WO2023229265A1 - 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 - Google Patents

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WO2023229265A1
WO2023229265A1 PCT/KR2023/006387 KR2023006387W WO2023229265A1 WO 2023229265 A1 WO2023229265 A1 WO 2023229265A1 KR 2023006387 W KR2023006387 W KR 2023006387W WO 2023229265 A1 WO2023229265 A1 WO 2023229265A1
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formula
layer
compound
sub1
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PCT/KR2023/006387
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박종광
이형동
이선희
문성윤
신진우
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덕산네오룩스 주식회사
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Publication date
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    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D487/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00
    • C07D487/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D487/04—Ortho-condensed systems
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
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    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene

Definitions

  • the present invention relates to compounds for organic electric devices, organic electric devices using the same, and electronic devices thereof.
  • organic luminescence refers to a phenomenon that converts electrical energy into light energy using organic materials.
  • Organic electric devices that utilize the organic light emission phenomenon usually have a structure including an anode, a cathode, and an organic material layer between them.
  • the organic material layer is often composed of a multi-layer structure made of different materials to increase the efficiency and stability of the organic electric device, and may be composed of, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.
  • Efficiency, lifespan, and driving voltage are related to each other. As efficiency increases, the driving voltage relatively decreases. As the driving voltage decreases, crystallization of organic substances due to Joule heating generated during driving decreases, resulting in less crystallization of organic substances. Life expectancy tends to increase.
  • the materials that make up the organic layer within the device such as hole injection materials, hole transport materials, light-emitting materials, electron transport materials, electron injection materials, and light-emitting auxiliary layer materials, must be stable and efficient. Support by materials must take precedence, and in particular, development of light-emitting layer and light-emitting auxiliary layer materials is necessary.
  • the purpose of the present invention is to provide a compound capable of lowering the driving voltage of the device and improving the luminous efficiency and lifespan of the device, an organic electric device using the same, and an electronic device including the organic electric device.
  • the present invention provides a compound represented by the formula:
  • the present invention provides an organic electric device and an electronic device using the compound represented by the above formula.
  • FIG. 1 to 3 schematically show organic electric devices according to embodiments of the present invention.
  • Figure 4 shows a chemical formula according to one aspect of the present invention.
  • the present invention provides a compound represented by the formula:
  • a component such as a layer, membrane, region, plate, etc.
  • it means not only that it is “directly above” the other component, but also that there is another component in between. It should be understood that it can also include cases.
  • an element is said to be “right on top” of another part, it should be understood to mean that there is no other part in between.
  • temporal precedence relationships such as “after”, “after”, “after”, “before”, etc.
  • non-continuous cases may be included unless “immediately” or “directly” is used.
  • the numerical value or corresponding information may be caused by various factors (e.g., process factors, internal or external shocks, noise, etc.). It can be interpreted as including a possible margin of error.
  • halo or halogen includes fluorine (F), chlorine (Cl), bromine (Br), and iodine (I), unless otherwise specified.
  • alkyl or “alkyl group”, unless otherwise specified, has 1 to 60 carbons connected by a single bond, and includes a straight chain alkyl group, branched chain alkyl group, cycloalkyl (cycloaliphatic) group, and alkyl-substituted group. It refers to radicals of saturated aliphatic functional groups, including cycloalkyl groups and cycloalkyl-substituted alkyl groups.
  • haloalkyl group or “halogenalkyl group” used in this application refers to an alkyl group in which halogen is substituted, unless otherwise specified.
  • alkenyl or “alkynyl”, unless otherwise specified, has a double bond or triple bond, includes a straight or branched chain group, and has a carbon number of 2 to 60, but is limited thereto. It doesn't work.
  • cycloalkyl used in this application refers to alkyl forming a ring having 3 to 60 carbon atoms, unless otherwise specified, but is not limited thereto.
  • alkoxy group or “alkyloxy group” used in this application refers to an alkyl group to which an oxygen radical is bonded, and has a carbon number of 1 to 60 unless otherwise specified, but is not limited thereto.
  • alkenoxyl group means an alkenyl group to which an oxygen radical is attached, and unless otherwise specified, 2 to 60 It has a carbon number of, but is not limited to this.
  • aryl group and arylene group each have 6 to 60 carbon atoms unless otherwise specified, but are not limited thereto.
  • an aryl group or arylene group includes a single ring type, a ring aggregate, and several fused ring-based compounds.
  • the aryl group may include a phenyl group, a monovalent functional group of biphenyl, a monovalent functional group of naphthalene, a fluorenyl group, or a substituted fluorenyl group
  • the arylene group may include a fluorenylene group or a substituted fluorenylene group. It may include a group.
  • ring assemblies refers to two or more ring systems (single rings or fused ring systems) directly connected to each other through single or double bonds, and the It means that the number of direct connections is one less than the total number of ring systems in the compound. In ring aggregates, the same or different ring systems may be directly connected to each other through single or double bonds.
  • the aryl group since the aryl group includes a ring assembly, the aryl group includes biphenyl and terphenyl in which a benzene ring, which is a single aromatic ring, is linked by a single bond.
  • the aryl group also includes compounds in which an aromatic ring system bonded to an aromatic single ring is linked by a single bond, so, for example, it also includes compounds in which a benzene ring, a single aromatic ring, and fluorene, a bonded aromatic ring system, are linked by a single bond. do.
  • fused multiple ring system refers to a fused ring form sharing at least two atoms, and includes a fused ring system of two or more hydrocarbons and at least one heteroatom. This includes forms in which at least one heterocyclic ring is fused.
  • This fused multiple ring system may be an aromatic ring, a heteroaromatic ring, an aliphatic ring, or a combination of these rings.
  • the aryl group may be a naphthalenyl group, phenanthrenyl group, fluorenyl group, etc., but is not limited thereto.
  • spiro compound used in this application has a 'spiro union', and the spiro union refers to a connection made by two rings sharing only one atom. At this time, the atom shared between the two rings is called a 'spiro atom', and depending on the number of spiro atoms in one compound, they are 'monospiro-', 'dispiro-', and 'trispiro-' respectively. 'It is called a compound.
  • fluorenyl group means that R, R', R", and R'" in the following structures are all hydrogen, respectively, unless otherwise specified. It refers to a monovalent, divalent or trivalent functional group
  • substituted fluorenyl group refers to substituents R, R', R", R' "Means that at least one of them is a substituent other than hydrogen, and includes cases where R and R' are bonded to each other to form a spiro compound with the carbon to which they are bonded.
  • fluorenyl group, fluorenylene group, and fluorenetriyl group may all be referred to as fluorene groups regardless of valence such as monovalent, divalent, trivalent, etc.
  • R, R', R" and R'" are each independently selected from an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and 2 to 20 carbon atoms. It may be a heterocyclic group having 30 carbon atoms.
  • the aryl group may be phenyl, biphenyl, naphthalene, anthracene, or phenanthrene
  • the heterocyclic group may be pyrrole, furan, thiophene, pyrazole, imidazole, It may be a triazole, pyridine, pyrimidine, pyridazine, pyrazine, triazine, indole, benzofuran, quinazoline or quinoxaline.
  • substituted fluorenyl group and fluorenylene group are monovalent groups of 9,9-dimethylfluorene, 9,9-diphenylfluorene, and 9,9'-spirobi[9H-fluorene], respectively. It may be a functional group or a divalent functional group.
  • heterocyclic group used in this application includes aromatic rings such as “heteroaryl group” or “heteroarylene group” as well as non-aromatic rings, and unless otherwise specified, each carbon number containing one or more heteroatoms. It means a ring of 2 to 60, but is not limited thereto.
  • heteroatom refers to N, O, S, P, or Si, unless otherwise specified
  • the heterocyclic group refers to a single ring containing heteroatoms, a ring aggregate, a fused multiple ring system, or a ring group. refers to compounds, etc.
  • ring includes single and polycyclic rings, includes hydrocarbon rings as well as heterocycles containing at least one heteroatom, and includes aromatic and non-aromatic rings.
  • polycyclic as used in this application includes ring assemblies such as biphenyl, terphenyl, etc., fused multiple ring systems, and spiro compounds, and includes aromatics as well as non-aromatics, and hydrocarbons. Rings of course include heterocycles containing at least one heteroatom.
  • aliphatic ring used in this application refers to cyclic hydrocarbons excluding aromatic hydrocarbons, and includes single rings, ring aggregates, fused multiple ring systems, spiro compounds, etc., and has the number of carbon atoms unless otherwise specified. It refers to a ring of 3 to 60, but is not limited thereto. For example, even when the aromatic ring benzene and the non-aromatic ring cyclohexane are fused, it is an aliphatic ring.
  • an arylalkoxy group refers to an alkoxy group substituted with an aryl group
  • an alkoxycarbonyl group refers to a carbonyl group substituted with an alkoxy group
  • an arylcarbonylalkenyl group refers to an alkenyl group substituted with an arylcarbonyl group.
  • Arylcarbonyl group is a carbonyl group substituted with an aryl group.
  • substituted refers to deuterium, halogen, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 to C 20 alkyl group, C 1 to C 20 alkoxy group, C 1 ⁇ C 20 alkylamine group, C 1 ⁇ C 20 alkylthiophene group, C 6 ⁇ C 20 arylthiophene group, C 2 ⁇ C 20 alkenyl group, C 2 ⁇ C 20 alkynyl group, C 3 ⁇ C 20 cycloalkyl group, C 6 ⁇ C 20 aryl group, C 6 ⁇ C 20 aryl group substituted with deuterium, C 8 ⁇ C 20 arylalkenyl group, silane group, boron means being substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a group, a germanium group, and a C 2 to C 20 heterocyclic group containing at
  • the 'functional group name' corresponding to the aryl group, arylene group, heterocyclic group, etc., exemplified by each symbol and its substituent may be written as the 'name of the functional group reflecting the valence', but is described as the 'parent compound name'. You may.
  • 'phenanthrene' a type of aryl group, the monovalent 'group' is 'phenanthryl (group)', the divalent group is 'phenanthrylene (group)', etc., and the names of the groups are separated by valence.
  • 'phenanthrene' which is the name of the parent compound, regardless of the valence.
  • pyrimidine it is written as 'pyrimidine' regardless of the valence, or in the case of monovalent, as pyrimidinyl (group), in the case of divalent, as pyrimidinylene (group), etc. It can also be written as ‘name of’. Therefore, in the present application, when the type of substituent is described as the name of the parent compound, it may mean an n-valent 'group' formed by detachment of a hydrogen atom bonded to a carbon atom and/or a heteroatom of the parent compound.
  • a is an integer of 0, it means that the substituent R 1 is absent. That is, when a is 0, it means that hydrogen is bonded to all the carbons forming the benzene ring. In this case, the hydrogen bonded to the carbon is indicated as You can omit it and write the chemical formula or compound.
  • R 1 when a is an integer of 1, one substituent R 1 is bonded to any one of the carbons forming the benzene ring, and when a is an integer of 2 or 3, it can be bonded as follows, for example, and a is 4 to 6 Even when it is an integer, it is bonded to the carbon of the benzene ring in a similar way, and when a is an integer of 2 or more, R 1 may be the same or different.
  • forming a ring means that adjacent groups are bonded to each other to form a single ring or multiple fused rings, and the single ring and the formed multiple fused rings include at least one hydrocarbon ring as well as It includes a hetero ring containing a heteroatom, and may include aromatic and non-aromatic rings.
  • the number in 'number-condensed ring' indicates the number of rings to be condensed.
  • a form in which three rings are condensed together such as anthracene, phenanthrene, and benzoquinazoline, can be expressed as a 3-condensed ring.
  • bridged bicyclic compound refers to a compound in which two rings share three or more atoms to form a ring, unless otherwise specified.
  • the shared atom may include carbon or heteroatoms.
  • the organic electric device 100 includes a first electrode 110, a second electrode 170, and a first electrode 110 formed on a substrate (not shown). It includes an organic layer containing a compound according to the present invention between the second electrodes 170.
  • the first electrode 110 may be an anode, and the second electrode 170 may be a cathode.
  • the first electrode may be a cathode and the second electrode may be an anode.
  • the organic material layer may include a hole injection layer 120, a hole transport layer 130, a light emitting layer 140, an electron transport layer 150, and an electron injection layer 160.
  • a hole injection layer 120, a hole transport layer 130, a light emitting layer 140, an electron transport layer 150, and an electron injection layer 160 may be formed sequentially on the first electrode 110.
  • the capping layer 180 may be formed on one side of the first electrode 110 or the second electrode 170 that is not in contact with the organic layer.
  • the capping layer 180 is formed, the organic electricity The optical efficiency of the device can be improved.
  • the capping layer 180 may be formed on the second electrode 170.
  • the capping layer 180 is formed to separate the second electrode 170 from the second electrode 170.
  • Optical energy loss due to SPPs surface plasmon polaritons
  • the capping layer 180 can serve as a buffer for the second electrode 170. .
  • a buffer layer 210 or a light-emitting auxiliary layer 220 may be further formed between the hole transport layer 130 and the light-emitting layer 140, which will be described with reference to FIG. 2.
  • the organic electric device 200 includes a hole injection layer 120, a hole transport layer 130, a buffer layer 210, and a hole injection layer 120 sequentially formed on the first electrode 110. It may include a light emitting auxiliary layer 220, a light emitting layer 140, an electron transport layer 150, an electron injection layer 160, and a second electrode 170, and a capping layer 180 may be formed on the second electrode. You can.
  • an electron transport auxiliary layer may be further formed between the light emitting layer 140 and the electron transport layer 150.
  • the organic layer may be formed in a plurality of stacks including a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer. This will be explained with reference to FIG. 3 .
  • the organic electric device 300 has two stacks (ST1, ST2) of multi-layered organic material layers between the first electrode 110 and the second electrode 170. More than a set may be formed, and a charge generation layer (CGL) may be formed between the stacks of the organic material layers.
  • ST1, ST2 two stacks of multi-layered organic material layers between the first electrode 110 and the second electrode 170. More than a set may be formed, and a charge generation layer (CGL) may be formed between the stacks of the organic material layers.
  • CGL charge generation layer
  • the organic electric device includes a first electrode 110, a first stack (ST1), a charge generation layer (CGL), a second stack (ST2), and a second electrode. It may include (170) and a capping layer (180).
  • the first stack (ST1) is an organic material layer formed on the first electrode 110, which includes a first hole injection layer 320, a first hole transport layer 330, a first light emitting layer 340, and a first electron transport layer ( 350) may be included.
  • the second stack ST2 may include a second hole injection layer 420, a second hole transport layer 430, a second light emitting layer 440, and a second electron transport layer 450.
  • the first stack and the second stack may be organic material layers with the same stacked structure, or they may be organic material layers with different stacked structures.
  • a charge generation layer (CGL) may be formed between the first stack (ST1) and the second stack (ST2).
  • the charge generation layer (CGL) may include a first charge generation layer 360 and a second charge generation layer 361.
  • This charge generation layer (CGL) is formed between the first light-emitting layer 340 and the second light-emitting layer 440 to increase the efficiency of current generated in each light-emitting layer and to smoothly distribute charges.
  • the first light-emitting layer 340 may include a light-emitting material containing a blue fluorescent dopant in a blue host
  • the second light-emitting layer 440 may include a material in which a green host is doped with a greenish yellow dopant and a red dopant. may be included, but the materials of the first light-emitting layer 340 and the second light-emitting layer 440 according to the embodiment of the present invention are not limited thereto.
  • the second hole transport layer 430 includes a second stack ST2 whose energy level is set higher than the triplet excited state energy level of the second light emitting layer 440.
  • the second hole transport layer 430 functions to transport holes from the inherent second light-emitting layer 440 and at the same time functions as an exciton blocking layer that prevents triplet excitons from crossing over. .
  • the first hole transport layer 330 may also be set to an energy level higher than the triplet excitation energy level of the first light emitting layer 340.
  • the first electron transport layer 350 is also set to an energy level higher than the energy level of the triplet excitation state of the first light-emitting layer 340
  • the second electron transport layer 450 is also set to a higher energy level than the triplet excitation state of the second light-emitting layer 440. It is desirable to set the energy level to a higher energy level than the state energy level.
