CN112447923B - 有机发光二极管及其制备方法、显示面板、显示器件 - Google Patents
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- CN112447923B CN112447923B CN202011360618.0A CN202011360618A CN112447923B CN 112447923 B CN112447923 B CN 112447923B CN 202011360618 A CN202011360618 A CN 202011360618A CN 112447923 B CN112447923 B CN 112447923B
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 137
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 86
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 73
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 60
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 66
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 26
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- -1 aromatic tertiary amine compound Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 claims description 6
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RKVIAZWOECXCCM-UHFFFAOYSA-N 2-carbazol-9-yl-n,n-diphenylaniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21)C1=CC=CC=C1 RKVIAZWOECXCCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002466 imines Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 3
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 292
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 14
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
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Abstract
一种有机发光二极管及其制备方法、显示面板、显示器件，有机发光二极管包括：OLED发光单元，所述OLED发光单元包括：电子传输层；空穴传输层；位于所述电子传输层和空穴传输层之间的发光层，所述发光层包括电子传输型主体材料和荧光客体材料；所述空穴传输层的空穴迁移率随着电场强度的变化具有第一变化率，所述电子传输层的电子迁移率随着电场强度的变化具有第二变化率，第二变化率大于第一变化率。所述有机发光二极管能够改善在高亮度下发光效率滚降的现象。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种有机发光二极管及其制备方法、显示面板、显示器件。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light－Emitting Diode，简称OLED)显示器，又称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平面显示器。与现有的液晶显示器相比，其具有自主发光、视角宽、超轻、超薄、高亮度、低功耗和快响应等一系列的优点，并且响应速度可达液晶显示器的1000倍，因此，OLED显示器成为国内外非常热门的平面显示器产品，具有广阔的应用前景。OLED显示器的结构包括：基板玻璃；层叠设置在基板玻璃上的阳极、有机功能层和阴极；以及封装在玻璃基板上的盖板。
