WO2021159306A1

WO2021159306A1 - 封装结构及其制备方法和电子设备

Info

Publication number: WO2021159306A1
Application number: PCT/CN2020/074879
Authority: WO
Inventors: 李珩; 张晓东; 王思敏; 戚晓芸
Original assignee: 华为技术有限公司
Priority date: 2020-02-12
Filing date: 2020-02-12
Publication date: 2021-08-19
Also published as: CN115066746A

Abstract

提供一种封装结构（20）及其制备方法和电子设备（100）。所述封装结构（20）包括第一重布线层（21）和第一芯片（22），所述第一重布线层（21）包括第一金属线路（212）和与所述第一金属线路（212）连接的第一导热件（213），所述第一导热件（213）至少部分露出所述第一重布线层（21）的顶面（214），所述第一芯片（22）的背面一侧设于所述顶面（214），并与所述第一导热件（213）连接。提供的所述封装结构（20）具有很好的散热效果。

Description

封装结构及其制备方法和电子设备

技术领域

本申请涉及封装技术领域，尤其涉及一种封装结构及其制备方法和电子设备。

背景技术

随着摩尔定律步伐的放缓，芯片尺寸微缩的成本日益增加，封装在产业链的地位变得更加重要。采用堆叠封装(Package on Package，POP)方案，结合扇出型晶圆级封装(Fan Out Wafer Level Package，FOWLP)技术，可以极大地提高封装结构的集成度，具有显著的收益。但是现有的封装结构中的芯片在垂直方向上散热不良。

发明内容

本申请实施例提供一种封装结构，以提高封装结构的散热效果。

本申请实施例还提供一种封装结构的制备方法和电子设备。

本申请实施例提供一种封装结构，包括第一重布线层和第一芯片，所述第一重布线层包括第一金属线路和与所述第一金属线路连接的第一导热件，所述第一导热件至少部分露出所述第一重布线层的顶面，所述第一芯片的正面用于传递信号，所述第一芯片的背面为与所述第一芯片的正面相背设置的无源面，所述第一芯片的背面一侧设于所述顶面，并与所述第一导热件连接。

本申请实施例所述的封装结构中的第一芯片的背面一侧与第一导热件连接，以将第一芯片的热量从背面经第一导热件传递至第一金属线路，即，将第一芯片的热量从无源面经第一导热件传递至第一金属线路，最后经由第一金属线路导出，从而有效将第一芯片的热量从背面导出，以使第一芯片在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第一芯片的电性能，进而提高了封装结构的电性能。

一些实施例中，所述第一芯片的背面设有阻隔层，所述阻隔层连接在所述背面和所述第一导热件之间。阻隔层用于隔离第一芯片和第一导热件，以避免第一导热件中的材料扩散到第一芯片中影响第一芯片的电性能，甚至导致第一芯片失效。阻隔层的材料例如为氮化硅。当然，在其他实施例中，阻隔层的材料还可以是其他可以阻止第一导热件中的材料扩散到第一芯片中的材料。

一些实施例中，所述阻隔层和所述第一导热件之间设有粘接层，所述粘接层将所述第一芯片粘接至所述顶面。粘接层用于将第一芯片固定于顶面上，以在第一封装体将第一芯片封装于第一重布线层上时，第一芯片不会在封装过程中发生偏位，提高了封装结构的成品品质。

一些实施例中，所述封装结构包括第一封装体，所述第一封装体封装于所述第一芯片上，所述第一芯片的正面的引脚露出所述第一封装体。第一芯片的引脚露出第一封装体的表面以便于第一芯片与其他结构电连接。

一些实施例中，所述封装结构包括第二重布线层，所述第二重布线层设于所述第一封装体上，所述第二重布线层包括第二金属线路和与所述第二金属线路连接的第二导热件，所述第二导热件露出所述第二重布线层背向所述第一芯片的表面，所述第二金属线路部分露出第二重布线层朝向所述第一芯片的表面并与所述第一芯片的引脚连接。

一些实施例中，所述封装结构包括第一连接柱，所述第一连接柱设于所述第一封装体内且连接在所述第一金属线路和所述第二金属线路之间。第一连接柱用于实现电连接的同时还能实现第一金属线路和第二金属线路的热量传递以及将第一封装体中的热量传递出去，以进一步提高封装结构的散热效果。

一些实施例中，所述封装结构包括第二芯片和第二封装体，所述第二芯片的背面一侧设于所述第二重布线层上并与所述第二导热件连接，所述第二封装体封装于所述第二芯片上，所述第二芯片的引脚露出所述第二封装体。第二芯片的热量通过第二导热件传递至第二金属线路，再通过第二金属线路向外导热，以使第二芯片在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第二芯片的电性能，进而提高了封装结构的电性能。

一些实施例中，所述第一芯片为存储芯片，所述第二芯片为CPU芯片。

一些实施例中，所述封装结构包括第三重布线层和焊球，所述第三重布线层设于所述第二封装体上，所述焊球设于所述第三重布线层上，所述第三重布线层的第三金属线路连接在所述第二芯片的引脚和所述焊球之间。第三重布线层不光用于实现电连接，同时还将第一芯片和第二芯片传递到第三金属线路的热量通过焊球向外界传递，焊球用于与其他电子元件电连接。

一些实施例中，所述封装结构包括第二连接柱，所述第二连接柱设于所述第二封装体中，并连接在所述第二金属线路和所述第三金属线路之间。第二连接柱用于实现电路之间的连接的同时还能将第二芯片传到第二金属线路的热量导到其他部分，进一步提高封装结构的散热效果。

本申请实施例还提供一种封装结构，包括第一重布线层、第一芯片、第一传热件和第一封装体，所述第一重布线层包括第一金属线路，所述第一金属线路部分露出所述第一重布线层的顶面，所述第一芯片的正面用于传递信号，所述第一芯片的背面为与所述第一芯片的正面相背设置的无源面，所述第一芯片的正面的引脚设于所述顶面并与所述第一金属线路连接，所述第一传热件设于所述第一芯片的背面一侧，所述第一封装体封装与所述第一芯片上，所述第一传热件露出所述第一封装体的表面。

本申请实施例所述的封装结构，通过将第一传热件设于所述第一芯片的背面一侧，即，将第一传热件设于所述第一芯片的无源面一侧，且所述第一传热件露出所述第一封装体的表面。即，第一芯片的热量通过第一传热件传递出第一封装体进行散热，从而有效将第一芯片的热量从背面导出到封装结构外，以使第一芯片在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第一芯片的电性能，进而提高了封装结构的电性能。

一些实施例中，所述封装结构还包括金属体，所述第一传热件为多个，多个所述第一传热件间隔设置，所述金属体连接多个所述第一传热件背向所述第一芯片的一端，所述第一传热件通过所述金属体露出所述第一封装体。通过金属体将多个第一传热件连接一方面了增大了第一芯片的散热面积，另一方面多个第一传热件通过金属体能与后续形成的导热件连接更牢固，以使第一芯片在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第一芯片的电性能，进而提高了封装结构的电性能。

一些实施例中，所述第一芯片的背面设有阻隔层，所述阻隔层连接在所述背面和所述第一传热件之间。阻隔层用于隔离第一芯片和第一传热件，以避免第一传热件中的材料扩散到第一芯片中影响第一芯片的电性能，甚至导致第一芯片失效。阻隔层的材料例如为氮化硅。当然，在其他实施例中，阻隔层的材料还可以是其他可以阻止第一传热件中的材料扩散到第一芯片中的材料。

一些实施例中，所述封装结构包括第二重布线层，所述第二重布线层设于所述第一封装体上，所述第二重布线层包括第二金属线路和与所述第二金属线路连接的第二导热件，所述第二导热件露出所述第二重布线层朝向所述第一芯片的表面并与所述金属体或所述第一传热件连接，所述第二金属线路部分露出第二重布线层背向所述第一芯片的表面。第二导热件用于连接第一传热件，从而将第一芯片传递到的第一传热件的热量通过第二导热件传递到第二金属线路并通过第二金属线路传导出去，以使第一芯片在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第一芯片的电性能，进而提高了封装结构的电性能。

一些实施例中，所述封装结构包括第一连接柱，所述第一连接柱设于所述第一封装体内且连接在所述第一金属线路和所述第二金属线路之间。第一连接柱用于连接第一金属线路和第二金属线路，同时还能将第一芯片传到第一封装体的热量导到其他部分，或将第二金属线路的热量传递到第一金属线路，进一步提高封装结构的散热效果。

一些实施例中，所述封装结构包括第二芯片、第二封装体和第二传热件，所述第二芯片的正面的引脚设于所述第二重布线层上并与所述第二金属线路连接，所述第二传热件设于所述第二芯片的背面一侧，所述第二封装体封装于所述第二芯片上，所述第二传热件露出所述第二封装体的表面。第二芯片的热量从背面通过第二传热件传递出去，以使第二芯片在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第二芯片的电性能，进而提高了封装结构的电性能。

一些实施例中，所述封装结构包括第三重布线层和焊球，所述第三重布线层设于所述第二封装体上，所述第三重布线层中与第三金属线路连接的第三导热件与所述第二传热件连接，所述焊球设于所述第一重布线层背向所述第一芯片的表面并与所述第一金属线路连接。第三重布线层不光用于实现电连接，同时还将第一芯片和第二芯片传递到第三金属线路的热量向外界传递，焊球用于与其他电子元件电连接。

一些实施例中，所述封装结构包括第二连接柱，所述第二连接柱设于所述第二封装体中，并连接在所述第二金属线路和所述第三金属线路之间。第二连接柱用于连接第二金属线路和第三金属线路并实现热量传递，同时还能将第二芯片传到第二封装体的热量导到其他部分，进一步提高封装结构的散热效果。

本申请实施例还提供一种电子设备，包括以上所述的封装结构。具有本申请提供的封装结构的电子设备散热性能和稳定性具有显著提升。

本申请实施例还提供一种封装结构的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：

制作第一重布线层，所述第一重布线层内设第一金属线路；

将第一芯片连接至所述第一重布线层，使得所述第一芯片的背面面对所述第一重布线层，且通过第一导热件连接所述第一金属线路；或者，通过第一封装体将所述第一芯片封装至所述第一重布线层，使得所述第一芯片的背面背对所述第一重布线层，且通过第一传热件连接至所述第一封装体的表面，其中，所述第一芯片的正面用于传递信号，所述第一芯片的背面为与所述第一芯片的正面相背设置的无源面。

本申请实施例所述的制备方法包括两种方案，一种方案是：将第一芯片连接至第一重布线层上，第一芯片的背面通过第一导热件连接至第一重布线层的第一金属线路，以将第一芯片的热量从背面经第一导热件传递至第一金属线路，最后经由第一金属线路导出，从而有效将第一芯片的热量从背面导出，以使第一芯片在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第一芯片的电性能，进而提高了封装结构的电性能。另一种方案是：将第一芯片背对第一重布线层封装于第一重布线层上，第一芯片的背面通过第一传热件连接至第一封装体的表面，即，第一芯片的热量通过第一传热件传递出第一封装体进行散热，从而有效将第一芯片的热量从背面导出到封装结构外，以使第一芯片在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第一芯片的电性能，进而提高了封装结构的电性能。本申请提供的封装结构的制备方法中，不管第一芯片正装至第一重布线层，或者倒装至第一重布线层，均通过将导热结构(第一导热件或第一传热件)连接在第一芯片的背面，并通过导热结构将第一芯片散发的热传导至外部(传导的路径可以为第一重布线层的一侧，也可以通过传导至第一芯片背离第一重布线层的第一封装体的表面)。

