WO2022209502A1

WO2022209502A1 - 表面処理剤、物品、物品の製造方法、及び化合物

Info

Publication number: WO2022209502A1
Application number: PCT/JP2022/008074
Authority: WO
Inventors: 一麦國府田; 誠人宇野; 啓吾松浦; 能仁徳永; 祐小野崎; 剛長谷川; 有羽太田; 創江口; 久美子諏訪; 祐介 ▲高▼平
Original assignee: Ａｇｃ株式会社
Priority date: 2021-03-30
Filing date: 2022-02-25
Publication date: 2022-10-06
Also published as: JPWO2022209502A1

Abstract

下式（Ａ１）及び下式（Ａ２）で表される含フッ素化合物からなる群より選択される１種以上を含む、表面処理剤。式（Ａ１）：（Ｇ^１－）_ａ１Ｑ^１（－ＮＨＲ^Ａ）_ｂ１。式（Ａ２）：（Ｒ^ＢＨＮ－）_ｂ２Ｑ^２－Ｇ^２－Ｑ^３（－ＮＨＲ^Ｃ）_ｂ３。

Description

表面処理剤、物品、物品の製造方法、及び化合物

　本開示は、表面処理剤、物品、物品の製造方法、及び化合物に関する。

　基材の表面に撥水撥油性、指紋汚れ除去性、潤滑性（指で触った際の滑らかさ）等を付与するために、ポリ（オキシペルフルオロアルキレン）鎖および加水分解性シリル基を有する含フッ素エーテル化合物を用いた表面処理によって、基材の表面に含フッ素エーテル化合物の縮合物からなる表面層を形成することが知られている（例えば、特開２０１６－０３７５４１号公報、特開昭６０－１０９５４８号公報、及び国際公開第２０１７／０３８８３０号）。

　近年、含フッ素エーテル化合物を用いて形成された表面層に対する要求性能が高くなっている。例えば、表面層が指で触れる面を構成する部材に適用される場合には、繰り返し摩耗されても性能（例えば、撥水性）が低下しにくい表面層、すなわち耐摩耗性に優れる表面層が求められる。
　加水分解性シリル基を有する含フッ素エーテル化合物は、加水分解反応によって生じるシラノール基と、基材表面との水酸基との脱水縮合により化学結合を形成し、耐摩耗性に優れた表面層を形成し得る。
　一方、基材の種類によっては、耐摩耗性が得られない場合があった。

　本開示はこのような事情に鑑みてなされたものであり、本発明の一実施形態が解決しようとする課題は、耐久性に優れた表面層を形成し得る基材の選択肢を広げ得る表面処理剤を提供することにある。
　また、本発明の他の実施形態が解決しようとする課題は、耐久性に優れた表面層を有する物品及び物品の製造方法を提供することにある。
　また、本発明の他の実施形態が解決しようとする課題は、新規な化合物を提供することにある。

　本開示は以下の態様を含む。
＜１＞
　下式（Ａ１）及び下式（Ａ２）で表される含フッ素化合物からなる群より選択される１種以上を含む、表面処理剤。
　（Ｇ^１－）_ａ１Ｑ^１（－ＮＨＲ^Ａ）_ｂ１　　　　　　　　　　式（Ａ１）
　（Ｒ^ＢＨＮ－）_ｂ２Ｑ^２－Ｇ^２－Ｑ^３（－ＮＨＲ^Ｃ）_ｂ３　　　式（Ａ２）
　ただし、
　Ｇ^１は、（ポリ）オキシフルオロアルキル基であって、Ｇ^１が複数ある場合、複数あるＧ^１は互いに同一であっても異なっていてもよく、
　Ｇ^２は、（ポリ）オキシフルオロアルキレン基であり、
　Ｑ^１は、炭素数２以上のａ１＋ｂ１価の連結基であり、
　Ｑ^２は、炭素数２以上のｂ２＋１価の連結基であり、
　Ｑ^３は、炭素数２以上のｂ３＋１価の連結基であり、
　ａ１は１以上の整数であり、
　ｂ１は１以上の整数であり、
　ｂ２は１以上の整数であり、
　ｂ３は１以上の整数である。
　Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、及びＲ^Ｃはそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基であって、
　Ｒ^Ａは、Ｑ^１と連結して環を形成していてもよく、
　Ｒ^Ｂは、Ｑ^２と連結して環を形成していてもよく、
　Ｒ^Ｃは、Ｑ^３と連結して環を形成していてもよい。
＜２＞
　含フッ素化合物は、分子量が３，０００以上である、＜１＞に記載の表面処理剤。
＜３＞
　含フッ素化合物が環構造を有する、＜１＞又は＜２＞に記載の表面処理剤。
＜４＞
　Ｇ^１が下式（Ｂ１）で表される基である、＜１＞～＜３＞のいずれか１つに記載の表面処理剤。
　Ｒ^ｆ０Ｏ－（Ｒ^ｆ１２Ｏ）_ｃ１－Ｒ^ｆ１３－　　　　式（Ｂ１）
　ただし、
　Ｒ^ｆ０は炭素数１～２０のフルオロアルキル基であり、
　Ｒ^ｆ１２及びＲ^ｆ１３はそれぞれ独立に、炭素数１～６のフルオロアルキレン基であって、Ｒ^ｆ１２が複数ある場合、複数あるＲ^ｆ１２は互いに同一であっても異なっていてもよく、
　ｃ１は０～５００の整数である。
＜５＞
　Ｇ^２が下式（Ｂ２）で表される基である、＜１＞～＜４＞のいずれか１つに記載の表面処理剤。
　－Ｏ－（Ｒ^ｆ２１Ｏ）_ｃ２－Ｒ^ｆ２２－　　　　式（Ｂ２）
　ただし、
　Ｒ^ｆ２１及びＲ^ｆ２２はそれぞれ独立に、炭素数１～６のフルオロアルキレン基であって、Ｒ^ｆ２１が複数ある場合、複数あるＲ^ｆ２１は互いに同一であっても異なっていてもよく、
　ｃ２は１～５００の整数である。
＜６＞
　ｂ１、ｂ２及びｂ３のうち少なくとも一つが２以上の整数である、＜１＞～＜５＞のいずれか１つに記載の表面処理剤。
＜７＞
　Ｑ^１、Ｑ^２及びＱ^３のうち少なくとも一つが、下式（Ｃ１）で表される基である、＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載の表面処理剤。
　（－Ａ^１１－）_ａ２Ｑ^２１（－Ｒ^１１－Ｒ^１２－）_ｂ４　　　　式（Ｃ１）
　ただし、
　式（Ｃ１）中のＡ^１１側がＧ^１又はＧ^２に接続し、Ｒ^１２側が窒素原子に接続し、
　Ａ^１１は、単結合、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基において炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＯＣ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^１３－、－Ｃ（Ｏ）ＯＮＲ^１３－、－ＮＲ^１３Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^１３Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＮＲ^１３Ｃ（Ｏ）ＮＲ^１３－、－Ｏ－又は－ＳＯ_２ＮＲ^１３－を有する基であって、Ａ^１１が複数ある場合、複数あるＡ^１１は同一であっても異なっていてもよく、
　Ｒ^１１は、単結合、－Ｒ^１４－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｒ^１４－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｒ^１４－Ｃ（Ｏ）－、－Ｒ^１４－ＯＣ（Ｏ）Ｏ－、－Ｒ^１４－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^１３－、－Ｒ^１４－Ｃ（Ｏ）ＯＮＲ^１３－、－Ｒ^１４－ＮＲ^１３Ｃ（Ｏ）－、－Ｒ^１４－ＮＲ^１３Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｒ^１４－ＮＲ^１３Ｃ（Ｏ）ＮＲ^１３－、－Ｒ^１４－Ｏ－又は－ＳＯ_２ＮＲ^１３－を有する基であって、Ｒ^１１が複数ある場合、複数あるＲ^１１は同一であっても異なっていてもよく、
　Ｒ^１２は、置換基を有していてもよい炭素数１～１０のアルキレン基であって、炭素数２以上のアルキレン基において炭素－炭素原子間に－Ｏ－又は－ＮＲ^Ｄ－が含まれていて
もよく、Ｒ^Ｄは、水素原子又はアルキル基であり、
　Ｒ^１２が複数ある場合、複数あるＲ^１２は同一であっても異なっていてもよく、
　Ｒ^１３は、水素原子、炭素数１～６のアルキル基またはフェニル基であり、Ｒ^１３が複数ある場合、複数あるＲ^１３は同一であっても異なっていてもよく、
　Ｒ^１４は、炭素数１～１０のアルキレン基であり、
　Ｒ^１１、Ｒ^１３及びＲ^１４におけるアルキル基又はアルキレン基はフッ素置換されていてもよく、
　Ｑ^２１は、ａ２＋ｂ４価の基であり、
　ａ２は１以上の整数であり、
　ｂ４は１以上の整数である。
＜８＞
　Ｑ^１、Ｑ^２及びＱ^３のうち少なくとも一つが、下式（Ｃ２）で表される基である、＜１＞～＜７＞のいずれか１つに記載の表面処理剤。
　－Ｑ^２１－Ｒ^１２－　　　　式（Ｃ２）
　ただし、
　Ｑ^２１は、下式（１）～（１５）のいずれか１つで表される基であり、
　式（１）～（１５）中の＊１がＧ^１又はＧ^２に接続し、＊２がＲ^１２に接続し、
　Ｔ^Ｎはそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基であって、Ｒ^１２と連結して環を形成していてもよく、
　Ｔ^Ｃは、水素原子又は置換基を表し、
　Ｒ^１２は、置換基を有していてもよい炭素数１～１０のアルキレン基であって、炭素数２以上のアルキレン基において炭素－炭素原子間に－Ｏ－又は－ＮＲ^Ｄ－が含まれていてもよく、Ｒ^Ｄは、水素原子又はアルキル基であり、

＜９＞
　Ｒ^１２は、置換基を有していてもよい炭素数２～１０のアルキレン基である、＜７＞又は＜８＞に記載の表面処理剤。
＜１０＞
　式（Ａ１）中、
　Ｑ^１が環を含むか、又は、Ｒ^ＡがＱ^１と連結して環を形成しており、
　式（Ａ２）中、
　Ｑ^２及びＱ^３が環を含むか、又は、
　Ｒ^ＢがＱ^２と連結して環を形成しており、かつ、Ｒ^ＣがＱ^３と連結して環を形成している、＜１＞～＜９＞のいずれか１つに記載の表面処理剤。
＜１１＞
　式（Ａ１）は、下式（Ａ１１）～（Ａ１４）のいずれかで表される、＜１＞～＜１０＞のいずれか１つに記載の表面処理剤。
　ただし、
　環Ａは、少なくとも１つの窒素原子を含む複素環を表し、
　環Ｂは、２つの窒素原子を含む複素環を表し、
　環Ｃは、炭化水素環又は複素環を表し、
　環Ｄは、少なくとも１つの窒素原子を含む複素環を表し、
　Ｒ^２１～Ｒ^２４はそれぞれ独立に、単結合又は連結基であり、
　Ｒ^３１、Ｒ^３２、Ｒ^Ａ１、及びＲ^Ａ２はそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基であり、
　ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立に、１又は２である。

＜１２＞
　含フッ素化合物の含有量は、表面処理剤の全質量に対して０．００１～４０質量％である、＜１＞～＜１１＞のいずれか１つに記載の表面処理剤。
＜１３＞
　更に、他の含フッ素化合物を含む、＜１＞～＜１２＞のいずれか１つに記載の表面処理剤。
＜１４＞
　更に、液状媒体を含む、＜１＞～＜１３＞のいずれか１つに記載の表面処理剤。
＜１５＞
　溶媒として含フッ素溶媒を含み、溶媒に占める含フッ素溶媒の割合が５０質量％以上である、＜１＞～＜１４＞のいずれか１つに記載の表面処理剤。
＜１６＞
　溶媒として非フッ素溶媒をさらに含み、溶媒に占める非フッ素溶媒の割合が０．００１～５０質量％である、＜１５＞に記載の表面処理剤。
＜１７＞
　非フッ素溶媒は、炭素数１～８のアルコール、炭素数１～８の鎖状エーテル、及び炭素数４～８の環状エーテルからなる群より選択される少なくとも１種を含む、＜１６＞に記載の表面処理剤。
＜１８＞
　含フッ素溶媒と非フッ素溶媒とは、沸点の差が５０℃以下である、＜１６＞又は＜１７＞に記載の表面処理剤。
＜１９＞
　基材と、
　基材上に配置された、＜１＞～＜１８＞のいずれか１つに記載の表面処理剤から形成された表面層と、を含む物品。
＜２０＞
　基材は、エステル基、シアノ基、アミド基、イミド基、カーボネート基、及びカルバメート基からなる群より選択される少なくとも１種を含む樹脂を含む、＜１９＞に記載の物品。
＜２１＞
　表面層は、基材と接するように配置される、＜１９＞又は＜２０＞に記載の物品。
＜２２＞
　少なくとも一部が、基材、ハードコート層、表面層の積層構造を有する、＜１９＞又は＜２０＞に記載の物品。
＜２３＞
　＜１＞～＜１８＞のいずれか１つに記載の表面処理剤を用いて、ドライコーティング法又はウェットコーティング法により、表面層を形成する、物品の製造方法。
＜２４＞
　下式（Ａ１）又は下式（Ａ２）で表される含フッ素化合物。
　（Ｇ^１－）_ａ１Ｑ^１（－ＮＨＲ^Ａ）_ｂ１　　　　　　　　　　　式（Ａ１）
　（Ｒ^ＢＨＮ－）_ｂ２Ｑ^２－Ｇ^２－Ｑ^３（－ＮＨＲ^Ｃ）_ｂ３　　　式（Ａ２）
　ただし、
　Ｇ^１は、（ポリ）オキシフルオロアルキル基であって、Ｇ^１が複数ある場合、複数あるＧ^１は互いに同一であっても異なっていてもよく、
　Ｇ^２は、（ポリ）オキシフルオロアルキレン基であり、
　Ｑ^１は、炭素数２以上のａ１＋ｂ１価の連結基であり、
　Ｑ^２は、炭素数２以上のｂ２＋１価の連結基であり、
　Ｑ^３は、炭素数２以上のｂ３＋１価の連結基であり、
　ａ１は１以上の整数であり、
　ｂ１は１以上の整数であり、
　ｂ２は１以上の整数であり、
　ｂ３は１以上の整数である。
　Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、及びＲ^Ｃはそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基であって、
　Ｒ^Ａは、Ｑ^１と連結して環を形成していてもよく、
　Ｒ^Ｂは、Ｑ^２と連結して環を形成していてもよく、
　Ｒ^Ｃは、Ｑ^３と連結して環を形成していてもよい。

　本発明の一実施形態によれば、耐久性に優れた表面層を形成し得る基材の選択肢を広げ得る表面処理剤が提供される。
　本発明の他の実施形態によれば、耐久性に優れた表面層を有する物品及び物品の製造方法が提供される。
　本発明の他の実施形態によれば、新規な化合物が提供される。

図１は、本開示の物品の一例を示すも式断面図である。

　本開示において「～」を用いて示された数値範囲には、「～」の前後に記載される数値がそれぞれ最小値及び最大値として含まれる。
　本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
　本開示における以下の用語の意味は、以下の通りである。
　本開示において、式（Ａ１）で表される化合物を化合物（Ａ１）と記す。他の式で表される化合物、基等もこれに準ずる。
　ペルフルオロアルキル基とは、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換された基
を意味する。またフルオロアルキル基とは、パーシャルフルオロアルキル基とペルフルオロアルキル基とを合わせた総称である。パーシャルフルオロアルキル基とは、水素原子の１個以上がフッ素原子で置換され、かつ、水素原子を１個以上有するアルキル基である。すなわちフルオロアルキル基は１個以上のフッ素原子を有するアルキル基である。
　（ポリ）オキシフルオロアルキル基とは、鎖中に１又は２以上のオキシ基を有するフルオロアルキル基であり、（ポリ）オキシフルオロアルキレン基もこれに準ずる。
　「表面層」とは、基材の表面に形成される層を意味する。

［表面処理剤］
　本開示の表面処理剤（以下、「本表面処理剤」とも記す。）は、下式（Ａ１）及び下式（Ａ２）で表される含フッ素化合物からなる群より選択される１種以上を含む、表面処理剤である。
　（Ｇ^１－）_ａ１Ｑ^１（－ＮＨＲ^Ａ）_ｂ１　　　　　　　　　　式（Ａ１）
　（Ｒ^ＢＨＮ－）_ｂ２Ｑ^２－Ｇ^２－Ｑ^３（－ＮＨＲ^Ｃ）_ｂ３　　式（Ａ２）
　ただし、
　Ｇ^１は、（ポリ）オキシフルオロアルキル基であって、Ｇ^１が複数ある場合、複数あるＧ^１は互いに同一であっても異なっていてもよく、
　Ｇ^２は、（ポリ）オキシフルオロアルキレン基であり、
　Ｑ^１は、炭素数２以上のａ１＋ｂ１価の連結基であり、
　Ｑ^２は、炭素数２以上のｂ２＋１価の連結基であり、
　Ｑ^３は、炭素数２以上のｂ３＋１価の連結基であり、
　ａ１は１以上の整数であり、
　ｂ１は１以上の整数であり、
　ｂ２は１以上の整数であり、
　ｂ３は１以上の整数である。
　Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、及びＲ^Ｃはそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基であって、
　Ｒ^Ａは、Ｑ^１と連結して環を形成していてもよく、
　Ｒ^Ｂは、Ｑ^２と連結して環を形成していてもよく、
　Ｒ^Ｃは、Ｑ^３と連結して環を形成していてもよい。

