CN110660924B - 一种显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种显示面板和显示装置。所述显示面板包括层叠设置的空穴传输层、发光层和电子传输层;所述显示面板包括平面区和自所述平面区向外延伸的弯折区;所述空穴传输层与所述电子传输层中的至少一个位于所述弯折区部分的载流子迁移率大于位于所述平面区部分的载流子迁移率。本发明实施例能够改善弯折区发暗现象,提升显示均一性。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术,尤其涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,人们对于显示面板的显示性能要求越来越高。
然而,现有的显示面板,弯折区存在较为明显的发暗现象,显示均一性较差,严重影响显示面板的显示效果。
发明内容
本发明提供一种显示面板和显示装置,以改善显示面板弯折区的发暗现象,提升显示均一性。
第一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,所述显示面板包括层叠设置的空穴传输层、发光层和电子传输层;所述显示面板包括平面区和自所述平面区向外延伸的弯折区;所述空穴传输层与所述电子传输层中的至少一个位于所述弯折区部分的载流子迁移率大于位于所述平面区部分的载流子迁移率。
可选的,所述空穴传输层位于所述弯折区部分的载流子迁移率为位于所述平面区部分的载流子迁移率的十倍以上;
优选的,所述空穴传输层位于所述弯折区部分的载流子迁移率为位于所述平面区部分的载流子迁移率的一百倍以下。
可选的,所述电子传输层位于所述弯折区部分的载流子迁移率为位于所述平面区部分的载流子迁移率的十倍以上;
可选的,所述电子传输层位于所述弯折区部分的载流子迁移率为位于所述平面区部分的载流子迁移率的一百倍以下。
可选的,所述空穴传输层位于所述弯折区部分的载流子迁移率大于10-2cm2/V·s,所述空穴传输层位于所述平面区部分的载流子迁移率介于10-4cm2/V·s至10-3cm2/V·s之间;
所述电子传输层位于所述弯折区部分的载流子迁移率大于10-5cm2/V·s,所述电子传输层位于所述平面区部分的载流子迁移率介于10-7cm2/V·s至10-6cm2/V·s之间。
可选的,显示面板还包括:电子阻挡层和空穴阻挡层,所述电子阻挡层设置于所述空穴传输层和所述发光层之间,所述空穴阻挡层设置于所述电子传输层和所述发光层之间;所述电子阻挡层与所述空穴阻挡层中的至少一个位于所述弯折区部分的载流子迁移率大于位于所述平面区部分的载流子迁移率。
可选的,所述空穴传输层与所述电子阻挡层之间的HUMO能级差以及所述电子阻挡层与所述发光层之间的HUMO能级差均小于或等于0.5eV;
所述电子传输层与所述空穴阻挡层的LUMO能级差以及所述空穴阻挡层与所述发光层之间的LUMO能级差均小于或等于0.3eV。
可选的,所述空穴传输层位于所述弯折区部分采用的空穴传输材料包括三芳胺类,咔唑和咪唑类衍生物中的至少一种。
所述电子传输层位于所述弯折区部分采用的电子传输材料包括三嗪类,蒽类和螺二芴类衍生物中的至少一种;
所述空穴传输层位于所述平面区部分采用的空穴传输材料包括吡啶基团,三嗪基团,吡嗪基团和蒽环基团中的至少一种;
所述电子传输层位于所述平面区部分采用的电子传输材料包括三芳胺类,咔唑和咪唑类衍生物中的至少一种。
可选的,显示面板还包括:
电子注入层和空穴注入层;
所述电子注入层设置于所述电子传输层远离所述发光层的一侧,所述空穴注入层设置于所述空穴传输层远离所述发光层的一侧;
所述电子注入层位于所述弯折区部分采用的材料包括电子注入材料和掺杂电子传输材料,所述掺杂电子传输材料为所述电子传输层位于所述弯折区部分包括的电子传输材料;
所述空穴注入层位于所述弯折区部分采用的材料包括空穴注入材料和掺杂空穴传输材料,所述掺杂空穴传输材料为所述空穴传输层位于所述弯折区部分包括的空穴传输材料。
可选的,显示面板还包括封装层,所述封装层设置于所述电子传输层远离所述空穴传输层的一侧;
在所述弯折区,所述封装层远离所述电子传输层的表面的非发光区设置有漫反射结构;所述发光层包括多个子发光层,所述非发光区为相邻所述子发光层之间的区域。