  • n may be an integer between 1 and 5.
  • a charge generation layer (CGL) and a third stack may be additionally stacked on the second stack (ST2).
  • the compound represented by Formula 1 of the present invention includes a hole injection layer (120, 320, 420), a hole transport layer (130, 330, 430), a buffer layer (210), an auxiliary light emitting layer (220), and an electron transport layer (150, 350).
  • , 450 may be used as a material for the electron injection layer 160, the light emitting layer 140, 340, 440, or the capping layer 180, but is preferably the hole transport layer 130, 330, 430, the light emitting auxiliary layer 220. ), can be used as a material for the light emitting layer (140, 340, 440) and/or the capping layer (180).
  • the organic electric device according to FIGS. 1 to 3 may additionally include a protective layer (not shown) and an encapsulation layer (not shown).
  • the protective layer may be located on the capping layer, and the encapsulation layer may be located on the capping layer, and the side portion of at least one of the first electrode, the second electrode, and the organic material layer may be used to protect the first electrode, the second electrode, and the organic material layer. It can be formed to cover.
  • the protective layer can provide a flat surface so that the encapsulation layer can be formed uniformly, and can serve to protect the first electrode, the second electrode, and the organic material layer during the manufacturing process of the encapsulation layer.
  • the encapsulation layer can play a role in preventing external oxygen and moisture from penetrating into the organic electric device.
  • the band gap, electrical properties, and interface properties may vary depending on which substituent is attached to which position, so the selection of the core and the combination of sub-substituents attached to it may vary.
  • Research is needed, and in particular, when the energy level and T1 value between each organic layer and the intrinsic properties of the material (mobility, interface properties, etc.) are optimally combined, long lifespan and high efficiency can be achieved at the same time.
  • the compound represented by Formula 1 as a material for the light-emitting auxiliary layer 220, the light-emitting layer 140, 340, 440, and/or the capping layer 180, the energy level and T1 value between each organic layer, By optimizing the material's intrinsic properties (mobility, interface properties, etc.), the lifespan and efficiency of organic electric devices were simultaneously improved.
  • An organic electroluminescent device may be manufactured using various deposition methods. It can be manufactured using a deposition method such as PVD or CVD. For example, an anode 110 is formed by depositing a metal or a conductive metal oxide or an alloy thereof on a substrate, and a hole injection layer 120 is formed thereon. After forming an organic material layer including 320, 420, a hole transport layer (130, 330, 430), a light emitting layer (140, 340, 440), an electron transport layer (150, 350, 450), and an electron injection layer (160), It can be manufactured by depositing a material that can be used as the cathode 170 thereon.
  • a deposition method such as PVD or CVD.
  • an anode 110 is formed by depositing a metal or a conductive metal oxide or an alloy thereof on a substrate, and a hole injection layer 120 is formed thereon.
  • an organic material layer including 320, 420, a hole transport layer (130, 330, 430), a light
  • an auxiliary light emitting layer 220 is formed between the hole transport layers 130, 330, 430 and the light emitting layers 140, 340, 440, and an auxiliary electron transport layer (not shown) is formed between the light emitting layer 140 and the electron transport layer 150. may be further formed, or may be formed in a stack structure as described above.
  • the organic material layer uses a variety of polymer materials, such as a solution process or solvent process rather than a deposition method, such as spin coating process, nozzle printing process, inkjet printing process, slot coating process, dip coating process, roll-to-roll process, and doctor bleed process. It can be manufactured with fewer layers by methods such as a printing process, screen printing process, or thermal transfer method. Since the organic material layer according to the present invention can be formed by various methods, the scope of the present invention is not limited by the formation method.
  • the organic electric device may be a front-emitting type, a rear-emitting type, or a double-sided emitting type depending on the material used.
  • Organic electric devices may include organic electroluminescent devices, organic solar cells, organic photoreceptors, organic transistors, monochromatic lighting devices, and quantum dot display devices.
  • Another embodiment of the present invention may include a display device including the organic electric device of the present invention described above, and an electronic device including a control unit that controls the display device.
  • the electronic device may be a current or future wired or wireless communication terminal, and includes all electronic devices such as mobile communication terminals such as mobile phones, PDAs, electronic dictionaries, PMPs, remote controls, navigation, game consoles, various TVs, and various computers.
  • the compound according to one aspect of the present invention is represented by the following formula (1).
  • R 1 ⁇ R 3 are independently hydrogen or deuterium
  • L 1 and L 2 are independently single bonds; C 6 ⁇ C 60 arylene group; fluorenylene group; A fused ring group of an aliphatic ring from C 3 to C 60 and an aromatic ring from C 6 to C 60 ; C 2 ⁇ C 60 heterocyclic group; and is selected from the group consisting of combinations thereof,
  • Ar 1 and Ar 2 are independently C 6 to C 60 aryl groups; fluorenyl group; C 2 ⁇ C 60 heterocyclic group containing at least one hetero atom among O, N, S, Si and P; A fused ring group of an aliphatic ring from C 3 to C 60 and an aromatic ring from C 6 to C 60 ; C 1 ⁇ C 50 alkyl group; C 2 ⁇ C 20 alkenyl group; C 2 ⁇ C 20 alkyne group; C 1 ⁇ C 30 alkoxyl group; C 6 ⁇ C 30 aryloxy group; and is selected from the group consisting of combinations thereof,
  • At least one of L 1 , L 2 , Ar 1 and Ar 2 contains deuterium
  • At least one of Ar 1 and Ar 2 is Formula 2 or Formula 3,
  • X is O or S
  • R 4 and R 5 are independently hydrogen; deuterium, tritium; halogen; Cyano group; nitro group; Aryl group of C 6 to C 60 ; fluorenyl group; C 2 ⁇ C 60 heterocyclic group containing at least one hetero atom among O, N, S, Si and P; A fused ring group of an aliphatic ring from C 3 to C 60 and an aromatic ring from C 6 to C 60 ; C 1 ⁇ C 50 alkyl group; C 2 ⁇ C 20 alkenyl group; C 2 ⁇ C 20 alkyne group; C 1 ⁇ C 30 alkoxyl group; C 6 ⁇ C 30 aryloxy group; and is selected from the group consisting of combinations thereof,
  • R 4 ⁇ R 5 , L 1 ⁇ L 2 and Ar 1 ⁇ Ar 2 are each deuterium; halogen; A silane group substituted or unsubstituted with a C 1 to C 30 alkyl group or a C 6 to C 30 aryl group; siloxane group; boron group; Germanium group; Cyano group; amino group; nitro group; C 1 ⁇ C 30 alkylthio group; C 1 ⁇ C 30 alkoxy group; C 6 ⁇ C 30 arylalkoxy group; C 1 ⁇ C 30 alkyl group; C 2 ⁇ C 30 alkenyl group; C 2 ⁇ C 30 alkyne group; C 6 ⁇ C 30 aryl group; C 6 ⁇ C 30 aryl group substituted with deuterium; fluorenyl group; A C 2 to C 30 heterocyclic group containing at least one heteroatom selected from the group consisting of O, N, S, Si and P; C 3 ⁇ C 30 aliphatic ring group;
  • R 4 to R 5 and Ar 1 to Ar 2 are an aryl group, preferably a C 6 to C 30 aryl group, more preferably a C 6 to C 18 aryl group, such as phenyl, biphenyl, naphthyl. , terphenyl, etc.
  • L 1 to L 2 , R 4 to R 5 and Ar 1 to Ar 2 are heterocyclic groups, Preferably it is a heterocyclic group of C 2 to C 30 , more preferably a heterocyclic group of C 2 to C 18 , such as dibenzofuran, dibenzothiophene, naphthobenzothiophene, naphthobenzofuran, etc. .
  • R 4 to R 5 and Ar 1 to Ar 2 are fluorenyl groups, they are preferably 9,9-dimethyl-9H-fluorene, 9,9-diphenyl-9H-fluorenyl group, 9,9 '-It may be spirobifluorene, etc.
  • L 1 to L 2 are an arylene group, preferably a C 6 to C 30 arylene group, more preferably a C 6 to C 18 arylene group, such as phenyl, biphenyl, naphthyl, terphenyl, etc. there is.
  • R 4 to R 5 and Ar 1 to Ar 2 are alkyl groups, they are preferably C 1 to C 10 alkyl groups, for example, methyl, t-butyl, etc.
  • R 4 to R 5 and Ar 1 to Ar 2 are an alkoxyl group, preferably a C 1 to C 20 alkoxyl group, more preferably a C 1 to C 10 alkoxyl group, such as methoxy, t-part. It may be Toxi, etc.
  • Formula 1 may be represented by the following Formula 1-1 or Formula 1-2, but is not limited thereto.
  • R 1 , R 2 , R 3 , L 1 , L 2 , Ar 1 , Ar 2 , a, b and c are as defined above.
  • Formula 2 may be represented by any one of the following Formulas 2-1 to 2-4, but is not limited thereto.
  • R 4 , R 5 , X, d, e are as defined above.
  • Formula 3 may be represented by any one of the following Formulas 3-1 to 3-4, but is not limited thereto.
  • R 4 , R 5 , X, d, e are as defined above.
  • L 1 or L 2 of Formula 1 may be independently represented by any one of the following Formulas L-1 to Formula L-3, but is not limited thereto.
  • R 6 ⁇ R 9 are independently deuterium; halogen; A silane group substituted or unsubstituted with a C 1 to C 30 alkyl group or a C 6 to C 30 aryl group; siloxane group; boron group; Germanium group; Cyano group; amino group; nitro group; C 1 ⁇ C 30 alkylthio group; C 1 ⁇ C 30 alkoxy group; C 6 ⁇ C 30 arylalkoxy group; C 1 ⁇ C 30 alkyl group; C 2 ⁇ C 30 alkenyl group; C 2 ⁇ C 30 alkyne group; C 6 ⁇ C 30 aryl group; C 6 ⁇ C 30 aryl group substituted with deuterium; fluorenyl group; A C 2 to C 30 heterocyclic group containing at least one heteroatom selected from the group consisting of O, N, S, Si and P; C 3 ⁇ C 30 aliphatic ring group; C 7 ⁇ C 30 arylalkyl group; C 8
  • f, g and h are independently integers from 0 to 4; i is an integer from 0 to 6,
  • formula L-1 may be represented by any one of the following formulas L-1-1 to formula L-1-3, but is not limited thereto.
  • R 6 and f are as defined in Formula L-1 above.
  • formula L-2 may be represented by any one of the following formulas L-2-1 to formula L-2-9, but is not limited thereto.
  • R 7 , R 8 , g and h are as defined in Formula L-2.
  • formula L-3 may be represented by any one of the following formulas L-3-1 to L-3-14, but is not limited thereto.
  • R 9 and i are as defined in Formula L-3.
  • -L 1 -Ar 1 of Formula 1 includes deuterium.
  • -L 2 -Ar 2 in Formula 1 includes deuterium.
  • -L 1 -Ar 1 and -L 2 -Ar 2 of Formula 1 include deuterium.
  • Ar 2 in Formula 1 is represented by Formula 2 or Formula 3.
  • R 4 and R 5 in Formula 2 or Formula 3 is deuterium.
  • -L 1 -Ar 1 , -L 2 -Ar 2 , and R 1 to R 3 in Formula 1 all contain deuterium.
  • the compound represented by Formula 1 may be one of the following P1-1 to P1-68 and P2-1 to P2-68, but is not limited thereto.
  • the present invention includes a first electrode; second electrode; and an organic material layer formed between the first electrode and the second electrode, wherein the organic material layer includes the compound represented by Formula 1 alone or in combination.
  • the present invention includes a first electrode; second electrode; An organic material layer formed between the first electrode and the second electrode; and a capping layer, wherein the capping layer is formed on one side of both sides of the first electrode and the second electrode that is not in contact with the organic layer, and the organic layer or capping layer is represented by Formula 1 Includes the compounds singly or in combination.
  • the organic material layer includes at least one of a hole injection layer, a hole transport layer, an auxiliary light emitting layer, a light emitting layer, an auxiliary electron transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. That is, at least one layer of the hole injection layer, hole transport layer, light-emitting auxiliary layer, light-emitting layer, electron transport auxiliary layer, electron transport layer, and electron injection layer included in the organic material layer may include a compound represented by formula (1). .
  • the organic layer includes at least one of the hole transport layer, the auxiliary light emitting layer, and the light emitting layer. That is, the compound may be included in at least one of the hole transport layer, the auxiliary light emitting layer, and the light emitting layer.
  • the organic material layer may include two or more stacks including a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer sequentially formed on the anode.
  • the organic material layer further includes a charge generation layer formed between the two or more stacks.
  • the present invention provides an electronic device including a display device including an organic electric element containing the compound represented by Formula 1 and a control unit for driving the display device.
  • the compound of Formula 1 may be included alone, the compound may be included in a combination of two or more different compounds, or the compound may be included in a combination of two or more types of other compounds.
  • the final product represented by Formula 1 according to the present invention can be synthesized by reacting Sub 1 and Sub 2 as shown in Scheme 1 below, but is not limited thereto.
  • Ring A is a naphthalene group.
  • Ring A is a naphthalene group.
  • compounds belonging to Sub 1 may be the following compounds, but are not limited thereto.
  • Table 1 below shows the FD-MS (Field Desorption-Mass Spectrometry) values of compounds belonging to Sub 1.
  • Compounds belonging to Sub 2 may be the following compounds, but are not limited thereto.
  • Table 2 shows the FD-MS (Field Desorption-Mass Spectrometry) values of compounds belonging to Sub 2.
  • An organic electroluminescent device was manufactured according to a conventional method using the compound of the present invention as a light-emitting host material.
  • -phenylbenzene-1,4-diamine hereinafter abbreviated as 2-TNATA
  • 2-TNATA -phenylbenzene-1,4-diamine
  • NPD 4,4-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl
  • a light emitting auxiliary layer was formed by vacuum depositing tris(4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)amine (hereinafter abbreviated as TCTA) to a thickness of 20 nm as a light emitting auxiliary layer material on the top of the hole transport layer.
  • TCTA tris(4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)amine
  • the following compound C-1 is used as a first host compound
  • the compound P1-1 of the present invention represented by the formula (1) is used as a second host compound in a weight ratio (5:5)
  • (piq) 2 Ir(acac) was used as a dopant material
  • the light emitting layer was deposited to a thickness of 30 nm by doping the host:dopant at a weight ratio of 95:5.
  • BAlq (1,1'-biphenyl-4-olato)bis(2-methyl-8-quinolinolato)aluminum
  • BeBq2 bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)beryllium
  • LiF a halogenated alkali metal
  • Al was deposited to a thickness of 150 nm to form a cathode, thereby manufacturing an organic electroluminescent device.
  • An organic electroluminescent device was manufactured in the same manner as Example 1, except that the compound of the present invention shown in Table 4 below was used as the host material of the light emitting layer instead of the compound P1-1 of the present invention.
  • An organic electroluminescent device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Comparative Compounds A to D below were used instead of Compound P1-1 of the present invention as the host material of the light-emitting layer.
  • a forward bias direct current voltage was applied to the organic electroluminescent devices manufactured according to Examples 1 to 50 and Comparative Examples 1 to 4, and the electroluminescence (EL) characteristics were measured using Photoresearch's PR-650, and 2500 cd/
  • the T95 lifespan was measured using a lifespan measurement equipment manufactured by McScience at a standard luminance of m 2 . Table 4 below shows the manufactured devices and evaluation results.
  • Table 5 below shows the physical properties of comparative compound C and compound P1-12 of the present invention.
  • the value of the energy level changes and the physical properties of the compound change. Therefore, as the physical properties of the compound change, the ratio of holes and electrons in the light-emitting layer increases, and as a result, the charge balance increases, light is emitted from the inside of the light-emitting layer, and the driving voltage, efficiency, and lifespan of the device are believed to be improved. This is believed to be a major factor in improving device performance during device deposition.
  • Organic electric element 110 First electrode
  • capping layer 210 buffer layer
  • first hole transport layer 340 first light emitting layer
  • second charge generation layer 420 second hole injection layer
  • the purpose of the present invention is to provide a compound capable of lowering the driving voltage of the device and improving the luminous efficiency and lifespan of the device, an organic electric device using the same, and an electronic device including the organic electric device.

