WO2022039019A1

WO2022039019A1 - 電子デバイス封止用組成物、電子デバイス封止膜形成方法及び電子デバイス封止膜

Info

Publication number: WO2022039019A1
Application number: PCT/JP2021/028768
Authority: WO
Inventors: 昇太広沢; 千代子竹村
Original assignee: コニカミノルタ株式会社
Priority date: 2020-08-19
Filing date: 2021-08-03
Publication date: 2022-02-24
Also published as: TW202219232A; CN116096563A; JPWO2022039019A1

Abstract

本発明の電子デバイス封止用組成物は、光硬化性モノマー及び光重合開始剤を含有する封止用組成物で、前記光硬化性モノマーが、芳香族炭化水素基を有さない光硬化性モノマー（Ａ）と、芳香族炭化水素基を有する光硬化性モノマー（Ｂ）を含有し、光硬化性モノマー（Ｂ）が、特定構造を有する置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含む炭化水素基、又は置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含むヘテロ原子含有炭化水素基を含み、光硬化性モノマー（Ｂ）が、少なくともモノ（メタ）アクリレート又はジ（メタ）アクリレートを含み、さらに、金属アルコキシド化合物、金属キレート化合物、シラン系化合物、シラザン系化合物及び金属ハロゲン化物系化合物から選ばれる金属含有化合物（Ｃ）を含有する。

Description

電子デバイス封止用組成物、電子デバイス封止膜形成方法及び電子デバイス封止膜

　本発明は、電子デバイス封止用組成物、電子デバイス封止膜形成方法及び電子デバイス封止膜に関し、特に、水分透過を防止し、封止性能及び屈曲耐性に優れ、発光効率を向上させることができる電子デバイス封止用組成物等に関する。

　電子デバイス、特に有機エレクトロルミネッセンスデバイス（以下、「有機ＥＬデバイス」又は「有機ＥＬ素子」ともいう。）は、用いられている有機材料や電極が水分により劣化することを防止するため、有機ＥＬ素子の表面を封止層により覆うことが提案されている。

　有機ＥＬ素子を封止する技術として、例えば、特許文献１に記載の技術では、芳香族炭化水素基を有さないモノマー、芳香族炭化水素基を有するモノマーを含み、芳香族炭化水素基を有するモノマーが２個以上のフェニル基及びヘテロ原子と、モノ（メタ）アクリレート及びジ（メタ）アクリレートとを含む組成物を、有機ＥＬ素子の表面上に蒸着やインクジェットなどの方法により有機保護膜を形成したディスプレイ装置が開示されている。
　しかしながら、前記特許文献１に記載のディスプレイ装置では、有機保護膜の拡散係数が十分低くいため、８５℃、８５％ＲＨ、１００時間以上のような高温高湿下の過酷な条件では水分透過が問題であった。さらに、有機保護膜と隣接する層との応力差や接着力不足、屈曲時の屈曲耐性が問題とされていた。

　一方、有機ＥＬ素子を封止する技術として、例えば、特許文献２に記載の技術では、有機ＥＬ素子を覆うように有機ＥＬ素子の表面上に乾式法（ＣＶＤ法）により形成された第１の保護膜と、当該第１の保護膜の表面上に湿式法により形成され、かつ、第１の保護膜の未付着部分を穴埋めするための第２の保護膜とを備えた有機ＥＬ装置が開示されている。
　しかしながら、前記特許文献２に記載の有機ＥＬ装置では、第２の保護膜が高温高湿環境で変性してしまうこと、また第２の保護膜の応力が大きいため、８５℃・８５％ＲＨ１００時間以上の高温高湿下において、第１の保護膜と第２の保護膜との界面密着が劣化することに起因する（と推定される）第１の保護膜と第２の保護膜との界面における水分透過の問題があり、封止性能が劣っていた。また、このような封止をした場合、有機ＥＬ素子の発光効率が劣化するという問題があった。

特表２０１８－５０４７３５号公報特開２００５－５６５８７号公報

　本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、水分透過を防止し、封止性能に優れ、かつ、屈曲耐性に優れ、さらに発光効率を向上させることができる電子デバイス封止用組成物、電子デバイス封止膜形成方法及び電子デバイス封止膜を提供することである。

　本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討する過程において、芳香族炭化水素基を有さない光硬化性モノマー（Ａ）と、芳香族炭化水素基を有する光硬化性モノマー（Ｂ）とを含有し、前記光硬化性モノマー（Ｂ）を特定の構造とし、さらに、金属アルコキシド化合物、金属キレート化合物、シラン系化合物、シラザン系化合物及び金属ハロゲン化物系化合物から選ばれる金属含有化合物（Ｃ）を含有することによって、封止性能、屈曲耐性及び発光効率に優れた電子デバイス封止用組成物等を提供することができることを見いだし本発明に至った。
　すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。

　１．光硬化性モノマー及び光重合開始剤を含有する電子デバイス封止用組成物であって、
　前記光硬化性モノマーが、芳香族炭化水素基を有さない光硬化性モノマー（Ａ）と、芳香族炭化水素基を有する光硬化性モノマー（Ｂ）を含有し、
　前記光硬化性モノマー（Ｂ）が、下記一般式（１）で表される構造を有する置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含む炭化水素基、又は置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含むヘテロ原子含有炭化水素基を含み、かつ、
　前記光硬化性モノマー（Ｂ）が、少なくともモノ（メタ）アクリレート又はジ（メタ）アクリレートを含み、
　さらに、金属アルコキシド化合物、金属キレート化合物、シラン系化合物、シラザン系化合物及び金属ハロゲン化物系化合物から選ばれる金属含有化合物（Ｃ）を含有する電子デバイス封止用組成物。

［前記一般式（１）において、Ｐは、置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含む炭化水素基、又は置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含むヘテロ原子含有炭化水素基を表す。Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立的に下記一般式（２）で表される構造を有する。ａ及びｂは、それぞれ０～２の整数であり、ａ＋ｂは、１～４の整数である。］

［前記一般式（２）において、＊は、Ｐの炭素に対する連結部である。Ｘは、単一結合、Ｏ又はＳを表す。Ｙは、置換又は非置換の炭素数１～１０の直鎖状アルキレン基、又は置換又は非置換の炭素数１～２０のアルコキシ基を表す。Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１～５のアルキル基を表す。ｃは、０又は１の整数である。］

　２．前記金属含有化合物（Ｃ）の、電子デバイス封止用組成物全体に対する含有量が、０．１～１５質量％の範囲内である第１項に記載の電子デバイス封止用組成物。

　３．前記金属含有化合物（Ｃ）を構成する金属Ｍが、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌ及びＺｒのうち少なくともいずれかである第１項又は第２項に記載の電子デバイス封止用組成物。

　４．前記光硬化性モノマー（Ａ）が、アミン基を有するモノ（メタ）アクリレート、置
換又は非置換の炭素数１～２０のアルキレン基を有するジ（メタ）アクリレート、エチレンオキシド基を有するジ（メタ）アクリレート、エチレンオキシド基を有するトリ（メタ）アクリレート、環状炭化アルキル基を有するモノ（メタ）アクリレート及びジ（メタ）アクリレートのうち少なくともいずれかである第１項から第３項までのいずれか一項に記載の電子デバイス封止用組成物。

　５．前記光硬化性モノマー（Ｂ）が、４－（メタ）アクリルオキシ－２－ヒドロキシベンゾフェノン、エチル－３，３－ジフェニル（メタ）アクリレート、ベンゾイルオキシフェニル（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、エトキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、２－フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、２，２’－フェニルフェノキシエチルジ（メタ）アクリレート、２－フェニルフェノキシプロピル（メタ）アクリレート、２，２’－フェニルフェノキシプロピルジ（メタ）アクリレート、２－フェニルフェノキシブチル（メタ）アクリレート、２，２’－フェニルフェノキシブチルジ（メタ）アクリレート、２－（３－フェニルフェニル）エチル（メタ）アクリレート、２－（４－ベンジルフェニル）エチル（メタ）アクリレート、２－フェニル－２－（フェニルチオ）エチル（メタ）アクリレート、２－（トリフェニルメチルオキシ）エチル（メタ）アクリレート、４－（トリフェニルメチルオキシ）ブチル（メタ）アクリレート、３－（ビフェニル－２－イルオキシ）ブチル（メタ）アクリレート、２－（ビフェニル－２－イルオキシ）ブチル（メタ）アクリレート、４－（ビフェニル－２－イルオキシ）プロピル（メタ）アクリレート、３－（ビフェニル－２－イルオキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２－（ビフェニル－２－イルオキシ）プロピル（メタ）アクリレート、４－（ビフェニル－２－イルオキシ）エチル（メタ）アクリレート、３－（ビフェニル－２－イルオキシ）エチル（メタ）アクリレート、２－（４－ベンジルフェニル）エチル（メタ）アクリレート、４，４’－ジ（アクリロイルオキシメチル）ビフェニル、２，２’－ジ（２－アクリロイルオキシエトキシ）ビフェニル、これらの構造異性質体又はこれらの混合物のうちのいずれかである第１項から第４項までのいずれか一項に記載の電子デバイス封止用組成物。

　６．第１項から第５項までのいずれか一項に記載の電子デバイス封止用組成物を用いて、封止膜を形成する方法であって、
　電子デバイス上に気相法により第１封止層を形成する工程と、
　前記第１封止層上に前記電子デバイス封止用組成物を塗布することにより第２封止層を形成する工程と、を備える電子デバイス封止膜形成方法。

　７．前記第２封止層上に、気相法により第３封止層を形成する工程を備える第６項に記載の電子デバイス封止膜形成方法。

　８．前記第２封止層を形成する工程が、インクジェット法を用いる第６項又は第７項に記載の電子デバイス封止膜形成方法。

　９．電子デバイスを封止する電子デバイス封止膜であって、
　窒化ケイ素、酸化ケイ素又は酸窒化ケイ素を含有する第１封止層と、
　第１項から第５項までのいずれか一項に記載の電子デバイス封止用組成物を用いた第２封止層と、を有する電子デバイス封止膜。

　１０．前記第２封止層が、下記一般式（３Ａ）及び下記一般式（３Ｂ）で表される構造を有する重合体と、前記金属含有化合物（Ｃ）と、を含有する第９項に記載の電子デバイス封止膜。

［前記一般式（３Ａ）及び前記一般式（３Ｂ）において、Ｒ_１は水素原子又はメチル基を表す。Ａは芳香族炭化水素基を有さない構造である。Ｂは芳香族炭化水素基を有し、前記一般式（１）で表される構造を有する置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含む炭化水素基、又は置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含むヘテロ原子含有炭化水素基を含み、かつ、少なくともモノ（メタ）アクリレート又はジ（メタ）アクリレートを含む。］

　１１．前記第２封止層上に、窒化ケイ素、酸化ケイ素又は酸窒化ケイ素を含有する第３封止層を有する第９項又は第１０項に記載の電子デバイス封止膜。

　１２．前記第２封止層における前記金属含有化合物（Ｃ）の含有量が、０．１～１５質量％の範囲内である第９項から第１１項までのいずれか一項に記載の電子デバイス封止膜。

　本発明の上記手段により、水分透過を防止し、封止性能に優れ、かつ、屈曲耐性に優れ、さらに発光効率を向上させることができる電子デバイス封止用組成物、電子デバイス封止膜形成方法及び電子デバイス封止膜を提供することができる。
　本発明の効果の発現機構又は作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。

　（水分透過）
　本発明の電子デバイス封止用組成物は、前記芳香族炭化水素基を有さない光硬化性モノマー（Ａ）と、前記芳香族炭化水素基を有する光硬化性モノマー（Ｂ）と、前記金属含有化合物（Ｃ）を含有するので、前記金属含有化合物（Ｃ）の配位子が、前記芳香族炭化水素基を有さない光硬化性モノマー（Ａ）と、前記芳香族炭化水素基を有する光硬化性モノマー（Ｂ）からなる重合体であるアクリル樹脂中でネットワークをつなぎ、アクリル樹脂の高分子鎖のミクロブラウン運動及びマクロブラウン運動を抑制し、かつ重合体中のオキシカルボニル基が水と相互作用をもつため、水の拡散を防ぐ。また、前記金属含有化合物（Ｃ）の金属と配位子が水と相互作用又は反応し、水の移動を抑制するため、この点においても水の拡散を防ぐ。その結果、水分透過を抑制し、封止性能に優れる。

