WO2023042738A1 - 基板塗布装置および基板塗布方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、スリットノズル（２）を基板（Ｗ）に対して相対移動させつつスリットノズルから処理液を吐出することで、基板に処理液を塗布する基板塗布技術に関するものである。スリットノズルの吐出口が塗布方向における基板の終端領域の上方を通過するときの塗布速度を終端塗布速度とし、上記吐出口が塗布方向において終端領域よりも上流側に位置する終端前領域の上方を通過するときの塗布速度を終端前塗布速度とすると、本発明では、終端塗布速度が終端前塗布速度よりも増大される。このため、終端領域で吐出口と基板との間に形成される処理液のメニスカスが理想的な膜厚で塗布する際のものに近づき、終端領域での処理液の過剰供給を防止する。

Description

基板塗布装置および基板塗布方法

　この発明は、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等のＦＰＤ用ガラス基板、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、カラーフィルター用基板、記録ディスク用基板、太陽電池用基板、電子ペーパー用基板等の精密電子装置用基板、半導体パッケージ用基板（以下、単に「基板」と称する）にスリットノズルから処理液を供給して塗布する基板塗布技術に関するものである。

　以下に示す日本出願の明細書、図面および特許請求の範囲における開示内容は、参照によりその全内容が本書に組み入れられる：
　特願２０２１－１５０２６６（２０２１年９月１５日出願）。

　スリットノズルを基板に対して相対移動させつつスリットノズルから処理液を吐出することで、基板に処理液を塗布する基板塗布装置が知られている。その中でも、塗布対象を矩形形状の基板に限定せず、例えば円形形状の半導体ウエハにも処理液を塗布可能な基板塗布装置が提案されている。その代表的なものとして、キャピラリー方式の基板塗布装置（特許文献１参照）が知られている。

特許第６２７２１３８号

　上記した従来装置により、例えば半導体ウエハに処理液を塗布する場合、次のような問題が発生する。これらの装置では、基板の表面に沿って移動しているスリットノズルの位置に応じて吐出口から供給される処理液の接液範囲（後で説明する実施形態中の「重複範囲」に相当）が連続的に変化する。より詳しくは、後で説明する図２や図６に示すように、塗布開始直後から接液範囲は徐々に広がり、基板の中央部に差し掛かったところで最大となる。それを通過すると、接液範囲は徐々に狭まっていく。そして、スリットノズルの移動方向（本発明の「塗布方向」の一例に相当）において半導体ウエハの終端領域の上方をスリットノズルが通過した段階で塗布処理が完了し、スリットノズルが基板から離れる。このとき、スリットノズルが終端領域を通過している間、後で説明する図３に示すように、液縮みが追従し切りなくなる。つまり、スリットノズルの吐出口と基板との間に存在する処理液が過剰となる。そして、この状態でスリットノズルが基板から離れる際に、残余していた処理液の多くが基板側に残る。その結果、終端領域で膜厚不良が発生し、塗布処理後に実行される処理液による処理において悪影響を及ぼすことがある。

　この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板の終端領域での処理液の過剰供給を防止し、処理液を基板の表面に均一に塗布することができる基板塗布装置および基板塗布方法を提供することを目的としている。

　本発明の一態様は、基板の表面に処理液を塗布する基板塗布装置であって、基板の表面の上方側より、スリット状の吐出口から処理液を基板の表面に供給するスリットノズルと、吐出口を基板の表面に対向させたスリットノズルを基板に対して塗布方向に相対的に移動させる移動部と、移動部を制御してスリットノズルから基板の表面への処理液の塗布速度を変更させる制御部と、を備え、吐出口が塗布方向における基板の終端領域の上方を通過するときの塗布速度を終端塗布速度とし、吐出口が塗布方向において終端領域よりも上流側に位置する終端前領域の上方を通過するときの塗布速度を終端前塗布速度とすると、制御部は、終端塗布速度を終端前塗布速度よりも増大させることを特徴としている。