一些实施例中，所述第一导热件为在制作所述第一重布线层的过程中形成在所述第一重布线层内，且与所述第一金属线路连接，所述第一导热件至少部分外露在所述第一重布线层的顶面，将所述第一芯片连接至所述第一重布线层的过程中，所述第一芯片的背面面对所述顶面。换言之，第一导热件嵌设于第一重布线层内，即第一导热件不占用额外的空间，不会因为增加第一导热件而使封装结构的尺寸变大。且在形成第一重布线层的同时形成第一导热件，减少制作工艺，在为第一芯片散热的同时，提高封装结构的生产效率，降低了封装结构的生产成本。

一些实施例中，所述第一导热件为金属材质，将所述第一芯片连接至所述第一重布线层之前，在所述第一芯片的背面制作阻隔层，所述阻隔层将所述背面和所述第一导热件隔开。阻隔层用于隔离第一芯片和第一导热件，以避免第一导热件中的材料扩散到第一芯片中影响第一芯片的电性能，甚至导致第一芯片失效。阻隔层的材料例如为氮化硅。当然，在其他实施例中，阻隔层的材料还可以是其他可以阻止第一导热件中的材料扩散到第一芯片中的材料。

一些实施例中，所述阻隔层与所述第一重布线层的顶面之间通过粘接层固定连接。换言之，粘接层用于将第一芯片固定于第一重布线层上，以在第一封装体将第一芯片封装于第一重布线层上时，第一芯片不会在封装过程中发生偏位，提高了封装结构的成品品质。

一些实施例中，将所述第一芯片连接至所述第一重布线层之后，通过第一封装体将所述第一芯片封装至所述第一重布线层，所述第一芯片的正面的引脚露出所述第一封装体的表面。第一芯片的引脚露出第一封装体的表面以便于第一芯片与其他结构电连接。

一些实施例中，在制作所述第一重布线层之后，在所述第一重布线层上形成第一连接柱，所述第一连接柱与所述第一金属线路连接，在通过所述第一封装体将所述第一芯片封装至所述第一重布线层的过程中，所述第一封装体同时封装所述第一连接柱，所述第一连接柱部分外露至所述第一封装体的表面。第一连接柱与露出第一重布线层的表面的部分第一金属线路连接，第一连接柱用于将第一金属线路和后续工艺中形成的第二重布线的第二金属线路连接，同时还能将第一芯片传到第一金属线路的热量导到其他部分，进一步提高封装结构的散热效果。

一些实施例中，所述制备方法还包括在所述第一封装体上制作第二重布线层，所述第二重布线层内设第二金属线路和与所述第二金属线路连接的第二导热件，所述第二导热件露出所述第二重布线层背向所述第一芯片的表面，所述第二金属线路部分露出第二重布线层朝向所述第一芯片的表面并与所述第一芯片的引脚和所述第一连接柱连接。第二导热件在制作第二重布线层的同时形成，有效简化封装结构的制备工艺，提高生产效率，降低生产成本。

一些实施例中，所述制备方法还包括将第二芯片连接至所述第二重布线层，使得所述第二芯片的背面面对所述第二重布线层，且通过第二导热件连接所述第二金属线路。第二芯片的热量通过第二导热件传递至第二金属线路，再通过第二金属线路向外导热，以使第二芯片在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第二芯片的电性能，进而提高了封装结构的电性能。

一些实施例中，将所述第二芯片连接至所述第二重布线层之后，通过第二封装体将所述第二芯片封装至所述第二重布线层，所述第二芯片的正面的引脚露出所述第二封装体的表面。第二芯片的引脚露出第二封装体的表面以便于第二芯片与其他结构的电连接。

一些实施例中，在制作所述第二重布线层之后，在所述第二重布线层上形成第二连接柱，所述第二连接柱与所述第二金属线路连接，在通过所述第二封装体将所述第二芯片封装至所述第二重布线层的过程中，所述第二封装体同时封装所述第二连接柱，所述第二连接柱部分外露至所述第二封装体的表面。第二连接柱与露出第二重布线层的表面的部分第二金属线路连接，第二连接柱用于将第二金属线路和后续工艺中形成的第三重布线的第三金属线路连接，同时还能将第二芯片传到第二金属线路的热量导到其他部分，进一步提高封装结构的散热效果。

一些实施例中，所述制备方法还包括在所述第二封装体上制作第三重布线层，在所述第三重布线层上形成焊球，所述第三重布线层的第三金属线路连接所述第二芯片的引脚和所述第二连接柱。第三重布线层不光用于实现电连接，同时还将第一芯片和第二芯片传递到第三金属线路的热量通过焊球向外界传递，焊球用于与其他电子元件电连接。

一些实施例中，在通过所述第一封装体将所述第一芯片封装至所述第一重布线层之前，在所述第一芯片的背面一侧形成多个间隔的所述第一传热件，在所述第一封装体封装所述第一芯片之后，所述第一芯片的背面通过多个所述第一传热件连接至所述第一封装体的表面。第一芯片的热量从背面通过形成于第一芯片背面一侧的多个第一传热件传递出去，多个第一传热件能保证热量的有效传递，以使第一芯片在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第一芯片的电性能，进而提高了封装结构的电性能。

一些实施例中，在通过所述第一封装体将所述第一芯片封装至所述第一重布线层之前，在所述第一芯片的背面一侧形成多个间隔的所述第一传热件，在所述第一芯片的背面一侧形成保护层，所述保护层包覆所述第一传热件，所述第一传热件远离所述第一芯片的端部露出所述保护层，在所述第一封装体封装所述第一芯片之后，所述保护层背向所述第一芯片的表面露出所述第一封装体的表面。第一芯片的热量从背面通过形成于第一芯片背面一侧的多个第一传热件传递出去，多个第一传热件能保证热量的有效传递，以使第一芯片在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第一芯片的电性能，进而提高了封装结构的电性能。同时，在第一芯片封装之前，通过保护层固定多个第一传热件，以使第一传热件不会在封装第一芯片的过程中发生歪斜，从而进一步保证了第一芯片的散热效果。

一些实施例中，在通过所述第一封装体将所述第一芯片封装至所述第一重布线层之前，在所述第一芯片的背面一侧形成多个间隔的所述第一传热件，在所述第一芯片的背面一侧形成保护层，所述保护层包覆所述第一传热件，在所述保护层内形成金属体，所述金属体与多个所述第一传热件连接，所述金属体远离所述第一传热体的部分露出所述保护层，在所述第一封装体封装所述第一芯片之后，所述保护层背向所述第一芯片的表面露出所述第一封装体的表面。第一芯片的热量从背面通过形成于第一芯片背面一侧的多个第一传热件传递出去，多个第一传热件能保证热量的有效传递，通过金属体将多个第一传热件连接一方面了增大了第一芯片的散热面积，另一方面多个第一传热件通过金属体能与后续形成的导热件连接更牢固，以使第一芯片在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第一芯片的电性能，进而提高了封装结构的电性能。同时，在第一芯片封装之前，通过保护层固定多个第一传热件和金属体，以使第一传热件和金属体不会在封装第一芯片的过程中发生歪斜，从而进一步保证了第一芯片的散热效果。

一些实施例中，在所述第一封装体封装所述第一芯片之后，在所述第一封装体上形成多个间隔的开口以露出所述第一芯片的背面一侧，在所述开口中形成所述第一传热件。第一芯片的热量从背面通过形成于第一芯片背面一侧的多个第一传热件传递出去，多个第一传热件能保证热量的有效传递，以使第一芯片在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第一芯片的电性能，进而提高了封装结构的电性能。

一些实施例中，在所述第一封装体封装所述第一芯片之后，在所述第一封装体上形成第一开口，在所述第一开口底壁形成多个间隔的第二开口，所述第二开口露出所述第一芯片的背面一侧，在所述第一开口和所述第二开口中形成所述第一传热件。以形成异形第一传热件，增大第一传热件的散热面，以使第一芯片在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第一芯片的电性能，进而提高了封装结构的电性能。

一些实施例中，所述第一传热件为金属材质，在所述第一芯片的背面一侧形成所述第一传热件之前，在所述第一芯片的背面制作阻隔层，所述阻隔层将所述背面和所述第一传热件隔开。阻隔层用于隔离第一芯片和第一传热件，以避免第一传热件中的材料扩散到第一芯片中影响第一芯片的电性能，甚至导致第一芯片失效。阻隔层的材料例如为氮化硅。当然，在其他实施例中，阻隔层的材料还可以是其他可以阻止第一传热件中的材料扩散到第一芯片中的材料。

一些实施例中，在制作所述第一重布线层之后，在所述第一重布线层上形成第一连接柱，所述第一连接柱与所述第一金属线路连接，在通过所述第一封装体将所述第一芯片封装至所述第一重布线层的过程中，所述第一封装体同时封装所述第一连接柱，所述第一连接柱部分外露至所述第一封装体的表面。第一连接柱与露出第一重布线层的表面的部分第一金属线路连接，第一连接柱用于将第一金属线路和后续工艺中形成的第二重布线的第二金属线路连接，同时还能将第一芯片传到第一封装体的热量导到其他部分，进一步提高封装结构的散热效果。

一些实施例中，所述制备方法还包括在所述第一封装体上制作第二重布线层，所述第二重布线层内设第二金属线路和与所述第二金属线路连接的第二导热件，所述第二导热件露出所述第二重布线层朝向所述第一芯片的表面并与所述第一传热件或所述金属体连接，所述第二金属线路部分露出第二重布线层背向所述第一芯片的表面。第二导热件在制作第二重布线层的同时形成，有效简化封装结构的制备工艺，提高生产效率，降低生产成本。且第二导热件用于连接第一传热件，从而将第一芯片传递到的第一传热件的热量通过第二导热件传递到第二金属线路并通过第二金属线路传导出去，以使第一芯片在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第一芯片的电性能，进而提高了封装结构的电性能。

一些实施例中，所述制备方法还包括通过第二封装体将第二芯片封装至所述第二重布线层，使得所述第二芯片的引脚与所述第二金属线路连接，所述第二芯片的背面背对所述第二重布线层，且通过第二传热件连接至所述第二封装体的表面。第二芯片的热量从背面通过第二传热件传递出去，以使第二芯片在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第二芯片的电性能，进而提高了封装结构的电性能。

一些实施例中，在制作所述第二重布线层之后，在所述第二重布线层上形成第二连接柱，所述第二连接柱与所述第二金属线路连接，在通过所述第二封装体将所述第二芯片封装至所述第二重布线层的过程中，所述第二封装体同时封装所述第二连接柱，所述第二连接柱部分外露至所述第二封装体的表面。第二连接柱与露出第二重布线层的表面的部分第二金属线路连接，第二连接柱用于将第二金属线路和后续工艺中形成的第三重布线的第三金属线路连接，同时还能将第二芯片传到第二封装体的热量导到其他部分，进一步提高封装结构的散热效果。

一些实施例中，所述制备方法还包括在所述第二封装体上制作第三重布线层，在所述第一重布线层背向所述第一芯片的表面形成焊球，所述第三重布线层的第三金属线路连接所述第二传热件和所述第二连接柱。第三重布线层不光用于实现电连接，同时还将第一芯片和第二芯片传递到第三金属线路的热量向外界传递，焊球用于与其他电子元件电连接。

