WO2023013469A1 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

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WO2023013469A1
WO2023013469A1 PCT/JP2022/028737 JP2022028737W WO2023013469A1 WO 2023013469 A1 WO2023013469 A1 WO 2023013469A1 JP 2022028737 W JP2022028737 W JP 2022028737W WO 2023013469 A1 WO2023013469 A1 WO 2023013469A1
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WO
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substrate
wafer
substrate processing
processing apparatus
dust collection
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PCT/JP2022/028737
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English (en)
French (fr)
Inventor
義広 川口
陽平 山脇
征二 中野
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
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Publication date
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/16—Removal of by-products, e.g. particles or vapours produced during treatment of a workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Definitions

  • the present disclosure relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
  • Patent Document 1 discloses a laser processing device.
  • a laser processing apparatus includes laser beam irradiation means having a condenser for laser processing a workpiece, and dust discharge means for collecting and discharging dust generated by laser beam irradiation.
  • the technology according to the present disclosure appropriately collects dust generated when a substrate is processed by irradiating it with a laser beam.
  • One aspect of the present disclosure is a substrate processing apparatus that processes a substrate by irradiating it with a laser beam, comprising: a substrate holding unit that holds the substrate; A laser irradiation unit that irradiates light and a dust collection unit that collects dust, and the dust collection unit includes an upper dust collection unit arranged above the substrate holding unit a lower dust collector that moves downward.
  • FIG. 3 is a side view of an example of a stacked wafer being processed in a wafer processing system
  • 1 is a plan view schematically showing the outline of the configuration of a wafer processing system
  • FIG. FIG. 2 is an explanatory diagram showing main steps of wafer processing
  • FIG. 2 is a flow chart showing main steps of wafer processing
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing the appearance of a modified edge layer formed inside the first wafer; It is a top view which shows the outline of a structure of a membrane processing apparatus. It is a side view which shows the outline of a structure of a membrane processing apparatus. It is a side view which shows the outline of a structure of a membrane processing apparatus. It is a side view which shows the outline of a structure of a membrane processing apparatus.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing the flow of atmosphere in the upper dust collection section
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing the flow of atmosphere in the upper dust collection section; It is a side view which shows the outline of a structure of a lower dust collection part. It is a top view which shows the outline of a structure of a lower dust collection part. It is explanatory drawing which shows the case where a lower dust collection part is not provided as a comparative example. It is a perspective view which shows the outline of a structure of a lower dust collection part.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram showing main steps of membrane processing; FIG. 2 is a flow chart showing main steps of membrane treatment.
  • wafers semiconductor substrates having a plurality of devices such as electronic circuits formed on their surfaces are bonded together. For example, thinning a first wafer forming a polymerized wafer and transferring devices formed on the first wafer to a second wafer forming a polymerized wafer.
  • the peripheral edge of the wafer is chamfered.
  • the peripheral part of the first wafer after thinning and the superimposed wafer after transfer is chamfered. It may have a sharply pointed shape (so-called knife-edge shape). As a result, chipping may occur at the peripheral edge of these wafers, and the wafers may be damaged. Therefore, a so-called edge trim is performed to remove the peripheral portion of the first wafer before processing.
  • unnecessary surface films and particles remain on the surface of the second wafer after edge trimming, specifically, on the periphery of the second wafer exposed by removing the first wafer. These surface films and particles may flake off, drop, or scatter during transfer or processing of the polymerized wafers, thereby contaminating the interior of the wafer processing system, the interior of the cassette, or other polymerized wafers. Therefore, after edge trimming, removal of the surface film at the periphery of the second wafer is performed.
  • the surface film of the peripheral portion is removed by irradiating it with a laser beam.
  • laser light is used in this manner, fine dust is generated by laser processing (ablation processing). If dust adheres to the condensing lens of the laser beam, the processing quality will be degraded. In addition, when dust adheres to the wafer surface, the production yield of product wafers decreases. Furthermore, if dust adheres to the wafer processing equipment, the operating rate will decrease.
  • the laser processing apparatus (wafer processing apparatus) disclosed in Patent Document 1 is equipped with dust discharging means for collecting and discharging dust generated during laser processing.
  • the dust discharging means includes a cover member having an opening through which the laser beam emitted from the collector passes through the lower wall and sucks the dust. Then, the wafer is irradiated with laser light while moving the wafer from one end to the other end of the wafer.
  • the condenser and the cover member are arranged just above the edge.
  • the opening of the cover member is covered with the wafer radially inward from the edge of the wafer in plan view, but is exposed radially outward from the edge.
  • a wafer processing system including a film processing apparatus as a substrate processing apparatus and a wafer processing method as a substrate processing method according to the present embodiment will be described below with reference to the drawings.
  • elements having substantially the same functional configuration are denoted by the same reference numerals, thereby omitting redundant description.
  • processing is performed on a superimposed wafer T as a substrate in which a first wafer W1 and a second wafer W2 are bonded as shown in FIG. Then, in the wafer processing system 1, the peripheral portion We of the first wafer W1 is removed.
  • the surface of the first wafer W1 that is bonded to the second wafer W2 is referred to as a front surface W1a
  • the surface opposite to the front surface W1a is referred to as a rear surface W1b.
  • the surface on the side bonded to the first wafer W1 is called a front surface W2a, and the surface opposite to the front surface W2a is called a back surface W2b.
  • a region radially inward of the peripheral edge portion We to be removed is referred to as a central portion Wc.
  • the first wafer W1 is, for example, a semiconductor wafer such as a silicon substrate, and a device layer D1 including a plurality of devices is formed on the surface W1a.
  • a bonding film F1 is further formed on the device layer D1, and is bonded to the second wafer W2 via the bonding film F1.
  • Examples of the bonding film F1 include oxide films (SiO 2 film, TEOS film), SiC films, SiCN films, adhesives, and the like.
  • the peripheral edge portion We of the first wafer W1 is chamfered, and the thickness of the cross section of the peripheral edge portion We decreases toward its tip.
  • peripheral edge portion We is a portion to be removed in an edge trim described later, and is, for example, within a range of 0.5 mm to 5 mm in the radial direction from the outer end portion of the first wafer W1.
  • a laser absorption layer (not shown) capable of absorbing the laser beam irradiated inside the superposed wafer T when removing the peripheral portion We.
  • the bonding film F1 formed on the device layer D1 may be used as a laser absorption layer.
  • the second wafer W2 has, for example, the same configuration as the first wafer W1, a device layer D2 and a bonding film F2 are formed on the surface W2a, and the peripheral edge is chamfered.
  • the second wafer W2 does not have to be a device wafer on which the device layer D2 is formed, and may be, for example, a support wafer that supports the first wafer W1. In such a case, the second wafer W2 functions as a protective material that protects the device layer D1 of the first wafer W1.
  • the device layers D1 and D2 and the bonding films F1 and F2 formed on the first wafer W1 and the second wafer W2 are sometimes referred to as "surface films".
  • a plurality of surface films are laminated on the first wafer W1 and the second wafer W2 according to the present embodiment.
  • the wafer processing system 1 has a configuration in which a loading/unloading block G1, a transfer block G2, and a processing block G3 are integrally connected.
  • the loading/unloading block G1, the transport block G2, and the processing block G3 are arranged side by side in this order from the X-axis negative direction side.
  • the loading/unloading block G1 loads/unloads a cassette C capable of accommodating a plurality of superposed wafers T to/from the outside.
  • a cassette mounting table 10 is provided in the loading/unloading block G1.
  • a plurality of, for example, four cassettes C can be placed in a row on the cassette placing table 10 in the Y-axis direction.
  • the number of cassettes C to be placed on the cassette placing table 10 is not limited to that of the present embodiment, and can be arbitrarily determined.
  • the transfer block G2 is provided with a wafer transfer device 20 adjacent to the cassette mounting table 10 on the X-axis positive direction side of the cassette mounting table 10 .
  • the wafer transfer device 20 is configured to be movable on a transfer path 21 extending in the Y-axis direction.
  • the wafer transfer device 20 also has, for example, two transfer arms 22, 22 that hold and transfer the superposed wafer T. As shown in FIG.
  • Each transport arm 22 is configured to be movable in the horizontal direction, the vertical direction, around the horizontal axis, and around the vertical axis. Note that the configuration of the transport arm 22 is not limited to the present embodiment, and may take any configuration.
  • the wafer transfer device 20 is configured to transfer the overlapped wafers T to the cassette C on the cassette mounting table 10 and the transition device 30, which will be described later.
  • the transfer block G2 is provided with a transition device 30 for transferring the overlapped wafer T adjacent to the wafer transfer device 20 on the positive X-axis side of the wafer transfer device 20 .
  • the processing block G3 has a wafer transfer device 40, a cleaning device 50, a peripheral removal device 60, an interface reforming device 70, an internal reforming device 80, a film processing device 90 as a substrate processing device, and an inspection device 100. .
  • the wafer transfer device 40 is configured to be movable on a transfer path 41 extending in the X-axis direction. Further, the wafer transfer device 40 has, for example, two transfer arms 42, 42 that hold and transfer the superposed wafer T. As shown in FIG. Each transport arm 42 is configured to be movable in the horizontal direction, the vertical direction, around the horizontal axis, and around the vertical axis. Note that the configuration of the transport arm 42 is not limited to this embodiment, and may take any configuration.