第二方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括第一方面所述的显示面板。
本发明提供的显示面板包括层叠的空穴传输层、发光层和电子传输层;显示面板包括平面区和自所述平面区向外延伸的弯折区;空穴传输层与电子传输层中的至少一个位于弯折区部分的载流子迁移率大于位于平面区部分的载流子迁移率。在相同的电压下,弯折区的发光亮度高于平面区的发光亮度,可以弥补弯折区的与平面区观测视角差异带来的弯折区亮度衰减大于平面区亮度衰减,减小弯折区与平面区的观测亮度差异,也即可以改善显示面板弯折区发暗的现象,提升显示效果。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图4为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图5为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图6为弯折区与平面区白光轨迹结果图;
图7为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
正如背景技术提到的显示面板的弯折区相对于平面区存在发暗现象,发明人经过研究发现,光线在不同视角下亮度存在衰减,在观看者观看显示面板时,弯折区对应的观测视角与平面区对应的观测视角存在差异,使得弯折区与平面区之间光线的亮度衰减程度不同,弯折区的光线衰减较多,因此弯折区相对于平面区的观测亮度偏暗,影响显示面板的显示效果。
基于上述技术问题,本发明提出如下解决方案:
本发明实施例提供一种显示面板,显示面板包括层叠设置的空穴传输层、发光层和电子传输层;显示面板包括平面区和自所述平面区向外延伸的弯折区;空穴传输层与电子传输层中的至少一个位于弯折区部分的载流子迁移率大于位于平面区部分的载流子迁移率。
具体的,通过将空穴传输层与电子传输层中的至少一个位于弯折区部分的载流子迁移率设置为大于位于平面区部分的载流子迁移率,由于弯折区的载流子迁移率较高,只需要较小的电压即可使空穴传输层中的空穴与电子传输层中的电子迁移至发光层中复合,从而使得发光层发光;在相同的电压下,弯折区中空穴传输层中的空穴和/或电子传输层中的电子迁移速度较快,在发光层中复合的效率较高,复合后产生的电子空穴对跃迁而产生的能量较大,也即弯折区的发光亮度高于平面区的发光亮度,可以弥补弯折区的与平面区观测视角差异带来的弯折区亮度衰减大于平面区亮度衰减,减小弯折区与平面区的观测亮度差异,也即可以改善显示面板弯折区发暗的现象,提升显示效果。
同时,相对于现有的显示面板,本实施例中的弯折区红光、绿光和蓝光的亮度均较高,可以改善大视角时由于亮度衰减带来的色偏。
本实施例的技术方案提供的显示面板包括层叠的空穴传输层、发光层和电子传输层;显示面板包括平面区和自所述平面区向外延伸的弯折区;空穴传输层与电子传输层中的至少一个位于弯折区部分的载流子迁移率大于位于平面区部分的载流子迁移率。在相同的电压下,弯折区的发光亮度高于平面区的发光亮度,可以弥补弯折区的与平面区观测视角差异带来的弯折区亮度衰减大于平面区亮度衰减,减小弯折区与平面区的观测亮度差异,也即可以改善显示面板弯折区发暗的现象,提升显示效果。
以下,结合附图对本发明进行详细说明;
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图,参考图1,显示面板包括层叠的空穴传输层101、发光层102和电子传输层103;显示面板包括平面区11和自平面区11向外延伸的弯折区12;空穴传输层101位于弯折区部分1012的载流子迁移率大于位于平面区部分1011的载流子迁移率。
具体的,显示面板还可包括位于空穴传输层101远离发光层102一侧的驱动电路层105和位于电子传输层103远离发光层102一侧的阴极104;发光层102可以包括多个子发光层,一个自发光层与对应的电子传输层、空穴传输层以及阳极(未示出)和阴极104组成一个发光单元,驱动电路层105向显示面板各个发光单元的阳极提供不同的电压信号,阳极与阴极104之间产生电场,在电场的作用下,阳极产生的载流子(空穴)经空穴传输层101向发光层102中移动,阴极104产生的载流子(电子)经电子传输层103同样向发光层102中移动,电子和空穴在发光层102中复合,复合形成的电子空穴对跃迁辐射能量从而使得发光层102发光。
