WO2023032928A1 - 研磨液、研磨方法、部品の製造方法、及び、半導体部品の製造方法 - Google Patents

研磨液、研磨方法、部品の製造方法、及び、半導体部品の製造方法 Download PDF

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WO2023032928A1
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polishing
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彰吾 荒田
雅弘 坂下
康裕 市毛
陽介 星
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株式会社レゾナック
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    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]

Definitions

  • the present disclosure relates to a polishing liquid, a polishing method, a component manufacturing method, a semiconductor component manufacturing method, and the like.
  • CMP Chemical Mechanical Polishing
  • STI shallow trench isolation
  • premetal insulating material or interlayer It is an essential technology for flattening insulating materials, forming plugs or embedded metal wiring, and the like.
  • a polishing liquid used for CMP a polishing liquid containing abrasive grains containing cerium oxide is known (see, for example, Patent Documents 1 and 2 below).
  • JP-A-10-106994 Japanese Patent Application Laid-Open No. 08-022970
  • the present inventor focused on polishing a member to be polished containing a resin and particles containing a silicon compound using a polishing liquid, and when polishing such a member to be polished, the silicon compound was The present inventors have found that the particles contained in the powder may fall off, leaving traces of falling off on the surface to be polished, and the surface to be polished may not be flattened.
  • the present disclosure relates to the following [1] to [20] and the like.
  • a polishing liquid for polishing a member to be polished wherein the polishing liquid contains abrasive grains containing cerium oxide, and the member to be polished contains a resin and particles containing a silicon compound.
  • the polishing liquid according to [3], wherein the ether compound contains an alkoxy alcohol.
  • the polishing liquid according to [4], wherein the ether compound contains an alkoxy alcohol having a molecular weight of less than 200.
  • a method for manufacturing a component wherein the component is obtained by using the member to be polished that has been polished by the polishing method according to [17] or [18].
  • a method for manufacturing a semiconductor component wherein the semiconductor component is obtained by using the member to be polished that has been polished by the polishing method according to [17] or [18].
  • a polishing liquid capable of suppressing the generation of traces of falling off of the particles when polishing a member to be polished containing resin and particles containing a silicon compound.
  • a polishing method using the polishing liquid.
  • a component manufacturing method using the polishing method.
  • a numerical range indicated using “-” indicates a range that includes the numerical values before and after "-" as the minimum and maximum values, respectively.
  • “A or more” in a numerical range means A and a range exceeding A.
  • “A or less” in a numerical range means A and a range less than A.
  • the upper limit value or lower limit value of the numerical range in one step can be arbitrarily combined with the upper limit value or lower limit of the numerical range in another step.
  • the upper or lower limits of the numerical ranges may be replaced with the values shown in the examples.
  • “A or B” may include either A or B, or may include both.
  • each component in the composition means the total amount of the plurality of substances present in the composition unless otherwise specified when there are multiple substances corresponding to each component in the composition.
  • film includes not only a shape structure formed over the entire surface but also a shape structure formed partially when viewed as a plan view.
  • process is included in the term not only as an independent process, but also as long as the intended action of the process is achieved even if it is not clearly distinguishable from other processes.
  • An “alkyl group” may be linear, branched or cyclic, unless otherwise specified.
  • “Abrasive grain” means an aggregate of a plurality of grains, but for the sake of convenience, one grain that constitutes the abrasive grain may be called an abrasive grain.
  • the polishing liquid according to this embodiment is a polishing liquid for polishing a member to be polished, and the member to be polished contains a resin and particles containing a silicon compound.
  • the polishing liquid according to this embodiment contains abrasive grains containing cerium oxide.
  • the polishing liquid according to this embodiment can be used as a CMP polishing liquid.
  • the polishing liquid according to the present embodiment when a member to be polished containing particles containing a resin and a silicon compound (a compound containing silicon) is polished, the particles fall off from the surface to be polished, leaving no traces of falling off. The occurrence can be suppressed. According to the polishing liquid according to the present embodiment, it is possible to suppress the occurrence of drop-off traces having a minor axis of 1.0 ⁇ m or more, for example, in the evaluations described later in Examples. Although the factors capable of suppressing the occurrence of traces of dropping are not necessarily clear, the present inventor presumes that they are as follows.
  • the abrasive grains containing cerium oxide do not only polish the member to be polished by physical action, but also form a chemical bond with the silicon compound to chemically polish the member to be polished.
  • the member to be polished can be polished while suppressing the generation of marks.
  • the factor for obtaining the effect is not limited to the content.
  • the minor axis of the drop trace may be 0.2 ⁇ m or more, 0.6 ⁇ m or more, or 1.0 ⁇ m or more.
  • a polished surface of a member to be polished which is required to be flattened, may contain resin (eg, epoxy resin) and particles containing a silicon compound (eg, silicon oxide).
  • the member to be polished may comprise a substrate portion containing particles including a resin and a silicon compound. According to one aspect of the polishing liquid according to the present embodiment, it is possible to suitably polish these members to be polished.
  • resins include epoxy resins, phenolic resins, acrylic resins, methacrylic resins, novolac resins, polyesters (unsaturated polyesters and polyesters that do not fall under unsaturated polyesters), polyimides, polyamideimides, polyhydroxystyrenes, polybenzoxazoles (PBO ), polybenzoxazole precursors, polyallyl ethers, heterocyclic ring-containing resins (excluding the resins exemplified above), and the like.
  • heterocyclic ring-containing resin include pyrrole ring-containing resins, pyridine ring-containing resins, imidazole ring-containing resins, and the like.
  • the member to be polished may contain at least one of these as a main component.
  • the member to be polished may contain at least one selected from the group consisting of epoxy resin, polyimide, polybenzoxazole, and precursors of polybenzoxazole.
  • Silicon compounds of the particles include silicon oxides (eg, SiO 2 ), SiOC, silicon nitrides (eg, SiN), and the like.
  • the particles containing silicon compounds may contain silicon oxides.
  • the short diameter of the particles or the proportion of the area occupied by the particles may be within the following ranges.
  • the minor diameter of the particles may be 0.01 ⁇ m or greater, 0.2 ⁇ m or greater, 0.6 ⁇ m or greater, or 1.0 ⁇ m or greater.
  • the minor diameter of the particles may be 100 ⁇ m or less, 50 ⁇ m or less, 25 ⁇ m or less, or 15 ⁇ m or less.
  • the minor diameter of the particles may be 0.01 to 100 ⁇ m.
  • the area percentage may be 1% or more, 15% or more, 30% or more, 45% or more, or 60% or more.
  • the area percentage may be 99% or less, 90% or less, 80% or less, or 70% or less. From these points of view, the area ratio may range from 1 to 99%.
  • Metals of the metal material include copper, cobalt, tantalum, aluminum, titanium, tungsten, manganese, and the like.
  • metal materials include wiring materials and barrier metal materials.
  • Metal materials include copper-based metals (metallic copper (elemental metal), copper compounds, etc.), cobalt-based metals (metallic cobalt (elemental metal), etc.), tantalum-based metals (metallic tantalum (elemental metal), tantalum nitride, etc.), Aluminum-based metals (metallic aluminum (elementary metal), etc.), titanium-based metals (metallic titanium (elemental metal), titanium nitride, etc.), tungsten-based metals (metallic tungsten (elementary metal), etc.), manganese-based metals (metallic manganese (elementary metal) metal), etc.).
  • a copper polishing rate of, for example, 0.05 ⁇ m/min or more (preferably 0.35 ⁇ m/min or more) in the evaluations described in Examples below. can.
  • the member to be polished includes a substrate portion containing particles containing a resin and a silicon compound, and openings formed in the substrate portion (thickness direction of the member to be polished (thickness direction of the substrate portion)). a metal portion disposed in the extending opening) and containing a metal material. Further, the member to be polished includes a metal portion extending in the thickness direction of the member to be polished (thickness direction of the base member) and containing a metal material, and at least a part (part or all) of the outer circumference of the metal portion.
  • the member to be polished may comprise at least one (eg, multiple) metal portion.
  • the member to be polished may be obtained by supplying the constituent material of the metal portion to an opening formed in the base portion, and supplying the constituent material of the base portion so as to cover at least a part of the outer periphery of the metal portion. may be obtained by According to one aspect of the polishing liquid according to the present embodiment, it is possible to suitably polish these members to be polished.
  • the cross-sectional shape of the metal portion perpendicular to the thickness direction of the member to be polished may be circular, and the diameter of the metal portion may be 1 to 200 ⁇ m.
  • the spacing between adjacent metal parts may be 1-200 ⁇ m.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of a member to be polished, showing a cross section parallel to the surface to be polished.
  • the member 10 to be polished shown in FIG. contains particles 12b containing However, the size and number of each member (particle 12b, metal portion 14, etc.), the size ratio between members, and the like are not limited to the illustrated contents.
  • the polishing liquid according to this embodiment contains abrasive grains containing cerium oxide.
  • Abrasive grains may comprise one or more types of particles.
  • Inorganic materials such as silica (SiO 2 ), alumina, zirconia, titania, germania, silicon carbide, etc., can be cited as constituent materials of abrasive grains other than cerium oxide.
  • the polishing liquid according to the present embodiment may not contain alumina as a constituent material of the abrasive grains.
  • the content of alumina is 0.1% by mass or less, less than 0.1% by mass, 0.01% by mass or less, 0.001% by mass or less, or substantially 0% by mass, based on the total mass of the polishing liquid. %.
  • the content of cerium oxide in the abrasive grains is the entire abrasive grains (contained in the polishing liquid 90% by mass or more, 93% by mass or more, 95% by mass or more, 95% by mass or more, 98% by mass or more, 99% by mass or more based on the entire abrasive grain, or the entire grain that constitutes the abrasive grain) , 99.5% by mass or more, or 99.9% by mass or more.
  • the abrasive grains may be in an aspect in which the abrasive grains are substantially made of cerium oxide (an aspect in which substantially 100 mass % of the abrasive grains are cerium oxide).
  • the average grain size D50 or D80 of abrasive grains may be within the following range.
  • the average particle diameters D50 and D80 of the abrasive grains mean the 50% and 80% particle diameters of the volume-based cumulative distribution, and can be measured by, for example, a laser diffraction particle size distribution meter.
  • the average particle size of the abrasive grains can be adjusted by natural sedimentation, pulverization, dispersion, filtration, etc. For example, the particle size adjustment may be performed after mixing the components of the polishing liquid.
  • the average particle diameter D50 of the abrasive grains is 10 nm or more, 50 nm or more, 70 nm or more, and 100 nm or more from the viewpoint of easily suppressing the generation of traces of falling off of particles containing a silicon compound and from the viewpoint of easily improving the polishing rate of a metal material. , 150 nm or more, >150 nm, 200 nm or more, 250 nm or more, 300 nm or more, 320 nm or more, or 340 nm or more.
  • the average particle diameter D50 of the abrasive grains may be 1000 nm or less, 800 nm or less, 600 nm or less, 500 nm or less, 450 nm or less, 400 nm or less, or 350 nm or less from the viewpoint of easily suppressing polishing scratches. From these points of view, the average particle diameter D50 of the abrasive grains may be 10-1000 nm, 50-800 nm, 100-500 nm, or 200-400 nm.
  • the average particle diameter D80 of the abrasive grains is 50 nm or more, 100 nm or more, 200 nm or more, and 300 nm or more from the viewpoint of easily suppressing the generation of falling traces of particles containing a silicon compound and from the viewpoint of easily improving the polishing rate of a metal material. , 350 nm or greater, 400 nm or greater, 450 nm or greater, 500 nm or greater, 550 nm or greater, or 600 nm or greater.
  • the average particle size D80 of the abrasive grains may be 1200 nm or less, 1100 nm or less, 1000 nm or less, 900 nm or less, 800 nm or less, 750 nm or less, 700 nm or less, or 650 nm or less from the viewpoint of easily suppressing polishing scratches. From these points of view, the average grain size D80 of the abrasive grains may be 50-1200 nm, 100-1000 nm, 300-800 nm, or 500-700 nm.
  • the content of abrasive grains may be within the following ranges based on the total mass of the polishing liquid.
  • the content of abrasive grains is 0.01% by mass or more and 0.05% by mass or more from the viewpoint of easily suppressing the generation of traces of falling off of particles containing silicon compounds and from the viewpoint of easily improving the polishing rate of metal materials. , 0.1% by mass or more, 0.3% by mass or more, 0.5% by mass or more, more than 0.5% by mass, 0.7% by mass or more, 0.8% by mass or more, 0.9% by mass or more, It may be 1% by mass or more, 1.5% by mass or more, or 2% by mass or more.
  • the content of the abrasive grains is 10% by mass or less, 8% by mass or less, 5% by mass or less, 4% by mass or less, 3% by mass or less, It may be 2% by mass or less, 1.5% by mass or less, or 1% by mass or less. From these viewpoints, the content of abrasive grains is 0.01 to 10% by mass, 0.1 to 5% by mass, 0.5 to 2% by mass, or 0.5 to 1.5% by mass. good.
  • the polishing liquid according to this embodiment may contain water. Water may be contained as the remainder after removing other constituents from the polishing liquid. The content of water may be within the following ranges based on the total mass of the polishing liquid. The water content is 90% by mass or more, 91% by mass or more, 92% by mass or more, 93% by mass or more, 94% by mass or more, 94.5% by mass or more, 95% by mass or more, 95.5% by mass or more, It may be 96% by mass or more, 97% by mass or more, or 98% by mass or more.
  • the water content may be less than 100 wt%, 99 wt% or less, 98 wt% or less, 97 wt% or less, 96 wt% or less, or 95.5 wt% or less. From these viewpoints, the water content may be 90% by mass or more and less than 100% by mass, 90 to 99% by mass, or 95 to 99% by mass.
  • the polishing liquid according to this embodiment may contain components other than abrasive grains and water.
  • Such components include ether compounds having a hydroxy group (hereinafter sometimes referred to as "ether compound A"), ether compounds having no hydroxy group, acid components, ammonia, anticorrosives, basic hydroxides, peroxides, substances, organic solvents, surfactants, antifoaming agents, and the like.
  • ether compound A ether compounds having a hydroxy group
  • the polishing liquid according to this embodiment may not contain at least one of these components.
  • the polishing liquid according to the present embodiment is an ether compound having a hydroxy group (ether compound A) from the viewpoint of easily suppressing the generation of dropout marks of particles containing a silicon compound and from the viewpoint of easily improving the polishing rate of a metal material.
  • An ether compound having a hydroxy group is a compound having at least one hydroxy group and at least one ether group.
  • the “ether group” in the ether compound A does not include the “—O—” structure in a hydroxy group (hydroxyl group), carboxyl group, carboxylic acid group, ester group, sulfo group and phosphoric acid group. Hydroxy groups do not include OH groups contained in carboxy groups, sulfo groups and phosphate groups.
  • the ether compound A may contain a compound having the number of hydroxy groups within the following range from the viewpoint of easily suppressing the generation of traces of falling off of the silicon compound-containing particles and from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the metal material.
  • the number of hydroxy groups is 1 or more, and may be 2 or more, 3 or more, 4 or more, 5 or more, 6 or more, 8 or more, 9 or more, 10 or more, 11 or more, or 12 or more.
  • the number of hydroxy groups may be 20 or less, 15 or less, 12 or less, 11 or less, 10 or less, 9 or less, 8 or less, 6 or less, 5 or less, 4 or less, 3 or less, or 2 or less.
  • Ether compound A may contain a compound having one hydroxy group, and two or more, from the viewpoint of easily suppressing the generation of traces of falling off of particles containing a silicon compound and from the viewpoint of easily improving the polishing rate of a metal material. and may include compounds with one hydroxy group and compounds with two or more hydroxy groups.
  • the ether compound A may contain a compound having the number of ether groups within the following range from the viewpoint of easily suppressing the generation of traces of falling off of the silicon compound-containing particles and from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the metal material. .
  • the number of ether groups is 1 or more, and may be 2 or more, 3 or more, 4 or more, 5 or more, 6 or more, 8 or more, or 9 or more.
  • the number of ether groups may be 20 or less, 15 or less, 12 or less, 11 or less, 10 or less, 9 or less, 8 or less, 6 or less, 5 or less, 4 or less, 3 or less, or 2 or less. From these points of view, the number of ether groups can be 1-20, 1-10, 1-5, 1-3, or 1-2.
  • the ether compound A may contain a compound having one ether group, or two or more, from the viewpoint of easily suppressing the generation of traces of falling off of particles containing a silicon compound and from the viewpoint of easily improving the polishing rate of a metal material. and may include compounds with one ether group and compounds with two or more ether groups.
  • the ether compound A may contain an alkoxy alcohol from the viewpoint of easily suppressing the generation of traces of falling off of the silicon compound-containing particles and from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the metal material.
  • Alkoxy alcohols include 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, 2-(2-methoxy)ethoxyethanol, 2-(2-butoxyethoxy)ethanol, 2-propoxyethanol, 2-butoxyethanol, 3-methoxy-3 -methyl-1-butanol, 2-(methoxymethoxy)ethanol, 2-isopropoxyethanol, 2-butoxyethanol, 2-isopentyloxyethanol, 1-propoxy-2-propanol, 3-methoxy-3-methyl-1 -butanol, 3-methoxy-1-butanol, 3-methoxy-3-methylbutanol, 1-methoxy-2-butanol, glycol monoether and the like.
  • Alkoxy alcohols have 1 to 5 carbon atoms, 1 to 4 carbon atoms, 1 to 3 carbon atoms, and 1 carbon atoms from the viewpoints of easily suppressing the generation of traces of falling off of particles containing a silicon compound and from the viewpoint of easily improving the polishing rate of metal materials. It may include compounds with ⁇ 2 or 2-3 alkoxy groups.
  • the alkoxy alcohol may contain 1-propoxy-2-propanol, and 3-methoxy- It may include 3-methyl-1-butanol.
  • the ether compound A may contain a polyether from the viewpoint of easily suppressing the generation of traces of falling off of the silicon compound-containing particles and from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the metal material, and contains an alkoxy alcohol and a polyether. good.
  • Polyethers include polyglycerin, polysaccharides, polyalkylene glycol, polyoxypropylene polyglyceryl ether, polyoxyethylene polyglyceryl ether, 1,4-di(2-hydroxyethoxy)benzene, 2,2-bis(4-polyoxy ethyleneoxyphenyl)propane, 2,2-bis(4-polyoxypropyleneoxyphenyl)propane, ethylene glycol monophenyl ether, diethylene glycol monophenyl ether, polyoxyalkylene monophenyl ether, propylene glycol monophenyl ether, polyoxypropylene monomethyl Phenyl ether, polyethylene glycol monomethyl ether, pentaerythritol polyoxyethylene ether, ethylene glycol monoallyl ether, polyoxyethylene monoallyl ether, alkyl glucoside and the like.
  • polyethers compounds other than alkoxy alcohols may be used.
  • the polyether may contain polyglycerin from the viewpoints of easily suppressing the generation of traces of falling off of particles containing a silicon compound and from the viewpoint of easily improving the polishing rate of a metal material.
  • Ether compound A contains polyglycerin having an average degree of polymerization of glycerin in the following range from the viewpoint of easily suppressing the generation of traces of falling off of particles containing a silicon compound and from the viewpoint of easily improving the polishing rate of metal materials. good.
  • the average degree of polymerization may be 3 or more, 4 or more, 5 or more, 8 or more, or 10 or more.
  • the average degree of polymerization may be 100 or less, 50 or less, 30 or less, 20 or less, 15 or less, 12 or less, or 10 or less. From these viewpoints, the average degree of polymerization may be 3-100, 5-50, 8-20, 5-15, or 8-15.
  • the ether compound A may contain polyglycerin with a hydroxyl value in the following range from the viewpoint of easily suppressing the generation of traces of falling off of particles containing silicon compounds and from the viewpoint of easily improving the polishing rate of metal materials.
  • the hydroxyl value may be 100 or higher, 200 or higher, 300 or higher, 400 or higher, 500 or higher, 600 or higher, 700 or higher, 800 or higher, 850 or higher, or 870 or higher.
  • the hydroxyl value may be 2000 or less, 1500 or less, 1200 or less, 1100 or less, 1000 or less, 950 or less, 930 or less, or 910 or less. From these viewpoints, the hydroxyl value may be 100-2000, 300-1500, 500-1200, or 800-1000.
  • Ether compound A contains a compound having one hydroxy group and one ether group from the viewpoint of easily suppressing the generation of traces of falling off of particles containing a silicon compound and from the viewpoint of easily improving the polishing rate of a metal material. good.
  • Ether compound A contains an alkyl group having a hydroxy group as a substituent and an unsubstituted alkyl and a compound having an ether group linking the group, and the compound may be a compound having one hydroxy group and one ether group.
  • the ether compound A may contain compounds having the following molecular weights from the viewpoints of easily suppressing the generation of traces of falling off of particles containing silicon compounds and from the viewpoint of easily improving the polishing rate of metal materials.
  • the molecular weight is 50 or more, 80 or more, 100 or more, 110 or more, 115 or more, 118 or more, 120 or more, 150 or more, 190 or more, 200 or more, more than 200, 300 or more, 500 or more, 700 or more, or 750 or more. It's okay.