　また、本発明の他の態様は、基板の表面の上方側に配置されたスリットノズルの吐出口から処理液を基板の表面に供給しながら、スリットノズルを基板に対して塗布方向に相対的に移動させることで基板の表面に処理液を塗布する基板塗布方法であって、吐出口が塗布方向における基板の終端領域の上方を通過している間に、処理液を終端領域に塗布する終端塗布工程と、吐出口が塗布方向において終端領域よりも上流側に位置する終端前領域の上方を通過している間に、処理液を終端領域に塗布する終端前塗布工程と、を備え、終端塗布工程での塗布の速度を、終端前塗布工程での塗布の速度よりも増大させることを特徴としている。

　このように構成された発明では、基板の表面のうち塗布方向において終端領域よりも上流側に位置する終端前領域については、基板の表面の上方側に配置されたスリットノズルの吐出口から処理液を基板の表面に供給しながら、スリットノズルを基板に対して塗布方向に相対的に移動させることで終端前領域に処理液を塗布する。その終端前領域に続く終端領域に処理液をスリットノズルの吐出口から供給しながら、スリットノズルを基板に対して塗布方向に相対的に移動させる。ここで、従来技術と同様に、塗布の速度を変化させることなく、終端領域への処理液の塗布が実行されると、後で詳述するように、終端領域で吐出口と基板との間に形成される処理液のメニスカスが理想的な膜厚で塗布する際のものから吐出口の延設方向（塗布方向と直交する方向）に広がる。つまり、過剰な処理液が基板と吐出口との間に存在してしまい、これが終端領域での膜厚不良の発生要因となっていた。そこで、本発明では、終端領域に対する塗布の速度を終端前領域に対する塗布の速度よりも増大させており、これによって、上記メニスカスが理想的な膜厚で塗布する際のものに近づく。その結果、終端領域に適切な量の処理液が供給され、膜厚不良が防止される。

　以上のように、本発明によれば、基板の終端領域での処理液の過剰供給が防止される。その結果、処理液を基板の表面に均一に塗布することができる。

　上述した本発明の各態様の有する複数の構成要素はすべてが必須のものではなく、上述の課題の一部又は全部を解決するため、あるいは、本明細書に記載された効果の一部又は全部を達成するために、適宜、前記複数の構成要素の一部の構成要素について、その変更、削除、新たな他の構成要素との差し替え、限定内容の一部削除を行うことが可能である。また、上述の課題の一部又は全部を解決するため、あるいは、本明細書に記載された効果の一部又は全部を達成するために、上述した本発明の一態様に含まれる技術的特徴の一部又は全部を上述した本発明の他の態様に含まれる技術的特徴の一部又は全部と組み合わせて、本発明の独立した一形態とすることも可能である。

本発明に係る基板塗布方法の第１実施形態を適用可能な基板処理装置の一例を示す図である。 図１Ａに示す基板塗布装置の電気的な構成を示すブロック図である。 従来の基板塗布方法の一例および当該基板塗布方法を図１Ａおよび図１Ｂに示す基板処理装置に適用したときの塗布処理を模式的に示した図である。 従来の基板塗布方法において終端領域で膜厚が不均一となる理由を説明するための図である。 終端領域での塗布処理において発生るメニスカスの一例を模式的に示す図である。 塗布速度に応じた終端領域での膜厚の変動を示すグラフである。 本発明に係る基板塗布方法の第１実施形態および第２実施形態を示す図である。

　図１Ａは、本発明に係る基板塗布方法の第１実施形態を適用可能な基板塗布装置の構成を示す図である。また、図１Ｂは、図１Ａに示す基板塗布装置の電気的な構成を示すブロック図である。この基板塗布装置１００は、半導体ウエハなどの略円盤形状の基板Ｗの表面Ｗｆに処理液を、いわゆるキャピラリー方式で塗布するものである。なお、図１Ａには、塗布ユニットの各部の方向関係を明確にするためＺ方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を適宜付している。また、理解容易の目的で、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。

