WO2022201843A1 - チャンバ装置、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

チャンバ装置、及び電子デバイスの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2022201843A1
WO2022201843A1 PCT/JP2022/003118 JP2022003118W WO2022201843A1 WO 2022201843 A1 WO2022201843 A1 WO 2022201843A1 JP 2022003118 W JP2022003118 W JP 2022003118W WO 2022201843 A1 WO2022201843 A1 WO 2022201843A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
housing
inner housing
light
laser
chamber apparatus
Prior art date
Application number
PCT/JP2022/003118
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
准一 藤本
貴浩 巽
一喜 永井
ジェフリー ピー サーセル
Original Assignee
ギガフォトン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ギガフォトン株式会社 filed Critical ギガフォトン株式会社
Priority to CN202280014355.9A priority Critical patent/CN116868457A/zh
Priority to JP2023508715A priority patent/JPWO2022201843A1/ja
Publication of WO2022201843A1 publication Critical patent/WO2022201843A1/ja
Priority to US18/447,514 priority patent/US20230387641A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02—Constructional details
    • H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
    • H01S3/036—Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02—Constructional details
    • H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02—Constructional details
    • H01S3/04—Arrangements for thermal management
    • H01S3/0405—Conductive cooling, e.g. by heat sinks or thermo-electric elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02—Constructional details
    • H01S3/04—Arrangements for thermal management
    • H01S3/0407—Liquid cooling, e.g. by water
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02—Constructional details
    • H01S3/04—Arrangements for thermal management
    • H01S3/041—Arrangements for thermal management for gas lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
    • H01S3/0971—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser transversely excited
    • H01S3/09713—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser transversely excited with auxiliary ionisation, e.g. double discharge excitation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22—Gases
    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex

Definitions

  • FIG. 2 shows the internal configuration of the chamber device CH as seen from a direction substantially perpendicular to the traveling direction of the laser light.
  • 3 is a cross-sectional view of the chamber device CH shown in FIG. 2 perpendicular to the traveling direction of the laser light.
  • the chamber device CH includes a housing 30, windows 31a and 31b, electrodes 32a and 32b, an insulating portion 33, an electrode holder portion 36, guides 39A, 39B and 39C, a dielectric pipe 42, and an inner electrode 43. , an outer electrode 44 , a cross-flow fan 46 , a heat exchanger 47 and a pressure sensor 48 as main components.
  • the electrode 32 b is supported by the electrode holder portion 36 and electrically connected to the electrode holder portion 36 .
  • the electrode holder portion 36 is electrically connected to the housing 30 via wiring 37 .
  • Guides 39A, 39B, and 39C are provided on the electrode holder portion 36 .
  • Materials for each of the guides 39A, 39B, and 39C include, for example, porous nickel metal, which has low reactivity with F2 gas.
  • the electrode 32b is fixed on the electrode holder portion 36 by being sandwiched between the guides 39A and 39B.
  • the dielectric pipe 42, the inner electrode 43, and the outer electrode 44 are arranged along the traveling direction of the laser light.
  • the shape of the dielectric pipe 42 is, for example, cylindrical.
  • the dielectric pipe 42 is made of a dielectric such as aluminum oxide.
  • the inner electrode 43 is rod-shaped and arranged along the dielectric pipe 42 inside the through hole of the dielectric pipe 42 .
  • fixed pipes 42a and 42b are connected to both ends of the dielectric pipe 42.
  • a wiring (not shown) connected to one end of the inner electrode 43 is arranged in the through hole of one fixed pipe 42a.
  • a wiring (not shown) connected to the other end of the inner electrode 43 is arranged in the through hole of the other fixed pipe 42b.
  • the rear mirror 145 is fixed in the internal space of a housing 145a connected to one end of the housing 30 via a damper (not shown). Also, the output coupling mirror 147 is fixed in the internal space of the optical path tube 147a connected to the other end side of the housing 30 via a damper (not shown).
  • An opening is continuous on the opposite side of the housing 151 of the monitor module 150 to the side to which the optical path tube 147a is connected, and the optical path tube 161a is connected so as to surround this opening. Therefore, the internal space of the housing 151 and the internal space of the optical path tube 161a communicate with each other. Also, the optical path tube 161 a is connected to the housing 110 . An exit window 161 is provided at a position surrounded by the optical path tube 161 a in the housing 110 . Light transmitted through the beam splitter 152 of the monitor module 150 is emitted from the emission window 161 to the exposure apparatus 200 outside the housing 110 .
  • the optical path tubes 147a, 161a and the internal spaces of the housings 145a, 151 are filled with a purge gas.
  • the purge gas contains an inert gas such as high-purity nitrogen containing few impurities such as oxygen.
  • the purge gas is supplied from a purge gas supply source (not shown) arranged outside the housing 110 to the internal spaces of the optical pipes 147a and 161a and the housings 145a and 151 through pipes (not shown).
  • the temperature in the internal space of the housing 30 may rise when light is generated by excitation of the laser gas.
  • the temperature distribution in the internal space may become uneven.
  • the laser gas is supplied from the laser gas supply device 170 to the internal space of the housing 30, the pressure in the internal space increases.
  • the housing 30 may be deformed due to thermal expansion of the housing 30 due to a temperature rise, a difference in thermal expansion in the internal space of the housing 30 due to uneven temperature distribution, and an increase in pressure. If the housing 30 is deformed, the traveling direction of the laser light emitted from the housing 30 may change from the previously assumed traveling direction. Due to this change, the traveling direction of the laser light emitted from the gas laser device 100 toward the exposure device 200 may also change from the previously assumed traveling direction. Therefore, there arises a concern that the reliability of the gas laser device 100 is lowered.
  • each bent portion is fixed by brazing as described above, and a frame-shaped projection 53 is provided.
  • the frame-shaped projection 53 has a rectangular shape elongated in the longitudinal direction of the inner housing 50, and an opening 50c is provided inside the frame-shaped projection 53.
  • the opening 50 c has a rectangular shape elongated in the longitudinal direction of the inner housing 50 and is closed by the insulating portion 33 .
  • the remaining portions of the other ends of the bent curved plates 51b and 51c are bent so as to face the bottom plate 51a, and the remaining portions are fixed to each other by brazing. be.
  • the outer housing 70 surrounds the inner housing 50 from the side, front, and rear in the traveling direction of the laser light.
  • Such an outer housing 70 includes an outer body portion 71, a lid plate 73, a front plate 75, and a rear plate 77 as main components.
  • the respective partition walls 80 are arranged in parallel with each other in the longitudinal direction of the inner casing 50 with a predetermined interval in a state in which the in-plane direction of the partition walls 80 is arranged along a direction substantially perpendicular to the longitudinal direction of the inner casing 50 . are placed in Therefore, the surface of a certain partition wall 80 among the plurality of partition walls 80 faces the rear surface of the partition wall 80 adjacent to the partition wall 80, and the adjacent partition walls 80 are arranged with a gap therebetween.
  • the partition 80 is a wall that partitions the gap between the inner housing 50 and the outer main body portion 71 in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the inner housing 50 and partitions the gap into front and rear in the longitudinal direction of the inner housing 50 . be.
  • the cooling fins 57 are arranged approximately midway between the partition walls 80 adjacent in the longitudinal direction of the inner housing 50 . Therefore, the length between adjacent partition walls 80 is approximately the same as the length between adjacent cooling fins 57 . In addition, when the length between them is the same, the cooling fins 57 do not have to be arranged substantially in the middle of the adjacent partition walls 80 .
  • FIG. 8 shows an example in which a plurality of cooling fins 57 are arranged, one cooling fin 57 may or may not be arranged. Also, a plurality of cooling fins 57 may be arranged along the circumferential direction of the inner housing 50 . In this case, adjacent cooling fins 57 may be arranged apart from each other, or may be arranged in contact with each other.
  • the chamber device CH of the present embodiment includes an inner housing 50 including openings 50a and 50b, which are passage ports through which light generated by excitation of a laser gas passes, An outer housing 70 surrounding the housing 50 and a partition wall 80 arranged between the inner housing 50 and the outer housing 70 and fixed to the inner housing 50 and the outer housing 70 are provided.
  • the partition wall 80 and the outer housing 70 suppress deformation of the inner housing 50, the deformation of the inner housing 50 is reduced compared to the state where the partition wall 80 and the outer housing 70 are not provided. thickness can be reduced. Therefore, even if the partition wall 80 and the outer housing 70 are arranged, the weight of the chamber device CH can be reduced, and the handling of the chamber device CH can be facilitated. Further, in order to suppress deformation of the inner housing 50 in a state where the partition wall 80 and the outer housing 70 are not provided, it is necessary to increase the rigidity of the inner housing 50 . In order to increase the rigidity, it is necessary to increase the plate thickness of the inner housing 50 .
  • the partition walls 80 and the cooling fins 57 are arranged alternately along the light traveling direction.
  • the rigidity of the inner housing 50 between the adjacent partitions 80 is lower than the rigidity of the inner housing 50 at the portion where the partitions 80 are located because the partitions 80 are not arranged.
  • the distance between the adjacent partition walls 80 is greater than when the partition walls 80 are arranged adjacent to the cooling fins 57 via the inner housing 50 .
  • the rigidity of the inner housing 50 is increased due to the arrangement of the cooling fins 57 .
  • the cooling fins 57 may be arranged at the same position as the partition wall 80 , that is, adjacent to the partition wall 80 with the inner housing 50 interposed therebetween.
  • the adjacent gaps partitioned by the partition wall 80 between the inner housing 50 and the outer housing 70 are channels through which the cooling medium flows.
  • the cooling medium flows through the gap, the cooling medium comes into contact with the outer peripheral surface of the inner housing 50 and directly cools the inner housing 50 .
  • the cooling medium cools the inner housing 50, the temperature rise of the inner housing 50 can be suppressed, and the deformation of the inner housing 50 can be suppressed.
  • the chamber device CH of the present embodiment includes a passage 80a provided at the same position as the partition wall 80 in the traveling direction of the laser beam, and through which the cooling medium flows from one of the adjacent gaps to the other gap.
  • a passage 80a provided at the same position as the partition wall 80 in the traveling direction of the laser beam, and through which the cooling medium flows from one of the adjacent gaps to the other gap.
  • the cooling medium In order for the cooling medium to flow through the respective gaps when the passage 80a is not provided, it is necessary to connect pipes to the respective gaps.
  • provision of the passages 80a eliminates the need to connect pipes to the respective gaps, and the weight of the chamber device CH can be reduced.
  • the front plate 75 is provided with the inlet 75d and the rear plate 77 is provided with the outlet 77d, the cooling medium can circulate through the flow path by flowing through the respective gaps.
  • the passages 80a do not have to be arranged in all the partition walls 80.
  • the passage 80a is not provided in the fifth partition wall 80 from the front plate 75 side, the first to fifth gaps from the front plate 75 side form one flow path, and the sixth to twelfth gaps from the front plate 75 side become one channel. is a flow path different from the flow path described above.
  • a pipe may be connected to each flow path, and the cooling medium may flow through each flow path.
  • one partition 80 may be provided with a plurality of passages 80a.
  • the cover plate 73 is provided with the insulating portion 33 and a sealing member 79 for sealing between the cover plate 73 and the insulating portion 33 .
  • the material of the lid plate 73 is a nickel alloy
  • the sealing member 79 is a metal seal.
  • the linear expansion coefficient of alumina ceramics of the insulating portion 33 is, for example, 7.2 ⁇ 10 ⁇ 6 /°C.
  • the passage 80a is an opening in the chamber device CH of the present embodiment, it is not necessary to be limited to this.
  • a portion of the partition wall 80 is disposed away from at least one of the inner housing 50 and the outer housing 70, and the passage 80a is a gap between the portion and at least one of the inner housing 50 and the outer housing 70.
  • a part of the partition wall 80 is arranged apart from the other end side of the curved plate 51b and the protrusion 53 on the curved plate 51b side, and the other end side of the curved plate 51b, the protrusion 53 and the partition wall 80 and the cover plate 73 .
  • the gap may be provided on the side of the curved plate 51c.
  • the cooling fins 57 may be arranged on the outer peripheral surface of the outer housing 70 .
  • a temperature sensor may be provided in the flow path of the cooling medium.
  • a temperature sensor measures the temperature of the cooling medium flowing through the flow path.
  • the temperature sensor is electrically connected to laser processor 190 and outputs a signal to laser processor 190 indicative of the temperature of the coolant. Based on this signal and the signal from the temperature sensor 91 , the laser processor 190 may output a signal indicating the temperature of the cooling medium to the temperature controller 93 .

