WO2021146853A1 - 发光结构、显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种发光结构、显示面板和显示装置。该发光结构包括:发光层;空穴阻挡层,与所述发光层层叠设置;第一电子传输层,位于所述空穴阻挡层远离所述发光层的一侧;以及第二电子传输层,位于所述空穴阻挡层与所述第一电子传输层之间,所述第一电子传输层包括碱金属化合物,所述第二电子传输层中所述碱金属化合物的摩尔浓度小于所述第一电子传输层中所述碱金属化合物的摩尔浓度的1/100。该发光结构可在不提高驱动电压的前提下缓解甚至消除碱金属化合物向发光层扩散的现象,从而可提高发光结构在高温环境下的使用寿命和稳定性。
Description
本公开的实施例涉及一种发光结构、显示面板和显示装置。
随着显示技术的不断发展,显示装置的种类也越来越多。有机电致发光显示器(OLED)由于其具有自发光、亮度高、宽视角、响应速度快、低能耗、可柔性化等优点受到业界广泛的关注。并且,由于有机电致发光显示器不需要额外设置背光模组,具有较轻的重量,从而利于显示装置的轻薄化,因此具有较好的市场前景。
另一方面,随着汽车市场的不断发展,车载显示装置不再单单用于显示简单的参数或地图,而更多地承担了导航、娱乐、智能互动等功能,从而人们对于车载显示装置的显示质量和稳定性也逐渐提高。因此,将有机电致发光显示器(OLED)应用到车载显示装置中具有较好的前景。
发明内容
本公开实施例提供一种发光结构、显示面板和显示装置,该发光结构通过在第一电子传输层和空穴阻挡层之间增加碱金属化合物的摩尔浓度较小的第二电子传输层,从而可缓解甚至消除碱金属化合物向发光层扩散的现象,并且第二电子传输层相对于空穴阻挡层具有较高的迁移率,从而可避免发光结构的驱动电压的增大。由此,该发光结构可在不提高驱动电压的前提下缓解甚至消除碱金属化合物向发光层扩散的现象,从而可提高发光结构在高温环境下的使用寿命和稳定性。
本公开至少一个实施例提供一种发光结构,其包括:发光层;空穴阻挡层,与所述发光层层叠设置;第一电子传输层,位于所述空穴阻挡层远离所述发光层的一侧;以及第二电子传输层,位于所述空穴阻挡层与所述第一电子传输层之间,所述第一电子传输层包括碱金属化合物,所述第二电子传输层中所述碱金属化合物的摩尔浓度小于所述第一电子传输层中所述碱金属化合物的摩尔浓度的1/100。
例如,在本公开一实施例提供的发光结构中,所述第二电子传输层中所述 碱金属化合物的摩尔浓度为零。
例如,在本公开一实施例提供的发光结构中,所述第二电子传输层的迁移率大于所述空穴阻挡层的迁移率。
例如,在本公开一实施例提供的发光结构中,所述第二电子传输层的LUMO能级大于等于所述第一电子传输层的LUMO能级,所述第二电子传输层的LUMO能级小于所述空穴阻挡层的LUMO能级,所述第二电子传输层的LUMO能级与所述空穴阻挡层的LUMO能级之差小于0.3eV。
例如,在本公开一实施例提供的发光结构中,所述第二电子传输层的LUMO能级大于所述第一电子传输层的LUMO能级,所述第二电子传输层的LUMO能级大于所述空穴阻挡层的LUMO能级,所述空穴阻挡层的LUMO能级大于所述发光层的主体材料的LUMO能级。
例如,在本公开一实施例提供的发光结构中,所述空穴阻挡层的迁移率为1×10
-8cm
2/Vs-1×10
-7cm
2/Vs,所述第二电子传输层的迁移率为1×10
-6cm
2/Vs-1×10
-5cm
2/Vs。
例如,在本公开一实施例提供的发光结构中,所述碱金属化合物包括八羟基喹啉-锂、8-羟基喹啉铝(Alq
3)、氟化锂、氮化锂、8-羟基喹啉镓和双[2-(2-羟基苯基-1)-吡啶]铍中的至少之一。
例如,在本公开一实施例提供的发光结构中,所述空穴阻挡层的厚度范围在5-10纳米,所述第一电子传输层的厚度范围为30-40纳米,所述第二电子传输层的厚度范围为5-10纳米。
例如,在本公开一实施例提供的发光结构中,所述第一电子传输层的材料包括2-(4-叔丁基苯基)-5-(4-联苯基)-1,3,4-恶二唑、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的任意一项。
例如,在本公开一实施例提供的发光结构中,所述第二电子传输层的材料包括2-(4-叔丁基苯基)-5-(4-联苯基)-1,3,4-恶二唑、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的任意一项。