本实施例中,空穴传输层101位于弯折区部分1012的载流子迁移率高于位于平面区部分1011的载流子迁移率,在相同的电压下,弯折区部分1012的空穴传输速率高于平面区部分1011的空穴传输速率,也即弯折区部分1012产生的电子空穴对较多,辐射产生的能量较多,也即弯折区12的发光亮度高于平面区的发光亮度,改善了显示面板弯折区发暗的现象,提升了显示效果。另外,本实施例的方案只需要改变空穴传输层101位于弯折区部分1011的载流子迁移率即可改善色偏以及发暗的现象,无需增加额外的结构等,有利于降低显示面板的制作成本。
可选的,空穴传输层101位于弯折区部分1012的载流子迁移率为位于平面区部分1011的载流子迁移率的十倍以上。
具体的,当空穴传输层101位于弯折区部分1012的空穴迁移率与位于平面区部分1011的空穴迁移率差异较小时,弯折区12增加的发光亮度对弯折区12与平面区11的亮度差异减小的程度较小,对弯折区12的亮度发暗改善程度较小。通过设置空穴传输层101位于弯折区部分1012的空穴迁移率为位于平面区部分1011的空穴迁移率的十倍以上,保证弯折区部分产生电子空穴对的效率与平面区部分产生电子空穴对的效率的差异较大,从而保证弯折区12的亮度增大程度较大,能够较大程度的减小弯折区12与平面区11的亮度差异,较好的改善显示面板发暗的现象,提升显示效果。
可选的,空穴传输层101位于弯折区部分1012的空穴迁移率为位于平面区部分1011的空穴迁移率的10倍至100倍,可使平面区与弯折区的启亮电压差以及相同发光亮度需要的驱动电压差控制在0.2V以内,从而不会使得弯折区的亮度过亮而造成亮度不均的现象。
具体的,空穴传输层101位于弯折区部分1012的载流子迁移率与位于平面区部分1011的载流子迁移率的具体比值可以根据弯折区12与平面区11的亮度差异程度确定,本实施例并不做具体限定,示例性的可以设置空穴传输层101位于弯折区部分1012的载流子迁移率为位于平面区部分1011的载流子迁移率的20倍、30倍、50倍或70倍等。
可选的,空穴传输层101位于弯折区部分1012的载流子迁移率大于10-2cm2/V·s,空穴传输层101位于所述平面区部分1011的载流子迁移率介于10-4cm2/V·s至10-3cm2/V·s之间。
具体的,若载流子迁移率过低,则需要很高的电压才能使得发光层发光,从而造成较大的功耗。通过设置空穴传输层101位于弯折区部分1012的载流子迁移率大于10-2cm2/V·s,空穴传输层101位于所述平面区部分1011的载流子迁移率介于10-4cm2/V·s至10- 3cm2/V·s之间,使得空穴传输层101在弯折区12与平面区11均具有较高的载流子迁移率,在保证改善弯折区12发暗现象的同时,可以降低显示面板的功耗。
可选的,空穴传输层位于弯折区部分采用的空穴传输材料包括三芳胺类,咔唑和咪唑类衍生物中的至少一种;空穴传输层位于平面区部分采用的空穴传输材料包括吡啶基团,三嗪基团,吡嗪基团和蒽环基团中的至少一种。
具体的,三芳胺类,咔唑和咪唑类衍生物均具有成本低,具有良好的空穴传输特性等优势,空穴传输层位于所述弯折区部分采用的材料包括三芳胺类,咔唑或咪唑类衍生物等,在保证弯折区的空穴传输层具有较高的载流子迁移率的同时,降低了显示面板的制作成本。
此外,包括吡啶基团,三嗪基团,吡嗪基团和蒽环基团等的空穴传输材料的空穴迁移率小于三芳胺类,咔唑和咪唑类衍生物等材料,且可以满足空穴传输层位于平面区部分的空穴传输速度需求,保证显示面板的平面区具有较高的发光效率和较低的功耗。
需要说明的是,空穴传输层位于弯折区部分采用的空穴传输材料具体可以包括HT-8、HT-9或者HT-1)等,其结构式可如下三种结构所示。
HT-8:
HT-9:
HT-10:
空穴传输层位于平面区部分采用的空穴传输材料具体可以包括HT-23、HT-24、HT-25或者HT-26等,其结构式可如下四种结构所示。
HT-23:
HT-24:
HT-25:
HT-26:
