KR20220132328A - 경화형 수지 조성물, 이로부터 제조되는 박막, 및 상기 박막을 포함하는 색 변환 패널 및 표시 장치 - Google Patents

경화형 수지 조성물, 이로부터 제조되는 박막, 및 상기 박막을 포함하는 색 변환 패널 및 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20220132328A
KR20220132328A KR1020210037500A KR20210037500A KR20220132328A KR 20220132328 A KR20220132328 A KR 20220132328A KR 1020210037500 A KR1020210037500 A KR 1020210037500A KR 20210037500 A KR20210037500 A KR 20210037500A KR 20220132328 A KR20220132328 A KR 20220132328A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
curable resin
resin composition
substituted
mol
Prior art date
Application number
KR1020210037500A
Other languages
English (en)
Inventor
이승은
서현주
류지현
서동균
소민지
신동주
이성근
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020210037500A priority Critical patent/KR20220132328A/ko
Priority to US17/654,720 priority patent/US20220306809A1/en
Priority to TW111109903A priority patent/TWI826963B/zh
Priority to JP2022044318A priority patent/JP7420852B2/ja
Priority to CN202210276565.7A priority patent/CN115109413B/zh
Publication of KR20220132328A publication Critical patent/KR20220132328A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/06—Preparatory processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/70—Siloxanes defined by use of the MDTQ nomenclature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/04—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of organic materials, e.g. plastics
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11—Anti-reflection coatings
    • G02B1/111—Anti-reflection coatings using layers comprising organic materials
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • G03F7/0758—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds with silicon- containing groups in the side chains
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/48—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C08G77/50—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms by carbon linkages
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2383/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Derivatives of such polymers
    • C08J2383/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/005—Additives being defined by their particle size in general
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/011—Nanostructured additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/22—Expanded, porous or hollow particles
    • C08K7/24—Expanded, porous or hollow particles inorganic
    • C08K7/26—Silicon- containing compounds

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)

Abstract

규소 함유 중합체, Si-NMR 분석에 따른 Q4 영역의 피크의 최대 값이 Q3 영역의 피크의 최대값의 2배 이상인 중공 실리카 입자, 및 용매를 포함하는 경화형 수지 조성물, 상기 수지 조성물로부터 제조되는 박막, 상기 박막을 포함하는 색 변환 패널, 및 상기 색 변환 패널을 포함하는 표시 장치를 제공한다.

Description

경화형 수지 조성물, 이로부터 제조되는 박막, 및 상기 박막을 포함하는 색 변환 패널 및 표시 장치 {CURABLE RESIN COMPOSITION, THIN LAYER INCLUDING SAME, AND COLOR CONVERSION PANEL AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THIN LAYER}
본 기재는 경화형 수지 조성물, 이로부터 제조되는 박막, 및 상기 박막을 포함하는 색 변환 패널과 표시 장치에 관한 것이다.
디스플레이 분야가 발달함에 따라 디스플레이를 이용한 각종 표시 장치가 다양화되고 있으며, 이러한 표시 장치 중 OLED 또는 양자점을 포함하는 표시 장치와 같은 자발광 재료의 발광 효율을 증대시키는 기술에 대한 요구가 지속적으로 발생하고 있다. 저굴절 소재를 디스플레이를 형성하는 패널의 여러 박막 사이에 사용하면, 내부에서 빛이 이동할 때 손실되는 광량을 리사이클링 시킴으로써 발광 효율 높일 수 있다. 또한, 저굴절 특성은 저반사율 효과를 낳기 때문에, 빛 센서 외부의 렌즈의 저반사층, 또는 디스플레이 혹은 태양전지 최외곽의 반사방지막(AR) 등에 사용될 수 있다.
최근, 디스플레이 장치는 더 얇고, 더 가볍고, 접히거나(bendable) 말릴(rollable) 수 있어야 하며, 이러한 특성들의 구현을 위해 얇고 유연한 (flexible) 막들의 도입이 고려된다. 저굴절 코팅층의 굴절률이 낮을수록 코팅층의 두께를 줄일 수 있어 코팅막의 마진이 넓어지고 디바이스 목적에 따른 효율은 증가한다. 한편, 저굴절 소재의 굴절률을 낮추기 위한 과제뿐만 아니라, 디스플레이 장치의 제조 또는 사용시 열에 대한 안정성, 및 상하부 막과의 우수한 접착성 등 개선해야 할 문제들이 존재한다.
일 구현예는 낮은 굴절률과 물에 대한 높은 접촉각을 가지면서도, 기재 또는 이웃한 막과의 접착성이 개선된 경화형 수지 조성물을 제공한다.
다른 구현예는 상기 조성물을 경화시켜 제조되는 박막을 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 박막을 포함하는 색 변환 패널을 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 색 변환 패널을 포함하는 표시 장치를 제공한다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
일 구현예에 따른 경화형 수지 조성물은 규소 함유 중합체와, Si-NMR 분석에 따른 Q4 영역의 피크의 최대 값이 Q3 영역의 피크의 최대값의 2배 이상인 중공 실리카 입자, 및 용매를 포함하는 경화형 수지 조성물을 제공한다.
상기 규소 함유 중합체는 하기 화학식 1로 표시되는 카보실란-실록산 공중합체를 포함한다:
[화학식 1]
(R4R5R6SiO1/2)M(R7R8SiO2/2)D(R9SiO3/2)T1(SiO3/2-Y-SiO3/2)T2(SiO4/2)Q
상기 화학식 1에서,
R4 내지 R9은, 각각 독립적으로, 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 카르복실기, R(C=O)-, R(C=O)O- (여기서, R은 수소, C1 내지 C30의 알킬기, C3 내지 C30의 사이클로알킬기, C6 내지 C30의 아릴기, 또는 이들의 조합이다), 에폭시기 함유 1가 유기기, (메트)아크릴기, (메트)아크릴레이트기, 또는 이들의 조합이고,
Y는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴렌기, 또는 이들의 조합이고,
0≤M≤0.5, 0≤D≤0.5, 0<T1≤0.95, 0<T2≤0.2, 0<Q≤0.95이고,
M+D+T1+T2+Q=1이다.
상기 화학식 1에서, M=0, 0≤D≤0.2, 0<T1<0.5, 0<T2<0.2, 0.5≤Q≤0.95, 및 D+T1+T2+Q=1이다.
상기 화학식 1에서, M=0, D=0, 0<T1<0.4, 0<T2<0.2, 0.6≤Q≤0.9, 및 T1+T2+Q=1이다.
상기 규소 함유 중합체의 폴리스티렌 환산 중량평균 분자량(Mw)은 1,000 g/mol 내지 100,000 g/mol이다.
상기 규소 함유 중합체는 상기 경화형 조성물의 총 중량을 기준으로 1 중량% 내지 30 중량% 포함된다.
상기 경화형 수지 조성물은 끓는 점이 100℃ 내지 250℃인 유기 고분자를 더 포함한다.
상기 유기 고분자는 폴리알킬렌 옥사이드계 공중합체, 폴리아릴렌 옥사이드 공중합체, 글리콜계 공중합체, 또는 이들의 조합을 포함한다.
상기 유기 고분자의 수평균 분자량(Mn)은 100 g/mol 내지 10,000 g/mol이다.
상기 유기 고분자는 상기 경화형 조성물의 총 중량을 기준으로 0.1 중량% 내지 10 중량% 포함된다.
상기 중공형 실리카의 평균 직경(D50)은 10 nm 내지 300 nm이다.
상기 중공 실리카의 평균 공극률은 40% 내지 90% 이다.
상기 중공 실리카는 상기 경화형 조성물의 총 중량을 기준으로 0.1 중량% 내지 15 중량% 포함된다.
상기 경화형 수지 조성물은 불소계 계면활성제를 포함하는 표면개질용 첨가제를 더 포함한다.
다른 일 구현예에 따른 박막은 상기 경화형 수지 조성물을 경화시켜 제조된다.
상기 박막은 500 nm 내지 550 nm 파장에 대한 굴절률이 1.35 이하이고, 물에 대한 접촉각이 105°이상이다.
다른 일 구현예에 따른 색 변환 패널은 상기 박막을 포함한다.
또다른 일 구현예에 따른 표시 장치는 상기 색 변환 패널을 포함한다.
일 구현예에 따른 경화형 수지 조성물은 낮은 온도에서 경화 가능하며, 그로부터 제조되는 박막은 낮은 굴절률, 물에 대한 높은 접촉각, 및 높은 접착성을 가진다. 그에 따라, 일 구현예에 따른 조성물로부터 제조되는 박막은 다양한 표시 장치에서 유리하게 사용될 수 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 색 변환 패널을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II 선을 따라 절단한 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 도 2의 일 변형예에 따른 단면도이다.
도 4는 도 2와 도 3의 일 변형예에 따른 단면도이다.
도 5는 도 2의 일 변형예에 따른 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구현예를 상세하게 설명하면 다음과 같다. 다만, 본 기재를 설명함에 있어서, 이미 공지된 기능 혹은 구성에 대한 설명은, 본 기재의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.
본 기재를 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분을 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다. 또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타냈으며, 본 기재가 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타냈다. 또한, 도면에서 설명의 편의를 위해 일부 층 및 영역의 두께를 과장하여 나타냈다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
일 구현예는 낮은 굴절률을 가지며 물에 대한 접촉각이 높으면서도 이웃한 막 또는 기재와의 접착성이 개선된 경화형 수지 조성물에 관한 것이다.
디스플레이 분야가 발달함에 따라 디스플레이를 이용한 각종 표시 장치가 다양화되고 있으며, 이러한 표시 장치 중 OLED 또는 양자점을 포함하는 표시 장치와 같은 자발광 재료의 발광 효율을 증대시키는 기술에 대한 요구가 지속적으로 발생하고 있다. 저굴절률 소재는 저반사율 특성을 가지므로 빛 센서 외부의 렌즈의 저반사층, 디스플레이 혹은 태양전지 최외곽의 반사방지(AR: Anti-reflection) 막, 또는 빛이 이동하는 디바이스 내부에서 빛의 손실을 줄여 효율을 높이는 층에 사용될 수 있다. 한편, 저굴절 코팅층의 굴절률이 낮을수록 코팅층의 두께를 줄일 수 있어 코팅막의 마진이 넓어지고, 디바이스 목적에 따른 효율은 증가하게 된다.
