WO2021125446A1 - 게이트 드라이버 및 이를 포함하는 표시 장치 - Google Patents

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WO2021125446A1
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transistor
node
electrode
gate
scan
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김진영
주성환
손현호
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엘지디스플레이 주식회사
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Definitions

  • the present invention relates to a gate driver and a display device including the same, and more particularly, to a display device including a gate driver capable of driving both a main pixel and an auxiliary pixel.
  • LCDs liquid crystal displays
  • OLEDs organic light emitting diode displays
  • Liquid crystal displays and organic displays are widely applied to the screens of everyday electronic devices, for example, mobile phones, laptops, etc. due to their advantages of being able to provide high-resolution screens and being lightweight and thin, and their ranges are gradually expanding. is becoming
  • the liquid crystal display device and the organic display device have a limit in reducing the size of a bezel region recognized by a user as a region in which an image is not displayed in the display device.
  • a sealant since a sealant must be used to seal the liquid crystal and bond the upper and lower substrates together, there is a limit to reducing the size of the bezel area.
  • the organic display device since the organic light emitting device is made of an organic material and is very vulnerable to moisture or oxygen, an encapsulation for protecting the organic light emitting device must be disposed, so there is a limitation in reducing the size of the bezel area. .
  • a display device including an LED has been proposed. Since the LED is made of an inorganic material rather than an organic material, it has excellent reliability and thus has a longer lifespan compared to a liquid crystal display device or an organic display device. In addition, LED is a device suitable for application to very large screens because it not only has a fast lighting speed, but also consumes less power, has excellent stability due to strong impact resistance, and can display high-brightness images.
  • an LED element is generally used in a display device for providing an extra-large screen capable of minimizing a bezel area.
  • a display device including an LED emits light with the size of one pixel, that is, light of the same luminance, compared to a display device using an organic light emitting device. It was recognized that the size of the light emitting area required for this is very small. Accordingly, the inventors of the present invention found that, when a display device is implemented using an LED, the distance between the emission regions of adjacent pixels is much greater than the distance between the emission regions of adjacent pixels in an organic display device having the same resolution. recognized that it was long.
  • the inventors of the present invention when implementing a tiling display implemented by disposing a plurality of display panels in a tile shape, the LEDs disposed at the outermost portion of the display panel and the LEDs disposed at the outermost side of another display panel adjacent thereto, it was recognized that since the distance between the LEDs can be implemented to be the same as the distance between the LEDs arranged in one display panel, it is possible to implement a zero bezel in which a bezel area is not substantially present. However, as described above, the distance between the LEDs disposed at the outermost side of the display panel and the LEDs disposed at the outermost side of the other display panel adjacent thereto is the same as the distance between the LEDs disposed in one display panel. In order to implement this, various driving units such as a gate driver and a data driver, which were previously located on the upper surface of the display panel, should be located on the lower surface of the display panel instead of the upper surface.
  • the inventors of the present invention have invented a display device having a new structure in which elements such as thin film transistors and LEDs are disposed on the upper surface of the display panel and driving units such as gate drivers and data drivers are disposed on the lower surface of the display panel.
  • the inventors of the present invention have recognized that the process defect rate is increased in the display device having the above-described structure. Specifically, a process of forming a connection component for connecting a device such as a thin film transistor and an LED formed on the upper surface of the display panel to a driver such as a gate driver and a data driver formed on the lower surface of the display panel is added, thereby increasing the process defect rate This happens.
  • the inventors of the present invention have invented a display device having a new structure in which the above-described additional process is minimized.
  • an object of the present invention is to provide a display device capable of reducing the number of additional processes by arranging gate drivers on both sides of the upper surface of the display panel, thereby eliminating the need to form connection elements on both sides of the display panel.
  • Another object of the present invention is to provide a display device in which a gate driver can drive both a main pixel and an auxiliary pixel.
  • Another object of the present invention is to provide a display device capable of realizing a zero bezel by embedding a gate driver in a pixel.
  • a display device includes a display panel on which a plurality of unit pixels are disposed, a gate driver disposed on an upper surface of the display panel, and a gate driver built into the plurality of unit pixels, wherein each of the plurality of unit pixels includes a main pixel and an auxiliary pixel. and a gate driver supplies a gate voltage to the main pixel and the sub-pixel.
  • the probability of occurrence of defects due to the process of the side wiring is significantly reduced.
  • the sub-pixel can emit light instead of the main pixel, so that the reliability of the display device is improved.
  • the non-display area can be deleted by mounting the gate driver inside the unit pixel, thereby realizing a zero bezel.
  • the effect according to the present invention is not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic top view of a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 2 is a block diagram of a gate driver and a plurality of unit pixels of a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 3 is a circuit diagram illustrating a pixel circuit included in a display device according to an exemplary embodiment.
  • 4A is a circuit diagram illustrating a first driving period of a main pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • 4B is a timing diagram illustrating a first driving period of a main pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • 5A is a circuit diagram illustrating a second driving period of a main pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • 5B is a timing diagram illustrating a second driving period of a main pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • 6A is a circuit diagram illustrating a third driving period of a main pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • 6B is a timing diagram illustrating a third driving period of a main pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 7A is a circuit diagram illustrating a fourth driving period of a main pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 7B is a timing diagram illustrating a fourth driving period of a main pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 8A is a circuit diagram illustrating a fifth driving period of a main pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • 8B is a timing diagram illustrating a fifth driving period of a main pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 9 is a circuit diagram illustrating a scan driving circuit of a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 10 is a circuit diagram illustrating a light emitting driving circuit of a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 11 is a timing diagram illustrating an input signal and an output signal of a gate driver of a display device according to an exemplary embodiment.
  • 12 to 18 are circuit diagrams for explaining a driving method of a gate driver of a display device according to an exemplary embodiment.
  • 19 is a block diagram of a gate driver and a plurality of unit pixels of a display device according to another exemplary embodiment of the present invention.
  • 20 is a circuit diagram illustrating a scan driving circuit of a display device according to another exemplary embodiment.
  • 21 is a circuit diagram illustrating a light emitting driving circuit of a display device according to another exemplary embodiment.
  • FIG. 22 is a timing diagram illustrating an input signal and an output signal of a gate driver of a display device according to another exemplary embodiment of the present invention.
  • 23 to 29 are circuit diagrams for explaining a driving method of a gate driver of a display device according to another exemplary embodiment.
  • references to a device or layer “on” another device or layer includes any intervening layer or other device directly on or in the middle of another device.
  • first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the spirit of the present invention.
  • each feature of the various embodiments of the present invention may be partially or wholly combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each of the embodiments may be implemented independently of each other or may be implemented together in a related relationship. may be
  • FIG. 1 is a schematic top view of a display device according to an exemplary embodiment.
  • the display device 100 includes a display panel 110 including a plurality of unit pixels PX connected to a gate line and a data line, a gate driver GD supplying a gate signal to each of the gate lines, and and a data driver for supplying a data signal to each data line.
  • the display panel 110 includes a plurality of unit pixels PX, and each unit pixel PX includes a main pixel (MP) and a redundancy pixel (RP).
  • MP main pixel
  • RP redundancy pixel
  • the main pixel MP is a main pixel for implementing grayscale
  • the auxiliary pixel RP is an auxiliary pixel that operates when a defect occurs in the main pixel MP.
  • the present invention is not limited thereto, and the main pixel MP and the sub-pixel RP of the display device 100 may simultaneously emit light.
  • the sub-pixel RP may further emit light.
  • main pixel MP and the sub-pixel RP are arranged in a line in the unit pixel PX of the display panel 110 , and the main pixel MP and the sub-pixel RP are arranged adjacent to each other.
  • the main pixel MP is disposed in an odd-numbered row of the unit pixel PX.
  • the main pixel MP is composed of elements that emit light of different colors.
  • the main pixel MP includes a red main pixel MPR, a green main pixel MPG, and a blue main pixel MPB.
  • an auxiliary pixel RP is disposed in an even-numbered row of the unit pixel PX.
  • the sub-pixel RP is composed of an element that emits the same color as the main pixel MP.
  • the sub-pixel RP includes a red sub-pixel RPR, a green sub-pixel RPG, and a blue sub-pixel RPB.
  • red main pixel MPR is disposed to correspond to the red sub-pixel RPR
  • the green main pixel MPG is disposed to correspond to the green sub-pixel RPG
  • the blue main pixel MPB is disposed to correspond to the blue sub-pixel. (RPB) is arranged to correspond.
  • each of the main pixel MP and the sub-pixel RP may further include a main pixel realizing white and a sub-pixel realizing white.
  • the type and number of constituting the main pixel MP and the auxiliary pixel RP may be variously configured according to embodiments.
  • the plurality of main pixels MP and the plurality of sub-pixels RP disposed on the display panel 110 may be spaced apart from each other at different intervals.
  • the plurality of unit pixels PX include a plurality of main pixels MP and a plurality of auxiliary pixels RP arranged side by side in two lines, and in each of the unit pixels PX, the main pixels ( MP) and the sub-pixel RP are spaced apart from each other by the same interval.
  • the distance between the main pixel MP and the sub-pixel RP disposed with the boundary of the unit pixel PX therebetween is the same as the distance between the main pixel MP and the sub-pixel RP disposed within the unit pixel PX. may be different.
  • the present invention is not limited thereto, and each of the main pixel MP and the sub-pixel RP may be disposed at the same distance from each other in the entire area of the display panel 110 .
  • the main pixel MP and the sub-pixel RP are arranged in the unit pixel PX, even if the main pixel MP becomes defective, the sub-pixel RP is replaced with the main pixel MP. can emit light. Accordingly, the reliability of the display device 100 may be improved, so that the light emission time of the display device 100 may be increased.
  • an LED serving as a light emitting element and a pixel circuit for driving the light emitting element are disposed.
  • the LED is used as the light emitting device
  • the present disclosure is not limited thereto, and an organic light emitting device, a quantum dot device, and the like may also be used.
  • Each of the plurality of main pixels MP and the plurality of sub-pixels RP receives a gate signal from the gate driver GD through a gate line, receives a data signal from the data driver through a data line, and connects a power supply line. supplied with various power sources.
  • each of the plurality of main pixels MP and the plurality of auxiliary pixels RP includes a first scan signal SCAN1 , a second scan signal SCAN2 and The light emission control signal EM is received, the data signal VDATA is received through the data line, and the pixel high potential voltage VDD, the pixel low potential voltage VSS, and the initialization voltage VREF are applied through the power supply line.
  • the unit pixel PX disposed at the outermost side of one display panel 110 and the other adjacent thereto are displayed. Since the distance between the unit pixels PX disposed at the outermost sides of the display panel 110 can be implemented to be the same as the distance between the plurality of unit pixels PX in one display panel 110 , the bezel area is substantially the same. This non-existent zero bezel implementation is possible. Accordingly, the display device 100 may be defined as having only a display area and a non-display area may be described as not defined in the display device 100 .
  • the gate driver GD supplies a gate signal to the plurality of unit pixels PX through the gate line.
  • the gate signal includes a first scan signal SCAN1 , a second scan signal SCAN2 , and an emission control signal EM.
  • the gate driver GD includes a plurality of stages that are cascaded to each other, and each stage outputs a first scan signal SCAN1 , a second scan signal SCAN2 , and a carry signal CARRY. It may include a scan driving circuit (SD) for performing a function and an emission driving circuit (ED) for outputting an emission control signal (EM).
  • SD scan driving circuit
  • ED emission driving circuit
  • the gate driver GD may be formed on the top surface of the display panel 110 .
  • the area occupied by the LED based on the unit pixel PX may be very small. Accordingly, not only an LED as a light emitting element and a pixel circuit driving the LED may be disposed inside one unit pixel PX, but also a gate driver GD may be disposed. That is, in the display device according to an embodiment of the present invention, the gate driver GD may be built in the unit pixel PX. That is, the gate driver GD may be mounted on the unit pixel PX in a gate in active area (GIA) manner.
  • GAA gate in active area
  • the gate driver GD may be disposed between the main pixel MP and the auxiliary pixel RP constituting the unit pixel PX.
  • the scan driving circuit SD of the gate driver GD may be disposed between the red main pixel MPR and the green main pixel MPG or between the red sub-pixel RPR and the green sub-pixel RPG.
  • the light emission driving circuit SD of the gate driver GD may be disposed between the blue main pixel MPB and the green main pixel MPG or between the blue subpixel RPB and the green subpixel RPG.
  • the data driver converts the image data into the data signal VDATA, and supplies the converted data signal VDATA to the unit pixel PX through the data line.
  • the data driver may be formed on the lower surface of the display panel 110 .
  • side wirings are formed on the side of the display panel 110 .
  • the data driver may be disposed on one side of the lower surface of the display panel 110 and may supply the data signal VDATA to the unit pixel PX through the side wiring.
  • the gate driver may be mounted on the unit pixel PX in a gate in active area (GIA) method on the upper surface of the display panel.
  • the data driver may be disposed on the lower surface of the display panel.
  • the process yield of the display device 100 according to an embodiment of the present invention may be improved.
  • the gate driver GD is mounted on the unit pixel PX, a non-display area is not defined, and thus a zero bezel may be realized.
  • FIG. 2 is a block diagram of a gate driver and a plurality of unit pixels of a display device according to an exemplary embodiment.
  • the gate driver GD includes a plurality of cascaded stages ST1, ST2, and ST3, and the plurality of stages ST1, ST2, ST3) A plurality of unit pixels PX1, PX2, and PX3 are arranged to correspond to each other.
  • a plurality of unit pixels PX1, PX2, and PX3 are arranged to correspond to each other.
  • FIG. 2 three stages ST1 , ST2 , ST3 and three unit pixels PX1 , PX2 , and PX3 are illustrated in FIG. 2 , but the number of stages and the number of unit pixels are not limited thereto. can be broadly expanded.
  • each of the plurality of stages ST1 , ST2 , ST3 includes the scan driving circuits SD1 , SD2 , SD3 outputting the first scan signal SCAN1 , the second scan signal SCAN2 , and the carry signal CARRY and the light emission.
  • the light emitting driving circuits ED1 , ED2 , and ED3 outputting the control signal EM may be included.
  • first main pixel MP1 and the first sub-pixel RP1 may be disposed to correspond to the first stage ST1
  • the second main pixel MP2 and the second sub-pixel MP2 may correspond to the second stage ST2
  • the second sub-pixel RP2 may be disposed
  • the third main pixel MP3 and the third sub-pixel RP3 may be disposed to correspond to the third stage ST3 .
  • Each of the plurality of scan driving circuits SD1 , SD2 , and SD3 includes a carry output terminal CROUT for outputting a carry signal CARRY , a first scan output terminal SCOUT1 for outputting a first scan signal SCAN1 , and a second scan signal A second scan output terminal SCOUT2 for outputting SCAN2 may be included.
  • each of the plurality of light emission driving circuits ED1 , ED2 , and ED3 may include a light emission output terminal EMOUT for outputting the light emission control signal EM.
  • Each of the plurality of main pixels MP1, MP2, and MP3 and the plurality of sub-pixels RP1, RP2, and RP3 transmits the first scan signal SCAN1, the second scan signal SCAN2, and the emission control signal EM. It may include an applied first input terminal IN1 , a second input terminal IN2 , and a third input terminal IN3 .
  • the carry output terminal CROUT of the nth stage is connected to the scan driving circuit and the light emission driving circuit of the n+1th stage. Accordingly, the carry signal CARRY output from the carry output terminal CROUT of the nth stage is applied to the scan driving circuit and the light emission driving circuit of the n+1th stage.
  • the first scan output terminal SCOUT1 of the n-th stage is connected to the first input terminal IN1 of the n-th main pixel and the second input terminal IN2 of the n-th sub-pixel. Accordingly, the first scan signal SCAN1 output from the scan driving circuit of the n-th stage is applied to the first input terminal IN1 of the n-th main pixel and the second input terminal IN2 of the n-th sub-pixel.
  • the second scan output terminal SCOUT2 of the n-th stage is connected to the first input terminal IN1 of the n-th sub-pixel, is connected to the scan driving circuit and the light emission driving circuit of the n-1th stage, and is n+1 It is connected to the second input terminal IN2 of the main pixel. Accordingly, the second scan signal SCAN2 output from the scan driving circuit of the nth stage is applied to the first input terminal IN1 of the nth sub-pixel, and is applied to the scan driving circuit and the light emission driving circuit of the n ⁇ 1th stage. and is applied to the second input terminal IN2 of the n+1th main pixel.
  • the light emission output terminal EMOUT of the nth stage is connected to the third input terminal IN3 of the nth main pixel and the third input terminal IN3 of the nth auxiliary pixel. Accordingly, the emission control signal EM output from the emission driving circuit of the n-th stage is applied to the third input terminal IN3 of the n-th main pixel and the third input terminal IN3 of the n-th sub-pixel.
  • the first input terminal IN1 of the n-th main pixel and the second input terminal IN2 of the n-th sub-pixel are outputted from the scan driving circuit of the n-th stage. Since the first scan signal SCAN1 is supplied, the output timing of the first scan signal SCAN1 supplied to the n-th main pixel may be the same as the output timing of the first scan signal SCAN1 supplied to the n-th sub-pixel .
  • the second scan signal SCAN2 output from the scan driving circuit of the n-1 th stage is supplied to the second input terminal IN2 of the nth main pixel, and the second input terminal IN2 of the nth main pixel is supplied.
  • the second scan signal SCAN2 output from the scan driving circuit of the nth stage is supplied to the . Accordingly, the output timing of the second scan signal SCAN2 supplied to the n-th main pixel may be different from the output timing of the second scan signal SCAN2 supplied to the n-th sub-pixel.
  • the carry output terminal CROUT of the second scan driving circuit SD2 is connected to the third scan driving circuit SD3 and the third light emission driving circuit ED3 . Accordingly, the carry signal CARRY output from the carry output terminal CROUT of the second scan driving circuit SD2 is applied to the third scan driving circuit SD3 and the third light emission driving circuit ED3 .
  • the first scan output terminal SCOUT1 of the second scan driving circuit SD2 is connected to the first input terminal IN1 of the second main pixel MP2 and the second input terminal IN2 of the second auxiliary pixel RP2. Accordingly, the first scan signal SCAN1 output from the second scan driving circuit SD2 is applied to the first input terminal IN1 of the second main pixel MP2 and the second input terminal IN2 of the second auxiliary pixel RP2. is authorized to
  • the second scan output terminal SCOUT2 of the second scan driving circuit SD2 is connected to the first input terminal IN1 of the second auxiliary pixel RP2, and the first scan driving circuit SD1 and the first light emission driving It is connected to the circuit ED1 and is connected to the second input terminal IN2 of the third main pixel MP3 .
  • the second scan signal SCAN2 output from the second scan driving circuit SD2 is applied to the first input terminal IN1 of the second auxiliary pixel RP2, and the first scan driving circuit SD1 and the first It is applied to the light emission driving circuit ED1 and is applied to the second input terminal IN2 of the third main pixel MP3 .
  • the light emission output terminal EMOUT of the second stage is connected to the third input terminal IN3 of the second main pixel MP2 and the third input terminal IN3 of the second auxiliary pixel RP. Accordingly, the light emission control signal EM output from the second light emission driving circuit ED2 is applied to the third input terminal IN3 of the second main pixel MP2 and the third input terminal IN3 of the second auxiliary pixel RP. is authorized
  • the first scan driving circuit SD1 and the light emission driving circuit ED1 receive the gate start signal VST separately, and the second input terminal IN2 of the first main pixel MP1 receives the start clock signal SCST. may be licensed separately.
  • the transistor to be described below may be implemented as a transistor having an n-type or p-type MOSFET structure. Although the p-type transistor is illustrated in the following embodiments, the present invention is not limited thereto.
  • FIG. 3 is a circuit diagram illustrating a pixel circuit included in a display device according to an exemplary embodiment.
  • the transistor to be described below may be implemented as a transistor having an n-type or p-type MOSFET structure. Although the p-type transistor is illustrated in the following embodiments, the present invention is not limited thereto.
  • the transistor is a three-electrode device including a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode.
  • the source electrode is an electrode that supplies a carrier to the transistor. In the transistor, carriers begin to flow from the source electrode.
  • the drain electrode is an electrode through which carriers exit the transistor. That is, the flow of carriers in the MOSFET flows from the source electrode to the drain electrode.
  • NMOS n-type MOSFET
  • the voltage of the source electrode is lower than the voltage of the drain electrode so that electrons can flow from the source electrode to the drain electrode.
  • the direction of current flows from the drain electrode to the source electrode.
  • the source and drain electrodes of the MOSFET are not fixed.
  • the source electrode and the drain electrode of the MOSFET may be changed according to an applied voltage. The invention should not be limited by the source electrode and the drain electrode of the transistor in the following embodiments.
  • the source electrode of the transistor is expressed as a first electrode
  • the drain electrode of the transistor is expressed as a second electrode.
  • the source electrode may be interpreted as the second electrode
  • the drain electrode may be interpreted as the first electrode.
  • the main pixel MP(n) of the display device includes a driving transistor TDR, a first switching transistor TSW1 , a second switching transistor TSW2 , and emission control. It includes a transistor TEM, a first initialization transistor TIN1 , a second initialization transistor INT2 , and a storage capacitor CST.
  • the driving transistor TDR drives the LED.
  • the pixel high potential voltage VDD is applied to the first electrode
  • the second electrode is connected to the third node N3
  • the gate electrode is connected to the second node N2 . Accordingly, the luminance of the LED is controlled by controlling the driving current supplied to the LED and the driving voltage according to the gate-source voltage Vgs of the driving transistor TDR.
  • the first switching transistor TSW1 applies the received data voltage VDATA supplied from the data line to the first node N1 .
  • the data voltage VDATA is input to the first electrode
  • the second electrode is connected to the first node N1
  • the gate electrode is connected to the first input terminal IN1 .
  • the first scan signal SCAN1(n) output from the scan driving circuit SD(n) of the nth stage is provided to the first input terminal IN1 of the nth main pixel n. )) is approved.
  • the first switching transistor TSW1 applies the data voltage VDATA supplied from the data line to the first node N1 in response to the first scan signal SCAN1(n).
  • the second switching transistor TSW2 samples the threshold voltage Vth of the driving transistor TDR.
  • the first electrode is connected to the third node N3
  • the second electrode is connected to the second node N2
  • the gate electrode is connected to the first input terminal IN1 .
  • the second switching transistor TSW2 electrically connects the second node N2 and the third node N3 to the gate of the driving transistor TDR.
  • the electrode and the second electrode are diode-connected. Accordingly, by the second switching transistor TSW2 , the voltage of the second node N2 increases along with the voltage of the third node N3 .
  • the gate-source voltage Vgs difference of the driving transistor TDR gradually decreases, and the gate-source voltage difference of the driving transistor TDR becomes less than the threshold voltage Vth.
  • the second switching transistor TSW2 may sample the threshold voltage Vth of the driving transistor TDR.
  • the light emission control transistor TEM controls the light emission of the LED.
  • the first electrode is connected to the third node N3
  • the second electrode is connected to the LED
  • the gate electrode is connected to the third input terminal IN3 .
  • the light emission control signal EM(n) output from the light emission driving circuit ED(n) of the nth stage is provided to the third input terminal IN3 of the nth main pixel n. ) is approved.
  • the light emission control transistor TEM may form a current path between the third node N3 and the LED in response to the light emission control signal EM(n) to emit light.
  • the first initialization transistor TIN1 applies the initialization voltage VREF to the third node N3 .
  • the initialization voltage VREF is applied to the first electrode, the second electrode is connected to the third node N3 , and the gate electrode is connected to the second input terminal.
  • the second scan signal output from the scan driving circuit SD(n-1) of the n ⁇ 1th stage is provided to the second input terminal IN2 of the nth main pixel n. (SCAN2(n-1)) is applied.
  • the first initialization transistor TIN1 applies the initialization voltage VREF to the third node N3 in response to the second scan signal SCAN2(n-1).
  • the second initialization transistor INT2 applies the initialization voltage VREF to the first node N1 .
  • the initialization voltage VREF is applied to the first electrode, the second electrode is connected to the first node N1 , and the third input terminal IN3 is connected to the gate electrode.
  • the second initialization transistor INT2 applies the initialization voltage VREF to the first node N1 in response to the emission control signal EM(n).
  • the storage capacitor CST stores a voltage applied to the gate node of the driving transistor TDR.
  • the capacitor CST is disposed between the first node N1 and the second node N2 .
  • the storage capacitor CST is electrically connected to the first node N1 and the second node N2 to supply the voltage of the gate electrode of the driving transistor TDR and the second electrode of the first switching transistor TSW1. Stores the voltage difference.
  • a transistor indicated by a dotted line means a turned-off transistor
  • a transistor indicated by a solid line is a turned-on transistor.
  • the transistor since the transistor is a p-type transistor, the transistor is turned on when a low-level voltage is applied to the gate electrode. Accordingly, a low-level voltage is described as a turn-on level voltage, and a high-level voltage is described as a turn-off level voltage.
  • the present invention is not limited thereto, and when the transistor is an n-type transistor, the turn-on level voltage may be a high-level voltage and the turn-off level voltage may be a low-level voltage.
  • 4A is a circuit diagram illustrating a first driving period of a main pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • 4B is a timing diagram illustrating a first driving period of a main pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • the first scan signal SCAN1(n) is at a turn-off level
  • the second scan signal SCAN(n-1) is at a turn-on level
  • the control signal EM(n) is a turn-off level.
  • the first initialization transistor TIN1 is turned on by the second scan signal SCAN2(n-1), and is initialized to the third node N3.
  • a voltage VREF is applied.
  • 5A is a circuit diagram illustrating a second driving period of a main pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • 5B is a timing diagram illustrating a second driving period of a main pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • the first scan signal SCAN1(n) is a turn-on level
  • the second scan signal SCAN2(n-1) is a turn-on level
  • light emission control is performed.
  • Signal EM(n) is a turn-off level.
  • the first initialization transistor TIN1 is turned on by the second scan signal SCAN2(n-1), and the second switching transistor TSW2 is turned on by the first scan signal SCAN1(n). )) to apply the initialization voltage VREF to the second node N2 and the third node N3. Then, the first switching transistor TSW1 is turned on by the first scan signal SCAN1(n) to apply the data voltage VDATA supplied from the data line to the first node N1 .
  • 6A is a circuit diagram illustrating a third driving period of a main pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • 6B is a timing diagram illustrating a third driving period of a main pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • the first scan signal SCAN1(n) is at a turn-on level
  • the second scan signal SCAN2(n-1) is at a turn-off level
  • light is emitted.
  • the control signal EM(n) is a turn-off level.
  • the second switching transistor TSW2 is turned on by the first scan signal SCAN1(n) to electrically connect the second node N2 and the third node N3 to , the gate electrode and the second electrode of the driving transistor TDR are diode-connected. Accordingly, by the second switching transistor TSW2 , the voltage of the second node N2 increases along with the voltage of the third node N3 . As the voltage of the second node N2 increases, the gate-source voltage Vgs difference of the driving transistor TDR gradually decreases, and the gate-source voltage difference of the driving transistor TDR becomes less than the threshold voltage Vth. When the driving transistor TDR is turned off. Accordingly, the voltage of the second node N2 is charged by the difference between the pixel high potential voltage VDD and the threshold voltage Vth.
  • the first switching transistor TSW1 is turned on by the first scan signal SCAN1(n) to apply the data voltage VDATA supplied from the data line to the first node N1 .
  • (VDD-Vth)-VDATA is charged across the storage capacitor CST during the third driving period P3 .
  • FIG. 7A is a circuit diagram illustrating a fourth driving period of a main pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 7B is a timing diagram illustrating a fourth driving period of a main pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • the first scan signal SCAN1(n), the second scan signal SCAN2(n-1), and the emission control signal EM(n) are All are turn-off levels.
  • the first switching transistor TSW1 , the second switching transistor TSW2 , the emission control transistor TEM, the first initialization transistor TIN1 , and the second initialization transistor INT2 are all turned on. turns off Accordingly, (VDD-Vth)-VDATA is maintained across the storage capacitor CST during the fourth driving period P4 .
  • FIG. 8A is a circuit diagram illustrating a fifth driving period of a main pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • 8B is a timing diagram illustrating a fifth driving period of a main pixel of a display device according to an exemplary embodiment.
  • the first scan signal SCAN1(n) and the second scan signal SCAN2(n-1) are at a turn-off level, and the emission control signal EM (n)) is the turn-on level.
  • the second initialization transistor INT2 is turned on by the emission control signal EM(n), and the initialization voltage ( VREF) is applied. Accordingly, the voltage of the first node N1 is changed from the data voltage VDATA to the initialization voltage VREF, and the second node N2 connected to the first node N1 by the storage capacitor CST is coupled. The voltage changes to (VDD-Vth)-(VDATA-VREF) by the phenomenon
  • the light emission control transistor TEM is turned on by the light emission control signal EM(n) to form a current path between the third node N3 and the LED, so that the LED emits light. can do it
  • the data voltage is reflected in the gate-source voltage Vgs of the driving transistor TDR connected to the second node N2, and thus the LED may be emitted to correspond to the data voltage.