  • the molecular weight is 3000 or less, 2000 or less, 1500 or less, 1200 or less, 1000 or less, 800 or less, 750 or less, 700 or less, 500 or less, 300 or less, 200 or less, less than 200, 190 or less, 150 or less, or 120 or less. It's okay. From these points of view, the molecular weight may be 50-3000, 80-1000, 100-500, 100-200, or 100-200.
  • Ether compounds A may include, for example, alkoxy alcohols with a molecular weight of less than 200.
  • the weight average molecular weight may be used as the above molecular weight.
  • the weight average molecular weight can be measured under the following conditions using, for example, gel permeation chromatography (GPC: Gel Permeation Chromatography).
  • the content of the alkoxy alcohol is the total weight of the ether compound (the ether compound or the total mass of the ether compound A (the total mass of the ether compound A contained in the polishing liquid).
  • the content of alkoxy alcohol is more than 0% by mass, 5% by mass or more, 8% by mass or more, 10% by mass or more, 12% by mass or more, 15% by mass or more, 18% by mass or more, 20% by mass or more, 23% by mass.
  • the content of alkoxy alcohol is 100% by mass or less, less than 100% by mass, 95% by mass or less, 90% by mass or less, 85% by mass or less, 80% by mass or less, 75% by mass or less, 70% by mass or less, 65% by mass. 60% by mass or less, 55% by mass or less, 50% by mass or less, less than 50% by mass, 45% by mass or less, 40% by mass or less, 35% by mass or less, 30% by mass or less, 25% by mass or less, or 24 % by mass or less. From these viewpoints, the content of alkoxy alcohol is more than 0% by mass and 100% by mass or less, 5 to 100% by mass, 5 to 95% by mass, 5 to 50% by mass, 5 to 40% by mass, 20 to 100% by mass. , 20 to 95% by weight, 20 to 50% by weight, or 20 to 40% by weight.
  • the content A is an ether compound from the viewpoint of easily suppressing the generation of traces of falling off of particles containing a silicon compound and from the viewpoint of easily improving the polishing rate of a metal material. (total mass of ether compounds contained in polishing liquid) or total mass of ether compound A (total mass of ether compound A contained in polishing liquid).
  • Content A is more than 0% by mass, 5% by mass or more, 10% by mass or more, 15% by mass or more, 20% by mass or more, 25% by mass or more, 30% by mass or more, 35% by mass or more, 40% by mass or more, 45% by mass or more, 50% by mass or more, more than 50% by mass, 55% by mass or more, 60% by mass or more, 65% by mass or more, 70% by mass or more, 75% by mass or more, or 76% by mass or more .
  • the content A is 100% by mass or less, less than 100% by mass, 95% by mass or less, 92% by mass or less, 90% by mass or less, 88% by mass or less, 85% by mass or less, 82% by mass or less, 80% by mass or less, It may be 77% by mass or less, 76% by mass or less, 75% by mass or less, 70% by mass or less, or 65% by mass or less. From these viewpoints, the content A is more than 0% by mass and 100% by mass or less, more than 0% by mass and 95% by mass or less, 5 to 95% by mass, 50 to 95% by mass, 60 to 95% by mass, more than 0% by mass. It may be 80% by mass or less, 5 to 80% by mass, 50 to 80% by mass, or 60 to 80% by mass.
  • the content of the ether compound A is within the following range based on the total mass of the polishing liquid, from the viewpoint of easily suppressing the generation of traces of falling off of the particles containing the silicon compound and from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the metal material. It's okay.
  • the content of the ether compound A is more than 0% by mass, 0.01% by mass or more, 0.03% by mass or more, 0.05% by mass or more, 0.08% by mass or more, 0.1% by mass or more, 0.1% by mass or more.
  • the content of the ether compound A is 10% by mass or less, 8% by mass or less, 5% by mass or less, 3% by mass or less, 2% by mass or less, 1.8% by mass or less, 1.7% by mass or less, and 1.6% by mass.
  • % by mass or less 1.5% by mass or less, 1.4% by mass or less, 1.3% by mass or less, 1.2% by mass or less, 1.1% by mass or less, 1% by mass or less, less than 1% by mass, 0 0.8% by mass or less, 0.5% by mass or less, 0.3% by mass or less, or 0.1% by mass or less.
  • the content of the ether compound A is more than 0% by mass and 10% by mass or less, 0.1 to 10% by mass, 0.5 to 10% by mass, 1 to 10% by mass, 0% by mass to 5% by mass % or less, 0.1 to 5% by mass, 0.5 to 5% by mass, 1 to 5% by mass, more than 0% by mass and 3% by mass or less, 0.1 to 3% by mass, 0.5 to 3% by mass, Alternatively, it may be 1 to 3% by mass.
  • the content of the alkoxy alcohol is within the following range based on the total mass of the polishing liquid, from the viewpoints of easily suppressing the generation of traces of falling off of the silicon compound-containing particles and from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the metal material.
  • the content of alkoxy alcohol is more than 0% by mass, 0.01% by mass or more, 0.03% by mass or more, 0.05% by mass or more, 0.08% by mass or more, 0.1% by mass or more, 0.15% by mass % by mass or more, 0.2% by mass or more, 0.25% by mass or more, 0.3% by mass or more, 0.31% by mass or more, 0.33% by mass or more, 0.35% by mass or more, 0.4% by mass % or more, 0.45 mass % or more, 0.5 mass % or more, 0.55 mass % or more, 0.6 mass % or more, 0.65 mass % or more, 0.7 mass % or more, 0.8 mass % or more, or 1% by mass or more.
  • the content of the alkoxy alcohol is 5% by mass or less, 3% by mass or less, 1% by mass or less, 0.8% by mass or less, 0.7% by mass or less, 0.65% by mass or less, 0.6% by mass or less, 0.55% by mass or less, 0.5% by mass or less, 0.45% by mass or less, 0.4% by mass or less, 0.35% by mass or less, 0.33% by mass or less, 0.31% by mass or less, 0 .3% by mass or less, 0.25% by mass or less, 0.2% by mass or less, 0.15% by mass or less, or 0.1% by mass or less.
  • the content of the alkoxy alcohol is more than 0% by mass and 5% by mass or less, 0.01 to 5% by mass, 0.1 to 5% by mass, 0.2 to 5% by mass, more than 0% by mass1 % by mass or less, 0.01 to 1% by mass, 0.1 to 1% by mass, 0.2 to 1% by mass, more than 0% by mass and 0.8% by mass or less, 0.01 to 0.8% by mass, 0 .1 to 0.8% by mass, 0.2 to 0.8% by mass, more than 0% by mass and 0.5% by mass or less, 0.01 to 0.5% by mass, 0.1 to 0.5% by mass, Alternatively, it may be 0.2 to 0.5% by mass.
  • the content B is the polishing liquid, from the viewpoint of easily suppressing the generation of traces of falling off of the particles containing the silicon compound and from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the metal material. It may be in the following range based on the total mass of. Content B is more than 0% by mass, 0.01% by mass or more, 0.05% by mass or more, 0.1% by mass or more, 0.3% by mass or more, 0.5% by mass or more, 0.6% by mass Above, it may be 0.8% by mass or more, 0.9% by mass or more, or 1% by mass or more.
  • Content B is 10% by mass or less, 8% by mass or less, 7% by mass or less, 6% by mass or less, 5% by mass or less, 4% by mass or less, 3% by mass or less, 2% by mass or less, 1.5% by mass or less, or 1% by mass or less. From these viewpoints, the content B is more than 0% by mass and 10% by mass or less, 0.01 to 10% by mass, 0.1 to 5% by mass, 0.5 to 3% by mass, or 0.5 to 2 % by mass.
  • the content of the ether compound A is in the following range with respect to 100 parts by mass of abrasive grains, from the viewpoint of easily suppressing the generation of traces of falling off of particles containing a silicon compound and from the viewpoint of easily improving the polishing rate of metal materials. It's okay.
  • the content of the ether compound A is more than 0 parts by mass, 1 part by mass or more, 3 parts by mass or more, 5 parts by mass or more, 8 parts by mass or more, 10 parts by mass or more, 30 parts by mass or more, 50 parts by mass or more, 80 parts by mass parts or more, 100 parts by mass or more, more than 100 parts by mass, 110 parts by mass or more, 120 parts by mass or more, 130 parts by mass or more, 140 parts by mass or more, 150 parts by mass or more, or 160 parts by mass or more.
  • the content of ether compound A is 1000 parts by mass or less, 800 parts by mass or less, 500 parts by mass or less, 300 parts by mass or less, 200 parts by mass or less, 180 parts by mass or less, 170 parts by mass or less, 160 parts by mass or less, 150 parts by mass parts or less, 140 parts by mass or less, 120 parts by mass or less, 110 parts by mass or less, 100 parts by mass or less, less than 100 parts by mass, 80 parts by mass or less, 50 parts by mass or less, 30 parts by mass or less, 10 parts by mass or less, 8 parts by mass parts or less, or 5 parts by mass or less.
  • the content of the ether compound A is more than 0 parts by mass and 1000 parts by mass or less, 10 to 1000 parts by mass, 50 to 1000 parts by mass, 100 to 1000 parts by mass, more than 0 parts by mass to 500 parts by mass or less, 10 ⁇ 500 parts by mass, 50 to 500 parts by mass, 100 to 500 parts by mass, more than 0 parts by mass and 300 parts by mass or less, 10 to 300 parts by mass, 50 to 300 parts by mass, or 100 to 300 parts by mass.
  • the content of the alkoxy alcohol is within the following ranges per 100 parts by mass of the abrasive grains, from the viewpoints of easily suppressing the generation of dropout marks of particles containing silicon compounds and from the viewpoint of easily improving the polishing rate of metal materials. you can
  • the content of alkoxy alcohol is more than 0 parts by mass, 1 part by mass or more, 3 parts by mass or more, 5 parts by mass or more, 8 parts by mass or more, 10 parts by mass or more, 15 parts by mass or more, 20 parts by mass or more, 25 parts by mass Above, 30 parts by mass or more, 35 parts by mass or more, 40 parts by mass or more, 45 parts by mass or more, 50 parts by mass or more, 55 parts by mass or more, 60 parts by mass or more, 65 parts by mass or more, 70 parts by mass or more, 80 parts by mass or more, or 100 parts by mass or more.
  • the content of alkoxy alcohol is 500 parts by mass or less, 300 parts by mass or less, 100 parts by mass or less, 80 parts by mass or less, 70 parts by mass or less, 65 parts by mass or less, 60 parts by mass or less, 55 parts by mass or less, 50 parts by mass 45 parts by mass or less, 40 parts by mass or less, 35 parts by mass or less, 30 parts by mass or less, 25 parts by mass or less, 20 parts by mass or less, 15 parts by mass or less, 10 parts by mass or less, 8 parts by mass or less, or 5 It may be less than or equal to parts by mass.
  • the content of the alkoxy alcohol is more than 0 parts by mass and 500 parts by mass or less, 1 to 500 parts by mass, 10 to 500 parts by mass, 20 to 500 parts by mass, more than 0 parts by mass to 100 parts by mass or less, 1 to 100 parts by mass, 10 to 100 parts by mass, 20 to 100 parts by mass, more than 0 parts by mass and 80 parts by mass or less, 1 to 80 parts by mass, 10 to 80 parts by mass, 20 to 80 parts by mass, more than 50 parts by mass below, it may be 1 to 50 parts by mass, 10 to 50 parts by mass, or 20 to 50 parts by mass.
  • the content C is, from the viewpoint of easily suppressing the generation of traces of falling off of particles containing a silicon compound, and from the viewpoint of easily improving the polishing rate of a metal material, abrasive grains. It may be in the following range with respect to 100 parts by mass.
  • the content C is more than 0 parts by mass, 1 part by mass or more, 5 parts by mass or more, 10 parts by mass or more, 30 parts by mass or more, 50 parts by mass or more, 60 parts by mass or more, 80 parts by mass or more, 90 parts by mass or more, Alternatively, it may be 100 parts by mass or more.
  • Content C is 1000 parts by mass or less, 800 parts by mass or less, 700 parts by mass or less, 600 parts by mass or less, 500 parts by mass or less, 400 parts by mass or less, 300 parts by mass or less, 200 parts by mass or less, 150 parts by mass or less, Alternatively, it may be 100 parts by mass or less. From these viewpoints, the content C may be more than 0 parts by mass and 1000 parts by mass or less, 1 to 1000 parts by mass, 10 to 500 parts by mass, 50 to 300 parts by mass, or 50 to 200 parts by mass.
  • the content of alkoxy alcohol is 100 parts by mass of polyether or 100 parts by mass of polyglycerin from the viewpoint of easily suppressing the generation of traces of falling off of particles containing a silicon compound and from the viewpoint of easily improving the polishing rate of metal materials. may be within the following range.
  • the content of alkoxy alcohol is more than 0 parts by mass, 1 part by mass or more, 3 parts by mass or more, 5 parts by mass or more, 8 parts by mass or more, 10 parts by mass or more, 15 parts by mass or more, 20 parts by mass or more, 25 parts by mass Above, 30 parts by mass or more, 32 parts by mass or more, 33 parts by mass or more, 34 parts by mass or more, 35 parts by mass or more, 40 parts by mass or more, 45 parts by mass or more, 50 parts by mass or more, 55 parts by mass or more, 60 parts by mass or more, or 65 parts by mass or more.
  • the content of alkoxy alcohol is 1000 parts by mass or less, 800 parts by mass or less, 700 parts by mass or less, 600 parts by mass or less, 500 parts by mass or less, 400 parts by mass or less, 300 parts by mass or less, 200 parts by mass or less, 150 parts by mass Below, 120 parts by mass or less, 100 parts by mass or less, 80 parts by mass or less, 70 parts by mass or less, 65 parts by mass or less, 60 parts by mass or less, 55 parts by mass or less, 50 parts by mass or less, 45 parts by mass or less, 40 parts by mass 35 parts by mass or less, 34 parts by mass or less, 33 parts by mass or less, or 32 parts by mass or less.
  • the content of the alkoxy alcohol is more than 0 parts by mass and 1000 parts by mass or less, 1 to 1000 parts by mass, 10 to 1000 parts by mass, more than 0 parts by mass to 200 parts by mass or less, 1 to 200 parts by mass, 10 to 200 parts by mass, more than 0 parts by mass and 100 parts by mass or less, 1 to 100 parts by mass, 10 to 100 parts by mass, more than 0 parts by mass to 50 parts by mass or less, 1 to 50 parts by mass, or 10 to 50 parts by mass good.
  • the polishing liquid according to this embodiment does not need to contain xanthan gum as the ether compound A.
  • the content of xanthan gum is 0.5% by mass or less, less than 0.5% by mass, 0.1% by mass or less, 0.01% by mass or less, or substantially 0% by mass, based on the total mass of the polishing liquid. %.
  • the polishing liquid according to this embodiment may contain an acid component. It is presumed that the acid component forms a complex with the metal material, the acid component dissolves the metal material, and the like, thereby easily increasing the polishing rate of the metal material.
  • the polishing liquid according to the present embodiment may contain an organic acid component or an inorganic acid component as the acid component.
  • Organic acid components include organic acids (excluding amino acids), organic acid esters, organic acid salts, amino acids, amino acid esters, amino acid salts, and the like.
  • Organic acids include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, 2-methylbutyric acid, n-hexanoic acid, 3,3-dimethylbutyric acid, 2-ethylbutyric acid, 4-methylpentanoic acid, n-heptanoic acid, 2-methylhexanoic acid, n-octanoic acid, 2-ethylhexanoic acid, benzoic acid, glycolic acid, salicylic acid, glyceric acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, 3-methylphthalic acid, 4-methylphthalic acid, 3-aminophthalic acid acid, 4-aminophthalic acid, 3-nitrophthalic acid, 4-nitrophthalic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, maleic acid,
  • organic acid esters include esters of the above-described organic acids.
  • organic acid salts include ammonium salts (for example, ammonium acetate), alkali metal salts, alkaline earth metal salts, and halides of the above organic acids.
  • Amino acids include alanine, arginine, asparagine, aspartic acid, cysteine, glutamine, glutamic acid, glycine, histidine, isoleucine, leucine, lysine, methionine, phenylalanine, proline, serine, threonine, tryptophan, tyrosine, valine, and the like.
  • amino acid esters include esters of the above-described amino acids.
  • amino acid salts include alkali metal salts of the above-described organic acids.
  • inorganic acid components include inorganic acids, ammonium salts of inorganic acids, and metal salts of inorganic acids (alkali metal salts, alkaline earth metal salts, etc.).
  • inorganic acids include hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, chromic acid and the like.
  • ammonium salts of inorganic acids include ammonium salts of monovalent inorganic acids such as ammonium nitrate, ammonium chloride and ammonium bromide; ammonium salts of divalent inorganic acids such as ammonium carbonate, ammonium hydrogen carbonate, ammonium sulfate and ammonium persulfate; Ammonium salts of trivalent inorganic acids such as ammonium acid, ammonium hydrogen phosphate, ammonium dihydrogen phosphate, and ammonium borate.
  • monovalent inorganic acids such as ammonium nitrate, ammonium chloride and ammonium bromide
  • ammonium salts of divalent inorganic acids such as ammonium carbonate, ammonium hydrogen carbonate, ammonium sulfate and ammonium persulfate
  • Ammonium salts of trivalent inorganic acids such as ammonium acid, ammonium hydrogen phosphate, ammonium dihydrogen phosphate, and ammonium
  • the organic acid component may contain at least one selected from the group consisting of organic acids different from amino acids and amino acids, and is selected from the group consisting of malic acid and glycine, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the metal material. At least one kind may be included.
  • the inorganic acid component contains at least one selected from the group consisting of ammonium chloride, ammonium carbonate, ammonium hydrogen carbonate, ammonium sulfate, ammonium persulfate, and ammonium dihydrogen phosphate, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of metal materials.
  • It may contain at least one selected from the group consisting of ammonium carbonate, ammonium hydrogen carbonate, ammonium persulfate, and ammonium dihydrogen phosphate, and may be selected from the group consisting of ammonium carbonate, ammonium persulfate, and ammonium dihydrogen phosphate. may contain at least one
  • the content of the acid component may be within the following range based on the total mass of the polishing liquid, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the metal material.
  • the content of the acid component is more than 0% by mass, 0.01% by mass or more, 0.02% by mass or more, 0.05% by mass or more, 0.1% by mass or more, 0.2% by mass or more, and 0.3% by mass.
  • % by mass or more 0.4% by mass or more, 0.5% by mass or more, 0.6% by mass or more, 0.7% by mass or more, 0.8% by mass or more, 0.85% by mass or more, 0.9% by mass % or more, 1% by mass or more, 1.1% by mass or more, 1.2% by mass or more, 1.3% by mass or more, 1.4% by mass or more, 1.5% by mass or more, 1.6% by mass or more, It may be 1.7% by mass or more, 1.8% by mass or more, 1.9% by mass or more, or 2% by mass or more.
  • the content of the acid component is 5% by mass or less, 4.5% by mass or less, 4% by mass or less, 3.5% by mass or less, 3% by mass or less, 2.5% by mass or less, 2% by mass or less. 9% by mass or less, 1.8% by mass or less, 1.7% by mass or less, 1.6% by mass or less, 1.5% by mass or less, 1.4% by mass or less, 1.3% by mass or less, 1.2 % by mass or less, 1.1% by mass or less, 1% by mass or less, 0.9% by mass or less, 0.85% by mass or less, 0.8% by mass or less, 0.7% by mass or less, 0.6% by mass or less , 0.5% by mass or less, 0.4% by mass or less, 0.3% by mass or less, 0.2% by mass or less, 0.1% by mass or less, 0.05% by mass or less, 0.02% by mass or less, Alternatively, it may be 0.01% by mass or less.
  • the content of the acid component is more than 0% by mass and 5% by mass or less, 0.01 to 5% by mass, 0.05 to 5% by mass, more than 0% by mass to 2% by mass, 0.01 to 2 mass %, 0.05 to 2 mass %, 0 mass % to 1 mass %, 0.01 to 1 mass %, 0.05 to 1 mass %, 0 mass % to 0.5 mass %, 0. 01 to 0.5 mass %, or 0.05 to 0.5 mass %.
  • the content of the organic acid component may be within the following range based on the total mass of the polishing liquid, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the metal material.
  • the content of the organic acid component is more than 0% by mass, 0.01% by mass or more, 0.02% by mass or more, 0.05% by mass or more, 0.1% by mass or more, 0.15% by mass or more, 0.1% by mass or more. 2% by mass or more, 0.25% by mass or more, 0.3% by mass or more, 0.35% by mass or more, 0.4% by mass or more, 0.41% by mass or more, 0.45% by mass or more, 0.5 % by mass or more, 0.6% by mass or more, 0.8% by mass or more, or 1% by mass or more.