저굴절률 소재를 얻기 위한 기존의 방법들 중 열경화형 수지를 이용하는 경우, 나노기공을 형성하기 위해 약 350℃ 이상, 적어도 약 300℃ 이상의 높은 온도에서 수지를 경화해야 하는 것으로 알려져 있다. 화학증기증착(CVD: Chemical Vapor Deposition)과 같은 방법은 고가의 장비를 필요로 할 뿐만 아니라 이로부터 두꺼운 코팅 막을 형성하기 어렵고, 또한 나노기공을 만들기 어려워 낮은 굴절률을 가지는 박막을 제조하기 어렵다. 불소계 화합물이나 에폭시 고분자를 사용할 경우 저굴절률을 구현하기 어렵고, 구현한다 하더라도 두께가 마이크로미터 수준으로 상승할 경우 크랙이 발생할 가능성이 높다. 한편, 실리콘 소재의 경우 저굴절률 구현이 쉬운 것으로 알려져 있으나 두께가 두꺼워질수록 상하부 막과의 부착력이 저하한다는 문제가 있다. 특히, 저굴절률을 구현하는 층의 하부에 컬러 필터 층과 같은 패턴을 가지는 층이 존재할 경우, 패턴으로 인해 기판이 평평하지 않고 단차를 가질 수 있다. 이때, 하부 패턴의 단차가 커서 패턴 사이의 틈에 저굴절률을 구현하는 층의 코팅물이 들어가 채우는 경우, 그 부분은 저굴절률 층의 두께가 매우 두꺼워질 수 있고, 이 부분에서 크랙이 발생할 가능성이 있다. 따라서, 낮은 굴절률을 가지면서도 크랙이 발생하지 않고 상하부 막과의 접착력이 좋은 두꺼운 막을 구현하기는 어렵다.
일 구현예에서는, 경화형 수지 조성물로서 낮은 온도, 예를 들어, 약 300℃ 이하, 예를 들어, 약 280℃ 이하, 예를 들어, 약 270℃ 이하, 예를 들어, 약 250℃ 이하, 예를 들어, 약 240℃ 이하에서 경화 가능하고, 그로부터 제조된 박막이 낮은 굴절률을 가지면서도 우수한 접착성을 가지는 경화형 수지 조성물을 제공한다.
상기 일 구현예에 따른 경화형 수지 조성물은 규소 함유 중합체와, Si-NMR 분석에 따른 Q4 영역의 피크의 최대 값이 Q3 영역의 피크의 최대값의 2배 이상인 중공 실리카 입자, 및 용매를 포함하는 경화형 수지 조성물을 제공한다.
상기 규소 함유 중합체는 카보실란-실록산 공중합체를 포함할 수 있다.
이하, 일 구현예에 따른 경화형 수지 조성물의 각 성분에 대해 자세히 설명한다.
(a) 규소 함유 중합체
저굴절률 소재로서 규소 함유 중합체가 알려져 있으며, 일 구현예에 따른 경화형 수지 조성물은 폴리머 매트릭스로서 규소 함유 중합체, 특히, 하기 화학식 1로 표시되는 카보실란-실록산 공중합체를 포함할 수 있다:
[화학식 1]
(R4R5R6SiO1/2)M(R7R8SiO2/2)D(R9SiO3/2)T1(SiO3/2-Y-SiO3/2)T2(SiO4/2)Q
상기 화학식 1에서,
R4 내지 R9은, 각각 독립적으로, 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 카르복실기, R(C=O)-, R(C=O)O- (여기서, R은 수소, C1 내지 C30의 알킬기, C3 내지 C30의 사이클로알킬기, C6 내지 C30의 아릴기, 또는 이들의 조합이다), 에폭시기 함유 1가 유기기, (메트)아크릴기, (메트)아크릴레이트기, 또는 이들의 조합이고,
Y는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴렌기, 또는 이들의 조합이고,
0≤M≤0.5, 0≤D≤0.5, 0<T1≤0.95, 0<T2≤0.2, 0<Q≤0.95이고,
M+D+T1+T2+Q=1이다.
일 실시예에서, 상기 화학식 1의 M=0, 0≤D≤0.2, 0<T1<0.5, 0<T2<0.2, 0.5≤Q≤0.95, 및 D+T1+T2+Q=1일 수 있고, 예를 들어, M=0, D=0, 0<T1<0.4, 0<T2<0.2, 0.6≤Q≤0.9, 및 T1+T2+Q=1일 수 있다.
일 구현예에 따른 경화형 수지 조성물이 폴리 매트릭스로서 상기와 같은 카보실란-실록산 공중합체를 포함할 경우, 낮은 굴절률을 가지면서도 고온에서 크랙이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
상기 화학식 1에서, R4 내지 R9은, 각각 독립적으로, C1 내지 C10 알킬기, C3 내지 C20 사이클로알킬기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 에폭시기 함유 1가 유기기, C6 내지 C20 아릴기, (메트)아크릴기, (메트)아크릴레이트기, (메트)아크릴기로 치환된 알킬기, (메트)아크릴레이트기로 치환된 알킬기, 또는 이들의 조합을 들 수 있고, 이들에 제한되지 않는다.
상기 화학식 1에서, Y는 C1 내지 C10의 알킬렌기, C4 내지 C10의 사이클로알킬렌기, C6 내지 C20의 아릴렌기, 또는 이들의 조합을 나타낼 수 있고, 이들에 제한되지 않는다.
상기 화학식 1로부터 알 수 있는 것처럼, 상기 카보실란-실록산 공중합체는 주 연결기에 해당하는 규소(Si) 원자와 산소(O)간 결합 외에, 상기 공중합체의 전체 구조단위의 총 몰수를 기준으로 일정 함량, 즉 0.2 몰 미만의 두 개의 규소(Si) 원자 사이를 연결하는 탄화수소기 Y를 가짐으로써, 상기 공중합체가 높은 표면 경도를 가지면서도 고온에서 크랙이 발생하지 않도록 공중합체의 구조에 유연성을 부여할 수 있고, 나아가 높은 투과율과 낮은 굴절률을 가지는 폴리머 매트릭스를 형성할 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 카보실란-실록산 공중합체의 폴리스티렌 환산 중량평균 분자량(Mw)은 1,000 g/mol 내지 100,000 g/mol, 예를 들어 1,000 g/mol 내지 90,000 g/mol, 예를 들어, 1,000 g/mol 내지 80,000 g/mol, 예를 들어, 1,000 g/mol 내지 70,000 g/mol, 예를 들어, 1,000 g/mol 내지 60,000 g/mol, 예를 들어, 1,000 g/mol 내지 50,000 g/mol, 예를 들어, 1,000 g/mol 내지 40,000 g/mol, 예를 들어, 1,000 g/mol 내지 30,000 g/mol, 예를 들어, 1,000 g/mol 내지 20,000 g/mol, 예를 들어, 1,000 g/mol 내지 10,000 g/mol, 예를 들어, 1,000 g/mol 내지 9,000 g/mol, 예를 들어, 1,000 g/mol 내지 8,000 g/mol, 예를 들어, 1,000 g/mol 내지 7,000 g/mol, 예를 들어, 1,500 g/mol 내지 7,000 g/mol, 예를 들어, 2,000 g/mol 내지 7,000 g/mol, 예를 들어, 2,000 g/mol 내지 6,500 g/mol, 예를 들어, 2,000 g/mol 내지 6,000 g/mol, 예를 들어, 2,000 g/mol 내지 5,500 g/mol, 예를 들어, 2,000 g/mol 내지 5,000 g/mol, 예를 들어, 2,000 g/mol 내지 4,500 g/mol, 예를 들어, 2,000 g/mol 내지 4,000 g/mol, 예를 들어, 2,500 g/mol 내지 4,000 g/mol, 예를 들어, 3,000 g/mol 내지 4,000 g/mol, 예를 들어, 일 수 있고, 이들에 제한되지 않는다.
상기 화학식 1로 표시되는 카보실란-실록산 공중합체가 상기 범위의 중량평균분자량을 가짐으로써, 이로부터 제조되는 막은 낮은 굴절률을 가지면서도 크랙이 발생할 가능성이 적다.
상기 화학식 1로 표시되는 카보실란-실록산 공중합체는 하기 화학식 2로 표시되는 실란 화합물, 및 하기 화학식 3으로 표시되는 카보실란 화합물을 가수분해 축합 반응시켜 제조될 수 있다.
[화학식 2]
(R1)n-Si-(OR2)4-n
상기 화학식 2에서,
R1은 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 카르복실기, R(C=O)-, R(C=O)O- (여기서, R은 수소, C1 내지 C30의 알킬기, C3 내지 C30의 사이클로알킬기, C6 내지 C30의 아릴기, 또는 이들의 조합이다), 에폭시기 함유 1가 유기기, (메트)아크릴기, (메트)아크릴레이트기, 또는 이들의 조합이고,
R2는 수소, 또는 C1 내지 C30의 알킬기, C3 내지 C30의 사이클로알킬기, C2 내지 C30 알케닐기, 또는 C6 내지 C30의 아릴기 중 어느 하나를 나타내며,
n은 0≤n<4를 나타낸다.
[화학식 3]
Figure pat00001
상기 화학식 3에서,
R3은, 각각 독립적으로, 수소, C1 내지 C30의 알킬기, C3 내지 C30의 사이클로알킬기, C2 내지 C30의 알케닐기, 또는 C6 내지 C30의 아릴기 중 어느 하나를 나타내고,
Y는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴렌기, 또는 이들의 조합을 나타낸다.
상기 화학식 1에서, n은 0≤n<3 일 수 있다.
상기 화학식 2로 표시되는 실란 화합물과 상기 화학식 3으로 표시되는 카보실란 화합물의 가수분해 축중합 반응은 물을 포함하는 용매 내에서 산 촉매 또는 염기 촉매 하에서 수행될 수 있다.
상기 화학식 1 내지 화학식 3에서, "치환"이란, 각각의 작용기가 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 하이드록시기, 카르복실기, 에폭시기, (메타)아크릴기, (메타)아크릴레이트기, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 또는 이들의 조합으로 치환된 것을 나타낸다.
상기 화학식 2에서, R1은 C1 내지 C10 알킬기, C3 내지 C20 사이클로알킬기, 에폭시기 함유 1가 유기기, C6 내지 C20 아릴기, (메트)아크릴기, (메트)아크릴레이트기, (메트)아크릴기로 치환된 알킬기, (메트)아크릴레이트기로 치환된 알킬기, 또는 이들의 조합을 들 수 있고, 이들에 제한되지 않는다.
