WO2021217295A1 - 显示基板以及显示装置 - Google Patents

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WO2021217295A1
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刘彪
都蒙蒙
董向丹
马宏伟
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京东方科技集团股份有限公司
成都京东方光电科技有限公司
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Abstract

一种显示基板以及显示装置。显示基板包括第一电源信号线以及像素限定层。第一电源信号线包括沿第一方向延伸的第一子电源信号线以及沿第二方向延伸的第二子电源信号线；像素限定层包括多个开口以限定多个子像素的有效发光区，多个子像素包括沿第二方向排列的两个子像素组成的子像素对，子像素对包括彼此间具有间隔的两个子有效发光区。在平面图中，第一子电源信号线穿过两个子有效发光区之间的间隔，至少一条第二子电源信号线包括断口，两个子有效发光区位于断口处，以使连接第二子电源信号线的断口的两端点的虚拟直线贯穿两个子有效发光区。第二子电源信号线设置的断口可以减少两个子有效发光区与第一电源信号线的交叠，减少子像素对的色偏。

Description

显示基板以及显示装置 技术领域
本公开至少一个实施例涉及一种显示基板以及显示装置。
背景技术
有机发光二极管具有自发光、高效率、色彩鲜艳、轻薄省电等优点，已经逐步应用于大面积显示、照明以及车载显示等领域。为了提高有机发光二极管显示装置的均一性，可以采用两层电源信号线的结构，且靠近有机发光二极管的发光层一侧的电源信号线形成网格状图案，以减小电源信号线的压降。
发明内容
本公开的至少一实施例提供一种显示基板以及显示装置。
本公开的至少一实施例提供一种显示基板，包括：衬底基板；第一电源信号线，位于所述衬底基板上，所述第一电源信号线包括沿第一方向延伸的多条第一子电源信号线以及沿第二方向延伸的多条第二子电源信号线，所述第一子电源信号线与所述第二子电源信号线相连；像素限定层，位于所述第一电源信号线远离所述衬底基板的一侧，所述像素限定层包括多个开口以限定多个子像素的有效发光区，所述多个子像素包括沿所述第二方向排列的两个子像素组成的子像素对，所述子像素对包括彼此间具有间隔的两个子有效发光区。在平面图中，所述第一子电源信号线穿过所述两个子有效发光区之间的间隔，至少一条所述第二子电源信号线包括至少一个断口，所述两个子有效发光区以及位于所述两个子有效发光区之间的所述间隔均位于所述断口处，以使连接所述第二子电源信号线的同一断口的两个端点的沿所述第二方向延伸的虚拟直线贯穿所述两个子有效发光区以及所述间隔。
例如，在本公开的实施例中，沿垂直于所述衬底基板的方向，具有所述断口的所述第二子电源信号线与所述两个子有效发光区以及所述间隔均没有交叠。
例如，在本公开的实施例中，显示基板还包括：多条第二电源信号线，沿所述第二方向延伸，位于所述第一电源信号线与所述衬底基板之间，且所述第二电源信号线与所述第二子电源信号线通过位于所述第二子电源信号线与所述第二电源线之间的绝缘层中的过孔电连接。所述第二子电源信号线在所述衬底基板上的正投影与所述第二电源信号线在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠，且所述两个子有效发光区在所述衬底基板上的正投影与所述第二电源信号线在所述衬底基板上的正投影有交叠。
例如，在本公开的实施例中，所述第一子电源信号线在所述衬底基板上的正投影与所述两个子有效发光区的在所述衬底基板上的两个正投影的两个中心之间的距离之比为0.9～1.1。
例如，在本公开的实施例中，所述两个子有效发光区在所述衬底基板上的两个正投 影的两个中心位于所述第二电源信号线在所述衬底基板上的正投影内。
例如，在本公开的实施例中，所述显示基板包括位于所述衬底基板上的多个重复单元，所述多个重复单元的每个包括沿所述第一方向依次排列的一个第一颜色子像素、一个第二颜色子像素对以及一个第三颜色子像素，所述第二颜色子像素对包括两个相同颜色的第二颜色子像素，且沿所述第二方向排列的所述两个子像素组成的所述子像素对为所述第二颜色子像素对；所述第一颜色子像素包括第一有效发光区，所述两个子有效发光区为两个第二有效发光区，且所述第三颜色子像素包括第三有效发光区。
例如，在本公开的实施例中，沿所述第二方向，所述间隔的尺寸小于所述第一有效发光区的尺寸，且所述间隔的尺寸小于所述第三有效发光区的尺寸。
例如，在本公开的实施例中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一有效发光区与所述第二子电源信号线以及所述第二电源信号线均没有交叠。
例如，在本公开的实施例中，所述第一有效发光区位于相邻的所述第二子电源信号线之间，且所述第一有效发光区位于相邻的所述第二电源信号线之间。
例如，在本公开的实施例中，所述第一有效发光区在所述衬底基板上的正投影的中心位于所述第一子电源信号线在所述衬底基板上的正投影内。
例如，在本公开的实施例中，显示基板还包括：多个垫块，沿所述第二方向延伸，且与所述第一电源信号线同层设置。位于第一有效发光区两侧且与所述第一有效发光区紧邻的两条第二子电源信号线距所述第一有效发光区的沿所述第二方向延伸的中心线的距离不相等，且所述第一有效发光区位于所述垫块与距所述第一有效发光区的所述中心线距离较近的所述第二子电源信号线之间。
例如，在本公开的实施例中，在所述第一方向上，所述第一有效发光区的中心线与位于所述第一有效发光区两侧的所述垫块和所述第二子电源信号线的距离之比为0.9～1.1。
例如，在本公开的实施例中，沿垂直于所述衬底基板的方向，所述垫块与所述第一子电源信号线交叠，且彼此电连接。
例如，在本公开的实施例中，所述垫块的形状大致为长条形，且所述垫块在所述衬底基板上的正投影的中心位于所述第一子电源信号线在所述衬底基板上的正投影内。
例如，在本公开的实施例中，沿所述第一方向排列且彼此相邻的所述第一颜色子像素和所述第三颜色子像素之间设置有所述垫块，且所述垫块与位于所述第一颜色子像素与所述第三颜色子像素之间的所述第二子电源信号线电连接。
例如，在本公开的实施例中，显示基板还包括：连接部，与所述垫块同层设置，且位于所述第二子电源信号线与所述垫块之间。所述垫块通过所述连接部连接至所述第二子电源信号线。
例如，在本公开的实施例中，所述垫块和与其连接的所述第二子电源信号线之间具有间隔，所述连接部位于所述垫块和所述第二子电源信号线之间，且所述连接部、所述垫块以及所述第二子电源信号线形成环状结构。
例如，在本公开的实施例中，多条所述第二子电源信号线包括沿所述第一方向交替排列的第一子信号线和第二子信号线，所述第一子信号线为连续的信号线，所述第二子信号线为具有所述断口的信号线。
例如，在本公开的实施例中，所述垫块通过所述连接部连接至所述第二子信号线，且所述垫块在与连接至该垫块的所述第二子信号线相邻的另一条所述第二子信号线上的正投影位于该另一条所述第二子信号线的断口内。
例如，在本公开的实施例中，沿所述第二方向，所述垫块的尺寸小于所述第一有效发光区的尺寸。
例如，在本公开的实施例中，在垂直于所述衬底基板的方向，所述第三有效发光区与所述第二子电源信号线以及所述第二电源信号线没有交叠。
例如，在本公开的实施例中，所述第三有效发光区位于相邻的所述第二子电源信号线之间，且所述第三有效发光区位于相邻的所述第二电源信号线之间。
例如，在本公开的实施例中，所述第三有效发光区在所述衬底基板上的正投影的中心位于所述第一子电源信号线在所述衬底基板上的正投影内。
例如，在本公开的实施例中，位于所述第三颜色子像素两侧且与所述第三颜色子像素紧邻的两条所述第二子电源信号线在所述衬底基板上的正投影与所述第三有效发光区在所述衬底基板上的正投影的中心的距离之比为0.9～1.1。
例如，在本公开的实施例中，各所述子像素包括有机发光元件，所述有机发光元件包括依次层叠设置的第一电极、发光层以及第二电极，所述发光层的至少部分位于所述开口内，且所述第二电极位于所述像素限定层面向所述衬底基板的一侧，所述第一颜色子像素中，所述第一有效发光区与所述第二电极的面积比为53％～55％；所述第二颜色子像素对中，所述两个第二有效发光区与两个第二电极的面积比为43.5％～48％；所述第三颜色子像素中，所述第三有效发光区与第二电极的面积比为67.5％～69％。
例如，在本公开的实施例中，所述第一有效发光区和所述第三有效发光区的形状包括六边形或者椭圆形，所述第二颜色子像素对包括的每个上述第二有效发光区的形状包括五边形、圆形或者水滴形。
例如，在本公开的实施例中，各颜色子像素的所述第二电极包括彼此连接的主体电极和连接电极，所述主体电极的形状与相应子像素的有效发光区的形状大致相同；各所述子像素中，所述连接电极与所述主体电极连接的部分设置有凹口，沿垂直于所述衬底基板的方向，所述显示基板在对应于所述凹口的至少一部分的区域为透明区域。
例如，在本公开的实施例中，显示基板还包括：多条数据线，沿所述第二方向延伸，且与所述第二电源信号线同层设置；多条扫描信号线，沿所述第一方向延伸，且位于所述数据线所在膜层面向所述衬底基板的一侧；多条复位电源信号线，沿所述第一方向延伸，且位于所述扫描信号线所在膜层与所述数据线所在膜层之间；多条复位控制信号线，沿所述第一方向延伸，且与所述扫描信号线同层设置；以及多条发光控制信号线，沿所述第一方向延伸，且与所述扫描信号线同层设置。各所述子像素还包括驱动所述有机发 光元件的像素电路，所述像素电路包括驱动晶体管、数据写入晶体管、存储电容、阈值补偿晶体管、第一发光控制晶体管、第二光控制晶体管、第一复位晶体管和第二复位晶体管；所述数据写入晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第一极电连接，所述数据写入晶体管的第二极与所述数据线电连接以接收数据信号，所述数据写入晶体管的栅极与所述扫描信号线电连接以接收扫描信号；所述存储电容的第一极与所述第二电源信号线电连接，所述存储电容的第二极与所述驱动晶体管的栅极电连接；所述阈值补偿晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接，所述阈值补偿晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极电连接，所述阈值补偿晶体管的栅极与所述扫描信号线电连接以接收补偿控制信号；所述第一复位晶体管的第一极与所述复位电源信号线电连接以接收第一复位信号，所述第一复位晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极电连接，所述第一复位晶体管的栅极与所述复位控制信号线电连接以接收第一子复位控制信号；所述第二复位晶体管的第一极与所述复位电源信号线电连接以接收第二复位信号，所述第二复位晶体管的第二极与所述有机发光元件的第一电极电连接，所述第二复位晶体管的栅极与所述复位控制信号线电连接以接收第二子复位控制信号；所述第一发光控制晶体管的第一极与所述第二电源信号线电连接，所述第一发光控制晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极电连接，所述第一发光控制晶体管的栅极与所述发光控制信号线电连接以接收第一发光控制信号；所述第二发光控制晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接，所述第二发光控制晶体管的第二极与所述有机发光元件的第二电极电连接，所述第二发光控制晶体管的栅极与所述发光控制信号线电连接以接收第二发光控制信号。所述显示基板还包括与所述数据线同层设置的第一连接部、第二连接部以及第三连接部，以及与所述第一电源信号线同层设置的第四连接部，所述第一连接部被配置为连接所述阈值补偿晶体管的第二极和所述驱动晶体管的栅极，所述第二连接部被配置为连接所述复位电源信号线和所述第二复位晶体管的第一极，所述第三连接部被配置为连接所述第二发光控制晶体管的第二极与所述第四连接部，所述第四连接部被配置为连接所述第三连接部和所述有机发光元件的第二电极的所述连接电极。
例如，在本公开的实施例中，所述透明区域包括没有设置所述像素电路、所述第一电源信号线、所述第二电源信号线、所述数据线、所述扫描信号线、所述复位电源信号线、所述复位控制信号线以及所述发光控制信号线的区域。
例如，在本公开的实施例中，沿垂直于所述衬底基板的方向，连接至所述第一颜色子像素的所述像素电路的所述发光控制信号线、所述第二电源信号线、包括各所述子像素的各晶体管的沟道区和源漏掺杂区的有源半导体层以及所述存储电容的第一极包围的区域与所述第一颜色子像素的第二电极的凹口有交叠。
例如，在本公开的实施例中，沿垂直于所述衬底基板的方向，连接至所述第二颜色子像素对的第一子像素的所述像素电路的所述发光控制信号线、所述第二电源信号线以及所述存储电容的第一极包围的区域中靠近所述发光控制信号线的部分区域与所述第一子像素的第二电极的凹口有交叠。
例如，在本公开的实施例中，所述第二颜色子像素对的第二子像素中，所述连接电极包括沿所述第二方向延伸的第一部分以及弯曲的第二部分，所述第一部分位于所述第二部分远离所述主体电极的一侧，所述第二部分与所述主体电极连接，且所述第一部分沿所述第一方向的最大尺寸大于所述第二部分沿所述第一方向的最大尺寸。
例如，在本公开的实施例中，所述第二子像素中，所述连接电极与所述第一发光控制晶体管的源漏掺杂区没有交叠。
例如，在本公开的实施例中，沿垂直于所述衬底基板的方向，连接至所述第二子像素的所述像素电路的所述发光控制信号线、所述第二电源信号线以及所述第三连接部包围的区域中靠近所述第二电源信号线和所述发光控制信号线的部分区域与所述第二子像素的第二电极的凹口有交叠。
例如，在本公开的实施例中，沿垂直于所述衬底基板的方向，连接至所述第二子像素的所述像素电路的所述数据线、所述有源半导体层以及所述存储电容的第一极所在膜层围成的区域中远离所述发光控制信号线的部分区域与所述第三颜色子像素的第二电极的凹口有交叠。