　基板塗布装置１００は、スリットノズル２を用いて基板Ｗの表面Ｗfに処理液を塗布するスリットコータと呼ばれる装置である。処理液としては、例えばレジスト液、カラーフィルター用液、ポリイミド、シリコン、ナノメタルインク、導電性材料を含むスラリー等が含まれる。この基板塗布装置１００は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持可能なステージ１と、ステージ１に保持される基板Ｗに処理液を吐出するスリットノズル２と、スリットノズル２に処理液を供給する処理液供給部３と、基板Ｗに対してスリットノズル２をＹ方向に移動させるノズル移動機構４と、装置全体を制御する制御部５とを備えている。

　ステージ１は略直方体の形状を有する花崗岩等の石材で構成されており、その表面（＋Ｚ側）のうち（＋Ｙ）側には、略水平な平坦面に加工されて基板Ｗを保持する保持面１１を有する。保持面１１には図示しない多数の真空吸着口が分散して形成されている。これらの真空吸着口により基板Ｗが吸着されることで、塗布処理の際に基板Ｗが所定の位置に略水平に保持される。なお、基板Ｗの保持態様はこれに限定されるものではなく、例えば機械的に基板Ｗを保持するように構成してもよい。

　スリットノズル２はＸ方向に延びるスリット状の吐出口２１（図２）を有している。このスリットノズル２には、処理液供給部３が接続されている。本実施形態では、基板Ｗが略円形の半導体ウエハであることから、特許文献１に記載の装置と同様に、キャピラリー方式を採用している。つまり、吐出口２１を基板Ｗの表面Ｗfに近接させながらノズル移動機構４によりスリットノズル２を基板Ｗに対して相対的に（－Ｙ）方向側から（＋Ｙ）方向側に移動させる。この移動時に吐出口２１と基板Ｗとの間で発生する処理液（処理液のビード）の表面張力により吐出口２１から処理液が吐出される。このため、Ｘ方向に延設された吐出口２１のうち基板Ｗが対向する部位では処理液が吐出されるのに対し、基板Ｗが存在しない部位では処理液は吐出されない。このような吐出状態の変化がノズル移動機構４による基板Ｗに対するスリットノズル２のＹ方向移動に伴って発生する。こうして基板Ｗへの処理液の塗布が完了すると、スリットノズル２が基板Ｗから上方に離れた後で（＋Ｙ）方向側から（－Ｙ）方向側に戻る。

　ノズル移動機構４は、ステージ１の上方をＸ方向に横断しスリットノズル２を支持するブリッジ構造のノズル支持体４１と、ノズル支持体４１をＹ方向に水平移動させるノズル移動部４２とを有する。したがって、ノズル支持体４１に支持されたスリットノズル２をノズル移動部４２によってＹ方向に水平移動させることができる。このように、本実施形態では、ノズル移動機構４が本発明の「移動部」の一例に相当している。

　ノズル支持体４１は、スリットノズル２が固定された固定部材４１ａと、固定部材４１ａを支持しつつ昇降させる２つの昇降機構４１ｂとを有している。固定部材４１ａは、Ｘ方向を長手方向とする断面矩形の棒状部材であり、カーボンファイバ補強樹脂等で構成される。２つの昇降機構４１ｂは固定部材４１ａの長手方向の両端部に連結されており、それぞれＡＣサーボモータおよびボールネジ等を有する。これらの昇降機構４１ｂにより、固定部材４１ａとスリットノズル２とが一体的に鉛直方向（Ｚ方向）に昇降され、スリットノズル２の吐出口と基板Ｗの表面Ｗfとの間隔、すなわち、基板Ｗの表面Ｗfに対する吐出口の相対的な高さが調整される。なお、スリットノズル２のＺ方向の位置は、リニアエンコーダ（図示省略）により検出することができる。

　ノズル移動部４２は、スリットノズル２の移動をＹ方向に案内する２本のガイドレール４３と、駆動源である２個のリニアモータ４４と、スリットノズル２の吐出口の位置を検出するための２個のリニアエンコーダ４５とを備えている。

