WO2022255234A1 - フラックス及びソルダペースト - Google Patents

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WO2022255234A1
WO2022255234A1 PCT/JP2022/021679 JP2022021679W WO2022255234A1 WO 2022255234 A1 WO2022255234 A1 WO 2022255234A1 JP 2022021679 W JP2022021679 W JP 2022021679W WO 2022255234 A1 WO2022255234 A1 WO 2022255234A1
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mass
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rosin
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PCT/JP2022/021679
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智洋 山亀
秀太 赤塚
咲枝 岡田
敬佑 篠崎
剣太 井上
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千住金属工業株式会社
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    • B23K35/262—Sn as the principal constituent

Definitions

  • the present invention relates to fluxes and solder pastes. This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2021-091197 filed in Japan on May 31, 2021, the contents of which are incorporated herein.
  • Flux used for soldering chemically removes the metal surface of the object to be soldered and the metal oxide present in the solder, and has the effect of enabling the movement of metal elements at the boundary between the two. . Therefore, by performing soldering using flux, an intermetallic compound is formed between the two, and a strong bond can be obtained.
  • Such fluxes generally contain resin components, solvents, activators, thixotropic agents, and the like.
  • Solder paste is a composite material obtained by mixing solder alloy powder and flux. In soldering using solder paste, solder paste is first printed on a board, then components are mounted, and the board with the components mounted thereon is heated in a heating furnace called a reflow furnace.
  • Electrodes of the electronic component mounting substrate may be applied to various surface treatments such as NiAu plating, Cu-Organic Solderability Preservative (Cu-OSP) treatment, and Sn plating may be applied to the electrodes of the electronic component mounting substrate, depending on the application. Flux and solder paste are desired to exhibit good wettability to any of these various surface-treated electrodes.
  • Cu-OSP Cu-Organic Solderability Preservative
  • Sn plating may be applied to the electrodes of the electronic component mounting substrate, depending on the application. Flux and solder paste are desired to exhibit good wettability to any of these various surface-treated electrodes.
  • Patent Document 1 describes a flux containing p-toluenesulfonic acid as an activator.
  • Patent Document 1 may not exhibit good wettability, depending on the type of surface treatment, even among electrodes subjected to various surface treatments.
  • moisture contained in the flux, gasified flux, etc. may form voids in the joint. Voids reduce the reliability of components mounted by soldering.
  • the present invention provides a flux and a solder paste that can improve the wettability of electrodes that have been subjected to various surface treatments and that can suppress the generation of voids even after multiple reflow cycles. for the purpose.
  • the present invention includes the following aspects.
  • the organic sulfonic acid is one or more selected from the group consisting of alkanesulfonic acids, alkanolsulfonic acids and aromatic sulfonic acids.
  • the content is 5% by mass or more and 50% by mass or less relative to the total amount (100% by mass) of the flux, and the content of the rosin amine is 5% by mass or more relative to the total amount (100% by mass) of the flux.
  • the content of the organic sulfonic acid is 0.2% by mass or more and 10% by mass or less with respect to the total amount (100% by mass) of the flux, and the content ratio of the rosin amine (mass ratio) is 3.33 or more and 10 or less with respect to the content of the organic sulfonic acid.
  • [7] containing rosin, azoles, one or more organic sulfonic acids selected from the group consisting of alkanesulfonic acids, alkanolsulfonic acids and aromatic sulfonic acids, a thixotropic agent, and a solvent, is 5% by mass or more and 50% by mass or less with respect to the total amount (100% by mass) of the flux, and the content of the azole is 1% by mass with respect to the total amount (100% by mass) of the flux % or more and 10% by mass or less, the content of the organic sulfonic acid is 0.2% or more and 10% or less by mass with respect to the total amount (100% by mass) of the flux, and the content of the azole is A flux whose ratio (mass ratio) is 1 or more and 3 or less with respect to the content of the organic sulfonic acid.
  • [8] containing rosin, guanidines, one or more organic sulfonic acids selected from the group consisting of alkanesulfonic acids, alkanolsulfonic acids and aromatic sulfonic acids, a thixotropic agent, and a solvent is 5% by mass or more and 50% by mass or less with respect to the total amount (100% by mass) of the flux, and the content of the guanidines is 2% by mass with respect to the total amount (100% by mass) of the flux % or more and 20 mass % or less, the content of the organic sulfonic acid is 0.2 mass % or more and 10 mass % or less with respect to the total amount (100 mass %) of the flux, and the content of the guanidines is A flux having a ratio (mass ratio) of 1.66 or more and 5 or less with respect to the content of the organic sulfonic acid.
  • a flux and a solder paste are provided which are capable of improving the wettability of electrodes subjected to various surface treatments and suppressing the generation of voids even after multiple reflow cycles. be able to.
  • FIG. 4 is a graph showing temperature changes during reflow in evaluation of wettability and void generation in Examples. Photographs showing wetness of substrates after reflow solder paste is printed on NiAu-plated substrates, Cu-OSP-treated glass epoxy substrates, and Sn-plated substrates, and diagrams showing wettability criteria. is.
  • the flux of this embodiment contains a rosin, an amine, an organic sulfonic acid, a thixotropic agent, and a solvent.
  • rosin includes natural resins containing abietic acid as a main component, mixtures of abietic acid and its isomers, and chemically modified natural resins (sometimes referred to as rosin derivatives). do.
  • the content of abietic acid in the natural resin is, for example, 40% by mass or more and 80% by mass or less.
  • the term “main component” refers to a component whose content in the compound is 40% by mass or more among the components constituting the compound.
  • abietic acid Representative isomers of abietic acid include neoabietic acid, parastric acid, and levopimaric acid.
  • the structure of abietic acid is shown below.
  • Examples of the "natural resin” include gum rosin, wood rosin and tall oil rosin.
  • a chemically modified natural resin refers to hydrogenation, dehydrogenation, neutralization, alkylene oxide addition, amidation, dimerization and multimerization of the above “natural resin", It includes those subjected to one or more treatments selected from the group consisting of esterification and Diels-Alder cycloaddition.
  • rosin derivatives include purified rosin and modified rosin.
  • Modified rosins include hydrogenated rosin, polymerized rosin, polymerized hydrogenated rosin, disproportionated rosin, acid-modified rosin, rosin ester, acid-modified hydrogenated rosin, acid-modified hydrogenated rosin, acid-modified disproportionated rosin, anhydrous Acid-modified disproportionated rosin, phenol-modified rosin and ⁇ , ⁇ unsaturated carboxylic acid-modified products (acrylated rosin, maleated rosin, fumarated rosin, etc.), and purified products, hydrides and disproportionated products of the polymerized rosin, and refined products, hydrides and disproportions of modified ⁇ , ⁇ -unsaturated carboxylic acids, rosin alcohols, hydrogenated rosin alcohols, rosin esters, hydrogenated rosin esters, rosin soaps, hydrogenated rosin soaps, acid
  • rosin does not include rosinamine.
  • One type of rosin may be used alone, or two or more types may be mixed and used.
  • the rosin derivative among the above, it is preferable to use one or more selected from the group consisting of acid-modified hydrogenated rosin and rosin ester.
  • the acid-modified hydrogenated rosin it is preferable to use an acrylic acid-modified hydrogenated rosin.
  • the content of the rosin in the flux is preferably 5% by mass or more and 50% by mass or less, and 10% by mass or more and 45% by mass or less with respect to the total amount (100% by mass) of the flux. is more preferable, and more preferably 15% by mass or more and 40% by mass or less.
  • amines include rosin amines, azoles, guanidines, alkylamine compounds, aminoalcohol compounds and the like.
  • Rosinamines include, for example, dehydroabiethylamine and dihydroabiethylamine. Rosinamines may be used singly or in combination of two or more. Rosinamine means so-called disproportionated rosinamine. The structures of dehydroabiethylamine and dihydroabiethylamine are shown below.
  • azoles examples include 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl- 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino -6-[2′-methylimidazolyl-
  • guanidines examples include 1,3-diphenylguanidine, 1,3-di-o-tolylguanidine, 1-o-tolylbiguanide, 1,3-di-o-cumenylguanidine, 1,3-di- and o-cumenyl-2-propionylguanidine.
  • alkylamine compounds include ethylamine, triethylamine, ethylenediamine, triethylenetetramine, cyclohexylamine, hexadecylamine, and stearylamine.
  • aminoalcohol compounds examples include N,N,N',N'-tetrakis(2-hydroxypropyl)ethylenediamine and the like.
  • Amines may be used singly or in combination of two or more.
  • the amine preferably contains one or more selected from the group consisting of rosinamine, azoles and guanidines, and contains one or more selected from the group consisting of rosinamine and azoles. is more preferred, and it is even more preferred to contain an azole.
  • the azoles are preferably one or more selected from the group consisting of 2-ethylimidazole and 2-phenyl-4-methylimidazole.
  • the guanidines are preferably ditolylguanidine.
  • the total content of the amine in the flux is preferably 1% by mass or more and 30% by mass or less, and 2% by mass or more and 20% by mass or less with respect to the total amount (100% by mass) of the flux. more preferably 3% by mass or more and 15% by mass or less, and particularly preferably 3% by mass or more and 10% by mass or less.
  • the content of the amine is within the above range, the wettability with respect to electrodes subjected to various surface treatments can be made more excellent.
  • the content of the azoles in the flux is preferably 1% by mass or more and 10% by mass or less with respect to the total amount (100% by mass) of the flux. It is more preferably 8% by mass or more, and even more preferably 3% by mass or more and 6% by mass or less.
  • the content of the azole is within the above range, the wettability with respect to electrodes subjected to various surface treatments can be made more excellent.
  • the content ratio (mass ratio) of the azoles in the flux is preferably 0.3 or more and 10 or less with respect to the content of the organic sulfonic acid, It is more preferably 1 or more and 3 or less.
  • the content of the rosin amine in the flux is preferably 5% by mass or more and 30% by mass or less with respect to the total amount (100% by mass) of the flux, and 7% by mass. It is more preferably at least 20% by mass, and even more preferably at least 10% by mass and not more than 15% by mass.
  • the content of the rosin amine is within the above range, the wettability to electrodes subjected to various surface treatments can be made more excellent.
  • the content ratio (mass ratio) of the rosin amine in the flux is preferably 1 or more and 20 or less, more preferably 2 or more and 10 or less, relative to the content of the organic sulfonic acid. is more preferably 3.33 or more and 10 or less.
  • the content of the guanidines in the flux is preferably 2% by mass or more and 20% by mass or less with respect to the total amount (100% by mass) of the flux. It is more preferably 15% by mass or more, and even more preferably 5% by mass or more and 10% by mass or less.
  • the content of the guanidines is within the above range, the wettability with respect to electrodes subjected to various surface treatments can be made more excellent.
  • the content ratio (mass ratio) of the guanidines in the flux is preferably 0.5 or more and 10 or less with respect to the content of the organic sulfonic acid, It is more preferably 1 or more and 5 or less, and even more preferably 1.66 or more and 5 or less.
  • Organic sulfonic acids include aliphatic sulfonic acids and aromatic sulfonic acids.
  • Examples of aliphatic sulfonic acids include alkanesulfonic acids and alkanolsulfonic acids.
  • alkanesulfonic acids include methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, 1-propanesulfonic acid, 2-propanesulfonic acid, 1-butanesulfonic acid, 2-butanesulfonic acid, pentanesulfonic acid, hexanesulfonic acid, and decanesulfonic acid. acid, dodecanesulfonic acid, and the like.
  • Alkanolsulfonic acids include, for example, 2-hydroxyethane-1-sulfonic acid, 2-hydroxypropane-1-sulfonic acid, 2-hydroxybutane-1-sulfonic acid, 2-hydroxypentane-1-sulfonic acid, 1- Hydroxypropane-2-sulfonic acid, 3-hydroxypropane-1-sulfonic acid, 4-hydroxybutane-1-sulfonic acid, 2-hydroxyhexane-1-sulfonic acid, 2-hydroxydecane-1-sulfonic acid and 2- Hydroxydodecane-1-sulfonic acid and the like can be mentioned.
