CN116868457A - 腔装置和电子器件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

腔装置(CH)具有:内侧壳体(50),其包含通过口,在内侧壳体的内部空间中通过激光气体的激励而产生的光在该通过口通过;以及外侧壳体(70),其从光的行进方向的侧方包围内侧壳体(50)的至少一部分。此外,腔装置(CH)具有分隔壁(80),该分隔壁(80)被配置于内侧壳体(50)和外侧壳体(70)之间,被固定于内侧壳体(50)和外侧壳体(70)。

Description

腔装置和电子器件的制造方法
技术领域
本公开涉及腔装置和电子器件的制造方法。
背景技术
近年来,在半导体曝光装置中,随着半导体集成电路的微细化和高集成化,要求分辨率的提高。因此,从曝光用光源发射的光的短波长化得以发展。例如,作为曝光用的气体激光装置,使用输出波长大约为248nm的激光的KrF准分子激光装置、以及输出波长大约为193nm的激光的ArF准分子激光装置。
KrF准分子激光装置和ArF准分子激光装置的自然振荡光的谱线宽度较宽,大约为350pm~400pm。因此,在利用使KrF和ArF激光这种紫外线透过的材料构成投影透镜时,有时产生色差。其结果,分辨率可能降低。因此,需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化到能够无视色差的程度。因此,在气体激光装置的激光谐振器内,为了使谱线宽度窄带化,有时具有包含窄带化元件(标准具、光栅等)的窄带化模块(Line Narrowing Module:LNM)。下面,将谱线宽度被窄带化的气体激光装置称为窄带化气体激光装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2002-176220号公报
发明内容
本公开的一个方式的腔装置可以具有:内侧壳体,其包含通过口,在内侧壳体的内部空间中通过激光气体的激励而产生的光在该通过口通过;外侧壳体,其从光的行进方向的侧方包围内侧壳体的至少一部分;以及分隔壁,其被配置于侧方的内侧壳体和外侧壳体之间,被固定于内侧壳体和外侧壳体。
本公开的一个方式的电子器件的制造方法可以通过具有腔装置的气体激光装置生成激光,将激光输出到曝光装置,在曝光装置内在感光基板上曝光激光,以制造电子器件,该腔装置具有:内侧壳体,其包含通过口,在内侧壳体的内部空间中通过激光气体的激励而产生的光在该通过口通过;外侧壳体,其从光的行进方向的侧方包围内侧壳体的至少一部分;以及分隔壁,其被配置于内侧壳体和外侧壳体之间,被固定于内侧壳体和外侧壳体。
附图说明
下面,参照附图将本公开的若干个实施方式作为简单例子进行说明。
图1是示出电子器件的制造装置的整体的概略结构例的示意图。
图2是示出比较例的气体激光装置的整体的概略结构例的示意图。
图3是图2所示的腔装置的与激光的行进方向垂直的剖视图。
图4是示出实施方式的气体激光装置的整体的概略结构例的示意图。
图5是示出包围内侧壳体的外侧壳体和温度调节器的立体图。
图6是图4所示的腔装置的与激光的行进方向垂直的剖视图。
图7是示出包围内侧壳体和分隔壁的外侧主体部的立体图。
图8是示出冷却翅片与分隔壁之间的位置关系的图。
具体实施方式
1.电子器件的曝光工序中使用的电子器件的制造装置的说明
2.比较例的气体激光装置的说明
2.1 结构
2.2 动作
2.3 课题
3.实施方式的腔装置的说明
3.1结构
3.2作用/效果
下面,参照附图对本公开的实施方式进行详细说明。
以下说明的实施方式示出本公开的几个例子,不限定本公开的内容。此外,各实施方式中说明的结构和动作并不一定全都是本公开的结构和动作所必须的。另外,对相同结构要素标注相同参照标号并省略重复说明。
1.电子器件的曝光工序中使用的电子器件的制造装置的说明
图1是示出电子器件的曝光工序中使用的电子器件的制造装置的整体的概略结构例的示意图。如图1所示,曝光工序中使用的制造装置包含气体激光装置100和曝光装置200。曝光装置200包含照明光学系统210和投影光学系统220,该照明光学系统210包含多个镜211、212、213。照明光学系统210通过从气体激光装置100入射的激光对掩模版台RT的掩模版图案进行照明。投影光学系统220对透过掩模版的激光进行缩小投影,使其在被配置于工件台WT上的未图示的工件上成像。工件是被涂布了光致抗蚀剂的半导体晶片等感光基板。曝光装置200使掩模版台RT和工件台WT同步地平行移动,由此在工件上曝光反映了掩模版图案的激光。通过以上这种曝光工序在半导体晶片上转印器件图案,由此能够制造作为电子器件的半导体器件。
2.比较例的气体激光装置的说明
2.1结构
对比较例的气体激光装置100进行说明。另外,本公开的比较例是申请人认识到仅申请人知道的方式,不是申请人自己承认的公知例。
图2是示出本例的气体激光装置100的整体的概略结构例的示意图。气体激光装置100例如是使用包含氩(Ar)、氟(F2)和氖(Ne)的混合气体的ArF准分子激光装置。该情况下,气体激光装置100输出中心波长大约为193nm的脉冲激光。气体激光装置100也可以是ArF准分子激光装置以外的气体激光装置,例如也可以是使用包含氪(Kr)、F2和Ne的混合气体的KrF准分子激光装置。该情况下,气体激光装置100出射中心波长大约为248nm的脉冲激光。包含作为激光介质的Ar、F2和Ne的混合气体、包含作为激光介质的Kr、F2和Ne的混合气体有时被称为激光气体。另外,在ArF准分子激光装置和KrF准分子激光装置中分别使用的混合气体中,也可以代替Ne而使用氦(He)。
本例的气体激光装置100包含壳体110、被配置于壳体110的内部空间的激光振荡器130、监视器模块150、激光气体供给装置170、激光气体排气装置180和激光处理器190作为主要结构。
激光振荡器130包含腔装置CH、充电器141、脉冲功率模块143、后镜145和输出耦合镜147作为主要结构。
在图2中,示出从与激光的行进方向大致垂直的方向观察的腔装置CH的内部结构。此外,图3是图2所示的腔装置CH的与激光的行进方向垂直的剖视图。腔装置CH具有壳体30、窗口31a、31b、电极32a、32b、绝缘部33、电极保持架部36、引导件39A、39B、39C、电介质管42、内电极43、外电极44、横流风扇46、热交换器47和压力传感器48作为主要结构。
如图2所示,壳体30包含通过上述的激光气体的激励而产生光的内部空间。激光气体从激光气体供给装置170经由配管被供给到壳体30的内部空间。通过激光气体的激励而产生的上述的光向窗口31a、31b行进。
