CN111416052A - 显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示面板和显示装置。所述显示面板包括主显示区和副显示区；所述主显示区和副显示区分别包括多种颜色光发光层和与每一种颜色光发光层分别相邻设置的至少一个功能层；至少位于所述副显示区中的至少一种颜色光发光层，和/或，与所述至少一种颜色光发光层相邻设置的所述至少一个功能层中掺杂有金属纳米粒子；所述至少一种颜色光发光层为一种时，为第一颜色光发光层；其中，所述第一颜色光的亮度衰减速度大于其他颜色光的亮度衰减速度。本发明实施例能够改善显示面板的色偏问题。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术，尤其涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，显示面板的应用越来越广泛，相应地对显示面板性能的要求也越来越高。
然而，现有的显示面板弯折区存在较为明显的色偏现象，严重影响显示面板的显示效果。
发明内容
本发明提供一种显示面板和显示装置，以改善显示面板弯折区的色偏现象，提升显示效果。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括主显示区和副显示区；所述主显示区和副显示区分别包括多种颜色光发光层和与每一种颜色光发光层分别相邻设置的至少一个功能层；至少位于所述副显示区中的至少一种颜色光发光层，和/或，与所述至少一种颜色光发光层相邻设置的所述至少一个功能层中掺杂有纳米粒子；所述至少一种颜色光发光层为一种时，为第一颜色光发光层；其中，所述第一颜色光的亮度衰减速度大于其他颜色光的亮度衰减速度。
可选地，所述副显示区中的所述至少一种颜色光发光层为多种时，包括第一颜色光发光层、第二颜色光发光层；对应掺杂在所述第一颜色光发光层，和/或，所述第一颜色光发光层相邻设置的至少一个功能层中的第一纳米粒子、掺杂在所述第二颜色光发光层，和/或，所述第二颜色光发光层相邻设置的至少一个功能层中的第二纳米粒子。
可选地，所述至少一个功能层包括电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的一种或多种。
可选地，所述第一颜色光的亮度衰减速度大于第二颜色光的亮度衰减速度，所述第一纳米粒子的尺寸大于等于所述第二纳米粒子的尺寸，和/或，所述纳米粒子的掺杂密度与颜色光的亮度衰减速度呈反比；所述第一纳米粒子的掺杂密度大于所述第二纳米粒子的掺杂密度。
可选地，位于所述副显示区的相同颜色光发光层，和/或，与所述相同颜色光发光层相邻设置的所述至少一个功能层中掺杂的纳米粒子的掺杂密度沿远离所述主显示区的方向逐渐增大。
可选地，所述显示面板还包括在所述主显示区中的至少一种颜色光发光层，和/或，与至少一种颜色光发光层相邻设置的至少一个功能层中掺杂金属纳米粒子；且位于所述主显示区的相同颜色光发光层，和/或，与所述相同颜色光发光层相邻设置的所述至少一个功能层中掺杂的纳米粒子的掺杂密度小于位于所述副显示区中的相同颜色光发光层，和/或，与所述相同颜色光发光层相邻设置的所述至少一个功能层中掺杂的纳米粒子的最小掺杂密度。
可选地，所述副显示区中的所述至少一种颜色光发光层为多种时，还包括第三颜色光发光层；对应掺杂在所述第三颜色光发光层，和/或，所述第三颜色光发光层相邻设置的至少一个功能层中的第三纳米粒子。
可选地，所述第一颜色光的亮度衰减速度大于第二颜色光的亮度衰减速度，所述第二颜色光的亮度衰减速度大于第三颜色光的亮度衰减速度；所述第一纳米粒子的尺寸大于等于所述第二纳米粒子的尺寸，所述第二纳米粒子的尺寸大于等于所述第三纳米粒子的尺寸，和/或，所述纳米粒子的掺杂密度与颜色光的亮度衰减速度呈反比；所述第一纳米粒子的掺杂密度大于所述第二纳米粒子的掺杂密度，所述第二纳米粒子的掺杂密度大于所述第三纳米粒子的掺杂密度。
可选地，所述纳米粒子为金属纳米粒子包括银、金中的一种或多种，和/或，所述纳米粒子为石墨纳米粒子，的掺杂密度范围为10％-25％。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括第一方面所述的显示面板。