  • aromatic sulfonic acids examples include 1-naphthalenesulfonic acid, 2-naphthalenesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, xylenesulfonic acid, p-phenolsulfonic acid, cresolsulfonic acid, sulfosalicylic acid, nitrobenzenesulfonic acid, and sulfobenzoic acid. acid and diphenylamine-4-sulfonic acid, and the like.
  • organic sulfonic acid may be used alone, or two or more types may be mixed and used.
  • the organic sulfonic acid preferably contains an aromatic sulfonic acid.
  • the aromatic sulfonic acid is preferably p-toluenesulfonic acid.
  • the aliphatic sulfonic acid is an alkanesulfonic acid.
  • the alkanesulfonic acid is methanesulfonic acid.
  • the content of the organic sulfonic acid in the flux is preferably 0.2% by mass or more and 10% by mass or less, and 0.5% by mass or more and 5 It is more preferably 0.5% by mass or more and 3% by mass or less, and particularly preferably 1% by mass or more and 3% by mass or less.
  • the content of the organic sulfonic acid is within the above range or more, the wettability of electrodes subjected to various surface treatments can be enhanced, and voids can be prevented from occurring even after multiple reflow cycles. can be suppressed.
  • thixotropic agent examples include ester-based thixotropic agents, amide-based thixotropic agents, and sorbitol-based thixotropic agents.
  • ester-based thixotropic agents examples include ester compounds, and specific examples include hydrogenated castor oil and ethyl myristate.
  • amide-based thixotropic agents include monoamides, bisamides, and polyamides, and specific examples include lauric acid amide, palmitic acid amide, stearic acid amide, behenic acid amide, hydroxystearic acid amide, saturated fatty acid amide, and oleic acid.
  • the cyclic amide oligomer includes an amide oligomer obtained by cyclic polycondensation of dicarboxylic acid and diamine, an amide oligomer obtained by cyclic polycondensation of tricarboxylic acid and diamine, an amide oligomer obtained by cyclic polycondensation of dicarboxylic acid and triamine, and tricarboxylic acid.
  • amide oligomer obtained by cyclic polycondensation of and triamine amide oligomer obtained by cyclic polycondensation of and triamine
  • amide oligomer obtained by cyclic polycondensation of dicarboxylic acid or tricarboxylic acid and diamine amide oligomer obtained by cyclic polycondensation of dicarboxylic acid or tricarboxylic acid and triamine
  • dicarboxylic acid and diamine and cyclic polycondensation of triamine amide oligomers of cyclic polycondensation of tricarboxylic acid and diamine and triamine
  • amide oligomers of cyclic polycondensation of dicarboxylic acid and tricarboxylic acid and diamine and triamine amide oligomers of cyclic polycondensation of dicarboxylic acid and tricarboxylic acid and diamine and triamine, and the like.
  • the non-cyclic amide oligomer is an amide oligomer obtained by acyclic polycondensation of a monocarboxylic acid and a diamine and/or triamine
  • an amide obtained by acyclic polycondensation of a dicarboxylic acid and/or tricarboxylic acid and a monoamine For example, it may be an oligomer.
  • the monocarboxylic acid and monoamine function as terminal molecules, resulting in a non-cyclic amide oligomer with a reduced molecular weight.
  • non-cyclic amide oligomer When the non-cyclic amide oligomer is an amide compound obtained by non-cyclic polycondensation of dicarboxylic acid and/or tricarboxylic acid and diamine and/or triamine, it becomes a non-cyclic high-molecular-weight amide polymer. Furthermore, non-cyclic amide oligomers include amide oligomers in which a monocarboxylic acid and a monoamine are condensed acyclically.
  • sorbitol-based thixotropic agents examples include dibenzylidene-D-sorbitol, bis(4-methylbenzylidene)-D-sorbitol, (D-) sorbitol, monobenzylidene (-D-) sorbitol, and mono(4-methylbenzylidene). -(D-) sorbitol and the like.
  • the thixotropic agents may be used singly or in combination of two or more.
  • the thixotropic agent preferably contains an ester-based thixotropic agent.
  • the ester-based thixotropic agent preferably contains hydrogenated castor oil.
  • the content of the thixotropic agent in the flux is preferably 3% by mass or more and 20% by mass or less, and is 5% by mass or more and 15% by mass or less with respect to the total amount (100% by mass) of the flux. is more preferable, and more preferably 7% by mass or more and 10% by mass or less.
  • solvents include water, alcohol solvents, glycol ether solvents, terpineols and the like.
  • alcohol solvents include isopropyl alcohol, 1,2-butanediol, isobornylcyclohexanol, 2,4-diethyl-1,5-pentanediol, 2,2-dimethyl-1,3-propanediol, 2,5-dimethyl-2,5-hexanediol, 2,5-dimethyl-3-hexyne-2,5-diol, 2,3-dimethyl-2,3-butanediol, 2-methylpentane-2,4 -diol, 1,1,1-tris(hydroxymethyl)propane, 2-ethyl-2-hydroxymethyl-1,3-propanediol, 2,2′-oxybis(methylene)bis(2-ethyl-1,3 -propanediol), 2,2-bis(hydroxymethyl)
  • glycol ether solvents examples include diethylene glycol mono-2-ethylhexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, diethylene glycol monohexyl ether (hexyl diglycol), diethylene glycol dibutyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, methylpropylene triglycol, butyl Propylene triglycol, triethylene glycol butyl methyl ether, tetraethylene glycol dimethyl ether and the like.
  • a solvent may be used individually by 1 type, and may be used in mixture of 2 or more types.
  • the solvent preferably contains a glycol ether solvent.
  • the glycol ether-based solvent preferably contains hexyldiglycol.
  • the total content of the solvent in the flux is preferably 40% by mass or more and 80% by mass or less, and 40% by mass or more and 75% by mass or less with respect to the total amount (100% by mass) of the flux. more preferably 50% by mass or more and 75% by mass or less.
  • the flux in the present embodiment may optionally contain other components in addition to the rosin, amine, organic sulfonic acid, thixotropic agent and solvent.
  • Other components include activators other than amines and organic sulfonic acids, resin components other than rosin, metal deactivators, surfactants, silane coupling agents, antioxidants, colorants, and the like.
  • activators other than amines and organic sulfonic acids include other organic acid-based activators (that is, organic acids other than organic sulfonic acids), halogen-based activators, and the like.
  • organic acid activators examples include carboxylic acids. Examples of carboxylic acids include aliphatic carboxylic acids and aromatic carboxylic acids. Examples of organic acid surfactants include oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, azelaic acid, eicosanedioic acid, salicylic acid, dipicolinic acid, dibutylaniline diglycolic acid, suberic acid, sebacic acid, and terephthalic acid.
  • carboxylic acids examples include aliphatic carboxylic acids and aromatic carboxylic acids.
  • organic acid surfactants include oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, azelaic acid, eicosanedioic acid, salicylic acid, dipicolinic acid, dibutylaniline diglycolic acid, suberic acid, sebacic acid, and terephthalic acid.
  • dimer acid and trimer acid examples include dimer acid which is a reaction product of oleic acid and linoleic acid, trimer acid which is a reaction product of oleic acid and linoleic acid, dimer acid which is a reaction product of acrylic acid, and acrylic acid.
  • trimer acid which is the reactant of methacrylic acid, dimer acid which is the reactant of methacrylic acid, trimer acid which is the reactant of methacrylic acid, dimer acid which is the reactant of acrylic acid and methacrylic acid, reaction of acrylic acid and methacrylic acid trimer acid, a reactant of oleic acid, dimer acid, a reactant of oleic acid, trimer acid, a reactant of oleic acid, dimer acid, a reactant of linoleic acid, trimer acid, a reactant of linoleic acid, linolenic acid trimer acid, which is a reaction product of linolenic acid, dimer acid, which is a reaction product of acrylic acid and oleic acid, trimer acid, which is a reaction product of acrylic acid and oleic acid, acrylic acid and linoleic acid dimer acid that is the reaction product of acrylic acid and linoleic acid, trimer acid that is the
  • dimer acid which is a reaction product of oleic acid and linoleic acid
  • Trimer acid which is a reaction product of oleic acid and linoleic acid, is a trimer having 54 carbon atoms.
  • organic acid-based activators may be used singly or in combination of two or more.
  • Other organic acid-based activators are preferably carboxylic acids.
  • the carboxylic acid is preferably an aliphatic carboxylic acid.
  • the aliphatic carboxylic acid is preferably an aliphatic dicarboxylic acid.
  • the aliphatic dicarboxylic acid is adipic acid.
  • the content of the other organic acid activator in the flux is preferably 0% by mass or more and 10% by mass or less, more preferably 0% by mass or more and 5% by mass, relative to the total amount (100% by mass) of the flux. % or less, and more preferably 0 mass % or more and 3 mass % or less.
  • the content of the other organic acid-based activator is within the above range, it becomes easier to suppress the generation of voids even after multiple reflows.
  • Halogen activator examples include amine hydrohalides and organic halogen compounds other than amine hydrohalides.
  • An amine hydrohalide is a compound obtained by reacting an amine with a hydrogen halide.
  • the amines used herein include aliphatic amines, azoles, guanidines and the like.
  • Hydrogen halides include, for example, hydrides of chlorine, bromine and iodine.
  • Examples of aliphatic amines include ethylamine, diethylamine, triethylamine, ethylenediamine and the like.
  • Guanidines and azoles include those described above in ⁇ Amine>.
  • amine hydrohalides include, for example, cyclohexylamine hydrobromide, hexadecylamine hydrobromide, stearylamine hydrobromide, ethylamine hydrobromide, diphenyl guanidine hydrobromide, ethylamine hydrobromide, stearylamine hydrochloride, diethylaniline hydrochloride, diethanolamine hydrochloride, 2-ethylhexylamine hydrobromide, pyridine hydrobromide, isopropylamine hydrobromide, Diethylamine hydrobromide, dimethylamine hydrobromide, dimethylamine hydrochloride, rosinamine hydrobromide, 2-ethylhexylamine hydrochloride, isopropylamine hydrochloride, cyclohexylamine hydrochloride, 2-pipecoline hydrobromide 1,3-diphenylguanidine hydrochloride, dimethylbenzylamine hydrochloride, di
  • halogen-based activator for example, a salt obtained by reacting an amine with tetrafluoroboric acid (HBF 4 ) and a complex obtained by reacting an amine with boron trifluoride (BF 3 ) can also be used.
  • the complex include boron trifluoride piperidine and the like.
  • organic halogen compounds other than amine hydrohalides include trans-2,3-dibromo-2-butene-1,4-diol, triallyl isocyanurate hexabromide, tris-(2,3- dibromopropyl), 1-bromo-2-butanol, 1-bromo-2-propanol, 3-bromo-1-propanol, 3-bromo-1,2-propanediol, 1,4-dibromo-2-butanol, 1 ,3-dibromo-2-propanol, 2,3-dibromo-1-propanol, 2,3-dibromo-2-butene-1,4-diol and the like.
  • organic halogen compounds other than amine hydrohalides include halogenated carboxyl compounds, such as 2-iodobenzoic acid, 3-iodobenzoic acid, 2-iodopropionic acid, 5-iodosalicylic acid, 5 -Carboxyl iodides such as iodoanthranilic acid; Carboxyl chloride compounds such as 2-chlorobenzoic acid and 3-chloropropionic acid; 2,3-dibromopropionic acid, 2,3-dibromosuccinic acid, 2-bromobenzoic acid and the like brominated carboxyl compounds, and the like.
  • halogenated carboxyl compounds such as 2-iodobenzoic acid, 3-iodobenzoic acid, 2-iodopropionic acid, 5-iodosalicylic acid, 5 -Carboxyl iodides such as iodoanthranilic acid
  • Carboxyl chloride compounds such
  • Halogen-based activators may be used singly or in combination of two or more.
  • the halogen-based activator is preferably an amine hydrohalide.
  • the amine hydrohalide is preferably a compound obtained by reacting guanidines with hydrogen halide.
  • the compound obtained by reacting guanidines and hydrogen halide is preferably a compound obtained by reacting diphenylguanidine and hydrogen halide.
  • the compound obtained by reacting diphenylguanidine with hydrogen halide is preferably diphenylguanidine hydrobromide.