  • the content of the organic acid component is 5% by mass or less, 4% by mass or less, 3% by mass or less, 2% by mass or less, 1% by mass or less, 0.8% by mass or less, 0.6% by mass or less, and 0.5% by mass. % by mass or less, 0.45% by mass or less, 0.41% by mass or less, 0.4% by mass or less, 0.35% by mass or less, 0.3% by mass or less, 0.25% by mass or less, 0.2% by mass % or less, 0.15 mass % or less, 0.1 mass % or less, 0.05 mass % or less, or 0.02 mass % or less.
  • the content of the organic acid component is more than 0% by mass and 5% by mass or less, 0.01 to 5% by mass, 0.02 to 5% by mass, 0.1 to 5% by mass, more than 0% by mass. 1% by mass or less, 0.01 to 1% by mass, 0.02 to 1% by mass, 0.1 to 1% by mass, more than 0% by mass and 0.5% by mass or less, 0.01 to 0.5% by mass, It may be 0.02 to 0.5 mass %, or 0.1 to 0.5 mass %.
  • the content of the inorganic acid component may be within the following range based on the total mass of the polishing liquid, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the metal material.
  • the content of the inorganic acid component is more than 0% by mass, 0.01% by mass or more, 0.05% by mass or more, 0.1% by mass or more, 0.2% by mass or more, 0.3% by mass or more, 0.3% by mass or more.
  • the content of the inorganic acid component is 5% by mass or less, 4.5% by mass or less, 4% by mass or less, 3.5% by mass or less, 3% by mass or less, 2.5% by mass or less, 2% by mass or less, 1 .8% by mass or less, 1.6% by mass or less, 1.5% by mass or less, 1.4% by mass or less, 1.3% by mass or less, 1.2% by mass or less, 1.1% by mass or less, 1% by mass % or less, 0.9 mass % or less, 0.8 mass % or less, 0.7 mass % or less, 0.6 mass % or less, 0.5 mass % or less, 0.4 mass % or less, 0.3 mass % Below, it may be 0.2% by mass or less, or 0.1% by mass or less.
  • the content of the inorganic acid component is more than 0% by mass and 5% by mass or less, 0.01 to 5% by mass, 0.1 to 5% by mass, 0.5 to 5% by mass, and more than 0% by mass. 1% by mass or less, 0.01 to 1% by mass, 0.1 to 1% by mass, 0.5 to 1% by mass, more than 0% by mass and 0.5% by mass or less, 0.01 to 0.5% by mass, Alternatively, it may be 0.1 to 0.5% by mass.
  • the polishing liquid according to this embodiment may contain an ammonium salt. It is presumed that the ammonium salt or the ammonium cation of the ammonium salt forms a complex with the metal material, and the polishing rate of the metal material is likely to be improved.
  • the ammonium salt may include an ammonium salt of an inorganic acid and an ammonium salt of an organic acid from the viewpoint of facilitating an improvement in the polishing rate of a metal material.
  • the ammonium salt is selected from the group consisting of a monovalent inorganic acid ammonium salt, a divalent inorganic acid ammonium salt, and a trivalent inorganic acid ammonium salt, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of a metal material. At least one kind may be included.
  • the ammonium salt is at least one selected from the group consisting of ammonium chloride, ammonium carbonate, ammonium hydrogen carbonate, ammonium sulfate, ammonium persulfate, ammonium dihydrogen phosphate, and ammonium acetate, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of metal materials. may contain.
  • the ammonium salt may contain an ammonium salt different from a peroxide, and may contain a peroxide (ammonium persulfate, etc.) from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the metal material.
  • the ammonium salt may contain compounds having the following molecular weights from the viewpoint of easily improving the polishing rate of metal materials.
  • the molecular weight is 50 or more, 60 or more, 70 or more, 75 or more, 78 or more, 80 or more, 90 or more, 100 or more, 110 or more, 120 or more, 130 or more, 140 or more, 150 or more, 180 or more, 200 or more, or It may be 220 or more.
  • the molecular weight is 1000 or less, less than 1000, 800 or less, 500 or less, 300 or less, 250 or less, 230 or less, 220 or less, 200 or less, 180 or less, 150 or less, 140 or less, 130 or less, 120 or less, 110 or less, 100 or less.
  • the content of the ammonium salt which is different from the peroxide, is within the following range based on the total mass of the ammonium salt (the total mass of the ammonium salt contained in the polishing liquid), from the viewpoint of easily improving the polishing rate of metal materials.
  • the content of the ammonium salt different from the peroxide is more than 0% by mass, 1% by mass or more, 5% by mass or more, 10% by mass or more, 20% by mass or more, 30% by mass or more, 34% by mass or more, 35% by mass % or more, 40% by mass or more, 41% by mass or more, 45% by mass or more, 50% by mass or more, more than 50% by mass, 60% by mass or more, 70% by mass or more, 80% by mass or more, 90% by mass or more, 95% by mass % or more, 99% by mass or more, or substantially 100% by mass (an embodiment in which the ammonium salt contained in the polishing liquid is substantially an ammonium salt different from the peroxide).
  • the content of the ammonium salt different from the peroxide is 100% by mass or less, less than 100% by mass, 99% by mass or less, 95% by mass or less, 90% by mass or less, 80% by mass or less, 70% by mass or less, 60% by mass % or less, 50% by mass or less, less than 50% by mass, 45% by mass or less, 41% by mass or less, 40% by mass or less, 35% by mass or less, 34% by mass or less, 30% by mass or less, 20% by mass or less, 10% by mass % or less, or 5% by mass or less. From these viewpoints, the content of the ammonium salt different from the peroxide is more than 0% by mass and 100% by mass or less, 30 to 100% by mass, 50 to 100% by mass, or 80 to 100% by mass. .
  • the content of the peroxide should be the total mass of the ammonium salt (the total mass of the ammonium salt contained in the polishing liquid) from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the metal material. ) may be within the following ranges.
  • the content of peroxide is more than 0% by mass, 1% by mass or more, 5% by mass or more, 10% by mass or more, 20% by mass or more, 30% by mass or more, 40% by mass or more, 50% by mass More than 50% by mass, 55% by mass or more, 59% by mass or more, 60% by mass or more, 65% by mass or more, 66% by mass or more, 70% by mass or more, 80% by mass or more, 90% by mass or more, 95% by mass As described above, it may be 99% by mass or more, or substantially 100% by mass (an aspect in which the ammonium salt contained in the polishing liquid is substantially composed of peroxide).
  • the content of peroxide (ammonium salt) is 100% by mass or less, less than 100% by mass, 99% by mass or less, 95% by mass or less, 90% by mass or less, 80% by mass or less, 70% by mass or less, 66% by mass. 65% by mass or less, 60% by mass or less, or 59% by mass or less. From these viewpoints, the content of the peroxide (ammonium salt) is more than 0% by mass and 100% by mass or less, 50 to 100% by mass, 60 to 100% by mass, more than 0% by mass and less than 100% by mass, 50% by mass. 100% by mass or more, or 60% by mass or more and less than 100% by mass.
  • the content of ammonium salts (the total amount of compounds corresponding to ammonium salts; the same shall apply hereinafter), or the content of ammonium salts different from peroxides, the content D is from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the metal material. , it may be in the following ranges based on the total mass of the polishing liquid.
  • Content D is more than 0% by mass, 0.01% by mass or more, 0.02% by mass or more, 0.05% by mass or more, 0.1% by mass or more, 0.2% by mass or more, 0.3% by mass 0.4% by mass or more, 0.45% by mass or more, 0.5% by mass or more, more than 0.5% by mass, 0.6% by mass or more, 0.7% by mass or more, 0.8% by mass or more , 0.85% by mass or more, 0.9% by mass or more, 1% by mass or more, 1.1% by mass or more, 1.2% by mass or more, 1.3% by mass or more, 1.4% by mass or more, 1. It may be 5% by mass or more, or 1.6% by mass or more.
  • Content D is 10% by mass or less, 8% by mass or less, 5% by mass or less, 4% by mass or less, 3% by mass or less, 2% by mass or less, 1.8% by mass or less, 1.7% by mass or less, 1 .6% by mass or less, 1.5% by mass or less, 1.4% by mass or less, 1.3% by mass or less, 1.2% by mass or less, 1.1% by mass or less, 1% by mass or less, 0.9% by mass % or less, 0.85 mass % or less, 0.8 mass % or less, 0.7 mass % or less, 0.6 mass % or less, 0.5 mass % or less, 0.45 mass % or less, 0.4 mass % 0.3% by mass or less, 0.2% by mass or less, 0.1% by mass or less, 0.05% by mass or less, or 0.02% by mass or less.
  • the content D is more than 0% by mass and 10% by mass or less, more than 0% by mass and 5% by mass or less, more than 0% by mass and 2% by mass or less, more than 0% by mass and 1% by mass or less, 0.01 to 10% by mass, 0.01 to 5% by mass, 0.01 to 2% by mass, 0.01 to 1% by mass, 0.1 to 10% by mass, 0.1 to 5% by mass, 0.1 to 2% by mass %, 0.1-1% by weight, 0.3-10% by weight, 0.3-5% by weight, 0.3-2% by weight, or 0.3-1% by weight.
  • the content of the peroxide (ammonium salt) may be within the following range based on the total mass of the polishing liquid, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the metal material.
  • the content of peroxide (ammonium salt) is more than 0% by mass, 0.01% by mass or more, 0.05% by mass or more, 0.1% by mass or more, 0.2% by mass or more, 0.3% by mass 0.4% by mass or more, 0.5% by mass or more, more than 0.5% by mass, 0.6% by mass or more, 0.65% by mass or more, 0.7% by mass or more, 0.75% by mass or more , or 0.8% by mass or more.
  • the content of peroxide (ammonium salt) is 5% by mass or less, 4% by mass or less, 3% by mass or less, 2% by mass or less, 1.5% by mass or less, 1.2% by mass or less, 1% by mass or less , 0.9% by mass or less, 0.8% by mass or less, 0.75% by mass or less, 0.7% by mass or less, 0.65% by mass or less, or 0.6% by mass or less.
  • the content of the peroxide (ammonium salt) is more than 0% by mass and 5% by mass or less, 0.01 to 5% by mass, 0.1 to 5% by mass, 0.5 to 5% by mass, It may be more than 0% by mass and 1% by mass or less, 0.01 to 1% by mass, 0.1 to 1% by mass, or 0.5 to 1% by mass.
  • the content E is within the following range with respect to 100 parts by mass of the abrasive grains from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the metal material. It's okay.
  • the content E is more than 0 parts by mass, 1 part by mass or more, 2 parts by mass or more, 5 parts by mass or more, 10 parts by mass or more, 20 parts by mass or more, 30 parts by mass or more, 40 parts by mass or more, 45 parts by mass or more, 50 parts by mass or more, 60 parts by mass or more, 70 parts by mass or more, 80 parts by mass or more, 85 parts by mass or more, 90 parts by mass or more, 100 parts by mass or more, 110 parts by mass or more, 120 parts by mass or more, 130 parts by mass or more, It may be 140 parts by mass or more, 150 parts by mass or more, or 160 parts by mass or more.
  • the content E is 1000 parts by mass or less, 800 parts by mass or less, 500 parts by mass or less, 400 parts by mass or less, 300 parts by mass or less, 200 parts by mass or less, 180 parts by mass or less, 170 parts by mass or less, 160 parts by mass or less, 150 parts by mass or less, 140 parts by mass or less, 130 parts by mass or less, 120 parts by mass or less, 110 parts by mass or less, 100 parts by mass or less, 90 parts by mass or less, 85 parts by mass or less, 80 parts by mass or less, 70 parts by mass or less, 60 parts by mass or less, 50 parts by mass or less, 45 parts by mass or less, 40 parts by mass or less, 30 parts by mass or less, 20 parts by mass or less, 10 parts by mass or less, 5 parts by mass or less, or 2 parts by mass or less .
  • the content E is more than 0 parts by mass and 1000 parts by mass or less, more than 0 parts by mass and 500 parts by mass or less, more than 0 parts by mass and 200 parts by mass or less, more than 0 parts by mass and 100 parts by mass or less, 1 to 1000 parts by mass parts, 1 to 500 parts by mass, 1 to 200 parts by mass, 1 to 100 parts by mass, 10 to 1000 parts by mass, 10 to 500 parts by mass, 10 to 200 parts by mass, 10 to 100 parts by mass, 30 to 1000 parts by mass, It may be 30 to 500 parts by weight, 30 to 200 parts by weight, or 30 to 100 parts by weight.
  • the content of the peroxide may be within the following range with respect to 100 parts by mass of the abrasive grains, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the metal material.
  • Content of peroxide (ammonium salt) is more than 0 parts by mass, 1 part by mass or more, 5 parts by mass or more, 10 parts by mass or more, 20 parts by mass or more, 30 parts by mass or more, 40 parts by mass or more, 50 parts by mass Above, it may be 60 parts by mass or more, 65 parts by mass or more, 70 parts by mass or more, 75 parts by mass or more, or 80 parts by mass or more.
  • Content of peroxide (ammonium salt) is 500 parts by mass or less, 400 parts by mass or less, 300 parts by mass or less, 200 parts by mass or less, 150 parts by mass or less, 120 parts by mass or less, 100 parts by mass or less, 90 parts by mass 80 parts by mass or less, 75 parts by mass or less, 70 parts by mass or less, 65 parts by mass or less, or 60 parts by mass or less.
  • the content of the peroxide (ammonium salt) is more than 0 parts by mass and 500 parts by mass or less, 1 to 500 parts by mass, 10 to 500 parts by mass, 50 to 500 parts by mass, and more than 0 parts by mass to 100 parts by mass. parts or less, 1 to 100 parts by mass, 10 to 100 parts by mass, or 50 to 100 parts by mass.
  • the polishing liquid according to this embodiment may contain ammonia. It is presumed that ammonia forms a complex with the metal material, and the polishing rate of the metal material is likely to be improved.
  • the polishing liquid according to the present embodiment may contain at least one selected from the group consisting of ammonium cations and ammonia from the viewpoint of easily improving the polishing rate of metal materials, and ammonium salts (ammonium salts of the above inorganic acids, at least one selected from the group consisting of the above-mentioned ammonium salts of organic acids, etc.) and ammonia.
  • the content of ammonia may be within the following range based on the total mass of the polishing liquid, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the metal material.
  • Ammonia content is more than 0% by mass, 0.01% by mass or more, 0.03% by mass or more, 0.05% by mass or more, 0.08% by mass or more, 0.1% by mass or more, 0.12% by mass % or more, 0.15 mass % or more, 0.2 mass % or more, 0.25 mass % or more, or 0.3 mass % or more.
  • the content of ammonia is 5% by mass or less, 4% by mass or less, 3% by mass or less, 2% by mass or less, 1.5% by mass or less, 1% by mass or less, 0.8% by mass or less, and 0.6% by mass. 0.5% by mass or less, 0.4% by mass or less, 0.3% by mass or less, 0.25% by mass or less, 0.2% by mass or less, 0.15% by mass or less, or 0.1% by mass % or less.
  • the content of ammonia is more than 0% by mass and 5% by mass or less, 0.01 to 5% by mass, 0.1 to 5% by mass, 0.2 to 5% by mass, more than 0% by mass and 2% by mass % or less, 0.01 to 2% by mass, 0.1 to 2% by mass, 0.2 to 2% by mass, more than 0% by mass and 0.5% by mass or less, 0.01 to 0.5% by mass, 0. It may be from 1 to 0.5 mass %, or from 0.2 to 0.5 mass %.
  • the content of ammonia may be within the following range with respect to 100 parts by mass of abrasive grains, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of metal materials.
  • Ammonia content is more than 0 parts by mass, 1 part by mass or more, 3 parts by mass or more, 5 parts by mass or more, 8 parts by mass or more, 10 parts by mass or more, 12 parts by mass or more, 15 parts by mass or more, 20 parts by mass or more , 25 parts by mass or more, or 30 parts by mass or more.
  • Ammonia content is 500 parts by mass or less, 400 parts by mass or less, 300 parts by mass or less, 200 parts by mass or less, 150 parts by mass or less, 100 parts by mass or less, 80 parts by mass or less, 60 parts by mass or less, 50 parts by mass or less , less than 50 parts by mass, 40 parts by mass or less, 30 parts by mass or less, 25 parts by mass or less, 20 parts by mass or less, 15 parts by mass or less, 10 parts by mass or less, 8 parts by mass or less, or 5 parts by mass or less good.
  • the content of ammonia is more than 0 parts by mass and 500 parts by mass or less, 1 to 500 parts by mass, 10 to 500 parts by mass, 20 to 500 parts by mass, more than 0 parts by mass to 200 parts by mass or less, 1 to 200 parts by mass. parts by mass, 10 to 200 parts by mass, 20 to 200 parts by mass, more than 0 parts by mass and 50 parts by mass or less, 1 to 50 parts by mass, 10 to 50 parts by mass, or 20 to 50 parts by mass.
  • the content of ammonia may be within the following range with respect to 100 parts by mass of the ammonium salt, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the metal material.
  • Ammonia content is more than 0 parts by mass, 1 part by mass or more, 5 parts by mass or more, 10 parts by mass or more, 15 parts by mass or more, 20 parts by mass or more, 25 parts by mass or more, 30 parts by mass or more, 35 parts by mass or more , 36 parts by mass or more, 40 parts by mass or more, 50 parts by mass or more, 60 parts by mass or more, 80 parts by mass or more, 100 parts by mass or more, 150 parts by mass or more, 200 parts by mass or more, 300 parts by mass or more, 500 parts by mass or more , 1000 parts by mass or more, 1500 parts by mass or more, or 2000 parts by mass or more.
  • Ammonia content is 2000 parts by mass or less, 1500 parts by mass or less, 1000 parts by mass or less, 500 parts by mass or less, 300 parts by mass or less, 200 parts by mass or less, 150 parts by mass or less, 100 parts by mass or less, 80 parts by mass or less , 60 parts by mass or less, 50 parts by mass or less, 40 parts by mass or less, 36 parts by mass or less, 35 parts by mass or less, 30 parts by mass or less, 25 parts by mass or less, 20 parts by mass or less, or 15 parts by mass or less good.
  • the content of ammonia is more than 0 parts by mass and 2000 parts by mass or less, 10 to 2000 parts by mass, 100 to 2000 parts by mass, 300 to 2000 parts by mass, more than 0 parts by mass and 1500 parts by mass or less, 10 to 1500 parts by mass. parts by weight, 100 to 1500 parts by weight, 300 to 1500 parts by weight, or 1 to 200 parts by weight.
  • the polishing liquid according to the present embodiment may contain an anticorrosive agent (an anticorrosive agent for metal materials) as a compound having an anticorrosion action on metal materials.
  • an anticorrosive agent an anticorrosive agent for metal materials
  • the anticorrosive suppresses etching of the metal material and tends to reduce roughness of the surface to be polished.
  • the anticorrosive agent may contain at least one selected from the group consisting of triazole compounds, pyridine compounds, pyrazole compounds, pyrimidine compounds, imidazole compounds, guanidine compounds, thiazole compounds, tetrazole compounds, triazine compounds and hexamethylenetetramine.
  • a "compound” is a general term for compounds having the skeleton thereof, and for example, a "triazole compound” means a compound having a triazole skeleton.
  • the anticorrosive agent may contain at least one selected from the group consisting of triazole compounds, pyridine compounds, imidazole compounds, tetrazole compounds, triazine compounds and hexamethylenetetramine from the viewpoint of easily obtaining a suitable anticorrosion action, and contains a triazole compound. It may well contain a benzotriazole compound.
  • Triazole compounds include 1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole, 3-amino-1H-1,2,4-triazole, benzotriazole, 1-hydroxybenzotriazole, and 1-dihydroxypropylbenzotriazole.
  • 2,3-dicarboxypropylbenzotriazole 4-hydroxybenzotriazole, 4-carboxy-1H-benzotriazole, 4-carboxy-1H-benzotriazole methyl ester (methyl 1H-benzotriazole-4-carboxylate), 4 -Carboxy-1H-benzotriazole butyl ester (1H-benzotriazole-4-carboxylate butyl), 4-carboxy-1H-benzotriazole octyl ester (1H-benzotriazole-4-carboxylate octyl), 5-hexylbenzotriazole , [1,2,3-benzotriazolyl-1-methyl][1,2,4-triazolyl-1-methyl][2-ethylhexyl]amine, tolyltriazole, naphthotriazole, bis[(1-benzotriazole solyl)methyl]phosphonic acid, 3H-1,2,3-triazolo[4,5-b]pyr
  • a compound having a triazole skeleton and other skeletons in one molecule is classified as a triazole compound.
  • the polishing liquid according to the present embodiment may contain a triazole compound having a hydroxy group, and may contain 1-hydroxybenzotriazole, from the viewpoint of easily obtaining a suitable anticorrosion action.
  • the content of the anticorrosive agent the content of the triazole compound, or the content of the benzotriazole compound, the content F is within the following range based on the total mass of the polishing liquid, from the viewpoint of easily obtaining a suitable anticorrosion action.
  • you can Content F is more than 0% by mass, 0.001% by mass or more, 0.003% by mass or more, 0.005% by mass or more, 0.008% by mass or more, 0.01% by mass or more, 0.02% by mass 0.025% by mass or more, 0.03% by mass or more, 0.04% by mass or more, 0.05% by mass or more, 0.08% by mass or more, 0.1% by mass or more, 0.3% by mass or more , 0.5% by mass or more, or 1% by mass or more.
