WO2024048201A1 - 振動デバイス及び振動デバイスの製造方法 - Google Patents

振動デバイス及び振動デバイスの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2024048201A1
WO2024048201A1 PCT/JP2023/028524 JP2023028524W WO2024048201A1 WO 2024048201 A1 WO2024048201 A1 WO 2024048201A1 JP 2023028524 W JP2023028524 W JP 2023028524W WO 2024048201 A1 WO2024048201 A1 WO 2024048201A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
vibrating
substrate
section
recess
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2023/028524
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
義之 川口
重雄 青野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2024544068A priority Critical patent/JP7723846B2/ja
Priority to US19/106,556 priority patent/US20260074672A1/en
Priority to CN202380058332.2A priority patent/CN119586004A/zh
Publication of WO2024048201A1 publication Critical patent/WO2024048201A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/19—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of quartz
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders or supports
    • H03H9/058—Holders or supports for surface acoustic wave devices
    • H03H9/059—Holders or supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders or supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
    • H03H9/1021—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders or supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/1035—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by two sealing substrates sandwiching the piezoelectric layer of the BAW device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H2003/022—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the cantilever type

Definitions

  • the present disclosure relates to a vibrating device such as a crystal resonator and a method of manufacturing the vibrating device.
  • WLP Wafer Level Package
  • the crystal substrate has a vibrating part and a frame part surrounding the vibrating part in plan view.
  • the vibrating section is provided with an excitation electrode for vibrating the vibrating section.
  • the frame portion is joined to the base and the lid.
  • the base, frame, and lid constitute a package that accommodates the vibrating section in a sealed space.
  • Patent Documents 1 to 3 a part or all of the outer periphery of the vibrating part is connected to the frame part. Thereby, the vibrating part is supported by the package constituted by the base, the frame part, and the lid.
  • Patent Document 4 unlike Patent Documents 1 to 3, the vibrating portion is separated from the frame portion over its entire circumference. Instead, the vibrating section is joined to the upper surface of the base via a bump. Thereby, the vibrating section is supported by the package while floating above the upper surface of the base.
  • a vibration device includes a first substrate, a second substrate, an intermediate layer, and an excitation electrode.
  • the first substrate has a first surface.
  • the second substrate has a second surface opposite to the first surface.
  • the intermediate layer is located between the first surface and the second surface.
  • the first surface has a first recess.
  • the intermediate layer has a vibrating part and a frame part.
  • the vibrating section has an excitation section in which the excitation electrode is located.
  • the excitation section faces the first recess.
  • the frame portion surrounds the vibrating portion in a plan view, and is joined to the first surface and the second surface.
  • the frame portion includes a layer made of the same material as the layer included in the vibrating portion.
  • the outer edge of the vibrating part is separated from the frame part over its entire circumference.
  • the vibrating portion is joined to an outer peripheral region of the first recess on the first surface.
  • the above method for manufacturing a vibrating device includes a first bonding step, an etching step, and a second bonding step.
  • the first bonding step the intermediate layer in which the vibrating portion and the frame portion are integrated is bonded to the first surface having the first recess.
  • the etching step after the first bonding step, the intermediate layer is etched to separate the outer edge of the vibrating part from the frame part over its entire circumference.
  • the second bonding step the second surface is bonded to the intermediate layer after the etching step.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view showing the configuration of a crystal resonator according to an embodiment.
  • 2 is an exploded perspective view of the crystal resonator of FIG. 1 viewed from a different direction from that of FIG. 1.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view similar to FIG. 3 showing another example of the metal layer.
  • FIG. 2 is a perspective view showing the configuration of a vibrating section of the crystal resonator shown in FIG. 1; 6A is a sectional view taken along the line VIa-VIa in FIG. 5, FIG. 6B is a sectional view taken along the line VIb-VIb in FIG. 5, and FIG.
  • FIG. 6C is a sectional view showing another example of conduction between the front and back sides of the vibrating part.
  • FIG. 7 is a plan view showing another example of the relationship between the first recess and the vibrating section.
  • FIG. 8A is a plan view showing still another example of the relationship between the first recess and the vibrating portion, and a cross-sectional view taken along line VIIIb-VIIIb in FIG. 8A.
  • FIG. 7 is a plan view showing another example of the first substrate included in the crystal resonator.
  • FIG. 3 is an enlarged view of region X in FIG. 2.
  • FIG. 4 is an enlarged view of a part of the area including the second pad electrode in FIG.
  • FIG. 3; 12A, 12B, and 12C are schematic cross-sectional views illustrating an example of a method for manufacturing the crystal resonator of FIG. 1.
  • 13A, 13B, and 13C are cross-sectional views continuing from FIG. 12C.
  • 14A, 14B, and 14C are cross-sectional views showing steps performed in parallel to the steps shown in FIG. 12A and the like.
  • FIGS. 15A, 15B, and 15C are cross-sectional views continuing from FIGS. 13C and 14C.
  • FIG. 16 is a plan view showing still another example of the relationship between the first recess and the vibrating section.
  • FIG. 17A is a plan view showing another example of the intermediate layer and the metal layer, and FIG.
  • FIG. 17B is a plan view showing another example of the second substrate and the metal layer corresponding to FIG. 17A.
  • FIG. 7 is an exploded perspective view showing another example of supporting the vibrating section.
  • 19 is an exploded perspective view of the crystal resonator of FIG. 18 viewed from a different direction from that of FIG. 18.
  • FIGS. 1 and 2 are exploded perspective views showing the configuration of a crystal resonator 1 (an example of a vibration device) according to an embodiment.
  • FIG. 3 is a sectional view taken along line III--III in FIG. 1.
  • hatching indicates that a relatively thin layer (for example, a metal layer (conductor layer)) is arranged (that is, it does not mean a cross section).
  • an orthogonal coordinate system D1D2D3 is attached to the drawings.
  • planar view or planar perspective refers to viewing in the D3 direction unless otherwise specified.
  • the vibrator 1 may be used with either direction facing upward.
  • words such as “directly below” or “directly above” may be used with the +D3 side as the upper side.
  • a crystal resonator 1 (hereinafter sometimes simply referred to as "resonator 1") is an electronic component made up of three layers shown in FIGS. 1 to 3 stacked on top of each other.
  • the vibrating section 9 included in the vibrator 1 vibrates. This vibration is used, for example, to generate an oscillation signal.
  • the oscillation signal is, for example, a signal whose signal level (eg, voltage) oscillates at a constant frequency.
  • the vibrator 1 has a first substrate 3, an intermediate layer 7, and a second substrate 5 as the three layers, in order from the ⁇ D3 side.
  • the intermediate layer 7 includes the vibrating section 9 described above and a frame section 11 surrounding the vibrating section 9 in a plan view.
  • the frame portion 11 and the vibrating portion 9 are made of the same material.
  • the frame part 11 includes a layer made of the same material as the layer included in the vibrating part 9.
  • the vibrating section 9 and the frame section 11 are formed, for example, by etching a layer (member) integrally formed of the same material.
  • a first excitation electrode 13A and a second excitation electrode 13B (hereinafter, without distinguishing between these , sometimes referred to as "excitation electrode 13").
  • the -D3 side surface of the vibrating section 9 is entirely covered with a metal layer (multifunctional electrode 33).
  • a region of the metal layer overlapping with the first excitation electrode 13A on the +D3 side may be regarded as the second excitation electrode 13B on the -D3 side.
  • the region where the pair of excitation electrodes 13 overlap in plan view is referred to as an excitation section 9a.
  • the excitation part 9a is hidden behind the pair of excitation electrodes 13 and is not shown, so for convenience, the reference numeral of the excitation part 9a is attached to a position overlapping the excitation electrodes 13.
  • the reference numerals indicating each part of the first substrate 3, the second substrate 5, and the intermediate layer 7 may be attached to the conductor layer overlapping each part.
  • the excitation part 9a is an area where vibration is intended. The vibration of the excitation section 9a is used to generate an oscillation signal, as described above.
  • the frame portion 11 is joined to the first surface 3a of the first substrate 3 on the intermediate layer 7 side (+D3 side) over the entire circumference of the frame portion 11. Further, the frame portion 11 is bonded to the second surface 5a of the second substrate 5 on the intermediate layer 7 side ( ⁇ D3 side) over the entire circumference of the frame portion 11.
  • a sealed space surrounded by the first substrate 3, the frame portion 11, and the second substrate 5 is configured.
  • the vibrating section 9 is sealed.
  • the inside of the closed space (around the vibrating section 9) is, for example, in a vacuum state (actually lower than atmospheric pressure) or in the presence of an appropriate gas (for example, an inert gas such as nitrogen).
  • the first surface 3a has a first recess 14.
  • the vibrating section 9 is stacked on the first surface 3a such that the excitation section 9a faces the first recess 14.
  • the vibrating part 9 (more specifically, the region outside the excitation part 9a) is joined to the outer peripheral region 3b of the first surface 3a, which is located on the outer peripheral side with respect to the first recess 14.
  • the outer edge of the vibrating part 9 is separated from the frame part 11 over its entire circumference.
  • the part related to vibration (vibrating part 9) and the part related to sealing (frame part 11) are completely separated. Therefore, for example, the probability that the vibration of the vibrating section 9 leaks to the frame section 11 is reduced.
  • the excitation part 9a is separated from the first surface 3a by the first recess 14. This facilitates the vibration of the excitation section 9a. Therefore, for example, the necessity of using a conductive bump to float the excitation section 9a from the first surface 3a is reduced. Since the material of at least some of the layers of the frame portion 11 and the vibrating portion 9 are common, for example, both can be formed from an integral layer (member).
  • the above-mentioned integral layer can be created parallel to the first substrate 3, and it is expected that the warping and/or deflection of the vibrating part 9 will be reduced and the characteristics of the vibrator 1 will be stabilized.
  • the vibrating part 9 may be supported (joined) at any position on the outer periphery of the first recess 14, so that the degree of freedom in design is improved.
  • the vibrating part 9 may be joined to the outer peripheral region 3b over the entire circumference of the first recess 14.
  • the entire outside of the region facing the first recess 14 of the vibrating portion 9 may be joined to the outer circumferential region 3b. In such a case, it is expected that, for example, the warpage and/or deflection of the vibrating section 9 will be reduced, and the characteristics of the vibrator 1 will be more stable.
  • the area of the vibrating portion 9 facing the first recess 14 in a plan view may be smaller than the area of the outer peripheral region 3b in a plan view. For example, it has a size of 1/2 or less.
  • the vibrating portion 9 can be stably held by such an outer circumferential region 3b.
  • Vibrator in general ( Figures 1 to 3) 1.1. Shape and dimensions of vibrator 1.2. Mounting mode of vibrator 1.3. Bonding of the first substrate, intermediate layer and second substrate 2. Vibrating part ( Figures 1 to 3) 2.1. Vibrating part in general 2.2. Shape and dimensions of vibrating part 2.3. Conductor located in the vibrating part 2.3.1. General conductors located in the vibrating part 2.3.2. Excitation electrode 2.3.3. Pad electrode 2.3.4. Inspection electrode 2.3.5. Multifunctional electrode 2.3.6. Material of conductor located in vibrating part 2.4. Continuity between the front and back of the vibrating part 2.4.1.
  • the shape of the vibrator 1 (the shape when the first substrate 3, intermediate layer 7, and second substrate 5 are stacked) is arbitrary. In the illustrated example, the shape of the vibrator 1 is approximately a thin rectangular parallelepiped (the length in the D3 direction is shorter than the length in the other directions). Moreover, the shape in plan view is a rectangular shape whose longitudinal direction is the D2 direction. Other shapes of the vibrator 1 include, for example, a thin shape with a substantially constant thickness in the D3 direction and a circular, elliptical, square, or polygonal (excluding rectangular) shape in plan view. Can be mentioned. Note that in the description of the present disclosure, a rectangle does not include a square unless otherwise specified. Similarly, ellipses do not include circles unless otherwise specified.
  • the specific dimensions of the vibrator 1 are also arbitrary. Examples of relatively small dimensions of the vibrator 1 are shown below.
  • the maximum length in the longitudinal direction for example, the length of the long side
  • the maximum length in the lateral direction for example, the length of the short side
  • the thickness (D3 direction) is, for example, 0.1 mm or more and 0.3 mm or less.
  • the mounting method for an external element (for example, a circuit board) of the vibrator 1 is also arbitrary.
  • the mounting method may be surface mounting or through-hole mounting.
  • the configuration of the external electrodes (external terminals) related to the mounting of the vibrator 1 is arbitrary.
  • the external electrode of the vibrator 1 may be pad-shaped for surface mounting (as shown in the figure), or may be pin-shaped for surface mounting or through-hole mounting.
  • the vibrator 1 has a first external electrode 15A and a second external electrode 15B (hereinafter, these may be simply referred to as "external electrodes 15") that are exposed to the outside on the +D3 side. are doing.
  • the external electrode 15 has a surface facing the +D3 side, and is pad-shaped at least in appearance.
  • the external electrode 15 may contribute to mounting as follows.
  • the ⁇ D3 side surface of the vibrator 1 may be bonded to the mounting surface of an external element using an adhesive.
  • the external electrode 15 may be electrically connected to a pad of the external element or a pad of another electronic component mounted on the external element by a bonding wire.
  • the vibrator 1 may be arranged so that the external electrode 15 faces a pad provided on the mounting surface of an external element. Then, the pad and the external electrode 15 may be bonded by a conductive bonding material (for example, solder) interposed between the pad and the external electrode 15.
  • a dummy electrode or an electrode to which a reference potential is applied is provided on the +D3 side of the vibrator 1 so as to stabilize the support of the vibrator 1 by external elements. It may be provided on the surface.
  • the electrode to which the reference potential is applied is formed so as to span between the second recess 39 and the frame 11, which will be described later, in plan view, the strength of the second substrate 5 can be increased. .
  • the vibrator 1 can reduce the influence of external electromagnetic waves.
  • an electrode to which a reference potential is applied is formed on a side surface of the second substrate 5, a side surface of the intermediate layer 7, and a reference potential electrode formed on the -D3 side surface of the first substrate 3 via the side surface of the first substrate 3.
  • the position, shape, and dimensions of the external electrode 15 are arbitrary.
  • the external electrode 15 may be located on the -D3 side of the vibrator 1 (on the first substrate 3 from another perspective).
  • the position of the external electrode 15 in plan view is also arbitrary.
  • the two external electrodes 15 are lined up in a direction (diagonal direction) inclined in the longitudinal and lateral directions of the vibrator 1, and are relatively far away from the outer edge of the vibrator 1. ing.
  • the external electrode 15 may be located at any of the four corners of the vibrator 1 in plan view. In that case, a pad may be provided outside the vibrating section 9 by routing it on the +D3 side of the second substrate 5.
  • the external electrode 15 may have a rectangular shape (the illustrated example), a circular shape, an elliptical shape, or a polygonal shape (excluding a rectangular shape).
  • first substrate 3 and the intermediate layer 7 are bonded and the manner in which the intermediate layer 7 and the second substrate 5 are bonded may be various.
  • the first substrate 3 and the intermediate layer 7 are joined by the first metal layer 17 interposed between them.
  • first metal layer 17 When focusing on the manufacturing process, there is a metal layer that overlaps the first surface 3a of the first substrate 3 (first substrate side layer 21; see also FIG. 1), and a metal layer that overlaps the surface of the intermediate layer 7 on the first substrate 3 side. (first intermediate layer 25; see also FIG. 2) are joined.
  • the intermediate layer 7 and the second substrate 5 are joined by a second metal layer 19 interposed between them.
  • a metal layer that overlaps the second surface 5a of the second substrate 5 (second substrate side layer 23; see also FIG. 2), and a metal layer that overlaps the surface of the intermediate layer 7 on the second substrate 5 side. (second intermediate layer 27; see also FIG. 1) are joined.
  • Bonding modes other than those shown include, for example, a mode in which the first substrate 3 and the intermediate layer 7 are bonded by an insulating layer interposed between them, and a mode in which the first substrate 3 and the intermediate layer 7 are bonded in direct contact with each other. (direct bonding).
  • the insulating layer may be an inorganic material (eg, SiO 2 ) or an organic material (eg, resin). Further, a metal layer and an insulating layer may be in close contact with each other between the first substrate 3 and the intermediate layer 7. Naturally, these other bonding modes may also be applied to bonding the second substrate 5 and the intermediate layer 7.
  • the bonding mode between the first substrate 3 and the intermediate layer 7 and the bonding mode between the first substrate 3 and the intermediate layer 7 may be different from each other.
  • the substrate on which the external electrode 15 is provided (the second substrate 5 in the illustrated example) and the intermediate layer 7 are bonded by a metal layer, while the other substrate (the first substrate 3 in the illustrated example)
  • the bond between the intermediate layer 7 and the intermediate layer 7 may be made by an insulating layer or by direct bonding.
  • the bonding manner between the substrate (3 or 5) and the intermediate layer 7 may be different between mutually different regions in a plan view.
  • the vibration part 9 and the substrate (second substrate 5 in the illustrated example) on which the external electrode 15 is provided are bonded by a metal layer, while the frame part 11 and the substrate are bonded by an insulating layer. Or it may be done by direct bonding.
  • first metal layer 17 and the second metal layer 19 will be explained later along with the first substrate 3, intermediate layer 7, and second substrate 5.
  • the mode of vibration of the vibrating section 9 (unless otherwise specified, the vibration intended for use) may be various. From another point of view, the configurations of the vibrating section 9 and the excitation electrode 13 may have various configurations.
  • vibration modes include thickness shear vibration, thickness longitudinal vibration, spread vibration, length vibration, bending vibration, torsional vibration, and contour shear vibration.
  • the vibration mode may be one that generates an elastic wave (for example, SAW: Surface Acoustic Wave).
  • SAW Surface Acoustic Wave
  • the mode of vibration is not limited to one in which the entire vibrating part 9 vibrates in the thickness direction, but a part of the vibrating part 9 in the thickness direction vibrates. It's okay.
  • the material of the vibrating part 9 may be, for example, entirely made of piezoelectric material (as shown in the figure), or only a part of it may be made of piezoelectric material. It may be configured by The latter includes, for example, a mode in which the vibrating section 9 is composed of a piezoelectric layer through which elastic waves propagate and another layer laminated on the piezoelectric layer.
  • the specific material of the piezoelectric body may also be various depending on the vibration mode used.
  • the material of the piezoelectric body may be single crystal or polycrystal.
  • the former include quartz, lithium tantalate single crystal, and lithium niobate single crystal.
  • the latter include various ceramics.
  • cut angle of the single crystal is also arbitrary.
  • cut angles of crystal include AT cut, SC cut, and BT cut used for thickness shear vibration, and CT cut and DT cut used for contour shear vibration.
  • the pair of excitation electrodes 13 may be opposed to each other with the vibrating part 9 in the thickness direction or in other directions (as shown in the figure). example), may be located on one surface (plane) of the vibrating section 9.
  • the latter includes, for example, a pair of comb-teeth electrodes that excite elastic waves.
  • thickness shear vibration is a vibration mode in which two surfaces facing oppositely to each other in the thickness direction (D3 direction) vibrate so as to slide relative to each other.
  • an AT-cut crystal piece has an axis rotated from the Z axis (optical axis) and the Y axis (mechanical axis) around the This is a cut angle where the thickness direction is the Y' axis (from another perspective, the front and back surfaces are parallel to the X axis and the Z' axis), where the Z' axis and the Y axis' are taken as the Z' axis and the Y axis'.
  • the direction of vibration (from another perspective, the direction of the crystal) and the configuration of the vibrator 1 (vibrating section 9) is arbitrary.
  • the direction of thickness shear vibration (X-axis direction) may be the D1 direction, the D2 direction, or a direction inclined thereto.
  • a mode in which the D2 direction is the direction of thickness shear vibration may be taken as an example, unless otherwise specified.
  • the shape of the vibrating part 9 is arbitrary.
  • the vibrating section 9 may have a flat plate shape having a substantially constant thickness as a whole (as shown in the figure), or may have a so-called mesa shape or an inverted mesa shape.
  • the flat plate shape and/or constant thickness refers to, for example, an overlapping area where the vibrating part 9 and the outer periphery (outer periphery area 3b) of the first recess 14 overlap (or a joining area where both are joined), which will be described later.
  • the difference between the average thickness of the excitation section 9a and the average thickness of the excitation section 9a is within ⁇ 5% of the average thickness of the excitation section 9a, and/or the difference between the minimum thickness and the maximum thickness of the excitation section 9 is within ⁇ 5% of the average thickness of the excitation section 9a. It means that it is within ⁇ 5% of the thickness.
  • a region (mesa portion) that roughly coincides with the arrangement region of the excitation electrode 13 is thicker than the outer peripheral region.
  • the difference between the average thickness of the mesa portion and the average thickness of its outer peripheral region may be greater than 5% and/or may be 40% or less.
  • the inverted mesa type for example, has a shape in which a region (inverted mesa portion) including the arrangement region of the excitation electrode 13 is thinner than its outer peripheral region.
  • the specific shapes of the mesa portion and the inverted mesa portion are also arbitrary.
  • the planar shape of the vibrating part 9 is also arbitrary.
  • the planar shape of the vibrating section 9 may be rectangular (for example, rectangular or square) (as shown in the figure), circular, elliptical, or polygonal (excluding rectangular shapes). good.
  • the vibrating section 9 may have a shape having a longitudinal direction and a transverse direction (for example, a rectangular shape or an elliptical shape), or a shape that cannot be distinguished from each other (for example, a circular shape or a square shape). There may be.
  • the ratio between the length in the longitudinal direction and the length in the transverse direction is also arbitrary.
  • the ratio of the former to the latter may be 1.14 to 1.39:1, or 1.26:1.
  • the relationship between the shape of the vibrating part 9 and the crystal direction is arbitrary.
  • the direction of thickness shear vibration may be the longitudinal direction or the lateral direction; It may be in an inclined direction.
  • the ratio of the length in the longitudinal direction and the length in the lateral direction in the previous paragraph may be applied to an embodiment in which the direction of thickness shear vibration and the longitudinal direction match.
  • the vibrator 1 can be packaged in a wafer state by stacking three layers (3, 5, and 7).
  • the vibrator 1 may be of WLP type.
  • processing can be performed to adjust the thickness of the vibrating section 9 in a wafer state.
  • the thickness of the vibrating part 9 can be processed to an extremely small thickness using, for example, plasma CVM (Chemical Vaporization Machining) that can be processed with high precision (for example, ⁇ 5 nm).
  • plasma CVM Chemical Vaporization Machining
  • the vibrating section 9 may be made relatively thin.
  • the vibrating portion 9 may be 5 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, or 5 ⁇ m or more and 6 ⁇ m or less.
  • the above-mentioned dimensions are applied to the formula for the AT cut resonance frequency described above, it is approximately 167 MHz or more and 334 MHz or less, or 278 MHz or more and 334 MHz or less.
  • a pair of pad electrodes 29 (a first pad electrode 29A and a second pad electrode 29B) and a pair of test electrodes 31 (a first test electrode 31A and a second test electrode) are located on the +D3 side of the vibrating section 9. 31B) and two wiring sections 35.
  • a multifunctional electrode 33 located on the -D3 side of the vibrating section 9 and including a second excitation electrode 13B.
  • the pair of pad electrodes 29 contributes to the connection between the pair of excitation electrodes 13 and the pair of external electrodes 15, for example.
  • the pair of test electrodes 31 contribute, for example, to connecting a test device for testing the characteristics of the vibrating section 9 to the pair of excitation electrodes 13 during the manufacturing process.
  • a part of the multifunctional electrode 33 functions as the second excitation electrode 13B, and the other part functions as the conductor between the second excitation electrode 13B and the +D3 side conductor of the vibrating part 9, and the first part of the vibrating part 9. Contributes to bonding to the substrate 3.
  • Various conductors (13A, 29, 31, and 35) located on the +D3 side of the vibrating section 9 are included in the second intermediate layer 27 described above.
  • the multifunctional electrode 33 located on the ⁇ D3 side is included in the first intermediate layer 25 described above.
  • the shape and dimensions of the first excitation electrode 13A are arbitrary.
  • the shape of the first excitation electrode 13A is circular (example in FIG. 1), elliptical (see FIG. 7), rectangular (for example, rectangular or square, see FIG. 8A), or polygonal (excluding rectangle).
  • the first excitation electrode 13A may have a shape having a longitudinal direction and a transversal direction (for example, a rectangular shape or an elliptical shape), or a shape that cannot be distinguished from each other (for example, a circular shape or a square shape). ).
  • the ratio between the length in the longitudinal direction and the length in the transverse direction is also arbitrary.
  • the ratio of the former to the latter may be 1.14 to 1.39:1, or 1.26:1.
  • the relationship between the shape of the first excitation electrode 13A and the crystal direction is arbitrary. Normally, in an embodiment in which the first excitation electrode 13A has a longitudinal direction and a lateral direction, the direction of thickness shear vibration (X-axis direction) is the longitudinal direction. The ratio between the length in the longitudinal direction and the length in the transverse direction in the previous paragraph may be applied to such embodiments.
  • the positional relationship between the first excitation electrode 13A and the vibrating section 9 is also arbitrary.
  • the geometric center of the first excitation electrode 13A may be coincident with the geometric center of the vibrating section 9 (as shown in the figure), or may be shifted from the geometric center.
  • the longitudinal direction of the first excitation electrode 13A is coincident with the longitudinal direction of the vibrating section 9. (examples in FIGS. 7 and 8A), or they do not have to match.
  • the positional relationship of the first excitation electrode 13A with respect to the mesa part and the inverted mesa part is also optional.
  • the pair of pad electrodes 29 are electrically connected to the pair of excitation electrodes 13. Further, each of the pair of pad electrodes 29 faces the second substrate 5 side (+D3 side), and can be bonded to the conductor of the second substrate 5 (for example, the second substrate side layer 23). With this configuration, the pair of excitation electrodes 13 and the pair of external electrodes 15 included in the second substrate 5 are electrically connected.
  • the first pad electrode 29A is connected to the first excitation electrode 13A. Specifically, since both are located on the +D3 side of the vibrating section 9, they are connected by the wiring section 35 located on the +D3 side of the vibrating section 9.
  • the second pad electrode 29B is connected to the second excitation electrode 13B. Specifically, both are connected via a region of the multifunctional electrode 33 other than the second excitation electrode 13B (outer electrode 33a).
  • the manner of conduction between the outer electrode 33a and the second excitation electrode 13B (conduction between the front and back sides of the vibrating section 9) will be described later (Section 2.4).
  • the shape and position of the pair of pad electrodes 29 are arbitrary.
  • the shape of the pad electrode 29 may be rectangular (as shown) or circular.
  • the pad electrode 29 may be separated from the outer edge of the vibrating section 9 (as in the example of FIG. 1), or may extend to the outer edge of the vibrating section 9 (see FIG. 8A).
  • the shape, size, and position of the pair of pad electrodes 29 may be rotationally symmetrical with respect to the center of the vibrating section 9 (example in FIG. It may be symmetrical about the center line (see FIG. 8A), or such a relationship may not hold.
  • the pair of pad electrodes 29 may be located on both sides of the pair of excitation electrodes 13 in a predetermined direction (example in FIG. 1), or may be located on one side of the pair of excitation electrodes 13 in a predetermined direction. (See FIG. 8A).
  • the direction in which the pair of pad electrodes 29 are arranged is arbitrary.
  • the above-mentioned predetermined direction is also arbitrary.
  • the predetermined direction may be viewed schematically as the direction of vibration and/or the longitudinal direction of the vibrating section 9, or viewed in more detail as the direction of vibration and/or the longitudinal direction of the vibrating section 9.
  • it may be regarded as a direction (diagonal direction) that intersects with the longitudinal direction of the vibrating section 9.
  • the above-mentioned predetermined direction is not limited to the longitudinal direction, and may be the lateral direction.
  • the position of the pair of pad electrodes 29 is a position that restricts the vibration of the vibrating part 9, so there is a high possibility that it will affect the vibration characteristics.
  • the vibrating section 9 is fixed to the first substrate 3, for example, over substantially the entire surface that is on the outer peripheral side of the first recess 14. Therefore, the influence of the position of the pair of pad electrodes 29 on vibration is relatively low. From another point of view, there is a high degree of freedom in designing the pair of pad electrodes 29 in relation to vibration characteristics.
  • the pair of inspection electrodes 31 are electrically connected to the pair of excitation electrodes 13. Further, each of the pair of inspection electrodes 31 faces the +D3 side. Therefore, for example, before the second substrate 5 is bonded to the intermediate layer 7, a voltage can be applied to the pair of excitation electrodes 13 by abutting a probe against the pair of test electrodes 31. Thereby, the characteristics of the vibrating section 9 can be tested.
  • the first inspection electrode 31A is connected to the first excitation electrode 13A. Specifically, since both are located on the +D3 side of the vibrating section 9, they are connected by the wiring section 35 located on the +D3 side of the vibrating section 9.
  • the second inspection electrode 31B is connected to the second excitation electrode 13B. Specifically, both are connected via a region of the multifunctional electrode 33 other than the second excitation electrode 13B (outer electrode 33a).
  • the shape and position of the inspection electrode 31 are arbitrary.
  • the above description of the shape and position of the pad electrode 29 may be applied to the shape and position of the test electrode 31.
  • the shape, dimensions, and position of the test electrode 31 may be symmetrical to the shape, dimension, and position of the pad electrode 29 with respect to the center line of the vibrating section 9 that is parallel to the D1 direction or the D2 direction. (Example in FIG. 1), it may be rotationally symmetrical with respect to the center of the vibrating section 9, or such a relationship may not hold.
  • the pair of inspection electrodes 31 may not be provided (see FIG. 8A). In this case as well, inspection can be performed by abutting the probe against the pad electrode 29. For example, unlike the pad electrode 29, the inspection electrode 31 is not bonded to the conductor of the second substrate 5. However, bonding may be performed.
  • the multifunctional electrode 33 extends over almost the entire -D3 side surface of the vibrating section 9. From another point of view, the multifunctional electrode 33 has a so-called solid pattern.
  • a solid pattern is, for example, a pattern that basically spreads over a relatively wide range without any gaps. With such a configuration, the multifunctional electrode 33 has the second excitation electrode 13B and the outer electrode 33a that contributes to conduction and bonding.
  • the outer electrode 33a contributes to conduction between the second excitation electrode 13B and the conductor on the +D3 side of the vibrating section 9 (the second pad electrode 29B and the second test electrode 31B), and also contributes to the conduction between the second excitation electrode 13B and the +D3 side conductor of the vibrating section 9 (second pad electrode 29B and second test electrode 31B). It contributes to bonding with the first substrate 3.
  • the multifunctional electrode 33 does not have to be a solid pattern that extends over the entire -D3 side surface of the vibrating section 9.
  • the multifunctional electrode 33 has a solid pattern, part or all of its outer edge may be separated from the outer edge of the vibrating section 9.
  • the solid pattern includes, for example, a region overlapping almost the entire excitation electrode 13 and a region overlapping a part of the outer circumferential region 3b around the first recess 14, and is 80% or more of the area of the vibrating section 9. may be occupied.
  • the multifunctional electrode 33 includes a second excitation electrode 13B, an outer electrode (33a) that surrounds the second excitation electrode 13B and is separated from the outer edge of the second excitation electrode 13B, and a wiring section that connects the two. It may have. From another point of view, an annular slit (partly interrupted by the wiring part) may be formed between the second excitation electrode 13B and the outer electrode 33a.
  • the second excitation electrode 13B may have a shape that generally matches the shape of the first excitation electrode 13A in plan view.
  • the multifunctional electrode 33 includes a portion that contributes to electrical connection between the second excitation electrode 13B and the second pad electrode 29B (and/or the second inspection electrode 31B), and a portion that contributes to the electrical connection between the second excitation electrode 13B and the second pad electrode 29B (and/or the second inspection electrode 31B), and the first substrate of the vibrating section 9.
  • the portions that contribute to bonding to No. 3 may be separated from each other and electrically disconnected. In this case, the latter may be electrically floating or may be provided with a reference potential.
  • the multifunctional electrode 33 on the -D3 side of the vibrating section 9 is included in the first intermediate layer 25 described above. Further, various conductor layers (13A, 29, 31, and 35) on the +D3 side of the vibrating section 9 are included in the second intermediate layer 27. Therefore, in this section, the terms first intermediate layer 25 and second intermediate layer 27 may be used for convenience.
  • the various conductor layers (13A, 29, 31 and 35) located on the +D3 side of the vibrating section 9 may have the same material and thickness (as in the example of FIG. 3), or may have different material and/or thickness. may be different from each other (see FIG. 13C).
  • the pad electrode 29 (and the inspection electrode 31) has the same metal layer as the metal layer that constitutes the first excitation electrode 13A, on the metal layer
  • An example is an embodiment in which the first excitation electrode 13A has another metal layer that the first excitation electrode 13A does not have.
  • the multifunctional electrode 33 located on the -D3 side of the vibrating section 9 may have the same material and thickness throughout (example in FIG. 3), or may have different material and/or thickness depending on the region.
  • the size may be different. Examples of the latter embodiment include, for example, a mode in which the second excitation electrode 13B and the outer electrode 33a are made of different materials and/or thicknesses, similar to the +D3 side.
  • the conductor layer (13A, 29, 31, and 35) on the +D3 side and the conductor layer on the -D3 side (33) may have the same material and thickness (as in the example of FIG. 3), or may have different materials and/or thicknesses. Even in the case where the conductor layer does not have the same material and thickness throughout at least one of the +D3 side and the -D3 side, predetermined regions (for example, excitation electrodes 13 or other regions) are compared. In this case, the materials and/or thicknesses may be the same or different.
  • the thickness of the excitation electrode 13 may be finely adjusted after being bonded to the first substrate 3, for example, in order to adjust the frequency. In determining whether the thicknesses are the same, the influence of such fine adjustment shall be ignored. Furthermore, for example, the influence of pressure and heating upon joining three layers (3, 5, and 7) will also be ignored. The same applies to the conductor layers of the first substrate 3 and the second substrate 5.
  • each layer (25 or 27) may be composed of one metal layer, or may be composed of two or more metal layers (example in FIG. 3).
  • a predetermined layer for example, 25 or 27
  • the material is the same over a predetermined area, for example, the number of laminated metal layers and
  • the material of each metal layer (and the ratio of the thicknesses of the metal layers) is the same. The same applies to other layers.
  • the first intermediate layer 25 includes a lower layer 25a that contacts (directly overlaps) the vibrating section 9, and an upper layer 25b that overlaps the lower layer 25a.
  • the upper layer 25b is made of, for example, a material that has higher conductivity than the material of the lower layer 25a, and is also thicker than the lower layer 25a.
  • the lower layer 25a contributes to improving the bonding strength between the upper layer 25b and the vibrating section 9, for example.
  • the laminated structure may be intended to have a different effect from the above-mentioned effect.
  • the specific materials for the lower layer 25a and the upper layer 25b are arbitrary.
  • materials for the lower layer 25a include chromium (Cr), titanium (Ti), nickel (Ni), and alloys containing one or more of these as main components.
  • materials for the upper layer 25b include gold (Au), silver (Ag), platinum (Pt), aluminum (Al), and alloys containing one or more of these as main components.
  • the second intermediate layer 27 includes, in order from the vibrating part 9 side, a lower layer 27a, an upper layer 27b, a first bonding layer 27e, and a second bonding layer 27f.
  • the first excitation electrode 13A and the wiring section 35 are configured, for example, of only the lower layer 27a and the upper layer 27b among the four layers described above.
  • the pad electrode 29, the inspection electrode 31, and the portion of the second intermediate layer 27 that overlaps the frame portion 11 are constituted by, for example, the four layers described above.
  • first intermediate layer 25 In the above description of the material of the first intermediate layer 25, the terms “first intermediate layer 25,” “lower layer 25a,” and “upper layer 25b” are replaced with “second intermediate layer 25,” to the extent that there is no contradiction.
  • the terms ⁇ side layer 27'', ⁇ lower layer 27a'', and ⁇ upper layer 27b'' may be substituted for the second intermediate layer 27, respectively.
  • first intermediate layer 25 “lower layer 25a,” and “upper layer 25b” are replaced with "first intermediate layer 25,” “lower layer 25a,” and “upper layer 25b,” to the extent that no contradiction occurs.
  • second intermediate layer 27 “first bonding layer 27e”, and “second bonding layer 27f” may be substituted for the second intermediate layer 27, respectively.
  • FIG. 5 is a perspective view of the vibrating section 9.
  • the conductor on the +D3 side of the vibrating section 9 is also shown by a dotted line.
  • FIG. 6A is a sectional view taken along the line VIa-VIa in FIG. 5.
  • FIG. 6B is a cross-sectional view taken along line VIb-VIb in FIG. 5.
  • the vibrating section 9 has a first through hole 9h.
  • the connection conductor 37 By disposing the connection conductor 37 in the first through hole 9h, the conductor layer on the +D3 side of the vibrating section 9 and the conductor layer on the -D3 side of the vibrating section 9 are electrically connected.
  • the configuration of the connecting conductor 37 is arbitrary.
  • it may be a columnar conductor filled in the first through hole 9h (as shown in the figure), or it may be a layered conductor that overlaps the inner surface of the first through hole 9h.
  • the entire columnar conductor may be made of one type of material, or may be made of two or more types of materials. Examples of the latter embodiment include, for example, an embodiment in which the outer circumferential surface and the interior are made of different materials (the example in FIG. 3).
  • the layered conductor may be entirely composed of one type of material, or may be composed of two or more types of materials. The latter includes a mode in which a layer in contact with the inner surface of the first through hole 9h and another layer overlapping the layer are provided.
  • the material of the connection conductor 37 may be the same as or different from the material of the conductor layer on the +D3 side and/or the -D3 side.
  • connection conductor 37 has an outer peripheral layer made of the same material as the first bonding layer 27e and an inner columnar part made of the same material as the second bonding layer 27f.
  • extraction conductor 41 described later is made of the same material as the material of two or more conductor layers overlapping with the +D3 side surface of the second substrate 5 is illustrated.
  • the position, shape, and dimensions of the first through hole 9h are arbitrary.
  • the first through hole 9h is located directly below the second pad electrode 29B.
  • the excitation electrode 13 side is closer to the geometric center of the second pad electrode 29B (more specifically, for example, the second pad electrode 29B is located closer to the excitation electrode 13 than the geometric center of the second pad electrode 29B with respect to the longitudinal direction and/or vibration direction of the vibrating section 9. It is located closer to the excitation electrode 13 than the geometric center.
  • the first through hole 9h related to the second pad electrode 29B is formed in the direction in which the second pad electrode 29B and the excitation electrode 13 are arranged (in other words, in the longitudinal direction of the vibrating section 9 and/or in the vibration direction). It has a slit shape that extends in a direction that intersects (for example, perpendicularly) with the direction of .
  • the first through hole 9h By locating the first through hole 9h directly under the second pad electrode 29B, for example, the pattern of the conductor layer on the +D3 side is simplified, and the area of the conductor layer can be easily reduced. Ru. Furthermore, since the first through hole 9h is relatively located on the side of the excitation electrode 13, the first through hole 9h has an effect of blocking the transmission of stress between the pad electrode 29 and the excitation part 9a, for example. Therefore, the influence of fixing the pad electrode 29 and the second substrate 5 on the vibration of the excitation section 9a is reduced. This effect is improved by having the first through hole 9h in the form of a slit extending in a direction intersecting the direction in which the second pad electrode 29B and the excitation electrode 13 are arranged.
  • first through hole 9h has a slit shape, it is easy to ensure the length of the inner circumferential surface of the first through hole 9h in plan view, so that the connecting conductor in the first through hole 9h can be easily secured. 37 and the conductor layer on the +D3 side or -D3 side can be easily ensured.
  • the position, shape, and dimensions of the first through hole 9h may be different from those described above. Examples are given below.
  • the first through hole 9h does not need to be located directly under the second pad electrode 29B.
  • the connection conductor 37 and the second pad electrode 29B may be connected, for example, by a wiring portion located on the +D3 side.