상기 화학식 2로 표시되는 실란 화합물로의 구체적인 예로는 테트라메틸오르쏘실리케이트 (TMSO), 테트라에틸오르쏘실리케이트 (TEOS) 테트라이소프로폭시실란, 메틸트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 디페닐디에톡시실란, 이소부틸트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란, 3,3,3-트리플루오로프로필트리메톡시실란, 메틸-3,3,3-트리플루오로프로필디메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시트리프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리에톡시실란, γ-메타크릴록시프로필메틸디메톡시실란, γ-메타크릴록시프로필트리메톡시실란, γ-메타크릴록시프로필메틸디에톡시실란, γ-메타크릴록시프로필트리에톡시실란, N-β(아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-β(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-β(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란, 아크릴록시프로필트리메톡시실란, 트리메틸실라놀, 메틸트리클로로실란, 메틸디클로로실란, 디메틸디클로로실란, 트리메틸클로로실란, 페닐트리클로로실란, 디페닐디클로로실란, 비닐트리클로로실란, 트리메틸브로모실란, 디에틸실란, 테트라에틸오르쏘실리케이트 (TEOS) 등을 들 수 있고, 이들에 제한되지 않는다.
상기 화학식 3으로 표시되는 카보실란 화합물로의 예로는 1,2-비스- 트라이메톡시실릴에탄 (1,2-bis-(trimethoxysilyl)ethane), 1,2-비스- 트라이에톡시실릴에탄 (1,2-bis-(triethoxysilyl)ethane), 1,4-비스- 트라이메톡시실릴사이클로헥산 (1,4-bis-(trimethoxysilyl)cyclohexane) 등을 들 수 있고, 이들에 제한되지 않는다.
상기 화학식 1로 표시되는 카보실란-실록산 공중합체는 상기 경화형 조성물의 총 중량을 기준으로 1 내지 30 중량%, 예를 들어, 1 중량% 내지 20 중량%, 예를 들어, 2 중량% 내지 20 중량%, 예를 들어, 2 중량% 내지 15 중량%, 예를 들어, 3 중량% 내지 15 중량%, 예를 들어, 3 중량% 내지 10 중량% 포함될 수 있고, 이들 범위로 제한되지 않는다.
상기 화학식 1로 표시되는 카보실란-실록산 공중합체가 일 구현예에 따른 경화형 수지 조성물 내에 상기 범위로 포함됨으로써, 이로부터 제조되는 막이 낮은 굴절률을 가지면서도 크랙이 발생할 가능성이 적다.
(b) 중공 실리카 입자
일 구현예에 따른 경화형 수지 조성물은 막의 굴절률을 더욱 감소시키기 위해중공 실리카 입자를 포함하고, 그러한 중공 실리카 입자가 특히 Si-NMR 분석에 따른 Q4 영역의 피크의 최대 값이 Q3 영역의 피크의 최대값의 2배 이상인 중공 실리카 입자를 포함함으로써, 상기 막의 상하부에 존재하는 다른 막, 및/또는 기판과의 접착성이 현저히 향상되는 것을 특징으로 한다.
실리콘계 수지는 저굴절률 소재로 알려져 있으며, 그러한 실리콘계 수지가 중공 입자를 포함할 경우, 중공 입자 내 공극으로 인해 막의 굴절률이 더욱 감소될 수 있다. 또한, 이러한 실리콘계 수지는 수 나노미터에서 수십 마이크로미터 수준의 두께를 가지는 막으로 제조되는 경우에도 크랙이 잘 발생하지 않는 내크랙성을 가진다. 그러나, 막의 두께가 두꺼워질수록 이러한 막을 형성하는 조성물의 경화 메커니즘에 변화가 수반되어 코팅막과 상하부막 사이의 부착력(또는 결합력)이 약해져 박리가 일어나는 경우가 있다. 이는 상기 막을 포함하는 전자 부품, 예를 들어, 색 변환 패널 등의 제조 공정에서 큰 문제가 될 수 있다. 따라서, 해당 막의 상부 또는 하부에 존재하는 패턴 등을 충분히 코팅할 수 있을 정도로 두꺼운 막으로 제조될 수 있으면서도 크랙이 발생하지 않고, 또한 그러한 막이 상하부 막으로부터 박리되지 않도록 부착력(접착성)을 증가시킬 필요가 있다.
본원 발명자들은 막의 굴절률을 감소시키기 위해 첨가하는 중공 실리카 입자의 표면에 존재하는 실라놀기(Si-OH)의 함량이 낮을수록, 이를 포함하는 실리콘계 경화형 수지 조성물의 접착성이 증가할 수 있음을 발견하였다. 중공 실리카 입자의 Si-NMR 분석에서 상기 입자 표면의 (SiO4/2)를 나타내는 Q4 영역 피크의 최대 값이 (SiO3/2)-OH를 나타내는 Q3 영역 피크의 최대 값보다 2 배 이상 클 경우, 그로부터 제조되는 경화 막의 물 접촉각이 105° 이상으로 커져 막이 소수성이 되면서도, 이 막의 상/하부 막을 Cross-cutting하여 테이프로 떼어내는 테이핑 테스트, 즉, cross-cut taping test에서 막의 접착성이 4B 이상으로 높게 나오는, 전혀 예상하지 못한 놀라운 효과를 발견하여 본 발명을 완성하였다. 일반적으로는, 막이 친수성 일수록 상하부에 존재하는 무기 막들과의 접착성이 더 좋은 것으로 알려져 있다. 이러한 관점에서, 상기 본원 발명의 효과는 통상의 기술자가 종래 기술로부터 쉽게 예측할 수 없는 놀라운 것이다.
Cross-cut taping test는, ASTM D3359 국제 표준 시험법에 의거하여, 테스트하고자 하는 적층막의 상부로부터 약 50 ㎛ 내지 125 ㎛의 깊이로, 가로 및 세로 방향으로 일정 길이, 예를 들어, 가로 약 15 mm, 세로 약 15 mm, 장방형으로 cross-cutting 한 후, 일정 부착력, 예컨대, 약 4.5 N/m의 테이프를 사용하여, 상기 cross-cutting된 부분을 부착한 후 떼어내는 taping test를 통해 해당 적층막의 부착력을 테스트하는 시험 방법이다. 상기 cross-cut taping test에 의한 부착력 평가 지표는, ASTM D3359 국제 표준 시험법에 개시된 평가 값의 정의에 따라, 상기 테스트 면적에서 상기 테이프에 의해 뜯겨 나가는 면적의 비율을 수치화하여 나타낸다. 구체적으로, 상기 지표가 0B일 경우, 테스트 면적 전체가 테이프에 의해 뜯겨 나가는 경우이며, 5B일 때는 테스트 면에서 박리가 전혀 일어나지 않는 경우이다. 일 구현예에 따른 상기 박막의 경우, 이러한 cross-cut taping test에 의한 부착력 평가 지표가 4B로 나타났으며, 이는 테스트 면적의 20%만 테이프에 의해 뜯겨나가고, 나머지 80%는 박리되지 않고 유지됨을 의미한다. 본원 발명의 구현예에 따른 박막과 달리, 후술하는 비교예로부터 제조된 박막의 경우, 즉, Si-NMR 분석의 Q4 영역 피크의 최대 값이 Q3 영역 피크의 최대 값의 2배 미만인 중공 실리카 입자를 포함하는 경화형 수지 조성물로부터 제조된 막은 상부 Cross-cut taping test에서 최대 3B의 접착력을 나타냈으며, 중공 실리카 입자의 함량이 증가할수록 막의 접착력은 더욱 감소하여 0B를 나타낸다. 따라서, 일 구현예에 따라 규소를 함유하는 중합체와, Si-NMR 분석에서 Q4 영역의 피크의 최대 값이 Q3 영역의 피크의 최대 값의 2배 이상인 중공 실리카 입자를 포함하는 중공 입자를 포함함으로써, 그로부터 제조되는 경화 막이 보다 높은 내열성과 우수한 접착성을 가짐을 알 수 있다.
일 실시예에서, 상기 중공 실리카 입자는 실란 화합물과 알루미늄 전구체를 가수분해 축중합 반응시켜 제조되는 알루미노실리케이트 중공 미립자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 대한민국 등록특허 제10-1659709호에 기재된 것과 같은 방법으로 제조된 알루미노실리케이트 중공 미립자를 포함할 수 있다.
상기 대한민국 등록특허 제10-1659709호에서는, 유기 고분자의 마이셀(micell)또는 역 마이셀로 이루어진 템플레이트 코어에 실란 화합물과 알루미늄의 전구체를 특정 몰비로 반응시켜 알루미노실리케이트 쉘이 형성된 코어쉘 입자를 형성한 후, 이 코어쉘 입자를 염기성 수용액 또는 산성 수용액과 반응시켜 쉘에 미세 기공을 형성하고, 동시에 상기 코어를 용해시켜 제거하여 중공형 알루미노실리케이트 입자를 형성한 후, 상기 중공형 알루미노실리케이트 입자를 수열처리하여 입자의 밀도가 증가한 중공형 알루미노실리케이트 미립자를 제조하는 것을 개시하고 있다. 이와 같이 제조된 중공형 알루미노실리케이트 미립자는 저굴절률 특성을 가지며, 상기 코어를 제거하는 과정에서 고온의 소결 공정 등을 거치지 않아 중공형 미립자간 응집이 방지되고, 또한 상기 코어쉘 입자를 염기성 수용액 또는 산성 수용액과 반응시켜 쉘에 미세 기공을 형성한 후 이를 다시 수열 처리에 의해 입자의 밀도가 증가시킴으로써, 낮은 굴절률과 함께 내스크래치성 등의 물리적 내구성과 함께 투과율의 증가, 및 헤이즈가 낮은 유리한 광학 특성들을 가질 수 있다.
상기와 같은 중공 실리카 입자의 평균 직경(D50)은 10 nm 내지 300 nm, 예를 들어, 10 nm 내지 250 nm, 예를 들어, 10 nm 내지 200 nm, 예를 들어, 10 nm 내지 180 nm, 예를 들어, 20 nm 내지 150 nm, 예를 들어, 20 nm 내지 130 nm, 예를 들어, 30 nm 내지 130 nm, 예를 들어, 40 nm 내지 130 nm, 예를 들어, 50 nm 내지 130 nm, 예를 들어, 50 nm 내지 120 nm, 예를 들어, 50 nm 내지 110 nm, 예를 들어, 60 nm 내지 100 nm 일 수 있고, 이들에 제한되지 않는다. 중공 실리카 입자의 평균 직경 크기가 상기 범위를 충족하는 경우 폴리머 매트릭스에 잘 분산될 수 있고, 경화 막의 굴절률을 효율적으로 감소시킬 수 있으며, 막의 내열성 증가 및/또는 우수한 접착 특성을 구현할 수 있다.