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Abstract

본 발명은 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 상기 유기전기소자를 포함하는 전자장치에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 높은 발광효율, 낮은 구동전압 및 고내열성을 가지는 유기전기소자를 제공할 수 있고, 유기전기소자의 색순도 및 수명을 향상시킬 수 있다.

Description

유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
본 발명은 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛 에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기전기소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물 층은 유기전기소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다.
유기 전기 발광소자에 있어 가장 문제시되는 것은 수명과 효율인데, 디스플레이가 대면적화되면서 이러한 효율이나 수명 문제는 반드시 해결해야 되는 상황이다.
효율과 수명, 구동전압 등은 서로 연관이 있으며, 효율이 증가되면 상대적으로 구동전압이 떨어지고, 구동전압이 떨어지면서 구동시 발생되는 주울열(Joule heating)에 의한 유기물질의 결정화가 적어져 결과적으로 수명이 높아지는 경향을 나타낸다.
하지만, 상기 유기물층을 단순히 개선한다고 하여 효율을 극대화시킬 수는 없다. 왜냐하면 각 유기물층 간의 에너지 준위 및 T1 값, 물질의 고유특성(이동도, 계면특성 등) 등이 최적의 조합을 이루었을 때 긴 수명과 높은 효율을 동시에 달성할 수 있기 때문이다.
따라서, 높은 열적 안정성을 가지며 발광층 내에서 효율적으로 전하 균형(charge balance)을 이룰 수 있는 발광 재료의 개발이 필요하다. 즉, 유기전기소자가 갖는 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질, 발광보조층 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하며, 특히 발광층 및 발광보조층 재료에 대한 개발이 필요하다.
본 발명은 소자의 구동전압을 낮추고, 소자의 발광효율 및 수명을 향상시킬 수 있는 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 상기 유기전기소자를 포함하는 전자장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
일 측면에서, 본 발명은 하기 화학식으로 표시되는 화합물을 제공한다.
<화학식 1>
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000001
다른 측면에서, 본 발명은 상기 화학식으로 표시되는 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자장치를 제공한다.
본 발명에 따른 화합물을 이용함으로써 소자의 높은 발광효율, 낮은 구동전압을 달성할 수 있고, 소자의 수명을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 유기전기소자를 개략적으로 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 일 측면에 따른 화학식을 나타낸다.
일 측면에서, 본 발명은 하기 화학식으로 표시되는 화합물을 제공한다.
<화학식 1>
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000002
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태를 설명한다.
본 실시예들을 설명하기 위해, 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다. 아래에서 참조되는 도면들에서는 축적비가 적용되지 않는다.
본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 구성 요소가 다른 구성 요소 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 경우, 이는 다른 구성 요소 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 구성 요소가 있는 경우도 포함할 수 있다고 이해되어야 할 것이다. 반대로, 어떤 구성 요소가 다른 부분 "바로 위에" 있다고 하는 경우에는 중간에 또 다른 부분이 없는 것을 뜻한다고 이해되어야 할 것이다.
구성 요소들이나, 동작 방법이나 제작 방법 등과 관련한 시간적 흐름 관계에 대한 설명에 있어서, 예를 들어, "~후에", "~에 이어서", "~다음에", "~전에" 등으로 시간적 선후 관계 또는 흐름적 선후 관계가 설명되는 경우, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
한편, 구성 요소에 대한 수치 또는 그 대응 정보가 언급된 경우, 별도의 명시적 기재가 없더라도, 수치 또는 그 대응 정보는 각종 요인(예: 공정상의 요인, 내부 또는 외부 충격, 노이즈 등)에 의해 발생할 수 있는 오차 범위를 포함하는 것으로 해석될 수 있다.
본 명세서 및 첨부된 청구의 범위에서 사용된 용어는, 본 발명의 사상을 일탈하지 않는 범위내에서, 달리 언급하지 않는 한 하기와 같다.
본 출원에서 사용된 용어 "할로" 또는 "할로겐"은 다른 설명이 없는 한 불소(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 및 요오드(I)를 포함한다.
본 출원에서 사용된 용어 "알킬" 또는 "알킬기"는 다른 설명이 없는 한 단일결합으로 연결된 1 내지 60의 탄소를 가지며, 직쇄 알킬기, 분지쇄 알킬기, 사이클로알킬(지환족)기, 알킬-치환된 사이클로알킬기, 사이클로알킬-치환된 알킬기를 비롯한 포화 지방족 작용기의 라디칼을 의미한다.
본 출원에서 사용된 용어 "할로알킬기" 또는 "할로겐알킬기"는 다른 설명이 없는 한 할로겐이 치환된 알킬기를 의미한다.
본 출원에서 사용된 용어 "알케닐" 또는 "알키닐"은 다른 설명이 없는 한 각각 이중결합 또는 삼중결합을 가지며, 직쇄형 또는 측쇄형 사슬기를 포함하고, 2 내지 60의 탄소수를 가지나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 출원에서 사용된 용어 "사이클로알킬"은 다른 설명이 없는 한 3 내지 60의 탄소수를 갖는 고리를 형성하는 알킬을 의미하며, 여기에 한정되는 것은 아니다.
본 출원에서 사용된 용어 "알콕시기" 또는 "알킬옥시기"는 산소 라디칼이 결합된 알킬기를 의미하며, 다른 설명이 없는 한 1 내지 60의 탄소수를 가지나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 출원에서 사용된 용어 "알켄옥실기", "알켄옥시기", "알켄일옥실기", 또는 "알켄일옥시기"는 산소 라디칼이 부착된 알켄일기를 의미하며, 다른 설명이 없는 한 2 내지 60의 탄소수를 가지나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 출원에서 사용된 용어 "아릴기" 및 "아릴렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 6 내지 60의 탄소수를 가지나, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 출원에서 아릴기 또는 아릴렌기는 단일 고리형, 고리 집합체, 접합된 여러 고리계 화합물 등을 포함한다. 예를 들면, 상기 아릴기는 페닐기, 바이페닐의 1가 작용기, 나프탈렌의 1가 작용기, 플루오렌일기, 치환된 플루오렌일기를 포함할 수 있고, 아릴렌기는 플루오렌일렌기, 치환된 플루오렌일렌기를 포함할 수 있다.
본 출원에서 사용된 용어 "고리 집합체(ring assemblies)"는 둘 또는 그 이상의 고리계(단일고리 또는 접합된 고리계)가 단일결합이나 또는 이중결합을 통해서 서로 직접 연결되어 있고, 이와 같은 고리 사이의 직접 연결의 수가 그 화합물에 들어 있는 고리계의 총 수보다 1개가 적은 것을 의미한다. 고리 집합체는 동일 또는 상이한 고리계가 단일결합이나 이중결합을 통해 서로 직접 연결될 수 있다.
본 출원에서 아릴기는 고리 집합체를 포함하므로, 아릴기는 단일 방향족고리인 벤젠고리가 단일결합에 의해 연결된 바이페닐, 터페닐을 포함한다. 또한, 아릴기는 방향족 단일 고리와 접합된 방향족 고리계가 단일결합에 의해 연결된 화합물도 포함하므로, 예를 들면, 방향족 단일 고리인 벤젠 고리와 접합된 방향족 고리계인 플루오렌이 단일결합에 의해 연결된 화합물도 포함한다.
본 출원에서 사용된 용어 "접합된 여러 고리계"는 적어도 두 개의 원자를 공유하는 접합된(fused) 고리 형태를 의미하며, 둘 이상의 탄화수소류의 고리계가 접합된 형태 및 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 헤테로고리계가 적어도 하나 접합된 형태 등을 포함한다. 이러한 접합된 여러 고리계는 방향족고리, 헤테로방향족고리, 지방족 고리 또는 이들 고리의 조합일 수 있다. 예를 들어 아릴기의 경우, 나프탈렌일기, 페난트렌일기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정된 것은 아니다.
본 출원에서 사용된 용어 "스파이로 화합물"은 '스파이로 연결 (spiro union)'을 가지며, 스파이로 연결은 2개의 고리가 오로지 1개의 원자를 공유함으로써 이루어지는 연결을 의미한다. 이때, 두 고리에 공유된 원자를 '스파이로 원자'라 하며, 한 화합물에 들어 있는 스파이로 원자의 수에 따라 이들을 각각 '모노스파이로-', '다이스파이로-', '트라이스파이로-' 화합물이라 한다.
본 출원에서 사용된 용어 "플루오렌일기", "플루오렌일렌기", "플루오렌트리일기"는 다른 설명이 없는 한 각각 하기 구조에서 R, R', R" 및 R'"이 모두 수소인 1가, 2가 또는 3가의 작용기를 의미하며, "치환된 플루오렌일기", "치환된 플루오렌일렌기" 또는 "치환된 플루오렌트리일기"는 치환기 R, R', R", R'"중 적어도 하나가 수소 이외의 치환기인 것을 의미하며, R과 R'이 서로 결합되어 이들이 결합된 탄소와 함께 스파이로 화합물을 형성한 경우를 포함한다. 본 명세서에서는 1가, 2가, 3가 등과 같은 가수와 상관없이 플루오렌일기, 플루오렌일렌기, 플루오렌트리일기를 모두 플루오렌기라고 명명할 수도 있다.
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000003
또한, 상기 R, R', R" 및 R'"은 각각 독립적으로, 1 내지 20의 탄소수를 가지는 알킬기, 1 내지 20의 탄소수를 가지는 알케닐기, 6 내지 30의 탄소수를 가지는 아릴기, 2 내지 30의 탄소수를 가지는 헤테로고리기일 수 있고, 예를 들면, 상기 아릴기는 페닐, 바이페닐, 나프탈렌, 안트라센 또는 페난트렌일 수 있으며, 상기 헤테로고리기는 피롤, 푸란, 티오펜, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 피리딘, 피리미딘, 피리다진, 피라진, 트리아진, 인돌, 벤조퓨란, 퀴나졸린 또는 퀴녹살린일 수 있다. 예를 들면, 상기 치환된 플루오렌일기 및 플루오렌일렌기는 각각 9,9-디메틸플루오렌, 9,9-디페닐플루오렌 및 9,9'-스파이로바이[9H-플루오렌]의 1가 작용기 또는 2가 작용기일 수 있다.
본 출원에서 사용된 용어 "헤테로고리기"는 "헤테로아릴기" 또는 "헤테로아릴렌기"와 같은 방향족 고리뿐만 아니라 비방향족 고리도 포함하며, 다른 설명이 없는 한 각각 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 탄소수 2 내지 60의 고리를 의미하나 여기에 한정되는 것은 아니다. 본 출원에서 사용된 용어 "헤테로원자"는 다른 설명이 없는 한 N, O, S, P 또는 Si를 나타내며, 헤테로고리기는 헤테로원자를 포함하는 단일고리형, 고리집합체, 접합된 여러 고리계, 스파이로 화합물 등을 의미한다.
예를 들어, "헤테로고리기"는 고리를 형성하는 탄소 대신 하기 화합물과 같이 SO2, P=O 등과 같은 헤테로원자단을 포함하는 화합물도 포함할 수 있다.
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000004
본 출원에서 사용된 용어 "고리"는 단일환 및 다환을 포함하며, 탄화수소고리는 물론 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 헤테로고리를 포함하고, 방향족 및 비방향족 고리를 포함한다.
본 출원에서 사용된 용어 "다환"은 바이페닐, 터페닐 등과 같은 고리 집합체(ring assemblies), 접합된(fused) 여러 고리계 및 스파이로 화합물을 포함하며, 방향족뿐만 아니라 비방향족도 포함하고, 탄화수소고리는 물론 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 헤테로고리를 포함한다.
본 출원에서 사용된 용어 "지방족고리기"는 방향족탄화수소를 제외한 고리형 탄화수소를 의미하며, 단일고리형, 고리집합체, 접합된 여러 고리계, 스파이로 화합물 등을 포함하며, 다른 설명이 없는 한 탄소수 3 내지 60의 고리를 의미하나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 방향족고리인 벤젠과 비방향족고리인 사이클로헥산이 융합된 경우에도 지방족 고리에 해당한다.
또한, 접두사가 연속으로 명명되는 경우 먼저 기재된 순서대로 치환기가 나열되는 것을 의미한다. 예를 들어, 아릴알콕시기의 경우 아릴기로 치환된 알콕시기를 의미하며, 알콕시카르보닐기의 경우 알콕시기로 치환된 카르보닐기를 의미하며, 또한 아릴카르보닐알켄일기의 경우 아릴카르보닐기로 치환된 알켄일기를 의미하며 여기서 아릴카르보닐기는 아릴기로 치환된 카르보닐기이다.
또한 명시적인 설명이 없는 한, 본 출원에서 사용된 용어 "치환 또는 비치환된"에서 "치환"은 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C20의 알킬기, C1~C20의 알콕시기, C1~C20의 알킬아민기, C1~C20의 알킬티오펜기, C6~C20의 아릴티오펜기, C2~C20의 알켄일기, C2~C20의 알킨일기, C3~C20의 사이클로알킬기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C8~C20의 아릴알켄일기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, 및 O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환됨을 의미하며, 이들 치환기에 한정되는 것은 아니다.
본 출원에서 각 기호 및 그 치환기의 예로 예시되는 아릴기, 아릴렌기, 헤테로고리기 등에 해당하는 '작용기 명칭'은 '가수를 반영한 작용기의 명칭'을 기재할 수도 있지만, '모체 화합물 명칭'으로 기재할 수도 있다. 예컨대, 아릴 기의 일종인 '페난트렌'의 경우, 1가의 '기'는 '페난트릴(기)'로, 2가의 기는 '페난트릴렌(기)' 등과 같이 가수를 구분하여 기의 이름을 기재할 수도 있지만, 가수와 상관없이 모체 화합물 명칭인 '페난트렌'으로 기재할 수도 있다.
유사하게, 피리미딘의 경우에도, 가수와 상관없이 '피리미딘'으로 기재하거나, 1가인 경우에는 피리미딘일(기)로, 2가의 경우에는 피리미딘일렌(기) 등과 같이 해당 가수의 '기의 이름'으로 기재할 수도 있다. 따라서, 본 출원에서 치환기의 종류를 모체 화합물 명칭으로 기재할 경우, 모체 화합물의 탄소 원자 및/또는 헤테로원자와 결합하고 있는 수소 원자가 탈리되어 형성되는 n가의 '기'를 의미할 수 있다.
또한, 본 명세서에서는 화합물 명칭이나 치환기 명칭을 기재함에 있어 위치를 표시하는 숫자나 알파벳 등은 생략할 수도 있다. 예컨대, 피리도[4,3-d]피리미딘을 피리도피리미딘으로, 벤조퓨로[2,3-d]피리미딘을 벤조퓨로피리미딘으로, 9,9-다이메틸-9H-플루오렌을 다이메틸플루오렌 등과 같이 기재할 수 있다. 따라서, 벤조[g]퀴녹살린이나 벤조[f]퀴녹살린을 모두 벤조퀴녹살린이라고 기재할 수 있다.
또한 명시적인 설명이 없는 한, 본 출원에서 사용되는 화학식은 하기 화학식의 지수 정의에 의한 치환기 정의와 동일하게 적용된다.
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000005
여기서, a가 0의 정수인 경우 치환기 R1은 부존재하는 것을 의미하는데, 즉 a가 0인 경우는 벤젠고리를 형성하는 탄소에 모두 수소가 결합된 것을 의미하며, 이때 탄소에 결합된 수소의 표시를 생략하고 화학식이나 화합물을 기재할 수 있다. 또한, a가 1의 정수인 경우 하나의 치환기 R1은 벤젠 고리를 형성하는 탄소 중 어느 하나의 탄소에 결합하며, a가 2 또는 3의 정수인 경우 예컨대 아래와 같이 결합할 수 있고, a가 4 내지 6의 정수인 경우에도 이와 유사한 방식으로 벤젠 고리의 탄소에 결합하며, a가 2 이상의 정수인 경우 R1은 서로 같거나 상이할 수 있다.
