WO2020256191A1 - 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 Download PDF

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WO2020256191A1
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organic
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최환준
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엘지전자 주식회사
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Definitions

  • the present invention is applicable to the technical field related to a display device, and relates to, for example, a display device using a micro LED (Light Emitting Diode) and a method of manufacturing the same.
  • a micro LED Light Emitting Diode
  • LCD Liquid Crystal Display
  • OLED Organic Light Emitting Diodes
  • LED Light Emitting Diode
  • GaAsP compound semiconductor in 1962 has been used as a light source for display images in electronic devices including information communication devices. Accordingly, a method for solving the above-described problems by implementing a display using the semiconductor light emitting device may be proposed.
  • the semiconductor light emitting device has various advantages, such as a long lifespan, low power consumption, excellent initial driving characteristics, and high vibration resistance, compared to a filament-based light emitting device.
  • Such semiconductor light-emitting devices are gradually being studied mainly for high-power and high-efficiency products, and in particular, gallium nitride (GaN)-based semiconductor light-emitting devices are being studied.
  • GaN gallium nitride
  • the internal quantum efficiency is relatively excellent, and thus has high efficiency in terms of light generation.
  • light extraction efficiency is low due to a high refractive index (2.3 to 2.8) compared to surrounding materials. Accordingly, in a GaN-based semiconductor light emitting device having a general structure, a significant portion of the light generated in the active layer cannot be extracted to the outside of the device and disappears inside. In addition, light that does not exit the semiconductor light emitting device moves inside the semiconductor light emitting device and is converted into heat. As a result, the light emitting efficiency is lowered and the amount of heat generated is increased, thereby shortening the life of the semiconductor light emitting device.
  • An object of an embodiment of the present invention is to provide a display device and a manufacturing method using a semiconductor light emitting device.
  • Another object of an embodiment of the present invention is to provide a display device and a manufacturing method using a semiconductor light emitting device that can be manufactured by a simple process and has excellent light extraction efficiency.
  • Another object of an embodiment of the present invention is to solve various problems not mentioned herein. Those skilled in the art can understand through the entire purpose of the specification and drawings.
  • a display device for achieving the above object is to provide a display device including a plurality of semiconductor light emitting elements.
  • the semiconductor light emitting devices provided in the present invention may include a semiconductor light emitting structure including a first conductive type semiconductor layer, an active layer, and a second conductive type semiconductor layer; And a light extraction structure provided on the second conductive type semiconductor layer of the semiconductor light emitting structure.
  • the light extraction structure includes a plurality of organic protrusions protruding in a vertical direction of the second conductive type semiconductor layer and an uneven pattern formed in a predetermined region of an upper surface of the second conductive type semiconductor layer
  • the At least one of the plurality of organic protrusions includes nanoparticles positioned at an end of the protrusion and an organic material supporting the nanoparticles
  • an upper surface of the second conductive type semiconductor layer includes a first organic protrusion among the plurality of organic protrusions
  • the pattern is characterized in that it is formed on the third interface.
  • the nanoparticles and the second conductive type semiconductor layer have different etching ratios, and the first etching ratio of the nanoparticles is lower than the second etching ratio of the second conductive type semiconductor layer. It features.
  • the first refractive index of the plurality of organic protrusions is lower than the second refractive index of the second conductive semiconductor layer.
  • the nanoparticles are TiO 2 , It is characterized in that it contains at least one of ZnO, ZrO 2 , SiO 2 , Al 2 O 3 , and SiNx.
  • the semiconductor light emitting device is characterized in that the LED (Micro-LED) having a size of a micrometer unit.
  • one of the first conductive type semiconductor layer and the second conductive type semiconductor layer is a P-type GaN layer, and the other is an N-type GaN layer.
  • the organic material is a photosensitive organic material.
  • the photosensitive organic material includes at least one of photosensitive acrylate and PAC (Photo Active Compounds).
  • a method of manufacturing a display device using a semiconductor light emitting device includes forming a semiconductor light emitting structure including a first conductive type semiconductor layer, an active layer, and a second conductive type semiconductor layer on a first substrate; Coating an organic layer in which nanoparticles are dispersed on the semiconductor light emitting structure; Ashing so that at least some of the nanoparticles are exposed on the surface of the organic layer; And forming a light extraction structure on the semiconductor light emitting structure through an etching process using the organic layer remaining after ashing as an etching mask.
  • the light extraction structure is characterized in that it includes an irregular uneven pattern formed on an upper surface of the semiconductor light emitting structure by the etching process.
  • the light extraction structure includes a plurality of organic protrusions formed by the etching process, and at least one of the plurality of organic protrusions is characterized in that nanoparticles are positioned at an end of the protrusion.
  • the step of coating the organic layer includes applying an organic solution to the upper portion of the semiconductor light emitting structure, followed by soft baking by heat.
  • the organic layer is a photosensitive organic layer, and includes forming the light extraction structure only in a region overlapping the active layer of the semiconductor light emitting structure through a photolithography process.
  • the semiconductor light emitting structure includes a buffer semiconductor layer, and the organic layer is coated on the buffer semiconductor layer of the semiconductor light emitting device.
  • the ashing step is characterized in that the use of O 2 plasma.
  • a display device and a manufacturing method using a semiconductor light emitting device can be provided.
  • FIG. 1 is a conceptual diagram showing an embodiment of a display device using a semiconductor light emitting device of the present invention.
  • FIG. 2 is a partially enlarged view of part A of FIG. 1.
  • 3A and 3B are cross-sectional views taken along lines B-B and C-C of FIG. 2.
  • FIG. 4 is a conceptual diagram illustrating the flip chip type semiconductor light emitting device of FIG. 3.
  • 5A to 5C are conceptual diagrams illustrating various forms of implementing colors in relation to a flip chip type semiconductor light emitting device.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
  • FIG. 7 is a perspective view showing another embodiment of a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line D-D of FIG. 7.
  • FIG. 9 is a conceptual diagram illustrating the vertical semiconductor light emitting device of FIG. 8.
  • FIG. 10 is an enlarged view of part A of FIG. 1 for explaining a display device using a semiconductor light emitting device having a light extraction structure according to another exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating in detail the semiconductor light emitting device having the light extraction structure of FIG. 10.
  • FIGS. 12 are cross-sectional views illustrating a semiconductor light emitting device having a light extraction structure at various locations.
  • FIG. 13 is a flowchart illustrating a process of manufacturing the semiconductor light emitting device of FIG. 11.
  • FIG. 14 are cross-sectional views illustrating a process of forming the semiconductor light emitting structure of FIG. 11 on a first substrate.
  • FIG. 15 are cross-sectional views illustrating a method of transferring the semiconductor light emitting structure of FIG. 14 to a second substrate.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view illustrating an organic layer containing nanoparticles coated on the semiconductor light emitting structure of FIG. 15.
  • 17 is a cross-sectional view of each process step for forming organic protrusions and irregular interfaces on the upper surface of the semiconductor light emitting structure of FIG. 16.
  • 19 is a cross-sectional SEM image of a semiconductor light emitting structure coated with an organic layer containing nanoparticles.
  • 20 is a side SEM image of a semiconductor light emitting structure coated with an organic layer containing nanoparticles after an ashing process.
  • 21 is a FIB-SEM image of a semiconductor light emitting structure coated with an organic layer containing nanoparticles after ashing and etching processes.
  • FIG. 22 is a plan view AFM images for each process step for manufacturing a semiconductor light emitting device having a light extraction structure.
  • 23 is a surface roughness and side AFM images for each process step for manufacturing a semiconductor light emitting device having a light extraction structure.
  • FIG. 24 is a graph showing light intensity for each wavelength of a semiconductor light emitting device having a light extraction structure of the present invention and a semiconductor light emitting device according to the prior art.
  • FIG. 25 are cross-sectional views illustrating a process of forming a light extraction structure only in a partial region of a semiconductor light emitting structure using a photosensitive organic layer.
  • 26 is a plan view of semiconductor light emitting devices in which a light extraction structure is formed only in a partial region of FIG.
  • FIG. 27 is a cross-sectional view after a phosphor layer is provided on the semiconductor light emitting devices of FIG. 25;
  • FIG. 28 is a cross-sectional view illustrating a light extraction effect of a semiconductor light emitting device in which only a partial region of FIG. 25 is formed.
  • an element such as a layer, region or substrate is referred to as being “on” another component, it will be understood that it may exist directly on the other element or there may be intermediate elements between them. There will be.
  • the display device described in the present specification is a concept including all light emitting devices and display devices that emit light as a unit pixel or a set of unit pixels. Therefore, it can be applied to parts, not limited to finished products.
  • a panel corresponding to a part of a digital TV is also independently a display device in the present specification.
  • Finished products include mobile phones, smart phones, laptop computers, digital broadcasting terminals, personal digital assistants (PDAs), portable multimedia players (PMPs), navigation, Slate PC, Tablet PC, Ultra This could include books, digital TVs, and desktop computers.
  • the semiconductor light emitting device mentioned in this specification is a concept including LEDs, micro LEDs, and the like, and may be used interchangeably.
  • FIG. 1 is a conceptual diagram showing an embodiment of a display device using a semiconductor light emitting device of the present invention.
  • information processed by a controller (not shown) of the display apparatus 100 may be displayed using a flexible display.
  • Flexible displays include displays that can be bent, or bendable, or twistable, or foldable, or rollable by external force, for example.
  • the flexible display may be a display manufactured on a thin and flexible substrate that can be bent, bent, or foldable or rolled like paper while maintaining the display characteristics of a conventional flat panel display.
  • the display area of the flexible display becomes a flat surface.
  • the display area may be a curved surface.
  • the information displayed in the second state may be visual information output on a curved surface. This visual information is implemented by independently controlling light emission of sub-pixels arranged in a matrix form.
  • the unit pixel means, for example, a minimum unit for implementing one color.
  • the unit pixel of the flexible display may be implemented by a semiconductor light emitting device.
  • a light emitting diode LED
  • the light emitting diode is formed in a small size, and through this, it can serve as a unit pixel even in the second state.
  • FIG. 2 is a partially enlarged view of part A of FIG. 1.
  • 3A and 3B are cross-sectional views taken along lines B-B and C-C of FIG. 2.
  • FIG. 4 is a conceptual diagram illustrating the flip chip type semiconductor light emitting device of FIG. 3.
  • 5A to 5C are conceptual diagrams illustrating various forms of implementing colors in relation to a flip chip type semiconductor light emitting device.
  • a display device 100 using a passive matrix (PM) type semiconductor light emitting device is illustrated as a display device 100 using a semiconductor light emitting device.
  • PM passive matrix
  • AM active matrix
  • the display device 100 shown in FIG. 1 includes a substrate 110, a first electrode 120, a conductive adhesive layer 130, a second electrode 140, and at least one semiconductor light emitting device as shown in FIG. Includes 150.
  • the substrate 110 may be a flexible substrate.
  • the substrate 110 may include glass or polyimide (PI).
  • PI polyimide
  • any material such as polyethylene naphthalate (PEN) and polyethylene terephthalate (PET) may be used as long as it has insulation and is flexible.
  • the substrate 110 may be a transparent material or an opaque material.
  • the substrate 110 may be a wiring board on which the first electrode 120 is disposed, and thus the first electrode 120 may be positioned on the substrate 110.
  • the insulating layer 160 may be disposed on the substrate 110 on which the first electrode 120 is located, and the auxiliary electrode 170 may be disposed on the insulating layer 160.
  • a state in which the insulating layer 160 is stacked on the substrate 110 may be a single wiring board.
  • the insulating layer 160 is made of an insulating and flexible material such as polyimide (PI), PET, and PEN, and may be formed integrally with the substrate 110 to form a single substrate.
  • the auxiliary electrode 170 is an electrode that electrically connects the first electrode 120 and the semiconductor light emitting device 150, and is positioned on the insulating layer 160 and is disposed corresponding to the position of the first electrode 120.
  • the auxiliary electrode 170 has a dot shape and may be electrically connected to the first electrode 120 through an electrode hole 171 penetrating through the insulating layer 160.
  • the electrode hole 171 may be formed by filling a via hole with a conductive material.
  • a conductive adhesive layer 130 is formed on one surface of the insulating layer 160, but the present invention is not limited thereto.
  • a layer performing a specific function is formed between the insulating layer 160 and the conductive adhesive layer 130, or a structure in which the conductive adhesive layer 130 is disposed on the substrate 110 without the insulating layer 160 It is also possible.
  • the conductive adhesive layer 130 may serve as an insulating layer.
  • the conductive adhesive layer 130 may be a layer having adhesiveness and conductivity, and for this purpose, a material having conductivity and a material having adhesiveness may be mixed in the conductive adhesive layer 130.
  • the conductive adhesive layer 130 has ductility, thereby enabling a flexible function in the display device.
  • the conductive adhesive layer 130 may be an anisotropic conductive film (ACF), an anisotropic conductive paste, a solution containing conductive particles, or the like.
  • ACF anisotropic conductive film
  • the conductive adhesive layer 130 allows electrical interconnection in the Z direction passing through the thickness, but may be configured as a layer having electrical insulation in the horizontal X-Y direction. Therefore, the conductive adhesive layer 130 may be referred to as a Z-axis conductive layer (however, hereinafter referred to as a'conductive adhesive layer').
  • the anisotropic conductive film is a film in which an anisotropic conductive medium is mixed with an insulating base member, and when heat and pressure are applied, only a specific portion becomes conductive by the anisotropic conductive medium.
  • heat and pressure are applied to the anisotropic conductive film, but other methods may be applied in order for the anisotropic conductive film to partially have conductivity.
  • Other methods described above may be, for example, that only one of the above heat and pressure is applied or UV cured or the like.
  • the anisotropic conductive medium may be, for example, conductive balls or conductive particles.
  • the anisotropic conductive film is a film in which conductive balls are mixed with an insulating base member, and when heat and pressure are applied, only a specific portion becomes conductive by the conductive balls.
  • a core of a conductive material may contain a plurality of particles covered by an insulating film made of a polymer material, and in this case, a portion to which heat and pressure is applied is destroyed by the insulating film and becomes conductive by the core. .
  • the shape of the core may be deformed to form a layer in contact with each other in the thickness direction of the film.
  • heat and pressure are applied to the anisotropic conductive film as a whole, and an electrical connection in the Z-axis direction is partially formed due to a height difference of a counterpart adhered by the anisotropic conductive film.
  • the anisotropic conductive film may contain a plurality of particles coated with a conductive material in an insulating core.
  • the part to which heat and pressure are applied is deformed (pressed together) to have conductivity in the thickness direction of the film.
  • a form in which the conductive material penetrates the insulating base member in the Z-axis direction and has conductivity in the thickness direction of the film is also possible.
  • the conductive material may have a pointed end.
  • the anisotropic conductive film may be a fixed array anisotropic conductive film (ACF) in which conductive balls are inserted into one surface of an insulating base member. More specifically, the insulating base member is formed of an adhesive material, and the conductive ball is intensively disposed on the bottom of the insulating base member, and when heat and pressure are applied from the base member, it is deformed together with the conductive ball. Accordingly, it has conductivity in the vertical direction.
  • ACF fixed array anisotropic conductive film
  • the present invention is not necessarily limited thereto, and the anisotropic conductive film has a form in which conductive balls are randomly mixed in an insulating base member, or consists of a plurality of layers, and a form in which conductive balls are disposed on one layer (double- ACF) etc. are all possible.
  • the anisotropic conductive paste is a combination of a paste and a conductive ball, and may be a paste in which conductive balls are mixed with an insulating and adhesive base material.
  • the solution containing conductive particles may be a solution containing conductive particles or nanoparticles.
  • the second electrode 140 is positioned on the insulating layer 160 to be spaced apart from the auxiliary electrode 170. That is, the conductive adhesive layer 130 is disposed on the insulating layer 160 on which the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 are located.
  • the semiconductor light emitting device 150 After forming the conductive adhesive layer 130 with the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 positioned on the insulating layer 160, the semiconductor light emitting device 150 is connected in a flip chip form by applying heat and pressure. Then, the semiconductor light emitting device 150 is electrically connected to the first electrode 120 and the second electrode 140.
  • the semiconductor light emitting device may be a flip chip type light emitting device.
  • the semiconductor light emitting device includes a p-type electrode 156, a p-type semiconductor layer 155 on which the p-type electrode 156 is formed, an active layer 154 formed on the p-type semiconductor layer 155, and an active layer ( And an n-type semiconductor layer 153 formed on 154) and an n-type electrode 152 disposed horizontally apart from the p-type electrode 156 on the n-type semiconductor layer 153.
  • the p-type electrode 156 may be electrically connected by the auxiliary electrode 170 and the conductive adhesive layer 130 shown in FIG. 3, and the n-type electrode 152 is electrically connected to the second electrode 140. Can be connected to.
  • the auxiliary electrode 170 is formed to be elongated in one direction, so that one auxiliary electrode may be electrically connected to the plurality of semiconductor light emitting devices 150.
  • one auxiliary electrode may be electrically connected to the plurality of semiconductor light emitting devices 150.
  • p-type electrodes of the left and right semiconductor light emitting devices with the auxiliary electrode as the center may be electrically connected to one auxiliary electrode.
  • the semiconductor light emitting device 150 is pressed into the conductive adhesive layer 130 by heat and pressure, through which the portion between the p-type electrode 156 and the auxiliary electrode 170 of the semiconductor light emitting device 150 And, only a portion between the n-type electrode 152 and the second electrode 140 of the semiconductor light emitting device 150 has conductivity, and the remaining portion does not have conductivity because there is no press-fitting of the semiconductor light emitting device.
  • the conductive adhesive layer 130 not only mutually couples the semiconductor light emitting device 150 and the auxiliary electrode 170 and between the semiconductor light emitting device 150 and the second electrode 140, but also forms an electrical connection.
  • the plurality of semiconductor light emitting devices 150 constitute a light emitting device array, and a phosphor layer 180 is formed in the light emitting device array.
  • the light emitting device array may include a plurality of semiconductor light emitting devices having different luminance values.
  • Each semiconductor light emitting device 150 constitutes a unit pixel, and is electrically connected to the first electrode 120.
  • the first electrode 120 may be plural, the semiconductor light emitting elements are arranged in rows, for example, and the semiconductor light emitting elements of each row may be electrically connected to any one of the plurality of first electrodes.
  • semiconductor light emitting devices are connected in a flip chip form, semiconductor light emitting devices grown on a transparent dielectric substrate can be used. Further, the semiconductor light emitting devices may be, for example, nitride semiconductor light emitting devices. Since the semiconductor light emitting device 150 has excellent luminance, individual unit pixels can be configured with a small size.
  • a partition wall 190 may be formed between the semiconductor light emitting devices 150.
  • the partition wall 190 may serve to separate individual unit pixels from each other, and may be integrally formed with the conductive adhesive layer 130.
  • the base member of the anisotropic conductive film may form the partition wall.
  • the partition wall 190 may have reflective properties and a contrast ratio may be increased even without a separate black insulator.
