WO2023248530A1 - Ｍｅｍｓ音響素子 - Google Patents

Ｍｅｍｓ音響素子 Download PDF

Info

Publication number
WO2023248530A1
WO2023248530A1 PCT/JP2023/005949 JP2023005949W WO2023248530A1 WO 2023248530 A1 WO2023248530 A1 WO 2023248530A1 JP 2023005949 W JP2023005949 W JP 2023005949W WO 2023248530 A1 WO2023248530 A1 WO 2023248530A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
layer
acoustic element
mems acoustic
pad electrode
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/005949
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
亮介 丹羽
伸介 池内
弘 松原
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Publication of WO2023248530A1 publication Critical patent/WO2023248530A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/24—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R17/00—Piezoelectric transducers; Electrostrictive transducers
    • H04R17/02—Microphones

Definitions

  • the present invention relates to a MEMS acoustic element.
  • Patent Document 1 JP 2020-159836A discloses a sensor module.
  • This sensor module includes a substrate, a sensor chip and a controller IC mounted on the substrate, and a cap that covers the sensor chip and controller IC.
  • Patent Document 2 discloses a silicon microphone as an electronic component.
  • This silicon microphone includes a substrate, a MEMS chip, and an electronic circuit chip.
  • the MEMS chip and the electronic circuit chip are connected by wires.
  • the MEMS chip and the electronic circuit chip are sealed with primary mold resin.
  • Silicone resin as a cushioning material is applied around the diaphragm on the top surface of the MEMS chip. By providing the cushioning material here, it is possible to prevent the protrusion of the transfer mold from coming into direct contact with the diaphragm of the MEMS chip. This can prevent the MEMS structure from being destroyed during the manufacturing process.
  • a sound collecting section is formed in the secondary mold resin so as to face the opening of the primary mold resin.
  • JP2020-159836A Japanese Patent Application Publication No. 2010-21225
  • the cap needs to be designed to be considerably larger than the sensor chip in consideration of the positional accuracy during the cap mounting operation, so the overall size of the center module becomes considerably large. It ends up. Furthermore, if the cap is made of metal, the cap must actually be manufactured using a mold, which increases manufacturing costs.
  • the electrodes are arranged on the bottom surface of the substrate, whereas the opening of the sound collection section is formed on the opposite side of the substrate from the electrodes. Therefore, in order to install this silicon microphone, alignment with respect to the housing becomes a problem.
  • an object of the present invention is to provide a MEMS acoustic element that is advantageous for miniaturization, does not require an expensive metal cap, and is easy to align during mounting.
  • a MEMS acoustic element based on the present invention includes a first substrate having a first through hole, and a first substrate that at least partially overlaps the first substrate so as to close the first through hole. a second substrate arranged, a vibration layer arranged so as to overlap the first substrate on the opposite side of the first substrate from the second substrate, and arranged so as to straddle the first through hole;
  • the vibration layer includes a resin layer, a first pad electrode, and a second pad electrode, which are arranged so as to overlap the portion of the vibration layer that overlaps the first substrate.
  • the first pad electrode and the second pad electrode are arranged on a surface of the resin layer on a side far from the vibration layer.
  • the vibration layer includes a piezoelectric layer, a first electrode layer arranged to overlap a surface of the piezoelectric layer on a side far from the first substrate, and a first electrode layer overlapping a surface of the piezoelectric layer on a side close to the first substrate. and a second electrode layer arranged as shown in FIG.
  • the first pad electrode and the first electrode layer are electrically connected.
  • the second pad electrode and the second electrode layer are electrically connected.
  • FIG. 1 is a plan view of a MEMS acoustic element in Embodiment 1 based on the present invention.
  • 1 is a schematic cross-sectional view of a MEMS acoustic element in Embodiment 1 based on the present invention.
  • FIG. 3 is an explanatory diagram of the first step of the method for manufacturing the MEMS acoustic element in Embodiment 1 based on the present invention.
  • FIG. 3 is an explanatory diagram of the second step of the method for manufacturing the MEMS acoustic element in Embodiment 1 based on the present invention.
  • FIG. 3 is an explanatory diagram of the third step of the method for manufacturing the MEMS acoustic element in Embodiment 1 based on the present invention.
  • FIG. 6 is an explanatory diagram showing a state in which solder bumps are installed after the third step of the method for manufacturing a MEMS acoustic element in Embodiment 1 based on the present invention.
  • FIG. 6 is an explanatory diagram of the fourth step of the method for manufacturing the MEMS acoustic element in Embodiment 1 based on the present invention. It is an explanatory view of the 5th process of the manufacturing method of the MEMS acoustic element in Embodiment 1 based on the present invention.
  • FIG. 6 is an explanatory diagram of the first step of the manufacturing method of the modified example of the MEMS acoustic element in Embodiment 1 based on the present invention.
  • FIG. 7 is an explanatory diagram of the second step of the manufacturing method of the modified example of the MEMS acoustic element in Embodiment 1 based on the present invention.
  • FIG. 7 is an explanatory diagram of the third step of the manufacturing method of the modified example of the MEMS acoustic element in Embodiment 1 based on the present invention. It is an explanatory view of the 4th process of the manufacturing method of the modification of the MEMS acoustic element in Embodiment 1 based on the present invention. It is an explanatory view of the 5th process of the manufacturing method of the modification of the MEMS acoustic element in Embodiment 1 based on the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a MEMS acoustic element in Embodiment 2 based on the present invention.
  • FIG. 7 is an explanatory diagram of the first step of the method for manufacturing a MEMS acoustic element in Embodiment 2 based on the present invention. It is an explanatory view of the 2nd process of the manufacturing method of the MEMS acoustic element in Embodiment 2 based on the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of a MEMS acoustic element in Embodiment 3 based on the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a MEMS acoustic element in Embodiment 4 based on the present invention.
  • top or bottom do not necessarily mean absolute top or bottom, but may mean relative top or bottom within the illustrated posture. .
  • FIG. 1 shows a plan view of a MEMS acoustic element 101 in this embodiment.
  • the acoustic hole 7 can be seen largely in the center.
  • the acoustic holes 7 appear square.
  • a schematic cross-sectional view of the MEMS acoustic element 101 is shown in FIG. In FIG. 2, portions that would normally not appear in the same cross section are also shown simultaneously in one cross-sectional view for convenience of explanation.
