WO2021075461A1 - 光電気複合伝送モジュール - Google Patents

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Definitions

  • the mother base insulating layer 5 is arranged on one side of the mother support plate 4 in the thickness direction.
  • Examples of the material of the mother base insulating layer 5 include an insulating material such as polyimide.
  • the conductive member 40 comes into contact with the other surface of the second terminal 22 in the thickness direction.

Abstract

光電気複合伝送モジュール１は、マザーボード２と、光電気混載基板３とを備える。光電気混載基板３は、光導波路８と、電気回路基板９とを厚み方向に順に備える。光導波路８は、コア層１２と、アンダークラッド層１１およびオーバークラッド層１３とを備える。コア層１２は、ミラー１０を含む。電気回路基板９は、第１端子２１および第２端子２２を含む。光導波路８は、第１端子２１と電気的に接続される光電変換素子５０と、ミラー１０とが光学的に接続可能なように配置される。第２端子２２は、マザーボード２と電気的に接続されている。

Description

光電気複合伝送モジュール
　本発明は、光電気複合伝送モジュールに関する。
　スーパーコンピュータやデータセンターなどの装置では、装置内、および／または、接続ケーブルおよび装置間において、大容量の信号を高速で伝送するために、光電気複合伝送モジュールを設けることが知られている。
　例えば、光モジュール基板と、それに実装されるレンズ部材と、レンズ部材と光学的に接続されるテープファイバとを備える並列光伝送装置が提案されている。
　特許文献１に記載の並列光伝送装置では、レンズ部材は、テープファイバの先側に配置される集光レンズと、集光レンズを収容するレンズ筐体とを備える。また、テープファイバは、テープ状に複数並列される光ファイバを備える。
特開２０１２－１６８５６３号公報
　しかるに、光電気複合伝送モジュールには、薄型化が求められる。しかし、特許文献１の記載の並列光伝送装置では、レンズ部材がレンズ筐体を備えるため、十分な薄型化を図ることができないという不具合がある。
　また、光電気複合伝送モジュールが収められるラック内の空間では、空気の流れが制限され、蓄熱し易い。そのため、光電気複合伝送モジュールには、優れた放熱性が求められる。しかし、特許文献１の記載の並列光伝送装置のレンズ部材では、集光レンズがレンズ筐体内に収容されている。そのため、レンズ筐体内において蓄熱し易く、その結果、上記要求を満足できないという不具合がある。
　一方、別の放熱部材をレンズ部材に設けることも試案されるが、集光レンズは、レンズ筐体内に収容されることから、放熱部材が集光レンズに直接接触できない。従って、特許文献１の記載の並列光伝送装置は、放熱性が低くなるという不具合がある。
　本発明は、薄型化が図られ、放熱性に優れる光電気複合伝送モジュールを提供する。
　本発明（１）は、マザーボードと、前記マザーボードに実装される光電気混載基板とを備え、前記光電気混載基板は、光導波路と、電気回路基板とを厚み方向に順に備え、前記光導波路は、コア層と、前記コア層を被覆するクラッド層とを備え、前記コア層は、その一端部に形成されるミラーを含み、前記電気回路基板は、互いに電気的に接続されることが可能な第１端子および第２端子とを含み、前記光導波路は、前記第１端子と電気的に接続される光電変換素子と、前記ミラーとが光学的に接続可能なように配置され、前記第２端子は、前記マザーボードと電気的に接続されている、光電気複合伝送モジュールを含む。
　この光電気複合伝送モジュールでは、光電気混載基板は、光導波路と、電気回路基板とを厚み方向に順に備えており、光導波路によって伝送される光は、ミラーによって光路変換され、光電変換素子と光学的に接続される。そのため、特許文献１の並列光伝送装置のレンズ部材のように、レンズ筐体を備えることがなく、薄型化を図ることができる。
