WO2022019300A1 - 化合物及びこれを用いた光電変換素子 - Google Patents

化合物及びこれを用いた光電変換素子 Download PDF

Info

Publication number
WO2022019300A1
WO2022019300A1 PCT/JP2021/027111 JP2021027111W WO2022019300A1 WO 2022019300 A1 WO2022019300 A1 WO 2022019300A1 JP 2021027111 W JP2021027111 W JP 2021027111W WO 2022019300 A1 WO2022019300 A1 WO 2022019300A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
group
compound
substituent
represented
photoelectric conversion
Prior art date
Application number
PCT/JP2021/027111
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
柾律 阿部
貴史 荒木
美樹 西
栄二 吉川
Original Assignee
住友化学株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 住友化学株式会社 filed Critical 住友化学株式会社
Priority to US18/016,661 priority Critical patent/US20230301185A1/en
Priority to KR1020237005331A priority patent/KR20230044235A/ko
Priority to CN202180061226.0A priority patent/CN116134037A/zh
Priority to EP21846928.6A priority patent/EP4186909A1/en
Publication of WO2022019300A1 publication Critical patent/WO2022019300A1/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D495/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D495/12—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains three hetero rings
    • C07D495/14—Ortho-condensed systems
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C69/00—Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
    • C07C69/612—Esters of carboxylic acids having a carboxyl group bound to an acyclic carbon atom and having a six-membered aromatic ring in the acid moiety
    • C07C69/616—Esters of carboxylic acids having a carboxyl group bound to an acyclic carbon atom and having a six-membered aromatic ring in the acid moiety polycyclic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D513/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00
    • C07D513/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D513/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D519/00—Heterocyclic compounds containing more than one system of two or more relevant hetero rings condensed among themselves or condensed with a common carbocyclic ring system not provided for in groups C07D453/00 or C07D455/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B23/00—Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes
    • C09B23/02—Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes the polymethine chain containing an odd number of >CH- or >C[alkyl]- groups
    • C09B23/04—Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes the polymethine chain containing an odd number of >CH- or >C[alkyl]- groups one >CH- group, e.g. cyanines, isocyanines, pseudocyanines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B57/00—Other synthetic dyes of known constitution
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B69/00—Dyes not provided for by a single group of this subclass
    • C09B69/10—Polymeric dyes; Reaction products of dyes with monomers or with macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/02—Printing inks
    • C09D11/10—Printing inks based on artificial resins
    • C09D11/102—Printing inks based on artificial resins containing macromolecular compounds obtained by reactions other than those only involving unsaturated carbon-to-carbon bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/52—Electrically conductive inks
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/14—Vascular patterns
    • G06V40/145—Sensors therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/30—Devices controlled by radiation
    • H10K39/32—Organic image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/653—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only oxygen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/655—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only sulfur as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2604/00—Fullerenes, e.g. C60 buckminsterfullerene or C70
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/20—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • the present invention relates to a compound and a photoelectric conversion element using the compound as a semiconductor material.
  • the photoelectric conversion element is attracting attention because it is an extremely useful device from the viewpoint of energy saving and reduction of carbon dioxide emissions, for example.
  • the photoelectric conversion element is an element having at least a pair of electrodes composed of an anode and a cathode and an active layer provided between the pair of electrodes.
  • at least one of the pair of electrodes is made of a transparent or translucent material, and light is incident on the active layer from the transparent or translucent electrode side.
  • the energy (h ⁇ ) of light incident on the active layer generates charges (holes and electrons) in the active layer, the generated holes move toward the anode, and the electrons move toward the cathode. Then, the electric charge that reaches the anode and the cathode is taken out to the outside of the device.
  • Patent Document 1 In recent years, there has been a demand for further improvement in characteristics of photoelectric conversion elements. Therefore, various further various semiconductor materials have been developed and reported (see Patent Document 1).
  • Patent Document 1 the n-type semiconductor material reported in Patent Document 1 is not sufficient to satisfy the characteristics required for recent photoelectric conversion elements.
  • a 1- B 1- A 1 (I) (In formula (I), A 1 represents an electron-withdrawing group.
  • B 1 represents a divalent group containing two or more structural units that are linked by a single bond to form a ⁇ -conjugated system, and at least one of the two or more structural units is represented by the following formula (II).
  • the second structural unit of the remainder other than the first structural unit is a divalent group containing an unsaturated bond, an arylene group or a heteroarylene group.
  • There are two A 1 may be different from each other.
  • the first structural units having two or more may be the same or different from each other.
  • the second structural units having two or more may be the same or different from each other.
  • Ar 1 and Ar 2 each independently represent an aromatic carbocycle which may have a substituent or an aromatic heterocycle which may have a substituent.
  • R is independent of each other Hydrogen atom, Halogen atom, Alkyl groups, which may have substituents, Cycloalkyl groups, which may have substituents, Aryl groups, which may have substituents, Alkyloxy groups, which may have substituents, Cycloalkyloxy groups, which may have substituents, Aryloxy groups, which may have substituents, Alkylthio groups, which may have substituents, Cycloalkylthio groups, which may have substituents, An arylthio group, which may have a substituent, A monovalent heterocyclic group which may have a substituent, Substituted amino groups, which may have substituents, Acyl groups, which may have substituents, Imine residues, which may have substituents,
  • R a and R b are independent of each other. Hydrogen atom, Alkyl groups, which may have substituents, Aryl groups, which may have substituents, Alkyloxy groups, which may have substituents, Represents an aryloxy group which may have a substituent or a monovalent heterocyclic group which may have a substituent. A plurality of Rs may be the same as or different from each other.
  • B 1 contains two or more of the first structural units.
  • the compound according to [1] or [2], wherein the first structural unit is a structural unit represented by the following formula (III).
  • Y and R are as defined above.
  • X 1 and X 2 independently represent a sulfur atom or an oxygen atom, respectively.
  • the second structural unit is selected from the group consisting of a divalent group containing an unsaturated bond and a group represented by the following formulas (IV-1) to (IV-9) [1]. ] To the compound according to any one of [4].
  • CU1-CU2-CU1- (V-1) ⁇ CU1-CU2-CU1-CU2-CU1- (V-2) -CU2-CU1-CU2-CU1-CU2- (V-3) -CU1-CU2-CU1-CU2-CU1-CU2-CU1- (V-4) -CU1-CU1- (V-5) -CU2-CU1-CU2- (V-6) -CU1-CU1-CU1- (V-7) -CU2-CU1-CU1-CU2- (V-8) -CU2-CU1-CU1-CU1-CU2- (V-9) (In formula (V-1) to formula (V-9), CU1 represents the first structural unit.
  • CU2 represents the second structural unit.
  • the two or more CU1s may be the same or different from each other, and when there are two or more CU2s, the two or more CU2s may be the same or different from each other.
  • An anode, a cathode, and an active layer provided between the anode and the cathode and containing a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material are included, and the n-type semiconductor material is [1].
  • the photoelectric conversion element according to [10] which is a photodetection element.
  • a fingerprint authentication device including the photoelectric conversion element according to [11].
  • a vein authentication device including the photoelectric conversion element according to [11].
  • the compound of the present invention may have the following embodiment [X].
  • [X] The compound according to [1] is excluded when the compound is a compound represented by the following formulas X-1 to X-3.
  • the present invention it is possible to suppress a decrease in the external quantum efficiency of the photoelectric conversion element due to heat treatment in the manufacturing process of the photoelectric conversion element or the process of incorporating the photoelectric conversion element into a device, and improve the heat resistance. It is possible to provide a novel compound and a photoelectric conversion element using the same.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration example of a photoelectric conversion element.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing a configuration example of an image detection unit.
  • FIG. 3 is a diagram schematically showing a configuration example of the fingerprint detection unit.
  • FIG. 4 is a diagram schematically showing a configuration example of an image detection unit for an X-ray image pickup device.
  • FIG. 5 is a diagram schematically showing a configuration example of a vein detection unit for a vein authentication device.
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing a configuration example of an image detection unit for an indirect type TOF type distance measuring device.
  • Non-fullerene compound means a compound that is neither a fullerene nor a fullerene derivative.
  • ⁇ -conjugated system means a system in which ⁇ electrons are delocalized to multiple bonds.
  • the “polymer compound” means a polymer having a molecular weight distribution and having a polystyrene-equivalent number average molecular weight of 1 ⁇ 10 3 or more and 1 ⁇ 108 or less.
  • the structural units contained in the polymer compound are 100 mol% in total.
  • the "constituent unit” means a residue derived from a raw material compound (monomer), which is present at least one in the compound of the present embodiment and the polymer compound.
  • the "hydrogen atom” may be a light hydrogen atom or a deuterium atom.
  • halogen atoms include fluorine atoms, chlorine atoms, bromine atoms, and iodine atoms.
  • substituteduents include halogen atoms, alkyl groups, cycloalkyl groups, alkenyl groups, cycloalkenyl groups, alkynyl groups, cycloalkynyl groups, alkyloxy groups, cycloalkyloxy groups, alkylthio groups, cycloalkylthio groups, aryls.
  • Groups, aryloxy groups, arylthio groups, monovalent heterocyclic groups, substituted amino groups, acyl groups, imine residues, amide groups, acidimide groups, substituted oxycarbonyl groups, cyano groups, alkylsulfonyl groups, and nitro groups Can be mentioned.
  • the number of carbon atoms does not include the number of carbon atoms of the substituent.
  • alkyl group may be linear, branched, or cyclic.
  • the number of carbon atoms of the linear alkyl group is usually 1 to 50, preferably 1 to 30, and more preferably 1 to 20 without including the number of carbon atoms of the substituent.
  • the number of carbon atoms of the branched or cyclic alkyl group is usually 3 to 50, preferably 3 to 30, and more preferably 4 to 20, not including the number of carbon atoms of the substituent.
  • alkyl group examples include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, isoamyl group, 2-ethylbutyl group and n-.
  • Examples thereof include an octyl group, a 2-ethyloctyl group, a 2-n-hexyl-decyl group, an n-dodecyl group, a tetradecyl group, a hexadecyl grave, an octadecyl group and an icosyl group.
  • the alkyl group may have a substituent.
  • the alkyl group having a substituent is, for example, a group in which a hydrogen atom in the above-exemplified alkyl group is substituted with a substituent such as an alkyloxy group, an aryl group or a fluorine atom.
  • alkyl having a substituent examples include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a perfluorobutyl group, a perfluorohexyl group, a perfluorooctyl group, a 3-phenylpropyl group and a 3- (4-methylphenyl) group.
  • examples thereof include a propyl group, a 3- (3,5-dihexylphenyl) propyl group and a 6-ethyloxyhexyl group.
  • the "cycloalkyl group” may be a monocyclic group or a polycyclic group.
  • the cycloalkyl group may have a substituent.
  • the number of carbon atoms of the cycloalkyl group does not include the number of carbon atoms of the substituent and is usually 3 to 30, preferably 12 to 19.
  • cycloalkyl group examples include an alkyl group having no substituent such as a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and an adamantyl group, and the hydrogen atom in these groups is an alkyl group, an alkyloxy group, an aryl group, or a fluorine. Examples thereof include a group substituted with a substituent such as an atom.
  • cycloalkyl group having a substituent examples include a methylcyclohexyl group and an ethylcyclohexyl group.
  • the "p-valent aromatic carbocyclic group” means the remaining atomic group obtained by removing p hydrogen atoms directly bonded to the carbon atoms constituting the ring from the aromatic hydrocarbons which may have a substituent. do.
  • the p-valent aromatic carbocyclic group may further have a substituent.
  • aryl group is a monovalent aromatic carbocyclic group, which is the remainder obtained by removing one hydrogen atom directly bonded to a carbon atom constituting the ring from an aromatic hydrocarbon which may have a substituent. Means the atomic group of.
  • the aryl group may have a substituent.
  • Specific examples of the aryl group include a phenyl group, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group, a 1-anthrasenyl group, a 2-anthrasenyl group, a 9-anthrasenyl group, a 1-pyrenyl group, a 2-pyrenyl group and a 4-pyrenyl group.
  • 2-Fluorenyl group, 3-Fluorenyl group, 4-Fluorenyl group, 2-Phenylphenyl group, 3-Phenylphenyl group, 4-Phenylphenyl group, and the hydrogen atom in these groups is an alkyl group or an alkyloxy group.
  • alkyloxy group may be linear, branched, or cyclic.
  • the number of carbon atoms of the linear alkyloxy group is usually 1 to 40, preferably 1 to 10, not including the number of carbon atoms of the substituent.
  • the number of carbon atoms of the branched or cyclic alkyloxy group is usually 3 to 40, preferably 4 to 10, not including the number of carbon atoms of the substituent.
  • the alkyloxy group may have a substituent.
  • Specific examples of the alkyloxy group include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propyloxy group, an isopropyloxy group, an n-butyloxy group, an isobutyloxy group, a tert-butyloxy group, an n-pentyloxy group and an n-hexyloxy group.
  • the cycloalkyl group contained in the "cycloalkyloxy group” may be a monocyclic group or a polycyclic group.
  • the cycloalkyloxy group may have a substituent.
  • the number of carbon atoms of the cycloalkyloxy group does not include the number of carbon atoms of the substituent and is usually 3 to 30, preferably 12 to 19.
  • cycloalkyloxy groups include cycloalkyloxy groups having no substituents such as cyclopentyloxy groups, cyclohexyloxy groups, and cycloheptyloxy groups, and hydrogen atoms in these groups are substituted with fluorine atoms and alkyl groups. The group that was made is mentioned.
  • the number of carbon atoms of the "aryloxy group” is usually 6 to 60, preferably 6 to 48, not including the number of carbon atoms of the substituent.
  • the aryloxy group may have a substituent.
  • the aryloxy group include a phenoxy group, a 1-naphthyloxy group, a 2-naphthyloxy group, a 1-anthrasenyloxy group, a 9-anthrasenyloxy group, a 1-pyrenyloxy group, and a group thereof.
  • examples thereof include a group in which the hydrogen atom in the above is substituted with a substituent such as an alkyl group, an alkyloxy group or a fluorine atom.
  • alkylthio group may be linear, branched, or cyclic.
  • the number of carbon atoms of the linear alkylthio group does not include the number of carbon atoms of the substituent and is usually 1 to 40, preferably 1 to 10.
  • the number of carbon atoms of the branched and cyclic alkylthio groups is usually 3 to 40, preferably 4 to 10, not including the number of carbon atoms of the substituent.
  • the alkylthio group may have a substituent.
  • Specific examples of the alkylthio group include methylthio group, ethylthio group, propylthio group, isopropylthio group, butylthio group, isobutylthio group, tert-butylthio group, pentylthio group, hexylthio group, cyclohexylthio group, heptylthio group, octylthio group, 2 -Examples include ethylhexylthio group, nonylthio group, decylthio group, 3,7-dimethyloctylthio group, laurylthio group, and trifluoromethylthio group.
  • the cycloalkyl group contained in the "cycloalkylthio group” may be a monocyclic group or a polycyclic group.
  • the cycloalkylthio group may have a substituent.
  • the number of carbon atoms of the cycloalkylthio group does not include the number of carbon atoms of the substituent and is usually 3 to 30, preferably 12 to 19.
  • cycloalkylthio group that may have a substituent is a cyclohexylthio group.
  • the number of carbon atoms of the "arylthio group” is usually 6 to 60, preferably 6 to 48, not including the number of carbon atoms of the substituent.
  • the arylthio group may have a substituent.
  • the arylthio group include a phenylthio group and a C1 to C12 alkyloxyphenylthio group (C1 to C12 indicate that the group described immediately after the phenylthio group has 1 to 12 carbon atoms, and the same applies to the following. ), C1-C12 alkylphenylthio groups, 1-naphthylthio groups, 2-naphthylthio groups, and pentafluorophenylthio groups.
  • a "p-valent heterocyclic group" (p represents an integer of 1 or more) is directly bonded to a carbon atom or a hetero atom constituting a ring from a heterocyclic compound which may have a substituent. It means the remaining atomic group excluding p hydrogen atoms among the hydrogen atoms.
  • the p-valent heterocyclic group may further have a substituent.
  • the number of carbon atoms of the p-valent heterocyclic group does not include the number of carbon atoms of the substituent and is usually 2 to 30, preferably 2 to 6.
  • heterocyclic compound may have include a halogen atom, an alkyl group, an aryl group, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, a monovalent heterocyclic group and a substituted amino.
  • substituents that the heterocyclic compound may have include a group, an acyl group, an imine residue, an amide group, an acidimide group, a substituted oxycarbonyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, a cyano group, and a nitro group.
  • the p-valent heterocyclic group includes "p-valent aromatic heterocyclic group".
  • the "p-valent aromatic heterocyclic group” is p of hydrogen atoms directly bonded to a carbon atom or a hetero atom constituting a ring from an aromatic heterocyclic compound which may have a substituent. It means the remaining atomic group excluding the hydrogen atom of.
  • the p-valent aromatic heterocyclic group may further have a substituent.
  • Aromatic heterocyclic compounds include, in addition to compounds in which the heterocycle itself exhibits aromaticity, compounds in which the heterocycle itself has an aromatic ring condensed, even if the heterocycle itself does not exhibit aromaticity.
  • aromatic heterocyclic compounds specific examples of the compound in which the heterocycle itself exhibits aromaticity include oxadiazole, thiadiazole, thiazole, oxazole, thiophene, pyrrole, phosphole, furan, pyridine, pyrazine, pyrimidine, and triazine. , Pyridazine, quinoline, isoquinoline, carbazole, and dibenzophosphol.
  • aromatic heterocyclic compounds specific examples of compounds in which the aromatic heterocycle itself does not exhibit aromaticity and the aromatic ring is fused to the heterocycle include phenoxazine, phenothiazine, dibenzobolol, and dibenzo. Examples include silol and benzopyran.
  • the number of carbon atoms of the monovalent heterocyclic group is usually 2 to 60, preferably 4 to 20, without including the number of carbon atoms of the substituent.
  • the monovalent heterocyclic group may have a substituent, and specific examples of the monovalent heterocyclic group include, for example, a thienyl group, a pyrrolyl group, a frill group, a pyridyl group, a piperidyl group and a quinolyl group. Examples thereof include an isoquinolyl group, a pyrimidinyl group, a triazinyl group, and a group in which the hydrogen atom in these groups is replaced with an alkyl group, an alkyloxy group or the like.
  • Substituted amino group means an amino group having a substituent.
  • substituent having an amino group include an alkyl group, an aryl group, and a monovalent heterocyclic group, and an alkyl group, an aryl group, or a monovalent heterocyclic group is preferable.
  • the number of carbon atoms of the substituted amino group is usually 2 to 30.
  • substituted amino groups include dialkylamino groups such as dimethylamino group and diethylamino group; diphenylamino group, bis (4-methylphenyl) amino group, bis (4-tert-butylphenyl) amino group, bis (3, Examples thereof include a diarylamino group such as a 5-di-tert-butylphenyl) amino group.
  • the "acyl group” may have a substituent.
  • the number of carbon atoms of the acyl group does not include the number of carbon atoms of the substituent and is usually 2 to 20, preferably 2 to 18.
  • Specific examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, a butyryl group, an isobutyryl group, a pivaloyl group, a benzoyl group, a trifluoroacetyl group, and a pentafluorobenzoyl group.
  • the "imine residue” means the remaining atomic group excluding the carbon atom constituting the carbon atom-nitrogen atom double bond or one hydrogen atom directly bonded to the nitrogen atom from the imine compound.
  • the "imine compound” means an organic compound having a carbon atom-nitrogen atom double bond in the molecule.
  • imine compounds include compounds in which the hydrogen atom bonded to the nitrogen atom constituting the carbon atom-nitrogen atom double bond in aldimine, ketimine, and aldimine is replaced with an alkyl group or the like.
  • the imine residue usually has 2 to 20 carbon atoms, preferably 2 to 18 carbon atoms.
  • Examples of imine residues include groups represented by the following structural formulas.
  • the "amide group” means the remaining atomic group obtained by removing one hydrogen atom bonded to a nitrogen atom from the amide.
  • the number of carbon atoms of the amide group is usually 1 to 20, preferably 1 to 18.
  • Specific examples of the amide group include formamide group, acetamide group, propioamide group, butyroamide group, benzamide group, trifluoroacetamide group, pentafluorobenzamide group, diformamide group, diacetamide group, dipropioamide group, dibutyroamide group and dibenzamide group. , Ditrifluoroacetamide group, and dipentafluorobenzamide group.
  • the “acidimide group” means the remaining atomic group obtained by removing one hydrogen atom bonded to a nitrogen atom from the acidimide.
  • the number of carbon atoms of the acidimide group is usually 4 to 20.
  • Specific examples of the acidimide group include a group represented by the following structural formula.
  • R' represents an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group, or a monovalent heterocyclic group.
  • the number of carbon atoms of the substituted oxycarbonyl group is usually 2 to 60, preferably 2 to 48, not including the number of carbon atoms of the substituent.
  • substituted oxycarbonyl group examples include a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, a propoxycarbonyl group, an isopropoxycarbonyl group, a butoxycarbonyl group, an isobutoxycarbonyl group, a tert-butoxycarbonyl group, a pentyloxycarbonyl group, and a hexyloxycarbonyl group.
  • alkenyl group may be linear, branched, or cyclic.
  • the number of carbon atoms of the linear alkenyl group is usually 2 to 30, preferably 3 to 20, not including the number of carbon atoms of the substituent.
  • the number of carbon atoms of the branched or cyclic alkenyl group does not include the number of carbon atoms of the substituent and is usually 3 to 30, preferably 4 to 20.
  • the alkenyl group may have a substituent.
  • Specific examples of the alkenyl group include a vinyl group, a 1-propenyl group, a 2-propenyl group, a 2-butenyl group, a 3-butenyl group, a 3-pentenyl group, a 4-pentenyl group, a 1-hexenyl group and a 5-hexenyl group. , 7-octenyl group, and a group in which the hydrogen atom in these groups is substituted with an alkyl group, an alkyloxy group, an aryl group, or a fluorine atom.
  • the "cycloalkenyl group” may be a monocyclic group or a polycyclic group.
  • the cycloalkenyl group may have a substituent.
  • the number of carbon atoms of the cycloalkenyl group does not include the number of carbon atoms of the substituent and is usually 3 to 30, preferably 12 to 19.
  • cycloalkenyl groups include cycloalkenyl groups that do not have substituents, such as cyclohexenyl groups, and groups in which the hydrogen atom in these groups is substituted with an alkyl group, an alkyloxy group, an aryl group, or a fluorine atom. Can be mentioned.
  • Examples of the cycloalkenyl group having a substituent include a methylcyclohexenyl group and an ethylcyclohexenyl group.
  • alkynyl group may be linear, branched, or cyclic.
  • the number of carbon atoms of the linear alkenyl group is usually 2 to 20, preferably 3 to 20, not including the number of carbon atoms of the substituent.
  • the number of carbon atoms of the branched or cyclic alkenyl group is usually 4 to 30, preferably 4 to 20, not including the number of carbon atoms of the substituent.
  • the alkynyl group may have a substituent.
  • Specific examples of the alkynyl group include ethynyl group, 1-propynyl group, 2-propynyl group, 2-butynyl group, 3-butynyl group, 3-pentynyl group, 4-pentynyl group, 1-hexynyl group and 5-hexynyl group.
  • a group in which the hydrogen atom in these groups is substituted with an alkyloxy group, an aryl group, or a fluorine atom.
  • the "cycloalkynyl group” may be a monocyclic group or a polycyclic group.
  • the cycloalkynyl group may have a substituent.
  • the number of carbon atoms of the cycloalkynyl group is usually 4 to 30, preferably 12 to 19, not including the number of carbon atoms of the substituent.
  • cycloalkynyl group examples include a cycloalkynyl group having no substituent such as a cyclohexynyl group, and a group in which the hydrogen atom in these groups is substituted with an alkyl group, an alkyloxy group, an aryl group, or a fluorine atom. Be done.
  • Examples of the cycloalkynyl group having a substituent include a methylcyclohexynyl group and an ethylcyclohexynyl group.
  • alkylsulfonyl group may be linear or branched.
  • the alkylsulfonyl group may have a substituent.
  • the number of carbon atoms of the alkylsulfonyl group is usually 1 to 30, not including the number of carbon atoms of the substituent.
  • Specific examples of the alkylsulfonyl group include a methylsulfonyl group, an ethylsulfonyl group, and a dodecylsulfonyl group.
  • the "Ink” means a liquid material used in the coating method, and is not limited to a colored liquid.
  • the “coating method” includes a method of forming a film (layer) using a liquid substance, for example, a slot die coating method, a slit coating method, a knife coating method, a spin coating method, a casting method, and a microgravure coating method. , Gravure coating method, Bar coating method, Roll coating method, Wire bar coating method, Dip coating method, Spray coating method, Screen printing method, Gravure printing method, Flexo printing method, Offset printing method, Inkjet coating method, Dispenser printing method, The nozzle coat method and the capillary coat method can be mentioned.
  • the ink may be a solution, or may be a dispersion such as a dispersion, an emulsion (emulsion), or a suspension (suspension).
  • the "absorption peak wavelength” is a parameter specified based on the absorption peak of the absorption spectrum measured in a predetermined wavelength range, and refers to the wavelength of the absorption peak having the highest absorbance among the absorption peaks of the absorption spectrum.
  • External quantum efficiency is also called EQE (External Quantum Efficiency), and the number of electrons generated for the number of photons irradiated to the photoelectric conversion element can be taken out to the outside of the photoelectric conversion element. Is the value indicated by the ratio (%).
  • the compound of this embodiment can be suitably used as a semiconductor material for a photoelectric conversion element, particularly an active layer. Whether the compound of the present embodiment functions as a p-type semiconductor material or an n-type semiconductor material in the active layer is determined by the HOMO energy level value or the LUMO energy level value of the selected compound. Can be relatively determined from.
  • the compound of this embodiment can be suitably used as an n-type semiconductor material in the active layer of the photoelectric conversion element.
  • the relationship between the HOMO and LUMO energy level values of the p-type semiconductor material contained in the active layer and the HOMO and LUMO energy level values of the n-type semiconductor material is the range in which the photoelectric conversion element (photodetection element) operates. Can be set as appropriate.
  • the compound of this embodiment is a compound represented by the following formula (I).
  • a 1 represents an electron-withdrawing group.
  • B 1 represents a divalent group containing two or more structural units that are linked by a single bond to form a ⁇ -conjugated system, and at least one of the two or more structural units is represented by the following formula (II).
  • the first structural unit hereinafter, also referred to as the first structural unit CU1
  • the remaining second structural unit other than the first structural unit hereinafter, also referred to as the second structural unit CU2.
  • There are two A 1 may be different from each other.
  • the first structural units having two or more may be the same or different from each other.
  • the second structural units having two or more may be the same or different from each other.
  • Ar 1 and Ar 2 each independently represent an aromatic carbocycle which may have a substituent or an aromatic heterocycle which may have a substituent.
  • R is independent of each other Hydrogen atom, Halogen atom, Alkyl groups, which may have substituents, Cycloalkyl groups, which may have substituents, Aryl groups, which may have substituents, Alkyloxy groups, which may have substituents, Cycloalkyloxy groups, which may have substituents, Aryloxy groups, which may have substituents, Alkylthio groups, which may have substituents, Cycloalkylthio groups, which may have substituents, An arylthio group, which may have a substituent, A monovalent heterocyclic group which may have a substituent, Substituted amino groups, which may have substituents, Acyl groups, which may have substituents, Imine residues, which may have substituents, An
  • R a and R b are independent of each other.
  • a plurality of Rs may be the same as or different from each other.
  • the compounds of the present embodiment is a non-fullerene compound represented by the formula (I), two of A 1 is a monovalent radical of an electron-withdrawing, the ⁇ conjugated system linked by a single bond It is a compound bonded to both ends of B 1 , which is a divalent group containing two or more constituent units.
  • a 1 and B 1 that can constitute the compound of the present embodiment will be specifically described.
  • a 1 for A 1 is a monovalent group of electron-withdrawing.
  • T represents a carbocycle which may have a substituent or a heterocycle which may have a substituent.
  • the carbocycle and the heterocycle may be a monocyclic ring or a condensed ring. When these rings have a plurality of substituents, the plurality of substituents may be the same or different from each other.
  • An example of a carbocycle that may have a substituent represented by T is an aromatic carbocycle, preferably an aromatic carbocycle.
  • Specific examples of the carbocycle which may have a substituent represented by T include a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a tetracene ring, a pentacene ring, a pyrene ring, and a phenanthrene ring, and benzene is preferable.
  • An example of a heterocycle which may have a substituent represented by T is an aromatic heterocycle, preferably an aromatic carbocycle.
  • Specific examples of the heterocycle which may have a substituent represented by T include a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, a pyrrole ring, a furan ring, a thiophene ring, an imidazole ring, an oxazole ring and a thiazole ring.
  • Examples thereof include a ring and a thienothiophene ring, preferably a thiophene ring, a pyridine ring, a pyrazine ring, a thiazole ring, and a thienothiophene ring, and more preferably a thiophene ring. These rings may have substituents.
  • Examples of the substituent that the carbocycle or heterocycle represented by T may have include a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, an aryl group, and a monovalent heterocyclic group, preferably a fluorine atom. It is a chlorine atom, an alkyloxy group having 1 to 6 carbon atoms and / or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
  • X 7 is a hydrogen atom or a halogen atom, a cyano group, an alkyl group which may have a substituent, an alkyloxy group which may have a substituent, an aryl group which may have a substituent or a group. Represents a monovalent heterocyclic group. X 7 is preferably a cyano group.
  • R a1 , R a2 , R a3 , R a4 , and R a5 independently have a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent, a halogen atom, and an alkyl which may have a substituent.
  • R a6 and R a7 each independently have a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group which may have a substituent, a cycloalkyl group which may have a substituent, and a substituent. May have an alkyloxy group, a cycloalkyloxy group which may have a substituent, a monovalent aromatic carbocyclic group which may have a substituent, or a monovalent which may have a substituent. It represents an aromatic heterocyclic group, plural R a6 and R a7 may be the same or different from each other.
  • a 1 Specific examples of the electron attracting group represented by A 1 include the following equations (a-1-1) to (a-1-4), as well as equations (a-5-1) and (a). -6-1) and the group represented by the formula (a-7-1) can be mentioned.
  • Each of the plurality of Ra 10s independently represents a hydrogen atom or a substituent.
  • R a1 , R a2 , R a3 , R a4 , and R a5 are independently synonymous with the above.
  • R a10 is preferably a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyloxy group, a cyano group or an alkyl group.
  • R a1 , R a2 , R a3 , R a4 , and R a5 are preferably alkyl groups that may have substituents or aryl groups that may have substituents.
  • Preferred examples of the electron-withdrawing group represented by A 1 include a group represented by the following formula.
  • B 1 for B 1 represents a divalent group comprising two or more structural units that constitute the connection to ⁇ -conjugated single bond.
  • B 1 contains a pair or more of atoms that are ⁇ -bonded to each other, and is a divalent group in which a ⁇ electron cloud spreads throughout B 1.
  • At least one of the two or more structural units that can constitute B 1 is the first structural unit CU1 represented by the above formula (II), and the second residual unit other than the first structural unit CU1.
  • the building block CU2 is a divalent group containing an unsaturated bond, an arylene group or a heteroarylene group.
  • B 1 preferably contains two or more first structural units CU 1.
  • the first structural unit CU1 and the second structural unit CU2 will be specifically described.
  • First structural unit CU1 The first structural unit CU1 that can constitute B 1 is a structural unit represented by the following formula (II).
  • Ar 1 and Ar 2 , and Y and R are as defined above.
  • the aromatic carbocycles that can constitute Ar 1 and Ar 2 are preferably a benzene ring and a naphthalene ring, more preferably a benzene ring and a naphthalene ring, and further preferably a benzene ring. These rings may have substituents.
  • the aromatic heterocycles that can constitute Ar 1 and Ar 2 are preferably an oxadiazole ring, a thiaziazole ring, a thiazole ring, an oxazole ring, a thiophene ring, a thienothiophene ring, a benzothiophene ring, a pyrrole ring, a phosphor ring, and a furan ring.
  • the halogen atom represented by R is preferably a fluorine atom.
  • the alkyl group which may have a substituent represented by R is preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent, and more preferably has a substituent. It may be an alkyl group having 1 to 15 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms which may have a substituent, and further preferably having a substituent. It may be an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.
  • the substituent that the alkyl group represented by R may have is preferably a halogen atom, more preferably a fluorine atom and / or a chlorine atom.
  • the cycloalkyl group which may have a substituent represented by R is preferably a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms which may have a substituent, and more preferably has a substituent. It is a cycloalkyl group having 5 to 6 carbon atoms which may be used, and more preferably a cyclohexyl group which may have a substituent.
  • the aryl group which may have a substituent represented by R is preferably an aryl group having 6 to 15 carbon atoms which may have a substituent, and more preferably has a substituent. It may be a phenyl group or a naphthyl group.
  • the substituent that the aryl group represented by R may have is preferably a halogen atom (eg, chlorine atom, fluorine atom) and an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms (eg, methyl group, trifluoromethyl).
  • a halogen atom eg, chlorine atom, fluorine atom
  • an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms eg, methyl group, trifluoromethyl.
  • alkyloxy group having 1 to 12 carbon atoms eg, methoxy group, ethoxy group, octyloxy group
  • alkylsulfonyl group having 1 to 12 carbon atoms (eg) , Dodecylsulfonyl group
  • / or a cyano group preferably a halogen atom (eg, chlorine atom, fluorine atom) and
  • the alkyloxy group which may have a substituent represented by R is preferably an alkyloxy group having 1 to 10 carbon atoms which may have a substituent, and more preferably has a substituent. It is an alkyloxy group having 1 to 8 carbon atoms which may be used, and more preferably a methoxy group, an ethoxy group, a propyloxy group, a 3-methylbutyloxy group, or a 2-ethylhexyloxy group. The group may have a substituent.
  • the aryloxy group which may have a substituent represented by R is preferably an aryloxy group having 6 to 15 carbon atoms which may have a substituent, and more preferably has a substituent. It is a phenyloxy group or an anthracenyloxy group which may be used.
  • the substituent that the aryloxy group represented by R may have is preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and further preferably. Is a methyl group.
  • the alkylthio group which may have a substituent represented by R is preferably an alkylthio group having 1 to 6 carbon atoms which may have a substituent, and more preferably has a substituent. It may be an alkylthio group having 1 to 3 carbon atoms, and more preferably a methylthio group or a propylthio group which may have a substituent.
  • the arylthio group which may have a substituent represented by R is preferably an arylthio group having 6 to 10 carbon atoms which may have a substituent, and more preferably has a substituent. It may be a phenylthio group.
  • the substituent that the arylthio group represented by R may have is preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and even more preferably. It is a methyl group.
  • the monovalent heterocyclic group which may have a substituent represented by R is preferably a 5-membered or 6-membered monovalent heterocyclic group which may have a substituent.
  • the 5-membered monovalent heterocyclic group include a thienyl group, a frill group, a pyrrolyl group, an imidazolyl group, a pyrazolyl group, a thiazolyl group, an isothiazolyl group, an oxazolyl group, an isooxazolyl group, and a pyrrolidinyl group.
  • 6-membered monovalent heterocyclic group examples include a pyridyl group, a pyrazinyl group, a pyrimidinyl group, a pyridadinyl group, a piperidyl group, a piperazinyl group, a morpholinyl group, and a tetrahydropyranyl group.
  • the monovalent heterocyclic group which may have a substituent represented by R is more preferably a thienyl group, a fryl group, a thiazolyl group, an oxazolyl group, a pyridyl group, or a pyrazil group, and these groups are It may have a substituent.
  • the substituent that the monovalent heterocyclic group represented by R may have is preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms (eg, a methyl group, a trifluoromethyl group, a propyl group, a hexyl group, etc.). Octyl group, dodecyl group).
  • the alkenyl group which may have a substituent represented by R is preferably an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms which may have a substituent, and more preferably has a substituent. It may be an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, and more preferably a 2-propenyl group or a 5-hexenyl group which may have a substituent.
  • the cycloalkenyl group which may have a substituent represented by R is preferably a cycloalkenyl group having 3 to 10 carbon atoms which may have a substituent, and more preferably has a substituent. It is a cycloalkenyl group having 6 to 7 carbon atoms which may be used, and more preferably a cyclohexenyl group or a cycloheptenyl group which may have a substituent.
  • the substituent that the cycloalkenyl group represented by R may have is preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms.
  • the alkynyl group which may have a substituent represented by R is preferably an alkynyl group having 2 to 10 carbon atoms which may have a substituent, and more preferably has a substituent. It may be an alkynyl group having 5 to 6 carbon atoms, and more preferably a 5-hexynyl group or a 3-methyl-1-butynyl group which may have a substituent.
  • the cycloalkynyl group which may have a substituent represented by R is preferably a cycloalkynyl group having 6 to 10 carbon atoms which may have a substituent, and more preferably has a substituent. It is a cycloalkynyl group having 7 to 8 carbon atoms which may be used, and more preferably, a cycloheptinyl group or a cyclooctynyl group which may have a substituent.
  • the substituent that the cycloalkynyl group represented by R may have is preferably a C1-C12 alkyl group.
  • Each of the plurality of Rs is an alkyl group which may independently have a substituent, and more preferably an alkyl group having 1 to 15 carbon atoms which may have a substituent. It is more preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms which may have a substituent, and further preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may have a substituent. It is particularly preferable that the plurality of Rs are alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms, all of which may have a substituent.
  • Ra is preferably a hydrogen atom
  • R b is preferable.
  • It may be an alkyloxy group having 1 to 6 carbon atoms, more preferably a methyl group, an ethyl group, a 2-methylpropyl group, an octyl group, a dodecyl group, or an ethoxy group, and these groups are substituted. It may have a group.
  • the first structural unit CU1 represented by the above formula (II) that can constitute B 1 is preferably the structural unit represented by the following formula (III).
  • Equation (III) Y and R, X 1 and X 2 , and Z 1 and Z 2 are as defined above.
  • the first structural unit CU1 represented by the above formula (III) that can constitute B 1 is preferably the structural unit represented by the following formula (III-1).
  • R, X 1 and X 2 , and Z 1 and Z 2 are as defined above.
  • Examples of the structural unit represented by the formula (III-1) include the structural units represented by the following formulas (III-1-1) to (III-1-16).
  • a preferable specific example of the first structural unit CU1 represented by the above formula (III-1) is a structural unit represented by the following formula.
  • the first structural unit CU1 represented by the formula (III) that can constitute B 1 is preferably the structural unit represented by the following formula (III-2).
  • Examples of the structural unit represented by the formula (III-2) include the structural units represented by the following formulas (III-2-1) to (III-2-16).
  • a preferable specific example of the structural unit represented by the formula (III-2) is a structural unit represented by the following formula.
  • B 1 preferably contains three or more first structural units CU 1.
  • B 1 is preferably a divalent group in which two or more and four or less first structural units CU 1 are linked.
  • the second structural unit CU2 is a divalent group containing an unsaturated bond, an arylene group or a heteroarylene group.
  • the value of n is preferably 1 or 2, more preferably 1), representing a group represented by -C ⁇ C-.
  • divalent group containing an unsaturated bond which is the second structural unit CU2
  • divalent group containing an unsaturated bond include ethene-1,2-diyl group, 1,3-butadiene-1,4-diyl group, and acetylene-1. , 2-Diyl group.
  • the second structural unit CU2 is selected from the group consisting of a divalent group containing an unsaturated bond and a group represented by the following formulas (IV-1) to (IV-9). It is preferable that the structural unit is a structural unit selected from the group consisting of the groups represented by the formulas (IV-1) to (IV-6).
  • a more specific preferable example of the second structural unit CU2 is a structural unit represented by the following formula. These building blocks may further have a substituent.
  • B 1 contains two or more structural units, and at least one of the two or more structural units is the first structural unit CU1 and the first structural unit.
  • the remaining structural unit other than the structural unit CU1 is the second structural unit CU2.
  • the combination of the first structural unit CU1 and the second structural unit CU2 included in B 1 and the aspect of the arrangement thereof are not particularly limited, provided that a ⁇ -conjugated system can be constructed.
  • B 1 is preferably a divalent group having any one structure selected from the group consisting of the structures represented by the following formulas (V-1) to (V-9).
  • V-1-CU2-CU1- (V-1) ⁇ CU1-CU2-CU1-CU2-CU1- (V-2) -CU2-CU1-CU2-CU1-CU2- (V-3) -CU1-CU2-CU1-CU2-CU1-CU2-CU1- (V-4) -CU1-CU1- (V-5) -CU2-CU1-CU2- (V-6) -CU1-CU1-CU1- (V-7) -CU2-CU1-CU1-CU2- (V-8) -CU2-CU1-CU1-CU1-CU1-CU2- (V-9)
  • CU1 represents the first structural unit CU1.
  • CU2 represents the second structural unit CU2.
  • the two or more CU1s may be the same or different from each other, and when there are two or more CU2s, the two or more CU2s may be the same or different from each other. You may.
  • the total number of the first structural unit CU1 and the second structural unit CU2 that can be included in B 1 is usually 2 or more, preferably 3 or more, usually 7 or less, and preferably 5 or less. ..
  • the number of first structural units CU1 that can be contained in B 1 is usually 1 or more, preferably 2 or more, and more preferably 3 or more.
  • the number of the second structural unit CU2 that can be contained in B 1 is usually 5 or less, preferably 3 or less, and more preferably 1 or less.
  • B 1 is a divalent group represented by the following formula.
  • R is as defined above.
  • the compound of this embodiment can be suitably used as a semiconductor material for the active layer of the photoelectric conversion element, particularly a non-fullerene compound which is an n-type semiconductor material.
  • the compound of the present embodiment when used as an n-type semiconductor material as a material for an active layer, it suppresses a decrease in EQE due to heat treatment in a process of manufacturing a photoelectric conversion element or a process of incorporating the photoelectric conversion element into a device to which the photoelectric conversion element is applied. Or the EQE can be further improved and the heat resistance can be improved.
  • the compound of the present embodiment used as the n-type semiconductor material may contain two or more kinds as the material of the active layer.
  • the active layer of the photoelectric conversion element may contain only the compound of the present embodiment as an n-type semiconductor material, and may contain a compound other than the compound of the present embodiment which is an n-type semiconductor material. , It may be included as a further n-type semiconductor material.
  • the compound other than the compound of the present embodiment which can be contained as a further n-type semiconductor material may be a low molecular weight compound or a high molecular weight compound.
  • n-type semiconductor materials (electron-accepting compounds) other than the "compound of the present embodiment" which are low molecular weight compounds include oxadiazole derivatives, anthracinodimethane and its derivatives, benzoquinone and its derivatives, naphthoquinone and its derivatives. Derivatives, anthraquinone and its derivatives, tetracyanoanthraquinodimethane and its derivatives, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene and its derivatives, diphenoquinone derivatives, 8-hydroxyquinoline and its derivatives metal complexes, and phenanthrene derivatives such as vasocproin. Be done.
  • n-type semiconductor materials other than the "compound of the present embodiment" which is a polymer compound include polyvinylcarbazole and its derivatives, polysilane and its derivatives, and polysiloxane derivatives having an aromatic amine structure in the side chain or main chain.
  • examples thereof include polyaniline and its derivatives, polythiophene and its derivatives, polypyrrole and its derivatives, polyphenylene vinylene and its derivatives, polythienylene vinylene and its derivatives, polyquinolin and its derivatives, polyquinoxalin and its derivatives, and polyfluorene and its derivatives. ..
  • the compound other than the "compound of the present embodiment” may contain a fullerene derivative.
  • the fullerene derivative referred fullerene (C 60 fullerene, C 70 fullerene, C 76 fullerene, C 78 fullerene, and C 84 fullerene) a compound in which at least part of which is modified out of.
  • it refers to a compound having one or more groups added to the fullerene skeleton.
  • a fullerene derivative C 60 fullerene as "C 60 fullerene derivative” may be referred to as "C 70 fullerene derivative” fullerene derivatives C 70 fullerene.
  • the fullerene derivative that can be used as an n-type semiconductor material other than the "compound of the present embodiment” is not particularly limited as long as the object of the present invention is not impaired.
  • C 60 fullerene derivatives can be used as n-type semiconductor material other than "the compounds of the present embodiment", the following compounds may be mentioned.
  • R is as defined above.
  • the plurality of Rs may be the same or different from each other.
  • Examples of C 70 fullerene derivatives include the following compounds.
  • the photoelectric conversion element according to the present embodiment includes an anode, a cathode, and an active layer provided between the anode and the cathode, and includes a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material.
  • the n-type semiconductor material it is a photoelectric conversion element containing the compound of the present embodiment described above.
  • the photoelectric conversion element of the present embodiment by having the above configuration, it is possible to suppress a decrease in external quantum efficiency due to heat treatment in a process of manufacturing the photoelectric conversion element or a process of incorporating the photoelectric conversion element into a device to which the photoelectric conversion element is applied.
  • the heat resistance can be effectively improved.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing the configuration of the photoelectric conversion element of the present embodiment.
  • the photoelectric conversion element 10 is provided on the support substrate 11.
  • the photoelectric conversion element 10 is provided so as to be in contact with the anode 12 provided in contact with the support substrate 11, the hole transport layer 13 provided in contact with the anode 12, and the hole transport layer 13.
  • the active layer 14 is provided with an electron transport layer 15 provided in contact with the active layer 14, and a cathode 16 provided in contact with the electron transport layer 15.
  • the sealing member 17 is further provided so as to be in contact with the cathode 16.
  • the photoelectric conversion element is usually formed on a substrate (support substrate). Further, it may be further sealed by a substrate (sealing substrate).
  • the substrate is usually formed with one of a pair of electrodes consisting of an anode and a cathode.
  • the material of the substrate is not particularly limited as long as it is a material that does not chemically change when forming a layer containing an organic compound.
  • the substrate material examples include glass, plastic, polymer film, and silicon.
  • the electrode on the opposite side of the electrode provided on the opaque substrate side is a transparent or translucent electrode. ..
  • the photoelectric conversion element includes a pair of electrodes, an anode and a cathode. At least one of the anode and the cathode is preferably a transparent or translucent electrode in order to allow light to enter.
  • transparent or translucent electrode materials include conductive metal oxide films and translucent metal thin films. Specifically, indium oxide, zinc oxide, tin oxide, and conductive materials such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and NESA, which are composites thereof, gold, platinum, and silver. Copper is mentioned. As a transparent or translucent electrode material, ITO, IZO, and tin oxide are preferable. Further, as the electrode, a transparent conductive film using an organic compound such as polyaniline and its derivative, polythiophene and its derivative as a material may be used. The transparent or translucent electrode may be an anode or a cathode.
  • the other electrode may be an electrode having low light transmission.
  • materials for electrodes having low light transmission include metals and conductive polymers.
  • Specific examples of materials for electrodes with low light transmission include lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, magnesium, calcium, strontium, barium, aluminum, scandium, vanadium, zinc, ittrium, indium, cerium, samarium, and europium.
  • Metals such as terbium and itterbium, and two or more alloys of these, or one or more of these metals, gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, cobalt, nickel, tungsten and tin.
  • Examples include alloys with one or more metals selected from the group consisting of, graphite, graphite interlayer compounds, polyaniline and its derivatives, polythiophene and its derivatives.
  • Examples of the alloy include magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, magnesium-aluminum alloy, indium-silver alloy, lithium-aluminum alloy, lithium-magnesium alloy, lithium-indium alloy, and calcium-aluminum alloy.
  • the active layer included in the photoelectric conversion element of the present embodiment is assumed to have a bulk heterojunction type structure, and includes a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material. Includes morphological compounds (details below).
  • the thickness of the active layer is not particularly limited.
  • the thickness of the active layer can be arbitrarily set in consideration of the balance between the suppression of the dark current and the extraction of the generated photocurrent.
  • the thickness of the active layer is preferably 100 nm or more, more preferably 150 nm or more, still more preferably 200 nm or more, particularly from the viewpoint of further reducing the dark current.
  • the thickness of the active layer is preferably 10 ⁇ m or less, more preferably 5 ⁇ m or less, and further preferably 1 ⁇ m or less.
  • the active layer is formed by a step including a treatment of heating at a heating temperature of 200 ° C. or higher (details will be described later).
  • the material of the active layer according to the present embodiment a p-type semiconductor material that can be suitably used in combination with the n-type semiconductor material which is the compound of the present embodiment described above will be described.
  • the p-type semiconductor material is preferably a polymer compound having a predetermined polystyrene-equivalent weight average molecular weight.
  • the polystyrene-equivalent weight average molecular weight means the weight average molecular weight calculated using a standard sample of polystyrene using gel permeation chromatography (GPC).
  • the polystyrene-equivalent weight average molecular weight of the p-type semiconductor material is preferably 3000 or more and 500,000 or less, particularly from the viewpoint of improving the solubility in a solvent.
  • the p-type semiconductor material is a ⁇ -conjugated polymer compound (DA-type conjugated polymer) containing a donor structural unit (also referred to as D structural unit) and an acceptor structural unit (also referred to as A structural unit). It is also referred to as a compound). It should be noted that which is the donor constituent unit or the acceptor constituent unit can be relatively determined from the energy level of HOMO or LUMO.
  • DA-type conjugated polymer containing a donor structural unit (also referred to as D structural unit) and an acceptor structural unit (also referred to as A structural unit). It is also referred to as a compound). It should be noted that which is the donor constituent unit or the acceptor constituent unit can be relatively determined from the energy level of HOMO or LUMO.
  • the donor constituent unit is a constituent unit in which ⁇ electrons are excessive
  • the acceptor constituent unit is a constituent unit in which ⁇ electrons are deficient.
  • the structural unit that can constitute the p-type semiconductor material a structural unit in which the donor structural unit and the acceptor structural unit are directly bonded, and further, a donor structural unit and an acceptor structural unit are arbitrarily preferable. Also included are structural units bonded via spacers (groups or structural units).
  • Examples of the p-type semiconductor material which is a polymer compound include polyvinylcarbazole and its derivatives, polysilane and its derivatives, polysiloxane derivatives having an aromatic amine structure in the side chain or main chain, polyaniline and its derivatives, polythiophene and its derivatives. , Polypyrrole and its derivatives, polyphenylene vinylene and its derivatives, polythienylene vinylene and its derivatives, polyfluorene and its derivatives.
  • the p-type semiconductor material of the present embodiment is preferably a polymer compound containing a structural unit represented by the following formula (VI).
  • the structural unit represented by the following formula (VI) is usually a donor structural unit in the present embodiment.
  • Ar 3 and Ar 4 represent a trivalent aromatic heterocyclic group which may have a substituent, and Z is represented by the following formulas (Z-1) to (Z-7). Represents the group represented.
  • R is as defined above.
  • the two Rs may be the same or different from each other.
  • the heterocyclic ring constituting the ring itself does not exhibit aromaticity.
  • a ring in which an aromatic ring is condensed with a heterocycle is included.
  • the aromatic heterocycles that can constitute Ar 3 and Ar 4 may be monocyclic rings or condensed rings, respectively.
  • the aromatic heterocycle is a condensed ring, all of the rings constituting the fused ring may be a fused ring having aromaticity, or only a part thereof may be a fused ring having aromaticity. If these rings have multiple substituents, these substituents may be the same or different.
  • aromatic carbocycles that can constitute Ar 3 and Ar 4 include a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a tetracene ring, a pentacene ring, a pyrene ring, and a phenanthrene ring, and preferably a benzene ring and a naphthalene ring. It is a ring, more preferably a benzene ring and a naphthalene ring, and even more preferably a benzene ring. These rings may have substituents.
  • aromatic heterocycle examples include the ring structure of the compound already described as the aromatic heterocyclic compound, which includes an oxadiazol ring, a thiazylazole ring, a thiazole ring, an oxazole ring, a thiophene ring, a pyrrole ring, and a phosphor.
  • the structural unit represented by the formula (VI) is preferably a structural unit represented by the following formula (VII) or (VIII).
  • the p-type semiconductor material is preferably a polymer compound containing a structural unit represented by the following formula (VII) or (VIII).
  • Examples of suitable building blocks represented by the formulas (VI) and (VIII) are represented by the following formulas (VI-1) and (VI-2), and formulas (VIII-1) and (VIII-2). The building blocks to be used are listed.
  • Examples of more specific preferable structural units represented by the formula (VI-1) include the structural units represented by the following formulas (VI-1-1) and formula (VI-1-2).
  • the structural unit represented by the formula (VII) is preferably a structural unit represented by the following formula (IX).
  • the p-type semiconductor material may be a polymer compound containing a structural unit represented by the following formula (IX).
  • X 1 and X 2 are independently sulfur or oxygen atoms, respectively.
  • Examples of preferable structural units represented by the formula (IX) include the structural units represented by the following formulas (IX-1) to (IX-16).
  • the polymer compound which is a p-type semiconductor material preferably contains a structural unit represented by the following formula (X).
  • the structural unit represented by the following formula (X) is usually an acceptor structural unit in the present embodiment.
  • Ar 5 represents a divalent aromatic heterocyclic group.
  • the number of carbon atoms of the divalent aromatic heterocyclic group represented by Ar 5 is usually 2 to 60, preferably 4 to 60, and more preferably 4 to 20.
  • the divalent aromatic heterocyclic group represented by Ar 5 may have a substituent.
  • substituent which the divalent aromatic heterocyclic group represented by Ar 5 may have are a halogen atom, an alkyl group which may have a substituent, and a substituent. It also has a good aryl group, an alkyloxy group which may have a substituent, an aryloxy group which may have a substituent, an alkylthio group which may have a substituent, and a substituent. It also has an arylthio group, a monovalent heterocyclic group which may have a substituent, a substituted amino group which may have a substituent, an acyl group which may have a substituent, and a substituent.
  • Immin residue which may be present amide group which may have a substituent, acidimide group which may have a substituent, substituted oxycarbonyl group which may have a substituent, and a substituent.
  • Examples thereof include an alkenyl group which may have a substituent, an alkynyl group which may have a substituent, a cyano group, and a nitro group.
  • X 1 , X 2 , Z 1 , Z 2 and R are as defined above.
  • the two Rs may be the same or different from each other.
  • both X 1 and X 2 in the formulas (X-1) to (X-10) are sulfur atoms.
  • structural units represented by the equations (X-1) to (X-10) can usually function as acceptor structural units as described above.
  • the present invention is not limited to this, and in particular, the structural units represented by the formulas (X-4), (X-5) and (X-7) can also function as donor structural units.
  • the p-type semiconductor material is preferably a ⁇ -conjugated polymer compound containing a structural unit containing a thiophene skeleton and containing a ⁇ -conjugated system.
  • divalent aromatic heterocyclic group represented by Ar 5 include groups represented by the following formulas (101) to (191). These groups may further have a substituent.
  • R has the same meaning as described above.
  • the plurality of Rs may be the same or different from each other.
  • the polymer compound which is a p-type semiconductor material of the present embodiment includes a structural unit represented by the formula (VI) as a donor structural unit and a structural unit represented by the formula (X) as an acceptor structural unit. It is preferably a conjugated polymer compound.
  • the polymer compound which is a p-type semiconductor material may contain two or more kinds of structural units represented by the formula (VI), and may contain two or more kinds of structural units represented by the formula (X). May be good.
  • the polymer compound which is the p-type semiconductor material of the present embodiment may contain a structural unit represented by the following formula (XI).
  • Ar 6 represents an arylene group.
  • the arylene group represented by Ar 6 means the remaining atomic group obtained by removing two hydrogen atoms from the aromatic hydrocarbon which may have a substituent.
  • Aromatic hydrocarbons include compounds in which two or more selected from the group consisting of a compound having a fused ring, an independent benzene ring and a fused ring are bonded directly or via a divalent group such as a vinylene group. included.
  • Examples of the substituents that the aromatic hydrocarbon may have include the same substituents as those exemplified as the substituents that the heterocyclic compound may have.
  • the number of carbon atoms of the arylene group represented by Ar 6 is usually 6 to 60, preferably 6 to 20, excluding the number of carbon atoms of the substituent.
  • the number of carbon atoms of the arylene group including the substituent is usually 6 to 100.
  • Examples of the arylene group represented by Ar 6 include a phenylene group (for example, the following formulas 1 to 3), a naphthalene-diyl group (for example, the following formulas 4 to 13), and an anthracene-diyl group (for example, the following formula). 14 to 19), biphenyl-diyl group (eg, formulas 20 to 25 below), turphenyl-diyl group (eg, formulas 26 to 28 below), fused ring compound group (eg, formulas 29 to 35 below). ), A fluorene-diyl group (for example, the following formulas 36 to 38), and a benzofluorene-diyl group (for example, the following formulas 39 to 46).
  • a phenylene group for example, the following formulas 1 to 3
  • a naphthalene-diyl group for example, the following formulas 4 to 13
  • an anthracene-diyl group for
  • R is as defined above.
  • a plurality of Rs may be the same as or different from each other.
  • the structural unit represented by the formula (XI) is preferably the structural unit represented by the following formula (XII).
  • R is as defined above.
  • the two Rs may be the same as or different from each other.
  • the structural unit constituting the polymer compound which is a p-type semiconductor material may be a structural unit in which two or more types of structural units selected from the above structural units are combined and linked.