窗口31a位于壳体30中的激光的行进方向上的一端侧,窗口31b位于壳体30中的激光的行进方向上的另一端侧。窗口31a、31b以相对于激光的行进方向成布儒斯特角的方式倾斜,以抑制激光的P偏振光的反射。窗口31a被嵌入壳体30的孔中,窗口31b被嵌入与窗口31a侧的上述孔相反一侧的孔中。
电极32a、32b的长度方向沿着激光的行进方向,电极32a、32b在壳体30的内部空间中彼此对置地配置。壳体30中的电极32a与电极32b之间的空间被窗口31a和窗口31b夹着。电极32a、32b是用于通过辉光放电来激励激光介质的主放电电极。在本例中,电极32a为阴极,电极32b为阳极。
如图3所示,电极32a被绝缘部33支承。绝缘部33堵住与壳体30连续的开口。绝缘部33包含绝缘体。绝缘体例如能够举出与F2气体的反应性低的氧化铝陶瓷。绝缘部33中的支承电极32a的部分的横截面的宽度朝向与电极32a相面对的电极32b而变窄。由此,绝缘部33以使壳体30内的激光气体通过横流风扇46的送风而从横流风扇46侧在电极32a和电极32b之间流动的方式,引导激光气体。在图3中,利用粗线的箭头示出壳体30的内部空间中的激光气体的流动。激光气体按照横流风扇46、电极32a与电极32b之间、热交换器47和横流风扇46的顺序循环。此外,在绝缘部33嵌入有由导电部件构成的馈通孔34。馈通孔34将从脉冲功率模块143供给的电压施加给电极32a。
电极32b被电极保持架部36支承,并且与电极保持架部36电连接。电极保持架部36经由布线37与壳体30电连接。在电极保持架部36上设置有引导件39A、39B、39C。引导件39A、39B、39C各自的材料例如能够举出与F2气体的反应性低的多孔质的镍金属。电极32b被引导件39A和引导件39B夹着而被固定于电极保持架部36上。
电介质管42、内电极43和外电极44沿着激光的行进方向配置。电介质管42的形状例如为圆筒状。电介质管42例如由氧化铝等电介质构成。内电极43为棒状,在电介质管42的贯通孔内沿着电介质管42配置。如图2所示,在电介质管42的两端连接有固定管42a、42b。在一个固定管42a的贯通孔内配置有与内电极43的一端连接的未图示的布线。此外,在另一个固定管42b的贯通孔内配置有与内电极43的另一端连接的未图示的布线。这些布线与馈通孔34连接。因此,馈通孔34如上所述将从脉冲功率模块143供给的电压施加给内电极43。
外电极44的一端与电介质管42的外周面的一部分接触。此外,外电极44的另一端与电极保持架部36电连接。因此,外电极44经由电极保持架部36与电极32b电连接,并且经由电极保持架部36和布线37与壳体30电连接。外电极44在一端与另一端之间屈曲,屈曲部在与电介质管42的长度方向垂直的面内方向上屈曲。此外,通过屈曲,外电极44的一端以按压电介质管42的外周面的方式与电介质管42的外周面接触。外电极44例如由黄铜构成。
在外电极44的另一端设置有未图示的螺纹孔,外电极44通过被拧入螺纹孔中的螺钉45而被固定于引导件39B。该状态下,外电极44的一端被按压于电介质管42的外周面并与其接触。电介质管42的外周面中的与外电极44的一端所接触的接触部位大致相反一侧的部位与引导件39C相接。因此,即使外电极44按压电介质管42,电介质管42也被引导件39C支承。
内电极43和外电极44隔着电介质管42对置。通过从脉冲功率模块143对内电极43和外电极44施加高电压,在电介质管42和外电极44的附近产生电晕放电。该电晕放电对在电极32a、32b之间产生的辉光放电进行辅助。因此,内电极43和外电极44是对电极32a、32b引起的辉光放电进行辅助的预电离电极。
在以电极保持架部36为基准而与电极32b侧相反一侧的壳体30的内部空间配置有横流风扇46。在壳体30的内部空间中,配置有横流风扇46的空间与电极32a、32b之间的空间连通。因此,横流风扇46旋转,由此,被封入壳体30的内部空间中的激光气体如图3中粗线的箭头所示在规定的方向上循环。横流风扇46与被配置于壳体30的外部的马达46a连接。当马达46a旋转时,横流风扇46旋转。马达46a的启动、关闭、转速通过激光处理器190的控制来调节。因此,激光处理器190通过控制马达46a,能够调节在壳体30的内部空间中循环的激光气体的循环速度。
在横流风扇46的旁边配置有热交换器47。通过横流风扇46的送风而循环的激光气体的至少一部分通过该热交换器47,通过热交换器47对激光气体的温度进行调节。
返回图2,继续说明本例的气体激光装置100。充电器141是以规定的电压对被设置于脉冲功率模块143中的未图示的电容器进行充电的直流电源装置。充电器141被配置于壳体30的外部,与脉冲功率模块143连接。脉冲功率模块143包含由激光处理器190控制的开关143a。当开关143a通过激光处理器190的控制而从断开变成接通时,脉冲功率模块143使从充电器141施加的电压升压,生成脉冲状的高电压,将该高电压施加给电极32a、32b。当被施加高电压时,电极32a与电极32b之间的绝缘被击穿,产生放电。通过该放电的能量,壳体30内的激光介质被激励而向高能级跃迁。然后,被激励的激光介质向低能级跃迁时,发射与该能极差对应的光。被发射的光向窗口31a、31b行进。
后镜145与窗口31a对置,输出耦合镜147与窗口31b对置。在后镜145涂敷有高反射膜,在输出耦合镜147涂敷有部分反射膜。后镜145使从窗口31a出射的激光以高反射率反射而返回到壳体30。输出耦合镜147使从窗口31b输出的激光中的一部分透过,使另外一部分反射而经由窗口31b返回到壳体30的内部空间。输出耦合镜147例如由在氟化钙的基板上形成有电介质多层膜的元件构成。
因此,利用后镜145和输出耦合镜147构成法布里-珀罗型的激光谐振器,壳体30被配置于激光谐振器的光路上。从壳体30出射的激光在后镜145与输出耦合镜147之间往复。往复的激光每当通过电极32a与电极32b之间的激光增益空间时被放大。被放大的光的一部分作为脉冲激光而透过输出耦合镜147。
后镜145经由未图示的阻尼器被固定于与壳体30的一端侧连接的壳体145a的内部空间。此外,输出耦合镜147经由未图示的阻尼器被固定于与壳体30的另一端侧连接的光路管147a的内部空间。
监视器模块150被配置于透过输出耦合镜147的脉冲激光的光路上。监视器模块150包含壳体151、分束器152、聚光透镜153和光传感器154作为主要结构。开口与壳体151连续,以包围该开口的方式连接有光路管147a。因此,壳体151的内部空间通过该开口与光路管147a的内部空间连通。在壳体151的内部空间配置有分束器152、聚光透镜153和光传感器154。