本实施例的技术方案，采用的显示面板包括主显示区和副显示区；主显示区和副显示区分别包括多种颜色光发光层和与每一种颜色光发光层分别相邻设置的至少一个功能层；至少位于副显示区中的至少一种颜色光发光层，和/或，与至少一种颜色光发光层相邻设置的至少一个功能层中掺杂有纳米粒子；其中，至少一种颜色光发光层为一种时，为第一颜色光发光层，第一颜色光的亮度衰减速度大于其他颜色光亮度衰减速度。至少一种颜色光发光层，和/或，与至少一种颜色光发光层相邻设置的至少一个功能层中掺杂有纳米粒子，利用纳米粒子的表面等离子增强发射的原理，增强第一颜色光的发光，进而减小第一颜色光的亮度与其他颜色光的亮度在大视角下的亮度差异，进而改善色偏现象，提升显示效果。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种显示面板的膜层结构示意图；
图3为本发明实施例提供的又一种显示面板的膜层结构示意图；
图4为本发明实施例提供的又一种显示面板的膜层结构示意图；
图5为本发明实施例提供的又一种显示面板的膜层结构示意图；
图6为本发明实施例提供的又一种显示面板的膜层结构示意图；
图7为本发明实施例提供的又一种显示面板的膜层结构示意图；
图8为本发明实施例提供的又一种显示面板的膜层结构示意图；
图9为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
正如背景技术中提到的现有的显示面板弯折区存在色偏的现象，发明人经过仔细研究发现，产生此技术问题的原因在于：光线在不同视角下亮度存在衰减，且不同颜色的光随视角增大衰减速度不同，而在观看者观看显示面板时，如观看者在正视平面区时，弯折区相当于是大视角(大体为40°～70°)，弯折区中不同颜色子像素发出的光衰减程度不一致，如在正视角下显示面板的多种子像素发光混合后为白光，在大视角下若红光衰减较多，而其他颜色光衰减较少，导致弯折区出现色偏现象。
基于上述技术问题，本发明提出如下解决方案：
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，图2为本发明实施例提供的一种显示面板的膜层结构示意图，参考图1和图2，显示面板10包括主显示区PA和副显示区WA；主显示区PA和副显示区WA分别包括多种颜色光发光层和与每一种颜色发光层分别相邻设置的至少一个功能层；至少位于副显示区WA中的至少一种颜色光发光层，和/或，与至少一种颜色光发光层相邻设置的至少一个功能层中掺杂有纳米粒子，其中，至少一种颜色光发光层为第一颜色光发光层，第一颜色光的亮度衰减速度大于其他颜色光亮度衰减速度。
具体地，显示面板10可为OLED(OrganicLight-Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板，其发光原理为：阳极产生的空穴和阴极产生的电子在发光层中复合产生激子，激子不稳定，退激从而使得发光分子发光；主显示区PA可为显示面板中不易发生色偏的区域，如平面区，副显示区WA可为显示面板中容易发生色偏的区域，如弯折区，第一颜色光的亮度衰减速度大于其他颜色光亮度衰减速度可理解为随着视角的增大，第一颜色光亮度衰减速度大于其他颜色光的亮度衰减速度；或者不同颜色光亮度随显示面板使用时间长短衰减速度不一致，如使用时间过长后，第一颜色光亮度相对于使用时间较短时衰减较多，而其他颜色光亮度相对于使用时间较短时衰减较少，这样即使在相同视角下也会发现较为明显的色偏现象。
在本实施例中，功能层用于提高发光层中载流子的复合效率，从而提高显示面板的发光效率，图2中示例性的示出了至少一个功能层包括第一功能层104和第二功能层106两个功能层；显示面板10中可包括三种不同颜色光发光层，如红色子像素101对应的第一颜色光发光层1051、绿色子像素102对应的第二颜色光发光层1052和蓝色子像素103对应的第三颜色光发光层1053，其中，第一颜色光发光层1051用于使得电子和空穴在其内部复合，形成激子，进而产生第一颜色光发射；第二颜色光发光层1052用于使得电子和空穴在其内部复合，形成激子，进而产生第二颜色光发射；第三颜色光发光层1053用于使得电子和空穴在其内部复合，形成激子，进而产生第三颜色光发射；三种颜色光发光层的发光波长不同，随着视角的增大，波长较长的光亮度衰减速度大于波长较短的光亮度衰减速度，由于红光波长范围为622nm-780nm，绿光波长范围为492nm-577nm，蓝光波长范围为455nm-492nm，红光的波长大于绿光波长以及蓝光波长，第一颜色光发光层1051的发光亮度衰减最快，则此时第一颜色光即为红光，通过在至少一个功能层和第一颜色光发光层1051中的至少一个掺杂纳米粒子201，利用纳米粒子的表面等离子增强发射的原理，增强第一颜色光发光层1051的发光亮度，进而第一颜色光发光层1051的发光亮度与其他颜色光发光层的发光亮度在大视角下的亮度差异，进而改善色偏现象，提升显示效果。
