JP7496883B2 - 狭帯域化モジュール、ガスレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

狭帯域化モジュール、ガスレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7496883B2
JP7496883B2 JP2022548261A JP2022548261A JP7496883B2 JP 7496883 B2 JP7496883 B2 JP 7496883B2 JP 2022548261 A JP2022548261 A JP 2022548261A JP 2022548261 A JP2022548261 A JP 2022548261A JP 7496883 B2 JP7496883 B2 JP 7496883B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
prism
light
internal space
housing
disposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2022548261A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2022054119A1 (ja
Inventor
淳一 前川
博志 古里
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Gigaphoton Inc
Original Assignee
Gigaphoton Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gigaphoton Inc filed Critical Gigaphoton Inc
Publication of JPWO2022054119A1 publication Critical patent/JPWO2022054119A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7496883B2 publication Critical patent/JP7496883B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G02B7/18—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors
    • G02B7/1805—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors for prisms
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G02B7/18—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors
    • G02B7/181—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors with means for compensating for changes in temperature or for controlling the temperature; thermal stabilisation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08004—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/1305—Feedback control systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/131—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
    • H01S3/134—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation in gas lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/136—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/137—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling devices placed within the cavity for stabilising of frequency
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02—Constructional details
    • H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
    • H01S3/034—Optical devices within, or forming part of, the tube, e.g. windows, mirrors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02—Constructional details
    • H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
    • H01S3/036—Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08004—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
    • H01S3/08009—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection using a diffraction grating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
    • H01S3/0971—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser transversely excited
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22—Gases
    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22—Gases
    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • H01S3/2251—ArF, i.e. argon fluoride is comprised for lasing around 193 nm

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

本開示は、狭帯域化モジュール、ガスレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法に関する。
近年、半導体露光装置においては、半導体集積回路の微細化及び高集積化につれて、解像力の向上が要請されている。このため、露光用光源から放出される光の短波長化が進められている。例えば、露光用のガスレーザ装置としては、波長約２４８ｎｍのレーザ光を出力するＫｒＦエキシマレーザ装置、ならびに波長約１９３ｎｍのレーザ光を出力するＡｒＦエキシマレーザ装置が用いられる。
ＫｒＦエキシマレーザ装置及びＡｒＦエキシマレーザ装置の自然発振光のスペクトル線幅は、３５０ｐｍ～４００ｐｍと広い。そのため、ＫｒＦ及びＡｒＦレーザ光のような紫外線を透過する材料で投影レンズを構成すると、色収差が発生してしまう場合がある。その結果、解像力が低下し得る。そこで、ガスレーザ装置から出力されるレーザ光のスペクトル線幅を、色収差が無視できる程度となるまで狭帯域化する必要がある。そのため、ガスレーザ装置のレーザ共振器内には、スペクトル線幅を狭帯域化するために、狭帯域化素子（エタロンやグレーティング等）を含む狭帯域化モジュール（Ｌｉｎｅ Ｎａｒｒｏｗ Ｍｏｄｕｌｅ：ＬＮＭ）が備えられる場合がある。以下では、スペクトル線幅が狭帯域化されるガスレーザ装置を狭帯域化ガスレーザ装置という。
特開平１１－２３３８５８号公報 特開平２－１９４６７７号公報 米国特許第９１３０３３８号明細書 特開２００２－３７４０２５号公報
概要
本開示の一態様による狭帯域化モジュールは、筐体と、筐体の内部空間に配置され、光が透過するプリズムと、内部空間に配置され、プリズムが載置される載置部と、内部空間に配置され、プリズムを載置部に固定する固定ユニットと、内部空間に配置され、内部空間において光から発生して固定ユニットに進行する散乱光を遮光する遮光部材と、を備える。
