TW202322315A - 基板塗佈裝置及基板塗佈方法 - Google Patents

Abstract

本發明係關於藉由一邊使狹縫噴嘴對基板相對移動一邊從狹縫噴嘴吐出處理液，而對基板塗佈處理液的基板塗佈技術。當將狹縫噴嘴的吐出口在塗佈方向上通過基板之終端區域上方時的塗佈速度設為終端塗佈速度，並將上述吐出口在塗佈方向上通過位於較終端區域更上游側之終端前區域上方時的塗佈速度設為終端前塗佈速度時，本發明中係使終端塗佈速度較終端前塗佈速度增大。因此，終端區域中形成於吐出口與基板之間的處理液的彎液面接近於依理想膜厚進行塗佈時的彎液面，而可防止終端區域之處理液的過剩供給。

Description

基板塗佈裝置及基板塗佈方法

本發明係關於對液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置等FPD用玻璃基板、半導體晶圓、光罩用玻璃基板、彩色濾光片用基板、記錄光碟用基板、太陽電池用基板、電子紙用基板等之精密電子裝置用基板、半導體封裝用基板(以下簡稱為「基板」)從狹縫噴嘴供給處理液以進行塗佈的基板塗佈技術。

以下所示日本申請案之說明書、圖式及申請專利範圍之揭示內容，係藉由參照將其所有內容引用至本說明書中： 日本專利特願2021-150266(2021年9月15日申請)。

已知有藉由一邊使狹縫噴嘴對基板相對移動一邊由狹縫噴嘴吐出處理液，而對基板塗佈處理液的基板塗佈裝置。其中，塗佈對象並不受限定於矩形形狀之基板，已被提案有例如對圓形形狀之半導體晶圓亦可塗佈處理液的基板塗佈裝置。作為其代表者，已知有毛細管方式之基板塗佈裝置(參照日本專利第6272138號)。

在藉由上述習知裝置，對例如半導體晶圓塗佈處理液的情形，會發生如下問題。此等裝置中，根據沿著基板表面移動之狹縫噴嘴之位置，從吐出口供給之處理液的接液範圍(相當於後述說明之實施形態中之「重複範圍」)連續地變化。更詳細言之，如後述說明之圖2或圖6所示，在塗佈剛開始後接液範圍逐漸擴展，當到達基板中央部時成為最大。通過中央部後，接液範圍逐漸變窄。然後，在狹縫噴嘴之移動方向(相當於本發明之「塗佈方向」一例)上，在狹縫噴嘴通過了半導體晶圓之終端區域上方的階段，則塗佈處理完成，狹縫噴嘴則離開基板。此時，在狹縫噴嘴通過終端區域的期間，如後述說明之圖3所示，液體縮減未能跟隨實行。亦即，其存在有於狹縫噴嘴的吐出口與基板間之處理液變得過剩。然後，在此狀態下狹縫噴嘴離開基板時，剩餘之處理液之大部分將殘留於基板側。其結果，會有於終端區域發生膜厚不良，而在塗佈處理後所執行之藉由處理液進行處理時造成不良影響的情形。

本發明係有鑑於上述課題所完成者，其目的在於提供一種基板塗佈裝置及基板塗佈方法，可防止基板之終端區域之處理液的過剩供給，可將處理液均勻地塗佈於基板表面。

本發明之一態樣為一種基板塗佈裝置，係於基板表面塗佈處理液者，其具備有：狹縫噴嘴，其由基板的表面上方側，從狹縫狀之吐出口將處理液供給至基板的表面；移動部，其使吐出口與基板表面相對向之狹縫噴嘴，對基板朝塗佈方向相對移動；以及控制部，其控制移動部，變更處理液從狹縫噴嘴朝基板表面之塗佈速度；當將吐出口在塗佈方向上通過基板之終端區域上方時的塗佈速度設為終端塗佈速度，並將吐出口在塗佈方向上通過位於較終端區域更上游側之終端前區域上方時的塗佈速度設為終端前塗佈速度時，控制部使終端塗佈速度較終端前塗佈速度增大。