需要说明的是，图2中仅示例性的示出了纳米粒子201掺杂在第一功能层104中，本实施例中，只要纳米粒子201掺杂在第一功能层104、第一颜色光发光层1051和第二功能层106中的至少一个即可。另外，显示面板的第一功能层104和第二功能层106既可以是整层的结构，也可以是每个子像素对应一个第一功能层和第二功能层的独立结构，以避免载流子横向迁移导致的漏光现象。且本实施例中以显示面板中包括第一颜色光发光层(对应红色子像素)、第二颜色光发光层(对应绿色子像素)和第三颜色光发光层(对应蓝色子像素)，且随视角增大时第一颜色光发光层的发光亮度衰减最快为例进行说明，在其它一些实施方式中，如显示面板结构改变时，随视角增大时亮度衰减速度最快的也可能是绿色子像素或蓝色子像素，此时第一颜色光相应地为绿光或蓝光，可通过将纳米粒子掺杂在绿光或蓝光对应的区域，进而提升相应颜色光发光层的发光亮度。
本实施例的技术方案，采用的显示面板包括主显示区和副显示区；主显示区和副显示区分别包括多种颜色光发光层和与每一种颜色光发光层分别相邻设置的至少一个功能层；至少位于副显示区中的至少一种颜色光发光层，和/或，与至少一种颜色光发光层相邻设置的至少一个功能层中掺杂有纳米粒子；其中，至少一种颜色光发光层为一种时，为第一颜色光发光层，第一颜色光的亮度衰减速度大于其他颜色光亮度衰减速度。至少一种颜色光发光层，和/或，与至少一种颜色光发光层相邻设置的至少一个功能层中掺杂有纳米粒子，利用纳米粒子的表面等离子增强发射的原理，增强第一颜色光的发光，进而减小第一颜色光的亮度与其他颜色光的亮度在大视角下的亮度差异，进而改善色偏现象，提升显示效果。
可选地，纳米粒子为金属纳米粒子包括金、银中的一种或多种，和/或，纳米粒子为石墨纳米粒子。
具体地，金纳米粒子或银纳米粒子等贵金属的纳米粒子或者石墨纳米粒子在可见光波段能够显示出很强的光吸收，可以检测出共振吸收光谱，其吸收光谱由纳米粒子的尺寸等决定。表面等离子共振导致纳米粒子表面附近的特定波长处的局部电磁场增强，该特定波长与吸收光谱有关，通过激子与表面等离子体激元之间的耦合，加速激子的自发辐射速率，从而极大地提高相应颜色光发光层的发光亮度。需要说明的是，可通过调整掺杂纳米粒子的尺寸、形状、密度等，进而调整纳米粒子吸收光谱的峰值，使得掺杂的纳米粒子在相应尺寸、密度下增强对应的颜色光发光层的发光亮度。
可选地，至少一个功能层包括电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的一种或多种。
具体地，图3为本发明实施例提供的又一种显示面板的膜层结构示意图，图4为本发明实施例提供的又一种显示面板的膜层结构示意图，图5为本发明实施例提供的又一种显示面板的膜层结构示意图。
参考图3至图5，图3中的显示面板包括层叠的第一电极301、空穴注入层、发光层、电子注入层和第二电极302，此时第一功能层104为空穴注入层，第二功能层106为电子注入层，其中，第一电极301可为阳极，阳极材料可以是ITO，第二电极302可为阴极，阴极材料可以是镁银合金，空穴注入层可以提高空穴注入效率，电子注入层可以提高电子注入效率，进而提高载流子在发光层中的复合效率；图4中的结构包括层叠的第一电极301、空穴注入层303、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层304和第二电极302，此时第一功能层104为空穴注入层303、空穴传输层中的一种或两种，优选为空穴传输层；第二功能层106为电子传输层、电子注入层中的一种或两种，优选为电子传输层。电子传输层能够使得电子由电子注入层注入到发光层中，空穴传输层能够使得空穴由空穴注入层注入到发光层中，从而提高载流子在发光层中的复合效率；图5中所示的结构包括层叠的第一电极301、空穴注入层303、空穴传输层305、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层306、电子注入层304和第二电极302，此时第一功能层104为空穴注入层303、空穴传输层305、电子阻挡层中的一种或多种，优选为电子阻挡层，所述电子阻挡层避免阴极302产生的电子穿过发光层到达空穴传输层，第二功能层106为空穴阻挡层、电子传输层306、电子注入层304中的一种或多种，优选为空穴阻挡层，所述空穴阻挡层避免阳极301产生的空穴穿过发光层到达电子传输层，从而提高载流子在发光层中的复合效率。