本開示の一態様によるガスレーザ装置は、狭帯域化モジュールを備え、狭帯域化モジュールは、筐体と、筐体の内部空間に配置され、光が透過するプリズムと、内部空間に配置され、プリズムが載置される載置部と、内部空間に配置され、プリズムを載置部に固定する固定ユニットと、内部空間に配置され、内部空間において光から発生して固定ユニットに進行する散乱光を遮光する遮光部材と、を備える。
本開示の一態様による電子デバイスの製造方法は、筐体と、筐体の内部空間に配置され、光が透過するプリズムと、内部空間に配置され、プリズムが載置される載置部と、内部空間に配置され、プリズムを載置部に固定する固定ユニットと、内部空間に配置され、内部空間において光から発生して固定ユニットに進行する散乱光を遮光する遮光部材と、を備える狭帯域化モジュールを備えるガスレーザ装置から出射されるレーザ光を露光装置に入射させ、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上にレーザ光を露光することを含む。
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、電子デバイスの製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。 図２は、ガスレーザ装置の全体の概略構成例を示す模式図である。 図３は、図２に示す狭帯域化モジュールの拡大図である。 図４は、図３に示す狭帯域化モジュールの筐体の内部空間を筐体の蓋体部側から蓋体部とは逆側の筐体の底面側に向かって見る図である。 図５は、プリズムが固定ユニットによって載置部の本体部に固定される様子をプリズムの側面に垂直な方向から見る図である。 図６は、図５に示すＡ－Ａ線における断面をプリズムの側面に沿って蓋体部側から筐体の底面側に向かって見る図である。 図７は、図５に示す固定ユニットを囲う実施形態１の遮光部材を示す図である。 図８は、図７に示すＢ－Ｂ線における断面をプリズムの側面に沿って蓋体部側から筐体の底面側に向かって見る図である。 図９は、図５に示す固定ユニットを囲う実施形態１の変形例の遮光部材を示す図である。 図１０は、実施形態１の変形例の狭帯域化モジュールの拡大図である。 図１１は、図５に示す固定ユニットを囲う実施形態２の遮光部材を示す図である。 図１２は、図１１に示すＣ－Ｃ線における断面をプリズムの側面に沿って蓋体部側から筐体の底面側に向かって見る図である。
実施形態
１．電子デバイスの露光工程で使用される電子デバイスの製造装置の説明
２．比較例のガスレーザ装置の説明
２．１ 構成
２．２ 動作
２．３ 課題
３．実施形態１の狭帯域化モジュールの説明
３．１ 構成
３．２ 作用・効果
４．実施形態２の狭帯域化モジュールの説明
４．１ 構成
４．２ 作用・効果
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。
以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．電子デバイスの露光工程で使用される電子デバイスの製造装置の説明
図１は、電子デバイスの露光工程で使用される電子デバイスの製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。図１に示すように、露光工程で使用される製造装置は、ガスレーザ装置１００及び露光装置２００を含む。露光装置２００は、複数のミラー２１１，２１２，２１３を含む照明光学系２１０と、投影光学系２２０とを含む。照明光学系２１０は、ガスレーザ装置１００から入射したレーザ光によって、レチクルステージＲＴのレチクルパターンを照明する。投影光学系２２０は、レチクルを透過したレーザ光を、縮小投影してワークピーステーブルＷＴ上に配置された不図示のワークピースに結像させる。ワークピースは、フォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置２００は、レチクルステージＲＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、レチクルパターンを反映したレーザ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで電子デバイスである半導体デバイスを製造することができる。
２．比較例のガスレーザ装置の説明
２．１ 構成
比較例のガスレーザ装置１００について説明する。なお、本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。
図２は、本例のガスレーザ装置１００の全体の概略構成例を示す模式図である。図２に示すように、本例のガスレーザ装置１００は、筐体１０と、レーザ発振器ＬＯと、波長計測モジュール２０と、プロセッサ７０とを主な構成として含む。本例のガスレーザ装置１００は、例えば、アルゴン（Ａｒ）、フッ素（Ｆ２）、及びネオン（Ｎｅ）を含む混合ガスを使用するＡｒＦエキシマレーザ装置である。この場合、ガスレーザ装置１００は、中心波長が約１９３ｎｍのパルスレーザ光を出射する。なお、ガスレーザ装置１００は、ＡｒＦエキシマレーザ装置以外のガスレーザ装置であってもよく、例えば、クリプトン（Ｋｒ）、フッ素（Ｆ２）、及びネオン（Ｎｅ）を含む混合ガスを使用するＫｒＦエキシマレーザ装置であってもよい。この場合、ガスレーザ装置１００は、中心波長が約２４８ｎｍのパルスレーザ光を出射する。レーザ媒質であるＡｒ、Ｆ２、及びＮｅを含む混合ガスやレーザ媒質であるＫｒ、Ｆ２、及びＮｅを含む混合ガスは、レーザガスと呼ばれる場合がある。
本開示のプロセッサ７０は、制御プログラムが記憶された記憶装置と、制御プログラムを実行するＣＰＵとを含む処理装置である。プロセッサ７０は、本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。プロセッサ７０は、ガスレーザ装置１００の幾つかの構成を制御する。また、プロセッサ７０は、ガスレーザ装置１００全体を制御する。
レーザ発振器ＬＯは、チャンバ装置ＣＨと、充電器ＢＣと、狭帯域化モジュール６０と、出力結合ミラーＯＣと、を主な構成として含む。
チャンバ装置ＣＨは、筐体３０と、一対のウインドウ３１ａ，３１ｂと、一対の電極３２ａ，３２ｂと、絶縁部３３と、パルスパワーモジュール３５と、電極ホルダ部３６と、クロスフローファン３８と、モータ３８Ｍとを主な構成として備える。
ウインドウ３１ａ及びウインドウ３１ｂは、筐体３０における互いに対向する位置に設けられている。ウインドウ３１ａは筐体３０におけるレーザ光の進行方向における一端側に位置し、ウインドウ３１ｂは筐体３０におけるレーザ光の進行方向における他端側に位置している。後述のようにガスレーザ装置１００では、筐体３０を含む光路上で光が発振してレーザ光が出射するため、筐体３０の内部空間で発生したレーザ光は、ウインドウ３１ａ及びウインドウ３１ｂを介して筐体３０の外部に出射する。それぞれのウインドウ３１ａ，３１ｂは、レーザ光のＰ偏光の反射が抑制されるように、レーザ光の進行方向に対してブリュースター角をなすように傾けられている。ウインドウ３１ａは、筐体３０の孔に嵌め込まれてもよいし、筒状のホルダによって保持されてもよい。ウインドウ３１ａがホルダに保持される場合、ホルダの一端は筐体３０の壁面に接続されており、ホルダの中空部は筐体３０の孔に連通し、中空部に対向するようにホルダの他端面にウインドウ３１ａが配置されている。ウインドウ３１ｂは、ウインドウ３１ａと同様に、孔に嵌め込まれてもよいし、筒状のホルダに保持されてもよい。
筐体３０は、上記のレーザガスの励起によって光が発生する内部空間を含む。レーザガスは、筐体１０に配置される不図示のレーザガス供給源から不図示の配管を介して筐体３０の内部空間に供給される。本例では、ガスレーザ装置１００がＡｒＦエキシマレーザ装置であるため、例えば、Ａｒ、Ｆ２、及びＮｅを含む混合ガスがレーザガス供給源から筐体３０の内部空間に供給される。なお、ガスレーザ装置１００がＫｒＦエキシマレーザである場合、例えば、Ｋｒ、Ｆ２、及びＮｅを含む混合ガスがレーザガス供給源から筐体３０の内部空間に供給される。レーザガスの励起によって発生する上記した光は、ウインドウ３１ａ，３１ｂに進行する。
一対の電極３２ａ，３２ｂの長手方向はレーザ光の進行方向に沿っており、一対の電極３２ａ，３２ｂは、筐体３０の内部空間において互いに対向して配置されている。筐体３０における電極３２ａと電極３２ｂとの間の空間は、ウインドウ３１ａとウインドウ３１ｂとにより挟まれている。それぞれの電極３２ａ，３２ｂは、グロー放電によりレーザ媒質を励起するための放電電極である。本例では、電極３２ａがカソードであり、電極３２ｂがアノードである。
筐体３０には開口が形成され、この開口は絶縁体を含んで形成される絶縁部３３により塞がれている。電極３２ａは絶縁部３３に支持されている。絶縁部３３には、導電部材からなるフィードスルー３４が埋め込まれている。フィードスルー３４は、パルスパワーモジュール３５から供給される電圧を電極３２ａに印加する。電極３２ｂは電極ホルダ部３６に支持され、電極ホルダ部３６と電気的に接続されている。この電極ホルダ部３６は不図示の配線を介して筐体３０と電気的に接続されている。