  • the transistor to be described below may be implemented as a transistor having an n-type or p-type MOSFET structure. Although the p-type transistor is illustrated in the following embodiments, the present invention is not limited thereto.
  • FIG. 9 is a circuit diagram illustrating a scan driving circuit of a display device according to an exemplary embodiment.
  • the Q node controllers T1, T2, Tb1, Tb2, T3, Tb3, Tb4, T9 , QB node control unit T4, T5, T8, carry output unit T6cr, T7cr, first scan output unit T6sc1, T6sc1, second scan output unit T6sc2, T6sc2, and a plurality of capacitors C1, C2 ) is included.
  • the Q node controllers T1, T2, Tb1, Tb2, T3, Tb3, Tb4, and T9 control the voltage of the Q node Q.
  • the Q node controllers T1 , T2 , Tb1 , Tb2 , T3 , Tb3 , Tb4 , and T9 determine the charging and discharging timing of the Q node Q .
  • the Q node controllers T1, T2, Tb1, Tb2, T3, Tb3, Tb4, and T9 include the T1 transistor T1, the T2 transistor T2, the Tb1 transistor Tb1, the Tb2 transistor Tb2, and the T3 transistor T3. , a Tb3 transistor Tb3 , a Tb4 transistor Tb4 , and a T9 transistor T9 .
  • a gate low potential voltage VGL having a turn-on level is applied to the gate electrode of the Tb1 transistor Tb1 , the Tb2 transistor Tb2 , the Tb3 transistor Tb3 , and the Tb4 transistor Tb4 . Accordingly, the Tb1 transistor Tb1, the Tb2 transistor Tb2, the Tb3 transistor Tb3, and the Tb4 transistor Tb4 are always turned on. Accordingly, transistors excluding the Tb1 transistor Tb1 , the Tb2 transistor Tb2 , the Tb3 transistor Tb3 , and the Tb4 transistor Tb4 will be described in detail.
  • the T1 transistor T1 discharges the Q node Q in response to the carry signal CARRY(n-1) or the gate start signal VST of the previous stage. Specifically, the carry signal CARRY(n-1) or the gate start signal VST of the previous stage is applied to the gate electrode of the T1 transistor T1, and the gate low potential voltage is applied to the first electrode of the T1 transistor T1. VGL is applied, and the second electrode of the T1 transistor T1 is connected to the T2 transistor T2.
  • the T2 transistor T2 discharges the Q node Q in response to the carry signal CARRY(n-1) or the gate start signal VST of the previous stage.
  • the carry signal CARRY(n-1) or the gate start signal VST of the previous stage is applied to the gate electrode of the T2 transistor T2, and the T1 transistor T1 is applied to the first electrode of the T2 transistor T2. ) is connected, and the second electrode of the T2 transistor T2 is connected to the Tb1 transistor Tb1.
  • the T1 transistor T1, the T2 transistor T2, and the Tb1 transistor Tb1 are all turned on ( turn-on), discharging the Q node (Q) to a gate low potential voltage (VGL) having a turn-on level.
  • the T3 transistor T3 charges the Q node Q in response to the voltage of the QB node QB.
  • the gate electrode of the T3 transistor T3 is connected to the QB node QB
  • the gate high potential voltage VGH having a turn-off level is applied to the first electrode of the T3 transistor T3
  • the T3 transistor The second electrode of T3 is connected to the Tb2 transistor Tb2.
  • a first electrode of the Tb2 transistor Tb2 is connected to the T3 transistor T3
  • a second electrode of the Tb2 transistor Tb2 is connected to the Q node Q .
  • the T3 transistor T3 and the Tb2 transistor Tb2 are both turned on, and the gate high potential voltage having the Q node Q turned off level. (VGH).
  • the T9 transistor T9 charges the Q node Q in response to the reset signal QRST.
  • a reset signal QRST is applied to the gate electrode of the T9 transistor T9
  • a gate high potential voltage VGH having a turn-off level is applied to the first electrode of the T9 transistor T9
  • the T9 transistor The second electrode of T9 is connected to the Tb4 transistor Tb4.
  • a first electrode of the Tb4 transistor Tb4 is connected to the T9 transistor T9, and a second electrode of the Tb4 transistor Tb4 is connected to the Q node Q.
  • the reset signal QRST falls to the turn-on level, so that the T9 transistor T9 and the Tb4 transistor Tb4 are both turned on, turning off the Q node Q. It is charged up to the gate high potential voltage (VGH) having a level.
  • VGH gate high potential voltage
  • the QB node controllers T4, T5, and T8 control the voltage of the QB node QB.
  • the QB node control unit (T4, T5, T8) determines the charging and discharging timing of the QB node (QB).
  • the QB node controllers T4 , T5 , and T8 include a T4 transistor T4 , a T5 transistor T5 , and a T8 transistor T8 .
  • the T4 transistor T4 charges the QB node QB by the second scan signal SCAN2(n+1) of the next stage. Specifically, the second scan signal SCAN2(n+1) of the next stage is applied to the gate electrode of the T4 transistor T4, and the gate low potential voltage VGL is applied to the first electrode of the T4 transistor T4. and the second electrode of the T4 transistor T4 is connected to the QB node QB. Accordingly, while the second scan signal SCAN2(n+1) of the next stage is at the turn-on level, the T4 transistor T4 is turned on, and the QB node QB is connected to the gate low potential voltage VGL. ) to discharge.
  • the T5 transistor T5 charges the QB node QB in response to the carry signal CARRY(n-1) or the gate start signal VST of the previous stage. Specifically, the carry signal CARRY(n-1) or the gate start signal VST of the previous stage is applied to the gate electrode of the T5 transistor T5, and the gate high potential voltage is applied to the first electrode of the T5 transistor T5. (VGH) is applied, and the second electrode of the T5 transistor T5 is connected to the QB node QB.
  • VGH first electrode of the T5 transistor T5.
  • the T5 transistor T5 is turned on to turn on the QB node QB. It is charged to the gate high potential voltage (VGH) having an off level.
  • the T8 transistor T8 charges the QB node QB in response to the voltage of the Q node Q.
  • the gate electrode of the T8 transistor T8 is connected to the Tb3 transistor Tb3
  • the gate high potential voltage VGH is applied to the first electrode of the T8 transistor T8
  • the second electrode of the T8 transistor T8 is connected to the gate electrode of the T8 transistor T8 .
  • the electrode is connected to the QB node QB.
  • a first electrode of the Tb3 transistor Tb3 is connected to the Q node Q
  • a second electrode of the Tb3 transistor Tb3 is connected to the T8 transistor.
  • the eighth transistor T8 is turned on to charge the QB node QB to the gate high potential voltage VGH.
  • the carry output units T6cr and T7cr output the carry signal CARRY(n) by the voltage of the Q node Q and the QB node QB.
  • the carry output units T6cr and T7cr pull-down the T6cr transistor T6cr, which is a transistor for pulling up the carry signal CARRY(n), and the carry signal CARRY(n). ) including a transistor T7cr transistor T7cr.
  • the gate electrode of the T6cr transistor T6cr is connected to the Q node Q, the carry clock signal CRCLK(n) is applied to the first electrode of the T6cr transistor T6cr, and the second electrode of the T6cr transistor T6cr is applied. is connected to the carry output terminal CROUT(n). Accordingly, when the Q node Q is in the discharge state, the T6cr transistor T6cr is turned on to output the carry clock signal CRCLK(n) as the carry signal CARRY(n).
  • the gate electrode of the T7cr transistor T7cr is connected to the QB node QB, the gate high potential voltage VGH is applied to the first electrode of the T7cr transistor T7cr, and the second electrode of the T7cr transistor T7cr is carry It is connected to the output terminal CROUT(n). Accordingly, when the QB node QB is in a discharged state, the T7cr transistor T7cr is turned on and outputs the gate high potential voltage VGH as the carry signal CARRY(n).
  • the first scan output units T6m and T7m output the first scan signal SCAN1(n) by the voltage of the Q node Q and the QB node QB.
  • the carry output units T6m and T7m pull-down the T6m transistor T6m, which is a transistor that pulls up the first scan signal SCAN1(n), and the first scan signal SCAN1(n). It includes a T7m transistor T7m, which is a pull-down transistor.
  • the gate electrode of the T6m transistor T6m is connected to the Q node Q, the scan clock signal SCCLK(2n-1) is applied to the first electrode of the T6m transistor T6m, and the second electrode of the T6m transistor T6m is applied.
  • the second electrode is connected to the first scan output terminal SCOUT1(n). Accordingly, when the Q node Q is in a discharged state, the T6m transistor T6m is turned on to transmit the scan clock signal SCCLK((2n-1)) to the first scan signal SCAN1(n). ) is output.
  • the gate electrode of the T7m transistor T7m is connected to the QB node QB, the gate high potential voltage VGH is applied to the first electrode of the T7m transistor T7m, and the second electrode of the T7m transistor T7m is connected to the second electrode. 1 It is connected to the scan output terminal (SCOUT1(n)). Accordingly, when the QB node QB is in a discharged state, the T7m transistor T7m is turned on and outputs the gate high potential voltage VGH as the first scan signal SCAN1(n).
  • the second scan output units T6r and T7r output the second scan signal SCAN2(n) according to the voltage of the Q node Q and the QB node QB.
  • the second scan output units T6r and T7r include a T6r transistor T6r, which is a transistor for pulling up the second scan signal SCAN2(n), and a second scan signal SCAN2(n). and a T7r transistor T7r, which is a transistor for pulling down.
  • the gate electrode of the T6r transistor T6r is connected to the Q node Q, the scan clock signal SCCLK(2n) is applied to the first electrode of the T6r transistor T6r, and the second electrode of the T6r transistor T6r is applied. is connected to the second scan output terminal SCOUT2(n). Accordingly, when the Q node Q is in a discharged state, the T6r transistor T6r is turned on to output the scan clock signal SCCLK(2n) as the second scan signal SCAN2(n). .
  • the gate electrode of the T7r transistor T7r is connected to the QB node QB, the gate high potential voltage VGH is applied to the first electrode of the T7r transistor T7r, and the second electrode of the T7r transistor T7r is connected to the second electrode. 2 It is connected to the scan output terminal (SCOUT2(n)). Accordingly, when the QB node QB is in a discharged state, the T7r transistor T7r is turned on and outputs the gate high potential voltage VGH as the second scan signal SCAN2(n).
  • the C1cr capacitor (C1cr) bootstrap the Q node (Q) (bootstrapping). Specifically, one end of the C1cr capacitor C1cr is connected to the gate electrode of the T6cr transistor T6cr, and the other end of the C1cr capacitor C1cr is connected to the second electrode of the T6cr transistor T6cr, which is the carry output terminal CROUT(n). connected Accordingly, while the Q node Q is discharged, when the carry signal CRRAY(n) output from the carry output terminal CROUT(n), which is the second electrode of the T6cr transistor T6cr, falls to the turn-on level, C1cr The Q node Q may be bootstrapped by the capacitor C1cr.
  • the C1m capacitor C1m bootstraps the Q node Q. Specifically, one end of the C1m capacitor C1m is connected to the gate electrode of the T6m transistor T6m, and the other end of the C1m capacitor C1m is the second end of the T6m transistor T6m, which is the first scan output terminal SCOUT1(n). connected to the electrode. Accordingly, while the Q node Q is discharged, the first scan signal SCAN1(n) output from the first scan output terminal SCOUT1(n), which is the second electrode of the T6m transistor T6m, falls to the turn-on level. In this case, the Q node Q may be bootstrapped by the C1m capacitor C1m.
  • the C1r capacitor C1r bootstraps the Q node Q. Specifically, one end of the C1r capacitor C1r is connected to the gate electrode of the T6r transistor T6r, and the other end of the C1r capacitor C1r is the second scan output terminal SCOUT2(n) of the T6r transistor T6r. connected to the electrode. Accordingly, while the Q node Q is discharged, the second scan signal SCAN2(n) output from the second scan output terminal SCOUT2(n), which is the second electrode of the T6r transistor T6r, falls to the turn-on level. In this case, the Q node Q may be bootstrapped by the C1r capacitor C1r.
  • the second capacitor C2 stabilizes the QB node QB.
  • the gate high potential voltage VGH is fixedly applied to one end of the second capacitor C2 , and the other end of the second capacitor C2 is connected to the QB node QB. Accordingly, since the potential of one end of the second capacitor C2 does not change, the voltage of the QB node QB is stabilized, so that the first scan signal SCAN1(N), the second scan signal SCAN2(N), and the carry The signal CARRY(N) can be output without delay.
  • FIG. 10 is a circuit diagram illustrating a light emitting driving circuit of a display device according to an exemplary embodiment.
  • the QE node controllers T10 and T11, the light emission output units T6e, T7e, T8e, A T12 transistor T12 and a third capacitor C3 are included.
  • the QE node controllers T10 and T11 control the voltage of the QE node QE. In other words, the QE node controllers T10 and T11 determine charging and discharging timings of the QE node QE.
  • the QE node controllers T10 and T11 include a T10 transistor T10 and a T11 transistor T11.
  • the T10 transistor T10 discharges the QE node QE in response to the second scan signal SCAN2(n+1) of the next stage. Specifically, the second scan signal SCAN2(n+1) is applied to the gate electrode of the T10 transistor T10, the light emission low potential voltage EVGL is applied to the first electrode of the T10 transistor T10, and T10 The second electrode of the transistor T10 is connected to the QE node QE.
  • the T11 transistor T11 charges the QE node QE in response to the carry signal CARRY(n-1) or the gate start signal VST of the previous stage. Specifically, the carry signal CARRY(n-1) or the gate start signal VST of the previous stage is applied to the gate electrode of the T11 transistor T11, and the first electrode of the T11 transistor T11 has a turn-off level. The light emission high potential voltage EVGH is applied, and the second electrode of the T11 transistor T11 is connected to the QE node QE.
  • the T11 transistor T11 is turned on to turn on the QE node QE. It is charged up to the light emission high potential voltage EVGH having an off level.
  • the light emission output units T6e, T7e, and T8e output the light emission control signal EM(n) according to the voltage of the QE node QE.
  • the light emission output units T6e, T7e, and T8e pull down the emission control signal EM(n) and the T6e transistor T6e, which is a transistor that pulls up the emission control signal EM(n). It includes a T7e transistor T7e and a T8e transistor T8e that are pull-down transistors.
  • the gate electrode of the T6e transistor T6e is connected to the QE node QE, the light emission low potential voltage EVGL is applied to the first electrode of the T6e transistor T6e, and the second electrode of the T6e transistor T6e emits light. It is connected to the output terminal EMOUT(n). Accordingly, when the QE node QE is in a discharged state, the T6e transistor T6e is turned on to output the light emission low potential voltage EVGL as the emission control signal EM(n).
  • the carry signal CARRY(n-1) or the gate start signal VST of the previous stage is applied to the gate electrode of the T7e transistor T7e, and the fourth node N4 is connected to the first electrode of the T7e transistor T7e. connected, and the second electrode of the T7e transistor T7e is connected to the light emitting output terminal EMOUT(n).
  • the carry signal CARRY(n-1) or the gate start signal VST of the previous stage is applied to the gate electrode of the T8e transistor T8e, and the first electrode of the T8e transistor T8e has a turn-off level.
  • the light emission high potential voltage EVGH is applied, and the second electrode of the T8e transistor T8e is connected to the fourth node N4 .
  • the T7e transistor T7e and the T8e transistor T8e are turned on to emit light.
  • the high potential voltage EVGH is output as the emission control signal EM(n).
  • the third capacitor C3 bootstraps the QE node QE. Specifically, one end of the third capacitor C3 is connected to the gate electrode of the T6e transistor T6e, and the other end of the third capacitor C3 is the second end of the T6e transistor T6e, which is the light emitting output terminal EMOUT(n). connected to the electrode. Accordingly, while the QE node QE is discharged, when the light emission control signal EM(n) output from the light emission output terminal EMOUT(n), which is the second electrode of the T6e transistor T6e, falls to the turn-on level, The QE node QE may be bootstrapped by the third capacitor C3.
  • the T12 transistor T12 charges the fourth node N4 in response to the voltage of the light emitting output terminal EMOUT(n). Specifically, the gate electrode of the T12 transistor T12 is connected to the light emission output terminal EMOUT(n), the light emission high potential voltage EVGH is applied to the first electrode of the T12 transistor T12, and the T12 transistor T12 The second electrode of is connected to the fourth node N4. Accordingly, while the light emission control signal EM(n) output from the light emission output terminal EMOUT(n) is at the turn-off level, the T12 transistor T12 is turned off, and the fourth node N4 is turned off. The light emitting low potential voltage EVGL having a turn-on level is not charged.
  • FIG. 11 is a timing diagram illustrating an input signal and an output signal of a gate driver of a display device according to an exemplary embodiment.
  • 12 to 18 are circuit diagrams for explaining a driving method of a gate driver of a display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 12 is a circuit diagram illustrating a method of driving a gate driver of a display device according to an exemplary embodiment at the first point of view of FIG. 11 .
  • 13 is a circuit diagram illustrating a method of driving a gate driver of a display device according to an exemplary embodiment at the second time point of FIG. 11 .
  • FIG. 14 is a circuit diagram illustrating a method of driving a gate driver of a display device according to an exemplary embodiment at the third time point of FIG. 11 .
  • 15 is a circuit diagram illustrating a method of driving a gate driver of a display device according to an exemplary embodiment at the fourth time point of FIG. 11 .
  • 16 is a circuit diagram for explaining a method of driving a gate driver of a display device according to an exemplary embodiment at the fifth time point of FIG. 11 .
  • 17 is a circuit diagram illustrating a method of driving a gate driver of a display device according to an exemplary embodiment at the sixth time point of FIG. 11 .
  • 18 is a circuit diagram illustrating a method of driving a gate driver of a display device according to an exemplary embodiment at the seventh time point of FIG. 11 .
  • the gate start signal VST falls to a low level that is a turn-on level.
  • the T1 transistor T1 , the T2 transistor T2 , and the Tb1 transistor Tb1 are all turned on, so that the Q node Q(1)) is discharged to a gate low potential voltage VGL having a turn-on level, and the T5 transistor T5 is turned on, thereby causing the QB node QB(1) to become a gate high potential voltage VGL having a turn-off level. VGH).
  • the T11 transistor T11 is turned on, and the light emitting high potential voltage EVGH having a turn-off level of the QE node QE( 1 ).
  • the T7e transistor T7e and the T8e transistor T8e are turned on to charge the light emission output terminal EMOUT(1) with the light emission high potential voltage EVGH, and the light emission high potential voltage (EVGH) is output as the emission control signal EM(1).
  • the first scan clock signal SCCLK( 1 ) and the first carry clock signal CRCLK( 1 ) fall to a low level that is a turn-on level.
  • the Q node Q( 1 ) is discharged to the gate low potential voltage VGL having a turn-on level, and thus the T6cr transistor T6cr and the T6m transistor T6m are all turned on. Accordingly, the T6cr transistor T6cr outputs the low-level first carry clock signal CRCLK( 1 ) to the carry output terminal CROUT( 1 ), and outputs it as the carry signal CARRY( 1 ). In addition, the T6m transistor T6m outputs the low-level first scan clock signal SCCLK(1) to the first scan output terminal SCOUT1(1), and outputs it as the first scan signal SCAN1(1). do.
  • the T1 transistor T1 and the T2 transistor T2 are at the turn-on level of the carry signal CARRY( 1 ) of the first scan driving circuit SD( 1 ). are all turned on by , discharging the Q node Q(2) to the gate low potential voltage VGL having a turn-on level, and the T5 transistor T5 is turned on , the QB node QB(2) is charged with a gate high potential voltage VGH having a turn-off level.
  • the T11 transistor T11 is turned on by the carry signal CARRY( 1 ) of the first scan driving circuit SD( 1 ).
  • the QE node QE(2) is charged to the light emission high potential voltage EVGH having a turn-off level, and the T7e transistor T7e and the T8e transistor T8e are connected to the first scan driving circuit SD(1). is turned on by the carry signal CARRY(1) of the , charging the light-emitting output terminal EMOUT(2) with the light-emitting high potential voltage EVGH, and controlling the light-emitting high potential voltage EVGH output as a signal EM(2).
  • the second scan clock signal SCCLK( 2 ) falls to a low level that is a turn-on level.
  • the Q node Q( 1 ) is discharged to the gate low potential voltage VGL having a turn-on level, so that the T6r transistor T6r is turned on (turn-on). on) will be Accordingly, the T6r transistor T6r outputs the low-level second scan clock signal SCCLK(2) to the second scan output terminal SCOUT2(1), and outputs it as the second scan signal SCAN2(1). do.
  • the third scan clock signal SCCLK( 3 ) and the second carry clock signal CRCLK( 2 ) fall to a low level that is a turn-on level.
  • the Q node Q( 2 ) is discharged to the gate low potential voltage VGL having a turn-on level, and thus the T6cr transistor T6cr and the T6m transistor T6m are all turned on. Accordingly, the T6cr transistor T6cr outputs the low-level second carry clock signal CRCLK( 2 ) to the carry output terminal CROUT( 2 ), and outputs it as the carry signal CARRY( 2 ). Then, the T6m transistor T6m outputs the low-level third scan clock signal SCCLK(3) to the first scan output terminal SCOUT1(2), and outputs it as the first scan signal SCAN1(2). do.
  • the T1 transistor T1 and the T2 transistor T2 have a low level of the carry signal CARRY( 2 ) of the second scan driving circuit SD( 2 ). are all turned on by , discharging the Q node Q(3) to the gate low potential voltage VGL having a turn-on level, and the T5 transistor T5 is turned on , and the QB node QB(3) is charged with a gate high potential voltage VGH having a turn-off level.
  • the T11 transistor T11 is turned on by the carry signal CARRY( 2 ) of the second scan driving circuit SD( 2 ).
  • the QE node QE(3) is charged to the light emission high potential voltage EVGH having a turn-off level
  • the T7e transistor T7e and the T8e transistor T8e are connected to the second scan driving circuit SD(2).
  • the carry signal CARRY(2) of the light emission output terminal EMOUT(3) is charged with the light emission high potential voltage EVGH to control the light emission high potential voltage EVGH output as a signal EM(3).
  • the fourth scan clock signal SCCLK( 4 ) falls to a low level that is a turn-on level.
  • the Q node Q( 2 ) is discharged to the gate low potential voltage VGL having a turn-on level, and thus the T6r transistor T6r is turned on (turn-on). on) will be Accordingly, the T6r transistor T6r outputs the low-level fourth scan clock signal SCCLK(4) to the second scan output terminal SCOUT2(2), and outputs it as the second scan signal SCAN2(2). do.
  • the T4 transistors T4 in the first scan driving circuit SD( 1 ) are all turned on by the second scan signal SCAN2( 2 ) of the second scan driving circuit SD( 2 ). on) to discharge the QB node QB(1) to a gate low potential voltage VGL having a turn-on level. And, since the QB node QB(1) in the first scan driving circuit SD(1) is discharged to the gate low potential voltage VGL, the T3 transistor T3 is turned on, QB The node Q(1) is charged to the gate high potential voltage VGH.
  • the T10 transistor T10 is turned on by the second scan signal SCAN2( 2 ) of the second scan driving circuit SD( 2 ). on), discharging the QE node QE(1) to the light emission low potential voltage EVGL having a turn-on level, and the T6e transistor T6e and the second scan driving circuit SD(2) of the second scan signal It is turned on by (SCAN2(2)) to discharge the light emission output terminal EMOUT(1) to the light emission low potential voltage EVGL, and the light emission low potential voltage EVGL to the light emission control signal EM (1)) is output.
  • the fifth scan clock signal SCCLK( 5 ) and the third carry clock signal CRCLK( 3 ) fall to a low level that is a turn-on level.
  • the Q node Q( 3 ) is discharged to the gate low potential voltage VGL having a turn-on level, so the T6cr transistor T6cr and the T6m transistor T6m are all turned on. Accordingly, the T6cr transistor T6cr outputs the low-level third carry clock signal CRCLK( 3 ) to the carry output terminal CROUT( 3 ), and outputs it as the carry signal CARRY( 3 ). In addition, the T6m transistor T6m outputs a low-level fifth scan clock signal SCCLK(5) to the first scan output terminal SCOUT1(3), and outputs it as a first scan signal SCAN1(3). do.
  • the sixth scan clock signal SCCLK( 6 ) falls to a low level that is a turn-on level.
  • the Q node Q( 3 ) is discharged to the gate low potential voltage VGL having a turn-on level, and thus the T6r transistor T6r is turned on (turn-on). on) will be Accordingly, the T6r transistor T6r outputs the low-level sixth scan clock signal SCCLK(6) to the second scan output terminal SCOUT2(3), and outputs it as the second scan signal SCAN2(3). do.
  • the T4 transistors T4 in the second scan driving circuit SD( 2 ) are all turned on by the second scan signal SCAN2( 3 ) of the third scan driving circuit SD( 3 ). on) to discharge the QB node QB(2) to a gate low potential voltage VGL having a turn-on level. And, since the QB node QB(2) in the second scan driving circuit SD(2) is discharged to the gate low potential voltage VGL, the T3 transistor T3 is turned on, QB The node Q(2) is charged to the gate high potential voltage VGH.
  • the T10 transistor T10 is turned on by the second scan signal SCAN2( 3 ) of the third scan driving circuit SD( 3 ). on) to discharge the QE node QE(2) to the light-emitting low potential voltage EVGL having a turn-on level, and the T6e transistor T6e and the third scan driving circuit SD(3) have a second scan signal It is turned on by (SCAN2(3)) to discharge the light emission output terminal EMOUT(2) to the light emission low potential voltage EVGL, and the light emission low potential voltage EVGL to the light emission control signal EM (2)) is output.
  • the display device according to the exemplary embodiment may differ only in the connection relationship between the gate driver GD and the plurality of unit pixels PX and signal input.
  • the circuit structure of the gay gate driver GD and the pixel circuit structure of the plurality of unit pixels PX are the same, a description thereof will be omitted.
  • 19 is a block diagram of a gate driver and a plurality of unit pixels of a display device according to another exemplary embodiment of the present invention.
  • the gate driver GD includes a plurality of cascaded stages ST1, ST2, and ST3, and the plurality of stages ST1, ST2, ST3) A plurality of unit pixels PX1, PX2, and PX3 are arranged to correspond to each other.
  • a plurality of unit pixels PX1, PX2, and PX3 are arranged to correspond to each other.
  • three stages ST1 , ST2 , ST3 and three unit pixels PX1 , PX2 , and PX3 are arranged, but the number of stages and the number of unit pixels are not limited thereto. can be expanded.
  • each of the plurality of stages ST1 , ST2 , ST3 includes the scan driving circuits SD1 , SD2 , SD3 outputting the first scan signal SCAN1 , the second scan signal SCAN2 , and the carry signal CARRY and the light emission.
  • the light emitting driving circuits ED1 , ED2 , and ED3 outputting the control signal EM may be included.
  • first main pixel MP1 and the first sub-pixel RP1 may be disposed to correspond to the first stage ST1
  • the second main pixel MP2 and the second sub-pixel MP2 may correspond to the second stage ST2
  • the second sub-pixel RP2 may be disposed
  • the third main pixel MP3 and the third sub-pixel RP3 may be disposed to correspond to the third stage ST3 .
  • Each of the plurality of scan driving circuits SD1 , SD2 , and SD3 includes a carry output terminal CROUT for outputting a carry signal CARRY , a first scan output terminal SCOUT1 for outputting a first scan signal SCAN1 , and a second scan signal A second scan output terminal SCOUT2 for outputting SCAN2 may be included.
  • each of the plurality of light emission driving circuits ED1 , ED2 , and ED3 may include a light emission output terminal EMOUT for outputting the light emission control signal EM.
  • Each of the plurality of main pixels MP1, MP2, and MP3 and the plurality of sub-pixels RP1, RP2, and RP3 transmits the first scan signal SCAN1, the second scan signal SCAN2, and the emission control signal EM. It may include an applied first input terminal IN1 , a second input terminal IN2 , and a third input terminal IN3 .
  • the carry output terminal CROUT of the nth stage is connected to the scan driving circuit and the light emission driving circuit of the n-1th stage, and the scan driving circuit and the n+1th stage connected to the light emission driving circuit. Accordingly, the carry signal CARRY output from the carry output terminal CROUT of the nth stage is applied to the scan driving circuit and the light emission driving circuit of the n ⁇ 1th stage, and the scan driving circuit and the light emission driving circuit of the n+1th stage. is authorized to
  • the first scan output terminal SCOUT1 of the n-th stage is connected to the first input terminal IN1 of the n-th main pixel and the second input terminal IN2 of the n-th sub-pixel. Accordingly, the first scan signal SCAN1 output from the scan driving circuit of the n-th stage is applied to the first input terminal IN1 of the n-th main pixel and the second input terminal IN2 of the n-th sub-pixel.
  • the second scan output terminal SCOUT2 of the n-th stage is connected to the first input terminal IN1 of the n-th sub-pixel and is connected to the second input terminal IN2 of the n+1-th main pixel. Accordingly, the second scan signal SCAN2 output from the scan driving circuit of the n-th stage is applied to the first input terminal IN1 of the n-th sub-pixel and is applied to the second input terminal IN2 of the n+1-th main pixel. do.