　本表面処理剤は、上記化合物が（ポリ）オキシフルオロアルキレン鎖（ポリフルオロ（ポリ）エーテル鎖）を有するため、耐久性（特に、耐磨耗性）に優れる表面層を形成できる。
　また、本表面処理剤は、上記化合物が末端にアミノ基を有するため、さまざまな基材に対し、水素結合又は化学結合を生じて強固に密着するため、耐久性（特に、耐溶剤性）に優れる表面層を形成できる。

　以下、本表面処理剤を構成する各成分について説明する。

＜化合物（Ａ１）、化合物（Ａ２）＞
　（Ｇ^１－）_ａ１Ｑ^１（－ＮＨＲ^Ａ）_ｂ１　　　　　　　　　　　式（Ａ１）
　（Ｒ^ＢＨＮ－）_ｂ２Ｑ^２－Ｇ^２－Ｑ^３（－ＮＨＲ^Ｃ）_ｂ３　　　式（Ａ２）

〔Ｇ^１〕
　Ｇ^１は、（ポリ）オキシフルオロアルキル基である。

　Ｇ^１における（ポリ）オキシフルオロアルキル基は、Ｑ^１に結合する末端に－Ｏ－を有するか、炭素数２以上の炭素鎖の炭素－炭素原子間に－Ｏ－を有するか、又はこれらの両方を含むフルオロアルキル基である。

　製造容易性の観点から、Ｇ^１は下式（Ｇ１－１）で表される構造が好ましい。
　Ｒ^ｆ０Ｏ－［（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ１（Ｒ^ｆ２Ｏ）_ｍ２（Ｒ^ｆ３Ｏ）_ｍ３（Ｒ^ｆ４Ｏ）_ｍ４（Ｒ^ｆ５Ｏ）_ｍ５（Ｒ^ｆ６Ｏ）_ｍ６］－Ｒ^ｆ７－　　　式（Ｇ１－１）
　ただし、
　Ｒ^ｆ０は、炭素数１～２０のフルオロアルキル基であり、
　Ｒ^ｆ１は、炭素数１のフルオロアルキレン基であり、
　Ｒ^ｆ２は、炭素数２のフルオロアルキレン基であり、
　Ｒ^ｆ３は、炭素数３のフルオロアルキレン基であり、
　Ｒ^ｆ４は、炭素数４のフルオロアルキレン基であり、
　Ｒ^ｆ５は、炭素数５のフルオロアルキレン基であり、
　Ｒ^ｆ６は、炭素数６のフルオロアルキレン基である。
　Ｒ^ｆ７は、炭素数１～６のフルオロアルキレン基であり、
　ｍ１、ｍ２、ｍ３、ｍ４、ｍ５、ｍ６は、それぞれ独立に０又は１以上の整数を表し、ｍ１＋ｍ２＋ｍ３＋ｍ４＋ｍ５＋ｍ６は０～５００の整数である。

　耐久性、撥水撥油性、及び指紋汚れ除去性に優れた表面層を形成する観点から、ｍ１＋ｍ２＋ｍ３＋ｍ４＋ｍ５＋ｍ６は、１～５００の整数、即ち、Ｇ^１が、ポリオキシフルオロアルキル基であることが好ましい。また、耐久性、撥水撥油性、及び指紋汚れ除去性に優れた表面層を形成する観点から、ｍ１＋ｍ２＋ｍ３＋ｍ４＋ｍ５＋ｍ６は、１～３００の整数であることがより好ましく、５～２００の整数であることがさらに好ましく、１０～１５０の整数であることが特に好ましい。
　なお、式（Ｇ１－１）における（Ｒ^ｆ１Ｏ）～（Ｒ^ｆ６Ｏ）の結合順序は任意である。式（Ｇ１－１）のｍ１～ｍ６は、それぞれ、（Ｒ^ｆ１Ｏ）～（Ｒ^ｆ６Ｏ）の個数を表すものであり、配置を表すものではない。例えば、（Ｒ^ｆ５Ｏ）_ｍ５は、（Ｒ^ｆ５Ｏ）の数がｍ５個であることを表し、（Ｒ^ｆ５Ｏ）_ｍ５のブロック配置構造を表すものではない。同様に、（Ｒ^ｆ１Ｏ）～（Ｒ^ｆ６Ｏ）の記載順は、それぞれの単位の結合順序を表すものではない。

　Ｒ^ｆ０において、フルオロアルキル基は、直鎖状フルオロアルキル基であってもよく、分岐状フルオロアルキル基であってもよく、環構造を有するフルオロアルキル基であってもよい。
　Ｒ^ｆ３～Ｒ^ｆ６において、フルオロアルキレン基は、直鎖状フルオロアルキレン基であってもよく、分岐状フルオロアルキレン基であってもよく、環構造を有するフルオロアルキレン基であってもよい。

　Ｒ^ｆ１の具体例としては、－ＣＦ_２－及び－ＣＨＦ－が挙げられる。
　Ｒ^ｆ２の具体例としては、－ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨＦ－、－ＣＨ_２ＣＦ_２－、及び－ＣＨ_２ＣＨＦ－が挙げられる。
　Ｒ^ｆ３の具体例としては、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨＦＣＨＦ－、－ＣＨＦＣＨ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＨＦ－、－ＣＨ_２ＣＨＦＣＨＦ－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨＦ－、－ＣＦ（ＣＦ_３）－ＣＦ_２－、－ＣＦ（ＣＨＦ_２）－ＣＦ_２－、－ＣＦ（ＣＨ_２Ｆ）－ＣＦ_２－、－ＣＦ（ＣＨ_３）－ＣＦ_２－、－ＣＦ（ＣＦ_３）－ＣＨＦ－、－ＣＦ（ＣＨＦ_２）－ＣＨＦ－、－ＣＦ（ＣＨ_２Ｆ）－ＣＨＦ－、－ＣＦ（ＣＨ_３）－ＣＨＦ－、－ＣＦ（ＣＦ_３）－ＣＨ_２－、－ＣＦ（ＣＨＦ_２）－ＣＨ_２－、－ＣＦ（ＣＨ_２Ｆ）－ＣＨ_２－、－ＣＦ（ＣＨ_３）－ＣＨ_２－、－ＣＨ（ＣＦ_３）－ＣＦ_２－、－ＣＨ
（ＣＨＦ_２）－ＣＦ_２－、－ＣＨ（ＣＨ_２Ｆ）－ＣＦ_２－、－ＣＨ（ＣＨ_３）－ＣＦ_２－、－ＣＨ（ＣＦ_３）－ＣＨＦ－、－ＣＨ（ＣＨＦ_２）－ＣＨＦ－、－ＣＨ（ＣＨ_２Ｆ）－ＣＨＦ－、－ＣＨ（ＣＨ_３）－ＣＨＦ－、－ＣＨ（ＣＦ_３）－ＣＨ_２－、－ＣＨ（ＣＨＦ_２）－ＣＨ_２－、及び－ＣＨ（ＣＨ_２Ｆ）－ＣＨ_２－が挙げられる。
　Ｒ^ｆ４の具体例としては、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨＦＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨＦＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨＦＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨＦ－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨＦ－、及び－ｃｙｃｌｏＣ_４Ｆ_６－が挙げられる。
　Ｒ^ｆ５の具体例としては、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２－、及び－ｃｙｃｌｏＣ_５Ｆ_８－が挙げられる。
　Ｒ^ｆ６の具体例としては、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨＦＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨＦＣＨＦＣＨＦＣＨＦＣＨＦＣＨＦ－、－ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２－、及び－ｃｙｃｌｏＣ_６Ｆ_１０－が挙げられる。
　また、Ｒ^ｆ０の具体例としては、上記Ｒ^ｆ１～Ｒ^ｆ６で挙げたものと同様のものが挙げられる。
　ここで、－ｃｙｃｌｏＣ_４Ｆ_６－は、ペルフルオロシクロブタンジイル基を意味し、その具体例としては、ペルフルオロシクロブタン－１，２－ジイル基が挙げられる。－ｃｙｃｌｏＣ_５Ｆ_８－は、ペルフルオロシクロペンタンジイル基を意味し、その具体例としては、ペルフルオロシクロペンタン－１，３－ジイル基が挙げられる。－ｃｙｃｌｏＣ_６Ｆ_１０－は、ペルフルオロシクロヘキサンジイル基を意味し、その具体例としては、ペルフルオロシクロヘキサン－１，４－ジイル基が挙げられる。

　Ｇ^１は、耐久性により優れた表面層を形成する観点から、下式（Ｆ１）～下式（Ｆ３）で表される構造からなる群より選択される少なくとも１つを含むことが好ましい。
　　（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ１－（Ｒ^ｆ２Ｏ）_ｍ２　　　　　　　式（Ｆ１）
　　（Ｒ^ｆ２Ｏ）_ｍ２－（Ｒ^ｆ４Ｏ）_ｍ４　　　　　　　式（Ｆ２）
　　（Ｒ^ｆ３Ｏ）_ｍ３　　　　　　　　　　　　　　　　式（Ｆ３）
　ただし、式（Ｆ１）～式（Ｆ３）の各符号は、前記式（Ｇ１－１）と同様である。

　式（Ｆ１）及び式（Ｆ２）において、（Ｒ^ｆ１Ｏ）と（Ｒ^ｆ２Ｏ）、（Ｒ^ｆ２Ｏ）と（Ｒ^ｆ４Ｏ）の結合順序は各々任意である。例えば（Ｒ^ｆ１Ｏ）と（Ｒ^ｆ２Ｏ）が交互に配置されてもよく、（Ｒ^ｆ１Ｏ）と（Ｒ^ｆ２Ｏ）が各々ブロックに配置されてもよく、またランダムであってもよい。式（Ｆ３）においても同様である。
　式（Ｆ１）において、ｍ１は１～３０が好ましく、１～２０がより好ましい。またｍ２は１～３０が好ましく、１～２０がより好ましい。
　式（Ｆ２）において、ｍ２は１～３０が好ましく、１～２０がより好ましい。またｍ４は１～３０が好ましく、１～２０がより好ましい。
　式（Ｆ３）において、ｍ３は１～３０が好ましく、１～２０がより好ましい。

　合成容易性の観点から、Ｇ^１は下式（Ｂ１）で表される基であることが好ましい。
　Ｒ^ｆ１１Ｏ－（Ｒ^ｆ１２Ｏ）_ｃ１－Ｒ^ｆ１３－　　　　式（Ｂ１）
　ただし、
　Ｒ^ｆ０は炭素数１～２０のフルオロアルキル基であり、
　Ｒ^ｆ１２及びＲ^ｆ１３はそれぞれ独立に、は炭素数１～６のフルオロアルキレン基であって、Ｒ^ｆ１２が複数ある場合、複数あるＲ^ｆ１２は互いに同一であっても異なっていてもよく、
　ｃ１は０～５００の整数である。

　なお、Ｒ^ｆ１１の具体例は、上記Ｒ^ｆ０と同様である。Ｒ^ｆ１２の具体例は上記Ｒ^ｆ１～Ｒ^ｆ６で挙げられたものと同様である。Ｒ^ｆ１３の具体例は、上記Ｒ^ｆ７と同様である。

〔Ｇ^２〕
　Ｇ^２は、（ポリ）オキシフルオロアルキレン基である。

　Ｇ^２における（ポリ）オキシフルオロアルキレン基は、式（Ａ２）において、Ｑ^２又はＱ^３に結合する２つの末端が各々独立に－Ｏ－を有するか、炭素数２以上の炭素鎖の炭素－炭素原子間に－Ｏ－を有するか、又はこれらの組み合わせであるフルオロアルキレン基である。

　製造容易性の観点から、Ｇ^２は下式（Ｇ２－１）で表される構造が好ましい。
　－（Ｏ）_ｍ１０－［（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ１１（Ｒ^ｆ２Ｏ）_ｍ１２（Ｒ^ｆ３Ｏ）_ｍ１３（Ｒ^ｆ４Ｏ）_ｍ１４（Ｒ^ｆ５Ｏ）_ｍ１５（Ｒ^ｆ６Ｏ）_ｍ１６］－Ｒ^ｆ７－　　　式（Ｇ２－１）
　ただし、ｍ１０は０又は１の整数であり、ｍ１１、ｍ１２、ｍ１３、ｍ１４、ｍ１５、ｍ１６は、それぞれ独立に０又は１以上の整数であり、ｍ１１＋ｍ１２＋ｍ１３＋ｍ１４＋ｍ１５＋ｍ１６は１～５００の整数であることが好ましく、１～３００の整数であることがより好ましく、５～２００の整数であることがさらに好ましく、１０～１５０の整数であることが特に好ましい。Ｒ^ｆ１、Ｒ^ｆ２、Ｒ^ｆ３、Ｒ^ｆ４、Ｒ^ｆ５、Ｒ^ｆ６、及びＲ^ｆ７は、上記Ｇ^１におけるものと同様である。なお、式（Ｇ２－１）における（Ｒ^ｆ１Ｏ）～（Ｒ^ｆ６Ｏ）の結合順序は任意であり、上記式（Ｇ１－１）で説明したとおりである。

　撥水撥油性や指紋除去性などの点から、ｍ１０が１、且つ、ｍ１１＋ｍ１２＋ｍ１３＋ｍ１４＋ｍ１５＋ｍ１６が１～５００の整数、即ち、Ｇ^２がポリオキシフルオロアルキレン基であることが好ましい。

　Ｇ^２は、耐久性により優れた表面層を形成する観点から、下式（Ｆ４）～下式（Ｆ６）で表される構造からなる群より選択される少なくとも１つを含むことが好ましい。
　　－Ｏ－（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ１１－（Ｒ^ｆ２Ｏ）_ｍ１２　　　　式（Ｆ４）
　　－Ｏ－（Ｒ^ｆ２Ｏ）_ｍ１２－（Ｒ^ｆ４Ｏ）_ｍ１４　　　　式（Ｆ５）
　　－Ｏ－（Ｒ^ｆ３Ｏ）_ｍ１３　　　　　　　　　　　　　　式（Ｆ６）
　ただし、式（Ｆ４）～式（Ｆ６）の各符号は、上記式（Ｇ２－１）と同様である。

　式（Ｆ４）及び式（Ｆ５）において、（Ｒ^ｆ１Ｏ）と（Ｒ^ｆ２Ｏ）、（Ｒ^ｆ２Ｏ）と（Ｒ^ｆ４Ｏ）の結合順序は各々任意である。例えば（Ｒ^ｆ１Ｏ）と（Ｒ^ｆ２Ｏ）が交互に配置されてもよく、（Ｒ^ｆ１Ｏ）と（Ｒ^ｆ２Ｏ）が各々ブロックに配置されてもよく、またランダムであってもよい。式（Ｆ６）においても同様である。
　式（Ｆ４）において、ｍ１１は１～１５０の整数であることがより好ましく、２～１００の整数であることがさらに好ましく、５～７５の整数であることが特に好ましい。またｍ１２は１～１５０の整数であることがより好ましく、２～１００の整数であることがさらに好ましく、５～７５の整数であることが特に好ましい。
　式（Ｆ５）において、ｍ１２は１～１５０の整数であることがより好ましく、２～１００の整数であることがさらに好ましく、５～７５の整数であることが特に好ましい。またｍ１４は１～１５０の整数であることがより好ましく、２～１００の整数であることがさらに好ましく、５～７５の整数であることが特に好ましい。
　式（Ｆ６）において、ｍ１３は１～３００の整数であることがより好ましく、５～２００の整数であることがさらに好ましく、１０～１５０の整数であることが特に好ましい。

　合成容易性の観点から、Ｇ^２は式（Ｇ２－１）におけるｍ１０が１のポリフルオロポリエーテル鎖、即ち、Ｇ^２が下式（Ｂ１）で表される基であることが好ましい。
　－Ｏ－（Ｒ^ｆ２１Ｏ）_ｃ２－Ｒ^ｆ２２－　　　　式（Ｂ２）
　ただし、
　Ｒ^ｆ２１及びＲ^ｆ２２はそれぞれ独立に、炭素数１～６のフルオロアルキレン基であって、Ｒ^ｆ２１が複数ある場合、複数あるＲ^ｆ２１は互いに同一であっても異なっていてもよく、
　ｃ２は１～５００の整数である。
　なお、Ｒ^ｆ２１の具体例は、上記Ｒ^ｆ１～Ｒ^ｆ６で挙げられたものと同様である。Ｒ^ｆ２２の具体例は、上記Ｒ^ｆ７と同様である。