　（電子デバイスの発光効率）
　第２封止層には、有機化合物の重合体だけではなく、第１封止層及び第３封止層を構成する化合物と化学構造的に相対的類似性を有する前記金属含有化合物（Ｃ）及びそれに由来する化合物を含有するため、相互に隣接する第１封止層／第２封止層／第３封止層の層間の屈折率の相違差による傾斜を緩和し、層間における光の反射を抑制することにより、光取り出し効率が向上、すなわち電子デバイスとしての発光効率が向上する。

　（屈曲耐性）
　第２封止層に含有される前記金属含有化合物（Ｃ）に含まれている金属又は配位子が、隣接層を構成する化合物と相互作用又は親和性を持つため、例えば、隣接する第１封止層又は第３封止層との相互作用が強くなり、密着性が上がる。その結果、折り曲げて発生する層間の応力への耐性が上がり、屈曲耐性に優れる。
　また、前記金属含有化合物（Ｃ）が水の拡散を防ぐため、薄い膜でも信頼性を担保できる。薄い膜であれば、曲げたときの応力が低くなり、層間剥離が低減される。

　本発明の電子デバイス封止用組成物は、光硬化性モノマー及び光重合開始剤を含有する電子デバイス封止用組成物であって、前記光硬化性モノマーが、芳香族炭化水素基を有さない光硬化性モノマー（Ａ）と、芳香族炭化水素基を有する光硬化性モノマー（Ｂ）を含有し、前記光硬化性モノマー（Ｂ）が、下記一般式（１）で表される構造を有する置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含む炭化水素基、又は置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含むヘテロ原子含有炭化水素基を含み、かつ、前記光硬化性モノマー（Ｂ）が、少なくともモノ（メタ）アクリレート又はジ（メタ）アクリレートを含み、さらに、金属アルコキシド化合物、金属キレート化合物、シラン系化合物、シラザン系化合物及び金属ハロゲン化物系化合物から選ばれる金属含有化合物（Ｃ）を含有する。
　この特徴は、下記各実施形態に共通又は対応する技術的特徴である。

　本発明の実施態様としては、前記金属含有化合物（Ｃ）の、電子デバイス封止用組成物全体に対する含有量が、０．１～１５質量％の範囲内であることが、電子デバイス封止用組成物が光硬化可能な点、電子デバイスの発光効率向上の点で好ましい。

　また、前記金属含有化合物（Ｃ）を構成する金属Ｍが、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌ及びＺｒのうち少なくともいずれかであることが、水の移動を抑制し、水分透過抑制の点で好ましい。

　また、前記光硬化性モノマー（Ａ）が、アミン基を有するモノ（メタ）アクリレート、置換又は非置換の炭素数１～２０のアルキレン基を有するジ（メタ）アクリレート、エチレンオキシド基を有するジ（メタ）アクリレート、エチレンオキシド基を有するトリ（メタ）アクリレート、環状炭化アルキル基を有するモノ（メタ）アクリレート及びジ（メタ）アクリレートのうち少なくともいずれかであることが、電子デバイスの信頼性向上の点及びインクジェット吐出適性の点で好ましい。

　さらに、前記光硬化性モノマー（Ｂ）が、４－（メタ）アクリルオキシ－２－ヒドロキシベンゾフェノン、エチル－３，３－ジフェニル（メタ）アクリレート、ベンゾイルオキシフェニル（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、エトキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、２－フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、２，２’－フェニルフェノキシエチルジ（メタ）アクリレート、２－フェニルフェノキシプロピル（メタ）アクリレート、２，２’－フェニルフェノキシプロピルジ（メタ）アクリレート、２－フェニルフェノキシブチル（メタ）アクリレート、２，２’－フェニルフェノキシブチルジ（メタ）アクリレート、２－（３－フェニルフェニル）エチル（メタ）アクリレート、２－（４－ベンジルフェニル）エチル（メタ）アクリレート、２－フェニル－２－（フェニルチオ）エチル（メタ）アクリレート、２－（トリフェニルメチルオキシ）エチル（メタ）アクリレート、４－（トリフェニルメチルオキシ）ブチル（メタ）アクリレート、３－（ビフェニル－２－イルオキシ）ブチル（メタ）アクリレート、２－（ビフェニル－２－イルオキシ）ブチル（メタ）アクリレート、４－（ビフェニル－２－イルオキシ）プロピル（メタ）アクリレート、３－（ビフェニル－２－イルオキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２－（ビフェニル－２－イルオキシ）プロピル（メタ）アクリレート、４－（ビフェニル－２－イルオキシ）エチル（メタ）アクリレート、３－（ビフェニル－２－イルオキシ）エチル（メタ）アクリレート、２－（４－ベンジルフェニル）エチル（メタ）アクリレート、４，４’－ジ（アクリロイルオキシメチル）ビフェニル、２，２’－ジ（２－アクリロイルオキシエトキシ）ビフェニル、これらの構造異性質体又はこれらの混合物のうちのいずれかであることが、電子デバイスの信頼性向上の点及びインクジェット吐出適性の点で好ましい。

　本発明の電子デバイス封止膜形成方法は、前記電子デバイス封止用組成物を用いて、封止膜を形成する方法であって、電子デバイス上に気相法により第１封止層を形成する工程と、前記第１封止層上に前記電子デバイス封止用組成物を塗布することにより第２封止層を形成する工程と、を備える。これにより、水分透過を防止し、封止性能に優れ、かつ、屈曲耐性に優れ、さらに発光効率を向上させることができる電子デバイス封止膜形成方法を提供することができる。

　また、前記第２封止層上に、気相法により第３封止層を形成する工程を備えることが、封止性能により優れる点で好ましい。

　さらに、前記第２封止層を形成する工程が、インクジェット法を用いることが、高精度に層形成できる点で好ましい。

　本発明の電子デバイス封止膜は、電子デバイスを封止する電子デバイス封止膜であって、窒化ケイ素、酸化ケイ素又は酸窒化ケイ素を含有する第１封止層と、第１項から第５項までのいずれか一項に記載の電子デバイス封止用組成物を用いた第２封止層と、を有する。これにより、水分透過を防止し、封止性能に優れ、かつ、屈曲耐性に優れ、さらに発光効率を向上させることができる電子デバイス封止膜を提供することができる。

　以下、本発明とその構成要素及び本発明を実施するための形態・態様について説明をする。なお、本願において、「～」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。

　本明細書において、「（メタ）アクリル」は、アクリル及び／又はメタクリルを意味する。
　また、「置換された」は、別の定義がない限り、本発明の官能基のうち一つ以上の水素原子が、ヒドロキシ基、ニトロ基、イミノ基（＝ＮＨ、＝ＮＲ、Ｒは、炭素数１～１０のアルキル基である。）、アミジノ基、ヒドラジン又はヒドラゾン基、カルボキシ基、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数６～３０のアリール基、炭素数３～３０のヘテロアリール基、炭素数２～３０のヘテロシクロアルキル基に置換されることを意味する。
　さらに、「ヘテロ原子」は、Ｎ、Ｏ、Ｓ及びＰからなる群から選ばれるいずれか一つの原子を意味し、「ヘテロ」は、炭素原子がＮ、Ｏ、Ｓ及びＰからなる群から選ばれるいずれか一つの原子に置換されたことを意味する。
　「アルキレン基」は、両側末端の（メタ）アクリレート間において二重結合無しで飽和された炭化水素基で連結されたアルカンジイル基を意味する。また、アルキレン基の炭素数は、ジ（メタ）アクリレート基にある炭素を除いたアルキレン基自体にある炭素数のみを意味する。

　また、本発明における「電子デバイス」とは、電子のもつ運動エネルギー、位置エネルギーなどを利用して電気信号の発生、増幅、変換、又は制御などを行う素子をいう。例えば、発光ダイオード素子、有機エレクトロルミネッセンス素子、光電変換素子及びトランジスターなどの能動素子が挙げられる。また、本発明においては、他からの働きかけに対し、「抵抗する」「蓄える」などの受け身的な仕事をする受動素子、例えば、抵抗器・コンデンサーなども電子デバイスに含める。
　したがって、本発明の封止用組成物は、前記した電子デバイスを封止するための封止膜を形成するために用いられる。

［電子デバイス封止用組成物］
　本発明の電子デバイス封止用組成物（以下、単に「封止用組成物」ともいう。）は、光硬化性モノマー及び光重合開始剤を含有する電子デバイス封止用組成物であって、前記光硬化性モノマーが、芳香族炭化水素基を有さない光硬化性モノマー（Ａ）と、芳香族炭化水素基を有する光硬化性モノマー（Ｂ）を含有し、前記光硬化性モノマー（Ｂ）が、下記一般式（１）で表される構造を有する置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含む炭化水素基、又は置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含むヘテロ原子含有炭化水素基を含み、かつ、前記光硬化性モノマー（Ｂ）が、少なくともモノ（メタ）アクリレート又はジ（メタ）アクリレートを含み、さらに、金属アルコキシド化合物、金属キレート化合物、シラン系化合物、シラザン系化合物及び金属ハロゲン化物系化合物から選ばれる金属含有化合物（Ｃ）を含有する。

　前記光硬化性モノマーは、光重合開始剤によって硬化反応を行える光硬化性モノマーを意味する。前記光硬化性モノマーとしては、シリコン（Ｓｉ）を含まない非－シリコン系モノマーを使用してもよく、例えば、Ｃ、Ｈ、Ｏ、Ｎ又はＳから選ばれる元素のみからなるモノマーであってもよいが、これに限定されない。光硬化性モノマーは、通常の合成方法で合成して使用してもよく、商業的に販売する製品を購入して使用してもよい。
　前記光硬化性モノマーは、前記芳香族炭化水素基を有さない光硬化性モノマー（Ａ）と、前記芳香族炭化水素基を有する光硬化性モノマー（Ｂ）を含有する。

＜芳香族炭化水素基を有さない光硬化性モノマー（Ａ）＞
　前記芳香族炭化水素基を有さない光硬化性モノマー（Ａ）（以下、単に「光硬化性モノマー（Ａ）」ともいう。）は、芳香族炭化水素基を含んでおらず、光硬化官能基として、ビニル基、アクリル基、及びメタクリル基のうちの一つ以上を１～２０個、具体的に１～６個有するモノマーを含んでもよく、例えば、１～３個、１～２個、１個、又は２個含んでもよい。

　本発明において、前記光硬化性モノマー（Ａ）の重量平均分子量は、１００～５００ｇ／ｍｏｌの範囲内であってもよく、１３０～４００ｇ／ｍｏｌの範囲内であってもよく、２００～３００ｇ／ｍｏｌの範囲内であってもよい。前記モノマーの重量平均分子量の範囲内とすることにより、工程的により有利な効果を示すことができる。

　前記光硬化性モノマー（Ａ）は、光硬化官能基を有する単官能モノマー、多官能モノマー、又はこれらの混合物を含んでもよい。

　具体的に、前記光硬化性モノマー（Ａ）は、（メタ）アクリレートモノマーであってもよく、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数３～２０のシクロアルキル基、ヒドロキシ基及び炭素数１～２０のアルキル基を有する不飽和カルボン酸エステル；炭素数１～２０のアミノアルキル基を有する不飽和カルボン酸エステル；炭素数１～２０の飽和又は不飽和カルボン酸のビニルエステル；シアン化ビニル化合物；不飽和アミド化合物；モノアルコール又は多価アルコールの単官能又は多官能（メタ）アクリレートなどになってもよい。
　前記「多価アルコール」は、ヒドロキシ基を２個以上有するアルコールであって、ヒドロキシ基を２個～２０個、好ましくは２個～１０個、より好ましくは２個～６個有するアルコールを意味し得る。

　一例において、光硬化性モノマー（Ａ）のうち、芳香族炭化水素基を有さない（メタ）アクリレートモノマーは、置換又は非置換のＣ１～Ｃ２０（炭素数１～２０）のアルキル基、置換又は非置換のＣ１～Ｃ２０のアルキルシリル基、置換又は非置換のＣ３～Ｃ２０のシクロアルキル基、置換又は非置換のＣ１～Ｃ２０のアルキレン基、アミン基、エチレンオキシド基などを有するモノ（メタ）アクリレート、ジ（メタ）アクリレート、トリ（メタ）アクリレート、テトラ（メタ）アクリレートなどであってもよい。