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

チャンバ装置（ＣＨ）は、内部空間においてレーザガスの励起によって発生する光が通過する通過口を含む内側筐体（５０）と、光の進行方向の側方から内側筐体（５０）の少なくとも一部を囲う外側筐体（７０）とを備える。また、チャンバ装置（ＣＨ）は、内側筐体（５０）及び外側筐体（７０）の間に配置され、内側筐体（５０）及び外側筐体（７０）に固定される隔壁（８０）を備える。

Description

チャンバ装置、及び電子デバイスの製造方法
　本開示は、チャンバ装置、及び電子デバイスの製造方法に関する。
　近年、半導体露光装置においては、半導体集積回路の微細化及び高集積化につれて、解像力の向上が要請されている。このため、露光用光源から放出される光の短波長化が進められている。例えば、露光用のガスレーザ装置としては、波長約２４８ｎｍのレーザ光を出力するＫｒＦエキシマレーザ装置、ならびに波長約１９３ｎｍのレーザ光を出力するＡｒＦエキシマレーザ装置が用いられる。
　ＫｒＦエキシマレーザ装置及びＡｒＦエキシマレーザ装置の自然発振光のスペクトル線幅は、３５０ｐｍ～４００ｐｍと広い。そのため、ＫｒＦ及びＡｒＦレーザ光のような紫外線を透過する材料で投影レンズを構成すると、色収差が発生してしまう場合がある。その結果、解像力が低下し得る。そこで、ガスレーザ装置から出力されるレーザ光のスペクトル線幅を、色収差が無視できる程度となるまで狭帯域化する必要がある。そのため、ガスレーザ装置のレーザ共振器内には、スペクトル線幅を狭帯域化するために、狭帯域化素子（エタロンやグレーティング等）を含む狭帯域化モジュール（Ｌｉｎｅ　Ｎａｒｒｏｗｉｎｇ　Ｍｏｄｕｌｅ：ＬＮＭ）が備えられる場合がある。以下では、スペクトル線幅が狭帯域化されるガスレーザ装置を狭帯域化ガスレーザ装置という。
特開２００２－１７６２２０号公報
概要
　本開示の一態様によるチャンバ装置は、内部空間においてレーザガスの励起によって発生する光が通過する通過口を含む内側筐体と、光の進行方向の側方から内側筐体の少なくとも一部を囲う外側筐体と、側方における内側筐体及び外側筐体の間に配置され、内側筐体及び外側筐体に固定される隔壁とを備えてもよい。
　本開示の一態様による電子デバイスの製造方法は、内部空間においてレーザガスの励起によって発生する光が通過する通過口を含む内側筐体と、光の進行方向の側方から内側筐体の少なくとも一部を囲う外側筐体と、内側筐体及び外側筐体の間に配置され、内側筐体及び外側筐体に固定される隔壁と、を備えるチャンバ装置を備えるガスレーザ装置によってレーザ光を生成し、レーザ光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上にレーザ光を露光してもよい。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、電子デバイスの製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。 図２は、比較例のガスレーザ装置の全体の概略構成例を示す模式図である。 図３は、図２に示すチャンバ装置のレーザ光の進行方向に垂直な断面図である。 図４は、実施形態のガスレーザ装置の全体の概略構成例を示す模式図である。 図５は、内側筐体を囲う外側筐体、及び温度調節器を示す斜視図である。 図６は、図４に示すチャンバ装置のレーザ光の進行方向に垂直な断面図である。 図７は、内側筐体及び隔壁を囲う外側本体部を示す斜視図である。 図８は、冷却フィンと隔壁との位置関係を示す図である。
実施形態
１．電子デバイスの露光工程で使用される電子デバイスの製造装置の説明
２．比較例のガスレーザ装置の説明
　２．１　構成
　２．２　動作
　２．３　課題
３．実施形態のチャンバ装置の説明
　３．１　構成
　３．２　作用・効果
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。
　以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．電子デバイスの露光工程で使用される電子デバイスの製造装置の説明
　図１は、電子デバイスの露光工程で使用される電子デバイスの製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。図１に示すように、露光工程で使用される製造装置は、ガスレーザ装置１００及び露光装置２００を含む。露光装置２００は、複数のミラー２１１，２１２，２１３を含む照明光学系２１０と、投影光学系２２０とを含む。照明光学系２１０は、ガスレーザ装置１００から入射するレーザ光によって、レチクルステージＲＴのレチクルパターンを照明する。投影光学系２２０は、レチクルを透過するレーザ光を、縮小投影してワークピーステーブルＷＴ上に配置される不図示のワークピースに結像させる。ワークピースは、フォトレジストが塗布される半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置２００は、レチクルステージＲＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、レチクルパターンを反映するレーザ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで電子デバイスである半導体デバイスを製造することができる。
２．比較例のガスレーザ装置の説明
　２．１　構成
　比較例のガスレーザ装置１００について説明する。なお、本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。
　図２は、本例のガスレーザ装置１００の全体の概略構成例を示す模式図である。ガスレーザ装置１００は、例えば、アルゴン（Ａｒ）、フッ素（Ｆ２）、及びネオン（Ｎｅ）を含む混合ガスを使用するＡｒＦエキシマレーザ装置である。この場合、ガスレーザ装置１００は、中心波長が約１９３ｎｍのパルスレーザ光を出力する。ガスレーザ装置１００は、ＡｒＦエキシマレーザ装置以外のガスレーザ装置であってもよく、例えば、クリプトン（Ｋｒ）、Ｆ２、及びＮｅを含む混合ガスを使用するＫｒＦエキシマレーザ装置であってもよい。この場合、ガスレーザ装置１００は、中心波長が約２４８ｎｍのパルスレーザ光を出射する。レーザ媒質であるＡｒ、Ｆ２、及びＮｅを含む混合ガスやレーザ媒質であるＫｒ、Ｆ２、及びＮｅを含む混合ガスは、レーザガスと呼ばれる場合がある。なお、ＡｒＦエキシマレーザ装置及びＫｒＦエキシマレーザ装置のそれぞれで使用される混合ガスでは、Ｎｅの代わりにヘリウム（Ｈｅ）が用いられてもよい。
　本例のガスレーザ装置１００は、筐体１１０と、筐体１１０の内部空間に配置されるレーザ発振器１３０、モニタモジュール１５０、レーザガス供給装置１７０、レーザガス排気装置１８０、及びレーザプロセッサ１９０と、を主な構成として含む。
　レーザ発振器１３０は、チャンバ装置ＣＨと、充電器１４１と、パルスパワーモジュール１４３と、リアミラー１４５と、出力結合ミラー１４７と、を主な構成として含む。
　図２においては、レーザ光の進行方向に略垂直な方向からみたチャンバ装置ＣＨの内部構成が示されている。また、図３は、図２に示すチャンバ装置ＣＨのレーザ光の進行方向に垂直な断面図である。チャンバ装置ＣＨは、筐体３０と、ウインドウ３１ａ，３１ｂと、電極３２ａ，３２ｂと、絶縁部３３と、電極ホルダ部３６と、ガイド３９Ａ，３９Ｂ，３９Ｃと、誘電体パイプ４２と、内電極４３と、外電極４４と、クロスフローファン４６と、熱交換器４７と、圧力センサ４８とを主な構成として備える。
　図２に示すように、筐体３０は、上記のレーザガスの励起によって光が発生する内部空間を含む。レーザガスは、レーザガス供給装置１７０から配管を介して筐体３０の内部空間に供給される。レーザガスの励起によって発生する上記した光は、ウインドウ３１ａ，３１ｂに進行する。
　ウインドウ３１ａは筐体３０におけるレーザ光の進行方向における一端側に位置し、ウインドウ３１ｂは筐体３０におけるレーザ光の進行方向における他端側に位置している。ウインドウ３１ａ，３１ｂは、レーザ光のＰ偏光の反射が抑制されるように、レーザ光の進行方向に対してブリュースター角をなすように傾けられている。ウインドウ３１ａは筐体３０の孔に嵌め込まれ、ウインドウ３１ｂはウインドウ３１ａ側の上記孔とは反対側の孔に嵌め込まれる。
　電極３２ａ，３２ｂの長手方向はレーザ光の進行方向に沿っており、電極３２ａ，３２ｂは筐体３０の内部空間において互いに対向して配置されている。筐体３０における電極３２ａと電極３２ｂとの間の空間は、ウインドウ３１ａとウインドウ３１ｂとにより挟まれている。電極３２ａ，３２ｂは、グロー放電によりレーザ媒質を励起するための主放電電極である。本例では、電極３２ａがカソードであり、電極３２ｂがアノードである。
　図３に示すように、電極３２ａは、絶縁部３３によって支持されている。絶縁部３３は、筐体３０に連続する開口を塞いでいる。絶縁部３３は、絶縁体を含む。絶縁体には、例えば、Ｆ２ガスとの反応性が低いアルミナセラミックスを挙げることができる。絶縁部３３のうちの電極３２ａを支持する部分の横断面の幅は、電極３２ａに向かい合う電極３２ｂに向かって狭まっている。これにより、絶縁部３３は、筐体３０内のレーザガスがクロスフローファン４６の送風によってクロスフローファン４６側から電極３２ａ及び電極３２ｂの間を流れるように、レーザガスをガイドする。図３においては、筐体３０の内部空間におけるレーザガスの流れを太線の矢印で示している。レーザガスは、クロスフローファン４６、電極３２ａと電極３２ｂとの間、熱交換器４７、及びクロスフローファン４６の順に循環する。また、絶縁部３３には、導電部材からなるフィードスルー３４が埋め込まれている。フィードスルー３４は、パルスパワーモジュール１４３から供給される電圧を電極３２ａに印加する。
　電極３２ｂは、電極ホルダ部３６に支持されていると共に、電極ホルダ部３６に電気的に接続されている。電極ホルダ部３６は、配線３７を介して筐体３０に電気的に接続されている。電極ホルダ部３６上には、ガイド３９Ａ，３９Ｂ，３９Ｃが設けられている。ガイド３９Ａ，３９Ｂ，３９Ｃのそれぞれの材料には、例えば、Ｆ２ガスとの反応性が低い多孔質のニッケル金属を挙げることができる。電極３２ｂは、ガイド３９Ａとガイド３９Ｂとにより挟み込まれて電極ホルダ部３６上に固定されている。
　誘電体パイプ４２、内電極４３、及び外電極４４は、レーザ光の進行方向に沿って配置されている。誘電体パイプ４２の形状は、例えば、円筒状である。誘電体パイプ４２は、例えば、酸化アルミニウム等の誘電体から成る。内電極４３は、棒状であり、誘電体パイプ４２の貫通孔内において誘電体パイプ４２に沿って配置されている。図２に示すように、誘電体パイプ４２の両端には、固定パイプ４２ａ，４２ｂが接続されている。一方の固定パイプ４２ａの貫通孔内には、内電極４３の一端に接続される不図示の配線が配置されている。また、他方の固定パイプ４２ｂの貫通孔内には、内電極４３の他端に接続される不図示の配線が配置されている。これら配線は、フィードスルー３４に接続されている。このため、フィードスルー３４は、上記のようにパルスパワーモジュール１４３から供給される電圧を内電極４３に印加する。
　外電極４４の一端は、誘電体パイプ４２の外周面の一部に接触している。また、外電極４４の他端は、電極ホルダ部３６に電気的に接続されている。従って、外電極４４は、電極ホルダ部３６を介して電極３２ｂに電気的に接続されていると共に、電極ホルダ部３６及び配線３７を介して筐体３０に電気的に接続されている。外電極４４は一端と他端との間において屈曲しており、屈曲部は誘電体パイプ４２の長手方向に垂直な面内方向において屈曲している。また、屈曲により、外電極４４の一端は、誘電体パイプ４２の外周面を押すように誘電体パイプ４２の外周面に接触している。外電極４４は、例えば黄銅から成る。