  • the first through hole 9h is located at the geometric center of the second pad electrode 29B in the direction in which the second pad electrode 29B and the excitation electrode 13 are lined up (from another point of view, the longitudinal direction and/or vibration direction of the vibrating section 9). Alternatively, it may be located on the opposite side of the excitation electrode 13 with respect to the geometric center.
  • the shape of the first through hole 9h in plan view may be circular, elliptical (difficult to perceive as a slit shape), square, or rectangular (difficult to perceive as a slit shape). .
  • first through hole 9h related to the second pad electrode 29B has been described, the above description regarding the position, shape, and dimensions of the first through hole 9h may be applied to the first through hole 9h related to the second inspection electrode 31B as appropriate. It may be used for hole 9h.
  • the shape and dimensions of the vertical cross section (the cross section shown in FIGS. 6A and 6B) of the first through hole 9h are also arbitrary. These figures exemplify a tapered shape in which the diameter becomes smaller toward the -D3 side. Unlike the illustrated example, the shape of the vertical cross section of the first through hole 9h may be, for example, a shape having a constant diameter, or a shape in which the diameter becomes smaller toward the center in the thickness direction of the vibrating section 9. (a shape having two tapered shapes) or a multi-stage shape. Further, the tapered shape may be formed due to the material of the vibrating part 9 having anisotropy with respect to etching, or may be formed intentionally by adjusting the irradiation mode of the laser beam. It may also be formed.
  • the slit shape can be said to be a shape in which the length in the first direction (D1 direction) is longer than the length in the second direction (D2 direction) perpendicular to the first direction.
  • the slit shape may, for example, extend with an essentially constant width (excluding the ends).
  • the ratio between the length (first direction) and width (second direction) of the slit may be set as appropriate; for example, the length may be at least twice the width, at least three times, or at least five times the width. .
  • the taper angle (angle formed by two inner surfaces) of the tapered shape in the longitudinal section perpendicular to the longitudinal direction (D1 direction) is ⁇ 1. do.
  • the taper angle of the tapered shape in the longitudinal section perpendicular to the transverse direction (D2 direction) is defined as ⁇ 2.
  • ⁇ 1 may be made larger than ⁇ 2.
  • the inclination angle of the inner surface of the first through hole 9h with respect to the +D3 side surface of the vibrating part 9 is that the inclination angle of the inner surface of the first through hole 9h in the longitudinal section perpendicular to the longitudinal direction (D1 direction) is the average of the two inner surfaces.
  • the first through hole 9h may be formed by single-sided etching from the +D3 side of the vibrating section 9.
  • a tapered shape is formed due to the anisotropy of the material of the vibrating part 9 with respect to etching.
  • the vibrating section 9 is made of a single crystal, a crystal plane is exposed by etching and forms the inner surface of the first through hole 9h.
  • the angle that the crystal plane makes with the plane on the +D3 side is determined by the crystal structure.
  • new crystal planes may appear, coexisting with the previously appearing crystal planes, or replacing the previously appearing crystal planes.
  • the orientation of the slits must be appropriately set to match the direction of the crystal.
  • the D1 direction, the D2 direction, and the D3 direction are the Z'-axis direction, the X-axis direction, and the Y'-axis direction, respectively.
  • the longitudinal direction of the slit may be the D1 direction (Z'-axis direction) as in the illustrated example.
  • ⁇ 1 may be increased by a difference of 20° or more with respect to ⁇ 2. Note that if the crystal plane does not clearly appear at the end (short side) of the slit, the taper angle of the inner surface corresponding to the long side of the slit will be relatively It may be determined whether or not the size is set to be large.
  • FIG. 6C is a sectional view showing another example of conduction between the front and back sides of the vibrating section 9, and corresponds to FIG. 6A. Note that, for convenience, the vibrating part 9 according to this conduction mode may be referred to as the vibrating part 9A. Further, in this figure, the first inspection electrode 31A is not shown (or is not actually provided).
  • the front and back sides of the vibrating part 9 are electrically connected by a layered connection layer 38 that overlaps the outer peripheral surface (side surface) of the vibrating part 9A.
  • the conduction in the first through hole 9h and the conduction in the side surface of the vibrating section 9 may be used together.
  • connection layer 38 includes a region extending from the edge on the +D3 side to the edge on the -D3 side in a partial area of the outer circumferential surface of the vibrating part 9A in a plan view.
  • the second pad electrode 29B and the multifunctional electrode 33 are connected.
  • the connection layer 38 may have only a region located on the outer peripheral surface of the vibrating section 9A, or in addition to this region, a region located on the +D3 side of the vibrating section 9A and/or a region located on the -D3 side of the vibrating section 9A. It may also include areas located on the sides.
  • connection layer 38 that connects the second inspection electrode 31B and the multifunctional electrode 33 is also provided. Note that, below, only the connection layer 38 that connects the second pad electrode 29B and the multifunctional electrode 33 will be explained; may be used as appropriate.
  • connection layer 38 may be located on any one or more of the ⁇ D2 side, +D2 side, +D1 side, and ⁇ D1 side of the outer peripheral surface. From another point of view, the relationship between the side surface on which the connection layer 38 is located and the longitudinal direction and/or vibration direction of the vibrating portion 9A is arbitrary. In the example of FIG. 3, the connection layer 38 has a region located on the side surface on the +D2 side.
  • the side surface on the +D2 side is the side surface (end surface) on one end side in the longitudinal direction and/or vibration direction of the vibrating part 9A, and/or the second pad electrode 29B (and second test electrode 31B) with respect to the excitation electrode 13.
  • connection layer 38 may include a region located on the side surface on the +D1 side (the side where the second pad electrode 29B is located in the transverse direction of the vibrating section 9A) in addition to or in place of the side surface on the +D2 side. .
  • the range in the D1 direction of the region located on the side surface on the +D2 side of the connection layer 38 and the range in the D1 direction of the second pad electrode 29B may be the same, or the former may be part of the latter. The latter may be located in a part of the former, or they may be shifted from each other.
  • the connection layer 38 may have a shape that extends the second pad electrode 29B toward the +D2 side, or may extend from the second pad electrode 29B like the wiring section 35. It may have a shape.
  • the side surface on the +D2 side is taken as an example, the same applies to the side surface on the +D1 side.
  • connection layer 38 are also arbitrary.
  • the material and/or thickness of the connection layer 38 is the same as the material and/or thickness of a part or all of the region of the conductor layer on the +D3 side (and/or -D3 side) of the vibrating section 9 in a plan view. There may be one or different.
  • the side surface of the vibrating section 9 where the connection layer 38 is located may be, for example, an inclined surface that is inclined such that the side closer to -D3 (the first substrate 3 side) is located outside the vibrating section 9. In this case, for example, the reliability of the connection between the conductor layers at the ridge line between the side surface on the +D2 side and the surface on the +D3 side is improved.
  • the slope of the side surface of the vibrating part 9 as described above is formed because the material of the vibrating part 9 has anisotropy with respect to etching, similar to the inner peripheral surface of the first through hole 9h. or may be formed intentionally by adjusting the irradiation mode of laser light.
  • connection layer 38 has a region located on one side (+D2 side) in a predetermined direction (for example, the longitudinal direction and/or the vibration direction of the vibrating part 9A), and has a region located on the side surface on the other side ( ⁇ D2 side) in the predetermined direction. Assume an embodiment that does not have a region located on the side (side).
  • the inclination angle ⁇ 3 of the side surface on the +D2 side with respect to the normal line of the surface on the +D3 side of the vibrating section 9 may be made larger than the inclination angle ⁇ 4 of the side surface on the -D2 side with respect to the normal line.
  • the effect described in the previous paragraph is improved compared to the case where the relationship between angles ⁇ 3 and ⁇ 4 is opposite to the above (this aspect is also included in the technology according to the present disclosure).
  • the direction of each part of the vibrating part 9A (in other words, the direction of the orthogonal coordinate system D1D2D3) is set according to the direction of the crystal, and the above-mentioned An angular relationship like this may be established.
  • the outer circumferential surface of the AT-cut vibrating section 9A is formed by single-sided etching from the +D3 side (Y' axis direction)
  • the +D2 side (the side surface where the connection layer 38 is located) is the -Z' side. may be considered.
  • ⁇ 3 is about 56° and ⁇ 4 is about 32°, although it depends on the degree of progress of etching.
  • ⁇ 3 may be increased by a difference of 15° or more compared to ⁇ 4.
  • the first through hole 9h does not have to have a uniform slope in the D3 direction. That is, there is a first tapered portion in which the opening gradually narrows from the surface on the first substrate 3 side toward the second substrate 5 side, and an opening in which the opening gradually narrows from the surface on the second substrate 5 side toward the first substrate 3 side.
  • the first through hole 9h may include a second tapered portion that gradually becomes narrower.
  • the shape and dimensions in plan view may be applied to each of the +D3 side surface and -D3 side surface, or to the maximum shape or maximum dimension when both are viewed in plan. may also be applied.
  • the frame portion 11 surrounds the vibrating portion 9 in plan view and is spaced from the outer edge of the vibrating portion 9 over its entire circumference. As long as this requirement is met, the material, shape, and dimensions of the frame portion 11 are arbitrary.
  • the material of the frame portion 11 may be the same as the material of the vibrating portion 9, or may be different.
  • the thickness of the frame portion 11 may be (substantially) the same as the thickness of the vibrating portion 9 (as shown in the figure), or may be different.
  • the thickness of the vibrating part 9 may be different from the thickness of the frame part 11 (for example, the maximum thickness if the thickness is not constant). If not, for example, the thickness may be thinner than the maximum thickness.
  • the description of the material of the vibrating part 9 may be applied to the material of the frame part 11. Further, in an embodiment in which the material of the frame portion 11 is different from the material of the vibrating portion 9, the frame portion 11 may not include a piezoelectric material, and the type (and cut angle) of the piezoelectric material of the vibrating portion 9 may be different. Piezoelectric bodies of different types (and cut angles) may be included. For specific examples of the material of the frame portion 11 that is different from the material of the vibrating portion 9, the description of specific examples of the materials of the first substrate 3 and the second substrate 5 may be used.
  • the frame portion 11 surrounds the vibrating portion 9 over its entire circumference (over 360°) in a plan view.
  • the frame portion 11 may be partially cut off.
  • This interrupted portion may be used, for example, to arrange a conductor that connects the inside and outside of the vibrator 1 in a manner different from the illustrated example.
  • the frame portion 11 has a circumference of 3/4 (270°) or more, 7/8 (315°) based on the length of the outer edge of the vibrating portion 9 (or the angular range around the geometric center of the vibrating portion 9). If it extends over 15/16 circumferences (337.5 degrees) or more, it may be considered that the vibrating section 9 is surrounded.
  • the shape of the inner edge of the frame portion 11 may be similar or similar to the shape of the outer edge of the vibrating portion 9 (as shown in the figure), or may be a completely different shape.
  • the shape of the outer edge of the vibrating part 9 and the shape of the inner edge of the frame part 11 are both rectangular (as shown), circular, elliptical, or polygonal (excluding rectangular shapes). Examples include aspects such as: Examples of the latter include, for example, a mode in which the shape of the outer edge of the vibrating portion 9 and the shape of the inner edge of the frame portion 11 are circular-rectangular or elliptical-rectangular.
  • the distance d1 between the inner edge of the frame portion 11 and the outer edge of the vibrating portion 9 may or may not be substantially constant over the entire circumference.
  • the shape and dimensions of the outer edge of the frame portion 11 are, for example, approximately the same as the shape and dimensions (already described) of the outer edge of the vibrator 1 in plan view.
  • the word "inner edge of the frame part 11" is replaced with the word "outer edge of the frame part 11", and the vibration part 9 and the outer edge of the frame portion 11.
  • the term "outer edge of the vibrating part 9" is replaced with the term “inner edge of the frame part 11", and the term “frame part 11
  • the term “inner edge of the frame 11” may be replaced with the term “outer edge of the frame 11” to refer to the relationship between the inner edge of the frame 11 and the outer edge of the frame 11.
  • the width (distance from the inner edge to the outer edge) of the frame portion 11 may be constant or may vary in the circumferential direction.
  • the thickness of the frame portion 11 is, for example, approximately constant over its entirety. From another point of view, the front and back surfaces of the frame portion 11 are planar. However, for example, a concave portion or a convex portion may be provided on a portion of the front surface and/or back surface of the frame portion 11.
  • the front and back surfaces (+D3 side surface and ⁇ D3 side surface) of the frame portion 11 include, for example, the above-mentioned first intermediate layer 25 and second intermediate layer 27 (the area located in the vibrating portion 9). area) is located.
  • no conductor for example, a conductor layer
  • the regions of the first intermediate layer 25 and the second intermediate layer 27 located in the frame portion 11 are not connected to each other.
  • the conductor may be located on a part or all of the inner circumferential surface and/or the outer circumferential surface in the circumferential direction. Further, as a result, the regions of the first intermediate layer 25 and the second intermediate layer 27 located in the frame portion 11 may be electrically connected to each other.
  • a conductor may be, for example, a conductor layer overlapping the inner circumferential surface and/or the outer circumferential surface.
  • castellations may be provided at the corners of the first substrate 3 in a plan view, and conduction may be established by conductors placed on the castellations.
  • a through hole like the first through hole 9h, is provided in the frame portion 11 to connect the regions of the first intermediate layer 25 and the second intermediate layer 27 located in the frame portion 11 to each other. It's okay.
  • the first intermediate layer 25 and the second intermediate layer 27 are each disposed on the frame portion 11, for example, over the entire circumference (360° around the vibrating portion 9) in a plan view. More specifically, each of the first intermediate layer 25 and the second intermediate layer 27 extends over the entire front and back surfaces of the frame portion 11, for example.
  • the first intermediate layer 25 and the second intermediate layer 27 may have a portion separated from the inner edge and/or outer edge of the frame portion 11 in the whole or in part in the circumferential direction of the frame portion 11.
  • the first intermediate layer 25 (or the second intermediate layer 27) may have two or more patterns extending in parallel to each other along the frame portion 11. A region surrounded by 25 where the first intermediate layer 25 is not placed may be formed.
  • the region located in the frame portion 11 (part or all of it) and the region located in the vibrating portion 9 (part or all of it) are the same. may have the same material and thickness (as in the example of FIG. 3), or may have different materials and/or thicknesses.
  • the description of the materials of the first intermediate layer 25 and the second intermediate layer 27 described in the description of the conductor located in the vibrating section 9 is the same as that of the first intermediate layer 25 and the second intermediate layer 27. It may be applied to the material of the area located in the frame part 11 of the house.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a specific example of the first substrate-side layer 21 and the second substrate-side layer 23, which is different from FIG. 3.
  • FIG. 9 is a plan view showing a specific example of the first substrate 3 and the first substrate side layer 21 that is different from FIG. 1.
  • the first substrate 3 is, for example, a flat member having a generally constant thickness except that the first recess 14 is formed therein. However, in addition to the first recess 14, the first substrate 3 may have a recess and/or a projection as appropriate on the +D3 side or the -D3 side.
  • the shape and dimensions of the first substrate 3 in a plan view are, for example, approximately the same as the shape and dimensions (described above) of the vibrator 1 in a plan view.
  • the thickness of the first substrate 3 is arbitrary. In the example of FIG. 3, the thickness of the first substrate 3 is greater than the thickness of the second substrate 5 and the thickness of the intermediate layer 7.
  • An example of the thickness of the first substrate 3 in a relatively small vibrator 1 is 50 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less.
  • the thickness of the first substrate 3 is thicker than the thickness of the second substrate 5 and the thickness of the intermediate layer 7, it is possible to stably hold the intermediate layer 7 when thinning it as described later.
  • the thickness of the first substrate 3 is not limited to this relationship. For example, if the thickness is the same as that of the second substrate 5, the stress in the entire vibrator 1 can be balanced and warpage can be suppressed. Furthermore, the influence of stress when mounting the vibrator 1 can also be reduced.
  • the material of the first substrate 3 is arbitrary.
  • the first substrate 3 may be integrally formed of the same material, insulator, or semiconductor as the intermediate layer 7, or may be formed by laminating different materials.
  • Examples of the latter embodiment include, for example, an embodiment including a first layer of an insulator or semiconductor and a metal layer (from another perspective, a shield and/or reinforcing material) overlapping on the ⁇ D3 side with respect to the first layer.
  • the first substrate 3 is constituted by a multilayer substrate.
  • the insulator may be an inorganic material (eg, quartz or ceramic) or an organic material (eg, resin).
  • the semiconductor include silicon (Si) and germanium (Ge).
  • the semiconductor forming the first substrate 3 is, for example, an intrinsic semiconductor that does not contain lattice defects (in a broad sense).
  • semiconductors are essentially free of impurities and/or atomic disorder.
  • the semiconductor may include lattice defects.
  • a part of the first substrate 3 is made of a p-type semiconductor or an n-type semiconductor containing impurities, and is used to configure an electronic element or to connect the inside and outside of the vibrator 1. It may also contribute to conduction.
  • the shape and dimensions of the first recess 14 in plan view are arbitrary.
  • the planar shape of the first recess 14 may be the same, similar, or similar to the shape of the first excitation electrode 13A (as in the example of FIG. 1), or it may be a completely different shape. (See Figure 7).
  • the first recess 14 and the first excitation electrode 13A may coincide, the former may fit in a part of the latter, or the latter may fit in a part of the former. (example in FIG. 3), or each may have regions that do not overlap with each other.
  • the geometric center of the first recess 14 and the geometric center of the first excitation electrode 13A may or may not match.
  • the description of the shape and dimensions of the first excitation electrode 13A may be used to describe the shape and dimensions of the first recess 14 in a plan view, as long as there is no contradiction.
  • the shape may be rectangular or square (see FIGS. 7 and 8A), or polygonal (excluding rectangular shapes).
  • the ratio of the length in the longitudinal direction to the length in the transverse direction may be, for example, 1.14 to 1.39:1 or 1.26:1. This ratio may be applied, for example, to an embodiment in which the direction of thickness shear vibration (X-axis direction) is the longitudinal direction.
  • the shape and dimensions (for example, depth) of the longitudinal section (section parallel to the D3 direction) of the first recess 14 are also arbitrary.
  • the side surfaces of the first recess 14 may be generally parallel to the D3 direction, or may be inclined with respect to the D3 direction.
  • the diameter of the first recess 14 may become larger or smaller toward the +D3 side depending on the inclined side surface.
  • the depth of the first recess 14 is such that, for example, in the intended usage situation, the second excitation electrode 13B can It may be a minimum depth that does not touch the area located on the bottom surface of the first recess 14, or it may be deeper than that.
  • the depth of the first recess 14 may be less than 1/2 of the thickness of the first substrate 3, or may be 1/2 or more of the thickness of the first substrate 3.
  • the first substrate side layer 21 described above On the +D3 side (intermediate layer 7 side) surface of the first substrate 3, for example, the first substrate side layer 21 described above is located.
  • no conductor for example, a conductor layer is located on the outer peripheral surface (side surface) and ⁇ D3 side surface of the first substrate 3.
  • conductors other than the first substrate side layer 21 may be located on the first substrate 3.
  • a metal layer that functions as a shield and/or a reinforcing material may overlap the surface on the -D3 side (as described above, the metal layer may be considered as part of the first substrate 3).
  • a castellation may be formed at a corner of the first substrate 3 in a plan view, and a conductor may be located at this castellation.
  • the first substrate 3 may be provided with the external electrode 15, and the external electrode 15 may be exposed on the -D3 side surface. Note that when providing the external electrode 15 on the first substrate 3, the thickness may be made thinner than that of the second substrate 5 from the viewpoint of forming a through hole.
  • the configuration of the conductor on the -D3 side of the vibrating section 9 and the conductor of the first substrate 3 in this case can be inferred from the configuration of the conductor on the +D3 side of the vibrating section 9 and the conductor of the second substrate 5 in the illustrated example. .
  • the first substrate side layer 21 contributes to bonding the vibrating section 9 to the first substrate 3, for example. Further, the first substrate side layer 21 joins the frame portion 11 and the first substrate 3 over the entire circumference of the frame portion 11, for example, and contributes to sealing of the vibrating portion 9.
  • the shape and dimensions of the first substrate side layer 21 in plan view are arbitrary as long as the above effects are achieved.
  • the first substrate side layer 21 includes an inner region 21e that contributes to the bonding (and conduction) between the vibrating section 9 and the first substrate 3, and an inner region 21e that contributes to the bonding between the frame section 11 and the first substrate 3. It is separated into a contributing outer region 21f. This reduces the possibility of unintended electrical conduction between the multifunctional electrode 33 and other conductors, for example.
  • the first substrate side layer 21 does not have to be separated into an inner region 21e and an outer region 21f as in the other example shown in FIG. In other words, the first substrate side layer 21 may be entirely constituted by one solid pattern.
  • the inner region 21e has, for example, a shape that roughly matches the vibrating portion 9 in plan view (for example, a shape in which 90% or more of the area thereof overlaps with each other).
  • the inner region 21e may, for example, extend outside the vibrating section 9 within a range that does not overlap with the frame portion 11 (or the region located in the frame portion 11 of the first intermediate layer 25) in plan perspective, It may be located inside the outer edge of the vibrating part 9 while maintaining overlap with the multifunctional electrode 33.
  • the description of the shape and dimensions of the vibrating section 9 in a plan view may be applied to the shape and dimensions of the inner region 21e, as long as there is no contradiction.
  • the outer region 21f has, for example, a shape that generally matches the frame portion 11 in plan view (for example, a shape in which 90% or more of the areas thereof overlap with each other).
  • the outer region 21f may, for example, extend inward from the inner edge of the frame portion 11 within a range that does not overlap with the vibrating portion 9 (or the multifunctional electrode 33), or may extend outward from the outer edge of the frame portion 11 in a plan view. It may have spread to In any of the above embodiments, the description of the shape and dimensions of the frame portion 11 in a plan view may be applied to the shape and dimensions of the outer region 21f unless there is a contradiction.
  • the first substrate side layer 21 (outer region 21f) shown in FIG. 1 is separated from the outer edge of the first substrate 3 over the entire circumference. This reduces the possibility of unintended electrical conduction between the multifunctional electrode 33 and other conductors, for example.
  • the first substrate side layer 21 may extend to the outer edge of the first substrate 3, as in another example shown in FIG.
  • the first substrate side layer 21 (inner region 21e) may or may not have a portion overlapping the inner surface of the first recess 14.
  • the former mode includes, for example, a mode in which the first substrate side layer 21 is located on the bottom surface (for example, the entirety thereof) of the first recess 14 (examples in FIGS. 1 and 3), a mode in which the first substrate side layer 21 is located on the bottom surface of the inner surface of the first recess 14, Examples include a mode in which it is located on the outer circumferential surface (for example, the entire bottom surface and the entire outer circumferential surface) (the example in FIG. 4), and a mode in which it is located on the outer circumferential surface (for example, the entire surface) of the first recess 14.
  • the material, thickness, and configuration in the thickness direction of the first substrate side layer 21 are also arbitrary.
  • the first substrate side layer 21 may have the same material and thickness over its entirety (as in the example of FIG. 3), or may have different materials and/or thicknesses depending on the region.
  • Examples of the latter mode include, for example, a mode in which the region overlapping the vibrating section 9 and the region overlapping the frame section 11 (for example, the inner region 21e and the outer region 21f) have different materials and/or thicknesses.
  • the first substrate side layer 21 may be composed of one metal layer, or may be composed of two or more metal layers (example in FIG. 3).
  • the first substrate side layer 21 includes a lower layer 21a that contacts (directly overlaps) the first substrate 3, and an upper layer 21b that overlaps the lower layer 21a.
  • the lower layer 25a and the upper layer 25b of the first intermediate layer 25 are explained by replacing the code "25" with "21”, replacing the word "vibrating section 9" with "first substrate 3", and substituting the lower layer 21a with "first substrate 3". and the upper layer 21b.
  • the materials of the layers (upper layer 25b and upper layer 21b in the example of FIG. 3) constituting the surfaces of the first substrate side layer 21 and the first intermediate layer 25 to be joined to each other may be the same or different from each other. You can leave it there.
  • the boundary between the first substrate side layer 21 and the first intermediate layer 25 (upper layer 25b and upper layer 21b) can be identified by observation using a TEM (Transmission Electron Microscope) or the like. It may be possible, or it may be unspecified. The description in this paragraph may be applied to the second substrate side layer 23 and the second intermediate layer 27.
  • the second substrate 5 is, for example, a generally flat member.
  • the shape and dimensions of the second substrate 5 in a plan view are, for example, approximately the same as the shape and dimensions (described above) of the vibrator 1 in a plan view.
  • the second substrate 5 has a second recess 39 on the second surface 5a on the ⁇ D3 side.
  • the second recess 39 faces the excitation section 9a of the vibrating section 9, thereby facilitating vibration of the excitation section 9a.
  • the second recess 39 is formed in a wider area than the area facing the excitation part 9a. Thereby, for example, the bonding area between the second surface 5a and the intermediate layer 7 can be reduced, and the contact pressure when bonding the two can be increased.
  • the second surface 5a may not have the second recess 39 and may be flat. Further, the second substrate 5 may have a recess and/or a projection as appropriate on the +D3 side or the -D3 side in addition to the second recess 39.
  • the probability of contact between the excitation part 9a and the second surface 5a may be reduced by various methods. Examples are given below.
  • the excitation part 9a may be made thinner than the frame part 11 toward the ⁇ D3 side.
  • a region of the second intermediate layer 27 that contributes to bonding between the intermediate layer 7 and the second surface 5a may be made thicker than the first excitation electrode 13A (example in FIG. 3).
  • the +D3 side surface of the excitation section 9a may be joined to the second surface 5a.
  • the second surface 5a includes a frame region 5aa joined to the frame portion 11, a second recess 39 surrounded by the frame region 5aa, and a second recess 39, as indicated by reference numerals in FIG. It has a pedestal portion 5ab surrounded by.
  • the top surface (-D3 side surface) of the pedestal portion 5ab includes a pad area 5ac joined to the pad electrode 29.
  • the shapes and dimensions of each part are, for example, as follows.
  • the frame-shaped region 5aa has a shape that overlaps almost the entirety (for example, 90% or more) of the frame portion 11 in plan view.
  • Part or all of the inner edge of the frame-shaped region 5aa may coincide with the inner edge of the frame 11, or It may be located inside within a range that does not overlap with 9a), or it may be located outside within a range where the overlap between frame region 5aa and frame portion 11 is maintained.
  • a part or all of the outer edge of the frame-shaped area 5aa may be coincident with the outer edge of the frame part 11, or the frame-shaped area 5aa and the frame It may be located on the inside or outside within the range where the overlap with the portion 11 is maintained.
  • the description of the shape and dimensions of the frame portion 11 in a plan view may be applied to the shape and dimensions of the frame region 5aa unless there is a contradiction.
  • the pedestal portion 5ab has a shape and dimensions that generally overlap with the pad electrode 29 when seen in plan view.
  • part or all of the outer edge of the pedestal portion 5ab may coincide with or be located outside of the outer edge of the pad electrode 29 (as shown in the example of FIG. 3). ), may be located inside.
  • the description of the shape and dimensions of the pad electrode 29 in plan view may be applied to the shape and dimensions of the pedestal portion 5ab unless there is a contradiction.
  • the position of the top surface (-D3 side surface) of the pedestal portion 5ab in the D3 direction is, for example, the same as the position of the ⁇ D3 side surface of the frame portion 11 in the D3 direction. However, the two may be different.
  • the side surface of the second recess 39 may be generally parallel to the D3 direction, or may be inclined with respect to the D3 direction.
  • the diameter of the second recess 39 may become larger or smaller toward the -D3 side depending on the inclined side surface.
  • the depth of the second recess 39 is arbitrary.
  • the depth of the second recess 39 is determined such that the first excitation electrode 13A is located on the bottom surface of the second recess 39 (in the illustrated example, more specifically, on the bottom surface of the second substrate side layer 23 in the intended usage situation). It may be a minimum depth that does not touch the bottom surface of the second recess 39, or it may be deeper than that. Further, for example, the depth of the second recess 39 may be less than 1/2 of the thickness of the second substrate 5, or may be 1/2 or more of the thickness of the second substrate 5.
  • the vibrating section 9 and the second substrate 5 are joined only at the pedestal section 5ab. With this configuration, the space between the +D3 side of the excitation part 9a and the second recess 39 is connected to the space between the outside of the vibration part 9 and the inner peripheral surface of the frame part 11. Thereby, it is possible to suppress the adhesion of dust to the excitation section 9a.
  • the thickness of the second substrate 5 is arbitrary. In the example of FIG. 3, the second substrate 5 is thicker than the intermediate layer 7 and thinner than the first substrate 3.
  • An example of the thickness of the second substrate 5 in a relatively small vibrator 1 is 20 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less.
  • the external electrode 15 is arranged on the second substrate 5
  • a through hole is formed that penetrates the second substrate 5 in the D3 direction.
  • through holes can be easily formed and productivity can be improved.
  • the continuity of the extraction conductor 41 located within the through hole can be improved.
  • the material of the second substrate 5 is arbitrary.
  • the above description regarding the material of the first substrate 3 may be applied to the second substrate 5.
  • the second substrate 5 may be integrally formed of an insulator or a semiconductor, or may be formed by laminating different materials. may be configured.
  • the insulator may be an inorganic material (eg, quartz or ceramic) or an organic material (eg, resin). Examples of the semiconductor include silicon (Si) and germanium (Ge).
  • conductors other than those described above may be arranged on the second substrate 5.
  • castellations may be formed at the corners of the second substrate 5 in a plan view, and conductors may be disposed on the castellations. This conductor may contribute to electrical conduction between the second substrate side layer 23 and the external electrode 15, and may be provided instead of or in addition to the lead-out conductor 41.
  • the second substrate side layer 23 for example, generally extends over the entire second surface 5a. Another viewpoint is that the second substrate side layer 23 has a region overlapping with the frame-shaped region 5aa, a region overlapping with the bottom surface of the second recess 39, and a top surface of the pedestal portion 5ab (from another viewpoint, the pad region 5ac). It has an overlapping area. The second substrate side layer 23 does not need to overlap the side surface of the second recess 39 (example in FIG. 3), or may overlap (example in FIG. 4).
  • the region overlapping the frame-shaped region 5aa contributes to bonding the frame portion 11 and the second substrate 5.
  • the region overlapping the top surface of the pedestal portion 5ab contributes to the bonding between the vibrating portion 9 and the second substrate 5, and also contributes to conduction between the pad electrode 29 and the external electrode 15.
  • a region overlapping the bottom surface (and side surface) of the second recess 39 can function as a shield and/or a reinforcing material, for example.
  • the second substrate side layer 23 does not need to extend over the entire second surface 5a.
  • the second substrate side layer 23 may have a region overlapping with the frame-shaped region 5aa and a region overlapping with the pad region 5ac, but may not have a region overlapping with the bottom surface of the second recess 39. Further, for example, the second substrate side layer 23 may be apart from the edge of the second surface 5a.
  • the material, thickness, and configuration in the thickness direction of the second substrate side layer 23 are also arbitrary.
  • the second substrate side layer 23 may have the same material and thickness over its entirety (as in the example of FIG. 3), or may have different materials and/or thicknesses depending on the region. Examples of the latter embodiment include, for example, a mode in which the region bonded to the intermediate layer 7 and the region not bonded have different materials and/or thicknesses.
  • the second substrate side layer 23 may be composed of one metal layer, or may be composed of two or more metal layers (example in FIG. 3).
  • the second substrate side layer 23 includes a lower layer 23a that contacts (directly overlaps) the second substrate 5, and an upper layer 23b that overlaps the lower layer 23a.
  • the lower layer 25a and the upper layer 25b of the first intermediate layer 25 are explained by replacing the code "25" with "23”, replacing the word “vibration section 9" with "second substrate 5", and replacing the lower layer 23a with "second substrate 5". and the upper layer 23b.
  • the position, shape, and dimensions of the external electrode 15 are described in the description of the mounting mode of the vibrator in Section 1.2.
  • the external electrode 15 may be constituted by a conductor layer overlapping the +D3 side surface of the second substrate 5, or may be constituted by the +D3 side surface of the columnar lead-out conductor 41 that penetrates the second substrate 5.
  • the configuration may be such that such a distinction is difficult.
  • the conductor layer may be composed of one metal layer, or may be composed of two or more metal layers.
  • the conductor layer portion of the external electrode 15 is constituted by three metal layers, although no particular reference numerals are given.
  • the specific material is arbitrary. For example, as the material of the layer closest to +D3, the material exemplified as the material of the upper layer 25b may be used. Further, as the materials for the other two layers, the materials exemplified as the materials for the lower layer 25a may be used.
  • the configuration of the extraction conductor 41 may be any configuration (for example, columnar or layered).
  • the shape and dimensions of the extraction conductor 41 (second through hole 5h) are also arbitrary.
  • the second through hole 5h may have a straight columnar shape, or may have a tapered shape such that the diameter becomes smaller toward the +D3 side or the ⁇ D3 side.
  • the shape of the cross section (D1-D2 cross section) of the second through hole 5h may be, for example, circular, elliptical, rectangular, or polygonal (excluding rectangular shape).
  • the positions of the extraction conductor 41 and the external electrode 15 are also arbitrary.
  • the extraction conductor 41 and the external electrode 15 are located on the second surface 5a of the second substrate 5, directly above the pad area 5ac joined to the pad electrode 29. This simplifies the configuration of the second substrate 5, for example.
  • the second through hole 5h is located at a position overlapping the vibrating portion 9 and does not overlap the frame portion 11, the probability that the sealing performance is deteriorated due to the second through hole 5h is reduced. Details such as the positional relationship between the first through hole 9h and the second through hole 5h in the example of FIG. 3 will be described in Section 7.2.
  • the external electrode 15 (and the lead-out conductor 41) may be placed at a position other than directly above the pad area 5ac.
  • Other positions include, for example, a position that does not overlap the pad electrode 29 but overlaps the vibrating part 9, a position that overlaps between the vibrating part 9 and the frame part 11, a position that overlaps the frame part 11, and/or a position that overlaps the frame part 11.
  • the position on the outer circumference side can be mentioned.
  • stress generated when the vibrator 1 is mounted on a circuit board (not shown) causes vibrations through the external electrode 15 and the lead-out conductor 41. The probability of transmission to section 9 is reduced.
  • the second substrate side layer 23 has a pattern extending from a position overlapping the pad area 5ac to an arbitrary position, and the extraction conductor 41 and the external electrode 15 are provided at the arbitrary position. May be provided. Further, for example, the pattern may extend to the above-mentioned castellations, and the external electrode 15 and the pad electrode 29 may be electrically connected by a conductor placed in the castellations. Further, the second substrate 5 may be formed of a multilayer substrate, and the external electrodes 15 may be arranged at appropriate positions.
  • the vibrating portion 9 may, for example, face the entire first recess 14 (examples in FIGS. 1 to 3). Furthermore, the first recess 14 may be closed (sealed) by joining the first substrate 3 and the vibrating section 9 over the entire circumference of the first recess 14.
  • the vibrating section 9 does not need to close the first recess 14 or face the entire first recess 14 .
  • An example is shown below.
  • FIG. 7 is a plan view showing an example of a mode in which the vibrating section 9 does not seal the first recess 14. Specifically, this figure is a view of the first substrate 3 and the vibrating section 9 viewed from the +D3 side (the second substrate 5 and the frame section 11 are not shown).
  • the vibrating part 9 does not face the entire first recess 14. Furthermore, the first substrate 3 and the vibrating part 9 are not joined to each other over the entire circumference of the first recess 14.
  • the inside of the first recess 14 and the space on the +D3 side of the vibrating section 9 (for example, inside the second recess 39) are communicated with each other, so that the air pressures therebetween are equal. As a result, for example, the influence of atmospheric pressure differences on vibrations is reduced.
  • the relationship between the shapes, dimensions, and positions of both is arbitrary.
  • the shapes and dimensions of the opposing or non-opposing sections are arbitrary.
  • the shape and dimensions of the region where the vibrating section 9 is supported (and/or bonded) to the first substrate 3 on the outer periphery of the first recess 14 are arbitrary.
  • the portions of the first recess 14 that are not covered by the vibrating portion 9 are provided at two locations with the vibrating portion 9 in between in the D1 direction.
  • the region of the first substrate 3 that supports the vibrating section 9 is divided into two around the first recess 14 .
  • the number of parts of the first recess 14 that are not covered by the vibrating part 9 may be one, or three or more.
  • the area where the first recess 14 (more specifically, its opening (upper part)) is covered by the vibrating part 9 may be, for example, less than 1/2 of the area of the first recess 14, or may be 1/2 or more, 2/3 or more, 4/5, or 9/10 or more of the area of the first recess 14. .
  • the range in the circumferential direction of the overlapping region where the vibrating portion 9 and the outer periphery (outer peripheral region 3b) of the first recess 14 overlap is arbitrary.
  • the overlapping region (joining region) may be 30° or more, 45° or more, based on the length of the outer edge of the vibrating portion 9 or the first recessed portion 14 (or the angular range around the geometric center of the vibrating portion 9 or the first recessed portion 14).
  • the overlapping region surrounds the center of the vibrating section 9 or the first recess 14 .
  • the overlapping region does not need to be continuous, and includes a mode in which the total of the regions extends over an angular range of 180° or more. .
  • FIG. 8A is a plan view showing another example of a mode in which the vibrating section 9 does not seal the first recess 14, and is a view similar to FIG. 7.
  • FIG. 8B is a cross-sectional view taken along the line VIIIb-VIIIb of FIG. 8A (however, only a partial range including the first recess 14 is shown).
  • the vibrating part 9 has a width that faces the entire first recess 14, and furthermore, the vibrating part 9 has a width that extends over the entire circumference around the center of the vibrating part 9 (in other words, the first recess 14).
  • the vibrating portion 9 and the outer periphery (outer periphery region 3b) of the first recess 14 overlap (are joined to each other).
  • the vibrating part 9 is provided with a third through hole 9k that penetrates the vibrating part 9 in the thickness direction. Thereby, the inside of the first recess 14 communicates with the +D3 side space (second recess 39) of the vibrating section 9.
  • the number, position, shape, and dimensions of the third through holes 9k are arbitrary.
  • the third through hole 9k may be located in either the arrangement region or the non-arrangement region of the first intermediate layer 25 and/or the second intermediate layer 27.
  • the third through hole 9k may or may not also serve as the first through hole 9h that contributes to conduction.
  • the shape of the third through hole 9k in plan view may not be a slit shape (as shown in the figure), but may be a slit shape.
  • Communication between the first recess 14 and the +D3 side space (second recess 39) of the vibrating section 9 may be achieved by a method other than the above.
  • a slit extending from the edge of the first recess 14 to the outer edge of the vibrating part 9 is provided in the multifunctional electrode 33 and/or the first substrate side layer 21.
  • the first recess 14 and the space on the outer peripheral side of the vibrating part 9 may be made to communicate with each other.
  • the first substrate 3 may be provided with a slit SL that is integrally formed with the first recess 14 and extends to the outer edge of the vibrating section 9 (see FIG. 16). Further, the communication between the first recess 14 and the space (second recess 39) on the +D3 side of the vibrating part 9 may be realized outside the first recess 14 inside the vibrating part 9 in plan view.
  • the first recess 14 may be communicated with the outside by a cantilever-like support (FIG. 20), which will be described later.
  • the specific size of the distance d1 (FIG. 3) between the outer edge of the vibrating section 9 and the inner edge of the frame section 11 is arbitrary.
  • the distance d1 may be less than 1/2 of the width of the frame portion 11 (the width from the inner edge to the outer edge), or may be 1/2 or more.
