WO2021230654A1 - 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 - Google Patents

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WO2021230654A1
WO2021230654A1 PCT/KR2021/005946 KR2021005946W WO2021230654A1 WO 2021230654 A1 WO2021230654 A1 WO 2021230654A1 KR 2021005946 W KR2021005946 W KR 2021005946W WO 2021230654 A1 WO2021230654 A1 WO 2021230654A1
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compound
layer
group
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water
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PCT/KR2021/005946
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김민준
이동훈
서상덕
김영석
김서연
이다정
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주식회사 엘지화학
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Publication date
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    • C07D405/04—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing two hetero rings directly linked by a ring-member-to-ring-member bond
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    • C07D409/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing three or more hetero rings
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    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers

Definitions

  • the present invention relates to a novel compound and an organic light emitting device comprising the same.
  • the organic light emitting phenomenon refers to a phenomenon in which electric energy is converted into light energy using an organic material.
  • the organic light emitting device using the organic light emitting phenomenon has a wide viewing angle, excellent contrast, fast response time, and excellent luminance, driving voltage, and response speed characteristics, and thus many studies are being conducted.
  • An organic light emitting device generally has a structure including an anode and a cathode and an organic material layer between the anode and the cathode.
  • the organic material layer is often formed of a multi-layered structure composed of different materials in order to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like.
  • a voltage is applied between the two electrodes
  • holes are injected into the organic material layer from the anode and electrons from the cathode are injected into the organic material layer.
  • excitons When it falls back to the ground state, it lights up.
  • Patent Document 1 Korean Patent Publication No. 10-2000-0051826
  • the present invention relates to a novel compound and an organic light emitting device comprising the same.
  • the present invention provides a compound represented by the following formula (1):
  • A has a benzene or naphthalene ring structure, is bonded to an adjacent 5-membered ring structure to form a condensed ring structure,
  • L is a single bond, or a substituted or unsubstituted C 6-60 arylene
  • X is O or S
  • Y is each independently N or CH, provided that at least two of Y are N;
  • Ar 1 and Ar 2 are each independently substituted or unsubstituted C 6-60 aryl, or substituted or unsubstituted, C 5-60 hetero comprising at least one selected from the group consisting of N, O and S aryl,
  • R 1 to R 3 are each independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted C 1-60 alkyl, or substituted or unsubstituted C 6-60 aryl;
  • n1 is an integer from 0 to 6
  • n2 is an integer from 0 to 6.
  • the present invention is a first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes a compound represented by Formula 1; to provide.
  • the compound represented by Formula 1 described above may be used as a material for an organic layer of an organic light emitting device, and may improve efficiency, low driving voltage, and/or lifespan characteristics in the organic light emitting device.
  • the compound represented by Formula 1 described above may be used as a material for hole injection, hole transport, hole injection and transport, light emission, electron transport, or electron injection.
  • FIG. 1 shows an example of an organic light emitting device including a substrate 1 , an anode 2 , an organic material layer 3 , and a cathode 4 .
  • FIG. 2 is a substrate (1), an anode (2), a hole injection layer (5), a hole transport layer (6), an electron blocking layer (7), a light emitting layer (8), a hole blocking layer (9), an electron injection and transport layer ( 10), and an example of an organic light emitting device including a cathode 4 is shown.
  • substituted or unsubstituted refers to deuterium; halogen group; nitrile group; nitro group; hydroxyl group; carbonyl group; ester group; imid; amino group; phosphine oxide group; alkoxy group; aryloxy group; alkyl thiooxy group; arylthioxy group; an alkyl sulfoxy group; arylsulfoxy group; silyl group; boron group; an alkyl group; cycloalkyl group; alkenyl group; aryl group; aralkyl group; aralkenyl group; an alkylaryl group; an alkylamine group; an aralkylamine group; heteroarylamine group; arylamine group; an aryl phosphine group; Or N, O, and S atom means that it is substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of a heterocyclic
  • a substituent in which two or more substituents are connected may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group, and may be interpreted as a substituent in which two phenyl groups are connected.
  • the number of carbon atoms of the carbonyl group is not particularly limited, but it is preferably from 1 to 40 carbon atoms. Specifically, it may have a structure as follows, but is not limited thereto.
  • the oxygen of the ester group may be substituted with a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 25 carbon atoms or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. Specifically, it may have a structure as follows, but is not limited thereto.
  • the number of carbon atoms of the imide group is not particularly limited, but it is preferably from 1 to 25 carbon atoms. It may have a structure as follows, but is not limited thereto.
  • the silyl group specifically includes a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, a t-butyldimethylsilyl group, a vinyldimethylsilyl group, a propyldimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, a diphenylsilyl group, a phenylsilyl group, and the like.
  • the present invention is not limited thereto.
  • the boron group specifically includes, but is not limited to, a dimethyl boron group, a diethyl boron group, a t-butylmethyl boron group, a diphenyl boron group, a phenyl boron group, and the like.
  • examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine or iodine.
  • the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. According to an exemplary embodiment, the number of carbon atoms in the alkyl group is 1 to 20. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 6 carbon atoms.
  • alkyl group examples include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, pentyl, n -pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl , n-heptyl, 1-methylhexyl, cyclopentylmethyl, cyclohexylmethyl, n-octyl, isooctyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexy
  • the alkenyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 40. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the alkenyl group is 2 to 20. According to another exemplary embodiment, the carbon number of the alkenyl group is 2 to 10. According to another exemplary embodiment, the alkenyl group has 2 to 6 carbon atoms.
  • Specific examples include vinyl, 1-propenyl, isopropenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 1-pentenyl, 2-pentenyl, 3-pentenyl, 3-methyl-1- Butenyl, 1,3-butadienyl, allyl, 1-phenylvinyl-1-yl, 2-phenylvinyl-1-yl, 2,2-diphenylvinyl-1-yl, 2-phenyl-2-( Naphthyl-1-yl)vinyl-1-yl, 2,2-bis(diphenyl-1-yl)vinyl-1-yl, stilbenyl group, styrenyl group, and the like, but are not limited thereto.
  • the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms, and according to an exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 30 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the carbon number of the cycloalkyl group is 3 to 20. According to another exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 6 carbon atoms.
  • the aryl group is not particularly limited, but preferably has 6 to 60 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the aryl group is 6 to 30. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the aryl group is 6 to 20.
  • the aryl group may be a monocyclic aryl group, such as a phenyl group, a biphenyl group, or a terphenyl group, but is not limited thereto.
  • the polycyclic aryl group may be a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a chrysenyl group, a fluorenyl group, and the like, but is not limited thereto.
  • the fluorenyl group may be substituted, and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure.
  • the fluorenyl group is substituted, etc. can be
  • the present invention is not limited thereto.
  • the heterocyclic group is a heterocyclic group including at least one of O, N, Si and S as a heterogeneous element, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but it is preferably from 2 to 60 carbon atoms.
  • heterocyclic group examples include a thiophene group, a furan group, a pyrrole group, an imidazole group, a thiazole group, an oxazole group, an oxadiazole group, a triazole group, a pyridyl group, a bipyridyl group, a pyrimidyl group, a triazine group, an acridyl group , pyridazine group, pyrazinyl group, quinolinyl group, quinazoline group, quinoxalinyl group, phthalazinyl group, pyrido pyrimidinyl group, pyrido pyrazinyl group, pyrazino pyrazinyl group, isoquinoline group, indole group , carbazole group, benzoxazole group, benzoimidazole group, benzothiazole group, benzocarbazole group, benzothioph
  • the aryl group in the aralkyl group, the aralkenyl group, the alkylaryl group, and the arylamine group is the same as the example of the aryl group described above.
  • the alkyl group among the aralkyl group, the alkylaryl group, and the alkylamine group is the same as the example of the above-described alkyl group.
  • heteroaryl among heteroarylamines the description of the above-described heterocyclic group may be applied.
  • the alkenyl group among the aralkenyl groups is the same as the examples of the above-described alkenyl groups.
  • the description of the above-described aryl group may be applied except that arylene is a divalent group.
  • the description of the above-described heterocyclic group may be applied, except that heteroarylene is a divalent group.
  • the hydrocarbon ring is not a monovalent group, and the description of the above-described aryl group or cycloalkyl group may be applied, except that it is formed by combining two substituents.
  • the present invention provides a compound represented by the above formula (1).
  • L is a single bond; or deuterium substituted or unsubstituted C 6-20 arylene.
  • L may be a single bond, phenylene, or naphthylene, specifically, L may be a single bond, or any one selected from the group consisting of the following formulas:
  • two of Y may be N and the rest may be CH, or all three Ys may be N, and more preferably, all of Y may be N.
  • Ar 1 and Ar 2 are each independently C 6-20 aryl; or C 5-20 heteroaryl including N, O or S, wherein Ar 1 and Ar 2 are each independently unsubstituted or substituted with one or more deuterium, C 1-20 alkyl, or C 6-20 aryl.
  • one of Ar 1 and Ar 2 is C 6-20 aryl, and the other is C 5-20 heteroaryl including N, O or S, or Ar 1 and Ar 2 Both may be C 6-20 aryl, and Ar 1 and Ar 2 may each independently be unsubstituted or substituted with one or more deuterium, C 1-18 alkyl, or C 6-18 aryl.