　外電極４４の他端には不図示のねじ孔が設けられており、外電極４４はねじ孔に螺入されるねじ４５によってガイド３９Ｂに固定されている。この状態で、外電極４４の一端が誘電体パイプ４２の外周面に押し付けられて接触している。誘電体パイプ４２の外周面のうちの外電極４４の一端が接触する接触部位と概ね反対側の部位は、ガイド３９Ｃに接している。従って、外電極４４が誘電体パイプ４２を押圧しても、誘電体パイプ４２はガイド３９Ｃにより支えられる。
　内電極４３と外電極４４とは、誘電体パイプ４２を介して対向している。内電極４３と外電極４４とにパルスパワーモジュール１４３から高電圧が印加されることで、誘電体パイプ４２及び外電極４４の近傍にコロナ放電が生じる。このコロナ放電は、電極３２ａ，３２ｂ間に生じるグロー放電を補助する。従って、内電極４３及び外電極４４は、電極３２ａ，３２ｂが起こすグロー放電を補助する予備電離電極である。
　電極ホルダ部３６を基準として電極３２ｂ側と反対側における筐体３０の内部空間には、クロスフローファン４６が配置されている。筐体３０の内部空間において、クロスフローファン４６が配置される空間は、電極３２ａ，３２ｂ間の空間と連通している。このため、クロスフローファン４６が回転することで、筐体３０の内部空間に封入されるレーザガスは図３において太線の矢印で示すように所定の方向に循環する。クロスフローファン４６は、筐体３０の外部に配置されているモータ４６ａに接続されている。モータ４６ａが回転すると、クロスフローファン４６は回転する。モータ４６ａのＯＮ、ＯＦＦや回転数は、レーザプロセッサ１９０による制御によって調節される。従って、レーザプロセッサ１９０は、モータ４６ａを制御することで、筐体３０の内部空間を循環するレーザガスの循環速度を調節することができる。
　クロスフローファン４６の脇には熱交換器４７が配置されている。クロスフローファン４６の送風により循環するレーザガスの少なくとも一部はこの熱交換器４７を通過し、熱交換器４７によりレーザガスの温度が調節される。
　図２に戻り、本例のガスレーザ装置１００の説明を続ける。充電器１４１は、パルスパワーモジュール１４３の中に設けられる不図示のコンデンサを所定の電圧で充電する直流電源装置である。充電器１４１は、筐体３０の外部に配置されており、パルスパワーモジュール１４３に接続されている。パルスパワーモジュール１４３は、レーザプロセッサ１９０によって制御されるスイッチ１４３ａを含む。スイッチ１４３ａがレーザプロセッサ１９０の制御によってＯＦＦからＯＮになると、パルスパワーモジュール１４３は、充電器１４１から印加される電圧を昇圧してパルス状の高電圧を生成し、この高電圧を電極３２ａ，３２ｂに印加する。高電圧が印加されると、電極３２ａと電極３２ｂとの間の絶縁が破壊され、放電が起こる。この放電のエネルギーにより、筐体３０内のレーザ媒質が励起されて高エネルギー準位に移行する。励起されるレーザ媒質が、その後低エネルギー準位に移行するとき、そのエネルギー準位差に応じた光を放出する。放出される光は、ウインドウ３１ａ，３１ｂに進行する。
　リアミラー１４５はウインドウ３１ａと対向し、出力結合ミラー１４７はウインドウ３１ｂと対向している。リアミラー１４５には高反射膜がコートされており、出力結合ミラー１４７には部分反射膜がコートされている。リアミラー１４５は、ウインドウ３１ａから出射するレーザ光を高い反射率で反射して筐体３０に戻す。出力結合ミラー１４７は、ウインドウ３１ｂから出力されるレーザ光のうちの一部を透過させて、他の一部を反射させてウインドウ３１ｂを介して筐体３０の内部空間に戻す。出力結合ミラー１４７は、例えば、フッ化カルシウムの基板に誘電体多層膜が成膜される素子で構成される。
　従って、リアミラー１４５と出力結合ミラー１４７とでファブリペロー型のレーザ共振器が構成され、筐体３０はレーザ共振器の光路上に配置される。筐体３０から出射するレーザ光は、リアミラー１４５と出力結合ミラー１４７との間で往復する。往復するレーザ光は、電極３２ａと電極３２ｂとの間のレーザゲイン空間を通過する度に増幅される。増幅される光の一部は、パルスレーザ光として出力結合ミラー１４７を透過する。
　リアミラー１４５は、筐体３０の一端側に接続されている筐体１４５ａの内部空間に不図示のダンパを介して固定される。また、出力結合ミラー１４７は、筐体３０の他端側に接続されている光路管１４７ａの内部空間に不図示のダンパを介して固定される。
　モニタモジュール１５０は、出力結合ミラー１４７を透過するパルスレーザ光の光路上に配置されている。モニタモジュール１５０は、筐体１５１と、ビームスプリッタ１５２と、集光レンズ１５３と、光センサ１５４とを主な構成として含む。筐体１５１には開口が連続しており、この開口を囲むように光路管１４７ａが接続されている。このため、筐体１５１の内部空間は、この開口を通じて光路管１４７ａの内部空間と連通している。筐体１５１の内部空間には、ビームスプリッタ１５２、集光レンズ１５３、及び光センサ１５４が配置されている。
　ビームスプリッタ１５２は、出力結合ミラー１４７を透過するパルスレーザ光を高い透過率で出射ウインドウ１６１に透過させると共に、パルスレーザ光の一部を集光レンズ１５３に向けて反射する。集光レンズ１５３は、パルスレーザ光を光センサ１５４の受光面に集光する。光センサ１５４は、受光面に入射するパルスレーザ光のパルスエネルギの実測値であるパルスエネルギＥを計測する。光センサ１５４は、レーザプロセッサ１９０に電気的に接続されており、計測するパルスエネルギＥを示す信号をレーザプロセッサ１９０に出力する。
　モニタモジュール１５０の筐体１５１における光路管１４７ａが接続される側と反対側には、開口が連続しており、この開口を囲むように光路管１６１ａが接続されている。このため、筐体１５１の内部空間と光路管１６１ａの内部空間とは、互いに連通している。また、光路管１６１ａは、筐体１１０に接続されている。筐体１１０における光路管１６１ａに囲まれる位置には、出射ウインドウ１６１が設けられている。モニタモジュール１５０のビームスプリッタ１５２を透過する光は、出射ウインドウ１６１から筐体１１０の外部の露光装置２００に出射する。
　光路管１４７ａ，１６１ａや、筐体１４５ａ，１５１の内部空間には、パージガスが充填されている。パージガスには、酸素等の不純物の少ない高純度窒素等の不活性ガスが含まれる。パージガスは、筐体１１０の外に配置されている不図示のパージガス供給源から、不図示の配管を通じて光路管１４７ａ，１６１ａや筐体１４５ａ，１５１の内部空間に供給される。
　圧力センサ４８は、筐体３０の内部空間の圧力を計測する。圧力センサ４８は、レーザプロセッサ１９０に電気的に接続されており、計測する圧力を示す信号をレーザプロセッサ１９０に出力する。
　レーザガス供給装置１７０は、筐体１１０の外部に配置される不図示のレーザガス供給源から配管を介してレーザガスを供給される。レーザガス供給装置１７０には、不図示のバルブや流量調節弁が設けられると共に、筐体３０に接続される他の配管が接続されている。レーザガス供給装置１７０は、レーザプロセッサ１９０からの制御信号により、複数のガスを所望の組成比で混合してレーザガスとし、当該レーザガスをこの他の配管を介して筐体３０の内部空間にレーザガスを供給する。
　レーザガス排気装置１８０には、筐体３０に接続される配管が接続されている。レーザガス排気装置１８０は、不図示の排気ポンプを含み、排気ポンプによって配管を介して筐体３０の内部空間のガスを筐体１１０の内部空間内に排気する。この際、レーザガス排気装置１８０は、レーザプロセッサ１９０からの制御信号により排気量等を調節し、筐体３０の内部空間から排気されるガスに対して所定の処理をする。
　また、筐体１１０には、排気ダクト１１１が設けられている。ガスは、排気ダクト１１１から筐体１１０の外部に排気される。当該ガスは、レーザガス排気装置１８０によって筐体３０の内部空間から筐体１１０の内部空間に排気されるガスや、不図示の構成により光路管１４７ａ，１６１ａ内等から筐体１１０の内部空間に排気されるガスである。
　本開示のレーザプロセッサ１９０は、制御プログラムが記憶される記憶装置と、制御プログラムを実行するＣＰＵとを含む処理装置である。レーザプロセッサ１９０は、本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。また、レーザプロセッサ１９０は、ガスレーザ装置１００全体を制御する。また、レーザプロセッサ１９０は、露光装置２００の露光プロセッサ２９０に電気的に接続されており、露光プロセッサ２９０との間で各種信号を送受信する。
　２．２　動作
　次に、比較例のガスレーザ装置１００の動作について説明する。
　ガスレーザ装置１００がパルスレーザ光を出射する前の状態で、光路管１４７ａ，１６１ａの内部空間や、筐体１４５ａ，１５１の内部空間には、不図示のパージガス供給源からパージガスが充填される。また、筐体３０の内部空間には、レーザガス供給装置１７０からレーザガスが供給される。レーザガスが供給されると、レーザプロセッサ１９０はモータ４６ａを制御してクロスフローファン４６を回転させる。クロスフローファン４６の回転によって、レーザガスは筐体３０の内部空間を循環する。
　ガスレーザ装置１００がパルスレーザ光を出射する際には、レーザプロセッサ１９０は、露光プロセッサ２９０から目標パルスエネルギＥｔを示す信号及び発光トリガ信号を受信する。目標パルスエネルギＥｔは、露光工程で使用されるパルスエネルギの目標値である。レーザプロセッサ１９０は、パルスエネルギが目標パルスエネルギＥｔとなるように充電器１４１に所定の充電電圧Ｖｈｖを設定すると共に、発光トリガ信号に同期させてスイッチ１４３ａをＯＮにする。これにより、パルスパワーモジュール１４３は、充電器１４１に保持されている電気エネルギーからパルス状の高電圧を生成し、電極３２ａと電極３２ｂとの間、及び内電極４３と外電極４４との間に高電圧が印加される。ただし、内電極４３と外電極４４との間に高電圧が印加されるタイミングは、電極３２ａと電極３２ｂとの間に高電圧が印加されるタイミングよりも僅かに早い。内電極４３と外電極４４との間に高電圧が印加されると、誘電体パイプ４２の近傍にコロナ放電が生じ、紫外光が放射される。また、紫外光が電極３２ａと電極３２ｂとの間のレーザガスを照射すると、電極３２ａと電極３２ｂとの間のレーザガスが予備電離される。予備電離後において、電極３２ａと電極３２ｂとの間に高電圧が印加されると、電極３２ａと電極３２ｂとの間の絶縁が破壊され放電が起こる。放電によって音響波が生成され、当該音響波はガイド３９Ａ，３９Ｂ，３９Ｃに吸収される。当該吸収によってガイド３９Ａ，３９Ｂ，３９Ｃでの超音波の反射が抑制され、電極３２ａと電極３２ｂとの間への音響波の進行が抑制される。これにより、不安定な放電が抑制され、ガスレーザ装置１００から出射する光のエネルギーの安定性の低下が抑制される。
　また、上記したように放電が起こると、この放電のエネルギーにより、電極３２ａと電極３２ｂとの間のレーザガスに含まれるレーザ媒質は励起状態とされて、基底状態に戻る際に自然放出光を放出する。この光の一部は、紫外線であり、ウインドウ３１ａを透過する。透過する光は、リアミラー１４５で反射される。リアミラー１４５で反射される光は、再びウインドウ３１ａから筐体３０の内部空間に伝搬する。筐体３０の内部空間に伝搬する光により、励起状態のレーザ媒質は誘導放出を起こし、光が増幅される。光は、ウインドウ３１ｂを透過して、出力結合ミラー１４７に進行する。光の一部は出力結合ミラー１４７を透過して、残りの一部は出力結合ミラー１４７によって反射されてウインドウ３１ｂを透過して筐体３０の内部空間に伝搬する。筐体３０の内部空間に伝搬する光は、上記したようにリアミラー１４５に進行する。こうして、所定の波長の光がリアミラー１４５と出力結合ミラー１４７との間を往復する。光は筐体３０の内部空間における放電空間を通過するたびに増幅され、レーザ発振が起こる。そして、レーザ光の一部は、パルスレーザ光として出力結合ミラー１４７を透過して、ビームスプリッタ１５２に進行する。