  • the content F is 2% by mass or less, 1.5% by mass or less, 1% by mass or less, 0.5% by mass or less, 0.3% by mass or less, 0.1% by mass or less, 0.08% by mass or less, 0.05% by mass or less, 0.04% by mass or less, 0.03% by mass or less, 0.025% by mass or less, 0.02% by mass or less, 0.01% by mass or less, or 0.008% by mass or less can be From these viewpoints, the content F is more than 0% by mass and 2% by mass or less, 0.001 to 2% by mass, 0.005 to 2% by mass, 0.01 to 2% by mass, more than 0% by mass and 1% by mass.
  • 0.001 to 1% by mass 0.005 to 1% by mass, 0.01 to 1% by mass, more than 0% by mass and 0.1% by mass or less, 0.001 to 0.1% by mass, 0.005 ⁇ 0.1 wt%, or 0.01 to 0.1 wt%.
  • the polishing liquid according to this embodiment may contain a basic hydroxide.
  • a basic hydroxide By using a basic hydroxide, it is easy to improve the polishing rate of the metal material.
  • Basic hydroxides include alkali metal hydroxides such as sodium hydroxide and potassium hydroxide; alkaline earth metal hydroxides; tetramethylammonium hydroxide (TMAH) and the like.
  • the content of the basic hydroxide may be within the following range based on the total mass of the polishing liquid, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the metal material.
  • the content of the basic hydroxide is more than 0% by mass, 0.01% by mass or more, 0.05% by mass or more, 0.1% by mass or more, 0.15% by mass or more, 0.2% by mass or more, 0.25% by mass or more, 0.3% by mass or more, 0.35% by mass or more, 0.36% by mass or more, 0.4% by mass or more, 0.45% by mass or more, or 0.48% by mass or more can be
  • the content of the basic hydroxide is 5% by mass or less, 4% by mass or less, 3% by mass or less, 2% by mass or less, 1% by mass or less, 0.8% by mass or less, 0.6% by mass or less, 0 .5% by mass or less, 0.48% by mass or less, 0.45% by mass or less, 0.4% by mass or less, 0.36% by mass or less, 0.3
  • the content of the basic hydroxide is more than 0% by mass and 5% by mass or less, 0.01 to 5% by mass, 0.1 to 5% by mass, more than 0% by mass and 1% by mass or less, 0 0.01 to 1% by weight, or 0.1 to 1% by weight.
  • the polishing liquid according to the present embodiment may contain a peroxide that does not correspond to the above-mentioned ammonium salt, and may not contain the peroxide.
  • peroxides include potassium persulfate, hydrogen peroxide, ferric nitrate, iron sulfate, ozone, hypochlorous acid, hypochlorite, potassium periodate, and peracetic acid.
  • the polishing liquid according to this embodiment does not have to contain hydrogen peroxide.
  • Peroxide content or hydrogen peroxide content is 0.1% by mass or less, less than 0.1% by mass, 0.01% by mass or less, or 0.001% by mass, based on the total mass of the polishing liquid. less than or substantially 0% by mass.
  • the polishing liquid according to the present embodiment may contain an organic solvent (an organic solvent that does not correspond to the ether compound A) from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the metal material.
  • Organic solvents include alcohols (monoalcohols and polyols), carbonate esters, lactones, and the like.
  • Monoalcohols include methanol, ethanol, propanol (eg, 2-propanol), butanol, pentanol, octanol, and the like.
  • Polyols include diols such as methylene glycol, ethylene glycol, propylene glycol, butylene glycol (eg, 1,3-butanediol) and hexylene glycol; glycerin and the like.
  • Carbonic acid esters include ethylene carbonate, propylene carbonate, dimethyl carbonate, diethyl carbonate, methyl ethyl carbonate and the like.
  • Lactones include propiolactone, butyrolactone and the like.
  • the organic solvent may contain alcohol, may contain monoalcohol, may contain propanol, may contain polyol, and may contain methylene glycol, ethylene glycol, propylene glycol, It may contain at least one selected from the group consisting of butylene glycol and hexylene glycol.
  • the content of the organic solvent may be within the following range based on the total mass of the polishing liquid, from the viewpoint of easily improving the polishing rate of the metal material.
  • the content of the organic solvent is more than 0% by mass, 0.1% by mass or more, 0.3% by mass or more, 0.5% by mass or more, 0.6% by mass or more, 0.7% by mass or more, and 0.8% by mass. % by mass or more, 1% by mass or more, 1.2% by mass or more, or 1.3% by mass or more.
  • the content of the organic solvent is 20% by mass or less, 15% by mass or less, 10% by mass or less, 8% by mass or less, 5% by mass or less, 4% by mass or less, 3% by mass or less, 2% by mass or less, or 1 0.5% by mass or less.
  • the content of the organic solvent is more than 0% by mass and 20% by mass or less, 0.1 to 20% by mass, 1 to 20% by mass, more than 0% by mass to 5% by mass or less, 0.1 to 5% by mass. %, or 1 to 5 mass %.
  • the polishing liquid according to the present embodiment does not have to contain dihydroxyethylglycine, aminopolycarboxylic acid, and non-metal salt of aminopolycarboxylic acid.
  • the content (total amount) of dihydroxyethylglycine, aminopolycarboxylic acid, and nonmetallic salt of aminopolycarboxylic acid is 0.05% by mass or less and less than 0.05% by mass, based on the total mass of the polishing liquid. , 0.01% by weight or less, 0.001% by weight or less, or substantially 0% by weight.
  • the polishing liquid according to the present embodiment may not contain a compound having an unsaturated carboxylic acid monomer unit and may not contain a polycarboxylic acid polymer dispersant.
  • the content of the compound having an unsaturated carboxylic acid monomer unit or the content of the polycarboxylic acid-based polymer dispersant is 0.0005% by mass or less, 0.0005% by mass or less, based on the total mass of the polishing liquid. It may be less than wt%, 0.0001 wt% or less, 0.00001 wt% or less, or substantially 0 wt%.
  • the pH of the polishing liquid according to the present embodiment may be within the following range from the viewpoint of easily suppressing the generation of traces of falling off of particles containing a silicon compound and from the viewpoint of easily improving the polishing rate of a metal material.
  • the pH of the polishing liquid is 3.00 or higher, 4.00 or higher, 4.00 or higher, 5.00 or higher, 5.00 or higher, 6.00 or higher, 7.00 or higher, 7.00 or higher, 7.50 or higher.
  • the pH of the polishing liquid is 13.00 or less, 12.00 or less, 11.80 or less, 11.50 or less, 11.00 or less, 10.80 or less, 10.50 or less, 10.30 or less, 10.20 or less. , 10.00 or less, 9.80 or less, 9.60 or less, 9.50 or less, 9.40 or less, 9.30 or less, 9.00 or less, 8.50 or less, or 8.00 or less good.
  • the pH of the polishing liquid is 3.00 to 13.00, 7.00 to 13.00, 8.00 to 13.00, 9.00 to 13.00, 3.00 to 12.00. , 7.00-12.00, 8.00-12.00, 9.00-12.00, 3.00-11.00, 7.00-11.00, 8.00-11.00, or , 9.00 to 11.00.
  • the pH of the polishing liquid can be adjusted with the above acid component, ammonia, basic hydroxide, and the like.
  • the pH of the polishing liquid according to this embodiment can be measured with a pH meter (for example, model number: PHL-40 manufactured by Toa DKK Co., Ltd.).
  • a pH meter for example, model number: PHL-40 manufactured by Toa DKK Co., Ltd.
  • the electrode is placed in the polishing solution and the value is measured after the electrode has stabilized for two minutes or longer. At this time, the temperature of both the standard buffer solution and the polishing solution is set to 25°C.
  • the polishing liquid according to the present embodiment may be stored as a polishing liquid storage liquid with the amount of water reduced compared to when it is used.
  • the polishing liquid storage liquid is a storage liquid for obtaining the polishing liquid, and the polishing liquid can be obtained by diluting the polishing liquid storage liquid with water before or during use.
  • the dilution ratio is, for example, 1.5 times or more.
  • the polishing liquid according to the present embodiment may be stored as a one-component polishing liquid containing at least abrasive grains, or may be stored as a multi-component polishing liquid having a slurry (first liquid) and an additive liquid (second liquid). You may save.
  • the multi-liquid polishing liquid the constituent components of the polishing liquid are divided into a slurry and an additive liquid so that the slurry and the additive liquid are mixed to form a polishing liquid.
  • the slurry for example, contains at least abrasive grains and water.
  • the additive liquid contains, for example, at least an additive and water.
  • the components of the polishing liquid may be divided into three or more liquids and stored.
  • the polishing liquid may be prepared by mixing the slurry and the additive liquid immediately before or during polishing.
  • the slurry and the additive liquid in the multi-liquid polishing liquid may be separately supplied onto the polishing platen, and the slurry and the additive liquid may be mixed on the polishing platen to prepare the polishing liquid.
  • a polishing method includes a polishing step of polishing a member to be polished containing a resin and particles containing a silicon compound using the polishing liquid according to the present embodiment.
  • the surface to be polished of the member to be polished can be polished, and the surface to be polished on which the resin and the particles containing the silicon compound are present can be polished.
  • the polishing step at least part of the particles containing the resin and the silicon compound in the member to be polished can be removed by polishing.
  • the polishing liquid used in the polishing step may be the above-described one-component polishing liquid, may be a polishing liquid obtained by diluting the above-described polishing liquid storage liquid with water, or may be the above-described multiple-component polishing liquid. It may be a polishing liquid obtained by mixing a slurry in the liquid and an additive liquid.
  • the member to be polished is not particularly limited, and may be a wafer (eg, semiconductor wafer) or a chip (eg, semiconductor chip).
  • the member to be polished may be a wiring board or a circuit board.
  • the member to be polished may contain a resin, particles containing a silicon compound, and a metal material.
  • the surface to be polished on which the resin, the silicon compound-containing particles, and the metal material are present can be polished.
  • at least a portion of the resin, the silicon compound-containing particles, and the metal material in the member to be polished can be removed by polishing.
  • Metals of the metal material include copper, cobalt, tantalum, aluminum, titanium, tungsten, manganese, and the like.
  • Silicon compounds include silicon oxides (eg, SiO 2 ), SiOC, silicon nitrides (eg, SiN), and the like.
  • the resin may contain epoxy resin
  • the member to be polished may contain particles containing epoxy resin and silicon oxide.
  • the shape of the member to be polished is not particularly limited, and may be, for example, a film shape as a configuration other than the configuration described above.
  • the member to be polished may include an object to be polished (at least one selected from the group consisting of resins, particles containing silicon compounds, and metal materials) on a substrate having concave portions and convex portions on its surface.
  • the member to be polished may contain at least one selected from the group consisting of resins, particles containing silicon compounds, and metal materials, as well as other materials to be polished (for example, insulating materials).
  • a method for manufacturing a component according to this embodiment includes a component manufacturing step of obtaining a component using a member to be polished (substrate) that has been polished by a polishing method according to this embodiment.
  • a component according to this embodiment is a component obtained by a method for manufacturing a component according to this embodiment.
  • the component according to the present embodiment is not particularly limited, but may be an electronic component (for example, a semiconductor component such as a semiconductor package), a wafer (for example, a semiconductor wafer), or a chip (for example, a semiconductor chip). good.
  • an electronic component is obtained using a member to be polished by the polishing method according to the present embodiment.
  • a semiconductor component for example, a semiconductor package
  • the component manufacturing method according to this embodiment may include a polishing step of polishing the member to be polished by the polishing method according to this embodiment before the component manufacturing step.
  • the method for manufacturing a component according to the present embodiment may include, as one aspect of the component manufacturing process, a singulation step for singulating the member to be polished (substrate) that has been polished by the polishing method according to the present embodiment.
  • the singulation step may be, for example, a step of obtaining chips (eg, semiconductor chips) by dicing a wafer (eg, semiconductor wafer) polished by the polishing method according to the present embodiment.
  • the method for manufacturing an electronic component according to the present embodiment comprises dividing the member to be polished by the polishing method according to the present embodiment into individual electronic components ( for example a semiconductor component).
  • the method for manufacturing a semiconductor component according to the present embodiment comprises dividing the member to be polished by the polishing method according to the present embodiment into individual semiconductor components ( obtaining a semiconductor package).
  • the method for manufacturing a component according to the present embodiment connects (for example, electrically connection).
  • the object to be connected to the member to be polished polished by the polishing method according to the present embodiment is not particularly limited, and may be the member to be polished polished by the polishing method according to the present embodiment. It may be an object to be connected that is different from the member to be polished that has been polished by the polishing method according to the above.
  • the connecting step the member to be polished and the object to be connected may be directly connected (connected while the member to be polished and the object to be connected are in contact with each other), or the member to be polished and the object to be connected may be connected via another member (such as a conductive member). You may connect with a to-be-connected body.
  • the connection step can be performed before the singulation step, after the singulation step, or before and after the singulation step.
  • the connecting step may be a step of connecting the surface to be polished of the member to be polished polished by the polishing method according to the present embodiment and the object to be connected, and the object polished by the polishing method according to the present embodiment may be connected. It may be a step of connecting the connection surface of the polishing member and the connection surface of the object to be connected.
  • the connection surface of the member to be polished may be the surface to be polished that has been polished by the polishing method according to the present embodiment.
  • a connected body including the member to be polished and the body to be connected can be obtained.
  • the connection surface of the member to be polished has a metal portion
  • the object to be connected may be brought into contact with the metal portion.
  • the connection surface of the member to be polished has a metal portion and the connection surface of the object to be connected has a metal portion
  • the metal portions may be brought into contact with each other.
  • the metal portion may contain copper.
  • a device according to the present embodiment includes at least one member selected from the group consisting of a member to be polished by the polishing method according to the present embodiment and the component according to the present embodiment. Prepare.
  • ⁇ Preparation of Polishing Liquid> By mixing each component shown in Tables 1 to 4 and distilled water, a polishing liquid having the composition shown in each table was obtained. Each table shows the content (unit: % by mass) of each component based on the total mass of the polishing liquid, and the balance is distilled water.
  • the cerium oxide particles the trade name "HS-8005" manufactured by Showa Denko Materials Co., Ltd. was used.
  • colloidal silica trade name “PL-3” (secondary particle size: 70 nm) manufactured by Fuso Chemical Industry Co., Ltd. was used.
  • the colloidal silica content is the content of solid silica particles.
  • MMB means 3-methoxy-3-methyl-1-butanol
  • HBTA means 1-hydroxybenzotriazole
  • BTA means benzotriazole.
  • polyglycerin trade name “PGL750” (glycerin decamer, weight average molecular weight: 750, hydroxyl value: 870 to 910) manufactured by Sakamoto Yakuhin Kogyo Co., Ltd. was used.
  • ⁇ Average particle diameter of abrasive grains> Using "Microtrac MT3300EXII” manufactured by Microtrac Bell Co., Ltd., the average grain size of abrasive grains in the polishing liquid of each example was determined. In each example, the average particle size D50 was 341 nm and the average particle size D80 was 609 nm.
  • ⁇ pH of Polishing Liquid> The pH of the polishing liquid was measured using a pH meter (manufactured by Toa DKK Co., Ltd., model number: PHL-40). After two-point calibration of the pH meter using phthalate pH buffer (pH: 4.01) and neutral phosphate pH buffer (pH: 6.86) as standard buffers, the electrode of the pH meter was It was placed in the polishing liquid and after two minutes or more had passed, the value was measured. Results are shown in each table.
  • a substrate A for evaluating the presence or absence of dropout marks a substrate portion containing particles containing an epoxy resin and a silicon oxide, and an opening formed in the substrate portion (thickness direction of the substrate (substrate portion a base (a metal portion extending in the thickness direction of the base (thickness direction of the base) and containing copper); , and a substrate portion (a substrate portion containing particles containing an epoxy resin and a silicon oxide) covering the outer periphery of the metal portion.
  • a plurality of metal parts with a diameter of 200 ⁇ m or less were arranged in an array.
  • the cross-sectional shape of the metal portion perpendicular to the thickness direction of the substrate was circular.
  • Substrate A had an epoxy resin, particles containing silicon oxide, and a polished surface on which copper was present.
  • a substrate B for evaluating the copper polishing rate (Cu-RR) in Examples 1 to 3, 5 to 21, 27, 29 to 40 and Comparative Example 1 it has a copper film formed on a ⁇ 300 mm silicon wafer. A substrate was prepared.
  • a substrate (substrate A or substrate B) was attached to a substrate attachment holder to which a suction pad was attached.
  • the holder was placed on a surface plate to which a pad made of porous urethane resin was adhered so that the surface to be polished (the area where the above-described metal portion was arranged for the substrate A) faced the pad.
  • the substrate was pressed against the pad with a polishing load of 4 psi while supplying the aforementioned polishing liquid onto the pad at a supply rate of 350 mL/min.
  • the surface plate was rotated at 147 min ⁇ 1 and the holder at 153 min ⁇ 1 for polishing.
  • the polishing time for Substrate A was 5 minutes and the polishing time for Substrate B was 1 minute.
  • the polished substrate was thoroughly washed with pure water and then dried.
  • SYMBOLS 10 Members to be polished, 12... Base material part, 12a... Resin, 12b... Particles, 14... Metal part.