상기 중공 실리카 입자의 공극률은 40% 내지 90%, 예를 들어, 40% 내지 80%, 예를 들어, 40% 내지 70%, 예를 들어 40% 내지 60%, 예를 들어, 40% 내지 50%, 예를 들어, 50% 내지 90%, 예를 들어 60% 내지 90%, 예를 들어, 70% 내지 90%, 예를 들어, 80% 내지 90%, 예를 들어, 50% 내지 70%일 수 있고, 이들에 제한되지 않는다. 중공 실리카 입자의 공극률이 상기 범위를 초과하는 경우, 중공 실리카 입자의 내부 공간의 크기는 커지고 외곽의 두께는 작아져 중공 실리카 입자의 내구성이 약해질 수 있으며, 중공 실리카 입자의 공극률이 상기 범위 미만인 경우, 굴절률 감소 효과, 및/또는 접착성 개선 효과 중 하나 이상이 미미해질 수 있다.
상기 중공 실리카 입자는 일 구현예에 따른 경화형 수지 조성물의 총 중량을 기준으로 0.1 중량% 내지 15 중량%, 예를 들어, 1 중량% 내지 15 중량%, 1 중량% 내지 10 중량%, 예를 들어, 2중량% 내지 8 중량% 포함될 수 있고, 이들에 제한되지 않는다.
상기 Si-NMR 분석에 따른 Q4 영역의 최대 피크값이 Q3 영역의 최대 피크값보다 2배 이상 큰 중공 실리카 입자를 상기 범위로 포함함으로써, 일 구현예에 따른 경화형 수지 조성물은 낮은 굴절률과 물에 대한 높은 접촉각, 및 기판 또는 상하부 막에 대한 우수한 접착성을 가질 수 있다.
(c) 끓는 점이 100℃ 내지 250℃ 인 유기 고분자
일 구현예에 따른 경화형 수지 조성물은 끓는 점이 100℃ 내지 250℃ 인 유기 고분자를 더 포함할 수 있다.
끓는 점이 100℃ 내지 250℃인 유기 고분자를 포함하는 경우, 상기 조성물을 가열하여 경화시킬 때 온도가 100℃ 내지 250℃로 상승됨에 따라, 끓는 점이 100℃ 내지 250℃ 사이인 상기 유기 고분자는 상기 가열에 의해 경화되는 수지로부터 증발하게 된다. 이에 따라, 상기 수지 내 상기 유기 고분자가 존재하던 곳에 나노 기공이 형성되어, 이러한 나노 기공을 포함하지 않는 경화 막보다 더 낮은 굴절률을 가질 수 있다.
끓는 점이 100℃ 내지 250℃인 유기 고분자로는 폴리알킬렌 옥사이드계 공중합체, 폴리아릴렌 옥사이드 공중합체, 글리콜계 공중합체, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 글리콜계 공중합체의 예로서 폴리에틸렌 글라이콜(poly(ethylene) glycol), 폴리플로필렌 글라이콜(poly(propylene) glycol) 등을 들 수 있고, 상기 폴리알킬렌 옥사이드 공중합체 또는 상기 폴리아릴렌 옥사이드계 공중합체의 예로서 폴리에틸렌 옥사이드, 폴리프로필렌 옥사이드, 폴리페닐렌 옥사이드(poly(phenylene) oxide) 등을 들 수 있고, 이들에 제한되지 않는다.
상기 끓는 점이 100℃ 내지 250℃인 유기 고분자의 수평균 분자량(Mn)은 100 g/mol 내지 10,000 g/mol, 예를 들어, 100 g/mol 내지 8,000 g/mol, 예를 들어, 200 g/mol 내지 7,000 g/mol, 예를 들어, 300 g/mol 내지 6,000 g/mol, 예를 들어, 예를 들어, 400 g/mol 내지 5,500 g/mol, 예를 들어, 400 g/mol 내지 5,000 g/mol, 예를 들어, 500 g/mol 내지 5,000 g/mol, 예를 들어, 500 g/mol 내지 4,500 g/mol, 예를 들어, 600 g/mol 내지 5.000 g/mol, 예를 들어, 600 g/mol 내지 4,500 g/mol, 예를 들어, 700 g/mol 내지 5,000 g/mol, 예를 들어, 700 g/mol 내지 4,500 g/mol, 예를 들어, 800 g/mol 내지 5,000 g/mol, 예를 들어, 800 g/mol 내지 4,500, g/mol, 예를 들어, 900 g/mol 내지 5,000 g/mol, 예를 들어, 900 g/mol 내지 4,500, g/mol, 예를 들어, 1,000 g/mol 내지 5,000 g/mol, 예를 들어, 1,000 g/mol 내지 4,500 g/mol, 예를 들어, 1,000 g/mol 내지 4,000 g/mol, 예를 들어, 1,000 g/mol 내지 3,500 g/mol, 예를 들어, 1,000 g/mol 내지 3,000 g/mol, 예를 들어, 1,000 g/mol 내지 2,500 g/mol, 예를 들어, 1,000 g/mol 내지 2,000 g/mol일 수 있고, 이들에 제한되지 않는다.
상기 유기 고분자는 상기 경화형 조성물의 총 중량을 기준으로 0.1 중량% 내지 10 중량%, 예를 들어, 0.5 중량% 내지 10 중량%, 1 중량% 내지 10 중량%, 예를 들어, 2중량% 내지 8 중량%, 예를 들어, 3 중량% 내지 7 중량% 포함될 수 있고, 이들에 제한되지 않는다.
(d) 용제
일 구현예에 따른 경화형 수지 조성물에 포함되는 용매로는 200℃ 이상의 공정 온도에서 사용 가능한 임의의 용매를 1 종 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 용매는 비프로톤성 용매와 프로톤성 용매를 들 수 있다.
예를 들어, 일 구현예에 따른 경화형 수지 조성물에서 사용 가능한 비프로톤성 용매로는, 디에틸 에테르, 메틸에틸에테르, 메틸-n- 디-n-프로필 에테르, 디-iso-프로필 에테르, 테트라하이드로퓨란, 메틸 테트라 하이드로퓨란, 디옥산, 디메틸디옥산, 에틸렌글리콜 디 메틸에테르, 에틸렌글리콜 디 에틸에테르, 에틸렌글리콜 디-n-프로필 에테르, 에틸렌글리콜 디 부틸 에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디 에틸에테르, 디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜 메틸 모노- n-프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 메틸 모노- n-부틸 에테르, 디에틸렌글리콜디-n-프로필 에테르, 디에틸렌글리콜디-n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜 메틸 모노- n-헥실에테르, 트리에틸렌 글리콜 디메틸에테르, 트리에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 메틸에틸에테르, 트리에틸렌 글리콜 메틸 모노- n-부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 디-n 부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 메틸 모노- n-헥실에테르, 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르, 테트라에틸렌글리콜 디 에틸에테르, 테트라디에틸렌글리콜 메틸에틸에테르, 테트라에틸렌글리콜 메틸 모노-n-부틸 에테르, 디에틸렌글리콜디-n-부틸 에테르, 테트라에틸렌글리콜 메틸 모노-n-헥실에테르, 테트라에틸렌글리콜디-n-부틸 에테르, 프로필렌 글리콜 디메틸에테르, 프로필렌 글리콜 디에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 디-n-프로필 에테르, 프로필렌 글리콜 디부틸에테르, 디프로필렌글리콜 디 메틸에테르, 디프로필렌글리콜 디 에틸에테르, 디프로필렌글리콜 메틸에틸에테르, 디프로필렌글리콜 메틸 모노-n-부틸 에테르, 디프로필렌글리콜 디-n-프로필 에테르, 디프로필렌글리콜 디-n-부틸 에테르, 디프로필렌글리콜 메틸 모노-n-헥실에테르, 트리프로필렌글리콜디 메틸에테르, 트리프로필렌글리콜 디 에틸에테르, 트리프로필렌 글리콜 메틸에틸에테르, 트리프로필렌 글리콜 메틸 모노- n-부틸 에테르, 트리프로필렌글리콜디-n-부틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 메틸 모노- n-헥실에테르, 테트라프로필렌 글리콜 디메틸에테르, 테트라프로필렌 글리콜 디에틸 에테르, 테트라디프로필렌글리콜 메틸에틸에테르, 테트라프로필렌 글리콜 메틸 모노- n-부틸 에테르, 디프로필렌글리콜 디-n-부틸 에테르, 테트라프로필렌 글리콜 메틸 모노- n-헥실에테르, 테트라프로필렌 글리콜 디-n-부틸에테르 등의 에테르계 용매; 초산메틸, 초산에틸, 초산 n-프로필, 초산 i-프로필, 초산 n-부틸, 초산 i-부틸, 초산 sec-부틸, 초산 n-펜틸, 초산 sec-펜틸, 초산3-메톡시부틸, 초산메틸 펜틸, 초산2-에틸 부틸, 초산2-에틸헥실, 초산 벤질, 초산 사이클로헥실, 초산메틸 사이클로헥실, 초산 노닐, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 초산 디에틸렌글리콜 모노 메틸에테르, 초산 디에틸렌글리콜 모노 에틸에테르, 초산 디에틸렌글리콜 모노-n-부틸 에테르, 초산 디프로필렌글리콜 모노 메틸에테르, 초산 디프로필렌글리콜 모노 에틸에테르, 디초산글리콜, 초산 메톡시 트리글리콜, 프로피온산 에틸, 프로피온산 n-부틸, 프로피온산 i-아밀, 옥살산 디에틸, 옥살산디-n-부틸 등의 에스테르계 용매； 에틸렌글리콜 메틸에테르 프로피오네이트, 에틸렌글리콜 에틸에테르 프로피오네이트, 에틸렌글리콜 메틸에테르 아세테이트, 에틸렌글리콜 에틸에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 메틸에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 에틸에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜-n-부틸에테르아세테이트, 프로필렌 글리콜 메틸에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 에틸에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 프로필 에테르 아세테이트, 디프로필렌글리콜 메틸에테르 아세테이트, 디프로필렌글리콜 에틸에테르 아세테이트 등의 에테르 아세테이트계 용매가 있고, 이들에 제한되지 않는다.