  • Ar 1 and Ar 2 are each independently phenyl, biphenyl, terphenyl, naphthyl, phenanthrenyl, triphenylenyl, fluoranthenyl, (naphthyl)phenyl, (phenyl)naphthyl, flu orenyl, dibenzofuranyl, dibenzothiophenyl, or carbazolyl, wherein Ar 1 and Ar 2 are each independently one or more deuterium; C 1-18 alkyl such as methyl; Or it may be unsubstituted or substituted with C 6-18 aryl such as phenyl.
  • Ar 1 and Ar 2 may each independently be any one selected from the group consisting of the following formulas:
  • Z is NR, O or S
  • R, R 11 and R 12 are the same or different, each independently hydrogen, deuterium, C 1-18 alkyl or C 6-18 aryl, preferably R, R 11 and R 12 are the same or different, hydrogen, deuterium, methyl, or phenyl;
  • the dotted line indicates the bonding position.
  • any one of Ar 1 and Ar 2 is phenyl, biphenyl or naphthyl, and the remainder is phenyl, biphenyl, terphenyl, naphthyl, phenanthrenyl, triphenylenyl, fluoranthenyl, (naph tyl)phenyl, (phenyl)naphthyl, fluorenyl, dibenzofuranyl, dibenzothiophenyl, carbazolyl, wherein Ar 1 and Ar 2 are each independently one or more deuterium, methyl or phenyl It may be substituted or unsubstituted.
  • Ar 1 and Ar 2 may be the same as or different from each other.
  • R 1 to R 3 may each independently be hydrogen or deuterium, more preferably R 1 to R 3 may be all hydrogen or all deuterium, in this case n1 and n2 are all integers of 6.
  • Formula 1 may be any one of Formulas 1-1 to 1-4 below:
  • X, R 1 to R 3 , Ar 1 , Ar 2 and n2 are as defined above, n1′ is an integer from 0 to 4, and n1” is an integer from 0 to 6.
  • the compound represented by Formula 1 may be prepared by, for example, a preparation method as shown in Scheme 1 below.
  • W 1 and W 2 are different from each other and are a halogen group or a boron-containing organic group.
  • the halogen group is specifically chloro or boromo
  • the boron-containing organic group may be a boronic acid group, a boronic acid ester group, or a boronic acid pinacol ester group.
  • the compound represented by Formula 1 is prepared by reacting compound (i) having a parent nucleus structure and compound (ii) bonded to the parent nucleus structure and having a triazine structure in the presence of a base and a palladium-based catalyst, Suzuki couple It can be prepared by a manufacturing method comprising the step of a ring reaction (Suzuki coupling reaction).
  • the palladium-based catalyst examples include bis(dibenzylideneacetone)palladium(0)(Bis(dibenzylideneacetone)palladium(0); (Pd(dba) 2 )), bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) )(bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0), Pd(P-tBuP 3 ) 2 ), tetrakis-(triphenylphosphine)palladium(0) (tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0), Pd( PPh 3 ) 4 ), tris (dibenzylideneacetone) dipalladium, Pd 2 (dba) 3 )), bis (triphenylphosphine) palladium chloride (Bis (triphenylphosphine) palladium chloride, Pd ( PPh 3 ) 2 Cl 2 ), bis(acetonitrile)pal
  • sodium tert-butoxide NaOtBu
  • potassium tert-butoxide sodium tert-pentoxide
  • sodium ethoxide sodium ethoxide, sodium carbonate, potassium carbonate, cesium carbonate, sodium hydride, lithium hydride or potassium hydride, etc.
  • organic bases such as tetraethylammonium hydroxide ((Et 4 NOH), bis(tetraethylammonium) carbonate, and triethylamine
  • inorganic salts such as cesium fluoride, any one or mixture of two or more thereof may be used can
  • the Suzuki coupling reaction may be performed in water, an organic solvent, or a mixed solvent thereof.
  • organic solvent include diethyl ether, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, ethylene glycol diethyl ether.
  • ether solvents such as dimethoxyethane, bis(2-methoxyethyl)ether, diethylene glycol diethyl ether, tetrahydrofuran or anisole; aromatic hydrocarbon-based solvents such as benzene, toluene or xylene; halogenated aromatic solvents such as chlorobenzene, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, dimethylimidazolidone or acetonitrile; or a sulfoxide-based solvent such as dimethyl sulfoxide (DMSO), and any one or a mixture of two or more thereof may be used.
  • aromatic hydrocarbon-based solvents such as benzene, toluene or xylene
  • halogenated aromatic solvents such as chlorobenzene, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, dimethylimidazolidone or acetonitrile
  • a sulfoxide-based solvent
  • the reactants, compounds (i) and (ii) used in the preparation of compound (1) of Formula 1 may be prepared using a conventional organic reaction, or may be commercially obtained and used.
  • the manufacturing method may be more specific in Preparation Examples to be described later.
  • the present invention provides an organic light emitting device including the compound represented by the formula (1).
  • the present invention provides a first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes a compound represented by Formula 1; to provide.
  • the first electrode may be an anode
  • the second electrode may be a cathode
  • the first electrode may be a cathode and the second electrode may be an anode
  • the organic material layer of the organic light emitting device of the present invention may have a single-layer structure, but may have a multi-layer structure in which two or more organic material layers are stacked.
  • the organic light emitting device of the present invention may have a structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, or an electron injection and transport layer as an organic material layer.
  • the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include a smaller number of organic material layers.
  • the organic material layer may include a light emitting layer, wherein the organic material layer including the compound may be a light emitting layer.
  • the organic material layer may include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron injection and transport layer, wherein the organic material layer including the compound may be a light emitting layer.
  • the organic material layer may include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron suppression layer, a light emitting layer, and an electron injection and transport layer, wherein the organic material layer including the compound may be a light emitting layer.
  • the organic material layer may include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron suppression layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, and an electron injection and transport layer, wherein the organic material layer containing the compound may be a light emitting layer.
  • the organic light emitting device according to the present invention may be a normal type organic light emitting device in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate.
  • the organic light emitting device according to the present invention may be an inverted type organic light emitting device in which a cathode, one or more organic material layers, and an anode are sequentially stacked on a substrate.
  • FIGS. 1 and 2 the structure of the organic light emitting device according to an embodiment of the present invention is illustrated in FIGS. 1 and 2 .
  • FIG. 1 shows an example of an organic light emitting device including a substrate 1 , an anode 2 , an organic material layer 3 , and a cathode 4 .
  • the compound represented by Formula 1 may be included in the organic layer 3 .
  • the compound represented by Formula 1 is the hole injection layer 5, the hole transport layer 6, the electron blocking layer 7, the light emitting layer 8, the hole blocking layer 9 and the electron injection and It may be included in one or more of the transport layers 10 .
  • the organic light emitting device according to the present invention may be manufactured using materials and methods known in the art, except that at least one layer of the organic material layer includes the compound represented by Formula 1 above. Also, when the organic light emitting device includes a plurality of organic material layers, the organic material layers may be formed of the same material or different materials.
  • the organic light emitting diode according to the present invention may be manufactured by sequentially stacking an anode, an organic material layer, and a cathode on a substrate. At this time, by using a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation, a metal or conductive metal oxide or an alloy thereof is deposited on a substrate to form an anode. After forming an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, an electron suppression layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, and an electron injection and transport layer thereon, a material that can be used as a cathode is deposited thereon. have.
  • PVD physical vapor deposition
  • the compound represented by Formula 1 may be formed into an organic material layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method when manufacturing an organic light emitting device.
  • the solution coating method refers to spin coating, dip coating, doctor blading, inkjet printing, screen printing, spraying, roll coating, and the like, but is not limited thereto.
  • an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing an organic material layer and an anode material from a cathode material on a substrate (WO 2003/012890).
  • the manufacturing method is not limited thereto.
  • anode material a material having a large work function is generally preferred so that holes can be smoothly injected into the organic material layer.
  • the anode material include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, gold, or alloys thereof; metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); combinations of metals and oxides such as ZnO:Al or SnO 2 :Sb; conductive polymers such as poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene](PEDOT), polypyrrole, and polyaniline, but are not limited thereto.
  • the cathode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic layer.
  • the anode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead, or alloys thereof; and a multilayer structure material such as LiF/Al or LiO 2 /Al, but is not limited thereto.
  • the hole injection layer is a layer for injecting holes from the electrode, and as a hole injection material, it has the ability to transport holes, so it has a hole injection effect at the anode, an excellent hole injection effect on the light emitting layer or the light emitting material, and is produced in the light emitting layer
  • a compound which prevents the movement of excitons to the electron injection layer or the electron injection material and is excellent in the ability to form a thin film is preferable. It is preferable that the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is between the work function of the positive electrode material and the HOMO of the surrounding organic material layer.
  • HOMO highest occupied molecular orbital
  • hole injection material examples include metal porphyrin, oligothiophene, arylamine-based organic material, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic material, quinacridone-based organic material, and perylene-based organic material.
  • organic substances anthraquinones, and conductive polymers of polyaniline and polythiophene series, but are not limited thereto.
  • the hole transport layer is a layer that receives holes from the hole injection layer and transports them to the light emitting layer.
  • the electron suppression layer is formed on the hole transport layer, preferably provided in contact with the light emitting layer, to control hole mobility and prevent excessive movement of electrons to increase the hole-electron coupling probability, thereby increasing the efficiency of the organic light emitting device layer that plays a role in improving
  • the electron blocking layer includes an electron blocking material, and an arylamine-based organic material may be used as an example of the electron blocking material, but is not limited thereto.
