WO2021002168A1 - シャフト付きセラミックヒータ - Google Patents

シャフト付きセラミックヒータ Download PDF

Info

Publication number
WO2021002168A1
WO2021002168A1 PCT/JP2020/022833 JP2020022833W WO2021002168A1 WO 2021002168 A1 WO2021002168 A1 WO 2021002168A1 JP 2020022833 W JP2020022833 W JP 2020022833W WO 2021002168 A1 WO2021002168 A1 WO 2021002168A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
ceramic
shaft
heating element
internal space
ceramic plate
Prior art date
Application number
PCT/JP2020/022833
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
賢一郎 相川
央史 竹林
達也 久野
Original Assignee
日本碍子株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本碍子株式会社 filed Critical 日本碍子株式会社
Priority to CN202080047910.9A priority Critical patent/CN114026956A/zh
Priority to JP2021529940A priority patent/JP7376594B2/ja
Priority to KR1020217033112A priority patent/KR20210139368A/ko
Publication of WO2021002168A1 publication Critical patent/WO2021002168A1/ja
Priority to US17/493,004 priority patent/US20220030669A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10—Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/12—Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
    • H05B3/14—Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
    • H05B3/141—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
    • H05B3/143—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds applied to semiconductors, e.g. wafers heating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/02—Details
    • H05B3/06—Heater elements structurally combined with coupling elements or holders
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/02—Details
    • H05B3/03—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10—Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/12—Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
    • H05B3/14—Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
    • H05B3/141—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
    • H05B3/28—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material
    • H05B3/283—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material the insulating material being an inorganic material, e.g. ceramic
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/68—Heating arrangements specially adapted for cooking plates or analogous hot-plates
    • H05B3/74—Non-metallic plates, e.g. vitroceramic, ceramic or glassceramic hobs, also including power or control circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/016—Heaters using particular connecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/017—Manufacturing methods or apparatus for heaters

Abstract

シャフト付きセラミックヒータは、ＲＦ電極及び抵抗発熱体が埋設されたセラミックプレートと、セラミックプレートのウエハ載置面とは反対側の面に設けられた中空のセラミックシャフトと、セラミックシャフトの内部空間に収容され、セラミックプレートのウエハ載置面とは反対側の面からＲＦ電極に接合されたＲＦ給電ロッドと、セラミックシャフトの内部空間に収容され、セラミックプレートのウエハ載置面とは反対側の面から抵抗発熱体に接合された発熱体給電ロッドと、を備える。ＲＦ給電ロッド及び発熱体給電ロッドの少なくとも一方のうちセラミックシャフトの内部空間に位置する部分の外周面は、絶縁薄膜で覆われており、絶縁薄膜は、エアロゾルデポジション膜又は溶射膜である。