  • the wafer transfer device 40 is configured to transfer the overlapped wafer T to the transition device 30, the cleaning device 50, the edge removing device 60, the interface reforming device 70, the internal reforming device 80, and the film processing device 90. It is
  • the cleaning device 50 cleans the polymerized wafer T.
  • the peripheral edge removal device 60 removes the peripheral edge portion We of the first wafer W1, that is, performs edge trimming.
  • the interface reforming device 70 irradiates the interface between the first wafer W1 and the second wafer W2 with laser light (interface laser light, eg, CO 2 laser) to form an unbonded area Ae, which will be described later.
  • the internal reforming device 80 irradiates the inside of the first wafer W1 with a laser beam (an internal laser beam, for example, a YAG laser), the peripheral edge reforming layer M1 serving as a starting point for peeling of the peripheral edge portion We, and the peripheral edge portion We.
  • a laser beam an internal laser beam, for example, a YAG laser
  • a divided modified layer M2 is formed as a starting point for breaking into small pieces.
  • the film processing apparatus 90 irradiates laser light (film processing laser light, for example, CO 2 laser or IR laser) to the surface film (residual film) exposed at the peripheral portion of the second wafer W2 by the edge trim processing. .
  • laser light film processing laser light, for example, CO 2 laser or IR laser
  • the inspection apparatus 100 inspects the peripheral edge of the first wafer W1 after forming the unbonded area Ae or the peripheral edge of the second wafer W2 after film processing.
  • a controller 110 is provided in the wafer processing system 1 described above.
  • the control device 110 is, for example, a computer equipped with a CPU, memory, etc., and has a program storage unit (not shown).
  • the program storage unit stores programs for controlling the processing of the superposed wafers T in the wafer processing system 1 .
  • the program may be recorded in a computer-readable storage medium H and installed in the control device 110 from the storage medium H. Further, the storage medium H may be temporary or non-temporary.
  • a bonding apparatus outside the wafer processing system 1 bonds the first wafer W1 and the second wafer W2 to form a superimposed wafer T in advance.
  • a cassette C containing a plurality of superposed wafers T is mounted on the cassette mounting table 10 of the loading/unloading block G1.
  • the superposed wafer T in the cassette C is taken out by the wafer transfer device 20 .
  • the superposed wafer T taken out from the cassette C is transferred to the wafer transfer device 40 via the transition device 30 and then transferred to the interface modification device 70 .
  • the interface modification apparatus 70 as shown in FIG. 3A, the interface (more specifically, the interface) between the first wafer W1 and the device layer D1 is changed while rotating the superposed wafer T (first wafer W1).
  • a laser beam (for example, a CO 2 laser having a wavelength of 8.9 ⁇ m to 11 ⁇ m) is irradiated onto the above-described laser absorption layer formed on the substrate) to form an unbonded region Ae (step S1 in FIG. 4).
  • the interface between the first wafer W1 and the device layer D1 is modified or separated, and the bonding strength between the first wafer W1 and the second wafer W2 is reduced or eliminated.
  • the annular unbonded region Ae and the first wafer W1 and the second wafer W2 are bonded radially inside the unbonded region Ae.
  • a junction region Ac is formed.
  • edge trimming which will be described later, the peripheral edge portion We of the first wafer W1 to be removed is removed, but the existence of the unbonded region Ae in this way makes it possible to properly remove the peripheral edge portion We. can be done.
  • the superposed wafer T on which the unbonded area Ae is formed is next transferred to the internal reforming device 80 by the wafer transfer device 40 .
  • the peripheral reformed layer M1 and the divided reformed layers M2 are formed inside the first wafer W1 (step S2 in FIG. 4).
  • the modified peripheral layer M1 serves as a base point for removing the peripheral edge portion We in edge trimming, which will be described later.
  • the divided modified layer M2 serves as a starting point for dividing the peripheral portion We to be removed into small pieces. Note that in the drawings used for the following description, the illustration of the divided modified layer M2 may be omitted in order to avoid complication of the illustration.
  • cracks C1 extend in the thickness direction of the first wafer W1 from the modified peripheral layer M1 formed inside the first wafer W1, as shown in FIG. 3(b).
  • the lower end of the crack C1 reaches, for example, the surface W1a of the first wafer W1 or the unbonded area Ae.
  • the superposed wafer T in which the modified edge layer M1 and the divided modified layer M2 are formed inside the first wafer W1 is then transferred to the edge removing apparatus 60 by the wafer transfer apparatus 40.
  • the peripheral edge removal device 60 removes the peripheral edge portion We of the first wafer W1, that is, edge trim processing is performed (step S3 in FIG. 4).
  • the peripheral portion We is separated from the central portion Wc of the first wafer W1 with the modified peripheral layer M1 and the crack C1 as starting points, and the device layer D1 (second wafer W2 ).
  • the peripheral portion We to be removed is divided into small pieces with the divided modified layer M2 and the crack C2 as base points.
  • a wedge-shaped blade for example, may be inserted into the interface between the first wafer W1 and the second wafer W2 forming the overlapped wafer T.
  • edge trimming by applying impact to the peripheral edge portion We of the first wafer W1, the peripheral edge portion We is appropriately peeled off from the modified peripheral edge layer M1 and the crack C1 as a starting point.
  • the superposed wafer T from which the peripheral portion We of the first wafer W1 has been removed is then transferred to the film processing apparatus 90 by the wafer transfer apparatus 40.
  • the film processing apparatus 90 as shown in FIG. 3(d), processing for removing the surface film on the peripheral portion of the second wafer W2 after the peripheral portion We has been removed (hereinafter sometimes referred to as “film processing”). Yes.) is performed (step S4 in FIG. 4).
  • step S4 the surface film on the peripheral portion of the second wafer W2 is removed in order to suppress scattering of the surface film and particles after the removal of the peripheral portion We. That is, for example, the surface film is irradiated with laser light (for example, CO 2 laser) to remove the surface film.
  • laser light for example, CO 2 laser
  • the superposed wafer T from which the surface film on the peripheral edge of the second wafer W2 has been removed is then transferred to the cleaning device 50 by the wafer transfer device 40.
  • the peripheral portion We is removed, and the rear surface W1b and the exposed portion of the first wafer W1 after the film processing are cleaned (step S5 in FIG. 4).
  • the back surface W2b of the second wafer W2 may be cleaned together with the back surface W1b of the first wafer W1.
  • the superposed wafer T which has undergone all the wafer processing, is transferred to the cassette C on the cassette mounting table 10 by the wafer transfer device 20 via the transition device 30 .
  • the wafer transfer device 20 via the transition device 30 .
  • the film processing apparatus 90 has a chuck 200 as a substrate holding section that holds the superimposed wafer T on its upper surface.
  • the chuck 200 sucks and holds the rear surface W2b of the second wafer W2 in a state in which the first wafer W1 is arranged on the upper side and the second wafer W2 is arranged on the lower side.
  • Chuck 200 is supported by slider table 202 via air bearing 201 .
  • a rotating portion 203 is provided on the lower surface side of the slider table 202 .
  • the rotating part 203 incorporates, for example, a motor as a drive source.
  • the chuck 200 is configured to be rotatable about a vertical axis via an air bearing 201 by a rotating portion 203 .
  • the slider table 202 is configured to be movable on a rail 206 extending in the Y-axis direction on a base 205 via a moving portion 204 provided on the underside thereof.
  • the driving source of the moving unit 204 is not particularly limited, for example, a linear motor is used.
  • a macro camera 210 is provided above the chuck 200 .
  • the macro camera 210 is supported by a support column 211 .
  • Macro camera 210 images the outer edge of second wafer W2.
  • the macro camera 210 includes, for example, a coaxial lens, emits infrared light (IR light), and receives reflected light from an object.
  • IR light infrared light
  • the imaging magnification of the macro camera 210 is 2 times.
  • An image captured by macro camera 210 is output to control device 110 .
  • the controller 110 calculates the amount of eccentricity between the center of the chuck 200 and the center of the second wafer W2 from the image captured by the macro camera 210 .
  • a laser irradiation unit 220 for irradiating the superposed wafer T held by the chuck 200 with laser light.
  • the laser irradiation unit 220 is connected to a laser head (not shown) containing a laser oscillator (not shown) that oscillates laser light.
  • the laser irradiation section 220 is supported by a support member 221 .
  • the laser irradiation unit 220 is configured to be vertically movable by means of a lifting unit 223 along a rail 222 extending in the vertical direction.
  • the laser irradiation unit 220 is configured to be movable in the Y-axis direction by a moving unit 225 along a rail 224 extending in the Y-axis direction on the support column 211 .
  • the laser irradiation unit 220 irradiates the surface film on the peripheral edge of the second wafer W2 with laser light to remove the surface film.
  • the laser irradiation section 220 has a condenser lens 231 and a nozzle 232 .
  • the condenser lens 231 collects laser light emitted from the laser oscillator of the laser head and irradiates the laser light onto the peripheral surface film of the second wafer W2.
  • the nozzle 232 is provided below the condensing lens 231 .
  • the nozzle 232 is a hollow cylindrical member that allows the laser light from the condenser lens 231 to pass therethrough and irradiate the surface film on the peripheral edge of the second wafer W2.