　具体的に、芳香族炭化水素基を有さない（メタ）アクリレートモノマーは、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デカニル（メタ）アクリレート、ウンデカニル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレートなどの（メタ）アクリル酸エステルを含む不飽和カルボン酸エステル；２－アミノエチル（メタ）アクリレート、２－ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレートなどの不飽和カルボン酸アミノアルキルエステル；ビニルアセテートなどの飽和又は不飽和カルボン酸ビニルエステル；（メタ）アクリロニトリルなどのシアン化ビニル化合物；（メタ）アクリルアミドなどの不飽和アミド化合物；エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、オクタンジオールジ（メタ）アクリレート、ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、デカンジオールジ（メタ）アクリレート、ウンデカンジオールジ（メタ）アクリレート、ドデカンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート又はこれらの混合物を含んでもよいが、これに限定されない。

　本発明の一例において、前記光硬化性モノマー（Ａ）は、芳香族基を含まない非－芳香族系であって、炭素数１～２０のアルキル基を有するモノ（メタ）アクリレート、アミン基を有するモノ（メタ）アクリレート、置換又は非置換の炭素数１～２０のアルキレン基を有するジ（メタ）アクリレート、エチレンオキシド基を有するジ（メタ）アクリレート、エチレンオキシド基を有するトリ（メタ）アクリレート、環状炭化アルキル基を有するモノ（メタ）アクリレート及びジ（メタ）アクリレートのうち少なくともいずれかを含んでもよい。

　置換又は非置換の炭素数１～２０のアルキル基を有するモノ（メタ）アクリレートは、具体的に、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、テトラデシル（メタ）アクリレート、ペンタデシル（メタ）アクリレート、ヘキサデシル（メタ）アクリレート、ヘプタデシル（メタ）アクリレート、オクタデシル（メタ）アクリレート、ノナデシル（メタ）アクリレート、アラキジル（メタ）アクリレート又はこれらの混合物であってもよいが、これに限定されない。

　アミン基を有するモノ（メタ）アクリレートは、２－アミノエチル（メタ）アクリレート、２－ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート又はこれらの混合物であってもよいが、これに限定されない。

　置換又は非置換の炭素数１～２０のアルキレン基を有するジ（メタ）アクリレートは、例えば、炭素数１～２０のアルキレン基を有するジ（メタ）アクリレートであってもよく、置換又は非置換の長鎖のアルキレン基を含む非－シリコン系ジ（メタ）アクリレートであってもよい。
　置換又は非置換の炭素数１～２０のアルキレン基を有するジ（メタ）アクリレートは、例えば、オクタンジオールジ（メタ）アクリレート、ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、デカンジオールジ（メタ）アクリレート、ウンデカンジオールジ（メタ）アクリレート、ドデカンジオールジ（メタ）アクリレート又はこれらの混合物であってもよいが、これに限定されない。
　前記置換又は非置換の炭素数１～２０のアルキレン基を有する（メタ）アクリレートを含む場合、本発明の封止用組成物は、光硬化率がさらに向上し、粘度が低くなり得る。

　エチレンオキシド基を有するジ（メタ）アクリレート又はトリ（メタ）アクリレートは、具体的に、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート又はこれらの混合物であってもよいが、これに限定されない。

　環状炭化アルキル基を有するモノ（メタ）アクリレート及びジ（メタ）アクリレートは、具体的に、イソボニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレ－ト、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレ－ト、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレ－トであってもよいが、これに限定されない。

　前記光硬化性モノマー（Ａ）モノマーは、光硬化性モノマー（光硬化性モノマー（Ａ）及び光硬化性モノマー（Ｂ））の総質量に対して５５～９５質量％の範囲内で含有されていることが好ましく、６０～９０質量％の範囲内で含有されていることがより好ましい。前記範囲内とすることにより、本発明の封止用組成物の粘度が電子デバイスの封止膜形成に適切となる。

＜芳香族炭化水素基を有する光硬化性モノマー（Ｂ）＞
　前記芳香族炭化水素基を有する光硬化性モノマー（Ｂ）（以下、単に「光硬化性モノマー（Ｂ）」ともいう。）が、下記一般式（１）で表される構造を有する２個以上のフェニル基及びヘテロ原子を含み、かつ、前記光硬化性モノマー（Ｂ）が、少なくともモノ（メタ）アクリレート又はジ（メタ）アクリレートを含む。

　前記一般式（１）において、Ｐは、置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含む炭化水素基、又は置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含むヘテロ原子含有炭化水素基を表す。
　前記置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含む炭化水素基、又は置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含むヘテロ原子含有炭化水素基は、置換又は非置換の２個以上のフェニル基が縮合されず、単一結合、酸素原子、硫黄原子、置換又は非置換の炭素数１～５のアルキル基、ヘテロ原子に置換又は非置換された炭素数３～６のアルキレン基、エテニレン基、エチニレン基又はカルボニル基によって連結されたものを意味する。

　例えば、前記２個以上のフェニル基を含む炭化水素基又は２個以上のフェニル基を含むヘテロ原子含有炭化水素基は、置換又は非置換のビフェニル基、置換又は非置換のトリフェニルメチル基、置換又は非置換のターフェニル基、置換又は非置換のビフェニレン基、置換又は非置換のターフェニレン基、置換又は非置換のクォーターフェニレン基、置換又は非置換の２－フェニル－２－（フェニルチオ）エチル基、置換又は非置換の２，２－ジフェニルプロパン基、置換又は非置換のジフェニルメタン基、置換又は非置換のクミルフェニル基、置換又は非置換のビスフェノールＦ基、置換又は非置換のビスフェノールＡ基、置換又は非置換のビフェニルオキシ基、置換又は非置換のターフェニルオキシ基、置換又は非置換のクォーターフェニルオキシ基、置換又は非置換のキンキフェニルオキシ基及びこれらの構造異性質体などを含んでもよいが、これに限定されない。

　前記置換又は非置換の２個以上のフェニル基を有するモノマーは、モノ（メタ）アクリレート、ジ（メタ）アクリレート又はこれらの混合物であってもよく、その例としては、４－（メタ）アクリルオキシ－２－ヒドロキシベンゾフェノン、エチル－３，３－ジフェニル（メタ）アクリレート、ベンゾイルオキシフェニル（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、エトキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、エトキシ化ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、４－クミルフェノキシエチルアクリレート、エトキシ化ビスフェニルフルオレンジアクリレート、２－フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、２，２’－フェニルフェノキシエチルジ（メタ）アクリレート、２－フェニルフェノキシプロピル（メタ）アクリレート、２，２’－フェニルフェノキシプロピルジ（メタ）アクリレート、２－フェニルフェノキシブチル（メタ）アクリレート、２，２’－フェニルフェノキシブチルジ（メタ）アクリレート、２－（３－フェニルフェニル）エチル（メタ）アクリレート、２－（４－ベンジルフェニル）エチル（メタ）アクリレート、２－フェニル－２－（フェニルチオ）エチル（メタ）アクリレート、２－（トリフェニルメチルオキシ）エチル（メタ）アクリレート、４－（トリフェニルメチルオキシ）ブチル（メタ）アクリレート、３－（ビフェニル－２－イルオキシ）ブチル（メタ）アクリレート、２－（ビフェニル－２－イルオキシ）ブチル（メタ）アクリレート、４－（ビフェニル－２－イルオキシ）プロピル（メタ）アクリレート、３－（ビフェニル－２－イルオキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２－（ビフェニル－２－イルオキシ）プロピル（メタ）アクリレート、４－（ビフェニル－２－イルオキシ）エチル（メタ）アクリレート、３－（ビフェニル－２－イルオキシ）エチル（メタ）アクリレート、２－（４－ベンジルフェニル）エチル（メタ）アクリレート、４，４’－ジ（アクリロイルオキシメチル）ビフェニル、２，２’－ジ（２－アクリロイルオキシエトキシ）ビフェニル、これらの構造異性質体又はこれらの混合物を含んでもよいが、これに制限されるものではない。
　また、本発明で言及した（メタ）アクリレートは一例に過ぎなく、これに限定されるものではない。
　さらに、本発明は、構造異性質体関係にあるアクリレートを全て含む。例えば、本発明の一例として、２，２’－フェニルフェノキシエチルジ（メタ）アクリレートのみが言及されているとしても、本発明は、この構造異性質体に該当する３，２’－フェニルフェノキシエチルジ（メタ）アクリレート、３，３’－フェニルフェノキシエチルジ（メタ）アクリレートなどを全て含む。

　本発明の一例において、２個以上のフェニル基を有するモノマーは、下記一般式（４）で表されるモノ（メタ）アクリレートであってもよい。

　前記一般式（４）において、Ｒ^２は、水素又はメチル基で、Ｒ^３は、置換又は非置換の炭素数１～１０の直鎖状アルキレン基、又は置換又は非置換の炭素数１～２０のアルコキシ基で、Ｒ^４は、置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含む炭化水素基、又は置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含むヘテロ原子含有炭化水素基である。

　例えば、前記置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含む炭化水素基、又は置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含むヘテロ原子含有炭化水素基は、置換又は非置換の２個以上のフェニル基が縮合されず、単一結合、酸素原子、硫黄原子、置換又は非置換の炭素数１～３のアルキル基、ヘテロ原子に置換又は非置換された炭素数３～６のアルキレン基、エテニレン基、エチニレン基又はカルボニル基によって連結されたものを意味する。
　例えば、前記置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含む炭化水素基、又は置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含むヘテロ原子含有炭化水素基は、置換又は非置換のビフェニル基、置換又は非置換のトリフェニルメチル基、置換又は非置換のターフェニル基、置換又は非置換のビフェニレン基、置換又は非置換のターフェニレン基、置換又は非置換のクォーターフェニレン基、置換又は非置換の２－フェニル－２－（フェニルチオ）エチル基、置換又は非置換の２，２－ジフェニルプロパン基、置換又は非置換のジフェニルメタン基、置換又は非置換のクミルフェニル基、置換又は非置換のビスフェノールＦ基、置換又は非置換のビスフェノールＡ基、置換又は非置換のビフェニルオキシ基、置換又は非置換のターフェニルオキシ基、置換又は非置換のクォーターフェニルオキシ基、置換又は非置換のキンキフェニルオキシ基などを含んでもよいが、これに限定されない。

　本発明の一例において、２個以上のフェニル基を有するモノマーは、下記の一般式（５）で表されるジ（メタ）アクリレートであってもよい。

　前記一般式（５）において、Ｒ^５、Ｒ^９は、それぞれ独立的に水素又はメチル基で、Ｒ^６、Ｒ^８は、それぞれ独立的に置換又は非置換の炭素数１～１０の直鎖状アルキレン基、又は置換又は非置換の炭素数１～２０のアルコキシ基で、Ｒ^７は、置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含む炭化水素基、又は置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含むヘテロ原子含有炭化水素基である。

　例えば、前記置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含む炭化水素基、又は置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含むヘテロ原子含有炭化水素基は、置換又は非置換の２個以上のフェニル基が縮合されず、単一結合、酸素原子、硫黄原子、置換又は非置換の炭素数１～４のアルキル基、ヘテロ原子に置換又は非置換された炭素数３～６のアルキレン基、エテニレン基、エチニレン基又はカルボニル基によって連結されたものを意味する。
　例えば、前記炭化水素基は、置換又は非置換のビフェニレン基、置換又は非置換のトリフェニルメチレン基、置換又は非置換のターフェニレン基、置換又は非置換のクォーターフェニレン基、２－フェニル－２－（フェニルチオ）エチレン基、２，２－ジフェニルプロピレン基、ジフェニルメチレン基などを含んでもよいが、これに限定されない。

　前記一般式（１）において、ａ、ｂは、それぞれ０～２の整数で、ａ＋ｂは、１～４の整数であり、一例において、ａ＋ｂは、１又は２の整数である。

　前記置換又は非置換の２個以上のフェニル基を有するモノマーの重量平均分子量は、１００～１０００ｇ／ｍｏｌの範囲内が好ましく、１３０～７００ｇ／ｍｏｌの範囲内であることがより好ましく、１５０～６００ｇ／ｍｏｌの範囲内であることが特に好ましい。
　前記範囲内とすることにより、透過率により優れた封止膜を提供することができる。

　前記芳香族炭化水素基を有する光硬化性モノマー（Ｂ）は、前記光硬化性モノマー（光硬化性モノマー（Ａ）及び光硬化性モノマー（Ｂ））の総質量に対して５～４５質量％の範囲内で含有されていることが好ましく、１０～４０質量％の範囲内で含有されていることがより好ましい。前記範囲内とすることにより、粘度が封止膜の形成に適切となる。