本申请实施例所述的封装结构具有两种方案，一种方案中的第一芯片的背面一侧与第一导热件连接，以将第一芯片的热量从背面经第一导热件传递至第一金属线路，即，将第一芯片的热量从无源面经第一导热件传递至第一金属线路，最后经由第一金属线路导出，从而有效将第一芯片的热量从背面导出，以使第一芯片在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第一芯片的电性能，进而提高了封装结构的电性能。另一种方案中的第一芯片通过将第一传热件设于所述第一芯片的背面一侧，即，将第一传热件设于所述第一芯片的无源面一侧，且所述第一传热件露出所述第一封装体的表面。即，第一芯片的热量通过第一传热件传递出第一封装体进行散热，从而有效将第一芯片的热量从背面导出到封装结构外，以使第一芯片在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第一芯片的电性能，进而提高了封装结构的电性能。本申请提供的封装结构，不管第一芯片正装至第一重布线层，或者倒装至第一重布线层，均通过将导热结构(第一导热件或第一传热件)连接在第一芯片的背面(无源面)，并通过导热结构将第一芯片散发的热传导至外部(传导的路径可以为第一重布线层的一侧，也可以通过传导至第一芯片背离第一重布线层的第一封装体的表面)，从而有效提高封装结构在垂直方向的散热效果，进而提高了封装结构的电性能。

附图说明

图1是本申请实施例提供的一种电子设备的部分结构示意图。

图2是图1所示电子设备中的封装结构的结构示意图。

图3是图2所示的封装结构的另一种结构示意图。

图4是本申请提供的第二种封装结构的结构示意图。

图5是图2所示的封装结构的制备方法的流程示意图。

图6-图11是图5所示的制备方法的具体工艺流程图。

图12是图4所示的封装结构的制备方法的流程示意图。

图13-图18是图12所示的制备方法的具体工艺流程图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图对本申请实施例进行描述。

请参阅图1，图1是本申请实施例提供的一种电子设备100的部分结构示意图。

电子设备100包括壳体、电路板10和封装结构20，电路板10和封装结构20均收容于壳体内，封装结构20通过焊球连接于电路板10上。本实施例中的电子设备100包括且不限于手机、平板电脑、电子书阅读器、笔记本电脑、台式电脑等具有封装结构20的电子设备。其中，封装结构20中埋入了多个芯片，芯片可以为不同功能的芯片，如存储芯片、CPU芯片、射频驱动芯片或者其他处理器的芯片等有源芯片元器件，以辅助电子设备100实现多种功能。本申请的封装结构20具有很好的散热效果和集成度，具有本申请提供的封装结构20的电子设备100散热性能和稳定性具有了显著提升，也满足轻量化设计的需求。

本申请提供的封装结构包括两种方案，一种方案是：请参阅图2，图2是图1所示电子设备100中的封装结构20的结构示意图。图2为封装结构20的第一种实施例。

封装结构20包括第一重布线层21、第一芯片22、第一封装体23、第二重布线层24、第二芯片25、第二封装体26、第三重布线层27和焊球28。第一封装体23将第一芯片22封装于第一重布线层21上，第一芯片22的背面朝向第一重布线层21，第一芯片22的正面的引脚221露出第一封装体23的表面。第二重布线层24设于第一封装体23上并与第一芯片22的引脚221和第一重布线层21电连接，第二封装体26将第二芯片25封装于第二重布线层24上，第二芯片25的背面朝向第二重布线层24，第二芯片25的正面的引脚251露出第二封装体26的表面。第三重布线层27设于第二封装体26上并与第二芯片25的引脚251和第二重布线层24电连接，焊球28连接于第三重布线层27并通过第三重布线层27与第一芯片22和第二芯片25电连接。本实施例中，第一芯片22和第二芯片25的正面为设有用于传递信号的引脚的表面，第一芯片22的背面为与第一芯片22的正面相背设置的无源面，第二芯片25的背面为与第二芯片25的正面相背设置的无源面。

第一重布线层21包括第一绝缘介质211、第一金属线路212和第一导热件213。第一金属线路212和第一导热件213连接并均设于第一绝缘介质211内。第一重布线层21具有相背设置的顶面214和底面215，第一重布线层21的顶面214和底面215即为第一绝缘介质211的顶面和底面。本实施例中的第一导热件213具有多个，多个第一导热件213间隔设置并至少部分露出第一重布线层21的顶面214。具体的，多个第一导热件213露出第一重布线层21的表面与顶面214平齐，第一芯片22的背面一侧设于顶面214，并与多个第一导热件213连接，以将第一芯片22的热量从背面经第一导热件213传递至第一金属线路212，最后经由第一金属线路212导出，从而有效将第一芯片22的热量从背面导出，以使第一芯片22在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第一芯片22的电性能，进而提高了封装结构20的电性能。

本实施例中的第一绝缘介质211、第一金属线路212和第一导热件213可以通过构图工艺形成。例如，第一绝缘介质211可以为采用绝缘的树脂材料，例如苯并环丁烯(Benzo cyclo butene，BCB)或者聚酰亚胺(Polyimide，PI)等，通过曝光、显影、固化等构图工艺形成预设的薄膜图案。第一金属线路212和第一导热件213可以先采用沉积工艺、溅射工艺或者电镀工艺先形成一层金属薄膜层，然后采用刻蚀等构图工艺对上述金属薄膜层进行图案化形成。第一金属线路212和第一导热件213的材料可以包括金属铜、金属铝等导电材料。可以理解的是，图2中的第一金属线路212的中间部分和两边部分是隔开的，该图仅仅为图中位置剖视图的状态，实际上在其他位置第一金属线路212是连接的。当然，在其他实施例中，第一金属线路212的具体形状可根据需要设计。

本实施例中，还有部分第一导热件213露出顶面214与第一封装体23连接，以将第一芯片22传导到第一封装体23中的热量传递出去，提高第一芯片22的散热效果。第一金属线路212部分露出第一重布线层21的底面215，连接接口29设于底面215并与露出底面215的第一金属线路212的一部分连接，以实现封装结构20与其他模块的连接。露出底面215的第一金属线路212的另一部分用于将第一芯片22的热量传递到外界，以提高封装结构20的散热效果。当然，第一导热件213和连接接口29的实现形式不限于上述描述。

本实施例中，第一芯片22为存储芯片。第一芯片22的背面设有阻隔层31，阻隔层31连接在第一芯片22的背面和第一导热件213之间。阻隔层31用于隔离第一芯片22和第一导热件213，以避免第一导热件213中的金属材料扩散到第一芯片22背面的半导体材料(例如硅)中影响半导体的导电性能，进而影响第一芯片22的电性能，甚至导致第一芯片22失效。阻隔层31的材料例如为氮化硅。当然，在其他实施例中，第一芯片22还可以是例如为CPU芯片、射频驱动芯片或者其他处理器的芯片等有源的电子器件。阻隔层31的材料还可以是其他可以阻止第一导热件213中的材料扩散到第一芯片22中的材料。

本实施例中，设于第一芯片22背面的阻隔层31和第一导热件213之间设有粘接层32，粘接层32将第一芯片22粘接至顶面214。粘接层32用于将第一芯片22固定于顶面214上，以在第一封装体23将第一芯片22封装于第一重布线层21上时，第一芯片22不会在封装过程中发生偏位，提高了封装结构20的成品品质。当粘接层32不能良好填充至第一导热件213和第一芯片22之间时，阻隔层31能有效防止第一导热件213在第一芯片22中扩散，提高了封装结构20的制备良率。

当然，在其他实施例中，请参阅图3，多个第一导热件213露出第一重布线层21的部分凸出于顶面214，以使粘接层32粘接至顶面214时，部分凸出于顶面214的第一导热件213嵌入粘接层32中。还有部分凸出于顶面214的第一导热件213嵌入第一封装体23中，以增大第一导热件213与粘接层32和第一封装体23接触面积，以使第一芯片22和第一芯片22传递到第一封装体23中的热量快速通过第一导热件213传递到第一金属线路212，进而通过第一金属线路212传递到外界，有效提高封装结构20的散热效果。当然，多个第一导热件213露出第一重布线层21的部分还可以直接抵持于隔离层31上，换言之，多个第一导热件213和隔离层31之间未设有粘接层，以将第一芯片22的热量直接通过第一导热件213导出，有效提高封装结构20的散热效果。

如图2所示，第二重布线层24包括第二绝缘介质241、第二金属线路242和第二导热件243。第二金属线路242和第二导热件243连接并均设于第二绝缘介质241内。第二金属线路242部分露出第二重布线层24朝向第一芯片22的表面并与第一芯片22的引脚221连接。本实施例中的第二导热件243具有多个，多个第二导热件243间隔设置并至少部分露出第二重布线层24背向第一芯片22的表面。具体的，多个第二导热件243露出第二重布线层24的表面与第二重布线层24背向第一芯片22的表面平齐，第二芯片25的背面一侧设于第二重布线层24背向第一芯片22的表面上，并与多个第二导热件243连接，以将第二芯片25的热量从背面经第二导热件243传递至第二金属线路242，最后经由第二金属线路242导出，从而有效将第二芯片25的热量从背面导出，以使第二芯片25在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第二芯片25的电性能，进而提高了封装结构20的电性能。本实施例中，第二重布线层24采用与第一重布线层21相同的制作工艺形成。还有部分第二导热件243露出第二重布线层24与第二封装体26连接，以将第二芯片25传导到第二封装体26中的热量传递出去，提高第二芯片25的散热效果。图2中的第二金属线路242仅仅为图中位置剖视图的状态。当然，在其他实施例中，第二金属线路242的具体形状可根据需要设计。第二导热件243的实现形式不限于上述描述。

本实施例中，第二芯片25为CPU芯片。第二芯片25的背面设有阻隔层33，阻隔层33连接在第二芯片25背面和第二导热件243之间。阻隔层33用于隔离第二芯片25和第二导热件243，以避免第二导热件243中的金属材料扩散到第二芯片25背面的半导体材料(例如硅)中影响半导体的导电性能，进而影响第二芯片25的电性能，甚至导致第二芯片25失效。阻隔层33的材料例如为氮化硅。当然，在其他实施例中，第二芯片25还可以是存储芯片、射频驱动芯片或者其他处理器的芯片等有源的电子器件。阻隔层33的材料还可以是其他可以阻止第二导热件243中的材料扩散到第二芯片25中的材料。

本实施例中，设于第二芯片25背面的阻隔层33和第二导热件243之间设有粘接层34，粘接层34将第二芯片25粘接至第二重布线层24上。粘接层34用于将第二芯片25固定于第二重布线层24上，以在第二封装体26将第二芯片25封装于第二重布线层24上时，第二芯片25不会在封装过程中发生偏位，提高了封装结构20的成品品质。当粘接层34不能良好填充至第二导热件243和第二芯片25之间时，阻隔层34能有效防止第二导热件243在第二芯片25中扩散，提高了封装结构20的制备良率。

当然，在其他实施例中，请参阅图3，多个第二导热件243露出第二重布线层21的部分凸出于第二重布线层21背向第一芯片22的表面，以使粘接层34粘接至第二重布线层21背向第一芯片22的表面时，部分凸出于第二重布线层21背向第一芯片22的表面的第二导热件243嵌入粘接层34中。还有部分凸出于第二重布线层21背向第一芯片22的表面的第二导热件243嵌入第二封装体26中，以增大第二导热件243与粘接层34和第二封装体26接触面积，以使第二芯片25和第二芯片25传递到第二封装体26中的热量快速通过第二导热件243传递到第二金属线路242，进而通过第二金属线路242传递到外界，有效提高封装结构20的散热效果。当然，多个第二导热件243露出第二重布线层24的部分还可以直接抵持于隔离层34上，换言之，多个第二导热件243和隔离层34之间未设有粘接层，以将第二芯片25的热量直接通过第二导热件243导出，有效提高封装结构20的散热效果。

如图2所示，封装结构20还包括第一连接柱216，第一连接柱216设于第一封装体23内，两端分别被连接至第一重布线层21和第二重布线层24上，并且与第一重布线层21和第二重布线层24中的第一金属线路212和第二金属线路242接触。与第一连接柱216连接的第一金属线路212和第二金属线路242的部分露出顶面214和第二重布线层24朝向第一连接柱216的表面，以便于与第一连接柱216电连接。第一连接柱216用于实现第一金属线路212和第二金属线路242电连接的同时还能实现第一金属线路212和第二金属线路242的热量传递以及将第一封装体23中的热量传递出去，以进一步提高封装结构20的散热效果。

第三重布线层27包括第三绝缘介质271和第三金属线路272，第三金属线路272设于第三绝缘介质271内。部分第三金属线路272露出第三重布线层27朝向第二芯片25的表面，并与第二芯片25的引脚251连接，部分第三金属线路272露出第三重布线层27背向第二芯片25的表面并与焊球28连接，具体的，焊球28通过焊盘35与露出第三重布线层27背向第二芯片25的表面的第三金属线路272连接。本实施例中，第三重布线层27采用与第一重布线层21相同的制作工艺形成。第三重布线层27不光用于实现焊球28与第一芯片22和第二芯片25的电连接，同时还将第一芯片22和第二芯片25传递到第三金属线路272的热量通过焊球28向外界传递，焊球28用于与其他电子元件电连接。图2中的第三金属线路272和焊球28的设置方式仅仅为本实施例中列举的一种。当然，在其他实施例中，第三金属线路272和焊球28的具体形状可根据需要设计。

封装结构20包括第二连接柱244，第二连接柱244设于第二封装体26中，两端分别被连接至第二重布线层24和第三重布线层27上，并且与第二重布线层24和第三重布线层27中的第二金属线路242和第三金属线路272接触。与第二连接柱244连接的第二金属线路242和第三金属线路272的部分露出第二重布线层24和第三重布线层27朝向第二连接柱244的表面，以便于与第二连接柱244电连接。第二连接柱244用于实现电路之间的连接的同时还能将第二芯片25传到第二金属线路242的热量导到其他部分，进一步提高封装结构20的散热效果。

本申请实施例的封装结构20封装有两个芯片，第一芯片22和第二芯片25的背面一侧分别与第一导热件213和第二导热件243连接，以将第一芯片22的热量从背面经第一导热件213传递至第一金属线路212，将第二芯片25的热量从背面经第二导热件243传递至第二金属线路242，最后经由第一金属线路212和第二金属线路242导出，从而有效将第一芯片22和第二芯片25的热量从背面导出，以使第一芯片22和第二芯片25在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第一芯片22和第二芯片25的电性能，进而提高了封装结构20的电性能。同时，由于本申请的封装结构20解决了芯片在垂直方向上的散热问题，封装结构20还可以实现两个芯片以上的多层芯片的堆叠，从而实现散热芯片要求较高的芯片的多层堆叠，保证芯片散热效果的同时有效提高封装结构20的集成度。

另一种方案是：请参阅图4，图4是本申请提供的第二种封装结构20的结构示意图。封装结构20包括第一重布线层21、第一芯片22、第一封装体23、第二重布线层24、第二芯片25、第二封装体26、第三重布线层27和焊球28。第一封装体23将第一芯片22封装于第一重布线层21上，第一芯片22的正面的引脚221设于第一重布线层21上并与第一重布线层21连接，设于第一芯片22背面一侧的第一传热件41露出第一封装体23的表面。第二重布线层24设于第一封装体23上并与设于第一芯片22背面一侧的第一传热件41和第一重布线层21电连接，第二封装体26将第二芯片25封装于第二重布线层24上，第二芯片25的正面的引脚251设于第二重布线层24上并与第二重布线层24连接，设于第二芯片25背面一侧的第二传热件42露出第二封装体26的表面。第三重布线层27设于第二封装体26上并与设于第二芯片25背面一侧的第二传热件42和第二重布线层24电连接，焊球28连接于第一重布线层21并通过第一重布线层21与第一芯片22和第二芯片25电连接。本实施例中，第一芯片22和第二芯片25的正面为设有用于传递信号的引脚的表面，第一芯片22的背面为与第一芯片22的正面相背设置的无源面，第二芯片25的背面为与第二芯片25的正面相背设置的无源面。

本申请实施例的封装结构20封装有两个芯片，通过将第一传热件41设于第一芯片22的背面一侧，且第一传热件41露出第一封装体23与第二重布线层24连接，和通过将第二传热件42设于第二芯片25的背面一侧，且第二传热件42露出第二封装体26与第三重布线层27连接。即，第一芯片22和第二芯片25的热量分别通过第一传热件41和第二传热件42传递到第二重布线层24和第三重布线层27进行散热，从而有效将第一芯片22和第二芯片25的热量从背面导出到封装结构20外，以使第一芯片22和第二芯片25在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第一芯片22和第二芯片25的电性能，进而提高了封装结构20的电性能。同时，由于本申请的封装结构20解决了芯片在垂直方向上的散热问题，封装结构20还可以实现两个芯片以上的多层芯片的堆叠，从而实现散热芯片要求较高的芯片的多层堆叠，保证芯片散热效果的同时有效提高封装结构20的集成度。

第一重布线层21包括第一绝缘介质211、第一金属线路212和第一导热件213。第一金属线路212和第一导热件213连接并均设于第一绝缘介质211内。第一重布线层21具有相背设置的顶面214和底面215，第一重布线层21的顶面214和底面215即为第一绝缘介质211的顶面和底面。第一金属线路212部分露出顶面214与第一芯片22的引脚221连接，第一金属线路212还有部分露出底面215以与焊球28连接，具体的，焊球28通过焊盘35与露出底面215的第一金属线路212连接。焊球28用于与其他电子元件电连接。可以理解的是，图4中的第一金属线路212具有多个隔开的部分，该图仅仅为图中位置剖视图的状态，实际上在其他位置第一金属线路212是连接的。当然，在其他实施例中，第一金属线路212的具体形状可根据需要设计。

本实施例中的第一导热件213具有多个，多个第一导热件213间隔设置并至少部分露出第一重布线层21的顶面214。具体的，多个第一导热件213露出第一重布线层21的表面与顶面214平齐，第一导热件213露出顶面214与第一封装体23连接以将第一芯片22传导到第一封装体23中的热量通过第一金属线路212传递出去，有效提高第一芯片22的散热效果。当然，在其他实施例中，多个第一导热件213露出第一重布线层21的部分凸出于顶面214。第一导热件213和焊球28的实现形式不限于上述描述。

本实施例中，第一芯片22为存储芯片。第一芯片22的背面设有阻隔层31，阻隔层31连接在第一芯片22的背面和第一传热件41之间。阻隔层31用于隔离第一芯片22和第一传热件41，以避免第一传热件41中的金属材料扩散到第一芯片22背面的半导体材料(例如硅)中影响半导体的导电性能，进而影响第一芯片22的电性能，甚至导致第一芯片22失效。阻隔层31的材料例如为氮化硅。当然，在其他实施例中，第一芯片22还可以是例如为CPU芯片、射频驱动芯片或者其他处理器的芯片等有源的电子器件。阻隔层31的材料还可以是其他可以阻止第一传热件41中的材料扩散到第一芯片22中的材料。

封装结构20还包括金属体43，本实施例中的第一传热件41为多个，且为柱状，多个第一传热件41间隔连接在阻隔层31和金属体43之间。多个第一传热件41和金属体43通过保护层44封装于第一芯片22的背面，保护层44露出第一封装体23的表面，金属体43露出保护层44背向第一芯片22的表面，也即，第一传热件41通过金属体43露出第一封装体23与第二重布线层24连接。本实施例中，金属体43可以为金属薄层，或者为金属网层。通过金属体43将多个第一传热件41连接一方面了增大了第一芯片22的散热面积，另一方面多个第一传热件41通过金属体43能与第二重布线层24连接更牢固，以使第一芯片22在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第一芯片22的电性能，进而提高了封装结构20的电性能。当然，在其他实施例中，封装结构20中未设有金属体43，第一传热件41直接连接在阻隔层31和第二重布线层24之间。

第二重布线层24包括第二绝缘介质241、第二金属线路242和第二导热件243，第二金属线路242和第二导热件243连接并均设于第二绝缘介质241内。第二金属线路242部分露出第二重布线层24背向第一芯片22的表面与第二芯片25的引脚251连接，第二导热件243一部分露出第二重布线层24背向第一芯片22的表面与第二封装体26连接，以将第二芯片25传导到第二封装体26的热量传递出去，第二导热件243另一部分露出第二重布线层24朝向第一芯片22的表面与第一芯片22的金属体43连接，以将第一芯片22的热量通过第一传热件41、金属体43和第二导热件243传导到第二金属线路242并通过第二金属线路242传导出去，以使第一芯片22在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第一芯片22的电性能，进而提高了封装结构20的电性能。图4中的第二金属线路242仅仅为图中位置剖视图的状态。当然，在其他实施例中，第二金属线路242的具体形状可根据需要设计。第二导热件243另一部分露出第二重布线层24朝向第一芯片22的表面与第一芯片22的第一传热件41连接，以将第一芯片22的热量通过第一传热件41和第二导热件243传导到第二金属线路242并通过第二金属线路242传导出去。第二导热件243的实现形式不限于上述描述。

本实施例中，第二芯片25为CPU芯片。第二芯片25的背面设有阻隔层33，阻隔层33连接在第二芯片25的背面和第二传热件42之间。阻隔层33用于隔离第二芯片25和第二传热件42，以避免第二传热件42中的金属材料扩散到第二芯片25背面的半导体材料(例如硅)中影响半导体的导电性能，进而影响第二芯片25的电性能，甚至导致第二芯片25失效。阻隔层33的材料例如为氮化硅。当然，在其他实施例中，第二芯片25还可以是存储芯片、、射频驱动芯片或者其他处理器的芯片等有源的电子器件。阻隔层33的材料还可以是其他可以阻止第二传热件42中的材料扩散到第二芯片25中的材料。

第二传热件42远离阻隔层33的端部连接有金属体45，本实施例中的第二传热件42为多个，且为柱状，多个第二传热件42连接在阻隔层33和金属体45之间。多个第二传热件42和金属体45通过保护层46封装于第二芯片25的背面，保护层46露出第二封装体26的表面，金属体45露出保护层46背向第二芯片25的表面，也即，第二传热件42通过金属体45露出第二封装体26与第三重布线层27连接。本实施例中，金属体45可以为金属薄层，或者为金属网层。通过金属体45将多个第二传热件42连接一方面了增大了第二芯片25的散热面积，另一方面多个第二传热件42通过金属体45能与第三重布线层27连接更牢固，以使第二芯片25在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第二芯片25的电性能，进而提高了封装结构20的电性能。当然，在其他实施例中，封装结构20中未设有金属体45，第二传热件42直接连接在阻隔层33和第三重布线层27之间。

封装结构20还包括第一连接柱216，第一连接柱216设于第一封装体23内，两端分别被连接至第一重布线层21和第二重布线层24上，并且与第一重布线层21和第二重布线层24中的第一金属线路212和第二金属线路242接触。与第一连接柱216连接的第一金属线路和第二金属线路242的部分露出顶面214和第二重布线层24朝向第一连接柱216的表面，以便于与第一连接柱216电连接。第一连接柱216用于连接第一金属线路212和第二金属线路242，同时还能将第一芯片22传到第一封装体23的热量导到其他部分，或将第二金属线路242的热量传递到第一金属线路212，进一步提高封装结构20的散热效果。

第三重布线层27包括第三绝缘介质271、第三金属线路272和第三导热件273，第三金属线路272和第三导热件273连接且均设于第三绝缘介质271内。第三导热件273露出第三重布线层27朝向第二芯片25的表面，一部分与第二封装体26连接，以将第二芯片25传导到第二封装体26的热量传导出去，一部分通过金属体45与第二传热件42连接，以将第二芯片25的热量从背面通过第二传热件42传递出去，以使第二芯片25在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第二芯片25的电性能，进而提高了封装结构20的电性能。第三重布线层27背向第二芯片25的表面设有连接接口29，第三金属线部分露出第三重布线层27背向第二芯片25的表面，一部分用于与连接接口29连接，以实现封装结构20与其他模块的连接及封装结构20接地，另一部分用于将第二芯片25的热量传递到外界，以提高封装结构20的散热效果。可以理解的是，图3中的第三金属线路272和连接接口29的设置方式仅仅为本实施例中列举的一种。当然，在其他实施例中，第三金属线路272和连接接口29的具体形状可根据需要设计。

封装结构20包括第二连接柱244，第二连接柱244设于第二封装体26中，两端分别被连接至第二重布线层24和第三重布线层27上，并且与第二重布线层24和第三重布线层27中的第二金属线路242和第三金属线路272接触。与第二连接柱244连接的第二金属线路242和第三金属线路272的部分露出第二重布线层24和第三重布线层27朝向第二连接柱244的表面，第二连接柱244用于连接第二金属线路242和第三金属线路272并实现热量传递，同时还能将第二芯片25传到第二封装体26的热量导到其他部分，进一步提高封装结构20的散热效果。

本申请提供的封装结构20中，不管第一芯片22正装至第一重布线层21，或者倒装至第一重布线层21，均通过将导热结构(第一导热件213或第一传热件41)连接在第一芯片22的背面，并通过导热结构将第一芯片22散发的热传导至外部(传导的路径可以为第一重布线层21的一侧，也可以通过传导至第一芯片22背离第一重布线层21的第一封装体23的表面)。不管第二芯片25正装至第二重布线层24，或者倒装至第二重布线层24，均通过将导热结构连接在第二芯片25的背面，并通过导热结构将第二芯片25散发的热传导至外部(传导的路径可以为第二重布线层24的一侧，也可以通过传导至第二芯片25背离第二重布线层24的第二封装体26的表面)。

请参阅图5，图5是图2所示的封装结构20的制备方法的流程示意图。如图5所示，第一种封装结构20的制备方法包括如下的S110～S150。

S110：制作第一重布线层21，第一重布线层21内设第一金属线路212。

具体的，请参阅图6，提供载板50，在载板50上制作第一重布线层21，第一重布线层21包括第一绝缘介质211和内设于第一绝缘介质211的第一金属线路212。本实施例中，第一绝缘介质211和第一金属线路212可以通过构图工艺形成，以使第一重布线层21的第一金属线路212一部分露出第一重布线层21的底面215，一部分露出第一重布线层21的顶面214。例如，第一绝缘介质211可以为采用绝缘的树脂材料，例如苯并环丁烯(Benzo cyclo butene，BCB)或者聚酰亚胺(Polyimide，PI)等，通过曝光、显影、固化等构图工艺形成预设的薄膜图案。第一金属线路212可以先采用沉积工艺、溅射工艺或者电镀工艺先形成一层金属薄膜层，然后采用刻蚀等构图工艺对上述金属薄膜层进行图案化形成。第一金属线路212的材料可以包括金属铜、金属铝等导电材料。可以理解的是，图6中的第一金属线路212的中间部分和两边部分是隔开的，该图仅仅为图中位置剖视图的状态，实际上在其他位置第一金属线路212是连接的。当然，在其他实施例中，第一金属线路212的具体形状可根据需要设计。

在制作第一重布线层21的过程中同时形成第一导热件213，以使第一导热件213与第一金属线路212连接且至少部分外露在第一重布线层21的顶面214。本实施例中，第一导热件213具有多个，多个第一导热件213间隔设置，且多个第一导热件213露出第一重布线层21的表面与顶面214平齐。第一导热件213的制作工艺和第一金属线路212的制作工艺相同，第一导热件213的材料也和第一金属线路212相同。可以理解的是，第一导热件213嵌设于第一重布线层21内，即第一导热件213不占用额外的空间，不会因为增加第一导热件213而使封装结构20的尺寸变大。且在形成第一重布线层21的同时形成第一导热件213，减少制作工艺，提高封装结构20的生产效率，降低了封装结构20的生产成本。当然，在其他实施例中，多个第一导热件213露出第一重布线层21的部分凸出于第一重布线层21的顶面214。

在制作第一重布线层21之后，在第一重布线层21上形成第一连接柱216。具体的，在露出第一重布线层21的顶面214的第一金属线路212上形成第一连接柱216，以使第一连接柱216与第一金属线路212连接。第一连接柱216具体形成工艺为涂胶、光刻、显影和电镀。第一连接柱216的材质和第一金属线路212相同。第一连接柱216用于将第一金属线路212和后续工艺中形成的第二重布线的第二金属线路242连接，同时还能将第一金属线路212的热量导到其他部分，进一步提高封装结构20的散热效果。

S120：将第一芯片22连接至第一重布线层21，使得第一芯片22的背面面对第一重布线层21，且通过第一导热件213连接第一金属线路212，其中，第一芯片22的正面用于传递信号，第一芯片22的背面为与第一芯片22的正面相背设置的无源面。

具体的，请参阅图7-图8，将第一芯片22连接至第一重布线层21之前，在第一芯片22的背面制作阻隔层31，然后在阻隔层31背向第一芯片22的表面粘贴粘接层32，然后将第一芯片22的背面面对顶面214并通过粘接层32固定于顶面214并与露出顶面214的第一导热件213连接，以使第一芯片22的背面通过第一导热件213连接至第一金属线路212，以将第一芯片22的热量从背面经第一导热件213传递至第一金属线路212，最后经由第一金属线路212导出，从而有效将第一芯片22的热量从背面导出，以使第一芯片22在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第一芯片22的电性能，进而提高了封装结构20的电性能。

本实施例中的第一芯片22例如为为存储芯片。阻隔层31用于隔离第一芯片22和第一导热件213，当粘接层32不能良好填充至第一导热件213和第一芯片22之间时，阻隔层31能有效防止第一导热件213在第一芯片22中扩散，以避免第一导热件213中的金属材料通过粘接层32扩散到第一芯片22背面的半导体材料(例如硅)中影响半导体的导电性能，进而影响第一芯片22的电性能，甚至导致第一芯片22失效。阻隔层31的材料例如为氮化硅。粘接层32用于将第一芯片22固定于第一重布线层21上，以在第一封装体23将第一芯片22封装于第一重布线层21上时，第一芯片22不会在封装过程中发生偏位，提高了封装结构20的成品品质。当然，在其他实施例中，第一芯片22还可以是CPU芯片、射频驱动芯片或者其他处理器的芯片等有源的电子器件。阻隔层31的材料还可以是其他可以阻止第一导热件213中的材料扩散到第一芯片22中的材料。当然，多个第一导热件213露出第一重布线层21的部分还可以直接抵持于隔离层31上，换言之，多个第一导热件213和隔离层31之间未设有粘接层，以将第一芯片22的热量直接通过第一导热件213导出，有效提高封装结构20的散热效果。

将第一芯片22连接至第一重布线层21之后，通过第一封装体23将第一芯片22封装至第一重布线层21，在第一封装体23封装第一芯片22的同时，也将第一连接柱216封装在第一封装体23内，然后对第一封装体23背向第一重布线层21的表面进行研磨，以使第一芯片22的正面的引脚221和第一连接柱216露出第一封装体23的表面。第一芯片22的引脚221和第一连接柱216露出第一封装体23的表面以便于第一芯片22和第一连接柱216与其他结构电连接。本实施例中，第一封装体23的材料为绝缘的树脂材料，例如为环氧树脂材料。

S130：在第一封装体23上制作第二重布线层24。

具体的，请参阅图9，在第一封装体23背向第一重布线层21的表面制作第二重布线层24，第二重布线层24包括第二绝缘介质241和内设于第二绝缘介质241的第二金属线路242。本实施例中，第二绝缘介质241和第二金属线路242可以通过构图工艺形成，以使第二重布线层24的第二金属线路242一部分露出第二重布线层24朝向第一芯片22的表面与第一芯片22的引脚221和第一连接柱216连接，一部分露出第二重布线层24背向第一芯片22的表面。本实施例中的第二重布线层24的制作工艺和第一重布线层21的制作工艺相同。第二绝缘介质241的材料和第一绝缘介质211的材料相同，第二金属线路242和第一金属线路212的材料相同。图9中的第二金属线路242仅仅为图中位置剖视图的状态。当然，在其他实施例中，第二金属线路242的具体形状可根据需要设计。第二重布线层24的制作工艺可以和第一重布线层21的制作工艺不同，材料也可以不同。

在制作第二重布线层24的过程中同时形成第二导热件243，以使第二导热件243与第二金属线路242连接且至少部分外露在第二重布线层24背向第一芯片22的表面。本实施例中，第二导热件243具有多个，多个第二导热件243间隔设置，且多个第二导热件243露出第二重布线层24的表面与第二重布线层24背向第一芯片22的平齐。第二导热件243的制作工艺和第二金属线路242的制作工艺相同，第二导热件243的材料也和第二金属线路242相同。可以理解的是，第二导热件243嵌设于第二重布线层24内，即第二导热件243不占用额外的空间，不会因为增加第二导热件243而使封装结构20的尺寸变大。且在形成第二重布线层24的同时形成第二导热件243，减少制作工艺，提高封装结构20的生产效率，降低了封装结构20的生产成本。当然，在其他实施例中，多个第二导热件243露出第二重布线层24的部分凸出于第二重布线层24背向第一芯片22的表面。

在制作第二重布线层24之后，在第二重布线层24上形成第二连接柱244。具体的，在露出第二重布线层24的背向第一芯片22的表面的第二金属线路242上形成第二连接柱244，以使第二连接柱244与第二金属线路242连接。第二连接柱244具体形成工艺为涂胶、光刻、显影和电镀。第二连接柱244的材质和第二金属线路242相同。第二连接柱244用于将第二金属线路242和后续工艺中形成的第三重布线的第三金属线路连接，同时还能将第二金属线路242的热量导到其他部分，进一步提高封装结构20的散热效果。

S140：将第二芯片25连接至第二重布线层24，使得第二芯片25的背面面对第二重布线层24，且通过第二导热件243连接第二金属线路242，其中，第二芯片25的正面用于传递信号，第二芯片25的背面为与第二芯片25的正面相背设置的无源面。

具体的，请参阅图10，将第二芯片25连接至第二重布线层24之前，在第二芯片25的背面制作阻隔层33，然后在阻隔层33背向第二芯片25的表面粘贴粘接层34，然后将第二芯片25的背面面对第二重布线层24背向第一芯片22的表面并通过粘接层34固定于第二重布线层24背向第一芯片22的表面并与露出第二重布线层24背向第一芯片22的表面的第二导热件243连接，以使第二芯片25的背面通过第二导热件243连接至第二金属线路242，以将第二芯片25的热量从背面经第二导热件243传递至第二金属线路242，最后经由第二金属线路242导出，从而有效将第二芯片25的热量从背面导出，以使第二芯片25在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第二芯片25的电性能，进而提高了封装结构20的电性能。