分束器152使透过输出耦合镜147的脉冲激光以高透射率向出射窗口161透过,并且使脉冲激光的一部分朝向聚光透镜153反射。聚光透镜153使脉冲激光会聚于光传感器154的受光面。光传感器154计测入射到受光面的脉冲激光的脉冲能量的实测值即脉冲能量E。光传感器154与激光处理器190电连接,将表示计测的脉冲能量E的信号输出到激光处理器190。
开口与监视器模块150的壳体151中的与连接有光路管147a的一侧相反一侧连续,以包围该开口的方式连接有光路管161a。因此,壳体151的内部空间和光路管161a的内部空间彼此连通。此外,光路管161a与壳体110连接。在壳体110中的被光路管161a包围的位置设置有出射窗口161。透过监视器模块150的分束器152的光从出射窗口161向壳体110的外部的曝光装置200出射。
在光路管147a、161a、壳体145a、151的内部空间填充有吹扫气体。吹扫气体包含氧等杂质少的高纯度氮等非活性气体。吹扫气体从被配置于壳体110的外部的未图示的吹扫气体供给源通过未图示的配管被供给到光路管147a、161a、壳体145a、151的内部空间。
压力传感器48计测壳体30的内部空间的压力。压力传感器48与激光处理器190电连接,将表示计测的压力的信号输出到激光处理器190。
激光气体供给装置170从被配置于壳体110的外部的未图示的激光气体供给源经由配管被供给激光气体。在激光气体供给装置170设置有未图示的阀、流量调节阀,并且连接有与壳体30连接的其他配管。激光气体供给装置170根据来自激光处理器190的控制信号,将多个气体以期望的组成比进行混合而设为激光气体,将该激光气体经由该其他配管供给到壳体30的内部空间。
在激光气体排气装置180连接有与壳体30连接的配管。激光气体排气装置180包含未图示的排气泵,通过排气泵经由配管将壳体30的内部空间的气体排放到壳体110的内部空间内。此时,激光气体排气装置180根据来自激光处理器190的控制信号对排气量等进行调节,对从壳体30的内部空间排放的气体进行规定的处理。
此外,在壳体110设置有排气管道111。气体从排气管道111被排放到壳体110的外部。该气体是通过激光气体排气装置180从壳体30的内部空间排放到壳体110的内部空间的气体、通过未图示的结构从光路管147a、161a内等排放到壳体110的内部空间的气体。
本公开的激光处理器190是包含存储有控制程序的存储装置和执行控制程序的CPU的处理装置。激光处理器190是为了执行本公开中包含的各种处理而特别地构成或被编程的。此外,激光处理器190对气体激光装置100整体进行控制。此外,激光处理器190与曝光装置200的曝光处理器290电连接,在与曝光处理器290之间发送接收各种信号。
2.2动作
接着,对比较例的气体激光装置100的动作进行说明。
在气体激光装置100出射脉冲激光之前的状态下,从未图示的吹扫气体供给源向光路管147a、161a的内部空间、壳体145a、151的内部空间填充吹扫气体。此外,从激光气体供给装置170向壳体30的内部空间供给激光气体。在被供给激光气体后,激光处理器190对马达46a进行控制,使横流风扇46旋转。通过横流风扇46的旋转,激光气体在壳体30的内部空间循环。
在气体激光装置100出射脉冲激光时,激光处理器190从曝光处理器290接收表示目标脉冲能量Et的信号和发光触发信号。目标脉冲能量Et是曝光工序中使用的脉冲能量的目标值。激光处理器190对充电器141设定规定的充电电压Vhv,以使脉冲能量成为目标脉冲能量Et,并且激光处理器190与发光触发信号同步地接通开关143a。由此,脉冲功率模块143根据被充电器141保持的电能生成脉冲状的高电压,对电极32a与电极32b之间以及内电极43与外电极44之间施加高电压。但是,对内电极43与外电极44之间施加高电压的时机比对电极32a与电极32b之间施加高电压的时机稍早。在对内电极43与外电极44之间施加高电压后,在电介质管42的附近产生电晕放电,放射紫外光。此外,在紫外光对电极32a与电极32b之间的激光气体进行照射后,电极32a与电极32b之间的激光气体被进行预电离。在预电离后,在对电极32a与电极32b之间施加高电压后,电极32a与电极32b之间的绝缘被击穿而产生放电。通过放电而生成声波,该声波被引导件39A、39B、39C吸收。通过该吸收,抑制引导件39A、39B、39C处的超声波的反射,抑制声波朝向电极32a与电极32b之间的行进。由此,抑制不稳定的放电,抑制从气体激光装置100出射的光的能量稳定性的降低。
此外,在如上所述产生放电时,通过该放电的能量,电极32a与电极32b之间的激光气体中包含的激光介质成为激励状态,在返回基态时发射自然发射光。该光的一部分为紫外线,并透过窗口31a。透过的光在后镜145处被反射。在后镜145处被反射的光再次从窗口31a向壳体30的内部空间传播。通过向壳体30的内部空间传播的光,激励状态的激光介质产生受激发射,光被放大。光透过窗口31b,向输出耦合镜147行进。光的一部分透过输出耦合镜147,其余的一部分被输出耦合镜147反射而透过窗口31b向壳体30的内部空间传播。向壳体30的内部空间传播的光如上所述向后镜145行进。这样,规定的波长的光在后镜145与输出耦合镜147之间往复。光每当通过壳体30的内部空间中的放电空间时被放大,产生激光振荡。并且,激光的一部分作为脉冲激光透过输出耦合镜147,向分束器152行进。
向分束器152行进的脉冲激光中的一部分在分束器152处被反射。被反射的脉冲激光在光传感器154处被接收,光传感器154计测接收的脉冲激光的脉冲能量E。光传感器154将表示计测的脉冲能量E的信号输出到激光处理器190。激光处理器190对充电器141的充电电压Vhv进行反馈控制,以使脉冲能量E与目标脉冲能量Et之差ΔE处于容许范围内。在差ΔE处于容许范围内时,脉冲激光透过分束器152和出射窗口161而入射到曝光装置200。该脉冲激光是ArF激光,ArF激光是中心波长大约为193nm的紫外线。
壳体30的内部空间的压力由压力传感器48来计测,来自压力传感器48的表示压力的信号被输入到激光处理器190。激光处理器190在充电电压Vhv高于容许范围的最大值的情况下,根据来自压力传感器48的信号对激光气体供给装置170进行控制,将激光气体供给到壳体30的内部空间,直到壳体30的内部空间的压力成为规定压力为止。此外,激光处理器190在充电电压Vhv低于容许范围的最小值的情况下,根据该信号对激光气体排气装置180进行控制,从壳体30的内部空间排放激光气体,直到该压力成为规定压力为止。
2.3课题