可选的,图2为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图,参考图2,显示面板包括层叠的空穴传输层101、发光层102和电子传输层103;显示面板包括平面区11和子平面区11向外延伸的弯折区12;电子传输层103位于弯折区部分1032的载流子迁移率大于位于平面区部分1031的载流子迁移率。
具体的,显示面板的发光原理与图1中所示结构的发光原理相同,在此不再赘述。与图1中所示结构不同的是,本实施例中,将电子传输层103位于弯折区部分1032的载流子迁移率设置为大于位于平面区部分1031的载流子迁移率,在相同的电压下,弯折区部分1012的电子传输速率高于平面区部分1011的电子传输速率,也即弯折区部分1012产生的电子空穴对较多,辐射产生的能量较多,也即弯折区12的发光亮度高于平面区11的发光亮度,改善了显示面板弯折区12发暗的现象,提升了显示效果。同时,另外,本实施例的方案只需要增大电子传输层103位于弯折区部分1031的载流子迁移率,即可改善色偏以及发暗的现象,无需增加额外的结构等,有利于降低显示面板的制作成本。
可选的,电子传输层103位于弯折区部分1032的载流子迁移率为位于平面区部分1031部分的载流子迁移率的十倍以上。
具体的,当电子传输层103位于弯折区部分1032的空穴迁移率与位于平面区部分1031的电子迁移率差异较小时,弯折区12增加的发光亮度对弯折区12与平面区11的亮度差异减小的程度较小,对弯折区12的亮度发暗改善程度较小。通过设置电子传输层103位于弯折区部分1032的电子迁移率为位于平面区部分1031的电子迁移率的十倍以上,保证弯折区部分产生电子空穴对的效率与平面区部分产生电子空穴对的效率的差异较大,从而保证弯折区12的亮度增大程度较大,能够较大程度的减小弯折区12与平面区11的亮度差异,较好的改善显示面板发暗的现象,提升显示效果。
可选的,电子传输层103位于弯折区部分1032的载流子迁移率大于10-5cm2/V·s,电子传输层103位于所述平面区部分1031的载流子迁移率介于10-7cm2/V·s至10-6cm2/V·s之间。
具体的,若载流子迁移率过低,则需要很高的电压才能使得发光层发光,从而造成较大的功耗。通过设置电子传输层103位于弯折区部分1032的载流子迁移率大于10-5cm2/V·s,电子传输层103位于所述平面区部分1031的载流子迁移率介于10-7cm2/V·s至10- 6cm2/V·s之间既可保证电子传输层103在弯折区12与平面区11均具有较高的载流子迁移率,在保证改善弯折区12发暗现象的同时,可以降低显示面板的功耗。
可选的,电子传输层103位于所述弯折区部分1032采用三嗪类,蒽类和螺二芴类衍生物中的至少一种;
电子传输层103位于平面区部分1031采用的电子传输材料包括三芳胺类,咔唑和咪唑类衍生物中的至少一种。
具体的,三嗪类,蒽类和螺二芴类衍生物均具有成本低,具有良好的电子传输特性等优势,电子传输层103位于所述弯折区部分1032采用三嗪类,蒽类或螺二芴类衍生物,在保证弯折区的电子传输层具有较高的载流子迁移率的同时,降低了显示面板的制作成本。
此外,三芳胺类,咔唑和咪唑类衍生物的电子迁移率低于用三嗪类,蒽类和螺二芴类衍生物,且可以保证电子传输层位于平面区部分1031的电子传输性能满足平面区11的电子传输速度需求,保证显示面板的平面区11具有较高的发光效率和较低的功耗。
需要说明的是,电子传输层103位于弯折区部分1032采用的材料可以包括ET-22、ET-23、ET-24或者ET-25。其结构式可如下所示。
ET-22:
ET-23:
ET-24:
ET-25:
电子传输层103位于平面区部分1031采用的材料可以包括ET-53、ET-54或者ET-55等,其结构可如下所示。
ET-53:
ET-54:
ET-55:
可选的,图3为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图,参考图3,空穴传输层101位于弯折区部分1012的载流子迁移率为位于平面区部分1011的载流子迁移率的十倍以上;且电子传输层103位于弯折区部分1032的载流子迁移率为位于平面区部分1031的载流子迁移率的十倍以上。
