WO2022044848A1

WO2022044848A1 - パッケージ、及びその製造方法

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Publication number: WO2022044848A1
Application number: PCT/JP2021/029800
Authority: WO
Inventors: 陽介新田; 宣年藤井; 卓齋藤; 洋一大塚
Original assignee: Sony Semiconductor Solutions Corp
Current assignee: Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority date: 2020-08-27
Filing date: 2021-08-13
Publication date: 2022-03-03
Anticipated expiration: 2023-02-27
Also published as: US20230282661A1; JP2022039099A

Abstract

フレアの発生を抑制しつつ、ガラス基板がオンチップレンズに接触することを抑制する。パッケージは、素子が形成された基板の光入射側に形成されたオンチップレンズを覆う平坦化膜と、前記平坦化膜の光入射側に形成された透明基板と、前記平坦化膜と前記透明基板との間及び前記透明基板内の少なくとも一方に対し、平面視で前記オンチップレンズと重なる領域に形成された中空部と、前記中空部を外部に連通する貫通孔と、を備える。

Description

パッケージ、及びその製造方法

　本開示は、固体撮像素子その他のパッケージ、及びその製造方法に関する。

　固体撮像素子は、例えば、特許文献１に記載のように、光電変換を行う画素の光入射面にオンチップレンズが設けられた素子基板を有し、その素子基板に対し、オンチップレンズを封止するようにして透明基板が貼り付けられている。更に、従来、固体撮像素子の小型化のために、装置裏面（素子基板の裏面側）に再配線層を設けたチップサイズパッケージも知られている。

　特許文献１に記載の固体撮像素子は、オンチップレンズと透明基板の間に中空部が設けられている。更に、透明基板を厚さ方向に貫通する貫通孔によって、その中空部は素子外部に連通している。そして、特許文献１には、中空部と貫通孔とを有することで、フレアを低減し、且つ中空部内に湿気が籠もりにくい構造としている。

　また、特許文献１には、固体撮像素子の製造の際に、素子基板と透明基板との間に中空部を形成した後に、素子基板の裏面側に対し再配線の形成を行うことが記載されている。

特開２００６－１０８２８５号公報

　固体撮像素子の小型化などの観点から、素子基板やガラス基板を薄肉化することが好ましい。しかし、特許文献１のように、素子基板とガラス基板との間に中空部を形成した場合、ガラス基板等を薄肉化するほどガラス基板等が撓み易くなる。

　このため、中空部を形成した後に、素子基板に対し再配線の形成処理を行うと、ガラス基板がオンチップレンズに接触する可能性がある。そして、この接触は、中空部の厚さを薄くするほど発生しやすくなる。

　本開示は、このような点に着目してなされたもので、フレアの発生を抑制しつつ、ガラス基板がオンチップレンズに接触することを抑制することを目的とする。

　本開示の一実施態様であるパッケージは、素子が形成された基板の光入射側に形成されたオンチップレンズを覆う平坦化膜と、前記平坦化膜の光入射側に形成された透明基板と、前記平坦化膜と前記透明基板との間及び前記透明基板内の少なくとも一方に対し、平面視で前記オンチップレンズと重なる領域に形成された中空部と、前記中空部を外部に連通する貫通孔と、を備える。

　また、本開示の一実施態様であるパッケージの製造方法は、素子が形成された基板の光入射側に形成されたオンチップレンズを覆う平坦化膜を形成し、前記平坦化膜の光入射側に、犠牲層と前記犠牲層の外周に配置される接着層を介して、透明基板を積層し、前記犠牲層を外部に連通する貫通孔を形成し、前記透明基板の積層後に、前記貫通孔を介して前記犠牲層をエッチングして中空部を形成する。

第１の形態に係る固体撮像素子を説明する断面図である。素子が形成された基板の上面における領域，及び貫通孔の位置を示す模式図である。第１の形態に係る別の固体撮像素子を説明する断面図である。第１の形態に係る別の固体撮像素子におけるシール部材を説明する図である。第２の形態に係る固体撮像素子を説明する断面図である。第３の形態に係る固体撮像素子を説明する断面図である。第４の形態に係る固体撮像素子を説明する断面図である。第５の形態に係る固体撮像素子を説明する断面図である。第６の形態に係る固体撮像素子を説明する断面図である。第７の形態に係る固体撮像素子を説明する断面図である。第８の形態に係る固体撮像素子を説明する断面図である。第９の形態に係る固体撮像素子を説明する断面図である。第１０の形態に係る凹部と支持部とを説明する下面図である。第１０の形態に係る固体撮像素子を説明する、図１１のａ－ａ断面図である。第１０の形態に係る固体撮像素子を説明する、図１１のｂ－ｂ断面図である。第１０の形態に係る別例の凹部と支持部とを説明する下面図である。第１１の形態に係る凹部と支持部とを説明する下面図である。第１１の形態に係る固体撮像素子を説明する、図１１のａ－ａ断面図である。第１１の形態に係る固体撮像素子を説明する、図１１のｂ－ｂ断面図である。第１１の形態に係る別例の凹部と支持部とを説明する下面図である。第１２の形態に係る固体撮像素子を説明する断面図である。第１２の形態に係る貫通孔の形成位置を示す下面図である。第１２の形態に係る貫通孔の形成位置の別例を示す下面図である。第１２の形態に係る貫通孔の形成位置の別例を示す下面図である。第１３の形態に係る凹部と支持部とを説明する下面図である。第１３の形態に係る固体撮像素子を説明する、図１９のａ－ａ断面図である。第１３の形態に係る固体撮像素子を説明する、図１９のｂ－ｂ断面図である。第１３の形態に係る別例の凹部と支持部とを説明する下面図である。第１４の形態に係る凹部と支持部とを説明する下面図である。第１４の形態に係る固体撮像素子を説明する、図２２のａ－ａ断面図である。第１４の形態に係る固体撮像素子を説明する、図２２のｂ－ｂ断面図である。第１５の形態に係る固体撮像素子を説明する断面図である。貫通孔の形成位置の例を示す平面図である。貫通孔の形成位置の例を示す平面図である。貫通孔の形成位置の例を示す平面図である。貫通孔の形成位置の例を示す平面図である。貫通孔の形成位置の例を示す平面図である。貫通孔の形成位置の例を示す平面図である。貫通孔の形成位置の例を示す平面図である。貫通孔の形成位置の例を示す平面図である。貫通孔の形成位置の例を示す平面図である。貫通孔の形成位置の例を示す平面図である。貫通孔の形成位置の例を示す平面図である。貫通孔の形成位置の例を示す平面図である。貫通孔の形成位置の例を示す平面図である。貫通孔の形成位置の例を示す平面図である。貫通孔の形成位置の例を示す平面図である。貫通孔の形成位置の例を示す平面図である。貫通孔の形成位置の例を示す平面図である。貫通孔の形成位置の例を示す平面図である。貫通孔の形成位置の例を示す平面図である。貫通孔の形成位置の例を示す平面図である。貫通孔の断面形状の例を示す平面図である。貫通孔の断面形状の例を示す平面図である。貫通孔の断面形状の例を示す平面図である。貫通孔の断面形状の例を示す平面図である。貫通孔の断面形状の例を示す平面図である。貫通孔の断面形状の例を示す平面図である。貫通孔の形成位置の例を示す平面図である。貫通孔の形成位置の例を示す平面図である。貫通孔の形成位置の例を示す平面図である。貫通孔の形成位置の例を示す平面図である。貫通孔の断面形状の例を示す平面図である。貫通孔の断面形状の例を示す平面図である。貫通孔の断面形状の例を示す平面図である。貫通孔の断面形状の例を示す平面図である。貫通孔の断面形状の例を示す平面図である。シール部材による閉塞例を示す断面図である。シール部材による閉塞例を示す断面図である。シール部材による閉塞例を示す断面図である。第１の例の透明基板の形成を説明する図である。第１の例の透明基板の形成を説明する図である。第１の例の透明基板の形成を説明する図である。第１の製造方法を説明する図である。第１の製造方法を説明する図である。第１の製造方法を説明する図である。第１の製造方法を説明する図である。第２の例の透明基板の形成を説明する図である。第２の例の透明基板の形成を説明する図である。第２の製造方法を説明する図である。第２の製造方法を説明する図である。第２の製造方法を説明する図である。第３の例の透明基板の形成を説明する図である。第３の例の透明基板の形成を説明する図である。第３の製造方法を説明する図である。第３の製造方法を説明する図である。第３の製造方法を説明する図である。第４の例の透明基板の形成を説明する図である。第４の例の透明基板の形成を説明する図である。第４の製造方法を説明する図である。第４の製造方法を説明する図である。第４の製造方法を説明する図である。第５の例の透明基板の形成を説明する図である。第５の製造方法を説明する図である。第５の製造方法を説明する図である。第５の製造方法を説明する図である。第５の製造方法を説明する図である。第５の製造方法を説明する図である。第６の製造方法を説明する図である。第６の製造方法を説明する図である。第６の製造方法を説明する図である。第６の製造方法を説明する図である。第６の製造方法を説明する図である。第７の製造方法を説明する図である。第７の製造方法を説明する図である。第７の製造方法を説明する図である。第７の製造方法を説明する図である。第７の製造方法を説明する図である。第７の製造方法を説明する図である。第８の製造方法を説明する図である。第８の製造方法を説明する図である。第８の製造方法を説明する図である。第８の製造方法を説明する図である。第８の製造方法を説明する図である。第６の例の透明基板の形成を説明する図である。第６の例の透明基板の形成を説明する図である。第６の例の透明基板の形成を説明する図である。第９の製造方法を説明する図である。第９の製造方法を説明する図である。第９の製造方法を説明する図である。第９の製造方法を説明する図である。第７の例の透明基板の形成を説明する図である。第７の例の透明基板の形成を説明する図である。第７の例の透明基板の形成を説明する図である。第１０の製造方法を説明する図である。第１０の製造方法を説明する図である。第１０の製造方法を説明する図である。第１１の製造方法を説明する図である。第１１の製造方法を説明する図である。第１１の製造方法を説明する図である。第１１の製造方法を説明する図である。第１２の製造方法を説明する図である。第１２の製造方法を説明する図である。第１２の製造方法を説明する図である。第１２の製造方法を説明する図である。第１３の製造方法を説明する図である。第１３の製造方法を説明する図である。第１３の製造方法を説明する図である。第１３の製造方法を説明する図である。第１３の製造方法を説明する図である。第１３の製造方法を説明する図である。第１３の製造方法を説明する図である。第１３の製造方法を説明する図である。第１３の製造方法を説明する図である。第１３の製造方法を説明する図である。第１３の製造方法を説明する図である。第１３の製造方法を説明する図である。第１３の製造方法を説明する図である。第１４の製造方法を説明する図である。第１４の製造方法を説明する図である。第１４の製造方法を説明する図である。第１４の製造方法を説明する図である。第１４の製造方法を説明する図である。第１４の製造方法を説明する図である。第１４の製造方法を説明する図である。第１５の製造方法を説明する図である。第１５の製造方法を説明する図である。第１５の製造方法を説明する図である。第１５の製造方法を説明する図である。第１５の製造方法を説明する図である。第１５の製造方法を説明する図である。第１６の製造方法を説明する図である。第１６の製造方法を説明する図である。第１６の製造方法を説明する図である。第１６の製造方法を説明する図である。第１７の製造方法を説明する図である。第１７の製造方法を説明する図である。第１７の製造方法を説明する図である。第１７の製造方法を説明する図である。第１８の製造方法を説明する図である。第１８の製造方法を説明する図である。第１８の製造方法を説明する図である。第１９の製造方法を説明する図である。第１９の製造方法を説明する図である。第１９の製造方法を説明する図である。第２０の製造方法を説明する図である。第２０の製造方法を説明する図である。

　次に、本開示の実施形態について、図面を参照して説明する。
　ここで、図面は模式的なものであり、各部品の厚さと平面寸法との関係、各部品の比率等は現実のものとは異なる。また、以下に示す実施形態は、本開示の技術的思想を具体化するための構成を例示するものであって、本開示の技術的思想は、構成部品の形状、構造等が下記のものに特定するものでない。本開示の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
　また、同一の構成については、同一の符号を付する。
　以下の説明では、パッケージとして固体撮像素子を例に挙げて説明する。

　「構成」
　（第１の形態）
　第１の形態の固体撮像素子は、図１Ａに示すように、素子が形成された基板２と、透明基板３とを備える。
　＜素子が形成された基板２＞
　素子が形成された基板２は、一方の面（図１Ａでは上面、以下、単に、上面とも記載する）に、概念図である図１Ｂのように、有効画素領域ＡＲＡ１が設定されている。なお、本明細書では、有効画素領域ＡＲＡ１よりも外周の領域を外周領域ＡＲＡ２と記載する。

　素子が形成された基板２は、有効画素領域ＡＲＡ１内に対し、２次元アレー状に配置された各光電変換素子（不図示）に対応させて、オンチップレンズ４が２次元アレー状に複数配置されている。オンチップレンズ４の下方にはカラーフィルタ５が配置されている。

　また、素子が形成された基板２の裏面側には、ＲＤＬ／はんだボール６やその他の配線が形成されている。図１Ａには、はんだボール６及び貫通電極７が例示されている。図１Ａ中、符号８は再配線層を、符号１９はソルダーマスクを示す。裏面側の配線は、この構造に限定されず、公知の他の配線構造も採用可能である。

　＜平坦化膜９＞
　素子が形成された基板２の上面に平坦化膜９が形成されている。平坦化膜９は、素子が形成された基板２に形成されたオンチップレンズ４を覆い、素子が形成された基板２の上面を平坦とする層である。

　平坦化膜９は、透光性の樹脂材料からなる。例えば、平坦化膜９は、その材料として、紫外線硬化型、熱硬化型、あるいはそれら硬化反応機構併用型の樹脂を用いる。例えば、そのような樹脂としては、アクリル系、スチレン系、シリコーン系の樹脂が例示できる。そのような樹脂に、適宜、フッ素を含有させてもよいし、中空シリカなどを分散混入してもよい。

　＜透明基板３＞
　透明基板３は、素子が形成された基板２の上面を封止する封止材である。
　本形態の透明基板３は、例えば、ガラス基板からなる。透明基板３は、光透過性の材料から構成されれば良い。

　透明基板３には、貫通孔１１が形成されている。貫通孔１１は、図１Ｂのように、平面視で、素子が形成された基板２の外周領域ＡＲＡ２と対向可能な位置に配置されている。
　ここで、本明細書で平面視とは、透明基板３の厚さ方向に沿った方向（図１Ａにおける上方や下方）から見た場合を指す。

　本形態の貫通孔１１は、例えば、図１Ａに示すように、透明基板３の厚さ方向に向けて延在している。本形態の貫通孔１１は、図１Ｂに示すように、スリット状の開口形状となっている。

　透明基材は、図１Ａに示すように、平坦化膜９の上に接着層１０を介して貼り付けられることで、当該平坦化膜９の上に積層されている。接着層１０は、平面視で、素子が形成された基板２の外周領域ＡＲＡ２と対向可能な位置であって、貫通孔１１よりも外周側に配置されている。
　貫通孔１１は、中空部１２を外部に連通する開口である。

　＜中空部１２＞
　本形態の中空部１２は、図１Ａに示すように、空気層（空洞）からなる。空気層は、平坦化膜９と透明基板３との間に形成され、平坦化膜９と透明基板３と外周の接着層１０とで封止された中空からなる。すなわち、本形態の中空部１２は、接着層１０の内周側の中空から構成される。

　この中空部１２は、平面視でオンチップレンズ４全体と重なる領域に形成される、本形態では、中空部１２は、平面視で、有効画素領域ＡＲＡ１を含みその外周の外周領域ＡＲＡ２の一部と重なるように形成されている。外周領域ＡＲＡ２の一部は、平面視で貫通孔１１の形成領域を含む。

　＜シール部材１３＞
　第１の形態の固体撮像素子１は、図２Ａのように、貫通孔１１を閉塞するシール部材１３を備えていても良い。シール部材１３は、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、貫通孔１１を封止する。すなわち、シール部材１３は、貫通孔１１を閉塞する部材である。
　他の形態でも同様である。

　シール部材１３の材料としては、例えば、紫外線硬化型、熱硬化型、あるいはそれら硬化反応機構併用型の樹脂を用いる。そのような樹脂としては、例えば、エポキシ系、アクリル系、シリコーン系の樹脂や、それら樹脂の変性樹脂が例示できる。

　シール部材１３を構成する樹脂材料に、黒色色素が添加されていることが好ましい。黒色色素としては、例えば、カーボンブラック、チタンブラック、鉄酸化物、銅とクロムの複合酸化物、銅、クロム、亜鉛の複合酸化物などが例示できる。
　もっとも、シール部材１３に添加する色素は、黒色色素に限定されず、光を遮断可能な他の色素であっても良い。