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Abstract

被研磨部材の研磨用の研磨液であって、セリウム酸化物を含む砥粒を含有し、前記被研磨部材が、樹脂と、ケイ素化合物を含む粒子と、を含有する、研磨液。当該研磨液を用いて、樹脂と、ケイ素化合物を含む粒子と、を含有する被研磨部材を研磨する、研磨方法。当該研磨方法により研磨された被研磨部材を用いて部品を得る、部品の製造方法。前記研磨方法により研磨された被研磨部材を用いて半導体部品を得る、半導体部品の製造方法。

Description

研磨液、研磨方法、部品の製造方法、及び、半導体部品の製造方法
　本開示は、研磨液、研磨方法、部品の製造方法、半導体部品の製造方法等に関する。
　近年の電子デバイスの製造工程では、高密度化、微細化等のための加工技術の重要性がますます高まっている。加工技術の一つであるＣＭＰ（ケミカル・メカニカル・ポリッシング：化学機械研磨）技術は、電子デバイスの製造工程において、シャロートレンチ分離（シャロー・トレンチ・アイソレーション：ＳＴＩ）の形成、プリメタル絶縁材料又は層間絶縁材料の平坦化、プラグ又は埋め込み金属配線の形成等に必須の技術となっている。ＣＭＰに用いられる研磨液としては、セリウム酸化物を含む砥粒を含有する研磨液が知られている（例えば、下記特許文献１及び２参照）。
特開平１０－１０６９９４号公報 特開平０８－０２２９７０号公報
　本発明者は、研磨液を用いて、樹脂と、ケイ素化合物を含む粒子と、を含有する被研磨部材を研磨することに着目し、このような被研磨部材を研磨した際に、ケイ素化合物を含む粒子が脱落して被研磨面に脱落痕が発生し、被研磨面が平坦化されない場合があることを見出した。
　本開示の一側面は、樹脂と、ケイ素化合物を含む粒子と、を含有する被研磨部材の研磨において当該粒子の脱落痕の発生を抑制可能な研磨液を提供することを目的とする。本開示の他の一側面は、前記研磨液を用いた研磨方法を提供することを目的とする。本開示の他の一側面は、前記研磨方法を用いた部品の製造方法を提供することを目的とする。本開示の他の一側面は、前記研磨方法を用いた半導体部品の製造方法を提供することを目的とする。
　本開示は、いくつかの側面において、下記の［１］～［２０］等に関する。
［１］被研磨部材の研磨用の研磨液であって、セリウム酸化物を含む砥粒を含有し、前記被研磨部材が、樹脂と、ケイ素化合物を含む粒子と、を含有する、研磨液。
［２］前記粒子がケイ素酸化物を含む、［１］に記載の研磨液。
［３］ヒドロキシ基を有するエーテル化合物を更に含有する、［１］又は［２］に記載の研磨液。
［４］前記エーテル化合物がアルコキシアルコールを含む、［３］に記載の研磨液。
［５］前記エーテル化合物が分子量２００未満のアルコキシアルコールを含む、［４］に記載の研磨液。
［６］前記アルコキシアルコールが、炭素数１～５のアルコキシ基を有する化合物を含む、［４］又は［５］に記載の研磨液。
［７］前記アルコキシアルコールが１－プロポキシ－２－プロパノールを含む、［４］～［６］のいずれか一つに記載の研磨液。
［８］前記アルコキシアルコールが３－メトキシ－３－メチル－１－ブタノールを含む、［４］～［７］のいずれか一つに記載の研磨液。
［９］前記アルコキシアルコールの含有量が、研磨液の全質量を基準として０質量％超５質量％以下（又は、０．２～０．８質量％）である、［４］～［８］のいずれか一つに記載の研磨液。
［１０］前記エーテル化合物がポリエーテルを含む、［３］～［９］のいずれか一つに記載の研磨液。
［１１］前記ポリエーテルがポリグリセリンを含む、［１０］に記載の研磨液。
［１２］前記ポリエーテルの含有量が、研磨液の全質量を基準として０質量％超１０質量％以下（又は、０．５～３質量％）である、［１０］又は［１１］に記載の研磨液。
［１３］前記砥粒の含有量が、研磨液の全質量を基準として０．０１～１０質量％（又は、０．５～２質量％）である、［１］～［１２］のいずれか一つに記載の研磨液。
［１４］有機酸成分を更に含有する、［１］～［１３］のいずれか一つに記載の研磨液。
［１５］アンモニウムカチオン及びアンモニアからなる群より選ばれる少なくとも一種を更に含有する、［１］～［１４］のいずれか一つに記載の研磨液。
［１６］ｐＨが３．００～１３．００（又は、９．００～１１．００）である、［１］～［１５］のいずれか一つに記載の研磨液。
［１７］［１］～［１６］のいずれか一つに記載の研磨液を用いて、樹脂と、ケイ素化合物を含む粒子と、を含有する被研磨部材を研磨する、研磨方法。
［１８］前記樹脂がエポキシ樹脂を含む、［１７］に記載の研磨方法。
［１９］［１７］又は［１８］に記載の研磨方法により研磨された被研磨部材を用いて部品を得る、部品の製造方法。
［２０］［１７］又は［１８］に記載の研磨方法により研磨された被研磨部材を用いて半導体部品を得る、半導体部品の製造方法。
　本開示の一側面によれば、樹脂と、ケイ素化合物を含む粒子と、を含有する被研磨部材の研磨において当該粒子の脱落痕の発生を抑制可能な研磨液を提供することができる。本開示の他の一側面によれば、前記研磨液を用いた研磨方法を提供することができる。本開示の他の一側面によれば、前記研磨方法を用いた部品の製造方法を提供することができる。本開示の他の一側面によれば、前記研磨方法を用いた半導体部品の製造方法を提供することができる。本開示の他の一側面によれば、樹脂と、ケイ素化合物を含む粒子と、を含有する被研磨部材の研磨への研磨液の応用を提供することができる。
被研磨部材の一例を模式的に示す断面図である。
　以下、本開示の実施形態について説明する。但し、本開示は下記実施形態に限定されるものではない。
　本明細書において、「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。数値範囲の「Ａ以上」とは、Ａ、及び、Ａを超える範囲を意味する。数値範囲の「Ａ以下」とは、Ａ、及び、Ａ未満の範囲を意味する。本明細書に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値と任意に組み合わせることができる。本明細書に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。「Ａ又はＢ」とは、Ａ及びＢのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。本明細書に例示する材料は、特に断らない限り、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。「膜」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。「アルキル基」は、特に断らない限り、直鎖状、分岐又は環状のいずれであってもよい。「砥粒」とは、複数の粒子の集合を意味するが、便宜的に、砥粒を構成する一の粒子を砥粒と呼ぶことがある。
＜研磨液＞
　本実施形態に係る研磨液は、被研磨部材の研磨用の研磨液であり、当該被研磨部材は、樹脂と、ケイ素化合物を含む粒子と、を含有する。本実施形態に係る研磨液は、セリウム酸化物を含む砥粒を含有する。本実施形態に係る研磨液は、ＣＭＰ研磨液として用いることができる。
　本実施形態に係る研磨液によれば、樹脂と、ケイ素化合物（ケイ素を含む化合物）を含む粒子と、を含有する被研磨部材の研磨において当該粒子が被研磨面から脱落することによる脱落痕の発生を抑制することができる。本実施形態に係る研磨液によれば、後述の実施例に記載の評価において、例えば短径１．０μｍ以上の脱落痕の発生を抑制することができる。脱落痕の発生を抑制可能な要因は必ずしも明らかではないが、本発明者は、下記のとおりであると推測している。すなわち、セリウム酸化物を含む砥粒が、物理的な作用により被研磨部材を研磨するに限らず、ケイ素化合物と化学的な結合を形成して被研磨部材を化学的に研磨することにより、脱落痕の発生を抑制しながら被研磨部材を研磨することができる。但し、効果が得られる要因は当該内容に限定されない。脱落痕の短径は、０．２μｍ以上、０．６μｍ以上、又は、１．０μｍ以上であってよい。
　近年、電子デバイスの高速化、低消費電力化、大容量化等の観点から、２．１Ｄ集積回路、２．５Ｄ集積回路、３Ｄ集積回路等の開発が進められており、ｃｈｉｐ－ｔｏ－ｃｈｉｐ、ｗａｆｅｒ－ｔｏ－ｗａｆｅｒ、ｃｈｉｐ－ｔｏ－ｗａｆｅｒ等の接続工程、及び、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ－Ｌｅｖｅｌ　Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）、ＰＬＰ（Ｐａｎｅｌ－Ｌｅｖｅｌ　Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）等による半導体パッケージの製造工程への関心が高まっている。これらの工程において良好な接続面（ここでは、直接に接続される面のみならず、他の部材を介して接続される場合の下地となる面も「接続面」と呼称する）を得るために平坦化することが求められる被研磨部材の被研磨面には、樹脂（例えばエポキシ樹脂）と、ケイ素化合物（例えばケイ素酸化物）を含む粒子と、が存在する場合がある。例えば、被研磨部材は、樹脂、及び、ケイ素化合物を含む粒子を含有する基材部を備える場合がある。本実施形態に係る研磨液の一態様によれば、これらの被研磨部材の研磨を好適に行うことができる。
　樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ノボラック樹脂、ポリエステル（不飽和ポリエステル、及び、不飽和ポリエステルに該当しないポリエステル）、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリヒドロキシスチレン、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、ポリベンゾオキサゾールの前駆体、ポリアリルエーテル、複素環含有樹脂（前記で例示した樹脂を除く）等が挙げられる。「複素環含有樹脂」としては、ピロール環含有樹脂、ピリジン環含有樹脂、イミダゾール環含有樹脂等が挙げられる。被研磨部材は、これらの少なくとも一種を主成分として含有してよい。被研磨部材は、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、及び、ポリベンゾオキサゾールの前駆体からなる群より選ばれる少なくとも一種を含んでよい。
　粒子のケイ素化合物としては、ケイ素酸化物（例えばＳｉＯ２）、ＳｉＯＣ、ケイ素窒化物（例えばＳｉＮ）等が挙げられる。ケイ素化合物を含む粒子は、ケイ素酸化物を含んでよい。樹脂、及び、ケイ素化合物を含む粒子を含有する被研磨部材の断面において、粒子の短径、又は、粒子の占有する面積の割合（基準：断面全体）は、下記の範囲であってよい。粒子の短径は、０．０１μｍ以上、０．２μｍ以上、０．６μｍ以上、又は、１．０μｍ以上であってよい。粒子の短径は、１００μｍ以下、５０μｍ以下、２５μｍ以下、又は、１５μｍ以下であってよい。これらの観点から、粒子の短径は、０．０１～１００μｍであってよい。面積の割合は、１％以上、１５％以上、３０％以上、４５％以上、又は、６０％以上であってよい。面積の割合は、９９％以下、９０％以下、８０％以下、又は、７０％以下であってよい。これらの観点から、面積の割合は、１～９９％であってよい。
　本実施形態に係る研磨液の一態様によれば、金属材料の研磨速度を向上させることもできる。金属材料の金属としては、銅、コバルト、タンタル、アルミニウム、チタン、タングステン、マンガン等が挙げられる。金属材料としては、配線材料、バリア金属材料等が挙げられる。金属材料としては、銅系金属（金属銅（単体金属）、銅化合物等）、コバルト系金属（金属コバルト（単体金属）等）、タンタル系金属（金属タンタル（単体金属）、窒化タンタル等）、アルミニウム系金属（金属アルミニウム（単体金属）等）、チタン系金属（金属チタン（単体金属）、窒化チタン等）、タングステン系金属（金属タングステン（単体金属）等）、マンガン系金属（金属マンガン（単体金属）等）などが挙げられる。本実施形態に係る研磨液の一態様によれば、後述の実施例に記載の評価において、例えば０．０５μｍ／ｍｉｎ以上（好ましくは０．３５μｍ／ｍｉｎ以上）の銅の研磨速度を得ることができる。
　上述の被研磨部材の被研磨面には、樹脂、及び、ケイ素化合物を含む粒子に加えて金属材料（例えば銅系金属）が存在する場合がある。例えば、被研磨部材は、樹脂、及び、ケイ素化合物を含む粒子を含有する基材部と、基材部に形成された開口（被研磨部材の厚さ方向（基材部の厚さ方向）に延びる開口）に配置されると共に金属材料を含有する金属部と、を備える場合がある。また、被研磨部材は、当該被研磨部材の厚さ方向（基材部の厚さ方向）に延びると共に金属材料を含有する金属部と、当該金属部の外周の少なくとも一部（一部又は全部）を覆う基材部（樹脂、及び、ケイ素化合物を含む粒子を含有する基材部）と、を備える場合がある。被研磨部材は、少なくとも一つ（例えば複数）の金属部を備えてよい。被研磨部材は、基材部に形成された開口に金属部の構成材料を供給することにより得られてよく、金属部の外周の少なくとも一部を覆うように基材部の構成材料を供給することにより得られてよい。本実施形態に係る研磨液の一態様によれば、これらの被研磨部材の研磨を好適に行うことができる。被研磨部材の厚さ方向に垂直な金属部の断面形状は円形であってよく、金属部の直径は１～２００μｍであってよい。隣接する金属部の間隔は、１～２００μｍであってよい。
　図１は、被研磨部材の一例を模式的に示す断面図であり、被研磨面と平行な断面を示す。図１に示す被研磨部材１０は、基材部１２と、基材部１２に形成された開口に配置された金属部１４と、を備え、基材部１２は、樹脂１２ａ、及び、ケイ素化合物を含む粒子１２ｂを含有している。但し、各部材（粒子１２ｂ、金属部１４等）の寸法及び数、部材間の寸法比率などは、図示される内容に限られない。
　本実施形態に係る研磨液は、セリウム酸化物を含む砥粒を含有する。砥粒は、一種又は複数種の粒子を含んでよい。セリウム酸化物以外の砥粒の構成材料としては、シリカ（ＳｉＯ２）、アルミナ、ジルコニア、チタニア、ゲルマニア、炭化ケイ素等の無機材料などが挙げられる。本実施形態に係る研磨液は、砥粒の構成材料等として、アルミナを含有しなくてよい。アルミナの含有量は、研磨液の全質量を基準として、０．１質量％以下、０．１質量％未満、０．０１質量％以下、０．００１質量％以下、又は、実質的に０質量％であってよい。
　砥粒におけるセリウム酸化物の含有量は、ケイ素化合物を含む粒子の脱落痕の発生を抑制しやすい観点、及び、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、砥粒全体（研磨液に含まれる砥粒全体、又は、砥粒を構成する一の粒子の全体）を基準として、９０質量％以上、９３質量％以上、９５質量％以上、９５質量％超、９８質量％以上、９９質量％以上、９９．５質量％以上、又は、９９．９質量％以上であってよい。砥粒は、実質的にセリウム酸化物からなる態様（実質的に砥粒の１００質量％がセリウム酸化物である態様）であってよい。
　砥粒の平均粒径Ｄ５０又はＤ８０は、下記の範囲であってよい。砥粒の平均粒径Ｄ５０及びＤ８０は、体積基準の累積分布の５０％粒径及び８０％粒径を意味し、例えばレーザー回折式粒度分布計により測定できる。砥粒の平均粒径は、自然沈降、粉砕処理、分散、ろ過等により調整可能であり、例えば、研磨液の構成成分を混合した後に粒径調整を施してよい。
　砥粒の平均粒径Ｄ５０は、ケイ素化合物を含む粒子の脱落痕の発生を抑制しやすい観点、及び、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以上、７０ｎｍ以上、１００ｎｍ以上、１５０ｎｍ以上、１５０ｎｍ超、２００ｎｍ以上、２５０ｎｍ以上、３００ｎｍ以上、３２０ｎｍ以上、又は、３４０ｎｍ以上であってよい。砥粒の平均粒径Ｄ５０は、研磨傷を抑制しやすい観点から、１０００ｎｍ以下、８００ｎｍ以下、６００ｎｍ以下、５００ｎｍ以下、４５０ｎｍ以下、４００ｎｍ以下、又は、３５０ｎｍ以下であってよい。これらの観点から、砥粒の平均粒径Ｄ５０は、１０～１０００ｎｍ、５０～８００ｎｍ、１００～５００ｎｍ、又は、２００～４００ｎｍであってよい。
　砥粒の平均粒径Ｄ８０は、ケイ素化合物を含む粒子の脱落痕の発生を抑制しやすい観点、及び、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、５０ｎｍ以上、１００ｎｍ以上、２００ｎｍ以上、３００ｎｍ以上、３５０ｎｍ以上、４００ｎｍ以上、４５０ｎｍ以上、５００ｎｍ以上、５５０ｎｍ以上、又は、６００ｎｍ以上であってよい。砥粒の平均粒径Ｄ８０は、研磨傷を抑制しやすい観点から、１２００ｎｍ以下、１１００ｎｍ以下、１０００ｎｍ以下、９００ｎｍ以下、８００ｎｍ以下、７５０ｎｍ以下、７００ｎｍ以下、又は、６５０ｎｍ以下であってよい。これらの観点から、砥粒の平均粒径Ｄ８０は、５０～１２００ｎｍ、１００～１０００ｎｍ、３００～８００ｎｍ、又は、５００～７００ｎｍであってよい。
　砥粒の含有量は、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。砥粒の含有量は、ケイ素化合物を含む粒子の脱落痕の発生を抑制しやすい観点、及び、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、０．０１質量％以上、０．０５質量％以上、０．１質量％以上、０．３質量％以上、０．５質量％以上、０．５質量％超、０．７質量％以上、０．８質量％以上、０．９質量％以上、１質量％以上、１．５質量％以上、又は、２質量％以上であってよい。砥粒の含有量は、研磨液の粘度の上昇、砥粒の凝集等を避けやすい観点から、１０質量％以下、８質量％以下、５質量％以下、４質量％以下、３質量％以下、２質量％以下、１．５質量％以下、又は、１質量％以下であってよい。これらの観点から、砥粒の含有量は、０．０１～１０質量％、０．１～５質量％、０．５～２質量％、又は、０．５～１．５質量％であってよい。
（水）
　本実施形態に係る研磨液は、水を含有してよい。水は、研磨液から他の構成成分を除いた残部として含有されていればよい。水の含有量は、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。水の含有量は、９０質量％以上、９１質量％以上、９２質量％以上、９３質量％以上、９４質量％以上、９４．５質量％以上、９５質量％以上、９５．５質量％以上、９６質量％以上、９７質量％以上、又は、９８質量％以上であってよい。水の含有量は、１００質量％未満、９９質量％以下、９８質量％以下、９７質量％以下、９６質量％以下、又は、９５．５質量％以下であってよい。これらの観点から、水の含有量は、９０質量％以上１００質量％未満、９０～９９質量％、又は、９５～９９質量％であってよい。
（添加剤）
　本実施形態に係る研磨液は、砥粒、及び、水以外の成分を含有してよい。このような成分としては、ヒドロキシ基を有するエーテル化合物（以下、場合により「エーテル化合物Ａ」という）、ヒドロキシ基を有しないエーテル化合物、酸成分、アンモニア、防食剤、塩基性水酸化物、過酸化物、有機溶媒、界面活性剤、消泡剤等が挙げられる。本実施形態に係る研磨液は、これらの成分の少なくとも一種を含有しなくてもよい。
　本実施形態に係る研磨液は、ケイ素化合物を含む粒子の脱落痕の発生を抑制しやすい観点、及び、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、ヒドロキシ基を有するエーテル化合物（エーテル化合物Ａ）を含有してよい。ヒドロキシ基を有するエーテル化合物は、少なくとも一つのヒドロキシ基及び少なくとも一つのエーテル基を有する化合物である。エーテル化合物Ａにおける「エーテル基」は、ヒドロキシ基（水酸基）、カルボキシ基、カルボン酸塩基、エステル基、スルホ基及びリン酸基における「－Ｏ－」構造を包含しない。ヒドロキシ基は、カルボキシ基、スルホ基及びリン酸基に含まれるＯＨ基を包含しない。
　エーテル化合物Ａは、ケイ素化合物を含む粒子の脱落痕の発生を抑制しやすい観点、及び、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、ヒドロキシ基の数が下記の範囲である化合物を含んでよい。ヒドロキシ基の数は、１以上であり、２以上、３以上、４以上、５以上、６以上、８以上、９以上、１０以上、１１以上、又は、１２以上であってよい。ヒドロキシ基の数は、２０以下、１５以下、１２以下、１１以下、１０以下、９以下、８以下、６以下、５以下、４以下、３以下、又は、２以下であってよい。これらの観点から、ヒドロキシ基の数は、１～２０、１～１０、１～５、１～３、又は、１～２であってよい。エーテル化合物Ａは、ケイ素化合物を含む粒子の脱落痕の発生を抑制しやすい観点、及び、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、１つのヒドロキシ基を有する化合物を含んでよく、２つ以上のヒドロキシ基を有する化合物を含んでよく、１つのヒドロキシ基を有する化合物と、２つ以上のヒドロキシ基を有する化合物と、を含んでよい。
　エーテル化合物Ａは、ケイ素化合物を含む粒子の脱落痕の発生を抑制しやすい観点、及び、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、エーテル基の数が下記の範囲である化合物を含んでよい。エーテル基の数は、１以上であり、２以上、３以上、４以上、５以上、６以上、８以上、又は、９以上であってよい。エーテル基の数は、２０以下、１５以下、１２以下、１１以下、１０以下、９以下、８以下、６以下、５以下、４以下、３以下、又は、２以下であってよい。これらの観点から、エーテル基の数は、１～２０、１～１０、１～５、１～３、又は、１～２であってよい。エーテル化合物Ａは、ケイ素化合物を含む粒子の脱落痕の発生を抑制しやすい観点、及び、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、１つのエーテル基を有する化合物を含んでよく、２つ以上のエーテル基を有する化合物を含んでよく、１つのエーテル基を有する化合物と、２つ以上のエーテル基を有する化合物と、を含んでよい。
　エーテル化合物Ａは、ケイ素化合物を含む粒子の脱落痕の発生を抑制しやすい観点、及び、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、アルコキシアルコールを含んでよい。アルコキシアルコールとしては、２－メトキシエタノール、２－エトキシエタノール、２－（２－メトキシ）エトキシエタノール、２－（２－ブトキシエトキシ）エタノール、２－プロポキシエタノール、２－ブトキシエタノール、３－メトキシ－３－メチル－１－ブタノール、２－（メトキシメトキシ）エタノール、２－イソプロポキシエタノール、２－ブトキシエタノール、２－イソペンチルオキシエタノール、１－プロポキシ－２－プロパノール、３－メトキシ－３－メチル－１－ブタノール、３－メトキシ－１－ブタノール、３－メトキシ－３－メチルブタノール、１－メトキシ－２－ブタノール、グリコールモノエーテル等が挙げられる。アルコキシアルコールは、ケイ素化合物を含む粒子の脱落痕の発生を抑制しやすい観点、及び、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、炭素数が１～５、１～４、１～３、１～２、又は、２～３のアルコキシ基を有する化合物を含んでよい。アルコキシアルコールは、ケイ素化合物を含む粒子の脱落痕の発生を抑制しやすい観点、及び、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、１－プロポキシ－２－プロパノールを含んでよく、３－メトキシ－３－メチル－１－ブタノールを含んでよい。