예를 들어, 일 구현예에 따른 경화형 수지 조성물에서 사용 가능한 프로톤성 용매로는, 메탄올, 에탄올, n-프로판올, i-프로판올, n-부탄올, i-부탄올, sec-부탄올, t-부탄올, n-펜탄올, i-펜탄올,2-메틸부탄올, sec-펜탄올, t-펜탄올,3-메톡시 부탄올, n-헥사놀,2-메틸펜타놀, sec-헥사놀,2-에틸 부탄올, sec-헵탄올, n-옥탄올,2-에틸 헥사놀, sec-옥탄올, n-노닐 알코올, n-데칸올, sec-운데실 알코올, 트리메틸 노닐 알코올, sec-테트라데실알코올, sec-헵타데실 알코올, 페놀, 사이클로헥산올, 메틸사이클로헥사놀,벤질 알코올, 에틸렌글리콜, 1,2-프로필렌 글리콜, 1,3-부틸렌 글리콜, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 트리프로필렌 글리콜 등의 알코올계 용매； 에틸렌글리콜 메틸에테르, 에틸렌글리콜 에틸에테르, 에틸렌글리콜모노 페닐 에테르, 디에틸렌글리콜모노 메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노-n-부틸 에테르, 디에틸렌글리콜모노-n-헥실에테르, 에톡시트리글리콜, 테트라에틸렌글리콜모노-n-부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노 메틸에테르, 프로필렌 글리콜 프로필 에테르, 디프로필렌글리콜 모노 메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노 에틸에테르, 트리프로필렌 글리콜 모노 메틸에테르 등의 에테르계 용매； 젖산 메틸, 젖산 에틸, 젖산 n-부틸, 젖산 n-아밀 등의 에스테르계 용매 등을 들 수 있다. 이들 중 보관 안정성 관점에서 알코올계 용매를 사용할 수 있다.
상기 용매는 상기 경화형 조성물의 총 중량을 기준으로 30 중량% 내지 95 중량%, 예를 들어 40 중량% 내지 90중량%, 예를 들어 45중량% 내지 90중량%, 예를 들어 50중량% 내지 90중량% 포함될 수 있고, 전체 고형분 함량에 따라 적절히 조절할 수 있다.
(e) 기타 첨가제
일 구현예에 따른 경화형 수지 조성물은 당해 기술 분야에서 공지된 다양한 첨가제를 더 포함할 수 있다. 이러한 첨가제로서 상기 조성물의 코팅시 코팅성 향상 및 결점 생성 방지 효과를 위한 계면 활성제, 예를 들어, 불소계 계면활성제를 더 포함할 수 있고, 이에 제한되지 않는다. 이들 첨가제는 상기 규소 함유 중합체, 예를 들어, 상기 화학식 1로 표시한 카보실란-실록산 공중합체 100 중량부에 대해 10 중량부 이하, 예를 들어, 8 중량부 이하, 예를 들어, 5 중량부 이하, 예를 들어, 3 중량부 이하, 예를 들어, 2 중량부 이하, 예를 들어, 1 중량부 이하로 포함될 수 있다.
다른 일 구현예는 상기 경화형 수지 조성물을 경화시켜 제조되는 박막을 제공한다.
상기 박막은 500 nm 내지 550 nm 파장에 대한 굴절률이 1.35 이하, 예를 들어, 1.30 이하, 예를 들어, 1.28 이하, 예를 들어, 1.25 이하, 예를 들어, 1.20 이하, 예를 들어, 1.18 이하, 예를 들어, 1.15 이하일 수 있고, 400 nm 내지 800nm 파장에서의 광투과율 평균값이 90% 이상, 예를 들어, 92% 이상, 예를 들어, 95% 이상일 수 있다.
종래 상기와 같이 낮은 범위의 굴절률을 가지는 박막을 제조하기 위해서는 350℃ 이상, 적어도 300℃ 이상의 높은 온도에서의 경화가 필요하거나, 화학증기증착(CVD)과 같은 고가의 장비를 사용해야 했다. 그 외에 중공 실리카를 사용하는 방법도 있으나, 이 경우 굴절률을 1.2 수준으로 감소시키기는 어려웠다.
이에 반해, 일 구현예에 따른 경화형 수지 조성물은 낮은 경화 온도, 예를 들어, 약 180℃ 내지 약 240℃의 범위에서 약 10분 내지 약 1 시간 이내의 범위로 경화함으로써, 막 두께 약 1 ㎛ 내지 약 10 ㎛, 예를 들어, 약 2 ㎛ 내지 약 7 ㎛, 예를 들어, 약 2 ㎛ 내지 약 5 ㎛의 상기 범위의 굴절률을 가지면서 크랙 발생 없는 박막을 용이하게 제조할 수 있다.
상기 박막은 물에 대한 접촉각이 105°이상으로, 비교적 소수성임에도 불구하고 기재, 및/또는 상하부 막과의 접착력이 우수할 수 있다. 예를 들어, 상기 박막 위에 SiOx와 같은 박막이 적층된 경우, 상부 박막을 Cross-cutting 후 Taping test한 경우의 부착력이 4B 이상, 예를 들어 5B 정도로 매우 높게 나타난다.
반면, 일 구현예에 따른 조성물과 유사하나, 중공 실리카 입자의 Si-NMR 분석의 Q3 영역 피크의 최대 값이 Q4 영역 피크의 최대값의 1/2 이상인 중공 실리카 입자를 포함하는 조성물을 경화시켜 제조한 막은 물에 대한 접촉각이 102°이하로 낮아지며, 상하부 박막의 Cross-cutting 후 테이핑 테스트시의 부착력도 3B 이하로 급격히 감소한다.
따라서, 일 구현예에 따른 상기 박막은 다양한 전자 재료용 소재, 예를 들어, 색변환 패널의 저굴절층, 디스플레이 혹은 태양전지 최외각의 반사방지막, 빛 센서 외부의 렌즈의 저반사층, 광학 부재용 코팅 재료 등 다양한 분야에서 사용할 수 있다.
이에 따라, 본 발명의 또 다른 일 구현예에서는 상기 박막을 포함하는 색 변환 패널을 제공한다.
상기 색 변환 패널은,
기판;
상기 기판의 일면 위에 배치되는 저굴절층;
상기 저굴절층의 위, 또는 상기 저굴절층과 상기 기판 사이에 배치되는 색 변환 부재를 포함하는 색 변환층; 및
상기 저굴절층 및 상기 색 변환층을 덮는 평탄화층을 포함하고,
상기 저굴절층은 일 구현예에 따른 경화형 수지 조성물로부터 제조될 수 있다.
여기서, 상기 경화형 수지 조성물에 대해서는 위에서 기술한 것과 동일하므로, 이에 대한 자세한 기재는 생략한다.
일 실시예에서, 상기 색 변환 패널의 저굴절층은 상기 기판, 또는 상기 색 변환층에 일 구현예에 따른 경화형 수지 조성물을 코팅하여 경화함으로써 제조될 수 있다. 구체적으로, 상기 경화형 수지 조성물을 기판 또는 상기 기판 위에 형성된 색 변환층 위로 코팅한 후, 약 150℃ 이상 250℃ 이하, 예를 들어, 170℃ 이상 250 ℃ 이하, 예를 들어, 180℃ 이상 250℃ 이하, 예를 들어, 180℃ 이상 240℃ 이하, 예를 들어, 190℃ 이상 240℃ 이하, 예를 들어, 200℃ 이상 240℃ 이하, 예를 들어, 210℃ 이상 240℃ 이하, 예를 들어, 220℃ 이상 240℃ 이하의 온도에서 약 10분 내지 약 1 시간 이내의 시간 동안 건조 및 경화하여 제조할 수 있다.
상기 조성물을 기판, 또는 상기 색 변환층 위에 코팅하는 방법은 당해 기술 분야에서 공지된 다양한 방법 중 임의의 방법을 사용할 수 있으며, 예를 들어, 스핀 코팅, 슬릿 앤 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 롤 코팅 방법, 또는 다이 코팅과 같은 방법이 있으나, 이들에 제한되지 않는다. 일 실시예에서, 상기 조성물은 기판 또는 색 변환층 위에 스핀 코팅할 수 있다.
상기와 같이 제조된 저굴절층은 약 100 nm 내지 10 ㎛의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 박막은 약 1 ㎛ 내지 약 10 ㎛, 예를 들어, 약 1 ㎛ 내지 약 8 ㎛, 예를 들어, 약 1 ㎛ 내지 약 7 ㎛, 예를 들어, 약 1 ㎛ 내지 약 5 ㎛의 두께를 가질 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 일 실시예에 따른 색 변환 패널을 자세히 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 색 변환 패널(100)을 개략적으로 도시한 평면도이며, 도 2 및 도 3은 각각, 도 1의 II-II 선을 따라 절단한 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2와 도 3을 함께 참조하면, 일 실시예에 따른 색 변환 패널(100)은 기판(110), 저굴절층(120), 색변환층(130), 및 평탄화층(140)을 포함하고, 상기 색변환층(130)은 제1 파장의 광을 발광하는 제1 색변환층(132)과 제2 파장의 광을 발광하는 제2 색변환층(134)과 같이, 2 이상의 다른 파장의 광을 발광하는 색 변환층을 포함할 수 있다. 일 예로 제1 색변환층(132)은 적색(R) 광을 방출하며, 제2 색변환층(134)은 녹색(G) 광을 방출할 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 이 외에도 색 변환 패널(100)은 청색(B) 계열의 광을 방출하거나 혹은 백색 광을 방출하는 제3 영역(C)을 더 포함할 수 있다.
기판(110)은 투명하고 전기적으로 절연성을 가지는 물질로 이루어지며, 제1 색변환층(132)과 제2 색 변환층(134)이 위치하는 영역에 대응되는 위치에 보호층(112)을 더 포함할 수 있다. 보호층(112)은 기판(110)의 일면에 형성되어, 이후 기판(110) 상에 색 변환층(130)이 형성될 때 색 변환층의 패터닝이 원활하게 진행되도록 하고, 색 변환층 내 색 변환 부재를 보호한다.
저굴절층(120)은 기판(110)의 일면, 예를 들어, 보호층(112)이 형성된 기판(110)의 일면 상에서 기판(110) 일부 및 보호층(112)을 덮을 수 있고, 또는 도 3에 나타낸 것처럼, 상기 보호층(112) 위에 색 변환층(130)이 먼저 적층된 후, 상기 색 변환층(130) 위로 적층되어, 색 변환층(130), 기판(110)의 일부, 및 보호층(112) 일부를 모두 덮을 수도 있다. 즉, 도 2와 도 3은, 저굴절층(120)이 색 변환층(130)의 아래 위치하거나 (도 2의 경우), 또는 저굴절층(120)이 색 변환층(130)의 위에 위치하는 (도 3의 경우) 차이만 있고, 그 외 구성 요소들은 모두 동일하다.