　（第２の形態）
　第２の形態の固体撮像素子１について図面を参照して説明する。
　本形態の基本構成は、図３に示すように、第１の形態と同様であるが、接着層１０内にスペーサー１４が埋設されている点が異なる。その他の構成は、第１の形態と同じである。

　＜スペーサー１４＞
　スペーサー１４は、透明基板３の下面における、外周領域ＡＲＡ２と対向可能な位置に形成され、当該透明基板３の下面から平坦化膜９に向けて突設している。本形態のスペーサー１４は、接着層１０内に埋設可能な位置に形成されている。

　スペーサー１４は、中空部１２の外周部全周を囲むように形成しても良いが、周方向に沿って部分的に形成しても良い。

　本形態のスペーサー１４は、平面視で、左右の貫通孔１１の各外側に位置するシール樹脂層の位置にだけ設けられている。また本形態では、図３に示すように、スペーサー１４の側面全周に、接着層１０のシール樹脂が被着するように形成されている。すなわち、接着層１０として、図３のように、スペーサー１４よりも内周側部分１０Ａと、スペーサー１４よりも外周側部分１０Ｂとを有する。

　スペーサー１４は、例えば、透明基板３と一体に当該透明基板３と同じ材料から構成される。スペーサー１４は、透明基板３と異なる材料から構成されていても良い。例えば、中空部１２を形成するための犠牲層と同じ材料を含んで構成されても良い。スペーサー１４は、透明基板３と平坦化膜９（素子が形成された基板２の上面）との間の距離を確保する部材である。

　スペーサー１４の下端面に、接着層１０のシール樹脂が配置されていても良いし、配置されていなくても良い。

　＜シール部材１３＞
　第２の形態の固体撮像素子１は、第１の形態と同様に、貫通孔１１を閉塞するシール部材１３を備えていても良い。シール部材１３の構成は、第１の形態と同様である。

　（第３の形態）
　第３の形態の固体撮像素子１について図面を参照して説明する。
　本形態の基本構成は、図４に示すように、第１の形態と同様であるが、平坦化膜９上に接着剤の層１５を有する点が異なる。その他の構成は、第１の形態と同じである。

　＜接着剤の層１５＞
　接着剤の層１５は、図４に示すように、平坦化膜９の上に形成されている。
　接着剤の層１５は、平坦化膜９よりも低屈折率の樹脂材料から構成されることが好ましい。
　なお、この接着剤の層１５の上に中空部１２と接着層１０が形成されている。

　＜シール部材１３＞
　第３の形態の固体撮像素子１は、第１の形態と同様に、貫通孔１１を閉塞するシール部材１３を備えていても良い。シール部材１３の構成は、第１の形態と同様である。

　（第４の形態）
　第４の形態の固体撮像素子１について図面を参照して説明する。
　本形態の基本構成は、図５に示すように、第３の形態と同様であるが、接着層１０内にスペーサー１４を有する点が異なる。その他の構成は、第３の形態と同じである。このため、スペーサー１４以外の構成について説明を省略する。

　＜スペーサー１４＞
　スペーサー１４は、透明基板３の下面における、外周領域ＡＲＡ２と対向可能な位置に形成され、当該透明基板３の下面から接着層１０に向けて突設している。本形態のスペーサー１４は、接着層１０内に埋設可能な位置に形成されている。

　本形態のスペーサー１４は、平面視で、左右の貫通孔１１の各外側に位置する接着層１０の位置にだけ設けられている。また本形態では、図５に示すように、スペーサー１４の側面全周が接着層１０のシール樹脂が被着するように形成されている。すなわち、接着層１０として、図５のように、スペーサー１４よりも内周側部分１０Ａと、スペーサー１４よりも外周側部分１０Ｂとを有する。

　スペーサー１４は、例えば、透明基板３と一体に当該透明基板３と同じ材料から構成される。スペーサー１４は、透明基板３と異なる材料から構成されていても良い。例えば、中空部１２を形成するための犠牲層と同じ材料から構成されても良い。スペーサー１４は、透明基板３と平坦化膜９（素子が形成された基板２の上面）との間の距離を確保する部材である。

　＜シール部材１３＞
　第４の形態の固体撮像素子１は、第１の形態と同様に、貫通孔１１を閉塞するシール部材１３を備えていても良い。シール部材１３の構成は、第１の形態と同様である。

　（第５の形態）
　第５の形態の固体撮像素子１について図面を参照して説明する。
　本形態は、図６に示すように、透明基板３内に中空部１２が形成されている点で、第３の形態と異なる。
　第５の形態の固体撮像素子は、図６に示すように、素子が形成された基板２と、透明基板３とを備える。

　＜素子が形成された基板２＞
　素子が形成された基板２の上面に、オンチップレンズ４が２次元アレー状に複数配置されている。また、素子が形成された基板２の裏面側には、ＲＤＬ／はんだボール６やその他の配線が形成されている。図１Ａには、はんだボール６及び貫通電極７が例示されている。

　＜接着剤の層１５＞
　接着剤の層１５は、図６に示すように、平坦化膜９の上に形成されている。
　接着剤の層１５は、平坦化膜９よりも低屈折率の樹脂材料から構成されることがこのましい。
　なお、この接着剤の層１５の上に中空部１２と接着層１０が形成されている。

　＜透明基板３＞
　本形態の透明基板３は、２枚のガラス基板を備え、２枚のガラス基板は接着層１０を介して積層されている。

　上側のガラス基板３Ａには、貫通孔１１が形成されている。貫通孔１１は、図６のように、平面視で、素子が形成された基板２の外周領域ＡＲＡ２と対向可能な位置に配置されている。貫通孔１１は、透明基板３の厚さ方向に向けて延在している。本形態の貫通孔１１は、例えば、第１の形態と同様に、スリット状の開口形状となっている。
　本形態では、下側のガラス基板３Ｂには貫通孔１１は形成されていない。

　２枚のガラス基板間に中空部１２が封止されている。中空部１２は、２枚のガラス基板と外周の接着層１０とで封止された空洞から構成される。すなわち、本形態の中空部１２は、接着層１０の内周側の中空から構成される。

　この中空部１２は、平面視でオンチップレンズ４全体と重なる領域に形成される、本形態では、中空部１２は、平面視で、有効画素領域ＡＲＡ１を含みその外周の外周領域ＡＲＡ２の一部と重なるように形成されている。外周領域ＡＲＡ２の一部は、平面視で貫通孔１１の形成領域を含む。これによって、中空部１２は、貫通孔１１を介して外部に連通可能となっている。

　ここで、前記の説明では、透明基板３が２枚のガラス基板から構成される場合を例示している。透明基板３は、ガラス基板が３枚以上積層された構成であってもよい。また、中空部１２は、いずれかのガラス基板間に形成されていればよい。

　また、第１の形態～第４の形態のように、透明基板３と平坦化膜９との間にも別途中空部１２が形成されていても良い。

　そして、前記の複数枚からなる透明基板３の下側のガラス基板３Ｂの下面が、接着剤の層１５の上に積層している。
　この構成では、平坦化膜９と中空部１２との間には、接着剤の層１５と下側のガラス基板３Ｂが介在した構成となっている。

　＜シール部材１３＞
　第５の形態の固体撮像素子１は、第１の形態と同様に、貫通孔１１を閉塞するシール部材１３を備えていても良い。シール部材１３の構成は、第１の形態と同様である。

　（第６の形態）
　第６の形態の固体撮像素子１について図面を参照して説明する。
　本形態の基本構成は、図７に示すように、第５の形態と同様であるが、接着層１０内にスペーサー１４が埋設されている点が異なる。その他の構成は、第５の形態と同じである。このため、スペーサー１４以外の構成について説明を省略する。

　＜スペーサー１４＞
　スペーサー１４は、上側のガラス基板３Ａの下面における、外周領域ＡＲＡ２と対向可能な位置に形成され、当該上側のガラス基板３Ａの下面から下側のガラス基板３Ｂに向けて突設している。本形態のスペーサー１４は、接着層１０内に埋設可能な位置に形成されている。
　スペーサー１４は、中空部１２の外周部全周を囲むように形成しても良いが、周方向に沿って部分的に形成しても良い。

　本形態のスペーサー１４は、平面視で、左右の貫通孔１１の各外側に位置する接着層１０の位置にだけ設けられている。また本形態では、図７に示すように、スペーサー１４の側面全周が接着層１０のシール樹脂が被着するように形成されている。すなわち、接着層１０として、図７のように、スペーサー１４よりも内周側部分１０Ａと、スペーサー１４よりも外周側部分１０Ｂとを有する。

　スペーサー１４は、例えば、透明基板３と一体に当該透明基板３と同じ材料から構成される。スペーサー１４は、透明基板３と異なる材料から構成されていても良い。例えば、中空部１２を形成するための犠牲層と同じ材料から構成されても良い。スペーサー１４は、透明基板３と平坦化膜９（素子が形成された基板２上面）との間の距離を確保する部材である。

　＜シール部材１３＞
　第６の形態の固体撮像素子１は、第１の形態と同様に、貫通孔１１を閉塞するシール部材１３を備えていても良い。シール部材１３の構成は、第１の形態と同様である。

　（第７の形態）
　第７の形態の固体撮像素子１について図面を参照して説明する。
　本形態の基本構成は、図８に示すように、第１の形態と同様であるが、平坦化膜９の上にも接着層１０が形成されている点が異なる。その他の構成は、第１の形態と同じである。このため、それ以外の構成について説明を省略する。

　すなわち、第７の形態は、平坦化膜９の上面に形成する接着層１０が、有効画素領域ＡＲＡ１にも形成された部分（図８中、符号１６の部分）と、外周領域ＡＲＡ２に形成されて接着層１０の厚さが厚い部分とからなる。

　第７の形態では、中空部１２は、透明基板３と、底面側の接着層１６と、外周領域ＡＲＡ２で立ち上がった壁部を構成する接着層１０で囲まれた空間で構成される。
　第６の形態と同様に、外周領域ＡＲＡ２に位置する接着層１０にスペーサー１４が埋設されていてもよい。

　＜シール部材１３＞
　第７の形態の固体撮像素子１は、第１の形態と同様に、貫通孔１１を閉塞するシール部材１３を備えていても良い。シール部材１３の構成は、第１の形態と同様である。

　（第８の形態）
　第８の形態の固体撮像素子１について図面を参照して説明する。
　第８の形態の基本構成は、図９に示すように、第１の形態と同様であるが、平坦化膜９を有しない点が異なる。その他の構成は、第１の形態と同じである。

　すなわち、第８の形態では、素子が形成された基板２の上に平坦化膜９を設けない。そして、第８の形態では、素子が形成された基板２の上面に対し直接、接着層１０を介して透明基板３を貼り付けて当該透明基板３を積層した構造となっている。

　本形態の中空部１２は、素子が形成された基板２上面と透明基板３下面と、外周の接着層１０とで囲まれた空洞からなる。

　＜シール部材１３＞
　第８の形態の固体撮像素子１は、第１の形態と同様に、貫通孔１１を閉塞するシール部材１３を備えていても良い。シール部材１３の構成は、第１の形態と同様である。

　（第９の形態）
　第９の形態の固体撮像素子について図面を参照して説明する。
　第９の形態の固体撮像素子は、図１０に示すように、素子が形成された基板２と、透明基板３とを備える。図１０中、符号１９はソルダーマスクを、符号２２は、裏面側の配線に接続する実装基板を示している。

　＜素子が形成された基板２＞
　素子が形成された基板２は、有効画素領域ＡＲＡ１に対し、２次元アレー状に配置された各光電変換素子（不図示）に対応させて、オンチップレンズ４が２次元アレー状に複数配置されている。
　また、素子が形成された基板２の裏面側には、ＲＤＬ／はんだボール６やその他の配線が形成されている。

　＜透明基板３＞
　透明基板３は、素子が形成された基板２の上面を封止する封止材である。
　本形態の透明基板３は、ガラス基板からなる。透明基板３は、光透過性の材料から構成されれば良い。

　＜中空部１２＞
　透明基板３の下面には、凹部が形成されている。その凹部と、平坦化膜９とで囲まれる空洞が中空部１２を構成する。

　この中空部１２は、平面視でオンチップレンズ４全体と重複する領域に形成される、本形態では、中空部１２は、平面視で、有効画素領域ＡＲＡ１を含みその外周の外周領域ＡＲＡ２の一部と重なるように形成されている。外周領域ＡＲＡ２の一部は、平面視で貫通孔１１の形成領域を含む。
　透明基板３の外周の下面は、不図示の接着剤を介して、平坦化膜９の上面に貼り合わされている。

　＜貫通孔１１＞
　また、透明基板３には、中空部１２を外部に連通する貫通孔１１が形成されている。貫通孔１１は、平面視で、素子が形成された基板２の外周領域ＡＲＡ２と対向可能な位置に配置されている。貫通孔１１は、図１０のように、透明基板３の厚さ方向に向けて延在している。

　＜接着層１０＞
　透明基板３の外周領域ＡＲＡ２（凹部４１よりも外周位置）が、接着層１０（不図示）を介して平坦化膜９の上に貼り付けられることで、透明基板３は素子が形成された基板２に積層している。

　＜低屈折膜＞
　また、中空部１２を形成する面（上下の面及び側面）のうち、少なくとも上下の面に低屈折膜２０，５０が成膜されている。
　低屈折膜２０，５０を省略しても良い。

　＜シール部材１３＞
　第９の形態の固体撮像素子１は、第１の形態と同様に、貫通孔１１を閉塞するシール部材１３を備えていても良い。シール部材１３の構成は、第１の形態と同様である。

　（第１０の形態）
　第１０の形態の固体撮像素子について図面を参照して説明する。
　第１０の形態の固体撮像素子の基本構成は、図１２Ａ、１２Ｂに示すように、第９の形態と同様である。但し、中空部１２内に支持部２４が設けられている点が異なる。すなわち、第１０の形態の固体撮像素子は、中空部１２以外の構成については、第９の形態の固体撮像素子と同じである。

　＜支持部２４＞
　第１０の形態では、凹部内に透明基板３の厚さ方向に突出する柱状若しくは壁状の支持部２４が透明基板３と一体に形成されている。すなわち、支持部２４は、透明基板３と同じ材料で形成されている。

　本形態では、図１１に示すように、凹部４１が、支持部２４によって、複数の室に区画されている場合が例示されている。一部の支持部２４には、中央部の室を周りの室に連通する連通部３Ａａが形成されている。

　複数の支持部２４の下端面は、透明基板３の外周部の下端面と面一となっていることが好ましい。
　また、支持部２４の配置は特に限定はなく、例えば、図１３のような配置でも構わない。

　また、支持部２４は、中空部１２内において、透明基板３の下面と平坦化膜９とを連結するような、１又２以上の柱状や壁状の構造体であれば、特に形状や数、配置については、特に限定はない。図１１や図１３では、壁状の支持部２４が連続するように形成されているが、複数の支持部２４が互いに独立していても良い。支持部２４は、透明基板３の下面から平坦化膜９に向けて突出していれば良い。

　なお、図１３では、中央部に室を形成するように支持部２４が配置されているが、例えば、中央部に矩形の柱を形成するように支持部２４を配置してもよい。
　支持部２４は、他の形態で設けても良い。

　＜貫通孔１１＞
　また、透明基板３には、貫通孔１１が形成されている。貫通孔１１は、図１２Ａのように、平面視で、素子が形成された基板２の外周領域ＡＲＡ２と対向可能な位置に配置されている。透明基板３の厚さ方向に向けて延在している。

　貫通孔１１は、支持部２４によって凹部４１が複数の室に区画されている場合でも、各室のいずれかに連通するように、数や配置位置を設定する。図１１の例では、外周の８つの室が独立しているため、各室に連通するように貫通孔１１を８個、配置する。
　その他の構成は、第９の形態と同じである。

　（第１１の形態）
　第１１の形態の固体撮像素子について図面を参照して説明する。
　第１１の形態の基本構成は、図１４、図１５Ａ、図１５Ｂに示すように、第１０の形態と同様である。第１１の形態は、支持部２４の材料が異なる以外の構成は、第１０の形態と同じである。

　＜支持部２４＞
　本形態は、第１０の形態と同様に、図１４に示すように、中空部１２内に支持部２４が配置されている。ただし、本形態では、支持部２４は、透明基板３と異なる樹脂材料で構成されている。支持部２４は、光透過性の樹脂材料で構成される。支持部２４は、例えば、後述する犠牲層と同じ樹脂材料で構成されている。

　その支持部２４の表面には、図１５Ａに示すように、低屈折膜２０ａが成膜されている。このため、貫通孔１１を介して犠牲層をエッチングして、犠牲層を除去する際に、支持部２４を構成する犠牲層は、中空部１２内に残存させることが可能である。もっとも、支持部２４を犠牲層以外の材料であって、犠牲層をエッチングする際に除去されない樹脂材料から構成してもよい。
　第１１の形態のその他の構成は、第１０の形態と同じである。
　なお、支持部２４の配置は、特に限定はなく、例えば図１６のような配置でも構わない。