随着电子技术的发展，电子设备对显示组件功耗的要求也愈发严格。目前，OLED显示器在高电流驱动下或者在高亮度显示下，存在发光效率滚降低的问题。尤其是针对荧光发光型的OLED显示器，改善荧光发光型的OLED显示器在高亮度下发光效率滚降的问题至关重要。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中荧光发光型有机发光二极管在高亮度下发光效率滚降的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供一种有机发光二极管，包括：OLED发光单元，所述OLED发光单元包括：电子传输层；空穴传输层；位于所述电子传输层和空穴传输层之间的发光层，所述发光层包括电子传输型主体材料和荧光客体材料；所述空穴传输层的空穴迁移率随着电场强度的变化具有第一变化率，所述电子传输层的电子迁移率随着电场强度的变化具有第二变化率，第二变化率大于第一变化率。
可选的，所述第二变化率为所述第一变化率的1.8倍以上。
可选的，所述第二变化率为所述第一变化率的1.8倍～5倍。
可选的，所述第二变化率为所述第一变化率的3倍～5倍。
优选的，所述电子传输层在第一电场强度下具有第一电子迁移率，所述电子传输层在第二电场强度下具有第二电子迁移率，所述第二电子迁移率大于第一电子迁移率。
优选的，当第一电场强度为1.6E5V/cm～3.0E5V/cm时，第一电子迁移率为10－7cm2/Vs～10－6cm2/Vs，当第二电场强度大于3.0E5V/cm且小于或等于1E6V/cm时，第二电子迁移率大于10－6cm2/Vs且小于或等于10－1cm2/Vs。
可选的，所述第二电场强度大于或等于高电场强度阈值时的第二电子迁移率为所述第一电场强度小于或等于低电场强度阈值时的第一电子迁移率的3倍以上，优选的，所述第二电场强度大于或等于高电场强度阈值时的第二电子迁移率为所述第一电场强度小于或等于低电场强度阈值时的第一电子迁移率的5倍以上。
可选的，所述低电场强度阈值为2.5E5V/cm，所述高电场强度阈值为3.6E5V/cm。
可选的，所述空穴传输层在第三电场强度下的空穴迁移率大于所述第二电子迁移。
可选的，第三电场强度为1.6E5V/cm～1E6V/cm，所述空穴传输层在第三电场强度下的空穴迁移率为10－4cm2/Vs～10－2cm2/Vs。
可选的，所述电子传输层的材料为亚胺类电子传输材料、噻唑类电子传输材料、蒽唑类电子传输材料或邻菲啰啉类电子传输材料。
可选的，所述电子传输层的材料为1，10－邻二氮杂菲。
可选的，所述电子传输层的厚度为250埃～500埃。
可选的，所述空穴传输层的材料为芳香族三级胺类化合物或二胺类化合物。
可选的，所述空穴传输层的材料为N－N’－双－(3－萘基)－N，N’－二苯基－[1，1’－二苯基]－4，4’－二胺。
可选的，所述空穴传输层的厚度为1000埃～1300埃。
可选的，还包括：所述OLED发光单元还包括：位于所述空穴传输层和所述发光层之间的电子阻挡层，所述空穴传输层的最高占有分子轨道的能级高于所述电子阻挡层的最高占有分子轨道的能级。
可选的，所述空穴传输层的最高占有分子轨道与所述电子阻挡层的最高占有分子轨道的能级差小于0.3eV。
可选的，所述电子阻挡层的材料包括4，4”－三(咔唑－9－基)三苯胺。
可选的，所述电子阻挡层的厚度为30埃～150埃。
可选的，还包括：位于所述电子传输层和所述发光层之间的空穴阻挡层，所述空穴阻挡层的最低未占有分子轨道的能级高于所述电子传输层的最低未占有分子轨道的能级，且所述空穴阻挡层的最低未占有分子轨道与所述电子传输层的最低未占有分子轨道的能级差为0.3eV～0.6eV。
可选的，所述空穴阻挡层的材料包括1，3，5－三(N－苯基－2－苯并咪唑)苯。
可选的，所述空穴阻挡层的厚度为30埃～100埃。
本发明还提供一种有机发光二极管的制备方法，包括：形成电子传输层；形成空穴传输层；在形成电子传输层的步骤和形成空穴传输层的步骤之间，形成发光层，所述发光层包括电子传输型主体材料和荧光客体材料；所述空穴传输层的空穴迁移率随着电场强度的变化具有第一变化率，所述电子传输层的电子迁移率随着电场强度的变化具有第二变化率，第二变化率大于第一变化率。
可选的，还包括：在形成电子传输层的步骤和形成所述发光层的步骤之间，形成空穴阻挡层，所述空穴阻挡层的最低未占有分子轨道的能级高于所述电子传输层的最低未占有分子轨道的能级，且所述空穴阻挡层的最低未占有分子轨道与所述电子传输层的最低未占有分子轨道的能级差为0.3eV～0.6eV。
可选的，还包括：在形成空穴传输层的步骤和形成发光层的步骤之间，形成电子阻挡层，所述空穴传输层的最高占有分子轨道的能级高于所述电子阻挡层的最高占有分子轨道的能级。
可选的，所述空穴传输层的最高占有分子轨道与所述电子阻挡层的最高占有分子轨道的能级差小于0.3eV。
本发明还提供一种显示面板，包括：基板；本发明的有机发光二极管，所述有机发光二极管位于所述基板上。
本发明还提供一种显示器件，包括本发明的显示面板。
本发明技术方案，具有如下优点：