例如，在本公开的实施例中，所述第一颜色子像素为红色子像素，所述第二颜色子像素为绿色子像素，所述第三颜色子像素为蓝色子像素。
本公开的至少一实施例提供一种显示装置，包括上述显示基板。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1A为根据本公开一实施例提供的显示基板中的第一电源信号线与有效发光区的位置关系的平面图；
图1B为图1A所示的显示基板中的第一电源信号线、第二电源信号线以及有效发光区的位置关系的平面图；
图2为沿图1A和图1B所示的AA’线所截的局部截面结构示意图；
图3A为沿图1A和图1B所示的BB’所截的局部截面结构示意图；
图3B为沿图1B所示的CC’所截的局部截面结构示意图；
图3C为本公开实施例中另一示例中沿图1B所示的BB’线所截的截面图；
图4为各子像素包括的与有机发光元件连接的像素电路的示意图；
图5-图11为本公开一些实施例提供的一种像素电路以及各信号线的各层层叠的示意图；
图12为与图11所示的各像素电路结构一一对应的有机发光元件的平面示意图；
图13为各子像素的第二电极的平面形状示意图；以及
图14为一种显示基板中的各子像素的第二电极的平面结构示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
有机发光二极管显示器件中包括像素限定层，像素限定层包括用于限定子像素的发光区的开口，该开口暴露有机发光元件的阳极，当后续的有机发光元件的发光层形成在上述像素限定层的开口中时，发光层与阳极接触，从而这部分能够驱动发光层进行发光以形成发光区。
在研究中，本申请的发明人发现：有机发光二极管显示器中，靠近有机发光二极管的发光层一侧的电源信号线存在与开口交叠的情况时，位于发光区的电源信号线容易造成色偏现象。
本公开的实施例提供一种显示基板以及显示装置。显示基板包括：衬底基板、位于衬底基板上的第一电源信号线以及位于第一电源信号线远离衬底基板的一侧的像素限定层。第一电源信号线包括沿第一方向延伸的多条第一子电源信号线以及沿第二方向延伸的多条第二子电源信号线，第一子电源信号线与第二子电源信号线相连；像素限定层包括多个开口以限定多个子像素的有效发光区，多个子像素包括沿第二方向排列的两个子像素组成的子像素对，子像素对包括彼此间具有间隔的两个子有效发光区。在平面图中，第一子电源信号线穿过两个子有效发光区之间的间隔，至少一条第二子电源信号线包括断口，两个子有效发光区以及位于两个子有效发光区之间的间隔均位于断口处，以使连接第二子电源信号线的同一断口的两个端点的沿第二方向延伸的虚拟直线贯穿两个子有效发光区以及间隔。本公开实施例通过在第二子电源信号线中设置断口以减少两个子有效发光区与第一电源信号线的交叠面积，可以尽量避免子像素对在显示时发生色偏。
下面结合附图对本公开实施例提供的显示基板以及显示装置进行描述。
图1A为根据本公开一实施例提供的显示基板中的第一电源信号线与有效发光区的位置关系的平面图，图1B为图1A所示的显示基板中的第一电源信号线、第二电源信号线以及有效发光区的位置关系的平面图，图2为沿图1A和图1B所示的AA’线所截的局部截面结构示意图。如图1A-图2所示，显示基板包括衬底基板100以及位于衬底基板100上的多个重复单元200。每个重复单元200包括沿第一方向(图中所示的X方向)排列的一个第一颜色子像素210、一个第二颜色子像素对220以及一个第三颜色子像素230， 第二颜色子像素对220包括的两个第二颜色子像素沿第二方向(图中所示的Z方向，不同于第一方向的方向)排列。多个重复单元200沿第一方向排列以形成多个重复单元组，多个重复单元组沿第二方向排列，且多个重复单元组中的相邻重复单元组沿第一方向彼此错开，即，相邻的重复单元组沿第一方向有一定的偏移量。因此，相邻重复单元组中相同颜色的子像素在第二方向上并不是对齐的。奇数行重复单元组中像素排列方式相同，偶数行重复单元组中像素排列方式相同。
例如，相邻重复单元组在第一方向上的偏移量大致为重复单元200在第一方向上的尺寸的一半。例如，重复单元200在第一方向上的尺寸为重复单元200在第一方向上的节距。这里的节距指沿第一方向相邻两个重复单元200中的两个第一颜色子像素210的发光区的中心之间的距离，这里发光区的中心指发光区的平面形状的几何中心。
上述第一方向和第二方向分别为在同一平面内相互垂直的两个方向。例如，该平面为像素进行排列的平面。这里的重复单元仅指子像素的重复，其他结构可以不相同也可以相同。此外，上述的重复是指大概的位置和形状、大小差不多即可。在有些情况下，为了布线或者开孔的需要，形状可能略有不同，如在不同的位置有开孔。
例如，本公开实施例的一示例中，第一颜色子像素210可以为红色子像素，第二颜色子像素对220可以为绿色子像素对，第三颜色子像素230可以为蓝色子像素。但不限于此，各颜色子像素可以互换。
如图1A-图2所示，显示基板还包括位于衬底基板100上的第一电源信号线400，第一电源信号线400包括沿第一方向延伸的多条第一子电源信号线410以及沿第二方向延伸的多条第二子电源信号线420，第一子电源信号线410与第二子电源信号线420相连。
如图1A-图2所示，显示基板还包括位于第一电源信号线400远离衬底基板100的一侧的像素限定层130，像素限定层130包括多个开口以限定各子像素的有效发光区。这里的“有效发光区”可以指二维的平面区域，该平面区域平行于衬底基板。需要说明的是，像素限定层的开口由于工艺原因，远离衬底基板的部分尺寸略大于靠近衬底基板部分的尺寸，或者从靠近衬底基板一侧到远离衬底基板一侧的方向上呈现尺寸逐渐增加的形态，因此有效发光区的尺寸与像素限定层开口的不同位置的尺寸可能略有不同，但整体区域形状和尺寸基本相当。例如，有效发光区在衬底基板上的投影与对应的像素限定层的开口在衬底基板上的投影大致重合。例如，有效发光区在衬底基板上的投影完全落在对应的像素限定层的开口在衬底基板上的投影内，且二者形状相似，有效发光区在衬底基板上的投影面积相比对应的像素限定层的开口在衬底基板上的投影略小。
例如，各子像素包括有机发光元件，有机发光元件包括依次层叠设置的第一电极、发光层以及第二电极，发光层的至少部分位于开口内，且第二电极位于像素限定层面向衬底基板的一侧。例如，如图2所示，以第二颜色子像素对包括的一个第二颜色子像素为例，第二颜色子像素包括有机发光元件，该有机发光元件包括第一电极221、第二电极222以及位于第一电极221和第二电极222之间的发光层223。像素限定层130的开口暴露部分第二电极222，当发光层223形成在上述像素限定层130的开口中时，发光层223 与第二电极222接触，从而这部分能够驱动发光层进行发光以形成第二有效发光区2200。第二颜色子像素对220包括两个第二有效发光区2201以及2202。
本公开实施例以第二颜色子像素对包括的两个第二颜色子像素的发光层是一体的为例进行描述，例如第二颜色子像素对的两个第二颜色子像素的发光层是连起来的整体膜层，即两个第二颜色子像素的发光层是一个连续的完整的图形，或者两个第二颜色子像素的发光层在衬底基板上的投影是连续完整的，两个第二颜色子像素的发光层可以通过一个开口制作。但不限于此，例如，第二颜色子像素对包括的两个第二颜色子像素的发光层也可以是分离的。
如图1A-图2所示，第一颜色子像素210包括第一有效发光区2100，第二颜色子像素对包括彼此之间具有间隔的两个第二有效发光区2200(包括第一子有效发光区2201和第二子有效发光区2202)，第三颜色子像素230包括第三有效发光区2300。图中以像素限定层开口中发光层与第二电极接触的部分作为有效发光区进行示意。上述“第二颜色子像素对包括彼此之间具有间隔的两个第二有效发光区2200”中的“间隔”指像素限定层限定的两个开口之间的像素限定层的实体部分。如图1A所示的间隔S在X方向延伸的直线上的正投影可以与第二颜色子像素对在X方向延伸的直线上的正投影基本重合，间隔S在Z方向延伸的直线上的正投影位于第二颜色子像素对在Z方向延伸的直线上的两个正投影之间。
如图1A-图2所示，在平面图中，例如平行于衬底基板100的平面(或者后续结构在该平面上的正投影)，第一子电源信号线410穿过两个第二有效发光区2200之间的间隔，至少一条第二子电源信号线420包括断口421，两个第二有效发光区2200以及上述间隔位于断口421处，以使第二子电源信号线420没有贯穿两个第二有效发光区2200以及上述间隔。也就是，连接断口421两侧端点的且沿Z方向延伸的虚拟直线4210穿过两个第二有效发光区2200以及位于两个第二有效发光区2200之间的间隔S。上述“断口”指第二子电源信号线420不是连续的信号线，且该信号线包括彼此断开的多个信号线段，相邻两个信号线段之间的间隔即为上述断口421。
例如，沿垂直于衬底基板100的方向，具有断口421的第二子电源信号420线与两个第二有效发光区2200以及间隔S均没有交叠。
例如，沿垂直于衬底基板100的方向，两个第二有效发光区2200与第一电源信号线400没有交叠。即，在垂直于衬底基板100的方向，两个第二有效发光区2200与断口421有交叠，而与第二子电源信号线420没有交叠，并且两个第二有效发光区2200与第一子电源信号线410也没有交叠。从而，沿垂直于衬底基板的方向，第二颜色子像素对包括的两个第二有效发光区与第一电源信号线均没有交叠，以提高位于两个第二有效发光区内的第二电极远离发光层一侧的膜层的平坦性，可以尽量避免第二颜色子像素对在显示时发生色偏。
例如，如图1A和图1B所示，两个第二有效发光区2200之间的间隔沿第二方向的尺寸小于第一有效发光区2100沿第二方向的尺寸，且两个第二有效发光区2200之间的 间隔沿第二方向的尺寸小于第三有效发光区2300沿第二方向的尺寸。
例如，沿第二方向，第一有效发光区2100的尺寸大于第三有效发光区2300的尺寸，例如，第一有效发光区2100的尺寸可以为45～49微米，例如，可以为47微米；第三有效发光区2300的尺寸可以为38～42微米，例如，可以为40微米。
例如，如图1A和图1B所示，第一子电源信号线410在衬底基板100上的正投影与两个第二有效发光区2200在衬底基板100上的两个正投影的两个中心之间的距离之比为0.9～1.1。例如，第一子电源信号线410在衬底基板100上的正投影与两个第二有效发光区2200在衬底基板100上的两个正投影的两个中心之间的距离大致相等。由此，第二颜色子像素对包括的两个第二有效发光区相对于第一子电源信号线对称分布，有利于确保第二颜色子像素对包括的两个第二颜色子像素的环境一致性。例如，第一子电源信号线410在衬底基板100上的正投影也可以更靠近第二颜色子像素对中之一。例如，第一子电源信号线410在衬底基板100上的正投影与第二颜色子像素对中的两个第二颜色子像素的第二电极投影不重叠。
上述正投影的中心指正投影的形状的几何中心，有效发光区在衬底基板上的正投影的形状由有效发光区的形状决定，有效发光区的形状与其对应的像素限定层的开口的形状大致相同。
例如，如图1A和图1B所示，第二颜色子像素对220包括的每个第二有效发光区2200的形状包括五边形、圆形或者水滴形。例如，图1A和图1B示意性的示出每个第二有效发光区2200的形状为五边形，五边形包括一组平行的对边(平行于第二方向)以及一条垂直边(平行于第一方向)，垂直边与一组平行的对边垂直，每个第二颜色子像素对220中的两个第二有效发光区2200的两条垂直边相邻设置。例如，第一子电源信号线410位于上述两条垂直边之间，且穿过上述两条垂直边之间的最短连线的中点。
此外，虽然在图1A和图1B中的第二颜色子像素的第二有效发光区的形状包括严格的由两条线段形成的角，但在一些实施例中，第二颜色子像素的第二有效发光区的形状可以均为圆角图形，例如圆形或者水滴形。也就是，在上述五边形形状的基础上，第二颜色子像素的第二有效发光区的角被倒圆。例如，形成像素限定层的开口时，开口的角落处的部分则可能会形成圆角形状，从而形成的发光区的形状可能为圆角形状。
例如，如图1A-图2所示，显示基板还包括：位于第一电源信号线400与衬底基板100之间第二电源信号线500，第二电源信号线500沿第二方向延伸。第二子电源信号线420在衬底基板100上的正投影与第二电源信号线500在衬底基板100上的正投影至少部分交叠，且两个第二有效发光区2200在衬底基板100上的正投影与第二电源信号线500在衬底基板100上的正投影有交叠。即，沿垂直于衬底基板100的方向，断口421与第二电源信号线500有交叠。例如，第二子电源信号线420在衬底基板100上的正投影位于第二电源信号线500在衬底基板100上的正投影内。例如，第二电源信号线可以与第二子电源信号线的除了断口以外的部分大致重合，但第二子电源信号线的线宽有部分调整而未与第二电源信号线完全重合，例如，第二电源信号线与第二子电源信号线交叠部 分的面积占第二电源信号线的面积的70％以上。
例如，第二子电源信号线420在其延伸方向上的不同位置处，第二子电源信号线420在第一方向上的宽度略有不同，例如，第二子电源信号线420在对应某些颜色子像素的位置处的宽度减小。同理，第二电源信号线500在其延伸方向上的不同位置处的沿第一方向上的宽度略有不同。