　（第１２の形態）
　第１２の形態の固体撮像素子について図面を参照して説明する。
　第１２の形態の基本構成は、図１７に示すように、第９の形態と同じである。第１２の形態は、貫通孔１１の形成位置が異なる以外は、第９の形態と構成が同じである。

　＜貫通孔１１＞
　第１２の形態では、図１７のように、透明基板３における側壁部に開口するように貫通孔１１を形成している。すなわち、貫通孔１１は、透明基板３に形成した凹部４１の側面から、透明基板３の板厚方向に交差する方向（本例では、直交する方向）に延在して形成されている。
　貫通孔１１は、平面視で、素子が形成された基板２の外周領域ＡＲＡ２と対向可能な位置であれば、どの位置に形成されていても構わない。

　貫通孔１１の形成位置の例を図１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃに示す。図１８Ａの例では、貫通孔１１を、透明基板３の左右で対向する２つの辺部側に形成した例である。図１８Ｂの例では、貫通孔１１を、透明基板３の４辺にそれぞれ形成した例である。図１８Ｃの例では、貫通孔１１を各辺にそれぞれ複数個形成した例である。
　ここで、図１７の例では、貫通孔１１が透明基板の下端に溝状に形成されて、貫通孔１１の下面が平坦化膜９で形成される構成を例示しているが、貫通孔１１は、透明基板の側部を貫通する形状でもよいし（図２９Ａ等を参照）、平坦化膜９を貫通するように横方向に延在していても良い。
　第１２の形態のその他の構成は、第９の形態と同じである。

　（第１３の形態）
　第１３の形態の固体撮像素子について図面を参照して説明する。
　第１３の形態の基本構成は、図２０Ａ、図２０Ｂ、図１９に示すように、第１０の形態と同じである。第１２の形態は、貫通孔１１の形成位置及び支持部２４が異なる以外は、第１０の形態と構成が同じである。

　＜貫通孔１１＞
　第１２の形態では、図２０Ａのように、透明基板３における側壁部に開口するように貫通孔１１を形成している。すなわち、貫通孔１１は、透明基板３に形成した凹部４１の側面から、透明基板３の板厚方向に交差する方向（本例では、直交する方向）に延在して形成されている。
　貫通孔１１は、平面視で、素子が形成された基板２の外周領域ＡＲＡ２と対向可能な位置であれば、どの位置に形成されていても構わない。

　＜支持部２４＞
　支持部２４の配置は、図１９に示すように、第１０の形態と同じである。ただし、貫通孔１１を側壁に設けたため、その貫通孔１１と連通するための連通路２４ａが各支持部２４に形成されている。
　支持部２４の配置に他の例を図２１に示す。この例では、凹部４１の中央部に柱状の支持部２４を有する。
　第１２の形態のその他の構成は、第１０の形態と同じである。

　（第１４の形態）
　第１４の形態の固体撮像素子について図面を参照して説明する。
　第１４の形態の基本構成は、図２２、図２３Ａ、図２３Ｂに示すように、第１３の形態と同じである。第１４の形態は、支持部２４の材料が異なる以外は、第１３の形態と構成が同じである。

　＜支持部２４＞
　本形態では、支持部２４は、透明基板３と異なる樹脂材料で構成されている。ただし、光透過性の樹脂材料で構成されている。支持部２４は、例えば、後述する犠牲層と同じ樹脂材料で構成されている。

　その支持部２４の表面には、低屈折膜２０ａが成膜されている。このため、貫通孔１１を介して犠牲層をエッチングして除去しても支持部２４を構成する犠牲層は残存させることが可能である。
　第１４の形態のその他の構成は、第１３の形態と同じである。

　（第１５の形態）
　第１５の形態の固体撮像素子について図面を参照して説明する。
　第１５の形態の基本構成は、図２４に示すように、第１３の形態と同じである。第１５の形態は、貫通孔１１の形成位置が異なる以外は、第１３の形態と構成が同じである。

　＜貫通孔１１＞
　第１５の形態では、図２４に示すように、貫通孔１１をガラス側壁部と透明基板３の厚さ方向の両方に形成している。
　なお、支持部２４は省略しても良い。また支持部２４が、透明基板３と異なる材料で構成されていても良い。
　第１５の形態のその他の構成は、第１３の形態と同じである。

　（貫通孔１１）
　貫通孔１１について補足説明する。
　貫通孔１１は、平面視で外周領域ＡＲＡ２に形成されていれば、厚さ方向に延在するように形成されていなくても良い。
　また、貫通孔１１は、透明基板３に設けても良いし、素子が形成された基板２に形成した平坦化膜９と透明基板３との間の接着層１０を設ける位置に形成しても良い。なお、平坦化膜９上に設ける接着層１０は、有効画素領域ＡＲＡ１を除く外周領域ＡＲＡ２に設けることが好ましい。

　貫通孔１１は、断面がスリットでも良いし、断面が円形や矩形などの穴形状であっても良い。すなわち、貫通孔１１が外周領域ＡＲＡ２に形成されれば、貫通孔１１の開口断面に限定はない。

　次に、貫通孔１１の位置の例を示す。
　上述の説明では、スリット状の貫通孔１１を左右両側に形成した場合を例示した。

　＜スリット状の貫通孔１１の配置例＞
　図２５Ａは、スリット状の貫通孔１１を、板厚方向に開口し、且つ外周領域ＡＲＡ２の４辺のうちの１辺に形成する場合を例示している。
　図２５Ｂは、スリット状の貫通孔１１を、板厚方向に開口し、且つ外周領域ＡＲＡ２の４辺のうちの３辺に形成する場合を例示している。
　図２５Ｃは、スリット状の貫通孔１１を、板厚方向に開口し、且つ外周領域ＡＲＡ２の４辺のうちの４辺に形成する場合を例示している。
　図２５Ｄでは、スリット状の貫通孔１１を、板厚方向に開口し、且つ外周領域ＡＲＡ２の隣り合う２辺に跨がってＬ字状に形成する場合を例示している。
　図２５Ｅでは、スリット状の貫通孔１１を、板厚方向に開口し、且つ外周領域ＡＲＡ２の隣り合う２辺に跨がってＬ字状に2組、形成する場合を例示している。
　図２５Ｆは、スリット状の貫通孔１１を、側面に開口し、且つ外周領域ＡＲＡ２の４辺のうちの１辺に形成する場合を例示している。
　図２５Ｇは、スリット状の貫通孔１１を、側面に開口し、且つ外周領域ＡＲＡ２の４辺のうちの２辺に形成する場合を例示している。
　図２５Ｈは、スリット状の貫通孔１１を、側面に開口し、且つ外周領域ＡＲＡ２の４辺のうちの３辺に形成する場合を例示している。
　図２５Ｉは、スリット状の貫通孔１１を、側面に開口し、且つ外周領域ＡＲＡ２の４辺のうちの４辺に形成する場合を例示している。
　図２５Ｊでは、スリット状の貫通孔１１を、側面に開口し、且つ外周領域ＡＲＡ２の隣り合う２辺に跨がってＬ字状に形成する場合を例示している。
　図２５Ｋでは、スリット状の貫通孔１１を、側面に開口し、且つ外周領域ＡＲＡ２の隣り合う２辺に跨がってＬ字状に2組、形成する場合を例示している。
　図２５Ｌでは、スリット状の貫通孔１１を、側面に開口し、側面全周に形成する場合を例示している。

　＜円形や矩形などの断面の穴からなる貫通孔１１の配置例＞
　図２６Ａは、貫通孔１１を、板厚方向に開口し、且つ外周領域ＡＲＡ２の４隅に形成する場合を例示している。
　図２６Ｂは、貫通孔１１を、板厚方向に開口し、且つ外周領域ＡＲＡ２の４隅と４辺に形成する場合を例示している。
　図２６Ｃは、長方形状の貫通孔１１を、板厚方向に開口し、且つ外周領域ＡＲＡ２の４辺のうちの対応する２辺にそれぞれ辺に長辺を向けて形成する場合を例示している。
　図２６Ｄでは、長方形状の貫通孔１１を、板厚方向に開口し、且つ外周領域ＡＲＡ２に沿って、画素領域を囲むように形成する場合を例示している。
　図２６Ｅでは、貫通孔１１を、板厚方向に開口し、且つ外周領域ＡＲＡ２の４辺のうちの１辺に沿って複数個、形成する場合を例示している。
　図２６Ｆでは、貫通孔１１を、板厚方向に開口し、且つ外周領域ＡＲＡ２の４辺のうちの対向する２辺にそれぞれ複数個、形成する場合を例示している。
　図２６Ｇでは、貫通孔１１を、板厚方向に開口し、且つ外周領域ＡＲＡ２の４辺のうちの３辺に沿って複数個、形成する場合を例示している。
　図２６Ｈでは、貫通孔１１を、板厚方向に開口し、且つ外周領域ＡＲＡ２の４辺のうちの４辺に沿って複数個、形成する場合を例示している。
　図２８Ａでは、貫通孔１１を、側面に開口し、且つ外周領域ＡＲＡ２の４辺のうちの１辺に沿って複数個、形成する場合を例示している。
　図２８Ｂでは、貫通孔１１を、側面に開口し、且つ外周領域ＡＲＡ２の４辺のうちの対向する２辺にそれぞれ複数個、形成する場合を例示している。
　図２８Ｃでは、貫通孔１１を、側面に開口し、且つ外周領域ＡＲＡ２の４辺のうちの３辺に沿って複数個、形成する場合を例示している。
　図２８Ｄでは、貫通孔１１を、側面に開口し、且つ外周領域ＡＲＡ２の４辺のうちの４辺に沿って複数個、形成する場合を例示している。

　＜貫通孔１１の断面例＞
　板厚方向に延在する貫通孔１１の断面形状として、図２７Ａ～図２７Ｆが例示できる。
　図２７Ａでは、貫通孔１１を厚さ方向に形成し、且つ開口断面積が軸方向に一定の場合を例示している。
　図２７Ｂでは、貫通孔１１を厚さ方向に対し斜めに形成し、且つ開口断面積が軸方向に一定の場合を例示している。
　図２７Ｃでは、貫通孔１１を厚さ方向に形成し、且つ開口断面積が軸方向に沿って、下方に向かうほど小さくなる場合を例示している。
　図２７Ｄでは、貫通孔１１を厚さ方向に形成し、且つ開口断面積が軸方向に沿って、下方に向かうほど大きくなる場合を例示している。
　図２７Ｅでは、貫通孔１１を厚さ方向に形成し、且つ開口断面積が上面側だけ、軸向に沿って、下方に向かうほど大きくなる場合を例示している。
　図２７Ｆでは、貫通孔１１を厚さ方向に形成し、且つ開口断面積が上面側だけ台形状に拡径している場合を例示している。

　貫通孔１１を側壁に形成する場合における、貫通孔１１の断面形状として、図２９Ａ～図２９Ｅが例示できる。
　図２９Ａでは、貫通孔１１を厚さ方向と直交する方向に形成し、開口断面積が軸方向に一定の場合を例示している。
　図２９Ｂでは、貫通孔１１を厚さ方向と直交する方向から傾けて形成し、且つ開口断面積が軸方向に一定の場合を例示している。
　図２９Ｃでは、貫通孔１１を厚さ方向と直交する方向に形成し、且つ開口断面積が軸方向に沿って、内側に向かうほど小さくなる場合を例示している。
　図２９Ｄでは、貫通孔１１を厚さ方向と直交する方向に形成し、且つ開口断面積が軸方向に沿って、内側に向かうほど大きくなる場合を例示している。
　図２９Ｅでは、貫通孔１１を厚さ方向に形成し、且つ開口断面積が中空部１２側だけ拡径した場合を例示している。

　（シール部材１３）
　シール部材１３について補足説明する。
　シール部材１３は、貫通孔１１を閉塞できれば、その構成に限定はない。すなわち、シール部材１３の埋め込み形状は、貫通孔１１を埋め込んで塞いでいればよく、その形状は特に問わない。例えば、シール部材１３の上面が透明基板３の上面と同一でも、シール部材１３の上面が、透明基板３の上面に対し凸状に突出していても、凹んでいても構わない。

　なお、シール部材１３に黒色色素を添加すると、フレアを抑制するので、固体撮像素子１の画質が向上する。
　シール部材１３は、図３０Ａのように、貫通孔１１の軸方向の一部だけを閉塞しても良いし、図３０Ｂのように、貫通孔１１の軸方向全部を閉塞するように設けても良い。また、シール部材１３は、図３０Ｃのように貫通孔１１から突出する部分を有しても良いし、貫通孔１１の開口端よりも凹んでいても良い。

　「製造方法」
　次に、本開示に基づく固体撮像素子１の製造方法について、図面を参照して説明する。
　（第１の製造方法）
　第１の製造方法について説明する。

　＜透明基板３の形成＞
　透明基板３の形成方法の第１の例について説明する。
　透明基板３のサイズは、例えばウェハ大の寸法となっている。
　透明基板３は、例えばガラス基板からなる。

　第１の例では、先ず、図３１Ａに示す透明基板３に対し、図３１Ｂのように、厚さ方向に貫通孔１１を形成する処理を行う。貫通孔１１の形成位置は、上述のように、外周領域ＡＲＡ２と対向可能な位置に、透明基板３の厚さ方向に向けて開口する。貫通孔１１の開口断面形状や数は特に限定がない。
　貫通孔１１の形成処理は、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチング、レーザー加工などによって実行する。

　次に、図３１Ｃのように、貫通孔１１を形成した透明基板３の下面に犠牲層を形成する。犠牲層は、有効画素領域ＡＲＡ１全体と対向可能な位置と、貫通孔１１を形成した透明基板３下面を含む領域に形成する。ただし、犠牲層の形成は、透明基板３の下面における、犠牲層形成位置の外周側の全周位置に、接着層１０が設けられる部分を残存させるようにする。

　犠牲層の形成は、例えば、先ず、透明基板３の下面に、陽極接合などを用いてシリコン基板を貼り付ける。その後、貼り付けたシリコン基板のうち不要な部分をエッチング除去して、犠牲層とする。不要な部分とは、貫通孔１１の底部と対向する位置よりも外周側であって、接着層１０が設けられる部分である。
　犠牲層の材料としては、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、シリコン窒化膜などが例示できる。

　＜平坦化膜９の形成＞
　平坦化膜９の形成は、前記の透明基板３の形成の前でも後でも、同時期でも構わない。
　素子が形成された基板２の上面（光入射面側の目）に対し、図３２Ａに示す、オンチップレンズ４を完全に覆うようにして平坦化膜９を形成する。

　この状態の素子が形成された基板２は、固体撮像素子１（ＣＣＤ、ＣＭＯＳ、表面照射型など）の素子が形成された基板２である。平坦化膜９形成の際の素子が形成された基板２は、例えば、素子が形成された基板２の光入射面側にオンチップレンズ４（マイクロレンズ）までが形成され、裏面側の配線が行われていない状態とする。

　平坦化膜９は、その材料として、例えば、紫外線硬化型、熱硬化型、あるいはそれら硬化反応機構併用型の樹脂を用いる。例えば、そのような樹脂としては、アクリル系、スチレン系、シリコーン系の樹脂が例示できる。そのような樹脂に、適宜、フッ素を含有させてもよいし、中空シリカなどを分散混入してもよい。

　＜透明基板３の貼り付け＞
　前記形成した透明基板３を、図３２Ｂに示すように、平坦化膜９の上に貼り付けて積層する。透明基板３の貼り付けは、犠牲層の外周部分に接着層１０を形成し、その接着層１０によって平坦化膜９の上の透明基板３を貼り付ける。なお、接着層１０は、平坦化膜９の上側に形成して貼り付け処理を実行しても良いし、透明基板３側に形成して貼り付け処理を実行しても良い。これによって、犠牲層の外周方向全周に接着層１０が配置される。

　接着層１０は、その材料として、例えば、紫外線硬化型、熱硬化型、あるいはそれら硬化反応機構併用型のシール樹脂を用いればよい。そのシール樹脂としては、例えば、エポキシ系、アクリル系、シリコーン系のシール樹脂、又はその変性樹脂が例示できる。

　＜再配線形成＞
　透明基板３を貼り付けた後に、素子が形成された基板２の裏面側に対し、ＲＤＬやはんだボール６、更にはリード配線などの再配線処理（裏面側の配線処理）を実行する。この状態では、犠牲層が存在する。

　＜中空部１２の形成処理＞
　再配線処理が終了したら、図３２Ｃに示すように、貫通孔１１を介して犠牲層に対しエッチングを行い、犠牲層を除去する。これによって、犠牲層が存在していた位置に空洞が形成される。その空洞部分が、中空部１２となる。この中空部１２は、平坦化膜９の上面と透明基板３の下面と、接着層１０の内周面とに囲まれた空洞からなる。
　犠牲層のエッチングは、例えばドライエッチング法を用いて実行する。このとき、ドライエッチングに用いるガス種としては、ＸｅＦ_２、ＣｌＦ_３、ＢｒＦ_３などが例示できる。