  • the content of the halogen-based activator in the flux is preferably 0% by mass or more and 5% by mass or less, and 0.2% by mass or more and 3% by mass, relative to the total amount (100% by mass) of the flux. % or less, and more preferably 0.5 mass % or more and 2 mass % or less.
  • Resin components other than rosin resin examples include terpene resins, modified terpene resins, terpene phenol resins, modified terpene phenol resins, styrene resins, modified styrene resins, xylene resins, modified xylene resins, acrylic resins, polyethylene resins, acrylic- Polyethylene copolymer resins, epoxy resins and the like can be mentioned.
  • Modified terpene resins include aromatic modified terpene resins, hydrogenated terpene resins, and hydrogenated aromatic modified terpene resins. Examples of modified terpene phenol resins include hydrogenated terpene phenol resins.
  • Modified styrene resins include styrene acrylic resins, styrene maleic acid resins, and the like.
  • Modified xylene resins include phenol-modified xylene resins, alkylphenol-modified xylene resins, phenol-modified resol-type xylene resins, polyol-modified xylene resins, and polyoxyethylene-added xylene resins.
  • Metal deactivator examples include hindered phenol compounds and nitrogen compounds.
  • the term "metal deactivator” as used herein refers to a compound that has the ability to prevent metal from deteriorating due to contact with a certain compound.
  • a hindered phenolic compound refers to a phenolic compound having a bulky substituent (for example, a branched or cyclic alkyl group such as a t-butyl group) on at least one of the ortho positions of phenol.
  • a bulky substituent for example, a branched or cyclic alkyl group such as a t-butyl group
  • the hindered phenol compound is not particularly limited, and examples thereof include bis[3-(3-tert-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl)propionic acid][ethylenebis(oxyethylene)], N, N '-Hexamethylenebis[3-(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanamide], 1,6-hexanediolbis[3-(3,5-di-tert-butyl-4 -hydroxyphenyl)propionate], 2,2′-methylenebis[6-(1-methylcyclohexyl)-p-cresol], 2,2′-methylenebis(6-tert-butyl-p-cresol), 2,2′ -methylenebis(6-tert-butyl-4-ethylphenol), triethyleneglycol-bis[3-(3-tert-butyl-5-methyl-4-hydroxyphenyl)propionate], 1,6-hexanediol-bis -[3
  • Z is an optionally substituted alkylene group.
  • R 1 and R 2 are each independently an optionally substituted alkyl group, aralkyl group, aryl group, heteroaryl group, cycloalkyl or a heterocycloalkyl group, and R 3 and R 4 are each independently an optionally substituted alkyl group.
  • nitrogen compounds in metal deactivators include hydrazide nitrogen compounds, amide nitrogen compounds, triazole nitrogen compounds, and melamine nitrogen compounds.
  • any nitrogen compound having a hydrazide skeleton may be used.
  • -butyl-4-hydroxyphenyl)propionyl]hydrazine decanedicarboxylic acid disalicyloyl hydrazide, N-salicylidene-N'-salicylhydrazide, m-nitrobenzhydrazide, 3-aminophthalhydrazide, phthalic acid dihydrazide, adipic acid hydrazide , oxalobis(2-hydroxy-5-octylbenzylidene hydrazide), N'-benzoylpyrrolidonecarboxylic acid hydrazide, N,N'-bis(3-(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl)propionyl) hydrazine and the like.
  • the amide nitrogen compound may be any nitrogen compound having an amide skeleton, and N,N'-bis ⁇ 2-[3-(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl)propionyloxyl]ethyl ⁇ oxamide and the like.
  • the triazole nitrogen compound may be any nitrogen compound having a triazole skeleton, such as N-(2H-1,2,4-triazol-5-yl) salicylamide, 3-amino-1,2,4-triazole, 3-(N-salicyloyl)amino-1,2,4-triazole and the like.
  • the melamine-based nitrogen compound may be any nitrogen compound having a melamine skeleton, and examples include melamine and melamine derivatives. More specifically, for example, trisaminotriazine, alkylated trisaminotriazine, alkoxyalkylated trisaminotriazine, melamine, alkylated melamine, alkoxyalkylated melamine, N2-butylmelamine, N2,N2-diethylmelamine, N, N,N',N',N'',N''-hexakis(methoxymethyl)melamine and the like.
  • surfactants include nonionic surfactants and weak cationic surfactants.
  • nonionic surfactants include polyethylene glycol, polyethylene glycol-polypropylene glycol copolymers, aliphatic alcohol polyoxyethylene adducts, aromatic alcohol polyoxyethylene adducts, and polyhydric alcohol polyoxyethylene adducts. be done.
  • weak cationic surfactants include terminal diamine polyethylene glycol, terminal diamine polyethylene glycol-polypropylene glycol copolymer, aliphatic amine polyoxyethylene adduct, aromatic amine polyoxyethylene adduct, polyvalent amine polyoxy Ethylene adducts can be mentioned.
  • surfactants other than the above include polyoxyalkylene acetylene glycols, polyoxyalkylene glyceryl ethers, polyoxyalkylene alkyl ethers, polyoxyalkylene esters, polyoxyalkylene alkylamines, polyoxyalkylene alkylamides, and the like.
  • the flux of the present embodiment contains a combination of amine and organic sulfonic acid in addition to rosin, thixotropic agent and solvent, so that it has sufficient wettability for any electrode subjected to various surface treatments. and sufficiently suppresses the generation of voids even after multiple reflow cycles.
  • the Cu-OSP-treated electrode and the Sn-plated electrode are more likely to be oxidized on the surface, and are less likely to get wet.
  • the surface of the Sn-plated electrode is the most easily oxidized, so the Sn-plated electrode is the least wettable.
  • the flux of the present embodiment exhibits sufficient wettability to any of NiAu-plated, Cu-OSP-treated, and Sn-plated electrodes.
  • solder paste The solder paste of this embodiment contains solder alloy powder and the flux described above.
  • the solder alloy powder is a solder powder of single Sn, Sn--Ag-based, Sn--Cu-based, Sn--Ag--Cu-based, Sn--Bi-based, Sn--In-based, etc., or alloys thereof containing Sb , Bi, In, Cu, Zn, As, Ag, Cd, Fe, Ni, Co, Au, Ge, P or the like may be added to the solder alloy powder.
  • the solder alloy powder is a Sn--Pb system or a solder alloy obtained by adding Sb, Bi, In, Cu, Zn, As, Ag, Cd, Fe, Ni, Co, Au, Ge, P, etc. to the Sn--Pb system. powder.
  • the solder alloy powder is preferably a Pb-free solder.
  • the flux content in the solder paste is preferably 5 to 30% by mass, more preferably 5 to 15% by mass, based on the total mass of the solder paste.
  • the solder paste of the present embodiment contains a rosin, an amine, an organic sulfonic acid, a thixotropic agent, and a solvent, so that it can sufficiently wet any electrode that has undergone various surface treatments. In addition, it sufficiently suppresses the generation of voids even after multiple reflow cycles.
  • the Cu-OSP-treated electrode and the Sn-plated electrode are more likely to be oxidized on the surface, and are less likely to get wet.
  • the surface of the Sn-plated electrode is the most easily oxidized, so the Sn-plated electrode is the least wettable.
  • the solder paste of this embodiment exhibits sufficient wettability to any of NiAu-plated, Cu-OSP-treated, and Sn-plated electrodes.
  • Rosin acrylic acid-modified hydrogenated rosin, rosin ester
  • Organic sulfonic acid p-toluenesulfonic acid, methanesulfonic acid
  • Thixotropic agent hydrogenated castor oil
  • solder paste was prepared by mixing the flux of each example and the solder alloy powder described below. Each of the prepared solder pastes contained 10.5% by mass of flux and 89.5% by mass of solder alloy powder.
  • the solder alloy powder in the solder paste is powder made of a solder alloy containing 3% by mass of Ag, 0.5% by mass of Cu, and the balance of Sn.
  • the solder alloy powder has a size (particle size distribution) that satisfies symbol 6 in the powder size classification (Table 2) in JIS Z 3284-1:2014.
  • a NiAu-plated substrate, a Cu-OSP-treated glass epoxy substrate, and a Sn-plated substrate were prepared.
  • the prepared solder paste was printed on each substrate with a land size of 8 mm ⁇ 8 mm and a mask thickness of 80 ⁇ m. Then, the board on which the solder paste was printed was subjected to reflow treatment.
  • the reflow conditions were to raise the temperature to 150°C at a rate of 2°C/sec, raise the temperature from 150 to 180°C for 80 seconds, then raise the temperature from 180 to 240°C at a rate of 2°C/sec, and hold the temperature at 220°C or higher for 40 seconds. and Reflow was performed at an oxygen concentration of 80-150 ppm under N2 atmosphere. A graph showing temperature changes during reflow is shown in FIG. The surface state of each substrate after reflow was evaluated according to the following criteria. The evaluation results of Examples 1-11 and Comparative Examples 1-9 are shown in Tables 1-2.
  • Solder paste is printed on a NiAu-plated board, a Cu-OSP-treated glass epoxy board, and a Sn-plated board, and photographs showing the state of wetting of the boards after reflow and the determination criteria for wetting are shown in FIG. It was shown to.
  • FIG. 2 shows, from the left, a substrate plated with NiAu, a glass epoxy substrate treated with Cu-OSP, and a substrate plated with Sn.
  • Criteria for initial void area ratio A: The initial void area ratio is less than 10%. B: The initial void area ratio is 10% or more.
  • the evaluation results of Examples 1-11 and Comparative Examples 1-9 are shown in Tables 1-2.
  • each paste-printed pad having an initial void area ratio evaluation of A was subjected to reflow twice under the same conditions. That is, the same pad was reflowed three times in total. Then, for each of the 10 pads, the ratio of the total void area to the pad land area was calculated. The average value of the obtained ratios was calculated, and the rate of increase with respect to the initial void area rate was calculated as the void area rate of increase.
  • Criteria for void area increase rate A: The void increase rate is less than 5%.
  • the evaluation results of Examples 1-11 and Comparative Examples 3-5, 7 and 9 are shown in Tables 1-2.
  • the flux of Example 1 containing an amine and an organic sulfonic acid has a wettability of A for NiAu plated substrates, a wettability of A for Cu-OSP treated glass epoxy substrates, a wettability of B for Sn plated substrates, and initial voids.
  • A was the area ratio, and A was the void area increase rate.
  • the flux of Comparative Example 1 containing neither amine nor organic sulfonic acid had a wettability of A to the NiAu plated substrate, a wettability of C to the Cu-OSP treated glass epoxy substrate, and a wettability of C to the Sn plated substrate. was C, and the initial void area ratio was B.
  • the flux of Example 3 containing an amine and an organic sulfonic acid has a wettability of A for NiAu plated substrates, A for Cu-OSP treated glass epoxy substrates, B for Sn plated substrates, and initial voids.
  • A was the area ratio
  • A was the void area increase rate.
  • the flux of Comparative Example 4 containing no organic sulfonic acid had a wettability of A to the NiAu plated substrate, A to the Cu-OSP treated glass epoxy substrate, and C to the Sn plated substrate.
  • the initial void area ratio was A
  • the void area increase ratio was A.
  • the flux of Example 5 containing an amine and an organic sulfonic acid had a wetting of A for NiAu plated substrates, A for wetting of Cu—OSP treated glass epoxy substrates, B for wetting of Sn plated substrates, and initial voids.
  • A was the area ratio
  • A was the void area increase rate.
  • the flux of Comparative Example 6 containing no organic sulfonic acid had a wettability of A to the NiAu plated substrate, A to the Cu-OSP treated glass epoxy substrate, and B to the Sn plated substrate.
  • the initial void area ratio was B.
  • the flux of Example 9 containing an amine and an organic sulfonic acid has a NiAu plated substrate wetting of A, a Cu-OSP treated glass epoxy substrate wetting of B, a Sn plated substrate of Wetting B, and an initial void.
  • A was the area ratio
  • A was the void area increase rate.
  • the flux of Comparative Example 8 containing no organic sulfonic acid had a wettability of A to the NiAu plated substrate, a wettability of C to the Cu—OSP treated glass epoxy substrate, and a wettability of C to the Sn plated substrate.
