JP2022023830A - 半導体パッケージにおける放熱及びその形成方法 - Google Patents
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- H01L2224/08—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/081—Disposition
- H01L2224/0812—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/08151—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the bonding area connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/08221—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the bonding area connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/08225—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the bonding area connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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- H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/80009—Pre-treatment of the bonding area
- H01L2224/8001—Cleaning the bonding area, e.g. oxide removal step, desmearing
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- H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/80009—Pre-treatment of the bonding area
- H01L2224/8001—Cleaning the bonding area, e.g. oxide removal step, desmearing
- H01L2224/80013—Plasma cleaning
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- H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/80009—Pre-treatment of the bonding area
- H01L2224/80048—Thermal treatments, e.g. annealing, controlled pre-heating or pre-cooling
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- H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/80053—Bonding environment
- H01L2224/80095—Temperature settings
- H01L2224/80096—Transient conditions
- H01L2224/80097—Heating
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/8034—Bonding interfaces of the bonding area
- H01L2224/80357—Bonding interfaces of the bonding area being flush with the surface
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- H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/808—Bonding techniques
- H01L2224/80801—Soldering or alloying
- H01L2224/8082—Diffusion bonding
- H01L2224/8083—Solid-solid interdiffusion
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- H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/80905—Combinations of bonding methods provided for in at least two different groups from H01L2224/808 - H01L2224/80904
- H01L2224/80906—Specific sequence of method steps
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/80909—Post-treatment of the bonding area
- H01L2224/80948—Thermal treatments, e.g. annealing, controlled cooling
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
- H01L2224/83815—Reflow soldering
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- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
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- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92244—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a build-up interconnect
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- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
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- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
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- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/0651—Wire or wire-like electrical connections from device to substrate
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- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06555—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking
- H01L2225/06568—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking the devices decreasing in size, e.g. pyramidical stack
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- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06582—Housing for the assembly, e.g. chip scale package [CSP]
- H01L2225/06586—Housing with external bump or bump-like connectors
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- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06589—Thermal management, e.g. cooling
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- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
- H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
- H01L2225/1017—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support
- H01L2225/1035—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support the device being entirely enclosed by the support, e.g. high-density interconnect [HDI]
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- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
- H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
- H01L2225/1047—Details of electrical connections between containers
- H01L2225/1058—Bump or bump-like electrical connections, e.g. balls, pillars, posts
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- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
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Abstract
【課題】上部の半導体パッケージが下部の半導体パッケージの上に積み重ねられるパッケージオンパッケージ(POP)構造においての放熱性を向上する。
【解決手段】半導体パッケージ480は、第1の半導体ダイ50A、50B、第1の半導体ダイの周囲にある第1の封止材120及び半導体ダイに電気的に接続された第1の再配線構造122を含む第1のパッケージ部品100を含む。半導体パッケージは、第2の半導体ダイ210A、210Bを含む、第1のパッケージ部品に接合された第2のパッケージ部品200と、第1の半導体ダイと第2のパッケージ部品との間にあるヒートスプレッダ170と、ヒートスプレッダよりも低い熱伝導率を有し、第1のパッケージ部品と第2のパッケージ部品との間にあるヒートスプレッダを囲む第2の封止材250と、を含む。