　ここで、犠牲層のエッチングにおいて、例えば等方性プラズマエッチング等を採用すれば、ＳｉＯ_２、樹脂、Ａｌ、ＴｉＮ、ＳｉＣなどと１０００以上の高い選択比によるエッチングが可能である。本製造方法では、中空部１２の側壁が接着層１０で形成されるが、接着層１０に樹脂を用いることで、犠牲層のエッチング除去性は良好となる。

　＜シール部材１３の形成＞
　シール部材１３は、形成しなくても形成してもよい。
　シール部材１３を形成する場合は、図３２Ｄに示すように、シール部材１３で、貫通孔１１を閉塞して封止する。

　シール部材１３は、材料として、例えば、紫外線硬化型、熱硬化型、あるいはそれら硬化反応機構併用型の樹脂を用いる。そのような樹脂としては、例えば、エポキシ系、アクリル系、シリコーン系の樹脂、又は、それら樹脂の変性樹脂が例示できる。
　第１の製造方法によって、例えば第１の形態の固体撮像素子１を製造できる。

　（第２の製造方法）
　第２の製造方法について図面を参照しつつ説明する。
　＜透明基板３の形成＞
　透明基板３の形成方法の第２の例について説明する。
　第２の例では、第１の例とは異なり、犠牲層を形成してから、貫通孔１１を形成する。
　すなわち、第２の例では、先ず、貫通孔１１の形成前の透明基板３の下面に対し、図３３Ａのように、犠牲層を形成する。犠牲層は、有効画素領域ＡＲＡ１全体と対向可能な位置と、貫通孔１１を形成する透明基板３下面を含む領域に形成する。ただし、犠牲層の形成は、透明基板３の下面における、犠牲層の外周側の全周位置に、接着層１０を設けられる部分を残存させるようにして実行する。

　犠牲層の形成は、例えば、先ず、透明基板３の下面に、ＣＶＤ法などにより多結晶シリコン、アモルファスシリコン、シリコン窒化などの成膜を行う。又は、透明基板３の下面に、陽極接合などを用いてシリコン基板を貼り付ける。その後、形成した犠牲層のうち不要な部分をエッチング除去して、犠牲層とする。不要な部分とは、貫通孔１１の底部となる位置よりも外周側であって、接着層１０が設けられる部分である。
　シリコン基板の材料としては、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、シリコン窒化膜などが例示できる。

　次に、犠牲層を形成した透明基板３に対し、図３３Ｂのように、厚さ方向に上側から貫通孔１１を形成する処理を行う。貫通孔１１の形成位置は、上述のように、外周領域ＡＲＡ２と対向可能な位置に、透明基板３の厚さ方向に向けて開口する。このとき、貫通孔１１は、図３３Ｂのように、犠牲層も一緒に貫通するように開口処理を実行する。

　貫通孔１１の開口断面形状や数は特に限定がない。
　貫通孔１１の形成処理は、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチング、レーザー加工などによって実行する。

　＜平坦化膜９の形成＞
　素子が形成された基板２の上面に平坦化膜９を形成する。平坦化膜９の形成は、前記の透明基板３の形成の前でも後でも、同時期でも構わない。

　＜透明基板３の貼り付け＞
　前記形成した透明基板３を、図３４Ａに示すように、平坦化膜９の上に貼り付けて積層する。透明基板３の貼り付けは、犠牲層の外周部分に接着層１０を形成し、その接着層１０によって平坦化膜９の上の透明基板３を貼り付ける。なお、接着層１０は、平坦化膜９の上側に形成して貼り付け処理を実行しても良いし、透明基板３側に形成して貼り付け処理を実行しても良い。これによって、犠牲層の外周方向全周に接着層１０が配置される。

　＜再配線形成＞
　透明基板３を貼り付けた後に、素子が形成された基板２の裏面側に対し、ＲＤＬやはんだボール６、更にはリード配線などの再配線処理を実行する。この状態では、犠牲層が存在する。

　＜中空部１２の形成処理＞
　再配線処理が終了したら、図３４Ｂに示すように、貫通孔１１を介して犠牲層に対しエッチングを行い、犠牲層を除去する。これによって、犠牲層が存在していた位置に空洞が形成される。その空洞部分が、中空部１２となる。この中空部１２は、平坦化膜９の上面と透明基板３の下面と、接着層１０の内周面とに囲まれた空洞からなる。

　犠牲層のエッチングは、例えばドライエッチング法を用いて実行する。このとき、ドライエッチングに用いるガス種としては、ＸｅＦ_２、ＣｌＦ_３、ＢｒＦ_３などが例示できる。

　＜シール部材１３の形成＞
　シール部材１３は、形成しなくても形成してもよい。
　シール部材１３を形成する場合は、図３４Ｃに示すように、シール部材１３で、貫通孔１１を閉塞して封止する。
　第２の製造方法によって、例えば第１の形態の固体撮像素子１を製造できる。

　（第３の製造方法）
　第３の製造方法について図面を参照しつつ説明する。
　＜透明基板３の形成＞
　透明基板３の形成方法の第３の例について説明する。
　第３の例では、第２の例と同様に、犠牲層を形成してから、貫通孔１１を形成する。また、第３の例では、透明基板３の下端部にスペーサー１４が形成される。

　すなわち、第３の例では、先ず、貫通孔１１の形成前の透明基板３の下面に対し、図３５Ａのように、犠牲層を形成する。犠牲層は、有効画素領域ＡＲＡ１全体と対向可能な位置と、貫通孔１１を形成する透明基板３下面と、接着層１０を形成する部分の一部を含む領域に形成する。第３の例では、接着層１０を設ける外周領域ＡＲＡ２に形成される犠牲層の部分１４は、その内周側及び外周側に、接着層１０を設けられる部分（スペーサー１４となる部分）を残存させるように形成する。この外周側の犠牲層の部分は、外周領域ＡＲＡ２に沿って周方向全周に形成されていても良いし、左右両側の辺部分に形成されていても良いし、周方向に沿って断続的に形成されていても良い。

　犠牲層の形成は、例えば、先ず、透明基板３の下面に、陽極接合などを用いてシリコン基板を貼り付ける。その後、形成した犠牲層のうち不要な部分をエッチング除去して、犠牲層とする。不要な部分とは、貫通孔１１の底部となる位置よりも外周側であって、接着層１０が設けられる部分である。
　シリコン基板の材料としては、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、シリコン窒化膜などが例示できる。

　次に、犠牲層を形成した透明基板３に対し、図３５Ｂのように、厚さ方向に貫通孔１１を形成する処理を行う。貫通孔１１の形成位置は、上述のように、外周領域ＡＲＡ２と対向可能な位置に、透明基板３の厚さ方向に向けて開口する。このとき、貫通孔１１は、犠牲層も一緒に貫通するように開口処理を実行する。

　第３の例では、透明基板３の下面において、形成された貫通孔１１と、その外周側に位置する犠牲層の部分１４との間の部分が露出した状態となっている。

　＜平坦化膜９の形成＞
　平坦化膜９の形成は、前記の透明基板３の形成の前でも後でも、同時期でも構わない。
　素子が形成された基板２の上面（光入射面側の目）に対し、オンチップレンズ４を完全に覆うようにして平坦化膜９を形成する。

　＜透明基板３の貼り付け＞
　前記形成した透明基板３を、図３６Ａに示すように、平坦化膜９の上に貼り付けて積層する。透明基板３の貼り付けは、犠牲層の外周部分に接着層１０を形成し、その接着層１０によって平坦化膜９の上の透明基板３を貼り付ける。なお、接着層１０は、平坦化膜９の上側に形成して貼り付け処理を実行しても良いし、透明基板３側に形成して貼り付け処理を実行しても良い。これによって、犠牲層の外周方向全周に接着層１０が配置される。

　このとき、外周側に位置する犠牲層の部分１４は、接着層１０に埋設されてスペーサー１４を構成する。そして、その外周側に位置する犠牲層の部分１４の内周側であって、且つ貫通孔１１底部位置よりも外周側位置には、接着層１０が存在する構成となる。

　＜中空部１２の形成処理＞
　再配線処理が終了したら、図３６Ｂに示すように、貫通孔１１を介して犠牲層に対しエッチングを行い、犠牲層を除去する。これによって、犠牲層が存在していた位置に空洞が形成される。その空洞部分が、中空部１２となる。この中空部１２は、平坦化膜９の上面と透明基板３の下面と、接着層１０の内周面とに囲まれた空洞からなる。
　犠牲層のエッチングは、例えばドライエッチング法を用いて実行する。このとき、ドライエッチングに用いるガス種としては、ＸｅＦ_２、ＣｌＦ_３、ＢｒＦ_３などが例示できる。

　エッチング処理において、接着層１０に埋設された外周側に位置する犠牲層の部分は、その内周側に位置する接着層１０のシール樹脂によってエッチングされずに残り、スペーサー１４となる。

　＜シール部材１３の形成＞
　シール部材１３は、形成しなくても形成してもよい。
　シール部材１３を形成する場合は、図３６Ｃに示すように、シール部材１３で、貫通孔１１を閉塞して封止する。

　第３の製造方法によって、例えば第２の形態の固体撮像素子１を製造できる。

　（第４の製造方法）
　第４の製造方法について図面を参照しつつ説明する。
　＜透明基板３の形成＞
　透明基板３の形成方法の第４の例について説明する。
　第４の例では、第２の例と同様に、犠牲層を形成してから、貫通孔１１を形成する。また、第４の例では、透明基板３の下端部にスペーサー１４が形成される。

　すなわち、第４の例では、先ず、貫通孔１１の形成前の透明基板３の下面に対し、図３７Ａのように、犠牲層を形成する。犠牲層は、有効画素領域ＡＲＡ１全体と対向可能な位置と、貫通孔１１を形成する透明基板３下面と、接着層１０を形成する部分の一部を含む領域に形成する。第４の例では、接着層１０を設ける外周領域ＡＲＡ２に形成される犠牲層の部分（スペーサー１４となる部分）は、その内周側及び外周側に、接着層１０を設けられる部分を残存させるように形成する。この外周側の犠牲層の部分は、外周領域ＡＲＡ２に沿って周方向全周に形成されていても良いし、左右両側の辺部分に形成されていても良いし、周方向に沿って断続的に形成されていても良い。

　犠牲層の形成は、例えば、先ず、透明基板３の下面に、ＣＶＤ法などにより多結晶シリコン、アモルファスシリコン、シリコン窒化などの成膜を行う。その後、形成した犠牲層のうち不要な部分をエッチング除去して、犠牲層とする。不要な部分とは、貫通孔１１の底部となる位置よりも外周側であって、接着層１０が設けられる部分である。

　次に、犠牲層を形成した透明基板３に対し、図３７のように、厚さ方向に貫通孔１１を形成する処理を行う。貫通孔１１の形成位置は、上述のように、外周領域ＡＲＡ２と対向可能な位置に、透明基板３の厚さ方向に向けて開口する。このとき、貫通孔１１は、犠牲層も一緒に貫通するように開口処理を実行する。

　貫通孔１１の開口断面形状や数は特に限定がない。
　貫通孔１１の形成処理は、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチング、レーザー加工などによって実行する。
　第４の例では、透明基板３の下面において、形成された貫通孔１１と外周側の犠牲層との間の部分が露出した状態となっている。

　＜透明基板３の貼り付け＞
　前記形成した透明基板３を、図３８Ａに示すように、平坦化膜９の上に貼り付けて積層する。透明基板３の貼り付けは、犠牲層の外周部分に接着層１０を形成し、その接着層１０によって平坦化膜９の上の透明基板３を貼り付ける。なお、接着層１０は、平坦化膜９の上側に形成して貼り付け処理を実行しても良いし、透明基板３側に形成して貼り付け処理を実行しても良い。これによって、犠牲層の外周方向全周に接着層１０が配置される。

　このとき、外周側に位置する犠牲層の部分は、接着層１０に埋設されてスペーサー１４を構成する。そして、その外周側に位置する犠牲層の部分の内周側であって、且つ貫通孔１１底部位置よりも外周側位置には、接着層１０が存在する構成となる。

　＜中空部１２の形成処理＞
　再配線処理が終了したら、図３８Ｂに示すように、貫通孔１１を介して犠牲層に対しエッチングを行い、犠牲層を除去する。これによって、犠牲層が存在していた位置に空洞が形成される。その空洞部分が、中空部１２となる。この中空部１２は、平坦化膜９の上面と透明基板３の下面と、接着層１０の内周面とに囲まれた空洞からなる。
　犠牲層のエッチングは、例えばドライエッチング法を用いて実行する。このとき、ドライエッチングに用いるガス種としては、ＸｅＦ_２、ＣｌＦ_３、ＢｒＦ_３などが例示できる。

　＜シール部材１３の形成＞
　シール部材１３は、形成しなくても形成してもよい。
　シール部材１３を形成する場合は、図３８Ｃに示すように、シール部材１３で、貫通孔１１を閉塞して封止する。
　第４の製造方法によって、例えば第２の形態の固体撮像素子１を製造できる。

　（第５の製造方法）
　第５の製造方法について図面を参照しつつ説明する。
　＜透明基板３の形成＞
　透明基板３の形成方法の第５の例について説明する。
　第５の例では、透明基板３に貫通孔１１を形成するが、犠牲層を形成しない。
　すなわち、第５の例では、図３９のように、厚さ方向に貫通孔１１を形成する処理を行う。貫通孔１１の形成位置は、上述のように、外周領域ＡＲＡ２と対向可能な位置に、透明基板３の厚さ方向に向けて開口する。

　＜平坦化膜９の形成＞
　平坦化膜９の形成は、前記の透明基板３の形成の前でも後でも、同時期でも構わない。
　図４０Ａに示すように、素子が形成された基板２の上面（光入射面側の目）に対し、オンチップレンズ４を完全に覆うようにして平坦化膜９を形成する。

　＜犠牲層の形成＞
　平坦化膜９の上に、図４０Ａのように、犠牲層を形成する。犠牲層は、有効画素領域ＡＲＡ１全体と、貫通孔１１の底部と対向可能な位置を含む領域に形成する。ただし、犠牲層の形成は、犠牲層の外周側の全周位置に、接着層１０を設けられる部分を残存させるようにして実行する。

　犠牲層の形成は、例えば、先ず、透明基板３の下面に、ＣＶＤ法などにより多結晶シリコン、アモルファスシリコン、シリコン窒化などの成膜を行う。又は、透明基板３の下面に、陽極接合などを用いてシリコン基板を貼り付ける。その後、形成した犠牲層のうち不要な部分をエッチング除去して、犠牲層とする。不要な部分とは、貫通孔１１の底部対向する位置よりも外周側であって、接着層１０が設けられる部分である。
　シリコン基板の材料としては、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、シリコン窒化膜などが例示できる。

　＜接着層１０の形成＞
　図４０Ｂに示すように、平坦化膜９の上面における、犠牲層の外周全周に接着層１０を形成する。図４０Ｂでは、接着層１０が犠牲層よりも高く形成し潰れ代を稼ぐ。

　＜透明基板３の貼り付け＞
　次に、前記形成した透明基板３を、図４０Ｃに示すように、犠牲層及び接着層１０の上に積層して貼り付ける。

　＜中空部１２の形成処理＞
　再配線処理が終了したら、図４０Ｄに示すように、貫通孔１１を介して犠牲層に対しエッチングを行い、犠牲層を除去する。これによって、犠牲層が存在していた位置に空洞が形成される。その空洞部分が、中空部１２となる。この中空部１２は、平坦化膜９の上面と透明基板３の下面と、接着層１０の内周面とに囲まれた空洞からなる。
　犠牲層のエッチングは、例えばドライエッチング法を用いて実行する。このとき、ドライエッチングに用いるガス種としては、ＸｅＦ_２、ＣｌＦ_３、ＢｒＦ_３などが例示できる。

　＜シール部材１３の形成＞
　シール部材１３は、形成しなくても形成してもよい。
　シール部材１３を形成する場合は、図４０Ｅに示すように、シール部材１３で、貫通孔１１を閉塞して封止する。
　第５の製造方法によって、例えば第３の形態の固体撮像素子１を製造できる。

　（第６の製造方法）
　第６の製造方法について図面を参照しつつ説明する。
　＜透明基板３の形成＞
　本例の透明基板３の形成方法は、第５の例と同じであるため、説明を省略する（図３９参照）。

　＜犠牲層の形成＞
　平坦化膜９の上に、図４１Ａのように、犠牲層を形成する。犠牲層は、有効画素領域ＡＲＡ１全体と、貫通孔１１の底部と対向可能な位置と、接着層１０を形成する部分の一部を含む領域に形成する。接着層１０を設ける外周領域ＡＲＡ２に形成される犠牲層の部分１４は、その内周側及び外周側に、接着層１０を設けられる部分を残存させるように形成する。この外周側の犠牲層の部分は、外周領域ＡＲＡ２に沿って周方向全周に形成されていても良いし、左右両側の辺部分に形成されていても良いし、周方向に沿って断続的に形成されていても良い。