  • the polymer compound as the p-type semiconductor material contains a structural unit represented by the formula (VI) and / or a structural unit represented by the formula (X), the structural unit and the formula represented by the formula (VI).
  • the total amount of the structural units represented by (X) is usually 20 mol% to 100 mol%, assuming that the amount of all the structural units contained in the polymer compound is 100 mol%, and the charge as a p-type semiconductor material. Since transportability can be improved, it is preferably 40 mol% to 100 mol%, and more preferably 50 mol% to 100 mol%.
  • polymer compound which is the p-type semiconductor material of the present embodiment include the polymer compounds represented by the following formulas (P-1) to (P-17).
  • R is as defined above.
  • a plurality of Rs may be the same as or different from each other.
  • the decrease in EQE can be suppressed or EQE can be suppressed in the heat treatment in the manufacturing process of the photoelectric conversion element or the incorporation process into the device to which the photoelectric conversion element is applied. Can be further improved, and the heat resistance of the photoelectric conversion element can be improved.
  • the photoelectric conversion element of the present embodiment has, for example, a charge transport layer (electron transport layer, hole transport layer, electron injection layer, etc.) as a component for improving characteristics such as photoelectric conversion efficiency. It is preferable to have an intermediate layer (buffer layer) such as a hole injection layer).
  • a charge transport layer electron transport layer, hole transport layer, electron injection layer, etc.
  • an intermediate layer buffer layer such as a hole injection layer.
  • Examples of materials used for the intermediate layer include metals such as calcium, inorganic oxide semiconductors such as molybdenum oxide and zinc oxide, and PEDOT (poly (3,4-ethylenedioxythiophene)) and PSS (poly (poly (3,4-ethylenedioxythiophene)). 4-styrene sulfonate)) and a mixture (PEDOT: PSS) can be mentioned.
  • the photoelectric conversion element is provided with a hole transport layer between the anode and the active layer.
  • the hole transport layer has a function of transporting holes from the active layer to the electrode.
  • the hole transport layer provided in contact with the anode may be particularly referred to as a hole injection layer.
  • the hole transport layer (hole injection layer) provided in contact with the anode has a function of promoting the injection of holes into the anode.
  • the hole transport layer (hole injection layer) may be in contact with the active layer.
  • the hole transport layer contains a hole transport material.
  • hole transporting materials include polythiophene and its derivatives, aromatic amine compounds, polymer compounds containing building blocks with aromatic amine residues, CuSCN, CuI, NiO, tungsten oxide (WO 3 ) and molybdenum oxide. (MoO 3 ) can be mentioned.
  • the intermediate layer can be formed by a conventionally known arbitrary suitable forming method.
  • the intermediate layer can be formed by a coating method similar to the vacuum vapor deposition method or the active layer forming method.
  • the intermediate layer is an electron transport layer
  • the substrate support substrate
  • the anode, the hole transport layer, the active layer, the electron transport layer, and the cathode are laminated so as to be in contact with each other in this order. It is preferable to have a structure.
  • the photoelectric conversion element of the present embodiment is provided with an electron transport layer as an intermediate layer between the cathode and the active layer.
  • the electron transport layer has a function of transporting electrons from the active layer to the cathode.
  • the electron transport layer may be in contact with the cathode.
  • the electron transport layer may be in contact with the active layer.
  • the electron transport layer provided in contact with the cathode may be particularly referred to as an electron injection layer.
  • the electron transport layer (electron injection layer) provided in contact with the cathode has a function of promoting the injection of electrons generated in the active layer into the cathode.
  • the electron transport layer contains an electron transport material.
  • the electron transporting material include polyalkyleneimine and its derivatives, polymer compounds containing a fluorene structure, metals such as calcium, and metal oxides.
  • polyalkyleneimines and derivatives thereof include alkyleneimines having 2 to 8 carbon atoms such as ethyleneimine, propyleneimine, butyleneimine, dimethylethyleneimine, pentyleneimine, hexyleneimine, heptyleneimine, and octyleneimine, particularly having 2 to 8 carbon atoms.
  • alkyleneimines having 2 to 8 carbon atoms such as ethyleneimine, propyleneimine, butyleneimine, dimethylethyleneimine, pentyleneimine, hexyleneimine, heptyleneimine, and octyleneimine, particularly having 2 to 8 carbon atoms.
  • examples thereof include polymers obtained by polymerizing one or more of 2 to 4 alkyleneimines by a conventional method, and polymers obtained by reacting them with various compounds to chemically modify them.
  • polyethyleneimine (PEI) and ethoxylated polyethyleneimine (PEIE) are preferable.
  • polymer compounds containing a fluorene structure examples include poly [(9,9-bis (3'-(N, N-dimethylamino) propyl) -2,7-fluorene) -ortho-2,7- (9). , 9'-Dioctylfluorene)] (PFN) and PFN-P2.
  • metal oxides examples include zinc oxide, gallium-doped zinc oxide, aluminum-doped zinc oxide, titanium oxide and niobium oxide.
  • a metal oxide containing zinc is preferable, and zinc oxide is particularly preferable.
  • Examples of other electron-transporting materials include poly (4-vinylphenol) and perylenemidi.
  • the photoelectric conversion element of the present embodiment further includes a sealing member and is a sealed body sealed by such a sealing member.
  • a sealing member Any suitable conventionally known member can be used as the sealing member.
  • the sealing member include a combination of a glass substrate which is a substrate (sealing substrate) and a sealing material (adhesive) such as a UV curable resin.
  • the sealing member may be a sealing layer having a layer structure of one or more layers.
  • Examples of the layer constituting the sealing layer include a gas barrier layer and a gas barrier film.
  • the sealing layer is preferably formed of a material having a property of blocking water (water vapor barrier property) or a property of blocking oxygen (oxygen barrier property).
  • suitable materials for the sealing layer include polyethylene trifluoride, polyethylene trifluoride chloride (PCTFE), polyimide, polycarbonate, polyethylene terephthalate, alicyclic polyolefin, ethylene-vinyl alcohol copolymer and the like.
  • PCTFE polyethylene trifluoride
  • PCTFE polyethylene trifluoride chloride
  • polyimide polycarbonate
  • polyethylene terephthalate polyethylene terephthalate
  • alicyclic polyolefin ethylene-vinyl alcohol copolymer and the like.
  • organic materials silicon oxide, silicon nitride, aluminum oxide, and inorganic materials such as diamond-like carbon.
  • the sealing member is usually made of a material that can withstand the heat treatment performed when the photoelectric conversion element is applied, for example, when it is incorporated into the device of the following application example.
  • Photoelectric conversion element of this embodiment Applications of the photoelectric conversion element of this embodiment include a photodetection element and a solar cell. More specifically, in the photoelectric conversion element of the present embodiment, a light current is passed by irradiating light from the transparent or translucent electrode side in a state where a voltage (reverse bias voltage) is applied between the electrodes. It can be operated as a photodetection element (optical sensor). It can also be used as an image sensor by integrating a plurality of photodetecting elements. As described above, the photoelectric conversion element of the present embodiment can be particularly suitably used as a photodetection element.
  • the photoelectric conversion element of the present embodiment can generate photovoltaic power between the electrodes by being irradiated with light, and can be operated as a solar cell.
  • a solar cell module can also be obtained by integrating a plurality of photoelectric conversion elements.
  • the photoelectric conversion element according to the present embodiment is suitably applied as a photodetection element to a detection unit provided in various electronic devices such as a workstation, a personal computer, a personal digital assistant, an entrance / exit management system, a digital camera, and a medical device. can do.
  • the photoelectric conversion element of the present embodiment includes, for example, an image detection unit (for example, an image sensor such as an X-ray sensor) for a solid-state image pickup device such as an X-ray image pickup device and a CMOS image sensor, and a fingerprint, which are included in the above-exemplified electronic device.
  • a detection unit for example, a near-infrared sensor
  • a biometric information authentication device that detects a predetermined feature of a part of a living body such as a detection unit, a face detection unit, a vein detection unit, and an iris detection unit, and an optical biosensor such as a pulse oximeter. It can be suitably applied to a detection unit or the like.
  • the photoelectric conversion element of the present embodiment can be suitably applied as an image detection unit for a solid-state image sensor, and further to a Time-of-flight (TOF) type distance measuring device (TOF type distance measuring device).
  • TOF Time-of-flight
  • the distance is measured by receiving the reflected light reflected by the light source from the light source by the photoelectric conversion element. Specifically, the flight time until the irradiation light emitted from the light source is reflected by the measurement target and returned as the reflected light is detected, and the distance to the measurement target is obtained.
  • the TOF type includes a direct TOF method and an indirect TOF method.
  • the direct TOF method the difference between the time when the light is emitted from the light source and the time when the reflected light is received by the photoelectric conversion element is directly measured, and in the indirect TOF method, the change in the charge accumulation amount depending on the flight time is converted into the time change.
  • the distance measurement principle used in the indirect TOF method to obtain the flight time by accumulating charge is a continuous wave (especially sine wave) modulation method in which the flight time is obtained from the phase of the emitted light from the light source and the reflected light reflected by the measurement target. And the pulse modulation method.
  • an image detection unit for a solid-state imaging device an image detection unit for an X-ray imaging device
  • a biometric authentication device for example, a fingerprint authentication device or a vein
  • a configuration example of a fingerprint detection unit and a vein detection unit for (authentication device, etc.) and an image detection unit of a TOF type ranging device (indirect TOF method) will be described with reference to the drawings.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing a configuration example of an image detection unit for a solid-state image sensor.
  • the image detection unit 1 comprises a CMOS transistor substrate 20, an interlayer insulating film 30 provided so as to cover the CMOS transistor substrate 20, and a photoelectric conversion according to an embodiment of the present invention provided on the interlayer insulating film 30. It is provided so as to penetrate the element 10 and the interlayer insulating film 30, and is provided so as to cover the interlayer wiring portion 32 that electrically connects the CMOS transistor substrate 20 and the photoelectric conversion element 10 and the photoelectric conversion element 10.
  • the sealing layer 40 and the color filter 50 provided on the sealing layer 40 are provided.
  • the CMOS transistor substrate 20 is provided with a conventionally known arbitrary suitable configuration in a mode according to the design.
  • the CMOS transistor substrate 20 includes transistors, capacitors, etc. formed within the thickness of the substrate, and includes functional elements such as a CMOS transistor circuit (MOS transistor circuit) for realizing various functions.
  • MOS transistor circuit CMOS transistor circuit
  • Examples of the functional element include a floating diffusion, a reset transistor, an output transistor, and a selection transistor.
  • CMOS transistor substrate 20 With such functional elements, wiring, etc., a signal readout circuit and the like are built in the CMOS transistor substrate 20.
  • the interlayer insulating film 30 can be made of a conventionally known and arbitrarily suitable insulating material such as silicon oxide or an insulating resin.
  • the interlayer wiring portion 32 can be made of, for example, any conventionally known and arbitrarily suitable conductive material (wiring material) such as copper and tungsten.
  • the interlayer wiring portion 32 may be, for example, an in-hole wiring formed at the same time as the formation of the wiring layer, or an embedded plug formed separately from the wiring layer.
  • the sealing layer 40 is made of any conventionally known suitable material, provided that the penetration of harmful substances such as oxygen and water that may functionally deteriorate the photoelectric conversion element 10 can be prevented or suppressed. Can be done.
  • the sealing layer 40 can have the same configuration as the sealing member 17 described above.
  • a primary color filter that is made of any suitable material known conventionally and that corresponds to the design of the image detection unit 1 can be used.
  • a complementary color filter that can be thinner than the primary color filter can also be used.
  • Complementary color filters include, for example, three types (yellow, cyan, magenta), three types (yellow, cyan, transparent), three types (yellow, transparent, magenta), and three types (transparent, cyan, magenta). Color filters that combine types can be used. These can be arbitrarily arranged according to the design of the photoelectric conversion element 10 and the CMOS transistor substrate 20, provided that color image data can be generated.
  • the light received by the photoelectric conversion element 10 via the color filter 50 is converted into an electric signal according to the amount of light received by the photoelectric conversion element 10, and the light received signal outside the photoelectric conversion element 10 via the electrode, that is, an image pickup target. It is output as an electric signal corresponding to.
  • the light receiving signal output from the photoelectric conversion element 10 is input to the CMOS transistor substrate 20 via the interlayer wiring unit 32, and is read out by the signal readout circuit built in the CMOS transistor substrate 20, which is not shown.
  • Image information based on the imaging target is generated by signal processing by any suitable conventionally known functional unit.
  • FIG. 3 is a diagram schematically showing a configuration example of a fingerprint detection unit integrally configured with a display device.
  • the display device 2 of the mobile information terminal includes a fingerprint detection unit 100 including the photoelectric conversion element 10 according to the embodiment of the present invention as a main component, and a display panel provided on the fingerprint detection unit 100 and displaying a predetermined image. It is equipped with a unit 200.
  • the fingerprint detection unit 100 is provided in an area corresponding to the display area 200a of the display panel unit 200.
  • the display panel unit 200 is integrally laminated above the fingerprint detection unit 100.
  • the fingerprint detection unit 100 may be provided corresponding to only the part of the display area 200a.
  • the fingerprint detection unit 100 includes the photoelectric conversion element 10 according to the embodiment of the present invention as a functional unit that performs an essential function.
  • the fingerprint detection unit 100 desired any suitable conventionally known member such as a protective film (projection film), a support substrate, a sealing substrate, a sealing member, a barrier film, a bandpass filter, and an infrared cut film (not shown). It can be provided in a manner corresponding to the design so that the characteristics can be obtained.
  • the configuration of the image detection unit already described can also be adopted.
  • the photoelectric conversion element 10 may be included in the display area 200a in any manner.
  • a plurality of photoelectric conversion elements 10 may be arranged in a matrix.
  • the photoelectric conversion element 10 is provided on the support substrate 11, and the support substrate 11 is provided with electrodes (anode or cathode) in a matrix, for example.
  • the light received by the photoelectric conversion element 10 is converted into an electric signal according to the amount of light received by the photoelectric conversion element 10, and the light received signal outside the photoelectric conversion element 10 via the electrode, that is, the electricity corresponding to the captured fingerprint. It is output as a signal.
  • the display panel unit 200 is configured as an organic electroluminescence display panel (organic EL display panel) including a touch sensor panel.
  • the display panel unit 200 may be configured by, for example, instead of the organic EL display panel, a display panel having an arbitrary suitable conventionally known configuration such as a liquid crystal display panel including a light source such as a backlight.
  • the display panel unit 200 is provided on the fingerprint detection unit 100 already described.
  • the display panel unit 200 includes an organic electroluminescence element (organic EL element) 220 as a functional unit that performs an essential function.
  • the display panel unit 200 is further optionally suitable such as a substrate such as a conventionally known glass substrate (support substrate 210 or a sealing substrate 240), a sealing member, a barrier film, a polarizing plate such as a circular polarizing plate, and a touch sensor panel 230.
  • Suitable conventionally known members may be provided in a manner corresponding to the desired characteristics.
  • the organic EL element 220 is used as a light source for pixels in the display region 200a and also as a light source for fingerprint imaging in the fingerprint detection unit 100.
  • the fingerprint detection unit 100 detects a fingerprint using the light emitted from the organic EL element 220 of the display panel unit 200. Specifically, the light emitted from the organic EL element 220 passes through a component existing between the organic EL element 220 and the photoelectric conversion element 10 of the fingerprint detection unit 100, and is displayed within the display area 200a. It is reflected by the skin (finger surface) of the fingertips of the fingers placed so as to be in contact with the surface of the panel portion 200. At least a part of the light reflected by the finger surface passes through the components existing between them and is received by the photoelectric conversion element 10, and is converted into an electric signal according to the amount of light received by the photoelectric conversion element 10. Then, the image information about the fingerprint on the finger surface is constructed from the converted electric signal.
  • the portable information terminal provided with the display device 2 performs fingerprint authentication by comparing the obtained image information with the fingerprint data for fingerprint authentication recorded in advance by an arbitrary suitable step known conventionally.
  • FIG. 4 is a diagram schematically showing a configuration example of an image detection unit for an X-ray image pickup device.
  • the image detection unit 1 for the X-ray image pickup apparatus is provided on the CMOS transistor substrate 20, the interlayer insulating film 30 provided so as to cover the CMOS transistor substrate 20, and the interlayer insulating film 30 of the present invention.
  • the photoelectric conversion element 10 according to the embodiment, the interlayer wiring portion 32 which is provided so as to penetrate the interlayer insulating film 30 and electrically connects the CMOS transistor substrate 20 and the photoelectric conversion element 10, and the photoelectric conversion element 10
  • a sealing layer 40 provided so as to cover the sealing layer 40, a reflecting layer 44 provided so as to cover the scintillator 42 and the scintillator 42 provided on the sealing layer 40, and a reflective layer 44 provided so as to cover the reflective layer 44. It is provided with a protective layer 46 that is provided.
  • the CMOS transistor substrate 20 is provided with a conventionally known arbitrary suitable configuration in a mode according to the design.
  • the CMOS transistor substrate 20 includes transistors, capacitors, etc. formed within the thickness of the substrate, and includes functional elements such as a CMOS transistor circuit (MOS transistor circuit) for realizing various functions.
  • MOS transistor circuit CMOS transistor circuit
  • Examples of the functional element include a floating diffusion, a reset transistor, an output transistor, and a selection transistor.
  • CMOS transistor substrate 20 With such functional elements, wiring, etc., a signal readout circuit and the like are built in the CMOS transistor substrate 20.
  • the interlayer insulating film 30 can be made of a conventionally known and arbitrarily suitable insulating material such as silicon oxide or an insulating resin.
  • the interlayer wiring portion 32 can be made of, for example, any conventionally known and arbitrarily suitable conductive material (wiring material) such as copper and tungsten.
  • the interlayer wiring portion 32 may be, for example, an in-hole wiring formed at the same time as the formation of the wiring layer, or an embedded plug formed separately from the wiring layer.
  • the sealing layer 40 is made of any conventionally known suitable material, provided that the penetration of harmful substances such as oxygen and water that may functionally deteriorate the photoelectric conversion element 10 can be prevented or suppressed. Can be done.
  • the sealing layer 40 can have the same configuration as the sealing member 17 described above.
  • the scintillator 42 can be made of any conventionally known and arbitrarily suitable material corresponding to the design of the image detection unit 1 for the X-ray image pickup device.
  • suitable materials for the scintillator 42 are inorganic crystals of inorganic materials such as CsI (cesium iodide), NaI (sodium iodide), ZnS (zinc sulfide), GOS (gadrinium acid sulfide), and GSO (gadrinium silicate).
  • Organic crystals of organic materials such as anthracene, naphthalene, and stilben, organic liquids in which organic materials such as diphenyloxazole (PPO) and terphenyl (TP) are dissolved in organic solvents such as toluene, xylene, and dioxane, and xenone and helium. Gas, plastic, etc. can be used.
  • the above components correspond to the design of the photoelectric conversion element 10 and the CMOS transistor substrate 20 on the condition that the X-rays incident by the scintillator 42 can be converted into light having a wavelength centered on the visible region to generate image data. Any suitable arrangement can be made.
  • the reflective layer 44 reflects the light converted by the scintillator 42.
  • the reflective layer 44 can reduce the loss of converted light and increase the detection sensitivity. Further, the reflective layer 44 can also block light directly incident from the outside.
  • the protective layer 46 can be made of any suitable material known conventionally, provided that the permeation of harmful substances such as oxygen and water that may functionally deteriorate the scintillator 42 can be prevented or suppressed.
  • the operation of the image detection unit 1 for the X-ray image pickup apparatus having the above configuration will be briefly described.
  • the scintillator 42 absorbs the radiation energy and converts it into light (fluorescence) having a wavelength in the ultraviolet to infrared region centered on the visible region.
  • the light converted by the scintillator 42 is received by the photoelectric conversion element 10.
  • the light received by the photoelectric conversion element 10 via the scintillator 42 is converted into an electric signal according to the amount of light received by the photoelectric conversion element 10, and the light received signal is transmitted to the outside of the photoelectric conversion element 10 via the electrode. That is, it is output as an electric signal corresponding to the image pickup target.
  • the radiation energy (X-ray) to be detected may be incident from either the scintillator 42 side or the photoelectric conversion element 10 side.
  • the light receiving signal output from the photoelectric conversion element 10 is input to the CMOS transistor substrate 20 via the interlayer wiring unit 32, and is read out by the signal readout circuit built in the CMOS transistor substrate 20, which is not shown.
  • Image information based on the imaging target is generated by signal processing by any suitable conventionally known functional unit.
  • FIG. 5 is a diagram schematically showing a configuration example of a vein detection unit for a vein authentication device.
  • the vein detection unit 300 for the finger vein recognition device includes a cover unit 306 that defines an insertion unit 310 into which a finger (eg, one or more fingertips, fingers and palm) to be measured at the time of measurement is inserted, and a cover.
  • a glass substrate 302 that is arranged so as to face each other with the substrate 11 and the support substrate 11 and the photoelectric conversion element 10 interposed therebetween, separated from the cover portion 306 at a predetermined distance, and defines the insertion portion 306 together with the cover portion 306. It is composed of.
  • the light source unit 304 shows a transmission type photographing method in which the light source unit 304 is integrally configured with the cover unit 306 so as to be separated from the photoelectric conversion element 10 with the measurement target interposed therebetween.
  • the light source unit 304 does not necessarily have to be located on the cover unit 306 side.
  • the light from the light source unit 304 can be efficiently irradiated to the measurement target, for example, a reflection type photographing method in which the measurement target is irradiated from the photoelectric conversion element 10 side may be used.
  • the vein detection unit 300 includes the photoelectric conversion element 10 according to the embodiment of the present invention as a functional unit that performs an essential function.
  • the vein detection unit 300 is an optional conventionally known member such as a protective film (projection film), a sealing member, a barrier film, a bandpass filter, a near-infrared transmission filter, a visible light cut film, a finger rest guide, etc. (not shown). Can be provided in a manner corresponding to the design so as to obtain the desired characteristics.
  • the configuration of the image detection unit 1 described above can also be adopted for the vein detection unit 300.
  • the photoelectric conversion element 10 can be included in any embodiment.
  • a plurality of photoelectric conversion elements 10 may be arranged in a matrix.
  • the photoelectric conversion element 10 is provided on the support substrate 11, and the support substrate 11 is provided with electrodes (anode or cathode) in a matrix, for example.
  • the light received by the photoelectric conversion element 10 is converted into an electric signal according to the amount of light received by the photoelectric conversion element 10, and the light received signal outside the photoelectric conversion element 10 via the electrode, that is, the electricity corresponding to the imaged vein. It is output as a signal.
  • the measurement target may or may not be in contact with the glass substrate 302 on the photoelectric conversion element 10 side.
  • the vein detection unit 300 detects the vein pattern to be measured by using the light emitted from the light source unit 304. Specifically, the light radiated from the light source unit 304 passes through the measurement target and is converted into an electric signal according to the amount of light received by the photoelectric conversion element 10. Then, the image information of the vein pattern to be measured is constructed from the converted electric signal.
  • vein recognition is performed by comparing the obtained image information with the vein data for vein recognition recorded in advance by an arbitrary suitable step known conventionally.
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing a configuration example of an image detection unit for an indirect type TOF type distance measuring device.
  • the image detection unit 400 for a TOF type distance measuring device is provided on the CMOS transistor substrate 20, the interlayer insulating film 30 provided so as to cover the CMOS transistor substrate 20, and the interlayer insulating film 30 of the present invention. It is provided so as to cover the photoelectric conversion element 10 according to the embodiment, two floating diffusion layers 402 arranged apart from each other so as to sandwich the photoelectric conversion element 10, and the photoelectric conversion element 10 and the floating diffusion layer 402. It includes an insulating layer 40 and two photogates 404 provided on the insulating layer 40 and arranged apart from each other. A part of the insulating layer 40 is exposed from the gap between the two separated photogates 404, and the remaining region is shielded by the light-shielding portion 406.
  • the CMOS transistor substrate 20 and the floating diffusion layer 402 are electrically connected by an interlayer wiring portion 32 provided so as to penetrate the interlayer insulating film 30.
  • the insulating layer 40 can have any conventionally known and arbitrarily suitable configuration such as a field oxide film composed of silicon oxide.
  • the photogate 404 can be made of any conventionally known suitable material such as polysilicon.
  • the image detection unit 400 for a TOF type distance measuring device includes the photoelectric conversion element 10 according to the embodiment of the present invention as a functional unit that performs an essential function.
  • the image detection unit 400 for a TOF type distance measuring device is any suitable conventional image detection unit 400 such as a protective film (projection film), a support substrate, a sealing substrate, a sealing member, a barrier film, a bandpass filter, and an infrared cut film (not shown).
  • a known member may be provided in a manner corresponding to a design such that a desired characteristic can be obtained.
  • the operation of the image detection unit 400 for a TOF type ranging device will be briefly described.
  • Light is emitted from the light source, the light from the light source is reflected from the measurement target, and the reflected light is received by the photoelectric conversion element 10.
  • Two photogates 404 are provided between the photoelectric conversion element 10 and the floating diffusion layer 402, and by alternately applying pulses, the signal charges generated by the photoelectric conversion element 10 are transferred to the two floating diffusion layers 402. It is transferred to either, and the charge is accumulated in the floating diffusion layer 402.
  • the optical pulse arrives so as to spread evenly with respect to the timing of opening the two photo gates 404, the amount of electric charge accumulated in the two floating diffusion layers 402 becomes equal.
  • the optical pulse arrives at the other photogate 404 with a delay with respect to the timing at which the optical pulse arrives at one photogate 404, there is a difference in the amount of charge accumulated in the two floating diffusion layers 402.
  • the amount of light received by the photoelectric conversion element 10 is converted into an electric signal as the difference between the amounts of electric charges stored in the two floating diffusion layers 402, and the received signal outside the photoelectric conversion element 10, that is, the electricity corresponding to the measurement target. It is output as a signal.
  • the light receiving signal output from the floating diffusion layer 402 is input to the CMOS transistor substrate 20 via the interlayer wiring unit 32, and is read out by a signal readout circuit built in the CMOS transistor substrate 20, which is not shown.
  • signal processing by any suitable conventionally known functional unit, distance information based on the measurement target is generated.
  • heat treatment such as a reflow process for mounting on a wiring board or the like may be performed.
  • a step including a process of heating the photoelectric conversion element at a heating temperature of 200 ° C. or higher for about 50 minutes may be performed.
  • the compound of the present embodiment (non-fullerene compound which is an n-type semiconductor material) already described and the p-type semiconductor material already described are used as the material of the active layer.
  • the process of forming the active layer (details will be described later), in the process of manufacturing the photoelectric conversion element after forming the active layer, or in the step of incorporating the manufactured photoelectric conversion element into an image sensor or a biometric authentication device, etc.
  • the treatment of heating at a heating temperature of 200 ° C. or higher is performed, the decrease in EQE can be suppressed or the EQE can be further improved, and the heat resistance can be effectively improved.
  • the heating temperature in the post-baking step is set based on the EQE value in the photoelectric conversion element in which the heating temperature in the prebaking step in the process of forming the active layer in the method for manufacturing the photoelectric conversion element is 100 ° C.
  • the value obtained by standardization by dividing by the EQE value of the photoelectric conversion element changed to a higher temperature (hereinafter referred to as "EQE heat / EQE 100 ° C. ”) is preferably 0.80 or more, preferably 0.85 or more. More preferably, it is more preferably 1.0 or more.
  • the manufacturing method of the photoelectric conversion element of the present embodiment is not particularly limited.
  • the photoelectric conversion element of the present embodiment can be manufactured by combining a forming method suitable for a material selected for forming a component.
  • the method for manufacturing a photoelectric conversion element of the present embodiment may include a step including a process of heating at a heating temperature of 200 ° C. or higher. More specifically, the active layer is formed by a step including a process of heating at a heating temperature of 200 ° C. or higher, and / or heated at a heating temperature of 200 ° C. or higher after the step of forming the active layer. A step including a process to be performed may be included.
  • a method for manufacturing a photoelectric conversion element having a structure in which a substrate (support substrate), an anode, a hole transport layer, an active layer, an electron transport layer, and a cathode are in contact with each other in this order will be described.
  • a support substrate provided with an anode is prepared. Further, a substrate provided with a conductive thin film formed of the electrode material described above is obtained from the market, and an anode is provided by patterning the conductive thin film to form an anode, if necessary.
  • a support substrate can be prepared.
  • the method for forming the anode when forming the anode on the support substrate is not particularly limited.
  • the anode has a structure (eg, support substrate, activity) in which the material already described is to be formed into an anode by a conventionally known arbitrary suitable method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a plating method, and a coating method. It can be formed on a layer (layer, hole transport layer).
  • the method for manufacturing a photoelectric conversion element may include a step of forming a hole transport layer (hole injection layer) provided between the active layer and the anode.
  • the method of forming the hole transport layer is not particularly limited. From the viewpoint of simplifying the step of forming the hole transport layer, it is preferable to form the hole transport layer by a conventionally known and arbitrary suitable coating method.
  • the hole transport layer can be formed, for example, by a coating method using a coating liquid containing the material and solvent of the hole transport layer described above or a vacuum vapor deposition method.
  • an active layer is formed on the hole transport layer.
  • the active layer which is a main component, can be formed by any suitable conventionally known forming step.
  • the active layer is preferably produced by a coating method using an ink (coating liquid).
  • step (i) and the step (ii) included in the step of forming the active layer which is the main component of the photoelectric conversion element of the present invention, will be described.
  • Step (i) As a method of applying the ink to the application target, any suitable application method can be used.
  • a slit coat method, a knife coat method, a spin coat method, a micro gravure coat method, a gravure coat method, a bar coat method, an inkjet printing method, a nozzle coat method, or a capillary coat method is preferable, and a slit coat method and a spin are used.
  • the coating method, the capillary coating method, or the bar coating method is more preferable, and the slit coating method or the spin coating method is further preferable.
  • the ink used in the method for manufacturing a photoelectric conversion element of the present embodiment includes a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material, and the n-type semiconductor material includes the compound of the present embodiment described above as the n-type semiconductor material. And a solvent.
  • the ink for forming the active layer of this embodiment will be described.
  • the ink for forming the active layer of this embodiment is an ink for forming a bulk heterojunction type active layer. Therefore, the ink for forming the active layer contains the composition containing the compound of the present embodiment already described as the p-type semiconductor material and the n-type semiconductor material already described.
  • the ink for forming an active layer of the present embodiment contains the composition and one or more kinds of solvents.
  • the manufacturing process of the photoelectric conversion element or the device to which the photoelectric conversion element is applied can be obtained. It is possible to suppress the decrease in EQE due to the heat treatment in the assembling process or the like, or to further improve the EQE, and it is possible to improve the heat resistance.
  • the ink for forming an active layer according to this embodiment is not particularly limited, provided that the active layer can be formed.
  • the solvent for example, a mixed solvent in which a first solvent and a second solvent described later are combined can be used.
  • the main solvent which is the main component and other additive solvents added for improving the solubility (first solvent) ( It is preferable to contain a second solvent).
  • first solvent which is the main component and other additive solvents added for improving the solubility
  • second solvent only the first solvent may be used.
  • the first solvent a solvent in which a p-type semiconductor material can be dissolved is preferable.
  • the first solvent of this embodiment is an aromatic hydrocarbon.
  • aromatic hydrocarbon as the first solvent examples include toluene, xylene (eg, o-xylene, m-xylene, p-xylene), o-dichlorobenzene, trimethylbenzene (eg, mecitylene, 1, 2, 4). -Trimethylbenzene (pseudocumene)), butylbenzene (eg, n-butylbenzene, sec-butylbenzene, tert-butylbenzene), methylnaphthalene (eg, 1-methylnaphthalene), tetralin and indan.
  • xylene eg, o-xylene, m-xylene, p-xylene
  • o-dichlorobenzene trimethylbenzene (eg, mecitylene, 1, 2, 4).
  • -Trimethylbenzene pseudocumene
  • butylbenzene eg, n-butylbenz
  • the first solvent may be composed of one kind of aromatic hydrocarbon or may be composed of two or more kinds of aromatic hydrocarbons.
  • the first solvent is preferably composed of one aromatic hydrocarbon.
  • the first solvent is preferably toluene, o-xylene, m-xylene, p-xylene, mesitylene, o-dichlorobenzene, 1,2,4-trimethylbenzene, n-butylbenzene, sec-butylbenzene, tert-butyl.
  • the second solvent is a solvent selected from the viewpoint of facilitating the implementation of the manufacturing process and further improving the characteristics of the photoelectric conversion element.
  • the second solvent include ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, acetophenone, and propiophenone, ethyl acetate, butyl acetate, phenyl acetate, ethyl cell solve acetate, methyl benzoate, butyl benzoate, and benzyl benzoate.
  • the ester solvent of is mentioned.
  • the second solvent for example, it is preferable to use acetophenone, propiophenone or butyl benzoate from the viewpoint of further reducing the dark current.
  • first solvent and the second solvent examples include a combination of tetralin and ethyl benzoate, tetralin and propyl benzoate, and tetralin and butyl benzoate.
  • a combination of tetralin and butyl benzoate is preferred.
  • the weight ratio of the first solvent, which is the main solvent, to the second solvent, which is the additive solvent (first solvent: second solvent), is a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor. From the viewpoint of further improving the solubility of the material, the range is preferably in the range of 85:15 to 99: 1.
  • the solvent may contain any other solvent other than the first solvent and the second solvent.
  • the content of any other solvent is preferably 5% by weight or less, more preferably 3% by weight or less, still more preferably. It is 1% by weight or less.
  • a solvent having a boiling point higher than that of the second solvent is preferable.
  • Arbitrary component Ink includes a first solvent, a second solvent, a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material, as well as a surfactant and an ultraviolet absorber to the extent that the object and effect of the present invention are not impaired.
  • Antioxidants, sensitizers for sensitizing the function of generating charges by absorbed light, light stabilizers for increasing stability from ultraviolet rays, and the like may be contained.
  • Concentration of p-type semiconductor material and n-type semiconductor material is within a range that does not impair the object of the present invention in consideration of solubility in a solvent and the like. Can be set to any suitable concentration.
  • the weight ratio (polymer / non-fullerene compound) of the "p-type semiconductor material" to the "n-type semiconductor material” in the ink (composition) is usually in the range of 1 / 0.1 to 1/10, preferably 1. It is in the range of /0.5 to 1/2, more preferably 1 / 1.5.
  • the total concentration of the "p-type semiconductor material” and the "n-type semiconductor material” in the ink is usually 0.01% by weight or more, more preferably 0.02% by weight or more, still more preferably 0.25% by weight or more. ..
  • the total concentration of the "p-type semiconductor material” and the "n-type semiconductor material” in the ink is usually 20% by weight or less, preferably 10% by weight or less, and preferably 7.50% by weight or less. Is more preferable.
  • the concentration of the "p-type semiconductor material" in the ink is usually 0.01% by weight or more, more preferably 0.02% by weight or more, still more preferably 0.10% by weight or more.
  • the concentration of the "p-type semiconductor material” in the ink is usually 10% by weight or less, more preferably 5.00% by weight or less, still more preferably 3.00% by weight or less.
  • the concentration of the "n-type semiconductor material" in the ink is usually 0.01% by weight or more, more preferably 0.02% by weight or more, still more preferably 0.15% by weight or more.
  • the concentration of the "n-type semiconductor material” in the ink is usually 10% by weight or less, more preferably 5% by weight or less, still more preferably 4.50% by weight or less.
  • Preparation of Ink can be prepared by a known method. For example, a method of preparing a mixed solvent by mixing a first solvent or a first solvent and a second solvent, and adding a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material to the obtained mixed solvent, and a p-type as the first solvent. It can be prepared by a method of adding a semiconductor material, adding an n-type semiconductor material to a second solvent, and then mixing the first solvent and the second solvent to which each material is added.
  • the first solvent and the second solvent and the p-type semiconductor material and the n-type semiconductor material may be heated to a temperature equal to or lower than the boiling point of the solvent and mixed.
  • the obtained mixture may be filtered using a filter, and the obtained filtrate may be used as a filtrate.
  • a filter for example, a filter formed of a fluororesin such as polytetrafluoroethylene (PTFE) can be used.
  • the ink for forming the active layer is applied to the coating target selected according to the photoelectric conversion element and the manufacturing method thereof.
  • the ink for forming the active layer can be applied to a functional layer of the photoelectric conversion element in the manufacturing process of the photoelectric conversion element, in which the active layer can exist. Therefore, the target of applying the ink for forming the active layer differs depending on the layer structure and the order of layer formation of the manufactured photoelectric conversion element. For example, when the photoelectric conversion element has a layer structure in which a substrate, an anode, a hole transport layer, an active layer, an electron transport layer, and a cathode are laminated, and the layer described on the left side is formed first.
  • the target of application of the ink for forming the active layer is the hole transport layer.
  • the photoelectric conversion element has a layer structure in which a substrate, a cathode, an electron transport layer, an active layer, a hole transport layer, and an anode are laminated, and the layer described on the left side is formed first.
  • the target of application of the ink for forming the active layer is the electron transport layer.
  • Any suitable method can be used as a method for removing the solvent from the coating film of the ink, that is, a method for removing the solvent from the coating film and solidifying the ink.
  • the method for removing the solvent include a method of directly heating with a hot plate in an atmosphere of an inert gas such as nitrogen gas, a hot air drying method, an infrared heating drying method, a flash lamp annealing drying method, and a vacuum drying method. Such a drying method can be mentioned.
  • the step (ii) is a step for volatilizing and removing the solvent, and is also referred to as a prebaking step (first heat treatment step).
  • the conditions for carrying out the pre-baking step and the post-baking step can be arbitrarily set in consideration of the composition of the ink used, the boiling point of the solvent, and the like.
  • a pre-baking step and a post-baking step can be carried out using a hot plate in a nitrogen gas atmosphere.
  • the heating temperature in the pre-baking process is usually about 100 ° C.
  • the prebaking step and / Or the heating temperature in the post-baking process can be further increased.
  • the heating temperature in the pre-baking step and / or the post-baking step can be preferably 200 ° C. or higher, more preferably 220 ° C. or higher.
  • the upper limit of the heating temperature is preferably 280 ° C. or lower, more preferably 250 ° C. or lower.
  • the total heat treatment time in the pre-baking process and the post-baking process can be, for example, one hour.
  • the heating temperature in the pre-baking process and the heating temperature in the post-baking process may be the same or different.
  • the heat treatment time can be, for example, 10 minutes or more.
  • the upper limit of the heat treatment time is not particularly limited, but may be, for example, 4 hours in consideration of the tact time and the like.
  • the thickness of the active layer can be arbitrarily adjusted to a desired thickness by appropriately adjusting the solid content concentration in the coating liquid and the conditions of the above steps (i) and / or step (ii).
  • the step of forming the active layer may include other steps in addition to the steps (i) and (ii), provided that the object and effect of the present invention are not impaired.
  • the method for manufacturing a photoelectric conversion element of the present embodiment may be a method for manufacturing a photoelectric conversion element including a plurality of active layers, or a method in which steps (i) and (ii) are repeated a plurality of times. good.
  • the method for manufacturing a photoelectric conversion element of the present embodiment includes a step of forming an electron transport layer (electron injection layer) provided on the active layer.
  • the method of forming the electron transport layer is not particularly limited. From the viewpoint of simplifying the process of forming the electron transport layer, it is preferable to form the electron transport layer by a conventionally known arbitrary suitable vacuum vapor deposition method.
  • the method of forming the cathode is not particularly limited.
  • the cathode can be formed on the electron transport layer by, for example, any conventionally known suitable method such as a coating method, a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, and a plating method. .. By the above steps, the photoelectric conversion element of the present embodiment is manufactured.
  • a conventionally known arbitrary suitable encapsulant (adhesive) and substrate (encapsulating substrate) are used.
  • a sealing material such as a UV curable resin is applied onto the support substrate so as to surround the periphery of the manufactured photoelectric conversion element, and then bonded with the sealing material without gaps, and then UV.
  • a encapsulated body of the photoelectric conversion element can be obtained by sealing the photoelectric conversion element in the gap between the support substrate and the sealing substrate by using a method suitable for the selected encapsulant such as irradiation with light. ..
  • the photoelectric conversion element of this embodiment can function by being incorporated into an image sensor and a biometric authentication device (fingerprint authentication device, vein authentication device) as described above. ..
  • Such an image sensor and a biometric authentication device can be manufactured by a manufacturing method including a step of heating a photoelectric conversion element (encapsulated body of the photoelectric conversion element) at a heating temperature of 200 ° C. or higher.
  • the temperature is 200 ° C. or higher, further 220 ° C.
  • a process of heating at the above heating temperature can be performed.
  • the photoelectric conversion element of the present embodiment since the n-type semiconductor material already described is used as the material of the active layer, the EQE of the incorporated photoelectric conversion element is suppressed from being lowered or the EQE is further improved. Further, the increase in dark current can be suppressed or the dark current can be further reduced, and the heat resistance can be effectively improved. Therefore, the detection accuracy in the manufactured image sensor, biometric authentication device, etc. The characteristics can be improved.
  • the heat treatment time can be, for example, 10 minutes or more.
  • the upper limit of the heat treatment time is not particularly limited, but may be, for example, 4 hours in consideration of the tact time and the like.
  • the polymer compound P-1 and the polymer compound P-2 which are p-type semiconductor materials, were synthesized and used with reference to the method described in International Publication No. 2011/052709.
  • P-3 which is a p-type semiconductor material
  • P4 which is a p-type semiconductor material
  • PTB7 (trade name, manufactured by 1-material) was obtained from the market and used.
  • P-5 which is a p-type semiconductor material
  • PBDB-T-2F (trade name, manufactured by 1-material) was obtained from the market and used.
  • P-6 which is a p-type semiconductor material
  • PDPP3T (trade name, manufactured by Lumatec) was obtained from the market and used.
  • PDTSTPD (trade name, manufactured by 1-material) was obtained from the market and used.
  • reaction solution was extracted with hexane and then washed with water and a saturated aqueous sodium chloride solution.
  • the obtained solution was dried over anhydrous sodium sulfate, filtered, and the solvent was distilled off under reduced pressure.
  • the obtained solution was dried over anhydrous sodium sulfate, filtered, and the solvent was further distilled off under reduced pressure.
  • the obtained solution was cooled to room temperature and water was added to stop the reaction.
  • the obtained solution was extracted with chloroform and then washed twice with water and once with a saturated aqueous sodium chloride solution.
  • the obtained organic layer was dried over magnesium sulfate, filtered, and the solvent was distilled off under reduced pressure.
  • the obtained solution was dried over magnesium sulfate, filtered, and the solvent was further distilled off under reduced pressure.
  • the obtained solution was cooled to room temperature and water was added to stop the reaction.
  • the obtained solution was extracted with chloroform and then washed twice with water and once with a saturated aqueous sodium chloride solution.
  • reaction solution was cooled, water was added, and then the organic layer was washed with an aqueous solution of ammonium chloride and a saturated aqueous solution of sodium chloride.
  • the obtained solution was dried over magnesium sulfate, filtered, and the solvent was distilled off under reduced pressure.
  • the obtained crude product was purified by a silica gel column to obtain 1.44 g (0.) of compound 22 as a purple solid. 98 mmol, yield 92%) was obtained.
  • the obtained solution was cooled to room temperature and water was added to stop the reaction.
  • the obtained solution was extracted with chloroform and then washed twice with water and once with a saturated aqueous sodium chloride solution.
  • the obtained solution was cooled to room temperature and water was added to stop the reaction.
  • the obtained solution was extracted with chloroform and then washed twice with water and once with a saturated aqueous sodium chloride solution.
  • the obtained solution was cooled to room temperature and water was added to stop the reaction.
  • the obtained solution was extracted with chloroform and then washed twice with water and once with a saturated aqueous sodium chloride solution.
  • the obtained solution was cooled to room temperature and water was added to stop the reaction.
  • the obtained solution was extracted with chloroform and then washed twice with water and once with a saturated aqueous sodium chloride solution.
  • the obtained organic layer was dried over magnesium sulfate, filtered, and the solvent was distilled off under reduced pressure.
  • the obtained solution was cooled to room temperature and water was added to stop the reaction.
  • the obtained solution was extracted with chloroform and then washed twice with water and once with a saturated aqueous sodium chloride solution.
  • the obtained solution was extracted with chloroform, and then washed twice with water and once with a saturated aqueous sodium chloride solution.
  • the obtained organic layer was dried over magnesium sulfate, filtered, and the solvent was distilled off under reduced pressure.
  • the obtained solution was extracted with chloroform, and then washed twice with water and once with a saturated aqueous sodium chloride solution.
  • the obtained organic layer was dried over magnesium sulfate, filtered, and the solvent was distilled off under reduced pressure.
  • reaction was stopped with a saturated aqueous solution of ammonium chloride, and a liquid separation operation was performed using ethyl acetate to extract the organic layer.
  • the obtained solution was cooled to room temperature and water was added to stop the reaction.
  • the obtained solution was extracted with chloroform and then washed twice with water and once with a saturated aqueous sodium chloride solution.
  • the obtained solution was dried over anhydrous magnesium sulfate, filtered, and the solvent was distilled off under reduced pressure.
  • the obtained crude product was purified by a silica gel column to obtain 2.55 g (1.77 mmol, yield 88.5%) of compound 39 as a deep reddish purple oil.
  • the obtained solution was cooled to room temperature and added to 150 mL of methanol.
  • the obtained solution was filtered to obtain a crude product as a precipitate.
  • reaction solution was cooled, diluted with toluene, and the organic layer was washed twice with water.
  • the obtained solution was dried over magnesium sulfate, filtered, and the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain a crude product.
  • the obtained crude product was purified on a silica gel column to obtain 1.87 g (yield 59.8%, 1.41 mmol) of compound 43 as a black solid.
  • reaction solution was stirred for 2 hours and then cooled to room temperature.
  • organic layer was extracted, diluted with hexane, washed twice with water, dried over magnesium sulfate, filtered, and then totally concentrated with a rotary evaporator.
  • the obtained crude product was purified by a silica gel column to obtain 2.43 g (yield 80.5%) of compound 51 as a black solid.
  • reaction solution is diluted with water and chloroform, separated and washed using a liquid separation funnel to collect an organic layer, washed once with acetic acid water and once with saturated saline, and then dried with magnesium sulfate. After filtering, the solvent was distilled off under reduced pressure.
  • the obtained crude product was purified by a silica gel column to obtain 0.979 g (yield 92.9%, 0.191 mmol) of compound 54 as a black solid.
  • reaction solution was extracted with hexane and then washed with water and a saturated aqueous sodium chloride solution to obtain an organic layer.
  • the obtained solution was dried over anhydrous sodium sulfate, filtered, and the solvent was distilled off under reduced pressure.
  • the obtained crude product was purified by a silica gel column to obtain 1.74 g (1.11 mmol, yield 78%) of the compound 59 as a red oil.
  • the obtained solution was cooled to room temperature and water was added to stop the reaction.
  • the obtained solution was extracted with chloroform and then washed twice with water and once with a saturated aqueous sodium chloride solution to obtain an organic layer.
  • reaction solution was extracted with hexane and then washed with water and a saturated aqueous sodium chloride solution to obtain an organic layer.
  • the obtained solution was dried over anhydrous sodium sulfate, filtered, and the solvent was distilled off under reduced pressure.
  • the obtained crude product was purified by a silica gel column to obtain 3.21 g (2.54 mmol, yield 90.6%) of the compound 66 as a red oil.
  • the obtained solution was cooled to room temperature and water was added to stop the reaction.
  • the obtained solution was extracted with chloroform and then washed twice with water and once with a saturated aqueous sodium chloride solution to obtain an organic layer.
  • Preparation Example 1> (Preparation of Ink I-1)
  • the solvent o-dichlorobenzene (ODCB) is mixed with the polymer compound P-1, which is a p-type semiconductor material, so that the concentration is 0.8% by weight based on the total weight of the ink, and the n-type semiconductor material is used.
  • the resulting mixed solution was filtered using a filter to obtain ink (I-1).
  • Preparation Example 18> (Preparation of Ink I-18)
  • ⁇ Preparation Example 19> (Preparation of Ink I-19) Using o-xylene as the first solvent and acetophenone (AP) as the second solvent, a mixed solvent was prepared with a volume ratio of the first solvent to the second solvent of 97: 3.
  • compound P-1 which is a p-type semiconductor material has a concentration of 1.2% by weight based on the total weight of the ink
  • compound N-2 which is an n-type semiconductor material is added.
  • ⁇ Preparation Example 20> (Preparation of Ink I-20) Using o-xylene as the first solvent and methylbenzoate (MBZ) as the second solvent, a mixed solvent was prepared with a volume ratio of the first solvent to the second solvent of 97: 3.
  • compound P-1 which is a p-type semiconductor material has a concentration of 1.2% by weight based on the total weight of the ink
  • compound N-12 which is an n-type semiconductor material is added.
  • Example 17 Manufacturing and evaluation of photoelectric conversion element (1) Manufacture of photoelectric conversion element and its encapsulant A glass substrate on which an ITO thin film (anode) is formed with a thickness of 50 nm by a sputtering method is prepared, and ozone UV treatment is applied to the glass substrate as a surface treatment. gone.
  • ITO thin film anode
  • ozone UV treatment is applied to the glass substrate as a surface treatment. gone.
  • the ink (I-1) was applied onto a thin film of ITO by a spin coating method to form a coating film, and then heat-treated for 10 minutes using a hot plate heated to 100 ° C. in a nitrogen gas atmosphere. And dried to form an active layer (pre-baking step).
  • the thickness of the formed active layer was about 150 nm.
  • a calcium (Ca) layer was formed on the formed active layer to a thickness of about 5 nm to form an electron transport layer.
  • a silver (Ag) layer was formed on the formed electron transport layer to a thickness of about 60 nm and used as a cathode.
  • the photoelectric conversion element was manufactured on a glass substrate.
  • a UV curable sealant as a sealing material was applied onto a glass substrate as a support substrate so as to surround the periphery of the manufactured photoelectric conversion element, and the glass substrate as a sealing substrate was bonded. Later, by irradiating with UV light, the photodetection element was sealed in the gap between the support substrate and the encapsulation substrate to obtain a sealed body of the photoelectric conversion element.
  • the planar shape of the photoelectric conversion element sealed in the gap between the support substrate and the sealing substrate when viewed from the thickness direction was a square of 2 mm ⁇ 2 mm. The obtained sealed body was used as sample 1.
  • EQE first, with a reverse bias voltage of -5V applied to the encapsulant of the photoelectric conversion element, light with a constant number of photons (1.0 ⁇ 10 16 ) every 20 nm in the wavelength range of 300 nm to 1200 nm. The current value of the current generated when the light was irradiated was measured, and the spectrum of EQE at a wavelength of 300 nm to 1200 nm was obtained by a known method.
  • the measured value at the wavelength ( ⁇ max) closest to the absorption peak wavelength was taken as the EQE value (%).
  • Example 18 Manufacturing and evaluation of photoelectric conversion element
  • a photoelectric conversion element is used in the same manner as in Example 17 described above, except that the ink (I-2) is used instead of the ink (I-1) and the thickness of the formed active layer is about 300 nm.
  • the encapsulation was manufactured and evaluated. The results are shown in Table 6 below.
  • Example 19 to 40> Manufacturing and evaluation of photoelectric conversion element
  • a encapsulated body of the photoelectric conversion element was manufactured in the same manner as in Example 18 described above, except that the inks (I-3) to (I-24) were used instead of the ink (I-2). ,evaluated.
  • the results are shown in Table 6 below.
  • the heating temperature in the pre-baking step described above is set to 100 ° C.
  • the EQE value in the photoelectric conversion element (sample 1) in which only the pre-baking step is performed is used as a reference, and the heating temperature is set to 220 ° C.
  • the value (EQE 220 ° C./EQE100 ° C.) obtained by dividing by the EQE value in the photoelectric conversion element (sample 2) in which the baking step was further carried out was evaluated. The results are shown in Table 7 below.
  • the post-baking step was specifically carried out by heat-treating the already described sample 1 for 50 minutes on a hot plate heated to 220 ° C. in a nitrogen gas atmosphere.
  • the heating temperature in the pre-baking step described above is set to 100 ° C.
  • the EQE value in the photoelectric conversion element (sample 1) in which only the pre-baking step is performed is used as a reference, and the heating temperature is set to 200 ° C.
  • the value (EQE200 ° C./EQE100 ° C.) obtained by dividing by the EQE value in the photoelectric conversion element (sample 3) in which the baking step was further carried out was evaluated. The results are shown in Table 8 below.
  • the post-baking step was specifically carried out by heat-treating the already described sample 1 for 50 minutes on a hot plate heated to 200 ° C. in a nitrogen gas atmosphere.
  • Inks (C-1) to (C-2) were prepared in the same manner as in Preparation Example 1 except that the n-type semiconductor material and the p-type semiconductor material were used in the combinations shown in Table 9 below.
  • the evaluation of the heat resistance of "Sample 2" according to Comparative Examples 1 and 2 is that the value of "EQE 220 ° C / EQE 100 ° C " is less than 0.8 when heated at least 220 ° C. From this, it was found that the EQE value was lowered by the heat treatment in which the heating temperature in the post-baking step was 220 ° C. Therefore, the evaluation of heat resistance using the EQE as an index according to Comparative Examples 1 and 2 is "defective (x)".
  • Inks (C-3) to (C-4) were prepared in the same manner as in Preparation Example 20 except that the n-type semiconductor material and the p-type semiconductor material were used in the combinations shown in Table 11 below.
  • the evaluation of the heat resistance of "Sample 4" according to Comparative Examples 3 to 4 is that the value of "EQE 200 ° C / EQE 100 ° C " is less than 0.5 when heated at least 200 ° C. From this, it was found that the EQE value was lowered by the heat treatment in which the heating temperature in the post-baking step was 200 ° C. Therefore, the evaluation of heat resistance using the EQE as an index according to Comparative Examples 3 to 4 is "defective (x)".
  • Image detection unit 2 Display device 10 Photoelectric conversion element 11, 210 Support board 12 Anodic 13 Hole transport layer 14 Active layer 15 Electron transport layer 16 Cathode 17 Sealing member 20 CMOS Transistor board 30 Interlayer insulating film 32 Interlayer wiring part 40 Seal Stop layer 42 Scintillator 44 Reflection layer 46 Protective layer 50 Color filter 100 Fingerprint detection part 200 Display panel part 200a Display area 220 Organic EL element 230 Touch sensor panel 240 Encapsulation board 300 Vein detection part 302 Glass board 304 Light source part 306 Cover part 310 Insertion part 400 Image detection part for TOF type ranging device 402 Floating diffusion layer 404 Photogate 406 Shading part