Description

シャフト付きセラミックヒータ
　本発明は、シャフト付きセラミックヒータに関する。
　従来、半導体ウエハの搬送、露光、ＣＶＤなどの成膜プロセスや、洗浄、エッチング、ダイシングなどの微細加工においては、ウエハを保持するシャフト付きセラミックヒータが使用される。こうしたシャフト付きセラミックヒータとして、特許文献１に示すように、抵抗発熱体が埋設されたセラミックプレートと、セラミックプレートのウエハ載置面とは反対側の面に設けられた中空のセラミックシャフトと、セラミックシャフトの内部空間に収容された発熱体給電ロッドとを備えたものが開示されている（図４参照）。発熱体給電ロッドは、セラミックプレートのウエハ載置面とは反対側の面から抵抗発熱体に接合されている。また、発熱体給電ロッドのうちセラミックシャフトの内部空間に位置する部分の外周面は、セラミックスにより形成された絶縁部材で覆われている。
特開２００７－５１３１７号公報
　こうしたシャフト付きセラミックヒータにおいて、発熱体給電ロッドを覆う絶縁部材として絶縁スリーブなどを用いた場合、絶縁スリーブはある程度の厚みが必要になるため、複数の発熱体給電ロッドをセラミックシャフトの内部空間に収容しようとすると、セラミックシャフトの径を大きくする必要があった。しかしながら、セラミックシャフトの径を大きくすると、ウエハ載置面やウエハの均熱性が悪化したりセラミックシャフトとセラミックプレートとの接合界面における応力が大きくなったりするため、セラミックシャフトの径を大きくするには限界があった。
　本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、給電ロッド間の絶縁性を確保しつつ給電ロッドの配置密度を高めることを主目的とする。
　本発明のシャフト付きセラミックヒータは、
　ＲＦ電極及び抵抗発熱体が埋設されたセラミックプレートと、
　前記セラミックプレートのウエハ載置面とは反対側の面に設けられた中空のセラミックシャフトと、
　前記セラミックシャフトの内部空間に収容され、前記セラミックプレートのウエハ載置面とは反対側の面から前記ＲＦ電極に接合されたＲＦ給電ロッドと、
　前記セラミックシャフトの内部空間に収容され、前記セラミックプレートのウエハ載置面とは反対側の面から前記抵抗発熱体に接合された発熱体給電ロッドと、
　を備え、
　前記ＲＦ給電ロッド及び前記発熱体給電ロッドの少なくとも一方のうち前記セラミックシャフトの内部空間に位置する部分の外周面は、絶縁薄膜で覆われており、前記絶縁薄膜は、エアロゾルデポジション（ＡＤ）膜又は溶射膜である、
　ものである。
　このシャフト付きセラミックヒータでは、ＲＦ給電ロッド及び発熱体ロッドの少なくとも一方のうちセラミックシャフトの内部空間に位置する部分の外周面は、絶縁薄膜で覆われており、絶縁薄膜は、ＡＤ膜又は溶射膜である。そのため、絶縁薄膜の厚みは十分薄くなる。したがって、給電ロッド間の絶縁性を確保しつつ給電ロッドの配置密度を高めることができる。その結果、セラミックシャフトの内部空間に収容可能な給電ロッドの数を多くしたり、同じ数の給電ロッドを径の小さいセラミックシャフトの内部空間に収容したりすることができる。
　本発明のシャフト付きセラミックヒータにおいて、前記絶縁薄膜は、厚みが１０μｍ以上２００μｍ以下であってもよい。こうすれば、本発明の効果がより確実に得られる。
　本発明のシャフト付きセラミックヒータにおいて、前記抵抗発熱体は、前記セラミックプレートの複数のゾーンのそれぞれに設けられ、前記発熱体給電ロッドは、前記抵抗発熱体ごとに設けられていてもよい。複数のゾーンのそれぞれに抵抗発熱体を備えたいわゆる多ゾーンヒータにおいて、本発明は特に有用である。
本実施形態のシャフト付きセラミックヒータの縦断面図。 シャフト付きセラミックヒータの横断面図。 シャフト付きセラミックヒータの横断面図。 従来のシャフト付きセラミックヒータの縦断面図。
　本発明の好適な実施形態を、図面を参照しながら以下に説明する。図１は本実施形態のシャフト付きセラミックヒータの縦断面図である。
　シャフト付きセラミックヒータは、図１に示すように、セラミックプレートと、セラミックシャフトと、ＲＦ給電ロッドと、発熱体給電ロッドとを備えている。セラミックプレートには、ＲＦ電極及び抵抗発熱体が埋設されている。ＲＦ電極は、プラズマを発生させる際に高周波電圧が印加される電極である。抵抗発熱体は、セラミックプレートの複数のゾーンのそれぞれに設けられている。セラミックシャフトは、セラミックプレートのウエハ載置面とは反対側の面にダイレクトボンディングにより接合された中空シャフトである。ＲＦ給電ロッドは、セラミックシャフトの内部空間に収容され、セラミックプレートのウエハ載置面とは反対側の面からＲＦ電極に接合されている。発熱体給電ロッドは、セラミックシャフトの内部空間に収容され、セラミックプレートのウエハ載置面とは反対側の面から抵抗発熱体に接合されている。発熱体給電ロッドは、抵抗発熱体ごとに設けられている。各給電ロッドの材質としては、例えばモリブデン、チタン、ニッケルなどが挙げられる。ＲＦ給電ロッドのうちセラミックシャフトの内部空間に位置する部分の外周面は、絶縁薄膜（例えばアルミナ薄膜）で覆われている。発熱体給電ロッドのうちセラミックシャフトの内部空間に位置する部分の外周面は、絶縁薄膜（例えばアルミナ薄膜）で覆われている。いずれの絶縁薄膜も、ＡＤ膜又は溶射膜である。特に、ＡＤ法（プラズマＡＤ法を含む）は、微細なセラミック粒子の薄い膜を精度よく形成するのに適している。また、ＡＤ法は、衝撃固化現象でセラミック粒子を成膜することができるため、セラミック粒子を高温で焼結する必要がない。絶縁薄膜は、厚みが１０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。
　以上説明した本実施形態のシャフト付きセラミックヒータでは、ＲＦ給電ロッド及び発熱体ロッドのうちセラミックシャフトの内部空間に位置する部分の外周面は、絶縁薄膜で覆われており、絶縁薄膜は、ＡＤ膜又は溶射膜である。そのため、絶縁薄膜の厚みは十分薄くなる。したがって、給電ロッド間の絶縁性を確保しつつ給電ロッドの配置密度を高めることができる。その結果、従来と同じ径のセラミックシャフトの内部空間に収容可能な給電ロッドの数を多くしたり（図２参照）、従来と同じ数の給電ロッドを従来よりも小径のセラミックシャフトの内部空間に収容したり（図３参照）することができる。
　また、絶縁薄膜は、厚みが１０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。こうすれば、本実施形態の効果がより確実に得られる。
　なお、セラミックプレートには、静電電極が埋設されていてもよい。
  本出願は、２０１９年７月１日に出願された日本国特許出願第２０１９－１２２７８７号を優先権主張の基礎としており、引用によりその内容の全てが本明細書に含まれる。
　本発明は、例えば半導体ウエハの搬送、露光、ＣＶＤなどの成膜プロセスや、洗浄、エッチング、ダイシングなどの微細加工に利用可能である。

Claims (3)

  1. 　ＲＦ電極及び抵抗発熱体が埋設されたセラミックプレートと、
    　前記セラミックプレートのウエハ載置面とは反対側の面に設けられた中空のセラミックシャフトと、
    　前記セラミックシャフトの内部空間に収容され、前記セラミックプレートのウエハ載置面とは反対側の面から前記ＲＦ電極に接合されたＲＦ給電ロッドと、
    　前記セラミックシャフトの内部空間に収容され、前記セラミックプレートのウエハ載置面とは反対側の面から前記抵抗発熱体に接合された発熱体給電ロッドと、
    　を備え、
    　前記ＲＦ給電ロッド及び前記発熱体給電ロッドの少なくとも一方のうち前記セラミックシャフトの内部空間に位置する部分の外周面は、絶縁薄膜で覆われており、前記絶縁薄膜は、エアロゾルデポジション膜又は溶射膜である、
    　シャフト付きセラミックヒータ。
  2. 　前記絶縁薄膜は、厚みが１０μｍ以上２００μｍ以下である、
    　請求項１に記載のシャフト付きセラミックヒータ。
  3. 　前記抵抗発熱体は、前記セラミックプレートの複数のゾーンのそれぞれに設けられ、
    　前記発熱体給電ロッドは、前記抵抗発熱体ごとに設けられている、
    　請求項１又は２に記載のシャフト付きセラミックヒータ。
PCT/JP2020/022833 2019-07-01 2020-06-10 シャフト付きセラミックヒータ WO2021002168A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202080047910.9A CN114026956A (zh) 2019-07-01 2020-06-10 带轴的陶瓷加热器
JP2021529940A JP7376594B2 (ja) 2019-07-01 2020-06-10 シャフト付きセラミックヒータ
KR1020217033112A KR20210139368A (ko) 2019-07-01 2020-06-10 샤프트를 갖는 세라믹 히터
US17/493,004 US20220030669A1 (en) 2019-07-01 2021-10-04 Ceramic heater with shaft

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019122787 2019-07-01
JP2019-122787 2019-07-01

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US17/493,004 Continuation US20220030669A1 (en) 2019-07-01 2021-10-04 Ceramic heater with shaft

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2021002168A1 true WO2021002168A1 (ja) 2021-01-07

Family

ID=74100594

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2020/022833 WO2021002168A1 (ja) 2019-07-01 2020-06-10 シャフト付きセラミックヒータ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220030669A1 (ja)
JP (1) JP7376594B2 (ja)
KR (1) KR20210139368A (ja)
CN (1) CN114026956A (ja)
WO (1) WO2021002168A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06279974A (ja) * 1993-03-26 1994-10-04 Ngk Insulators Ltd 半導体製造用サセプター
JPH10312976A (ja) * 1997-01-24 1998-11-24 Applied Materials Inc 高温、腐食性、プラズマ環境下でのクリーニングプロセスのための方法及び装置
JP2006339678A (ja) * 2006-09-11 2006-12-14 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及び電極部材
JP2018506853A (ja) * 2015-02-03 2018-03-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ プラズマ処理システム用の高温チャック

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020185487A1 (en) * 2001-05-02 2002-12-12 Ramesh Divakar Ceramic heater with heater element and method for use thereof
WO2003077290A1 (fr) * 2002-03-13 2003-09-18 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Support destine a un systeme de production de semi-conducteur
JP2005109169A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Ngk Insulators Ltd 基板加熱装置とその製造方法
KR100826432B1 (ko) * 2003-10-31 2008-04-29 엘지디스플레이 주식회사 반도체 공정 장비용 서셉터 및 이를 구비한 반도체 공정 장비
JP4006535B2 (ja) 2003-11-25 2007-11-14 独立行政法人産業技術総合研究所 半導体または液晶製造装置部材およびその製造方法
JP4349952B2 (ja) * 2004-03-24 2009-10-21 京セラ株式会社 ウェハ支持部材とその製造方法
JP2007051317A (ja) 2005-08-16 2007-03-01 Ngk Insulators Ltd 加熱装置
JP2007225074A (ja) * 2006-02-27 2007-09-06 Ntn Corp 絶縁転がり軸受
JP5526632B2 (ja) 2009-07-14 2014-06-18 三菱マテリアル株式会社 絶縁基板、絶縁回路基板、半導体装置、絶縁基板の製造方法及び絶縁回路基板の製造方法
JP5709490B2 (ja) * 2010-11-30 2015-04-30 京セラ株式会社 セラミックヒータ
US20120211484A1 (en) 2011-02-23 2012-08-23 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for a multi-zone pedestal heater
JP6164834B2 (ja) 2012-12-25 2017-07-19 オリンパス株式会社 レーザ治療装置
JP2017011049A (ja) * 2015-06-19 2017-01-12 株式会社日立製作所 絶縁回路基板及びそれを用いたパワー半導体装置
EP3418428B1 (en) * 2016-02-19 2023-05-17 Nippon Steel Corporation Ceramic laminate, ceramic insulating substrate, and method for manufacturing ceramic laminate
US10407337B2 (en) 2016-06-30 2019-09-10 Corning Incorporated Method of making optical fiber preform with pressed soot
JP6877301B2 (ja) * 2016-09-30 2021-05-26 日本特殊陶業株式会社 セラミックスヒータ
US11043401B2 (en) * 2017-04-19 2021-06-22 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Ceramic member
CN110770891B (zh) * 2017-10-30 2023-04-07 日本碍子株式会社 静电卡盘及其制法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06279974A (ja) * 1993-03-26 1994-10-04 Ngk Insulators Ltd 半導体製造用サセプター
JPH10312976A (ja) * 1997-01-24 1998-11-24 Applied Materials Inc 高温、腐食性、プラズマ環境下でのクリーニングプロセスのための方法及び装置
JP2006339678A (ja) * 2006-09-11 2006-12-14 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及び電極部材
JP2018506853A (ja) * 2015-02-03 2018-03-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ プラズマ処理システム用の高温チャック

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210139368A (ko) 2021-11-22
JP7376594B2 (ja) 2023-11-08
CN114026956A (zh) 2022-02-08
US20220030669A1 (en) 2022-01-27
JPWO2021002168A1 (ja) 2021-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5423632B2 (ja) 静電チャック装置
KR102508959B1 (ko) 정전 척 장치
TWI653706B (zh) 靜電卡盤裝置
US10622239B2 (en) Electrostatic chuck device
JP5846186B2 (ja) 静電チャック装置および静電チャック装置の製造方法
TWI791814B (zh) 晶圓支撐台
WO2021002168A1 (ja) シャフト付きセラミックヒータ
JP6296770B2 (ja) 基板載置装置
WO2020153086A1 (ja) セラミックヒータ
WO2021002169A1 (ja) シャフト付きセラミックヒータ
WO2021010063A1 (ja) シャフト付きセラミックヒータ
JP7214868B2 (ja) ウエハ載置台
WO2021010062A1 (ja) シャフト付きセラミックヒータ
WO2020261991A1 (ja) 静電チャック
JP6789081B2 (ja) 保持装置
JP2022094466A (ja) 静電チャック装置
CN114080670A (zh) 静电卡盘加热器
JP2024066827A (ja) ヒーターステージ

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 20834374

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2021529940

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20217033112

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 20834374

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1