　＜接着層１０の形成＞
　図４１Ｂに示すように、平坦化膜９の上面における、犠牲層の外周全周に接着層１０を形成する。

　このとき、外周側に位置する犠牲層の部分は、接着層１０に埋設されてスペーサー１４を構成する。そして、その外周側に位置する犠牲層の部分の内周側であって、且つ貫通孔１１底部位置と対向可能な位置よりも外周側位置には、接着層１０Ａが存在する構成となる。また、犠牲層の部分の外周側にも接着層１０Ｂが存在する構成となる。

　＜透明基板３の貼り付け＞
　次に、前記形成した透明基板３を、図４１Ｃに示すように、犠牲層及び接着層１０の上に積層して貼り付ける。

　＜中空部１２の形成処理＞
　再配線処理が終了したら、図４１Ｄに示すように、貫通孔１１を介して犠牲層に対しエッチングを行い、犠牲層を除去する。これによって、犠牲層が存在していた位置に空洞が形成される。その空洞部分が、中空部１２となる。この中空部１２は、平坦化膜９の上面と透明基板３の下面と、接着層１０の内周面とに囲まれた空洞からなる。
　犠牲層のエッチングは、例えばドライエッチング法を用いて実行する。このとき、ドライエッチングに用いるガス種としては、ＸｅＦ_２、ＣｌＦ_３、ＢｒＦ_３などが例示できる。

　＜シール部材１３の形成＞
　シール部材１３は、形成しなくても形成してもよい。
　シール部材１３を形成する場合は、図４１Ｅに示すように、シール部材１３で、貫通孔１１を閉塞して封止する。
　第６の製造方法によって、例えば第４の形態の固体撮像素子１を製造できる。

　（第７の製造方法）
　第７の製造方法について図面を参照しつつ説明する。
　＜透明基板３の形成＞
　透明基板３の形成方法は、第５の例と同じであるため、説明を省略する（図３９参照）。

　＜平坦化膜９の形成＞
　平坦化膜９の形成は、前記の透明基板３の形成の前でも後でも、同時期でも構わない。
　図４２Ａに示すように、素子が形成された基板２の上面（光入射面側の目）に対し、オンチップレンズ４を完全に覆うようにして平坦化膜９を形成する。

　＜接着剤の層１５の形成＞
　更に、図４２Ａに示すように、平坦化膜９の上に接着剤の層１５を形成する。接着剤の層１５は、平坦化膜９の屈折率よりも低い屈折率の樹脂材料から構成することが好ましい。

　本形態では、接着剤の層１５を、樹脂性接着剤を用いて形成する。樹脂性接着剤としては、例えば、紫外線硬化型、熱硬化型、あるいはそれら硬化反応機構併用型のシール樹脂を用いればよい。そのシール樹脂としては、例えば、エポキシ系、アクリル系、シリコーン系のシール樹脂、又はその変性樹脂が例示できる。

　＜犠牲層の形成＞
　接着剤の層１５の上に、図４２Ｂのように、犠牲層を形成する。犠牲層は、有効画素領域ＡＲＡ１全体と、貫通孔１１の底部と対向可能な位置を含む領域に形成する。ただし、犠牲層の形成は、犠牲層の外周側の全周位置に、接着層１０を設けられる部分を残存させるようにして実行する。

　犠牲層の形成は、例えば、先ず、透明基板３の下面に、ＣＶＤ法などにより多結晶シリコン、アモルファスシリコン、シリコン窒化などの成膜を行う。又は、透明基板３の下面に、陽極接合などを用いてシリコン基板を貼り付ける。その後、形成した犠牲層のうち不要な部分をエッチング除去して、犠牲層とする。不要な部分とは、貫通孔１１の底部対向する位置よりも外周側であって、接着層１０が設けられる部分である。

　シリコン基板の材料としては、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、シリコン窒化膜などが例示できる。

　＜接着層１０の形成＞
　図４２Ｃに示すように、接着剤の層１５の上面における、犠牲層の外周全周に接着層１０を形成する。接着層１０は、その材料として、例えば、紫外線硬化型、熱硬化型、あるいはそれら硬化反応機構併用型のシール樹脂を用いればよい。そのシール樹脂としては、例えば、エポキシ系、アクリル系、シリコーン系のシール樹脂、又はその変性樹脂が例示できる。

　＜透明基板３の貼り付け＞
　次に、前記形成した透明基板３を、図４２Ｄに示すように、犠牲層及び接着層１０の上に積層して貼り付ける。

　＜中空部１２の形成処理＞
　再配線処理が終了したら、図４２Ｅに示すように、貫通孔１１を介して犠牲層に対しエッチングを行い、犠牲層を除去する。これによって、犠牲層が存在していた位置に空洞が形成される。その空洞部分が、中空部１２となる。この中空部１２は、平坦化膜９の上面と透明基板３の下面と、接着層１０の内周面とに囲まれた空洞からなる。

　＜シール部材１３の形成＞
　シール部材１３は、形成しなくても形成してもよい。
　シール部材１３を形成する場合は、図４２Ｆに示すように、シール部材１３で、貫通孔１１を閉塞して封止する。
　第７の製造方法によって、例えば第３の形態の固体撮像素子１を製造できる。

　（第８の製造方法）
　第８の製造方法について図面を参照しつつ説明する。
　＜透明基板３の形成＞
　本例の透明基板３の形成方法は、第５の例と同じであるため、説明を省略する（図３９参照）。

　＜平坦化膜９の形成＞
　平坦化膜９の形成は、前記の透明基板３の形成の前でも後でも、同時期でも構わない。
　図４３Ａに示すように、素子が形成された基板２の上面（光入射面側の目）に対し、オンチップレンズ４を完全に覆うようにして平坦化膜９を形成する。

　＜接着剤の層１５の形成＞
　更に図４３Ａに示すように、平坦化膜９の上に接着剤の層１５を形成する。接着剤の層１５は、平坦化膜９の屈折率よりも低い屈折率の樹脂材料から構成することが好ましい。

　本形態では、接着剤の層１５を、樹脂性接着剤を用いて形成する。接着剤としては、例えば、紫外線硬化型、熱硬化型、あるいはそれら硬化反応機構併用型のシール樹脂を用いればよい。そのシール樹脂としては、例えば、エポキシ系、アクリル系、シリコーン系のシール樹脂、又はその変性樹脂が例示できる。

　＜犠牲層の形成＞
　接着剤の層１５の上に、図４２Ａのように、犠牲層を形成する。犠牲層は、有効画素領域ＡＲＡ１全体と、貫通孔１１の底部と対向可能な位置と、接着層１０を形成する部分の一部を含む領域に形成する。接着層１０を設ける外周領域ＡＲＡ２に形成される犠牲層の部分は、その内周側及び外周側に、接着層１０を設けられる部分を残存させるように形成する。この外周側の犠牲層の部分は、外周領域ＡＲＡ２に沿って周方向全周に形成されていても良いし、左右両側の辺部分に形成されていても良いし、周方向に沿って断続的に形成されていても良い。

　＜接着層１０の形成＞
　図４２Ｂに示すように、平坦化膜９の上面における、犠牲層の外周全周に接着層１０を形成する。

　このとき、外周側に位置する犠牲層の部分は、接着層１０に埋設されてスペーサー１４を構成する。そして、その外周側に位置する犠牲層の部分の内周側であって、且つ貫通孔１１底部位置と対向可能な位置よりも外周側位置には、接着層１０Ａが存在する構成となる。また、犠牲層の部分の外周側にも接着層１０Ｂが存在する構成となる。
接着層１０は、その材料として、例えば、紫外線硬化型、熱硬化型、あるいはそれら硬化反応機構併用型のシール樹脂を用いればよい。そのシール樹脂としては、例えば、エポキシ系、アクリル系、シリコーン系のシール樹脂、又はその変性樹脂が例示できる。

　＜透明基板３の貼り付け＞
　次に、前記形成した透明基板３を、図４３Ｃに示すように、犠牲層及び接着層１０の上に積層して貼り付ける。

　＜中空部１２の形成処理＞
　再配線処理が終了したら、図４３Ｄに示すように、貫通孔１１を介して犠牲層に対しエッチングを行い、犠牲層を除去する。これによって、犠牲層が存在していた位置に空洞が形成される。その空洞部分が、中空部１２となる。この中空部１２は、平坦化膜９の上面と透明基板３の下面と、接着層１０の内周面とに囲まれた空洞からなる。

　＜シール部材１３の形成＞
　シール部材１３は、形成しなくても形成してもよい。
　シール部材１３を形成する場合は、図４３Ｅに示すように、シール部材１３で、貫通孔１１を閉塞して封止する。
　第８の製造方法によって、例えば第４の形態の固体撮像素子１を製造できる。

　（第９の製造方法）
　第９の製造方法について図面を参照しつつ説明する。
　＜透明基板３の形成＞
　透明基板３の形成方法の第６の例について説明する。
　本例の透明基板３は、複数枚のガラス基板を積層して構成される。
　本例では、図４４Ｃのように、上側のガラス基板３Ａと下側のガラス基板３Ｂの２枚のガラス基板が積層されて構成される場合で説明する。

　第６の例では、先ず、上側のガラス基板３Ａに対し、図４４Ａのように、厚さ方向に貫通孔１１を形成する処理を行う。貫通孔１１の形成位置は、上述のように、外周領域ＡＲＡ２と対向可能な位置に、透明基板３の厚さ方向に向けて開口する。貫通孔１１の開口断面形状や数は特に限定がない。
　貫通孔１１の形成処理は、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチング、レーザー加工などによって実行する。

　次に、図４４Ｂのように、貫通孔１１を形成した透明基板３の下面に犠牲層を形成する。犠牲層は、有効画素領域ＡＲＡ１全体と対向可能な位置と、貫通孔１１を形成した透明基板３下面を含む領域に形成する。ただし、犠牲層の形成は、透明基板３の下面における、犠牲層の外周側の全周位置に、接着層１０を設けられる部分を残存させるようにして実行する。

　次に、図４４Ｃに示すように、上側のガラス基板３Ａの下面における、犠牲層の外周全周に接着層１０を形成する。接着層１０は、その材料として、例えば、紫外線硬化型、熱硬化型、あるいはそれら硬化反応機構併用型のシール樹脂を用いればよい。そのシール樹脂としては、例えば、エポキシ系、アクリル系、シリコーン系のシール樹脂、又はその変性樹脂が例示できる。

　次に、図４４Ｃに示すように、上側のガラス基板３Ａの下面に、接着層１０によって下側のガラス基板３Ｂを貼り付ける。
　これによって、第６の例の透明基板３が形成される。

　＜平坦化膜９の形成＞
　平坦化膜９の形成は、前記の透明基板３の形成の前でも後でも、同時期でも構わない。
　図４５Ａに示すように、素子が形成された基板２の上面（光入射面側の目）に対し、オンチップレンズ４を完全に覆うようにして平坦化膜９を形成する。

　＜接着剤の層１５の形成＞
　更に図４５Ａに示すように、平坦化膜９の上に接着剤の層１５を形成する。接着剤の層１５は、平坦化膜９の屈折率よりも低い屈折率の樹脂材料から構成することが好ましい。

　＜接着層１０の形成＞
　図４５Ｂに示すように、平坦化膜９の上に接着層１０を形成する。接着層１０の材料としては、例えば、紫外線硬化型、熱硬化型、あるいはそれら硬化反応機構併用型のシール樹脂を用いればよい。そのシール樹脂としては、例えば、エポキシ系、アクリル系、シリコーン系のシール樹脂、又はその変性樹脂が例示できる。
　接着層１０は、平坦化膜９上の外周領域ＡＲＡ２のみに形成する。

　＜透明基板３の貼り付け＞
　次に、前記形成した透明基板３を、図４５Ｂに示すように、接着層１０の上に積層して貼り付ける。

　＜中空部１２の形成処理＞
　再配線処理が終了したら、図４５Ｃに示すように、貫通孔１１を介して犠牲層に対しエッチングを行い、犠牲層を除去する。これによって、犠牲層が存在していた位置に空洞が形成される。その空洞部分が、中空部１２となる。この中空部１２は、平坦化膜９の上面と透明基板３の下面と、接着層１０の内周面とに囲まれた空洞からなる。

　犠牲層のエッチングは、例えばドライエッチング法を用いて実行する。このとき、ドライエッチングに用いるガス種としては、ＸｅＦ_２、ＣｌＦ_３、ＢｒＦ_３などが例示できる。
　エッチング処理において、接着層１０に埋設された外周側に位置する犠牲層の部分は、その内周側に位置する接着層１０のシール樹脂によってエッチングされずに残り、スペーサー１４となる。

　＜シール部材１３の形成＞
　シール部材１３は、形成しなくても形成してもよい。
　シール部材１３を形成する場合は、図４５Ｄに示すように、シール部材１３で、貫通孔１１を閉塞して封止する。
　第９の製造方法によって、例えば第５の形態の固体撮像素子１を製造できる。

　（第１０の製造方法）
　第１０の製造方法について図面を参照しつつ説明する。
　＜透明基板３の形成＞
　透明基板３の形成方法の第７の例について説明する。
　本例の透明基板３は、図４６Ｃに示すように、複数枚のガラス基板を積層して構成される。

　本例では、上側のガラス基板３Ａと下側のガラス基板３Ｂの２枚のガラス基板が積層されて構成される場合で説明する。また、本製造方法では、スペーサー１４を設ける。

　第７の例では、先ず、貫通孔１１の形成前の上側のガラス基板３Ａの下面に対し、図４６Ａのように、犠牲層を形成する。犠牲層は、有効画素領域ＡＲＡ１全体と対向可能な位置と、貫通孔１１を形成する透明基板３下面と、接着層１０を形成する部分の一部を含む領域に形成する。第７の例では、接着層１０を設ける外周領域ＡＲＡ２に形成される犠牲層の部分１４は、その内周側及び外周側に、接着層１０を設けられる部分を残存させるように形成する。この外周側の犠牲層の部分は、外周領域ＡＲＡ２に沿って周方向全周に形成されていても良いし、左右両側の辺部分に形成されていても良いし、周方向に沿って断続的に形成されていても良い。

　犠牲層の形成は、例えば、先ず、上側のガラス基板３Ａの下面に、ＣＶＤ法などにより多結晶シリコン、アモルファスシリコン、シリコン窒化などの成膜を行う。又は、上側のガラス基板３Ａの下面に、陽極接合などを用いてシリコン基板を貼り付ける。その後、形成した犠牲層のうち不要な部分をエッチング除去して、犠牲層とする。不要な部分とは、貫通孔１１の底部対向する位置よりも外周側であって、接着層１０が設けられる部分である。
　シリコン基板の材料としては、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、シリコン窒化膜などが例示できる。

　次に、犠牲層を形成した上側のガラス基板３Ａに対し、図４６Ｂのように、厚さ方向に貫通孔１１を形成する処理を行う。貫通孔１１の形成位置は、上述のように、外周領域ＡＲＡ２と対向可能な位置に、透明基板３の厚さ方向に向けて開口する。このとき、貫通孔１１は、犠牲層も一緒に貫通するように開口処理を実行する。

　第７の例では、透明基板３の下面において、形成された貫通孔１１と外周側の犠牲層との間の部分が露出した状態となっている。

　図４６Ｃに示すように、上側のガラス基板３Ａの下面における、犠牲層の外周全周に接着層１０を形成する。

　このとき、外周側に位置する犠牲層の部分は、接着層１０に埋設されてスペーサー１４を構成する。そして、その外周側に位置する犠牲層の部分の内周側であって、且つ貫通孔１１底部位置と対向可能な位置よりも外周側位置には、接着層１０が存在する構成となる。また、外周側に位置する犠牲層の部分の外周側にも接着層１０が存在する構成となる。

　次に、図４６Ｃに示すように、上側のガラス基板３Ａの下面に、接着層１０によって下側のガラス基板３Ｂを貼り付ける。
　これによって、第７の例の透明基板３が形成される。

　＜平坦化膜９の形成＞
　平坦化膜９の形成は、前記の透明基板３の形成の前でも後でも、同時期でも構わない。
　図４７Ａに示すように、素子が形成された基板２の上面（光入射面側の目）に対し、オンチップレンズ４を完全に覆うようにして平坦化膜９を形成する。
　＜接着剤の層１５の形成＞
　更に図４７Ａに示すように、平坦化膜９の上に接着剤の層１５を形成する。接着剤の層１５は、平坦化膜９の屈折率よりも低い屈折率の樹脂材料から構成することが好ましい。