在比较例的腔装置CH中,在通过激光气体的激励而产生光时,壳体30的内部空间中的温度有时上升。当温度上升时,该内部空间中的温度分布有时产生偏差。此外,在激光气体从激光气体供给装置170被供给到壳体30的内部空间时,该内部空间中的压力上升。由于基于温度上升而引起的壳体30的热膨胀、基于温度分布的偏差而引起的壳体30的内部空间中的热膨胀差、以及压力的上升,壳体30有时变形。当壳体30变形时,从壳体30出射的激光的行进方向有时相对于预先设想的行进方向发生变化。由于该变化,从气体激光装置100朝向曝光装置200出射的激光的行进方向有时也相对于预先设想的行进方向发生变化。因此,担心气体激光装置100的可靠性降低。
因此,在以下的实施方式中,例示了能够抑制气体激光装置100的可靠性降低的腔装置CH。
3.实施方式的腔装置的说明
接着,对实施方式的腔装置CH进行说明。另外,对与上述说明的结构相同的结构标注相同标号,除了特别说明的情况以外,省略重复的说明。此外,在一部分附图中,为了容易观察,有时省略或简略地记载部件的一部分。
3.1结构
图4是示出本实施方式的气体激光装置100的整体的概略结构例的示意图。在图4中,示出从与激光的行进方向大致垂直的方向观察到的腔装置CH的内部结构。图5是示出腔装置CH中的包围内侧壳体50的外侧壳体70和温度调节器93的立体图。图6是图4所示的腔装置CH的与激光的行进方向垂直的剖视图。在图6中,与比较例同样,利用粗线的箭头示出激光气体的流动。
在本实施方式的腔装置CH中,腔装置CH的壳体的结构与比较例的壳体30的结构不同。本实施方式的腔装置CH具有筒状的内侧壳体50、从外侧包围内侧壳体50的外侧壳体70、被配置于激光的行进方向的侧方的内侧壳体50与外侧壳体70之间的间隙的分隔壁80、温度传感器91和温度调节器93作为主要结构。
与比较例的壳体30同样,内侧壳体50包含通过激光气体的激励而产生光的内部空间。与比较例的壳体30的内部空间同样,在该内部空间配置有电极32a、32b、绝缘部33、电极保持架部36、引导件39A、39B、39C、电介质管42、内电极43、外电极44、横流风扇46、热交换器47和压力传感器48。激光气体供给装置170和激光气体排气装置180各自的配管贯通外侧壳体70而与内侧壳体50的内部空间连通。内侧壳体50的长度方向沿着内侧壳体50的内部空间中的激光的行进方向,激光通过筒状的内侧壳体50的两端的通过口即开口50a、50b。这种内侧壳体50包围在内侧壳体50的内部空间中行进的激光的周围。
图7是示出包围内侧壳体50和分隔壁80的外侧壳体70的外侧主体部71的立体图。在图7中,利用虚线示出内侧壳体50和分隔壁80中的由外侧主体部71包围的部分。
如图6和图7所示,内侧壳体50包含内侧壳体50的长度方向上较长的长方形状的底板51a、以及半圆形状的1对曲面板51b、51c作为主要结构。各个曲面板51b、51c为相同的大小。在沿着内侧壳体50的长度方向观察底板51a和曲面板51b、51c的情况下,曲面板51b、51c以底板51a为基准左右对称地配置,以向彼此分开的方向鼓出的方式弯曲。在底板51a的宽度方向上,曲面板51b的一端的外周面通过钎焊被固定于底板51a的一端的内表面,曲面板51c的一端的外周面通过钎焊被固定于底板51a的另一端的内表面。在钎焊中,曲面板51b、51c在与底板51a接触的接触部分整体被钎焊。由此,抑制激光气体从该固定部分向内侧壳体50的外部泄漏。此外,曲面板51b、51c的另一端的一部分在与底板51a大致垂直的方向上朝向内侧壳体50的外侧折曲。折曲的各个另一端如上所述通过钎焊被固定,并设置有框状的突起53。框状的突起53为内侧壳体50的长度方向上较长的长方形状,在框状的突起53的内侧设置有开口50c。开口50c为内侧壳体50的长度方向上较长的长方形状,被绝缘部33堵住。在内侧壳体50的长度方向上的比突起53靠外侧处,折曲的各个曲面板51b、51c的另一端的其余的一部分以与底板51a相面对的方式折曲,其余的一部分通过钎焊彼此被固定。
底板51a的板厚比内侧壳体50中的底板51a以外的板即曲面板51b、51c的板厚厚。例如,底板51a的板厚为5mm以上且7mm以下,曲面板51b、51c的板厚为1mm以上且3mm以下。这样,内侧壳体50的板厚为1mm以上且7mm以下。在平板的底板51a比曲面板51b、51c厚的情况下,跟底板51a的厚度与曲面板51b、51c相同的情况相比,底板51a的强度提高。此外,在底板51a为平板的情况下,与底板51a为以向远离内侧壳体50的中心轴的方向鼓出的方式弯曲的曲面板的情况相比,腔装置CH的容积减少。当容积减少时,来自激光气体供给装置170的激光气体的消耗量减少,气体激光装置100整体成为小型。内侧壳体50的材质例如可以举出镍合金、铁素体不锈钢或双相不锈钢。例如,镍合金为蒙乃尔合金,蒙乃尔合金的线膨胀系数为13.9×10-6/℃。例如,铁素体不锈钢为SUS430,SUS430的线膨胀系数为10.4×10-6/℃。此外,例如,双相不锈钢为SUS329J4L,SUS329J4L的线膨胀系数为13.0×10-6/℃。
如图6所示,在内侧壳体50的内周面的一部分,通过钎焊而固定有冷却翅片57。在钎焊中,冷却翅片57在与内侧壳体50的内周面接触的接触部分整体被钎焊。在图6中,示出冷却翅片57被固定于底板51a的表面和曲面板51b的内周面的例子。在通过横流风扇46在内侧壳体50的内部空间中循环的激光气体的行进方向上,冷却翅片57被配置于比电极32a与电极32b之间的空间靠下游侧的位置。冷却翅片57在内侧壳体50的内部空间中被配置于激光的行进路径的侧方,不遮挡激光。内侧壳体50的内部空间中的热经由冷却翅片57向内侧壳体50的外部放出。冷却翅片57在图6和后述的图8以外的附图中省略图示。
如图5、图6和图7所示,外侧壳体70从激光的行进方向的侧方、前方和后方包围内侧壳体50。这种外侧壳体70包含外侧主体部71、盖板73、前面板75和后面板77作为主要结构。
外侧主体部71是从侧方包围内侧壳体50、并且在侧方包含开口70c的板。这种外侧主体部71的横截面例如为U字形状,外侧主体部71在内侧壳体50的底板51a、曲面板51b、51c和突起53的侧方分别与内侧壳体50的底板51a、曲面板51b、51c和突起53相面对地配置。外侧主体部71为与内侧壳体50大致相同的长度,外侧主体部71的长度方向沿着内侧壳体50的长度方向。
盖板73被配置于外侧主体部71的两端和两端的开口70c,覆盖外侧主体部71的开口70c侧。供内侧壳体50的突起53嵌入的开口73c与盖板73连续。此外,与盖板73的上表面连续的槽与盖板73连续。槽被设置于开口73c的周围,为内侧壳体50的长度方向上较长的长方形状。在槽配置有对盖板73与绝缘部33之间进行密封的密封部件79。密封部件79例如为金属密封件。