例如,在本公开一实施例提供的发光结构中,所述空穴阻挡层的材料包括1-苄基吡啶嗡-3-羧酸盐或者2,4,6-三(1,1'-联苯基)-1,3,5-三嗪,所述发光层的主体材料包括4,4',4'-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N'-二甲基喹吖啶酮、三苯胺、3,3’-(1,3-苯基)双(7-乙氧基-4-甲基香豆素)和4,4'-二(9-咔唑)联苯中的任意一项,所述发光层的掺杂材料包括三(2-苯基吡啶)合铱、二(2-羟基苯基吡啶)合铍和3- 叔丁基-9,10-二(2-萘)蒽中的任意一项。
例如,本公开一实施例提供的发光结构还包括:电子注入层,位于所述第一电子传输层远离所述第二电子传输层的一侧;以及阴极,位于所述电子注入层远离所述第一电子传输层的一侧。
例如,在本公开一实施例提供的发光结构中,所述电子注入层的材料包括所述碱金属化合物。
例如,在本公开一实施例提供的发光结构中,所述阴极的材料包括镁铝合金。
例如,本公开一实施例提供的发光结构还包括:电子阻挡层,位于所述发光层远离所述空穴阻挡层的一侧;空穴传输层,位于所述电子阻挡层远离所述发光层的一侧;空穴注入层,位于所述空穴传输层远离所述电子阻挡层的一侧;以及阳极,位于所述空穴注入层远离所述空穴传输层的一侧。
例如,在本公开一实施例提供的发光结构中,所述阳极的材料包括氧化铟锡,所述电子阻挡层的材料包括3,3'-二(N-咔唑基)-1,1'-联苯或6,9-二(9'-苯基咔唑-3-基)咔唑,所述空穴传输层的材料包括N,N’-双(1-萘基)-N,N’-二苯基-1,1’-二苯基-4,4’-二胺、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、和N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-1,1’-二苯基-4,4’-二胺中的任意一项,所述空穴注入层的材料包括氧化钼、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、2,3,6,7,10,11-六氰中的任意一项。
本公开至少一个实施例还提供一种显示面板,其包括阵列设置的多个发光结构,各所述发光结构为上述任一项所述的发光结构。
本公开至少一个实施例还提供一种显示装置,其包括上述任一项所述的显示面板。
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。
图1为一种有机电致发光显示器(OLED)在高温环境下进行寿命测试的示意图;
图2示出了具有不同厚度的空穴阻挡层的有机电致发光显示器(OLED) 的驱动电压与电流密度的关系图;
图3为根据本公开一实施例提供的一种发光结构的示意图;
图4为根据本公开一实施例提供的一种发光结构中的功能层的能级关系图;
图5为根据本公开一实施例提供的另一种发光结构中的功能层的能级关系图;
图6为根据本公开一实施例提供的另一种发光结构中的功能层的能级关系图;
图7为本公开一实施例提供的发光结构的驱动电压对比图;
图8本公开一实施例提供的发光结构的高温寿命曲线对比图;
图9为根据本公开一实施例提供的显示面板的示意图;以及
图10为根据本公开一实施例提供的显示装置的示意图。
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。
本申请的发明人注意到,考虑到车辆的使用环境,在将有机电致发光显示器(OLED)应用到车载显示装置时,需要有机电致发光显示器(OLED)在高温环境(例如,50-100摄氏度)下也具有较好的稳定性。上述的稳定性包括有机电致发光显示器(OLED)中不同颜色(例如RGB)的发光元件的寿命和不同颜色(例如RGB)合成的白光性能。然而,在高温环境下测试不同颜色的 发光元件的寿命时,开始的亮度容易出现大幅度的升高,升高之后衰减速度更快,从而造成整体的寿命降低;另外,通常的不同颜色(例如RGB)合成的白光性能是在常温条件(例如,20-25摄氏度)下进行调节和优化的,如果不同颜色的发光元件在高温中表现的发光性能变化不一致时,容易导致白光的颜色漂移,出现发红或发青等现象。