일 구현예에 따른 저굴절층(120)은 500nm 내지 550nm 파장에 대해 1.35 이하의 굴절률, 예를 들어, 1.32 이하의 굴절률, 예를 들어, 1.31 이하, 예를 들어, 1.30이하, 예를 들어, 1.29이하, 예를 들어, 1.28 이하, 예를 들어, 1.27 이하, 예를 들어, 1.26 이하, 예를 들어, 1.25 이하, 예를 들어, 1.24 이하, 예를 들어, 1.23 이하, 예를 들어, 1.22 이하, 예를 들어, 1.21 이하, 예를 들어, 1.20 이하, 예를 들어, 1.19 이하, 예를 들어, 1.18 이하, 예를 들어, 1.17이하, 예를 들어, 1.16 이하, 예를 들어, 1.15 이하의 상대적으로 낮은 굴절률을 가진다. 이러한 저굴절층(120)이 색 변환층(130)의 위 또는 아래, 또는 위와 아래에 모두 형성되는 경우, 색 변환층(130)으로부터 발광하는 광이 기판(110) 쪽으로 반사되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 빛이 저굴절층(120)을 통과하면서 굴절률 차에 의해 반사 또는 굴절되어 다시 색 변환층(130)으로 이동하면서, 소실된 빛이 재사용되는 효과를 갖는다. 이에 따라, 저굴절층(120)이 색 변환층(130)의 위, 아래, 또는 양쪽 모두에 형성된 일 구현예에 따른 색 변환 패널(100)의 발광 효율이 더욱 향상될 수 있다. 본 명세서에서 언급하는 굴절률은 진공과 매질 중의 빛의 속도의 비를 나타내는 절대 굴절률을 의미한다.
또한, 상기 저굴절층은 400nm 내지 800 nm 파장에 대한 광투과율의 평균값이 90% 이상, 예를 들어, 91% 이상, 예를 들어, 92% 이상, 예를 들어, 93% 이상, 예를 들어, 94% 이상, 예를 들어, 95% 이상, 예를 들어, 96% 이상, 예를 들어, 97% 이상, 예를 들어, 98% 이상, 예를 들어, 99% 이상일 수 있고, 이들에 제한되지 않는다. 저굴절층의 400nm 내지 800 nm 파장에 대한 광투과율의 평균값이 상기 범위를 만족하는 경우, 상기 저굴절층의 광학적 특성이 더욱 향상될 수 있다.
또한, 상기 저굴절층은 가시광선 범위에 해당하는 400nm 내지 800nm 범위의 파장 전 영역에서의 평균 반사율(SCE 값)이 10% 이하, 예를 들어, 7% 이하, 예를 들어, 5% 이하, 예를 들어, 3% 이하일 수 있다. 따라서 일 구현예에 따른 색 변환 패널(100)은 낮은 파장의 범위에서도 높은 광투과율을 가질 수 있으며, 가시광선에 해당하는 파장의 전 영역대에 걸쳐 낮은 반사율을 유지하여 광학적 특성이 더욱 향상될 수 있다.
제1 색 변환층(132) 및 제2 색 변환층(134)은 각각 제1 파장의 광을 발광하는 제1 색 변환부재(133) 및 제2 파장의 광을 발광하는 제2 색 변환부재(135)를 포함하며, 이들 제1 색 변환부재(133)와 제2 색 변환부재(135)는 각각 입사된 광의 파장을 다른 파장의 광으로 변환시키는 양자점을 포함할 수 있다. 이러한 색 변환부재는 양자점을 포함하는 색 변환층 형성용 조성물을 상기 기판 또는 상기 기판 위에 형성된 저굴절층(120) 위로 도포하여 형성할 수 있다. 상기 색 변환층 형성용 조성물은 양자점, 바인더 수지, 광중합성 단량체, 광중합 개시제, 용매 및 기타 첨가제 등을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 색 변환층(130)은 양자점을 포함하는 색 변환 부재(133, 135)를 포함하는 색 변환층 형성용 조성물을 기판(110) 또는 기판(110) 상에 형성된 저굴절층(120) 위에 코팅한 후 패터닝 공정을 거침으로써 형성된다. 패터닝 공정은, 일 예로, 상기 색 변환층 형성용 조성물을 기판(110) 또는 저굴절층(120) 상에 스핀 또는 슬릿 코트법, 롤 코트법, 스크린 인쇄법, 어플리케이터법 등의 방법으로 도포하고 건조하여 도막을 형성하는 단계, 마스크를 이용하여 제1 색 변환층(132), 및 제2 색 변환층 (134)에 대응되는 형상의 패턴을 형성하는 노광 단계, 불필요한 부분을 제거하는 현상 단계, 및 내열성, 내광성, 밀착성, 내크랙성, 내화학성, 고강도, 저장 안정성 등의 면에서 우수한 패턴을 얻기 위해, 다시 가열하거나 활성선 조사 등을 행하여 경화시키는 후처리 단계와 같은 공정을 거쳐 진행될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 및 제2 색 변환층(132, 134)은 양자점을 포함하는 색 변환 부재(133, 135) 외에 광 산란체(미도시) 등을 더 포함할 수 있다. 광 산란체는 양자점과 함께 색 변환층(130) 내에 분산되어 있을 수 있다. 광 산란체는 입사광이 양자점에 입사되도록 유도하거나, 양자점으로부터 방출되는 방사광이 색 변환층(130) 외부로 방출될 수 있도록 방사 방향을 유도할 수 있다. 이를 통해, 색 변환층(130)의 광효율 저하를 최소화 할 수 있다. 상기 투광 부재(136)도 광 산란체를 포함할 수 있다.
상기 저굴절층(120) 및 상기 색 변환층(130) 상에는 평탄화층(140)이 형성된다. 평탄화층(140)은 저굴절층(120) 및 색 변환층(130)을 덮어 이들을 보호하며, 색 변환 패널(100)의 표면이 평탄해지도록 한다. 평탄화층(140)은 광이 투과될 수 있도록 투명하고, 전기적으로 절연성을 가지는 물질로 이루어질 수 있다. 이때, 본 구현예에 따른 평탄화층(140)은 저굴절층(120)과 동일하거나 상이한 폴리머 매트릭스로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 평탄화층(140)은 저굴절층(120)과 같이 카보실란-실록산 공중합체를 포함하는 저굴절 물질로 이루어짐으로써 색 변환 패널(100)의 발광 효율을 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 저굴절층(120)에 입사한 광이 평탄화층(140)에 입사할 때 반사되거나 산란되는 경우를 최소화 함으로써, 계면의 광학적 손실을 최소화하여 광 효율이 향상된 색 변환 패널(100)을 제공할 수 있다.
한편, 색 변환층(130)은 제3 영역(C)에 대응되도록 배치되는 투과부재(136)를 더 포함할 수 있다. 투과부재(136)는 광원으로부터 전달받은 광을 별도의 색 변환 없이 그대로 방출할 수 있다. 이를 위해, 일 예로, 투과부재(136)는 색 변환층(130)의 높이와 동일하게 형성되거나, 또는 도 2 및 도 3에 나타낸 것처럼, 색 변환층(132, 134) 및 그 위에 형성된 평탄화층(140)이 존재하는 높이까지 일정 부분 아무 것도 채워지지 않은 빈 공간으로 존재할 수도 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 투과부재(136) 역시 제1 색 변환층(132) 및 제2 색 변환층(134)과 같이, 특정 파장으로 변환된 광을 방출하기 위하여 양자점을 더 포함할 수 있고, 또한 상기 설명한 광 산란체도 더 포함할 수 있다.
도 4는 도 2 및 도 3의 일 변형예에 따른 단면도이다. 도 4는 저굴절층(120)이 색 변환층(130)의 상부 및 하부에 모두 형성된 예를 나타내는 단면도이다. 저굴절층(120)이 색 변환층(130)의 상부와 하부에 모두 형성된 것을 제외하고, 나머지 구성 요소들은 도 2 및 도 3에서 설명한 것과 모두 동일하므로, 이들에 대한 자세한 설명은 생략한다. 도 4와 같이 저굴절층(120)이 색 변환층(130)의 상부와 하부에 모두 존재하는 경우, 색 변환 패널(100)의 발광 효율이 더욱 향상될 수 있다.
도 5는 도 2의 일 변형예에 따른 단면도이다. 도 5를 참조하면, 일 변형예에 따른 색 변환 패널(100)은 제1 캡핑층(150) 및 제2 캡핑층(160)을 더 포함할 수 있다. 도 5에는 제1 캡핑층(150) 및 제2 캡핑층(160)을 모두 포함하는 변형예가 도시되어 있으나, 이들 중 어느 하나를 생략하여도 무방하다.
제1 캡핑층(150)은 평탄화층(140) 상에 형성되어 평탄화층(140)을 덮는다. 따라서 평탄화층(140)을 형성하는 단계 이후에 형성될 수 있다. 제1 캡핑층(150)은 기판(110) 전면에 걸쳐 형성될 수 있다.
제2 캡핑층(160)은 저굴절층(120)과 색 변환층(130) 사이에 형성되며, 제1 캡핑층(150)과 마찬가지로 기판(110) 전면에 걸쳐 형성될 수 있다. 따라서 제2 캡핑층(160)은 저굴절층(120) 형성 단계와 색 변환층(130) 형성 단계 사이에 형성될 수 있다.
제1 캡핑층(150) 및 제2 캡핑층(160) 역시 저굴절층(120)과 마찬가지로 낮은 굴절률을 가지는 물질로 이루어질 수 있으며, 일 예로 SiNx와 같은 물질을 포함할 수 있다. 평탄화층(140)과 계면을 형성하는 제1 캡핑층(150), 및 저굴절층(120)과 평탄화층(140) 사이, 또는 저굴절층(120)과 색 변환층(130) 사이에 위치하여 이들과 계면을 형성하는 제2 캡핑층(160) 역시 낮은 굴절률을 가지는 물질로 이루어짐으로써, 제1 캡핑층(150) 및 제2 캡핑층(160)에 입사되는 광이 반사되거나 산란되는 경우를 최소화할 수 있다. 이로써, 계면의 광학적 손실을 최소화하여 광 효율이 향상된 색 변환 패널(100)을 제공할 수 있다.
제1 캡핑층(150) 및 제2 캡핑층(160)을 포함하는 색 변환 패널(100)의 경우, 저굴절층(120), 제1 캡핑층(150) 및 제2 캡핑층(160)을 전혀 포함하지 않는 색 변환 패널(100) 대비 150% 이상의 발광 효율 상승 효과를 나타낼 수 있다.
이상, 본 발명의 일 구현예에 따른 색 변환 패널(100), 및 이를 제조하는 방법에 대해 설명하였다. 이에 따르면, 양자점 등을 포함하는 색 변환 패널(100)에서 양자점에 의한 발광 효율이 향상되는 색 변환 패널(100)을 제공할 수 있다.
본 발명의 또 다른 구현예는 상기 일 구현예에 따른 색 변환 패널을 포함하는 표시 장치를 제공한다.