　Ｇ^１における（ポリ）オキシフルオロアルキル基及びＧ^２における（ポリ）オキシフルオロアルキレン基中のフッ素原子の割合［｛フッ素原子数／（フッ素原子数＋水素原子数）｝×１００（％）］は、撥水撥油性及び指紋除去性に優れる点から、４０％以上が好ましく、５０％以上がより好ましく、６０％以上が更に好ましい。
　また、（ポリ）オキシフルオロアルキル基及び（ポリ）オキシフルオロアルキレン基の分子量は、耐摩耗性の点から、２００～３０，０００が好ましく、６００～２５，０００がより好ましく、１，０００～２０，０００が更に好ましい。

〔Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３〕
　Ｑ^１は、炭素数２以上のａ１＋ｂ１価の連結基である。
　Ｑ^２は、炭素数２以上のｂ２＋１価の連結基である。
　Ｑ^３は、炭素数２以上のｂ３＋１価の連結基である。
　化合物（Ａ１）及び化合物（Ａ２）におけるＱ^１、Ｑ^２、及び、Ｑ^３は同一の構造であってもよく異なる構造であってもよい。Ｑ^１、Ｑ^２、及び、Ｑ^３の具体的な構造は共通す
るため、以下、Ｑ^１を代表して説明し、Ｑ^２及び、Ｑ^３、は特に断りのない限りＱ^１に準ずる。

　化合物（Ａ１）において、Ｇ^１は、（ポリ）オキシフルオロアルキル基であり、フッ素原子によって電子がＧ^１側に引き寄せられていると考えられる。しかし、Ｑ^１は、炭素数が２以上であり、Ｇ^１とＮＨＲ^Ａとの間にある程度の距離が設けられているため、ＮＨＲ^Ａにおける窒素原子上の電子密度が低下しにくく、基材表面との反応性に優れるものと考えられる。アミノ基と基材表面との反応により、耐久性に優れた表面層を形成できる。

　同様に、化合物（Ａ２）において、Ｑ^２及びＱ^３も、炭素数が２以上であり、Ｇ^２とＮＨＲ^Ｂとの間、及び、Ｇ^２とＮＨＲ^Ｃとの間にある程度の距離が設けられているため、ＮＨＲ^Ｂ及びＮＨＲ^Ｃにおける窒素原子上の電子密度が低下しにくく、基材表面との反応性に優れるものと考えられる。アミノ基と基材表面との反応により、耐久性に優れた表面層を形成できる。

　Ｑ^１が３価以上の連結基の場合、Ｃ、Ｎ、Ｓｉ、環構造及び（ａ１＋ｂ１）価のオルガノポリシロキサン残基からなる群から選ばれる少なくとも１種の分岐点（以下、「分岐点Ｐ」と記す。）を有することが好ましい。

　分岐点Ｐを構成する環構造としては、化合物（Ａ１）又は化合物（Ａ２）を製造しやすい点、表面層の耐摩耗性がさらに優れる点から、３～８員環の脂肪族環、３～８員環の芳香族環、３～８員環のヘテロ環、及びこれらの環のうちの２つ以上からなる縮合環からなる群から選ばれる１種が好ましく、下式に挙げられる環構造が特に好ましい。環構造は、置換基としてハロゲン原子、アルキル基（炭素－炭素原子間にエーテル性酸素原子を含んでいてもよい。）、シクロアルキル基、アルケニル基、アリル基、アルコキシ基、オキソ基（＝Ｏ）等を有してもよい。

　分岐点Ｐを構成するオルガノポリシロキサン残基としては、例えば、下記の基が挙げられる。ただし、下式におけるＲ^２５は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又はフェニル基である。Ｒ^２５のアルキル基及びアルコキシ基の炭素数は、１～１０が好ましく、１がより好ましい。

　２価以上のＱ^１は、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^２６－、－ＣＯ（Ｏ）ＮＲ^２６－、－ＮＲ^２６Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^２６ＣＯ（Ｏ）－、－ＮＲ^２６Ｃ（Ｏ）ＮＲ^２６－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｏ－、－ＮＲ^２６－、－Ｓ－、－ＯＣ（Ｏ）Ｏ－、－ＮＨＣ（Ｏ）Ｏ－、－ＮＨＣ（Ｏ）ＮＲ^２６－、－ＳＯ_２ＮＲ^２６－、－Ｓｉ（Ｒ^２６）_２－、－ＯＳｉ（Ｒ^２６）_２－、－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２－Ｐｈ－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２－及び２価のオルガノポリシロキサン残基からなる群から選ばれる少なくとも１種の結合（以下、「結合Ｂ」と記す。）を有していてもよい。ただし、Ｒ^２６は、水素原子、炭素数１～６のアルキル基又はフェニル基であり、Ｐｈは、フェニレン基である。Ｒ^２６のアルキル基の炭素数は、化合物（Ａ１）又は化合物（Ａ２）を製造しやすい点から、１～３が好ましく、１～２がより好ましい。

　２価のオルガノポリシロキサン残基としては、例えば、下式の基が挙げられる。ただし、下式におけるＲ^２７は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又はフェニル基である
。Ｒ^２７のアルキル基及びアルコキシ基の炭素数は、１～１０が好ましく、１がより好ましい。

　結合Ｂとしては、化合物（Ａ１）又は化合物（Ａ２）を製造しやすい点から、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＯＣ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^２６－、－Ｃ（Ｏ）ＯＮＲ^２６－、－ＮＲ^２６Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^２６Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＮＲ^２６Ｃ（Ｏ）ＮＲ^２６－、－Ｏ－又は－ＳＯ_２ＮＲ^２６－が好ましく、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^２６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^２６－又は－Ｏ－がより好ましく、表面層の耐摩耗性がさらに優れる点から、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^２６－又は－Ｃ（Ｏ）－が更に好ましい。

　３価以上のＱ^１としては、２個以上の２価の炭化水素基Ｒ^２８と１個以上の分岐点Ｐとの組み合わせ（例えば｛Ｐ－（Ｒ^２８－）_ｎ１｝）、２個以上の炭化水素基Ｒ^２８と１個以上の分岐点Ｐと１個以上の結合Ｂとの組み合わせ（例えば｛Ｐ－（Ｂ－Ｒ^２８－）_ｎ１｝）などが挙げられる。ただし、ｎ１は３以上の整数である。

　また、２価のＱ^１としては、２価の炭化水素基Ｒ^２８、１個又は２個の２価の炭化水素基Ｒ^２８と結合Ｂとの組み合わせ（例えば、－Ｒ^２８－Ｂ－、－Ｂ－Ｒ^２８－Ｂ－）などが挙げられる。
　上記Ｒ^２８における２価の炭化水素基としては、例えば、２価の脂肪族炭化水素基（アルキレン基、シクロアルキレン基等）、２価の芳香族炭化水素基（フェニレン基等）が挙げられる。２価の炭化水素基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～６がより好ましく、１～４が更に好ましい。なおＲ^２８はフッ素置換されていてもよい。

　Ｑ^１が２価の場合、化合物（Ａ１）は下記式（Ａ１ａ）で表される。
　Ｇ^１－Ｑ^１－ＮＨＲ^Ａ　　　　　　　　　　　　　式（Ａ１ａ）
　ただし、Ｇ^１及びＱ^１は、化合物（Ａ１）と同様である。

　Ｑ^１としては、化合物（Ａ１）又は化合物（Ａ２）を製造しやすい点から、下式（ｇ２－１）～（ｇ２－７）のいずれかで表される基が好ましい。

　（－Ａ－Ｑ^１２－）_ｅ１Ｃ（Ｒ^２）_{４－ｅ１－ｅ２}（－Ｑ^２２－）_ｅ２　式ｇ２－２
　－Ａ－Ｑ^１３－Ｎ（－Ｑ^２３－）_２　式ｇ２－３
　（－Ａ－Ｑ^１４－）_ｈ１Ｚ（－Ｑ^２４－）_ｈ２　式ｇ２－４
　（－Ａ－Ｑ^１５－）_ｉ１Ｓｉ（Ｒ^３）_{４－ｉ１－ｉ２}（－Ｑ^２５－）_ｉ２　式ｇ２－５
　－Ａ－Ｑ^２６－　式ｇ２－６
　－Ａ－Ｑ^１２－ＣＨ（－Ｑ^２２－）－Ｓｉ（Ｒ^３）_３－ｉ３（－Ｑ^２５－）_ｉ３　式ｇ２－７

　ただし、式ｇ２－１～式ｇ２－７においては、Ａ側がＧ^１又はＧ^２に接続し、Ｑ^２２、Ｑ^２３、Ｑ^２４、Ｑ^２５又はＱ^２６側が窒素原子に接続する。
　Ａは、単結合、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基において炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＯＣ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｃ（Ｏ）ＯＮＲ^６－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｏ－又は－ＳＯ_２ＮＲ^６－を有する基であり、Ａが複数ある場合、複数あるＡは同一であっても異なっていてもよい。
　Ｑ^１１は、単結合、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＯＣ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｃ（Ｏ）ＯＮＲ^６－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｏ－又は－ＳＯ_２ＮＲ^６－、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基において炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＯＣ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｃ（Ｏ）ＯＮＲ^６－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｏ－又は－ＳＯ_２ＮＲ^６－を有する基である。
　Ｑ^１２は、単結合、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基において炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＯＣ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｃ（Ｏ）ＯＮＲ^６－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｏ－又は－ＳＯ_２ＮＲ^６－を有する基であり、Ｑ^１２が複数ある場合、複数あるＱ^１２は同一であっても異なっていてもよい。
　Ｑ^１３は、単結合（ただし、Ａは－Ｃ（Ｏ）－である。）、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基において炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＯＣ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｃ（Ｏ）ＯＮＲ^６－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｏ－又は－ＳＯ_２ＮＲ^６－を有する基、又はアルキレン基のＮ側の末端に－Ｃ（Ｏ）－を有する基である。
　Ｑ^１４は、Ｑ^１４が結合するＺにおける原子が炭素原子の場合、Ｑ^１２であり、Ｑ^１４が結合するＺにおける原子が窒素原子の場合、Ｑ^１３であり、Ｑ^１４が複数ある場合、複数あるＱ^１４は同一であっても異なっていてもよい。
　Ｑ^１５は、単結合、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基において炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＯＣ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｃ（Ｏ）ＯＮＲ^６－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｏ－又は－ＳＯ_２ＮＲ^６－を有する基であり、Ｑ^１５が複数
ある場合、複数あるＱ^１５は同一であっても異なっていてもよい。
　Ｑ^２２は、単結合、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基において炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＯＣ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｃ（Ｏ）ＯＮＲ^６－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｏ－又は－ＳＯ_２ＮＲ^６－を有する基、又はアルキレン基のＮＨ_２に接続しない側の末端に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^６－又は－Ｏ－を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^６－又は－Ｏ－を有しかつＮＨ_２に接続しない側の末端に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^６－又は－Ｏ－を有する基であり、Ｑ^２２が複数ある場合、複数あるＱ^２２は同一であっても異なっていてもよい。
　Ｑ^２３は、単結合、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基において炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＯＣ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｃ（Ｏ）ＯＮＲ^６－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｏ－又は－ＳＯ_２ＮＲ^６－を有する基であり、２個のＱ^２３は同一であっても異なっていてもよい。
　Ｑ^２４は、Ｑ^２４が結合するＺにおける原子が炭素原子の場合、Ｑ^２２であり、Ｑ^２４が結合するＺにおける原子が窒素原子の場合、Ｑ^２３であり、Ｑ^２４が複数ある場合、複数あるＱ^２４は同一であっても異なっていてもよい。
　Ｑ^２５は、単結合、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基において炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＯＣ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｃ（Ｏ）ＯＮＲ^６－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｏ－又は－ＳＯ_２ＮＲ^６－を有する基であり、Ｑ^２５が複数ある場合、複数あるＱ^２５は同一であっても異なっていてもよい。
　Ｑ^２６は、単結合、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基において炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＯＣ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｃ（Ｏ）ＯＮＲ^６－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＮＲ^６Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６－、－Ｏ－又は－ＳＯ_２ＮＲ^６－を有する基である。
　Ｚは、Ｑ^１４が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有しかつＱ^２４が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有するｈ１＋ｈ２価の環構造を有する基である。
　Ｒ^１は、水素原子又はアルキル基であり、Ｒ^１が複数ある場合、複数あるＲ^１は同一であっても異なっていてもよい。
　Ｒ^２は、水素原子、水酸基、アルキル基又はアシルオキシ基であり、Ｒ^２が複数ある場合、複数あるＲ^２は同一であっても異なっていてもよい。
　Ｒ^３は、アルキル基であり、Ｒ^３が複数ある場合、複数あるＲ^３は同一であっても異なっていてもよい。
　Ｒ^６は、水素原子、炭素数１～６のアルキル基またはフェニル基であり、Ｒ^６が複数ある場合、複数あるＲ^６は同一であっても異なっていてもよい。
　ｄ１は、０～３の整数であり、１又は２が好ましい。
　ｄ２は、０～３の整数であり、１又は２が好ましい。
　ｄ１＋ｄ２は、１～３の整数である。
　ｄ３は、０～３の整数であり、０又は１が好ましい。
　ｄ４は、０～３の整数であり、２又は３が好ましい。
　ｄ３＋ｄ４は、１～３の整数である。
　ｄ１＋ｄ３は、１～５の整数であり、１又は２が好ましい。
　ｄ２＋ｄ４は、１～５の整数であり、４又は５が好ましい。
　ｅ１は、１～３の整数であり、１又は２が好ましい。
　ｅ２は、１～３の整数であり、２又は３が好ましい。
　ｅ１＋ｅ２は、２～４の整数であり、１又は２が好ましい。
　ｈ１は、１以上の整数であり、１又は２が好ましい。
　ｈ２は、１以上の整数であり、２又は３が好ましい。
　ｉ１は、１～３の整数であり、１又は２が好ましい。
　ｉ２は、１～３の整数であり、２又は３が好ましい。
　ｉ１＋ｉ２は、２～４の整数であり、３又は４が好ましい。
　ｉ３は、１～３の整数であり、２又は３が好ましい。

　Ｑ^１１、Ｑ^１２、Ｑ^１３、Ｑ^１４、Ｑ^１５、Ｑ^２２、Ｑ^２３、Ｑ^２４、Ｑ^２５又はＱ^２６のアルキレン基の炭素数は、化合物（Ａ１）又は化合物（Ａ２）を製造しやすい点、及び耐久性により優れた表面層を形成する観点から、１～１０が好ましく、１～６がより好ましく、１～４が特に好ましい。ただし、炭素－炭素原子間に特定の結合を有する場合のアルキレン基の炭素数の下限値は２である。

　Ｚにおける環構造としては、上述した環構造が挙げられ、好ましい形態も同様である。なお、Ｚにおける環構造にはＱ^１４やＱ^２４が直接結合するため、環構造に例えばアルキレン基が連結して、そのアルキレン基にＱ^１４やＱ^２４が連結することはない。

　Ｒ^１、Ｒ^２又はＲ^３のアルキル基の炭素数は、化合物（Ａ１）又は化合物（Ａ２）を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が特に好ましい。
　Ｒ^２のアシルオキシ基のアルキル基部分の炭素数は、化合物（Ａ１）又は化合物（Ａ２）を製造しやすい点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２が特に好ましい。
　ｈ１は、化合物（Ａ１）又は化合物（Ａ２）を製造しやすい点、及び、耐久性により優れた表面層を形成する観点から、１～６が好ましく、１～４がより好ましく、１又は２がさらに好ましく、１が特に好ましい。
　ｈ２は、化合物（Ａ１）又は化合物（Ａ２）を製造しやすい点、及び、耐久性により優れた表面層を形成する観点から、２～６が好ましく、２～４がより好ましく、２又は３が特に好ましい。

　式（Ａ２）におけるＱ^２及びＱ^３は上記Ｑ^１と同様であり好ましい態様も同様である。ただし、上記Ｑ^１の説明において、ａ１は１と置き換えるものとし、ｂ１は、Ｑ^２においてはｂ２、Ｑ^３においてはｂ３と各々置き換えるものとする。

　なお、Ｑ^２及びＱ^３が２価の場合、化合物（Ａ２）は下記式（Ａ２ａ）で表される。
　Ｒ^ＢＨＮ－Ｑ^２－Ｇ^２－Ｑ^３－ＮＨＲ^Ｃ　　　　　　　　　式（Ａ２ａ）
　ただし、Ｑ^２、Ｇ^２及びＱ^３は化合物（Ａ２）と同様である。