  • a first air supply section 233 for supplying gas such as dry air to the inside of the nozzle 232 is provided above the nozzle 232 .
  • the first air supply portion 233 communicates with an air supply passage 232 a formed inside the side wall of the nozzle 232 .
  • the gas supplied from the first air supply part 233 and the air supply path 232a flows downward through the nozzle 232 and is sprayed onto the surface film of the peripheral edge of the second wafer W2.
  • Such gas can prevent dust generated by laser processing from adhering to the condenser lens 231 .
  • the membrane processing apparatus 90 has a dust collector 240 for collecting dust.
  • the dust collection unit 240 collects fine particles generated during the film processing (during laser processing) in step S4 described above, that is, when the laser beam is irradiated from the laser irradiation unit 220 to the surface film on the peripheral edge of the second wafer W2. collect dust.
  • the dust collection section 240 has an upper dust collection section 241 and a lower dust collection section 242 .
  • the upper dust collection section 241 is provided above the chuck 200 and directly below the laser irradiation section 220 . As shown in FIGS. 10 and 11, the upper dust collecting section 241 has a sleeve 250 and an exhaust duct 260. As shown in FIGS. The sleeve 250 is provided on the upper surface of the exhaust duct 260 .
  • the sleeve 250 has a substantially truncated cone shape whose diameter decreases from the top to the bottom.
  • a housing portion 251 that houses a part of the nozzle 232 of the laser irradiation portion 220 is formed in the central portion of the upper surface of the sleeve 250 .
  • the nozzle 232 can move up and down with respect to the accommodation portion 251 and enter or exit the accommodation portion 251 .
  • the laser head is provided with a power meter (not shown) for checking the output of the laser beam, but the output of the laser beam cannot be measured while the dust collector 240 is exhausting. Therefore, in such a case, the nozzle 232 is withdrawn from the accommodating portion 251 .
  • the nozzle 232 is housed in the housing portion 251 .
  • the nozzle 232 is movable in the Y-axis direction in the accommodation portion 251 . Further, the nozzle 232 is rotatable at its lower end with its upper end as a base point. Note that the nozzle 232 does not contact the accommodation portion 251 while being accommodated in the accommodation portion 251 .
  • the nozzle 232 is movable in the Y-axis direction, and in order to be movable during laser processing, as shown in FIG. You may have Further, an elongated hole 252 is formed in the lower surface of the housing portion 251 for passing the laser beam emitted from the nozzle 232. Even if this elongated hole 252 also has a long axis in the Y-axis direction, good. As will be described later, the moving distance of the nozzle 232 is, for example, 2 mm to 5 mm when performing film processing. Therefore, the length of the long hole 252 in the Y-axis direction is preferably 5 mm or more.
  • a second air supply portion 253 is provided to supply gas such as dry air to an intake passage 262, which will be described later. ing.
  • the second air supply portion 253 communicates with an air supply passage 250a that penetrates the sleeve 250 from the upper surface to the lower surface.
  • the air supply path 250 a is connected to a discharge portion 250 b formed on the lower surface of the sleeve 250 .
  • the gas supplied from the discharge section 250 b through the second air supply section 253 and the air supply path 250 a flows out to the intake flow path 262 .
  • Such gas blows off fumes generated by laser processing.
  • the gas from the second air supply section 253 guides the atmosphere of the intake flow path 262 to the exhaust flow path 263, which will be described later. At this time, the fumes are also guided to the exhaust passage 263 .
  • the overlapping wafer T is irradiated with laser light while the overlapping wafer T is being rotated.
  • the gas from the second air supply part 253, the air supply path 250a and the discharge part 250b is preferably supplied in the rotation direction of the superposed wafer T. As shown in FIG. In such a case, the atmosphere in the air intake channel 262 can be more reliably guided to the exhaust channel 263 .
  • the exhaust duct 260 is provided extending in the X-axis direction. As shown in FIGS. 11 and 13, an opening 261 is formed below the sleeve 250 on the lower surface 260a of the exhaust duct 260 to allow the laser beam emitted from the nozzle 232 to pass therethrough.
  • the lower surface 260a has a substantially circular shape in plan view.
  • An intake passage 262 and an exhaust passage 263 are formed inside the exhaust duct 260 .
  • the intake channel 262 is a channel formed between the sleeve 250 and the opening 261 .
  • the suction flow path 262 sucks the atmosphere between the superposed wafer T held by the chuck 200 and the exhaust duct 260 through the opening 261 .
  • the exhaust channel 263 is a channel that communicates with the intake channel 262 and extends in the tangential direction of the superposed wafer T, that is, in the X-axis direction.
  • the exhaust passage 263 communicates with an exhaust pipe 264 provided at the end of the exhaust duct 260 on the negative side of the X-axis.
  • the exhaust pipe 264 is connected to an exhaust device (not shown) that sucks the internal atmosphere of the exhaust duct 260 .
  • a third air supply section 265 for supplying gas such as dry air is provided inside the exhaust duct 260 on the X-axis positive direction side of the accommodation section 251 .
  • the third air supply portion 265 communicates with an air supply passage 260b formed through the side wall of the exhaust duct 260 toward the bottom surface.
  • the air supply path 260b is connected to a discharge portion 260c formed on the lower surface 260a of the exhaust duct 260 .
  • a plurality of discharge portions 260 c are provided around the opening 261 on the lower surface 260 a of the exhaust duct 260 .
  • a plurality of ejection portions 260c are provided at equal intervals on a concentric circle with the opening portion 261, that is, the radial distances between each ejection portion 260c and the lower surface 260a are equal. Therefore, the atmosphere between the exhaust duct 260 and the superposed wafer T is uniformly sucked through the opening 261 .
  • the gas supplied from the third air supply portion 265, the air supply passage 260b and the discharge portion 260c is ejected downward around the opening 261 to form a so-called air curtain.
  • dust generated by laser processing is suppressed from flowing out of the air curtain.
  • the gas from the third air supply part 265, the air supply path 260b and the discharge part 260c passes through the opening 261 to the intake flow path 262. flow into In such a case, the dust also flows into the air intake passage 262 through the opening 261, so that the dust can be reliably collected in the exhaust duct 260.
  • the number of air supply passages 260b on the lower surface 260a of the exhaust duct 260 is not limited, the greater the number, the higher the effect of the air curtain.
  • a fourth air supply section 266 for supplying gas such as dry air is provided on the side surface of the exhaust duct 260 on the positive Y-axis side of the accommodation section 251 .
  • the fourth air supply portion 266 communicates with an air supply passage 260 d penetrating from the side wall of the exhaust duct 260 toward the intake passage 262 .
  • the air supply path 260 d is connected to a discharge portion 260 e formed on the inner surface of the exhaust duct 260 .
  • the air supply passage 260d and the discharge portion 260e are formed in the positive direction of the X-axis with respect to the air intake passage 262, for example.
  • the gas supplied from the fourth air supply portion 266, the air supply passage 260d, and the discharge portion 260e flows into the intake passage 262 and forms a swirling flow in the intake passage 262.
  • the positions of the air supply passage 260d and the discharge portion 260e are not limited to those of the present embodiment as long as they are positions capable of forming a swirling flow in the intake passage 262.
  • the atmosphere between the exhaust duct 260 and the superposed wafer T is sucked into the exhaust duct 260 through the opening 261, and furthermore, the air intake passage 262 and the exhaust flow It flows through passage 263 and is discharged from exhaust pipe 264 . Dust generated by laser processing is also collected along with this airflow.
  • the gas from the second air supply part 253 blows off the fumes generated by the laser processing and guides them to the exhaust flow path 263 .
  • the gas from the third air supply section 265 suppresses dust from flowing out to the outside.
  • the gas from the fourth air supply section 266 forms a swirling flow in the air intake channel 262 , and smoothly guides the atmosphere and dust to the exhaust channel 263 .
  • the lower dust collecting portion 242 has a dust collecting plate 270 and a support member 271.
  • the dust collection plate 270 is provided close to the outer circumference of the chuck 200 .
  • a gap between the dust collection plate 270 and the outer periphery of the chuck 200 is, for example, 0.5 mm or less. The narrower the gap, the more it is possible to suppress the outflow of dust.
  • the height of the upper surface of the dust collection plate 270 is preferably the same as the height of the upper surface of the superposed wafer T (back surface W1b of the first wafer W1) held by the chuck 200. Further, the dust collection plate 270 is supported by a support member 271 on its lower surface. The support member 271 is fixed to the slider table 202 . That is, the lower dust collecting portion 242 is provided integrally with the chuck 200, and the lower dust collecting portion 242 also moves in the Y-axis direction as the chuck 200 moves.
  • the dust collection plate 270 has a substantially rectangular shape in plan view, and an end portion 270a on the chuck 200 side is curved along the outer circumference of the chuck 200 .
  • the Y-axis direction length A of the dust collection plate 270 is greater than the diameter D of the opening 261 of the exhaust duct 260 .
  • the X-axis direction length B of the dust collection plate 270 is greater than the radius D/2 of the opening 261 .
  • the dust collecting plate 270 is provided so as to overlap the opening 261 in a plan view when arranged below the exhaust duct 260 of the upper dust collecting portion 241 .
  • the dust collection plate 270 and the chuck 200 may contact each other.