需要说明的是，在其他实施例中，显示面板还可以是其他膜层结构，只要功能层能够提高载流子在发光层中的复合效率即可；当显示面板只包括一层功能层时，该功能层可为空穴传输层、空穴注入层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子注入层或电子传输层中的一层。在其它一些实施方式中，如显示面板中发光层仅一侧接触功能层，而另一侧接触电极(阴极或阳极)，则也可在相应电极中掺杂金属纳米粒子，从而达到增强该种颜色光发光亮度的效果。
可选地，图6为本发明实施例提供的又一种显示面板的膜层结构示意图，参考图6，
可选地，副显示区WA中的至少一种颜色光发光层为多种时，包括第一颜色光发光层和第二颜色光发光层；对应掺杂在第一颜色光发光层，和/或，第一颜色光发光层相邻设置的至少一个功能层中的第一纳米粒子、掺杂在第二颜色光发光层，和/或，第二颜色光发光层相邻设置的至少一个功能层中的第二纳米粒子。
示例性地，第一颜色光的亮度衰减速度大于第二颜色光的亮度衰减速度，第一纳米粒子的尺寸大于或等于第二纳米粒子的尺寸，和/或，纳米粒子的掺杂密度与颜色光的亮度衰减速度呈反比，第一纳米粒子的掺杂密度大于第二纳米粒子的掺杂密度。当第一纳米粒子的尺寸大于第二纳米粒子的尺寸时，第二纳米粒子可用于增强第二颜色光发光层的发光亮度，从而增强显示面板的整体发光亮度，提高显示效果；当第一纳米粒子的尺寸等于第二纳米粒子的尺寸时，第二纳米粒子不会增强第二颜色光发光层的发光亮度，此时可利用同一工艺掺杂第一纳米粒子及第二纳米粒子，等效于纳米粒子的掺杂范围较大，对掺杂的精度要求较低，从而降低掺杂难度。当第一纳米粒子的尺寸大于第二纳米粒子的尺寸时，可设置第一纳米粒子的掺杂密度大于第二纳米粒子的掺杂密度，这样设置，可保证第一颜色光发光层发光亮度的增强幅度大于第二颜色光发光层发光亮度的增强幅度，进而保证显示面板观看者在正视显示面板时，观看到的弯折区中第一颜色子像素的发光亮度与第二颜色子像素的发光亮度相同，也即避免了由于第一颜色光发光层发光亮度衰减过快而导致的色偏现象。
可选地，位于副显示区的相同颜色光发光层，和/或，与所述相同颜色光发光层相邻设置的所述至少一个功能层中掺杂的纳米粒子的掺杂密度沿远离主显示区的方向逐渐增大。
具体地，对于具有弯折区的显示面板，弯折区为副显示区，平面区为主显示区，且弯折区位于平面区的两侧或边缘，在观看者正视显示面板时，副显示区相对于观看者为大视角，其中，视角可理解为发光层和观看者眼睛的连线，与垂直于发光层方向的线之间的夹角，观看者正视显示面板时，主显示区的视角为0，副显示区视角较大，且离主显示区越远，视角越大，相应地颜色光发光亮度衰减的也越大，本实施例中通过设置在相同颜色光发光层，和/或，与所述相同颜色光发光层相邻设置的所述至少一个功能层中掺杂的纳米粒子的掺杂密度沿远离主显示区的方向逐渐增大，离主显示区越远的副显示区部分掺杂密度越大，相应地对发光强度的增强作用越明显，进一步改善色偏现象。
可选地，图7为本发明实施例提供的又一种显示面板的膜层结构示意图，参考图7，显示面板还包括在主显示区PA中的至少一种颜色光发光层，和/或，与至少一种颜色光发光层分别相邻设置的至少一个功能层中掺杂纳米粒子；且位于主显示区的相同颜色光发光层，和/或，与相同颜色光发光层相邻设置的所述至少一个功能层中掺杂的纳米粒子的掺杂密度小于位于副显示区中的相同颜色光发光层，和/或，与相同颜色光发光层相邻设置的所述至少一个功能层中掺杂的纳米粒子的最小掺杂密度。
具体地，通过在主显示区也掺杂纳米粒子，能够增强主显示区的发光亮度，进而提升显示面板的整体亮度，提升显示效果；同时，由于在相同颜色发光层中主显示区的掺杂密度小于副显示区的最小掺杂密度，观看者在正视显示面板时，副显示区的显示亮度与主显示区的显示亮度一致，避免主显示区偏暗的现象，提升显示均一性。需要说明的是，在主显示区的第一功能层的掺杂密度也小于在副显示区的第一功能层的最小掺杂密度，在主显示区的第二功能层的掺杂密度也小于在副显示区的第二功能层的最小掺杂密度。
可选地，副显示区中的至少一种颜色光发光层为多种时，还包括第三颜色光发光层；对应掺杂在第三颜色光发光层，和/或，第三颜色光发光层相邻设置的至少一个功能层中的第三纳米粒子。可设置第一纳米粒子的尺寸、第二纳米粒子的尺寸和第三纳米粒子的尺寸相同。第一纳米粒子、第二纳米粒子和第三纳米粒子的材料也相同，如均可为金纳米粒子，或均可为银纳米粒子，在掺杂时可利用相同的工艺对第一颜色光发光层，和/或，第一颜色光发光层相邻设置的至少一个功能层、第二颜色光发光层，和/或，第二颜色光发光层相邻设置的至少一个功能层、第三颜色光发光层，和/或，第三颜色光发光层相邻设置的至少一个功能层进行掺杂，相对于只在第一颜色光发光层，和/或第一颜色光发光层相邻设置的至少一个功能层掺杂的掺杂面积较大，从而降低掺杂难度；且由于副显示区中不同颜色光发光层中掺杂的纳米粒子的尺寸、形状、密度等均相同，因那么粒子在特定尺寸下只增强与该尺寸对应的颜色光发光层的亮度，而对其他颜色光发光层的亮度无增强效果，也即此时掺杂的纳米粒子仅能够增强一种颜色子像素的发光亮度，即只能够增强随视角增大发光亮度衰减最快的子像素的发光亮度，对于其他颜色子像素并没有增强作用，从而既能够降低掺杂难度，又能够避免多种颜色子像素发光亮度同时增强使得色偏改善不明显的现象。