  • the emission layer may include a host material and a dopant material.
  • the host material the compound represented by the above-described Chemical Formula 1 may be used.
  • a condensed aromatic ring derivative or a hetero ring-containing compound may be additionally used.
  • condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, fluoranthene compounds, and the like
  • heterocyclic-containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, ladder type Furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.
  • examples of the dopant material include an aromatic amine derivative, a strylamine compound, a boron complex, a fluoranthene compound, and a metal complex.
  • the aromatic amine derivative is a condensed aromatic ring derivative having a substituted or unsubstituted arylamino group, and includes pyrene, anthracene, chrysene, and periflanthene having an arylamino group.
  • styrylamine compound a substituted or unsubstituted It is a compound in which at least one arylvinyl group is substituted in the arylamine, and one or two or more substituents selected from the group consisting of an aryl group, a silyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group and an arylamino group are substituted or unsubstituted.
  • substituents selected from the group consisting of an aryl group, a silyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group and an arylamino group are substituted or unsubstituted.
  • the metal complex includes, but is not limited to, an iridium complex, a platinum complex, and the like.
  • the dopant material may include, but is not limited to, compounds having the following structures:
  • the hole blocking layer is formed on the light emitting layer, preferably provided in contact with the light emitting layer, to improve the efficiency of the organic light emitting device by controlling electron mobility and preventing excessive movement of holes to increase the hole-electron coupling probability layer that plays a role.
  • the hole blocking layer includes a hole blocking material, and examples of the hole blocking material include azine derivatives including triazine; triazole derivatives; oxadiazole derivatives; phenanthroline derivatives; A compound into which an electron withdrawing group is introduced, such as a phosphine oxide derivative, may be used, but the present invention is not limited thereto.
  • the electron injection and transport layer is a layer that simultaneously serves as an electron transport layer and an electron injection layer for injecting electrons from the electrode and transporting the received electrons to the emission layer, and is formed on the emission layer or the hole blocking layer.
  • the electron injection and transport material a material capable of receiving electrons from the cathode and transferring them to the light emitting layer is suitable, and a material having high electron mobility is suitable.
  • specific electron injection and transport materials include Al complex of 8-hydroxyquinoline; complexes containing Alq 3 ; organic radical compounds; hydroxyflavone-metal complexes; and triazine derivatives, but is not limited thereto.
  • anthraquinodimethane diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, anthrone, and derivatives thereof, metal complex compounds , or may be used together with a nitrogen-containing 5-membered ring derivative, etc., but is not limited thereto.
  • the metal complex compound examples include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis(8-hydroxyquinolinato)zinc, bis(8-hydroxyquinolinato)copper, bis(8-hydroxyquinolinato)manganese, Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(8-hydroxyquinolinato)gallium, bis(10-hydroxybenzo[h] Quinolinato) beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) ( o-crezolato)gallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)(1-naphtolato)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinato)(2-naphtolato)gallium, etc.
  • the present invention is not limited thereto.
  • the electron injection and transport layer may also be formed as a separate layer such as an electron injection layer and an electron transport layer.
  • the electron transport layer is formed on the emission layer or the hole blocking layer, and the electron injection and transport material described above may be used as the electron transport material included in the electron transport layer.
  • the electron injection layer is formed on the electron transport layer, and the electron injection material included in the electron injection layer is LiF, NaCl, CsF, Li 2 O, BaO, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, Thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, fluorenylidene methane, anthrone and the like may be used.
  • the electron injection material included in the electron injection layer is LiF, NaCl, CsF, Li 2 O, BaO, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, Thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, fluorenylidene methane, anthrone and the like may be used.
  • the organic light emitting device according to the present invention may be a bottom emission device, a top emission device, or a double-sided light emitting device, and in particular, may be a bottom emission device requiring relatively high luminous efficiency.
  • the compound represented by Formula 1 may be included in an organic solar cell or an organic transistor in addition to the organic light emitting device.
  • compound b-1 was prepared in the same manner as in the preparation method of compound a-1 of Preparation Example 1 above. synthesized
  • a glass substrate coated with indium tin oxide (ITO) to a thickness of 1,000 ⁇ was placed in distilled water in which detergent was dissolved and washed with ultrasonic waves.
  • ITO indium tin oxide
  • a product manufactured by Fischer Co. was used as the detergent
  • distilled water that was secondarily filtered with a filter manufactured by Millipore Co. was used as the distilled water.
  • ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes by repeating twice with distilled water.
  • ultrasonic washing was performed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, and after drying, it was transported to a plasma cleaner.
  • the substrate was transported to a vacuum evaporator.
  • the following HI-1 compound was formed as a hole injection layer on the prepared ITO transparent electrode to a thickness of 1150 ⁇ , but the following A-1 compound was p-doped at a concentration of 1.5%.
  • the following HT-1 compound was vacuum-deposited on the hole injection layer to form a hole transport layer having a thickness of 800 ⁇ .
  • the following EB-1 compound was vacuum-deposited to a thickness of 150 ⁇ on the hole transport layer to form an electron blocking layer.
  • the compound 1 prepared in Synthesis Example 1 as a host and the following Dp-7 compound as a dopant were vacuum-deposited in a weight ratio of 98:2 to form a red light emitting layer having a thickness of 400 ⁇ .
  • a hole blocking layer was formed by vacuum-depositing the following HB-1 compound to a thickness of 30 ⁇ on the light emitting layer. Then, the following ET-1 compound and the following LiQ compound were vacuum-deposited on the hole blocking layer at a weight ratio of 2:1 to form an electron injection and transport layer to a thickness of 300 ⁇ .
  • a cathode was formed by sequentially depositing lithium fluoride (LiF) to a thickness of 12 ⁇ and aluminum to a thickness of 1,000 ⁇ on the electron injection and transport layer.
  • the deposition rate of organic material was maintained at 0.4 ⁇ 0.7 ⁇ /sec
  • the deposition rate of lithium fluoride of the negative electrode was maintained at 0.3 ⁇ /sec
  • the deposition rate of aluminum was maintained at 2 ⁇ /sec
  • the vacuum degree during deposition was 2 ⁇ 10 -
  • An organic light-emitting device was manufactured by maintaining 7 to 5 ⁇ 10 -6 torr.
  • An organic light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the compound shown in Table 1 was used instead of Compound 1 in the organic light emitting device of Example 1.
  • An organic light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the compound shown in Table 1 was used instead of Compound 1 in the organic light emitting device of Example 1.
  • the lifetime T95 means the time required for the luminance to decrease from the initial luminance (6000 nit) to 95%.
  • the organic light emitting diodes of Examples in which the compound according to the present invention was used for the light emitting layer had significantly lower driving voltages and greatly increased efficiency compared to Comparative Examples. From this, it can be seen that energy transfer from the host to the red dopant was well performed.
  • the organic light emitting device of the above example exhibited greatly improved lifespan characteristics while maintaining high efficiency compared to the comparative example, which is because the compound of the present invention has higher stability to electrons and holes than the compound used in the comparative example. is judged
  • the driving voltage, luminous efficiency and lifespan characteristics of the organic light emitting device can be improved, which is generally the luminous efficiency and lifespan characteristics of the organic light emitting device. Considering that they have a trade-off relationship with each other, it can be seen that the organic light emitting device of the embodiment exhibits significantly improved device characteristics compared to the device of the comparative example.
  • Substrate 2 Anode
  • organic layer 4 cathode

Landscapes

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Abstract

본 발명은 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자를 제공한다.

Description

신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
관련 출원(들)과의 상호 인용
본 출원은 2020년 5월 13일자 한국 특허 출원 제10-2020-0057327호 및 2021년 5월 11일자 한국 특허 출원 제10-2021-0061004호에 기초한 우선권의 이익을 주장하며, 해당 한국 특허 출원의 문헌에 개시된 모든 내용은 본 명세서의 일부로서 포함된다.
본 발명은 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 넓은 시야각, 우수한 콘트라스트, 빠른 응답 시간을 가지며, 휘도, 구동 전압 및 응답 속도 특성이 우수하여 많은 연구가 진행되고 있다.
유기 발광 소자는 일반적으로 양극과 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 상기 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
상기와 같은 유기 발광 소자에 사용되는 유기물에 대하여 새로운 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.
[선행기술문헌]
[특허문헌]
(특허문헌 1) 한국특허 공개번호 제10-2000-0051826호
본 발명은 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다:
[화학식 1]
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000001
상기 화학식 1에서,
A는 벤젠 또는 나프탈렌 고리 구조를 가지며, 인접한 5원 고리 구조에 결합하여 축합 고리 구조를 형성하고,
L은 단일 결합, 또는 치환 또는 비치환된 C 6-60 아릴렌이고,
X는 O 또는 S이고,
Y는 각각 독립적으로 N 또는 CH이되, 단 Y중 적어도 2개는 N이고,
Ar 1 및 Ar 2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C 6-60 아릴, 또는 치환 또는 비치환된, N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 C 5-60 헤테로아릴이며,
R 1 내지 R 3은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C 1-60 알킬, 또는 치환 또는 비치환된 C 6-60 아릴이며,
n1은 0 내지 6의 정수이고,
n2는 0 내지 6의 정수이다.