  • the peripheral edge portion of the second wafer W2 is irradiated with laser light during laser processing, in the opening portion 261, the inner side in the radial direction from the end portion of the chuck 200 (overlapped wafer T) is flat. Although it is visually covered with the chuck 200, the outer side in the radial direction is exposed from the end. As a result, the amount of dust sucked is uneven over the entire circumference of the opening 261, and the dust may not be stably collected.
  • the dust collection plate 270 is provided so as to overlap the opening 261 in plan view when arranged below the exhaust duct 260 .
  • the dust suction amount becomes uniform over the entire circumference of the opening 261, and the dust can be stably collected.
  • the chuck 200 is placed at the standby position P1.
  • the nozzle 232 is housed in the housing portion 251 of the sleeve 250 .
  • the superposed wafer T is loaded into the film processing apparatus 90 and held by the chuck 200 (step T1 in FIG. 21).
  • the chuck 200 is moved to the macro alignment position.
  • the macro alignment position is the position where the macro camera 210 can image the outer edge of the second wafer W2.
  • the macro camera 210 captures an image of the outer edge of the second wafer W2 in the circumferential direction of 360 degrees.
  • the captured image is output from macro camera 210 to control device 110 .
  • the controller 110 calculates the amount of eccentricity between the center of the chuck 200 and the center of the second wafer W2 from the image of the macro camera 210 . Furthermore, based on the amount of eccentricity, the controller 110 calculates the amount of movement of the chuck 200 so as to correct the Y-axis component of the amount of eccentricity. Then, the position of the chuck 200 is determined so that the center of the second wafer W2m and the center of the chuck 200 are aligned (step T2 of u22).
  • the processing position P2 is a position where the end of the peripheral portion of the second wafer W2 in the positive Y-axis direction is arranged directly below the nozzle 232 of the laser irradiation unit 220 .
  • the dust collection plate 270 is arranged so as to overlap the opening 261 of the exhaust duct 260 in plan view.
  • the nozzle 232 is moved in the negative direction of the X-axis, and a laser beam is emitted from the nozzle 232 to the surface film on the peripheral edge of the second wafer W2. Then, the surface film is irradiated with the laser light in a spiral manner.
  • the moving distance of the nozzle 232 is 2 mm to 5 mm, and the peripheral edge of the second wafer W2 to be processed is in the range of 2 mm to 5 mm from the outer edge. That is, by moving the nozzle 232, the processing width of the laser beam is adjusted. Then, the surface film is removed (step T4 in FIG. 21).
  • Dust is generated during laser processing in step T4. This dust is collected in the upper dust collecting section 241 . Specifically, as described above, the atmosphere between the exhaust duct 260 and the superimposed wafer T is sucked into the exhaust duct 260 through the opening 261 and further flows through the intake channel 262 and the exhaust channel 263. and discharged from the exhaust pipe 264 . Dust generated by laser processing is also collected along with this airflow.
  • the chuck 200 is moved to the standby position P1. Then, the superposed wafer T is unloaded from the film processing apparatus 90 (step T5 in FIG. 21). Thus, a series of film treatments in the film treatment apparatus 90 are completed.
  • the dust collecting portion 240 has the upper dust collecting portion 241 and the lower dust collecting portion 242 , and the dust collecting plate 270 of the lower dust collecting portion 242 serves as the exhaust duct 260 of the upper dust collecting portion 241 . It is provided so as to overlap the opening 261 in a plan view when arranged downward. Therefore, the dust suction amount becomes uniform over the entire circumference of the opening 261, and the dust can be stably collected. Moreover, the diameter of the opening 261 can be increased, and dust can be collected over a wide range. Therefore, the dust generated during laser processing can be appropriately and efficiently collected by the dust collector 240 .
  • the technique of the present disclosure is applied when removing the surface film on the peripheral edge of the second wafer W2, but the technique can also be used for other purposes.
  • the technology according to the present disclosure can also be applied when irradiating the entire surface of a wafer with laser light.