图1为一种有机电致发光显示器(OLED)在高温环境下进行寿命测试的示意图。如图1所示,有机电致发光显示器在测试的初期,亮度出现大幅度的升高,然后迅速衰减,从而使得该有机电致发光显示器(OLED)的寿命降低。经研究,本申请的发明人发现,上述现象主要原因是:由于高温可提高电子传输层中八羟基喹啉-锂(LIQ)向发光层扩散的速度,在测试的初期,LIQ扩散到发光层,导致发光层中的载流子增加,从而使得亮度出现大幅度的升高。
本申请的发明人想到可通过增加位于发光层和电子传输层之间的空穴阻挡层厚度来缓解或阻止LIQ的扩散。然而,由于空穴阻挡层的迁移率较低(通常在1*10
-8-1*10
-7cm
2/Vs),增加空穴阻挡层的厚度会导致驱动电压的上升,不利于有机电致发光显示器的性能。图2示出了具有不同厚度的空穴阻挡层的有机电致发光显示器(OLED)的驱动电压与电流密度的关系图。如图2所示,在达到相同的电流密度的情况下,相对于厚度为5纳米的空穴阻挡层的有机电致发光显示器,厚度为15纳米的空穴阻挡层的有机电致发光显示器需要更大的驱动电压。
因此,本公开实施例提供一种发光结构、显示面板和显示装置。该发光结构包括:发光层;空穴阻挡层,与所述发光层层叠设置;第一电子传输层,位于所述空穴阻挡层远离所述发光层的一侧;以及第二电子传输层,位于所述空穴阻挡层与所述第一电子传输层之间,所述第一电子传输层包括碱金属化合物,所述第二电子传输层中所述碱金属化合物的摩尔浓度小于所述第一电子传输层中所述碱金属化合物的摩尔浓度的1/100。该发光结构通过在第一电子传输层和空穴阻挡层之间增加碱金属化合物的摩尔浓度较小的第二电子传输层,从而可缓解甚至消除碱金属化合物向发光层扩散的现象,并且第二电子传输层相对于空穴阻挡层具有较高的迁移率,从而可避免发光结构的驱动电压的增大。由此,该发光结构可在不提高驱动电压的前提下缓解甚至消除碱金属化合物向发光层扩散的现象,从而可提高发光结构在高温环境下的使用寿命和稳定性。
下面,结合附图对本公开实施例提供的发光结构、显示面板和显示装置进行详细的说明。
图3为根据本公开一实施例提供的一种发光结构的示意图。如图3所示,该发光结构100包括发光层110、空穴阻挡层120、第一电子传输层130和第二电子传输层140;空穴阻挡层120与发光层110层叠设置;第一电子传输层130位于空穴阻挡层120远离发光层110的一侧;第二电子传输层140位于空穴阻挡层120与第一电子传输层130之间,第一电子传输层130包括碱金属化合物,第二电子传输层140中碱金属化合物的摩尔浓度小于第一电子传输层130中碱金属化合物的摩尔浓度的1/100。
在本公开实施例提供的发光结构中,第二电子传输层位于空穴阻挡层与第一电子传输层之间,并且第二电子传输层中碱金属化合物的摩尔浓度小于第一电子传输层中碱金属化合物的摩尔浓度的1/100,从而可在不增加空穴阻挡层的厚度的前提下,缓解甚至消除碱金属化合物向发光层扩散的现象,并且第二电子传输层相对于空穴阻挡层具有较高的迁移率,从而可避免发光结构的驱动电压的增大。由此,该发光结构可在不提高驱动电压的前提下缓解甚至消除碱金属化合物向发光层扩散的现象,从而可提高发光结构在高温环境下的使用寿命和稳定性。
需要说明的是,第二电子传输层在设计时可不包括碱金属化合物,然而,在发光结构的制作和使用过程中,第一电子传输层碱金属化合物可少量扩散到第二电子传输层中,从而导致第二电子传输层中具有少量的碱金属化合物,因此第二电子传输层中碱金属化合物的摩尔浓度小于第一电子传输层中碱金属化合物的摩尔浓度的1/100;当然,根据发光结构的制作工艺和使用环境的不同,第二电子传输层中碱金属化合物的摩尔浓度可更小,例如小于第一电子传输层中碱金属化合物的摩尔浓度的1/1000。
例如,第一电子传输层130中可掺杂上述的碱金属化合物,上述的碱金属化合物是作为n型掺杂材料。需要说明的是,本公开实施例对于碱金属化合物在第一电子传输层中密度并不限制。
在一些示例中,上述的第二电子传输层可不包括碱金属化合物,即第二电子传输层中的碱金属化合物的摩尔浓度为零。如此设置,第二电子传输层可更好地缓解甚至消除碱金属化合物向发光层扩散的现象,从而进一步提高发光结构在高温环境下的使用寿命和稳定性。
在一些示例中,第二电子传输层的迁移率大于空穴阻挡层的迁移率,从而可避免发光结构的驱动电压的增大。例如,空穴阻挡层的迁移率为1×10
-8cm
2/Vs-1×10
-7cm
2/Vs,第二电子传输层的迁移率为1×10