  • the initial void area ratio was B.
  • the flux of Example 1 containing an amine and an organic sulfonic acid has a wettability of A for NiAu plated substrates, a wettability of A for Cu-OSP treated glass epoxy substrates, a wettability of B for Sn plated substrates, and initial voids.
  • A was the area ratio, and A was the void area increase rate.
  • the flux of Comparative Example 5 containing no amine the wettability of the NiAu plated substrate was B, the wettability of the Cu-OSP treated glass epoxy substrate was B, and the wettability of the Sn plated substrate was C.
  • A was the void area ratio, and A was the void area increase rate.
  • the flux of Comparative Example 2 which did not contain an organic acid, had C in wetting of the Sn-plated substrate and B in initial void area ratio.
  • the flux of Comparative Example 4 which has an adipic acid content of 3% by mass and does not contain an organic sulfonic acid, has a Sn-plated substrate wettability of C, an initial void area ratio of A, and a void area increase rate of A. Met.
  • the fluxes of Examples 1 to 11 containing amine and organic sulfonic acid had a wettability of A to NiAu plated substrates, A or B to Cu-OSP treated glass epoxy substrates, and a wettability of A to Sn plated substrates.
  • B the initial void area ratio was A
  • the void area increase rate was A.
  • the fluxes and solder pastes of Examples 1 to 11 of the present invention contain amines and organic sulfonic acids to provide sufficient wettability to NiAu plated substrates, Cu-OSP treated glass epoxy substrates, and Sn plated substrates.
  • the initial void area ratio and the void area increase rate could be sufficiently reduced.
  • the fluxes of Examples 1 and 3 to 8 of the present invention which contain rosin amine or imidazole and have an organic sulfonic acid content of 1% by mass or more with respect to the total amount of the flux, are NiAu plated substrates, Cu-OSP Excellent wetting was achieved for both the treated glass-epoxy substrate and the Sn-plated substrate.
  • a flux and a solder paste are provided which are capable of improving the wettability of electrodes subjected to various surface treatments and suppressing the generation of voids even after multiple reflow cycles. be able to.
  • This solder paste and flux can be suitably used for soldering involving multiple reflows.

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Abstract

ロジンと、ロジンアミンと、アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸及び芳香族スルホン酸からなる群より選択される１種以上の有機スルホン酸と、チキソ剤と、溶剤とを含有し、前記ロジンの含有量が、フラックスの総量（１００質量％）に対して、５質量％以上５０質量％以下であり、前記ロジンアミンの含有量が、フラックスの総量（１００質量％）に対して、５質量％以上３０質量％以下であり、前記有機スルホン酸の含有量が、フラックスの総量（１００質量％）に対して、０．２質量％以上１０質量％以下であり、前記ロジンアミンの含有量の割合（質量比）は、前記有機スルホン酸の含有量に対して、３．３３以上１０以下である、フラックスを採用する。

Description

フラックス及びソルダペースト
　本発明は、フラックス及びソルダペーストに関する。
　本願は、２０２１年５月３１日に、日本に出願された特願２０２１－０９１１９７号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　はんだ付けに用いられるフラックスは、はんだ付けの対象となる接合対象物の金属表面及びはんだに存在する金属酸化物を化学的に除去し、両者の境界で金属元素の移動を可能にする効能を持つ。このため、フラックスを使用してはんだ付けを行うことで、両者の間に金属間化合物が形成されるようになり、強固な接合が得られる。このようなフラックスには、一般に、樹脂成分、溶剤、活性剤、チキソ剤等が含まれる。
　ソルダペーストは、はんだ合金の粉末とフラックスとを混合させて得られた複合材料である。ソルダペーストを使用したはんだ付けでは、まず、基板にソルダペーストが印刷された後、部品が搭載され、リフロー炉と称される加熱炉で、部品が搭載された基板が加熱される。
　電子部品実装用基板の電極には、用途に応じて、ＮｉＡｕめっき、Ｃｕ－Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ　Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ（Ｃｕ－ＯＳＰ）処理、Ｓｎめっき等の種々の表面処理が施されている場合がある。フラックス及びソルダペーストにおいては、これらの種々の表面処理が施されたいずれの電極に対しても、良好な濡れ性を発揮することが望まれている。
　フラックス及びソルダペーストは、活性剤を含有することにより、濡れ性を発揮する。例えば、特許文献１には、活性剤としてｐ－トルエンスルホン酸を含有するフラックスが記載されている。
特表平８－５０３１６８号公報
　しかしながら、特許文献１に記載のフラックスは、種々の表面処理が施された電極の中でも、表面処理の種類によっては、良好な濡れ性が発揮されない場合があった。
　ところで、リフロー処理においては、フラックスに含まれる水分、ガス化したフラックス等が、接合部にボイドを形成する場合がある。ボイドは、はんだ付けにより実装された部品の信頼性を低下させる。
　基板の両面に電子部品を実装する、あるいは、多層基板に電子部品を実装する場合には、複数回のリフローが行われる。複数回のリフローにより、接合部にボイドが形成されやすくなる場合がある。
　そこで、本発明は、種々の表面処理が施された電極に対して濡れ性を高められるとともに、複数回のリフロー後であってもボイドの発生を抑制することができるフラックス及びソルダペーストを提供することを目的とする。
　本発明は、以下の態様を含む。
［１］ロジンと、アミンと、有機スルホン酸と、チキソ剤と、溶剤とを含有する、フラックス。
［２］前記有機スルホン酸は、アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸及び芳香族スルホン酸からなる群より選択される１種以上である、［１］に記載のフラックス。
［３］前記有機スルホン酸は、ｐ－トルエンスルホン酸及びメタンスルホン酸からなる群より選択される１種以上である、［２］に記載のフラックス。
［４］前記アミンは、ロジンアミン、アゾール類及びグアニジン類からなる群より選択される１種以上である、［１］～［４］のいずれかに記載のフラックス。
［５］はんだ合金粉末と、［１］～［４］のいずれかに記載のフラックスと、を含有する、ソルダペースト。
［６］ロジンと、ロジンアミンと、アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸及び芳香族スルホン酸からなる群より選択される１種以上の有機スルホン酸と、チキソ剤と、溶剤とを含有し、前記ロジンの含有量が、フラックスの総量（１００質量％）に対して、５質量％以上５０質量％以下であり、前記ロジンアミンの含有量が、フラックスの総量（１００質量％）に対して、５質量％以上３０質量％以下であり、前記有機スルホン酸の含有量が、フラックスの総量（１００質量％）に対して、０．２質量％以上１０質量％以下であり、前記ロジンアミンの含有量の割合（質量比）は、前記有機スルホン酸の含有量に対して、３．３３以上１０以下である、フラックス。
［７］ロジンと、アゾール類と、アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸及び芳香族スルホン酸からなる群より選択される１種以上の有機スルホン酸と、チキソ剤と、溶剤とを含有し、前記ロジンの含有量が、フラックスの総量（１００質量％）に対して、５質量％以上５０質量％以下であり、前記アゾール類の含有量が、フラックスの総量（１００質量％）に対して、１質量％以上１０質量％以下であり、前記有機スルホン酸の含有量が、フラックスの総量（１００質量％）に対して、０．２質量％以上１０質量％以下であり、前記アゾール類の含有量の割合（質量比）は、前記有機スルホン酸の含有量に対して、１以上３以下である、フラックス。
［８］ロジンと、グアニジン類と、アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸及び芳香族スルホン酸からなる群より選択される１種以上の有機スルホン酸と、チキソ剤と、溶剤とを含有し、前記ロジンの含有量が、フラックスの総量（１００質量％）に対して、５質量％以上５０質量％以下であり、前記グアニジン類の含有量が、フラックスの総量（１００質量％）に対して、２質量％以上２０質量％以下であり、前記有機スルホン酸の含有量が、フラックスの総量（１００質量％）に対して、０．２質量％以上１０質量％以下であり、前記グアニジン類の含有量の割合（質量比）は、前記有機スルホン酸の含有量に対して、１．６６以上５以下である、フラックス。
［９］前記有機スルホン酸は、ｐ－トルエンスルホン酸及びメタンスルホン酸からなる群より選択される１種以上である、［６］～［８］のいずれかに記載のフラックス。
［１０］はんだ合金粉末と、［６］～［９］のいずれかに記載のフラックスと、を含有する、ソルダペースト。
　本発明によれば、種々の表面処理が施された電極に対して濡れ性を高められるとともに、複数回のリフロー後であってもボイドの発生を抑制することができるフラックス及びソルダペーストを提供することができる。
実施例における、濡れ性及びボイド発生の評価における、リフロー時の温度変化を示すグラフである。 ＮｉＡｕめっきを施した基板、Ｃｕ－ＯＳＰ処理ガラスエポキシ基板、及びＳｎめっきを施した基板に対し、ソルダペーストを印刷し、リフロー後の基板の濡れの状態を示す写真及び濡れの判定基準を示す図である。
（フラックス）
　本実施形態のフラックスは、ロジンと、アミンと、有機スルホン酸と、チキソ剤と、溶剤とを含有する。
＜ロジン＞
　本発明において「ロジン」とは、アビエチン酸を主成分とする、アビエチン酸とこの異性体との混合物を含む天然樹脂、及び天然樹脂を化学修飾したもの（ロジン誘導体と呼ぶ場合がある）を包含する。
　天然樹脂中のアビエチン酸含有量は、一例として、４０質量％以上８０質量％以下である。
　本明細書において「主成分」とは、化合物を構成する成分のうち、その化合物中の含有量が４０質量％以上の成分をいう。
　アビエチン酸の異性体の代表的なものとしては、ネオアビエチン酸、パラストリン酸、レボピマル酸等が挙げられる。アビエチン酸の構造を以下に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　前記「天然樹脂」としては、例えば、ガムロジン、ウッドロジン及びトール油ロジン等が挙げられる。