또한, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물 층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물 층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 유기 발광 소자를 제공한다.
상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 유기물 층의 재료로서 사용될 수 있으며, 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. 특히, 상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공주입, 정공수송, 정공주입 및 수송, 발광, 전자수송, 또는 전자주입 재료로 사용될 수 있다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 유기물 층(3), 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판(1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 전자억제층(7), 발광층(8), 정공저지층(9), 전자 주입 및 수송층(10), 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 보다 상세히 설명한다.
본 명세서에서,
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000002
또는
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000003
는 다른 치환기에 연결되는 결합을 의미한다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 사이클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 또는 N, O 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 비페닐기일 수 있다. 즉, 비페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.
본 명세서에서 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조를 갖는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000004
본 명세서에 있어서, 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 25의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기와 같은 구조를 갖는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000005
본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 하기와 같은 구조를 갖는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000006
본 명세서에 있어서, 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 붕소기는 구체적으로 디메틸붕소기, 디에틸붕소기, t-부틸메틸붕소기, 디페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 사이클로펜틸메틸, 사이클로헥실메틸, n-옥틸, 이소옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 사이클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 사이클로프로필, 사이클로부틸, 사이클로펜틸, 3-메틸사이클로펜틸, 2,3-디메틸사이클로펜틸, 사이클로헥실, 3-메틸사이클로헥실, 4-메틸사이클로헥실, 2,3-디메틸사이클로헥실, 3,4,5-트리메틸사이클로헥실, 4-tert-부틸사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다. 상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000007
등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 이종 원소로 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 이소옥사졸릴기, 티아디아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 아르알케닐기, 알킬아릴기, 아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 알킬아릴기, 알킬아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민 중 헤테로아릴은 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 탄화수소 고리는 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 아릴기 또는 사이클로알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
상기 화학식 1에 있어서, 바람직하게는 L은 단일 결합; 또는 중수소 치환되거나 또는 비치환된 C 6-20 아릴렌일 수 있다.
보다 바람직하게는 L은 단일 결합, 페닐렌, 또는 나프틸렌일 수 있으며, 구체적으로는 L은 단일 결합이거나, 또는 하기 화학식들로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있다:
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000008
상기 각 화학식에서, 점선은 결합 위치를 나타낸다.
또, 상기 화학식 1에 있어서 바람직하게는, Y 중 두 개가 N이고 나머지는 CH이거나, 또는 세 개의 Y 모두가 N일 수 있으며, 보다 바람직하게는 Y는 모두 N일 수 있다.
또, 상기 화학식 1에 있어서, 바람직하게는, Ar 1 및 Ar 2는 각각 독립적으로 C 6-20 아릴; 또는 N, O 또는 S를 포함하는 C 5-20 헤테로아릴이며, 상기 Ar 1 및 Ar 2는 각각 독립적으로 하나 이상의 중수소, C 1-20 알킬 또는 C 6-20 아릴로 치환되거나, 또는 비치환될 수 있다.
또, 상기 화학식 1에 있어서, 바람직하게는, Ar 1 및 Ar 2 중 하나는 C 6-20 아릴이고, 나머지는 N, O 또는 S를 포함하는 C 5-20 헤테로아릴이거나, 또는 Ar 1 및 Ar 2 둘 모두가 C 6-20 아릴일 수 있으며, 상기 Ar 1 및 Ar 2는 각각 독립적으로 하나 이상의 중수소, C 1-18 알킬, 또는 C 6-18 아릴로 치환되거나, 또는 비치환될 수 있다.
보다 바람직하게는, Ar 1 및 Ar 2는 각각 독립적으로 페닐, 비페닐, 터페닐, 나프틸, 페난쓰레닐, 트리페닐레닐, 플루오란테닐, (나프틸)페닐, (페닐)나프틸, 플루오레닐, 디벤조퓨라닐, 디벤조티오펜일, 또는 카르바졸일이며, 상기 Ar 1 및 Ar 2는 각각 독립적으로 하나 이상의 중수소; 메틸 등의 C 1-18 알킬; 또는 페닐 등의 C 6-18 아릴로 치환되거나 또는 비치환될 수 있다.
보다 바람직하게는 Ar 1 및 Ar 2는 각각 독립적으로 하기 화학식들로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있다:
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000009
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000010
상기 각 화학식에서,
Z는 NR, O 또는 S이고,
R, R 11 및 R 12는 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, C 1-18 알킬 또는 C 6-18 아릴이고, 바람직하게는 상기 R, R 11 및 R 12은 동일하거나 상이하고, 수소, 중수소, 메틸, 또는 페닐이며,
점선은 결합 위치를 나타낸다.
보다 더 바람직하게는 Ar 1 및 Ar 2 중 어느 하나는 페닐, 비페닐 또는 나프틸이고, 나머지는 페닐, 비페닐, 터페닐, 나프틸, 페난쓰레닐, 트리페닐레닐, 플루오란테닐, (나프틸)페닐, (페닐)나프틸, 플루오레닐, 디벤조퓨라닐, 디벤조티오펜일, 카르바졸일이며, 이때, 상기 Ar 1 및 Ar 2는 각각 독립적으로 하나 이상의 중수소, 메틸 또는 페닐로 치환되거나 또는 비치환될 수 있다.
또, 상기 화학식 1에서, Ar 1과 Ar 2는 서로 동일한 것일 수도 있고, 또는 서로 상이한 것일 수도 있다.
또, 상기 화학식 1에서 바람직하게는 R 1 내지 R 3은 각각 독립적으로 수소 또는 중수소일 수 있으며, 보다 바람직하게는 R 1 내지 R 3은 모두 수소이거나, 또는 모두 중수소일 수 있으며, 이때 n1 및 n2는 모두 6의 정수이다.
바람직하게는 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 1-4 중 어느 하나일 수 있다:
[화학식 1-1]
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000011
[화학식 1-2]
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000012
[화학식 1-3]
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000013
[화학식 1-4]
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000014
상기 화학식 1-1 내지 1-4에 있어서,
X, R 1 내지 R 3, Ar 1, Ar 2 및 n2는 앞서 정의한 바와 같으며, n1'은 0 내지 4의 정수이고, n1”은 0 내지 6의 정수이다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 대표적인 예는 하기와 같다:
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000015
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000016
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000017
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000018
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000019
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000020
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000021
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000022
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000023
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000024
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000025
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000026
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한편, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은, 일례로 하기 반응식 1과 같은 제조 방법으로 제조할 수 있다.
[반응식 1]
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상기 반응식 1에서, A, Ar 1, Ar 2, R 1 내지 R 3, X, Y, n1 및 n2는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
또 상기 반응식 1에서, W 1 및 W 2는 서로 상이하며, 할로겐기 또는 붕소 함유 유기기이다. 할로겐기는 구체적으로 클로로 또는 보로모 등이고, 상기 붕소 함유 유기기는, 보론산기, 보론산 에스터기, 또는 보론산 피나콜에스터(boronic acid pinacol ester)기 등일 수 있다.
구체적으로, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 모핵 구조를 포함하는 화합물(i)과, 상기 모핵 구조에 결합되며, 트리아진 구조를 갖는 화합물(ii)을 염기 및 팔라듐계 촉매의 존재 하에, 스즈키 커플링 반응(Suzuki coupling reaction)시키는 단계를 포함하는 제조방법에 의해 제조될 수 있다.
상기 팔라듐계 촉매로는, 비스(디벤질리덴아세톤)팔라듐(0)(Bis(dibenzylideneacetone)palladium(0); (Pd(dba) 2)), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0)(bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0), Pd(P-tBuP 3) 2), 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0) (tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0), Pd(PPh 3) 4), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(Tris(dibenzylideneacetone)dipalladium, Pd 2(dba) 3)), 비스(트리페닐포스핀)팔라듐 클로라이드(Bis(triphenylphosphine)palladium chloride, Pd(PPh 3) 2Cl 2), 비스(아세토니트릴)팔라듐 클로라이드(Bis(acetonitrile)palladium(Ⅱ) chloride, Pd(CH 3CN) 2Cl 2), 팔라듐(Ⅱ) 아세테이트(Palladium(Ⅱ) acetate, Pd(OAc) 2), 팔라듐(Ⅱ) 아세틸아세토네이트(Palladium(Ⅱ) acetylacetonate, Pd(acac) 2], 알릴팔라듐(Ⅱ) 클로라이드 다이머(Allylpalladium(Ⅱ) chloride dimer, Pd(allyl)Cl] 2), 팔라듐 카본(Palladium on carbon, Pd/C), 또는 팔라듐(Ⅱ) 클로라이드(Palladium(Ⅱ) chloride, PdCl 2) 등을 들 수 있으며, 이들 중 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물이 사용될 수 있다.
또, 상기 염기(base)로는 소듐 tert-부톡사이드(sodium tert-butoxide, NaOtBu), 포타슘 tert-부톡사이드(potassium tert-butoxide), 소듐 tert―펜톡사이드(sodium tert-pentoxide), 소듐 에톡사이드(sodium ethoxide), 소듐 카보네이트(sodium carbonate), 포타슘 카보네이트(potassium carbonate), 세슘 카보네이트(cesium carbonate), 소듐 하이드리드(sodium hydride), 리튬 하이드리드(lithium hydride) 또는 포타슘 하이드리드(potassium hydride) 등과 같은 무기 염기; 테트라에틸암모늄 히드록시드((Et 4NOH), 비스(테트라에틸암모늄)탄산염, 트리에틸아민 등의 유기 염기; 불화세슘 등의 무기염을 들 수 있으며, 이들 중 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물이 사용될 수 있다.