  • the MEMS acoustic element 101 includes a first substrate 51 having a first through hole 51e, and a second substrate 52 arranged so as to at least partially overlap the first substrate 51 so as to close the first through hole 51e. , a vibration layer 10 arranged to overlap the first substrate 51 on the side opposite to the second substrate 52 of the first substrate 51 and arranged to straddle the first through hole 51e; and a first substrate of the vibration layer 10. 51, a first pad electrode 41, and a second pad electrode 42.
  • the resin layer 6 is made of polyimide resin, for example.
  • the first pad electrode 41 and the second pad electrode 42 are arranged on the surface of the resin layer 6 on the side far from the vibration layer 10.
  • the vibration layer 10 includes a piezoelectric layer 4 , an upper electrode layer 5 as a first electrode layer arranged to overlap with a surface of the piezoelectric layer 4 on the side far from the first substrate 51 , and a first substrate 51 of the piezoelectric layer 4 .
  • the lower electrode layer 3 as a second electrode layer is arranged so as to overlap the surface on the side closer to the lower electrode layer 3 .
  • the first pad electrode 41 and the upper electrode layer 5 as the first electrode layer are electrically connected.
  • the second pad electrode 42 and the lower electrode layer 3 serving as the second electrode layer are electrically connected.
  • At least a portion of the piezoelectric layer 4 is sandwiched between the upper electrode layer 5 and the lower electrode layer 3. Actually, most of the piezoelectric layer 4 is sandwiched between the upper electrode layer 5 and the lower electrode layer 3.
  • FIG. 1 a part of the vibration layer 10 is visible through the acoustic hole 7.
  • slits 14 are formed in a fixed pattern. As shown in FIG. 1, the slit 14 may include a meandering portion at the center of the vibration layer 10.
  • the shape of the slit 14 shown in FIG. 1 is shown merely as an example. In FIG. 2, the slit 14 is shown in a greatly simplified manner for convenience of explanation. This also applies to the following cross-sectional views.
  • the MEMS acoustic element 101 includes a ring metal layer 40 arranged on the surface of the resin layer 6 on the side far from the vibration layer 10 so as to surround the projection area of the first through hole 51e.
  • the MEMS acoustic element can be downsized.
  • an expensive metal cap is not used, it can be manufactured at low cost.
  • it is possible to realize a MEMS acoustic element that is advantageous for miniaturization, does not require an expensive metal cap, and is easy to align during mounting.
  • the MEMS acoustic element 101 includes a ring metal layer 40 arranged on the surface of the resin layer 6 on the side far from the vibration layer 10 so as to surround the projection area of the first through hole 51e. Therefore, the ring metal layer 40 can be used for mounting.
  • the MEMS acoustic element includes the ring metal layer 40 is shown here, this is just an example, and the MEMS acoustic element may have a configuration in which the ring metal layer 40 is not provided.
  • each step of the manufacturing method is carried out using a collective substrate whose size corresponds to a plurality of MEMS acoustic elements, rather than the size of one MEMS acoustic element.
  • an oxide film 2 is formed on the upper surface of the first substrate 51, and a silicon layer as a lower electrode layer 3 is further formed on the upper surface of the oxide film 2.
  • a metal layer as an electrode layer 5 and conductive layers 31 and 32 are formed, and a resin layer 6 is further formed to cover the entire upper surface of these layers.
  • the resin layer 6 is formed of, for example, photosensitive polyimide.
  • the resin layer 6 is patterned. As a result, at least a portion of each of the conductive layers 31 and 32 is exposed, and the acoustic hole 7 is opened.
  • a ring metal layer 40, a first pad electrode 41, and a second pad electrode 42 are formed. These can be formed by forming a metal film by plating or the like so as to cover the entire upper surface of the resin layer 6, etc., and then patterning this metal film.
  • the conductive connecting member 11 may be placed on the ring metal layer 40, the first pad electrode 41, and the second pad electrode 42.
  • the conductive connection member 11 is, for example, a solder bump.
  • the solder bump as the conductive connection member 11 can be formed by placing solder at a desired position by printing and then reflowing the solder. The following explanation will be continued on the premise that the conductive connecting member 11 as shown in FIG. 6 is not arranged.
  • DRIE deep reactive ion etching
  • a silicon wafer as a second substrate 52 is bonded below the first substrate 51. This bonding is performed by resin bonding. That is, the second substrate 52 is bonded to the first substrate 51 via the resin film 12. The opening of the cavity 1 is closed by the second substrate 52.
  • a resin sheet 60 is attached to the patterned state of the first resin layer 61 as shown in FIG.
  • the entire upper surface is covered with a resin sheet 60.
  • the resin sheet 60 may be attached by pressing with a roller.
  • the resin sheet 60 is patterned to form a second resin layer 62.
  • the second resin layer 62 is placed only in desired areas.
  • the region where the second resin layer 62 exists is not necessarily the region where the first resin layer 61 exists.
  • the second resin layer 62 is formed so as to protrude and overhang the first resin layer 61 in some regions.
  • the resin layer 6 is a combination of the first resin layer 61 and the second resin layer 62.
  • a first pad electrode 41 and a second pad electrode 42 are formed. These can be formed by forming a metal film by plating or the like so as to cover the entire upper surface of the second resin layer 62, etc., and then patterning this metal film.
  • the cavity 1 is formed by performing DRIE on the first substrate 51 and the oxide film 2 from the back surface. The details are similar to those described with respect to FIG.
  • a silicon wafer as a second substrate 52 is bonded below the first substrate 51.
  • the details are similar to those described with respect to FIG.
  • the resin layer 6 has a two-layer structure of a first resin layer 61 and a second resin layer 62, and the second resin layer 62 has an overhang structure so as to narrow the opening of the acoustic hole 7. It becomes.
  • This configuration makes it difficult for foreign matter to enter through the acoustic hole 7. Therefore, the vibration layer 10 can be protected from foreign matter intrusion. Further, since the second resin layer 62 has an overhang structure, the vibration layer 10 can be protected from impact.
  • FIG. 14 shows a schematic cross-sectional view of the MEMS acoustic element 201 in this embodiment.
  • FIG. 14 as well, similarly to FIG. 2, portions that would normally not appear in the same cross section are also shown simultaneously in one cross-sectional view for convenience of explanation.
  • the MEMS acoustic element 201 includes a relay board 50 and a MEMS acoustic element 102.
  • the MEMS acoustic element 102 is similar to the MEMS acoustic element 101, but unlike the MEMS acoustic element 101, the ring metal layer 40 is not arranged.
  • the MEMS acoustic element 102 is mounted on the relay board 50 using the first pad electrode 41 and the second pad electrode 42 .
  • the MEMS acoustic element 201 includes a relay board 50 having a second through hole 50e corresponding to the first through hole 51e.
  • the second through hole 50e communicates with the acoustic hole 7 of the MEMS acoustic element 102.