可选地，图8为本发明实施例提供的又一种显示面板的膜层结构示意图，参考图8，副显示区中，第一颜色光的亮度衰减速度大于第二颜色光的亮度衰减速度，所述第二颜色光的亮度衰减速度大于第三颜色光的亮度衰减速度；第一金属纳米粒子的尺寸大于等于第二金属纳米粒子的尺寸，第二纳米粒子的尺寸大于等于第三纳米粒子的尺寸，和/或，纳米粒子的掺杂密度与颜色光的亮度衰减速度呈反比；第一颜色光亮度的衰减速度大于第二颜色光，第二颜色光亮度衰减速度大于第三颜色光，第一纳米粒子的掺杂密度大于第二纳米粒子的掺杂密度，第二纳米粒子的掺杂密度大于第三纳米粒子的掺杂密度。
具体地，第一颜色子像素可为红色子像素101，第二颜色子像素可为绿色子像素102，第三颜色子像素可为蓝色子像素103，通过对应掺杂第一纳米粒子201、第二纳米粒子401以及第三纳米粒子403，当第一纳米粒子的尺寸大于第二纳米粒子的尺寸，第二纳米粒子的尺寸大于第一纳米粒子的尺寸时，可分别增强弯折区中第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素的发光亮度，进而增强弯折区的整体发光亮度，降低弯折区与平面区之间的亮度差异，进而提高亮度均一性。当第一纳米粒子的尺寸、第二纳米粒子的尺寸及第三纳米粒子的尺寸均相同时，可设置纳米粒子的掺杂密度与颜色光的亮度衰减速度呈反比；即第一颜色光亮度的衰减速度大于第二颜色光，第二颜色光亮度衰减速度大于第三颜色光，第一纳米粒子的掺杂密度大于第二纳米粒子的掺杂密度，第二纳米粒子的掺杂密度大于第三纳米粒子的掺杂密度。
这样设置，可保证第一颜色光发光层发光亮度的增强幅度大于第二颜色光发光层发光亮度的增强幅度，第二颜色光发光层的发光亮度的增强幅度大于第三颜色光发光层的发光亮度增强幅度，进而保证显示面板观看者在正视显示面板时，观看到的弯折区中第一颜色光发光层的发光亮度、第二颜色光发光层及第三颜色光发光层的发光亮度相同，也即避免了由于第一颜色子像素发光亮度衰减过快而导致的色偏现象。
可选地，纳米粒子的掺杂密度范围为10％-25％。
具体地，若金属纳米粒子的掺杂密度过低，则颜色光发光层的发光亮度增强不明显，无法有效改善色偏现象；而若金属纳米粒子的掺杂浓度过高，一方面会增加成本，另一方面还可能导致该颜色光发光层的发光亮度大于其他颜色子像素的发光亮度，从而产生新的色偏现象。而通过设置掺杂密度范围为10％-25％，掺杂浓度不会过高或过低，既能够保证有效地改善色偏现象，又不至于使得该颜色光发光层发光亮度过大而产生新的色偏。需要说明的是，当掺杂第二纳米粒子和/或第三纳米粒子时，第二纳米粒子的掺杂密度范围也可为10％-25％，第三纳米粒子的掺杂密度范围也可为10％-25％。
需要说明的是，当发光层与功能层中均掺杂纳米粒子时，可设置功能层中纳米粒子的掺杂密度大于发光层中纳米粒子的掺杂密度；发光层中纳米粒子的掺杂密度过大，可能导致发光层寿命降低，通过设置功能层中纳米粒子的掺杂密度大于发光层中纳米粒子的掺杂密度，既能够保证有效改善色偏现象，又能够避免发光层寿命降低，影响显示面板使用寿命的问题。
本发明实施例还提供了一种显示装置，图9为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，参考图9，显示装置20包括上述本实施例所述的显示面板10，因此本发明实施例提供的显示装置20也具备上述实施例所描述的有益效果，此处不再赘述。示例性的，显示装置20可以是手机、电脑或电视等电子显示设备。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括主显示区和副显示区；
所述主显示区和副显示区分别包括多种颜色光发光层和与每一种颜色光发光层分别相邻设置的至少一个功能层；
至少位于所述副显示区中的至少一种颜色光发光层，和/或，与所述至少一种颜色光发光层相邻设置的所述至少一个功能层中掺杂有纳米粒子；所述至少一种颜色光发光层为一种时，为第一颜色光发光层；其中，所述第一颜色光的亮度衰减速度大于其他颜色光的亮度衰减速度。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述副显示区中的所述至少一种颜色光发光层为多种时，包括第一颜色光发光层、第二颜色光发光层；