  • the light emission output terminal EMOUT of the nth stage is connected to the third input terminal IN3 of the nth main pixel and the third input terminal IN3 of the nth auxiliary pixel. Accordingly, the emission control signal EM output from the emission driving circuit of the n-th stage is applied to the third input terminal IN3 of the n-th main pixel and the third input terminal IN3 of the n-th sub-pixel.
  • the carry output terminal CROUT of the second scan driving circuit SD2 is connected to the first scan driving circuit SD1 and the first light emitting driving circuit ED1 , and the third It is connected to the scan driving circuit SD3 and the third light emission driving circuit ED3 . Accordingly, the carry signal CARRY output from the carry output terminal CROUT of the second scan driving circuit SD2 is applied to the first scan driving circuit SD1 and the first light emitting driving circuit ED1, and a third scan driving circuit is performed. It is applied to the circuit SD3 and the third light emission driving circuit ED3 .
  • the first scan output terminal SCOUT1 of the second scan driving circuit SD2 is connected to the first input terminal IN1 of the second main pixel MP2 and the second input terminal IN2 of the second auxiliary pixel RP2. Accordingly, the first scan signal SCAN1 output from the second scan driving circuit SD2 is applied to the first input terminal IN1 of the second main pixel MP2 and the second input terminal IN2 of the second auxiliary pixel RP2. is authorized to
  • the second scan output terminal SCOUT2 of the second scan driving circuit SD2 is connected to the first input terminal IN1 of the second auxiliary pixel RP2 and the second input terminal IN2 of the third main pixel MP3 is connected to the second scan output terminal SCOUT2 of the second scan driving circuit SD2 .
  • the second scan signal SCAN2 output from the second scan driving circuit SD2 is applied to the first input terminal IN1 of the second auxiliary pixel RP2 and the second input terminal of the third main pixel MP3 is applied. (IN2) is applied.
  • the light emission output terminal EMOUT of the second stage is connected to the third input terminal IN3 of the second main pixel MP2 and the third input terminal IN3 of the second auxiliary pixel RP. Accordingly, the light emission control signal EM output from the second light emission driving circuit ED2 is applied to the third input terminal IN3 of the second main pixel MP2 and the third input terminal IN3 of the second auxiliary pixel RP. is authorized
  • 20 is a circuit diagram illustrating a scan driving circuit of a display device according to another exemplary embodiment.
  • the Q node controllers T1, T2, Tb1, Tb2, T3, Tb3, Tb4, and T9 control the voltage of the Q node Q.
  • the Q node controllers T1 , T2 , Tb1 , Tb2 , T3 , Tb3 , Tb4 , and T9 determine the charging and discharging timing of the Q node Q .
  • the Q node controllers T1, T2, Tb1, Tb2, T3, Tb3, Tb4, and T9 include the T1 transistor T1, the T2 transistor T2, the Tb1 transistor Tb1, the Tb2 transistor Tb2, and the T3 transistor T3. , a Tb3 transistor Tb3 , a Tb4 transistor Tb4 , and a T9 transistor T9 .
  • a gate low potential voltage VGL having a turn-on level is applied to the gate electrode of the Tb1 transistor Tb1 , the Tb2 transistor Tb2 , the Tb3 transistor Tb3 , and the Tb4 transistor Tb4 . Accordingly, the Tb1 transistor Tb1, the Tb2 transistor Tb2, the Tb3 transistor Tb3, and the Tb4 transistor Tb4 are always turned on. Accordingly, transistors excluding the Tb1 transistor Tb1 , the Tb2 transistor Tb2 , the Tb3 transistor Tb3 , and the Tb4 transistor Tb4 will be described in detail.
  • the T1 transistor T1 discharges the Q node Q in response to the carry signal CARRY(n-1) or the gate start signal VST of the previous stage. Specifically, the carry signal CARRY(n-1) or the gate start signal VST of the previous stage is applied to the gate electrode of the T1 transistor T1, and the gate low potential voltage is applied to the first electrode of the T1 transistor T1. VGL is applied, and the second electrode of the T1 transistor T1 is connected to the T2 transistor T2.
  • the T2 transistor T2 discharges the Q node Q in response to the carry signal CARRY(n-1) or the gate start signal VST of the previous stage.
  • the carry signal CARRY(n-1) or the gate start signal VST of the previous stage is applied to the gate electrode of the T2 transistor T2, and the T1 transistor T1 is applied to the first electrode of the T2 transistor T2. ) is connected, and the second electrode of the T2 transistor T2 is connected to the Tb1 transistor Tb1.
  • the T1 transistor T1, the T2 transistor T2, and the Tb1 transistor Tb1 are all turned on ( turn-on), discharging the Q node (Q) to a gate low potential voltage (VGL) having a turn-on level.
  • the T3 transistor T3 charges the Q node Q in response to the voltage of the QB node QB.
  • the gate electrode of the T3 transistor T3 is connected to the QB node QB
  • the gate high potential voltage VGH having a turn-off level is applied to the first electrode of the T3 transistor T3
  • the T3 transistor The second electrode of T3 is connected to the Tb2 transistor Tb2.
  • a first electrode of the Tb2 transistor Tb2 is connected to the T3 transistor T3
  • a second electrode of the Tb2 transistor Tb2 is connected to the Q node Q .
  • the T3 transistor T3 and the Tb2 transistor Tb2 are both turned on, and the gate high potential voltage having the Q node Q turned off level. (VGH).
  • the T9 transistor T9 charges the Q node Q in response to the reset signal QRST.
  • a reset signal QRST is applied to the gate electrode of the T9 transistor T9
  • a gate high potential voltage VGH having a turn-off level is applied to the first electrode of the T9 transistor T9
  • the T9 transistor The second electrode of T9 is connected to the Tb4 transistor Tb4.
  • a first electrode of the Tb4 transistor Tb4 is connected to the T9 transistor T9, and a second electrode of the Tb4 transistor Tb4 is connected to the Q node Q.
  • the reset signal QRST falls to the turn-on level, so that the T9 transistor T9 and the Tb4 transistor Tb4 are both turned on, turning off the Q node Q. It is charged up to the gate high potential voltage (VGH) having a level.
  • VGH gate high potential voltage
  • the QB node controllers T4, T5, and T8 control the voltage of the QB node QB.
  • the QB node control unit (T4, T5, T8) determines the charging and discharging timing of the QB node (QB).
  • the QB node controllers T4 , T5 , and T8 include a T4 transistor T4 , a T5 transistor T5 , and a T8 transistor T8 .
  • the T4 transistor T4 charges the QB node QB by the carry signal CARRY(n+1) of the next stage. Specifically, the carry signal CARRY(n+1) of the next stage is applied to the gate electrode of the T4 transistor T4, and the gate low potential voltage VGL is applied to the first electrode of the T4 transistor T4, The second electrode of the T4 transistor T4 is connected to the QB node QB. Accordingly, while the carry signal CARRY(n+1) of the next stage is at the turn-on level, the T4 transistor T4 is turned on to turn the QB node QB to the gate low potential voltage VGL. discharge
  • the T5 transistor T5 charges the QB node QB in response to the carry signal CARRY(n-1) or the gate start signal VST of the previous stage. Specifically, the carry signal CARRY(n-1) or the gate start signal VST of the previous stage is applied to the gate electrode of the T5 transistor T5, and the gate high potential voltage is applied to the first electrode of the T5 transistor T5. (VGH) is applied, and the second electrode of the T5 transistor T5 is connected to the QB node QB.
  • VGH first electrode of the T5 transistor T5.
  • the T5 transistor T5 is turned on to turn on the QB node QB. It is charged to the gate high potential voltage (VGH) having an off level.
  • the T8 transistor T8 charges the QB node QB in response to the voltage of the Q node Q.
  • the gate electrode of the T8 transistor T8 is connected to the Tb3 transistor Tb3
  • the gate high potential voltage VGH is applied to the first electrode of the T8 transistor T8
  • the second electrode of the T8 transistor T8 is connected to the gate electrode of the T8 transistor T8 .
  • the electrode is connected to the QB node QB.
  • a first electrode of the Tb3 transistor Tb3 is connected to the Q node Q
  • a second electrode of the Tb3 transistor Tb3 is connected to the T8 transistor.
  • the eighth transistor T8 is turned on to charge the QB node QB to the gate high potential voltage VGH.
  • the carry output units T6cr and T7cr output the carry signal CARRY(n) by the voltage of the Q node Q and the QB node QB.
  • the carry output units T6cr and T7cr pull-down the T6cr transistor T6cr, which is a transistor for pulling up the carry signal CARRY(n), and the carry signal CARRY(n). ) including a transistor T7cr transistor T7cr.
  • the gate electrode of the T6cr transistor T6cr is connected to the Q node Q, the carry clock signal CRCLK(n) is applied to the first electrode of the T6cr transistor T6cr, and the second electrode of the T6cr transistor T6cr is applied. is connected to the carry output terminal CROUT(n). Accordingly, when the Q node Q is in the discharge state, the T6cr transistor T6cr is turned on to output the carry clock signal CRCLK(n) as the carry signal CARRY(n).
  • the gate electrode of the T7cr transistor T7cr is connected to the QB node QB, the gate high potential voltage VGH is applied to the first electrode of the T7cr transistor T7cr, and the second electrode of the T7cr transistor T7cr is carry It is connected to the output terminal CROUT(n). Accordingly, when the QB node QB is in a discharged state, the T7cr transistor T7cr is turned on and outputs the gate high potential voltage VGH as the carry signal CARRY(n).
  • the first scan output units T6m and T7m output the first scan signal SCAN1(n) by the voltage of the Q node Q and the QB node QB.
  • the carry output units T6m and T7m pull-down the T6m transistor T6m, which is a transistor that pulls up the first scan signal SCAN1(n), and the first scan signal SCAN1(n). It includes a T7m transistor T7m, which is a pull-down transistor.
  • the gate electrode of the T6m transistor T6m is connected to the Q node Q, the scan clock signal SCCLK(2n-1) is applied to the first electrode of the T6m transistor T6m, and the second electrode of the T6m transistor T6m is applied.
  • the second electrode is connected to the first scan output terminal SCOUT1(n). Accordingly, when the Q node Q is in a discharged state, the T6m transistor T6m is turned on to transmit the scan clock signal SCCLK((2n-1)) to the first scan signal SCAN1(n). ) is output.
  • the gate electrode of the T7m transistor T7m is connected to the QB node QB, the gate high potential voltage VGH is applied to the first electrode of the T7m transistor T7m, and the second electrode of the T7m transistor T7m is connected to the second electrode. 1 It is connected to the scan output terminal (SCOUT1(n)). Accordingly, when the QB node QB is in a discharged state, the T7m transistor T7m is turned on and outputs the gate high potential voltage VGH as the first scan signal SCAN1(n).
  • the second scan output units T6r and T7r output the second scan signal SCAN2(n) according to the voltage of the Q node Q and the QB node QB.
  • the second scan output units T6r and T7r include a T6r transistor T6r, which is a transistor for pulling up the second scan signal SCAN2(n), and a second scan signal SCAN2(n). and a T7r transistor T7r, which is a transistor for pulling down.
  • the gate electrode of the T6r transistor T6r is connected to the Q node Q, the scan clock signal SCCLK(2n) is applied to the first electrode of the T6r transistor T6r, and the second electrode of the T6r transistor T6r is applied. is connected to the second scan output terminal SCOUT2(n). Accordingly, when the Q node Q is in a discharged state, the T6r transistor T6r is turned on to output the scan clock signal SCCLK(2n) as the second scan signal SCAN2(n). .
  • the gate electrode of the T7r transistor T7r is connected to the QB node QB, the gate high potential voltage VGH is applied to the first electrode of the T7r transistor T7r, and the second electrode of the T7r transistor T7r is connected to the second electrode. 2 It is connected to the scan output terminal (SCOUT2(n)). Accordingly, when the QB node QB is in a discharged state, the T7r transistor T7r is turned on and outputs the gate high potential voltage VGH as the second scan signal SCAN2(n).
  • the C1cr capacitor (C1cr) bootstrap the Q node (Q) (bootstrapping). Specifically, one end of the C1cr capacitor C1cr is connected to the gate electrode of the T6cr transistor T6cr, and the other end of the C1cr capacitor C1cr is connected to the second electrode of the T6cr transistor T6cr, which is the carry output terminal CROUT(n). connected Accordingly, while the Q node Q is discharged, when the carry signal CRRAY(n) output from the carry output terminal CROUT(n), which is the second electrode of the T6cr transistor T6cr, falls to the turn-on level, C1cr The Q node Q may be bootstrapped by the capacitor C1cr.
  • the C1m capacitor C1m bootstraps the Q node Q. Specifically, one end of the C1m capacitor C1m is connected to the gate electrode of the T6m transistor T6m, and the other end of the C1m capacitor C1m is the second end of the T6m transistor T6m, which is the first scan output terminal SCOUT1(n). connected to the electrode. Accordingly, while the Q node Q is discharged, the first scan signal SCAN1(n) output from the first scan output terminal SCOUT1(n), which is the second electrode of the T6m transistor T6m, falls to the turn-on level. In this case, the Q node Q may be bootstrapped by the C1m capacitor C1m.
  • the C1r capacitor C1r bootstraps the Q node Q. Specifically, one end of the C1r capacitor C1r is connected to the gate electrode of the T6r transistor T6r, and the other end of the C1r capacitor C1r is the second scan output terminal SCOUT2(n) of the T6r transistor T6r. connected to the electrode. Accordingly, while the Q node Q is discharged, the second scan signal SCAN2(n) output from the second scan output terminal SCOUT2(n), which is the second electrode of the T6r transistor T6r, falls to the turn-on level. In this case, the Q node Q may be bootstrapped by the C1r capacitor C1r.
  • the second capacitor C2 stabilizes the QB node QB.
  • the gate high potential voltage VGH is fixedly applied to one end of the second capacitor C2 , and the other end of the second capacitor C2 is connected to the QB node QB. Accordingly, since the potential of one end of the second capacitor C2 does not change, the voltage of the QB node QB is stabilized, so that the first scan signal SCAN1(N), the second scan signal SCAN2(N), and the carry The signal CARRY(N) can be output without delay.
  • 21 is a circuit diagram illustrating a light emitting driving circuit of a display device according to another exemplary embodiment.
  • the QE node controllers T10 and T11, the light emission output units T6e, T7e, and T8e, A T12 transistor T12 and a third capacitor C3 are included.
  • the QE node controllers T10 and T11 control the voltage of the QE node QE. In other words, the QE node controllers T10 and T11 determine charging and discharging timings of the QE node QE.
  • the QE node controllers T10 and T11 include a T10 transistor T10 and a T11 transistor T11.
  • the T10 transistor T10 discharges the QE node QE in response to the carry signal CARRY(n+1) of the next stage. Specifically, the carry signal CARRY(n+1) of the next stage is applied to the gate electrode of the T10 transistor T10, and the light emission low potential voltage EVGL is applied to the first electrode of the T10 transistor T10, The second electrode of the T10 transistor T10 is connected to the QE node QE.
  • the T11 transistor T11 charges the QE node QE in response to the carry signal CARRY(n-1) or the gate start signal VST of the previous stage. Specifically, the carry signal CARRY(n-1) or the gate start signal VST of the previous stage is applied to the gate electrode of the T11 transistor T11, and the first electrode of the T11 transistor T11 has a turn-off level. The light emission high potential voltage EVGH is applied, and the second electrode of the T11 transistor T11 is connected to the QE node QE.
  • the T11 transistor T11 is turned on to turn on the QE node QE. It is charged up to the light emission high potential voltage EVGH having an off level.
  • the light emission output units T6e, T7e, and T8e output the light emission control signal EM(n) according to the voltage of the QE node QE.
  • the light emission output units T6e, T7e, and T8e pull down the emission control signal EM(n) and the T6e transistor T6e, which is a transistor that pulls up the emission control signal EM(n). It includes a T7e transistor T7e and a T8e transistor T8e that are pull-down transistors.
  • the gate electrode of the T6e transistor T6e is connected to the QE node QE, the light emission low potential voltage EVGL is applied to the first electrode of the T6e transistor T6e, and the second electrode of the T6e transistor T6e emits light. It is connected to the output terminal EMOUT(n). Accordingly, when the QE node QE is in a discharged state, the T6e transistor T6e is turned on to output the light emission low potential voltage EVGL as the emission control signal EM(n).
  • the carry signal CARRY(n-1) or the gate start signal VST of the previous stage is applied to the gate electrode of the T7e transistor T7e, and the fourth node N4 is connected to the first electrode of the T7e transistor T7e. connected, and the second electrode of the T7e transistor T7e is connected to the light emitting output terminal EMOUT(n).
  • the carry signal CARRY(n-1) or the gate start signal VST of the previous stage is applied to the gate electrode of the T8e transistor T8e, and the first electrode of the T8e transistor T8e has a turn-off level.
  • the light emission high potential voltage EVGH is applied, and the second electrode of the T8e transistor T8e is connected to the fourth node N4 .
  • the T7e transistor T7e and the T8e transistor T8e are turned on to emit light.
  • the high potential voltage EVGH is output as the emission control signal EM(n).
  • the third capacitor C3 bootstraps the QE node QE. Specifically, one end of the third capacitor C3 is connected to the gate electrode of the T6e transistor T6e, and the other end of the third capacitor C3 is the second end of the T6e transistor T6e, which is the light emitting output terminal EMOUT(n). connected to the electrode. Accordingly, while the QE node QE is discharged, when the light emission control signal EM(n) output from the light emission output terminal EMOUT(n), which is the second electrode of the T6e transistor T6e, falls to the turn-on level, The QE node QE may be bootstrapped by the third capacitor C3.
  • the T12 transistor T12 charges the fourth node N4 in response to the voltage of the light emitting output terminal EMOUT(n). Specifically, the gate electrode of the T12 transistor T12 is connected to the light emission output terminal EMOUT(n), the light emission high potential voltage EVGH is applied to the first electrode of the T12 transistor T12, and the T12 transistor T12 The second electrode of is connected to the fourth node N4. Accordingly, while the light emission control signal EM(n) output from the light emission output terminal EMOUT(n) is at the turn-off level, the T12 transistor T12 is turned off, and the fourth node N4 is turned off. The light emitting low potential voltage EVGL having a turn-on level is not charged.
  • FIG. 22 is a timing diagram illustrating an input signal and an output signal of a gate driver of a display device according to another exemplary embodiment of the present invention.
  • 23 to 29 are circuit diagrams for explaining a driving method of a gate driver of a display device according to another exemplary embodiment.
  • FIG. 23 is a circuit diagram illustrating a method of driving a gate driver of a display device according to another exemplary embodiment at the first point in time of FIG. 22 .
  • 24 is a circuit diagram illustrating a method of driving a gate driver of a display device according to another exemplary embodiment at the second time point of FIG. 22 .
  • FIG. 25 is a circuit diagram illustrating a method of driving a gate driver of a display device according to another exemplary embodiment at the third time point of FIG. 22 .
  • FIG. 26 is a circuit diagram illustrating a method of driving a gate driver of a display device according to another exemplary embodiment of the present invention at the fourth time point of FIG. 22 .
  • FIG. 23 is a circuit diagram illustrating a method of driving a gate driver of a display device according to another exemplary embodiment at the first point in time of FIG. 22 .
  • 24 is a circuit diagram illustrating a method of driving a gate driver of a display device according to another exemplary embodiment at the second time point of FIG
  • FIG. 27 is a circuit diagram illustrating a method of driving a gate driver of a display device according to another exemplary embodiment at the fifth time point of FIG. 22 .
  • FIG. 28 is a circuit diagram illustrating a method of driving a gate driver of a display device according to another exemplary embodiment at the sixth time point of FIG. 22 .
  • 29 is a circuit diagram illustrating a method of driving a gate driver of a display device according to another exemplary embodiment at the seventh time point of FIG. 22 .
  • the gate start signal VST falls to a low level that is a turn-on level.
  • the T1 transistor T1 , the T2 transistor T2 , and the Tb1 transistor Tb1 are all turned on, so that the Q node Q(1)) is discharged to a gate low potential voltage VGL having a turn-on level, and the T5 transistor T5 is turned on, thereby causing the QB node QB(1) to become a gate high potential voltage VGL having a turn-off level. VGH).
  • the T11 transistor T11 is turned on, and the light emitting high potential voltage EVGH having a turn-off level of the QE node QE( 1 ).
  • the T7e transistor T7e and the T8e transistor T8e are turned on to charge the light emission output terminal EMOUT(1) with the light emission high potential voltage EVGH, and the light emission high potential voltage (EVGH) is output as the emission control signal EM(1).
  • the first scan clock signal SCCLK( 1 ) falls to a low level that is a turn-on level.
  • the T6m transistor T6m since the Q node Q( 1 ) is discharged to the gate low potential voltage VGL having a turn-on level, the T6m transistor T6m is turned on (turn-on). on) will be Accordingly, the T6m transistor T6m outputs the low-level first scan clock signal SCCLK(1) to the first scan output terminal SCOUT1(1), and outputs it as the first scan signal SCAN1(1). do.
  • the second scan clock signal SCCLK( 2 ) and the first carry clock signal CRCLK( 1 ) fall to a low level that is a turn-on level.
  • the Q node Q( 1 ) is discharged to the gate low potential voltage VGL having a turn-on level, and thus the T6cr transistor T6cr and the T6r transistor T6r are all turned on. Accordingly, the T6cr transistor T6cr outputs the low-level first carry clock signal CRCLK(1) to the carry output terminal CROUT2(1), and outputs it as the carry signal CARRY(1). Accordingly, the T6r transistor T6r outputs the low-level second scan clock signal SCCLK(2) to the second scan output terminal SCOUT2(1), and outputs it as the second scan signal SCAN2(1). do.
  • the T1 transistor T1 and the T2 transistor T2 are at the turn-on level of the carry signal CARRY( 1 ) of the first scan driving circuit SD( 1 ). are all turned on by , discharging the Q node Q(2) to the gate low potential voltage VGL having a turn-on level, and the T5 transistor T5 is turned on , the QB node QB(2) is charged with a gate high potential voltage VGH having a turn-off level.
  • the T11 transistor T11 is turned on by the carry signal CARRY( 1 ) of the first scan driving circuit SD( 1 ).
  • the QE node QE(2) is charged to the light emission high potential voltage EVGH having a turn-off level, and the T7e transistor T7e and the T8e transistor T8e are connected to the first scan driving circuit SD(1). is turned on by the carry signal CARRY(1) of the , charging the light-emitting output terminal EMOUT(2) with the light-emitting high potential voltage EVGH, and controlling the light-emitting high potential voltage EVGH output as a signal EM(2).
  • the third scan clock signal SCCLK( 3 ) falls to a low level that is a turn-on level.
  • the Q node Q( 2 ) is discharged to the gate low potential voltage VGL having a turn-on level, so the T6m transistor T6m is turned on (turn-on). on) will be Accordingly, the T6m transistor T6m outputs the low-level third scan clock signal SCCLK(3) to the first scan output terminal SCOUT1(2), and outputs it as the first scan signal SCAN1(2). do.
  • the second carry clock signal CRCLK( 2 ) and the fourth scan clock signal SCCLK( 4 ) fall to a low level that is a turn-on level.
  • the Q node Q( 2 ) is discharged to the gate low potential voltage VGL having a turn-on level, and thus the T6cr transistor T6cr and the T6r transistor T6r are all turned on. Accordingly, the T6cr transistor T6cr outputs the low-level second carry clock signal CRCLK(2) to the carry output terminal CROUT2(2), and outputs it as the carry signal CARRY(2). Accordingly, the T6r transistor T6r outputs the low-level fourth scan clock signal SCCLK(4) to the second scan output terminal SCOUT2(2), and outputs it as the second scan signal SCAN2(2). do.
  • the T10 transistor T10 is turned on by the carry signal CARRY( 2 ) of the second scan driving circuit SD( 2 ). to discharge the QE node QE(1) to the light emission low potential voltage EVGL having a turn-on level, and the T6e transistor T6e also carries the carry signal CARRY(2) of the second scan driving circuit SD(2). )) to discharge the light emitting output terminal EMOUT(1) to the light emission low potential voltage EVGL, and the light emission low potential voltage EVGL to the light emission control signal EM(1)) output as
  • the T1 transistor T1 and the T2 transistor T2 have a low level of the carry signal CARRY( 2 ) of the second scan driving circuit SD( 2 ). are all turned on by , discharging the Q node Q(3) to the gate low potential voltage VGL having a turn-on level, and the T5 transistor T5 is turned on , and the QB node QB(3) is charged with a gate high potential voltage VGH having a turn-off level.
  • the T11 transistor T11 is turned on by the carry signal CARRY( 2 ) of the second scan driving circuit SD( 2 ).
  • the QE node QE(3) is charged to the light emission high potential voltage EVGH having a turn-off level
  • the T7e transistor T7e and the T8e transistor T8e are connected to the second scan driving circuit SD(2).
  • the carry signal CARRY(2) of the light emission output terminal EMOUT(3) is charged with the light emission high potential voltage EVGH to control the light emission high potential voltage EVGH output as a signal EM(3).
  • the fifth scan clock signal SCCLK( 5 ) falls to a low level that is a turn-on level.
  • the Q node Q( 3 ) is discharged to the gate low potential voltage VGL having a turn-on level, so that all of the T6m transistors T6m are turned on. -on). Accordingly, the T6m transistor T6m outputs the low-level fifth scan clock signal SCCLK(5) to the first scan output terminal SCOUT1(3), and outputs it as the first scan signal SCAN1(3). do.
  • the third carry clock signal CRCLK( 3 ) and the sixth scan clock signal SCCLK( 6 ) fall to a low level that is a turn-on level.
  • the Q node Q( 3 ) is discharged to the gate low potential voltage VGL having a turn-on level, and thus the T6cr transistor T6cr and the T6r transistor T6r are all turned on. Accordingly, the T6cr transistor T6cr outputs the low-level third carry clock signal CRCLK(3) to the carry output terminal CROUT2(3), and outputs it as the carry signal CARRY(3). Accordingly, the T6r transistor T6r outputs the low-level sixth scan clock signal SCCLK(6) to the second scan output terminal SCOUT2(3), and outputs it as the second scan signal SCAN2(3). do.
  • the T10 transistor T10 is turned on by the carry signal CARRY( 3 ) of the third scan driving circuit SD( 3 ). to discharge the QE node QE(2) to the light emission low potential voltage EVGL having a turn-on level, and the T6e transistor T6e also carries the carry signal CARRY(3) of the third scan driving circuit SD(3). )) to discharge the light-emitting output terminal EMOUT(2) to the light-emitting low potential voltage EVGL, and the light-emitting low potential voltage EVGL to the light emission control signal EM(2)) output as
  • a gate driver and a display device including the same according to the present invention may be described as follows.
  • a display device includes a display panel on which a plurality of unit pixels are disposed, a gate driver disposed on an upper surface of the display panel, and a gate driver built into the plurality of unit pixels, wherein each of the plurality of unit pixels includes a main pixel and an auxiliary pixel. and a gate driver supplies a gate voltage to the main pixel and the sub-pixel.
  • the gate driver includes a plurality of stages, and an nth stage among the plurality of stages includes a scan driving circuit outputting a first scan signal, a second scan signal, and a carry signal and a light emission control signal and a light emitting driving circuit that outputs
  • the scan driving circuit includes a Q node controller for controlling the voltage of the Q node, a QB node controller for controlling the voltage of the QB node, and the carry signal by the voltage of the Q node and the voltage of the QB node.
  • a carry output unit for outputting a first scan output unit for outputting the first scan signal by the voltage of the Q node and the voltage of the QB node, and the second scan signal by the voltage of the Q node and the QB node and a second scan output unit for outputting .
  • the Q node control unit includes a T1 transistor, a T2 transistor and a T3 transistor, and in the T1 transistor, the carry signal or the gate start signal of the n-1 stage is applied to the gate electrode, A gate low potential voltage is applied to the first electrode, the second electrode is connected to the T2 transistor, and in the T2 transistor, a carry signal or a gate start signal of an n-1 stage is applied to the gate electrode, and a gate start signal is applied to the first electrode.
  • the transistor T1 is connected, a second electrode is connected to the Q node, a gate electrode is connected to the QB node in the T3 transistor, a gate high potential voltage is applied to the first electrode, and a second electrode is connected to the Q node is connected to
  • the QB node control unit includes a T4 transistor, a T5 transistor, and a T8 transistor, and a second scan signal of an n+1th stage is applied to the gate electrode of the T4 transistor, and the first electrode a gate low potential voltage is applied to the , the second electrode is connected to the QB node, the n-1th stage carry signal or gate start signal is applied to the gate electrode in the T5 transistor, and the gate high potential voltage is applied to the first electrode is applied, a second electrode is connected to the QB node, a gate electrode is connected to the Q node in the T8 transistor, a gate high potential voltage is applied to the first electrode, and a second electrode is connected to the QB node .
  • a width of the plurality of second side wirings may be greater than a width of the plurality of first side wirings, and the plurality of second side wirings may be connected to the power supply wiring.
  • the QB node control unit includes a T4 transistor, a T5 transistor, and a T8 transistor, and in the T4 transistor, the carry signal of the n+1th stage is applied to the gate electrode, and the gate is applied to the first electrode.
  • a low potential voltage is applied, a second electrode is connected to the QB node, an n-1th stage carry signal or a gate start signal is applied to the gate electrode of the T5 transistor, and a gate high potential voltage is applied to the first electrode.
  • a second electrode is connected to the QB node, a gate electrode is connected to the Q node in the T8 transistor, a gate high potential voltage is applied to the first electrode, and a second electrode is connected to the QB node.
  • the light emission driving circuit includes a QE node control unit for controlling the voltage of the QE node, and a light emission output unit for outputting the light emission control signal according to the voltage of the QE node.
  • the QE node control unit includes a T10 transistor and a T11 transistor, and in the T10 transistor, the second scan signal of the n+1th stage is applied to the gate electrode, and the light emitting diode is applied to the first electrode.
  • a potential voltage is applied, a second electrode is connected to the QE node, a carry signal or a gate start signal of an n-1 th stage is applied to a gate electrode in the T11 transistor, and a light emission high potential voltage is applied to the first electrode. and the second electrode is connected to the QE node.
  • the QE node control unit includes a T10 transistor and a T11 transistor, and in the T10 transistor, a carry signal of an n+1-th stage is applied to the gate electrode, and a light-emitting low potential voltage is applied to the first electrode. is applied, the second electrode is connected to the QE node, the carry signal or the gate start signal of the n-1 th stage is applied to the gate electrode in the T11 transistor, and the light emission high potential voltage is applied to the first electrode, The two electrodes are connected to the QE node.
  • the scan driving circuit of the nth stage applies a carry signal to the scan driving circuit and the light emission driving circuit of the n+1th stage, and applies the second scan signal to the n-1th stage. It is applied to the scan driving circuit and the light emission driving circuit.
  • the scan driving circuit of the nth stage applies a carry signal to the scan driving circuit and the light emission driving circuit of the n-1th stage, and applies the carry signal to the scan driving circuit of the n+1th stage. and to the light emission driving circuit.
  • each of the main pixel and the sub-pixel includes a first input terminal, a second input terminal, and a third input terminal
  • the scan driving circuit of the n-th stage is configured to generate an n-th first scan signal.
  • the first input terminal of the main pixel and the second input terminal of the n-th sub-pixel are applied, and the second scan signal is applied to the first input terminal of the n-th sub-pixel and the second input terminal of the n+1-th main pixel, and the n-th stage
  • the light emission driving circuit of applies the light emission control signal to the third input terminal of the n-th main pixel and the third input terminal of the n-th auxiliary pixel.
  • each of the main pixel and the sub-pixel includes a driving transistor, a first switching transistor, a second switching transistor, a light emission control transistor, a first initialization transistor, and a second initialization transistor, and a first
  • a data voltage is input to the first electrode
  • the second electrode is connected to the first node
  • the first input terminal is connected to the gate electrode
  • a pixel high potential voltage is applied to the first electrode
  • a second electrode connected to a third node
  • a gate electrode connected to a second node, in a second switching transistor a first electrode connected to the third node, a second electrode connected to the second node
  • a gate electrode is connected to the first input terminal, in the light emission control transistor, a first electrode is connected to the third node, a second electrode is connected to an LED
  • a gate electrode is connected to the third input terminal
  • an initialization voltage is applied to a first electrode
  • a second electrode is connected to the first node
  • a second electrode is connected to an LED
  • the display device further includes a data driver disposed on a lower surface of the display panel and supplying a data signal to each of the plurality of unit pixels.
  • the main pixel includes a red main pixel, a green main pixel, and a blue main pixel
  • the sub-pixel includes a red sub-pixel, a green sub-pixel, and a blue sub-pixel
  • the gate driver includes a red main pixel. It may be disposed between the pixel, the green main pixel, and the blue main pixel, or between the red sub-pixel, the green sub-pixel, and the blue sub-pixel.

Landscapes

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Abstract

본 발명에 따른 표시 장치는 복수의 단위 화소가 배치되는 표시 패널, 표시 패널의 상면에 배치되고, 상기 복수의 단위 화소에 내장되는 게이트 드라이버를 포함하고, 복수의 단위 화소 각각은 주화소와 보조화소를 포함하고, 게이트 드라이버는 상기 주화소와 상기 보조화소에 게이트 전압을 공급한다. 이에, 본 발명은 주화소가 불량이 되더라도 주화소를 대신하여, 보조화소가 발광할 수 있어, 표시 장치는 불량에 대한 신뢰성이 향상된다.

Description

게이트 드라이버 및 이를 포함하는 표시 장치
본 발명은 게이트 드라이버 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 주화소와 보조화소를 모두 구동할 수 있는 게이트 드라이버를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
현재까지 널리 이용되고 있는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD)와 유기 표시 장치(Organic Light Emitting Diode Display; OLED)는 그 적용 범위가 점차 확대되고 있다.
액정 표시 장치와 유기 표시 장치는 고해상도의 화면을 제공할 수 있고 경량 박형이 가능하다는 장점으로 인해 일상적인 전자기기, 예를 들어, 핸드폰, 노트북 등의 화면에 많이 적용되고 있고, 그 범위도 점차 확대되고 있다.
다만, 액정 표시 장치와 유기 표시 장치는 표시 장치에서 영상이 표시되지 않는 영역으로 사용자에게 시인되는 베젤(bezel) 영역의 크기를 감소시키는데 한계가 있다. 예를 들어, 액정 표시 장치의 경우, 액정을 밀봉하고 상부 기판과 하부 기판을 합착하기 위해 씰런트(sealant)가 사용되어야 하므로, 베젤 영역의 크기를 감소시키는데 한계가 있다. 또한, 유기 표시 장치의 경우, 유기 발광 소자가 유기 물질로 이루어져 수분 또는 산소에 매우 취약하여 유기 발광 소자를 보호하기 위한 봉지부(encapsulation)가 배치되어야 하므로, 베젤 영역의 크기를 감소시키는데 한계가 있다. 특히, 하나의 패널로서 초대형 화면을 구현하는 것은 불가능하므로, 복수 개의 액정 표시 패널 또는 복수 개의 유기 표시 패널을 일종의 타일(tile) 형태로 배치하여 초대형 화면을 구현하는 경우, 서로 인접하는 패널 간의 베젤 영역이 사용자에게 시인되는 문제가 발생할 수 있다.
이에 대한 대안으로, LED를 포함하는 표시 장치가 제안되었다. LED는 유기 물질이 아닌 무기 물질로 이루어지므로, 신뢰성이 우수하여 액정 표시 장치나 유기 표시 장치에 비해 수명이 길다. 또한, LED는 점등 속도가 빠를 뿐만 아니라, 소비 전력이 적고, 내충격성이 강해 안정성이 뛰어나며, 고휘도의 영상을 표시할 수 있기 때문에 초대형 화면에 적용되기에 적합한 소자이다.
이에 따라, 일반적으로 베젤 영역을 최소화할 수 있는 초대형 화면을 제공하기 위한 표시 장치에는 LED 소자가 이용되고 있다.
본 발명의 발명자들은 LED는 유기 발광 소자에 비해 발광 효율이 좋으므로, LED를 포함하는 표시 장치의 경우 유기 발광 소자를 사용하는 표시 장치에 비해 하나의 화소의 크기, 즉, 동일한 휘도의 광을 발광하기 위해 요구되는 발광 영역의 크기가 매우 작다는 것을 인식하였다. 이에, 본 발명의 발명자들은 LED를 사용하여 표시 장치를 구현하는 경우, 서로 인접하는 화소의 발광 영역 사이의 거리가 동일 해상도를 갖는 유기 표시 장치에서의 서로 인접하는 화소의 발광 영역 사이의 거리보다 매우 길다는 것을 인식하였다. 이에, 본 발명의 발명자들은, 복수의 표시 패널을 타일 형태로 배치하여 구현된 타일링 디스플레이를 구현하는 경우 표시 패널의 최외곽에 배치된 LED와 이에 인접하는 다른 하나의 표시 패널의 최외곽에 배치된 LED 사이의 간격을 하나의 표시 패널 내에서 배치된 LED 사이의 간격과 동일하게 구현할 수 있으므로 실질적으로 베젤 영역이 존재하지 않는 제로 베젤 구현이 가능하다는 것을 인식하였다. 다만, 상술한 바와 같이 표시 패널의 최외곽에 배치된 LED와 이에 인접하는 다른 하나의 표시 패널의 최외곽에 배치된 LED 사이의 간격을 하나의 표시 패널 내에서 배치된 LED 사이의 간격과 동일하게 구현하기 위해서는, 기존에서 표시 패널 상면에 위치하였던 게이트 드라이버, 데이터 드라이버 등과 같은 다양한 구동부를 표시 패널 상면이 아닌 하면에 위치시켜야 한다.
이에, 본 발명의 발명자들은 표시 패널 상면에 박막 트랜지스터, LED 등과 같은 소자들이 배치되고, 표시 패널 하면에 게이트 드라이버, 데이터 드라이버 등과 같은 구동부들이 배치된 새로운 구조의 표시 장치를 발명하였다.
그러나, 본 발명의 발명자들은 상술한 바와 같은 구조의 표시 장치에서 공정 불량률이 상승됨을 인식하였다. 구체적으로, 표시 패널 상면에 형성된 박막 트랜지스터, LED 등과 같은 소자와 표시 패널 하면에 형성된 게이트 드라이버, 데이터 드라이버 등과 같은 구동부를 연결시키기 위한 연결 구성요소를 형성하는 공정이 추가됨으로써, 공정 불량률이 상승되는 문제점이 발생한다.
이에, 본 발명의 발명자들은 상술한 추가 공정을 최소화시킨 새로운 구조의 표시 장치를 발명하였다.
이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 표시 패널 상면의 양 측면에 게이트 드라이버를 배치시켜, 표시 패널 양 측면에 연결 구성요소를 형성할 필요가 없어 추가 공정 수를 감소시킬 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 게이트 드라이버가 주화소 및 보조화소를 모두 구동시킬 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 게이트 드라이버를 화소 내부에 내장하여, 제로 베젤을 구현할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 표시 장치는 복수의 단위 화소가 배치되는 표시 패널, 표시 패널의 상면에 배치되고, 상기 복수의 단위 화소에 내장되는 게이트 드라이버를 포함하고, 복수의 단위 화소 각각은 주화소와 보조화소를 포함하고, 게이트 드라이버는 상기 주화소와 상기 보조화소에 게이트 전압을 공급한다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명은 게이트 드라이버를 연결하기 위하여, 사이드 배선을 형성할 필요성이 없으므로, 사이드 배선의 공정에 따른 불량이 발생할 확률이 현저히 낮아진다.
본 발명은 단위 화소 내에 주화소와 보조화소을 배치시킴으로써, 주화소가 불량이 되더라도 주화소를 대신하여, 보조화소가 발광할 수 있어, 표시 장치는 불량에 대한 신뢰성이 향상된다.
본 발명은 게이트 드라이버를 단위 화소의 내부에 실장함으로써, 비표시 영역을 삭제할 수 있어 제로 베젤을 구현할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 발명 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시에에 따른 표시 장치에 대한 개략적인 상면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 드라이버 및 복수의 단위 화소의 블록도이다.
도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 구비된 화소 회로를 나타내는 회로도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주화소의 제1 구동 기간을 설명하기 위한 회로도이다.
도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주화소의 제1 구동 기간을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주화소의 제2 구동 기간을 설명하기 위한 회로도이다.
도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주화소의 제2 구동 기간을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주화소의 제3 구동 기간을 설명하기 위한 회로도이다.
도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주화소의 제3 구동 기간을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주화소의 제4 구동 기간을 설명하기 위한 회로도이다.
도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주화소의 제4 구동 기간을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주화소의 제5 구동 기간을 설명하기 위한 회로도이다.
도 8b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주화소의 제5 구동 기간을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 스캔 구동 회로를 나타내는 회로도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 발광 구동 회로를 나타내는 회로도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 드라이버의 입력 신호 및 출력 신호를 나타내는 타이밍도이다.
도 12 내지 도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 드라이버의 구동 방식을 설명하기 위한 회로도이다.
도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 드라이버 및 복수의 단위 화소의 블록도이다.
도 20은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 스캔 구동 회로를 나타내는 회로도이다.
도 21은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 발광 구동 회로를 나타내는 회로도이다.
도 22은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 드라이버의 입력 신호 및 출력 신호를 나타내는 타이밍도이다.
도 23 내지 도 29는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 드라이버의 구동 방식을 설명하기 위한 회로도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 제한되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 제한되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 발명 상에서 언급된 '포함한다', '가진다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.
또한 제1, 제2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성 요소일 수도 있다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명에 대해 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시에에 따른 표시 장치에 대한 개략적인 상면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(100)는 게이트 라인 및 데이터 라인에 연결된 복수의 단위 화소(PX)를 포함하는 표시 패널(110), 게이트 라인 각각에 게이트 신호를 공급하는 게이트 드라이버(GD) 및 데이터 라인 각각에 데이터 신호를 공급하는 데이터 드라이버를 포함한다.
표시 패널(110)은 복수의 단위 화소(PX)를 포함하고, 각각의 단위 화소(PX)는 주화소(Main Pixel; MP) 및 보조화소(Redundancy Pixel; RP)를 포함한다.
주화소(MP)는 계조를 구현하기 위한 주된 화소이며, 보조화소(RP)는 주화소(MP)에 불량이 발생하는 경우 동작하는 보조적인 화소이다. 다만 이에 제한되지 않고, 표시 장치(100)의 주화소(MP) 및 보조화소(RP)는 동시에 발광할 수 있다. 예를 들어, 주화소(MP)가 수명 또는 노화 등의 문제로 인해 원화는 계조를 구현하지 못하는 경우, 보조화소(RP)가 더 발광될 수 있다.
그리고, 주화소(MP) 및 보조화소(RP)는 표시 패널(110)의 단위 화소(PX) 내에서 일렬로 배치되며, 주화소(MP)와 보조화소(RP)는 서로 인접하게 배치된다.
구체적으로, 단위 화소(PX)의 홀수번째 행에 주화소(MP)가 배치된다. 그리고, 주화소(MP)는 서로 다른 색을 발광하는 소자로 구성된다. 예를 들어, 주화소(MP)는 적색 주화소(MPR), 녹색 주화소(MPG) 및 청색 주화소(MPB)를 포함한다.
그리고, 단위 화소(PX)의 짝수번째 행에 보조화소(RP)가 배치된다. 그리고, 보조화소(RP)는 주화소(MP)와 동일한 색을 발광하는 소자로 구성된다. 예를 들어, 보조화소(RP)는 적색 보조화소(RPR), 녹색 보조화소(RPG) 및 청색 보조화소(RPB)를 포함한다.
그리고, 적색 주화소(MPR)는 적색 보조화소(RPR)에 대응되게 배치되고, 녹색 주화소(MPG)는 녹색 보조화소(RPG)에 대응되게 배치되고, 청색 주화소(MPB)는 청색 보조화소(RPB)에 대응되게 배치된다.
다만, 이에 제한되지 않고 주화소(MP) 및 보조화소(RP) 각각은 백색을 구현하는 주화소 및 백색을 구현하는 보조화소를 더 포함할 수도 있다. 또한, 주화소(MP) 및 보조화소(RP)를 구성하는 종류 및 개수는 실시예에 따라 다양하게 구성될 수 있다.
표시 패널(110)에 배치된 복수의 주화소(MP) 및 복수의 보조화소(RP)는 서로 상이한 간격으로 이격될 수 있다. 예를 들어, 도 1 에서는 복수의 단위 화소(PX)는 두 줄로 나란히 배치된 복수의 주화소(MP) 및 복수의 보조화소(RP)를 포함하고, 각각의 단위 화소(PX)에서 주화소(MP) 및 보조화소(RP)는 동일한 간격으로 이격되어 있다. 그러나 단위 화소(PX)의 경계부를 사이에 두고 배치된 주화소(MP)와 보조화소(RP)의 간격은 단위 화소(PX) 내에 배치된 주화소(MP)와 보조화소(RP)의 간격과 상이할 수 있다. 그러나, 이에 제한되지 않고, 각각의 주화소(MP) 및 보조화소(RP)는 표시 패널(110) 전체 영역에서 서로 동일한 간격으로 배치될 수 있다.
상술한 바와 같이, 단위 화소(PX) 내에 주화소(MP)와 보조화소(RP)을 배치시킴으로써, 주화소(MP)가 불량이 되더라도 주화소(MP)를 대신하여, 보조화소(RP)가 발광할 수 있다. 이에, 표시 장치(100)는 불량에 대한 신뢰성이 향상되어, 표시 장치(100)의 발광 시간은 상승될 수 있다.
또한, 주화소(MP) 및 보조화소(RP) 각각은 발광 소자로 기능하는 LED 및 발광 소자를 구동하기 위한 화소 회로가 배치된다.
본 명세서에서는 발광 소자로 LED가 사용되는 것으로 설명하였으나, 이에 제한되지 않고 유기 발광 소자, 퀀텀닷 소자 등도 사용될 수 있다.
복수의 주화소(MP) 및 복수의 보조화소(RP) 각각은 게이트 라인을 통해 게이트 드라이버(GD)로부터 게이트 신호를 공급받고, 데이터 라인을 통해 데이터 드라이버로부터 데이터 신호를 공급받으며, 전원 공급 라인을 통해 다양한 전원을 공급받는다.
구체적으로, 도3 을 참조하여 후술할 바와 같이, 복수의 주화소(MP) 및 복수의 보조화소(RP) 각각은 게이트 라인을 통해 제1 스캔 신호(SCAN1), 제2 스캔 신호(SCAN2) 및 발광 제어 신호(EM)를 수신하고, 데이터 라인을 통해 데이터 신호(VDATA)을 수신하며, 전원 공급 라인을 통해 화소 고전위 전압(VDD), 화소 저전위 전압(VSS) 및 초기화 전압(VREF)을 수신한다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)를 사용하여 타일링 디스플레이를 구현하는 경우, 하나의 표시 패널(110)의 최외곽에 배치된 단위 화소(PX)와 이에 인접하는 다른 하나의 표시 패널(110)의 최외곽 에 배치된 단위 화소(PX) 사이의 간격을 하나의 표시 패널(110) 내에서의 복수의 단위 화소(PX) 사이의 간격과 동일하게 구현할 수 있으므로 실질적으로 베젤 영역이 존재하지 않는 제로 베젤 구현이 가능하다. 따라서, 표시 장치(100)는 표시 영역만을 갖는 것으로 정의되고, 비표시 영역이 표시 장치(100)에 정의되지 않는 것으로 설명될 수도 있다.
게이트 드라이버(GD)는 게이트 라인을 통해 복수의 단위 화소(PX)에 게이트 신호를 공급한다. 여기서, 게이트 신호는 제1 스캔 신호(SCAN1), 제2 스캔 신호(SCAN2) 및 발광 제어 신호(EM)를 포함한다.
구체적으로, 게이트 드라이버(GD)는 서로 종속 연결되는(cascade) 복수의 스테이지를 포함하고, 각각의 스테이지는 제1 스캔 신호(SCAN1), 제2 스캔 신호(SCAN2) 및 캐리 신호(CARRY)를 출력하는 스캔 구동 회로(Scan Driving circuit; SD) 및 발광 제어 신호(EM)를 출력하는 발광 구동 회로(Emission Driving circuit; ED)를 포함할 수 있다.
한편, 게이트 드라이버(GD)는 표시 패널(110)의 상면에 형성될 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서, 발광 소자인 LED의 발광 효율이 우수하므로, 단위 화소(PX)를 기준으로 LED가 차지하는 면적이 매우 작을 수 있다. 이에, 하나의 단위 화소(PX) 내부에는 발광 소자인 LED 및 이를 구동하는 화소 회로가 배치될 수 있을 뿐만 아니라, 게이트 드라이버(GD) 또한 배치될 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에서는 게이트 드라이버(GD)를 단위 화소(PX) 내부에 내장시킬 수 있다. 즉, 게이트 드라이버(GD)는 GIA(Gate In Active area) 방식으로 단위 화소(PX)에 실장될 수 있다.
즉, 도 1에 도시된 바와 같이, 게이트 드라이버(GD)는 단위 화소(PX)를 구성하는 주화소(MP) 및 보조화소(RP) 사이에 배치될 수 있다. 보다 상세하게는 게이트 드라이버(GD)의 스캔 구동 회로(SD)는 적색 주화소(MPR)와 녹색 주화소(MPG) 사이 또는 적색 보조화소(RPR)와 녹색 보조화소(RPG) 사이에 배치될 수 있다. 그리고, 게이트 드라이버(GD)의 발광 구동 회로(SD)는 청색 주화소(MPB)와 녹색 주화소(MPG) 사이 또는 청색 보조화소(RPB)와 녹색 보조화소(RPG) 사이에 배치될 수 있다.
데이터 드라이버는 영상 데이터를 데이터 신호(VDATA)으로 변환하고, 변환된 데이터 신호(VDATA)을 데이터 라인을 통해 단위 화소(PX)에 공급한다.
그리고, 데이터 드라이버는 표시 패널(110) 하면에 형성될 수 있다.
구체적으로, 표시 패널(110) 상면에 배치된 단위 화소(PX)와 표시 패널(110) 하면에 배치된 데이터 드라이버를 연결하기 위해, 표시 패널(110) 측면에 사이드 배선을 형성한다. 그리고, 데이터 드라이버는 표시 패널(110) 하면의 일측에 배치되고, 사이드 배선을 통하여 단위 화소(PX)에 데이터 신호(VDATA)를 공급할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서 게이트 드라이버는 표시 패널 상면에 GIA(Gate In Active area) 방식으로 단위 화소(PX)에 실장될 수 있다. 이와 반면에 데이터 드라이버는 표시 패널 하면에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 게이트 드라이버(GD)를 연결하기 위하여, 사이드 배선을 형성할 필요성이 없으므로, 사이드 배선의 공정에 따른 불량이 발생할 확률이 현저히 낮아진다. 이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)의 공정 수율은 향상될 수 있다.
또한, 게이트 드라이버(GD)는 단위 화소(PX)에 실장됨으로써, 비표시 영역이 정의되지 않아, 제로 베젤을 구현할 수 있다.
이하에서는 도 2를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서, 게이트 드라이버(GD)와 복수의 단위 화소(PX)의 연결 관계 및 신호의 입력과 출력 관계를 구체적으로 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 드라이버 및 복수의 단위 화소의 블록도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에서 게이트 드라이버(GD)는 종속 연결된(cascade) 복수의 스테이지(ST1, ST2, ST3)를 포함하고, 복수의 스테이지(ST1, ST2, ST3)각각에 대응하도록 복수의 단위 화소(PX1, PX2, PX3)가 배치된다. 설명의 편의상 도 2에서는 3개의 스테이지(ST1, ST2, ST3)와 3개의 단위 화소(PX1, PX2, PX3)가 배치되는 것으로 도시하였으나, 스테이지의 개수와 단위 화소의 개수는 이에 한정되지 않고, 다양하게 확장될 수 있다.
즉, 복수의 스테이지(ST1, ST2, ST3) 각각은 제1 스캔 신호(SCAN1), 제2 스캔 신호(SCAN2) 및 캐리 신호(CARRY)를 출력하는 스캔 구동 회로(SD1, SD2, SD3) 및 발광 제어 신호(EM)를 출력하는 발광 구동 회로(ED1, ED2, ED3)를 포함할 수 있다.
그리고, 제1 스테이지(ST1)에 대응되도록 제1 주화소(MP1) 및 제1 보조화소(RP1)가 배치될 수 있고, 제2 스테이지(ST2)에 대응되도록 제2 주화소(MP2) 및 제2 보조화소(RP2)가 배치될 수 있고, 제3 스테이지(ST3)에 대응되도록 제3 주화소(MP3) 및 제3 보조화소(RP3)가 배치될 수 있다.
복수의 스캔 구동 회로(SD1, SD2, SD3) 각각은 캐리 신호(CARRY)를 출력하는 캐리 출력단(CROUT), 제1 스캔 신호(SCAN1)를 출력하는 제1 스캔 출력단(SCOUT1) 및 제2 스캔 신호(SCAN2)를 출력하는 제2 스캔 출력단(SCOUT2)을 포함할 수 있다. 그리고, 복수의 발광 구동 회로(ED1, ED2, ED3) 각각은 발광 제어 신호(EM)를 출력하는 발광 출력단(EMOUT)을 포함할 수 있다. 그리고, 복수의 주화소(MP1, MP2, MP3) 및 복수의 보조화소(RP1, RP2, RP3) 각각은 제1 스캔 신호(SCAN1), 제2 스캔 신호(SCAN2) 및 발광 제어 신호(EM)를 인가받는 제1 입력단(IN1), 제2 입력단(IN2) 및 제3 입력단(IN3)을 포함할 수 있다.
이를 전제로, 자연수인 n을 이용하여 설명하면, 제n 스테이지의 캐리 출력단(CROUT)은 제n+1 스테이지의 스캔 구동 회로 및 발광 구동 회로에 연결된다. 이에, 제n 스테이지의 캐리 출력단(CROUT)에서 출력되는 캐리 신호(CARRY)는 제n+1 스테이지의 스캔 구동 회로 및 발광 구동 회로에 인가된다.
제n 스테이지의 제1 스캔 출력단(SCOUT1)은 제n 주화소의 제1 입력단(IN1) 및 제n 보조화소 제2 입력단(IN2)에 연결된다. 이에, 제n 스테이지의 스캔 구동 회로에서 출력되는 제1 스캔 신호(SCAN1)는 제n 주화소의 제1 입력단(IN1) 및 제n 보조화소의 제2 입력단(IN2)에 인가된다.
그리고, 제n 스테이지의 제2 스캔 출력단(SCOUT2)은 제n 보조화소의 제1 입력단(IN1)에 연결되고, 제n-1 스테이지의 스캔 구동 회로 및 발광 구동 회로에 연결되고, 제n+1 주화소의 제2 입력단(IN2)에 연결된다. 이에, 제n 스테이지의 스캔 구동 회로에서 출력되는 제2 스캔 신호(SCAN2)는 제n 보조화소의 제1 입력단(IN1)에 인가되고, 제n-1 스테이지의 스캔 구동 회로 및 발광 구동 회로에 인가되고, 제n+1 주화소의 제2 입력단(IN2)에 인가된다.
그리고, 제n 스테이지의 발광 출력단(EMOUT)은 제n 주화소의 제3 입력단(IN3) 및 제n 보조화소의 제3 입력단(IN3)에 연결된다. 이에, 제n 스테이지의 발광 구동 회로에서 출력되는 발광 제어 신호(EM)는 제n 주화소의 제3 입력단(IN3) 및 제n 보조화소의 제3 입력단(IN3)에 인가된다.
제n 주화소와 제n 보조화소를 기준으로 다시 설명하면, 제n 주화소의 제1 입력단(IN1) 및 제n 보조화소 제2 입력단(IN2)에는 제n 스테이지의 스캔 구동 회로에서 출력되는 제1 스캔 신호(SCAN1)가 공급되므로, 제n 주화소에 공급되는 제1 스캔 신호(SCAN1)의 출력 타이밍과 제n 보조화소에 공급되는 제1 스캔 신호(SCAN1)의 출력 타이밍은 동일할 수 있다.
이와 반면에, 제n 주화소의 제2 입력단(IN2)에는 제n-1 스테이지의 스캔 구동 회로에서 출력되는 제2 스캔 신호(SCAN2)가 공급되고, 제n 주화소의 제2 입력단(IN2)에는 제n 스테이지의 스캔 구동 회로에서 출력되는 제2 스캔 신호(SCAN2)가 공급된다. 이에, 제n 주화소에 공급되는 제2 스캔 신호(SCAN2)의 출력 타이밍과 제n 보조화소에 공급되는 제2 스캔 신호(SCAN2)의 출력 타이밍은 상이할 수 있다.
이를 도 2를 참조하여 예를 들어 설명하면, 제2 스캔 구동 회로(SD2)의 캐리 출력단(CROUT)은 제3 스캔 구동 회로(SD3) 및 제3 발광 구동 회로(ED3)에 연결된다. 이에, 제2 스캔 구동 회로(SD2)의 캐리 출력단(CROUT)에서 출력되는 캐리 신호(CARRY)는 제3 스캔 구동 회로(SD3) 및 제3 발광 구동 회로(ED3)에 인가된다.
제2 스캔 구동 회로(SD2)의 제1 스캔 출력단(SCOUT1)은 제2 주화소(MP2)의 제1 입력단(IN1) 및 제2 보조화소(RP2) 제2 입력단(IN2)에 연결된다. 이에, 제2 스캔 구동 회로(SD2)에서 출력되는 제1 스캔 신호(SCAN1)는 제2 주화소(MP2)의 제1 입력단(IN1) 및 제2 보조화소(RP2)의 제2 입력단(IN2)에 인가된다.
그리고, 제2 스캔 구동 회로(SD2)의 제2 스캔 출력단(SCOUT2)은 제2 보조화소(RP2)의 제1 입력단(IN1)에 연결되고, 제1 스캔 구동 회로(SD1) 및 제1 발광 구동 회로(ED1)에 연결되고, 제3 주화소(MP3)의 제2 입력단(IN2)에 연결된다. 이에, 제2 스캔 구동 회로(SD2)에서 출력되는 제2 스캔 신호(SCAN2)는 제2 보조화소(RP2)의 제1 입력단(IN1)에 인가되고, 제1 스캔 구동 회로(SD1) 및 제1 발광 구동 회로(ED1)에 인가되고, 제3 주화소(MP3)의 제2 입력단(IN2)에 인가된다.
그리고, 제2 스테이지의 발광 출력단(EMOUT)은 제2 주화소(MP2)의 제3 입력단(IN3) 및 제2 보조화소(RP)의 제3 입력단(IN3)에 연결된다. 이에, 제2 발광 구동 회로(ED2)에서 출력되는 발광 제어 신호(EM)는 제2 주화소(MP2)의 제3 입력단(IN3) 및 제2 보조화소(RP)의 제3 입력단(IN3)에 인가된다.
그리고, 제1 스캔 구동 회로(SD1) 및 발광 구동 회로(ED1)는 게이트 스타트 신호(VST)를 별도로 인가 받고, 제1 주화소(MP1)의 제2 입력단(IN2)은 스타트 클럭 신호(SCST)를 별도로 인가받을 수 있다.
이하에서는 도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치가 6T1C의 화소 회로를 포함할 경우에 대해서 구체적으로 설명한다.
이하에서 설명하는 트랜지스터는 n 타입 또는 p 타입 MOSFET 구조의 트랜지스터로 구현될 수 있다. 이하의 실시예에서 p 타입 트랜지스터를 예시하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 구비된 화소 회로를 나타내는 회로도이다.
이하에서 설명하는 트랜지스터는 n 타입 또는 p 타입 MOSFET 구조의 트랜지스터로 구현될 수 있다. 이하의 실시예에서 p 타입 트랜지스터를 예시하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
부가적으로, 트랜지스터는 게이트(gate) 전극, 소스(source) 전극 및 드레인(drain) 전극을 포함한 3전극 소자이다. 소스 전극은 캐리어(carrier)를 트랜지스터에 공급하는 전극이다. 트랜지스터 내에서 캐리어는 소스 전극 으로부터 흐르기 시작한다. 드레인 전극은 트랜지스터에서 캐리어가 외부로 나가는 전극이다. 즉, MOSFET에서의 캐리어의 흐름은 소스 전극으로부터 드레인 전극으로 흐른다. n타입 MOSFET(NMOS)의 경우, 캐리어가 전자(electron)이기 때문에 소스 전극에서 드레인 전극으로 전자가 흐를 수 있도록 소스 전극의 전압이 드레인 전극의 전압보다 낮다. n타입 MOSFET에서 전자가 소스 전극으로부터 드레인 전극 쪽으로 흐르기 때문에 전류의 방향은 드레인 전극으로부터 소스 전극 쪽으로 흐른다. p타입 MOSFET(PMOS)의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스 전극으로부터 드레인 전극으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전극의 전압이 드레인 전극의 전압보다 높다. p타입 MOSFET에서 정공이 소스 전극으로부터 드레인 전극 쪽으로 흐르기 때문에 전류가 소스 전극 으로부터 드레인 전극쪽으로 흐른다. MOSFET의 소스 전극과 드레인 전극은 고정된 것이 아니라는 것에 주의하여야 한다. 예컨대, MOSFET의 소스 전극과 드레인 전극은 인가 전압에 따라 변경될 수 있다. 이하의 실시예에서 트랜지스터의 소스 전극과 드레인 전극으로 인하여 발명이 한정되어서는 안된다.
이하에서는 트랜지스터의 소스 전극을 제1 전극으로 표현하고, 트랜지스터의 드레인 전극을 제2 전극으로 표현한다. 다만, 트랜지스터의 타입에 따라, 소스 전극은 제2 전극으로 해석될 수 있고, 드레인 전극은 제1 전극으로 해석될 수 있다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주화소(MP(n))는 드라이빙 트랜지스터(TDR), 제1 스위칭 트랜지스터(TSW1), 제2 스위칭 트랜지스터(TSW2), 발광 제어 트랜지스터(TEM), 제1 초기화 트랜지스터(TIN1), 제2 초기화 트랜지스터(INT2) 및 저장 커패시터(CST)를 포함한다.
드라이빙 트랜지스터(TDR)는 LED를 구동시킨다. 드라이빙 트랜지스터(TDR)에서, 제1 전극에는 화소 고전위 전압(VDD)이 인가되고, 제2 전극은 제3 노드(N3)에 연결되고, 게이트 전극은 제2 노드(N2)에 연결된다. 이에, 드라이빙 트랜지스터(TDR)의 게이트-소스 전압(Vgs)에 따라 LED로 공급되는 구동 전류 및 이에 따른 구동 전압를 제어하여, LED의 휘도를 제어한다.
제1 스위칭 트랜지스터(TSW1)는 데이터 라인으로부터 공급받는 공급받는 데이터 전압(VDATA)을 제1 노드(N1)에 인가한다. 제1 스위칭 트랜지스터(TSW1)에서, 제1 전극에는 데이터 전압(VDATA)이 입력되고, 제2 전극은 제1 노드(N1)에 연결되고, 게이트 전극에는 제1 입력단(IN1)이 연결된다.
도 2를 참조하여, 전술한 바와 같이, 제n 주화소(n)의 제1 입력단(IN1)에는 제n 스테이지의 스캔 구동 회로(SD(n))에서 출력되는 제1 스캔 신호(SCAN1(n))가 인가된다.
이에, 제1 스위칭 트랜지스터(TSW1)는 제1 스캔 신호(SCAN1(n))에 응답하여, 데이터 라인으로부터 공급받는 데이터 전압(VDATA)을 제1 노드(N1)에 인가한다.
제2 스위칭 트랜지스터(TSW2)는 드라이빙 트랜지스터(TDR)의 문턱 전압(Vth)을 샘플링한다. 제2 스위칭 트랜지스터(TSW2)에서, 제1 전극은 제3 노드(N3)에 접속되고, 제2 전극은 제2 노드(N2)에 연결되고, 게이트 전극은 제1 입력단(IN1)에 연결된다.
이에, 제2 스위칭 트랜지스터(TSW2)는 제1 스캔 신호(SCAN1(n))에 응답하여, 제2 노드(N2)와 제3 노드(N3)를 전기적으로 연결시켜, 드라이빙 트랜지스터(TDR)의 게이트 전극 및 제2 전극을 다이오드 커넥팅(Diode Connection)시킨다. 따라서, 제2 스위칭 트랜지스터(TSW2)에 의해서, 제2 노드(N2)의 전압은 제3 노드(N3)의 전압을 따라 상승한다.　 제2 노드(N2)의 전압이 상승함에 따라 드라이빙 트랜지스터(TDR)의 게이트-소스 전압(Vgs) 차이는 점차 줄어들고, 드라이빙 트랜지스터(TDR)의 게이트-소스 전압 차이가 문턱 전압(Vth) 이하가 될 때 드라이빙 트랜지스터(TDR)는 턴-오프된다.　상술한 과정을 통해, 제2 스위칭 트랜지스터(TSW2)는 드라이빙 트랜지스터(TDR)의 문턱 전압(Vth)을 샘플링할 수 있다.
발광 제어 트랜지스터(TEM)는 LED의 발광을 제어한다. 발광 제어 트랜지스터(TEM)에서, 제1 전극은 제3 노드(N3)에 연결되고, 제2 전극은 LED에 연결되고, 게이트 전극은 제3 입력단(IN3)에 연결된다.
도 2를 참조하여, 전술한 바와 같이, 제n 주화소(n)의 제3 입력단(IN3)에는 제n 스테이지의 발광 구동 회로(ED(n))에서 출력되는 발광 제어 신호(EM(n))가 인가된다.
이에, 발광 제어 트랜지스터(TEM)는 발광 제어 신호(EM(n))에 응답하여, 제3 노드(N3)와 LED 사이에 전류 패스를 형성하여, LED를 발광시킬 수 있다.
제1 초기화 트랜지스터(TIN1)는 제3 노드(N3)에 초기화 전압(VREF)을 인가한다.
제1 초기화 트랜지스터(TIN1)에서, 제1 전극은 초기화 전압(VREF)이 인가되고, 제2 전극은 제3 노드(N3)에 연결되고, 게이트 전극은 제2 입력단에 연결된다.
도 2를 참조하여, 전술한 바와 같이, 제n 주화소(n)의 제2 입력단(IN2)에는 제n-1 스테이지의 스캔 구동 회로(SD(n-1))에서 출력되는 제2 스캔 신호(SCAN2(n-1))가 인가된다.
이에, 제1 초기화 트랜지스터(TIN1)는 제2 스캔 신호(SCAN2(n-1))에 응답하여, 제3 노드(N3)에 초기화 전압(VREF)을 인가한다.
제2 초기화 트랜지스터(INT2)는 제1 노드(N1)에 초기화 전압(VREF)을 인가한다. 제2 초기화 트랜지스터(INT2)에서, 제1 전극은 초기화 전압(VREF)이 인가되고, 제2 전극은 제1 노드(N1)에 연결되고, 게이트 전극에는 제3 입력단(IN3)이 연결된다.
이에, 제2 초기화 트랜지스터(INT2)는 발광 제어 신호(EM(n))에 응답하여, 제1 노드(N1)에 초기화 전압(VREF)을 인가한다.
저장 커패시터(CST)는 드라이빙 트랜지스터(TDR)의 게이트 노드에 인가되는 전압을 저장한다.
여기서, 커패시터(CST)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 배치된다.
이에, 저장 커패시터(CST)는 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)와 전기적으로 연결되어 드라이빙 트랜지스터(TDR)의 게이트 전극의 전압과 제1 스위칭 트랜지스터(TSW1)의 제2 전극에 공급되는 전압의 차이를 저장한다.
이하에서는 도 4a 내지 도 8b를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주화소 구동 방식에 대해서 구체적으로 설명한다. 이하 도 4a 내지 도 8a에서 점선으로 표시된 트랜지스터는 턴오프된 트랜지스터를 의미하고, 실선으로 표시된 트랜지스터는 턴온된 트랜지스터를 의미한다.
그리고, 전술한 바와 같이, 트랜지스터는 p 타입 트랜지스터이므로, 게이트 전극에 로우 레벨의 전압이 인가될 때 트랜지스터는 턴온된다. 이에, 로우 레벨의 전압은 턴온 레벨의 전압으로 설명하고, 하이 레벨의 전압은 턴오프 레벨의 전압으로 설명한다. 다만, 이에 한정되지 않고, 트랜지스터는 n 타입 트랜지스터인 경우에는 턴온 레벨의 전압은 하이 레벨의 전압일 수 있고, 턴오프 레벨의 전압은 로우 레벨의 전압일 수 있다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주화소의 제1 구동 기간을 설명하기 위한 회로도이다.
도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주화소의 제1 구동 기간을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 4b에 도시된 바와 같이, 제1 구동 기간(P1) 동안에 제1 스캔 신호(SCAN1(n))는 턴오프 레벨이고, 제2 스캔 신호(SCAN(n-1))는 턴온 레벨이고, 발광 제어 신호(EM(n))는 턴오프 레벨이다.
이에, 도 4a에 도시된 바와 같이 제1 구동 기간(P1)에서 제1 초기화 트랜지스터(TIN1)는 제2 스캔 신호(SCAN2(n-1))에 의해 턴온되어, 제3 노드(N3)에 초기화 전압(VREF)을 인가한다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주화소의 제2 구동 기간을 설명하기 위한 회로도이다.
도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주화소의 제2 구동 기간을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 5b에 도시된 바와 같이, 제2 구동 기간(P2) 동안에 제1 스캔 신호(SCAN1(n))는 턴온 레벨이고, 제2 스캔 신호(SCAN2(n-1))는 턴온 레벨이고, 발광 제어 신호(EM(n))는 턴오프 레벨이다.
이에, 도 5a에 도시된 바와 같이 제1 초기화 트랜지스터(TIN1)는 제2 스캔 신호(SCAN2(n-1))에 의해 턴온되고, 제2 스위칭 트랜지스터(TSW2)는 제1 스캔 신호(SCAN1(n))에 의해 턴온되어, 제2 노드(N2) 및 제3 노드(N3)에 초기화 전압(VREF)을 인가한다. 그리고, 제1 스위칭 트랜지스터(TSW1)는 제1 스캔 신호(SCAN1(n))에 의해 턴온되어, 데이터 라인으로부터 공급받는 공급받는 데이터 전압(VDATA)을 제1 노드(N1)에 인가한다
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주화소의 제3 구동 기간을 설명하기 위한 회로도이다.
도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주화소의 제3 구동 기간을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 6b에 도시된 바와 같이, 제3 구동 기간(P3) 동안에 제1 스캔 신호(SCAN1(n))는 턴온 레벨이고, 제2 스캔 신호(SCAN2(n-1))는 턴오프 레벨이고, 발광 제어 신호(EM(n))는 턴오프 레벨이다.
이에, 도 6a에 도시된 바와 같이 제2 스위칭 트랜지스터(TSW2)는 제1 스캔 신호(SCAN1(n))에 의해 턴온되어, 제2 노드(N2)와 제3 노드(N3)를 전기적으로 연결시켜, 드라이빙 트랜지스터(TDR)의 게이트 전극 및 제2 전극을 다이오드 커넥팅(Diode Connection)시킨다. 따라서, 제2 스위칭 트랜지스터(TSW2)에 의해서, 제2 노드(N2)의 전압은 제3 노드(N3)의 전압을 따라 상승한다.　 제2 노드(N2)의 전압이 상승함에 따라 드라이빙 트랜지스터(TDR)의 게이트-소스 전압(Vgs) 차이는 점차 줄어들고, 드라이빙 트랜지스터(TDR)의 게이트-소스 전압 차이가 문턱 전압(Vth) 이하가 될 때 드라이빙 트랜지스터(TDR)는 턴-오프된다.　이에, 제2 노드(N2)의 전압은 화소 고전위 전압(VDD)과 문턱 전압(Vth)의 차이만큼 충전된다.
그리고, 제1 스위칭 트랜지스터(TSW1)는 제1 스캔 신호(SCAN1(n))에 의해 턴온되어, 데이터 라인으로부터 공급받는 공급받는 데이터 전압(VDATA)을 제1 노드(N1)에 인가한다.
이에, 제3 구동 기간(P3) 동안에 저장 커패시터(CST)양단에는 (VDD-Vth)-VDATA가 충전된다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주화소의 제4 구동 기간을 설명하기 위한 회로도이다.
도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주화소의 제4 구동 기간을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 7b에 도시된 바와 같이, 제4 구동 기간(P4) 동안에 제1 스캔 신호(SCAN1(n)), 제2 스캔 신호(SCAN2(n-1)) 및 발광 제어 신호(EM(n))는 모두 턴오프 레벨이다.
이에, 도 7a에 도시된 바와 같이 제1 스위칭 트랜지스터(TSW1), 제2 스위칭 트랜지스터(TSW2), 발광 제어 트랜지스터(TEM), 제1 초기화 트랜지스터(TIN1), 제2 초기화 트랜지스터(INT2)는 모두 턴오프된다. 이에, 제4 구동 기간(P4) 동안에 저장 커패시터(CST)양단에는 (VDD-Vth)-VDATA가 유지된다.
도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주화소의 제5 구동 기간을 설명하기 위한 회로도이다.
도 8b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 주화소의 제5 구동 기간을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 8b에 도시된 바와 같이, 제5 구동 기간(P5) 동안에 제1 스캔 신호(SCAN1(n)) 및 제2 스캔 신호(SCAN2(n-1))는 턴오프 레벨이고, 발광 제어 신호(EM(n))는 턴온 레벨이다.
이에, 도 7a에 도시된 바와 같이, 제5 구동 기간(P5)에서 제2 초기화 트랜지스터(INT2)는 발광 제어 신호(EM(n))에 의해 턴온되어, 제1 노드(N1)에 초기화 전압(VREF)을 인가한다. 이에, 제1 노드(N1)는 데이터 전압(VDATA)에서 초기화 전압(VREF)로 전압이 변경되고, 저장 커패시터(CST)에 의해 제1 노드(N1)와 연결된 제2 노드(N2)는 커플링 현상에 의해, (VDD-Vth)-(VDATA-VREF)로 전압이 변경된다.
그리고, 제5 구동 기간(P5)에서 발광 제어 트랜지스터(TEM)는 발광 제어 신호(EM(n))에 의해 턴온되어, 제3 노드(N3)와 LED 사이에 전류 패스를 형성하여, LED의 발광시킬 수 있다.
이에, 제2 노드(N2)에 연결된 드라이빙 트랜지스터(TDR)의 게이트-소스 전압(Vgs)에는 데이터 전압이 반영되고, 이로 인하여 데이터 전압에 상응하도록 LED가 발광될 수 있다.
이하에서는 도 9 및 도 10을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 드라이버의 회로 구조에 대해서 구체적으로 설명한다.
이하에서 설명하는 트랜지스터는 n 타입 또는 p 타입 MOSFET 구조의 트랜지스터로 구현될 수 있다. 이하의 실시예에서 p 타입 트랜지스터를 예시하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 스캔 구동 회로를 나타내는 회로도이다.
도 9을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제n 스캔 구동 회로는(SD(n))는 Q노드 제어부(T1, T2, Tb1, Tb2, T3, Tb3, Tb4, T9), QB노드 제어부(T4, T5, T8), 캐리 출력부(T6cr, T7cr), 제1 스캔 출력부(T6sc1, T6sc1), 제2 스캔 출력부(T6sc2, T6sc2) 및 복수의 커패시터(C1, C2)를 포함한다.
Q노드 제어부(T1, T2, Tb1, Tb2, T3, Tb3, Tb4, T9)는 Q노드(Q)의 전압을 제어한다. 다시 말하면, Q노드 제어부(T1, T2, Tb1, Tb2, T3, Tb3, Tb4, T9)는 Q노드(Q) 충전 및 방전 타이밍을 결정한다.
Q노드 제어부(T1, T2, Tb1, Tb2, T3, Tb3, Tb4, T9)는 T1 트랜지스터(T1), T2 트랜지스터(T2), Tb1 트랜지스터(Tb1), Tb2 트랜지스터(Tb2), T3 트랜지스터(T3), Tb3 트랜지스터(Tb3), Tb4 트랜지스터(Tb4) 및 T9 트랜지스터(T9)를 포함한다.
*Tb1 트랜지스터(Tb1), Tb2 트랜지스터(Tb2), Tb3 트랜지스터(Tb3) 및 Tb4 트랜지스터(Tb4)에서 모두 게이트 전극에 턴온 레벨을 갖는 게이트 저전위 전압(VGL)이 인가된다. 이에, Tb1 트랜지스터(Tb1), Tb2 트랜지스터(Tb2), Tb3 트랜지스터(Tb3) 및 Tb4 트랜지스터(Tb4)는 항상 턴온되어 있다. 이에, Tb1 트랜지스터(Tb1), Tb2 트랜지스터(Tb2), Tb3 트랜지스터(Tb3) 및 Tb4 트랜지스터(Tb4)를 제외한 트랜지스터를 위주로 구체적으로 설명한다.
T1 트랜지스터(T1)는 이전 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n-1)) 또는 게이트 스타트 신호(VST)에 응답하여, Q노드(Q)를 방전시킨다. 구체적으로, T1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에는 이전 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n-1)) 또는 게이트 스타트 신호(VST)가 인가되고, T1 트랜지스터(T1)의 제1 전극에는 게이트 저전위 전압(VGL)이 인가되고, T1 트랜지스터(T1)의 제2 전극은 T2 트랜지스터(T2)에 연결된다.
그리고, T2 트랜지스터(T2)는 이전 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n-1)) 또는 게이트 스타트 신호(VST)에 응답하여, Q노드(Q)를 방전시킨다. 구체적으로, T2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극에는 이전 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n-1)) 또는 게이트 스타트 신호(VST)가 인가되고, T2 트랜지스터(T2)의 제1 전극에는 T1 트랜지스터(T1)가 연결되고, T2 트랜지스터(T2)의 제2 전극은 Tb1 트랜지스터(Tb1)에 연결된다.
이에, 이전 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n-1)) 또는 게이트 스타트 신호(VST)가 턴온 레벨인 동안에, T1 트랜지스터(T1), T2 트랜지스터(T2) 및 Tb1 트랜지스터(Tb1)는 모두 턴 온(turn-on)되어, Q노드(Q)를 턴온 레벨을 갖는 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전시킨다.
T3 트랜지스터(T3)는 QB노드(QB)의 전압에 응답하여, Q노드(Q)를 충전시킨다. 구체적으로, T3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 QB노드(QB)에 연결되고, T3 트랜지스터(T3)의 제1 전극은 턴오프 레벨을 갖는 게이트 고전위 전압(VGH)이 인가되고, T3 트랜지스터(T3)의 제2 전극은 Tb2 트랜지스터(Tb2)에 연결된다. 그리고, Tb2 트랜지스터(Tb2)의 제1 전극은 T3 트랜지스터(T3)에 연결되고, 제2 전극은 Q노드(Q)에 연결된다.
이에, QB노드(QB)가 방전되는 동안에, T3 트랜지스터(T3)는 및 Tb2 트랜지스터(Tb2)는 모두 턴 온(turn-on)되어, Q노드(Q)를 턴오프 레벨을 갖는 게이트 고전위 전압(VGH)까지 충전시킨다.
T9 트랜지스터(T9)는 리셋신호(QRST)에 응답하여, Q노드(Q)를 충전시킨다. 구체적으로, T9 트랜지스터(T9)의 게이트 전극에 리셋신호(QRST)가 인가되고, T9 트랜지스터(T9)의 제1 전극은 턴오프 레벨을 갖는 게이트 고전위 전압(VGH)이 인가되고, T9 트랜지스터(T9)의 제2 전극은 Tb4 트랜지스터(Tb4)에 연결된다. 그리고, Tb4 트랜지스터(Tb4)의 제1 전극은 T9 트랜지스터(T9)에 연결되고, 제2 전극은 Q노드(Q)에 연결된다.
이에, 한 프레임의 종점에 리셋신호(QRST)가 턴온 레벨로 하강되어, T9 트랜지스터(T9)는 및 Tb4 트랜지스터(Tb4)는 모두 턴 온(turn-on)되어, Q노드(Q)를 턴오프 레벨을 갖는 게이트 고전위 전압(VGH)까지 충전시킨다.
QB노드 제어부(T4, T5, T8)는 QB노드(QB)의 전압을 제어한다. 다시 말하면, QB노드 제어부(T4, T5, T8)는 QB노드(QB)의 충전 및 방전 타이밍을 결정한다.
QB노드 제어부(T4, T5, T8)는 T4 트랜지스터(T4), T5 트랜지스터(T5) 및 T8 트랜지스터(T8)를 포함한다.
T4 트랜지스터(T4)는 다음 스테이지의 제2 스캔 신호(SCAN2(n+1))에 의해, QB노드(QB)를 충전시킨다. 구체적으로, T4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극에는 다음 스테이지의 제2 스캔 신호(SCAN2(n+1))가 인가되고, T4 트랜지스터(T4)의 제1 전극에 게이트 저전위 전압(VGL)이 인가되고, T4 트랜지스터(T4)의 제2 전극은 QB노드(QB)에 연결된다. 이에, 다음 스테이지의 제2 스캔 신호(SCAN2(n+1))가 턴온 레벨인 동안에, T4 트랜지스터(T4)는 턴 온(turn-on)되어, QB노드(QB)를 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전시킨다.
T5 트랜지스터(T5)는 이전 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n-1)) 또는 게이트 스타트 신호(VST)에 응답하여, QB노드(QB)를 충전시킨다. 구체적으로, T5 트랜지스터(T5)의 게이트 전극에는 이전 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n-1)) 또는 게이트 스타트 신호(VST)가 인가되고, T5 트랜지스터(T5)의 제1 전극에는 게이트 고전위 전압(VGH)이 인가되고, T5 트랜지스터(T5)의 제2 전극은 QB노드(QB)를 에 연결된다.
이에, 이전 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n-1)) 또는 게이트 스타트 신호(VST)가 턴온 레벨인 동안에, T5 트랜지스터(T5) 는 턴 온(turn-on)되어, QB노드(QB)를 턴오프 레벨을 갖는 게이트 고전위 전압(VGH)로 충전시킨다.
T8 트랜지스터(T8)는 Q노드(Q)의 전압에 응답하여, QB노드(QB)를 충전시킨다. 구체적으로, T8 트랜지스터(T8)의 게이트 전극은 Tb3 트랜지스터(Tb3)에 연결되고, T8 트랜지스터(T8)의 제1 전극에 게이트 고전위 전압(VGH)이 인가되고, T8 트랜지스터(T8)의 제2 전극은 QB노드(QB)에 연결된다. 그리고, Tb3 트랜지스터(Tb3)의 제1 전극은 Q노드(Q)에 연결되고, 제2 전극은 T8 트랜지스터에 연결된다.
이에, Q노드(Q)가 방전되는 동안에, 제8 트랜지스터(T8)는 턴 온(turn-on)되어, QB노드(QB)를 게이트 고전위 전압(VGH)까지 충전시킨다.
캐리 출력부(T6cr, T7cr)는 Q노드(Q)의 전압과 QB노드(QB)에 의해 캐리 신호(CARRY(n))를 출력한다.
구체적으로, 캐리 출력부(T6cr, T7cr)는 캐리 신호(CARRY(n))을 풀업(pull-up)하는 트랜지스터인 T6cr 트랜지스터(T6cr)와 캐리 신호(CARRY(n))을 풀다운(pull-down)하는 트랜지스터인 T7cr 트랜지스터(T7cr)를 포함한다.
T6cr 트랜지스터(T6cr)의 게이트 전극은 Q노드(Q)에 연결되고, T6cr 트랜지스터(T6cr)의 제1 전극에 캐리 클럭신호(CRCLK(n))가 인가되고, T6cr 트랜지스터(T6cr)의 제2 전극은 캐리 출력단(CROUT(n))에 연결된다. 이에, Q노드(Q)가 방전 상태일 때, T6cr 트랜지스터(T6cr)는 턴 온(turn-on)되어 캐리 클럭신호(CRCLK(n))를 캐리 신호(CARRY(n))로 출력한다.
T7cr 트랜지스터(T7cr)의 게이트 전극은 QB노드(QB)에 연결되고, T7cr 트랜지스터(T7cr)의 제1 전극에 게이트 고전위 전압(VGH)이 인가되고, T7cr 트랜지스터(T7cr)의 제2 전극은 캐리 출력단(CROUT(n))에 연결된다. 이에, QB노드(QB)가 방전 상태일 때 T7cr 트랜지스터(T7cr)는 턴 온(turn-on)되어, 게이트 고전위 전압(VGH)을 캐리 신호(CARRY(n))으로 출력한다.
제1 스캔 출력부(T6m, T7m)는 Q노드(Q)의 전압과 QB노드(QB)에 의해 제1 스캔 신호(SCAN1(n))를 출력한다.
구체적으로, 캐리 출력부(T6m, T7m)는 제1 스캔 신호(SCAN1(n))을 풀업(pull-up)하는 트랜지스터인 T6m 트랜지스터(T6m)와 제1 스캔 신호(SCAN1(n))을 풀다운(pull-down)하는 트랜지스터인 T7m 트랜지스터(T7m)를 포함한다.
T6m 트랜지스터(T6m)의 게이트 전극은 Q노드(Q)에 연결되고, T6m 트랜지스터(T6m)의 제1 전극에 스캔 클럭신호(SCCLK(2n-1))가 인가되고, T6m 트랜지스터(T6m)의 제2 전극은 제1 스캔 출력단(SCOUT1(n))에 연결된다. 이에, Q노드(Q)가 방전 상태일 때, T6m 트랜지스터(T6m)는 턴 온(turn-on)되어 스캔 클럭신호(SCCLK((2n-1)))를 제1 스캔 신호(SCAN1(n))로 출력한다.
T7m 트랜지스터(T7m)의 게이트 전극은 QB노드(QB)에 연결되고, T7m 트랜지스터(T7m)의 제1 전극에 게이트 고전위 전압(VGH)이 인가되고, T7m 트랜지스터(T7m)의 제2 전극은 제1 스캔 출력단(SCOUT1(n))에 연결된다. 이에, QB노드(QB)가 방전 상태일 때 T7m 트랜지스터(T7m)는 턴 온(turn-on)되어, 게이트 고전위 전압(VGH)을 제1 스캔 신호(SCAN1(n))으로 출력한다.
제2 스캔 출력부(T6r, T7r)는 Q노드(Q)의 전압과 QB노드(QB)에 의해 제2 스캔 신호(SCAN2(n))를 출력한다.
구체적으로, 제2 스캔 출력부(T6r, T7r)는 제2 스캔 신호(SCAN2(n))을 풀업(pull-up)하는 트랜지스터인 T6r 트랜지스터(T6r)와 제2 스캔 신호(SCAN2(n))을 풀다운(pull-down)하는 트랜지스터인 T7r 트랜지스터(T7r)를 포함한다.
T6r 트랜지스터(T6r)의 게이트 전극은 Q노드(Q)에 연결되고, T6r 트랜지스터(T6r)의 제1 전극에 스캔 클럭신호(SCCLK(2n))가 인가되고, T6r 트랜지스터(T6r)의 제2 전극은 제2 스캔 출력단(SCOUT2(n))에 연결된다. 이에, Q노드(Q)가 방전 상태일 때, T6r 트랜지스터(T6r)는 턴 온(turn-on)되어 스캔 클럭신호(SCCLK(2n))를 제2 스캔 신호(SCAN2(n))로 출력한다.
T7r 트랜지스터(T7r)의 게이트 전극은 QB노드(QB)에 연결되고, T7r 트랜지스터(T7r)의 제1 전극에 게이트 고전위 전압(VGH)이 인가되고, T7r 트랜지스터(T7r)의 제2 전극은 제2 스캔 출력단(SCOUT2(n))에 연결된다. 이에, QB노드(QB)가 방전 상태일 때 T7r 트랜지스터(T7r)는 턴 온(turn-on)되어, 게이트 고전위 전압(VGH)을 제2 스캔 신호(SCAN2(n))으로 출력한다.
그리고, C1cr 커패시터(C1cr)는 Q노드(Q)를 부트스트래핑(bootstrapping)시킨다. 구체적으로, C1cr 커패시터(C1cr)의 일단은 T6cr 트랜지스터(T6cr)의 게이트 전극에 연결되고, C1cr 커패시터(C1cr)의 타단은 캐리 출력단(CROUT(n))인 T6cr 트랜지스터(T6cr)의 제2 전극에 연결된다. 이에, Q노드(Q)가 방전되는 동안, T6cr 트랜지스터(T6cr)의 제2 전극인 캐리 출력단(CROUT(n))에서 출력되는 캐리 신호(CRRAY(n))가 턴온 레벨로 하강될 경우, C1cr 커패시터(C1cr)에 의해서 Q노드(Q)는 부트스트래핑(bootstrapping) 될 수 있다.
그리고, C1m 커패시터(C1m)는 Q노드(Q)를 부트스트래핑(bootstrapping)시킨다. 구체적으로, C1m 커패시터(C1m)의 일단은 T6m 트랜지스터(T6m)의 게이트 전극에 연결되고, C1m 커패시터(C1m)의 타단은 제1 스캔 출력단(SCOUT1(n))인 T6m 트랜지스터(T6m)의 제2 전극에 연결된다. 이에, Q노드(Q)가 방전되는 동안, T6m 트랜지스터(T6m)의 제2 전극인 제1 스캔 출력단(SCOUT1(n))에서 출력되는 제1 스캔 신호(SCAN1(n))가 턴온 레벨로 하강될 경우, C1m 커패시터(C1m)에 의해서 Q노드(Q)는 부트스트래핑(bootstrapping) 될 수 있다.
그리고, C1r 커패시터(C1r)는 Q노드(Q)를 부트스트래핑(bootstrapping)시킨다. 구체적으로, C1r 커패시터(C1r)의 일단은 T6r 트랜지스터(T6r)의 게이트 전극에 연결되고, C1r 커패시터(C1r)의 타단은 제2 스캔 출력단(SCOUT2(n))인 T6r 트랜지스터(T6r)의 제2 전극에 연결된다. 이에, Q노드(Q)가 방전되는 동안, T6r 트랜지스터(T6r)의 제2 전극인 제2 스캔 출력단(SCOUT2(n))에서 출력되는 제2 스캔 신호(SCAN2(n))가 턴온 레벨로 하강될 경우, C1r 커패시터(C1r)에 의해서 Q노드(Q)는 부트스트래핑(bootstrapping) 될 수 있다.
제2 커패시터(C2)는 QB노드(QB)를 안정화시킨다. 제2 커패시터(C2)의 일단에 게이트 고전위 전압(VGH)이 고정적으로 인가되고, 제2 커패시터(C2)의 타단은 QB노드(QB)에 연결된다. 이에, 제2 커패시터(C2)의 일단의 전위가 변하지 않으므로, QB노드(QB)의 전압이 안정화되어, 제1 스캔 신호(SCAN1(N)), 제2 스캔 신호(SCAN2(N)) 및 캐리 신호(CARRY(N))을 지연없이 출력할 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 발광 구동 회로를 나타내는 회로도이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제n 발광 구동 회로는(ED(n))는 QE노드 제어부(T10, T11), 발광 출력부(T6e, T7e, T8e), T12 트랜지스터(T12) 및 제3 커패시터(C3)를 포함한다.
QE노드 제어부(T10, T11)는 QE노드(QE)의 전압을 제어한다. 다시 말하면, QE노드 제어부(T10, T11)는 QE노드(QE) 충전 및 방전 타이밍을 결정한다.
QE노드 제어부(T10, T11)는 T10 트랜지스터(T10) 및 T11 트랜지스터(T11)를 포함한다.
T10 트랜지스터(T10)는 다음 스테이지의 제2 스캔 신호(SCAN2(n+1))에 응답하여, QE노드(QE)를 방전시킨다. 구체적으로, T10 트랜지스터(T10)의 게이트 전극에는 제2 스캔 신호(SCAN2(n+1))가 인가되고, T10 트랜지스터(T10)의 제1 전극에는 발광 저전위 전압(EVGL)이 인가되고, T10 트랜지스터(T10)의 제2 전극은 QE노드(QE)에 연결된다.
이에, 다음 스테이지의 제2 스캔 신호(SCAN2(n+1))가 턴온 레벨인 동안에, T10 트랜지스터(T10)는 모두 턴 온(turn-on)되어, QE노드(QE)를 턴온 레벨을 갖는 발광 저전위 전압(VGL)으로 방전시킨다.
T11 트랜지스터(T11)는 이전 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n-1)) 또는 게이트 스타트 신호(VST)에 응답하여, QE노드(QE)를 충전시킨다. 구체적으로, T11 트랜지스터(T11)의 게이트 전극에 이전 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n-1)) 또는 게이트 스타트 신호(VST)가 인가되고, T11 트랜지스터(T11)의 제1 전극은 턴오프 레벨을 갖는 발광 고전위 전압(EVGH)이 인가되고, T11 트랜지스터(T11)의 제2 전극은 QE노드(QE)에 연결된다.
이에, 이전 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n-1)) 또는 게이트 스타트 신호(VST)가 턴온 레벨인 동안에, T11 트랜지스터(T11)는 턴 온(turn-on)되어, QE노드(QE)를 턴오프 레벨을 갖는 발광 고전위 전압(EVGH)까지 충전시킨다.
발광 출력부(T6e, T7e, T8e)는 QE노드(QE)의 전압에 의해 발광 제어 신호(EM(n))를 출력한다.
구체적으로, 발광 출력부(T6e, T7e, T8e)는 발광 제어 신호(EM(n))를 풀업(pull-up)하는 트랜지스터인 T6e 트랜지스터(T6e)와 발광 제어 신호(EM(n))를 풀다운(pull-down)하는 트랜지스터인 T7e 트랜지스터(T7e) 및 T8e 트랜지스터(T8e)를 포함한다.
T6e 트랜지스터(T6e)의 게이트 전극은 QE노드(QE)에 연결되고, T6e 트랜지스터(T6e)의 제1 전극에 발광 저전위 전압(EVGL)이 인가되고, T6e 트랜지스터(T6e)의 제2 전극은 발광 출력단(EMOUT(n))에 연결된다. 이에, QE노드(QE)가 방전 상태일 때, T6e 트랜지스터(T6e)는 턴 온(turn-on)되어 발광 저전위 전압(EVGL)을 발광 제어 신호(EM(n))로 출력한다.
T7e 트랜지스터(T7e)의 게이트 전극에 이전 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n-1)) 또는 게이트 스타트 신호(VST)가 인가되고, T7e 트랜지스터(T7e)의 제1 전극에 제4 노드(N4)가 연결되고, T7e 트랜지스터(T7e)의 제2 전극은 발광 출력단(EMOUT(n))에 연결된다.
그리고, T8e 트랜지스터(T8e)의 게이트 전극에 이전 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n-1)) 또는 게이트 스타트 신호(VST)가 인가되고, T8e 트랜지스터(T8e)의 제1 전극에 턴오프 레벨을 갖는 발광 고전위 전압(EVGH)이 인가되고, T8e 트랜지스터(T8e)의 제2 전극은 제4 노드(N4)에 연결된다.
이에, 이전 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n-1)) 또는 게이트 스타트 신호(VST)가 턴온 레벨인 동안에, T7e 트랜지스터(T7e) 및 T8e 트랜지스터(T8e)는 턴 온(turn-on)되어, 발광 고전위 전압(EVGH)을 발광 제어 신호(EM(n))로 출력한다.
그리고, 제3 커패시터(C3)는 QE노드(QE)를 부트스트래핑(bootstrapping)시킨다. 구체적으로, 제3 커패시터(C3)의 일단은 T6e 트랜지스터(T6e)의 게이트 전극에 연결되고, 제3 커패시터(C3)의 타단은 발광 출력단(EMOUT(n))인 T6e 트랜지스터(T6e)의 제2 전극에 연결된다. 이에, QE노드(QE)가 방전되는 동안, T6e 트랜지스터(T6e)의 제2 전극인 발광 출력단(EMOUT(n))에서 출력되는 발광 제어 신호(EM(n))가 턴온 레벨로 하강될 경우, 제3 커패시터(C3)에 의해서 QE노드(QE)는 부트스트래핑(bootstrapping) 될 수 있다.
T12 트랜지스터(T12)는 발광 출력단(EMOUT(n))의 전압에 응답하여, 제4 노드(N4)를 충전시킨다. 구체적으로, T12 트랜지스터(T12)의 게이트 전극은 발광 출력단(EMOUT(n))에 연결되고, T12 트랜지스터(T12)의 제1 전극에 발광 고전위 전압(EVGH)이 인가되고, T12 트랜지스터(T12)의 제2 전극은 제4 노드(N4)에 연결된다. 이에, 발광 출력단(EMOUT(n))에서 출력되는 발광 제어 신호(EM(n))가 턴오프 레벨인 동안에, T12 트랜지스터(T12)는 턴 오프(turn-off)되어, 제4 노드(N4)에 턴온 레벨을 갖는 발광 저전위 전압(EVGL)이 충전되지 않도록 한다.
이하에서는 도 11 내지 도 18을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)의 게이트 드라이버(GD)의 구동 방식에 대해서 구체적으로 설명한다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 드라이버의 입력 신호 및 출력 신호를 나타내는 타이밍도이다.
도 12 내지 도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 드라이버의 구동 방식을 설명하기 위한 회로도이다.
구체적으로, 도 12는 도 11의 제1 시점에서 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 드라이버의 구동 방식을 설명하기 위한 회로도이다. 도 13은 도 11의 제2 시점에서 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 드라이버의 구동 방식을 설명하기 위한 회로도이다. 도 14는 도 11의 제3 시점에서 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 드라이버의 구동 방식을 설명하기 위한 회로도이다. 도 15는 도 11의 제4 시점에서 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 드라이버의 구동 방식을 설명하기 위한 회로도이다. 도 16은 도 11의 제5 시점에서 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 드라이버의 구동 방식을 설명하기 위한 회로도이다. 도 17은 도 11의 제6 시점에서 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 드라이버의 구동 방식을 설명하기 위한 회로도이다. 도 18은 도 11의 제7 시점에서 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 드라이버의 구동 방식을 설명하기 위한 회로도이다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 제1 시점(T1)에서, 게이트 스타트 신호(VST)는 턴온 레벨인 로우 레벨로 하강된다.
이에, 제1 스캔 구동 회로(SD(1))에서 T1 트랜지스터(T1), T2 트랜지스터(T2) 및 Tb1 트랜지스터(Tb1)는 모두 턴 온(turn-on)되어, Q노드(Q(1))를 턴온 레벨을 갖는 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전시키고, T5 트랜지스터(T5) 는 턴 온(turn-on)되어, QB노드(QB(1))를 턴오프 레벨을 갖는 게이트 고전위 전압(VGH)로 충전시킨다.
그리고, 제1 스캔 구동 회로(SD(1))에서 Q노드(Q(1))가 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전되었으므로, T8 트랜지스터(T8)는 턴 온(turn-on)되어, QB노드(QB(1))를 게이트 고전위 전압(VGH)까지 충전시킨다.
그리고, 제1 발광 구동 회로(ED(1))에서, T11 트랜지스터(T11)는 턴 온(turn-on)되어, QE노드(QE(1))를 턴오프 레벨을 갖는 발광 고전위 전압(EVGH)까지 충전시키고, T7e 트랜지스터(T7e) 및 T8e 트랜지스터(T8e)는 턴 온(turn-on)되어, 발광 출력단(EMOUT(1))을 발광 고전위 전압(EVGH)으로 충전시켜, 발광 고전위 전압(EVGH)을 발광 제어 신호(EM(1))로 출력한다.
도 11 및 도 13를 참조하면, 제2 시점(T2)에서, 제1 스캔 클럭신호(SCCLK(1)) 및 제1 캐리 클럭신호(CRCLK(1))는 턴온 레벨인 로우 레벨로 하강된다.
이에, 제1 스캔 구동 회로(SD(1))에서, Q노드(Q(1))는 턴온 레벨을 갖는 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전되었으므로, T6cr 트랜지스터(T6cr) 및 T6m 트랜지스터(T6m)는 모두 턴 온(turn-on)된다. 이에, T6cr 트랜지스터(T6cr)는 로우 레벨의 제1 캐리 클럭신호(CRCLK(1))를 캐리 출력단(CROUT(1))에 출력하여, 이를 캐리 신호(CARRY(1))로 출력한다. 그리고, T6m 트랜지스터(T6m)는 로우 레벨의 제1 스캔 클럭신호(SCCLK(1))를 제1 스캔 출력단(SCOUT1(1))에 출력하여, 이를 제1 스캔 신호(SCAN1(1))로 출력한다.
이에, 제2 스캔 구동 회로(SD(2))에서, T1 트랜지스터(T1) 및 T2 트랜지스터(T2)는 턴온 레벨인 제1 스캔 구동 회로(SD(1))의 캐리 신호(CARRY(1))에 의해 모두 턴 온(turn-on)되어, Q노드(Q(2))를 턴온 레벨을 갖는 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전시키고, T5 트랜지스터(T5) 는 턴 온(turn-on)되어, QB노드(QB(2))를 턴오프 레벨을 갖는 게이트 고전위 전압(VGH)로 충전시킨다.
그리고, 제2 스캔 구동 회로(SD(2))에서 Q노드(Q(2))가 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전되었으므로, T8 트랜지스터(T8)는 턴 온(turn-on)되어, QB노드(QB(2))를 게이트 고전위 전압(VGH)까지 충전시킨다.
그리고, 제2 발광 구동 회로(ED(2))에서, T11 트랜지스터(T11)는 제1 스캔 구동 회로(SD(1))의 캐리 신호(CARRY(1))에 의해 턴 온(turn-on)되어, QE노드(QE(2))를 턴오프 레벨을 갖는 발광 고전위 전압(EVGH)까지 충전시키고, T7e 트랜지스터(T7e) 및 T8e 트랜지스터(T8e)는 제1 스캔 구동 회로(SD(1))의 캐리 신호(CARRY(1))에 의해 턴 온(turn-on)되어, 발광 출력단(EMOUT(2))을 발광 고전위 전압(EVGH)으로 충전시켜, 발광 고전위 전압(EVGH)을 발광 제어 신호(EM(2))로 출력한다.
도 11 및 도 14를 참조하면, 제3 시점(T3)에서, 제2 스캔 클럭신호(SCCLK(2))는 턴온 레벨인 로우 레벨로 하강된다.
이에, 제1 스캔 구동 회로(SD(1))에서, Q노드(Q(1))는 턴온 레벨을 갖는 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전되었으므로, T6r 트랜지스터(T6r)는 턴 온(turn-on)된다. 이에, T6r 트랜지스터(T6r)는 로우 레벨의 제2 스캔 클럭신호(SCCLK(2))를 제2 스캔 출력단(SCOUT2(1))에 출력하여, 이를 제2 스캔 신호(SCAN2(1))로 출력한다.
도 11 및 도 15를 참조하면, 제4 시점(T4)에서, 제3 스캔 클럭신호(SCCLK(3)) 및 제2 캐리 클럭신호(CRCLK(2))는 턴온 레벨인 로우 레벨로 하강된다.
이에, 제2 스캔 구동 회로(SD(2))에서, Q노드(Q(2))는 턴온 레벨을 갖는 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전되었으므로, T6cr 트랜지스터(T6cr) 및 T6m 트랜지스터(T6m)는 모두 턴 온(turn-on)된다. 이에, T6cr 트랜지스터(T6cr)는 로우 레벨의 제2 캐리 클럭신호(CRCLK(2))를 캐리 출력단(CROUT(2))에 출력하여, 이를 캐리 신호(CARRY(2))로 출력한다. 그리고, T6m 트랜지스터(T6m)는 로우 레벨의 제3 스캔 클럭신호(SCCLK(3))를 제1 스캔 출력단(SCOUT1(2))에 출력하여, 이를 제1 스캔 신호(SCAN1(2))로 출력한다.
이에, 제3 스캔 구동 회로(SD(3))에서, T1 트랜지스터(T1) 및 T2 트랜지스터(T2)는 로우 레벨인 제2 스캔 구동 회로(SD(2))의 캐리 신호(CARRY(2))에 의해 모두 턴 온(turn-on)되어, Q노드(Q(3))를 턴온 레벨을 갖는 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전시키고, T5 트랜지스터(T5) 는 턴 온(turn-on)되어, QB노드(QB(3))를 턴오프 레벨을 갖는 게이트 고전위 전압(VGH)로 충전시킨다.
그리고, 제3 스캔 구동 회로(SD(3))에서 Q노드(Q(3))가 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전되었으므로, T8 트랜지스터(T8)는 턴 온(turn-on)되어, QB노드(QB(3))를 게이트 고전위 전압(VGH)까지 충전시킨다.
그리고, 제3 발광 구동 회로(ED(3))에서, T11 트랜지스터(T11)는 제2 스캔 구동 회로(SD(2))의 캐리 신호(CARRY(2))에 의해 턴 온(turn-on)되어, QE노드(QE(3))를 턴오프 레벨을 갖는 발광 고전위 전압(EVGH)까지 충전시키고, T7e 트랜지스터(T7e) 및 T8e 트랜지스터(T8e)는 제2 스캔 구동 회로(SD(2))의 캐리 신호(CARRY(2))에 의해 턴 온(turn-on)되어, 발광 출력단(EMOUT(3))을 발광 고전위 전압(EVGH)으로 충전시켜, 발광 고전위 전압(EVGH)을 발광 제어 신호(EM(3))로 출력한다.
도 11 및 도 16를 참조하면, 제5 시점(T5)에서, 제4 스캔 클럭신호(SCCLK(4))는 턴온 레벨인 로우 레벨로 하강된다.
이에, 제2 스캔 구동 회로(SD(2))에서, Q노드(Q(2))는 턴온 레벨을 갖는 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전되었으므로, T6r 트랜지스터(T6r)는 턴 온(turn-on)된다. 이에, T6r 트랜지스터(T6r)는 로우 레벨의 제4 스캔 클럭신호(SCCLK(4))를 제2 스캔 출력단(SCOUT2(2))에 출력하여, 이를 제2 스캔 신호(SCAN2(2))로 출력한다.
이에, 제1 스캔 구동 회로(SD(1))에서 T4 트랜지스터(T4)는 제2 스캔 구동 회로(SD(2))의 제2 스캔 신호(SCAN2(2))에 의해 모두 턴 온(turn-on)되어, QB노드(QB(1))를 턴온 레벨을 갖는 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전시킨다. 그리고, 제1 스캔 구동 회로(SD(1))에서 QB노드(QB(1))가 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전되었으므로, T3 트랜지스터(T3)는 턴 온(turn-on)되어, Q노드(Q(1))를 게이트 고전위 전압(VGH)까지 충전시킨다.
그리고, 제1 발광 구동 회로(ED(1))에서, T10 트랜지스터(T10)는 제2 스캔 구동 회로(SD(2))의 제2 스캔 신호(SCAN2(2))에 의해 턴 온(turn-on)되어, QE노드(QE(1))를 턴온 레벨을 갖는 발광 저전위 전압(EVGL)까지 방전시키고, T6e 트랜지스터(T6e) 또한 제2 스캔 구동 회로(SD(2))의 제2 스캔 신호(SCAN2(2))에 의해 턴 온(turn-on)되어, 발광 출력단(EMOUT(1))을 발광 저전위 전압(EVGL)으로 방전시켜, 발광 저전위 전압(EVGL)을 발광 제어 신호(EM(1))로 출력한다.
도 11 및 도 17을 참조하면, 제6 시점(T6)에서, 제5 스캔 클럭신호(SCCLK(5)) 및 제3 캐리 클럭신호(CRCLK(3))는 턴온 레벨인 로우 레벨로 하강된다.
이에, 제3 스캔 구동 회로(SD(3))에서, Q노드(Q(3))는 턴온 레벨을 갖는 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전되었으므로, T6cr 트랜지스터(T6cr) 및 T6m 트랜지스터(T6m)는 모두 턴 온(turn-on)된다. 이에, T6cr 트랜지스터(T6cr)는 로우 레벨의 제3 캐리 클럭신호(CRCLK(3))를 캐리 출력단(CROUT(3))에 출력하여, 이를 캐리 신호(CARRY(3))로 출력한다. 그리고, T6m 트랜지스터(T6m)는 로우 레벨의 제5 스캔 클럭신호(SCCLK(5))를 제1 스캔 출력단(SCOUT1(3))에 출력하여, 이를 제1 스캔 신호(SCAN1(3))로 출력한다.
도 11 및 도 18를 참조하면, 제7 시점(T7)에서, 제6 스캔 클럭신호(SCCLK(6))는 턴온 레벨인 로우 레벨로 하강된다.
이에, 제3 스캔 구동 회로(SD(3))에서, Q노드(Q(3))는 턴온 레벨을 갖는 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전되었으므로, T6r 트랜지스터(T6r)는 턴 온(turn-on)된다. 이에, T6r 트랜지스터(T6r)는 로우 레벨의 제6 스캔 클럭신호(SCCLK(6))를 제2 스캔 출력단(SCOUT2(3))에 출력하여, 이를 제2 스캔 신호(SCAN2(3))로 출력한다.
이에, 제2 스캔 구동 회로(SD(2))에서 T4 트랜지스터(T4)는 제3 스캔 구동 회로(SD(3))의 제2 스캔 신호(SCAN2(3))에 의해 모두 턴 온(turn-on)되어, QB노드(QB(2))를 턴온 레벨을 갖는 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전시킨다. 그리고, 제2 스캔 구동 회로(SD(2))에서 QB노드(QB(2))가 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전되었으므로, T3 트랜지스터(T3)는 턴 온(turn-on)되어, Q노드(Q(2))를 게이트 고전위 전압(VGH)까지 충전시킨다.
그리고, 제2 발광 구동 회로(ED(2))에서, T10 트랜지스터(T10)는 제3 스캔 구동 회로(SD(3))의 제2 스캔 신호(SCAN2(3))에 의해 턴 온(turn-on)되어, QE노드(QE(2))를 턴온 레벨을 갖는 발광 저전위 전압(EVGL)까지 방전시키고, T6e 트랜지스터(T6e) 또한 제3 스캔 구동 회로(SD(3))의 제2 스캔 신호(SCAN2(3))에 의해 턴 온(turn-on)되어, 발광 출력단(EMOUT(2))을 발광 저전위 전압(EVGL)으로 방전시켜, 발광 저전위 전압(EVGL)을 발광 제어 신호(EM(2))로 출력한다.
이하에서는 도 19 내지 28을 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치와 비교하여, 게이트 드라이버(GD)와 복수의 단위 화소(PX)의 연결 관계 및 신호의 입력에 대해서만 차이가 있을 뿐, 게이 게이트 드라이버(GD)의 회로 구조와 복수의 단위 화소(PX)의 화소 회로 구조는 동일하므로, 이에 대한 설명은 생략한다.
먼저, 도 19를 참조하여 게이트 드라이버(GD)와 복수의 단위 화소(PX)의 연결 관계 및 신호의 입력과 출력 관계를 구체적으로 설명한다.
도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 드라이버 및 복수의 단위 화소의 블록도이다.
도 19를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에서 게이트 드라이버(GD)는 종속 연결된(cascade) 복수의 스테이지(ST1, ST2, ST3)를 포함하고, 복수의 스테이지(ST1, ST2, ST3)각각에 대응하도록 복수의 단위 화소(PX1, PX2, PX3)가 배치된다. 설명의 편의상 도 19에서는 3개의 스테이지(ST1, ST2, ST3)와 3개의 단위 화소(PX1, PX2, PX3)가 배치되는 도시하였으나, 스테이지의 개수와 단위 화소의 개수는 이에 한정되지 않고, 다양하게 확장될 수 있다.
즉, 복수의 스테이지(ST1, ST2, ST3) 각각은 제1 스캔 신호(SCAN1), 제2 스캔 신호(SCAN2) 및 캐리 신호(CARRY)를 출력하는 스캔 구동 회로(SD1, SD2, SD3) 및 발광 제어 신호(EM)를 출력하는 발광 구동 회로(ED1, ED2, ED3)을 포함할 수 있다.
그리고, 제1 스테이지(ST1)에 대응되도록 제1 주화소(MP1) 및 제1 보조화소(RP1)가 배치될 수 있고, 제2 스테이지(ST2)에 대응되도록 제2 주화소(MP2) 및 제2 보조화소(RP2)가 배치될 수 있고, 제3 스테이지(ST3)에 대응되도록 제3 주화소(MP3) 및 제3 보조화소(RP3)가 배치될 수 있다.
복수의 스캔 구동 회로(SD1, SD2, SD3) 각각은 캐리 신호(CARRY)를 출력하는 캐리 출력단(CROUT), 제1 스캔 신호(SCAN1)를 출력하는 제1 스캔 출력단(SCOUT1) 및 제2 스캔 신호(SCAN2)를 출력하는 제2 스캔 출력단(SCOUT2)을 포함할 수 있다. 그리고, 복수의 발광 구동 회로(ED1, ED2, ED3) 각각은 발광 제어 신호(EM)를 출력하는 발광 출력단(EMOUT)을 포함할 수 있다. 그리고, 복수의 주화소(MP1, MP2, MP3) 및 복수의 보조화소(RP1, RP2, RP3) 각각은 제1 스캔 신호(SCAN1), 제2 스캔 신호(SCAN2) 및 발광 제어 신호(EM)를 인가받는 제1 입력단(IN1), 제2 입력단(IN2) 및 제3 입력단(IN3)을 포함할 수 있다.
이를 전제로, 자연수인 n을 이용하여 설명하면, 제n 스테이지의 캐리 출력단(CROUT)은 제n-1 스테이지의 스캔 구동 회로 및 발광 구동 회로에 연결되고, 제n+1 스테이지의 스캔 구동 회로 및 발광 구동 회로에 연결된다. 이에, 제n 스테이지의 캐리 출력단(CROUT)에서 출력되는 캐리 신호(CARRY)는 제n-1 스테이지의 스캔 구동 회로 및 발광 구동 회로에 인가되고, 제n+1 스테이지의 스캔 구동 회로 및 발광 구동 회로에 인가된다.
제n 스테이지의 제1 스캔 출력단(SCOUT1)은 제n 주화소의 제1 입력단(IN1) 및 제n 보조화소 제2 입력단(IN2)에 연결된다. 이에, 제n 스테이지의 스캔 구동 회로에서 출력되는 제1 스캔 신호(SCAN1)는 제n 주화소의 제1 입력단(IN1) 및 제n 보조화소의 제2 입력단(IN2)에 인가된다.
그리고, 제n 스테이지의 제2 스캔 출력단(SCOUT2)은 제n 보조화소의 제1 입력단(IN1)에 연결되고, 제n+1 주화소의 제2 입력단(IN2)에 연결된다. 이에, 제n 스테이지의 스캔 구동 회로에서 출력되는 제2 스캔 신호(SCAN2)는 제n 보조화소의 제1 입력단(IN1)에 인가되고, 제n+1 주화소의 제2 입력단(IN2)에 인가된다.
그리고, 제n 스테이지의 발광 출력단(EMOUT)은 제n 주화소의 제3 입력단(IN3) 및 제n 보조화소의 제3 입력단(IN3)에 연결된다. 이에, 제n 스테이지의 발광 구동 회로에서 출력되는 발광 제어 신호(EM)는 제n 주화소의 제3 입력단(IN3) 및 제n 보조화소의 제3 입력단(IN3)에 인가된다.
이를 도 19를 참조하여 예를 들어 설명하면, 제2 스캔 구동 회로(SD2)의 캐리 출력단(CROUT)은 제1 스캔 구동 회로(SD1) 및 제1 발광 구동 회로(ED1)에 연결되고, 제3 스캔 구동 회로(SD3) 및 제3 발광 구동 회로(ED3)에 연결된다. 이에, 제2 스캔 구동 회로(SD2)의 캐리 출력단(CROUT)에서 출력되는 캐리 신호(CARRY)는 제1 스캔 구동 회로(SD1) 및 제1 발광 구동 회로(ED1)에 인가되고, 제3 스캔 구동 회로(SD3) 및 제3 발광 구동 회로(ED3)에 인가된다.