  • the first pad electrode 41 and the second pad electrode 42 are each connected to the relay board 50 via the conductive connecting member 11.
  • the outer circumferential side surface of the resin layer 6 , the outer circumferential side surface of the first substrate 51 , the outer circumferential side surface of the second substrate 52 , and the surface of the second substrate 52 on the side far from the first substrate 51 are covered with a first coating resin 71 .
  • a plurality of pad electrodes 18 are provided on the lower surface of the relay board 50.
  • the upper surface of the relay board is covered with an insulating film 19.
  • a plurality of connection conductors 17 are arranged inside the relay board 50.
  • the connection conductor 17 connects the pad electrode 18 and the upper surface of the relay board 50.
  • Several openings are provided in the insulating film 19.
  • a portion of the connection conductor 17 is exposed in each opening of the insulating film 19.
  • the first pad electrode 41 and the second pad electrode 42 of the MEMS acoustic element 102 are connected via the conductive connecting member 11, respectively.
  • the MEMS acoustic element 102 is further protected by being covered with the first coating resin 71 and the relay board 50, thereby increasing resistance to physical impact during assembly and use.
  • the MEMS acoustic element 201 can be mounted on other articles using the pad electrodes 18.
  • the MEMS acoustic element 102 and the relay board 50 are prepared.
  • the relay board 50 is treated as a collective board with a size corresponding to a plurality of products.
  • An insulating film 19 is formed on the upper surface of the relay board 50.
  • the MEMS acoustic element 102 is flip-mounted on the upper surface of the relay board 50 with the acoustic hole 7 facing the relay board 50.
  • the first pad electrode 41 and the second pad electrode 42 of the MEMS acoustic element 102 are connected to the relay board 50 via the conductive connection member 11.
  • the conductive connection member 11 is, for example, a solder bump.
  • the space around the MEMS acoustic element 102 on the upper surface side of the relay board 50 is covered with a first coating resin 71.
  • a first coating resin 71 By appropriately adjusting the viscosity of the first coating resin 71 and the height of the conductive connection member 11, the degree to which the first coating resin 71 penetrates into the gap between the MEMS acoustic element 102 and the relay board 50 can be controlled. Can be done.
  • the upper surface of the first coating resin 71 is ground to reduce its height to a required degree. Cut into individual product sizes using blade dicing. In this way, the MEMS acoustic element 201 shown in FIG. 14 can be obtained.
  • FIG. 17 shows a schematic cross-sectional view of the MEMS acoustic element 202 in this embodiment.
  • the MEMS acoustic element 202 includes a relay board 50, a MEMS acoustic element 102, and a circuit chip component 15.
  • the circuit chip component 15 is an IC.
  • a circuit chip component 15 is mounted on the surface of the relay board 50 on the first substrate 51 side, and the circuit chip component 15 is covered with a first coating resin 71 . That is, the MEMS acoustic element 102 and the circuit chip component 15 are in a state sealed with the first coating resin 71.
  • Connection members such as solder bumps are arranged between the circuit chip component 15 and the relay board 50, and an underfill 16 is filled to seal these connection members. The periphery of the underfill 16 is further sealed with a first coating resin 71.
  • a pad electrode 20 is arranged on the lower surface of the relay board 50.
  • the connection conductor 21 is arranged so as to penetrate the relay board 50.
  • the connection conductor 21 connects the pad electrode 20 and the electrode 23 provided on the upper surface of the relay board 50.
  • the electrode 23 is exposed from the insulating film 19.
  • a plurality of electrodes are provided on the lower surface of the circuit chip component 15. Any of the terminals provided on the lower surface of the circuit chip component 15 and the electrode 23 are connected via a solder bump or the like. Any other terminal provided on the lower surface of the circuit chip component 15 and the first pad electrode 41 and the second pad electrode 42 of the MEMS acoustic element 102 are electrically connected via the wiring 22.
  • the wiring 22 is arranged on the upper surface of the relay board 50, and is covered with an insulating film 19 except for the parts necessary for connection.
  • the entire MEMS acoustic element 202 including the circuit chip component 15 can be integrated into an integrated package.
  • the overall size can be reduced.
  • the first coating resin 71 may be electrically conductive.
  • the MEMS acoustic element 102 can be electromagnetically shielded. If the MEMS acoustic element 102 can be electromagnetically shielded, the MEMS acoustic element 201 can be used even in an environment with a lot of electromagnetic noise.
  • FIG. 18 shows a schematic cross-sectional view of the MEMS acoustic element 203 in this embodiment.
  • the MEMS acoustic element 203 includes a second coating resin 72.
  • the second coating resin 72 is arranged to cover the surface and side surfaces of the first coating resin 71 on the side far from the relay board 50.
  • the second coating resin 72 has electrical conductivity.
  • the first coating resin 71 does not have electrical conductivity.
  • the other configurations are similar to those described in the third embodiment.
  • the entire MEMS acoustic element 203 including the circuit chip component 15 can be integrated into an integrated package.
  • the MEMS acoustic element 102 can be electromagnetically shielded. Therefore, the MEMS acoustic element 203 can be used even in an environment with a lot of electromagnetic noise.
  • each step of the manufacturing method is carried out using a collective substrate whose size corresponds to a plurality of MEMS acoustic elements, rather than the size of one MEMS acoustic element.
  • the MEMS acoustic element 102 and the circuit chip component 15 are mounted on the upper surface of the relay board 50.
  • the MEMS acoustic element 102 and the circuit chip component 15 on the upper surface side of the relay board 50 are sealed with a first coating resin 71.
  • Half cuts are made by blade dicing.
  • a groove 24 is formed by the half cut. The lower end of the groove 24 reaches the relay board 50 beyond the insulating film 19.
  • a second coating resin 72 having conductivity is arranged.
  • the second coating resin 72 covers the upper surface of the first coating resin 71 and fills the groove 24 . Thereafter, the product is cut into individual product sizes using blade dicing. In this way, the MEMS acoustic element 203 shown in FIG. 18 can be obtained.
  • the vibration layer is a piezoelectric layer; a first electrode layer arranged to overlap a surface of the piezoelectric layer on a side far from the first substrate; a second electrode layer disposed so as to overlap a surface of the piezoelectric layer closer to the first substrate, the first pad electrode and the first electrode layer are electrically connected,
  • a MEMS acoustic element wherein the second pad electrode and the second electrode layer are electrically connected.
  • a relay board having a second through hole corresponding to the first through hole is provided, and the first pad electrode and the second pad electrode are each connected to the relay board via a conductive connecting member.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