パルスパワーモジュール３５には、筐体３０の外に配置される充電器ＢＣが接続されている。充電器ＢＣは、パルスパワーモジュール３５の中に設けられる不図示のコンデンサを所定の電圧で充電する直流電源装置である。パルスパワーモジュール３５は、プロセッサ７０によって制御されるスイッチを含んでいる。スイッチがオフからオンになると、パルスパワーモジュール３５は、充電器ＢＣから印加される電圧を昇圧してパルス状の高電圧を生成し、この高電圧を一対の電極３２ａ，３２ｂに印加する。
電極ホルダ部３６を基準として電極３２ｂ側と反対側における筐体３０の内部空間にはクロスフローファン３８が配置されている。筐体３０の内部空間においてクロスフローファン３８が配置される空間は、筐体３０の内部空間において一対の電極３２ａ，３２ｂ間の空間と連通している。このため、クロスフローファン３８が回転することで、筐体３０の内部空間に封入されたレーザガスは所定の方向に循環する。クロスフローファン３８には、筐体３０の外に配置されているモータ３８Ｍが接続されている。このモータ３８Ｍが回転することで、クロスフローファン３８は回転する。モータ３８Ｍは、プロセッサ７０による制御によりオン、オフや回転数の調節がなされる。従って、プロセッサ７０は、モータ３８Ｍを制御することで、筐体３０の内部空間を循環するレーザガスの循環速度を調節することができる。
なお、クロスフローファン３８の脇には不図示の熱交換器が配置されている。クロスフローファン３８により循環されるレーザガスの少なくとも一部はこの熱交換器を通過し、熱交換器によりレーザガスの温度が調節される。
筐体３０におけるウインドウ３１ａが設けられる上記一端側には、光路管５１が接続されている。出力結合ミラーＯＣは、筐体３０を基準とした上記一端側に設けられ、光路管５１の内部空間に配置されている。出力結合ミラーＯＣは、ウインドウ３１ａから出射するレーザ光が入射する光学素子であり、ウインドウ３１ａから出射される光のうちの一部を透過させ、他の一部を反射させてウインドウ３１ａを介して筐体３０の内部空間に戻す。出力結合ミラーＯＣは、例えば、フッ化カルシウムの基板に誘電体多層膜が成膜された素子で構成される。出力結合ミラーＯＣの表面には、レーザ光を部分反射する膜が成膜されてもよい。
筐体３０におけるウインドウ３１ｂが設けられる上記他端側には、光路管５２が接続されている。狭帯域化モジュール６０は、光路管５２に接続されている。従って、狭帯域化モジュール６０は、筐体３０を基準として上記他端側に設けられ、筐体３０を基準として出力結合ミラーＯＣとは反対側に設けられている。狭帯域化モジュール６０は、筐体６１と、グレーティング６２と、プリズム６３，６４，６５，６６とを含む。
図３は、図２に示す狭帯域化モジュール６０の拡大図である。また、図４は、図３に示す筐体６１の内部空間を筐体６１の蓋体部６１Ｌ側から蓋体部６１Ｌとは逆側の筐体６１の底面側に向かって見る図である。蓋体部６１Ｌ側から底面側に向かう方向は、電極３２ａから電極３２ｂに向かう方向である。筐体６１は、本体部６１Ｍと、本体部６１Ｍの上を塞ぐ蓋体部６１Ｌとを含む。本体部６１Ｍの側面には開口６１Ｈが形成されており、この開口６１Ｈを通じて筐体６１の内部空間と光路管５２の内部空間とが連通している。
グレーティング６２及びプリズム６３，６４，６５，６６は、筐体６１の内部空間に配置されている。グレーティング６２及びプリズム６３，６４，６５，６６は、ウインドウ３１ｂから出射するレーザ光が入射する光学素子である。グレーティング６２は、レーザ光の入射角度と回折角度とが概ね一致するようにリトロー配置されている。本例では、グレーティング６２は、約１９３．４ｎｍの波長に対してブレーズドされたエシェールグレーティングであってもよい。なお、グレーティング６２は載置部６２Ｄに固定されており、載置部６２Ｄは筐体６１に固定されている。従って、グレーティング６２は、筐体６１に対して動かない。
本例のプリズム６３，６４，６５，６６は、三角柱状の形状をしており、具体的には底面が直角三角形の形状をした直角三角柱状の形状をしている。プリズム６３は、一対の底面６３Ｂ，６３Ｔと、底面６３Ｂ，６３Ｔに垂直な側面６３Ｈ，６３Ｘ，６３Ｙとを含む。側面６３Ｈは底面６３Ｂ，６３Ｔの斜辺を含む側面であり、側面６３Ｘ，６３Ｙは互いに垂直な側面である。プリズム６４は、一対の底面６４Ｂ，６４Ｔと、底面６４Ｂ，６４Ｔに垂直な側面６４Ｈ，６４Ｘ，６４Ｙとを含む。側面６４Ｈは底面６４Ｂ，６４Ｔの斜辺を含む側面であり、側面６４Ｘ，６４Ｙは互いに垂直な側面である。プリズム６５は、一対の底面６５Ｂ，６５Ｔと、底面６５Ｂ，６５Ｔに垂直な側面６５Ｈ，６５Ｘ，６５Ｙとを含む。側面６５Ｈは底面６５Ｂ，６５Ｔの斜辺を含む側面であり、側面６５Ｘ，６５Ｙは互いに垂直な側面である。プリズム６６は、一対の底面６６Ｂ，６６Ｔと、底面６６Ｂ，６６Ｔに垂直な側面６６Ｈ，６６Ｘ，６６Ｙとを含む。側面６６Ｈは底面６６Ｂ，６６Ｔの斜辺を含む側面であり、側面６６Ｘ，６６Ｙは互いに垂直な側面である。側面６３Ｈ，６４Ｈ，６５Ｈ，６６Ｈには、プリズムの外部からこれら側面に進行するレーザ光のＰ偏光の反射が抑制されるように、膜が成膜される。また、側面６３Ｘ，６４Ｘ，６５Ｘ，６６Ｘ、及び側面６３Ｙ，６４Ｙ，６５Ｙ，６６Ｙには、プリズムの外部からこれら側面に進行するレーザ光の反射が抑制されるように、膜が成膜される。これら膜は、ＳｉＯ２、ＭｇＦ２、ＬａＦ３、及びＧｄＦ３のうち少なくとも１つを含む膜であってもよい。特に、膜の材料には、紫外線に強い、フッ化物系の材料が用いられるとよい。また、膜の材料には、プリズム６３，６４，６５，６６の材料と同系の材料が用いられるとよい。
それぞれのプリズム６３，６４，６５，６６は、例えば、フッ化カルシウムで構成されている。プリズム６３，６４，６５，６６は、光が入射する入射側面と入射した光が出射する出射側面とを含み、入射側面から入射する光を波長分散して出射側面から出射する。本例では、チャンバ装置ＣＨ側から伝搬する光が、それぞれのプリズム６３，６４，６５，６６における側面６３Ｈ，６４Ｈ，６５Ｈ，６６Ｈから入射する。また、側面６３Ｈ，６４Ｈ，６５Ｈ，６６Ｈから入射する光は、それぞれのプリズム６３，６４，６５，６６における側面６３Ｘ，６４Ｘ，６５Ｘ，６６Ｘから出射する。従って、チャンバ装置ＣＨ側から入射する光に対しては、側面６３Ｈ，６４Ｈ，６５Ｈ，６６Ｈが入射側面となり、側面６３Ｘ，６４Ｘ，６５Ｘ，６６Ｘが出射側面となる。逆に、グレーティング６２側から伝搬する光は、それぞれのプリズム６６，６５，６４，６３の側面６６Ｘ，６５Ｘ，６４Ｘ，６３Ｘから入射する。また、側面６６Ｘ，６５Ｘ，６４Ｘ，６３Ｘから入射する光は、それぞれのプリズム６６，６５，６４，６３の側面６６Ｈ，６５Ｈ，６４Ｈ，６３Ｈから出射する。従って、グレーティング６２側から伝搬する光に対しては、側面６６Ｘ，６５Ｘ，６４Ｘ，６３Ｘが入射側面となり、側面６６Ｈ，６５Ｈ，６４Ｈ，６３Ｈが出射側面となる。
本例では、図３に示すように、プリズム６３は、一方の底面６３Ｂが載置部６３Ｄ側を向いた状態で、載置部６３Ｄに固定されている。プリズム６４は、一方の底面６４Ｂが載置部６４Ｄ側を向いた状態で、載置部６４Ｄに固定されている。プリズム６６は、一方の底面６６Ｂが載置部６６Ｄ側を向いた状態で、載置部６６Ｄに固定されている。載置部６３Ｄ，６４Ｄ，６６Ｄは筐体６１に固定されている。従って、プリズム６３，６４，６６は、筐体６１及びグレーティング６２に対して動かない。一方、プリズム６５は載置部６５Ｄに固定されている。載置部６５Ｄは、プリズム６５から出射する光の分散平面に垂直な軸を中心としてプリズム６５を僅かに回転させる。載置部６５Ｄの詳細については後述する。なお、プリズム６３の底面６３Ｔは、プリズム６３を基準として載置部６３Ｄに載置されている一方の底面６３Ｂとは反対側の他方の面となる。プリズム６４の底面６４Ｔは、プリズム６４を基準として載置部６４Ｄに載置されている一方の底面６４Ｂとは反対側の他方の面となる。プリズム６５の底面６５Ｔは、プリズム６５を基準として載置部６５Ｄに載置されている一方の底面６５Ｂとは反対側の他方の面となる。プリズム６６の底面６６Ｔは、プリズム６６を基準として載置部６６Ｄに載置されている一方の底面６６Ｂとは反対側の他方の面となる。
プリズム６５が僅かに回転して向きが変化することで、プリズム６５から出射する光の向きが変化し、グレーティング６２へ入射する光の入射角度が調節される。グレーティング６２への光の入射角度が調節されることで、グレーティング６２で反射されてチャンバ装置ＣＨに入射する光の波長が調節される。従って、筐体３０のウインドウ３１ｂから出射する光がプリズム６３，６４，６５，６６を介してグレーティング６２で反射されることで、筐体３０に入射する光の波長は、所望の波長に調節される。なお、狭帯域化モジュール６０に配置されるプリズムの数は、本例では４つであるが、プリズム６５のように回転するプリズムを少なくとも１つを含めば、３つ以下であってもよく、５つ以上であってもよい。