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000006
본 출원에서 다른 설명이 없는 한, 고리를 형성한다는 것은, 인접한 기가 서로 결합하여 단일고리 또는 접합된 여러고리를 형성하는 것을 의미하고, 단일고리 및 형성된 접합된 여러 고리는 탄화수소고리는 물론 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 헤테로고리를 포함하고, 방향족 및 비방향족 고리를 포함할 수 있다.
또한, 본 명세서에서 다른 설명이 없는 한, 축합환을 표시할 때 '숫자-축합환'에서 숫자는 축합되는 고리의 개수를 나타낸다. 예컨데, 안트라센, 페난트렌, 벤조퀴나졸린 등과 같이 3개의 고리가 서로 축합한 형태는 3-축합환으로 표기할 수 있다.
한편, 본 출원에서 사용된 용어 "다리걸친 고리 화합물(bridged bicyclic compound)"은 다른 설명이 없는 한, 2개의 고리가 3개 이상의 원자를 공유하여 고리를 형성한 화합물을 말한다. 이때 공유하는 원자는 탄소 또는 헤테로원자를 포함할 수 있다.
이하, 본 발명의 화합물이 포함된 유기전기소자의 적층 구조에 대하여 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자(100)는 기판(미도시) 상에 형성된 제1 전극(110), 제2 전극(170) 및 제1 전극(110)과 제2 전극(170) 사이에 본 발명에 따른 화합물을 포함하는 유기물층을 포함한다.
상기 제1 전극(110)은 애노드(양극)이고, 제2 전극(170)은 캐소드(음극)일 수 있으며, 인버트형의 경우에는 제1 전극이 캐소드이고 제2 전극이 애노드일 수 있다.
상기 유기물층은 정공주입층(120), 정공수송층(130), 발광층(140), 전자수송층(150) 및 전자주입층(160)을 포함할 수 있다. 구체적으로, 제1 전극(110) 상에 정공주입층(120), 정공수송층(130), 발광층(140), 전자수송층(150) 및 전자주입층(160)이 순차적으로 형성될 수 있다.
바람직하게는, 상기 제1 전극(110) 또는 제2 전극(170)의 양면 중에서 유기물층과 접하지 않는 일면에 캡핑층(180)이 형성될 수 있으며, 캡핑층(180)이 형성될 경우 유기전기소자의 광효율이 향상될 수 있다.
예를 들면, 제2 전극(170) 상에 캡핑층(180)이 형성될 수 있는데, 전면발광(top emission) 유기발광소자의 경우, 캡핑층(180)이 형성됨으로써 제2 전극(170)에서의 SPPs (surface plasmon polaritons)에 의한 광학에너지 손실을 줄일 수 있고, 배면발광(bottom emission) 유기발광소자의 경우, 캡핑층(180)이 제2 전극(170)에 대한 완충 역할을 수행할 수 있다.
한편, 정공수송층(130)과 발광층(140) 사이에 버퍼층(210)이나 발광보조층(220)이 더 형성될 수 있는데 이에 대해 도 2를 참조하여 설명한다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전기소자(200)는 제1 전극(110) 상에 순차적으로 형성된 정공주입층(120), 정공수송층(130), 버퍼층(210), 발광보조층(220), 발광층(140), 전자수송층(150), 전자주입층(160), 제2 전극(170)을 포함할 수 있고, 제2 전극 상에 캡핑층(180)이 형성될 수 있다.
도 2에 도시되지는 않았으나, 발광층(140)과 전자수송층(150) 사이에 전자수송보조층이 더 형성될 수도 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면 유기물층은 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 스택이 복수 개가 형성된 형태일 수도 있다. 이에 대해 도 3을 참조하여 설명한다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기전기소자(300)는 제1 전극(110)과 제2 전극(170) 사이에 다층으로 이루어진 유기물층의 스택(ST1, ST2)이 두 세트 이상 형성될 수 있고 유기물층의 스택 사이에 전하생성층(CGL)이 형성될 수도 있다.
구체적으로, 본 발명에 일 실시예에 따른 유기전기소자는 제1 전극(110), 제1 스택(ST1), 전하생성층(CGL: Charge Generation Layer), 제2 스택(ST2), 제2 전극(170) 및 캡핑층(180)을 포함할 수 있다.
상기 제1 스택(ST1)은 제1 전극(110) 상에 형성된 유기물층으로, 이는 제1 정공주입층(320), 제1 정공수송층(330), 제1 발광층(340) 및 제1 전자수송층(350)을 포함할 수 있다.
상기 제2 스택(ST2)은 제2 정공주입층(420), 제2 정공수송층(430), 제2 발광층(440) 및 제2 전자수송층(450)을 포함할 수 있다.
이와 같이 제1 스택과 제2 스택은 동일한 적층 구조를 갖는 유기물층일 수도 있지만 서로 다른 적층 구조의 유기물층일 수도 있다.
상기 제1 스택(ST1)과 제2 스택(ST2) 사이에는 전하 생성층(CGL)이 형성될 수 있다. 전하 생성층(CGL)은 제1 전하 생성층(360)과 제2 전하생성층(361)을 포함할 수 있다. 이러한 전하생성층(CGL)은 제1 발광층(340)과 제2 발광층(440) 사이에 형성되어 각각의 발광층에서 발생하는 전류 효율을 증가시키고, 전하를 원활하게 분배하는 역할을 한다.
상기 제1 발광층(340)에는 청색 호스트에 청색 형광 도펀트를 포함하는 발광 재료가 포함될 수 있고, 제2 발광층(440)에는 녹색 호스트에 그리니쉬 옐로우(greenish yellow) 도펀트와 적색 도펀트가 함께 도핑된 재료가 포함될 수 있으나, 본 발명의 실시예에 따른 제1 발광층(340) 및 제2 발광층(440)의 재료가 이에 한정되는 것은 아니다.
이때, 제2 정공수송층(430)은 에너지 준위를 제2 발광층(440)의 삼중항(triplet) 여기상태 에너지 준위보다 높게 설정한 제2 스택(ST2)을 포함하여 이루어진다.
상기 제2 발광층(440)보다 제2 정공수송층(430)의 에너지 준위가 높기 때문에, 제2 발광층(440)의 삼중항 여기자(triplet exciton)가 제2 정공수송층(430)으로 넘어가 발광 효율이 떨어지는 것을 방지할 수 있다. 즉, 제2 정공수송층(430)은 고유의 제2 발광층(440)으로부터의 정공의 수송 기능을 함과 동시에 삼중항 여기자가 넘어오는 것을 방지하는 여기자 저지층(exciton blocking layer)로 기능할 수 있다.
또한, 여기자 저지층의 기능을 위해 제1 정공수송층(330) 또한, 제1 발광층(340)의 삼중항 여기 에너지 준위보다 높은 에너지 준위로 설정될 수 있다. 그리고, 제1 전자수송층(350)도 제1 발광층(340)의 삼중항 여기 상태의 에너지 준위보다 높은 에너지 준위로 설정하며, 제2 전자수송층(450)도 제2 발광층(440)의 삼중항 여기 상태의 에너지 준위보다 높은 에너지 준위로 설정되는 것이 바람직하다.
도 3에서, n은 1~5의 정수일 수 있는데, n이 2인 경우, 제2 스택(ST2) 상에 전하생성층(CGL)과 제3 스택이 추가적으로 더 적층될 수 있다.
도 3과 같이 다층의 스택 구조 방식에 의해 발광층이 복수개 형성될 경우, 각각의 발광층에서 발광된 광의 혼합 효과에 의해 백색 광이 발광되는 유기전기발광소자를 제조할 수 있을 뿐만 아니라 다양한 색상의 광을 발광하는 유기전기발광소자를 제조할 수도 있다.
본 발명의 화학식 1에 의해 표시되는 화합물은 정공주입층(120, 320, 420), 정공수송층(130, 330, 430), 버퍼층(210), 발광보조층(220), 전자수송층(150, 350, 450), 전자주입층(160), 발광층(140, 340, 440) 또는 캡핑층(180)의 재료로 사용될 수 있으나, 바람직하게는 정공수송층(130, 330, 430), 발광보조층(220), 발광층(140, 340, 440) 및/또는 캡핑층(180)의 재료로 사용될 수 있다.
도 1 내지 도 3에 따른 유기전기소자는, 보호층(미도시) 및 봉지층(미도시)을 추가로 포함할 수 있다. 보호층은 캐핑층 상에 위치할 수 있고, 봉지층은 캐핑층 상에 위치하며, 상기 제1 전극, 제2 전극 및 유기물층을 보호하기 위하여 상기 제1 전극, 제2 전극 및 유기물층 중 하나 이상의 측면부를 덮도록 형성될 수 있다.
보호층은 봉지층이 균일하게 형성될 수 있도록 평탄화된 표면을 제공할 수 있으며, 봉지층의 제조과정에서 제1전극, 제2전극 및 유기물층을 보호하는 역할을 수행할 수 있다.
봉지층은 유기전기소자 내부로 외부의 산소 및 수분이 침투를 막아 주는 역할을 수행할 수 있다.
한편, 동일 유사한 코어일지라도 어느 위치에 어느 치환기를 결합시키냐에 따라 밴드갭(band gap), 전기적 특성, 계면 특성 등이 달라질 수 있으므로, 코어의 선택 및 이에 결합된 서브(sub)-치환체의 조합에 대한 연구가 필요하며, 특히 각 유기물층 간의 에너지 준위 및 T1 값, 물질의 고유특성(이동도, 계면특성 등) 등이 최적의 조합을 이루었을 때 긴 수명과 높은 효율을 동시에 달성할 수 있다.
따라서, 본 발명에서는 화학식 1로 표시되는 화합물을 발광보조층(220), 발광층(140, 340, 440) 및/또는 캡핑층(180)의 재료로 사용함으로써, 각 유기물층 간의 에너지 레벨 및 T1 값, 물질의 고유특성(이동도, 계면특성 등) 등을 최적화하여 유기전기소자의 수명 및 효율을 동시에 향상시킬 수 있었다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기 발광소자는 다양한 증착법 (deposition)을 이용하여 제조될 수 있을 것이다. PVD나 CVD 등의 증착 방법을 사용하여 제조될 수 있는데, 예컨대, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극(110)을 형성하고, 그 위에 정공주입층(120, 320, 420), 정공수송층(130, 330, 430), 발광층(140, 340, 440), 전자수송층(150, 350, 450) 및 전자주입층(160)을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극(170)으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 또한, 정공수송층(130, 330, 430)과 발광층(140, 340, 440) 사이에 발광보조층(220)을, 발광층(140)과 전자수송층(150) 사이에 전자수송보조층(미도시)을 더 형성할 수도 있고 상술한 바와 같이 스택 구조로 형성할 수도 있다.
또한, 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용액 공정 또는 솔벤트 프로세스(solvent process), 예컨대 스핀코팅 공정, 노즐 프린팅 공정, 잉크젯 프린팅 공정, 슬롯코팅 공정, 딥코팅 공정, 롤투롤 공정, 닥터 블레이딩 공정, 스크린 프린팅 공정, 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다. 본 발명에 따른 유기물층은 다양한 방법으로 형성될 수 있으므로, 그 형성방법에 의해 본 발명의 권리범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자는 유기전기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체, 유기트랜지스터, 단색 조명용 소자 및 퀀텀닷 디스플레이용 소자 등을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는 상술한 본 발명의 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치와, 이 디스플레이장치를 제어하는 제어부를 포함하는 전자장치를 포함할 수 있다. 이때, 전자장치는 현재 또는 장래의 유무선 통신단말일 수 있으며, 휴대폰 등의 이동 통신 단말기, PDA, 전자사전, PMP, 리모콘, 네비게이션, 게임기, 각종 TV, 각종 컴퓨터 등 모든 전자장치를 포함한다.
이하, 본 발명의 일 측면에 따른 화합물에 대하여 설명한다.
본 발명의 일 측면에 따른 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.
하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
<화학식 1>
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000007
<화학식 A> <화학식 B>
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000008
상기 화학식 1에서,
1) 화학식 1의 *a는 화학식 A 또는 화학식 B의 *c와 결합하고, 화학식1의 *b는 화학식 A 또는 화학식 B의 *d와 결합하며,
2) R1~R3은 서로 독립적으로 수소 또는 중수소이고,
3) a는 0~6의 정수이고; b는 0~2의 정수이고; c는 0~4의 정수이며,
4) L1 및 L2는 서로 독립적으로 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C2~C60의 헤테로고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며,
5) Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며,
6) L1, L2, Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나는 중수소를 포함하고,
7) Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나는 화학식 2 또는 화학식 3이며,
<화학식 2> <화학식 3>
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000009
상기 화학식 2 또는 화학식 3에서,
7-1) X는 O 또는 S이고,
7-2) R4 및 R5는 서로 독립적으로 수소; 중수소, 삼중수소; 할로겐; 시아노기; 니트로기; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며,
7-3) d는 0~6의 정수이고; e는 0~3의 정수이며,
8) 상기 R4~R5, L1~L2 및 Ar1~Ar2는 각각 중수소; 할로겐; C1~C30의 알킬기 또는 C6~C30의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 아미노기; 니트로기; C1~C30의 알킬싸이오기; C1~C30의 알콕시기; C6~C30의 아릴알콕시기; C1~C30의 알킬기; C2~C30의 알켄일기; C2~C30의 알킨일기; C6~C30의 아릴기; 중수소로 치환된 C6~C30의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C30의 헤테로고리기; C3~C30의 지방족고리기; C7~C30의 아릴알킬기; C8~C30의 아릴알켄일기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더 치환될 수 있고, 인접한 치환기끼리 고리를 형성할 수 있다.
상기 R4~R5 및 Ar1~Ar2가 아릴기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C6~C18의 아릴기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 나프틸, 터페닐 등일 수 있다.
상기 L1~L2, R4~R5 및 Ar1~Ar2가 헤테로고리기인 경우, 바람직하게는 C2~C30의 헤테로고리기, 더욱 바람직하게는 C2~C18의 헤테로고리기, 예컨대 다이벤조퓨란, 다이벤조싸이오펜, 나프토벤조싸이오펜, 나프토벤조퓨란 등일 수 있다.
상기 R4~R5 및 Ar1~Ar2가 플루오렌일기인 경우, 바람직하게는 9,9-다이메틸-9H-플루오렌, 9,9-다이페닐-9H-플루오렌일기, 9,9'-스파이로바이플루오렌 등일 수 있다.
상기 L1~L2가 아릴렌기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴렌기, 더욱 바람직하게는 C6~C18의 아릴렌기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 나프틸, 터페닐 등일 수 있다.
상기 R4~R5 및 Ar1~Ar2가 알킬기인 경우, 바람직하게는 C1~C10의 알킬기일 수 있고, 예컨대 메틸, t-부틸 등일 수 있다.
상기 R4~R5 및 Ar1~Ar2가 알콕실기인 경우, 바람직하게는 C1~C20의 알콕실기, 더욱 바람직하게는 C1~C10의 알콕실기, 예컨대 메톡시, t-부톡시 등일 수 있다.
바람직하게는, 상기 화학식 1이 하기 화학식 1-1 또는 화학식 1-2로 표시될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.
<화학식 1-1> <화학식 1-2>
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000010
상기 화학식 1-1 또는 화학식 1-2에서,
상기 R1, R2, R3, L1, L2, Ar1, Ar2, a, b 및 c는 상기에서 정의된 바와 같다.
또한 바람직하게는, 상기 화학식 2가 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-4 중 어느 하나로 표시될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.
<화학식 2-1> <화학식 2-2> <화학식 2-3> <화학식 2-4>
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000011
상기 화학식 2-1 내지 화학식 2-4에서,
상기 R4, R5, X, d, e는 상기에서 정의된 바와 같다.
또한 바람직하게는, 상기 화학식 3이 하기 화학식 3-1 내지 화학식 3-4 중 어느 하나로 표시될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.
<화학식 3-1> <화학식 3-2> <화학식 3-3> <화학식 3-4>
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000012
상기 화학식 3-1 내지 화학식 3-4에서,
상기 R4, R5, X, d, e는 상기에서 정의된 바와 같다.
또한 바람직하게는, 상기 화학식 1의 L1 또는 L2가 서로 독립적으로 하기 화학식 L-1 내지 화학식 L-3 중 어느 하나로 표시될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.