또, 상기 스즈키 커플링 반응은 물, 유기 용매, 또는 이들의 혼합 용매 중에서 수행될 수 있으며, 상기 유기 용매로는, 디에틸 에테르, 테트라히드로푸란, 1,4-디옥산, 에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 디메톡시에탄, 비스(2-메톡시에틸)에테르, 디에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 테트라하이드로퓨란 또는 아니솔과 같은 에테르 용매; 벤젠, 톨루엔 또는 자일렌과 같은 방향족 탄화수소계 용매; 클로로벤젠, 디메틸포름아마이드, 디메틸아세트아마이드, N-메틸피롤리돈, 디메틸이미다졸리돈 또는 아세토니트릴과 같은 할로겐화 방향족 용매; 또는 디메틸술폭사이드(DMSO)와 같은 설폭사이드계 용매 등을 들 수 있으며, 이들 중 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물이 사용될 수 있다.
한편, 상기 화학식 1의 화합물(1) 제조에 사용되는 반응 물질들, 화합물 (i) 및 (ii)는 통상의 유기 반응을 이용하여 제조할 수도 있고, 또는 상업적으로 입수하여 사용할 수도 있다. 상기 제조 방법은 후술할 제조예에서 보다 구체화될 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. 일례로, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물 층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물 층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 유기 발광 소자를 제공한다.
상기 유기 발광 소자에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이거나, 또는 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극일 수 있다.
또, 본 발명의 유기 발광 소자의 유기물 층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물 층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물 층으로서 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 또는 전자 주입 및 수송층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기물 층을 포함할 수 있다.
일 구현예에서, 상기 유기물층은 발광층을 포함할 수 있고, 이때 상기 화합물을 포함하는 유기물층은 발광층일 수 있다.
다른 구현예에서, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자주입 및 수송층을 포함할 수 있고, 이때 상기 화합물을 포함하는 유기물층은 발광층일 수 있다.
또 다른 구현예에서, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 전자억제층, 발광층 그리고 전자주입 및 수송층을 포함할 수 있고, 이때 상기 화합물을 포함하는 유기물층은 발광층일 수 있다.
또 다른 구현예에서, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 전자억제층, 발광층, 정공저지층, 그리고 전자주입 및 수송층을 포함할 수 있고, 이때 상기 화합물을 포함하는 유기물층은 발광층일 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물 층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물 층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 2에 예시되어 있다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 유기물 층(3) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 유기물 층(3)에 포함될 수 있다.
도 2는 기판(1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 전자억제층(7), 발광층(8), 정공저지층(9), 전자 주입 및 수송층(10), 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 정공주입층(5), 정공수송층(6), 전자억제층(7), 발광층(8), 정공저지층(9) 및 전자 주입 및 수송층(10) 중 1층 이상에 포함될 수 있다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 상기 유기물 층 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물 층을 포함하는 경우, 상기 유기물 층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.
예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 유기물 층 및 음극을 순차적으로 적층시켜 제조할 수 있다. 이때, 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 전자억제층, 발광층, 정공저지층, 그리고 전자 주입 및 수송층을 포함하는 유기물 층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시켜 제조할 수 있다.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물 층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물 층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다(WO 2003/012890). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 양극 물질로는 통상 유기물 층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO 2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 음극 물질로는 통상 유기물 층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 상기 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO 2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물 층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 전자억제층은 상기 정공수송층 상에 형성되어, 바람직하게는 발광층에 접하여 구비되어, 정공이동도를 조절하고, 전자의 과다한 이동을 방지하여 정공-전자간 결합 확률을 높여줌으로써 유기 발광 소자의 효율을 개선하는 역할을 하는 층을 의미한다. 상기 전자억제층은 전자저지물질을 포함하고, 이러한 전자저지물질의 예로 아릴아민 계열의 유기물 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료로는 상술한 화학식 1로 표시되는 화합물이 사용될 수 있다. 또한, 호스트 재료로는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 이외에 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등을 추가로 사용할 수 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
또한, 도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 사이클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
보다 구체적으로 상기 도펀트 재료로는 하기 구조의 화합물들을 들 수 있으나, 이에 한정되지 않는다:
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상기 정공저지층은 발광층 상에 형성되어, 바람직하게는 발광층에 접하여 구비되어, 전자이동도를 조절하고 정공의 과다한 이동을 방지하여 정공-전자간 결합 확률을 높여줌으로써 유기 발광 소자의 효율을 개선하는 역할을 하는 층을 의미한다. 상기 정공저지층은 정공저지물질을 포함하고, 이러한 정공저지물질의 예로 트리아진을 포함한 아진류유도체; 트리아졸 유도체; 옥사디아졸 유도체; 페난트롤린 유도체; 포스핀옥사이드 유도체 등의 전자흡인기가 도입된 화합물을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 주입 및 수송층은 전극으로부터 전자를 주입하고, 수취된 전자를 발광층까지 수송하는 전자수송층 및 전자주입층의 역할을 동시에 수행하는 층으로, 상기 발광층 또는 상기 정공저지층 상에 형성된다. 이러한 전자 주입 및 수송물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 전자 주입 및 수송물질의 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq 3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물; 트리아진 유도체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 또는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물, 또는 질소 함유 5원환 유도체 등과 함께 사용할 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 주입 및 수송층은 전자주입층 및 전자수송층과 같은 별개의 층으로도 형성될 수 있다. 이와 같은 경우, 전자 수송층은 상기 발광층 또는 상기 정공저지층 상에 형성되고, 상기 전자 수송층에 포함되는 전자 수송 물질로는 상술한 전자 주입 및 수송 물질이 사용될 수 있다. 또한, 전자 주입층은 상기 전자 수송층 상에 형성되고, 상기 전자 주입층에 포함되는 전자 주입 물질로는 LiF, NaCl, CsF, Li 2O, BaO, 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 플루오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 질소 함유 5원환 유도체 등이 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 배면 발광(bottom emission) 소자, 전면 발광(top emission) 소자, 또는 양면 발광 소자일 수 있으며, 특히 상대적으로 높은 발광 효율이 요구되는 배면 발광 소자일 수 있다.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예들을 제시한다. 다만, 하기의 실시예들은 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예들에 의하여 한정되는 것은 아니다.
제조예 1
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1) 화합물 a-5의 제조
2-bromo-5-chloro-3-hydroxybenzaldehyde 400.0g (1.0 eq.), (2-formylphenyl)boronic acid 254.7g (1.0 eq.) 를 THF 8000ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate 704.4g (3.0 eq.)를 물 2113ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) 39.3g (0.02 eq.)을 투입하였다. 5 시간 후 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리한 뒤 유기층을 증류하였다. 이후 Ethyl acetate에 완전히 녹여서 물로 씻어주고 다시 감압하여 용매를 80% 정도 제거했다. 다시 환류 상태에서 Hexane을 넣어주며 결정을 떨어트려 식힌 후 여과했다. 이를 컬럼크로마토그래피하여 화합물 a-5 332.1g (수율 75 %)를 얻었다. [M+H]=262
2) 화합물 a-4의 제조
화합물 a-5 332.1g (1.0 eq.)와 hydrazine monohydrate 65.1g (1.02 eq.)를 AcOH 4982ml에 넣고 환류시키며 교반하였다. 2 시간 후 반응이 종료되면 감압하여 용매를 제거했다. 이후 톨루엔에 완전히 녹여서 물로 씻어주고 다시 감압하여 용매를 제거했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 a-4를 174.8g (수율 60%)를 얻었다. [M+H]=230
3) 화합물 a-3의 제조
화합물 a-4 174.8g (1.0 eq.), N-bromosuccinimide 136.0g (1.0 eq.)를 dimethylformamide 3496ml에 넣고 상온에서 교반하였다. 2 시간 후 반응이 종료되면 반응물을 물에 부어서 결정을 떨어뜨리고 여과 했다. 이후 클로로포름에 완전히 녹여서 물로 2 회 세척 후에 다시 감압하여 용매를 제거했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 a-3를 79.9g (수율 34%)를 얻었다. [M+H]=309
4) 화합물 a-2의 제조
화합물 a-3 79.9g (1 eq.)와 (2-fluorophenyl)boronic acid 38.2g (1.05 eq.)를 THF 1598ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate 107.7g (3.0 eq.)를 물 323ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) 6.0g (0.02 eq.)을 투입하였다. 4시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 a-2를 76.3g (수율 91%)를 얻었다. [M+H]=324
5) 화합물 a-1의 제조
화합물 a-2 76.3g (1.0 eq.)와 potassium carbonate 98g (3.0 eq.)를 DMAC 800ml에 넣고 환류시키며 교반하였다. 5시간 후 반응물을 물에 부어서 결정을 떨어트리고 여과했다. 여과한 고체를 클로로포름에 완전히 녹인 후 물로 씻어주고 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 a-1를 65.1g (수율 91%)를 얻었다. [M+H]= 304
6) 화합물 a의 제조
화합물 a-1 65.1g (1.0 eq.)와 bis(pinacolato)diboron 60.1g (1.1 eq.)를 1,4-dioxane 1302ml에 환류시키며 교반하였다. 이 후 potassium acetate 63.3g (3.0 eq.)를 투입하고 충분히 교반한 후 비스(디벤질리덴아세톤)팔라듐(0)(Bis(dibenzylideneacetone)palladium(0); (Pd(dba) 2)) 3.7g (0.03 eq.) 및 트리시클로헥실포스핀 3.6g (0.06 eq.)을 투입하였다. 3시간 반응한 뒤 감압 증류하고, 다시 클로로포름에 녹여내 물로 2회 세척하였다. 이후 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 a를 61.9g (수율 73%)를 얻었다. [M+H]= 395
제조예 2
1) 화합물 b-1의 제조
(2-fluorophenyl)boronic acid 대신 (1-fluoronaphthalen-2-yl)boronic acid 를 사용하는 것을 제외하고는, 상기 제조예 1의 화합물 a-1의 제조 방법과 같은 방법으로 수행하여 화합물 b-1을 합성했다.