　本発明において「天然樹脂を化学修飾したもの（ロジン誘導体）」とは、前記「天然樹脂」に対して水素化、脱水素化、中和、アルキレンオキシド付加、アミド化、二量化及び多量化、エステル化並びにＤｉｅｌｓ－Ａｌｄｅｒ環化付加からなる群より選択される１つ以上の処理を施したものを包含する。
　ロジン誘導体としては、例えば、精製ロジン、変性ロジン等が挙げられる。
　変性ロジンとしては、水添ロジン、重合ロジン、重合水添ロジン、不均化ロジン、酸変性ロジン、ロジンエステル、酸変性水添ロジン、無水酸変性水添ロジン、酸変性不均化ロジン、無水酸変性不均化ロジン、フェノール変性ロジン及びα，β不飽和カルボン酸変性物（アクリル化ロジン、マレイン化ロジン、フマル化ロジン等）、並びに該重合ロジンの精製物、水素化物及び不均化物、並びに該α，β不飽和カルボン酸変性物の精製物、水素化物及び不均化物、ロジンアルコール、水添ロジンアルコール、ロジンエステル、水添ロジンエステル、ロジン石鹸、水添ロジン石鹸、酸変性ロジン石鹸等が挙げられる。
　本明細書において、ロジンは、ロジンアミンを包含しない。
　ロジンは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
　前記ロジン誘導体としては、上記の中でも、酸変性水添ロジン及びロジンエステルからなる群より選択される１種以上を用いることが好ましい。
　前記酸変性水添ロジンとしては、アクリル酸変性水添ロジンを用いることが好ましい。
　前記フラックス中の、前記ロジンの含有量は、前記フラックスの総量（１００質量％）に対して、５質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以上４５質量％以下であることがより好ましく、１５質量％以上４０質量％以下であることが更に好ましい。
＜アミン＞
　アミンとしては、例えば、ロジンアミン、アゾール類、グアニジン類、アルキルアミン化合物、アミノアルコール化合物等が挙げられる。
　ロジンアミンとしては、例えば、デヒドロアビエチルアミン、ジヒドロアビエチルアミン等が挙げられる。
　ロジンアミンは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
　ロジンアミンは、いわゆる不均化ロジンアミンを意味する。
　デヒドロアビエチルアミン、ジヒドロアビエチルアミンの各構造を以下に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 　
　アゾール類としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－エチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－ウンデシルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３－ジヒドロ－１Ｈ－ピロロ［１，２－ａ］ベンズイミダゾール、１－ドデシル－２－メチル－３－ベンジルイミダゾリウムクロライド、２－メチルイミダゾリン、２－フェニルイミダゾリン、２，４－ジアミノ－６－ビニル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－ビニル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物、２，４－ジアミノ－６－メタクリロイルオキシエチル－ｓ－トリアジン、エポキシ－イミダゾールアダクト、２－メチルベンゾイミダゾール、２－オクチルベンゾイミダゾール、２－ペンチルベンゾイミダゾール、２－（１－エチルペンチル）ベンゾイミダゾール、２－ノニルベンゾイミダゾール、２－（４－チアゾリル）ベンゾイミダゾール、ベンゾイミダゾール、１，２，４－トリアゾール、２－（２’－ヒドロキシ－５’－メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（２’－ヒドロキシ－３’－ｔｅｒｔ－ブチル－５’－メチルフェニル）－５－クロロベンゾトリアゾール、２－（２’－ヒドロキシ－３’，５’－ジ－ｔｅｒｔ－アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（２’－ヒドロキシ－５’－ｔｅｒｔ－オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２，２’－メチレンビス［６－（２Ｈ－ベンゾトリアゾール－２－イル）－４－ｔｅｒｔ－オクチルフェノール］、６－（２－ベンゾトリアゾリル）－４－ｔｅｒｔ－オクチル－６’－ｔｅｒｔ－ブチル－４’－メチル－２，２’－メチレンビスフェノール、１，２，３－ベンゾトリアゾール、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（２－エチルヘキシル）アミノメチル］ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（２－エチルヘキシル）アミノメチル］メチルベンゾトリアゾール、２，２’－［［（メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール－１－イル）メチル］イミノ］ビスエタノール、１－（１’，２’－ジカルボキシエチル）ベンゾトリアゾール、１－（２，３－ジカルボキシプロピル）ベンゾトリアゾール、１－［（２－エチルヘキシルアミノ）メチル］ベンゾトリアゾール、２，６－ビス［（１Ｈ－ベンゾトリアゾール－１－イル）メチル］－４－メチルフェノール、５－メチルベンゾトリアゾール、５－フェニルテトラゾール等が挙げられる。
　グアニジン類としては、例えば、１，３－ジフェニルグアニジン、１，３－ジ－ｏ－トリルグアニジン、１－ｏ－トリルビグアニド、１，３－ジ－ｏ－クメニルグアニジン、１，３－ジ－ｏ－クメニル－２－プロピオニルグアニジン等が挙げられる。
　アルキルアミン化合物としては、例えば、エチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、トリエチレンテトラミン、シクロヘキシルアミン、ヘキサデシルアミン、ステアリルアミン等が挙げられる。
　アミノアルコール化合物としては、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（２－ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン等が挙げられる。
　アミンは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
　上記の中でも、前記アミンは、ロジンアミン、アゾール類及びグアニジン類からなる群より選択される１種以上を含有することが好ましく、ロジンアミン及びアゾール類からなる群より選択される１種以上を含有することがより好ましく、アゾール類を含有することが更に好ましい。
　前記アゾール類は、２－エチルイミダゾール及び２－フェニル－４－メチルイミダゾールからなる群より選択される１種以上であることが好ましい。
　前記グアニジン類は、ジトリルグアニジンであることが好ましい。
　前記フラックス中の、前記アミンの合計の含有量は、前記フラックスの総量（１００質量％）に対して、１質量％以上３０質量％以下であることが好ましく、２質量％以上２０質量％以下であることがより好ましく、３質量％以上１５質量％以下であることが更に好ましく、３質量％以上１０質量％以下であることが特に好ましい。
　前記アミンの含有量が前記範囲内であることにより、種々の表面処理が施された電極に対する濡れ性をより優れたものとすることができる。
　前記フラックスがアゾール類を含む場合、前記フラックス中の、前記アゾール類の含有量は、前記フラックスの総量（１００質量％）に対して、１質量％以上１０質量％以下であることが好ましく、２質量％以上８質量％以下であることがより好ましく、３質量％以上６質量％以下であることが更に好ましい。
　前記アゾール類の含有量が前記範囲内であることにより、種々の表面処理が施された電極に対する濡れ性をより優れたものとすることができる。
　前記フラックスがアゾール類を含む場合、前記フラックス中の、前記アゾール類の含有量の割合（質量比）は、有機スルホン酸の含有量に対して、０．３以上１０以下であることが好ましく、１以上３以下であることがより好ましい。
　前記フラックスがロジンアミンを含む場合、前記フラックス中の、前記ロジンアミンの含有量は、前記フラックスの総量（１００質量％）に対して、５質量％以上３０質量％以下であることが好ましく、７質量％以上２０質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以上１５質量％以下であることが更に好ましい。
　前記ロジンアミンの含有量が前記範囲内であることにより、種々の表面処理が施された電極に対する濡れ性をより優れたものとすることができる。
　前記フラックスがロジンアミンを含む場合、前記フラックス中の、前記ロジンアミンの含有量の割合（質量比）は、有機スルホン酸の含有量に対して、１以上２０以下であることが好ましく、２以上１０以下であることがより好ましく、３．３３以上１０以下であることが更に好ましい。
　前記フラックスがグアニジン類を含む場合、前記フラックス中の、前記グアニジン類の含有量は、前記フラックスの総量（１００質量％）に対して、２質量％以上２０質量％以下であることが好ましく、３質量％以上１５質量％以下であることがより好ましく、５質量％以上１０質量％以下であることが更に好ましい。
　前記グアニジン類の含有量が前記範囲内であることにより、種々の表面処理が施された電極に対する濡れ性をより優れたものとすることができる。
　前記フラックスがグアニジン類を含む場合、前記フラックス中の、前記グアニジン類の含有量の割合（質量比）は、有機スルホン酸の含有量に対して、０．５以上１０以下であることが好ましく、１以上５以下であることがより好ましく、１．６６以上５以下であることが更に好ましい。
＜有機スルホン酸＞
　有機スルホン酸としては、例えば、脂肪族スルホン酸、芳香族スルホン酸等が挙げられる。脂肪族スルホン酸としては、例えば、アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸等が挙げられる。
　アルカンスルホン酸としては、例えば、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、１－プロパンスルホン酸、２－プロパンスルホン酸、１－ブタンスルホン酸、２－ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、ヘキサンスルホン酸、デカンスルホン酸、ドデカンスルホン酸等が挙げられる。
　アルカノールスルホン酸としては、例えば、２－ヒドロキシエタン－１－スルホン酸、２－ヒドロキシプロパン－１－スルホン酸、２－ヒドロキシブタン－１－スルホン酸、２－ヒドロキシペンタン－１－スルホン酸、１－ヒドロキシプロパン－２－スルホン酸、３－ヒドロキシプロパン－１－スルホン酸、４－ヒドロキシブタン－１－スルホン酸、２－ヒドロキシヘキサン－１－スルホン酸、２－ヒドロキシデカン－１－スルホン酸および２－ヒドロキシドデカン－１－スルホン酸等が挙げられる。
　芳香族スルホン酸としては、例えば、１－ナフタレンスルホン酸、２－ナフタレンスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ｐ－フェノールスルホン酸、クレゾールスルホン酸、スルホサリチル酸、ニトロベンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸およびジフェニルアミン－４－スルホン酸等が挙げられる。
　有機スルホン酸は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
　前記有機スルホン酸は、芳香族スルホン酸を含有することが好ましい。
　芳香族スルホン酸は、ｐ－トルエンスルホン酸であることが好ましい。
　脂肪族スルホン酸は、アルカンスルホン酸であることが好ましい。
　アルカンスルホン酸は、メタンスルホン酸であることが好ましい。
　前記フラックス中の、前記有機スルホン酸の含有量は、前記フラックスの総量（１００質量％）に対して、０．２質量％以上１０質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以上５質量％以下であることがより好ましく、０．５質量％以上３質量％以下であることが更に好ましく、１質量％以上３質量％以下であることが特に好ましい。
　前記有機スルホン酸の含有量が、前記範囲内以上であることにより、種々の表面処理が施された電極に対して濡れ性を高められるとともに、複数回のリフロー後であってもボイドの発生を抑制することができる。
＜チキソ剤＞
　チキソ剤としては、例えば、エステル系チキソ剤、アマイド系チキソ剤、ソルビトール系チキソ剤等が挙げられる。
　エステル系チキソ剤としては、例えばエステル化合物が挙げられ、具体的には硬化ひまし油、ミリスチン酸エチル等が挙げられる。
　アマイド系チキソ剤としては、例えば、モノアマイド、ビスアマイド、ポリアマイドが挙げられ、具体的には、ラウリン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステアリン酸アミド、ベヘン酸アミド、ヒドロキシステアリン酸アミド、飽和脂肪酸アミド、オレイン酸アミド、エルカ酸アミド、不飽和脂肪酸アミド、４－メチルベンズアミド（ｐ－トルアミド）、ｐ－トルエンメタンアミド、芳香族アミド、ヘキサメチレンヒドロキシステアリン酸アミド、置換アミド、メチロールステアリン酸アミド、メチロールアミド、脂肪酸エステルアミド等のモノアミド；メチレンビスステアリン酸アミド、エチレンビスラウリン酸アミド、エチレンビスヒドロキシ脂肪酸（脂肪酸の炭素数Ｃ６～２４）アミド、エチレンビスヒドロキシステアリン酸アミド、飽和脂肪酸ビスアミド、メチレンビスオレイン酸アミド、不飽和脂肪酸ビスアミド、ｍ－キシリレンビスステアリン酸アミド、芳香族ビスアミド等のビスアミド；飽和脂肪酸ポリアミド、不飽和脂肪酸ポリアミド、芳香族ポリアミド、１，２，３－プロパントリカルボン酸トリス（２－メチルシクロヘキシルアミド）、環状アミドオリゴマー、非環状アミドオリゴマー等のポリアミドが挙げられる。