本实施例中的第二芯片25为CPU芯片。阻隔层33用于隔离第二芯片25和第二导热件243，当粘接层34不能良好填充至第二导热件243和第二芯片25之间时，阻隔层34能有效防止第二导热件243在第二芯片25中扩散，以避免第二导热件243中的金属材料通过粘接层34扩散到第二芯片25背面的半导体材料(例如硅)中影响半导体的导电性能，进而影响第二芯片25的电性能，甚至导致第二芯片25失效。阻隔层33的材料例如为氮化硅。粘接层34用于将第二芯片25固定于第二重布线层24上，以在第二封装体26将第二芯片25封装于第二重布线层24上时，第二芯片25不会在封装过程中发生偏位，提高了封装结构20的成品品质。当然，在其他实施例中，第二芯片25还可以是存储芯片、射频驱动芯片或者其他处理器的芯片等有源的电子器件。阻隔层33的材料还可以是其他可以阻止第二导热件243中的材料扩散到第二芯片25中的材料。当然，多个第二导热件243露出第二重布线层24的部分还可以直接抵持于隔离层34上，换言之，多个第二导热件243和隔离层34之间未设有粘接层，以将第二芯片25的热量直接通过第二导热件243导出，有效提高封装结构20的散热效果。

将第二芯片25连接至第二重布线层24之后，通过第二封装体26将第二芯片25封装至第二重布线层24，在第二封装体26封装第二芯片25的同时，也将第二连接柱244封装在第二封装体26内，然后对第二封装体26背向第二重布线层24的表面进行研磨，以使第二芯片25的正面的引脚251和第二连接柱244露出第二封装体26的表面。第二芯片25的引脚251和第二连接柱244露出第二封装体26的表面以便于第二芯片25和第二连接柱244与其他结构电连接。本实施例中，第二封装体26的材料与第一封装体23的材料相同。

S150：在第二封装体26上制作第三重布线层27，在第三重布线层27上形成焊球28。

具体的，请参阅图11，在第二封装体26背向第二芯片25的背面制作第三重布线层27，第三重布线层27包括第三绝缘介质271和设于第三绝缘介质271的第三金属线路272。本实施例中，第三绝缘介质271和第三金属线路272可以通过构图工艺形成，以使第三重布线层27的第三金属线路272一部分露出第三重布线层27朝向第二芯片25的表面并与第二芯片25的引脚251和第二连接柱244连接，一部分露出第三重布线背向第二芯片25的表面。本实施例中的第三重布线层27的制作工艺和第一重布线层21的制作工艺相同。第三绝缘介质271的材料和第三绝缘介质271的材料相同，第三金属线路272和第一金属线路212的材料相同。图11中的第三金属线路272和焊球28的设置方式仅仅为本实施例中列举的一种。当然，在其他实施例中，第三金属线路272和焊球28的具体形状可根据需要设计。第三重布线层27的制作工艺可以和第一重布线层21的制作工艺不同，材料也可以不同。

去除载板50，在第三重布线层27背向第二芯片25的表面形成焊球28，以使焊球28与露出第三布线层的第三金属线路272连接，具体的，焊球28通过焊盘35与露出第三重布线层27背向第二芯片25的表面的第三金属线路272连接。第三重布线层27不光用于实现第二金属线路242和第三金属线路272的电连接，同时还将第一芯片22和第二芯片25传递到第三金属线路272的热量通过焊球28向外界传递。焊球28用于与其他电子元件电连接。

在第一重布线层21的底面215形成连接接口29，连接接口29与部分露出第一重布线层21的底面215的第一金属线路212连接，以形成封装结构20，另一部分露出第一重布线层21的底面215的第一金属线路212用于将第一芯片22和第二芯片25的热量传导外界，以提高封装结构20的散热效果。连接接口29用于与其他电子模块连接及实现封装结构20接地。连接接口29的设置方式不限于图11所示。

本申请实施例的制备方法，将第一芯片22连接至第一重布线层21上，第一芯片22的背面通过第一导热件213连接至第一重布线层21的第一金属线路212，将第二芯片25连接至第二重布线层24上，第二芯片25的背面通过第二导热件243连接至第二重布线层24的第二金属线路242，以将第一芯片22和第二芯片25的热量从背面经第一导热件213和第二导热件243传递至第一金属线路212和第二金属线路242，最后经由第一金属线路212和第二金属线路242导出，从而有效将第一芯片22和第二芯片25的热量从背面导出，以使第一芯片22和第二芯片25在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第一芯片22和第二芯片25的电性能，进而提高了封装结构20的电性能。同时，由于本申请的制备方法解决了芯片在垂直方向上的散热问题，封装结构20还可以实现两个芯片以上的多层芯片的堆叠，从而实现散热芯片要求较高的芯片的多层堆叠，保证芯片散热效果的同时有效提高封装结构20的集成度。

请参阅图12，图12是图4所示的封装结构20的制备方法的流程示意图。如图12所示，第二种封装结构20的制备方法包括如下的S210～S250。

S210：制作第一重布线层21，第一重布线层21内设第一金属线路212。

具体的，请参阅图13，提供载板50，在载板50上制作第一重布线层21，第一重布线层21包括第一绝缘介质211和内设于第一绝缘介质211的第一金属线路212。本实施例中，第一绝缘介质211和第一金属线路212可以通过构图工艺形成，以使第一重布线层21的第一金属线路212一部分露出第一重布线层21的底面215，一部分露出第一重布线层21的顶面214。例如，第一绝缘介质211可以为采用绝缘的树脂材料，例如苯并环丁烯(Benzo cyclo butene，BCB)或者聚酰亚胺(Polyimide，PI)等，通过曝光、显影、固化等构图工艺形成预设的薄膜图案。第一金属线路212可以先采用沉积工艺、溅射工艺或者电镀工艺先形成一层金属薄膜层，然后采用刻蚀等构图工艺对上述金属薄膜层进行图案化形成。第一金属线路212的材料可以包括金属铜、金属铝等导电材料。可以理解的是，图13中的第一金属线路212具有多个隔开的部分，该图仅仅为图中位置剖视图的状态，实际上在其他位置第一金属线路212是连接的。当然，在其他实施例中，第一金属线路212的具体形状可根据需要设计。

在制作第一重布线层21之后，在第一重布线层21上形成第一连接柱216。具体的，在部分露出第一重布线层21的顶面214的第一金属线路212上形成第一连接柱216，以使第一连接柱216与第一金属线路212连接。第一连接柱216具体形成工艺为涂胶、光刻、显影和电镀。第一连接柱216的材质和第一金属线路212相同。第一连接柱216用于将第一金属线路212和后续工艺中形成的第二重布线的第二金属线路242连接，同时还能将第一金属线路212的热量导到其他部分，进一步提高封装结构20的散热效果。

S220：通过第一封装体23将第一芯片22封装至第一重布线层21，使得第一芯片22的背面背对第一重布线层21，且通过第一传热件41连接至第一封装体23的表面，其中，第一芯片22的正面用于传递信号，第一芯片22的背面为与第一芯片22的正面相背设置的无源面。

具体的，请参阅图14-图15，通过第一封装体23将第一芯片22封装至第一重布线层21之前，在第一芯片22的背面制作阻隔层31，在阻隔层31背向第一芯片22的表面形成多个间隔的第一传热件41，在阻隔层31背向第一芯片22的表面形成保护层44，保护层44包覆第一传热件41，在保护层44内形成金属体43，金属体43与多个第一传热件41连接，金属体43远离第一传热体的部分露出保护层44。将第一芯片22的引脚221与部分露出顶面214的第一金属线路212连接，然后用第一封装体23封装第一芯片22，对第一封装体23背向第一重布线层21的表面进行研磨，以使保护层44背向第一芯片22的表面露出第一封装体23的表面。本实施例中，第一芯片22为存储芯片。第一传热件41例如为铜柱或其他金属柱，可以通过电镀等工艺形成。金属体43可以为金属薄层，或者为金属网层。保护层44的材料为绝缘树脂材料，例如为如聚酰亚胺、苯并环丁烯和环氧树脂等中的一种。当然，在其他实施例中，第一芯片22还可以是CPU芯片、射频驱动芯片或者其他处理器的芯片等有源的电子器件。第一传热件41还可以是其他形状。

本实施例中，第一芯片22的热量从背面通过多个第一传热件41传递出去，多个第一传热件41能保证热量的有效传递，通过金属体43将多个第一传热件41连接一方面了增大了第一芯片22的散热面积，另一方面多个第一传热件41通过金属体43能与后续形成的导热件连接更牢固，以使第一芯片22在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第一芯片22的电性能，进而提高了封装结构20的电性能。同时，在第一芯片22封装之前，通过保护层44固定多个第一传热件41和金属体43，以使第一传热件41和金属体43不会在封装第一芯片22的过程中发生歪斜，从而进一步保证了第一芯片22的散热效果。阻隔层31用于隔离第一芯片22和第一传热件41，以避免第一传热件41中的金属材料扩散到第一芯片22背面的半导体材料(例如硅)中影响半导体的导电性能，进而影响第一芯片22的电性能，甚至导致第一芯片22失效。阻隔层31的材料例如为氮化硅。当然，在其他实施例中，阻隔层31的材料还可以是其他可以阻止第一传热件41中的材料扩散到第一芯片22中的材料。

当然，在其他实施例中，还可以通过第一封装体23将第一芯片22封装至第一重布线层21之前，在第一芯片22的背面制作阻隔层31，在阻隔层31背向第一芯片22的表面形成多个间隔的第一传热件41，将第一芯片22的引脚221与部分露出顶面214的第一金属线路212连接，然后用第一封装体23封装第一芯片22，对第一封装体23背向第一重布线层21的表面进行研磨，以使多个第一传热件41背向第一芯片22的表面露出第一封装体23的表面。第一芯片22的热量从背面通过形成于第一芯片22背面一侧的多个第一传热件41传递出去，多个第一传热件41能保证热量的有效传递，以使第一芯片22在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第一芯片22的电性能，进而提高了封装结构20的电性能。

当然，在其他实施例中，还可以通过第一封装体23将第一芯片22封装至第一重布线层21之前，在第一芯片22的背面制作阻隔层31，在阻隔层31背向第一芯片22的表面形成多个间隔的第一传热件41，在阻隔层31背向第一芯片22的表面形成保护层44，保护层44包覆第一传热件41，第一传热件41远离第一芯片22的端部露出保护层44，将第一芯片22的引脚221与部分露出顶面214的第一金属线路212连接，然后用第一封装体23封装第一芯片22，对第一封装体23背向第一重布线层21的表面进行研磨，以使保护层44背向第一芯片22的表面露出第一封装体23的表面。第一芯片22的热量从背面通过形成于第一芯片22背面一侧的多个第一传热件41传递出去，多个第一传热件41能保证热量的有效传递，以使第一芯片22在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第一芯片22的电性能，进而提高了封装结构20的电性能。同时，在第一芯片22封装之前，通过保护层44固定多个第一传热件41，以使第一传热件41不会在封装第一芯片22的过程中发生歪斜，从而进一步保证了第一芯片22的散热效果。

当然，在其他实施例中，第一传热件41在第一封装体23封装第一芯片22之后形成。具体的，通过第一封装体23将第一芯片22封装至第一重布线层21之前，在第一芯片22的背面制作阻隔层31，将第一芯片22的引脚221与部分露出顶面214的第一金属线路212连接，然后用第一封装体23封装第一芯片22，在第一封装体23上形成多个间隔的开口以露出第一芯片22的背面的阻隔层31，在开口中形成第一传热件41。

当然，在其他实施例中，第一传热件41在第一封装体23封装第一芯片22之后形成。具体的，通过第一封装体23将第一芯片22封装至第一重布线层21之前，在第一芯片22的背面制作阻隔层31，将第一芯片22的引脚221与部分露出顶面214的第一金属线路212连接，然后用第一封装体23封装第一芯片22，在第一封装体23上形成第一开口，在第一开口底壁形成多个间隔的第二开口，第二开口露出第一芯片22的背面一侧，在第一开口和第二开口中形成第一传热件41。以形成异形第一传热件41，增大第一传热件41的散热面，以使第一芯片22在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第一芯片22的电性能，进而提高了封装结构20的电性能。

在通过第一封装体23将第一芯片22封装至第一重布线层21的过程中，第一封装体23同时封装第一连接柱216，然后对第一封装体23背向第一重布线层21的表面进行研磨，以使第一连接柱216部分外露至第一封装体23的表面。第一连接柱216露出第一封装体23的表面以便于与其他结构电连接。本实施例中，第一封装体23的材料为绝缘的树脂材料，例如为环氧树脂材料。

S230：在第一封装体23上制作第二重布线层24。

具体的，请参阅图16，在第一封装体23背向第一芯片22的表面制作第二重布线层24，第二重布线层24包括第二绝缘介质241和内设于第二绝缘介质241的第二金属线路242。本实施例中，第二绝缘介质241和第二金属线路242可以通过构图工艺形成，以使第二重布线层24的第一金属线路212一部分露出第二重布线层24朝向第一芯片22的表面，一部分露出第二重布线层24背向第一芯片22的表面。本实施例中的第二重布线层24的制作工艺和第一重布线层21的制造工艺相同，且采用的材料也相同。可以理解的是，图16中的第二金属线路242仅仅为图中位置剖视图的状态。当然，在其他实施例中，第二金属线路242的具体形状可根据需要设计。

在制作第二重布线层24的过程中同时形成第二导热件243，以使第二导热件243与第二金属线路242连接且至少部分外露在第二重布线层24朝向和背向第一芯片22的表面。本实施例中，第二导热件243具有多个，多个第二导热件243露出第二重布线层24的表面与第二重布线层24朝向第一芯片22的表面平齐。露出第二重布线层24朝向第一芯片22的表面的第二导热件243连接金属体43，第二导热件243用于通过金属体43连接第一传热件41，从而将第一芯片22传递到的第一传热件41的热量通过第二导热件243传递到第二金属线路242并通过第二金属线路242传导出去，以使第一芯片22在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第一芯片22的电性能，进而提高了封装结构20的电性能。

本实施例中，第二导热件243的制作工艺和第二金属线路242的制作工艺相同，第二导热件243的材料也和第二金属线路242相同。可以理解的是，第二导热件243嵌设于第二重布线层24内，即第二导热件243不占用额外的空间，不会因为增加第二导热件243而使封装结构20的尺寸变大。且在形成第二重布线层24的同时形成第二导热件243，减少制作工艺，提高封装结构20的生产效率，降低了封装结构20的生产成本。当然，在其他实施例中，多个第二导热件243露出第二重布线层24的部分凸出于第二重布线层24的表面。露出第二重布线层24朝向第一芯片22的表面的第二导热件243连接第一传热件41。

在制作第二重布线层24之后，在第二重布线层24上形成第二连接柱244。具体的，在部分露出第二重布线层24背向第一芯片22的表面的第二金属线路242上形成第二连接柱244，以使第二连接柱244与第二金属线路242连接。第二连接柱244具体形成工艺为涂胶、光刻、显影和电镀。第二连接柱244的材质和第二金属线路242相同。第二连接柱244用于将第二金属线路242和后续工艺中形成的第三重布线的第三金属线路272连接，同时还能将第二金属线路242的热量导到其他部分，进一步提高封装结构20的散热效果。

S240：通过第二封装体26将第二芯片25封装至第二重布线层24，第二芯片25的背面背对第二重布线层24，且通过第二传热件42连接至第二封装体26的表面，其中，第二芯片25的正面用于传递信号，第二芯片25的背面为与第二芯片25的正面相背设置的无源面。

具体的，请参阅图17，通过第二封装体26将第二芯片25封装至第二重布线层24之前，在第二芯片25的背面制作阻隔层33，在阻隔层33背向第二芯片25的表面形成多个间隔的第二传热件42，在阻隔层33背向第二芯片25的表面形成保护层46，保护层46包覆第二传热件42，在保护层46内形成金属体45，金属体45与多个第二传热件42连接，金属体45远离第二传热件42的部分露出保护层46。将第二芯片25的引脚251与部分露出顶面214的第二金属线路242连接，然后用第二封装体26封装第二芯片25，对第二封装体26背向第二重布线层24的表面进行研磨，以使保护层46背向第二芯片25的表面露出第二封装体26的表面。本实施例中，第二芯片25为CPU芯片。第二传热件42例如为铜柱或其他金属柱，可以通过电镀等工艺形成。金属体45可以为金属薄层，或者为金属网层。保护层46的材料为绝缘树脂材料，例如为如聚酰亚胺、苯并环丁烯和环氧树脂等中的一种。当然，在其他实施例中，第二芯片25还可以是存储芯片、射频驱动芯片或者其他处理器的芯片等有源的电子器件。第二传热件42还可以是其他形状。

本实施例中，露出第二重布线层24背向第一芯片22的表面的第二导热件243与第二封装体26连接，以将第二封装体26中热量通过第二金属线路242传导到外界，有效提高第二芯片25的散热效果。第二芯片25的热量还从背面通过多个第二传热件42传递出去，多个第二传热件42能保证热量的有效传递，通过金属体45将多个第二传热件42连接一方面了增大了第二芯片25的散热面积，另一方面多个第二传热件42通过金属体45能与后续形成的导热件连接更牢固，以使第二芯片25在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第二芯片25的电性能，进而提高了封装结构20的电性能。同时，在第二芯片25封装之前，通过保护层46固定多个第二传热件42和金属体45，以使第二传热件42和金属体45不会在封装第二芯片25的过程中发生歪斜，从而进一步保证了第二芯片25的散热效果。阻隔层33用于隔离第二芯片25和第二传热件42，以避免第二传热件42中的金属材料扩散到第二芯片25背面的半导体材料(例如硅)中影响半导体的导电性能，进而影响第二芯片25的电性能，甚至导致第二芯片25失效。阻隔层33的材料例如为氮化硅。当然，在其他实施例中，阻隔层33的材料还可以是其他可以阻止第二传热件42中的材料扩散到第二芯片25中的材料。

当然，在其他实施例中，第二传热件42的形成方式及结构还有多种实施方式，包括不限于第一传热件41在S220中罗列的实施方式，且第二传热件42的任一形成方式及结构可以与第二传热件42的任一形成方式及结构进行组合形成不同的方案。

在通过第二封装体26将第二芯片25封装至第二重布线层24的过程中，第二封装体26同时封装第二连接柱244，然后对第二封装体26背向第二重布线层24的表面进行研磨，以使第二连接柱244部分外露至第二封装体26的表面。第二连接柱244露出第二封装体26的表面以便于与其他结构电连接。本实施例中，第二封装体26的材料和第一封装体23的材料相同。

S250：在第二封装体26上制作第三重布线层27，在第一重布线层21背向第一芯片22的表面形成焊球28。

具体的，请参阅图18，在第二封装体26背向第二芯片25的背面制作第三重布线层27，第三重布线层27包括第三绝缘介质271和设于第三绝缘介质271的第三金属线路272。本实施例中，第三绝缘介质271和第三金属线路272可以通过构图工艺形成，以使第三重布线层27的第三金属线路272一部分露出第三重布线层27朝向第二芯片25的表面并与第二连接柱244连接，一部分露出第三重布线背向第二芯片25的表面。本实施例中的第三重布线层27的制作工艺和第一重布线层21的制造工艺相同，且采用的材料也相同。可以理解的是，图18中的第三金属线路272的设置方式仅仅为本实施例中列举的一种。当然，在其他实施例中，第三金属线路272 9的具体形状可根据需要设计。

在制作第三重布线层27的过程中同时形成第三导热件273，以使第三导热件273与第三金属线路272连接且至少部分外露在第三重布线层27朝向第二芯片25的表面。本实施例中，第三导热件273具有多个，多个第三导热件273露出第三重布线层27的表面与第三重布线层27朝向第二芯片25的表面平齐。第三导热件273连接第二芯片25背面一侧的金属体45，第三导热件273用于通过金属体45连接第二传热件42，从而将第二芯片25传递到的第二传热件42的热量通过第三导热件273传递到第三金属线路272并通过第三金属线路272传导出去，以使第二芯片25在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第二芯片25的电性能，进而提高了封装结构20的电性能。

本实施例中，第三导热件273的制作工艺和第三金属线路272的制作工艺相同，第三导热件273的材料也和第三金属线路272相同。可以理解的是，第三导热件273嵌设于第三重布线层27内，即第三导热件273不占用额外的空间，不会因为增加第三导热件273而使封装结构20的尺寸变大。且在形成第三重布线层27的同时形成第三导热件273，减少制作工艺，提高封装结构20的生产效率，降低了封装结构20的生产成本。当然，在其他实施例中，多个第三导热件273露出第三重布线层27的部分凸出于第三重布线层27的表面。露出第三重布线层27朝向第二芯片25的表面的第三导热件273连接第二传热件42。

去除载板50，在第三重布线层27背向第二芯片25的表面形成连接接口29，连接接口29与部分露出第三重布线层27背向第二芯片25的表面的第三金属线路272连接，连接接口29用于与其他电子模块连接及实现封装结构20接地。另一部分露出第三重布线层27背向第二芯片25的表面的第三金属线路272用于将第一芯片22和第二芯片25的热量传导外界，以提高封装结构20的散热效果。连接接口29的设置方式不限于图18所示。

在第一重布线层21背向第一芯片22的表面形成焊球28。具体的，焊球28通过焊盘35连接在露出第一重布线层21底面215的第一金属线路215上，以形成封装结构20。焊球28用于与其他电子元件电连接，同时还能将第一芯片22和第二芯片25传递到第三金属线路272的热量通过焊球28向外界传递。以提高封装结构20的散热效果。焊球28的设置方式不限于图18所示。

本申请实施例的制备方法，通过将第一传热件41设于第一芯片22的背面一侧，且第一传热件41露出第一封装体23与第二重布线层24连接，和通过将第二传热件42设于第二芯片25的背面一侧，且第二传热件42露出第二封装体26与第三重布线层27连接。即，第一芯片22和第二芯片25的热量分别通过第一传热件41和第二传热件42传递到第二重布线层 24和第三重布线层27进行散热，从而有效将第一芯片22和第二芯片25的热量从背面导出到封装结构20外，以使第一芯片22和第二芯片25在垂直方向上的具有很好的散热效果，提高了第一芯片22和第二芯片25的电性能，进而提高了封装结构20的电性能。同时，由于本申请的制备方法解决了芯片在垂直方向上的散热问题，封装结构20还可以实现两个芯片以上的多层芯片的堆叠，从而实现散热芯片要求较高的芯片的多层堆叠，保证芯片散热效果的同时有效提高封装结构20的集成度。

本申请提供的封装结构20的制备方法中，不管第一芯片22正装至第一重布线层21，或者倒装至第一重布线层21，均通过将导热结构连接在第一芯片22的背面，并通过导热结构(第一导热件213或第一传热件41)将第一芯片22散发的热传导至外部(传导的路径可以为第一重布线层21的一侧，也可以通过传导至第一芯片22背离第一重布线层21的第一封装体23的表面)。不管第二芯片25正装至第二重布线层24，或者倒装至第二重布线层24，均通过将导热结构连接在第二芯片25的背面，并通过导热结构将第二芯片25散发的热传导至外部(传导的路径可以为第二重布线层24的一侧，也可以通过传导至第二芯片25背离第二重布线层24的第二封装体26的表面)。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims

一种封装结构，其特征在于，包括第一重布线层和第一芯片，所述第一重布线层包括第一金属线路和与所述第一金属线路连接的第一导热件，所述第一导热件至少部分露出所述第一重布线层的顶面，所述第一芯片的背面一侧设于所述顶面，并与所述第一导热件连接。
根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一芯片的背面设有阻隔层，所述阻隔层连接在所述背面和所述第一导热件之间。
根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述阻隔层和所述第一导热件之间设有粘接层，所述粘接层将所述第一芯片粘接至所述顶面。
根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括第一封装体，所述第一封装体封装于所述第一芯片上，所述第一芯片的正面的引脚露出所述第一封装体。
根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括第二重布线层，所述第二重布线层设于所述第一封装体上，所述第二重布线层包括第二金属线路和与所述第二金属线路连接的第二导热件，所述第二导热件露出所述第二重布线层背向所述第一芯片的表面，所述第二金属线路部分露出第二重布线层朝向所述第一芯片的表面并与所述第一芯片的引脚连接。
根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括第一连接柱，所述第一连接柱设于所述第一封装体内且连接在所述第一金属线路和所述第二金属线路之间。
根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括第二芯片和第二封装体，所述第二芯片的背面一侧设于所述第二重布线层上并与所述第二导热件连接，所述第二封装体封装于所述第二芯片上，所述第二芯片的引脚露出所述第二封装体。
根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述第一芯片为存储芯片，所述第二芯片为CPU芯片。
根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括第三重布线层和焊球，所述第三重布线层设于所述第二封装体上，所述焊球设于所述第三重布线层上，所述第三重布线层的第三金属线路连接在所述第二芯片的引脚和所述焊球之间。
根据权利要求9所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括第二连接柱，所述第二连接柱设于所述第二封装体中，并连接在所述第二金属线路和所述第三金属线路之间。
一种封装结构，其特征在于，包括第一重布线层、第一芯片、第一传热件和第一封装体，所述第一重布线层包括第一金属线路，所述第一金属线路部分露出所述第一重布线层的顶面，所述第一芯片的正面的引脚设于所述顶面并与所述第一金属线路连接，所述第一传热件设于所述第一芯片的背面一侧，所述第一封装体封装与所述第一芯片上，所述第一传热件露出所述第一封装体的表面。
根据权利要求11所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括金属体，所述第一传热件为多个，多个所述第一传热件间隔设置，所述金属体连接多个所述第一传热件背向所述第一芯片的一端，所述第一传热件通过所述金属体露出所述第一封装体。
根据权利要求11或12所述的封装结构，其特征在于，所述第一芯片的背面设有阻隔层，所述阻隔层连接在所述背面和所述第一传热件之间。
根据权利要求13所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括第二重布线层，所述第二重布线层设于所述第一封装体上，所述第二重布线层包括第二金属线路和与所述第二金属线路连接的第二导热件，所述第二导热件露出所述第二重布线层朝向所述第一芯片的表面并与所述金属体或所述第一传热件连接，所述第二金属线路部分露出第二重布线层背向所述第一芯片的表面。
根据权利要求14所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括第一连接柱，所述第一连接柱设于所述第一封装体内且连接在所述第一金属线路和所述第二金属线路之间。
根据权利要求15所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括第二芯片、第二封装体和第二传热件，所述第二芯片的正面的引脚设于所述第二重布线层上并与所述第二金属线路连接，所述第二传热件设于所述第二芯片的背面一侧，所述第二封装体封装于所述第二芯片上，所述第二传热件露出所述第二封装体的表面。
根据权利要求16所述的封装结构，其特征在于，所述第一芯片为存储芯片，所述第二芯片为CPU芯片。
根据权利要求17所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括第三重布线层和焊球，所述第三重布线层设于所述第二封装体上，所述第三重布线层中与第三金属线路连接的第三导热件与所述第二传热件连接，所述焊球设于所述第一重布线层背向所述第一芯片的表面并与所述第一金属线路连接。
根据权利要求18所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括第二连接柱，所述第二连接柱设于所述第二封装体中，并连接在所述第二金属线路和所述第三金属线路之间。
一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-19任一项所述的封装结构。
一种封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

制作第一重布线层，所述第一重布线层内设第一金属线路；

将第一芯片连接至所述第一重布线层，使得所述第一芯片的背面面对所述第一重布线层，且通过第一导热件连接所述第一金属线路；或者，通过第一封装体将所述第一芯片封装至所述第一重布线层，使得所述第一芯片的背面背对所述第一重布线层，且通过第一传热件连接至所述第一封装体的表面。
根据权利要求21所述的制备方法，其特征在于，所述第一导热件为在制作所述第一重布线层的过程中形成在所述第一重布线层内，且与所述第一金属线路连接，所述第一导热件至少部分外露在所述第一重布线层的顶面，将所述第一芯片连接至所述第一重布线层的过程中，所述第一芯片的背面面对所述顶面。
如权利要求22所述的制备方法，其特征在于，所述第一导热件为金属材质，将所述第一芯片连接至所述第一重布线层之前，在所述第一芯片的背面制作阻隔层，所述阻隔层将所述背面和所述第一导热件隔开。
如权利要求23所述的制备方法，其特征在于，所述阻隔层与所述第一重布线层的顶面之间通过粘接层固定连接。
如权利要求24所述的制备方法，其特征在于，将所述第一芯片连接至所述第一重布线层之后，通过第一封装体将所述第一芯片封装至所述第一重布线层，所述第一芯片的正面的引脚露出所述第一封装体的表面。
如权利要求25所述的制备方法，其特征在于，在制作所述第一重布线层之后，在所述第一重布线层上形成第一连接柱，所述第一连接柱与所述第一金属线路连接，在通过所述第一封装体将所述第一芯片封装至所述第一重布线层的过程中，所述第一封装体同时封装所述第一连接柱，所述第一连接柱部分外露至所述第一封装体的表面。
如权利要求26所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括在所述第一封装体上制作第二重布线层，所述第二重布线层内设第二金属线路和与所述第二金属线路连接的第二导热件，所述第二导热件露出所述第二重布线层背向所述第一芯片的表面，所述第二金属线路部分露出第二重布线层朝向所述第一芯片的表面并与所述第一芯片的引脚和所述第一连接柱连接。
如权利要求27所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括将第二芯片连接至所述第二重布线层，使得所述第二芯片的背面面对所述第二重布线层，且通过第二导热件连接所述第二金属线路。
根据权利要求28所述的封装结构，其特征在于，所述第一芯片为存储芯片，所述第二芯片为CPU芯片。
如权利要求29所述的制备方法，其特征在于，将所述第二芯片连接至所述第二重布线层之后，通过第二封装体将所述第二芯片封装至所述第二重布线层，所述第二芯片的正面的引脚露出所述第二封装体的表面。
如权利要求30所述的制备方法，其特征在于，在制作所述第二重布线层之后，在所述第二重布线层上形成第二连接柱，所述第二连接柱与所述第二金属线路连接，在通过所述第二封装体将所述第二芯片封装至所述第二重布线层的过程中，所述第二封装体同时封装所述第二连接柱，所述第二连接柱部分外露至所述第二封装体的表面。
如权利要求31所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括在所述第二封装体上制作第三重布线层，在所述第三重布线层上形成焊球，所述第三重布线层的第三金属线路连接所述第二芯片的引脚和所述第二连接柱。
根据权利要求21所述的制备方法，其特征在于，在通过所述第一封装体将所述第一芯片封装至所述第一重布线层之前，在所述第一芯片的背面一侧形成多个间隔的所述第一传热件，在所述第一封装体封装所述第一芯片之后，所述第一芯片的背面通过多个所述第一传热件连接至所述第一封装体的表面。
根据权利要求21所述的制备方法，其特征在于，在通过所述第一封装体将所述第一芯片封装至所述第一重布线层之前，在所述第一芯片的背面一侧形成多个间隔的所述第一传热件，在所述第一芯片的背面一侧形成保护层，所述保护层包覆所述第一传热件，所述第一传热件远离所述第一芯片的端部露出所述保护层，在所述第一封装体封装所述第一芯片之后，所述保护层背向所述第一芯片的表面露出所述第一封装体的表面。
根据权利要求21所述的制备方法，其特征在于，在通过所述第一封装体将所述第一芯片封装至所述第一重布线层之前，在所述第一芯片的背面一侧形成多个间隔的所述第一传热件，在所述第一芯片的背面一侧形成保护层，所述保护层包覆所述第一传热件，在所述保护层内形成金属体，所述金属体与多个所述第一传热件连接，所述金属体远离所述第一传热体的部分露出所述保护层，在所述第一封装体封装所述第一芯片之后，所述保护层背向所述第一芯片的表面露出所述第一封装体的表面。
根据权利要求21所述的制备方法，其特征在于，在所述第一封装体封装所述第一芯片之后，在所述第一封装体上形成多个间隔的开口以露出所述第一芯片的背面一侧，在所述开口中形成所述第一传热件。
根据权利要求21所述的制备方法，其特征在于，在所述第一封装体封装所述第一芯片之后，在所述第一封装体上形成第一开口，在所述第一开口底壁形成多个间隔的第二开口，所述第二开口露出所述第一芯片的背面一侧，在所述第一开口和所述第二开口中形成所述第一传热件。
根据权利要求33-37任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一传热件为金属材质，在所述第一芯片的背面一侧形成所述第一传热件之前，在所述第一芯片的背面制作阻隔层，所述阻隔层将所述背面和所述第一传热件隔开。
根据权利要求38所述的制备方法，其特征在于，在制作所述第一重布线层之后，在所述第一重布线层上形成第一连接柱，所述第一连接柱与所述第一金属线路连接，在通过所述第一封装体将所述第一芯片封装至所述第一重布线层的过程中，所述第一封装体同时封装所述第一连接柱，所述第一连接柱部分外露至所述第一封装体的表面。
根据权利要求39所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括在所述第一封装体上制作第二重布线层，所述第二重布线层内设第二金属线路和与所述第二金属线路连接的第二导热件，所述第二导热件露出所述第二重布线层朝向所述第一芯片的表面并与所述第一传热件或所述金属体连接，所述第二金属线路部分露出第二重布线层背向所述第一芯片的表面。
根据权利要求40所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括通过第二封装体将第二芯片封装至所述第二重布线层，使得所述第二芯片的引脚与所述第二金属线路连接，所述第二芯片的背面背对所述第二重布线层，且通过第二传热件连接至所述第二封装体的表面。
根据权利要求41所述的封装结构，其特征在于，所述第一芯片为存储芯片，所述第二芯片为CPU芯片。
根据权利要求42所述的制备方法，其特征在于，在制作所述第二重布线层之后，在所述第二重布线层上形成第二连接柱，所述第二连接柱与所述第二金属线路连接，在通过所述第二封装体将所述第二芯片封装至所述第二重布线层的过程中，所述第二封装体同时封装所述第二连接柱，所述第二连接柱部分外露至所述第二封装体的表面。
根据权利要求43所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括在所述第二封装体上制作第三重布线层，在所述第一重布线层背向所述第一芯片的表面形成焊球，所述第三重布线层的第三金属线路连接所述第二传热件和所述第二连接柱。