  • a reflective partition wall may be separately provided as the partition wall 190.
  • the partition wall 190 may include a black or white insulator depending on the purpose of the display device. When a partition wall of a white insulator is used, it is possible to increase reflectivity, and when a partition wall of a black insulator is used, it is possible to increase the contrast while having reflective characteristics.
  • the phosphor layer 180 may be located on the outer surface of the semiconductor light emitting device 150.
  • the semiconductor light emitting device 150 is a blue semiconductor light emitting device emitting blue (B) light
  • the phosphor layer 180 performs a function of converting the blue (B) light into a color of a unit pixel.
  • the phosphor layer 180 may be a red phosphor 181 or a green phosphor 182 constituting individual pixels.
  • a red phosphor 181 capable of converting blue light into red (R) light may be stacked on a blue semiconductor light emitting device, and at a position forming a green unit pixel, blue A green phosphor 182 capable of converting blue light into green (G) light may be stacked on the semiconductor light emitting device.
  • a blue semiconductor light emitting device may be used alone in a portion of the blue unit pixel.
  • unit pixels of red (R), green (G), and blue (B) may form one pixel.
  • a phosphor of one color may be stacked along each line of the first electrode 120. Accordingly, one line of the first electrode 120 may be an electrode that controls one color. That is, along the second electrode 140, red (R), green (G), and blue (B) may be sequentially disposed, and a unit pixel may be implemented through this.
  • unit pixels of red (R), green (G), and blue (B) can be implemented by combining the semiconductor light emitting device 150 and the quantum dot (QD) instead of the phosphor. have.
  • a black matrix 191 may be disposed between each of the phosphor layers in order to improve contrast. That is, the black matrix 191 may improve contrast of the contrast.
  • the present invention is not necessarily limited thereto, and other structures for implementing blue, red, and green colors may be applied.
  • each of the semiconductor light emitting devices 150 is made of gallium nitride (GaN) as a main material, and indium (In) and/or aluminum (Al) are added together to emit various light including blue. It can be implemented as a light emitting device.
  • GaN gallium nitride
  • Al aluminum
  • the semiconductor light emitting device may be a red, green, and blue semiconductor light emitting device to form a sub-pixel, respectively.
  • red, green, and blue semiconductor light emitting devices R, G, B
  • R, G, B red, green, and blue semiconductor light emitting devices
  • unit pixels of red, green, and blue by red, green, and blue semiconductor light emitting devices They form one pixel, through which a full color display can be implemented.
  • the semiconductor light emitting device may include a white light emitting device W in which a yellow phosphor layer is provided for each individual device.
  • a red phosphor layer 181, a green phosphor layer 182, and a blue phosphor layer 183 may be provided on the white light emitting device W.
  • a unit pixel may be formed by using a color filter in which red, green, and blue are repeated on the white light emitting device W.
  • a structure in which a red phosphor layer 181, a green phosphor layer 182, and a blue phosphor layer 183 are provided on the ultraviolet light emitting device UV is also possible.
  • the semiconductor light emitting device can be used not only for visible light but also for ultraviolet (UV) light, and the ultraviolet (UV) can be extended in the form of a semiconductor light emitting device that can be used as an excitation source of the upper phosphor. .
  • the semiconductor light emitting device is positioned on the conductive adhesive layer to constitute a unit pixel in the display device. Since the semiconductor light emitting device has excellent luminance, individual unit pixels can be configured even with a small size.
  • the individual semiconductor light emitting device 150 may have, for example, a side length of 80 ⁇ m or less, and may be a rectangular or square device. In the case of a rectangle, the size may be 20 X 80 ⁇ m or less.
  • the distance between the semiconductor light emitting devices is relatively large enough.
  • the display device using the semiconductor light emitting device described above can be manufactured by a new type of manufacturing method. Hereinafter, the manufacturing method will be described with reference to FIG. 6.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention.
  • a conductive adhesive layer 130 is formed on the insulating layer 160 on which the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 are positioned.
  • An insulating layer 160 is stacked on the wiring board 110, and a first electrode 120, an auxiliary electrode 170, and a second electrode 140 are disposed on the wiring board 110.
  • the first electrode 120 and the second electrode 140 may be disposed in a mutually orthogonal direction.
  • the wiring board 110 and the insulating layer 160 may each include glass or polyimide (PI).
  • the conductive adhesive layer 130 may be implemented by, for example, an anisotropic conductive film, and for this purpose, an anisotropic conductive film may be applied to a substrate on which the insulating layer 160 is positioned.
  • a temporary substrate 112 corresponding to the positions of the auxiliary electrodes 170 and the second electrodes 140 and on which a plurality of semiconductor light emitting elements 150 constituting individual pixels are positioned is provided, and the semiconductor light emitting element 150 ) Is disposed to face the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140.
  • the temporary substrate 112 is a growth substrate on which the semiconductor light emitting device 150 is grown, and may be a spire substrate or a silicon substrate.
  • the semiconductor light emitting device When the semiconductor light emitting device is formed in units of a wafer, it can be effectively used in a display device by having a gap and a size capable of forming a display device.
  • the wiring board and the temporary board 112 are thermally compressed.
  • the wiring board and the temporary board 112 may be thermally compressed by applying an ACF press head.
  • the wiring board and the temporary board 112 are bonded by the thermal compression. Due to the characteristics of the anisotropic conductive film having conductivity by thermal compression, only the portion between the semiconductor light emitting device 150 and the auxiliary electrode 170 and the second electrode 140 has conductivity, through which electrodes and semiconductor light emission The device 150 may be electrically connected. In this case, the semiconductor light emitting device 150 is inserted into the anisotropic conductive film, and a partition wall may be formed between the semiconductor light emitting devices 150 through this.
  • the temporary substrate 112 is removed.
  • the temporary substrate 112 may be removed using a laser lift-off method (LLO) or a chemical lift-off method (CLO).
  • LLO laser lift-off method
  • CLO chemical lift-off method
  • a transparent insulating layer (not shown) may be formed by coating silicon oxide (SiOx) or the like on the wiring board to which the semiconductor light emitting device 150 is bonded.
  • the semiconductor light emitting device 150 is a blue semiconductor light emitting device that emits blue (B) light, and a red phosphor or a green phosphor for converting the blue (B) light into the color of a unit pixel is used to emit the blue semiconductor light.
  • a layer can be formed on one side of the device.
  • the manufacturing method or structure of a display device using the semiconductor light emitting device described above may be modified in various forms.
  • a vertical semiconductor light emitting device may also be applied to the display device described above.
  • FIG. 7 is a perspective view illustrating another embodiment of a display device using the semiconductor light emitting device of the present invention
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line DD of FIG. 7
  • FIG. 9 is a vertical semiconductor light emitting device of FIG. It is a conceptual diagram.
  • the display device may be a display device using a passive matrix (PM) type vertical semiconductor light emitting device.
  • PM passive matrix
  • the display device includes a substrate 210, a first electrode 220, a conductive adhesive layer 230, a second electrode 240, and at least one semiconductor light emitting device 250.
  • the substrate 210 is a wiring board on which the first electrode 220 is disposed, and may include polyimide (PI) to implement a flexible display device.
  • PI polyimide
  • any material that has insulation and is flexible may be used.
  • the first electrode 220 is positioned on the substrate 210 and may be formed as an electrode having a long bar shape in one direction.
  • the first electrode 220 may be formed to serve as a data electrode.
  • the conductive adhesive layer 230 is formed on the substrate 210 on which the first electrode 220 is located.
  • the conductive adhesive layer 230 is a solution containing anisotropy conductive film (ACF), anisotropic conductive paste, and conductive particles. ), etc.
  • ACF anisotropy conductive film
  • anisotropic conductive paste anisotropic conductive paste
  • conductive particles conductive particles.
  • the semiconductor light emitting element 250 is connected by applying heat and pressure to the semiconductor light emitting element 250. It is electrically connected to the electrode 220.
  • the semiconductor light emitting device 250 is preferably disposed to be positioned on the first electrode 220.
  • the electrical connection is created because the anisotropic conductive film partially has conductivity in the thickness direction when heat and pressure are applied. Accordingly, in the anisotropic conductive film, it is divided into a part having conductivity and a part not having conductivity in the thickness direction.
  • the conductive adhesive layer 230 implements electrical connection as well as mechanical coupling between the semiconductor light emitting device 250 and the first electrode 220.
  • the semiconductor light emitting device 250 is positioned on the conductive adhesive layer 230, thereby configuring individual pixels in the display device. Since the semiconductor light emitting device 250 has excellent luminance, individual unit pixels can be configured with a small size.
  • the individual semiconductor light emitting device 250 may have, for example, a side length of 80 ⁇ m or less, and may be a rectangular or square device. In the case of a rectangle, for example, it may have a size of 20 X 80 ⁇ m or less.
  • the semiconductor light emitting device 250 may have a vertical structure.
  • a plurality of second electrodes 240 are disposed between the vertical semiconductor light emitting devices in a direction crossing the length direction of the first electrode 220 and electrically connected to the vertical semiconductor light emitting device 250.
  • such a vertical semiconductor light emitting device includes a p-type electrode 256, a p-type semiconductor layer 255 formed on the p-type electrode 256, and an active layer 254 formed on the p-type semiconductor layer 255. ), an n-type semiconductor layer 253 formed on the active layer 254 and an n-type electrode 252 formed on the n-type semiconductor layer 253.
  • the p-type electrode 256 located at the bottom may be electrically connected by the first electrode 220 and the conductive adhesive layer 230, and the n-type electrode 252 located at the top is a second electrode 240 to be described later. ) And can be electrically connected.
  • the vertical semiconductor light emitting device 250 has a great advantage of reducing a chip size since electrodes can be arranged up and down.
  • a phosphor layer 280 may be formed on one surface of the semiconductor light emitting device 250.
  • the semiconductor light emitting device 250 is a blue semiconductor light emitting device 251 that emits blue (B) light, and a phosphor layer 280 for converting the blue (B) light into a color of a unit pixel is provided.
  • the phosphor layer 280 may be a red phosphor 281 and a green phosphor 282 constituting individual pixels.
  • a red phosphor 281 capable of converting blue light into red (R) light may be stacked on a blue semiconductor light emitting device, and at a position forming a green unit pixel, blue A green phosphor 282 capable of converting blue light into green (G) light may be stacked on the semiconductor light emitting device.
  • a blue semiconductor light emitting device may be used alone in a portion of the blue unit pixel. In this case, unit pixels of red (R), green (G), and blue (B) may form one pixel.
  • the present invention is not necessarily limited thereto, and other structures for implementing blue, red, and green colors may be applied as described above in a display device to which a flip chip type light emitting device is applied.
  • the second electrode 240 is positioned between the semiconductor light emitting devices 250 and is electrically connected to the semiconductor light emitting devices 250.
  • the semiconductor light emitting devices 250 may be arranged in a plurality of rows, and the second electrode 240 may be located between the rows of the semiconductor light emitting devices 250.
  • the second electrode 240 may be positioned between the semiconductor light emitting devices 250.
  • the second electrode 240 may be formed as a long bar-shaped electrode in one direction, and may be disposed in a direction perpendicular to the first electrode.
  • the second electrode 240 and the semiconductor light emitting device 250 may be electrically connected by a connection electrode protruding from the second electrode 240.
  • the connection electrode may be an n-type electrode of the semiconductor light emitting device 250.
  • the n-type electrode is formed as an ohmic electrode for ohmic contact, and the second electrode covers at least a portion of the ohmic electrode by printing or vapor deposition. Through this, the second electrode 240 and the n-type electrode of the semiconductor light emitting device 250 may be electrically connected.
  • the second electrode 240 may be positioned on the conductive adhesive layer 230.
  • a transparent insulating layer (not shown) including silicon oxide (SiOx) or the like may be formed on the substrate 210 on which the semiconductor light emitting device 250 is formed.
  • SiOx silicon oxide
  • the second electrode 240 is positioned after the transparent insulating layer is formed, the second electrode 240 is positioned on the transparent insulating layer.
  • the second electrode 240 may be formed to be spaced apart from the conductive adhesive layer 230 or the transparent insulating layer.
  • a transparent electrode such as ITO Indium Tin Oxide
  • the ITO material has poor adhesion to the n-type semiconductor layer. have. Accordingly, according to the present invention, by placing the second electrode 240 between the semiconductor light emitting devices 250, there is an advantage in that a transparent electrode such as ITO is not required. Accordingly, the light extraction efficiency can be improved by using the n-type semiconductor layer and a conductive material having good adhesion as a horizontal electrode without being restricted by the selection of a transparent material.
  • a partition wall 290 may be positioned between the semiconductor light emitting devices 250. That is, a partition wall 290 may be disposed between the vertical semiconductor light emitting devices 250 to isolate the semiconductor light emitting devices 250 constituting individual pixels. In this case, the partition wall 290 may serve to separate individual unit pixels from each other, and may be integrally formed with the conductive adhesive layer 230. For example, by inserting the semiconductor light emitting device 250 into the anisotropic conductive film, the base member of the anisotropic conductive film may form the partition wall.
  • the partition wall 290 may have reflective properties and a contrast ratio may be increased even without a separate black insulator.
  • a reflective partition wall may be separately provided.
  • the partition wall 290 may include a black or white insulator depending on the purpose of the display device.
  • the partition wall 290 is between the vertical semiconductor light emitting element 250 and the second electrode 240. It can be located between. Accordingly, individual unit pixels can be configured with a small size using the semiconductor light emitting device 250, and the distance between the semiconductor light emitting device 250 is relatively large enough, so that the second electrode 240 is connected to the semiconductor light emitting device 250. ), there is an effect of implementing a flexible display device having HD image quality.
  • a black matrix 291 may be disposed between each phosphor to improve contrast. That is, the black matrix 291 can improve contrast of light and dark.
  • FIG. 10 is an enlarged view of part A of FIG. 1 for explaining a display device using a semiconductor light emitting device having a light extraction structure according to another exemplary embodiment of the present invention.
  • a display device 1000 using a semiconductor light emitting device As shown in FIG. 10, as a display device 1000 using a semiconductor light emitting device, a display device 1000 using a flip chip semiconductor light emitting device 1050 of a passive matrix (PM) type is illustrated. However, the example described below is applicable to an active matrix (AM) type semiconductor light emitting device. In addition, the technical feature of the semiconductor light emitting device 1050 lies in the light extraction structure formed on the device, and the flip chip structure is only an example, and the present invention is not limited thereto.
  • PM passive matrix
  • AM active matrix
  • the display device 1000 includes a substrate 1010, a first electrode 1020, a conductive adhesive layer 1030, a second electrode 1040, and a plurality of semiconductor light emitting devices 1050.
  • the first electrode 1020 and the second electrode 1040 may each include a plurality of electrode lines.
  • the substrate 1010 is a wiring board on which the first electrode 1020 is disposed, and may include polyimide (PI) to implement a flexible display device.
  • PI polyimide
  • any material that has insulation and is flexible may be used.
  • the first electrode 1020 is positioned on the substrate 1010 and may be formed as an electrode having a long bar shape in one direction.
  • the first electrode 1020 may be formed to serve as a data electrode.
  • the conductive adhesive layer 1030 is formed on the substrate 1010 on which the first electrode 1020 is located.
  • the conductive adhesive layer 1030 is a solution containing an anisotropy conductive film (ACF), an anisotropic conductive paste, and conductive particles. (solution), etc.
  • a plurality of second electrodes 1040 are disposed between the semiconductor light emitting devices 1050 in a direction crossing the length direction of the first electrode 1020 and electrically connected to the semiconductor light emitting device 1050. .
  • the second electrode 1040 may be positioned on the conductive adhesive layer 1030. That is, the conductive adhesive layer 1030 is disposed between the wiring board and the second electrode 1040.
  • the second electrode 1040 may be electrically connected to the semiconductor light emitting device 1050 through contact.
  • the plurality of semiconductor light emitting devices 1050 are bonded to the conductive adhesive layer 1030 and are electrically connected to the first electrode 1020 and the second electrode 1040.
  • the plurality of semiconductor light emitting devices 1050 may form a plurality of columns in a direction parallel to a plurality of electrode lines provided in the first electrode 1020.
  • the present invention is not necessarily limited thereto.
  • the plurality of semiconductor light emitting devices 1050 may form a plurality of columns along the second electrode 1040.
  • the display device may further include a phosphor layer 1080 formed on one surface of the plurality of semiconductor light emitting devices 1050.
  • the display device may further include a black matrix disposed between the phosphors.
  • the black matrix may be formed in a form in which a gap is formed between phosphor dots and a black material fills the gap. Through this, the black matrix can absorb external light reflection and improve contrast of the contrast.
  • the black matrix is positioned between the respective phosphor layers along the first electrode 1020 in the direction in which the phosphor layers 1080 are stacked. In this case, the phosphor layer is not formed at the position corresponding to the blue semiconductor light emitting device, but the black matrix may be formed on both sides with a space without the phosphor layer therebetween.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating in detail the semiconductor light emitting device having the light extraction structure of FIG. 10.
  • the semiconductor light emitting device 1050 includes a semiconductor light emitting structure 1100 including a first conductive type semiconductor layer 1055, an active layer 1054, and a second conductive type semiconductor layer 1053, and a light extracting structure 1093 can do.
  • first conductive type electrode 1056 electrically connected to the first conductive type semiconductor layer 1055 and a second conductive type electrode 1052 electrically connected to the second conductive type semiconductor layer. I can.
  • the flip chip structure shown in FIG. 11 is only exemplary, and the present invention is not limited thereto.
  • various types of semiconductor light emitting devices having the light extraction structure 1093 are May be included in the scope of rights.
  • the semiconductor light emitting device 1050 may include a buffer semiconductor layer 1090.
  • the buffer semiconductor layer 1090 serves to reduce damage applied to the semiconductor light emitting device 1050.
  • the formation of the buffer semiconductor layer 1090 is for illustrative purposes only, and the present invention is not limited thereto. Accordingly, the light extraction structure 1093 may be formed directly on the first conductive type semiconductor layer 1055 or the second conductive type semiconductor layer 1053.
  • the semiconductor light emitting device 1050 having the light extraction structure 1093 is assumed to include the buffer semiconductor layer 1090, and the main component of the semiconductor light emitting device is GaN. It should be.
  • the light extraction structure 1093 includes an uneven pattern formed on the semiconductor layer.
  • the uneven pattern is formed, for example, in a predetermined region of the upper surface of the buffer semiconductor layer 1090.
  • the upper surface of the buffer semiconductor layer 1090 includes a first interface where a first organic protrusion is located among a plurality of organic protrusions, a second interface where a second organic protrusion is located, and an organic protrusion between the first interface and the second interface. Is made of a third interface not located, and the uneven pattern is formed on the third interface.
  • an interface in which one organic protrusion 1110 and another organic protrusion 1120 are positioned on the upper surface of the buffer semiconductor layer 1090 is relatively flat.
  • an irregular concave-convex pattern 1094 is formed between the interfaces where the organic protrusions 1110 and 1120 are located and the interface where the organic protrusion is not located.
