WO2024075514A1

WO2024075514A1 - 接合構造体および半導体装置

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Publication number: WO2024075514A1
Application number: PCT/JP2023/033925
Authority: WO
Inventors: 央至佐藤; 智洋安西; 哲也志水
Original assignee: ローム株式会社
Priority date: 2022-10-04
Filing date: 2023-09-19
Publication date: 2024-04-11

Abstract

接合構造体は、第１接合層を有する第１接合対象物と、第２接合層を有する第２接合対象物と、前記第１接合対象物および前記第２接合対象物の間に介在する中間接合材とを備える。前記中間接合材は、基材層と、前記基材層の両側に配置された第１表面層および第２表面層とを有する。前記第１接合層と前記第１表面層とは、固相接合によって接合されている。前記第２接合層と前記第２表面層とは、固相接合によって接合されている。前記基材層は、Ｃｕを主成分とする。

Description

接合構造体および半導体装置

　本開示は、接合構造体および半導体装置に関する。

　従来、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）またはＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などの電力用スイッチング素子を備える半導体装置が知られている。このような半導体装置は、産業機器から家電や情報端末、自動車用機器まで様々な電子機器に搭載される。特許文献１には、従来の半導体装置（パワーモジュール）が開示されている。特許文献１に記載のパワーモジュールは、複数のトランジスタ、主基板、信号基板および信号端子を備える。複数のトランジスタは、主基板に搭載される。

特開２０１５－１２６３４２号公報

　特許文献１のようなパワーモジュールでは、２つの接合対象物を接合させる接合構造体が採用される。接合構造体は、確実な接合を達成しつつ、熱を伝えやすいことが好ましい。

　本開示は、従来よりも改良が施された接合構造体、延いてはそのような接合構造体を含む半導体装置を提供することを一の課題とする。特に本開示は、上記した事情に鑑み、より熱を伝えやすい接合構造体（延いては半導体装置）を提供することを一の課題とする。

　本開示の第１の側面によって提供される接合構造体は、第１接合層を有する第１接合対象物と、第２接合層を有する第２接合対象物と、前記第１接合対象物および前記第２接合対象物の間に介在する中間接合材と、を備える。前記中間接合材は、基材層と、前記基材層の両側に配置された第１表面層および第２表面層と、を有する。前記第１接合層と前記第１表面層とは、固相接合によって接合されている。前記第２接合層と前記第２表面層とは、固相接合によって接合されている。前記基材層は、Ｃｕを主成分とする。

　上記構成によれば、より熱を伝えやすい接合構造体、延いてはそのような接合構造体を含む半導体装置を提供することができる。

図１は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置を示す斜視図である。図２は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置を示す部分斜視図である。図３は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置を示す部分斜視図である。図４は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置を示す平面図である。図５は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置を示す部分平面図である。図６は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置を示す部分右側面図である。図７は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置を示す部分左側面図である。図８は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置を示す部分平面図である。図９は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置を示す右側面図である。図１０は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置を示す底面図である。図１１は、図５のＸＩ－ＸＩ線に沿う断面図である。図１２は、図５のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿う断面図である。図１３は、図１２の一部を拡大した部分拡大断面図である。図１４は、本開示の第１実施形態にかかる実装構造体の一例を示す部分拡大断面図である。図１５は、本開示の第１実施形態にかかる実装構造体の他の例を示す部分拡大断面図である。図１６は、図１２の一部を拡大した部分拡大断面図である。図１７は、本開示の第１実施形態にかかる実装構造体の他の例を示す部分拡大断面図である。図１８は、本開示の第１実施形態にかかる実装構造体の他の例を示す部分拡大断面図である。図１９は、図５のＸＩＸ－ＸＩＸ線に沿う断面図である。図２０は、図５のＸＸ－ＸＸ線に沿う断面図である。図２１は、図５のＸＸＩ－ＸＸＩ線に沿う断面図である。図２２は、図５のＸＸＩＩ－ＸＸＩＩ線に沿う断面図である。図２３は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置の第１変形例を示す部分右側面図である。図２４は、本開示の第１実施形態にかかる実装構造体の他の例を示す部分拡大断面図である。図２５は、本開示の第２実施形態にかかる実装構造体を示す部分拡大断面図である。

　本開示の半導体装置の好ましい実施の形態について、図面を参照して、以下に説明する。以下では、同一あるいは類似の構成要素に、同じ符号を付して、重複する説明を省略する。本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に識別のために用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。

　本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置していること」を含む。また、「ある方向に見てある物Ａがある物Ｂに重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。

　半導体装置Ａ１：
　図１～図２２は、本開示の一実施形態にかかる半導体装置Ａ１を示している。半導体装置Ａ１は、複数の半導体素子１、支持導体２、支持基板３、複数の電力端子４１～４３、複数の制御端子４４、信号基板５、接着層６、第１導通部材７１、第２導通部材７２、複数のワイヤ７３～７６、樹脂部材８および樹脂充填部８８を備える。また、半導体装置Ａ１は、接合構造体Ｂ１～Ｂ４を有する。

　支持導体２は、第１導電部２Ａおよび第２導電部２Ｂを含む。複数の制御端子４４は、複数の第１制御端子４５および複数の第２制御端子４６を含む。信号基板５は、第１信号基板５Ａおよび第２信号基板５Ｂを含む。接着層６は、第１接着体６Ａおよび第２接着体６Ｂを含む。

　説明の便宜上、互いに直交する３つの方向を、ｘ方向、ｙ方向、ｚ方向とする。一例として、ｚ方向は、半導体装置Ａ１の厚さ方向である。ｘ方向は、半導体装置Ａ１の平面図（図４参照）における左右方向である。ｙ方向は、半導体装置Ａ１の平面図（図４参照）における上下方向である。以下の説明において、「平面視」とは、ｚ方向に見たときをいう。なお、「上」、「下」、「上方」、「下方」、「上面」および「下面」などの記載は、ｚ方向における各部品等の相対的位置関係を示すものであり、必ずしも重力方向との関係を規定する用語ではない。ｘ方向は、本開示の「第１方向」の一例である。

　複数の半導体素子１：
　複数の半導体素子１はそれぞれ、半導体装置Ａ１の機能中枢となる電子部品である。複数の半導体素子１の各構成材料は、たとえばＳｉＣ（炭化ケイ素）を主とする半導体材料である。この半導体材料は、ＳｉＣに限定されず、Ｓｉ（シリコン）、ＧａＮ（窒化ガリウム）あるいはＣ（ダイヤモンド）などであってもよい。各半導体素子１は、たとえば、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）などのスイッチング機能を有するパワー半導体チップである。本実施形態においては、各半導体素子１がＭＯＳＦＥＴである場合を示すが、これに限定されず、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor；絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）などの他のトランジスタであってもよい。各半導体素子１は、いずれも同一素子である。各半導体素子１は、たとえばｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴであるが、ｐチャネル型のＭＯＳＦＥＴであってもよい。

　複数の半導体素子１は、複数の第１スイッチング素子１Ａおよび複数の第２スイッチング素子１Ｂを含む。図８に示すように、半導体装置Ａ１は、４つの第１スイッチング素子１Ａと４つの第２スイッチング素子１Ｂを備えるが、第１スイッチング素子１Ａの数および第２スイッチング素子１Ｂの数は、本構成に限定されない。第１スイッチング素子１Ａの数および第２スイッチング素子１Ｂの数は、半導体装置Ａ１に要求される性能に応じて適宜変更される。第１スイッチング素子１Ａの数および第２スイッチング素子１Ｂの数とは、等しくても、異なってもよい。第１スイッチング素子１Ａの数および第２スイッチング素子１Ｂの数は、半導体装置Ａ１が取り扱う電流容量によって決定される。

　半導体装置Ａ１は、たとえばハーフブリッジ型のスイッチング回路として構成される。この場合、複数の第１スイッチング素子１Ａは、半導体装置Ａ１の上アーム回路を構成し、複数の第２スイッチング素子１Ｂは、半導体装置Ａ１の下アーム回路を構成する。上アーム回路において、複数の第１スイッチング素子１Ａは互いに並列に接続され、下アーム回路において、複数の第２スイッチング素子１Ｂは互いに並列に接続される。また、各第１スイッチング素子１Ａと各第２スイッチング素子１Ｂとは、直列に接続される。

　複数の半導体素子１（複数の第１スイッチング素子１Ａおよび複数の第２スイッチング素子１Ｂ）はそれぞれ、図１３および図１６に示すように、素子主面１０ａおよび素子裏面１０ｂを有する。各半導体素子１において、素子主面１０ａおよび素子裏面１０ｂは、ｚ方向に離間する。素子主面１０ａは、ｚ２側を向き、素子裏面１０ｂは、ｚ１側を向く。

　複数の第１スイッチング素子１Ａはそれぞれ、図８、図１２、図１３および図２１などに示すように、支持導体２（第１導電部２Ａ）に搭載されている。図８に示す例では、複数の第１スイッチング素子１Ａは、たとえばｙ方向に配列され、互いに離間する。複数の第１スイッチング素子１Ａはそれぞれ、中間接合材１９ａを介して、支持導体２（第１導電部２Ａ）に導通接合されている。各第１スイッチング素子１Ａは、第１導電部２Ａに接合された際、素子裏面１０ｂが支持導体２（第１導電部２Ａ）に対向する。

　複数の第２スイッチング素子１Ｂはそれぞれ、図８、図１２、図１６および図２０などに示すように、支持導体２（第２導電部２Ｂ）に搭載されている。図８に示す例では、複数の第２スイッチング素子１Ｂは、たとえばｙ方向に配列され、互いに離間する。複数の第２スイッチング素子１Ｂはそれぞれ、中間接合材１９ｂを介して、支持導体２（第２導電部２Ｂ）に導通接合されている。各第２スイッチング素子１Ｂは、第２導電部２Ｂに接合された際、素子裏面１０ｂが支持導体２（第２導電部２Ｂ）に対向する。図８から理解されるように、ｘ方向に見て、複数の第１スイッチング素子１Ａと複数の第２スイッチング素子１Ｂとが重なる。この構成と異なり、複数の第１スイッチング素子１Ａと複数の第２スイッチング素子１Ｂとは、ｘ方向に見て、重なっていなくてもよい。

　複数の半導体素子１（複数の第１スイッチング素子１Ａおび複数の第２スイッチング素子１Ｂ）はそれぞれ、図８、図１３および図１６に示すように、第１主面電極１１、第２主面電極１２、第３主面電極１３および裏面電極１５を有する。以下で説明する、第１主面電極１１、第２主面電極１２、第３主面電極１３および裏面電極１５の各構成は、各半導体素子１において共通する。第１主面電極１１、第２主面電極１２および第３主面電極１３は、素子主面１０ａに設けられている。第１主面電極１１、第２主面電極１２および第３主面電極１３は、図示しない絶縁膜により絶縁されている。裏面電極１５は、素子裏面１０ｂに設けられている。裏面電極１５は、素子裏面１０ｂの全域（あるいは略全域）を覆っている。裏面電極１５は、たとえばＡｇ（銀）めっきにより構成される。