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Vascular Medicine (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Nitrogen And Oxygen As The Only Ring Hetero Atoms (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)

Abstract

下記式（Ｉ）で表される新規な半導体材料を提供する。 Ａ１－Ｂ１－Ａ１　（Ｉ） （式（Ｉ）中、Ａ１は電子求引性の基を表し、Ｂ１は単結合で連結してπ共役系を構成する２以上の構成単位を含む２価の基を表し、該２以上の構成単位のうちの少なくとも１つは下記式（ＩＩ）で表される第１の構成単位であり、かつ該第１の構成単位以外の残余の第２の構成単位は不飽和結合を含む２価の基、アリーレン基又はヘテロアリーレン基である。）（式（ＩＩ）中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｙ及びＲは、明細書にて定義のとおりである。）

Description

化合物及びこれを用いた光電変換素子
　本発明は、化合物及び当該化合物を半導体材料として用いた光電変換素子に関する。
　光電変換素子は、例えば、省エネルギー、二酸化炭素の排出量の低減の観点から極めて有用なデバイスであり、注目されている。
　光電変換素子とは、陽極及び陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に設けられる活性層とを少なくとも備える素子である。光電変換素子においては、上記一対の電極のうちの少なくとも一方の電極を透明又は半透明の材料から構成し、透明又は半透明とした電極側から活性層に光を入射させる。活性層に入射した光のエネルギー（ｈν）によって、活性層において電荷（正孔及び電子）が生成し、生成した正孔は陽極に向かって移動し、電子は陰極に向かって移動する。そして、陽極及び陰極に到達した電荷は、素子の外部に取り出される。
　近年、光電変換素子においてさらなる特性等の向上が求められている。そのため、さらなる種々の半導体材料が開発され、報告されている（特許文献１参照。）。
中国特許出願公開第１０７６５２３０４号明細書
　しかしながら、上記特許文献１が報告しているｎ型半導体材料は、近年の光電変換素子に要求される特性を満たすには十分とはいえない。
　よって、光電変換素子に要求される特性を充足させることができるさらなる半導体材料が求められている。
　本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、後述する所定の構造を有する化合物により、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
　よって、本発明は、下記［１］～［１４］を提供する。
［１］　下記式（Ｉ）で表される化合物。
 
Ａ１－Ｂ１－Ａ１　（Ｉ）
 
（式（Ｉ）中、
　Ａ１は、電子求引性の基を表し、
　Ｂ１は、単結合で連結してπ共役系を構成する２以上の構成単位を含む２価の基を表し、該２以上の構成単位のうちの少なくとも１つは下記式（ＩＩ）で表される第１の構成単位であり、かつ該第１の構成単位以外の残余の第２の構成単位は不飽和結合を含む２価の基、アリーレン基又はヘテロアリーレン基である。
　２つあるＡ１は、互いに異なっていてもよい。前記第１の構成単位が２つ以上ある場合、２つ以上ある第１の構成単位は、互いに同一であっても異なっていてもよい。第２の構成単位が２つ以上ある場合、２つ以上ある第２の構成単位は、互いに同一であっても異なっていてもよい。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 （式（ＩＩ）中、
　Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭素環又は置換基を有していてもよい芳香族複素環を表し、
　Ｙは、－Ｃ（＝Ｏ）－で表される基又は酸素原子を表し、
　Ｒは、それぞれ独立して、
　水素原子、
　ハロゲン原子、
　置換基を有していてもよいアルキル基、
　置換基を有していてもよいシクロアルキル基、
　置換基を有していてもよいアリール基、
　置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、
　置換基を有していてもよいシクロアルキルオキシ基、
　置換基を有していてもよいアリールオキシ基、
　置換基を有していてもよいアルキルチオ基、
　置換基を有していてもよいシクロアルキルチオ基、
　置換基を有していてもよいアリールチオ基、
　置換基を有していてもよい１価の複素環基、
　置換基を有していてもよい置換アミノ基、
　置換基を有していてもよいアシル基、
　置換基を有していてもよいイミン残基、
　置換基を有していてもよいアミド基、
　置換基を有していてもよい酸イミド基、
　置換基を有していてもよい置換オキシカルボニル基、
　置換基を有していてもよいアルケニル基、
　置換基を有していてもよいシクロアルケニル基、
　置換基を有していてもよいアルキニル基、
　置換基を有していてもよいシクロアルキニル基、
　シアノ基、
　ニトロ基、
　－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒａで表される基、又は
　－ＳＯ２－Ｒｂで表される基を表し、
　Ｒａ及びＲｂは、それぞれ独立して、
　水素原子、
　置換基を有していてもよいアルキル基、
　置換基を有していてもよいアリール基、
　置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、
　置換基を有していてもよいアリールオキシ基、又は
　置換基を有していてもよい１価の複素環基を表す。
　複数あるＲは、互いに同一であっても異なっていてもよい。）
［２］　Ｂ１が、前記第１の構成単位を２つ以上含む、［１］に記載の化合物。
［３］　前記第１の構成単位が、下記式（ＩＩＩ）で表される構成単位である、［１］又は［２］に記載の化合物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 （式（ＩＩＩ）中、
　Ｙ及びＲは、前記定義のとおりであり、
　Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立して、硫黄原子又は酸素原子を表し、
　Ｚ１及びＺ２は、それぞれ独立して、＝Ｃ（Ｒ）－で表される基又は窒素原子を表す。
）
［４］　Ｂ１が、前記第１の構成単位を３つ以上含む、［１］～［３］のいずれか１つに記載の化合物。
［５］　前記第２の構成単位が、不飽和結合を含む２価の基及び下記式（ＩＶ－１）～式（ＩＶ－９）で表される基からなる群から選択される、［１］～［４］のいずれか１つに記載の化合物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 （式（ＩＶ－１）～式（ＩＶ－９）中、Ｘ１、Ｘ２、Ｚ１、Ｚ２及びＲは前記定義のとおりである。
　Ｒが２つある場合、２つあるＲは、互いに同一であっても異なっていてもよい。）
［６］　Ｂ１が、前記第１の構成単位が２つ以上４つ以下連結した２価の基である、［１］～［３］のいずれか１つに記載の化合物。
［７］　Ｂ１が、下記式（Ｖ－１）～式（Ｖ－９）で表される構造からなる群から選択されるいずれか１つの構造を有する２価の基である、［５］に記載の化合物。
 
