WO2021060013A1 - 電子・電気機器用銅合金、電子・電気機器用銅合金板条材、電子・電気機器用部品、端子、及び、バスバー - Google Patents

電子・電気機器用銅合金、電子・電気機器用銅合金板条材、電子・電気機器用部品、端子、及び、バスバー Download PDF

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WO2021060013A1
WO2021060013A1 PCT/JP2020/034423 JP2020034423W WO2021060013A1 WO 2021060013 A1 WO2021060013 A1 WO 2021060013A1 JP 2020034423 W JP2020034423 W JP 2020034423W WO 2021060013 A1 WO2021060013 A1 WO 2021060013A1
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WO
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electronic
copper alloy
electrical equipment
grain boundaries
less
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PCT/JP2020/034423
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裕隆 松永
優樹 伊藤
広行 森
浩之 松川
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三菱マテリアル株式会社
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C9/00Alloys based on copper
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/01Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
    • B32B15/018Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic one layer being formed of a noble metal or a noble metal alloy
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/20Layered products comprising a layer of metal comprising aluminium or copper
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22FCHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C22F1/08Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of copper or alloys based thereon

Definitions

  • the present invention relates to terminals such as connectors and press fits, copper alloys for electronic and electrical equipment suitable for parts for electronic and electrical equipment such as bus bars, and copper alloy plates for electronic and electrical equipment made of this copper alloy for electronic and electrical equipment. It relates to strips, electronic / electrical equipment parts, terminals, and bus bars.
  • Patent Document 1 proposes a Cu—Mg alloy.
  • the present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and is used for copper alloys for electronic / electrical equipment and copper alloys for electronic / electrical equipment, which are excellent in conductivity, strength, stress relaxation resistance, bending workability, and punching workability. It is an object of the present invention to provide a copper alloy strip material and parts, terminals, and a bus bar for electronic / electrical equipment made of the copper alloy strip material for electronic / electrical equipment.
  • the content of Mg and Ag contained in the alloy is set within a predetermined range, and the content of P is limited to conduct conductivity. It was found that it is possible to improve the rate, strength, stress relaxation resistance, and bending workability. Further, in the above-mentioned copper alloy, as a result of analyzing the matrix phase by the EBSD method with the plane orthogonal to the width direction of rolling as the observation plane, the ratio of the special grain boundaries and the random grain boundaries constituting the three grain boundaries was determined. It was found that by specifying it, cracks can easily grow along the grain boundaries during press working, and punching workability during press working can be improved.
  • the copper alloy for electronic and electrical equipment contains Mg in the range of 100 mass ppm or more and 400 mass ppm or less, Ag in the range of 5 mass ppm or more and 20 mass ppm or less, and further P.
  • the content is less than 5 mass ppm and the balance consists of Cu and unavoidable impurities.
  • the CI value of each measurement point is obtained by analysis, and the orientation difference of each crystal grain is analyzed except for the measurement points whose CI value is 0.1 or less, and the orientation difference between adjacent measurement points is 15 °.
  • the average particle size A is obtained by Area Fraction, and the matrix is measured by the EBSD method at the step of the measurement interval that is 1/10 or less of the average particle size A.
  • the measurement results are analyzed by the data analysis software OIM in a measurement area of 10000 ⁇ m 2 or more in a plurality of visual fields so that a total of 1000 or more crystal grains are included, and the CI value of each measurement point is obtained, and the CI value is obtained.
  • the orientation difference of each crystal grain is analyzed except for the measurement points of 0.1 or less, and the boundary between the measurement points where the orientation difference between adjacent measurement points is 15 ° or more is defined as the crystal grain boundary, and is ⁇ 29 or less.
  • all three grain boundaries constituting the grain boundary 3 priorities in the grain boundary 3 priorities analyzed from OIM are J3.
  • the ratio of J2 to the total grain boundary 3 weight is NF J3
  • the two grain boundaries constituting the grain boundary 3 weight are special grain boundaries
  • the ratio of J2 to the total grain boundary 3 weight is NF J2.
  • the EBSD method means an electron backscatter diffraction pattern (EBSD) using a scanning electron microscope equipped with a backscattered electron diffraction image system, and OIM uses measurement data by EBSD to form a crystal orientation.
  • It is a data analysis software (Orientation Imaging Microscape: OIM) for analyzing the above.
  • the CI value is a reliability index (Confidence Index), which is a numerical value indicating the reliability of crystal orientation determination when analyzed using the analysis software OIM Analysis (Ver.7.3.1) of the EBSD device.
  • OIM Orientation Imaging Microscape
  • the structure of the measurement point measured by the EBSD method and analyzed by the OIM is a processed structure
  • the reliability of the crystal orientation determination is low and the CI value is low because the crystal pattern is not clear.
  • the structure at the measurement point is determined to be a processed structure.
  • the special grain boundary is a ⁇ value defined crystallographically based on the CSL theory (Kronberg et al: Trans.Met.Soc.AIME, 185,501 (1949)) and belongs to 3 ⁇ ⁇ ⁇ 29. It is a grain boundary, and the unique corresponding site lattice orientation defect Dq in the corresponding grain boundary is Dq ⁇ 15 ° / ⁇ 1/2 (DG Brandon: Acta. Crystallography. Vol. 14, p. 1479, p. 1479, (1966)) is defined as a grain boundary that satisfies.
  • the random grain boundary is a grain boundary other than the special grain boundary having a corresponding azimuth relationship with a ⁇ value of 29 or less and satisfying Dq ⁇ 15 ° / ⁇ 1/2. That is, the special grain boundaries have a corresponding orientation relationship with a ⁇ value of 29 or less and satisfy Dq ⁇ 15 ° / ⁇ 1/2, and the grain boundaries other than the special grain boundaries are random grain boundaries.
  • the three grain boundaries are J0, where all three grain boundaries are random grain boundaries, J1, where one grain boundary is a special grain boundary and two grain boundaries are random grain boundaries, and two grain boundaries.
  • J2 which is a special grain boundary and one is a random grain boundary
  • J3 in which all three grain boundaries are special grain boundaries. Therefore, the ratio of J3, in which all three grain boundaries constituting the three grain boundaries are special grain boundaries, to the total number of three grain boundaries NF J3 (the ratio of the number of J3s to the number of all three grain boundaries) is J0.
  • NF J3 ⁇ J3 / ( ⁇ J0 + ⁇ J1 + ⁇ J2 + ⁇ J3).
  • the two grain boundaries constituting the three grain boundaries are special grain boundaries, and one is a random grain boundary.
  • the ratio of J2 to the three total grain boundaries NF J2 J2 to the number of all three grain boundaries
  • the Mg content is in the range of 100 mass ppm or more and 400 mass ppm or less, and the Ag content is in the range of 5 mass ppm or more and 20 mass ppm or less, so that the conductivity is increased. It is possible to improve the strength and stress relaxation resistance without lowering it. Further, since the P content is less than 5 mass ppm, bending workability can be ensured.
  • the matrix is measured by the EBSD method in a measurement area of 10000 ⁇ m 2 or more in steps of a measurement interval of 0.25 ⁇ m.
  • the measurement result is analyzed by the data analysis software OIM to obtain the CI value of each measurement point. Excludes measurement points with a CI value of 0.1 or less.
  • the orientation difference of each crystal grain is analyzed by the data analysis software OIM, and the boundary between the measurement points where the orientation difference between the adjacent measurement points is 15 ° or more is defined as the crystal grain boundary.
  • the average particle size A is determined by Area Fraction.
  • the matrix is measured by the EBSD method at a step of a measurement interval that is 1/10 or less of the average particle size A.
  • the measurement result is analyzed by the data analysis software OIM in the measurement area where the total area is 10,000 ⁇ m 2 or more in a plurality of fields of view so that the total number of crystal grains is 1000 or more, and the CI value of each measurement point is obtained. Excludes measurement points with a CI value of 0.1 or less.
  • the orientation difference of each crystal grain is analyzed by the data analysis software OIM, and the boundary between the measurement points where the orientation difference between the adjacent measurement points is 15 ° or more is defined as the crystal grain boundary.
  • Corresponding grain boundaries of ⁇ 29 or less are set as special grain boundaries, and other grain boundaries are set as random grain boundaries.
  • NF J2 be the ratio of J2, which has two grain boundaries as special grain boundaries and one as a random grain boundary, to the total grain boundaries of 3 priorities. Since the copper alloy for electronic and electrical equipment according to one aspect of the present invention satisfies 0.22 ⁇ (NF J2 / (1-NF J3 )) 0.5 ⁇ 0.45, it cracks along the grain boundary. Is easy to progress, and it becomes possible to improve the punching workability at the time of press working.
  • the conductivity is preferably 90% IACS or more.
  • the conductivity is sufficiently high, it can be applied to applications in which pure copper has been conventionally used.
  • the 0.2% strength when the tensile test is performed in the direction parallel to the rolling direction is within the range of 150 MPa or more and 450 MPa or less. Is preferable.
  • the 0.2% proof stress when the tensile test is performed in the direction parallel to the rolling direction is within the range of 150 MPa or more and 450 MPa or less, it is coiled as a strip material having a thickness of more than 0.5 mm. Even if it is wound around, it does not have a curl, it is easy to handle, and high productivity can be achieved. Therefore, it is particularly suitable as a copper alloy for connectors for large currents and high voltages, terminals for press fits, and parts for electronic and electrical equipment such as bus bars.
  • the residual stress ratio is preferably 50% or more at 150 ° C. for 1000 hours.
  • the residual stress ratio is defined as described above, permanent deformation can be suppressed to a small value even when used in a high temperature environment, and for example, a decrease in contact pressure of a connector terminal or the like can be suppressed. be able to. Therefore, it can be applied as a material for parts for electronic devices used in a high temperature environment such as an engine room.
  • the copper alloy strip material for electronic / electrical equipment is made of the above-mentioned copper alloy for electronic / electrical equipment, and is characterized in that the thickness exceeds 0.5 mm.
  • the copper alloy strip material for electronic / electrical equipment having this configuration since it is composed of the above-mentioned copper alloy for electronic / electrical equipment, it is excellent in conductivity, strength, stress relaxation resistance, and punching workability. It is particularly suitable as a material for thickened connectors, terminals for press fits, and parts for electronic and electrical equipment such as bus bars.
  • the copper alloy strip material for electronic and electrical equipment has a Sn plating layer or an Ag plating layer on the surface.
  • Sn plating layer since it has a Sn plating layer or an Ag plating layer on its surface, it is particularly suitable as a material for terminals such as connectors and press fits, and parts for electronic and electrical equipment such as bus bars.
  • Sn plating includes pure Sn plating or Sn alloy plating
  • Ag plating includes pure Ag plating or Ag alloy plating.
  • the component for electronic / electrical equipment is characterized by being made of the above-mentioned copper alloy strip material for electronic / electrical equipment.
  • the electronic / electrical device component in one aspect of the present invention includes a connector, a terminal such as a press fit, a bus bar, and the like. Since the parts for electronic / electrical equipment having this configuration are manufactured using the above-mentioned copper alloy strips for electronic / electrical equipment, the size and thickness are increased in accordance with high current applications. Can also exhibit excellent characteristics.
  • the terminal according to one aspect of the present invention is characterized by being made of the above-mentioned copper alloy strip material for electronic and electrical equipment. Since the terminals having this configuration are manufactured using the copper alloy strips for electronic and electrical equipment described above, they have excellent characteristics even when they are enlarged and thickened for high current applications. Can be demonstrated.
  • the bus bar according to one aspect of the present invention is characterized by being made of the above-mentioned copper alloy strip material for electronic and electrical equipment. Since the bus bar having this configuration is manufactured using the above-mentioned copper alloy strips for electronic and electrical equipment, it has excellent characteristics even when it is enlarged and thickened for high current applications. Can be demonstrated.
  • copper alloys for electronic and electrical equipment copper alloy strips for electronic and electrical equipment, and copper alloy strips for electronic and electrical equipment, which are excellent in conductivity, strength, stress relaxation resistance, bending workability, and punching workability, and It is possible to provide parts, terminals, and bus bars for electronic / electrical equipment made of the copper alloy strip material for electronic / electrical equipment.
  • the copper alloy for electronic and electrical equipment contains Mg in the range of 100 mass ppm or more and 400 mass ppm or less, Ag in the range of 5 mass ppm or more and 20 mass ppm or less, and the P content is less than 5 mass ppm, and the balance is It has a composition consisting of Cu and unavoidable impurities. That is, the copper alloy for electronic and electrical equipment contains Mg, Ag, and P in the above-mentioned amounts, and the balance consists of Cu and unavoidable impurities.
  • the measurement interval of 0.25 ⁇ m is measured in a measurement area of 10,000 ⁇ m 2 or more with the surface orthogonal to the width direction of rolling as the observation surface.
  • the parent phase is measured by the EBSD method in the step of.
  • the measurement result is analyzed by the data analysis software OIM to obtain the CI value of each measurement point. Excludes measurement points with a CI value of 0.1 or less.
  • the orientation difference of each crystal grain is analyzed by the data analysis software OIM, and the boundary between the measurement points where the orientation difference between the adjacent measurement points is 15 ° or more is defined as the crystal grain boundary.
  • the average particle size A is obtained by Area Fraction using the data analysis software OIM.
  • the matrix is measured by the EBSD method at a step of a measurement interval that is 1/10 or less of the average particle size A.
  • the measurement result is analyzed by the data analysis software OIM in the measurement area where the total area is 10,000 ⁇ m 2 or more in a plurality of fields of view so that the total number of crystal grains is 1000 or more, and the CI value of each measurement point is obtained. Excludes measurement points with a CI value of 0.1 or less.
  • the orientation difference of each crystal grain is analyzed by the data analysis software OIM, and the boundary between the measurement points where the orientation difference between the adjacent measurement points is 15 ° or more is defined as the crystal grain boundary. Corresponding grain boundaries of ⁇ 29 or less are set as special grain boundaries, and other grain boundaries are set as random grain boundaries.
  • the ratio of J2 which is a special grain boundary and one is a random grain boundary, to the total grain boundary 3 emphasis is NF J2. It is assumed that 0.22 ⁇ (NF J2 / (1-NF J3 )) 0.5 ⁇ 0.45 holds.
  • the mother phase is measured twice by the EBSD method. In the first measurement, the average particle size A is obtained. The average particle size A obtained determines the step of the measurement interval in the second measurement.
  • the conductivity is 90% IACS or more.
  • the 0.2% proof stress when the tensile test is performed in the direction parallel to the rolling direction is within the range of 150 MPa or more and 450 MPa or less. .. That is, in the present embodiment, it is a rolled material of a copper alloy for electronic and electrical equipment, and the 0.2% proof stress when a tensile test is performed in a direction parallel to the rolling direction in the final step of rolling is described above. It is stipulated as such.
  • the residual stress ratio is 50% or more at 150 ° C. for 1000 hours.
  • Mg 100 mass ppm or more and 400 mass ppm or less
  • Mg is an element that has the effect of improving heat resistance and stress relaxation resistance without lowering the conductivity by being dissolved in the parent phase of copper. Further, by dissolving Mg in the matrix phase, excellent bending workability can be obtained.
  • the Mg content is less than 100 mass ppm, there is a possibility that the action and effect cannot be fully exerted.
  • the Mg content exceeds 400 mass ppm, the conductivity decreases. From the above, in the present embodiment, the Mg content is set within the range of 100 mass ppm or more and 400 mass ppm or less.
  • the lower limit of the Mg content is preferably 110 mass ppm or more, more preferably 120 mass ppm or more, still more preferably 150 mass ppm or more, and more preferably 200 mass ppm. As mentioned above, it is more preferable to set it to 250 mass ppm or more.
  • the upper limit of the Mg content is preferably 380 mass ppm or less, more preferably 360 mass ppm or less, and even more preferably 350 mass ppm or less.
  • Ag has a narrow solid solution limit at low temperatures and can hardly be dissolved in the parent phase of Cu. Therefore, Ag is solid-solved in copper (the parent phase of Cu) at a high temperature, rapidly cooled, and then warm-processed at 150 ° C. or higher and 350 ° C. or lower, so that one of the Ag solid-solved in the parent phase is performed. The part will segregate into dislocations and grain boundaries introduced by processing. As a result, dislocations and atom diffusion at grain boundaries are suppressed. Therefore, the stress relaxation resistance is further improved by adding a small amount of Ag together with Mg.
  • the Ag content is set within the range of 5 mass ppm or more and 20 mass ppm or less.
  • the lower limit of the Ag content is preferably 6 mass ppm or more, more preferably 7 mass ppm or more, and even more preferably 8 mass ppm or more.
  • the upper limit of the Ag content is preferably 18 mass ppm or less, more preferably 16 mass ppm or less, and further preferably 14 mass ppm or less.
  • P less than 5 mass ppm
  • P solid-solved in the matrix further reacts with Mg to form crystallization during casting and reacts with some unavoidable impurities to form a phosphide.
  • the P content is limited to less than 5 mass ppm.
  • the upper limit of the P content is preferably less than 3.0 mass ppm, more preferably less than 2.5 mass ppm, and more preferably less than 2 mass ppm.
  • unavoidable impurities include B, Ca, Sr, Ba, Sc, Y, rare earth elements, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Re, Fe, Ru, Os, Co, Se, Te, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Au, Zn, Cd, Hg, Al, Ga, In, Ge, Sn, As, Sb, Tl, Pb, Bi, Be, N, C, Examples thereof include Si, Li, H, O and S. These unavoidable impurities are preferably less because they have the effect of lowering the conductivity.
  • the total amount is preferably less than 500 mass ppm.
  • Si, Cr, Ti, Zr, Fe, and Co significantly reduce the conductivity and deteriorate the bending workability due to the formation of inclusions. Therefore, the total amount of these elements is preferably less than 500 mass ppm.
  • the matrix is measured by the EBSD method in a measurement area of 10000 ⁇ m 2 or more in steps of a measurement interval of 0.25 ⁇ m, using a surface orthogonal to the width direction of rolling as an observation surface.
  • the measurement result is analyzed by the data analysis software OIM to obtain the CI value of each measurement point. Excludes measurement points with a CI value of 0.1 or less.
  • the orientation difference of each crystal grain is analyzed by the data analysis software OIM, and the boundary between the measurement points where the orientation difference between the adjacent measurement points is 15 ° or more is defined as the crystal grain boundary.
  • the average particle size A is determined by Area Fraction.
  • the matrix is measured by the EBSD method at a step of a measurement interval that is 1/10 or less of the average particle size A.
  • the measurement result is analyzed by the data analysis software OIM in the measurement area where the total area is 10,000 ⁇ m 2 or more in a plurality of fields of view so that the total number of crystal grains is 1000 or more, and the CI value of each measurement point is obtained. Excludes measurement points with a CI value of 0.1 or less.
  • the orientation difference of each crystal grain is analyzed by the data analysis software OIM, and the boundary between the measurement points where the orientation difference between the adjacent measurement points is 15 ° or more is defined as the crystal grain boundary. Corresponding grain boundaries of ⁇ 29 or less are set as special grain boundaries, and other grain boundaries are set as random grain boundaries.
  • the ratio of J3, which is a special grain boundary to all 3 grain boundaries, is NF J3, and constitutes 3 grain boundaries.
  • the ratio of J2 which is a special grain boundary and one is a random grain boundary, to the total grain boundary 3 emphasis is NF J2. It is assumed that 0.22 ⁇ (NF J2 / (1-NF J3 )) 0.5 ⁇ 0.45 is satisfied.
  • the value of (NF J2 / (1-NF J3 )) 0.5 is set to be in the range of more than 0.22 and 0.45 or less.
  • the lower limit of (NF J2 / (1-NF J3 )) 0.5 is preferably 0.23 or more, more preferably 0.24 or more, and more preferably 0.25 or more. preferable.
  • the upper limit of (NF J2 / (1-NF J3 )) 0.5 is preferably 0.40 or less, and more preferably 0.35 or less.
  • NF J3 is preferably 0.007 or more, more preferably 0.008 or more, and even more preferably 0.010 or more.
  • the NF J3 is preferably 0.036 or less, more preferably 0.034 or less, and further preferably 0.030 or less.
  • Conductivity 90% IACS or higher
  • the conductivity is preferably 92% IACS or higher, more preferably 93% IACS or higher, more preferably 95% IACS or higher, and even more preferably 97% IACS or higher.
  • the upper limit of the conductivity is not particularly limited, but is usually 103% IACS or less.
  • the 0.2% proof stress of 150 MPa or more makes it particularly suitable as a material for terminals such as connectors and press fits and parts for electronic / electrical equipment such as bus bars. It becomes a thing.
  • the 0.2% proof stress when the tensile test is performed in the direction parallel to the rolling direction is 150 MPa or more.
  • the 0.2% proof stress is preferably 450 MPa or less.
  • the lower limit of the 0.2% proof stress described above is preferably 200 MPa or more, and more preferably 220 MPa or more.
  • the upper limit of 0.2% proof stress is preferably 440 MPa or less, and more preferably 430 MPa or less.
  • the residual stress ratio is 50% or more at 150 ° C. and 1000 hours.
  • the residual stress ratio is preferably 60% or more at 150 ° C. and 1000 hours, more preferably 70% or more at 150 ° C. and 1000 hours, and 73% or more at 150 ° C. and 1000 hours. Is more preferable.
  • the above-mentioned elements are added to the molten copper obtained by melting the copper raw material to adjust the components to produce a molten copper alloy.
  • a simple substance, a mother alloy, or the like can be used for adding various elements.
  • the raw material containing the above-mentioned elements may be dissolved together with the copper raw material.
  • the recycled alloy material and the scrap material of the present embodiment may be used.
  • the molten copper is preferably a so-called 4 NCu having a purity of 99.99 mass% or more, or a so-called 5 NCu having a purity of 99.999 mass% or more.
  • the dissolving step, Mg, for inhibiting the oxidation of Ag, also for the reduction of the hydrogen concentration, H 2 vapor pressure of O is their atmosphere lysis by less inert gas atmosphere (e.g. Ar gas), retention time at dissolution Is preferably kept to a minimum.
  • inert gas atmosphere e.g. Ar gas
  • a molten copper alloy whose composition has been adjusted is injected into a mold to produce an ingot.
  • the cooling rate of the molten metal is preferably 0.1 ° C./sec or more, and more preferably 0.5 ° C./sec or more.
  • a heat treatment is performed to homogenize the obtained ingot.
  • Mg and Ag may segregate and concentrate inside the ingot during the solidification process. Therefore, in order to eliminate or reduce these segregations, a heat treatment is performed in which the ingot is heated to 300 ° C. or higher and 900 ° C. or lower. As a result, Mg and Ag are uniformly diffused in the ingot, and Mg and Ag are solid-solved in the matrix.
  • the homogenization step S02 is preferably carried out in a non-oxidizing or reducing atmosphere.
  • Hot working process S03 Segregation of Mg and Ag is likely to occur at the grain boundaries, and it is difficult to control the triple point of the grain boundaries in a structure in which Mg segregation and Ag segregation are present. Therefore, in order to thoroughly homogenize the structure, hot working is performed after the above-mentioned homogenization step S02.
  • the total processing rate of hot working is preferably 50% or more, more preferably 60% or more, and even more preferably 70% or more.
  • the processing method in the hot processing step S03 is not particularly limited, and for example, rolling, drawing, extrusion, groove rolling, forging, pressing, or the like can be adopted.
  • the hot working temperature is preferably in the range of 400 ° C. or higher and 900 ° C. or lower.
  • solution heat treatment is carried out after the hot working step S03 described above.
  • the conditions of the solution step S04 are preferably such that the heating temperature is within the range of 500 ° C. or higher and 900 ° C. or lower, and the holding time at the heating temperature is within the range of 1 second or higher and 10 hours or lower.
  • This solution formation step S04 may also serve as the hot working step S03 described above. In that case, the end temperature of hot working may be set to exceed 500 ° C.
  • Roughing process S05 Roughing is performed in order to process into a predetermined shape.
  • warm working at 100 ° C. or higher and 350 ° C. or lower is carried out at least once.
  • warm working at 100 ° C. or higher and 350 ° C. or lower it is possible to increase the extremely minute recrystallization region during processing, and the structure is randomized during recrystallization in the intermediate heat treatment step S06, which is a later step. At the same time, the total number of random grain boundaries can be increased.
  • the warm working is performed once, it is carried out in the final step of the roughing step S05. Further, instead of the warm processing, the processing heat generated by increasing the processing rate per processing process may be used.
  • the processing rate per pass is 15% or more, preferably 20% or more, and more preferably 30% or more. If the total processing rate is too high, production becomes difficult due to work hardening, so the total rolling rate in this rough processing step S05 is preferably 99% or less.
  • the number of warm workings is preferably two or more times. For example, when the warm working is rolling, the working rate per pass is preferably 15% or more, preferably 20% or more, more preferably 30% or more.
  • the temperature for warm working may be preferably 150 ° C. or higher and 350 ° C. or lower, more preferably 200 ° C. or higher and 350 ° C. or lower.
  • the method of heat treatment is not particularly limited, but the heat treatment is preferably performed in a non-oxidizing atmosphere or a reducing atmosphere at a holding temperature of 400 ° C. or higher and 900 ° C. or lower and a holding time of 10 seconds or longer and 10 hours or lower.
  • the cooling method after heating is not particularly limited, but it is preferable to adopt a method such as water quenching in which the cooling rate is 200 ° C./min or more.
  • the roughing step S05 and the intermediate heat treatment step S06 may be repeated.
  • a finishing process In order to process the copper material after the intermediate heat treatment step S06 into a predetermined shape, a finishing process is performed.
  • this finishing process S07 warm processing at 50 ° C. or higher and lower than 300 ° C. is performed at least once in order to improve the stress relaxation resistance.
  • the processing method and the processing rate differ depending on the final shape, but in the case of strips or plates, rolling may be performed. Further, for the steps other than one or more warm working, normal cold working may be performed. Instead of warm working at 50 ° C.
  • the machining rate per machining step may be increased and the heat generated by the machining may be utilized. In that case, for example, in rolling, the processing rate per pass may be 10% or more. Further, the machining rate is appropriately selected so as to approximate the final shape, but in order to make the tensile strength between 200 MPa and 500 MPa by work hardening in the finish machining step S07, the upper limit of the machining rate is 90. % Or less, more preferably 85% or less, and most preferably 80% or less.
  • the plastic working material obtained in the finishing step S07 is subjected to a finishing heat treatment for improving stress relaxation resistance and low-temperature annealing hardening, or for removing residual strain.
  • the heat treatment temperature is preferably in the range of 100 ° C. or higher and 800 ° C. or lower.
  • the finish heat treatment step S08 it is necessary to set the heat treatment conditions (temperature, time, cooling rate) in order to suppress the number ratio of the special grain boundaries at the three priority grain boundaries due to recrystallization.
  • the holding time is preferably 10 seconds or more and 10 hours or less.
  • This heat treatment is preferably performed in a non-oxidizing atmosphere or a reducing atmosphere.
  • the heat treatment method is not particularly limited, but a high-temperature, short-time heat treatment using a continuous annealing furnace is preferable from the viewpoint of reducing the manufacturing cost. Further, the above-mentioned finish processing step S07 and finish heat treatment step S08 may be repeated.
  • the copper alloy for electronic / electrical equipment (copper alloy strip material for electronic / electrical equipment) according to the present embodiment is produced.
  • the thickness of the copper alloy strips for electronic and electrical equipment is 5.0 mm. If it exceeds, the load of the press machine will be remarkably increased, and the productivity per unit time will be lowered, resulting in high cost. Therefore, in the present embodiment, it is preferable that the thickness of the copper alloy strip material for electronic / electrical equipment is more than 0.5 mm and 5.0 mm or less.
  • the lower limit of the thickness of the copper alloy strip for electronic / electrical equipment is preferably 1.0 mm or more, and more preferably 2.0 mm or more.
  • the copper alloy strip material for electronic / electrical equipment according to the present embodiment may be used as it is for parts for electronic / electrical equipment, but the thickness of one or both sides of the plate surface is 0.1 to 1.
  • a Sn plating layer or an Ag plating layer of about 100 ⁇ m may be formed.
  • terminals such as connectors and press-fits can be obtained.
  • Parts for electronic and electrical equipment such as busbars are molded.
  • the Mg content is in the range of 100 mass ppm or more and 400 mass ppm or less, and the Ag content is in the range of 5 mass ppm or more and 20 mass ppm or less. Therefore, it is possible to improve the strength and stress relaxation resistance without significantly lowering the conductivity. Further, since the P content is less than 5 mass ppm, bending workability can be ensured.
  • the matrix is measured by the EBSD method in a measurement area of 10000 ⁇ m 2 or more in steps of a measurement interval of 0.25 ⁇ m.
  • the measurement result is analyzed by the data analysis software OIM to obtain the CI value of each measurement point. Excludes measurement points with a CI value of 0.1 or less.
  • the orientation difference of each crystal grain is analyzed by the data analysis software OIM, and the boundary between the measurement points where the orientation difference between the adjacent measurement points is 15 ° or more is defined as the crystal grain boundary.
  • the average particle size A is determined by Area Fraction.
  • the matrix is measured by the EBSD method at a step of a measurement interval that is 1/10 or less of the average particle size A.
  • the measurement result is analyzed by the data analysis software OIM in the measurement area where the total area is 10,000 ⁇ m 2 or more in a plurality of fields of view so that the total number of crystal grains is 1000 or more, and the CI value of each measurement point is obtained. Excludes measurement points with a CI value of 0.1 or less.
  • the orientation difference of each crystal grain is analyzed by the data analysis software OIM, and the boundary between the measurement points where the orientation difference between the adjacent measurement points is 15 ° or more is defined as the crystal grain boundary.
  • Corresponding grain boundaries of ⁇ 29 or less are set as special grain boundaries, and other grain boundaries are set as random grain boundaries.
  • the ratio of J3, which is a special grain boundary to all 3 grain boundaries, is NF J3, and constitutes 3 grain boundaries.
  • the ratio of J2 which is a special grain boundary and one is a random grain boundary
  • NF J2 0.22 ⁇ (NF J2 / (1-NF J3 )) 0.5 ⁇ 0.45 holds.
  • the length of the random grain boundary network is long, and fracture along the grain boundaries occurs quickly during press working, so that press punching workability is also excellent.
  • the 0.2% proof stress when the tensile test is performed in the direction parallel to the rolling direction is within the range of 150 MPa or more and 450 MPa or less.
  • the conductivity is 90% IACS or higher. Therefore, it is suitable for electronic / electrical equipment parts that are thickened for high-voltage and large-current applications, and is particularly suitable as a material for terminals such as connectors and press fits, and electronic / electrical equipment parts such as busbars. ing.
  • the residual stress ratio is set to 50% or more at 150 ° C. for 1000 hours. Therefore, even when used in a high temperature environment, permanent deformation can be suppressed to a small level, and for example, a decrease in contact pressure of a connector terminal or the like can be suppressed. Therefore, it can be applied as a material for parts for electronic devices used in a high temperature environment such as an engine room.
  • the copper alloy strip material for electronic / electrical equipment according to the present embodiment is composed of the above-mentioned copper alloy for electronic / electrical equipment, this copper alloy strip material for electronic / electrical equipment should be used. Therefore, it is possible to manufacture terminals such as connectors and press fits, and parts for electronic and electrical equipment such as bus bars.
  • terminals such as connectors and press fits, and parts for electronic and electrical equipment such as bus bars.
  • Sn plating layer or an Ag plating layer is formed on the surface, it is particularly suitable as a material for terminals such as connectors and press fits, and parts for electronic and electrical equipment such as bus bars.
  • the electronic / electrical equipment parts (terminals such as connectors and press fits, bus bars, etc.) of the present embodiment are made of the above-mentioned copper alloy for electronic / electrical equipment, they are enlarged and thickened. Can also exhibit excellent characteristics.
  • the copper alloy for electronic / electrical equipment, the copper alloy strip material for electronic / electrical equipment, and the parts for electronic / electrical equipment (terminals, bus bars, etc.), which are the embodiments of the present invention, have been described above. It is not limited and can be changed as appropriate without departing from the technical requirements of the invention.
  • an example of a method for producing a copper alloy for electronic / electrical equipment has been described, but the method for producing a copper alloy for electronic / electrical equipment is not limited to that described in the embodiment. , The existing manufacturing method may be appropriately selected and manufactured.
  • a copper raw material made of oxygen-free copper (ASTM B152 C10100) having a purity of 99.99 mass% or more is prepared, charged into a high-purity graphite crucible, and high-frequency induction heating is performed in an atmosphere furnace having an Ar gas atmosphere. Dissolved. Each element was added to the obtained molten copper and poured into a carbon mold to produce an ingot having the composition shown in Table 1. Then, a part was cut and cut to obtain an ingot having a thickness of 50 mm, a width of 100 mm, and a length of 100 mm. Then, in an Ar gas atmosphere, heating was performed at 800 ° C. for 4 hours using an electric furnace to perform homogenization treatment.
  • the ingot after the homogenization heat treatment was hot forged to obtain a plate material having a height of about 25 mm and a width of about 150 mm.
  • Hot forging should be performed at 500 ° C or higher, and when the surface temperature drops to 500 ° C or lower, it is reheated in an electric furnace maintained at 800 ° C, and when the surface temperature reaches about 600 ° C, it is heated again. Inter-forging was carried out. The temperature at the end of hot forging was 500 ° C. or higher.
  • a 1-minute solution heat treatment was carried out in an electric furnace heated to 800 ° C.
  • the rolling roll was heated to 300 ° C., and rough rolling was carried out until the thickness shown in Table 1 was reached.
  • an intermediate heat treatment was performed using an electric furnace and a salt bath furnace under the temperature conditions shown in Table 1.
  • the heat treatment using an electric furnace was carried out in an Ar atmosphere.
  • the average crystal grain size after the intermediate heat treatment was adjusted to be 10 ⁇ m or more and less than 30 ⁇ m.
  • the average crystal grain size after the intermediate heat treatment was adjusted to be 30 ⁇ m or more and less than 50 ⁇ m.
  • the average crystal grain size after the intermediate heat treatment was examined as follows.
  • a surface orthogonal to the width direction of rolling that is, a TD (Transverse Direction) surface was used as an observation surface, and mirror polishing and etching were performed.
  • the photograph was taken with an optical microscope so that the rolling direction was on the side of the photograph, and observation was performed with a field of view of 1000 times (about 300 ⁇ 200 ⁇ m 2).
  • five line segments having a predetermined length were drawn at predetermined intervals in the vertical and horizontal directions of the photograph according to the cutting method of JIS H 0501 for the crystal grain size. The number of crystal grains that were completely cut was counted, and the average value of the cutting length was calculated as the average crystal grain size.
  • the plate material that had undergone the intermediate heat treatment was cut and surface ground to remove the oxide film. Then, the rolling roll was heated to 200 ° C., and finish rolling (finishing) was carried out at the rolling rates shown in Table 1 to produce a thin plate having the thickness shown in Table 1. Then, after finish rolling (finish processing), a finish heat treatment is performed using a hot plate or a salt bath furnace under the conditions shown in Table 1, and then water quenching is performed to perform a thin plate for character evaluation (a strip material for character evaluation). ) was prepared.
  • the EBSD measuring device and OIM analysis software are used to obtain the following grain boundaries (special grain boundaries and random grain boundaries) and grains. The three boundaries were measured. Mechanical polishing was performed using water-resistant abrasive paper and diamond abrasive grains. Then, finish polishing was performed using a colloidal silica solution. Then, the EBSD measuring device (Quanta FEG 450 manufactured by FEI, OIM Data Collection manufactured by EDAX / TSL (currently AMETEK)) and the analysis software (EDAX / TSL (currently AMETEK) OIM Data Analysis ver.
  • the matrix was measured by the EBSD method in a measurement area of 10000 ⁇ m 2 or more in steps of an electron beam acceleration voltage of 20 kV and a measurement interval of 0.25 ⁇ m.
  • the measurement result was analyzed by the data analysis software OIM to obtain the CI value of each measurement point.
  • the orientation difference of each crystal grain was analyzed by the data analysis software OIM except for the measurement points having a CI value of 0.1 or less.
  • the boundary between the measurement points where the orientation difference between the adjacent measurement points is 15 ° or more is defined as the grain boundary.
  • the average particle size A was determined by Area Fraction.
  • the matrix was measured by the EBSD method at the step of the measurement interval in which the average particle size was 1/10 or less of the average particle size A.
  • the measurement results were analyzed by the data analysis software OIM in a measurement area where the total area was 10,000 ⁇ m 2 or more in a plurality of fields of view so that a total of 1000 or more crystal grains were included, and the CI value of each measurement point was obtained.
  • the orientation difference of each crystal grain was analyzed by the data analysis software OIM except for the measurement points having a CI value of 0.1 or less.
  • the boundary between the measurement points where the orientation difference between the adjacent measurement points is 15 ° or more is defined as the grain boundary.
  • the special grain boundary and the random grain boundary were identified by using the value of CSL sigma value calculated by the Neighboring grid point. Corresponding grain boundaries exceeding ⁇ 29 were regarded as random grain boundaries.
  • test piece having a width of 10 mm and a length of 150 mm was sampled from the strip material for character evaluation, and the electrical resistance was determined by the 4-terminal method. In addition, the dimensions of the test piece were measured using a micrometer, and the volume of the test piece was calculated. Then, the conductivity was calculated from the measured electric resistance value and volume. The test piece was collected so that its longitudinal direction was parallel to the rolling direction of the strip material for character evaluation.
  • Stress relaxation resistance In the stress relaxation resistance property test, stress was applied by a method similar to the cantilever beam type of the Japan Copper and Brass Association technical standard JCBA-T309: 2004, and the residual stress rate after holding at a temperature of 150 ° C. for 1000 hours was measured. ..
  • a test piece (width 10 mm) is collected from each characteristic evaluation strip in a direction parallel to the rolling direction, and the initial deflection displacement is set so that the maximum surface stress of the test piece is 80% of the proof stress. was set to 2 mm, and the span length was adjusted.
  • Bending was performed in accordance with the four test methods of the Japan Copper and Brass Association technical standard JCBA-T307: 2007.
  • a W type with a bending angle of 90 degrees and a bending radius of 0.05 mm was collected from a plurality of test pieces having a width of 10 mm and a length of 30 mm so that the rolling direction and the longitudinal direction of the test piece were perpendicular to each other.
  • the W bending test was performed using the jig of. Then, the outer peripheral portion of the bent portion was visually confirmed, and when a crack was observed, it was determined as "C" (poor), and when the crack could not be confirmed, it was determined as "B" (good).
  • Comparative Example 1 since the Mg content was less than the range of this embodiment, the stress relaxation resistance was low. Therefore, the bending workability and punching property were not evaluated.
  • Comparative Example 2 since the Ag content was less than the range of this embodiment, the stress relaxation resistance was low. Therefore, the bending workability and punching property were not evaluated.
  • Comparative Example 3 since the content of P was higher than the range of this embodiment, the bending workability was “C” (poor). Therefore, the stress relaxation resistance and punching property were not evaluated.
  • Comparative Example 4 (NF J2 / (1-NF J3 )) 0.5 was larger than the range of the present embodiment, the network length of the random grain boundaries was shortened, and the punching workability was lowered.
  • the example of the present invention it is confirmed that it is excellent in 0.2% proof stress, conductivity, stress relaxation resistance, bending workability, and punching workability. From the above, according to the example of the present invention, copper alloys for electronic / electrical equipment and copper alloy strips for electronic / electrical equipment, which are excellent in conductivity, strength, stress relaxation resistance, bending workability, and punching workability. It was confirmed that we can provide.
  • the copper alloy for electronic / electrical equipment and the copper alloy strip material for electronic / electric equipment of this embodiment can be suitably applied to terminals such as connectors and press fits, and parts for electronic / electric equipment such as bus bars.

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Abstract

この電子・電気機器用銅合金は、Mg:100massppm以上400massppm以下、Ag:5massppm以上20massppm以下、及びP:5massppm未満を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなり、粒界3重点を構成する3つの粒界全てが特殊粒界であるJ3の全粒界3重点に対する割合をNFJ3とし、粒界3重点を構成する2つの粒界が特殊粒界であり、1つがランダム粒界であるJ2の全粒界3重点に対する割合をNFJ2としたとき、0.22<(NFJ2/(1-NFJ3))0.5≦0.45が成り立つ。

Description

電子・電気機器用銅合金、電子・電気機器用銅合金板条材、電子・電気機器用部品、端子、及び、バスバー
 本発明は、コネクタやプレスフィット等の端子、バスバー等の電子・電気機器用部品に適した電子・電気機器用銅合金、この電子・電気機器用銅合金からなる電子・電気機器用銅合金板条材、電子・電気機器用部品、端子、及び、バスバーに関するものである。
 本願は、2019年9月27日に、日本に出願された特願2019-177145号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
 従来、コネクタやプレスフィット等の端子、バスバー等の電子・電気機器用部品には、導電性の高い銅又は銅合金が用いられている。
 ここで、電子機器や電気機器等の大電流化にともない、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散のために、これら電子機器や電気機器等に使用される電子・電気機器用部品の大型化、厚肉化が図られている。このため、電子・電気機器用部品を構成する材料には、高い導電率、曲げ加工性、プレス加工時の打ち抜き加工性が求められている。また、自動車のエンジンルーム等の高温環境下で使用されるコネクタの端子等においては、耐応力緩和特性も求められている。
 ここで、コネクタやプレスフィット等の端子、バスバー等の電子・電気機器用部品に使用される材料として、例えば特許文献1には、Cu-Mg合金が提案されている。
 ここで、特許文献1に記載されたCu-Mg合金においては、耐応力緩和特性を溶質元素の添加により改善させているため、導電率は純銅と比較して劣っていた。そのため、さらに高い導電率を持ちつつ、大電流化による発熱に対応できる、高い耐応力緩和特性を持つ材料の開発が望まれていた。さらには打ち抜き性については何も述べられていない。
特開2016-056414号公報
 この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、導電性、強度、耐応力緩和特性、曲げ加工性、打ち抜き加工性に優れた電子・電気機器用銅合金、電子・電気機器用銅合金板条材、及び、この電子・電気機器用銅合金板条材からなる電子・電気機器用部品、端子、及び、バスバーを提供することを目的とする。
 この課題を解決するために、本発明者らが鋭意検討した結果、合金中に含有されるMg及びAgの含有量を所定の範囲内に設定するとともに、Pの含有量を制限することで導電率、強度、耐応力緩和特性、曲げ加工性を向上させることが可能であるとの知見を得た。
 また、上述の銅合金において、圧延の幅方向に対して直交する面を観察面として、母相をEBSD法により解析した結果、粒界3重点を構成する特殊粒界及びランダム粒界の比率を規定することにより、プレス加工時において亀裂が粒界に沿って進展しやすくなり、プレス加工時の打ち抜き加工性も向上させることが可能となるとの知見を得た。
 この課題を解決するために、本発明の一態様に係る電子・電気機器用銅合金は、Mgを100massppm以上400massppm以下の範囲内、Agを5massppm以上20massppm以下の範囲内で含有し、さらにPの含有量が5massppm未満であり、残部がCuおよび不可避不純物からなり、
 圧延の幅方向に対して直交する面を観察面として、母相をEBSD法により10000μm以上の測定面積にて、0.25μmの測定間隔のステップで測定し、測定結果をデータ解析ソフトOIMにより解析して各測定点のCI値を得て、CI値が0.1以下である測定点を除いて、各結晶粒の方位差の解析を行い、隣接する測定点間の方位差が15°以上となる測定点間の境界を結晶粒界とし、Area Fractionにより平均粒径Aを求め、平均粒径Aの10分の1以下となる測定間隔のステップで母相をEBSD法により測定して、総数1000個以上の結晶粒が含まれるように、複数視野で10000μm以上となる測定面積で、測定結果をデータ解析ソフトOIMにより解析して各測定点のCI値を得て、CI値が0.1以下である測定点を除いて、各結晶粒の方位差の解析を行い、隣接する測定点間の方位差が15°以上となる測定点間の境界を結晶粒界とし、Σ29以下の対応粒界を特殊粒界とし、それ以外をランダム粒界とした際、OIMから解析された粒界3重点において、粒界3重点を構成する3つの粒界全てが特殊粒界であるJ3の全粒界3重点に対する割合をNFJ3とし、粒界3重点を構成する2つの粒界が特殊粒界であり、1つがランダム粒界であるJ2の全粒界3重点に対する割合をNFJ2としたとき、
 0.22<(NFJ2/(1-NFJ3))0.5≦0.45が成り立つことを特徴としている。
 なお、EBSD法とは、後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡による電子線反射回折法(Electron Backscatter Diffraction Patterns:EBSD)を意味し、またOIMは、EBSDによる測定データを用いて結晶方位を解析するためのデータ解析ソフト(Orientation Imaging Microscopy:OIM)である。さらにCI値とは、信頼性指数(Confidence Index)であって、EBSD装置の解析ソフトOIM Analysis(Ver.7.3.1)を用いて解析したときに、結晶方位決定の信頼性を表す数値として表示される数値である(例えば、「EBSD読本:OIMを使用するにあたって(改定第3版)」鈴木清一著、2009年9月、株式会社TSLソリューションズ発行)。
 ここで、EBSD法により測定してOIMにより解析した測定点の組織が加工組織である場合、結晶パターンが明確ではないため結晶方位決定の信頼性が低くなり、CI値が低くなる。特に、CI値が0.1以下の場合にその測定点の組織が加工組織であると判断される。
 また、特殊粒界とは、結晶学的にCSL理論(Kronberg et al:Trans.Met.Soc.AIME,185,501(1949))に基づき定義されるΣ値で3≦Σ≦29に属する対応粒界であって、かつ、当該対応粒界における固有対応部位格子方位欠陥Dqが、Dq≦15°/Σ1/2(D.G.Brandon:Acta.Metallurgica.Vol.14,p.1479,(1966))を満たす結晶粒界であるとして定義される。
 一方、ランダム粒界とは、Σ値が29以下の対応方位関係があってかつDq≦15°/Σ1/2を満たす特殊粒界以外の粒界である。すなわち、特殊粒界は、Σ値が29以下の対応方位関係があってかつDq≦15°/Σ1/2を満たし、この特殊粒界以外の粒界がランダム粒界である。
 なお、粒界3重点としては、3つの粒界がすべてランダム粒界であるJ0、1つの粒界が特殊粒界であるとともに2つの粒界がランダム粒界であるJ1、2つの粒界が特殊粒界であるとともに1つがランダム粒界であるJ2、3つの粒界がすべて特殊粒界であるJ3の4種類が存在している。
 よって、粒界3重点を構成する3つの粒界全てが特殊粒界であるJ3の全粒界3重点に対する割合NFJ3(全ての粒界3重点の個数に対するJ3の個数の比)は、J0の総数をΣJ0、J1の総数をΣJ1、J2の総数をΣJ2、J3の総数をΣJ3としたとき、NFJ3=ΣJ3/(ΣJ0+ΣJ1+ΣJ2+ΣJ3)で定義される。
 また、粒界3重点を構成する2つの粒界が特殊粒界であり、1つがランダム粒界であるJ2の全粒界3重点に対する割合NFJ2(全ての粒界3重点の個数に対するJ2の個数の比)は、NFJ2=ΣJ2/(ΣJ0+ΣJ1+ΣJ2+ΣJ3)で定義される。
 上述の構成の電子・電気機器用銅合金によれば、Mgの含有量が100massppm以上400massppm以下の範囲内、Agの含有量が5massppm以上20massppm以下の範囲内とされているので、導電率を大きく低下させることなく、強度、耐応力緩和特性を向上させることが可能となる。
 また、Pの含有量が5massppm未満とされているので、曲げ加工性を確保することができる。
 また、圧延の幅方向に対して直交する面を観察面として、EBSD法により10000μm以上の測定面積にて、0.25μmの測定間隔のステップで母相を測定する。測定結果をデータ解析ソフトOIMにより解析して各測定点のCI値を得る。CI値が0.1以下である測定点を除く。データ解析ソフトOIMにより各結晶粒の方位差の解析を行い、隣接する測定点間の方位差が15°以上となる測定点間の境界を結晶粒界とする。Area Fractionにより平均粒径Aを求める。平均粒径Aの10分の1以下となる測定間隔のステップで母相をEBSD法により測定する。総数1000個以上の結晶粒が含まれるように、複数視野で合計面積が10000μm以上となる測定面積で、測定結果をデータ解析ソフトOIMにより解析して各測定点のCI値を得る。CI値が0.1以下である測定点を除く。データ解析ソフトOIMにより各結晶粒の方位差の解析を行い、隣接する測定点間の方位差が15°以上となる測定点間の境界を結晶粒界とする。Σ29以下の対応粒界を特殊粒界とし、それ以外をランダム粒界とする。OIMから解析された粒界3重点において、粒界3重点を構成する3つの粒界全てが特殊粒界であるJ3の全粒界3重点に対する割合をNFJ3とし、粒界3重点を構成する2つの粒界が特殊粒界であり、1つがランダム粒界であるJ2の全粒界3重点に対する割合をNFJ2とする。
 本発明の一態様に係る電子・電気機器用銅合金は、0.22<(NFJ2/(1-NFJ3))0.5≦0.45を満たしているので、粒界に沿って亀裂が進展しやすくなり、プレス加工時の打ち抜き加工性を向上させることが可能となる。
 ここで、本発明の一態様に係る電子・電気機器用銅合金においては、導電率が90%IACS以上であることが好ましい。
 この場合、導電率が十分に高いため、従来、純銅を用いていた用途にも適用することが可能となる。
 さらに、本発明の一態様に係る電子・電気機器用銅合金においては、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の0.2%耐力が150MPa以上450MPa以下の範囲内であることが好ましい。
 この場合、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の0.2%耐力が150MPa以上450MPa以下の範囲内とされているので、厚さ0.5mmを超える板条材としてコイル状に巻き取っても、巻き癖がつくことがなく、取り扱いが容易となり、高い生産性を達成することができる。このため、大電流・高電圧向けのコネクタやプレスフィット等の端子、バスバー等の電子・電気機器用部品の銅合金として特に適している。
 また、本発明の一態様に係る電子・電気機器用銅合金においては、残留応力率が150℃、1000時間で50%以上であることが好ましい。
 この場合、残留応力率が上述のように規定されていることから、高温環境下で使用した場合であっても永久変形を小さく抑えることができ、例えばコネクタ端子等の接圧の低下を抑制することができる。よって、エンジンルーム等の高温環境下で使用される電子機器用部品の素材として適用することが可能となる。
 本発明の一態様に係る電子・電気機器用銅合金板条材は、上述の電子・電気機器用銅合金からなり、厚さが0.5mm超えとされていることを特徴としている。
 この構成の電子・電気機器用銅合金板条材によれば、上述の電子・電気機器用銅合金で構成されていることから、導電性、強度、耐応力緩和特性、打ち抜き加工性に優れており、厚肉化したコネクタやプレスフィット等の端子、バスバー等の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。
 ここで、本発明の一態様に係る電子・電気機器用銅合金板条材においては、表面にSnめっき層又はAgめっき層を有することが好ましい。
 この場合、表面にSnめっき層又はAgめっき層を有しているので、コネクタやプレスフィット等の端子、バスバー等の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。なお、本発明の一態様において、「Snめっき」は、純Snめっき又はSn合金めっきを含み、「Agめっき」は、純Agめっき又はAg合金めっきを含む。
 本発明の一態様に係る電子・電気機器用部品は、上述の電子・電気機器用銅合金板条材からなることを特徴としている。なお、本発明の一態様における電子・電気機器用部品とは、コネクタやプレスフィット等の端子、バスバー等を含むものである。
 この構成の電子・電気機器用部品は、上述の電子・電気機器用銅合金板条材を用いて製造されているので、大電流用途に対応して大型化および厚肉化した場合であっても優れた特性を発揮することができる。
 本発明の一態様に係る端子は、上述の電子・電気機器用銅合金板条材からなることを特徴としている。
 この構成の端子は、上述の電子・電気機器用銅合金板条材を用いて製造されているので、大電流用途に対応して大型化および厚肉化した場合であっても優れた特性を発揮することができる。
 本発明の一態様に係るバスバーは、上述の電子・電気機器用銅合金板条材からなることを特徴としている。
 この構成のバスバーは、上述の電子・電気機器用銅合金板条材を用いて製造されているので、大電流用途に対応して大型化および厚肉化した場合であっても優れた特性を発揮することができる。
 本発明の一態様によれば、導電性、強度、耐応力緩和特性、曲げ加工性、打ち抜き加工性に優れた電子・電気機器用銅合金、電子・電気機器用銅合金板条材、及び、この電子・電気機器用銅合金板条材からなる電子・電気機器用部品、端子、及び、バスバーを提供することができる。
本実施形態である電子・電気機器用銅合金の製造方法のフロー図である。
 以下に、本発明の一実施形態である電子・電気機器用銅合金について説明する。
 本実施形態である電子・電気機器用銅合金は、Mgを100massppm以上400massppm以下の範囲内、Agを5massppm以上20massppm以下の範囲内で含有し、さらにPの含有量が5massppm未満であり、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する。すなわち、電子・電気機器用銅合金は、Mg,Ag,及びPを上述した量で含み、残部がCuおよび不可避不純物からなる。
 そして、本発明の一実施形態である電子・電気機器用銅合金においては、圧延の幅方向に対して直交する面を観察面として、10000μm以上の測定面積にて、0.25μmの測定間隔のステップで母相をEBSD法により測定する。測定結果をデータ解析ソフトOIMにより解析して各測定点のCI値を得る。CI値が0.1以下である測定点を除く。データ解析ソフトOIMにより各結晶粒の方位差の解析を行い、隣接する測定点間の方位差が15°以上となる測定点間の境界を結晶粒界とする。データ解析ソフトOIMを用いてArea Fractionにより平均粒径Aを求める。平均粒径Aの10分の1以下となる測定間隔のステップで母相をEBSD法により測定する。総数1000個以上の結晶粒が含まれるように、複数視野で合計面積が10000μm以上となる測定面積で、測定結果をデータ解析ソフトOIMにより解析して各測定点のCI値を得る。CI値が0.1以下である測定点を除く。データ解析ソフトOIMにより各結晶粒の方位差の解析を行い、隣接する測定点間の方位差が15°以上となる測定点間の境界を結晶粒界とする。Σ29以下の対応粒界を特殊粒界とし、それ以外をランダム粒界とする。OIMから解析された粒界3重点において、粒界3重点を構成する3つの粒界全てが特殊粒界であるJ3の全粒界3重点に対する割合をNFJ3とし、粒界3重点を構成する2つの粒界が特殊粒界であり、1つがランダム粒界であるJ2の全粒界3重点に対する割合をNFJ2としたとき、
 0.22<(NFJ2/(1-NFJ3))0.5≦0.45が成り立つものとされている。
 以上のように、母相をEBSD法により2回測定する。1回目の測定では、平均粒径Aを得る。得られた平均粒径Aにより、2回目の測定での測定間隔のステップを決める。
 また、本実施形態である電子・電気機器用銅合金においては、導電率が90%IACS以上とされていることが好ましい。
 さらに、本実施形態である電子・電気機器用銅合金においては、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の0.2%耐力が150MPa以上450MPa以下の範囲内であることが好ましい。すなわち、本実施形態では、電子・電気機器用銅合金の圧延材とされており、圧延の最終工程における圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の0.2%耐力が上述のように規定されているのである。
 また、本実施形態である電子・電気機器用銅合金においては、残留応力率が150℃、1000時間で50%以上とされていることが好ましい。
 ここで、上述のように成分組成、結晶組織、各種特性を規定した理由について以下に説明する。
(Mg:100massppm以上400massppm以下)
 Mgは、銅の母相中に固溶することで、導電率を低下させることなく、耐熱性及び耐応力緩和特性を向上させる作用効果を有する元素である。また、Mgを母相中に固溶させることにより、優れた曲げ加工性が得られる。
 ここで、Mgの含有量が100massppm未満の場合には、その作用効果を十分に奏功せしめることができなくなるおそれがある。一方、Mgの含有量が400massppmを超える場合には、導電率が低下する。
 以上のことから、本実施形態では、Mgの含有量を100massppm以上400massppm以下の範囲内に設定している。
 なお、強度および耐応力緩和特性をさらに向上させるためには、Mgの含有量の下限を110massppm以上とすることが好ましく、120massppm以上とすることがさらに好ましく、さらに好ましくは150massppm以上、より好ましくは200massppm以上、250massppm以上とすることがより好ましい。一方、導電率の低下を確実に抑制するためには、Mgの含有量の上限を380massppm以下とすることが好ましく、360massppm以下とすることがさらに好ましく、350masppm以下とすることがより好ましい。
(Ag:5massppm以上20massppm以下)
 Agは、低温では固溶限が狭く、ほとんどCuの母相中に固溶することができない。このため、高温でAgを銅(Cuの母相)に固溶させて急冷し、次いで例えば150℃以上350℃以下の温間加工を施すことで、母相に固溶しているAgの一部が、加工によって導入された転位や粒界に偏析することとなる。この結果、転位や粒界での原子の拡散が抑制される。このため、Mgとともに微量のAgを添加することによって耐応力緩和特性が一層向上する。
 ここで、Agの含有量が5massppm未満の場合には、その作用効果を十分に奏功せしめることができなくなるおそれがある。一方、Agの含有量が20massppmを超える場合には、さらなる効果は認められず、製造コストが増加する。
 以上のことから、本実施形態では、Agの含有量を5massppm以上20massppm以下の範囲内に設定している。
 なお、強度および耐応力緩和特性をさらに向上させるためには、Agの含有量の下限を6massppm以上とすることが好ましく、7massppm以上とすることがさらに好ましく、8massppm以上とすることがより好ましい。一方、製造コストをさらに抑制するためには、Agの含有量の上限を18massppm以下とすることが好ましく、16massppm以下とすることがさらに好ましく、14masppm以下とすることがより好ましい。
(P:5massppm未満)
 銅中に含まれる微量のPは、一部粒界に偏析し、粒界近傍の拡散を促進させる効果があり、耐応力緩和特性を低下させる。一方、Pの含有量が十分に増えると、母相に固溶したPは、さらにMgと反応して鋳造中に晶出物を生成し、一部の不可避不純物と反応してリン化物を形成する。これらの晶出物やリン化物は曲げ加工時の破壊の起点となるため、冷間加工時や曲げ加工時に割れが発生しやすくなる。
 このため、本実施形態では、Pの含有量を5massppm未満に制限している。
 なお、割れの発生をさらに抑制するためには、Pの含有量の上限を3.0massppm未満、さらには2.5massppm未満とすることが好ましく、2massppm未満とすることがより好ましい。
(不可避不純物)
 その他の不可避不純物としては、B、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、希土類元素、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Ru、Os、Co、Se、Te、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Au、Zn、Cd,Hg、Al、Ga、In、Ge、Sn、As、Sb、Tl、Pb、Bi、Be、N、C、Si、Li、H、O、S等が挙げられる。これらの不可避不純物は、導電率を低下させる作用があることから、より少ないことが好ましい。
 また、Zn、Snは銅中に容易に混入して導電率を低下させるため、総量で500massppm未満とすることが好ましい。
 さらにSi、Cr、Ti、Zr、Fe、Coは、特に導電率を大きく減少させるとともに、介在物の形成により曲げ加工性を劣化させるため、これらの元素は総量で500massppm未満とすることが好ましい。
(粒界3重点の割合)
 プレス加工時における打ち抜き加工性は、破断時のかえり高さが小さいほど優れていることになる。ここで、プレス加工を行う材料の厚さが増すほど、相対的にかえり高さが高くなる傾向にある。
 プレス加工時のかえり高さを低減するためには、プレス加工時に破断が粒界に沿って速やかに発生すればよい。ランダム粒界のネットワーク長が長くなると、粒界に沿った破断が生じやすくなる。ランダム粒界のネットワーク長を長くするためには、粒界3重点を構成する3つの粒界のうち全てが、Σ29以下であらわされる特殊粒界であるJ3、もしくは3つのうち2つが特殊粒界であるJ2の割合を制御することが重要である。
 そのため、本実施形態においては、圧延の幅方向に対して直交する面を観察面として、EBSD法により10000μm以上の測定面積にて、0.25μmの測定間隔のステップで母相を測定する。測定結果をデータ解析ソフトOIMにより解析して各測定点のCI値を得る。CI値が0.1以下である測定点を除く。データ解析ソフトOIMにより各結晶粒の方位差の解析を行い、隣接する測定点間の方位差が15°以上となる測定点間の境界を結晶粒界とする。Area Fractionにより平均粒径Aを求める。平均粒径Aの10分の1以下となる測定間隔のステップで母相をEBSD法により測定する。総数1000個以上の結晶粒が含まれるように、複数視野で合計面積が10000μm以上となる測定面積で、測定結果をデータ解析ソフトOIMにより解析して各測定点のCI値を得る。CI値が0.1以下である測定点を除く。データ解析ソフトOIMにより各結晶粒の方位差の解析を行い、隣接する測定点間の方位差が15°以上となる測定点間の境界を結晶粒界とする。Σ29以下の対応粒界を特殊粒界とし、それ以外をランダム粒界とする。OIMから解析された粒界3重点において、粒界3重点を構成する3つの粒界全てが特殊粒界であるJ3の全粒界3重点に対する割合をNFJ3とし、粒界3重点を構成する2つの粒界が特殊粒界であり、1つがランダム粒界であるJ2の全粒界3重点に対する割合をNFJ2としたとき、
 0.22<(NFJ2/(1-NFJ3))0.5≦0.45を満足するものとしている。
 ここで、(NFJ2/(1-NFJ3))0.5が0.45を超えると、ランダム粒界のネットワーク長が相対的に短くなり、特殊粒界のネットワーク長が長くなるため、プレス加工時のかえり高さが高くなる。一方、(NFJ2/(1-NFJ3))0.5が0.22以下の場合は、実質的に加工組織となり、耐力が500MPaを超えてしまうおそれがあり、厚板化した際にコイルの巻き癖が強くなり、生産性が低下してしまう。このため、本実施形態においては、(NFJ2/(1-NFJ3))0.5の値を、0.22を超え0.45以下の範囲内とする。
 なお、(NFJ2/(1-NFJ3))0.5の下限は、0.23以上であることが好ましく、0.24以上であることがさらに好ましく、0.25以上であることがより好ましい。一方、(NFJ2/(1-NFJ3))0.5の上限は、0.40以下であることが好ましく、0.35以下であることがさらに好ましい。
 粒界ネットワークを考えたとき、J0やJ1のランダム粒界がJ3を構成する特殊粒界とネットワークを形成するためには、J3の数に応じてJ2の数が増加することとなる。すなわち、NFJ3が増えるとともにNFJ2も増えることとなる。そのため、NFJ3は0.007以上が好ましく、0.008以上がより好ましく、0.010以上がさらに好ましい。また、かえり高さを抑制するためには、NFJ3は0.036以下が好ましく、0.034以下がより好ましく、0.030以下がさらに好ましい。
(導電率:90%IACS以上)
 導電率が90%IACS以上である場合には、通電時の発熱が抑えられるため、純銅の代替としてコネクタ等の端子、リレー、リードフレーム等の電子機器用部品に特に適している。
 なお、導電率は92%IACS以上であることが好ましく、93%IACS以上がさらに好ましく、95%IACS以上がより好ましく、97%IACS以上がより一層好ましい。
 導電率の上限値は、特に限定されないが、通常、103%IACS以下である。
(0.2%耐力:150MPa以上450MPa以下)
 本実施形態である電子・電気機器用銅合金においては、0.2%耐力を150MPa以上とすることにより、コネクタやプレスフィット等の端子、バスバー等の電子・電気機器用部品の素材として特に適するものとなる。なお、本実施形態では、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の0.2%耐力が150MPa以上とされている。プレスによってコネクタやプレスフィット等の端子、バスバー等を製造する際には、生産性を向上させるため、コイル巻きされた条材が用いられるが、0.2%耐力が450MPaを超えるとコイルの巻き癖がつき生産性が低下する。このため、0.2%耐力は450MPa以下とすることが好ましい。
 上述の0.2%耐力の下限は、200MPa以上であることが好ましく、220MPa以上であることがさらに好ましい。また、0.2%耐力の上限は、440MPa以下であることが好ましく、430MPa以下であることがさらに好ましい。
(残留応力率:50%以上)
 本実施形態である電子・電気機器用銅合金においては、上述のように、残留応力率が、150℃、1000時間で50%以上とされている。
 この条件における残留応力率が高い場合には、高温環境下で使用した場合であっても永久変形を小さく抑えることができ、接圧の低下を抑制することができる。よって、本実施形態である銅圧延板は、自動車のエンジンルーム周りのような高温環境下で使用される端子として適用することが可能となる。
 なお、残留応力率は、150℃、1000時間で60%以上とすることが好ましく、150℃、1000時間で70%以上とすることがさらに好ましく、150℃、1000時間で73%以上とすることがより好ましい。
 次に、このような構成とされた本実施形態である電子・電気機器用銅合金の製造方法について、図1に示すフロー図を参照して説明する。
(溶解・鋳造工程S01)
 まず、銅原料を溶解して得られた銅溶湯に、前述の元素を添加して成分調整を行い、銅合金溶湯を製出する。なお、各種元素の添加には、元素単体や母合金等を用いることができる。また、上述の元素を含む原料を銅原料とともに溶解してもよい。また、本実施形態の合金のリサイクル材およびスクラップ材を用いてもよい。ここで、銅溶湯は、純度が99.99mass%以上とされたいわゆる4NCu、あるいは純度が99.999mass%以上とされたいわゆる5NCuとすることが好ましい。溶解工程では、Mg,Agの酸化を抑制するため、また水素濃度の低減のため、HOの蒸気圧が低い不活性ガス雰囲気(例えばArガス)による雰囲気溶解を行い、溶解時の保持時間は最小限に留めることが好ましい。
 そして、成分調整された銅合金溶湯を鋳型に注入して鋳塊を製出する。なお、量産を考慮した場合には、連続鋳造法または半連続鋳造法を用いることが好ましい。
 溶湯の冷却速度は0.1℃/sec以上とすることが好ましく、0.5℃/sec以上とすることがさらに好ましい。
(均質化工程S02)
 次に、得られた鋳塊の均質化のために加熱処理を行う。鋳塊の内部には、凝固の過程においてMg,Agが偏析して濃縮することがある。
 そこで、これらの偏析を消失または低減させるために、鋳塊を300℃以上900℃以下にまで加熱する加熱処理を行う。これにより、鋳塊内において、Mg,Agを均質に拡散させたり、Mg,Agを母相中に固溶させたりする。なお、この均質化工程S02は、非酸化性または還元性雰囲気中で実施することが好ましい。
(熱間加工工程S03)
 Mg,Agの偏析は粒界に生じやすく、Mg偏析およびAg偏析が存在する組織では、粒界3重点の制御が難しくなる。
 そこで、組織の均一化の徹底のため、前述の均質化工程S02の後に熱間加工を実施する。熱間加工の総加工率は50%以上とすることが好ましく、60%以上とすることがさらに好ましく、70%以上であることがより好ましい。この熱間加工工程S03における加工方法に特に限定はなく、例えば圧延、線引き、押出、溝圧延、鍛造、プレス等を採用することができる。また、熱間加工温度は、400℃以上900℃以下の範囲内とすることが好ましい。
(溶体化工程S04)
 粒界におけるMg偏析およびAg偏析の解消を徹底するために、前述の熱間加工工程S03の後に、溶体化熱処理を実施する。溶体化工程S04の条件は、加熱温度を500℃以上900℃以下の範囲内、加熱温度での保持時間を1秒以上10時間以下の範囲内とすることが好ましい。この溶体化工程S04は、前述の熱間加工工程S03と兼ねてもよい。その場合は熱間加工の終了温度を500℃超えとすればよい。
(粗加工工程S05)
 所定の形状に加工するために、粗加工を行う。なお、この粗加工工程S05では、100℃以上350℃以下の温間加工を1回以上実施する。100℃以上350℃以下の温間加工を実施することで、加工中に極微小な再結晶領域を増加させることができ、後の工程である中間熱処理工程S06の再結晶時に組織がランダム化するとともに、ランダム粒界の総数を増加させることができる。温間加工を1回とする場合は、粗加工工程S05の最終工程で実施する。
 また、温間加工に代わって、1加工工程あたりの加工率を上げることによる加工発熱を利用してもよい。その場合は、例えば圧延では1パスあたりの加工率を15%以上、好ましくは20%以上、より好ましくは30%以上で実施することが好ましい。
 総加工率が高すぎる場合、加工硬化により製造が困難となるため、この粗加工工程S05での総圧延率は99%以下とすることが好ましい。
 温間加工の回数は望ましくは2回以上実施することが好ましい。例えば温間加工が圧延の場合、1パスあたりの加工率を15%以上、好ましくは20%以上、より好ましくは30%以上で実施することが好ましい。
 温間加工の温度については、好ましくは150℃以上350℃以下、より好ましくは200℃を超え350℃以下とすればよい。
(中間熱処理工程S06)
 粗加工工程S05後に、ランダム粒界の数割合が増加するための再結晶組織化および加工性の向上のための軟化を目的として熱処理を実施する。熱処理の方法は特に限定はないが、好ましくは400℃以上900℃以下の保持温度、10秒以上10時間以下の保持時間で、非酸化雰囲気または還元性雰囲気中で熱処理を行う。また、加熱後の冷却方法は、特に限定しないが、水焼入など冷却速度が200℃/min以上となる方法を採用することが好ましい。
 なお、粗加工工程S05及び中間熱処理工程S06は、繰り返し実施してもよい。
(仕上げ加工工程S07)
 中間熱処理工程S06後の銅素材を所定の形状に加工するため、仕上げ加工を行う。なお、この仕上げ加工工程S07においては、耐応力緩和特性の向上のために50℃以上300℃未満の温間加工を少なくとも1回は実施する。50℃以上300℃未満の温間加工を実施することにより、加工中に導入された転位が再配列するために、耐応力緩和特性が向上する。仕上げ加工工程S07は、最終的な形状によって加工方法および加工率が異なるが、条や板とする場合は圧延を実施すればよい。また1回以上の温間加工以外の工程については、通常の冷間加工とすればよい。50℃以上300℃未満の温間加工に替えて、1加工工程あたりの加工率を上げて、その加工発熱を利用してもよい。その場合は、例えば圧延では1パスあたりの加工率を10%以上とすればよい。
 また、加工率は、最終形状に近似するように適宜選択されることになるが、仕上げ加工工程S07において加工硬化によって引張強度を200MPaから500MPaの間にするためには、加工率の上限を90%以下とすることが好ましく、85%以下とすることがさらに好ましく、80%以下とすることが最も好ましい。
(仕上げ熱処理工程S08)
 次に、仕上げ加工工程S07によって得られた塑性加工材に対して、耐応力緩和特性の向上および低温焼鈍硬化のために、または残留ひずみの除去のために、仕上げ熱処理を実施する。熱処理温度は、100℃以上800℃以下の範囲内とすることが好ましい。なお、この仕上げ熱処理工程S08においては、再結晶による粒界3重点における特殊粒界の数割合を抑制するために、熱処理条件(温度、時間、冷却速度)を設定する必要がある。
 例えば200℃から350℃の範囲では10秒以上10時間以下の保持時間とすることが好ましい。この熱処理は、非酸化雰囲気または還元性雰囲気中で行うことが好ましい。熱処理の方法は特に限定はないが、製造コストの低減の効果から、連続焼鈍炉による高温で短時間の熱処理が好ましい。
 さらに、上述の仕上げ加工工程S07と仕上げ熱処理工程S08とを、繰り返し実施してもよい。
 このようにして、本実施形態である電子・電気機器用銅合金(電子・電気機器用銅合金板条材)が製出されることになる。電子・電気機器用銅合金板条材の厚さの上限は特にないが、電子・電気機器用銅合金板条材をプレス加工によりコネクタや端子、バスバーとする際に、厚さが5.0mmを超えると、プレス機の荷重が著しく増大すること、及び、単位時間あたりの生産性が落ちることになり、コスト高になる。このため、本実施形態においては、電子・電気機器用銅合金板条材の厚さを0.5mm超え5.0mm以下とすることが好ましい。なお、電子・電気機器用銅合金板条材の厚さの下限は、1.0mm超えとすることが好ましく、2.0mm超えとすることがさらに好ましい。
 ここで、本実施形態である電子・電気機器用銅合金板条材は、そのまま電子・電気機器用部品に使用してもよいが、板面の一方、もしくは両面に、膜厚0.1~100μm程度のSnめっき層またはAgめっき層を形成してもよい。
 さらに、本実施形態である電子・電気機器用銅合金(電子・電気機器用銅合金板条材)を素材として、打ち抜き加工や曲げ加工等を施すことにより、例えばコネクタやプレスフィット等の端子、バスバーといった電子・電気機器用部品が成形される。
 以上のような構成とされた本実施形態である電子・電気機器用銅合金によれば、Mgの含有量が100massppm以上400massppm以下の範囲内、Agの含有量が5massppm以上20massppm以下の範囲内とされているので、導電率を大きく低下させることなく、強度、耐応力緩和特性を向上させることが可能となる。
 また、Pの含有量が5massppm未満とされているので、曲げ加工性を確保することができる。
 そして、圧延の幅方向に対して直交する面を観察面として、EBSD法により10000μm以上の測定面積にて、0.25μmの測定間隔のステップで母相を測定する。測定結果をデータ解析ソフトOIMにより解析して各測定点のCI値を得る。CI値が0.1以下である測定点を除く。データ解析ソフトOIMにより各結晶粒の方位差の解析を行い、隣接する測定点間の方位差が15°以上となる測定点間の境界を結晶粒界とする。Area Fractionにより平均粒径Aを求める。平均粒径Aの10分の1以下となる測定間隔のステップで母相をEBSD法により測定する。総数1000個以上の結晶粒が含まれるように、複数視野で合計面積が10000μm以上となる測定面積で、測定結果をデータ解析ソフトOIMにより解析して各測定点のCI値を得る。CI値が0.1以下である測定点を除く。データ解析ソフトOIMにより各結晶粒の方位差の解析を行い、隣接する測定点間の方位差が15°以上となる測定点間の境界を結晶粒界とする。Σ29以下の対応粒界を特殊粒界とし、それ以外をランダム粒界とする。OIMから解析された粒界3重点において、粒界3重点を構成する3つの粒界全てが特殊粒界であるJ3の全粒界3重点に対する割合をNFJ3とし、粒界3重点を構成する2つの粒界が特殊粒界であり、1つがランダム粒界であるJ2の全粒界3重点に対する割合をNFJ2としたとき、
 0.22<(NFJ2/(1-NFJ3))0.5≦0.45が成り立つ。このため、ランダム粒界ネットワークの長さが長く、プレス加工時に速やかに粒界に沿った破壊が生じるため、プレス打ち抜き加工性にも優れている。
 さらに、本実施形態である電子・電気機器用銅合金においては、圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の0.2%耐力が150MPa以上450MPa以下の範囲内とされており、導電率が90%IACS以上とされている。このため、高電圧、大電流用途に応じて厚肉化された電子・電気機器用部品に適しており、コネクタやプレスフィット等の端子、バスバー等の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。
 また、本実施形態である電子・電気機器用銅合金においては、残留応力率が150℃、1000時間で50%以上とされている。このため、高温環境下で使用した場合であっても永久変形を小さく抑えることができ、例えばコネクタ端子等の接圧の低下を抑制することができる。よって、エンジンルーム等の高温環境下で使用される電子機器用部品の素材として適用することが可能となる。
 また、本実施形態である電子・電気機器用銅合金板条材は、上述の電子・電気機器用銅合金で構成されていることから、この電子・電気機器用銅合金板条材を用いることで、コネクタやプレスフィット等の端子、バスバー等の電子・電気機器用部品を製造することができる。
 なお、表面にSnめっき層又はAgめっき層を形成した場合には、コネクタやプレスフィット等の端子、バスバー等の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。
 さらに、本実施形態である電子・電気機器用部品(コネクタやプレスフィット等の端子、バスバー等)は、上述の電子・電気機器用銅合金で構成されているので、大型化および厚肉化しても優れた特性を発揮することができる。
 以上、本発明の実施形態である電子・電気機器用銅合金、電子・電気機器用銅合金板条材、電子・電気機器用部品(端子、バスバー等)について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的要件を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
 例えば、上述の実施形態では、電子・電気機器用銅合金の製造方法の一例について説明したが、電子・電気機器用銅合金の製造方法は、実施形態に記載したものに限定されることはなく、既存の製造方法を適宜選択して製造してもよい。
 以下に、本発明の効果を確認すべく行った確認実験の結果について説明する。
 純度99.99mass%以上の無酸素銅(ASTM B152 C10100)からなる銅原料を準備し、これを高純度グラファイト坩堝内に装入して、Arガス雰囲気とされた雰囲気炉内において高周波誘導加熱して溶解した。得られた銅溶湯内に、各元素を添加してカーボン鋳型に注湯し、表1に示す成分組成の鋳塊を製出した。その後、一部を切断・切削加工し、厚さ50mm×幅100×長さ100mmの鋳塊を得た。
 その後、Arガス雰囲気中において、電気炉を用いて800℃で4時間の加熱を行い、均質化処理を行った。
 均質化熱処理後の鋳塊を熱間鍛造し、高さ約25mm×幅約150mmの板材を得た。熱間鍛造は500℃以上で実施するようにし、表面温度が500℃以下になった時点で、800℃に保持した電気炉で再加熱し、表面温度が約600℃になった時点で再度熱間鍛造を実施した。熱間鍛造終了時の温度は500℃以上であった。熱間鍛造終了後、800℃に加熱した電気炉で1minの溶体化熱処理を実施した。
 その後、圧延ロールを300℃まで加熱し、表1に示した厚さになるまで粗圧延を実施した。
 粗圧延後は、電気炉とソルトバス炉を用いて表1に記載された温度条件で、中間熱処理を行った。電気炉を用いた熱処理はAr雰囲気で実施した。500℃~600℃で熱処理した試料では、中間熱処理後の平均結晶粒径を10μm以上30μm未満となるように調整した。また700℃~800℃で熱処理した試料では、中間熱処理後の平均結晶粒径を30μm以上50μ未満となるように調整した。
 なお、中間熱処理後の平均結晶粒径は、次のようにして調べた。圧延の幅方向に対して直交する面、すなわちTD(Transverse Direction)面を観察面とし、鏡面研磨、エッチングを行った。そして、光学顕微鏡にて、圧延方向が写真の横になるように撮影し、1000倍の視野(約300×200μm)で観察を行った。そして、結晶粒径をJIS H 0501の切断法に従い、写真の縦、横方向に所定長さの線分を所定の間隔で5本ずつ引いた。完全に切られる結晶粒数を数え、その切断長さの平均値を平均結晶粒径として算出した。
 中間熱処理を行った板材は切断するとともに、酸化被膜を除去するために表面研削を実施した。その後、圧延ロールを200℃に加熱し、表1に記載された圧延率で仕上げ圧延(仕上げ加工)を実施し、表1に記載された厚みの薄板を製出した。
 そして、仕上げ圧延(仕上げ加工)後に、ホットプレートもしくはソルトバス炉を用いて表1に記載の条件で、仕上げ熱処理を実施し、その後、水焼入れを行い、特性評価用薄板(特性評価用条材)を作製した。
 そして、以下の項目について評価を実施した。評価結果を表2に示す。
(粒界3重点割合)
 圧延の幅方向に対して直交する断面、すなわちTD面(Transverse direction)を観察面として、EBSD測定装置及びOIM解析ソフトによって、次のように結晶粒界(特殊粒界とランダム粒界)および粒界3重点を測定した。耐水研磨紙、ダイヤモンド砥粒を用いて機械研磨を行った。次いで、コロイダルシリカ溶液を用いて仕上げ研磨を行った。そして、EBSD測定装置(FEI社製Quanta FEG 450,EDAX/TSL社製(現 AMETEK社) OIM Data Collection)と、解析ソフト(EDAX/TSL社製(現 AMETEK社)OIM Data Analysis ver.7.3.1)を用いて、電子線の加速電圧20kV、0.25μmの測定間隔のステップで10000μm以上の測定面積にて、母相をEBSD法により測定した。測定結果をデータ解析ソフトOIMにより解析して各測定点のCI値を得た。CI値が0.1以下である測定点を除いて、データ解析ソフトOIMにより各結晶粒の方位差の解析を行った。隣接する測定点間の方位差が15°以上となる測定点間の境界を結晶粒界とした。そしてArea Fractionにより平均粒径Aを求めた。その後、平均粒径Aの10分の1以下となる測定間隔のステップで、母相をEBSD法により測定した。総数1000個以上の結晶粒が含まれるように、複数視野で合計面積が10000μm以上となる測定面積で、測定結果をデータ解析ソフトOIMにより解析して各測定点のCI値を得た。CI値が0.1以下である測定点を除いて、データ解析ソフトOIMにより各結晶粒の方位差の解析を行った。隣接する測定点間の方位差が15°以上となる測定点間の境界を結晶粒界とした。また、各粒界3重点を構成する3つの粒界については、Neighboring grid pointで算出したCSL sigma valueの値を用いて、特殊粒界およびランダム粒界を識別した。Σ29を超える対応粒界についてはランダム粒界とみなした。
(機械的特性)
 特性評価用条材からJIS Z 2241に規定される13B号試験片を採取し、JIS Z 2241のオフセット法により、0.2%耐力を測定した。なお、試験片は、圧延方向に平行な方向で採取した。
(導電率)
 特性評価用条材から幅10mm×長さ150mmの試験片を採取し、4端子法によって電気抵抗を求めた。また、マイクロメータを用いて試験片の寸法測定を行い、試験片の体積を算出した。そして、測定した電気抵抗値と体積とから、導電率を算出した。なお、試験片は、その長手方向が特性評価用条材の圧延方向に対して平行になるように採取した。
(耐応力緩和特性)
 耐応力緩和特性試験は、日本伸銅協会技術標準JCBA-T309:2004の片持はりねじ式に準じた方法によって応力を負荷し、150℃の温度で1000時間保持後の残留応力率を測定した。
 試験方法としては、各特性評価用条材から圧延方向に対して平行する方向に試験片(幅10mm)を採取し、試験片の表面最大応力が耐力の80%となるように、初期たわみ変位を2mmと設定し、スパン長さを調整した。上記の表面最大応力は次式で定められる。
 表面最大応力(MPa)=1.5Etδ/L
 ただし、式中の各記号は、以下の事項を表す。
 E:ヤング率(MPa)
 t:試料の厚さ(mm)
 δ:初期たわみ変位(mm)
 L:スパン長さ(mm)
 150℃の温度で、1000時間保持後の曲げ癖から、残留応力率を測定し、耐応力緩和特性を評価した。なお残留応力率は次式を用いて算出した。
 残留応力率(%)=(1-δ)×100
 ただし、式中の各記号は、以下の事項を表す。
 δ:(150℃で1000時間保持後の永久たわみ変位(mm))-(常温で24時間保持後の永久たわみ変位(mm))
 δ:初期たわみ変位(mm)
(曲げ加工性)
 日本伸銅協会技術標準JCBA-T307:2007の4試験方法に準拠して曲げ加工を行った。
 圧延方向と試験片の長手方向が垂直になるように、特性評価用条材から幅10mm×長さ30mmの試験片を複数採取し、曲げ角度が90度、曲げ半径が0.05mmのW型の治具を用い、W曲げ試験を行った。
 そして、曲げ部の外周部を目視で確認し割れが観察された場合は“C”(poor)とし、割れを確認できない場合を“B”(good)として判定を行った。
(打ち抜き加工性)
 特性評価用条材から金型で円孔(φ8mm)を多数打ち抜いて、かえり高さを測定し、打ち抜き加工性の評価を行った。
 金型のクリアランスは板厚に対して約3%とし、50spm(stroke per minute)の打ち抜き速度により打ち抜きを行った。穴抜き側の切口面を観察し、かえり高さを10点以上計測し、板厚に対するかえり高さの割合を求めた。
 かえり高さの最も高い値が板厚に対して1.0%以下のものを“A”(excellent)と評価した。かえり高さの最も高い値が板厚に対して1.0%超え3.0%以下のものを“B”(good)と評価した。かえり高さの最も高い値が板厚に対して3.0%を超えるものを“C”(poor)と評価した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 比較例1は、Mgの含有量が本実施形態の範囲よりも少なかったため、耐応力緩和特性が低かった。そのため曲げ加工性と打ち抜き性の評価は実施しなかった。
 比較例2は、Agの含有量が本実施形態の範囲よりも少なかったため、耐応力緩和特性が低かった。そのため曲げ加工性と打ち抜き性の評価は実施しなかった。
 比較例3は、Pの含有量が本実施形態の範囲よりも多かったため、曲げ加工性が“C”(poor)となった。そのため耐応力緩和特性と打ち抜き性の評価は実施しなかった。
 比較例4は、(NFJ2/(1-NFJ3))0.5が本実施形態の範囲よりも大きく、ランダム粒界のネットワーク長が短くなり、打ち抜き加工性が低下した。そのため、耐応力緩和特性と曲げ加工性の評価は実施しなかった。
 比較例5は、Mgの含有量が本実施形態の範囲よりも多かったため、導電率が低くなった。そのため耐応力緩和特性と曲げ加工性と打ち抜き性の評価は実施しなかった。
 比較例6は、(NFJ2/(1-NFJ3))0.5が0.20と本実施形態の範囲よりも小さく、0.2%耐力が必要以上に高くなった。そのため耐応力緩和特性と曲げ加工性と打ち抜き性の評価は実施しなかった。
 これに対して、本発明例においては、0.2%耐力、導電率、耐応力緩和特性、曲げ加工性、打ち抜き加工性に優れていることが確認される。
 以上のことから、本発明例によれば、導電性、強度、耐応力緩和特性、曲げ加工性、打ち抜き加工性に優れた電子・電気機器用銅合金、電子・電気機器用銅合金板条材を提供できることが確認された。
 本実施形態の電子・電気機器用銅合金、電子・電気機器用銅合金板条材は、コネクタやプレスフィット等の端子、バスバー等の電子・電気機器用部品に好適に適用できる。

Claims (9)

  1.  Mgを100massppm以上400massppm以下の範囲内、Agを5massppm以上20massppm以下の範囲内で含有し、さらにPの含有量が5massppm未満であり、残部がCuおよび不可避不純物からなり、
     圧延の幅方向に対して直交する面を観察面として、母相をEBSD法により10000μm以上の測定面積にて、0.25μmの測定間隔のステップで測定し、測定結果をデータ解析ソフトOIMにより解析して各測定点のCI値を得て、CI値が0.1以下である測定点を除いて、各結晶粒の方位差の解析を行い、隣接する測定点間の方位差が15°以上となる測定点間の境界を結晶粒界とし、Area Fractionにより平均粒径Aを求め、平均粒径Aの10分の1以下となる測定間隔のステップで母相をEBSD法により測定して、総数1000個以上の結晶粒が含まれるように、複数視野で10000μm以上となる測定面積で、測定結果をデータ解析ソフトOIMにより解析して各測定点のCI値を得て、CI値が0.1以下である測定点を除いて、各結晶粒の方位差の解析を行い、隣接する測定点間の方位差が15°以上となる測定点間の境界を結晶粒界とし、Σ29以下の対応粒界を特殊粒界とし、それ以外をランダム粒界とした際、OIMから解析された粒界3重点において、
     粒界3重点を構成する3つの粒界全てが特殊粒界であるJ3の全粒界3重点に対する割合をNFJ3とし、粒界3重点を構成する2つの粒界が特殊粒界であり、1つがランダム粒界であるJ2の全粒界3重点に対する割合をNFJ2としたとき、
     0.22<(NFJ2/(1-NFJ3))0.5≦0.45が成り立つことを特徴とする電子・電気機器用銅合金。
  2.  導電率が90%IACS以上であることを特徴とする請求項1に記載の電子・電気機器用銅合金。
  3.  圧延方向に対して平行方向に引張試験を行った際の0.2%耐力が150MPa以上450MPa以下の範囲内であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電子・電気機器用銅合金。
  4.  残留応力率が150℃、1000時間で50%以上であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の電子・電気機器用銅合金。
  5.  請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の電子・電気機器用銅合金からなり、厚さが0.5mm超えとされていることを特徴とする電子・電気機器用銅合金板条材。
  6.  表面にSnめっき層又はAgめっき層を有することを特徴とする請求項5に記載の電子・電気機器用銅合金板条材。
  7.  請求項5又は請求項6に記載された電子・電気機器用銅合金板条材からなることを特徴とする電子・電気機器用部品。
  8.  請求項5又は請求項6に記載された電子・電気機器用銅合金板条材からなることを特徴とする端子。
  9.  請求項5又は請求項6に記載された電子・電気機器用銅合金板条材からなることを特徴とするバスバー。
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