1.本发明技术方案提供的有机发光二极管，包括：电子传输层；空穴传输层；位于所述电子传输层和空穴传输层之间的发光层，所述发光层包括电子传输型主体材料和荧光客体材料；所述空穴传输层的空穴迁移率随着电场强度的变化具有第一变化率，所述电子传输层的电子迁移率随着电场强度的变化具有第二变化率。由于第二变化率大于第一变化率，因此电子传输层在高电场强度下具有相对较高的迁移率而在低电场强度下具有较低的电子迁移率，且电子传输层在高电场强度下的电子迁移率与在低电场强度下的电子迁移率之间的倍率得到提高，降低了有机发光二极管在高电流驱动下或者高亮度下多余的空穴在发光层中的数量。由于在高电流驱动下或者高亮度下降低了多余的空穴在发光层中的数量，因此电子和空穴复合的区域更靠近发光层朝向所述空穴传输层的一侧边界处，电子和空穴复合产生的激子聚集在发光层朝向所述空穴传输层的一侧边界处，激子包括三线态激子和单线态激子，三线态激子聚集在发光层朝向所述空穴传输层的一侧边界处使得三线态激子的密度较大，这样相邻的三线态激子之间容易发生碰撞，使得激子在碰撞后转变为单线态激子，增大了三线态激子转化为单线态激子的几率，增强了三线态－三线态湮灭(triplet－triplet annihilation，TTA)效应，也就是，由三线态－三线态湮灭效应产生的额外的单线态激子较多。最终荧光客体材料能够利用较多的单线态激子辐射跃迁发出荧光，提高了发光效率，避免了有机发光二极管在高亮度下发光效率滚降的问题。
其次，由于改善了有机发光二极管在高亮度下发光效率滚降的问题，因此使得有机发光二极管在高亮度下的功耗降低，提升了在高亮度下有机发光二极管的寿命，提升显示面板的寿命。
2.进一步，还包括：位于所述电子传输层和所述发光层之间的空穴阻挡层，所述空穴阻挡层的最低未占有分子轨道的能级高于所述电子传输层的最低未占有分子轨道的能级。由于所述空穴阻挡层的最低未占有分子轨道与所述电子传输层的最低未占有分子轨道的能级差为0.3eV～0.6eV，使得电子从电子传输层传输至空穴阻挡层的过程中需要克服一定的势垒，在低电场下电子无法较难越过该势垒，因此较大程度的限制了在低电场强度下电子的迁移率，而在高电场下电子容易在较高电场的作用下越过该势垒，因此对高电场下电子的迁移率受到该势垒的影响较小，因此使得电子传输层在高电场强度下的电子迁移率与在低电场强度下的电子迁移率之间的倍率得到进一步提高。其次，由于较大程度的限制了在低电场强度下电子的迁移率，因此避免在低电场强度下电子过多，因此避免电子阻挡层受到过多电子的轰击而裂解，提升了有机发光二极管的寿命。
3.进一步，所述空穴传输层在1.6E5V/cm～1E6V/cm的电场强度下的空穴迁移率为10－4cm2/Vs～10－2cm2/Vs，空穴传输层的空穴迁移率随电场强度的变化相对稳定，能够防止高电场强度下空穴传输层的空穴迁移率增大太多，避免发光层中空穴量过大，进一步避免器件效率滚降。
4.本发明技术方案提供的有机发光二极管的制备方法，包括：形成电子传输层；形成空穴传输层；在形成电子传输层的步骤和形成空穴传输层的步骤之间，形成发光层，所述发光层包括电子传输型主体材料和荧光客体材料；所述空穴传输层的空穴迁移率随着电场强度的变化具有第一变化率，所述电子传输层的电子迁移率随着电场强度的变化具有第二变化率。由于第二变化率大于第一变化率，因此使得电子传输层在高电场强度下具有相对较高的迁移率而在低电场强度下具有较低的电子迁移率，且电子传输层在高电场强度下的电子迁移率与在低电场强度下的电子迁移率之间的倍率得到提高，降低了有机发光二极管在高电流驱动下或者高亮度下多余的空穴在发光层中的数量。由于在高电流驱动下或者高亮度下降低了多余的空穴在发光层中的数量，这样使得电子和空穴复合的区域更靠近发光层朝向所述空穴传输层的一侧边界处，电子和空穴复合产生的激子聚集在发光层朝向所述空穴传输层的一侧边界处，激子包括三线态激子和单线态激子，三线态激子聚集在发光层朝向所述空穴传输层的一侧边界处使得三线态激子的密度较大，这样相邻的三线态激子之间容易发生碰撞，使得激子在碰撞后转变为单线态激子，增大了三线态激子转化为单线态激子的几率，增强了三线态－三线态湮灭(triplet－tripletannihilation，TTA)效应，也就是，由三线态－三线态湮灭效应产生的额外的单线态激子较多。最终荧光客体材料能够利用较多的单线态激子辐射跃迁发出荧光，提高了发光效率，避免了有机发光二极管在高亮度下发光效率滚降的问题。
5.本发明技术方案提供的显示面板，包括本发明的有机发光二极管。相应的，显示面板的发光效率提高，避免了在高亮度下显示面板发光效率滚降的问题。
6.本发明技术方案提供的显示器件，包括本发明的显示面板。相应的，显示器件的发光效率提高，避免了在高亮度下显示器件发光效率滚降的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一种有机发光二极管的发光效率的变化示意图；
图2为本发明一实施例中有机发光二极管的结构示意图；
图3为本发明一实施例中有机发光二极管的发光效率的变化示意图；
基板100；电子传输层110；空穴传输层120；发光层130；阳极层140；阴极层150；空穴注入层160；电子阻挡层170；空穴阻挡层180；电子注入层190。
具体实施方式
正如背景技术所述，现有技术中针对荧光发光型的OLED显示器，改善荧光发光型的OLED显示器在高亮度下发光效率滚降的问题至关重要。
一种有机发光二极管，包括：电子传输层；空穴传输层；位于所述电子传输层和空穴传输层之间的发光层，所述发光层包括电子传输型主体材料和荧光客体材料。