図２に戻り、本例のガスレーザ装置１００の説明を続ける。筐体３０を挟んで設けられる出力結合ミラーＯＣとグレーティング６２とでレーザ共振器が構成され、筐体３０は、このレーザ共振器の光路上に配置される。従って、筐体３０の内部空間からの光は、ウインドウ３１ａ，３１ｂ及びプリズム６３，６４，６５，６６を介して狭帯域化モジュール６０のグレーティング６２と出力結合ミラーＯＣとの間で往復する。往復する光は、電極３２ａと電極３２ｂとの間のレーザゲイン空間を通過する度に増幅される。増幅された光の一部が、ウインドウ３１ａを介して出力結合ミラーＯＣを透過して、パルスレーザ光として出射される。
波長計測モジュール２０は、レーザ発振器ＬＯの出力結合ミラーＯＣから出射するパルスレーザ光の光路上に配置されている。波長計測モジュール２０は、筐体２１と、ビームスプリッタ２２と、波長モニタ２３とを含む。筐体２１は、光路管５１に接続されている。筐体２１には開口が形成されており、この開口を通じて筐体２１の内部空間と光路管５１の内部空間とが連通している。筐体２１の内部空間には、ビームスプリッタ２２及び波長モニタ２３が配置されている。ビームスプリッタ２２及び波長モニタ２３は、出力結合ミラーＯＣから出射するパルスレーザ光が入射する光学素子である。
ビームスプリッタ２２は、レーザ発振器ＬＯから出射したパルスレーザ光を高い透過率で透過させると共に、パルスレーザ光の一部を、波長モニタ２３の受光面に向けて反射する。波長モニタ２３は、受光面に入射したパルスレーザ光の波長を検出し、検出された波長に係るデータをプロセッサ７０に出力する。波長モニタ２３は、エタロン等の分光器とイメージセンサとを備え、エタロンによって生成された干渉縞をイメージセンサなどで検出する。
波長計測モジュール２０の筐体２１における光路管５１が接続される側と反対側には、開口が形成されており、この開口を囲むように光路管５３が接続されている。このため、光路管５１の内部空間と、筐体２１の内部空間と、光路管５３の内部空間とが互いに連通している。光路管５３は筐体１０に接続されている。筐体１０における光路管５３に囲まれる位置には、レーザ光出射ウインドウＯＷが設けられている。従って、波長計測モジュール２０のビームスプリッタ２２を透過する光は、光路管５３を介して、レーザ光出射ウインドウＯＷから筐体１０の外部に出射される。
光路管５１，５２，５３や、筐体２１，６１の内部空間には、パージガスが充填されている。パージガスには、酸素等の不純物の少ない高純度窒素等の不活性ガスが含まれる。パージガスは、筐体１０の外に配置されている不図示のパージガス供給源から、不図示の配管を通じて光路管５１，５２，５３や筐体２１，６１の内部空間に供給される。
なお、筐体１０の内部空間には、チャンバ装置ＣＨの筐体３０の内部空間から排気されるレーザガスを排気するための不図示の排気装置が配置されている。排気装置は、筐体３０の内部空間から排気されるガスに対してハロゲンフィルタによってＦ２ガスを除去する処理をして、筐体１０にガスを放出する。
次に、載置部６５Ｄにプリズム６５を固定する固定ユニット３００について説明する。
図５は、プリズム６５が固定ユニット３００によって載置部６５Ｄの本体部８１に固定される様子をプリズム６５の側面６５Ｈに垂直な方向から見る図である。図６は、図５に示すＡ－Ａ線における断面をプリズム６５の側面に沿って蓋体部６１Ｌ側から筐体６１の底面側に向かって見る図である。なお、図３、及び図４では、図示の明瞭化のために、固定ユニット３００の記載が省略されている。図５、及び図６に示すように、本体部８１は板状の部材であり、主面の形状は概ね長方形である。本体部８１の一方の主面は、プリズム６５が固定される固定面８１Ｆである。
固定ユニット３００は、筐体６１の内部空間に配置されている。固定ユニット３００は、一対の柱部材３０１ａ，３０１ｂと、梁部材３０３と、板部材３０５と、巻きばねである一対の押圧部材３０７ａ，３０７ｂとを含む。また、固定ユニット３００は、一対の押圧部材３０７ａ，３０７ｂのそれぞれが軸部に巻回しているボルトである一対の固定部材３０９ａ，３０９ｂをさらに含む。
柱部材３０１ａ，３０１ｂは、固定面８１Ｆに固定されている。また、柱部材３０１ａ，３０１ｂは、固定面８１Ｆに直交する方向に沿ってプリズム６５の底面６５Ｔよりも高い位置にまで延在している。従って、柱部材３０１ａ，３０１ｂは、底面６５Ｔを基準にして底面６５Ｂとは反対側に延在している。柱部材３０１ａ，３０１ｂは、互いにプリズム６５を挟み込むように配置されている。柱部材３０１ａ，３０１ｂは、プリズム６５の入射側面に入射する光の進行経路及びプリズム６５の出射側面から出射する光の進行経路からずれた位置に配置されており、当該光の進行を妨げないよう当該光を避けるように配置されている。具体的には、柱部材３０１ａ，３０１ｂは、プリズム６５の入射側面及び出射側面のそれぞれにおける光が進行する領域の外側に配置されている。柱部材３０１ａ，３０１ｂは円柱状の形状であるが、柱部材３０１ａ，３０１ｂの形状は特に限定されない。
梁部材３０３は、柱部材３０１ａ，３０１ｂのうちの底面６５Ｔを基準として底面６５Ｂとは反対側の端部において柱部材３０１ａと柱部材３０１ｂとに架け渡されている。梁部材３０３の一端は柱部材３０１ａの端部に固定され、梁部材３０３の他端は柱部材３０１ｂの端部に固定されている。固定面８１Ｆに直交する方向において、柱部材３０１ａ，３０１ｂがプリズム６５よりも長いため、梁部材３０３は底面６５Ｔよりも上方に位置する。梁部材３０３は、固定面８１Ｆと概ね平行である。梁部材３０３の主面の形状は、概ね長方形である。図６では、梁部材３０３は、破線で示されている。
板部材３０５は、プリズム６５の底面６５Ｔに配置されている。また、板部材３０５は、三角柱状の形状をしている。板部材３０５の主面は底面６５Ｔと同じ形状であり、板部材３０５の主面の面積は底面６５Ｔの面積よりも小さくされている。
固定部材３０９ａ，３０９ｂは、梁部材３０３を貫通しており、それぞれの端部は板部材３０５に当接している。
押圧部材３０７ａ，３０７ｂは、押圧部材３０７ａ，３０７ｂの中心軸が固定部材３０９ａ，３０９ｂの中心軸と同軸上に位置するように、固定部材３０９ａ，３０９ｂの軸部を巻回している。また、押圧部材３０７ａ，３０７ｂは、押圧部材３０７ａ，３０７ｂの長手方向において伸縮可能である。押圧部材３０７ａ，３０７ｂは、板部材３０５と梁部材３０３との間に配置されている。押圧部材３０７ａ，３０７ｂは、梁部材３０３側の押圧部材３０７ａ，３０７ｂの端部を基準として、板部材３０５に向かって伸び、板部材３０５をプリズム６５に向かって押圧する。
プリズム６５の底面６５Ｂは、固定部材３０９ａ，３０９ｂ及び押圧部材３０７ａ，３０７ｂがプリズム６５の底面６５Ｔに載置される板部材３０５に接した状態で、固定面８１Ｆに接している。押圧部材３０７ａ，３０７ｂの弾性力によって、板部材３０５は、プリズム６５を本体部８１の固定面８１Ｆに向かって押圧している。従って、プリズム６５は、板部材３０５及び押圧部材３０７ａ，３０７ｂにより固定面８１Ｆに押し付けられた状態で、固定ユニット３００の板部材３０５と載置部６５Ｄの本体部８１とによって挟持される。これによって、プリズム６５は、固定面８１Ｆの面内方向に沿った移動が規制され、本体部８１に固定される。
上記の固定ユニット３００は、プリズム６３，６４，６６のそれぞれを載置部６３Ｄ，６４Ｄ，６６Ｄに固定するためにも配置されている。プリズム６３，６４，６６及び載置部６３Ｄ，６４Ｄ，６６Ｄに対する固定ユニット３００の配置は、プリズム６５及び載置部６５Ｄの本体部８１に対する固定ユニット３００の配置と同様であるため、詳細な説明を省略する。また、図示の明瞭化のために、図３、及び図４ではプリズム６３，６４，６６及び載置部６３Ｄ，６４Ｄ，６６Ｄに対する固定ユニット３００の記載が省略されている。
次に、載置部６５Ｄについて説明する。載置部６５Ｄは、ステージである本体部８１と、回転機構部８２とを含む。本体部８１は、回転機構部８２に固定されている。本例の回転機構部８２は、固定プレート８２ａと回転ステージ８２ｂとを含む。本体部８１は、回転ステージ８２ｂに固定されている。固定プレート８２ａは、筐体６１の本体部６１Ｍに固定されている。回転ステージ８２ｂは、円形の板状の部材であり、固定プレート８２ａの主面の面内方向で所定の軸を中心に回転する部材である。固定プレート８２ａと回転ステージ８２ｂとは、例えば、クロスローラベアリングを介して接続されている。この固定プレート８２ａの主面の面内方向は、プリズム６５の底面６５Ｂと平行である。このため、回転ステージ８２ｂの回転軸ＲＡ５は、プリズム６５から出射する光の分散平面に垂直である。回転ステージ８２ｂが回転すると、回転ステージ８２ｂに固定された本体部８１及び本体部８１に固定されたプリズム６５及び固定ユニット３００は回転ステージ８２ｂと共にプリズム６５から出射する光の分散平面に垂直な回転軸ＲＡ５を中心に回転する。
図４に示すように、固定プレート８２ａは、筐体６１の内側から外側に突出している。固定プレート８２ａにおける筐体６１の外側の部位には、筐体８７が設けられている。筐体８７内と筐体６１内とは空間的に接続されており、気密性が保たれている。固定プレート８２ａにおける筐体６１の外側の部位には、ステッピングモータ８４が固定されている。このステッピングモータ８４は所定の軸部を含み、軸部の一方の先端は筐体８７内に位置している。この軸部はステッピングモータ８４の動作により長手方向に沿って移動する。