此外,盖板73包含在与外侧主体部71的长度方向正交的方向上比外侧主体部71的侧面更向外侧突出的突出部73a。该侧面是在内侧壳体50的底板51a的宽度方向上、外侧主体部71中的与曲面板51b、51c相面对的面。突出部73a分别被设置于盖板73的正交方向上的两端侧。各个突出部73a相对于盖板73朝向外侧主体部71的侧面以包围该侧面的方式折曲。该情况下的突出部73a的折曲角度例如为25°以上且35°以下。此外,突出部73a的长度例如为100mm以上且150mm以下。该长度是从突出部73a的折曲部到离该折曲部最远的端部为止的长度,不是外侧主体部71的侧面与该端部之间的长度。在图6中,示出折曲部位于该侧面的侧方的例子,但是,也可以位于侧面的缘部。
另外,盖板73中的除了突出部73a以外的平面区域的面内方向与底板51a的面内方向平行,突出部73a也可以沿着面内方向比外侧主体部71的侧面更向外侧突出。或者,突出部73a也可以向与外侧主体部71的侧面相反的一侧折曲。关于突出部73a的长度,在朝向外侧主体部71的侧面折曲的情况下最短,在朝向外侧主体部71的侧面折曲的情况下、朝向与外侧主体部71的侧面相反的一侧折曲的情况下、沿着面内方向突出的情况下依次变长。
如图5所示,前面板75在内侧壳体50和外侧主体部71的长度方向上被配置于内侧壳体50的一端侧的开口50a和开口50a的周缘部、以及外侧壳体70的一端侧的开口和开口的周缘部。开口75a与前面板75连续。开口75a为与内侧壳体50的开口50a大致相同的大小和形状,在前面板75被安装于内侧壳体50的一端侧和外侧主体部71的一端侧时,该开口75a与开口50a重叠。在前面板75安装有保持输出耦合镜147的未图示的输出侧保持架。输出侧保持架以输出耦合镜147与开口50a相面对的方式被安装于前面板75。
后面板77在内侧壳体50和外侧主体部71的长度方向上被配置于内侧壳体50的另一端侧的开口50b和开口50b的周缘部、以及外侧壳体70的另一端侧的开口和开口的周缘部。未图示的开口与后面板77连续。开口为与内侧壳体50的开口50b大致相同的大小和形状,在后面板77被安装于内侧壳体50的另一端侧和外侧主体部71的另一端侧时,该开口与开口50b重叠。在后面板77安装有保持后镜145的未图示的后侧保持架。后侧保持架以后镜145与内侧壳体50的开口50b相面对的方式被安装于后面板77。因此,在本实施方式的腔装置CH中,能够不需要壳体145a。
在外侧壳体70中,设置有分隔壁80,因此,外侧壳体70的强度也可以比内侧壳体50的强度低。因此,外侧主体部71、盖板73、前面板75和后面板77各自的板厚也可以比内侧壳体50的板厚薄。当各自的板厚较薄时,跟各自的板厚与内侧壳体50的板厚相同或比内侧壳体50的板厚厚的情况相比,腔装置CH的重量减少。外侧主体部71、盖板73、前面板75和后面板77各自的板厚例如为1mm以上且3mm以下。与内侧壳体50同样,外侧主体部71、盖板73、前面板75和后面板77的材质例如能够举出镍合金。
如图6和图7所示,分隔壁80为多个,各个分隔壁80是支承内侧壳体50、外侧主体部71和除了突出部73a以外的盖板73的支承部件。分隔壁80通过钎焊被固定于内侧壳体50的外周面和外侧壳体70的内周面。在钎焊中,分隔壁80在与内侧壳体50的外周面接触的接触部分整体和与外侧壳体70的内周面接触的接触部分整体分别被钎焊。外侧壳体70的内周面是外侧主体部71的内周面和除了突出部73a以外的盖板73的背面。
各个分隔壁80在分隔壁80的面内方向沿着与内侧壳体50的长度方向大致垂直的方向配置的状态下,在内侧壳体50的长度方向上隔开规定的间隔地并列配置。因此,多个分隔壁80中的某个分隔壁80的表面和与该分隔壁80相邻的分隔壁80的背面相面对,相邻的分隔壁80隔开间隙地配置。分隔壁80是如下的壁:在与内侧壳体50的长度方向正交的方向上分隔内侧壳体50与外侧主体部71之间的间隙,并且在内侧壳体50的长度方向上前后分隔该间隙。此外,在前面板75和与前面板75相邻的分隔壁80之间、以及后面板77和与后面板77相邻的分隔壁80之间也设置有间隙。在图7中,示出配置有11个分隔壁80的例子,但是,分隔壁80配置至少1个即可。
图8是示出冷却翅片57与分隔壁80之间的位置关系的图。如图8所示,在内侧壳体50的内周面配置有多个冷却翅片57。与分隔壁80同样,各个冷却翅片57在冷却翅片57的面内方向沿着与内侧壳体50的长度方向大致垂直的方向配置的状态下,在内侧壳体50的长度方向上隔开规定的间隔地并列配置。此外,分隔壁80和冷却翅片57沿着内侧壳体50的长度方向交替地配置。优选冷却翅片57在内侧壳体50的长度方向上被配置于相邻的分隔壁80的大致中间。因此,相邻的分隔壁80之间的长度与相邻的冷却翅片57之间的长度大致相同。另外,在各自之间的长度相同的情况下,冷却翅片57也可以不配置于相邻的分隔壁80的大致中间。在图8中,示出配置有多个冷却翅片57的例子,但是,冷却翅片57可以配置1个,也可以不配置。此外,多个冷却翅片57也可以沿着内侧壳体50的周向配置。该情况下,相邻的冷却翅片57可以彼此分开地配置,也可以彼此接近地配置。
温度传感器91测定内侧壳体50的内部空间的温度。图4和图5所示的温度调节器93是如下的冷却器:通过温度调节器93的未图示的泵将冷却介质供给到内侧壳体50与外侧主体部71之间的间隙,通过冷却介质对内侧壳体50进行冷却。温度传感器91和温度调节器93与激光处理器190电连接。温度传感器91将表示内侧壳体50的内部空间的温度的信号输出到激光处理器190,激光处理器190根据该信号将表示冷却介质的温度的信号输出到温度调节器93。冷却介质是液体,但是也可以是气体。温度调节器93根据来自激光处理器190的信号对冷却介质的温度进行调节。优选冷却介质的设定温度例如为20℃以上且70℃以下,在流路中流动的冷却介质的温度范围为设定温度±3℃。
温度调节器93与配管93a和配管93b连接,该配管93a与被设置于前面板75的流入口75d连接,该配管93b与被设置于后面板77的流出口77d连接。流出口77d在图5中被遮挡而未图示,但是,在图8中图示。温度调节器93使冷却介质按照温度调节器93、配管93a、内侧壳体50与外侧主体部71之间的间隙、配管93b和温度调节器93的顺序循环。另外,温度调节器93也可以使冷却介质与上述相反地循环。在内侧壳体50与外侧主体部71之间的间隙中流动的冷却介质的流路是前面板75和与前面板75相邻的分隔壁80之间的间隙、相邻的分隔壁80之间的各个间隙、以及后面板77和与后面板77相邻的分隔壁80之间的间隙。相邻的分隔壁80之间的各个间隙由该分隔壁80、曲面板51b、51c、突起53、外侧主体部71和盖板73包围。