　本表面処理剤に含まれる化合物（Ａ１）又は化合物（Ａ２）は、耐久性により優れた表面層を形成する観点から、Ｑ^１、Ｑ^２及びＱ^３のうち少なくとも一つが、下式（Ｃ１）で表される基であることが好ましい。
　（－Ａ^１１－）_ａ２Ｑ^２１（－Ｒ^１１－Ｒ^１２－）_ｂ４　　　　式（Ｃ１）
　ただし、
　式（Ｃ１）中のＡ^１１側がＧ^１又はＧ^２に接続し、Ｒ^１２側が窒素原子に接続し、
　Ａ^１１は、単結合、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基において炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＯＣ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^１３－、－Ｃ（Ｏ）ＯＮＲ^１３－、－ＮＲ^１３Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^１３Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＮＲ^１３Ｃ（Ｏ）ＮＲ^１３－、－Ｏ－又は－ＳＯ_２ＮＲ^１３－を有する基であって、Ａ^１１が複数ある場合、複数あるＡ^１１は同一であっても異なっていてもよく、
　Ｒ^１１は、単結合、－Ｒ^１４－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｒ^１４－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｒ^１４－Ｃ（Ｏ）－、－Ｒ^１４－ＯＣ（Ｏ）Ｏ－、－Ｒ^１４－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^１３－、－Ｒ^１４－Ｃ（Ｏ）ＯＮＲ^１３－、－Ｒ^１４－ＮＲ^１３Ｃ（Ｏ）－、－Ｒ^１４－ＮＲ^１３Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｒ^１４－ＮＲ^１３Ｃ（Ｏ）ＮＲ^１３－、－Ｒ^１４－Ｏ－又は－ＳＯ_２ＮＲ^１３－を有す
る基であって、Ｒ^１１が複数ある場合、複数あるＲ^１１は同一であっても異なっていてもよく、
　Ｒ^１２は、置換基を有していてもよい炭素数１～１０のアルキレン基であって、炭素数２以上のアルキレン基において炭素－炭素原子間に－Ｏ－又は－ＮＲ^Ｄ－が含まれていてもよく、Ｒ^Ｄは、水素原子又はアルキル基であり、
　Ｒ^１２が複数ある場合、複数あるＲ^１２は同一であっても異なっていてもよく、
　Ｒ^１３は、水素原子、炭素数１～６のアルキル基またはフェニル基であり、Ｒ^１３が複数ある場合、複数あるＲ^１３は同一であっても異なっていてもよく、
　Ｒ^１４は、炭素数１～１０のアルキレン基であり、
　Ｒ^１１、Ｒ^１３及びＲ^１４におけるアルキル基又はアルキレン基はフッ素置換されていてもよく、
　Ｑ^２１は、ａ２＋ｂ４価の基であり、
　ａ２は１以上の整数であり、
　ｂ４は１以上の整数である。

　本表面処理剤に含まれる化合物（Ａ１）又は化合物（Ａ２）は、耐久性により優れた表面層を形成する観点から、Ｑ^１、Ｑ^２及びＱ^３のうち少なくとも一つが、下式（Ｃ２）で表される基であることが好ましい。
　－Ｑ^２１－Ｒ^１２－　　　　式（Ｃ２）
　ただし、
　Ｑ^２１は、下式（１）～（１５）のいずれか１つで表される基であり、
　式（１）～（１５）中の＊１がＧ^１又はＧ^２に接続し、＊２がＲ^１２に接続し、
　Ｔ^Ｎはそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基であって、Ｒ^１２と連結して環を形成していてもよく、
　Ｔ^Ｃは、水素原子又は置換基を表し、
　Ｒ^１２は、置換基を有していてもよい炭素数１～１０のアルキレン基であって、炭素数２以上のアルキレン基において炭素－炭素原子間に－Ｏ－又は－ＮＲ^Ｄ－が含まれていてもよく、Ｒ^Ｄは、水素原子又はアルキル基である。

　Ｑ^２１は、下式（１）～（１５）のいずれか１つであり、式（１）、（２）、（８）、（１２）、又は（１５）であることが好ましい。

　Ｔ^Ｎはそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基であって、水素原子であることが好ましい。
　Ｔ^Ｎがアルキル基である場合、アルキル基は、直鎖状アルキル基であってもよく、分岐鎖状アルキル基であってもよく、環状アルキル基であってもよい。中でも、アルキル基は、直鎖状アルキル基であることが好ましい。また、アルキル基の炭素数は１～６であることが好ましく、１又は２であることがより好ましい。

　Ｔ^Ｃは、水素原子又は置換基である。
　Ｔ^Ｃが置換基である場合、置換基としては、例えば、水酸基、置換していてもよいアルキル基、アルコキシ基、３級アミノ基、ハロゲン原子、及びイミド基が挙げられる。アルキル基が置換基を有する場合、置換基としては、３級アミノ基、４級アンモニウム基、水酸基、アルコキシ基、ポリアルキレンオキシド基、ハロゲン原子、イミド基、及びアルキル基で置換していてもよいアミノカルボニル基が挙げられる。

　Ｒ^１２は、置換基を有していてもよい炭素数１～１０のアルキレン基であって、炭素数２以上のアルキレン基において炭素－炭素原子間に－Ｏ－又は－ＮＲ^Ｄ－が含まれていてもよく、Ｒ^Ｄは、水素原子又はアルキル基である。アルキレン基は、直鎖状アルキレン基であってもよく、分岐鎖状アルキレン基であってもよく、環状アルキレン基であってもよい。中でも、アルキレン基は、直鎖状アルキレン基であることが好ましい。アルキレン基の炭素数は、２～１０であることが好ましく、２～６であることがより好ましい。アルキレン基が有していてもよい置換基としては、例えば、カルボキシ基、水酸基、３級アミノ基、４級アンモニウム基、アルコキシ基、ポリアルキレンオキシド基、ハロゲン原子、イミド基、及びアルキル基で置換していてもよいアミノカルボニル基が挙げられる。

〔Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ〕
　Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、及びＲ^Ｃはそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基である。
　Ｒ^Ａは、Ｑ^１と連結して環を形成していてもよい。
　Ｒ^Ｂは、Ｑ^２と連結して環を形成していてもよい。
　Ｒ^Ｃは、Ｑ^３と連結して環を形成していてもよい。

　Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、及びＲ^Ｃで表されるアルキル基は、直鎖状アルキル基であってもよく、分岐鎖状アルキル基であってもよく、環状アルキル基であってもよい。中でも、アルキル基は、直鎖状アルキル基であることが好ましい。アルキル基の炭素数は、１～６であることが好ましく、１又は２であることがより好ましい。

　化合物（Ａ１）及び化合物（Ａ２）は、分子量が３，０００以上であることが好ましく、５，０００～２０，０００であることがより好ましい。化合物（Ａ１）及び化合物（Ａ２）の分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ又は核磁気共鳴分光法（ＮＭＲ）により測定できる。具体的に、核磁気共鳴分光法（ＮＭＲ）を用いた分子量測定は、^１Ｈ－ＮＭＲ及び^１９Ｆ－ＮＭＲによって行われ、内部標準物質（例えば、１，４－ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン）又は末端基を基準とし、オキシフルオロアルキレン単位の数（平均値）に基づいて算出される。すなわち、上記分子量は「数平均分子量」を意味する。

　化合物（Ａ１）及び化合物（Ａ２）は環構造を含むことが好ましい。化合物（Ａ１）において、Ｇ^１が環構造を含んでいてもよく、Ｑ^１が環構造を含んでいてもよく、Ｒ^ＡがＱ^１と連結して環を形成していてもよい。また、化合物（Ａ２）において、Ｇ^２が環構造を含んでいてもよく、Ｑ^２及びＱ^３が環構造を含んでいてもよく、Ｒ^ＢがＱ^２と連結して環を形成しており、Ｒ^ＣがＱ^３と連結して環を形成していてもよい。

　特に、化合物（Ａ１）において、Ｑ^１が環構造を含むか、又は、Ｒ^ＡがＱ^１と連結して環を形成していることが好ましい。Ｑ^１が環構造を含むか、又は、Ｒ^ＡがＱ^１と連結して環を形成していると、分子内環化反応が起きにくい。そのため、基材表面との反応性に優れるものと考えられる。アミノ基と基材表面との反応により、耐久性に優れた表面層を形成できる。

　同様の理由により、化合物（Ａ２）において、Ｑ^２及びＱ^３が環構造を含んでいるか、又は、Ｒ^ＢがＱ^２と連結して環を形成しており、かつ、Ｒ^ＣがＱ^３と連結して環を形成していることが好ましい。

　化合物（Ａ１）は、下式（Ａ１１）～（Ａ１４）のいずれかで表されることが好ましい。
　ただし、
　環Ａは、少なくとも１つの窒素原子を含む複素環を表し、
　環Ｂは、２つの窒素原子を含む複素環を表し、
　環Ｃは、炭化水素環又は複素環を表し、
　環Ｄは、少なくとも１つの窒素原子を含む複素環を表し、
　Ｒ^２１～Ｒ^２４はそれぞれ独立に、単結合又は連結基であり、
　Ｒ^３１、Ｒ^３２、Ｒ^Ａ１、及びＲ^Ａ２はそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基であり、
　ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立に、１又は２である。

　環Ａとしては、ピロール環、ピロリジン環、ピリジン環、ピペリジン環、ピラゾリジン環、イミダゾリジン環、及びピペラジン環が挙げられる。中でも、環Ａは、ピロリジン環、ピペリジン環、又はピペラジン環であることが好ましい。
　環Ｂとしては、ピラゾリジン環、イミダゾリジン環、及びピペラジン環が挙げられる。中でも、環Ｂは、ピペラジン環であることが好ましい。
　環Ｃで表される炭化水素環としては、例えば、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、ノルボルネン環、アダマンタン環等の脂肪族炭化水素環；及び、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、フルオレン環等の芳香族炭化水素環が挙げられる。環Ｃで表される複素環としては、ピロール環、フラン環、チオフェン環、ピロリジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、オキサゾール環、イミダゾリジン環、ピラゾリジン環、オキサゾリジン環、ピリジン環、ピペラジン環、ピラン環、ピペラジン環、及びモルホリン環が挙げられる。中でも、環Ｃは、炭化水素環であることが好ましく、脂肪族炭化水素環であることがより好ましく、シクロヘキサン環であることがさらに好ましい。
　環Ｄとしては、ピロール環、ピロリジン環、ピリジン環、ピペリジン環、ピラゾリジン環、イミダゾリジン環、及びピペラジン環が挙げられる。中でも、環Ｄは、ピロリジン環
又はピペリジン環であることが好ましい。

　Ｒ^２１～Ｒ^２４はそれぞれ独立に、単結合又はアルキレン基であることが好ましい。アルキレン基の炭素数は１～６であることが好ましい。アルキレン基には、－Ｏ－又は－ＮＨ－が含まれていてもよい。

　Ｒ^３１、Ｒ^３２、Ｒ^Ａ１、及びＲ^Ａ２はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基であることが好ましい。

　上記化合物（Ａ１）において、ｂ１は、表面層の耐摩耗性、指紋除去性、及び撥水撥油性の点から、２以上の整数が好ましい。２個以上のアミノ基を有することで、基材との密着性がより向上する。一方、ｂ１は、製造の容易性などの点から、１０以下が好ましく、６以下がより好ましい。
　上記化合物（Ａ１）において、ａ１は、表面層の指紋除去性、撥水撥油性、及び化合物の製造の容易性の点から、１～１０の整数が好ましく、１～６の整数がより好ましい。
　また、上記化合物（Ａ２）において、ｂ２及びｂ３は、表面層の耐摩耗性、指紋除去性、及び撥水撥油性の点から、各々独立に２以上の整数が好ましい。ポリフルオロポリエーテル鎖の片側末端に各々２個以上のアミノ基を有することで、基材との密着性がより向上する。一方、ｂ２及びｂ３は、製造の容易性などの点から、各々独立に１０以下が好ましく、６以下がより好ましい。

　本表面処理剤に含まれる化合物の具体例としては、下記化合物が挙げられる。

　なお、Ｇ^１及びＧ^２は上述の通りであり、Ｒ^ｆはポリフルオロポリエーテル鎖である。

　化合物（Ａ１）又は化合物（Ａ２）の製造方法について、一例をあげて説明する。製造方法は下記の方法に限定されるわけではないが、下記の方法によれば、化合物（Ａ１）又は化合物（Ａ２）を高収率で得られる。

　化合物（Ａ１）又は化合物（Ａ２）は、下記式（Ｄ１）で表される化合物又は下記式（Ｄ２）で表される化合物を用いて合成できる。
　（Ｇ^１－）_ａ１Ｑ^１（－Ｃ（＝Ｏ）ＯＣＨ_３）_ｂ１　　　　　式（Ｄ１）
　（Ｈ_３ＣＯＣ（＝Ｏ）－）_ｂ２Ｑ^２－Ｇ^２－Ｑ^３（－Ｃ（＝Ｏ）ＯＣＨ_３）_ｂ３　　　　　式（Ｄ２）
　ただし、各符号は上述の通りであり、好ましい態様も同様である。
　なお、化合物（Ｄ１）及び化合物（Ｄ２）は、例えば、国際公開第２０１３／１２１９８４号の方法を参照して合成できる。

　本表面処理剤は、本発明の効果を奏する範囲で更に他の成分を含有してもよい。他の成分としては、液状媒体及び他の含フッ素化合物が挙げられる。

　他の含フッ素化合物としては、本表面処理剤に含まれる化合物の製造過程で副生する含フッ素化合物（以下、副生含フッ素化合物ともいう。）及び公知の含フッ素化合物が挙げられる。
　他の含フッ素化合物としては、本表面処理剤の特性を低下させるおそれが少ない化合物が好ましい。
　他の含フッ素化合物の含有量は、本表面処理剤の特性を十分に発揮する点から、本表面処理剤の全質量に対して、５０質量％未満が好ましく、３０質量％未満がより好ましく、１０質量％未満がさらに好ましい。

　副生含フッ素化合物としては、本表面処理剤に含まれる化合物の合成時における未反応の含フッ素化合物等が挙げられる。本表面処理剤が副生含フッ素化合物を含む場合、該副生含フッ素化合物を除去、もしくは該副生含フッ素化合物量を低減させるための精製工程を簡略化できる。

　公知の含フッ素化合物としては、例えば、下記の文献に記載のものが挙げられる。
　日本特開平１１－０２９５８５号公報に記載のパーフルオロポリエーテル変性アミノシラン、
　日本特許第２８７４７１５号公報に記載のケイ素含有有機含フッ素ポリマー、
　日本特開２０００－１４４０９７号公報に記載の有機ケイ素化合物、
　日本特開２０００－３２７７７２号公報に記載のパーフルオロポリエーテル変性アミノシラン、
　日本特表２００２－５０６８８７号公報に記載のフッ素化シロキサン、
　日本特表２００８－５３４６９６号公報に記載の有機シリコーン化合物、
　日本特許第４１３８９３６号公報に記載のフッ素化変性水素含有重合体、
　米国特許出願公開第２０１０／０１２９６７２号明細書、国際公開第２０１４／１２６０６４号、日本特開２０１４－０７０１６３号公報に記載の化合物、
　国際公開第２０１１／０６００４７号、国際公開第２０１１／０５９４３０号に記載のオルガノシリコン化合物、
　国際公開第２０１２／０６４６４９号に記載の含フッ素オルガノシラン化合物、
　日本特開２０１２－７２２７２号公報に記載のフルオロオキシアルキレン基含有ポリマー、
　国際公開第２０１３／０４２７３２号、国際公開第２０１３／１２１９８４号、国際公開第２０１３／１２１９８５号、国際公開第２０１３／１２１９８６号、国際公開第２０１４／１６３００４号、日本特開２０１４－０８０４７３号公報、国際公開第２０１５／０８７９０２号、国際公開第２０１７／０３８８３０号、国際公開第２０１７／０３８８３２号、国際公開第２０１７／１８７７７５号に記載の含フッ素エーテル化合物、
　日本特開２０１４－２１８６３９号公報、国際公開第２０１７／０２２４３７号、国際公開第２０１８／０７９７４３号、国際公開第２０１８／１４３４３３号に記載のパーフルオロ（ポリ）エーテル含有シラン化合物、
　日本特開２０１５－１９９９０６号公報、日本特開２０１６－２０４６５６号公報、日本特開２０１６－２１０８５４号公報、日本特開２０１６－２２２８５９号公報に記載のフルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シラン
　国際公開第２０１８／２１６６３０号、国際公開第２０１９／０３９２２６号、国際公開第２０１９／０３９３４１号、国際公開第２０１９／０３９１８６号、国際公開第２０１９／０４４４７９号、日本特開２０１９－４４１５８号公報、国際公開第２０１９／０４４４７９号、国際公開第２０１９／１６３２８２号に記載の含フッ素エーテル化合物。
　また、含フッ素化合物の市販品としては、信越化学工業社製のＫＹ－１００シリーズ（ＫＹ－１７８、ＫＹ－１８５、ＫＹ－１９５等）、ＡＧＣ社製のＡｆｌｕｉｄ（登録商標）Ｓ５５０、ダイキン工業社製のオプツール（登録商標）ＤＳＸ、オプツール（登録商標）ＡＥＳ、オプツール（登録商標）ＵＦ５０３、オプツール（登録商標）ＵＤ５０９等が挙げられる。