上述发光层包括电子传输型主体材料和荧光客体材料，电子和空穴在发光层中复合，产生激子，通常激子包括三线态激子和单线态激子，荧光型发光层的发光机理是：荧光客体材料利用单线态激子辐射跃迁发出荧光。单线态激子越多，发光效率会越高。
在上述有机发光二极管中，空穴的迁移率本身就大于电子的迁移率，且电子在迁移的过程中容易被膜层中的缺陷捕获，使得空穴的迁移率远大于电子的迁移率，当有机发光二极管在高电流驱动下或者高亮度下，较多的多余空穴会在发光层中存在，这样导致空穴和电子复合的区域从发光层朝向所述空穴传输层的一侧边界处向发光层内部延展，电子和空穴的复合区域变宽，这样电子和空穴产生的激子的密度降低，相应的，三线态激子的密度降低，这样相邻的三线态激子之间发生碰撞的几率降低，三线态激子转变为单线态激子的数量降低，导致单线态激子的总量降低，导致有机发光二极管在高亮度下的发光效率滚降。参考图1，图1的横轴为亮度，单位为(cd/m2)，图1中的纵轴为光度效率，单位为(cd/A)，从图1中看出，有机发光二极管在高亮度下发光效率滚降。
在此基础上，本发明实施例提供一种有机发光二极管，参考图2，包括：
电子传输层110；
空穴传输层120；
位于所述电子传输层110和空穴传输层120之间的发光层130，所述发光层130包括电子传输型主体材料和荧光客体材料；
所述空穴传输层120的空穴迁移率随着电场强度的变化具有第一变化率，所述电子传输层110的电子迁移率随着电场强度的变化具有第二变化率，第二变化率大于第一变化率。
由于电子传输层110在高电场强度下的电子迁移率与在低电场强度下的电子迁移率之间的倍率得到提高，降低了有机发光二极管在高电流驱动下或者高亮度下多余的空穴在发光层130中的数量。由于在高电流驱动下或者高亮度下降低了多余的空穴在发光层130中的数量，因此电子和空穴复合的区域更靠近发光层130朝向所述空穴传输层120的一侧边界处，电子和空穴复合产生的激子聚集在发光层130朝向所述空穴传输层120的一侧边界处，激子包括三线态激子和单线态激子，三线态激子聚集在发光层130朝向所述空穴传输层120的一侧边界处使得三线态激子的密度较大，这样相邻的三线态激子之间容易发生碰撞，对于相邻的发生碰撞的三线态激子，使得激子在碰撞后转变为单线态激子，增大了三线态激子转化为单线态激子的几率，增强了三线态－三线态湮灭(triplet－tripletannihilation，TTA)效应，也就是，由三线态－三线态湮灭效应产生的额外的单线态激子较多。最终荧光客体材料能够利用较多的单线态激子辐射跃迁发出荧光，提高了发光效率，避免了在高亮度下发光效率滚降的问题。其次，由于改善了有机发光二极管在高亮度下发光效率滚降的问题，因此使得有机发光二极管在高亮度下的功耗降低，提升了在高亮度下有机发光二极管的寿命。
所述有机发光二极管还包括：相对设置的阳极层140和阴极层150、以及位于阳极层140和阴极层150之间的空穴注入层160、电子阻挡层170、空穴阻挡层180和电子注入层190。本实施例中，所述空穴注入层160位于所述阳极层140和所述发光层130之间，所述电子注入层190位于所述阴极层150和所述发光层130之间，所述空穴传输层120位于所述空穴注入层160和所述发光层130之间，所述电子传输层110位于所述电子注入层190和所述发光层130之间，所述电子阻挡层170位于所述空穴传输层120和所述发光层130之间，所述空穴阻挡层180位于所述电子传输层110和所述发光层130之间。
所述发光层130包括电子传输型主体材料和荧光客体材料。所述电子传输型主体材料对电子的迁移能力大于对空穴的迁移能力，也就是说，发光层130属于偏电子型的发光层。所述荧光客体材料使得发光层的发光机制为荧光发光。进一步的，荧光客体材料为热活化延迟荧光(TADF)材料。
具体的，本实施例中，电子和空穴复合的区域更靠近发光层130和电子阻挡层170之间的界面处，电子和空穴复合产生的激子聚集在发光层130和电子阻挡层170之间的界面处。
进一步的，所述第二变化率为所述第一变化率的1.8倍以上，增加了电子传输层的电子迁移率随着电场强度的变化程度与空穴传输层的空穴迁移率随着电场强度的变化程度之间的差别，使得电子传输层在高电场强度下的电子迁移率与在低电场强度下的电子迁移率之间的倍率进一步得到提高。
进一步，所述第二变化率为第一变化率的1.8倍～5倍。由于第二变化率小于第一变化率的5倍，因此使得电子传输层110的电子迁移率不至于过高，这样避免在在低电场强度下电子过多，因此避免电子阻挡层170受到过多电子的轰击而裂解，提升了低电场强度下有机发光二极管的寿命。
进一步的，所述第二变化率为所述第一变化率的3倍～5倍，对改善器件在高亮度下效率滚降的程度进一步提升。
所述电子传输层110在第一电场强度下具有第一电子迁移率，所述电子传输层110在第二电场强度下具有第二电子迁移率，所述第二电子迁移率大于第一电子迁移率。
本实施例中，当第一电场强度为1.6E5V/cm～3.0E5V/cm时，第一电子迁移率为10－7cm2/Vs～10－6cm2/Vs，当第二电场强度大于3.0E5V/cm且小于或等于1E6V/cm时，第二电子迁移率大于10－6cm2/Vs且小于或等于10－1cm2/Vs。