又，本發明之其他態樣為一種基板塗佈方法，係藉由一邊從配置於基板的表面上方側之狹縫噴嘴的吐出口將處理液供給至基板的表面，一邊使狹縫噴嘴對基板在塗佈方向上相對移動，而對基板的表面塗佈處理液者；其具備有：在吐出口通過塗佈方向上的基板之終端區域上方的期間，將處理液塗佈至終端區域的終端塗佈步驟；以及在吐出口通過塗佈方向上的位於較終端區域更上游側之終端前區域上方的期間，將處理液塗佈至終端前區域的終端前塗佈步驟；使終端塗佈步驟中之塗佈速度較終端前塗佈步驟中之塗佈速度增大。

如此構成之本發明中，針對基板的表面中在塗佈方向上位於較終端區域更上游側之終端前區域，一邊由配置於基板的表面上方側之狹縫噴嘴的吐出口將處理液供給至基板的表面，一邊使狹縫噴嘴對基板在塗佈方向上相對移動，而對終端前區域塗佈處理液。並對接續於終端前區域後的終端區域一邊由狹縫噴嘴的吐出口供給處理液，一邊使狹縫噴嘴對基板在塗佈方向上相對移動。於此，若如同習知技術般，未改變塗佈速度而執行對終端區域之處理液的塗佈，則如後所詳述，在終端區域於吐出口與基板之間所形成之處理液之彎液面(meniscus)，將從以理想膜厚進行塗佈時之彎液面朝吐出口之延伸設置方向(與塗佈方向正交之方向)擴展。亦即，於基板與吐出口之間存在有過剩處理液，而成為終端區域之膜厚不良的發生要因。因此，本發明中，使對終端區域之塗佈速度較對終端前區域之塗佈速度增大，藉此，可使上述彎液面接近以理想膜厚進行塗佈時之彎液面。其結果，可對終端區域供給適當量之處理液，而防止膜厚不良。

如以上，根據本發明，其可防止於基板之終端區域的處理液過剩供給。其結果，可將處理液均勻地塗佈於基板的表面。

上述本發明各態樣所具有之複數個構成要件並非全部為必要者，為了解決上述課題的一部分或全部、或者為了達成本說明書所記載之效果的一部分或全部，其可適當地對上述複數個構成要件的一部分構成要件進行變更、刪除、替換為新穎之其他構成要件、刪除限定內容的一部分。又，為了解決上述課題的一部分或全部、或者為了達成本說明書所記載之效果的一部分或全部，亦可將上述本發明一態樣所含之技術特徵的一部分或全部與上述本發明其他態樣所含之技術特徵的一部分或全部進行組合，而作成為本發明之獨立一形態。

圖1A為表示可適用本發明之基板塗佈方法之第1實施形態的基板塗佈裝置的構成的圖。圖1B為表示圖1A所示基板塗佈裝置之電氣構成的方塊圖。此基板塗佈裝置100係對半導體晶圓等大致圓盤形狀之基板W的表面Wf，將處理液藉由所謂毛細管方式進行塗佈者。又，圖1A中，為了使塗佈單元之各部的方向關係明確，已適當加註XYZ正交座標系統，並以Z方向為鉛垂方向，XY平面為水平面。又，為了容易理解，視需要已將各部之尺寸或數量進行誇張或簡略描繪。

基板塗佈裝置100係使用狹縫噴嘴2對基板W的表面Wf塗佈處理液的所謂狹縫塗佈器的裝置。作為處理液，其包含有例如光阻劑液、彩色濾光片用液、聚醯亞胺、矽、奈米金屬墨水、含導電性材料之漿料等。此基板塗佈裝置100具備有：可以水平姿勢對基板W進行吸附保持的平台1；對保持於平台1之基板W吐出處理液的狹縫噴嘴2；對狹縫噴嘴2供給處理液之處理液供給部3；使狹縫噴嘴2相對於基板W於Y方向上移動的噴嘴移動機構4；以及控制裝置全體的控制部5。

平台1由具有大致長方體形狀之花崗岩等石材所構成，於其表面(+Z側)中之(+Y)側，具有被加工為大致水平之平坦面並保持基板W的保持面11。於保持面11分散形成有未圖示之多個真空吸附口。藉由此等真空吸附口吸附基板W，於塗佈處理時將基板W大致水平地保持於既定位置。又，基板W之保持態樣並不被限定於此，例如亦可構成為機械性地保持基板W。

狹縫噴嘴2具有在X方向延伸之狹縫狀之吐出口21(圖2)。於此狹縫噴嘴2連接有處理液供給部3。本實施形態中，由於基板W為大致圓形之半導體晶圓，因此與日本專利第6272138號記載之裝置同樣地採用毛細管方式。亦即，一邊使吐出口21接近基板W的表面Wf，一邊藉由噴嘴移動機構4使狹縫噴嘴2對基板W相對地從(-Y)方向側朝(+Y)方向側移動。於此移動時，藉由在吐出口21與基板W之間產生之處理液(處理液之珠粒)之表面張力而從吐出口21吐出處理液。因此，在X方向上延伸設置之吐出口21中，於與基板W相對向之部位會吐出處理液，相對於此，於不存在基板W之部位則不吐出處理液。此種吐出狀態之變化將隨著藉由噴嘴移動機構4使狹縫噴嘴2相對於基板W在Y方向移動而發生。如此，當朝基板W之處理液塗佈結束時，則狹縫噴嘴2在上方離開基板W後，從(+Y)方向側返回到(-Y)方向側。

噴嘴移動機構4具有：在X方向橫跨平台1上方且支撐狹縫噴嘴2之橋構造的噴嘴支撐體41；以及使噴嘴支撐體41在Y方向水平移動的噴嘴移動部42。因此，可藉由噴嘴移動部42使支撐於噴嘴支撐體41之狹縫噴嘴2在Y方向水平移動。如此，本實施形態中，噴嘴移動機構4相當於本發明之「移動部」的一例。

噴嘴支撐體41具有：固定有狹縫噴嘴2之固定構件41a；以及支撐固定構件41a並使其升降的2個升降機構41b。固定構件41a係以X方向為長邊方向之剖面矩形的棒狀構件，由碳纖維補強樹脂等所構成。2個升降機構41b連接於固定構件41a長邊方向之兩端部，分別具有AC伺服馬達及滾珠螺桿等。藉由此等升降機構41b，使固定構件41a與狹縫噴嘴2一體地於鉛垂方向(Z方向)進行升降，而調整狹縫噴嘴2的吐出口與基板W的表面Wf之間隔、亦即吐出口相對於基板W的表面Wf之相對高度。又，狹縫噴嘴2於Z方向的位置，可藉由線性編碼器(省略圖示)進行檢測。

噴嘴移動部42具備有：在Y方向引導狹縫噴嘴2之移動的2條導軌43；屬於驅動源的2個線性馬達44；以及用於檢測狹縫噴嘴2之吐出口位置的2個線性編碼器45。

2條導軌43以從X方向挾持基板W載置範圍之方式配置於平台1之X方向的兩端，並以涵括基板W載置範圍之方式在Y方向延伸設置。然後，藉由使2個升降機構41b之下端部分別沿著2條導軌43被引導，使狹縫噴嘴2在被支撐於平台1上之基板W上方朝Y方向移動。

2個線性馬達44分別為具有定子44a與轉子44b的AC無鐵心線性馬達。定子44a係於平台1之X方向的兩側面沿Y方向設置。另一方面，轉子44b係固定設置於升降機構41b之外側。線性馬達44藉由此等定子44a與轉子44b之間產生的磁力，作為噴嘴移動機構4之驅動源而發揮功能。

又，2個線性編碼器45分別具有刻度部45a與檢測部45b。刻度部45a係在固定設置於平台1之線性馬達44的定子44a下部沿著Y方向設置。另一方面，檢測部45b固定設置於線性馬達44之轉子44b的更外側，且與刻度部45a相對向配置，該線性馬達44之轉子44b固定設置於升降機構41b。線性編碼器45根據刻度部45a與檢測部45b之相對位置關係，檢測Y方向(相當於噴嘴移動方向或相對移動方向)之狹縫噴嘴2的吐出口位置。

用於控制如上述構成之基板塗佈裝置100的控制部5，係如圖1B所示，被構成為，將進行各種演算處理之演算部51(例如CPU等)、記憶基本程式及各種資訊之記憶部52(例如ROM或RAM等)連接於匯流排線的一般電腦系統。匯流排線進一步連接於對塗佈程式等進行記憶的固定磁碟53(例如硬碟驅動器等)。又，上述處理液供給部3、噴嘴移動機構4及輸入顯示部6適宜地經由介面(I/F)而連接。輸入顯示部6顯示各種資訊，並且受理來自操作者之輸入，例如由觸控面板所構成。當然，亦可取代輸入顯示部6，使用顯示各種資訊之顯示器及受理來自操作者之輸入的鍵盤或滑鼠等。

在控制部5中，事先記憶於固定磁碟53之塗佈程式被複製至記憶部52(例如RAM等)，並且演算部51依照記憶部52之塗佈程式執行演算處理。藉此，藉由處理液供給部3之控制，於適當時機從狹縫噴嘴2的吐出口21吐出處理液，並且藉由噴嘴移動機構4之控制，使狹縫噴嘴2移動。其結果，對基板W的表面Wf依所需膜厚塗佈處理液。如此，控制部5的演算部51作為處理液供給控制部511及噴嘴移動控制部512而發揮功能。尤其，噴嘴移動控制部512係根據以下詳述之分析結果，控制狹縫噴嘴2之掃描速度。更詳言之，當將吐出口21在塗佈方向Y上通過位於較終端區域更上游側之終端前區域上方並執行終端前塗佈步驟時的掃描速度定義為終端前塗佈速度，並將吐出口21在塗佈方向Y上通過基板之終端區域上方並執行終端塗佈步驟時的掃描速度定義為終端塗佈速度時，則噴嘴移動控制部512使終端塗佈速度較終端前塗佈速度增大。藉由此終端區域之塗佈速度的增速控制，而可提高處理液的膜厚均勻性。

於此，為了說明上述增速控制優越的理由，首先針對由上述構成之基板塗佈裝置100如同習知技術依固定的塗佈速度執行塗佈處理的情形，參照圖2至圖4進行說明。其中，對習知技術中在基板W之終端區域發生膜厚不良的理由進行觀察研究，並且說明用於解決該情形的具體手段。其後，針對基板塗佈裝置100之具體動作進行說明。

圖2為表示以圖1A及圖1B所示之基板塗佈裝置進行與習知技術相同之塗佈處理時的塗佈狀況的圖。於圖2之上段圖，表示狹縫噴嘴2對基板W之相對移動速度、亦即掃描速度的控制模式。圖2中「上限塗佈速度Vmax」意指開始發生液體中斷現象的掃描速度。亦即，當一邊從吐出口21吐出處理液，一邊將狹縫噴嘴2之掃描速度逐漸提高，雖然在低速狀態下可從吐出口21連續地吐出處理液，但在超過一定之掃描速度時，則從吐出口21不連續地供給處理液而發生塗佈不良。此種不連續吐出、亦即液體中斷現象開始發生之時點的掃描速度係相當於「上限塗佈速度Vmax」。

另一方面，於圖2之下段，概略表示塗佈處理之過程。圖2中(A)~(C)欄係概略表示在狹縫噴嘴2的吐出口21位於彼此不同之5個位置SLa~Sle之時點，從上方、(+X)方向及(+Y)方向觀察狹縫噴嘴2、基板W及處理液的圖。此等之中，位置SLa係表示基板W之一端的上方位置，位置SLe係表示從位置SLa移動300mm以上而在塗佈方向Y已離開基板W之另一端上方的位置，位置SLb~位置SLd係表示位置SLa、SLe之間的3個移動位置。又，括號中之數字表示距位置SLa之距離。又，此等圖式中，已塗佈處理液之區域係藉由影線(hatching)而概略表示。再者，關於此等，於後述說明之圖6中亦為相同。

接著，在基板塗佈裝置100中，當進行習知塗佈動作，例如圖2上段所示，一邊使狹縫噴嘴2依固定之掃描速度Vc(＜上限塗佈速度Vmax)移動一邊進行塗佈處理，則有發生下述問題之情形。在藉由省略圖示之搬送機器人將基板W搬送至基板塗佈裝置100時，頂銷(省略圖示)從平台1之中央部上升而支撐基板W的背面。接著，搬送機器人從基板塗佈裝置100退出。藉此，對頂銷進行基板W的交接。其後，頂銷下降至平台1內部而基板W被載置於平台1，並且藉由省略圖示之吸附機構而被保持於平台1。

基板塗佈裝置100中，使狹縫噴嘴2移動至適合塗佈處理的位置，如圖2之「SLa」欄所示，將狹縫噴嘴2定位於塗佈前位置。然後，狹縫噴嘴2一邊朝(+Y)方向移動，一邊將由處理液供給部3所供給之處理液從吐出口21吐出而將處理液塗佈於基板W的表面Wf。藉由在吐出口21與基板W之間發生之處理液(處理液之珠粒)之表面張力，從吐出口21吐出處理液。然後，在狹縫噴嘴2加速至掃描速度Vc後，維持於該掃描速度Vc的狀態朝(+Y)方向移動，隨著狹縫噴嘴2之移動，吐出口21與基板W之重複距離L、亦即處理液之吐出幅度(接液範圍)逐漸擴大。然後，在狹縫噴嘴2到達基板W中央部之時點(位置SLc)重複距離L成為最大。

在狹縫噴嘴2通過基板W中央部，進一步朝(+Y)方向移動時，重複距離L(處理液之吐出幅度)逐漸變窄，於基板W之(+Y)方向側之端部、亦即終端區域進行處理液之最後塗佈。在狹縫噴嘴2從該端部進一步朝(+Y)方向移動而位於位置SLe之時點，停止狹縫噴嘴2之移動。於此，在終端區域之狹縫噴嘴2與基板W之間，例如圖3中以點影概略表示，其存在有過剩之處理液LD。可被認為其起因為，於終端區域之重複距離L的變化速度，係在塗佈方向Y上位於較終端區域更上游側之終端前區域，尤其是較相當於位置SLc至位置SLd的區域之重複距離L的變化速度急遽增高所致。關於此點，將參照圖4進行說明。

圖4為表示相對於掃描距離之重複距離及重複距離之變化速度的圖。於此，所謂「掃描距離」意指在塗佈方向Y上距基板W一端的距離、亦即距位置SLa之移動距離，藉由將圖4最上段所示之圖(表示重複距離L之變化相對於掃描距離的圖表)所表示的函數進行微分而得到重複距離之變化速度。隨著此重複距離之變化速度，形成於基板W之處理液的膜厚成比例地變化。由此圖可闡明，重複距離L係在從位置SLc之開始移動時點起急遽增加，在掃描距離為基板尺寸(本實施形態中為300mm)一半的位置SLc成為最大。然後，在掃描距離進一步增加、亦即狹縫噴嘴2於基板W之終端區域上方進行移動的期間，重複距離L以急遽之變化速度而變短。亦即，該終端區域係重複距離L之減少率呈指數函數地增大的區域。因此，於吐出口21已擴展開之處理液無法返回到狹縫噴嘴2之本體(省略圖示)內，無法良好地進行液縮減而處理液殘留於吐出口21。其結果，由存在於吐出口21與基板W之間的處理液所形成的彎液面，相較於原本用以依預定之膜厚進行塗佈的理想彎液面M0(圖3中之單點鏈線)，成為於寬度方向(X方向)擴張的彎液面M1(圖3中之實線)。然後，在狹縫噴嘴2離開基板W時，殘留於吐出口21與基板W之間的處理液大部分將殘留於基板W之終端區域。其結果，例如圖2之「SLe」欄所示，於終端區域發生膜厚不良NG，有可能在塗佈處理後所實行之處理液的處理中造成不良影響的情形。因此，為了解決此課題，本發明人等進行了各種檢討，發現在終端區域之處理液的膜厚係對應於塗佈速度而改變的特性(圖5)。

圖5為表示終端區域中處理液的膜厚相對於塗佈速度之關係的圖。於此，在將基板W保持於平台1上之狀態使狹縫噴嘴2朝向Y方向移動而進行塗佈處理，且圖5中「塗佈速度」係指狹縫噴嘴2朝向Y方向之掃描速度。如圖5所示，隨著塗佈速度(掃描速度)提高則處理液的膜厚減少。亦即，可被認為，隨著狹縫噴嘴2之相對移動速度(掃描速度)增大，形成於基板W之終端區域與吐出口21之間的彎液面從以掃描速度Vc進行掃描時之彎液面M1接近彎液面M0。藉此，其可抑制過剩的處理液殘留於基板W之終端區域與吐出口21之間的情形。因此，本實施形態中，控制部5之噴嘴移動控制部512係以圖6上段圖所示之控制模式控制狹縫噴嘴2之移動。

圖6為表示本發明基板塗佈方法之第1實施形態的圖。此第1實施形態與習知技術的差異在於，如圖6上段圖中之實線所示，使狹縫噴嘴2的吐出口21於基板W之終端區域上方移動時之掃描速度較掃描速度Vc為高；其他構成則與習知技術(圖2)相同。第1實施形態中，根據圖4中段圖(表示重複距離之變化速度相對於掃描距離之關係的圖)，將重複距離之變化速度急遽變化的範圍、亦即掃描距離為280mm以上之範圍定義為終端區域。然後，在吐出口21到達基板W之終端區域上方之時點起、亦即掃描距離280mm之位置SLd起，由噴嘴移動控制部512使狹縫噴嘴2之掃描速度從掃描速度Vc提高，使終端區域之塗佈速度(終端塗佈速度)較終端前區域的塗佈速度(終端前塗佈速度)增大，該終端前區域係在塗佈方向Y上較終端區域靠上游側。惟，第1實施形態中，係以掃描速度不超過上限塗佈速度Vmax之方式，由噴嘴移動控制部512限制狹縫噴嘴2之移動。

如以上所述，根據第1實施形態，一邊由狹縫噴嘴2的吐出口21將處理液供給至接續於終端前區域之終端區域，一邊使狹縫噴嘴2之終端塗佈速度較終端前塗佈速度(掃描速度Vc) 增大。因此，形成於基板W之終端區域與吐出口21之間的處理液的彎液面接近以理想膜厚進行塗佈時之彎液面(圖3中之彎液面M0)。其結果，對終端區域亦可供給適當量之處理液，而可對基板W全體均勻地塗佈處理液。

又，控制部5之噴嘴移動控制部512如圖6所示，使吐出口21於通過基板W之終端區域上方後的塗佈速度較終端塗佈速度增大。而且，於處理液之供給中，以掃描速度不超過上限塗佈速度Vmax之方式，由噴嘴移動控制部512控制狹縫噴嘴2之掃描速度。藉此，其可有效防止塗佈處理中發生液體中斷的情形，而可良好地進行塗佈處理。

再者，本發明並不受限定於上述實施形態，在不脫離其要旨之前提下，可進行上述以外之各種變更。例如第1實施形態中，如圖6中實線所示之控制模式，狹縫噴嘴2之掃描速度始終小於上限塗佈速度Vmax。於此，即使在吐出口21朝向塗佈方向Y移動而已離開基板W上方的期間發生液體中斷，仍不致影響塗佈之品質。因此，亦可如圖6之上段圖中的單點鏈線所示，在位於基板W之終端區域上方的期間將掃描速度控制為未滿上限塗佈速度Vmax，並且在Y方向已離開終端區域上方的位置，使掃描速度為超過上限塗佈速度Vmax(第2實施形態)。藉由採用如此之控制模式，可使狹縫噴嘴2於基板W之終端區域上方移動期間的掃描速度較第1實施形態提高。其結果，不致於發生液體中斷，並可高精度地調整於終端區域之處理液的膜厚。

又，上述實施形態中，係將掃描距離280mm設為終端區域之起點，但亦可將更靠近基板W之(+Y)方向側之端部的位置，例如圖4之最下段圖表所示重複距離之變化速度之反曲點(掃描距離294mm)起朝(+Y)方向側設為終端區域。

又，上述實施形態中，係固定有基板W，並且一邊使狹縫噴嘴2朝向塗佈方向Y移動一邊進行處理液之塗佈，但塗佈態樣並不受限定於此。例如亦可固定有狹縫噴嘴2並且使基板W移動。又，亦可使狹縫噴嘴2及基板W雙方移動而塗佈處理液。其重點在於，本發明可適用於使狹縫噴嘴2相對於基板W移動而進行塗佈處理的所有基板塗佈技術。

以上，雖已根據特定之實施例對本發明進行了說明，但該說明不應被以限定之意義解釋。如參照本發明之說明，對本領域中具有通常知識者而言本發明之其他實施形態，所揭示之實施形態的各種變形例均係可顯而易見。因此，在不脫離本發明之真實範圍，本發明之申請專利範圍亦包含該些變形例或實施形態。

本發明可適用於：一邊從配置於基板表面上方側之狹縫噴嘴的吐出口對基板表面供給處理液，一邊使狹縫噴嘴在塗佈方向上對基板相對移動，藉此對基板表面塗佈處理液的所有基板塗佈技術。