　２本のガイドレール４３は、基板Ｗの載置範囲をＸ方向から挟むようにステージ１のＸ方向の両端に配置されるとともに、基板Ｗの載置範囲を含むようにＹ方向に延設されている。そして、２つの昇降機構４１ｂの下端部のそれぞれが２本のガイドレール４３に沿って案内されることで、スリットノズル２がステージ１上に保持される基板Ｗの上方をＹ方向へ移動する。

　２個のリニアモータ４４のそれぞれは、固定子４４ａと移動子４４ｂとを有するＡＣコアレスリニアモータである。固定子４４ａは、ステージ１のＸ方向の両側面にＹ方向に沿って設けられている。一方、移動子４４ｂは、昇降機構４１ｂの外側に対して固設されている。リニアモータ４４は、これら固定子４４ａと移動子４４ｂとの間に生じる磁力によって、ノズル移動機構４の駆動源として機能する。

　また、２個のリニアエンコーダ４５のそれぞれは、スケール部４５ａと検出部４５ｂとを有している。スケール部４５ａはステージ１に固設されたリニアモータ４４の固定子４４ａの下部にＹ方向に沿って設けられている。一方、検出部４５ｂは、昇降機構４１ｂに固設されたリニアモータ４４の移動子４４ｂのさらに外側に固設され、スケール部４５ａに対向配置される。リニアエンコーダ４５は、スケール部４５ａと検出部４５ｂとの相対的な位置関係に基づいて、Ｙ方向（ノズル移動方向や相対移動方向に相当）におけるスリットノズル２の吐出口の位置を検出する。

　上記のように構成された基板塗布装置１００を制御するための制御部５は、図１Ｂに示すように、各種演算処理を行う演算部５１（例えば、ＣＰＵなど）、基本プログラムおよび各種情報を記憶する記憶部５２（例えば、ＲＯＭやＲＡＭなど）をバスラインに接続した一般的なコンピュータシステムの構成となっている。バスラインはさらに塗布プログラムなどの記憶を行う固定ディスク５３（例えば、ハードディスクドライブなど）が接続される。また、上記処理液供給部３、ノズル移動機構４および入力表示部６が適宜、インターフェイス（Ｉ／Ｆ）を介して接続される。入力表示部６は、各種情報を表示するとともに操作者からの入力を受け付け、例えばタッチパネルディスプレイで構成される。もちろん、入力表示部６の代わりに、各種情報を表示するディスプレイおよび操作者からの入力を受け付けるキーボードやマウスなどを用いてもよい。

　制御部５では、予め固定ディスク５３に記憶されている塗布プログラムが記憶部５２（例えば、ＲＡＭなど）にコピーされるとともに演算部５１が記憶部５２の塗布プログラムに従って演算処理を実行する。これにより、処理液供給部３の制御によって適当なタイミングでスリットノズル２の吐出口２１から処理液が吐出されるとともに、ノズル移動機構４の制御によってスリットノズル２が移動される。その結果、基板Ｗの表面Ｗfに処理液が所望の膜厚で塗布される。このように、制御部５の演算部５１は、処理液供給制御部５１１およびノズル移動制御部５１２として機能する。特に、ノズル移動制御部５１２は、次に詳述する解析結果に基づき、スリットノズル２のスキャン速度を制御する。より詳しくは、吐出口２１が塗布方向Ｙにおいて終端領域よりも上流側に位置する終端前領域の上方を通過して終端前塗布工程を実行するときのスキャン速度を終端前塗布速度とし、吐出口２１が塗布方向Ｙにおける基板Ｗの終端領域の上方を通過して終端塗布工程を実行するときのスキャン速度を終端塗布速度と定義すると、ノズル移動制御部５１２は、終端塗布速度を終端前塗布速度よりも増大させている。この終端領域での塗布速度の増速制御によって、処理液の膜厚均一性が高められている。