例如，如图1A-图1B所示，位于同一重复单元组且彼此相邻的两个重复单元200包括第一重复单元201和第二重复单元202，第一重复单元201的第三颜色子像素230与第二重复单元202的第一颜色子像素210相邻，与第一重复单元201和第二重复单元202均相邻且位于相邻重复单元组中的重复单元200为第三重复单元203。第三重复单元203中的第一颜色子像素210与第一重复单元201中的第三颜色子像素230之间设置有一条连续的第二子电源信号线420，即第一子信号线4201，位于该连续的第二子电源信号线420两侧且与该第二子电源信号线420紧邻的一列第一颜色子像素210和一列第三颜色子像素230在该第二子电源信号线420上的正投影沿第二方向交替排列。第一颜色子像素210在该连续的第二子电源信号线420上的正投影位置处的第二子电源信号线420的宽度为第一宽度，第一颜色子像素210和第三颜色子像素230在该第二子电源信号线420上的相邻两个正投影之间的间隔位置处的第二子电源信号线420的宽度为第二宽度，第三颜色子像素230在该连续的第二子电源信号线420上的正投影位置处的第二子电源信号线420的宽度为第三宽度，第一宽度小于第二宽度，且第三宽度小于第二宽度。上述第一宽度和第三宽度可以相同，也可以不同，例如，第三宽度小于第一宽度。该连续的第二子电源信号线420包括分别对应于第一颜色子像素210和第三颜色子像素230的第一段和第二段，以及连接第一段和第二段的连接段。沿第二方向，该连续的第二子电源信号线420的第一段和第二段交替排列。第一段的远离相应的第一颜色子像素210的第一中心线的边缘与连接段远离该第一中心线的边缘位于沿第二方向延伸的同一条直线上，第一段的靠近相应的第一颜色子像素201的第一中心线的边缘距第一中心线的距离大于连接段靠近该第一中心线的边缘与第一中心线之间的距离。同理，第二段的远离相应的第三颜色子像素的第三中心线的边缘与连接段远离该第三中心线的边缘位于沿第二方向延伸的同一条直线上，第二段的靠近相应的第三颜色子像素的第三中心线的边缘距第三中心线的距离大于连接段靠近该第三中心线的边缘与第三中心线之间的距离。也就是，第一段和位于第一段两侧的连接段形成了朝向第一颜色子像素凹陷的第一凹陷部，第二段和位于第二段两侧的连接段形成了朝向第三颜色子像素凹陷的第二凹陷部，第一凹陷部和第二凹陷部的设置可以防止第一有效发光与第三有效发光区与第二子电源信号线交叠，减少色偏。
例如，第一重复单元201中的第三颜色子像素230和第三重复单元203中的第一颜色子像素210之间设置有一条包括断口的第二子电源信号线420，即，第二子信号线4202。例如，第一子信号线4201与第二子信号线4202沿第一方向交替排列，且数量大致相等。例如，第二子信号线4202包括彼此断开的多个信号线段，各信号线段可以通过位于第二 电源信号线与第二子信号线之间的绝缘层中的过孔实现与第二电源信号线的电连接。
例如，沿第二方向排列的相邻两个断口之间的第二子电源信号线420(信号线段)包括沿第二方向依次连接的第三段、第四段以及第五段，沿第一方向，第三段的宽度可以与第五段的宽度大致相等，且第三段的宽度和第五段的宽度均大于第四段的宽度。由此，第三段、第四段和第五段形成了朝向第二重复单元202中的第一颜色子像素210凹陷的第三凹陷部。第四段在衬底基板上的正投影落入第二电源信号线在衬底基板上的正投影内，以防止影响显示基板的透光率。第二子电源信号线的第四段与第一子电源信号线电连接。
同理，第二电源信号线500也具有与第二子电源信号线相同的特征，在此不再赘述。
例如，第一颜色子像素210的第一有效发光区2100在第二子信号线4202上的正投影与断口421没有交叠，即第一颜色子像素210的第一有效发光区2100在第二子信号线4202上的正投影位于信号线段内。例如，第三颜色子像素230的第三有效发光区2300在第二子信号线4202上的正投影与断口421没有交叠，即第三颜色子像素230的第三有效发光区2300在第二子信号线4202上的正投影位于信号线段内。
例如，第二子电源信号线420的第一段沿第一方向的宽度可以为2.5～3.7微米，第二子电源信号线420的连接段沿第一方向的宽度可以为5.8～7微米。例如，位于第三颜色子像素230两侧且与其紧邻的两条第二子电源线420之一的连接段与另一条的第三段的彼此靠近的边缘之间的距离大致为23.4～26微米。
例如，第二子电源信号线420以及第二电源信号线500的，各自有部分区域在第一方向的宽度大致相等且基本完全交叠。例如，断口的两个边缘的位置均位于第二子电源信号线420以及第二电源信号线500的基本完全交叠的区域。例如，沿第二方向排列的相邻的两个断口的彼此靠近的边缘之间的距离(即一个信号线段的长度)大于一个像素电路在第二方向的尺寸。例如，各断口沿第二方向的尺寸小于一个像素电路在第二方向的尺寸。例如，沿第二方向排列的相邻的两个断口的彼此靠近的边缘之间的距离(即一个信号线段的长度)大致为69～75微米。例如，像素电路沿第二方向的尺寸大致为63～65微米。例如，断口沿第二方向的尺寸大致为52～57微米。例如，断口沿第二方向的尺寸与一个像素电路在第二方向的尺寸的比例为0.8～0.9。例如，沿第二方向排列的相邻的两个断口的彼此靠近的边缘之间的距离(即一个信号线段的长度)与一个像素电路在第二方向的尺寸的比例为1.1～1.2。
例如，如图1A-图1B所示，断口421的沿第二方向的尺寸D3与位于断口421内的两个第二有效发光区2200和间隔S的沿第二方向的尺寸之和D2的差值的一半D1可以为1.8～6.5微米。例如，断口421的沿第二方向的尺寸D3与位于断口421内的两个第二有效发光区2200和间隔S的沿第二方向的尺寸之和D2的比值可以为1.07～1.25。
例如，如图1A-图2所示，第一电源信号线400与各子像素的第二电极之间设置有第一平坦层121以起到平坦化的作用。第一电源信号线400与第二电源信号线500之间设置有第二平坦层122和钝化层123以起到平坦化的作用。本公开实施例不限于第一电 源信号线400与第二电源信号线500之间设置有第二平坦层122和钝化层123，也可以仅设置第二平坦层122，不设置钝化层123。
例如，如图1A-图2所示，两个第二有效发光区2200在衬底基板100上的两个正投影的两个中心位于第二电源信号线500在衬底基板100上的正投影内。沿垂直于衬底基板100的方向，第二有效发光区2200虽然与第二电源信号线500有交叠，但是第二电源信号线500穿过两个第二有效发光区的中心，可以保证第二有效发光区2200沿第一方向具有的较好的对称性，以改善色偏。
例如，如图1A和图1B所示，相邻第二子电源信号线420之间的沿第一方向的距离大于第一有效发光区2100的沿第一方向的尺寸，且第一有效发光区2100位于相邻的第二子电源信号线420之间。同理，第一有效发光区2100位于相邻的第二电源信号线500之间。本公开实施例中，第一颜色子像素的第一有效发光区的尺寸小于相邻两条第二子电源信号线之间的距离，通过将第一有效发光区设置在相邻第二子电源信号线之间，可以防止第一有效发光区与第二子电源信号线以及第二电源线交叠，可以改善第一有效发光区内膜层的平坦性，提高第一有效发光区在第一方向上的对称性，有利于改善色偏。
例如，如图1A和图1B所示，相邻第二子电源信号线420之间的沿第一方向的距离大于第三有效发光区2300的沿第一方向的尺寸，且第三有效发光区2300位于相邻第二子电源信号线420之间。例如，第二子电源信号线420在对应第三颜色子像素230的位置处的宽度减小，以使相邻第二子电源信号线420的彼此靠近的边缘(对应于第三有效发光区位置处的两个边缘)之间的沿第一方向的距离大于第三有效发光区2300的沿第一方向的尺寸。同理，第三有效发光区2300位于相邻的第二电源信号线500之间。本公开实施例中，第三颜色子像素的第三有效发光区的尺寸小于相邻两条第二子电源信号线之间的距离，通过将第三有效发光区设置在相邻第二子电源信号线之间，可以防止第三有效发光区与第二子电源信号线以及第二电源线交叠，可以改善第三有效发光区内膜层的平坦性，提高第三有效发光区在第一方向上的对称性，有利于改善色偏。
例如，第三颜色子像素230的第二电极在衬底基板100上的正投影与第二子电源信号线420基本没有交叠。例如，第二子电源信号线420在对应第三颜色子像素230的位置处的宽度减小，以使相邻第二子电源信号线420的彼此靠近的边缘(对应于第三颜色子像素的第二电极位置处的两个边缘)之间的沿第一方向的距离大于第三颜色子像素230的第二电极的沿第一方向的尺寸。
例如，如图1A和图1B所示，沿第一方向排列的相邻两个子像素的有效发光区之间设置有一条第二子电源信号线420，即，第一有效发光区2100与第二有效发光区2200之间设置有一条第二子电源信号线420，第二有效发光区2200与第三有效发光区2300之间设置有一条第二子电源信号线420，第三有效发光区2300与第一有效发光区2100之间设置一条第二子电源信号线420。
例如，如图1A和图1B所示，多条第二子电源信号线420在第一方向上均匀分布，也就是，多条第二子电源信号线420之间的间隔大致相等。
例如，如图1A和图1B所示，在第一方向上，位于第一有效发光区2100两侧且与第一有效发光区2100紧邻的两条第二子电源信号线420的彼此靠近的边之间的距离为第一距离d1。这里以位于第一有效发光区2100一侧的第二子电源信号线420的第一段和位于第一有效发光区2100的另一侧的第二子电源信号线420的第三段的彼此靠近的边缘之间的距离为第一距离为例。位于第二有效发光区2200两侧且与第二有效发光区2200紧邻的两条第二子电源信号线420之间的距离为第二距离d2。这里以位于第二有效发光区2200一侧的第二子电源信号线420的第一段和位于第二有效发光区220的另一侧的第二子电源信号线420的第二段的彼此靠近的边缘之间的距离为第二距离为例。位于第三有效发光区2300两侧且与第三有效发光区2300紧邻的两条第二子电源信号线420之间的距离为第三距离d3。这里以位于第三有效发光区2300一侧的第二子电源信号线420的第二段和位于第三有效发光区2300的另一侧的第二子电源信号线420的第三段的彼此靠近的边缘之间的距离为第三距离为例。第一距离与第三距离之比为0.9～1.1，例如，第一距离与第三距离大致相等，第二距离大致为第一距离的两倍。上述位于有效发光区两侧且与有效发光区紧邻的第二子电源信号线指沿第一方向，该第二子电源信号线与有效发光区之间没有其他的第二子电源信号线。
例如，如图1A和图1B所示，位于第二颜色子像素对220两侧且与第二颜色子像素对220紧邻的两条第二子电源信号线420距第二颜色子像素对220的第二有效发光区2200的沿第二方向延伸的第二中心线的距离之比为0.9～1.1，例如位于第二颜色子像素对220两侧且与第二颜色子像素对220紧邻的两条第二子电源信号线420距第二颜色子像素对220的第二有效发光区2200的沿第二方向延伸的第二中心线的距离大致相等。由此，位于第二有效发光区2200两侧且与第二有效发光区2200紧邻的两条第二子电源信号线420相对于第二中心线大致对称分布，从而保证第二颜色子像素对的第二电极在第一方向上的对称性，以改善色偏。
例如，如图1A和图1B所示，位于第三颜色子像素230两侧且与第三颜色子像素230紧邻的两条第二子电源信号线420距第三颜色子像素230的第三有效发光区2300的沿第二方向延伸的第三中心线的距离之比为0.9～1.1，例如，位于第三颜色子像素230两侧且与第三颜色子像素230紧邻的两条第二子电源信号线420距第三颜色子像素230的第三有效发光区2300的沿第二方向延伸的第三中心线的距离大致相等。这里的位于第三颜色子像素230两侧的第二子电源信号线420距第三中心线的距离可以指第二子电源信号线420的靠近第三中心线的边缘与第三中心线之间的距离，位于第三颜色子像素230一侧的第二子电源信号线420对应于第三颜色子像素230的位置处宽度较窄，该位置为第二子电源信号线420的第二段，该第二段通过与连接段形成第二凹陷部以使位于第三颜色子像素230两侧且与第三颜色子像素230紧邻的两条第二子电源信号线420的彼此靠近的边缘分别与第三颜色子像素230的第三有效发光区2300的沿第二方向延伸的第三中心线的之间的距离大致相等。位于第三有效发光区2300两侧且与第三有效发光区2300紧邻的两条第二子电源信号线420相对于第三中心线大致对称分布，从而保证第三颜色子像 素的第二电极在第一方向上的对称性，以改善色偏。
例如，如图1A和图1B所示，位于第一颜色子像素210两侧且与第一颜色子像素210紧邻的两条第二子电源信号线420距第一颜色子像素210的第一有效发光区2100的沿第二方向延伸的第一中心线的距离不相等。也就是，即位于第一有效发光区2100两侧且与第一有效发光区2100紧邻的两条第二子电源信号线420相对于第一中心线并不对称分布。例如，位于第一有效发光区2100与第二有效发光区2200之间的第二子电源信号线420的靠近第一中心线的边缘与第一中心线之间的距离为第四距离。这里以位于第一重复单元201中的第一有效发光区2100与第二有效发光区2200之间的第二子电源信号线420的第一段的靠近第一中心线的边缘与第一中心线之间的距离为第四距离为例。位于第一有效发光区2100与第三有效发光区2300之间的第二子电源信号线420与第一中心线之间的距离为第五距离，第五距离大于第四距离。这里以位于第一重复单元201中的第三有效发光区2300与第二重复单元202中的第一有效发光区2100之间的第二子电源信号线420的第三段的靠近第一中心线的边缘与第一中心线之间的距离为第五距离为例。
例如，如图1A和图1B所示，第二有效发光区2200与紧邻的第二子电源信号线420的彼此相对的边缘之间的距离大于第一有效发光区2100与紧邻的第二子电源信号线420的彼此相对的边缘之间的距离。
例如，如图1A和图1B所示，不同颜色子像素的发光区边界之间的距离(PDL gap)基本上是一致的，即，沿第一方向排列的子像素中，第一有效发光区2100与第二有效发光区2200的彼此靠近的边缘之间的距离与第二有效发光区2200与第三有效发光区2300的彼此靠近的边缘之间的距离之比例如为0.9～1.1。例如，第一有效发光区2100与第二有效发光区2200的彼此靠近的边缘之间的距离大致等于第二有效发光区2200与第三有效发光区2300的彼此靠近的边缘之间的距离。由此，位于第一有效发光区与第二有效发光区之间的第二子电源信号线距第一中心线之间的距离小于位于第一有效发光区与第三有效发光区之间的第二子电源信号线距第一中心线之间的距离。
例如，如图1A和图1B所示，显示基板还包括与第一电源信号线400同层设置的多个垫块430，垫块430沿第二方向延伸，且第一有效发光区2100位于垫块430与距第一中心线距离较近(与第一有效发光区2100紧邻的第二子电源信号线420中)的第二子电源信号线420之间。例如，垫块430的靠近第一中心线的边缘与第一有效发光区2100的第一中心线之间的距离为第六距离，第六距离小于第五距离。本公开实施例通过在第一有效发光区的一侧设置垫块，有利于提高第一颜色子像素的第二电极在第一方向上的对称性，以改善色偏。
例如，第六距离与第四距离之比可为0.9～1.1，以进一步提高第一颜色子像素的第二电极在第一方向上的对称性。
例如，沿垂直于衬底基板的方向，垫块430与第一有效发光区2100没有交叠，以防止影响第一颜色子像素的显示。
例如，沿垂直于衬底基板的方向，垫块430与第一有效发光区2100远离垫块430一 侧第二子电源信号线420没有交叠。
例如，沿垂直于衬底基板的方向，垫块430与第一颜色子像素的第二电极没有交叠，或者两者交叠的面积很小，有利于减少色偏。
例如，如图1A和图1B所示，垫块430位于设置在第一颜色子像素210和第三颜色子像素230之间的第二子电源信号线420的靠近第一颜色子像素410的一侧。本公开实施例中的垫块可以减小设置在第一有效发光区远离第二有效发光区一侧的第一电源信号线所在膜层图案距第一中心线的距离，有利于提高第一颜色子像素的第二电极在第一方向上的对称性，以改善色偏。例如，垫块430可以为与设置在第一有效发光区远离第二有效发光区一侧的第一电源信号线为一体，相当于在该第一电源信号线靠近第一颜色子像素210的区域将该第一电源信号线在第一方向上加宽，使得第一颜色子像素210的第一有效发光区的两侧边缘与第一电源信号线所在膜层图案之间的距离相当，以减少色偏。例如，第一垫块430与第一电源信号线中间连接的部分可以为实体结构。例如，第一垫块430与第一电源信号线中间连接的部分可以设置为镂空结构，即在第一垫块430与第一电源信号线之间去除一部分图形，以减少与该区域交叠部分图形的寄生电容或者晶体管负载，或提高透过率。例如，第一垫块430与第一颜色子像素靠近的部分线宽不大于第一电源信号线与第一颜色子像素靠近的部分线宽。
例如，第一颜色子像素的第一有效发光区的沿第二方向的长度大于其沿第一方向的宽度，第一有效发光区的长度方向与第二子电源信号线的延伸方向一致，由此，在第一有效发光区的沿第一方向的一侧设置了沿第二方向延伸的垫块。例如，第三颜色子像素的第三有效发光区的沿第二方向的长度大于其沿第一方向的宽度，且第一有效发光区的长宽比大于第三有效发光区的长宽比。由此，第一有效发光区可能会出现其第一中心线与位于该第一有效发光区两侧且紧邻的两条第二子电源信号线的距离之差较大的情况，通过在第一有效发光区的一侧设置上述垫块，可以减小色偏。
例如，如图1A和图1B所示，在第一方向上，第一有效发光区2100的中心线与位于第一有效发光区2100两侧的垫块430和第二子电源信号线420的距离大致相等。也就是，位于第一中心线两侧的垫块430以及第二子电源信号线距该第一中心线的距离大致相等，从而可以进一步提高第一颜色子像素的第二电极在第一方向上的对称性，有利于改善色偏。
例如，如图1A和图1B所示，垫块430与第一电源信号线400电连接以防止垫块处于浮置(floating)状态，影响有机发光元件正常工作。
例如，如图1A和图1B所示，沿垂直于衬底基板100的方向，垫块430与第一子电源信号线410有交叠，且彼此电连接，第一子电源信号线410为垫块430提供电信号。例如，第一子电源信号线410可以与垫块430一体成型以节省工艺。
例如，垫块430的形状大致为长条形，且垫块430在衬底基板100上的正投影的中心位于第一子电源信号线410在衬底基板100上的正投影内。
例如，如图1A和图1B所示，垫块430沿第二方向的尺寸大于其沿第一方向的尺寸。 沿第二方向，垫块430的尺寸小于第一有效发光区2100的尺寸。本公开实施例中的显示基板应用于屏下指纹检测时，垫块沿第二方向的尺寸设计小于第一有效发光区的尺寸，例如，垫块尽量与透光区域(后面描述)没有交叠，有利于提高显示基板的透光率。
例如，如图1A和图1B所示，显示基板还包括与垫块430同层设置的连接部440。垫块430与第二子信号线4202之间具有间隔，且连接部440位于第二子电源信号线420(即第二子信号线4202)与垫块430之间，且垫块430通过连接部440连接至第二子电源信号线420。
例如，连接部440沿第二方向的尺寸可以为36～40微米，例如可以为38微米。例如，沿第二方向，连接部440的尺寸小于第一有效发光区2100以及第三有效发光区2300的尺寸。
例如，连接部440在沿第二方向延伸的直线上的正投影可以位于第三有效发光区2300在该直线上的正投影内。
例如，垫块430和连接部440在沿第二方向延伸的直线上的正投影均位于第三有效发光区2300在该直线上的正投影内。
例如，垫块430在第二方向的尺寸小于第三有效发光区2300在第二方向的尺寸。
例如，位于连接部440与第三颜色子像素230之间的第二子电源信号线420与垫块430的彼此靠近的边缘之间的距离可以为11～13微米，例如可以为12微米。
例如，连接部440、垫块430以及第二子电源信号线420形成环状结构。
例如，如图1A和图1B所示，连接部440包括两个子连接部，垫块430的两个端部分别通过两个子连接部与第二子电源信号线420电连接。本公开实施例提供的连接部、垫块以及与连接部连接的第二子电源信号线形成了环形回路，有利于第一颜色子像素的均一性。
例如，各子连接部沿第二方向的尺寸可以为2.5～3.5微米，例如可以为3微米。两个子连接部彼此靠近的边缘之间的距离可以为32微米。
例如，连接部440、垫块430以及第二子电源信号线420为一体设置的结构，以节省工艺步骤。
例如，垫块430通过连接部440连接至第二子信号线4202，且垫块430在与连接至该垫块430的第二子信号线4202相邻的另一条第二子信号线4202上的正投影位于该另一条第二子信号线4202的断口421内。
例如，本公开实施例中的显示基板应用于屏下指纹检测时，连接部与透明区域(后面描述)没有交叠，可以保证不影响显示基板的透光率。
例如，图3A为沿图1A和图1B所示的BB’所截的局部截面结构示意图，图3B为沿图1B所示的CC’所截的局部截面结构示意图。如图1A-图3B所示，在垂直于衬底基板100的方向上，第一有效发光区2100与第二子电源信号线420以及第二电源信号线500没有交叠，从而可以保证第一有效发光区沿第一方向具有较好的对称性，以改善色偏。同理，在垂直于衬底基板100的方向上，第三有效发光区2300与第二子电源信号线420 以及第二电源信号线500没有交叠，从而可以保证第三有效发光区沿第一方向具有较好的对称性。
例如，如图1A-图3B所示，第一有效发光区2100的第一中心线与数据线Vd(后面描述)有交叠，从而可以保证第一有效发光区沿第一方向具有较好的对称性。例如，数据线Vd沿第二方向贯穿第一有效发光区2100，使得第一有效发光区2100沿第二方向具有一定均匀性。本公开实施例中的“贯穿”指数据线、第一电源信号线等结构与有效发光区在平面上的位置关系。
例如，如图1A和图1B所示，第一颜色子像素210的第一有效发光区2100和第三颜色子像素230的第三有效发光区2300的形状均包括六边形或者椭圆形。例如，第一有效发光区2100和第三有效发光区2300的形状均为六边形，六边形中的三组对边均平行，且还六边形包括平行于第二方向的边。该六边形包括沿第一方向延伸的对称轴以及沿第二方向延伸的对称轴。
虽然图1A所示的第一有效发光区和第三有效发光区的形状包括严格的由两条线段形成的角，但在一些实施例中，第一有效发光区和第三有效发光区的形状可以均为圆角图形，例如椭圆形。也就是，在上述六边形的基础上，第一有效发光区和第三有效发光区的角被倒圆。例如，形成像素限定层的开口时，开口的角落处的部分则可能会形成圆角形状，从而形成的第一有效发光区和第三有效发光区的形状可能为圆角形状。
例如，如图1A-图3B所示，第一有效发光区2100在衬底基板100上的正投影的中心位于第一子电源信号线410在衬底基板100上的正投影内。例如，第一子电源信号线410在衬底基板100上的正投影穿过第一有效发光区2100在衬底基板100上的正投影的中心。也就是，在平面图中，第一有效发光区2100相对于第一子电源信号线410呈对称分布，即，第一子电源信号线410与第一有效发光区2100的沿第一方向延伸的对称轴重合，可以保证第一有效发光区2100沿第二方向具有的较好的对称性，以改善色偏。
例如，如图1A-图3B所示，第三有效发光区2300在衬底基板100上的正投影的中心位于第一子电源信号线410在衬底基板100上的正投影内。例如，第一子电源信号线410在衬底基板100上的正投影穿过第三有效发光区2300在衬底基板100上的正投影的中心。也就是，在平面图中，第三有效发光区2300相对于第一子电源信号线410大致呈对称分布，即，第三有效发光区2300的沿第一方向延伸的对称轴落在第一子电源信号线410内，可以保证第三有效发光区2300沿第二方向具有的较好的对称性，以改善色偏。
例如，图4为各子像素包括的与有机发光元件连接的像素电路的示意图。如图4所示，各子像素还包括驱动有机发光元件发光的像素电路0221，像素电路0221可以包括驱动电路0222、第一发光控制电路0223、第二发光控制电路0224、数据写入电路0226、存储电路0227、阈值补偿电路0228和复位电路0229。驱动电路0222包括控制端、第一端和第二端，且被配置为对有机发光元件0220提供驱动有机发光元件0220发光的驱动电流。
例如，第一发光控制电路0223与第一电压端VDD以及驱动电路0222的第一端电连 接，且被配置为实现驱动电路0222和第一电压端VDD之间的连接导通或断开；第二发光控制电路0224与驱动电路0222的第二端和有机发光元件0220的第一电极电连接，且被配置为实现驱动电路0222和有机发光元件0220之间的连接导通或断开。数据写入电路0226与驱动电路0222的第一端电连接，且被配置为在扫描信号的控制下将数据信号写入存储电路0227。存储电路0227与驱动电路0222的控制端和第一电压端VDD电连接，且被配置为存储数据信号。阈值补偿电路0228与驱动电路0222的控制端和第二端电连接，且被配置为对驱动电路0222进行阈值补偿。复位电路0229与驱动电路0222的控制端和有机发光元件0220的第一电极电连接，且配置为在复位控制信号的控制下对驱动电路0222的控制端和有机发光元件0220的第一电极进行复位。
例如，如图4所示，驱动电路0222包括驱动晶体管T1，驱动电路0222的控制端包括驱动晶体管T1的栅极，驱动电路0222的第一端包括驱动晶体管T1的第一极，驱动电路0222的第二端包括驱动晶体管T1的第二极。数据写入电路0226包括数据写入晶体管T2，存储电路0227包括电容C，阈值补偿电路0228包括阈值补偿晶体管T3，第一发光控制电路0223包括第一发光控制晶体管T4，第二发光控制电路0224包括第二发光控制晶体管T5，复位电路0229包括第一复位晶体管T6和第二复位晶体管T7，复位控制信号可以包括第一子复位控制信号和第二子复位控制信号。
例如，如图4所示，数据写入晶体管T2的第一极与驱动晶体管T1的第一极电连接，数据写入晶体管T2的第二极被配置为与数据线Vd电连接以接收数据信号，数据写入晶体管T2的栅极被配置为与第一扫描信号线Ga1电连接以接收扫描信号；电容C的第一极与第一电源端VDD电连接，电容C的第二极与驱动晶体管T1的栅极电连接；阈值补偿晶体管T3的第一极与驱动晶体管T1的第二极电连接，阈值补偿晶体管T3的第二极与驱动晶体管T1的栅极电连接，阈值补偿晶体管T3的栅极被配置为与第二扫描信号线Ga2电连接以接收补偿控制信号；第一复位晶体管T6的第一极被配置为与第一复位电源端Vinit1电连接以接收第一复位信号，第一复位晶体管T6的第二极与驱动晶体管T1的栅极电连接，第一复位晶体管T6的栅极被配置为与第一复位控制信号线Rst1电连接以接收第一子复位控制信号；第二复位晶体管T7的第一极被配置为与第二复位电源端Vinit2电连接以接收第二复位信号，第二复位晶体管T7的第二极与有机发光元件0220的第一电极电连接，第二复位晶体管T7的栅极被配置为与第二复位控制信号线Rst2电连接以接收第二子复位控制信号；第一发光控制晶体管T4的第一极与第一电源端VDD电连接，第一发光控制晶体管T4的第二极与驱动晶体管T1的第一极电连接，第一发光控制晶体管T4的栅极被配置为与第一发光控制信号线EM1电连接以接收第一发光控制信号；第二发光控制晶体管T5的第一极与驱动晶体管T1的第二极电连接，第二发光控制晶体管T5的第二极与有机发光元件0220的第二电极电连接，第二发光控制晶体管T5的栅极被配置为与第二发光控制信号线EM2电连接以接收第二发光控制信号；有机发光元件0220的第一电极与第二电源端VSS电连接。
例如，第一电源端VDD和第二电源端VSS之一为高压端，另一个为低压端。例如， 如图4所示的实施例中，第一电源端VDD为电压源以输出恒定的第一电压，第一电压为正电压；而第二电源端VSS可以为电压源以输出恒定的第二电压，第二电压为负电压等。例如，在一些示例中，第二电源端VSS可以接地。
例如，如图4所示，扫描信号和补偿控制信号可以相同，即，数据写入晶体管T2的栅极和阈值补偿晶体管T3的栅极可以电连接到同一条信号线，例如第一扫描信号线Ga1，以接收相同的信号(例如，扫描信号)，此时，显示基板可以不设置第二扫描信号线Ga2，减少信号线的数量。又例如，数据写入晶体管T2的栅极和阈值补偿晶体管T3的栅极也可以分别电连接至不同的信号线，即数据写入晶体管T2的栅极电连接到第一扫描信号线Ga1，阈值补偿晶体管T3的栅极电连接到第二扫描信号线Ga2，而第一扫描信号线Ga1和第二扫描信号线Ga2传输的信号相同。
需要说明的是，扫描信号和补偿控制信号也可以不相同，从而使得数据写入晶体管T2的栅极和阈值补偿晶体管T3可以被分开单独控制，增加控制像素电路的灵活性。
例如，如图4所示，第一发光控制信号和第二发光控制信号可以相同，即，第一发光控制晶体管T4的栅极和第二发光控制晶体管T5的栅极可以电连接到同一条信号线，例如第一发光控制信号线EM1，以接收相同的信号(例如，第一发光控制信号)，此时，显示基板可以不设置第二发光控制信号线EM2，减少信号线的数量。又例如，第一发光控制晶体管T4的栅极和第二发光控制晶体管T5的栅极也可以分别电连接至不同的信号线，即，第一发光控制晶体管T4的栅极电连接到第一发光控制信号线EM1，第二发光控制晶体管T5的栅极电连接到第二发光控制信号线EM2，而第一发光控制信号线EM1和第二发光控制信号线EM2传输的信号相同。
需要说明的是，当第一发光控制晶体管T4和第二发光控制晶体管T5为不同类型的晶体管，例如，第一发光控制晶体管T4为P型晶体管，而第二发光控制晶体管T5为N型晶体管时，第一发光控制信号和第二发光控制信号也可以不相同，本公开的实施例对此不作限制。
例如，第一子复位控制信号和第二子复位控制信号可以相同，即，第一复位晶体管T6的栅极和第二复位晶体管T7的栅极可以电连接到同一条信号线，例如第一复位控制信号线Rst1，以接收相同的信号(例如，第一子复位控制信号)，此时，显示基板可以不设置第二复位控制信号线Rst2，减少信号线的数量。又例如，第一复位晶体管T6的栅极和第二复位晶体管T7的栅极也可以分别电连接至不同的信号线，即第一复位晶体管T6的栅极电连接到第一复位控制信号线Rst1，第二复位晶体管T7的栅极电连接到第二复位控制信号线Rst2，而第一复位控制信号线Rst1和第二复位控制信号线Rst2传输的信号相同。需要说明的是，第一子复位控制信号和第二子复位控制信号也可以不相同。
例如，在一些示例中，第二子复位控制信号可以与扫描信号相同，即第二复位晶体管T7的栅极可以电连接到扫描信号线Ga以接收扫描信号作为第二子复位控制信号。
例如，第一复位晶体管T6的源极和第二复位晶体管T7的源极分别连接到第一复位电源端Vinit1和第二复位电源端Vinit2，第一复位电源端Vinit1和第二复位电源端Vinit2 可以为直流参考电压端，以输出恒定的直流参考电压。第一复位电源端Vinit1和第二复位电源端Vinit2可以相同，例如第一复位晶体管T6的源极和第二复位晶体管T7的源极连接到同一复位电源端。第一复位电源端Vinit1和第二复位电源端Vinit2可以为高压端，也可以为低压端，只要其能够提供第一复位信号和第二复位信号以对驱动晶体管T1的栅极和发光元件0220的第一电极进行复位即可，本公开对此不作限制。例如，第一复位晶体管T6的栅极和第二复位晶体管T7的源极可以均连接至复位电源信号线Init。
需要说明的是，图4所示的像素电路中的驱动电路0222、数据写入电路0226、存储电路0227、阈值补偿电路0228和复位电路0229仅为示意性的，驱动电路0222、数据写入电路0226、存储电路0227、阈值补偿电路0228和复位电路0229等电路的具体结构可以根据实际应用需求进行设定，本公开的实施例对此不作具体限定。
例如，按照晶体管的特性，晶体管可以分为N型晶体管和P型晶体管，为了清楚起见，本公开的实施例以晶体管为P型晶体管(例如，P型MOS晶体管)为例详细阐述了本公开的技术方案，也就是说，在本公开的描述中，驱动晶体管T1、数据写入晶体管T2、阈值补偿晶体管T3、第一发光控制晶体管T4、第二发光控制晶体管T5、第一复位晶体管T6和第二复位晶体管T7等均可以为P型晶体管。然而本公开的实施例的晶体管不限于P型晶体管，本领域技术人员还可以根据实际需要利用N型晶体管(例如，N型MOS晶体管)实现本公开的实施例中的一个或多个晶体管的功能。
需要说明的是，本公开的实施例中采用的晶体管可以为薄膜晶体管或场效应晶体管或其他特性相同的开关器件，薄膜晶体管可以包括氧化物半导体薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管或多晶硅薄膜晶体管等。晶体管的源极、漏极在结构上可以是对称的，所以其源极、漏极在物理结构上可以是没有区别的。在本公开的实施例中，为了区分晶体管，除作为控制极的栅极，直接描述了其中一极为第一极，另一极为第二极，所以本公开的实施例中全部或部分晶体管的第一极和第二极根据需要是可以互换的。
需要说明的是，在本公开实施例中，子像素的像素电路除了可以为图4所示的7T1C(即七个晶体管和一个电容)结构之外，还可以为包括其他数量的晶体管的结构，如7T2C结构、6T1C结构、6T2C结构或者9T2C结构，本公开实施例对此不作限定。
图5-图11为本公开一些实施例提供的一种像素电路以及各信号线的各层层叠的示意图。下面结合附图5-图11描述像素电路中的各个电路以及各信号线在背板上的位置关系，图5-图11所示的示例以四个子像素包括的四个相邻的像素电路0221为例，且以一个子像素包括的像素电路的各晶体管的位置进行示意，其他子像素中像素电路包括的部件与该子像素包括的各晶体管的位置大致相同。如图5所示，该子像素的像素电路0221包括图4所示的驱动晶体管T1、数据写入晶体管T2、阈值补偿晶体管T3、第一发光控制晶体管T4、第二发光控制晶体管T5、第一复位晶体管T6和第二复位晶体管T7、电容C。
例如，图5示出了该显示基板中像素电路的有源半导体层310。有源半导体层310可采用半导体材料图案化形成。有源半导体层310可用于制作上述的驱动晶体管T1、数据写入晶体管T2、阈值补偿晶体管T3、第一发光控制晶体管T4、第二发光控制晶体管 T5、第一复位晶体管T6和第二复位晶体管T7的有源层。有源半导体层310包括各子像素的各晶体管的有源层图案(沟道区)和掺杂区图案(源漏掺杂区)，且同一像素电路中的各晶体管的有源层图案和掺杂区图案一体设置。
需要说明的是，有源层可以包括一体形成的低温多晶硅层，源极区域和漏极区域可以通过掺杂等进行导体化实现各结构的电连接。也就是每个子像素的各晶体管的有源半导体层为由p-硅形成的整体图案，且同一像素电路中的各晶体管包括掺杂区图案(即源极区域和漏极区域)和有源层图案，不同晶体管的有源层之间由掺杂结构隔开。
例如，有源半导体层310可采用非晶硅、多晶硅、氧化物半导体材料等制作。需要说明的是，上述的源极区域和漏极区域可为掺杂有n型杂质或p型杂质的区域。
例如，沿第一方向排列的不同颜色子像素的像素电路中的有源半导体层没有连接关系，彼此断开。沿第二方向排列的子像素的像素电路中的有源半导体层可以为一体设置，也可以彼此断开。
图5-图11还示出了电连接到各个颜色子像素的像素电路0121的扫描信号线Ga(包括第一扫描信号线Ga1和第二扫描信号线Ga2)、复位控制信号线Rst(包括第一复位控制信号线Rst1和第二复位控制信号线Rst2)、复位电源端Vinit的复位电源信号线Init(包括第一复位电源端Vinit1的第一复位电源信号线Init1以及第二复位电源端Vinit2的第二复位电源信号线Init2)、发光控制信号线EM(包括第一发光控制信号线EM1和第二发光控制信号线EM2)、数据线Vd以及第一电源信号线400以及第二电源信号线500。第一电源信号线400和第二电源信号线500彼此电连接。
需要说明的是，在图5至图11所示的示例中，第一扫描信号线Ga1和第二扫描信号线Ga2为同一条信号线Ga，第一复位电源信号线Init1和第二复位电源信号线Init2为同一条信号线Init，第一复位控制信号线Rst1和第二复位控制信号线Rst2为同一条信号线Rst，第一发光控制信号线EM1和第二发光控制信号线EM2为同一条信号线EM，但不限于此。
例如，像素电路的栅极金属层可以包括第一导电层和第二导电层。在上述的有源半导体层310上形成有栅极绝缘层(图2所示的栅极绝缘层160)，用于将上述的有源半导体层310与后续形成的栅极金属层绝缘。图6示出了该显示基板包括的第一导电层320，第一导电层320设置在栅极绝缘层上，从而与有源半导体层310绝缘。第一导电层320可以包括电容C的第二极CC2、扫描信号线Ga、复位控制信号线Rst、发光控制信号线EM以及驱动晶体管T1、数据写入晶体管T2、阈值补偿晶体管T3、第一发光控制晶体管T4、第二发光控制晶体管T5、第一复位晶体管T6和第二复位晶体管T7的栅极。
例如，如图6所示，数据写入晶体管T2的栅极可以为扫描信号线Ga与有源半导体层310交叠的部分；第一发光控制晶体管T4的栅极可以为发光控制信号线EM与有源半导体层310交叠的第一部分，第二发光控制晶体管T5的栅极可以为发光控制信号线EM与有源半导体层310交叠的第二部分；第一复位晶体管T6的栅极为复位控制信号线Rst与有源半导体层310交叠的第一部分，第二复位晶体管T7的栅极为复位控制信号线Rst 与有源半导体层310交叠的第二部分；阈值补偿晶体管T3可为双栅结构的薄膜晶体管，阈值补偿晶体管T3的第一个栅极可为扫描信号线Ga与有源半导体层310交叠的部分，阈值补偿晶体管T3的第二个栅极可为从扫描信号线Ga突出的突出结构P与有源半导体层310交叠的部分。如图4和6所示，驱动晶体管T1的栅极可为电容C的第二极CC2。
需要说明的是，图5和图6中的各虚线矩形框示出了第一导电层320与有源半导体层310交叠的各个部分。作为各个晶体管的沟道区，在每个沟道区两侧的有源半导体层通过离子掺杂等工艺导体化作为各个晶体管的第一极和第二极。
例如，如图6所示，扫描信号线Ga、复位控制信号线Rst和发光控制信号线EM沿第二方向(Z方向)排布。扫描信号线Ga位于复位控制信号线Rst和发光控制信号线EM之间。
例如，在第二方向上，电容C的第二极CC2(即驱动晶体管T1的栅极)位于扫描信号线Ga和发光控制信号线EM之间。从扫描信号线Ga突出的突出结构P位于扫描信号线Ga的远离发光控制信号线EM的一侧。
例如，如图6所示，在第二方向上，数据写入晶体管T2的栅极、阈值补偿晶体管T3的栅极和第一复位晶体管T6的栅极均位于驱动晶体管T1的栅极的第一侧，第一发光控制晶体管T4的栅极、第二发光控制晶体管T5的栅极以及第二复位晶体管T7的栅极均位于驱动晶体管T1的栅极的第二侧。例如，图6所示的示例中，子像素的像素电路的驱动晶体管T1的栅极的第一侧和第二侧为在第二方向上驱动晶体管T1的栅极的彼此相对的两侧。例如，如图6所示，在XZ面内，子像素的像素电路的驱动晶体管T1的栅极的第一侧可以为驱动晶体管T1的栅极的上侧，子像素的像素电路的驱动晶体管T1的栅极的第二侧可以为驱动晶体管T1的栅极的下侧。所述下侧，例如显示基板的用于绑定IC的一侧为显示基板的下侧，驱动晶体管T1的栅极的下侧，为驱动晶体管T1的栅极的更靠近IC的一侧。所述上侧为下侧的相对侧，例如为驱动晶体管T1的栅极的更远离IC的一侧。
例如，在一些实施例中，如图6所示，在第一方向(X方向)上，数据写入晶体管T2的栅极和第一发光控制晶体管T4的栅极均位于驱动晶体管T1的栅极的第三侧，阈值补偿晶体管T3的第一个栅极、第二发光控制晶体管T5的栅极和第二复位晶体管T7的栅极均位于驱动晶体管T1的栅极的第四侧。例如，图6所示的示例中，子像素的像素电路的驱动晶体管T1的栅极的第三侧和第四侧为在第一方向X上驱动晶体管T1的栅极的彼此相对的两侧。例如，像素电路的驱动晶体管T1的栅极的第三侧可以为像素电路的驱动晶体管T1的栅极的左侧，像素电路的驱动晶体管T1的栅极的第四侧可以为像素电路的驱动晶体管T1的栅极的右侧。所述左侧和右侧，例如与同一像素电路连接的数据线Vd和第二电源信号线500中，数据线Vd在第二电源信号线500左侧，第二电源信号线500在数据线Vd右侧。
需要说明的是，各个像素电路的结构可以为图6所示的镜像结构，即各个像素电路的各层结构均以驱动晶体管T1的沟道区为基准，左右两侧的结构进行翻转，因此上述所 述的左侧和右侧的关系可以是相反的。
例如，在上述的第一导电层320上形成有第一绝缘层(如图2所示的第一绝缘层150)，用于将上述的第一导电层320与后续形成的第二导电层330绝缘。图7示出了该像素电路的第二导电层330，第二导电层330包括电容C的第一极CC1、复位电源信号线Init以及遮光部S。电容C的第一极CC1与电容C的第二极CC2至少部分重叠以形成电容C。
例如，如图7所示，双栅型阈值补偿晶体管T3两段沟道之间的有源半导体层在阈值补偿晶体管T3关闭时处于浮置(floating)状态，易受周围线路电压的影响而跳变，从而会影响阈值补偿晶体管T3的漏电流，进而影响发光亮度。为了保持阈值补偿晶体管T3两段沟道之间的有源半导体层电压稳定，设计遮光部S与阈值补偿晶体管T3两段沟道之间的有源半导体层形成电容，遮光部S可以连接至第二电源信号线以获得恒定电压电压恒定，因此处于浮置状态的有源半导体层的电压可以保持稳定。遮光部S与双栅型阈值补偿晶体管T3两段沟道之间的有源半导体层交叠，还可以防止两个栅极之间的有源半导体层被光照而改变特性，例如防止该部分有源半导体层的电压发生变化，以防止产生串扰。
例如，在上述的第二导电层330上形成有第二绝缘层(如图2所示的第二绝缘层140)，用于将上述的第二导电层330与后续形成的源漏极金属层340绝缘。图8示出了在上述的第二导电层330上形成有第二绝缘层中的过孔，图9示出了该像素电路的源漏极金属层340。如图8和图9所示，源漏极金属层340包括数据线Vd以及第二电源信号线500。上述数据线Vd以及第二电源信号线500均沿Z方向延伸。
例如，源漏极金属层340还包括第一连接部341、第二连接部342和第三连接部343。图8和图9示出了多个过孔的示例性位置，源漏金属层340通过所示的多个过孔与有源半导体层310、第一导电层膜层320以及第二导电层330连接。
例如，如图8和图9所示，数据线Vd通过贯穿栅极绝缘层、第一绝缘层和第二绝缘层的过孔381与数据写入晶体管T2的第二极电连接。第二电源信号线500通过贯穿栅极绝缘层160、第一绝缘层150和第二绝缘层140的过孔382与第一发光控制晶体管T4的第一极电连接。第二电源信号线500和数据线Vd沿第一方向交替设置。第二电源信号线500通过贯穿第二绝缘层140的过孔3832与电容C的第一极CC1电连接。第二电源信号线500通过贯穿第二绝缘层的过孔3833与遮光部S电连接以为遮光部S提供恒定电压。第一连接部341的一端通过贯穿栅极绝缘层160、第一绝缘层150和第二绝缘层140中的过孔384与阈值补偿晶体管T3的第二极电连接，第一连接部341的另一端通过贯穿第一绝缘层150和第二绝缘层140中的过孔385与驱动晶体管T1的栅极(即电容C的第二极CC2)电连接。第二连接部342的一端通过贯穿第二绝缘层140中的过孔386与复位电源信号线Init电连接，第二连接部342的另一端通过贯穿栅极绝缘层160、第一绝缘层150和第二绝缘层140中的过孔387与第二复位晶体管T7的第一极电连接。第三连接部343通过贯穿栅极绝缘层160、第一绝缘层150和第二绝缘层140中的过孔352与第二发光控制晶体管T5的第二极电连接。
例如，在上述的源漏极金属层340上形成有钝化层123以及第二平坦层122(如图2-图3B所示)用于保护上述的源漏极金属层340。如图10所示，钝化层123以及第二平坦层122包括过孔351以及过孔354。
本公开实施例不限于在上述的源漏极金属层340上形成有钝化层123以及第二平坦层122。图3C为本公开实施例中另一示例中沿图1B所示的BB’线所截的截面图。例如，如图3C所示，在上述的源漏金属层340上还可以仅形成第二平坦层122，而没有形成钝化层123。
例如，图11示出了该像素电路的第三导电层350，第三导电层350包括第四连接部450以及沿X方向和Y方向交叉分布的第一电源信号线400。图11还示出了多个过孔351和354的示例性位置，第三导电层350通过所示的多个过孔351和354与源漏金属层340连接。第三导电层350远离衬底基板100的一侧设置有第一平坦层121，各个子像素的有机发光元件的第二电极可设置在第一平坦层121远离衬底基板100的一侧，且有机发光二极管的第二电极通过第一平坦层121中设置的过孔1210与第四连接部450电连接，以实现与第二发光控制晶体管T5的第二极电连接。
例如，如图1A-图1B以及图11所示，第三导电层350包括多个第四连接部450，相邻两条第二子电源信号线420之间设置有一列第四连接部450。例如，各子像素的像素电路中包括一个第四连接部450，且多个子像素包括的多个第四连接部450沿第一方向和第二方向阵列排布。例如，多个第四连接部450沿第一方向等间距排布，且多个第四连接部450沿第二方向也等间距排布。
例如，沿垂直于衬底基板100的方向，各有效发光区与第四连接部450没有交叠。例如，第三有效发光区2300在衬底基板100上的正投影的中心线穿过一列第四连接部450在衬底基板100上的正投影。例如，垫块430所在的沿第二方向延伸的直线穿过一列第四连接部450。例如，沿第一方向排列的相邻两个第四连接部450的彼此靠近的边缘之间的距离大于第二有效发光区2200的沿第一方向的尺寸。例如，沿第二方向排列的相邻两个第四连接部450的彼此靠近的边缘之间的距离大于各有效发光区的沿第二方向的尺寸。例如，沿第二方向排列的相邻两个第四连接部450的彼此靠近的边缘之间的距离小于断口421的沿第二方向的尺寸。
例如，各颜色子像素包括的第二电极与第三导电层350之间设置有第一平坦层121(图2所示)，第二电极通过第一平坦层中设置的过孔与第四连接部450连接，以实现与第二发光控制晶体管T5的第二极相连。
图12为与图11所示的各像素电路结构一一对应的有机发光元件的平面示意图，图13为各子像素的第二电极的平面形状示意图。
例如，如图1B和图12所示，沿垂直于衬底基板100的方向，第一有效发光区2100与连接至第一颜色子像素210的数据写入晶体管T2的第二极的数据线Vd交叠。
例如，如图1B和图12所示，沿垂直于衬底基板100的方向，第二有效发光区2201与连接至第二颜色子像素220的第一发光控制晶体管T4的第一极的第二电源信号线500、 第二颜色子像素220的第二连接部342以及连接至第二颜色子像素220的数据写入晶体管T2的第二极的数据线Vd均有交叠，且第二中心线与第二电源信号线500有交叠，第二连接部342和数据线Vd位于第二中心线的两侧；沿垂直于衬底基板100的方向，第二有效发光区2202与数据线Vd、第二电源信号线500以及第一连接部341均有交叠，且第二中心线与第二电源信号线500有交叠，第一连接部341和数据线Vd位于第二中心线的两侧。
例如，如图1B和图12所示，沿垂直于衬底基板100的方向，第三有效发光区2300与连接至相邻的第二颜色子像素220的数据写入晶体管T2的第二极的数据线Vd、第三颜色子像素230的第一连接部341以及第二连接部342均有交叠，且数据线Vd位于第三中心线的一侧，第一连接部341以及第二连接部342位于第三中心线的另一侧。
例如，如图12所示，沿垂直于衬底基板100的方向，第二连接部342通过过孔387与第二复位晶体管T7的第一极电连接的部分与断口交叠。例如，沿垂直于衬底基板100的方向，遮光部S中沿Z方向延伸的部分与断口交叠，且过孔3833与断口交叠。例如，沿垂直于衬底基板100的方向，电容C的第一极CC1的通过过孔3832与第二电源信号线连接的部分与断口交叠。
例如，如图5-图13所示，第一颜色子像素210的第二电极212包括第一主体电极2121和第一连接电极2122。第一主体电极2121和第一连接电极2122可以为一体结构，且第一连接电极2122通过过孔1210连接至第四连接部450，以实现与第一颜色子像素210的第二发光控制晶体管T5的第二极相连。
例如，第二颜色子像素对220中各第二颜色子像素的第二电极222包括第二主体电极2221和第二连接电极2222。第二颜色子像素对220中的第一子像素的第二电极包括第二主体部2221-1和第二连接部2222-1，第二颜色子像素对220中的第二子像素的第二电极包括第二主体部2221-2和第二连接部2222-2。例如，各第二颜色子像素的第二主体电极2221和第二连接电极2222可以为一体结构，且第二颜色子像素的第二连接电极2222通过过孔1210连接至第四连接部450，以实现与第二颜色子像素的第二发光控制晶体管T5的第二极相连。
例如，第三颜色子像素230的第二电极232包括第三主体电极2321和第三连接电极2322。例如，第三主体电极2321和第三连接电极2322可以为一体结构，且第三连接电极2322通过过孔1210连接至第四连接部450，以实现与第三颜色子像素130的第二发光控制晶体管T5的第二极相连。
例如，第一颜色子像素210的第一连接电极2122位于第一主体电极2121靠近第二颜色子像素对220的一侧，第二颜色子像素对220的第二连接电极2222位于第二主体电极2221远离第一颜色子像素210的一侧，第三颜色子像素230的第三有效发光区2300的第三中心线穿过第三主体电极2321和第三连接电极2322。
例如，如图1A、图1B、图12以及图13所示，各子像素的主体电极的形状与发光区的形状大致相同，且各子像素的主体电极的面积大于有效发光区的面积。例如，各子 像素的主体电极的几何中心与有效发光区的几何中心大致重合。例如，第一颜色子像素210的第一主体电极2121和第三颜色子像素230的第三主体电极2321的形状大致为六边形或者椭圆形，第二颜色子像素对220中的每个第二颜色子像素的第二主体电极2221的形状大致为五边形、圆形或者水滴形。
例如，图14为一种显示基板中的各子像素的第二电极的平面结构示意图。图14所示的显示基板与本公开实施例的如图1-图13所示的显示基板的不同之处在于图14所示的有机发光元件的第二电极的连接电极的形状不同于本公开实施例中如图13所示的有机发光元件的第二电极的连接电极的形状。如图14所示，第一颜色子像素的有机发光元件的第二电极包括的主体电极11的形状与其发光区1的形状均为六边形；第三颜色子像素的有机发光元件的第二电极包括的主体电极31的形状与其发光区3的形状均为六边形；第二颜色子像素的有机发光元件的第二电极包括的主体电极21的形状与其发光区2的形状均为五边形。一个第二颜色子像素的第二电极包括主体电极21-1和连接电极22-1，另一个第二颜色子像素的第二电极包括主体电极21-2以及连接电极22-2。各子像素的第二电极中的主体电极和连接电极可以为一体结构，此时主体电极与连接电极之间的边界为图14中的点划线所示的边界。由图14可以看出，各子像素的主体电极的形状可以是规则的多边形，连接电极的形状可以是不规则的形状。
在图14所示的显示基板应用于指纹检测时，可以采用光学屏下指纹检测技术。光学屏下指纹检测技术依靠光线反射来探测指纹回路，并将获得的指纹图像与数据库中的图像进行对比，以达到检测指纹的目的。光学屏下指纹检测技术在有机发光二极管显示装置中的应用尤其广泛。
光学屏下指纹检测技术通常采用显示基板发出的光作为光源，指纹传感器通常设置在显示基板的非显示侧，例如可以位于有机发光元件靠近衬底基板的一侧，以实现屏下指纹检测功能。
例如，各子像素发出的光可以用于显示以及作为屏下指纹检测的光，子像素远离衬底基板的一侧还可以设置顶膜层以放置手指；采集指纹图像的指纹传感器可以与各子像素设置于显示基板同一侧，且指纹传感器设置于各子像素有机发光元件靠近衬底基板的一侧，用于检测从顶膜层的表面的指纹反射的反射光。指纹传感器可以包括多个阵列排布的检测单元。为了实现屏下指纹检测功能，上述顶层膜和衬底基板等膜层的至少部分是透明的，并且相邻的子像素之间设置有透明区域(该透明区域为显示基板的透明区域)，以使顶层膜表面的指纹的反射光可以入射到指纹传感器上，以获取指纹图像。由于各子像素的有机发光元件的阳极(第二电极)由不透光材料形成，因此，各子像素的阳极的遮光面积会影响光透过率，进而影响到指纹检测的灵敏度。
如图14所示，第一颜色子像素中，有效发光区1和第二电极的面积比大致为52.85％；第二颜色子像素中，有效发光区2和第二电极的面积比大致为42.31％；第三颜色子像素中，有效发光区3与第二电极的面积比大致为66.99％。第一颜色子像素的第二电极、第二颜色子像素对中的两个第二电极以及第三颜色子像素中的第二电极的面积比为1： 1.58：1.16。
在保证各子像素的发光区的面积不变的情况下，可以通过改变第二电极位于有效发光区以外的区域例如连接电极的形状而减少遮光面积，增加显示基板的透明区域的面积，进而提高指纹检测的灵敏度。
在各子像素的有效发光区的面积不变的情况下，相比于图14所示的显示基板中各子像素的第二电极的形状，本公开实施例提供的显示基板通过减小各子像素的位于有效发光区以外的区域例如连接电极的面积，可以减小第二电极对光的遮挡面积，提高显示基板的光透过率。
例如，如图1A、图12-图13所示，第一颜色子像素210中，第一有效发光区2100与第二电极212的面积比为53％～55％，第二颜色子像素对220中，两个第二有效发光区2200与两个第二电极222的面积比为43.5％～48％，第三颜色子像素230中，第三有效发光区2300与第二电极232的面积比为67.5％～69％。本公开实施例中的第一颜色子像素、第二颜色子像素以及第三颜色子像素可与图14中的第一颜色子像素、第二颜色子像素以及第三颜色子像素一一对应。例如，第一颜色子像素210中，第一有效发光区2100与第二电极212的面积比为54.9％，第二颜色子像素对220中，两个第二有效发光区2200与两个第二电极222的面积比为47％，第三颜色子像素230中，第三有效发光区2300与第二电极232的面积比为68.3％，从而，显示基板整体透过率提升大致0.23％。相比于图14所示的显示基板，本公开实施例通过提高各子像素的有效发光区与第二电极的面积比，可以提高显示基板整体透过率，进而提高指纹检测的灵敏度。
例如，第一有效发光区2100、第二颜色子像素对220中的两个第二有效发光区2200以及第三有效发光区2300的面积比大致为1：1.27：1.47；第一颜色子像素210的第二电极212、第二颜色子像素对220中的两个第二电极222以及第三颜色子像素230中的第二电极232的面积比大致为1：1.48：1.18。
例如，如图1A-图13所示，各子像素中，连接电极与主体电极连接的部分设置有至少一个凹口，沿垂直于衬底基板100的方向，显示基板在对应于凹口的至少一部分的区域为透明区域。这里的透明区域10包括没有设置像素电路0221、第一电源信号线400、第二电源信号线500、数据线Vd、扫描信号线Ga、复位电源信号线Init、复位控制信号线Rst以及发光控制信号线EM的区域。也就是，透明区域10指光可以从衬底基板100上没有被遮光膜层覆盖的透光区入射到指纹传感器的区域，遮光膜层包括有源半导体层310、第一导电层320、第二导电层330、源漏金属层340、第三导电层350、各子像素的第二电极所在膜层。例如，在对应于凹口的至少一部分的区域，没有有源半导体层310、第一导电层320、第二导电层330、源漏金属层340以及第三导电层350的投影落在该区域内。例如，在对应于凹口的至少一部分的区域，没有过孔、连接部、垫块的投影落在该区域内。例如，在对应于凹口的至少一部分的区域，设置有一层或多层绝缘层，例如栅极绝缘层160、第一绝缘层150、第二绝缘层140、钝化层123、第一平坦层121以及第二平坦层122等中的一层或多层，且所述一层或多层绝缘层的透过率大于有源半导体 层310、第一导电层320、第二导电层330、源漏金属层340、第三导电层350中的任意一层。例如，在对应于凹口的至少一部分的区域，设置有一层或多层绝缘层，例如栅极绝缘层160、第一绝缘层150、第二绝缘层140、钝化层123、第一平坦层121以及第二平坦层122等中的一层或多层，且多层绝缘层依次形成在显示基板上，并且在透明区域，所述多层绝缘层之间彼此紧邻，即从远离显示基板的方向上，第二层绝缘层与第一层绝缘层直接接触，第三层绝缘层与第二层绝缘层直接接触。例如，所述一层或多层绝缘层可以为有机层，也可以为无机层。例如，在对应于凹口的至少一部分的区域，设置为透明区域，在该区域，栅极绝缘层形成于衬底基板的表面，第一绝缘层位于栅极绝缘层远离衬底基板的表面，第二绝缘层位于第一绝缘层远离衬底基板的表面，钝化层位于第二绝缘层远离衬底基板的表面，第二平坦层位于钝化层远离衬底基板的表面，第一平坦层位于第二平坦层远离衬底基板的表面，且第二电极例如阳极在该位置为凹口，即第一平坦层远离衬底基板的表面上与第二电极之后形成的像素限定层直接接触。例如，在对应于凹口的至少一部分的区域，设置为透明区域，在该区域，栅极绝缘层形成于衬底基板的表面，第一绝缘层位于栅极绝缘层远离衬底基板的表面，第二绝缘层位于第一绝缘层远离衬底基板的表面，第二平坦层位于第二绝缘层远离衬底基板的表面，第一平坦层位于第二平坦层远离衬底基板的表面，且第二电极例如阳极在该位置为凹口，即第一平坦层远离衬底基板的表面上与第二电极之后形成的像素限定层直接接触。例如，如图12-图13所示，第一颜色子像素210中，第一连接电极2122与第一主体电极2121的连接部分设置有第一凹口2123，显示基板在对应于第一凹口2123的至少一部分的区域为透明区域10。也就是，第一凹口2123的部分与有源半导体层310、第一导电层320、第二导电层330、源漏金属层340、第三导电层350均没有交叠，第一凹口2123的与上述膜层没有交叠的区域形成了显示基板的透明区域。如图13-图14所示，第一凹口2123为本公开实施例中的第一连接电极2122相对于图14所示的连接电极12向内凹陷的部分，上述凹陷部分的一部分与有源半导体层310、第一导电层320以及源漏金属层340等遮光膜层有交叠，上述凹陷部分的另一部分仅与衬底基板100以及多层透明的绝缘层有交叠。也就是，该第一凹口的位置的选取需考虑其与除第二电极所在膜层以外的遮光膜层暴露的透光区域的位置关系，该第一凹口的至少部分与上述透光区域共同形成了显示基板的透明区域。