　各半導体素子１がＭＯＳＦＥＴで構成された例では、第１主面電極１１は、たとえばゲート電極であって、各半導体素子１を駆動させるための駆動信号（たとえばゲート電圧）が入力される。第２主面電極１２は、たとえばソース電極であって、ソース電流が流れる。第３主面電極１３は、たとえばソースセンス電極であって、第２主面電極１２と同電位である。第３主面電極１３は、第２主面電極１２と同じソース電流が流れる。裏面電極１５は、たとえばドレイン電極であって、ドレイン電流が流れる。

　各半導体素子１は、第１主面電極１１（ゲート電極）に駆動信号（ゲート電圧）が入力されると、この駆動信号に応じて、導通状態と遮断状態とが切り替わる。この導通状態と遮断状態とが切り替わる動作をスイッチング動作という。導通状態では、裏面電極１５（ドレイン電極）から第２主面電極１２（ソース電極）に順方向電流が流れ、遮断状態では、この順方向電流が流れない。半導体装置Ａ１は、各半導体素子１の機能により、第１電源電圧（たとえば直流電圧）を第２電源電圧（たとえば交流電圧）に変換する。第１電源電圧は、電力端子４１と２つの電力端子４２との間に入力（印加）され、第２電源電圧は、２つの電力端子４３に入力（印加）される。

　半導体装置Ａ１は、図５および図８などに示すように、２つのサーミスタ１７を備える。各サーミスタ１７は、温度検出用のセンサとして用いられる。

　支持導体２：
　支持導体２は、複数の半導体素子１（複数の第１スイッチング素子１Ａおよび複数の第２スイッチング素子１Ｂ）を支持する。支持導体２は、支持基板３上に接合されている。支持導体２は、たとえば平面視矩形状である。支持導体２は、第１導通部材７１および第２導通部材７２とともに、複数の第１スイッチング素子１Ａおよび複数の第２スイッチング素子１Ｂによってスイッチングされる主回路電流の経路を構成する。

　支持導体２は、第１導電部２Ａおよび第２導電部２Ｂを含む。図１４および図１５に示すように、第１導電部２Ａは、本体層２０Ａ、接合層２１Ａおよび接合層２２Ａを有する。図１７および図１８に示すように、第２導電部２Ｂは、本体層２０Ｂ、接合層２１Ｂおよび接合層２２Ｂを有する。本体層２０Ａおよび本体層２０Ｂはそれぞれ、金属製の板状部材である。この金属は、Ｃｕ（銅）またはＣｕ合金である。接合層２１Ａ、接合層２２Ａ、接合層２１Ｂ、および接合層２２Ｂの具体的構成は、後述する。第１導電部２Ａおよび第２導電部２Ｂは、複数の電力端子４１～４３とともに、複数の第１スイッチング素子１Ａおよび複数の第２スイッチング素子１Ｂへの導通経路を構成する。第１導電部２Ａおよび第２導電部２Ｂはそれぞれ、たとえば平面視矩形状である。第１導電部２Ａおよび第２導電部２Ｂはそれぞれ、たとえばｘ方向の寸法が１５ｍｍ以上２５ｍｍ以下であり、たとえばｙ方向の寸法が３０ｍｍ以上４０ｍｍ以下であり、ｚ方向の寸法が１．０ｍｍ以上５．０ｍｍ以下（好ましくは２．０ｍｍ程度）である。第１導電部２Ａおよび第２導電部２Ｂのこれらの寸法は、上記した数値例に限定されず、半導体装置Ａ１の仕様に応じて適宜変更されうる。

　図１１～図２２に示すように、第１導電部２Ａは、中間接合材２９ａを介して支持基板３に接合され、第２導電部２Ｂは、中間接合材２９ｂを介して支持基板３に接合されている。第１導電部２Ａには、中間接合材１９ａを介して、複数の第１スイッチング素子１Ａがそれぞれ接合されている。第２導電部２Ｂには、中間接合材１９ｂを介して、複数の第２スイッチング素子１Ｂがそれぞれ接合されている。第１導電部２Ａおよび第２導電部２Ｂは、図３、図８、図１１、図１２および図１９に示すように、ｘ方向に離間する。これらの図に示す例では、第１導電部２Ａは、第２導電部２Ｂよりもｘ１側に位置する。第１導電部２Ａと第２導電部２Ｂとは、ｘ方向に見て重なる。

　支持導体２（第１導電部２Ａおよび第２導電部２Ｂの各々）は、主面２０１および裏面２０２を有する。主面２０１および裏面２０２は、図１１～図２２に示すように、ｚ方向に離間する。主面２０１は、ｚ２側を向き、裏面２０２は、ｚ１側を向く。裏面２０２は、支持基板３に対向する。

　接合構造体Ｂ１１，Ｂ１２：
　図１４に示すように、半導体装置Ａ１は、接合構造体Ｂ１１を有する。接合構造体Ｂ１１は、第１接合対象物としての第１スイッチング素子１Ａと、第２接合対象物としての第１導電部２Ａとが、中間接合材１９ａを介して接合された構造体である。

　中間接合材１９ａは、基材層１９０ａ、第１表面層１９１ａおよび第２表面層１９２ａを有する。

　基材層１９０ａは、Ｃｕ（銅）を主成分とする。基材層１９０ａがＣｕ（銅）を主成分とする構成としては、Ｃｕ（銅）のみからなる構成、Ｃｕ（銅）に添加金属等が加えられた構成、種々のＣｕ（銅）合金等、が含まれる。以降の説明において「ある部材がある金属を主成分とする」との構成についても、同様である。基材層１９０ａの厚さは何ら限定されず、本実施形態においては、基材層１９０ａは、第１表面層１９１ａおよび第２表面層１９２ａよりも厚い。基材層１９０ａの厚さは、たとえば５０μｍ以上３００μｍ以下である。

　第１表面層１９１ａは、基材層１９０ａのｚ方向のｚ２側に配置されている。第１表面層１９１ａは、第１スイッチング素子１Ａと固相接合されている。固相接合は、同じ金属を主成分とする２つの層が、互いに直接接した状態で、所定の圧力と温度とが加えられることによって実現される接合手法であり、たとえば固相拡散接合、固相変形接合、等を含む。本実施形態においては、第１表面層１９１ａは、Ａｇ（銀）を主成分とする。第１表面層１９１ａの厚さは何ら限定されず、本実施形態においては、第１表面層１９１ａは、基材層１９０ａよりも薄い。第１表面層１９１ａの厚さは、たとえば０．１μｍ以上１５μｍ以下である。

　本実施形態においては、第１スイッチング素子１Ａが接合層１５１をさらに有する。接合層１５１は、接合構造体Ｂ１１において、第１接合層に相当する。接合層１５１は、裏面電極１５のｚ方向のｚ１側に配置されている。接合層１５１は、第１表面層１９１ａと固相接合されている。本実施形態においては、接合層１５１は、Ａｇ（銀）を主成分とする。接合層１５１の厚さは何ら限定されず、たとえば０．０１μｍ以上５μｍ以下である。

　なお、第１表面層１９１ａおよび接合層１５１は、互いに固相接合が可能な構成であれば、主成分とされる金属は、何ら限定されない。

　互いに固相接合された第１表面層１９１ａと接合層１５１との境界は、たとえば異種金属の境界である基材層１９０ａと第１表面層１９１ａとの境界とくらべて不明瞭である。第１表面層１９１ａと接合層１５１との境界は、ほとんど認識できないか、固相接合時に生じた僅かな空隙等の存在によって認識できる程度である場合が、一般的である。これらの点は、本開示における他の固相接合の部位において同様である。

　第２表面層１９２ａは、基材層１９０ａのｚ方向のｚ１側に配置されている。第２表面層１９２ａは、第１導電部２Ａと固相接合されている。本実施形態においては、第２表面層１９２ａは、Ａｇ（銀）を主成分とする。第２表面層１９２ａの厚さは何ら限定されず、本実施形態においては、第２表面層１９２ａは、基材層１９０ａよりも薄い。第２表面層１９２ａの厚さは、たとえば０．１μｍ以上１５μｍ以下である。

　第１導電部２Ａの接合層２１Ａは、接合構造体Ｂ１１において、第２接合層に相当する。接合層２１Ａは、本体層２０Ａのｚ方向のｚ２側に配置されている。接合層２１Ａは、第２表面層１９２ａと固相接合されている。本実施形態においては、接合層２１Ａは、Ａｇ（銀）を主成分とする。接合層２１Ａの厚さは何ら限定されず、たとえば０．１μｍ以上１５μｍ以下である。

　なお、第２表面層１９２ａおよび接合層２１Ａは、互いに固相接合が可能な構成であれば、主成分とされる金属は、何ら限定されない。

　図１７に示すように、半導体装置Ａ１は、接合構造体Ｂ１２を有する。接合構造体Ｂ１２は、第１接合対象物としての第２スイッチング素子１Ｂと、第２接合対象物としての第２導電部２Ｂとが、中間接合材１９ｂを介して接合された構造体である。

　中間接合材１９ｂは、基材層１９０ｂ、第１表面層１９１ｂおよび第２表面層１９２ｂを有する。

　基材層１９０ｂは、Ｃｕ（銅）を主成分とする。基材層１９０ｂの厚さは何ら限定されず、本実施形態においては、基材層１９０ｂは、第１表面層１９１ｂおよび第２表面層１９２ｂよりも厚い。基材層１９０ｂの厚さは、たとえば５０μｍ以上３００μｍ以下である。

　第１表面層１９１ｂは、基材層１９０ｂのｚ方向のｚ２側に配置されている。第１表面層１９１ｂは、第２スイッチング素子１Ｂと固相接合されている。本実施形態においては、第１表面層１９１ｂは、Ａｇ（銀）を主成分とする。第１表面層１９１ｂの厚さは何ら限定されず、本実施形態においては、第１表面層１９１ｂは、基材層１９０ｂよりも薄い。第１表面層１９１ｂの厚さは、たとえば０．１μｍ以上１５μｍ以下である。

　本実施形態においては、第２スイッチング素子１Ｂが第１スイッチング素子１Ａと同様の接合層１５１をさらに有する。第２スイッチング素子１Ｂの接合層１５１は、第１表面層１９１ｂと固相接合されている。

　なお、第１表面層１９１ｂおよび接合層１５１は、互いに固相接合が可能な構成であれば、主成分とされる金属は、何ら限定されない。

　第２表面層１９２ｂは、基材層１９０ｂのｚ方向のｚ１側に配置されている。第２表面層１９２ｂは、第２導電部２Ｂと固相接合されている。本実施形態においては、第２表面層１９２ｂは、Ａｇ（銀）を主成分とする。第２表面層１９２ｂの厚さは何ら限定されず、本実施形態においては、第２表面層１９２ｂは、基材層１９０ｂよりも薄い。第２表面層１９２ｂの厚さは、たとえば０．１μｍ以上１５μｍ以下である。