如图6、图7和图8所示,腔装置CH还包含通路80a,该通路80a被设置于内侧壳体50的长度方向上的与分隔壁80相同的位置,冷却介质从相邻的间隙中的一个间隙经由通路80a向与该间隙相邻的另一个间隙流动。此外,在图7和图8中,示出通路80a是被设置于分隔壁80的开口的例子。通路80a是流路的一部分。从前面板75侧到后面板77侧,冷却介质从前面板75侧的间隙通过通路80a向与该间隙相邻的后面板77侧的间隙流动。在沿着内侧壳体50的长度方向观察的情况下,相邻的分隔壁80中的一个分隔壁80的通路80a被设置于不与另一个分隔壁80的通路80a重叠的位置。因此,一个分隔壁80的通路80a的至少一部分在内侧壳体50的周向上从另一个分隔壁80的通路80a偏移。此外,在图7和图8中,示出如下例子:在沿着内侧壳体50的长度方向观察的情况下,一个分隔壁80的通路80a被设置于以间隙中冷却介质不流动的非流通区域为基准而与另一个分隔壁80的通路80a相反的一侧。非流通区域是底板51a的面内方向上、曲面板51b、51c各自的突起53之间的区域。在沿着内侧壳体50的长度方向观察的情况下,例如,冷却介质在前面板75侧的间隙中在内侧壳体50的周向上顺时针地流动,在与该间隙相邻的后面板77侧的间隙中在该周向上逆时针地流动。因此,冷却介质在相邻的间隙中分别向相反方向流动。在图7中利用虚线的箭头图示各个间隙中的冷却介质的流动。在图7中,为了容易观察,各个流动图示了1个。在流路中,如上所述,分隔壁80在与内侧壳体50的外周面接触的接触部分整体和与外侧壳体70的内周面接触的接触部分整体分别被钎焊。因此,抑制冷却介质从该接触部分泄漏,冷却介质经由通路80a从相邻的间隙中的一个间隙向另一个间隙流动。
3.2作用/效果
本实施方式的腔装置CH具有:内侧壳体50,其包含开口50a、50b,开口50a、50b是供通过激光气体的激励而产生的光通过的通过口;外侧壳体70,其从光的行进方向的侧方包围内侧壳体50;以及分隔壁80,其被配置于内侧壳体50和外侧壳体70之间,被固定于内侧壳体50和外侧壳体70。
在腔装置CH内,在通过激光气体的激励而产生光时,内侧壳体50的内部空间中的温度有时上升。当温度上升时,该内部空间中的温度分布有时产生偏差。此外,在激光气体从激光气体供给装置170被供给到内侧壳体50的内部空间时,该内部空间中的压力上升。由于基于温度上升而引起的内侧壳体50的热膨胀、基于温度分布的偏差而引起的内侧壳体50的内部空间中的热膨胀差、以及压力的上升,内侧壳体50要变形。但是,在本实施方式的腔装置CH中,内侧壳体50的该变形能够通过被固定于内侧壳体50的外周面的分隔壁80和固定有分隔壁80的外侧壳体70来抑制。例如,即使由于热膨胀和压力上升而使内侧壳体50要以扩展的方式变形,内侧壳体50的扩展也能够通过分隔壁80和外侧壳体70来抑制。此外,即使内侧壳体50要以收缩的方式变形,内侧壳体50的收缩也能够通过分隔壁80和外侧壳体70来抑制。当这样抑制内侧壳体50的变形时,能够抑制从内侧壳体50出射的激光的行进方向相对于预先设想的行进方向发生变化。当抑制该变化时,能够抑制从气体激光装置100朝向曝光装置200出射的光的行进方向相对于预先设想的行进方向发生变化。因此,能够抑制气体激光装置100的可靠性降低。
此外,在本实施方式的腔装置CH中,分隔壁80和外侧壳体70抑制内侧壳体50的变形,因此,与未设置分隔壁80和外侧壳体70的状态相比,内侧壳体50的板厚能够变薄。因此,即使配置分隔壁80和外侧壳体70,腔装置CH的重量也能够减少,腔装置CH的处理能够变得容易。此外,在未设置分隔壁80和外侧壳体70的状态下,为了抑制内侧壳体50的变形,需要提高内侧壳体50的刚性。为了提高刚性,需要加厚内侧壳体50的板厚。在本实施方式的腔装置CH中,由分隔壁80和外侧壳体70抑制内侧壳体50的变形,因此,内侧壳体50的板厚能够不需要变厚。此外,在本实施方式的腔装置CH中,能够通过分隔壁80和外侧壳体70提高腔装置CH的刚性。
此外,在本实施方式的腔装置CH中,分隔壁80为多个。该情况下,与分隔壁80为1个的情况相比,能够抑制内侧壳体50的变形,能够提高腔装置CH的刚性。
此外,在本实施方式的腔装置CH中,盖板73包含比外侧主体部71的侧面更向外侧突出的突出部73a。在设置有突出部73a的情况下,与未设置突出部73a的情况相比,盖板73的刚性提高设置有突出部73a的量。因此,即使内侧壳体50要变形,盖板73也抑制内侧壳体50的变形,还能够抑制由于内侧壳体50的变形而引起的盖板73的变形。此外,如上所述提高盖板73的刚性,因此,与未设置突出部73a的情况相比,能够抑制盖板73的变形,包含突出部73a的盖板73的板厚能够变薄。因此,即使设置突出部73a,腔装置CH的重量也能够减少,腔装置CH的处理能够变得容易。
此外,在本实施方式的腔装置CH中,突出部73a相对于盖板73朝向外侧主体部71的侧面折曲。该情况下,与突出部73a朝向远离外侧主体部71的侧面的方向折曲的情况相比,当要使盖板73在各个情况下具有相同的刚性时,突出部73a能够变短。因此,腔装置CH的重量能够减少。
此外,在本实施方式的腔装置CH中,冷却翅片57被配置于内侧壳体50的内周面,内侧壳体50的内部空间中的热经由冷却翅片57、内侧壳体50、分隔壁80和外侧壳体70向外侧壳体70的外部放出。在配置有冷却翅片57的情况下,与未配置冷却翅片57的情况相比,散热量增加,能够抑制内侧壳体50的温度上升和内侧壳体50的内部空间中的温度分布的偏差,能够抑制内侧壳体50的变形。
此外,在本实施方式的腔装置CH中,冷却翅片57为多个。该情况下,与冷却翅片57为1个的情况相比,散热量增加。当散热量增加时,能够进一步抑制内侧壳体50的温度上升和内侧壳体50的内部空间中的温度分布的偏差,能够进一步抑制内侧壳体50的变形。
此外,在本实施方式的腔装置CH中,分隔壁80和冷却翅片57沿着光的行进方向交替地配置。相邻的分隔壁80之间的内侧壳体50的刚性与分隔壁80所在的部分处的内侧壳体50的刚性相比,由于未配置分隔壁80而降低。在如上所述交替地配置分隔壁80和冷却翅片57的情况下,跟分隔壁80隔着内侧壳体50与冷却翅片57相邻地配置的情况相比,相邻的分隔壁80之间的内侧壳体50的刚性由于配置有冷却翅片57而提高。因此,跟分隔壁80隔着内侧壳体50与冷却翅片57相邻地配置的情况相比,能够抑制内侧壳体50的变形。另外,冷却翅片57也可以被配置于与分隔壁80相同的位置,即,隔着内侧壳体50与分隔壁80相邻地配置。
此外,在本实施方式的腔装置CH中,冷却翅片57被配置于相邻的分隔壁80的中间。该情况下,与冷却翅片57在相邻的分隔壁80之间偏向某一个分隔壁80配置的情况相比,能够抑制内侧壳体50的长度方向上的内侧壳体50的强度分布的变化,能够抑制内侧壳体50的变形。另外,相邻的分隔壁80之间的长度也可以与相邻的冷却翅片57之间的长度不同。