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000045
2) 화합물 b의 제조
화합물 a-1 대신 화합물 b-1을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 제조예 1의 화합물 a의 제조 방법과 같은 방법으로 수행하여 화합물 b를 합성했다.
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000046
제조예 3
1) 화합물 c-1의 제조
(2-fluorophenyl)boronic acid 대신 (3-fluoronaphthalen-2-yl)boronic acid를 사용하는 것을 제외하고는 상기 제조예 1의 화합물 a-1의 제조 방법과 같은 방법으로 수행하여 화합물 c-1 를 합성했다.
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000047
2) 화합물 c의 제조
화합물 a-1 대신 화합물 c-1을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 제조예 1의 화합물 a의 제조 방법과 같은 방법으로 수행하여 화합물 c 를 합성했다.
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000048
제조예 4
1) 화합물 d-1의 제조
(2-fluorophenyl)boronic acid 대신 (2-fluoronaphthalen-1-yl)boronic acid 를 사용하는 것을 제외하고는 상기 제조예 1의 화합물 a-1 의 제조 방법과 같은 방법으로 수행하여 화합물 d-1 를 합성했다.
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000049
2) 화합물 d의 제조
화합물 a-1 대신 화합물 d-1을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 제조예 1의 화합물 a의 제조 방법과 같은 방법으로 수행하여 화합물 d 를 합성했다.
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000050
제조예 5
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000051
1) 화합물 e-5의 제조
4-bromo-5-chloro-2-iodobenzaldehyde 500.0g (1.0 eq.), (2-formylphenyl)boronic acid 217.1g (1.0 eq.) 를 THF 10L에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate 600.3g (3.0 eq.)를 물 1801ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) 33.5g (0.02 eq.)을 투입하였다. 2 시간 후 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리한 뒤 유기층을 증류하였다. 이후 Ethyl acetate에 완전히 녹여서 물로 씻어주고 다시 감압하여 용매를 80% 정도 제거했다. 다시 환류 상태에서 Hexane을 넣어주며 결정을 떨어트려 식힌 후 여과했다. 이를 컬럼크로마토그래피하여 화합물 e-5 398.2g (수율 85 %)를 얻었다. [M+H]=325
2) 화합물 e-4의 제조
화합물 e-5 398.2g (1.0 eq.)와 hydrazine monohydrate 62.8g (1.02 eq.)를 AcOH 5973ml에 넣고 환류시키며 교반하였다. 2 시간 후 반응이 종료되면 감압하여 용매를 제거했다. 이후 톨루엔에 완전히 녹여서 물로 씻어주고 다시 감압하여 용매를 제거했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 e-4를 229.6g (수율 64%)를 얻었다. [M+H]=293
3) 화합물 e-3의 제조
화합물 e-4 229.6g (1 eq.)와 (2-(methylthio)phenyl)boronic acid 138.9g (1.05 eq.)를 THF 4592ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate 326.5g (3.0 eq.)를 물 980ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) 18.2g (0.02 eq.)을 투입하였다. 5시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 e-3을 216.2g (수율 82%)를 얻었다. [M+H]=336
4) 화합물 e-2의 제조
화합물 e-3 216.2g (1.0 eq) 에 H 2O 2 43.9g (2.00 eq) 을 아세트산 600ml에 넣고 환류하여 교반했다. 1시간 후 반응물을 물에 부어서 결정을 떨어트리고 여과했다. 여과한 고체를 Ethyl acetate에 완전히 녹여서 물로 씻어주고 다시 감압하여 용매를 80% 정도 제거했다. 다시 환류 상태에서 Hexane을 넣어주며 결정을 떨어트려 식힌 후 여과했다. 이를 컬럼크로마토그래피하여 화합물 e-2 90.6g (수율 40%)를 얻었다. [M+H]=352
5) 화합물 e-1의 제조
화합물 e-2 90.6g (1.0 eq), H 2SO 4 500ml 넣고 환류하여 녹이면서 교반했다. 2 시간 후 반응이 종료되면 반응물을 물에 부어서 결정을 떨어 트리고 여과했다. 여과한 고체를 CHCl 3에 완전히 녹인 후 물로 씻어주고 생성물이 녹아있는 용액을 감압 농축하여 용매를 80% 정도 제거했다. 이를 다시 환류 상태에서 Hexane을 넣어주며 결정을 떨어트리고 식힌 후 여과 해서 화합물 e-1 32.1g (수율 39%)을 얻었다. [M+H]=320
6) 화합물 e의 제조
화합물 e-1 32.1g (1.0 eq.)와 bis(pinacolato)diboron 28.1g (1.1 eq.)를 1,4-dioxane 642ml에 환류시키며 교반하였다. 이 후 potassium acetate 29.6g (3.0 eq.)를 투입하고 충분히 교반한 후 비스(디벤질리덴아세톤)팔라듐(0)(Pd(dba) 2) 1.7g (0.03 eq.) 및 트리시클로헥실포스핀 1.7g (0.06 eq.)을 투입하였다. 6시간 반응한 뒤 감압 증류하고, 다시 클로로포름에 녹여내 물로 2회 세척하였다. 이후 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 a를 35.5g (수율 86%)를 얻었다. [M+H]= 411
제조예 6
1) 화합물 f-1의 제조
(2-(methylthio)phenyl)boronic acid 대신 (1-(methylthio)naphthalen-2-yl)boronic acid 를 사용하는 것을 제외하고는 상기 제조예 5의 화합물 e-1 의 제조 방법과 같은 방법으로 수행하여 화합물 f-1 를 합성했다.
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000052
2) 화합물 f의 제조
화합물 e-1 대신 화합물 f-1을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 제조예 5의 화합물 e의 제조 방법과 같은 방법으로 수행하여 화합물 f 를 합성했다.
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000053
제조예 7
1) 화합물 g-1의 제조
(2-(methylthio)phenyl)boronic acid 대신 (3-(methylthio)naphthalen-2-yl)boronic acid 를 사용하는 것을 제외하고는, 상기 제조예 5의 화합물 e-1의 제조 방법과 같은 방법으로 수행하여 화합물 g-1 를 합성했다.
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000054
2) 화합물 g의 제조
화합물 e-1 대신 화합물 g-1을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 제조예 5의 화합물e의 제조 방법과 같은 방법으로 수행하여 화합물 g를 합성했다.
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000055
제조예 8
1) 화합물 h-1의 제조
(2-(methylthio)phenyl)boronic acid 대신 (2-(methylthio)naphthalen-1-yl)boronic acid 를 사용하는 것을 제외하고는, 상기 제조예 5의 화합물 e-1 의 제조 방법과 같은 방법으로 수행하여 화합물 h-1 를 합성했다.
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000056
2) 화합물 h의 제조
화합물 e-1 대신 화합물 h-1을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 제조예 5의 화합물e의 제조 방법과 같은 방법으로 수행하여 화합물 h 를 합성했다.
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000057
상기에서 합성한 화합물을 트리아진 구조를 포함하는 화합물(sub 1 내지 33)과 Suzuki coupling reaction 시켜 본 발명에 따른 화합물들을 합성하였다.