　第２導電部２Ｂの接合層２１Ｂは、接合構造体Ｂ１２において、第２接合層に相当する。接合層２１Ｂは、本体層２０Ｂのｚ方向のｚ２側に配置されている。接合層２１Ｂは、第２表面層１９２ｂと固相接合されている。本実施形態においては、接合層２１Ｂは、Ａｇ（銀）を主成分とする。接合層２１Ｂの厚さは何ら限定されず、たとえば０．１μｍ以上１５μｍ以下である。

　なお、第２表面層１９２ｂおよび接合層２１Ｂは、互いに固相接合が可能な構成であれば、主成分とされる金属は、何ら限定されない。

　支持基板３：
　支持基板３は、支持導体２を支持する。支持基板３は、たとえばＤＢＣ（Direct Bonded Copper）基板で構成される。この構成とは異なり、支持基板３は、たとえばＤＢＡ（Direct Bonded Aluminum）基板で構成されてもよい。支持基板３は、絶縁層３１、第１金属層３２および第２金属層３３を含む。

　絶縁層３１は、たとえば熱伝導性に優れたセラミックにより構成される。このようなセラミックとしては、たとえばＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＳｉＮ（窒化ケイ素）、Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）またはＺＴＡ（ジルコニア強化アルミナ）などがある。絶縁層３１は、セラミックではなく、絶縁樹脂により構成されてもよい。絶縁層３１は、たとえば平面視矩形状である。

　第１金属層３２は、絶縁層３１の上面（ｚ２側を向く面）に形成されている。第１金属層３２の構成材料は、たとえばＣｕを含む。当該構成材料は、ＣｕではなくＡｌ（アルミニウム）を含んでいてもよい。第１金属層３２は、第１部分３２Ａおよび第２部分３２Ｂを含む。第１部分３２Ａおよび第２部分３２Ｂは、ｘ方向に離間する。第１部分３２Ａは、第２部分３２Ｂのｘ１側側に位置する。第１部分３２Ａは、第１導電部２Ａが接合され、第１導電部２Ａを支持する。第２部分３２Ｂは、第２導電部２Ｂが接合され、第２導電部２Ｂを支持する。第１部分３２Ａおよび第２部分３２Ｂはそれぞれ、たとえば平面視矩形状である。

　第２金属層３３は、絶縁層３１の下面（ｚ１側を向く面）に形成されている。第２金属層３３の構成材料は、第１金属層３２の構成材料と同じである。第２金属層３３の下面（ｚ１側を向く面）は、図１０～図２２に示すように、樹脂部材８から露出する。この構成と異なり、第２金属層３３の下面は、樹脂部材８に覆われていてもよい。第２金属層３３の下面が樹脂部材８から露出する構成においては、当該下面には、図示しない放熱部材（たとえばヒートシンク）などを取り付け可能である。第２金属層３３は、平面視において、第１部分３２Ａおよび第２部分３２Ｂの両方に重なる。

　接合構造体Ｂ１３，Ｂ１４：
　図１５に示すように、半導体装置Ａ１は、接合構造体Ｂ１３を有する。接合構造体Ｂ１３は、第１接合対象物としての第１導電部２Ａと、第２接合対象物としての支持基板３とが、中間接合材２９ａを介して接合された構造体である。

　中間接合材２９ａは、基材層２９０ａ、第１表面層２９１ａおよび第２表面層２９２ａを有する。

　基材層２９０ａは、Ｃｕ（銅）を主成分とする。基材層２９０ａの厚さは何ら限定されず、本実施形態においては、基材層２９０ａは、第１表面層２９１ａおよび第２表面層２９２ａよりも厚い。基材層２９０ａの厚さは、たとえば５０μｍ以上３００μｍ以下である。

　第１表面層２９１ａは、基材層２９０ａのｚ方向のｚ２側に配置されている。第１表面層２９１ａは、第１導電部２Ａと固相接合されている本実施形態においては、第１表面層２９１ａは、Ａｇ（銀）を主成分とする。第１表面層２９１ａの厚さは何ら限定されず、本実施形態においては、第１表面層２９１ａは、基材層２９０ａよりも薄い。第１表面層２９１ａの厚さは、たとえば０．１μｍ以上１５μｍ以下である。

　第１導電部２Ａの接合層２２Ａは、接合構造体Ｂ１３において、第１接合層に相当する。接合層２２Ａは、本体層２０Ａのｚ方向のｚ１側に配置されている。接合層２２Ａは、第１表面層２９１ａと固相接合されている。本実施形態においては、接合層２２Ａは、Ａｇ（銀）を主成分とする。接合層２２Ａの厚さは何ら限定されず、たとえば０．１μｍ以上１５μｍ以下である。

　なお、第１表面層２９１ａおよび接合層２２Ａは、互いに固相接合が可能な構成であれば、主成分とされる金属は、何ら限定されない。

　第２表面層２９２ａは、基材層２９０ａのｚ方向のｚ１側に配置されている。第２表面層２９２ａは、支持基板３と固相接合されている。本実施形態においては、第２表面層２９２ａは、Ａｇ（銀）を主成分とする。第２表面層２９２ａの厚さは何ら限定されず、本実施形態においては、第２表面層２９２ａは、基材層２９０ａよりも薄い。第２表面層２９２ａの厚さは、たとえば０．１μｍ以上１５μｍ以下である。

　本実施形態の支持基板３は、接合層３２１Ａをさらに有する。接合層３２１Ａは、接合構造体Ｂ１３において、第２接合層に相当する。接合層３２１Ａは、第１部分３２Ａのｚ方向のｚ２側に配置されている。接合層３２１Ａは、第２表面層２９２ａと固相接合されている。本実施形態においては、接合層３２１Ａは、Ａｇ（銀）を主成分とする。接合層３２１Ａの厚さは何ら限定されず、たとえば０．１μｍ以上１５μｍ以下である。

　なお、第２表面層２９２ａおよび接合層３２１Ａは、互いに固相接合が可能な構成であれば、主成分とされる金属は、何ら限定されない。

　図１８に示すように、半導体装置Ａ１は、接合構造体Ｂ１４を有する。接合構造体Ｂ１４は、第１接合対象物としての第２導電部２Ｂと、第２接合対象物としての支持基板３とが、中間接合材２９ｂを介して接合された構造体である。

　中間接合材２９ｂは、基材層２９０ｂ、第１表面層２９１ｂおよび第２表面層２９２ｂを有する。

　基材層２９０ｂは、Ｃｕ（銅）を主成分とする。基材層２９０ｂの厚さは何ら限定されず、本実施形態においては、基材層２９０ｂは、第１表面層２９１ｂおよび第２表面層２９２ｂよりも厚い。基材層２９０ｂの厚さは、たとえば５０μｍ以上３００μｍ以下である。

　第１表面層２９１ｂは、基材層２９０ｂのｚ方向のｚ２側に配置されている。第１表面層２９１ｂは、第２スイッチング素子１Ｂと固相接合されている。本実施形態においては、第１表面層２９１ｂは、Ａｇ（銀）を主成分とする。第１表面層２９１ｂの厚さは何ら限定されず、本実施形態においては、第１表面層２９１ｂは、基材層２９０ｂよりも薄い。第１表面層２９１ｂの厚さは、たとえば０．１μｍ以上１５μｍ以下である。

　第２導電部２Ｂの接合層２２Ｂは、接合構造体Ｂ１４において、第１接合層に相当する。接合層２２Ｂは、本体層２０Ｂのｚ方向のｚ１側に配置されている。接合層２２Ｂは、第１表面層２９１ｂと固相接合されている。本実施形態においては、接合層２２Ｂは、Ａｇ（銀）を主成分とする。接合層２２Ｂの厚さは何ら限定されず、たとえば０．１μｍ以上１５μｍ以下である。

　なお、第１表面層２９１ｂおよび接合層２２Ｂは、互いに固相接合が可能な構成であれば、主成分とされる金属は、何ら限定されない。

　第２表面層２９２ｂは、基材層２９０ｂのｚ方向のｚ１側に配置されている。第２表面層２９２ｂは、支持基板３と固相接合されている。本実施形態においては、第２表面層２９２ｂは、Ａｇ（銀）を主成分とする。第２表面層２９２ｂの厚さは何ら限定されず、本実施形態においては、第２表面層２９２ｂは、基材層２９０ｂよりも薄い。第２表面層２９２ｂの厚さは、たとえば０．１μｍ以上１５μｍ以下である。

　本実施形態の支持基板３は、接合層３２１Ｂをさらに有する。接合層３２１Ｂは、接合構造体Ｂ１４において、第２接合層に相当する。接合層３２１Ｂは、第２部分３２Ｂのｚ方向のｚ２側に配置されている。接合層３２１Ｂは、第２表面層２９２ｂと固相接合されている。本実施形態においては、接合層３２１Ｂは、Ａｇ（銀）を主成分とする。接合層３２１Ｂの厚さは何ら限定されず、たとえば０．１μｍ以上１５μｍ以下である。

　なお、第２表面層２９２ｂおよび接合層３２１Ｂは、互いに固相接合が可能な構成であれば、主成分とされる金属は、何ら限定されない。

　複数の電力端子４１～４３：
　複数の電力端子４１～４３はそれぞれ、板状の金属板からなる。この金属板の構成材料は、たとえばＣｕまたはＣｕ合金である。図１～図５、図８および図１０に示す例では、半導体装置Ａ１は、１つの電力端子４１、２つの電力端子４２および２つの電力端子４３を備える。

　電力端子４１と２つの電力端子４２との間には、上記第１電源電圧が印加される。電力端子４１は、たとえば直流電源の正極に接続される端子（Ｐ端子）であり、２つの電力端子４２はそれぞれ、たとえば直流電源の負極に接続される端子（Ｎ端子）である。この構成と異なり、電力端子４１がＮ端子であり、２つの電力端子４２がそれぞれＰ端子であってもよい。この場合には、端子の極性を変更したことに合わせて、パッケージ内部の配線を適宜変更すればよい。２つの電力端子４３にはそれぞれ、上記第２電源電圧が印加される。２つの電力端子４３はそれぞれ、複数の第１スイッチング素子１Ａおよび複数の第２スイッチング素子１Ｂの各スイッチング動作によって電圧変換された電圧（上記第２電源電圧）を出力する出力端子である。複数の電力端子４１～４３はそれぞれ、樹脂部材８に覆われた部分と樹脂部材８から露出する部分とを含む。

　電力端子４１は、図８、図１２および図１９に示すように、第１導電部２Ａと一体的に形成されている。この構成と異なり、電力端子４１は、第１導電部２Ａと分離され、第１導電部２Ａに導通接合されていてもよい。電力端子４１は、図８になどに示すように、複数の半導体素子１および第１導電部２Ａ（支持導体２）よりもｘ２側に位置する。絶縁層３１は、第１導電部２Ａに導通し、且つ、第１導電部２Ａを介して、複数の第１スイッチング素子１Ａの裏面電極１５（ドレイン電極）に導通する。電力端子４１は、「第１電力端子」の一例である。