  • the entire surface of the first wafer W1 is separated from the second wafer W2 and the device layer D1 formed on the front surface W1a side of the first wafer W1 is transferred to the second wafer W2, so-called laser lift-off is performed.
  • the entire surface of the interface between the first wafer W1 and the second wafer W2 is irradiated with laser light. Even in such a case, when irradiating the peripheral portion with laser light, the same effect as in the above embodiment can be enjoyed.

Abstract

基板にレーザ光を照射して当該基板を処理する基板処理装置であって、前記基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記基板に前記レーザ光を照射するレーザ照射部と、粉塵を収集する集塵部と、を有し、前記集塵部は、前記基板保持部の上方に配置された上部集塵部と、前記上部集塵部の下方に対して移動する下部集塵部と、を有する。基板処理方法は、前記基板保持部と前記下部集塵部を前記上部集塵部の下方に移動させることと、前記レーザ照射部から前記基板に前記レーザ光を照射しつつ、前記上部集塵部と前記基板及び前記下部集塵部と間の雰囲気を当該上部集塵部で吸引して粉塵を収集することと、を有する。

Description

基板処理装置及び基板処理方法
　本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
　特許文献１には、レーザ加工装置が開示されている。レーザ加工装置は、被加工物をレーザ加工するための集光器を備えたレーザ光照射手段と、レーザ光の照射により生成される粉塵を収集して排出する粉塵排出手段とを具備する。
特開２００７－０６９２４９号公報
　本開示にかかる技術は、基板にレーザ光を照射して当該基板を処理する際、生成される粉塵を適切に収集する。
　本開示の一態様は、基板にレーザ光を照射して当該基板を処理する基板処理装置であって、前記基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記基板に前記レーザ光を照射するレーザ照射部と、粉塵を収集する集塵部と、を有し、前記集塵部は、前記基板保持部の上方に配置された上部集塵部と、前記上部集塵部の下方に対して移動する下部集塵部と、を有する。
　本開示によれば、基板にレーザ光を照射して当該基板を処理する際、生成される粉塵を適切に収集することができる。
ウェハ処理システムで処理される重合ウェハの一例を示す側面図である。 ウェハ処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。 ウェハ処理の主な工程を示す説明図である。 ウェハ処理の主な工程を示すフロー図である。 第１のウェハの内部に形成された周縁改質層の様子を示す説明図である。 膜処理装置の構成の概略を示す平面図である。 膜処理装置の構成の概略を示す側面図である。 膜処理装置の構成の概略を示す側面図である。 レーザ照射部と上部集塵部の一部の構成の概略を示す断面斜視図である。 上部集塵部の構成の概略を示す斜視図である。 上部集塵部の構成の概略を示す断面斜視図である。 上部集塵部の一部の構成の概略を示す平面図である。 上部集塵部の一部の構成の概略を示す断面斜視図である。 上部集塵部における雰囲気の流れを示す説明図である。 上部集塵部における雰囲気の流れを示す説明図である。 下部集塵部の構成の概略を示す側面図である。 下部集塵部の構成の概略を示す平面図である。 比較例として下部集塵部を設けない場合を示す説明図である。 下部集塵部の構成の概略を示す斜視図である。 膜処理の主な工程を示す説明図である。 膜処理の主な工程を示すフロー図である。
　近年、半導体デバイスの製造工程においては、表面に複数の電子回路等のデバイスが形成された半導体基板（以下、「ウェハ」という。）同士が接合された重合ウェハに対する処理が行われている。例えば、重合ウェハを形成する第１のウェハを薄化することや、第１のウェハに形成されたデバイスを、重合ウェハを形成する第２のウェハに転写することが行われる。
　通常、ウェハの周縁部は面取り加工がされているが、上述したように重合ウェハにおいて薄化処理や転写処理を行うと、薄化後の第１のウェハや転写後の重合ウェハの周縁部が鋭く尖った形状（いわゆるナイフエッジ形状）になる場合がある。そうすると、これらウェハの周縁部でチッピングが発生し、ウェハが損傷を被るおそれがある。そこで、処理前の第１のウェハの周縁部を除去、いわゆるエッジトリムを行う。
　ここで、エッジトリム後の第２のウェハの表面、具体的には、第１のウェハの除去により露出した第２のウェハの周縁部には、不要な表面膜やパーティクルが残留している。この表面膜やパーティクルは、重合ウェハの搬送中やプロセス中に剥離、落下、又は飛散することで、ウェハ処理システムの内部、カセットの内部や他の重合ウェハを汚染する原因となり得る。そこで、エッジトリム後に、第２のウェハの周縁部における表面膜を除去することが行われる。
　周縁部の表面膜の除去には種々の方法が考えられるが、例えば当該表面膜に対してレーザ光を照射することで除去する。このようにレーザ光を用いる場合、レーザ加工（アブレーション加工）によって微細な粉塵が生成される。粉塵がレーザ光の集光レンズに付着すると、加工品質が低下する。また、粉塵がウェハ面に付着すると、製品ウェハの生産歩留まりが低下する。さらに、粉塵がウェハ処理装置に付着すると、稼動率が低下する。
　そこで従来、例えば特許文献１に開示のレーザ加工装置（ウェハ処理装置）では、レーザ加工の際に生成される粉塵を収集して排出する粉塵排出手段を具備する。粉塵排出手段は、下壁に集光器から照射されるレーザ光が通過するとともに粉塵を吸引する開口を備えたカバー部材とを具備する。そして、ウェハの一端から他端に向けて当該ウェハを移動させながら、ウェハにレーザ光を照射する。
　ウェハの端部（一端又は他端）にレーザ照射する際には、当該端部の直上に集光器及びカバー部材が配置される。かかる場合、カバー部材の開口において、ウェハの端部より径方向内側は平面視でウェハに覆われるが、端部より径方向外側は露出する。そうすると、開口の全周に亘って粉塵の吸引量の偏りが発生し、粉塵を安定して収集できないおそれがある。したがって、従来の基板処理には改善の余地がある。
　本開示にかかる技術は、基板にレーザ光を照射して当該基板を処理する際、生成される粉塵を適切に収集する。以下、本実施形態にかかる基板処理装置としての膜処理装置を備えたウェハ処理システム、及び基板処理方法としてのウェハ処理方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
　本実施形態にかかる後述のウェハ処理システム１では、図１に示すように第１のウェハＷ１と第２のウェハＷ２とが接合された基板としての重合ウェハＴに対して処理を行う。そしてウェハ処理システム１では、第１のウェハＷ１の周縁部Ｗｅを除去する。以下、第１のウェハＷ１において、第２のウェハＷ２に接合される側の面を表面Ｗ１ａといい、表面Ｗ１ａと反対側の面を裏面Ｗ１ｂという。同様に、第２のウェハＷ２において、第１のウェハＷ１に接合される側の面を表面Ｗ２ａといい、表面Ｗ２ａと反対側の面を裏面Ｗ２ｂという。また、第１のウェハＷ１において、除去対象としての周縁部Ｗｅよりも径方向内側の領域を中央部Ｗｃという。
　第１のウェハＷ１は、例えばシリコン基板等の半導体ウェハであって、表面Ｗ１ａに複数のデバイスを含むデバイス層Ｄ１が形成されている。また、デバイス層Ｄ１にはさらに、接合用膜Ｆ１が形成され、当該接合用膜Ｆ１を介して第２のウェハＷ２と接合されている。接合用膜Ｆ１としては、例えば酸化膜（ＳｉＯ２膜、ＴＥＯＳ膜）、ＳｉＣ膜、ＳｉＣＮ膜又は接着剤などが挙げられる。なお、第１のウェハＷ１の周縁部Ｗｅは面取り加工がされており、周縁部Ｗｅの断面はその先端に向かって厚みが小さくなっている。また、周縁部Ｗｅは後述のエッジトリムにおいて除去される部分であり、例えば第１のウェハＷ１の外端部から径方向に０．５ｍｍ～５ｍｍの範囲である。なお、第１のウェハＷ１とデバイス層Ｄ１との界面には、周縁部Ｗｅの除去に際して重合ウェハＴの内部に照射されるレーザ光を吸収できるレーザ吸収層（図示せず）がさらに形成されていてもよい。また、デバイス層Ｄ１に形成された接合用膜Ｆ１をレーザ吸収層として用いてもよい。
　第２のウェハＷ２は、例えば第１のウェハＷ１と同様の構成を有しており、表面Ｗ２ａにはデバイス層Ｄ２及び接合用膜Ｆ２が形成され、周縁部は面取り加工がされている。なお、第２のウェハＷ２はデバイス層Ｄ２が形成されたデバイスウェハである必要はなく、例えば第１のウェハＷ１を支持する支持ウェハであってもよい。かかる場合、第２のウェハＷ２は第１のウェハＷ１のデバイス層Ｄ１を保護する保護材として機能する。
　なお、本実施形態においては、第１のウェハＷ１および第２のウェハＷ２に形成されたデバイス層Ｄ１、Ｄ２、及び接合用膜Ｆ１、Ｆ２のそれぞれを「表面膜」と呼称する場合がある。換言すれば、本実施形態にかかる第１のウェハＷ１および第２のウェハＷ２には、複数の表面膜が積層して形成されている。
　図２に示すようにウェハ処理システム１は、搬入出ブロックＧ１、搬送ブロックＧ２、及び処理ブロックＧ３を一体に接続した構成を有している。搬入出ブロックＧ１、搬送ブロックＧ２及び処理ブロックＧ３は、Ｘ軸負方向側からこの順に並べて配置されている。
　搬入出ブロックＧ１は、例えば外部との間で複数の重合ウェハＴを収容可能なカセットＣが搬入出される。搬入出ブロックＧ１には、カセット載置台１０が設けられている。図示の例では、カセット載置台１０には、複数、例えば４つのカセットＣをＹ軸方向に一列に載置自在になっている。なお、カセット載置台１０に載置されるカセットＣの個数は、本実施形態に限定されず、任意に決定することができる。
　搬送ブロックＧ２には、カセット載置台１０のＸ軸正方向側において、当該カセット載置台１０に隣接してウェハ搬送装置２０が設けられている。ウェハ搬送装置２０は、Ｙ軸方向に延伸する搬送路２１上を移動自在に構成されている。また、ウェハ搬送装置２０は、重合ウェハＴを保持して搬送する、例えば２つの搬送アーム２２、２２を有している。各搬送アーム２２は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。なお、搬送アーム２２の構成は本実施形態に限定されず、任意の構成を取り得る。そして、ウェハ搬送装置２０は、カセット載置台１０のカセットＣ、及び後述するトランジション装置３０に対して、重合ウェハＴを搬送可能に構成されている。