―ＣＵ１－ＣＵ２－ＣＵ１－　　　　　　　　　（Ｖ－１）
 
―ＣＵ１－ＣＵ２－ＣＵ１－ＣＵ２―ＣＵ１―　　　　　（Ｖ－２）
 
－ＣＵ２―ＣＵ１―ＣＵ２―ＣＵ１―ＣＵ２―　　　　　（Ｖ－３）
 
―ＣＵ１－ＣＵ２－ＣＵ１－ＣＵ２―ＣＵ１－ＣＵ２－ＣＵ１－　（Ｖ－４）
 
－ＣＵ１－ＣＵ１－　　　　　　　　　　　（Ｖ－５）
 
－ＣＵ２－ＣＵ１－ＣＵ２－　　　　　　　　　（Ｖ－６）
 
－ＣＵ１－ＣＵ１－ＣＵ１－　　　　　　　　　（Ｖ－７）
 
－ＣＵ２－ＣＵ１－ＣＵ１－ＣＵ２－　　　　　　　（Ｖ－８）
 
－ＣＵ２－ＣＵ１－ＣＵ１－ＣＵ１－ＣＵ２－　　　　　（Ｖ－９）
 
（式（Ｖ－１）～式（Ｖ－９）中、
　ＣＵ１は、前記第１の構成単位を表し、
　ＣＵ２は、前記第２の構成単位を表す。
　ＣＵ１が２つ以上ある場合、２つ以上あるＣＵ１は、互いに同一であっても異なっていてもよく、ＣＵ２が２つ以上ある場合、２つ以上あるＣＵ２は、互いに同一であっても異なっていてもよい。）
［８］　ｐ型半導体材料と、ｎ型半導体材料とを含み、該ｎ型半導体材料として、［１］～［７］のいずれか１つに記載の化合物を含む、組成物。
［９］　［８］に記載の組成物と、溶媒とを含むインク。
［１０］　陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に設けられており、ｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料を含む活性層とを含み、該ｎ型半導体材料として、［１］～［７］のいずれか１つに記載の化合物を含む、光電変換素子。
［１１］　光検出素子である、［１０］に記載の光電変換素子。
［１２］　［１１］に記載の光電変換素子を含む、イメージセンサー。
［１３］　［１１］に記載の光電変換素子を含む、指紋認証装置。
［１４］　［１１］に記載の光電変換素子を含む、静脈認証装置。
　また、本発明の化合物は、下記［Ｘ］の態様であってもよい。
［Ｘ］　[１]に記載の化合物であって、該化合物が、下記式Ｘ－１～式Ｘ－３で表される化合物である場合は除かれる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　本発明によれば、光電変換素子の製造工程又は光電変換素子が適用されるデバイスへの組み込み工程における加熱処理に対する光電変換素子の外部量子効率の低下を抑制し、耐熱性を向上させることができる新規な化合物及びこれを用いた光電変換素子を提供することができる。
図１は、光電変換素子の構成例を模式的に示す図である。 図２は、イメージ検出部の構成例を模式的に示す図である。 図３は、指紋検出部の構成例を模式的に示す図である。 図４は、Ｘ線撮像装置用のイメージ検出部の構成例を模式的に示す図である。 図５は、静脈認証装置用の静脈検出部の構成例を模式的に示す図である。 図６は、間接方式のＴＯＦ型測距装置用イメージ検出部の構成例を模式的に示す図である。
　以下、本発明の実施形態にかかる化合物について説明し、さらには本実施形態にかかる化合物が用いられる光電変換素子について、図面を参照して説明する。なお、図面は、発明が理解できる程度に、構成要素の形状、大きさ及び配置が概略的に示されているに過ぎない。本発明は以下の記述によって限定されるものではなく、各構成要素は本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、本発明の実施形態にかかる構成は、必ずしも図面に示された配置で、製造されたり、使用されたりするとは限らない。
　以下の説明において共通して用いられる用語についてまず説明する。
　「非フラーレン化合物」とは、フラーレン及びフラーレン誘導体のいずれでもない化合物をいう。
　「π共役系」とは、π電子が複数の結合に非局在化している系を意味している。
　「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が、１×１０３以上１×１０８以下である重合体を意味する。なお、高分子化合物に含まれる構成単位は、合計１００モル％である。
　「構成単位」とは、本実施形態の化合物、及び高分子化合物中に１個以上存在している、原料化合物（モノマー）に由来する残基を意味する。
　「水素原子」は、軽水素原子であっても、重水素原子であってもよい。
　「ハロゲン原子」の例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。
　「置換基を有していてもよい」態様には、化合物又は基を構成するすべての水素原子が無置換の場合、及び１個以上の水素原子の一部又は全部が置換基によって置換されている場合の両方の態様が含まれる。
　「置換基」の例としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、１価の複素環基、置換アミノ基、アシル基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、置換オキシカルボニル基、シアノ基、アルキルスルホニル基、及びニトロ基が挙げられる。なお、本明細書において炭素原子数という場合、当該炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。
　本明細書において、特に特定しない限り、「アルキル基」は、直鎖状、分岐状、及び環状のいずれであってもよい。直鎖状のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１～５０であり、好ましくは１～３０であり、より好ましくは１～２０である。分岐状又は環状であるアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～５０であり、好ましくは３～３０であり、より好ましくは４～２０である。
　アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソアミル基、２－エチルブチル基、ｎ－ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、ｎ－オクチル基、２－エチルヘキシル基、３－ｎ－プロピルヘプチル基、アダマンチル基、ｎ－デシル基、３，７－ジメチルオクチル基、２－エチルオクチル基、２－ｎ－ヘキシル－デシル基、ｎ－ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル墓、オクタデシル基、イコシル基が挙げられる。
　アルキル基は、置換基を有していてもよい。置換基を有するアルキル基は、例えば、上記例示のアルキル基における水素原子が、アルキルオキシ基、アリール基、フッ素原子等の置換基で置換された基である。
　置換基を有するアルキルの具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、３－フェニルプロピル基、３－（４－メチルフェニル）プロピル基、３－（３，５－ジヘキシルフェニル）プロピル基、６－エチルオキシヘキシル基が挙げられる。
　「シクロアルキル基」は、単環の基であってもよく、多環の基であってもよい。シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。シクロアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～３０であり、好ましくは１２～１９である。
　シクロアルキル基の例としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、アダマンチル基などの置換基を有しないアルキル基、及びこれらの基における水素原子が、アルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、フッ素原子などの置換基で置換された基が挙げられる。
　置換基を有するシクロアルキル基の具体例としては、メチルシクロヘキシル基、エチルシクロヘキシル基が挙げられる。
　「ｐ価の芳香族炭素環基」とは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子ｐ個を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の芳香族炭素環基は、置換基をさらに有していてもよい。
　「アリール基」は、１価の芳香族炭素環基であって、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１つを除いた残りの原子団を意味する。
　アリール基は、置換基を有していてもよい。アリール基の具体例としては、フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、１－アントラセニル基、２－アントラセニル基、９－アントラセニル基、１－ピレニル基、２－ピレニル基、４－ピレニル基、２－フルオレニル基、３－フルオレニル基、４－フルオレニル基、２－フェニルフェニル基、３－フェニルフェニル基、４－フェニルフェニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、フッ素原子などの置換基で置換された基が挙げられる。
　「アルキルオキシ基」は、直鎖状、分岐状、及び環状のいずれであってもよい。直鎖状のアルキルオキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１～４０であり、好ましくは１～１０である。分岐状又は環状のアルキルオキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～４０であり、好ましくは４～１０である。
　アルキルオキシ基は、置換基を有していてもよい。アルキルオキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ－ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ブチルオキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ－ヘプチルオキシ基、ｎ－オクチルオキシ基、２－エチルヘキシルオキシ基、ｎ－ノニルオキシ基、ｎ－デシルオキシ基、３，７－ジメチルオクチルオキシ基、３－ヘプチルドデシルオキシ基、ラウリルオキシ基、及びこれらの基における水素原子が、アルキルオキシ基、アリール基、フッ素原子で置換された基が挙げられる。
　「シクロアルキルオキシ基」が有するシクロアルキル基は、単環の基であってもよく、多環の基であってもよい。シクロアルキルオキシ基は、置換基を有していてもよい。シクロアルキルオキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～３０であり、好ましくは１２～１９である。
　シクロアルキルオキシ基の例としては、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基などの、置換基を有しないシクロアルキルオキシ基、及びこれらの基における水素原子が、フッ素原子、アルキル基で置換された基が挙げられる。
　「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６～６０であり、好ましくは６～４８である。
　アリールオキシ基は、置換基を有していてもよい。アリールオキシ基の具体例としては、フェノキシ基、１－ナフチルオキシ基、２－ナフチルオキシ基、１－アントラセニルオキシ基、９－アントラセニルオキシ基、１－ピレニルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、アルキルオキシ基、フッ素原子などの置換基で置換された基が挙げられる。
　「アルキルチオ基」は、直鎖状、分岐状、及び環状のいずれであってもよい。直鎖状のアルキルチオ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１～４０であり、好ましくは１～１０である。分岐状及び環状のアルキルチオ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～４０であり、好ましくは４～１０である。
　アルキルチオ基は、置換基を有していてもよい。アルキルチオ基の具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｔｅｒｔ－ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２－エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７－ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、及びトリフルオロメチルチオ基が挙げられる。
　「シクロアルキルチオ基」が有するシクロアルキル基は、単環の基であってもよく、多環の基であってもよい。シクロアルキルチオ基は、置換基を有していてもよい。シクロアルキルチオ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常３～３０であり、好ましくは１２～１９である。
　置換基を有していてもよいシクロアルキルチオ基の例としては、シクロヘキシルチオ基が挙げられる。
　「アリールチオ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６～６０であり、好ましくは６～４８である。
　アリールチオ基は、置換基を有していてもよい。アリールチオ基の例としては、フェニルチオ基、Ｃ１～Ｃ１２アルキルオキシフェニルチオ基（Ｃ１～Ｃ１２は、その直後に記載された基の炭素原子数が１～１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ１～Ｃ１２アルキルフェニルチオ基、１－ナフチルチオ基、２－ナフチルチオ基、及びペンタフルオロフェニルチオ基が挙げられる。
　「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、置換基を有していてもよい複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。
　ｐ価の複素環基は、置換基をさらに有していてもよい。ｐ価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常２～３０であり、好ましくは２～６である。
　複素環式化合物が有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、１価の複素環基、置換アミノ基、アシル基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、置換オキシカルボニル基、アルケニル基、アルキニル基、シアノ基、及びニトロ基が挙げられる。ｐ価の複素環基には、「ｐ価の芳香族複素環基」が含まれる。
　「ｐ価の芳香族複素環基」は、置換基を有していてもよい芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の芳香族複素環基は、置換基をさらに有していてもよい。
　芳香族複素環式化合物には、複素環自体が芳香族性を示す化合物に加えて、複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環している化合物が包含される。
　芳香族複素環式化合物のうち、複素環自体が芳香族性を示す化合物の具体例としては、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、及びジベンゾホスホールが挙げられる。
　芳香族複素環式化合物のうち、芳香族複素環自体が芳香族性を示さず、複素環に芳香環が縮環している化合物の具体例としては、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、及びベンゾピランが挙げられる。
　１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２～６０であり、好ましくは４～２０である。
　１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、１価の複素環基の具体例としては、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、アルキルオキシ基等で置換された基が挙げられる。
　「置換アミノ基」は、置換基を有するアミノ基を意味する。アミノ基が有する置換基の例としては、アルキル基、アリール基、及び１価の複素環基が挙げられ、アルキル基、アリール基、又は１価の複素環基が好ましい。置換アミノ基の炭素原子数は、通常２～３０である。
　置換アミノ基の例としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基、ビス（４－メチルフェニル）アミノ基、ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）アミノ基、ビス（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）アミノ基等のジアリールアミノ基が挙げられる。
　「アシル基」は、置換基を有していてもよい。アシル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２～２０であり、好ましくは２～１８である。アシル基の具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、及びペンタフルオロベンゾイル基が挙げられる。
　「イミン残基」とは、イミン化合物から、炭素原子－窒素原子二重結合を構成する炭素原子又は窒素原子に直接結合する水素原子１つを除いた残りの原子団を意味する。「イミン化合物」とは、分子内に、炭素原子－窒素原子二重結合を有する有機化合物を意味する。イミン化合物の例として、アルジミン、ケチミン、及びアルジミン中の炭素原子－窒素原子二重結合を構成する窒素原子に結合している水素原子が、アルキル基等で置換された化合物が挙げられる。
　イミン残基は、通常、炭素原子数が２～２０であり、好ましくは炭素原子数が２～１８である。イミン残基の例としては、下記の構造式で表される基が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
　「アミド基」は、アミドから窒素原子に結合した水素原子を１個除いた残りの原子団を意味する。アミド基の炭素原子数は、通常１～２０であり、好ましくは１～１８である。
アミド基の具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、及びジペンタフルオロベンズアミド基が挙げられる。
　「酸イミド基」とは、酸イミドから窒素原子に結合した水素原子を１個除いた残りの原子団を意味する。酸イミド基の炭素原子数は、通常４～２０である。酸イミド基の具体例としては、下記の構造式で表される基が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
　「置換オキシカルボニル基」とは、Ｒ’－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－で表される基を意味する。
ここで、Ｒ’は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、又は１価の複素環基を表す。
　置換オキシカルボニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２～６０であり、好ましくは２～４８である。
　置換オキシカルボニル基の具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２－エチルヘキシルオキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシルオキシカルボニル基、３，７－ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、及びピリジルオキシカルボニル基が挙げられる。
　「アルケニル基」は、直鎖状、分岐状、及び環状のいずれであってもよい。直鎖状のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２～３０であり、好ましくは３～２０である。分岐状又は環状のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常３～３０であり、好ましくは４～２０である。
　アルケニル基は、置換基を有していてもよい。アルケニル基の具体例としては、ビニル基、１－プロペニル基、２－プロペニル基、２－ブテニル基、３－ブテニル基、３－ペンテニル基、４－ペンテニル基、１－ヘキセニル基、５－ヘキセニル基、７－オクテニル基、及び、これらの基における水素原子がアルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、フッ素原子で置換された基が挙げられる。
　「シクロアルケニル基」は、単環の基であってもよく、多環の基であってもよい。シクロアルケニル基は、置換基を有していてもよい。シクロアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～３０であり、好ましくは１２～１９である。
　シクロアルケニル基の例としては、シクロヘキセニル基などの、置換基を有しないシクロアルケニル基、及びこれらの基における水素原子が、アルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、フッ素原子で置換された基が挙げられる。
　置換基を有するシクロアルケニル基の例としては、メチルシクロヘキセニル基、及びエチルシクロヘキセニル基が挙げられる。
　「アルキニル基」は、直鎖状、分岐状、及び環状のいずれであってもよい。直鎖状のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２～２０であり、好ましくは３～２０である。分岐状又は環状のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常４～３０であり、好ましくは４～２０である。
　アルキニル基は置換基を有していてもよい。アルキニル基の具体例としては、エチニル基、１－プロピニル基、２－プロピニル基、２－ブチニル基、３－ブチニル基、３－ペンチニル基、４－ペンチニル基、１－ヘキシニル基、５－ヘキシニル基、及び、これらの基における水素原子がアルキルオキシ基、アリール基、フッ素原子で置換された基が挙げられる。
　「シクロアルキニル基」は、単環の基であってもよく、多環の基であってもよい。シクロアルキニル基は、置換基を有していてもよい。シクロアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常４～３０であり、好ましくは１２～１９である。
　シクロアルキニル基の例としては、シクロヘキシニル基などの置換基を有しないシクロアルキニル基、及びこれらの基における水素原子が、アルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、フッ素原子で置換された基が挙げられる。
　置換基を有するシクロアルキニル基の例としては、メチルシクロヘキシニル基、及びエチルシクロヘキシニル基が挙げられる。
　「アルキルスルホニル基」は、直鎖状でもあってもよく、分岐状であってもよい。アルキルスルホニル基は、置換基を有していてもよい。アルキルスルホニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１～３０である。アルキルスルホニル基の具体例としては、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、及びドデシルスルホニル基が挙げられる。
　化学式に付されうる符合「＊」は、結合手を表す。
　「インク」は、塗布法に用いられる液状体を意味しており、着色した液に限定されない。また、「塗布法」は、液状物質を用いて膜（層）を形成する方法を包含し、例えば、スロットダイコート法、スリットコート法、ナイフコート法、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットコート法、ディスペンサー印刷法、ノズルコート法、及びキャピラリーコート法が挙げられる。
　インクは、溶液であってよく、分散液、エマルション（乳濁液）、サスペンション（懸濁液）などの分散液であってもよい。
　「吸収ピーク波長」とは、所定の波長範囲で測定された吸収スペクトルの吸収ピークに基づいて特定されるパラメータであり、吸収スペクトルの吸収ピークのうちの吸光度が最も大きい吸収ピークの波長をいう。
　「外部量子効率」とは、ＥＱＥ（Ｅｘｔｅｒｎａｌ　Ｑｕａｎｔｕｍ　Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）とも称され、光電変換素子に照射された光子の数に対して発生した電子のうち光電変換素子の外部に取り出すことができた電子の数を比率（％）で示した値をいう。
１．化合物
　まず、本実施形態の化合物について説明する。本実施形態の化合物は、光電変換素子の特に活性層の半導体材料として好適に用いることができる。なお、活性層において、本実施形態の化合物が、ｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料のうちのいずれとして機能するかは、選択された化合物のＨＯＭＯのエネルギーレベルの値又はＬＵＭＯのエネルギーレベルの値から相対的に決定することができる。本実施形態の化合物は、光電変換素子の活性層において、特にｎ型半導体材料として好適に用いることができる。
　活性層に含まれるｐ型半導体材料のＨＯＭＯ及びＬＵＭＯのエネルギーレベルの値と、ｎ型半導体材料のＨＯＭＯ及びＬＵＭＯのエネルギーレベルの値との関係は、光電変換素子（光検出素子）が動作する範囲に適宜設定することができる。
　本実施形態の化合物は、下記式（Ｉ）で表される化合物である。
 
Ａ１－Ｂ１－Ａ１　（Ｉ）
 
　式（Ｉ）中、
　Ａ１は、電子求引性の基を表し、
　Ｂ１は、単結合で連結してπ共役系を構成する２以上の構成単位を含む２価の基を表し、該２以上の構成単位のうちの少なくとも１つは下記式（ＩＩ）で表される第１の構成単位（以下、第１の構成単位ＣＵ１とも称する。）であり、かつ該第１の構成単位以外の残余の第２の構成単位（以下、第２の構成単位ＣＵ２とも称する。）は不飽和結合を含む２価の基、アリーレン基又はヘテロアリーレン基である。
　２つあるＡ１は、互いに異なっていてもよい。前記第１の構成単位が２つ以上ある場合、２つ以上ある第１の構成単位は、互いに同一であっても異なっていてもよい。第２の構成単位が２つ以上ある場合、２つ以上ある第２の構成単位は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
　式（ＩＩ）中、
　Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭素環又は置換基を有していてもよい芳香族複素環を表し、
　Ｙは、－Ｃ（＝Ｏ）－で表される基又は酸素原子を表し、
　Ｒは、それぞれ独立して、
　水素原子、
　ハロゲン原子、
　置換基を有していてもよいアルキル基、
　置換基を有していてもよいシクロアルキル基、
　置換基を有していてもよいアリール基、
　置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、
　置換基を有していてもよいシクロアルキルオキシ基、
　置換基を有していてもよいアリールオキシ基、
　置換基を有していてもよいアルキルチオ基、
　置換基を有していてもよいシクロアルキルチオ基、
　置換基を有していてもよいアリールチオ基、
　置換基を有していてもよい１価の複素環基、
　置換基を有していてもよい置換アミノ基、
　置換基を有していてもよいアシル基、
　置換基を有していてもよいイミン残基、
　置換基を有していてもよいアミド基、
　置換基を有していてもよい酸イミド基、
　置換基を有していてもよい置換オキシカルボニル基、
　置換基を有していてもよいアルケニル基、
　置換基を有していてもよいシクロアルケニル基、
　置換基を有していてもよいアルキニル基、
　置換基を有していてもよいシクロアルキニル基、
　シアノ基、
　ニトロ基、
　－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒａで表される基、又は
　－ＳＯ２－Ｒｂで表される基を表し、
　Ｒａ及びＲｂは、それぞれ独立して、
　水素原子、
　置換基を有していてもよいアルキル基、
　置換基を有していてもよいアリール基、
　置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、
　置換基を有していてもよいアリールオキシ基、又は
　置換基を有していてもよい１価の複素環基を表す。
　複数あるＲは、互いに同一であっても異なっていてもよい。
　本実施形態の化合物は、上記式（Ｉ）で表される非フラーレン化合物であって、電子求引性の１価の基である２つのＡ１が、単結合で連結してπ共役系を構成する２以上の構成単位を含む２価の基であるＢ１の両末端に結合した化合物である。以下、本実施形態の化合物を構成しうるＡ１及びＢ１について具体的に説明する。
　（１）Ａ１について
　Ａ１は、電子求引性の１価の基である。
　電子求引性の１価の基であるＡ１の例としては、－ＣＨ＝Ｃ（－ＣＮ）２で表される基、及び下記式（ａ－１）～式（ａ－９）で表される基が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
　式（ａ－１）～式（ａ－７）中、
　Ｔは、置換基を有していてもよい炭素環、又は置換基を有していてもよい複素環を表す。炭素環及び複素環は、単環であってもよく、縮合環であってもよい。これらの環が置換基を複数有する場合、複数ある置換基は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
　Ｔで表される置換基を有していてもよい炭素環の例としては、芳香族炭素環が挙げられ、好ましくは芳香族炭素環である。Ｔで表される置換基を有していてもよい炭素環の具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、及びフェナントレン環が挙げられ、好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、及びフェナントレン環であり、より好ましくはベンゼン環及びナフタレン環であり、さらに好ましくはベンゼン環である。これらの環は、置換基を有していてもよい。
　Ｔで表される置換基を有していてもよい複素環の例としては、芳香族複素環が挙げられ、好ましくは芳香族炭素環である。Ｔで表される置換基を有していてもよい複素環の具体例としては、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、及びチエノチオフェン環が挙げられ、好ましくはチオフェン環、及びピリジン環、ピラジン環、チアゾール環、及びチエノチオフェン環であり、より好ましくはチオフェン環である。これらの環は、置換基を有していてもよい。
　Ｔで表される炭素環又は複素環が有しうる置換基の例としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、及び１価の複素環基が挙げられ、好ましくはフッ素原子、塩素原子、炭素原子数１～６のアルキルオキシ基及び／又は炭素原子数１～６のアルキル基である。
　Ｘ４、Ｘ５、及びＸ６は、それぞれ独立して、酸素原子、硫黄原子、アルキリデン基、又は＝Ｃ（－ＣＮ）２で表される基を表し、好ましくは、酸素原子、硫黄原子、又は＝Ｃ（－ＣＮ）２で表される基である。
　Ｘ７は、水素原子又はハロゲン原子、シアノ基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリール基又は１価の複素環基を表す。Ｘ７は、好ましくはシアノ基である。
　Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４、及びＲａ５は、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリール基又は１価の複素環基を表し、好ましくは、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
　式（ａ－８）及び式（ａ－９）中、
　Ｒａ６及びＲａ７は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、置換基を有していてもよいシクロアルキルオキシ基、置換基を有していてもよい１価の芳香族炭素環基、又は置換基を有していてもよい１価の芳香族複素環基を表し、複数あるＲａ６及びＲａ７は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
　Ａ１で表される電子求引性の基の具体例としては、下記式（ａ－１－１）～式（ａ－１－４）、並びに式（ａ－５－１）、式（ａ－６－１）及び式（ａ－７－１）で表される基が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
　式（ａ－１－１）～式（ａ－１－４）、並びに式（ａ－５－１）、式（ａ－６－１）及び式（ａ－７－１）中、
　複数あるＲａ１０は、それぞれ独立して、水素原子又は置換基を表し、
　Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４、及びＲａ５は、それぞれ独立して、前記と同義である。
　Ｒａ１０は、好ましくは水素原子、ハロゲン原子、アルキルオキシ基、シアノ基又はアルキル基である。Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４、及びＲａ５は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基である。
　Ａ１で表される電子求引性の基の好ましい例としては、下記式で表される基が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
　（２）Ｂ１について
　Ｂ１は、単結合で連結してπ共役系を構成する２以上の構成単位を含む２価の基である。Ｂ１は、互いにπ結合している一対以上の原子を含んでおり、π電子雲がＢ１の全体に広がっている２価の基である。
　Ｂ１を構成しうる２以上の構成単位のうちの少なくとも１つは、上記式（ＩＩ）で表される第１の構成単位ＣＵ１であり、かつ第１の構成単位ＣＵ１以外の残余の第２の構成単位ＣＵ２は不飽和結合を含む２価の基、アリーレン基又はヘテロアリーレン基である。
　本実施形態の化合物において、Ｂ１は、第１の構成単位ＣＵ１を２つ以上含むことが好ましい。
　以下、第１の構成単位ＣＵ１及び第２の構成単位ＣＵ２について具体的に説明する。
　（ｉ）第１の構成単位ＣＵ１
　Ｂ１を構成しうる第１の構成単位ＣＵ１は、下記式（ＩＩ）で表される構成単位である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
　式（ＩＩ）中、Ａｒ１及びＡｒ２、並びにＹ及びＲは、前記定義のとおりである。
　Ａｒ１及びＡｒ２を構成しうる芳香族炭素環は、好ましくはベンゼン環及びナフタレン環であり、より好ましくはベンゼン環及びナフタレン環であり、さらに好ましくはベンゼン環である。これらの環は、置換基を有していてもよい。
　Ａｒ１及びＡｒ２を構成しうる芳香族複素環は、好ましくはオキサジアゾール環、チアジアゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、チオフェン環、チエノチオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ホスホール環、フラン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ピリダジン環、キノリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、及びジベンゾホスホール環、並びに、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジベンゾボロール環、ジベンゾシロール環、及びベンゾピラン環である。これらの環は、置換基を有していてもよい。
　Ｒで表されるハロゲン原子は、好ましくはフッ素原子である。
　Ｒで表される置換基を有していてもよいアルキル基は、好ましくは置換基を有していてもよい炭素原子数１～２０のアルキル基であり、より好ましくは置換基を有していてもよい炭素原子数１～１５のアルキル基であり、さらに好ましくは、置換基を有していてもよい炭素原子数１～１２のアルキル基であり、さらにまた好ましくは置換基を有していてもよい炭素原子数１～１０のアルキル基である。
　Ｒで表されるアルキル基が有していてもよい置換基は、好ましくはハロゲン原子であり、より好ましくはフッ素原子及び／又は塩素原子である。
　Ｒで表される置換基を有していてもよいシクロアルキル基は、好ましくは置換基を有していてもよい炭素原子数３～１０のシクロアルキル基であり、より好ましくは置換基を有していてもよい炭素原子数５～６のシクロアルキル基であり、さらに好ましくは置換基を有していてもよいシクロヘキシル基である。
　Ｒで表される置換基を有していてもよいアリール基は、好ましくは置換基を有していてもよい炭素原子数６～１５のアリール基であり、より好ましくは置換基を有していてもよいフェニル基又はナフチル基である。
　Ｒで表されるアリール基が有していてもよい置換基は、好ましくはハロゲン原子（例、塩素原子、フッ素原子）、炭素原子数１～１２のアルキル基（例、メチル基、トリフルオロメチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、オクチル基、ドデシル基）、炭素原子数１～１２のアルキルオキシ基（例、メトキシ基、エトキシ基、オクチルオキシ基）、炭素原子数１～１２のアルキルスルホニル基（例、ドデシルスルホニル基）、及び／又はシアノ基である。
　Ｒで表される置換基を有していてもよいアルキルオキシ基は、好ましくは置換基を有していてもよい炭素原子数１～１０のアルキルオキシ基であり、より好ましくは置換基を有していてもよい炭素原子数１～８のアルキルオキシ基であり、さらに好ましくは、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、３－メチルブチルオキシ、又は２－エチルヘキシルオキシ基であって、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｒで表される置換基を有していてもよいアリールオキシ基は、好ましくは置換基を有していてもよい炭素原子数６～１５のアリールオキシ基であり、より好ましくは置換基を有していてもよいフェニルオキシ基又はアントラセニルオキシ基である。
　Ｒで表されるアリールオキシ基が有していてもよい置換基は、好ましくは炭素原子数１～１２のアルキル基であり、より好ましくは炭素原子数１～６のアルキル基であり、さらに好ましくはメチル基である。
　Ｒで表される置換基を有していてもよいアルキルチオ基は、好ましくは置換基を有していてもよい炭素原子数１～６のアルキルチオ基であり、より好ましくは置換基を有していてもよい炭素原子数１～３のアルキルチオ基であり、さらに好ましくは置換基を有していてもよいメチルチオ基又はプロピルチオ基である。
　Ｒで表される置換基を有していてもよいアリールチオ基は、好ましくは置換基を有していてもよい炭素原子数６～１０のアリールチオ基であり、より好ましくは置換基を有していてもよいフェニルチオ基である。
　Ｒで表されるアリールチオ基が有していてもよい置換基は、好ましくは炭素原子数１～１２のアルキル基であり、より好ましくは炭素原子数１～６のアルキル基であり、さらに好ましくはメチル基である。
　Ｒで表される置換基を有していてもよい１価の複素環基は、好ましくは置換基を有していてもよい５員又は６員である１価の複素環基である。５員である１価の複素環基の例としては、チエニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、及びピロリジニル基が挙げられる。６員である１価の複素環基の例としては、ピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、ピペリジル基、ピペラジニル基、モルホリニル基、及びテトラヒドロピラニル基が挙げられる。
　Ｒで表される置換基を有していてもよい１価の複素環基は、より好ましくはチエニル基、フリル基、チアゾリル基、オキサゾリル基、ピリジル基、又はピラジル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｒで表される１価の複素環基が有していてもよい置換基は、好ましくは炭素原子数１～１２のアルキル基（例、メチル基、トリフルオロメチル基、プロピル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基）である。
　Ｒで表される置換基を有していてもよいアルケニル基は、好ましくは置換基を有していてもよい炭素原子数２～１０のアルケニル基であり、より好ましくは置換基を有していてもよい炭素原子数２～６のアルケニル基であり、さらに好ましくは置換基を有していてもよい２－プロペニル基又は５－ヘキセニル基である。
　Ｒで表される置換基を有していてもよいシクロアルケニル基は、好ましくは置換基を有していてもよい炭素原子数３～１０のシクロアルケニル基であり、より好ましくは置換基を有していてもよい炭素原子数６～７のシクロアルケニル基であり、さらに好ましくは置換基を有していてもよいシクロヘキセニル基又はシクロヘプテニル基である。
　Ｒで表されるシクロアルケニル基が有していてもよい置換基は、好ましくは炭素原子数１～１２のアルキル基である。
　Ｒで表される置換基を有していてもよいアルキニル基は、好ましくは置換基を有していてもよい炭素原子数２～１０のアルキニル基であり、より好ましくは置換基を有していてもよい炭素原子数５～６のアルキニル基であり、さらに好ましくは置換基を有していてもよい５－ヘキシニル基又は３－メチル－１－ブチニル基である。
　Ｒで表される置換基を有していてもよいシクロアルキニル基は、好ましくは置換基を有していてもよい炭素原子数６～１０のシクロアルキニル基であり、より好ましくは置換基を有していてもよい炭素原子数７～８のシクロアルキニル基であり、さらに好ましくは、置換基を有していてもよいシクロヘプチニル基又はシクロオクチニル基である。
　Ｒで表されるシクロアルキニル基が有していてもよい置換基は、好ましくはＣ１～Ｃ１２アルキル基である。
　複数あるＲは、それぞれ独立して、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基であり、より好ましくは置換基を有していてもよい炭素原子数１～１５のアルキル基であり、さらに好ましくは置換基を有していてもよい炭素原子数１～１２のアルキル基であり、さらにまた好ましくは、置換基を有していてもよい炭素原子数１～１０のアルキル基である。複数あるＲが、いずれも置換基を有していてもよい炭素原子数１～１０のアルキル基であることが特に好ましい。
　Ｒで表される－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒａで表される基及び－ＳＯ２－Ｒｂで表される基において、Ｒａは、好ましくは、水素原子であり、Ｒｂは、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいアルキルオキシ基であり、より好ましくは置換基を有していてもよい炭素原子数１～１２のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素原子数１～１２のアルキルオキシ基であり、さらに好ましくは置換基を有していてもよい炭素原子数１～１２のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素原子数１～６のアルキルオキシ基であり、さらにまた好ましくは、メチル基、エチル基、２－メチルプロピル基、オクチル基、ドデシル基、又はエトキシ基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｂ１を構成しうる前記式（ＩＩ）で表される第１の構成単位ＣＵ１は、下記式（ＩＩＩ）で表される構成単位であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
　式（ＩＩＩ）中、
　Ｙ及びＲ、Ｘ１及びＸ２、並びにＺ１及びＺ２は、前記定義のとおりである。
　Ｂ１を構成しうる前記式（ＩＩＩ）で表される第１の構成単位ＣＵ１は、下記式（ＩＩＩ－１）で表される構成単位であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
　式（ＩＩＩ－１）中、Ｒ、Ｘ１及びＸ２、並びにＺ１及びＺ２は、前記定義のとおりである。
　式（ＩＩＩ－１）で表される構成単位の例としては、下記式（ＩＩＩ－１－１）～式（ＩＩＩ－１－１６）で表される構成単位が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
　前記式（ＩＩＩ－１）で表される第１の構成単位ＣＵ１の好ましい具体例としては、下記式で表される構成単位が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
　Ｂ１を構成しうる式（ＩＩＩ）で表される第１の構成単位ＣＵ１は、下記式（ＩＩＩ－２）で表される構成単位であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
　式（ＩＩＩ－２）中、Ｘ１及びＸ２、Ｚ１及びＺ２並びにＲは、前記定義のとおりである。
　式（ＩＩＩ－２）で表される構成単位の例としては、下記式（ＩＩＩ－２－１）～式（ＩＩＩ－２－１６）で表される構成単位が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
　式（ＩＩＩ－２）で表される構成単位の好ましい具体例としては、下記式で表される構成単位が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
　本実施形態の化合物において、Ｂ１は、第１の構成単位ＣＵ１を３つ以上含むことが好ましい。
　本実施形態の化合物において、Ｂ１は、第１の構成単位ＣＵ１が２つ以上４つ以下連結した２価の基であることが好ましい。
　（ｉｉ）第２の構成単位ＣＵ２
　第２の構成単位ＣＵ２は、不飽和結合を含む２価の基、アリーレン基又はヘテロアリーレン基である。
　第２の構成単位ＣＵ２である「不飽和結合を含む２価の基」とは、例えば、－（ＣＲ＝ＣＲ）ｎ－で表される基（Ｒは前記定義のとおりであり、ｎは１以上の整数である。ｎの値は、好ましくは１又は２であり、より好ましくは１である。）、－Ｃ≡Ｃ－で表される基を表す。
　第２の構成単位ＣＵ２である「不飽和結合を含む２価の基」の具体例としては、エテン－１，２－ジイル基、１，３－ブタジエン－１，４－ジイル基、アセチレン－１，２－ジイル基が挙げられる。
　本実施形態の化合物において、第２の構成単位ＣＵ２は、不飽和結合を含む２価の基及び下記式（ＩＶ－１）～式（ＩＶ－９）で表される基からなる群から選択される構成単位であることが好ましく、中でも、式（ＩＶ－１）～式（ＩＶ－６）で表される基からなる群から選択される構成単位であることがより好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
　式（ＩＶ－１）～式（ＩＶ－９）中、Ｘ１、Ｘ２、Ｚ１、Ｚ２及びＲは前記定義のとおりである。
　Ｒが２つある場合、２つあるＲは、互いに同一であっても異なっていてもよい。
　第２の構成単位ＣＵ２のより具体的な好ましい例としては、下記式で表される構成単位が挙げられる。これらの構成単位は、さらに置換基を有していてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
　本実施形態の化合物において、Ｂ１は、既に説明したとおり、２以上の構成単位を含み、当該２以上の構成単位のうちの少なくとも１つが第１の構成単位ＣＵ１であり、かつ該第１の構成単位ＣＵ１以外の残余の構成単位が第２の構成単位ＣＵ２である。
　Ｂ１に含まれる第１の構成単位ＣＵ１及び第２の構成単位ＣＵ２の組合せ及びその配列の態様は、π共役系を構成することができることを条件として、特に制限されない。
　Ｂ１は、下記式（Ｖ－１）～式（Ｖ－９）で表される構造からなる群から選択されるいずれか１つの構造を有する２価の基であることが好ましい。
 