＜金属含有化合物（Ｃ）＞
　前記金属含有化合物（Ｃ）は、金属アルコキシド化合物、金属キレート化合物、シラン系化合物、シラザン系化合物及び金属ハロゲン化物系化合物から選ばれる。金属含有化合物（Ｃ）を構成する金属Ｍとしては、例えば、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｒ、ケイ素、ビスマス、ストロンチウム、カルシウム、銅、ナトリウム、リチウムが挙げられる。また、セシウム、マグネシウム、バリウム、バナジウム、ニオブ、クロム、タンタル、タングステン、クロム、インジウム、鉄などが挙げられる。特にＴｉ、Ｓｉ、Ａｌ及びＺｒのうち少なくともいずれかであることが好ましい。

　以下に、金属含有化合物（Ｃ）の具体例を示すがこれらに限定されない。
　例えば、テトラクロロシラン、メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、フェニルトリクロロシラン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ｎ－プロピルトリメトキシシラン、ｎ－プロピルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、パーヒドロポリシラザン、メチルポリシラザン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ－スチリルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３－アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３－クロロプロピルトリメトキシシラン、３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、３－イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、テトライソシアネートシラン、メチルトリイソシアネートシラン等のシラン系化合物などが挙げられる。

　又は、下記の一般式（II）～（IV）で表される構造を有する有機チタン化合物などが挙げられる。下記一般式中、Ｒはアルキル基を表す。

　また、チタンテトラ－２－エチルヘキソキシド、チタンジイソプロポキシビス（アセチルアセトネート）、チタンテトラアセチルアセトネート、チタンジオクチロキシビス（オクチレングリコレート）、チタンジイソプロポキシビス（エチルアセトアセテート）、チタンジイソプロポキシビス（トリエタノールアミネート）、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテート、ポリヒドロキシチタンステアレート等のような有機チタン化合物が挙げられる。

　又は、下記の一般式（Ｖ）～（VII）で表される構造を有する有機ジルコニウム化合物
などが挙げられる。下記一般式中、Ｒはアルキル基を表す。

　また、ジルコニウムテトラノルマルプロポキシド、ジルコニウムテトラノルマルブトキシド、ジルコニウムテトラアセチルアセトネート、ジルコニウムトリブトキシモノアセチルアセトネート、ジルコニウムモノブトキシアセチルアセトネートビス（エチルアセトアセテート）、ジルコニウムジブトキシビス（エチルアセトアセテート）、ジルコニウムテトラアセチルアセトネート、ジルコニウムトリブトキシモノステアレート等のような有機ジルコニウム化合物が挙げられる。

　また、アルミニウムｓｅｃ－ブチレート、アルミニウムイソプロピレート、モノｓｅｃ－ブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムエチレート、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウム(ＩＩＩ)アセチルアセトナート、アルミニウムモノアセチルアセトネートビス（エチルアセトアセテート）、アルミニウム－ジ－ｎ－ブトキシド－モノエチルアセトアセテート、アルミニウム－ジ－イソ－プロポキシド－モノメチルアセトアセテート等のような有機アルミニウム化合物などが挙げられる。

　さらに、二塩化チタン、三塩化チタン、四塩化チタン、フッ化チタン、塩化ジルコニウム、フッ化ジルコニウム、塩化アルミニウム、フッ化アルミニウム等のような金属ハロゲン化物系化合物などが挙げられる。

　前記金属含有化合物（Ｃ）の市販品として、テトラ（２－エチルヘキシル）チタネート（製品名　ＴＡ３０、マツモトファインケミカル社製）、アルミニウムｓｅｃ－ブチレート（川研ファインケミカル社製）、環状アルミニウムオキサイドイソプロピレート（川研ファインケミカル社製）、チタンオクチレングリコールキレート（製品名　ＴＣ２０１、マツモトファインケミカル社製）、ジイソプロポキシビス（エチルアセトアセテート）チタン（製品名　ＴＣ７５０、マツモトファインケミカル社製）、ノルマルブチルジルコネート（製品名　ＺＡ６５、マツモトファインケミカル社製）、ジルコニウムテトラアセチルアセトネート（製品名　ＺＣ１５０、マツモトファインケミカル社製）、ペルヒドロポリシラザン　（製品名　ＮＮ１２０、ＡＺ社製）、チルポリシラザン（製品名　アクアミカ　ＬＥｘｐ　ＭＨＰＳ－２０ＤＢ、ＡＺ社製）、３－アミノプロピルトリメトキシシラン　（製品名　ＫＢＭ－９０３、信越化学工業社製）が好適に用いられる。

　前記金属含有化合物（Ｃ）の、前記封止用組成物全体に対する含有量は、封止用組成物が光硬化する機能を維持すれば限定されないが、０．１～１５質量％の範囲内が好ましく、５～１０質量％の範囲内がより好ましい。
　また、金属含有化合物（Ｃ）は、その一部が金属Ｍを有する酸化物又は水酸化物へ変質していていもよい。これらの金属Ｍの酸化物又は水酸化物は、金属含有化合物（Ｃ）に対するモル分率として、０．０１～０．１［ｍｏｌ／ｍｏｌ］の範囲内であることが、透明性の観点で好ましい。

＜光重合開始剤＞
　前記光重合開始剤は、光硬化性反応を行える通常の光重合開始剤であれば特に限定されない。
　光重合開始剤としては、例えば、トリアジン系、アセトフェノン系、ベンゾフェノン系、チオキサントン系、ベンゾイン系、リン系、オキシム系又はこれらの混合物を含んでもよい。

　トリアジン系開始剤は、２，４，６－トリクロロ－ｓ－トリアジン、２－フェニル－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－（３’，４’－ジメトキシスチリル）－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－（４’－メトキシナフチル）－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－（ｐ－メトキシフェニル）－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－（ｐ－トリル）－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－ビフェニル－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、ビス（トリクロロメチル）－６－スチリル－ｓ－トリアジン、２－（ナフト－１－イル）－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－（４－メトキシナフト－１－イル）－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２，４－トリクロロメチル（ピペロニル）－６－トリアジン、２，４－（トリクロロメチル（４’－メトキシスチリル）－６－トリアジン又はこれらの混合物であってもよい。

　アセトフェノン系開始剤は、２，２’－ジエトキシアセトフェノン、２，２’－ジブトキシアセトフェノン、２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオフェノン、ｐ－ｔ－ブチルトリクロロアセトフェノン、ｐ－ｔ－ブチルジクロロアセトフェノン、４－クロロアセトフェノン、２，２’－ジクロロ－４－フェノキシアセトフェノン、２－メチル－１－（４－（メチルチオ）フェニル）－２－モルホリノプロパン－１－オン、２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルホリノフェニル）－ブタン－１－オン、及びこれらの混合物であってもよい。

　ベンゾフェノン系開始剤は、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、ベンゾイル安息香酸メチル、４－フェニルベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、アクリル化ベンゾフェノン、４，４’－ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’－ジクロロベンゾフェノン、３，３’－ジメチル－２－メトキシベンゾフェノン又はこれらの混合物であってもよい。

　チオキサントン系開始剤は、チオキサントン、２－メチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２，４－ジエチルチオキサントン、２，４－ジイソプロピルチオキサントン、２－クロロチオキサントン又はこれらの混合物であってもよい。

　ベンゾイン系開始剤は、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジルジメチルケタール又はこれらの混合物であってもよい。

　リン系開始剤は、ビスベンゾイルフェニルホスフィンオキシド、ベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド又はこれらの混合物であってもよい。

　オキシム系は、２－（ｏ－ベンゾイルオキシム）－１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－１，２－オクタンジオン及び１－（ｏ－アセチルオキシム）－１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］エタノン、又はこれらの混合物であってもよい。

　前記光重合開始剤は、本発明の封止用組成物中に、前記光硬化性モノマー（光硬化性モノマー（Ａ）、光硬化性モノマー（Ｂ））と光重合開始剤の合計１００質量部に対して約０．１～２０質量部の範囲内含まれていることが好ましい。前記範囲内とすることにより、露光時に光重合が十分に起こり、光重合後、残った未反応開始剤によって透過率が低下することを防止することができる。
　具体的に、前記光重合開始剤は、０．５～１０質量部、より具体的に１～８質量部の範囲内で含有されることが好ましい。
　また、前記光重合開始剤は、本発明の封止用用組成物中に、固形分を基準にして０．１～１０質量％の範囲内で含有されること好ましく、より好ましくは０．１～８質量％の範囲内である。前記範囲内とすることにより、光重合が十分に起こり、残った未反応開始剤によって透過率が低下することを防止することができる。

　また、前記光重合開始剤の代わりに、カルバゾール系、ジケトン類、スルホニウム系、ヨードニウム系、ジアゾ系、ビイミダゾール系などの光酸発生剤又は光重合開始剤を使用してもよい。

＜その他の添加剤＞
　本発明の封止用組成物は、本発明の効果が得られる範囲において、酸化防止剤、熱安定化剤、光増感剤、分散剤、熱架橋剤及び界面活性剤を含むその他の成をさらに含んでいてもよい。これらの成分は、本発明の封止用組成物中に、一種のみが含まれていてもよく、二種類以上が含まれていてもよい。

　前記酸化防止剤は、封止層の熱的安定性を向上させることができる。酸化防止剤は、フェノール系、キノン系、アミン系及びホスファイト系からなる群から選ばれる１種以上を含んでもよいが、これらに制限されるものではない。例えば、酸化防止剤としては、テトラキス［メチレン（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシヒドロシンナメート）］メタン、トリス（２，４－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ホスファイトなどを挙げることができる。

　前記酸化防止剤は、前記封止用組成物中に、前記光硬化性モノマーと前記光重合開始剤の合計１００質量部に対して０．０１～３質量部の範囲内含有されていることが好ましく、０．０１～１質量部の範囲内含有されていることがより好ましい。前記範囲内とすることにより、優れた熱安定性を示すことができる。

　前記熱安定化剤は、封止用組成物に含まれ、当該封止用組成物の常温での粘度変化を抑制するものであって、通常の熱安定化剤を制限なく使用可能である。
　例えば、熱安定化剤としては、立体障害のある（ｓｔｅｒｉｃａｌｌｙ　ｈｉｎｄｅｒｅｄ）フェノール性熱安定剤を使用してもよく、具体的に、ポリ（ジ－シクロペンタジエン－ｃｏ－ｐ－クレゾール）、オクタデシル－３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート、２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－メチルフェノール、２，２’－メタノ－ビ（４－メチル－６－ｔｅｒｔ－ブチル－フェノール）、６，６’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－２，２’－チオジ－ｐ－クレゾール、トリス（４－ｔｅｒｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）イソシアヌレート、トリエチレングリコール－ビス（３－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）、４，４’－チオビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－ｍ－クレゾール）、３，３’－ビス（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ヘキサメチレン－ジプロピオンアミド、ペンタエリスリトールテトラキス（３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート）、ステアリル－３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニルプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス１，３，５－トリス（２，６－ジ－メチル－３－ヒドロキシ－４－ｔｅｒｔ－ブチル－ベンジル）イソシアヌレート、１，３，５－トリス（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、１，３，５－トリス（２－ヒドロキシエチル）イソシアヌレート－トリス（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルヒドロキシフェニルプロピオネート）のうちの一つ以上を含んでもよいが、これに制限されない。

　前記熱安定化剤は、前記封止用組成物中に、固形分を基準にして前記光硬化性モノマーと前記光重合開始剤の合計に対して２０００ｐｐｍ以下、好ましくは０．０１～２０００ｐｐｍの範囲内、より好ましくは１００～１０００ｐｐｍの範囲内含有されている。前記範囲内とすることにより、熱安定化剤は、封止用組成物の液状状態の貯蔵安定性と工程性をさらに良好にすることができる。