합성예 1
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000058
sub 1 (15g, 47.2mmol)과 화합물 a (20.5g, 51.9mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (19.6g, 141.6mmol)를 물 59ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (1.6g, 1.4mmol)을 투입하였다. 12시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 1를 17.1g 제조하였다. (수율 66%, MS: [M+H]+= 551)
합성예 2
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000059
sub 2 (15g, 40.8mmol)와 화합물a (17.7g, 44.9mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (16.9g, 122.3mmol)를 물 51ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (1.4g, 1.2mmol)을 투입하였다. 9시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물2를 12.2g 제조하였다. (수율 50%, MS: [M+H]+= 601)
합성예 3
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000060
sub 3 (15g, 41.9mmol)와 화합물a (18.2g, 46.1mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (17.4g, 125.8mmol)를 물 52ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (1.5g, 1.3mmol)을 투입하였다. 12시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물3를 19g 제조하였다. (수율 77%, MS: [M+H]+= 591)
합성예 4
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000061
sub 4 (15g, 30.9mmol)와 화합물a-1 (9.4g, 30.9mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (12.8g, 92.7mmol)를 물 38ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2g, 0.3mmol)을 투입하였다. 9시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물4를 10.6g 제조하였다. (수율 55%, MS: [M+H]+= 627)
합성예 5
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000062
sub 5 (15g, 41.9mmol)와 화합물b (20.5g, 46.1mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (17.4g, 125.8mmol)를 물 52ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (1.5g, 1.3mmol)을 투입하였다. 9시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 5를 21.2g 제조하였다. (수율 79%, MS: [M+H]+= 641)
합성예 6
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000063
sub 6 (15g, 40.1mmol)와 화합물b (19.6g, 44.1mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (16.6g, 120.4mmol)를 물 50ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (1.4g, 1.2mmol)을 투입하였다. 11시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물6를 16.3g 제조하였다. (수율 62%, MS: [M+H]+= 657)
합성예 7
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000064
sub 7 (15g, 38.1mmol)와 화합물b (18.6g, 41.9mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (15.8g, 114.3mmol)를 물 47ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (1.3g, 1.1mmol)을 투입하였다. 11시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물7를 13.6g 제조하였다. (수율 53%, MS: [M+H]+= 677)
합성예 8
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000065
sub 8 (15g, 30.9mmol)와 화합물b-1 (10.9g, 30.9mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (12.8g, 92.7mmol)를 물 38ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2g, 0.3mmol)을 투입하였다. 12시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물8를 13.8g 제조하였다. (수율 66%, MS: [M+H]+= 677)
합성예 9
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000066
sub 9 (15g, 33.8mmol)와 화합물c (16.5g, 37.2mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (14g, 101.4mmol)를 물 42ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (1.2g, 1mmol)을 투입하였다. 8시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물9를 13.2g 제조하였다. (수율 54%, MS: [M+H]+= 727)
합성예 10
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000067
sub 10 (15g, 35.7mmol)와 화합물c (17.5g, 39.3mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (14.8g, 107.2mmol)를 물 44ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (1.2g, 1.1mmol)을 투입하였다. 8시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물10를 15.8g 제조하였다. (수율 63%, MS: [M+H]+= 703)
합성예 11
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000068
sub 11 (15g, 40.8mmol)와 화합물c (19.9g, 44.9mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (16.9g, 122.3mmol)를 물 51ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (1.4g, 1.2mmol)을 투입하였다. 9시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물11를 19.3g 제조하였다. (수율 73%, MS: [M+H]+= 651)
합성예 12
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000069
sub 12 (15g, 30.9mmol)와 화합물c-1 (10.9g, 30.9mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (12.8g, 92.7mmol)를 물 38ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2g, 0.3mmol)을 투입하였다. 12시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물12를 14g 제조하였다. (수율 67%, MS: [M+H]+= 677)
합성예 13
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000070
sub 13 (15g, 43.6mmol)와 화합물d (21.3g, 48mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (18.1g, 130.9mmol)를 물 54ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (1.5g, 1.3mmol)을 투입하였다. 9시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 13를 20.5g 제조하였다. (수율 75%, MS: [M+H]+= 627)
합성예 14
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000071
sub 14 (15g, 40.8mmol)와 화합물d (19.9g, 44.9mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (16.9g, 122.3mmol)를 물 51ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (1.4g, 1.2mmol)을 투입하였다. 10시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물14를 19.3g 제조하였다. (수율 73%, MS: [M+H]+= 651)
합성예 15
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000072
sub 15 (15g, 34.5mmol)와 화합물d-1 (12.2g, 34.5mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (14.3g, 103.4mmol)를 물 43ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2g, 0.3mmol)을 투입하였다. 11시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물15를 15.7g 제조하였다. (수율 73%, MS: [M+H]+= 627)
합성예 16
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000073
sub 16 (15g, 28.5mmol)와 화합물d-1 (10.1g, 28.5mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (11.8g, 85.6mmol)를 물 36ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1g, 0.3mmol)을 투입하였다. 9시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물16를 13.7g 제조하였다. (수율 67%, MS: [M+H]+= 717)
합성예 17
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000074
sub 17 (15g, 43.6mmol)와 화합물e (19.7g, 48mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (18.1g, 130.9mmol)를 물 54ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (1.5g, 1.3mmol)을 투입하였다. 9시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물17를 16.3g 제조하였다. (수율 63%, MS: [M+H]+= 593)
합성예 18
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000075
sub 18 (15g, 40.1mmol)와 화합물e (18.1g, 44.1mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (16.6g, 120.4mmol)를 물 50ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (1.4g, 1.2mmol)을 투입하였다. 10시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물18를 18.7g 제조하였다. (수율 75%, MS: [M+H]+= 623)
합성예 19
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000076
sub 19 (15g, 35.7mmol)와 화합물e (16.1g, 39.3mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (14.8g, 107.2mmol)를 물 44ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (1.2g, 1.1mmol)을 투입하였다. 11시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물19를 16g 제조하였다. (수율 67%, MS: [M+H]+= 669)
합성예 20
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000077
sub 20 (15g, 29.3mmol)와 화합물e-1 (9.4g, 29.3mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (12.2g, 88mmol)를 물 36ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1g, 0.3mmol)을 투입하였다. 10시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물20를 11.8g 제조하였다. (수율 60%, MS: [M+H]+= 669)
합성예 21
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000078
sub 21 (15g, 42mmol)와 화합물e (19g, 46.2mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (17.4g, 126.1mmol)를 물 52ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (1.5g, 1.3mmol)을 투입하였다. 11시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물21를 13.2g 제조하였다. (수율 52%, MS: [M+H]+= 606)
합성예 22
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000079
sub 22 (15g, 30.9mmol)와 화합물e-1 (9.9g, 30.9mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (12.8g, 92.7mmol)를 물 38ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2g, 0.3mmol)을 투입하였다. 8시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물22를 13.7g 제조하였다. (수율 69%, MS: [M+H]+= 643)
합성예 23
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000080
sub 23 (15g, 40.8mmol)와 화합물f (20.7g, 44.9mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (16.9g, 122.3mmol)를 물 51ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (1.4g, 1.2mmol)을 투입하였다. 11시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물23를 20.6g 제조하였다. (수율 76%, MS: [M+H]+= 667)
합성예 24
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000081
sub 24 (15g, 38.1mmol)와 화합물f (19.3g, 41.9mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (15.8g, 114.3mmol)를 물 47ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (1.3g, 1.1mmol)을 투입하였다. 9시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물24를 16.1g 제조하였다. (수율 61%, MS: [M+H]+= 693)
합성예 25
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000082
sub 25 (15g, 36.8mmol)와 화합물f (18.6g, 40.5mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (15.2g, 110.3mmol)를 물 46ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (1.3g, 1.1mmol)을 투입하였다. 8시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물25를 13.5g 제조하였다. (수율 52%, MS: [M+H]+= 707)
합성예 26
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000083
sub 26 (15g, 56mmol)와 화합물g (28.4g, 61.6mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (23.2g, 168.1mmol)를 물 70ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (1.9g, 1.7mmol)을 투입하였다. 8시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물26를 20.6g 제조하였다. (수율 65%, MS: [M+H]+= 567)
합성예 27
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000084
sub 27 (15g, 41.9mmol)와 화합물g (21.2g, 46.1mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (17.4g, 125.8mmol)를 물 52ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (1.5g, 1.3mmol)을 투입하였다. 10시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물27를 17.9g 제조하였다. (수율 65%, MS: [M+H]+= 657)
합성예 28
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000085
sub 28 (15g, 25.4mmol)와 화합물g-1 (9.4g, 25.4mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (10.5g, 76.1mmol)를 물 32ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1g, 0.3mmol)을 투입하였다. 10시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물28를 15.8g 제조하였다. (수율 78%, MS: [M+H]+= 799)
합성예 29
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000086
sub 29 (15g, 38.1mmol)와 화합물h (19.3g, 41.9mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (15.8g, 114.3mmol)를 물 47ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (1.3g, 1.1mmol)을 투입하였다. 9시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물29를 21.1g 제조하였다. (수율 80%, MS: [M+H]+= 693)
합성예 30
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000087
sub 30 (15g, 41.9mmol)와 화합물h (21.2g, 46.1mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (17.4g, 125.8mmol)를 물 52ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (1.5g, 1.3mmol)을 투입하였다. 10시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물30를 19g 제조하였다. (수율 69%, MS: [M+H]+= 657)
합성예 31
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000088
sub 31 (15g, 38.1mmol)와 화합물h (19.3g, 41.9mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (15.8g, 114.3mmol)를 물 47ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (1.3g, 1.1mmol)을 투입하였다. 11시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물31를 16.9g 제조하였다. (수율 64%, MS: [M+H]+= 693)
합성예 32
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000089
sub 32 (15g, 30.9mmol)와 화합물h-1 (11.4g, 30.9mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (12.8g, 92.7mmol)를 물 38ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2g, 0.3mmol)을 투입하였다. 9시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물32를 14.1g 제조하였다. (수율 66%, MS: [M+H]+= 693)
합성예 33
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000090
sub 33 (15g, 28.6mmol)와 화합물 h-1 (10.6g, 28.6mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate (11.9g, 85.8mmol)를 물 36ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1g, 0.3mmol)을 투입하였다. 10시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 33을 12.8g 제조하였다. (수율 61%, MS: [M+H]+= 732)
실시예 1
ITO(indium tin oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척했다. 이때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용했다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행했다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 정공주입층으로 하기 HI-1 화합물을 1150Å의 두께로 형성하되 하기 A-1 화합물을 1.5% 농도로 p-doping 했다. 상기 정공주입층 위에 하기 HT-1 화합물을 진공 증착하여 막 두께 800Å의 정공수송층을 형성했다. 이어서, 상기 정공수송층 위에 막 두께 150Å으로 하기 EB-1 화합물을 진공 증착하여 전자억제층을 형성했다. 이어서, 상기 EB-1 증착막 위에 호스트로서 상기 합성예 1에서 제조한 화합물 1과 도펀트로서 하기 Dp-7 화합물을 98:2의 중량비로 진공 증착하여 400Å 두께의 적색 발광층을 형성했다. 상기 발광층 위에 막 두께 30Å으로 하기 HB-1 화합물을 진공 증착하여 정공저지층을 형성했다. 이어서, 상기 정공저지층 위에 하기 ET-1 화합물과 하기 LiQ 화합물을 2:1의 중량비로 진공 증착하여 300Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성했다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å 두께로 리튬플로라이드(LiF)와 1,000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성했다.