―ＣＵ１－ＣＵ２－ＣＵ１－　　　　　　　　　（Ｖ－１）
 
―ＣＵ１－ＣＵ２－ＣＵ１－ＣＵ２―ＣＵ１―　　　　　（Ｖ－２）
 
－ＣＵ２―ＣＵ１―ＣＵ２―ＣＵ１―ＣＵ２―　　　　　（Ｖ－３）
 
―ＣＵ１－ＣＵ２－ＣＵ１－ＣＵ２―ＣＵ１－ＣＵ２－ＣＵ１－　（Ｖ－４）
 
－ＣＵ１－ＣＵ１－　　　　　　　　　　　（Ｖ－５）
 
－ＣＵ２－ＣＵ１－ＣＵ２－　　　　　　　　　（Ｖ－６）
 
－ＣＵ１－ＣＵ１－ＣＵ１－　　　　　　　　　（Ｖ－７）
 
－ＣＵ２－ＣＵ１－ＣＵ１－ＣＵ２－　　　　　　　（Ｖ－８）
 
－ＣＵ２－ＣＵ１－ＣＵ１－ＣＵ１－ＣＵ２－　　　　　（Ｖ－９）
 
　式（Ｖ－１）～式（Ｖ－９）中、
　ＣＵ１は、第１の構成単位ＣＵ１を表し、
　ＣＵ２は、第２の構成単位ＣＵ２を表す。
　ＣＵ１が２つ以上ある場合、２つ以上あるＣＵ１は、互いに同一であっても異なっていてもよく、ＣＵ２が２つ以上ある場合、２つ以上あるＣＵ２は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
　前記式（Ｖ－１）～式（Ｖ－９）のうちでは、式（Ｖ－１）、式（Ｖ－３）、式（Ｖ－５）、式（Ｖ－６）、式（Ｖ－７）、式（Ｖ－８）及び式（Ｖ－９）で表される構造を有する２価の基が好ましく、式（Ｖ－１）、式（Ｖ－３）、式（Ｖ－７）及び式（Ｖ－９）で表される構造を有する２価の基がより好ましい。
　Ｂ１に含まれうる第１の構成単位ＣＵ１及び第２の構成単位ＣＵ２の個数の総和は、通常２以上であり、好ましくは３以上であり、通常７以下であり、好ましくは５以下である。
　Ｂ１に含まれうる第１の構成単位ＣＵ１の個数は、通常１以上であり、好ましくは２以上であり、より好ましくは３以上である。
　Ｂ１に含まれうる第２の構成単位ＣＵ２の個数は、通常５以下であり、好ましくは３以下であり、より好ましくは１以下である。
　Ｂ１の具体的な好ましい例としては、下記式で表される２価の基が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
　式中、Ｒは前記定義のとおりである。
　本実施形態の式（Ｉ）で表される化合物の具体例としては、下記式で表される化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
　本実施形態の式（Ｉ）で表される化合物のより具体的な好ましい例としては、下記式Ｎ－１～式Ｎ－１６で表される化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000037
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000038
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000039
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000040
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000041
　本実施形態の化合物は、光電変換素子の活性層の半導体材料、特にｎ型半導体材料である非フラーレン化合物として好適に用いることができる。
　特に本実施形態の化合物を、ｎ型半導体材料として活性層の材料に用いれば、光電変換素子の製造工程又は光電変換素子が適用されるデバイスへの組み込み工程などにおける加熱処理に対するＥＱＥの低下を抑制するか又はＥＱＥをより向上させ、耐熱性を向上させることができる。
　ｎ型半導体材料として用いられる本実施形態の化合物は、２種以上が活性層の材料として含まれていてもよい。
　光電変換素子（詳細については後述する。）の活性層は、特にｎ型半導体材料として本実施形態の化合物のみを含んでいてもよく、ｎ型半導体材料である本実施形態の化合物以外の化合物を、さらなるｎ型半導体材料として含んでいてもよい。さらなるｎ型半導体材料として含まれうる本実施形態の化合物以外の化合物は、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
　低分子化合物である「本実施形態の化合物」以外のｎ型半導体材料（電子受容性化合物）の例としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８－ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、並びに、バソクプロイン等のフェナントレン誘導体が挙げられる。
　高分子化合物である「本実施形態の化合物」以外のｎ型半導体材料の例としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン構造を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、並びに、ポリフルオレン及びその誘導体が挙げられる。
　「本実施形態の化合物」以外の化合物には、フラーレン誘導体が含まれうる。
　ここで、フラーレン誘導体とは、フラーレン（Ｃ６０フラーレン、Ｃ７０フラーレン、Ｃ７６フラーレン、Ｃ７８フラーレン、及びＣ８４フラーレン）のうちの少なくとも一部が修飾された化合物をいう。換言すると、フラーレン骨格に付加された１つ以上の基を有する化合物をいう。以下、特にＣ６０フラーレンのフラーレン誘導体を「Ｃ６０フラーレン誘導体」といい、Ｃ７０フラーレンのフラーレン誘導体を「Ｃ７０フラーレン誘導体」という場合がある。
　「本実施形態の化合物」以外のｎ型半導体材料として用いられうるフラーレン誘導体は、本発明の目的を損なわない限り特に限定されない。
　「本実施形態の化合物」以外のｎ型半導体材料として用いられうるＣ６０フラーレン誘導体の具体例としては、下記の化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000042
　式中、Ｒは前記定義のとおりである。Ｒが複数ある場合、複数あるＲは、互いに同一であっても異なっていてもよい。
　Ｃ７０フラーレン誘導体の例としては、下記の化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000043
２．光電変換素子
　本実施形態にかかる光電変換素子は、陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に設けられており、ｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料を含む活性層とを含み、該ｎ型半導体材料として、既に説明した本実施形態の化合物を含む、光電変換素子である。
　本実施形態の光電変換素子によれば、上記の構成を有することにより、光電変換素子の製造工程又は光電変換素子が適用されるデバイスへの組み込み工程などにおける加熱処理に対する外部量子効率の低下を抑制し、耐熱性を効果的に向上させることができる。
　ここで、本実施形態の光電変換素子が取りうる構成例について説明する。図１は、本実施形態の光電変換素子の構成を模式的に示す図である。
　図１に示されるように、光電変換素子１０は、支持基板１１に設けられている。光電変換素子１０は、支持基板１１に接するように設けられている陽極１２と、陽極１２に接するように設けられている正孔輸送層１３と、正孔輸送層１３に接するように設けられている活性層１４と、活性層１４に接するように設けられている電子輸送層１５と、電子輸送層１５に接するように設けられている陰極１６とを備えている。この構成例では、陰極１６に接するように封止部材１７がさらに設けられている。
　以下、本実施形態の光電変換素子に含まれうる構成要素について具体的に説明する。
　（基板）
　光電変換素子は、通常、基板（支持基板）上に形成される。また、さらに基板（封止基板）により封止される場合もある。基板には、通常、陽極及び陰極からなる一対の電極のうちの一方が形成される。基板の材料は、特に有機化合物を含む層を形成する際に化学的に変化しない材料であれば特に限定されない。
　基板の材料としては、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコンが挙げられる。不透明な基板が用いられる場合には、不透明な基板側に設けられる電極とは反対側の電極（換言すると、不透明な基板から遠い側の電極）が透明又は半透明の電極とされることが好ましい。
　（電極）
　光電変換素子は、一対の電極である陽極及び陰極を含んでいる。陽極及び陰極のうち、少なくとも一方の電極は、光を入射させるために、透明又は半透明の電極とすることが好ましい。
　透明又は半透明の電極の材料の例としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜が挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、ＮＥＳＡ等の導電性材料、金、白金、銀、銅が挙げられる。透明又は半透明である電極の材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化スズが好ましい。また、電極として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体などの有機化合物が材料として用いられる透明導電膜を用いてもよい。透明又は半透明の電極は、陽極であっても陰極であってもよい。
　一対の電極のうちの一方の電極が透明又は半透明であれば、他方の電極は光透過性の低い電極であってもよい。光透過性の低い電極の材料の例としては、金属、及び導電性高分子が挙げられる。光透過性の低い電極の材料の具体例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及びこれらのうちの２種以上の合金、又は、これらのうちの１種以上の金属と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン及び錫からなる群から選ばれる１種以上の金属との合金、グラファイト、グラファイト層間化合物、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体が挙げられる。合金としては、マグネシウム－銀合金、マグネシウム－インジウム合金、マグネシウム－アルミニウム合金、インジウム－銀合金、リチウム－アルミニウム合金、リチウム－マグネシウム合金、リチウム－インジウム合金、及びカルシウム－アルミニウム合金が挙げられる。
　（活性層）
　本実施形態の光電変換素子が備える活性層は、バルクヘテロジャンクション型の構造を有することが想定されており、ｐ型半導体材料と、ｎ型半導体材料とを含み、該ｎ型半導体材料として、本実施形態の化合物を含む（詳細については後述する。）。
　本実施形態において、活性層の厚さは、特に限定されない。活性層の厚さは、暗電流の抑制と生じた光電流の取り出しとのバランスを考慮して、任意好適な厚さとすることができる。活性層の厚さは、特に暗電流をより低減する観点から、好ましくは１００ｎｍ以上であり、より好ましくは１５０ｎｍ以上であり、さらに好ましくは２００ｎｍ以上である。また、活性層の厚さは、好ましくは１０μｍ以下であり、より好ましくは５μｍ以下であり、さらに好ましくは１μｍ以下である。
　本実施形態において活性層は、２００℃以上の加熱温度で加熱される処理を含む工程により形成される（詳細は後述する。）。
　ここで、本実施形態にかかる活性層の材料として、既に説明した本実施形態の化合物であるｎ型半導体材料と組み合わせて好適に用いることができるｐ型半導体材料について説明する。
　ｐ型半導体材料は、所定のポリスチレン換算の重量平均分子量を有する高分子化合物であることが好ましい。
　ここで、ポリスチレン換算の重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用い、ポリスチレンの標準試料を用いて算出した重量平均分子量を意味する。
　ｐ型半導体材料のポリスチレン換算の重量平均分子量は、特に溶媒に対する溶解性を向上させる観点から、３０００以上５０００００以下であることが好ましい。
　本実施形態において、ｐ型半導体材料は、ドナー構成単位（Ｄ構成単位ともいう。）とアクセプター構成単位（Ａ構成単位ともいう。）とを含むπ共役高分子化合物（Ｄ－Ａ型共役高分子化合物ともいう。）であることが好ましい。なお、いずれがドナー構成単位又はアクセプター構成単位であるかは、ＨＯＭＯ又はＬＵＭＯのエネルギーレベルから相対的に決定しうる。
　ここで、ドナー構成単位はπ電子が過剰である構成単位であり、アクセプター構成単位はπ電子が欠乏している構成単位である。
　本実施形態において、ｐ型半導体材料を構成しうる構成単位には、ドナー構成単位とアクセプター構成単位とが直接的に結合した構成単位、さらにはドナー構成単位とアクセプター構成単位とが、任意好適なスペーサー（基又は構成単位）を介して結合した構成単位も含まれる。
　高分子化合物であるｐ型半導体材料としては、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン構造を含むポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が挙げられる。
　本実施形態のｐ型半導体材料は、下記式（ＶＩ）で表される構成単位を含む高分子化合物であることが好ましい。下記式（ＶＩ）で表される構成単位は、本実施形態においては、通常、ドナー構成単位である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000044
　式（ＶＩ）中、Ａｒ３及びＡｒ４は、置換基を有していてもよい３価の芳香族複素環基を表し、Ｚは下記式（Ｚ－１）～式（Ｚ－７）で表される基を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000045
　式（Ｚ－１）～（Ｚ－７）中、
　Ｒは、前記定義のとおりである。
　式（Ｚ－１）～式（Ｚ－７）のそれぞれにおいて、Ｒが２つある場合、２つのＲは互いに同一であっても異なっていてもよい。
　Ａｒ３及びＡｒ４を構成しうる芳香族複素環には、複素環自体が芳香族性を示す単環及び縮合環に加えて、環を構成する複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮合している環が包含される。
　Ａｒ３及びＡｒ４を構成しうる芳香族複素環は、それぞれ単環であってもよく、縮合環であってもよい。芳香族複素環が縮合環である場合、縮合環を構成する環の全部が芳香族性を有する縮合環であってもよく、一部のみが芳香族性を有する縮合環であってもよい。
これらの環が複数の置換基を有する場合、これらの置換基は、同一であっても異なっていてもよい。
　Ａｒ３及びＡｒ４を構成しうる芳香族炭素環の具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、及びフェナントレン環が挙げられ、好ましくはベンゼン環及びナフタレン環であり、より好ましくはベンゼン環及びナフタレン環であり、さらに好ましくはベンゼン環である。これらの環は、置換基を有していてもよい。
　芳香族複素環の具体例としては、芳香族複素環式化合物として既に説明した化合物が有する環構造が挙げられ、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、チオフェン環、ピロール環、ホスホール環、フラン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ピリダジン環、キノリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、及びジベンゾホスホール環、並びに、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジベンゾボロール環、ジベンゾシロール環、及びベンゾピラン環が挙げられる。これらの環は、置換基を有していてもよい。
　式（ＶＩ）で表される構成単位は、下記式（ＶＩＩ）又は（ＶＩＩＩ）で表される構成単位であることが好ましい。換言すると、本実施形態においてｐ型半導体材料は、下記式（ＶＩＩ）又は（ＶＩＩＩ）で表される構成単位を含む高分子化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000046
　式（ＶＩＩ）及び（ＶＩＩＩ）中、Ａｒ３、Ａｒ４及びＲは、前記定義のとおりである。
　式（ＶＩ）及び（ＶＩＩＩ）で表される好適な構成単位の例としては、下記式（ＶＩ－１）及び（ＶＩ－２）、並びに式（ＶＩＩＩ－１）及び（ＶＩＩＩ－２）で表される構成単位が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000047
　式（ＶＩ－１）、式（ＶＩ－２）、式（ＶＩＩＩ－１）及び式（ＶＩＩＩ－２）中、
　Ｒは前記定義のとおりである。
　Ｒが２つある場合、２つあるＲは同一であっても異なっていてもよい。
　式（ＶＩ－１）で表されるより具体的な好ましい構成単位の例としては、下記式（ＶＩ－１－１）及び式（ＶＩ－１－２）で表される構成単位が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000048
　また、式（ＶＩＩ）で表される構成単位は、下記式（ＩＸ）で表される構成単位であることが好ましい。換言すると、本実施形態において、ｐ型半導体材料は、下記式（ＩＸ）で表される構成単位を含む高分子化合物であってもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000049
　式（ＩＸ）中、
　Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立して、硫黄原子又は酸素原子であり、
　Ｚ１及びＺ２は、それぞれ独立して、＝Ｃ（Ｒ）－で表される基又は窒素原子であり、　Ｒは、前記定義のとおりである。
　式（ＩＸ）で表される好ましい構成単位の例としては、下記式（ＩＸ－１）～式（ＩＸ－１６）で表される構成単位が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000050
　式（ＩＸ）で表される構成単位としては、Ｘ１及びＸ２が硫黄原子であり、Ｚ１及びＺ２が＝Ｃ（Ｒ）－で表される基である構成単位が好ましい。
　本実施形態においてｐ型半導体材料である高分子化合物は、下記式（Ｘ）で表される構成単位を含むことが好ましい。下記式（Ｘ）で表される構成単位は、本実施形態においては、通常、アクセプター構成単位である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000051
　式（Ｘ）中、Ａｒ５は２価の芳香族複素環基を表す。
　Ａｒ５で表される２価の芳香族複素環基の炭素原子数は、通常２～６０であり、好ましくは４～６０であり、より好ましくは４～２０である。
　Ａｒ５で表される２価の芳香族複素環基は置換基を有していてもよい。Ａｒ５で表される２価の芳香族複素環基が有していてもよい置換基の例としては、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基、置換基を有していてもよいアリールチオ基、置換基を有していてもよい１価の複素環基、置換基を有していてもよい置換アミノ基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいイミン残基、置換基を有していてもよいアミド基、置換基を有していてもよい酸イミド基、置換基を有していてもよい置換オキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、シアノ基、及びニトロ基が挙げられる。
　式（Ｘ）で表される構成単位としては、下記式（Ｘ－１）～式（Ｘ－１０）で表される構成単位が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000052
　式（Ｘ－１）～式（Ｘ－１０）中、
　Ｘ１、Ｘ２、Ｚ１、Ｚ２及びＲは前記定義のとおりである。
　Ｒが２つある場合、２つあるＲは、互いに同一であっても異なっていてもよい。
　原料化合物の入手性の観点から、式（Ｘ－１）～式（Ｘ－１０）中のＸ１及びＸ２は、いずれも硫黄原子であることが好ましい。
　なお、式（Ｘ－１）～式（Ｘ－１０）で表される構成単位は、上記のとおり、通常、アクセプター構成単位として機能しうる。しかしながらこれに限定されず、特に式（Ｘ－４）、式（Ｘ－５）および式（Ｘ－７）で表される構成単位は、ドナー構成単位としても機能しうる。
　本実施形態において、ｐ型半導体材料は、チオフェン骨格を含む構成単位を含み、π共役系を含むπ共役高分子化合物であることが好ましい。
　Ａｒ５で表される２価の芳香族複素環基の具体例としては、下記式（１０１）～式（１９１）で表される基が挙げられる。これらの基はさらに置換基を有していてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000053
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000054
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000055
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000056
　式（１０１）～式（１９１）中、Ｒは前記と同義である。Ｒが複数ある場合、複数あるＲは、互いに同一であっても異なっていてもよい。
　本実施形態のｐ型半導体材料である高分子化合物は、ドナー構成単位として式（ＶＩ）で表される構成単位を含み、かつアクセプター構成単位として式（Ｘ）で表される構成単位を含むπ共役高分子化合物であることが好ましい。
　ｐ型半導体材料である高分子化合物は、２種以上の式（ＶＩ）で表される構成単位を含んでいてもよく、２種以上の式（Ｘ）で表される構成単位を含んでいてもよい。
　例えば、溶媒に対する溶解性を向上させる観点から、本実施形態のｐ型半導体材料である高分子化合物は、下記式（ＸＩ）で表される構成単位を含んでいてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000057
　式（ＸＩ）中、Ａｒ６はアリーレン基を表す。
　Ａｒ６で表されるアリーレン基とは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素から、水素原子を２個除いた残りの原子団を意味する。芳香族炭化水素には、縮合環を有する化合物、独立したベンゼン環及び縮合環からなる群から選ばれる２個以上が、直接的に又はビニレン基などの２価の基を介して結合した化合物も含まれる。
　芳香族炭化水素が有していてもよい置換基の例としては、複素環式化合物が有していてもよい置換基として例示された置換基と同様の置換基が挙げられる。
　Ａｒ６で表されるアリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで通常６～６０であり、好ましくは６～２０である。置換基を含めたアリーレン基の炭素原子数は、通常６～１００である。
　Ａｒ６で表されるアリーレン基の例としては、フェニレン基（例えば、下記式１～式３）、ナフタレン－ジイル基（例えば、下記式４～式１３）、アントラセン－ジイル基（例えば、下記式１４～式１９）、ビフェニル－ジイル基（例えば、下記式２０～式２５）、ターフェニル－ジイル基（例えば、下記式２６～式２８）、縮合環化合物基（例えば、下記式２９～式３５）、フルオレン－ジイル基（例えば、下記式３６～式３８）、及びベンゾフルオレン－ジイル基（例えば、下記式３９～式４６）が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000058
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000059
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000060
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000061
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000062
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000063
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000064
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000065
　式中、Ｒは前記定義のとおりである。複数あるＲは、互いに同一であっても異なっていてもよい。
　式（ＸＩ）で表される構成単位は、下記式（ＸＩＩ）で表される構成単位であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000066
　式（ＸＩＩ）中、Ｒは、前記定義のとおりである。２つあるＲは、互いに同一であっても異なっていてもよい。
　ｐ型半導体材料である高分子化合物を構成する構成単位は、上記の構成単位から選択される２種以上の構成単位が２つ以上組み合わされて連結された構成単位であってもよい。
　ｐ型半導体材料としての高分子化合物が、式（ＶＩ）で表される構成単位及び／又は式（Ｘ）で表される構成単位を含む場合、式（ＶＩ）で表される構成単位及び式（Ｘ）で表される構成単位の合計量は、高分子化合物が含むすべての構成単位の量を１００モル％とすると、通常２０モル％～１００モル％であり、ｐ型半導体材料としての電荷輸送性を向上させることができるので、好ましくは４０モル％～１００モル％であり、より好ましくは５０モル％～１００モル％である。
　本実施形態のｐ型半導体材料である高分子化合物の具体例としては、下記式（Ｐ－１）～（Ｐ－１７）で表される高分子化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000067
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000068
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000069
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000070
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000071
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000072
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000073
　式中、Ｒは、前記定義のとおりである。複数あるＲは、互いに同一であっても異なっていてもよい。
　ｐ型半導体材料として、上記例示の高分子化合物を用いれば、光電変換素子の製造工程又は光電変換素子が適用されるデバイスへの組み込み工程などにおける加熱処理に対ＥＱＥの低下を抑制するか又はＥＱＥをより向上させることができ、光電変換素子の耐熱性を向上させることができる。
　（中間層）
　図１に示されるとおり、本実施形態の光電変換素子は、光電変換効率などの特性を向上させるための構成要素として、例えば、電荷輸送層（電子輸送層、正孔輸送層、電子注入層、正孔注入層）などの中間層（バッファー層）を備えていることが好ましい。
　また、中間層に用いられる材料の例としては、カルシウムなどの金属、酸化モリブデン、酸化亜鉛などの無機酸化物半導体、及びＰＥＤＯＴ（ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン））とＰＳＳ（ポリ（４－スチレンスルホネート））との混合物（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）が挙げられる。
　図１に示されるように、光電変換素子は、陽極と活性層との間に、正孔輸送層を備えることが好ましい。正孔輸送層は、活性層から電極へと正孔を輸送する機能を有する。
　陽極に接して設けられる正孔輸送層を、特に正孔注入層という場合がある。陽極に接して設けられる正孔輸送層（正孔注入層）は、陽極への正孔の注入を促進する機能を有する。正孔輸送層（正孔注入層）は、活性層に接していてもよい。
　正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む。正孔輸送性材料の例としては、ポリチオフェン及びその誘導体、芳香族アミン化合物、芳香族アミン残基を有する構成単位を含む高分子化合物、ＣｕＳＣＮ、ＣｕＩ、ＮｉＯ、酸化タングステン（ＷＯ３）及び酸化モリブデン（ＭｏＯ３）が挙げられる。
　中間層は、従来公知の任意好適な形成方法により形成することができる。中間層は、真空蒸着法や活性層の形成方法と同様の塗布法により形成することができる。
　本実施形態にかかる光電変換素子は、中間層が電子輸送層であって、基板（支持基板）、陽極、正孔輸送層、活性層、電子輸送層、陰極がこの順に互いに接するように積層された構成を有することが好ましい。
　図１に示されるように、本実施形態の光電変換素子は、陰極と活性層との間に、中間層として電子輸送層を備えていることが好ましい。電子輸送層は、活性層から陰極へと電子を輸送する機能を有する。電子輸送層は、陰極に接していてもよい。電子輸送層は活性層に接していてもよい。
　陰極に接して設けられる電子輸送層を、特に電子注入層という場合がある。陰極に接して設けられる電子輸送層（電子注入層）は、活性層で発生した電子の陰極への注入を促進する機能を有する。
　電子輸送層は、電子輸送性材料を含む。電子輸送性材料の例としては、ポリアルキレンイミン及びその誘導体、フルオレン構造を含む高分子化合物、カルシウムなどの金属、金属酸化物が挙げられる。
　ポリアルキレンイミン及びその誘導体の例としては、エチレンイミン、プロピレンイミン、ブチレンイミン、ジメチルエチレンイミン、ペンチレンイミン、ヘキシレンイミン、ヘプチレンイミン、オクチレンイミンといった炭素原子数２～８のアルキレンイミン、特に炭素原子数２～４のアルキレンイミンの１種又は２種以上を常法により重合して得られるポリマー、ならびにそれらを種々の化合物と反応させて化学的に変性させたポリマーが挙げられる。ポリアルキレンイミン及びその誘導体としては、ポリエチレンイミン（ＰＥＩ）及びエトキシ化ポリエチレンイミン（ＰＥＩＥ）が好ましい。
　フルオレン構造を含む高分子化合物の例としては、ポリ［（９，９－ビス（３’－（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ）プロピル）－２，７－フルオレン）－オルト－２，７－（９，９’－ジオクチルフルオレン）］（ＰＦＮ）及びＰＦＮ－Ｐ２が挙げられる。
　金属酸化物の例としては、酸化亜鉛、ガリウムドープ酸化亜鉛、アルミニウムドープ酸化亜鉛、酸化チタン及び酸化ニオブが挙げられる。金属酸化物としては、亜鉛を含む金属酸化物が好ましく、中でも酸化亜鉛が好ましい。
　その他の電子輸送性材料の例としては、ポリ（４－ビニルフェノール）、ペリレンジイミドが挙げられる。
　（封止部材）
　本実施形態の光電変換素子は、封止部材をさらに含み、かかる封止部材により封止された封止体とすることが好ましい。
　封止部材は任意好適な従来公知の部材を用いることができる。封止部材の例としては、基板（封止基板）であるガラス基板とＵＶ硬化性樹脂などの封止材（接着剤）との組合せが挙げられる。
　封止部材は、１層以上の層構造である封止層であってもよい。封止層を構成する層の例としては、ガスバリア層、ガスバリア性フィルムが挙げられる。
　封止層は、水分を遮断する性質（水蒸気バリア性）又は酸素を遮断する性質（酸素バリア性）を有する材料により形成することが好ましい。封止層の材料として好適な材料の例としては、三フッ化ポリエチレン、ポリ三フッ化塩化エチレン（ＰＣＴＦＥ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、脂環式ポリオレフィン、エチレン－ビニルアルコール共重合体などの有機材料、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、ダイヤモンドライクカーボンなどの無機材料などが挙げられる。
　封止部材は、通常、光電変換素子が適用される、例えば下記適用例のデバイスに組み込まれる際において実施される加熱処理に耐え得る材料により構成される。
　（光電変換素子の用途）
　本実施形態の光電変換素子の用途としては、光検出素子、太陽電池が挙げられる。
　より具体的には、本実施形態の光電変換素子は、電極間に電圧（逆バイアス電圧）を印加した状態で、透明又は半透明の電極側から光を照射することにより、光電流を流すことができ、光検出素子（光センサー）として動作させることができる。また、光検出素子を複数集積することによりイメージセンサーとして用いることもできる。このように本実施形態の光電変換素子は、特に光検出素子として好適に用いることができる。
　また、本実施形態の光電変換素子は、光が照射されることにより、電極間に光起電力を発生させることができ、太陽電池として動作させることができる。光電変換素子を複数集積することにより太陽電池モジュールとすることもできる。
　（光電変換素子の適用例）
　本実施形態にかかる光電変換素子は、光検出素子として、ワークステーション、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末、入退室管理システム、デジタルカメラ、及び医療機器などの種々の電子装置が備える検出部に好適に適用することができる。
　本実施形態の光電変換素子は、上記例示の電子装置が備える、例えば、Ｘ線撮像装置及びＣＭＯＳイメージセンサーなどの固体撮像装置用のイメージ検出部（例えば、Ｘ線センサーなどのイメージセンサー）、指紋検出部、顔検出部、静脈検出部及び虹彩検出部などの生体の一部分の所定の特徴を検出する生体情報認証装置の検出部（例えば、近赤外線センサー）、パルスオキシメータなどの光学バイオセンサーの検出部などに好適に適用することができる。
　本実施形態の光電変換素子は、固体撮像装置用のイメージ検出部として、さらにはＴｉｍｅ－ｏｆ－ｆｌｉｇｈｔ（ＴＯＦ）型距離測定装置（ＴＯＦ型測距装置）に好適に適用することもできる。
　ＴＯＦ型測距装置では、光源からの放射光が測定対象物において反射された反射光を光電変換素子で受光させることにより距離を測定する。具体的には、光源から放射された照射光が測定対象物で反射して反射光として戻るまでの飛行時間を検出して測定対象物までの距離を求める。ＴＯＦ型には、直接ＴＯＦ方式と間接ＴＯＦ方式とが存在する。直接ＴＯＦ方式では光源から光を照射した時刻と反射光を光電変換素子で受光した時刻との差を直接計測し、間接ＴＯＦ方式では飛行時間に依存した電荷蓄積量の変化を時間変化に換算することで距離を計測する。間接ＴＯＦ方式で用いられる電荷蓄積により飛行時間を得る測距原理には、光源からの放射光と測定対象で反射される反射光との位相から飛行時間を求める連続波（特に正弦波）変調方式とパルス変調方式とがある。
　以下、本実施形態にかかる光電変換素子が好適に適用され得る検出部のうち、固体撮像装置用のイメージ検出部及びＸ線撮像装置用のイメージ検出部、生体認証装置（例えば指紋認証装置や静脈認証装置など）のための指紋検出部及び静脈検出部、並びにＴＯＦ型測距装置（間接ＴＯＦ方式）のイメージ検出部の構成例について、図面を参照して説明する。
　（固体撮像装置用のイメージ検出部）
　図２は、固体撮像装置用のイメージ検出部の構成例を模式的に示す図である。
　イメージ検出部１は、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０と、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０を覆うように設けられている層間絶縁膜３０と、層間絶縁膜３０上に設けられている、本発明の実施形態にかかる光電変換素子１０と、層間絶縁膜３０を貫通するように設けられており、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０と光電変換素子１０とを電気的に接続する層間配線部３２と、光電変換素子１０を覆うように設けられている封止層４０と、封止層４０上に設けられているカラーフィルター５０とを備えている。
　ＣＭＯＳトランジスタ基板２０は、従来公知の任意好適な構成を設計に応じた態様で備えている。
　ＣＭＯＳトランジスタ基板２０は、基板の厚さ内に形成されたトランジスタ、コンデンサなどを含み、種々の機能を実現するためのＣＭＯＳトランジスタ回路（ＭＯＳトランジスタ回路）などの機能素子を備えている。
　機能素子としては、例えば、フローティングディフュージョン、リセットトランジスタ、出力トランジスタ、選択トランジスタが挙げられる。
　このような機能素子、配線などにより、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０には、信号読み出し回路などが作り込まれている。
　層間絶縁膜３０は、例えば酸化シリコン、絶縁性樹脂などの従来公知の任意好適な絶縁性材料により構成することができる。層間配線部３２は、例えば、銅、タングステンなどの従来公知の任意好適な導電性材料（配線材料）により構成することができる。層間配線部３２は、例えば、配線層の形成と同時に形成されるホール内配線であっても、配線層とは別途形成される埋込みプラグであってもよい。
　封止層４０は、光電変換素子１０を機能的に劣化させてしまうおそれのある酸素、水などの有害物質の浸透を防止又は抑制できることを条件として、従来公知の任意好適な材料により構成することができる。封止層４０は、既に説明した封止部材１７と同様の構成とすることができる。
　カラーフィルター５０としては、従来公知の任意好適な材料により構成され、かつイメージ検出部１の設計に対応した例えば原色カラーフィルターを用いることができる。また、カラーフィルター５０としては、原色カラーフィルターと比較して、厚さを薄くすることができる補色カラーフィルターを用いることもできる。補色カラーフィルターとしては、例えば（イエロー、シアン、マゼンタ）の３種類、（イエロー、シアン、透明）の３種類、（イエロー、透明、マゼンタ）の３種類、及び（透明、シアン、マゼンタ）の３種類が組み合わされたカラーフィルターを用いることができる。これらは、カラー画像データを生成できることを条件として、光電変換素子１０及びＣＭＯＳトランジスタ基板２０の設計に対応した任意好適な配置とすることができる。
　カラーフィルター５０を介して光電変換素子１０が受光した光は、光電変換素子１０によって、受光量に応じた電気信号に変換され、電極を介して、光電変換素子１０外に受光信号、すなわち撮像対象に対応する電気信号として出力される。
　次いで、光電変換素子１０から出力された受光信号は、層間配線部３２を介して、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０に入力され、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０に作り込まれた信号読み出し回路により読み出され、図示しないさらなる任意好適な従来公知の機能部によって信号処理されることにより、撮像対象に基づく画像情報が生成される。
　（指紋検出部）
　図３は、表示装置に一体的に構成される指紋検出部の構成例を模式的に示す図である。
　携帯情報端末の表示装置２は、本発明の実施形態にかかる光電変換素子１０を主たる構成要素として含む指紋検出部１００と、当該指紋検出部１００上に設けられ、所定の画像を表示する表示パネル部２００とを備えている。
　この構成例では、表示パネル部２００の表示領域２００ａと一致する領域に指紋検出部１００が設けられている。換言すると、指紋検出部１００の上方に、表示パネル部２００が一体的に積層されている。
　表示領域２００ａのうちの一部の領域においてのみ指紋検出を行う場合には、当該一部の領域のみに対応させて指紋検出部１００を設ければよい。
　指紋検出部１００は、本発明の実施形態にかかる光電変換素子１０を本質的な機能を奏する機能部として含む。指紋検出部１００は、図示されていない保護フィルム（ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ　ｆｉｌｍ）、支持基板、封止基板、封止部材、バリアフィルム、バンドパスフィルター、赤外線カットフィルムなどの任意好適な従来公知の部材を所望の特性が得られるような設計に対応した態様で備え得る。指紋検出部１００には、既に説明したイメージ検出部の構成を採用することもできる。
　光電変換素子１０は、表示領域２００ａ内において、任意の態様で含まれ得る。例えば、複数の光電変換素子１０が、マトリクス状に配置されていてもよい。
　光電変換素子１０は、既に説明したとおり、支持基板１１に設けられており、支持基板１１には、例えばマトリクス状に電極（陽極又は陰極）が設けられている。
　光電変換素子１０が受光した光は、光電変換素子１０によって、受光量に応じた電気信号に変換され、電極を介して、光電変換素子１０外に受光信号、すなわち撮像された指紋に対応する電気信号として出力される。
　表示パネル部２００は、この構成例では、タッチセンサーパネルを含む有機エレクトロルミネッセンス表示パネル（有機ＥＬ表示パネル）として構成されている。表示パネル部２００は、例えば有機ＥＬ表示パネルの代わりに、バックライトなどの光源を含む液晶表示パネルなどの任意好適な従来公知の構成を有する表示パネルにより構成されていてもよい。
　表示パネル部２００は、既に説明した指紋検出部１００上に設けられている。表示パネル部２００は、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）２２０を本質的な機能を奏する機能部として含む。表示パネル部２００は、さらに任意好適な従来公知のガラス基板といった基板（支持基板２１０又は封止基板２４０）、封止部材、バリアフィルム、円偏光板などの偏光板、タッチセンサーパネル２３０などの任意好適な従来公知の部材を所望の特性に対応した態様で備え得る。
　以上説明した構成例において、有機ＥＬ素子２２０は、表示領域２００ａにおける画素の光源として用いられるとともに、指紋検出部１００における指紋の撮像のための光源としても用いられる。
　ここで、指紋検出部１００の動作について簡単に説明する。
　指紋認証の実行時には、表示パネル部２００の有機ＥＬ素子２２０から放射される光を用いて指紋検出部１００が指紋を検出する。具体的には、有機ＥＬ素子２２０から放射された光は、有機ＥＬ素子２２０と指紋検出部１００の光電変換素子１０との間に存在する構成要素を透過して、表示領域２００ａ内である表示パネル部２００の表面に接するように載置された手指の指先の皮膚（指表面）によって反射される。指表面によって反射された光のうちの少なくとも一部は、間に存在する構成要素を透過して光電変換素子１０によって受光され、光電変換素子１０の受光量に応じた電気信号に変換される。そして、変換された電気信号から、指表面の指紋についての画像情報が構成される。
　表示装置２を備える携帯情報端末は、従来公知の任意好適なステップにより、得られた画像情報と、予め記録されていた指紋認証用の指紋データとを比較して、指紋認証を行う。
　（Ｘ線撮像装置用のイメージ検出部）
　図４は、Ｘ線撮像装置用のイメージ検出部の構成例を模式的に示す図である。
　Ｘ線撮像装置用のイメージ検出部１は、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０と、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０を覆うように設けられている層間絶縁膜３０と、層間絶縁膜３０上に設けられている、本発明の実施形態にかかる光電変換素子１０と、層間絶縁膜３０を貫通するように設けられており、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０と光電変換素子１０とを電気的に接続する層間配線部３２と、光電変換素子１０を覆うように設けられている封止層４０と、封止層４０上に設けられているシンチレータ４２とシンチレータ４２を覆うように設けられている反射層４４と、反射層４４を覆うように設けられている保護層４６とを備えている。
　ＣＭＯＳトランジスタ基板２０は、従来公知の任意好適な構成を設計に応じた態様で備えている。
　ＣＭＯＳトランジスタ基板２０は、基板の厚さ内に形成されたトランジスタ、コンデンサなどを含み、種々の機能を実現するためのＣＭＯＳトランジスタ回路（ＭＯＳトランジスタ回路）などの機能素子を備えている。
　機能素子としては、例えば、フローティングディフュージョン、リセットトランジスタ、出力トランジスタ、選択トランジスタが挙げられる。
　このような機能素子、配線などにより、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０には、信号読み出し回路などが作り込まれている。
　層間絶縁膜３０は、例えば酸化シリコン、絶縁性樹脂などの従来公知の任意好適な絶縁性材料により構成することができる。層間配線部３２は、例えば、銅、タングステンなどの従来公知の任意好適な導電性材料（配線材料）により構成することができる。層間配線部３２は、例えば、配線層の形成と同時に形成されるホール内配線であっても、配線層とは別途形成される埋込みプラグであってもよい。
　封止層４０は、光電変換素子１０を機能的に劣化させてしまうおそれのある酸素、水などの有害物質の浸透を防止又は抑制できることを条件として、従来公知の任意好適な材料により構成することができる。封止層４０は、既に説明した封止部材１７と同様の構成とすることができる。
　シンチレータ４２は、Ｘ線撮像装置用のイメージ検出部１の設計に対応した従来公知の任意好適な材料により構成することができる。シンチレータ４２の好適な材料の例としては、ＣｓＩ（ヨウ化セシウム）やＮａＩ（ヨウ化ナトリウム）、ＺｎＳ（硫化亜鉛）、ＧＯＳ（酸硫化ガドリニウム）、ＧＳＯ（ケイ酸ガドリニウム）といった無機材料の無機結晶や、アントラセン、ナフタレン、スチルベンといった有機材料の有機結晶や、トルエン、キシレン、ジオキサンといった有機溶媒にジフェニルオキサゾール（ＰＰＯ）やテルフェニル（ＴＰ）などの有機材料を溶解させた有機液体、キセノンやヘリウムといった気体、プラスチックなどを用いることができる。
　上記の構成要素は、シンチレータ４２が入射したＸ線を可視領域を中心とした波長を有する光に変換して画像データを生成できることを条件として、光電変換素子１０及びＣＭＯＳトランジスタ基板２０の設計に対応した任意好適な配置とすることができる。
　反射層４４は、シンチレータ４２で変換された光を反射する。反射層４４は、変換された光の損失を低減し、検出感度を増大させることができる。また、反射層４４は、外部から直接的に入射する光を遮断することもできる。
　保護層４６は、シンチレータ４２を機能的に劣化させてしまうおそれのある酸素、水などの有害物質の浸透を防止又は抑制できることを条件として、従来公知の任意好適な材料により構成することができる。
　ここで、上記の構成を有するＸ線撮像装置用のイメージ検出部１の動作について簡単に説明する。
　Ｘ線やγ線といった放射線エネルギーがシンチレータ４２に入射すると、シンチレータ４２は放射線エネルギーを吸収し、可視領域を中心とした紫外から赤外領域の波長の光（蛍光）に変換する。そして、シンチレータ４２によって変換された光は、光電変換素子１０によって受光される。
　このように、シンチレータ４２を介して光電変換素子１０が受光した光は、光電変換素子１０によって、受光量に応じた電気信号に変換され、電極を介して、光電変換素子１０外に受光信号、すなわち撮像対象に対応する電気信号として出力される。検出対象である放射線エネルギー（Ｘ線）は、シンチレータ４２側、光電変換素子１０側のいずれから入射させてもよい。
　次いで、光電変換素子１０から出力された受光信号は、層間配線部３２を介して、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０に入力され、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０に作り込まれた信号読み出し回路により読み出され、図示しないさらなる任意好適な従来公知の機能部によって信号処理されることにより、撮像対象に基づく画像情報が生成される。
　（静脈検出部）
　図５は、静脈認証装置用の静脈検出部の構成例を模式的に示す図である。
　静脈認証装置用の静脈検出部３００は、測定時において測定対象である手指（例、１以上の手指の指先、手指及び掌）が挿入される挿入部３１０を画成するカバー部３０６と、カバー部３０６に設けられており、測定対象に光を照射する光源部３０４と、光源部３０４から照射された光を測定対象を介して受光する光電変換素子１０と、光電変換素子１０を支持する支持基板１１と、支持基板１１と光電変換素子１０を挟んで対向するように配置されており、所定の距離でカバー部３０６から離間して、カバー部３０６とともに挿入部３０６を画成するガラス基板３０２から構成されている。
　この構成例では、光源部３０４は、光電変換素子１０とは、使用時において測定対象を挟んで離間するように、カバー部３０６と一体的に構成されている透過型撮影方式を示しているが、光源部３０４は必ずしもカバー部３０６側に位置させる必要はない。
　光源部３０４からの光を、測定対象に効率的に照射できることを条件として、例えば、光電変換素子１０側から測定対象を照射する反射型撮影方式としてもよい。
　静脈検出部３００は、本発明の実施形態にかかる光電変換素子１０を本質的な機能を奏する機能部として含む。静脈検出部３００は、図示されていない保護フィルム（ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ　ｆｉｌｍ）、封止部材、バリアフィルム、バンドパスフィルター、近赤外線透過フィルター、可視光カットフィルム、指置きガイドなどの任意好適な従来公知の部材を所望の特性が得られるような設計に対応した態様で備え得る。静脈検出部３００には、既に説明したイメージ検出部１の構成を採用することもできる。
　光電変換素子１０は、任意の態様で含まれ得る。例えば、複数の光電変換素子１０が、マトリクス状に配置されていてもよい。
　光電変換素子１０は、既に説明したとおり、支持基板１１に設けられており、支持基板１１には、例えばマトリクス状に電極（陽極又は陰極）が設けられている。
　光電変換素子１０が受光した光は、光電変換素子１０によって、受光量に応じた電気信号に変換され、電極を介して、光電変換素子１０外に受光信号、すなわち撮像された静脈に対応する電気信号として出力される。
　静脈検出時（使用時）において、測定対象は、光電変換素子１０側のガラス基板３０２に接触していても、接触していなくてもよい。
　ここで、静脈検出部３００の動作について簡単に説明する。
　静脈検出時には、光源部３０４から放射される光を用いて静脈検出部３００が測定対象の静脈パターンを検出する。具体的には、光源部３０４から放射された光は、測定対象を透過して光電変換素子１０の受光量に応じた電気信号に変換される。そして、変換された電気信号から、測定対象の静脈パターンの画像情報が構成される。
　静脈認証装置では、従来公知の任意好適なステップにより、得られた画像情報と、予め記録されていた静脈認証用の静脈データとを比較して、静脈認証が行われる。
　（ＴＯＦ型測距装置用イメージ検出部）
　図６は、間接方式のＴＯＦ型測距装置用イメージ検出部の構成例を模式的に示す図である。
　ＴＯＦ型測距装置用イメージ検出部４００は、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０と、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０を覆うように設けられている層間絶縁膜３０と、層間絶縁膜３０上に設けられている、本発明の実施形態にかかる光電変換素子１０と、光電変換素子１０を挟むように離間して配置されている２つの浮遊拡散層４０２と、光電変換素子１０と浮遊拡散層４０２を覆うように設けられている絶縁層４０と、絶縁層４０上に設けられており、互いに離間して配置されている２つのフォトゲート４０４とを備えている。離間した２つのフォトゲート４０４の間隙からは絶縁層４０の一部分が露出しており、残余の領域は遮光部４０６により遮光されている。ＣＭＯＳトランジスタ基板２０と浮遊拡散層４０２とは層間絶縁膜３０を貫通するように設けられている層間配線部３２によって電気的に接続されている。
　絶縁層４０は、この構成例では、酸化シリコンにより構成されるフィールド酸化膜などの従来公知の任意好適な構成とすることができる。
　フォトゲート４０４は、例えばポリシリコンなどの従来公知の任意好適な材料により構成することができる。
　ＴＯＦ型測距装置用イメージ検出部４００は、本発明の実施形態にかかる光電変換素子１０を本質的な機能を奏する機能部として含む。ＴＯＦ型測距装置用イメージ検出部４００は、図示されていない保護フィルム（ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ　ｆｉｌｍ）、支持基板、封止基板、封止部材、バリアフィルム、バンドパスフィルター、赤外線カットフィルムなどの任意好適な従来公知の部材を所望の特性が得られるような設計に対応した態様で備え得る。
　ここで、ＴＯＦ型測距装置用イメージ検出部４００の動作について簡単に説明する。
　光源から光が照射され、光源からの光が測定対象より反射され、反射光を光電変換素子１０で受光する。光電変換素子１０と浮遊拡散層４０２との間には２つのフォトゲート４０４が設けられており、交互にパルスを加えることによって、光電変換素子１０によって発生した信号電荷を２つの浮遊拡散層４０２のいずれかに転送し、浮遊拡散層４０２に電荷が蓄積される。２つのフォトゲート４０４を開くタイミングに対して、光パルスが等分にまたがるように到来すると、２つの浮遊拡散層４０２に蓄積される電荷量は等量になる。一方のフォトゲート４０４に光パルスが到達するタイミングに対して、他方のフォトゲート４０４に光パルスが遅れて到来すると、２つの浮遊拡散層４０２に蓄積される電荷量に差が生じる。
　浮遊拡散層４０２に蓄積された電荷量の差は、光パルスの遅延時間に依存する。測定対象までの距離Ｌは、光の往復時間ｔｄと光の速度ｃを用いてＬ＝（１／２）ｃｔｄの関係にあるので、遅延時間が２つの浮遊拡散層４０２の電荷量の差から推定できれば、測定対象までの距離を求めることができる。
　光電変換素子１０が受光した光の受光量は、２つの浮遊拡散層４０２に蓄積される電荷量の差として電気信号に変換され、光電変換素子１０外に受光信号、すなわち測定対象に対応する電気信号として出力される。
　次いで、浮遊拡散層４０２から出力された受光信号は、層間配線部３２を介して、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０に入力され、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０に作り込まれた信号読み出し回路により読み出され、図示しないさらなる任意好適な従来公知の機能部によって信号処理されることにより、測定対象に基づく距離情報が生成される。
　本実施形態の光電変換素子が適用される上記適用例にかかるデバイスに組み込まれる工程においては、例えば、配線基板などに搭載するためのリフロー工程などの加熱処理が行われる場合がある。例えば、イメージセンサーを製造するにあたり、２００℃以上の加熱温度にて５０分間程度、光電変換素子が加熱される処理を含む工程が実施される場合がある。
　本実施形態の光電変換素子によれば、活性層の材料として、既に説明した本実施形態の化合物（ｎ型半導体材料である非フラーレン化合物）と、既に説明したｐ型半導体材料が用いられる。これにより、活性層の形成工程において（詳細については後述する。）、活性層の形成後における光電変換素子の製造工程において、又は製造された光電変換素子をイメージセンサーや生体認証装置に組み込む工程などにおいて、２００℃以上の加熱温度にて加熱される処理が行われたとしても、ＥＱＥの低下を抑制するか又はＥＱＥをより向上させることができ、耐熱性を効果的に向上させることができる。
　具体的には、ＥＱＥについては、光電変換素子の製造方法の活性層の形成工程におけるプリベーク工程の加熱温度を１００℃とした光電変換素子におけるＥＱＥの値を基準として、ポストベーク工程の加熱温度をより高温に変更した光電変換素子におけるＥＱＥの値で除算することにより規格化して得た値（以下、「ＥＱＥｈｅａｔ／ＥＱＥ１００℃」という。）が０．８０以上が好ましく、０．８５以上がより好ましく、１．０以上であることがさらに好ましい。
２．光電変換素子の製造方法
　本実施形態の光電変換素子の製造方法は、特に限定されない。本実施形態の光電変換素子は、構成要素を形成するにあたり選択された材料に好適な形成方法を組み合わせることにより製造することができる。
　本実施形態の光電変換素子の製造方法には、２００℃以上の加熱温度で加熱される処理を含む工程が含まれうる。より具体的には、活性層が、２００℃以上の加熱温度で加熱される処理を含む工程により形成され、及び／又は活性層が形成される工程よりも後に、２００℃以上の加熱温度で加熱される処理を含む工程が含まれうる。
　以下、本発明の実施形態として、基板（支持基板）、陽極、正孔輸送層、活性層、電子輸送層、陰極がこの順に互いに接する構成を有する光電変換素子の製造方法について説明する。
　（基板を用意する工程）
　本工程では、例えば陽極が設けられた支持基板を用意する。また、既に説明した電極の材料により形成された導電性の薄膜が設けられた基板を市場より入手し、必要に応じて、導電性の薄膜をパターニングして陽極を形成することにより、陽極が設けられた支持基板を用意することができる。
　本実施形態にかかる光電変換素子の製造方法において、支持基板上に陽極を形成する場合の陽極の形成方法は特に限定されない。陽極は、既に説明した材料を、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、めっき法、塗布法などの従来公知の任意好適な方法によって、陽極を形成すべき構成（例、支持基板、活性層、正孔輸送層）上に形成することができる。
　（正孔輸送層の形成工程）
　光電変換素子の製造方法は、活性層と陽極との間に設けられる正孔輸送層（正孔注入層）を形成する工程を含んでいてもよい。
　正孔輸送層の形成方法は特に限定されない。正孔輸送層の形成工程をより簡便にする観点からは、従来公知の任意好適な塗布法によって正孔輸送層を形成することが好ましい。
正孔輸送層は、例えば、既に説明した正孔輸送層の材料と溶媒とを含む塗布液を用いる塗布法や真空蒸着法により形成することができる。
　（活性層の形成工程）
　本実施形態の光電変換素子の製造方法においては、正孔輸送層上に活性層が形成される。主要な構成要素である活性層は、任意好適な従来公知の形成工程により形成することができる。本実施形態において、活性層は、インク（塗布液）を用いる塗布法により製造することが好ましい。
　以下、本発明の光電変換素子の主たる構成要素である活性層の形成工程が含む工程（ｉ）及び工程（ｉｉ）について説明する。
　工程（ｉ）
　インクを塗布対象に塗布する方法としては、任意好適な塗布法を用いることができる。