ＭＥＭＳ音響素子（１０１）は、第１貫通孔（５１ｅ）を有する第１基板（５１）と、第１貫通孔（５１ｅ）を塞ぐようにして、少なくとも一部が第１基板（５１）に重なるように配置された第２基板（５２）と、第１基板（５１）の第２基板（５２）とは反対側において第１基板（５１）に重なるように配置され、第１貫通孔（５１ｅ）をまたぐように配置された振動層（１０）と、振動層（１０）の第１基板（５１）に重なっている部分に重なるように配置された樹脂層（６）と、第１パッド電極（４１）と、第２パッド電極（４２）とを備える。第１パッド電極（４１）および第２パッド電極（４２）は、樹脂層（６）の振動層（１０）から遠い側の面に配置されている。振動層（１０）は、圧電層（４）と、圧電層（４）の第１基板（５１）から遠い側の面に重なるように配置された第１電極層としての上部電極層（５）と、圧電層（４）の第１基板（５１）に近い側の面に重なるように配置された第２電極層としての下部電極層（３）とを含む。第１パッド電極（４１）と前記第１電極層とは電気的に接続されている。第２パッド電極（４２）と前記第２電極層とは電気的に接続されている。

Description

ＭＥＭＳ音響素子
　本発明は、ＭＥＭＳ音響素子に関するものである。
　特開２０２０－１５９８３６号公報（特許文献１）には、センサーモジュールが開示されている。このセンサーモジュールは、基板と、基板に搭載されたセンサーチップおよびコントローラＩＣと、センサーチップおよびコントローラＩＣを覆うキャップとを備える。
　特開２０１０－２１２２５号公報（特許文献２）には、電子部品としてのシリコンマイクが開示されている。このシリコンマイクは、基板と、ＭＥＭＳチップと、電子回路チップとを備える。ＭＥＭＳチップと電子回路チップとは、ワイヤー線によって接続されている。ＭＥＭＳチップおよび電子回路チップは、１次モールド樹脂によって封止されている。ＭＥＭＳチップの上面における振動板の周囲には緩衝材としてのシリコーン樹脂が塗布されている。ここに緩衝材が設けられていることにより、トランスファー金型の突起がＭＥＭＳチップの振動板に直接当接することを回避することができる。これにより、製造過程においてＭＥＭＳ構造が破壊されることを防止することができる。１次モールド樹脂の開口部に対向するように、２次モールド樹脂に集音部が形成されている。
特開２０２０－１５９８３６号公報 特開２０１０－２１２２５号公報
　特許文献１に開示された構成においては、キャップの搭載作業時の位置精度を考慮すると、キャップは、センサーチップよりかなり大きく設計しておく必要があるので、センターモジュール全体のサイズは、かなり大きくなってしまう。また、キャップを金属で形成するとしたら、事実上、キャップは金型を用いて作製しなければならないので、製造コストが増大してしまう。
　特許文献２に開示された構成においては、ＭＥＭＳチップと電子回路チップとの間を接続するワイヤー線のための空間が必要となる。したがって、シリコンマイクのサイズが大きくならざるを得ない。また、樹脂モールドの際にＭＥＭＳチップは金型から押圧力を受けるので、ＭＥＭＳチップを堅牢な構造にしておく必要がある。ＭＥＭＳチップを堅牢な構造にするためには、ＭＥＭＳチップの大型化、製造コスト増加、設計自由度の低下を伴ってしまう。
　特許文献２に開示された構成では、基板の底面に電極が配置されているのに対して、集音部の開口部は、基板の電極とは反対側に形成されている。したがって、このシリコンマイクを設置するためには、筐体に対する位置合わせが問題となる。
　そこで、本発明は、小型化に有利であり、高価な金属製キャップを必要とせず、実装時の位置合わせが容易なＭＥＭＳ音響素子を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するため、本発明に基づくＭＥＭＳ音響素子は、第１貫通孔を有する第１基板と、上記第１貫通孔を塞ぐようにして、少なくとも一部が上記第１基板に重なるように配置された第２基板と、上記第１基板の上記第２基板とは反対側において上記第１基板に重なるように配置され、上記第１貫通孔をまたぐように配置された振動層と、上記振動層の上記第１基板に重なっている部分に重なるように配置された樹脂層と、第１パッド電極と、第２パッド電極とを備える。上記第１パッド電極および上記第２パッド電極は、上記樹脂層の上記振動層から遠い側の面に配置されている。上記振動層は、圧電層と、上記圧電層の上記第１基板から遠い側の面に重なるように配置された第１電極層と、上記圧電層の上記第１基板に近い側の面に重なるように配置された第２電極層とを含む。上記第１パッド電極と上記第１電極層とは電気的に接続されている。上記第２パッド電極と上記第２電極層とは電気的に接続されている。
　本発明によれば、小型化に有利であり、高価な金属製キャップを必要とせず、実装時の位置合わせが容易なＭＥＭＳ音響素子を実現することができる。
本発明に基づく実施の形態１におけるＭＥＭＳ音響素子の平面図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるＭＥＭＳ音響素子の模式的断面図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるＭＥＭＳ音響素子の製造方法の第１の工程の説明図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるＭＥＭＳ音響素子の製造方法の第２の工程の説明図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるＭＥＭＳ音響素子の製造方法の第３の工程の説明図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるＭＥＭＳ音響素子の製造方法の第３の工程の後にはんだバンプを設置した状態の説明図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるＭＥＭＳ音響素子の製造方法の第４の工程の説明図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるＭＥＭＳ音響素子の製造方法の第５の工程の説明図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるＭＥＭＳ音響素子の変形例の製造方法の第１の工程の説明図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるＭＥＭＳ音響素子の変形例の製造方法の第２の工程の説明図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるＭＥＭＳ音響素子の変形例の製造方法の第３の工程の説明図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるＭＥＭＳ音響素子の変形例の製造方法の第４の工程の説明図である。 