　２つの電力端子４２はそれぞれ、図８および図１１などに示すように、第１導電部２Ａから離間する。２つの電力端子４２にはそれぞれ、第２導通部材７２が接合されている。２つの電力端子４２はそれぞれ、図８に示すように、複数の半導体素子１および第１導電部２Ａ（支持導体２）よりもｘ２側に位置する。２つの電力端子４２はそれぞれ、第２導通部材７２に導通し、第２導通部材７２を介して、複数の第２スイッチング素子１Ｂの第２主面電極１２（ソース電極）に導通する。各電力端子４２は、「第２電力端子」の一例である。

　電力端子４１および２つの電力端子４２はそれぞれ、樹脂部材８から、ｘ２側に突き出ている。電力端子４１および２つの電力端子４２は、互いに離間する。２つの電力端子４２は、ｙ方向において、電力端子４１を挟んで互いに反対側に位置する。図６、図７および図９から理解されるように、電力端子４１および２つの電力端子４２は、ｙ方向に見て互いに重なる。

　２つの電力端子４３はそれぞれ、図８および図１１に示すように、たとえば第２導電部２Ｂと一体的に形成されている。この構成と異なり、２つの電力端子４３はそれぞれ、第２導電部２Ｂと分離され、第２導電部２Ｂに導通接合された構成でもよい。２つの電力端子４３はそれぞれ、図８に示すように、複数の半導体素子１および第２導電部２Ｂ（支持導体２）よりも、ｘ１側に位置する。各電力端子４３は、第１導電部２Ａに導通し、且つ、第１導電部２Ａを介して、各第２スイッチング素子１Ｂの裏面電極１５（ドレイン）に導通する。なお、電力端子４３の数は、２つに限定されず、たとえば１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。たとえば、電力端子４３が１つである場合、第２導電部２Ｂのｙ方向における中央部分に繋がっていることが望ましい。各電力端子４３は、「第３電力端子」の一例である。

　複数の制御端子４４：
　複数の制御端子４４はそれぞれ、複数の半導体素子１（複数の第１スイッチング素子１Ａおよび複数の第２スイッチング素子１Ｂ）の駆動を制御するためのピン状の端子である。複数の制御端子４４はそれぞれ、たとえばプレスフィット端子である。複数の制御端子４４の各ｚ方向の寸法は、たとえば１０ｍｍ以上３０ｍｍ以下（一例では１５．８ｍｍ）である。制御端子４４のｚ方向の寸法は、後述のホルダ４４１の下端（ｚ１側側の端部）から後述の金属ピン４４２の上端（ｚ２側側の端部）までの長さである。複数の制御端子４４は、図１および図４に示すように、複数の第１制御端子４５および複数の第２制御端子４６を含む。複数の第１制御端子４５は、複数の第１スイッチング素子１Ａの制御に用いられる。複数の第２制御端子４６は、複数の第２スイッチング素子１Ｂの制御に用いられる。

　複数の第１制御端子４５：
　複数の第１制御端子４５は、図４に示すように、ｙ方向に間隔を隔てて配置されている。複数の第１制御端子４５は、信号基板５（第１信号基板５Ａ）に固定される。複数の第１制御端子４５は、図５～図７および図１２に示すように、ｘ方向において、複数の第１スイッチング素子１Ａと複数の電力端子４１，４２との間に位置する。複数の第１制御端子４５は、図１および図４に示すように、第１駆動端子４５Ａおよび複数の第１検出端子４５Ｂ～４５Ｅを含む。

　第１駆動端子４５Ａは、複数の第１スイッチング素子１Ａの駆動信号入力用の端子（ゲート端子）である。第１駆動端子４５Ａには、複数の第１スイッチング素子１Ａを駆動させるための第１駆動信号が入力される（たとえばゲート電圧が印加される）。

　第１検出端子４５Ｂは、複数の第１スイッチング素子１Ａのソース信号検出用の端子（ソースセンス端子）である。第１検出端子４５Ｂは、複数の第１スイッチング素子１Ａの導通状態を検出するための第１検出信号が出力される。たとえば、第１検出端子４５Ｂから、第１検出信号として、第１スイッチング素子１Ａの第２主面電極１２（ソース電極）に印加される電圧（ソース電流に対応した電圧）が検出される。

　第１検出端子４５Ｃおよび第１検出端子４５Ｄは、２つのサーミスタ１７の一方にそれぞれ導通する端子である。当該一方のサーミスタ１７は、後述の第１信号基板５Ａに搭載されたものである。

　第１検出端子４５Ｅは、複数の第１スイッチング素子１Ａのドレイン信号検出用の端子（ドレインセンス端子）である。第１検出端子４５Ｅから、複数の第１スイッチング素子１Ａの各裏面電極１５（ドレイン電極）に印加される電圧（ドレイン電流に対応した電圧）が検出される。

　複数の第２制御端子４６：
　複数の第２制御端子４６は、図４に示すように、ｙ方向に間隔を隔てて配置されている。複数の第２制御端子４６は、信号基板５（第２信号基板５Ｂ）に固定される。複数の第２制御端子４６は、図５～図７および図１２に示すように、ｘ方向において、複数の第２スイッチング素子１Ｂと複数の電力端子４３との間に位置する。複数の第２制御端子４６は、図１および図４に示すように、第２駆動端子４６Ａおよび複数の第２検出端子４６Ｂ～４６Ｅを含む。

　第２駆動端子４６Ａは、複数の第２スイッチング素子１Ｂの駆動信号入力用の端子（ゲート端子）である。第２駆動端子４６Ａには、複数の第２スイッチング素子１Ｂを駆動させるための第２駆動信号が入力される（たとえばゲート電圧が印加される）。

　第２検出端子４６Ｂは、複数の第２スイッチング素子１Ｂのソース信号検出用の端子（ソースセンス端子）である。複数の第２検出端子４６Ｂは、複数の第２スイッチング素子１Ｂの導通状態を検出するための第２検出信号が出力される。たとえば、第２検出端子４６Ｂから、第２検出信号として、第２スイッチング素子１Ｂの第２主面電極１２（ソース電極）に印加される電圧（ソース電流に対応した電圧）が検出される。

　第２検出端子４６Ｃおよび第２検出端子４６Ｄは、２つのサーミスタ１７の他方にそれぞれ導通する端子である。当該他方のサーミスタ１７は、後述の第２信号基板５Ｂに搭載されたものである。

　第２検出端子４６Ｅは、複数の第２スイッチング素子１Ｂのドレイン信号検出用の端子（ドレインセンス端子）である。第２検出端子４６Ｅから、複数の第２スイッチング素子１Ｂの各裏面電極１５（ドレイン電極）に印加される電圧（ドレイン電流に対応した電圧）が検出する。

　複数の制御端子４４：
　複数の制御端子４４（複数の第１制御端子４５および複数の第２制御端子４６）はそれぞれ、ホルダ４４１および金属ピン４４２を含む。

　ホルダ４４１は、導電性材料からなる。ホルダ４４１は、図１３および図１６に示すように、導電性接合材４４９を介して、信号基板５（後述の第１金属層５２）に接合される。ホルダ４４１は、筒状部、上端鍔部および下端鍔部を含む。上端鍔部は、筒状のｚ方向上方（ｚ２側）の端部に繋がり、下端鍔部は、筒状部のｚ方向下方（ｚ１側）の端部に繋がる。ホルダ４４１のうちの少なくとも上端鍔部および筒状部に、金属ピン４４２が挿通されている。ホルダ４４１は、樹脂部材８に覆われている。

　金属ピン４４２は、ｚ方向に延びる棒状部材である。金属ピン４４２は、ホルダ４４１に圧入されることで支持されている。金属ピン４４２は、少なくともホルダ４４１を介して、信号基板５（後述の第１金属層５２）に導通する。図１３および図１６に示すように、金属ピン４４２の下端（ｚ１側側の端部）がホルダ４４１の挿通孔内で導電性接合材４４９に接している場合には、金属ピン４４２は、導電性接合材４４９を介しても、信号基板５に導通する。

　信号基板５：
　信号基板５は、複数の制御端子４４を支持する。信号基板５は、ｚ方向において、支持導体２と各制御端子４４との間に介在する。信号基板５の厚さ（厚さ方向ｚの寸法）は、たとえば０．５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下である。各制御端子４４の厚さ方向ｚの寸法は、当該信号基板５の厚さ（厚さ方向ｚの寸法）に対して２０倍以上３０倍以下である。信号基板５は、第１信号基板５Ａおよび第２信号基板５Ｂを含む。

　第１信号基板５Ａは、図５、図１２および図１３に示すように、第１導電部２Ａ上に配置され、複数の第１制御端子４５を支持する。第１信号基板５Ａは、図１２、図１３および図１９に示すように、接着層６（第１接着体６Ａ）を介して、第１導電部２Ａに接着される。

　第２信号基板５Ｂは、図５、図１２および図１６に示すように、第２導電部２Ｂ上に配置され、複数の第２制御端子４６を支持する。第２信号基板５Ｂは、図１２、図１６および図１９に示すように、接着層６（第２接着体６Ｂ）を介して、第２導電部２Ｂに接着される。

　信号基板５（第１信号基板５Ａおよび第２信号基板５Ｂのそれぞれ）は、たとえばＤＢＣ基板で構成される。信号基板５は、互いに積層された絶縁基板５１、第１金属層５２および第２金属層５３を有する。以下で説明する絶縁基板５１、第１金属層５２および第２金属層５３は、特段の断りがない限り、第１信号基板５Ａおよび第２信号基板５Ｂで共通する。

　絶縁基板５１は、たとえばセラミックにより構成される。このようなセラミックスとしては、たとえばＡｌＮ、ＳｉＮまたはＡｌ２Ｏ３などが採用される。絶縁基板５１は、たとえば平面視矩形状である。絶縁基板５１は、図１３および図１６に示すように、主面５１ａおよび裏面５１ｂを有する。主面５１ａおよび裏面５１ｂは、ｚ方向に離間する。主面５１ａは、ｚ２側を向き、裏面５１ｂは、ｚ１側を向く。裏面５１ｂは、支持導体２に対向する。

　第２金属層５３は、図１３および図１６に示すように、絶縁基板５１の裏面５１ｂに形成される。第２金属層５３は、接着層６を介して、支持導体２に接着される。第１信号基板５Ａの第２金属層５３は、後述の第１接着体６Ａを介して、第１導電部２Ａに接着され、第２信号基板５Ｂの第２金属層５３は、第２接着体６Ｂを介して、第２導電部２Ｂに接着される。第２金属層５３は、たとえばＣｕまたはＣｕ合金により構成される。第２金属層５３が、「金属層」の一例である。

　第１金属層５２は、図１３および図１６に示すように、絶縁基板５１の主面５１ａに形成される。複数の制御端子４４はそれぞれ、第１金属層５２に立設されている。第１信号基板５Ａの第１金属層５２には、複数の第１制御端子４５が立設され、第２信号基板５Ｂの第１金属層５２には、複数の第２制御端子４６が立設される。第１金属層５２は、たとえばＣｕまたはＣｕ合金により構成される。図８に示すように、第１金属層５２は、複数の配線層５２１～５２６を含む。複数の配線層５２１～５２６は、互いに離間し、絶縁されている。