<화학식 L-1> <화학식 L-2> <화학식 L-3>
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000013
상기 화학식 L-1 내지 화학식 L-3에서,
1) R6~R9는 서로 독립적으로 중수소; 할로겐; C1~C30의 알킬기 또는 C6~C30의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 아미노기; 니트로기; C1~C30의 알킬싸이오기; C1~C30의 알콕시기; C6~C30의 아릴알콕시기; C1~C30의 알킬기; C2~C30의 알켄일기; C2~C30의 알킨일기; C6~C30의 아릴기; 중수소로 치환된 C6~C30의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C30의 헤테로고리기; C3~C30의 지방족고리기; C7~C30의 아릴알킬기; C8~C30의 아릴알켄일기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되거나; 또는 인접한 치환기끼리 고리를 형성할 수 있으며,
2) f, g 및 h는 서로 독립적으로 0~4의 정수이고; i는 0~6의 정수이며,
3) * 표시는 화학식 1의 N과 결합하는 부분이고; *2 표시는 화학식 1의 Ar1 또는 Ar2와 결합하는 부분이다.
한편, 상기 화학식 L-1은 하기 화학식 L-1-1 내지 화학식 L-1-3 중 어느 하나로 표시될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.
<화학식 L-1-1> <화학식 L-1-2> <화학식 L-1-3>
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000014
상기 화학식 L-1-1 내지 화학식 L-1-3에서,
상기 R6 및 f는 상기 화학식 L-1에서 정의된 바와 같다.
또한, 상기 화학식 L-2는 하기 화학식 L-2-1 내지 화학식 L-2-9 중 어느 하나로 표시될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.
<화학식 L-2-1> <화학식 L-2-2> <화학식 L-2-3>
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000015
<화학식 L-2-4> <화학식 L-2-5> <화학식 L-2-6>
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000016
<화학식 L-2-7> <화학식 L-2-8> <화학식 L-2-9>
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000017
상기 화학식 L-2-1 내지 화학식 L-2-9에서,
상기 R7, R8, g 및 h는 상기 화학식 L-2에서 정의된 바와 같다.
또한, 상기 화학식 L-3은 하기 화학식 L-3-1 내지 화학식 L-3-14 중 어느 하나로 표시될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.
<화학식 L-3-1> <화학식 L-3-2> <화학식 L-3-3>
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000018
<화학식 L-3-4> <화학식 L-3-5> <화학식 L-3-6>
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000019
<화학식 L-3-7> <화학식 L-3-8> <화학식 L-3-9> <화학식 L-3-10>
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000020
<화학식 L-3-11> <화학식 L-3-12> <화학식 L-3-13> <화학식 L-3-14>
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000021
상기 화학식 L-3-1 내지 화학식 L-3-14에서,
상기 R9 및 i는 상기 화학식 L-3에서 정의된 바와 같다.
또한, 상기 화학식 1의 -L1-Ar1에 중수소를 반드시 포함하는 것이 보다 바람직하다.
또한, 상기 화학식 1의 -L2-Ar2에 중수소를 반드시 포함하는 것이 보다 바람직하다.
또한, 상기 화학식 1의 -L1-Ar1 및 -L2-Ar2에 중수소를 포함하는 것이 보다 바람직하다.
또한, 상기 화학식 1의 Ar2가 화학식 2 또는 화학식 3인 것이 보다 바람직하다.
또한, 상기 화학식 2 또는 화학식 3의 R4 및 R5 중 적어도 하나가 중수소인 것이 보다 바람직하다.
또한, 상기 화학식1의 -L1-Ar1, -L2-Ar2, R1 내지 R3이 모두 중수소를 포함하는 것이 보다 바람직하다.
한편, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 P1-1 내지 P1-68 및 P2-1 내지 P2-68 중 하나일 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000022
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000023
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000024
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000025
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000026
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000027
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000028
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000029
본 발명의 다른 구체예로서, 본 발명은 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성된 유기물층을 포함하는 유기전자소자를 제공하는 것이며, 상기 유기물층은 화학식 1로 표시되는 화합물을 단독 또는 혼합하여 포함한다.
본 발명의 또 다른 구체예로서, 본 발명은 제1 전극; 제2 전극; 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성된 유기물층; 및 캡핑층을 포함하는 유기전기소자를 제공하는 것이며, 상기 캡핑층은 상기 제1 전극 및 제2 전극의 양면 중에서 상기 유기물층과 접하지 않는 일면에 형성되며, 상기 유기물층 또는 캡핑층은 화학식 1로 표시되는 화합물을 단독 또는 혼합하여 포함한다.
상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광보조층, 발광층, 전자수송보조층, 전자수송층 및 전자주입층 중 적어도 하나를 포함한다. 즉, 상기 유기물층에 포함된 정공주입층, 정공수송층, 발광보조층, 발광층, 전자수송보조층, 전자수송층 및 전자주입층 중 적어도 하나의 층이 화학식 (1)로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
바람직하게는, 상기 유기물층은 상기 정공수송층, 발광보조층 및 발광층 중 적어도 하나를 포함한다. 즉, 상기 화합물은 상기 정공수송층 및 발광보조층, 발광층 중 적어도 하나에 포함될 수 있다.
상기 유기물층은 상기 양극 상에 순차적으로 형성된 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 스택을 둘 이상 포함할 수 있다.
바람직하게는, 상기 유기물층은 상기 둘 이상의 스택 사이에 형성된 전하생성층을 더 포함한다.
본 발명의 또 다른 구체예로서, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치와 상기 디스플레이장치를 구동하는 제어부를 포함하는 전자장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 구체예에서, 상기 화학식 1의 화합물은 단독으로 포함되거나, 상기 화합물이 서로 다른 2종 이상의 조합으로 포함되거나, 상기 화합물이 다른 화합물과 2종 이상의 조합으로 포함될 수 있다.
이하에서는 본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물의 합성예 및 유기전기소자의 제조예에 관하여 실시예를 들어 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예로 한정되는 것은 아니다.
<합성예>
본 발명에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 최종화합물(final product)은 하기 반응식 1과 같이 Sub 1과 Sub 2를 반응시켜 합성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
<반응식 1> A환은 나프탈렌기이다.
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000030
I. Sub 1의 합성
상기 반응식 1의 Sub1은 하기 반응식 2의 반응경로에 의해 합성되며, 이에 한정되는 것은 아니다.
<반응식 2> A환은 나프탈렌기이다.
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000031
1. Sub 1-1 합성예
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000032
(1) Sub1-1-d 합성예시
둥근바닥 플라스크에서 Sub1-1-b (10.0 g, 26.9 mmol)을 THF (134 mL)에 녹인 후, Sub1-1-c (4.5 g, 26.9 mmol), NaOH (3.2 g, 80.6 mmol), Pd(PPh3)4 (1.86 g, 1.61 mmol) 및 물 (67 mL)을 첨가하고, 80℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면, CH2Cl2와 물로 추출한 후, 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축하였다. 이후, 생성된 화합물을 실리카겔 칼럼을 적용한 후 재결정하여 생성물 9.2 g 얻었다. (수율 83%)
(2) Sub1-1 합성예시
상기 합성에서 얻어진 Sub1-1-b (9.2 g, 22.2 mmol)를 o-dichlorobenzene (111 mL)으로 녹인 후, triphenylphosphine (14.6 g, 55.5 mmol)을 첨가하고, 200℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면, 증류를 통해 o-dichlorobenzene을 제거하고, CH2Cl2와 물로 추출하였다. 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후, 생성된 화합물을 실리카겔 칼럼을 적용한 후 재결정하여 생성물 4.0 g 얻었다. (수율 47%)
2. Sub1-2 합성예
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000033
(1) Sub1-2-b 합성예시
둥근바닥 플라스크에서 Sub1-2-a (30.0 g, 101 mmol)을 Toluene (506 mL)으로 녹인 후에, Sub2-2 (16.4 g, 101 mmol), Pd2(dba)3 (2.78 g, 3.04 mmol), P(t-Bu)3 (1.23 g, 6.08 mmol) 및 NaOt-Bu (19.5 g, 203 mmol)을 첨가하고, 80℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면, CH2Cl2와 물로 추출한 후, 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후, 생성된 화합물을 실리카겔 칼럼을 적용한 후 재결정하여 생성물 29.0 g 얻었다. (수율 76%)
(2) Sub1-2-d 합성예시
둥근바닥 플라스크에서 상기 합성에서 얻어진 Sub1-2-b (29.0 g, 77.0 mmol)을 THF (385 mL)로 녹인 후, Sub1-1-c (12.9 g, 77.0 mmol), NaOH (9.2 g, 231 mmol), Pd(PPh3)4 (5.34 g, 4.62 mmol) 및 물 (192 mL)을 첨가하고 상기 Sub1-1-d의 합성법을 이용하여 생성물 27.1 g 얻었다. (수율 84 %)
(3) Sub1-2 합성예시
상기 합성에서 얻어진 Sub1-2-d (27.1 g, 64.7 mmol)와 triphenylphosphine (42.4 g, 161.7 mmol)을 상기 Sub1-1의 합성법에 따라 합성하여 생성물 12.3 g 얻었다. (수율 49%)
3. Sub 1-22 합성예
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000034
(1) Sub1-22-b 합성예시
둥근바닥 플라스크에서 Sub1-2-a (10.0 g, 33.8 mmol)을 Toluene (170 mL)으로 녹인 후에, Sub2-46 (10.3 g, 33.8 mmol), Pd2(dba)3 (0.93 g, 1.01 mmol), P(t-Bu)3 (0.41 g, 2.03 mmol) 및 NaOt-Bu (6.5 g, 67.5 mmol)을 첨가하고, 상기 Sub1-2-b의 합성법에 따라 합성하여 생성물 12.5 g 얻었다. (수율 71%)
(2) Sub1-22-d 합성예시
둥근바닥 플라스크에서 상기 합성에서 얻어진 Sub1-22-b (12.5 g, 24.0 mmol)을 THF (120 mL)로 녹인 후, Sub1-1-c (4.0 g, 24.0 mmol), NaOH (2.9 g, 71.9 mmol), Pd(PPh3)4 (1.66 g, 1.44 mmol) 및 물 (60 mL)을 첨가하고, 상기 Sub1-1-d의 합성법에 따라 합성하여 생성물 10.8 g 얻었다. (수율 80%)
(3) Sub1-22 합성예시
상기 합성에서 얻어진 Sub1-22-d (10.8 g, 19.2 mmol)와 triphenylphosphine (12.6 g, 47.9 mmol)을 상기 Sub1-1의 합성법에 따라 합성하여 생성물 4.7 g 얻었다. (수율 46%)
4. Sub1-23 합성예
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000035
(1) Sub1-23-b 합성예시
둥근바닥 플라스크에서 Sub1-2-a (10.0 g, 33.8 mmol)을 Toluene (170 mL)으로 녹인 후에, Sub2-67 (11.7 g, 33.8 mmol), Pd2(dba)3 (0.93 g, 1.01 mmol), P(t-Bu)3 (0.41 g, 2.03 mmol) 및 NaOt-Bu (6.5 g, 67.5 mmol)을 첨가하고, 상기 Sub1-2-b의 합성법에 따라 합성하여 생성물 13.1 g 얻었다. (수율 69%)
(2) Sub1-23-d 합성예시
둥근바닥 플라스크에서 상기 합성에서 얻어진 Sub1-23-b (13.1 g, 23.3 mmol)을 THF (116 mL)로 녹인 후, Sub1-1-c (3.9 g, 23.3 mmol), NaOH (2.8 g, 69.9 mmol), Pd(PPh3)4 (1.62 g, 1.40 mmol) 및 물 (58 mL)을 첨가하고, 상기 Sub1-1-d의 합성법에 따라 합성하여 생성물 11.7 g 얻었다. (수율 83%)
(3) Sub1-23 합성예시
상기 합성에서 얻어진 Sub1-23-d (11.7 g, 19.3 mmol)와 triphenylphosphine (12.7 g, 48.3 mmol)을 상기 Sub1-1의 합성법에 따라 합성하여 생성물 5.3 g 얻었다. (수율 48%)
5. Sub1-40 합성예
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000036
(1) Sub1-40-b 합성예시
둥근바닥 플라스크에서 Sub1-40-a (30.0 g, 101 mmol)을 Toluene (506 mL)으로 녹인 후에, Sub2-2 (16.4 g, 101 mmol), Pd2(dba)3 (2.78 g, 3.04 mmol), P(t-Bu)3 (1.23 g, 6.08 mmol) 및 NaOt-Bu (19.5 g, 203 mmol)을 첨가하고, 상기 Sub1-2-b의 합성법에 따라 합성하여 생성물 29.8 g 얻었다. (수율 78%)
(2) Sub1-40-d 합성예시
둥근바닥 플라스크에서 상기 합성에서 얻어진 Sub1-40-b (29.8 g, 79.0 mmol)을 THF (395 mL)로 녹인 후, Sub1-1-c (13.2 g, 79.0 mmol), NaOH (9.5 g, 237 mmol), Pd(PPh3)4 (5.48 g, 4.74 mmol) 및 물 (198 mL)을 첨가하고, 상기 Sub1-1-d의 합성법에 따라 합성하여 생성물 28.2 g 얻었다. (수율 85%)
(3) Sub1-40 합성예시
상기 합성에서 얻어진 Sub1-40-d (28.2 g, 67.2 mmol)와 triphenylphosphine (44.0 g, 167.9 mmol)을 상기 Sub1-1의 합성법에 따라 합성하여 생성물 13.3 g 얻었다. (수율 51%)
6. Sub1-47 합성예
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000037
(1) Sub1-47-b 합성예시
둥근바닥 플라스크에서 Sub1-40-a (10.0 g, 33.8 mmol)을 Toluene (169 mL)으로 녹인 후에, Sub2-13 (10.4 g, 33.8 mmol), Pd2(dba)3 (0.93 g, 1.01 mmol), P(t-Bu)3 (0.41 g, 2.03 mmol) 및 NaOt-Bu (6.5 g, 67.5 mmol)을 첨가하고, 상기 Sub1-2-b의 합성법에 따라 합성하여 생성물 12.9 g 얻었다. (수율 73%)
(2) Sub1-47-d 합성예시
둥근바닥 플라스크에서 상기 합성에서 얻어진 Sub1-47-b (12.9 g, 24.6 mmol)을 THF (123 mL)로 녹인 후, Sub1-1-c (4.1 g, 24.6 mmol), NaOH (3.0 g, 73.9 mmol), Pd(PPh3)4 (1.71 g, 1.48 mmol) 및 물 (62 mL)을 첨가하고, 상기 Sub1-1-d의 합성법에 따라 합성하여 생성물 11.6 g 얻었다. (수율 83%)
(3) Sub1-47 합성예시
상기 합성에서 얻어진 Sub1-47-d (11.6 g, 20.5 mmol)와 triphenylphosphine (13.4 g, 51.1 mmol)을 상기 Sub1-1의 합성법에 따라 합성하여 생성물 5.4 g 얻었다. (수율 49%)
7. Sub1-59 합성예
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000038
(1) Sub1-59-b 합성예시
둥근바닥 플라스크에서 Sub1-40-a (10.0 g, 33.8 mmol)을 Toluene (169 mL)으로 녹인 후에, Sub2-37 (10.0 g, 33.8 mmol), Pd2(dba)3 (0.93 g, 1.01 mmol), P(t-Bu)3 (0.41 g, 2.03 mmol) 및 NaOt-Bu (6.5 g, 67.5 mmol)을 첨가하고, 상기 Sub1-2-b의 합성법에 따라 합성하여 생성물 14.2 g 얻었다. (수율 76%)
(2) Sub1-59-d 합성예시
둥근바닥 플라스크에서 상기 합성에서 얻어진 Sub1-59-b (14.2 g, 25.7 mmol)을 THF (128 mL)로 녹인 후, Sub1-1-c (4.3 g, 25.7 mmol), NaOH (3.1 g, 77.0 mmol), Pd(PPh3)4 (1.78 g, 1.54 mmol) 및 물 (64 mL)을 첨가하고, 상기 Sub1-1-d의 합성법에 따라 합성하여 생성물 12.0 g 얻었다. (수율 84%)
(3) Sub1-59 합성예시
상기 합성에서 얻어진 Sub1-59-d (12.0 g, 21.6 mmol)와 triphenylphosphine (14.1 g, 53.9 mmol)을 상기 Sub1-1의 합성법에 따라 합성하여 생성물 5.6 g 얻었다. (수율 50%)
8. Sub1-75 합성예
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000039
(1) Sub1-75-b 합성예시
둥근바닥 플라스크에서 Sub1-40-a (10.0 g, 33.8 mmol)을 Toluene (169 mL)으로 녹인 후에, Sub2-89 (13.1 g, 33.8 mmol), Pd2(dba)3 (0.93 g, 1.01 mmol), P(t-Bu)3 (0.41 g, 2.03 mmol) 및 NaOt-Bu (6.5 g, 67.5 mmol)을 첨가하고, 상기 Sub1-2-b의 합성법에 따라 합성하여 생성물 15.3 g 얻었다. (수율 75%)
(2) Sub1-75-d 합성예시
둥근바닥 플라스크에서 상기 합성에서 얻어진 Sub1-75-b (15.3 g, 25.3 mmol)을 THF (127 mL)로 녹인 후, Sub1-1-c (4.2 g, 25.3 mmol), NaOH (3.0 g, 76.0 mmol), Pd(PPh3)4 (1.76 g, 1.52 mmol) 및 물 (63 mL)을 첨가하고, 상기 Sub1-1-d의 합성법에 따라 합성하여 생성물 13.3 g 얻었다. (수율 81%)
(3) Sub1-75 합성예시
상기 합성에서 얻어진 Sub1-75-d (13.3 g, 20.5 mmol)와 triphenylphosphine (103 g, 13.5 mmol)을 상기 Sub1-1의 합성법에 따라 합성하여 생성물 5.9 g 얻었다. (수율 47%)
한편, Sub 1에 속하는 화합물은 아래와 같은 화합물일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000040
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000041
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000042
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000043
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000044
아래 표 1은 Sub 1에 속하는 화합물의 FD-MS(Field Desorption-Mass Spectrometry) 값을 나타낸 것이다.