　また、放熱部材を光導波路に直接接触させることができ、光電気複合伝送モジュールは、放熱に優れることができる。
　本発明（２）は、前記マザーボードは、厚み方向一方面に配置されるマザーボード端子を含み、前記第２端子および前記マザーボード端子に接触する電気コネクタをさらに備える、（１）に記載の光電気複合伝送モジュールを含む。
　この光電気複合伝送モジュールでは、第３端子は、リフロー工程を必要としない電気コネクタと接触することによって、マザーボードおよび光電気混載基板を電気的に接続できる。そのため、接続信頼性が高い。
　本発明（３）は、前記マザーボードと、前記光導波路と、前記電気回路基板とが、前記厚み方向一方側に向かって順に配置され、前記第１端子は、前記厚み方向一方側に面し、前記第２端子は、前記電気回路基板における前記光導波路と厚み方向に重複しない非重複部分において、前記厚み方向両側に面しており、前記マザーボードは、その厚み方向一方面に配置されるマザーボード端子を含み、前記第２端子および前記マザーボード間に介在し、それらを電気的に接続する導電部材をさらに備える、（１）に記載の光電気複合伝送モジュールを含む。
　この光電気複合伝送モジュールでは、非重複部分は、厚み方向に投影したときに、光導波路に重複せず、マザーボードおよび導電部材のみに重複するので、重複部分の薄型化（低背化）を図ることができる。
　本発明（４）は、前記マザーボードと、前記電気回路基板と、前記光導波路とが、前記厚み方向一方側に向かって順に配置され、前記第１端子および前記第２端子は、前記厚み方向他方側に面し、前記マザーボードは、その厚み方向一方面に配置されるマザーボード端子を含み、前記第２端子および前記マザーボード間に介在し、それらを電気的に接続する導電部材をさらに備える、（１）に記載の光電気複合伝送モジュールを含む。
　この光電気複合伝送モジュールは、第２端子がマザーボードに面することができる。そのため、構成が簡易である。
　本発明（５）は、前記光導波路は、複数の前記コア層を備える、（１）～（３）のいずれか一項に記載の光電気複合伝送モジュールを含む。
　しかるに、光電気複合伝送モジュールでは、光信号を高密度で伝送することが求められる。しかし、特許文献１の記載の並列光伝送装置のテープファイバでは、複数の光ファイバのそれぞれが、外皮に被覆されていることから、光信号の高密度伝送には、限界がある。
　一方、この光電気複合伝送モジュールでは、光導波路が、複数のコア層を備え、これらをクラッド層がまとめて被覆できるので、光導波路による光信号の高密度伝送を達成できる。
　本発明の光電気複合伝送モジュールは、薄型化が図られ、放熱性に優れる。
図１は、本発明の光電気複合伝送モジュールの第１実施形態の伝送方向に沿う断面図である。 図２Ａ～図２Ｂは、図１に示す光電気複合伝送モジュールの長手方向に直交する方向に沿う正断面図であり、図２Ａは、図１のＸ－Ｘ線に沿う正断面図、図２Ｂは、図１のＹ－Ｙ線に沿う正断面図である。 図１に示す光電気複合伝送モジュールの変形例の一部拡大断面図である。 図４は、本発明の光電気複合伝送モジュールの第２実施形態（マザーボード、電気回路基板および光導波路が順に配置される実施形態）の伝送方向に沿う断面図である。 図５は、本発明の光電気複合伝送モジュールの第３実施形態（マザーボードおよび光電気混載基板を電気的に接続する電気コネクタを備える実施形態）の伝送方向に沿う断面図である。
　＜第１実施形態＞
　本発明の光電気複合伝送モジュールの第１実施形態を図１～図２Ｂを参照して説明する。
　この光電気複合伝送モジュール１は、例えば、スーパーコンピュータ、データセンターなど、大容量の信号を高速で伝送して処理する装置の筐体（具体的には、ラック）３５内に配置される。光電気複合伝送モジュール１は、仮想線で示す光ファイバ４７から出力される光を電気に変換し、これを図示しない別の処理装置に入力し、および、図示しない処理装置から出力される電気を光に変換し、これを仮想線で示す光ファイバ４７に入力する。光電気複合伝送モジュール１は、所定厚みを有し、光および電気の伝送方向（以下、単に伝送方向という場合がある）に沿って延びる板形状を有する。光電気複合伝送モジュール１は、マザーボード２と、光電気混載基板３とを厚み方向に順に備える。