例如，图14所示的连接电极12的与主体电极11连接的边大致为直边，图13所示的第一凹口2123是由上述直边向靠近第一主体电极2121一侧弯曲后形成的凹口。相对于图14所示的显示基板，本公开实施例通过将第一连接电极与透明区域正对的地方设置凹口，可以提高显示基板的光透过率，进而提高指纹检测的灵敏度。
例如，如图12-图13所示，沿垂直于衬底基板100的方向，连接至第一颜色子像素210的像素电路的发光控制信号线EM、第二电源信号线500、包括各子像素的各晶体管的沟道区和源漏掺杂区的有源半导体层310以及存储电容C的第一极CC1包围的区域101与第一颜色子像素210的第二电极212的第一凹口2123有交叠。相对于图14所述的 连接电极12，本公开实施例中通过在第一连接电极2122对应于区域101的位置设置第一凹口2123，可以增加显示基板的光透过率。
例如，如图12-图13所示，第一颜色子像素210中，第一连接电极2122通过第一连接过孔1211连接至第四连接部450，第一凹口2123位于第一连接过孔1211远离与该第一颜色子像素210位于同一重复单元的第二颜色子像素220的一侧，第一凹口2123的凹陷的程度取决于第一连接电极2122的边缘与第一连接过孔1211的距离，第一凹口2123需要避开第一连接过孔1211，以防止影响第一连接电极2122与第四连接部450的电连接。例如，第一凹口2123为由第一连接过孔1211正对的第一连接电极2122的远离上述第二颜色子像素220的一侧边缘向内凹形成的凹口，且凹口的边缘延伸到第一主体电极2121的边缘。
例如，如图14所示，连接电极12靠近主体电极11一侧的部分的沿X方向的宽度较宽，也就是与连接电极12连接的连接过孔的部分到主体电极11之间的部分沿X方向的宽度较宽，由此，将图14所示的连接电极12上形成图13所示的第一凹口2123后，可以保证第一连接电极2122仍可以通过第一连接过孔1211保持与第四连接部450可靠的连接。
例如，如图12-图13所示，第二颜色子像素对220的第一子像素的第二电极222-1中，第一连接电极2222-1与第一主体电极2221-1的连接部分设置有第二凹口2223-1，显示基板在对应于第二凹口2223-1的至少一部分的区域为透明区域。也就是，第二凹口2223-1的部分与有源半导体层310、第一导电层320、第二导电层330、源漏金属层340、第三导电层350均没有交叠，第二凹口2223-1的与上述膜层没有交叠的区域形成了显示基板的透明区域。如图13-图14所示，第二凹口2223-1为本公开实施例中的第二连接电极2222-1相对于图14所示的连接电极22-1凹陷的部分，上述凹陷部分的一部分与有源半导体层310、第一导电层320以及源漏金属层340等遮光膜层有交叠，上述凹陷部分的另一部分仅与衬底基板100以及多层透明的绝缘层有交叠，也就是，该第二凹口的位置的选取需考虑其与除第二电极所在膜层以外的遮光膜层暴露的透光区域的位置关系，该第二凹口的至少部分与上述透光区域共同形成了显示基板的透明区域。
例如，图14所示的连接电极22-1的与主体电极21-1连接的边大致为直边，图13所示的第二凹口2223-1是由上述直边向靠近第二主体电极2221-1一侧弯曲后形成的凹口。相对于图14所示的显示基板，本公开实施例通过将第二连接电极与透明区域正对的地方设置凹口，可以提高显示基板的光透过率，进而提高指纹检测的灵敏度。
例如，如图12-图13所示，沿垂直于衬底基板100的方向，连接至第二颜色子像素对220的第一子像素的像素电路的发光控制信号线EM、第二电源信号线500以及存储电容C的第一极CC1包围的区域中靠近发光控制信号线EM的部分区域102与第一子像素的第二电极222-1的第二凹口2223-1有交叠。相对于图14所述的连接电极22-1，本公开实施例中通过在第二连接电极2222-1对应于区域102的位置设置第二凹口2223-1，可以增加显示基板的光透过率。
例如，如图12-图13所示，第二颜色子像素对220的第二子像素的第二电极222-2中，第二连接电极2222-2与第二主体电极2221-2的连接部分设置有第三凹口2223-2，显示基板在对应于第三凹口2223-2的至少一部分的区域为透明区域。也就是，第三凹口2223-2的部分与有源半导体层310、第一导电层320、第二导电层330、源漏金属层340、第三导电层350均没有交叠，第三凹口2223-2的与上述膜层没有交叠的区域形成了显示基板的透明区域。如图13-图14所示，第三凹口2223-2为本公开实施例中的第二连接电极2222-2相对于图14所示的连接电极22-2凹陷的部分，上述凹陷部分的一部分与有源半导体层310、第一导电层320以及源漏金属层340等遮光膜层有交叠，上述凹陷部分的另一部分仅与衬底基板100以及多层透明的绝缘层有交叠，也就是，第三凹口的位置的选取需考虑其与除第二电极所在膜层以外的遮光膜层暴露的透光区域的位置关系，该第三凹口的至少部分与上述透光区域共同形成了显示基板的透明区域。
例如，图14所示的连接电极22-2的与主体电极21-2连接的边大致为直边，图13所示的第二凹口2223-2是由上述直边向远离第一颜色子像素的一侧弯曲后形成的凹口。相对于图14所示的显示基板，本公开实施例通过将第二连接电极与透明区域正对的地方设置凹口，可以提高显示基板的光透过率，进而提高指纹检测的灵敏度。
例如，如图12-图13所示，第二颜色子像素对220的第二子像素中，第二连接电极2222-2包括沿第二方向延伸的第一部分2-1以及弯曲的第二部分2-2，第一部分2-1位于第二部分2-2远离第二主体电极2221-2的一侧，第二部分2-2与主体电极2221-2连接，且第一部分2-1沿第一方向的最大尺寸大于第二部分2-2沿第一方向的最大尺寸。
例如，如图12-图13所示，沿垂直于衬底基板100的方向，连接至第二子像素的像素电路的发光控制信号线EM、第二电源信号线500以及第三连接部343包围的区域中靠近第二电源信号线500和发光控制信号线EM的部分区域103与第二子像素的第二电极222-2的第三凹口2223-2有交叠。
相对于图14所示的连接电极22-2，本公开实施例中通过在第二连接电极2222-2对应于区域103的位置设置第三凹口2223-2，从而可以增加显示基板的光透过率。
图14所示的连接电极22-2包括的第一部分22-21与本公开实施例所述的第二连接电极2222-2包括的第一部分2-1的形状以及尺寸基本相同，而图14所示的连接电极22-2包括的第二部分22-22沿第一方向的尺寸大于第一部分22-21沿第一方向的尺寸，且第二部分22-22覆盖了除第二电极所在膜层以外的遮光膜层暴露的透光区域的一部分，所以通过减小第二部分22-22与上述透光区域交叠的部分的面积，例如将其靠近第一颜色子像素的第一有效发光区的且覆盖上述透光区域的部分去掉而形成第三凹口2223-2，可以提高显示基板的光透过率。
例如，图14所示的连接电极22-2的第二部分22-22与主体电极21-2的靠近第一颜色子像素的第一边和远离第一颜色子像素的第二边均连接，而本公开实施例中的第二连接电极2222-2的第二部分2-2仅与第二主体电极2221-2的远离第一颜色子像素的第二边连接，从而可以使得第二主体电极的第一边附近的透光区域不被第二连接电极覆盖。
例如，如图12-图13所示，第二子像素中，第二连接电极2222-2与第一发光控制晶体管T4的源漏掺杂区没有交叠。图14所示的连接电极22-2的第二部分22-22靠近第一颜色子像素的第一有效发光区1的部分覆盖了第一发光控制晶体管T4的源漏掺杂区。本公开实施例通过将图14所示的连接电极22-2的第二部分22-22靠近第一颜色子像素的部分去掉，可以使得第二连接电极2222-2的第二部分2-2与第一发光控制晶体管T4的源漏掺杂区没有交叠，从而可以使得第二部分2-2与第一发光控制晶体管T4的源漏掺杂区附近的透光区域没有交叠，提高显示基板的光透过率。
例如，如图12-图13所示，第二颜色子像素220中，第一连接电极2222-1通过第二连接过孔1212-1连接至第四连接部450，第二凹口2223-1位于第二连接过孔1212-1靠近与该第二颜色子像素220位于同一重复单元的第一颜色子像素210的一侧，第二凹口2223-1的凹陷的程度取决于第一连接电极2222-1的边缘与第二连接过孔1212-1的距离，第二凹口2223-1需要避开第二连接过孔1212-1，以防止影响第一连接电极2222-1与第四连接部450的电连接。例如，第二凹口2223-1为由第二连接过孔1212-1正对的第一连接电极2222-1的靠近上述第一颜色子像素210的一侧边缘向内凹形成的凹口，且凹口的边缘延伸到第一主体电极2221-1的边缘。
例如，如图14所示，连接电极22-1靠近主体电极21-1一侧的部分的沿X方向的宽度较宽，也就是与连接电极22-1连接的连接过孔的部分到主体电极21-1之间的部分沿X方向的宽度较宽，由此，将图14所示的连接电极22-1上形成图13所示的第二凹口2223-1后，可以保证第一连接电极2222-1仍可以通过第二连接过孔1212-1保持与第四连接部450可靠的连接。
例如，如图12-图13所示，第二颜色子像素220中，第一连接电极2222-2通过第三连接过孔1212-2连接至第四连接部450，第三凹口2223-2位于第三连接过孔1212-2靠近与该第二颜色子像素220位于同一重复单元的第一颜色子像素210的一侧，第三凹口2223-2的凹陷的程度取决于第一连接电极2222-2的边缘与第三连接过孔1212-2的距离，第三凹口2223-2需要避开第三连接过孔1212-2，以防止影响第一连接电极2222-2与第四连接部450的电连接。例如，第三凹口2223-2为由第三连接过孔1212-2正对的第一连接电极2222-2的靠近上述第一颜色子像素210的一侧边缘向内凹形成的凹口，且凹口的边缘延伸到第一主体电极2221-2的边缘。
例如，如图14所示，连接电极22-2靠近主体电极21-2一侧的部分的沿X方向的宽度较宽，也就是与连接电极22-2连接的连接过孔的部分到主体电极21-2之间的部分沿X方向的宽度较宽，由此，将图14所示的连接电极22-2上形成图13所示的第三凹口2223-2后，可以保证第一连接电极2222-2仍可以通过第三连接过孔1212-2保持与第四连接部450可靠的连接。
例如，如图12-图13所示，第三颜色子像素对230的第二电极232中，第三连接电极2322与第三主体电极2321的连接部分设置有第四凹口2323，显示基板在对应于第四凹口2323的至少一部分的区域为透明区域10。也就是，第四凹口2323的部分与有源半 导体层310、第一导电层320、第二导电层330、源漏金属层340、第三导电层350均没有交叠，第四凹口2323的与上述膜层没有交叠的区域形成了显示基板的透明区域。如图13-图14所示，第四凹口2323为本公开实施例中的第二连接电极232相对于图14所示的连接电极2322凹陷的部分，上述凹陷部分的一部分与有源半导体层310、第一导电层320以及源漏金属层340等遮光膜层有交叠，上述凹陷部分的另一部分仅与衬底基板100以及多层透明的绝缘层有交叠，也就是，第四凹口的位置的选取需考虑其与除第二电极所在膜层以外的遮光膜层暴露的透光区域的位置关系，该第四凹口的至少部分与上述透光区域共同形成了显示基板的透明区域。
例如，图14所示的连接电极32的与主体电极31连接的边大致为直边，图13所示的第四凹口2323是由上述直边向靠近第三主体电极2321一侧弯曲后形成的凹口。相对于图14所示的显示基板，本公开实施例通过将第二连接电极与除第二电极所在膜层以外的遮光膜层暴露的透光区域正对的地方设置凹口，可以提高显示基板的光透过率，进而提高指纹检测的灵敏度。
例如，如图12-图13所示，沿垂直于衬底基板100的方向，连接至第二颜色像素对的第二子像素的像素电路的数据线Vd、有源半导体层310以及存储电容C的第一极CC1所在膜层围成的区域中远离发光控制信号线EM的部分区域104与第三颜色子像素230的第二电极2322的第四凹口2323有交叠。相对于图14所示的连接电极32，本公开实施例中通过在第三连接电极2322对应于区域104的部分设置第四凹口2323，从而可以增加显示基板的光透过率。
图14所示的连接电极32靠近第一颜色子像素的部分与除第二电极所在膜层以外的遮光膜层暴露的透光区域有交叠，本公开实施例通过将第三连接电极2322的靠近第一颜色子像素的且覆盖上述透光区域得到部分去掉而形成第四凹口2323，可以提高显示基板的光透过率。
例如，如图12-图13所示，第三颜色子像素230中，第一连接电极2322通过第四连接过孔1213连接至第四连接部450，第四凹口2323位于第四连接过孔1213靠近与该第三颜色子像素230相邻的第一颜色子像素210的一侧，第四凹口2323的凹陷的程度取决于第一连接电极2322的边缘与第四连接过孔1213的距离，第四凹口2323需要避开第四连接过孔1213，以防止影响第一连接电极2223与第四连接部450的电连接。例如，第四凹口2323为由第四连接过孔1213正对的第一连接电极2223的靠近上述第一颜色子像素210的一侧边缘向内凹形成的凹口，且凹口的边缘延伸到第一主体电极2321的边缘。
例如，如图14所示，连接电极32靠近主体电极31一侧的部分的沿X方向的宽度较宽，也就是与连接电极32连接的连接过孔的部分到主体电极31之间的部分沿X方向的宽度较宽，由此，将图14所示的连接电极32上形成图13所示的第四凹口2323后，可以保证第一连接电极2223仍可以通过第四连接过孔1213保持与第四连接部450可靠的连接。
本公开另一实施例提供一种显示装置，包括上述任一显示基板。包括上述显示基板 的显示装置可以尽量避免色偏现象的发生。
本公开实施例提供的显示装置可以应用指纹检测技术，且该显示装置包括的显示基板具有较高的指纹检测灵敏度。
有以下几点需要说明：
(1)本公开的实施例附图中，只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)在不冲突的情况下，本公开的同一实施例及不同实施例中的特征可以相互组合。