　ビームスプリッタ１５２に進行するパルスレーザ光のうちの一部は、ビームスプリッタ１５２で反射される。反射されるパルスレーザ光は光センサ１５４で受光され、光センサ１５４は受光するパルスレーザ光のパルスエネルギＥを計測する。光センサ１５４は、計測するパルスエネルギＥを示す信号をレーザプロセッサ１９０に出力する。レーザプロセッサ１９０は、パルスエネルギＥと目標パルスエネルギＥｔとの差ΔＥが許容範囲内になるように、充電器１４１の充電電圧Ｖｈｖをフィードバック制御する。差ΔＥが許容範囲内となると、パルスレーザ光はビームスプリッタ１５２及び出射ウインドウ１６１を透過して露光装置２００に入射する。このパルスレーザ光は、中心波長が約１９３ｎｍの紫外線であるＡｒＦレーザ光である。
　筐体３０の内部空間の圧力は圧力センサ４８によって計測されており、圧力センサ４８からの圧力を示す信号がレーザプロセッサ１９０に入力される。レーザプロセッサ１９０は、充電電圧Ｖｈｖが許容範囲の最大値よりも高い場合、圧力センサ４８からの信号を基にレーザガス供給装置１７０を制御し、筐体３０の内部空間の圧力が所定圧力となるまで、レーザガスを筐体３０の内部空間に供給する。また、レーザプロセッサ１９０は、充電電圧Ｖｈｖが許容範囲の最小値よりも低い場合、当該信号を基にレーザガス排気装置１８０を制御し、当該圧力が所定圧力となるまで、レーザガスを筐体３０の内部空間から排気する。
　２．３　課題
　比較例のチャンバ装置ＣＨでは、レーザガスの励起によって光が発生する際に、筐体３０の内部空間における温度が上昇してしまうことがある。温度が上昇すると、当該内部空間における温度分布に偏りが生じることがある。また、レーザガスがレーザガス供給装置１７０から筐体３０の内部空間に供給されると、当該内部空間における圧力が上昇する。温度上昇による筐体３０の熱膨張、温度分布の偏りによる筐体３０の内部空間における熱膨張差、及び圧力の上昇によって、筐体３０が変形してしまうことがある。筐体３０が変形してしまうと、筐体３０から出射するレーザ光の進行方向が予め想定される進行方向から変化してしまうことがある。この変化によって、ガスレーザ装置１００から露光装置２００に向かって出射するレーザ光の進行方向も予め想定される進行方向から変化してしまうことがある。従って、ガスレーザ装置１００の信頼性が低下するという懸念が生じる。
　そこで、以下の実施形態では、ガスレーザ装置１００の信頼性の低下が抑制され得るチャンバ装置ＣＨが例示される。
３．実施形態のチャンバ装置の説明
　次に、実施形態のチャンバ装置ＣＨについて説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。また、一部の図面では、見易さのため、部材の一部を省略または簡略して記載している場合がある。
　３．１　構成
　図４は、本実施形態のガスレーザ装置１００の全体の概略構成例を示す模式図である。図４においては、レーザ光の進行方向に略垂直な方向からみたチャンバ装置ＣＨの内部構成が示されている。図５は、チャンバ装置ＣＨにおける内側筐体５０を囲う外側筐体７０、及び温度調節器９３を示す斜視図である。図６は、図４に示すチャンバ装置ＣＨのレーザ光の進行方向に垂直な断面図である。図６では、比較例と同様に、レーザガスの流れを太線の矢印で示している。
　本実施形態のチャンバ装置ＣＨにおいて、チャンバ装置ＣＨの筐体の構成が比較例の筐体３０の構成と異なっている。本実施形態のチャンバ装置ＣＨは、筒状の内側筐体５０と、内側筐体５０を外側から囲う外側筐体７０と、レーザ光の進行方向の側方における内側筐体５０と外側筐体７０との間の隙間に配置される隔壁８０と、温度センサ９１と、温度調節器９３とを主な構成として備える。
　内側筐体５０は、比較例の筐体３０と同様に、レーザガスの励起によって光が発生する内部空間を含む。この内部空間には、比較例の筐体３０の内部空間と同様に、電極３２ａ，３２ｂと、絶縁部３３と、電極ホルダ部３６と、ガイド３９Ａ，３９Ｂ，３９Ｃと、誘電体パイプ４２と、内電極４３と、外電極４４と、クロスフローファン４６と、熱交換器４７と、圧力センサ４８とが配置される。レーザガス供給装置１７０及びレーザガス排気装置１８０のそれぞれの配管は、外側筐体７０を貫通して内側筐体５０の内部空間に連通する。内側筐体５０の長手方向は内側筐体５０の内部空間におけるレーザ光の進行方向に沿っており、レーザ光は筒状の内側筐体５０の両端の通過口である開口５０ａ，５０ｂを通過する。このような内側筐体５０は、内側筐体５０の内部空間を進行するレーザ光の周囲を囲う。
　図７は、内側筐体５０及び隔壁８０を囲う外側筐体７０の外側本体部７１を示す斜視図である。図７では、内側筐体５０及び隔壁８０のうち外側本体部７１によって囲われている部分を破線で示している。
　図６及び図７に示すように、内側筐体５０は、内側筐体５０の長手方向において長い長方形状の底板５１ａと、半円形状の１対の曲面板５１ｂ，５１ｃとを主な構成として含む。それぞれの曲面板５１ｂ，５１ｃは、同じ大きさである。内側筐体５０の長手方向に沿って底板５１ａ及び曲面板５１ｂ，５１ｃを見る場合において、曲面板５１ｂ，５１ｃは、底板５１ａを基準にして左右対称に配置されており、互いに離れる方向に膨らむように湾曲している。底板５１ａの幅方向において、曲面板５１ｂの一端の外周面は底板５１ａの一端の内面に、曲面板５１ｃの一端の外周面は底板５１ａの他端の内面に、ロウ付けによって固定される。ロウ付けにおいて、曲面板５１ｂ，５１ｃは、底板５１ａとの接触部分全体においてロウ付けされる。これにより、当該固定部分から内側筐体５０の外部へのレーザガスの漏れが抑制される。また、曲面板５１ｂ，５１ｃの他端の一部は、底板５１ａに概ね垂直な方向において内側筐体５０の外側に向かって折れ曲がる。折れ曲がるそれぞれの他端は上記のようにロウ付けによって固定され、枠状の突起５３が設けられる。枠状の突起５３は内側筐体５０の長手方向に長い長方形状であり、枠状の突起５３の内側には開口５０ｃが設けられる。開口５０ｃは、内側筐体５０の長手方向に長い長方形状であり、絶縁部３３によって塞がれる。内側筐体５０の長手方向における突起５３よりも外側において、折れ曲がるそれぞれの曲面板５１ｂ，５１ｃの他端の残りの一部は底板５１ａに向かい合うよう折れ曲がり、残りの一部はロウ付けによって互いに固定される。
　底板５１ａの板厚は、内側筐体５０における底板５１ａ以外の板である曲面板５１ｂ，５１ｃの板厚よりも厚くされている。例えば、底板５１ａの板厚は５ｍｍ以上７ｍｍ以下であり、曲面板５１ｂ，５１ｃの板厚は１ｍｍ以上３ｍｍ以下である。このように、内側筐体５０の板厚は、１ｍｍ以上７ｍｍ以下である。平板である底板５１ａが曲面板５１ｂ，５１ｃよりも厚い場合、底板５１ａが曲面板５１ｂ，５１ｃと同じ厚みの場合よりも、底板５１ａの強度が上がる。また、底板５１ａが平板である場合、底板５１ａが内側筐体５０の中心軸から離れる方向に膨らむように湾曲している曲面板である場合よりも、チャンバ装置ＣＨの容積が少なくなる。容積が少なくなると、レーザガス供給装置１７０からのレーザガスの消費量が少なくなり、ガスレーザ装置１００全体が小型となる。内側筐体５０の材質には、例えば、ニッケル合金、フェライト系ステンレス、または二相系ステンレスを挙げることができる。例えば、ニッケル合金はモネルであり、モネルの線膨張係数は１３．９×１０－６／℃である。例えば、フェライト系ステンレスはＳＵＳ４３０であり、ＳＵＳ４３０の線膨張係数は１０．４×１０－６／℃である。また、例えば、二相系ステンレスはＳＵＳ３２９Ｊ４Ｌであり、ＳＵＳ３２９Ｊ４Ｌの線膨張係数は１３．０×１０－６／℃である。
　図６に示すように、内側筐体５０の内周面の一部には、冷却フィン５７がロウ付けによって固定される。ロウ付けにおいて、冷却フィン５７は、内側筐体５０の内周面との接触部分全体においてロウ付けされる。図６では、冷却フィン５７が底板５１ａの表面及び曲面板５１ｂの内周面に固定される例が示されている。冷却フィン５７は、クロスフローファン４６によって内側筐体５０の内部空間を循環するレーザガスの進行方向において、電極３２ａと電極３２ｂとの間の空間よりも下流側に配置される。冷却フィン５７は、内側筐体５０の内部空間においてレーザ光の進行経路の側方に配置されており、レーザ光を遮光しない。内側筐体５０の内部空間における熱は、冷却フィン５７を介して内側筐体５０の外部に放出される。冷却フィン５７は図６及び後述する図８以外の図面では図示を省略している。
　図５、図６、及び図７に示すように、外側筐体７０は、レーザ光の進行方向の側方、前方、及び後方から内側筐体５０を囲う。このような外側筐体７０は、外側本体部７１と、蓋板７３と、前面板７５と、後面板７７とを主な構成として含む。
　外側本体部７１は、内側筐体５０を側方から囲うと共に側方に開口７０ｃを含む板である。このような外側本体部７１の横断面は例えばＵ字形状であり、外側本体部７１は、内側筐体５０の底板５１ａ、曲面板５１ｂ，５１ｃ、及び突起５３の側方においてそれぞれに向かい合って配置される。外側本体部７１は内側筐体５０と概ね同じ長さであり、外側本体部７１の長手方向は内側筐体５０の長手方向に沿っている。
　蓋板７３は、外側本体部７１の両端及び両端の開口７０ｃに配置され、外側本体部７１の開口７０ｃ側を覆う。蓋板７３には、内側筐体５０の突起５３が嵌まり込む開口７３ｃが連続する。また、蓋板７３には蓋板７３の上面に連続する溝が連続する。溝は、開口７３ｃの周囲に設けられ、内側筐体５０の長手方向に長い長方形状である。溝には、蓋板７３と絶縁部３３との間を封止する封止部材７９が配置される。封止部材７９は、例えば、メタルシールである。
　また、蓋板７３は、外側本体部７１の長手方向に直交する方向において外側本体部７１の側面よりも外側に向かって突出する突出部７３ａを含む。当該側面とは、内側筐体５０の底板５１ａの幅方向において、外側本体部７１のうちの曲面板５１ｂ，５１ｃと向かい合う面である。突出部７３ａは、直交方向における蓋板７３の両端側のそれぞれに設けられる。それぞれの突出部７３ａは、蓋板７３に対して外側本体部７１の側面に向かって当該側面を囲うように折れ曲がる。この場合における突出部７３ａの折れ曲がり角度は、例えば２５°以上３５°以下である。また、突出部７３ａの長さは、例えば１００ｍｍ以上１５０ｍｍ以下である。この長さは、突出部７３ａの折れ曲がり部から当該折れ曲がり部から最も離れた端までの長さであり、外側本体部７１の側面と当該端との間の長さではない。図６では、折れ曲がり部は、当該側面の側方に位置している例を示しているが、側面の縁に位置してもよい。
　なお、蓋板７３のうちの突出部７３ａを除く平面領域の面内方向は底板５１ａの面内方向に平行であり、突出部７３ａは面内方向に沿って外側本体部７１の側面よりも外側に向かって突出してもよい。或いは、突出部７３ａは、外側本体部７１の側面とは反対側に折れ曲がってもよい。突出部７３ａの長さは、外側本体部７１の側面に向かって折れ曲がる場合において最も短く、外側本体部７１の側面に向かって折れ曲がる場合と、外側本体部７１の側面とは反対側に向かって折れ曲がる場合と、面内方向に沿って突出する場合との順で長くなる。