【選択図】図30
【解決手段】半導体パッケージ480は、第1の半導体ダイ50A、50B、第1の半導体ダイの周囲にある第1の封止材120及び半導体ダイに電気的に接続された第1の再配線構造122を含む第1のパッケージ部品100を含む。半導体パッケージは、第2の半導体ダイ210A、210Bを含む、第1のパッケージ部品に接合された第2のパッケージ部品200と、第1の半導体ダイと第2のパッケージ部品との間にあるヒートスプレッダ170と、ヒートスプレッダよりも低い熱伝導率を有し、第1のパッケージ部品と第2のパッケージ部品との間にあるヒートスプレッダを囲む第2の封止材250と、を含む。
【選択図】図30
Description
本願は、2020年7月27日に出願された米国仮出願番号63056754の利益と、2020年8月17日に出願された米国仮出願番号63066368の利益とを請求している。
本発明は、半導体パッケージにおける放熱及びその形成方法に関する。
本発明は、半導体パッケージにおける放熱及びその形成方法に関する。
半導体業界は、さまざまな電子部品(トランジスタ、ダイオード、抵抗器、コンデンサなど)の集積密度が継続的に改善されているため、急速な成長を遂げている。ほとんどの場合、集積密度の向上は、最小加工寸法の反復的な削減によってもたらされ、これにより、より多くの部品を特定の領域に集積できる。電子デバイスを縮小する需要が高まるにつれ、半導体ダイのより小さく、より創造的なパッケージング技術の必要性が浮上している。このようなパッケージングシステムの一例は、パッケージオンパッケージ(POP)技術である。PoPデバイスでは、上部の半導体パッケージが下部の半導体パッケージの上に積み重ねられ、高レベルの集積と部品密度を提供する。PoP技術は、一般に、プリント回路基板(PCB)上で機能が強化されフットプリントが小さい半導体デバイスの製造を可能にする。
本発明の態様は、添付図面を参照しながら、以下の詳細な説明から最もよく理解される。業界の標準的技法に従って、様々なフィーチャが一定のスケールで描かれていないことに注意すべきである。実際、様々なフィーチャの寸法は、説明を明確にするために任意に増減できる。
いくつかの実施形態による、集積回路ダイの断面図を示す。
いくつかの実施形態による、半導体パッケージを形成するためのプロセス中の中間ステップの断面図を示す。
いくつかの実施形態による、半導体パッケージを形成するためのプロセス中の中間ステップの断面図を示す。
いくつかの実施形態による、半導体パッケージを形成するためのプロセス中の中間ステップの断面図を示す。
いくつかの実施形態による、半導体パッケージを形成するためのプロセス中の中間ステップの断面図を示す。
いくつかの実施形態による、半導体パッケージを形成するためのプロセス中の中間ステップの断面図を示す。
いくつかの実施形態による、半導体パッケージを形成するためのプロセス中の中間ステップの断面図を示す。
いくつかの実施形態による、半導体パッケージを形成するためのプロセス中の中間ステップの断面図を示す。
いくつかの実施形態による、半導体パッケージを形成するためのプロセス中の中間ステップの断面図を示す。
いくつかの実施形態による、半導体パッケージを形成するためのプロセス中の中間ステップの断面図を示す。
いくつかの実施形態による、半導体パッケージを形成するためのプロセス中の中間ステップの断面図を示す。
いくつかの実施形態による、半導体パッケージを形成するためのプロセス中の中間ステップの断面図を示す。
いくつかの実施形態による、半導体パッケージを形成するためのプロセス中の中間ステップの断面図を示す。
いくつかの実施形態による、半導体パッケージの断面図を示す。
いくつかの実施形態による、半導体パッケージの断面図を示す。
いくつかの実施形態による、半導体パッケージの断面図を示す。
いくつかの実施形態による、半導体パッケージを形成するためのプロセス中の中間ステップの断面図を示す。
いくつかの実施形態による、半導体パッケージを形成するためのプロセス中の中間ステップの断面図を示す。
いくつかの実施形態による、半導体パッケージを形成するためのプロセス中の中間ステップの断面図を示す。
いくつかの実施形態による、半導体パッケージを形成するためのプロセス中の中間ステップの断面図を示す。
いくつかの実施形態による、半導体パッケージを形成するためのプロセス中の中間ステップの断面図を示す。
いくつかの実施形態による、半導体パッケージの断面図を示す。
いくつかの実施形態による、パッケージ部品を形成するためのプロセス中の中間ステップの断面図と、デバイス積層の実施例とを示す。
いくつかの実施形態による、パッケージ部品を形成するためのプロセス中の中間ステップの断面図と、デバイス積層の実施例とを示す。
いくつかの実施形態による、パッケージ部品を形成するためのプロセス中の中間ステップの断面図と、デバイス積層の実施例とを示す。
いくつかの実施形態による、パッケージ部品を形成するためのプロセス中の中間ステップの断面図と、デバイス積層の実施例とを示す。
いくつかの実施形態による、パッケージ部品を形成するためのプロセス中の中間ステップの断面図と、デバイス積層の実施例とを示す。
いくつかの実施形態による、パッケージ部品を形成するためのプロセス中の中間ステップの断面図と、デバイス積層の実施例とを示す。
いくつかの実施形態による、パッケージ部品を形成するためのプロセス中の中間ステップの断面図と、デバイス積層の実施例とを示す。
いくつかの実施形態による、パッケージ部品を形成するためのプロセス中の中間ステップの断面図と、デバイス積層の実施例とを示す。
いくつかの実施形態による、パッケージ部品を形成するためのプロセス中の中間ステップの断面図と、デバイス積層の実施例とを示す。
いくつかの実施形態による、半導体パッケージの断面図を示す。
以下の開示は、本発明の異なる特徴を実施するための多くの異なる実施形態または例を提供する。以下、本開示を簡略化するために、構成要素及び配置の特定の例を説明する。もちろん、これらは、一例に過ぎず、これらに限定するものではない。例えば、以下の説明における第2の特徴の上方又は上の第1の特徴の形成は、第1と第2の特徴が直接接触して形成される実施形態を含んでもよく、また、第1と第2の特徴が直接接触しないように、追加の特徴が第1と第2の特徴の間に形成され得る実施形態を含んでもよい。また、本開示は、様々な例において符号及び/又は文字を繰り返してもよい。この繰り返しは、単純さと明快さを目的としており、それ自体では、説明した様々な実施形態及び/又は構成の間の関係を示すものではない。
さらに、図示されているように、ここで、ある要素又は構造と別の要素又は構造との関係を説明しやすくするために、「下方」、「下」、「下部」、「上方」、「上部」などのような空間的に相対的な用語を使用することができる。空間的に相対的な用語は、図に示されている方向に加えて、使用中又は動作中の装置の異なる方向を包含することを意図している。装置は、他の方向に配向してもよく(90度又は他の配向に回転されてもよい)、本明細書で使用される空間的に相対的な記述子は、同様にそれに応じて解釈され得る。
いくつかの実施形態によると、パッケージは、集積回路(IC)パッケージ部品に接合された、1つ以上のICダイからなるメモリパッケージ部品を含む。いくつかの実施形態では、メモリパッケージ部品とICパッケージ部品との間には、放熱を向上させるために、比較的高い熱伝導率を有するヒートスプレッダが配置されている。例えば、ヒートスプレッダは、ICダイの裏面に取り付けられてもよいし、ICダイからメモリパッケージまで延在してもよい。他の実施形態では、放熱を向上させるために、ICダイがメモリパッケージに直接取り付けられてもよい。このように、本実施形態に係る半導体パッケージによれば、熱は、ヒートスプレッダを介して、又はICダイをメモリパッケージに直接取り付けることにより、ICダイからヒートシンクに効果的に放散することができる。
図1は、いくつかの実施形態による、集積回路ダイ50の断面図を示す。集積回路ダイ50は、後続処理でパッケージングされて集積回路パッケージを形成する。集積回路ダイ50は、ロジックダイ(例えば、中央処理装置(CPU)、グラフィックスプロセッシングユニット(GPU)、システムオンチップ(SoC)、アプリケーションプロセッサ(AP)、マイクロコントローラ)、メモリダイ(例えば、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)ダイ、スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)ダイ)、パワーマネジメントダイ(例えば、パワーマネジメント集積回路(PMIC)ダイ)、無線周波数(RF)ダイ、センサダイ、微小電気機械システム(MEMS)ダイ、信号処理ダイ(例えば、デジタル信号処理(DSP)ダイ)、フロントエンドダイ(例えば、アナログフロントエンド(AFE)ダイ)、又はそれらの組み合わせであってもよい。
集積回路ダイ50は、後続ステップで個片化されて複数の集積回路ダイが形成される異なるデバイス領域を含むウェハに形成されてもよい。集積回路ダイ50は、適用可能な製造プロセスに応じて処理され、集積回路を形成してもよい。集積回路ダイ50は、例えば、シリコン、ドープ、又はアンドープの半導体基板52、又は半導体オンインシュレータ(SOI)基板の活性層を有する。半導体基板52は、ゲルマニウムなどの他の半導体材料と、炭化ケイ素、ガリウムヒ素、リン化ガリウム、リン化インジウム、インジウムヒ素及び/又はアンチモン化インジウムを含む化合物半導体、SiGe、GaAsP、AlInAs、AlGaAs、GaInAs、GaInP及び/又はGaInAsPを含む合金半導体、又はそれらの組み合わせを含んでいてもよい。多層基板や傾斜基板などの他の基板を用いてもよい。半導体基板52は、前面と呼ばれる活性表面(例えば、図1において上向きの表面)と、裏面と呼ばれる不活性表面(例えば、図1において下向きの表面)とを有する。
半導体基板52の表面には、デバイス(トランジスタに代表される)54が形成されている。デバイス54は、能動デバイス(例えば、トランジスタ、ダイオード)、コンデンサ、抵抗器などであってもよい。半導体基板52の表面上には、層間誘電体(ILD)56が形成されている。ILD56は、デバイス54を囲んでカバーしてもよい。ILD56は、リンケイ酸ガラス(PSG)、ホウケイ酸ガラス(BSG)、ホウドープリンケイ酸ガラス(BPSG)、アンドープケイ酸ガラス(USG)などの材料から形成される1つ以上の誘電体層を含んでいてもよい。
導電性プラグ58は、ILD56を延在してデバイス54に電気的及び物理的に連結される。例えば、デバイス54がトランジスタである場合、導電性プラグ58は、トランジスタのゲート領域とソース/ドレイン領域とを連結してもよい。導電性プラグ58は、タングステン、コバルト、ニッケル、銅、銀、金、アルミニウム、又はそれらの組み合わせで形成されてもよい。ILD56及び導電性プラグ58上には、相互接続構造60が形成されている。相互接続構造60は、デバイス54同士を相互接続して集積回路を形成する。相互接続構造60は、例えば、ILD56上の誘電体層の金属化パターンにより形成されてもよい。金属化パターンは、1つ以上の低k誘電体層に形成された金属線及びビアを含む。相互接続構造60の金属化パターンは、導電性プラグ58によってデバイス54に電気的に連結されている。