　化合物（Ａ１）及び化合物（Ａ２）からなる群より選択される少なくとも１種の含フッ素化合物の含有量は、本表面処理剤の固形分量に対して、１００質量％未満であることが好ましく、６０質量％以上がより好ましく、７０質量％以上がさらに好ましく、８０質量％以上が特に好ましい。
　なお、本表面処理剤の固形分とは、本表面処理剤に含まれる液状媒体を除く成分を意味する。
　本表面処理剤が他の含フッ素化合物を含む場合、化合物（Ａ１）及び化合物（Ａ２）からなる群より選択される少なくとも１種の含フッ素化合物、並びに他の含フッ素化合物の合計含有量に対する他の含フッ素化合物の含有量は、４０質量％以下が好ましく、３０質量％以下がより好ましく、２０質量％以下がさらに好ましい。
　本表面処理剤が他の含フッ素化合物を含む場合、化合物（Ａ１）及び化合物（Ａ２）からなる群より選択される少なくとも１種の含フッ素化合物、並びに他の含フッ素化合物の合計含有量は、本表面処理剤の固形分量に対して、８０質量％以上が好ましく、８５質量％以上がより好ましい。

　化合物（Ａ１）及び化合物（Ａ２）からなる群より選択される少なくとも１種の含フッ素化合物の合計含有量は、本表面処理剤の全質量に対して、０．００１～４０質量％が好ましく、０．０１～２０質量％が好ましく、０．０５～１０質量％がより好ましい。

　含有量が上記範囲内であれば、表面層の耐久性に優れる。

　本表面処理剤は、液状媒体を含んでいてもよい。本表面処理剤は、液状であることが好ましく、溶液であってもよく、分散液であってもよい。液状媒体を含むことによって、本表面処理剤の形態、粘度、表面張力等を調整でき、塗布方法に適した液物性に制御できる。

　液状媒体としては、有機溶媒が好ましい。有機溶媒は、含フッ素溶媒であってもよく、非フッ素溶媒であってもよく、含フッ素溶媒と非フッ素溶媒の両方を含んでもよい。

　含フッ素溶媒としては、フッ素化アルカン、フッ素化芳香族化合物、フルオロアルキルエーテル、フッ素化アルキルアミン、フルオロアルコール等が挙げられる。
　フッ素化アルカンとしては、炭素数４～８の化合物が好ましい。市販品としては、たとえばＣ_６Ｆ_１３Ｈ（製品名「アサヒクリン（登録商標）ＡＣ－２０００」、ＡＧＣ社製）、Ｃ_６Ｆ_１３Ｃ_２Ｈ_５（製品名「アサヒクリン（登録商標）ＡＣ－６０００」、ＡＧＣ社製）、Ｃ_２Ｆ_５ＣＨＦＣＨＦＣＦ_３（製品名「バートレル（登録商標）ＸＦ」、ケマーズ社製）等が挙げられる。
　フッ素化芳香族化合物としては、たとえばヘキサフルオロベンゼン、トリフルオロメチルベンゼン、ペルフルオロトルエン、ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン等が挙げられる。
　フルオロアルキルエーテルとしては、炭素数４～１２の化合物が好ましい。市販品としては、例えば、ＣＦ_３ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２Ｈ（製品名「アサヒクリン（登録商標）ＡＥ－３０００」、ＡＧＣ社製）、Ｃ_４Ｆ_９ＯＣＨ_３（製品名「ノベック（登録商標）７１００」、３Ｍ社製）、Ｃ_４Ｆ_９ＯＣ_２Ｈ_５（製品名「ノベック（登録商標）７２００」、３Ｍ社製）、Ｃ_２Ｆ_５ＣＦ（ＯＣＨ_３）Ｃ_３Ｆ_７（製品名「ノベック（登録商標）７３００」、３Ｍ社製）等が挙げられる。
　フッ素化アルキルアミンとしては、例えば、ペルフルオロトリプロピルアミン、ペルフルオロトリブチルアミン等が挙げられる。
　フルオロアルコールとしては、例えば、２，２，３，３－テトラフルオロプロパノール、２，２，２－トリフルオロエタノール、ヘキサフルオロイソプロパノール等が挙げられる。

　非フッ素溶媒としては、水素原子及び炭素原子のみからなる化合物と、水素原子、炭素原子及び酸素原子のみからなる化合物が好ましく、炭化水素系溶媒、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒が挙げられる。

　中でも、化合物（Ａ１）及び化合物（Ａ２）からなる群より選択される１種以上の溶解性の観点から、非フッ素溶媒は、炭素数１～８のアルコール、炭素数１～８の鎖状エーテル、及び炭素数４～８の環状エーテルからなる群より選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。

　炭素数１～８のアルコールとしては、例えば、メタノール（６４℃）、エタノール（７９℃）、ｎ－プロパノール（９８℃）、ｉｓｏ－プロパノール（８２℃）、ｎ－ブタノール（１１９℃）、ｉｓｏ－ブタノール（９９℃）、ｔｅｒｔ－ブタノール（８２℃）、１－ペンタノール（１３８℃）、２－ペンタノール（１１９℃）、及びｔｅｒｔ－アミルアルコール（１０２℃）が挙げられる。
　炭素数１～８の鎖状エーテルとしては、例えば、ジエチルエーテル（３５℃）、ジプロピルエーテル（８９℃）、及びメチル－ｔｅｒｔ－ブチルエーテル（５５℃）が挙げられる。
　炭素数１～８の環状エーテルとしては、例えば、メチル－シクロペンチルエーテル（１０６℃）、テトラヒドロフラン（６６℃）、２－メチルテトラヒドロフラン（８０℃）、１，４－ジオキサン（１０１℃）、及び１，３－ジオキソラン（７４℃）が挙げられる。
　なお、括弧内は、沸点を示す。沸点は、１気圧（１０１，３２５Ｐａ）下での沸点を意味する。

　本表面処理剤は、溶媒として含フッ素溶媒を含み、溶媒に占める含フッ素溶媒の割合が５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、９０質量％以上であることがさらに好ましい。溶媒に占める含フッ素溶媒の割合の上限値は特に限定されない。溶媒に占める含フッ素溶媒の割合は、９９．９９９質量％以下であることが好ましく、９９．９９５質量％以下であることがより好ましく、９９．９９質量％以下であることがさらに好ましい。

　また、本表面処理剤は、溶媒として非フッ素溶媒をさらに含み、前記溶媒に占める非フッ素溶媒の割合が０．００１～５０質量％であることが好ましく、０．００５～３０質量％であることがより好ましく、０．０１～１０質量％であることがさらに好ましい。

　均一な表面層を形成する観点から、含フッ素溶媒と非フッ素溶媒とは、沸点の差が１００℃以下であることが好ましく、５０℃以下であることがより好ましく、３０℃以下であることがさらに好ましい。

　液状媒体の含有量は、本表面処理剤の全質量に対して、７５～９９．９９９質量％であることが好ましく、８５～９９．９９質量％であることがより好ましく、９０～９９．９質量％であることがさらに好ましい。

　本表面処理剤は、本開示の効果を損なわない範囲で、上記以外の他の成分を含んでいてもよい。
　本表面処理剤における、他の成分の含有量は、１０質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましい。

　本表面処理剤の固形分濃度は、０．００１～４０質量％が好ましく、０．０１～２０質量％がより好ましく、０．０１～１０質量％が更に好ましく、０．０１～１質量％が特に好ましい。固形分には、化合物（Ａ１）及び化合物（Ａ２）からなる群より選択される１種以上のほかに、場合により、他の含フッ素化合物及び他の成分が含まれる。表面処理剤の固形分濃度は、加熱前の表面処理剤の質量と、１２０℃の対流式乾燥機にて４時間加熱した後の質量とから算出される値である。

　本表面処理剤は、各種対象物の表面処理に用いることができ、対象物の表面に耐久性（例えば、耐溶剤性、耐磨耗性）を付与する。処理対象となる表面としては基材表面、基材表面に形成された各種層の表面などが挙げられる。

　表面の材質は、物品としての用途等に応じて適宜選択される。表面層の耐摩耗性などの点からは、上記化合物（Ａ１）及び化合物（Ａ２）が有するアミノ基と化学結合し得る材質、又はアミノ基が吸着し得る材質が好ましい。このような材質としては、例えば、金、白金、銅などの金属；酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、ジルコン酸チタン酸鉛（ＰＬＴ）、酸化銀、酸化銅などの金属酸化物；トリアセチルセルロース等のアセチルセルロース系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリエチレンやポリメチルペンテン等のオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエーテルサルホンやポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリイミド、アクロニトリル、メタクリロニトリル、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー等の樹脂などが挙げられる。樹脂の場合、中でも、カルボキシル基又はカルボン酸エステルを有することが好ましい。

［物品］
　本開示に係る物品（以下、「本物品」と記す）は、基材と、基材上に配置された、上記本表面処理剤から形成された表面層と、を含むことが好ましい。
　本物品は、本表面処理剤から形成された表面層が設けられていることにより、耐久性（例えば、耐溶剤性、耐磨耗性）に優れる。

　図１は本開示の物品の一例を示す模式断面図である。本物品２０は、本表面処理剤から形成された表面層２２を備える。図１の例における本物品２０は、少なくとも一部が基材１２、ハードコート層１４、表面層２２の積層構造を有する。基材１２、ハードコート層１４として、ハードコート層付き基材１０が用いられてもよい。また不図示ではあるが基材１２上に直接表面層２２が積層していてもよい。
　本表面処理剤は、基材１２やハードコート層１４上に塗布され、表面層２２を形成する。表面層２２は、基材１２の表面の一部に形成されてもよく、基材１２のすべての表面に形成されてもよい。表面層２２は、基材１２の表面に膜状に拡がってもよく、ドット状に点在してもよい。

　基材の材質は、本物品の用途等に応じて適宜選択すればよく、透明基材又は不透明基材のいずれであってもよく、形状も任意である。基材がフィルム状又は板状のものである場合、基材は、可撓性のないリジッド材であってもよく、可撓性を有するフレキシブル材であってもよい。
　基材の材質の具体例としては、ガラス；トリアセチルセルロース等のアセチルセルロース系樹脂；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル樹脂；ポリエチレン、ポリメチルペンテン等のオレフィン樹脂；ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂；ウレタン樹脂；ポリエーテルサルホン、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリアクロニトリル、ポリメタクリロニトリル、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー等の樹脂；金、白金、銅などの金属；酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、ジルコン酸チタン酸鉛（ＰＬＴ）、酸化銀、酸化銅等の金属酸化物；サファイア、石、紙、布類が挙げられる。
　なお、透明基材とは、ＪＩＳ　Ｒ３１０６：１９９８（ＩＳＯ　９０５０：１９９０）に準じた垂直入射型可視光透過率が２５％以上であることを意味する。

　また、基材は、表面にハードコート層が形成されている基板、いわゆるハードコート層付き基板であってもよい。本開示において、ハードコート層付き基板は、基材の概念に包含される。

　ハードコート層としては、アクリレート系ハードコート層、ウレタンアクリレート系ハードコート層、エポキシ系ハードコート層などが挙げられる。中でも、ハードコート層は、アクリレート系ハードコート層又はウレタンアクリレート系ハードコート層が好ましい。

　ハードコート層の厚さは、０．０１μｍ～２，０００μｍが好ましく、０．０２μｍ～５００μｍが特に好ましい。ハードコート層の厚さを測定する方法としては、電子顕微鏡（ＳＥＭ、ＴＥＭ等）によるハードコート層の断面観察による方法や、光干渉膜厚計、分光エリプソメータ、段差計等を用いる方法が挙げられる。

　中でも、化合物（Ａ１）及び化合物（Ａ２）のアミノ基との反応性の観点から、基材は、樹脂を含むことが好ましく、エステル基、シアノ基、アミド基、イミド基、カーボネート基、及びカルバメート基からなる群より選択される少なくとも１種を含む樹脂を含むことがより好ましい。

　本表面処理剤から形成された表面層は、例えば、本表面処理剤を塗布した後に乾燥させることにより形成できる。本表面処理剤から形成された表面層には、液状媒体以外の成分が含まれる。

　本表面処理剤から形成された表面層は、基材と接するように配置されていてもよく、基材上に他の層を介して配置されてもよい。基材表面の耐久性を向上させる観点から、本表面処理剤から形成された表面層は、基材と接するように配置されていることが好ましい。

　本表面処理剤から形成された表面層の厚さは、１ｎｍ～１００ｎｍが好ましく、１～５０ｎｍが特に好ましい。表面層の厚さが１ｎｍ以上であれば、表面処理による効果が充分に得られやすい。表面層の厚さが１００ｎｍ以下であれば、利用効率が高い。表面層の厚さは、薄膜解析用Ｘ線回折計（ＲＩＧＡＫＵ社製、ＡＴＸ－Ｇ）を用いて、Ｘ線反射率法によって反射Ｘ線の干渉パターンを得て、干渉パターンの振動周期から算出できる。

［物品の製造方法］
　本物品の製造方法は、本表面処理剤を用いて、ドライコーティング法又はウェットコーティング法により表面層を形成する方法である。

　本表面処理剤が液状媒体を含まない場合、ドライコーティング法にそのまま用いることができる。本表面処理剤は、ドライコーティング法によって密着性に優れた表面層を形成するのに好適である。ドライコーティング法としては、真空蒸着、ＣＶＤ、スパッタリング等の手法が挙げられる。化合物（Ａ１）又は化合物（Ａ２）の分解を抑える点、及び装置の簡便さの点から、真空蒸着法が好適に利用できる。

　真空蒸着には、鉄や鋼等の金属材料からなる金属多孔体に化合物（Ａ１）又は化合物（Ａ２）を担持させたペレット状物質を使用してもよい。化合物（Ａ１）又は化合物（Ａ２）を担持させたペレット状物質は、金属多孔体に化合物（Ａ１）又は化合物（Ａ２）の溶液を含浸し、乾燥して液状媒体を除去することにより製造できる。

　液状媒体を含む本表面処理剤は、ウェットコーティング法に好適に用いることができる。ウェットコーティング法としては、スピンコート法、ワイプコート法、スプレーコート法、スキージーコート法、ディップコート法、ダイコート法、インクジェット法、フローコート法、ロールコート法、キャスト法、ラングミュア・ブロジェット法、グラビアコート法等が挙げられる。

　表面層の耐摩耗性を向上させるために、必要に応じて、本表面処理剤と基材との反応を促進するための操作を行ってもよい。該操作としては、加熱、加湿、光照射等が挙げられる。
　表面処理後、表面層中の化合物であって他の化合物や基材と結合していない化合物は、必要に応じて除去してもよい。具体的な方法としては、たとえば、表面層に溶媒をかけ流す方法、溶媒をしみ込ませた布でふき取る方法等が挙げられる。

［化合物］
　本開示の化合物は、下式（Ａ１）又は下式（Ａ２）で表される含フッ素化合物である。
　（Ｇ^１－）_ａ１Ｑ^１（－ＮＨＲ^Ａ）_ｂ１　　　　　　　　　　　　　　式（Ａ１）
　（Ｒ^ＢＨＮ－）_ｂ２Ｑ^２－Ｇ^２－Ｑ^３（－ＮＨＲ^Ｃ）_ｂ３　　　　　　　式（Ａ２）
　ただし、
　Ｇ^１は、（ポリ）オキシフルオロアルキル基であって、Ｇ^１が複数ある場合、複数あるＧ^１は互いに同一であっても異なっていてもよく、
　Ｇ^２は、（ポリ）オキシフルオロアルキレン基であり、
　Ｑ^１は、炭素数２以上のａ１＋ｂ１価の連結基であり、
　Ｑ^２は、炭素数２以上のｂ２＋１価の連結基であり、
　Ｑ^３は、炭素数２以上のｂ３＋１価の連結基であり、
　ａ１は１以上の整数であり、
　ｂ１は１以上の整数であり、
　ｂ２は１以上の整数であり、
　ｂ３は１以上の整数である。
　Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、及びＲ^Ｃはそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基であって、
　Ｒ^Ａは、Ｑ^１と連結して環を形成していてもよく、
　Ｒ^Ｂは、Ｑ^２と連結して環を形成していてもよく、
　Ｒ^Ｃは、Ｑ^３と連結して環を形成していてもよい。

　なお、式（Ａ１）及び式（Ａ２）で表される含フッ素化合物の好ましい態様は、上記のとおりである。

　以下に実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

［化合物１の合成］

　国際公開第２０１３／１２１９８４号に記載されている前駆体（４ａ－２）の合成方法を参照して、化合物１ａを合成した。繰り返し単位数ｎの平均値は１３である。
　３０ｍＬナスフラスコに、４－（アミノメチル）－１－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルピペリジン（０．０７１ｇ、１．３３ｍｍｏｌ）、４－（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ）ピリジン（０．０８１ｇ、０．６６ｍｍｏｌ）、アサヒクリンＡＣ－２０００(ＡＧＣ株式会社製、０．８３８ｇ、０．５ｍＬ、以下「ＡＣ－２０００」と記す)、１，４－ジオキサン（０．５１７ｇ、０．５ｍＬ）、及び上記化合物１ａ（数平均分子量：約４，５００、１．０ｇ、０．２２ｍｍｏｌ）を入れた。マグネチックスターラーを用い、２５℃で３日間攪拌した。その後、得られた溶液にメタノール（１ｍＬ）を加え攪拌したのちに静置し上層をピペットで除去する操作を３回繰り返した。得られた溶液にＡＣ－２０００（５ｍＬ）を加えたのちに減圧留去した。得られた粗体をカラム精製し、化合物１ｂ（０．８１ｇ）を得た。