所述空穴传输层120在第三电场强度下的空穴迁移率大于所述第二电子迁移。
在一个具体的实施例中，第三电场强度为1.6E5V/cm～1E6V/cm，空穴传输层120第三电场强度下的空穴迁移率为10－4cm2/Vs～10－2cm2/Vs，空穴传输层120的空穴迁移率随电场强度的变化相对稳定，能够防止高电场强度下空穴传输层120的空穴迁移率增大太多，避免发光层130中空穴量过大，进一步避免器件发光效率滚降。
所述第二电场强度大于或等于高电场强度阈值时的第二电子迁移率为所述第一电场强度小于或等于低电场强度阈值时的第一电子迁移率的3倍以上，优选的，所述第二电场强度大于或等于高电场强度阈值时的第二电子迁移率为所述第一电场强度小于或等于低电场强度阈值时的第一电子迁移率的5倍以上。在一个实施例中，所述低电场强度阈值为2.5E5V/cm，所述高电场强度阈值为3.6E5V/cm。
所述电子传输层110的材料为亚胺类电子传输材料、噻唑类电子传输材料、蒽唑类电子传输材料或邻菲啰啉类电子传输材料。在一个具体的实施例中，所述电子传输层110的材料为1，10－邻二氮杂菲。
在一个具体的实施例中，所述电子传输层110的厚度为250埃～500埃。若所述电子传输层110的厚度大于500埃，电子在电子传输层110需要经过的路径过长，电子被缺陷捕获的概率增加；若电子传输层110的厚度小于250埃，导致电子传输层110对电子的迁移能力会受到影响。
所述空穴传输层120的材料为芳香族三级胺类化合物或二胺类化合物。
在一个具体的实施例中，所述空穴传输层120的材料为N－N’－双－(3－萘基)－N，N’－二苯基－[1，1’－二苯基]－4，4’－二胺。
在一个具体的实施例中，所述空穴传输层120的厚度为1000埃～1300埃。所述空穴传输层120需要具有一定的厚度，用于调节阳极层140和阴极层150之间的微腔长度。若空穴传输层120的厚度大于1300埃，会导致所述空穴传输层120的空穴迁移率在电场强度下的稳定性变差。因此，空穴传输层120的厚度选择上述范围兼顾了微腔长度的需求和空穴迁移率在电场强度下的稳定性的能力。
本实施例中，所述空穴阻挡层180的最低未占有分子轨道的能级高于所述电子传输层110的最低未占有分子轨道的能级，且所述空穴阻挡层180的最低未占有分子轨道与所述电子传输层110的最低未占有分子轨道的能级差为0.3eV～0.6eV，使得电子从电子传输层110传输至空穴阻挡层180的过程中需要克服一定的势垒，在低电场下电子无法较难越过该势垒，因此较大程度的限制了在低电场强度下电子的迁移率，而在高电场下电子容易在较高电场的作用下越过该势垒，因此对高电场下电子的迁移率受到该势垒的影响较小，因此使得电子传输层110在高电场强度下的电子迁移率与在低电场强度下的电子迁移率之间的倍率得到进一步提高。其次，由于较大程度的限制了在低电场强度下电子的迁移率，因此避免在低电场强度下电子过多，因此避免电子阻挡层170受到过多电子的轰击而裂解，提升了有机发光二极管的寿命。
本实施例中，所述空穴传输层120的最高占有分子轨道的能级高于所述电子阻挡层170的最高占有分子轨道的能级，进一步的，所述空穴传输层120的最高占有分子轨道与所述电子阻挡层170的最高占有分子轨道的能级差小于0.3eV，这样设置的好处在于：使得空穴从空穴传输层120进入电子阻挡层170的过程中克服的势垒较小，无论在低电场下还是在高电场下空穴均容易从空穴传输层120进入电子阻挡层170，这样空穴传输层120的迁移率在电场强度下的稳定性较好。所述发光层130的材料参照前述实施例的内容，不再详述。
本实施例中，所述空穴阻挡层180的材料包括1，3，5－三(N－苯基－2－苯并咪唑)苯。
本实施例中，所述空穴阻挡层180的厚度为30埃～100埃。
本实施例中，所述电子阻挡层170的材料包括4，4”－三(咔唑－9－基)三苯胺。
本实施例中，所述电子阻挡层170的厚度为30埃～150埃。
参考图3，图3的横轴为亮度，单位为(cd/m2)，图3中的纵轴为光度效率，单位为(cd/A)，从图3中看出，本实施例的有机发光二极管在高亮度下避免了发光效率滚降。
相应的，本发明另一实施例还提供一种有机发光二极管的制备方法，包括：形成电子传输层110；形成空穴传输层120；在形成电子传输层110的步骤和形成空穴传输层120的步骤之间，形成发光层130，发光层130位于所述电子传输层110和所述空穴传输层120之间，所述发光层130包括电子传输型主体材料和荧光客体材料；所述空穴传输层120的空穴迁移率随着电场强度的变化具有第一变化率，所述电子传输层110的电子迁移率随着电场强度的变化具有第二变化率，第二变化率大于第一变化率。
在一个实施例中，形成空穴传输层120之后，形成发光层130，形成发光层130之后，形成电子传输层110。在另一个实施例中，形成电子传输层110之后，形成发光层130，形成发光层130之后，形成空穴传输层120。
进一步的，所述第二变化率为所述第一变化率的1.8倍以上。
进一步，所述第二变化率为第一变化率的1.8倍～5倍。
进一步，所述第二变化率为所述第一变化率的3倍～5倍。