集積回路ダイ50は、外部接続が行われるアルミニウムパッドなどのパッド62をさらに含む。パッド62は、集積回路ダイ50の活性側、例えば、相互接続構造60内及び/又は上に設けられている。集積回路ダイ50上、例えば、相互接続構造60の一部及びパッド62上には、1つ以上のパッシベーションフィルム64が形成されている。開口部は、パッシベーションフィルム64を貫通してパッド62に延在する。パッシベーションフィルム64の開口部には、(例えば、銅などの金属からなる)導電性ピラーなどのダイコネクタ66が延在しており、各パッド62に物理的及び電気的に連結されている。ダイコネクタ66は、例えば、めっきなどにより形成されてもよい。ダイコネクタ66は、集積回路ダイ50の各集積回路に電気的に連結する。
なお、パッド62上には、半田領域(例えば、半田ボール又は半田バンプ)が配置されていてもよい。半田ボールは、集積回路ダイ50上でチッププローブ(CP)試験を実行するために使用されてもよい。CP試験は、集積回路ダイ50に対して実行されて、集積回路ダイ50がノウングッドダイ(KGD)であるかどうかを確認することができる。これにより、KGDである、後続処理された集積回路ダイ50のみがパッケージングされ、CP試験に失敗したダイはパッケージングされない。試験後、後のプロセスステップではんだ領域を除去してもよい。
集積回路ダイ50の活性側、例えば、パッシベーションフィルム64及びダイコネクタ66の上には、誘電体層68が形成されてもよい(形成されなくてもよい)。誘電体層68は、ダイコネクタ66を横方向から封止しており、集積回路ダイ50に横方向に隣接する。最初は、誘電体層68の最表面がダイコネクタ66の最表面よりも上方に位置するように、誘電体層68は、ダイコネクタ66を埋め込んでもよい。ダイコネクタ66上に半田領域が配置されているいくつかの実施形態では、誘電体層68が半田領域を埋め込んでもよい。また、誘電体層68を形成する前に半田領域を除去してもよい。
誘電体層68は、PbO、ポリイミド、BCBなどのポリマー、窒化ケイ素などの窒化物、酸化ケイ素、PSG、BSG、BPSGなどの酸化物、又はそれらの組み合わせであってもよい。誘電体層68は、例えば、スピンコーティング法、ラミネーション法、化学蒸着(CVD)法などにより形成されてもよい。いくつかの実施形態では、ダイコネクタ66は、集積回路ダイ50の形成時に、誘電体層68を貫通して露出している。いくつかの実施形態では、ダイコネクタ66は、集積回路ダイ50をパッケージングする後続処理において、埋め込まれたまま露出している。ダイコネクタ66を露出させることにより、ダイコネクタ66に存在し得る半田領域を除去することができる。
いくつかの実施形態では、集積回路ダイ50は、複数の半導体基板52を含む積層デバイスである。例えば、集積回路ダイ50は、複数のメモリダイを含むハイブリッドメモリキューブ(HMC)モジュール、高帯域メモリ(HBM)モジュールなどのメモリデバイスであってもよい。このような実施形態では、集積回路ダイ50は、基板貫通ビア(TSV)によって相互接続された複数の半導体基板52を含む。各半導体基板52は、相互接続構造60を有していてもよい(有していなくてもよい)。
図2~図13は、いくつかの実施形態による、放熱を向上させた集積回路パッケージを製造するための断面図を示す。図2において、キャリア基板102が設けられ、キャリア基板102上に剥離層104が形成されている。キャリア基板402は、ガラスキャリア基板、セラミックキャリア基板等であってもよい。キャリア基板402はウエハであってもよく、キャリア基板402上に複数のパッケージを同時に形成することができる。例えば、第1のパッケージ領域100Aと第2のパッケージ領域100Bとが示されており、1つ以上の集積回路ダイ50がパッケージングされて、各パッケージ領域100A、100Bに集積回路パッケージが形成されている。完成した集積回路パッケージは、一体化ファンアウト(InFO)パッケージと呼ばれてもよい。
剥離層104は、ポリマー系材料で形成することができ、これは、後続のステップで形成されるであろう上にある構造から、キャリア基板102と共に除去することができる。いくつかの実施形態では、剥離層404はエポキシベースの熱放出材料であり、光から熱への変換(LTHC)放出コーティングなど、加熱されるとその接着特性を失う。他の実施形態では、剥離層104は、UV光に曝されるとその接着特性を失う紫外線(UV)接着剤であり得る。剥離層404は、液体として分注して硬化させてもよいし、キャリア基材402上に積層されたラミネートフィルム等であってもよい。剥離層104の上面は平坦化されており、平坦性が高い。
図3では、剥離層104上に表面再配線構造122が形成されている。表面再配線構造122は、誘電体層124、128、132、136と、金属化パターン126、130、134、110(導電性パッド110A、110Bを含む)とを含む。金属化パターン126、130、134は、再配線層又は再配線と呼ばれることもある。表面再配線構造122は、4層の金属化パターンを有する例を示している。表面再配線構造122には、より多くの又は少ない誘電体層及び金属化パターンが形成されていてもよい。なお、誘電体層やメタライズパターンを少なく形成する場合には、後述するステップやプロセスを省略してもよい。より多くの誘電体層やメタライズパターンを形成する場合には、以下に説明するステップやプロセスを繰り返してもよい。
再配線構造122を形成する一例として、剥離層104上に誘電体層124が堆積される。いくつかの実施形態では、誘電体層124は、PBO、ポリイミド、BCBなどの感光材料から形成され、リソグラフィーマスクを用いてパターニングすることができる。誘電体層124は、スピンコーティング法、ラミネーション法、CVD法、又はそれらの組み合わせにより形成されてもよい。
次に、誘電体層124上に金属化パターン126が形成される。金属化パターン126を形成する一例として、誘電体層124上にシード層が形成される。いくつかの実施形態では、シード層は、金属層であることが好ましく、単層であってもよいし、異なる材料からなる複数の副層からなる複合層であってもよい。いくつかの実施形態では、好ましくは、シード層は、チタン層と、チタン層上の銅層とを含む。該シード層は、例えばPVD等を用いて形成することができる。次に、シード層上にフォトレジストを形成し、パターニングする。フォトレジストは、スピンコーティング等により形成し、パターニングのために露光してもよい。フォトレジストのパターンは、金属化パターン126に対応する。このパターニングにより、フォトレジストに開口部が形成され、シード層が露出する。次に、フォトレジストの開口部及びシード層の露出部に導電性材料を形成する。該導電性材料は、電気めっき、無電解めっき等のめっきにより形成することができる。導電性材料としては、銅、チタン、タングステン、アルミニウム等の金属を用いることができる。この導電性材料とシード層の下地部分との組み合わせにより、金属化パターン126が形成される。フォトレジスト及びシード層の導電性材料が形成されていない部分を除去する。フォトレジストマスクの除去は、酸素プラズマ等を用いたアッシングや剥離等の任意の方法で行うことができる。フォトレジストを除去した後、露出したシード層をウェットエッチング、ドライエッチング等の適宜のエッチングプロセスを用いて除去する。
次に、金属化パターン126及び誘電体層124上に誘電体層128が堆積されてもよい。誘電体層128は、誘電体層124と同様の方法で形成されてもよいし、誘電体層124と同様の材料で形成されてもよい。そして、開口部は、誘電体層124を貫通してパターニングされ、下地の金属化パターン126を露出させてもよい。パターニングは、例えば、誘電体層124が感光材料である場合には、誘電体層124を光に露出するなどの受容可能なプロセス、又は異方性エッチングなどを用いたエッチングにより形成することができる。誘電体層124は感光材料であれば、露出後に現像することができる。
その後、金属化パターン130が形成される。金属化パターン130は、誘電体層128の主表面に沿って延在する部分と、誘電体層128を貫通し延在して金属化パターン126を物理的かつ電気的に連結する部分とを含む。金属化パターン130は、金属化パターン126と同様の方法及び同様の材料で形成することができる。いくつかの実施形態では、金属化パターン130は、金属化パターン126と異なる大きさを有する。例えば、金属化パターン130の導電線及び/又はビアは、金属化パターン126の導電線よりも広くてもよいし、太くてもよい。また、金属化パターン130は、金属化パターン126よりも大きなピッチで形成されてもよい。
誘電体層132は、金属化パターン130及び誘電体層128上に堆積され、誘電体層132は、金属化パターン130を露出するようにパターニングされてもよい。誘電体層132は、誘電体層124と同様の方法で形成され、パターニングされてもよく、誘電体層124と同様の材料で形成されてもよい。
その後、金属化パターン134が形成される。金属化パターン134は、誘電体層132の主表面に沿って延在する部分と、誘電体層132を貫通延在して金属化パターン130を物理的かつ電気的に連結する部分とを含む。金属化パターン134は、金属化パターン126と同様の方法及び同様の材料で形成することができる。いくつかの実施形態では、金属化パターン134は、金属化パターン126、130と異なる大きさを有する。例えば、金属化パターン134の導電線及び/又はビアは、金属化パターン126、130の導電線及び/又はビアよりも広くてもよいし、太くてもよい。また、金属化パターン134は、金属化パターン130よりも大きなピッチで形成されてもよい。
誘電体層136は、金属化パターン134及び誘電体層132上に堆積され、金属化パターン134を露出するようにパターニングされてもよい。誘電体層136は、誘電体層124と同様の方法で形成されていてもよく、誘電体層124と同じ材料で形成されていてもよい。
次に、誘電体層136の開口部に金属化パターン110が形成される。金属化パターン110は、誘電体層136を貫通し延在して下地の金属化パターン134、130、126に物理的及び電気的に連結する導電性パッド110A、110Bを含む。
図3にさらに示すように、金属化パターン110の導電性パッド110A上には、貫通ビア116が形成されている。貫通ビア116は、再配線構造122の最上部誘電体層(例えば、誘電体層136)から離れて延在してもよい。貫通ビア116を形成する一例として、表面再配線構造122上、例えば、誘電体層136及び金属化パターン110上にシード層(図示せず)が形成される。いくつかの実施形態では、シード層は、金属層であることが好ましく、単層であってもよいし、異なる材料からなる複数の副層からなる複合層であってもよい。特定の実施形態では、シード層は、チタン層と、チタン層上の銅層とを含む。該シード層は、例えばPVD等を用いて形成することができる。あるいは、ビア116が下地の導電性パッド110Aよりも広くない実施形態には、別のシード層を省略し、導電性パッド110Aをシード層としてもよい。
シード層(存在する場合)及び表面再配線構造122上にフォトレジストを形成し、パターニングする。フォトレジストは、スピンコーティング等により形成し、パターニングのために露光してもよい。フォトレジストのパターンは、貫通ビア116に対応する。このパターニングにより、シード層又は導電性パッド110Aが露出するように、フォトレジストに開口部が形成される。導電性材料は、フォトレジストの開口部およびシード層の露出部分に形成される。該導電性材料は、電気めっき、無電解めっき等のめっきにより形成することができる。導電性材料としては、銅、チタン、タングステン、アルミニウム等の金属を用いることができる。フォトレジスト及びシード層の導電性材料が形成されていない部分を除去する。フォトレジストマスクの除去は、酸素プラズマ等を用いたアッシングや剥離等の任意の方法で行うことができる。フォトレジストを除去すると、シード層の露出した部分(存在する場合)を、ウェットエッチング又はドライエッチングなどの受容可能なエッチングプロセスを用いて除去する。シード層および導電性材料の残りの部分は、貫通ビア116を形成する。