　前記光増感剤は、吸収した光エネルギーを光重合開始剤にエネルギー移動させる働きを有するため、使用する光重合開始剤に、光源からの光に対応した吸収がなくとも、本来の光重合性開始剤機能を持たせることができる化合物である。
　光増感剤としては、例えば、９，１０－ジブトキシアントラセン等のアントラセン誘導体；ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾイン誘導体；
　ベンゾフェノン、ｏ－ベンゾイル安息香酸メチル、４－フェニルベンゾフェノン、４－ベンゾイル－４′－メチル－ジフェニルサルファイド、３，３′，４，４′－テトラ（ｔ－ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、２，４，６－トリメチルベンゾフェノン、４－ベンゾイル－Ｎ，Ｎ－ジメチル－Ｎ－［２－（１－オキソ－２－プロペニルオキシ）エチル］ベンゼンメタナミニウムブロミド、（４－ベンゾイルベンジル）トリメチルアンモニウムクロリド等のベンゾフェノン誘導体；
　２－イソプロピルチオキサントン、４－イソプロピルチオキサントン、２，４－ジエチルチオキサントン、２，４－ジクロロチオキサントン、１－クロロ－４－プロポキシチオキサントン、２－（３－ジメチルアミノ－２－ヒドロキシ）－３，４－ジメチル－９Ｈチオキサントン－９－オンメソクロリド等のチオキサントン誘導体；などの化合物が挙げられる。なかでも、アントラセン誘導体、ベンゾイン誘導体、ベンゾフェノン誘導体、アントラキノン誘導体、チオキサントン誘導体を用いることが好ましい。

＜紫外線硬化＞
　本発明の封止用組成物は、紫外線を１０～５００ｍＷ／ｃｍ^２の範囲内で１～１００秒間照射して硬化することが好ましいが、これに限定されるものではない。
　紫外線としては、電子デバイスの劣化を防ぐ観点で３９５ｎｍのＬＥＤを用いることが好ましい。

＜物性＞
　本発明の封止用組成物の粘度は３～２０ｍＰａ・ｓの範囲内であることが、インクジェットヘッドからの吐出性をより高める観点から好ましい。表面張力は、１５ｍＮ／ｍ以上４５ｍＮ／ｍ未満であることがインクジェットヘッドからの吐出性をより高める観点から好ましい。

　本発明の封止用組成物の粘度は、例えば各種レオメーターにより、封止用組成物の動的粘弾性の温度変化を測定することにより求めることができる。
　本発明において、これらの粘度は、以下の方法によって得られた値である。本発明の封止用組成物をストレス制御型レオメーターＰｈｙｓｉｃａ　ＭＣＲ３００（コーンプレートの直径：７５ｍｍ、コーン角：１．０°）、Ａｎｔｏｎ　Ｐａａｒ社製にセットする。次いで、前記封止用組成物を１００℃に加熱し、降温速度０．１℃／ｓ、歪み５％、角周波数１０ｒａｄｉａｎ／ｓで、の条件で２０℃まで前記封止用組成物を冷却して、動的粘弾性の温度変化曲線を得る。

　本発明の封止用組成物は顔料粒子を含んでいても良い。顔料粒子は、インクジェットヘッドからの吐出性をより高める観点からは、本発明の封止用組成物が顔料を含有するときの顔料粒子の平均粒径は０．０８～０．５μｍの範囲内であり、最大粒径は０．３～１０μｍの範囲内であることが好ましい。
　本発明における顔料粒子の平均粒径とは、データサイザーナノＺＳＰ、Ｍａｌｖｅｒｎ社製を使用して動的光散乱法によって求めた値を意味する。なお、着色材を含む封止用組成物は濃度が高く、この測定機器では光が透過しないので、封止用組成物を２００倍で希釈してから測定する。測定温度は常温（２５℃）とする。

　また、本発明の封止用組成物は、その密度ρ、前記封止用組成物の表面張力σ、前記封止用組成物の粘度μ、ノズル直径Ｄ_０でされる下記式１に示すオーネゾルゲ数（Ｏｈ）が０．１～１の範囲内であることがインクジェットの吐出性、インクの飛翔時の液滴安定化の観点で好ましい。

　本発明の封止用組成物を調製し、重合後の膜において、８０℃又はそれよりも高いＴｇ（ガラス転移点）を有する硬化ポリマーを提供することが好ましい。重合後の膜のＴｇは、電子デバイスの形成プロセス、駆動温度、信頼性試験における安定性確保の観点で、８０℃以上であることが好ましい。

［電子デバイス封止膜形成方法］
　本発明の電子デバイス封止膜形成方法は、前記した本発明の電子デバイス封止用組成物を用いて、封止膜を形成する方法であって、電子デバイス上に気相法により第１封止層を形成する工程と、前記第１封止層上に前記電子デバイス封止用組成物を塗布することにより第２封止層を形成する工程と、を備える。
　また、前記第２封止層上に、気相法により第３封止層を形成する工程を備えることが、電子デバイスの封止性能をより高めることができる点で好ましい。

＜第１封止層形成工程＞
　第１封止層形成工程は、電子デバイス上に気相法により第１封止層を形成する。
　気相法としては、スパッタリング法（例えば、マグネトロンカソードスパッタリング、平板マグネトロンスパッタリング、二極ＡＣ平板マグネトロンスパッタリング、二極ＡＣ回転マグネトロンスパッタリングなど、反応性スパッタ法を含む。）、蒸着法（例えば、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、イオンビーム蒸着、プラズマ支援蒸着など）、熱ＣＶＤ法、触媒化学気相成長法（Ｃａｔ－ＣＶＤ）、容量結合プラズマＣＶＤ法（ＣＣＰ－ＣＶＤ）、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法（ＰＥ－ＣＶＤ）、エピタキシャル成長法、原子層成長法（ＡＬＤ）等の化学蒸着法等が挙げられる。中でも、ＡＬＤ法、ＣＶＤ法により形成することが好ましい。
　第１封止層は、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸化ケイ素（一酸化ケイ素、二酸化ケイ素等）又は酸窒化ケイ素を含有する。
　第１封止層の厚さは、例えば、１０～１０００ｎｍの範囲内であることが好ましく、１００～５００ｎｍの範囲内であることがより好ましい。

＜第２封止層形成工程＞
　第２封止層形成工程は、前記第１封止層上に前記した本発明の封止用組成物を塗布することにより第２封止層を形成する。
　具体的には、前記第１封止層上に、前記封止用組成物を塗布し（塗布工程）、得られた塗布膜に窒素雰囲気下にて真空紫外線照射して改質処理する工程を有してもよい。

　（塗布工程）
　封止用組成物の塗布方法としては、任意の適切な方法を採用することができ、例えば、スピンコート法、ロールコート法、フローコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プリント法、ディップコート法、流延成膜法、バーコート法、グラビア印刷法等が挙げられる。中でも、インクジェット法を用いることが有機ＥＬ素子などの電子デバイスを封止する際に求められる微細なパターニングをオンデマンドで行える点で好ましい。

　インクジェット方式としては、公知の方法を用いることができる。
　インクジェット方式は、大別するとドロップオンデマンド方式とコンティニュアス方式二つに分けられ、どちらも使用することができる。ドロップオンデマンド方式としては、電気－機械変換方式（例えば、シングルキャビティー型、ダブルキャビティー型、ベンダー型、ピストン型、シェアーモード型、シェアードウォール型等）、電気－熱変換方式（例えば、サーマルインクジェット型、バブルジェット（登録商標）型等）、静電吸引方式（例えば、電界制御型、スリットジェット型等）及び放電方式（例えば、スパークジェット型等）等がある。インクジェットヘッドのコストや生産性の観点からは、電気－機械変換方式、又は電気－熱変換方式のヘッドを用いることが好ましい。なお、インクジェット方式により、液滴（例えば、塗布液）を滴下させる方法を「インクジェット法」と呼ぶ場合がある。

　前記封止用組成物を塗布する際には、窒素雰囲気下にて行うことが好ましい。

　（改質処理工程）
　前記改質処理工程では、塗布工程後、得られた塗布膜に窒素雰囲気下にて真空紫外線照射して改質処理する工程を有してもよい。
　改質処理とは、ポリシラザンの酸化ケイ素又は酸窒化ケイ素への転化反応をいう。改質処理も、同様に、グローブボックス内といった窒素雰囲気下や減圧下で行う。
　本発明における改質処理は、ポリシラザンの転化反応に基づく公知の方法を選ぶことができる。本発明においては、低温で転化反応が可能なプラズマやオゾンや紫外線を使う転化反応が好ましい。プラズマやオゾンは従来公知の方法を用いることができる。本発明においては、上記塗布膜を設け、波長２００ｎｍ以下の真空紫外光（ＶＵＶともいう。）を照射して改質処理することにより、本発明に係る第２封止層を形成することが好ましい。

　第２封止層の厚さは、０．５～２０μｍの範囲内が好ましく、より好ましくは３～１０μｍの範囲内である。
　当該第２封止層のうち、層全体が改質された層であってもよいが、改質処理された改質層の厚さは、１～５０ｎｍの範囲内が好ましく、１～３０ｎｍの範囲内がさらに好ましい。

　前記真空紫外線を照射して改質処理する工程において、塗布膜が受ける塗布膜面での該真空紫外線の照度は３０～２００ｍＷ／ｃｍ^２の範囲内であることが好ましく、５０～１６０ｍＷ／ｃｍ^２の範囲内であることがより好ましい。真空紫外線の照度を３０ｍＷ／ｃｍ^２以上とすることで、改質効率を十分に向上することができ、２００ｍＷ／ｃｍ^２以下では、塗布膜への損傷発生率を極めて抑え、また、基材への損傷も低減させることができるため、好ましい。

　真空紫外線の照射は、塗布膜面における真空紫外線の照射エネルギー量は、１～１０Ｊ／ｃｍ^２の範囲内であることが好ましく、デシカント機能を維持するためのバリアー性及び湿熱耐性の観点から、３～７Ｊ／ｃｍ^２の範囲内であることがより好ましい。

　なお、真空紫外線の光源としては、希ガスエキシマランプが好ましく用いられる。真空紫外光は、酸素による吸収があるため真空紫外線照射工程での効率が低下しやすいことから、真空紫外光の照射は、可能な限り酸素濃度の低い状態で行うことが好ましい。すなわち、真空紫外光照射時の酸素濃度は、１０～１００００ｐｐｍの範囲内とすることが好ましく、より好ましくは５０～５０００ｐｐｍの範囲内、さらに好ましくは８０～４５００ｐｐｍの範囲内、最も好ましくは１００～１０００ｐｐｍの範囲内である。

　改質処理は、加熱処理と組み合わせて行うこともできる。加熱条件としては、好ましくは５０～３００℃の範囲内、より好ましくは６０～１５０℃の範囲内の温度で、好ましくは１秒～６０分間、より好ましくは１０秒～１０分間、加熱処理を併用することで、改質時の脱水縮合反応を促進し、より効率的に改質体を形成することができる。

　加熱処理としては、例えば、ヒートブロック等の発熱体に基材を接触させ熱伝導により塗膜を加熱する方法、抵抗線等による外部ヒーターにより雰囲気を加熱する方法、ＩＲヒーターのような赤外領域の光を用いた方法等が挙げられるが、特に限定されない。また、ケイ素化合物を含有する塗膜の平滑性を維持できる方法を適宜選択してよい。

＜第３封止層形成工程＞
　第３封止層形成工程は、前記第２封止層上に気相法により第３封止層を形成する。
　気相法としては、第１封止層形成工程で用いた気相法と同様に、スパッタリング法（例えば、マグネトロンカソードスパッタリング、平板マグネトロンスパッタリング、二極ＡＣ平板マグネトロンスパッタリング、二極ＡＣ回転マグネトロンスパッタリングなど、反応性スパッタ法を含む。）、蒸着法（例えば、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、イオンビーム蒸着、プラズマ支援蒸着など）、熱ＣＶＤ法、触媒化学気相成長法（Ｃａｔ－ＣＶＤ）、容量結合プラズマＣＶＤ法（ＣＣＰ－ＣＶＤ）、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法（ＰＥ－ＣＶＤ）、エピタキシャル成長法、原子層成長法（ＡＬＤ）等の化学蒸着法等が挙げられる。中でも、ＡＬＤ法、ＣＶＤ法により形成することが好ましい。
　第３封止層は、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸化ケイ素（一酸化ケイ素、二酸化ケイ素等）又は酸窒化ケイ素を含有する。
　第３封止層の厚さは、例えば、１０～１０００ｎｍの範囲内であることが好ましく、１００～５００ｎｍの範囲内であることがより好ましい。

　なお、前記したように封止膜形成後に、さらにタッチセンサー用の導電膜を形成してもよい。
　前記導電膜は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）
等の金属化合物膜のほか、フレキシブル性に優れた、グラフェン膜、金属ナノワイヤー膜（例えば、銀ナノワイヤー又は銅ナノワイヤーを含む膜）、金属ナノ粒子膜（例えば、銀ナノ粒子又は銅ナノ粒子を含む膜）で構成することができる。また、例えばＡｌ膜／Ｔｉ膜／Ａｌ膜のような複数金属の積層膜で構成することができる。