　前記環状アミドオリゴマーは、ジカルボン酸とジアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、トリカルボン酸とジアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸とトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、トリカルボン酸とトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸及びトリカルボン酸とジアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸及びトリカルボン酸とトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸とジアミン及びトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、トリカルボン酸とジアミン及びトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸及びトリカルボン酸とジアミン及びトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー等が挙げられる。
　また、前記非環状アミドオリゴマーは、モノカルボン酸とジアミン及び／又はトリアミンとが非環状に重縮合したアミドオリゴマーである場合、ジカルボン酸及び／又はトリカルボン酸とモノアミンとが非環状に重縮合したアミドオリゴマーである場合等が挙げられる。モノカルボン酸又はモノアミンを含むアミドオリゴマーであると、モノカルボン酸、モノアミンがターミナル分子（ｔｅｒｍｉｎａｌ　ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ）として機能し、分子量を小さくした非環状アミドオリゴマーとなる。また、非環状アミドオリゴマーは、ジカルボン酸及び／又はトリカルボン酸と、ジアミン及び／又はトリアミンとが非環状に重縮合したアミド化合物である場合、非環状高分子系アミドポリマーとなる。更に、非環状アミドオリゴマーは、モノカルボン酸とモノアミンとが非環状に縮合したアミドオリゴマーも含まれる。
　ソルビトール系チキソ剤としては、例えば、ジベンジリデン－Ｄ－ソルビトール、ビス（４－メチルベンジリデン）－Ｄ－ソルビトール、（Ｄ－）ソルビトール、モノベンジリデン（－Ｄ－）ソルビトール、モノ（４－メチルベンジリデン）－（Ｄ－）ソルビトール等が挙げられる。
　チキソ剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
　前記チキソ剤は、エステル系チキソ剤を含有することが好ましい。
　前記エステル系チキソ剤は、硬化ひまし油を含むことが好ましい。
　前記フラックス中の、前記チキソ剤の含有量は、前記フラックスの総量（１００質量％）に対して、３質量％以上２０質量％以下であることが好ましく、５質量％以上１５質量％以下であることがより好ましく、７質量％以上１０質量％以下であることが更に好ましい。
＜溶剤＞
　溶剤としては、例えば、水、アルコール系溶剤、グリコールエーテル系溶剤、テルピネオール類等が挙げられる。
　アルコール系溶剤としては、例えば、イソプロピルアルコール、１，２－ブタンジオール、イソボルニルシクロヘキサノール、２，４－ジエチル－１，５－ペンタンジオール、２，２－ジメチル－１，３－プロパンジオール、２，５－ジメチル－２，５－ヘキサンジオール、２，５－ジメチル－３－ヘキシン－２，５－ジオール、２，３－ジメチル－２，３－ブタンジオール、２－メチルペンタン－２，４－ジオール、１，１，１－トリス（ヒドロキシメチル）プロパン、２－エチル－２－ヒドロキシメチル－１，３－プロパンジオール、２，２′－オキシビス（メチレン）ビス（２－エチル－１，３－プロパンジオール）、２，２－ビス（ヒドロキシメチル）－１，３－プロパンジオール、１，２，６－トリヒドロキシヘキサン、１－エチニル－１－シクロヘキサノール、１，４－シクロヘキサンジオール、１，４－シクロヘキサンジメタノール、２，４，７，９－テトラメチル－５－デシン－４，７－ジオール等が挙げられる。
　グリコールエーテル系溶剤としては、例えば、ジエチレングリコールモノ－２－エチルヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（ヘキシルジグリコール）、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、メチルプロピレントリグルコール、ブチルプロピレントリグルコール、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル等が挙げられる。
　溶剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
　前記溶剤は、グリコールエーテル系溶剤を含むことが好ましい。
　前記グリコールエーテル系溶剤は、ヘキシルジグリコールを含むことが好ましい。
　前記フラックス中の、前記溶剤の合計の含有量は、前記フラックスの総量（１００質量％）に対して、４０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以上７５質量％以下であることがより好ましく、５０質量％以上７５質量％以下であることが更に好ましい。
＜その他の成分＞
　本実施形態におけるフラックスは、ロジン、アミン、有機スルホン酸、チキソ剤及び溶剤以外に、必要に応じてその他成分を含んでもよい。
　その他成分としては、アミン及び有機スルホン酸以外の活性剤、ロジン以外の樹脂成分、金属不活性化剤、界面活性剤、シランカップリング剤、酸化防止剤、着色剤等が挙げられる。
　アミン及び有機スルホン酸以外の活性剤としては、例えば、その他の有機酸系活性剤（すなわち、有機スルホン酸以外の有機酸）、ハロゲン系活性剤等が挙げられる。
　その他の有機酸系活性剤：
　その他の有機酸系活性剤としては、例えば、カルボン酸等が挙げられる。
　カルボン酸としては、例えば、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。
　有機酸系活性剤としては、例えば、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、アゼライン酸、エイコサン二酸、サリチル酸、ジピコリン酸、ジブチルアニリンジグリコール酸、スベリン酸、セバシン酸、テレフタル酸、ドデカン二酸、パラヒドロキシフェニル酢酸、ピコリン酸、フェニルコハク酸、フタル酸、ラウリン酸、安息香酸、酒石酸、イソシアヌル酸トリス（２－カルボキシエチル）、１，３－シクロヘキサンジカルボン酸、２，２－ビス（ヒドロキシメチル）プロピオン酸、２，２－ビス（ヒドロキシメチル）ブタン酸、２，３－ジヒドロキシ安息香酸、２，４－ジエチルグルタル酸、２－キノリンカルボン酸、３－ヒドロキシ安息香酸、ｐ－アニス酸、ステアリン酸、１２－ヒドロキシステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ピメリン酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、イソペラルゴン酸、カプリン酸、カプロレイン酸、ウンデカン酸、ラウリン酸、リンデル酸、トリデカン酸、ミリストレイン酸、ペンタデカン酸、イソパルミチン酸、パルミトレイン酸、ヒラゴン酸、ヒドノカーピン酸、マーガリン酸、イソステアリン酸、エライジン酸、ペトロセリン酸、モロクチン酸、エレオステアリン酸、タリリン酸、バクセン酸、リミノレイン酸、ベルノリン酸、ステルクリン酸、ノナデカン酸、エイコサン酸、ダイマー酸、トリマー酸、ダイマー酸に水素を添加した水添物である水添ダイマー酸、トリマー酸に水素を添加した水添物である水添トリマー酸等が挙げられる。
　ダイマー酸、トリマー酸としては、例えば、オレイン酸とリノール酸との反応物であるダイマー酸、オレイン酸とリノール酸との反応物であるトリマー酸、アクリル酸の反応物であるダイマー酸、アクリル酸の反応物であるトリマー酸、メタクリル酸の反応物であるダイマー酸、メタクリル酸の反応物であるトリマー酸、アクリル酸とメタクリル酸との反応物であるダイマー酸、アクリル酸とメタクリル酸との反応物であるトリマー酸、オレイン酸の反応物であるダイマー酸、オレイン酸の反応物であるトリマー酸、リノール酸の反応物であるダイマー酸、リノール酸の反応物であるトリマー酸、リノレン酸の反応物であるダイマー酸、リノレン酸の反応物であるトリマー酸、アクリル酸とオレイン酸との反応物であるダイマー酸、アクリル酸とオレイン酸との反応物であるトリマー酸、アクリル酸とリノール酸との反応物であるダイマー酸、アクリル酸とリノール酸との反応物であるトリマー酸、アクリル酸とリノレン酸との反応物であるダイマー酸、アクリル酸とリノレン酸との反応物であるトリマー酸、メタクリル酸とオレイン酸との反応物であるダイマー酸、メタクリル酸とオレイン酸との反応物であるトリマー酸、メタクリル酸とリノール酸との反応物であるダイマー酸、メタクリル酸とリノール酸との反応物であるトリマー酸、メタクリル酸とリノレン酸との反応物であるダイマー酸、メタクリル酸とリノレン酸との反応物であるトリマー酸、オレイン酸とリノレン酸との反応物であるダイマー酸、オレイン酸とリノレン酸との反応物であるトリマー酸、リノール酸とリノレン酸との反応物であるダイマー酸、リノール酸とリノレン酸との反応物であるトリマー酸、上述した各ダイマー酸の水添物である水添ダイマー酸、上述した各トリマー酸の水添物である水添トリマー酸等が挙げられる。
　例えば、オレイン酸とリノール酸との反応物であるダイマー酸は、炭素数が３６の２量体である。また、オレイン酸とリノール酸との反応物であるトリマー酸は、炭素数が５４の３量体である。
　その他の有機酸系活性剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
　その他の有機酸系活性剤は、カルボン酸であることが好ましい。
　カルボン酸は、脂肪族カルボン酸であることが好ましい。
　脂肪族カルボン酸は、脂肪族ジカルボン酸であることが好ましい。
　脂肪族ジカルボン酸は、アジピン酸であることが好ましい。
　前記フラックス中の、その他の有機酸系活性剤の含有量は、前記フラックスの総量（１００質量％）に対して、０質量％以上１０質量％以下であることが好ましく、０質量％以上５質量％以下であることがより好ましく、０質量％以上３質量％以下であることが更に好ましい。
　その他の有機酸系活性剤の含有量が上記範囲内であることにより、複数回のリフロー後であってもボイドの発生を抑制しやすくなる。
　ハロゲン系活性剤：
　ハロゲン系活性剤としては、例えば、アミンハロゲン化水素酸塩、アミンハロゲン化水素酸塩以外の有機ハロゲン化合物等が挙げられる。
　アミンハロゲン化水素酸塩は、アミンとハロゲン化水素とを反応させた化合物である。
ここでのアミンとしては、脂肪族アミン、アゾール類、グアニジン類等が挙げられる。ハロゲン化水素としては、例えば、塩素、臭素、ヨウ素の水素化物が挙げられる。
　脂肪族アミンとしては、例えば、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン等が挙げられる。
　グアニジン類及びアゾール類としては、＜アミン＞において上述したものが挙げられる。
　より具体的には、アミンハロゲン化水素酸塩としては、例えば、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、ヘキサデシルアミン臭化水素酸塩、ステアリルアミン臭化水素酸塩、エチルアミン臭化水素酸塩、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩、エチルアミン塩酸塩、ステアリルアミン塩酸塩、ジエチルアニリン塩酸塩、ジエタノールアミン塩酸塩、２－エチルヘキシルアミン臭化水素酸塩、ピリジン臭化水素酸塩、イソプロピルアミン臭化水素酸塩、ジエチルアミン臭化水素酸塩、ジメチルアミン臭化水素酸塩、ジメチルアミン塩酸塩、ロジンアミン臭化水素酸塩、２－エチルヘキシルアミン塩酸塩、イソプロピルアミン塩酸塩、シクロヘキシルアミン塩酸塩、２－ピペコリン臭化水素酸塩、１，３－ジフェニルグアニジン塩酸塩、ジメチルベンジルアミン塩酸塩、ヒドラジンヒドラート臭化水素酸塩、ジメチルシクロヘキシルアミン塩酸塩、トリノニルアミン臭化水素酸塩、ジエチルアニリン臭化水素酸塩、２－ジエチルアミノエタノール臭化水素酸塩、２－ジエチルアミノエタノール塩酸塩、塩化アンモニウム、ジアリルアミン塩酸塩、ジアリルアミン臭化水素酸塩、ジエチルアミン塩酸塩、トリエチルアミン臭化水素酸塩、トリエチルアミン塩酸塩、ヒドラジン一塩酸塩、ヒドラジン二塩酸塩、ヒドラジン一臭化水素酸塩、ヒドラジン二臭化水素酸塩、ピリジン塩酸塩、アニリン臭化水素酸塩、ブチルアミン塩酸塩、へキシルアミン塩酸塩、ｎ－オクチルアミン塩酸塩、ドデシルアミン塩酸塩、ジメチルシクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、エチレンジアミン二臭化水素酸塩、ロジンアミン臭化水素酸塩、２－フェニルイミダゾール臭化水素酸塩、４－ベンジルピリジン臭化水素酸塩、Ｌ－グルタミン酸塩酸塩、Ｎ－メチルモルホリン塩酸塩、ベタイン塩酸塩、２－ピペコリンヨウ化水素酸塩、シクロヘキシルアミンヨウ化水素酸塩、１，３－ジフェニルグアニジンフッ化水素酸塩、ジエチルアミンフッ化水素酸塩、２－エチルヘキシルアミンフッ化水素酸塩、シクロヘキシルアミンフッ化水素酸塩、エチルアミンフッ化水素酸塩、ロジンアミンフッ化水素酸塩、シクロヘキシルアミンテトラフルオロホウ酸塩、及びジシクロヘキシルアミンテトラフルオロホウ酸塩等が挙げられる。