　＜接着層１０の形成＞
　図４７Ａに示すように、平坦化膜９の上に接着層１０を形成する。接着層１０の材料としては、例えば、紫外線硬化型、熱硬化型、あるいはそれら硬化反応機構併用型のシール樹脂を用いればよい。そのシール樹脂としては、例えば、エポキシ系、アクリル系、シリコーン系のシール樹脂、又はその変性樹脂が例示できる。
　接着層１０は、平坦化膜９上の外周領域ＡＲＡ２のみに形成する。

　＜透明基板３の貼り付け＞
　次に、前記形成した透明基板３を、図４７Ａに示すように、接着層１０の上に積層して貼り付ける。このとき、接着層１０内にスペーサー１４が埋設される。

　＜中空部１２の形成処理＞
　再配線処理が終了したら、図４７Ｂに示すように、貫通孔１１を介して犠牲層に対しエッチングを行い、犠牲層を除去する。これによって、犠牲層が存在していた位置に空洞が形成される。その空洞部分が、中空部１２となる。この中空部１２は、平坦化膜９の上面と透明基板３の下面と、接着層１０の内周面とに囲まれた空洞からなる。
　犠牲層のエッチングは、例えばドライエッチング法を用いて実行する。このとき、ドライエッチングに用いるガス種としては、ＸｅＦ_２、ＣｌＦ_３、ＢｒＦ_３などが例示できる。

　透明基板３について、エッチング処理において、接着層１０に埋設された外周側に位置する犠牲層の部分は、その内周側に位置する接着層１０のシール樹脂によってエッチングされずに残り、スペーサー１４となる。

　＜シール部材１３の形成＞
　シール部材１３は、形成しなくても形成してもよい。
　シール部材１３を形成する場合は、図４７Ｃに示すように、シール部材１３で、貫通孔１１を閉塞して封止する。
　第１０の製造方法によって、例えば第６の形態の固体撮像素子１を製造できる。

　（第１１の製造方法）
　第１１の製造方法について図面を参照しつつ説明する。
　＜透明基板３の形成＞
　透明基板３の形成方法は、第１の例の形成方法と同じであるため、説明を省略する（図３１Ｃ参照）。

　＜平坦化膜９の形成＞
　平坦化膜９の形成は、前記の透明基板３の形成の前でも後でも、同時期でも構わない。
　図４８Ａに示すように、素子が形成された基板２の上面（光入射面側の目）に対し、オンチップレンズ４を完全に覆うようにして平坦化膜９を形成する。

　＜接着層１０の形成＞
　図４８Ａに示すように、平坦化膜９の上に接着層１０を形成する。接着層１０の材料としては、例えば、紫外線硬化型、熱硬化型、あるいはそれら硬化反応機構併用型のシール樹脂を用いればよい。そのシール樹脂としては、例えば、エポキシ系、アクリル系、シリコーン系のシール樹脂、又はその変性樹脂が例示できる。
　接着層１０は、平坦化膜９上の外周領域ＡＲＡ２のみに形成しても良い。

　＜透明基板３の貼り付け＞
　次に、前記形成した透明基板３を、図４８Ｂに示すように、接着層１０の上に積層して貼り付ける。
　このとき、犠牲層が接着層１０に埋設されるが、外周側の接着層１０の部分１０は、犠牲層の側面に対向した状態となる。

　＜中空部１２の形成処理＞
　再配線処理が終了したら、図４８Ｃに示すように、貫通孔１１を介して犠牲層に対しエッチングを行い、犠牲層を除去する。これによって、犠牲層が存在していた位置に空洞が形成される。その空洞部分が、中空部１２となる。この中空部１２は、平坦化膜９の上面と透明基板３の下面と、接着層１０の内周面とに囲まれた空洞からなる。
　犠牲層のエッチングは、例えばドライエッチング法を用いて実行する。このとき、ドライエッチングに用いるガス種としては、ＸｅＦ_２、ＣｌＦ_３、ＢｒＦ_３などが例示できる。

　＜シール部材１３の形成＞
　シール部材１３は、形成しなくても形成してもよい。
　シール部材１３を形成する場合は、図４８Ｄに示すように、シール部材１３で、貫通孔１１を閉塞して封止する。
　第１１の製造方法によって、例えば第７の形態の固体撮像素子１を製造できる。

　（第１２の製造方法）
　第１２の製造方法について図面を参照しつつ説明する。
　＜透明基板３の形成＞
　透明基板３の形成方法は、第１の例の形成方法と同じであるため、説明を省略する（図３１Ｃ参照）。

　＜接着層１０の形成＞
　図４９Ａに示すように、素子が形成された基板２の上面（光入射面側の目）に対し、オンチップレンズ４の形成位置及び貫通孔１１と対向する位置の外周を囲むようにして接着層１０を形成する。接着層１０の材料としては、例えば、紫外線硬化型、熱硬化型、あるいはそれら硬化反応機構併用型のシール樹脂を用いればよい。そのシール樹脂としては、例えば、エポキシ系、アクリル系、シリコーン系のシール樹脂、又はその変性樹脂が例示できる。

　＜透明基板３の貼り付け＞
　次に、前記形成した透明基板３を、図４９Ｂに示すように、接着層１０の上に積層して貼り付ける。
　このとき、オンチップレンズ４の上方に犠牲層が位置している。

　＜中空部１２の形成処理＞
　再配線処理が終了したら、図４９Ｃに示すように、貫通孔１１を介して犠牲層に対しエッチングを行い、犠牲層を除去する。これによって、犠牲層が存在していた位置に空洞が形成される。その空洞部分が、中空部１２となる。この中空部１２は、平坦化膜９の上面と透明基板３の下面と、接着層１０の内周面とに囲まれた空洞からなる。

　＜シール部材１３の形成＞
　シール部材１３は、形成しなくても形成してもよい。
　シール部材１３を形成する場合は、図４９Ｄに示すように、シール部材１３で、貫通孔１１を閉塞して封止する。
　第１２の製造方法によって、例えば第８の形態の固体撮像素子１を製造できる。

　（第１３の製造方法）
　第１３の製造方法について図面を参照しつつ説明する。
　＜透明基板３の形成＞
　先ず、透明基板３の上面に、図５０Ａに示すように、マスク４０を形成する。
　次に、図５０Ｂに示すように、透明基板３の中央部側について、ガラスエッチングを実行して、凹部４１を形成する。ガラスエッチングは、ウエットでもドライでもよい。またサンドブラストなどのエッチング処理であっても良い。その後、マスクを剥離する。

　次に、図５０Ｃに示すように、凹部４１内に低屈折膜５０の塗布液を塗布して、凹部４１内全面に低屈折膜５０を成膜する。
　次に、図５０Ｄに示すように、凹部４１内に犠牲層を形成する。
　犠牲層は、有効画素領域ＡＲＡ１全体と対向可能な位置に形成する。

　犠牲層の形成は、例えば、先ず、凹部４１内に、ＣＶＤ法などにより多結晶シリコン、アモルファスシリコン、シリコン窒化などの成膜を行う。又は、凹部４１内に、陽極接合などを用いてシリコン基板を貼り付ける。シリコン基板の材料としては、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、シリコン窒化膜などが例示できる。

　次に、図５０Ｅに示すように、形成した犠牲層の上面に低屈折膜２０の塗布液を塗布して、低屈折膜２０を成膜する。

　＜平滑化膜の形成＞
　また、図５０Ｆに示すように、素子が形成された基板２のオンチップレンズ４を覆うようにして平滑化膜を成膜する。
　本製造方法では、平滑化膜は、例えば、樹脂性接着材で形成する。
　接着材は、その材料として、例えば、紫外線硬化型、熱硬化型、あるいはそれら硬化反応機構併用型のシール樹脂を用いればよい。そのシール樹脂としては、例えば、エポキシ系、アクリル系、シリコーン系のシール樹脂、又はその変性樹脂が例示できる。

　＜透明基板３の貼り付け処理＞
　次に、図５０Ｆに示すように、平滑化膜の上に前記の透明基板３を、凹部４１側を下側にして貼り付ける。
　次に、図５０Ｇに示すように、素子が形成された基板２の裏面側をエッチングして、素子が形成された基板２の薄肉化を行う。

　＜再配線処理＞
　次に、図５０Ｈに示すように、素子が形成された基板２の裏面側にＲＤＬ（再配線）やはんだボール６などの裏面電極やその他の裏面側の配線の形成を行う。

　次に、図５０Ｉに示すように、透明基板３をエッチングして、透明基板３の薄肉化を行う。
　次に、図５０Ｋに示すように、素子が形成された基板２の裏面側の裏面電極をラミネートする金属４２を接合する。

　＜貫通孔１１の形成＞
　次に、図５０Ｋに示すように、透明基板３に対し、凹部４１に連通する貫通孔１１を形成する。
　貫通孔１１は、外周領域ＡＲＡ２と対向可能な位置に犠牲層に連通するように形成する。
　貫通孔１１の形成処理は、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチング、レーザー加工などによって実行する。

　＜中空部１２の形成＞
　次に、図５０Ｌに示すように、貫通孔１１を介して犠牲層のエッチング処理を実行して、中空部１２を形成する。
　犠牲層のエッチングは、例えばドライエッチング法を用いて実行する。このとき、ドライエッチングに用いるガス種としては、ＸｅＦ_２、ＣｌＦ_３、ＢｒＦ_３などが例示できる。

　＜シール部材１３の形成＞
　シール部材１３は、形成しなくても形成してもよい。
　シール部材１３を形成する場合は、シール部材１３で、貫通孔１１を閉塞して封止する。

　＜個別化処理＞
　複数の固体撮像素子１からなるウェハ状の場合には、前記のような処理を実行した後、図５０Ｍに示すように、フィルム４３を貼り付け、ダイシング処理を実行して個別化を実行する。
　この処理は、他の製造方法でも同様である。

　（第１４の製造方法）
　第１４の製造方法について図面を参照しつつ説明する。
　第１４の製造方法の基本構成は、第１３の製造方法と同様である。ただし、凹部４１を形成する際に、凹部４１内に支持部２４を形成する点が異なる。

　＜透明基板３の形成＞
　第１４の製造方法では、透明基板３の上面にマスクを形成し、透明基板３の中央部側について、ガラスエッチングを実行して、上面に凹部４１を形成する。本製造方法では、凹部４１を形成する際に、図５１Ａに示すように、凹部４１内に支持部２４を形成する。支持部２４の上面は、透明基板３の外周部と面一とする。

　次に、マスクを剥離する。次に、図５１Ｂに示すように、凹部４１内に低屈折膜５０の塗布液を塗布して、凹部４１内全面に低屈折膜５０を成膜する。低屈折膜５０は、支持部２４の側面にも形成することが好ましい。

　次に、図５１Ｃに示すように、凹部４１内に犠牲層を形成する。犠牲層は、有効画素領域ＡＲＡ１全体と対向可能な位置に形成する。支持部２４が壁状の場合、犠牲層は、壁状の支持部２４によって区画される。
　次に、図５１Ｄに示すように、形成した犠牲層の上面に低屈折膜２０の塗布液を塗布して、低屈折膜２０を成膜する。

　＜平滑化膜の形成＞
　また、図５１Ｅに示すように、素子が形成された基板２のオンチップレンズ４を覆うようにして平滑化膜を成膜する。本製造方法では、平滑化膜は、例えば、接着層１０で形成する。

　＜透明基板３の貼り付け処理＞
　次に、図５１Ｅに示すように、平滑化膜の上に前記の透明基板３を、凹部４１側を下側にして貼り付ける。

　＜裏面配線処理＞
　次に、素子が形成された基板２の裏面側をエッチングして、素子が形成された基板２の薄肉化を行う。
　次に、素子が形成された基板２の裏面側にＲＤＬ（再配線）やはんだボール６などの裏面電極やその他の裏面側の配線の形成を行う。
　次に、透明基板３をエッチングして、透明基板３の薄肉化を行う。
　次に、素子が形成された基板２の裏面側の裏面電極をラミネートする金属４２を接合する。

　＜貫通孔１１の形成＞
　次に、図５１Ｆに示すように、透明基板３に対し、凹部４１に連通する貫通孔１１を形成する。
　貫通孔１１は、外周領域ＡＲＡ２と対向可能な位置に、支持部２４で区画された全ての犠牲層に連通するように形成する。
　貫通孔１１の形成処理は、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチング、レーザー加工などによって実行する。

　＜中空部１２の形成＞
　次に、図５１Ｇに示すように、貫通孔１１を介して犠牲層のエッチング処理を実行して、中空部１２を形成する。

　第１４の製造方法によって、例えば第１０の形態の固体撮像素子１を製造できる。

　（第１５の製造方法）
　第１５の製造方法について図面を参照しつつ説明する。
　第１５の製造方法の基本構成は、第１４の製造方法と同様である。ただし、凹部４１内に形成する支持部２４を犠牲層で構成させる点が異なる。

　＜透明基板３の形成＞
　先ず、透明基板３の上面に、マスクを形成する。
　次に、透明基板３の中央部側について、ガラスエッチングを実行して、凹部４１を形成する。
　次に、マスクを剥離する。
　次に、図５２Ａに示すように、凹部４１内に低屈折膜５０の塗布液を塗布して、凹部４１内全面に低屈折膜５０を成膜する。

　次に、図５２Ｂに示すように、凹部４１内に犠牲層を形成する。
　犠牲層は、有効画素領域ＡＲＡ１全体と対向可能な位置に形成する。
　犠牲層の形成の際に、ストッパーパターニング処理を実行して、支持部２４となる犠牲層部分の側面に低屈折膜２０ａを形成する。
　次に、図５２Ｃに示すように、形成した犠牲層の上面に低屈折膜２０の塗布液を塗布して、低屈折膜２０を成膜する。

　＜平滑化膜の形成＞
　また、図５２Ｄに示すように、素子が形成された基板２のオンチップレンズ４を覆うようにして平滑化膜を成膜する。
　本製造方法では、平滑化膜は、例えば、樹脂性接着材で形成する。

　＜透明基板３の貼り付け処理＞
　次に、図５２Ｄに示すように、平滑化膜の上に前記の透明基板３を、凹部４１側を下側にして貼り付ける。

　次に、素子が形成された基板２の裏面側をエッチングして、素子が形成された基板２の薄肉化を行う。
　＜裏面配線処理＞
　次に、素子が形成された基板２の裏面側にＲＤＬ（再配線）やはんだボール６などの裏面電極やその他の裏面側の配線の形成を行う。
　次に、透明基板３をエッチングして、透明基板３の薄肉化を行う。
　次に、素子が形成された基板２の裏面側の裏面電極をラミネートする金属４２を接合する。

　＜貫通孔１１の形成＞
　次に、透明基板３に対し、図５２Ｅに示すように、凹部４１に連通する貫通孔１１を形成する。
　貫通孔１１は、外周領域ＡＲＡ２と対向可能な位置に、支持部２４で区画された全ての犠牲層に連通するように形成する。
　貫通孔１１の形成処理は、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチング、レーザー加工などによって実行する。

　＜中空部１２の形成＞
　次に、図５２Ｆに示すように、貫通孔１１を介して犠牲層のエッチング処理を実行して、中空部１２を形成する。
　犠牲層のエッチングは、例えばドライエッチング法を用いて実行する。このとき、ドライエッチングに用いるガス種としては、ＸｅＦ_２、ＣｌＦ_３、ＢｒＦ_３などが例示できる。
　このとき、支持部２４となる犠牲層部分は、低屈折膜５０で保護されてエッチングされずに、中空部１２に残存する。

　＜シール部材１３の形成＞
　シール部材１３は、形成しなくても形成してもよい。
　シール部材１３を形成する場合は、シール部材１３で、貫通孔１１を閉塞して封止する。
　第１５の製造方法によって、例えば第１１の形態の固体撮像素子１を製造できる。

　（第１６の製造方法）
　第１６の製造方法について図面を参照しつつ説明する。
　第１６の製造方法の基本構成は、第１３の製造方法と同様である。ただし、貫通孔１１の形成が異なる。

　＜透明基板３の形成＞
　第１３の製造方法と同様に、透明基板３の上面の中央部側について、ガラスエッチングを実行して、凹部４１を形成する。
　その凹部４１内に低屈折膜５０の塗布液を塗布して、凹部４１内全面に低屈折膜５０を成膜する。
　次に、凹部４１内に犠牲層を形成する。犠牲層は、有効画素領域ＡＲＡ１全体と対向可能な位置に形成する。
　次に、形成した犠牲層の上面に低屈折膜２０の塗布液を塗布して、低屈折膜２０を成膜する。

　＜平滑化膜の形成＞
　また、第１３の製造方法と同様に、素子が形成された基板２のオンチップレンズ４を覆うようにして平滑化膜を成膜する。本製造方法では、平滑化膜は、例えば、接着層１０で形成する。