　マザーボード２は、厚み方向に直交する直交方向に延びる略板形状を有し、好ましくは、略矩形板形状を有する。マザーボード２は、マザー支持板４と、マザーベース絶縁層５と、マザー導体層６とを備える。
　マザー支持板４は、マザーボード２と同一の外形形状を有する。マザー支持板４の材料としては、例えば、ガラス繊維強化エポキシ樹脂などの硬質材料が挙げられる。
　マザーベース絶縁層５は、マザー支持板４の厚み方向一方面に配置されている。マザーベース絶縁層５の材料としては、例えば、ポリイミドなどの絶縁材料が挙げられる。
　マザー導体層６は、マザーベース絶縁層５の厚み方向一方面に配置されている。マザー導体層６は、マザーボード端子７を含むパターンを有する。マザー導体層６の材料としては、例えば、銅などの導体材料が挙げられる。
　マザーボード２の平面視における寸法は、特に限定されず、少なくとも光電気混載基板３を実装できる寸法を有し、具体的には、光電気混載基板３および他の電子基板（ＦＰＣなど）を実装できる寸法を有する。
　光電気混載基板３は、マザーボード２に実装される。光電気混載基板３は、マザーボード２の厚み方向一方側に配置されている。具体的には、光電気混載基板３は、マザーボード２の厚み方向一方面に実装されている。光電気混載基板３は、伝送方向に沿って長い長尺シート形状を有する。光電気混載基板３は、光導波路８と、電気回路基板９とを厚み方向一方側に順に備える。光電気混載基板３は、光導波路８と、その厚み方向一方面に配置される電気回路基板９とを備える。そのため、この光電気複合伝送モジュール１では、マザーボード２と、光導波路８と、電気回路基板９とが、厚み方向一方側に向かって順に配置される。
　光導波路８は、伝送方向に延びる略シート形状を有する。光導波路８は、クラッド層の一例としてのアンダークラッド層１１と、コア層１２と、クラッド層の一例としてのオーバークラッド層１３とを備える。
　アンダークラッド層１１は、光導波路８と同一の平面視形状を有する。アンダークラッド層１１の厚み方向他方面は、平坦面である。なお、アンダークラッド層１１の厚み方向一方面は、後述する金属支持層１６に追従する形状を有する。
　コア層１２は、アンダークラッド層１１の厚み方向他方面における幅方向（厚み方向および伝送方向に直交する方向）（図１における紙面奥行き方向）中間部に配置されている。コア層１２は、例えば、幅方向に互いに間隔を隔てて複数設けられている。コア層１２は、コア層１２の伝送方向一端部に形成されるミラー１０を含む。ミラー１０は、アンダークラッド層１１の厚み方向他方面に対して４５度の角度を成す斜面である。
　オーバークラッド層１３は、アンダークラッド層１１の厚み方向他方面に、複数のコア層１２を被覆するように、配置されている。具体的には、オーバークラッド層１３は、コア層１２の厚み方向他方面および幅方向側面と、アンダークラッド層１１におけるコア層１２の周囲の厚み方向他方面とに接触している。オーバークラッド層１３の幅方向両側面は、アンダークラッド層１１の幅方向両側面と厚み方向に面一である。オーバークラッド層１３およびアンダークラッド層１１は、断面視において、コア層１２を被覆する。
　コア層１２の屈折率は、アンダークラッド層１１およびオーバークラッド層１３の屈折率より高い。光導波路８の材料としては、例えば、例えば、エポキシ樹脂などの透明材料が挙げられる。光導波路８の厚みは、例えば、２０μｍ以上であり、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１５０μｍ以下である。複数のコア層１２のそれぞれの幅Ｗは、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下、より、好ましくは、３０μｍ以下であり、また、例えば、１μｍ以上である。幅方向に隣り合うコア層１２の間隔Ｓは、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下、より、好ましくは、２５０μｍ以下であり、また、例えば、１０μｍ以上である。
　電気回路基板９は、伝送方向に延びる略板形状を有する。電気回路基板９は、図１に示すように、伝送方向に沿う断面視において、光導波路８と重複する重複部分１４と、光導波路８と重複しない非重複部分１５とを有する。重複部分１４は、電気回路基板９の伝送方向一端部およびおよび中間部分であり、非重複部分１５は、電気回路基板９の伝送方向他端部である。非重複部分１５の厚み方向他方面は、重複部分１４の電気回路基板９から露出する。