-6cm
2/Vs-1×10
-5cm
2/Vs。
在一些示例中,如图3所示,第二电子传输层140和第一电子传输层130和空穴阻挡层120分别接触设置,从而起到缓解碱金属化合物扩散和电子传输的作用。
在一些示例中,如图3所示,该发光结构还包括:电子注入层150,位于第一电子传输层130远离第二电子传输层140的一侧;以及阴极160,位于电子注入层150远离第一电子传输层130的一侧。
在一些示例中,如图3所示,该发光结构还包括:电子阻挡层170,位于所述发光层远离所述空穴阻挡层的一侧;空穴传输层180,位于所述电子阻挡层远离所述发光层的一侧;空穴注入层190,位于所述空穴传输层远离所述电子阻挡层的一侧;以及阳极195,位于所述空穴注入层远离所述空穴传输层的一侧。
图4为根据本公开一实施例提供的一种发光结构中的功能层的能级关系图。如图4所示,第二电子传输层的LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)能级大于(或浅于)第一电子传输层的LUMO能级,第二电子传输层的LUMO能级小于(或深于)空穴阻挡层的LUMO能级,第二电子传输层的LUMO能级与空穴阻挡层的LUMO能级之差小于0.3eV。如此设置,该发光结构可达到既能阻挡碱金属化合物扩散的作用,可解决因高温导致的寿命下降问题,还可优化发光结构的驱动电压的效果。
图5为根据本公开一实施例提供的另一种发光结构中的功能层的能级关系图。如图5所示,第二电子传输层的LUMO能级等于第一电子传输层的LUMO能级,第二电子传输层的LUMO能级小于(或深于)空穴阻挡层的LUMO能级,第二电子传输层的LUMO能级与空穴阻挡层的LUMO能级之差小于0.3eV。如此设置,该发光结构可达到既能阻挡碱金属化合物扩散的作用,可解决因高温导致的寿命下降问题,还可优化发光结构的驱动电压的效果。
图6为根据本公开一实施例提供的另一种发光结构中的功能层的能级关系图。如图6所示,第二电子传输层的LUMO能级大于(或浅于)第一电子传输层的LUMO能级,第二电子传输层的LUMO能级(或浅于)空穴阻挡层的 LUMO能级,空穴阻挡层的LUMO能级大于(或浅于)发光层的主体材料的LUMO能级。如此设置,该发光结构可达到既能阻挡碱金属化合物扩散的作用,可解决因高温导致的寿命下降问题,还可优化发光结构的驱动电压的效果。
图7为本公开一实施例提供的发光结构的驱动电压对比图。图8本公开一实施例提供的发光结构的高温寿命曲线对比图。器件1的具体结构为ITO/MoO3/NPB/mCBP/CBP:MADN/CBP/Bephen:LIQ/LIQ/Mg:Ag;器件2的具体结构为ITO/MoO3/NPB/mCBP/CBP:MADN/BCP/TPBI/Bephen:LIQ/LIQ/Mg:Ag。器件2在空穴阻挡层CBP和第一电子传输层Bphen:LIQ之间增加了第二电子传输层TPBI。如图7所示,相对于器件1,采用本公开实施例提供的发光结构的器件2的驱动电压得到了优化。如图8所示,相对于器件1,采用本公开实施例提供的发光结构的器件2解决了在高温寿命测试中初始亮度大幅度上升的问题。需要说明的是,上述的符号“/”用于分隔不同的功能膜层,上述的符号“:”用于表示合金或掺杂。
在一些示例中,空穴阻挡层的厚度范围在5-10纳米,第一电子传输层的厚度范围为30-40纳米,第二电子传输层的厚度范围为5-10纳米。空穴阻挡层的厚度范围在5-10纳米。
例如,第一电子传输层的材料可选自2-(4-叔丁基苯基)-5-(4-联苯基)-1,3,4-恶二唑(PBD)、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的任意一项。例如,第一电子传输层的主体材料可选自2-(4-叔丁基苯基)-5-(4-联苯基)-1,3,4-恶二唑(PBD)、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的任意一项,第一电子传输层的掺杂材料可为上述的碱金属化合物,例如,8-羟基喹啉锂、8-羟基喹啉铝、氟化锂、氮化锂、8-羟基喹啉镓、或双[2-(2-羟基苯基-1)-吡啶]铍。
例如,第二电子传输层的材料可选自2-(4-叔丁基苯基)-5-(4-联苯基)-1,3,4-恶二唑(PBD)、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的任意一项。需要说明的是,第二电子传输层的材料或主体材料与第一电子传输层的材料或主体材料可以相同,也可以不同,本公开实施例在此不作限制。