화합물 FD-MS 화합물 FD-MS
Sub1-1 m/z=382.15(C28H18N2=382.47) Sub1-2 m/z=387.18(C28H13D5N2=387.5)
Sub1-3 m/z=476.23(C35H28N2=476.62) Sub1-4 m/z=458.18(C34H22N2=458.56)
Sub1-5 m/z=462.2(C34H18D4N2=462.59) Sub1-6 m/z=463.21(C34H17D5N2=463.59)
Sub1-7 m/z=458.18(C34H22N2=458.56) Sub1-8 m/z=461.2(C34H19D3N2=461.58)
Sub1-9 m/z=538.23(C40H22D4N2=538.69) Sub1-10 m/z=512.22(C38H20D4N2=512.65)
Sub1-11 m/z=511.21(C38H21D3N2=511.64) Sub1-12 m/z=508.19(C38H24N2=508.62)
Sub1-13 m/z=508.19(C38H24N2=508.62) Sub1-14 m/z=522.17(C38H22N2O=522.61)
Sub1-15 m/z=522.17(C38H22N2O=522.61) Sub1-16 m/z=522.17(C38H22N2O=522.61)
Sub1-17 m/z=522.17(C38H22N2O=522.61) Sub1-18 m/z=522.17(C38H22N2O=522.61)
Sub1-19 m/z=522.17(C38H22N2O=522.61) Sub1-20 m/z=522.17(C38H22N2O=522.61)
Sub1-21 m/z=522.17(C38H22N2O=522.61) Sub1-22 m/z=531.23(C38H13D9N2O=531.66)
Sub1-23 m/z=572.19(C42H24N2O=572.67) Sub1-24 m/z=543.31(C38HD21N2O=543.74)
Sub1-25 m/z=598.2(C44H26N2O=598.71) Sub1-26 m/z=602.23(C44H22D4N2O=602.73)
Sub1-27 m/z=602.23(C44H22D4N2O=602.73) Sub1-28 m/z=598.2(C44H26N2O=598.71)
Sub1-29 m/z=602.23(C44H22D4N2O=602.73) Sub1-30 m/z=652.25(C48H24D4N2O=652.79)
Sub1-31 m/z=648.22(C48H28N2O=648.77) Sub1-32 m/z=538.15(C38H22N2S=538.67)
Sub1-33 m/z=538.15(C38H22N2S=538.67) Sub1-34 m/z=538.15(C38H22N2S=538.67)
Sub1-35 m/z=538.15(C38H22N2S=538.67) Sub1-36 m/z=639.34(C44HD25N2S=639.92)
Sub1-37 m/z=623.24(C44H17D9N2S=623.82) Sub1-38 m/z=664.2(C48H28N2S=664.83)
Sub1-39 m/z=382.15(C28H18N2=382.47) Sub1-40 m/z=387.18(C28H13D5N2=387.5)
Sub1-41 m/z=399.25(C28HD17N2=399.57) Sub1-42 m/z=462.2(C34H18D4N2=462.59)
Sub1-43 m/z=463.21(C34H17D5N2=463.59) Sub1-44 m/z=467.23(C34H13D9N2=467.62)
Sub1-45 m/z=461.2(C34H19D3N2=461.58) Sub1-46 m/z=458.18(C34H22N2=458.56)
Sub1-47 m/z=534.21(C40H26N2=534.66) Sub1-48 m/z=538.23(C40H22D4N2=538.69)
Sub1-49 m/z=511.21(C38H21D3N2=511.64) Sub1-50 m/z=561.23(C42H23D3N2=561.7)
Sub1-51 m/z=588.25(C44H24D4N2=588.75) Sub1-52 m/z=564.26(C42H32N2=564.73)
Sub1-53 m/z=508.19(C38H24N2=508.62) Sub1-54 m/z=508.19(C38H24N2=508.62)
Sub1-55 m/z=508.19(C38H24N2=508.62) Sub1-56 m/z=513.23(C38H19D5N2=513.65)
Sub1-57 m/z=522.17(C38H22N2O=522.61) Sub1-58 m/z=522.17(C38H22N2O=522.61)
Sub1-59 m/z=522.17(C38H22N2O=522.61) Sub1-60 m/z=522.17(C38H22N2O=522.61)
Sub1-61 m/z=531.23(C38H13D9N2O=531.66) Sub1-62 m/z=522.17(C38H22N2O=522.61)
Sub1-63 m/z=522.17(C38H22N2O=522.61) Sub1-64 m/z=522.17(C38H22N2O=522.61)
Sub1-65 m/z=522.17(C38H22N2O=522.61) Sub1-66 m/z=602.23(C44H22D4N2O=602.73)
Sub1-67 m/z=648.22(C48H28N2O=648.77) Sub1-68 m/z=572.19(C42H24N2O=572.67)
Sub1-69 m/z=583.26(C42H13D11N2O=583.73) Sub1-70 m/z=538.15(C38H22N2S=538.67)
Sub1-71 m/z=538.15(C38H22N2S=538.67) Sub1-72 m/z=538.15(C38H22N2S=538.67)
Sub1-73 m/z=547.21(C38H13D9N2S=547.72) Sub1-74 m/z=639.34(C44HD25N2S=639.92)
Sub1-75 m/z=614.18(C44H26N2S=614.77) Sub1-76 m/z=617.2(C44H23D3N2S=617.78)
Sub1-77 m/z=673.25(C48H19D9N2S=673.88) Sub1-78 m/z=531.23(C38H13D9N2O=531.66)
Sub1-79 m/z=547.21(C38H13D9N2S=547.72) Sub1-80 m/z=472.1(C28H13F5N2=472.42)
Sub1-81 m/z=548.13(C34H17F5N2=548.52) Sub1-82 m/z=525.19(C38H19D3N2O=525.63)
Sub1-83 m/z=690.21(C50H30N2S=690.86) Sub1-84 m/z=618.21(C44H22D4N2S=618.79)
Sub1-85 m/z=472.1(C28H13F5N2=472.42)
II. Sub2의 합성
Sub 2에 속하는 화합물은 아래와 같은 화합물일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000045
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000046
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000047
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000048
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000049
아래 표 2는 Sub 2에 속하는 화합물의 FD-MS(Field Desorption-Mass Spectrometry) 값을 나타낸 것이다.
화합물 FD-MS 화합물 FD-MS
Sub2-1 m/z=155.96(C6H5Br=157.01) Sub2-2 m/z=160.99(C6D5Br=162.04)
Sub2-3 m/z=250.04(C13H15Br=251.17) Sub2-4 m/z=231.99(C12H9Br=233.11)
Sub2-5 m/z=236.01(C12H5D4Br=237.13) Sub2-6 m/z=237.02(C12H4D5Br=238.14)
Sub2-7 m/z=241.05(C12D9Br=242.16) Sub2-8 m/z=231.99(C12H9Br=233.11)
Sub2-9 m/z=235.01(C12H6D3Br=236.13) Sub2-10 m/z=231.99(C12H9Br=233.11)
Sub2-11 m/z=312.05(C18H9D4Br=313.23) Sub2-12 m/z=313.05(C18H8D5Br=314.24)
Sub2-13 m/z=308.02(C18H13Br=309.21) Sub2-14 m/z=286.03(C16H7D4Br=287.19)
Sub2-15 m/z=285.02(C16H8D3Br=286.19) Sub2-16 m/z=362.06(C22H11D4Br=363.29)
Sub2-17 m/z=335.04(C20H10D3Br=336.25) Sub2-18 m/z=205.97(C10H7Br=207.07)
Sub2-19 m/z=213.02(C10D7Br=214.11) Sub2-20 m/z=213.02(C10D7Br=214.11)
Sub2-21 m/z=282(C16H11Br=283.17) Sub2-22 m/z=338.07(C20H19Br=339.28)
Sub2-23 m/z=282(C16H11Br=283.17) Sub2-24 m/z=282(C16H11Br=283.17)
Sub2-25 m/z=287.04(C16H6D5Br=288.2) Sub2-26 m/z=287.04(C16H6D5Br=288.2)
Sub2-27 m/z=282(C16H11Br=283.17) Sub2-28 m/z=282(C16H11Br=283.17)
Sub2-29 m/z=287.04(C16H6D5Br=288.2) Sub2-30 m/z=282(C16H11Br=283.17)
Sub2-31 m/z=282(C16H11Br=283.17) Sub2-32 m/z=282(C16H11Br=283.17)
Sub2-33 m/z=287.04(C16H6D5Br=288.2) Sub2-34 m/z=332.02(C20H13Br=333.23)
Sub2-35 m/z=295.98(C16H9BrO=297.15) Sub2-36 m/z=295.98(C16H9BrO=297.15)
Sub2-37 m/z=295.98(C16H9BrO=297.15) Sub2-38 m/z=295.98(C16H9BrO=297.15)
Sub2-39 m/z=305.04(C16D9BrO=306.21) Sub2-40 m/z=305.04(C16D9BrO=306.21)
Sub2-41 m/z=295.98(C16H9BrO=297.15) Sub2-42 m/z=295.98(C16H9BrO=297.15)
Sub2-43 m/z=295.98(C16H9BrO=297.15) Sub2-44 m/z=295.98(C16H9BrO=297.15)
Sub2-45 m/z=305.04(C16D9BrO=306.21) Sub2-46 m/z=305.04(C16D9BrO=306.21)
Sub2-47 m/z=305.04(C16D9BrO=306.21) Sub2-48 m/z=377.05(C22H8D5BrO=378.28)
Sub2-49 m/z=376.04(C22H9D4BrO=377.27) Sub2-50 m/z=372.01(C22H13BrO=373.25)
Sub2-51 m/z=376.04(C22H9D4BrO=377.27) Sub2-52 m/z=385.1(C22D13BrO=386.33)
Sub2-53 m/z=376.04(C22H9D4BrO=377.27) Sub2-54 m/z=381.07(C22H4D9BrO=382.3)
Sub2-55 m/z=422.03(C26H15BrO=423.31) Sub2-56 m/z=431.09(C26H6D9BrO=432.36)
Sub2-57 m/z=372.01(C22H13BrO=373.25) Sub2-58 m/z=372.01(C22H13BrO=373.25)
Sub2-59 m/z=376.04(C22H9D4BrO=377.27) Sub2-60 m/z=372.01(C22H13BrO=373.25)
Sub2-61 m/z=422.03(C26H15BrO=423.31) Sub2-62 m/z=372.01(C22H13BrO=373.25)
Sub2-63 m/z=372.01(C22H13BrO=373.25) Sub2-64 m/z=346(C20H11BrO=347.21)
Sub2-65 m/z=346(C20H11BrO=347.21) Sub2-66 m/z=357.07(C20D11BrO=358.28)
Sub2-67 m/z=346(C20H11BrO=347.21) Sub2-68 m/z=357.07(C20D11BrO=358.28)
Sub2-69 m/z=422.03(C26H15BrO=423.31) Sub2-70 m/z=422.03(C26H15BrO=423.31)
Sub2-71 m/z=426.06(C26H11D4BrO=427.33) Sub2-72 m/z=268.99(C12D7BrS=270.19)
Sub2-73 m/z=311.96(C16H9BrS=313.21) Sub2-74 m/z=311.96(C16H9BrS=313.21)
Sub2-75 m/z=311.96(C16H9BrS=313.21) Sub2-76 m/z=321.02(C16D9BrS=322.27)
Sub2-77 m/z=321.02(C16D9BrS=322.27) Sub2-78 m/z=391.01(C22H10D3BrS=392.33)
Sub2-79 m/z=438.01(C26H15BrS=439.37) Sub2-80 m/z=387.99(C22H13BrS=389.31)
Sub2-81 m/z=401.07(C22D13BrS=402.39) Sub2-82 m/z=438.01(C26H15BrS=439.37)
Sub2-83 m/z=311.96(C16H9BrS=313.21) Sub2-84 m/z=311.96(C16H9BrS=313.21)
Sub2-85 m/z=311.96(C16H9BrS=313.21) Sub2-86 m/z=321.02(C16D9BrS=322.27)
Sub2-87 m/z=321.02(C16D9BrS=322.27) Sub2-88 m/z=392.02(C22H9D4BrS=393.33)
Sub2-89 m/z=387.99(C22H13BrS=389.31) Sub2-90 m/z=391.01(C22H10D3BrS=392.33)
Sub2-91 m/z=397.05(C22H4D9BrS=398.36) Sub2-92 m/z=401.07(C22D13BrS=402.39)
Sub2-93 m/z=391.01(C22H10D3BrS=392.33) Sub2-94 m/z=397.05(C22H4D9BrS=398.36)
Sub2-95 m/z=438.01(C26H15BrS=439.37) Sub2-96 m/z=447.06(C26H6D9BrS=448.42)
Sub2-97 m/z=240.04(C12HD8Br=241.16) Sub2-98 m/z=245.91(C6BrF5=246.96)
Sub2-99 m/z=371.94(C13H4BrF7=373.07) Sub2-100 m/z=321.94(C12H4BrF5=323.06)
Sub2-101 m/z=477.95(C22H8BrF5S=479.26) Sub2-102 m/z=380.07(C22H5D8BrO=381.3)
Sub2-103 m/z=375.03(C22H10D3BrO=376.27)
III. 최종화합물 합성 예시
1. P1-6 합성예
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000050
둥근바닥 플라스크에서 상기 합성에서 얻어진 Sub1-2 (3.0 g, 7.7 mmol)을 Toluene (40 mL)으로 녹인 후에, Sub2-36 (2.3 g, 7.7 mmol), Pd2(dba)3 (0.21 g, 0.23 mmol), P(t-Bu)3 (0.09 g, 0.46 mmol) 및 NaOt-Bu (1.5 g, 15.5 mmol)을 첨가하고, 120℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면, CH2Cl2와 물로 추출한 후, 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후, 생성된 화합물을 실리카겔 칼럼을 적용한 후 재결정하여 생성물 3.6 g 얻었다. (수율 78%)
2. P1-12 합성예
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000051
상기 합성에서 얻어진 Sub1-1 (3.0 g, 7.8 mmol)을 Toluene (40 mL)으로 녹인 후에, Sub2-76 (2.5 g, 7.8 mmol), Pd2(dba)3 (0.22 g, 0.24 mmol), P(t-Bu)3 (0.10 g, 0.47 mmol) 및 NaOt-Bu (1.5 g, 15.7 mmol)을 첨가하고, 상기 P1-6의 합성방법에 따라 합성하여 생성물 3.6 g 얻었다. (수율 74%)
3. P1-35 합성예
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000052
상기 합성에서 얻어진 Sub1-2 (3.0 g, 7.7 mmol)을 Toluene (40 mL)으로 녹인 후에, Sub2-42 (2.3 g, 0.23 mmol), Pd2(dba)3 (0.21 g, 0.23 mmol), P(t-Bu)3 (0.09 g, 0.46 mmol) 및 NaOt-Bu (1.5 g, 15.5 mmol)을 첨가하고, 상기 P1-6의 합성방법에 따라 합성하여 생성물 3.5 g 얻었다. (수율 74%)
4. P1-42 합성예
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000053
상기 합성에서 얻어진 Sub1-22 (4.0 g, 7.5 mmol)을 Toluene (38 mL)으로 녹인 후에, Sub2-18 (1.6 g, 7.5 mmol), Pd2(dba)3 (0.21 g, 0.23 mmol), P(t-Bu)3 (0.09 g, 0.45 mmol) 및 NaOt-Bu (1.4 g, 15.0 mmol)을 첨가하고, 상기 P1-6의 합성방법에 따라 합성하여 생성물 3.8 g 얻었다. (수율 77%)
5. P1-57 합성예
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000054
상기 합성에서 얻어진 Sub1-23 (4.0 g, 7.0 mmol)을 Toluene (35 mL)으로 녹인 후에, Sub2-2 (1.1 g, 7.0 mmol), Pd2(dba)3 (0.19 g, 0.21 mmol), P(t-Bu)3 (0.08 g, 0.42 mmol) 및 NaOt-Bu (1.3 g, 14.0 mmol)을 첨가하고, 상기 P1-6의 합성방법에 따라 합성하여 생성물 3.3 g 얻었다. (수율 72%)
6. P2-3 합성예
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000055