　この電気回路基板９は、金属支持層１６と、ベース絶縁層１７と、導体層１８と、カバー絶縁層１９とを厚み方向一方側に向かって順に備える。
　金属支持層１６は、重複部分１４に配置されている。具体的には、金属支持層１６は、後述する光電変換素子５０の厚み方向他方側に配置されている。また、金属支持層１６は、厚み方向を貫通する金属開口部２０を有する。金属開口部２０は、後述する光電変換素子５０の光電変換第１素子５１に対応して、複数設けられている。金属開口部２０は、厚み方向投影したときに、ミラー１０を含む。金属支持層１６の材料としては、例えば、ステンレスなどの金属が挙げられる。金属支持層１６の厚みは、例えば、３μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。
　ベース絶縁層１７は、伝送方向に延びるフィルム形状を有する。ベース絶縁層１７は、電気回路基板９と同一の平面視形状を有する。換言すれば、ベース絶縁層１７は、重複部分１４および非重複部分１５全体にわたって配置されている。
　ベース絶縁層１７は、重複部分１４において、金属支持層１６の厚み方向一方面に配置される部分と、それ以外の部分とを有する。また、ベース絶縁層１７は、金属開口部２０の厚み方向一端縁を閉塞する。ベース絶縁層１７では、金属支持層１６と厚み方向に対向する部分が、周囲（薄肉部分）より厚い厚肉部分となっている。ベース絶縁層１７は、光透過性である。ベース絶縁層１７の材料としては、例えば、ポリイミドなどの樹脂が挙げられる。ベース絶縁層１７の厚みは、例えば、２μｍ以上、３５μｍ以下である。
　導体層１８は、重複部分１４および非重複部分１５にわたって配置されている。導体層１８は、第１端子２１と、第２端子２２と、第３端子２３と、配線２４とを含む。
　第１端子２１は、重複部分１４ににおいて、ベース絶縁層１７の厚み方向一方面に配置されている。第１端子２１は、厚み方向一方側に面している。第１端子２１は、光電変換素子５０の複数の電極（図示せず）に対応して複数設けられている。第１端子２１は、第１素子用端子２５および第２素子用端子２６を含む。第１素子用端子２５には、光電変換第１素子５１（後述）が実装される。第２素子用端子２６には、光電変換第２素子５２（後述）が実装される。
　第２端子２２は、非重複部分１５に配置されている。第２端子２２は、例えば、フライングリードである。具体的には、図２Ｂで示すように、第２端子２２は、伝送方向に直交する断面において、周面全面がベース絶縁層１７に接触しない。なお、第２端子２２の周面は、厚み方向一方面、他方面および幅方向両側面を含む。また、ベース絶縁層１７は、ベース絶縁層１７を厚み方向を貫通し、第２端子２２を平面視で含むベース開口部２９を有する。ベース開口部２９は、図２Ｂの仮想線で示すように、複数の第２端子２２に対応して、複数設けられている。または、図２Ｂの実線で示すように、ベース開口部２９は、複数の第２端子２２を露出するように、大きく形成され、１つ設けられていてもよい。第２端子２２の厚み方向他方面および幅方向両側面が、後述する導電部材４０に接触されている。第２端子２２は、マザーボード端子７に対応して設けられている。
　第３端子２３は、重複部分１４において、第２端子２２の伝送方向一方側に配置されている。第３端子２３は、ベース絶縁層１７の厚み方向一方面に配置されている。
　配線２４は、各端子を接続する。具体的には、第１端子２１（第１素子用端子２５および第２素子用端子２６）の間を接続するパターンと、第２素子用端子２６および第３端子２３の間を接続するパターンと、第３端子２３および第２端子２２の間を接続するパターンとを有する。配線２４は、ベース絶縁層１７の厚み方向一方面に配置されている。
　導体層１８の材料としては、例えば、銅などの導体が挙げられる。導体層１８の厚みは、２μｍ以上、２０μｍ以下である。
　カバー絶縁層１９は、重複部分１４に配置されている。カバー絶縁層１９は、ベース絶縁層１７の厚み方向一方面において、配線２４を被覆するように、配置されている。カバー絶縁層１９の物性、材料および厚みは、ベース絶縁層１７のそれらと同様である。
　さらに、この光電気複合伝送モジュール１は、導電部材４０と、光電変換素子５０と、電子素子５３とを備える。
　導電部材４０は、マザーボード端子７（マザーボード２）と、第２端子２２（電気回路基板９）との間に配置される。導電部材４０は、厚み方向に沿って延びる。導電部材４０は、マザーボード端子７の厚み方向一方面と、第２端子２２の厚み方向一方面および幅方向両側面とに接触する。これにより、導電部材４０は、マザーボード端子７と第２端子２２とを電気的に接続する。導電部材４０の材料としては、はんだなどの導電性材料が挙げられる。なお、導電部材４０は、マザーボード端子７および第２端子２２に対して配置された後、リフロー工程を経ることによって、マザーボード２および光電気混載基板３に密着して、それらを電気的に接続する。
　光電変換素子５０は、電気回路基板９に実装されている。具体的には、光電変換素子５０は、電気回路基板９の厚み方向一方面に実装されている。光電変換素子５０は、第１素子用端子２５および第２素子用端子２６とそれぞれ電気的に接続される光電変換第１素子５１および光電変換第２素子５２を含む。
　光電変換第１素子５１としては、例えば、発光素子、受光素子などが挙げられる。発光素子は、電気を光に変換する。発光素子の具体例としては、面発光型発光ダイオード（ＶＥＣＳＥＬ）などが挙げられる。受光素子は、光を電気に変換する。受光素子の具体例として、フォトダイオード（ＰＤ）などが挙げられる。光電変換第１素子５１は、発光素子の発光口、および／または、受光素子の受光口となる窓４９を含む。窓４９は、厚み方向他方側に面する。窓４９は、厚み方向に投影したときに、金属開口部２０に包含され、ミラー１０と重複（合致）する。これにより、光電変換第１素子５１は、コア層１２と光学的に接続される。
　光電変換第２素子５２としては、駆動集積回路、インピーダンス変換増幅回路、リタイマ集積回路などが挙げられる。駆動集積回路は、発光素子を駆動する。インピーダンス変換増幅回路は、受光素子の電気を増幅する。リタイマ集積回路は、電気信号の波形を整える。
　電子素子５３は、例えば、電気回路基板９に実装されている。具体的には、電子素子５３は、電気回路基板９の厚み方向一方面に実装されている。具体的には、電子素子５３は、第３端子２３に実装されて、それと電気的に接続されている。電子素子５３としては、例えば、ＣＭＯＳ、ＣＰＵ、ＧＰＣ、ＡＳＩＣスイッチなどの処理素子が挙げられる。
　また、この光電気複合伝送モジュール１には、ＰＭＴコネクタ４６を備えることができる。ＰＭＴコネクタ４６は、光電気混載基板３の伝送方向一方側端部の周側面を固定する。
　この光電気複合伝送モジュール１を得るには、マザーボード２および光電気混載基板３のそれぞれを準備する。続いて、ＰＭＴコネクタ（光導波路用ＭＴコネクタ）４６で、光電気混載基板３の伝送方向一端部を固定する。次いで、光電変換素子５０および電子素子５３を、光電気混載基板３に実装し、導電部材４０を介して、光電気混載基板３をマザーボード２に実装する。この際、導電部材４０を加熱するリフロー工程を実施する。これにより、光電気複合伝送モジュール１を得る。
　その後、ＰＭＴコネクタ４６と、仮想線で示す光ファイバ４７を固定した仮想線で示すＭＴコネクタ４８とを付き合わせて、光電気混載基板３の光導波路８と光ファイバ４７とを光学的に接続する。
　この光電気複合伝送モジュール１の用途は、上記（スーパーコンピュータやデータセンタ－）に限定されず、例えば、民生または他産業向けの機器内配線にも用いられる。
　（第１実施形態の作用効果）
　そして、この光電気複合伝送モジュール１では、光電気混載基板３は、光導波路８と、電気回路基板９とを厚み方向に順に備えており、光導波路８によって伝送される光は、ミラー１０によって光路変換され、光電変換第１素子５１と光学的に接続される。そのため、特許文献１の並列光伝送装置のレンズ部材のように、レンズ筐体を備えることがなく、薄型化を図ることができる。
　また、図示しない放熱部材（具体的には、放熱シートなど）を光導波路８に直接接触させる（貼着する）ことができ、光電気複合伝送モジュール１は、放熱性に優れることができる。
　また、この光電気複合伝送モジュール１では、マザーボード２と、光導波路８と、電気回路基板９とが、厚み方向一方側に向かって順に配置されており、光電変換素子５０は、厚み方向一方側に面し、第２端子２２は、非重複部分１５において、厚み方向両側に面し、第２端子２２およびマザーボード端子７間に介在し、それらを電気的に接続する導電部材４０をさらに備える。そのため、非重複部分１５は、厚み方向に投影したときに、光導波路８に重複せず、マザーボード２および導電部材４０のみに重複するので、これらを含む光電気複合伝送モジュール１の薄型化（低背化）を図ることができる。
　また、この光電気複合伝送モジュール１では、光導波路８が、複数のコア層１２を備え、これらをアンダークラッド層１１およびオーバークラッド層１３がまとめて被覆できるので、光導波路８による光信号の高密度伝送を達成できる。また、光電気複合伝送モジュール１の小型を図ることができる。
　＜変形例＞
　以下の変形例において、上記した第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、変形例は、特記する以外、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、第１実施形態および変形例を適宜組み合わせることができる。
　一実施形態では、図１の実線で示すように、電子素子５３を、光電気混載基板３の第２端子２２に実装しているが、例えば、図１の仮想線で示すように、マザーボード２のマザーボード端子７に実装することもできる。
　図３に示すように、ベース絶縁層１７において、薄肉部分が、第２端子２２の周囲であり、それ以外の部分が、厚肉部分であってもよい。
　図示しないが、例えば、第２端子２２およびマザーボード端子７を、別の基板（孫基板など）を介して、電気的に接続させることもできる。
　＜第２実施形態＞
　第２実施形態において、上記した第１実施形態および変形例と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、第２実施形態は、特記する以外、第１実施形態および変形例と同様の作用効果を奏することができる。さらに、第１実施形態、変形例および第２実施形態を適宜組み合わせることができる。
　図４に示すように、第２実施形態の光電気複合伝送モジュール１では、マザーボード２と、電気回路基板９と、光導波路８とが、厚み方向一方側に順に配置される。
　光電気混載基板３は、電気回路基板９と、光導波路８とを厚み方向一方側に向かって順に備える。光電気混載基板３は、上記した非重複部分１５を有さない。光導波路８は、断面視において、電気回路基板９の厚み方向一方面全面に配置されている。
　また、第２端子２２は、フライングリードではなく、その厚み方向一方面が、ベース絶縁層１７に接触している。第２端子２２および第１端子２１は、ともに、厚み方向他方側に面している。そのため、第２端子２２は、マザーボード２側に面する。
　導電部材４０は、第２端子２２の厚み方向他方面に接触する。
　＜第２実施形態の作用効果＞
　第２実施形態の光電気複合伝送モジュール１は、第２端子２２がフライングリードでないため、第１実施形態のように、ベース開口部２９をベース絶縁層１７に形成する必要がない。そのため、第２実施形態の光電気複合伝送モジュール１は、第１実施形態の光電気複合伝送モジュール１より、構成が簡易である。
＜第３実施形態＞
　第３実施形態において、上記した第１実施形態、変形例および第２実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、第３実施形態は、特記する以外、第１実施形態、変形例および第２実施形態および第３実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、第１実施形態、変形例および第２実施形態および第３実施形態を適宜組み合わせることができる。
　図５に示すように、この光電気複合伝送モジュール１では、第１実施形態と同様に、光電気混載基板３、光導波路８および電気回路基板９が、厚み方向一方側に向かって順に配置される。
　第２端子２２は、第２実施形態と同様に、その厚み方向他方面が、ベース絶縁層１７に接触し、その厚み方向一方面が、一方側に面する。第２端子２２は、第３端子２３の近傍に位置する。
　光電気複合伝送モジュール１は、導電部材４０に代えて、電気コネクタ４５を備える。
　電気コネクタ４５は、マザーボード端子７および第２端子２２と接触しており、これによって、マザーボード２および光電気混載基板３が電気的に接続される。電気コネクタ４５としては、例えば、ＦＰＣコネクタ、ＺＩＦコネクタ、基板用コネクタなどが挙げられる。例えば、電気コネクタ４５は、挿入口（図示せず）を有しており、かかる挿入口に光電気混載基板３の伝送方向他端部が挿入される。これにより、電気コネクタ４５の内部の電極が第２端子２２と接触して、電気コネクタ４５および第２端子２２が電気的に接続される。
　＜第３実施形態の作用効果＞
　しかるに、第２実施形態では、導電部材４０をリフローする際、光導波路８および電気回路基板９の熱膨張係数の相違に起因する光電気混載基板３の変形により、第２端子２２が移動して（ずれて）、第２端子２２のマザーボード端子７に対する接続信頼性が低下する場合がある。
　しかし、第３実施形態では、第３端子２３は、リフロー工程を必要とする導電部材４０に代えて、リフロー工程を必要としない電気コネクタ４５と接触することによって、マザーボード２および光電気混載基板３を電気的に接続できる。そのため、接続信頼性が高い。
　なお、上記発明は、本発明の例示の実施形態として提供したが、これは単なる例示に過ぎず、限定的に解釈してはならない。当該技術分野の当業者によって明らかな本発明の変形例は、後記請求の範囲に含まれる。
　光電気複合伝送モジュールは、大容量の信号を高速で伝送する用途に用いられる。
１ 光電気複合伝送モジュール
２ マザーボード
３ 光電気混載基板
７ マザーボード端子
８ 光導波路
９ 電気回路基板
１０ ミラー
１１ アンダークラッド層
１２ コア層
１３ オーバークラッド層
１５ 非重複部分
２１ 第１端子
２２ 第２端子
４５ 電気コネクタ
４０ 導電部材
５０ 光電変換素子

Claims (5)

  1. 　マザーボードと、
    　前記マザーボードに実装される光電気混載基板とを備え、
    　前記光電気混載基板は、光導波路と、電気回路基板とを厚み方向に順に備え、
    　前記光導波路は、コア層と、前記コア層を被覆するクラッド層とを備え、
    　前記コア層は、その一端部に形成されるミラーを含み、
    　前記電気回路基板は、互いに電気的に接続されることが可能な第１端子および第２端子とを含み、
    　前記光導波路は、前記第１端子と電気的に接続される光電変換素子と、前記ミラーとが光学的に接続可能なように配置され、
    　前記第２端子は、前記マザーボードと電気的に接続されていることを特徴とする、光電気複合伝送モジュール。
  2. 　前記マザーボードは、厚み方向一方面に配置されるマザーボード端子を含み、
    　前記第２端子および前記マザーボード端子に接触する電気コネクタをさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の光電気複合伝送モジュール。
  3. 　前記マザーボードと、前記光導波路と、前記電気回路基板とが、前記厚み方向一方側に向かって順に配置され、
    　前記第１端子は、前記厚み方向一方側に面し、
    　前記第２端子は、前記電気回路基板における前記光導波路と厚み方向に重複しない非重複部分において、前記厚み方向両側に面しており、
    　前記マザーボードは、その厚み方向一方面に配置されるマザーボード端子を含み、
    　前記第２端子および前記マザーボード間に介在し、それらを電気的に接続する導電部材をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の光電気複合伝送モジュール。
  4. 　前記マザーボードと、前記電気回路基板と、前記光導波路とが、前記厚み方向一方側に向かって順に配置され、
    　前記第１端子および前記第２端子は、前記厚み方向他方側に面し、
    　前記マザーボードは、その厚み方向一方面に配置されるマザーボード端子を含み、
    　前記第２端子および前記マザーボード間に介在し、それらを電気的に接続する導電部材をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の光電気複合伝送モジュール。
  5. 　前記光導波路は、複数の前記コア層を備えることを特徴とする、請求項１に記載の光電気複合伝送モジュール。
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