［電子デバイス封止膜］
　本発明の電子デバイス封止膜は、電子デバイスを封止する電子デバイス封止膜であって、窒化ケイ素、酸化ケイ素又は酸窒化ケイ素を含有する第１封止層と、前記した本発明の電子デバイス封止用組成物を用いた第２封止層と、を有する。
　本発明の電子デバイス封止膜は、前記電子デバイス封止膜形成方法により形成される。すなわち、前記した本発明の電子デバイス封止用組成物を用いて第２封止層が形成される。
　また、本発明の電子デバイス封止膜は、前記第２封止層上に、さらに窒化ケイ素、酸化ケイ素又は酸窒化ケイ素を含有する第３封止層を有することが好ましい。

＜第１封止層＞
　第１封止層は、電子デバイス上に前記した気相法により形成される層である。具体的には、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸化ケイ素（一酸化ケイ素、二酸化ケイ素等）又は酸窒化ケイ素を含有する。

＜第２封止層＞
　第２封止層は、前記第１封止層に隣接して設けられ、前記第１封止層上に前記封止用組成物を塗布することにより形成される。
　したがって、第２封止層は、下記一般式（３Ａ）及び下記一般式（３Ｂ）で表される構造を有する重合体と、前記金属含有化合物（Ｃ）と、を含有する。

　前記一般式（３Ａ）及び前記一般式（３Ｂ）において、Ｒ_１は水素原子又はメチル基を表す。
　また、前記一般式（３Ａ）及び一般式（３Ｂ）において、Ａは、芳香族炭化水素基を有さない構造である。すなわち、前記した光硬化性モノマー（Ａ）と同義であり、芳香族炭化水素基を含んでおらず、光硬化官能基として、ビニル基、アクリル基、及びメタクリル基のうちの一つ以上を１～２０個、具体的に１～６個有するモノマーを含んでもよく、例えば、１～３個、１～２個、１個、又は２個含んでもよい。
　前記一般式（３Ａ）及び一般式（３Ｂ）において、Ｂは芳香族炭化水素基を有する構造である。すなわち、前記した光硬化性モノマー（Ｂ）と同義であり、芳香族炭化水素基を有し、前記一般式（１）で表される構造を有する２個以上のフェニル基及びヘテロ原子を含み、かつ、少なくともモノ（メタ）アクリレート又はジ（メタ）アクリレートを含む。

　前記第２封止層が、前記一般式（３Ａ）及び一般式（３Ｂ）で表される構造を有する重合体と、前記金属含有化合物（Ｃ）と、を含有することを検出する方法としては、従来公知の種々の分析法、例えばクロマトグラフィー、赤外線分光法、紫外・可視分光法、核磁気共鳴分析、Ｘ線回折法、及び質量分析、Ｘ線光電子分光法等を用いることができる。

　前記第２封止層における前記金属含有化合物（Ｃ）の含有量は、０．１～１５質量％の範囲内であることが好ましく、５～１０質量％の範囲内であることより好ましい。
　また、第２封止層における金属含有化合物（Ｃ）は、その一部が金属Ｍを有する酸化物又は水酸化物へ変質していていもよい。これらの金属Ｍの酸化物又は水酸化物は、金属含有化合物（Ｃ）に対するモル分率として、０．０１～０．１［ｍｏｌ／ｍｏｌ］の範囲内であることが、透明性の観点で好ましい。

＜第３封止層＞
　第３封止層は、前記第２封止層に隣接して設けられ、前記した気相法により形成される層である。具体的には、第１封止層と同様に窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸化ケイ素（一酸化ケイ素、二酸化ケイ素等）又は酸窒化ケイ素を含有する。

［電子デバイス］
　本発明の電子デバイス封止膜形成方法及び電子デバイス封止膜において、封止される電子デバイスとしては、例えば、有機ＥＬ素子、ＬＥＤ素子、液晶表示素子（ＬＣＤ）、薄膜トランジスター、タッチパネル、電子ペーパー、太陽電池（ＰＶ）等を挙げることができる。本発明の効果がより効率的に得られるという観点から、有機ＥＬ素子、太陽電池又はＬＥＤ素子が好ましく、有機ＥＬ素子が特に好ましい。

＜有機ＥＬ素子＞
　本発明に係る電子デバイスとして採用される有機ＥＬ素子は、ボトムエミッション型、すなわち、透明基材側から光を取り出すようにしたものであってもよい。
　ボトムエミッション型は、具体的には、透明基材上に、カソードとなる透明電極、発光機能層、アノードとなる対向電極をこの順で積層することにより構成されている。
　また、本発明に係る有機ＥＬ素子は、トップエミッション型、すなわち、基材とは逆のカソードとなる透明電極側から光を取り出すようにしたものであってもよい。
　トップエミッション型は、具体的には、基材側にアノードとなる対向電極を設け、この表面に発光機能層、カソードとなる透明電極を順に積層した構成である。

　以下に、有機ＥＬ素子の構成の代表例を示す。
　（ｉ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／電子注入輸送層／陰極
　（ii）陽極／正孔注入輸送層／発光層／正孔阻止層／電子注入輸送層／陰極
　（iii）陽極／正孔注入輸送層／電子阻止層／発光層／正孔阻止層／電子注入輸送層／陰極
　（iv）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
　（ｖ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層／陰極
　（vi）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／電子阻止層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層／陰極
　さらに、有機ＥＬ素子は、非発光性の中間層を有していても良い。中間層は電荷発生層であっても良く、マルチフォトンユニット構成であっても良い。
　本発明に適用可能な有機ＥＬ素子の概要については、例えば、特開２０１３－１５７６３４号公報、特開２０１３－１６８５５２号公報、特開２０１３－１７７３６１号公報、特開２０１３－１８７２１１号公報、特開２０１３－１９１６４４号公報、特開２０１３－１９１８０４号公報、特開２０１３－２２５６７８号公報、特開２０１３－２３５９９４号公報、特開２０１３－２４３２３４号公報、特開２０１３－２４３２３６号公報、特開２０１３－２４２３６６号公報、特開２０１３－２４３３７１号公報、特開２０１３－２４５１７９号公報、特開２０１４－００３２４９号公報、特開２０１４－００３２９９号公報、特開２０１４－０１３９１０号公報、特開２０１４－０１７４９３号公報、特開２０１４－０１７４９４号公報等に記載されている構成を挙げることができる。

＜基材＞
　前記有機ＥＬ素子に用いることのできる基材（以下、支持基板、基体、基板、支持体等ともいう。）としては、具体的には、ガラス又は樹脂フィルムの適用が好ましく、フレキシブル性を要求される場合は、樹脂フィルムであることが好ましい。
　また、透明であっても不透明であってもよい。基材側から光を取り出す、いわゆるボトムエミッション型の場合には、基材は透明であることが好ましい。

　好ましい樹脂としては、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、メタクリル酸－マレイン酸共重合体、ポリスチレン樹脂、透明フッ素樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、セルロースアシレート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、脂環式ポリオレフィン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリスルホン樹脂、シクロオレフィンコポリマー、フルオレン環変性ポリカーボネート樹脂、脂環変性ポリカーボネート樹脂、フルオレン環変性ポリエステル樹脂、アクリロイル化合物などの熱可塑性樹脂を含む基材が挙げられる。該樹脂は、単独でも又は２種以上組み合わせても用いることができる。

　基材は、耐熱性を有する素材からなることが好ましい。具体的には、線膨張係数が１５ｐｐｍ／Ｋ以上１００ｐｐｍ／Ｋ以下で、かつガラス転移温度（Ｔｇ）が１００℃以上３００℃以下の基材が使用される。
　該基材は、電子部品用途、ディスプレイ用積層フィルムとしての必要条件を満たしている。すなわち、これらの用途に本発明の封止膜を用いる場合、基材は、１５０℃以上の工程に曝されることがある。この場合、基材の線膨張係数が１００ｐｐｍ／Ｋを超えると、前記のような温度の工程に流す際に基板寸法が安定せず、熱膨張及び収縮に伴い、遮断性性能が劣化する不都合や、又は熱工程に耐えられないという不具合が生じやすくなる。１５ｐｐｍ／Ｋ未満では、フィルムがガラスのように割れてしまいフレキシビリティが劣化する場合がある。

　基材のＴｇや線膨張係数は、添加剤などによって調整することができる。
　基材として用いることができる熱可塑性樹脂のより好ましい具体例としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ：７０℃）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ：１２０℃）、ポリカーボネート（ＰＣ：１４０℃）、脂環式ポリオレフィン（例えば日本ゼオン株式会社製、ゼオノア（登録商標）１６００：１６０℃）、ポリアリレート（ＰＡｒ：２１０℃）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ：２２０℃）、ポリスルホン（ＰＳＦ：１９０℃）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ：特開２００１－１５０５８４号公報に記載の化合物：１６２℃）、ポリイミド（例えば三菱ガス化学株式会社製、ネオプリム（登録商標）：２６０℃）、フルオレン環変性ポリカーボネート（ＢＣＦ－ＰＣ：特開２０００－２２７６０３号公報に記載の化合物：２２５℃）、脂環変性ポリカーボネート（ＩＰ－ＰＣ：特開２０００－２２７６０３号公報に記載の化合物：２０５℃）、アクリロイル化合物（特開２００２－８０６１６号公報に記載の化合物：３００℃以上）等が挙げられる（括弧内温度はＴｇを示す）。

　本発明に係る電子デバイスは、有機ＥＬ素子等の電子デバイスであることから、基材は透明であることが好ましい。すなわち、光線透過率が通常８０％以上、好ましくは８５％以上、さらに好ましくは９０％以上である。光線透過率は、ＪＩＳ　Ｋ７１０５：１９８１に記載された方法、すなわち積分球式光線透過率測定装置を用いて全光線透過率及び散乱光量を測定し、全光線透過率から拡散透過率を引いて算出することができる。

　また、上記に挙げた基材は、未延伸フィルムでもよく、延伸フィルムでもよい。当該基材は、従来公知の一般的な方法により製造することが可能である。これらの基材の製造方法については、国際公開第２０１３／００２０２６号の段落「００５１」～「００５５」の記載された事項を適宜採用することができる。

　基材の表面は、密着性向上のための公知の種々の処理、例えばコロナ放電処理、火炎処理、酸化処理、又はプラズマ処理等を行っていてもよく、必要に応じて上記処理を組み合わせて行っていてもよい。また、基材には易接着処理を行ってもよい。

　該基材は、単層でもよいし２層以上の積層構造であってもよい。該基材が２層以上の積層構造である場合、各基材は同じ種類であってもよいし異なる種類であってもよい。

　本発明に係る基材の厚さ（２層以上の積層構造である場合はその総厚）は、１０～２００μｍであることが好ましく、２０～１５０μｍであることがより好ましい。

　また、フィルム基材の場合は、ガスバリアー層付きフィルム基材であることが好ましい。

　前記フィルム基材用のガスバリアー層は、フィルム基材の表面には、無機物、有機物の被膜又はその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、ＪＩＳ　Ｋ　７１２９－１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が０．０１ｇ／ｍ^２・２４ｈ以下のバリアー性フィルムであることが好ましく、さらには、ＪＩＳ　Ｋ　７１２６－１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１×１０^－３ｍＬ／ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ以下、水蒸気透過度が、１×１０^－３ｇ／ｍ^２・２４ｈ以下の高ガスバリアー性フィルムであることが好ましい。

　前記ガスバリアー層を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、一酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸炭化ケイ素等を用いることができる。

　当該ガスバリアー層は、特に限定されないが、例えば、一酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸炭化ケイ素等の無機ガスバリアー層の場合は、無機材料をスパッタリング法（例えば、マグネトロンカソードスパッタリング、平板マグネトロンスパッタリング、二極ＡＣ平板マグネトロンスパッタリング、二極ＡＣ回転マグネトロンスパッタリングなど）、蒸着法（例えば、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、イオンビーム蒸着、プラズマ支援蒸着など）、熱ＣＶＤ法、触媒化学気相成長法（Ｃａｔ－ＣＶＤ）、容量結合プラズマＣＶＤ法（ＣＣＰ－ＣＶＤ）、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法（ＰＥ－ＣＶＤ）、エピタキシャル成長法、原子層成長（ＡＬＤ）法、反応性スパッタ法等の化学蒸着法等によって層形成することが好ましい。