  • the semiconductor light emitting device 1050 in the case of the semiconductor light emitting device 1050, five organic protrusions are formed, and irregular irregular patterns are formed on four surfaces between the protrusions.
  • the surface may be expressed differently as an interface, because in a subsequent process in which the semiconductor light emitting device 1050 is configured as a display device, the surface will again become an interface in contact with another organic material.
  • the number of irregularities and the shape of the interface are only exemplary, and the present invention is not limited thereto.
  • the uneven structure serves to increase light extraction efficiency.
  • the light escape angle or critical angle
  • the light escape angle is small at a flat surface or interface due to a high refractive index (2.3 to 2.8) compared to surrounding materials. Therefore, in order to increase the efficiency in which the light generated from the active layer 1054 of the semiconductor light emitting device 1050 is extracted to the outside, it is more advantageous as the surface or interface of the semiconductor layer located in the path of the light is rough.
  • the light extraction structure 1093 may further include a plurality of organic protrusions.
  • the plurality of organic protrusions protrude in a vertical direction of the semiconductor layer.
  • one organic protrusion 1110 has nanoparticles 1092 at its ends, and is composed of an organic material 1091 supporting the nanoparticles.
  • the other organic protrusions 1120 do not include nanoparticles, and form protrusions only with organic materials.
  • an organic layer in which nanoparticles are dispersed is formed, and a process of ashing and etching the organic layer is performed.
  • organic protrusions irregularly protruding during the etching process may be formed according to the height of the nanoparticles and the degree of dispersion in the organic layer.
  • the main purpose of the etching process is to have an uneven pattern by etching the semiconductor layer, but nanoparticles may also be removed during the etching process.
  • organic protrusions not including nanoparticles among the organic protrusions May exist.
  • the refractive index of the organic protrusion is configured to be lower than that of the semiconductor layer.
  • the refractive index of GaN it is preferable to have a refractive index of between 1.5 and 2, for example.
  • the refractive index of the organic protrusion is configured to be lower than the refractive index of the semiconductor layer, but the difference is formed by adjusting to an appropriate range so that the difference is not large do. This can be controlled by selecting the type of organic component of the organic layer and the type of nanoparticles dispersed in the organic layer.
  • FIGS. 12 are cross-sectional views illustrating a semiconductor light emitting device having a light extraction structure at various locations.
  • the light extracting structure 1193 may be formed on the buffer semiconductor layer 1190.
  • the light extraction structure 1293 may be formed on the second conductive type semiconductor layer 1153 without a separate buffer semiconductor layer.
  • the light extraction structures 1393 and 1493 may be formed above the buffer semiconductor layer 1290 and below the second conductive type semiconductor layer 1253.
  • the formation position of the light extraction structure is only an example, and the present invention is not limited thereto.
  • FIG. 13 is a flowchart illustrating a process of manufacturing the semiconductor light emitting device of FIG. 11.
  • a semiconductor light emitting structure is formed on the first substrate (S1310).
  • the semiconductor light emitting structure may include a first conductive type semiconductor layer, an active layer, and a second conductive type semiconductor layer, and may further include a buffer semiconductor layer in some cases.
  • electrodes for electrically connecting each semiconductor layer on the first substrate are formed.
  • the semiconductor light emitting structure is transferred to the second substrate (S1320).
  • the transfer step is selectively performed in the semiconductor light emitting device according to a location where a light extraction structure is to be formed. For example, it is not necessary to perform a separate transfer step in order to form the light extraction structure on the top of the semiconductor light emitting structure stacked on the first substrate.
  • a semiconductor layer for example, a buffer semiconductor layer
  • it in order to form a light extraction structure on a semiconductor layer (for example, a buffer semiconductor layer) that is first grown on a first substrate, it must be transferred to a second substrate in a flip chip method so that the surface of the buffer semiconductor layer is exposed.
  • the second substrate may be a temporary substrate for secondary transfer or may be a final substrate to which wiring is connected.
  • an organic layer in which nanoparticles are dispersed is coated on the semiconductor layer to form the light extraction structure (S1330).
  • a spin coating method is used for the coating.
  • the organic solution in which the nanoparticles are dispersed is thinly coated on the semiconductor layer by controlling the spin speed and time.
  • the coating process (S1330) includes a step of soft baking by heat.
  • the soft baking is a process of removing a volatile solvent to remove the fluidity of the organic solution.
  • the nanoparticles include inorganic particles or metal particles, for example, TiO 2 , It is assumed to contain at least one of ZnO, ZrO 2 , SiO 2 , Al 2 O 3 , and SiNx.
  • the etching ratio of the nanoparticles is set to be smaller than the etching ratio of the semiconductor layer constituting the semiconductor light emitting device. Although described later, the purpose is to use the organic layer including the nanoparticles as an etching mask.
  • the organic layer includes a photosensitive organic component.
  • the photosensitive organic component constitutes the organic layer, only a specific region may be patterned to remain through a photolithography process. That is, the organic layer may remain only in a specific region of the semiconductor light emitting device, and then, a light extraction structure may be formed only in the specific region.
  • the organic layer has a certain thickness and the surface is formed flat, and the surface of the organic layer is roughened through an ashing process.
  • the ashing process S1340 is mainly performed in a short time using O2 plasma.
  • the organic material regions excluding the nanoparticles can be easily removed by O2 plasma. That is, as the plasma treatment time elapses, organic matter components are removed from the surface of the organic layer, and nanoparticles remain, so that the surface of the organic layer has a curved shape by protruding nanoparticles.
  • an etching process is performed using the organic layer including the protruding nanoparticles as an etching mask, and a light extraction structure is formed (S1350).
  • the etching may be performed by anisotropic etching using plasma or reactive ion gas, or a wet etching method of isotropically etching using a chemical agent.
  • wet etching there is a concern that the entire organic layer may be lost due to isotropic etching, so that the etching process is preferably dry etching using plasma.
  • the entire area of the organic layer is etched with a certain direction.
  • the directionality will generally be a direction perpendicular to the semiconductor layer, but the direction can be adjusted through the configuration of the etching device.
  • the organic material and nanoparticles in the organic layer have different etching ratios, which is the rate at which they are etched within the same time.
  • nanoparticles are composed of metals or inorganic materials, and thus have a lower etching ratio than organic materials. Therefore, even if a certain time elapses in the etching process, the nanoparticles are not easily etched, and there is a high probability that the nanoparticles remain on the surface of the organic layer or the semiconductor layer.
  • the protruding shape becomes more prominent through the etching process. That is, organic protrusions including nanoparticles may be formed on the surface of the semiconductor layer.
  • the organic protrusion is composed of an organic material in which nanoparticles are positioned at an end of the protrusion and supports the nanoparticles.
  • the protruding nanoparticles formed in the ashing process (S1340) may also be etched when the dry etching process is performed for a long time, and thus nanoparticles may not exist at the ends of the organic protrusions.
  • the organic layer in the concave region in which nanoparticles do not exist will be further etched through the etching process, and further, the semiconductor layer existing under the organic layer will also be etched.
  • a plurality of organic protrusions will be formed on the surface of the semiconductor layer, and the semiconductor layer will be etched in a region where the organic protrusion is not formed to form an irregular uneven pattern.
  • the concave-convex pattern becomes a major element constituting the light extraction structure of the present invention.
  • FIG. 14 are cross-sectional views illustrating a process of forming the semiconductor light emitting structure of FIG. 11 on a first substrate.
  • a buffer semiconductor layer 1090, a second conductivity type semiconductor layer 1053, an active layer 1054, and a first conductivity type semiconductor layer 1055 are formed on the first substrate 1011. Grow in turn.
  • the buffer semiconductor layer 1090 is formed under the second conductive type semiconductor layer 1053 as shown in FIG. 14A.
  • the buffer semiconductor layer 1090 may prevent damage to the second conductive type semiconductor layer 1053 that may occur in the process of separating the semiconductor light emitting structure grown on the first substrate. In addition, it serves to mitigate damage caused by plasma generated during an etching process to form a light extraction structure.
  • the thickness of the buffer semiconductor layer 1090 is grown within a range of, for example, 0.5 ⁇ m to 3 ⁇ m. This is because, when the thickness of the buffer semiconductor layer 1090 is less than 0.5 ⁇ m, the buffer semiconductor layer 1090 cannot completely absorb the impact applied when separating the semiconductor light emitting structure from the growth substrate. In addition, this is because when the thickness of the buffer semiconductor layer 1090 exceeds 3 ⁇ m, for example, if the buffer semiconductor layer is located in a light propagation path, light extraction efficiency may be reduced by the thickness.
  • the buffer semiconductor layer 1090 is separately represented, but as described above, the buffer semiconductor layer 1090 is optional.
  • the second conductive type semiconductor layer 1053 is grown to be relatively thick, the second conductive type semiconductor layer 1053 even serves as the buffer semiconductor layer 1090.
  • the first substrate 1011 may be formed of a material having a light-transmitting property, for example, any one of sapphire (Al2O3), GaN, ZnO, and AlO.
  • the first substrate 1011 may be formed of a material suitable for growth of semiconductor materials and a carrier wafer.
  • the first substrate 1011 may be formed of a material having excellent thermal conductivity, including a conductive substrate or an insulating substrate, for example, a SiC substrate having a higher thermal conductivity than a sapphire (Al2O3) substrate, or Si, GaAs, GaP, At least one of InP and Ga2O3 may be used, but is not limited thereto.
  • the second conductive type semiconductor layer 1053 may be an n-type semiconductor layer, and may be a nitride semiconductor layer such as n-GaN, and the first conductive type semiconductor layer 1055 may be a p-type semiconductor layer.
  • the present invention is not necessarily limited thereto, and an example in which the first conductivity type is n-type and the second conductivity type is p-type is also possible.
  • the first conductive type semiconductor layer 1055 and the second conductive type semiconductor layer 1053 may be formed by implanting impurities into an intrinsic or doped semiconductor substrate. Also, a region in which a p-n junction is formed by the impurity implantation may serve as the active layer 1053.
  • the enumerations of the first conductive semiconductor layer 1055, the second conductive semiconductor layer 1053, and the active layer 11054 are exemplary, and the present invention is not limited thereto.
  • the semiconductor layers grown on the first substrate form a plurality of semiconductor light emitting structures isolated from each other through an etching process.
  • the first conductive semiconductor layer, the active layer, the second conductive semiconductor layer and the buffer semiconductor layer is etched to form a plurality of semiconductor light emitting structures isolated from each other on the substrate.
  • the etching may be performed until the first substrate is exposed.
  • etching may be performed between semiconductor light emitting devices until a part of the second conductive type semiconductor layer is left.
  • a first conductive type electrode 1056 and a second conductive type electrode 1052 may be formed in the plurality of semiconductor light emitting structures 1400.
  • a photo process, an etching process, and a metal deposition process may be performed for each electrode. Therefore, finally on the first substrate 1011, a first conductive type electrode 1056, a second conductive type electrode 1052, a first conductive type semiconductor layer 1055, an active layer 1054, a second conductive type semiconductor layer
  • a plurality of semiconductor light emitting structures 1400 on which the buffer semiconductor layer 1090 is formed may be formed.
  • the semiconductor light emitting device 1050 may further include, for example, a passivation layer formed to surround the side surface of the semiconductor light emitting structure 1400.
  • the substrate to be transferred may be, for example, a temporary substrate for secondary transfer or a final substrate including wiring electrodes.
  • the semiconductor light emitting structure 1400 of the first substrate 1011 is transferred to the second substrate 1010 through the adhesive film 1030 formed on the second substrate 1010. I can.
  • a laser lift off (LLO) process may be performed to selectively separate the semiconductor light emitting structure 1400 of the first substrate 1011. That is, when a laser is irradiated on the semiconductor light emitting structure 1400 to be separated from the first substrate 1011 side, the first substrate 1011 and the corresponding semiconductor light emitting device 1400 may be separated.
  • LLO laser lift off
  • the adhesive film of the second substrate 1010 may be a flexible film suitable for selective transfer. As shown in FIG. 15B, in the case of the semiconductor light emitting structure 1400 separated from the first substrate 1011, all may be adhered to the adhesive film 1030 of the second substrate 1010. Since the adhesive film 1030 is flexible, the semiconductor light emitting structure 1400 is stably fixed on the adhesive film 1030.
  • the semiconductor light emitting structure 1400 transferred by the adhesive film 1030 may be provided with a light extraction structure through a subsequent process, and may be transferred to a third substrate. If the second substrate 1010 is a wiring substrate or a final substrate, the adhesive film 1030 may be a conductive adhesive film for electrical connection to the semiconductor light emitting structure 1400.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view illustrating an organic layer containing nanoparticles coated on the semiconductor light emitting structure of FIG. 15.
  • the adhesive film 1030 positioned on the second substrate 1010 and the transferred semiconductor light emitting structure 1400 may form a flat surface. Accordingly, the organic layer 1691 in which the nanoparticles 1692 are dispersed may be coated on the surface by a method such as spin coating.
  • the coating thickness can be controlled relatively simply by controlling the rotation speed and time, and is advantageous for coating a large area organic layer.
  • the coating method is only exemplary, and is not limited thereto.
  • an organic solution in which a myriad of nanoparticles are dispersed is coated on the semiconductor light emitting structure 1400 through the spin coating method.
  • a volatile component (solvent) of the organic solution is removed through a soft baking process, and a relatively solidified organic layer 1691 is formed on the semiconductor light emitting structure 1400.
  • the component of the organic layer includes, for example, a photosensitive organic component.
  • the photosensitive organic component may be a photosensitive acrylate or PAC (Photo Active Compounds).
  • the nanoparticles may be, for example, 10 nm to 300 nm of inorganic material or metal component.
  • 17 is a cross-sectional view of each process step for forming organic protrusions and irregular interfaces on the upper surface of the semiconductor light emitting structure of FIG. 16.
  • FIG. 17A is a cross-sectional view of a semiconductor light emitting structure 1400 coated with an organic layer 1791 disposed on the substrate 1010 shown in FIG. 16.
  • a myriad of nanoparticles 1792 are dispersed in the organic layer 1791.
  • FIG. 17(b) is a cross-sectional view showing the shape of the semiconductor light emitting structure coated with the organic layer of FIG. 17(a) after an ashing process.
  • an ashing process for example, by exposing the surface of the organic layer to O2 plasma for several seconds, the shape of the surface of the organic layer is changed.
  • O2 plasma is more effective in removing the organic layer than the nanoparticles.
  • the nanoparticles are exposed on the surface of the organic layer.
  • a plurality of nanoparticles 1792 are exposed on the surface of the organic layer 1791, and an organic material supporting the nanoparticles is formed under the nanoparticles,
  • the organic layer 1791 has an irregular surface shape centered on the nanoparticles.
  • 17(c) is a cross-sectional view showing the shape of the semiconductor light emitting structure after the ashing process of FIG. 17(b) after etching.
  • the semiconductor light emitting structure of FIG. 17C includes a buffer semiconductor layer 1790, and a portion of the buffer semiconductor layer is etched into a shape such as, for example, an E-E line.
  • the protruding structure including the nanoparticles formed in the ashing step is also etched.
  • the etch ratio of the nanoparticles is lower than that of the organic material or the buffer semiconductor layer 1790, the protrusion structure may be more prominent.
  • organic protrusions including some nanoparticles and organic protrusions not including nanoparticles may be formed on the upper surface of the buffer semiconductor layer 1790.
  • the buffer semiconductor layer 1790 on which the organic protrusions are not formed may be etched to form an irregular uneven pattern.
  • the uneven pattern and the organic protrusion may form a light extraction structure of a semiconductor light emitting device, thereby improving light extraction efficiency.
  • the step difference of the uneven pattern is preferably several tens of nanometers to several hundred nanometers. That is, by forming a step corresponding to the wavelength of the visible light region, it is possible to increase the light extraction efficiency.
  • SEM Sccanning Electron Microscope
  • FIG. 18(b) is an SEM image after ashing the surface coated with the organic layer of FIG. 18(a) by O2 plasma.
  • a lump that is partially agglomerated is observed, but the lump is formed by agglomeration of remaining organic substances in the process of removing organic substances by the O2 plasma.
  • the organic mass can be easily removed in the subsequent etching process. Therefore, except for the organic mass, it can be observed that a myriad of nanoparticles are exposed on the surface.
  • the nanoparticles are nanoparticles that are not removed by O2 plasma, and are exposed on the surface of the organic layer.
  • 18(c) is an SEM image after the etching process is performed on the surface of FIG. 18(b).
  • the organic protrusion may include nanoparticles at the ends of the protrusions, and may be composed only of an organic material without nanoparticles.
  • 19 is a cross-sectional SEM image of a semiconductor light emitting structure coated with an organic layer containing nanoparticles.
  • the semiconductor light emitting structure was cut in the cross-sectional direction through a Focused Ion Beam (FIB) equipment.
  • FIB Focused Ion Beam
  • a separate metal buffer layer 1920 was applied, and a thin conductive layer 1910 was coated for a precise SEM image.
  • the metal buffer layer 1920 and the conductive layer 1910 are irrelevant to the semiconductor light emitting structure, and through the nanoparticles 1992, the organic layer 1991 and the semiconductor layer 1990 observed under the metal buffer layer, Fig. 18(a) ), you can check the cross-sectional image.
  • the nanoparticles 1992 are observed to exist in the range of several tens of nm to 300 nm, and the thickness of the organic layer 1991 is about 780 nm.
  • the surface of the organic layer 1991 is made flat without protruding portions, and the interface between the organic layer 1991 and the semiconductor layer 1990 also has a flat interface shape without protruding portions.
  • 20 is a side SEM image of a semiconductor light emitting structure coated with an organic layer containing nanoparticles after an ashing process.
  • 21 is a FIB-SEM image of a semiconductor light emitting structure coated with an organic layer containing nanoparticles after ashing and etching processes.
  • a number of protruding regions exist on the semiconductor layer 2190.
  • the region is formed by coating an organic protrusion formed after an ashing and etching process and a conductive polymer layer 2110 additionally on the organic protrusions.
  • a conductive polymer layer 2110 In order to be used as an actual semiconductor light emitting device, for example, it is common to form a phosphor layer on the top of the semiconductor light emitting device, and in the case of the image of FIG. 21(a), the shape of the interface between the organic protrusion 2120 and the semiconductor layer 2190 In order to observe more clearly, the conductive polymer layer 2110 was further coated as described above.
  • FIG. 21(a) is an SEM image of a semiconductor light emitting device after an etching process, loaded into an FIB device, processed in cross section, and observed at an inclination angle of 52 degrees.
  • the interface of the semiconductor layer 2190 is divided into an interface in which organic protrusions are located, and an interface in which the organic protrusions are not located and directly contact with the conductive polymer layer 2110.
  • Fig. 21(b) is an enlarged cross-sectional view of area F of Fig. 21(a).
  • the darkly protruding regions are organic protrusions 2120 and 2121 formed by an etching process.