　得られた化合物１ｂをＡＣ－２０００（６ｍＬ）に溶解させ、０℃に冷却した。その後、４Ｎ　塩化水素／酢酸エチル溶液（２ｍＬ）を加え、４時間攪拌した。溶媒を減圧留去した後、ＡＣ－２０００（１０ｍＬ）及び５質量％炭酸水素ナトリウム水溶液（２ｍＬ）を加えた。攪拌後、下層を硫酸ナトリウムを用いて乾燥した。溶媒を減圧留去することで、化合物１（０．５４ｇ）を得た。

［化合物２の合成］

　１００ｍＬ３つ口フラスコに、１，４－ビス（アミノメチル）シクロヘキサン（０．４３ｇ、３．１ｍｍｏｌ）及びＡＣ－２０００（２０ｍＬ）を加え、２５℃で攪拌した。さらに、上記化合物１ａ（数平均分子量：約４，５００、３．０ｇ、０．６６ｍｍｏｌ）を２０分間かけて滴下し、２５℃で１２時間攪拌した。得られた粗液を減圧留去した。ＡＣ－２０００（２ｍＬ）を加え、その後メタノール（１ｍＬ）を加え、攪拌した後、静置して上層をピペットで除去する、という操作を３回繰り返した。得られた溶液にＡＣ－２０００（５ｍＬ）を加えた後、溶媒を減圧留去し、化合物２（０．９８ｇ）を得た。

［化合物３の合成］

　５０ｍＬナスフラスコに、１，３－ジアミノ－２－プロパノール（０．０６５ｇ、０．７２ｍｍｏｌ）、ＡＣ－２０００(９ｍＬ)、１，４－ジオキサン（５．５ｍＬ）、及び上記化合物１ａ（数平均分子量：約４，５００、１．０ｇ、０．２２ｍｍｏｌ）を入れ、マグネチックスターラーを用い、２５℃で６時間攪拌した。溶媒を減圧留去した後、アサヒクリンＡＣ－６０００（ＡＧＣ株式会社製、以下「ＡＣ－６０００」と記す）に溶解し、分液ロートに移液してメタノールを加えて洗浄する操作を３回繰り返した。ＡＣ－６０００を減圧留去し、化合物３の粗体（１．１３ｇ）を得た。
　得られた化合物３の粗体をＡＣ－２０００（５ｍＬ）に溶解させ、トリエチルアミン（０．１ｍＬ、０．７２ｍｍｏｌ）、１，４－ジオキサン（１ｍＬ）、二炭酸ジ－ｔｅｒｔ－ブチル（０．１２ｍＬ、０．５４ｍｍｏｌ）を加えた。次いで、マグネチックスターラーを用い、２５℃で２週間攪拌した。溶媒を減圧留去した後、得られた粗体をカラム精製し、化合物３ａ（０．４８ｇ）を得た。

　得られた化合物３ａ（０．２ｇ）をＡＣ－２０００（１．５ｍＬ）に溶解させ、０℃に冷却した。その後、４Ｎ　塩化水素／酢酸エチル溶液（１．１ｍＬ）を加え、1日間攪拌した。次いで、溶媒を減圧留去した。得られた粗体にＡＣ－２０００（１０ｍＬ）及び５質量％炭酸水素ナトリウム水溶液（２ｍＬ）を加え攪拌し、静置した。下層を分取した後に、硫酸ナトリウムを用いて乾燥した。濾過後、溶媒を減圧留去することで、化合物３（０．２０ｇ）を得た。

［化合物４の合成］

　３０ｍＬナスフラスコに１－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－イソニペコチック酸ヒドラジド（０．１７ｇ、０．６８ｍｍｏｌ）、ＡＣ－２０００(３．５ｍＬ)、１，４－ジオキサン（２．１ｍＬ）、及び上記化合物１ａ（数平均分子量：約４，５００、１．０ｇ、０．２２ｍｍｏｌ）を入れた。マグネチックスターラーを用い、２５℃で１か月間攪拌した。その後、Ｏ－（７－アザベンゾトリアゾール－１－イル）－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ７－テトラメチルウロニウムヘキサフルオロホスフェート（ＨＡＴＵ、０．０８５ｇ、０．２２ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（０．２ｍＬ、１．４ｍｍｏｌ）を加え、７０℃で３日間攪拌した。得られた溶液の溶媒を留去した後、ＡＣ－６０００に溶解し、分液ロートに移液してメタノールを加えて洗浄した。ＡＣ－６０００を減圧留去し、得られた粗体をカラム精製し、化合物４ａ（０．１０ｇ）を得た。

　得られた化合物４ａ（０．１０ｇ）をＡＣ－２０００（５ｍＬ）に溶解させ、０℃に冷却した。その後、４Ｎ　塩化水素／酢酸エチル溶液（２ｍＬ）を加え、１日間攪拌した。溶媒を減圧留去した。得られた粗体にＡＣ－２０００（１０ｍＬ）及び５質量％炭酸水素ナトリウム水溶液（２ｍＬ）を加え攪拌し、静置した。下層を分取した後に硫酸ナトリウムを用いて乾燥した。濾過後、溶媒を減圧留去することで、化合物４（０．０２ｇ）を得た。

［化合物５の合成］

　国際公開第２０１２／０３３９５６号に記載されている前駆体（４Ｘ）の合成方法を参照して、化合物５ａを合成した。
　１０ｍＬナスフラスコに、化合物５ａ（０．１３ｇ、０．３９ｍｍｏｌ）、エタノール（１ｍＬ）、ヒドラジン水和物(０．０６０ｍＬ、１．２ｍｍｏｌ)を入れた。マグネチックスターラーを用い、還流で１日間攪拌した。その後、溶媒を減圧留去し、得られた粗体をカラム精製し、化合物５ｂ（０．０８４ｇ）を得た。

　１０ｍＬナスフラスコに得られた化合物５ｂ（０．０８０ｇ、０．２４ｍｍｏｌ）、ＡＣ－２０００(２．１ｍＬ)、１，４－ジオキサン（０．８ｍＬ）、ＨＡＴＵ（０．０６７ｇ、０．１７ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ－ジイソプロピルエチルアミン（０．１２ｍＬ、０．６９ｍｍｏｌ）及び上記化合物１ａ（数平均分子量：約４，５００、０．８０ｇ、０．１８ｍｍｏｌ）を入れた。マグネチックスターラーを用い、還流で３日間攪拌した。得られた溶液の溶媒を留去した後、ＡＣ－６０００に溶解し、分液ロートに移液してメタノールを加えて洗浄した。ＡＣ－６０００を減圧留去し、得られた粗体をカラム精製し、化合物５ｃ（０．０２６ｇ）を得た。

　得られた化合物５ｃ（０．０２６ｇ）をＡＣ－２０００（１ｍＬ）に溶解させ、０℃に冷却した。その後、４Ｎ　塩化水素／酢酸エチル溶液（０．５ｍＬ）を加え、３日間攪拌したし、その後溶媒を減圧留去した。得られた粗体にＡＣ－２０００（１０ｍＬ）及び５質量％炭酸水素ナトリウム水溶液（２ｍＬ）を加え攪拌し、静置した。下層を分取した後に、硫酸ナトリウムを用いて乾燥した。濾過後、溶媒を減圧留去することで、化合物５（０．０２４ｇ）を得た。

［化合物６の合成］

　１０ｍＬナスフラスコに、１－ｔｅｒｔ－ブチル－４－メチル－アゼパン－１，４－ジカルボキシレート（化合物６ａ、０．２０ｇ、０．７４ｍｍｏｌ）、エタノール（１．５ｍＬ）、ヒドラジン水和物(０．１１ｍＬ、２．３ｍｍｏｌ)を入れた。マグネチックスターラーを用い、還流で３日間攪拌した。その後、溶媒を減圧留去し、得られた粗体をカラム精製し、化合物６ｂ（０．１８ｇ）を得た。

　１０ｍＬナスフラスコに得られた化合物６ｂ（０．１２ｇ、０．４４ｍｍｏｌ）、ＡＣ－２０００(２．７ｍＬ)、１，４－ジオキサン（１．６ｍＬ）、ＨＡＴＵ（０．０８５ｇ、０．２２ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（０．１５ｍＬ、１．１ｍｍｏｌ）及び上記化合物１ａ（数平均分子量：約４，５００、１．０ｇ、０．２１ｍｍｏｌ）を入れた。マグネチックスターラーを用い、還流で３日間攪拌した。得られた溶液の溶媒を留去した後、ＡＣ－６０００に溶解し、分液ロートに移液してメタノールを加えて洗浄した。ＡＣ－６０００を減圧留去し、得られた粗体をカラム精製し、化合物６ｃ（０．０８２ｇ）を得た。

　得られた化合物６ｃ（０．０８２ｇ）をＡＣ－２０００（１ｍＬ）に溶解させ、４Ｎ　塩化水素／酢酸エチル溶液（０．５ｍＬ）を加え、４時間攪拌した後に、溶媒を減圧留去した。得られた粗体にＡＣ－２０００（１０ｍＬ）及び５質量％炭酸水素ナトリウム水溶液（２ｍＬ）を加え攪拌し、静置した。下層を分取した後に、硫酸ナトリウムを用いて乾燥した。濾過後、溶媒を減圧留去することで、化合物６（０．０８ｇ）を得た。

［化合物７の合成］

　１００ｍＬ三つ口フラスコに、化合物７ａであるジエチレントリアミン（１０．３ｇ、１００ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（３．０４ｇ、３０ｍｍｏｌ）、１，４－ジオキサン（２０ｍＬ）を入れた。マグネチックスターラーを用い、０℃、窒素雰囲気下で攪拌しながら、二炭酸ジ－ｔｅｒｔ－ブチル（２．１８ｇ、１０ｍｍｏｌ）、１，４－ジオキサン（２０ｍＬ）の混合物を３０分かけて滴下した。その後、２５℃、窒素雰囲気下で１６時間攪拌した。次いで、溶媒を減圧留去した。得られた粗体を水に再溶解させて分液ロートに移し、クロロホルムで抽出した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥した後に濃縮した。得られた粗体をカラム精製し、化合物７ｂ（０．５５８ｇ）を得た。

　３０ｍＬナスフラスコに、化合物１ａ（１．０１ｇ、０．２２ｍｍｏｌ）、化合物７ｂ（０．０６７ｇ、０．３３ｍｍｏｌ）、ＡＣ－２０００（２ｍＬ）、１，４－ジオキサン（１ｍＬ）を入れた。マグネチックスターラーを用い、２５℃、窒素雰囲気下で１６時間攪拌した後に、溶媒を減圧留去した。得られた粗体をＡＣ－６０００に溶解させ、メタノールで洗浄した。得られたフッ素溶媒層を濃縮した。カラム精製し、化合物７ｃ（０．７８４ｇ）を得た。

　３０ｍＬナスフラスコに、化合物７ｃ（０．２０ｇ、０．０４２ｍｍｏｌ）、ＡＣ－２０００（３ｍＬ）を入れ、マグネチックスターラーを用い、２５℃で攪拌しながら４Ｎ塩化水素／酢酸エチル溶液（２ｍＬ）を加え、２５℃で３時間攪拌した。その後、炭酸ナトリウム（０．６４ｇ、６．００ｍｍｏｌ）及び蒸留水（５ｍＬ）の混合物を加えた。得られた反応混合物にＡＣ－２０００（１０ｍＬ）を加えた後に、飽和食塩水で洗浄した。得られたフッ素溶媒層を濃縮し、化合物７（０．１３５ｇ）を得た。

［化合物８の合成］

　１００ｍＬ三つ口フラスコに、化合物８ａであるジプロピレントリアミン（９．８４ｇ、７５ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（２．２８ｇ、２２．５ｍｍｏｌ）、１，４－ジオキサン（１５ｍＬ）を入れた。マグネチックスターラーを用い、０℃窒素雰囲気下で攪拌しながら、二炭酸ジ－ｔｅｒｔ－ブチル（１．６４ｇ、７．５ｍｍｏｌ）、１，４－ジオキサン（１５ｍＬ）の混合物を３０分かけて滴下した。その後、２５℃、窒素雰囲気下で１６時間攪拌した後に、反応溶液を減圧濃縮した。得られた粗体を水に再溶解させて分液ロートに移し、クロロホルムで抽出した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させ濃縮した後にカラム精製し、化合物８ｂ（０．８３０ｇ）を得た。

　３０ｍＬナスフラスコに、化合物１ａ（１．００ｇ、０．２２ｍｍｏｌ）、化合物８ｂ（０．０７６ｇ、０．３３ｍｍｏｌ）、ＡＣ－２０００（２ｍＬ）、１，４－ジオキサン（１ｍＬ）を入れた。マグネチックスターラーを用い、２５℃、窒素雰囲気下で１６時間攪拌した。得られた反応混合物をロータリーエバポレーターで濃縮しＡＣ－６０００に溶解させ分液ロートに移し、メタノールで洗浄した。得られたフッ素溶媒層を濃縮した後にカラム精製し、化合物８ｃ（０．７０２ｇ）を得た。

　３０ｍＬナスフラスコに、化合物８ｃ（０．４０ｇ、０．０８４ｍｍｏｌ）、ＡＣ－２０００（３ｍＬ）を入れた。マグネチックスターラーを用い、２５℃で攪拌しながら４Ｎ塩化水素／酢酸エチル溶液（２ｍＬ）を加え、２５℃で３時間攪拌した。その後、炭酸ナトリウム（０．６４ｇ、６．００ｍｍｏｌ）、蒸留水（５ｍL）の混合物を加えた。得られた反応混合物にＡＣ－２０００を加え、分液ロートに移し、飽和食塩水で洗浄した。得られたフッ素溶媒層を濃縮し、化合物８（０．３２１ｇ）を得た。

［化合物９の合成］

　１００ｍＬ三つ口フラスコに、化合物９ａであるトリエチレンテトラミン（１．８３ｇ、１２．５ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（０．３７９ｇ、３．７５ｍｍｏｌ）、１，４－ジオキサン（３．５ｍＬ）を入れた。マグネチックスターラーを用い、０℃窒素雰囲気下で攪拌しながら、二炭酸ジ－ｔｅｒｔ－ブチル（０．２７３ｇ、１．２５ｍｍｏｌ）、１，４－ジオキサン（３．５ｍＬ）の混合物を３０分かけて滴下した。その後、２５℃、窒素雰囲気下で１６時間攪拌した。得られた反応混合物を濃縮した後に、水に再溶解させて分液ロートに移し、クロロホルムで抽出した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させ濃縮した。カラム精製し、化合物９ｂ（０．０６４ｇ）を得た。

　３０ｍＬナスフラスコに、化合物１ａ（０．９１５ｇ、０．２００ｍｍｏｌ）、化合物９ｂ（０．０６４ｇ、０．２６ｍｍｏｌ）、ＡＣ－２０００（２ｍＬ）、１，４－ジオキサン（１ｍＬ）を入れた。マグネチックスターラーを用い、２５℃、窒素雰囲気下で１６時間攪拌した。得られた反応混合物をロータリーエバポレーターで濃縮し、ＡＣ－６０００に溶解させた。分液ロートに移し、メタノールで洗浄した。得られたフッ素溶媒層を濃縮したのちにカラム精製し、化合物９ｃ（０．７７４ｇ）を得た。

　３０ｍＬナスフラスコに、化合物９ｃ（０．４３０ｇ、０．０９０ｍｍｏｌ）、ＡＣ－２０００（３ｍＬ）を入れた。マグネチックスターラーを用い、２５℃で攪拌しながら４Ｎ塩化水素／酢酸エチル溶液（２ｍＬ）を加え、２５℃で３時間攪拌した。その後、炭酸ナトリウム（０．６４ｇ、６．００ｍｍｏｌ）、蒸留水（５ｍＬ）の混合物を加えた。得られた反応混合物に、ＡＣ－２０００（１０ｍＬ）を加えた。分液ロートに移し、飽和食塩水で洗浄した。得られたフッ素溶媒層を濃縮し、化合物９（０．３３８ｇ）を得た。

［化合物１０の合成］

　１００ｍＬ三つ口フラスコに、化合物１０ａであるトリプロピレンテトラミン（３．３９ｇ、１８．０ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（０．５４６ｇ、５．４ｍｍｏｌ）、１，４－ジオキサン（５ｍＬ）を入れた。マグネチックスターラーを用い、０℃、窒素雰囲気下で攪拌しながら、二炭酸ジ－ｔｅｒｔ－ブチル（０．３９３ｇ、１．８ｍｍｏｌ）、１，４－ジオキサン（５ｍＬ）の混合物を３０分かけて滴下した後、２５℃窒素雰囲気下で１６時間攪拌した。得られた反応混合物をロータリーエバポレーターで濃縮し、水に再溶解させて分液ロートに移し、クロロホルムで抽出した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させ濃縮した。カラム精製し、化合物１０ｂ（０．０７３４ｇ）を得た。

　３０ｍＬナスフラスコに、化合物１ａ（０．９１５ｇ、０．２００ｍｍｏｌ）、化合物１０ｂ（０．０７３４ｇ、０．２５ｍｍｏｌ）、ＡＣ－２０００（２ｍＬ）、１，４－ジオキサン（１ｍＬ）を入れた。マグネチックスターラーを用い、２５℃、窒素雰囲気下で１６時間攪拌し、得られた反応混合物を減圧濃縮した。得られた粗体をＡＣ－６０００に溶解させ分液ロートに移し、メタノールで洗浄した。得られたフッ素溶媒層を濃縮した後にカラム精製し、化合物１０ｃ（０．６８５ｇ）を得た。

　３０ｍＬナスフラスコに、化合物１０ｃ（０．４２０ｇ、０．０８７ｍｍｏｌ）、ＡＣ－２０００（３ｍＬ）を入れた。マグネチックスターラーを用い２５℃で攪拌しながら４Ｎ塩化水素／酢酸エチル溶液（２ｍＬ）を加え、２５℃で３時間攪拌した。その後、炭酸ナトリウム（０．６４ｇ、６．００ｍｍｏｌ）、蒸留水（５ｍＬ）の混合物を加えた。得られた反応混合物にＡＣ－２０００を加え、分液ロートに移し、飽和食塩水で洗浄した。得られたフッ素溶媒層を濃縮し、化合物１０（０．２５９ｇ）を得た。

［例１１］
　２０ｃｃの反応器にＮ－カルボベンゾキシ－１，６－ジアミノヘキサン塩酸塩を０．５０ｇ、水を５．０３ｇ加え、攪拌しながら４８％水酸化カリウム水溶液を２．０ｇ滴下した。２０分後、ジクロロメタンで三回抽出しシリンジフィルターに通した後、溶媒を留去し、目的の化合物１１ａを０．４０ｇ得た。
　化合物１１ａ：Ｈ_２Ｎ（ＣＨ_２）_６－ＮＨ－ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ_２－Ｃ_６Ｈ_５

　２０ｃｃの反応器に化合物１１ａを０．３２ｇ、ＡＣ－２０００を５．６６ｇ、化合物１ａを５．００ｇ、メタノールを１．１７ｇ加え、５０℃で攪拌した。その後、溶媒を留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的の化合物１１ｂを３．８０ｇ得た。
　化合物１１ｂ：ＣＦ_３Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ（ＣＨ_２）_６－ＮＨ－ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ_２－Ｃ_６Ｈ_５

　５０ｃｃの耐圧反応器に化合物１１ｂを２．７０ｇ、ＡＣ－２０００を２５．２１ｇ、パラジウム／炭素（パラジウム１０％）を０．０４ｇ加えて、水素雰囲気下、４０℃で加熱した。その後セライトろ過し、２０μｍシリンジフィルターに通した。溶媒を留去し目的の化合物１１を１．５０ｇ得た。
　化合物１１：ＣＦ_３Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ（ＣＨ_２）_６－ＮＨ_２
　繰り返し単位数ｎの平均値は１３である。

［例１２］
　１Ｌ反応容器にトリチルクロリドを４３．６３ｇ、ペンタエリトリトールを１１１．４２ｇ、４－ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）を１．１２ｇ、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）を１，０００ｍＬ入れて攪拌し、溶液が透明になってからトリエチルアミン２５ｍＬを加え３０時間攪拌した。その後０．２Ｍ塩酸１，０００ｍＬと酢酸エチル２，０００ｍＬを加え、水層を酢酸エチル１，０００ｍＬで２回抽出し、有機層をまとめてヘキサン４，０００ｍＬ加え水とブラインで洗浄した。濃縮後、得られた固体をヘキサンとエーテルで洗浄し乾固した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し目的の化合物１２ａを１６．１８ｇ得た。
　化合物１２ａ：（Ｃ_６Ｈ_５）_３Ｃ－ＯＣＨ_２Ｃ（ＣＨ_２ＯＨ）_３

　５００ｃｃの三口フラスコに２－（ベンジルオキシ）エタノールを２６．８０ｇ、トリエチルアミンを５０ｍＬ、ジクロロメタン１８０ｍＬを加えて、氷浴しながらトシルクロリド２６．００ｇを加え、３０分攪拌し、その後室温で攪拌した。その後、酢酸エチルと水を加えて分液し、有機層を１Ｎ塩酸→５％重曹水→水→ブラインの順で、それぞれ洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水後、濾過、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的の化合物１２ｂを５２．６６ｇ得た。
　化合物１２ｂ：Ｔｓ－Ｏ―ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_２―Ｃ_６Ｈ_５
　なお、ＴｓはＣＨ_３－Ｃ_６Ｈ_４－ＳＯ_２－を表す。

　窒素雰囲気下、１Ｌの反応容器に６０％水素化ナトリウムを８．１４ｇ、ＤＭＦ８５０ｍＬを加え、攪拌しながら化合物１２ａをゆっくりと加えた。その後，化合物１２ｂの４７．３６ｇをＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）２５０ｍＬに溶かしたものを、反応溶液に加え、６０℃に昇温し攪拌した。０．５規定塩酸を５００ｍＬ加えて酢酸エチルで抽出した。有機層にヘキサンを加え、水、ブラインで洗浄した後に無水硫酸マグネシウムで脱水後、濾液を濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的の化合物１２ｃを２４．７０ｇ得た。
　化合物１２ｃ：（Ｃ_６Ｈ_５）_３Ｃ－ＯＣＨ_２Ｃ（ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_２―Ｃ_６Ｈ_５）_３

　３００ｃｃのナスフラスコに、化合物１２ｃを２４．７０ｇ、メタノールを３２ｍＬ、ジクロロメタンを１３０ｍＬ加え、攪拌しながらトリフルオロ酢酸１５ｍＬを滴下した。室温で攪拌した後にピリジン２５ｍＬを加え、濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することで、目的の化合物１２ｄを１４．１２ｇ得た。
　化合物１２ｄ：ＨＯＣＨ_２Ｃ（ＣＨ_２Ｏ―（ＣＨ_２）_２ＯＣＨ_２―Ｃ_６Ｈ_５）_３

　３００ｍＬの反応容器に化合物１２ｄを１７．０４ｇ、２，６－ルチジンを８ｍＬ、クロロホルムを１６０ｍＬ加えた。その後反応溶液を氷浴し、無水トリフルオロメタンスルホン酸を８ｍＬ加え、１時間攪拌した。その後水１５０ｍＬを加えて有機層を重曹水、塩化アンモニウム水、ブラインで洗浄し、有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水後、濾液を濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的の化合物１２ｅを９．８４ｇ得た。
　化合物１２ｅ：Ｆ_３Ｃ－ＳＯ_２―Ｏ－ＣＨ_２Ｃ（ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－ＣＨ_２―Ｃ_６Ｈ_５）_３

　国際公開第２０１３／１２１９８４号の実施例の（例２）に記載の方法（具体的には例２－３に記載の方法）にしたがって化合物１２ｆを得た。
　化合物１２ｆ：ＣＦ_３Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ
　繰り返し単位数ｎの平均値は１３である。

　２００ｃｃのナスフラスコに化合物１２ｆを３３．２３ｇ、炭酸セシウムを１０．１０ｇ、化合物１２ｅを９．５７ｇ、１，３－ビストリフルオロメチルベンゼンを３４．０３ｇ加え、１００℃にて攪拌した。その後１Ｍ塩酸を１００ｍＬ加え、ＡＣ－２０００を１００ｍＬ加え分液した。有機層を硫酸マグネシウムで脱水後、濾液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的の化合物１２ｇを１３．５１ｇ得た。
　化合物１２ｇ：ＣＦ_３Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_２Ｃ（ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_２―Ｃ_６Ｈ_５）_３

　１００ｃｃの耐圧反応器に化合物１２ｇを１３．５２ｇ、ＡＣ－２０００を５２．５１ｇ、メタノール３０ｍＬ、パラジウム／炭素（Ｐｄ１０％）を０．１７ｇ加えて、水素雰囲気下、室温で２１時間攪拌した。反応溶液をろ過後、濾液を濃縮し、目的の化合物１２ｈを１２．５６ｇ得た。
　化合物１２ｈ：ＣＦ_３Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_２Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ）_２

　原料を化合物１２ｈとし、国際公開第２０１３／１２１９８４号の実施例の（例１）（具体的には例１－３、１－４、１－５）に記載の方法にしたがって、化合物１２ｉを得た。
　化合物１２ｉ：ＣＦ_３Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎ＋１ＣＦ_２Ｃ（ＣＦ_２ＯＣＦ_２Ｃ（＝Ｏ）ＯＣＨ_３）_３

　化合物１２ｉと化合物１１ａを原料とし、本実施例の例１１と同様の方法で化合物１２を得た。
　化合物１２：ＣＦ_３Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎ＋１ＣＦ_２Ｃ（ＣＦ_２ＯＣＦ_２Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ（ＣＨ_２）_６ＮＨ_２）_３

［例１３］
　国際公開第２０１３／１２１９８４号の実施例の（例２）に記載の方法にしたがって化合物１３を得た。
　化合物１３：ＣＦ_３Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－Ｃ（＝Ｏ）ＮＨＣＨ_２ＣＨ_２Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２（Ｓｉ（ＯＭｅ）_３）_３
　繰り返し単位数ｎの平均値は１３である。

　次に、化合物１～１３を用いて、表面処理剤を調製した。

［表面処理剤１～１３の調製］
　化合物１～１０（０．０５ｇ）に対して、化合物１～１０の含有量が０．１質量％となるように、ＡＣ－２０００を加えた。その結果、化合物１～１０は、完全には溶解しなかった。
　化合物１～１０（０．０５ｇ）に対して、化合物１～１０の含有量が０．１質量％となるように、ＡＣ－２０００とエタノールとの混合溶液（エタノール濃度：１質量％）を加えた。その結果、化合物１～１０は、完全に溶解した。
　化合物１～１０（０．０５ｇ）に対して、化合物１～１０の含有量が０．１質量％となるように、ＡＣ－２０００とエタノールとの混合溶液（エタノール濃度：３質量％）を加えた。その結果、化合物１～１０は、完全に溶解した。得られた溶液を、表面処理剤１～１０とした。
　防汚コーティング剤（製品名「オプツールＵＤ－５０９」、ダイキン工業社製）を、パーフルオロポリエーテル化合物の濃度が０．１質量％となるように、フッ素溶媒（製品名「ＮＯＶＥＣ－７２００」、住友３Ｍ社製）を用いて希釈した溶液を、表面処理剤３Ａとした。
　防汚コーティング剤（製品名「ＫＹ－１９０５」、信越化学工業株式会社製）を、パーフルオロポリエーテル化合物の濃度が０．１質量％となるように、フッ素溶媒（製品名「ＮＯＶＥＣ－７２００」、住友３Ｍ社製）を用いて希釈した溶液を、表面処理剤４Ａとした。
　化合物１１～１３に対して、化合物１１～１３の含有量が０．５質量％となるように、フッ素溶媒（製品名「ＮＯＶＥＣ－７２００」、住友３Ｍ社製）を用いて希釈した溶液を、表面処理剤１１～１３とした。

［物品の製造］
（例１～４）
　アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン共重合体製基板（以下、「ＡＢＳ基板」、アズワン社製、５ｃｍ×５ｃｍ×３ｍｍ厚）を、スピンコーター（製品名「Ｏｐｔｉｃｏａｔ　ＭＳ－Ｂ２００」、ミカサ株式会社製）を用い、回転数５００ｒｐｍで回転させながらＡＣ－２０００（５ｍＬ）を１０秒間かけ流し、表面洗浄を行った。その後、回転を止め、表面処理剤１、２、３Ａ、又は４Ａ（０．３ｍＬ）をＡＢＳ基板に載せた。ＡＢＳ基板を回転数５００ｒｐｍで回転させ、さらに、表面処理剤１（０．３ｍＬ）をかけ流した。ＡＢＳ基板を１分間回転させた後、ＡＢＳ基板を取り出した。真空乾燥を５分間行い、さらに９０℃で４時間の焼成を行い、表面処理剤から形成される表面層を有する物品を得た。

（例５～８）
　ＡＢＳ基板を、ポリエチレンテレフタレート製基板（以下、「ＰＥＴ基板」、アズワン社製、５ｃｍ×５ｃｍ×３ｍｍ厚）に変更した以外は、例１～４と同様の方法で、表面処理剤から形成される表面層を有する物品を得た。

（例９～２０）
　例９、１０、１９、２０では、ＡＢＳ基板を、ハードコート層付きポリ（メチルメタクリレート）基板（以下、「ＨＣ付きＰＭＭＡ基板」、名阪真空工業社製：ＰＭＲ２、厚さ１．０ｍｍ）に変更した以外は、例１～４と同様の方法で、表面処理剤から形成される表面層を有する物品を得た。
　例１１～１８では、表面処理剤１を、表面処理剤３～１０に変更した以外は、例９と同様の方法で、表面処理剤から形成される表面層を有する物品を得た。

（例２１）
　ＨＣ付きＰＭＭＡ基板の表面をエタノールで３回拭き、プラズマ処理を行った。
　　プラズマ処理機器：ウェッジ社製：ＰＳ－１２００ＡＷ
　　プラズマ処理条件：ギャップ１５０ｍｍ、速度２５０ｍｍ／ｓ、ピッチ２０ｍｍ、繰り返し数８回
　ＨＣ付きＰＭＭＡ基板のハードコート層上に、アミノ基を有するシランカップリング剤（製品名「ＫＢＰ－９０」、信越化学社株式会社製、０．０８質量％）、蒸留水（５．０質量％）、エチレングリコール（０．０８質量％）及びエタノール（９４．８質量％）を含む下塗り剤を、バーコーター（バーコード番号：ＯＳＰ－１０）を用いて塗布した後、１３０℃の恒温槽で２分間焼成し、下塗り層を形成した。
　得られた樹脂基材に、例３と同様の条件で表面処理剤３Ａを塗布し、表面処理剤から形成される表面層を有する物品を得た。

（例２２）
　表面処理剤を、表面処理剤３Ａから表面処理剤４Ａに変更したこと以外は、例２１と同様の条件で表面処理を行い、表面処理剤から形成される表面層を有する物品を得た。

（例２３～２５）
　関東化学社製メチルエチルケトン（ＭＥＫ）３．５ｇ、新中村化学工業社製Ａ－ＤＰＨ１．５ｇ、１０ｗｔ％のｏｍｎｉｒａｄ（ＩＧＭ　Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製：光重合開始剤）のイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）溶液１．５ｇを混合、攪拌し、ハードコート（ＨＣ）液を調合した。次に、名阪真空工業社製ＨＣ付きＰＭＭＡ基板ＰＭＲ２をコロナ放電処理で表面親水化させた。スピンコート（５００ｒｐｍ－２０ｓｅｃ）で調合したＨＣ液０．５ｇを塗布し、８０℃１分で乾燥させた。大気雰囲気において、高圧水銀ランプ（照射量：０．６Ｊ／ｃｍ^２）で照射した。表面処理剤１１～１３の０．５ｇをスピンコート（５００ｒｐｍ－２０ｓｅｃ）で塗布し、８０℃１分で乾燥させた。大気雰囲気において、高圧水銀ランプ（照射量２５Ｊ／ｃｍ^２）で照射し、８０℃３０分加熱した。以上の工程により、例２３～２５の物品を製造した。

　［例２６］
　基材をＰＭＭＡ基板からＰＥＴフィルム（東洋紡社製コスモシャインＡ４３００）に変更した以外は、例２４と同様の方法で物品を製造した。

　作製した物品を用いて、以下の測定を行った。例１～２２の測定結果を表１に、例２３～２６の測定結果を表２に示す。なお、表１中、空欄は、測定を行っていないことを意味する。

［耐溶剤性］
＜初期水接触角＞
　物品の表面層が形成されている面（以下、「表面処理面」ともいう）に、約２μＬの純水を滴下した。水接触角を、接触角測定装置（製品名「ＤＭ－５００」、協和界面科学社製）を用いて測定した。表面処理面における異なる５箇所で測定を行い、その平均値を算出し、初期水接触角とした。接触角の算出には２θ法を用いた。

＜洗浄後水接触角＞
　１００ｍＬビーカーに、ＡＣ－２０００とエタノールとの混合溶液（エタノール濃度：３質量％、１０ｍＬ）を入れた。物品の表面処理面を下にして物品を浸漬させ、１分間超音波洗浄を行った。その後、物品を取り出し、ＡＣ－２０００とエタノールとの混合溶液（エタノール濃度：３質量％、１０ｍＬ）を掛けて洗浄した。この洗浄操作を２回繰り返した後、５分間真空乾燥を行った。洗浄後の物品の表面処理面の水接触角（以下、「洗浄後水接触角」と記す）を測定した。洗浄後水接触角の測定方法は、初期水接触角の測定方法と同じとした。

［耐摩耗性］
（摩耗試験１）
　物品の表面処理面に対して、３連式平面摩耗試験機（製品名「ＰＡ－３００Ａ」、大栄科学精器製作所製）を用い、２４℃４０％ＲＨ雰囲気下、荷重１，０００ｇ、回転数４０ｒｐｍ、ストローク長４０ｍｍの摩耗条件で，ｍｉｎｏａｎ社製６ｍｍφの消しゴムを用いた摩耗試験を行った。摩耗試験前と、１００回、５００回、５，０００回擦過後に、水接触角を測定した。なお、測定ごとにエタノールで、物品の表面処理面を拭き取った。水接触角の測定方法は、初期水接触角の測定方法と同じとした。なお、表１中の「－」は、測定不能であったことを示している。
（摩耗試験２）
　試験雰囲気を２４℃４０％ＲＨから２４℃８０％ＲＨに変更した以外は摩耗試験１と同様に試験を行った。
（摩耗試験３）
　和光純薬社製乳酸５０ｇ、関東化学社製塩化ナトリウム１００ｇを９００ｍｌのイオン交換水に溶かし込み、更にイオン交換水を加え１Ｌにし、評価に使用する人工汗を調合した。
　物品を６０℃９０％ＲＨ（Ｒｅｌａｔｉｖｅ　Ｈｕｍｉｄｉｔｙ）の高温高湿槽に１６時間静置した後、下記の試験を行った。
　ＪＩＳ　Ｌ０８４９：２０１３（ＩＳＯ　１０５－Ｘ１２：２００１）に準拠して往復式トラバース試験機（ケイエヌテー社製）を用い、ＪＩＳ　Ｌ０８０３準拠の布カナキン３号を用いて、荷重：９．８Ｎ、速度：８０ｒｐｍで往復させた。初期および往復１，０００回毎に、表面層の表面に調合した人工汗０．５ｍＬを垂らした。往復６，０００回の摩耗をした後に、表面層の水の接触角を測定し、以下の評価基準にしたがって耐摩耗性を評価した。
　Ａ：水の接触角が１０５度以上であった。
　Ｂ：水の接触角が１００度以上１０５度未満であった。
　Ｃ：水の接触角が１００度未満であった。

　表１に示すように、化合物（Ａ１）を含む表面処理剤を用いた例１及び例２では、洗浄後水接触角が１００°以上であり、耐溶剤性に優れることが分かった。これは、基板のシアノ基と化合物（Ａ１）のアミノ基が反応して、共有結合が形成されたためであると推察される。一方、化合物（Ａ１）及び化合物（Ａ２）のいずれも含まない表面処理剤を用いた例３及び例４では、洗浄後水接触角が１００°未満であり、耐溶剤性に劣ることが分かった。
　ＰＥＴ基板についても、ＡＢＳ基板と同様の傾向が確認された。
　ＨＣ付きＰＭＭＡ基板についても、化合物（Ａ１）を含む表面処理剤を用いた例９～１８では、洗浄後水接触角が１００°以上であり、耐溶剤性に優れることが分かった。
　したがって、化合物（Ａ１）のアミノ基が、ＰＥＴ基板及びＨＣ付きＰＭＭＡ基板のエステル基と反応して、共有結合が形成されたと推察される。

　化合物（Ａ１）を含む表面処理剤を用いた例９～１０、１８では、５，０００回擦過後の水接触角が１００°以上であり、耐摩耗性に優れることが分かった。
　化合物（Ａ１）を含む表面処理剤を用いた例１１～１７では、５００回擦過後の水接触角が１００°以上であり、耐摩耗性に優れることが分かった。したがって、化合物（Ａ１）のアミノ基が、ＨＣ付きＰＭＭＡ基板のエステル基と反応して共有結合が形成された結果、耐摩耗性を発現したと推察される。また、化合物（Ａ１）のうち、アミノ基を複数有するジアミンは、基板のエステル基との反応点が増し、強固に結合したため耐摩耗性を発現したと推察される。化合物（Ａ１）のうち、２級アミンを有するアミノ基は、ＨＣ付きＰＭＭＡ基板のエステル基への反応性が上がり、耐摩耗性を発現したと推察される。
　一方、化合物（Ａ１）及び化合物（Ａ２）のいずれも含まない表面処理剤を用いた例１９及び例２０では、１００回擦過後の水接触角が１００°未満であり、耐摩耗性に劣ることが分かった。５，０００回擦過後では、基板に傷が入り、測定することができなかった。化合物（Ａ１）及び化合物（Ａ２）のいずれも含まない表面処理剤であるため、基板と共有結合せず、１００回擦過後に表面処理剤が消失し、耐摩耗性を付与することができず基板に傷が入ったためと推察される。

　化合物（Ａ１）を含む表面処理剤を用いた例９では、高湿度条件下においても、５，０００回擦過後の水接触角が１００°以上であり、耐摩耗性に優れることが分かった。
　一方、化合物（Ａ１）及び化合物（Ａ２）のいずれも含まない表面処理剤を用いた例２１及び例２２では、あらかじめ下塗り剤を付与することで摩耗試験１において耐摩耗性が改善した。しかし、高湿度条件下において、１００回擦過後の水接触角が１００°未満であり、耐摩耗性に劣ることが分かった。

　表２に示すように、化合物（Ａ１）を含む表面処理剤１１、１２を用いた例２３、２４、２６では、耐摩耗性に優れることが分かった。

Claims

　下式（Ａ１）及び下式（Ａ２）で表される含フッ素化合物からなる群より選択される１種以上を含む、表面処理剤。
　（Ｇ^１－）_ａ１Ｑ^１（－ＮＨＲ^Ａ）_ｂ１　　　　　　　　　　　式（Ａ１）
　（Ｒ^ＢＨＮ－）_ｂ２Ｑ^２－Ｇ^２－Ｑ^３（－ＮＨＲ^Ｃ）_ｂ３　　　式（Ａ２）
　ただし、
　Ｇ^１は、（ポリ）オキシフルオロアルキル基であって、Ｇ^１が複数ある場合、複数あるＧ^１は互いに同一であっても異なっていてもよく、
　Ｇ^２は、（ポリ）オキシフルオロアルキレン基であり、
　Ｑ^１は、炭素数２以上のａ１＋ｂ１価の連結基であり、
　Ｑ^２は、炭素数２以上のｂ２＋１価の連結基であり、
　Ｑ^３は、炭素数２以上のｂ３＋１価の連結基であり、
　ａ１は１以上の整数であり、
　ｂ１は１以上の整数であり、
　ｂ２は１以上の整数であり、
　ｂ３は１以上の整数である。
　Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、及びＲ^Ｃはそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基であって、
　Ｒ^Ａは、Ｑ^１と連結して環を形成していてもよく、
　Ｒ^Ｂは、Ｑ^２と連結して環を形成していてもよく、
　Ｒ^Ｃは、Ｑ^３と連結して環を形成していてもよい。
　前記含フッ素化合物は、分子量が３，０００以上である、請求項１に記載の表面処理剤。
　前記含フッ素化合物が環構造を有する、請求項１又は請求項２に記載の表面処理剤。
　前記Ｇ^１が下式（Ｂ１）で表される基である、請求項１～請求項３のいずれか１項に記載の表面処理剤。
　Ｒ^ｆ１１Ｏ－（Ｒ^ｆ１２Ｏ）_ｃ１－Ｒ^ｆ１３－　　　　式（Ｂ１）
　ただし、
　Ｒ^ｆ１１は炭素数１～２０のフルオロアルキル基であり、
　Ｒ^ｆ１２及びＲ^ｆ１３はそれぞれ独立に、炭素数１～６のフルオロアルキレン基であって、Ｒ^ｆ１２が複数ある場合、複数あるＲ^ｆ１２は互いに同一であっても異なっていてもよく、
　ｃ１は０～５００の整数である。
　前記Ｇ^２が下式（Ｂ２）で表される基である、請求項１～請求項４のいずれか１項に記載の表面処理剤。
　－Ｏ－（Ｒ^ｆ２１Ｏ）_ｃ２－Ｒ^ｆ２２－　　　　式（Ｂ２）
　ただし、
　Ｒ^ｆ２１及びＲ^ｆ２２はそれぞれ独立に、炭素数１～６のフルオロアルキレン基であって、Ｒ^ｆ２１が複数ある場合、複数あるＲ^ｆ２１は互いに同一であっても異なっていてもよく、
　ｃ２は１～５００の整数である。
　前記ｂ１、ｂ２及びｂ３のうち少なくとも一つが２以上の整数である、請求項１～５のいずれか１項に記載の表面処理剤。
　前記Ｑ^１、Ｑ^２及びＱ^３のうち少なくとも一つが、下式（Ｃ１）で表される基である、請求項１～請求項６のいずれか１項に記載の表面処理剤。
　（－Ａ^１１－）_ａ２Ｑ^２１（－Ｒ^１１－Ｒ^１２－）_ｂ４　　　　式（Ｃ１）
　ただし、
　式（Ｃ１）中のＡ^１１側がＧ^１又はＧ^２に接続し、Ｒ^１２側が窒素原子に接続し、
　Ａ^１１は、単結合、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基において炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＯＣ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^１３－、－Ｃ（Ｏ）ＯＮＲ^１３－、－ＮＲ^１３Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ^１３Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＮＲ^１３Ｃ（Ｏ）ＮＲ^１３－、－Ｏ－又は－ＳＯ_２ＮＲ^１３－を有する基であって、Ａ^１１が複数ある場合、複数あるＡ^１１は同一であっても異なっていてもよく、
　Ｒ^１１は、単結合、－Ｒ^１４－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｒ^１４－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｒ^１４－Ｃ（Ｏ）－、－Ｒ^１４－ＯＣ（Ｏ）Ｏ－、－Ｒ^１４－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^１３－、－Ｒ^１４－Ｃ（Ｏ）ＯＮＲ^１３－、－Ｒ^１４－ＮＲ^１３Ｃ（Ｏ）－、－Ｒ^１４－ＮＲ^１３Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｒ^１４－ＮＲ^１３Ｃ（Ｏ）ＮＲ^１３－、－Ｒ^１４－Ｏ－又は－ＳＯ_２ＮＲ^１３－を有する基であって、Ｒ^１１が複数ある場合、複数あるＲ^１１は同一であっても異なっていてもよく、
　Ｒ^１２は、置換基を有していてもよい炭素数１～１０のアルキレン基であって、炭素数２以上のアルキレン基において炭素－炭素原子間に－Ｏ－又は－ＮＲ^Ｄ－が含まれていてもよく、Ｒ^Ｄは、水素原子又はアルキル基であり、
　Ｒ^１２が複数ある場合、複数あるＲ^１２は同一であっても異なっていてもよく、
　Ｒ^１３は、水素原子、炭素数１～６のアルキル基またはフェニル基であり、Ｒ^１３が複数ある場合、複数あるＲ^１３は同一であっても異なっていてもよく、
　Ｒ^１４は、炭素数１～１０のアルキレン基であり、
　Ｒ^１１、Ｒ^１３及びＲ^１４におけるアルキル基又はアルキレン基はフッ素置換されていてもよく、
　Ｑ^２１は、ａ２＋ｂ４価の基であり、
　ａ２は１以上の整数であり、
　ｂ４は１以上の整数である。
　前記Ｑ^１、Ｑ^２及びＱ^３のうち少なくとも一つが、下式（Ｃ２）で表される基である、請求項１～７のいずれか１項に記載の表面処理剤。
　－Ｑ^２１－Ｒ^１２－　　　　式（Ｃ２）
　ただし、
　Ｑ^２１は、下式（１）～（１５）のいずれか１つで表される基であり、
　前記式（１）～（１５）中の＊１がＧ^１又はＧ^２に接続し、＊２がＲ^１２に接続し、
　Ｔ^Ｎはそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基であって、Ｒ^１２と連結して環を形成していてもよく、
　Ｔ^Ｃは、水素原子又は置換基を表し、
　Ｒ^１２は、置換基を有していてもよい炭素数１～１０のアルキレン基であって、炭素数２以上のアルキレン基において炭素－炭素原子間に－Ｏ－又は－ＮＲ^Ｄ－が含まれていてもよく、Ｒ^Ｄは、水素原子又はアルキル基である。
　前記Ｒ^１２は、置換基を有していてもよい炭素数２～１０のアルキレン基である、請求項７又は８に記載の表面処理剤。
　前記式（Ａ１）中、
　Ｑ^１が環を含むか、又は、Ｒ^ＡがＱ^１と連結して環を形成しており、
　前記式（Ａ２）中、
　Ｑ^２及びＱ^３が環を含むか、又は、
　Ｒ^ＢがＱ^２と連結して環を形成しており、かつ、Ｒ^ＣがＱ^３と連結して環を形成している、請求項１～９のいずれか１項に記載の表面処理剤。
　前記式（Ａ１）は、下式（Ａ１１）～（Ａ１４）のいずれかで表される、請求項１～請求項１０のいずれか１項に記載の表面処理剤。
　ただし、
　環Ａは、少なくとも１つの窒素原子を含む複素環を表し、
　環Ｂは、２つの窒素原子を含む複素環を表し、
　環Ｃは、炭化水素環又は複素環を表し、
　環Ｄは、少なくとも１つの窒素原子を含む複素環を表し、
　Ｒ^２１～Ｒ^２４はそれぞれ独立に、単結合又は連結基であり、
　Ｒ^３１、Ｒ^３２、Ｒ^Ａ１、及びＲ^Ａ２はそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基であり、
　ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立に、１又は２である。
　前記含フッ素化合物の含有量は、前記表面処理剤の全質量に対して０．００１～４０質量％である、請求項１～１０のいずれか１項に記載の表面処理剤。
　更に、他の含フッ素化合物を含む、請求項１～１２のいずれか１項に記載の表面処理剤。
　更に、液状媒体を含む、請求項１～１３のいずれか１項に記載の表面処理剤。
　溶媒として含フッ素溶媒を含み、前記溶媒に占める前記含フッ素溶媒の割合が５０質量％以上である、請求項１～１４のいずれか１項に記載の表面処理剤。
　前記溶媒として非フッ素溶媒をさらに含み、前記溶媒に占める非フッ素溶媒の割合が０．００１～５０質量％である、請求項１５に記載の表面処理剤。
　前記非フッ素溶媒は、炭素数１～８のアルコール、炭素数１～８の鎖状エーテル、及び炭素数４～８の環状エーテルからなる群より選択される少なくとも１種を含む、請求項１６に記載の表面処理剤。
　前記含フッ素溶媒と前記非フッ素溶媒とは、沸点の差が５０℃以下である、請求項１６又は請求項１７に記載の表面処理剤。
　基材と、
　前記基材上に配置された、請求項１～１８のいずれか１項に記載の表面処理剤から形成された表面層と、を含む物品。
　前記基材は、エステル基、シアノ基、アミド基、イミド基、カーボネート基、及びカルバメート基からなる群より選択される少なくとも１種を含む樹脂を含む、請求項１９に記載の物品。
　前記表面層は、前記基材と接するように配置される、請求項１９又は２０に記載の物品。
　少なくとも一部が、基材、ハードコート層、表面層の積層構造を有する、請求項１９又は２０に記載の物品。
　請求項１～１８のいずれか一項に記載の表面処理剤を用いて、ドライコーティング法又はウェットコーティング法により、表面層を形成する、物品の製造方法。
　下式（Ａ１）又は下式（Ａ２）で表される含フッ素化合物。
　（Ｇ^１－）_ａ１Ｑ^１（－ＮＨＲ^Ａ）_ｂ１　　　　　　　　　　　式（Ａ１）
　（Ｒ^ＢＨＮ－）_ｂ２Ｑ^２－Ｇ^２－Ｑ^３（－ＮＨＲ^Ｃ）_ｂ３　　　式（Ａ２）
　ただし、
　Ｇ^１は、Ｑ^１と結合する炭素原子にフッ素原子が結合した（ポリ）オキシフルオロアルキル基であって、Ｇ^１が複数ある場合、複数あるＧ^１は互いに同一であっても異なっていてもよく、
　Ｇ^２は、Ｑ^２及びＱ^３と結合するそれぞれの炭素原子にフッ素原子が結合した（ポリ）オキシフルオロアルキレン基であり、
　Ｑ^１は、フッ素原子を有しない炭素数２以上のａ１＋ｂ１価の連結基であり、
　Ｑ^２は、フッ素原子を有しない炭素数２以上のｂ２＋１価の連結基であり、
　Ｑ^３は、フッ素原子を有しない炭素数２以上のｂ３＋１価の連結基であり、
　ａ１は１以上の整数であり、
　ｂ１は１以上の整数であり、
　ｂ２は１以上の整数であり、
　ｂ３は１以上の整数である。
　Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、及びＲ^Ｃはそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基であって、
　Ｒ^Ａは、Ｑ^１と連結して環を形成していてもよく、
　Ｒ^Ｂは、Ｑ^２と連結して環を形成していてもよく、
　Ｒ^Ｃは、Ｑ^３と連結して環を形成していてもよい。