　＜透明基板３の貼り付け処理＞
　次に、平滑化膜の上に前記の透明基板３を、凹部４１側を下側にして貼り付ける。

　＜裏面配線処理＞
　次に、素子が形成された基板２の裏面側をエッチングして、素子が形成された基板２の薄肉化を行う。
　次に、素子が形成された基板２の裏面側にＲＤＬ（再配線）やはんだボール６などの裏面電極やその他の裏面側の配線の形成を行う。
　次に、透明基板３をエッチングして、透明基板３の薄肉化を行う。
　次に、素子が形成された基板２の裏面側の裏面電極をラミネートする金属４２を接合する（図５３Ａ参照）。

　＜個別化処理＞
　図５３Ｂに示すように、複数の固体撮像素子１のからなるウェハ状に対し、フィルム４３を貼り付け、ダイシング処理を実行して個別化を実行する。

　＜貫通孔１１の形成＞
　次に、個別化した各固体撮像素子１毎に、図５３Ｃに示すように、透明基板３の側壁に対し、凹部４１に連通する貫通孔１１を形成する。貫通孔１１は、外周領域ＡＲＡ２と対向可能な位置に犠牲層に連通するように形成する。
　貫通孔１１の形成処理は、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチング、レーザー加工などによって実行する。

　＜中空部１２の形成＞
　次に、個別化した各固体撮像素子１毎に、図５３Ｄに示すように、貫通孔１１を介して犠牲層のエッチング処理を実行して、中空部１２を形成する。

　＜シール部材１３の形成＞
　シール部材１３は、形成しなくても形成してもよい。
　シール部材１３を形成する場合は、シール部材１３で、貫通孔１１を閉塞して封止する。
　第１６の製造方法によって、例えば第１２の形態の固体撮像素子１を製造できる。

　（第１７の製造方法）
　第１７の製造方法について図面を参照しつつ説明する。
　第１７の製造方法の基本構成は、第１４の製造方法と同様である。ただし、貫通孔１１の形成位置が異なる。

　＜透明基板３の形成＞
　第１４の製造方法と同様に、透明基板３を形成する。
　すなわち、先ず、透明基板３の上面の中央部側について、ガラスエッチングを実行して、凹部４１を形成する。凹部４１を形成する際に、凹部４１内に支持部２４を形成する。

　次に、凹部４１内に低屈折膜５０の塗布液を塗布して、凹部４１内全面に低屈折膜５０を成膜する。低屈折膜５０は、支持部２４の側面にも形成することが好ましい。
　次に、凹部４１内に犠牲層を形成する。犠牲層は、有効画素領域ＡＲＡ１全体と対向可能な位置に形成する。支持部２４が壁状の場合、犠牲層は、壁状の支持部２４によって区画される。
　次に、形成した犠牲層の上面に低屈折膜２０の塗布液を塗布して、低屈折膜２０を成膜する。

　＜平滑化膜の形成＞
　また、素子が形成された基板２のオンチップレンズ４を覆うようにして平滑化膜を成膜する。
　本製造方法では、平滑化膜は、例えば、接着層１０で形成する。

　＜透明基板３の貼り付け処理＞
　次に、平滑化膜の上に前記の透明基板３を、凹部４１側を下側にして貼り付ける。
　次に、素子が形成された基板２の裏面側をエッチングして、素子が形成された基板２の薄肉化を行う。

　＜裏面配線処理＞
　次に、素子が形成された基板２の裏面側にＲＤＬ（再配線）やはんだボール６などの裏面電極やその他の裏面側の配線の形成を行う。
　次に、透明基板３をエッチングして、透明基板３の薄肉化を行う。
　次に、素子が形成された基板２の裏面側の裏面電極をラミネートする金属４２を接合する（図５４Ａ参照）。

　＜個別化処理＞
　次に、図５４Ｂに示すように、複数の固体撮像素子１のからなるウェハ状に対し、フィルム４３を貼り付け、ダイシング処理を実行して個別化を実行する。

　＜貫通孔１１の形成＞
　次に、個別化した各固体撮像素子１に対し、図５４Ｃに示すように、透明基板３の側面に、凹部４１に連通する貫通孔１１を形成する。

　貫通孔１１は、外周領域ＡＲＡ２と対向可能な位置に、支持部２４で区画された全ての犠牲層に連通するように形成する。貫通孔１１の形成処理は、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチング、レーザー加工などによって実行する。

　＜中空部１２の形成＞
　次に、個別化した各固体撮像素子１に対し、図５４Ｄに示すように、貫通孔１１を介して犠牲層のエッチング処理を実行して、中空部１２を形成する。

　＜シール部材１３の形成＞
　シール部材１３は、形成しなくても形成してもよい。
　シール部材１３を形成する場合は、シール部材１３で、貫通孔１１を閉塞して封止する。
　第１７の製造方法によって、例えば第１３の形態の固体撮像素子１を製造できる。

　（第１８の製造方法）
　第１８の製造方法について図面を参照しつつ説明する。
　第１８の製造方法の基本構成は、第１５の製造方法と同様である。ただし、貫通孔１１の凹部４１を形成する支持部２４を犠牲層で構成させる点が異なる。

　＜透明基板３の形成＞
　透明基板３を、第１５の製造方法と同様にして形成する。
　すなわち、先ず、透明基板３の上面の中央部側について、ガラスエッチングを実行して、凹部４１を形成する。

　次に、凹部４１内に低屈折膜５０の塗布液を塗布して、凹部４１内全面に低屈折膜５０を成膜する。
　次に、凹部４１内に犠牲層を形成する。犠牲層は、有効画素領域ＡＲＡ１全体と対向可能な位置に形成する。
　犠牲層の形成の際に、ストッパーパターニング処理を実行して、支持部２４となる犠牲層部分の側面に低屈折膜５０を形成する。

　次に、形成した犠牲層の上面に低屈折膜２０の塗布液を塗布して、低屈折膜２０を成膜する。

　＜裏面配線処理＞
　次に、素子が形成された基板２の裏面側にＲＤＬ（再配線）やはんだボール６などの裏面電極やその他の裏面側の配線の形成を行う。
　次に、透明基板３をエッチングして、透明基板３の薄肉化を行う。
　次に、素子が形成された基板２の裏面側の裏面電極をラミネートする金属を接合する。

　＜個別化処理＞
　複数の固体撮像素子１のからなるウェハ状に対し、フィルム４３を貼り付け、ダイシング処理を実行して個別化を実行する（図５５Ａ参照）。

　＜貫通孔１１の形成＞
　次に、個別化した各固体撮像素子１に対し、図５５Ｂに示すように、透明基板３の側面に、凹部４１に連通する貫通孔１１を形成する。
　このとき、貫通孔１１は、外周領域ＡＲＡ２と対向可能な位置に、支持部２４で区画された全ての犠牲層に連通するように形成する。貫通孔１１の形成処理は、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチング、レーザー加工などによって実行する。

　＜中空部１２の形成＞
　次に、個別化した各固体撮像素子１に対し、図５５Ｃに示すように、貫通孔１１を介して犠牲層のエッチング処理を実行して、中空部１２を形成する。
　犠牲層のエッチングは、例えばドライエッチング法を用いて実行する。このとき、ドライエッチングに用いるガス種としては、ＸｅＦ_２、ＣｌＦ_３、ＢｒＦ_３などが例示できる。

　＜シール部材１３の形成＞
　シール部材１３は、形成しなくても形成してもよい。
　シール部材１３を形成する場合は、シール部材１３で、貫通孔１１を閉塞して封止する。
　第１８の製造方法によって、例えば第１４の形態の固体撮像素子１を製造できる。

　（第１９の製造方法）
　第１９の製造方法について図面を参照しつつ説明する。
　第１９の製造方法の基本構成は、第１７の製造方法と同様である。ただし、貫通孔１１の形成を、個別化前に行う点が異なる。

　＜裏面配線処理＞
　次に、素子が形成された基板２の裏面側にＲＤＬ（再配線）やはんだボール６などの裏面電極やその他の裏面側の配線の形成を行う。
　次に、透明基板３をエッチングして、透明基板３の薄肉化を行う。
　次に、素子が形成された基板２の裏面側の裏面電極をラミネートする金属を接合する（図５６Ａ参照）。

　＜貫通孔１１の形成＞
　次に、図５６Ｂに示すように、各固体撮像素子１に対し、透明基板３の側面に、凹部４１に連通する貫通孔１１を形成する。

　＜中空部１２の形成＞
　次に、図５６Ｃに示すように、貫通孔１１を介して犠牲層のエッチング処理を実行して、中空部１２を形成する。
　犠牲層のエッチングは、例えばドライエッチング法を用いて実行する。このとき、ドライエッチングに用いるガス種としては、ＸｅＦ_２、ＣｌＦ_３、ＢｒＦ_３などが例示できる。

　＜個別化処理＞
　複数の固体撮像素子１のからなるウェハ状の場合には、前記のような処理を実行したら、フィルムを貼り付け、ダイシング処理を実行して個別化を実行する。

　ここで、全製造方法において、複数の固体撮像素子１の製造は、ウェハ単位で実施しても、チップ単位で実施しても構わない。
　第１９の製造方法によって、例えば第１３の形態の固体撮像素子１を製造できる。

　（第２０の製造方法）
　第２０の製造方法について図面を参照しつつ説明する。
　第２０の製造方法の基本構成は、第１９の製造方法と同様である。ただし、貫通孔１１の形成位置が異なる。

　＜透明基板３の形成＞
　第１４の製造方法と同様に、透明基板３を形成する。
　すなわち、先ず、透明基板３の上面の中央部側について、ガラスエッチングを実行して、凹部４１を形成する。凹部４１を形成する際に、凹部４１内に支持部２４を形成する。
　次に、凹部４１内に低屈折膜５０の塗布液を塗布して、凹部４１内全面に低屈折膜５０を成膜する。低屈折膜５０は、支持部２４の側面にも形成することが好ましい。

　次に、凹部４１内に犠牲層を形成する。犠牲層は、有効画素領域ＡＲＡ１全体と対向可能な位置に形成する。支持部２４が壁状の場合、犠牲層は、壁状の支持部２４によって区画される。
　次に、形成した犠牲層の上面に低屈折膜２０の塗布液を塗布して、低屈折膜２０を成膜する。

　＜貫通孔１１の形成＞
　次に、図５７Ａに示すように、凹部４１に連通する貫通孔１１を形成する。
　ただし、本製造方法では、図５７Ａに示すように、貫通孔１１は、外周領域ＡＲＡ２と対向可能な位置に、支持部２４で区画された全ての犠牲層に連通するように形成する。

　本製造方法では、貫通孔１１を板厚方向に形成すると共に、透明基板３の側面側にも形成している。貫通孔１１の形成処理は、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチング、レーザー加工などによって実行する。

　＜中空部１２の形成＞
　次に、図５７Ｂに示すように、貫通孔１１を介して犠牲層のエッチング処理を実行して、中空部１２を形成する。
　犠牲層のエッチングは、例えばドライエッチング法を用いて実行する。このとき、ドライエッチングに用いるガス種としては、ＸｅＦ_２、ＣｌＦ_３、ＢｒＦ_３などが例示できる。

　第２０の製造方法によって、例えば第１５の形態の固体撮像素子１を製造できる。
　ここで、全製造方法において、複数の固体撮像素子１の製造は、ウェハ単位で実施しても、チップ単位で実施しても構わない。

　（作用その他）
　一般に、フレアは、画素への入射光が周期的に配置されたオンチップレンズ４（マイクロレンズ）において反射する際に回折現象が起こり、入射光が垂直に近い反射から遠い方向への反射等、いろいろな角度で反射し、入射すべき画素から離れた画素に入射すること等により発生する。

　本開示のように、中空部１２を形成しない場合、例えばオンチップレンズ４の周期性から発生する光の回折現象に起因するフレアが顕著に発生する。
　これに対し、本開示では、オンチップレンズ４の上方に中空部１２を設けることで光の回折現象に起因するフレアの発生を抑えることができる。
　さらに、本開示は、貫通孔１１を有することで、中空部１２が湿気の籠もり難い中空部構造となる。

　また、本開示は、オンチップレンズ４の上方に中空部１２を設けても、オンチップレンズ４の上方に平滑化膜を形成する。このため、透明基板３を薄肉化して、透明基板３がたわみ易くなっても、透明基板３のたわみで当該透明基板３がオンチップレンズ４に接触することが防止される。この結果、オンチップレンズ４の機能を損なうことを抑制できる。

　また、貫通孔１１を設けても、シール部材１３で閉塞する場合には、貫通孔１１を介して中空部１２内へのダスト侵入による画素劣化や、貫通孔１１を介して中空部１２内への水分の侵入による信頼性劣化を防止できる。

　ここで、シール部材１３に黒色色素を添加した場合には、貫通孔１１位置でもフレアが抑制されてフレア抑制機能を強化可能となる。すなわち、シール部材１３に、カーボンブラック、チタンブラック、鉄酸化物、銅とクロムの複合酸化物、銅、クロム、亜鉛の複合酸化物などの黒色色素を添加させてもよい。これらの樹脂中の黒色色素を添加することで、マイクロレンズや、配線層などからの反射光起因によるフレアが抑制され固体撮像素子１の画質が向上する。

　また、本開示の固体撮像素子１の製造方法は、中空部１２の形成位置に犠牲層を設けておくことで、中空部１２の形成を、再配線処理の前後のどちらでも可能であり、また、個別化処理の後であっても中空部１２の形成が可能である。

　すなわち、本開示では、最終的に中空部１２を有する構造であっても、ウェーハプロセスで承けるダメージは、犠牲層により保護される。この結果、製造プロセスの選択肢の自由度が向上する。また、中空部１２のスペースは、犠牲層の厚みによって微調整可能であるため、中空部１２として確実なスペースを確保できるともに、低背化が可能となる。このように、中空部１２の厚さの微調整が可能となり且つ、キャビティの安定形成機能を兼ねることができる。これにより固体撮像素子１の小型を図ることができる。

　例えば、本開示の一実施の形態では、キャビティ型固体撮像素子１の中空層の形成に際して、犠牲層を形成しウェーハプロセスで受けるダメージは犠牲層により保護する。また、犠牲層は再配線形成後に貫通孔１１を利用してエッチング除去することで再配線層形成時の機械的強度アップと、キャビティスペースの確実な確保及び、低背化が可能となる。

　このように、本開示においては、キャビティ型固体撮像素子１のチップサイズパッケージ化を図り、且つ、安定したキャビティスペースが確保できる。すなわち、犠牲層を形成し、中空構造を実現することで、固体撮像素子１の製造工程における機械的強度がアップし歩留まりが向上して、コスト削減を図ることが可能となる。
　ここで、本開示の固体撮像素子１を用いた電子機器は、光学系と、撮像装置と、信号処理回路とを備えた構成とすることが出来る。

　また、中空部１２の側面を接着層１０で形成する場合に、接着層１０にスペーサー１４を設けることで、スペーサー１４は、中空部１２を構成する側壁の機械的強度アップに寄与する。このとき、製造の際に、スペーサー１４を、透明基板３から突出するように透明基板３の下面を成形する際に形成したり、犠牲層の一部をスペーサー１４としたりすることで、簡易にスペーサー１４を設けることができる。

　また、低屈折膜５０を設けた場合、低屈折膜５０は、反射防止膜及び保護膜として作用する。この結果、中空部１２を設けても、画質低下を防止出来る。

　また、最終的に中空部１２を有する構造であっても、前記のように、中空部１２の形成位置に犠牲層を設けることで、製造時の剛性が確保されて、透明基板３を薄肉化してもクラックなどの発生を抑制することができる。さらに、中空部１２内に支持部２４を設けた場合には、中空部構造を形成したあとであっても、透明基板３のたわみを抑制できて、透明基板３の平坦性が確保可能となり、中空部１２を設けても、透明基板３のたわみによる画質低下を抑制可能となる。