筐体８７にはピエゾアクチュエータ８５が移動可能に配置されている。ピエゾアクチュエータ８５は、ステッピングモータ８４の軸部の一方の先端に接している。従って、ステッピングモータ８４の軸部が移動することで、ピエゾアクチュエータ８５は移動する。
回転ステージ８２ｂにはレバー８６が接続されている。レバー８６は、筐体６１の内側から外側に突出しており、レバー８６の回転ステージ８２ｂ側と反対側の端部は筐体８７内に位置している。レバー８６にはピエゾアクチュエータ８５が接している。従って、ピエゾアクチュエータ８５は、ステッピングモータ８４の軸部とレバー８６とに挟まれ、ピエゾアクチュエータ８５が動作すると、圧電効果により、ステッピングモータ８４の軸部の先端とレバー８６との距離が変化する。また、レバー８６のピエゾアクチュエータ８５が接する側と反対側は、プランジャ８９に接している。プランジャ８９は、筐体８７に固定されておりレバー８６を押圧する。従って、レバー８６は、ピエゾアクチュエータ８５とプランジャ８９とに挟まれて、ピエゾアクチュエータ８５とプランジャ８９とから押圧される。レバー８６の傾きは、ステッピングモータ８４の動作によるピエゾアクチュエータ８５の移動や、ピエゾアクチュエータ８５の動作によるステッピングモータ８４の軸部の先端からレバー８６までの距離の変化により変化する。このレバー８６の傾きの変化により回転ステージ８２ｂは回転する。従って、本例では、ステッピングモータ８４及びピエゾアクチュエータ８５は、回転ステージ８２ｂを回転させる駆動部である。ピエゾアクチュエータ８５の動作によるレバー８６の傾きの変化は、ステッピングモータ８４の動作によるレバー８６の傾きの変化よりも小さい。つまり、ステッピングモータ８４は粗動用の駆動部であり、ピエゾアクチュエータ８５は微動用の駆動部である。従って、ステッピングモータ８４の動作により光路が粗調節され、ピエゾアクチュエータ８５の動作により光路が微調節される。
ステッピングモータ８４及びピエゾアクチュエータ８５には、ドライバ７２が電気的に接続されている。ドライバ７２はプロセッサ７０に電気的に接続されており、プロセッサ７０は露光装置２００及び波長モニタ２３に電気的に接続されている。プロセッサ７０には、ガスレーザ装置１００が出射すべき光の波長に係る信号が露光装置２００から入力される。また、プロセッサ７０には、波長モニタ２３が受光するレーザ光のエネルギーの強度に基づく信号が波長モニタ２３から入力される。プロセッサ７０はこれら信号を入力されるとこれら信号を基にドライバ７２を駆動させる信号をドライバ７２に出力し、ドライバ７２はプロセッサ７０からの信号を入力されるとステッピングモータ８４及びピエゾアクチュエータ８５を駆動させる。
２．２ 動作
次に、比較例のガスレーザ装置１００の動作について説明する。
ガスレーザ装置１００がレーザ光を出射する前の状態で、光路管５１，５２，５３の内部空間や、筐体２１，６１の内部空間には、不図示のパージガス供給源からパージガスが充填される。また、筐体３０の内部空間には、不図示のレーザガス供給源からレーザガスが供給される。レーザガスが供給されると、プロセッサ７０は、モータ３８Ｍを制御してクロスフローファン３８を回転させ、クロスフローファン３８の回転によりレーザガスが循環される。
ガスレーザ装置１００がレーザ光を出射する際には、プロセッサ７０は、充電器ＢＣ及びパルスパワーモジュール３５内のスイッチを制御して、電極３２ａと電極３２ｂとの間に高電圧を印加する。電極３２ａ，３２ｂ間に高電圧が印加されると、電極３２ａ，３２ｂ間の絶縁が破壊され放電が起こる。この放電のエネルギーにより、電極３２ａ，３２ｂ間のレーザガスに含まれるレーザ媒質は励起状態とされて、基底状態に戻る際に自然放出光を放出する。この光の一部は、紫外線であり、ウインドウ３１ｂを透過する。透過した光は、プリズム６３，６４，６５，６６を透過するごとに光の進行方向に拡大される。また、光は、それぞれのプリズム６３，６４，６５，６６を透過するごとに波長分散され、グレーティング６２に導かれる。光は所定の角度でグレーティング６２に入射して回折し、所定波長の光が入射角度と同じ反射角度でグレーティング６２で反射される。グレーティング６２で反射された光は、それぞれのプリズム６６，６５，６４，６３を介して、再びウインドウ３１ｂから筐体３０の内部空間に伝搬する。筐体３０の内部空間に伝搬する光は、狭帯域化されている。この狭帯域化された光により、励起状態のレーザ媒質は誘導放出を起こし、光が増幅される。光は、ウインドウ３１ａを透過して、出力結合ミラーＯＣに進行する。光の一部は出力結合ミラーＯＣを透過して、光の残りの一部は出力結合ミラーＯＣによって反射されてウインドウ３１ａを透過して筐体３０の内部空間に伝搬する。筐体３０の内部空間に伝搬した光は、上記したようにウインドウ３１ｂ及びプリズム６３，６４，６５，６６を透過してグレーティング６２に進行する。こうして、所定の波長の光がグレーティング６２と出力結合ミラーＯＣとの間を往復する。光は筐体３０の内部空間における放電空間を通過するたびに増幅され、レーザ発振が起こる。そして、レーザ光の一部は、出力結合ミラーＯＣを透過して、レーザ光出射ウインドウＯＷから出射する。
なお、出力結合ミラーＯＣを透過したレーザ光のうちの一部は、ビームスプリッタ２２で反射される。反射されたレーザ光は波長モニタ２３で受光され、波長モニタ２３は受光したレーザ光のエネルギーの強度に基づく信号をプロセッサ７０に出力する。また、プロセッサ７０には、露光装置２００から光の波長に係る信号が入力されている。このため、プロセッサ７０は、波長モニタ２３から入力される信号と、露光装置２００から入力される信号とに基づいてドライバ７２を制御する。これにより、ドライバ７２は、ステッピングモータ８４及びピエゾアクチュエータ８５を駆動させる。ステッピングモータ８４及びピエゾアクチュエータ８５の駆動により、レバー８６の傾きが変化し、回転ステージ８２ｂが回転する。この回転の角度は、例えば、±２．５度の範囲である。回転ステージ８２ｂが回転することで、回転ステージ８２ｂに固定された本体部８１及び本体部８１に固定されたプリズム６５は回転ステージ８２ｂと共に回転し、プリズム６５の向きが変化する。
プリズム６５の向きが変化することで、グレーティング６２で反射されてチャンバ装置ＣＨの筐体３０内に戻る光の波長が調節される。つまり、プロセッサ７０は、波長モニタ２３からの信号と露光装置２００からの信号とに基づいて、プリズム６５の回転角度を調節し、ガスレーザ装置１００から出射する光の波長が露光装置２００が求める波長となるようフィードバック制御をする。
２．３ 課題
比較例のガスレーザ装置１００では、光が例えばプリズム６３，６４，６５，６６を透過する際に、プリズム６３，６４，６５，６６の入射側面での光の一部の予期せぬ反射により、散乱光が発生することがある。散乱光は、筐体６１の内周面で反射されて、例えばプリズム６５を固定する固定ユニット３００を照射することがある。或いは、プリズム６４，６６からの散乱光は、プリズム６５を固定する固定ユニット３００を直接照射することがある。ここでは、プリズム６５を固定する固定ユニット３００について説明したが、プリズム６３，６４，６６を固定する固定ユニット３００においても、他のプリズムからの散乱光が当該固定ユニット３００を照射することがある。散乱光が固定ユニット３００を照射すると、固定ユニット３００は発熱し熱膨張してしまう。この場合、固定ユニット３００は熱膨張によって変形してしまい、プリズム６５は固定ユニット３００の変形によって傾いてしまうことがある。このような場合、ガスレーザ装置１００から出射する光の進行方向が経時的に変化することが起こり得る。
そこで、以下の実施形態では、固定ユニット３００への散乱光の照射を抑制することで、ガスレーザ装置１００から出射する光の進行方向の経時的な変化を抑制し得るガスレーザ装置１００が例示される。
以下の実施形態では、プリズム６５を固定する固定ユニット３００を用いて説明するが、プリズム６３，６４，６６を固定する固定ユニット３００についても、プリズム６５を固定する固定ユニット３００を用いて説明した場合と同様の作用・効果を得ることができる。
３．実施形態１の狭帯域化モジュールの説明
次に、実施形態１の狭帯域化モジュール６０について説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
３．１ 構成
図７は、図５に示す固定ユニット３００を囲う実施形態１の遮光部材４００を示す図である。図７に示すように、狭帯域化モジュール６０は、プリズム６５を固定する固定ユニット３００に進行する散乱光を遮光する遮光部材４００をさらに含む点において、比較例の狭帯域化モジュール６０とは異なる。遮光部材４００は固定ユニット３００を囲っており、図７では固定ユニット３００のうち遮光部材４００によって囲われている部分を破線で示している。
遮光部材４００は、筐体６１の内部空間に配置されている。遮光部材４００は、一方の端部が塞がれた筒状の部材である。従って、遮光部材４００は、蓋体部６１Ｌに固定される上壁４０１と、上壁４０１の周縁から本体部８１に向かって延在し上壁４０１と一体である側壁４０３とを含む。このような遮光部材４００は、上壁４０１とは逆側の底面において開口している。