1:平台 2:狹縫噴嘴 3:處理液供給部 4:噴嘴移動機構 5:控制部 6:輸入顯示部 11:保持面 21:(狹縫噴嘴的)吐出口 41:噴嘴支撐體 41a:固定構件 41b:升降機構 42:噴嘴移動部 43:導軌 44:線性馬達 44a:定子 44b:轉子 45:線性編碼器 45a:刻度部 45b:檢測部 51:演算部 52:記憶部 53:固定磁碟 100:基板塗佈裝置 511:處理液供給控制部 512:噴嘴移動控制部 L:重複距離 LD:處理液 M0、M1:彎液面 SLa~SLe:(狹縫噴嘴的)位置 Vc:掃描速度 Vmax:上限塗佈速度 W:基板 Wf:(基板的)表面 Y:塗佈方向

圖1A為表示可適用本發明之基板塗佈方法之第1實施形態的基板塗佈裝置一例的圖。 圖1B為表示圖1A所示基板塗佈裝置之電氣構成的方塊圖。 圖2為表示習知基板塗佈方法之一例及將該基板塗佈方法適用於圖1A及圖1B所示之基板塗佈裝置時的塗佈處理的概略圖。 圖3為用於說明習知基板塗佈方法中膜厚於終端區域變得不均勻之理由的圖。 圖4為表示於終端區域之塗佈處理中所發生之彎液面一例的概略圖。 圖5為表示相對於塗佈速度，終端區域中膜厚之變動的圖。 圖6為表示本發明之基板塗佈方法之第1實施形態及第2實施形態的圖。

Vc:掃描速度

Vmax:上限塗佈速度

Claims (6)

1. 一種基板塗佈裝置，係於基板的表面塗佈處理液者；其具備有： 狹縫噴嘴，其由上述基板的表面上方側，從狹縫狀之吐出口將上述處理液供給至上述基板的表面； 移動部，其使上述吐出口與上述基板的表面相對向之上述狹縫噴嘴，對上述基板朝塗佈方向相對移動；以及 控制部，其控制上述移動部，變更上述處理液從上述狹縫噴嘴朝上述基板的表面之塗佈速度； 當將上述吐出口在上述塗佈方向上通過上述基板之終端區域上方時的上述塗佈速度設為終端塗佈速度，並將上述吐出口在上述塗佈方向上通過位於較上述終端區域更上游側之終端前區域上方時的上述塗佈速度設為終端前塗佈速度時，上述控制部使上述終端塗佈速度較上述終端前塗佈速度增大。
2. 如請求項1之基板塗佈裝置，其中，上述控制部使上述終端塗佈速度較上限塗佈速度為慢，該上限塗佈速度係開始發生從上述吐出口不連續地供給上述處理液之液體中斷現象的速度。
3. 如請求項2之基板塗佈裝置，其中，上述控制部使上述吐出口通過上述基板之終端區域上方後的上述塗佈速度較上述終端塗佈速度增大。
4. 如請求項3之基板塗佈裝置，其中，上述控制部使上述吐出口通過上述終端區域上方後的上述塗佈速度較上述上限塗佈速度增大。
5. 如請求項1至4中任一項之基板塗佈裝置，其中，在隨著朝上述塗佈方向前進而上述基板與上述吐出口於上下重合之重複距離連續性地減少後、且上述吐出口朝上述塗佈方向離開上述基板時， 上述終端區域為上述重複距離之減少率呈指數函數地增大的區域。
6. 一種基板塗佈方法，係藉由一邊從配置於基板的表面上方側之狹縫噴嘴的吐出口將處理液供給至上述基板的表面，一邊使上述狹縫噴嘴對上述基板在塗佈方向上相對移動，而對上述基板的表面塗佈處理液者；其具備有： 在上述吐出口通過上述塗佈方向上的上述基板之終端區域上方的期間，將上述處理液塗佈至上述終端區域的終端塗佈步驟；以及 在上述吐出口通過上述塗佈方向上的位於較上述終端區域更上游側之終端前區域上方的期間，將上述處理液塗佈至上述終端前區域的終端前塗佈步驟； 上述終端塗佈步驟中之塗佈速度較上述終端前塗佈步驟中之塗佈速度增大。

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