这样设置,弯折区12的空穴传输层101以及电子传输层103的载流子迁移率均高于平面区11对应的载流子迁移率,进一步提高弯折区中电子与空穴复合的效率,也即进一步提高弯折区中电子空穴对跃迁辐射的能量,从而较好的减小弯折区的发光亮度与平面区的发光亮度差异,较好的改善显示面板发暗的现象,提升显示效果。
可选的,空穴传输层101位于弯折区部分1012的载流子迁移率为位于平面区部分1011的载流子迁移率的一百倍以下;且电子传输层103位于弯折区部分1032的载流子迁移率为位于平面区部分1031部分的载流子迁移率的一百倍以下。
这样设置,能够避免空穴传输层101以及电子传输层103的载流子迁移率过高,进而导致弯折区亮度过大,导致弯折区的观测亮度高于平面区的观测亮度,进一步提升了显示面板的显示均一性,提升了显示效果。
可选的,空穴传输层101位于弯折区部分1012的载流子迁移率大于10-2cm2/V·s,空穴传输层101位于所述平面区部分1011的载流子迁移率介于10-4cm2/V·s至10-3cm2/V·s之间;且电子传输层103位于弯折区部分1032的载流子迁移率大于10-5cm2/V·s,电子传输层103位于所述平面区部分1031的载流子迁移率介于10-7cm2/V·s至10-6cm2/V·s之间。
可选的,图4为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图,参考图4,显示面板还包括电子阻挡层201和空穴阻挡层202,电子阻挡层201设置于空穴传输层101和发光层102之间,空穴阻挡层202设置于电子传输层103和发光层102之间;电子阻挡层201与空穴阻挡层202中的至少一个位于弯折区部分的载流子迁移率大于位于平面区部分的载流子迁移率。
具体的,通过设置电子阻挡层201位于弯折区部分2012的空穴迁移率大于电子阻挡层201位于平面区部分2011的空穴迁移率,在弯折区12可以进一步提高空穴由阳极到发光层102的迁移效率,从而提高空穴与电子在发光层102中的复合效率,从而进一步提高弯折区12的亮度,减小弯折区与平面区的观测亮度差异,也即可以进一步改善显示面板弯折区发暗的现象,提升显示效果。
通过设置空穴阻挡层202位于弯折区部分2021的电子迁移率大于空穴阻挡层2022位于平面区部分2021的电子迁移率,在弯折区12可以进一步提高电子由阴极到发光层102的迁移效率,进而提高电子与空穴在发光层102中的复合效率,进一步提高弯折区12的亮度,减小弯折区与平面区的观测亮度差异,也即可以进一步改善显示面板弯折区发暗的现象,提升显示效果。
需要说明的是,可以仅设置电子阻挡层201位于弯折区部分2012的空穴迁移率大于位于平面区部分2011的空穴迁移率,也可以仅设置空穴阻挡层202位于弯折区部分2022的电子迁移率大于位于平面区部分2021的电子迁移率,也可以同时设置电子阻挡层201位于弯折区部分2012的空穴迁移率与空穴阻挡层202位于弯折区部分2022的电子迁移率均大于位于平面区部分。
可选的,空穴传输层101与电子阻挡层201之间的HUMO能级差以及电子阻挡层201与发光层102之间的HUMO能级差均小于或等于0.5eV;电子传输层103与空穴阻挡层202的LUMO能级差以及空穴阻挡层202与发光层102之间的LUMO能级差均小于或等于0.3eV。
具体的,若空穴传输层101与电子阻挡层201之间的HUMO能级差或电子阻挡层201与发光层102之间的HUMO能级差较大,空穴传输时需要跨越较大的能级差,不利于空穴的传输,通过设置空穴传输层101与电子阻挡层201之间的HUMO能级差以及电子阻挡层201与发光层102之间的HUMO能级差均小于或等于0.5eV,使得空穴在传输过程中的在各层的注入势垒均较小,能够进一步提高空穴的传输速度,从而提高弯折区的亮度,进一步减小弯折区与平面区的亮度差异,提升显示面板的显示质量。
此外,若电子传输层103与空穴阻挡层202的LUMO能级差或空穴阻挡层202与发光层102之间的LUMO能级差较大,电子传输时需要跨越较大的能级差,不利于电子的传输,通过设置电子传输层103与空穴阻挡层202的LUMO能级差以及空穴阻挡层202与发光层102之间的LUMO能级差均小于或等于0.3eV,使得电子在传输过程中在各层的注入势垒均较小,进一步提高电子的传输速度,从而提高弯折区的亮度,进一步减小弯折区与平面区的亮度差异,提升显示面板的显示质量。