所述电子传输层110在第一电场强度下具有第一电子迁移率，所述电子传输层110在第二电场强度下具有第二电子迁移率，所述第二电子迁移率大于第一电子迁移率。
本实施例中，当第一电场强度为1.6E5V/cm～3.0E5V/cm时，第一电子迁移率为10－7cm2/Vs～10－6cm2/Vs，当第二电场强度大于3.0E5V/cm且小于或等于1E6V/cm时，第二电子迁移率大于10－6cm2/Vs且小于或等于10－1cm2/Vs。
所述空穴传输层120在第三电场强度下的空穴迁移率大于所述第二电子迁移。
在一个具体的实施例中，第三电场强度为1.6E5V/cm～1E6V/cm，空穴传输层120第三电场强度下的空穴迁移率为10－4cm2/Vs～10－2cm2/Vs。
所述第二电场强度大于或等于高电场强度阈值时的第二电子迁移率为所述第一电场强度小于或等于低电场强度阈值时的第一电子迁移率的3倍以上，优选的，所述第二电场强度大于或等于高电场强度阈值时的第二电子迁移率为所述第一电场强度小于或等于低电场强度阈值时的第一电子迁移率的5倍以上。在一个实施例中，所述低电场强度阈值为2.5E5V/cm，所述高电场强度阈值为3.6E5V/cm。
本实施例中，电子传输层110的材料和厚度参照前述实施例的内容，不再详述。空穴传输层120的材料和厚度参照前述实施例的内容，不再详述。
本实施例中，还包括：在形成电子传输层110的步骤和形成所述发光层130的步骤之间，形成空穴阻挡层180，所述空穴阻挡层180的最低未占有分子轨道的能级高于所述电子传输层110的最低未占有分子轨道的能级，且所述空穴阻挡层180的最低未占有分子轨道与所述电子传输层110的最低未占有分子轨道的能级差为0.3eV～0.6eV。
本实施例中，还包括：在空穴传输层120的形成步骤和发光层130形成步骤之间，形成电子阻挡层170，所述空穴传输层120的最高占有分子轨道的能级高于所述电子阻挡层170的最高占有分子轨道的能级，进一步的，所述空穴传输层120的最高占有分子轨道与所述电子阻挡层170的最高占有分子轨道的能级差小于0.3eV。
所述空穴阻挡层180的材料和厚度参照前述实施例，不再详述。
所述电子阻挡层170的材料和厚度参照前述实施例，不再详述。
本实施例中，还包括：形成空穴注入层160，空穴注入层160位于所述空穴传输层120背向所述发光层130的一侧；形成电子注入层190，所述电子注入层190位于所述电子传输层110背向所述发光层130的一侧；形成阴极层150，所述阴极层150位于所述电子注入层190背向所述发光层130的一侧；形成阳极层140，所述阳极层140位于所述空穴注入层160背向所述发光层130的一侧。
本发明另一实施例还提供一种显示面板，包括：基板；上述的有机发光二极管，有机发光二极管位于所述基板上。
本实施例中，所述基板为阵列基板，阵列基板包括：衬底基板和位于所述衬底基板上的阵列电路层，所述OLED发光单元与所述阵列电路层电学连接，所述显示面板为AMOLED(Active－matrix organic lightemitting diode)型显示面板。在其他实施例中，所述显示面板为PMOLED(Passive－matrix organic lightemitting diode)型显示面板。
相应的，本发明还提供一种显示面板的制备方法，包括：提供基板；在所述基板上形成有机发光二极管，形成有机发光二极管的方法参照上述的有机发光二极管的制备方法。
相应的，本发明又一实施例还提供一种显示器件，包括上述的显示面板。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
Claims (27)
1.一种有机发光二极管，其特征在于，包括：
电子传输层；空穴传输层；位于所述电子传输层和空穴传输层之间的发光层，所述发光层包括电子传输型主体材料和荧光客体材料；
所述空穴传输层的空穴迁移率随着电场强度的变化具有第一变化率，所述电子传输层的电子迁移率随着电场强度的变化具有第二变化率，第二变化率大于第一变化率；
其中，所述电子传输层在第一电场强度下具有第一电子迁移率，所述电子传输层在第二电场强度下具有第二电子迁移率，所述第二电子迁移率大于第一电子迁移率；
所述第二电场强度大于或等于高电场强度阈值时的第二电子迁移率为所述第一电场强度小于或等于低电场强度阈值时的第一电子迁移率的3倍以上；所述低电场强度阈值为2.5E5V/cm，所述高电场强度阈值为3.6E5V/cm。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述第二变化率为所述第一变化率的1.8倍以上。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管，其特征在于，所述第二变化率为所述第一变化率的1.8倍～5倍。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管，其特征在于，所述第二变化率为所述第一变化率的3倍～5倍。