塗布法としては、スリットコート法、ナイフコート法、スピンコート法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、インクジェット印刷法、ノズルコート法、又はキャピラリーコート法が好ましく、スリットコート法、スピンコート法、キャピラリーコート法、又はバーコート法がより好ましく、スリットコート法、又はスピンコート法がさらに好ましい。
　本実施形態の光電変換素子の製造方法に用いられるインクは、ｐ型半導体材料と、ｎ型半導体材料とを含み、該ｎ型半導体材料として、既に説明した本実施形態の化合物を含む、組成物と、溶媒とを含む。
　本実施形態の活性層形成用のインクについて説明する。なお、本実施形態の活性層形成用のインクはバルクヘテロジャンクション型活性層の形成用のインクである。よって、活性層形成用のインクは、既に説明したｐ型半導体材料とｎ型半導体材料として、既に説明した本実施形態の化合物を含む組成物を含む。本実施形態の活性層形成用のインクは、当該組成物と、１種又は２種以上の溶媒とを含む。
　本実施形態の活性層形成用のインクによれば、ｐ型半導体材料と、「本実施形態の化合物」とを含むことにより、光電変換素子の製造工程又は光電変換素子が適用されるデバイスへの組み込み工程などにおける加熱処理に対するＥＱＥの低下を抑制するか又はＥＱＥをより向上させることができ、耐熱性を向上させることができる。
　本実施形態にかかる活性層形成用のインクは、活性層が形成できることを条件として、特に限定されない。溶媒としては、例えば、後述する第１溶媒と第２溶媒と組み合わせた混合溶媒を用いることができる。具体的には、活性層形成用のインクが２種以上の溶媒を含む場合、主たる成分である主溶媒（第１溶媒）と、溶解性の向上などのために添加されるその他の添加溶媒（第２溶媒）とを含むことが好ましい。しかしながら、第１溶媒のみを用いてもよい。
　以下、本実施形態の活性層形成用のインクに好適に用いることができる第１溶媒及び第２溶媒とこれらの組合せについて説明する。
　（１）第１溶媒
　第１溶媒としては、ｐ型半導体材料が溶解可能である溶媒が好ましい。本実施形態の第１溶媒は、芳香族炭化水素である。
　第１溶媒である芳香族炭化水素としては、例えば、トルエン、キシレン（例、ｏ－キシレン、ｍ－キシレン、ｐ－キシレン）、ｏ－ジクロロベンゼン、トリメチルベンゼン（例、メシチレン、１，２，４－トリメチルベンゼン（プソイドクメン））、ブチルベンゼン（例、ｎ－ブチルベンゼン、ｓｅｃ－ブチルベンゼン、ｔｅｒｔ－ブチルベンゼン）、メチルナフタレン（例、１－メチルナフタレン）、テトラリン及びインダンが挙げられる。
　第１溶媒は、１種の芳香族炭化水素から構成されていても、２種以上の芳香族炭化水素から構成されていてもよい。第１溶媒は、好ましくは１種の芳香族炭化水素から構成される。
　第１溶媒は、好ましくはトルエン、ｏ－キシレン、ｍ－キシレン、ｐ－キシレン、メシチレン、ｏ－ジクロロベンゼン、１，２，４－トリメチルベンゼン、ｎ－ブチルベンゼン、ｓｅｃ－ブチルベンゼン、ｔｅｒｔ－ブチルベンゼン、メチルナフタレン、テトラリン及びインダンからなる群から選択される１種以上であり、より好ましくはトルエン、ｏ－キシレン、ｍ－キシレン、ｐ－キシレン、ｏ－ジクロロベンゼン、メシチレン、１，２，４－トリメチルベンゼン、ｎ－ブチルベンゼン、ｓｅｃ－ブチルベンゼン、ｔｅｒｔ－ブチルベンゼン、メチルナフタレン、テトラリン、又はインダンである。
　（２）第２溶媒
　第２溶媒は、製造工程の実施をより容易にし、光電変換素子の特性をより向上させる観点から選択される溶媒である。第２溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン、プロピオフェノンなどのケトン溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸フェニル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、安息香酸ブチル及び安息香酸ベンジルなどのエステル溶媒が挙げられる。
　第２溶媒は、例えば、暗電流をより低減する観点から、アセトフェノン、プロピオフェノン又は安息香酸ブチルを用いることが好ましい。
　（３）第１溶媒及び第２溶媒の組合せ
　第１溶媒及び第２溶媒の好適な組合せの例としては、テトラリンと安息香酸エチル、テトラリンと安息香酸プロピル及びテトラリンと安息香酸ブチルとの組合せ、より好ましくはテトラリンと安息香酸ブチルとの組合せが挙げられる。
　（４）第１溶媒及び第２溶媒の重量比
　主溶媒である第１溶媒の添加溶媒である第２溶媒に対する重量比（第１溶媒：第２溶媒）は、ｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料の溶解性をより向上させる観点から、８５：１５～９９：１の範囲とすることが好ましい。
　（５）任意の他の溶媒
　溶媒は、第１溶媒及び第２溶媒以外の任意の他の溶媒を含んでいてもよい。インクに含まれる全溶媒の合計重量を１００重量％としたときに、任意の他の溶媒の含有率は、好ましくは５重量％以下であり、より好ましくは３重量％以下であり、さらに好ましくは１重量％以下である。任意の他の溶媒としては、第２溶媒より沸点が高い溶媒が好ましい。
　（６）任意の成分
　インクには、第１溶媒、第２溶媒、ｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料の他に、本発明の目的及び効果を損なわない限度において、界面活性剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、吸収した光により電荷を発生させる機能を増感するための増感剤、紫外線からの安定性を増すための光安定剤といった任意の成分が含まれていてもよい。
　（７）ｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料の濃度
　インク（組成物）におけるｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料の濃度は、溶媒に対する溶解度なども考慮して、本発明の目的を損なわない範囲で任意好適な濃度とすることができる。
　インク（組成物）における「ｐ型半導体材料」の「ｎ型半導体材料」に対する重量比（重合体／非フラーレン化合物）は、通常１／０．１から１／１０の範囲であり、好ましくは１／０．５から１／２の範囲であり、より好ましくは１／１．５である。
　インクにおける「ｐ型半導体材料」及び「ｎ型半導体材料」の合計の濃度は、通常０．０１重量％以上であり、０．０２重量％以上がより好ましく、０．２５重量％以上がさらに好ましい。また、インクにおける「ｐ型半導体材料」及び「ｎ型半導体材料」の合計の濃度は、通常２０重量％以下であり、１０重量％以下であることが好ましく、７．５０重量％以下であることがより好ましい。
　インクにおける「ｐ型半導体材料」の濃度は、通常０．０１重量％以上であり、０．０２重量％以上がより好ましく、０．１０重量％以上がさらに好ましい。また、インクにおける「ｐ型半導体材料」の濃度は、通常１０重量％以下であり、５．００重量％以下がより好ましく、３．００重量％以下がさらに好ましい。
　インクにおける「ｎ型半導体材料」の濃度は、通常０．０１重量％以上であり、０．０２重量％以上がより好ましく、０．１５重量％以上がさらに好ましい。また、インクにおける「ｎ型半導体材料」の濃度は、通常１０重量％以下であり、５重量％以下がより好ましく、４．５０重量％以下がさらに好ましい。
　（８）インクの調製
　インクは、公知の方法により調製することができる。例えば、第１溶媒、又は第１溶媒及び第２溶媒を混合して混合溶媒を調製し、得られた混合溶媒にｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料を添加する方法、第１溶媒にｐ型半導体材料を添加し、第２溶媒にｎ型半導体材料を添加してから、各材料が添加された第１溶媒及び第２溶媒を混合する方法などにより、調製することができる。
　第１溶媒及び第２溶媒とｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料とを、溶媒の沸点以下の温度まで加温して混合してもよい。
　第１溶媒及び第２溶媒とｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料とを混合した後、得られた混合物をフィルターを用いてろ過し、得られたろ液をとして用いてもよい。フィルターとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）などのフッ素樹脂で形成されたフィルターを用いることができる。
　活性層形成用のインクは、光電変換素子及びその製造方法に応じて選択された塗布対象に塗布される。活性層形成用のインクは、光電変換素子の製造工程において、光電変換素子が有する機能層であって、活性層が存在し得る機能層に塗布されうる。よって、活性層形成用のインクの塗布対象は、製造される光電変換素子の層構成及び層形成の順序によって異なる。例えば、光電変換素子が、基板、陽極、正孔輸送層、活性層、電子輸送層、陰極が積層された層構成を有しており、より左側に記載された層が先に形成される場合、活性層形成用のインクの塗布対象は、正孔輸送層となる。また、例えば、光電変換素子が、基板、陰極、電子輸送層、活性層、正孔輸送層、陽極が積層された層構成を有しており、より左側に記載された層が先に形成される場合、活性層形成用のインクの塗布対象は、電子輸送層となる。
　工程（ｉｉ）
　インクの塗膜から、溶媒を除去する方法、すなわち塗膜から溶媒を除去して固化する方法としては、任意好適な方法を用いることができる。溶媒を除去する方法の例としては、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気下でホットプレートを用いて直接的に加熱する方法、熱風乾燥法、赤外線加熱乾燥法、フラッシュランプアニール乾燥法、減圧乾燥法などの乾燥法が挙げられる。
　本実施形態の光電変換素子の製造方法においては、工程（ｉｉ）は、溶媒を揮発させて除去するための工程であって、プリベーク工程（第１の加熱処理工程）とも称される。
　プリベーク工程及びポストベーク工程の実施条件、すなわち加熱温度、加熱処理時間などの条件については、用いられるインクの組成、溶媒の沸点などを考慮して、任意好適な条件とすることができる。
　本実施形態の光電変換素子の製造方法においては、具体的には、例えば、窒素ガス雰囲気下でホットプレートを用いて、プリベーク工程及びポストベーク工程を実施することができる。
　プリベーク工程における加熱温度は、通常１００℃程度である。しかしながら、本実施形態の光電変換素子の製造方法においては、活性層の材料として、既に説明したｐ型半導体材料と既に説明した本実施形態の化合物をｎ型半導体材料として含む結果として、プリベーク工程及び／又はポストベーク工程における加熱温度をより高めることができる。具体的には、プリベーク工程及び／又はポストベーク工程における加熱温度を、好ましくは２００℃以上、さらには２２０℃以上とすることができる。加熱温度の上限は、好ましくは２８０℃以下であり、より好ましくは２５０℃以下である。
　プリベーク工程及びポストベーク工程における合計の加熱処理時間は、例えば１時間とすることができる。
　プリベーク工程における加熱温度とポストベーク工程における加熱温度とは同一であっても異なっていてもよい。
　加熱処理時間は例えば１０分間以上とすることができる。加熱処理時間の上限値は特に限定されないが、タクトタイム等を考慮し、例えば４時間とすることができる。
　活性層の厚さは、塗布液中の固形分濃度、上記工程（ｉ）及び／又は工程（ｉｉ）の条件を適宜調整することにより、任意好適な所望の厚さとすることができる。
　活性層を形成する工程は、前記工程（ｉ）及び工程（ｉｉ）以外に、本発明の目的及び効果を損なわないことを条件としてその他の工程を含んでいてもよい。
　本実施形態の光電変換素子の製造方法は、複数の活性層を含む光電変換素子を製造する方法であってもよく、工程（ｉ）及び工程（ｉｉ）が複数回繰り返される方法であってもよい。
　（電子輸送層の形成工程）
　本実施形態の光電変換素子の製造方法は、活性層上に設けられた電子輸送層（電子注入層）を形成する工程を含んでいる。
　電子輸送層の形成方法は特に限定されない。電子輸送層の形成工程をより簡便にする観点からは、従来公知の任意好適な真空蒸着法によって電子輸送層を形成することが好ましい。
　（陰極の形成工程）
　陰極の形成方法は特に限定されない。陰極は、例えば、上記例示の電極の材料を、塗布法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、めっき法など従来公知の任意好適な方法によって、電子輸送層上に形成することができる。以上の工程により、本実施形態の光電変換素子が製造される。
　（封止体の形成工程）
　封止体の形成にあたり、本実施形態では、従来公知の任意好適な封止材（接着剤）及び基板（封止基板）を用いる。具体的には、製造された光電変換素子の周辺を囲むように、支持基板上に、例えばＵＶ硬化性樹脂などの封止材を塗布した後、封止材により隙間なく貼り合わせた後、ＵＶ光の照射などの選択された封止材に好適な方法を用いて支持基板と封止基板との間隙に光電変換素子を封止することにより、光電変換素子の封止体を得ることができる。
３．イメージセンサー、生体認証装置の製造方法
　本実施形態の光電変換素子である特に光検出素子は、上記のとおり、イメージセンサー、生体認証装置（指紋認証装置、静脈認証装置）に組み込まれて機能しうる。
　このようなイメージセンサー、生体認証装置は、２００℃以上の加熱温度で光電変換素子（光電変換素子の封止体）が加熱される処理を含む工程を含む製造方法により製造され得る。
　具体的には、光電変換素子をイメージセンサーや生体認証装置に組み込む工程を行うにあたって、例えば、配線基板に搭載する際に行われるリフロー工程などが行われることにより、２００℃以上、さらには２２０℃以上の加熱温度で加熱される処理が行われ得る。
しかしながら、本実施形態の光電変換素子によれば、活性層の材料として、既に説明したｎ型半導体材料が用いられるため、組み込まれた光電変換素子のＥＱＥの低下を抑制するか又はＥＱＥをより向上させ、さらには暗電流の増加を抑制するか又は暗電流をより低下させることができ、耐熱性を効果的に向上させることができるため、製造されるイメージセンサー、生体認証装置における検出精度などの特性を向上することができる。
　加熱処理時間は、例えば１０分間以上とすることができる。加熱処理時間の上限値は特に限定されないが、タクトタイム等を考慮し、例えば４時間とすることができる。
［実施例］
　以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示す。本発明は以下に説明する実施例に限定されるものではない。
　本実施例においては、下記表１（表１－１及び表１－２）に示される高分子化合物をｐ型半導体材料（電子供与性化合物）として使用し、下記表２、表３（表３－１、表３－２、表３－３及び表３－４）及び表４に示される化合物をｎ型半導体材料（電子受容性化合物）として使用した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000074
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000075
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000076
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000077
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000078
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000079
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000080
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000081
　ｐ型半導体材料である高分子化合物Ｐ－１及び高分子化合物Ｐ－２は、国際公開第２０１１／０５２７０９号に記載の方法を参考にして合成して使用した。
　ｐ型半導体材料であるＰ－３は、Ｐ３ＨＴ（商品名、シグマアルドリッチ社製）を市場より入手して使用した。
　ｐ型半導体材料であるＰ－４は、ＰＴＢ７（商品名、１－ｍａｔｅｒｉａｌ社製）を市場より入手して使用した。
　ｐ型半導体材料であるＰ－５は、ＰＢＤＢ－Ｔ－２Ｆ（商品名、１－ｍａｔｅｒｉａｌ社製）を市場より入手して使用した。
　ｐ型半導体材料であるＰ－６は、ＰＤＰＰ３Ｔ（商品名、Ｌｕｍｔｅｃ社製）を市場より入手して使用した。
　ｐ型半導体材料であるＰ－７は、ＰＤＴＳＴＰＤ（商品名、１－ｍａｔｅｒｉａｌ社製）を市場より入手して使用した。
　ｎ型半導体材料である化合物Ｎ－１～化合物Ｎ－１６は、後述の合成例のとおり合成して使用した。
　ｎ型半導体材料である化合物Ｎ－１７は、Ｅ１００（商品名、フロンティアカーボン社製）を市場より入手して使用した。
　ｎ型半導体材料である化合物Ｎ－１８は、ＣＯｉ８ＤＦＩＣ（商品名、１－ｍａｔｅｒｉａｌ社製）を市場より入手して使用した。
＜合成例１＞（化合物３の合成）
　下記式で表される化合物１及び化合物２を用いて下記式で表される化合物３を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000082
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した５００ｍＬ四つ口フラスコに、化合物１を７．６１ｇ（１９．４ｍｍｏｌ）、国際公開第２０１１／０５２７０９号の段落[０３３５]に記載の方法により合成した化合物２を２４．８ｇ（４０．７ｍｍｏｌ）、テトラヒドロナフタレンを２００ｍＬ入れ、３０分間アルゴンガスでバブリングを行うことで脱気した。
　次いで、四つ口フラスコに、Ｔｒｉｓ（ｄｉｂｅｎｚｙｌｉｄｅｎｅａｃｅｔｏｎｅ）ｄｉｐａｌｌａｄｉｕｍ（０）を０．８８ｇ（０．９７ｍｍｏｌ、５ｍｏｌ％）、Ｔｒｉ－ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｏｎｉｕｍ　Ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｂｏｒａｔｅを１．１８ｇ（３．８８ｍｍｏｌ、２０ｍｏｌ％）、テトラヒドロナフタレンを６０ｍＬ入れ、５分間攪拌した。
　次に、４つ口フラスコに、３．０Ｍリン酸カリウム水溶液を６５ｍＬ加え、反応液を設定温度５０℃のオイルバスで３時間、加熱しつつ攪拌した。
　反応液を冷却後、４つ口フラスコに、水を１００ｍＬ、ヘキサンを１００ｍＬ加え、有機層を水で３回、飽和塩化ナトリウム水溶液で１回、分液洗浄を行った。
　得られた溶液を、無水硫酸ナトリウムを用いて乾燥後、ろ過し、減圧下で溶媒を留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製することにより、化合物３を橙色固体として２１．１ｇ（１７．６ｍｍｏｌ、収率９０．８％）得た。
　得られた化合物３について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　７．２３　（ｓ，　２Ｈ），　７．００　（ｄ，　ＪＨＨ＝４．８Ｈｚ，　２Ｈ），　６．７８　（ｓ，　２Ｈ），　６．６８　（ｄ，　ＪＨＨ＝４．８Ｈｚ，　２Ｈ），　１．８８　（ｍ，　８Ｈ），　１．２６　（ｂｒ，　８０Ｈ），　０．８７　（ｔ，　１２Ｈ）．
＜合成例２＞（化合物４の合成）
　下記式で表される化合物３から下記式で表される化合物４を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000083
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した１００ｍＬ三つ口フラスコに、化合物３を３．５９ｇ（３．００ｍｍｏｌ）、ジクロロメタンを３０ｍＬ入れ、室温で１０分間攪拌して化合物３を溶解させた。
　次に、三つ口フラスコに、（Ｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｉｍｉｎｉｕｍ　Ｃｈｌｏｒｉｄｅを１．１７ｇ（９．００ｍｍｏｌ）入れ、設定温度４５℃のオイルバスで２時間、加熱しつつ攪拌した。
　次いで、反応液を冷却後、水を２０ｍＬ加え、有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で２回分液洗浄を行った。得られた溶液を無水硫酸ナトリウムを用いて乾燥して、ろ過を行い、減圧下で溶媒を留去した。
　得られた粗生成物を、シリカゲルカラムにて精製することにより、化合物４を濃赤色固体として３．５２ｇ（２．８１ｍｍｏｌ、収率９３．６％）得た。
　得られた化合物４について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　９．７７　（ｓ，　２Ｈ），　７．３２　（ｓ，　２Ｈ），　７．２７　（ｓ，　２Ｈ），　６．８３　（ｓ，　２Ｈ），　１．９０　（ｍ，　８Ｈ），　１．２３　（ｂｒ，　８０Ｈ），　０．８６　（ｔ，　１２Ｈ）．
＜実施例１＞（化合物Ｎ－１の合成）
　下記式で表される化合物４及び化合物５を用いて下記式で表される化合物６（化合物Ｎ－１）を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000084
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した１００ｍＬ三つ口フラスコに、化合物４を１．２５ｇ（１．００ｍｍｏｌ）、Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ　Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，　１９９５，　２５（１９），　３０４５．に記載の方法で合成した化合物５を０．７９７ｇ（４．００ｍｍｏｌ）、クロロホルムを４０ｍＬ、ピリジンを２．０２ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）入れ、６５℃のオイルバスで１６時間、加熱しつつ攪拌した。
　反応液を冷却し、さらに水を加えた後、塩化アンモニウム水溶液と飽和塩化ナトリウム水溶液を用いて有機層を洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥して、ろ過を行い、減圧下で溶媒を留去した。
　得られた粗生成物をシリカゲルカラムにて精製することにより、化合物６（化合物Ｎ－１）を濃緑色固体として、６５４ｍｇ（０．４０５ｍｍｏｌ、収率４０．５％）得た。
　得られた化合物Ｎ－１について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　７．６７　（ｄ，　ＪＨＨ＝１５．６Ｈｚ，　２Ｈ），　７．３６　（ｓ，　２Ｈ），　７．０３　（ｓ，　２Ｈ），　６．８６　（ｓ，　２Ｈ），　６．６１　（ｄ，　ＪＨＨ＝１５．６Ｈｚ，　２Ｈ），　１．９０　（ｂｒ，　８Ｈ），　１．７５　（ｓ，　１２Ｈ），　１．２６　（ｂｒ，　８０Ｈ），　０．８６　（ｔ，　１２Ｈ）．
＜合成例３＞（化合物８の合成）
　下記式で表される化合物７から下記式で表される化合物８を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000085
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した１Ｌ四つ口フラスコに、特開２０１４－３１３６４号公報の段落[０２０３]に記載の方法により合成した化合物７を１３．３０ｇ（２４．５０ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを４９０ｍＬ入れ、０℃まで冷却した。
　次に、四つ口フラスコに、Ｎ－ブロモスクシンイミドを４．３６１ｇ（２４．５０ｍｍｏｌ）加え、０℃で４時間攪拌した。
　次いで、得られた溶液を常温まで昇温し、常温でさらに３時間攪拌して反応させた後、さらに３％亜硫酸ナトリウム水溶液を加えることで反応を停止させた。
　得られた反応液をヘキサンで抽出したのち、水及び飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄した。
　次に、得られた有機層を、硫酸マグネシウムで乾燥して、ろ過を行い、さらに減圧下で溶媒を留去した。
　得られた粗生成物をシリカゲルカラムにて精製することにより、化合物８を薄黄色のオイルとして１０．１ｇ（１６．２ｍｍｏｌ、収率６６．３％）得た。
　得られた化合物８について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　７．４４　（ｄ，　ＪＨＨ＝５．６Ｈｚ，　１Ｈ），　７．０７　（ｄ，　ＪＨＨ＝５．６Ｈｚ，　１Ｈ），　６．９５　（ｓ，　１Ｈ），　２．１６　（ｍ，　２Ｈ），　１．７２　（ｍ，　２Ｈ），　１．２１　（ｂｒ，　４０Ｈ），　０．８６　（ｔ，　６Ｈ）．
＜合成例４＞（化合物１０の合成）
　下記式で表される化合物８及び化合物９を用いて下記式で表される化合物１０を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000086
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した３００ｍＬ四つ口フラスコに、国際公開第２０１１／０５２７０９号の段落[０１３９]から[０１４１]に記載の方法により合成した化合物９を５．２３ｇ（６．６５ｍｍｏｌ）、化合物８を９．５１ｇ（１５．３ｍｍｏｌ）、テトラヒドロナフタレンを１２０ｍＬ入れ、３０分間アルゴンガスでバブリングを行うことで脱気した。
　次に、四つ口フラスコに、Ｔｒｉｓ（ｄｉｂｅｎｚｙｌｉｄｅｎｅａｃｅｔｏｎｅ）ｄｉｐａｌｌａｄｉｕｍ（０）を０．３０４ｇ（０．３３３ｍｍｏｌ、５ｍｏｌ％）、Ｔｒｉ－ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｏｎｉｕｍ　Ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｂｏｒａｔｅを０．４０５ｇ（１．３３ｍｍｏｌ、２０ｍｏｌ％）、テトラヒドロナフタレンを１３ｍＬ入れ、５分間攪拌した。
　次いで、四つ口フラスコに、さらに３．０Ｍリン酸カリウム水溶液を２２ｍＬ加え、反応液を設定温度７５℃のオイルバスで１時間、加熱しつつ攪拌した。
　反応液を冷却後、水を１００ｍＬ、ヘキサンを１００ｍＬ加え、さらに水で３回、飽和塩化ナトリウム水溶液で１回分液洗浄を行った。
　得られた溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥して、ろ過を行い、減圧下で溶媒を留去した。
　得られた粗生成物をシリカゲルカラムにて精製することにより、化合物１０を濃赤色オイルとして９．８３ｇ（６．０９ｍｍｏｌ、収率９１．７％）得た。
　得られた化合物１０について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　７．４６　（ｄ，　ＪＨＨ＝５．２Ｈｚ，　１Ｈ），　７．４５　（ｄ，　ＪＨＨ＝５．２Ｈｚ，　１Ｈ），　７．０７　（ｄ，　ＪＨＨ＝５．２Ｈｚ，　１Ｈ），　７．０６　（ｄ，　ＪＨＨ＝５．２Ｈｚ，　１Ｈ），　７．０２　（ｓ，　１Ｈ）　，　６．９８　（ｓ，　１Ｈ）　，　６．８６　（ｓ，　１Ｈ）　，　６．８４　（ｓ，　１Ｈ），　２．１９　（ｍ，　４Ｈ），　１．９１　（ｍ，　４Ｈ），　１．７３　（ｍ，　４Ｈ），　１．１８　（ｂｒ，　１２０Ｈ），　０．８６　（ｔ，　１８Ｈ）．
＜合成例５＞（化合物１１の合成）
　下記式で表される化合物１０から下記式で表される化合物１１を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000087
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した３００ｍＬ四つ口フラスコに、化合物１０を９．６８ｇ（６．００ｍｍｏｌ）、クロロホルムを１２０ｍＬ入れ、常温で１０分間攪拌し溶解させた。
　次に、四つ口フラスコに、（Ｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｉｍｉｎｉｕｍ　Ｃｈｌｏｒｉｄｅを５．３８ｇ（４２．０ｍｍｏｌ）入れ、設定温度６５℃のオイルバスで合計２０時間、加熱しつつ攪拌した。
　反応液を冷却後、水を１００ｍＬ加え、飽和塩化ナトリウム水溶液で２回分液洗浄を行った。
　得られた溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥して、ろ過し、さらに減圧下で溶媒を留去した。
　得られた粗生成物を、シリカゲルカラムにて精製することにより、化合物１１を紫色オイルとして５．９０ｇ（３．５３ｍｍｏｌ、収率５８．９％）得た。
　得られた化合物１１について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　９．９１　（ｓ，　２Ｈ）　，　８．０８　（ｓ，　１Ｈ）　，　８．０７　（ｓ，　１Ｈ）　，　７．０６　（ｓ，　１Ｈ），　７．０２　（ｓ，　１Ｈ）　，　６．９３　（ｓ，　１Ｈ）　，　６．９１　（ｓ，　１Ｈ）　，　２．２２　（ｍ，　４Ｈ），　１．９２　（ｍ，　４Ｈ），　１．７５　（ｍ，　４Ｈ），　１．２１　（ｂｒ，　１２０Ｈ），　０．８５　（ｔ，　１８Ｈ）．
＜実施例２＞（化合物Ｎ－２の合成）
　下記式で表される化合物１１及び化合物１２を用いて下記式で表される化合物１３（化合物Ｎ－２）を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000088
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した２００ｍＬ四つ口フラスコに、化合物１１を２．２５ｇ（１．３５ｍｍｏｌ）、Ａｄｖ．　Ｍａｔｅｒ．　２０１７，　２９，　１７０３０８０．に記載の方法により合成した化合物１２を０．８８８ｇ（３．３８ｍｍｏｌ）、クロロホルムを６８ｍＬ、ピリジンを１．０７ｇ（１３．５ｍｍｏｌ）入れ、６５℃のオイルバスで２時間、加熱しつつ攪拌した。
　得られた溶液を常温まで冷却し、水を加えることで反応を停止させた。得られた溶液をクロロホルムで抽出したのち、水で２回、飽和塩化ナトリウム水溶液で１回洗浄した。
　次に、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過を行い、さらに減圧下で溶媒を留去した。
　得られた粗生成物を、シリカゲルカラムにて精製することにより、化合物１３（化合物Ｎ－２）を濃青緑色の固体として１．９１ｇ（０．８８６ｍｍｏｌ、収率６５．６％）得た。
　得られた化合物Ｎ－２について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　８．９０　（ｓ，　１Ｈ），　８．８９　（ｓ，　１Ｈ），　８．８１　（ｓ，　１Ｈ），　８．１７　（ｓ，　１Ｈ），　７．９９　（ｓ，　１Ｈ），　７．９８　（ｓ，　１Ｈ），　７．１１　（ｓ，　１Ｈ），　７．０７　（ｓ，　１Ｈ），　６．９８　（ｓ，　１Ｈ），　６．９８　（ｓ，　１Ｈ），　２．２５　（ｍ，　４Ｈ），　１．９４　（ｍ，　４Ｈ），　１．７７　（ｍ，　４Ｈ），　１．２４　（ｂｒ，　１２０Ｈ），　０．８６　（ｍ，　１８Ｈ）．
＜合成例６＞（化合物１４の合成）
　下記式で表される化合物２から下記式で表される化合物１４を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000089
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した２００ｍＬ四つ口フラスコに、化合物２を８．２ｇ（１３．４ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを６７ｍＬ入れ、氷浴で０℃に冷却した。
　次に、四つ口フラスコに、ゆっくりとｉＰｒＭｇＣｌのテトラヒドロフラン溶液（２．０Ｍ）を６．７ｍＬ滴下し、０℃に保温したまま１時間撹拌した。
　続いて、別容器にて、得られた反応液に、６７ｍＬのテトラヒドロフランで希釈した化合物２を８．２ｇ（１３．４ｍｍｏｌ）と、［１，３－Ｂｉｓ（ｄｉｐｈｅｎｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｏ）ｐｒｏｐａｎｅ］ｎｉｃｋｅｌ（ＩＩ）Ｄｉｃｈｌｏｒｉｄｅ　３６３．２ｍｇ（０．６７ｍｍｏｌ）の溶液とを、０℃でゆっくりと滴下した後に、反応溶液を常温まで昇温させた。その後、常温で２時間撹拌した後に、０．５Ｍの塩酸を用いて反応を停止させた。
　得られた溶液をクロロホルムで抽出したのち、水で２回、飽和塩化ナトリウム水溶液で１回洗浄した。
　得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過を行い、減圧下で溶媒を留去した。
　得られた粗生成物を、シリカゲルカラムにて精製することにより、化合物１４を橙色の固体として２．１４ｇ（４．０４ｍｍｏｌ、収率１５％）得た。
　得られた化合物１４について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　６．９８　（ｄ，　ＪＨＨ　＝　５．６Ｈｚ，　２Ｈ），　６．６９　（ｓ，　２Ｈ），　６．６７　（ｄ，　ＪＨＨ　＝　５．６Ｈｚ，　２Ｈ），　１．８８－１．８４　（ｍ，　８Ｈ），　１．３０－１．１９　（ｍ，　８０Ｈ），　０．８７　（ｔ，　１２Ｈ）．
＜合成例７＞（化合物１５の合成）
　下記式で表される化合物１４から下記式で表される化合物１５を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000090
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した１００ｍＬ四つ口フラスコに、化合物１４を２．０ｇ（１．８９ｍｍｏｌ）、ジクロロメタンを１９ｍＬ入れて溶解させた。
　次に、四つ口フラスコに、（Ｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｉｍｉｎｉｕｍ　Ｃｈｌｏｒｉｄｅを０．７２ｇ（５．６６ｍｍｏｌ）入れ、設定温度４０℃のオイルバスで３時間、加熱しつつ攪拌した。
　反応液を冷却後、水を２０ｍＬ加え、飽和塩化ナトリウム水溶液で２回分液洗浄を行った。
　得られた溶液を、硫酸マグネシウムで乾燥して、ろ過を行い、さらに減圧下で溶媒を留去した。
　得られた粗生成物を、シリカゲルカラムにて精製することにより、化合物１５を紫色の固体として１．８３ｇ（１．６４ｍｍｏｌ、収率８７％）得た。
　得られた化合物１５について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＴＨＦ－ｄ８）］
δ　９．７３　（ｓ，　２Ｈ），　７．３７　（ｓ，　２Ｈ），　７．１０　（ｓ，　２Ｈ），　１．９８－１．８６　（ｍ，　８Ｈ），　１．４４－１．２３　（ｍ，　８０Ｈ），　０．８４　（ｔ，　１２Ｈ）．
＜実施例３＞（化合物Ｎ－３の合成）
　下記式で表される化合物１２及び化合物１５を用いて下記式で表される化合物１６（化合物Ｎ－３）を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000091
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した１００ｍＬ四つ口フラスコに、化合物１５を０．６ｇ（０．５４ｍｍｏｌ）、化合物１２を０．３５ｇ（１．３４ｍｍｏｌ）、クロロホルムを８ｍＬ、ピリジンを０．０２ｇ（０．２７ｍｍｏｌ）入れ、６５℃のオイルバスで２時間、加熱しつつ攪拌した。
　次に、得られた溶液を常温まで冷却し、水を加えることで反応を停止させた。得られた溶液をクロロホルムで抽出したのち、水で２回、飽和塩化ナトリウム水溶液で１回洗浄した。
　次いで、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過を行い、さらに減圧下で溶媒を留去した。
　得られた粗生成物をシリカゲルカラムにて精製することにより、化合物１６（化合物Ｎ－３）を濃青緑色の固体として０．６９ｇ（０．４７ｍｍｏｌ、収率８７％）得た。
　得られた化合物Ｎ－３について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　８．７４　（ｓ，　４Ｈ），　７．９１　（ｓ，　２Ｈ），　７．３９　（ｓ，　２Ｈ），　６．９２　（ｓ，　２Ｈ）　１．９９－１．８８　（ｍ，　８Ｈ），　１．４３－１．２３　（ｍ，　８０Ｈ），　０．８５　（ｔ，　１２Ｈ）．
＜実施例４＞（化合物Ｎ－４の合成）
　下記式で表される化合物５及び化合物１５を用いて下記式で表される化合物１７（化合物Ｎ－４）を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000092
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した１００ｍＬ三つ口フラスコに、化合物１５を０．６ｇ（０．５４ｍｍｏｌ）、化合物５を０．４３ｇ（２．１５ｍｍｏｌ）、クロロホルムを８ｍＬ、ピリジンを０．８５ｇ（１０．８ｍｍｏｌ）入れ、６５℃のオイルバスで７時間、加熱しつつ攪拌した。
　得られた反応液を冷却し、水を加えた後、塩化アンモニウム水溶液と飽和塩化ナトリウム水溶液とで有機層を洗浄した。
　次に、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過を行い、さらに減圧下で溶媒を留去した。
　得られた粗生成物をシリカゲルカラムにて精製することにより、化合物１７（化合物Ｎ－４）を濃青色固体として２４３ｍｇ（０．１８ｍｍｏｌ、収率３４％）得た。
　得られた化合物Ｎ－４について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　７．６３　（ｄ，　ＪＨＨ　＝　１６Ｈｚ，　２Ｈ），　７．０３　（ｓ，　２Ｈ），　６．８３　（ｓ，　２Ｈ），　６．６３　（ｄ，　ＪＨＨ　＝　１６Ｈｚ，　２Ｈ），　１．９５－１．８５　（ｍ，　８Ｈ），　１．７５　（ｓ，　１２Ｈ），　１．４０－１．２３　（ｍ，　８０Ｈ），　０．８６　（ｔ，　１２Ｈ）．
＜合成例８＞（化合物１９の合成）
　下記式で表される化合物１８から下記式で表される化合物１９を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000093
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した１００ｍＬ三つ口フラスコに、国際公開第２０１１／０５２７０９号の段落［０２７１］に記載の方法により合成した化合物１８を２．８５ｇ（５．３６ｍｍｏｌ）、脱水テトラヒドロフランを２７ｍＬ加え、得られた溶液を－７０℃まで冷却した後、ｎ－ブチルリチウム溶液（１．６４ｍｏｌ／Ｌ、ヘキサン溶液）を３．３ｍＬ加え、２時間攪拌を行った。
　次に、反応液を－７０℃で保持したまま、トリメトキシボランを０．８３ｇ（８．０４ｍｍｏｌ）を加え、２時間攪拌を行った。
　次いで、得られた反応液に１０ｗ％酢酸水溶液（３０ｍＬ）を入れ、酢酸エチルを用いて分液操作を行い、有機層を抽出した。得られた有機層に対し、トルエン（２０ｍＬ）、２－ヒドロキシメチレン－２－メチル－１，３－プロパンジオール１．２９ｇ（１０．７２ｍｍｏｌ）を加え、ディーンスターク管を用いた脱水操作を３０分間行った。さらに溶媒をロータリーエバポレーターで除き、化合物１９の粗体３．５３ｇを緑色オイルとして取得した。
＜合成例９＞（化合物２１の合成）
　下記式で表される化合物１９及び化合物２０を用いて下記式で表される化合物２１を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000094
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した１００ｍＬ四つ口フラスコに、合成例８で得た未精製の粗体である化合物１９を３．５３ｇ（５．３６ｍｍｏｌ）、Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｃｏｒｐ．から購入した化合物２０を１．２ｇ（２．２３ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを２２ｍＬ入れ、３０分間アルゴンガスでバブリングを行うことで脱気した。
　得られた反応液に、Ｔｒｉｓ（ｄｉｂｅｎｚｙｌｉｄｅｎｅａｃｅｔｏｎｅ）ｄｉｐａｌｌａｄｉｕｍ（０）を０．１６４ｇ（０．１７９ｍｍｏｌ、８ｍｏｌ％）、Ｔｒｉ－ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｏｎｉｕｍ　Ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｂｏｒａｔｅを０．１０９ｇ（０．３５７ｍｍｏｌ、１６ｍｏｌ％）を入れ、５分間攪拌した。
　次に、反応液にさらに３．０Ｍリン酸カリウム水溶液を２２ｍＬ加え、得られた反応液を設定温度７５℃のオイルバスで１時間加熱しつつ攪拌した。
　次いで、反応液を冷却後、水を１００ｍＬ、ヘキサンを１００ｍＬ加え、水で３回、飽和塩化ナトリウム水溶液で１回分液洗浄を行った。
　得られた溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥後ろ過し、減圧下で溶媒を留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製することにより、化合物２１を濃赤色オイルとして２．１１ｇ（１．４９ｍｍｏｌ、収率６７％）得た。
　得られた化合物２１について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　７．９４　（ｓ，　１Ｈ），　７．０３　（ｄｄ，　ＪＨＨ　＝　９．２Ｈｚ，　５．２Ｈｚ，　２Ｈ），　６．８５　（ｓ，　１Ｈ），　６．８１　（ｓ，　１Ｈ），　６．６８　（ｄｄ，　ＪＨＨ　＝　５．２Ｈｚ，　１．６Ｈｚ，　２Ｈ），　４．３７　（ｔ，　ＪＨＨ　＝　６．８Ｈｚ，　２Ｈ），　１．９５－１．７８　（ｍ，　１０Ｈ），　１．４４－１．２２　（ｍ，　１００Ｈ），　０．８６　（ｔ，　１５Ｈ）．
＜合成例１０＞（化合物２２の合成）
　下記式で表される化合物２１から下記式で表される化合物２２を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000095
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した１００ｍＬ四つ口フラスコに、化合物２１を１．５ｇ（１．０６ｍｍｏｌ）、ジクロロメタンを１１ｍＬ加え溶解させた。
　次に、得られた反応液に（Ｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｉｍｉｎｉｕｍ　Ｃｈｌｏｒｉｄｅを０．４１ｇ（３．１９ｍｍｏｌ）入れ、設定温度４０℃のオイルバスで３時間加熱攪拌した。
　次いで、得られた反応液を冷却後、水を２０ｍＬ加え、飽和塩化ナトリウム水溶液で２回分液洗浄を行った。
　得られた溶液を硫酸マグネシウムで乾燥後ろ過し、減圧下で溶媒を留去して得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製することにより、化合物２２を紫色の固体として１．４４ｇ（０．９８ｍｍｏｌ、収率９２％）得た。
　得られた化合物２２について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　９．７８　（ｓ，　１Ｈ），　９．７７　（ｓ，　１Ｈ），　７．９５　（ｓ，　１Ｈ），　７．２９　（ｓ，　１Ｈ），　７．２８　（ｓ，　１Ｈ），　６．９０　（ｓ，　１Ｈ），　６．８６　（ｓ，　１Ｈ），　４．３９　（ｔ，　ＪＨＨ　＝　７．２Ｈｚ，　２Ｈ），　１．９７－１．７９　（ｍ，　１０Ｈ），　１．４６－１．２２　（ｍ，　１００Ｈ），　０．８６　（ｔ，　１５Ｈ）．
＜実施例５＞（化合物Ｎ－５の合成）
　下記式で表される化合物２２及び化合物１２を用いて下記式で表される化合物２３（化合物Ｎ－５）を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000096
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した１００ｍＬ四つ口フラスコに、化合物２２を１．４ｇ（０．９８ｍｍｏｌ）、化合物１２を０．７８ｇ（２．９５ｍｍｏｌ）、クロロホルムを２０ｍＬ、ピリジンを０．０４ｇ（０．４９ｍｍｏｌ）入れ、６５℃のオイルバスで２時間加熱しつつ攪拌した。
　次に、得られた溶液を常温まで冷却し、水を加えることで反応を停止させた。得られた溶液をクロロホルムで抽出したのち、水で２回、飽和塩化ナトリウム水溶液で１回洗浄した。
　次いで、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過を行い、減圧下で溶媒を留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製することにより、化合物２３（化合物Ｎ－５）を黒色の固体として１．５ｇ（０．７７ｍｍｏｌ、収率９５％）得た。
　得られた化合物Ｎ－５について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　８．５７－８．５１　（ｍ，　４Ｈ），　７．８１　（ｓ，　１Ｈ），　７．７７　（ｓ，　１Ｈ），　７．７３　（ｓ，　１Ｈ），　７．２９　（ｂｒ，　２Ｈ），　６．９６　（ｓ，　１Ｈ），　６．８８　（ｓ，　１Ｈ），　４．５０　（ｔ，　ＪＨＨ　＝　７．２Ｈｚ，　２Ｈ），　２．０８－１．９３　（ｍ，　１０Ｈ），　１．５９－１．２０　（ｍ，　１００Ｈ），　０．８３　（ｔ，　１５Ｈ）．
＜実施例６＞（化合物Ｎ－６の合成）
　下記式で表される化合物１１及び化合物５を用いて下記式で表される化合物２４（化合物Ｎ－６）を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000097
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した２００ｍＬ四つ口フラスコに、化合物１１を１．６７ｇ（１．００ｍｍｏｌ）、化合物５を０．７９７ｇ（４．００ｍｍｏｌ）、クロロホルムを５０ｍＬ、トリエチルアミンを２．０２ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）入れ、６５℃のオイルバスで８時間加熱しつつ攪拌した。
　次に、得られた溶液を常温まで冷却し、水を加えることで反応を停止させた。得られた溶液をクロロホルムで抽出したのち、水で２回、飽和塩化ナトリウム水溶液で１回洗浄した。
　次いで、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過を行い、減圧下で溶媒を留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製することにより、化合物２４（化合物Ｎ－６）を濃青緑色の固体として１．５２ｇ（０．７４９ｍｍｏｌ、収率７４．０％）得た。
　得られた化合物Ｎ－６について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　７．７８３　（ｓ，　１Ｈ），　７．７７９　（ｓ，　１Ｈ），　７．７２　（ｄ，　ＪＨＨ　＝　７．２Ｈｚ，　１Ｈ），　７．６８　（ｄ，　ＪＨＨ　＝　７．２Ｈｚ，　１Ｈ），　７．０７　（ｓ，　１Ｈ），　７．０４　（ｓ，　１Ｈ），　６．９４　（ｄ，　ＪＨＨ　＝　７．２Ｈｚ，　２Ｈ），　７．０７　（ｓ，　１Ｈ），　６．７１　（ｓ，　１Ｈ），　６．６９　（ｓ，　１Ｈ），　２．２０　（ｍ，　４Ｈ），　１．９４　（ｍ，　４Ｈ），　１．７９　（ｓ，　１２Ｈ）１．７５　（ｍ，　４Ｈ），　１．２４　（ｂｒ，　１２０Ｈ），　０．８６　（ｍ，　１８Ｈ）．
＜実施例７＞（化合物Ｎ－７の合成）
　下記式で表される化合物１１及び化合物２５を用いて下記式で表される化合物２６（化合物Ｎ－７）を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000098
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した１００ｍＬ四つ口フラスコに、化合物１１を１．００ｇ（０．６００ｍｍｏｌ）、Ａｎｇｅｎｅ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ社より購入した化合物２５を０．３４５ｇ（１．５０ｍｍｏｌ）、クロロホルムを３０ｍＬ、ピリジンを０．４７５ｇ（６．００ｍｍｏｌ）入れ、６５℃のオイルバスで２時間加熱しつつ攪拌した。
　次に、得られた溶液を常温まで冷却し、水を加えることで反応を停止させた。得られた溶液をクロロホルムで抽出したのち、水で２回、飽和塩化ナトリウム水溶液で１回洗浄した。
　次いで、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過を行い、減圧下で溶媒を留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製することにより、化合物２６（化合物Ｎ－７）を濃青緑色の固体として０．８６６ｇ（０．４１４ｍｍｏｌ、収率６８．９％）得た。
　得られた化合物Ｎ－７について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　８．８６５　（ｓ，　１Ｈ），　８．８６３　（ｓ，　１Ｈ），　８．５７　（ｍ，　２Ｈ），　８．１６　（ｓ，　２Ｈ），　７．７２　（ｍ，　２Ｈ），　７．１０　（ｓ，　１Ｈ），　７．０７　（ｓ，　１Ｈ），　６．９７１　（ｓ，　１Ｈ），　６．９６７　（ｓ，　１Ｈ），　２．２５　（ｍ，　４Ｈ），　１．９６　（ｍ，　４Ｈ），　１．７７　（ｍ，　４Ｈ），　１．２４　（ｂｒ，　１２０Ｈ），　０．８６　（ｍ，　１８Ｈ）．
＜実施例８＞（化合物Ｎ－８の合成）
　下記式で表される化合物１１及び化合物２７を用いて下記式で表される化合物２８（化合物Ｎ－８）を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000099
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した１００ｍＬ四つ口フラスコに、化合物１１を０．９５１ｇ（０．５７０ｍｍｏｌ）、東京化成工業株式会社より購入した化合物２７を０．３３２ｇ（１．７１ｍｍｏｌ）、クロロホルムを３０ｍＬ、ピリジンを０．６７６ｇ（８．５５ｍｍｏｌ）入れ、６５℃のオイルバスで２時間加熱しつつ攪拌した。
　次に、得られた溶液を常温まで冷却し、水を加えることで反応を停止させた。得られた溶液をクロロホルムで抽出したのち、水で２回、飽和塩化ナトリウム水溶液で１回洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過を行い、減圧下で溶媒を留去した。
　得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製することにより、化合物２８（化合物Ｎ－８）を濃青緑色の固体として０．９７５ｇ（０．４８２ｍｍｏｌ、収率８４．６％）得た。
　得られた化合物Ｎ－８について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　８．８７５　（ｓ，　１Ｈ），　８．８７２　（ｓ，　１Ｈ），　８．７４　（ｓ，　１Ｈ），　８．７２　（ｓ，　１Ｈ），　８．１４　（ｓ，　２Ｈ），　７．９７　（ｍ，　２Ｈ），　７．８１　（ｍ，　４Ｈ），　７．１０　（ｓ，　１Ｈ），　７．０６　（ｓ，　１Ｈ），　６．９６　（ｓ，　２Ｈ），　２．２４　（ｍ，　４Ｈ），　１．９４　（ｍ，　４Ｈ），　１．７６　（ｍ，　４Ｈ），　１．２０　（ｂｒ，　１２０Ｈ），　０．８６　（ｍ，　１８Ｈ）．
＜実施例９＞（化合物Ｎ－９の合成）
　下記式で表される化合物４及び化合物１２を用いて下記式で表される化合物２９（化合物Ｎ－９）を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000100
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した１００ｍＬ四つ口フラスコに、化合物４を１．６３ｇ（１．３０ｍｍｏｌ）、化合物１２を０．８５５ｇ（３．２５ｍｍｏｌ）、クロロホルムを２６ｍＬ、ピリジンを０．９５０ｇ（１２．０ｍｍｏｌ）入れ、６５℃のオイルバスで２時間加熱しつつ攪拌した。
　次に、得られた溶液を常温まで冷却し、水を加えることで反応を停止させた。得られた溶液をクロロホルムで抽出したのち、水で２回、飽和塩化ナトリウム水溶液で１回洗浄した。
　次いで、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過を行い、減圧下で溶媒を留去した。
　得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製することにより、化合物２９（化合物Ｎ－９）を濃青緑色の固体として１．３３ｇ（０．７４５ｍｍｏｌ、収率５８．７％）得た。
　得られた化合物Ｎ－９について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　８．７２３　（ｓ，　２Ｈ），　８．７１８　（ｓ，　２Ｈ），　７．９１　（ｓ，　２Ｈ），　７．３９　（ｓ，　２Ｈ），　７．３８　（ｓ，　２Ｈ），　６．９０　（ｓ，　２Ｈ），　１．９３　（ｍ，　８Ｈ），　１．２３　（ｂｒ，　８０Ｈ），　０．８６　（ｔ，　１２Ｈ）．
＜合成例１１＞（化合物３０の合成）
　下記式で表される化合物１４から下記式で表される化合物３０を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000101
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した１００ｍＬ四つ口フラスコに化合物１４を２．０ｇ（１．８８ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン１９ｍＬを入れ、氷浴で０℃に冷却した。東京化成工業より購入したＮ－ブロモスクシンイミドを０．７５ｇ（３．９６ｍｍｏｌ）仕込み、そのまま常温で２時間撹拌した後に、飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液を用いて反応を停止させた。
　次に、得られた溶液をクロロホルムで抽出したのち、水で２回、飽和塩化ナトリウム水溶液で１回洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過を行い、減圧下で溶媒を留去した。
　次いで、得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製することにより、化合物３０を赤色の固体として２．１１ｇ（１．７３ｍｍｏｌ、収率９２％）得た。
＜合成例１２＞（化合物３２の合成）
　下記式で表される化合物３１から下記式で表される化合物３２を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000102
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した２００ｍＬ四つ口フラスコに化合物３１を４．５ｇ（３９．４ｍｍｏｌ）、東京化成工業より購入した２－エチルヘキサノール１５．３ｇ（１１８．３ｍｍｏｌ）、パラトルエンスルホン酸０．６８ｇ（３．９４ｍｍｏｌ）、トルエン９５ｍＬを入れ、１００℃のオイルバスで２時間加熱しつつ撹拌した。得られた溶液を常温まで冷却し、水を加えることで反応を停止させた。
　次に、得られた溶液をクロロホルムで抽出したのち、水で２回、飽和塩化ナトリウム水溶液で１回洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過を行い、減圧下で溶媒を留去した。
　次いで、得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製することにより、化合物３２を無色のオイルとして７．８ｇ（３６．７ｍｍｏｌ、収率９３％）得た。
＜合成例１３＞（化合物３４の合成）
　下記式で表される化合物３２及び化合物３３を用いて下記式で表される化合物３４を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000103
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した１００ｍＬ三つ口フラスコに、化合物３２を１．５２ｇ（７．１６ｍｍｏｌ）、脱水テトラヒドロフランを３０ｍＬ加え、溶液を－７０℃まで冷却した後、ｎ－ブチルリチウム溶液（２．６ｍｏｌ／Ｌ、ヘキサン溶液）を３．３ｍＬ加え、２時間攪拌を行った。
　次に、反応液を－７０℃に保持したまま、東京化成工業株式会社より購入した化合物３３を２．０ｇ（１０．７４ｍｍｏｌ）を加え、２時間攪拌を行った。
　次いで、得られた反応液を常温まで昇温した後に、飽和塩化アンモニウム水溶液で反応を停止させ、酢酸エチルを用いて分液操作を行い、有機層を抽出した。
　得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過を行い、減圧下で溶媒を留去し、化合物３４の粗体２．３４ｇを無色オイルとして取得した。
＜合成例１４＞（化合物３５の合成）
　下記式で表される化合物３４及び化合物３０を用いて下記式で表される化合物３５を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000104
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した１００ｍＬ四つ口フラスコに、化合物３４を１．２７ｇ（２．６３ｍｍｏｌ）、化合物３０を１．４５ｇ（１．１９ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを５ｍＬ入れ、３０分間アルゴンガスでバブリングを行うことで脱気した。
　次に、得られた反応液に、Ｔｒｉｓ（ｄｉｂｅｎｚｙｌｉｄｅｎｅａｃｅｔｏｎｅ）ｄｉｐａｌｌａｄｉｕｍ（０）を０．０４４ｇ（０．０５ｍｍｏｌ、８ｍｏｌ％）、Ｔｒｉ－ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｏｎｉｕｍ　Ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｂｏｒａｔｅを０．０５８ｇ（０．１９ｍｍｏｌ，１６ｍｏｌ％）を入れ、５分間攪拌した。
　次いで、反応液に、さらに３．０Ｍリン酸カリウム水溶液を５ｍＬ加え、反応液を設定温度６５℃のオイルバスで１時間加熱しつつ攪拌した。冷却後、反応液に、水を１００ｍＬ、ヘキサンを１００ｍＬ加え、水で３回、飽和塩化ナトリウム水溶液で１回分液洗浄を行った。得られた溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥後ろ過し、減圧下で溶媒を留去した。
