２がなくても、複数の半導体装置Ｂ１に厚さ方向ｚ下方への押圧力が発生する。

　図３４～図３６は、第２実施形態の第２変形例にかかる電力変換ユニットＡ２２を示している。電力変換ユニットＡ２２は、電力変換ユニットＡ２０と比較して、次の点で異なる。それは、取付部材Ｄ１は、複数の当接部８３を含む。当該複数の当接部８３は、複数の中間配置部８２２の代わりに形成される。つまり、本変形例の取付部材Ｄ１において、複数の固定部８２は、複数の中間配置部８２２のいずれも含まない。

　電力変換ユニットＡ２２の取付部材Ｄ１において、複数の当接部８３は、配線基板Ｅ１の下面（厚さ方向ｚのｚ２側を向く面）に接する。これにより、各当接部８３は、配線基板Ｅ１に係止される。当該変形例の取付部材Ｄ１は、複数の当接部８３が配線基板Ｅ１に厚さ方向ｚのｚ２側に押さえられることで、取付部材Ｄ１に弾性力が発生して、各押圧部８１によって半導体装置Ｂ１が取付対象物Ｃ１に押圧される。

　上記第２実施形態の第１変形例および第２変形例にかかる各電力変換ユニットＡ２１，Ａ２２は、電力変換ユニットＡ２０と同様の効果を奏する。

　図３７～図３９は、第３実施形態にかかる電力変換ユニットＡ３０を示している。電力変換ユニットＡ３０は、電力変換ユニットＡ１０と比較して、次の点で異なる。電力変換ユニットＡ３０は、複数の取付部材Ｄ１を備える。

　複数の取付部材Ｄ１はそれぞれ、図３７および図３８に示すように、複数の半導体装置Ｂ１のうちの対応する１つを取付対象物Ｃ１にそれぞれ保持する。図３７に示すように、各取付部材Ｄ１は、押圧部８１と一対の固定部８２Ａ，８２Ｂとを含む。

　一対の固定部８２Ａ，８２Ｂは、対応する半導体装置Ｂ１の第２方向ｙの両端に配置される。固定部８２Ａは、固定部８２Ｂに対して、第２方向ｙのｙ１側に位置する。一対の固定部８２Ａ，８２Ｂは、第２方向ｙに見て、互いに重ならない。固定部８２Ａは、固定部８２Ｂに対して、第１方向ｘにずれて配置される。図示された例では、固定部８２Ａは、固定部８２Ｂよりも第１方向ｘのｘ２側に位置する。

　第１装置Ｂ１１を保持する取付部材Ｄ１の固定部８２Ｂと、第２装置Ｂ１２を保持する取付部材Ｄ１の固定部８２Ａとは、第１方向ｘに見て重なる。また、第２装置Ｂ１２を保持する取付部材Ｄ１の固定部８２Ｂと、第３装置Ｂ１３を保持する取付部材Ｄ１の固定部８２Ａとは、第１方向ｘに見て重なる。このような構成により、第２方向ｙに隣接する２つの取付部材Ｄ１において、一対の固定部８２Ａ，８２Ｂは、互い違いに配置される。

　電力変換ユニットＡ３０では、複数の取付部材Ｄ１によって、複数の半導体装置Ｂ１をそれぞれ個別に本体部７１に押し付けるので、たとえば取付対象物Ｃ１と各半導体装置Ｂ１との間に隙間が生じることを抑制できる。したがって、電力変換ユニットＡ３０は、放熱性の低下を抑制することが可能である。

　また、電力変換ユニットＡ３０では、第２方向ｙに隣接する２つの取付部材Ｄ１において、第２方向ｙのｙ１側の取付部材Ｄ１の固定部８２Ｂと、第２方向ｙのｙ２側の取付部材Ｄ１の固定部８２Ａとが、第１方向ｘに見て重なる。この構成によれば、これらの固定部８２Ａ，８２Ｂは、第１方向ｘに並んで配置される。したがって、これらの固定部８２Ａ，８２Ｂが第２方向ｙに並んで配置される場合よりも、電力変換ユニットＡ３０の第２方向ｙの寸法は、縮小化される。つまり、電力変換ユニットＡ３０は、半導体装置Ｂ１ごとに取付部材Ｄ１を設けた場合であっても、平面視面積の縮小化を図ることができる。

　上記第１実施形態ないし第３実施形態（これらの変形例を含む）と異なる例において、取付対象物Ｃ１は、複数の位置決め部７３を含んでいなくてもよい。たとえば、図４０は、当該変形例にかかる電力変換ユニットを示しており、電力変換ユニットＡ１０において、取付対象物Ｃ１が各位置決め部７３を含んでいない場合の構成例である。図４０に示す電力変換ユニットは、電力変換ユニットＡ１０と比較して、各両端配置部８２１の第１方向ｘの寸法を拡大することができる。よって、図４０に示す電力変換ユニットでは、電力変換ユニットＡ１０と比較して、取付部材Ｄ１の剛性を高めることができるので、より大きな弾性力（各半導体装置Ｂ１への押圧力）を発生させることが可能となる。

　本開示にかかる電力変換ユニットは、上記した実施形態に限定されるものではない。本開示の電力変換ユニットの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。たとえば、本開示の電力変換ユニットは、以下の付記に関する実施形態を含む。
　付記１．
　半導体素子と当該半導体素子を覆う封止部とを各々が備える複数の半導体装置と、
　前記複数の半導体装置に接する本体部を含む取付対象物と、
　前記複数の半導体装置を前記取付対象物に保持する１つの取付部材と、
を備え、
　前記１つの取付部材は、前記取付対象物に固定された固定部と、前記複数の半導体装置を前記本体部に押し付ける押圧部と、を含む、電力変換ユニット。
　付記２．
　前記複数の半導体装置の各々は、前記封止部から、当該封止部の厚さ方向の一方に突き出た信号端子を備える、付記１に記載の電力変換ユニット。
　付記３．
　前記複数の半導体装置の各々は、前記封止部から、前記厚さ方向に直交する第１方向に突き出る電力端子を備え、
　前記複数の半導体装置は、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向に配列される、付記２に記載の電力変換ユニット。
　付記４．
　前記固定部は、前記複数の半導体装置の各々の前記封止部よりも、前記厚さ方向の前記一方に位置する、付記３に記載の電力変換ユニット。
　付記５．
　前記取付対象物は、前記本体部から前記厚さ方向の前記一方に突き出る台座部を含み、
　前記固定部は、前記台座部に取り付けられている、付記４に記載の電力変換ユニット。
　付記６．
　前記１つの取付部材の全体は、前記複数の半導体装置の各々の前記封止部よりも、前記第１方向の前記一方に位置しており、
　前記押圧部は、前記固定部よりも前記厚さ方向の他方に位置する、付記５に記載の電力変換ユニット。
　付記７．
　前記固定部は、前記複数の半導体装置の各々の前記封止部よりも、前記厚さ方向の他方に位置する、付記３に記載の電力変換ユニット。
　付記８．
　前記固定部は、前記本体部に取り付けられている、付記７に記載の電力変換ユニット。
　付記９．
　前記固定部は、前記第２方向において前記複数の半導体装置の両端に配置された両端配置部を含む、付記３ないし付記８のいずれかに記載の電力変換ユニット。
　付記１０．
　前記固定部は、前記第２方向において前記複数の半導体装置の間に配置された中間配置部を含む、付記９に記載の電力変換ユニット。
　付記１１．
　前記複数の半導体装置の各々の前記半導体素子を制御する制御基板をさらに備える、付記３ないし付記１０のいずれかに記載の電力変換ユニット。
　付記１２．
　前記制御基板には、複数の貫通孔が形成されており、
　前記複数の半導体装置の各々の前記信号端子は、前記複数の貫通孔のいずれかに挿通される、付記１１に記載の電力変換ユニット。
　付記１３．
　前記複数の半導体装置の各々の前記信号端子は、プレスフィット端子である、付記１２に記載の電力変換ユニット。
　付記１４．
　前記１つの取付部材は、前記厚さ方向において、前記制御基板と前記取付対象物との間に位置する、付記１１ないし付記１３のいずれかに記載の電力変換ユニット。
　付記１５．
　前記複数の半導体装置の各々は、前記半導体素子を搭載する支持基板を備え、
　前記複数の半導体装置の各々の前記支持基板は、前記厚さ方向の他方を向く底面を有し、
　前記複数の半導体装置の各々において、前記底面は、前記封止部から露出し、且つ前記本体部に接する、付記３ないし付記１４のいずれかに記載の電力変換ユニット。
　付記１６．
　前記取付対象物は、ヒートシンクである、付記１ないし付記１５のいずれかに記載の電力変換ユニット。

Ａ１０，Ａ２０，Ａ２１，Ａ２２，Ａ３０：電力変換ユニット
Ｂ１：半導体装置　　　Ｂ１１：第１装置
Ｂ１２：第２装置　　　Ｂ１３：第３装置
Ｃ１：取付対象物　　　Ｄ１：取付部材
Ｅ１：配線基板　　　１１：支持基板
１１１：絶縁層　　　１１２：第１配線層
１１２１：第１搭載部　　　１１２２：第２搭載部
１１３：第２配線層　　　１３：電力端子
１４：第１電力端子　　　１５：第２電力端子
１６：第３電力端子　　　１７：信号端子
１７０Ａ：基部　　　１７０Ｂ：膨出部
１７１：第１信号端子　　　１７２：第２信号端子
１７３：第３信号端子　　　１７４：第４信号端子
１８１：第５信号端子　　　１８２：第６信号端子
１９：第７信号端子　　　２１：半導体素子
２１Ａ：第１素子　　　２１Ｂ：第２素子
２１１：第１電極　　　２１２：第２電極
２１３：第３電極　　　２１４：第４電極
２２：サーミスタ　　　２３：導電接合層
３１：第１導通部材　　　３１１：本体部
３１２：第１接合部　　　３１３：第２接合部
３２：第２導通部材　　　３２１：本体部
３２２：第３接合部　　　３２３：第４接合部
３３：第１導電接合層　　　３４：第２導電接合層
３５：第３導電接合層　　　３６：第４導電接合層
４１：第１ワイヤ　　　４２：第２ワイヤ
４３：第３ワイヤ　　　４４：第４ワイヤ
５０：封止部　　　５１：頂面
５２：底面　　　５３：樹脂側面
５３１：第１側面　　　５３２：第２側面
５５：凹部　　　６０：制御配線
６０１：第１配線　　　６０２：第２配線
６１：絶縁層　　　６２：配線層
６２１：第１配線層　　　６２２：第２配線層
６２３：第３配線層　　　６２４：第４配線層
６２５：第５配線層　　　６３：金属層
６４：スリーブ　　　７１：本体部
７２：台座部　　　７２１：第１部
７２２：第２部　　　７３：位置決め部
８１：押圧部　　　８２，８２Ａ，８２Ｂ：固定部
８２１：両端配置部　　　８２２：中間配置部
８３：当接部　　　８５１：貫通孔
８５２：貫通孔　　　８９：締結具
９１：基板　　　９１１：スルーホール
９２：主部配線　　　９３：裏部配線
９４：内部配線　　　９５１：取付孔
９５２：位置決め孔

Claims

　半導体素子と当該半導体素子を覆う封止部とを各々が備える複数の半導体装置と、
　前記複数の半導体装置に接する本体部を含む取付対象物と、
　前記複数の半導体装置を前記取付対象物に保持する１つの取付部材と、
を備え、
　前記１つの取付部材は、前記取付対象物に固定された固定部と、前記複数の半導体装置を前記本体部に押し付ける押圧部と、を含む、電力変換ユニット。
　前記複数の半導体装置の各々は、前記封止部から、当該封止部の厚さ方向の一方に突き出た信号端子を備える、請求項１に記載の電力変換ユニット。
　前記複数の半導体装置の各々は、前記封止部から、前記厚さ方向に直交する第１方向に突き出る電力端子を備え、
　前記複数の半導体装置は、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向に配列される、請求項２に記載の電力変換ユニット。
　前記固定部は、前記複数の半導体装置の各々の前記封止部よりも、前記厚さ方向の前記一方に位置する、請求項３に記載の電力変換ユニット。
　前記取付対象物は、前記本体部から前記厚さ方向の前記一方に突き出る台座部を含み、
　前記固定部は、前記台座部に取り付けられている、請求項４に記載の電力変換ユニット。
　前記１つの取付部材の全体は、前記複数の半導体装置の各々の前記封止部よりも、前記第１方向の前記一方に位置しており、
　前記押圧部は、前記固定部よりも前記厚さ方向の他方に位置する、請求項５に記載の電力変換ユニット。
　前記固定部は、前記複数の半導体装置の各々の前記封止部よりも、前記厚さ方向の他方に位置する、請求項３に記載の電力変換ユニット。
　前記固定部は、前記本体部に取り付けられている、請求項７に記載の電力変換ユニット。
　前記固定部は、前記第２方向において前記複数の半導体装置の両端に配置された両端配置部を含む、請求項３ないし請求項８のいずれかに記載の電力変換ユニット。
　前記固定部は、前記第２方向において前記複数の半導体装置の間に配置された中間配置部を含む、請求項９に記載の電力変換ユニット。
　前記複数の半導体装置の各々の前記半導体素子を制御する制御基板をさらに備える、請求項３ないし請求項１０のいずれかに記載の電力変換ユニット。
　前記制御基板には、複数の貫通孔が形成されており、
　前記複数の半導体装置の各々の前記信号端子は、前記複数の貫通孔のいずれかに挿通される、請求項１１に記載の電力変換ユニット。
　前記複数の半導体装置の各々の前記信号端子は、プレスフィット端子である、請求項１２に記載の電力変換ユニット。
　前記１つの取付部材は、前記厚さ方向において、前記制御基板と前記取付対象物との間に位置する、請求項１１ないし請求項１３のいずれかに記載の電力変換ユニット。
　前記複数の半導体装置の各々は、前記半導体素子を搭載する支持基板を備え、
　前記複数の半導体装置の各々の前記支持基板は、前記厚さ方向の他方を向く底面を有し、
　前記複数の半導体装置の各々において、前記底面は、前記封止部から露出し、且つ前記本体部に接する、請求項３ないし請求項１４のいずれかに記載の電力変換ユニット。
　前記取付対象物は、ヒートシンクである、請求項１ないし請求項１５のいずれかに記載の電力変換ユニット。