　図５に示すように、前面板７５は、内側筐体５０及び外側本体部７１の長手方向において、内側筐体５０の一端側における開口５０ａ及び開口５０ａの周縁部と、外側筐体７０の一端側における開口及び開口の周縁部とに配置される。前面板７５には、開口７５ａが連続する。開口７５ａは、内側筐体５０の開口５０ａと概ね同じ大きさ及び形状であり、前面板７５が内側筐体５０の一端側及び外側本体部７１の一端側に取り付けられると開口５０ａに重なる。前面板７５には、出力結合ミラー１４７を保持する不図示の出力側ホルダが取り付けられる。出力側ホルダは、出力結合ミラー１４７が開口５０ａに向かい合うように、前面板７５に取り付けられる。
　後面板７７は、内側筐体５０及び外側本体部７１の長手方向において、内側筐体５０の他端側における開口５０ｂ及び開口５０ｂの周縁部と、外側筐体７０の他端側における開口及び開口の周縁部とに配置される。後面板７７には、不図示の開口が連続する。開口は、内側筐体５０の開口５０ｂと概ね同じ大きさ及び形状であり、後面板７７が内側筐体５０の他端側及び外側本体部７１の他端側に取り付けられると開口５０ｂに重なる。後面板７７には、リアミラー１４５を保持する不図示のリア側ホルダが取り付けられる。リア側ホルダは、リアミラー１４５が内側筐体５０の開口５０ｂに向かい合うように、後面板７７に取り付けられる。従って、本実施形態のチャンバ装置ＣＨでは、筐体１４５ａは、不要となり得る。
　外側筐体７０では、隔壁８０が設けられるため、外側筐体７０の強度は内側筐体５０の強度よりも低くされてもよい。このため、外側本体部７１、蓋板７３、前面板７５、及び後面板７７のそれぞれの板厚は、内側筐体５０の板厚よりも薄くされてもよい。それぞれの板厚が薄いと、それぞれの板厚が内側筐体５０の板厚と同じまたは厚い場合よりも、チャンバ装置のＣＨの重量が少なくなる。外側本体部７１、蓋板７３、前面板７５、及び後面板７７のそれぞれの板厚は、例えば１ｍｍ以上３ｍｍ以下である。外側本体部７１、蓋板７３、前面板７５、及び後面板７７の材質には、内側筐体５０と同様に、例えば、ニッケル合金を挙げることができる。
　図６及び図７に示すように、隔壁８０は複数であり、それぞれの隔壁８０は内側筐体５０、外側本体部７１、及び突出部７３ａを除く蓋板７３を支持する支持部材である。隔壁８０は、内側筐体５０の外周面及び外側筐体７０の内周面に、ロウ付けによって固定される。ロウ付けにおいて、隔壁８０は、内側筐体５０の外周面との接触部分全体及び外側筐体７０の内周面との接触部分全体のそれぞれにおいてロウ付けされる。外側筐体７０の内周面とは、外側本体部７１の内周面と突出部７３ａを除く蓋板７３の裏面とである。
　それぞれの隔壁８０は、隔壁８０の面内方向が内側筐体５０の長手方向に略垂直な方向に沿って配置されている状態で、内側筐体５０の長手方向に所定の間隔をあけて並列に配置されている。従って、複数の隔壁８０のうちのある隔壁８０の表面は当該隔壁８０に隣り合う隔壁８０の裏面に向かい合い、隣り合う隔壁８０は隙間をあけて配置されている。隔壁８０は、内側筐体５０と外側本体部７１との間の隙間を内側筐体５０の長手方向に直交する方向において仕切ると共に、当該隙間を内側筐体５０の長手方向において前後に仕切る壁である。また、前面板７５及び前面板７５に隣り合う隔壁８０の間と、後面板７７及び後面板７７に隣り合う隔壁８０の間とにも、隙間が設けられる。図７では、１１の隔壁８０が配置されている例を示しているが、隔壁８０は少なくとも１つ配置されていればよい。
　図８は、冷却フィン５７と隔壁８０との位置関係を示す図である。図８に示すように、内側筐体５０の内周面には複数の冷却フィン５７が配置される。それぞれの冷却フィン５７は、隔壁８０と同様に、冷却フィン５７の面内方向が内側筐体５０の長手方向に略垂直な方向に沿って配置されている状態で、内側筐体５０の長手方向に所定の間隔をあけて並列に配置されている。また、隔壁８０及び冷却フィン５７は、内側筐体５０の長手方向に沿って交互に配置される。冷却フィン５７は、内側筐体５０の長手方向において隣り合う隔壁８０の概ね中間に配置されることが好ましい。従って、隣り合う隔壁８０の間の長さは、隣り合う冷却フィン５７の間の長さと概ね同じである。なお、それぞれの間の長さが同じである場合において、冷却フィン５７は隣り合う隔壁８０の概ね中間に配置されていなくてもよい。図８では、複数の冷却フィン５７が配置されている例を示しているが、冷却フィン５７は１つ配置されていてもよいし配置されていなくてもよい。また、複数の冷却フィン５７が内側筐体５０の周方向に沿って配置されていてもよい。この場合、隣り合う冷却フィン５７は、互いに離れて配置されていてもよいし、互いに接して配置されていてもよい。
　温度センサ９１は、内側筐体５０の内部空間の温度を測定する。図４及び図５に示す温度調節器９３は、温度調節器９３の不図示のポンプによって冷却媒体を内側筐体５０と外側本体部７１との間の隙間に供給し、冷却媒体によって内側筐体５０を冷却するチラーである。温度センサ９１及び温度調節器９３は、レーザプロセッサ１９０に電気的に接続されている。温度センサ９１は内側筐体５０の内部空間の温度を示す信号をレーザプロセッサ１９０に出力し、レーザプロセッサ１９０は当該信号を基に冷却媒体の温度を示す信号を温度調節器９３に出力する。冷却媒体は、液体であるが、気体でもよい。温度調節器９３は、レーザプロセッサ１９０からの信号を基に冷却媒体の温度を調節する。冷却媒体の設定温度は例えば２０℃以上７０℃以下であり、流路を流れる冷却媒体の温度範囲は設定温度の±３℃であることが好ましい。
　温度調節器９３は、前面板７５に設けられる流入口７５ｄに接続される配管９３ａ及び後面板７７に設けられる流出口７７ｄに接続される配管９３ｂに接続される。流出口７７ｄは、図５では隠れて図示されていないが、図８で図示している。温度調節器９３は、冷却媒体を、温度調節器９３、配管９３ａ、内側筐体５０と外側本体部７１との間の隙間、配管９３ｂ、及び温度調節器９３の順で循環させる。なお、温度調節器９３は、冷却媒体を、上記とは逆に循環させてもよい。内側筐体５０と外側本体部７１との間の隙間を流れる冷却媒体の流路は、前面板７５と前面板７５に隣り合う隔壁８０との間の隙間、隣り合う隔壁８０の間のそれぞれの隙間、及び後面板７７と後面板７７に隣り合う隔壁８０との間の隙間である。隣り合う隔壁８０の間のそれぞれの隙間は、当該隔壁８０と、曲面板５１ｂ，５１ｃと、突起５３と、外側本体部７１と、蓋板７３とによって囲まれる。
　図６、図７、及び図８に示すように、チャンバ装置ＣＨは、内側筐体５０の長手方向における隔壁８０と同じ位置に設けられ、隣り合う隙間のうちの一方の隙間から当該隙間に隣り合う他方の隙間に冷却媒体が流れる通路８０ａをさらに含む。また、図７及び図８では、通路８０ａは、隔壁８０に設けられる開口である例が示されている。通路８０ａは、流路の一部である。冷却媒体は、前面板７５側から後面板７７側において、前面板７５側の隙間から通路８０ａを通過して当該隙間に隣り合う後面板７７側の隙間に流れる。内側筐体５０の長手方向に沿って見る場合において、隣り合う隔壁８０のうちの一方の隔壁８０の通路８０ａは、他方の隔壁８０の通路８０ａと重ならない位置に設けられる。従って、一方の隔壁８０の通路８０ａの少なくとも一部は、内側筐体５０の周方向において、他方の隔壁８０の通路８０ａからずれて位置する。また、図７及び図８では、内側筐体５０の長手方向に沿って見る場合に、一方の隔壁８０の通路８０ａは、隙間において冷却媒体が流れない非流通領域を基準として他方の隔壁８０の通路８０ａとは反対側に設けられる例を示している。非流通領域とは、底板５１ａの面内方向において曲面板５１ｂ，５１ｃそれぞれの突起５３の間の領域である。内側筐体５０の長手方向に沿って見る場合において、例えば、冷却媒体は、前面板７５側の隙間を内側筐体５０の周方向において時計回りに流れ、当該隙間に隣り合う後面板７７側の隙間を当該周方向において反時計回りに流れる。従って、冷却媒体は、隣り合う隙間のそれぞれにおいて逆方向に流れる。それぞれの隙間における冷却媒体の流れを図７において破線の矢印で図示している。図７では見易さのため、それぞれの流れを１つ図示している。流路において、上記したように隔壁８０は内側筐体５０の外周面との接触部分全体及び外側筐体７０の内周面との接触部分全体のそれぞれにおいてロウ付けされる。従って、当該接触部分からの冷却媒体の漏れが抑制され、冷却媒体は通路８０ａを経由して隣り合う隙間のうちの一方の隙間から他方の隙間に流れる。
　３．２　作用・効果
　本実施形態のチャンバ装置ＣＨは、レーザガスの励起によって発生する光が通過する通過口である開口５０ａ，５０ｂを含む内側筐体５０と、光の進行方向の側方から内側筐体５０を囲う外側筐体７０と、内側筐体５０及び外側筐体７０の間に配置され、内側筐体５０及び外側筐体７０に固定される隔壁８０とを備える。
　チャンバ装置ＣＨ内では、レーザガスの励起によって光が発生する際に、内側筐体５０の内部空間における温度が上昇してしまうことがある。温度が上昇すると、当該内部空間における温度分布に偏りが生じることがある。また、レーザガスがレーザガス供給装置１７０から内側筐体５０の内部空間に供給されると、当該内部空間における圧力が上昇する。温度上昇による内側筐体５０の熱膨張、温度分布の偏りによる内側筐体５０の内部空間における熱膨張差、及び圧力の上昇によって、内側筐体５０が変形しようとする。しかしながら、本実施形態のチャンバ装置ＣＨでは、内側筐体５０の当該変形は、内側筐体５０の外周面に固定される隔壁８０及び隔壁８０が固定される外側筐体７０によって抑制され得る。例えば、熱膨張及び圧力上昇によって内側筐体５０が広がるように変形しようとしても、内側筐体５０の広がりは隔壁８０及び外側筐体７０によって抑制され得る。また、内側筐体５０が縮むように変形しようとしても、内側筐体５０の縮みは隔壁８０及び外側筐体７０によって抑制され得る。このように内側筐体５０の変形が抑制されると、内側筐体５０から出射するレーザ光の進行方向は予め想定される進行方向からの変化を抑制され得る。当該変化が抑制されると、ガスレーザ装置１００から露光装置２００に向かって出射する光の進行方向は予め想定される進行方向からの変化を抑制され得る。従って、ガスレーザ装置１００の信頼性の低下が抑制され得る。
　また、本実施形態のチャンバ装置ＣＨでは、隔壁８０及び外側筐体７０が内側筐体５０の変形を抑制するため、隔壁８０及び外側筐体７０が設けられていない状態に比べて内側筐体５０の板厚が薄くなり得る。従って、隔壁８０及び外側筐体７０が配置されても、チャンバ装置ＣＨの重量が少なくなり得、チャンバ装置ＣＨの取り扱いが容易になり得る。また、隔壁８０及び外側筐体７０が設けられていない状態で内側筐体５０の変形を抑制するためには、内側筐体５０の剛性を上げる必要がある。剛性を上げるためには、内側筐体５０の板厚を厚くする必要がある。本実施形態のチャンバ装置ＣＨでは、隔壁８０及び外側筐体７０が内側筐体５０の変形を抑制するため、内側筐体５０の板厚が厚くなることが不要になり得る。また、本実施形態のチャンバ装置ＣＨでは、隔壁８０及び外側筐体７０によって、チャンバ装置ＣＨの剛性が上がり得る。
　また、本実施形態のチャンバ装置ＣＨでは、隔壁８０は複数である。この場合、隔壁８０が１つである場合に比べて、内側筐体５０の変形が抑制され得、チャンバ装置ＣＨの剛性が上がり得る。
　また、本実施形態のチャンバ装置ＣＨでは、蓋板７３は、外側本体部７１の側面よりも外側に向かって突出する突出部７３ａを含む。突出部７３ａが設けられる場合では、突出部７３ａが設けられない場合に比べて、蓋板７３の剛性は突出部７３ａが設けられる分だけ上がる。従って、内側筐体５０が変形しようとしても、蓋板７３は内側筐体５０の変形を抑制し、内側筐体５０の変形による蓋板７３の変形も抑制され得る。また、上記したように蓋板７３の剛性が上がるため、突出部７３ａが設けられない場合に比べて、蓋板７３の変形が抑制され得、突出部７３ａを含む蓋板７３の板厚は薄くなり得る。従って、突出部７３ａが設けられても、チャンバ装置ＣＨの重量が少なくなり得、チャンバ装置ＣＨの取り扱いが容易になり得る。
　また、本実施形態のチャンバ装置ＣＨでは、突出部７３ａが蓋板７３に対して外側本体部７１の側面に向かって折れ曲がる。この場合、突出部７３ａが外側本体部７１の側面から離れる方向に向かって折れ曲がる場合と比較して、それぞれの場合で蓋板７３が同じ剛性を備えようとすると、突出部７３ａは短くなり得る。従って、チャンバ装置ＣＨの重量は、少なくなり得る。
　また、本実施形態のチャンバ装置ＣＨでは、冷却フィン５７が内側筐体５０の内周面に配置されており、内側筐体５０の内部空間における熱は、冷却フィン５７、内側筐体５０、隔壁８０、及び外側筐体７０を介して外側筐体７０の外部に放出される。冷却フィン５７が配置される場合では、冷却フィン５７が配置されていない場合に比べて、放熱量が増え、内側筐体５０の温度上昇及び内側筐体５０の内部空間における温度分布の偏りが抑制され得、内側筐体５０の変形が抑制され得る。
　また、本実施形態のチャンバ装置ＣＨでは、冷却フィン５７は複数である。この場合、冷却フィン５７が１つである場合に比べて、放熱量が増える。放熱量が増えると、内側筐体５０の温度上昇及び内側筐体５０の内部空間における温度分布の偏りがより抑制され得、内側筐体５０の変形がより抑制され得る。
　また、本実施形態のチャンバ装置ＣＨでは、隔壁８０及び冷却フィン５７は、光の進行方向に沿って、交互に配置される。隣り合う隔壁８０の間における内側筐体５０の剛性は、隔壁８０が位置する部分における内側筐体５０の剛性に比べて、隔壁８０が配置されていないため、下がる。上記のように隔壁８０及び冷却フィン５７が交互に配置される場合、隔壁８０が内側筐体５０を介して冷却フィン５７に隣り合って配置される場合に比べて、隣り合う隔壁８０の間における内側筐体５０の剛性は、冷却フィン５７が配置されるため、上がる。従って、隔壁８０が内側筐体５０を介して冷却フィン５７に隣り合って配置される場合に比べて、内側筐体５０の変形は、抑制され得る。なお、冷却フィン５７は、隔壁８０と同じ位置に、つまり、内側筐体５０を介して隔壁８０に隣り合って配置されてもよい。
　また、本実施形態のチャンバ装置ＣＨでは、冷却フィン５７は、隣り合う隔壁８０の中間に配置される。この場合、冷却フィン５７が隣り合う隔壁８０の間においてどちらか一方の隔壁８０に偏って配置される場合に比べて、内側筐体５０の長手方向における内側筐体５０の強度分布の変化が抑制され得、内側筐体５０の変形が抑制され得る。なお、隣り合う隔壁８０間の長さは、隣り合う冷却フィン５７間の長さと異なっていてもよい。
　また、本実施形態のチャンバ装置ＣＨでは、内側筐体５０及び外側筐体７０の間において隔壁８０によって区分けられる隣り合う隙間は、冷却媒体が流れる流路である。隙間に冷却媒体が流れると、冷却媒体は、内側筐体５０の外周面に接し、内側筐体５０を直接冷却する。冷却媒体が内側筐体５０を冷却すると、内側筐体５０の温度上昇が抑制され得、内側筐体５０の変形が抑制され得る。
　また、本実施形態のチャンバ装置ＣＨでは、流路は内側筐体５０の外側に設けられる。この場合、流路が内側筐体５０の内側に設けられる場合に比べて、内側筐体５０の内部空間におけるレーザガスの循環経路における流路抵抗が減り、クロスフローファン４６のモータ４６ａの出力が低減し得る。
　また、冷却媒体が内側筐体５０を冷却すると、冷却媒体が内側筐体５０を冷却しない場合に比べて、熱交換器４７の熱容量が少なくなり得る、或いは熱交換器４７が不要となり得る。従って、チャンバ装置ＣＨの重量は、少なくなり得る。なお、冷却フィン５７が配置されても、熱交換器４７の容量が少なくなり得る、或いは熱交換器４７が不要となり得る。また、温度調節器９３は配置されなくてもよく、冷却媒体は隙間を流れなくてもよい。
　また、本実施形態のチャンバ装置ＣＨは、レーザ光の進行方向における隔壁８０と同じ位置に設けられ、隣り合う隙間のうちの一方の隙間から他方の隙間に冷却媒体が流れる通路８０ａを含む。通路８０ａが設けられていない場合において冷却媒体がそれぞれの隙間を流れるためには、それぞれの隙間に配管を連結する必要がある。しかしながら、通路８０ａが設けられることによって、それぞれの隙間に配管を連結する必要がなくなり、チャンバ装置ＣＨの重量は少なくなり得る。また、前面板７５に流入口７５ｄが設けられ、後面板７７に流出口７７ｄが設けられることによって、冷却媒体はそれぞれの隙間を流れることで流路を循環し得る。
　なお、通路８０ａがそれぞれの隔壁８０に設けられておらず、それぞれの隙間に配管が連結されて、冷却媒体がそれぞれの隙間に流れてもよい。冷却媒体が上記のように循環する場合、冷却媒体が上流側から下流側に流れる過程において、内側筐体５０からの熱によって冷却媒体の温度が上昇し、冷却媒体が内側筐体５０を想定よりも冷却しないことがある。しかしながら、冷却媒体がそれぞれの隙間に流れる場合では、冷却媒体が上記のように循環する場合に比べて、冷却媒体の温度の変化が抑制され得、内側筐体５０が冷却され得、内側筐体５０の変形が抑制され得る。
　通路８０ａは、全ての隔壁８０に配置されていなくてもよい。例えば前面板７５側から５番目の隔壁８０に通路８０ａが設けられていない場合、前面板７５側から１番目から５番目の隙間が１つの流路となり、前面板７５側から６番目から１２番目の隙間が上記流路とは別の流路となる。この場合、それぞれの流路に配管を連結して、それぞれの流路に冷却媒体が流れてもよい。また、１つの隔壁８０に複数の通路８０ａが設けられてもよい。
　また、本実施形態のチャンバ装置ＣＨでは、光の進行方向に沿って見る場合において、隣り合う隔壁８０のうちの一方の隔壁８０の通路８０ａは、他方の隔壁８０の通路８０ａと重ならない位置に設けられる。これにより、冷却媒体は隣り合う隙間のそれぞれで逆方向に流れ得る。
　また、本実施形態のチャンバ装置ＣＨでは、外側筐体７０は、内側筐体５０のうちの通過口を含む面を囲う板を含み、当該板には通過口に向かい合うと共にレーザ光の少なくとも一部を反射するミラーが配置される。通過口が開口５０ａである場合、板は前面板７５であり、ミラーは出力結合ミラー１４７である。前面板７５には、出力側ホルダを介して開口５０ａに向かい合う出力結合ミラー１４７が配置される。前面板７５が内側筐体５０に配置されても、上記したように内側筐体５０の変形が抑制されるため、出力結合ミラー１４７を含む前面板７５のずれが抑制され得る。仮に出力結合ミラー１４７を含む前面板７５がずれてしまうと、出力結合ミラー１４７を透過するレーザ光の進行方向が予め想定される進行方向から変化してしまうことがある。しかしながら、上記のように前面板７５のずれが抑制されると、出力結合ミラー１４７を透過するレーザ光の進行方向は予め想定される進行方向からの変化を抑制され得る。当該変化が抑制されると、ガスレーザ装置１００から露光装置２００に向かって出射する光の進行方向は予め想定される進行方向からの変化を抑制され得る。従って、ガスレーザ装置１００の信頼性の低下が抑制され得る。また、出力結合ミラー１４７が前面板７５に配置されると、比較例のガスレーザ装置１００で説明した光路管１４７ａにおけるダンパが不要となり得る。従って、チャンバ装置ＣＨの重量は少なくなり得る。また、モニタモジュール１５０の筐体１５１が前面板７５に連結されれば、光路管１４７ａが不要となり得、チャンバ装置ＣＨの重量は少なくなり得る。
　また、通過口が開口５０ｂである場合、板は後面板７７であり、ミラーはリアミラー１４５である。後面板７７には、リア側ホルダを介して開口５０ｂに向かい合うリアミラー１４５が配置される。この場合においても、前面板７５と同様に、リアミラー１４５を含む後面板７７のずれが抑制され得、ガスレーザ装置１００の信頼性の低下が抑制され得る。また、リアミラー１４５が後面板７７に配置されると、比較例のガスレーザ装置１００で説明した筐体１４５ａ及びダンパが不要となり得る。従って、チャンバ装置ＣＨの重量は少なくなり得る。
　また、本実施形態のチャンバ装置ＣＨでは、蓋板７３には、絶縁部３３と、蓋板７３と絶縁部３３との間を封止する封止部材７９とが配置される。この場合、封止部材７９が配置されない場合と比べて、外側筐体７０の外部から内部への酸素等の不純物の侵入が抑制され得、レーザガスの交換回数が少なくなり得る。また、本実施形態のチャンバ装置ＣＨでは、蓋板７３の材質はニッケル合金であり、封止部材７９はメタルシールである。絶縁部３３のアルミナセラミックスの線膨張係数は、例えば７．２×１０－６／℃である。また、例えば、ニッケル合金はモネルであり、モネルとアルミナセラミックスとの線膨張係数は、モネル、ＳＵＳ４３０、及びＳＵＳ３２９Ｊ４Ｌ以外に比べて小さくなり得、蓋板７３に対する絶縁部３３の相対的に位置ずれが抑制され得る。位置ずれが抑制されると、位置ずれによってガスレーザの漏れが発生し易いものの封止性能が高いメタルシールを封止部材７９として用いることができる。メタルシールが用いられると、メタルシール以外の封止部材が用いられる場合に比べて、封止の信頼性がより向上する。
　本実施形態のチャンバ装置ＣＨでは、通路８０ａは、開口としているが、これに限定される必要はない。例えば、隔壁８０の一部が内側筐体５０及び外側筐体７０の少なくとも一方から離れて配置され、通路８０ａは当該一部と内側筐体５０及び外側筐体７０の少なくとも一方との間の隙間であってもよい。このような通路８０ａとして、例えば、隔壁８０の一部が例えば曲面板５１ｂの他端側及び曲面板５１ｂ側の突起５３から離れて配置され、曲面板５１ｂの他端側と突起５３と隔壁８０と蓋板７３との間の隙間が挙げられる。なお、当該隙間は、曲面板５１ｃ側に設けられてもよい。或いは、通路８０ａは、隔壁８０に設けられる切り欠き及び切り欠きにおける開口を塞ぐ蓋板７３によって形成されてもよい。外側筐体７０は、内側筐体５０の少なくとも一部を囲ってもよい。外側筐体７０は、少なくともレーザ光の進行方向の側方から内側筐体５０を囲ってもよい。外側本体部７１は、内側筐体５０よりも長くても短くてもよい。冷却フィン５７は内側筐体５０の内周面に、隔壁８０は内側筐体５０の外周面及び外側筐体７０の内周面に、溶接によって固定されてもよい。内側筐体５０及び外側筐体７０との間に配置され、それぞれに固定される部材は、隔壁８０に限定される必要はない。当該部材は内側筐体５０、外側本体部７１、及び突出部７３ａを除く蓋板７３を支持すればよく、当該部材には例えば内側筐体５０と外側筐体７０の外側本体部７１とを支持する棒状の部材が挙げられる。棒状の部材は、複数であり、スポークのように内側筐体５０の中心軸を基準に内側筐体５０の外周面から外側本体部７１の内周面及び突出部７３ａを除く蓋板７３の裏面に向かって放射状に伸びてもよい。また、複数の隔壁８０が内側筐体５０の周方向に沿って配置されていてもよい。この場合、隣り合う隔壁は、互いに離れて配置されていてもよいし、互いに接して配置されていてもよい。冷却フィン５７は、外側筐体７０の外周面に配置されてもよい。冷却媒体の流路に温度センサが設けられてもよい。温度センサは、流路を流れる冷却媒体の温度を測定する。温度センサは、レーザプロセッサ１９０に電気的に接続されており、冷却媒体の温度を示す信号をレーザプロセッサ１９０に出力する。レーザプロセッサ１９０は、当該信号と温度センサ９１からの信号とを基に冷却媒体の温度を示す信号を温度調節器９３に出力してもよい。
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
　本明細書及び請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」、「有する」、「備える」、「具備する」などの用語は、「記載されたもの以外の構成要素の存在を除外しない」と解釈されるべきである。また、修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきであり、さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (20)