상기 합성에서 얻어진 Sub1-59 (4.0 g, 7.7 mmol)을 Toluene (38 mL)으로 녹인 후에, Sub2-2 (1.2 g, 7.7 mmol), Pd2(dba)3 (0.21 g, 0.23 mmol), P(t-Bu)3 (0.09 g, 0.46 mmol) 및 NaOt-Bu (1.5 g, 15.3 mmol)을 첨가하고, 상기 P1-6의 합성방법에 따라 합성하여 생성물 3.5 g 얻었다. (수율 75%)
7. P2-20 합성예
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000056
상기 합성에서 얻어진 Sub1-47 (3.0 g, 5.6 mmol)을 Toluene (28 mL)으로 녹인 후에, Sub2-77 (1.8 g, 5.6 mmol), Pd2(dba)3 (0.15 g, 0.17 mmol), P(t-Bu)3 (0.07 g, 0.34 mmol) 및 NaOt-Bu (1.1 g, 11.2 mmol)을 첨가하고, 상기 P1-6의 합성방법에 따라 합성하여 생성물 3.1 g 얻었다. (수율 71%)
8. P2-35 합성예
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000057
상기 합성에서 얻어진 Sub1-40 (3.0 g, 7.7 mmol)을 Toluene (40 mL)으로 녹인 후에, Sub2-43 (2.3 g, 7.7 mmol), Pd2(dba)3 (0.21 g, 0.23 mmol), P(t-Bu)3 (0.09 g, 0.46 mmol) 및 NaOt-Bu (1.5 g, 15.5 mmol)을 첨가하고, 상기 P1-6의 합성방법에 따라 합성하여 생성물 3.4 g 얻었다. (수율 72%)
9. P2-50 합성예
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000058
상기 합성에서 얻어진 Sub1-75 (4.0 g, 6.5 mmol)을 Toluene (33 mL)으로 녹인 후에, Sub2-2 (1.1 g, 6.5 mmol), Pd2(dba)3 (0.18 g, 0.20 mmol), P(t-Bu)3 (0.08 g, 0.39 mmol) 및 NaOt-Bu (1.3 g, 13.0 mmol)을 첨가하고, 상기 P1-6의 합성방법에 따라 합성하여 생성물 3.3 g 얻었다. (수율 73%)
10. P2-52 합성예
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000059
상기 합성에서 얻어진 Sub1-40 (3.0 g, 7.7 mmol)을 Toluene (40 mL)으로 녹인 후에, Sub2-58 (2.9 g, 7.7 mmol), Pd2(dba)3 (0.21 g, 0.23 mmol), P(t-Bu)3 (0.09 g, 0.46 mmol) 및 NaOt-Bu (1.5 g, 15.5 mmol)을 첨가하고, 상기 P1-6의 합성방법에 따라 합성하여 생성물 3.7 g 얻었다. (수율 70%)
한편, 상기와 같은 합성예에 따라 제조된 본 발명의 화합물 P1-1 내지 P1-68 및 P2-1 내지 P2-68의 FD-MS 값은 하기 표 3과 같다.
화합물 FD-MS 화합물 FD-MS
P1-1 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74) P1-2 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74)
P1-3 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74) P1-4 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74)
P1-5 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74) P1-6 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74)
P1-7 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74) P1-8 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74)
P1-9 m/z=619.21(C44H21D5N2S=619.8) P1-10 m/z=619.21(C44H21D5N2S=619.8)
P1-11 m/z=619.21(C44H21D5N2S=619.8) P1-12 m/z=623.24(C44H17D9N2S=623.82)
P1-13 m/z=694.24(C50H26D4N2S=694.89) P1-14 m/z=683.29(C50H21D9N2O=683.86)
P1-15 m/z=699.27(C50H21D9N2S=699.92) P1-16 m/z=679.27(C50H25D5N2O=679.83)
P1-17 m/z=733.31(C54H23D9N2O=733.92) P1-18 m/z=728.28(C54H28D4N2O=728.89)
P1-19 m/z=727.27(C54H29D3N2O=727.88) P1-20 m/z=770.27(C56H30D4N2S=770.99)
P1-21 m/z=678.26(C50H26D4N2O=678.83) P1-22 m/z=745.26(C54H27D5N2S=745.95)
P1-23 m/z=805.31(C60H31D5N2O=805.99) P1-24 m/z=745.26(C54H27D5N2S=745.95)
P1-25 m/z=854.32(C64H34D4N2O=855.05) P1-26 m/z=720.4(C50D30N2S=721.05)
P1-27 m/z=805.31(C60H31D5N2O=805.99) P1-28 m/z=804.31(C60H32D4N2O=804.99)
P1-29 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74) P1-30 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74)
P1-31 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74) P1-32 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74)
P1-33 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74) P1-34 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74)
P1-35 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74) P1-36 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74)
P1-37 m/z=619.21(C44H21D5N2S=619.8) P1-38 m/z=619.21(C44H21D5N2S=619.8)
P1-39 m/z=619.21(C44H21D5N2S=619.8) P1-40 m/z=619.21(C44H21D5N2S=619.8)
P1-41 m/z=678.26(C50H26D4N2O=678.83) P1-42 m/z=657.28(C48H19D9N2O=657.82)
P1-43 m/z=671.24(C48H21D7N2S=671.87) P1-44 m/z=745.26(C54H27D5N2S=745.95)
P1-45 m/z=679.27(C50H25D5N2O=679.83) P1-46 m/z=825.32(C60H27D9N2S=826.08)
P1-47 m/z=797.29(C58H27D7N2S=798.03) P1-48 m/z=804.31(C60H32D4N2O=804.99)
P1-49 m/z=820.29(C60H32D4N2S=821.05) P1-50 m/z=753.29(C56H31D3N2O=753.92)
P1-51 m/z=679.27(C50H25D5N2O=679.83) P1-52 m/z=693.23(C50H27D3N2S=693.88)
P1-53 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74) P1-54 m/z=624.37(C44D26N2O=624.86)
P1-55 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74) P1-56 m/z=684.3(C50H20D10N2O=684.86)
P1-57 m/z=653.25(C48H23D5N2O=653.8) P1-58 m/z=753.37(C55H27D11N2O=753.99)
P1-59 m/z=728.28(C54H28D4N2O=728.89) P1-60 m/z=729.28(C54H27D5N2O=729.89)
P1-61 m/z=612.29(C44H12D14N2O=612.79) P1-62 m/z=628.27(C44H12D14N2S=628.85)
P1-63 m/z=707.32(C50H13D17N2S=707.97) P1-64 m/z=692.35(C50H12D18N2O=692.91)
P1-65 m/z=697.21(C44H12D9F5N2O=697.71) P1-66 m/z=869.28(C56H16D13F5N2S=869.99)
P1-67 m/z=817.2(C51H22D3F7N2O=817.78) P1-68 m/z=771.28(C56H29D5N2S=771.99)
P2-1 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74) P2-2 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74)
P2-3 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74) P2-4 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74)
P2-5 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74) P2-6 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74)
P2-7 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74) P2-8 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74)
P2-9 m/z=619.21(C44H21D5N2S=619.8) P2-10 m/z=619.21(C44H21D5N2S=619.8)
P2-11 m/z=619.21(C44H21D5N2S=619.8) P2-12 m/z=623.24(C44H17D9N2S=623.82)
P2-13 m/z=678.26(C50H26D4N2O=678.83) P2-14 m/z=677.25(C50H27D3N2O=677.82)
P2-15 m/z=683.29(C50H21D9N2O=683.86) P2-16 m/z=655.26(C48H21D7N2O=655.81)
P2-17 m/z=729.28(C54H27D5N2O=729.89) P2-18 m/z=694.24(C50H26D4N2S=694.89)
P2-19 m/z=733.31(C54H23D9N2O=733.92) P2-20 m/z=775.3(C56H25D9N2S=776.02)
P2-21 m/z=771.28(C56H29D5N2S=771.99) P2-22 m/z=678.26(C50H26D4N2O=678.83)
P2-23 m/z=693.23(C50H27D3N2S=693.88) P2-24 m/z=733.31(C54H23D9N2O=733.92)
P2-25 m/z=804.31(C60H32D4N2O=804.99) P2-26 m/z=704.42(C50D30N2O=704.99)
P2-27 m/z=865.4(C64H35D9N2O=866.12) P2-28 m/z=803.3(C60H33D3N2O=803.98)
P2-29 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74) P2-30 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74)
P2-31 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74) P2-32 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74)
P2-33 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74) P2-34 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74)
P2-35 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74) P2-36 m/z=603.24(C44H21D5N2O=603.74)
P2-37 m/z=619.21(C44H21D5N2S=619.8) P2-38 m/z=623.24(C44H17D9N2S=623.82)
P2-39 m/z=619.21(C44H21D5N2S=619.8) P2-40 m/z=619.21(C44H21D5N2S=619.8)
P2-41 m/z=699.27(C50H21D9N2S=699.92) P2-42 m/z=677.25(C50H27D3N2O=677.82)
P2-43 m/z=699.27(C50H21D9N2S=699.92) P2-44 m/z=711.24(C50H21D7N2OS=711.89)
P2-45 m/z=727.27(C54H29D3N2O=727.88) P2-46 m/z=745.26(C54H27D5N2S=745.95)
P2-47 m/z=733.31(C54H23D9N2O=733.92) P2-48 m/z=755.3(C56H29D5N2O=755.93)
P2-49 m/z=749.29(C54H23D9N2S=749.98) P2-50 m/z=695.24(C50H25D5N2S=695.89)
P2-51 m/z=693.23(C50H27D3N2S=693.88) P2-52 m/z=679.27(C50H25D5N2O=679.83)
P2-53 m/z=850.3(C64H38N2O=851.02) P2-54 m/z=720.4(C50D30N2S=721.05)
P2-55 m/z=853.32(C64H35D3N2O=854.04) P2-56 m/z=825.32(C60H27D9N2S=826.08)
P2-57 m/z=735.32(C54H21D11N2O=735.93) P2-58 m/z=804.31(C60H32D4N2O=804.99)
P2-59 m/z=930.35(C70H38D4N2O=931.14) P2-60 m/z=777.29(C58H31D3N2O=777.94)
P2-61 m/z=612.29(C44H12D14N2O=612.79) P2-62 m/z=708.33(C50H12D18N2S=708.97)
P2-63 m/z=628.27(C44H12D14N2S=628.85) P2-64 m/z=682.29(C50H22D8N2O=682.85)
P2-65 m/z=773.25(C50H16D9F5N2O=773.81) P2-66 m/z=784.19(C50H21D4F5N2S=784.84)
P2-67 m/z=785.2(C50H20D5F5N2S=785.85) P2-68 m/z=772.24(C50H17D8F5N2O=772.8)
유기전기소자의 제조평가
(실시예 1) 적색 유기발광소자(인광호스트)
본 발명의 화합물을 발광 호스트 물질로 사용하여 통상적인 방법에 따라 유기전기 발광소자를 제작하였다.
먼저, 유리 기판에 형성된 ITO층(양극) 상에 N1-(naphthalen-2-yl)-N4,N4-bis(4-(naphthalen-2-yl(phenyl)amino)phenyl)-N1-phenylbenzene-1,4-diamine (이하, 2-TNATA로 약기함)를 60nm 두께로 진공증착하여 정공주입층을 형성하였다.
상기 정공주입층 위에 정공수송 화합물로서 4,4-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl (이하 NPD로 약기함)을 60nm 두께로 진공증착하여 정공수송층을 형성하였다.
상기 정공수송층 상부에 발광보조층 재료로서 tris(4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)amine (이하, TCTA로 약기함)를 20nm 두께로 진공증착하여 발광보조층을 형성하였다.
상기 발광보조층 상부에 호스트로서는 하기 화합물 C-1을 제1 호스트 화합물로서 그리고 화학식 (1)로 표시되는 본발명의 화합물 P1-1을 제2 호스트 화합물로서 중량비 (5:5)로 사용하고, 도판트 물질로서 (piq)2Ir(acac)를 사용하며, 호스트:도판트를 95:5 중량비로 도핑하여 30nm 두께로 발광층을 증착하였다.
<화합물 C-1> <화합물 C-2>
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000060
상기 발광층 상에 (1,1'-biphenyl-4-olato)bis(2-methyl-8-quinolinolato)aluminum (이하 BAlq로 약기함)을 10nm 두께로 진공증착하여 정공저지층을 형성하였다.
상기 정공저지층 상에 bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)beryllium (이하, BeBq2로 약기함)을 25nm 두께로 진공증착하여 전자수송층을 형성하였다.
이후, 할로젠화 알칼리 금속인 LiF를 0.2nm 두께로 증착하여 전자주입층을 형성하고, 이어서 Al을 150nm의 두께로 증착하여 음극을 형성함으로써 유기전기발광소자를 제조하였다.
(실시예 2) 내지 (실시예 50)
상기 발광층의 호스트 물질로 본 발명의 화합물 P1-1 대신 하기 표 4에 기재된 본 발명의 화합물을 사용한 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기전기 발광소자를 제작하였다.
(비교예 1) 내지 (비교예 4)
상기 발광층의 호스트 물질로 본 발명의 화합물 P1-1 대신 하기 비교화합물 A 내지 비교화합물 D를 사용한 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제작하였다.
<비교화합물 A> <비교화합물 B>
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000061
<비교화합물 C> <비교화합물 D>
Figure PCTKR2023006387-appb-img-000062
상기 실시예 1~50 및 비교예 1~4에 따라 제조된 유기 전기발광 소자들에 순바이어스 직류전압을 가하여 포토리서치(photoresearch)사의 PR-650으로 전기발광(EL) 특성을 측정하였으며, 2500cd/m2 기준 휘도에서 맥사이언스사에서 제조된 수명 측정 장비를 통해 T95 수명을 측정하였다. 하기 표 4는 상기 제조된 소자 및 평가 결과를 나타낸다.