  • SEM equipment implements an image by detecting the amount of secondary electrons generated after colliding with accelerating electrons on an object. In the case of organic materials, the amount of secondary electrons generated is small and is expressed as dark.
  • the interface between the organic protrusions 2120 and 2121 and the semiconductor layer 2190 is flat, whereas the interface of the semiconductor layer 2190 without the organic protrusions is irregularly formed in an uneven pattern.
  • the maximum height point 2196 and the minimum height point 2195 of the interface of the semiconductor layer 2190 in which no organic protrusion exists. ) Is about 560nm. That is, through the etching process, it can be seen that the surface of the semiconductor layer 2190 was etched at a maximum of about 560 nm in the region, thereby forming an irregular uneven pattern.
  • the uneven pattern has a step difference of several hundred nm, and accordingly forms various inclination angles in a direction perpendicular to the surface of the semiconductor layer, for example, light generated from the active layer of the semiconductor light emitting device proceeds to the surface of the irregular semiconductor layer. If so, it is possible to provide various light escape angles.
  • FIG. 22 is a plan view AFM images for each process step for manufacturing a semiconductor light emitting device having a light extraction structure.
  • FIG. 22(a) is an image obtained by measuring the surface roughness after coating an organic layer on the surface of a semiconductor light emitting structure with an atomic force microscope (AFM), FIG. 22(b) after ashing, and FIG. 22(c) ashing and etching This is a planar AFM image for the subsequent surface roughness.
  • AFM atomic force microscope
  • the roughness of the surface is not large by coating alone, but as shown in FIG. 22(b), it can be seen that the surface after the ashing process has become rougher than that of FIG. 22(a). Furthermore, as shown in FIG. 22(c), after the etching process, the protruding area of the surface can be more clearly identified.
  • 23 is a surface roughness and side AFM images for each process step for manufacturing a semiconductor light emitting device having a light extraction structure.
  • the difference between the maximum height and the minimum height of the surface is about 1290 nm, and the average square roughness is about 160 nm, compared to Fig. 23(a) before the ashing process, about It can be seen that the surface is roughened by about 60 times. In other words, it can be seen that the roughness increases as the flat organic layer in which the nanoparticles are dispersed has a structure protruding around the nanoparticles through the ashing process.
  • the ashing process generally only changes the surface shape of the organic layer, but does not change the interface shape of the semiconductor layer.
  • the difference between the maximum height and the minimum height of the surface is about 1490 nm, and the average square roughness is about 226 nm. That is, after the ashing process, the roughness was increased through the etching process again. This increase in the roughness is because the interface of the semiconductor layer was irregularly etched rather than the change in the surface shape of the organic layer.
  • FIG. 24 is a graph showing light intensity for each wavelength of a semiconductor light emitting device having a light extraction structure of the present invention and a semiconductor light emitting device according to the prior art.
  • a light extraction structure is formed on the surface of a semiconductor light emitting device through an etching process.
  • each of the three types of semiconductor light emitting devices is a device that has not been etched (No etching), a device that has undergone a dry etching process using a mask as in the conventional method (Conventional Mask + Dry Etching), and nanoparticles as in the present invention. It is a device (Nano Particle/Organic Mask + Dry Etching) that has been subjected to dry etching using the organic material contained therein as an etching mask.
  • the light intensity of the non-etched device is about 0.35 based on the center peak
  • the light intensity of the two devices that are etched is about 0.55 based on the center peak. That is, it can be seen that the light intensity of about 50% increased due to the light extraction structure formed through etching.
  • the light intensity of the dry-etched device is similar to that of the device obtained by dry etching and an expensive mask by using the organic material containing the nanoparticles of the present invention as an etching mask. .
  • the size of the semiconductor light emitting device In order to use a semiconductor light emitting device as a large-area display device, for example, the size of the semiconductor light emitting device must be manufactured to a size of several tens of ⁇ m, and the light extraction structure formed in an individual semiconductor light emitting device is at the level of several tens to hundreds of nm. It must be made. Therefore, in the case of the prior art, considering the manufacturing cost of a mask for forming a fine pattern of several tens of nm and the difficulty of a precise subsequent process using the mask, it is not suitable for a large-area display device.
  • an organic layer containing nanoparticles is coated and an etching mask manufactured by an ashing process is used, and a light extraction structure is formed by a simple and inexpensive method, and the effect is similar to the prior art. .
  • FIG. 25 are cross-sectional views illustrating a process of forming a light extraction structure only in a partial region of a semiconductor light emitting structure using a photosensitive organic layer.
  • an organic layer 2592 containing nanoparticles 2591 is coated on the semiconductor light emitting structure 2500 fixed by the adhesive film 2530 on the substrate 2510.
  • an organic layer may be formed only in a partial upper portion of the semiconductor light emitting structure.
  • a light extraction structure 2593 may be formed only in a partial region of the semiconductor light emitting structure 2500, as shown in FIG. 25(c).
  • 26 is a plan view of semiconductor light emitting devices in which a light extraction structure is formed only in a partial region of FIG.
  • a light extraction structure may be formed in all regions of the adhesive film and the semiconductor light emitting device, but through the patterning process as shown in FIG. 26, the individual semiconductor light emitting device 2550 is The light extraction structure 2593 may be formed only in a partial area.
  • the partial region may be a region overlapping with the active layer of the semiconductor light emitting device.
  • the reason for forming the light extracting structure only in a specific area of the semiconductor light emitting device is to prevent reabsorption of light by the phosphor layer that may be formed on the light extracting structure as much as possible, and specific details will be described later in FIGS. 27 and 28 do.
  • FIG. 27 is a cross-sectional view after a phosphor layer is provided on the semiconductor light emitting devices of FIG. 25;
  • a light extracting structure 2593 is formed in a specific region of the semiconductor light emitting device 2650 fixed to the adhesive film 2630.
  • the phosphor layer 2680 is formed only on some semiconductor light emitting devices.
  • the phosphor layer 2680 performs a function of converting light generated by the semiconductor light emitting device into a color of a unit pixel.
  • a green phosphor 281 is provided to convert the blue light into green light.
  • the red phosphor 2682 converts blue light into red light, and a partition wall 2520 may be formed to distinguish the phosphor layer 2680.
  • the phosphor layer 2680 includes a fluorescent material such as a quantum dot (QD) or an inorganic phosphor, and when light generated by the semiconductor light emitting device collides with the fluorescent material, the light is reflected back to the interior of the semiconductor light emitting device. Can be reabsorbed.
  • QD quantum dot
  • inorganic phosphor when light generated by the semiconductor light emitting device collides with the fluorescent material, the light is reflected back to the interior of the semiconductor light emitting device. Can be reabsorbed.
  • FIG. 28 is a cross-sectional view illustrating a light extraction effect of a semiconductor light emitting device in which only a partial region of FIG. 25 is formed.
  • the semiconductor light emitting device includes a first conductive type electrode 2656, a second conductive type electrode 2652, a first conductive type semiconductor layer 2655, an active layer 2654, and a second conductive type.
  • a semiconductor layer 2603, a buffer semiconductor layer 2690, and a light extraction structure 2693 are included.
  • a phosphor layer 2680 is provided on the semiconductor light emitting device, and a number of phosphors 2801 are dispersed in the phosphor layer 2680.
  • the light (G1, G2, G3) generated in the active layer 2654 proceeds in various directions. For example, if a reflective film is provided on the side of the semiconductor light emitting device, most of the light (or light) is transmitted to the active layer 2654 ) And will proceed in the direction that overlaps.
  • the generated light is emitted to the outside by the light extraction structure 2693 formed on the active layer 2654, and the light emitted to the outside is reflected and refracted by the phosphor 281 of the phosphor layer 2680 again.
  • Some of the light reflected by the phosphor 2801 may travel toward the semiconductor light emitting device again, for example, and may be reabsorbed into the device by a certain amount.
  • the re-absorption light R1 and R2 is more likely to be reabsorbed in a region in which the light extraction structure 2693 is formed than in a region in which the light extraction structure is not formed. Due to the high refractive index of the semiconductor light emitting device itself, a region with a flat surface will be difficult to extract and absorb light, but a region with a separate light extraction structure has various light escape angles, so that the extraction and absorption of light is smooth. Because it is.
  • the light extraction structure of the semiconductor light emitting device must be formed in an area overlapping the active layer to increase the amount of light emitted to the outside. At the same time, not forming the light extraction structure in the rest of the semiconductor light emitting device is advantageous in reducing re-absorption light later.

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Abstract

본 발명은 간단한 공정으로 제조 가능하고, 우수한 광 추출 효율을 갖는 마이크로 LED 를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 복수의 반도체 발광 소자들을 구비하는 디스플레이 장치를 제공한다. 구체적으로, 본 발명에 구비되는 반도체 발광 소자의 상면은 수직방향으로 돌출되는 복수의 유기 돌기 및 일정 영역에 형성되는 요철 패턴을 포함하는 광 추출 구조를 포함한다.

Description

마이크로 LED를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
본 발명은 디스플레이 장치 관련 기술 분야에 적용 가능하며, 예를 들어 마이크로 LED(Light Emitting Diode)를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근에는 디스플레이 기술분야에서 박형, 플렉서블 등의 우수한 특성을 가지는 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 이에 반해, 현재 상용화된 주요 디스플레이는 LCD(Liquid Crystal Display)와 OLED(Organic Light Emitting Diodes)로 대표되고 있다.
그러나, LCD의 경우에 빠르지 않은 반응 시간과, 플렉서블의 구현이 어렵다는 문제점이 있고, OLED의 경우에 수명이 짧고, 양산 수율이 좋지 않다는 문제점이 있다.
한편, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 것으로 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다. 따라서, 상기 반도체 발광 소자를 이용하여 디스플레이를 구현하여, 전술한 문제점을 해결하는 방안이 제시될 수 있다. 상기 반도체 발광 소자는 필라멘트 기반의 발광 소자에 비해 긴 수명, 낮은 전력 소모, 우수한 초기 구동 특성, 및 높은 진동 저항 등의 다양한 장점을 갖는다.
이러한 반도체 발광소자는 점차 고출력, 고효율 제품 중심으로 연구되고 있으며, 특히 질화갈륨(GaN)계 반도체 발광 소자가 중점적으로 연구되고 있다.
GaN계 반도체 발광 소자의 경우 내부양자효율이 비교적 우수하여 광 발생 측면에서 높은 효율을 갖는다. 그러나 주변 물질에 비해 높은 굴절률(2.3 내지 2.8)로 인해 광 추출 효율이 낮다. 따라서 일반적인 구조의 GaN계 반도체 발광 소자는 활성층에서 발생된 빛의 상당 부분이 소자 외부로 추출되지 못하고 내부에서 소멸된다. 더구나, 반도체 발광 소자를 빠져나가지 못한 빛은 반도체 발광 소자 내부를 이동하다가 열로 바뀌어, 결과적으로 발광 효율은 낮추고, 열 발생량은 늘려 반도체 발광 소자의 수명을 단축시키게 된다.
따라서 반도체 발광 소자를 이용하여 디스플레이 장치를 구현하기 위해서는 우수한 광 추출 효율을 가지는 반도체 발광 소자의 개발이 요구된다.
본 발명의 일 실시예의 목적은, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예의 다른 목적은, 간단한 공정으로 제조 가능하고, 우수한 광 추출 효율을 갖는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 제조 방법을 제공하는 것이다.
나아가, 본 발명의 일 실시예의 또 다른 목적은, 여기에서 언급하지 않은 다양한 문제점들도 해결하고자 한다. 당업자는 명세서 및 도면의 전 취지를 통해 이해할 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 디스플레이 장치는, 복수의 반도체 발광 소자들을 구비하는 디스플레이 장치를 제공한다. 구체적으로, 본 발명에 구비되는 반도체 발광 소자들 중 적어도 하나는, 제 1도전형 반도체층, 활성층 및 제 2 도전형 반도체층을 포함하는 반도체 발광 구조; 및 상기 반도체 발광 구조의 제 2도전형 반도체층의 상부에 구비되는 광 추출 구조; 를 포함하고, 상기 광 추출 구조는, 상기 제 2도전형 반도체층의 수직 방향으로 돌출되는 복수의 유기 돌기 및 상기 제 2도전형 반도체층의 상면의 일정 영역에 형성되는 요철 패턴을 포함하고, 상기 복수의 유기 돌기 중 적어도 하나는, 돌기의 단부에 위치하는 나노 파티클 및 상기 나노 파티클을 지지하는 유기물을 포함하고, 상기 제 2도전형 반도체층의 상면은, 상기 복수의 유기 돌기 중 제 1유기 돌기가 위치하는 제 1계면, 상기 복수의 유기 돌기 중 제 2유기 돌기가 위치하는 제 2계면 및 상기 제 1계면과 상기 제 2계면 사이에 유기 돌기가 위치하지 않은 제 3계면이 존재하고, 상기 요철 패턴은 상기 제 3계면에 형성되는 것을 특징으로 한다.
실시예로서, 상기 나노 파티클과 상기 제 2도전형 반도체층은 서로 다른 식각비를 가지며, 상기 나노 파티클의 제 1식각비(Etching Ratio)는 상기 제 2도전형 반도체층의 제 2식각비보다 낮은 것을 특징으로 한다.
실시예로서, 상기 복수의 유기 돌기의 제 1굴절률은 상기 상기 제 2도전형 반도체층의 제 2굴절률보다 낮은 것을 특징으로 한다.
실시예로서, 상기 나노 파티클은 TiO 2, ZnO, ZrO 2, SiO 2, Al 2O 3, SiNx 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.
실시예로서, 상기 반도체 발광 소자는 마이크로미터 단위 크기를 가진 LED(Micro-LED)인 것을 특징으로 한다.
실시예로서, 상기 제 1도전형 반도체층 및 상기 제 2도전형 반도체층 중 하나는 P형 GaN층이고, 다른 하나는 N형 GaN층인 것을 특징으로 한다.
실시예로서, 상기 유기물은 감광성 유기물인 것을 특징으로 한다.
실시예로서, 상기 감광성 유기물은 감광성 아크릴레이트, PAC(Photo Active Compounds) 중 적어도 하나를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조 방법은, 제 1기판에 제 1도전형 반도체층, 활성층 및 제 2도전형 반도체층을 포함하는 반도체 발광 구조를 형성하는 단계; 상기 반도체 발광 구조의 상부에 나노 파티클들이 분산된 유기층을 코팅하는 단계; 상기 나노 파티클들의 적어도 일부가 상기 유기층의 표면에 드러나도록 애싱(ashing)하는 단계; 상기 애싱 후 잔존하는 유기층을 식각 마스크로 사용하여 식각 공정을 통해, 상기 반도체 발광 구조의 상부에 광 추출 구조를 형성하는 단계를 포함한다.
실시예로서, 상기 광 추출 구조는 상기 식각 공정에 의해, 상기 반도체 발광 구조의 상면에 형성되는 불규칙한 요철 패턴을 포함하는 것을 특징으로 한다.
실시예로서, 상기 광 추출 구조는 상기 식각 공정에 의해 형성되는 복수의 유기 돌기를 포함하고, 상기 복수의 유기 돌기 중 적어도 하나는, 돌기의 단부에 나노 파티클이 위치하는 것을 특징으로 한다.
실시예로서, 상기 반도체 발광 구조를 형성하는 단계와 상기 유기층을 코팅하는 단계 사이에, 상기 반도체 발광 구조를 제 2기판에 전사하는 단계를 포함한다.
실시예로서, 상기 유기층을 코팅하는 단계는, 유기 용액을 상기 반도체 발광 구조의 상부에 도포하고, 이후 열에 의해 소프트 베이킹(Baking)하는 단계를 포함한다.
실시예로서, 상기 유기층은 감광성 유기층이며, 포토리소그래피(Photo-Lithography) 공정을 통해 상기 반도체 발광 구조의 상기 활성층에 오버랩되는 영역에만 상기 광 추출 구조를 형성하는 단계를 포함한다.
실시예로서, 상기 반도체 발광 구조는 버퍼 반도체층을 포함하고, 상기 유기층은 상기 반도체 발광 소자의 상기 버퍼 반도체층 상부에 코팅되는 것을 특징으로 한다.
실시예로서, 상기 애싱하는 단계는, O 2 플라즈마를 사용하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 제조 방법을 제공할 수 있다.
또한 간단한 공정으로 제조 가능하고, 우수한 광 추출 효율을 갖는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 제조 방법을 제공할 수 있다.
구체적으로, 복수의 나노 파티클이 함유된 유기층을 반도체 발광 구조에 코팅 후, 상기 나노 파티클이 유기층의 표면에 드러나도록 상기 유기층을 애싱하고, 상기 애싱된 유기층을 식각 마스크로 사용함으로써, 반도체 발광 소자의 표면에 불규칙한 요철 패턴을 갖게 하여, 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
따라서, 반도체 발광 소자 내부에서 발생한 빛이 주변에서 손실되지 않고, 효과적으로 외부로 방출되도록 함으로써 디스플레이 장치의 휘도를 향상 시키며, 소자의 열화를 감소시켜 고온 신뢰성 측면에서 긍정적인 효과가 있다.
나아가, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따르면, 여기에서 언급하지 않은 추가적인 기술적 효과들도 있다. 당업자는 명세서 및 도면의 전취지를 통해 이해할 수 있다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일실시예를 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도 이다.
도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 절단된 단면도들이다.
도 4는 도 3의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러 가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 절단된 단면도이다.
도 9는 도 8의 수직형 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 광 추출 구조를 구비한 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치를 설명하기 위한, 도 1의 A 부분의 확대도이다.
도 11은 도 10의 광 추출 구조를 구비한 반도체 발광 소자를 상세히 나타내는 단면도이다.
도 12는 다양한 위치에 광 추출 구조를 구비한 반도체 발광 소자를 나타내는 단면도들이다.
도 13은 도 11의 반도체 발광 소자를 제작하는 과정을 나타내는 순서도이다.
도 14는 도 11의 반도체 발광 구조를 제 1기판에서 형성하는 과정을 나타내는 단면도들이다.
도 15는 도 14의 반도체 발광 구조를 제 2기판으로 전사하는 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 16은 도 15의 반도체 발광 구조의 상부에 나노 파티클을 함유한 유기층이 코팅된 단면도이다.
도 17은 도 16의 반도체 발광 구조의 상면에 유기 돌기 및 불규칙한 계면을 형성하기 위한 각 공정 단계 별 단면도들이다.
도 18은 광 추출 구조를 구비하는 반도체 발광 소자를 제작하기 위한, 각 공정 단계 별 평면SEM 이미지들이다.
도 19는 나노 파티클이 함유된 유기층이 코팅된, 반도체 발광 구조에 단면 SEM 이미지이다.
도 20은 나노 파티클이 함유된 유기층이 코팅된, 반도체 발광 구조에 대한, 애싱 공정 이후 측면 SEM 이미지이다.
도 21은 나노 파티클이 함유된 유기층이 코팅된, 반도체 발광 구조에 대한, 애싱 및 식각 공정 이후 FIB-SEM 이미지이다.