遮光部材４００の上壁４０１は筐体６１の蓋体部６１Ｌに当接した状態でボルトである固定部材４２０によって蓋体部６１Ｌに固定されており、遮光部材４００は蓋体部６１Ｌから本体部８１に向かって吊り下げられている。このような遮光部材４００において、側壁４０３は、蓋体部６１Ｌから少なくとも固定部材３０９ａ，３０９ｂの頭部よりも固定面８１Ｆ側にまで延在している。また、側壁４０３は、底面６５Ｔと同じ高さ位置まで延在していることが好ましい。従って、遮光部材４００の側壁４０３は、固定ユニット３００のうち底面６５Ｔを基準として底面６５Ｂとは反対側に位置する部分を全周に亘って囲っている。当該部分は、底面６５Ｔを基準として底面６５Ｂとは反対側に位置する柱部材３０１ａ，３０１ｂの一部と、梁部材３０３と、板部材３０５と、押圧部材３０７ａ，３０７ｂと、固定部材３０９ａ，３０９ｂとを含む固定ユニット３００の一部である。従って、底面６５Ｔよりも底面６５Ｂ側に位置する柱部材３０１ａ，３０１ｂの残りの一部と、プリズム６５の側面６５Ｈ，６５Ｘ，６５Ｙとは、遮光部材４００によって囲まれておらず、露出している。側壁４０３は、上記部分と筐体６１の内周面との間において、内周面よりも上記部分側に位置する。上記のような遮光部材４００では、散乱光が固定ユニット３００の一部に到達する前に遮光部材４００の側壁４０３を照射するため、散乱光が固定ユニット３００の一部に到達する前に遮光部材４００は散乱光を遮光する。
遮光部材４００は、例えば、ステンレス、アルミニウム、または銅等の熱伝導性の高い金属で形成される。遮光部材４００は、遮光部材４００を照射する散乱光から生じる熱を蓋体部６１Ｌに伝導する。
図８は、図７に示すＢ－Ｂ線における断面をプリズム６５の側面に沿って蓋体部６１Ｌ側から筐体６１の底面側に向かって見る図である。図８では、図６と同様に、梁部材３０３は破線で示されている。側壁４０３の外形及び上壁４０１は例えば台形の形状であるが、これらの形状は特に限定されない。また、側壁４０３の外形及び上壁４０１は、本体部８１、プリズム６５、及び固定ユニット３００よりも大きくされている。これにより、プリズム６５及び固定ユニット３００が本体部８１を介して回転機構部８２によって回転しても、プリズム６５、本体部８１、及び固定ユニット３００に対する側壁４０３の接触が抑制される。
３．２ 作用・効果
本実施形態の狭帯域化モジュール６０では、遮光部材４００は、散乱光が固定ユニット３００の一部に到達する前に固定ユニット３００に進行する散乱光を遮光する。
遮光部材４００が散乱光を遮光すると、固定ユニット３００への散乱光の照射が抑制され、散乱光による固定ユニット３００の熱膨張が抑制される。熱膨張が抑制されると、固定ユニット３００の変形が抑制され、当該変形によるプリズム６５の傾きが抑制される。これにより、ガスレーザ装置１００から出射する光の進行方向の経時的な変化が抑制され得る。
散乱光は、プリズム６３，６４，６５，６６の入射側面に進行する光と同じ高さ位置で進行するだけでなく、当該位置よりも低い位置または高い位置に向かっても進行する。また、散乱光は、光がプリズム６３，６４，６５，６６の出射側面から出射する際にも当該出射面から発生する。また、プリズム６３，６４，６５，６６の内部を進行する光のうち、光の一部は出射側面によって側面６３Ｙ，６４Ｙ，６５Ｙ，６６Ｙに向かって反射されることがある。光が側面６３Ｙ，６４Ｙ，６５Ｙ，６６Ｙに進行してこれら側面から出射すると、散乱光が発生することがある。上記のような散乱光は、様々な方向から固定ユニット３００に進行する。本実施形態の遮光部材４００は、固定ユニット３００を囲うため、様々な方向から固定ユニット３００に進行する散乱光を遮光し得る。また、本実施形態の遮光部材４００は、複数の固定ユニット３００のうち散乱光が最も多く照射する固定ユニット３００を囲っており、他の固定ユニット３００を囲う場合よりもガスレーザ装置１００から出射する光の進行方向の経時的な変化が抑制され得る。
また、本実施形態の狭帯域化モジュール６０では、遮光部材４００は、固定ユニット３００のうち底面６５Ｔを基準として底面６５Ｂとは反対側に位置する部分を囲う。当該部分は、底面６５Ｔを基準として底面６５Ｂとは反対側に位置する柱部材３０１ａ，３０１ｂの一部と、梁部材３０３と、板部材３０５と、押圧部材３０７ａ，３０７ｂと、固定部材３０９ａ，３０９ｂとを含む。これにより、遮光部材４００は、プリズム６５の入射側面に入射する光及びプリズム６５の出射側面から出射する光の進行を妨げずに上記部分に進行する散乱光を遮光する。従って、当該光の進行を妨げずに、上記部分の変形が抑制され、当該変形によるプリズム６５の傾きが抑制され得る。
また、本実施形態の狭帯域化モジュール６０では、遮光部材４００は、筐体６１に固定される。これにより、遮光部材４００が遮光部材４００を照射する散乱光によって発熱しても、熱は遮光部材４００から筐体６１に伝達される。熱が筐体６１に伝達されと、固定ユニット３００が位置する遮光部材４００の内部空間の温度上昇が抑制され、当該温度上昇による固定ユニット３００の熱膨張が抑制され得る。
また、本実施形態の狭帯域化モジュール６０では、遮光部材４００は金属である。これにより、熱は、遮光部材４００から筐体６１に伝達され易くなり得る。
また、本実施形態の狭帯域化モジュール６０では、金属は、ステンレス、アルミニウム、または銅である。これにより、熱は、上記以外の金属に比べて、遮光部材４００から筐体６１により伝達され易くなり得る。
また、本実施形態の狭帯域化モジュール６０では、アルミニウムには、散乱光と同じ波長の光の少なくとも一部を吸収するニッケルめっき層が配置されてもよい。
本実施形態の本体部８１を含む載置部６５Ｄの体積は固定ユニット３００の各部材の体積の合計よりも大きくされており、載置部６５Ｄの熱容量は固定ユニット３００の熱容量よりも大きくされている。従って、散乱光が載置部６５Ｄを照射しても、載置部６５Ｄは、固定ユニット３００よりも熱膨張し難く、固定ユニット３００よりも変形し難くなる。載置部６５Ｄが変形し難くいため、当該変形によるプリズム６５の傾きが抑制され得る。
本実施形態の遮光部材４００は、固定ユニット３００のうち底面６５Ｔを基準として底面６５Ｂとは反対側に位置する部分を側壁４０３によって全周に亘って囲っているが、これに限定される必要はない。図９は、図５に示す固定ユニット３００を囲う実施形態１の変形例の遮光部材４００を示す図である。光は、プリズム６５の入射側面である例えば側面６５Ｈ全体からプリズム６５に入射するのではなく、入射側面のうちの一部の領域から入射する。当該領域を入射領域６５ｅと称し、図９においてハッチングを付している。また、光は、プリズム６５の出射側面全体からプリズム６５の外部に出射するのではなく、出射側面のうちの一部の領域から出射する。当該領域を、出射領域と称する。入射側面が側面６５Ｈである場合、出射側面は側面６５Ｘとなり、出射領域は側面６５Ｘの一部となる。入射領域６５ｅと出射領域とは互いにプリズム６５を介して向かい合って配置され、プリズム６５の高さ方向において概ね同じ位置に位置する。遮光部材４００の側壁４０３は、固定ユニット３００のうち当該入射領域６５ｅの上縁６５ｆ及び出射領域の上縁を基準として入射領域６５ｅの下縁６５ｇ及び出射領域の下縁とは反対側に位置する部分を囲ってもよい。それぞれの上縁は、プリズム６５の底面６５Ｔよりも底面６５Ｂ側に位置する。また、当該部分は、それぞれの上縁を基準として下縁とは反対側に位置する柱部材３０１ａ，３０１ｂの一部と、梁部材３０３と、板部材３０５と、押圧部材３０７ａ，３０７ｂと、固定部材３０９ａ，３０９ｂとを含む固定ユニット３００の一部である。図９では、プリズム６５及び固定ユニット３００のうち遮光部材４００によって囲われている部分を破線で示している。これにより、遮光部材４００は、プリズム６５の入射領域６５ｅに入射する光及びプリズム６５の出射領域から出射する光の進行を妨げずに、固定ユニット３００のうち底面６５Ｔを基準として底面６５Ｂとは反対側に位置する部分を囲う場合よりも多くの散乱光を遮光する。従って、散乱光による固定ユニット３００の熱膨張がより抑制され得、固定ユニット３００の変形がより抑制され得る。
遮光部材４００は、固定ユニット３００を全周に亘って囲っているが、固定ユニット３００の少なくとも一部を囲ってもよい。従って、例えば、遮光部材４００の一部に切り欠きが設けられ、遮光部材４００は固定ユニット３００の中心軸周り方向における一部を囲い残りの一部を囲っていなくてもよい。この場合、遮光部材４００の横断面において、遮光部材４００の中心軸周り方向における遮光部材４００の両端を結ぶ直線は、固定ユニット３００の中心軸を通る。或いは、遮光部材４００の横断面において、遮光部材４００の両端を結ぶ直線は、固定ユニット３００のうち固定ユニット３００の中心軸よりも外側を通ってもよい。このように、遮光部材４００は、固定ユニット３００の一部のみを囲っても、散乱光を遮光し得る。