상기 표시 장치는 퀀텀닷, OLED, 미니LED, 마이크로LED, 나노로드 LED 등을 사용하는 표시 장치, 플렉서블 표시 장치일 수 있고, 이에 제한되지 않는다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 기재한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
실시예
합성예: 카보실란-실록산 공중합체의 제조
2L의 반응기에 메틸메톡시실란 (Methyltrimethoxy silane: MTMS) 62.66 g(0.20 mol), 테트라에톡시오르쏘실리케이트 (Teterethoxy orthosilicate: TEOS) 287.50 g(0.6mol), n-페닐아미노프로필트리메톡시실란 (n-phenylaminopropyltrimethoxysilane) 58.74 g(0.1 mol), 1,2-비스(트리에톡시실릴)에탄 (1,2-bis(triethoxysilyl)ethane) 81.56g(0.1 mol), 및 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 (PGMEA) 735.60 g을 투입하고, 실온에서 교반하면서 물 124.34 g에 1M 염산 1.254 g을 녹인 염산 수용액을 30 분에 걸쳐 첨가했다. 그 후, 플라스크를 60
Figure pat00002
의 오일 베스에 담그고 180 분간 교반한 후, 진공 펌프와 딘스탁을 이용하여 240 분간 반응 부생성물인 메탄올, 에탄올, 염산 수용액, 및 물을 합해 총 464.5 g 유출시켰다. 그 후, 생성물인 카보실란-실록산 공중합체 용액(A)을 얻었다. 얻어진 용액(A) 내 카보실란-실록산 공중합체의 고형분 농도는 18 중량%이었다. 수득된 카보실란-실록산 공중합체 (A)의 폴리스티렌 환산 중량평균분자량(Mw)은 3,785 g/mol이었다. 중량평균분자량은 겔침투크로마토그래피 (GPC: HLC-8220GPC, 토소 社)를 사용하여 측정하였다.
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4: 경화형 수지 조성물 제조
상기 합성예에서 얻어진 카보실란-실록산 공중합체 용액과, 용매로서 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMEA), 그리고 평균(D50) 입경 100 nm의 중공 실리카 입자(나노신소재 社, 실리카 고형분 함량 20%), 및 불소를 포함하는 계면활성제인 F-563(DIC社)을, 조성물의 총 중량을 기준으로 하기 표 1에 기재된 비율로 혼합하여, 실시예 1 내지 4, 및 비교예 1 내지 4에 따른 경화형 수지 조성물을 제조하였다. 이때, 상기 중공 실리카 입자는 Si-NMR 분석 결과 Q3 영역의 최대 피크 값을 100%로 할 때, 각각 하기 표 1에 기재된 Q4 영역의 최대 피크 값을 갖는 중공 실리카 입자를사용하여 조성물을 제조한다.
경화막의 제조 및 평가
실시예 1 내지 4, 및 비교예 1 내지 4에서 제조된 조성물로부터 각각 경화막을 형성하고, 이와 같이 형성된 경화막에 대해 각각 굴절률, 접촉각, 및 증착막과의 부착력 등을 측정하였다. 이 때, 각 경화막의 두께는 Alpha-step(Surface profiler KLA, Tencor社)으로 측정하였으며, 각각의 평가를 위한 경화막의 제조 방법 및 각 측정 방법은 아래와 같다.
(1) 굴절률
상기 실시예 및 비교예에 따른 조성물을 각각 직경 4 인치의 실리콘 웨이퍼 위에 스핀 코팅기(Mikasa社, Opticoat MS-A100)를 사용하여 200 rpm으로 10분 동안 스핀 코팅한 후, 열판(hot-plate)을 이용하여 100
Figure pat00003
에서 2분간 프리베이킹(pre-baking)하여 막을 형성한다. 이후, 230℃ 온도에서 20분 동안 경화 및 건조하여, 2.0 ㎛ 두께의 경화막을 얻었으며, 얻어진 각 경화막에 대해 분광 엘립소미터 (Ellipsometer Base-160, J.A.Woollam 社)로 550 nm 에서의 굴절률을 측정하고, 그 결과를 하기 표 1에 기재하였다.
(2) 접촉각
상기 실시예 및 비교예에 따른 조성물을 각각 유리 기판 위에 스핀 코팅기(Mikasa社, Opticoat MS-A100)를 사용하여 200rpm으로 10분 동안 스핀 코팅한 후, 열판(hot-plate)을 이용하여 100
Figure pat00004
에서 2분간 프리베이킹(pre-baking)하여 막을 형성한다. 이후, 230℃ 온도에서 20분 동안 경화 및 건조하여, 2.0 ㎛ 두께의 경화막을 얻는다. 얻어진 각각의 경화막에 초순수(DI water)를 3 ㎕씩 떨어뜨린 후, 접촉각 측정기 DSA-100 (KRUSS 社)를 이용하여 상기 막 표면에 떨어뜨려진 물방울의 접촉각을 측정하고, 그 결과를 하기 표 1에 기재하였다.
(3) 증착막과의 부착력 평가
상기 실시예 및 비교예에 따른 조성물을 각각 직경 6 인치의 실리콘 웨이퍼 위에 스핀 코팅기(Mikasa社, Opticoat MS-A100)를 사용하여 200 rpm으로 10분 동안 스핀 코팅한 후, 열판(hot-plate)을 이용하여 100
Figure pat00005
에서 2분간 프리베이킹(pre-baking)하여 막을 형성한다. 이후, 230℃ 온도에서 20분 동안 경화 및 건조하여, 2.0 ㎛ 두께의 경화막을 얻는다. 상기 경화막 위에, 화학기상 증착기인 PE-CVD를 사용하여 SiOx 상부 막을 형성한다. 그 후, 이 상부 막을, ASTM D3359 국제 표준 시험법에 의거하여, 깊이 약 100 ㎛, 커팅 최종 면적 약 15 mm X 15 mm로 Cross-cutting 한 후 4.5 N/m의 테이프를 사용하여 taping test를 진행하고, 그 결과를 하기 표 1에 기재하였다. ASTM D3359 국제 표준 시험법에 개시된 평가 값의 정의에 따라, 상기 커팅 면적에서 상기 테이프에 의해 뜯겨 나간 면적의 비율을 부착력 평가 지표로서 아래와 같이 나타낸다:
(부착력 평가 지표)
0B : 100% 박리 (전체 면이 박리됨)
1B : 80% 박리
2B : 60% 박리
3B : 40% 박리
4B : 20% 박리
5B : 0% 박리 (박리 미발생)
중공 실리카의 Si-NMR의 Q4 피크값 / Q3 피크값 (%) 함량 (중량%) 경화막의 물성
카보실란-실록산 공중합체
용액		 중공
실리카
분산액 		용매 계면
활성제		 굴절률 접촉각 (°) 부착력 지표
실시예1 200 32 25 42 1 1.229 113 5B
실시예2 30 27 42 1 1.226 108 5B
실시예3 29 29 41 1 1.218 105 4~5B
실시예4 206 32 25 42 1 1.229 116 5B
비교예1 160 47 10 42 1 1.329 102 3B
비교예2 32 25 42 1 1.224 98 0B
비교예3 29 29 41 1 1.217 94 0B
비교예4 135 47 10 42 1 1.341 100 1~2B
표 1로부터 알 수 있는 것처럼, 중공 실리카 입자의 Si-NMR 분석에서 Q4 영역의 피크값이 Q3 영역의 피크값의 2 배 (200%) 이상인 중공 실리카를 포함하는 실시예 1 내지 실시예 4에 따른 경화형 수지 조성물로부터 제조된 경화막은 1.3 이하의 낮은 굴절률을 가지면서, 접촉각은 105° 이상으로 높고, 상부 막과의 부착력은 최소 4B이고, 대부분 5B로 나타나, 상부막이 거의 박리되지 않음을 알 수 있다. 즉, 각 실시예 및 비교예에서 제조된 것과 같은 마이크로미터 수준의 경화막 두께에서, 상부막과의 접착력이 매우 높음을 알 수 있다.
반면, 중공 실리카 입자의 Si-NMR 분석에서 Q4 영역의 피크값이 Q3 영역의 피크값의 2 배 (200%) 미만인 중공 실리카를 포함하는 비교예 1 내지 비교예 4에 따른 경화형 수지 조성물로부터 제조된 경화막은 중공 실리카 입자의 함량이 실시예와 동등 수준인 경우(비교예 2와 비교예 3)는 굴절률이 유사하게 낮은 굴절률을 나타냄을 알 수 있지만, 이 경우, 경화막의 접촉각이 모두 100° 미만으로 낮고, 이 경우, 상부막과의 부착력이 모두 0B로 나타나, 상부막이 완전히 박리됨을 알 수 있다. 즉, 동일한 함량의 중공 실리카 입자를 포함할 경우, Q4/Q3 비율이 2배 미만일 경우, 상부 막과의 부착력이 현저히 감소됨을 알 수 있다. 반면, 상기 비교예 2 및 비교예 3과 동일한 중공 실리카 입자를 포함하되, 조성물 내 중공 실리카 입자의 함량을 현저히 감소시킨 비교예 1의 경우, 부착력 지표가 3B로 나타나, 중공 실리카 입자를 보다 많이 포함한 비교예 2와 비교예 3보다는 상부 막과의 부착력이 증가함을 알 수 있다. 즉, 굴절률을 감소시키기 위해 중공 실리카 입자를 포함하는 경우, 함량이 증가할수록 상부막과의 부착력 문제가 발생하는 반면, 본원 발명의 실시예에 따라 Q4/Q3 비율이 2 배 이상인 중공 실리카를 포함할 경우, 중공 실리카의 함량이 증가하여 굴절률을 감소시킬 수 있으면서도, 이 경우 상부 막과의 부착력 문제도 전혀 없는 놀라운 효과가 있음을 알 수 있다. 비교예 4의 경우, 중공 실리카 입자의 Q4/Q3의 비율을 더욱 감소시킨 경우, 비교예 1에서와 동일 함량의 중공 실리카 입자를 포함하더라도, 굴절률은 더 높아지고, 상부 막과의 부착력도 더욱 감소함을 알 수 있다.
이상 살펴본 바와 같이, 일 구현예에 따라 중공 실리카 입자의 Si-NMR 분석에서 Q4 영역의 피크값이 Q3 영역의 피크값 대비 2 배 이상이 되도록 한 중공 실리카 입자를 포함한 경화형 수지 조성물은 낮은 굴절률을 유지하면서 상부막과의 접착력이 현저히 개선된 효과를 가지며, 이에 따라 다양한 전자 재료에서 저굴절층 등으로 유용하게 적용 가능함을 알 수 있다.
앞에서, 본 발명의 특정한 실시예가 설명되고 도시되었지만 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 일이다. 따라서, 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 기술적 사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어서는 안되며, 변형된 실시예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.