　また、ハロゲン系活性剤としては、例えば、アミンとテトラフルオロホウ酸（ＨＢＦ４）とを反応させた塩、アミンと三フッ化ホウ素（ＢＦ３）とを反応させた錯体も用いることができる。
　前記錯体としては、例えば、三フッ化ホウ素ピぺリジン等が挙げられる。
　アミンハロゲン化水素酸塩以外の有機ハロゲン化合物としては、例えば、ｔｒａｎｓ－２，３－ジブロモ－２－ブテン－１，４－ジオール、トリアリルイソシアヌレート６臭化物、イソシアヌル酸トリス－（２，３－ジブロモプロピル）、１－ブロモ－２－ブタノール、１－ブロモ－２－プロパノール、３－ブロモ－１－プロパノール、３－ブロモ－１，２－プロパンジオール、１，４－ジブロモ－２－ブタノール、１，３－ジブロモ－２－プロパノール、２，３－ジブロモ－１－プロパノール、２，３－ジブロモ－２－ブテン－１，４－ジオール等が挙げられる。
　また、アミンハロゲン化水素酸塩以外の有機ハロゲン化合物としては、ハロゲン化カルボキシル化合物も挙げられ、例えば、２－ヨード安息香酸、３－ヨード安息香酸、２－ヨードプロピオン酸、５－ヨードサリチル酸、５－ヨードアントラニル酸などのヨウ化カルボキシル化合物；２－クロロ安息香酸、３－クロロプロピオン酸などの塩化カルボキシル化合物；２，３－ジブロモプロピオン酸、２，３－ジブロモコハク酸、２－ブロモ安息香酸などの臭素化カルボキシル化合物等が挙げられる。
　ハロゲン系活性剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
　ハロゲン系活性剤は、アミンハロゲン化水素酸塩であることが好ましい。
　アミンハロゲン化水素酸塩は、グアニジン類とハロゲン化水素とを反応させた化合物であることが好ましい。
　グアニジン類とハロゲン化水素とを反応させた化合物は、ジフェニルグアニジンとハロゲン化水素とを反応させた化合物であることが好ましい。
　ジフェニルグアニジンとハロゲン化水素とを反応させた化合物は、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩であることが好ましい。
　前記フラックス中の、前記ハロゲン系活性剤の含有量は、前記フラックスの総量（１００質量％）に対して、０質量％以上５質量％以下であることが好ましく、０．２質量％以上３質量％以下であることがより好ましく、０．５質量％以上２質量％以下であることが更に好ましい。
　ロジン系樹脂以外の樹脂成分：
　ロジン系樹脂以外の樹脂成分としては、例えば、テルペン樹脂、変性テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペンフェノール樹脂、スチレン樹脂、変性スチレン樹脂、キシレン樹脂、変性キシレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、アクリル－ポリエチレン共重合樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。
　変性テルペン樹脂としては、芳香族変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添芳香族変性テルペン樹脂等が挙げられる。変性テルペンフェノール樹脂としては、水添テルペンフェノール樹脂等が挙げられる。変性スチレン樹脂としては、スチレンアクリル樹脂、スチレンマレイン酸樹脂等が挙げられる。変性キシレン樹脂としては、フェノール変性キシレン樹脂、アルキルフェノール変性キシレン樹脂、フェノール変性レゾール型キシレン樹脂、ポリオール変性キシレン樹脂、ポリオキシエチレン付加キシレン樹脂等が挙げられる。
　金属不活性化剤：
　金属不活性化剤としては、例えば、ヒンダードフェノール系化合物、窒素化合物等が挙げられる。
　ここでいう「金属不活性化剤」とは、ある種の化合物との接触により金属が劣化することを防止する性能を有する化合物をいう。
　ヒンダードフェノール系化合物とは、フェノールのオルト位の少なくとも一方に嵩高い置換基（例えばｔ－ブチル基等の分岐状又は環状アルキル基）を有するフェノール系化合物をいう。
　ヒンダードフェノール系化合物としては、特に限定されず、例えば、ビス［３－（３－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）プロピオン酸］［エチレンビス（オキシエチレン）］、Ｎ，Ｎ’－ヘキサメチレンビス［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロパンアミド］、１，６－ヘキサンジオールビス［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオナート］、２，２’－メチレンビス［６－（１－メチルシクロヘキシル）－ｐ－クレゾール］、２，２’－メチレンビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－ｐ－クレゾール）、２，２’－メチレンビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－４－エチルフェノール）、トリエチレングリコール－ビス［３－（３－ｔｅｒｔ－ブチル－５－メチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１，６－ヘキサンジオール－ビス－［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、２，４－ビス－（ｎ－オクチルチオ）－６－（４－ヒドロキシ－３，５－ジ－ｔ－ブチルアニリノ）－１，３，５－トリアジン、ペンタエリスリチル－テトラキス［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、２，２－チオ－ジエチレンビス［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、オクタデシル－３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート、Ｎ，Ｎ’－ヘキサメチレンビス（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－ヒドロシンナマミド）、３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジルフォスフォネート－ジエチルエステル、１，３，５－トリメチル－２，４，６－トリス（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ’－ビス［２－［２－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）エチルカルボニルオキシ］エチル］オキサミド、下記化学式で表される化合物等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 （式中、Ｚは、置換されてもよいアルキレン基である。Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、置換されてもよい、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、シクロアルキル基又はヘテロシクロアルキル基である。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立して、置換されてもよいアルキル基である。）
　金属不活性化剤における窒素化合物としては、例えば、ヒドラジド系窒素化合物、アミド系窒素化合物、トリアゾール系窒素化合物、メラミン系窒素化合物等が挙げられる。
　ヒドラジド系窒素化合物としては、ヒドラジド骨格を有する窒素化合物であればよく、ドデカン二酸ビス［Ｎ２－（２ヒドロキシベンゾイル）ヒドラジド］、Ｎ，Ｎ’－ビス［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオニル］ヒドラジン、デカンジカルボン酸ジサリチロイルヒドラジド、Ｎ－サリチリデン－Ｎ’－サリチルヒドラジド、ｍ－ニトロベンズヒドラジド、３－アミノフタルヒドラジド、フタル酸ジヒドラジド、アジピン酸ヒドラジド、オキザロビス（２－ヒドロキシ－５－オクチルベンジリデンヒドラジド）、Ｎ’－ベンゾイルピロリドンカルボン酸ヒドラジド、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオニル）ヒドラジン等が挙げられる。
　アミド系窒素化合物としては、アミド骨格を有する窒素化合物であればよく、Ｎ，Ｎ’－ビス｛２－［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシル］エチル｝オキサミド等が挙げられる。
　トリアゾール系窒素化合物としては、トリアゾール骨格を有する窒素化合物であればよく、Ｎ－（２Ｈ－１，２，４－トリアゾール－５－イル）サリチルアミド、３－アミノ－１，２，４－トリアゾール、３－（Ｎ－サリチロイル）アミノ－１，２，４－トリアゾール等が挙げられる。
　メラミン系窒素化合物としては、メラミン骨格を有する窒素化合物であればよく、メラミン、メラミン誘導体等が挙げられる。より具体的には、例えば、トリスアミノトリアジン、アルキル化トリスアミノトリアジン、アルコキシアルキル化トリスアミノトリアジン、メラミン、アルキル化メラミン、アルコキシアルキル化メラミン、Ｎ２－ブチルメラミン、Ｎ２，Ｎ２－ジエチルメラミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’－ヘキサキス（メトキシメチル）メラミン等が挙げられる。
　界面活性剤：
　界面活性剤としては、ノニオン系界面活性剤、弱カチオン系界面活性剤等が挙げられる。
　ノニオン系界面活性剤としては、例えば、ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコール－ポリプロピレングリコール共重合体、脂肪族アルコールポリオキシエチレン付加体、芳香族アルコールポリオキシエチレン付加体、多価アルコールポリオキシエチレン付加体が挙げられる。
　弱カチオン系界面活性剤としては、例えば、末端ジアミンポリエチレングリコール、末端ジアミンポリエチレングリコール－ポリプロピレングリコール共重合体、脂肪族アミンポリオキシエチレン付加体、芳香族アミンポリオキシエチレン付加体、多価アミンポリオキシエチレン付加体が挙げられる。
　上記以外の界面活性剤としては、例えば、ポリオキシアルキレンアセチレングリコール類、ポリオキシアルキレングリセリルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンエステル、ポリオキシアルキレンアルキルアミン、ポリオキシアルキレンアルキルアミド等が挙げられる。
　本実施形態のフラックスは、ロジン、チキソ剤及び溶剤に加え、アミンと有機スルホン酸とを組み合わせて含有することにより、種々の表面処理が施されたいずれの電極に対しても、十分な濡れ性を発揮するとともに、複数回のリフロー後であってもボイドの発生を十分に抑制する。
　ＮｉＡｕめっき処理された電極に比べて、Ｃｕ－ＯＳＰ処理された電極、Ｓｎめっき処理された電極は表面が酸化されやすいため、濡れにくい。また、これら３種類の電極のうち、Ｓｎめっき処理された電極は表面が最も酸化されやすいため、Ｓｎめっき処理された電極は最も濡れにくい。
　本実施形態のフラックスは、ＮｉＡｕめっき、Ｃｕ－ＯＳＰ処理、及びＳｎめっきの処理が施された電極のいずれに対しても、十分な濡れ性を発揮する。
（ソルダペースト）
　本実施形態のソルダペーストは、はんだ合金粉末と、上述したフラックスと、を含有する。
　はんだ合金粉末は、Ｓｎ単体のはんだの粉体、または、Ｓｎ－Ａｇ系、Ｓｎ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ｂｉ系、Ｓｎ－Ｉｎ系等、あるいは、これらの合金にＳｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｓ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｕ、Ｇｅ、Ｐ等を添加したはんだ合金の粉体で構成されてもよい。
　はんだ合金粉末は、Ｓｎ－Ｐｂ系、あるいは、Ｓｎ－Ｐｂ系にＳｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｓ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｕ、Ｇｅ、Ｐ等を添加したはんだ合金の粉体で構成されてもよい。
　はんだ合金粉末は、Ｐｂを含まないはんだであることが好ましい。
　フラックスの含有量：
　ソルダペースト中、フラックスの含有量は、ソルダペーストの全質量に対して５～３０質量％であることが好ましく、５～１５質量％であることがより好ましい。
　本実施形態のソルダペーストは、ロジンと、アミンと、有機スルホン酸と、チキソ剤と、溶剤とを含有することにより、種々の表面処理が施されたいずれの電極に対しても、十分な濡れ性を発揮するとともに、複数回のリフロー後であってもボイドの発生を十分に抑制する。
　ＮｉＡｕめっき処理された電極に比べて、Ｃｕ－ＯＳＰ処理された電極、Ｓｎめっき処理された電極は表面が酸化されやすいため、濡れにくい。また、これら３種類の電極のうち、Ｓｎめっき処理された電極は表面が最も酸化されやすいため、Ｓｎめっき処理された電極は最も濡れにくい。
　本実施形態のソルダペーストは、ＮｉＡｕめっき、Ｃｕ－ＯＳＰ処理、及びＳｎめっきの処理が施された電極のいずれに対しても、十分な濡れ性を発揮する。
　以下、実施例により本発明を説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
＜フラックスの調製＞
　（実施例１～１１、比較例１～９）
　以下の表１から表２に示す組成で実施例及び比較例のフラックスを調合した。
　ロジン：アクリル酸変性水添ロジン、ロジンエステル