本発明に基づく実施の形態１におけるＭＥＭＳ音響素子の変形例の製造方法の第５の工程の説明図である。 本発明に基づく実施の形態２におけるＭＥＭＳ音響素子の模式的断面図である。 本発明に基づく実施の形態２におけるＭＥＭＳ音響素子の製造方法の第１の工程の説明図である。 本発明に基づく実施の形態２におけるＭＥＭＳ音響素子の製造方法の第２の工程の説明図である。 本発明に基づく実施の形態３におけるＭＥＭＳ音響素子の模式的断面図である。 本発明に基づく実施の形態４におけるＭＥＭＳ音響素子の模式的断面図である。 本発明に基づく実施の形態４におけるＭＥＭＳ音響素子の製造方法の第１の工程の説明図である。 本発明に基づく実施の形態４におけるＭＥＭＳ音響素子の製造方法の第２の工程の説明図である。 本発明に基づく実施の形態４におけるＭＥＭＳ音響素子の製造方法の第３の工程の説明図である。
　図面において示す寸法比は、必ずしも忠実に現実のとおりを表しているとは限らず、説明の便宜のために寸法比を誇張して示している場合がある。以下の説明において、上または下の概念に言及する際には、絶対的な上または下を意味するとは限らず、図示された姿勢の中での相対的な上または下を意味する場合がある。
　（実施の形態１）
　図１～図２を参照して、本発明に基づく実施の形態１におけるＭＥＭＳ音響素子について説明する。本実施の形態におけるＭＥＭＳ音響素子１０１の平面図を図１に示す。図１では、中央に大きく音響孔７が見えている。図１においては、音響孔７は正方形に見えている。ＭＥＭＳ音響素子１０１の模式的断面図を図２に示す。図２では、本来は同一の断面に現われることがあり得ない部分も、説明の便宜のために１つの断面図の中に同時に表示している。
　ＭＥＭＳ音響素子１０１は、第１貫通孔５１ｅを有する第１基板５１と、第１貫通孔５１ｅを塞ぐようにして、少なくとも一部が第１基板５１に重なるように配置された第２基板５２と、第１基板５１の第２基板５２とは反対側において第１基板５１に重なるように配置され、第１貫通孔５１ｅをまたぐように配置された振動層１０と、振動層１０の第１基板５１に重なっている部分に重なるように配置された樹脂層６と、第１パッド電極４１と、第２パッド電極４２とを備える。樹脂層６は、たとえばポリイミド樹脂によって形成されている。
　第１パッド電極４１および第２パッド電極４２は、樹脂層６の振動層１０から遠い側の面に配置されている。振動層１０は、圧電層４と、圧電層４の第１基板５１から遠い側の面に重なるように配置された第１電極層としての上部電極層５と、圧電層４の第１基板５１に近い側の面に重なるように配置された第２電極層としての下部電極層３とを含む。
　第１パッド電極４１と第１電極層としての上部電極層５とは、電気的に接続されている。第２パッド電極４２と第２電極層としての下部電極層３とは電気的に接続されている。圧電層４の少なくとも一部は、上部電極層５と下部電極層３とによって挟み込まれている。実際には、圧電層４の大部分は、上部電極層５と下部電極層３とによって挟み込まれている。
　図１では、音響孔７を通じて振動層１０の一部が見えている。振動層１０には、スリット１４が一定のパターンで形成されている。図１に示したように、振動層１０の中央部においては、スリット１４はミアンダ状の部分を含んでもよい。図１に示したスリット１４の形状はあくまで一例として示したものである。図２においては、説明の便宜のためにスリット１４は大幅に簡略化して表示されている。このことは、以下の断面図においても同様にあてはまる。
　ＭＥＭＳ音響素子１０１は、さらに好ましいことに、樹脂層６の振動層１０から遠い側の面に、第１貫通孔５１ｅの投影領域を取り囲むように配置されたリング金属層４０を備える。
　本実施の形態では、キャップ、ワイヤなどを用いる必要がないので、ＭＥＭＳ音響素子を小型化することができる。特に高価な金属製のキャップを用いないので、安価に作製することができる。このように本実施の形態によれば、小型化に有利であり、高価な金属製キャップを必要とせず、実装時の位置合わせが容易なＭＥＭＳ音響素子を実現することができる。
　本実施の形態では好ましいことに、ＭＥＭＳ音響素子１０１は、樹脂層６の振動層１０から遠い側の面に、第１貫通孔５１ｅの投影領域を取り囲むように配置されたリング金属層４０を備えるので、リング金属層４０を用いて実装することができる。ここでは、ＭＥＭＳ音響素子がリング金属層４０を備える構成を示したが、これはあくまで一例であり、ＭＥＭＳ音響素子としてはリング金属層４０がない構成であってもよい。
　（製造方法）
　図３～図８を参照して、本実施の形態におけるＭＥＭＳ音響素子１０１の製造方法について説明する。
　ここでは、複数のＭＥＭＳ音響素子を一括して得るために、ＭＥＭＳ音響素子の１個分のサイズではなく、複数のＭＥＭＳ音響素子に相当するサイズの集合基板を以て製造方法の各工程を進める。
　図３に示すように、第１基板５１の上面に酸化膜２が形成されており、酸化膜２のさらに上面に下部電極層３としてのシリコン層が形成されたものにおいて、圧電層４、上部電極層５としての金属層、導電層３１，３２を形成し、さらにこれらの上面の全体を覆うように、樹脂層６を形成する。樹脂層６は、たとえば感光性ポリイミドによって形成される。
　図４に示すように、樹脂層６をパターニングする。これにより、導電層３１，３２の各々の少なくとも一部が露出し、音響孔７が開口する。
　図５に示すように、リング金属層４０、第１パッド電極４１および第２パッド電極４２を形成する。これらは、樹脂層６などの上面の全体を覆うようにめっきなどで金属膜を形成してからこの金属膜をパターニングすることによって形成することができる。
　図６に示すように、リング金属層４０、第１パッド電極４１および第２パッド電極４２の上に導電性接続部材１１を配置してもよい。導電性接続部材１１は、たとえばはんだバンプである。導電性接続部材１１としてのはんだバンプは、はんだを所望位置に印刷により配置してからリフローすることによって形成することができる。以下では、図６に示したような導電性接続部材１１を配置しない場合を前提に説明を続ける。
　図７に示すように、裏面から第１基板５１および酸化膜２に対して、深掘り反応性イオンエッチング（Deep　Reactive　Ion　Etching：ＤＲＩＥ）を行なう。こうすることによって、キャビティ１を形成する。第１基板５１だけに注目すれば、第１基板５１に第１貫通孔５１ｅが形成されたといえる。
　図８に示すように、第１基板５１の下方に第２基板５２としてのシリコンウエハを接合する。この接合は、樹脂接合によって行なわれる。すなわち、第２基板５２は樹脂膜１２を介して第１基板５１に接合される。第２基板５２によりキャビティ１の開口部は塞がれる。