对应掺杂在所述第一颜色光发光层，和/或，所述第一颜色光发光层相邻设置的至少一个功能层中的第一纳米粒子、掺杂在所述第二颜色光发光层，和/或，所述第二颜色光发光层相邻设置的至少一个功能层中的第二纳米粒子。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述至少一个功能层包括电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的一种或多种。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述第一颜色光的亮度衰减速度大于第二颜色光的亮度衰减速度，所述第一纳米粒子的尺寸大于或等于所述第二纳米粒子的尺寸，和/或，所述纳米粒子的掺杂密度与颜色光的亮度衰减速度呈反比；所述第一纳米粒子的掺杂密度大于所述第二纳米粒子的掺杂密度。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
位于所述副显示区的相同颜色光发光层，和/或，与所述相同颜色光发光层相邻设置的所述至少一个功能层中掺杂的纳米粒子的掺杂密度沿远离所述主显示区的方向逐渐增大。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括在所述主显示区中的至少一种颜色光发光层，和/或，与至少一种颜色光发光层相邻设置的至少一个功能层中掺杂纳米粒子；
且位于所述主显示区的相同颜色光发光层，和/或，与所述相同颜色光发光层相邻设置的所述至少一个功能层中掺杂的纳米粒子的掺杂密度小于位于所述副显示区的相同颜色光发光层，和/或，与所述相同颜色光发光层相邻设置的所述至少一个功能层中掺杂的纳米粒子的最小掺杂密度。
7.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述副显示区中的所述至少一种颜色光发光层为多种时，还包括第三颜色光发光层；
对应掺杂在所述第三颜色光发光层，和/或，所述第三颜色光发光层相邻设置的至少一个功能层中的第三纳米粒子。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，
所述第一颜色光的亮度衰减速度大于第二颜色光的亮度衰减速度，所述第二颜色光的亮度衰减速度大于第三颜色光的亮度衰减速度；
所述第一纳米粒子的尺寸大于等于所述第二纳米粒子的尺寸，所述第二纳米粒子的尺寸大于等于所述第三纳米粒子的尺寸，和/或，
所述纳米粒子的掺杂密度与颜色光的亮度衰减速度呈反比；所述第一纳米粒子的掺杂密度大于所述第二纳米粒子的掺杂密度，所述第二纳米粒子的掺杂密度大于所述第三纳米粒子的掺杂密度。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述纳米粒子为金属纳米粒子包括银、金中的一种或多种，和/或，所述纳米粒子为石墨纳米粒子，所述纳米粒子的掺杂密度范围为10％-25％。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的显示面板。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113013354A (zh) * | 2021-02-19 | 2021-06-22 | Oppo广东移动通信有限公司 | 壳体、其制作方法、显示面板组件及电子设备 |
| CN113066936A (zh) * | 2021-03-16 | 2021-07-02 | 北京京东方技术开发有限公司 | 发光器件及其制备方法、显示基板和显示装置 |
| WO2022236858A1 (zh) * | 2021-05-08 | 2022-11-17 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150380677A1 (en) * | 2013-12-27 | 2015-12-31 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof, and display device |
| CN107275514A (zh) * | 2017-06-15 | 2017-10-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled器件及其制备方法、显示装置 |