図4では、パッケージ領域100A、100Bのそれぞれに集積回路ダイ50(例えば、第1の集積回路ダイ50A、第2の集積回路ダイ50B)が接合されている。図示の実施形態では、第1のパッケージ領域100A及び第2のパッケージ領域100Bのそれぞれにおいて、第1の集積回路ダイ50A及び第2の集積回路ダイ50Bを含む複数の集積回路ダイ50が互いに隣接して接合されている。第1の集積回路ダイ50Aは、中央処理装置(CPU)、グラフィックスプロセッシングユニット(GPU)、システムオンチップ(SoC)、マイクロコントローラなどのロジックデバイスであってもよい。第2の集積回路ダイ50Bは、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)チップ、スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)チップ、ハイブリッドメモリキューブ(HMC)モジュール、高帯域メモリ(HBM)モジュールなどの記憶デバイスであってもよい。いくつかの実施形態では、集積回路ダイ50A、50Bは、SOCダイなどの同じ種類のダイであってもよい。第1の集積回路ダイ50Aと第2の集積回路ダイ50Bとは、同じテクノロジーノードのプロセスで形成されてもよいし、異なるテクノロジーノードのプロセスで形成されてもよい。例えば、第1の集積回路ダイ50Aは、第2の集積回路ダイ50Bよりも高度なプロセスノードであってもよい。集積回路ダイ50A、50Bは、異なる大きさ(例えば、異なる高さ及び/又は表面積)を有してもよいし、同じ大きさ(例えば、同じ高さ及び/又は表面積)を有してもよい。なお、集積回路ダイ50は、各パッケージ領域に2つずつ配置されているが、より少ない(例えば、1つ)又はより多くの集積回路ダイは、基板102上の各パッケージ領域に配置されてもよい。
ダイ50は、前面が導電性パッド110Bに対向し、裏面が導電パッド110Bから離間するように、下向きに配置されている。いくつかの実施形態では、集積回路ダイ50は、ハイブリッド接合構成において、金属化パターン110の導電性パッド110Bに接合されている。例えば、ダイ50のパッシベーション層68は、誘電体層136に直接接合し、ダイ50のコンタクトパッド66は、導電性パッド110Bに直接接合してもよい。一実施形態では、パッシベーション層68と誘電体層136との接合は、酸化物-酸化物接合などであってもよい。ハイブリッド接合プロセスでは、さらに、直接金属間接合により、ダイ50のコンタクトパッド66と導電性パッド110Bとを直接接合する。このように、コンタクトパッド66とコンタクトパッド110Bとの物理的な接続により、ダイ50と表面再配線構造122との電気的な接続が実現される。
ハイブリッド接合プロセスは、一例として、表面再配線構造122の誘電体層136及び/又はダイ50のパッシベーション層68に表面処理を施すことにより開始されてもよい。表面処理は、プラズマ処理を含んでもよい。プラズマ処理は、真空環境下で行ってもよい。プラズマ処理の後、表面処理は、さらに、ダイ50の誘電体層136及び/又はパッシベーション層68に施される洗浄プロセス(例えば、脱イオン水によるリンス処理)を含んでもよい。その後、ハイブリッド接合プロセスを進めて、コンタクトパッド66とコンタクトパッド110Bとの位置合わせを行ってもよい。次に、ハイブリッド接合は、コンタクトパッド66とコンタクトパッド110Bとを物理的に接触させる予備接合ステップを含む。予備接合は、室温(例えば、約21℃~約25℃の間)で実行することができる。ハイブリッド接合プロセスは、例えば、約150℃~約400℃の温度で、約0.5時間~約3時間の持続時間でアニールを実行し続け、その結果、コンタクトパッド66内の金属(例えば、銅)及び接触パッド110Bの金属(例えば、銅)は相互拡散し、したがって、直接的な金属間接合が形成される。アニールにより、パッシベーション層68と誘電体層136との間に共有結合がさらに形成されてもよい。他の実施形態においても、他の接合パラメータ及び/又は方法(例えば、半田接合)が可能である。
図4にさらに示すように、各部品の上及び周りには、封止材120が形成されている。封止材120は、形成後、貫通ビア116及び集積回路ダイ50を封止する。封止材120は、成形化合物、エポキシなどであってもよい。封止材120は、圧縮成形、トランスファー成形などにより塗布され、貫通ビア116及び/又は集積回路ダイ50を埋め込むか又はカバーするようにキャリア基板102上に形成されてもよい。さらに、集積回路ダイ50間の隙間領域には、封止材120が形成されている。封止材120は、液状又は半液状で塗布された後、硬化されてもよい。
図5では、封止材120に平坦化プロセスを実行して、貫通ビア116及びダイ50を露出させる。また、平坦化プロセスにより、貫通ビア116の材料を除去してもよい。貫通ビア116、ダイ50及び封止材120の上面は、プロセス変動内の平坦化プロセスの後、実質的に同一平面上にある。平坦化プロセスとしては、例えば、化学機械研磨(CMP)法、研削プロセス等を用いることができる。いくつかの実施形態では、例えば、貫通ビア116及びダイ50が既に露出している場合には、平坦化プロセスを省略してもよい。
図6では、ダイ50にはフィルム168によってヒートスプレッダ170が取り付けられている。ヒートスプレッダ170は、例えば、約149W/m・K以上、約380W/m・K以上の比較的高い熱伝導率を有する導電性材料で形成されてもよい。例えば、いくつかの実施形態では、ヒートスプレッダ170は、銅、ダイヤモンド、ヒ化ホウ素、銀、シリコンなどで形成される。ヒートスプレッダ170を熱伝導率が約380W/m・K未満の材料で形成すると、得られるパッケージにおいて放熱が不十分であることが確認された。ヒートスプレッダ170は、フィルム168を用いてダイ50の基板52の裏面に取り付けられてもよい。基板52の裏面とは、能動デバイスが形成された面とは反対側の面である。フィルム168は、高kポリマー(例えば、高k DAF)、リフロープロセスにより取り付けされた金属(例えば、In、Sn)、熱伝導材料(TIM)、半田ペーストなどであってもよい。図示の実施形態では、ヒートスプレッダ170のそれぞれは、ダイ50のそれぞれと同じ幅を有し、それらと隣接している。他の実施形態では、ヒートスプレッダ170は、ダイ50よりも広くてもよいし、狭てもよいし、及び/又はヒートスプレッダ170の側壁がダイ150からずれてもよい(例えば、図14A~図14Cを参照)。また、各ダイ50には、物理的に分離された複数のヒートスプレッダ170が取り付けられてもよい(例えば、図14A~図14Cを参照)。
図6にさらに示すように、貫通ビア116上には、金属化パターン190が形成されてもよい。金属化パターン190は、上述したコンタクトパッド110Bと同様のプロセス及び同様の材料を用いて形成することができる。各実施形態では、金属化パターン190は、ヒートスプレッダ170をダイ50に取り付ける前に形成してもよいし、その後に形成してもよい。
これにより、各パッケージ領域100A、100Bに第1のパッケージ部品100が形成される。第1のパッケージ部品100は、集積回路ダイ50と、封止材120と、貫通ビア116と、表面再配線構造122と、金属化パターン190とを有する。ヒートスプレッダ170は、第1のパッケージ部品100の50個の集積回路ダイ上に形成される。
図7では、第2のパッケージ部品200は、導電性コネクタ152によって第1のパッケージ部品100に連結されている。第2のパッケージ部品200は、各パッケージ領域100A、100Bにおいて1つずつ連結されて、各パッケージ領域上に集積回路装置積層を形成している。いくつかの実施形態では、第2のパッケージ部品200は、ヒートスプレッダ170と物理的に接触してもよい。例えば、ヒートスプレッダ170は、ダイ50と第2のパッケージ部品200との間の距離に亘ってもよい。このように、ヒートスプレッダ170は、ダイ50から第2のパッケージ部品200への放熱経路を提供することができる。他の実施形態では、ヒートスプレッダ170と第2のパッケージ部品200との間に中間層が配置されてもよい。例えば、各ヒートスプレッダ170と各第2のパッケージ部品200との間のバッファ層として、熱伝導フィルム(明示されず)を用いてもよい。いくつかの実施形態では、熱伝導フィルムは、高kポリマー(例えば、高k DAF)、リフロープロセスにより取り付けられた金属(例えば、In、Sn)、TIM、半田ペーストなどを含んでもよい。
第2のパッケージ部品200は、例えば、基板202と、基板202に連結された1つ以上の積層ダイ210(例えば、210A及び210B)とを有する。なお、1組の積層ダイ210(210A及び210B)を例示したが、他の実施形態では、基板202の同一面に複数の積層ダイ210(それぞれ1つ以上の積層ダイを有する)を並べて連結して配置してもよい。基板202は、シリコン、ゲルマニウム、ダイヤモンドなどの半導体材料で構成されてもよい。いくつかの実施形態では、シリコンゲルマニウム、炭化ケイ素、ガリウムヒ素、インジウムヒ素、リン化インジウム、シリコンゲルマニウムカーバイド、ガリウムヒ素リン、ガリウムインジウムリン、及びそれらの組み合わせなどの化合物材料を用いてもよい。また、基板202は、シリコンオンインシュレータ(SOI)基板であってもよい。一般的に、SOI基板は、エピタキシャルシリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、SOI、シリコンゲルマニウムオンインシュレータ(SGOI)、又はそれらの組み合わせなどの半導体材料の層を含む。基板202は、一代替実施形態では、ガラス繊維強化樹脂コアなどの絶縁コアに基づくものである。コア材料の一例は、FR4などのグラスファイバー樹脂である。コア材料の代替品には、ビスマレイミド-トリアジン(BT)樹脂、あるいは他のプリント回路基板(PCB)材料またはフィルムが含まれる。基板202には、味の素ビルドアップフィルム(ABF)などのビルドアップフィルム又はその他のラミネートを用いることができる。
基板202は、能動デバイス及び受動デバイス(図示せず)を含んでもよい。第2のパッケージ部品200の設計の構造要件及び機能要件を生成するために、トランジスタ、コンデンサ、抵抗器、それらの組み合わせなど、多種多様なデバイスを用いることができる。デバイスは、任意の適切な方法を使用して形成することができる。
また、基板202は、金属化層(図示せず)及び導電性ビア208を有してもよい。金属化層は、能動デバイスおよび受動デバイスの上に形成することができ、さまざまなデバイスを接続して機能回路を形成するように設計されている。金属化層は、導電性材料の層を相互接続するビアを備えた、誘電体(例えば、lowーk誘電体材料)と導電性材料(例えば、銅)の交互の層から形成され得、また、任意の適切なプロセス(堆積、ダマシン、デュアルダマシンなど)によって形成することができる。いくつかの実施形態では、基板202は、能動デバイス及び受動デバイス子を実質的に有していない。