此外,在本实施方式的腔装置CH中,在内侧壳体50和外侧壳体70之间由分隔壁80划分的相邻的间隙是供冷却介质流动的流路。当冷却介质在间隙中流动时,冷却介质与内侧壳体50的外周面相接,直接对内侧壳体50进行冷却。当冷却介质对内侧壳体50进行冷却时,能够抑制内侧壳体50的温度上升,能够抑制内侧壳体50的变形。
此外,在本实施方式的腔装置CH中,流路被设置于内侧壳体50的外侧。该情况下,与流路被设置于内侧壳体50的内侧的情况相比,内侧壳体50的内部空间中的激光气体的循环路径中的流路阻力减少,横流风扇46的马达46a的输出能够减少。
此外,在冷却介质对内侧壳体50进行冷却时,与冷却介质不对内侧壳体50进行冷却的情况相比,热交换器47的热容量能够减少,或者能够不需要热交换器47。因此,腔装置CH的重量能够减少。另外,即使配置冷却翅片57,热交换器47的容量也能够减少,或者能够不需要热交换器47。此外,也可以不配置温度调节器93,冷却介质也可以不在间隙中流动。
此外,本实施方式的腔装置CH包含通路80a,该通路80a被设置于激光的行进方向上的与分隔壁80相同的位置,冷却介质从相邻的间隙中的一个间隙经由通路80a向另一个间隙流动。在未设置通路80a的情况下,为了使冷却介质在各个间隙中流动,需要在各个间隙连结配管。但是,通过设置通路80a,不需要在各个间隙连结配管,腔装置CH的重量能够减少。此外,通过在前面板75设置流入口75d,在后面板77设置流出口77d,冷却介质在各个间隙中流动,由此能够在流路中循环。
另外,也可以是,通路80a未设置于各个分隔壁80,而在各个间隙连结配管,冷却介质在各个间隙中流动。在冷却介质如上所述循环的情况下,在冷却介质从上游侧向下游侧流动的过程中,由于来自内侧壳体50的热而使冷却介质的温度上升,与设想相比,冷却介质有时未对内侧壳体50进行冷却。但是,在冷却介质在各个间隙中流动的情况下,与冷却介质如上所述循环的情况相比,能够抑制冷却介质的温度的变化,能够对内侧壳体50进行冷却,能够抑制内侧壳体50的变形。
通路80a也可以不配置于全部分隔壁80。例如在从前面板75侧起第5个分隔壁80中未设置通路80a的情况下,从前面板75侧起第1个~第5个间隙成为1个流路,从前面板75侧起第6个~第12个间隙成为与上述流路不同的流路。该情况下,也可以在各个流路连结配管,使冷却介质在各个流路中流动。此外,也可以在1个分隔壁80中设置多个通路80a。
此外,在本实施方式的腔装置CH中,在沿着光的行进方向观察的情况下,相邻的分隔壁80中的一个分隔壁80的通路80a被设置于不与另一个分隔壁80的通路80a重叠的位置。由此,冷却介质能够在相邻的间隙中分别向相反方向流动。
此外,在本实施方式的腔装置CH中,外侧壳体70包含板,该板包围内侧壳体50中的包含通过口的面,在该板配置有与通过口相面对、并且使激光的至少一部分反射的镜。在通过口是开口50a的情况下,板是前面板75,镜是输出耦合镜147。在前面板75经由输出侧保持架配置与开口50a相面对的输出耦合镜147。即使前面板75被配置于内侧壳体50,也如上所述抑制内侧壳体50的变形,因此,能够抑制包含输出耦合镜147的前面板75的偏移。假设当包含输出耦合镜147的前面板75偏移时,透过输出耦合镜147的激光的行进方向有时相对于预先设想的行进方向发生变化。但是,当如上所述抑制前面板75的偏移时,能够抑制透过输出耦合镜147的激光的行进方向相对于预先设想的行进方向发生变化。当抑制该变化时,能够抑制从气体激光装置100朝向曝光装置200出射的光的行进方向相对于预先设想的行进方向发生变化。因此,能够抑制气体激光装置100的可靠性降低。此外,在输出耦合镜147被配置于前面板75时,能够不需要比较例的气体激光装置100中说明的光路管147a中的阻尼器。因此,腔装置CH的重量能够减少。此外,如果监视器模块150的壳体151与前面板75连结,则能够不需要光路管147a,腔装置CH的重量能够减少。
此外,在通过口是开口50b的情况下,板是后面板77,镜是后镜145。在后面板77经由后侧保持架配置有与开口50b相面对的后镜145。该情况下,也与前面板75同样,能够抑制包含后镜145的后面板77的偏移,能够抑制气体激光装置100的可靠性降低。此外,在后镜145被配置于后面板77时,能够不需要比较例的气体激光装置100中说明的壳体145a和阻尼器。因此,腔装置CH的重量能够减少。
此外,在本实施方式的腔装置CH中,在盖板73配置有绝缘部33、以及对盖板73与绝缘部33之间进行密封的密封部件79。该情况下,与未配置密封部件79的情况相比,能够抑制氧等杂质从外侧壳体70的外部向内部侵入,激光气体的更换次数能够减少。此外,在本实施方式的腔装置CH中,盖板73的材质为镍合金,密封部件79为金属密封件。绝缘部33的氧化铝陶瓷的线膨胀系数例如为7.2×10-6/℃。此外,例如,镍合金为蒙乃尔合金,与蒙乃尔合金、SUS430和SUS329J4L以外相比,蒙乃尔合金和氧化铝陶瓷的线膨胀系数能够减小,能够抑制绝缘部33相对于盖板73的相对位置偏移。当抑制位置偏移时,能够使用容易由于位置偏移而产生气体激光的泄漏、但是密封性能高的金属密封件作为密封部件79。当使用金属密封件时,与使用金属密封件以外的密封部件的情况相比,密封的可靠性进一步提高。
在本实施方式的腔装置CH中,通路80a设为开口,但是不需要限定于此。例如,分隔壁80的一部分也可以配置为与内侧壳体50和外侧壳体70中的至少一方分开,通路80a是该一部分与内侧壳体50和外侧壳体70中的至少一方之间的间隙。作为这种通路80a,例如,分隔壁80的一部分例如配置为与曲面板51b的另一端侧和曲面板51b侧的突起53分开,举出曲面板51b的另一端侧、突起53、分隔壁80、盖板73之间的间隙。另外,该间隙也可以被设置于曲面板51c侧。或者,通路80a也可以由被设置于分隔壁80的切口和堵住切口中的开口的盖板73形成。外侧壳体70也可以包围内侧壳体50的至少一部分。外侧壳体70也可以至少从激光的行进方向的侧方包围内侧壳体50。外侧主体部71可以比内侧壳体50长,也可以比内侧壳体50短。也可以是,冷却翅片57通过焊接被固定于内侧壳体50的内周面,分隔壁80通过焊接被固定于内侧壳体50的外周面和外侧壳体70的内周面。被配置于内侧壳体50和外侧壳体70之间、且分别被固定的部件不需要限定为分隔壁80。该部件支承内侧壳体50、外侧主体部71和除了突出部73a以外的盖板73即可,该部件例如举出支承内侧壳体50和外侧壳体70的外侧主体部71的棒状的部件。棒状的部件可以为多个,如辐条那样以内侧壳体50的中心轴为基准从内侧壳体50的外周面朝向外侧主体部71的内周面和除了突出部73a以外的盖板73的背面呈放射状延伸。此外,多个分隔壁80也可以沿着内侧壳体50的周向配置。该情况下,相邻的分隔壁可以彼此分开地配置,也可以彼此接近地配置。冷却翅片57也可以被配置于外侧壳体70的外周面。也可以在冷却介质的流路设置温度传感器。温度传感器测定在流路中流动的冷却介质的温度。温度传感器与激光处理器190电连接,将表示冷却介质的温度的信号输出到激光处理器190。激光处理器190也可以根据该信号和来自温度传感器91的信号将表示冷却介质的温度的信号输出到温度调节器93。