제 1 화합물 제 2 화합물 구동전압
(V) 		전류
(mA/cm2) 		휘도
(cd/m2) 		효율
(cd/A) 		T(95)
비교예1 화합물 (C-1) 비교화합물A 5.2 8.9 2500 28.1 105.2
비교예2 화합물 (C-1) 비교화합물B 5.2 8.8 2500 28.4 107.1
비교예3 화합물 (C-1) 비교화합물C 5.1 9.0 2500 27.8 104.7
비교예4 화합물 (C-1) 비교화합물D 5.4 9.2 2500 27.2 102.5
실시예1 화합물 (C-1) 화합물 (P1-1) 4.8 7.9 2500 31.6 131.0
실시예2 화합물 (C-1) 화합물 (P1-2) 4.7 7.5 2500 33.2 136.0
실시예3 화합물 (C-1) 화합물 (P1-6) 4.6 7.8 2500 32.1 138.9
실시예4 화합물 (C-1) 화합물 (P1-7) 4.7 7.9 2500 31.7 137.7
실시예5 화합물 (C-1) 화합물 (P1-11) 4.6 8.1 2500 31.0 136.0
실시예6 화합물 (C-1) 화합물 (P1-12) 4.6 7.7 2500 32.4 133.2
실시예7 화합물 (C-1) 화합물 (P1-21) 4.7 7.8 2500 32.2 132.2
실시예8 화합물 (C-1) 화합물 (P1-26) 4.7 7.6 2500 33.1 129.8
실시예9 화합물 (C-1) 화합물 (P1-34) 4.6 8.2 2500 30.5 134.5
실시예10 화합물 (C-1) 화합물 (P1-35) 4.6 8.3 2500 30.0 132.4
실시예11 화합물 (C-1) 화합물 (P1-42) 4.7 7.7 2500 32.5 125.7
실시예12 화합물 (C-1) 화합물 (P1-57) 4.7 7.9 2500 31.5 128.6
실시예13 화합물 (C-1) 화합물 (P1-61) 4.7 7.3 2500 34.1 135.8
실시예14 화합물 (C-1) 화합물 (P1-65) 4.7 7.7 2500 32.5 133.5
실시예15 화합물 (C-1) 화합물 (P2-3) 4.9 7.1 2500 35.0 125.7
실시예16 화합물 (C-1) 화합물 (P2-4) 4.9 7.3 2500 34.1 123.2
실시예17 화합물 (C-1) 화합물 (P2-20) 4.8 7.4 2500 34.0 122.6
실시예18 화합물 (C-1) 화합물 (P2-21) 4.8 7.8 2500 32.2 124.1
실시예19 화합물 (C-1) 화합물 (P2-35) 4.7 7.8 2500 32.0 124.3
실시예20 화합물 (C-1) 화합물 (P2-38) 4.8 7.4 2500 33.8 115.1
실시예21 화합물 (C-1) 화합물 (P2-44) 4.8 7.8 2500 32.0 117.7
실시예22 화합물 (C-1) 화합물 (P2-50) 4.7 7.8 2500 32.2 117.2
실시예23 화합물 (C-1) 화합물 (P2-52) 4.7 7.9 2500 31.6 123.1
실시예24 화합물 (C-1) 화합물 (P2-57) 4.9 7.3 2500 34.4 121.2
실시예25 화합물 (C-1) 화합물 (P2-61) 4.9 6.9 2500 36.3 126.0
실시예26 화합물 (C-2) 화합물 (P1-1) 4.8 7.8 2500 31.9 133.2
실시예27 화합물 (C-2) 화합물 (P1-2) 4.7 7.4 2500 33.7 138.0
실시예28 화합물 (C-2) 화합물 (P1-6) 4.6 7.7 2500 32.4 143.3
실시예29 화합물 (C-2) 화합물 (P1-7) 4.7 7.8 2500 32.1 141.8
실시예30 화합물 (C-2) 화합물 (P1-11) 4.6 8.0 2500 31.3 138.9
실시예31 화합물 (C-2) 화합물 (P1-12) 4.6 7.7 2500 32.5 135.9
실시예32 화합물 (C-2) 화합물 (P1-21) 4.7 7.7 2500 32.6 135.1
실시예33 화합물 (C-2) 화합물 (P1-26) 4.7 7.5 2500 33.4 133.0
실시예34 화합물 (C-2) 화합물 (P1-34) 4.5 8.1 2500 30.7 136.7
실시예35 화합물 (C-2) 화합물 (P1-35) 4.6 8.2 2500 30.6 136.0
실시예36 화합물 (C-2) 화합물 (P1-42) 4.7 7.7 2500 32.5 127.7
실시예37 화합물 (C-2) 화합물 (P1-57) 4.7 7.9 2500 31.7 131.4
실시예38 화합물 (C-2) 화합물 (P1-61) 4.7 7.2 2500 34.5 139.0
실시예39 화합물 (C-2) 화합물 (P1-65) 4.7 7.6 2500 32.9 136.8
실시예40 화합물 (C-2) 화합물 (P2-3) 4.8 7.1 2500 35.4 128.1
실시예41 화합물 (C-2) 화합물 (P2-4) 4.9 7.3 2500 34.4 125.6
실시예42 화합물 (C-2) 화합물 (P2-20) 4.8 7.3 2500 34.4 125.3
실시예43 화합물 (C-2) 화합물 (P2-21) 4.8 7.6 2500 32.7 127.2
실시예44 화합물 (C-2) 화합물 (P2-35) 4.7 7.7 2500 32.3 126.5
실시예45 화합물 (C-2) 화합물 (P2-38) 4.7 7.3 2500 34.2 117.7
실시예46 화합물 (C-2) 화합물 (P2-44) 4.8 7.7 2500 32.3 119.1
실시예47 화합물 (C-2) 화합물 (P2-50) 4.7 7.7 2500 32.5 120.1
실시예48 화합물 (C-2) 화합물 (P2-52) 4.7 7.8 2500 32.1 125.4
실시예49 화합물 (C-2) 화합물 (P2-57) 4.9 7.2 2500 34.6 124.8
실시예50 화합물 (C-2) 화합물 (P2-61) 4.8 6.8 2500 36.7 128.8
상기 표 4에서 볼 수 있듯이, 본 발명의 화합물을 발광층 호스트 재료로 사용할 경우, 비교화합물 A 내지 비교화합물 D를 사용한 경우에 비해 구동전압이 낮아지고 효율 및 수명이 현저히 개선되는 것을 확인할 수 있다.
하기 표 5는 비교화합물 C와 본 발명의 화합물 P1-12의 물성을 나타낸 것이다.
비교화합물 C P1-12
HOMO (eV) -4.90 -4.83
LUMO (eV) -1.69 -1.39
상기 표 5를 살펴보면, 비교화합물 C와 본 발명의 화합물 P1-12를 비교할 경우, 코어 및 치환기가 변경됨에 따라 화합물의 물성이 달라지는 것을 볼 수 있다. 본 발명의 화합물 P1-12의 경우 비교화합물 C와 비교하여 HOMO가 얕은(Shallow) 것을 확인할 수 있고, LUMO 역시 얕은 것을 확인할 수 있다. 본 발명의 화합물 P1-12와 같이 HOMO가 얕으면 정공수송대역에서 전달되는 정공을 호스트로 더 잘 이동시킬 수 있고, 반대로 LUMO가 얕음에 따라 호스트의 전자가 정공수송대역으로 전달되는 것을 더 잘 막아주는 것으로 보인다.
즉, 다시말해, 화합물의 코어 및 치환기가 변경됨에 따라 에너지레벨의 값이 달라지게 되고 화합물의 물성이 달라지게 된다. 따라서, 화합물의 물성이 달라짐에 따라 발광층 내의 정공과 전자의 비율이 높아지게 되며, 그로 인해 전하밸런스가 증가되면서 발광층 내부에서 발광이 잘 이루어지게 되고, 소자의 구동전압, 효율 및 수명이 개선되는 것으로 판단되며, 이러한 점이 소자 증착시 소자 성능 향상에 주요 인자로 작용하는 것으로 판단된다.
이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다른 화합물을 포함하여 성능을 개선시키는 방법 등 다양한 변형이 가능할 것이다.
따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내의 모든 기술은 본 발명의 권리범위에 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.
(부호의 설명)
100, 200, 300: 유기전기소자 110: 제1 전극
120: 정공주입층 130: 정공수송층
140: 발광층 150: 전자수송층
160: 전자주입층 170: 제2 전극
180: 캡핑층 210: 버퍼층
220: 발광보조층 320: 제1 정공주입층
330: 제1 정공수송층 340: 제1 발광층
350: 제1 전자수송층 360: 제1 전하생성층
361: 제2 전하생성층 420: 제2 정공주입층
430: 제2 정공수송층 440: 제2 발광층
450: 제2 전자수송층 CGL: 전하생성층
ST1: 제1 스택 ST2: 제2 스택
본 발명은 소자의 구동전압을 낮추고, 소자의 발광효율 및 수명을 향상시킬 수 있는 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 상기 유기전기소자를 포함하는 전자장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

Claims (19)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
    <화학식 1>
    Figure PCTKR2023006387-appb-img-000063
    <화학식 A> <화학식 B>
    Figure PCTKR2023006387-appb-img-000064
    상기 화학식 1에서,
    1) 화학식 1의 *a는 화학식 A 또는 화학식 B의 *c와 결합하고, 화학식1의 *b는 화학식 A 또는 화학식 B의 *d와 결합하며,
    2) R1~R3은 서로 독립적으로 수소 또는 중수소이고,
    3) a는 0~6의 정수이고; b는 0~2의 정수이고; c는 0~4의 정수이며,
    4) L1 및 L2는 서로 독립적으로 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C2~C60의 헤테로고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며,
    5) Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며,
    6) L1, L2, Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나는 중수소를 포함하고,
    7) Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나는 화학식 2 또는 화학식 3이며,
    <화학식 2> <화학식 3>
    Figure PCTKR2023006387-appb-img-000065
    상기 화학식 2 또는 화학식 3에서,
    7-1) X는 O 또는 S이고,
    7-2) R4 및 R5는 서로 독립적으로 수소; 중수소, 삼중수소; 할로겐; 시아노기; 니트로기; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며,
    7-3) d는 0~6의 정수이고; e는 0~3의 정수이며,
    8) 상기 R4~R5, L1~L2 및 Ar1~Ar2는 각각 중수소; 할로겐; C1~C30의 알킬기 또는 C6~C30의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 아미노기; 니트로기; C1~C30의 알킬싸이오기; C1~C30의 알콕시기; C6~C30의 아릴알콕시기; C1~C30의 알킬기; C2~C30의 알켄일기; C2~C30의 알킨일기; C6~C30의 아릴기; 중수소로 치환된 C6~C30의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C30의 헤테로고리기; C3~C30의 지방족고리기; C7~C30의 아릴알킬기; C8~C30의 아릴알켄일기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더 치환될 수 있고, 인접한 치환기끼리 고리를 형성할 수 있다.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1이 하기 화학식 1-1 또는 화학식 1-2로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물:
    <화학식 1-1> <화학식 1-2>
    Figure PCTKR2023006387-appb-img-000066
    상기 화학식 1-1 또는 화학식 1-2에서,
    상기 R1, R2, R3, L1, L2, Ar1, Ar2, a, b 및 c는 상기 제1항에서 정의된 바와 같다.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 화학식 2가 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-4 중 어느 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물:
    <화학식 2-1> <화학식 2-2> <화학식 2-3> <화학식 2-4>
    Figure PCTKR2023006387-appb-img-000067
    상기 화학식 2-1 내지 화학식 2-4에서,
    상기 R4, R5, X, d, e는 상기 제1항에서 정의된 바와 같다.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 화학식 3이 하기 화학식 3-1 내지 화학식 3-4 중 어느 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물:
    <화학식 3-1> <화학식 3-2> <화학식 3-3> <화학식 3-4>
    Figure PCTKR2023006387-appb-img-000068
    상기 화학식 3-1 내지 화학식 3-4에서,
    상기 R4, R5, X, d, e는 상기 제1항에서 정의된 바와 같다.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1의 L1 또는 L2가 서로 독립적으로 하기 화학식 L-1 내지 화학식 L-3 중 어느 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물:
    <화학식 L-1> <화학식 L-2> <화학식 L-3>
    Figure PCTKR2023006387-appb-img-000069
    상기 화학식 L-1 내지 화학식 L-3에서,
    1) R6~R9는 서로 독립적으로 중수소; 할로겐; C1~C30의 알킬기 또는 C6~C30의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 아미노기; 니트로기; C1~C30의 알킬싸이오기; C1~C30의 알콕시기; C6~C30의 아릴알콕시기; C1~C30의 알킬기; C2~C30의 알켄일기; C2~C30의 알킨일기; C6~C30의 아릴기; 중수소로 치환된 C6~C30의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C30의 헤테로고리기; C3~C30의 지방족고리기; C7~C30의 아릴알킬기; C8~C30의 아릴알켄일기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되거나; 또는 인접한 치환기끼리 고리를 형성할 수 있으며,
    2) f, g 및 h는 서로 독립적으로 0~4의 정수이고; i는 0~6의 정수이며,
    3) * 표시는 화학식 1의 N과 결합하는 부분이고; *2 표시는 화학식 1의 Ar1 또는 Ar2와 결합하는 부분이다.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1의 -L1-Ar1에 중수소를 반드시 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1의 -L2-Ar2에 중수소를 반드시 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1의 -L1-Ar1 및 -L2-Ar2에 중수소를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1의 Ar2가 화학식 2 또는 화학식 3인 것을 특징으로 하는 화합물.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 화학식 2 또는 화학식 3의 R4 및 R5 중 적어도 하나가 중수소인 것을 특징으로 하는 화합물.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 P1-1 내지 P1-68 및 P2-1 내지 P2-68 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 화합물:
    Figure PCTKR2023006387-appb-img-000070
    Figure PCTKR2023006387-appb-img-000071
    Figure PCTKR2023006387-appb-img-000072
    Figure PCTKR2023006387-appb-img-000073
    Figure PCTKR2023006387-appb-img-000074
    Figure PCTKR2023006387-appb-img-000075
    Figure PCTKR2023006387-appb-img-000076
    Figure PCTKR2023006387-appb-img-000077
  12. 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성된 유기물층을 포함하고,
    상기 유기물층은 제1항의 화학식 1로 표시되는 화합물을 단독 또는 혼합하여 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
  13. 제1 전극; 제2 전극; 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성된 유기물층; 및 캡핑층을 포함하는 유기전기소자에 있어서,
    상기 캡핑층은 상기 제1 전극 및 제2 전극의 양면 중에서 상기 유기물층과 접하지 않는 일면에 형성되며,
    상기 유기물층 또는 캡핑층은 제1항의 화학식 1로 표시되는 화합물을 단독 또는 혼합하여 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
  14. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광보조층, 발광층, 전자수송보조층, 전자수송층 및 전자주입층 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 유기물층은 상기 정공수송층, 발광보조층 및 발광층 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
  16. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 유기물층은 상기 양극 상에 순차적으로 형성된 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 스택을 둘 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 유기물층은 상기 둘 이상의 스택 사이에 형성된 전하생성층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
  18. 제 12 항 또는 제 13 항의 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치; 및 상기 디스플레이장치를 구동하는 제어부;를 포함하는 전자장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 유기전기소자는 유기전기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체, 유기트랜지스터, 단색 조명용 소자 및 퀀텀닷 디스플레이용 소자로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20190034074A (ko) * 2017-09-22 2019-04-01 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20200026083A (ko) * 2018-08-29 2020-03-10 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20210083190A (ko) * 2019-12-26 2021-07-06 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자, 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물 및 유기 발광 소자의 제조 방법
KR102303190B1 (ko) * 2021-08-05 2021-09-17 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR20210115968A (ko) * 2020-03-17 2021-09-27 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190034074A (ko) * 2017-09-22 2019-04-01 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20200026083A (ko) * 2018-08-29 2020-03-10 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20210083190A (ko) * 2019-12-26 2021-07-06 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자, 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물 및 유기 발광 소자의 제조 방법
KR20210115968A (ko) * 2020-03-17 2021-09-27 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR102303190B1 (ko) * 2021-08-05 2021-09-17 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치

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