　なお、本明細書に記載された作用・効果は、あくまでも例示であって限定されるものではなく、本明細書に記載されたもの以外の効果があっても良い。

　本開示は、以下のような構成も取ることができる。
　（その他）
　（１）
　素子が形成された基板の光入射側に形成されたオンチップレンズを覆う平坦化膜と、
　前記平坦化膜の前記光入射側に形成された透明基板と、
　前記平坦化膜と前記透明基板との間及び前記透明基板内の少なくとも一方に対し、平面視で前記オンチップレンズと重なる領域に形成された中空部と、
　前記中空部を外部に連通する貫通孔と、
　を備えたパッケージ。
　この構成によれば、オンチップレンズの上方に中空部を設けることで、光の回折現象に起因するフレアの発生を抑えることができる。すなわち、マイクロレンズや、配線層などからの反射光起因によるフレアが抑制されパッケージの画質が向上する。
　また、貫通孔を有することで、中空部が湿気の籠もり難い中空部構造となる。
　また、オンチップレンズの上方に中空部を設けても、オンチップレンズの上方に平滑化膜を形成する。このため、透明基板を薄肉化して、透明基板がたわみ易くなっても、透明基板のたわみで当該透明基板がオンチップレンズに接触することが防止される。この結果、オンチップレンズ４の機能を損なうことを抑制できる。
　（２）
　前記貫通孔を閉塞するシール部材を備える、前記（１）に記載のパッケージ。
　この構成によれば、貫通孔をシール部材で閉塞することで、貫通孔を介して中空部内へのダスト侵入による画素劣化や、貫通孔を介して中空部内への水分の侵入による信頼性劣化を防止できる。
　（３）
　前記シール部材は、黒色色素が添加された材料からなる、前記（２）に記載のパッケージ。
　この構成によれば、シール部材に黒色色素を添加することで、貫通孔位置でもフレアが抑制されてフレア抑制機能を強化可能となる。
　（４）
　前記中空部は、前記平坦化膜と前記透明基板との間に形成され、
　前記透明基板は、前記平坦化膜の前記光入射側に、前記中空部の外周に位置する接着層を介して積層し、
　前記接着層は、スペーサーを含む、
　前記（１）～（３）のいずれかに記載のパッケージ。
　この構成によれば、中空部の側面を接着層で形成する場合に、接着層にスペーサーを設けることで、スペーサーは、中空部を構成する側壁の機械的強度アップに寄与する。
　なお、製造の際に、スペーサーを、透明基板から突出するように透明基板の下面を成形する際に形成したり、犠牲層の一部をスペーサーとしたりすることで、簡易にスペーサーを設けることができる。
　（５）
　前記中空部は、前記平坦化膜と前記透明基板との間に形成され、
　前記中空部内に、光透過性の材料からなり、前記透明基板の厚さ方向に延在する柱状若しくは壁状の支持部を有する、
　前記（１）～（４）のいずれかに記載のパッケージ。
　この構成よれば、中空部を形成し、仮に透明基板を薄肉化しても、透明基板のたわみをより抑制可能となる。すなわち、透明基板のたわみを抑制できて、透明基板の平坦性が確保可能となり、中空部を設けても、透明基板のたわみによる画質低下を抑制可能となる。
　（６）
　前記平坦化膜の前記透明基板側の面、及び前記透明基板の前記中空部を形成する面のうちの少なくとも前記平坦化膜の面に、前記平坦化膜よりも低屈折率の材料からなる低屈折膜が形成されている、
　前記（１）～（５）のいずれかに記載のパッケージ。
　この構成によれば、よりフレアを抑制可能となる。
　（７）
　前記貫通孔が前記透明基板に形成される、
　前記（１）～（６）のいずれかに記載のパッケージ。
　この構成によれば、より確実に貫通孔を形成可能となる。
　（８）
　前記貫通孔は、前記透明基板の厚さ方向と交差する方向に延在する、
　前記（１）～（７）のいずれかに記載のパッケージ。
　この構成によれば、例えば、透明基板の上面に貫通孔を開口しなくても良い。
　（９）
　素子が形成された基板のオンチップレンズを覆う平坦化膜を形成し、
　前記平坦化膜の前記光入射側に、犠牲層と前記犠牲層の外周に配置される接着層を介して、透明基板を積層し、
　前記犠牲層を外部に連通する貫通孔を形成し、
　前記透明基板の積層後に、前記貫通孔を介して前記犠牲層をエッチングして中空部を形成する、
　パッケージの製造方法。
　この構成によれば、中空部の形成位置に犠牲層を設けておくことで、中空部の形成を、再配線処理の前後のどちらでも可能であり、また、個別化処理の後であっても中空部の形成が可能である。
　また、最終的に中空部を有する構造であっても、ウェーハプロセスで承けるダメージは、犠牲層により保護される。この結果、製造プロセスの選択肢の自由度が向上する。また、中空部のスペースは、犠牲層の厚みによって微調整可能であるため、中空部として確実なスペースを確保できるともに、低背化が可能となる。このように、中空部の厚さの微調整が可能となり且つ、キャビティの安定形成機能を兼ねることができる。これによりパッケージの小型を図ることができる。
　（１０）
　素子が形成された基板の光入射側に形成したオンチップレンズを覆う平坦化膜を形成し、
　透明基板における、前記オンチップレンズと対向可能な面に凹部を形成し、
　前記凹部内に犠牲層を形成し、
　前記平坦化膜の前記光入射側に、前記犠牲層を前記平坦化膜に対向させた状態で、前記透明基板を積層し、
　前記犠牲層を外部に連通する貫通孔を形成し、
　前記透明基板の積層後に、前記貫通孔を介して前記犠牲層をエッチングして中空部を形成する、
　パッケージの製造方法。
　この構成によれば、中空部の形成位置に犠牲層を設けておくことで、中空部の形成を、再配線処理の前後のどちらでも可能であり、また、個別化処理の後であっても中空部の形成が可能である。
　また、最終的に中空部を有する構造であっても、ウェーハプロセスで承けるダメージは、犠牲層により保護される。この結果、製造プロセスの選択肢の自由度が向上する。また、中空部のスペースは、犠牲層の厚みによって微調整可能であるため、中空部として確実なスペースを確保できるともに、低背化が可能となる。このように、中空部の厚さの微調整が可能となり且つ、キャビティの安定形成機能を兼ねることができる。これによりパッケージの小型を図ることができる。
　（１１）
　素子が形成された基板光入射側に形成されたオンチップレンズを覆う平坦化膜を形成し、
　前記平坦化膜の前記光入射側に透明基板を積層し、
　前記積層される透明基板は、複数枚のガラス基板を積層して形成され、
　複数枚のガラス基板を構成するいずれかのガラス基板間に犠牲層を封止し、
　前記犠牲層を外部に連通する貫通孔を形成し、
　前記透明基板の積層後に、前記貫通孔を介して前記犠牲層をエッチングして中空部を形成する、パッケージの製造方法。
　この構成によれば、中空部の形成位置に犠牲層を設けておくことで、中空部の形成を、再配線処理の前後のどちらでも可能であり、また、個別化処理の後であっても中空部の形成が可能である。
　また、最終的に中空部を有する構造であっても、ウェーハプロセスで承けるダメージは、犠牲層により保護される。この結果、製造プロセスの選択肢の自由度が向上する。また、中空部のスペースは、犠牲層の厚みによって微調整可能であるため、中空部として確実なスペースを確保できるともに、低背化が可能となる。このように、中空部の厚さの微調整が可能となり且つ、キャビティの安定形成機能を兼ねることができる。これによりパッケージの小型を図ることができる。
　（１２）
　前記中空部を形成した後に、前記貫通孔をシール部材で閉塞する、
　前記（９）～（１１）のいずれかに記載のパッケージの製造方法。
　この構成によれば、貫通孔をシール部材で閉塞することで、貫通孔を介して中空部内へのダスト侵入による画素劣化や、貫通孔を介して中空部内への水分の侵入による信頼性劣化を防止できる。
　（１３）
　前記平坦化膜の前記光入射側に前記透明基板を積層後に、前記貫通孔を形成する、
　前記（９）～（１２）のいずれかに記載のパッケージの製造方法。
　この構成によれば、貫通孔形成を調整可能となる。
　（１４）
　前記素子が形成された基板の裏面側に再配線を形成した後に、前記犠牲層のエッチングを実行する、
　前記（９）～（１３）のいずれかに記載のパッケージの製造方法。
　この構成によれば、最終的に中空部を有する構造であっても、再配線を形成時の剛性を確保可能となる。
　（１５）
　前記接着層が当接する前記透明基板の面に、前記接着層に向けて突出するスペーサーが形成されている、
　前記（９）～（１４）のいずれかに記載のパッケージの製造方法。
　この構成によれば、中空部の側面を接着層で形成する場合に、接着層にスペーサーを設けることで、スペーサーは、中空部を構成する側壁の機械的強度アップに寄与する。
　なお、製造の際に、スペーサーを、透明基板から突出するように透明基板の下面を成形する際に形成したり、犠牲層の一部をスペーサーとしたりすることで、簡易にスペーサーを設けることができる。
　（１６）
　前記平坦化膜の面の上、及び前記犠牲層と当接する前記透明基板の面の少なくとも一方に、前記平坦化膜よりも低屈折率の材料からなる低屈折膜を形成する
　前記（９）～（１５）のいずれかに記載のパッケージの製造方法。
　この構成によれば、よりフレア発生を抑制可能となる。
　（１７）
　前記透明基板における前記犠牲層に当接する面から、前記犠牲層内に突出する支持部を有し、前記支持部は、前記犠牲層を形成する前に前記透明基板の面に形成される、
　前記（９）～（１６）のいずれかに記載のパッケージの製造方法。
　（１８）
　前記透明基板における前記犠牲層に当接する面から、前記犠牲層内に突出する支持部を有し、前記支持部は、前記犠牲層の材料を含む、
　前記（９）～（１６）のいずれかに記載のパッケージの製造方法。
　この構成によれば、中空部を形成しても、透明基板のたわみを抑制可能となる。
　（１９）
　前記貫通孔を、前記透明基板の厚さ方向と交差する方向に延在させて形成する、
　前記（９）～（１８）のいずれかに記載のパッケージの製造方法。
　この構成によれば、貫通孔の形成自由度が向上する。
　（２０）
　前記貫通孔を、平面視でオンチップレンズ全体と重なる領域よりも外周側に形成する、
　前記（９）～（１９）のいずれかに記載のパッケージの製造方法。
　貫通孔による画素への影響を小さくすることができる。
　（２１）
　前記中空部の側壁が接着層で構成され、
　前記貫通孔が前記接着層に形成される、
　前記（１）～（６）のいずれかに記載のパッケージ。
　（２２）
　前記中空部は、平坦化膜と前記透明基板との間に封止され、
　前記中空部の側面は、平滑化膜と透明基板とを接続する接着層で構成される、
　前記（１）～（８）のいずれかに記載のパッケージ。
　（２３）
　前記中空部は、透明基板の下面に形成した凹部と平滑化膜で構成される、
　前記（１）～（８）のいずれかに記載のパッケージ。
　（２４）
　前記中空部は、前記透明基板内に封止され、
　前記透明基板は、複数層のガラス基板からなり、隣り合ういずれかのガラス基板間に前記中空部が形成された、
　前記（１）～（８）のいずれかに記載のパッケージ。
　（２５）
　前記スペーサーは、前記透明基板と同じ材料が構成されて、当該透明基板と一体となっている、
　前記（４）に記載のパッケージ。
　（２６）
　前記支持部は、前記透明基板と同じ材料が構成されて、当該透明基板と一体となっている、
　前記（５）に記載のパッケージ。
　（２７）
　前記貫通孔は、ガラス基板の側面に開口する、
　前記（８）に記載のパッケージ。
　（２８）
　前記貫通孔を介して前記犠牲層をエッチングして中空部を形成する処理は、前記再配線処理の後に行う、
　前記（１４）に記載のパッケージの製造方法。
　（２９）
　前記貫通孔は、前記透明基板の積層後に形成する、
　前記（９）～（２０）のいずれかに記載のパッケージの製造方法。
　（３０）
　前記貫通孔は、前記透明基板の積層前に形成する、
　前記（９）～（２０）のいずれかに記載のパッケージの製造方法。
　（３１）
　前記支持部は、透明基板の一体に形成される、
　前記（１７）に記載のパッケージの製造方法。
　（３２）
　前記貫通孔は、透明基板の側面に開口する、
　前記（１９）に記載のパッケージの製造方法。

　本開示の範囲は、図示され記載された例示的な実施形態に限定されるものではなく、本開示が目的とするものと均等な効果をもたらす全ての実施形態をも含む。更に、本開示の範囲は、請求項により画される発明の特徴の組み合わせに限定されるものではなく、全ての開示されたそれぞれの特徴のうち特定の特徴のあらゆる組み合わせによって画されうる。

１固体撮像素子（パッケージ）
２素子が形成された基板
３透明基板
３Ａ上側のガラス基板
３Ｂ下側のガラス基板
４オンチップレンズ
９平坦化膜
１０接着層
１０Ａ内周側部分
１０Ｂ外周側部分
１１貫通孔
１２中空部
１３シール部材
１４スペーサー
１４犠牲層
１５接着剤の層
２０，５０低屈折膜
２０ａ低屈折膜
２４支持部
４１凹部
ＡＲＡ１有効画素領域
ＡＲＡ２外周領域

Claims

　素子が形成された基板の光入射側に形成されたオンチップレンズを覆う平坦化膜と、
　前記平坦化膜の前記光入射側に形成された透明基板と、
　前記平坦化膜と前記透明基板との間及び前記透明基板内の少なくとも一方に対し、平面視で前記オンチップレンズと重なる領域に形成された中空部と、
　前記中空部を外部に連通する貫通孔と、
　を備えたパッケージ。
　前記貫通孔を閉塞するシール部材を備える、請求項１に記載のパッケージ。
　前記シール部材は、黒色色素が添加された材料からなる請求項２に記載のパッケージ。
　前記中空部は、前記平坦化膜と前記透明基板との間に形成され、
　前記透明基板は、前記平坦化膜の前記光入射側に、前記中空部の外周に位置する接着層を介して積層し、
　前記接着層は、スペーサーを含む、
　請求項１に記載のパッケージ。
　前記中空部は、前記平坦化膜と前記透明基板との間に形成され、
　前記中空部内に、光透過性の材料からなり、前記透明基板の厚さ方向に延在する柱状若しくは壁状の支持部を有する、
　請求項１に記載のパッケージ。
　前記平坦化膜の前記透明基板側の面、及び前記透明基板の前記中空部を形成する面のうちの少なくとも前記平坦化膜の面に、前記平坦化膜よりも低屈折率の材料からなる低屈折膜が形成されている、
　請求項１に記載のパッケージ。
　前記貫通孔が前記透明基板に形成される、請求項１に記載のパッケージ。
　前記貫通孔は、前記透明基板の厚さ方向と交差する方向に延在する、請求項１に記載のパッケージ。
　素子が形成された基板の光入射側に形成されたオンチップレンズを覆う平坦化膜を形成し、
　前記平坦化膜の前記光入射側に、犠牲層と前記犠牲層の外周に配置される接着層を介して、透明基板を積層し、
　前記犠牲層を外部に連通する貫通孔を形成し、
　前記透明基板の積層後に、前記貫通孔を介して前記犠牲層をエッチングして中空部を形成する、
　パッケージの製造方法。
　素子が形成された基板の光入射側に形成されたオンチップレンズを覆う平坦化膜を形成し、
　透明基板における、前記オンチップレンズと対向可能な面に凹部を形成し、
　前記凹部内に犠牲層を形成し、
　前記平坦化膜の前記光入射側に、前記犠牲層を前記平坦化膜に対向させた状態で、前記透明基板を積層し、
　前記犠牲層を外部に連通する貫通孔を形成し、
　前記透明基板の積層後に、前記貫通孔を介して前記犠牲層をエッチングして中空部を形成する、
　パッケージの製造方法。
　素子が形成された基板の光入射側に形成されたオンチップレンズを覆う平坦化膜を形成し、
　前記平坦化膜の前記光入射側に透明基板を積層し、
　前記積層される透明基板は、複数枚のガラス基板を積層して形成され、
　複数枚のガラス基板を構成するいずれかのガラス基板間に犠牲層を封止し、
　前記犠牲層を外部に連通する貫通孔を形成し、
　前記透明基板の積層後に、前記貫通孔を介して前記犠牲層をエッチングして中空部を形成する、パッケージの製造方法。
　前記中空部を形成した後に、前記貫通孔をシール部材で閉塞する、請求項９に記載のパッケージの製造方法。
　前記平坦化膜の前記光入射側に前記透明基板を積層後に、前記貫通孔を形成する、請求項９に記載のパッケージの製造方法。
　前記基板の裏面側に再配線を形成した後に、前記犠牲層のエッチングを実行する、
　請求項９に記載のパッケージの製造方法。
　前記接着層が当接する前記透明基板の面に、前記接着層に向けて突出するスペーサーが形成されている、請求項９に記載のパッケージの製造方法。
　前記平坦化膜の面の上、及び前記犠牲層と当接する前記透明基板の面の少なくとも一方に、前記平坦化膜よりも低屈折率の材料からなる低屈折膜を形成する、請求項９に記載のパッケージの製造方法。
　前記透明基板における前記犠牲層に当接する面から、前記犠牲層内に突出する支持部を有し、前記支持部は、前記犠牲層を形成する前に前記透明基板の面に形成される、
　請求項９に記載のパッケージの製造方法。
　前記透明基板における前記犠牲層に当接する面から、前記犠牲層内に突出する支持部を有し、前記支持部は、前記犠牲層の材料を含む、
　請求項９に記載のパッケージの製造方法。
前記貫通孔を、前記透明基板の厚さ方向と交差する方向に延在させて形成する、請求項９に記載のパッケージの製造方法。
　前記貫通孔を、平面視でオンチップレンズ全体と重なる領域よりも外周側に形成する、請求項９に記載のパッケージの製造方法。