值得注意的是,第一电子传输层和第二电子传输层的材料并不限于上述列举的材料。第一电子传输层和第二电子传输层的材料还可选自邻菲罗林衍生物,噁唑衍生物,噻唑衍生物,咪唑衍生物,金属配合物以及蒽的衍生物中的 任意一种或几种。例如,第一电子传输层和第二电子传输层的材料可包括:4,6-双(3,5-二(3-吡啶)基苯基-2-甲基嘧啶)(B3PymPm)。
例如,上述的碱金属化合物可为8-羟基喹啉锂(LIQ);然而,本公开实施例包括但不限于此,碱金属化合物还可为8-羟基喹啉铝(Alq
3)、氟化锂、氮化锂、8-羟基喹啉镓、双[2-(2-羟基苯基-1)-吡啶]铍。
在一些示例中,上述的空穴阻挡层的材料包括2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲或2,4,6-三(1,1'-联苯基)-1,3,5-三嗪。当然,本公开实施例包括但不限于此,空穴传输层的材料也可包括4,4'-N,N'-二咔唑联苯(CBP)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、9,9’-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)、N,N’-双(1-萘基)-N,N’-二苯基-1,1’-二苯基-4,4’-二胺(NPB)、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、4,4-2-[N-(4-咔唑苯基)-N-苯基氨基]联苯(CPB)、N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-1,1’-二苯基-4,4’-二胺(TPD)、以及聚乙烯咔唑或者其单体中的任意一种或几种。
在一些示例中,上述的发光层可为有机发光层。例如,上述的发光层的主体材料可包括4,4',4'-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N,N'-二甲基喹吖啶酮(DMQA)、三苯胺(TPA)、3,3’-(1,3-苯基)双(7-乙氧基-4-甲基香豆素)(mEMCB)和4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)中的一种或多种;上述发光层的掺杂材料可包括三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)
3)、二(2-羟基苯基吡啶)合铍(Be(PP)2)和3-叔丁基-9,10-二(2-萘)蒽(MADN)中的一种或多种。
需要说明的是,发光层根据所使用的有机发光材料的不同,可以发射红光、绿光、蓝光、黄光、白光等。有机发光材料包括荧光发光材料或磷光发光材料中的任意一种,例如可采用掺杂体系,即在主体发光材料中混入掺杂材料得到可用的发光层的材料。磷光发光材料例如包括基于Ir、Pt、Ru、Cu等金属配合物发光材料。例如,红色磷光材料包括八乙基卟啉铂(PtOEP)、双(2-(2'-苯并噻吩基)吡啶-N,C3')(乙酰丙酮)合铱[(btp)
2Ir(acac)]、三(二苯甲酰基甲烷)单(菲罗啉)铕(III)[Eu(dbm)
3(Phen)]、三[1-苯基异喹啉-C2,N]铱(III)(Ir(piq)
3)、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(III)[Ir(piq)
2(acac)]中的任意一种。例如,绿色磷光材料包括三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)
3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱[Ir(ppy)
2(acac)]、三(2-苯基吡啶)合铱(III)(Ir(mppy)
3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱[Ir(FPP)
2(acac)]、三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(Bu-ppy)
3)中的任意一种。另外,发光层的材料还可以包括双主体且进行掺杂的情形,本公开实施例在此不作限 制。
在一些示例中,电子注入层的材料可包括上述的碱金属化合物。当然,本公开实施例包括但不限于此。
在一些示例中,阴极的材料包括镁铝合金。当然,本公开实施例包括但不限次,阴极可也采用其他合适的材料。
在一些示例中,阳极的材料包括氧化铟锡,电子阻挡层的材料包括3,3'-二(N-咔唑基)-1,1'-联苯(mCBP)或6,9-二(9'-苯基咔唑-3-基)咔唑;9,9”-二苯基-3,3':6',3”-三-9H-咔唑(Tris-PCz),空穴传输层的材料包括N,N’-双(1-萘基)-N,N’-二苯基-1,1’-二苯基-4,4’-二胺(NPB)、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、和N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-1,1’-二苯基-4,4’-二胺(TPD)中的任意一项,空穴注入层的材料包括氧化钼(MoO3)、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(F4-TCNQ)、2,3,6,7,10,11-六氰(HAT-CN)中的任意一项。
例如,阴极可包括反射材料,阳极可为半反射材料,从而可使得该发光结构形成底发射型的发光结构。当然,本公开实施例包括但不限于此,阴极也可为半反射材料,阳极采用反射材料。
本公开至少一个实施例还提供一种显示面板。图9为根据本公开一实施例提供的显示面板。如图9所示,该显示面板200包括阵列设置的多个发光结构100,各发光结构100为上述实施例提供的发光结构。由于该发光结构可在不增加空穴阻挡层的厚度的前提下,缓解甚至消除碱金属化合物向发光层扩散的现象,并且可避免发光结构的驱动电压的增大。因此,该显示面板可在不提高驱动电压的前提下缓解甚至消除碱金属化合物向发光层扩散的现象,从而可提高发光结构在高温环境下的使用寿命和稳定性。具体可参见上述的实施例的相关描述。
例如,在一些示例中,如图9所示,该显示面板200还包括衬底基板210,用于承载上述的发光结构100。例如,衬底基板210可为透明基板,例如,玻璃基板、石英基板、塑料基板等。衬底基板210也可为柔性透明基板,例如,聚对苯二甲酸类塑料(PET)基板。
本公开至少一个实施例还提供一种显示装置。图10为根据本公开一实施例提供的显示装置。如图10所示,该显示装置300包括上述的显示面板200。由于该发光结构可在不增加空穴阻挡层的厚度的前提下,缓解甚至消除碱金属 化合物向发光层扩散的现象,并且可避免发光结构的驱动电压的增大。因此,该显示装置可在不提高驱动电压的前提下缓解甚至消除碱金属化合物向发光层扩散的现象,从而可提高发光结构在高温环境下的使用寿命和稳定性。具体可参见上述的实施例的相关描述。
例如,该显示装置可为车载显示装置,例如车载中控显示面板、导航仪或仪表盘。当然,本公开实施例包括但不限于此,该显示装置还可为数码相机、大面积幕墙、广告屏、智能手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
有以下几点需要说明:
(1)本公开实施例附图中,只涉及到与本公开实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。
(2)在不冲突的情况下,本公开同一实施例及不同实施例中的特征可以相互组合。
以上,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (18)
- 一种发光结构,包括:发光层;空穴阻挡层,与所述发光层层叠设置;第一电子传输层,位于所述空穴阻挡层远离所述发光层的一侧;以及第二电子传输层,位于所述空穴阻挡层与所述第一电子传输层之间,其中,所述第一电子传输层包括碱金属化合物,所述第二电子传输层中所述碱金属化合物的摩尔浓度小于所述第一电子传输层中所述碱金属化合物的摩尔浓度的1/100。
- 根据权利要求1所述的发光结构,其中,所述第二电子传输层中所述碱金属化合物的摩尔浓度为零。
- 根据权利要求1所述的发光结构,其中,所述第二电子传输层的迁移率大于所述空穴阻挡层的迁移率。