　さらに、ポリシラザン、オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）などの無機前駆体を含む塗布液を支持体上に塗布した後、真空紫外光の照射などにより改質処理を行い、無機ガスバリアー層を形成する方法や、樹脂基材への金属めっき、金属箔と樹脂基材とを接着させる等のフィルム金属化技術などによっても、無機ガスバリアー層は形成される。

　また、無機ガスバリアー層は、有機ポリマーを含む有機層を含んでいてもよい。すなわち、無機ガスバリアー層は、無機材料を含む無機層と有機層との積層体であってもよい。

　有機層は、例えば、有機モノマー又は有機オリゴマーを樹脂基材に塗布し、層を形成し、続いて、例えば、電子ビーム装置、ＵＶ光源、放電装置、又はその他の好適な装置を使用して重合及び必要に応じて架橋することにより形成することができる。また、例えば、フラッシュ蒸発及び放射線架橋可能な有機モノマー又は有機オリゴマーを蒸着した後、有機モノマー又は有機オリゴマーからポリマーを形成することによっても形成することができる。コーティング効率は、樹脂基材を冷却することにより改善され得る。

　有機モノマー又は有機オリゴマーの塗布方法としては、例えば、ロールコーティング（例えば、グラビアロールコーティング）、スプレーコーティング（例えば、静電スプレーコーティング）等が挙げられる。また、無機層と有機層との積層体の例としては、例えば、国際公開第２０１２／００３１９８号、国際公開第２０１１／０１３３４１号に記載の積層体などが挙げられる。

　無機層と有機層との積層体である場合、各層の厚さは同じでもよいし、異なっていてもよい。無機層の厚さは、好ましくは３～１０００ｎｍの範囲内、より好ましくは１０～３００ｎｍの範囲内である。有機層の厚さは、好ましくは１００ｎｍ～１００μｍの範囲内、より好ましくは１～５０μｍの範囲内である。

　以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、下記実施例において、特記しない限り、操作は室温（２５℃）で行われた。また、特記しない限り、「％」及び「部」は、それぞれ、「質量％」及び「質量部」を意味する。

［封止用組成物１－１～１－７８、２－１～２－３及び２－５～２－８の調製］
　モノマー（Ａ）及びモノマー（Ｂ）を下記表Ｉ～表IVに示す種類及び質量部になるように窒素換気用下で秤量した。
　さらに、光重合開始剤として、リン系開始剤（ＢＡＳＦ社製、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　ＴＰＯ）５質量部、増感剤として２－イソプロピルチオキサントン（Ｍｅｒｃｋ社製）０．５質量部、安定化剤としてＩＲＧＡＳＴＡＢ　ＵＶ１０（ＢＡＳＦ社製）０．１質量部を褐色瓶へ入れ、６５℃のホットプレート上で３時間撹拌した。
　さらに、金属含有化合物（Ｃ）を、下記表Ｉ～表IVに示す種類及び質量部になるように加え１時間撹拌し、各封止用組成物１－１～１－７８、２－１～２－３及び２－５～２－８を得た。
　ただし、金属含有化合物（Ｃ）であるｃ８及びｃ９はあらかじめジブチルエーテルをエバポレーターによる減圧加熱により除去したものを用いた。

［封止用組成物２－４の調製］
　濃度２０質量％のポリシラザン（ＮＬ－１２０：クラリアントジャパン社製）を封止用組成物２－４とした。

＜モノマー（Ａ）＞
　ａ１：トリエチレングリコールジアクリレート（ＳＡＲＴＯＭＥＲ社製）
　ａ２：イソアミルアクリレート（共栄社化学社製）
　ａ３：イソボニルアクリレート（共栄社化学社製）
　ａ４：ジシクロペンタニルアクリレート（東京化成工業社製）
　ａ５：１，１０－デカンジオールジアクリレート（新中村化学社製）
　ａ６：トリエチレングリコールジメタクリレート（ＢＡＳＦ社製）
　ａ７：ラウリルアクリレート（ＳＡＲＴＯＭＥＲ社製）
　ａ８：ジメチルアミノプロピルアクリルアミド（東京化成工業社製）
　ａ９：ＥＯ変性トリメチロールプロパントリアクリレート（第一工業製薬社製）

＜モノマー（Ｂ）＞
　ｂ１：２－Ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｏｘｙｅｔｈｙｌ　ａｃｒｙｌａｔｅ（新中村化学社製）
　ｂ２：（３－ｐｈｅｎｏｘｙｐｈｅｎｙｌ）ｍｅｔｈｙｌ　ｐｒｏｐ－２－ｅｎｏａｔｅ（共栄社化学社製）
　ｂ３：下記化合物Ｘ
　ｂ４：下記化合物Ｙ

　なお、前記化合物Ｘ及び前記化合物Ｙは、以下に示す方法により合成した。

　（化合物Ｘの合成）
　冷却管及び撹拌機を備えた２０００ｍｌのフラスコにアセトニトリル（ａｃｅｔｏｎｉｔｒｉｌｅ、フィッシャー株式会社）８００ｍｌを充填し、ポタシウムカーボネート（ｐｏｔａｓｓｉｕｍ　ｃａｒｂｏｎａｔｅ、シグマアルドリッチ株式会社）１８０ｇ及びアクリル酸１０８ｇを０℃で撹拌しながら４，４’－ビス（クロロメチル）ビフェニル（４，４’－ｂｉｓ（ｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ、東京化成工業株式会社）１５０ｇをゆっくり添加した。温度を７０℃に上げた後、１２時間撹拌した。アセトニトリルを減圧蒸留して除去した後、シリカゲルカラムを通じて前記化合物Ｘ　１７７ｇをＨＰＬＣ純度９７％で得た。

　（化合物Ｙの合成）
　冷却管及び撹拌機を備えた３０００ｍｌの反応器にジクロロメタン（ｄｉｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈａｎｅ、シグマアルドリッチ株式会社）３００ｍｌを入れ、４－ヒドロキシブチルアクリレート（４－ｈｙｄｒｏｘｉｂｕｔｙｌ　ａｃｒｙｌａｔｅ、新中村化学工業株式会社）２００ｇ及びトリエチルアミン１６８ｇを入れ、フラスコ内の温度を０℃に下げた後、ｐ－トルエンスルホニルクロリド（ｐ－ｔｏｌｕｅｎｅ　ｓｕｌｆｏｎｙｌ　ｃｈｌｏｒｉｄｅ、シグマアルドリッチ株式会社）２７８ｇをジクロロメタン５００ｍｌに溶かした溶液を２時間にわたって滴下しながら撹拌した。さらに、５時間撹拌した後、残留溶媒を蒸留で除去した。得られた化合物３００ｇをアセトニトリル（ａｃｅｔｏｎｉｔｒｉｌｅ、シグマアルドリッチ株式会社）１０００ｍｌに入れ、ポタシウムカーボネート（ｐｏｔａｓｓｉｕｍ　ｃａｒｂｏｎａｔｅ、シグマアルドリッチ株式会社）２２０ｇ及び２－フェニルフェノール（２－ｐｈｅｎｙｌｐｈｏｎｏｌ、シグマアルドリッチ株式会社）１４１ｇを追加して８０℃で撹拌した。残留溶媒と反応残留物を除去し、前記化合物Ｙ（分子量２９６．３６）をＨＰＬＣ純度９３％で得た。

＜金属含有化合物（Ｃ）＞
　ｃ１：テトラ（２－エチルヘキシル）チタネート（製品名　ＴＡ３０、マツモトファインケミカル社製）
　ｃ２：アルミニウムｓｅｃ－ブチレート（川研ファインケミカル社製）
　ｃ３：環状アルミニウムオキサイドイソプロピレート（川研ファインケミカル社製）
　ｃ４：チタンオクチレングリコールキレート（製品名　ＴＣ２０１、マツモトファインケミカル社製）
　ｃ５：ジイソプロポキシビス（エチルアセトアセテート）チタン（製品名　ＴＣ７５０、マツモトファインケミカル社製）
　ｃ６：ノルマルブチルジルコネート（製品名　ＺＡ６５、マツモトファインケミカル社製）
　ｃ７：ジルコニウムテトラアセチルアセトネート（製品名　ＺＣ１５０、マツモトファインケミカル社製）
　ｃ８：ペルヒドロポリシラザン　（製品名　ＮＮ１２０、ＡＺ社製）
　ｃ９：メチルポリシラザン（製品名　アクアミカ　ＬＥｘｐ　ＭＨＰＳ－２０ＤＢ、ＡＺ社製）
　ｃ１０：３－アミノプロピルトリメトキシシラン　（製品名　ＫＢＭ－９０３、信越化学工業社製）
　Ｃ１１：　４塩化チタン（和光純薬株式会社製）

＜有機ＥＬ素子１－１の作製＞
（１）基板の準備
　フィルム基板として、１５μｍのポリイミドフィルムを準備した。さらに、このポリイミドフィルムに、フィルム基材用のガスバリアー層（ＳｉＯ_２膜：２５０ｎｍ／ＳｉＮｘ膜：５０ｎｍ／ＳｉＯ_２膜：５００ｎｍ（上層／中間層／下層））をプラズマＣＶＤ法で成膜した。

（２）第１電極の形成
　前記基板の一方の面に、第１電極（金属層）として下記条件でＡｌ膜を形成した。形成した第１電極の厚さは１５０ｎｍであった。なお、第１電極の厚さは、接触式表面形状測定器（ＤＥＣＴＡＫ）により測定した値である。
　Ａｌ膜は、真空蒸着装置を用い、真空度１×１０^－４Ｐａまで減圧した後、タングステン製の抵抗加熱用るつぼを使用して形成した。

（３）有機ＥＬ層の形成
　まず、真空蒸着装置内の蒸着用るつぼの各々に、有機機能層の各層を構成する下記に示す材料を各々素子作製に最適の量で充填した。蒸着用るつぼは、モリブデン製又はタングステン製の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。

（３－１）正孔注入層の形成
　真空度１×１０^－４Ｐａまで減圧した後、下記化合物Ａ－１の入った蒸着用るつぼに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で第１電極（金属層側）上に蒸着し、厚さ１０ｎｍの正孔注入層を形成した。

（３－２）正孔輸送層の形成
　次に、下記化合物Ｍ－２の入った蒸着用るつぼに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で正孔注入層上に蒸着し、厚さ３０ｎｍの正孔輸送層を形成した。

（３－３）発光層の形成
　次に、下記化合物ＢＤ－１及び下記化合物Ｈ－１を、化合物ＢＤ－１が７質量％の濃度になるように蒸着速度０．１ｎｍ／秒で共蒸着し、厚さ１５ｎｍの青色発光を呈する発光層（蛍光発光層）を形成した。
　次に、下記化合物ＧＤ－１、下記化合物ＲＤ－１及び下記化合物Ｈ－２を、化合物ＧＤ－１が２０質量％、ＲＤ－１が０．５質量％の濃度になるように蒸着速度０．１ｎｍ／秒で共蒸着し、厚さ１５ｎｍの黄色を呈する発光層（リン光発光層）を形成した。

（３－４）電子輸送層の形成
　その後、電子輸送材料として下記化合物Ｔ－１の入った加熱ボートを通電し、Ａｌｑ_３（トリス（８－キノリノール））よりなる電子輸送層を、発光層上に形成した。この際、蒸着速度を０．１～０．２ｎｍ／秒の範囲内とし、厚さを３０ｎｍとした。

（３－５）電子注入層（金属親和性層）の形成
　次に、電子注入材料として下記化合物Ｉ－１の入った加熱ボートに通電して加熱し、Ｌｉｑよりなる電子注入層を、電子輸送層上に形成した。この際、蒸着速度を０．０１～０．０２ｎｍ／秒の範囲内とし、厚さを２ｎｍとした。なお、この電子注入層は金属親和性層の機能を果たす。
　以上により、白色に発光する有機ＥＬ層を形成した。

（４）第２電極の形成
　さらに、Ｍｇ／Ａｇ混合物（Ｍｇ：Ａｇ＝１：９（ｖｏｌ比））を厚さ１０ｎｍで蒸着して第２電極と、その取り出し電極を形成した。

（５）キャッピング層の形成
　その後、元の真空槽内に移送し、第２電極上に、α－ＮＰＤ（４，４′－ビス〔Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ〕ビフェニル）を蒸着速度０．１～０．２ｎｍ／秒の範囲内で厚さが４０ｎｍとなるまで蒸着し、光取り出し改良を目的とするキャッピング層を形成した。

（６）第１封止層の形成
　次に、前記で作製した有機ＥＬ素子の発光部を覆う第１封止層として、プラズマＣＶＤ法により厚さ５００ｎｍの窒化珪素（ＳｉＮ、ビッカース硬度ＨＶ９００）を形成した。

（７）第２封止層の形成
　次に、窒素環境下で、インクジェット装置のカートリッジ一体型ヘッドへ、前記で調製した封止用組成物１－１を充填した。そして、前記第１封止層まで形成した有機ＥＬ素子を窒素環境下にてインクジェット法を用いて封止用組成物１－１を塗布した。その後、３９５ｎｍの空冷ＬＥＤ（Ｐｈｏｓｅｏｎ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）によって１Ｊ／ｃｍ^２の積算エネルギーだけＵＶを照射し、第２封止層を形成した。第２封止層はインクジェットの塗付回数を調整することで厚さを設定し、以下の２種類の厚さの第２封止層を形成した。
・３．３μｍ（１回塗付）
・１０μｍ（３回塗付）

（８）第３封止層の形成
　次に、第２封止層上に第３封止層として、プラズマＣＶＤ法により厚さ５００ｎｍの窒化珪素（ＳｉＮ、ビッカース硬度ＨＶ９００）を形成し、第１～第３封止層が形成された評価用の有機ＥＬ素子１－１を得た。

＜有機ＥＬ素子１－２～１－７８、２－１～２－３及び２－５～２－８の作製＞
　前記有機ＥＬ素子１－１の作製において、前記第２封止層の形成における封止用組成物１－１を下記表に示すとおりにそれぞれ変更した以外は同様にして、評価用の有機ＥＬ素子１－２～１－７８、２－１～２－３及び２－５～２－８を作製した。

＜有機ＥＬ素子２－４の作製＞
　前記有機ＥＬ素子１－１の作製の前記第２封止層の形成において、封止用組成物１－１を封止用組成物２－４に変更し、かつ、回転数５００ｒｐｍとしたスピナーを用いて、第１封止層上に封止用組成物２－４を塗布した後、ホットプレートを用いて温度９０℃で３０分間乾燥させた。これら塗布及び乾燥を繰り返し行うことで、３．３μｍ及び１０μｍの２種類の厚さの第２封止層を形成した。
　なお、インクジェットによる塗付は、封止用組成物２－４の液の蒸気圧及び粘度がインクジェットに不適切な範囲であり、吐出できなかった。

［評価］
＜封止性能（信頼性）＞
　評価用の各有機ＥＬ素子を高温高湿下（温度８５℃、相対湿度８５％）の恒温恒湿槽に放置し加速劣化試験を行った。一定時間ごとに恒温恒湿槽から各有機ＥＬ素子を取り出して室温下で発光させ、８５℃８５％での加速劣化時のダークスポット（ＤＳ）の有無を確認した。発光領域内におけるダークスポット面積比率が０．５％に到達するまでの時間を寿命と定義し、寿命を評価した。寿命が長いほど、封止性能が高いことを示している。下記評価基準のランク３～５を合格とした。
　（評価基準）
　ランク１：寿命５０時間未満
　ランク２：寿命５０時間以上１００時間未満
　ランク３：寿命１００時間以上３００時間未満
　ランク４：寿命３００時間以上５００時間未満
　ランク５：寿命５００時間以上

＜屈曲耐性＞
　各有機ＥＬ素子１－１～１－６７及び２－１～２－７を、直径１０ｍｍの金属製ローラーの周囲に巻き付かせて高温高湿下（温度６０℃、相対湿度９０％）の恒温恒湿槽に放置して加速劣化試験を行った。このとき、フィルム基板であるポリイミドフィルムが金属製ローラーへ接するように巻き付かせている。１５００時間後に恒温恒湿槽から各有機ＥＬ素子を取り出し室温下で顕微鏡確認及び発光状態（ダークスポット面積比率）を確認した。下記評価基準のランク３～５を合格とした。
　（評価基準）
　ランク１：封止層の剥離又は非発光
　ランク２：ダークスポット面積比率が１％以上
　ランク３：ダークスポット面積比率が０．５％以上１％未満
　ランク４：ダークスポット面積比率が０．１％以上０．５％未満
　ランク５：ダークスポット面積比率が０．１％未満

＜発光特性＞
　比較用の有機ＥＬ素子との発光効率を比較することで、発光特性を評価した。
　比較用の有機ＥＬ素子は、前記で作製した有機ＥＬ素子におけるフィルム基板の代わりに、無アルカリガラスを用いて準備した。
　また、第１封止層、第２封止層及び第３封止層を形成する代わりに、窒素雰囲気下で酸化バリウムを添付したガラス製の封止缶にて封止を行った。封止缶と有機ＥＬ素子の基板との接着には紫外線硬化型の接着剤を用い、紫外線を照射することで両者を接着し封止素子（比較用の有機ＥＬ素子）を作製した。
　得られた比較用の有機ＥＬ素子及び前記で作製した有機ＥＬ素子１－１～１－６７及び２－１～２－７を、２．５ｍＡ／ｃｍ^２の一定電流を印加した時の正面発光スペクトルを測定し、発光効率（ｌｍ／Ｗ）を評価した。
　なお、測定には分光放射輝度計ＣＳ－１０００（コニカミノルタ社製）を用いた。比較用の有機ＥＬ素子の発光効率に対する、前記有機ＥＬ素子１－１～１－６７及び２－１～２－７の発光効率の比を下記評価基準により評価した。下記のランク３～５を合格とした。
　（評価基準）
　ランク１：発光効率が９０％以下
　ランク２：９０％より大きく１００％以下
　ランク３：１００％より大きく１１０％以下
　ランク４：１１０％より大きく１２０％以下
　ランク５：１２０％より大きい

　上記結果に示されるように、本発明の封止用組成物を用いた封止層が形成された有機ＥＬ素子は、比較例の有機ＥＬ素子に比べて、封止性能が高く、屈曲耐性が良好で、さらに発光効率に優れることが分かる。

　本発明は、水分透過を防止し、封止性能に優れ、かつ、屈曲耐性に優れ、さらに発光効率を向上させることができる電子デバイス封止用組成物、電子デバイス封止膜形成方法及び電子デバイス封止膜に利用することができる。

Claims

　光硬化性モノマー及び光重合開始剤を含有する電子デバイス封止用組成物であって、
　前記光硬化性モノマーが、芳香族炭化水素基を有さない光硬化性モノマー（Ａ）と、芳香族炭化水素基を有する光硬化性モノマー（Ｂ）を含有し、
　前記光硬化性モノマー（Ｂ）が、下記一般式（１）で表される構造を有する置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含む炭化水素基、又は置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含むヘテロ原子含有炭化水素基を含み、かつ、
　前記光硬化性モノマー（Ｂ）が、少なくともモノ（メタ）アクリレート又はジ（メタ）アクリレートを含み、
　さらに、金属アルコキシド化合物、金属キレート化合物、シラン系化合物、シラザン系化合物及び金属ハロゲン化物系化合物から選ばれる金属含有化合物（Ｃ）を含有する電子デバイス封止用組成物。

［前記一般式（１）において、Ｐは、置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含む炭化水素基、又は置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含むヘテロ原子含有炭化水素基を表す。Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立的に下記一般式（２）で表される構造を有する。ａ及びｂは、それぞれ０～２の整数であり、ａ＋ｂは、１～４の整数である。］

［前記一般式（２）において、＊は、Ｐの炭素に対する連結部である。Ｘは、単一結合、Ｏ又はＳを表す。Ｙは、置換又は非置換の炭素数１～１０の直鎖状アルキレン基、又は置換又は非置換の炭素数１～２０のアルコキシ基を表す。Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１～５のアルキル基を表す。ｃは、０又は１の整数である。］
　前記金属含有化合物（Ｃ）の、電子デバイス封止用組成物全体に対する含有量が、０．１～１５質量％の範囲内である請求項１に記載の電子デバイス封止用組成物。
　前記金属含有化合物（Ｃ）を構成する金属Ｍが、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌ及びＺｒのうち少なくともいずれかである請求項１又は請求項２に記載の電子デバイス封止用組成物。
　前記光硬化性モノマー（Ａ）が、アミン基を有するモノ（メタ）アクリレート、置換又は非置換の炭素数１～２０のアルキレン基を有するジ（メタ）アクリレート、エチレンオキシド基を有するジ（メタ）アクリレート、エチレンオキシド基を有するトリ（メタ）アクリレート、環状炭化アルキル基を有するモノ（メタ）アクリレート及びジ（メタ）アクリレートのうち少なくともいずれかである請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の電子デバイス封止用組成物。
　前記光硬化性モノマー（Ｂ）が、４－（メタ）アクリルオキシ－２－ヒドロキシベンゾフェノン、エチル－３，３－ジフェニル（メタ）アクリレート、ベンゾイルオキシフェニル（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、エトキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、２－フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、２，２’－フェニルフェノキシエチルジ（メタ）アクリレート、２－フェニルフェノキシプロピル（メタ）アクリレート、２，２’－フェニルフェノキシプロピルジ（メタ）アクリレート、２－フェニルフェノキシブチル（メタ）アクリレート、２，２’－フェニルフェノキシブチルジ（メタ）アクリレート、２－（３－フェニルフェニル）エチル（メタ）アクリレート、２－（４－ベンジルフェニル）エチル（メタ）アクリレート、２－フェニル－２－（フェニルチオ）エチル（メタ）アクリレート、２－（トリフェニルメチルオキシ）エチル（メタ）アクリレート、４－（トリフェニルメチルオキシ）ブチル（メタ）アクリレート、３－（ビフェニル－２－イルオキシ）ブチル（メタ）アクリレート、２－（ビフェニル－２－イルオキシ）ブチル（メタ）アクリレート、４－（ビフェニル－２－イルオキシ）プロピル（メタ）アクリレート、３－（ビフェニル－２－イルオキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２－（ビフェニル－２－イルオキシ）プロピル（メタ）アクリレート、４－（ビフェニル－２－イルオキシ）エチル（メタ）アクリレート、３－（ビフェニル－２－イルオキシ）エチル（メタ）アクリレート、２－（４－ベンジルフェニル）エチル（メタ）アクリレート、４，４’－ジ（アクリロイルオキシメチル）ビフェニル、２，２’－ジ（２－アクリロイルオキシエトキシ）ビフェニル、これらの構造異性質体又はこれらの混合物のうちのいずれかである請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の電子デバイス封止用組成物。
　請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の電子デバイス封止用組成物を用いて、封止膜を形成する方法であって、
　電子デバイス上に気相法により第１封止層を形成する工程と、
　前記第１封止層上に前記電子デバイス封止用組成物を塗布することにより第２封止層を形成する工程と、を備える電子デバイス封止膜形成方法。
　前記第２封止層上に、気相法により第３封止層を形成する工程を備える請求項６に記載の電子デバイス封止膜形成方法。
　前記第２封止層を形成する工程が、インクジェット法を用いる請求項６又は請求項７に記載の電子デバイス封止膜形成方法。
　電子デバイスを封止する電子デバイス封止膜であって、
　窒化ケイ素、酸化ケイ素又は酸窒化ケイ素を含有する第１封止層と、
　請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の電子デバイス封止用組成物を用いた第２封止層と、を有する電子デバイス封止膜。
　前記第２封止層が、下記一般式（３Ａ）及び下記一般式（３Ｂ）で表される構造を有する重合体と、前記金属含有化合物（Ｃ）と、を含有する請求項９に記載の電子デバイス封止膜。

［前記一般式（３Ａ）及び前記一般式（３Ｂ）において、Ｒ_１は水素原子又はメチル基を表す。Ａは芳香族炭化水素基を有さない構造である。Ｂは芳香族炭化水素基を有し、前記一般式（１）で表される構造を有する置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含む炭化水素基、又は置換又は非置換の２個以上のフェニル基を含むヘテロ原子含有炭化水素基を含み、かつ、少なくともモノ（メタ）アクリレート又はジ（メタ）アクリレートを含む。］
　前記第２封止層上に、窒化ケイ素、酸化ケイ素又は酸窒化ケイ素を含有する第３封止層を有する請求項９又は請求項１０に記載の電子デバイス封止膜。
　前記第２封止層における前記金属含有化合物（Ｃ）の含有量が、０．１～１５質量％の範囲内である請求項９から請求項１１までのいずれか一項に記載の電子デバイス封止膜。