　エーテル化合物Ａは、ケイ素化合物を含む粒子の脱落痕の発生を抑制しやすい観点、及び、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、ポリエーテルを含んでよく、アルコキシアルコール及びポリエーテルを含んでよい。ポリエーテルとしては、ポリグリセリン、多糖類、ポリアルキレングリコール、ポリオキシプロピレンポリグリセリルエーテル、ポリオキシエチレンポリグリセリルエーテル、１，４－ジ（２－ヒドロキシエトキシ）ベンゼン、２，２－ビス（４－ポリオキシエチレンオキシフェニル）プロパン、２，２－ビス（４－ポリオキシプロピレンオキシフェニル）プロパン、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、ポリオキシアルキレンモノフェニルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、ポリオキシプロピレンモノメチルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル、ペンタエリスリトールポリオキシエチレンエーテル、エチレングリコールモノアリルエーテル、ポリオキシエチレンモノアリルエーテル、アルキルグルコシド等が挙げられる。ポリエーテルとしては、アルコキシアルコールとは異なる化合物を用いてよい。ポリエーテルは、ケイ素化合物を含む粒子の脱落痕の発生を抑制しやすい観点、及び、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、ポリグリセリンを含んでよい。
　エーテル化合物Ａは、ケイ素化合物を含む粒子の脱落痕の発生を抑制しやすい観点、及び、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、グリセリンの平均重合度が下記の範囲のポリグリセリンを含んでよい。平均重合度は、３以上、４以上、５以上、８以上、又は、１０以上であってよい。平均重合度は、１００以下、５０以下、３０以下、２０以下、１５以下、１２以下、又は、１０以下であってよい。これらの観点から、平均重合度は、３～１００、５～５０、８～２０、５～１５、又は、８～１５であってよい。
　エーテル化合物Ａは、ケイ素化合物を含む粒子の脱落痕の発生を抑制しやすい観点、及び、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、水酸基価が下記の範囲のポリグリセリンを含んでよい。水酸基価は、１００以上、２００以上、３００以上、４００以上、５００以上、６００以上、７００以上、８００以上、８５０以上、又は、８７０以上であってよい。水酸基価は、２０００以下、１５００以下、１２００以下、１１００以下、１０００以下、９５０以下、９３０以下、又は、９１０以下であってよい。これらの観点から、水酸基価は、１００～２０００、３００～１５００、５００～１２００、又は、８００～１０００であってよい。
　エーテル化合物Ａは、ケイ素化合物を含む粒子の脱落痕の発生を抑制しやすい観点、及び、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、１つのヒドロキシ基及び１つのエーテル基を有する化合物を含んでよい。エーテル化合物Ａは、ケイ素化合物を含む粒子の脱落痕の発生を抑制しやすい観点、及び、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、置換基としてヒドロキシ基を有するアルキル基と、無置換のアルキル基と、を結合するエーテル基を有する化合物を含んでよく、当該化合物は、１つのヒドロキシ基及び１つのエーテル基を有する化合物であってよい。
　エーテル化合物Ａは、ケイ素化合物を含む粒子の脱落痕の発生を抑制しやすい観点、及び、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、下記分子量を有する化合物を含んでよい。分子量は、５０以上、８０以上、１００以上、１１０以上、１１５以上、１１８以上、１２０以上、１５０以上、１９０以上、２００以上、２００超、３００以上、５００以上、７００以上、又は、７５０以上であってよい。分子量は、３０００以下、２０００以下、１５００以下、１２００以下、１０００以下、８００以下、７５０以下、７００以下、５００以下、３００以下、２００以下、２００未満、１９０以下、１５０以下、又は、１２０以下であってよい。これらの観点から、分子量は、５０～３０００、８０～１０００、１００～５００、１００～２００、又は、１００以上２００未満であってよい。エーテル化合物Ａは、例えば、分子量２００未満のアルコキシアルコールを含んでよい。
　エーテル化合物Ａが高分子である場合には、上述の分子量として重量平均分子量（Ｍｗ）を用いてよい。重量平均分子量は、例えば、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ：Ｇｅｌ　Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ　Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）を用いて、下記の条件で測定できる。
［条件］
　試料：２０μＬ
　標準ポリエチレングリコール：ポリマー・ラボラトリー社製、標準ポリエチレングリコール（分子量：１０６、１９４、４４０、６００、１４７０、４１００、７１００、１０３００、１２６００及び２３０００）
　検出器：昭和電工株式会社製、ＲＩ－モニター、商品名「Ｓｙｏｄｅｘ－ＲＩ　ＳＥ－６１」
　ポンプ：株式会社日立製作所製、商品名「Ｌ－６０００」
　カラム：昭和電工株式会社製、商品名「ＧＳ－２２０ＨＱ」及び「ＧＳ－６２０ＨＱ」をこの順番で連結して使用
　溶離液：０．４ｍｏｌ／Ｌの塩化ナトリウム水溶液
　測定温度：３０℃
　流速：１．００ｍＬ／ｍｉｎ
　測定時間：４５ｍｉｎ
　アルコキシアルコールの含有量は、ケイ素化合物を含む粒子の脱落痕の発生を抑制しやすい観点、及び、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、エーテル化合物の全質量（研磨液に含まれるエーテル化合物の全質量）、又は、エーテル化合物Ａの全質量（研磨液に含まれるエーテル化合物Ａの全質量）を基準として下記の範囲であってよい。アルコキシアルコールの含有量は、０質量％超、５質量％以上、８質量％以上、１０質量％以上、１２質量％以上、１５質量％以上、１８質量％以上、２０質量％以上、２３質量％以上、２４質量％以上、２５質量％以上、３０質量％以上、３５質量％以上、４０質量％以上、４５質量％以上、５０質量％以上、５０質量％超、５５質量％以上、６０質量％以上、６５質量％以上、７０質量％以上、７５質量％以上、８０質量％以上、８５質量％以上、９０質量％以上、９５質量％以上、９９質量％以上、又は、実質的に１００質量％（研磨液に含まれるエーテル化合物又はエーテル化合物Ａが、実質的に、アルコキシアルコールからなる態様）であってよい。アルコキシアルコールの含有量は、１００質量％以下、１００質量％未満、９５質量％以下、９０質量％以下、８５質量％以下、８０質量％以下、７５質量％以下、７０質量％以下、６５質量％以下、６０質量％以下、５５質量％以下、５０質量％以下、５０質量％未満、４５質量％以下、４０質量％以下、３５質量％以下、３０質量％以下、２５質量％以下、又は、２４質量％以下であってよい。これらの観点から、アルコキシアルコールの含有量は、０質量％超１００質量％以下、５～１００質量％、５～９５質量％、５～５０質量％、５～４０質量％、２０～１００質量％、２０～９５質量％、２０～５０質量％、又は、２０～４０質量％であってよい。
　ポリエーテルの含有量又はポリグリセリンの含有量として、含有量Ａは、ケイ素化合物を含む粒子の脱落痕の発生を抑制しやすい観点、及び、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、エーテル化合物の全質量（研磨液に含まれるエーテル化合物の全質量）、又は、エーテル化合物Ａの全質量（研磨液に含まれるエーテル化合物Ａの全質量）を基準として下記の範囲であってよい。含有量Ａは、０質量％超、５質量％以上、１０質量％以上、１５質量％以上、２０質量％以上、２５質量％以上、３０質量％以上、３５質量％以上、４０質量％以上、４５質量％以上、５０質量％以上、５０質量％超、５５質量％以上、６０質量％以上、６５質量％以上、７０質量％以上、７５質量％以上、又は、７６質量％以上であってよい。含有量Ａは、１００質量％以下、１００質量％未満、９５質量％以下、９２質量％以下、９０質量％以下、８８質量％以下、８５質量％以下、８２質量％以下、８０質量％以下、７７質量％以下、７６質量％以下、７５質量％以下、７０質量％以下、又は、６５質量％以下であってよい。これらの観点から、含有量Ａは、０質量％超１００質量％以下、０質量％超９５質量％以下、５～９５質量％、５０～９５質量％、６０～９５質量％、０質量％超８０質量％以下、５～８０質量％、５０～８０質量％、又は、６０～８０質量％であってよい。
　エーテル化合物Ａの含有量は、ケイ素化合物を含む粒子の脱落痕の発生を抑制しやすい観点、及び、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。エーテル化合物Ａの含有量は、０質量％超、０．０１質量％以上、０．０３質量％以上、０．０５質量％以上、０．０８質量％以上、０．１質量％以上、０．３質量％以上、０．５質量％以上、０．８質量％以上、１質量％以上、１質量％超、１．１質量％以上、１．２質量％以上、１．３質量％以上、１．４質量％以上、１．５質量％以上、又は、１．６質量％以上であってよい。エーテル化合物Ａの含有量は、１０質量％以下、８質量％以下、５質量％以下、３質量％以下、２質量％以下、１．８質量％以下、１．７質量％以下、１．６質量％以下、１．５質量％以下、１．４質量％以下、１．３質量％以下、１．２質量％以下、１．１質量％以下、１質量％以下、１質量％未満、０．８質量％以下、０．５質量％以下、０．３質量％以下、又は、０．１質量％以下であってよい。これらの観点から、エーテル化合物Ａの含有量は、０質量％超１０質量％以下、０．１～１０質量％、０．５～１０質量％、１～１０質量％、０質量％超５質量％以下、０．１～５質量％、０．５～５質量％、１～５質量％、０質量％超３質量％以下、０．１～３質量％、０．５～３質量％、又は、１～３質量％であってよい。
　アルコキシアルコールの含有量は、ケイ素化合物を含む粒子の脱落痕の発生を抑制しやすい観点、及び、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。アルコキシアルコールの含有量は、０質量％超、０．０１質量％以上、０．０３質量％以上、０．０５質量％以上、０．０８質量％以上、０．１質量％以上、０．１５質量％以上、０．２質量％以上、０．２５質量％以上、０．３質量％以上、０．３１質量％以上、０．３３質量％以上、０．３５質量％以上、０．４質量％以上、０．４５質量％以上、０．５質量％以上、０．５５質量％以上、０．６質量％以上、０．６５質量％以上、０．７質量％以上、０．８質量％以上、又は、１質量％以上であってよい。アルコキシアルコールの含有量は、５質量％以下、３質量％以下、１質量％以下、０．８質量％以下、０．７質量％以下、０．６５質量％以下、０．６質量％以下、０．５５質量％以下、０．５質量％以下、０．４５質量％以下、０．４質量％以下、０．３５質量％以下、０．３３質量％以下、０．３１質量％以下、０．３質量％以下、０．２５質量％以下、０．２質量％以下、０．１５質量％以下、又は、０．１質量％以下であってよい。これらの観点から、アルコキシアルコールの含有量は、０質量％超５質量％以下、０．０１～５質量％、０．１～５質量％、０．２～５質量％、０質量％超１質量％以下、０．０１～１質量％、０．１～１質量％、０．２～１質量％、０質量％超０．８質量％以下、０．０１～０．８質量％、０．１～０．８質量％、０．２～０．８質量％、０質量％超０．５質量％以下、０．０１～０．５質量％、０．１～０．５質量％、又は、０．２～０．５質量％であってよい。
　ポリエーテルの含有量又はポリグリセリンの含有量として、含有量Ｂは、ケイ素化合物を含む粒子の脱落痕の発生を抑制しやすい観点、及び、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。含有量Ｂは、０質量％超、０．０１質量％以上、０．０５質量％以上、０．１質量％以上、０．３質量％以上、０．５質量％以上、０．６質量％以上、０．８質量％以上、０．９質量％以上、又は、１質量％以上であってよい。含有量Ｂは、１０質量％以下、８質量％以下、７質量％以下、６質量％以下、５質量％以下、４質量％以下、３質量％以下、２質量％以下、１．５質量％以下、又は、１質量％以下であってよい。これらの観点から、含有量Ｂは、０質量％超１０質量％以下、０．０１～１０質量％、０．１～５質量％、０．５～３質量％、又は、０．５～２質量％であってよい。
　エーテル化合物Ａの含有量は、ケイ素化合物を含む粒子の脱落痕の発生を抑制しやすい観点、及び、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、砥粒１００質量部に対して下記の範囲であってよい。エーテル化合物Ａの含有量は、０質量部超、１質量部以上、３質量部以上、５質量部以上、８質量部以上、１０質量部以上、３０質量部以上、５０質量部以上、８０質量部以上、１００質量部以上、１００質量部超、１１０質量部以上、１２０質量部以上、１３０質量部以上、１４０質量部以上、１５０質量部以上、又は、１６０質量部以上であってよい。エーテル化合物Ａの含有量は、１０００質量部以下、８００質量部以下、５００質量部以下、３００質量部以下、２００質量部以下、１８０質量部以下、１７０質量部以下、１６０質量部以下、１５０質量部以下、１４０質量部以下、１２０質量部以下、１１０質量部以下、１００質量部以下、１００質量部未満、８０質量部以下、５０質量部以下、３０質量部以下、１０質量部以下、８質量部以下、又は、５質量部以下であってよい。これらの観点から、エーテル化合物Ａの含有量は、０質量部超１０００質量部以下、１０～１０００質量部、５０～１０００質量部、１００～１０００質量部、０質量部超５００質量部以下、１０～５００質量部、５０～５００質量部、１００～５００質量部、０質量部超３００質量部以下、１０～３００質量部、５０～３００質量部、又は、１００～３００質量部であってよい。
　アルコキシアルコールの含有量は、ケイ素化合物を含む粒子の脱落痕の発生を抑制しやすい観点、及び、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、砥粒１００質量部に対して下記の範囲であってよい。アルコキシアルコールの含有量は、０質量部超、１質量部以上、３質量部以上、５質量部以上、８質量部以上、１０質量部以上、１５質量部以上、２０質量部以上、２５質量部以上、３０質量部以上、３５質量部以上、４０質量部以上、４５質量部以上、５０質量部以上、５５質量部以上、６０質量部以上、６５質量部以上、７０質量部以上、８０質量部以上、又は、１００質量部以上であってよい。アルコキシアルコールの含有量は、５００質量部以下、３００質量部以下、１００質量部以下、８０質量部以下、７０質量部以下、６５質量部以下、６０質量部以下、５５質量部以下、５０質量部以下、４５質量部以下、４０質量部以下、３５質量部以下、３０質量部以下、２５質量部以下、２０質量部以下、１５質量部以下、１０質量部以下、８質量部以下、又は、５質量部以下であってよい。これらの観点から、アルコキシアルコールの含有量は、０質量部超５００質量部以下、１～５００質量部、１０～５００質量部、２０～５００質量部、０質量部超１００質量部以下、１～１００質量部、１０～１００質量部、２０～１００質量部、０質量部超８０質量部以下、１～８０質量部、１０～８０質量部、２０～８０質量部、０質量部超５０質量部以下、１～５０質量部、１０～５０質量部、又は、２０～５０質量部であってよい。
　ポリエーテルの含有量又はポリグリセリンの含有量として、含有量Ｃは、ケイ素化合物を含む粒子の脱落痕の発生を抑制しやすい観点、及び、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、砥粒１００質量部に対して下記の範囲であってよい。含有量Ｃは、０質量部超、１質量部以上、５質量部以上、１０質量部以上、３０質量部以上、５０質量部以上、６０質量部以上、８０質量部以上、９０質量部以上、又は、１００質量部以上であってよい。含有量Ｃは、１０００質量部以下、８００質量部以下、７００質量部以下、６００質量部以下、５００質量部以下、４００質量部以下、３００質量部以下、２００質量部以下、１５０質量部以下、又は、１００質量部以下であってよい。これらの観点から、含有量Ｃは、０質量部超１０００質量部以下、１～１０００質量部、１０～５００質量部、５０～３００質量部、又は、５０～２００質量部であってよい。
　アルコキシアルコールの含有量は、ケイ素化合物を含む粒子の脱落痕の発生を抑制しやすい観点、及び、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、ポリエーテル１００質量部又はポリグリセリン１００質量部に対して下記の範囲であってよい。アルコキシアルコールの含有量は、０質量部超、１質量部以上、３質量部以上、５質量部以上、８質量部以上、１０質量部以上、１５質量部以上、２０質量部以上、２５質量部以上、３０質量部以上、３２質量部以上、３３質量部以上、３４質量部以上、３５質量部以上、４０質量部以上、４５質量部以上、５０質量部以上、５５質量部以上、６０質量部以上、又は、６５質量部以上であってよい。アルコキシアルコールの含有量は、１０００質量部以下、８００質量部以下、７００質量部以下、６００質量部以下、５００質量部以下、４００質量部以下、３００質量部以下、２００質量部以下、１５０質量部以下、１２０質量部以下、１００質量部以下、８０質量部以下、７０質量部以下、６５質量部以下、６０質量部以下、５５質量部以下、５０質量部以下、４５質量部以下、４０質量部以下、３５質量部以下、３４質量部以下、３３質量部以下、又は、３２質量部以下であってよい。これらの観点から、アルコキシアルコールの含有量は、０質量部超１０００質量部以下、１～１０００質量部、１０～１０００質量部、０質量部超２００質量部以下、１～２００質量部、１０～２００質量部、０質量部超１００質量部以下、１～１００質量部、１０～１００質量部、０質量部超５０質量部以下、１～５０質量部、又は、１０～５０質量部であってよい。
　本実施形態に係る研磨液は、エーテル化合物Ａとして、キサンタンガムを含有しなくてよい。キサンタンガムの含有量は、研磨液の全質量を基準として、０．５質量％以下、０．５質量％未満、０．１質量％以下、０．０１質量％以下、又は、実質的に０質量％であってよい。
　本実施形態に係る研磨液は、酸成分を含有してよい。酸成分が金属材料と錯体を形成すること、酸成分が金属材料を溶解すること等により、金属材料の研磨速度が向上しやすいと推測される。本実施形態に係る研磨液は、酸成分として、有機酸成分を含有してよく、無機酸成分を含有してよい。
　有機酸成分としては、有機酸（アミノ酸を除く）、有機酸エステル、有機酸塩、アミノ酸、アミノ酸エステル、アミノ酸塩等が挙げられる。有機酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、２－メチル酪酸、ｎ－ヘキサン酸、３，３－ジメチル酪酸、２－エチル酪酸、４－メチルペンタン酸、ｎ－ヘプタン酸、２－メチルヘキサン酸、ｎ－オクタン酸、２－エチルヘキサン酸、安息香酸、グリコール酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、３－メチルフタル酸、４－メチルフタル酸、３－アミノフタル酸、４－アミノフタル酸、３－ニトロフタル酸、４－ニトロフタル酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、イソフタル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、ｐ－トルエンスルホン酸、ｐ－フェノールスルホン酸、メチルスルホン酸、乳酸、イタコン酸、マレイン酸、キナルジン酸、アジピン酸、ピメリン酸等が挙げられる。有機酸エステルとしては、上述の有機酸のエステル等が挙げられる。有機酸塩としては、上述の有機酸のアンモニウム塩（例えば酢酸アンモニウム）、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、ハロゲン化物等が挙げられる。アミノ酸としては、アラニン、アルギニン、アスパラギン、アスパラギン酸、システイン、グルタミン、グルタミン酸、グリシン、ヒスチジン、イソロイシン、ロイシン、リシン、メチオニン、フェニルアラニン、プロリン、セリン、トレオニン、トリプトファン、チロシン、バリン等が挙げられる。アミノ酸エステルとしては、上述のアミノ酸のエステル等が挙げられる。アミノ酸塩としては、上述の有機酸のアルカリ金属塩等が挙げられる。
　無機酸成分としては、無機酸、無機酸のアンモニウム塩、無機酸の金属塩（アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩等）などが挙げられる。無機酸としては、塩酸、硫酸、硝酸、クロム酸等が挙げられる。無機酸のアンモニウム塩としては、硝酸アンモニウム、塩化アンモニウム、臭化アンモニウム等の１価の無機酸のアンモニウム塩；炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、硫酸アンモニウム、過硫酸アンモニウム等の２価の無機酸のアンモニウム塩；リン酸アンモニウム、リン酸水素アンモニウム、リン酸二水素アンモニウム、ホウ酸アンモニウム等の３価の無機酸のアンモニウム塩などが挙げられる。
　有機酸成分は、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、アミノ酸とは異なる有機酸、及び、アミノ酸からなる群より選ばれる少なくとも一種を含んでよく、リンゴ酸及びグリシンからなる群より選ばれる少なくとも一種を含んでよい。無機酸成分は、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、塩化アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、硫酸アンモニウム、過硫酸アンモニウム、及び、リン酸二水素アンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも一種を含んでよく、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、過硫酸アンモニウム、及び、リン酸二水素アンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも一種を含んでよく、炭酸アンモニウム、過硫酸アンモニウム、及び、リン酸二水素アンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも一種を含んでよい。