도 22는 광 추출 구조를 구비하는 반도체 발광 소자를 제작하기 위한, 각 공정 단계 별 평면 AFM이미지들이다.
도 23은 광 추출 구조를 구비하는 반도체 발광 소자를 제작하기 위한, 각 공정 단계 별 표면 거칠기 및 측면 AFM이미지들이다.
도 24는 본 발명의 광 추출 구조를 구비한 반도체 발광 소자 및 종래 기술에 따른 반도체 발광 소자들의 파장 별 광 세기를 나타내는 그래프이다.
도 25는 감광성 유기층을 사용하여 반도체 발광 구조의 일부 영역에만 광 추출 구조를 형성하는 과정을 나타내는 단면도들이다.
도 26은 도 25의 일부 영역만 광 추출 구조가 형성된 반도체 발광 소자들의 평면도이다.
도 27은 도25의 반도체 발광 소자들의 상부에 형광체층이 구비된 후의 단면도이다.
도 28은 도 25의 일부 영역만 광 추출 구조가 형성된 반도체 발광 소자의 광 추출 효과를 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시예를 설명함에 있어서 관련된 공지기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.
나아가, 설명의 편의를 위해 각각의 도면에 대해 설명하고 있으나, 당업자가 적어도 2개 이상의 도면을 결합하여 다른 실시예를 구현하는 것도 본 발명의 권리범위에 속한다.
또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
본 명세서에서 설명하는 디스플레이 장치는 단위 화소 또는 단위 화소의 집합으로 발광하는 모든 발광 장치 및 디스플레이 장치를 포함하는 개념이다. 따라서 완성품에 한정하지 않고 부품에도 적용될 수 있다. 예를 들어 디지털 TV의 일 부품에 해당하는 패널도 독자적으로 본 명세서 상의 디스플레이 장치에 해당한다. 완성품으로는 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 피씨(Slate PC), Tablet PC, Ultra Book, 디지털 TV, 데스크 탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다.
그러나, 본 명세서에 기재된 실시예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품 형태이라도, 디스플레이가 가능한 장치에는 적용될 수도 있음을 본 기술 분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.
또한, 당해 명세서에서 언급된 반도체 발광 소자는 LED, 마이크로 LED 등을 포함하는 개념이며, 혼용되어 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일실시예를 나타내는 개념도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 디스플레이 장치(100)의 제어부(미도시)에서 처리되는 정보는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 이용하여 표시될 수 있다.
플렉서블 디스플레이는, 예를 들어 외력에 의하여 휘어질 수 있는, 또는 구부러질 수 있는, 또는 비틀어질 수 있는, 또는 접힐 수 있는, 또는 말려질 수 있는 디스플레이를 포함한다.
나아가, 플렉서블 디스플레이는, 예를 들어 기존의 평판 디스플레이의 디스플레이 특성을 유지하면서, 종이와 같이 휘어지거나, 또는 구부리거나, 또는 접을 수 있거나 또는 말 수 있는 얇고 유연한 기판 위에 제작되는 디스플레이가 될 수 있다.
상기 플렉서블 디스플레이가 휘어지지 않는 상태(예를 들어, 무한대의 곡률반경을 가지는 상태, 이하 제1상태라 한다)에서는 상기 플렉서블 디스플레이의 디스플레이 영역이 평면이 된다. 상기 제1상태에서 외력에 의하여 휘어진 상태(예를 들어, 유한의 곡률 반경을 가지는 상태, 이하, 제2상태라 한다)에서는 상기 디스플레이 영역이 곡면이 될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 제2상태에서 표시되는 정보는 곡면상에 출력되는 시각 정보가 될 수 있다. 이러한 시각 정보는 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(sub-pixel)의 발광이 독자적으로 제어됨에 의하여 구현된다. 상기 단위 화소는, 예를 들어 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위를 의미한다.
상기 플렉서블 디스플레이의 단위 화소는 반도체 발광 소자에 의하여 구현될 수 있다. 본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자의 일 종류로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 예시한다. 상기 발광 다이오드는 작은 크기로 형성되며, 이를 통하여 상기 제2상태에서도 단위 화소의 역할을 할 수 있게 된다.
상기 발광 다이오드를 이용하여 구현된 플렉서블 디스플레이에 대하여, 이하 도면들을 참조하여 보다 상세히 설명한다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도 이다.
도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 절단된 단면도들이다.
도 4는 도 3의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러 가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 2, 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.
도 1에 도시된 디스플레이 장치(100)는, 도 2에 도시된 바와 같이 기판(110), 제1전극(120), 전도성 접착층(130), 제2전극(140) 및 적어도 하나의 반도체 발광 소자(150)를 포함한다.
기판(110)은 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 기판(110)은 유리나 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면, 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 상기 기판(110)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.
상기 기판(110)은 제1전극(120)이 배치되는 배선기판이 될 수 있으며, 따라서 상기 제1전극(120)은 기판(110) 상에 위치할 수 있다.
도 3a에 도시된 바와 같이 절연층(160)은 제1전극(120)이 위치한 기판(110) 상에 배치될 수 있으며, 상기 절연층(160)에는 보조전극(170)이 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 기판(110)에 절연층(160)이 적층된 상태가 하나의 배선기판이 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연층(160)은 폴리이미드(PI, Polyimide), PET, PEN 등과 같이 절연성이 있고, 유연성 있는 재질로, 상기 기판(110)과 일체로 이루어져 하나의 기판을 형성할 수 있다.
보조전극(170)은 제1전극(120)과 반도체 발광 소자(150)를 전기적으로 연결하는 전극으로서, 절연층(160) 상에 위치하고, 제1전극(120)의 위치에 대응하여 배치된다. 예를 들어, 보조전극(170)은 닷(dot) 형태이며, 절연층(160)을 관통하는 전극홀(171)에 의하여 제1전극(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극홀(171)은 비아홀에 도전물질이 채워짐에 의하여 형성될 수 있다.
도 2 또는 도 3a에 도시된 바와 같이, 절연층(160)의 일면에는 전도성 접착층(130)이 형성되나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 절연층(160)과 전도성 접착층(130)의 사이에 특정 기능을 수행하는 레이어가 형성되거나, 절연층(160)이 없이 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조도 가능하다. 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조에서는 전도성 접착층(130)이 절연층의 역할을 할 수 있다.
상기 전도성 접착층(130)은 접착성과 전도성을 가지는 층이 될 수 있으며, 이를 위하여 상기 전도성 접착층(130)에서는 전도성을 가지는 물질과 접착성을 가지는 물질이 혼합될 수 있다. 또한 전도성 접착층(130)은 연성을 가지며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 플렉서블 기능을 가능하게 한다.
이러한 예로서, 전도성 접착층(130)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 상기 전도성 접착층(130)은 두께를 관통하는 Z 방향으로는 전기적 상호 연결을 허용하나, 수평적인 X-Y 방향으로는 전기 절연성을 가지는 레이어로서 구성될 수 있다. 따라서 상기 전도성 접착층(130)은 Z축 전도층으로 명명될 수 있다(다만, 이하 '전도성 접착층'이라 한다).
상기 이방성 전도성 필름은 이방성 전도매질(anisotropic conductive medium)이 절연성 베이스부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정 부분만 이방성 전도매질에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이하, 상기 이방성 전도성 필름에는 열 및 압력이 가해지는 것으로 설명하나, 상기 이방성 전도성 필름이 부분적으로 전도성을 가지기 위하여 다른 방법이 적용될 수도 있다. 전술한 다른 방법은, 예를 들어 상기 열 및 압력 중 어느 하나만이 가해지거나 UV 경화 등이 될 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도매질은 예를 들어, 도전볼이나 전도성 입자가 될 수 있다. 예를 들어, 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정 부분만 도전볼에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이방성 전도성 필름은 전도성 물질의 코어가 폴리머 재질의 절연막에 의하여 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있으며, 이 경우에 열 및 압력이 가해진 부분이 절연막이 파괴되면서 코어에 의하여 도전성을 가지게 된다. 이때, 코어의 형태는 변형되어 필름의 두께방향으로 서로 접촉하는 층을 이룰 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 열 및 압력은 이방성 전도성 필름에 전체적으로 가해지며, 이방성 전도성 필름에 의하여 접착되는 상대물의 높이 차에 의하여 Z축 방향의 전기적 연결이 부분적으로 형성된다.
다른 예로서, 이방성 전도성 필름은 절연 코어에 전도성 물질이 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있다. 이 경우에는 열 및 압력이 가해진 부분이 전도성 물질이 변형되어(눌러 붙어서) 필름의 두께방향으로 전도성을 가지게 된다. 또 다른 예로서, 전도성 물질이 Z축 방향으로 절연성 베이스 부재를 관통하여 필름의 두께방향으로 전도성을 가지는 형태도 가능하다. 이 경우에, 전도성 물질은 뽀족한 단부를 가질 수 있다.
상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재의 일면에 삽입된 형태로 구성되는 고정배열 이방성 전도성 필름(fixed array ACF)이 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연성 베이스 부재는 접착성을 가지는 물질로 형성되며, 도전볼은 상기 절연성 베이스 부재의 바닥 부분에 집중적으로 배치되며, 상기 베이스 부재에서 열 및 압력이 가해지면 상기 도전볼과 함께 변형됨에 따라 수직 방향으로 전도성을 가지게 된다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 이방성 전도성 필름은 절연성 베이스 부재에 도전볼이 랜덤하게 혼입된 형태나, 복수의 층으로 구성되며 어느 한 층에 도전볼이 배치되는 형태(double-ACF) 등이 모두 가능하다.
이방성 전도 페이스트는 페이스트와 도전볼의 결합 형태로서, 절연성 및 접착성의 베이스 물질에 도전볼이 혼합된 페이스트가 될 수 있다. 또한, 전도성 입자를 함유한 솔루션은 전도성 파티클 혹은 나노 입자를 함유한 형태의 솔루션이 될 수 있다.
다시 도3a를 참조하면, 제2전극(140)은 보조전극(170)과 이격하여 절연층(160)에 위치한다. 즉, 상기 전도성 접착층(130)은 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치하는 절연층(160) 상에 배치된다.
절연층(160)에 보조전극(170)과 제2전극(140)이 위치된 상태에서 전도성 접착층(130)을 형성한 후에, 반도체 발광 소자(150)를 열 및 압력을 가하여 플립 칩 형태로 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(150)는 제1전극(120) 및 제2전극(140)과 전기적으로 연결된다.
도 4를 참조하면, 상기 반도체 발광 소자는 플립 칩 타입(flip chiptype)의 발광 소자가 될 수 있다.
예를 들어, 상기 반도체 발광 소자는 p형 전극(156), p형 전극(156)이 형성되는 p형 반도체층(155), p형 반도체층(155) 상에 형성된 활성층(154), 활성층(154) 상에 형성된 n형 반도체층(153) 및 n형 반도체층(153) 상에서 p형 전극(156)과 수평방향으로 이격 배치되는 n형 전극(152)을 포함한다. 이 경우, p형 전극(156)은 도3에 도시된, 보조전극(170)과 전도성 접착층(130)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, n형 전극(152)은 제2전극(140)과 전기적으로 연결될 수 있다.
다시 도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 보조전극(170)은 일방향으로 길게 형성되어, 하나의 보조전극이 복수의 반도체 발광 소자(150)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 보조전극을 중심으로 좌우의 반도체 발광 소자들의 p 형 전극들이 하나의 보조전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
보다 구체적으로, 열 및 압력에 의하여 전도성 접착층(130)의 내부로 반도체 발광 소자(150)가 압입되며 이를 통하여 반도체 발광 소자(150)의 p형 전극(156)과 보조전극(170) 사이의 부분과, 반도체 발광 소자(150)의 n형 전극(152)과 제2전극(140) 사이의 부분에서만 전도성을 가지게 되고, 나머지 부분에서는 반도체 발광 소자의 압입이 없어 전도성을 가지지 않게 된다. 이와 같이, 전도성 접착층(130)은 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 사이 및 반도체 발광 소자(150)와 제2전극(140) 사이를 상호 결합시켜줄 뿐만 아니라 전기적 연결까지 형성시킨다.
또한, 복수의 반도체 발광 소자(150)는 발광 소자 어레이(array)를 구성하며, 발광 소자 어레이에는 형광체층(180)이 형성된다.
발광 소자 어레이는 자체 휘도 값이 상이한 복수의 반도체 발광 소자들을 포함할 수 있다. 각각의 반도체 발광 소자(150)는 단위 화소를 구성하며, 제1전극(120)에 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 제1전극(120)은 복수 개일 수 있고, 반도체 발광 소자들은 예컨대 수 열로 배치되며, 각 열의 반도체 발광 소자들은 상기 복수 개의 제1전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 반도체 발광 소자들이 플립 칩 형태로 접속되므로, 투명 유전체 기판에 성장시킨 반도체 발광 소자들을 이용할 수 있다. 또한, 상기 반도체 발광 소자들은 예컨대 질화물 반도체 발광 소자일 수 있다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 화소를 구성할 수 있다.
도3에 도시된 바와 같이, 반도체 발광 소자(150)의 사이에 격벽(190)이 형성될 수 있다. 이 경우, 격벽(190)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 전도성 접착층(130)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(150)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스 부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스 부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(190)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 이 경우에, 상기 격벽(190)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다. 화이트 절연체의 격벽을 이용할 경우 반사성을 높이는 효과가 있을 수 있고, 블랙 절연체의 격벽을 이용할 경우, 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)를 증가시킬 수 있다.
형광체층(180)은 반도체 발광 소자(150)의 외면에 위치할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자고, 형광체층(180)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(180)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(181) 또는 녹색 형광체(182)가 될 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(181)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자 상에 청색광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(182)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(120)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층될 수 있다. 따라서, 제1전극(120)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(140)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광 소자(150)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들을 구현할 수 있다.
또한, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체층들의 사이에는 블랙 매트릭스(191)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(191)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
도 5a를 참조하면, 각각의 반도체 발광 소자(150)는 질화 갈륨(GaN)을 주재료로 하여, 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)이 함께 첨가되어 청색을 비롯한 다양한 빛을 발광하는 고출력의 발광 소자로 구현될 수 있다.
이 경우, 반도체 발광 소자는 각각 단위 화소(sub-pixel)를 이루기 위하여 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자(R, G, B)가 교대로 배치되고, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자에 의하여 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 단위 화소들이 하나의 화소(pixel)를 이루며, 이를 통하여 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 반도체 발광 소자는 황색 형광체층이 개별 소자 마다 구비된 백색 발광 소자(W)를 구비할 수 있다. 이 경우에는, 단위 화소를 이루기 위하여, 백색 발광 소자(W) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비될 수 있다. 또한, 이러한 백색 발광 소자(W) 상에 적색, 녹색, 및 청색이 반복되는 컬러 필터를 이용하여 단위 화소를 이룰 수 있다.
도 5c를 참조하면, 자외선 발광 소자(UV) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비되는 구조도 가능하다. 이와 같이, 반도체 발광 소자는 가시광선뿐만 아니라 자외선(UV)까지 전 영역에 사용 가능하며, 자외선(UV)이 상부 형광체의 여기원(excitation source)으로 사용 가능한 반도체 발광 소자의 형태로 확장될 수 있다.
본 예시를 다시 살펴보면, 반도체 발광 소자는 전도성 접착층 상에 위치되어, 디스플레이 장치에서 단위 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 화소를 구성할 수 있다.
이와 같은 개별 반도체 발광 소자(150)의 크기는 예를 들어, 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20 X 80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
또한, 한 변의 길이가 10㎛인 정사각형의 반도체 발광 소자(150)를 단위 화소로 이용하여도 디스플레이 장치를 이루기 위한 충분한 밝기가 나타난다.
따라서, 단위 화소의 크기가 한 변이 600㎛, 나머지 한 변이 300㎛인 직사각형 화소인 경우를 예로 들면, 반도체 발광 소자의 거리가 상대적으로 충분히 크게 된다.
따라서, 이러한 경우, HD화질 이상의 고화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다.
상기에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 새로운 형태의 제조방법에 의하여 제조될 수 있다. 이하, 도 6을 참조하여 상기 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 먼저, 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치된 절연층(160) 상에 전도성 접착층(130)을 형성한다. 배선기판(110)에 절연층(160)이 적층되며, 상기 배선기판(110)에는 제1전극(120), 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 배치된다. 이 경우에, 제1전극(120)과 제2전극(140)은 상호 직교 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 배선기판(110) 및 절연층(160)은 각각 유리 또는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다.
상기 전도성 접착층(130)은 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 의하여 구현될 수 있으며, 이를 위하여 절연층(160)이 위치된 기판에 이방성 전도성 필름이 도포될 수 있다.
다음에, 보조전극(170) 및 제2전극(140)들의 위치에 대응하고, 개별 화소를 구성하는 복수의 반도체 발광 소자(150)가 위치된 임시기판(112)을, 상기 반도체 발광 소자(150)가 보조전극(170) 및 제2전극(140)와 마주하도록 배치한다.
이 경우에, 임시기판(112)은 반도체 발광 소자(150)를 성장시키는 성장 기판으로서, 사파이어(spire) 기판 또는 실리콘(silicon) 기판이 될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자는 웨이퍼(wafer) 단위로 형성될 때, 디스플레이 장치를 이룰 수 있는 간격 및 크기를 가지도록 함으로써, 디스플레이 장치에 효과적으로 이용될 수 있다.
그 다음에, 배선기판과 임시기판(112)을 열 압착한다. 예를 들어, 배선기판과 임시기판(112)은 ACF 프레스 헤드를 적용하여 열 압착할 수 있다. 상기 열 압착에 의하여 배선기판과 임시기판(112)은 본딩(bonding)된다. 열 압착에 의하여 전도성을 갖는 이방성 전도성 필름의 특성에 의해 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 및 제2전극(140)의 사이의 부분만 전도성을 가지게 되며, 이를 통하여 전극들과 반도체 발광 소자(150)는 전기적으로 연결될 수 있다. 이 때에, 반도체 발광 소자(150)가 상기 이방성 전도성 필름의 내부로 삽입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150) 사이에 격벽이 형성될 수 있다.
그 다음에, 상기 임시기판(112)을 제거한다. 예를 들어, 임시기판(112)은 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)을 이용하여 제거할 수 있다.
마지막으로, 상기 임시기판(112)을 제거하여 반도체 발광 소자들(150)을 외부로 노출시킨다. 필요에 따라, 반도체 발광 소자(150)가 결합된 배선기판 상을 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 코팅하여 투명 절연층(미도시)을 형성할 수 있다.
또한, 상기 반도체 발광 소자(150)의 일 면에 형광체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 적색 형광체 또는 녹색 형광체가 상기 청색 반도체 발광 소자의 일면에 레이어를 형성할 수 있다.
이상에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조 방법이나 구조는 여러 가지 형태로 변형될 수 있다. 그 예로서, 상기에서 설명된 디스플레이 장치에는 수직형 반도체 발광 소자도 적용될 수 있다.