　搬送ブロックＧ２には、ウェハ搬送装置２０のＸ軸正方向側において、当該ウェハ搬送装置２０に隣接して、重合ウェハＴを受け渡すためのトランジション装置３０が設けられている。
　処理ブロックＧ３は、ウェハ搬送装置４０、洗浄装置５０、周縁除去装置６０、界面改質装置７０、内部改質装置８０、基板処理装置としての膜処理装置９０、及び検査装置１００を有している。
　ウェハ搬送装置４０は、Ｘ軸方向に延伸する搬送路４１上を移動自在に構成されている。また、ウェハ搬送装置４０は、重合ウェハＴを保持して搬送する、例えば２つの搬送アーム４２、４２を有している。各搬送アーム４２は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。なお、搬送アーム４２の構成は本実施形態に限定されず、任意の構成を取り得る。そして、ウェハ搬送装置４０は、トランジション装置３０、洗浄装置５０、周縁除去装置６０、界面改質装置７０、内部改質装置８０、及び膜処理装置９０に対して、重合ウェハＴを搬送可能に構成されている。
　洗浄装置５０は、重合ウェハＴを洗浄する。周縁除去装置６０は、第１のウェハＷ１の周縁部Ｗｅの除去、すなわちエッジトリム処理を行う。界面改質装置７０は、第１のウェハＷ１と第２のウェハＷ２の界面にレーザ光（界面用レーザ光、例えばＣＯ２レーザ）を照射し、後述の未接合領域Ａｅを形成する。内部改質装置８０は、第１のウェハＷ１の内部にレーザ光（内部用レーザ光、例えばＹＡＧレーザ）を照射し、周縁部Ｗｅの剥離の基点となる周縁改質層Ｍ１、及び周縁部Ｗｅの小片化の基点となる分割改質層Ｍ２を形成する。膜処理装置９０は、エッジトリム処理によって第２のウェハＷ２の周縁部において露出した表面膜（残膜）に対してレーザ光（膜処理用レーザ光、例えばＣＯ２レーザ又はＩＲレーザ）を照射する。なお、膜処理装置９０の詳細な構成は後述する。検査装置１００は、未接合領域Ａｅ形成後の第1のウェハＷ１の周縁部、又は、膜処理後の第２のウェハＷ２の周縁部を検査する。
　以上のウェハ処理システム１には、制御装置１１０が設けられている。制御装置１１０は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、ウェハ処理システム１における重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御装置１１０にインストールされたものであってもよい。また、上記記憶媒体Ｈは、一時的なものであっても非一時的なものであってもよい。
　次に、以上のように構成されたウェハ処理システム１を用いて行われるウェハ処理について説明する。なお、本実施形態では、ウェハ処理システム１の外部の接合装置（図示せず）において、第１のウェハＷ１と第２のウェハＷ２が接合され、予め重合ウェハＴが形成されている。
　先ず、複数の重合ウェハＴを収納したカセットＣが、搬入出ブロックＧ１のカセット載置台１０に載置される。次に、ウェハ搬送装置２０によりカセットＣ内の重合ウェハＴが取り出される。カセットＣから取り出された重合ウェハＴは、トランジション装置３０を介してウェハ搬送装置４０に受け渡された後、界面改質装置７０に搬送される。界面改質装置７０では、図３（ａ）に示すように、重合ウェハＴ（第１のウェハＷ１）を回転させながら第１のウェハＷ１とデバイス層Ｄ１の界面（より具体的には当該界面に形成された上述のレーザ吸収層）にレーザ光（例えば８．９μｍ～１１μｍの波長を有するＣＯ２レーザ）を照射し、未接合領域Ａｅを形成する（図４のステップＳ１）。
　未接合領域Ａｅにおいては第１のウェハＷ１とデバイス層Ｄ１の界面が改質、又は剥離され、第１のウェハＷ１と第２のウェハＷ２の接合強度が低下、又は無くされる。これにより第１のウェハＷ１とデバイス層Ｄ１の界面には、環状の未接合領域Ａｅと、当該未接合領域Ａｅの径方向内側において、第１のウェハＷ１と第２のウェハＷ２とが接合された接合領域Ａｃが形成される。後述するエッジトリムにおいては、除去対象である第１のウェハＷ１の周縁部Ｗｅが除去されるが、このように未接合領域Ａｅが存在することで、かかる周縁部Ｗｅの除去を適切に行うことができる。
　未接合領域Ａｅが形成された重合ウェハＴは、次に、ウェハ搬送装置４０により内部改質装置８０へと搬送される。内部改質装置８０では、図３（ｂ）及び図５に示すように、第１のウェハＷ１の内部に周縁改質層Ｍ１及び分割改質層Ｍ２を形成する（図４のステップＳ２）。周縁改質層Ｍ１は、後述のエッジトリムにおいて周縁部Ｗｅを除去する際の基点となるものである。分割改質層Ｍ２は、除去される周縁部Ｗｅの小片化の基点となるものである。なお以降の説明に用いる図面においては、図示が複雑になることを回避するため、分割改質層Ｍ２の図示を省略する場合がある。
　なお、第１のウェハＷ１の内部に形成された周縁改質層Ｍ１からは、図３（ｂ）に示したように、第１のウェハＷ１の厚み方向にクラックＣ１が伸展する。クラックＣ１の下端部は、例えば第１のウェハＷ１の表面Ｗ１ａ又は未接合領域Ａｅに到達させる。
　第１のウェハＷ１の内部に周縁改質層Ｍ１及び分割改質層Ｍ２が形成された重合ウェハＴは、次に、ウェハ搬送装置４０により周縁除去装置６０へと搬送される。周縁除去装置６０では、図３（ｃ）に示すように、第１のウェハＷ１の周縁部Ｗｅの除去、すなわちエッジトリム処理が行われる（図４のステップＳ３）。この時、周縁部Ｗｅは、周縁改質層Ｍ１及びクラックＣ１を基点として第１のウェハＷ１の中央部Ｗｃから剥離されるとともに、未接合領域Ａｅを基点としてデバイス層Ｄ１（第２のウェハＷ２）から剥離される。またこの時、除去される周縁部Ｗｅは分割改質層Ｍ２及びクラックＣ２を基点として小片化される。
　周縁部Ｗｅの除去にあたっては、重合ウェハＴを形成する第１のウェハＷ１と第２のウェハＷ２との界面に、例えばくさび形状からなるブレードを挿入してもよい。エッジトリムにあたっては第１のウェハＷ１の周縁部Ｗｅに対して衝撃を加えることにより、周縁部Ｗｅが周縁改質層Ｍ１及びクラックＣ１を基点に適切に剥離される。
　第１のウェハＷ１の周縁部Ｗｅが除去された重合ウェハＴは、次に、ウェハ搬送装置４０により膜処理装置９０へと搬送される。膜処理装置９０では、図３（ｄ）に示すように、周縁部Ｗｅが除去された後の第２のウェハＷ２の周縁部における表面膜を除去する処理（以下、「膜処理」という場合がある。）が行われる（図４のステップＳ４）。
　周縁部Ｗｅの除去後の第２のウェハＷ２の表面、具体的には、第１のウェハＷ１の除去により露出した第２のウェハＷ２の周縁部には、不要な表面膜やパーティクルが残留している。この表面膜やパーティクルは、重合ウェハＴの搬送中やプロセス中に剥離、落下、又は飛散することで、ウェハ処理システム１の内部、カセットＣの内部や他の重合ウェハＴを汚染する原因となり得る。
　そこでステップＳ４では、この周縁部Ｗｅの除去後における表面膜やパーティクルの飛散を抑制するため、第２のウェハＷ２の周縁部における表面膜を除去する。すなわち、例えば表面膜に対してレーザ光（例えばＣＯ２レーザ）を照射し、当該表面膜を除去する。
　かかる場合、レーザ光の照射により除去される表面膜と共に、当該表面膜の表面に残留いていたパーティクルも除去されるため、この表面膜やパーティクルが剥離、落下、又は飛散することが抑制される。
　第２のウェハＷ２の周縁部における表面膜の除去が行われた重合ウェハＴは、次に、ウェハ搬送装置４０により洗浄装置５０へと搬送される。洗浄装置５０では、周縁部Ｗｅを除去し、膜処理が行われた後の第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂ、及び露出部分が洗浄される（図４のステップＳ５）。なお、洗浄装置５０では、第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂと共に、第２のウェハＷ２の裏面Ｗ２ｂが洗浄されてもよい。
　その後、全てのウェハ処理が施された重合ウェハＴは、トランジション装置３０を介してウェハ搬送装置２０によりカセット載置台１０のカセットＣに搬送される。こうして、ウェハ処理システム１における一連のウェハ処理が終了する。
　次に、上述した膜処理装置９０の詳細な構成について説明する。
　図６～図８に示すように膜処理装置９０は、重合ウェハＴを上面で保持する、基板保持部としてのチャック２００を有している。チャック２００は、第１のウェハＷ１が上側であって第２のウェハＷ２が下側に配置された状態で、第２のウェハＷ２の裏面Ｗ２ｂを吸着保持する。チャック２００は、エアベアリング２０１を介して、スライダテーブル２０２に支持されている。スライダテーブル２０２の下面側には、回転部２０３が設けられている。回転部２０３は、駆動源として例えばモータを内蔵している。チャック２００は、回転部２０３によってエアベアリング２０１を介して、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。スライダテーブル２０２は、その下面側に設けられた移動部２０４を介して、基台２０５上においてＹ軸方向に延伸して設けられるレール２０６上を移動自在に構成されている。なお、移動部２０４の駆動源は特に限定されるものではないが、例えばリニアモータが用いられる。
　チャック２００の上方には、マクロカメラ２１０が設けられている。例えばマクロカメラ２１０は、支持柱２１１に支持されている。マクロカメラ２１０は、第２のウェハＷ２の外側端部を撮像する。マクロカメラ２１０は、例えば同軸レンズを備え、赤外光（ＩＲ光）を照射し、さらに対象物からの反射光を受光する。なお例えば、マクロカメラ２１０の撮像倍率は２倍である。マクロカメラ２１０で撮像された画像は、制御装置１１０に出力される。制御装置１１０では、マクロカメラ２１０で撮像された画像から、チャック２００の中心と第２のウェハＷ２の中心の偏心量を算出する。
　チャック２００の上方であって、マクロカメラ２１０のＹ軸負方向側には、チャック２００に保持された重合ウェハＴにレーザ光を照射するレーザ照射部２２０が設けられている。レーザ照射部２２０は、レーザ光を発振するレーザ発振器（図示せず）等を内蔵したレーザヘッド（図示せず）に接続されている。レーザ照射部２２０は、支持部材２２１に支持されている。レーザ照射部２２０は、鉛直方向に延伸するレール２２２に沿って、昇降部２２３により昇降自在に構成されている。またレーザ照射部２２０は、支持柱２１１においてＹ軸方向に延伸するレール２２４に沿って、移動部２２５によりＹ軸方向に移動自在に構成されている。
　レーザ照射部２２０は、第２のウェハＷ２の周縁部における表面膜に対してレーザ光を照射し、当該表面膜を除去する。レーザ照射部２２０は、集光レンズ２３１とノズル２３２を有している。