以上所述仅是本公开的示范性实施方式，而非用于限制本公开的保护范围，本公开的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims (37)

  1. 一种显示基板，包括：
    衬底基板；
    第一电源信号线，位于所述衬底基板上，所述第一电源信号线包括沿第一方向延伸的多条第一子电源信号线以及沿第二方向延伸的多条第二子电源信号线，所述第一子电源信号线与所述第二子电源信号线相连；
    像素限定层，位于所述第一电源信号线远离所述衬底基板的一侧，所述像素限定层包括多个开口以限定多个子像素的有效发光区，所述多个子像素包括沿所述第二方向排列的两个子像素组成的子像素对，所述子像素对包括彼此间具有间隔的两个子有效发光区；
    其中，在平面图中，所述第一子电源信号线穿过所述两个子有效发光区之间的间隔，至少一条所述第二子电源信号线包括至少一个断口，所述两个子有效发光区以及位于所述两个子有效发光区之间的所述间隔均位于所述断口处，以使连接所述第二子电源信号线的同一断口的两个端点的沿所述第二方向延伸的虚拟直线贯穿所述两个子有效发光区以及所述间隔。
  2. 根据权利要求1所述的显示基板，其中，沿垂直于所述衬底基板的方向，具有所述断口的所述第二子电源信号线与所述两个子有效发光区以及所述间隔均没有交叠。
  3. 根据权利要求1或2所述的显示基板，还包括：
    多条第二电源信号线，沿所述第二方向延伸，位于所述第一电源信号线与所述衬底基板之间，且所述第二电源信号线与所述第二子电源信号线通过位于所述第二子电源信号线与所述第二电源线之间的绝缘层中的过孔电连接，
    其中，所述第二子电源信号线在所述衬底基板上的正投影与所述第二电源信号线在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠，且所述两个子有效发光区在所述衬底基板上的正投影与所述第二电源信号线在所述衬底基板上的正投影有交叠。
  4. 根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述第一子电源信号线在所述衬底基板上的正投影与所述两个子有效发光区的在所述衬底基板上的两个正投影的两个中心之间的距离之比为0.9～1.1。
  5. 根据权利要求3或4所述的显示基板，其中，所述两个子有效发光区在所述衬底基板上的两个正投影的两个中心位于所述第二电源信号线在所述衬底基板上的正投影内。
  6. 根据权利要求3-5任一项所述的显示基板，其中，所述显示基板包括位于所述衬底基板上的多个重复单元，所述多个重复单元的每个包括沿所述第一方向依次排列的一个第一颜色子像素、一个第二颜色子像素对以及一个第三颜色子像素，所述第二颜色子像素对包括两个相同颜色的第二颜色子像素，且沿所述第二方向排列的所述两个子像素组成的所述子像素对为所述第二颜色子像素对；
    所述第一颜色子像素包括第一有效发光区，所述两个子有效发光区为两个第二有效发光区，且所述第三颜色子像素包括第三有效发光区。
  7. 根据权利要求6所述的显示基板，其中，沿所述第二方向，所述间隔的尺寸小于所述第一有效发光区的尺寸，且所述间隔的尺寸小于所述第三有效发光区的尺寸。
  8. 根据权利要求6或7所述的显示基板，其中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一有效发光区与所述第二子电源信号线以及所述第二电源信号线均没有交叠。
  9. 根据权利要求8所述的显示基板，其中，所述第一有效发光区位于相邻的所述第二子电源信号线之间，且所述第一有效发光区位于相邻的所述第二电源信号线之间。
  10. 根据权利要求8或9所述的显示基板，其中，所述第一有效发光区在所述衬底基板上的正投影的中心位于所述第一子电源信号线在所述衬底基板上的正投影内。
  11. 根据权利要求8-10任一项所述的显示基板，还包括：
    多个垫块，沿所述第二方向延伸，且与所述第一电源信号线同层设置，
    其中，位于所述第一有效发光区两侧且与所述第一有效发光区紧邻的两条第二子电源信号线距所述第一有效发光区的沿所述第二方向延伸的中心线的距离不相等，且所述第一有效发光区位于所述垫块与距所述第一有效发光区的所述中心线距离较近的所述第二子电源信号线之间。
  12. 根据权利要求11所述的显示基板，其中，在所述第一方向上，所述第一有效发光区的中心线与位于所述第一有效发光区两侧的所述垫块和所述第二子电源信号线的距离之比为0.9～1.1。
  13. 根据权利要求11或12所述的显示基板，其中，沿垂直于所述衬底基板的方向，所述垫块与所述第一子电源信号线交叠，且彼此电连接。
  14. 根据权利要求13所述的显示基板，其中，所述垫块的形状大致为长条形，且所述垫块在所述衬底基板上的正投影的中心位于所述第一子电源信号线在所述衬底基板上的正投影内。
  15. 根据权利要求11-14任一项所述的显示基板，其中，沿所述第一方向排列且彼此相邻的所述第一颜色子像素和所述第三颜色子像素之间设置有所述垫块，且所述垫块与位于所述第一颜色子像素与所述第三颜色子像素之间的所述第二子电源信号线电连接。
  16. 根据权利要求15所述的显示基板，还包括：
    连接部，与所述垫块同层设置，且位于所述第二子电源信号线与所述垫块之间，
    其中，所述垫块通过所述连接部连接至所述第二子电源信号线。
  17. 根据权利要求16所述的显示基板，其中，所述垫块和与其连接的所述第二子电源信号线之间具有间隔，所述连接部位于所述垫块和所述第二子电源信号线之间，且所述连接部、所述垫块以及所述第二子电源信号线形成环状结构。
  18. 根据权利要求16或17所述的显示基板，其中，多条所述第二子电源信号线包括沿所述第一方向交替排列的第一子信号线和第二子信号线，所述第一子信号线为连续 的信号线，所述第二子信号线为具有所述断口的信号线。
  19. 根据权利要求18所述的显示基板，其中，所述垫块通过所述连接部连接至所述第二子信号线，且所述垫块在与连接至该垫块的所述第二子信号线相邻的另一条所述第二子信号线上的正投影位于该另一条所述第二子信号线的断口内。
  20. 根据权利要求11-19任一项所述的显示基板，其中，沿所述第二方向，所述垫块的尺寸小于所述第一有效发光区的尺寸。
  21. 根据权利要求6-20任一项所述的显示基板，其中，在垂直于所述衬底基板的方向，所述第三有效发光区与所述第二子电源信号线以及所述第二电源信号线没有交叠。
  22. 根据权利要求21所述的显示基板，其中，所述第三有效发光区位于相邻的所述第二子电源信号线之间，且所述第三有效发光区位于相邻的所述第二电源信号线之间。
  23. 根据权利要求21或22所述的显示基板，其中，所述第三有效发光区在所述衬底基板上的正投影的中心位于所述第一子电源信号线在所述衬底基板上的正投影内。
  24. 根据权利要求21-23任一项所述的显示基板，其中，位于所述第三颜色子像素两侧且与所述第三颜色子像素紧邻的两条所述第二子电源信号线在所述衬底基板上的正投影与所述第三有效发光区在所述衬底基板上的正投影的中心的距离之比为0.9～1.1。
  25. 根据权利要求6-24任一项所述的显示基板，其中，各所述子像素包括有机发光元件，所述有机发光元件包括依次层叠设置的第一电极、发光层以及第二电极，所述发光层的至少部分位于所述开口内，且所述第二电极位于所述像素限定层面向所述衬底基板的一侧，
    所述第一颜色子像素中，所述第一有效发光区与所述第二电极的面积比为53％～55％；所述第二颜色子像素对中，所述两个第二有效发光区与两个第二电极的面积比为43.5％～48％；所述第三颜色子像素中，所述第三有效发光区与所述第二电极的面积比为67.5％～69％。
  26. 根据权利要求25所述的显示基板，其中，所述第一有效发光区和所述第三有效发光区的形状包括六边形或者椭圆形，所述第二颜色子像素对包括的每个所述第二有效发光区的形状包括五边形、圆形或者水滴形。
  27. 根据权利要求26所述的显示基板，其中，各颜色子像素的所述第二电极包括彼此连接的主体电极和连接电极，所述主体电极的形状与相应子像素的有效发光区的形状大致相同；
    各所述子像素中，所述连接电极与所述主体电极连接的部分设置有凹口，沿垂直于所述衬底基板的方向，所述显示基板在对应于所述凹口的至少一部分的区域为透明区域。
  28. 根据权利要求27所述的显示基板，还包括：
    多条数据线，沿所述第二方向延伸，且与所述第二电源信号线同层设置；
    多条扫描信号线，沿所述第一方向延伸，且位于所述数据线所在膜层面向所述衬底基板的一侧；
    多条复位电源信号线，沿所述第一方向延伸，且位于所述扫描信号线所在膜层与所 述数据线所在膜层之间；
    多条复位控制信号线，沿所述第一方向延伸，且与所述扫描信号线同层设置；以及
    多条发光控制信号线，沿所述第一方向延伸，且与所述扫描信号线同层设置，
    其中，各所述子像素还包括驱动所述有机发光元件的像素电路，所述像素电路包括驱动晶体管、数据写入晶体管、存储电容、阈值补偿晶体管、第一发光控制晶体管、第二光控制晶体管、第一复位晶体管和第二复位晶体管；
    所述数据写入晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第一极电连接，所述数据写入晶体管的第二极与所述数据线电连接以接收数据信号，所述数据写入晶体管的栅极与所述扫描信号线电连接以接收扫描信号；
    所述存储电容的第一极与所述第二电源信号线电连接，所述存储电容的第二极与所述驱动晶体管的栅极电连接；
    所述阈值补偿晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接，所述阈值补偿晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极电连接，所述阈值补偿晶体管的栅极与所述扫描信号线电连接以接收补偿控制信号；
    所述第一复位晶体管的第一极与所述复位电源信号线电连接以接收第一复位信号，所述第一复位晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极电连接，所述第一复位晶体管的栅极与所述复位控制信号线电连接以接收第一子复位控制信号；
    所述第二复位晶体管的第一极与所述复位电源信号线电连接以接收第二复位信号，所述第二复位晶体管的第二极与所述有机发光元件的第一电极电连接，所述第二复位晶体管的栅极与所述复位控制信号线电连接以接收第二子复位控制信号；
    所述第一发光控制晶体管的第一极与所述第二电源信号线电连接，所述第一发光控制晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极电连接，所述第一发光控制晶体管的栅极与所述发光控制信号线电连接以接收第一发光控制信号；
    所述第二发光控制晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接，所述第二发光控制晶体管的第二极与所述有机发光元件的第二电极电连接，所述第二发光控制晶体管的栅极与所述发光控制信号线电连接以接收第二发光控制信号；
    其中，所述显示基板还包括与所述数据线同层设置的第一连接部、第二连接部以及第三连接部，以及与所述第一电源信号线同层设置的第四连接部，所述第一连接部被配置为连接所述阈值补偿晶体管的第二极和所述驱动晶体管的栅极，所述第二连接部被配置为连接所述复位电源信号线和所述第二复位晶体管的第一极，所述第三连接部被配置为连接所述第二发光控制晶体管的第二极与所述第四连接部，所述第四连接部被配置为连接所述第三连接部和所述有机发光元件的第二电极的所述连接电极。
  29. 根据权利要求28所述的显示基板，其中，所述透明区域包括没有设置所述像素电路、所述第一电源信号线、所述第二电源信号线、所述数据线、所述扫描信号线、所述复位电源信号线、所述复位控制信号线以及所述发光控制信号线的区域。
  30. 根据权利要求29所述的显示基板，其中，沿垂直于所述衬底基板的方向，连接 至所述第一颜色子像素的所述像素电路的所述发光控制信号线、所述第二电源信号线、包括各所述子像素的各晶体管的沟道区和源漏掺杂区的有源半导体层以及所述存储电容的第一极包围的区域与所述第一颜色子像素的第二电极的凹口有交叠。
  31. 根据权利要求30所述的显示基板，其中，沿垂直于所述衬底基板的方向，连接至所述第二颜色子像素对的第一子像素的所述像素电路的所述发光控制信号线、所述第二电源信号线以及所述存储电容的第一极包围的区域中靠近所述发光控制信号线的部分区域与所述第一子像素的第二电极的凹口有交叠。
  32. 根据权利要求30或31所述的显示基板，其中，所述第二颜色子像素对的第二子像素中，所述连接电极包括沿所述第二方向延伸的第一部分以及弯曲的第二部分，所述第一部分位于所述第二部分远离所述主体电极的一侧，所述第二部分与所述主体电极连接，且所述第一部分沿所述第一方向的最大尺寸大于所述第二部分沿所述第一方向的最大尺寸。
  33. 根据权利要求32所述的显示基板，其中，所述第二子像素中，所述连接电极与所述第一发光控制晶体管的源漏掺杂区没有交叠。
  34. 根据权利要求32或33所述的显示基板，其中，沿垂直于所述衬底基板的方向，连接至所述第二子像素的所述像素电路的所述发光控制信号线、所述第二电源信号线以及所述第三连接部包围的区域中靠近所述第二电源信号线和所述发光控制信号线的部分区域与所述第二子像素的第二电极的凹口有交叠。
  35. 根据权利要求34所述的显示基板，其中，沿垂直于所述衬底基板的方向，连接至所述第二子像素的所述像素电路的所述数据线、所述有源半导体层以及所述存储电容的第一极所在膜层围成的区域中远离所述发光控制信号线的部分区域与所述第三颜色子像素的第二电极的凹口有交叠。
  36. 根据权利要求6-35任一项所述的显示基板，其中，所述第一颜色子像素为红色子像素，所述第二颜色子像素为绿色子像素，所述第三颜色子像素为蓝色子像素。
  37. 一种显示装置，包括权利要求1-36任一项所述的显示基板。
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