　配線層５２１は、図８に示すように、複数のワイヤ７３が接合され、各ワイヤ７３を介して、各半導体素子１の第１主面電極１１（ゲート電極）に導通する。第１信号基板５Ａの配線層５２１は、各ワイヤ７３を介して、各第１スイッチング素子１Ａの第１主面電極１１に導通する。第２信号基板５Ｂの配線層５２１は、各ワイヤ７３を介して、各第２スイッチング素子１Ｂの第１主面電極１１に導通する。

　配線層５２６は、図８に示すように、複数のワイヤ７５が接合され、各ワイヤ７５を介して、配線層５２１に導通する。第１信号基板５Ａの配線層５２６は、各ワイヤ７５、第１信号基板５Ａの配線層５２１および各ワイヤ７３を介して、各第１スイッチング素子１Ａの第１主面電極１１（ゲート電極）に導通する。第２信号基板５Ｂの配線層５２６は、各ワイヤ７５、第２信号基板５Ｂの配線層５２１および各ワイヤ７３を介して、各第２スイッチング素子１Ｂの第１主面電極１１（ゲート電極）に導通する。第１信号基板５Ａの配線層５２６には、第１駆動端子４５Ａが接合されており、第２信号基板５Ｂの配線層５２６には、第２駆動端子４６Ａが接合されている。

　配線層５２２は、図８に示すように、複数のワイヤ７４が接合され、各ワイヤ７４を介して、各半導体素子１の第３主面電極１３（ソースセンス電極）に導通する。第１信号基板５Ａの配線層５２２は、各ワイヤ７４を介して、各第１スイッチング素子１Ａの第３主面電極１３（ソースセンス電極）に導通する。第２信号基板５Ｂの配線層５２２は、各ワイヤ７４を介して、各第２スイッチング素子１Ｂの第３主面電極１３（ソースセンス電極）に導通する。第１信号基板５Ａの配線層５２２には、第１検出端子４５Ｂが接合されており、第２信号基板５Ｂの配線層５２２には、第２検出端子４６Ｂが接合されている。

　配線層５２３および配線層５２４は、図８に示すように、サーミスタ１７が接合されている。図８に示すように、第１信号基板５Ａの配線層５２３および配線層５２４には、第１検出端子４５Ｃおよび第１検出端子４５Ｄがそれぞれ接合されている。第２信号基板５Ｂの配線層５２３および配線層５２４には、第２検出端子４６Ｃおよび第２検出端子４６Ｄがそれぞれ接合されている。

　配線層５２５は、各ワイヤ７６が接合され、各ワイヤ７６を介して、支持導体２に導通する。図８に示すように、第１信号基板５Ａの配線層５２５は、ワイヤ７６を介して、第１導電部２Ａに導通する。第２信号基板５Ｂの配線層５２５は、ワイヤ７６を介して、第２導電部２Ｂに導通する。第１信号基板５Ａの配線層５２５には、第１検出端子４５Ｅが接合されている。第２信号基板５Ｂの配線層５２５には、第２検出端子４６Ｅが接合されている。

　なお、信号基板５は、ＤＢＣ基板ではなく、ガラスエポキシ基板などのプリント基板であってもよい。当該プリント基板には、上記配線層５２１～５２６が少なくとも形成されている。

　接着層６：
　接着層６は、信号基板５と支持導体２とを接着する。接着層６は、ｚ方向において信号基板５と支持導体２との間に介在する。接着層６は、平面視において、信号基板５に重なる。接着層６の厚さ（ｚ方向の寸法）は、たとえば２０μｍ以上２００μｍ以下（一例では８５μｍ）である。

　接着層６は、図１２～図１６に示すように、第１接着体６Ａおよび第２接着体６Ｂを含む。第１接着体６Ａは、第１信号基板５Ａと第１導電部２Ａとを接着する。第１接着体６Ａは、第１信号基板５Ａと第１導電部２Ａとの間に介在し、平面視において第１信号基板５Ａに重なる。第２接着体６Ｂは、第２信号基板５Ｂと第２導電部２Ｂとを接着する。第２信号基板５Ｂと第２導電部２Ｂとの間に介在し、平面視において第２信号基板５Ｂに重なる。

　接着層６（第１接着体６Ａおよび第２接着体６Ｂのそれぞれ）は、図１３および図１６に示すように、絶縁層６１および一対の粘着層６２，６３を含む。以下に説明する絶縁層６１および一対の粘着層６２，６３は、特段の断りがない限り、第１接着体６Ａおよび第２接着体６Ｂのそれぞれで共通する。

　絶縁層６１は、樹脂材料により構成される。当該樹脂材料は、耐熱性および絶縁性を考慮すると、たとえばポリイミドが好ましい。第１接着体６Ａの絶縁層６１は、第１信号基板５Ａと第１導電部２Ａとを電気的に絶縁し、第２接着体６Ｂの絶縁層６１は、第２信号基板５Ｂと第２導電部２Ｂとを電気的に絶縁する。絶縁層６１は、たとえばフィルム状である。絶縁層６１は、フィルム状ではなく、シート状あるいは板状であってもよい。本開示において、シートとは、フィルムと同様に柔らかいが、フィルムよりも厚いものである。板状とは、フィルムおよびシートよりも硬く、曲げにくいものであり、シートよりも厚いものである。なお、フィルム、シート、板状の定義は、これに限定されず、慣用的な分類に沿って適宜変更される。絶縁層６１の厚さ（厚さ方向ｚの寸法）は、各制御端子４４の厚さ方向ｚの寸法に対して０．１％以上１．０％以下である。また、絶縁層６１の厚さ（厚さ方向ｚの寸法）は、接着層６の厚さ（厚さ方向ｚの寸法）に対して２０％以上７５％以下である。絶縁層６１の厚さ（ｚ方向の寸法）は、たとえば１０μｍ以上１５０μｍ以下（一例では２５μｍ）である。

　絶縁層６１は、図１３および図１６に示すように、主面６１ａおよび裏面６１ｂを含む。主面６１ａおよび裏面６１ｂは、ｚ方向に離間する。主面６１ａは、ｚ２側（ｚ方向上方）を向き、裏面６１ｂは、ｚ１側（ｚ方向下方）を向く。

　一対の粘着層６２，６３は、絶縁層６１のｚ方向の両面に形成される。一対の粘着層６２，６３はそれぞれ、たとえばシリコーン系粘着剤、または、アクリル系粘着剤などのいずれかにより構成される。一対の粘着層６２，６３の各々の厚さ（厚さ方向ｚの寸法）は、絶縁層６１の厚さ（厚さ方向ｚの寸法）に対して１０％以上１５０％以下である。一対の粘着層６２，６３の各厚さ（ｚ方向の寸法）は、たとえば５μｍ以上５０μｍ以下（一例では３０μｍ）である。

　粘着層６２は、図１３および図１６に示すように、主面６１ａに形成される。粘着層６２は、ｚ方向において、絶縁層６１と信号基板５との間に介在する。第１接着体６Ａの粘着層６２は、ｚ方向において、第１接着体６Ａの絶縁層６１と第１信号基板５Ａとの間に介在し、第２接着体６Ｂの粘着層６２は、ｚ方向において、第２接着体６Ｂの絶縁層６１と第２信号基板５Ｂとの間に介在する。

　粘着層６３は、図１３および図１６に示すように、裏面６１ｂに形成される。粘着層６３は、ｚ方向において、絶縁層６１と支持導体２との間に介在する。第１接着体６Ａの粘着層６３は、ｚ方向において、第１接着体６Ａの絶縁層６１と第１導電部２Ａとの間に介在し、第２接着体６Ｂの粘着層６３は、第２接着体６Ｂの絶縁層６１と第２導電部２Ｂとの間に介在する。

　上記した構成から理解されるように、本開示の接着層６は、たとえば両面粘着テープのようなものである。半導体装置Ａ１の製造工程において、接着層６は、たとえば複数の制御端子４４が接合された信号基板５に貼り付けられた後、支持導体２に貼り付けられる。なお、接着層６は、両面粘着テープでなくてもよく、２つの部材を接着する際に、はんだのように一時的に溶融状態となるものを除く。換言すると、接着層６は、２つの部材を接着する際に、溶融状態になることなく、接着可能なものであればよい。

　第１導通部材７１および第２導通部材７２：
　第１導通部材７１および第２導通部材７２は、支持導体２ととともに、複数の半導体素子１（複数の第１スイッチング素子１Ａおよび複数の第２スイッチング素子１Ｂ）によってスイッチングされる主回路電流の経路を構成する。第１導通部材７１および第２導通部材７２は、第１導電部２Ａおよび第２導電部２Ｂの各主面２０１からｚ２側に離間し、且つ、平面視において各主面２０１に重なる。第１導通部材７１および第２導通部材７２はそれぞれ、たとえば金属製の板材により構成される。当該金属は、たとえばＣｕまたはＣｕ合金である。第１導通部材７１および第２導通部材７２には、適宜折り曲げ加工が施されている。

　第１導通部材７１は、複数の第１スイッチング素子１Ａと第２導電部２Ｂとを導通させる。第１導通部材７１は、図５および図８に示すように、各第１スイッチング素子１Ａの第２主面電極１２（ソース電極）と第２導電部２Ｂとに接続され、各第１スイッチング素子１Ａの第２主面電極１２と第２導電部２Ｂとを導通させる。第１導通部材７１は、複数の第１スイッチング素子１Ａによってスイッチングされる主回路電流の経路を構成する。第１導通部材７１は、図５、図８および図１２に示すように、主部７１１、複数の第１接続端部７１２および複数の第２接続端部７１３を含む。

　主部７１１は、ｘ方向において、複数の第１スイッチング素子１Ａと第２導電部２Ｂとの間に位置する。主部７１１は、ｙ方向に延びる帯状の部位である。図１２に示すように、主部７１１は、複数の第１接続端部７１２および複数の第２接続端部７１３よりも、ｚ２側に位置する。本実施形態では、図５、図８および図１２に示すように、主部７１１には、複数の開口７１１ａが形成されている。複数の開口７１１ａはそれぞれ、第１導通部材７１（主部７１１）をｚ方向に貫通する貫通孔である。複数の開口７１１ａは、ｙ方向に間隔を隔てて並ぶ。複数の開口７１１ａは、平面視において、第２導通部材７２に重ならない。複数の開口７１１ａは、樹脂部材８を形成するために流動性の樹脂材料を注入する際に、主部７１１（第１導通部材７１）の付近において上側（ｚ２側側）と下側（ｚ１側側）との間で樹脂材料を流動しやすくするために形成される。主部７１１の形状は、本構成に限定されず、たとえば開口７１１ａが形成されていなくてもよい。