| US20180247981A1 (en) * | 2017-02-28 | 2018-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module, and electronic device |
| CN110164938A (zh) * | 2019-05-30 | 2019-08-23 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN110289295A (zh) * | 2019-06-27 | 2019-09-27 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN110323264A (zh) * | 2019-07-17 | 2019-10-11 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| CN110911577A (zh) * | 2019-12-04 | 2020-03-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光显示器件及其制备方法、显示装置 |
-
2020
- 2020-05-09 CN CN202010386755.5A patent/CN111416052A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150380677A1 (en) * | 2013-12-27 | 2015-12-31 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof, and display device |
| US20180247981A1 (en) * | 2017-02-28 | 2018-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module, and electronic device |
| CN107275514A (zh) * | 2017-06-15 | 2017-10-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled器件及其制备方法、显示装置 |
| CN110164938A (zh) * | 2019-05-30 | 2019-08-23 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN110289295A (zh) * | 2019-06-27 | 2019-09-27 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN110323264A (zh) * | 2019-07-17 | 2019-10-11 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| CN110911577A (zh) * | 2019-12-04 | 2020-03-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光显示器件及其制备方法、显示装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113013354A (zh) * | 2021-02-19 | 2021-06-22 | Oppo广东移动通信有限公司 | 壳体、其制作方法、显示面板组件及电子设备 |
| CN113013354B (zh) * | 2021-02-19 | 2022-12-13 | Oppo广东移动通信有限公司 | 壳体、其制作方法、显示面板组件及电子设备 |
| CN113066936A (zh) * | 2021-03-16 | 2021-07-02 | 北京京东方技术开发有限公司 | 发光器件及其制备方法、显示基板和显示装置 |
| WO2022236858A1 (zh) * | 2021-05-08 | 2022-11-17 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
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