上述说明不是限制,而是简单的例示。因此,本领域技术人员明白能够在不脱离权利要求书的情况下对本公开的实施方式施加变更。此外,本领域技术人员还明白组合本公开的实施方式进行使用。
只要没有明确记载,则本说明书和权利要求书整体所使用的用语应该解释为“非限定性”用语。例如,“包含”、“有”、“具有”、“具备”等用语应该解释为“不将被记载的结构要素以外的结构要素的存在除外”。此外,修饰词“一个”应该解释为意味着“至少一个”或“一个或一个以上”。此外,“A、B和C中的至少一方”这样的用语应该解释为“A”、“B”、“C”、“A+B”、“A+C”、“B+C”或“A+B+C”,进而,应该解释为还包含它们和“A”、“B”、“C”以外的部分的组合。

Claims (20)

1.一种腔装置,其具有:
内侧壳体,其包含通过口,在该内侧壳体的内部空间中通过激光气体的激励而产生的光在该通过口通过;
外侧壳体,其从所述光的行进方向的侧方包围所述内侧壳体的至少一部分;以及
分隔壁,其被配置于所述内侧壳体和所述外侧壳体之间,被固定于所述内侧壳体和所述外侧壳体。
2.根据权利要求1所述的腔装置,其中,
所述分隔壁为多个,
各个所述分隔壁在所述光的行进方向上隔开间隔地并列配置。
3.根据权利要求1所述的腔装置,其中,
所述外侧壳体包含:
外侧主体部,其从所述侧方包围所述内侧壳体,并且在所述侧方包含开口;以及
盖板,其覆盖所述开口,
所述盖板包含比所述外侧主体部的侧面更向外侧突出的突出部。
4.根据权利要求3所述的腔装置,其中,
所述突出部朝向所述侧面折曲。
5.根据权利要求4所述的腔装置,其中,
从所述突出部中的折曲部到所述突出部的端部为止的所述突出部的长度为100mm以上且150mm以下。
6.根据权利要求1所述的腔装置,其中,
所述腔装置还具有冷却翅片,所述冷却翅片被配置于所述内侧壳体的内周面。
7.根据权利要求6所述的腔装置,其中,
所述冷却翅片为多个,
各个所述冷却翅片在所述光的行进方向上隔开间隔地并列配置。
8.根据权利要求7所述的腔装置,其中,
所述分隔壁为多个,
各个所述分隔壁隔开间隔地在所述光的行进方向上并列配置,
所述分隔壁和所述冷却翅片沿着所述光的行进方向交替地配置。
9.根据权利要求8所述的腔装置,其中,
所述冷却翅片被配置于相邻的所述分隔壁的中间。
10.根据权利要求1所述的腔装置,其中,
在所述内侧壳体和所述外侧壳体之间被所述分隔壁划分的间隙是供冷却介质流动的流路。
11.根据权利要求10所述的腔装置,其中,
所述腔装置还包含通路,所述通路被设置于所述光的行进方向上的与所述分隔壁相同的位置,所述冷却介质从相邻的所述间隙中的一个所述间隙经由所述通路向另一个所述间隙流动。
12.根据权利要求11所述的腔装置,其中,
所述分隔壁为多个,
各个所述分隔壁隔开间隔地在所述光的行进方向上并列配置,
被设置于在所述光的行进方向上与相邻的分隔壁中的一个所述分隔壁相同的位置的所述通路,和被设置于在所述光的行进方向上与和所述一个分隔壁相邻的另一个所述分隔壁相同的位置的所述通路,被设置于在沿着所述光的行进方向观察的情况下不重叠的位置。
13.根据权利要求10所述的腔装置,其中,
所述腔装置还具有温度调节器,所述温度调节器对所述冷却介质的温度进行调节。
14.根据权利要求1所述的腔装置,其中,
所述外侧壳体包含板,所述板包围所述内侧壳体中的包含所述通过口的面,
在所述板配置有与所述通过口相面对、并且使所述光的至少一部分反射的镜。
15.根据权利要求1所述的腔装置,其中,
所述外侧壳体包含:
外侧主体部,其从所述侧方包围所述内侧壳体,并且在所述侧方包含开口;以及
盖板,其覆盖所述开口,
在所述盖板配置有绝缘部和密封部件,所述密封部件对所述盖板与所述绝缘部之间进行密封。
16.根据权利要求15所述的腔装置,其中,
所述盖板的材质为镍合金,
所述密封部件为金属密封件。
17.根据权利要求1所述的腔装置,其中,
所述内侧壳体的板厚为7mm以下。
18.根据权利要求1所述的腔装置,其中,
所述外侧壳体的板厚为3mm以下。
19.根据权利要求1所述的腔装置,其中,
所述外侧壳体的板厚比所述内侧壳体的板厚薄。
20.一种电子器件的制造方法,其包含以下步骤:
通过具有腔装置的气体激光装置生成激光,
将所述激光输出到曝光装置,
在所述曝光装置内在感光基板上曝光所述激光,以制造电子器件,
所述腔装置具有:
内侧壳体,其包含通过口,在该内侧壳体的内部空间中通过激光气体的激励而产生的光在该通过口通过;
外侧壳体,其从所述光的行进方向的侧方包围所述内侧壳体的至少一部分;以及
分隔壁,其被配置于所述内侧壳体和所述外侧壳体之间,被固定于所述内侧壳体和所述外侧壳体。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002176220A (ja) * 2000-12-05 2002-06-21 Komatsu Ltd エキシマレーザ発振器用チャンバ
GB0120845D0 (en) * 2001-08-29 2001-10-17 Qinetiq Ltd Laser apparatus
JP4184015B2 (ja) * 2002-09-20 2008-11-19 ギガフォトン株式会社 狭帯域化レーザ装置
JP5174959B2 (ja) * 2009-05-19 2013-04-03 三菱電機株式会社 ガスレーザ発振器
CN102969645B (zh) * 2012-11-21 2015-07-15 中国科学院光电研究院 双电极放电腔的导流装置及应用其的放电腔、准分子激光器
WO2016143105A1 (ja) * 2015-03-11 2016-09-15 ギガフォトン株式会社 エキシマレーザチャンバ装置
US10880979B2 (en) * 2015-11-10 2020-12-29 Kla Corporation Droplet generation for a laser produced plasma light source
JP7023573B2 (ja) * 2018-02-02 2022-02-22 住友重機械工業株式会社 レーザ発振器

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