可选的,继续参考图4,显示面板还包括电子注入层203和空穴注入层204;电子注入层203设置于电子传输层103远离发光层102的一侧,空穴注入层204设置于空穴传输层101远离发光层102的一侧;电子注入层203位于弯折区12的部分采用的材料包括电子注入材料和掺杂电子传输材料,掺杂电子传输材料为所述电子传输层103位于弯折区部分包括的电子传输材料;空穴注入层204位于弯折区12的部分采用的材料包括空穴注入材料和掺杂空穴传输材料,掺杂空穴传输材料为空穴传输层101位于弯折区部分包括的空穴传输材料。
具体的,通过在电子注入层203中添加掺杂电子传输材料,一方面,能够降低电子注入层203与电子传输层103之间的界面势垒,从而提高电子从电子注入层203注入到电子传输层103中的注入效率,另一方面,使得电子注入层203位于弯折区12的部分既具有电子注入材料的高电子注入效率,又具有掺杂电子传输材料的高电子传输速度的性能,使得电子注入层203可以配合电子传输层103提高电子传输速度,进一步提高弯折区的亮度,进而进一步减小弯折区与平面区的亮度差异。
此外,通过在空穴注入层204中添加掺杂空穴传输材料,一方面,能够降低空穴注入层204与空穴传输层101之间的界面势垒,从而提高空穴从空穴注入层204注入到空穴传输层101中的注入效率,另一方面,使得空穴注入层204位于弯折区12的部分既具有空穴注入材料的高空穴注入效率,又具有掺杂空穴传输材料的高空穴传输速度的性能,使得空穴注入层204可以配合空穴传输层101提高空穴传输速度,从而提高弯折区的亮度,进而进一步减小弯折区与平面区的亮度差异。
可选的,图5为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图,参考图5,显示面板还包括封装层301,封装层301设置于电子传输层103远离空穴传输层101的一侧;在弯折区,封装层301远离电子传输层103的表面的非发光区121设置有漫反射结构;发光层102包括多个子发光层122,非发光区121为相邻子发光层122之间的区域。
具体的,由于显示面板的弯折区12存在一定的弯折形变,弯折区12中发光单元的子发光层122发出的光在封装层301中发生反射或者折射后,容易出现部分光线从相邻发光单元出射的现象,这样会对相邻发光单元的出光造成干扰,导致单个发光单元的发光色纯度下降,使得弯折区12存在色偏。通过设置封装层301远离电子传输层103的表面的非发光区121设置有漫反射结构,子发光层122发出的光经过漫反射结构后发生漫反射,光线被四处发散雾化,无法发生折射或聚集,从而无法从相邻发光单元射出,因此可避免从弯折区12发光单元出射的光干扰相邻发光单元,提高单个发光单元的色纯度,改善显示面板的弯折区色偏,进一步提升显示面板的显示效果。
需要说明的是,漫反射结构可以通过采用等离子体轰击封装层301的表面,使其表面粗糙度增大形成。
发明人本实施例的方案进行了实验验证,采用本实施例的技术方案,将电子传输层位于弯折区部分的载流子迁移率设置为位于平面区部分的载流子迁移率的十倍,平面区和弯折区在各个视角下的色坐标(CIEX、CIEY)、亮度(L)、与0视角亮度的亮度比值(L%)以及与0视角的最小可视差(JNCD)分别如表1和表2所示。
表1
表2
图6为弯折区与平面区白光轨迹结果图,结合表1、表2以及图6,将电子传输层位于弯折区部分的电子迁移率设置为平面区部分的电子迁移率的10倍后,同一视角下弯折区与平面区的亮度差异较小,且其白光轨迹更为接近,也即色偏现象不明显,提升了显示效果。
本发明实施例还提供了一种显示装置,图7为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图,参考图7,显示装置20包括上述本实施例所述的显示面板19,因此本发明实施例提供的显示装置20也具备上述实施例所描述的有益效果,此处不再赘述。示例性的,显示装置20可以是手机、电脑或电视等电子显示设备。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (9)