　複数の第１接続端部７１２および複数の第２接続端部７１３はそれぞれ、主部７１１に繋がっており、複数の第１スイッチング素子１Ａに対向して配置される。図１２に示すように、複数の第１接続端部７１２はそれぞれ、導電性接合材７１９を介して、複数の第１スイッチング素子１Ａの各第２主面電極１２に接合される。複数の第２接続端部７１３はそれぞれ、導電性接合材７１９を介して、第２導電部２Ｂに接合される。導電性接合材７１９は、たとえば、はんだ、金属ペースト材あるいは焼結金属などである。図８、図１２、図１３および図２１に示す例では、各第１接続端部７１２には、開口７１２ａが形成される。各開口７１２ａは、平面視において、各第１スイッチング素子１Ａの中央部に重なって形成されることが好ましい。各開口７１２ａは、図１２、図１３および図２１に示すように、たとえば各第１接続端部７１２をｚ方向に貫通する貫通孔である。開口７１２ａは、たとえば支持導体２に対して第１導通部材７１を位置決めする際に使用される。

　図示された例では、複数の第１接続端部７１２および複数の第２接続端部７１３はそれぞれ、主部７１１によって互いに繋がっているが、この構成とは異なり、主部７１１が複数の部位に分割され、当該分割された部位が複数の第１接続端部７１２の各々と複数の第２接続端部７１３の各々とを繋ぐ構成であってもよい。つまり、複数の第１スイッチング素子１Ａの各々に対して、それぞれ１つの第１導通部材７１を備える構成であってもよい。

　第２導通部材７２は、図５に示すように、各第２スイッチング素子１Ｂの第２主面電極１２（ソース電極）と、複数の電力端子４２とに接続され、各第２スイッチング素子１Ｂの第２主面電極１２と各電力端子４２とを導通させる。第２導通部材７２は、複数の第２スイッチング素子１Ｂによってスイッチングされる主回路電流の経路を構成する。第２導通部材７２は、ｘ方向の最大寸法がたとえば２５ｍｍ以上４０ｍｍ以下であり、ｙ方向の最大寸法がたとえば３０ｍｍ以上４５ｍｍ以下である。図５などに示すように、第２導通部材７２は、一対の第１配線部７２１、第２配線部７２２、第３配線部７２３および第４配線部７２４を含む。

　一対の第１配線部７２１の一方は、一対の電力端子４２の一方に接続され、一対の第１配線部７２１の他方は、一対の電力端子４２の他方に接続される。図５に示すように、一対の第１配線部７２１はそれぞれ、平面視において、ｘ方向に延びる帯状である。一対の第１配線部７２１は、ｙ方向に離間し、且つ、平行（あるいは略平行）に配置されている。図５および図１１に示すように、一対の第１配線部７２１はそれぞれ、第１端部７２１ａを含む。各第１端部７２１ａは、各第１配線部７２１のうちのｘ２側側の端部である。図１１に示すように、各第１端部７２１ａは、各第１配線部７２１の他の部分よりも、ｚ１側に位置する。図１１に示すように、各第１端部７２１ａは、一対の電力端子４２のそれぞれに、導電性接合材７２９を介して接合される。導電性接合材７２９は、たとえばはんだ、金属ペーストあるいは焼結金属などである。図５に示す例では、各第１配線部７２１には、複数の切り欠きが形成されている。各第１配線部７２１に形成された複数の切り欠きは、平面視においてたとえば半円状であり、平面視において支持導体２に重なる。

　第２配線部７２２は、図５に示すように、一対の第１配線部７２１の両方に繋がる。第２配線部７２２は、ｙ方向において、一対の第１配線部７２１に挟まれている。第２配線部７２２は、平面視において、ｙ方向に延びる帯状である。第２配線部７２２は、図５に示すように、複数の第２スイッチング素子１Ｂに重なる。第２配線部７２２は、各第２スイッチング素子１Ｂに接続される。第２配線部７２２は、複数の凹状領域７２２ａを有する。複数の凹状領域７２２ａはそれぞれ、図２０に示すように、第２配線部７２２の他の部位よりもｚ方向下方（ｚ１側）に突き出ている。第２配線部７２２の各凹状領域７２２ａと、複数の第２スイッチング素子１Ｂの各第２主面電極１２（ソース電極）とは、図２０に示すように、導電性接合材７２９を介して接合される。図５および図２０に示す例では、各凹状領域７２２ａには、スリットが形成されている。スリットは、各凹状領域７２２ａのｙ方向における中央に位置し、ｘ方向に延びる。各凹状領域７２２ａは、スリットを挟んでｙ方向に離れた２つの部位からなる。なお、各凹状領域７２２ａにスリットが形成されていなくてもよい。

　第３配線部７２３は、図５に示すように、一対の第１配線部７２１の両方に繋がる。第１配線部７２１は、ｙ方向において、一対の第１配線部７２１に挟まれている。第３配線部７２３は、平面視において、ｙ方向に延びる帯状である。第３配線部７２３は、ｘ方向において、第２配線部７２２と離間する。第３配線部７２３は、第２配線部７２２と平行（あるいは略平行）に配置される。第３配線部７２３は、図５に示すように、平面視において、複数の第１スイッチング素子１Ａに重なる。第３配線部７２３は、ｚ方向において、第１導通部材７１の各第１接続端部７１２よりも上方（ｚ２側）に位置する。第３配線部７２３は、平面視において、第１接続端部７１２に重なる。

　複数の第４配線部７２４はそれぞれ、図５に示すように、第２配線部７２２および第３配線部７２３の両方に繋がる。各第４配線部７２４は、ｘ方向において、第２配線部７２２と第３配線部７２３とに挟まれている。各第４配線部７２４は、平面視において、ｘ方向に延びる帯状である。複数の第４配線部７２４は、ｙ方向に離間しており、平面視において、平行（あるいは略平行）に配置される。また、複数の第４配線部７２４は、一対の第１配線部７２１と平行（あるいは略平行）に配置される。複数の第４配線部７２４はそれぞれ、ｘ方向における一端が、第３配線部７２３のうちの平面視においてｙ方向に隣接する２つの第１スイッチング素子１Ａの間に重なる部分に繋がる。また、複数の第４配線部７２４はそれぞれ、ｘ方向における他端が、第２配線部７２２のうちの平面視においてｙ方向に隣接する２つの第２スイッチング素子１Ｂの間に重なる部分に繋がる。複数の第４配線部７２４はそれぞれ、たとえば第１導通部材７１（主部７１１）に重なる。

　複数のワイヤ７３～７６：
　複数のワイヤ７３～７６はそれぞれ、たとえばボンディングワイヤであり、互いに離間する２つの部位を導通させる。各ワイヤ７３～７６の構成材料は、たとえばＡｕ（金）、ＡｌあるいはＣｕのいずれかを含む。

　複数のワイヤ７３は、配線層５２１と各半導体素子１の第１主面電極１１（ゲート電極）とに接合され、これらを導通させる。図８に示すように、複数のワイヤ７３は、第１信号基板５Ａの配線層５２１と各第１スイッチング素子１Ａの第１主面電極１１に接合されたものと、第２信号基板５Ｂの配線層５２１と各第２スイッチング素子１Ｂの第１主面電極１１に接合されたものとを含む。

　複数のワイヤ７４は、配線層５２２と各半導体素子１の第３主面電極１３（ソースセンス電極）とに接合され、これらを導通させる。図８に示すように、複数のワイヤ７４は、第１信号基板５Ａの配線層５２２と各第１スイッチング素子１Ａの第３主面電極１３に接合されたものと、第２信号基板５Ｂの配線層５２２と各第２スイッチング素子１Ｂの第３主面電極１３に接合されたものとを含む。複数のワイヤ７４は、各半導体素子１に第３主面電極１３がない構成では、各第３主面電極１３の代わりに、各第２主面電極１２に接合される。

　複数のワイヤ７５は、配線層５２１と配線層５２６とに接合され、これらを導通させる。図８に示すように、複数のワイヤ７５は、第１信号基板５Ａの配線層５２１と第１信号基板５Ａの配線層５２６とに接合されたものと、第２信号基板５Ｂの配線層５２１と第２信号基板５Ｂの配線層５２６とに接合されたものとを含む。

　複数のワイヤ７６は、配線層５２５と支持導体２とに接合され、これらを導通させる。図８に示すように、複数のワイヤ７６は、第１信号基板５Ａの配線層５２５と第１導電部２Ａとに接合されたものと、第２信号基板５Ｂの配線層５２５と第２導電部２Ｂとに接合されたものとを含む。

　樹脂部材８：
　樹脂部材８は、複数の半導体素子１（複数の第１スイッチング素子１Ａおよび複数の第２スイッチング素子１Ｂ）を保護する封止材である。樹脂部材８は、複数の半導体素子１（複数の第１スイッチング素子１Ａおよび複数の第２スイッチング素子１Ｂ）と、支持導体２（第１導電部２Ａおよび第２導電部２Ｂ）と、支持基板３（第２金属層３３の下面を除く）と、複数の電力端子４１～４３の一部ずつと、複数の制御端子４４の一部ずつと、信号基板５（第１信号基板５Ａおよび第２信号基板５Ｂ）と、接着層６（第１接着体６Ａおよび第２接着体６Ｂ）と、第１導通部材７１と、第２導通部材７２と、複数のワイヤ７３～７６とを覆っている。樹脂部材８は、たとえば黒色のエポキシ樹脂により構成される。樹脂部材８は、たとえばモールド成形により形成される。樹脂部材８は、たとえばｘ方向の寸法が３５ｍｍ以上６０ｍｍ以下程度であり、たとえばｙ方向の寸法が３５ｍｍ以上５０ｍｍ以下程度であり、たとえばｚ方向の寸法が４ｍｍ以上１５ｍｍ以下程度である。これらの寸法は、各方向に沿う最大部分の大きさである。樹脂部材８は、樹脂主面８１、樹脂裏面８２および複数の樹脂側面８３１～８３４を有する。

　樹脂主面８１および樹脂裏面８２は、図６、図７、図９、図１１、図１２および図１９～図２２に示すように、ｚ方向に離間する。樹脂主面８１は、ｚ２側を向き、樹脂裏面８２は、ｚ１側を向く。樹脂主面８１から複数の制御端子４４（複数の第１制御端子４５および複数の第２制御端子４６）が突き出ている。樹脂裏面８２は、図１０に示すように、平面視において、支持基板３の第２金属層３３の下面を囲む枠状である。当該第２金属層３３の下面は、樹脂裏面８２から露出し、たとえば樹脂裏面８２と面一である。複数の樹脂側面８３１～８３４はそれぞれ、樹脂主面８１および樹脂裏面８２の双方に繋がり、且つ、ｚ方向においてこれらに挟まれている。図４などに示すように、樹脂側面８３１と樹脂側面８３２とは、ｘ方向に離間する。樹脂側面８３１は、ｘ１側を向き、樹脂側面８３２は、ｘ２側を向く。樹脂側面８３１から２つの電力端子４３が突き出ており、樹脂側面８３２から複数の電力端子４１，４２が突き出ている。図４などに示すように、樹脂側面８３３と樹脂側面８３４とは、ｙ方向に離間する。樹脂側面８３３は、ｙ１側を向き、樹脂側面８３４は、ｙ２側を向く。