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，当第一电场强度为1.6E5V/cm～3.0E5V/cm时，第一电子迁移率为10－7cm2/Vs～10－6cm2/Vs，当第二电场强度大于3.0E5V/cm且小于或等于1E6V/cm时，第二电子迁移率大于10－6cm2/Vs且小于或等于10－1cm2/Vs。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述第二电场强度大于或等于高电场强度阈值时的第二电子迁移率为所述第一电场强度小于或等于低电场强度阈值时的第一电子迁移率的5倍以上。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层在第三电场强度下的空穴迁移率大于所述第二电子迁移。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管，其特征在于，第三电场强度为1.6E5V/cm～1E6V/cm，所述空穴传输层在第三电场强度下的空穴迁移率为10－4cm2/Vs～10－2cm2/Vs。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述电子传输层的材料为亚胺类电子传输材料、噻唑类电子传输材料、蒽唑类电子传输材料或邻菲啰啉类电子传输材料。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管，其特征在于，所述电子传输层的材料为1，10－邻二氮杂菲。
11.根据权利要求9所述的有机发光二极管，其特征在于，所述电子传输层的厚度为250埃～500埃。
12.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层的材料为芳香族三级胺类化合物或二胺类化合物。
13.根据权利要求12所述的有机发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层的材料为N－N’－双－(3－萘基)－N，N’－二苯基－[1，1’－二苯基]－4，4’－二胺。
14.根据权利要求12所述的有机发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为1000埃～1300埃。
15.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，还包括：位于所述空穴传输层和所述发光层之间的电子阻挡层，所述空穴传输层的最高占有分子轨道的能级高于所述电子阻挡层的最高占有分子轨道的能级。
16.根据权利要求15所述的有机发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层的最高占有分子轨道与所述电子阻挡层的最高占有分子轨道的能级差小于0.3eV。
17.根据权利要求15所述的有机发光二极管，其特征在于，所述电子阻挡层的材料包括4，4”－三(咔唑－9－基)三苯胺。
18.根据权利要求15所述的有机发光二极管，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度为30埃～150埃。
19.根据权利要求1至18任意一项所述的有机发光二极管，其特征在于，还包括：位于所述电子传输层和所述发光层之间的空穴阻挡层，所述空穴阻挡层的最低未占有分子轨道的能级高于所述电子传输层的最低未占有分子轨道的能级，且所述空穴阻挡层的最低未占有分子轨道与所述电子传输层的最低未占有分子轨道的能级差为0.3eV～0.6eV。
20.根据权利要求19所述的有机发光二极管，其特征在于，所述空穴阻挡层的材料包括1，3，5－三(N－苯基－2－苯并咪唑)苯。
21.根据权利要求19所述的有机发光二极管，其特征在于，所述空穴阻挡层的厚度为30埃～100埃。
22.一种有机发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：
形成电子传输层；
形成空穴传输层；在形成电子传输层的步骤和形成空穴传输层的步骤之间，形成发光层，所述发光层包括电子传输型主体材料和荧光客体材料；
所述空穴传输层的空穴迁移率随着电场强度的变化具有第一变化率，所述电子传输层的电子迁移率随着电场强度的变化具有第二变化率，第二变化率大于第一变化率；
其中，所述电子传输层在第一电场强度下具有第一电子迁移率，所述电子传输层在第二电场强度下具有第二电子迁移率，所述第二电子迁移率大于第一电子迁移率；
所述第二电场强度大于或等于高电场强度阈值时的第二电子迁移率为所述第一电场强度小于或等于低电场强度阈值时的第一电子迁移率的3倍以上；所述低电场强度阈值为2.5E5V/cm，所述高电场强度阈值为3.6E5V/cm。
23.根据权利要求22所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，还包括：在形成电子传输层的步骤和形成所述发光层的步骤之间，形成空穴阻挡层，所述空穴阻挡层的最低未占有分子轨道的能级高于所述电子传输层的最低未占有分子轨道的能级，且所述空穴阻挡层的最低未占有分子轨道与所述电子传输层的最低未占有分子轨道的能级差为0.3eV～0.6eV。