　ここでは、上記増速制御が優れている理由を説明するために、まず上記のように構成された基板塗布装置１００が従来技術と同様に、一定の塗布速度で塗布処理を実行した場合について、図２ないし図４を参照しつつ説明する。そのなかで、従来技術では、基板Ｗの終端領域で膜厚不良が発生する理由を考察するとともに、それを解消するための具体的な手段を説明する。その後で、基板塗布装置１００の具体的な動作について説明する。

　図２は、図１Ａおよび図１Ｂに示す基板塗布装置において従来技術と同様の塗布処理を行ったときの塗布状況を示す図である。同図の上段グラフは、基板Ｗに対するスリットノズル２の相対移動速度、つまりスキャン速度の制御パターンを示している。同図中の「上限塗布速度Ｖmax」とは、液切れ現象が発生し始めるスキャン速度を意味している。すなわち、吐出口２１から処理液を吐出させながらスリットノズル２のスキャン速度を徐々に高めていくと、低速状態では処理液を連続的に吐出口２１から吐出することができるものの、一定のスキャン速度を超えると、吐出口２１から処理液が不連続に供給されて塗布不良が発生する。この不連続吐出、つまり液切れ現象は発生し始める時点のスキャン速度が「上限塗布速度Ｖmax」に相当する。

　一方、図２の下段には、塗布処理の経過が模式的に示されている。同図中の（Ａ）～（Ｃ）欄は、スリットノズル２の吐出口２１が互いに異なる５つの位置ＳＬa～ＳＬeに位置した時点での、スリットノズル２、基板Ｗおよび処理液を上方、（＋Ｘ）方向および（＋Ｙ）方向から見た図を模式的に示している。これらのうち位置ＳＬaは基板Ｗの一方端の上方位置を示し、位置ＳＬeは位置ＳＬａから３００ｍｍ以上移動して基板Ｗの他方端の上方から塗布方向Ｙに離れた位置を示し、位置ＳＬb～ＳＬdは位置ＳＬa、ＳＬeの間の３つの移動位置を示している。また、括弧書き中の数字は、位置ＳＬaからの距離を示している。また、これらの図面では、処理液が塗布された領域がハッチングにより模式的に示されている。なお、これらの点については、後で説明する図６においても同様である。

　次に、基板塗布装置１００において、従来の塗布動作、例えば図２の上段に示すようにスリットノズル２を一定のスキャン速度Ｖc（＜上限塗布速度Ｖmax）で移動させつつ塗布処理を行うと、次のような問題が生じることがある。図示を省略する搬送ロボットにより基板Ｗが基板塗布装置１００に搬送されてくると、ステージ１の中央部からリフトピン（図示省略）が上昇して基板Ｗの裏面を支持する。これに続いて、搬送ロボットが基板塗布装置１００から後退する。これにより、リフトピンへの基板Ｗの受渡しが行われる。その後で、リフトピンがステージ１の内部に下降して基板Ｗがステージ１に載置されるとともに、図示を省略する吸着機構によりステージ１に保持される。

　基板塗布装置１００では、スリットノズル２が塗布処理に適した位置まで移動され、図２の「ＳＬa」欄に示すように塗布前位置にスリットノズル２が位置決めされる。そして、スリットノズル２が（＋Ｙ）方向に移動しながら処理液供給部３から供給される処理液を吐出口２１から吐出して処理液を基板Ｗの表面Ｗfに塗布する。吐出口２１と基板Ｗとの間で発生する処理液（処理液のビード）の表面張力により吐出口２１から処理液が吐出される。そして、スリットノズル２はスキャン速度Ｖｃまで加速された後で当該スキャン速度Ｖｃに維持しされたまま（＋Ｙ）方向に移動するが、スリットノズル２の移動に伴って吐出口２１と基板Ｗとの重複距離Ｌ、つまり処理液の吐出幅（接液範囲）は徐々に広がる。そして、スリットノズル２が基板Ｗの中央部に差し掛かった時点（位置ＳＬc）で最大となる。

　スリットノズル２が基板Ｗの中央部を通過し、さらに（＋Ｙ）方向に移動すると、重複距離Ｌ（処理液の吐出幅）は徐々に狭まり、基板Ｗの（＋Ｙ）方向側の端部、つまり終端領域で処理液の最後の塗布が行われる。当該端部からさらに（＋Ｙ）方向にスリットノズル２が移動して位置ＳＬeに位置した時点で、スリットノズル２の移動が停止される。ここで、終端領域におけるスリットノズル２と基板Ｗとの間には、例えば図３中のドットで模式的に示すように、過剰な処理液ＬＤが存在している。これは、終端領域での重複距離Ｌの変化速度が、塗布方向Ｙにおいて終端領域よりも上流側に位置する終端前領域、特に位置ＳＬcないし位置ＳＬdに相当する領域のそれよりも急激に高まることに起因すると考察することができる。この点について、図４を参照しつつ説明する。

　図４は、スキャン距離に対する重複距離および重複距離の変化速度を示すグラフである。ここで、「スキャン距離」とは、塗布方向Ｙにおける基板Ｗの一方端から距離、つまり位置ＳＬaからの移動距離を意味しており、同図の最上段に示すグラフ（スキャン距離に対する重複距離Ｌの変化を示すグラフ）で示される関数を微分することで重複距離の変化速度が得られる。この重複距離の変化速度に伴って基板Ｗに形成される処理液の膜厚が比例的に変化する。これらのグラフから明らかなように、重複距離Ｌは位置ＳＬaからの移動開始時点より急激に増加し、スキャン距離が基板サイズ（本実施形態では、３００ｍｍ）の半分の位置ＳＬcで最大となる。そして、スキャン距離がさらに大きくなる、つまりスリットノズル２が基板Ｗの終端領域の上方を移動する間に、重複距離Ｌは急激な変化速度で短くなっている。つまり、当該終端領域は、重複距離Ｌの減少率が指数関数的に増大する領域である。このため、吐出口２１に広がっていた処理液がスリットノズル２の本体（図示省略）内に戻りきれず、液縮みが良好に行われず、吐出口２１に処理液が残留してしまう。その結果、吐出口２１と基板Ｗとの間に存在する処理液により形成されるメニスカスが、本来的に予定していた膜厚で塗布するために理想的なメニスカスＭ0（同図中の１点鎖線）よりも幅方向（Ｘ方向）に拡張されたメニスカスＭ1（同図中の実線）となる。そして、スリットノズル２が基板Ｗから離れる際に、吐出口２１と基板Ｗとの間に残余していた処理液の多くが基板Ｗの終端領域に残留してしまう。その結果、例えば図２の「ＳＬe」欄に示すように、終端領域で膜厚不良ＮＧが発生し、塗布処理後に実行される処理液による処理において悪影響を及ぼすことがある。そこで、この課題を解消するために、本願発明者は種々の検証を行ったところ、終端領域での処理液の膜厚が塗布速度に応じて変化するといく特性（図５）を見出した。

　図５は、終端領域での塗布速度に対する処理液の膜厚の関係を示すグラフである。ここでは、基板Ｗをステージ１上に保持したままスリットノズル２をＹ方向に移動させることで塗布処理を行っており、同図中の「塗布速度」はＹ方向へのスリットノズル２のスキャン速度を意味している。同図に示すように、塗布速度（スキャン速度）が高まるにつれて処理液の膜厚は減少する。つまり、スリットノズル２の相対移動速度（スキャン速度）が増大するにしたがって基板Ｗの終端領域と吐出口２１との間に形成されるメニスカスがスキャン速度Ｖcで走査したときのメニスカスＭ1からメニスカスＭ0に近づくと考えられる。これによって、過剰な処理液が基板Ｗの終端領域と吐出口２１との間に残余するのを抑制することができる。そこで、本実施形態では、制御部５のノズル移動制御部５１２が図６の上段グラフに示す制御パターンでスリットノズル２の移動を制御している。

　図６は、本発明に係る基板塗布方法の第１実施形態を示す図である。この第１実施形態が従来技術と相違する点は、図６の上段グラフ中の実線で示すように、スリットノズル２の吐出口２１が基板Ｗの終端領域の上方を移動する際のスキャン速度をスキャン速度Ｖｃよりも高めている点であり、その他の構成は従来技術（図２）と同一である。第１実施形態では、図４の中段グラフ（スキャン距離に対する重複距離の変化速度の関係を示すグラフ）に基づいて重複距離の変化速度が急峻に変化する範囲、つまりスキャン距離が２８０ｍｍ以上の範囲を終端領域と定義している。そして、吐出口２１が基板Ｗの終端領域の上方に差し掛かった時点、つまりスキャン距離２８０ｍｍの位置ＳＬfよりノズル移動制御部５１２はスリットノズル２のスキャン速度をスキャン速度Ｖcから高め、終端領域での塗布速度（終端塗布速度）を塗布方向Ｙにおいて終端領域よりも上流側の終端前領域での塗布速度（終端前塗布速度）よりも増大させる。ただし、第１実施形態では、スキャン速度が上限塗布速度Ｖmaxを超えないように、ノズル移動制御部５１２はスリットノズル２の移動を規制している。

　以上のように、第１実施形態によれば、終端前領域に続く終端領域に処理液をスリットノズル２の吐出口２１から供給しながら、スリットノズル２の終端塗布速度を終端前塗布速度（スキャン速度Ｖc）よりも増大させている。このため、基板Ｗの終端領域と吐出口２１との間に形成される処理液のメニスカスが理想的な膜厚で塗布する際のもの（図３中のメニスカスＭ0）に近づく。その結果、終端領域にも適切な量の処理液を供給することができ、基板Ｗの全体に対して処理液を均一に塗布することができる。

　また、制御部５のノズル移動制御部５１２は、図６に示すように、吐出口２１が基板Ｗの終端領域の上方を通過した後の塗布速度を終端塗布速度より増大させている。しかも、処理液の供給中において、スキャン速度が上限塗布速度Ｖmaxを超えないように、ノズル移動制御部５１２はスリットノズル２のスキャン速度を制御している。したがって、塗布処理中に液切れが発生するのを効果的に防止することができ、塗布処理を良好に行うことができる。

　なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば第１実施形態では、図６中の実線で示す制御パターンに示すように、スリットノズル２のスキャン速度が常時、上限塗布速度Ｖmaxを下回っている。ここで、吐出口２１が基板Ｗの上方から塗布方向Ｙに移動して離れている間に液切れが発生したとしても、塗布品質に影響を与えない。そこで、図６の上段グラフ中の１点鎖線で示すように、基板Ｗの終端領域の上方に位置する間、スキャン速度を上限塗布速度Ｖmax未満に制御しつつ終端領域の上方から方向Ｙに離れた位置ではスキャン速度が上限塗布速度Ｖmaxを超えてもよい（第２実施形態）。このような制御パターンを採用することで、基板Ｗの終端領域の上方を移動する間のスリットノズル２のスキャン速度を第１実施形態よりも高めることができる。その結果、液切れを発生させることなく、終端領域での処理液の膜厚を高精度に調整可能となっている。

　また、上記実施形態では、スキャン距離２８０ｍｍを終端領域の始点としているが、さらに基板Ｗの（＋Ｙ）方向側の端部に近い位置、例えば図４の最下段のグラフに示すように重複距離の変化速度の変曲点（スキャン距離２９４ｍｍ）から（＋Ｙ）方向側を終端領域としてもよい。

　また、上記実施形態では、基板Ｗを固定しつつ、スリットノズル２を塗布方向Ｙに移動させながら処理液の塗布を行っているが、塗布態様はこれに限定されない。例えばスリットノズル２を固定させつつ基板Ｗを移動させてもよい。また、スリットノズル２および基板Ｗの両方を移動させて処理液を塗布してもよい。要は、基板Ｗに対してスリットノズル２を相対的に移動させて塗布処理を行う基板塗布技術全般に本発明を適用することができる。