제2 스캔 구동 회로(SD2)의 제1 스캔 출력단(SCOUT1)은 제2 주화소(MP2)의 제1 입력단(IN1) 및 제2 보조화소(RP2) 제2 입력단(IN2)에 연결된다. 이에, 제2 스캔 구동 회로(SD2)에서 출력되는 제1 스캔 신호(SCAN1)는 제2 주화소(MP2)의 제1 입력단(IN1) 및 제2 보조화소(RP2)의 제2 입력단(IN2)에 인가된다.
그리고, 제2 스캔 구동 회로(SD2)의 제2 스캔 출력단(SCOUT2)은 제2 보조화소(RP2)의 제1 입력단(IN1)에 연결되고, 제3 주화소(MP3)의 제2 입력단(IN2)에 연결된다. 이에, 제2 스캔 구동 회로(SD2)에서 출력되는 제2 스캔 신호(SCAN2)는 제2 보조화소(RP2)의 제1 입력단(IN1)에 인가되고, 제3 주화소(MP3)의 제2 입력단(IN2)에 인가된다.
그리고, 제2 스테이지의 발광 출력단(EMOUT)은 제2 주화소(MP2)의 제3 입력단(IN3) 및 제2 보조화소(RP)의 제3 입력단(IN3)에 연결된다. 이에, 제2 발광 구동 회로(ED2)에서 출력되는 발광 제어 신호(EM)는 제2 주화소(MP2)의 제3 입력단(IN3) 및 제2 보조화소(RP)의 제3 입력단(IN3)에 인가된다.
도 20은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 스캔 구동 회로를 나타내는 회로도이다.
도 9을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제n 스캔 구동 회로는(SD(n))는 Q노드 제어부(T1, T2, Tb1, Tb2, T3, Tb3, Tb4, T9), QB노드 제어부(T4, T5, T8), 캐리 출력부(T6cr, T7cr), 제1 스캔 출력부(T6sc1, T6sc1), 제2 스캔 출력부(T6sc2, T6sc2) 및 복수의 커패시터(C1, C2)를 포함한다.
Q노드 제어부(T1, T2, Tb1, Tb2, T3, Tb3, Tb4, T9)는 Q노드(Q)의 전압을 제어한다. 다시 말하면, Q노드 제어부(T1, T2, Tb1, Tb2, T3, Tb3, Tb4, T9)는 Q노드(Q) 충전 및 방전 타이밍을 결정한다.
Q노드 제어부(T1, T2, Tb1, Tb2, T3, Tb3, Tb4, T9)는 T1 트랜지스터(T1), T2 트랜지스터(T2), Tb1 트랜지스터(Tb1), Tb2 트랜지스터(Tb2), T3 트랜지스터(T3), Tb3 트랜지스터(Tb3), Tb4 트랜지스터(Tb4) 및 T9 트랜지스터(T9)를 포함한다.
*Tb1 트랜지스터(Tb1), Tb2 트랜지스터(Tb2), Tb3 트랜지스터(Tb3) 및 Tb4 트랜지스터(Tb4)에서 모두 게이트 전극에 턴온 레벨을 갖는 게이트 저전위 전압(VGL)이 인가된다. 이에, Tb1 트랜지스터(Tb1), Tb2 트랜지스터(Tb2), Tb3 트랜지스터(Tb3) 및 Tb4 트랜지스터(Tb4)는 항상 턴온되어 있다. 이에, Tb1 트랜지스터(Tb1), Tb2 트랜지스터(Tb2), Tb3 트랜지스터(Tb3) 및 Tb4 트랜지스터(Tb4)를 제외한 트랜지스터를 위주로 구체적으로 설명한다.
T1 트랜지스터(T1)는 이전 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n-1)) 또는 게이트 스타트 신호(VST)에 응답하여, Q노드(Q)를 방전시킨다. 구체적으로, T1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에는 이전 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n-1)) 또는 게이트 스타트 신호(VST)가 인가되고, T1 트랜지스터(T1)의 제1 전극에는 게이트 저전위 전압(VGL)이 인가되고, T1 트랜지스터(T1)의 제2 전극은 T2 트랜지스터(T2)에 연결된다.
그리고, T2 트랜지스터(T2)는 이전 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n-1)) 또는 게이트 스타트 신호(VST)에 응답하여, Q노드(Q)를 방전시킨다. 구체적으로, T2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극에는 이전 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n-1)) 또는 게이트 스타트 신호(VST)가 인가되고, T2 트랜지스터(T2)의 제1 전극에는 T1 트랜지스터(T1)가 연결되고, T2 트랜지스터(T2)의 제2 전극은 Tb1 트랜지스터(Tb1)에 연결된다.
이에, 이전 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n-1)) 또는 게이트 스타트 신호(VST)가 턴온 레벨인 동안에, T1 트랜지스터(T1), T2 트랜지스터(T2) 및 Tb1 트랜지스터(Tb1)는 모두 턴 온(turn-on)되어, Q노드(Q)를 턴온 레벨을 갖는 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전시킨다.
T3 트랜지스터(T3)는 QB노드(QB)의 전압에 응답하여, Q노드(Q)를 충전시킨다. 구체적으로, T3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 QB노드(QB)에 연결되고, T3 트랜지스터(T3)의 제1 전극은 턴오프 레벨을 갖는 게이트 고전위 전압(VGH)이 인가되고, T3 트랜지스터(T3)의 제2 전극은 Tb2 트랜지스터(Tb2)에 연결된다. 그리고, Tb2 트랜지스터(Tb2)의 제1 전극은 T3 트랜지스터(T3)에 연결되고, 제2 전극은 Q노드(Q)에 연결된다.
이에, QB노드(QB)가 방전되는 동안에, T3 트랜지스터(T3)는 및 Tb2 트랜지스터(Tb2)는 모두 턴 온(turn-on)되어, Q노드(Q)를 턴오프 레벨을 갖는 게이트 고전위 전압(VGH)까지 충전시킨다.
T9 트랜지스터(T9)는 리셋신호(QRST)에 응답하여, Q노드(Q)를 충전시킨다. 구체적으로, T9 트랜지스터(T9)의 게이트 전극에 리셋신호(QRST)가 인가되고, T9 트랜지스터(T9)의 제1 전극은 턴오프 레벨을 갖는 게이트 고전위 전압(VGH)이 인가되고, T9 트랜지스터(T9)의 제2 전극은 Tb4 트랜지스터(Tb4)에 연결된다. 그리고, Tb4 트랜지스터(Tb4)의 제1 전극은 T9 트랜지스터(T9)에 연결되고, 제2 전극은 Q노드(Q)에 연결된다.
이에, 한 프레임의 종점에 리셋신호(QRST)가 턴온 레벨로 하강되어, T9 트랜지스터(T9)는 및 Tb4 트랜지스터(Tb4)는 모두 턴 온(turn-on)되어, Q노드(Q)를 턴오프 레벨을 갖는 게이트 고전위 전압(VGH)까지 충전시킨다.
QB노드 제어부(T4, T5, T8)는 QB노드(QB)의 전압을 제어한다. 다시 말하면, QB노드 제어부(T4, T5, T8)는 QB노드(QB)의 충전 및 방전 타이밍을 결정한다.
QB노드 제어부(T4, T5, T8)는 T4 트랜지스터(T4), T5 트랜지스터(T5) 및 T8 트랜지스터(T8)를 포함한다.
T4 트랜지스터(T4)는 다음 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n+1))에 의해, QB노드(QB)를 충전시킨다. 구체적으로, T4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극에는 다음 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n+1))가 인가되고, T4 트랜지스터(T4)의 제1 전극에 게이트 저전위 전압(VGL)이 인가되고, T4 트랜지스터(T4)의 제2 전극은 QB노드(QB)에 연결된다. 이에, 다음 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n+1))가 턴온 레벨인 동안에, T4 트랜지스터(T4)는 턴 온(turn-on)되어, QB노드(QB)를 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전시킨다.
T5 트랜지스터(T5)는 이전 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n-1)) 또는 게이트 스타트 신호(VST)에 응답하여, QB노드(QB)를 충전시킨다. 구체적으로, T5 트랜지스터(T5)의 게이트 전극에는 이전 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n-1)) 또는 게이트 스타트 신호(VST)가 인가되고, T5 트랜지스터(T5)의 제1 전극에는 게이트 고전위 전압(VGH)이 인가되고, T5 트랜지스터(T5)의 제2 전극은 QB노드(QB)를 에 연결된다.
이에, 이전 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n-1)) 또는 게이트 스타트 신호(VST)가 턴온 레벨인 동안에, T5 트랜지스터(T5) 는 턴 온(turn-on)되어, QB노드(QB)를 턴오프 레벨을 갖는 게이트 고전위 전압(VGH)로 충전시킨다.
T8 트랜지스터(T8)는 Q노드(Q)의 전압에 응답하여, QB노드(QB)를 충전시킨다. 구체적으로, T8 트랜지스터(T8)의 게이트 전극은 Tb3 트랜지스터(Tb3)에 연결되고, T8 트랜지스터(T8)의 제1 전극에 게이트 고전위 전압(VGH)이 인가되고, T8 트랜지스터(T8)의 제2 전극은 QB노드(QB)에 연결된다. 그리고, Tb3 트랜지스터(Tb3)의 제1 전극은 Q노드(Q)에 연결되고, 제2 전극은 T8 트랜지스터에 연결된다.
이에, Q노드(Q)가 방전되는 동안에, 제8 트랜지스터(T8)는 턴 온(turn-on)되어, QB노드(QB)를 게이트 고전위 전압(VGH)까지 충전시킨다.
캐리 출력부(T6cr, T7cr)는 Q노드(Q)의 전압과 QB노드(QB)에 의해 캐리 신호(CARRY(n))를 출력한다.
구체적으로, 캐리 출력부(T6cr, T7cr)는 캐리 신호(CARRY(n))을 풀업(pull-up)하는 트랜지스터인 T6cr 트랜지스터(T6cr)와 캐리 신호(CARRY(n))을 풀다운(pull-down)하는 트랜지스터인 T7cr 트랜지스터(T7cr)를 포함한다.
T6cr 트랜지스터(T6cr)의 게이트 전극은 Q노드(Q)에 연결되고, T6cr 트랜지스터(T6cr)의 제1 전극에 캐리 클럭신호(CRCLK(n))가 인가되고, T6cr 트랜지스터(T6cr)의 제2 전극은 캐리 출력단(CROUT(n))에 연결된다. 이에, Q노드(Q)가 방전 상태일 때, T6cr 트랜지스터(T6cr)는 턴 온(turn-on)되어 캐리 클럭신호(CRCLK(n))를 캐리 신호(CARRY(n))로 출력한다.
T7cr 트랜지스터(T7cr)의 게이트 전극은 QB노드(QB)에 연결되고, T7cr 트랜지스터(T7cr)의 제1 전극에 게이트 고전위 전압(VGH)이 인가되고, T7cr 트랜지스터(T7cr)의 제2 전극은 캐리 출력단(CROUT(n))에 연결된다. 이에, QB노드(QB)가 방전 상태일 때 T7cr 트랜지스터(T7cr)는 턴 온(turn-on)되어, 게이트 고전위 전압(VGH)을 캐리 신호(CARRY(n))으로 출력한다.
제1 스캔 출력부(T6m, T7m)는 Q노드(Q)의 전압과 QB노드(QB)에 의해 제1 스캔 신호(SCAN1(n))를 출력한다.
구체적으로, 캐리 출력부(T6m, T7m)는 제1 스캔 신호(SCAN1(n))을 풀업(pull-up)하는 트랜지스터인 T6m 트랜지스터(T6m)와 제1 스캔 신호(SCAN1(n))을 풀다운(pull-down)하는 트랜지스터인 T7m 트랜지스터(T7m)를 포함한다.
T6m 트랜지스터(T6m)의 게이트 전극은 Q노드(Q)에 연결되고, T6m 트랜지스터(T6m)의 제1 전극에 스캔 클럭신호(SCCLK(2n-1))가 인가되고, T6m 트랜지스터(T6m)의 제2 전극은 제1 스캔 출력단(SCOUT1(n))에 연결된다. 이에, Q노드(Q)가 방전 상태일 때, T6m 트랜지스터(T6m)는 턴 온(turn-on)되어 스캔 클럭신호(SCCLK((2n-1)))를 제1 스캔 신호(SCAN1(n))로 출력한다.
T7m 트랜지스터(T7m)의 게이트 전극은 QB노드(QB)에 연결되고, T7m 트랜지스터(T7m)의 제1 전극에 게이트 고전위 전압(VGH)이 인가되고, T7m 트랜지스터(T7m)의 제2 전극은 제1 스캔 출력단(SCOUT1(n))에 연결된다. 이에, QB노드(QB)가 방전 상태일 때 T7m 트랜지스터(T7m)는 턴 온(turn-on)되어, 게이트 고전위 전압(VGH)을 제1 스캔 신호(SCAN1(n))으로 출력한다.
제2 스캔 출력부(T6r, T7r)는 Q노드(Q)의 전압과 QB노드(QB)에 의해 제2 스캔 신호(SCAN2(n))를 출력한다.
구체적으로, 제2 스캔 출력부(T6r, T7r)는 제2 스캔 신호(SCAN2(n))을 풀업(pull-up)하는 트랜지스터인 T6r 트랜지스터(T6r)와 제2 스캔 신호(SCAN2(n))을 풀다운(pull-down)하는 트랜지스터인 T7r 트랜지스터(T7r)를 포함한다.
T6r 트랜지스터(T6r)의 게이트 전극은 Q노드(Q)에 연결되고, T6r 트랜지스터(T6r)의 제1 전극에 스캔 클럭신호(SCCLK(2n))가 인가되고, T6r 트랜지스터(T6r)의 제2 전극은 제2 스캔 출력단(SCOUT2(n))에 연결된다. 이에, Q노드(Q)가 방전 상태일 때, T6r 트랜지스터(T6r)는 턴 온(turn-on)되어 스캔 클럭신호(SCCLK(2n))를 제2 스캔 신호(SCAN2(n))로 출력한다.
T7r 트랜지스터(T7r)의 게이트 전극은 QB노드(QB)에 연결되고, T7r 트랜지스터(T7r)의 제1 전극에 게이트 고전위 전압(VGH)이 인가되고, T7r 트랜지스터(T7r)의 제2 전극은 제2 스캔 출력단(SCOUT2(n))에 연결된다. 이에, QB노드(QB)가 방전 상태일 때 T7r 트랜지스터(T7r)는 턴 온(turn-on)되어, 게이트 고전위 전압(VGH)을 제2 스캔 신호(SCAN2(n))으로 출력한다.
그리고, C1cr 커패시터(C1cr)는 Q노드(Q)를 부트스트래핑(bootstrapping)시킨다. 구체적으로, C1cr 커패시터(C1cr)의 일단은 T6cr 트랜지스터(T6cr)의 게이트 전극에 연결되고, C1cr 커패시터(C1cr)의 타단은 캐리 출력단(CROUT(n))인 T6cr 트랜지스터(T6cr)의 제2 전극에 연결된다. 이에, Q노드(Q)가 방전되는 동안, T6cr 트랜지스터(T6cr)의 제2 전극인 캐리 출력단(CROUT(n))에서 출력되는 캐리 신호(CRRAY(n))가 턴온 레벨로 하강될 경우, C1cr 커패시터(C1cr)에 의해서 Q노드(Q)는 부트스트래핑(bootstrapping) 될 수 있다.
그리고, C1m 커패시터(C1m)는 Q노드(Q)를 부트스트래핑(bootstrapping)시킨다. 구체적으로, C1m 커패시터(C1m)의 일단은 T6m 트랜지스터(T6m)의 게이트 전극에 연결되고, C1m 커패시터(C1m)의 타단은 제1 스캔 출력단(SCOUT1(n))인 T6m 트랜지스터(T6m)의 제2 전극에 연결된다. 이에, Q노드(Q)가 방전되는 동안, T6m 트랜지스터(T6m)의 제2 전극인 제1 스캔 출력단(SCOUT1(n))에서 출력되는 제1 스캔 신호(SCAN1(n))가 턴온 레벨로 하강될 경우, C1m 커패시터(C1m)에 의해서 Q노드(Q)는 부트스트래핑(bootstrapping) 될 수 있다.
그리고, C1r 커패시터(C1r)는 Q노드(Q)를 부트스트래핑(bootstrapping)시킨다. 구체적으로, C1r 커패시터(C1r)의 일단은 T6r 트랜지스터(T6r)의 게이트 전극에 연결되고, C1r 커패시터(C1r)의 타단은 제2 스캔 출력단(SCOUT2(n))인 T6r 트랜지스터(T6r)의 제2 전극에 연결된다. 이에, Q노드(Q)가 방전되는 동안, T6r 트랜지스터(T6r)의 제2 전극인 제2 스캔 출력단(SCOUT2(n))에서 출력되는 제2 스캔 신호(SCAN2(n))가 턴온 레벨로 하강될 경우, C1r 커패시터(C1r)에 의해서 Q노드(Q)는 부트스트래핑(bootstrapping) 될 수 있다.
제2 커패시터(C2)는 QB노드(QB)를 안정화시킨다. 제2 커패시터(C2)의 일단에 게이트 고전위 전압(VGH)이 고정적으로 인가되고, 제2 커패시터(C2)의 타단은 QB노드(QB)에 연결된다. 이에, 제2 커패시터(C2)의 일단의 전위가 변하지 않으므로, QB노드(QB)의 전압이 안정화되어, 제1 스캔 신호(SCAN1(N)), 제2 스캔 신호(SCAN2(N)) 및 캐리 신호(CARRY(N))을 지연없이 출력할 수 있다.
도 21은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 발광 구동 회로를 나타내는 회로도이다.
도 21을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제n 발광 구동 회로는(ED(n))는 QE노드 제어부(T10, T11), 발광 출력부(T6e, T7e, T8e), T12 트랜지스터(T12) 및 제3 커패시터(C3)를 포함한다.
QE노드 제어부(T10, T11)는 QE노드(QE)의 전압을 제어한다. 다시 말하면, QE노드 제어부(T10, T11)는 QE노드(QE) 충전 및 방전 타이밍을 결정한다.
QE노드 제어부(T10, T11)는 T10 트랜지스터(T10) 및 T11 트랜지스터(T11)를 포함한다.
T10 트랜지스터(T10)는 다음 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n+1))에 응답하여, QE노드(QE)를 방전시킨다. 구체적으로, T10 트랜지스터(T10)의 게이트 전극에는 다음 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n+1))가 인가되고, T10 트랜지스터(T10)의 제1 전극에는 발광 저전위 전압(EVGL)이 인가되고, T10 트랜지스터(T10)의 제2 전극은 QE노드(QE)에 연결된다.
이에, 다음 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n+1))가 턴온 레벨인 동안에, T10 트랜지스터(T10)는 모두 턴 온(turn-on)되어, QE노드(QE)를 턴온 레벨을 갖는 발광 저전위 전압(VGL)으로 방전시킨다.
T11 트랜지스터(T11)는 이전 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n-1)) 또는 게이트 스타트 신호(VST)에 응답하여, QE노드(QE)를 충전시킨다. 구체적으로, T11 트랜지스터(T11)의 게이트 전극에 이전 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n-1)) 또는 게이트 스타트 신호(VST)가 인가되고, T11 트랜지스터(T11)의 제1 전극은 턴오프 레벨을 갖는 발광 고전위 전압(EVGH)이 인가되고, T11 트랜지스터(T11)의 제2 전극은 QE노드(QE)에 연결된다.
이에, 이전 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n-1)) 또는 게이트 스타트 신호(VST)가 턴온 레벨인 동안에, T11 트랜지스터(T11)는 턴 온(turn-on)되어, QE노드(QE)를 턴오프 레벨을 갖는 발광 고전위 전압(EVGH)까지 충전시킨다.
발광 출력부(T6e, T7e, T8e)는 QE노드(QE)의 전압에 의해 발광 제어 신호(EM(n))를 출력한다.
구체적으로, 발광 출력부(T6e, T7e, T8e)는 발광 제어 신호(EM(n))를 풀업(pull-up)하는 트랜지스터인 T6e 트랜지스터(T6e)와 발광 제어 신호(EM(n))를 풀다운(pull-down)하는 트랜지스터인 T7e 트랜지스터(T7e) 및 T8e 트랜지스터(T8e)를 포함한다.
T6e 트랜지스터(T6e)의 게이트 전극은 QE노드(QE)에 연결되고, T6e 트랜지스터(T6e)의 제1 전극에 발광 저전위 전압(EVGL)이 인가되고, T6e 트랜지스터(T6e)의 제2 전극은 발광 출력단(EMOUT(n))에 연결된다. 이에, QE노드(QE)가 방전 상태일 때, T6e 트랜지스터(T6e)는 턴 온(turn-on)되어 발광 저전위 전압(EVGL)을 발광 제어 신호(EM(n))로 출력한다.
T7e 트랜지스터(T7e)의 게이트 전극에 이전 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n-1)) 또는 게이트 스타트 신호(VST)가 인가되고, T7e 트랜지스터(T7e)의 제1 전극에 제4 노드(N4)가 연결되고, T7e 트랜지스터(T7e)의 제2 전극은 발광 출력단(EMOUT(n))에 연결된다.
그리고, T8e 트랜지스터(T8e)의 게이트 전극에 이전 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n-1)) 또는 게이트 스타트 신호(VST)가 인가되고, T8e 트랜지스터(T8e)의 제1 전극에 턴오프 레벨을 갖는 발광 고전위 전압(EVGH)이 인가되고, T8e 트랜지스터(T8e)의 제2 전극은 제4 노드(N4)에 연결된다.
이에, 이전 스테이지의 캐리 신호(CARRY(n-1)) 또는 게이트 스타트 신호(VST)가 턴온 레벨인 동안에, T7e 트랜지스터(T7e) 및 T8e 트랜지스터(T8e)는 턴 온(turn-on)되어, 발광 고전위 전압(EVGH)을 발광 제어 신호(EM(n))로 출력한다.
그리고, 제3 커패시터(C3)는 QE노드(QE)를 부트스트래핑(bootstrapping)시킨다. 구체적으로, 제3 커패시터(C3)의 일단은 T6e 트랜지스터(T6e)의 게이트 전극에 연결되고, 제3 커패시터(C3)의 타단은 발광 출력단(EMOUT(n))인 T6e 트랜지스터(T6e)의 제2 전극에 연결된다. 이에, QE노드(QE)가 방전되는 동안, T6e 트랜지스터(T6e)의 제2 전극인 발광 출력단(EMOUT(n))에서 출력되는 발광 제어 신호(EM(n))가 턴온 레벨로 하강될 경우, 제3 커패시터(C3)에 의해서 QE노드(QE)는 부트스트래핑(bootstrapping) 될 수 있다.
T12 트랜지스터(T12)는 발광 출력단(EMOUT(n))의 전압에 응답하여, 제4 노드(N4)를 충전시킨다. 구체적으로, T12 트랜지스터(T12)의 게이트 전극은 발광 출력단(EMOUT(n))에 연결되고, T12 트랜지스터(T12)의 제1 전극에 발광 고전위 전압(EVGH)이 인가되고, T12 트랜지스터(T12)의 제2 전극은 제4 노드(N4)에 연결된다. 이에, 발광 출력단(EMOUT(n))에서 출력되는 발광 제어 신호(EM(n))가 턴오프 레벨인 동안에, T12 트랜지스터(T12)는 턴 오프(turn-off)되어, 제4 노드(N4)에 턴온 레벨을 갖는 발광 저전위 전압(EVGL)이 충전되지 않도록 한다.
이하에서는 도 22 내지 도 28을 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(100)의 게이트 드라이버(GD)의 구동 방식에 대해서 구체적으로 설명한다.
도 22은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 드라이버의 입력 신호 및 출력 신호를 나타내는 타이밍도이다.
도 23 내지 도 29는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 드라이버의 구동 방식을 설명하기 위한 회로도이다.
구체적으로, 도 23는 도 22의 제1 시점에서 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 드라이버의 구동 방식을 설명하기 위한 회로도이다. 도 24은 도 22의 제2 시점에서 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 드라이버의 구동 방식을 설명하기 위한 회로도이다. 도 25는 도 22의 제3 시점에서 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 드라이버의 구동 방식을 설명하기 위한 회로도이다. 도 26는 도 22의 제4 시점에서 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 드라이버의 구동 방식을 설명하기 위한 회로도이다. 도 27은 도 22의 제5 시점에서 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 드라이버의 구동 방식을 설명하기 위한 회로도이다. 도 28은 도 22의 제6 시점에서 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 드라이버의 구동 방식을 설명하기 위한 회로도이다. 도 29은 도 22의 제7 시점에서 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 드라이버의 구동 방식을 설명하기 위한 회로도이다.
도 22 및 도 23를 참조하면, 제1 시점(T1)에서, 게이트 스타트 신호(VST)는 턴온 레벨인 로우 레벨로 하강된다.
이에, 제1 스캔 구동 회로(SD(1))에서 T1 트랜지스터(T1), T2 트랜지스터(T2) 및 Tb1 트랜지스터(Tb1)는 모두 턴 온(turn-on)되어, Q노드(Q(1))를 턴온 레벨을 갖는 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전시키고, T5 트랜지스터(T5) 는 턴 온(turn-on)되어, QB노드(QB(1))를 턴오프 레벨을 갖는 게이트 고전위 전압(VGH)로 충전시킨다.
그리고, 제1 스캔 구동 회로(SD(1))에서 Q노드(Q(1))가 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전되었으므로, T8 트랜지스터(T8)는 턴 온(turn-on)되어, QB노드(QB(1))를 게이트 고전위 전압(VGH)까지 충전시킨다.
그리고, 제1 발광 구동 회로(ED(1))에서, T11 트랜지스터(T11)는 턴 온(turn-on)되어, QE노드(QE(1))를 턴오프 레벨을 갖는 발광 고전위 전압(EVGH)까지 충전시키고, T7e 트랜지스터(T7e) 및 T8e 트랜지스터(T8e)는 턴 온(turn-on)되어, 발광 출력단(EMOUT(1))을 발광 고전위 전압(EVGH)으로 충전시켜, 발광 고전위 전압(EVGH)을 발광 제어 신호(EM(1))로 출력한다.
도 22 및 도 24를 참조하면, 제2 시점(T2)에서, 제1 스캔 클럭신호(SCCLK(1))는 턴온 레벨인 로우 레벨로 하강된다.
이에, 제1 스캔 구동 회로(SD(1))에서, Q노드(Q(1))는 턴온 레벨을 갖는 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전되었으므로, T6m 트랜지스터(T6m)는 턴 온(turn-on)된다. 이에, T6m 트랜지스터(T6m)는 로우 레벨의 제1 스캔 클럭신호(SCCLK(1))를 제1 스캔 출력단(SCOUT1(1))에 출력하여, 이를 제1 스캔 신호(SCAN1(1))로 출력한다.
도 22 및 도 25를 참조하면, 제3 시점(T3)에서, 제2 스캔 클럭신호(SCCLK(2)) 및 제1 캐리 클럭신호(CRCLK(1))는 턴온 레벨인 로우 레벨로 하강된다.
이에, 제1 스캔 구동 회로(SD(1))에서, Q노드(Q(1))는 턴온 레벨을 갖는 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전되었으므로, T6cr 트랜지스터(T6cr) 및 T6r 트랜지스터(T6r)는 모두 턴 온(turn-on)된다. 이에, T6cr 트랜지스터(T6cr)는 로우 레벨의 제1 캐리 클럭신호(CRCLK(1))를 캐리 출력단(CROUT2(1))에 출력하여, 이를 캐리 신호(CARRY(1))로 출력한다. 이에, T6r 트랜지스터(T6r)는 로우 레벨의 제2 스캔 클럭신호(SCCLK(2))를 제2 스캔 출력단(SCOUT2(1))에 출력하여, 이를 제2 스캔 신호(SCAN2(1))로 출력한다.
이에, 제2 스캔 구동 회로(SD(2))에서, T1 트랜지스터(T1) 및 T2 트랜지스터(T2)는 턴온 레벨인 제1 스캔 구동 회로(SD(1))의 캐리 신호(CARRY(1))에 의해 모두 턴 온(turn-on)되어, Q노드(Q(2))를 턴온 레벨을 갖는 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전시키고, T5 트랜지스터(T5) 는 턴 온(turn-on)되어, QB노드(QB(2))를 턴오프 레벨을 갖는 게이트 고전위 전압(VGH)로 충전시킨다.
그리고, 제2 스캔 구동 회로(SD(2))에서 Q노드(Q(2))가 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전되었으므로, T8 트랜지스터(T8)는 턴 온(turn-on)되어, QB노드(QB(2))를 게이트 고전위 전압(VGH)까지 충전시킨다.
그리고, 제2 발광 구동 회로(ED(2))에서, T11 트랜지스터(T11)는 제1 스캔 구동 회로(SD(1))의 캐리 신호(CARRY(1))에 의해 턴 온(turn-on)되어, QE노드(QE(2))를 턴오프 레벨을 갖는 발광 고전위 전압(EVGH)까지 충전시키고, T7e 트랜지스터(T7e) 및 T8e 트랜지스터(T8e)는 제1 스캔 구동 회로(SD(1))의 캐리 신호(CARRY(1))에 의해 턴 온(turn-on)되어, 발광 출력단(EMOUT(2))을 발광 고전위 전압(EVGH)으로 충전시켜, 발광 고전위 전압(EVGH)을 발광 제어 신호(EM(2))로 출력한다.
도 22 및 도 26를 참조하면, 제4 시점(T4)에서, 제3 스캔 클럭신호(SCCLK(3))는 턴온 레벨인 로우 레벨로 하강된다.
이에, 제2 스캔 구동 회로(SD(2))에서, Q노드(Q(2))는 턴온 레벨을 갖는 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전되었으므로, T6m 트랜지스터(T6m)는 턴 온(turn-on)된다. 이에, T6m 트랜지스터(T6m)는 로우 레벨의 제3 스캔 클럭신호(SCCLK(3))를 제1 스캔 출력단(SCOUT1(2))에 출력하여, 이를 제1 스캔 신호(SCAN1(2))로 출력한다.
도 22 및 도 27를 참조하면, 제5 시점(T5)에서, 제2 캐리 클럭신호(CRCLK(2))제4 스캔 클럭신호(SCCLK(4))는 턴온 레벨인 로우 레벨로 하강된다.
이에, 제2 스캔 구동 회로(SD(2))에서, Q노드(Q(2))는 턴온 레벨을 갖는 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전되었으므로, T6cr 트랜지스터(T6cr) 및 T6r 트랜지스터(T6r)는 모두 턴 온(turn-on)된다. 이에, T6cr 트랜지스터(T6cr)는 로우 레벨의 제2 캐리 클럭신호(CRCLK(2))를 캐리 출력단(CROUT2(2))에 출력하여, 이를 캐리 신호(CARRY(2))로 출력한다. 이에, T6r 트랜지스터(T6r)는 로우 레벨의 제4 스캔 클럭신호(SCCLK(4))를 제2 스캔 출력단(SCOUT2(2))에 출력하여, 이를 제2 스캔 신호(SCAN2(2))로 출력한다.
이에, 제1 스캔 구동 회로(SD(1))에서 T4 트랜지스터(T4)는 제2 스캔 구동 회로(SD(2))의 캐리 신호(CARRY(2))에 의해 모두 턴 온(turn-on)되어, QB노드(QB(1))를 턴온 레벨을 갖는 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전시킨다. 그리고, 제1 스캔 구동 회로(SD(1))에서 QB노드(QB(1))가 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전되었으므로, T3 트랜지스터(T3)는 턴 온(turn-on)되어, Q노드(Q(1))를 게이트 고전위 전압(VGH)까지 충전시킨다.
그리고, 제1 발광 구동 회로(ED(1))에서, T10 트랜지스터(T10)는 제2 스캔 구동 회로(SD(2))의 캐리 신호(CARRY(2))에 의해 턴 온(turn-on)되어, QE노드(QE(1))를 턴온 레벨을 갖는 발광 저전위 전압(EVGL)까지 방전시키고, T6e 트랜지스터(T6e) 또한 제2 스캔 구동 회로(SD(2))의 캐리 신호(CARRY(2))에 의해 턴 온(turn-on)되어, 발광 출력단(EMOUT(1))을 발광 저전위 전압(EVGL)으로 방전시켜, 발광 저전위 전압(EVGL)을 발광 제어 신호(EM(1))로 출력한다.
그리고, 제3 스캔 구동 회로(SD(3))에서, T1 트랜지스터(T1) 및 T2 트랜지스터(T2)는 로우 레벨인 제2 스캔 구동 회로(SD(2))의 캐리 신호(CARRY(2))에 의해 모두 턴 온(turn-on)되어, Q노드(Q(3))를 턴온 레벨을 갖는 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전시키고, T5 트랜지스터(T5) 는 턴 온(turn-on)되어, QB노드(QB(3))를 턴오프 레벨을 갖는 게이트 고전위 전압(VGH)로 충전시킨다.
그리고, 제3 스캔 구동 회로(SD(3))에서 Q노드(Q(3))가 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전되었으므로, T8 트랜지스터(T8)는 턴 온(turn-on)되어, QB노드(QB(3))를 게이트 고전위 전압(VGH)까지 충전시킨다.
그리고, 제3 발광 구동 회로(ED(3))에서, T11 트랜지스터(T11)는 제2 스캔 구동 회로(SD(2))의 캐리 신호(CARRY(2))에 의해 턴 온(turn-on)되어, QE노드(QE(3))를 턴오프 레벨을 갖는 발광 고전위 전압(EVGH)까지 충전시키고, T7e 트랜지스터(T7e) 및 T8e 트랜지스터(T8e)는 제2 스캔 구동 회로(SD(2))의 캐리 신호(CARRY(2))에 의해 턴 온(turn-on)되어, 발광 출력단(EMOUT(3))을 발광 고전위 전압(EVGH)으로 충전시켜, 발광 고전위 전압(EVGH)을 발광 제어 신호(EM(3))로 출력한다.
도 22 및 도 28을 참조하면, 제6 시점(T6)에서, 제5 스캔 클럭신호(SCCLK(5))는 턴온 레벨인 로우 레벨로 하강된다.
이에, 제3 스캔 구동 회로(SD(3))에서, Q노드(Q(3))는 턴온 레벨을 갖는 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전되었으므로, T6m 트랜지스터(T6m)는 모두 턴 온(turn-on)된다. 이에, T6m 트랜지스터(T6m)는 로우 레벨의 제5 스캔 클럭신호(SCCLK(5))를 제1 스캔 출력단(SCOUT1(3))에 출력하여, 이를 제1 스캔 신호(SCAN1(3))로 출력한다.
도 22 및 도 29를 참조하면, 제7 시점(T7)에서, 제3 캐리 클럭신호(CRCLK(3)) 및 제6 스캔 클럭신호(SCCLK(6))는 턴온 레벨인 로우 레벨로 하강된다.
이에, 제3 스캔 구동 회로(SD(3))에서, Q노드(Q(3))는 턴온 레벨을 갖는 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전되었으므로, T6cr 트랜지스터(T6cr) 및 T6r 트랜지스터(T6r)는 모두 턴 온(turn-on)된다. 이에, T6cr 트랜지스터(T6cr)는 로우 레벨의 제3 캐리 클럭신호(CRCLK(3))를 캐리 출력단(CROUT2(3))에 출력하여, 이를 캐리 신호(CARRY(3))로 출력한다. 이에, T6r 트랜지스터(T6r)는 로우 레벨의 제6 스캔 클럭신호(SCCLK(6))를 제2 스캔 출력단(SCOUT2(3))에 출력하여, 이를 제2 스캔 신호(SCAN2(3))로 출력한다.
이에, 제2 스캔 구동 회로(SD(2))에서 T4 트랜지스터(T4)는 제3 스캔 구동 회로(SD(3))의 캐리 신호(CARRY(3))에 의해 모두 턴 온(turn-on)되어, QB노드(QB(2))를 턴온 레벨을 갖는 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전시킨다. 그리고, 제2 스캔 구동 회로(SD(2))에서 QB노드(QB(2))가 게이트 저전위 전압(VGL)으로 방전되었으므로, T3 트랜지스터(T3)는 턴 온(turn-on)되어, Q노드(Q(2))를 게이트 고전위 전압(VGH)까지 충전시킨다.
그리고, 제2 발광 구동 회로(ED(2))에서, T10 트랜지스터(T10)는 제3 스캔 구동 회로(SD(3))의 캐리 신호(CARRY(3))에 의해 턴 온(turn-on)되어, QE노드(QE(2))를 턴온 레벨을 갖는 발광 저전위 전압(EVGL)까지 방전시키고, T6e 트랜지스터(T6e) 또한 제3 스캔 구동 회로(SD(3))의 캐리 신호(CARRY(3))에 의해 턴 온(turn-on)되어, 발광 출력단(EMOUT(2))을 발광 저전위 전압(EVGL)으로 방전시켜, 발광 저전위 전압(EVGL)을 발광 제어 신호(EM(2))로 출력한다.
본 발명에 따른 게이트 드라이버 및 이를 포함하는 표시 장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.
본 발명에 따른 표시 장치는 복수의 단위 화소가 배치되는 표시 패널, 표시 패널의 상면에 배치되고, 상기 복수의 단위 화소에 내장되는 게이트 드라이버를 포함하고, 복수의 단위 화소 각각은 주화소와 보조화소를 포함하고, 게이트 드라이버는 상기 주화소와 상기 보조화소에 게이트 전압을 공급한다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 상기 게이트 드라이버는 복수의 스테이지를 포함하고, 복수의 스테이지 중 제n 스테이지는, 제1 스캔 신호, 제2 스캔 신호 및 캐리 신호를 출력하는 스캔 구동 회로 및 발광 제어 신호를 출력하는 발광 구동 회로를 포함한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 스캔 구동 회로는 Q노드의 전압을 제어하는 Q노드 제어부, QB노드의 전압을 제어하는 QB노드 제어부, Q노드의 전압과 상기 QB노드의 전압에 의해 상기 캐리 신호를 출력하는 캐리 출력부, Q노드의 전압과 상기 QB노드의 전압에 의해 상기 제1 스캔 신호를 출력하는 제1 스캔 출력부 및 Q노드의 전압과 상기 QB노드의 전압에 의해 상기 제2 스캔 신호를 출력하는 제2 스캔 출력부를 포함한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 Q노드 제어부는, T1 트랜지스터, T2 트랜지스터 및 T3 트랜지스터를 포함하고, T1 트랜지스터에서, 게이트 전극에는 제n-1 스테이지의 캐리 신호 또는 게이트 스타트 신호가 인가되고, 제1 전극에는 게이트 저전위 전압이 인가되고, 제2 전극은 상기 T2 트랜지스터에 연결되고, T2 트랜지스터에서, 게이트 전극에는 제n-1 스테이지의 캐리 신호 또는 게이트 스타트 신호가 인가되고, 제1 전극에는 상기 T1 트랜지스터가 연결되고, 제2 전극은 상기 Q노드에 연결되고, T3 트랜지스터에서 게이트 전극은 상기 QB노드에 연결되고, 제1 전극에는 게이트 고전위 전압이 인가되고, 제2 전극은 상기 Q노드에 연결된다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 QB노드 제어부는, T4 트랜지스터, T5 트랜지스터 및 T8 트랜지스터를 포함하고, T4 트랜지스터에서 게이트 전극에는 제n+1 스테이지의 제2 스캔 신호가 인가되고, 제1 전극에 게이트 저전위 전압이 인가되고, 제2 전극은 상기 QB노드에 연결되고, T5 트랜지스터에서 게이트 전극에는 제n-1 스테이지의 캐리 신호 또는 게이트 스타트 신호가 인가되고, 제1 전극에는 게이트 고전위 전압이 인가되고, 제2 전극은 상기 QB노드에 연결되고, T8 트랜지스터에서 게이트 전극은 상기 Q노드에 연결되고, 제1 전극에 게이트 고전위 전압이 인가되고, 제2 전극은 상기 QB노드에 연결된다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 제2 사이드 배선의 폭은 복수의 제1 사이드 배선의 폭보다 크고, 복수의 제2 사이드 배선은 전원 배선과 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 QB노드 제어부는, T4 트랜지스터, T5 트랜지스터 및 T8 트랜지스터를 포함하고, T4 트랜지스터에서 게이트 전극에는 제n+1 스테이지의 캐리 신호가 인가되고, 제1 전극에 게이트 저전위 전압이 인가되고, 제2 전극은 상기 QB노드에 연결되고, T5 트랜지스터에서 게이트 전극에는 제n-1 스테이지의 캐리 신호 또는 게이트 스타트 신호가 인가되고, 제1 전극에는 게이트 고전위 전압이 인가되고, 제2 전극은 상기 QB노드에 연결되고, T8 트랜지스터에서 게이트 전극은 상기 Q노드에 연결되고, 제1 전극에 게이트 고전위 전압이 인가되고, 제2 전극은 상기 QB노드에 연결된다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 발광 구동 회로는 QE노드의 전압을 제어하는 QE노드 제어부 및 QE노드의 전압에 의해 상기 발광 제어 신호를 출력하는 발광 출력부를 포함한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 QE노드 제어부는, T10 트랜지스터 및 T11 트랜지스터를 포함하고, T10 트랜지스터에서 게이트 전극에는 제n+1 스테이지의 제2 스캔 신호가 인가되고, 제1 전극에는 발광 저전위 전압이 인가되고, 제2 전극은 상기 QE노드에 연결되고, 상기 T11 트랜지스터에서 게이트 전극에 제n-1 스테이지의 캐리 신호 또는 게이트 스타트 신호가 인가되고, 제1 전극은 발광 고전위 전압이 인가되고, 제2 전극은 QE노드에 연결된다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 QE노드 제어부는, T10 트랜지스터 및 T11 트랜지스터를 포함하고, T10 트랜지스터에서 게이트 전극에는 제n+1 스테이지의 캐리 신호가 인가되고, 제1 전극에는 발광 저전위 전압이 인가되고, 제2 전극은 상기 QE노드에 연결되고, T11 트랜지스터에서 게이트 전극에 제n-1 스테이지의 캐리 신호 또는 게이트 스타트 신호가 인가되고, 제1 전극은 발광 고전위 전압이 인가되고, 제2 전극은 QE노드에 연결된다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 제n 스테이지의 스캔 구동 회로는, 캐리 신호를 제n+1 스테이지의 스캔 구동 회로 및 발광 구동 회로에 인가하고, 제2 스캔 신호를 제n-1 스테이지의 스캔 구동 회로 및 발광 구동 회로에 인가한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 제n 스테이지의 스캔 구동 회로는 캐리 신호를 제n-1 스테이지의 스캔 구동 회로 및 발광 구동 회로에 인가하고, 캐리 신호를 제n+1 스테이지의 스캔 구동 회로 및 발광 구동 회로에 인가한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 주화소와 상기 보조화소 각각은 제1 입력단, 제2 입력단 및 제3 입력단을 포함하고, 상기 제n 스테이지의 스캔 구동 회로는, 제1 스캔 신호를 제n 주화소의 제1 입력단 및 제n 보조화소의 제2 입력단에 인가하고, 제2 스캔 신호를 제n 보조화소의 제1 입력단 및 제n+1 주화소의 제2 입력단에 인가하고, 제n 스테이지의 발광 구동 회로는 발광 제어 신호를 제n 주화소의 제3 입력단 및 제n 보조화소의 제3 입력단에 인가한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 주화소와 상기 보조화소 각각은 드라이빙 트랜지스터, 제1 스위칭 트랜지스터, 제2 스위칭 트랜지스터, 발광 제어 트랜지스터, 제1 초기화 트랜지스터 및 제2 초기화 트랜지스터를 포함하고, 제1 스위칭 트랜지스터에서, 제1 전극에는 데이터 전압이 입력되고 제2 전극은 제1 노드에 연결되고 게이트 전극에는 상기 제1 입력단이 연결되고, 드라이빙 트랜지스터에서, 제1 전극에는 화소 고전위 전압이 인가되고, 제2 전극은 제3 노드에 연결되고, 게이트 전극은 제2 노드에 연결되고, 제2 스위칭 트랜지스터에서, 제1 전극은 상기 제3 노드에 연결되고, 제2 전극은 상기 제2 노드에 연결되고, 게이트 전극은 상기 제1 입력단에 연결되고, 발광 제어 트랜지스터에서, 제1 전극은 상기 제3 노드에 연결되고, 제2 전극은 LED에 연결되고, 게이트 전극은 상기 제3 입력단에 연결되고, 제1 초기화 트랜지스터에서, 제1 전극에는 초기화 전압이 인가되고, 제2 전극은 상기 제3 노드에 연결되고, 게이트 전극은 상기 제2 입력단에 연결되고, 제2 초기화 트랜지스터에서, 제1 전극에는 상기 초기화 전압이 인가되고, 제2 전극은 상기 제1 노드에 연결되고, 게이트 전극에는 상기 제3 입력단이 연결된다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 표시 장치는 표시 패널의 하면에 배치되고, 복수의 단위 화소 각각에 데이터 신호를 공급하는 데이터 드라이버를 더 포함한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 주화소는 적색 주화소, 녹색 주화소 및 청색 주화소를 포함하고, 보조화소는 적색 보조화소, 녹색 보조화소 및 청색 보조화소를 포함하고, 게이트 드라이버는 적색 주화소, 녹색 주화소 및 청색 주화소의 사이에 또는 적색 보조화소, 녹색 보조화소 및 청색 보조화소의 사이에 배치될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 제한하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 제한되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 제한적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (15)

  1. 복수의 단위 화소가 배치되는 표시 패널;
    상기 표시 패널의 상면에 배치되고, 상기 복수의 단위 화소에 내장되는 게이트 드라이버를 포함하고,
    상기 복수의 단위 화소 각각은 서로 독립적으로 구동되고, 동일한 색을 발광하는 주화소와 보조화소를 포함하고,
    상기 게이트 드라이버는 상기 주화소와 상기 보조화소에 제1 스캔 신호 및 제2 스캔 신호를 공급하고,
    상기 주화소에 공급되는 제1 스캔 신호의 출력 타이밍은 상기 보조화소에 공급되는 제1 스캔 신호의 출력 타이밍과 동일하고,
    상기 주화소에 공급되는 제2 스캔 신호의 출력 타이밍은 상기 보조화소에 공급되는 제2 스캔 신호의 출력 타이밍과 상이한, 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 게이트 드라이버는 복수의 스테이지를 포함하고,
    복수의 스테이지 중 제n 스테이지는, (n은 자연수)
    상기 제1 스캔 신호, 상기 제2 스캔 신호 및 캐리 신호를 출력하는 스캔 구동 회로; 및
    발광 제어 신호를 출력하는 발광 구동 회로를 포함하는, 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 스캔 구동 회로는,
    Q노드의 전압을 제어하는 Q노드 제어부;
    QB노드의 전압을 제어하는 QB노드 제어부;
    상기 Q노드의 전압과 상기 QB노드의 전압에 의해 상기 캐리 신호를 출력하는 캐리 출력부;
    상기 Q노드의 전압과 상기 QB노드의 전압에 의해 상기 제1 스캔 신호를 출력하는 제1 스캔 출력부; 및
    상기 Q노드의 전압과 상기 QB노드의 전압에 의해 상기 제2 스캔 신호를 출력하는 제2 스캔 출력부를 포함하는, 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 Q노드 제어부는, T1 트랜지스터, T2 트랜지스터 및 T3 트랜지스터를 포함하고,
    상기 T1 트랜지스터에서, 게이트 전극에는 제n-1 스테이지의 캐리 신호 또는 게이트 스타트 신호가 인가되고, 제1 전극에는 게이트 저전위 전압이 인가되고, 제2 전극은 상기 T2 트랜지스터에 연결되고,
    상기 T2 트랜지스터에서, 게이트 전극에는 제n-1 스테이지의 캐리 신호 또는 게이트 스타트 신호가 인가되고, 제1 전극에는 상기 T1 트랜지스터가 연결되고, 제2 전극은 상기 Q노드에 연결되고,
    상기 T3 트랜지스터에서 게이트 전극은 상기 QB노드에 연결되고, 제1 전극에는 게이트 고전위 전압이 인가되고, 제2 전극은 상기 Q노드에 연결되는, 표시 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 QB노드 제어부는, T4 트랜지스터, T5 트랜지스터 및 T8 트랜지스터를 포함하고,
    상기 T4 트랜지스터에서 게이트 전극에는 제n+1 스테이지의 제2 스캔 신호가 인가되고, 제1 전극에 게이트 저전위 전압이 인가되고, 제2 전극은 상기 QB노드에 연결되고,
    상기 T5 트랜지스터에서 게이트 전극에는 제n-1 스테이지의 캐리 신호 또는 게이트 스타트 신호가 인가되고, 제1 전극에는 게이트 고전위 전압이 인가되고, 제2 전극은 상기 QB노드에 연결되고,
    상기 T8 트랜지스터에서 게이트 전극은 상기 Q노드에 연결되고, 제1 전극에 게이트 고전위 전압이 인가되고, 제2 전극은 상기 QB노드에 연결되는, 표시 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 QB노드 제어부는, T4 트랜지스터, T5 트랜지스터 및 T8 트랜지스터를 포함하고,
    상기 T4 트랜지스터에서 게이트 전극에는 제n+1 스테이지의 캐리 신호가 인가되고, 제1 전극에 게이트 저전위 전압이 인가되고, 제2 전극은 상기 QB노드에 연결되고,
    상기 T5 트랜지스터에서 게이트 전극에는 제n-1 스테이지의 캐리 신호 또는 게이트 스타트 신호가 인가되고, 제1 전극에는 게이트 고전위 전압이 인가되고, 제2 전극은 상기 QB노드에 연결되고,
    상기 T8 트랜지스터에서 게이트 전극은 상기 Q노드에 연결되고, 제1 전극에 게이트 고전위 전압이 인가되고, 제2 전극은 상기 QB노드에 연결되는, 표시 장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 발광 구동 회로는,
    QE노드의 전압을 제어하는 QE노드 제어부; 및
    상기 QE노드의 전압에 의해 상기 발광 제어 신호를 출력하는 발광 출력부;를 포함하는, 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 QE노드 제어부는, T10 트랜지스터 및 T11 트랜지스터를 포함하고,
    상기 T10 트랜지스터에서 게이트 전극에는 제n+1 스테이지의 제2 스캔 신호가 인가되고, 제1 전극에는 발광 저전위 전압이 인가되고, 제2 전극은 상기 QE노드에 연결되고,
    상기 T11 트랜지스터에서 게이트 전극에 제n-1 스테이지의 캐리 신호 또는 게이트 스타트 신호가 인가되고, 제1 전극은 발광 고전위 전압이 인가되고, 제2 전극은 QE노드에 연결되는, 표시 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 QE노드 제어부는, T10 트랜지스터 및 T11 트랜지스터를 포함하고,
    상기 T10 트랜지스터에서 게이트 전극에는 제n+1 스테이지의 캐리 신호가 인가되고, 제1 전극에는 발광 저전위 전압이 인가되고, 제2 전극은 상기 QE노드에 연결되고,
    상기 T11 트랜지스터에서 게이트 전극에 제n-1 스테이지의 캐리 신호 또는 게이트 스타트 신호가 인가되고, 제1 전극은 발광 고전위 전압이 인가되고, 제2 전극은 QE노드에 연결되는, 표시 장치.
  10. 제2항에 있어서,
    상기 제n 스테이지의 스캔 구동 회로는,
    상기 캐리 신호를 제n+1 스테이지의 스캔 구동 회로 및 발광 구동 회로에 인가하고,
    상기 제2 스캔 신호를 제n-1 스테이지의 스캔 구동 회로 및 발광 구동 회로에 인가하는, 표시 장치.
  11. 제2항에 있어서,
    상기 제n 스테이지의 스캔 구동 회로는,
    상기 캐리 신호를 제n-1 스테이지의 스캔 구동 회로 및 발광 구동 회로에 인가하고,
    상기 캐리 신호를 제n+1 스테이지의 스캔 구동 회로 및 발광 구동 회로에 인가하는, 표시 장치.
  12. 제2항에 있어서,
    상기 주화소와 상기 보조화소 각각은 제1 입력단, 제2 입력단 및 제3 입력단을 포함하고,
    상기 제n 스테이지의 스캔 구동 회로는,
    상기 제1 스캔 신호를 제n 주화소의 제1 입력단 및 제n 보조화소의 제2 입력단에 인가하고,
    상기 제2 스캔 신호를 제n 보조화소의 제1 입력단 및 제n+1 주화소의 제2 입력단에 인가하고
    상기 제n 스테이지의 발광 구동 회로는,
    상기 발광 제어 신호를 제n 주화소의 제3 입력단 및 제n 보조화소의 제3 입력단에 인가하는, 표시 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 주화소와 상기 보조화소 각각은
    드라이빙 트랜지스터, 제1 스위칭 트랜지스터, 제2 스위칭 트랜지스터, 발광 제어 트랜지스터, 제1 초기화 트랜지스터 및 제2 초기화 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제1 스위칭 트랜지스터에서, 제1 전극에는 데이터 전압이 입력되고 제2 전극은 제1 노드에 연결되고 게이트 전극에는 상기 제1 입력단이 연결되고,
    상기 드라이빙 트랜지스터에서, 제1 전극에는 화소 고전위 전압이 인가되고, 제2 전극은 제3 노드에 연결되고, 게이트 전극은 제2 노드에 연결되고,
    상기 제2 스위칭 트랜지스터에서, 제1 전극은 상기 제3 노드에 연결되고, 제2 전극은 상기 제2 노드에 연결되고, 게이트 전극은 상기 제1 입력단에 연결되고,
    상기 발광 제어 트랜지스터에서, 제1 전극은 상기 제3 노드에 연결되고, 제2 전극은 LED에 연결되고, 게이트 전극은 상기 제3 입력단에 연결되고,
    상기 제1 초기화 트랜지스터에서, 제1 전극에는 초기화 전압이 인가되고, 제2 전극은 상기 제3 노드에 연결되고, 게이트 전극은 상기 제2 입력단에 연결되고,
    상기 제2 초기화 트랜지스터에서, 제1 전극에는 상기 초기화 전압이 인가되고, 제2 전극은 상기 제1 노드에 연결되고, 게이트 전극에는 상기 제3 입력단이 연결되는, 표시 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 표시 패널의 하면에 배치되고,
    상기 복수의 단위 화소 각각에 데이터 신호를 공급하는 데이터 드라이버를 더 포함하는, 표시 장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 주화소는 적색 주화소, 녹색 주화소 및 청색 주화소를 포함하고,
    상기 보조화소는 적색 보조화소, 녹색 보조화소 및 청색 보조화소를 포함하고,
    상기 게이트 드라이버는 상기 적색 주화소, 상기 녹색 주화소 및 상기 청색 주화소의 사이에 또는 상기 적색 보조화소, 상기 녹색 보조화소 및 상기 청색 보조화소의 사이에 배치되는, 표시 장치.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210080781A (ko) * 2019-12-23 2021-07-01 엘지디스플레이 주식회사 게이트 드라이버 및 이를 포함하는 표시 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110090331A (ko) * 2010-02-03 2011-08-10 삼성전자주식회사 표시 패널의 구동 방법 및 이를 수행하기 위한 표시 장치
KR20170115182A (ko) * 2016-04-05 2017-10-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20170128770A (ko) * 2015-04-23 2017-11-23 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 명점 복구를 거친 후의 액정 패널 및 그 명점 복구 방법
US20180190197A1 (en) * 2016-12-29 2018-07-05 Lg Display Co., Ltd. Electroluminescent Display
KR20180121292A (ko) * 2017-04-29 2018-11-07 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 디스플레이 장치

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101122233B1 (ko) * 2004-12-23 2012-03-19 삼성전자주식회사 감지 소자를 내장한 표시 장치
KR101040855B1 (ko) * 2009-01-29 2011-06-14 삼성모바일디스플레이주식회사 발광 제어선 구동부 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
JP5956600B2 (ja) * 2012-10-30 2016-07-27 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、表示パネル及びそれを備えた表示装置
US8791474B1 (en) 2013-03-15 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Light emitting diode display with redundancy scheme
WO2014162792A1 (ja) 2013-04-02 2014-10-09 シャープ株式会社 表示装置およびその駆動方法
KR102360787B1 (ko) * 2015-06-30 2022-02-10 엘지디스플레이 주식회사 내장형 게이트 드라이버 및 그를 이용한 표시 장치
KR102503160B1 (ko) 2015-09-30 2023-02-24 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
CN105388675A (zh) * 2015-12-21 2016-03-09 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及液晶显示器
KR20190021985A (ko) 2017-08-24 2019-03-06 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102523066B1 (ko) * 2017-11-21 2023-04-17 엘지디스플레이 주식회사 게이트 구동부 및 이를 포함한 전계발광 표시장치
KR102476465B1 (ko) 2017-12-06 2022-12-12 엘지디스플레이 주식회사 게이트 구동회로 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
KR102550325B1 (ko) * 2017-12-20 2023-06-30 엘지디스플레이 주식회사 마이크로led 표시장치 및 그 구동방법
KR102577240B1 (ko) * 2018-11-21 2023-09-12 삼성디스플레이 주식회사 타일드 표시 장치
KR20200108146A (ko) * 2019-03-06 2020-09-17 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 패널 및 이를 포함한 디스플레이 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110090331A (ko) * 2010-02-03 2011-08-10 삼성전자주식회사 표시 패널의 구동 방법 및 이를 수행하기 위한 표시 장치
KR20170128770A (ko) * 2015-04-23 2017-11-23 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 명점 복구를 거친 후의 액정 패널 및 그 명점 복구 방법
KR20170115182A (ko) * 2016-04-05 2017-10-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US20180190197A1 (en) * 2016-12-29 2018-07-05 Lg Display Co., Ltd. Electroluminescent Display
KR20180121292A (ko) * 2017-04-29 2018-11-07 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 디스플레이 장치

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP4080497A4 *

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CN114830217B (zh) 2023-12-29
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