本実施形態の狭帯域化モジュール６０では、遮光部材４００は、プリズム６５を固定する固定ユニット３００を囲っているが、これに限定される必要はない。例えば、遮光部材４００は、プリズム６５以外の他のプリズム６３，６４，６６のいずれかを固定する固定ユニット３００を個別に囲ってもよい。或いは、図１０に示すように、遮光部材４００は狭帯域化モジュール６０の筐体６１の内部空間に配置されるプリズム６３，６４，６５，６６のそれぞれを個別に固定する固定ユニット３００と同数配置され、遮光部材４００のそれぞれは、プリズム６３，６４，６５，６６のそれぞれを固定する固定ユニット３００を個別に囲ってもよい。図１０では、図３と同様に固定ユニット３００の記載が省略されている。また、図１０では、見易さのため、１つの固定部材４２０のみに符号を付し、他の固定部材４２０の符号は省略されている。或いは、１つの遮光部材は、プリズム６３，６４，６５，６６のそれぞれを固定する固定ユニット３００をまとめて囲ってもよい。或いは、１つの遮光部材は、プリズム６３，６４，６５，６６のうち隣り合うプリズムのそれぞれを固定する固定ユニット３００をまとめて囲ってもよい。
４．実施形態２の狭帯域化モジュールの説明
次に、実施形態２の狭帯域化モジュール６０について説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
４．１ 構成
図１１は、図５に示す固定ユニット３００を囲う実施形態２の遮光部材４００を示す図である。図１１では、固定ユニット３００のうち遮光部材４００によって囲われている部分を破線で示している。図１１に示すように、本実施形態の狭帯域化モジュール６０は、遮光部材４００が柱部材３０１ａ，３０１ｂのうち底面６５Ｔよりも底面６５Ｂ側の部分をさらに囲う点において、実施形態１の狭帯域化モジュール６０とは異なる。
遮光部材４００の側壁４０３は、底面６５Ｔ側から底面６５Ｂ側に向かって延在している一対の延在部４０５を含む。延在部４０５は、柱部材３０１ａ，３０１ｂの概ね全長に亘って配置されている。本体部８１が回転機構部８２によって回転する場合に延在部４０５と固定面８１Ｆとの接触を抑制するために、延在部４０５の端部は固定面８１Ｆから微小に離れて配置される。
図１２は、図１１のＣ－Ｃ線における断面をプリズム６５の側面に沿って蓋体部６１Ｌ側から筐体６１の底面側に向かって見る図である。図１２に示すように、延在部４０５は、例えばＣ字形状であるが、特に形状は限定されない。柱部材３０１ａを囲う一方の延在部４０５は、柱部材３０１ａの外周面のうちプリズム６５を介して柱部材３０１ｂの外周面と向かい合う外周面以外の外周面を囲う。従って、延在部４０５は、柱部材３０１ａを基準として柱部材３０１ａ及び柱部材３０１ｂを結ぶ線上に位置するプリズム６５の一部とは反対側に配置され、柱部材３０１ａの外周面のうち柱部材３０１ａを基準としてプリズム６５とは反対側の外周面を囲う。また、延在部４０５側から柱部材３０１ａ及びプリズム６５を介して柱部材３０１ｂ側を見る場合、柱部材３０１ａは延在部４０５によって覆われて隠れる。延在部４０５は、柱部材３０１ａが上記のように本体部８１を介して回転機構部８２によって回転する場合に柱部材３０１ａが延在部４０５に接触しないように柱部材３０１ａから離れて配置される。延在部４０５の横断面において、遮光部材４００の両端を結ぶ直線は、柱部材３０１ａのうち柱部材３０１ａの中心軸よりもプリズム６５側を通る。ここでは、柱部材３０１ａ側の延在部４０５を用いて説明したが、柱部材３０１ｂ側の延在部４０５についても同様である。
４．２ 作用・効果
本実施形態の狭帯域化モジュール６０では、遮光部材４００の延在部４０５は、柱部材３０１ａ，３０１ｂのうち底面６５Ｔよりも底面６５Ｂ側の部分を囲う。これにより、延在部４０５は、当該部分に進行する散乱光を遮光する。延在部４０５が散乱光を遮光すると、散乱光による柱部材３０１ａ，３０１ｂの熱膨張がより抑制され得、柱部材３０１ａ，３０１ｂの変形がより抑制され得る。
なお、延在部４０５の横断面において、延在部４０５の両端を結ぶ直線は、柱部材３０１ａの中心軸を通ってもよい。或いは、延在部４０５は、柱部材３０１ａを全周に亘って囲ってもよい。ここでは、柱部材３０１ａ側を用いて説明したが、柱部材３０１ｂ側についても同様である。
延在部４０５は、固定面８１Ｆに当接してもよい。これにより、延在部４０５が延在部４０５を照射する散乱光によって発熱しても、熱は延在部４０５から固定面８１Ｆを介して載置部６５Ｄに伝達される。従って、柱部材３０１ａ，３０１ｂが位置する延在部４０５の内側の空間の温度上昇が抑制され、当該温度上昇による柱部材３０１ａ，３０１ｂの熱膨張が抑制され得る。
本実施形態の遮光部材４００は、蓋体部６１Ｌに固定される必要はなく、固定面８１Ｆに固定されてもよい。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
本明細書及び請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (16)

  1. 筐体と、
    前記筐体の内部空間に配置され、光が透過するプリズムと、
    前記内部空間に配置され、前記プリズムが載置される載置部と、
    前記内部空間に配置され、前記プリズムを前記載置部に固定する固定ユニットと、
    前記内部空間に配置され、前記内部空間において前記光から発生して前記固定ユニットに進行する散乱光を遮光する遮光部材と、
    を備える
    狭帯域化モジュール。
  2. 請求項１に記載の狭帯域化モジュールであって、
    前記遮光部材は、前記固定ユニットの少なくとも一部を囲う。
  3. 請求項１に記載の狭帯域化モジュールであって、
    前記固定ユニットは、
    前記プリズムの入射側面に入射する前記光の進行経路及び前記プリズムの出射側面から出射する前記光の進行経路からずれた位置において互いに前記プリズムを挟み込むように前記載置部に配置され、前記プリズムを基準として前記プリズムのうち前記載置部に載置されている一方の底面とは反対側の他方の底面よりも高い位置にまで延在する一対の柱部材と、
    前記他方の底面を基準として前記一方の底面側とは反対側において前記一対の柱部材に掛け渡される梁部材と、
    前記他方の底面に載置される板部材と、
    前記梁部材と前記板部材との間に配置され、前記板部材を前記プリズムに向かって押圧する押圧部材と、
    を含み、
    前記遮光部材は、前記固定ユニットのうち前記他方の底面を基準として前記一方の底面側とは反対側に位置する部分を囲う。
  4. 請求項３に記載の狭帯域化モジュールであって、
    前記遮光部材は、前記柱部材のうち前記他方の底面よりも前記一方の底面側の部分をさらに囲う。
  5. 請求項４に記載の狭帯域化モジュールであって、
    前記遮光部材は、前記柱部材のうち前記柱部材を基準として前記プリズムとは反対側の外周面を囲う。
  6. 請求項１に記載の狭帯域化モジュールであって、
    前記固定ユニットは、
    前記プリズムの入射側面に入射する前記光の進行経路及び前記プリズムの出射側面から出射する前記光の進行経路からずれた位置において互いに前記プリズムを挟み込むように前記載置部に配置され、前記プリズムを基準として前記プリズムのうち前記載置部に載置されている一方の底面とは反対側の他方の底面よりも高い位置にまで延在する一対の柱部材と、
    前記他方の底面を基準として前記一方の底面側とは反対側において前記一対の柱部材に掛け渡される梁部材と、
    前記他方の底面に載置される板部材と、
    前記梁部材と前記板部材との間に配置され、前記板部材を前記プリズムに向かって押圧する押圧部材と、
    を含み、
    前記入射側面及び前記出射側面は、前記光が進行する領域を含み、
    前記遮光部材は、前記固定ユニットのうち前記領域の上縁を基準として前記領域の下縁側とは反対側に位置する部分を囲う。
  7. 請求項６に記載の狭帯域化モジュールであって、
    前記遮光部材は、前記柱部材のうち前記他方の底面よりも前記一方の底面側の部分をさらに囲う。
  8. 請求項７に記載の狭帯域化モジュールであって、
    前記遮光部材は、前記柱部材のうち前記柱部材を基準として前記プリズムとは反対側の外周面を囲う。
  9. 請求項１に記載の狭帯域化モジュールであって、
    前記遮光部材は、前記筐体に固定される。
  10. 請求項９に記載の狭帯域化モジュールであって、
    前記遮光部材は、金属である。
  11. 請求項１０に記載の狭帯域化モジュールであって、
    前記金属は、ステンレス、アルミニウム、または銅を含む。
  12. 請求項１１に記載の狭帯域化モジュールであって、
    前記金属が前記アルミニウムである場合、前記遮光部材のうちの前記散乱光が照射される部分には、ニッケルめっき層が配置される。
  13. 請求項１に記載の狭帯域化モジュールであって、
    前記プリズムから出射する前記光の分散平面に垂直な軸を中心に、前記載置部を前記プリズムと共に回転させる回転機構部をさらに備える。
  14. 請求項１に記載の狭帯域化モジュールであって、