　図９に示すように集光レンズ２３１は、レーザヘッドのレーザ発振器から発振されたレーザ光を集光して第２のウェハＷ２の周縁部の表面膜に照射する。
　ノズル２３２は、集光レンズ２３１の下方に設けられている。ノズル２３２は、中空の筒状の部材であり、集光レンズ２３１からのレーザ光を通過させて第２のウェハＷ２の周縁部の表面膜に照射する。
　ノズル２３２の上部には、当該ノズル２３２の内部にドライエア等の気体を供給する第１の給気部２３３が設けられている。第１の給気部２３３は、ノズル２３２の側壁内部に形成された給気路２３２ａに連通している。第１の給気部２３３及び給気路２３２ａから供給された気体は、ノズル２３２を下方に流れ、第２のウェハＷ２の周縁部の表面膜に噴き付けられる。かかる気体によって、レーザ加工で生成される粉塵が集光レンズ２３１に付着するのを抑制することができる。
　図６～図８に示すように膜処理装置９０は、粉塵を収集する集塵部２４０を有している。集塵部２４０は、上述したステップＳ４の膜処理時（レーザ加工時）、すなわちレーザ照射部２２０から第２のウェハＷ２の周縁部における表面膜にレーザ光を照射する際に、生成される微細な粉塵を収集する。集塵部２４０は、上部集塵部２４１と下部集塵部２４２を有している。
　上部集塵部２４１は、チャック２００の上方であって、レーザ照射部２２０の直下に設けられている。図１０及び図１１に示すように上部集塵部２４１は、スリーブ２５０と排気ダクト２６０を有している。スリーブ２５０は、排気ダクト２６０の上面に設けられている。
　図９及び図１１に示すようにスリーブ２５０は、上方から下方に向けて径が小さくなる略円錐台形状を有している。スリーブ２５０の上面中央部には、レーザ照射部２２０のノズル２３２の一部を収容する収容部２５１が形成されている。ノズル２３２は、収容部２５１に対して昇降し、当該収容部２５１に対して進入又は退出可能である。例えばレーザヘッドにはレーザ光の出力を確認するためのパワーメータ（図示せず）が設けられているが、集塵部２４０で排気中はこのレーザ光の出力を測定できない。そこで、このような場合には、ノズル２３２を収容部２５１から退出させる。一方、レーザ加工時には、ノズル２３２を収容部２５１に収容させる。
　また、ノズル２３２は、収容部２５１においてＹ軸方向に移動可能である。さらに、ノズル２３２は、上端を基点に下端が回転可能である。なお、ノズル２３２は、収容部２５１に収容された状態で、当該収容部２５１に接触しない。
　上述したようにノズル２３２はＹ軸方向に移動可能であり、レーザ加工時に移動可能とするため、図１２に示すように収容部２５１は、Ｙ軸方向に長軸を備えた長孔形状を有していてもよい。また、収容部２５１の下面には、ノズル２３２から照射されたレーザ光を通過させるための長孔２５２が形成されているが、この長孔２５２もＹ軸方向に長軸を有していてもよい。なお、膜処理を行う際、後述するようにノズル２３２の移動距離は例えば２ｍｍ～５ｍｍである。このため、長孔２５２のＹ軸方向長さは５ｍｍ以上が好ましい。
　図９及び図１１に示すようにスリーブ２５０の上面において収容部２５１のＸ軸正方向側には、後述する吸気流路２６２にドライエア等の気体を供給する第２の給気部２５３が設けられている。第２の給気部２５３は、スリーブ２５０を上面から下面に向けて貫通して形成された給気路２５０ａに連通している。また、給気路２５０ａは、スリーブ２５０の下面に形成された吐出部２５０ｂに接続される。第２の給気部２５３及び給気路２５０ａを介して吐出部２５０ｂから供給された気体は、吸気流路２６２に流出する。かかる気体によって、レーザ加工で生成されるヒュームが吹き飛ばされる。また、第２の給気部２５３からの気体は、吸気流路２６２の雰囲気を後述する排気流路２６３に誘導する。この際、上記ヒュームも排気流路２６３に誘導される。
　なお、後述するようにレーザ加工では、重合ウェハＴを回転させながら、当該重合ウェハＴにレーザ光を照射する。第２の給気部２５３、給気路２５０ａ及び吐出部２５０ｂからの気体は、重合ウェハＴの回転方向に供給するのが好ましい。かかる場合、より確実に吸気流路２６２の雰囲気を排気流路２６３に誘導することができる。
　排気ダクト２６０は、Ｘ軸方向に延伸して設けられている。図１１及び図１３に示すように排気ダクト２６０の下面２６０ａにおいてスリーブ２５０の下方には、ノズル２３２から照射されたレーザ光を通過させるための開口部２６１が形成されている。下面２６０ａは平面視で略円形状を有する。排気ダクト２６０の内部には、吸気流路２６２と排気流路２６３が形成されている。
　吸気流路２６２は、スリーブ２５０と開口部２６１の間に形成された流路である。吸気流路２６２は、チャック２００に保持された重合ウェハＴと排気ダクト２６０との間の雰囲気を、開口部２６１から吸引する。
　排気流路２６３は、吸気流路２６２に連通し、重合ウェハＴの接線方向、すなわちＸ軸方向に延伸する流路である。排気流路２６３は、排気ダクト２６０のＸ軸負方向側端部に設けられた排気管２６４に連通している。排気管２６４は、排気ダクト２６０の内部雰囲気を吸引する排気装置（図示せず）に接続されている。
　図９及び図１１に示すように排気ダクト２６０の内部において収容部２５１のＸ軸正方向側には、ドライエア等の気体を供給する第３の給気部２６５が設けられている。第３の給気部２６５は、排気ダクト２６０の側壁から下面に向けて貫通して形成された給気路２６０ｂに連通している。また、給気路２６０ｂは、排気ダクト２６０の下面２６０ａに形成された吐出部２６０ｃに接続される。吐出部２６０ｃは、排気ダクト２６０の下面２６０ａにおいて開口部２６１の周囲に複数設けられている。複数の吐出部２６０ｃは開口部２６１と同心円上に等間隔に設けられ、すなわち、各吐出部２６０ｃと下面２６０ａとの径方向距離は等しい。したがって、排気ダクト２６０と重合ウェハＴとの間の雰囲気は、開口部２６１を介して均一に吸引される。
　第３の給気部２６５、給気路２６０ｂ及び吐出部２６０ｃから供給された気体は、開口部２６１の周囲において下方に噴出し、いわゆるエアカーテンを形成する。かかる場合、レーザ加工で生成される粉塵がエアカーテンの外部に流出するのが抑制される。さらに、エアカーテンの外部の隙間よりも開口部２６１の径が大きいため、第３の給気部２６５、給気路２６０ｂ及び吐出部２６０ｃからの気体は、開口部２６１を介して吸気流路２６２に流入する。かかる場合、粉塵も開口部２６１を介して吸気流路２６２に流入するため、排気ダクト２６０において当該粉塵を確実に収集することができる。なお、排気ダクト２６０の下面２６０ａにおける給気路２６０ｂの数は限定されないが、多い方が、エアカーテンとしての効果は高くなる。
　図１２に示すように排気ダクト２６０の側面において収容部２５１のＹ軸正方向側には、ドライエア等の気体を供給する第４の給気部２６６が設けられている。第４の給気部２６６は、排気ダクト２６０の側壁から吸気流路２６２に向けて貫通して形成された給気路２６０ｄに連通している。また、給気路２６０ｄは、排気ダクト２６０の内側面に形成された吐出部２６０ｅに接続される。給気路２６０ｄ及び吐出部２６０ｅは、例えば吸気流路２６２に対してＸ軸正方向に向けて形成される。第４の給気部２６６、給気路２６０ｄ及び吐出部２６０ｅから供給された気体は、吸気流路２６２に流入し、当該吸気流路２６２において旋回流を形成する。なお給気路２６０ｄと吐出部２６０ｅの位置は、吸気流路２６２に旋回流を形成できる位置であれば、本実施形態に限定されない。
　図１４及び図１５に示すようにレーザ加工時、排気ダクト２６０と重合ウェハＴとの間の雰囲気は、開口部２６１を介して排気ダクト２６０の内部に吸引され、さらに吸気流路２６２と排気流路２６３を流れて、排気管２６４から排出される。そして、この気流にのって、レーザ加工で生成される粉塵も収集される。この際、第２の給気部２５３からの気体によって、レーザ加工で生成されるヒュームが吹き飛ばされ、排気流路２６３に誘導される。また、第３の給気部２６５からの気体によって、粉塵が外部に流出するのが抑制される。さらに、第４の給気部２６６からの気体によって、吸気流路２６２において旋回流が形成され、雰囲気及び粉塵が円滑に排気流路２６３に誘導される。
　図６及び図８に示すように下部集塵部２４２は、集塵プレート２７０と支持部材２７１を有している。集塵プレート２７０は、チャック２００の外周に近接して設けられている。集塵プレート２７０とチャック２００の外周との隙間は例えば０．５ｍｍ以下である。この隙間は狭いほど、粉塵の外部流出を抑えることができる。
　図１６に示すように集塵プレート２７０の上面の高さは、チャック２００に保持された重合ウェハＴの上面（第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂ）の高さと同じことが望ましい。また、集塵プレート２７０は、その下面において支持部材２７１に支持されている。支持部材２７１は、スライダテーブル２０２に固定されている。すなわち、下部集塵部２４２はチャック２００と一体に設けられ、チャック２００の移動に伴い、下部集塵部２４２もＹ軸方向に移動する。
　図１７に集塵プレート２７０は平面視で略矩形状を有し、チャック２００側の端部２７０ａは当該チャック２００の外周に沿って湾曲している。但し、チャック２００は回転するため、集塵プレート２７０とチャック２００は接触していない。集塵プレート２７０のＹ軸方向長さＡは、排気ダクト２６０の開口部２６１の直径Ｄより大きい。また、集塵プレート２７０のＸ軸方向長さＢは、開口部２６１の半径Ｄ／２より大きい。そして、集塵プレート２７０は、上部集塵部２４１の排気ダクト２６０の下方に配置された際、平面視で開口部２６１に重なるように設けられている。なお、本実施形態と異なりチャック２００が回転しない場合、集塵プレート２７０とチャック２００は接触してもよい。
　ここで、図１８に示すようにレーザ加工時において、第２のウェハＷ２の周縁部にレーザ光を照射すると、開口部２６１において、チャック２００（重合ウェハＴ）の端部より径方向内側は平面視でチャック２００に覆われるが、当該端部より径方向外側は露出する。そうすると、開口部２６１の全周に亘って粉塵の吸引量の偏りが発生し、粉塵を安定して収集できないおそれがある。
　この点、図１９に示すように集塵プレート２７０は、排気ダクト２６０の下方に配置された際、平面視で開口部２６１に重なるように設けられる。かかる場合、開口部２６１の全周に亘って粉塵の吸引量が均一になり、粉塵を安定して収集することができる。
　次に、以上のように構成された膜処理装置９０で行われる膜処理について説明する。
　先ず、図２０（ａ）に示すようにチャック２００を待機位置Ｐ１に配置する。この際、ノズル２３２がスリーブ２５０の収容部２５１に収容されている。そして、膜処理装置９０に重合ウェハＴが搬入され、チャック２００に保持される（図２１のステップＴ１）。
　次に、チャック２００をマクロアライメント位置に移動させる。マクロアライメント位置は、マクロカメラ２１０が第２のウェハＷ２の外側端部を撮像できる位置である。続けて、マクロカメラ２１０によって、第２のウェハＷ２の周方向３６０度における外側端部の画像が撮像される。撮像された画像は、マクロカメラ２１０から制御装置１１０に出力される。
　制御装置１１０では、マクロカメラ２１０の画像から、チャック２００の中心と第２のウェハＷ２の中心の偏心量を算出する。さらに制御装置１１０では、偏心量に基づいて、当該偏心量のＹ軸成分を補正するように、チャック２００の移動量を算出する。そして、第２のウェハＷ２ｍの中心とチャック２００の中心が一致するように、チャック２００の位置を決定する（ｕ２２のステップＴ２）。
　次に、図２０（ｂ）に示すようにチャック２００を処理位置Ｐ２に移動させる（図２１のステップＴ３）。処理位置Ｐ２は、レーザ照射部２２０のノズル２３２の直下に、第２のウェハＷ２の周縁部のＹ軸正方向の端部が配置される位置である。この際、集塵プレート２７０は、平面視で排気ダクト２６０の開口部２６１に重なるように配置される。
　次に、チャック２００を回転させた状態で、ノズル２３２をＸ軸負方向側に移動させながら、当該ノズル２３２から第２のウェハＷ２の周縁部における表面膜に対してレーザ光を照射する。そうすると、当該表面膜において、レーザ光は螺旋状に照射される。ノズル２３２の移動距離は２ｍｍ～５ｍｍであって、処理対象の第２のウェハＷ２の周縁部は外端から２ｍｍ～５ｍｍの範囲である。すなわち、ノズル２３２を移動させることにより、レーザ光による加工幅が調整される。そして、表面膜が除去される（図２１のステップＴ４）。
　ステップＴ４のレーザ加工時には、粉塵が生成される。この粉塵は、上部集塵部２４１で収集される。具体的には、上述したように排気ダクト２６０と重合ウェハＴとの間の雰囲気は、開口部２６１を介して排気ダクト２６０の内部に吸引され、さらに吸気流路２６２と排気流路２６３を流れて、排気管２６４から排出される。そして、この気流にのって、レーザ加工で生成される粉塵も収集される。
　第２のウェハＷ２の周縁部における表面膜が除去されると、次に、チャック２００を待機位置Ｐ１に移動させる。そして、重合ウェハＴが膜処理装置９０から搬出される（図２１のステップＴ５）。こうして、膜処理装置９０における一連の膜処理が終了する。
　以上の実施形態によれば、集塵部２４０が上部集塵部２４１と下部集塵部２４２を有し、下部集塵部２４２の集塵プレート２７０は、上部集塵部２４１の排気ダクト２６０の下方に配置された際、平面視で開口部２６１に重なるように設けられている。このため、開口部２６１の全周に亘って粉塵の吸引量が均一になり、粉塵を安定して収集することができる。また、開口部２６１の径を大きくすることができ、広範囲に粉塵を収集することもできる。したがって、レーザ加工時に生成される粉塵を、集塵部２４０によって適切に且つ効率よく収集することができる。
　以上の実施形態では、第２のウェハＷ２の周縁部における表面膜を除去する際に本開示の技術を適用したが、当該技術は他の用途にも使用することができる。例えば、ウェハ全面にレーザ光を照射する場合にも、本開示にかかる技術を適用できる。例えば、第１のウェハＷ１の全面を第２のウェハＷ２から剥離し、第１のウェハＷ１の表面Ｗ１ａ側に形成されたデバイス層Ｄ１を第２のウェハＷ２に転写する場合、いわゆるレーザリフトオフを行う場合、第１のウェハＷ１と第２のウェハＷ２の界面の全面にレーザ光を照射する。かかる場合でも、周縁部にレーザ光を照射する際に、上記実施形態と同様の効果を享受することができる。
　今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
　　９０　　膜処理装置
　　２００　チャック
　　２２０　レーザ照射部
　　２４０　集塵部
　　２４１　上部集塵部
　　２４２　下部集塵部
　　Ｔ　　　重合ウェハ
　　Ｗ１　　第１のウェハ
　　Ｗ２　　第２のウェハ

Claims (12)

  1. 基板にレーザ光を照射して当該基板を処理する基板処理装置であって、
    前記基板を保持する基板保持部と、
    前記基板保持部に保持された前記基板に前記レーザ光を照射するレーザ照射部と、
    粉塵を収集する集塵部と、を有し、
    前記集塵部は、
    前記基板保持部の上方に配置された上部集塵部と、
    前記上部集塵部の下方に対して移動する下部集塵部と、を有する、基板処理装置。
  2. 前記下部集塵部は、前記基板保持部の外周に近接して配置される、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記下部集塵部は、前記基板保持部と一体に設けられている、請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記下部集塵部の上面の高さは、前記基板保持部に保持された前記基板の上面の高さと同じである、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  5. 前記上部集塵部の下面には、前記レーザ照射部から照射された前記レーザ光を通過させるための開口部が形成され、
    前記下部集塵部は、前記上部集塵部の下方に配置された際、平面視で前記開口部に重なるように設けられている、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  6. 前記上部集塵部は、
    排気ダクトと、
    前記排気ダクトの上面に設けられ、前記レーザ照射部の少なくとも一部を収容する収容部が形成されたスリーブと、を有し、
    前記排気ダクトの下面には、前記レーザ照射部から照射された前記レーザ光を通過させるための開口部が形成され、
    前記排気ダクトの内部には、
    前記開口部から前記基板との間の雰囲気を吸引する吸気流路と、
    前記吸気流路に連通し、前記雰囲気を排出する排気流路と、が形成される、請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  7. 前記排気流路は、前記基板の接線方向に形成される、請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記スリーブに設けられ、前記吸気流路に気体を供給する吐出部を有する、請求項６又は７に記載の基板処理装置。
  9. 前記開口部の周囲において下方に向けて気体を供給する吐出部を有する、請求項６～８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  10. 前記排気ダクトに設けられ、前記吸気流路の側壁に沿って気体を供給する吐出部を有する、請求項６～９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  11. 前記レーザ照射部は、前記基板の周縁部に前記レーザ光を照射する、請求項１～１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  12. 基板処理装置を用いて基板にレーザ光を照射して当該基板を処理する基板処理方法であって、
    前記基板処理装置は、
    前記基板を保持する基板保持部と、
    前記基板保持部に保持された前記基板に前記レーザ光を照射するレーザ照射部と、
    粉塵を収集する集塵部と、を有し、
    前記集塵部は、
    前記基板保持部の上方に配置された上部集塵部と、
    前記上部集塵部の下方に対して移動する下部集塵部と、を有し、
    前記基板処理方法は、
    前記基板保持部と前記下部集塵部を前記上部集塵部の下方に移動させることと、
    前記レーザ照射部から前記基板に前記レーザ光を照射しつつ、前記上部集塵部と前記基板及び前記下部集塵部と間の雰囲気を当該上部集塵部で吸引して粉塵を収集することと、を有する、基板処理方法。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61182894A (ja) * 1985-02-07 1986-08-15 Hitachi Ltd アルミナ基板のレ−ザスクライブ法
JPH0952189A (ja) * 1995-06-08 1997-02-25 Amada Co Ltd 熱切断加工機のワークテーブル
JPH1025U (ja) * 1990-09-04 1998-02-03 トランプ インコーポレイテッド レーザ加工ステーション
JP2000343269A (ja) * 1999-06-07 2000-12-12 Hitachi Via Mechanics Ltd レーザー加工機
JP2001347433A (ja) * 2000-06-07 2001-12-18 Hitachi Ltd 吸着システム
JP2010120038A (ja) * 2008-11-18 2010-06-03 Sugino Mach Ltd レーザー加工装置及びレーザー加工方法
JP2020059030A (ja) * 2018-10-05 2020-04-16 株式会社アフレアー 気体供給吸引装置、吸引装置およびレーザ処理装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4993886B2 (ja) 2005-09-07 2012-08-08 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61182894A (ja) * 1985-02-07 1986-08-15 Hitachi Ltd アルミナ基板のレ−ザスクライブ法
JPH1025U (ja) * 1990-09-04 1998-02-03 トランプ インコーポレイテッド レーザ加工ステーション
JPH0952189A (ja) * 1995-06-08 1997-02-25 Amada Co Ltd 熱切断加工機のワークテーブル
JP2000343269A (ja) * 1999-06-07 2000-12-12 Hitachi Via Mechanics Ltd レーザー加工機
JP2001347433A (ja) * 2000-06-07 2001-12-18 Hitachi Ltd 吸着システム
JP2010120038A (ja) * 2008-11-18 2010-06-03 Sugino Mach Ltd レーザー加工装置及びレーザー加工方法
JP2020059030A (ja) * 2018-10-05 2020-04-16 株式会社アフレアー 気体供給吸引装置、吸引装置およびレーザ処理装置

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