　以上、特定の実施例に沿って発明を説明したが、この説明は限定的な意味で解釈されることを意図したものではない。発明の説明を参照すれば、本発明のその他の実施形態と同様に、開示された実施形態の様々な変形例が、この技術に精通した者に明らかとなるであろう。故に、添付の特許請求の範囲は、発明の真の範囲を逸脱しない範囲内で、当該変形例または実施形態を含むものと考えられる。

　この発明は、基板の表面の上方側に配置されたスリットノズルの吐出口から処理液を基板の表面に供給しながら、スリットノズルを基板に対して塗布方向に相対的に移動させることで基板の表面に処理液を塗布する基板塗布全般に適用することができる。

　２…スリットノズル
　４…ノズル移動機構
　５…制御部
　２１…（スリットノズルの）吐出口
　５１…演算部
　１００…基板塗布装置
　５１２…ノズル移動制御部
　Ｌ…重複距離
　ＬＤ…処理液
　Ｖｃ…スキャン速度
　Ｖmax…上限塗布速度
　Ｗ…基板
　Ｗf…（基板の）表面
　Ｙ…塗布方向
 

Claims (6)

1. 　基板の表面に処理液を塗布する基板塗布装置であって、
   　前記基板の表面の上方側より、スリット状の吐出口から前記処理液を前記基板の表面に供給するスリットノズルと、
   　前記吐出口を前記基板の表面に対向させた前記スリットノズルを前記基板に対して塗布方向に相対的に移動させる移動部と、
   　前記移動部を制御して前記スリットノズルから前記基板の表面への前記処理液の塗布速度を変更させる制御部と、を備え、
   　前記吐出口が前記塗布方向における前記基板の終端領域の上方を通過するときの前記塗布速度を終端塗布速度とし、前記吐出口が前記塗布方向において前記終端領域よりも上流側に位置する終端前領域の上方を通過するときの前記塗布速度を終端前塗布速度とすると、
   　前記制御部は、前記終端塗布速度を前記終端前塗布速度よりも増大させる
   ことを特徴とする基板塗布装置。
2. 　請求項１に記載の基板塗布装置であって、
   　前記制御部は、前記終端塗布速度を、前記吐出口から前記処理液が不連続に供給される液切れ現象が発生し始める上限塗布速度よりも遅くする基板塗布装置。
3. 　請求項２に記載の基板塗布装置であって、
   　前記制御部は、前記吐出口が前記基板の終端領域の上方を通過した後の前記塗布速度を前記終端塗布速度より増大させる基板塗布装置。
4. 　請求項３に記載の基板塗布装置であって、
   　前記制御部は、前記吐出口が前記終端領域の上方を通過した後の前記塗布速度を前記上限塗布速度より増大させる基板塗布装置。
5. 　請求項１ないし４のいずれか一項に記載の基板塗布装置であって、
   　前記基板と前記吐出口とが上下に重なり合う重複距離が前記塗布方向に進むにしたがって連続的に減少した後で前記吐出口が前記基板から前記塗布方向に離れるとき、
   　前記終端領域は、前記重複距離の減少率が指数関数的に増大する領域である基板塗布装置。
6. 　基板の表面の上方側に配置されたスリットノズルの吐出口から処理液を前記基板の表面に供給しながら、前記スリットノズルを前記基板に対して塗布方向に相対的に移動させることで前記基板の表面に処理液を塗布する基板塗布方法であって、
   　前記吐出口が前記塗布方向における前記基板の終端領域の上方を通過している間に、前記処理液を前記終端領域に塗布する終端塗布工程と、
   　前記吐出口が前記塗布方向において前記終端領域よりも上流側に位置する終端前領域の上方を通過している間に、前記処理液を前記終端領域に塗布する終端前塗布工程と、を備え、
   　前記終端塗布工程での塗布の速度を、前記終端前塗布工程での塗布の速度よりも増大させることを特徴とする基板塗布方法。

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