  1. 　内部空間においてレーザガスの励起によって発生する光が通過する通過口を含む内側筐体と、
    　前記光の進行方向の側方から前記内側筐体の少なくとも一部を囲う外側筐体と、
    　前記内側筐体及び前記外側筐体の間に配置され、前記内側筐体及び前記外側筐体に固定される隔壁と、
    　を備える
    　チャンバ装置。
  2. 　請求項１に記載のチャンバ装置であって、
    　前記隔壁は、複数であり
    　それぞれの前記隔壁は、前記光の進行方向に間隔をあけて並列に配置される。
  3. 　請求項１に記載のチャンバ装置であって、
    　前記外側筐体は、
    　　前記内側筐体を前記側方から囲うと共に前記側方に開口を含む外側本体部と、
    　　前記開口を覆う蓋板と、
    　を含み、
    　前記蓋板は、前記外側本体部の側面よりも外側に向かって突出する突出部を含む。
  4. 　請求項３に記載のチャンバ装置であって、
    　前記突出部は、前記側面に向かって折れ曲がる。
  5. 　請求項４に記載のチャンバ装置であって、
    　前記突出部のうちの折れ曲がり部から前記突出部の端までの前記突出部の長さは、１００ｍｍ以上１５０ｍｍ以下である。
  6. 　請求項１に記載のチャンバ装置であって、
    　前記内側筐体の内周面に配置される冷却フィンをさらに備える。
  7. 　請求項６に記載のチャンバ装置であって、
    　前記冷却フィンは、複数であり、
    　それぞれの前記冷却フィンは、前記光の進行方向に間隔をあけて並列に配置される。
  8. 　請求項７に記載のチャンバ装置であって、
    　前記隔壁は、複数であり、
    　それぞれの前記隔壁は、間隔をあけて前記光の進行方向に並列に配置され、
    　前記隔壁及び前記冷却フィンは、前記光の進行方向に沿って、交互に配置される。
  9. 　請求項８に記載のチャンバ装置であって、
    　前記冷却フィンは、隣り合う前記隔壁の中間に配置される。
  10. 　請求項１に記載のチャンバ装置であって、
    　前記内側筐体及び前記外側筐体の間において前記隔壁によって区分けられる隙間は、冷却媒体が流れる流路である。
  11. 　請求項１０に記載のチャンバ装置であって、
    　前記光の進行方向における前記隔壁と同じ位置に設けられ、隣り合う前記隙間のうちの一方の前記隙間から他方の前記隙間に前記冷却媒体が流れる通路をさらに含む。
  12. 　請求項１１に記載のチャンバ装置であって、
    　前記隔壁は、複数であり、
    　それぞれの前記隔壁は、間隔をあけて前記光の進行方向に並列に配置され、
    　前記光の進行方向に沿って見る場合において、隣り合う隔壁のうちの一方の前記隔壁と前記光の進行方向において同じ位置に設けられる前記通路は、前記一方の隔壁に隣り合う他方の前記隔壁と前記光の進行方向において同じ位置に設けられる前記通路と重ならない位置に設けられる。
  13. 　請求項１０に記載のチャンバ装置であって、
    　前記冷却媒体の温度を調節する温度調節器をさらに備える。
  14. 　請求項１に記載のチャンバ装置であって、
    　前記外側筐体は、前記内側筐体のうちの前記通過口を含む面を囲う板を含み、
    　前記板には、前記通過口に向かい合うと共に前記光の少なくとも一部を反射するミラーが配置される。
  15. 　請求項１に記載のチャンバ装置であって、
    　前記外側筐体は、
    　　前記内側筐体を前記側方から囲うと共に前記側方に開口を含む外側本体部と、
    　　前記開口を覆う蓋板と、
    　を含み、
    　前記蓋板には、絶縁部と、前記蓋板と前記絶縁部との間を封止する封止部材とが配置される。
  16. 　請求項１５に記載のチャンバ装置であって、
    　前記蓋板の材質は、ニッケル合金であり、
    　前記封止部材は、メタルシールである。
  17. 　請求項１に記載のチャンバ装置であって、
    　前記内側筐体の板厚は、７ｍｍ以下である。
  18. 　請求項１に記載のチャンバ装置であって、
    　前記外側筐体の板厚は、３ｍｍ以下である。
  19. 　請求項１に記載のチャンバ装置であって、
    　前記外側筐体の板厚は、前記内側筐体の板厚よりも薄い。
  20. 　電子デバイスの製造方法であって、
    　内部空間においてレーザガスの励起によって発生する光が通過する通過口を含む内側筐体と、
    　前記光の進行方向の側方から前記内側筐体の少なくとも一部を囲う外側筐体と、
    　前記内側筐体及び前記外側筐体の間に配置され、前記内側筐体及び前記外側筐体に固定される隔壁と、
    　を備えるチャンバ装置を備えるガスレーザ装置によってレーザ光を生成し、
    　前記レーザ光を露光装置に出力し、
    　電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記レーザ光を露光すること
    　を含む電子デバイスの製造方法。
PCT/JP2022/003118 2021-03-24 2022-01-27 チャンバ装置、及び電子デバイスの製造方法 WO2022201843A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202280014355.9A CN116868457A (zh) 2021-03-24 2022-01-27 腔装置和电子器件的制造方法
JP2023508715A JPWO2022201843A1 (ja) 2021-03-24 2022-01-27
US18/447,514 US20230387641A1 (en) 2021-03-24 2023-08-10 Chamber device, and electronic device manufacturing method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202163165576P 2021-03-24 2021-03-24
US63/165,576 2021-03-24