　得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製することにより、化合物３５を濃赤色オイルとして１．５１ｇ（１．０２ｍｍｏｌ、収率８６％）得た。
＜合成例１５＞（化合物３６の合成）
　下記式で表される化合物３５から下記式で表される化合物３６を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000105
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した１００ｍＬ四つ口フラスコに、化合物３５を０．４３ｇ（０．２９ｍｍｏｌ）、ジクロロメタンを５ｍＬ加え溶解させた。
　次に、得られた溶液に、（Ｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｉｍｉｎｉｕｍ　Ｃｈｌｏｒｉｄｅを０．１２ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）入れ、設定温度４０℃のオイルバスで３時間加熱しつつ攪拌した。
　次いで、得られた溶液を、冷却後、水を５ｍＬ加え、飽和塩化ナトリウム水溶液で２回分液洗浄を行った。得られた溶液を硫酸マグネシウムで乾燥後ろ過し、減圧下で溶媒を留去した。
　得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製することにより、化合物３６を紫色の固体として０．３５ｇ（０．２３ｍｍｏｌ、収率７８．６％）得た。
＜実施例１０＞（化合物Ｎ－１０の合成）
　下記式で表される化合物３６及び化合物１２を用いて下記式で表される化合物３７（化合物Ｎ－１０）を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000106
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した１００ｍＬ四つ口フラスコに、化合物３６を０．３５ｇ（０．２３ｍｍｏｌ）、化合物１２を０．３２ｇ（１．２３ｍｍｏｌ）、クロロホルムを１０ｍＬ、ピリジンを０．００２ｇ（０．０２５ｍｍｏｌ）入れ、６５℃のオイルバスで２時間加熱しつつ攪拌した。
　次に、得られた溶液を常温まで冷却し、水を加えることで反応を停止させた。得られた溶液をクロロホルムで抽出したのち、水で２回、飽和塩化ナトリウム水溶液で１回洗浄した。
　次いで、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過を行い、減圧下で溶媒を留去した。
　得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製することにより、化合物３７（化合物Ｎ－１０）を黒色の固体として０．４ｇ（０．１９７ｍｍｏｌ、収率８５．９％）得た。
　得られた化合物Ｎ－１０について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　８．７１　（ｓ，　２Ｈ），　８．６６　（ｓ，　２Ｈ），　８．０４　（ｓ，　２Ｈ），　７．８９　（ｓ，　２Ｈ），　７．４８　（ｂｒ，　２Ｈ），　６．７８　（ｓ，　２Ｈ），　３．９４　（ｄ，　４Ｈ），　２．０１－１．８０　（ｍ，　８Ｈ），　１．７０－０．９７　（ｍ，　４６Ｈ），　０．９１－０．７６　（ｍ，　３２Ｈ）．
＜合成例１６＞（化合物３９の合成）
　下記式で表される化合物３８及び化合物１９を用いて下記式で表される化合物３９を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000107
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した２００ｍＬ四つ口フラスコに、特開２０１３－２１３１８０号公報に記載の方法により合成した化合物３８を１．０８ｇ（２．００ｍｍｏｌ）、化合物１２を３．３６ｇ（４．６０ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを６７ｍＬ入れ、３０分間窒素ガスでバブリングを行うことで脱気した。
　次いで、四つ口フラスコに、Ｔｒｉｓ（ｄｉｂｅｎｚｙｌｉｄｅｎｅａｃｅｔｏｎｅ）ｄｉｐａｌｌａｄｉｕｍ（０）を０．０９１６ｇ（０．１００ｍｍｏｌ、５ｍｏｌ％）、Ｔｒｉ－ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｏｎｉｕｍ　Ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｂｏｒａｔｅを０．１１６ｇ（０．４００ｍｍｏｌ、２０ｍｏｌ％）を入れ、５分間攪拌した。
　次に、４つ口フラスコに、３．０Ｍリン酸カリウム水溶液を６．７ｍＬ加え、反応液を設定温度７６℃のオイルバスで１時間、加熱しつつ攪拌した。
　反応液を冷却後、４つ口フラスコに、水を１００ｍＬ、ヘプタンを１００ｍＬ加え、有機層を水で３回、飽和塩化ナトリウム水溶液で１回、分液洗浄を行った。
　得られた溶液を、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥後、ろ過し、減圧下で溶媒を留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製することにより、化合物３９を濃赤紫色オイルとして２．５５ｇ（１．７７ｍｍｏｌ、収率８８．５％）得た。
　得られた化合物３９について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　８．１３　（ｓ，　２Ｈ），　７．５１　（ｓ，　２Ｈ），　７．１１　（ｓ，　１Ｈ），　７．０９　（ｓ，　１Ｈ），　６．７０　（ｓ，　１Ｈ），　６．６９　（ｓ，　１Ｈ），　２．７６　（ｍ，　４Ｈ），　１．９５　（ｍ，　８Ｈ），　１．６９―１．６２（ｍ，　４Ｈ），　１．４５―１．２２　（ｂｒ，　９２Ｈ），　０．９３―０．８２　（ｍ，　１８Ｈ）
＜合成例１７＞（化合物４０の合成）
　下記式で表される化合物３９を用いて下記式で表される化合物４０を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000108
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した１００ｍＬ四つ口フラスコに、化合物３９を２．５２ｇ（１．７５ｍｍｏｌ）、ジクロロメタンを８８ｍＬ入れ、常温で１０分間攪拌して化合物３９を溶解させた。
　次に、四つ口フラスコに、（Ｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｉｍｉｎｉｕｍ　Ｃｈｌｏｒｉｄｅを１．１２ｇ（８．７５ｍｍｏｌ）入れ、設定温度４９℃のオイルバスで７．５時間、加熱しつつ攪拌した。
　次いで、反応液を冷却後、水を１８ｍＬ加え、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で２回分液洗浄を行った。得られた溶液を、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥して、ろ過を行い、減圧下で溶媒を留去した。
　得られた粗生成物を、シリカゲルカラムにて精製することにより、化合物４０を濃赤紫色オイルとして２．５４ｇ（１．７０ｍｍｏｌ、収率９７．０％）得た。
　得られた化合物４０について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　９．８１　（ｓ，　２Ｈ），　８．１１　（ｓ，　２Ｈ），　７．５３　（ｓ，　２Ｈ），　７．３０　（ｓ，　２Ｈ），　２．７７（ｔ，　ＪＨＨ＝８．０Ｈｚ，４Ｈ），　１．９９―１．９４　（ｍ，　８Ｈ），　１．７２―１．６２　（ｍ，　４Ｈ），　１．４５―１．２１　（ｂｒ，　９２Ｈ），　０．９１（ｔ，　ＪＨＨ＝７．０Ｈｚ，６Ｈ），　０．８４（ｔ，　ＪＨＨ＝６．８Ｈｚ，１２Ｈ）．
＜実施例１１＞（化合物Ｎ－１１の合成）
　下記式で表される化合物４０及び化合物１２を用いて下記式で表される化合物４１（Ｎ―１１）を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000109
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した１００ｍＬ四つ口フラスコに、化合物４０を０．７４８ｇ（０．５００ｍｍｏｌ）、化合物１２を０．３９５ｇ（１．５０ｍｍｏｌ）、クロロホルムを２５ｍＬ、ピリジンを０．３９６ｇ（５．００ｍｍｏｌ）入れ、６８℃のオイルバスで１時間、加熱しつつ攪拌した。
　次いで、得られた溶液を常温まで冷却し、メタノール１５０ｍＬへ加えた。得られた溶液をろ過し、析出物として粗生成物を得た。
　得られた粗生成物を、シリカゲルカラムにて精製することにより、化合物４１（化合物Ｎ－１１）を黒色固体として０．８８２ｇ（０．４４４ｍｍｏｌ、収率８８．８％）得た。
　得られた化合物Ｎ－１１について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　８．６３　（ｓ，　２Ｈ），　８．６０　（ｓ，　２Ｈ），　７．８５　（ｓ，　２Ｈ），　７．４８　（ｓ，　２Ｈ），　７．２４　（ｓ，　２Ｈ），　２．８０（ｔ，　ＪＨＨ＝７．９Ｈｚ，４Ｈ），　１．９８　（ｂｒ，　８Ｈ），　１．７９―１．６９　（ｍ，　４Ｈ），　１．５６―１．２１　（ｂｒ，　９２Ｈ），　０．９７（ｔ，　ＪＨＨ＝６．９Ｈｚ，６Ｈ），　０．８３（ｔ，　ＪＨＨ＝６．９Ｈｚ，１２Ｈ）．
＜合成例１８＞（化合物４３の合成）
　下記式で表される化合物１９および化合物４２を用いて下記式で表される化合物４３を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000110
　１００ｍＬ三つ口フラスコに化合物４２（東京化成工業社製）を１．００ｇ（２．３６ｍｍｏｌ)、化合物１９を４．１４ｇ（４．９６ｍｍｏｌ）、ＴＨＦを２３．６ｍＬ入れ、３０分間アルゴンガスでバブリングを行うことで脱気した。
　次に、Ｔｒｉｓ（ｄｉｂｅｎｚｙｌｉｄｅｎｅａｃｅｔｏｎｅ）ｄｉｐａｌｌａｄｉｕｍ（０）を０．０８７ｇ（０．０９ｍｍｏｌ、４ｍｏｌ％）、Ｔｒｉ－ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｏｎｉｕｍ　Ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｂｏｒａｔｅを０．０５６ｇ（０．１９ｍｍｏｌ、８ｍｏｌ％)、３．０Ｍリン酸カリウム水溶液を２３．６ｍＬ加え、４０℃に昇温した。
　得られた反応液を冷却後、トルエンで希釈し、有機層を水で２回分液洗浄した。
　得られた溶液を、硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過を行い、減圧下で溶媒を留去することで粗生成物を得た。
　得られた粗生成物をシリカゲルカラムにて精製することにより、黒色固体として化合物４３を１．８７ｇ（収率５９．８％、１．４１ｍｍｏｌ）得た。
　得られた化合物４３について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　７．６０　（ｓ，　２Ｈ），　７．０５　（ｄ，　ＪＨＨ＝５．６Ｈｚ，　２Ｈ），　６．６６　（ｄ，　ＪＨＨ＝５．６Ｈｚ，　２Ｈ），　３．５６　（ｔ，　２Ｈ），　１．９２－１．８８　（ｍ，　９Ｈ），　１．３８－１．２１　（ｍ，　８８Ｈ），　０．９５－０．８３　（ｍ，　１８Ｈ）．
＜合成例１９＞（化合物４４の合成）
　下記式で表される化合物４３を用いて下記式で表される化合物４４を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000111
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した１００ｍＬ三口フラスコに化合物４３を１．４９ｇ（１．１３ｍｍｏｌ）、脱水クロロホルムを５６．３ｍＬ、（Ｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｉｍｉｎｉｕｍ　Ｃｈｌｏｒｉｄｅを０．５５２ｇ（４．３２ｍｍｏｌ）を入れ、内温を６１℃に昇温し、１６時間攪拌した。
　次に、得られた反応液を冷却後、さらに水を加え、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で２回分液洗浄を行った。
　得られた溶液を、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥して、ろ過を行い、減圧下で溶媒を留去した。
　得られた粗生成物を、シリカゲルカラムにて精製することにより、化合物４４を黒色オイルとして１．３１ｇ（収率８４．４％、０．９５ｍｍｏｌ）得た。
　得られた化合物４４について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　９．７３　（ｓ,　２Ｈ），　７．７７　（ｓ,　２Ｈ）,　７．２８　（ｓ,　２Ｈ），　３．５６　（ｔ,　２Ｈ），　１．９４－１．９０　（ｍ,　９Ｈ），　１．５２－１．０９　（ｍ,　８８Ｈ），　０．８７－０．７３　（ｍ,　１８Ｈ）.
＜実施例１２＞（化合物Ｎ－１２の合成）
　下記式で表される化合物４４及び化合物１２を用いて下記式で表される化合物４５（Ｎ―１２）を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000112
　５０ｍＬ二つ口フラスコに化合物４４を０．５００ｇ（０．３６３ｍｍｏｌ）、脱水クロロホルムを１８．０ｇ、化合物１２を０．２８６ｇ（１．０８８ｍｍｏｌ）、ピリジンを０．２８７ｇ（３．６３ｍｍｏｌ）入れ、オイルバスで６０℃に昇温した。
　３時間撹拌した後に常温まで放冷し、反応液を水１０ｇで３回分液洗浄した後に、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過を行い、減圧下で溶媒を留去して粗生成物を得た。
　得られた粗生成物をリサイクル分取ＧＰＣで精製し、化合物４５（Ｎ―１２）を黒色固体として０．３５０ｇ（収率５２％、０．１８７ｍｍｏｌ）得た。
　得られた化合物Ｎ－１２について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　８．７１　（ｍ,　４Ｈ），　７．９１　（ｓ,　２Ｈ），　７．７１　（ｓ,　２Ｈ），　７．３１　（ｂｒ,　２Ｈ），　３．６０　（ｔ,　２Ｈ），　２．１１－１．７７　（ｍ,　９Ｈ），　１．５０－１．０６　（ｍ,　８８Ｈ），　０．９８－０．８２　（ｍ，　１８Ｈ）.
＜合成例２０＞（化合物４７の合成）
　下記式で表される化合物１９及び化合物４６を用いて下記式で表される化合物４７を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000113
　１００ｍＬ三つ口フラスコに化合物１９を８．３４ｇ（１０．００ｍｍｏｌ）、化合物４６（東京化成工業社製）を１．７１ｇ（４．１７ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを４１．７ｍＬ入れ、３０分間アルゴンガスでバブリングをすることで脱気を行った。
　次に、Ｔｒｉｓ（ｄｉｂｅｎｚｙｌｉｄｅｎｅａｃｅｔｏｎｅ）ｄｉｐａｌｌａｄｉｕｍ（０）を０．３０５ｇ（０．３３ｍｍｏｌ、４ｍｍｏｌ％）、Ｔｒｉ－ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｏｎｉｕｍ　Ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｂｏｒａｔｅを０．２０３ｇ（０．６７ｍｍｏｌ、８ｍｍｏｌ％）、３．０Ｍリン酸カリウム水溶液を４１．７ｍＬ入れた後に６０℃に昇温した。
　次いで、反応液を２時間撹拌した後に、常温まで冷却した。
　次に、有機層を抽出し、ヘキサンで希釈し、水で２回洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過した後にロータリーエバポレーターで全量濃縮した。
　さらにシリカゲルカラムにより精製することにより、化合物４７を橙色オイルとして５．５６ｇ（収率）得た。
　得られた化合物４７について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　６．９８　（ｄ，　ＪＨＨ＝６．４Ｈｚ,　２Ｈ），　６．７１　（ｓ，　２Ｈ），　６．６７　（ｄ，　ＪＨＨ＝６．４Ｈｚ，　２Ｈ），　２．６８　（ｔ，　４Ｈ），　１．８６　（ｍ，　８Ｈ），　１．５７　（ｍ，　４Ｈ），　１．２２　（ｍ，　９２Ｈ），　０．８８　（ｍ，　１８Ｈ）．
＜合成例２１＞（化合物４８の合成）
　下記式で表される化合物４７を用いて下記式で表される化合物４８を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000114
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した２００ｍＬ三口フラスコに化合物４７を１．６１ｇ（１．２３ｍｍｏｌ）、脱水クロロホルムを６１．４　ｍＬ、（Ｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｉｍｉｎｉｕｍ　Ｃｈｌｏｒｉｄｅを０．４７２ｇ（３．６９ｍｍｏｌ）を入れ、内温６０℃で２時間撹拌した。
　反応液を冷却後、水を加え、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で２回分液洗浄を行った。
　得られた溶液を、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥して、ろ過を行い、減圧下で溶媒を留去した。
　得られた粗生成物を、シリカゲルカラムにて精製することにより、化合物４８を赤黒色オイルとして１．２２ｇ（収率７２．７％、０．８９ｍｍｏｌ）得た。
　得られた化合物４８について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　９．７６　（ｓ，　２Ｈ），　７．２７　（ｓ，　２Ｈ），　６．７５　（ｓ，　２Ｈ），　２．７０　（ｔ，　４Ｈ），　１．８９　（ｍ，　８Ｈ），　１．５６　（ｍ，　４Ｈ），　１．２２　（ｍ，　９２Ｈ），　０．８５　（ｍ，　１８Ｈ）．
＜実施例１３＞（化合物Ｎ－１３の合成）
　下記式で表される化合物４８及び化合物１２を用いて下記式で表される化合物４９（Ｎ－１３）を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000115
　５０ｍＬ二つ口フラスコに化合物４８を０．８０ｇ（０．５８６ｍｍｏｌ）、脱水クロロホルムを２９．０ｇ、化合物１２を０．４６２ｇ（１．７６ｍｍｏｌ）、ピリジンを０．４６３ｇ（５．８６ｍｍｏｌ）入れ、６０℃に昇温したオイルバスにつけて２時間撹拌した。
　冷却後、水８７ｇで分液洗浄した後に、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過を行い、減圧下で溶媒を留去した。
　得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製することで化合物４９（Ｎ―１３）を黒色固体として０．６３６ｇ（収率５８％、０．３４２ｍｍｏｌ）得た。
　得られた化合物Ｎ―１３について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　８．７５　（ｓ，　２Ｈ，），　８．７３　（ｓ，　２Ｈ），　７．８９　（ｓ，　２Ｈ），　７．３９　（ｓ，　２Ｈ），　６．８６　（ｓ，　２Ｈ），　２．７７　（ｔ，　４Ｈ），　１．９２　（ｍ，　８Ｈ），　１．６０　（ｍ，　４Ｈ），　１．２１　（ｍ，　９２Ｈ），　０．９３　（ｍ，　６Ｈ），　０．８５　（ｍ，　１２Ｈ）．
＜合成例２２＞（化合物５１の合成）
　下記式で表される化合物１９及び化合物５０を用いて下記式で表される化合物５１を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000116
　１０ｍＬ四つ口フラスコに化合物５０（東京化成工業社製）を１．２ｇ（４．０５ｍｍｏｌ）、化合物１９を３．１５ｇ（４．０５ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン４０．５ｍＬを入れ、窒素ガスで３０分間バブリングして脱気を行った。
　次に、氷浴により０℃に冷却した後に、Ｔｒｉｓ（ｄｉｂｅｎｚｙｌｉｄｅｎｅａｃｅｔｏｎｅ）ｄｉｐａｌｌａｄｉｕｍ（０）を０．１１１ｇ（０．１２ｍｍｏｌ）、Ｔｒｉ－ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｏｎｉｕｍ　Ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｂｏｒａｔｅを０．０７４ｇ（０．２４ｍｍｏｌ）、３．０Ｍリン酸カリウム水溶液を４０．５ｍＬをこの順に加えた。
　４時間撹拌した後に、常温まで昇温し、反応液を水、クロロホルムで希釈して分液洗浄して、有機層を得た。
　次に、得られた有機層を水、及び飽和食塩水で１回ずつ洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過した後に減圧下で溶媒を留去した。
　得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製することで化合物５１を黒色固体として２．４３ｇ（収率８０．５％）得た。
　得られた化合物５１について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　８．５７　（ｓ，　１Ｈ），　８．２７　（ｓ，　１Ｈ），　７．１１　（ｄ，　ＪＨＨ＝５．６Ｈｚ，　１Ｈ），　６．６９　（ｄ，　ＪＨＨ＝５．６Ｈｚ，　１Ｈ），　１．９６　（ｍ，　４Ｈ），　１．１９－１．４９　（ｍ，　４０Ｈ），　０．８２－０．８９　（ｍ，　６Ｈ）.
＜合成例２３＞（化合物５３の合成）
　下記式で表される化合物５１及び化合物５２を用いて下記式で表される化合物５３を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000117
　１００ｍＬ四つ口フラスコに５１を２．２９ｇ（２．８４ｍｍｏｌ）、国際公開第２０１４／１１２６５６号に記載の方法により合成した化合物５２を１．１２ｇ（１．４２ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを１４．２ｍＬ入れ、窒素ガスで３０分間バブリングを行うことで脱気した。
　次に、Ｔｒｉｓ（ｄｉｂｅｎｚｙｌｉｄｅｎｅａｃｅｔｏｎｅ）ｄｉｐａｌｌａｄｉｕｍ（０）を０．０３９ｇ（０．０４ｍｍｏｌ）、Ｔｒｉ－ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｏｎｉｕｍ　Ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｂｏｒａｔｅを０．０２６ｇ（０．０９ｍｍｏｌ）、３．０Ｍリン酸カリウム水溶液を１４．２ｍＬをこの順に加え、４０℃のオイルバスにつけて昇温した。
　次いで、３時間撹拌した後に常温まで放冷した。得られた反応液を水、クロロホルムで希釈し、分液ロートを用いて分液洗浄して有機層を採取し、酢酸水で１回、飽和食塩水で１回洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過した後に減圧下で溶媒を留去した。
　得られた粗生成物をヘキサンに溶解させた後にアセトンを加え、析出した固体をろ過することで青黒色固体として化合物５３を２．１４ｇ（収率８１％、１．１５ｍｍｏｌ）得た。
　得られた化合物５３について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　８．７１　（ｄ,　ＪＨＨ＝４．８Ｈｚ,　２Ｈ），　８．２６　（ｄ,　　ＪＨＨ＝４．８Ｈｚ,　２Ｈ），　７．８１　（ｓ，　１Ｈ），７．７３　（ｓ，　１Ｈ），　７．１０　（ｍ,　２Ｈ），　６．６９　（ｄ,　２Ｈ），　１．９４－２．０４　（ｍ，　１２Ｈ），　１．２０－１．５１　（ｍ，　１２０Ｈ），　０．８１－０．８６　（ｍ，　１８Ｈ）.
＜合成例２４＞（化合物５４の合成）
　下記式で表される化合物５３を用いて下記式で表される化合物５４を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000118
　アルゴンガスで内部の雰囲気を置換した５０ｍＬ二口フラスコに、化合物５３を１．０２ｇ（０．５５ｍｍｏｌ）、クロロホルムを２７．５ｍＬ、（Ｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｉｍｉｎｉｕｍ　Ｃｈｌｏｒｉｄｅを０．２１１ｇ（１．６５ｍｍｏｌ）を入れ、６０℃に昇温した。
　冷却後、反応液に水を加え、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で２回分液洗浄を行った。得られた溶液を、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥して、ろ過を行い、減圧下で溶媒を留去した。
　得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製することで黒色固体として化合物５４を０．９７９ｇ（収率９２．９％、０．１９１ｍｍｏｌ）得た。
　得られた化合物５４について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　９．７　（ｓ,　１Ｈ），　９．７５　（ｓ,　１Ｈ），　８．６６　（ｓ,　２Ｈ），　８．２５　（ｓ，　１Ｈ），　８．２３　（ｓ,　１Ｈ），　７．８３　（ｓ，　１Ｈ），　７．７２　（ｓ,　１Ｈ），　７．２８　（ｓ，　１Ｈ），　７．２６　（ｓ，　１Ｈ），　１．９９－２．０７　（ｍ，　１２Ｈ），　１．１８－１．５１　（ｍ，　１２０Ｈ），　０．７９－０．８６　（ｍ，　１８Ｈ）.
＜実施例１４＞（化合物Ｎ－１４の合成）
　下記式で表される化合物５４及び化合物１２を用いて下記式で表される化合物５５（化合物Ｎ－１４）を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000119
　内部の雰囲気を窒素ガスで置換した５０ｍＬ二つ口フラスコに、化合物５４を０．６２２ｇ（０．３２２ｍｍｏｌ）、脱水クロロホルムを１６ｇ、化合物１２を０．２５７ｇ、ピリジンを０．２５７ｇ入れ、６０℃に加熱したオイルバスにつけて昇温した。
　４時間撹拌した後に常温まで冷却し、クロロホルム７０ｇで希釈してシリカゲルカラムで精製することで、黒色固体として化合物５５（化合物Ｎ－１４）を０．６７５ｇ（収率８６．３％、０．２８ｍｍｏｌ）得た。
　得られた化合物Ｎ―１４について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（Ｏ－ＤＩＣＨＬＯＲＯＢＥＮＺＥＮＥ－Ｄ４）］
δ　８．４６－８．６６　（ｍ,　９Ｈ），　８．０３　（ｓ，　１Ｈ），　７．８３（ｓ，　１Ｈ），　７．６８　（ｓ，　２Ｈ），　７．４２　（ｍ,　２Ｈ），　２．１４－２．２３　（ｍ，　１２Ｈ），　１．２９－１．６６　（ｍ，　１２０Ｈ），　０．７７　（ｍ,　１８Ｈ）.
＜合成例２５＞（化合物５６の合成）
　下記式で表される化合物５５を用いて下記式で表される化合物５６を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000120
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した３００ｍＬ四つ口フラスコに、文献（Ｄｙｅｓ　ａｎｄ　Ｐｉｇｍｅｎｔｓ,　２０１５，１１２，１４５．）に記載の方法により合成した化合物５５を４．００ｇ（７．７７ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを７８ｍＬ入れ、－３０℃まで冷却した。
　次に、四つ口フラスコに、Ｎ－ブロモスクシンイミドを１．３１ｇ（７．３８ｍｍｏｌ）加え、－３０℃で６時間攪拌した。
　次いで、得られた溶液を常温まで昇温し、常温でさらに３時間攪拌して反応させた後、さらに３％亜硫酸ナトリウム水溶液を加えることで反応を停止させた。
　得られた反応液をヘキサンで抽出したのち、水及び飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄して有機層を得た。
　次に、得られた有機層を、硫酸マグネシウムで乾燥して、ろ過を行い、さらに減圧下で溶媒を留去した。
　得られた粗生成物をシリカゲルカラムにて精製することにより、化合物５６を薄黄色のオイルとして４．１６ｇ（７．０１ｍｍｏｌ、収率９４．９％）得た。
　得られた化合物５６について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　７．１６　（ｄ，　ＪＨＨ＝８．４Ｈｚ，　４Ｈ），７．１０　（ｄ，　ＪＨＨ＝８．４Ｈｚ，　４Ｈ），　６．９８　（ｄ，　ＪＨＨ＝４．８Ｈｚ,　１Ｈ），６．７５　（ｄ，　ＪＨＨ＝４．８Ｈｚ，　１Ｈ），　６．４２　（ｓ,　１Ｈ）,　２．５８　（ｔ,　４Ｈ）,　１．６３―１．５７（ｍ，　４Ｈ），　１．３６―１．２７　（ｂｒ，　１２Ｈ），　０．８７　（ｔ，　６Ｈ）．
＜合成例２６＞（化合物５７の合成）
　下記式で表される化合物５６を用いて下記式で表される化合物５７を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000121
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した１００ｍＬ三つ口フラスコに、化合物５６を４．１３ｇ（６．９６ｍｍｏｌ）、脱水テトラヒドロフランを７０ｍＬ加え、得られた溶液を－７０℃まで冷却した後、ｎ－ブチルリチウム溶液（１．６４ｍｏｌ／Ｌ、ヘキサン溶液）を４．１３ｍＬ加え、１時間攪拌を行った。
　次に、反応液を－７０℃で保持したまま、トリメトキシボランを１．０１ｇ（９．７４ｍｍｏｌ）を加え、２時間攪拌を行った。
　次いで、得られた反応液に１０質量％酢酸水溶液（３０ｍＬ）を入れ、酢酸エチルを用いて分液操作を行い、有機層を抽出した。得られた有機層に対し、トルエン（２０ｍＬ）、２－ヒドロキシメチレン－２－メチル－１，３－プロパンジオール１．２５ｇ（１０．４ｍｍｏｌ）を加え、ディーンスターク管を用いた脱水操作を３０分間行った。さらに溶媒をロータリーエバポレーターで除き、化合物５７の粗生成物４．４７ｇを緑色オイルとして取得した。
＜合成例２７＞（化合物５９の合成）
　下記式で表される化合物５７及び化合物５８を用いて下記式で表される化合物５９を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000122
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した３００ｍＬ四つ口フラスコに、特開２０１３－４３８１８号公報に記載の方法により合成した化合物５８を１．００ｇ（１．４３ｍｍｏｌ）、化合物５７を２．２０ｇ（３．４３ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを１４ｍＬ入れ、３０分間アルゴンガスでバブリングを行うことで脱気した。
　次いで、四つ口フラスコに、Ｔｒｉｓ（ｄｉｂｅｎｚｙｌｉｄｅｎｅａｃｅｔｏｎｅ）ｄｉｐａｌｌａｄｉｕｍ（０）を０．１０５ｇ（０．１１ｍｍｏｌ、８ｍｏｌ％）、Ｔｒｉ－ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｏｎｉｕｍ　Ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｂｏｒａｔｅを０．０７０ｇ（０．２３ｍｍｏｌ、１６ｍｏｌ％）、テトラヒドロフランを５ｍＬ入れ、５分間攪拌した。
　次に、４つ口フラスコに、３．０Ｍリン酸カリウム水溶液を１４ｍＬ加え、反応液を設定温度５０℃のオイルバスで３時間、加熱しつつ攪拌した。
　反応液を冷却後、４つ口フラスコに、水を１００ｍＬ、ヘキサンを１００ｍＬ加え、有機層を水で３回、飽和塩化ナトリウム水溶液で１回、分液洗浄を行った。
　得られた溶液を、無水硫酸ナトリウムを用いて乾燥後、ろ過し、減圧下で溶媒を留去した。
　得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製することにより、化合物５９を赤色オイルとして１．７４ｇ（１．１１ｍｍｏｌ、収率７８％）得た。
　得られた化合物５９について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　７．３８　（ｓ，　１Ｈ），　７．２３―７．１８　（ｍ,　８Ｈ），７．１４―７．１０　（ｍ,　８Ｈ），７．０３―７．００　（ｍ，　２Ｈ），６．９２　（ｓ，　１Ｈ），６．７９―６．７７　（ｍ，　２Ｈ），　６．５８　（ｓ，　１Ｈ），　６．５３　（ｓ，　１Ｈ），２．６２―２．５７　（ｍ，　８Ｈ），　２．１９―２．１１　（ｍ，　２Ｈ），　１．７１―１．５６　（ｍ,　１０Ｈ）,　１．３７―１．２５　（ｍ，　２８Ｈ），　１．２５―１．０８　（ｂｒ，　３６Ｈ），　０．８９―０．８３　（ｍ，　１８Ｈ）．
＜合成例２８＞（化合物６０の合成）
　下記式で表される化合物５９を用いて下記式で表される化合物６０を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000123
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した１００ｍＬ三つ口フラスコに、化合物５９を１．７４ｇ（１．１１ｍｍｏｌ）、クロロホルムを１２ｍＬ入れ、常温で１０分間攪拌して化合物５９を溶解させた。
　次に、三つ口フラスコに、（Ｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｉｍｉｎｉｕｍ　Ｃｈｌｏｒｉｄｅを０．４３ｇ（３．３３ｍｍｏｌ）入れ、設定温度６５℃のオイルバスで２時間、加熱しつつ攪拌した。
　次いで、反応液を冷却後、水を２０ｍＬ加え、有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で２回分液洗浄を行った。得られた溶液を無水硫酸ナトリウムを用いて乾燥して、ろ過を行い、減圧下で溶媒を留去した。
　得られた粗生成物を、シリカゲルカラムにて精製することにより、化合物６０を濃赤色オイルとして１．６３ｇ（１．０１ｍｍｏｌ、収率９０．６％）得た。
　得られた化合物６０について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　９．７６　（ｓ，　１Ｈ），　９．７５　（ｓ，　１Ｈ），　７．４６　（ｓ，　１Ｈ），　７．３７　（ｓ，　１Ｈ），　７．３６　（ｓ，　１Ｈ），　７．２１―７．１２　（ｍ,　１６Ｈ）,　７．００　（ｓ，　１Ｈ），　６．６１　（ｓ，　１Ｈ），　６．５８　（ｓ,　１Ｈ）,　２．６３―２．５８　（ｍ,　８Ｈ）,　　２．２１―２．１３（ｍ，　２Ｈ），　１．７３―１．５７　（ｍ，　１０Ｈ），　１．３７―１．２６　（ｍ，　２８Ｈ），　１．２４―１．０９　（ｂｒ，　３６Ｈ），　０．８９―０．８３　（ｍ，　１８Ｈ）．
＜実施例１５＞（化合物Ｎ－１５の合成）
　下記式で表される化合物１２及び化合物６０を用いて下記式で表される化合物６１（化合物Ｎ―１５）を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000124
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した１００ｍＬ四つ口フラスコに、化合物６０を０．５７ｇ（０．３５ｍｍｏｌ）、化合物１２を０．２８ｇ（１．０５ｍｍｏｌ）、クロロホルムを１０ｍＬ、ピリジンを０．００３ｇ（０．０４ｍｍｏｌ）入れ、６５℃のオイルバスで２時間、加熱しつつ攪拌した。
　得られた溶液を常温まで冷却し、水を加えることで反応を停止させた。得られた溶液をクロロホルムで抽出したのち、水で２回、飽和塩化ナトリウム水溶液で１回洗浄して有機層を得た。
　次に、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過を行い、さらに減圧下で溶媒を留去した。
　得られた粗生成物を、シリカゲルカラムにて精製することにより、化合物６１（化合物Ｎ－１５）を濃青緑色の固体として０．６４ｇ（０．３０ｍｍｏｌ、収率８６．３％）得た。
　得られた化合物Ｎ－１５について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　８．７４　（ｓ，　１Ｈ），　８．７３　（ｓ,　１Ｈ）,　８．６９　（ｓ,　１Ｈ）,　８．６８　（ｓ,　１Ｈ）,　７．９１　（ｓ，　１Ｈ），　７．９０　（ｓ，　１Ｈ），　７．４９　（ｓ，　２Ｈ），　７．４６　（ｓ，　１Ｈ），　７．２１―７．１４　（ｍ，　１６Ｈ），　７．０３　（ｓ，　１Ｈ），　６．６７　（ｓ，　１Ｈ），　６．６４　（ｓ，　１Ｈ），　２．６４―２．５９　（ｍ,　８Ｈ）,　２．２４―２．１７（ｍ，　２Ｈ），　１．９９―１．８６　（ｍ，　８Ｈ），　１．７６―１．５９　（ｍ，　１０Ｈ），　１．３８―１．２６　（ｍ，　２８Ｈ），　１．２４―１．１２　（ｂｒ,　３６Ｈ）,　０．８９―０．８３　（ｍ，　１８Ｈ）．
＜合成例２９＞（化合物６３の合成）
　下記式で表される化合物６２を用いて下記式で表される化合物６３を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000125
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した３００ｍＬ四つ口フラスコに、国際公開第２０１１／０５２７０９号の段落[０２６１]から[０２７１]に記載の方法により合成した化合物６２を５．０２ｇ（１２．０ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを１００ｍＬ入れ、－３０℃まで冷却した。
　次に、四つ口フラスコに、Ｎ－ブロモスクシンイミドを２．１１ｇ（１１．９ｍｍｏｌ）加え、－３０℃で６時間攪拌した。
　次いで、得られた溶液を常温まで昇温し、常温でさらに３時間攪拌して反応させた後、さらに３％亜硫酸ナトリウム水溶液を加えることで反応を停止させた。
　得られた反応液をヘキサンで抽出したのち、水及び飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄して有機層を得た。
　次に、得られた有機層を、硫酸マグネシウムで乾燥して、ろ過を行い、さらに減圧下で溶媒を留去した。
　得られた粗生成物をシリカゲルカラムにて精製することにより、化合物６３を薄黄色のオイルとして４．６６ｇ（９．３６ｍｍｏｌ、収率７８．０％）得た。
　得られた化合物６３について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　６．９８　（ｄ，　ＪＨＨ＝４．８Ｈｚ，　１Ｈ），　６．６６　（ｓ，　１Ｈ），６．６５　（ｄ，　ＪＨＨ＝４．８Ｈｚ，　１Ｈ），　１．８７―１．７４（ｍ，　４Ｈ），　１．４１―１．２３　（ｂｒ，　２４Ｈ），　０．８６　（ｔ，　６Ｈ）．
＜合成例３０＞（化合物６４の合成）
　下記式で表される化合物６３を用いて下記式で表される化合物６４を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000126
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した１００ｍＬ三つ口フラスコに、化合物６３を４．５９ｇ（９．２３ｍｍｏｌ）、脱水テトラヒドロフランを９０ｍＬ加え、得られた溶液を－７０℃まで冷却した後、ｎ－ブチルリチウム溶液（１．６４ｍｏｌ／Ｌ、ヘキサン溶液）を５．８ｍＬ加え、１時間攪拌を行った。
　次に、反応液を－７０℃で保持したまま、トリメトキシボランを２．４３ｇ（１２．９ｍｍｏｌ）を加え、２時間攪拌を行った。
　次いで、得られた反応液に１０質量％酢酸水溶液（３０ｍＬ）を入れ、酢酸エチルを用いて分液操作を行い、有機層を抽出した。得られた有機層に対し、トルエン（２０ｍＬ）、２－ヒドロキシメチレン－２－メチル－１，３－プロパンジオール１．６６ｇ（１３．８２ｍｍｏｌ）を加え、ディーンスターク管を用いた脱水操作を３０分間行った。さらに溶媒をロータリーエバポレーターで除き、化合物６４の粗生成物５．００ｇを緑色オイルとして取得した。
＜合成例３１＞（化合物６６の合成）
　下記式で表される化合物６４及び化合物６５を用いて下記式で表される化合物６６を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000127
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した２００ｍＬ四つ口フラスコに、文献（ＡＣＳ　Ｏｍｅｇａ２０１７,　２,　４３４７.）に記載の方法により合成した化合物６５を１．６５ｇ（２．８０ｍｍｏｌ）、化合物６４を３．８３ｇ（７．００ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを９３ｍＬ入れ、３０分間アルゴンガスでバブリングを行うことで脱気した。
　次いで、四つ口フラスコに、Ｔｒｉｓ（ｄｉｂｅｎｚｙｌｉｄｅｎｅａｃｅｔｏｎｅ）ｄｉｐａｌｌａｄｉｕｍ（０）を０．１２８ｇ（０．１４０ｍｍｏｌ、５ｍｏｌ％）、Ｔｒｉ－ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌｐｈｏｓｐｈｏｎｉｕｍ　Ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｂｏｒａｔｅを０．１７０ｇ（０．５６０ｍｍｏｌ、２０ｍｏｌ％）、テトラヒドロフランを５ｍＬ入れ、５分間攪拌した。
　次に、４つ口フラスコに、３．０Ｍリン酸カリウム水溶液を９．３ｍＬ加え、反応液を設定温度５０℃のオイルバスで３時間、加熱しつつ攪拌した。
　反応液を冷却後、４つ口フラスコに、水を１００ｍＬ、ヘキサンを１００ｍＬ加え、有機層を水で３回、飽和塩化ナトリウム水溶液で１回、分液洗浄を行った。
　得られた溶液を、無水硫酸ナトリウムを用いて乾燥後、ろ過し、減圧下で溶媒を留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製することにより、化合物６６を赤色オイルとして３．２１ｇ（２．５４ｍｍｏｌ、収率９０．６％）得た。
　得られた化合物６６について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　７．４４　（ｓ，　１Ｈ），　７．０３　（ｄ，　ＪＨＨ＝４．０Ｈｚ，　１Ｈ），７．０２　（ｄ，　ＪＨＨ＝４．０Ｈｚ，　１Ｈ），　６．９７　（ｓ，　１Ｈ），　６．８３　（ｓ，　１Ｈ），　６．８０　（ｓ，　１Ｈ），　６．８９　（ｄ，　ＪＨＨ＝４．８Ｈｚ，　１Ｈ），　６．６８　（ｄ，　ＪＨＨ＝４．８Ｈｚ，　１Ｈ），２．２３―２．１６（ｍ，　２Ｈ），　１．９４―１．８１　（ｍ，　８Ｈ），　１．７７―１．６９　（ｍ，　２Ｈ），　１．４４―１．１１　（ｂｒ，　７２Ｈ），　０．８６―０．８０　（ｍ，　１８Ｈ）．
＜合成例３２＞（化合物６７の合成）
　下記式で表される化合物６６を用いて下記式で表される化合物６７を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000128
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した１００ｍＬ三つ口フラスコに、化合物６６を３．４１ｇ（２．７０ｍｍｏｌ）、クロロホルムを８０ｍＬ入れ、常温で１０分間攪拌して化合物６６を溶解させた。
　次に、三つ口フラスコに、（Ｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｉｍｉｎｉｕｍ　Ｃｈｌｏｒｉｄｅを１．０４ｇ（８．１０ｍｍｏｌ）入れ、設定温度６５℃のオイルバスで２時間、加熱しつつ攪拌した。
　次いで、反応液を冷却後、水を２０ｍＬ加え、有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で２回分液洗浄を行った。得られた溶液を無水硫酸ナトリウムを用いて乾燥して、ろ過を行い、減圧下で溶媒を留去した。
　得られた粗生成物を、シリカゲルカラムにて精製することにより、化合物６７を濃赤色固体として２．９７ｇ（２．２５ｍｍｏｌ、収率８３．３％）得た。
　得られた化合物６７について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　９．７９　（ｓ，　１Ｈ），　９．７８　（ｓ，　１Ｈ），　７．５３　（ｓ，　１Ｈ），　７．２９　（ｓ，　１Ｈ），　７．２８　（ｓ，　１Ｈ），　７．０６　（ｓ，　１Ｈ），　６．８７　（ｓ，　１Ｈ），　２．２５―２．１７（ｍ，　２Ｈ），　１．９６―１．８４　（ｍ，　８Ｈ），　１．７８―１．７１　（ｍ，　２Ｈ），　１．４４―１．１２　（ｂｒ，　７２Ｈ），　０．８７―０．７９　（ｍ，　１８Ｈ）．
＜実施例１６＞（化合物Ｎ－１６の合成）
　下記式で表される化合物１２及び化合物６７を用いて下記式で表される化合物６８（化合物Ｎ―１６）を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000129
　窒素ガスで内部の雰囲気を置換した１００ｍＬ四つ口フラスコに、化合物６７を０．８５８ｇ（０．６５０ｍｍｏｌ）、化合物１２を０．５１３ｇ（１．９５ｍｍｏｌ）、クロロホルムを３０ｍＬ、ピリジンを０．５１４ｇ（６．５０ｍｍｏｌ）入れ、６５℃のオイルバスで２時間、加熱しつつ攪拌した。
　得られた溶液を常温まで冷却し、水を加えることで反応を停止させた。得られた溶液をクロロホルムで抽出したのち、水で２回、飽和塩化ナトリウム水溶液で１回洗浄して有機層を得た。
　次に、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過を行い、さらに減圧下で溶媒を留去した。
　得られた粗生成物を、シリカゲルカラムにて精製することにより、化合物６８（化合物Ｎ－１６）を濃青緑色の固体として０．９６７ｇ（０．５３４ｍｍｏｌ、収率８２．２％）得た。
　得られた化合物Ｎ－１６について、ＮＭＲスペクトルを解析した。結果は下記のとおりである。
［１Ｈ　ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ３）］
δ　８．７４　（ｓ，　４Ｈ），　７．９２　（ｓ，　１Ｈ），　７．９１　（ｓ，　１Ｈ），　７．６３　（ｓ，　１Ｈ），　７．４０　（ｓ，　１Ｈ），　７．３８　（ｓ，　１Ｈ），　７．１５　（ｓ，　１Ｈ），　６．９４　（ｓ，　１Ｈ），　６．９１　（ｓ，　１Ｈ），　２．２９―２．２２（ｍ，　２Ｈ），　１．９９―１．８６　（ｍ，　８Ｈ），　１．８２―１．７５　（ｍ，　２Ｈ），　１．４４―１．１４　（ｂｒ，　７２Ｈ），　０．９２―０．８０　（ｍ，　１８Ｈ）．
＜調製例１＞（インクＩ－１の調製）
　溶媒であるｏ－ジクロロベンゼン（ＯＤＣＢ）に、ｐ型半導体材料である高分子化合物Ｐ―１をインクの全重量に対し０．８重量％の濃度となるように、また、ｎ型半導体材料である化合物Ｎ－１をインクの全重量に対して０．８重量％の濃度となるように（ｐ型半導体材料／ｎ型半導体材料＝１／１）混合し、６０℃で８時間撹拌を行って得られた混合液をフィルターを用いてろ過し、インク（Ｉ－１）を得た。
＜調製例２＞（インクＩ－２の調製）
　溶媒であるＯＤＣＢに、ｐ型半導体材料である高分子化合物Ｐ―１をインクの全重量に対し１．２重量％の濃度となるように、また、ｎ型半導体材料である化合物Ｎ－２をインクの全重量に対して１．２重量％の濃度となるように（ｐ型半導体材料／ｎ型半導体材料＝１／１）混合し、６０℃で８時間撹拌を行って得られた混合液をフィルターを用いてろ過し、インク（Ｉ－２）を得た。
＜調製例３～１７＞（インク（Ｉ－３）～（Ｉ－１７）の調製）
　ｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料を下記表５に示す組み合わせで使用した以外は、調製例２と同様にして、インク（Ｉ－３）～（Ｉ－１７）の調製を行った。
＜調製例１８＞（インクＩ－１８の調製）
　ｏ－キシレン（ｏＸＹ）に、ｐ型半導体材料である高分子化合物Ｐ―１をインクの全重量に対し１．２重量％の濃度となるように、また、ｎ型半導体材料である化合物Ｎ－２をインクの全重量に対して１．２重量％の濃度となるように（ｐ型半導体材料／ｎ型半導体材料＝１／１）混合し、６０℃で８時間撹拌を行って得られた混合液をフィルターを用いてろ過し、インク（Ｉ－１８）を得た。
＜調製例１９＞（インクＩ－１９の調製）
　第１溶媒としてｏ－キシレン、第２溶媒としてアセトフェノン（ＡＰ）を用い、第１溶媒と第２溶媒との体積比を９７：３として混合溶媒を調製した。調製した混合溶媒に、ｐ型半導体材料である高分子化合物Ｐ―１をインクの全重量に対し１．２重量％の濃度となるように、また、ｎ型半導体材料である化合物Ｎ－２をインクの全重量に対して１．２重量％の濃度となるように（ｐ型半導体材料／ｎ型半導体材料＝１／１）混合し、６０℃で８時間撹拌を行って得られた混合液をフィルターを用いてろ過し、インク（Ｉ－１９）を得た。
＜調製例２０＞（インクＩ－２０の調製）
　第１溶媒としてｏ－キシレン、第２溶媒としてメチルベンゾエート（ＭＢＺ）を用い、第１溶媒と第２溶媒との体積比を９７：３として混合溶媒を調製した。調製した混合溶媒に、ｐ型半導体材料である高分子化合物Ｐ―１をインクの全重量に対し１．２重量％の濃度となるように、また、ｎ型半導体材料である化合物Ｎ－１２をインクの全重量に対して１．２重量％の濃度となるように（ｐ型半導体材料／ｎ型半導体材料＝１／１）混合し、６０℃で８時間撹拌を行って得られた混合液をフィルターを用いてろ過し、インク（Ｉ－２０）を得た。
＜調製例２１～２４＞（インク（Ｉ－２１）～（Ｉ－２４）の調製）
　ｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料を下記表５に示す組み合わせで使用した以外は、調製例２０と同様にして、インク（Ｉ－２１）～（Ｉ－２４）の調製を行った。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000130
＜実施例１７＞（光電変換素子の製造及び評価）
　（１）光電変換素子及びその封止体の製造
　スパッタ法により５０ｎｍの厚さでＩＴＯの薄膜（陽極）が形成されたガラス基板を用意し、このガラス基板に対し、表面処理としてオゾンＵＶ処理を行った。
　次に、インク（Ｉ－１）を、ＩＴＯの薄膜上にスピンコート法により塗布して塗膜を形成した後、窒素ガス雰囲気下で１００℃に加熱したホットプレートを用いて１０分間加熱処理して乾燥させ、活性層を形成した（プリベーク工程）。形成された活性層の厚さは約１５０ｎｍであった。
　次に、抵抗加熱蒸着装置内にて、形成された活性層上にカルシウム（Ｃａ）層を約５ｎｍの厚さで形成し、電子輸送層とした。
　次いで、形成された電子輸送層上に、銀（Ａｇ）層を約６０ｎｍの厚さで形成し、陰極とした。
　以上の工程により光電変換素子が、ガラス基板上に製造された。
　次に、製造された光電変換素子の周辺を囲むように、支持基板であるガラス基板上に封止材であるＵＶ硬化性封止剤を塗布し、封止基板であるガラス基板を貼り合わせた後、ＵＶ光を照射することで、光検出素子を支持基板と封止基板との間隙に封止することにより光電変換素子の封止体を得た。支持基板と封止基板との間隙に封止された光電変換素子の厚さ方向から見たときの平面的な形状は２ｍｍ×２ｍｍの正方形であった。得られた封止体をサンプル１とした。
　（２）光電変換素子の評価（外部量子効率）
　製造されたサンプル１に対し、－５Ｖの逆バイアス電圧を印加し、この印加電圧における外部量子効率（ＥＱＥ）をソーラーシミュレーター（ＣＥＰ－２０００、分光計器社製）を用いて測定して評価した。結果を下記表６に示す。
　ＥＱＥについては、まず光電変換素子の封止体に、－５Ｖの逆バイアス電圧を印加した状態で、３００ｎｍから１２００ｎｍの波長範囲において２０ｎｍごとに一定の光子数（１．０×１０１６）の光を照射したときに発生する電流の電流値を測定し、公知の手法により波長３００ｎｍから１２００ｎｍにおけるＥＱＥのスペクトルを求めた。
　次いで、得られた２０ｎｍごとの複数の測定値のうち、吸収ピーク波長に最も近い波長（λｍａｘ）における測定値をＥＱＥの値（％）とした。
＜実施例１８＞（光電変換素子の製造及び評価）
　インク（Ｉ－１）の代わりに、インク（Ｉ－２）を用い、形成された活性層の厚さが約３００ｎｍであること以外は、既に説明した実施例１７と同様にして、光電変換素子の封止体を製造し、評価した。結果を下記表６に示す。
＜実施例１９～４０＞（光電変換素子の製造及び評価）
　インク（Ｉ－２）の代わりに、インク（Ｉ－３）～（Ｉ－２４）を用いたこと以外は、既に説明した実施例１８と同様にして、光電変換素子の封止体を製造し、評価した。結果を下記表６に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000131
＜実施例４１～４８＞光電変換素子の評価（耐熱性）
　上記のとおり製造された実施例１７～２１、２４～２５及び３３にかかる光電変換素子についてそれぞれ、ＥＱＥを指標とする耐熱性の評価を行った。
　具体的には、既に説明したプリベーク工程における加熱温度を１００℃として、プリベーク工程のみを実施した光電変換素子（サンプル１）におけるＥＱＥの値を基準として、当該値を、加熱温度を２２０℃としてポストベーク工程がさらに実施された光電変換素子（サンプル２）におけるＥＱＥの値で除算することにより規格化して得た値（ＥＱＥ２２０℃／ＥＱＥ１００℃）を評価した。結果を下記表７に示す。
　ここで、ポストベーク工程は、具体的には、窒素ガス雰囲気下、２２０℃に加熱したホットプレート上で、既に説明したサンプル１を５０分間加熱処理することにより実施した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000132
　表７から明らかなとおり、実施例４１～４８にかかる「サンプル２」については、いずれもＥＱＥ２２０℃／ＥＱＥ１００℃が、０．８５以上であり、１．０６～４．５０に達していることから、ポストベーク工程における加熱温度が２２０℃である場合においてＥＱＥの値は低下せず、ＥＱＥはむしろ向上する傾向があることがわかった。よって、耐熱性の評価は１００℃～２２０℃の範囲で「良好（○）」であるといえる。
＜実施例４９～５３＞光電変換素子の評価（耐熱性）
　上記のとおり製造された実施例３６～４０にかかる光電変換素子についてそれぞれ、ＥＱＥを指標とする耐熱性の評価を行った。
　具体的には、既に説明したプリベーク工程における加熱温度を１００℃として、プリベーク工程のみを実施した光電変換素子（サンプル１）におけるＥＱＥの値を基準として、当該値を、加熱温度を２００℃としてポストベーク工程がさらに実施された光電変換素子（サンプル３）におけるＥＱＥの値で除算することにより規格化して得た値（ＥＱＥ２００℃／ＥＱＥ１００℃）を評価した。結果を下記表８に示す。
　ここで、ポストベーク工程は、具体的には、窒素ガス雰囲気下、２００℃に加熱したホットプレート上で、既に説明したサンプル１を５０分間加熱処理することにより実施した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000133
　表８から明らかなとおり、実施例４９～５３にかかる「サンプル３」については、いずれもＥＱＥ２００℃／ＥＱＥ１００℃が、０．８５以上であり、０．８５～１．５４に達していることから、ポストベーク工程における加熱温度が２００℃である場合においてＥＱＥの値はほとんど低下することなく、むしろ向上する場合もありうることがわかった。
よって、耐熱性の評価は１００℃～２００℃の範囲で「良好（○）」であるといえる。
＜比較調整例＞
　ｎ型半導体材料及びｐ型半導体材料を下記表９に示す組み合わせで使用した以外は、調製例１と同様の方法でインク（Ｃ－１）～（Ｃ－２）の調製を行った。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000134
＜比較例１～２＞光電変換素子の評価（耐熱性）
　インク（Ｉ－２）の代わりに、インク（Ｃ－１）～（Ｃ－２）を用いたこと以外は、既に説明した実施例１８と同様にして、光電変換素子の封止体を製造し、既に説明した実施例２７～３１と同様にして光電変換素子それぞれについて、ＥＱＥを指標とする耐熱性の評価を行った。結果を下記表１０に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000135
　比較例１～２にかかる「サンプル２」の耐熱性の評価は、表１０から明らかなとおり、少なくとも２２０℃の加熱で「ＥＱＥ２２０℃／ＥＱＥ１００℃」の値が０．８未満となることから、ＥＱＥの値はポストベーク工程における加熱温度が２２０℃である加熱処理によって低下してしまうことがわかった。よって、比較例１～２にかかるＥＱＥを指標とした耐熱性の評価は「不良（×）」である。
＜比較調製例３～４＞
　ｎ型半導体材料及びｐ型半導体材料を下記表１１に示す組み合わせで使用した以外は、調製例２０と同様の方法でインク（Ｃ－３）～（Ｃ－４）の調製を行った。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000136
＜比較例３～４＞光電変換素子の評価（耐熱性）
　インク（Ｉ－２）の代わりに、インク（Ｃ－３）～（Ｃ－４）を用いたこと以外は、既に説明した実施例１８と同様にして、光電変換素子の封止体を製造し、既に説明した実施例４９～５３と同様にして光電変換素子それぞれについて、ＥＱＥを指標とする耐熱性の評価を行った。結果を下記表１２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000137
　比較例３～４にかかる「サンプル４」の耐熱性の評価は、表１２から明らかなとおり、少なくとも２００℃の加熱で「ＥＱＥ２００℃／ＥＱＥ１００℃」の値が０．５未満となることから、ＥＱＥの値はポストベーク工程における加熱温度が２００℃である加熱処理により低下してしまうことがわかった。よって、比較例３～４にかかるＥＱＥを指標とした耐熱性の評価は「不良（×）」である。
　１　イメージ検出部
　２　表示装置
　１０　光電変換素子
　１１、２１０　支持基板
　１２　陽極
　１３　正孔輸送層
　１４　活性層
　１５　電子輸送層
　１６　陰極
　１７　封止部材
　２０　ＣＭＯＳトランジスタ基板
　３０　層間絶縁膜
　３２　層間配線部
　４０　封止層
　４２　シンチレータ
　４４　反射層
　４６　保護層
　５０　カラーフィルター
　１００　指紋検出部
　２００　表示パネル部
　２００ａ　表示領域
　２２０　有機ＥＬ素子
　２３０　タッチセンサーパネル
　２４０　封止基板
　３００　静脈検出部
　３０２　ガラス基板
　３０４　光源部
　３０６　カバー部
　３１０　挿入部
　４００　ＴＯＦ型測距装置用イメージ検出部
　４０２　浮遊拡散層
　４０４　フォトゲート
　４０６　遮光部