基板202は、積層ダイ210に連結するための基板202の第1の側に接合パッド204を有し、基板202の第1の側の反対側にある基板202の第2の側に導電性コネクタ152に連結するための接合パッド206を有する。いくつかの実施形態では、接合パッド204、206は、基板202の第1の側及び第2の側に誘電体層(図示せず)に凹部(図示せず)を形成することにより形成される。凹部は、接合パッド204、206が誘電体層に埋め込まれるように形成されてもよい。他の実施形態では、誘電体層上に接合パッド204、206が形成されるため、凹部が省略されてもよい。いくつかの実施形態では、接合パッド204、206は、銅、チタン、ニッケル、金、パラジウム、又はそれらの組み合わせからなる薄いシード層(図示せず)を含む。接合パッド204、206の導電性材料は、薄いシード層上に堆積してもよい。導電性材料は、電気化学めっき法、無電解めっき法、CVD法、原子層堆積法(ALD)、PVD法、又はそれらの組み合わせにより形成することができる。一実施形態では、接合パッド204、206の導電性材料は、銅、タングステン、アルミニウム、銀、金など、またはこれらの組み合わせである。
いくつかの実施形態では、接合パッド204及び接合パッド206は、チタン層、銅層、ニッケル層の3層の導電性材料を含むUBMである。接合パッド204、206の形成には、クロム/クロム-銅合金/銅/金の配置、チタン/チタンタングステン/銅の配置、銅/ニッケル/金の配置などの他の材料及び層の配置を利用してもよい。接合パッド204、206に用いられる適切な材料又は材料の層は、電流印加の範囲内に含まれるものとする。いくつかの実施形態では、導電性ビア208は、基板202を貫通して延在し、少なくとも1つの接合パッド204と少なくとも1つの接合パッド206とを連結する。
図示の実施形態では、積層ダイ210はワイヤ接合212で基板202に連結しているが、導電性バンプなどの他の接続を使用することもできる。一実施形態では、積層ダイ210は、積層メモリダイである。例えば、積層ダイ210は、低電力(LP)ダブルデータレート(DDR)1、LPDDR2、LPDDR3、LPDDR4などのメモリモジュールなどのメモリダイであってもよい。
積層ダイ210及びワイヤ接合212は、成形材料214によって封止されてもよい。成形材料214は、例えば、圧縮成形を用いて、積層ダイ210及びワイヤ接合212上に成形することができる。いくつかの実施形態では、成形材料214は、成形化合物、ポリマー、エポキシ、酸化ケイ素フィラー材料、又はそれらの組み合わせである。硬化プロセスは、成形材料214を硬化させるプロセスであればよく、熱硬化、UV硬化、又はそれらの組み合わせであってもよい。
いくつかの実施形態では、積層ダイ210及びワイヤ接合212を成形材料214に埋め込み、成形材料214の硬化後、研削などの平坦化ステップを行うことにより、成形材料214の余剰部分を除去し、第2のパッケージ部品200の表面を略平坦にする。
第2のパッケージ部品200が形成された後、第2のパッケージ部品200は、導電性コネクタ152、接合パッド206、及び金属化パターン190を介して、第1のパッケージ部品100に機械的及び電気的に接合される。いくつかの実施形態では、積層ダイ210は、ワイヤ接合212、接合パッド204、206、導電性ビア208、導電性コネクタ152、金属化パターン190、貫通ビア116、表面再配線構造122を介して集積回路ダイ50A、50Bに連結されている。
いくつかの実施形態では、基板202の積層ダイ210と対向する側には、半田レジスト(図示せず)が形成されている。導電性コネクタ152は、半田レジストの開口部に配置され、基板202の導電性特徴部(例えば、接合パッド206)に電気的及び機械的に連結されてもよい。半田レジストは、基板202の領域を外部ダメージから保護するために用いることができる。
いくつかの実施形態では、導電性コネクタ152は、第1のパッケージ部品100に第2のパッケージ部品200が取り付けられた後に、残っているエポキシフラックスのエポキシ部分の少なくとも一部と共にリフローされる前に、その上にエポキシフラックス(図示せず)が形成され得る。
図8では、第1のパッケージ部品100と第2のパッケージ部品200との間には、導電性コネクタ152及びヒートスプレッダ170を囲むように封止材250が形成されている。封止材250は、第2のパッケージ部品200の周りにさらに形成されてもよく、封止材250は、第1のパッケージ部品100の周りに形成されてもよい(明示されない)。封止材250としては、成形化合物、エポキシ、成形アンダーフィルなどであってもよい。いくつかの実施形態では、封止材250は、ヒートスプレッダ170よりも熱伝導率が低くてもよい。例えば、封止材250は、約10W/m・k未満で熱伝導率を有してもよい。したがって、ヒートスプレッダ170は、集積回路ダイ50から封止材250を介して第2のパッケージ部品200への放熱を向上させることができる例えば、封止材250を介してヒートスプレッダ170を備えることで、約22%以上の動作温度低下が観測された。
封止材250は、圧縮成形、トランスファー成形などにより塗布され、第2のパッケージ部品200が埋め込まれるか又はカバーされるまで、第2のパッケージ部品200上に形成されてもよい。封止材250は、さらに、第2のパッケージ部品200と下地の第1のパッケージ部品100との間の隙間領域に形成されている。封止材250は、液状又は半液状で塗布された後、硬化されてもよい。封止体250を形成した後、第2のパッケージ部品200が露出するまで、封止材250平坦化プロセス(例えば、CMP、研削など)を施してもよい。平坦化プロセス後、第2のパッケージ部品200及び封止材250の上面は平坦になっていてもよい。
図9では、第2のパッケージ部品200にはフレーム252が取り付けられている。例えば、フレーム252は、第2のパッケージ部品200の第1のパッケージ部品100とは反対側の面に取り付けられる。
図10では、キャリア基板の剥離が実行されて、キャリア基板102を裏表面再配線構造122、例えば誘電体層124から取り外す(または「剥離する」)。いくつかの実施形態によれば、剥離は、剥離層104が光の熱の下で分解し、キャリア基板102を除去することができるように、剥離層104上にレーザ光またはUV光などの光を投射することを含む。その後、構造を反転させる。
図11では、表面再配線構造122に外部接続するためにUBM138と導電性コネクタ150が形成されている。UBM138は、誘電体層124の主表面に沿って延在するバンプ部を有し、誘電体層124を貫通し延在して金属化パターン126に物理的及び電気的に連結するビア部を有する。その結果、UBM138は、貫通ビア116及び集積回路ダイ50に電気的に連結される。UBM138は、金属化パターン126と同じ材料、同じプロセスで形成することができる。いくつかの実施形態では、UBM138は、金属化パターン110、126、130、134とは異なる大きさを有する。
図11では、UBM138上には、導電性コネクタ150が形成されている。導電性コネクタ150としては、ボールグリッドアレイ(BGA)コネクタ、半田ボール、金属ピラー、制御崩壊チップ接続(C4)バンプ、マイクロバンプ、無電解ニッケル-無電解パラジウム-浸漬金技術(ENAPIG)形成バンプなどを用いることができる。導電性コネクタ150は、半田、銅、アルミニウム、金、ニッケル、銀、パラジウム、スズなどの導電性材料、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。いくつかの実施形態では、導電性コネクタタ150は、蒸着、電解めっき、印刷、半田転写、ボール配置などにより、最初に半田の層を形成することにより形成される。構造上にはんだの層が形成されたら、材料を所望のバンプ形状に成形するためにリフローを実行することができる。他の実施形態では、導電性コネクタ150は、スパッタリング法、印刷法、電解めっき法、無電解メッキ法、CVD法などにより形成された金属ピラー(例えば、銅ピラー)で構成される。金属ピラーは、はんだを含まなくてもよく、実質的に垂直な側壁を有することができる。いくつかの実施形態では、金属キャップ層が金属ピラーの上部に形成される。金属キャップ層は、ニッケル、スズ、スズ鉛、金、銀、パラジウム、インジウム、ニッケル-パラジウム-金、ニッケル-金など、またはそれらの組み合わせを含み得、そしてめっきプロセスによって形成され得る。
図12では、スクライブライン領域、例えば、第1のパッケージ領域100Aと第2のパッケージ領域100Bとの間に沿って鋸引きを行うことにより、個片化プロセスが行われる。鋸引きにより、第2のパッケージ領域100Bから第1のパッケージ領域100Aが個片化される。その結果、個片化されたデバイス積層は、第1のパッケージ領域100A又は第2のパッケージ領域100Bのいずれか一方から得られる。いくつかの実施形態では、個片化プロセスは、第1のパッケージ部品100に第2のパッケージ部品200を連結した後に行われる。他の実施形態(図示せず)では、個片化プロセスは、第1のパッケージ部品100に第2のパッケージ部品200を連結する前に行われる。
図13では、各個片化された第1のパッケージ部品100は、導電性コネクタ150を用いてパッケージ基板300に実装される。パッケージ基板300は、基板コア302と、基板コア302上の接合パッド304とを含む。基板コア302は、シリコン、ゲルマニウム、ダイヤモンドなどの半導体材料で構成されてもよい。あるいは、シリコンゲルマニウム、炭化ケイ素、ガリウム砒素、インジウム砒素、インジウムリン化物、シリコンゲルマニウム炭化物、ガリウム砒素リン化物、ガリウムインジウムリン化物などの複合材料、これらの組み合わせなども使用できる。また、基板コア302は、SOI基板であってもよい。一般に、SOI基板は、エピタキシャルシリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、SOI、SGOI、またはそれらの組み合わせなどの半導体材料の層を含む。基板コア302は、一代替実施形態では、ガラス繊維強化樹脂コアなどの絶縁コアに基づくものである。コア材料の一例は、FR4などのグラスファイバー樹脂である。コア材料の代替品には、ビスマレイミド-トリアジンBT樹脂、あるいは他のPCB材料またはフィルムが含まれる。基板コア302には、ABFなどのビルドアップフィルム又はその他のラミネートを用いることができる。
基板コア302は、能動デバイス及び受動デバイス(図示せず)を含んでもよい。デバイス積層の設計の構造要件及び機能要件を生成するために、トランジスタ、コンデンサ、抵抗器、それらの組み合わせなど、多種多様なデバイスを用いることができる。デバイスは、任意の適切な方法を使用して形成することができる。
また、基板コア302は、金属化層及びビア(図示せず)を有し、接合パッド304は、金属化層及びビアに物理的及び/又は電気的に連結されてもよい。金属化層は、能動デバイスおよび受動デバイスの上に形成することができ、さまざまなデバイスを接続して機能回路を形成するように設計されている。金属化層は、導電性材料の層を相互接続するビアを備えた、誘電体(例えば、lowーk誘電体材料)と導電性材料(例えば、銅)の交互の層から形成され得、また、任意の適切なプロセス(堆積、ダマシン、デュアルダマシンなど)によって形成することができる。いくつかの実施形態では、基板コア302は、能動デバイス及び受動デバイス子を実質的に有していない。
いくつかの実施形態では、導電性コネクタ150をリフローして、第1のパッケージ部品100を接合パッド304に取り付ける。導電性コネクタ150は、基板コア302の金属化層を含むパッケージ基板300と第1のパッケージ部品100とを電気的及び/又は物理的に連結する。いくつかの実施形態では、基板コア302上には、半田レジスト306が形成される。導電性コネクタ150は、半田レジスト306の開口部に配置され、接合パッド304に電気的及び機械的に連結されてもよい。半田レジスト306は、基板202の領域を外部ダメージから保護するために用いることができる。