100: 색 변환 패널 110: 기판
112: 보호층 120: 저굴절층
130: 색 변환층 132: 제1 색 변환 부재
133: 제1 양자점 134: 제2 색 변환 부재
135: 제2 양자점 136: 투과 부재
140: 평탄화층 150: 제1 캡핑층
160: 제2 캡핑층 A: 제1 영역
B: 제2 영역 C: 제3 영역

Claims (18)

  1. 규소 함유 중합체,
    Si-NMR 분석에 따른 Q4 영역의 피크의 최대 값이 Q3 영역의 피크의 최대값의 2배 이상인 중공 실리카 입자, 및
    용매를 포함하는 경화형 수지 조성물.
  2. 제1항에서, 상기 규소 함유 중합체는 하기 화학식 1로 표시되는 카보실란-실록산 공중합체를 포함하는 경화형 수지 조성물:
    [화학식 1]
    (R4R5R6SiO1/2)M(R7R8SiO2/2)D(R9SiO3/2)T1(SiO3/2-Y-SiO3/2)T2(SiO4/2)Q
    상기 화학식 1에서,
    R4 내지 R9은, 각각 독립적으로, 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 카르복실기, R(C=O)-, R(C=O)O- (여기서, R은 수소, C1 내지 C30의 알킬기, C3 내지 C30의 사이클로알킬기, C6 내지 C30의 아릴기, 또는 이들의 조합이다), 에폭시기 함유 1가 유기기, (메트)아크릴기, (메트)아크릴레이트기, 또는 이들의 조합이고,
    Y는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴렌기, 또는 이들의 조합이고,
    0≤M≤0.5, 0≤D≤0.5, 0<T1≤0.95, 0<T2≤0.2, 0<Q≤0.95이고,
    M+D+T1+T2+Q=1이다.
  3. 제2항에서, 상기 화학식 1의 M=0, 0≤D≤0.2, 0<T1<0.5, 0<T2<0.2, 0.5≤Q≤0.95, 및 D+T1+T2+Q=1인 경화형 수지 조성물.
  4. 제2항에서, 상기 화학식 1의, M=0, D=0, 0<T1<0.4, 0<T2<0.2, 0.6≤Q≤0.9, 및 T1+T2+Q=1인 경화형 수지 조성물.
  5. 제1항에서, 상기 규소 함유 중합체의 폴리스티렌 환산 중량평균 분자량(Mw)은 1,000 g/mol 내지 100,000 g/mol인 경화형 수지 조성물.
  6. 제1항에서, 상기 규소 함유 중합체는 상기 경화형 조성물의 총 중량을 기준으로 1 중량% 내지 30 중량% 포함되는 경화형 수지 조성물.
  7. 제1항에서, 끓는 점이 100℃ 내지 250℃인 유기 고분자를 더 포함하는 경화형 수지 조성물.
  8. 제7항에서, 상기 유기 고분자는 폴리알킬렌 옥사이드계 공중합체, 폴리아릴렌 옥사이드 공중합체, 글리콜계 공중합체, 또는 이들의 조합을 포함하는 경화형 수지 조성물.
  9. 제7항에서, 상기 유기 고분자의 수평균 분자량은(Mn)은 100 g/mol 내지 10,000 g/mol인 경화형 수지 조성물.
  10. 제7항에서, 상기 유기 고분자는 상기 경화형 조성물의 총 중량을 기준으로 0.1 중량% 내지 10 중량% 포함되는 경화형 수지 조성물.
  11. 제1항에서, 상기 중공형 실리카의 평균 직경(D50)은 10 nm 내지 300 nm인 경화형 수지 조성물.
  12. 제1항에서, 상기 중공 실리카의 평균 공극률은 40% 내지 90% 인 경화형 수지 조성물.
  13. 제1항에서, 상기 중공 실리카는 상기 경화형 조성물의 총 중량을 기준으로 0.1 중량% 내지 15 중량% 포함되는 경화형 수지 조성물.
  14. 제1항에서, 불소계 계면활성제를 포함하는 표면개질용 첨가제를 더 포함하는 경화형 수지 조성물.
  15. 제1항에 따른 경화형 수지 조성물을 경화시켜 제조되는 박막.
  16. 제15항에서, 상기 박막은 박막은 500 nm 내지 550 nm 파장에 대한 굴절률이 1.35 이하이고, 물에 대한 접촉각이 105°이상인 박막.
  17. 제15항에 따른 박막을 포함하는 색 변환 패널.
  18. 제17항에 따른 색 변환 패널을 포함하는 표시 장치.
KR1020210037500A 2021-03-23 2021-03-23 경화형 수지 조성물, 이로부터 제조되는 박막, 및 상기 박막을 포함하는 색 변환 패널 및 표시 장치 KR20220132328A (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210037500A KR20220132328A (ko) 2021-03-23 2021-03-23 경화형 수지 조성물, 이로부터 제조되는 박막, 및 상기 박막을 포함하는 색 변환 패널 및 표시 장치
US17/654,720 US20220306809A1 (en) 2021-03-23 2022-03-14 Curable resin composition, thin film, and color conversion panel and display device including thin film
TW111109903A TWI826963B (zh) 2021-03-23 2022-03-17 可固化樹脂組成物、薄膜以及顏色轉換面板及顯示裝置
JP2022044318A JP7420852B2 (ja) 2021-03-23 2022-03-18 硬化型樹脂組成物、これから製造される薄膜、前記薄膜を含む色変換パネルおよび前記色変換パネルを含む表示装置
CN202210276565.7A CN115109413B (zh) 2021-03-23 2022-03-21 可固化树脂组合物、薄膜以及颜色转换面板及显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210037500A KR20220132328A (ko) 2021-03-23 2021-03-23 경화형 수지 조성물, 이로부터 제조되는 박막, 및 상기 박막을 포함하는 색 변환 패널 및 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220132328A true KR20220132328A (ko) 2022-09-30

Family

ID=83325139

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210037500A KR20220132328A (ko) 2021-03-23 2021-03-23 경화형 수지 조성물, 이로부터 제조되는 박막, 및 상기 박막을 포함하는 색 변환 패널 및 표시 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220306809A1 (ko)
JP (1) JP7420852B2 (ko)
KR (1) KR20220132328A (ko)
CN (1) CN115109413B (ko)
TW (1) TWI826963B (ko)

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101007807B1 (ko) * 2003-12-13 2011-01-14 삼성전자주식회사 다반응성 선형 실록산 화합물, 상기 화합물로부터 제조된실록산 중합체 및 상기 중합체를 이용한 절연막 제조방법
JP4691985B2 (ja) * 2003-12-26 2011-06-01 三菱化学株式会社 樹脂成形体、樹脂組成物及びそれを用いた塗料、並びに樹脂成形体の製造方法
JP4847050B2 (ja) * 2004-06-07 2011-12-28 扶桑化学工業株式会社 膜形成用組成物及び膜の形成方法
US8273811B2 (en) * 2005-03-02 2012-09-25 Panasonic Corporation Coating material composite and coated article
JP4905656B2 (ja) * 2006-04-14 2012-03-28 信越化学工業株式会社 複合樹脂、それを含むコーティング剤組成物、及び被覆物品、並びに複合樹脂の製造方法
KR101177621B1 (ko) * 2010-06-25 2012-08-27 한국생산기술연구원 고체산화물 연료전지 단위셀의 제조방법
JP5814175B2 (ja) * 2012-04-16 2015-11-17 信越化学工業株式会社 Ｌｅｄのリフレクター用熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びにこれを用いたｌｅｄ用リフレクター及び光半導体装置
JP2014027262A (ja) * 2012-06-19 2014-02-06 Jgc Catalysts & Chemicals Ltd 発光ダイオード
JP2017518243A (ja) * 2014-03-11 2017-07-06 レ イノベーションズ マタレアム インコーポレイテッド シリカ−炭素同素体複合材料の調製および使用プロセス
JP6571403B2 (ja) 2014-06-30 2019-09-04 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． シリカ膜、光学部材および偏光部材
US9376589B2 (en) * 2014-07-14 2016-06-28 Enki Technology, Inc. High gain durable anti-reflective coating with oblate voids
KR101659709B1 (ko) * 2016-05-18 2016-09-26 주식회사 나노신소재 중공형 알루미노실리케이트 입자 및 이의 제조방법
KR102198801B1 (ko) * 2017-12-07 2021-01-05 삼성에스디아이 주식회사 색 변환 패널 및 색 변환 패널의 제조 방법
JP7285343B2 (ja) * 2019-09-04 2023-06-01 サムスン エスディアイ カンパニー，リミテッド 硬化型樹脂組成物、それから形成された硬化膜、および前記硬化膜を有する電子装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN115109413A (zh) 2022-09-27
TW202237708A (zh) 2022-10-01
CN115109413B (zh) 2024-02-02
JP7420852B2 (ja) 2024-01-23
US20220306809A1 (en) 2022-09-29
TWI826963B (zh) 2023-12-21
JP2022151762A (ja) 2022-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112368611B (zh) 树脂组合物、遮光膜、遮光膜的制造方法及带隔壁的基板
KR20130084235A (ko) 규소 함유 경화성 조성물, 그 규소 함유 경화성 조성물의 경화물 및 그 규소 함유 경화성 조성물로 형성되는 리드 프레임 기판
KR101286438B1 (ko) 미세 요철 구조 전사용 무기 조성물
TWI535788B (zh) 硬化性樹脂組成物、光學構件組、其製造方法及使用其的固態影像元件
KR102266587B1 (ko) 수지 조성물, 그 경화막과 그 제조방법, 및 고체촬상소자
US10947412B2 (en) Crack-resistant silicon-based planarizing compositions, methods and films
KR20190100231A (ko) 블랙 매트릭스용 조성물, 블랙 매트릭스, 및 블랙 매트릭스의 제조 방법
KR102198801B1 (ko) 색 변환 패널 및 색 변환 패널의 제조 방법
KR20220132328A (ko) 경화형 수지 조성물, 이로부터 제조되는 박막, 및 상기 박막을 포함하는 색 변환 패널 및 표시 장치
KR20220132327A (ko) 경화형 수지 조성물, 이로부터 제조되는 박막, 및 상기 박막을 포함하는 색 변환 패널 및 표시 장치
KR20220161259A (ko) 수지 조성물, 차광막, 및 격벽이 형성된 기판
KR102510532B1 (ko) 색 변환 패널
US20230279230A1 (en) Curable resin composition, cured film formed therefrom, and electronic device having cured film
KR20210141339A (ko) 경화형 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 상기 경화막을 갖는 전자 장치
JP2014025012A (ja) 硬化性組成物、これを用いたレンズ体およびウェハレベルレンズモジュール

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal