JP3976632B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコンウェーハ、フォトマスク用ガラス角基板、液晶用ガラス角基板等の基板表面全域にわたって処理液を液盛りをすることにより基板の表面に所定の化学処理を施す基板処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来から、半導体や液晶ディスプレイの製造工程において、シリコンウェーハ、フォトマスク用ガラス角基板、液晶用ガラス角基板等の基板表面上の塗布膜等に化学処理を施す工程がある。中でも、基板上に形成されたフォトレジスト膜(感光性樹脂)に所定のパターンを露光後に行う工程であって、現像液により化学処理を行い露光部分のフォトレジスト膜を除去する現像工程は、上記製造工程における殆どの分野で行われる工程である。この現像工程に関して、処理液の表面張力を利用して基板上に処理液を一定時間保持(液盛り)し、この間にフォトレジストに化学反応を進行させて現像を行い、続いて基板を基板平面内で回転させて、洗浄、リンス、乾燥等を行う方法及び装置が知られている。
【0003】
上述の基板上への液盛りについて説明する。十分な量の処理液が処理液吐出ノズル等により基板上に供給された場合、図4(a)に示されるように、処理液Mの表面張力の作用によって、処理液Mが基板W上の全域にわたって一様な膜状に盛り上がって載っている状態が生じて、外力を加えない限りそのままの状態が維持される。例えば、一辺152mmの四角形基板上に60〜80ccの処理液Mが供給されると処理液Mの厚さは基板W上全域において3mm程度となる。ところが、基板W上に供給された処理液量が十分な量でなく不足する場合、例えば、処理液Mの量が60cc未満の場合、図4(b)(c)に示されるように、基板W上に処理液Mが殆ど載っていない膜退き部gが発生する。これは、処理液Mが自己の表面張力により基板上で表面積を収縮させるからである。この処理液Mの膜退きにより、処理液の分布が不規則となり、処理液Mが基板W全面に広がらない「処理液の盛りむら」が発生する。この処理液の盛りむらは、現像工程において基板上の各点における現像時間のばらつきや現像不良の原因となるため、発生しないようにしなければならない。なお、上記の数値は処理液の物性に依存し、処理液の種類及び下地となる基板表面状態によって大きく異なる。
【0004】
液盛り工程において、基板上に処理液が不足する状態は、図5に示されるように、「液流れ」という現象によって発生する。角形基板の一辺に平行な長手の処理液吐出口を有するスリットノズルを、吐出口の長手方向と直交する方向に移動させながら基板上に処理液を液盛りする場合を考える。図5(a)のように、スリットノズル3が吐出口31から処理液Mを角形基板Wに吐出しながら、基板Wの終端部に達して僅かに基板終端を外れた状態では、スリットノズル先端と基板終端部エッジとで形成される間隙における処理液(橋渡し部h)の表面張力と自重とが釣り合った状態になっている。スリットノズル3がさらに移動し、間隙が広くなると、図5(b)のように、橋渡し部hの処理液に作用する表面張力よりも処理液の重さが大きくなり、基板端部より「液零れM2」が発生する。さらにスリットノズル3が移動し、処理液の橋渡し部hが消失すると、図5(c)のように、基板W上の処理液が基板端から流出する「液流れk」が発生する。このため、既に基板上に滴下された処理液の一部が基板上から失われ、「液盛り」に必要な量の処理液が不足することになる。この後、図5(d)のように、基板上の処理液Mは表面張力により面積を収縮し、基板端縁部で膜退きによる膜退き部gが発生し、結果、「処理液の盛りむら」が生じる。
【0005】
基板端からの液零れは、上記の基板終端部だけでなく、図6に示されるように、スリットノズル3の吐出口31が基板から横にはみ出した部分がある場合、液盛り処理の途中において基板の左右端でも発生する。このように、基板サイズ(幅寸法)がスリットノズルの長さより小さい場合、基板よりはみ出した部分のスリットノズル吐出口から余分な処理液が吐出されると共に、基板上から基板左右端側面を伝って処理液が零れ落ちる。「液零れM2」がスリットノズル3の移動に伴って基板の全長で発生する。しかし、基板終端部とは異なり、基板左右端では上記の膜退き現象及び膜退き部gの発生はない。その理由は、「液盛り」途中で基板左右側面を伝って零れ落ちる液滴の幅uは、略吐出口の幅に対応して僅か数ミリ程度であって、また、主にスリットノズル3の存在する位置でのみ液零れM2が発生し、この部分から零れ落ちる処理液の量は前述の基板終端部で零れ落ちる量に比して微量であり、また、基板上には処理液が継続して供給されていることにより、処理液の不足がおこらないからである。
【0006】
従来、図7に示されるように、基板終端における液流れ対策機能を備えた基板処理装置が知られている。この装置において、角形基板Wの一辺(基端)からその一辺に対向する他の辺(終端)へとスリットノズル3を水平に相対移動させながら基板表面全域に処理液を供給した後、スリットノズルが基板の終端から離脱する際、スリットノズルを斜め上方へ移動(退避)させる方法が基板終端における液流れ対策として採られている。これによると、スリットノズルと基板表面上の処理液との接液部を伝って基板表面上の処理液が液零れするのを防止でき、ひいては、液零れにより誘発される液流れが防止される(例えば、特開平7−37788号公報参照)。
【0007】
上記従来技術による基板処理装置について説明する。この基板処理装置においては、基板Wを水平保持する基板保持手段5が基板保持下部5bを介してベアリングBにより回転自在にカップ底部6に設けられ、また、処理液飛散防止用のカップ側部7が矢印A1方向に昇降自在に設けられている。処理液吐出口31を有するスリットノズル3が、吐出口31を基板Wの表面に対向させてノズル支持アーム2に取り付けられている。スリットノズル3は、基板Wの表面と吐出口31とが平行に維持されると共に、吐出口31の長手方向に直交する矢印A2により示される水平方向に移動可能であり、また、矢印A3で示される上下方向にも移動可能である。スリットノズル3の上下及び水平移動は、ノズル支持アーム2を電動機9b及び制御手段10bにより上下に昇降して、また、ノズル支持アーム2を支持する水平移動フレーム1を移動ガイド4、電動機9a、及び制御手段10aにより水平に移動して行われる。
【0008】
続いて、上記従来技術による基板処理装置を用いた液盛り方法について説明する。基板Wが基板保持手段5に載置された後、位置P1においてノズル受け8上で待機していたスリットノズル3が、吐出口31を基板Wの一辺(基端)よりやや外側の上面に配置するように、点P2まで矢印aに沿って移動される。次に、吐出口31より処理液を供給しながら矢印bに沿って、スリットノズル3を基板Wの一辺(終端)方向へ水平移動させて基板Wの表面全域に液盛りが行なわれる。スリットノズル3が基板Wの一辺(終端)のやや内側の点P3まで到達すると、矢印cに沿ってスリットノズル3が斜め上方の点P4に移動(退避)させられて液盛りが完了する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した図7に示されるような液盛りを行う基板処理装置は、スリットノズル3を上方へ移動(退避)させることで液流れを防止しているため、スリットノズル3を上下方向に移動する電動機9bや駆動制御手段10bなどを含む移動手段、及び上方へ移動(退避)するための空間とが必要となり、装置の製造コスト、保守性、及び装置の設置床面積(フットプリント)の点で問題がある。
【0010】
本発明は、上記の課題を解消するものであって、簡単な構成により、処理液の盛りむらをなくすことができ、装置のメンテナンス性の向上、低コスト化、小フットプリント化を実現できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
上記の課題を達成するために、請求項1の発明は、角形又は円形基板を載置して水平に保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持された基板の表面全域に処理液を液盛りする処理液供給機構とを備え、前記基板表面全域に処理液を所定の液盛厚に液盛りして基板表面に所定の化学処理を施す基板処理装置において、前記処理液供給機構は、角形基板の一辺又は円形基板の直径以上の長さの処理液吐出口を有するスリットノズルと、前記スリットノズルの吐出口を前記基板表面と平行に維持すると共に該吐出口と該基板表面との間隔を、前記液盛厚程度の間隔に維持し、該吐出口より処理液を吐出しながら、前記スリットノズルの直交方向に前記基板と相対移動させる移動手段と、前記スリットノズル及び前記移動手段を制御する制御手段とを備え、前記制御手段は、スリットノズルが、前記基板上を略一定の相対速度のもとで相対移動して該基板表面全域への液盛りを終了するまで該スリットノズルの吐出口と該基板表面との前記間隔を維持すると共に、液盛りを終了する際、前記基板の液盛り終了側端部より所定の距離だけ内側以降を、相対移動の速度を前記略一定の相対速度よりも増速して通過するように制御するものである。
【0012】
上記構成の基板処理装置においては、基板終端でスリットノズルが離脱する際にスリットノズルの相対移動速度をそれまでの略一定の相対速度よりも増速して、処理液吐出口と基板終端との間における処理液の液切れ性(液離れ性)を向上させることとしたので、スリットノズルの吐出口近傍の接液部を伝って基板表面から処理液が液零れするのを防止できる。従って、液零れにより誘発される液流れ現象を防止できるので、膜退きも発生せず、処理液を盛りむらなく液盛りすることが可能となる。また、上記装置によれば、液流れ防止のためのスリットノズル上下方向移動手段を必要としないので、基板処理装置の簡略化ができ、低コスト化、小フットプリント化の向上が図れる。また、スリットノズルを用いて液盛りを行う基板処理装置では、基板表面とスリットノズル吐出面との平行性の維持及び間隔の維持が液盛り処理の高精度化と安定化を図るうえで重要であるが、本発明の基板処理装置では、液盛り処理において液流れ対策としてスリットノズルを上下方向に移動する必要性がないため、昇降稼働部の省略が可能となり、基板表面とスリットノズル吐出面との平行度調整は水平稼働部のみ実施すればよく、もって平行度の精度向上が図れ、処理の高精度化と安定化が図れると共に、基板処理装置のメンテナンス性の向上が実現できる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態に係る基板処理装置について、図1乃至図3を参照して説明する。図面中の共通する部材には同一符号を付して重複説明を省略する。図1に示されるように、基板処理装置100は、基板Wを水平保持する基板保持手段5を備えており、この基板保持手段5は、基板保持下部5bを介してベアリングBにより回転自在にカップ底部6に設けられている。また、処理液飛散防止用のカップ側部7が矢印A1方向に昇降自在に設けられている。処理液を液盛り処理する工程においては、このカップ上部7は上方に位置している。また、カップ底部6の周辺下部には、排気口6aが設けられおり、ここから処理液や処理液のミストの排出や排気が行われる。また、処理液吐出口31を有するスリットノズル3が、吐出口31を基板Wの表面に対向するようにノズル支持アーム2に取り付けられている。スリットノズル3は、基板Wの表面と吐出口31とが平行に維持されると共に、吐出口31の長手方向に直交する矢印A2により示される水平方向に移動可能である。スリットノズル3の水平移動は、ノズル支持アーム2を支持する水平移動フレーム1を移動ガイド4、電動機9、及び制御手段10により水平に移動して行われる。
【0014】
次に、上記基板処理装置を用いた液盛り方法について説明する。まず、処理液飛散防止用のカップ側部7が図示しない駆動手段により上昇し、基板Wが図示しないロボットハンド等により基板保持手段5上に載置される。基板Wが基板保持手段5に載置された後、位置P1においてノズル受け8上で待機していたスリットノズル3が、吐出口31が基板Wの一辺(基端)よりやや外側の上面に配置される点P2まで矢印xに沿って水平に移動される。基板Wの表面とスリットノズル3の間隙は、例えば3mmに設定される。なお、この間隙の寸法は使用する処理液の粘度、分子量、親水性(接触角)等の物性に依存し、スリットノズル3から供給される処理液が毛細管現象によりスリットノズル3の吐出口平面に沿って広がるように調整されている。
【0015】
続いて、図示しない処理液供給弁を開き、吐出口31より処理液を供給しながら矢印yに沿って、スリットノズル3を基板Wの一辺(終端)方向へ一定の移動速度V1で水平移動させて基板Wの表面全域に液盛りが行なわれる。このときの移動速度V1は、後述するように、スリットノズル3への処理液供給流量Q1とスリットノズル3からの処理液吐出流量Q2とが等しくなる移動速度である。スリットノズル3が基板Wの一辺(終端)のやや内側の点P3まで到達すると、スリットノズル3の移動速度を増速させ、基板Wの終端を通過するときの移動速度をV2(V1<V2)として、前記水平移動の方向を維持して矢印zに沿ってスリットノズル3を点P4まで水平に移動させた後、スリットノズル3を停止させ、図示しない処理液供給弁を閉じ、スリットノズル3をノズル受け8上の待機位置まで移動させる。このようにして基板W表面全域に液盛りされた処理液は、所定の処理時間が経過すると、図示しない回転駆動手段により基板保持手段5が回動することにより基板上より除去される。この時、除去される処理液がミスト状になり飛散しないよう、予めカップ側部7を図示しない駆動手段により降下させておく。
【0016】
なお、上記構成では、保持した基板Wの上方をスリットノズル3が水平移動する構成となっているが、液盛り処理は、液盛り中のスリットノズル3と基板Wとの相対的な位置関係が維持されれば行うことができる。例えば、スリットノズル3を基板上方で固定し、その下方を基板Wが速度V1で水平移動させ、基板上の所定の位置以降の区間をスリットノズル3が相対的に通過する際、基板Wの移動速度をV2に増速しても同様の効果が得られる。
【0017】
次に、上記のスリットノズル3の移動速度V1,V2について、詳述する。基板上に液盛りを行う際、処理液の省液が可能で、かつ盛りむらのない最適なノズル移動速度Vは、以下に示す計算式によって導かれる。まず、図2に示されるように、スリットノズル3の吐出口31から基板W上へ吐出される処理液Mの吐出流量Q2は、Q2=L・H・(v・t)/t=L・H・v、又は、Q2=(S/d)・H・vと表される。ここで、Lは吐出口31の開口長、Hは吐出口31と基板W表面間との距離、vは液盛り時のスリットノズル移動速度、tはスリットノズル3が基板W上を速度vで移動した時間、Sは吐出口31の開口面積、wは吐出口31の開口幅である。
【0018】
上述の吐出流量Q2の式によると、吐出流量Q2は、吐出口31の開口形状を一定とすれば、スリットノズル3の移動速度vと基板Wとの距離Hによって決る。ここで、距離Hは、前述したように、処理液の粘度、分子量、親水性(接触角)等の物性に依存し、吐出口31から基板W上に供給される処理液Mが毛細管現象により吐出口平面と基板W表面とのなす間隙に沿って広がるように予め調整される固定値である。結局、スリットノズル3へ供給される処理液Mの供給流量Q1が一定であるとして、Q2=Q1を満たすようにノズル移動速度vを調整すれば、この一定値として求まる移動速度vにより、基板上に必要十分な処理液Mを供給することができる。従って、v=Q1/(L・H)又は、v=Q1/((S/w)・H)が、液盛りを行うときの最適なスリットノズル3の移動速度となる。
【0019】
次に、本基板処理装置を用いた処理液の液盛りの詳細を説明する。図3(a)に示されるように、液盛り処理において、スリットノズル3は、処理液Mを吐出しながら定速区間f1において移動速度V1(=上述のv)で移動し、増速区間f2において移動速度を上げて、基板終端を移動速度V2で通過する。具体的には、例えば、1辺の長さが152mmの角基板に対して、処理液Mを吐出する吐出口31が基板終端より5〜10mm程度基板側へ入った位置から以降を増速区間とし、また、定速区間f1においてV1=20mm/sec、増速区間f2においてV2=28mm/secとして処理することにより「液流れ」のない液盛り処理が達成されている。
【0020】
また、スリットノズル3が基板Wの終端を通過するとき、図3(b)に示されるように、スリットノズル3の先端にある吐出口31と基板W終端部エッジとで形成される間隙において、橋渡し液部hが形成され、この部分の処理液Mに作用する表面張力と重力が釣り合っている状態が現れる。この状態の後、図3(c)に示されるように、液零れが発生するよりも速く、又は、零れ落ちる処理液の量を最小限に止め、「液盛り」に十分な量の処理液を基板上に残してスリットノズル3と基板W上の処理液Mとの液離れ(橋渡し部hの消滅)をさせることにより液流れの発生が防止される。このような最適液離れをさせるため、上述のように増速された移動速度V2でスリットノズル3が移動される。この後、図3(d)に示されるように、基板W上の処理液Mは、基板端において表面張力により支えられ、所望の液盛り状態となる。
【0021】
なお、本発明は、上記構成に限られることなく種々の変形が可能である。例えば、スリットノズルと基板との位置関係及び移動速度関係は、前述のように相対的なものであり、予め門型に固定されたスリットノズルの下側を基板が通過する装置構造としてもよい。この場合、液盛り最終段階において、スリットノズルを基板の移動方向と逆に移動させて相対速度を増速する方法としてもよい。また、相対移動速度を一定速度から増速する速度変化パターンについては、液盛りする処理液の粘性等の物性値や液盛り条件(液盛り面積、液盛り量、液盛り幅等)に応じて、ステップ状とするか、又は、なめらかに変化するパターンにするかを決めればよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態による基板処理装置の断面模式図。
【図2】 (a)は同上装置に備えられるスリットノズルの斜視図、(b)は同スリットノズルを用いた液盛り処理と吐出流量の関係を示す斜視図。
【図3】 (a)〜(d)は、同上装置による液盛り処理の詳細を説明する基板断面。
【図4】 (a)は一般的な液盛り処理を説明する基板断面図、(b)は同液盛り処理の不良例を示す基板平面図、(c)は同断面図。
【図5】 (a)〜(d)は液盛り処理の不良原因を説明する基板断面図。
【図6】 (a)は基板左右端における液盛り処理状態を説明する基板横断面図、(b)は同縦断面図。
【図7】 従来の基板処理装置の断面模式図。
【符号の説明】
1 水平移動フレーム(移動手段)
2 ノズル支持アーム(移動手段)
3 スリットノズル
4 移動ガイド(移動手段)
5 基板保持手段
9 電動機(移動手段)
10 制御手段
31 吐出口
100 基板処理装置
M 処理液
W 基板
Claims (1)
- 角形又は円形基板を載置して水平に保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持された基板の表面全域に処理液を液盛りする処理液供給機構とを備え、前記基板表面全域に処理液を所定の液盛厚に液盛りして基板表面に所定の化学処理を施す基板処理装置において、
前記処理液供給機構は、角形基板の一辺又は円形基板の直径以上の長さの処理液吐出口を有するスリットノズルと、
前記スリットノズルの吐出口を前記基板表面と平行に維持すると共に該吐出口と該基板表面との間隔を、前記液盛厚程度の間隔に維持し、該吐出口より処理液を吐出しながら、前記スリットノズルの直交方向に前記基板と相対移動させる移動手段と、
前記スリットノズル及び前記移動手段を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記スリットノズルが、前記基板上を略一定の相対速度のもとで相対移動して該基板表面全域への液盛りを終了するまで該スリットノズルの吐出口と該基板表面との前記間隔を維持すると共に、液盛りを終了する際、前記基板の液盛り終了側端部より所定の距離だけ内側以降を、相対移動の速度を前記略一定の相対速度よりも増速して通過するように制御することを特徴とする基板処理装置。
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