導電性コネクタ150は、第1のパッケージ部品100がパッケージ基板300に取り付けられた後に残っているエポキシフラックスのエポキシ部分の少なくとも一部とともにリフローされる前に、その上にエポキシフラックス(図示せず)が形成され得る。この残っているエポキシ部分は、アンダーフィルとして作用し、応力を緩和し、導電性コネクタ150のリフローによる接合部を保護することができる。いくつかの実施形態では、第1のパッケージ部品100とパッケージ基板300との間には、導電性コネクタ150を囲むようにアンダーフィル308が形成されてもよい。アンダーフィル308は、第1のパッケージ部品100を取り付けた後にキャピラリーフロープロセスにより形成してもよいし、第1のパッケージ部品100を取り付ける前に適切な堆積方法により形成してもよい。
いくつかの実施形態では、第1のパッケージ部品100(例えば、UBM138)又はパッケージ基板300(例えば、接合パッド304)には、受動デバイス(例えば、表面実装デバイス(SMD)、図示せず)が取り付けられてもよい。例えば、受動デバイスは、導電性コネクタ150として、第1のパッケージ部品100又はパッケージ基板300の同一面に接合されていてもよい。受動デバイスは、第1のパッケージ部品100をパッケージ基板300に実装する前に、パッケージ部品100に取り付けられてもよいし、第1のパッケージ部品100をパッケージ基板300に実装する前又は後にパッケージ基板300に取り付けられてもよい。
別の特徴やプロセスを含んでいてもよい。例えば、3Dパッケージングや3DICデバイスの検証試験を補助するための試験構造を備えていてもよい。試験構造は、例えば、再配線層または基板上に形成された試験パッドを含み得、これにより、3Dパッケージングまたは3DICの試験、プローブおよび/またはプローブカードの使用などが可能になる。検証試験は、最終構造体だけでなく、中間構造体に対して行ってもよい。さらに、本明細書に開示される構造および方法は、歩留まりを向上させ、コストを削減するために、既知の良好なダイの中間検証を組み込んだ試験方法と組み合わせて使用することができる。
これにより、第2のパッケージ部品200と第3のパッケージ部品300とに接合された第1のパッケージ部品100からなる半導体パッケージ400は形成される。第1のパッケージ部品100と第2のパッケージ部品200との間には、第1のパッケージ部品100のダイ50から第2のパッケージ部品200を介した放熱を向上させるために、1つ以上のヒートスプレッダ170が配置されている。ヒートスプレッダ170は、比較的高い熱伝導率、例えば、第1のパッケージ部品100と第2のパッケージ部品200との間の封止材250の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有してもよい。このように、半導体パッケージ400の放熱及びデバイス性能を向上させることができる。例えば、ヒートスプレッダ170を備えることにより、半導体パッケージ400の動作温度を22%以上低下させることができる。
図14A、図14B、図14Cは、それぞれ半導体パッケージ420、430、440の断面図を示す。各半導体パッケージ420、430、440は、パッケージ400と同様であり、同一の参照符号は、同一のプロセスで形成された同一の要素を示している。しかしながら、各半導体パッケージ420、430、440における第2のパッケージ部品200は、第2のパッケージ部品200の基板202に取り付けられる放熱蓋254をさらに備えていてもよい。放熱蓋254は、銅などの比較的高い熱伝導率を有する導電性材料からなり、接着剤、熱伝導材料(TIM)などによって基板202の上面に取り付けられてもよい。基板202は、ヒートスプレッダ170と放熱蓋254とを熱接続する。このように、ダイ50からヒートスプレッダ170及び基板202を介して放熱蓋254に放熱することができる。また、パッケージ420、430、440において、封止材250は、第1のパッケージ部品100と第2のパッケージ部品200との間でのみ形成さればよく、封止材250は、第2のパッケージ部品200の側壁に沿って延在してはならない。
図14Aのパッケージ420は、ヒートスプレッダ170がダイ50と同じ幅であり、ダイ50に隣接する実施形態を示している。また、パッケージ320内のヒートスプレッダ170は基板202に接触し、ヒートスプレッダ170はダイ50と基板202との間の全距離に亘って配置されてもよい。
図14Bのパッケージ430は、ヒートスプレッダ170がダイ50に対して狭くてオフセットされており、各ダイ50に複数のヒートスプレッダ170が取り付けられている実施形態を示している。例えば、パッケージ430において、ヒートスプレッダ170は、ダイ50の側壁と重なっていてもよい。また、パッケージ330内のヒートスプレッダ170は基板202に接触し、ヒートスプレッダ170はダイ50と基板202との間の全距離に亘って配置されていてもよい。
図14Cのパッケージ340は、ヒートスプレッダ170がダイ50と同じ幅であり、ダイ50に隣接する実施形態を示している。また、パッケージ320内のヒートスプレッダ170は、封止材250によって基板202から物理的に分離されていてもよい。例えば、ヒートスプレッダ170がパッケージ200に取り付けられていなくてもよいし、ヒートスプレッダ170の上面と基板202の下面との間に封止材250が形成されていてもよい。ヒートスプレッダ170は基板202に接触しないが、封止材250の内部にヒートスプレッダ170を含むことで、第1のパッケージ部品100と第2のパッケージ部品200との間の放熱が依然として向上する。
図15~図19は、他の実施形態による、半導体パッケージ450を形成するための断面図を示す。パッケージ450は、図12のパッケージ400と同様であり、同一の参照符号は、同一のプロセスで形成された同一の要素を示している。図14は、図4と同様のプロセス段階において、封止材120を形成する前の断面図を示している。例えば、図14では、キャリア基板102上に表面再配線構造122が形成され、表面再配線構造122のコンタクトパッド110A上に貫通ビア116が形成され、表面再配線構造122のコンタクトパッド110Bにダイ50が接合されている。しかし、図14の構造では、ダイ50が貫通ビア116よりも高くなって延在していてもよい。
図16では、各部品の上及び周りには封止材120が形成されている。封止材120は、形成後、貫通ビア116及び集積回路ダイ50の側壁に沿って延在している。封止材430は、成形材、エポキシ等であってもよい。封止材120は、圧縮成形、トランスファー成形などにより塗布され、封止材120内に配置された貫通ビア116及び/又は集積回路ダイ50を介して、キャリア基板102上に形成されてもよい。封止材120は、液状又は半液状で塗布された後、硬化されてもよい。
封止材120は、集積回路ダイ50間の隙間領域に形成されている。しかし、封止材120は、貫通ビア116の上面をカバーしないように堆積されていてもよい。例えば、封止材120を堆積した後、封止材120にパターニング又は平坦化プロセスを施すことなく、貫通ビア116の上面を露出させたままとしてもよい。あるいは、貫通ビア116を埋め込むように封止材120を堆積し、エッチバックプロセスを施して貫通ビア116の上面を露出させてもよい。このような実施形態では、エッチバックプロセスは等方性であってもよい。
いくつかの実施形態では、封止材120は、ダイ50の側壁の少なくとも上部に沿ってフィレットをさらに有していてもよい。図16では、封止材120の上面が貫通ビア116の上面と同じ高さにある場合を示しているが、他の実施形態では、封止材120の上面が貫通ビア116の上面よりも低くなっていてもよい。
図17では、第2のパッケージ部品200は、第1のパッケージ部品100に連結されている。第2のパッケージ部品200の1つは、各パッケージ領域100A、100Bのそれぞれに連結され、第1のパッケージ部品100の各領域に集積回路装置積層を形成する。例えば、導電性コネクタ152をリフローすることにより、第2のパッケージ部品200を貫通ビア116に直接接合してもよい。第2のパッケージ部品200は、図7で説明したものと同様であってもよいので、詳細な説明は省略する。
パッケージ450において、ダイ50は、フィルム154によって第2のパッケージ部品200に直接取り付けられてもよい。フィルム154は、高kポリマー(例えば、高k DAF)、金属(例えば、In、Sn)、TIM、半田ペーストなどであってもよい。例えば、ダイ50の基板52は、フィルム154によって第2のパッケージ部品200の基板202に取り付けられてもよい。基板52は、半導体材料(例えば、比較的高い熱伝導率を有するもの)で構成されているため、第2のパッケージ部品200に近接して配置することで、放熱を容易にすることができる。ダイ50と基板202との間の界面材料として、比較的高い熱伝導率を有する材料(例えば、フィルム154)を用いることで、放熱をさらに向上させることができる。例えば、完成したパッケージの動作温度は、ダイ50を比較的高い熱伝導率の材料で第2のパッケージ部品200に直接取り付けることによって、少なくとも18%低下させることができることが確認された。
図18では、封止材250は、第1のパッケージ部品100と第2のパッケージ部品200との間に、導電性コネクタ152を囲むように形成されている。封止材250は、図8で説明したものと同様の方法及び同様の材料で形成することができる。封止材250は、ダイ50の基板52よりも熱伝導率が低くてもよい。ダイ50はフィルム154によって第2のパッケージ部品200に直接取り付けられているため、封止材250は、ダイ50の上面と基板202の下面との間において、ダイ50の上面に対して垂直に延在していなくてもよい。これにより、放熱を向上させることができる。
図19では、図9~図13に関して前述したものと同様のプロセスを追加して、第1のパッケージ部品100及び第2のパッケージ部品200を個片化して第3のパッケージ部品300に接合してもよい。これにより、第2のパッケージ部品200と第3のパッケージ部品300とに接合された第1のパッケージ部品100からなる半導体パッケージ450は形成される。第1のパッケージ部品100のダイ50の基板52を第2のパッケージ部品200の基板202に直接取り付けて、第1のパッケージ部品100のダイ50から第2のパッケージ部品200への放熱を向上させる。ダイ50の基板52は、比較的高い熱伝導率、例えば、第1のパッケージ部品100と第2のパッケージ部品200との間の封止材250の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有していてもよい。このように、半導体パッケージ450の放熱及びデバイス性能を向上させることができる。例えば、半導体パッケージ450の動作温度を18%低下させることができる。
図20は、半導体パッケージ460の断面図を示す。半導体パッケージ460は、半導体パッケージ450と同様であり、同一の参照符号は、同一のプロセスで形成された同一の要素を示している。しかしながら、半導体パッケージ460における第2のパッケージ部品200は、第2のパッケージ部品200の基板202に取り付けられる放熱蓋254をさらに備えていてもよい。放熱蓋254は、銅などの熱伝導率の高い導電性材料からなり、接着剤、熱伝導材料(TIM)などによって基板202の上面に取り付けられてもよい。基板202は、ダイ50と放熱蓋254とを熱接続する。また、半導体パッケージ460において、封止材250は、第1のパッケージ部品100と第2のパッケージ部品200との間でのみ形成さればよく、封止材250は、第2のパッケージ部品200の側壁に沿って延在してはならない。