24.根据权利要求22所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，还包括：在形成空穴传输层的步骤和形成发光层的步骤之间，形成电子阻挡层，所述空穴传输层的最高占有分子轨道的能级高于所述电子阻挡层的最高占有分子轨道的能级。
25.根据权利要求24所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层的最高占有分子轨道与所述电子阻挡层的最高占有分子轨道的能级差小于0.3eV。
26.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板；
如权利要求1至21任意一项所述的有机发光二极管，所述有机发光二极管位于所述基板上。
27.一种显示器件，其特征在于，包括权利要求26所述的显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011360618.0A CN112447923B (zh) | 2020-11-27 | 2020-11-27 | 有机发光二极管及其制备方法、显示面板、显示器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011360618.0A CN112447923B (zh) | 2020-11-27 | 2020-11-27 | 有机发光二极管及其制备方法、显示面板、显示器件 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112447923A CN112447923A (zh) | 2021-03-05 |
| CN112447923B true CN112447923B (zh) | 2024-04-16 |
Family
ID=74737806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011360618.0A Active CN112447923B (zh) | 2020-11-27 | 2020-11-27 | 有机发光二极管及其制备方法、显示面板、显示器件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112447923B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114023893B (zh) * | 2021-10-29 | 2024-05-24 | 云谷（固安）科技有限公司 | 发光器件及显示面板 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107565039A (zh) * | 2017-08-30 | 2018-01-09 | 电子科技大学 | 一种变色oled器件及其制备方法 |
| CN110660924A (zh) * | 2019-09-30 | 2020-01-07 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| CN110931649A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-03-27 | 昆山国显光电有限公司 | 一种有机电致发光器件及显示装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101375331B1 (ko) * | 2007-06-22 | 2014-03-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 백색 유기발광소자 및 그를 포함하는 표시장치와 조명장치 |
-
2020
- 2020-11-27 CN CN202011360618.0A patent/CN112447923B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107565039A (zh) * | 2017-08-30 | 2018-01-09 | 电子科技大学 | 一种变色oled器件及其制备方法 |
| CN110660924A (zh) * | 2019-09-30 | 2020-01-07 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| CN110931649A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-03-27 | 昆山国显光电有限公司 | 一种有机电致发光器件及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112447923A (zh) | 2021-03-05 |
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |