WO2021045453A1 - 경화형 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 상기 경화막을 갖는 전자 장치 - Google Patents

경화형 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 상기 경화막을 갖는 전자 장치 Download PDF

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Definitions

  • One embodiment provides a curable resin composition having a low refractive index and low reflectance excellent in crack resistance and transparency.
  • the silicone-based polymer may be a siloxane polymer formed by hydrolysis and condensation reaction of a compound represented by Formula 1 below.
  • R 13 is hydrogen, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C7 to C30 arylalkyl group, or these Is a combination of,
  • Y 1 is a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, or a combination thereof, wherein the substituted or unsubstituted C6 To C30 arylene group consists of one aromatic ring, or two or more aromatic rings are a single bond, -O-, -S-, -CO-, -COO-, -CONH-, substituted or unsubstituted C1 to C30 It is an aromatic ring linked by an alkylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkylene group, or a combination thereof,
  • the (A) silicone-based polymer may be a siloxane polymer formed by hydrolysis and condensation reaction of a compound represented by the following formula (1).
  • At least one of R 11 and R 12 in Formula 2 may be a phenyl group in the compound represented by Formula 2 forming the siloxane polymer or included on the surface of the particle.
  • the compound represented by Formula 2 is, for example, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, N-phenylaminopropyltriethoxysilane, N-phenylaminoethyltrimethoxysilane, N-phenylaminoethyltriethoxysilane, N,N-diphenylaminopropyltrimethoxysilane, N,N-diphenylaminopropyltriethoxysilane, 3-(N-cyclohexylamino)propyltrimethoxysilane, 3-(N-cyclohexylamino)propyltriethoxysilane, methoxy-(N-phenyl-2-aminoethoxy)dimethylsilane, N-(triethoxysilylmethyl)aniline, N-[[diethoxy(methyl)silyl]methyl]aniline, 4-N-(1- triethoxysilylpropyl)benzen
  • the particles may be hollow silica (SiO 2 ), but are not limited thereto.
  • this catalyst is 0.1 to 1 part by weight, for example, 0.3 to 1 part by weight, for example, 0.5 to 1 part by weight, for example, 0.7 to 1 part by weight based on 100 parts by weight of the silicone-based polymer. It may be included in 1 part by weight, for example, 0.8 to 1 part by weight, but is not limited thereto.
  • siloxane polymer solution (A-3) is obtained.
  • a siloxane polymer, surface-treated particles, solvents, and other additives are each mixed and stirred for about 30 minutes to prepare a curable resin composition.
  • the refractive index was measured at a wavelength of 370 nm to 1,000 nm using an ellipsometer Base-160 (J.A.woollam), and the results at 550 nm are shown in Table 2 below.

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Abstract

(A) 실리콘계 중합체, (B) 표면에 N-아릴 아미노기를 갖는 화합물을 포함하는 입자, 및 (C) 용제를 포함하는 경화형 수지 조성물.

Description

경화형 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 상기 경화막을 갖는 전자 장치
본 기재는 경화형 수지 조성물, 상기 경화형 수지 조성물로부터 얻어지는 경화막, 및 상기 경화막을 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.
디스플레이 분야가 발달함에 따라 디스플레이를 이용한 각종 표시장치가 다양화되고 있으며, 다양한 표시장치 중 빛을 다루는 디바이스에 저굴절 소재를 적용시키는 기술이 요구가 늘고 있다. 저굴절률의 특성을 이용하면 빛이 이동하는 디바이스 내부에서 빛의 손실을 줄여 효율을 높일 수 있다. 또한, 저굴절 특성은 저반사율의 효과를 볼 수 있기 때문에, 빛 센서 외부의 렌즈의 저반사층, 디스플레이 혹은 태양전지 최 외곽의 반사방지막(AR) 에 사용될 수 있다. 저굴절 코팅층의 굴절률이 낮을수록 코팅층의 두께를 줄일 수 있어, 코팅막의 마진이 넓어지고 디바이스 목적에 따른 효율은 증가하게 된다.
저굴절 실리콘 소재가 패널의 층간에 사용되면 내부에서 빛이 이동할 때, 손실되는 광량을 리사이클링시켜 발광 효율 높일 수 있다. 특히 QD PR (Quantum dot Photoreflectance) 중 Green QD 발광체의 발광 효율을 높이는 것이 어려움에 따라, QD 상/하층부에 저굴절 코팅막을 도입하여 Green QD 발광체의 발광 효율을 높일 수 있다.
한편, 하부 기판이 패턴을 가질 경우, 패턴 사이에 높은 단차가 발생할 수 있고, 그 상부에 저굴절 층을 코팅할 경우 패턴 사이에 약액이 흘러들어 저굴절층이 두껍게 쌓일 수 있다. 따라서, 저굴절층은 높은 두께에서 크랙이 발생하지 않는 내크랙성을 가져야 하고, 동시에 고투명성을 유지해야 한다.
종래 위와 같은 저굴절층 형성 과정에서 크랙 발생 방지를 위해 불소계 화합물을 중합체의 형태로 포함하였으나, 이 경우 굴절률 상승을 동반하여 만족할만한 저굴절률 구현이 어려웠다.
일 구현예는 내크랙성 및 투명성이 우수한 저굴절률 및 저반사율을 갖는 경화형 수지 조성물을 제공한다.
다른 구현예는 상기 경화형 수지 조성물을 이용하여 제조된 경화막을 제공한다.
또 다른 일 구현예는 상기 경화막을 포함하는 전자 장치를 제공한다.
일 구현예는 (A) 실리콘계 중합체와, (B) 표면에 N-아릴 아미노기를 갖는 화합물을 포함하는 입자 및 (C) 용제를 포함하는 경화형 수지 조성물을 제공한다.
상기 실리콘계 중합체는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 가수분해 및 축합반응시켜 형성되는 실록산 중합체일 수 있다.
[화학식 1]
(R1)a(R2)b(R3)c-Si-(OR4)4-a-b-c
상기 화학식 1에서,
R1 내지 R3 은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, R(C=O)- (여기서, R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기이다), 에폭시기, (메트)아크릴레이트기, (메트)아크릴로일옥시기, 또는 이들의 조합이고,
R4는 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 또는 이들의 조합이고,
0 ≤ a+b+c < 4 이다.
상기 실록산 중합체는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물과 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 가수분해 및 축합반응시켜 형성되는 것일 수 있다.
[화학식 2]
Figure PCTKR2020011554-appb-I000001
상기 화학식 2에서, L1은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 또는 이들의 조합이고,
R11 및 R12는, 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 또는 이들의 조합이되, R11 및 R12 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기이고,
R13은 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 또는 이들의 조합이고,
0 < n < 4이다.
상기 실록산 중합체는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 50 내지 85 몰%, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 15 내지 50 몰%를 포함하여 가수분해 및 축합반응시켜 형성되는 것일 수 있다.
상기 실록산 중합체는 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 더 포함하여 가수분해 및 축합반응시켜 형성되는 것일 수 있다.
[화학식 3]
(R7O)3-d-e(R5)d(R6)e-Si-Y1-Si-(R8)f(R9)g(OR10)3-f-g
상기 화학식 3에서,
R5, R6, R8, 및 R9는, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, R(C=O)- (여기서 R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기), 에폭시기, (메트)아크릴레이트기, (메트)아크릴레이트기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, (메트)아크릴로일옥시기, 또는 이들의 조합이고,
R7 및 R10 은, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 또는 이들의 조합이고,
Y1 은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 또는 이들의 조합으로서, 상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기는 하나의 방향족 고리로 이루어지거나, 또는 2 이상의 방향족 고리가 단일결합, -O-, -S-, -CO-, -COO-, -CONH-, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, 또는 이들의 조합에 의해 연결된 방향족 고리이고,
0 ≤ d+e < 3 이고,
0 ≤ f+g < 3 이다.
상기 실록산 중합체는 상기 실록산 중합체 100 몰% 기준으로 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 5 몰% 내지 30 몰% 포함하여 가수분해 및 축합반응시켜 형성되는 것일 수 있다.
상기 실리콘계 중합체의 폴리스티렌 환산 중량평균 분자량(Mw)은 1,000 내지 50,000 g/mol일 수 있다.
상기 입자 표면에 포함되는 N-아릴 아미노기를 갖는 화합물은 상기 화학식 2로 표시되는 화합물일 수 있다.
상기 화학식 2의 R11 및 R12 중 적어도 하나는 페닐기일 수 있다.
상기 화학식 2에서, L1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5 알킬렌기이고, R11 및 R12 중 하나는 페닐기, 다른 하나는 수소이고, R13은 치환 또는 비치환된 C1 내치 C5 알킬기이고, n은 1일 수 있다.
상기 입자는 중공 구조를 가질 수 있다.
상기 입자는 티타늄 산화물, 규소 산화물, 바륨 산화물, 아연 산화물, 지르코늄 산화물, 또는 이들의 조합을 포함하는 금속 산화물의 미립자일 수 있다.
상기 입자는 중공 실리카(SiO2)일 수 있다.
상기 입자의 평균 직경(D50)은 10 nm 내지 150 nm일 수 있다.
상기 표면에 N-아릴 아미노기를 갖는 화합물은 상기 입자 100 중량부 당 1 내지 10 중량부로 포함될 수 있다.
상기 경화형 수지 조성물은, 상기 (A) 실리콘계 중합체 100 중량부에 대해, 상기 (B) 표면에 N-아릴 아미노기를 갖는 화합물을 포함하는 입자를 1 중량부 내지 100 중량부 포함하고, 상기 (C) 용제를 100 중량부 내지 2,000 중량부로 포함할 수 있다.
다른 일 구현예는 상기 경화형 수지 조성물을 경화하여 얻은 경화막을 제공한다.
또 다른 일 구현예는 상기 경화막을 포함하는 소자를 제공한다.
일 구현예에 따른 경화형 수지 조성물을 이용하여 제조되는 경화막은 내크랙성이 우수하고, 동시에 고투명성 및 저굴절 특성을 가져 반사방지막 또는 저굴절층 등의 용도에 유리하게 사용될 수 있다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 　다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "알킬기"란 C1 내지 C30 알킬기를　의미하고, "사이클로알킬기"란 C3 내지 C30 사이클로알킬기를 의미하고, "아릴기"란 C6 내지 C30 아릴기를 의미하고, "아릴알킬기"란 C7 내지 C30 아릴알킬기를 의미하고, "헤테로알킬기란" C1 내지 C30 헤테로알킬기를 의미하고, "헤테로사이클로알킬기"란 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기를 의미하고, "알케닐기"란 C2 내지 C30 알케닐기를　의미하고, "알키닐기"란 C2 내지 C30 알키닐기를 의미하고, "알킬렌기"란 C1 내지 C30 알킬렌기를　의미하고, "사이클로알킬렌기"란 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기를 의미하고, "아릴렌기"란 C6 내지 C30 아릴렌기를 의미한다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "치환"이란 적어도 하나의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Cl, Br, I), 히드록시기, C1 내지 C20의 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아민기, 아미노기, 알킬기로 치환된 아미노기, 아릴기로 치환된 아미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 에테르기, 카르복실기 또는 그것의 염, 술폰산기 또는 그것의 염, 인산이나 그것의 염, C1 내지 C20의 알킬기, C2 내지 C20의 알케닐기, C2 내지 C20의 알키닐기, C6 내지 C20의 아릴기, C3 내지 C20의 사이클로알킬기, C3 내지 C20의 사이클로알케닐기, C3 내지 C20의 사이클로알키닐기, C2 내지 C20의 헤테로사이클로알킬기, C2 내지 C20의 헤테로사이클로알케닐기, C2 내지 C20의 헤테로사이클로알키닐기, C3 내지 C20 헤테로아릴기 또는 이들의 조합의 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "헤테로"란, 화학식 내에 N, O, S 및 P 중 적어도 하나의 헤테로 원자가 적어도 하나 포함된 것을 의미한다.
또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "(메트)아크릴레이트"는 "아크릴레이트"와 "메타크릴레이트" 둘 다 가능함을 의미하며, "(메트)아크릴로일옥시기"은 "아크릴로일옥시기"와 "메타크릴로일옥시기" 둘 다 가능함을 의미한다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "조합"이란 혼합 또는 공중합을 의미한다.
본 명세서 내 화학식에서 별도의 정의가 없는 한, 화학결합이 연결되어야 하는 위치에 화학결합이 연결되지 않은 경우는 상기 위치에 수소 원자가 결합되어 있음을 의미한다.
또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "*"는 동일하거나 상이한 원자 또는 화학식과 연결되는 부분을 의미한다.
이하, 일 구현예에 따른 경화형 수지 조성물에 대하여 설명한다.
본 발명의 일 구현예에 따른 경화형 수지 조성물은 (A) 실리콘계 중합체 및 (B) 표면에 N-아릴 아미노기를 갖는 화합물을 포함하는 입자 및 (C) 용제를 포함한다.
QD-OLED 패널 내부에 위치하는 저굴절층의 하부에 컬러필터 층이 존재할 수 있는데, 상기 컬러필터 층은 패턴의 영향으로 기판이 평평하지 않고 단차가 발생하게 된다. 이에, 저굴절층 하부에 생성된 단차의 영향으로 기존 저굴절 특성을 갖는 조성물을 상기 기판 위에 코팅 및 경화 했을 때 크랙이 발생하는 문제가 있었다.
상기 문제를 해결하기 위해, 저굴절층을 형성하는 경화형 수지 조성물에 에폭시계 또는 불소계 화합물을 포함하는 시도가 있었으나, 이 경우 1.23 이하의 저굴절 특성 구현이 어려웠으며, 1.26 수준의 저굴절 특성을 확보하더라도 경화막의 두께가 2 ㎛ 이상일 경우 전면에 크랙이 다발하는 문제가 여전히 존재하였다.
또한, 1.23 이하의 굴절률 특성을 확보한 기존 실리콘계 소재의 경우, 경화막의 두께가 2 ㎛ 이상부터 코팅막의 투명성이 저하되는 문제가 발생하였고, 또한, 경화막의 두께가 2.5 ㎛ 이상이 되는 경우에는 전면에 크랙이 발생하는 문제가 있었다.
일 구현예에 따른 경화형 수지 조성물은 표면에 N-아릴 아미노기를 갖는 화합물을 포함하는 입자를 포함함으로써, 저굴절 특성을 가질 뿐만 아니라, 4 ㎛ 이상의 단차가 있는 경우에도 경화막의 크랙이 발생하지 않는 내크랙성을 가지며, 또한, 2 ㎛ 이상의 코팅막을 형성하는 경우에도 투명도가 우수한 코팅막을 구현할 수 있다.
구체적으로, 상기 경화형 수지 조성물을 경화하여 얻은 경화막은 230℃ 공정 온도에서 경화막 두께 7 ㎛ 까지 내크랙성을 가진다. 또한, 650 nm 파장에서의 Haze 수치로 0.5% 이하의 특성을 보여 고투명성을 가지며, 500 nm 내지 550 nm 파장에서의 굴절률은 1.23 이하, 예를 들어, 1.18 범위까지 감소될 수 있다.
상기 (A) 실리콘계 중합체는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 가수분해 및 축합반응시켜 형성되는 실록산 중합체일 수 있다.
[화학식 1]
(R1)a(R2)b(R3)c-Si-(OR4)4-a-b-c
상기 화학식 1에서,
R1 내지 R3 은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, R(C=O)- (여기서, R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기이다), 에폭시기, (메트)아크릴레이트기, (메트)아크릴로일옥시기, 또는 이들의 조합이고,
R4는 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 또는 이들의 조합이고,
0 ≤ a+b+c < 4 이다.
상기 실록산 중합체는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물과 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 가수분해 및 축합반응시켜 형성되는 것일 수 있다.
[화학식 2]
Figure PCTKR2020011554-appb-I000002
상기 화학식 2에서, L1은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 또는 이들의 조합이고,
R11 및 R12는, 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 또는 이들의 조합이되, R11 및 R12 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기이고,
R13은 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 또는 이들의 조합이고,
0 < n < 4이다.
상기 실록산 중합체가 상기 화학식 1 및 화학식 2로 표시되는 화합물을 가수분해 및 축합반응시켜 형성되는 경우, 상기 실록산 중합체도 중합체 내에 N-아릴 아미노기를 치환기로 포함하게 되며, 이 경우, 일 구현예에 따른 경화형 수지 조성물의 내크랙성 및 고투명도(낮은 Haze) 특성이 더욱 향상될 수 있다.
상기 경화형 수지 조성물이 우수한 내크랙성을 갖는 것은 조성물 내 phenyl기를 포함하는 실록산 중합체를 포함함에 따라 조성물의 내열성이 향상되고, 또한 상기 실록산 중합체가 알킬렌기(alkylene)기를 포함함에 따라 조성물의 유연성이 향상된 것에 따른 결과로 예상된다.
뿐만 아니라, 상기 실록산 중합체가 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하여 가수분해 및 축합반응시켜 형성되는 경우, 표면에 N-아릴 아미노기를 갖는 화합물을 포함하는 입자와 마찬가지로 중합체 내에 N-아릴 아미노기를 포함하기 때문에 상기 입자와의 상용성이 증대되고, 그 결과 상기 경화형 수지 조성물을 이용하여 제조된 경화막의 투명성 특성이 향상된다.
상기 실록산 중합체는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 50 내지 85 몰%, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 15 내지 50 몰%, 예를 들어, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 55 내지 80 몰%, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 20 내지 45 몰%, 예를 들어, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 65 내지 75 몰%, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 25 내지 35 몰%를 포함하여 가수분해 및 축합반응시켜 형성되는 것일 수 있다. 상기 범위로 포함되는 경우, 그로부터 제조되는 경화형 수지 조성물의 내크랙성 및 투명 특성이 더 향상될 수 있다.
상기 실록산 중합체는 상기 화학식 1 및 화학식 2로 표시되는 화합물과 함께 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 더 포함하여 가수분해 및 축합반응시켜 형성되는 것일 수 있다.
[화학식 3]
(R7O)3-d-e(R5)d(R6)e-Si-Y1-Si-(R8)f(R9)g(OR10)3-f-g
상기 화학식 3에서, R5, R6, R8, 및 R9는, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, R(C=O)- (여기서 R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기), 에폭시기, (메트)아크릴레이트기, (메트)아크릴레이트기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, (메트)아크릴로일옥시기, 또는 이들의 조합이고,
R7 및 R10 은, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 또는 이들의 조합이고,
Y1 은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 또는 이들의 조합으로서, 상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기는 하나의 방향족 고리로 이루어지거나, 또는 2 이상의 방향족 고리가 단일결합, -O-, -S-, -CO-, -COO-, -CONH-, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, 또는 이들의 조합에 의해 연결된 방향족 고리이고,
0 ≤ d+e < 3 이고,
0 ≤ f+g < 3 이다.
상기 실록산 중합체는 상기 실록산 중합체 100 몰% 기준으로 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 5 몰% 내지 30 몰%, 예를 들어, 5 몰% 내지 25 몰%, 예를 들어, 5 몰% 내지 20 몰%, 예를 들어, 5 몰% 내지 15 몰%, 예를 들어, 5 몰% 내지 10 몰%, 예를 들어, 10 몰% 내지 30 몰%, 예를 들어, 15 몰% 내지 30 몰%, 예를 들어, 25 몰% 내지 30 몰%를 포함하여 가수분해 및 축합반응시켜 형성되는 것일 수 있고, 이들에 제한되지 않는다.
상기 실록산 중합체의 폴리스티렌 환산 중량평균 분자량(Mw)은 1,000 내지 50,000 g/mol, 예를 들어, 2,000 내지 50,000 g/mol, 예를 들어, 3,000 내지 50,000 g/mol, 예를 들어, 5,000 내지 50,000 g/mol, 예를 들어, 7,000 내지 50,000 g/mol, 예를 들어, 9,000 내지 50,000 g/mol, 예를 들어, 10,000 내지 50,000 g/mol, 예를 들어, 15,000 내지 50,000 g/mol, 예를 들어, 20,000 내지 50,000 g/mol, 예를 들어, 25,000 내지 50,000 g/mol, 예를 들어, 1,000 내지 45,000 g/mol, 예를 들어, 1,000 내지 40,000 g/mol, 예를 들어, 1,000 내지 35,000 g/mol, 예를 들어, 1,000 내지 30,000 g/mol, 예를 들어, 1,000 내지 25,000 g/mol일수 있고, 이들에 제한되지 않는다.
상기 (B) 표면에 N-아릴 아미노기를 갖는 화합물을 포함하는 입자에서, 상기 N-아릴 아미노기를 갖는 화합물은 상기 화학식 2로 표시되는 화합물일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 실록산 중합체를 형성하거나, 또는 상기 입자의 표면에 포함되는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 상기 화학식 2의 R11 및 R12 중 적어도 하나가 페닐기일 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 2에서, L1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5 알킬렌기이고, R11 및 R12 중 하나는 페닐기이고, 다른 하나는 수소이며, R13은 치환 또는 비치환된 C1 내치 C5 알킬기이고, n은 1일 수 있다.
상기 화학식 2로 표시되는 화합물은, 예를 들어, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, N-phenylaminopropyltriethoxysilane, N-phenylaminoethyltrimethoxysilane, N-phenylaminoethyltriethoxysilane, N,N-diphenylaminopropyltrimethoxysilane, N,N-diphenylaminopropyltriethoxysilane, 3-(N-cyclohexylamino)propyltrimethoxysilane, 3-(N-cyclohexylamino)propyltriethoxysilane, methoxy-(N-phenyl-2-aminoethoxy)dimethylsilane, N-(triethoxysilylmethyl)aniline, N-[[diethoxy(methyl)silyl]methyl]aniline, 4-N-(1-triethoxysilylpropyl)benzene-1,4-diamine, N-(1-trimethoxysilylpropyl)aniline, N-(1-triethoxysilylpropyl)aniline, N-[3-[dimethoxy(methyl)silyl]-2-methylpropyl]aniline, 4-anilinobutyl(diethoxy)silicon, N-(2-trimethoxysilylethyl)aniline, N-(3-tributoxysilylpropyl)aniline, N-(3-tripropoxysilylpropyl)aniline, N'-phenyl-N-(3-triethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine, N-(4-trimethoxysilylbutyl)aniline, N-(5-trimethoxysilylpentyl)aniline 일 수 있다.
상기 입자는 중공 구조를 가질 수 있다.
예컨대, 상기 입자는 티타늄 산화물, 규소 산화물, 바륨 산화물, 아연 산화물, 지르코늄 산화물, 또는 이들의 조합을 포함하는 금속 산화물의 미립자일 수 있고, 이들에 제한되지 않는다.
예컨대, 상기 입자는 중공 실리카(SiO2)일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 입자의 평균 직경(D50)은 10 nm 내지 150 nm, 예를 들어, 10 nm 내지 130 nm, 예를 들어, 10 nm 내지 110 nm, 예를 들어, 20 nm 내지 110 nm, 예를 들어, 40 nm 내지 110 nm, 예를 들어, 60 nm 내지 110 nm 일 수 있고, 이들에 제한되지 않는다. 입자의 평균 직경 크기가 상기 범위를 만족하는 경우, 입자가 실록산 중합체에 잘 분산될 수 있고, 경화형 수지 조성물의 저굴절 특성을 향상시킬 수 있다.
상기 입자가 중공 구조를 갖는 경우, 공극률은 40% 내지 90%, 예를 들어, 40% 내지 80%, 예를 들어, 40% 내지 70%, 예를 들어 40% 내지 60%, 예를 들어, 40% 내지 50%, 예를 들어, 50% 내지 90%, 예를 들어 60% 내지 90%, 예를 들어, 70% 내지 90%, 예를 들어, 80% 내지 90%, 예를 들어, 50% 내지 70%일 수 있고, 이들에 제한되지 않는다. 상기 입자의 공극률이 상기 범위를 초과하는 경우, 입자의 내부 공간의 크기는 커지고 외곽의 두께는 작아져 입자의 내구성이 약해질 수 있으며, 입자의 공극률이 상기 범위 미만인 경우, 저굴절층의 굴절률 감소 효과가 미미할 수 있다.
상기 표면에 N-아릴 아미노기를 갖는 화합물은 상기 입자 100 중량부 당 1 내지 10 중량부, 예를 들어, 1 내지 9.5 중량부, 예를 들어, 1 내지 8 중량부, 예를 들어, 1 내지 8.5 중량부, 예를 들어, 1 내지 8 중량부, 예를 들어, 1 내지 7.5 중량부, 예를 들어, 1 내지 7 중량부, 예를 들어, 1 내지 6.5 중량부, 예를 들어, 1 내지 6 중량부, 예를 들어, 1 내지 5.5 중량부, 예를 들어, 1 내지 5 중량부, 예를 들어, 1.5 내지 5 중량부, 예를 들어, 2 내지 5 중량부, 예를 들어, 2.5 내지 5 중량부로 포함될 수 있고, 이들에 제한되지 않는다. N-아릴 아미노기를 갖는 화합물 상기 범위로 포함되는 경우, 열경화성 수지 조성물의 내크랙성 및 투명성의 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.
상기 표면에 N-아릴 아미노기를 갖는 화합물을 포함하는 입자는 상기 실리콘계 중합체 100 중량부 당 1 중량부 내지 100 중량부, 예컨대 1 중량부 내지 60 중량부, 예컨대 3 중량부 내지 60 중량부, 예컨대 5 중량부 내지 60 중량부, 예컨대 5 중량부 내지 50 중량부, 예컨대 10 중량부 내지 50 중량부로 포함될 수 있고, 표면에 N-아릴 아미노기를 갖는 화합물을 포함하는 입자가 상기 범위를 만족하는 경우 표면에 N-아릴 아미노기를 갖는 화합물을 포함하는 입자 및 실리콘계 중합체간의 상용성이 증대 될수 있고, 경화성 수지 조성물의 내크랙성 및 투명성의 특성이 더욱 향상 될 수 있다.
상기 (C) 용제로는 200℃ 이상의 공정 온도에서 사용 가능한 임의의 용제를 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 용제는 알코올형 용제, 예를 들어, 부탄올, 이소프로판올 등과, 케톤형 용제, 예를 들어, PMEA, DIBK 등을 사용할 수 있고, 이들 외에 당해 기술 분야에서 공지된 용제로서 상기 공정 온도 이상에서 사용 가능한 임의의 용제를 1 종 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
용제가 2종 이상으로 혼합되어 사용되는 경우, 공정 온도 100℃ 내지 230℃에서 사용 가능한, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), 감마부티로락톤(GBL), 및 그 외 종류의 용제간의 혼합형태일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 용제는 상기 실리콘계 중합체, 예를 들어, 상기 실록산 중합체 100 중량부에 대해 100 내지 2,000 중량부, 예를 들어, 100 내지 1,000 중량부, 예를 들어, 100 내지 500 중량부, 예를 들어, 100 내지 400 중량부, 예를 들어, 100 내지 300 중량부로 포함될 수 있으며, 이들에 제한되지 않는다.
상기 경화형 수지 조성물은 실리콘계 중합체, 예를 들어, 상기 실록산 중합체의 실록산 수지 말단의 미반응 실란올기 혹은 에폭시기의 경화를 촉진하기 위한 경화 촉매를 더 포함할 수 있으며, 이러한 경화 촉매는 열경화형 촉매 또는 광경화형 촉매일 수 있다. 또한, 사용하는 중합체에 따라 이러한 경화 촉매를 포함하지 않을 수도 있다. 일 실시예에서, 실리콘계 중합체를 경화하기 위한 경화형 촉매의 예로서 테트라부틸암모늄 아세테이트(TBAA)와 같은 암모늄 염 형태를 가지는 것을 포함할 수 있다.
상기 경화 촉매를 사용할 경우, 이러한 촉매는 상기 실리콘계 중합체 100 중량부에 대해 0.1 내지 1 중량부, 예를 들어, 0.3 내지 1 중량부, 예를 들어, 0.5 내지 1 중량부, 예를 들어, 0.7 내지 1 중량부, 예를 들어, 0.8 내지 1 중량부로 포함될 수 있고, 이들에 제한되지 않는다.
상기 경화형 수지 조성물은 기타 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기 기타 첨가제로서 계면 활성제, 예를 들어, 불소계 계면활성제를 더 포함할 수 있고, 이에 제한되지 않는다.
상기 조성물이 상기 계면활성제를 포함함으로써, 상기 조성물이 저굴절층 형성용 조성물로 사용되는 경우, 기판에 코팅 시 코팅성 향상 및 결점 생성 방지 효과를 구현할 수 있다.
상기 첨가제는 상기 실리콘계 중합체 100 중량부에 대해 5 중량부 이하, 예를 들어, 0.1 내지 5 중량부, 예를 들어, 1 내지 5 중량부, 예를 들어, 2 내지 5 중량부, 예를 들어 3 내지 5 중량부로로 포함될 수 있으며, 이들에 제한되지 않는다.
또 다른 일 구현예는 상기 경화형 수지 조성물을 경화하여 얻은 경화막을 제공할 수 있다.
또 다른 일 구현예는 상기 경화막을 포함하는 소자를 제공할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 기재한다.　　다만, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
실시예
합성예 1: 실록산 중합체 (A-1) 제조
500ml의 3구 플라스크에 메틸트리메톡시실란(Methyltrimethoxy silane; MTMS)을 77.15g, 테트라에톡시 오르쏘실리케이트(Tetraethoxy orthosilicate; TEOS)를 50.57g, PGMEA를 215.56 g 투입하고, 실온에서 교반하면서 물 45.43g에 염산(36% 수용액) 0.09g을 녹인 염산 수용액을 10분에 걸쳐 첨가한다. 이후, 플라스크를 60℃의 오일 베스에 담그고 250분간 교반한 후, 진공 펌프와 딘스탁(Dean stark)을 이용하여 180 분간 반응 부생성물인 메탄올, 에탄올, 염산수용액, 및 물을 증발시켜 분자량을 조절한 실록산 중합체 용액 (A-1)을 얻는다.
수득된 실록산 중합체 용액(A-1)의 고형분 농도는 20.51 중량%이고, 수득된 실록산 중합체 (A-1)의 폴리스티렌 환산 중량평균분자량 (Mw)은 2,600 g/mol이다.
합성예 2: 실록산 중합체 (A-2) 제조
500ml의 3구 플라스크에 메틸트리메톡시실란(Methyltrimethoxy silane; MTMS) 58.67g, 테트라에톡시 오르쏘실리케이트(Tetraethoxy orthosilicate; TEOS) 37.31g, n-페닐아미노프로필트리에톡시실란(n-phenylaminopropyltriethoxysilane) 36.59g, 및 PGMEA 221.94g 투입하고, 실온에서 교반하면서 물 38.71g에 염산(36% 수용액) 0.03g을 녹인 염산 수용액을 10분에 걸쳐 첨가한다. 이후, 플라스크를 60℃의 오일 베스에 담그고 260분간 교반한 후, 진공 펌프와 딘스탁(Dean stark)을 이용하여 180분간 반응 부생성물인 메탄올, 에탄올, 염산수용액, 및 물을 증발시켜 분자량을 조절한 실록산 중합체 용액 (A-2)을 얻는다.
수득된 실록산 중합체 용액(A-2)의 고형분 농도는 20.16 중량%이고, 수득된 실록산 중합체 (A-2)의 폴리스티렌 환산 중량평균 분자량(Mw)은 2,540 g/mol이다.
합성예 3: 실록산 중합체 (A-3) 제조
메틸트리메톡시실란(Methyltrimethoxy silane; MTMS)을 43.59g, 테트라에톡시 오르쏘실리케이트(Tetraethoxy orthosilicate; TEOS)를 26.67g, n-페닐아미노프로필트리에톡시실란(n-phenylaminopropyltriethoxysilane) 24.52g 외 1,2-비스 트라이메톡시 실릴에텐(1,2-bistriethoxysilylethene)를 34.04g 및 PGMEA 224.14g 투입하고, 실온에서 교반하면서 물 34.58g에 염산(36% 수용액) 0.03g을 녹인 염산 수용액을 10분에 걸쳐 첨가한다. 이후, 플라스크를 60℃의 오일 베스에 담그고 200분간 교반한 후, 진공 펌프와 딘스탁(Dean stark)을 이용하여 180 분간 반응 부생성물인 메탄올, 에탄올, 염산수용액, 및 물을 증발시켜 분자량을 조절한 실록산 중합체 용액 (A-3)을 얻는다.
수득된 실록산 중합체 용액 (A-3)의 고형분 농도는 22.10 중량%이고, 수득된 실록산 중합체 (A-3)의 폴리스티렌 환산 중량평균 분자량(Mw)은 2,800 g/mol이다.
비교합성예 1: 아크릴계 중합체 (A-4)
중량평균분자량(Mw)이 15,800 g/mol 이고, 산가가 77 KOHmg/g 인 벤질메타크릴레이트/메타크릴산/글리시딜메타크릴레이트 3원 공중합체(RY-35-1, SHOWA DENCO社)를 사용하였다.
경화형 수지 조성물 제조
경화형 수지 조성물 제조에 사용되는 성분의 사양은 다음과 같다.
(A) 중합체
(A-1) 합성에 1에서 제조된 실록산 중합체
(A-2) 합성에 2에서 제조된 실록산 중합체
(A-3) 합성에 3에서 제조된 실록산 중합체
(A-4) 아크릴계 중합체
(B) 입자
(B-1) n-phenylaminopropyltrimethoxysilane으로 표면처리한 중공 입자 분산액 (고형분 20%, 중공입자 평균 직경 85 nm; L2013, 나노신소재 社)
(B-2) methacryloxypropyltrimethoxysilane으로 표면처리한 중공 입자 분산액 (고형분 20%, 중공입자 평균 직경 85 nm; L0516, 나노신소재 社)
(C) 용제
프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)
(D) 기타 첨가제
계면활성제 (F-563, DIC 社)
실시예 1 내지 실시예 9, 및 비교예 1 및 비교예 2: 경화형 수지 조성물의 제조
하기 표 1의 조성에 따라, 실록산 중합체, 표면처리된 입자, 용제 및 기타 첨가제를 각각 혼합하고, 약 30분 동안 교반하여, 경화형 수지 조성물을 제조한다.
(단위: g)
실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 실시예 5 실시예 6 실시예 7 실시예 8 실시예 9 비교예 1 비교예 2
중합체 (A-1) 32 30 29 32
(A-2) 32 30 29
(A-3) 32 30 29
(A-4) 32
입자(분산액) (B-1) 25 27 29 25 27 29 25 27 29 25
(B-2) 25
용제 42 42 41 42 42 41 42 42 41 42 42
첨가제 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
경화막의 제조 및 평가
(1) 굴절률 평가
실시예 1 내지 실시예 9, 및 비교예 1 및 비교예 2에서 제조된 경화형 수지 조성물을 실리콘 웨이퍼 위에 스핀코터 MS-A100 (미카사 제품)를 사용하여 500rpm으로 20초간 스핀-코팅한 후, 열판(hot-plate)을 이용하여 100℃에서 2분, 그리고 230℃에서 20분 간 베이킹하여 1.0㎛ 두께의 코팅 경화막을 얻는다.
상기 경화막에 대해 엘립소미터 Base-160 (J.A.woollam社)를 사용하여 370 nm 내지 1,000 nm 파장에서 굴절률을 측정하였으며, 그 중 550 nm 에서의 그 결과를 하기 표 2에 나타낸다.
(2) 내크랙성 평가
실시예 1 내지 실시예 9, 및 비교예 1 및 비교예 2에서 제조된 경화형 수지 조성물을 유리기판 위에 스핀코터 MS-A100 (미카사 제품)를 사용하여 100 내지 150 rpm으로 5초간 스핀-코팅한 후, 열판(hot-plate)을 이용하여 100℃에서 2분, 그리고 230℃에서 20분 간 베이킹하여 5.0㎛ 두께의 코팅 경화막을 얻는다.
상기 경화막에 대해 Tencor(KLA P-6)를 이용하여 단차의 두께를 측정하였으며, 크랙이 발생하지 않는 경우 면도칼을 이용하여 도막의 일부를 벗겨낸 뒤 Tencor를 이용하여 단차의 두께를 다시 측정하였으며, 그 결과를 하기 표 2에 나타낸다.
(3) Haze 평가
실시예 1 내지 실시예 9, 및 비교예 1 및 비교예 2에서 제조된 경화형 수지 조성물을 유리기판 위에 스핀코터 MS-A100 (미카사 제품)를 사용하여 200 rpm으로 5초간 스핀-코팅한 후, 열판(hot-plate)을 이용하여 100℃에서 2분, 그리고 230℃에서 20분 간 베이킹하여, 4.0㎛ 두께의 코팅 경화막을 얻는다.
상기 경화막에 대해 Hazemeter를 이용하여 650 nm 파장에서 경화막의 탁함의 정도를 Haze 수치로서 측정하였으며, 그 결과를 하기 표 2에 나타낸다.
　 굴절률 크랙 마진 (㎛) 4 ㎛ 두께에서의 Haze(%)
실시예 1 1.231 4.8 0.39
실시예 2 1.230 4.7 0.46
실시예 3 1.221 4.5 0.67
실시예 4 1.229 6.0 0.19
실시예 5 1.226 5.7 0.22
실시예 6 1.218 5.8 0.24
실시예 7 1.226 4.4 0.20
실시예 8 1.223 4.3 0.20
실시예 9 1.216 4.1 0.26
비교예 1 1.229 3.5 0.49
비교예 2 1.314 1.9 0.48
상기 표 2를 참조하면, n-phenylaminopropyltrimethoxysilane으로 표면처리한 입자를 포함하는 실시예 1 내지 실시예 9에 따른 경화막의 경우, 저굴절 특성을 유지하면서, 비교예 1 및 비교예 2에 따른 경화막 보다 내크랙성 및 Haze 특성이 우수함을 알 수 있다.
n-phenylaminopropyltrimethoxysilane으로 표면처리한 입자를 포함하고 있으나, 중합체로서 아크릴계 중합체를 사용한 비교예 2에 따른 경화막의 경우, 내크랙성 및 Haze 특성이 실시예 1 내지 실시에 9에 비해 우수하지 못함을 알 수 있다.
이상 본 발명의 바람직한 실시예들에 대해 상세히 설명하였지만, 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.　그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (20)

  1. (A) 실리콘계 중합체;
    (B) 표면에 N-아릴 아미노기를 갖는 화합물을 포함하는 입자; 및
    (C) 용제
    를 포함하는 경화형 수지 조성물.
  2. 제1항에서, 상기 실리콘계 중합체는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 가수분해 및 축합반응시켜 형성되는 실록산 중합체인 경화형 수지 조성물:
    [화학식 1]
    (R1)a(R2)b(R3)c-Si-(OR4)4-a-b-c
    상기 화학식 1에서,
    R1 내지 R3 은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, R(C=O)- (여기서, R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기이다), 에폭시기, (메트)아크릴레이트기, (메트)아크릴로일옥시기, 또는 이들의 조합이고,
    R4는 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 또는 이들의 조합이고,
    0 ≤ a+b+c < 4 이다.
  3. 제2항에서, 상기 실록산 중합체는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 가수분해 및 축합반응시켜 형성되는 것인 경화형 수지 조성물:
    [화학식 2]
    Figure PCTKR2020011554-appb-I000003
    상기 화학식 2에서,
    L1은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 또는 이들의 조합이고,
    R11 및 R12는, 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 또는 이들의 조합이되, R11 및 R12 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기이고,
    R13은 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 또는 이들의 조합이고,
    0 < n < 4이다.
  4. 제3항에서, 상기 실록산 중합체는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 50 내지 85 몰% 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 15 내지 50 몰%를 포함하여 가수분해 및 축합반응시켜 형성되는 것인 경화성 수지 조성물.
  5. 제3항에서, 상기 화학식 2의 R11 및 R12 중 적어도 하나는 페닐기인 경화형 수지 조성물.
  6. 제3항에서, 상기 화학식 2의 L1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5 알킬렌기이고, R11 및 R12 중 하나는 페닐기, 다른 하나는 수소이고, R13은 치환 또는 비치환된 C1 내치 C5 알킬기이고, n은 1인 경화형 수지 조성물.
  7. 제3항에서, 상기 실록산 중합체는 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 더 포함하여 가수분해 및 축합반응시켜 형성되는 것인 경화성 수지 조성물:
    [화학식 3]
    (R7O)3-d-e(R5)d(R6)e-Si-Y1-Si-(R8)f(R9)g(OR10)3-f-g
    상기 화학식 3에서,
    R5, R6, R8, 및 R9는, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, R(C=O)- (여기서 R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기), 에폭시기, (메트)아크릴레이트기, (메트)아크릴레이트기로 치환된 C1 내지 C30 알킬기, (메트)아크릴로일옥시기, 또는 이들의 조합이고,
    R7 및 R10 은, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 또는 이들의 조합이고,
    Y1 은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 또는 이들의 조합으로서, 상기 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기는 하나의 방향족 고리로 이루어지거나, 또는 2 이상의 방향족 고리가 단일결합, -O-, -S-, -CO-, -COO-, -CONH-, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, 또는 이들의 조합에 의해 연결된 방향족 고리이고,
    0 ≤ d+e < 3 이고,
    0 ≤ f+g < 3 이다.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 실록산 중합체는 상기 실록산 중합체 100 몰% 기준으로 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 5 몰% 내지 30 몰% 포함하여 가수분해 및 축합반응시켜 형성되는 것인 경화형 수지 조성물.
  9. 제1항에서, 상기 실리콘계 중합체의 폴리스티렌 환산 중량평균 분자량(Mw)은 1,000 내지 50,000 g/mol인 경화형 수지 조성물.
  10. 제1항에서, 상기 N-아릴 아미노기를 갖는 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물인 경화형 수지 조성물:
    [화학식 2]
    Figure PCTKR2020011554-appb-I000004
    상기 화학식 2에서,
    L1는 단일결합 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기이고,
    R11 및 R12는, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 또는 이들의 조합이고,
    R13은 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 또는 이들의 조합이고,
    R11 및 R12 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기이고,
    0 < n < 4이다.
  11. 제10항에서, 상기 화학식 2의 R11 및 R12 중 적어도 하나는 페닐기인 경화형 수지 조성물.
  12. 제10항에서, 상기 화학식 2의 L1은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5 알킬렌기이고, R11 및 R12 중 하나는 페닐기, 다른 하나는 수소이고, R13은 치환 또는 비치환된 C1 내치 C5 알킬기이고, n은 1인 경화형 수지 조성물.
  13. 제1항에서, 상기 입자는 중공 구조를 갖는 것인 경화형 수지 조성물.
  14. 제1항에서, 상기 입자는 티타늄 산화물, 규소 산화물, 바륨 산화물, 아연 산화물, 지르코늄 산화물, 또는 이들의 조합을 포함하는 금속 산화물의 미립자인 경화형 수지 조성물.
  15. 제1항에서, 상기 입자는 중공 실리카인 경화형 수지 조성물.
  16. 제1항에서, 상기 입자의 평균 직경(D50)은 10 nm 내지 150 nm 인 경화형 수지 조성물.
  17. 제1항에서, 상기 표면에 N-아릴 아미노기를 갖는 화합물은 상기 입자 100 중량부 당 1 내지 10 중량부 포함되는 경화형 수지 조성물.
  18. 제1항에서,
    상기 경화형 수지 조성물은,
    상기 (A) 실리콘계 중합체 100 중량부에 대해,
    상기 (B) 표면에 N-아릴 아미노기를 갖는 화합물을 포함하는 입자를 1 중량부 내지 100 중량부 포함하고,
    상기 (C) 용제를 100 중량부 내지 2,000 중량부로 포함하는 경화형 수지 조성물.
  19. 제1항 내지 제18항 중 어느 한 항의 경화형 수지 조성물을 경화하여 얻은 경화막.
  20. 제19항의 경화막을 포함하는 소자.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220132328A (ko) * 2021-03-23 2022-09-30 삼성에스디아이 주식회사 경화형 수지 조성물, 이로부터 제조되는 박막, 및 상기 박막을 포함하는 색 변환 패널 및 표시 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100882794B1 (ko) * 2005-03-01 2009-02-09 제이에스알 가부시끼가이샤 레지스트 하층막용 조성물 및 그의 제조 방법
KR20090043397A (ko) * 2007-10-29 2009-05-06 에스케이씨 주식회사 알콕시 실란계 중합체 용액과 이를 이용한 저굴절 코팅조성물, 고굴절 대전방지 하드코팅 조성물 및 이들을 사용한 반사방지 코팅 필름
KR100955570B1 (ko) * 2006-09-18 2010-04-30 주식회사 엘지화학 저온 경화형 보호막 형성용 조성물, 이로부터 제조되는보호막, 및 이를 포함하는 기재
US20130344338A1 (en) * 2011-04-05 2013-12-26 E.I. Du Pont De Nemours And Company Process for the surface treatment of colloidal silica and products thereof
KR20140065250A (ko) * 2012-11-21 2014-05-29 (주)엘지하우시스 하드코팅층을 포함하는 광특성이 우수한 반사방지 필름
KR20150143573A (ko) * 2013-04-17 2015-12-23 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 실록산 올리고머 및 무기미립자를 포함하는 경화성 조성물

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005154723A (ja) 2003-10-30 2005-06-16 Jsr Corp 絶縁膜形成用組成物、絶縁膜形成用組成物の製造方法、絶縁膜およびその形成方法
US20070266896A1 (en) * 2004-06-11 2007-11-22 Toray Industries, Inc. Siloxane-Based Coating Material, Optical Article, and Production Method of Siloxane-Based Coating Material
WO2010001949A1 (ja) * 2008-07-02 2010-01-07 出光興産株式会社 コーティング液、硬化膜及び樹脂積層体並びに該硬化膜及び樹脂積層体の製造方法
JP4785085B2 (ja) 2008-12-22 2011-10-05 日東電工株式会社 熱硬化性シリコーン樹脂組成物
KR20090060403A (ko) * 2009-06-01 2009-06-12 에스케이씨 주식회사 고굴절 대전방지 하드코팅 조성물, 이 조성물이 코팅된 고굴절 대전방지 하드코팅 필름, 및 이 조성물을 사용한 반사방지 코팅 필름
JP4964928B2 (ja) 2009-09-15 2012-07-04 信越化学工業株式会社 アンダーフィル材組成物及び光半導体装置
WO2012018126A1 (ja) 2010-08-06 2012-02-09 日立化成工業株式会社 相容化樹脂の製造法、熱硬化性樹脂組成物、プリプレグ及び積層板
JP2013007929A (ja) 2011-06-24 2013-01-10 Seiko Epson Corp 成膜用塗布液および塗膜
TWI486412B (zh) 2011-12-16 2015-06-01 Eternal Materials Co Ltd 抗反射塗料組合物及其製備方法
JP2013189579A (ja) 2012-03-14 2013-09-26 Hitachi Chemical Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物、およびこれを用いたプリプレグ、積層板
JP6329776B2 (ja) 2014-01-28 2018-05-23 株式会社アドマテックス モールドアンダーフィル用封止材
JP6986339B2 (ja) 2015-08-18 2021-12-22 日本精化株式会社 反射防止膜形成用組成物、反射防止膜およびその形成方法
WO2017170275A1 (ja) 2016-03-31 2017-10-05 日産化学工業株式会社 両親媒性の有機シラン化合物が結合した無機酸化物微粒子、その有機溶媒分散液及び被膜形成用組成物

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100882794B1 (ko) * 2005-03-01 2009-02-09 제이에스알 가부시끼가이샤 레지스트 하층막용 조성물 및 그의 제조 방법
KR100955570B1 (ko) * 2006-09-18 2010-04-30 주식회사 엘지화학 저온 경화형 보호막 형성용 조성물, 이로부터 제조되는보호막, 및 이를 포함하는 기재
KR20090043397A (ko) * 2007-10-29 2009-05-06 에스케이씨 주식회사 알콕시 실란계 중합체 용액과 이를 이용한 저굴절 코팅조성물, 고굴절 대전방지 하드코팅 조성물 및 이들을 사용한 반사방지 코팅 필름
US20130344338A1 (en) * 2011-04-05 2013-12-26 E.I. Du Pont De Nemours And Company Process for the surface treatment of colloidal silica and products thereof
KR20140065250A (ko) * 2012-11-21 2014-05-29 (주)엘지하우시스 하드코팅층을 포함하는 광특성이 우수한 반사방지 필름
KR20150143573A (ko) * 2013-04-17 2015-12-23 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 실록산 올리고머 및 무기미립자를 포함하는 경화성 조성물

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