- 根据权利要求3所述的发光结构,其中,所述第二电子传输层的LUMO能级大于等于所述第一电子传输层的LUMO能级,所述第二电子传输层的LUMO能级小于所述空穴阻挡层的LUMO能级,所述第二电子传输层的LUMO能级与所述空穴阻挡层的LUMO能级之差小于0.3eV。
- 根据权利要求3所述的发光结构,其中,所述第二电子传输层的LUMO能级大于所述第一电子传输层的LUMO能级,所述第二电子传输层的LUMO能级大于所述空穴阻挡层的LUMO能级,所述空穴阻挡层的LUMO能级大于所述发光层的主体材料的LUMO能级。
- 根据权利要求3-5中任一项所述的发光结构,其中,所述空穴阻挡层的迁移率为1×10 -8cm 2/Vs-1×10 -7cm 2/Vs,所述第二电子传输层的迁移率为1×10 -6cm 2/Vs-1×10 -5cm 2/Vs。
- 根据权利要求1-6中任一项所述的发光结构,其中,所述碱金属化合物包括八羟基喹啉-锂、8-羟基喹啉铝(Alq 3)、氟化锂、氮化锂、8-羟基喹啉镓和双[2-(2-羟基苯基-1)-吡啶]铍中的至少之一。
- 根据权利要求1-7中任一项所述的发光结构,其中,所述空穴阻挡层的厚度范围在5-10纳米,所述第一电子传输层的厚度范围为30-40纳米,所述第二电子传输层的厚度范围为5-10纳米。
- 根据权利要求1-8中任一项所述的发光结构,其中,所述第一电子传输层的材料包括2-(4-叔丁基苯基)-5-(4-联苯基)-1,3,4-恶二唑、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的任意一项。
- 根据权利要求1-9中任一项所述的发光结构,其中,所述第二电子传输层的材料包括2-(4-叔丁基苯基)-5-(4-联苯基)-1,3,4-恶二唑、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的任意一项。
- 根据权利要求1-10中任一项所述的发光结构,其中,所述空穴阻挡层的材料包括1-苄基吡啶嗡-3-羧酸盐或者2,4,6-三(1,1'-联苯基)-1,3,5-三嗪,所述发光层的主体材料包括4,4',4'-三(咔唑-9-基)三苯胺、N,N'-二甲基喹吖啶酮、三苯胺、3,3’-(1,3-苯基)双(7-乙氧基-4-甲基香豆素)和4,4'-二(9-咔唑)联苯中的任意一项,所述发光层的掺杂材料包括三(2-苯基吡啶)合铱、二(2-羟基苯基吡啶)合铍和3-叔丁基-9,10-二(2-萘)蒽中的任意一项。
- 根据权利要求1-11中任一项所述的发光结构,还包括:电子注入层,位于所述第一电子传输层远离所述第二电子传输层的一侧;以及阴极,位于所述电子注入层远离所述第一电子传输层的一侧。
- 根据权利要求12所述的发光结构,其中,所述电子注入层的材料包括所述碱金属化合物。
- 根据权利要求12所述的发光结构,其中,所述阴极的材料包括镁铝合金。
- 根据权利要求1-14中任一项所述的发光结构,还包括:电子阻挡层,位于所述发光层远离所述空穴阻挡层的一侧;空穴传输层,位于所述电子阻挡层远离所述发光层的一侧;空穴注入层,位于所述空穴传输层远离所述电子阻挡层的一侧;以及阳极,位于所述空穴注入层远离所述空穴传输层的一侧。
- 根据权利要求15所述的发光结构,其中,所述阳极的材料包括氧化铟锡,所述电子阻挡层的材料包括3,3'-二(N-咔唑基)-1,1'-联苯或6,9-二(9'-苯基咔唑-3-基)咔唑,所述空穴传输层的材料包括N,N’-双(1-萘基)-N,N’-二苯基-1,1’-二苯基-4,4’-二胺、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、和N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-1,1’-二苯基-4,4’-二胺中的任意一项,所述空穴注入层的材料包括氧化钼、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯 胺、2,3,6,7,10,11-六氰中的任意一项。
- 一种显示面板,其中,包括阵列设置的多个发光结构,其中,各所述发光结构为根据权利要求1-16中任一项所述的发光结构。
- 一种显示装置,其中,包括根据权利要求17所述的显示面板。
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