　アミン：ロジンアミン、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、２－エチルイミダゾール、１，３－ジ－ｏ－トリルグアニジン（ジトリルグアニジン）
　有機スルホン酸：ｐ－トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸
　その他の活性剤：アジピン酸、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩
　チキソ剤：硬化ひまし油
　溶剤：ヘキシルジグリコール
＜ソルダペーストの調製＞
　各例のフラックスと、下記のはんだ合金粉末と、をそれぞれ混合してソルダペーストを調合した。調合したソルダペーストは、いずれも、フラックスが１０．５質量％、はんだ合金粉末が８９．５質量％である。
　ソルダペースト中のはんだ合金粉末は、Ａｇが３質量％、Ｃｕが０．５質量％、残部がＳｎのはんだ合金からなる粉末である。
　はんだ合金粉末は、ＪＩＳ　Ｚ　３２８４－１：２０１４における粉末サイズの分類（表２）において、記号６を満たすサイズ（粒度分布）である。
＜濡れ性の評価＞
　検証方法：
　基板に対して、ＮｉＡｕめっきを施した基板、Ｃｕ－ＯＳＰ処理ガラスエポキシ基板、及びＳｎめっき施した基板を用意した。
　ランドサイズを８ｍｍ×８ｍｍとし、マスク厚を８０μｍに設定して、それぞれの基板上に、調製したソルダペーストを印刷した。
　次いで、ソルダペーストを印刷した基板をリフロー処理した。
　リフロー条件は、１５０℃まで２℃／秒で昇温させ、１５０～１８０℃で８０秒間昇温した後、１８０～２４０℃まで２℃／秒で昇温させつつ、２２０℃以上で４０秒間保持とした。
　リフローは、Ｎ２雰囲気下、酸素濃度８０～１５０ｐｐｍで行った。
　リフロー時の温度変化を示すグラフを図１に示す。
　リフロー後のそれぞれの基板の表面状態を、次に示す判定基準により評価した。
　実施例１～１１、比較例１～９の評価結果を表１～２に示した。
　判定基準：
　Ａ：印刷面に均一にはんだが濡れている。
　Ｂ：印刷外周部にディウエットが発生している。
　Ｃ：印刷面の半分以上にディウエットが発生している。
　ＮｉＡｕめっきを施した基板、Ｃｕ－ＯＳＰ処理ガラスエポキシ基板、及びＳｎめっき施した基板に対し、ソルダペーストを印刷し、リフロー後の基板の濡れの状態を示す写真及び濡れの判定基準を、図２に示した。図２は、左から、ＮｉＡｕめっきを施した基板、Ｃｕ－ＯＳＰ処理ガラスエポキシ基板、及びＳｎめっきを施した基板であり、上から、濡れの状態の評価がＡ、Ｂ、Ｃである。
＜ボイド発生の評価＞
　検証方法：
　メタルマスク（開口径０．３０ｍｍ、マスク厚８０μｍ）を用いて、基板（Ｃｕ－ＯＳＰ処理ガラスエポキシ基板）上の、１０個のパッド（直径０．２５ｍｍ）にソルダペーストを印刷した。
　ソルダペーストを印刷した基板に対し、＜濡れ性の評価＞と同一の条件でリフローを１回行った。１０個の各パッドにおいて、それぞれ、基板の鉛直方向からＸ線を照射して、透過Ｘ線を解析することにより、ボイド面積を測定した。ボイド面積の測定では、Ｘ線が少なくとも１個のボイドを通過した場合には、ボイドが存在したものとして測定した。ボイドは、直径５μｍ以上のものを検出した。
　次いで、パッドのランド面積に対するボイドの総面積の割合を算出した。得られた割合の平均値を算出し、初期ボイド面積率とした。
　初期ボイド面積率の判定基準：
　Ａ：初期ボイド面積率が、１０％未満である。
　Ｂ：初期ボイド面積率が、１０％以上である。
　実施例１～１１、比較例１～９の評価結果を表１～２に示した。
　続いて、初期ボイド面積率の評価がＡであったペーストが印刷された各パッドに対し、更に、同じ条件でリフローを２回行った。すなわち、同一のパッドに対して計３回のリフローを行った。
　次いで、１０個の各パッドにおいて、それぞれ、パッドのランド面積に対するボイドの総面積の割合を算出した。得られた割合の平均値を算出し、初期ボイド面積率に対する増加率を算出し、ボイド面積増加率とした。
　ボイド面積増加率の判定基準：
　Ａ：ボイド増加率が５％未満である。
　Ｂ：ボイド面積増加率が５％以上である。
　実施例１～１１、比較例３～５、７、９の評価結果を表１～２に示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　アミン及び有機スルホン酸を含む実施例１のフラックスは、ＮｉＡｕめっき基板の濡れがＡであり、Ｃｕ－ＯＳＰ処理ガラスエポキシ基板の濡れがＡであり、Ｓｎめっき基板の濡れがＢであり、初期ボイド面積率がＡであり、ボイド面積増加率はＡであった。
　これに対し、アミン及び有機スルホン酸をいずれも含まない比較例１のフラックスは、ＮｉＡｕめっき基板の濡れはＡであり、Ｃｕ－ＯＳＰ処理ガラスエポキシ基板の濡れがＣであり、Ｓｎめっき基板の濡れがＣであり、初期ボイド面積率がＢであった。
　アミン及び有機スルホン酸を含む実施例３のフラックスは、ＮｉＡｕめっき基板の濡れがＡであり、Ｃｕ－ＯＳＰ処理ガラスエポキシ基板の濡れがＡであり、Ｓｎめっき基板の濡れがＢであり、初期ボイド面積率がＡであり、ボイド面積増加率はＡであった。
　これに対し、有機スルホン酸を含まない比較例４のフラックスは、ＮｉＡｕめっき基板の濡れはＡであり、Ｃｕ－ＯＳＰ処理ガラスエポキシ基板の濡れがＡであり、Ｓｎめっき基板の濡れがＣであり、初期ボイド面積率がＡであり、ボイド面積増加率はＡであった。
　アミン及び有機スルホン酸を含む実施例５のフラックスは、ＮｉＡｕめっき基板の濡れがＡであり、Ｃｕ－ＯＳＰ処理ガラスエポキシ基板の濡れがＡであり、Ｓｎめっき基板の濡れがＢであり、初期ボイド面積率がＡであり、ボイド面積増加率はＡであった。
　これに対し、有機スルホン酸を含まない比較例６のフラックスは、ＮｉＡｕめっき基板の濡れはＡであり、Ｃｕ－ＯＳＰ処理ガラスエポキシ基板の濡れがＡであり、Ｓｎめっき基板の濡れがＢであり、初期ボイド面積率がＢであった。
　アミン及び有機スルホン酸を含む実施例９のフラックスは、ＮｉＡｕめっき基板の濡れがＡであり、Ｃｕ－ＯＳＰ処理ガラスエポキシ基板の濡れがＢであり、Ｓｎめっき基板の濡れがＢであり、初期ボイド面積率がＡであり、ボイド面積増加率はＡであった。
　これに対し、有機スルホン酸を含まない比較例８のフラックスは、ＮｉＡｕめっき基板の濡れはＡであり、Ｃｕ－ＯＳＰ処理ガラスエポキシ基板の濡れがＣであり、Ｓｎめっき基板の濡れがＣであり、初期ボイド面積率がＢであった。
　アミン及び有機スルホン酸を含む実施例１のフラックスは、ＮｉＡｕめっき基板の濡れがＡであり、Ｃｕ－ＯＳＰ処理ガラスエポキシ基板の濡れがＡであり、Ｓｎめっき基板の濡れがＢであり、初期ボイド面積率がＡであり、ボイド面積増加率はＡであった。
　これに対し、アミンを含まない比較例５のフラックスは、ＮｉＡｕめっき基板の濡れはＢであり、Ｃｕ－ＯＳＰ処理ガラスエポキシ基板の濡れはＢであり、Ｓｎめっき基板の濡れがＣであり、初期ボイド面積率がＡであり、ボイド面積増加率はＡであった。
　有機酸を含まない比較例２のフラックスは、Ｓｎめっき基板の濡れがＣであり、初期ボイド面積率がＢであった。
　アジピン酸の含有量が３質量％であり、有機スルホン酸を含まない比較例４のフラックスは、Ｓｎめっき基板の濡れがＣであり、初期ボイド面積率がＡであり、ボイド面積増加率はＡであった。
　また、アジピン酸の含有量が５質量％であり、有機スルホン酸を含まない比較例３のフラックスは、Ｓｎめっき基板の濡れがＢであり、初期ボイド面積率がＡであり、ボイド面積増加率はＢであった。
　また、アジピン酸の含有量が５質量％であり、有機スルホン酸を含まない比較例７、９のフラックスは、初期ボイド面積率がＡであり、ボイド面積増加率はＢであった。
　一方、アミン及び有機スルホン酸を含む実施例１～１１のフラックスは、ＮｉＡｕめっき基板の濡れはＡであり、Ｃｕ－ＯＳＰ処理ガラスエポキシ基板の濡れはＡ又はＢであり、Ｓｎめっき基板の濡れがＢであり、初期ボイド面積率がＡであり、ボイド面積増加率はＡであった。
　本発明の実施例１～１１のフラックス及びソルダペーストは、アミン及び有機スルホン酸を含むことにより、ＮｉＡｕめっき基板、Ｃｕ－ＯＳＰ処理ガラスエポキシ基板、及びＳｎめっき基板に対する濡れを十分なものとすることができるとともに、初期ボイド面積率及びボイド面積増加率を十分に低減することができた。
　ロジンアミン又はイミダゾールを含み、有機スルホン酸の含有量が、フラックスの総量に対して１質量％以上である、本発明の実施例１及び実施例３～８のフラックスは、ＮｉＡｕめっき基板、Ｃｕ－ＯＳＰ処理ガラスエポキシ基板、及びＳｎめっき基板のいずれの基板に対しても濡れを優れたものにすることができた。
　本発明によれば、種々の表面処理が施された電極に対して濡れ性を高められるとともに、複数回のリフロー後であってもボイドの発生を抑制することができるフラックス及びソルダペーストを提供することができる。このソルダペースト及びフラックスは、複数回のリフローを伴うはんだ付けに好適に用いることができる。

Claims (5)

  1. 　ロジンと、ロジンアミンと、アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸及び芳香族スルホン酸からなる群より選択される１種以上の有機スルホン酸と、チキソ剤と、溶剤とを含有し、
    　前記ロジンの含有量が、フラックスの総量（１００質量％）に対して、５質量％以上５０質量％以下であり、
    　前記ロジンアミンの含有量が、フラックスの総量（１００質量％）に対して、５質量％以上３０質量％以下であり、
    　前記有機スルホン酸の含有量が、フラックスの総量（１００質量％）に対して、０．２質量％以上１０質量％以下であり、
    　前記ロジンアミンの含有量の割合（質量比）は、前記有機スルホン酸の含有量に対して、３．３３以上１０以下である、フラックス。
  2. 　ロジンと、アゾール類と、アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸及び芳香族スルホン酸からなる群より選択される１種以上の有機スルホン酸と、チキソ剤と、溶剤とを含有し、
    　前記ロジンの含有量が、フラックスの総量（１００質量％）に対して、５質量％以上５０質量％以下であり、
    　前記アゾール類の含有量が、フラックスの総量（１００質量％）に対して、１質量％以上１０質量％以下であり、
    　前記有機スルホン酸の含有量が、フラックスの総量（１００質量％）に対して、０．２質量％以上１０質量％以下であり、
    　前記アゾール類の含有量の割合（質量比）は、前記有機スルホン酸の含有量に対して、１以上３以下である、フラックス。
  3. 　ロジンと、グアニジン類と、アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸及び芳香族スルホン酸からなる群より選択される１種以上の有機スルホン酸と、チキソ剤と、溶剤とを含有し、
    　前記ロジンの含有量が、フラックスの総量（１００質量％）に対して、５質量％以上５０質量％以下であり、
    　前記グアニジン類の含有量が、フラックスの総量（１００質量％）に対して、２質量％以上２０質量％以下であり、
    　前記有機スルホン酸の含有量が、フラックスの総量（１００質量％）に対して、０．２質量％以上１０質量％以下であり、
    　前記グアニジン類の含有量の割合（質量比）は、前記有機スルホン酸の含有量に対して、１．６６以上５以下である、フラックス。
  4. 　前記有機スルホン酸は、ｐ－トルエンスルホン酸及びメタンスルホン酸からなる群より選択される１種以上である、請求項１～３のいずれか一項に記載のフラックス。
  5. 　はんだ合金粉末と、請求項１～４のいずれか一項に記載のフラックスと、を含有する、ソルダペースト。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0386390A (ja) * 1989-08-31 1991-04-11 Nippon Handa Kk クリームはんだ
JPH08503168A (ja) 1992-11-19 1996-04-09 フライ’ズ メタルス，インク． 清浄不要のはんだ付用フラックス及びその使用方法
CN104476017A (zh) * 2014-11-13 2015-04-01 无锡伊佩克科技有限公司 一种无铅焊料用助焊剂及其制备方法
CN108296672A (zh) * 2017-12-31 2018-07-20 天长市飞龙金属制品有限公司 一种耐腐蚀稳定助焊剂
JP2021053653A (ja) * 2019-09-27 2021-04-08 株式会社タムラ製作所 はんだ付け用フラックス組成物
JP2021091197A (ja) 2019-12-12 2021-06-17 株式会社デュプロ インクジェット記録装置、その制御方法およびその制御プログラム

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0386390A (ja) * 1989-08-31 1991-04-11 Nippon Handa Kk クリームはんだ
JPH08503168A (ja) 1992-11-19 1996-04-09 フライ’ズ メタルス，インク． 清浄不要のはんだ付用フラックス及びその使用方法
CN104476017A (zh) * 2014-11-13 2015-04-01 无锡伊佩克科技有限公司 一种无铅焊料用助焊剂及其制备方法
CN108296672A (zh) * 2017-12-31 2018-07-20 天长市飞龙金属制品有限公司 一种耐腐蚀稳定助焊剂
JP2021053653A (ja) * 2019-09-27 2021-04-08 株式会社タムラ製作所 はんだ付け用フラックス組成物
JP2021091197A (ja) 2019-12-12 2021-06-17 株式会社デュプロ インクジェット記録装置、その制御方法およびその制御プログラム

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