　樹脂側面８３２には、図４に示すように複数の凹部８３２ａが形成されている。各凹部８３２ａは、平面視において、ｘ方向に窪んだ部位である。複数の凹部８３２ａは、平面視において、電力端子４１と２つの電力端子４２の一方との間に形成されたものと、電力端子４１と２つの電力端子４２の他方との間に形成されたものとがある。複数の凹部８３２ａは、電力端子４１と２つの電力端子４２の一方との樹脂側面８３２に沿う沿面距離、および、電力端子４１と２つの電力端子４２の他方との樹脂側面８３２に沿う沿面距離を大きくするために設けられている。

　樹脂部材８は、図１１および図１２などに示すように、複数の第１突出部８５１、複数の第２突出部８５２および樹脂空隙部８６を有する。

　複数の第１突出部８５１はそれぞれ、樹脂主面８１からｚ方向に突出する。複数の第１突出部８５１は、平面視において、樹脂部材８の四隅付近に配置されている。各第１突出部８５１の先端（ｚ２側の端部）には、第１突出端面８５１ａが形成されている。複数の第１突出部８５１の各第１突出端面８５１ａは、樹脂主面８１と平行（あるいは略平行）である。複数の第１突出端面８５１ａは、同一平面（ｘ－ｙ平面）上に配置される。各第１突出部８５１は、たとえば有底中空の円錐台状である。複数の第１突出部８５１は、制御用の回路基板などに半導体装置Ａ１が搭載される際に、スペーサーとして利用される。当該制御用の回路基板は、半導体装置Ａ１によって生成された電源を利用する機器が有するものである。図１１に示すように、複数の第１突出部８５１はそれぞれ、凹部８５１ｂと、当該凹部８５１ｂに形成された内壁面８５１ｃとを有する。各第１突出部８５１の形状は柱状であればよく、円柱状であることが好ましい。凹部８５１ｂの形状は円柱状であって、平面視において内壁面８５１ｃは単一の真円状であることが好ましい。

　半導体装置Ａ１は、ねじ止めなどの方法によって、上記制御用の回路基板などに固定される場合がある。この場合には、各第１突出部８５１の凹部８５１ｂの内壁面８５１ｃに、雌ねじのねじ山を形成することが可能である。各第１突出部８５１の凹部８５１ｂにインサートナットなどを埋め込んでもよい。

　複数の第２突出部８５２は、図１２などに示すように、樹脂主面８１からｚ方向に突出する。複数の第２突出部８５２は、平面視において複数の制御端子４４に重なる。複数の制御端子４４の各金属ピン４４２は、各第２突出部８５２から突き出ている。各第２突出部８５２は、円錐台状である。各第２突出部８５２は、各制御端子４４においてホルダ４４１と金属ピン４４２の一部とを覆う。

　樹脂空隙部８６は、図１１に示すように、ｚ方向において、樹脂主面８１から第１導電部２Ａおよび第２導電部２Ｂの各主面２０１に通じる。樹脂空隙部８６は、テーパー状に形成されており、樹脂主面８１から各主面２０１にｚ方向に向かうにつれて、ｚ方向に直交する平面による断面積が小さくなる。樹脂空隙部８６は、樹脂部材８のモールド成形時に形成され、当該モールド成形時に樹脂部材８が形成されない部分である。

　樹脂空隙部８６は、たとえば樹脂部材８のモールド成形の際に押さえ部材が占めていたことによって流動性の樹脂材料が充填されなかったことで形成される。当該押さえ部材は、モールド成形の際に、各主面２０１への押圧力を与えるものであり、第２導通部材７２の各第１配線部７２１に形成された上記切り欠きに挿通される。これにより、第２導通部材７２に干渉することなく上記押さえ部材により支持導体２（第１導電部２Ａおよび第２導電部２Ｂ）を押さえることができ、支持導体２が接合される支持基板３の反りを抑制することができる。

　本実施形態において、半導体装置Ａ１は、図１１に示すように、樹脂充填部８８を備える。樹脂充填部８８は、樹脂空隙部８６を埋めるように、樹脂空隙部８６に充填されている。樹脂充填部８８は、たとえば樹脂部材８と同様にエポキシ樹脂からなるが、樹脂部材８と異なる樹脂材料であってもよい。

　次に、接合構造体Ｂ１１～Ｂ１４および半導体装置Ａ１の作用について説明する。

　接合構造体Ｂ１１～Ｂ１４は、中間接合材１９ａ，１９ｂ，２９ａ，２０ｂを有する。中間接合材１９ａ，１９ｂ，２９ａ，２０ｂは、基材層１９０ａ，１９０ｂ，２９０ａ，２９０ｂを有する。基材層１９０ａ，１９０ｂ，２９０ａ，２９０ｂは、Ｃｕ（銅）を主成分とする。このため、基材層１９０ａ，１９０ｂ，２９０ａ，２９０ｂに相当する部材が、たとえばＡｌ（アルミニウム）を主成分とする場合と比較して、より効率よく電熱することが可能である。したがって、より熱を伝えやすい接合構造体Ｂ１１～Ｂ１４および半導体装置Ａ１を提供することができる。

　第１表面層１９１ａ，１９１ｂ，２９１ａ，２９１ｂと第１接合層に相当する部材とは、Ａｇ（銀）を主成分とする。また、第２表面層１９２ａ，１９２ｂ，２９２ａ，２９２ｂと第２接合層に相当する部材とは、Ａｇ（銀）を主成分とする。これにより、これらの固相接合をより確実に行うことが可能であり、接合構造体Ｂ１１～Ｂ１４を高めることができる。

　半導体装置Ａ１は、複数の第１スイッチング素子１Ａおよび複数の第２スイッチング素子１Ｂと支持導体２と支持基板３とが、接合構造体Ｂ１１～Ｂ１４を介して接合された構成である。これにより、複数の第１スイッチング素子１Ａおよび複数の第２スイッチング素子１Ｂからの熱を、接合構造体Ｂ１１，Ｂ１２、支持導体２、接合構造体Ｂ１３，Ｂ１４および支持基板３を介して、半導体装置Ａ１外に効率よく放熱することが可能である。

　図２３～図２５は、本開示の変形例および他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。また、各変形例および各実施形態における各部の構成は、技術的な矛盾を生じない範囲において相互に適宜組み合わせ可能である。

　半導体装置Ａ１１：
　図２３は、半導体装置Ａ１の第１変形例を示している。本変形例の半導体装置Ａ１１は、ヒートシンク９をさらに備える。ヒートシンク９は、複数の第１スイッチング素子１Ａおよび第２スイッチング素子１Ｂからの熱をより効率よく放熱するためのものである。ヒートシンク９の具体的構成は何ら限定されない。図２４に示すように、本実施形態のヒートシンク９は、本体部９０および接合層９１を有する。

　本体部９０は、たとえばＡｌ（アルミニウム）等の金属からなる。図示された例においては、本体部９０は、ｚ方向のｚ２側に位置する部分と、当該部分からｚ方向のｚ１側に各々が延びる複数のフィンとを有する。

　図２３に示すように、ヒートシンク９は、中間接合材３９を介して支持基板３に接合されている。図２４に示すように、半導体装置Ａ１１は、接合構造体Ｂ１５を有する。接合構造体Ｂ１５は、第１接合対象物としての支持基板３と、第２接合対象物としてのヒートシンク９とが、中間接合材３９を介して接合された構造体である。

　中間接合材３９は、基材層３９０、第１表面層３９１および第２表面層３９２を有する。

　基材層３９０は、Ｃｕ（銅）を主成分とする。基材層３９０の厚さは何ら限定されず、本実施形態においては、基材層３９０は、第１表面層３９１および第２表面層３９２よりも厚い。基材層３９０の厚さは、たとえば５０μｍ以上３００μｍ以下である。

　第１表面層３９１は、基材層３９０のｚ方向のｚ２側に配置されている。第１表面層３９１は、支持基板３と固相接合されている本実施形態においては、第１表面層３９１は、Ａｇ（銀）を主成分とする。第１表面層３９１の厚さは何ら限定されず、本実施形態においては、第１表面層３９１は、基材層３９０よりも薄い。第１表面層３９１の厚さは、たとえば０．１μｍ以上１５μｍ以下である。

　支持基板３は、接合層３３１をさらに有する。接合層３３１は、接合構造体Ｂ１５において、第１接合層に相当する。接合層３３１は、第２金属層３３のｚ方向のｚ１側に配置されている。接合層３３１は、第１表面層３９１と固相接合されている。本実施形態においては、接合層３３１は、Ａｇ（銀）を主成分とする。接合層３３１の厚さは何ら限定されず、たとえば０．１μｍ以上１５μｍ以下である。

　なお、第１表面層３９１および接合層３３１は、互いに固相接合が可能な構成であれば、主成分とされる金属は、何ら限定されない。

　第２表面層３９２は、基材層３９０のｚ方向のｚ１側に配置されている。第２表面層３９２は、ヒートシンク９と固相接合されている。本実施形態においては、第２表面層３９２は、Ａｇ（銀）を主成分とする。第２表面層３９２の厚さは何ら限定されず、本実施形態においては、第２表面層３９２は、基材層３９０よりも薄い。第２表面層３９２の厚さは、たとえば０．１μｍ以上１５μｍ以下である。

　ヒートシンク９の接合層９１は、接合構造体Ｂ１５において、第２接合層に相当する。接合層９１は、本体部９０のｚ方向のｚ２側に配置されている。接合層９１は、第２表面層３９２と固相接合されている。本実施形態においては、接合層９１は、Ａｇ（銀）を主成分とする。接合層９１の厚さは何ら限定されず、たとえば０．１μｍ以上１５μｍ以下である。

　なお、第２表面層３９２および接合層９１は、互いに固相接合が可能な構成であれば、主成分とされる金属は、何ら限定されない。

　本変形例によっても、より熱を伝えやすい接合構造体Ｂ１１～Ｂ１５および半導体装置Ａ１１を提供することができる。また、支持基板３とヒートシンク９とは、中間接合材３９を介して固相接合により接合されている。これにより、複数の第１スイッチング素子１Ａおよび複数の第２スイッチング素子１Ｂからの熱をより効率よくヒートシンク９に放熱することができる。

　接合構造体Ｂ２：
　図２５は、本開示の第２実施形態にかかる接合構造体を示している。本実施形態の接合構造体Ｂ２は、第１接合対象物としての第１スイッチング素子１Ａ、第２接合対象物としての第１導電部２Ａ、および中間接合材１９ａを有する。

　本実施形態の中間接合材１９ａは、基材層１９０ａ、第１表面層１９１ａ、第２表面層１９２ａ、第１中間層１９３ａ、第２中間層１９４ａ、第３中間層１９５ａおよび第４中間層１９６ａを有する。