또한, 이하 설명되는 변형예 또는 실시예에서는 앞선 예와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다.
도 7은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이고, 도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이며, 도 9은 도 8의 수직형 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
본 도면들을 참조하면, 디스플레이 장치는 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 수직형 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치가 될 수 있다.
상기 디스플레이 장치는 기판(210), 제1전극(220), 전도성 접착층(230), 제2전극(240) 및 적어도 하나의 반도체 발광 소자(250)를 포함한다.
기판(210)은 제1전극(220)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.
제1전극(220)은 기판(210) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(220)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.
전도성 접착층(230)은 제1전극(220)이 위치하는 기판(210)상에 형성된다. 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(230)은 이방성 전도성 필름(Anisotropy Conductive Film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시 예에서도 이방성 전도성 필름에 의하여 전도성 접착층(230)이 구현되는 경우를 예시한다.
기판(210) 상에 제1전극(220)이 위치하는 상태에서 이방성 전도성 필름을 위치시킨 후에, 반도체 발광 소자(250)를 열 및 압력을 가하여 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(250)가 제1전극(220)과 전기적으로 연결된다. 이 때, 상기 반도체 발광 소자(250)는 제1전극(220) 상에 위치되도록 배치되는 것이 바람직하다.
상기 전기적 연결은 전술한 바와 같이, 이방성 전도성 필름에서 열 및 압력이 가해지면 부분적으로 두께방향으로 전도성을 가지기 때문에 생성된다. 따라서, 이방성 전도성 필름에서는 두께 방향으로 전도성을 가지는 부분과 전도성을 가지지 않는 부분으로 구획된다.
또한, 이방성 전도성 필름은 접착 성분을 함유하기 때문에, 전도성 접착층(230)은 반도체 발광 소자(250)와 제1전극(220) 사이에서 전기적 연결뿐만 아니라 기계적 결합까지 구현한다.
이와 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(250)의 크기는 예를 들어, 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 예를 들어, 20 X 80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자(250)는 수직형 구조가 될 수 있다.
수직형 반도체 발광 소자들의 사이에는, 제1전극(220)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 수직형 반도체 발광 소자(250)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(240)이 위치한다.
도 9를 참조하면, 이러한 수직형 반도체 발광 소자는 p형 전극(256), p형 전극(256) 상에 형성된 p형 반도체층(255), p형 반도체층(255) 상에 형성된 활성층(254), 활성층(254)상에 형성된 n형 반도체층(253) 및 n형 반도체층(253) 상에 형성된 n형 전극(252)을 포함한다. 이 경우, 하부에 위치한 p형 전극(256)은 제1전극(220)과 전도성 접착층(230)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, 상부에 위치한 n형 전극(252)은 후술하는 제2전극(240)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 수직형 반도체 발광 소자(250)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.
다시 도 8을 참조하면, 상기 반도체 발광 소자(250)의 일면에는 형광체층(280)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(250)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자(251)이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 형광체층(280)이 구비될 수 있다. 이 경우에, 형광체층(280)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(281) 및 녹색 형광체(282) 일 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(281)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자 상에 청색광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(282)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치에서 전술한 바와 같이, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
다시 본 실시예를 살펴보면, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치하고, 반도체 발광 소자들(250)과 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 반도체 발광 소자들(250)은 복수의 열로 배치되고, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250)의 열들 사이에 위치할 수 있다.
개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250) 사이의 거리가 충분히 크기 때문에 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치될 수 있다.
제2전극(240)은 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있으며, 제1전극과 상호 수직한 방향으로 배치될 수 있다.
또한, 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)는 제2전극(240)에서 돌출된 연결 전극에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 연결 전극이 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 될 수 있다. 예를 들어, n형 전극은 오믹(ohmic) 접촉을 위한 오믹 전극으로 형성되며, 상기 제2전극은 인쇄 또는 증착에 의하여 오믹 전극의 적어도 일부를 덮게 된다. 이를 통하여 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 전기적으로 연결될 수 있다.
다시 도 8을 참조하면, 상기 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 상에 위치될 수 있다. 경우에 따라, 반도체 발광 소자(250)가 형성된 기판(210) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 투명 절연층이 형성된 후에 제2전극(240)을 위치시킬 경우, 상기 제2전극(240)은 투명 절연층 상에 위치하게 된다. 또한, 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 또는 투명 절연층에 이격되어 형성될 수도 있다.
만약 반도체 발광 소자(250) 상에 제2전극(240)을 위치시키기 위하여는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 전극을 사용한다면, ITO 물질은 n형 반도체층과는 접착성이 좋지 않은 문제가 있다. 따라서, 본 발명은 반도체 발광 소자(250) 사이에 제2전극(240)을 위치시킴으로써, ITO와 같은 투명 전극을 사용하지 않아도 되는 이점이 있다. 따라서, 투명한 재료 선택에 구속되지 않고, n형 반도체층과 접착성이 좋은 전도성 물질을 수평 전극으로 사용하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
다시 도 8을 참조하면, 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 위치할 수 있다. 즉, 개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250)를 격리시키기 위하여 수직형 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 배치될 수 있다. 이 경우, 격벽(290)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 상기 전도성 접착층(230)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(250)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스 부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(290)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로서, 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 격벽(290)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다.
만일 제2전극(240)이 반도체 발광 소자(250) 사이의 전도성 접착층(230) 상에 바로 위치된 경우, 격벽(290)은 수직형 반도체 발광 소자(250) 및 제2전극(240)의 사이 사이에 위치될 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자(250)를 이용하여 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있고, 반도체 발광 소자(250)의 거리가 상대적으로 충분히 크게 되어 제2전극(240)을 반도체 발광 소자(250) 사이에 위치시킬 수 있고, HD 화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있는 효과가 있게 된다.
또한, 도8에 도시된 바와 같이, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체 사이에는 블랙 매트릭스(291)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(291)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
한편, 상기 반도체 발광 소자의 경우, 고휘도 및 일정한 수명 신뢰성을 확보하기 위해서는 우수한 광 추출 효율이 요구된다.
따라서 소자의 표면에 텍스쳐링(texturing)을 수행하거나, 주기적 요철(patterning)을 형성하는 등의 광 추출 구조를 구비하는 방법이 도입되고 있다. 하지만 상기 광 추출 구조를 형성하기 위한 방법으로 사용되는 습식 식각은 식각 속도의 제어가 어렵고 재현성의 문제가 있다. 또한, 미세 패턴의 마스크를 사용한 건식 식각의 경우, 제조 비용이 증가하고 플라즈마에 의한 데미지(damage) 문제가 있다.
상기 문제점들을 해결하고, 간단하고 저비용으로 반도체 발광 소자에 광 추출 구조를 형성하는 방법에 대해, 이하 도 10 내지 도 28에서 상세히 후술하도록 하겠다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 광 추출 구조를 구비한 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치를 설명하기 위한, 도 1의 A 부분의 확대도이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(1000)로서, 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 플립 칩 반도체 발광 소자(1050)를 이용한 디스플레이 장치(1000)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다. 또한 상기 반도체 발광 소자(1050)의 기술적 특징은 소자 상부에 형성되는 광 추출 구조에 있는 바, 상기 플립 칩 구조는 예시적인 사항일 뿐, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
디스플레이 장치(1000)는 기판(1010), 제1전극(1020), 전도성 접착층(1030), 제2전극(1040) 및 복수의 반도체 발광 소자(1050)를 포함한다. 여기에서, 제1 전극(1020) 및 제2 전극(1040)은 각각 복수의 전극 라인을 포함할 수 있다.
또한, 기판(1010)은 제1전극(1020)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.
상기 제1전극(1020)은 기판(1010) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(1020)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.
상기 전도성 접착층(1030)은 제1전극(1020)이 위치하는 기판(1010)상에 형성된다. 전술한 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(1030)은 이방성 전도성 필름(anisotropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자(1050)들의 사이에는, 제1전극(1020)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 상기 반도체 발광 소자(1050)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(1040)이 위치한다.
도 10에 도시된 바와 같이, 상기 제2전극(1040)은 전도성 접착층(1030) 상에 위치될 수 있다. 즉, 전도성 접착층(1030)은 배선기판과 제2전극(1040)의 사이에 배치된다. 상기 제2전극(1040)은 상기 반도체 발광 소자(1050)와 접촉에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다.
상기에서 설명된 구조에 의하여, 복수의 반도체 발광 소자(1050)는 상기 전도성 접착층(1030)에 결합 되며, 제1전극(1020) 및 제2전극(1040)과 전기적으로 연결된다.
도 10에 도시된 바와 같이, 복수의 반도체 발광소자(1050)는 제1전극(1020)에 구비되는 복수의 전극 라인들과 나란한 방향으로 복수의 열들을 형성할 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 복수의 반도체 발광소자(1050)는 제2전극(1040)을 따라 복수의 열들을 형성할 수 있다.
나아가, 디스플레이 장치는, 복수의 반도체 발광소자(1050)의 일면에 형성되는 형광체층(1080)을 더 구비할 수 있다.
또한, 이러한 형광체층(1080)의 대비비(Contrast) 향상을 위하여 디스플레이 장치는 각각의 형광체들의 사이에 배치되는 블랙 매트릭스를 더 포함할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스는 형광체 도트 사이에 갭을 만들고, 흑색 물질이 상기 갭을 채우는 형태로 형성될 수 있다. 이를 통하여 블랙 매트릭스는 외광반사를 흡수함과 동시에 명암의 대조를 향상시킬 수 있다. 이러한 블랙 매트릭스는, 형광체층(1080)이 적층된 방향인 제1전극(1020)을 따라 각각의 형광체층들의 사이에 위치한다. 이 경우에, 청색 반도체 발광 소자에 해당하는 위치에는 형광체층이 형성되지 않으나, 블랙 매트릭스는 상기 형광체층이 없는 공간을 사이에 두고 사이에 두고 양측에 각각 형성될 수 있다.
도 11은 도 10의 광 추출 구조를 구비한 반도체 발광 소자를 상세히 나타내는 단면도이다.
상기 반도체 발광 소자(1050)는 제 1도전형 반도체층(1055), 활성층(1054), 제 2도전형 반도체층(1053)을 포함하는 반도체 발광 구조(1100) 및 광 추출 구조(1093)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 1도전형 반도체층(1055)와 전기적으로 연결되는 제 1도전형 전극(1056) 및 상기 제 2도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제 2도전형 전극(1052)를 더 포함할 수 있다.
전술하였듯이, 도 11에 도시된 플립 칩 구조는 예시적인 사항일 뿐, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다, 예를 들어, 상기 광 추출 구조(1093)를 가지는 다양한 형태의 반도체 발광 소자는 본 발명의 권리 범위에 포함될 수 있다.
또한 상기 반도체 발광 소자(1050)는 버퍼 반도체층(1090)을 포함할 수 있다. 상기 버퍼 반도체층(1090)은 반도체 발광 구조(1100)에 광 추출 구조(1093)를 형성하는 경우, 반도체 발광 소자(1050)에 가해지는 데미지(damage)를 감소시키는 역할을 한다. 하지만 상기 버퍼 반도체층(1090)의 형성은 예시 사항일 뿐, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 상기 광 추출 구조(1093)은 제 1도전형 반도체층(1055) 또는 제 2도전형 반도체층(1053)에 직접적으로 형성될 수도 있다.
다만, 본 발명의 원활한 설명을 위해, 예를 들어, 광 추출 구조(1093)를 구비하는 반도체 발광 소자(1050)는 버퍼 반도체층(1090)을 포함하는 것으로 하고, 반도체 발광 소자의 주성분은 GaN인 것으로 한다.
도 11에 도시된 바와 같이, 광 추출 구조(1093)는 반도체층 상에 형성된 요철 패턴을 포함한다.
상기 요철 패턴은, 예를 들어, 버퍼 반도체층(1090)의 상면의 일정 영역에 형성된다. 상기 버퍼 반도체층(1090)의 상면은 복수의 유기 돌기 중 제 1 유기 돌기가 위치하는 제 1계면, 제 2 유기 돌기가 위치하는 제 2계면 및 상기 제 1계면과 상기 제 2계면 사이에 유기 돌기가 위치하지 않은 제 3계면으로 이루어지며, 상기 요철 패턴은 상기 제 3계면에 형성된다.
도 11에 도시된 바와 같이, 예를 들어, 상기 버퍼 반도체층(1090) 상면에서 하나의 유기 돌기(1110)와 다른 유기 돌기(1120)가 위치하는 계면은 비교적 평평하다. 하지만, 상기 유기 돌기들(1110, 1120)이 위치하는 계면 사이에 유기 돌기가 위치하지 않은 계면은 불규칙적인 요철 패턴(1094)이 형성된 것을 확인할 수 있다.
도 11에서 도시된 바에 따르면, 상기 반도체 발광 소자(1050)의 경우, 5개의 유기 돌기가 형성되어 있고, 각 돌기들 사이의 4군데의 표면에서 불규칙한 요철 패턴을 형성하고 있다. 상기 표면은 계면으로 달리 표현할 수도 있는데, 이는 상기 반도체 발광 소자(1050)가 디스플레이 장치로 구성되는 후속공정에서, 상기 표면은 다시 다른 유기물과 접촉하는 계면이 될 것이기 때문이다. 또한, 상기 요철의 개수 및 계면 형상은 예시 사항에 불과하며, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
상기 요철 구조는 광 추출 효율을 높이는 역할을 한다. GaN 반도체 발광 소자의 경우, 주변 물질에 비해 높은 굴절률(2.3 내지 2.8)로 인해 평평한 표면 또는 계면에서 광 탈출각(또는 임계각)이 작다. 따라서 상기 반도체 발광 소자(1050)의 활성층(1054)에서 생성된 광이 외부로 추출되는 효율을 높이기 위해서는 상기 광의 진행 경로에 위치하는 반도체층의 표면 또는 계면이 거칠수록 유리하다.
도 11에 도시된 바와 같이, 광 추출 구조(1093)은 복수의 유기 돌기를 더 포함할 수 있다. 상기 복수의 유기 돌기는 반도체층의 수직 방향으로 돌출된다. 또한 상기 유기돌기 중 예를 들어, 하나의 유기 돌기(1110)는 그 단부에 나노 파티클(1092)을 구비하며, 상기 나노 파티클을 지지하는 유기물(1091)로 구성된다. 또한 다른 유기 돌기(1120)는 나노 파티클을 구비하지 않고, 유기물로만 돌기를 형성한다.
이러한 차이는 후술하겠지만, 상기 광 추출 구조(1093)을 형성하기 위한 제조 과정에서 자연스럽게 발생하게 된다. 상기 광 추출 구조(1093)을 위해 나노 파티클을 분산시킨 유기층을 형성하고, 상기 유기층을 애싱하고, 식각하는 과정을 수행한다. 이때, 상기 나노 파티클이 유기층 내 위치하는 높낮이 및 분산 정도에 따라, 상기 식각 과정에서 불규칙적으로 돌출되는 유기 돌기가 형성될 수 있다.
또한, 상기 식각 과정은 반도체층을 식각하여 요철 패턴을 갖게 함이 주 목적이나, 상기 식각 과정에서 나노 파티클 또한 제거될 수 있는 바, 예를 들어, 상기 유기 돌기 중에는 나노 파티클을 포함하지 않은 유기 돌기가 존재할 수 있다.
한편, 상기 유기 돌기의 굴절률은 반도체층보다 낮게 구성한다. GaN의 굴절률을 고려하여, 예를 들어, 1.5 내지 2 사이인 굴절률을 가지는 것이 바람직하다. 광이 진행할 때, 두 매질의 굴절률 차이가 클수록 임계각이 작아져서 광 추출 효율이 감소하는 바, 상기 유기 돌기의 굴절률은 반도체층의 굴절률보다 낮게 구성하되, 그 차이가 크지 않도록 적절한 범위로 조절하여 형성한다. 이는 상기 유기층의 유기 성분의 종류 및 상기 유기층에 분산되는 나노 파티클의 종류를 선택함에 따라 조절 가능하다.
도 12는 다양한 위치에 광 추출 구조를 구비한 반도체 발광 소자를 나타내는 단면도들이다.
도 12(a)에서 도시된 바와 같이, 광 추출 구조(1193)는 버퍼 반도체층(1190)의 상부에서 형성될 수 있다.
또한, 도 12(b)에서 도시된 바와 같이, 광 추출 구조(1293)는 별도의 버퍼 반도체층 없이, 제 2도전형 반도체층(1153)의 상부에 형성될 수 있다.
또한, 도 12(c)에 도시된 바와 같이, 광 추출 구조(1393, 1493)는 버퍼 반도체층(1290)의 상부 및 제 2도전형 반도체층(1253)의 하부에 형성될 수 있다.
다만, 상기 광 추출 구조의 형성 위치는 예시일 뿐, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 13은 도 11의 반도체 발광 소자를 제작하는 과정을 나타내는 순서도이다.
먼저 제 1기판에서 반도체 발광 구조를 형성한다(S1310). 상기 반도체 발광 구조는 제 1도전형 반도체층, 활성층 및 제 2도전형 반도체층을 포함하고, 경우에 따라 버퍼 반도체층을 더 포함할 수 있다. 플립 칩 구조의 반도체 발광 소자의 경우, 상기 제 1기판에서 각 반도체층을 전기적으로 연결하기 위한 전극 형성이 진행된다.
이후, 상기 반도체 발광 구조를 제 2기판으로 전사한다(S1320). 상기 전사 단계는 반도체 발광 소자 내에, 광 추출 구조를 형성하고자 하는 위치에 따라 선택적으로 수행된다. 예를 들어, 제 1기판에서 적층되는 반도체 발광 구조의 최상단에 광 추출 구조를 형성하기 위해서는 별도의 전사단계를 수행할 필요가 없다. 하지만, 제 1기판에서 처음 성장되는 반도체층(예를 들어 버퍼 반도체층)에 광 추출 구조를 형성하기 위해서는, 제 2 기판으로 플립 칩 방식으로 전사하여 상기 버퍼 반도체층의 표면이 드러나도록 해야 한다. 한편, 상기 제2기판은 2차 전사를 위한 임시기판일 수 있고, 배선이 연결되어 있는 최종 기판일 수도 있다.
이후, 광 추출 구조를 형성하려는 반도체층의 상부에 나노 파티클이 분산된 유기층을 코팅한다(S1330). 상기 코팅을 위해, 예를 들어, 스핀 코팅 방법을 사용한다. 스핀 속도 및 시간 조절을 통해, 상기 나노 파티클이 분산된 유기 용액을 상기 반도체층의 상부에 얇게 도포한다.
상기 코팅 과정(S1330)은 열에 의해 소프트 베이킹(Baking)하는 단계를 포함한다. 상기 소프트 베이킹은 유기 용액의 유동성을 제거하기 위해 휘발성 있는 용제(Solvent)를 제거하는 과정이다.
상기 나노 파티클은 무기 파티클 또는 금속 파티클을 포함하고, 예를 들어, TiO 2, ZnO, ZrO 2, SiO 2, Al 2O 3, SiNx 중 하나 이상을 포함하는 것으로 한다. 또한 상기 나노 파티클의 식각비는 반도체 발광 소자를 구성하는 반도체층의 식각비보다 작은 것으로 한다. 후술하겠으나, 상기 나노 파티클을 포함한 유기층을 식각 마스크로 사용하기 위함이다.
또한, 상기 유기층은 감광성 유기 성분을 포함한다. 감광성 유기 성분이 유기층을 구성하는 경우, 포토리소그래피 공정을 통해 특정 영역만을 패터닝(patterning)하여 잔존시킬 수 있다. 즉, 유기층을 반도체 발광 소자의 특정 영역에만 잔존시키고, 이후, 상기 특정 영역에만 광 추출 구조를 형성할 수 있다.
이후, 애싱(ashing) 공정을 통해 상기 유기층의 표면처리를 수행한다(S1340). 상기 코팅된 유기층의 경우 일정한 두께를 가지며, 표면은 평평하게 형성되어 있는 바, 애싱 공정을 통해 상기 유기층의 표면을 거칠게 만들어준다.
애싱 공정(S1340)은 주로 O2 플라즈마를 사용하여 짧은 시간에 수행된다. 나노 파티클이 분산된 유기층에서, 나노 파티클을 제외한 유기물 영역은 O2 플라즈마에 의해 쉽게 제거될 수 있다. 즉, 플라즈마 처리 시간이 경과함에 따라 유기층의 표면에서 유기물 성분은 제거되고, 나노 파티클은 잔존하게 되어, 상기 유기층의 표면은 나노 파티클이 돌출되어 굴곡진 형상을 지니게 된다.
이후, 상기 돌출된 나노 파티클을 포함한 유기층을 식각 마스크로 하여 식각 공정을 수행하고, 광 추출 구조를 형성한다(S1350). 상기 식각은 플라즈마(Plasma)나 반응성 이온가스(Reactive Ion Gas)를 이용하여 이방성 식각하는 건식 식각(dry etching) 또는 화학약품을 이용하여 등방성으로 식각하는 습식 식각(wet etching)방법이 사용될 수 있다. 다만, 습식 식각의 경우, 등방성 식각으로 유기층 전체가 소실될 우려가 있어, 상기 식각 공정은 플라즈마를 이용한 건식 식각이 바람직하다.
건식 식각을 통해, 상기 유기층의 전체 영역이 일정한 방향성을 가지고 식각된다. 상기 방향성은 일반적으로 반도체층에 수직 방향이 될 것이나, 식각 장치의 구성을 통해 그 방향이 조절될 수 있다.
한편, 유기층 내 유기물과 나노 파티클은 동일 시간 내 식각되는 비율인 식각비가 다르다. 본 발명에서 나노 파티클은 금속이나 무기물로 구성되어있어, 유기물에 비해 식각비가 낮다. 따라서 식각 공정에서 일정 시간이 경과하더라도, 나노 파티클은 잘 식각되지 않아 상기 유기층 또는 반도체층의 표면 상에 남아 있을 확률이 크다. 또한 전처리 단계인 애싱 공정(S1340)를 통해 이미 유기층의 표면에 일정량의 나노 파티클이 돌출된 형상을 형성하였으므로, 식각 공정을 통해 상기 돌출된 형상은 더욱 두드러지게 된다. 즉, 반도체층의 표면에는 나노 파티클을 포함한 유기 돌기를 형성할 수 있다. 상기 유기 돌기는 나노 파티클이 상기 돌기의 단부에 위치하고, 상기 나노 파티클을 지지하는 유기물로 구성된다. 다만, 애싱 공정(S1340)에서 형성된 돌출된 나노 파티클도, 상기 건식 식각 공정이 장시간 진행되는 경우, 식각되어, 상기 유기 돌기의 단부에는 나노 파티클이 존재하지 않을 수도 있다.
한편, 애싱 공정(S1340)을 통해 나노 파티클이 존재하지 않은, 오목한 영역의 유기층은 상기 식각 공정을 통해 더욱 식각될 것이며, 더 나아가 유기층 아래에 존재하는 반도체층 역시 식각될 것이다.
따라서 상기 식각 공정 이후, 상기 반도체층의 표면 상에는 복수의 유기 돌기가 형성될 것이고, 상기 유기 돌기가 형성되지 않은 영역은 반도체층이 식각되어 불규칙한 요철 패턴을 형성할 것이다. 상기 요철 패턴이 본 발명의 광 추출 구조를 구성하는 주요한 요소가 된다.
도 14는 도 11의 반도체 발광 구조를 제 1기판에서 형성하는 과정을 나타내는 단면도들이다.
도 14(a)에 도시된 바와 같이, 제 1기판(1011)에 버퍼 반도체층(1090), 제2도전형 반도체층(1053), 활성층(1054), 제1 도전형 반도체층(1055)을 차례대로 성장시킨다.
상기 버퍼 반도체층(1090)은 도 14(a)에서 도시된 바와 같이, 제 2도전형 반도체층(1053)의 하부에 형성된다. 상기 버퍼 반도체층(1090)은 상기 제 1기판에서 성장한 반도체 발광 구조를 분리하는 과정에서 발생할 수 있는 제 2도전형 반도체층(1053)의 파손을 미연에 방지할 수 있다. 또한, 광 추출 구조를 형성하기 위한 식각 공정 시 발생하는 플라즈마에 의한 데미지를 완화시켜주는 역할을 한다.
한편, 상기 버퍼 반도체층(1090)의 두께는 예를 들어, 0.5㎛ 내지 3㎛ 범위 내로 성장시킨다. 버퍼 반도체층(1090)의 두께가 0.5㎛ 미만인 경우, 반도체 발광 구조를 성장기판에서 분리시킬 때 가해지는 충격을 상기 버퍼 반도체층(1090)이 온전히 흡수하기 어렵기 때문이다. 또한, 상기 버퍼 반도체층(1090)의 두께가 3 ㎛를 초과하는 경우, 예를 들어, 상기 버퍼 반도체층이 광 진행 경로에 위치한다면, 그 두께에 의해 광 추출 효율이 감소할 수 있기 때문이다.
한편, 도 14에서는 상기 버퍼 반도체층(1090)을 구분하여 표현하였지만, 전술하였듯이, 상기 버퍼 반도체층(1090)은 선택사항이다. 예를 들어, 상기 제 2도전형 반도체층(1053)이 비교적 두껍게 성장된다면, 상기 제 2도전형 반도체층(1053)이 버퍼 반도체층(1090) 역할까지 수행한다.
한편, 제 1기판(1011)은 광 투과적 성질을 가지는 재질, 예를 들어 사파이어(Al2O3), GaN, ZnO, AlO 중 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 제 1기판(1011)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질, 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있다. 제 1기판(1011)은 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함하여 예를 들어, 사파이어(Al2O3) 기판에 비해 열전도성이 큰 SiC 기판 또는 Si, GaAs, GaP, InP, Ga2O3 중 적어도 하나를 사용할 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.
나아가, 제2도전형 반도체층(1053)은 n형 반도체층으로서, n-GaN 과 같은 질화물 반도체층이 될 수 있으며, 제1도전형 반도체층(1055)은 p형 반도체층이 될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제1도전형이 n형이 되고 제2도전형이 p형이 되는 예시도 가능하다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 진성 또는 도핑된 반도체기판에 불순물을 주입하여, 상기 제1도전형 반도체층(1055) 및 제2도전형 반도체층(1053)을 형성할 수 있다. 또한, 상기 불순물 주입에 의하여 p-n 접합이 형성된 영역이 상기 활성층(1053)과 같은 역할을 할 수도 있다. 상기 제1도전형 반도체층(1055), 제2도전형 반도체층(1053) 및 활성층(11054)에 대한 열거 사항은 예시적일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 14(b)에 도시된 바에 같이, 제 1기판상에서 성장한 반도체층은 식각 공정을 통해 서로 고립(isolation)된 복수의 반도체 발광 구조를 형성한다.
예를 들어, 상기 제1도전형 반도체층, 활성층, 제2도전형 반도체층 및 버퍼 반도체층의 적어도 일부를 식각하여, 상기 기판상에서 서로 고립(isolation)된 복수의 반도체 발광 구조를 형성한다. 이 경우에, 상기 식각은 제 1기판 드러날 때까지 진행될 수 있다.
다른 예로서, 반도체 발광 소자의 사이에서 상기 제2도전형 반도체층의 일부를 남겨놓은 상태까지 식각이 진행될 수도 있다.
도 14(c)에 도시된 바와 같이, 복수의 반도체 발광 구조(1400)에는 제 1도전형 전극(1056) 및 제 2도전형 전극(1052)이 형성될 수 있다. 상기 전극들을 형성하기 위해서는 포토공정, 식각공정 및 메탈증착공정이 각 전극 별로 수행될 수 있다. 따라서 최종적으로 상기 제 1기판(1011) 위에는 제1도전형 전극(1056), 제 2도전형 전극(1052), 제 1도전형 반도체층(1055), 활성층(1054), 제 2도전형 반도체층(1053), 버퍼 반도체층(1090)이 형성된 복수의 반도체 발광 구조(1400)가 형성될 수 있다. 상기 반도체 발광 소자(1050)는 예를 들어, 반도체 발광 구조(1400)의 측면을 감싸도록 형성되는 패시베이션층을 더 포함할 수 있다.
도 15는 도 14의 반도체 발광 구조를 제 2기판으로 전사하는 방법을 나타내는 단면도들이다. 전술하였지만, 전사되는 기판은 예를 들어, 제 2차 전사를 위한 임시 기판일 수 있고, 배선전극을 포함한 최종 기판일 수도 있다.
도 15(a)에서 도시하는 바와 같이, 제 2기판(1010)상에 형성된 접착 필름(1030)을 통해 제 1기판(1011)의 반도체 발광 구조(1400)가 제 2 기판(1010)으로 전사될 수 있다.
상기 전사 과정에는 제 1기판(1011)의 반도체 발광 구조(1400)를 선택적으로 분리하기 위해 레이저 리프트 오프(laser lift off; LLO) 과정이 수행될 수 있다. 즉, 제 1기판(1011) 측에서 분리하고자 하는 반도체 발광 구조(1400)에 레이저를 조사하면 제 1기판(1011)과 해당 반도체 발광 소자(1400)는 분리될 수 있다.
제 2기판(1010)의 접착 필름은 선택적 전사에 적합한 유연 필름일 수 있다. 도 15(b)에 도시된 바와 같이, 제 1기판(1011)에서 분리된 반도체 발광 구조(1400)의 경우, 제 2기판(1010)의 접착 필름(1030)에 모두 접착될 수 있다. 상기 접착 필름(1030)은 유연성이 있어, 상기 반도체 발광 구조(1400)은 안정적으로 상기 접착 필름(1030) 상에 고정되게 된다.
상기 접착 필름(1030)에 의해 전사된 반도체 발광 구조(1400)는 후속 공정을 통해 광 추출 구조를 구비하게 되고, 제 3기판으로 전사될 수 있다. 만약, 상기 제 2기판(1010)이 배선기판 또는 최종기판일 경우, 상기 접착 필름(1030)은 상기 반도체 발광 구조(1400)와 전기적 연결을 위한 전도성 접착 필름이 사용될 수 있다.
도 16은 도 15의 반도체 발광 구조의 상부에 나노 파티클을 함유한 유기층이 코팅된 단면도이다.
도 16에 도시된 바와 같이, 제 2기판(1010) 상에 위치한 접착 필름(1030) 및 전사된 반도체 발광 구조(1400)는 평평한 표면을 형성할 수 있다. 따라서 상기 표면 위에 스핀 코팅과 같은 방법으로 나노 파티클(1692)이 분산된 유기층(1691)을 코팅할 수 있다. 스핀 코팅의 경우, 회전 속도와 시간의 조절을 통해 비교적 간단하게 코팅 두께를 조절할 수 있으며, 대면적의 유기층 코팅에 유리하다. 다만, 상기 코팅 방법은 예시적인 사항일 뿐, 본 발명의 이에 한정되는 것은 아니다.
보다 구체적으로, 무수히 많은 나노 파티클들이 분산된 유기 용액이 상기 스핀 코팅 방법을 통해 상기 반도체 발광 구조(1400) 상부에 도포된다.
이후 소프트 베이킹(Baking) 공정을 통해 상기 유기 용액의 휘발성분(solvent)이 제거되고, 비교적 고체화된 유기층(1691)이 상기 반도체 발광 구조(1400)의 상부에 형성된다.
또한, 상기 유기층의 성분은 예를 들어, 감광성 유기 성분을 포함한다. 상기 감광성 유기 성분은 감광성 아크릴레이트, PAC(Photo Active Compounds)일 수 있다.
또한, 상기 나노 파티클은 예를 들어, 10nm 내지 300nm의 무기물 또는 금속 성분일 수 있다.
도 17은 도 16의 반도체 발광 구조의 상면에 유기 돌기 및 불규칙한 계면을 형성하기 위한 각 공정 단계 별 단면도들이다.
도 17(a)는 도 16에 도시된 기판(1010) 상에 위치하는, 유기층(1791)이 코팅된 반도체 발광 구조(1400)에 대한 단면도이다.
상기 유기층(1791)에는 무수히 많은 나노 파티클(1792)들이 분산되어 있다.
도 17(b)는 도 17(a)의 유기층이 코팅된 반도체 발광 구조에 대해 애싱 공정 이후 형상을 나타낸 단면도이다. 애싱 공정을 통해, 예를 들어, O2 플라즈마에 상기 유기층의 표면을 수 초간 노출시킴으로써 상기 유기층의 표면의 형상을 변형시키게 된다. O2 플라즈마는 나노 파티클보다는 유기층을 제거하는데 효과적인 바, 플라즈마 처리가 지속될수록 나노 파티클은 유기층의 표면에 드러나게 된다.
구체적으로, 도 17(b)에 도시된 바와 같이, 애싱 공정 이후, 복수의 나노 파티클(1792)들이 유기층(1791)의 표면에 노출되어 있고, 상기 나노 파티클 하부에는 이를 지지하는 유기물이 형성되어, 유기층(1791)은 나노 파티클들을 중심으로 불규칙한 표면 형상을 가지게 된다.
도 17(c)는 도 17(b)의 애싱 공정 이후의 반도체 발광 구조에 대해 식각 이후 형상을 나타낸 단면도이다.
도 17(c)의 반도체 발광 구조의 경우, 버퍼 반도체층(1790)을 포함하고 있는데, 상기 버퍼 반도체층의 일부분이, 예를 들어, E-E라인과 같은 형상으로 식각된다.
도 17(c)에 도시된 바와 같이, E-E라인을 참조하면, 애싱 단계에서 형성된 나노 파티클이 포함된 돌출 구조도 식각이 이루어진다. 다만, 상기 나노 파티클의 식각비는 유기물이나 버퍼 반도체층(1790)의 식각비보다 낮아, 상기 돌출 구조는 더욱 두드러질 수 있다.
결국, 식각 공정 이후, 일부 나노 파티클을 포함한 유기 돌기, 나노 파티클을 포함하지 않은 유기 돌기가 상기 버퍼 반도체층(1790)의 상면에 형성될 수 있다.
또한 상기 유기 돌기가 형성되지 않은 버퍼 반도체층(1790)의 표면은 상기 버퍼 반도체층 자체가 식각되어 불규칙한 요철 패턴을 형성할 수 있다. 상기 요철 패턴 및 유기 돌기가 반도체 발광 소자의 광 추출 구조를 형성하여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 요철 패턴의 단차는 수십 nm 내지 수백 nm가 바람직하다. 즉, 가시광 영역대의 파장에 상응하는 단차를 형성하여, 광 추출 효율을 높일 수 있다.
도 18은 광 추출 구조를 구비하는 반도체 발광 소자를 제작하기 위한, 각 공정 단계 별 평면SEM 이미지들이다.
도 18(a)는 나노 파티클을 함유한 유기층이 코팅된 표면의 SEM (Scanning Electron Microscope) 이미지이다. 상기 SEM 이미지에서 알 수 있듯이, 나노 파티클은 뭉쳐 있지 않고 잘 분산되어 있다. 또한 상기 코팅된 표면의 하부에도 무수히 많은 나노 파티클들이 분산되어 존재할 것임을 예상할 수 있다.
도 18(b)는 도 18(a)의 유기층이 코팅된 표면을 O2 플라즈마에 의해 애싱(ashing) 처리한 이후 SEM 이미지이다.
일부 응집되어 있는 덩어리가 관찰되나, 상기 덩어리는 상기 O2 플라즈마에 의해 유기물이 제거되는 과정에서, 잔존하는 유기물이 뭉쳐서 형성된 것이다. 또한 후속공정인 식각 공정에서 상기 유기물 덩어리는 쉽게 제거될 수 있다. 따라서 상기 유기물 덩어리를 제외하면, 무수히 많은 나노 파티클들이 표면 상에 드러나 있는 것을 관찰할 수 있다. 상기 나노 파티클들은 O2 플라즈마에 의해 제거되지 않은 나노 파티클들이 유기층의 표면 상에 드러난 것이다.
도 18(c)는 도 18(b)의 표면에 대해 식각 공정을 수행한 이후의 SEM 이미지이다.
무수히 많은 유기돌기 구조가 상기 표면에 형성되어 있는 것을 확인할 수 있다. 상기 유기 돌기는 돌기의 단부에 나노 파티클을 포함할 수 있고, 나노 파티클이 존재하지 않는 유기물로만 구성될 수도 있다.
도 19는 나노 파티클이 함유된 유기층이 코팅된, 반도체 발광 구조에 단면 SEM 이미지이다.
상기 단면 SEM 이미지 획득하기 위해, FIB(Focused Ion Beam) 장비를 통해 반도체 발광 구조를 단면 방향으로 절단하였다. 또한 도 19에서 도시된 바와 같이, 상기 절단 과정에서 반도체 발광 구조가 손상되지 않기 위해, 별도의 금속 버퍼층(1920)을 도포했으며, 정밀한 SEM 이미지를 위해 얇은 전도성층(1910)을 코팅하였다. 상기 금속 버퍼층(1920) 및 전도성층(1910)은 반도체 발광 구조와 무관한 것으로, 상기 금속 버퍼층 아래로 관찰되는 나노 파티클(1992), 유기층(1991) 및 반도체층(1990)으로 통해 도 18(a)의 단면 이미지를 확인할 수 있다.
구체적으로, 나노 파티클(1992)들은 수십nm 내지 300nm의 범위 내로 존재하는 것으로 관찰되며, 상기 유기층(1991)의 두께는 약 780nm이다.
또한 상기 유기층(1991)의 표면은 돌출된 부분이 없이 평평하게 이루어져 있으며, 상기 유기층(1991)과 상기 반도체층(1990) 사이의 계면 역시 돌출된 부분이 없이 평평한 계면 형상이 관찰된다.
도 20은 나노 파티클이 함유된 유기층이 코팅된, 반도체 발광 구조에 대한, 애싱 공정 이후 측면 SEM 이미지이다.
도 20에 도시된 바와 같이, 많은 나노 파티클들이 유기층의 표면에 돌출되어 있으며, 상기 나노 파티클들을 지지하는 유기물의 형상이 관찰된다. 상기 나노 파티클의 크기는 수십 nm 수준으로 관찰되며, 상기 나노 파티클을 지지하는 유기물을 제외한 유기층 부분은 애싱 과정에서 제거되어, 유기층의 바닥부분이 거의 드러나 있다. 한편 O2 플라즈마와 같은 애싱 처리로는 반도체층의 식각이 이루어지지 않은 바, 상기 SEM 이미지에서 보이는 바닥 면은 유기물이 얇은 두께로 남아 있거나, 일부 반도체층의 표면이 드러난 형상이다.
도 21은 나노 파티클이 함유된 유기층이 코팅된, 반도체 발광 구조에 대한, 애싱 및 식각 공정 이후 FIB-SEM 이미지이다.
도 21(a)에 도시된 바와 같이, 반도체층(2190)의 상부에는 수많은 돌출된 영역이 존재한다. 상기 영역은 애싱 및 식각 공정 이후 형성된 유기 돌기들 및 상기 유기 돌기들 상부에 추가적으로 전도성 고분자층(2110)을 코팅 처리한 것이다. 실제 반도체 발광 소자로 활용하기 위해서도 예를 들어, 반도체 발광 소자의 상부에 형광체층을 형성하는 것이 일반적이며, 도 21(a) 이미지 경우, 유기 돌기(2120) 및 반도체층(2190)의 계면의 형상을 보다 뚜렷이 관찰하기 위해 상기와 같이 전도성 고분자층(2110)이 더 코팅되었다.
구체적으로, 도 21(a)는 식각 공정 이후의 반도체 발광 소자를 FIB 장비에 로딩하여 단면 처리하고, 52도의 경사각도에서 관찰한 SEM이미지이다. 상기 반도체층(2190)의 계면은 유기 돌기들이 위치하는 계면과, 상기 유기 돌기들이 위치하지 않고, 전도성 고분자층(2110)과 직접적으로 접촉하는 계면으로 나누어진다.
도 21(b)는 도 21(a)의 F영역을 확대한 단면도이다. 도 21(b)의 이미지에서 어둡게 돌출되어 있는 영역이 식각 공정에 의해 형성된 유기 돌기(2120,2121)들이다. 일반적으로 SEM 장비는 가속전자를 물체에 충돌시킨 후, 발생하는 2차 전자의 양을 검출하여 이미지를 구현하는 바, 유기물의 경우 2차 전자의 발생량이 작아 어둡게 표현된다.
상기 유기 돌기(2120,2121)들과 반도체층(2190)의 계면은 평평한 반면, 상기 유기 돌기들이 존재하지 않은 반도체층(2190)의 계면은 불규칙적으로 요철 패턴이 형성되어 있다.
보다 구체적으로, 상기 제 1유기 돌기(2121)와 상기 제 2유기 돌기(2120) 사이에, 유기 돌기가 존재하지 않는 반도체층(2190)의 계면의 최대 높이 지점(2196)와 최소 높이 지점(2195)의 차이는 약 560nm이다. 즉, 식각 공정을 통해, 상기 영역에서 반도체층(2190)의 표면은 최대 560nm 정도 식각되었고, 이에 따라 불규칙한 요철 패턴을 형성하였음을 확인할 수 있다.
상기 요철 패턴은, 단차가 수백 nm이고, 이에 따라 반도체층의 표면과 수직 방향으로 다양한 경사각을 형성하고 있어, 예를 들어, 반도체 발광 소자의 활성층에서 생성된 광이 상기 불규칙한 반도체층의 표면으로 진행하는 경우, 다양한 광 탈출 각도를 제공할 수 있다.
도 22는 광 추출 구조를 구비하는 반도체 발광 소자를 제작하기 위한, 각 공정 단계 별 평면 AFM이미지들이다.
도 22(a)는 반도체 발광 구조의 표면에 유기층을 코팅한 후의 표면 거칠기를 AFM(Atomic Force Microscope)으로 측정한 이미지이고, 도 22(b)는 애싱 후, 도 22(c)는 애싱 및 식각 이후의 표면 거칠기에 대한 평면 AFM 이미지이다.
도 22(a)에서 도시된 바와 같이, 코팅만으로는 표면의 거칠기가 크지 않으나, 도 22(b)에서 도시된 바와 같이, 애싱 공정 이후 표면은 도22(a)에 비해 거칠어졌음을 확인할 수 있다. 더 나아가, 도 22(c)에서 도시된 바와 같이, 식각 공정 이후에는 더욱 선명하게 표면의 돌출된 영역을 확인할 수 있다.
도 23는 광 추출 구조를 구비하는 반도체 발광 소자를 제작하기 위한, 각 공정 단계 별 표면 거칠기 및 측면 AFM이미지들이다.
각 공정 별 측면 AFM 이미지를 나타내는 도 23 (a) 내지 (c)에 의해서도 각 공정 단계에 따라 표면 거칠기가 변화함을 확인할 수 있다. 상기 확인 결과를 정량적으로 살펴보면, 코팅 공정만을 수행한 경우, 도 23(a)에 도시된 바와 같이, 유기층 표면의 최대 높이와 최소 높이의 차이(Rpv)는 약 23 nm이며, 평균적인 거칠기를 나타내는 제곱평균 거칠기(Rq)는 약 3nm로 표면의 형상은 매우 평평함을 알 수 있다.
반면, 도 23(b)에 도시된 바와 같이, 애싱 공정 이후에는 표면의 최대 높이와 최소 높이 차이는 약 1290nm이며, 제곱평균 거칠기는 약 160nm로 애싱 공정 전인 도 23(a)과 비교하여, 약 60배 가량 표면이 거칠어졌음을 확인할 수 있다. 즉, 나노 파티클이 분산된 평평한 유기층이 애싱 공정을 통해, 나노 파티클을 중심으로 돌출된 구조를 지니게 됨으로써 거칠기가 증가했다고 볼 수 있다. 단, 전술했듯이, 애싱 공정은 일반적으로 유기층의 표면 형상을 변화시킬 뿐, 반도체층의 계면 형상을 변화시키지는 않는다.
또한, 도 23(c)에서 도시된 바와 같이, 식각 공정 이후에는 표면의 최대 높이와 최소 높이 차이는 약 1490nm이며, 제곱평균 거칠기는 약 226nm이다. 즉, 애싱 공정 이후, 다시 식각 공정을 통해 거칠기가 증가하였는데, 이러한 거칠기의 증가는 유기층의 표면 형상의 변화보다는 반도체층의 계면이 불규칙하게 식각되었기 때문이다.
도 24는 본 발명의 광 추출 구조를 구비한 반도체 발광 소자 및 종래 기술에 따른 반도체 발광 소자들의 파장 별 광 세기를 나타내는 그래프이다.
GaN 반도체 발광 소자의 경우, 주변 물질 대비 굴절률이 커서 상기 소자에서 발생한 빛이 소자 내부에서 전반사되어 광 추출 효율이 낮다. 따라서 일반적으로 식각 공정을 통해 반도체 발광 소자의 표면에 광 추출 구조를 형성하게 된다.
도 24는 크게 3종류의 반도체 발광 소자의 파장 별 광 세기를 비교한 것으로 상기 광 세기는 상대적인 비교를 위한 정규화한 값이다.
또한 상기 3종류의 반도체 발광 소자는 각각, 식각 공정을 하지 않은 소자(No etching), 종래 방식과 같이 마스크를 이용한 건식 식각 공정을 수행한 소자(Conventional Mask + Dry Etching) 및 본 발명과 같이 나노 파티클이 함유된 유기물을 식각 마스크로 하여 건식 식각한 소자(Nano Particle/Organic Mask + Dry Etching)이다.
구체적으로, 식각하지 않은 소자의 광 세기는, 중심 피크 기준으로 약 0.35이며, 식각한 두 개의 소자의 광 세기는 중심 피크 기준으로 약 0.55이다. 즉, 식각을 통해 형성된 광 추출 구조로 인해 약 50%의 광 세기가 증가하였음을 알 수 있다.
또한, 도 24에 도시된 바와 같이, 본 발명의 나노 파티클이 함유된 유기물을 식각 마스크로 사용하여 건식 식각한 소자와 고가의 마스크를 제작하여 건식 식각한 소자의 광 세기가 유사함을 확인할 수 있다.
반도체 발광 소자를 대면적 디스플레이 장치로 이용하기 위해서는, 예를 들어, 상기 반도체 발광 소자의 크기는 수십 ㎛ 크기로 제작되어야 하며, 개별 반도체 발광 소자에 형성되는 광 추출 구조는 수십 nm 내지 수백 nm 수준으로 제작되어야 한다. 따라서 종래 기술의 경우, 수십 nm 수준의 미세 패턴을 형성하기 위한 마스크의 제작 비용 및 상기 마스크를 이용한 정밀한 후속 공정의 난이도를 고려했을 때, 대면적 디스플레이 장치에는 적합하지 않다.
반면, 본 발명의 경우, 나노 파티클이 함유된 유기층을 코팅하고, 애싱 공정으로 제작된 식각 마스크를 사용하는 바, 간단하고 저비용의 방법으로 광 추출 구조를 형성하며, 그 효과는 종래 기술과 유사하다.
도 25는 감광성 유기층을 사용하여 반도체 발광 구조의 일부 영역에만 광 추출 구조를 형성하는 과정을 나타내는 단면도들이다.
도 25(a)에 도시된 바와 같이, 기판(2510) 위 접착 필름(2530)에 의해 고정된 반도체 발광 구조(2500)의 상부에 나노 파티클(2591)이 함유된 유기층(2592)을 코팅한다.
상기 유기층은 감광성 물질로 이루어져 있어, 포토리소그래피를 통한 패터닝이 가능하다. 따라서 도 25(b)에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 발광 구조의 상부 일부 영역에만 유기층을 형성할 수 있다.
상기 코팅된 유기층에 대해 애싱 및 식각 처리를 수행하면, 도 25(c)에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 발광 구조(2500)의 일부 영역에만 광 추출 구조(2593)를 형성할 수 있다.
도 26은 도 25의 일부 영역만 광 추출 구조가 형성된 반도체 발광 소자들의 평면도이다.
예를 들어, 별도의 패터닝 공정이 없다면, 접착 필름 및 반도체 발광 소자의 모든 영역에 광 추출 구조가 형성될 수 있으나, 도 26에 도시된 바와 같이 패터닝 공정을 통해, 개별 반도체 발광 소자(2550)의 일부 영역에만 광 추출 구조(2593)을 형성할 수 있다.
상기 일부 영역은 반도체 발광 소자의 활성층과 오버랩되는 영역일 수 있다. 반도체 발광 소자의 특정 영역에만 광 추출 구조를 형성하는 이유는 광 추출 구조의 상부에 형성될 수 있는 형광체층에 의한 광의 재흡수를 최대한 방지하기 위함이며, 구체적 내용은 도 27 및 도 28에서 자세히 후술한다.
도 27은 도25의 반도체 발광 소자들의 상부에 형광체층이 구비된 후의 단면도이다.
도 27에 도시된 바와 같이, 접착 필름(2630)에 고정된 반도체 발광 소자(2650)의 특정 영역에는 광 추출 구조(2593)가 형성된다.
또한, 설명의 편의를 위해 일부 반도체 발광 소자의 상부에만 형광체층(2680)이 형성되었다. 형광체층(2680)은 반도체 발광 소자가 발생하는 빛을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다.
예를 들어, 상기 반도체 발광 소자가 청색광을 발생시킨다면, 녹색 형광체(2681)을 구비하여 상기 청색광을 녹색광으로 변환시켜준다. 적색 형광체(2682)는 청색광을 적색광으로 변환시켜주며, 상기 형광체층(2680)의 구별을 위해 격벽(2520)이 형성될 수 있다.
상기 형광체층(2680)은 퀀텀닷(QD)나 무기 형광체와 같은 형광 물질을 포함하고, 반도체 발광 소자에서 생성된 광이 상기 형광 물질에 충돌하면, 상기 광은 반사되어 다시 반도체 발광 소자의 내부로 재흡수될 수 있다.
도 28은 도 25의 일부 영역만 광 추출 구조가 형성된 반도체 발광 소자의 광 추출 효과를 나타내는 단면도이다.
도 28에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 발광 소자는 제 1도전형 전극(2656), 제 2도전형 전극(2652), 제 1도전형 반도체층(2655), 활성층(2654), 제 2도전형 반도체층(2653), 버퍼 반도체층(2690) 및 광 추출 구조(2693)를 포함한다.
또한 상기 반도체 발광 소자의 상부에는 형광체층(2680)이 구비되며, 상기 형광체층(2680)의 내부에는 수많은 형광체(2681)가 분산되어 있다.
또한 활성층(2654)에서 생성된 광(G1, G2, G3)은 다양한 방향으로 진행하나, 예를 들어, 상기 반도체 발광 소자의 측면에 반사막이 구비된다면, 대부분의 광(또는 빛)은 활성층(2654)과 오버랩되는 방향으로 진행할 것이다.
또한 상기 활성층(2654)의 상부에 형성된 광 추출 구조(2693)에 의해 상기 생성 광은 외부로 방출되며, 상기 외부로 방출된 광은 다시 형광체층(2680)의 형광체(2681)에 의해 반사 및 굴절이 될 것이다.
형광체(2681)에 의해 반사된 광 중 일부는 예를 들어, 다시 반도체 발광 소자를 향해 진행할 수 있으며, 소자 내부로 일정량 재흡수 될 수 있다.
또한, 상기 재흡수광(R1, R2)은 광 추출 구조가 형성되지 않은 영역보다 광 추출 구조(2693)가 형성된 영역에서 재흡수되기 쉽다. 반도체 발광 소자 자체의 고 굴절률에 의해 상기 소자의 표면이 평평한 영역은, 광의 추출 및 흡수 모두 어려울 것이나, 별도의 광 추출 구조를 구비한 영역은, 다양한 광 탈출각을 가져 광의 추출 및 흡수가 원활할 것이기 때문이다.
따라서 광의 추출 관점에서는 광 추출 구조가 넓게 형성된 것이 유리하나, 광의 재흡수 관점에서는 광 추출 구조가 없는 것이 소자의 외부 발광 효율을 높이는데 유리하다.
즉, 형광체층을 구비하는 디스플레이 장치에서, 반도체 발광 소자의 광 추출 구조는 활성층과 오버랩되는 영역에 형성하여 외부로 방출되는 광량을 증가시켜야 한다. 이와 동시에, 반도체 발광 소자의 나머지 영역에는 상기 광 추출 구조를 형성하지 않는 것이, 이후 재흡수광을 감소시키는데 유리하다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (16)

  1. 반도체 발광 소자를 이용하는 디스플레이 장치에 있어서,
    상기 반도체 발광 소자는,
    제 1도전형 반도체층, 활성층 및 제 2 도전형 반도체층을 포함하는 반도체 발광 구조; 및
    상기 반도체 발광 구조의 제 2도전형 반도체층의 상부에 구비되는 광 추출 구조; 를 포함하고,
    상기 광 추출 구조는,
    상기 제 2도전형 반도체층의 수직 방향으로 돌출되는 복수의 유기 돌기 및 상기 제 2도전형 반도체층의 상면의 일정 영역에 형성되는 요철 패턴을 포함하고,
    상기 복수의 유기 돌기 중 적어도 하나는,
    돌기의 단부에 위치하는 나노 파티클 및 상기 나노 파티클을 지지하는 유기물을 포함하고,
    상기 제 2도전형 반도체층의 상면은,
    상기 복수의 유기 돌기 중 제 1유기 돌기가 위치하는 제 1계면, 상기 복수의 유기 돌기 중 제 2유기 돌기가 위치하는 제 2계면 및 상기 제 1계면과 상기 제 2계면 사이에 유기 돌기가 위치하지 않은 제 3계면이 존재하고,
    상기 요철 패턴은 상기 제 3계면에 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 나노 파티클과 상기 제 2도전형 반도체층은 서로 다른 식각비를 가지며, 상기 나노 파티클의 제 1식각비(Etching Ratio)는 상기 제 2도전형 반도체층의 제 2식각비보다 낮은 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 복수의 유기 돌기의 제 1굴절률은 상기 상기 제 2도전형 반도체층의 제 2굴절률보다 낮은 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 나노 파티클은 TiO 2, ZnO, ZrO 2, SiO 2, Al 2O 3, SiNx 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 반도체 발광 소자는 마이크로미터 단위 크기를 가진 LED(Micro-LED)인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1도전형 반도체층 및 상기 제 2도전형 반도체층 중 하나는 P형 GaN층이고, 다른 하나는 N형 GaN층인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 유기물은 감광성 유기물인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 감광성 유기물은 감광성 아크릴레이트, PAC(Photo Active Compounds) 중 적어도 하나를 포함하는 디스플레이 장치.
  9. 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조 방법에 있어서,
    제 1기판에 제 1도전형 반도체층, 활성층 및 제 2도전형 반도체층을 포함하는 반도체 발광 구조를 형성하는 단계;
    상기 반도체 발광 구조의 상부에 나노 파티클들이 분산된 유기층을 코팅하는 단계;
    상기 나노 파티클들의 적어도 일부가 상기 유기층의 표면에 드러나도록 애싱(ashing)하는 단계;
    상기 애싱 후 잔존하는 유기층을 식각 마스크로 사용하여 식각 공정을 통해, 상기 반도체 발광 구조의 상부에 광 추출 구조를 형성하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 광 추출 구조는 상기 식각 공정에 의해, 상기 반도체 발광 구조의 상면에 형성되는 불규칙한 요철 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 광 추출 구조는 상기 식각 공정에 의해 형성되는 복수의 유기 돌기를 포함하고,
    상기 복수의 유기 돌기 중 적어도 하나는, 돌기의 단부에 나노 파티클이 위치하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  12. 제 9항에 있어서,
    상기 반도체 발광 구조를 형성하는 단계와 상기 유기층을 코팅하는 단계 사이에, 상기 반도체 발광 구조를 제 2기판에 전사하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  13. 제 9항에 있어서,
    상기 유기층을 코팅하는 단계는, 유기 용액을 상기 반도체 발광 구조의 상부에 도포하고, 이후 열에 의해 소프트 베이킹(Baking)하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  14. 제 10항에 있어서,
    상기 유기층은 감광성 유기층이며,
    포토리소그래피(Photo-Lithography) 공정을 통해 상기 반도체 발광 구조의 상기 활성층에 오버랩되는 영역에만 상기 광 추출 구조를 형성하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  15. 제 9항에 있어서,
    상기 반도체 발광 구조는 버퍼 반도체층을 포함하고,
    상기 유기층은 상기 반도체 발광 소자의 상기 버퍼 반도체층 상부에 코팅되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  16. 제 9항에 있어서,
    상기 애싱하는 단계는, O 2 플라즈마를 사용하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
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