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US18/447,514 Continuation US20230387641A1 (en) 2021-03-24 2023-08-10 Chamber device, and electronic device manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022201843A1 true WO2022201843A1 (ja) 2022-09-29

Family

ID=83395375

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2022/003118 WO2022201843A1 (ja) 2021-03-24 2022-01-27 チャンバ装置、及び電子デバイスの製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230387641A1 (ja)
JP (1) JPWO2022201843A1 (ja)
CN (1) CN116868457A (ja)
WO (1) WO2022201843A1 (ja)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002176220A (ja) * 2000-12-05 2002-06-21 Komatsu Ltd エキシマレーザ発振器用チャンバ
WO2003021729A1 (en) * 2001-08-29 2003-03-13 Qinetiq Limited Laser with self-circulatory gas flow
JP2004111765A (ja) * 2002-09-20 2004-04-08 Gigaphoton Inc 狭帯域化レーザ装置
WO2010134166A1 (ja) * 2009-05-19 2010-11-25 三菱電機株式会社 ガスレーザ発振器
JP2015537386A (ja) * 2012-11-21 2015-12-24 中国科学院光▲電▼研究院 ダブル電極放電チャンバの導流装置及びこれを適用した放電チャンバ、エキシマレーザ
WO2016143105A1 (ja) * 2015-03-11 2016-09-15 ギガフォトン株式会社 エキシマレーザチャンバ装置
JP2019501410A (ja) * 2015-11-10 2019-01-17 ケーエルエー−テンカー コーポレイション レーザ生成プラズマ光源向けのドロップレット生成
JP2019134122A (ja) * 2018-02-02 2019-08-08 住友重機械工業株式会社 レーザ発振器

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002176220A (ja) * 2000-12-05 2002-06-21 Komatsu Ltd エキシマレーザ発振器用チャンバ
WO2003021729A1 (en) * 2001-08-29 2003-03-13 Qinetiq Limited Laser with self-circulatory gas flow
JP2004111765A (ja) * 2002-09-20 2004-04-08 Gigaphoton Inc 狭帯域化レーザ装置
WO2010134166A1 (ja) * 2009-05-19 2010-11-25 三菱電機株式会社 ガスレーザ発振器
JP2015537386A (ja) * 2012-11-21 2015-12-24 中国科学院光▲電▼研究院 ダブル電極放電チャンバの導流装置及びこれを適用した放電チャンバ、エキシマレーザ
WO2016143105A1 (ja) * 2015-03-11 2016-09-15 ギガフォトン株式会社 エキシマレーザチャンバ装置
JP2019501410A (ja) * 2015-11-10 2019-01-17 ケーエルエー−テンカー コーポレイション レーザ生成プラズマ光源向けのドロップレット生成
JP2019134122A (ja) * 2018-02-02 2019-08-08 住友重機械工業株式会社 レーザ発振器

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2022201843A1 (ja) 2022-09-29
US20230387641A1 (en) 2023-11-30
CN116868457A (zh) 2023-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0820132B1 (en) Excimer laser oscillation apparatus and method, excimer laser exposure apparatus, and laser tube
JP2005502211A (ja) ビームデリバリーを備えたレーザリソグラフィー光源
JP2005502211A6 (ja) ビームデリバリーを備えたレーザリソグラフィー光源
US6690702B1 (en) Excimer laser oscillation apparatus and method, excimer laser exposure apparatus, and laser tube
US20230387642A1 (en) Chamber device, gas laser device, and electronic device manufacturing method
WO2022201843A1 (ja) チャンバ装置、及び電子デバイスの製造方法
KR100767301B1 (ko) 헬륨 퍼지된 라인 협소화 유닛을 구비한 고전력 가스 방전레이저
JP7275248B2 (ja) 狭帯域化モジュール、ガスレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法
WO2023170835A1 (ja) ガスレーザ装置のチャンバのベーキング方法及び電子デバイスの製造方法
US11588291B2 (en) Laser chamber apparatus, gas laser apparatus, and method for manufacturing electronic device
US20210336403A1 (en) Gas laser apparatus, laser beam emitting method of gas laser apparatus, and electronic device manufacturing method
WO2024100743A1 (ja) ガスレーザ装置のチャンバ、ガスレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法
US20050115333A1 (en) Gas flow measurement apparatus and method for EVU light source
US20230108886A1 (en) Gas laser apparatus and electronic device manufacturing method
JP7496883B2 (ja) 狭帯域化モジュール、ガスレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法
WO2023175729A1 (ja) ガスレーザ装置のチャンバ及び電子デバイスの製造方法
JP2008171852A (ja) ガス放電型レーザ装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
WO2023181677A1 (ja) ガスレーザ装置のチャンバ、ガスレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法
US20230187896A1 (en) Line narrowing module, gas laser apparatus, and method for manufacturing electronic devices
WO2024009662A1 (ja) ガスレーザ装置のチャンバ、ガスレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法
WO2023127286A1 (ja) ガスレーザ装置及び電子デバイスの製造方法
US20210367390A1 (en) Gas laser apparatus, and electronic device manufacturing method
WO2024105833A1 (ja) 放電電極、放電電極の製造方法、及び電子デバイスの製造方法
RU2814794C1 (ru) Газовый лазер щелевого типа
WO2023181416A1 (ja) 放電電極、放電電極の製造方法、及び電子デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 22774645

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 202280014355.9

Country of ref document: CN

Ref document number: 2023508715

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 22774645

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1