  • the distance d1 may be set in consideration of the wavelength of unnecessary vibrations generated in the vibrating section 9. Specifically, for example, it is as follows.
  • unnecessary vibrations other than the thickness shear vibration that is intended to be used are generated in the vibrating part 9.
  • unnecessary vibration include bending vibration, thickness vibration (thickness longitudinal vibration), and contour sliding vibration.
  • the bending vibration is, for example, a vibration in which the vibrating portion 9 is bent in the D3 direction.
  • the thickness vibration is, for example, a vibration in which the vibrating section 9 expands and contracts in the thickness direction (D3 direction).
  • the contour sliding vibration is, for example, a vibration in which mutually opposing side surfaces of the vibrating section 9 slide in a plan view.
  • the unnecessary vibration causes resonance at a frequency (wavelength) defined by the specific dimensions of the vibrating part 9.
  • the unnecessary vibration generates a standing wave whose node or antinode is the end of the vibrating section 9 in the vibration direction.
  • the wavelength of this standing wave be ⁇ (it may be any of various unnecessary vibrations).
  • the distance d1 may be n ⁇ /4 (n is a natural number). When we say that d1 is equal to n ⁇ /4, there may be an error of ⁇ /16 or ⁇ /32.
  • standing waves of various orders may occur.
  • the above ⁇ is assumed to be the one that is most likely to couple with the thickness shear vibration to be used among the standing waves of various orders propagating in the direction in which the distance d1 is measured.
  • the wavelength ⁇ of such a standing wave may be determined, for example, by simulation calculation or experiment. Further, the relationship in the previous paragraph may be satisfied, for example, over the entire circumference of the vibrating section 9, or may be satisfied over a part or most of the circumference (for example, 1/2 or more circumference or 3/4 circumference or more). Good too.
  • the vibrating section 9 and the frame section 11 are separated from each other over the entire circumference.
  • the gap between the two is, for example, a space and is in a vacuum state or a state in which gas exists.
  • the vibration part 9 and the frame part 11 are more important than the case where the vibration part 9 and the frame part 11 are integrally formed (from another point of view, they are connected using the same material).
  • a material capable of allowing relative displacement with 11 may be interposed.
  • the material has, for example, a lower elastic modulus (for example, Young's modulus) of the materials of the vibrating portion 9, the frame portion 11, and the first substrate 3.
  • the outer edge of the first substrate 3 is located outside the outer edge of the second substrate 5 over the entire circumference (that is, the former is wider than the latter), and The outer edge of the two substrates 5 is located outside the outer edge of the intermediate layer 7 over the entire circumference (that is, the former is wider than the latter).
  • the outer edge of the first substrate 3 is located outside the outer edges of the intermediate layer 7 and the second substrate 5 over the entire circumference, while the outer edge of the intermediate layer 7 is located around the entire circumference. It may be located outside the outer edge of the second substrate 5 over the circumference.
  • the positional relationship of the outer edges of these three layers may differ depending on the position in the circumferential direction. The degree of difference in width is also arbitrary.
  • the first substrate 3 is thicker than the second substrate 5, and the second substrate 5 is thicker than the intermediate layer 7, when the recesses (14 and 39) are ignored.
  • the second substrate 5 may be thicker than the first substrate 3.
  • the first metal layer 17 and the second metal layer 19 are thinner than the first substrate 3, the second substrate 5, and the intermediate layer 7.
  • any of the metal layers may be thicker than the intermediate layer 7 or the like.
  • the thickness of the second metal layer 19 may be thicker than the thickness of the first metal layer 17 (as in the example shown in FIG. 3), the same may be the same, or the thickness may be thinner. In the case where there is a difference in the thickness of the various layers as described above, the degree of the difference is also arbitrary.
  • the geometric center of the first recess 14 may or may not coincide with the geometric center of the first substrate 3. Furthermore, the geometric centers of the first substrate 3 and/or the first recess 14 and the geometric centers of the vibrating section 9 and/or the excitation section 9a may or may not coincide. If the wavelength of the thickness shear vibration (in other words, the vibration that is intended to be used) is ⁇ , then for example, if the distance between the geometric centers is ⁇ /4 or less, then the two can be considered to match. .
  • FIG. 10 is an enlarged view of region X in FIG.
  • FIG. 11 is an enlarged view of a part of the range including the second pad electrode 29B in FIG.
  • the lower layer 21a of the first metal layer 17 is not shown (or the lower layer 21a is not actually provided).
  • the illustration of the lower layer 27a, the upper layer 27b, and the first bonding layer 27e is omitted (or one layer is actually provided instead of these three layers).
  • the connection of the second pad electrode 29B is taken as an example, but the connection of the second inspection electrode 31B is also similar.
  • an annular groove 43 surrounding the pad area 5ac connected to the second pad electrode 29B may be provided on the top surface of the pedestal portion 5ab.
  • the second substrate side layer 23 is not provided inside the groove 43 .
  • the portion of the second substrate side layer 23 located in the pad area 5ac is separated from the other portions of the second substrate side layer 23, and it is possible to apply different potentials to these portions. It has become.
  • the outer edge of the top surface of the pedestal portion 5ab may be located outside the outer edge of the second pad electrode 29B over the entire circumference (that is, the top surface is wider than the second pad electrode 29B).
  • the inner edge of the groove 43 may be located outside the outer edge of the second pad electrode 29B over the entire circumference (that is, the area surrounded by the groove 43 is located outside the outer edge of the second pad electrode 29B). It may be wider than the 2-pad electrode 29B).
  • the specific shape and dimensions of the groove 43 are arbitrary.
  • the groove 43 may have a shape similar to or similar to the outer edge of the top surface of the pedestal portion 5ab and/or the outer edge of the pad electrode 29, or may have a completely different shape.
  • the distance between the outer edge of the groove 43 and the outer edge of the pedestal portion 5ab, and the distance between the inner edge of the groove 43 and the second pad electrode 29B are arbitrary.
  • the depth of the groove 43 may be the same as the depth of the second recess 39 (as shown in the figure), or may be different.
  • the width of the groove 43 may or may not be constant.
  • the side surfaces of the groove 43 may be parallel to or inclined to the D3 direction.
  • the groove 43 may be formed around the pedestal portion 5ab. Further, the groove 43 may not be provided. Even if the groove 43 is not provided, by patterning the second substrate side layer 23, the portion to be bonded to the second pad electrode 29B and the other portions can be separated.
  • the first through hole 9h and the second through hole 5h may each have portions that do not overlap with each other in plan view.
  • the structure consisting of the vibrating section 9 and the second substrate 5 is It is expected that the strength will be improved. Note that in a mode in which one through hole fits into the other through hole, electrical loss is expected to be reduced.
  • first through hole 9h and the second through hole 5h are arbitrary.
  • first through hole 9h and the second through hole 5h have portions that overlap with each other. However, the positions of both may be shifted from each other so that they do not overlap completely.
  • the range in the circumferential direction of the joining region where the vibrating portion 9 and the outer periphery (outer peripheral region 3b) of the first recessed portion 14 are joined is arbitrary.
  • the vibrating section 9 may be supported in a cantilever shape, for example. An example is shown below.
  • FIG. 18 is an exploded perspective view showing a crystal resonator 201 in which the vibrating section 9 is supported in a cantilevered manner, and corresponds to FIG. 1.
  • FIG. 19 is an exploded perspective view of the vibrator 201 viewed from a direction different from that in FIG. 18, and corresponds to FIG.
  • FIG. 20 is a sectional view taken along line XX-XX in FIG. 18.
  • the first intermediate layer 25 which overlaps the surface of the intermediate layer 7 on the first substrate 3 side, has two connection electrodes 33b located on one end side of the vibrating section 9 in a predetermined direction (for example, the longitudinal direction D2 direction). ( Figures 19 and 20). From another point of view, the portion of the first intermediate layer 25 that overlaps the vibrating portion 9 and faces the outer circumferential region 3b of the first recess 14 is not provided so as to surround the first recess 14; It is provided only on one end side of the portion 9.
  • the first substrate side layer 21 that overlaps the first surface 3a of the first substrate 3 on the vibrating section 9 side has two connection pads 21h facing the two connection electrodes 33b (FIGS. 18 and 20). ).
  • the portion of the first substrate side layer 21 that overlaps the outer peripheral region 3b and faces the vibrating section 9 is not provided so as to surround the first recess 14, but is located on one end of the vibrating section 9. It is provided only in
  • connection electrode 33b and the connection pad 21h are joined.
  • the vibrating portion 9 faces the outer circumferential region 3b over the entire circumference of the first recessed portion 14, for example. However, the vibrating portion 9 and the outer peripheral region 3b are separated by approximately the thickness of these conductor layers, except for the region where the connection electrode 33b and the connection pad 21h are arranged. Thereby, the vibrating section 9 is supported by the first substrate 3 in a cantilevered manner.
  • the support by the first substrate 3 has been described, the support by the second substrate 5 is also in the form of a cantilever. From another point of view, the vibrating section 9 is supported in a cantilever shape by being sandwiched between the first substrate 3 and the second substrate 5 at one end side.
  • the two pad electrodes 29 are located at one end of the vibrating section 9 (FIGS. 18 and 20). , no inspection electrode 31 is provided. Then, the two pad electrodes 29 and the region of the second substrate side layer 23 that overlaps with the two pad regions 5ac are bonded. Thereby, the vibrating section 9 is supported in a cantilevered manner while being separated from the second substrate 5 by the thickness of the pad electrode 29 and the second substrate side layer 23.
  • the pedestal portion 5ab is not provided.
  • the second recess 39 does not surround the base portion 5ab, and has a shape and size that generally match the first recess 14 in plan view. Regardless of whether the first recess 14 and the second recess 39 match in plan view, the description regarding the shape, dimensions, etc. of the first recess 14 may be applied to the second recess 39.
  • the pedestal portion 5ab may be provided in the vibrator 201, or conversely, the pedestal portion 5ab may be omitted in the vibrator 1.
  • connection electrode 33b is connected to the second excitation electrode 13B via a wiring part (numerals omitted). Furthermore, the one connection electrode 33b is connected to the second pad electrode 29B directly above it via a connection conductor 37 (FIG. 20). The other connection electrode 33b may be connected to the first excitation electrode 13A via the connection conductor 37 and the first pad electrode 29A directly above it, or may be connected to the second excitation electrode 13B instead of the first excitation electrode 13A. or may be a dummy electrode that is not connected to any of the excitation electrodes 13.
  • connection electrodes 33b for cantilever support are arbitrary.
  • the conductors (including the connecting conductor 37) in the vibrating section 9 are configured to be rotationally symmetrical by 180° with respect to a center line parallel to the D2 direction as an axis of symmetry. This makes it easier to ensure vibration symmetry.
  • the description of the positions, shapes, dimensions, etc. of the pad electrode 29 and the wiring portion 35 may be applied to the connection electrode 33b and the wiring portion connected to the connection electrode 33b, regardless of whether or not they are 180° rotationally symmetrical.
  • connection pads 21h are also arbitrary. In the illustrated example, the number, position, shape, etc. of the connection pads 21h are similar to those of the connection electrode 33b. However, for example, if the connection electrode 33b not connected to the second excitation electrode 13B is a dummy electrode, one connection pad 21h may be provided spanning the two connection electrodes 33b.
  • the vibrating portion 9 overlaps the entire first recess 14 when viewed in the D3 direction.
  • the vibrating section 9 extends from the outside of one side of the first recessed section 14 in the direction from one end supported like a cantilever to the other end (free end). 1 extends to the outside of the other side of the recess 14.
  • the first recess 14 does not overlap the other end (free end) of the vibrating section 9 when viewed in the D3 direction.
  • the first recess 4 overlaps the free end, and/or the first recess 14 overlaps the edges of the vibrating part 9 on both sides in the D1 direction as illustrated in FIG. You can also
  • the vibrating section 9 is not sandwiched between the first substrate 3 and the second substrate 5, but may be entirely separated from the second substrate 5.
  • the second substrate side layer 23 does not have a portion overlapping the pad area 5ac, and the vibrating section 9 is not bonded to the second substrate 5.
  • the second recess 39 may be made wider than the vibrating part 9 so that the second substrate 5 is separated from the vibrating part 9. Then, two lead-out conductors 41 and two external electrodes 15 are provided on the first substrate 3 directly below the two connection pads 21h.
  • the various features shown in the examples of FIGS. 18 to 20 may be applied as appropriate to a vibrator having a support structure other than a cantilever support structure.
  • the conductor layer located on the lower surface of the vibrating section 9 is not a solid pattern (multifunctional electrode 33), but a pattern having the second excitation electrode 13B, wiring section, and connection electrode 33b. It is said that Such a mode may be applied to the vibrating section 9 which is supported at both ends.
  • the two connection electrodes 33b may be located on both sides of the second excitation electrode 13B in the D2 direction.
  • the vibrator 1 (and 201) having the above configuration may be manufactured by various manufacturing methods. An example is shown below.
  • FIG. 12A to 15C are schematic cross-sectional views illustrating an example of a method for manufacturing the vibrator 1. The manufacturing process basically proceeds sequentially from FIG. 12A to FIG. 15C.
  • FIGS. 12A to 15C show processing steps for, for example, a wafer including a plurality of first substrates 3, a wafer including a plurality of second substrates 5, and a wafer including a plurality of intermediate layers 7.
  • first substrate 3, one second substrate 5, and one intermediate layer 7 are shown for convenience.
  • FIG. 12A to 15C show processing steps for, for example, a wafer including a plurality of first substrates 3, a wafer including a plurality of second substrates 5, and a wafer including a plurality of intermediate layers 7.
  • a wafer including a plurality of first substrates 3 and a wafer including an intermediate layer 7 are bonded using the first metal layer 17 (an example of a first bonding step). More specifically, for example, as shown in FIG. 3, the first substrate side layer 21 and the first intermediate layer 25 are bonded together by applying pressure and heating. At this stage, in the intermediate layer 7, the vibrating section 9 and the frame section 11 are integrated, and no conductors other than the first intermediate layer 25 are disposed. Further, the first substrate side layer 21 extends over the entire surface of the first substrate 3 on the intermediate layer 7 side (first surface 3a). Note that in the case of the vibrator 201 instead of the vibrator 1, the first substrate side layer 21 and the first intermediate layer 25 are patterned before bonding.
  • the intermediate layer 7 is thinned.
  • This step may include, for example, a step of greatly thinning by polishing or wet etching, and a step of thinning with high precision by plasma CVM.
  • the intermediate layer 7 is brought to a final thickness depending on the frequency for which it is intended to be used. Since the intermediate layer 7 is etched in a wafer state supported by the wafer of the first substrate 3, it is easy to process the intermediate layer 7 into an extremely thin layer.
  • the intermediate layer 7 is etched (for example, wet etching; hereinafter, the same applies to other layers unless otherwise specified) to form the external shapes of the vibrating section 9 and the frame section 11. (an example of an etching step).
  • an electrode layer 27c that becomes a part of the second intermediate layer 27 is formed.
  • the electrode layer 27c may have a configuration including, for example, the lower layer 27a and the upper layer 27b in the example of FIG.
  • the electrode layer 27c has the same planar shape as the vibrating section 9 and the frame section 11 at this stage. Etching of the vibrating section 9 and frame section 11 and patterning of the electrode layer 27c may be performed simultaneously, or the former may be performed before the latter.
  • the bonding layer 27d is, for example, a layer corresponding to the first bonding layer 27e and the second bonding layer 27f in the example of FIG.
  • the bonding layer 27d is, for example, a layer that is bonded in direct contact with the second substrate side layer 23, and is made of a material that improves strength or functions as a barrier layer (for example, a Ti/Au stacked structure). .
  • the bonding layer 27d is removed by etching in a region of the upper surface of the vibrating section 9 excluding the region that will become the pad electrode 29 and the test electrode 31, and the electrode layer 27c is exposed.
  • the second substrate 5 is manufactured as shown in FIG. 14A.
  • the second recess 39 is formed by etching a flat wafer.
  • the shape of the second recess 39 in plan view is such that the frame-shaped area 5aa (the area joined to the frame part 11) and the pedestal part 5ab are connected, and there is also a frame-shaped area outside the frame area 5aa. The shape is such that a region is formed.
  • a metal layer 23c that becomes a part of the second substrate side layer 23 is formed and patterned.
  • the metal layer 23c is provided only in a region of the surface of the second substrate 5 on the intermediate layer 7 side (second surface 5a) to be bonded to the intermediate layer 7.
  • the metal layer 23c may include, for example, the lower layer 23a and the upper layer 23b in the example of FIG. 3, and may further include a barrier layer.
  • a bonding layer 23d that becomes another part of the second substrate side layer 23 is formed and patterned.
  • the bonding layer 23d is provided only in the region bonded to the intermediate layer 7, similar to the metal layer 23c described above.
  • the bonding layer 23d may be made of a material that is easy to bond, such as an AuSn alloy, for example.
  • the grooves 43 may be formed by etching after the second substrate side layer 23 is formed. At this time, the second substrate side layer 23 overlapping the region that will become the groove 43 is also removed.
  • the intermediate layer 7 and the second substrate 5 are bonded using the second metal layer 19 (an example of the second bonding step). More specifically, the second substrate side layer 23 and the second intermediate side layer 27 are bonded together by applying pressure and heating. The surfaces of the second substrate side layer 23 and the second intermediate layer 27 may be activated or otherwise bonded at room temperature.
  • the second substrate 5 is thinned by polishing or etching. This allows the second substrate 5 to have its final thickness.
  • a second through hole 5h is formed in the second substrate 5, and the extraction conductor 41 and the external electrode 15 are provided. Thereafter, although not particularly shown, the three-layer wafer is separated into pieces by dicing or the like. In this way, the vibrator 1 is manufactured.
  • a frame-shaped recess is also formed outside the frame-shaped area 5aa.
  • the second through hole 5h if the through hole is formed from the surface on the +D3 side in the portion overlapping with this recess in plan view, the second substrate 5 is separated into pieces. In this case, there is no need to dice the three layers of wafers all at once, increasing productivity. Furthermore, since stress is not applied to the joint between the second substrate 5 and the intermediate layer 7 during dicing, a highly reliable vibrator 1 can be obtained.
  • the vibration device (crystal resonator 1) according to the embodiment includes the first substrate 3, the second substrate 5, the intermediate layer 7, and the excitation electrode 13.
  • the first substrate 3 has a first surface 3a.
  • the second substrate 5 has a second surface 5a opposite to the first surface 3a.
  • the intermediate layer 7 is located between the first surface 3a and the second surface 5a.
  • the first surface 3a has a first recess 14.
  • the intermediate layer 7 has a vibrating section 9 and a frame section 11.
  • the vibrating section 9 has an excitation section 9a in which an excitation electrode 13 is located.
  • the excitation portion 9a faces the first recess 14 (at least a portion thereof).
  • the frame portion 11 surrounds the vibrating portion 9 in plan view, and is joined to the first surface 3a and the second surface 5a.
  • the frame portion 11 includes a layer made of the same material as the layer included in the vibrating portion 9.
  • the outer edge of the vibrating part 9 is separated from the frame part 11 over its entire circumference.
  • the vibrating portion 9 is joined to the outer peripheral region 3b of the first recess 14 on the first surface 3a.
  • the probability that the vibration of the vibrating section 9 leaks to the frame section 11 is reduced.
  • the support structure can be simplified and/or the degree of freedom in design regarding the support position can be improved.
  • the vibrating part 9 may be joined to the outer peripheral region 3b over an angular range of 180° or more around the center (geometric center) of the vibrating part 9 in plan view.
  • the vibrating part 9 is supported over a wide range in the circumferential direction. Therefore, it is expected that, for example, the warpage and/or deflection of the vibrating section 9 will be reduced, and the characteristics of the vibrator 1 will be stabilized.
  • the vibration device may have a first metal layer 17 and a second metal layer 19.
  • the first metal layer 17 may be interposed between the vibrating section 9 and the first surface 3a to join them together, or may be interposed between the frame section 11 and the first surface 3a to join them together. It's okay to do so.
  • the second metal layer 19 may be interposed between the frame portion 11 and the second surface 5a to join them together.
  • joining is facilitated compared to a mode in which direct joining is performed.
  • a metal layer used for electrodes such as the excitation electrode 13 can be used for bonding.
  • the vibration device may have a pad electrode 29.
  • the pad electrode 29 may be located on the second surface 5a side with respect to the vibrating section 9, and may be electrically connected to the excitation electrode 13.
  • the second surface 5a may include a frame-shaped area 5aa, a pad area 5ac, and a second recess 39.
  • the frame region 5aa may be joined to the frame portion 11.
  • the pad area 5ac may be joined to the pad electrode 29.
  • the second recess 39 may be surrounded by the frame-shaped area 5aa, surround the pad area 5ac, and face the excitation part 9a.
  • the second surface 5a may have a pedestal portion 5ab surrounded by the second recess 39.
  • the pedestal portion 5ab may have a top surface including a pad area 5ac joined to the pad electrode 29.
  • the top surface of the pedestal portion 5ab or the bottom surface of the second recess 39 may have a groove 43 surrounding the pad area 5ac and the pad electrode 29 in plan view.
  • the probability that an unintended short circuit will occur is reduced.
  • the effect of insulating the portion of the second substrate side layer 23 on the pad area 5ac from other portions of the second substrate side layer 23 is improved.
  • the vibration device may have a second metal layer 19 overlapping the second surface 5a.
  • the second metal layer 19 may face the entire excitation part 9a, and further may face the outer edge of the vibration part 9, the frame part 11, and the gap between the vibration part 9 and the frame part 11. From another point of view, for example, the second metal layer 19 may generally extend over the entire second surface 5a.
  • the second metal layer 19 easily functions as a shield and/or a reinforcing material. Furthermore, the probability that gas will be released from the second substrate 5 into the space around the vibrating section 9 during the manufacturing process or the like is reduced.
  • the vibration device may have a first metal layer 17 and a second metal layer 19.
  • the first metal layer 17 may be in contact with the vibrating part 9 and the first surface 3a, or may be interposed between the frame part 11 and the first surface 3a and in contact with both.
  • the second metal layer 19 may be in contact with the frame portion 11 and the second surface 5a between the two.
  • the thickness of the second substrate 5 may be thinner than the thickness of the first substrate 3.
  • the thickness of the second metal layer 19 may be greater than the thickness of the first metal layer 17.
  • the first substrate 3 is thicker than the second substrate 5
  • external stress is less likely to be transmitted to the vibrating section 9 supported on the outer periphery of the first recess 14.
  • the relatively thick second metal layer 19 reinforces the strength of the relatively thin second substrate 5. As a result, the strength of the vibrator 1 as a whole is improved.
  • the vibrating portion 9 may have a constant thickness from the region (at least a portion thereof) facing the first recess 14 to the region (at least a portion thereof) facing the outer peripheral region 3b.
  • the vibrating portion 9 may have a portion that has a constant thickness and straddles the boundary between the first recess 14 and the outer peripheral region 3b.
  • the entire vibrating section 9 may have a constant thickness. Note that in this case, unique parts of the vibrating portion 9 such as the first through hole 9h may be excluded from consideration.
  • the vibrating device (vibrator 1) has a third metal layer (first intermediate layer 25; from another point of view, multifunctional electrode 33) overlapping the first surface 3a side with respect to the vibrating part 9. It's fine.
  • the first intermediate layer 25 may straddle the boundary between the first recess 14 and the outer peripheral region 3b in plan view, and the portion that straddles the boundary is 30° around the center (geometric center) of the first recess 14. It may extend over an angular range of 45° or more, 75° or more, 100° or more, 150° or more, or 180° or more, and does not need to be continuous, and the total of the area falls within the above angular range. It also includes aspects that span the range.
  • the multifunctional electrode 33 does not have a solid pattern, and the wiring portion extending from the second excitation electrode 13B straddles the boundary between the first recess 14 and the outer peripheral area 3b (this aspect also applies to the technology of the present disclosure). ), the length of the first intermediate layer 25 interposed between the boundary and the vibrating section 9 is longer.
  • the first intermediate layer 25 is expected to have the effect of alleviating the stress generated in the vibrating section 9 due to the boundary. Therefore, for example, the probability that unintended stress will be generated in the vibrating section 9 is reduced, and as a result, the characteristics of the vibrating section 9 are improved and/or the resistance to impact is improved.
  • the vibrating device may include a first metal layer 17 interposed between the intermediate layer 7 and the first surface 3a and bonding them together.
  • the first metal layer 17 may include a third metal layer (for example, the first intermediate layer 25 (or the lower layer 25a or the upper layer 25b) in FIG. 3) that overlaps the vibrating section 9 and the frame section 11.
  • a portion overlapping with the vibrating section 9 (multifunctional electrode 33) and a portion overlapping with the frame section 11 may be made of the same material and the same thickness
  • the excitation section 9a may be made of the same material and the same thickness. May include overlapping parts.
  • the same materials do not necessarily have to be completely the same, and include unavoidable differences in material and manufacturing or differences in impurity concentration.
  • the same thickness does not necessarily have to be completely the same; for example, the difference between the thickness of the portion overlapping the frame portion 11 (e.g. average value) and the thickness of the portion overlapping the vibrating portion 9 (e.g. average value) is the latter. It means within ⁇ 5% of the thickness.
  • the first intermediate layer 25 (or the lower layer 25a or the upper layer 25b) used as the second excitation electrode 13B is also used for bonding the frame portion 11 and the first substrate 3.
  • the configuration is simplified.
  • the vibration device may have a first metal layer 17 between the intermediate layer 7 and the first surface 3a and in contact with both.
  • the thickness of the first metal layer 17 may be thinner than the thickness of the excitation section 9a.
  • the vibrator 1 can be made thinner by making the first metal layer 17 thinner.
  • the first metal layer 17 since the distance between the excitation part 9a and the first surface 3a (bottom surface of the first recess 14) is secured by the first recess 14, the first metal layer 17 is made thicker to ensure the distance between the two. There is no need to do so, and the first metal layer 17 can be made thinner. Note that, as described above, in the embodiment that utilizes thickness shear vibration, the excitation portion 9a corresponding to high frequencies is made extremely thin. In the case where the first metal layer 17 which is thinner than such a thin excitation part 9a is used, the above-mentioned effect is enhanced.
  • the excitation electrode 13 (first excitation electrode 13A) may be located on the surface of the vibrating section 9 on the second substrate 5 side, and may be accommodated in the first recess 14 when viewed from above.
  • the probability that the vibration of the excitation part 9a is regulated by the edge of the first recess 14 is reduced, or the degree of regulation is reduced.
  • the characteristics of the vibrating section 9 are improved.
  • the vibration device may have a fourth metal layer (first substrate side layer 21) overlapping the bottom surface of the first recess 14.
  • the effect of the first substrate side layer 21 as a shield and/or reinforcing material is improved. Furthermore, for example, during the manufacturing process, gas released from the first substrate 3 into the space around the vibrating section 9 is reduced.
  • the vibration device may have a fourth metal layer (first substrate side layer 21) overlapping the first substrate 3 from the side surface of the first recess 14 to the outer peripheral region 3b (see FIG. 4).
  • the same effects as those described above when the first substrate side layer 21 overlaps the bottom surface of the first recess 14 are achieved. Furthermore, for example, by interposing the first substrate side layer 21 between the edge of the first recess 14 and the vibrating part 9, the stress generated in the vibrating part 9 due to the edge can be reduced. Be expected.
  • the outer edge of the frame portion 11 and the outer edge of the second substrate 5 may be located inside the outer edge of the first substrate 3 over the entire circumference.
  • the outer circumferential surface of the first substrate 3 can protect the outer circumferential surfaces of the frame portion 11 and the second substrate 5 from contact from the outer circumferential side. Therefore, for example, by making the first substrate 3 relatively thick, it is possible not only to reduce the probability of deformation of the vibrating part 9 bonded to the first substrate 3 as described above, but also to resistance to contact can be improved. Further, for example, in the manufacturing process, dicing of the first substrate 3 from the second substrate 5 side is facilitated.
  • the vibrating section 9 and the excitation electrode 13 may have a configuration that utilizes thickness shear vibration.
  • the first recess 14 may have an elliptical shape whose longitudinal direction is the direction of thickness shear vibration in plan view.
  • the first recess 14 has a shape similar to the shape in which the energy of thickness shear vibration is trapped. Therefore, for example, it is easier to reduce the area of the first recess 14 and ensure the strength of the first substrate 3 while maintaining the characteristics of the vibrating section 9.
  • the side surface of the vibrating part 9 may have an inclined surface located closer to the outer circumferential side of the vibrating part 9 as it approaches the first substrate 3 .
  • connection layer 38 (which may be formed together with the second intermediate layer 27) is formed to overlap the side surface of the vibrating section 9 from the +D3 side of the vibrating section 9, and the second intermediate layer 27 and the first metal layer are formed. 17, it is easy to form the connection layer 38. From another point of view, the reliability of conduction through the connection layer 38 is improved.
  • the distance between the vibrating part 9 and the frame part 11 is the length (n ⁇ ⁇ /4).
  • the influence of unnecessary vibrations can be reduced.
  • a part of the vibration of the vibrating section 9 reaches the frame section 11 via the first substrate 3. This vibration is reflected by the frame part 11 and returns to the vibrating part 9, so that vibration loss can be reduced and efficient vibration can be generated.
  • the vibrating part 9 has a first through hole 9h in which a conductor (connecting conductor 37) that connects the first board 3 side of the vibrating part 9 and the second board 5 side of the vibrating part 9 is located. good.
  • One of the first substrate 3 and the second substrate 5 (in the illustrated example, the second substrate 5) has a side on which the intermediate layer 7 of the one substrate is located and a side opposite to the intermediate layer 7 of the one substrate. It may have a second through hole 5h in which a conducting conductor (output conductor 41) is located.
  • the first through hole 9h and the second through hole 5h may each have portions that do not overlap with each other.
  • the vibrating part 9 may have a first through hole 9h in which a conductor is located to conduct the first substrate 3 side of the vibrating part and the second substrate 5 side of the vibrating part 9.
  • the first through hole 9h has a shape in which the length in the first direction (D1 direction) is longer than the length in the second direction (D2 direction) perpendicular to the first direction, in a plan view of the vibrating part 9. good.
  • the first through hole 9h may have a tapered shape with a diameter smaller toward the first substrate 3 side.
  • the taper angle ⁇ 1 in the cross section perpendicular to the first direction may be larger than the taper angle ⁇ 2 in the cross section perpendicular to the second direction.
  • the average of the two inner surfaces in the longitudinal section perpendicular to the longitudinal direction (D1 direction) is is made smaller than the average of the two inner surfaces in the longitudinal section perpendicular to the transverse direction. Therefore, for example, when a conductor is deposited from the +D3 side, it is easier to deposit the conductor on the inner surface in the longitudinal section perpendicular to the longitudinal direction. By ensuring that the inner surface in such a longitudinal section is long in plan view, the reliability of conduction is improved overall.
  • the vibrating section 9 may have a separate divided section SP.
  • the dividing portion SP and the first substrate 3 are joined together in the same manner as the vibrating portion 9 and the first substrate 3 in other examples.
  • the first excitation electrode 13A has a narrow width extending outward from a portion overlapping with the first recess 14 in plan view.
  • the first pad electrode 29A is located on the +D3 side surface.
  • the first pad electrode 29A is electrically connected to the first intermediate layer 25 via the first through hole 9h.
  • the pedestal portion 5ab corresponding to the first pad electrode 29A (that is, the electrode electrically connected to the first excitation electrode 13A) is lower than the pedestal portion 5ab corresponding to the second pad electrode 29B. It also has a large area. That is, the pedestal portion 5ab is continuously formed in the width detail in the region corresponding to the first pad electrode 29A.
  • the second substrate side layer 23 located on the pedestal portion 5ab electrically connects the width detail to the first pad electrode 29A.
  • the area of the width detail can be reduced.
  • the capacitance formed by the first intermediate layer 25 and the width part can be reduced, and the vibrator 1 with excellent characteristics can be provided.
  • the intermediate layer 7 is thinned after it is bonded to the first substrate 3, but the thickness can be adjusted after bonding by using the film-like intermediate layer 7 that has been thinned in advance. The process can be omitted.
  • the method for manufacturing the crystal resonator 1 may include, for example, a first bonding step (FIG. 12A), an etching step (FIG. 12C), and a second bonding step (FIG. 15A).
  • first bonding step the intermediate layer 7 in which the vibrating portion 9 and the frame portion 11 are integrated is bonded to the first surface 3a having the first recess 14.
  • etching step after the first bonding step, the intermediate layer 7 is etched to separate the outer edge of the vibrating section 9 from the frame section 11 over its entire circumference.
  • the second surface 5a is bonded to the intermediate layer 7 after the etching step.
  • the intermediate layer 7 in which the vibrating part 9 and the frame part 11 are integrated is stacked on the first substrate 3, and the vibrating part 9 is processed. By doing so, it is expected that the warpage and/or deflection of the vibrating section 9 will be reduced and the characteristics of the vibrator 1 will be stabilized.
  • the crystal resonator 1 is an example of a vibrating device.
  • the first intermediate layer 25 is an example of a third metal layer.
  • the first substrate side layer 21 is an example of the fourth metal layer.
  • the D1 direction is an example of a first direction.
  • the D2 direction is an example of the second direction.
  • the vibration device is not limited to a vibrator.
  • the vibration device may be an oscillator having an oscillation circuit that applies a voltage to a vibrating section to generate an oscillation signal.
  • an IC integrated circuit
  • the oscillation circuit may be formed by injecting a dopant into the first substrate and/or the second substrate made of semiconductor, or by forming electrodes.
  • the first substrate and/or the second substrate may be constituted by a multilayer substrate and may include an oscillation circuit therein.
  • the vibration device may be used for purposes other than generating oscillation signals, such as filtering.
  • (Concept 1) a first substrate having a first surface; a second substrate having a second surface opposite to the first surface; an intermediate layer located between the first surface and the second surface; an excitation electrode; It has The first surface has a first recess,
  • the intermediate layer is a vibrating part having an excitation part in which the excitation electrode is located, the excitation part facing the first recess; a frame that surrounds the vibrating section in plan view and is joined to the first surface and the second surface;
  • the frame portion includes a layer made of the same material as the layer included in the vibrating portion, The outer edge of the vibrating part is separated from the frame part over its entire circumference, The vibrating part is joined to an outer circumferential region of the first recess of the first surface.
  • the vibrating device (Concept 2) a first metal layer interposed between the vibrating section and the first surface to join them together, and a first metal layer interposed between the frame section and the first surface to join them together; a second metal layer interposed between the frame portion and the second surface and joining the two;
  • the vibration device according to concept 1 having: (Concept 3) a pad electrode located on the second surface side with respect to the vibrating section and electrically connected to the excitation electrode;
  • the second surface is a frame-shaped region joined to the frame portion; a pad region connected to the pad electrode;
  • the vibration device according to Concept 1 or 2 further comprising a second recessed portion surrounded by the frame-shaped region, surrounding the pad region, and facing the excitation section.
  • the second surface has a pedestal surrounded by the second recess, The pedestal portion has a top surface including the pad area, The vibrating device according to concept 3, wherein the top surface of the pedestal portion or the bottom surface of the second recess has a groove surrounding the pad area and the pad electrode in plan view.
  • Concept 5) a second metal layer overlapping the second surface; The second metal layer faces the entire excitation part, and also faces the outer edge of the vibration part, the frame part, and the gap between the vibration part and the frame part.
  • Concepts 1 to 4. The vibration device according to any one of the above.
  • (Concept 6) a first metal layer that is in contact with both the vibrating part and the first surface and in contact with both of the frame part and the first surface; a second metal layer in contact with the frame portion and the second surface; It has The thickness of the second substrate is thinner than the thickness of the first substrate,
  • Concept 7) The vibrating device according to any one of Concepts 1 to 6, wherein the vibrating portion has a constant thickness from a region facing the first recess to a region facing the outer peripheral region.
  • (Concept 8) a first metal layer interposed between the intermediate layer and the first surface and bonding the two;
  • the first metal layer includes a third metal layer overlapping the vibrating part and the frame part,
  • the third metal layer includes a portion overlapping the vibrating portion and a portion overlapping the frame portion that are made of the same material and the same thickness, and includes a portion overlapping the excitation portion.
  • Concepts 1 to 7 The vibration device according to any one of. (Concept 9)
  • a first metal layer is provided between the intermediate layer and the first surface and is in contact with both;
  • the vibration device according to any one of Concepts 1 to 8, wherein the first metal layer has a thickness thinner than the excitation section.
  • (Concept 13) Vibration according to any one of Concepts 1 to 12, in which the outer edge of the frame portion and the outer edge of the second substrate are located inside the outer edge of the first substrate over the entire circumference in a plan view. device.
  • the vibrating section and the excitation electrode have a configuration that utilizes thickness shear vibration, The vibration device according to any one of Concepts 1 to 13, wherein the first recess has an elliptical shape whose longitudinal direction is the direction of thickness shear vibration when viewed from above.
  • the distance between the vibrating part and the frame part is a length equal to a natural number multiplied by a quarter wavelength of at least one vibration of bending vibration, thickness vibration, and contour sliding vibration as unnecessary vibration in the excitation part. 16.
  • the vibration device according to any one of 1 to 15.
  • the vibrating section has a first through hole in which a conductor is located that conducts between the first substrate side of the vibrating section and the second substrate side of the vibrating section, One of the first substrate and the second substrate has a second through hole in which a conductor is located that conducts between the intermediate layer side of the one substrate and the opposite side of the intermediate layer of the one substrate.
  • the vibrating section has a first through hole in which a conductor is located that conducts between the first substrate side of the vibrating section and the second substrate side of the vibrating section, The first through hole is In a plan view of the vibrating section, the length in a first direction is longer than the length in a second direction perpendicular to the first direction, and a tapered shape with a diameter smaller toward the first substrate;
  • the vibrating device according to any one of Concepts 1 to 17, wherein a taper angle in a cross section perpendicular to the first direction is larger than a taper angle in a cross section perpendicular to the second direction.
  • the frame portion and the vibrating portion are made of the same material and have substantially the same thickness,
  • the excitation electrode is located on the first substrate side and the second substrate side of the vibrating section,
  • the vibration device according to Concept 8 wherein the third metal layer includes one of the excitation electrodes located on a side of the first substrate.
  • (Concept 21) a third metal layer overlapping the first surface side with respect to the vibrating section;
  • the third metal layer straddles the boundary between the first recess and the outer peripheral region in plan view, and the portion that straddles the boundary extends over an angular range of 180° or more around the center of the first recess.
  • the vibration device according to any one of Concepts 1 to 20.
  • (Concept 22) A method of manufacturing a vibration device according to any one of Concepts 1 to 21, comprising: a first joining step of joining the intermediate layer, in which the vibrating part and the frame part are integrated, to the first surface having the first recess; After the first bonding step, an etching step of etching the intermediate layer to separate the outer edge of the vibrating part from the frame part over its entire circumference; a second bonding step of bonding the second surface to the intermediate layer after the etching step; A method for manufacturing a vibration device having the following.
  • SYMBOLS 1 Crystal resonator (vibration device), 3... First substrate, 3a... First surface, 3b... Outer peripheral region, 5... Second substrate, 5a... Second surface, 7... Intermediate layer, 9... Vibrating section, 9a ...excitation part, 11...frame part, 13...excitation electrode, 14...first recessed part.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

振動デバイスは、第１基板、第２基板、中間層及び励振電極を有している。第１基板は第１面を有している。第２基板は第１面と対向する第２面を有している。中間層は第１面と第２面との間に位置している。第１面は第１凹部を有している。中間層は振動部及び枠部を有している。振動部は励振電極が位置する励振部を有している。励振部は第１凹部に対向している。枠部は、平面視において振動部を囲んでおり、第１面及び第２面に接合されている。枠部は、振動部が含む層と材料が同じ層を含んでいる。振動部の外縁は、その全周に亘って枠部から離れている。振動部は、第１面のうちの第１凹部の外周領域に接合されている。

Description

振動デバイス及び振動デバイスの製造方法
　本開示は、水晶振動子等の振動デバイス及び振動デバイスの製造方法に関する。
　いわゆるＷＬＰ（Wafer Level Package）型の水晶振動子として、板状のベースと、水晶基板と、板状のリッドとを順に重ねたものが知られている（例えば特許文献１～４）。水晶基板は、平面視において、振動部と、振動部を囲む枠部とを有している。振動部には、振動部を振動させるための励振電極が設けられている。枠部は、ベースとリッドとに接合されている。ベース、枠部及びリッドは、振動部を密閉空間に収容するパッケージを構成している。
　特許文献１～３では、振動部は、その外周の一部又は全部が枠部と連結されている。これにより、振動部は、ベース、枠部及びリッドによって構成されたパッケージに支持されている。
　特許文献４では、特許文献１～３とは異なり、振動部は、その全周に亘って枠部から離れている。その代わり、振動部は、ベースの上面にバンプを介して接合されている。これにより、振動部は、ベースの上面から浮いた状態でパッケージによって支持されている。
特開２０００－１３８５５４号公報 国際公開第２０２０／１３７８３０号 特開２０２２－３８１５０号公報 国際公開第２０１５／１６２９５８号
　本開示の一態様に係る振動デバイスは、第１基板、第２基板、中間層及び励振電極を有している。前記第１基板は第１面を有している。前記第２基板は前記第１面と対向する第２面を有している。前記中間層は前記第１面と前記第２面との間に位置している。前記第１面は第１凹部を有している。前記中間層は振動部及び枠部を有している。前記振動部は前記励振電極が位置する励振部を有している。前記励振部は前記第１凹部に対向している。前記枠部は、平面視において前記振動部を囲んでおり、前記第１面及び前記第２面に接合されている。前記枠部は、前記振動部が含む層と材料が同じ層を含んでいる。前記振動部の外縁は、その全周に亘って前記枠部から離れている。前記振動部は、前記第１面のうちの前記第１凹部の外周領域に接合されている。
　上記振動デバイスの製造方法は、第１接合ステップと、エッチングステップと、第２接合ステップとを有している。第１接合ステップでは、前記第１凹部を有している前記第１面に対して、前記振動部と前記枠部とが一体的になった状態の前記中間層を接合する。前記エッチングステップでは、前記第１接合ステップの後に、前記中間層をエッチングして、前記振動部の外縁を、その全周に亘って前記枠部から離れさせる。前記第２接合ステップでは、前記エッチングステップの後に、前記中間層に対して前記第２面を接合する。
実施形態に係る水晶振動子の構成を示す分解斜視図。 図１の水晶振動子を図１とは異なる方向から見た分解斜視図。 図１のIII－III線における断面図。 金属層に関して他の例を示す図３と同様の断面図。 図１の水晶振動子の振動部の構成を示す斜視図。 図６Ａは図５のVIａ－VIａ線における断面図、図６Ｂは図５のVIｂ－VIｂ線における断面図、図６Ｃは振動部の表裏の導通に関して他の例を示す断面図。 第１凹部と振動部との関係に関して他の例を示す平面図。 図８Ａは第１凹部と振動部との関係に関して更に他の例を示す平面図、図８ＡのVIIIｂ－VIIIｂ線における断面図。 水晶振動子が有する第１基板に関して他の例を示す平面図。 図２の領域Ｘの拡大図。 図３の第２パッド電極を含む一部の範囲の拡大図。 図１２Ａ、図１２Ｂ及び図１２Ｃは図１の水晶振動子の製造方法の一例を説明する模式的な断面図。 図１３Ａ、図１３Ｂ及び図１３Ｃは図１２Ｃの続きを示す断面図。 図１４Ａ、図１４Ｂ及び図１４Ｃは図１２Ａ等の手順に並行して行われる工程を示す断面図。 図１５Ａ、図１５Ｂ及び図１５Ｃは図１３Ｃ及び図１４Ｃの続きを示す断面図。 図１６は、第１凹部と振動部との関係に関して更に他の例を示す平面図である。 図１７Aは、中間層と金属層とに関して他の例を示す平面図であり、図１７Bは、図１７Aに対応する第２基板と金属層とに関して他の例を示す平面図である。 振動部の支持に関して他の例を示す分解斜視図。 図１８の水晶振動子を図１８とは異なる方向から見た分解斜視図。 図１８のXX－XX線における断面図。
　以下、本開示に係る実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものである。従って、例えば、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。また、寸法比率等が図面同士で一致しないこともある。特定の形状及び／又は寸法等が誇張されたり、細部が省略されたりすることがある。ただし、上記は、実際の形状及び／又は寸法が図面の通りとされたり、図面から形状及び／又は寸法の特徴が抽出されたりしてもよいことを否定するものではない。
　複数の態様の説明において、後に説明される態様については、基本的に、先に説明された態様との相違点についてのみ述べる。特に言及が無い事項については、先に説明された態様と同様とされたり、先に説明された態様から類推されたりしてよい。また、複数の態様で互いに対応する構成要素については、便宜上、相違点があっても同一の符号を付すことがある。逆に、同一の構成要素であっても、説明の便宜上、異なる符号を付すことがある。実施形態の説明では、便宜上、特に断り無く、振動デバイスの構成（各部の形状及び寸法等）が図に例示されたものであることを前提とした説明をすることがある。
（実施形態の概要）
　図１及び図２は、実施形態に係る水晶振動子１（振動デバイスの一例）の構成を示す分解斜視図である。図３は、図１のIII－III線における断面図である。図１及び図２において、ハッチングは、比較的薄い層（例えば金属層（導体層））が配置されていることを示している（すなわち断面を意味しない。）。
　図面には、便宜上、直交座標系Ｄ１Ｄ２Ｄ３を付している。以下において、平面視又は平面透視は、特に断りが無い限り、Ｄ３方向に見ることを指す。振動子１は、いずれの方向が上方とされて利用されてもよい。ただし、便宜上、＋Ｄ３側を上方として、「直下」又は「直上」等の語を用いることがある。
　水晶振動子１（以下、単に「振動子１」ということがある。）は、図１～図３に示されている３つの層が互いに重ねられて構成される電子部品である。振動子１に交流電圧が印加されると、振動子１がその内部に有している振動部９が振動する。この振動は、例えば、発振信号の生成に利用される。発振信号は、例えば、一定の周波数で信号レベル（例えば電圧）が振動する信号である。
　振動子１は、上記３つの層として、－Ｄ３側から順に、第１基板３、中間層７及び第２基板５を有している。中間層７は、平面視において、上記の振動部９と、振動部９を囲む枠部１１とを有している。枠部１１と振動部９とは互いに同じ材料からなる。枠部１１及び／又は振動部９が積層構造である態様を考慮して上位概念で言えば、枠部１１は、振動部９が含む層と材料が同じ層を含んでいる。振動部９及び枠部１１は、例えば、同一材料によって一体的に形成された層（部材）のエッチングによって形成される。
　振動部９の表裏（＋Ｄ３側の面及び－Ｄ３側の面）には、それぞれ、振動部９を励振するための第１励振電極１３Ａ及び第２励振電極１３Ｂ（以下、これらを区別せずに、「励振電極１３」ということがある。）が位置している。なお、図２の例では、振動部９の－Ｄ３側の面は、その全体が金属層（多機能電極３３）によって覆われている。このような態様においては、例えば、上記金属層のうち、＋Ｄ３側の第１励振電極１３Ａと重なる領域（図２において破線により示す。）が－Ｄ３側の第２励振電極１３Ｂとして捉えられてよい。
　振動部９のうち、平面視において１対の励振電極１３が重なっている領域を励振部９ａと称するものとする。なお、図１及び図２では、励振部９ａは、１対の励振電極１３に隠れて不図示であることから、便宜上、励振電極１３に重なる位置に励振部９ａの符号を付している。同様に、第１基板３、第２基板５及び中間層７の各部を指す符号を、便宜上、当該各部に重なる導体層に付すことがある。励振部９ａは、振動が意図されている領域である。励振部９ａの振動は、既述のとおり、発振信号の生成に利用される。
　枠部１１は、第１基板３の中間層７側（＋Ｄ３側）の第１面３ａに対して枠部１１の全周に亘って接合されている。また、枠部１１は、第２基板５の中間層７側（－Ｄ３側）の第２面５ａに対して枠部１１の全周に亘って接合されている。これにより、第１基板３、枠部１１及び第２基板５によって囲まれた密閉空間が構成される。ひいては、振動部９が封止される。密閉空間内（振動部９の周囲）は、例えば、真空状態（実際には大気圧よりも低い状態）、又は適宜な気体（例えば窒素等の不活性ガス）が存在する状態とされる。
　第１面３ａは、第１凹部１４を有している。振動部９は、励振部９ａが第１凹部１４と対向するように第１面３ａに重ねられている。振動部９（より詳細には励振部９ａよりも外側の領域）は、第１面３ａのうちの第１凹部１４に対して外周側に位置する外周領域３ｂに接合されている。振動部９の外縁は、その全周に亘って枠部１１から離れている。
　以上のとおり、振動に関わる部分（振動部９）と、封止に係る部分（枠部１１）とは、完全に分離されている。従って、例えば、振動部９の振動が枠部１１へ漏れる蓋然性が低減される。振動部９は、第１凹部１４によって励振部９ａが第１面３ａから離れている。これにより、励振部９ａの振動が容易化されている。従って、例えば、励振部９ａを第１面３ａから浮かせるために導電性のバンプを用いる必要性が低減される。枠部１１と振動部９とで少なくとも一部の層の材料が互いに共通していることから、例えば、両者を一体的な層（部材）から形成できる。この場合、例えば、上記の一体的な層を第１基板３と平行に作成することができ、振動部９の反り及び／又は撓みが低減され、振動子１の特性が安定することが期待される。また、例えば、振動部９は、第１凹部１４の外周の任意の位置が支持（接合）位置とされてよいから、設計の自由度が向上する。例えば、振動部９は、第１凹部１４の全周に亘って外周領域３ｂに接合されてよい。さらには、振動部９は、第１凹部１４に対向する領域の外側の全体が外周領域３ｂに接合されてよい。このような場合、例えば、振動部９の反り及び／又は撓みが低減され、振動子１の特性がより安定することが期待される。
　なお、振動部９のうち第１凹部１４と対向する平面視での面積は、外周領域３ｂの平面視での面積に比べ小さくしてもよい。例えば１/２以下の大きさを持つ。このような外周領域３ｂにより振動部９を安定して保持できる。
　以上が実施形態の概要である。以下では、概略、下記の順に実施形態の説明を行う。
　１．振動子全般（図１～図３）
　　１．１．振動子の形状及び寸法
　　１．２．振動子の実装態様
　　１．３．第１基板、中間層及び第２基板の接合
　２．振動部（図１～図３）
　　２．１．振動部全般
　　２．２．振動部の形状及び寸法
　　２．３．振動部に位置する導体
　　　２．３．１．振動部に位置する導体全般
　　　２．３．２．励振電極
　　　２．３．３．パッド電極
　　　２．３．４．検査用電極
　　　２．３．５．多機能電極
　　　２．３．６．振動部に位置する導体の材料
　　２．４．振動部の表裏の導通
　　　２．４．１．貫通孔における導通（図５、図６Ａ及び図６Ｂ）
　　　２．４．２．外周面における導通（図６Ｃ）
　３．枠部（図１～図３）
　　３．１．枠部の材料、形状及び寸法
　　３．２．枠部に位置する導体
　４．第１基板（図１～図３、図４、図９）
　　４．１．第１基板の材料、形状及び寸法
　　４．２．第１基板に位置する導体
　５．第２基板（図１～図４）
　　５．１．第２基板の材料、形状及び寸法
　　５．２．第２基板に位置する導体
　６．構成要素間における位置関係等
　　６．１．第１凹部及び振動部の関係（図１～図３、図７、図８Ａ及び図８Ｂ）
　　６．２．振動部と枠部との隙間
　　６．３．各種の層の寸法等の関係
　７．振動部と第２基板との電気的接続の詳細（図１０及び図１１）
　　７．１．第２基板の溝
　　７．２．第１貫通孔と第２貫通孔との位置関係
　８．支持構造に関する他の例（図１８～図２０）
　９．振動子の製造方法（図１２Ａ～図１５Ｃ）
　１０．実施形態のまとめ
（１．振動子全般）
（１．１．振動子の形状及び寸法）
　振動子１の形状（第１基板３、中間層７及び第２基板５が積層されたときの形状）は任意である。図示の例では、振動子１の形状は、概略、薄型（Ｄ３方向の長さが他の方向の長さよりも短い）の直方体状である。また、平面視の形状は、Ｄ２方向を長手方向とする長方形状である。振動子１の他の形状としては、例えば、Ｄ３方向の厚さが概ね一定の薄型形状であって、平面視の形状が円形状、楕円形状、正方形又は多角形（矩形を除く）のものが挙げられる。なお、本開示の説明では、長方形は、特に断りが無い限り、正方形を含まないものとする。同様に、楕円形は、特に断りが無い限り、円形を含まない。
　振動子１の具体的な寸法も任意である。振動子１の寸法として、比較的小さいものを以下に例示する。平面視において、長手方向の最大長さ（例えば長辺の長さ）及び短手方向の最大長さ（例えば短辺の長さ）は、例えば、０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下である。厚さ（Ｄ３方向）は、例えば、０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下である。
（１．２．振動子の実装態様）
　振動子１の外部の要素（例えば回路基板）に対する実装方式も任意である。例えば、実装方式は、表面実装であってもよいし、スルーホール実装であってもよい。別の観点では、振動子１の実装に係る外部電極（外部端子）の構成は任意である。例えば、振動子１の外部電極は、表面実装に供されるパッド状であってもよいし（図示の例）、表面実装又はスルーホール実装に供されるピン状であってもよい。
　図示の例では、振動子１は、＋Ｄ３側にて外部へ露出している第１外部電極１５Ａ及び第２外部電極１５Ｂ（以下、これらを単に「外部電極１５」ということがある。）を有している。外部電極１５は、＋Ｄ３側に面する表面を有しており、少なくとも外観上はパッド状である。外部電極１５は、例えば、特に図示しないが、以下のように実装に寄与してよい。
　例えば、振動子１は、－Ｄ３側の面が外部の要素の実装面に接着剤によって接合されてよい。そして、外部電極１５は、ボンディングワイヤによって上記外部の要素が有するパッド又は上記外部の要素に実装されている他の電子部品のパッドに電気的に接続されてよい。
　又は、振動子１は、外部の要素の実装面に設けられたパッドに外部電極１５が対向するように配置されてよい。そして、上記パッドと外部電極１５との間に介在する導電性の接合材（例えばはんだ）によって上記パッドと外部電極１５とが接合されてよい。なお、この態様においては、外部の要素による振動子１の支持を安定化させるように、２つの外部電極１５以外に、ダミーの電極又は基準電位が付与される電極が振動子１の＋Ｄ３側の面に設けられてよい。特に、基準電位が付与される電極が、平面視で後述の第２凹部３９と枠部１１との間に跨るように形成されている場合には、第２基板５の強度を高めることができる。さらに、外部電極１５と電気的に分離された状態で第２基板５の＋D3側の面をほぼ覆う（例えば７０％以上覆う）ことで外部の電磁波の影響を低減した振動子１とすることができる。特に、基準電位が付与される電極を第２基板５の側面、中間層７の側面側、第１基板３の側面を介して第１基板３の-D3側の面に形成された基準電位電極と接続するように形成した場合には、より外部の電磁波からの影響を抑制することできる。
　外部電極１５の位置、形状及び寸法は任意である。例えば、図示の例とは異なり、外部電極１５は、振動子１の－Ｄ３側（別の観点では第１基板３）に位置してよい。また、平面視における外部電極１５の位置も任意である。図示の例では、平面視において、２つの外部電極１５は、振動子１の長手方向及び短手方向に傾斜する方向（対角線方向）に並んでおり、また、振動子１の外縁から比較的離れている。図示の例とは異なり、例えば、外部電極１５は、平面視において、振動子１の４隅のいずかに位置していてもよい。その場合には、第２基板５の＋D3側において引き回して振動部９の外側にパッドを設けてもよい。このような構成により、実装時の応力が振動部９に伝わることを低減してくれる。特に平面視で第１凹部１４を挟み対称の位置に配置したときには、実装時の応力の偏りを低減することできる。また、例えば、外部電極１５は、矩形状（図示の例）、円形状、楕円形状又は多角形状（矩形状を除く）とされてよい。
（１．３．第１基板、中間層及び第２基板の接合）
　第１基板３と中間層７との接合の態様、及び中間層７と第２基板５との接合の態様は、種々のものとされてよい。
　図３に示す例では、第１基板３と中間層７とは、両者の間に介在する第１金属層１７によって接合されている。製造過程に着目したときには、第１基板３の第１面３ａに重なる金属層（第１基板側層２１。図１も参照）と、中間層７の第１基板３側の面に重なる金属層（第１中間側層２５。図２も参照）と、が接合される。
　また、図３に示す例では、中間層７と第２基板５とは、両者の間に介在する第２金属層１９によって接合されている。製造過程に着目したときには、第２基板５の第２面５ａに重なる金属層（第２基板側層２３。図２も参照）と、中間層７の第２基板５側の面に重なる金属層（第２中間側層２７。図１も参照）と、が接合される。
　図示以外の接合態様としては、例えば、第１基板３及び中間層７が両者の間に介在する絶縁層によって接合される態様、及び第１基板３及び中間層７が直接に接して接合される態様（直接接合）が挙げられる。絶縁層は、無機材料（例えばＳｉＯ２）であってもよいし、有機材料（例えば樹脂）であってもよい。また、第１基板３と中間層７との間で金属層と絶縁層とが密着していてもよい。これらの他の接合の態様は、当然に、第２基板５及び中間層７の接合についても適用されてよい。
　第１基板３及び中間層７の接合態様と、第１基板３及び中間層７の接合態様とは互いに異なっていてもよい。例えば、外部電極１５が設けられている基板（図示の例では第２基板５）と中間層７との接合が金属層によってなされる一方で、他の基板（図示の例では第１基板３）と中間層７との接合は、絶縁層又は直接接合によってなされてよい。
　基板（３又は５）と中間層７と接合態様は、平面視における互いに異なる領域同士で互いに異なっていてもよい。例えば、振動部９と、外部電極１５が設けられている基板（図示の例では第２基板５）との接合が金属層によってなされる一方で、枠部１１と上記基板との接合が絶縁層又は直接接合によってなされてよい。
　なお、第１金属層１７及び第２金属層１９の詳細については、後に、第１基板３、中間層７及び第２基板５とともに説明する。
（２．振動部）
（２．１．振動部全般）
　振動部９の振動（特に断りが無い限り、利用が意図されている振動）の態様は、種々のものとされてよい。別の観点では、振動部９及び励振電極１３の構成は、種々の構成とされてよい。
　例えば、振動態様としては、厚みすべり振動、厚み縦振動、拡がり振動、長さ振動、屈曲振動、捩じり振動及び輪郭すべり振動が挙げられる。また、振動態様は、弾性波（例えばＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）を生じさせるものであってもよい。ＳＡＷの例から理解されるように、振動態様は、振動部９の厚さ方向の全体に亘って振動するものに限定されず、振動部９の厚さ方向の一部が振動するものであってもよい。
　上記の振動態様の例示から理解されるように、振動部９の材料は、例えば、その全体が圧電体によって一体的に構成されていてもよいし（図示の例）、一部のみが圧電体によって構成されていてもよい。後者としては、例えば、弾性波が伝搬する圧電体層と、当該圧電体層に積層された他の層とによって振動部９が構成されている態様が挙げられる。
　圧電体の具体的な材料も、利用される振動態様に応じて種々のものとされてよい。例えば、圧電体の材料は、単結晶であってもよいし、多結晶であってもよい。前者としては、例えば、水晶、タンタル酸リチウムの単結晶及びニオブ酸リチウムの単結晶が挙げられる。後者としては、種々のセラミックが挙げられる。
　単結晶のカット角も任意である。例えば、水晶のカット角を挙げると、厚みすべり振動に利用されるＡＴカット、ＳＣカット及びＢＴカット、並びに輪郭すべり振動に利用されるＣＴカット及びＤＴカットが挙げられる。
　また、例えば、既述の振動態様の例示から理解されるように、１対の励振電極１３は、振動部９を厚さ方向又は他の方向において挟んで互いに対向していてもよいし（図示の例）、振動部９の１つの表面（平面）に共に位置していてもよい。後者としては、例えば、弾性波を励振する１対の櫛歯電極が挙げられる。
　実施形態の説明では、便宜上、振動部９として、厚みすべり振動を利用するＡＴカットの水晶片を例に取る。念のために記載すると、厚みすべり振動は、厚さ方向（Ｄ３方向）において互いに逆側に面している２つの面が互いにスライドするように振動する振動態様である。また、ＡＴカットの水晶片は、Ｚ軸（光軸）及びＹ軸（機械軸）からＸ軸（電気軸）回りに３５°以上３６°以下（例えば３５°１５′）で回転させた軸をＺ’軸及びＹ軸’としたときに、厚み方向がＹ’軸になる（別の観点では表裏の面がＸ軸及びＺ’軸に平行になる）カット角である。
　振動の方向（別の観点では結晶の方向）と振動子１（振動部９）の構成との関係は任意である。例えば、厚みすべり振動の方向（Ｘ軸方向）は、Ｄ１方向であってもよいし、Ｄ２方向であってもよいし、これらに傾斜する方向であってもよい。ただし、実施形態の説明では、便宜上、特に断り無く、Ｄ２方向が厚みすべり振動の方向である態様を例に取ることがある。
（２．２．振動部の形状及び寸法）
　振動部９の形状は任意である。例えば、振動部９は、その概ね全体が一定の厚みの平板状であってもよいし（図示の例）、いわゆるメサ型又は逆メサ型であってもよい。ここで平板状及び／又は一定の厚みとは、例えば、後述する振動部９と第１凹部１４の外周（外周領域３ｂ）とが重なっている重複領域（又は両者が接合されている接合領域）の平均厚みと励振部９ａの平均厚みとの差が励振部９ａの平均厚みの±５%以内であること、及び／又は振動部９における最小厚と最大厚との差が励振部９ａの平均厚みの±５％以内であることをいう。メサ型は、例えば、励振電極１３の配置領域と概略一致する領域（メサ部）が、その外周の領域よりも厚い形状である。具体的には、例えば、メサ部の平均厚みと、その外周領域の平均厚みとの差は、５％より大きくされてよく、及び／又は４０％以下とされてよい。逆メサ型は、例えば、励振電極１３の配置領域を含む領域（逆メサ部）が、その外周の領域よりも薄い形状である。メサ部及び逆メサ部の具体的な形状（平面形状、側面の傾き、高さの変化の段階数等）も任意である。
　振動部９の平面形状も任意である。例えば、振動部９の平面形状は、矩形状（例えば長方形状又は正方形状）であってもよいし（図示の例）、円形状、楕円形状又は多角形状（矩形状を除く）であってもよい。別の観点では、振動部９は、長手方向及び短手方向を有する形状（例えば長方形状又は楕円形状）であってもよいし、そのような区別ができない形状（例えば円形状又は正方形状）であってもよい。長手方向の長さと短手方向の長さとの比も任意である。例えば、前者と後者との比は、１．１４～１．３９：１、又は１．２６：１とされてよい。
　振動部９の形状と結晶の方向（振動の方向）との関係は任意である。例えば、振動部９が平面視において長手方向及び短手方向を有している態様において、厚みすべり振動の方向（Ｘ軸方向）は、長手方向又は短手方向であってよいし、長手方向に傾斜する方向であってもよい。前段落における長手方向の長さと短手方向の長さとの比は、厚みすべり振動の方向と長手方向とが一致する態様に適用されてよい。
　振動部９の寸法も任意である。ただし、振動部９の共振周波数に影響を及ぼす寸法については、利用が意図されている周波数に基づいて設定される。共振周波数に影響を及ぼす寸法は、振動態様によって異なる。例えば、厚みすべり振動の場合においては、振動部９（より詳細には励振部９ａ）の厚みによって共振周波数が規定される。ＡＴカットの振動部９においてｎ次の波が利用される場合、励振部９ａの厚みをｔ（ｍｍ）とすると、共振周波数ｆ０（ＭＨｚ）は、ｆ０＝１．６７×ｎ／ｔによって近似されることが知られている。
　後述するように、振動子１は、ウェハ状態で３層（３、５及び７）を重ねてパッケージングを行うことができる。換言すれば、振動子１は、ＷＬＰ型とされてよい。この場合、ウェハ状態で振動部９の厚さを調整する加工を行うことができる。その結果、例えば、高い精度（例えば±５ｎｍ）で加工が可能なプラズマＣＶＭ（Chemical Vaporization Machining）を用いて振動部９の厚さを極めて薄い厚さまで加工することができる。
　前段落から理解されるように、振動部９は、比較的薄くされてよい。例えば、振動部９は、５μｍ以上１０μｍ以下、又は５μｍ以上６μｍ以下とされてよい。厚みすべり振動が利用される場合においては、振動部９が薄くなるほど共振周波数が高くなる。従って、別の観点では、振動部９は、比較的高い周波数での利用が意図されてよい。例えば、上記の寸法を既述のＡＴカットの共振周波数の式に当て嵌めると、概ね、１６７ＭＨｚ以上３３４ＭＨｚ以下、又は２７８ＭＨｚ以上３３４ＭＨｚ以下である。
（２．３．振動部に位置する導体）
（２．３．１．振動部に位置する導体全般）
　振動部９には、例えば、以下の導体層（金属層）が位置している。既述の１対の励振電極１３。振動部９の＋Ｄ３側に位置する、１対のパッド電極２９（第１パッド電極２９Ａ及び第２パッド電極２９Ｂ）、１対の検査用電極３１（第１検査用電極３１Ａ及び第２検査用電極３１Ｂ）及び２本の配線部３５。振動部９の－Ｄ３側に位置し、第２励振電極１３Ｂを含む多機能電極３３。
　１対のパッド電極２９は、例えば、１対の励振電極１３と１対の外部電極１５との接続に寄与する。１対の検査用電極３１は、例えば、製造過程において振動部９の特性を検査する検査装置を１対の励振電極１３に接続することに寄与する。多機能電極３３は、例えば、一部が第２励振電極１３Ｂとして機能するとともに、他部が、第２励振電極１３Ｂと振動部９の＋Ｄ３側の導体との導通、及び振動部９の第１基板３への接合に寄与する。
　振動部９の＋Ｄ３側に位置する種々の導体（１３Ａ、２９、３１及び３５）は、既述の第２中間側層２７に含まれている。－Ｄ３側に位置する多機能電極３３は、既述の第１中間側層２５に含まれている。
（２．３．２．励振電極）
　第１励振電極１３Ａ（ひいては第２励振電極１３Ｂ）の形状及び寸法は任意である。例えば、第１励振電極１３Ａの形状は、円形状（図１の例）、楕円状（図７参照）、矩形状（例えば長方形状又は正方形状。図８Ａ参照）又は多角形状（矩形を除く）とされてよい。別の観点では、第１励振電極１３Ａは、長手方向及び短手方向を有する形状（例えば長方形状又は楕円形状）であってもよいし、そのような区別ができない形状（例えば円形状又は正方形状）であってもよい。長手方向の長さと短手方向の長さとの比も任意である。例えば、前者と後者との比は、１．１４～１．３９：１、又は１．２６：１とされてよい。
　第１励振電極１３Ａの形状と結晶の方向（振動の方向）との関係は任意である。通常、第１励振電極１３Ａが長手方向及び短手方向を有している態様において、厚みすべり振動の方向（Ｘ軸方向）は長手方向である。前段落における長手方向の長さと短手方向の長さとの比は、このような態様に適用されてよい。
　第１励振電極１３Ａと振動部９との位置関係も任意である。例えば、第１励振電極１３Ａの幾何中心は、振動部９の幾何中心に対して一致していてもよいし（図示の例）、ずれていてもよい。第１励振電極１３Ａ及び振動部９のそれぞれが長手方向及び短手方向を有している態様において、第１励振電極１３Ａの長手方向は、振動部９の長手方向に対して、一致していてもよいし（図７及び図８Ａの例）、一致していなくてもよい。振動部９がメサ部又は逆メサ部を有している態様において、メサ部及び逆メサ部に対する第１励振電極１３Ａの位置関係（形状及び／又は大きさの異同、大きさが異なる場合においていずれが大きいか等）も任意である。
（２．３．３．パッド電極）
　１対のパッド電極２９は、１対の励振電極１３に電気的に接続されている。また、１対のパッド電極２９は、いずれも第２基板５側（＋Ｄ３側）に面しており、第２基板５の導体（例えば第２基板側層２３）に接合可能となっている。このような構成により、１対の励振電極１３と、第２基板５が有している１対の外部電極１５とが電気的に接続される。
　第１パッド電極２９Ａは、第１励振電極１３Ａと接続されている。具体的には、両者は共に振動部９の＋Ｄ３側に位置していることから、振動部９の＋Ｄ３側に位置する配線部３５によって接続されている。
　第２パッド電極２９Ｂは、第２励振電極１３Ｂと接続されている。具体的には、両者は、多機能電極３３のうちの第２励振電極１３Ｂ以外の領域（外側電極３３ａ）を介して接続されている。外側電極３３ａと第２励振電極１３Ｂとの導通（振動部９の表裏の導通）の態様については後述する（第２．４節）。
　１対のパッド電極２９の形状及び位置は任意である。例えば、パッド電極２９の形状は、矩形状（図示の例）又は円形状とされてよい。また、パッド電極２９は、振動部９の外縁から離れていてもよいし（図１の例）、振動部９の外縁まで広がっていてもよい（図８Ａ参照）。１対のパッド電極２９の形状、寸法及び位置は、振動部９の中心に対して回転対称であってもよいし（図１の例）、振動部９の、Ｄ１方向又はＤ２方向に平行な中心線に対して線対称であってもよいし（図８Ａ参照）、そのような関係が成り立たなくてもよい。
　また、例えば、１対のパッド電極２９は、１対の励振電極１３に対して、所定方向の両側に位置していてもよいし（図１の例）、所定方向の一方側に位置していてもよい（図８Ａ参照）。別の観点では、１対のパッド電極２９の並び方向は任意である。上記所定方向も任意である。図１の例において、上記所定方向は、概略的に見て、振動の方向及び／又は振動部９の長手方向であると捉えられてもよいし、より詳細に見て、振動の方向及び／又は振動部９の長手方向に対して交差する方向（対角線方向）であると捉えられてもよい。また、上記所定方向は、長手方向に限られず、短手方向であっても構わない。
　一般に、１対のパッド電極２９の位置は、振動部９の振動を規制する位置となることから、振動特性に影響を及ぼす蓋然性が高い。一方、本実施形態では、振動部９は、例えば、第１凹部１４よりも外周側となる概ね全面にて第１基板３に固定される。従って、１対のパッド電極２９の位置が振動に及ぼす影響は相対的に低い。別の観点では、振動特性との関係において、１対のパッド電極２９の設計の自由度は高い。
（２．３．４．検査用電極）
　１対の検査用電極３１は、１対の励振電極１３に電気的に接続されている。また、１対の検査用電極３１は、いずれも＋Ｄ３側に面している。従って、例えば、第２基板５を中間層７に接合する前において、１対の検査用電極３１にプローブを突き当てることによって、１対の励振電極１３に電圧を印加することができる。これにより、振動部９の特性を検査することができる。
　第１検査用電極３１Ａは、第１励振電極１３Ａと接続されている。具体的には、両者は共に振動部９の＋Ｄ３側に位置していることから、振動部９の＋Ｄ３側に位置する配線部３５によって接続されている。
　第２検査用電極３１Ｂは、第２励振電極１３Ｂと接続されている。具体的には、両者は、多機能電極３３のうちの第２励振電極１３Ｂ以外の領域（外側電極３３ａ）を介して接続されている。
　検査用電極３１の形状及び位置は任意である。上述したパッド電極２９の形状及び位置の説明は、検査用電極３１の形状及び位置に援用されてよい。検査用電極３１の形状、寸法及び位置は、パッド電極２９の形状、寸法及び位置と、振動部９の、Ｄ１方向又はＤ２方向に平行な中心線に対して線対称であってもよいし（図１の例）、振動部９の中心に対して回転対称であってもよいし、そのような関係が成り立たなくてもよい。
　なお、１対の検査用電極３１は設けられなくてもよい（図８Ａ参照）。この場合も、プローブをパッド電極２９に突き当てることによって検査は可能である。検査用電極３１は、例えば、パッド電極２９と異なり、第２基板５の導体と接合されない。ただし、接合が行われても構わない。
（２．３．５．多機能電極）
　多機能電極３３は、例えば、振動部９の－Ｄ３側の面の概ね全体に亘って広がっている。別の観点では、多機能電極３３は、いわゆるベタ状パターンとされている。ベタ状パターンは、例えば、基本的に隙間なく、比較的広い範囲に亘って広がるパターンである。このような構成によって、多機能電極３３は、第２励振電極１３Ｂを有しているとともに、導通及び接合に寄与する外側電極３３ａを有している。外側電極３３ａは、具体的には、第２励振電極１３Ｂと振動部９の＋Ｄ３側の導体（第２パッド電極２９Ｂ及び第２検査用電極３１Ｂ）との導通に寄与するとともに、振動部９と第１基板３との接合に寄与している。
　ただし、多機能電極３３は、振動部９の－Ｄ３側の面の全体に亘って広がるベタ状パターンでなくてもよい。
　例えば、多機能電極３３は、ベタ状パターンでありつつも、その外縁の一部又は全部が、振動部９の外縁から離れていてもよい。この場合のベタ状パターンは、例えば、励振電極１３の概ね全体に重なる領域と、第１凹部１４の周囲の外周領域３ｂの一部に重なる領域とを含み、振動部９の面積の８割以上を占有してよい。
　また、例えば、多機能電極３３は、第２励振電極１３Ｂと、第２励振電極１３Ｂを囲み、第２励振電極１３Ｂの外縁から離れている外側電極（３３ａ）と、両者を接続する配線部とを有していてもよい。別の観点では、第２励振電極１３Ｂと外側電極３３ａとの間に環状の（ただし、一部は配線部により途切れる）スリットが形成されてよい。このような態様において、第２励振電極１３Ｂは、例えば、平面透視において第１励振電極１３Ａの形状と概ね一致する形状を有していてよい。
　また、例えば、多機能電極３３は、第２励振電極１３Ｂと第２パッド電極２９Ｂ（及び／又は第２検査用電極３１Ｂ）との電気的接続に寄与する部分と、振動部９の第１基板３に対する接合に寄与する部分とが、互いに分離して電気的に非接続とされていてもよい。この場合において、後者は、電気的に浮遊状態とされていてもよいし、基準電位が付与されていてもよい。
（２．３．６．振動部に位置する導体の材料）
　振動部９の－Ｄ３側の多機能電極３３は、既述の第１中間側層２５に含まれる。また、振動部９の＋Ｄ３側の種々の導体層（１３Ａ、２９、３１及び３５）は、第２中間側層２７に含まれる。従って、本節の説明では、便宜上、第１中間側層２５及び第２中間側層２７の語を用いて説明することがある。
　振動部９の＋Ｄ３側に位置する種々の導体層（１３Ａ、２９、３１及び３５）は、材料及び厚さが互いに同一であってもよいし（図３の例）、材料及び／又は厚さが互いに異なっていてもよい（図１３Ｃ参照）。後者の態様としては、例えば、パッド電極２９（及び検査用電極３１）が、第１励振電極１３Ａを構成している金属層と同一の金属層を有しつつも、その金属層の上に、第１励振電極１３Ａが有していない他の金属層を有している態様が挙げられる。
　同様に、振動部９の－Ｄ３側に位置する多機能電極３３は、その全体に亘って材料及び厚さが同じであってもよいし（図３の例）、領域によって材料及び／又は厚さが異なっていてもよい。後者の態様としては、例えば、＋Ｄ３側と同様に、第２励振電極１３Ｂと、外側電極３３ａとで材料及び／又は厚さが異なる態様が挙げられる。
　＋Ｄ３側及び－Ｄ３側のそれぞれにおいて、導体層がその全体に亘って同一の材料及び厚さである態様において、＋Ｄ３側の導体層（１３Ａ、２９、３１及び３５）と－Ｄ３側の導体層（３３）は、材料及び厚さが同一であってもよいし（図３の例）、材料及び／又は厚さが異なっていてもよい。＋Ｄ３側及び－Ｄ３側の少なくとも一方において、導体層がその全体に亘って同一の材料及び厚さでない態様においても、所定の領域同士（例えば励振電極１３同士、又は他の領域同士）を比較したとき、材料及び／又は厚さは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。
　なお、励振電極１３（例えば第１励振電極１３Ａ）は、例えば、周波数の調整のために、第１基板３と接合された後に、厚さが微調整されることがある。同一の厚さか否かの判定において、そのような微調整の影響は無視するものとする。また、例えば、３層（３、５及び７）の接合の際の加圧及び加熱による影響に関しても無視するものとする。第１基板３及び第２基板５の導体層についても同様とする。
　第１中間側層２５及び第２中間側層２７の材料は任意である。例えば、各層（２５又は２７）は、１層の金属層によって構成されていてもよいし、２層以上の金属層によって構成されていてもよい（図３の例）。なお、所定の層（例えば２５又は２７）が２層以上の金属層（若しくは絶縁層）によって構成されており、所定の領域に亘って材料が同一等というとき、例えば、金属層の積層数及び各金属層の材料（さらには金属層同士の厚さの比）は同じである。他の層についても同様である。
　図３の例では、第１中間側層２５は、振動部９に接する（直接に重なる）下層２５ａと、下層２５ａに重なる上層２５ｂとを有している。上層２５ｂは、例えば、下層２５ａの材料に比較して導電性が高い材料によって構成されており、また、下層２５ａよりも厚い。下層２５ａは、例えば、上層２５ｂと振動部９との接合強度の向上に寄与する。ただし、積層構造は、上記のような作用とは異なる作用が意図されていてもよい。
　下層２５ａ及び上層２５ｂの具体的な材料は任意である。例えば、下層２５ａの材料としては、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）及びニッケル（Ｎｉ）、並びにこれらの１つ以上を主成分とする合金が挙げられる。上層２５ｂの材料としては、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、プラチナ（Ｐｔ）及びアルミニウム（Ａｌ）、並びにこれらの１つ以上を主成分とする合金が挙げられる。
　また、図３の例では、第２中間側層２７は、振動部９側から順に、下層２７ａ、上層２７ｂ、第１接合層２７ｅ及び第２接合層２７ｆを有している。第１励振電極１３Ａは、および配線部３５は、例えば、上記の４層のうち下層２７ａおよび上層２７ｂのみによって構成されている。パッド電極２９、検査用電極３１、および第２中間側層２７の枠部１１に重なる部分は、例えば、上記の４層によって構成されている。
　第１中間側層２５の材料についての既述の説明は、矛盾等が生じない範囲で、「第１中間側層２５」、「下層２５ａ」及び「上層２５ｂ」の語を、「第２中間側層２７」、「下層２７ａ」及び「上層２７ｂ」の語にそれぞれ置換して、第２中間側層２７に援用されてよい。また、第１中間側層２５の材料についての既述の説明は、矛盾等が生じない範囲で、「第１中間側層２５」、「下層２５ａ」及び「上層２５ｂ」の語を、「第２中間側層２７」、「第１接合層２７ｅ」及び「第２接合層２７ｆ」の語にそれぞれ置換して、第２中間側層２７に援用されてもよい。
（２．４．振動部の表裏の導通）
（２．４．１．貫通孔における導通）
　図５は、振動部９の斜視図である。この図では、振動部９の＋Ｄ３側の導体についても点線で示されている。また、図６Ａは、図５のVIａ－VIａ線における断面図である。図６Ｂは、図５のVIｂ－VIｂ線における断面図である。
　これらの図に示されているように、振動部９は、第１貫通孔９ｈを有している。そして、この第１貫通孔９ｈに接続導体３７が配置されることによって、振動部９の＋Ｄ３側の導体層と、振動部９の－Ｄ３側の導体層とが導通される。
　接続導体３７の構成は任意である。例えば、第１貫通孔９ｈに充填される柱状導体であってもよいし（図示の例）、第１貫通孔９ｈの内面に重なる層状導体であってもよい。柱状導体は、その全体が１種の材料によって構成されていてもよいし、２種以上の材料によって構成されていてもよい。後者の態様としては、例えば、外周面と内部とで材料が異なる態様が挙げられる（図３の例）。同様に、層状導体は、その全体が１種の材料によって構成されていてもよいし、２種以上の材料によって構成されていてもよい。後者としては、第１貫通孔９ｈの内面に接する層と、当該層に重なる他の層とが設けられている態様が挙げられる。接続導体３７の材料は、＋Ｄ３側及び／又は－Ｄ３側の導体層の材料と同じであってもよいし、異なっていてもよい。
　なお、前段落における説明は、後述する第２貫通孔５ｈ及びその内部に位置する取出し導体４１に援用されてよい。このとき、「第１貫通孔９ｈ」及び「接続導体３７」の語は、それぞれ、「第２貫通孔５ｈ」及び「取出し導体４１」の語に置換する。
　図３では、接続導体３７として、第１接合層２７ｅと同じ材料からなる外周側の層と、第２接合層２７ｆと同じ材料からなる内部の柱状部とを有する構成が例示されている。なお、図３では、上記と同様に、後述する取出し導体４１について、第２基板５の＋Ｄ３側の面に重なる２以上の導体層の材料と同じ材料を有する構成が例示されている。
　図５に戻って、第１貫通孔９ｈ（別の観点では接続導体３７）の位置、形状及び寸法は任意である。例えば、図示の例において、第２パッド電極２９Ｂと多機能電極３３との導通に寄与する第１貫通孔９ｈに着目すると、第１貫通孔９ｈは、第２パッド電極２９Ｂの直下に位置しており、より詳細には、例えば、第２パッド電極２９Ｂの幾何中心よりも励振電極１３側（さらに詳細には、例えば、振動部９の長手方向及び／又は振動の方向に関して第２パッド電極２９Ｂの幾何中心よりも励振電極１３側）に位置している。また、図示の例では、第２パッド電極２９Ｂに係る上記第１貫通孔９ｈは、第２パッド電極２９Ｂと励振電極１３との並び方向（別の観点では振動部９の長手方向及び／又は振動の方向）に交差（例えば直交）する方向に延びるスリット状とされている。
　第１貫通孔９ｈが第２パッド電極２９Ｂの直下に位置していることによって、例えば、＋Ｄ３側の導体層のパターンが簡素化され、また、当該導体層の面積を小さくすることが容易化される。また、第１貫通孔９ｈが相対的に励振電極１３の側に位置していることによって、例えば、第１貫通孔９ｈは、パッド電極２９と励振部９ａとの間の応力の伝達を遮る作用を奏し、パッド電極２９と第２基板５との固定が励振部９ａの振動に及ぼす影響が低減される。この効果は、第１貫通孔９ｈが第２パッド電極２９Ｂと励振電極１３との並び方向に交差する方向に延びるスリット状であることによって向上する。また、第１貫通孔９ｈがスリット状であることによって、平面視において第１貫通孔９ｈの内周面の長さを確保することが容易化されるから、第１貫通孔９ｈ内の接続導体３７と、＋Ｄ３側又は－Ｄ３側の導体層との導通面積を確保することが容易化される。
　もっとも、第１貫通孔９ｈの位置、形状及び寸法は、上記とは異なっていてもよい。以下に例を挙げる。第１貫通孔９ｈは、例えば、第２パッド電極２９Ｂの直下に位置しなくてよい。この場合、接続導体３７と第２パッド電極２９Ｂとは、例えば、＋Ｄ３側に位置する配線部によって接続されてよい。また、第１貫通孔９ｈは、第２パッド電極２９Ｂと励振電極１３との並び方向（別の観点では振動部９の長手方向及び／又は振動の方向）において、第２パッド電極２９Ｂの幾何中心又は当該幾何中心に対して励振電極１３とは反対側に位置していてもよい。また、第１貫通孔９ｈの平面視における形状は、円形状、楕円形状（スリット状と捉えることが難しいもの）、正方形状及び長方形状（スリット状と捉えることが難しいもの）であってもよい。
　なお、第２パッド電極２９Ｂに係る第１貫通孔９ｈについて説明したが、上記の第１貫通孔９ｈの位置、形状及び寸法に係る説明は、適宜に第２検査用電極３１Ｂに係る第１貫通孔９ｈに援用されてよい。
　第１貫通孔９ｈの縦断面（図６Ａ及び図６Ｂに示す断面）の形状及び寸法も任意である。これらの図では、－Ｄ３側ほど径が小さくなるテーパー形状が例示されている。図示の例とは異なり、第１貫通孔９ｈの縦断面の形状は、例えば、一定の径を有する形状であってもよいし、振動部９の厚さ方向の中央側ほど径が小さくなる形状（２つのテーパー形状を有する形状）であってもよいし、多段形状であってもよい。また、テーパー形状は、振動部９の材料がエッチングに対して異方性を有することに起因して形成されるものであってもよいし、レーザー光の照射態様を調整することなどによって意図的に形成されるものであってもよい。
　第１貫通孔９ｈのスリット状について補足する。スリット状は、第１方向（Ｄ１方向）の長さが第１方向に直交する第２方向（Ｄ２方向）の長さよりも長い形状であるということができる。スリット状は、例えば、基本的に（端部を除いて）一定の幅で延びてよい。スリットの長さ（第１方向）と幅（第２方向）との比は適宜に設定されよいが、例えば、長さは、幅の２倍以上、３倍以上又は５倍以上とされてよい。
　スリット状の第１貫通孔９ｈの縦断面の形状がテーパー形状とされる場合において、長手方向（Ｄ１方向）に直交する縦断面におけるテーパー形状のテーパー角（２つの内面が成す角度）をθ１とする。短手方向（Ｄ２方向）に直交する縦断面におけるテーパー形状のテーパー角をθ２とする。このとき、θ１は、θ２よりも大きくされてよい。別の観点では、振動部９の＋Ｄ３側の面に対する第１貫通孔９ｈの内面の傾斜角は、２つの内面の平均として、長手方向（Ｄ１方向）に直交する縦断面におけるものが、短手方向に直交する縦断面におけるものよりも小さくされてよい。これを式で表せば下記のとおりである。
　　　（１８０°－θ１）／２＜（１８０°－θ２）／２
このような構成の作用については、後述する実施形態のまとめ（第１０節）において述べる。
　後に第９節で述べるように、第１貫通孔９ｈは、振動部９の＋Ｄ３側からの片面エッチングによって形成されてよい。この場合、エッチングに対する振動部９の材料の異方性に起因してテーパー形状が形成される。例えば、振動部９が単結晶からなる場合においては、エッチングによって結晶面が現れて、第１貫通孔９ｈの内面を構成する。結晶面が＋Ｄ３側の面に対してなす角度は、結晶構造によって決まる。エッチングの進行によって、新たに別な結晶面が現れて、先に現れた結晶面と共に存在したり、先に現れた結晶面に取って代わったりすることもある。このように結晶面によってテーパー形状が形成される場合において、前段落のような構成を得る場合は、スリットの向きを結晶の方向に合わせて適宜に設定することになる。
　例えば、ＡＴカットにおいては、既述のとおり、Ｄ１方向、Ｄ２方向及びＤ３方向は、それぞれ、Ｚ’軸方向、Ｘ軸方向及びＹ’軸方向である。この場合は、図示の例のように、スリットの長手方向をＤ１方向（Ｚ’軸方向）としてよい。この場合のテーパー角度θ１及びθ２は、エッチングの進行度にもよるが、例えば、θ１＝約８２°かつθ２＝約５７°、又はθ１＝約１１３°かつθ２＝約７２°（又は約９１°）である。別の観点では、θ１は、θ２に対して２０°以上の差で大きくされてよい。なお、スリットの端部（短辺）において結晶面が明確に現れていない場合においては、振動部９の側面の結晶面に基づいて、スリットの長辺に対応する内面のテーパー角が相対的に大きくなるように設定されているか否かが判断されてよい。
（２．４．２．外周面における導通）
　図６Ｃは、振動部９の表裏の導通に関する他の例を示す断面図であり、図６Ａに対応する図である。なお、便宜上、この導通態様に係る振動部９を振動部９Ａの語により参照することがある。また、この図では、第１検査用電極３１Ａは、図示が省略されている（又は実際に設けられていない。）。
　振動部９Ａにおいては、振動部９Ａの外周面（側面）に重なる層状の接続層３８によって振動部９の表裏が導通されている。なお、図示の例とは異なり、第１貫通孔９ｈにおける導通と、振動部９の側面における導通とが併用されてもよい。
　接続層３８は、具体的には、振動部９Ａの外周面のうちの平面視における一部領域において、＋Ｄ３側の縁部から－Ｄ３側の縁部に至る領域を含んでおり、これにより、第２パッド電極２９Ｂと多機能電極３３とを接続している。接続層３８は、振動部９Ａの外周面に位置する領域のみを有していてもよいし、当該領域に加えて、振動部９Ａの＋Ｄ３側に位置する領域及び／又は振動部９Ａの－Ｄ３側に位置する領域を含んでいてもよい。
　特に図示しないが、第２検査用電極３１Ｂと多機能電極３３とを接続する接続層３８も設けられる。なお、以下では、第２パッド電極２９Ｂと多機能電極３３とを接続する接続層３８についてのみ説明するが、当該説明は、第２検査用電極３１Ｂと多機能電極３３とを接続する接続層３８に適宜に援用されてよい。
　接続層３８の位置、形状及び寸法は任意である。例えば、接続層３８は、外周面のうち、－Ｄ２側、＋Ｄ２側、＋Ｄ１側及び－Ｄ１側の任意の１つ以上の側面に位置してよい。別の観点では、接続層３８が位置する側面と、振動部９Ａの長手方向及び／又は振動の方向との関係は任意である。図３の例では、接続層３８は、＋Ｄ２側の側面に位置する領域を有している。＋Ｄ２側の側面は、振動部９Ａの長手方向及び／又は振動の方向の一端側の側面（端面）、及び／又は励振電極１３に対して第２パッド電極２９Ｂ（及び第２検査用電極３１Ｂ）が位置する側の側面ということができる。接続層３８は、＋Ｄ２側の側面に加えて、又は代えて、＋Ｄ１側（振動部９Ａの短手方向において第２パッド電極２９Ｂが位置する側）の側面に位置する領域を含んでいてもよい。
　また、例えば、接続層３８の＋Ｄ２側の側面に位置する領域のＤ１方向の範囲と、第２パッド電極２９ＢのＤ１方向の範囲とは、一致していてもよいし、前者が後者の一部に位置していてもよいし、後者が前者の一部に位置していてもよいし、互いにずれていてもよい。別の観点では、例えば、接続層３８は、第２パッド電極２９Ｂを＋Ｄ２側へ延長したような形状を有していてもよいし、配線部３５のように、第２パッド電極２９Ｂから延び出る形状を有していてもよい。＋Ｄ２側の側面を例に取ったが、＋Ｄ１側の側面も同様である。
　接続層３８の材料及び厚さも任意である。例えば、接続層３８の材料及び／又は厚さは、振動部９の＋Ｄ３側（及び／又は－Ｄ３側）の導体層の平面視における一部又は全部の領域の材料及び／又は厚さと同じであってもよいし、異なっていてもよい。
　接続層３８が位置する振動部９の側面について補足する。接続層３８が位置する側面は、例えば、－Ｄ３側（第１基板３側）ほど振動部９の外側に位置するように傾斜する傾斜面であってよい。この場合、例えば、＋Ｄ２側の側面と＋Ｄ３側の面との稜線における導体層同士の接続の信頼性が向上する。上記のような振動部９の側面の傾斜は、第１貫通孔９ｈの内周面と同様に、振動部９の材料がエッチングに対して異方性を有することに起因して形成されるものであってもよいし、レーザー光の照射態様を調整することなどによって意図的に形成されるものであってもよい。
　また、接続層３８が、所定方向（例えば振動部９Ａの長手方向及び／又は振動の方向）の一方側（＋Ｄ２側）の側面に位置する領域を有し、上記所定方向の他方側（－Ｄ２側）の側面に位置する領域を有さない態様を想定する。このとき、例えば、振動部９の＋Ｄ３側の面の法線に対する＋Ｄ２側の側面の傾斜角度θ３は、上記法線に対する－Ｄ２側の側面の傾斜角度θ４よりも大きくされてよい。この場合、角度θ３及びθ４の関係が上記とは逆の場合（当該態様も本開示に係る技術に含まれる。）に比較して、前段落で述べた効果が向上する。
　振動部９の傾斜する側面が、エッチングによって現れる結晶面である態様においては、結晶の方向に応じて、振動部９Ａの各部の方向（換言すれば直交座標系Ｄ１Ｄ２Ｄ３の向き）を設定し、上記のような角度の関係を成立させてよい。例えば、ＡＴカットの振動部９Ａの外周面が＋Ｄ３側（Ｙ’軸方向）から片面エッチングによって形成される態様においては、＋Ｄ２側（接続層３８が位置する側面の側）は、－Ｚ’側とされてよい。この場合、エッチングの進行度にもよるが、例えば、θ３は約５６°であり、θ４は約３２°である。別の観点では、θ３は、θ４に比較して、１５°以上の差で大きくされてよい。なお、第１貫通孔９ｈはD3方向において一様な傾斜面でなくてもよい。すなわち、第１基板３側の面から第２基板５側に向けて開口が徐々に狭くなる第１テーパー部分と、第２基板５側の面から第１基板３側に向けて離れるにしたがい開口が徐々に狭くなる第２テーパー部分とを含む第１貫通孔９ｈとしてもよい。
　なお、振動部９等の形状及び寸法の説明においては、基本的に、上記のような側面の傾斜の影響は無視する。従って、例えば、平面視における形状及び寸法は、例えば、＋Ｄ３側の面及び－Ｄ３側の面のそれぞれに対して適用されてもよいし、両者を平面視したときの最大形状又は最大寸法に対して適用されてもよい。
（３．枠部）
（３．１．枠部の材料、形状及び寸法）
　枠部１１は、既述のとおり、平面視において、振動部９を囲むとともに、振動部９の外縁からその全周に亘って離れている。この要件を満たす限り、枠部１１の材料、形状及び寸法は任意である。
　例えば、枠部１１の材料は、振動部９の材料と同じであってもよいし、異なっていてもよい。枠部１１と振動部９とで材料が同じほうが一体的な層（部材）から両者を形成しやすい傾向がある。枠部１１の厚さは、振動部９の厚さと（略）同じであってもよいし（図示の例）、異なっていてもよい。枠部１１と振動部９とで厚さが異なる態様としては、例えば、振動部９の厚さ（一定の厚さでない場合は例えば最大厚さ）が枠部１１の厚さ（一定の厚さでない場合は例えば最大厚さ）よりも薄くされている態様が挙げられる。
　枠部１１の材料が振動部９の材料と同一であるか否かに関わらず、振動部９の材料の説明は、枠部１１の材料に援用されてよい。また、枠部１１の材料が振動部９の材料と異なる態様において、枠部１１は、圧電体を含んでいなくてもよいし、振動部９の圧電体の種類（及びカット角）とは異なる種類（及びカット角）の圧電体を含んでいてもよい。振動部９の材料と異なる枠部１１の材料の具体例については、第１基板３及び第２基板５の材料の具体例の説明が援用されてよい。
　枠部１１は、例えば、平面視において、振動部９をその全周に亘って（３６０°に亘って）囲んでいる。ただし、枠部１１は、一部が途切れていてもよい。この途切れた部分は、例えば、図示の例とは異なる態様において、振動子１の内部と外部とを導通する導体の配置に利用されてよい。枠部１１は、例えば、振動部９の外縁の長さ（又は振動部９の幾何中心回りの角度範囲）を基準として、３／４周（２７０°）以上、７／８周（３１５°）以上、又は１５／１６周（３３７．５°）以上に亘って延びていれば、振動部９を囲んでいると捉えられてよい。
　平面視において、枠部１１の内縁の形状は、振動部９の外縁の形状と相似又は相似に類する形状であってもよいし（図示の例）、全く異なる形状であってもよい。前者の例としては、例えば、振動部９の外縁の形状及び枠部１１の内縁の形状が、共に矩形状（図示の例）、円形状、楕円形状又は多角形状（矩形状を除く）とされる態様が挙げられる。後者の例としては、例えば、振動部９の外縁の形状及び枠部１１の内縁の形状が、円形状－矩形状、楕円形状－矩形状の態様が挙げられる。また、別の観点では、平面視において、枠部１１の内縁と振動部９の外縁との距離ｄ１とは、全周に亘って概ね一定であってもよいし、一定でなくてもよい。
　枠部１１の外縁の形状及び寸法は、例えば、振動子１の平面視における外縁の形状及び寸法（既述）と概ね同じである。また、前段落の振動部９の外縁と枠部１１の内縁との関係についての説明は、「枠部１１の内縁」の語を「枠部１１の外縁」の語に置換して、振動部９の外縁と枠部１１の外縁との関係に援用されてよい。さらに、前段落の振動部９の外縁と枠部１１の内縁との関係の説明は、「振動部９の外縁」の語を「枠部１１の内縁」の語に置換し、「枠部１１の内縁」の語を「枠部１１の外縁」の語に置換して、枠部１１の内縁と枠部１１の外縁との関係に援用されてよい。このことから理解されるように、枠部１１の幅（内縁から外縁までの距離）は、その周方向において一定であってもよいし、変化してもよい。
　枠部１１の厚さは、例えば、その全体に亘って概ね一定である。別の観点では、枠部１１の表裏の面は平面状である。ただし、例えば、枠部１１の表面及び／又は裏面の一部に凹部又は凸部が設けられていてもよい。
（３．２．枠部に位置する導体）
　枠部１１の表裏の面（＋Ｄ３側の面及び－Ｄ３側の面）には、例えば、既述の第１中間側層２５及び第２中間側層２７（そのうちの振動部９に位置する領域を除いた領域）が位置している。枠部１１の内周面及び外周面には、例えば、導体（例えば導体層）は位置していない。別の観点では、第１中間側層２５及び第２中間側層２７のうち、枠部１１に位置する領域は、互いに接続されていない。
　ただし、内周面及び／又は外周面の周方向の一部又は全部に導体が位置していてもよい。また、これにより、第１中間側層２５及び第２中間側層２７のうち、枠部１１に位置する領域は、互いに導通されていてもよい。このような導体は、例えば、内周面及び／又は外周面に重なる導体層であってよい。また、第１基板３の平面視における角部にキャスタレーションが設けられ、当該キャスタレーションに配置された導体によって導通がなされてもよい。また、第１貫通孔９ｈのように、第１中間側層２５及び第２中間側層２７のうち、枠部１１に位置する領域を互いに導通するための貫通孔が枠部１１に設けられていてもよい。
　第１中間側層２５及び第２中間側層２７それぞれは、例えば、平面視において全周（振動部９を中心とする３６０°）に亘って枠部１１に配置されている。より詳細には、第１中間側層２５及び第２中間側層２７それぞれは、例えば、枠部１１の表裏の面の全体に広がっている。もっとも、第１中間側層２５及び第２中間側層２７は、枠部１１の周方向の全体又は一部において、枠部１１の内縁及び／又は外縁から離れる部分を有していてもよい。また、例えば、第１中間側層２５（又は第２中間側層２７）は、枠部１１に沿って互いに並列に延びる２本以上のパターンを有していることなどによって、第１中間側層２５に囲まれた第１中間側層２５の非配置領域を形成していてもよい。
　第１中間側層２５及び第２中間側層２７それぞれにおいて、枠部１１に位置する領域（その一部又は全部）と、振動部９に位置する領域（その一部又は全部）とは、同一の材料及び同一の厚さであってもよいし（図３の例）、材料及び厚さの少なくとも一方が異なっていてもよい。いずれにせよ、振動部９に位置する導体の説明で述べた、第１中間側層２５及び第２中間側層２７の材料の説明は、第１中間側層２５及び第２中間側層２７のうちの枠部１１に位置する領域の材料に援用されてよい。
（４．第１基板）
　図４は、第１基板側層２１及び第２基板側層２３の具体的な態様について図３とは異なる例を示す断面図である。また、図９は、第１基板３及び第１基板側層２１の具体的な態様について図１とは異なる例を示す平面図である。以下の説明では、図１～図３に加えて、図４及び図９も参照することがある。
（４．１．第１基板の材料、形状及び寸法）
　第１基板３は、例えば、第１凹部１４が形成されている点を除いて、概略、厚さが一定の平板状の部材である。もっとも、第１基板３は、第１凹部１４以外に、＋Ｄ３側又は－Ｄ３側に適宜に凹部及び／又は凸部を有していても構わない。第１基板３の平面視における形状及び寸法は、例えば、振動子１の平面視における形状及び寸法（既述）と概ね同じである。第１基板３の厚さは任意である。図３の例では、第１基板３の厚さは、第２基板５の厚さ及び中間層７の厚さよりも厚くされている。比較的小型の振動子１における第１基板３の厚さの例を挙げると、５０μｍ以上２００μｍ以下である。
　第１基板３の厚さが第２基板５の厚さ及び中間層７の厚さよりも厚い場合には、後述のように中間層７を薄層化するときに安定して保持することができる。ただし、第１基板３の厚さはこの関係に限定されない。例えば、第２基板５と同等の厚さとした場合には振動子１全体での応力のバランスを整えることができ反りを抑制することができる。また振動子１を実装する際の応力の影響も低減することができる。
　第１基板３の材料は任意である。例えば、第１基板３は、中間層７と同様の材料や絶縁体又は半導体によって一体的に構成されていてもよいし、互いに異なる材料が積層されて構成されていてもよい。後者の態様としては、例えば、絶縁体又は半導体の第１層と、第１層に対して－Ｄ３側に重なる金属層（別の観点ではシールド及び／又は補強材）とを含む態様が挙げられる。また、例えば、第１基板３が多層基板から構成される態様が挙げられる。絶縁体は、無機材料（例えば水晶又はセラミック）であってもよいし、有機材料（例えば樹脂）であってもよい。半導体としては、シリコン（Ｓｉ）又はゲルマニウム（Ｇｅ）が挙げられる。
　第１基板３を構成する半導体は、例えば、格子欠陥（広義）を含まない真性半導体である。例えば、半導体には、不純物及び／又は原子配列の乱れは基本的に存在しない。ただし、半導体は、格子欠陥を含んでいてもよい。例えば、図示の例とは異なる態様において、第１基板３の一部は、不純物を含むｐ型半導体又はｎ型半導体によって構成され、電子素子を構成したり、振動子１の内部と外部との導通に寄与したりしてよい。
　第１凹部１４の平面視における形状及び寸法は任意である。例えば、第１凹部１４の平面形状は、第１励振電極１３Ａの形状に対して、同一、相似、又は相似に類する形状であってもよいし（図１の例）、全く異なる形状であってもよい（図７参照）。また、平面透視において、第１凹部１４と第１励振電極１３Ａとは、一致していてもよいし、前者が後者の一部に収まっていてもよいし、後者が前者の一部に収まっていてもよいし（図３の例）、互いに重複していない領域をそれぞれが有していてもよい。平面透視において、第１凹部１４の幾何中心と第１励振電極１３Ａの幾何中心とは、一致していてもよいし、一致していなくてもよい。
　前段落のいずれの態様であっても、第１励振電極１３Ａの形状及び寸法の説明は、矛盾等が生じない限り、第１凹部１４の平面視における形状及び寸法の説明に援用されてよい。念のために援用してよい記載の一部を抜粋して書き改めると、第１凹部１４の平面形状は、円形状（図１の例）、楕円状（図９の例）、矩形状（例えば長方形状又は正方形状。図７及び図８Ａ参照）又は多角形状（矩形状を除く）とされてよい。長手方向の長さと短手方向の長さとの比は、例えば、１．１４～１．３９：１、又は１．２６：１とされてよい。この比は、例えば、厚みすべり振動の方向（Ｘ軸方向）が長手方向の態様に適用されてよい。
　第１凹部１４の縦断面（Ｄ３方向に平行な断面）の形状及び寸法（例えば深さ）も任意である。例えば、第１凹部１４の縦断面において、第１凹部１４の側面は、Ｄ３方向に概ね平行であってもよいし、Ｄ３方向に対して傾斜していてもよい。第１凹部１４は、傾斜する側面によって、＋Ｄ３側ほど径が大きくなっていてもよいし、小さくなっていてもよい。第１凹部１４の深さは、例えば、意図されている使用状況において第２励振電極１３Ｂが第１凹部１４の底面（図示の例では、より詳細には既述の第１基板側層２１のうちの第１凹部１４の底面に位置する領域）に接しない最小限のものであってもよいし、それよりも深くされていてもよい。また、例えば、第１凹部１４の深さは、第１基板３の厚さの１／２未満であってもよいし、１／２以上であってもよい。
（４．２．第１基板に位置する導体）
　第１基板３の＋Ｄ３側（中間層７側）の面には、例えば、既述の第１基板側層２１が位置している。第１基板３の外周面（側面）及び－Ｄ３側の面には、例えば、導体（例えば導体層）は位置していない。
　もっとも、第１基板３には、第１基板側層２１以外の導体が位置していてもよい。例えば、シールド及び／又は補強材として機能する金属層が－Ｄ３側の面に重なっていてよい（既述のように当該金属層は第１基板３の一部として捉えられてもよい。）。また、例えば、第１基板３の平面視における角部にキャスタレーションが形成され、このキャスタレーションに導体が位置していてもよい。また、既述のように、第１基板３に外部電極１５が設けられて、外部電極１５が－Ｄ３側の面において露出していてもよい。なお、第１基板３に外部電極１５を設ける場合には、貫通孔を形成する観点からは、第２基板５よりも厚さを薄くしてもよい。この場合の振動部９の－Ｄ３側の導体及び第１基板３の導体の構成については、図示の例における振動部９の＋Ｄ３側の導体及び第２基板５の導体の構成から類推可能である。
　第１基板側層２１は、例えば、振動部９の第１基板３に対する接合に寄与する。また、第１基板側層２１は、例えば、枠部１１の全周に亘って枠部１１と第１基板３とを接合し、振動部９の封止に寄与する。第１基板側層２１の平面視における形状及び寸法は、上記の作用を奏する限り、任意である。
　図１に示す例では、第１基板側層２１は、振動部９と第１基板３との接合（及び導通）に寄与する内側領域２１ｅと、枠部１１と第１基板３との接合に寄与する外側領域２１ｆとに分離されている。これにより、例えば、多機能電極３３と他の導体との意図されていない導通が生じる蓋然性が低減される。もっとも、第１基板側層２１は、図９に示された他の例のように、内側領域２１ｅと外側領域２１ｆとに分離されていなくてもよい。換言すれば、第１基板側層２１は、その全体が１つのベタ状パターンによって構成されていてもよい。
　内側領域２１ｅは、例えば、平面透視において振動部９と概ね一致する形状（例えばそれぞれの９割以上の面積が互いに重なる形状）を有している。ただし、内側領域２１ｅは、例えば、平面透視において、枠部１１（又は第１中間側層２５のうち枠部１１に位置する領域）と重複しない範囲内で振動部９の外側に広がっていたり、多機能電極３３との重複を維持しつつ、振動部９の外縁よりも内側に位置していたりしてもよい。上記のいずれの態様においても、振動部９の平面視における形状及び寸法の説明は、矛盾等が生じない限り、内側領域２１ｅの形状及び寸法に援用されてよい。
　外側領域２１ｆは、例えば、平面透視において枠部１１と概ね一致する形状（例えばそれぞれの９割以上の面積が互いに重なる形状）を有している。ただし、外側領域２１ｆは、例えば、平面透視において、振動部９（又は多機能電極３３）と重複しない範囲内で枠部１１の内縁よりも内側へ広がっていたり、枠部１１の外縁よりも外側へ広がっていたりしてもよい。上記のいずれの態様においても、枠部１１の平面視における形状及び寸法の説明は、矛盾等が生じない限り、外側領域２１ｆの形状及び寸法に援用されてよい。
　図１に示す第１基板側層２１（外側領域２１ｆ）は、第１基板３の外縁から全周に亘って離れている。これにより、例えば、多機能電極３３と他の導体との意図されていない導通が生じる蓋然性が低減される。もっとも、第１基板側層２１は、図９に示された他の例のように、第１基板３の外縁まで広がっていてもよい。
　第１基板側層２１（内側領域２１ｅ）は、第１凹部１４の内面に重なる部分を有していてもよいし、有していなくてもよい。前者の態様としては、例えば、第１基板側層２１が、第１凹部１４の底面（例えばその全体）に位置する態様（図１及び図３の例）、第１凹部１４の内面の底面及び外周面（例えば底面全体及び外周面全体）に位置する態様（図４の例）、及び第１凹部１４の外周面（例えばその全体）に位置する態様が挙げられる。
　第１基板側層２１の材料、厚さ及び厚み方向の構成も任意である。例えば、第１基板側層２１は、その全体に亘って材料及び厚さが同じであってもよいし（図３の例）、領域によって材料及び／又は厚さが異なっていてもよい。後者の態様としては、例えば、振動部９に重なる領域と枠部１１に重なる領域とで（例えば内側領域２１ｅと外側領域２１ｆとで）、材料及び／又は厚さが異なる態様が挙げられる。
　また、例えば、第１基板側層２１は、１層の金属層によって構成されていてもよいし、２層以上の金属層によって構成されていてもよい（図３の例）。図３の例では、第１基板側層２１は、第１基板３に接する（直接に重なる）下層２１ａと、下層２１ａに重なる上層２１ｂとを有している。第１中間側層２５の下層２５ａ及び上層２５ｂの説明は、「２５」の符号を「２１」に置換し、「振動部９」の語を「第１基板３」に置換して、下層２１ａ及び上層２１ｂに援用されてよい。
　第１基板側層２１及び第１中間側層２５の互いに接合される表面を構成する層（図３の例では上層２５ｂ及び上層２１ｂ）の材料は、互いに同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。前者の態様において、完成後の振動子１において、第１基板側層２１及び第１中間側層２５（上層２５ｂ及び上層２１ｂ）の境界は、ＴＥＭ（Transmission Electron Microscope）等による観察によって特定可能であってもよいし、特定不可能であってもよい。本段落の説明は、第２基板側層２３及び第２中間側層２７に援用されてよい。
（５．第２基板）
（５．１．第２基板の材料、形状及び寸法）
　第２基板５は、例えば、概略、平板状の部材である。第２基板５の平面視における形状及び寸法は、例えば、振動子１の平面視における形状及び寸法（既述）と概ね同じである。
　ただし、図２及び図３に示す例では、第２基板５は、－Ｄ３側の第２面５ａに第２凹部３９を有している。第２凹部３９は、例えば、第１凹部１４と同様に、振動部９の励振部９ａに対向しており、これにより、励振部９ａの振動が容易化される。また、第２凹部３９は、励振部９ａに対向する領域よりも広い領域に形成されている。これにより、例えば、第２面５ａと中間層７との接合面積が低減され、両者を接合するときの接触圧を高くすることができる。
　もっとも、第２面５ａは、第２凹部３９を有さず、平面状であってもよい。また、第２基板５は、第２凹部３９以外に、＋Ｄ３側又は－Ｄ３側に適宜に凹部及び／又は凸部を有していても構わない。なお、第２面５ａが平面状である態様において、励振部９ａと第２面５ａとの接触の蓋然性は、種々の方法によって低減されてよい。以下に例を挙げる。励振部９ａは枠部１１よりも－Ｄ３側へ薄くされてよい。第２中間側層２７のうち、中間層７と第２面５ａとの接合に寄与する領域が第１励振電極１３Ａよりも厚くされてよい（図３の例）。また、例えば、振動部９が－Ｄ３側の面を伝搬するＳＡＷを利用する態様では、励振部９ａの＋Ｄ３側の面が第２面５ａに接合されていても構わない。
　第２面５ａは、別の観点では、図２に符号を付すように、枠部１１に接合される枠状領域５ａａと、枠状領域５ａａに囲まれる第２凹部３９と、第２凹部３９に囲まれている台座部５ａｂとを有している。台座部５ａｂの頂面（－Ｄ３側の面）は、パッド電極２９に接合されるパッド用領域５ａｃを含んでいる。各部の形状及び寸法は、例えば、以下のとおりである。
　枠状領域５ａａは、例えば、平面透視において、枠部１１の概ね全体（例えば９割以上）に重なる形状を有している。枠状領域５ａａの内縁（別の観点では第２凹部３９の縁部）の一部又は全部は、枠部１１の内縁に対して、一致していてもよいし、振動部９（又は励振部９ａ）に重複しない範囲内で内側に位置していてもよいし、枠状領域５ａａと枠部１１との重複が維持される範囲内で外側に位置していてもよい。また、枠状領域５ａａの外縁（別の観点では第２基板５の外縁）の一部又は全部は、枠部１１の外縁に対して、一致していてもよいし、枠状領域５ａａと枠部１１との重複が維持される範囲内で内側に位置していてもよいし、外側に位置していてもよい。上記のいずれの態様においても、枠部１１の平面視における形状及び寸法の説明は、矛盾等が生じない限り、枠状領域５ａａの形状及び寸法に援用されてよい。
　台座部５ａｂは、例えば、平面透視において、概ねパッド電極２９と重なる形状及び寸法を有している。より詳細に見たとき、台座部５ａｂの外縁の一部又は全部は、パッド電極２９の外縁に対して、一致していてもよいし、外側に位置していてもよいし（図３の例）、内側に位置していてもよい。いずれにせよ、パッド電極２９の平面視における形状及び寸法の説明は、矛盾等が生じない限り、台座部５ａｂの形状及び寸法に援用されてよい。また、台座部５ａｂの頂面（－Ｄ３側の面）のＤ３方向の位置は、例えば、枠部１１の－Ｄ３側の面のＤ３方向の位置と同じである。ただし、両者は異なっていても構わない。
　第２凹部３９の平面視における形状及び寸法の説明は、枠状領域５ａａ及び台座部５ａｂの平面視における形状及び寸法についての上記説明の裏返しになることから省略する。また、第２凹部３９の側面は、Ｄ３方向に概ね平行であってもよいし、Ｄ３方向に対して傾斜していてもよい。第２凹部３９は、傾斜する側面によって、－Ｄ３側ほど径が大きくなっていてもよいし、小さくなっていてもよい。第２凹部３９の深さは任意である。例えば、第２凹部３９の深さは、意図されている使用状況において第１励振電極１３Ａが第２凹部３９の底面（図示の例では、より詳細には第２基板側層２３のうちの第２凹部３９の底面に位置する領域）に接しない最小限のものであってもよいし、それよりも深くされていてもよい。また、例えば、第２凹部３９の深さは、第２基板５の厚さの１／２未満であってもよいし、１／２以上であってもよい。
　振動部９と第２基板５とは台座部５ａｂでのみ接合されている。このような構成により、励振部９ａの＋D３側と第２凹部３９との間の空間は、振動部９の外側と枠部１１の内周面との間の空間と繋がっている。これにより励振部９ａへのごみの付着等を抑制できる。
　第２基板５の厚さは任意である。図３の例では、第２基板５の厚さは、中間層７の厚さよりも厚く、かつ第１基板３の厚さよりも薄くされている。比較的小型の振動子１における第２基板５の厚さの例を挙げると、２０μｍ以上１００μｍ以下である。
　この例では第２基板５に外部電極１５が配置されるため、第２基板５をD３方向に貫通する貫通孔が形成されている。このような第２基板５において第１基板３の厚さよりも薄くすることで貫通孔の形成が容易となり生産性が向上する。また、貫通孔内に位置する取出し導体４１の連続性を高めることができる。
　第２基板５の材料は任意である。第１基板３の材料についての既述の説明は、第２基板５に援用されてよい。念のために、援用されてよい記載の一部を抜粋して書き改めると、第２基板５は、絶縁体又は半導体によって一体的に構成されていてもよいし、互いに異なる材料が積層されて構成されていてもよい。絶縁体は、無機材料（例えば水晶又はセラミック）であってもよいし、有機材料（例えば樹脂）であってもよい。半導体としては、シリコン（Ｓｉ）又はゲルマニウム（Ｇｅ）が挙げられる。
（５．２．第２基板に位置する導体）
　第２基板５には、例えば、図１～図３に示すように、以下の導体が位置している。第２基板５の－Ｄ３側（中間層７側）の面に位置している第２基板側層２３。第２基板５の＋Ｄ３側の面に位置している外部電極１５。第２基板５を貫通する第２貫通孔５ｈに配置され、第２基板側層２３と外部電極１５とを導通している取出し導体４１。
　もっとも、第２基板５には、上記以外の導体が配置されていてもよい。例えば、第２基板５の平面視における角部にキャスタレーションが形成され、キャスタレーションに配置された導体が配置されてよい。この導体は、第２基板側層２３と外部電極１５との導通に寄与してよく、取出し導体４１に代えて、又は加えて設けられてよい。
　第２基板側層２３は、例えば、概ね、第２面５ａの全体に亘って広がっている。別の観点は、第２基板側層２３は、枠状領域５ａａに重なる領域と、第２凹部３９の底面に重なる領域と、台座部５ａｂの頂面（別の観点ではパッド用領域５ａｃ）に重なる領域とを有している。第２基板側層２３は、第２凹部３９の側面に重なっていなくてもよいし（図３の例）、重なっていてもよい（図４の例）。
　枠状領域５ａａに重なる領域は、枠部１１と第２基板５との接合に寄与する。台座部５ａｂの頂面に重なる領域は、振動部９と第２基板５との接合に寄与し、また、パッド電極２９と外部電極１５との導通に寄与する。第２凹部３９の底面（及び側面）に重なる領域は、例えば、シールド及び／又は補強材として機能し得る。
　第２基板側層２３は、第２面５ａの全体に亘って広がっていなくてもよい。例えば、第２基板側層２３は、枠状領域５ａａに重なる領域と、パッド用領域５ａｃに重なる領域とを有し、第２凹部３９の底面に重なる領域を有していなくてもよい。また、例えば、第２基板側層２３は、第２面５ａの縁部から離れていてもよい。
　第２基板側層２３の材料、厚さ及び厚み方向の構成も任意である。例えば、第２基板側層２３は、その全体に亘って材料及び厚さが同じであってもよいし（図３の例）、領域によって材料及び／又は厚さが異なっていてもよい。後者の態様としては、例えば、中間層７に接合される領域と接合されない領域とで、材料及び／又は厚さが異なる態様が挙げられる。
　また、例えば、第２基板側層２３は、１層の金属層によって構成されていてもよいし、２層以上の金属層によって構成されていてもよい（図３の例）。図３の例では、第２基板側層２３は、第２基板５に接する（直接に重なる）下層２３ａと、下層２３ａに重なる上層２３ｂとを有している。第１中間側層２５の下層２５ａ及び上層２５ｂの説明は、「２５」の符号を「２３」に置換し、「振動部９」の語を「第２基板５」に置換して、下層２３ａ及び上層２３ｂに援用されてよい。
　外部電極１５の（外部から見た）位置、形状及び寸法については、第１．２節の振動子の実装態様の説明において述べた。外部電極１５は、第２基板５の＋Ｄ３側の面に重なる導体層によって構成されていてもよいし、第２基板５を貫通する柱状の取出し導体４１の＋Ｄ３側の面によって構成されていてもよいし、そのような区別が難しい構成であってもよい。
　外部電極１５が第２基板５の＋Ｄ３側の面に重なる導体層を含む態様において、上記導体層は、１層の金属層によって構成されていてもよいし、２層以上の金属層によって構成されていてもよい（図３の例）。図３の例では、特に符号を付さないが、外部電極１５の導体層の部分は、３層の金属層によって構成されている。その具体的な材料は任意である。例えば、最も＋Ｄ３側の層の材料としては、上層２５ｂの材料として例示したものが利用されてよい。また、他の２層の材料としては、下層２５ａの材料として例示したものが利用されてよい。
　取出し導体４１の構成が任意の構成（例えば柱状又は層状）とされてよいことについては、接続導体３７の説明において既に述べた。また、取出し導体４１（第２貫通孔５ｈ）の形状及び寸法も任意である。例えば、第２貫通孔５ｈは、直柱状であってもよいし、＋Ｄ３側ほど又は－Ｄ３側ほど径が小さくなるテーパー状であってもよい。第２貫通孔５ｈの横断面（Ｄ１－Ｄ２断面）の形状は、例えば、円形、楕円形状、矩形状又は多角形状（矩形状を除く）とされてよい。
　取出し導体４１及び外部電極１５の位置も任意である。図３の例では、取出し導体４１及び外部電極１５は、第２基板５の第２面５ａのうち、パッド電極２９に接合されるパッド用領域５ａｃの直上に位置している。これにより、例えば、第２基板５に係る構成が簡素化される。また、例えば、第２貫通孔５ｈが振動部９に重なる位置にあり、枠部１１に重ならないから、第２貫通孔５ｈによって密閉性が低下する蓋然性が低減される。図３の例における第１貫通孔９ｈと第２貫通孔５ｈとの位置関係等の詳細については、第７．２節で述べる。
　図示の例とは異なり、外部電極１５（及び取出し導体４１）は、パッド用領域５ａｃの直上以外の他の位置に配置されても構わない。他の位置としては、例えば、パッド電極２９には重ならないが振動部９に重なる位置、振動部９と枠部１１との間に重なる位置、枠部１１に重なる位置及び／又は枠部１１よりも外周側の位置が挙げられる。外部電極１５（及び取出し導体４１）が振動部９と重ならない態様においては、例えば、振動子１を不図示の回路基板等に実装したときの応力が外部電極１５及び取出し導体４１を介して振動部９に伝わる蓋然性が低減される。
　前段落のような態様においては、例えば、第２基板側層２３が、パッド用領域５ａｃに重なる位置から任意の位置へ延びるパターンを有し、上記任意の位置に取出し導体４１及び外部電極１５が設けられてよい。また、例えば、上記パターンが既述のキャスタレーションまで延び、キャスタレーションに配置された導体によって外部電極１５とパッド電極２９とが導通されてもよい。また、第２基板５が多層基板によって構成されて、外部電極１５が適宜な位置に配置されてもよい。
（６．構成要素間における位置関係等）
（６．１．第１凹部及び振動部の関係）
　振動部９は、例えば、第１凹部１４の全体に対向してよい（図１～図３の例）。さらに、第１基板３と振動部９とが第１凹部１４の全周に亘って接合されることによって、第１凹部１４は塞がれてよい（密閉されてよい。）。
　もっとも、振動部９は、第１凹部１４を塞がなくてもよいし、第１凹部１４の全体に対向していなくてもよい。以下に例を示す。
　図７は、振動部９が第１凹部１４を密閉しない態様の例を示す平面図である。具体的には、この図は、＋Ｄ３側から第１基板３及び振動部９を見た図である（第２基板５及び枠部１１は図示が省略されている。）。
　この例では、振動部９は、第１凹部１４の全体に対向していない。ひいては、第１基板３と振動部９とは第１凹部１４の全周に亘って接合されていない。このような態様においては、例えば、第１凹部１４内と、振動部９の＋Ｄ３側の空間（例えば第２凹部３９内）とが連通されるから、両者の気圧が同等になる。その結果、例えば、気圧差が振動に影響を及ぼす影響が低減される。
　振動部９が第１凹部１４の全体に対向していない場合において、両者の形状、両者の寸法及び両者の位置の関係は任意である。別の観点では、互いに対向している部分又は互いに対向していない部分の形状及び寸法は任意である。さらに別の観点では、振動部９が第１凹部１４の外周において第１基板３に支持（及び／又は接合）される領域の形状及び寸法は任意である。
　例えば、図７の例では、第１凹部１４の振動部９によって覆われない部分がＤ１方向において振動部９を挟んで２個所に設けられている。別の観点では、第１基板３の振動部９を支持する領域は、第１凹部１４の周囲において２つに分かれている。図示の例とは異なり、第１凹部１４の振動部９によって覆われない部分は、１個所であってもよいし、３個所以上であってもよい。また、第１凹部１４（より詳細にはその開口（上部））が振動部９によって覆われる面積（後述する第３貫通孔９ｋが設けられる場合は第３貫通孔９ｋの面積を除いた面積）は、例えば、第１凹部１４の面積の１／２未満であってもよいし、第１凹部１４の面積１／２以上、２／３以上、４／５又は９／１０以上であってよい。
　また、例えば、振動部９と第１凹部１４の外周（外周領域３ｂ）とが重なっている重複領域（又は両者が接合されている接合領域）の周方向における範囲は任意である。例えば、重複領域（接合領域）は、振動部９若しくは第１凹部１４の外縁の長さ（又は振動部９若しくは第１凹部１４の幾何中心回りの角度範囲）を基準として、３０°以上、４５°以上、７５°以上、１００°以上、１５０°以上、半周（１８０°）以上、３／４周（２７０°）以上、７／８周（３１５°）以上、又は１５／１６周（３３７．５°）に亘っていてよい。１８０°以上の場合は、重複領域（接合領域）が振動部９の中央又は第１凹部１４を囲んでいると捉えられてよい。図７の例にて、２つの矢印ａ５によって示すように、重複領域（接合領域）は、連続している必要はなく、当該領域の合計が１８０°以上の角度範囲に亘っている態様も含む。
　図８Ａは、振動部９が第１凹部１４を密閉しない態様の他の例を示す平面図であり、図７と同様の図である。図８Ｂは、図８ＡのVIIIｂ－VIIIｂ線における断面図（ただし、第１凹部１４を含む一部範囲のみを示す。）である。
　この例においては、振動部９は、第１凹部１４の全体に対向する広さを有しており、ひいては、振動部９の中央（別の観点では第１凹部１４）周りの全周に亘って、振動部９と第１凹部１４の外周（外周領域３ｂ）とが重複している（接合されている。）。ただし、振動部９には、振動部９を厚さ方向に貫通する第３貫通孔９ｋが設けられている。これにより、第１凹部１４の内部と、振動部９の＋Ｄ３側の空間（第２凹部３９）とは通じている。
　第３貫通孔９ｋの数、位置、形状及び寸法は任意である。例えば、第３貫通孔９ｋは、第１中間側層２５及び／又は第２中間側層２７の、配置領域及び非配置領域のいずれに位置していてもよい。第３貫通孔９ｋは、導通に寄与する第１貫通孔９ｈを兼ねていてもよいし、兼ねていなくてもよい。第３貫通孔９ｋの平面視の形状は、スリット状でなくてもよいし（図示の例）、スリット状であってもよい。
　第１凹部１４と振動部９の＋Ｄ３側の空間（第２凹部３９）との連通は、上記以外の方法によってなされてもよい。例えば、振動部９が第１凹部１４の全体に対向する態様において、多機能電極３３及び／又は第１基板側層２１に第１凹部１４の縁部から振動部９の外縁まで延びるスリットを設け、第１凹部１４と振動部９の外周側の空間（振動部９と枠部１１との隙間）とを通じさせてもよい。また、第１基板３に、振動部９の外縁まで延びる第１凹部１４と一体的に形成されたスリットSLを設けてもよい（図１６参照）。また、第１凹部１４と振動部９の＋Ｄ３側の空間（第２凹部３９）との連通は平面視で振動部９内の第１凹部１４の外側において実現してもよい。後述する片持ち梁状の支持（図２０）によって第１凹部１４が外部と連通されてもよい。
（６．２．振動部と枠部との隙間）
　振動部９の外縁と枠部１１の内縁との距離ｄ１（図３）の具体的な大きさは任意である。例えば、距離ｄ１は、枠部１１の幅（内縁から外縁までの幅）の１／２未満であってもよいし、１／２以上であってもよい。また、例えば、距離ｄ１は、振動部９に生じる不要振動の波長を考慮して設定されてもよい。具体的には、例えば、以下のとおりである。
　振動部９に交流電圧を印加すると、振動部９においては、利用が意図されている厚みすべり振動以外の不要振動が生じる。不要振動としては、例えば、屈曲振動、厚み振動（厚み縦振動）及び輪郭すべり振動が挙げられる。屈曲振動は、例えば、振動部９がＤ３方向へ撓む振動である。厚み振動は、例えば、振動部９が厚み方向（Ｄ３方向）において伸縮する振動である。輪郭すべり振動は、例えば、平面視において振動部９の互いに対向する側面同士がスライドする振動である。
　不要振動は、振動部９の特定の寸法によって規定される周波数（波長）で共振を生じる。別の観点では、不要振動は、振動方向における振動部９の端部を節又は腹とする定在波を生じる。この定在波の波長をλとする（種々の不要振動のいずれであってもよい。）。このとき距離ｄ１は、ｎ×λ／４とされてよい（ｎは自然数）。ｄ１がｎ×λ／４と等しいというとき、±λ／１６又は±λ／３２の誤差が存在してもよい。
　不要振動の種々の態様（屈曲振動、厚み振動及び輪郭すべり振動）のそれぞれにおいて、定在波は、種々の次数のものが生じ得る。上記のλは、距離ｄ１を測定する方向に伝搬する種々の次数の定在波のうち利用対象の厚みすべり振動と最も結合しやすいものとする。そのような定在波の波長λは、例えば、シミュレーション計算又は実験によって求められてよい。また、前段落の関係は、例えば、振動部９の全周に亘って成立してもよいし、一部又は大部分（例えば、１／２周以上又は３／４周以上）において成立してもよい。
　既述のように、振動部９と枠部１１とは全周に亘って互いに離れている。このようにいうとき、両者の隙間は、例えば、空間とされて、真空状態又は気体が存在する状態とされている。もっとも、両者の隙間には、振動部９と枠部１１とが一体的に構成されている（別の観点では両者と同じ材料で両者が連結されている）態様よりも振動部９と枠部１１との相対変位を許容することが可能な材料が介在していてもよい。当該材料は、例えば、振動部９、枠部１１及び第１基板３の材料の弾性率（例えばヤング率）よりも低い弾性率を有している。
（６．３．各種の層の寸法等の関係）
　各種の層（例えば３、５、７、１７及び１９）の寸法（例えば広さ及び厚さ）の関係は任意である。
　例えば、図３の例では、平面透視において、第１基板３の外縁は、全周に亘って第２基板５の外縁よりも外側に位置しており（すなわち前者は後者よりも広く）、第２基板５の外縁は、全周に亘って中間層７の外縁よりも外側に位置している（すなわち前者は後者よりも広い。）。図３の例とは異なり、例えば、第１基板３の外縁が全周に亘って中間層７及び第２基板５の外縁よりも外側に位置している一方で、中間層７の外縁が全周に亘って第２基板５の外縁よりも外側に位置していてもよい。また、周方向の位置によって、これら３層の外縁の位置関係が異なっていてもよい。広さの差の程度も任意である。
　ここで、中間層７の外縁よりも第１基板３の外縁が外側にあるときには、個片化する際に中間層７の外縁よりも外側でダイシングすることでダイシング時に応力が振動部９に中間層７と第１基板３との接合部に加わることを抑制することができる。以上より、信頼性の高い振動子１を得ることができる。
　また、例えば、図３の例では、凹部（１４及び３９）を無視したとき、第１基板３は第２基板５よりも厚く、第２基板５は中間層７よりも厚い。図３の例とは異なり、例えば、第２基板５が第１基板３よりも厚くてもよい。また、例えば、図３の例では、第１金属層１７及び第２金属層１９は、第１基板３、第２基板５及び中間層７よりも薄い。図３の例とは異なり、いずれかの金属層が中間層７等よりも厚くても構わない。また、例えば、第２金属層１９の厚さは、第１金属層１７の厚さに対して、厚くてもよいし（図３の例）、同じでもよいし、薄くてもよい。上記のような種々の層の厚さに差がある場合において差の程度も任意である。
　平面透視において、第１凹部１４の幾何中心は、第１基板３の幾何中心に一致していてもよいし、一致していなくてもよい。また、第１基板３及び／又は第１凹部１４の幾何中心と振動部９及び／又は励振部９ａの幾何中心とは一致していてもよいし、一致していなくてもよい。厚みすべり振動（換言すれば利用が意図されている振動）の波長をλとしたとき、例えば、幾何中心同士の距離がλ／４以下であれば、両者は一致していると捉えられてよい。
（７．振動部と第２基板との電気的接続の詳細）
（７．１．第２基板の溝）
　図１０は、図２の領域Ｘの拡大図である。また、図１１は、図３の第２パッド電極２９Ｂを含む一部の範囲の拡大図である。なお、図１１では、第１金属層１７について、下層２１ａの図示が省略されている（又は実際に下層２１ａは設けられていない。）。また、下層２７ａ、上層２７ｂ及び第１接合層２７ｅの区別の図示が省略されている（又は実際にこれら３層に代えて１層が設けられている。）。なお、ここでは、第２パッド電極２９Ｂの接続を例に取るが、第２検査用電極３１Ｂの接続も同様である。
　これらの図に示されているように、台座部５ａｂの頂面には、第２パッド電極２９Ｂに接続されるパッド用領域５ａｃを囲む環状の溝４３が設けられてよい。溝４３の内部には、第２基板側層２３が設けられていない。これにより、第２基板側層２３のうちパッド用領域５ａｃに位置する部分と、第２基板側層２３の他の部分とが分離され、これらの部分に互いに異なる電位を付与することが可能となっている。
　平面透視において、台座部５ａｂの頂面の外縁は、例えば、全周に亘って第２パッド電極２９Ｂの外縁よりも外側に位置していてよい（すなわち頂面は第２パッド電極２９Ｂよりも広くてよい。）。また、図１１において矢印ａ１によって示すように、溝４３の内縁は、例えば、全周に亘って第２パッド電極２９Ｂの外縁よりも外側に位置していてよい（すなわち溝４３が囲む領域は第２パッド電極２９Ｂよりも広くてよい。）。このような位置関係（面積の大小関係）によって、例えば、第２基板側層２３の互いに異なる電位が付与されるべき部分同士が第２パッド電極２９Ｂによって短絡される蓋然性が低減される。
　溝４３の具体的な形状及び寸法は任意である。例えば、溝４３は、台座部５ａｂの頂面の外縁及び／又はパッド電極２９の外縁と相似又は相似に類する形状であってもよいし、全く異なる形状であってもよい。また、例えば、溝４３の外縁と台座部５ａｂの外縁との距離、及び溝４３の内縁と第２パッド電極２９Ｂとの距離は任意である。溝４３の深さは、第２凹部３９の深さと同じであってもよいし（図示の例）、異なっていてもよい。溝４３の幅は、一定であってもよいし、一定でなくてもよい。溝４３の側面は、Ｄ３方向に対して、平行であってもよいし、傾斜していてもよい。
　図４に示すように、溝４３は、台座部５ａｂの周囲に形成されていてもよい。また、溝４３は、設けられなくてもよい。溝４３が設けられなくても、第２基板側層２３のパターニングによって、第２パッド電極２９Ｂに接合される部分と、他の部分とを分離できる。
（７．２．第１貫通孔と第２貫通孔との位置関係）
　図１１に示すように、第２貫通孔５ｈがパッド用領域５ａｃの直上に設けられる態様を想定する。このとき、矢印ａ２及びａ３によって示すように、平面透視において、第１貫通孔９ｈ及び第２貫通孔５ｈは互いに重複していない部分をそれぞれ有していてよい。この場合、例えば、一方の貫通孔が他方の貫通孔に収まる態様（当該態様も本開示に係る技術に含まれる。）に比較して、振動部９及び第２基板５からなる構成の構造的な強度が向上することが期待される。なお、一方の貫通孔が他方の貫通孔に収まる態様では、電気的な損失が低減されることが期待される。
　第１貫通孔９ｈ及び第２貫通孔５ｈのずれの方向及びずれの量は任意である。図示の例では、第１貫通孔９ｈ及び第２貫通孔５ｈは、互いに重複している部分を有している。ただし、両者は完全に重複しないように互いに位置がずれていてもよい。
（８．支持構造に関する他の例）
　６．１節で述べたように、振動部９と第１凹部１４の外周（外周領域３ｂ）とが接合されている接合領域の周方向における範囲は任意である。このことから導かれるように、振動部９は、例えば、片持ち梁状に支持されても構わない。以下に一例を示す。
　図１８は、振動部９が片持ち梁状に支持される水晶振動子２０１を示す分解斜視図であり、図１に対応している。図１９は、振動子２０１を図１８とは異なる方向から見た分解斜視図であり、図２に対応している。図２０は図１８のXX－XX線における断面図である。
　中間層７の第１基板３側の面に重なる第１中間側層２５は、振動部９の所定方向（例えば長手方向であるＤ２方向）の一端側に位置する２つの接続電極３３ｂを有している（図１９及び図２０）。別の観点では、第１中間側層２５のうち、振動部９に重なるとともに第１凹部１４の外周領域３ｂに対向する部分は、第１凹部１４を囲むようには設けられておらず、振動部９の一端側にのみ設けられている。
　また、第１基板３の振動部９側の第１面３ａに重なる第１基板側層２１は、２つの接続電極３３ｂに対向する２つの接続パッド２１ｈを有している（図１８及び図２０）。別の観点では、第１基板側層２１のうち、外周領域３ｂに重なるとともに振動部９に対向する部分は、第１凹部１４を囲むようには設けられておらず、振動部９の一端側にのみ設けられている。
　そして、接続電極３３ｂと接続パッド２１ｈとが接合される。振動部９は、例えば、第１凹部１４の全周に亘って外周領域３ｂに対向する。ただし、振動部９と外周領域３ｂとは、接続電極３３ｂ及び接続パッド２１ｈの配置領域を除いて、概ね、これらの導体層の厚みで離れている。これにより、振動部９は、第１基板３に片持ち梁状に支持される。
　第１基板３による支持について述べたが、第２基板５のよる支持ついても同様に、片持ち梁状とされている。別の観点では、振動部９は、一端側において第１基板３及び第２基板５に挟まれることによって片持ち梁状に支持されている。
　具体的には、中間層７の第２基板５側の面に重なる第２中間側層２７においては、２つのパッド電極２９は振動部９の一端に位置しており（図１８及び図２０）、検査用電極３１は設けられていない。そして、２つのパッド電極２９と第２基板側層２３のうち２つのパッド用領域５ａｃに重なる領域とが接合される。これにより、振動部９は、パッド電極２９及び第２基板側層２３の厚みで第２基板５と離れた状態で、片持ち梁状に支持される。
　図示の例では、台座部５ａｂは設けられていない。別の観点では、第２凹部３９は、台座部５ａｂを囲んでおらず、また、平面透視において第１凹部１４と概ね一致する形状及び大きさを有している。平面透視において第１凹部１４と第２凹部３９とが一致するか否かに関わらず、第１凹部１４の形状及び寸法等に係る説明は、第２凹部３９に援用されて構わない。なお、振動子２０１において台座部５ａｂが設けられても構わないし、逆に、振動子１において台座部５ａｂが省略されても構わない。
　２つの接続電極３３ｂのうち１つは、配線部（符号省略）を介して第２励振電極１３Ｂと接続されている。また、上記１つの接続電極３３ｂは、接続導体３７（図２０）を介して直上の第２パッド電極２９Ｂと接続されている。他の接続電極３３ｂは、接続導体３７及び直上の第１パッド電極２９Ａを介して第１励振電極１３Ａと接続されていてもよいし、第１励振電極１３Ａに代えて第２励振電極１３Ｂと接続されていてもよいし、いずれの励振電極１３にも接続されていないダミー電極であってもよい。
　上記からも理解されるように、片持ち梁状に支持するための接続電極３３ｂの具体的な数、位置及び形状等は任意である。例えば、図示の例とは異なり、Ｄ１方向に延びる１つの接続電極３３ｂのみを設けてもよい。図示の例では、振動部９における導体（接続導体３７も含む）は、Ｄ２方向に平行な中心線を対称軸として１８０°回転対称の構成とされている。これにより、振動の対称性が確保されやすくなっている。なお、１８０°回転対称か否かによらず、パッド電極２９及び配線部３５の位置、形状及び寸法等の説明は、接続電極３３ｂ及び当該接続電極３３ｂにつながる配線部に援用されてよい。
　接続パッド２１ｈの具体的な数、位置及び形状等も任意である。図示の例では、接続パッド２１ｈの数、位置及び形状等は、接続電極３３ｂと類似したものとされている。ただし、例えば、第２励振電極１３Ｂに接続されていない接続電極３３ｂがダミー電極であるならば、２つの接続電極３３ｂに亘る１つの接続パッド２１ｈが設けられても構わない。
　図示の例では、Ｄ３方向に見て、振動部９は、第１凹部１４の全体に重なっている。別の観点では、Ｄ３方向に見て、振動部９は、片持ち梁状に支持される一端部から他端部（自由端）への方向において、第１凹部１４の一方側の外側から第１凹部１４の他方側の外側まで亘っている。さらに別の観点では、Ｄ３方向に見て、第１凹部１４は、振動部９の上記他端部（自由端）に重なっていない。ただし、図示の例とは異なり、第１凹部４が自由端に重なっていたり、及び／又は図７に例示したように第１凹部１４が振動部９のＤ１方向の両側の縁部に重なっていたりしてもよい。
　図示の例とは異なり、振動部９は、第１基板３と第２基板５とによって挟まれるのではなく、その全体が第２基板５から離れていてもよい。この場合、例えば、第２基板側層２３は、パッド用領域５ａｃに重なる部分を有さず、振動部９は第２基板５に接合されない。第２凹部３９を振動部９よりも広くして、第２基板５を振動部９から離してもよい。そして、２つの取出し導体４１及び２つの外部電極１５を第１基板３において２つの接続パッド２１ｈの直下に設ける。
　図１８～図２０の例に示した各種の特徴は、片持ち梁状の支持構造以外の支持構造を有する振動子に適宜に適用されてよい。例えば、図１８～図２０の例は、振動部９の下面に位置する導体層が、ベタ状パターン（多機能電極３３）ではなく、第２励振電極１３Ｂ、配線部及び接続電極３３ｂを有するパターンとされている。このような態様は、両端支持がなされる振動部９に適用されても構わない。例えば、２つの接続電極３３ｂは、第２励振電極１３Ｂに対してＤ２方向の両側に位置していてよい。
（９．振動子の製造方法）
　以上の構成を有する振動子１（及び２０１）は、種々の製造方法によって作製されてよい。以下に一例を示す。
　図１２Ａ～図１５Ｃは、振動子１の製造方法の一例を説明する模式的な断面図である。製造の工程は、基本的に、図１２Ａから図１５Ｃへ順に進む。
　図１２Ａ～図１５Ｃは、例えば、複数の第１基板３を含むウェハ、複数の第２基板５を含むウェハ及び複数の中間層７を含むウェハに対する加工工程を示している。ただし、これらの図では、便宜上、１つの第１基板３、１つの第２基板５及び１つの中間層７のみが示されている。また、以下に述べる一部の符号については、便宜上、他の図面を参照されたい。
　これらの図では、振動部９が第１凹部１４の全周に亘って支持される態様を例にとっている。振動部９の表裏の導通は、図６Ｃに示した振動部９の側面での導通を例に取っている。また、第２中間側層２７として、互いに厚さが異なる領域を有するものを例に取っている。なお、ここで例に取らなかった態様の製造方法は、以下に説明する製造方法から類推可能である。
　図１２Ａに示すように、まず、複数の第１基板３が含まれるウェハと、中間層７が含まれるウェハとを第１金属層１７によって接合する（第１接合ステップの一例）。より詳細には、例えば、図３に示すように第１基板側層２１と第１中間側層２５とを加圧及び加熱によって接合する。この段階では、中間層７では、振動部９と枠部１１とが一体となっており、また、第１中間側層２５以外の導体は配置されていない。また、第１基板側層２１は、第１基板３の中間層７側の面（第１面３ａ）の全体に広がっている。なお、振動子１ではなく、振動子２０１の場合においては、接合前において、第１基板側層２１及び第１中間側層２５はパターニングされている。
　次に、図１２Ｂに示すように、中間層７を薄くする。この工程は、例えば、研磨又はウェットエッチングによって大きく薄くする工程と、プラズマＣＶＭによって高精度に薄くする工程とを含んでよい。この薄くする工程によって、例えば、中間層７は、利用が意図されている周波数に応じた最終的な厚さとされる。中間層７は、第１基板３のウェハによって支持されたウェハの状態でエッチングされることから、極めて薄く加工することが容易化されている。
　次に、図１２Ｃに示すように、中間層７のエッチング（例えばウェットエッチング。以下、特に断りが無い限り、他の層についても同様。）を行い、振動部９及び枠部１１の外形を形成する（エッチングステップの一例）。また、第２中間側層２７の一部となる電極層２７ｃを形成する。電極層２７ｃは、例えば、図３の例の下層２７ａ及び上層２７ｂを含む構成とされてよい。電極層２７ｃは、この段階では、振動部９及び枠部１１の平面形状と同じ形状を有している。振動部９及び枠部１１のエッチングと、電極層２７ｃのパターニングは、同時に行われてもよいし、前者が後者よりも先に行われてもよい。
　次に、図１３Ａに示すように、第２中間側層２７の他の一部となる接合層２７ｄを成膜する。接合層２７ｄは、例えば、図３の例の第１接合層２７ｅ及び第２接合層２７ｆに対応する層である。接合層２７ｄは、例えば、第２基板側層２３と直接に接して接合される層であり、強度を向上させたり、バリア層として機能したりする材料からなる（例えばＴｉ／Ａｕの積層構造）。
　次に、図１３Ｂに示すように、振動部９の上面のうち、パッド電極２９及び検査用電極３１となる領域を除く領域においてエッチングによって接合層２７ｄを除去し、電極層２７ｃを露出させる。
　次に、図１３Ｃに示すように、エッチングによって、振動部９のうちの第２中間側層２７が非配置とされる領域、振動部９と枠部１１との間、及び枠部１１の外側において、電極層２７ｃ、接合層２７ｄ及び／又は第１金属層１７を除去する。このとき、電極層２７ｃによって第１励振電極１３Ａ及び配線部３５がパターニングされる。また、第１基板側層２１は、内側領域２１ｅと外側領域２１ｆとに分離される。
　図１２Ａ～図１３Ｃに示した工程に並行して、図１４Ａに示すように、第２基板５を作製する。例えば、平板状のウェハに対してエッチングを行って第２凹部３９を形成する。なお、ここでは、第２凹部３９の平面視における形状は、枠状領域５ａａ（枠部１１と接合される領域）と台座部５ａｂとがつながり、また、枠状領域５ａａの外側に更に枠状の領域が形成されるような形状とされている。
　次に、図１４Ｂに示すように、第２基板側層２３の一部となる金属層２３ｃを成膜し、パターニングする。図示の例では、金属層２３ｃは、図３とは異なり、第２基板５の中間層７側の面（第２面５ａ）のうち、中間層７と接合される領域にのみ設けられている。金属層２３ｃは、例えば、図３の例の下層２３ａ及び上層２３ｂを含む構成とされてよく、さらに、バリア層を含んでよい。
　次に、図１４Ｃに示すように、第２基板側層２３の他の一部となる接合層２３ｄを成膜し、パターニングする。図示の例では、接合層２３ｄは、上記の金属層２３ｃと同様に、中間層７と接合される領域にのみ設けられている。接合層２３ｄは、例えば、ＡｕＳｎ合金等の接合が容易な材料とされてよい。
　特に図示しないが、第２基板側層２３の形成後、エッチングによって溝４３が形成されてよい。このとき、溝４３となる領域に重なっている第２基板側層２３も共に除去される。
　その後、図１５Ａに示すように、中間層７と第２基板５とを第２金属層１９によって接合する（第２接合ステップの一例）。より詳細には、第２基板側層２３と第２中間側層２７とを加圧及び加熱によって接合する。第２基板側層２３と第２中間側層２７の表面を活性化するなどして常温で接合してもよい。
　次に、図１５Ｂに示すように、第２基板５を研磨又はエッチングによって薄くする。これにより、第２基板５は、最終的な厚さにされる。
　次に、図１５Ｃに示すように、第２基板５に第２貫通孔５ｈが形成され、取出し導体４１及び外部電極１５が設けられる。その後、特に図示しないが、３層のウェハはダイシング等によって個片化される。これにより、振動子１が作製される。
　なお、第２基板５の－D３側の面には、枠状領域５ａａの外側にも枠状の凹部が形成されている。第２貫通孔５ｈを形成するときに、この凹部と平面視で重なる部分において＋D３側の面から貫通孔を形成する加工を行なうと、第２基板５が個片化される。この場合には、３層のウェハを纏めてダイシングする必要がなくなり生産性が高くなる。さらに、第２基板５と中間層７との接合部にダイシング時に応力がかからないため、信頼性の高い振動子1を得ることができる。
（１０．実施形態のまとめ）
　以上のとおり、実施形態に係る振動デバイス（水晶振動子１）は、第１基板３と、第２基板５と、中間層７と、励振電極１３と、を有している。第１基板３は、第１面３ａを有している。第２基板５は、第１面３ａに対向する第２面５ａを有している。中間層７は、第１面３ａと第２面５ａとの間に位置している。第１面３ａは、第１凹部１４を有している。中間層７は、振動部９と、枠部１１とを有している。振動部９は、励振電極１３が位置する励振部９ａを有している。励振部９ａは、第１凹部１４（その少なくとも一部）に対向している。枠部１１は、平面視において振動部９を囲んでおり、第１面３ａ及び第２面５ａに接合されている。枠部１１は、振動部９が含む層と材料が同じ層を含んでいる。振動部９の外縁は、その全周に亘って枠部１１から離れている。振動部９は、第１面３ａのうちの第１凹部１４の外周領域３ｂに接合されている。
　従って、例えば、実施形態の概要の説明で述べたとおり、振動部９の振動が枠部１１へ漏れる蓋然性が低減される。かつ振動部９が外周領域３ｂに支持されることから、支持構造の簡素化、及び／又は支持位置に係る設計の自由度の向上が図られる。
　振動部９は、平面視において振動部９の中心（幾何中心）回りの１８０°以上の角度範囲に亘って外周領域３ｂに接合されていてよい。
　この場合、振動部９は、その周方向の広い範囲に亘って支持されているといえる。従って、例えば、振動部９の反り及び／又は撓みが低減され、振動子１の特性が安定することが期待される。
　振動デバイス（振動子１）は、第１金属層１７と、第２金属層１９とを有していてよい。第１金属層１７は、振動部９と第１面３ａとの間に介在して両者を接合していてよく、また、枠部１１と第１面３ａとの間に介在して両者を接合していてよい。第２金属層１９は、枠部１１と第２面５ａとの間に介在して両者を接合していてよい。
　この場合、例えば、直接接合を行う態様に比較して接合が容易化される。また、例えば、励振電極１３等の電極に利用する金属層を接合に利用することができる。
　振動デバイス（振動子１）は、パッド電極２９を有していてよい。パッド電極２９は、振動部９に対して第２面５ａの側に位置していてよく、励振電極１３と電気的に接続されていてよい。第２面５ａは、枠状領域５ａａと、パッド用領域５ａｃと、第２凹部３９と、を有していてよい。枠状領域５ａａは、枠部１１に接合されていてよい。パッド用領域５ａｃは、パッド電極２９に接合されていてよい。第２凹部３９は、枠状領域５ａａに囲まれ、パッド用領域５ａｃを囲み、かつ励振部９ａに対向していてよい。
　この場合、例えば、既述のとおり、励振部９ａの振動を容易化したり、パッド電極２９と第２基板側層２３とを接合するときの接触圧を高くしたりできる。
　第２面５ａは、第２凹部３９に囲まれている台座部５ａｂを有していてよい。台座部５ａｂは、パッド電極２９に接合されるパッド用領域５ａｃを含む頂面を有していてよい。台座部５ａｂの頂面、又は第２凹部３９の底面は、平面透視においてパッド用領域５ａｃ及びパッド電極２９を囲む溝４３を有していてよい。
　この場合、例えば、図４、図１０及び図１１を参照して説明したように、意図されていない短絡が生じる蓋然性が低減される。台座部５ａｂと組み合わされることによって、第２基板側層２３のパッド用領域５ａｃ上の部分を第２基板側層２３の他の部分と絶縁する効果が向上する。
　振動デバイス（振動子１）は、第２面５ａに重なる第２金属層１９を有していてよい。第２金属層１９は、励振部９ａの全体に対向していてよく、さらに、振動部９の外縁、枠部１１、並びに振動部９と枠部１１との隙間に対向していてよい。別の観点では、例えば、第２金属層１９は、概ね、第２面５ａの全体に広がっていてよい。
　この場合、例えば、第２金属層１９がシールド及び／又は補強材として機能しやすくなる。また、製造過程等において、第２基板５から振動部９の周囲の空間へガスが放出される蓋然性が低減される。
　振動デバイス（振動子１）は、第１金属層１７及び第２金属層１９を有していてよい。第１金属層１７は、振動部９と第１面３ａとの間で両者に接していてよく、また、枠部１１と第１面３ａとの間に介在して両者に接していてよい。第２金属層１９は、枠部１１と第２面５ａとの間で両者に接していてよい。第２基板５の厚さは第１基板３の厚さよりも薄くてよい。第２金属層１９の厚さは第１金属層１７の厚さよりも厚くてよい。
　この場合、例えば、第１基板３が第２基板５よりも厚いことによって、第１凹部１４の外周において支持されている振動部９に外部の応力が伝わりにくい。その結果、振動部９の特性が低下する蓋然性が低減される。別の観点では、第２基板５を薄くすることによって、振動部９の特性を維持しつつ、薄型化を図ることができる。そして、相対的に厚い第２金属層１９が相対的に薄い第２基板５の強度を補強する。その結果、振動子１全体としての強度が向上する。
　振動部９は、第１凹部１４に対向する領域（その少なくとも一部）から外周領域３ｂに対向する領域（その少なくとも一部）に亘って一定の厚さであってよい。換言すれば、振動部９は、一定の厚さで第１凹部１４と外周領域３ｂとの境界を跨ぐ部分を有していてよい。例えば、振動部９は、その全体が一定の厚さであってよい。なお、このようにいうとき、第１貫通孔９ｈ等の振動部９における特異部分は考慮外とされてよい。
　第１凹部１４と外周領域３ｂとの境界においては振動部９に応力集中が生じやすい。一方、前段落で述べた構成では、振動部９において、第１凹部１４に対向する領域が、外周領域３ｂに対向する領域に比較して薄い態様（当該態様も本開示に係る技術に含まれる。）に比較して、上記境界における応力集中が緩和される。その結果、例えば、衝撃に対する耐性が向上する。また、応力による温度特性変化を低減することができる。
　振動デバイス（振動子１）は、振動部９に対して第１面３ａの側に重なっている第３金属層（第１中間側層２５。別の観点では多機能電極３３）を有していてよい。第１中間側層２５は、平面透視において第１凹部１４と外周領域３ｂとの境界を跨いでいてよく、また、上記境界を跨ぐ部分が第１凹部１４の中心（幾何中心）回りの３０°以上、４５°以上、７５°以上、１００°以上、１５０°以上、又は１８０°以上の角度範囲に亘っていてよいし、連続している必要はなく、当該領域の合計が上述の角度範囲に亘っている態様も含む。
　この場合、例えば、多機能電極３３がベタ状パターンでなく、第２励振電極１３Ｂから延びる配線部が第１凹部１４と外周領域３ｂとの境界を跨ぐ態様（当該態様も本開示に係る技術に含まれる。）に比較して、第１中間側層２５が上記境界と振動部９との間に介在する長さが長くなる。一方、第１中間側層２５には、上記境界に起因して振動部９に生じる応力を緩和する効果が期待される。従って、例えば、意図されていない応力が振動部９に生じる蓋然性が低減され、ひいては、振動部９の特性向上、及び／又は衝撃に対する耐性向上の効果が奏される。
　振動デバイス（振動子１）は、中間層７と第１面３ａとの間に介在して両者を接合している第１金属層１７を有していてよい。第１金属層１７は、振動部９及び枠部１１に重なっている第３金属層（例えば図３の第１中間側層２５（又は下層２５ａ若しくは上層２５ｂ））を含んでいてよい。第１中間側層２５は、振動部９に重なる部分（多機能電極３３）と枠部１１に重なる部分とが同一の材料及び同一の厚さにより構成されていてよく、また、励振部９ａに重なる部分を含んでいてよい。ここで、同一の材料とは完全に同一である必要はなく、材料及び製造上の不可避的な相違や不純物濃度の相違があっても含まれる。同一の厚さとは、完全に同一である必要はなく、例えば、枠部１１に重なる部分の厚み（例えば平均値）と振動部９に重なる部分の厚み（例えば平均値）との差が後者の厚みの±５%以内をいう。
　この場合、例えば、第２励振電極１３Ｂとして利用される第１中間側層２５（又は下層２５ａ若しくは上層２５ｂ）が、枠部１１と第１基板３との接合にも利用されることになる。その結果、例えば、構成が簡素化される。
　振動デバイス（振動子１）は、中間層７と第１面３ａとの間で両者に接している第１金属層１７を有していてよい。第１金属層１７の厚さは、励振部９ａの厚さよりも薄くてよい。
　この場合、例えば、第１金属層１７が薄くされることによって、振動子１を薄型化することができる。実施形態では、第１凹部１４によって励振部９ａと第１面３ａ（第１凹部１４の底面）との距離が確保されていることから、第１金属層１７を厚くして両者の距離を確保する必要性がなく、第１金属層１７を薄くすることができる。なお、既述のように、厚みすべり振動を利用する態様においては、高い周波数に対応する励振部９ａは極めて薄くされる。このような薄い励振部９ａよりも薄い第１金属層１７が用いられる場合においては、上記効果が高くなる。
　励振電極１３（第１励振電極１３Ａ）は、振動部９の第２基板５の側の面に位置していてよく、また、平面透視において第１凹部１４に収まっていてよい。
　この場合、例えば、励振部９ａの振動が第１凹部１４の縁部によって規制される蓋然性が低減され、又は規制の程度が低減される。その結果、例えば、振動部９の特性が向上する。
　振動デバイス（振動子１）は、第１凹部１４の底面に重なっている第４金属層（第１基板側層２１）を有していてよい。
　この場合、例えば、第１基板側層２１によるシールド及び／又は補強材としての効果が向上する。また、例えば、製造過程において、第１基板３から振動部９の周囲の空間に放出されるガスが低減される。
　振動デバイス（振動子１）は、第１凹部１４の側面から外周領域３ｂに亘って第１基板３に重なっている第４金属層（第１基板側層２１）を有していてよい（図４）。
　この場合、例えば、第１基板側層２１が第１凹部１４の底面に重なっている場合の既述の効果と同様の効果が奏される。また、例えば、第１凹部１４の縁部と振動部９との間に第１基板側層２１が介在することによって、上記縁部に起因して振動部９に生じる応力が低減されることが期待される。
　平面透視において、枠部１１の外縁及び第２基板５の外縁は、全周に亘って第１基板３の外縁よりも内側に位置していてよい。
　この場合、例えば、外周側からの接触に対して、第１基板３の外周面によって、枠部１１及び第２基板５の外周面を保護できる。従って、例えば、第１基板３を相対的に厚くすることによって、既述のように第１基板３に接合される振動部９の変形の蓋然性を低減できるだけでなく、振動子１の外周側からの接触に対する耐性を向上させることができる。また、例えば、製造過程においては、第２基板５の側から第１基板３をダイシングすることが容易化される。
　振動部９及び励振電極１３は、厚みすべり振動を利用する構成を有していてよい。第１凹部１４は、平面視において厚みすべり振動の方向を長手方向とする楕円状の形状を有していてよい。
　この場合、第１凹部１４は、厚みすべり振動のエネルギーが閉じ込められる形状と類似した形状を有していることになる。従って、例えば、振動部９の特性を維持しつつ、第１凹部１４の面積を小さくし、第１基板３の強度を確保することが容易化される。
　振動部９の側面は、第１基板３の側ほど振動部９の外周側に位置する傾斜面を有していてよい。
　この場合、例えば、振動部９と第１基板３との接合面積を大きくすることができる。また、例えば、振動部９の＋Ｄ３側から振動部９の側面に重なる接続層３８（第２中間側層２７と共に形成されてよい。）を形成し、第２中間側層２７と第１金属層１７とを導通させるときに、接続層３８の成膜が容易である。別の観点では、接続層３８による導通の信頼性が向上する。
　振動部９と枠部１１との間隔は、励振部９ａにおける不要振動としての、屈曲振動、厚み振動及び輪郭滑り振動の少なくとも１つの振動の１／４波長に自然数を乗じた長さ（ｎ×λ／４）であってよい。
　この場合、例えば、不要振動の影響を低減することができる。振動部９の振動の一部が、第１基板３を介して枠部１１に到達する。この振動が枠部１１で反射して振動部９に戻ってくることで振動の損失を低減する事が出来、効率的な振動を発生出来る。
　振動部９は、当該振動部９の第１基板３の側と振動部９の第２基板５の側とを導通する導体（接続導体３７）が位置する第１貫通孔９ｈを有していてよい。第１基板３又は第２基板５の一方の基板（図示の例では第２基板５）は、当該一方の基板の中間層７の側と当該一方の基板の中間層７とは反対側とを導通する導体（取出し導体４１）が位置する第２貫通孔５ｈを有していてよい。平面透視において第１貫通孔９ｈ及び第２貫通孔５ｈは互いに重複していない部分をそれぞれ有していてよい。
　この場合、図１１を参照して説明したように、振動子１の構造的な強度が向上することが期待される。
　振動部９は、当該振動部の第１基板３の側と振動部９の第２基板５の側とを導通する導体が位置する第１貫通孔９ｈを有していてよい。第１貫通孔９ｈは、振動部９の平面視において、第１方向（Ｄ１方向）の長さが第１方向に直交する第２方向（Ｄ２方向）の長さよりも長い形状を有していてよい。また、第１貫通孔９ｈは、第１基板３の側ほど径が小さいテーパー状であってよい。第１方向に直交する断面におけるテーパー角θ１が第２方向に直交する断面におけるテーパー角θ２よりも大きくてよい。
　この場合、例えば、既述のように、振動部９の＋Ｄ３側の面に対する第１貫通孔９ｈの内面の傾斜角に関して、長手方向（Ｄ１方向）に直交する縦断面における２つの内面の平均が、短手方向に直交する縦断面における２つの内面の平均よりも小さくされる。従って、例えば、長手方向に直交する縦断面における内面の方が、平均的に、＋Ｄ３側から導体を成膜したときに成膜しやすい。そのような縦断面における内面が平面視において長く確保されることによって、全体的に導通の信頼性が向上する。
　また、図１７Aに示すように、振動部９は別体の分割部SPを有していてもよい。分割部SPと第１基板３との接合は他の例の振動部９と第１基板３との接合と同様に行われている。
　第１励振電極１３Ａは、平面視で第１凹部１４と重なる部分から外側まで引き出す幅細部を備える。分割部SPには、＋D３側の面に第１パッド電極２９Ａが位置している。第１パッド電極２９Ａは第１貫通孔９ｈを介して第１中間側層２５に電気的に接続されている。
　そして、図１７Bに示すように、第１パッド電極２９Ａ（すなわち第１励振電極１３Ａと電気的に接続される電極）に対応する台座部５abは、第２パッド電極２９Ｂに対応する台座部５abよりも面積が広い。すなわち、幅細部、第１パッド電極２９Ａとの対応する領域に連続的に台座部５abが形成されている。そして、台座部５ab上に位置する第２基板側層２３により、幅細部と第１パッド電極２９Ａとが電気的に接続される。
　このような構成にすることで、幅細部の面積を小さくすることができる。これにより、第１中間側層２５と幅細部とで形成される容量を小さくすることができ、特性の優れた振動子１を提供することができる。
　また、上述の例では、中間層７を第１基板３と接合した後に中間層７を薄層化しているが、あらかじめ薄層化したフィルム状の中間層７を用いることで接合後の厚み調整工程を省略できる。
　水晶振動子１の製造方法は、例えば、第１接合ステップ（図１２Ａ）と、エッチングステップ（図１２Ｃ）と、第２接合ステップ（図１５Ａ）とを有していてよい。第１接合ステップでは、第１凹部１４を有している第１面３ａに対して、振動部９と枠部１１とが一体的になった状態の中間層７を接合する。エッチングステップでは、第１接合ステップの後に、中間層７をエッチングして、振動部９の外縁を、その全周に亘って枠部１１から離れさせる。第２接合ステップでは、エッチングステップの後に、中間層７に対して第２面５ａを接合する。
　この場合、例えば、実施形態の概要の説明で述べたように、振動部９及び枠部１１が一体的になっている状態の中間層７を第１基板３に重ねて振動部９の加工を行うことから、振動部９の反り及び／又は撓みが低減され、振動子１の特性が安定することが期待される。
　以上の実施形態において、水晶振動子１は振動デバイスの一例である。第１中間側層２５は第３金属層の一例である。第１基板側層２１は第４金属層の一例である。Ｄ１方向は第１方向の一例である。Ｄ２方向は第２方向の一例である。
　本開示に係る技術は、上記の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
　例えば、振動デバイスは、振動子に限定されない。例えば、振動デバイスは、振動部に電圧を印加して発振信号を生成する発振回路を有する発振器であってもよい。この場合、例えば、第１基板及び／又は第２基板に対して、振動デバイスの内部側又は外部側にＩＣ（integrated circuit）が実装されてよい。又は、半導体からなる第１基板及び／又は第２基板にドーパントを注入したり、電極を形成したりして、発振回路が形成されてもよい。又は、第１基板及び／又は第２基板が多層基板によって構成されて、発振回路を内蔵していてもよい。また、例えば、振動デバイスは、フィルタリング等の発振信号の生成以外の用途に利用されるものであってもよい。
　本開示からは以下の概念を抽出できる。
（概念１）
　第１面を有している第１基板と、
　前記第１面に対向する第２面を有している第２基板と、
　前記第１面と前記第２面との間に位置している中間層と、
　励振電極と、
　を有しており、
　前記第１面は、第１凹部を有しており、
　前記中間層は、
　　前記励振電極が位置する励振部を有しており、前記励振部が前記第１凹部に対向している振動部と、
　　平面視において前記振動部を囲んでおり、前記第１面及び前記第２面に接合されている枠部と、を有しており、
　　前記枠部が、前記振動部が含む層と材料が同じ層を含んでおり、
　前記振動部の外縁は、その全周に亘って前記枠部から離れており、
　前記振動部は、前記第１面のうちの前記第１凹部の外周領域に接合されている
　振動デバイス。
（概念２）
　前記振動部と前記第１面との間に介在して両者を接合しているとともに前記枠部と前記第１面との間に介在して両者を接合している第１金属層と、
　前記枠部と前記第２面との間に介在して両者を接合している第２金属層と、
　を有している概念１に記載の振動デバイス。
（概念３）
　前記振動部に対して前記第２面の側に位置しており、前記励振電極と電気的に接続されているパッド電極を有しており、
　前記第２面は、
　　前記枠部に接合されている枠状領域と、
　　前記パッド電極に接合されているパッド用領域と、
　　前記枠状領域に囲まれ、前記パッド用領域を囲み、かつ前記励振部に対向している第２凹部と、を有している
　概念１又は２に記載の振動デバイス。
（概念４）
　前記第２面は、前記第２凹部に囲まれている台座部を有し、
　前記台座部は、前記パッド用領域を含む頂面を有しており、
　前記台座部の頂面、又は前記第２凹部の底面は、平面透視において前記パッド用領域及び前記パッド電極を囲む溝を有している
　概念３に記載の振動デバイス。
（概念５）
　前記第２面に重なる第２金属層を有しており、
　前記第２金属層は、前記励振部の全体に対向しているとともに、前記振動部の外縁、前記枠部、並びに前記振動部と前記枠部との隙間に対向している
　概念１～４のいずれか１つに記載の振動デバイス。
（概念６）
　前記振動部と前記第１面との間で両者に接しているとともに前記枠部と前記第１面との間で両者に接している第１金属層と、
　前記枠部と前記第２面との間で両者に接している第２金属層と、
　を有しており、
　前記第２基板の厚さは前記第１基板の厚さよりも薄く、
　前記第２金属層の厚さは前記第１金属層の厚さよりも厚い
　概念１～５のいずれか１つに記載の振動デバイス。
（概念７）
　前記振動部は、前記第１凹部に対向する領域から前記外周領域に対向する領域に亘って一定の厚さを有している
　概念１～６のいずれか１つに記載の振動デバイス。
（概念８）
　前記中間層と前記第１面との間に介在して両者を接合している第１金属層を有しており、
　前記第１金属層は、前記振動部及び前記枠部に重なっている第３金属層を含んでおり、
　前記第３金属層は、前記振動部に重なる部分と前記枠部に重なる部分とが同一の材料及び同一の厚さにより構成されており、前記励振部に重なる部分を含んでいる
　概念１～７のいずれか１つに記載の振動デバイス。
（概念９）
　前記中間層と前記第１面との間で両者に接している第１金属層を有しており、
　前記第１金属層の厚さは、前記励振部の厚さよりも薄い
　概念１～８のいずれか１つに記載の振動デバイス。
（概念１０）
　前記励振電極は、前記振動部の前記第２基板の側の面に位置しており、平面透視において前記第１凹部に収まっている
　概念１～９のいずれか１つに記載の振動デバイス。
（概念１１）
　前記第１凹部の底面に重なっている第４金属層を有している
　概念１～１０のいずれか１つに記載の振動デバイス。
（概念１２）
　前記第１凹部の側面から前記外周領域に亘って前記第１基板に重なっている第４金属層を有している
　概念１～１１のいずれか１つに記載の振動デバイス。
（概念１３）
　平面透視において、前記枠部の外縁及び前記第２基板の外縁は、全周に亘って前記第１基板の外縁よりも内側に位置している
　概念１～１２のいずれか１つに記載の振動デバイス。
（概念１４）
　前記振動部及び前記励振電極は、厚みすべり振動を利用する構成を有しており、
　前記第１凹部は、平面視において厚みすべり振動の方向を長手方向とする楕円状の形状を有している
　概念１～１３のいずれか１つに記載の振動デバイス。
（概念１５）
　前記振動部の側面は、前記第１基板の側ほど前記振動部の外周側に位置する傾斜面を有している
　概念１～１４のいずれか１つに記載の振動デバイス。
（概念１６）
　前記振動部と前記枠部との間隔が、前記励振部における不要振動としての、屈曲振動、厚み振動及び輪郭滑り振動の少なくとも１つの振動の１／４波長に自然数を乗じた長さである
　概念１～１５のいずれか１つに記載の振動デバイス。
（概念１７）
　前記振動部は、当該振動部の前記第１基板の側と当該振動部の前記第２基板の側とを導通する導体が位置する第１貫通孔を有しており、
　前記第１基板又は前記第２基板の一方の基板は、当該一方の基板の前記中間層の側と当該一方の基板の前記中間層とは反対側とを導通する導体が位置する第２貫通孔を有しており、
　平面透視において前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔は互いに重複していない部分をそれぞれ有している
　概念１～１６のいずれか１つに記載の振動デバイス。
（概念１８）
　前記振動部は、当該振動部の前記第１基板の側と当該振動部の前記第２基板の側とを導通する導体が位置する第１貫通孔を有しており、
　前記第１貫通孔は、
　　前記振動部の平面視において、第１方向の長さが前記第１方向に直交する第２方向の長さよりも長い形状を有しているとともに、
　　前記第１基板の側ほど径が小さいテーパー状であり、
　前記第１方向に直交する断面におけるテーパー角が前記第２方向に直交する断面におけるテーパー角よりも大きい
　概念１～１７のいずれか１つに記載の振動デバイス。
（概念１９）
　前記枠部と前記振動部とは同じ材料で略同一の厚みであり、
　前記励振電極は、前記振動部の前記第１基板の側と前記第２基板の側に位置しており、
　前記第３金属層は、前記励振電極のうち前記第１基板の側に位置するものを含む、概念８に記載の振動デバイス。
（概念２０）
　前記振動部は、平面視において前記振動部の中心回りの１８０°以上の角度範囲に亘って前記外周領域に接合されている
　概念１～１９のいずれか１つに記載の振動デバイス。
（概念２１）
　前記振動部に対して前記第１面の側に重なっている第３金属層を有しており、
　前記第３金属層は、平面透視において前記第１凹部と前記外周領域との境界を跨いでいるとともに、前記境界を跨ぐ部分が前記第１凹部の中心回りの１８０°以上の角度範囲に亘っている
　概念１～２０のいずれか１つに記載の振動デバイス。
（概念２２）
　概念１～２１のいずれか１つに記載の振動デバイスの製造方法であって、
　前記第１凹部を有している前記第１面に対して、前記振動部と前記枠部とが一体的になった状態の前記中間層を接合する第１接合ステップと、
　前記第１接合ステップの後に、前記中間層をエッチングして、前記振動部の外縁を、その全周に亘って前記枠部から離れさせるエッチングステップと、
　前記エッチングステップの後に、前記中間層に対して前記第２面を接合する第２接合ステップと、
　を有している振動デバイスの製造方法。
　本開示からは上記とは別の概念を抽出可能である。例えば、上記の概念１では枠部と振動部とが同じ材料の層を有することを要件としているが、同じ材料の層を要件としない概念が抽出されても構わない。そのように抽出された概念は、例えば、概念２～２１の事項を特徴としてよい。
　１…水晶振動子（振動デバイス）、３…第１基板、３ａ…第１面、３ｂ…外周領域、５…第２基板、５ａ…第２面、７…中間層、９…振動部、９ａ…励振部、１１…枠部、１３…励振電極、１４…第１凹部。

Claims (22)

  1. 　第１面を有している第１基板と、
    　前記第１面に対向する第２面を有している第２基板と、
    　前記第１面と前記第２面との間に位置している中間層と、
    　励振電極と、
    　を有しており、
    　前記第１面は、第１凹部を有しており、
    　前記中間層は、
    　　前記励振電極が位置する励振部を有しており、前記励振部が前記第１凹部に対向している振動部と、
    　　平面視において前記振動部を囲んでおり、前記第１面及び前記第２面に接合されている枠部と、を有しており、
    　　前記枠部が、前記振動部が含む層と材料が同じ層を含んでおり、
    　前記振動部の外縁は、その全周に亘って前記枠部から離れており、
    　前記振動部は、前記第１面のうちの前記第１凹部の外周領域に接合されている
    　振動デバイス。
  2. 　前記振動部と前記第１面との間に介在して両者を接合しているとともに前記枠部と前記第１面との間に介在して両者を接合している第１金属層と、
    　前記枠部と前記第２面との間に介在して両者を接合している第２金属層と、
    　を有している請求項１に記載の振動デバイス。
  3. 　前記振動部に対して前記第２面の側に位置しており、前記励振電極と電気的に接続されているパッド電極を有しており、
    　前記第２面は、
    　　前記枠部に接合されている枠状領域と、
    　　前記パッド電極に接合されているパッド用領域と、
    　　前記枠状領域に囲まれ、前記パッド用領域を囲み、かつ前記励振部に対向している第２凹部と、を有している
    　請求項１又は２に記載の振動デバイス。
  4. 　前記第２面は、前記第２凹部に囲まれている台座部を有し、
    　前記台座部は、前記パッド用領域を含む頂面を有しており、
    　前記台座部の頂面、又は前記第２凹部の底面は、平面透視において前記パッド用領域及び前記パッド電極を囲む溝を有している
    　請求項３に記載の振動デバイス。
  5. 　前記第２面に重なる第２金属層を有しており、
    　前記第２金属層は、前記励振部の全体に対向しているとともに、前記振動部の外縁、前記枠部、並びに前記振動部と前記枠部との隙間に対向している
    　請求項１～４のいずれか１項に記載の振動デバイス。
  6. 　前記振動部と前記第１面との間で両者に接しているとともに前記枠部と前記第１面との間で両者に接している第１金属層と、
    　前記枠部と前記第２面との間で両者に接している第２金属層と、
    　を有しており、
    　前記第２基板の厚さは前記第１基板の厚さよりも薄く、
    　前記第２金属層の厚さは前記第１金属層の厚さよりも厚い
    　請求項１～５のいずれか１項に記載の振動デバイス。
  7. 　前記振動部は、前記第１凹部に対向する領域から前記外周領域に対向する領域に亘って一定の厚さを有している
    　請求項１～６のいずれか１項に記載の振動デバイス。
  8. 　前記中間層と前記第１面との間に介在して両者を接合している第１金属層を有しており、
    　前記第１金属層は、前記振動部及び前記枠部に重なっている第３金属層を含んでおり、
    　前記第３金属層は、前記振動部に重なる部分と前記枠部に重なる部分とが同一の材料及び同一の厚さにより構成されており、前記励振部に重なる部分を含んでいる
    　請求項１～７のいずれか１項に記載の振動デバイス。
  9. 　前記中間層と前記第１面との間で両者に接している第１金属層を有しており、
    　前記第１金属層の厚さは、前記励振部の厚さよりも薄い
    　請求項１～８のいずれか１項に記載の振動デバイス。
  10. 　前記励振電極は、前記振動部の前記第２基板の側の面に位置しており、平面透視において前記第１凹部に収まっている
    　請求項１～９のいずれか１項に記載の振動デバイス。
  11. 　前記第１凹部の底面に重なっている第４金属層を有している
    　請求項１～１０のいずれか１項に記載の振動デバイス。
  12. 　前記第１凹部の側面から前記外周領域に亘って前記第１基板に重なっている第４金属層を有している
    　請求項１～１１のいずれか１項に記載の振動デバイス。
  13. 　平面透視において、前記枠部の外縁及び前記第２基板の外縁は、全周に亘って前記第１基板の外縁よりも内側に位置している
    　請求項１～１２のいずれか１項に記載の振動デバイス。
  14. 　前記振動部及び前記励振電極は、厚みすべり振動を利用する構成を有しており、
    　前記第１凹部は、平面視において厚みすべり振動の方向を長手方向とする楕円状の形状を有している
    　請求項１～１３のいずれか１項に記載の振動デバイス。
  15. 　前記振動部の側面は、前記第１基板の側ほど前記振動部の外周側に位置する傾斜面を有している
    　請求項１～１４のいずれか１項に記載の振動デバイス。
  16. 　前記振動部と前記枠部との間隔が、前記励振部における不要振動としての、屈曲振動、厚み振動及び輪郭滑り振動の少なくとも１つの振動の１／４波長に自然数を乗じた長さである
    　請求項１～１５のいずれか１項に記載の振動デバイス。
  17. 　前記振動部は、当該振動部の前記第１基板の側と当該振動部の前記第２基板の側とを導通する導体が位置する第１貫通孔を有しており、
    　前記第１基板又は前記第２基板の一方の基板は、当該一方の基板の前記中間層の側と当該一方の基板の前記中間層とは反対側とを導通する導体が位置する第２貫通孔を有しており、
    　平面透視において前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔は互いに重複していない部分をそれぞれ有している
    　請求項１～１６のいずれか１項に記載の振動デバイス。
  18. 　前記振動部は、当該振動部の前記第１基板の側と当該振動部の前記第２基板の側とを導通する導体が位置する第１貫通孔を有しており、
    　前記第１貫通孔は、
    　　前記振動部の平面視において、第１方向の長さが前記第１方向に直交する第２方向の長さよりも長い形状を有しているとともに、
    　　前記第１基板の側ほど径が小さいテーパー状であり、
    　前記第１方向に直交する断面におけるテーパー角が前記第２方向に直交する断面におけるテーパー角よりも大きい
    　請求項１～１７のいずれか１項に記載の振動デバイス。
  19. 　前記枠部と前記振動部とは同じ材料で略同一の厚みであり、
    　前記励振電極は、前記振動部の前記第１基板の側と前記第２基板の側に位置しており、
    　前記第３金属層は、前記励振電極のうち前記第１基板の側に位置するものを含む、請求項８に記載の振動デバイス。
  20. 　前記振動部は、平面視において前記振動部の中心回りの１８０°以上の角度範囲に亘って前記外周領域に接合されている
    　請求項１～１９に記載の振動デバイス。
  21. 　前記振動部に対して前記第１面の側に重なっている第３金属層を有しており、
    　前記第３金属層は、平面透視において前記第１凹部と前記外周領域との境界を跨いでいるとともに、前記境界を跨ぐ部分が前記第１凹部の中心回りの１８０°以上の角度範囲に亘っている
    　請求項１～２０のいずれか１項に記載の振動デバイス。
  22. 　請求項１～２１のいずれか１項に記載の振動デバイスの製造方法であって、
    　前記第１凹部を有している前記第１面に対して、前記振動部と前記枠部とが一体的になった状態の前記中間層を接合する第１接合ステップと、
    　前記第１接合ステップの後に、前記中間層をエッチングして、前記振動部の外縁を、その全周に亘って前記枠部から離れさせるエッチングステップと、
    　前記エッチングステップの後に、前記中間層に対して前記第２面を接合する第２接合ステップと、
    　を有している振動デバイスの製造方法。
PCT/JP2023/028524 2022-08-30 2023-08-04 振動デバイス及び振動デバイスの製造方法 Ceased WO2024048201A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2024544068A JP7723846B2 (ja) 2022-08-30 2023-08-04 振動デバイス及び振動デバイスの製造方法
US19/106,556 US20260074672A1 (en) 2022-08-30 2023-08-04 Vibration device and method for manufacturing vibration device
CN202380058332.2A CN119586004A (zh) 2022-08-30 2023-08-04 振动装置及振动装置的制造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPPCT/JP2022/032580 2022-08-30
PCT/JP2022/032580 WO2024047745A1 (ja) 2022-08-30 2022-08-30 振動デバイス

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2024048201A1 true WO2024048201A1 (ja) 2024-03-07

Family

ID=90098925

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2022/032580 Ceased WO2024047745A1 (ja) 2022-08-30 2022-08-30 振動デバイス
PCT/JP2023/028524 Ceased WO2024048201A1 (ja) 2022-08-30 2023-08-04 振動デバイス及び振動デバイスの製造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2022/032580 Ceased WO2024047745A1 (ja) 2022-08-30 2022-08-30 振動デバイス

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20260074672A1 (ja)
JP (1) JP7723846B2 (ja)
CN (1) CN119586004A (ja)
TW (1) TWI876487B (ja)
WO (2) WO2024047745A1 (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006339701A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Kyocera Kinseki Corp 圧電振動子
JP2008271491A (ja) * 2007-03-22 2008-11-06 Epson Toyocom Corp 水晶デバイス及びその封止方法
JP2013232736A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Kyocera Crystal Device Corp 水晶デバイス
WO2019044490A1 (ja) * 2017-09-01 2019-03-07 株式会社村田製作所 圧電振動子
JP2022099603A (ja) * 2020-12-23 2022-07-05 株式会社大真空 圧電振動デバイス

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7104129B2 (en) * 2004-02-02 2006-09-12 Invensense Inc. Vertically integrated MEMS structure with electronics in a hermetically sealed cavity
GB2431512B (en) * 2004-06-25 2008-05-21 Murata Manufacturing Co Piezoelectric device
JP2006237406A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Toshiba Corp 樹脂封止型電子部品装置
JP2008060382A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品及びその製造方法
JP4893602B2 (ja) * 2007-11-26 2012-03-07 株式会社大真空 圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの気密封止方法
JP2010246001A (ja) * 2009-04-09 2010-10-28 Seiko Epson Corp 電子部品及びその製造方法
JP2012191446A (ja) * 2011-03-10 2012-10-04 Seiko Instruments Inc 電子デバイス及び電子デバイスの製造方法
JP2013162030A (ja) * 2012-02-07 2013-08-19 Seiko Epson Corp 電子デバイス、及び電子機器
KR20140118792A (ko) * 2013-03-29 2014-10-08 세이코 엡슨 가부시키가이샤 진동 소자, 진동자, 발진기, 전자 기기, 센서, 및 이동체
JP6295611B2 (ja) * 2013-11-05 2018-03-20 セイコーエプソン株式会社 振動子、発振器、電子機器、および移動体
CN106233624B (zh) * 2014-04-24 2018-12-21 株式会社村田制作所 水晶振动装置以及其制造方法
JP2017060054A (ja) * 2015-09-17 2017-03-23 エスアイアイ・クリスタルテクノロジー株式会社 圧電振動片及び圧電振動子
US11990889B2 (en) * 2020-12-28 2024-05-21 Win Semiconductors Corp. Bulk acoustic wave resonator and formation method thereof

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006339701A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Kyocera Kinseki Corp 圧電振動子
JP2008271491A (ja) * 2007-03-22 2008-11-06 Epson Toyocom Corp 水晶デバイス及びその封止方法
JP2013232736A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Kyocera Crystal Device Corp 水晶デバイス
WO2019044490A1 (ja) * 2017-09-01 2019-03-07 株式会社村田製作所 圧電振動子
JP2022099603A (ja) * 2020-12-23 2022-07-05 株式会社大真空 圧電振動デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
JP7723846B2 (ja) 2025-08-14
WO2024047745A1 (ja) 2024-03-07
TW202425530A (zh) 2024-06-16
US20260074672A1 (en) 2026-03-12
JPWO2024048201A1 (ja) 2024-03-07
CN119586004A (zh) 2025-03-07
TWI876487B (zh) 2025-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2018092572A1 (ja) 水晶振動デバイス
JP6795039B2 (ja) 圧電振動デバイス
JP5824967B2 (ja) 振動素子、振動子、電子デバイス、及び電子機器
TWI668960B (zh) 壓電振動元件以及具備其的系統整合封裝(sip)模組
JPWO2017208866A1 (ja) 水晶振動子及びその製造方法
JP2020141358A (ja) 圧電振動板及び圧電振動デバイス
JP6944665B2 (ja) 振動子及び振動子の製造方法
JP2018110292A (ja) 圧電振動子
JP7723846B2 (ja) 振動デバイス及び振動デバイスの製造方法
US20240162879A1 (en) Vibrator Element And Vibrator Device
JP7302618B2 (ja) 水晶振動子およびその製造方法
JP7227571B2 (ja) 振動素子、振動子及び振動素子の製造方法
WO2025197778A1 (ja) 圧電振動デバイス及び圧電振動デバイスの製造方法
JP2019161458A (ja) 圧電振動デバイス
TW202541685A (zh) 壓電振動片及壓電振動裝置
WO2024176856A1 (ja) ２回回転水晶振動板
WO2025205853A1 (ja) 圧電振動板および圧電振動デバイス
WO2022255113A1 (ja) 圧電振動板および圧電振動デバイス
JP2025180897A (ja) 圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイス製造方法
JP2024138833A (ja) 振動素子及び振動デバイス
CN119154824A (zh) 振动器件
JP2024179827A (ja) 振動デバイス
JP2024100359A (ja) 振動デバイスの製造方法
WO2022270543A1 (ja) 圧電振動板および圧電振動デバイス
CN118826645A (zh) 振动器件

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 23859969

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2024544068

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 202380058332.2

Country of ref document: CN

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 202380058332.2

Country of ref document: CN

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 23859969

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1