　ここまでは、集合基板の状態で各工程が行なわれていたが、ここで第２基板５２の側からブレードダイシングを行なうことによって、個別のＭＥＭＳ音響素子に切り分ける。こうして、図１および図２に示したＭＥＭＳ音響素子１０１が得られる。
　（変形例の製造方法）
　図９～図１３を参照して、本実施の形態におけるＭＥＭＳ音響素子の変形例の製造方法について説明する。
　図４に示したものと同様に、第１樹脂層６１をパターニングした状態のところに、図９に示すように樹脂シート６０を貼り付ける。上面の全体が樹脂シート６０によって覆われる。樹脂シート６０はローラで押圧することによって貼り付けてもよい。
　図１０に示すように、樹脂シート６０をパターニングして、第２樹脂層６２を形成する。第２樹脂層６２は所望の領域のみに配置される。第２樹脂層６２が存在する領域は、第１樹脂層６１が存在する領域とは限らない。第２樹脂層６２は、一部の領域においては第１樹脂層６１からはみ出してオーバーハングするように形成される。ここでは、第１樹脂層６１と第２樹脂層６２とを合わせたものが樹脂層６となる。
　図１１に示すように、第１パッド電極４１および第２パッド電極４２を形成する。これらは、第２樹脂層６２などの上面の全体を覆うようにめっきなどで金属膜を形成してからこの金属膜をパターニングすることによって形成することができる。
　図１２に示すように、裏面から第１基板５１および酸化膜２に対して、ＤＲＩＥを行なうことによって、キャビティ１を形成する。詳細は、図７に関して説明したものと同様である。
　図１３に示すように、第１基板５１の下方に第２基板５２としてのシリコンウエハを接合する。詳細は、図８に関して説明したものと同様である。
　この変形例では、樹脂層６が第１樹脂層６１と第２樹脂層６２との２層構造となっており、第２樹脂層６２は、音響孔７の開口部を狭めるようにオーバーハング構造となっている。このような構成となっていることにより、異物が音響孔７から入り込みにくくなる。したがって、振動層１０を異物侵入から保護することができる。また、第２樹脂層６２がオーバーハング構造となっていることにより、振動層１０を衝撃から保護することもできる。
　（実施の形態２）
　図１４を参照して、本発明に基づく実施の形態２におけるＭＥＭＳ音響素子について説明する。本実施の形態におけるＭＥＭＳ音響素子２０１の模式的断面図を図１４に示す。図１４においても、図２と同様に、本来は同一の断面に現われることがあり得ない部分も、説明の便宜のために１つの断面図の中に同時に表示している。
　ＭＥＭＳ音響素子２０１は、中継基板５０とＭＥＭＳ音響素子１０２とを含む。ＭＥＭＳ音響素子１０２は、ＭＥＭＳ音響素子１０１と似ているが、ＭＥＭＳ音響素子１０１とは異なり、リング金属層４０が配置されていない構成のものである。ＭＥＭＳ音響素子１０２においては、第１パッド電極４１および第２パッド電極４２によって中継基板５０への実装が行なわれている。
　ＭＥＭＳ音響素子２０１は、第１貫通孔５１ｅに対応する第２貫通孔５０ｅを有する中継基板５０を備える。第２貫通孔５０ｅは、ＭＥＭＳ音響素子１０２の音響孔７と連通している。第１パッド電極４１および第２パッド電極４２がそれぞれ導電性接続部材１１を介して、中継基板５０に対して接続されている。樹脂層６の外周側面、第１基板５１の外周側面、第２基板５２の外周側面および第２基板５２の第１基板５１から遠い側の面は、第１コーティング樹脂７１によって覆われている。
　中継基板５０の下面には複数のパッド電極１８が設けられている。中継基板の上面は絶縁膜１９によって覆われている。中継基板５０の内部には複数の接続導体１７が配置されている。接続導体１７は、パッド電極１８と、中継基板５０の上面とを接続している。絶縁膜１９にはいくつかの開口部が設けられている。絶縁膜１９の開口部においてはそれぞれ接続導体１７の一部が露出している。ＭＥＭＳ音響素子１０２の第１パッド電極４１および第２パッド電極４２は、それぞれ導電性接続部材１１を介して接続されている。
　本実施の形態においても、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。本実施の形態では、さらに、ＭＥＭＳ音響素子１０２が第１コーティング樹脂７１および中継基板５０で覆われることによって保護されているので、組立時および使用時における物理的衝撃への耐性が高まる。ＭＥＭＳ音響素子２０１の他の物品に対する実装は、パッド電極１８を用いて行なうことができる。
　（製造方法）
　図１５～図１６を参照して、本実施の形態におけるＭＥＭＳ音響素子２０１の製造方法について説明する。
　まず、ＭＥＭＳ音響素子１０２および中継基板５０を用意する。この時点では、中継基板５０は、複数の製品に相当するサイズの集合基板として扱っている。中継基板５０の上面には、絶縁膜１９が形成されている。図１５に示すように、音響孔７が中継基板５０の方を向く姿勢で、ＭＥＭＳ音響素子１０２を中継基板５０の上面にフリップ実装する。ＭＥＭＳ音響素子１０２の第１パッド電極４１および第２パッド電極４２と、中継基板５０とは、導電性接続部材１１を介して接続されている。導電性接続部材１１は、たとえばはんだバンプである。
　次に、図１６に示すように、第１コーティング樹脂７１で中継基板５０の上面側におけるＭＥＭＳ音響素子１０２の周りの空間を覆う。第１コーティング樹脂７１の粘性および導電性接続部材１１の高さを適宜調整することによって、ＭＥＭＳ音響素子１０２と中継基板５０との間の隙間に第１コーティング樹脂７１が侵入する度合いを制御することができる。第１コーティング樹脂７１の上面に研削加工を施して必要な程度まで低背化する。ブレードダイシングにより、個別の製品のサイズに切り分ける。こうして、図１４に示したＭＥＭＳ音響素子２０１を得ることができる。
　（実施の形態３）
　図１７を参照して、本発明に基づく実施の形態３におけるＭＥＭＳ音響素子について説明する。本実施の形態におけるＭＥＭＳ音響素子２０２の模式的断面図を図１７に示す。
　ＭＥＭＳ音響素子２０２は、中継基板５０と、ＭＥＭＳ音響素子１０２と、回路チップ部品１５とを含む。回路チップ部品１５はＩＣである。ＭＥＭＳ音響素子２０２においては、中継基板５０の第１基板５１側の表面に回路チップ部品１５が実装されており、回路チップ部品１５は、第１コーティング樹脂７１によって覆われている。すなわち、ＭＥＭＳ音響素子１０２および回路チップ部品１５は、第１コーティング樹脂７１によって封止された状態にある。回路チップ部品１５と中継基板５０との間には、はんだバンプなどの接続部材が配置されており、これらの接続部材を封止するようにアンダーフィル１６が充填されている。アンダーフィル１６の周囲は、さらに第１コーティング樹脂７１によって封止されている。