Claims (14)

  1. 　下記式（Ｉ）で表される化合物。
     
    Ａ１－Ｂ１－Ａ１　（Ｉ）
     
    （式（Ｉ）中、
    　Ａ１は、電子求引性の基を表し、
    　Ｂ１は、単結合で連結してπ共役系を構成する２以上の構成単位を含む２価の基を表し、該２以上の構成単位のうちの少なくとも１つは下記式（ＩＩ）で表される第１の構成単位であり、かつ該第１の構成単位以外の残余の第２の構成単位は不飽和結合を含む２価の基、アリーレン基又はヘテロアリーレン基である。
    　２つあるＡ１は、互いに異なっていてもよい。前記第１の構成単位が２つ以上ある場合、２つ以上ある第１の構成単位は、互いに同一であっても異なっていてもよい。第２の構成単位が２つ以上ある場合、２つ以上ある第２の構成単位は、互いに同一であっても異なっていてもよい。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （式（ＩＩ）中、
    　Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭素環又は置換基を有していてもよい芳香族複素環を表し、
    　Ｙは、－Ｃ（＝Ｏ）－で表される基又は酸素原子を表し、
    　Ｒは、それぞれ独立して、
    　水素原子、
    　ハロゲン原子、
    　置換基を有していてもよいアルキル基、
    　置換基を有していてもよいシクロアルキル基、
    　置換基を有していてもよいアリール基、
    　置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、
    　置換基を有していてもよいシクロアルキルオキシ基、
    　置換基を有していてもよいアリールオキシ基、
    　置換基を有していてもよいアルキルチオ基、
    　置換基を有していてもよいシクロアルキルチオ基、
    　置換基を有していてもよいアリールチオ基、
    　置換基を有していてもよい１価の複素環基、
    　置換基を有していてもよい置換アミノ基、
    　置換基を有していてもよいアシル基、
    　置換基を有していてもよいイミン残基、
    　置換基を有していてもよいアミド基、
    　置換基を有していてもよい酸イミド基、
    　置換基を有していてもよい置換オキシカルボニル基、
    　置換基を有していてもよいアルケニル基、
    　置換基を有していてもよいシクロアルケニル基、
    　置換基を有していてもよいアルキニル基、
    　置換基を有していてもよいシクロアルキニル基、
    　シアノ基、
    　ニトロ基、
    　－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒａで表される基、又は
    　－ＳＯ２－Ｒｂで表される基を表し、
    　Ｒａ及びＲｂは、それぞれ独立して、
    　水素原子、
    　置換基を有していてもよいアルキル基、
    　置換基を有していてもよいアリール基、
    　置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、
    　置換基を有していてもよいアリールオキシ基、又は
    　置換基を有していてもよい１価の複素環基を表す。
    　複数あるＲは、互いに同一であっても異なっていてもよい。）
  2. 　Ｂ１が、前記第１の構成単位を２つ以上含む、請求項１に記載の化合物。
  3. 　前記第１の構成単位が、下記式（ＩＩＩ）で表される構成単位である、請求項１又は２に記載の化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     （式（ＩＩＩ）中、
    　Ｙ及びＲは、前記定義のとおりであり、
    　Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立して、硫黄原子又は酸素原子を表し、
    　Ｚ１及びＺ２は、それぞれ独立して、＝Ｃ（Ｒ）－で表される基又は窒素原子を表す。
    ）
  4. 　Ｂ１が、前記第１の構成単位を３つ以上含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の化合物。
  5. 　前記第２の構成単位が、不飽和結合を含む２価の基及び下記式（ＩＶ－１）～式（ＩＶ－９）で表される基からなる群から選択される、請求項１～４のいずれか１項に記載の化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
     （式（ＩＶ－１）～式（ＩＶ－９）中、Ｘ１、Ｘ２、Ｚ１、Ｚ２及びＲは前記定義のとおりである。
    　Ｒが２つある場合、２つあるＲは、互いに同一であっても異なっていてもよい。）
  6. 　Ｂ１が、前記第１の構成単位が２つ以上４つ以下連結した２価の基である、請求項１～３のいずれか１項に記載の化合物。
  7. 　Ｂ１が、下記式（Ｖ－１）～式（Ｖ－９）で表される構造からなる群から選択されるいずれか１つの構造を有する２価の基である、請求項５に記載の化合物。
     
    ―ＣＵ１－ＣＵ２－ＣＵ１－　　　　　　　　　（Ｖ－１）
     
    ―ＣＵ１－ＣＵ２－ＣＵ１－ＣＵ２―ＣＵ１―　　　　　（Ｖ－２）
     
    －ＣＵ２―ＣＵ１―ＣＵ２―ＣＵ１―ＣＵ２―　　　　　（Ｖ－３）
     
    ―ＣＵ１－ＣＵ２－ＣＵ１－ＣＵ２―ＣＵ１－ＣＵ２－ＣＵ１－　（Ｖ－４）
     
    －ＣＵ１－ＣＵ１－　　　　　　　　　　　（Ｖ－５）
     
    －ＣＵ２－ＣＵ１－ＣＵ２－　　　　　　　　　（Ｖ－６）
     
    －ＣＵ１－ＣＵ１－ＣＵ１－　　　　　　　　　（Ｖ－７）
     
    －ＣＵ２－ＣＵ１－ＣＵ１－ＣＵ２－　　　　　　　（Ｖ－８）
     
    －ＣＵ２－ＣＵ１－ＣＵ１－ＣＵ１－ＣＵ２－　　　　　（Ｖ－９）
     
    （式（Ｖ－１）～式（Ｖ－９）中、
    　ＣＵ１は、前記第１の構成単位を表し、
    　ＣＵ２は、前記第２の構成単位を表す。
    　ＣＵ１が２つ以上ある場合、２つ以上あるＣＵ１は、互いに同一であっても異なっていてもよく、ＣＵ２が２つ以上ある場合、２つ以上あるＣＵ２は、互いに同一であっても異なっていてもよい。）
  8. 　ｐ型半導体材料と、ｎ型半導体材料とを含み、該ｎ型半導体材料として、請求項１～７のいずれか１項に記載の化合物を含む、組成物。
  9. 　請求項８に記載の組成物と、溶媒とを含むインク。
  10. 　陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に設けられており、ｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料を含む活性層とを含み、該ｎ型半導体材料として、請求項１～７のいずれか１項に記載の化合物を含む、光電変換素子。
  11. 　光検出素子である、請求項１０に記載の光電変換素子。
  12. 　請求項１１に記載の光電変換素子を含む、イメージセンサー。
  13. 　請求項１１に記載の光電変換素子を含む、指紋認証装置。
  14. 　請求項１１に記載の光電変換素子を含む、静脈認証装置。
PCT/JP2021/027111 2020-07-22 2021-07-20 化合物及びこれを用いた光電変換素子 WO2022019300A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US18/016,661 US20230301185A1 (en) 2020-07-22 2021-07-20 Compound and photoelectric conversion element using same
KR1020237005331A KR20230044235A (ko) 2020-07-22 2021-07-20 화합물 및 이것을 사용한 광전 변환 소자
CN202180061226.0A CN116134037A (zh) 2020-07-22 2021-07-20 化合物和使用了该化合物的光电转换元件
EP21846928.6A EP4186909A1 (en) 2020-07-22 2021-07-20 Compound and photoelectric conversion element using same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-125820 2020-07-22
JP2020125820 2020-07-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022019300A1 true WO2022019300A1 (ja) 2022-01-27

Family

ID=79729163

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2021/027111 WO2022019300A1 (ja) 2020-07-22 2021-07-20 化合物及びこれを用いた光電変換素子

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20230301185A1 (ja)
EP (1) EP4186909A1 (ja)
JP (1) JP2022022138A (ja)
KR (1) KR20230044235A (ja)
CN (1) CN116134037A (ja)
TW (1) TW202214657A (ja)
WO (1) WO2022019300A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023139992A1 (ja) * 2022-01-21 2023-07-27 住友化学株式会社 インク組成物及び当該インク組成物を用いた光電変換素子

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023152788A (ja) * 2022-04-01 2023-10-17 住友化学株式会社 電気光学用インク組成物、化合物、電気光学膜、及び電気光学素子

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011052711A1 (ja) * 2009-10-29 2011-05-05 住友化学株式会社 光電変換素子
WO2011052709A1 (ja) 2009-10-29 2011-05-05 住友化学株式会社 高分子化合物
JP2013043818A (ja) 2011-08-26 2013-03-04 Tokuyama Corp セメントクリンカー成分調整用シリカ粒子の製造方法
JP2013079302A (ja) * 2011-10-03 2013-05-02 Sumitomo Chemical Co Ltd 高分子化合物及びそれを用いた電子素子
JP2013213180A (ja) 2011-09-06 2013-10-17 Sumitomo Chemical Co Ltd 重合体、この重合体を用いた有機薄膜及び有機薄膜素子
JP2013220994A (ja) * 2012-04-13 2013-10-28 Sumitomo Chemical Co Ltd 化合物及びそれを用いた電子素子
JP2014031364A (ja) 2012-03-16 2014-02-20 Sumitomo Chemical Co Ltd 化合物、該化合物の製造方法および該化合物を重合して得られる高分子化合物、並びに該高分子化合物を含む有機薄膜および有機半導体素子
WO2014112656A1 (ja) 2013-01-21 2014-07-24 住友化学株式会社 反応性化合物
JP2015146366A (ja) * 2014-02-03 2015-08-13 住友化学株式会社 有機光電変換素子
JP2016538272A (ja) * 2013-10-28 2016-12-08 エルジー・ケム・リミテッド 単分子およびこれを含む有機太陽電池
CN107652304A (zh) 2017-09-28 2018-02-02 国家纳米科学中心 一种稠环非富勒烯受体材料及其制备方法与应用
KR20180050922A (ko) * 2016-11-07 2018-05-16 주식회사 엘지화학 화합물, 이를 포함하는 유기트랜지스터 및 가스센서
KR20180104398A (ko) * 2017-03-13 2018-09-21 주식회사 엘지화학 헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
CN108586496A (zh) * 2018-05-02 2018-09-28 常州大学 基于噻吩并异苯并吡喃的zigzag型中宽带隙小分子电子给体材料及其应用
KR20190114358A (ko) * 2018-03-30 2019-10-10 주식회사 엘지화학 헤테로환 화합물, 이를 포함하는 유기 전자 소자 및 이를 이용한 유기 전자 소자의 제조 방법
WO2021079140A1 (en) * 2019-10-24 2021-04-29 Sumitomo Chemical Co., Ltd Molecular materials based on phenoxyazine core for heterojunction organic solar cells

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011052709A1 (ja) 2009-10-29 2011-05-05 住友化学株式会社 高分子化合物
WO2011052711A1 (ja) * 2009-10-29 2011-05-05 住友化学株式会社 光電変換素子
JP2013043818A (ja) 2011-08-26 2013-03-04 Tokuyama Corp セメントクリンカー成分調整用シリカ粒子の製造方法
JP2013213180A (ja) 2011-09-06 2013-10-17 Sumitomo Chemical Co Ltd 重合体、この重合体を用いた有機薄膜及び有機薄膜素子
JP2013079302A (ja) * 2011-10-03 2013-05-02 Sumitomo Chemical Co Ltd 高分子化合物及びそれを用いた電子素子
JP2014031364A (ja) 2012-03-16 2014-02-20 Sumitomo Chemical Co Ltd 化合物、該化合物の製造方法および該化合物を重合して得られる高分子化合物、並びに該高分子化合物を含む有機薄膜および有機半導体素子
JP2013220994A (ja) * 2012-04-13 2013-10-28 Sumitomo Chemical Co Ltd 化合物及びそれを用いた電子素子
WO2014112656A1 (ja) 2013-01-21 2014-07-24 住友化学株式会社 反応性化合物
JP2016538272A (ja) * 2013-10-28 2016-12-08 エルジー・ケム・リミテッド 単分子およびこれを含む有機太陽電池
JP2015146366A (ja) * 2014-02-03 2015-08-13 住友化学株式会社 有機光電変換素子
KR20180050922A (ko) * 2016-11-07 2018-05-16 주식회사 엘지화학 화합물, 이를 포함하는 유기트랜지스터 및 가스센서
KR20180104398A (ko) * 2017-03-13 2018-09-21 주식회사 엘지화학 헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
CN107652304A (zh) 2017-09-28 2018-02-02 国家纳米科学中心 一种稠环非富勒烯受体材料及其制备方法与应用
KR20190114358A (ko) * 2018-03-30 2019-10-10 주식회사 엘지화학 헤테로환 화합물, 이를 포함하는 유기 전자 소자 및 이를 이용한 유기 전자 소자의 제조 방법
CN108586496A (zh) * 2018-05-02 2018-09-28 常州大学 基于噻吩并异苯并吡喃的zigzag型中宽带隙小分子电子给体材料及其应用
WO2021079140A1 (en) * 2019-10-24 2021-04-29 Sumitomo Chemical Co., Ltd Molecular materials based on phenoxyazine core for heterojunction organic solar cells

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ACS OMEGA, vol. 2, 2017, pages 4347
CHU BOYANG, WANG HONG, XERRI BERTRAND, LEE KA-HO, YANG TINGBIN, WANG ZILONG, LIN ZHENYANG, LIANG YONGYE, ADAMO CARLO, YANG SHIHE, : "Dithieno[3,2-b:2′,3′-d]pyran-containing organic D–π–A sensitizers for dye-sensitized solar cells", RSC ADV., vol. 4, no. 107, 1 January 2014 (2014-01-01), pages 62472 - 62475, XP055901251, DOI: 10.1039/C4RA10706C *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023139992A1 (ja) * 2022-01-21 2023-07-27 住友化学株式会社 インク組成物及び当該インク組成物を用いた光電変換素子

Also Published As

Publication number Publication date
TW202214657A (zh) 2022-04-16
JP2022022138A (ja) 2022-02-03
EP4186909A1 (en) 2023-05-31
KR20230044235A (ko) 2023-04-03
CN116134037A (zh) 2023-05-16
US20230301185A1 (en) 2023-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2022014482A1 (ja) 光電変換素子及びその製造方法
WO2022019300A1 (ja) 化合物及びこれを用いた光電変換素子
WO2022014483A1 (ja) 光電変換素子及びその製造方法
WO2021065374A1 (ja) 光電変換素子
WO2023058724A1 (ja) 組成物及びインク組成物
KR102545540B1 (ko) 잉크 조성물의 제조 방법
WO2022124223A1 (ja) 組成物、膜、有機光電変換素子、及び光検出素子
WO2020071223A1 (ja) 光電変換素子及びその製造方法
WO2023008376A1 (ja) 化合物、組成物及び光電変換素子
WO2023100844A1 (ja) 化合物及びこれを用いた光電変換素子
WO2023120359A1 (ja) 化合物及びこれを用いた光電変換素子
JP2023020911A (ja) 化合物、組成物及び光電変換素子
WO2023058725A1 (ja) 組成物及びインク組成物
CN117769897A (zh) 化合物、组合物和光电转换元件
JP2022091095A (ja) 組成物、膜、有機光電変換素子、及び光検出素子
CN116529311A (zh) 组合物、膜、有机光电转换元件和光检测元件
JP2021127398A (ja) 高分子化合物、組成物、インク、及び光電変換素子

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21846928

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20237005331

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2021846928

Country of ref document: EP

Effective date: 20230222