図21~図29は、他の実施形態による、半導体パッケージ470を形成するための断面図を示す。パッケージ470は、図12のパッケージ400と同様であり、同一の参照符号は、同一のプロセスで形成された同一の要素を示している。
図20において、キャリア基板102が設けられ、キャリア基板102上に剥離層104が形成されている。剥離層104上には、裏面再配線構造106が形成されていてもよい。図示の実施形態では、裏面再配線構造106は、誘電体層108、金属化パターン110(再配線層又は再配線と呼ばれることもある)、金属化パターン111、及び誘電体層112を含む。金属化パターン110、111は、上述した金属化パターン136と同様のプロセス及び材料で形成することができる。裏面再配線構造106は任意である。いくつかの実施形態では、剥離層104上には、裏面再配線構造106に代えて、金属化パターンが形成されていない誘電体層が形成されていてもよい。
図21では、裏面再配線パターン106を貫通して開口部113がパターニングされている。開口部113のパターニングは、例えば、フォフォトリソグラフィとエッチングとを組み合わせて行うことができる。開口部は、剥離層104を露出していてもよい。
図22では、開口部113にヒートスプレッダ170が形成されている。ヒートスプレッダ170は、例えば、金属化パターン110、111と同様の方法で形成することができる。ヒートスプレッダ170は、銅などの比較的高い熱伝導率を導電性材料で構成されていてもよい。いくつかの実施形態では、ヒートスプレッダは、少なくとも約380 W/m・kの熱伝導率を有していてもよい。いくつかの実施形態では、ヒートスプレッダ170は、ゲート誘電体層112の上面をカバーするように形成され、平坦化プロセスを使用して、ヒートスプレッダ170の余剰部分を除去し、金属化パターン110を露出させることができる。
図23では、金属化パターン110上には貫通ビア116が形成されている。貫通ビア116は、裏面再配線構造106の最上部誘電体層(例えば、誘電体層112)から離間して延在していてもよい。貫通ビア116は、図3で説明されたものと同様のプロセス及び同様の材料で形成することができる。
図24では、集積回路ダイ50(例えば、第1の集積回路ダイ50A及び第2の集積回路ダイ50B)は、接着剤118によってヒートスプレッダ170に接着されている。各パッケージ領域100A及び100Bには、所望の種類及び数量の集積回路ダイ50が接着されている。図示の実施形態では、第1のパッケージ領域100A及び第2のパッケージ領域100Bのそれぞれにおいて、第1の集積回路ダイ50A及び第2の集積回路ダイ50Bを含む複数の集積回路ダイ50が互いに隣接して接着されている。第1の集積回路ダイ50Aは、中央処理装置(CPU)、グラフィックスプロセッシングユニット(GPU)、システムオンチップ(SoC)、マイクロコントローラなどのロジックデバイスであってもよい。第2の集積回路ダイ50Bは、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)チップ、スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)チップ、ハイブリッドメモリキューブ(HMC)モジュール、高帯域メモリ(HBM)モジュールなどの記憶デバイスであってもよい。いくつかの実施形態では、集積回路ダイ50A、50Bは、SOCダイなどの同じ種類のダイであってもよい。第1の集積回路ダイ50Aと第2の集積回路ダイ50Bとは、同じテクノロジーノードのプロセスで形成されてもよいし、異なるテクノロジーノードのプロセスで形成されてもよい。例えば、第1の集積回路ダイ50Aは、第2の集積回路ダイ50Bよりも高度なプロセスノードであってもよい。集積回路ダイ50A、50Bは、異なる大きさ(例えば、異なる高さ及び/又は表面積)を有してもよいし、同じ大きさ(例えば、同じ高さ及び/又は表面積)を有してもよい。第1のパッケージ領域100A及び第2のパッケージ領域100Bにおける貫通ビア116に利用可能なスペースは、特に、集積回路ダイ50がSoCなどのフットプリントの大きいデバイスを含む場合に限定される。裏面再配線構造106の使用は、第1のパッケージ領域100A及び第2のパッケージ領域100Bが貫通ビア116に利用可能な限定されたスペースを有する場合、向上された相互接続配置を可能にする。
接着剤118は、集積回路ダイ50の裏面に設けられ、集積回路ダイ50とヒートスプレッダ170とを接着する。接着剤118は、高kポリマー(例えば、高k DAF)、リフロープロセスにより取り付けされた金属(例えば、In、Sn)、熱伝導材料(TIM)、半田ペーストなどであってもよい。接着剤118は、集積回路ダイ50の裏面に塗布してもよいし、裏面再配線構造106の上面に塗布してもよい。例えば、接着剤118は、集積回路ダイ50を分離するために個片化する前に、集積回路ダイ50の裏面に塗布することができる。接着剤118は、ダイ50からヒートスプレッダ170への放熱を促進するために、比較的高い熱伝導率を有していてもよい。
図26では、各部品の上及び周りには封止材120が形成されている。封止材120は、形成後、貫通ビア116及び集積回路ダイ50を封止する。封止材430は、成形材、エポキシ等であってもよい。封止材120は、圧縮成形、トランスファー成形などにより塗布され、貫通ビア116及び/又は集積回路ダイ50を埋め込むか又はカバーするようにキャリア基板102上に形成されてもよい。さらに、集積回路ダイ50間の隙間領域には、封止材120が形成されている。封止材120は、液状又は半液状で塗布された後、硬化されてもよい。
封止材120に平坦化プロセスを実行して、貫通ビア116及びダイコネクタ66を露出させる。また、平坦化プロセスにより、貫通ビア116、誘電体層68及び/又はダイコネクタ66の材料を、ダイコネクタ66及び貫通ビア116が露出するまで除去してもよい。貫通ビア116、ダイコネクタ66、誘電体層68及び封止材120の上面は、プロセス変動内の平坦化プロセスの後、実質的に同一平面上にある。平坦化プロセスとしては、例えば、化学機械研磨(CMP)法、研削プロセス等を用いることができる。いくつかの実施形態では、例えば、貫通ビア116及び/又はダイコネクタ66が既に露出している場合には、平坦化プロセスを省略してもよい。
図26では、表面再配線構造122は、封止材120、貫通ビア116、及び集積回路ダイ50上に形成されている。表面再配線構造122は、誘電体層124、128、132、136と、金属化パターン126、130、134とを有する。上記メタライズパターンは、再配線層又は再配線と呼ばれることもある。表面再配線構造122は、3層の金属化パターンを有する例を示している。表面側再配線構造350には、より多くの又はより少ない誘電体層やメタライズパターンが形成されていてもよい。表面再配線構造122は、図3で説明したプロセス及び/又は材料を用いて形成することができる。
図27では、表面再配線構造122に外部接続するためのUBM138及び導電性コネクタ150が形成されている。UBM138は、誘電体層136の主表面にあり、それに沿って延在するバンプ部を有し、誘電体層136を貫通して延在するビア部分を有することにより、金属化パターン134を物理的及び電気的に連結する。その結果、UBM138は、貫通ビア116及び集積回路ダイ50に電気的に連結される。UBM138は、金属化パターン126と同じ材料で形成することができる。いくつかの実施形態では、UB138は、金属化パターン126、130及び134とは異なる大きさを有する。
UBM138には、導電性コネクタ150が形成されている。導電性コネクタ150としては、ボールグリッドアレイ(BGA)コネクタ、半田ボール、金属ピラー、制御崩壊チップ接続(C4)バンプ、マイクロバンプ、無電解ニッケル-無電解パラジウム-浸漬金技術(ENAPIG)形成バンプなどを用いることができる。導電性コネクタ150は、半田、銅、アルミニウム、金、ニッケル、銀、パラジウム、スズなどの導電性材料、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。いくつかの実施形態では、導電性コネクタタ150は、蒸着、電解めっき、印刷、半田転写、ボール配置などにより、最初に半田の層を形成することにより形成される。構造上にはんだの層が形成されたら、材料を所望のバンプ形状に成形するためにリフローを実行することができる。他の実施形態では、導電性コネクタ150は、スパッタリング法、印刷法、電解めっき法、無電解メッキ法、CVD法などにより形成された金属ピラー(例えば、銅ピラー)で構成される。金属ピラーは、はんだを含まなくてもよく、実質的に垂直な側壁を有することができる。いくつかの実施形態では、金属キャップ層が金属ピラーの上部に形成される。金属キャップ層は、ニッケル、スズ、スズ鉛、金、銀、パラジウム、インジウム、ニッケル-パラジウム-金、ニッケル-金など、またはそれらの組み合わせを含み得、そしてめっきプロセスによって形成され得る。これにより、裏面再配線構造106と、ヒートスプレッダ170と、貫通ビア116と、ダイ50と、封止材120と、表面再配線構造122と、UBM138と、導電性コネクタ150と、を備える第1のパッケージ部品100が形成される。
図28では、キャリア基板の剥離が実行されて、キャリア基板102を裏面再配線構造106、例えば誘電体層108から取り外す(または「剥離する」)。いくつかの実施形態によれば、剥離は、剥離層104が光の熱の下で分解し、キャリア基板102を除去することができるように、剥離層104上にレーザ光またはUV光などの光を投射することを含む。
また、図28において、開口部115を誘電体層108を通って形成して金属化パターン111の一部を露出させる。開口部115は、例えば、レーザドリル、エッチングなどを用いて形成されてよい。
続いて、第2のパッケージ部品200を、図7に関して上述したのと同様の方法で、第1のパッケージ部品100に取り付ける。例えば、導電性コネクタは、誘電体層108の開口部を通って延在して第1のパッケージ部品100の金属化パターン111と第2のパッケージ部品200とを電気的に接続する。ダイ50から第2のパッケージ部品200への放熱性を向上させるために、ヒートスプレッダ170を、第1のパッケージ部品100のダイ50と第2のパッケージ部品200の基板202との間に配置してよい。
追加の処理(例えば、図8、図12、図13に関して説明したのと同様の処理)を行って、図29のパッケージ470に取得してよい。パッケージ470は、第1のパッケージ部品100の裏面再配線構造106内に形成されたヒートスプレッダ170を含んでよい。ヒートスプレッダ170をダイ50と第2のパッケージ部品200との間に配置することにより、放熱性及びデバイス性能を向上させることができる。
図30は、いくつかの変形例に係る半導体パッケージ480の断面図である。半導体パッケージ480は、半導体パッケージ400と同様であり、同一の参照符号は、同一の工程で形成された同一の要素を示している。しかしながら、半導体パッケージ480内のダイ50は、積層された構成で互いに直接接合されている。いくつかの実施形態では、ダイ50Aは、上述したハイブリッド接合処理によりダイ50Bに直接接合されてよい。例えば、ダイ50Aのパッシベーション層68Aは、誘電体対誘電体接合により金型50Bのパッシベーション層68Bと直接接合されてよく、また、金型50Aのダイコネクタ66Aは、金属対金属接合により金型50Bのダイコネクタ66Bに直接接合されてよい。さらに、ダイ50Bは、ダイ50Bの基板52を通って延在する基板貫通ビア(TSV)70を含んでよい。TSV70は、例えば、ハイブリッド接合構成を用いて、表面再配線層122のコンタクトパッド110Bに直接接合されてよい。
ダイ50A及び50B全ては、パッケージ480内でヒートスプレッダ170に熱的に接続される。例えば、ヒートスプレッダ170は、フィルム168によりダイ50Aの基板52Aに直接取り付けられてよい。さらに、サーマルビア172は、ダイ50Bの導電性コネクタ66Bに形成されてよく、また、サーマルビア172は、ダイ50Bとヒートスプレッダ170とを熱的に接続してよい。いくつかの実施形態では、サーマルビア172は、貫通ビア116と同様の材料及び処理で形成される。いくつかの実施形態では、サーマルビア172は、ダイ50A及び50B内の能動デバイスと電気的に接続されていないダミービアであってよい。これにより、ダイ50A及び50Bに熱的に接続されたヒートスプレッダ170によりパッケージ480内で放熱を実現することができる。また、ダイ50Bから表面再配線構造122を介して放熱することができる。
いくつかの実施形態によると、パッケージは、集積回路(IC)パッケージ部品に接合された、1つ以上のICダイからなるメモリパッケージ部品を含む。いくつかの実施形態では、メモリパッケージ部品とICパッケージ部品との間には、放熱を向上させるために、比較的高い熱伝導率を有するヒートスプレッダが配置されている。例えば、ヒートスプレッダは、ICダイの裏面に取り付けられてもよいし、ICダイからメモリパッケージまで延在してもよい。他の実施形態では、熱放散を向上させるために、ICダイがメモリパッケージに直接取り付けられてもよい。このように、本実施形態に係る半導体パッケージによれば、熱は、ヒートスプレッダを介して、又はICダイをメモリパッケージに直接取り付けることにより、ICダイからヒートシンクに効果的に放散することができる。
いくつかの実施形態では、半導体パッケージは、第1の半導体ダイ、前記第1の半導体ダイの周囲にある第1の封止材、及び前記半導体ダイに電気的に接続された第1の再配線構造を含む第1のパッケージ部品を含む。前記半導体パッケージは、第2の半導体ダイを含む、前記第1のパッケージ部品に接合された第2のパッケージ部品と、前記第1の半導体ダイと前記第2のパッケージ部品との間にあるヒートスプレッダと、前記ヒートスプレッダよりも低い熱伝導率を有する、前記第1のパッケージ部品と前記第2のパッケージ部品との間にある第2の封止材と、を含む。任意選択に、いくつかの実施形態では、前記ヒートスプレッダは、149W/m*k以上の熱伝導率を有する。任意選択に、いくつかの実施形態では、前記ヒートスプレッダは、前記第2のパッケージ部品の基板に接触している。任意選択に、いくつかの実施形態では、前記第2の封止材は、前記ヒートスプレッダの上面と前記第2のパッケージ部品の基板の下面との間に延在している。任意選択に、いくつかの実施形態では、前記ヒートスプレッダは、フィルムにより前記第1の半導体ダイの半導体基板に取り付けられている任意選択に、いくつかの実施形態では、前記フィルムは、高kポリマー、インジウム、スズ、熱伝導材料(TIM)又は半田ペーストを含む任意選択に、いくつかの実施形態では、第2のヒートスプレッダは、前記第1の半導体ダイと前記第2のパッケージ部品との間に配置され、前記第2の封止材は前記ヒートスプレッダと前記第2のヒートスプレッダとの間にある。任意選択に、いくつかの実施形態では、前記半導体パッケージは、前記第2のパッケージ部品の基板の上面に取り付けられた放熱蓋をさらに含み、前記第1のパッケージ部品は、前記第2のパッケージ部品の前記基板の下面に取り付けられている。任意選択に、いくつかの実施形態では、前記第2の封止材は、前記第2のパッケージ部品の側壁に沿って配置されている。
いくつかの実施形態では、半導体パッケージは、第1の半導体基板を含む第1の半導体ダイ、前記第1の半導体ダイの周囲にある第1の封止材、及び前記半導体ダイに電気的に接続された第1の再配線構造を含む第1のパッケージ部品を含む。前記半導体パッケージは、フィルムにより前記第1の半導体基板が直接取り付けられた第2の半導体基板上に第2の半導体ダイを含む、前記第1のパッケージ部品に接合された第2のパッケージ部品と、前記第1のパッケージ部品と前記第2のパッケージ部品との間にある第2の封止材と、をさらに含む。任意選択に、いくつかの実施形態では、前記第2の封止材は、前記第1の半導体基板よりも低い熱伝導率を有する。任意選択に、いくつかの実施形態では、前記フィルムは、高kポリマー、インジウム、スズ、熱伝導材料(TIM)又は半田ペーストを含む任意選択に、いくつかの実施形態では、前記半導体パッケージは、前記第1の封止材の内部に導電性ビアをさらに含み、前記第1の半導体ダイは、前記貫通ビアよりも上方に延在している。任意選択に、いくつかの実施形態では、前記第2の封止材は、前記第1の半導体ダイの上面よりも下方に延在している。
いくつかの実施形態では、方法は、絶縁層内に第1のコンタクトパッド及び第2のコンタクトパッドを含む再配線構造を形成する工程と、前記第2のコンタクトパッド上に貫通ビアを形成する工程と、第1のダイを前記再配線構造に接合する工程であって、前記第1のダイの誘電体層は前記絶縁層に接触し、かつ前記第1のダイの第3のコンタクトパッドは前記第1のコンタクトパッドに接触する工程と、前記第1のダイの前記再配線構造とは反対側の面にヒートスプレッダを取り付ける工程と、第2のダイを含むパッケージ部品を貫通ビアに接合する工程であって、前記ヒートスプレッダは前記第1のダイと前記パッケージ部品との間にある工程と、を含む、方法。任意選択に、いくつかの実施形態では、前記方法は、前記貫通ビア及び前記第1のダイを第1の封止材で封止する工程をさらに含む。任意選択に、いくつかの実施形態では、前記方法は、前記ヒートスプレッダの周囲及び前記第1のダイと前記パッケージ部品との間に、第2の封止材を分配する工程をさらに含み、前記ヒートスプレッダは、前記第2の封止材よりも高い熱伝導率を有する。任意選択に、いくつかの実施形態では、前記方法は、前記ヒートスプレッダの上面と前記パッケージ部品の下面との間に前記第2の封止材を分配する工程をさらに含む。任意選択に、いくつかの実施形態では、前記パッケージ部品を接合する工程は、前記ヒートスプレッダを前記パッケージ部品に接触させる工程を含む。任意選択に、いくつかの実施形態では、前記第1のダイの前記再配線構造とは反対側の面に前記ヒートスプレッダを取り付ける工程は、フィルムにより前記第1のダイの前記面に前記ヒートスプレッダを取り付ける工程を含み、前記フィルムは、高kポリマー、インジウム、スズ、熱伝導材料(TIM)又は半田ペーストを含む。
前述のことは、当業者が本開示の態様をよりよく理解できるように、いくつかの実施形態の特徴を概説している。当業者であれば、本明細書に導入された実施形態の同じ目的を実行し、及び/又は同じ利点を達成するための他のプロセス及び構造を設計又は修正するための基礎として本開示を容易に使用できることを理解できる。当業者であれば、またそのような同等の構造が本開示の精神及び範囲から逸脱せず、本開示の精神及び範囲から逸脱することなく、本明細書において様々な変更、置換、及び改変を行うことができることを理解できる。
Claims (20)
- 第1の半導体ダイ、前記第1の半導体ダイの周囲にある第1の封止材、及び前記半導体ダイに電気的に接続された第1の再配線構造を含む第1のパッケージ部品と、
第2の半導体ダイを含む、前記第1のパッケージ部品に接合された第2のパッケージ部品と、
前記第1の半導体ダイと前記第2のパッケージ部品との間にあるヒートスプレッダと、
前記ヒートスプレッダよりも低い熱伝導率を有する、前記第1のパッケージ部品と前記第2のパッケージ部品との間にある第2の封止材と、
を含む、半導体パッケージ。 - 前記ヒートスプレッダは、149W/m*k以上の熱伝導率を有する、請求項1に記載の半導体パッケージ。
- 前記ヒートスプレッダは、前記第2のパッケージ部品の基板に接触している、請求項1に記載の半導体パッケージ。
- 前記第2の封止材は、前記ヒートスプレッダの上面と前記第2のパッケージ部品の基板の下面との間に延在している、請求項1に記載の半導体パッケージ。
- 前記ヒートスプレッダは、フィルムにより前記第1の半導体ダイの半導体基板に取り付けられている、請求項1に記載の半導体パッケージ。
- 前記フィルムは、高kポリマー、インジウム、スズ、熱伝導材料(TIM)又は半田ペーストを含む、請求項5に記載の半導体パッケージ。
- 第2のヒートスプレッダは、前記第1の半導体ダイと前記第2のパッケージ部品との間に配置され、前記第2の封止材は前記ヒートスプレッダと前記第2のヒートスプレッダとの間にある、請求項5に記載の半導体パッケージ。
- 前記第2のパッケージ部品の基板の上面に取り付けられた放熱蓋をさらに含み、前記第1のパッケージ部品は、前記第2のパッケージ部品の前記基板の下面に取り付けられている、請求項1に記載の半導体パッケージ。
- 前記第2の封止材は、前記第2のパッケージ部品の側壁に沿って配置されている、請求項1に記載の半導体パッケージ。
- 第1の半導体基板を含む第1の半導体ダイ、前記第1の半導体ダイの周囲にある第1の封止材、及び前記半導体ダイに電気的に接続された第1の再配線構造を含む第1のパッケージ部品と、
フィルムにより前記第1の半導体基板が直接取り付けられた第2の半導体基板上に第2の半導体ダイを含む、前記第1のパッケージ部品に接合された第2のパッケージ部品と、
前記第1のパッケージ部品と前記第2のパッケージ部品との間にある第2の封止材と、
を含む、半導体パッケージ。 - 前記第2の封止材は、前記第1の半導体基板よりも低い熱伝導率を有する、請求項10に記載の半導体パッケージ。
- 前記フィルムは、高kポリマー、インジウム、スズ、熱伝導材料(TIM)又は半田ペーストを含む、請求項10に記載の半導体パッケージ。
- 前記第1の封止材の内部に導電性ビアをさらに含み、前記第1の半導体ダイは、前記貫通ビアよりも上方に延在している、請求項10の記載の半導体パッケージ。
- 前記第2の封止材は、前記第1の半導体ダイの上面よりも下方に延在している、請求項10に記載の半導体パッケージ。
- 絶縁層内に第1のコンタクトパッド及び第2のコンタクトパッドを含む再配線構造を形成する工程と、
前記第2のコンタクトパッド上に貫通ビアを形成する工程と、
第1のダイを前記再配線構造に接合する工程であって、前記第1のダイの誘電体層は前記絶縁層に接触し、かつ前記第1のダイの第3のコンタクトパッドは前記第1のコンタクトパッドに接触する工程と、
前記第1のダイの前記再配線構造とは反対側の面にヒートスプレッダを取り付ける工程と、
第2のダイを含むパッケージ部品を貫通ビアに接合する工程であって、前記ヒートスプレッダは前記第1のダイと前記パッケージ部品との間にある工程と、を含む、方法。 - 前記貫通ビア及び前記第1のダイを第1の封止材で封止する工程をさらに含む、請求項15に記載の方法。
- 前記ヒートスプレッダの周囲及び前記第1のダイと前記パッケージ部品との間に、第2の封止材を分配する工程をさらに含み、前記ヒートスプレッダは、前記第2の封止材よりも高い熱伝導率を有する、請求項15に記載の方法。
- 前記ヒートスプレッダの上面と前記パッケージ部品の下面との間に前記第2の封止材を分配する工程をさらに含む、請求項17に記載の方法。
- 前記パッケージ部品を接合する工程は、前記ヒートスプレッダを前記パッケージ部品に接触させる工程を含む、請求項15に記載の方法。
- 前記第1のダイの前記再配線構造とは反対側の面に前記ヒートスプレッダを取り付ける工程は、フィルムにより前記第1のダイの前記面に前記ヒートスプレッダを取り付ける工程を含み、前記フィルムは、高kポリマー、インジウム、スズ、熱伝導材料(TIM)又は半田ペーストを含む、請求項15に記載の方法。
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