　中継基板５０の下面にはパッド電極２０が配置されている。中継基板５０を貫通するように接続導体２１が配置されている。接続導体２１は、パッド電極２０と、中継基板５０の上面に設けられた電極２３とを接続している。電極２３は、絶縁膜１９から露出している。回路チップ部品１５の下面には複数の電極が設けられている。回路チップ部品１５の下面に設けられた端子のいずれかと、電極２３とは、はんだバンプなどを介して接続されている。回路チップ部品１５の下面に設けられた他のいずれかの端子と、ＭＥＭＳ音響素子１０２の第１パッド電極４１および第２パッド電極４２とは、配線２２を介して電気的に接続されている。配線２２は、中継基板５０の上面に配置されているが、接続に必要な箇所以外は、絶縁膜１９によって覆われている。
　本実施の形態では、回路チップ部品１５を含めた形で、ＭＥＭＳ音響素子２０２の全体を一体的なパッケージとすることができる。本実施の形態では、全体を小型化することができる。
　なお、第１コーティング樹脂７１は、導電性を有するものであってもよい。この構成を採用することにより、ＭＥＭＳ音響素子１０２を電磁的にシールドすることができる。ＭＥＭＳ音響素子１０２を電磁的にシールドすることができれば、ＭＥＭＳ音響素子２０１は、電磁的ノイズの多い環境下でも使用可能となる。
　（実施の形態４）
　図１８を参照して、本発明に基づく実施の形態４におけるＭＥＭＳ音響素子について説明する。本実施の形態におけるＭＥＭＳ音響素子２０３の模式的断面図を図１８に示す。
　ＭＥＭＳ音響素子２０３においては、第２コーティング樹脂７２を備える。第２コーティング樹脂７２は、第１コーティング樹脂７１の中継基板５０から遠い側の面および側面を覆うように配置されている。第２コーティング樹脂７２は、導電性を有する。ＭＥＭＳ音響素子２０３においては、第１コーティング樹脂７１は導電性を有していない。その他の構成は、実施の形態３で説明したものと同様である。
　本実施の形態においても、実施の形態３と同様に、回路チップ部品１５を含めた形で、ＭＥＭＳ音響素子２０３の全体を一体的なパッケージとすることができる。
　本実施の形態では、導電性を有する第２コーティング樹脂７２が第１コーティング樹脂７１を覆っているので、ＭＥＭＳ音響素子１０２を電磁的にシールドすることができる。したがって、ＭＥＭＳ音響素子２０３は、電磁的ノイズの多い環境下でも使用可能となる。
　（製造方法）
　図１９～図２１を参照して、本実施の形態におけるＭＥＭＳ音響素子２０３の製造方法について説明する。
　ここでは、複数のＭＥＭＳ音響素子を一括して得るために、ＭＥＭＳ音響素子の１個分のサイズではなく、複数のＭＥＭＳ音響素子に相当するサイズの集合基板を以て製造方法の各工程を進める。
　まず、図１９に示すように、中継基板５０の上面に、ＭＥＭＳ音響素子１０２および回路チップ部品１５を実装する。次に、図２０に示すように、第１コーティング樹脂７１で中継基板５０の上面側におけるＭＥＭＳ音響素子１０２および回路チップ部品１５を封止する。ブレードダイシングによってハーフカットを行なう。ハーフカットにより、溝２４が形成されている。溝２４の下端は絶縁膜１９を超えて中継基板５０に達している。
　図２１に示すように、導電性を有する第２コーティング樹脂７２を配置する。第２コーティング樹脂７２は、第１コーティング樹脂７１の上面を覆い、溝２４を満たしている。この後、ブレードダイシングにより、個別の製品のサイズに切り分ける。こうして、図１８に示したＭＥＭＳ音響素子２０３を得ることができる。
　なお、上記実施の形態のうち複数を適宜組み合わせて採用してもよい。
　なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
［付記１］
　第１貫通孔を有する第１基板と、
　前記第１貫通孔を塞ぐようにして、少なくとも一部が前記第１基板に重なるように配置された第２基板と、
　前記第１基板の前記第２基板とは反対側において前記第１基板に重なるように配置され、前記第１貫通孔をまたぐように配置された振動層と、
　前記振動層の前記第１基板に重なっている部分に重なるように配置された樹脂層と、
　第１パッド電極と、
　第２パッド電極とを備え、
　前記第１パッド電極および前記第２パッド電極は、前記樹脂層の前記振動層から遠い側の面に配置されており、
　前記振動層は、
　圧電層と、
　前記圧電層の前記第１基板から遠い側の面に重なるように配置された第１電極層と、
　前記圧電層の前記第１基板に近い側の面に重なるように配置された第２電極層とを含み、
　前記第１パッド電極と前記第１電極層とは電気的に接続されており、
　前記第２パッド電極と前記第２電極層とは電気的に接続されている、ＭＥＭＳ音響素子。
［付記２］
　前記樹脂層の前記振動層から遠い側の面に、前記第１貫通孔の投影領域を取り囲むように配置されたリング金属層を備える、付記１に記載のＭＥＭＳ音響素子。
［付記３］
　前記第１貫通孔に対応する第２貫通孔を有する中継基板を備え、前記第１パッド電極および前記第２パッド電極がそれぞれ導電性接続部材を介して、前記中継基板に対して接続されており、
　前記樹脂層の外周側面、前記第１基板の外周側面、前記第２基板の外周側面および前記第２基板の前記第１基板から遠い側の面は、第１コーティング樹脂によって覆われている、付記１または２に記載のＭＥＭＳ音響素子。
［付記４］
　前記中継基板の前記第１基板側の表面に回路チップ部品が実装されており、前記回路チップ部品は、前記第１コーティング樹脂によって覆われている、付記３に記載のＭＥＭＳ音響素子。
［付記５］
　前記第１コーティング樹脂は、導電性を有する、付記３または４に記載のＭＥＭＳ音響素子。
［付記６］
　前記第１コーティング樹脂の前記中継基板から遠い側の面および側面を覆うように配置され、導電性を有する第２コーティング樹脂を備える、付記３または４に記載のＭＥＭＳ音響素子。
　１　キャビティ、２　酸化膜、３　（第２電極層としての）下部電極層、４　圧電層、５　（第１電極層としての）上部電極層、６　樹脂層、７　音響孔、８　（中継基板の）開口部、１０　振動層、１１　導電性接続部材、１２　樹脂膜、１４　スリット、１５　回路チップ部品、１６　アンダーフィル、１７，２１　接続導体、１８，２０　パッド電極、１９　絶縁膜、２２　配線、２３　電極、２４　溝、３１，３２　導電層、４０　リング金属層、４１　第１パッド電極、４２　第２パッド電極、５０　中継基板、５０ｅ　第２貫通孔、５１　第１基板、５１ｅ　第１貫通孔、５２　第２基板、６０　樹脂シート、６１　第１樹脂層、６２　第２樹脂層、７１　第１コーティング樹脂、７２　第２コーティング樹脂、１０１，１０２，１０３，１０４　ＭＥＭＳ音響素子。