　酸成分の含有量は、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。酸成分の含有量は、０質量％超、０．０１質量％以上、０．０２質量％以上、０．０５質量％以上、０．１質量％以上、０．２質量％以上、０．３質量％以上、０．４質量％以上、０．５質量％以上、０．６質量％以上、０．７質量％以上、０．８質量％以上、０．８５質量％以上、０．９質量％以上、１質量％以上、１．１質量％以上、１．２質量％以上、１．３質量％以上、１．４質量％以上、１．５質量％以上、１．６質量％以上、１．７質量％以上、１．８質量％以上、１．９質量％以上、又は、２質量％以上であってよい。酸成分の含有量は、５質量％以下、４．５質量％以下、４質量％以下、３．５質量％以下、３質量％以下、２．５質量％以下、２質量％以下、１．９質量％以下、１．８質量％以下、１．７質量％以下、１．６質量％以下、１．５質量％以下、１．４質量％以下、１．３質量％以下、１．２質量％以下、１．１質量％以下、１質量％以下、０．９質量％以下、０．８５質量％以下、０．８質量％以下、０．７質量％以下、０．６質量％以下、０．５質量％以下、０．４質量％以下、０．３質量％以下、０．２質量％以下、０．１質量％以下、０．０５質量％以下、０．０２質量％以下、又は、０．０１質量％以下であってよい。これらの観点から、酸成分の含有量は、０質量％超５質量％以下、０．０１～５質量％、０．０５～５質量％、０質量％超２質量％以下、０．０１～２質量％、０．０５～２質量％、０質量％超１質量％以下、０．０１～１質量％、０．０５～１質量％、０質量％超０．５質量％以下、０．０１～０．５質量％、又は、０．０５～０．５質量％であってよい。
　有機酸成分の含有量は、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。有機酸成分の含有量は、０質量％超、０．０１質量％以上、０．０２質量％以上、０．０５質量％以上、０．１質量％以上、０．１５質量％以上、０．２質量％以上、０．２５質量％以上、０．３質量％以上、０．３５質量％以上、０．４質量％以上、０．４１質量％以上、０．４５質量％以上、０．５質量％以上、０．６質量％以上、０．８質量％以上、又は、１質量％以上であってよい。有機酸成分の含有量は、５質量％以下、４質量％以下、３質量％以下、２質量％以下、１質量％以下、０．８質量％以下、０．６質量％以下、０．５質量％以下、０．４５質量％以下、０．４１質量％以下、０．４質量％以下、０．３５質量％以下、０．３質量％以下、０．２５質量％以下、０．２質量％以下、０．１５質量％以下、０．１質量％以下、０．０５質量％以下、又は、０．０２質量％以下であってよい。これらの観点から、有機酸成分の含有量は、０質量％超５質量％以下、０．０１～５質量％、０．０２～５質量％、０．１～５質量％、０質量％超１質量％以下、０．０１～１質量％、０．０２～１質量％、０．１～１質量％、０質量％超０．５質量％以下、０．０１～０．５質量％、０．０２～０．５質量％、又は、０．１～０．５質量％であってよい。
　無機酸成分の含有量は、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。無機酸成分の含有量は、０質量％超、０．０１質量％以上、０．０５質量％以上、０．１質量％以上、０．２質量％以上、０．３質量％以上、０．４質量％以上、０．５質量％以上、０．６質量％以上、０．７質量％以上、０．８質量％以上、０．９質量％以上、１質量％以上、１．１質量％以上、１．２質量％以上、１．３質量％以上、１．４質量％以上、１．５質量％以上、又は、１．６質量％以上であってよい。無機酸成分の含有量は、５質量％以下、４．５質量％以下、４質量％以下、３．５質量％以下、３質量％以下、２．５質量％以下、２質量％以下、１．８質量％以下、１．６質量％以下、１．５質量％以下、１．４質量％以下、１．３質量％以下、１．２質量％以下、１．１質量％以下、１質量％以下、０．９質量％以下、０．８質量％以下、０．７質量％以下、０．６質量％以下、０．５質量％以下、０．４質量％以下、０．３質量％以下、０．２質量％以下、又は、０．１質量％以下であってよい。これらの観点から、無機酸成分の含有量は、０質量％超５質量％以下、０．０１～５質量％、０．１～５質量％、０．５～５質量％、０質量％超１質量％以下、０．０１～１質量％、０．１～１質量％、０．５～１質量％、０質量％超０．５質量％以下、０．０１～０．５質量％、又は、０．１～０．５質量％であってよい。
　本実施形態に係る研磨液は、アンモニウム塩を含有してよい。アンモニウム塩、又は、アンモニウム塩のアンモニウムカチオンが金属材料と錯体を形成し、金属材料の研磨速度が向上しやすいと推測される。アンモニウム塩は、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、無機酸のアンモニウム塩を含んでよく、有機酸のアンモニウム塩を含んでよい。
　アンモニウム塩は、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、１価の無機酸のアンモニウム塩、２価の無機酸のアンモニウム塩、及び、３価の無機酸のアンモニウム塩からなる群より選ばれる少なくとも一種を含んでよい。アンモニウム塩は、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、塩化アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、硫酸アンモニウム、過硫酸アンモニウム、リン酸二水素アンモニウム、及び、酢酸アンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも一種を含んでよい。アンモニウム塩は、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、過酸化物とは異なるアンモニウム塩を含んでよく、過酸化物（過硫酸アンモニウム等）を含んでよい。
　アンモニウム塩は、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、下記分子量を有する化合物を含んでよい。分子量は、５０以上、６０以上、７０以上、７５以上、７８以上、８０以上、９０以上、１００以上、１１０以上、１２０以上、１３０以上、１４０以上、１５０以上、１８０以上、２００以上、又は、２２０以上であってよい。分子量は、１０００以下、１０００未満、８００以下、５００以下、３００以下、２５０以下、２３０以下、２２０以下、２００以下、１８０以下、１５０以下、１４０以下、１３０以下、１２０以下、１１０以下、１００以下、９０以下、８０以下、７８以下、７５以下、７０以下、又は、６０以下であってよい。これらの観点から、分子量は、５０～１０００、７０～１０００、８０～１０００、５０～５００、７０～５００、８０～５００、５０～２５０、７０～２５０、８０～２５０、５０～１００、７０～１００、又は、８０～１００であってよい。
　過酸化物とは異なるアンモニウム塩の含有量は、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、アンモニウム塩の全質量（研磨液に含まれるアンモニウム塩の全質量）を基準として下記の範囲であってよい。過酸化物とは異なるアンモニウム塩の含有量は、０質量％超、１質量％以上、５質量％以上、１０質量％以上、２０質量％以上、３０質量％以上、３４質量％以上、３５質量％以上、４０質量％以上、４１質量％以上、４５質量％以上、５０質量％以上、５０質量％超、６０質量％以上、７０質量％以上、８０質量％以上、９０質量％以上、９５質量％以上、９９質量％以上、又は、実質的に１００質量％（研磨液に含まれるアンモニウム塩が、実質的に、過酸化物とは異なるアンモニウム塩からなる態様）であってよい。過酸化物とは異なるアンモニウム塩の含有量は、１００質量％以下、１００質量％未満、９９質量％以下、９５質量％以下、９０質量％以下、８０質量％以下、７０質量％以下、６０質量％以下、５０質量％以下、５０質量％未満、４５質量％以下、４１質量％以下、４０質量％以下、３５質量％以下、３４質量％以下、３０質量％以下、２０質量％以下、１０質量％以下、又は、５質量％以下であってよい。これらの観点から、過酸化物とは異なるアンモニウム塩の含有量は、０質量％超１００質量％以下、３０～１００質量％、５０～１００質量％、又は、８０～１００質量％であってよい。
　アンモニウム塩が過酸化物を含む場合、過酸化物（アンモニウム塩）の含有量は、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、アンモニウム塩の全質量（研磨液に含まれるアンモニウム塩の全質量）を基準として下記の範囲であってよい。過酸化物（アンモニウム塩）の含有量は、０質量％超、１質量％以上、５質量％以上、１０質量％以上、２０質量％以上、３０質量％以上、４０質量％以上、５０質量％以上、５０質量％超、５５質量％以上、５９質量％以上、６０質量％以上、６５質量％以上、６６質量％以上、７０質量％以上、８０質量％以上、９０質量％以上、９５質量％以上、９９質量％以上、又は、実質的に１００質量％（研磨液に含まれるアンモニウム塩が、実質的に、過酸化物からなる態様）であってよい。過酸化物（アンモニウム塩）の含有量は、１００質量％以下、１００質量％未満、９９質量％以下、９５質量％以下、９０質量％以下、８０質量％以下、７０質量％以下、６６質量％以下、６５質量％以下、６０質量％以下、又は、５９質量％以下であってよい。これらの観点から、過酸化物（アンモニウム塩）の含有量は、０質量％超１００質量％以下、５０～１００質量％、６０～１００質量％、０質量％超１００質量％未満、５０質量％以上１００質量％未満、又は、６０質量％以上１００質量％未満であってよい。
　アンモニウム塩の含有量（アンモニウム塩に該当する化合物の合計量。以下同様）、又は、過酸化物とは異なるアンモニウム塩の含有量として、含有量Ｄは、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。含有量Ｄは、０質量％超、０．０１質量％以上、０．０２質量％以上、０．０５質量％以上、０．１質量％以上、０．２質量％以上、０．３質量％以上、０．４質量％以上、０．４５質量％以上、０．５質量％以上、０．５質量％超、０．６質量％以上、０．７質量％以上、０．８質量％以上、０．８５質量％以上、０．９質量％以上、１質量％以上、１．１質量％以上、１．２質量％以上、１．３質量％以上、１．４質量％以上、１．５質量％以上、又は、１．６質量％以上であってよい。含有量Ｄは、１０質量％以下、８質量％以下、５質量％以下、４質量％以下、３質量％以下、２質量％以下、１．８質量％以下、１．７質量％以下、１．６質量％以下、１．５質量％以下、１．４質量％以下、１．３質量％以下、１．２質量％以下、１．１質量％以下、１質量％以下、０．９質量％以下、０．８５質量％以下、０．８質量％以下、０．７質量％以下、０．６質量％以下、０．５質量％以下、０．４５質量％以下、０．４質量％以下、０．３質量％以下、０．２質量％以下、０．１質量％以下、０．０５質量％以下、又は、０．０２質量％以下であってよい。これらの観点から、含有量Ｄは、０質量％超１０質量％以下、０質量％超５質量％以下、０質量％超２質量％以下、０質量％超１質量％以下、０．０１～１０質量％、０．０１～５質量％、０．０１～２質量％、０．０１～１質量％、０．１～１０質量％、０．１～５質量％、０．１～２質量％、０．１～１質量％、０．３～１０質量％、０．３～５質量％、０．３～２質量％、又は、０．３～１質量％であってよい。
　アンモニウム塩が過酸化物を含む場合、過酸化物（アンモニウム塩）の含有量は、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。過酸化物（アンモニウム塩）の含有量は、０質量％超、０．０１質量％以上、０．０５質量％以上、０．１質量％以上、０．２質量％以上、０．３質量％以上、０．４質量％以上、０．５質量％以上、０．５質量％超、０．６質量％以上、０．６５質量％以上、０．７質量％以上、０．７５質量％以上、又は、０．８質量％以上であってよい。過酸化物（アンモニウム塩）の含有量は、５質量％以下、４質量％以下、３質量％以下、２質量％以下、１．５質量％以下、１．２質量％以下、１質量％以下、０．９質量％以下、０．８質量％以下、０．７５質量％以下、０．７質量％以下、０．６５質量％以下、又は、０．６質量％以下であってよい。これらの観点から、過酸化物（アンモニウム塩）の含有量は、０質量％超５質量％以下、０．０１～５質量％、０．１～５質量％、０．５～５質量％、０質量％超１質量％以下、０．０１～１質量％、０．１～１質量％、又は、０．５～１質量％であってよい。
　アンモニウム塩の含有量、又は、過酸化物とは異なるアンモニウム塩の含有量として、含有量Ｅは、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、砥粒１００質量部に対して下記の範囲であってよい。含有量Ｅは、０質量部超、１質量部以上、２質量部以上、５質量部以上、１０質量部以上、２０質量部以上、３０質量部以上、４０質量部以上、４５質量部以上、５０質量部以上、６０質量部以上、７０質量部以上、８０質量部以上、８５質量部以上、９０質量部以上、１００質量部以上、１１０質量部以上、１２０質量部以上、１３０質量部以上、１４０質量部以上、１５０質量部以上、又は、１６０質量部以上であってよい。含有量Ｅは、１０００質量部以下、８００質量部以下、５００質量部以下、４００質量部以下、３００質量部以下、２００質量部以下、１８０質量部以下、１７０質量部以下、１６０質量部以下、１５０質量部以下、１４０質量部以下、１３０質量部以下、１２０質量部以下、１１０質量部以下、１００質量部以下、９０質量部以下、８５質量部以下、８０質量部以下、７０質量部以下、６０質量部以下、５０質量部以下、４５質量部以下、４０質量部以下、３０質量部以下、２０質量部以下、１０質量部以下、５質量部以下、又は、２質量部以下であってよい。これらの観点から、含有量Ｅは、０質量部超１０００質量部以下、０質量部超５００質量部以下、０質量部超２００質量部以下、０質量部超１００質量部以下、１～１０００質量部、１～５００質量部、１～２００質量部、１～１００質量部、１０～１０００質量部、１０～５００質量部、１０～２００質量部、１０～１００質量部、３０～１０００質量部、３０～５００質量部、３０～２００質量部、又は、３０～１００質量部であってよい。
　アンモニウム塩が過酸化物を含む場合、過酸化物（アンモニウム塩）の含有量は、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、砥粒１００質量部に対して下記の範囲であってよい。過酸化物（アンモニウム塩）の含有量は、０質量部超、１質量部以上、５質量部以上、１０質量部以上、２０質量部以上、３０質量部以上、４０質量部以上、５０質量部以上、６０質量部以上、６５質量部以上、７０質量部以上、７５質量部以上、又は、８０質量部以上であってよい。過酸化物（アンモニウム塩）の含有量は、５００質量部以下、４００質量部以下、３００質量部以下、２００質量部以下、１５０質量部以下、１２０質量部以下、１００質量部以下、９０質量部以下、８０質量部以下、７５質量部以下、７０質量部以下、６５質量部以下、又は、６０質量部以下であってよい。これらの観点から、過酸化物（アンモニウム塩）の含有量は、０質量部超５００質量部以下、１～５００質量部、１０～５００質量部、５０～５００質量部、０質量部超１００質量部以下、１～１００質量部、１０～１００質量部、又は、５０～１００質量部であってよい。
　本実施形態に係る研磨液は、アンモニアを含有してよい。アンモニアが金属材料と錯体を形成し、金属材料の研磨速度が向上しやすいと推測される。本実施形態に係る研磨液は、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、アンモニウムカチオン及びアンモニアからなる群より選ばれる少なくとも一種を含有してよく、アンモニウム塩（上述の無機酸のアンモニウム塩、上述の有機酸のアンモニウム塩等）及びアンモニアからなる群より選ばれる少なくとも一種を含有してよい。
　アンモニアの含有量は、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。アンモニアの含有量は、０質量％超、０．０１質量％以上、０．０３質量％以上、０．０５質量％以上、０．０８質量％以上、０．１質量％以上、０．１２質量％以上、０．１５質量％以上、０．２質量％以上、０．２５質量％以上、又は、０．３質量％以上であってよい。アンモニアの含有量は、５質量％以下、４質量％以下、３質量％以下、２質量％以下、１．５質量％以下、１質量％以下、０．８質量％以下、０．６質量％以下、０．５質量％以下、０．４質量％以下、０．３質量％以下、０．２５質量％以下、０．２質量％以下、０．１５質量％以下、又は、０．１質量％以下であってよい。これらの観点から、アンモニアの含有量は、０質量％超５質量％以下、０．０１～５質量％、０．１～５質量％、０．２～５質量％、０質量％超２質量％以下、０．０１～２質量％、０．１～２質量％、０．２～２質量％、０質量％超０．５質量％以下、０．０１～０．５質量％、０．１～０．５質量％、又は、０．２～０．５質量％であってよい。
　アンモニアの含有量は、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、砥粒１００質量部に対して下記の範囲であってよい。アンモニアの含有量は、０質量部超、１質量部以上、３質量部以上、５質量部以上、８質量部以上、１０質量部以上、１２質量部以上、１５質量部以上、２０質量部以上、２５質量部以上、又は、３０質量部以上であってよい。アンモニアの含有量は、５００質量部以下、４００質量部以下、３００質量部以下、２００質量部以下、１５０質量部以下、１００質量部以下、８０質量部以下、６０質量部以下、５０質量部以下、５０質量部未満、４０質量部以下、３０質量部以下、２５質量部以下、２０質量部以下、１５質量部以下、１０質量部以下、８質量部以下、又は、５質量部以下であってよい。これらの観点から、アンモニアの含有量は、０質量部超５００質量部以下、１～５００質量部、１０～５００質量部、２０～５００質量部、０質量部超２００質量部以下、１～２００質量部、１０～２００質量部、２０～２００質量部、０質量部超５０質量部以下、１～５０質量部、１０～５０質量部、又は、２０～５０質量部であってよい。
　アンモニアの含有量は、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、アンモニウム塩１００質量部に対して下記の範囲であってよい。アンモニアの含有量は、０質量部超、１質量部以上、５質量部以上、１０質量部以上、１５質量部以上、２０質量部以上、２５質量部以上、３０質量部以上、３５質量部以上、３６質量部以上、４０質量部以上、５０質量部以上、６０質量部以上、８０質量部以上、１００質量部以上、１５０質量部以上、２００質量部以上、３００質量部以上、５００質量部以上、１０００質量部以上、１５００質量部以上、又は、２０００質量部以上であってよい。アンモニアの含有量は、２０００質量部以下、１５００質量部以下、１０００質量部以下、５００質量部以下、３００質量部以下、２００質量部以下、１５０質量部以下、１００質量部以下、８０質量部以下、６０質量部以下、５０質量部以下、４０質量部以下、３６質量部以下、３５質量部以下、３０質量部以下、２５質量部以下、２０質量部以下、又は、１５質量部以下であってよい。これらの観点から、アンモニアの含有量は、０質量部超２０００質量部以下、１０～２０００質量部、１００～２０００質量部、３００～２０００質量部、０質量部超１５００質量部以下、１０～１５００質量部、１００～１５００質量部、３００～１５００質量部、又は、１～２００質量部であってよい。
　本実施形態に係る研磨液は、金属材料に対する防食作用を有する化合物として、防食剤（金属材料の防食剤）を含有してよい。防食剤は、金属材料に対して保護膜を形成することで、金属材料のエッチングを抑制して被研磨面の荒れを低減しやすい。
　防食剤は、トリアゾール化合物、ピリジン化合物、ピラゾール化合物、ピリミジン化合物、イミダゾール化合物、グアニジン化合物、チアゾール化合物、テトラゾール化合物、トリアジン化合物及びヘキサメチレンテトラミンからなる群より選ばれる少なくとも一種を含んでよい。「化合物」とは、その骨格を有する化合物の総称であり、例えば「トリアゾール化合物」とは、トリアゾール骨格を有する化合物を意味する。防食剤は、好適な防食作用を得やすい観点から、トリアゾール化合物、ピリジン化合物、イミダゾール化合物、テトラゾール化合物、トリアジン化合物及びヘキサメチレンテトラミンからなる群より選ばれる少なくとも一種を含んでよく、トリアゾール化合物を含んでよく、ベンゾトリアゾール化合物を含んでよい。
　トリアゾール化合物としては、１，２，３－トリアゾール、１，２，４－トリアゾール、３－アミノ－１Ｈ－１，２，４－トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１－ヒドロキシベンゾトリアゾール、１－ジヒドロキシプロピルベンゾトリアゾール、２，３－ジカルボキシプロピルベンゾトリアゾール、４－ヒドロキシベンゾトリアゾール、４－カルボキシ－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、４－カルボキシ－１Ｈ－ベンゾトリアゾールメチルエステル（１Ｈ－ベンゾトリアゾール－４－カルボン酸メチル）、４－カルボキシ－１Ｈ－ベンゾトリアゾールブチルエステル（１Ｈ－ベンゾトリアゾール－４－カルボン酸ブチル）、４－カルボキシ－１Ｈ－ベンゾトリアゾールオクチルエステル（１Ｈ－ベンゾトリアゾール－４－カルボン酸オクチル）、５－ヘキシルベンゾトリアゾール、［１，２，３－ベンゾトリアゾリル－１－メチル］［１，２，４－トリアゾリル－１－メチル］［２－エチルヘキシル］アミン、トリルトリアゾール、ナフトトリアゾール、ビス［（１－ベンゾトリアゾリル）メチル］ホスホン酸、３Ｈ－１，２，３－トリアゾロ［４，５－ｂ］ピリジン－３－オール、１Ｈ－１，２，３－トリアゾロ［４，５－ｂ］ピリジン、１－アセチル－１Ｈ－１，２，３－トリアゾロ［４，５－ｂ］ピリジン、１，２，４－トリアゾロ［１，５－ａ］ピリミジン、２－メチル－５，７－ジフェニル－［１，２，４］トリアゾロ［１，５－ａ］ピリミジン、２－メチルサルファニル－５，７－ジフェニル－［１，２，４］トリアゾロ［１，５－ａ］ピリミジン、２－メチルサルファニル－５，７－ジフェニル－４，７－ジヒドロ－［１，２，４］トリアゾロ［１，５－ａ］ピリミジン等が挙げられる。一分子中にトリアゾール骨格と、それ以外の骨格とを有する化合物は、トリアゾール化合物に分類するものとする。本実施形態に係る研磨液は、好適な防食作用を得やすい観点から、ヒドロキシ基を有するトリアゾール化合物を含有してよく、１－ヒドロキシベンゾトリアゾールを含有してよい。
　防食剤の含有量、トリアゾール化合物の含有量、又は、ベンゾトリアゾール化合物の含有量として、含有量Ｆは、好適な防食作用を得やすい観点から、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。含有量Ｆは、０質量％超、０．００１質量％以上、０．００３質量％以上、０．００５質量％以上、０．００８質量％以上、０．０１質量％以上、０．０２質量％以上、０．０２５質量％以上、０．０３質量％以上、０．０４質量％以上、０．０５質量％以上、０．０８質量％以上、０．１質量％以上、０．３質量％以上、０．５質量％以上、又は、１質量％以上であってよい。含有量Ｆは、２質量％以下、１．５質量％以下、１質量％以下、０．５質量％以下、０．３質量％以下、０．１質量％以下、０．０８質量％以下、０．０５質量％以下、０．０４質量％以下、０．０３質量％以下、０．０２５質量％以下、０．０２質量％以下、０．０１質量％以下、又は、０．００８質量％以下であってよい。これらの観点から、含有量Ｆは、０質量％超２質量％以下、０．００１～２質量％、０．００５～２質量％、０．０１～２質量％、０質量％超１質量％以下、０．００１～１質量％、０．００５～１質量％、０．０１～１質量％、０質量％超０．１質量％以下、０．００１～０．１質量％、０．００５～０．１質量％、又は、０．０１～０．１質量％であってよい。
　本実施形態に係る研磨液は、塩基性水酸化物を含有してよい。塩基性水酸化物を用いることにより、金属材料の研磨速度が向上しやすい。塩基性水酸化物としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物；アルカリ土類金属水酸化物；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）などが挙げられる。
　塩基性水酸化物の含有量は、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。塩基性水酸化物の含有量は、０質量％超、０．０１質量％以上、０．０５質量％以上、０．１質量％以上、０．１５質量％以上、０．２質量％以上、０．２５質量％以上、０．３質量％以上、０．３５質量％以上、０．３６質量％以上、０．４質量％以上、０．４５質量％以上、又は、０．４８質量％以上であってよい。塩基性水酸化物の含有量は、５質量％以下、４質量％以下、３質量％以下、２質量％以下、１質量％以下、０．８質量％以下、０．６質量％以下、０．５質量％以下、０．４８質量％以下、０．４５質量％以下、０．４質量％以下、０．３６質量％以下、０．３５質量％以下、０．３質量％以下、又は、０．２５質量％以下であってよい。これらの観点から、塩基性水酸化物の含有量は、０質量％超５質量％以下、０．０１～５質量％、０．１～５質量％、０質量％超１質量％以下、０．０１～１質量％、又は、０．１～１質量％であってよい。
　本実施形態に係る研磨液は、上述のアンモニウム塩に該当しない過酸化物を含有してよく、当該過酸化物を含有しなくてよい。過酸化物としては、過硫酸カリウム、過酸化水素、硝酸第二鉄、硫酸鉄、オゾン、次亜塩素酸、次亜塩素酸塩、過ヨウ素酸カリウム、過酢酸等が挙げられる。本実施形態に係る研磨液は、過酸化水素を含有しなくてよい。過酸化物の含有量又は過酸化水素の含有量は、研磨液の全質量を基準として、０．１質量％以下、０．１質量％未満、０．０１質量％以下、０．００１質量％以下、又は、実質的に０質量％であってよい。
　本実施形態に係る研磨液は、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、有機溶媒（エーテル化合物Ａに該当しない有機溶媒）を含有してよい。有機溶媒としては、アルコール（モノアルコール及びポリオール）、炭酸エステル、ラクトン等が挙げられる。モノアルコールとしては、メタノール、エタノール、プロパノール（例えば２－プロパノール）、ブタノール、ペンタノール、オクタノール等が挙げられる。ポリオールとしては、メチレングリコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール（例えば１，３－ブタンジオール）、へキシレングリコール等のジオール；グリセリンなどが挙げられる。炭酸エステルとしては、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、メチルエチルカーボネート等が挙げられる。ラクトンとしては、プロピオラクトン、ブチロラクトン等が挙げられる。有機溶媒は、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、アルコールを含んでよく、モノアルコールを含んでよく、プロパノールを含んでよく、ポリオールを含んでよく、メチレングリコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、及び、へキシレングリコールからなる群より選ばれる少なくとも一種を含んでよい。
　有機溶媒の含有量は、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、研磨液の全質量を基準として下記の範囲であってよい。有機溶媒の含有量は、０質量％超、０．１質量％以上、０．３質量％以上、０．５質量％以上、０．６質量％以上、０．７質量％以上、０．８質量％以上、１質量％以上、１．２質量％以上、又は、１．３質量％以上であってよい。有機溶媒の含有量は、２０質量％以下、１５質量％以下、１０質量％以下、８質量％以下、５質量％以下、４質量％以下、３質量％以下、２質量％以下、又は、１．５質量％以下であってよい。これらの観点から、有機溶媒の含有量は、０質量％超２０質量％以下、０．１～２０質量％、１～２０質量％、０質量％超５質量％以下、０．１～５質量％、又は、１～５質量％であってよい。
　本実施形態に係る研磨液は、ジヒドロキシエチルグリシン、アミノポリカルボン酸、及び、アミノポリカルボン酸の非金属塩を含有しなくてよい。ジヒドロキシエチルグリシン、アミノポリカルボン酸、及び、アミノポリカルボン酸の非金属塩の含有量（合計量）は、研磨液の全質量を基準として、０．０５質量％以下、０．０５質量％未満、０．０１質量％以下、０．００１質量％以下、又は、実質的に０質量％であってよい。
　本実施形態に係る研磨液は、不飽和カルボン酸の単量体単位を有する化合物を含有しなくてよく、ポリカルボン酸系高分子分散剤を含有しなくてよい。不飽和カルボン酸の単量体単位を有する化合物の含有量、又は、ポリカルボン酸系高分子分散剤の含有量は、研磨液の全質量を基準として、０．０００５質量％以下、０．０００５質量％未満、０．０００１質量％以下、０．００００１質量％以下、又は、実質的に０質量％であってよい。
（ｐＨ）
　本実施形態に係る研磨液のｐＨは、ケイ素化合物を含む粒子の脱落痕の発生を抑制しやすい観点、及び、金属材料の研磨速度が向上しやすい観点から、下記の範囲であってよい。研磨液のｐＨは、３．００以上、４．００以上、４．００超、５．００以上、５．００超、６．００以上、７．００以上、７．００超、７．５０以上、８．００以上、８．００超、８．５０以上、９．００以上、９．３０以上、９．４０以上、９．５０以上、９．６０以上、９．８０以上、１０．００以上、１０．００超、１０．２０以上、１０．３０以上、１０．５０以上、又は、１０．８０以上であってよい。研磨液のｐＨは、１３．００以下、１２．００以下、１１．８０以下、１１．５０以下、１１．００以下、１０．８０以下、１０．５０以下、１０．３０以下、１０．２０以下、１０．００以下、９．８０以下、９．６０以下、９．５０以下、９．４０以下、９．３０以下、９．００以下、８．５０以下、又は、８．００以下であってよい。これらの観点から、研磨液のｐＨは、３．００～１３．００、７．００～１３．００、８．００～１３．００、９．００～１３．００、３．００～１２．００、７．００～１２．００、８．００～１２．００、９．００～１２．００、３．００～１１．００、７．００～１１．００、８．００～１１．００、又は、９．００～１１．００であってよい。研磨液のｐＨは、上述の酸成分、アンモニア、塩基性水酸化物等により調整できる。
　本実施形態に係る研磨液のｐＨは、ｐＨメータ（例えば、東亜ディーケーケー株式会社製の型番：ＰＨＬ－４０）で測定できる。例えば、フタル酸塩ｐＨ緩衝液（ｐＨ：４．０１）及び中性リン酸塩ｐＨ緩衝液（ｐＨ：６．８６）を標準緩衝液として用いてｐＨメータを２点校正した後、ｐＨメータの電極を研磨液に入れ、２分以上経過して安定した後の値を測定する。このとき、標準緩衝液及び研磨液の液温は共に２５℃とする。
（保存態様）
　本実施形態に係る研磨液は、研磨液用貯蔵液として、水の量を使用時よりも減じて保存されてよい。研磨液用貯蔵液は、研磨液を得るための貯蔵液であり、使用前又は使用時に研磨液用貯蔵液を水で希釈することにより研磨液が得られる。希釈倍率は、例えば１．５倍以上である。
　本実施形態に係る研磨液は、少なくとも砥粒を含む一液式研磨液として保存してよく、スラリ（第一の液）と添加液（第二の液）とを有する複数液式研磨液として保存してもよい。複数液式研磨液では、スラリと添加液とを混合して研磨液となるように研磨液の構成成分がスラリと添加液とに分けられる。スラリは、例えば、少なくとも砥粒及び水を含む。添加液は、例えば、少なくとも添加剤及び水を含む。研磨液の構成成分は、三液以上に分けて保存してよい。複数液式研磨液においては、研磨直前又は研磨時にスラリ及び添加液が混合されて研磨液が調製されてよい。複数液式研磨液におけるスラリと添加液とをそれぞれ研磨定盤上へ供給し、研磨定盤上においてスラリ及び添加液が混合されて研磨液が調製されてもよい。
＜研磨方法＞
　本実施形態に係る研磨方法は、本実施形態に係る研磨液を用いて、樹脂と、ケイ素化合物を含む粒子と、を含有する被研磨部材を研磨する研磨工程を備える。研磨工程では、被研磨部材の被研磨面を研磨することが可能であり、樹脂と、ケイ素化合物を含む粒子と、が存在する被研磨面を研磨できる。研磨工程では、被研磨部材における、樹脂、及び、ケイ素化合物を含む粒子の少なくとも一部を研磨して除去することができる。研磨工程で用いられる研磨液は、上述の一液式研磨液であってよく、上述の研磨液用貯蔵液を水で希釈することにより得られる研磨液であってよく、上述の複数液式研磨液におけるスラリ及び添加液を混合することにより得られる研磨液であってよい。被研磨部材は、特に限定されず、ウエハ（例えば半導体ウエハ）であってよく、チップ（例えば半導体チップ）であってよい。被研磨部材は、配線板であってよく、回路基板であってよい。
　被研磨部材は、樹脂、ケイ素化合物を含む粒子、及び、金属材料を含有してよい。研磨工程では、樹脂、ケイ素化合物を含む粒子、及び、金属材料が存在する被研磨面を研磨できる。研磨工程では、被研磨部材における、樹脂、ケイ素化合物を含む粒子、及び、金属材料の少なくとも一部を研磨して除去することができる。金属材料の金属としては、銅、コバルト、タンタル、アルミニウム、チタン、タングステン、マンガン等が挙げられる。ケイ素化合物としては、ケイ素酸化物（例えばＳｉＯ２）、ＳｉＯＣ、ケイ素窒化物（例えばＳｉＮ）等が挙げられる。研磨工程において、樹脂はエポキシ樹脂を含んでよく、被研磨部材が、エポキシ樹脂、及び、ケイ素酸化物を含む粒子を含有してよい。被研磨部材の形状は、特に制限はなく、上述の構成以外の構成として、例えば膜状であってもよい。被研磨部材は、表面に凹部及び凸部を有する基板上に被研磨対象（樹脂、ケイ素化合物を含む粒子、及び、金属材料からなる群より選ばれる少なくとも一種）を備えてよい。被研磨部材は、樹脂、ケイ素化合物を含む粒子、及び、金属材料からなる群より選ばれる少なくとも一種に加えて他の被研磨材料（例えば絶縁材料）を含有してよい。
＜製造方法等＞
　本実施形態に係る部品の製造方法は、本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨部材（基体）を用いて部品を得る部品作製工程を備える。本実施形態に係る部品は、本実施形態に係る部品の製造方法により得られる部品である。本実施形態に係る部品は、特に限定されないが、電子部品（例えば、半導体パッケージ等の半導体部品）であってよく、ウエハ（例えば半導体ウエハ）であってよく、チップ（例えば半導体チップ）であってよい。本実施形態に係る部品の製造方法の一態様として、本実施形態に係る電子部品の製造方法では、本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨部材を用いて電子部品を得る。本実施形態に係る部品の製造方法の一態様として、本実施形態に係る半導体部品の製造方法では、本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨部材を用いて半導体部品（例えば半導体パッケージ）を得る。本実施形態に係る部品の製造方法は、部品作製工程の前に、本実施形態に係る研磨方法により被研磨部材を研磨する研磨工程を備えてよい。
　本実施形態に係る部品の製造方法は、部品作製工程の一態様として、本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨部材（基体）を個片化する個片化工程を備えてよい。個片化工程は、例えば、本実施形態に係る研磨方法により研磨されたウエハ（例えば半導体ウエハ）をダイシングしてチップ（例えば半導体チップ）を得る工程であってよい。本実施形態に係る部品の製造方法の一態様として、本実施形態に係る電子部品の製造方法は、本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨部材を個片化することにより電子部品（例えば半導体部品）を得る工程を備えてよい。本実施形態に係る部品の製造方法の一態様として、本実施形態に係る半導体部品の製造方法は、本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨部材を個片化することにより半導体部品（例えば半導体パッケージ）を得る工程を備えてよい。
　本実施形態に係る部品の製造方法は、部品作製工程の一態様として、本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨部材（基体）と他の被接続体とを接続（例えば電気的に接続）する接続工程を備えてよい。本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨部材に接続される被接続体は、特に限定されず、本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨部材であってよく、本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨部材とは異なる被接続体であってよい。接続工程では、被研磨部材と被接続体とを直接接続（被研磨部材と被接続体とが接触した状態で接続）してよく、他の部材（導電部材等）を介して被研磨部材と被接続体とを接続してよい。接続工程は、個片化工程の前、個片化工程の後、又は、個片化工程の前後に行うことができる。
　接続工程は、本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨部材の被研磨面と、被接続体と、を接続する工程であってよく、本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨部材の接続面と、被接続体の接続面と、を接続する工程であってよい。被研磨部材の接続面は、本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨面であってよい。接続工程により、被研磨部材及び被接続体を備える接続体を得ることができる。接続工程では、被研磨部材の接続面が金属部を有する場合、金属部に被接続体を接触させてよい。接続工程では、被研磨部材の接続面が金属部を有すると共に被接続体の接続面が金属部を有する場合、金属部同士を接触させてよい。金属部は、銅を含んでよい。
　本実施形態に係るデバイス（例えば、半導体デバイス等の電子デバイス）は、本実施形態に係る研磨方法により研磨された被研磨部材、及び、本実施形態に係る部品からなる群より選ばれる少なくとも一種を備える。
　以下、本開示を実施例に基づいて具体的に説明するが、本開示は当該実施例に限定されるものではない。
＜研磨液の調製＞
　表１～４の各成分、及び、蒸留水を混合することにより、各表の組成を有する研磨液を得た。各表は、研磨液の全質量を基準とした各成分の含有量（単位：質量％）を示しており、残部は蒸留水である。セリウム酸化物粒子としては、昭和電工マテリアルズ株式会社製の商品名「ＨＳ－８００５」を用いた。コロイダルシリカとしては、扶桑化学工業株式会社製の商品名「ＰＬ－３」（二次粒径：７０ｎｍ）を用いた。コロイダルシリカの含有量は、固形分であるシリカ粒子の含有量である。「ＭＭＢ」は３－メトキシ－３－メチル－１－ブタノールを意味し、「ＨＢＴＡ」は１－ヒドロキシベンゾトリアゾールを意味し、「ＢＴＡ」はベンゾトリアゾールを意味する。ポリグリセリンとしては、阪本薬品工業株式会社製の商品名「ＰＧＬ７５０」（グリセリン１０量体、重量平均分子量：７５０、水酸基価：８７０～９１０）を用いた。
＜砥粒の平均粒径＞
　マイクロトラック・ベル株式会社製の「Ｍｉｃｒｏｔｒａｃ　ＭＴ３３００ＥＸＩＩ」を用いて、各実施例の研磨液における砥粒の平均粒径を求めた。各実施例において、平均粒径Ｄ５０は３４１ｎｍであり、平均粒径Ｄ８０は６０９ｎｍであった。
＜研磨液のｐＨ＞
　ｐＨメータ（東亜ディーケーケー株式会社製の型番：ＰＨＬ－４０）を用いて研磨液のｐＨを測定した。フタル酸塩ｐＨ緩衝液（ｐＨ：４．０１）及び中性リン酸塩ｐＨ緩衝液（ｐＨ：６．８６）を標準緩衝液として用いてｐＨメータを２点校正した後、ｐＨメータの電極を研磨液に入れ、２分以上経過して安定した後の値を測定した。結果を各表に示す。
＜評価＞
　脱落痕の有無を評価するための基体Ａとして、エポキシ樹脂、及び、ケイ素酸化物を含む粒子を含有する基材部と、基材部に形成された開口（基体の厚さ方向（基材部の厚さ方向）に延びる開口）に配置されると共に銅を含有する金属部と、を備える基体（基体の厚さ方向（基材部の厚さ方向）に延びると共に銅を含有する金属部と、当該金属部の外周を覆う基材部（エポキシ樹脂、及び、ケイ素酸化物を含む粒子を含有する基材部）と、を備える基体）を準備した。２００μｍ以下の径の複数の金属部がアレイ状に配置されていた。基体の厚さ方向に垂直な金属部の断面形状は円形であった。基体Ａは、エポキシ樹脂、ケイ素酸化物を含む粒子、及び、銅が存在する被研磨面を有していた。
　実施例１～３、５～２１、２７、２９～４０及び比較例１における銅の研磨速度（Ｃｕ－ＲＲ）を評価するための基体Ｂとして、φ３００ｍｍシリコンウエハ上に形成された銅膜を有する基体を準備した。
　研磨装置（ＡＰＰＬＩＥＤ　ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ社製、商品名：Ｒｅｆｌｅｘｉｏｎ　ＬＫ）において、吸着パッドを貼り付けた基体取り付け用のホルダーに基体（基体Ａ又は基体Ｂ）を取り付けた。多孔質ウレタン樹脂製のパッドを貼り付けた定盤上に、被研磨面（基体Ａについては、上述の金属部が配置された領域）がパッドに対向するようにホルダーを載せた。上述の研磨液を供給量３５０ｍＬ／ｍｉｎでパッド上に供給しながら、研磨荷重４ｐｓｉで基体をパッドに押し当てた。このとき、定盤を１４７ｍｉｎ－１、ホルダーを１５３ｍｉｎ－１で回転させて研磨を行った。基体Ａの研磨時間は５分であり、基体Ｂの研磨時間は１分であった。研磨後の基体を純水でよく洗浄した後に乾燥させた。
　電界放出型走査電子顕微鏡（株式会社日立ハイテク製、商品名：Ｓ－４８００）を用いて基体Ａの研磨後の被研磨面（被研磨面の端部から５ｍｍ以内の領域を除く）における１０μｍ×１４μｍの領域を４箇所観察し、短径１．０μｍ以上の脱落痕の有無（ケイ素酸化物を含む粒子の脱落の有無）を確認した。脱落痕が確認されない場合を「Ａ」と評価し、脱落痕が確認された場合を「Ｂ」と評価した。結果を表１～４に示す。
　金属膜厚測定器（日立国際電気株式会社製、商品名：ＶＲ－１２０／０８Ｓ）を用いて基体Ｂにおける研磨前後の銅膜の厚さの変化量を測定し、銅の研磨速度を求めた。基体Ｂの中心を通過する線（直径）上において等間隔に位置する６５点の厚さを測定し、その平均値を銅膜の厚さとして得た。測定結果を表１～４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　１０…被研磨部材、１２…基材部、１２ａ…樹脂、１２ｂ…粒子、１４…金属部。

 

Claims (20)

  1. 　被研磨部材の研磨用の研磨液であって、
    　セリウム酸化物を含む砥粒を含有し、
    　前記被研磨部材が、樹脂と、ケイ素化合物を含む粒子と、を含有する、研磨液。
  2. 　前記粒子がケイ素酸化物を含む、請求項１に記載の研磨液。
  3. 　ヒドロキシ基を有するエーテル化合物を更に含有する、請求項１に記載の研磨液。
  4. 　前記エーテル化合物がアルコキシアルコールを含む、請求項３に記載の研磨液。
  5. 　前記エーテル化合物が分子量２００未満のアルコキシアルコールを含む、請求項４に記載の研磨液。
  6. 　前記アルコキシアルコールが、炭素数１～５のアルコキシ基を有する化合物を含む、請求項４に記載の研磨液。
  7. 　前記アルコキシアルコールが１－プロポキシ－２－プロパノールを含む、請求項４に記載の研磨液。
  8. 　前記アルコキシアルコールが３－メトキシ－３－メチル－１－ブタノールを含む、請求項４に記載の研磨液。
  9. 　前記アルコキシアルコールの含有量が、研磨液の全質量を基準として０．２～０．８質量％である、請求項４に記載の研磨液。
  10. 　前記エーテル化合物がポリエーテルを更に含む、請求項４に記載の研磨液。
  11. 　前記ポリエーテルがポリグリセリンを含む、請求項１０に記載の研磨液。
  12. 　前記ポリエーテルの含有量が、研磨液の全質量を基準として０．５～３質量％である、請求項１０に記載の研磨液。
  13. 　前記砥粒の含有量が、研磨液の全質量を基準として０．５～２質量％である、請求項１に記載の研磨液。
  14. 　有機酸成分を更に含有する、請求項１に記載の研磨液。
  15. 　アンモニウムカチオン及びアンモニアからなる群より選ばれる少なくとも一種を更に含有する、請求項１に記載の研磨液。
  16. 　ｐＨが９．００～１１．００である、請求項１に記載の研磨液。
  17. 　請求項１～１６のいずれか一項に記載の研磨液を用いて、樹脂と、ケイ素化合物を含む粒子と、を含有する被研磨部材を研磨する、研磨方法。
  18. 　前記樹脂がエポキシ樹脂を含む、請求項１７に記載の研磨方法。
  19. 　請求項１７に記載の研磨方法により研磨された被研磨部材を用いて部品を得る、部品の製造方法。
  20. 　請求項１７に記載の研磨方法により研磨された被研磨部材を用いて半導体部品を得る、半導体部品の製造方法。

     
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