　第１中間層１９３ａは、基材層１９０ａと第１表面層１９１ａとの間に介在する。第２中間層１９４ａは、基材層１９０ａと第２表面層１９２ａとの間に介在する。第１中間層１９３ａおよび第２中間層１９４ａは、たとえばＮｉ（ニッケル）を主成分とする。第１中間層１９３ａおよび第２中間層１９４ａの厚さは、たとえば０．１μｍ以上１５μｍ以下である。

　第３中間層１９５ａは、第１表面層１９１ａと第１中間層１９３ａとの間に介在する。第４中間層１９６ａは、第２表面層１９２ａと第２中間層１９４ａとの間に介在する。第３中間層１９５ａおよび第４中間層１９６ａは、たとえばＣｕ（銅）を主成分とする。第３中間層１９５ａおよび第４中間層１９６ａの厚さは、たとえば０．０１μｍ以上１０μｍ以下である。

　なお、接合構造体Ｂ２における中間接合材１９ａの構成が、上述の中間接合材１９ｂ、中間接合材２９ａ、中間接合材２９ｂおよび中間接合材３９に適用されてもよい。

　本実施形態によっても、より熱を伝えやすい接合構造体Ｂ２を提供することができる。また、本実施形態から理解されるように、本開示の接合構造体の具体的構成は何ら限定されない。

　本開示にかかる接合構造体および半導体装置は、上記した実施形態に限定されるものではない。本開示の接合構造体および半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。本開示は、以下の付記に記載された実施形態を含む。

　付記１．
　第１接合層を有する第１接合対象物と、
　第２接合層を有する第２接合対象物と、
　前記第１接合対象物および前記第２接合対象物の間に介在する中間接合材と、を備え、
　前記中間接合材は、基材層と、前記基材層の両側に配置された第１表面層および第２表面層と、を有し、
　前記第１接合層と前記第１表面層とは、固相接合によって接合されており、
　前記第２接合層と前記第２表面層とは、固相接合によって接合されており、
　前記基材層は、Ｃｕを主成分とする、接合構造体。
　付記２．
　前記第１接合層および前記第１表面層は、Ａｇを主成分とする、付記１に記載の接合構造体。
　付記３．
　前記第２接合層および前記第２表面層は、Ａｇを主成分とする、付記１または２に記載の接合構造体。
　付記４．
　前記基材層は、前記第１表面層よりも厚い、付記１ないし３のいずれかに記載の接合構造体。
　付記５．
　前記基材層は、前記第２表面層よりも厚い、付記１ないし４のいずれかに記載の接合構造体。
　付記６．
　前記第１接合対象物は、Ｃｕを主成分とする第１本体部をさらに有する、付記１ないし５のいずれかに記載の接合構造体。
　付記７．
　前記第２接合対象物は、Ｃｕを主成分とする第２本体部をさらに有する、付記１ないし６のいずれかに記載の接合構造体。
　付記８．
　前記中間接合材は、前記基材層と前記第１表面層との間に介在する第１中間層をさらに有する、付記１ないし７のいずれかに記載の接合構造体。
　付記９．
　前記中間接合材は、前記基材層と前記第２表面層との間に介在する第２中間層をさらに有する、付記８に記載の接合構造体。
　付記１０．
　前記中間接合材は、前記第１表面層と前記第１中間層との間に介在する第３中間層をさらに有する、付記９に記載の接合構造体。
　付記１１．
　前記中間接合材は、前記第２表面層と前記第２中間層との間に介在する第４中間層をさらに有する、付記１０に記載の接合構造体。
　付記１２．
　前記第１中間層および前記第２中間層は、Ｎｉを主成分とする、付記１１に記載の接合構造体。
　付記１３．
　前記第３中間層および前記第４中間層は、Ｃｕを主成分とする、付記１２に記載の接合構造体。
　付記１４．
　半導体素子と、
　導電部と、
　支持基板と、を備え、
　付記１ないし１３のいずれかに記載の接合構造体を有する、半導体装置
　付記１５．
　前記半導体素子が前記第１接合対象物をなし且つ前記導電部が前記第２接合対象物をなす前記接合構造体を有する、付記１４に記載の半導体装置。
　付記１６．
　前記導電部が前記第１接合対象物をなし且つ前記支持基板が前記第２接合対象物をなす前記接合構造体を有する、付記１４または１５に記載の半導体装置。
　付記１７．
　ヒートシンクをさらに備え、
　前記支持基板が前記第１接合対象物をなし且つ前記ヒートシンクが前記第２接合対象物をなす前記接合構造体を有する、付記１４ないし１６のいずれかに記載の半導体装置。

Ａ１，Ａ１１：半導体装置
Ｂ１，Ｂ１１，Ｂ１２，Ｂ１３，Ｂ１４，Ｂ１５：接合構造体
Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４：接合構造体　　　　１：半導体素子
１Ａ：第１スイッチング素子　　　　１Ｂ：第２スイッチング素子
２：支持導体　　　　２Ａ：第１導電部
２Ｂ：第２導電部　　　　３：支持基板
５：信号基板　　　　５Ａ：第１信号基板
５Ｂ：第２信号基板　　　　６：接着層
６Ａ：第１接着体　　　　６Ｂ：第２接着体
８：樹脂部材　　　　９：ヒートシンク
１０ａ：素子主面　　　　１０ｂ：素子裏面
１１：第１主面電極　　　　１２：第２主面電極
１３：第３主面電極　　　　１５：裏面電極
１７：サーミスタ　　　　１９ａ：中間接合材
１９ｂ：中間接合材　　　　２０Ａ，２０Ｂ：本体層
２０ｂ：中間接合材　　　　２１Ａ，２１Ｂ，２２Ａ，２２Ｂ：接合層
２９ａ，２９ｂ：中間接合材　　　　３１：絶縁層
３２：第１金属層　　　　３２Ａ：第１部分
３２Ｂ：第２部分　　　　３３：第２金属層
３９：中間接合材　　　　４１，４２，４３：電力端子　　　　
４４：制御端子　　　　４５：第１制御端子　　　　４５Ａ：第１駆動端子　　　　
４５Ｂ，４５Ｃ，４５Ｄ，４５Ｅ：第１検出端子
４６：第２制御端子　　　　４６Ａ：第２駆動端子
４６Ｂ，４６Ｃ，４６Ｄ，４６Ｅ：第２検出端子　　　　５１：絶縁基板
５１ａ：主面　　　　５１ｂ：裏面
５２：第１金属層　　　　５３：第２金属層
６１：絶縁層　　　　６１ａ：主面
６１ｂ：裏面　　　　６２，６３：粘着層
７１：第１導通部材　　　　７２：第２導通部材
７３，７４，７５，７６：ワイヤ　　　　８１：樹脂主面
８２：樹脂裏面　　　　８６：樹脂空隙部
８８：樹脂充填部　　　　９０：本体部
９１：接合層　　　　１５１：接合層
１９０ａ，１９０ｂ：基材層　　　　１９１ａ，１９１ｂ：第１表面層
１９２ａ，１９２ｂ：第２表面層　　　　１９３ａ：第１中間層
１９４ａ：第２中間層　　　　１９５ａ：第３中間層
１９６ａ：第４中間層　　　　２０１：主面
２０２：裏面　　　　２９０ａ，２９０ｂ：基材層
２９１ａ，２９１ｂ：第１表面層　　　　２９２ａ，２９２ｂ：第２表面層
３２１Ａ，３２１Ｂ，３３１：接合層　　　　３９０：基材層
３９１：第１表面層　　　　３９２：第２表面層
４４１：ホルダ　　　　４４２：金属ピン
４４９：導電性接合材　　　　５２１～５２６：配線層
７１１：主部　　　　７１１ａ：開口
７１２：第１接続端部　　　　７１２ａ：開口
７１３：第２接続端部　　　　７１９：導電性接合材
７２１：第１配線部　　　　７２１ａ：第１端部
７２２：第２配線部　　　　７２２ａ：凹状領域
７２３：第３配線部　　　　７２４：第４配線部
７２９：導電性接合材　　　　８３１：樹脂側面
８３２：樹脂側面　　　　８３２ａ：凹部
８３３，８３４：樹脂側面　　　　８５１：第１突出部
８５１ａ：第１突出端面　　　　８５１ｂ：凹部
８５１ｃ：内壁面　　　　８５２：第２突出部

Claims

　第１接合層を有する第１接合対象物と、
　第２接合層を有する第２接合対象物と、
　前記第１接合対象物および前記第２接合対象物の間に介在する中間接合材と、を備え、
　前記中間接合材は、基材層と、前記基材層の両側に配置された第１表面層および第２表面層と、を有し、
　前記第１接合層と前記第１表面層とは、固相接合によって接合されており、
　前記第２接合層と前記第２表面層とは、固相接合によって接合されており、
　前記基材層は、Ｃｕを主成分とする、接合構造体。
　前記第１接合層および前記第１表面層は、Ａｇを主成分とする、請求項１に記載の接合構造体。
　前記第２接合層および前記第２表面層は、Ａｇを主成分とする、請求項１または２に記載の接合構造体。
　前記基材層は、前記第１表面層よりも厚い、請求項１ないし３のいずれかに記載の接合構造体。
　前記基材層は、前記第２表面層よりも厚い、請求項１ないし４のいずれかに記載の接合構造体。
　前記第１接合対象物は、Ｃｕを主成分とする第１本体部をさらに有する、請求項１ないし５のいずれかに記載の接合構造体。
　前記第２接合対象物は、Ｃｕを主成分とする第２本体部をさらに有する、請求項１ないし６のいずれかに記載の接合構造体。
　前記中間接合材は、前記基材層と前記第１表面層との間に介在する第１中間層をさらに有する、請求項１ないし７のいずれかに記載の接合構造体。
　前記中間接合材は、前記基材層と前記第２表面層との間に介在する第２中間層をさらに有する、請求項８に記載の接合構造体。
　前記中間接合材は、前記第１表面層と前記第１中間層との間に介在する第３中間層をさらに有する、請求項９に記載の接合構造体。
　前記中間接合材は、前記第２表面層と前記第２中間層との間に介在する第４中間層をさらに有する、請求項１０に記載の接合構造体。
　前記第１中間層および前記第２中間層は、Ｎｉを主成分とする、請求項１１に記載の接合構造体。
　前記第３中間層および前記第４中間層は、Ｃｕを主成分とする、請求項１２に記載の接合構造体。
　半導体素子と、
　導電部と、
　支持基板と、を備え、
　請求項１ないし１３のいずれかに記載の接合構造体を有する、半導体装置。
　前記半導体素子が前記第１接合対象物をなし且つ前記導電部が前記第２接合対象物をなす前記接合構造体を有する、請求項１４に記載の半導体装置。
　前記導電部が前記第１接合対象物をなし且つ前記支持基板が前記第２接合対象物をなす前記接合構造体を有する、請求項１４または１５に記載の半導体装置。
　ヒートシンクをさらに備え、
　前記支持基板が前記第１接合対象物をなし且つ前記ヒートシンクが前記第２接合対象物をなす前記接合構造体を有する、請求項１４ないし１６のいずれかに記載の半導体装置。