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括层叠设置的空穴传输层、发光层和电子传输层;所述显示面板包括平面区和自所述平面区向外延伸的弯折区;所述空穴传输层与所述电子传输层中的至少一个位于所述弯折区部分的载流子迁移率大于位于所述平面区部分的载流子迁移率;
封装层,所述封装层设置于所述电子传输层远离所述空穴传输层的一侧;
在所述弯折区,所述封装层远离所述电子传输层的表面的非发光区设置有漫反射结构;所述发光层包括多个子发光层,所述非发光区为相邻所述子发光层之间的区域。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述空穴传输层位于所述弯折区部分的载流子迁移率为位于所述平面区部分的载流子迁移率的十倍以上;
所述空穴传输层位于所述弯折区部分的载流子迁移率为位于所述平面区部分的载流子迁移率的一百倍以下。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,所述电子传输层位于所述弯折区部分的载流子迁移率为位于所述平面区部分的载流子迁移率的十倍以上;
所述电子传输层位于所述弯折区部分的载流子迁移率为位于所述平面区部分的载流子迁移率的一百倍以下。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述空穴传输层位于所述弯折区部分的载流子迁移率大于10-2cm2/V·s,所述空穴传输层位于所述平面区部分的载流子迁移率介于10-4cm2/V·s至10-3cm2/V·s之间;
所述电子传输层位于所述弯折区部分的载流子迁移率大于10-5cm2/V·s,所述电子传输层位于所述平面区部分的载流子迁移率介于10-7cm2/V·s至10-6cm2/V·s之间。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
电子阻挡层和空穴阻挡层,所述电子阻挡层设置于所述空穴传输层和所述发光层之间,所述空穴阻挡层设置于所述电子传输层和所述发光层之间;
所述电子阻挡层与所述空穴阻挡层中的至少一个位于所述弯折区部分的载流子迁移率大于位于所述平面区部分的载流子迁移率。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于:
所述空穴传输层与所述电子阻挡层之间的HUMO能级差以及所述电子阻挡层与所述发光层之间的HUMO能级差均小于或等于0.5eV;
所述电子传输层与所述空穴阻挡层的LUMO能级差以及所述空穴阻挡层与所述发光层之间的LUMO能级差均小于或等于0.3eV。
7.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述空穴传输层位于所述弯折区部分采用的空穴传输材料包括三芳胺类,咔唑和咪唑类衍生物中的至少一种;
所述电子传输层位于所述弯折区部分采用的电子传输材料包括三嗪类,蒽类和螺二芴类衍生物中的至少一种;
所述空穴传输层位于所述平面区部分采用的空穴传输材料包括吡啶基团,三嗪基团,吡嗪基团和蒽环基团中的至少一种;
所述电子传输层位于所述平面区部分采用的电子传输材料包括三芳胺类,咔唑和咪唑类衍生物中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
电子注入层和空穴注入层;
所述电子注入层设置于所述电子传输层远离所述发光层的一侧,所述空穴注入层设置于所述空穴传输层远离所述发光层的一侧;
所述电子注入层位于所述弯折区部分采用的材料包括电子注入材料和掺杂电子传输材料,所述掺杂电子传输材料为所述电子传输层位于所述弯折区部分包括的电子传输材料;
所述空穴注入层位于所述弯折区部分采用的材料包括空穴注入材料和掺杂空穴传输材料,所述掺杂空穴传输材料为所述空穴传输层位于所述弯折区部分包括的空穴传输材料。
9.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-8任一项所述的显示面板。
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