Claims (6)

  1. 　第１貫通孔を有する第１基板と、
    　前記第１貫通孔を塞ぐようにして、少なくとも一部が前記第１基板に重なるように配置された第２基板と、
    　前記第１基板の前記第２基板とは反対側において前記第１基板に重なるように配置され、前記第１貫通孔をまたぐように配置された振動層と、
    　前記振動層の前記第１基板に重なっている部分に重なるように配置された樹脂層と、
    　第１パッド電極と、
    　第２パッド電極とを備え、
    　前記第１パッド電極および前記第２パッド電極は、前記樹脂層の前記振動層から遠い側の面に配置されており、
    　前記振動層は、
    　圧電層と、
    　前記圧電層の前記第１基板から遠い側の面に重なるように配置された第１電極層と、
    　前記圧電層の前記第１基板に近い側の面に重なるように配置された第２電極層とを含み、
    　前記第１パッド電極と前記第１電極層とは電気的に接続されており、
    　前記第２パッド電極と前記第２電極層とは電気的に接続されている、ＭＥＭＳ音響素子。
  2. 　前記樹脂層の前記振動層から遠い側の面に、前記第１貫通孔の投影領域を取り囲むように配置されたリング金属層を備える、請求項１に記載のＭＥＭＳ音響素子。
  3. 　前記第１貫通孔に対応する第２貫通孔を有する中継基板を備え、前記第１パッド電極および前記第２パッド電極がそれぞれ導電性接続部材を介して、前記中継基板に対して接続されており、
    　前記樹脂層の外周側面、前記第１基板の外周側面、前記第２基板の外周側面および前記第２基板の前記第１基板から遠い側の面は、第１コーティング樹脂によって覆われている、請求項１または２に記載のＭＥＭＳ音響素子。
  4. 　前記中継基板の前記第１基板側の表面に回路チップ部品が実装されており、前記回路チップ部品は、前記第１コーティング樹脂によって覆われている、請求項３に記載のＭＥＭＳ音響素子。
  5. 　前記第１コーティング樹脂は、導電性を有する、請求項３または４に記載のＭＥＭＳ音響素子。
  6. 　前記第１コーティング樹脂の前記中継基板から遠い側の面および側面を覆うように配置され、導電性を有する第２コーティング樹脂を備える、請求項３または４に記載のＭＥＭＳ音響素子。
PCT/JP2023/005949 2022-06-22 2023-02-20 Ｍｅｍｓ音響素子 WO2023248530A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-100158 2022-06-22
JP2022100158 2022-06-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2023248530A1 true WO2023248530A1 (ja) 2023-12-28

Family

ID=89379392

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2023/005949 WO2023248530A1 (ja) 2022-06-22 2023-02-20 Ｍｅｍｓ音響素子

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2023248530A1 (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010021225A (ja) * 2008-07-09 2010-01-28 Sharp Corp 電子部品およびその製造方法、並びに、電子部品を備えた電子装置
US20170332176A1 (en) * 2016-05-13 2017-11-16 Robert Bosch Gmbh Micromechanical component and method for packaging a substrate having a micro-electromechanical microphone structure which includes at least one piezoelectric layer
WO2019102952A1 (ja) * 2017-11-22 2019-05-31 株式会社村田製作所 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
JP2020159836A (ja) * 2019-03-26 2020-10-01 Tdk株式会社 センサーモジュール及びその製造方法
WO2020230484A1 (ja) * 2019-05-16 2020-11-19 株式会社村田製作所 圧電デバイスおよび超音波トランスデューサ

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010021225A (ja) * 2008-07-09 2010-01-28 Sharp Corp 電子部品およびその製造方法、並びに、電子部品を備えた電子装置
US20170332176A1 (en) * 2016-05-13 2017-11-16 Robert Bosch Gmbh Micromechanical component and method for packaging a substrate having a micro-electromechanical microphone structure which includes at least one piezoelectric layer
WO2019102952A1 (ja) * 2017-11-22 2019-05-31 株式会社村田製作所 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
JP2020159836A (ja) * 2019-03-26 2020-10-01 Tdk株式会社 センサーモジュール及びその製造方法
WO2020230484A1 (ja) * 2019-05-16 2020-11-19 株式会社村田製作所 圧電デバイスおよび超音波トランスデューサ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104604248B (zh) 具有模制互联器件的mems麦克风封装
TWI395312B (zh) 具微機電元件之封裝結構及其製法
JP2790122B2 (ja) 積層回路基板
JP5763682B2 (ja) Ｍｅｍｓ及びａｓｉｃを備える小型化した電気的デバイス及びその製造方法
JP5143451B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP5675653B2 (ja) センサモジュールとその製造方法
JP5045769B2 (ja) センサ装置の製造方法
US11174152B2 (en) Over-under sensor packaging with sensor spaced apart from control chip
KR100374241B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP2014131830A (ja) 微小電気機械部品を作製する方法および微小電気機械部品
KR20010067344A (ko) 전자 부품 및 그 조립 방법
KR101048085B1 (ko) 기능성 소자 패키지 및 그 제조 방법
JP5186102B2 (ja) マイクロホンパッケージの製造方法及びマイクロホンパッケージ
CN110677793A (zh) 麦克风封装结构
JP4072816B2 (ja) 複合モジュール及びその製造方法
CN102153045A (zh) 具微机电元件的封装结构及其制法
KR100826393B1 (ko) 전도성 패턴을 갖는 실링 라인으로 구비된 웨이퍼 레벨디바이스 패키지 및 그 패키징 방법
US20030136582A1 (en) Substrate board structure
KR20170093277A (ko) 센서 패키지 및 이의 제조 방법
WO2023248530A1 (ja) Ｍｅｍｓ音響素子
CN117497531A (zh) 芯片封装结构及芯片封装方法
JP2007042786A (ja) マイクロデバイス及びそのパッケージング方法
CN102398886B (zh) 具微机电元件的封装结构及其制法
JP2008113894A (ja) 半導体装置及び、電子装置
JP2007227596A (ja) 半導体モジュール及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 23826719

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1