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000091
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4~0.7Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플로라이드는 0.3Å/sec, 알루미늄은 2Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2×10 -7 ~ 5×10 -6 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작했다.
실시예 2 내지 33
실시예 1의 유기 발광 소자에서 화합물 1 대신에 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조했다.
비교예 1 내지 8
실시예 1의 유기 발광 소자에서 화합물 1 대신에 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조했다.
Figure PCTKR2021005946-appb-img-000092
실험예
상기 실시예 1 내지 33, 및 비교예 1 내지 8에서 제조한 유기 발광 소자에 전류 10mA/cm 2를 인가하였을 때, 구동 전압 및 효율을 각각 측정하고 그 결과를 하기 표 1에 나타냈다. 수명 T95는 휘도가 초기 휘도(6000 nit)에서 95%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미한다.
구분 호스트 구동전압(V) 효율(cd/A) 수명 T95(hr) 발광색
실시예 1 화합물 1 3.97 18.3 115 적색
실시예 2 화합물 2 3.93 18.5 119 적색
실시예 3 화합물 3 3.90 18.8 126 적색
실시예 4 화합물 4 3.99 18.0 113 적색
실시예 5 화합물 5 3.91 18.9 101 적색
실시예 6 화합물 6 3.93 19.0 95 적색
실시예 7 화합물 7 3.86 18.6 107 적색
실시예 8 화합물 8 3.88 18.1 102 적색
실시예 9 화합물 9 3.78 19.5 135 적색
실시예 10 화합물 10 3.76 19.9 139 적색
실시예 11 화합물 11 3.82 19.0 124 적색
실시예 12 화합물 12 3.87 18.8 104 적색
실시예 13 화합물 13 3.99 18.7 116 적색
실시예 14 화합물 14 3.94 19.2 124 적색
실시예 15 화합물 15 4.04 17.9 93 적색
실시예 16 화합물 16 3.91 19.0 129 적색
실시예 17 화합물 17 3.92 18.9 121 적색
실시예 18 화합물 18 3.96 18.1 104 적색
실시예 19 화합물 19 3.90 19.3 132 적색
실시예 20 화합물 20 3.88 18.4 112 적색
실시예 21 화합물 21 4.07 17.6 126 적색
실시예 22 화합물 22 3.95 17.0 117 적색
실시예 23 화합물 23 4.03 18.3 109 적색
실시예 24 화합물 24 4.07 18.0 102 적색
실시예 25 화합물 25 4.01 18.9 113 적색
실시예 26 화합물 26 3.73 21.4 145 적색
실시예 27 화합물 27 3.81 20.2 121 적색
실시예 28 화합물 28 3.85 20.5 117 적색
실시예 29 화합물 29 3.94 18.3 110 적색
실시예 30 화합물 30 3.98 18.8 104 적색
실시예 31 화합물 31 3.87 19.3 126 적색
실시예 32 화합물 32 3.96 18.4 98 적색
실시예 33 화합물 33 4.04 18.0 94 적색
비교예 1 C-1 4.10 15.7 76 적색
비교예 2 C-2 4.34 13.4 59 적색
비교예 3 C-3 4.21 14.3 63 적색
비교예 4 C-4 4.14 15.9 81 적색
비교예 5 C-5 4.12 15.7 82 적색
비교예 6 C-6 4.28 14.6 59 적색
비교예 7 C-7 4.21 13.9 48 적색
비교예 8 C-8 4.31 13.7 53 적색
실험결과, 본 발명에 따른 화합물을 발광층에 사용한 실시예들의 유기 발광 소자는, 비교예와 비교하여 구동 전압이 크게 낮아졌으며, 효율 측면에도 크게 상승하였다. 이로부터 호스트에서 적색 도판트로의 에너지 전달이 잘 이루어졌음을 알 수 있다. 또한 상기 실시예의 유기 발광 소자는 비교예와 비교하여 높은 효율을 유지하면서도 크게 개선된 수명 특성을 나타내었으며, 이는 비교예에서 사용된 화합물 보다 본 발명의 화합물이 전자와 정공에 대한 안정도가 높기 때문이라 판단된다.
결론적으로 본 발명의 화합물을 적색 발광층의 호스트로 사용하였을 때 유기 발광 소자의 구동전압, 발광 효율 및 수명 특성을 개선할 수 있다는 것을 확인할 수 있으며, 이는 일반적으로 유기 발광 소자의 발광 효율 및 수명 특성은 서로 트레이드-오프(Trade-off) 관계를 갖는 점을 고려할 때 실시예의 유기 발광 소자는 비교예 소자 대비 현저히 향상된 소자 특성을 나타낸다고 볼 수 있다.
[부호의 설명]
1: 기판 2: 양극
3: 유기물 층 4: 음극
5: 정공주입층 6: 정공수송층
7: 전자억제층 8: 발광층
9: 정공저지층 10: 전자 주입 및 수송층

Claims (9)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
    [화학식 1]
    Figure PCTKR2021005946-appb-img-000093
    상기 화학식 1에서,
    A는 벤젠 또는 나프탈렌 고리 구조를 가지며, 인접한 5원 고리 구조에 결합하여 축합 고리 구조를 형성하고,
    L은 단일 결합, 또는 치환 또는 비치환된 C 6-60 아릴렌이고,
    X는 O 또는 S이고,
    Y는 각각 독립적으로 N 또는 CH이되, 단 Y중 적어도 2개는 N이고,
    Ar 1 및 Ar 2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C 6-60 아릴, 또는 치환 또는 비치환된, N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 C 5-60 헤테로아릴이며,
    R 1 내지 R 3은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C 1-60 알킬, 또는 치환 또는 비치환된 C 6-60 아릴이며,
    n1은 0 내지 6의 정수이고,
    n2는 0 내지 6의 정수이다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 1-4 중 어느 하나인,
    화합물:
    [화학식 1-1]
    Figure PCTKR2021005946-appb-img-000094
    [화학식 1-2]
    Figure PCTKR2021005946-appb-img-000095
    [화학식 1-3]
    Figure PCTKR2021005946-appb-img-000096
    [화학식 1-4]
    Figure PCTKR2021005946-appb-img-000097
    상기 화학식 1-1 내지 1-4에 있어서,
    X, R 1 내지 R 3, Ar 1, Ar 2, 및 n2는 제1항에서 정의한 바와 같으며, n1'은 0 내지 4의 정수이고, n1”은 0 내지 6의 정수이다.
  3. 제1항에 있어서,
    L은 단일 결합, 페닐렌, 또는 나프틸렌인,
    화합물.
  4. 제1항에 있어서,
    Ar 1 및 Ar 2는 각각 독립적으로 C 6-20 아릴; 또는 N, O 또는 S를 포함하는 C 5-20 헤테로아릴이며,
    상기 Ar 1 및 Ar 2는 각각 독립적으로 하나 이상의 중수소, C 1-20 알킬 또는 C 6-20 아릴로 치환되거나 또는 비치환되는,
    화합물.
  5. 제1항에 있어서,
    Ar 1 및 Ar 2는 각각 독립적으로 페닐, 비페닐, 터페닐, 나프틸, 페난쓰레닐, 트리페닐레닐, 플루오란테닐, (나프틸)페닐, (페닐)나프틸, 플루오레닐, 디벤조퓨라닐, 디벤조티오펜일, 또는 카르바졸일이며,
    상기 Ar 1 및 Ar 2는 각각 독립적으로 하나 이상의 중수소, C 1-18 알킬, 또는 C 6-18 아릴로 치환되거나 또는 비치환되는,
    화합물.
  6. 제1항에 있어서,
    Ar 1 및 Ar 2중 어느 하나는 페닐, 비페닐 또는 나프틸이고,
    나머지는 페닐, 비페닐, 터페닐, 나프틸, 페난쓰레닐, 트리페닐레닐, 플루오란테닐, (나프틸)페닐, (페닐)나프틸, 플루오레닐, 디벤조퓨라닐, 디벤조티오펜일, 또는 카르바졸일이며,
    상기 Ar 1 및 Ar 2는 각각 독립적으로 하나 이상의 중수소, 메틸 또는 페닐로 치환되거나 또는 비치환되는,
    화합물.
  7. 제1항에 있어서,
    R 1 내지 R 3은 각각 독립적으로 수소 또는 중수소인,
    화합물.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나인,
    화합물:
    Figure PCTKR2021005946-appb-img-000098
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    Figure PCTKR2021005946-appb-img-000121
    .
  9. 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물 층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물 층 중 1층 이상은 제1항 내지 제8항 중 어느 하나의 항에 따른 화합물을 포함하는 것인, 유기 발광 소자.
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