    前記プリズム、前記載置部、前記固定ユニット、及び前記遮光部材のそれぞれは複数設けられ、
    前記遮光部材のそれぞれは、前記固定ユニットのそれぞれを個別に囲う。
  15. 狭帯域化モジュールを備えるガスレーザ装置であって、
    前記狭帯域化モジュールは、
    筐体と、
    前記筐体の内部空間に配置され、光が透過するプリズムと、
    前記内部空間に配置され、前記プリズムが載置される載置部と、
    前記内部空間に配置され、前記プリズムを前記載置部に固定する固定ユニットと、
    前記内部空間に配置され、前記内部空間において前記光から発生して前記固定ユニットに進行する散乱光を遮光する遮光部材と、
    を備える。
  16. 電子デバイスの製造方法であって、
    筐体と、
    前記筐体の内部空間に配置され、光が透過するプリズムと、
    前記内部空間に配置され、前記プリズムが載置される載置部と、
    前記内部空間に配置され、前記プリズムを前記載置部に固定する固定ユニットと、
    前記内部空間に配置され、前記内部空間において前記光から発生して前記固定ユニットに進行する散乱光を遮光する遮光部材と、
    を備える狭帯域化モジュールを備えるガスレーザ装置から出射されるレーザ光を露光装置に入射させ、
    電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記レーザ光を露光すること
    を含む電子デバイスの製造方法。
JP2022548261A 2020-09-08 2020-09-08 狭帯域化モジュール、ガスレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法 Active JP7496883B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2020/033889 WO2022054119A1 (ja) 2020-09-08 2020-09-08 狭帯域化モジュール、ガスレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2022054119A1 JPWO2022054119A1 (ja) 2022-03-17
JP7496883B2 true JP7496883B2 (ja) 2024-06-07

Family

ID=80631378

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022548261A Active JP7496883B2 (ja) 2020-09-08 2020-09-08 狭帯域化モジュール、ガスレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230187896A1 (ja)
JP (1) JP7496883B2 (ja)
CN (1) CN116097532A (ja)
WO (1) WO2022054119A1 (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003249702A (ja) 2002-02-25 2003-09-05 Gigaphoton Inc レーザ装置
US20070091488A1 (en) 2005-10-21 2007-04-26 Yuri Grapov Optical element mount
WO2018198215A1 (ja) 2017-04-26 2018-11-01 ギガフォトン株式会社 狭帯域化モジュール

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4601133B2 (ja) * 2000-08-02 2010-12-22 オリンパス株式会社 光学素子固定機構

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003249702A (ja) 2002-02-25 2003-09-05 Gigaphoton Inc レーザ装置
US20070091488A1 (en) 2005-10-21 2007-04-26 Yuri Grapov Optical element mount
WO2018198215A1 (ja) 2017-04-26 2018-11-01 ギガフォトン株式会社 狭帯域化モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2022054119A1 (ja) 2022-03-17
US20230187896A1 (en) 2023-06-15
CN116097532A (zh) 2023-05-09
WO2022054119A1 (ja) 2022-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7653112B2 (en) Line narrowing module
US11411364B2 (en) Line narrowing module, gas laser apparatus, and electronic device manufacturing method
US20230387642A1 (en) Chamber device, gas laser device, and electronic device manufacturing method
JP7496883B2 (ja) 狭帯域化モジュール、ガスレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法
US11588291B2 (en) Laser chamber apparatus, gas laser apparatus, and method for manufacturing electronic device
US20210336403A1 (en) Gas laser apparatus, laser beam emitting method of gas laser apparatus, and electronic device manufacturing method
WO2022009289A1 (ja) ガスレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法
US20230387641A1 (en) Chamber device, and electronic device manufacturing method
JP7495506B2 (ja) 狭帯域化ガスレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法
WO2023170835A1 (ja) ガスレーザ装置のチャンバのベーキング方法及び電子デバイスの製造方法
WO2023175729A1 (ja) ガスレーザ装置のチャンバ及び電子デバイスの製造方法
WO2024100743A1 (ja) ガスレーザ装置のチャンバ、ガスレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法
WO2024009662A1 (ja) ガスレーザ装置のチャンバ、ガスレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法
WO2023012988A1 (ja) ガスレーザ装置及び電子デバイスの製造方法
US20230066377A1 (en) Alignment adjuster and method for manufacturing electronic devices
US20240039236A1 (en) Line narrowing module, gas laser device, and electronic device manufacturing method
US20210367390A1 (en) Gas laser apparatus, and electronic device manufacturing method
JP7209104B2 (ja) 深紫外線光源のための光学素子
WO2023127286A1 (ja) ガスレーザ装置及び電子デバイスの製造方法
WO2024100848A1 (ja) ガスレーザ装置及び電子デバイスの製造方法
WO2024057536A1 (ja) ガスレーザ装置及び電子デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230810

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240507

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240528

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7496883

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150