KR102371328B1 - 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 57
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 9
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018229 Al—Ga Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 Si 3 N 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020776 SixNy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020781 SixOy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
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- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
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Abstract
실시 예는 제1반도체층, 상기 제1반도체층상에 배치되는 활성층, 및 상기 활성층상에 배치되는 제2반도체층을 포함하는 발광 구조물; 및 상기 발광 구조물상에 배치되는 광추출층;을 포함하고, 상기 광추출층은 Al을 포함하는 제1박막층, 및 상기 제1박막층보다 Al 함량이 낮은 제2박막층을 포함하는 발광소자 및 그 제조방법을 개시한다.
Description
실시 예는 발광소자 및 제조방법에 관한 것이다.
발광소자(Light Emitting Device, LED)는 전기에너지를 빛 에너지로 변환하는 화합물 반도체 소자로서, 화합물반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.
질화물반도체 발광소자는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 갖고 있다. 따라서, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.
최근 자외선 발광소자에 대한 연구가 활발하나, 아직까지 자외선 발광소자는 수직형으로 구현하기 어려운 문제가 있으며, 광 추출 효율이 저하되는 문제가 있다.
실시 예는 수직형 발광소자를 제공한다.
또한, 광 추출 효율이 개선된 발광소자를 제공한다.
실시 예에서 해결하고자 하는 과제는 이에 한정되는 것은 아니며, 아래에서 설명하는 과제의 해결수단이나 실시 형태로부터 파악될 수 있는 목적이나 효과도 포함된다고 할 것이다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자는, 제1반도체층, 상기 제1반도체층상에 배치되는 활성층, 및 상기 활성층상에 배치되는 제2반도체층을 포함하는 발광 구조물; 및 상기 발광 구조물상에 배치되는 광추출층;을 포함하고, 상기 광추출층은 Al을 포함하는 제1박막층, 및 상기 제1박막층보다 Al 함량이 낮은 제2박막층을 포함한다.
상기 제2박막층의 두께는 상기 제1박막층의 두께보다 작을 수 있다.
상기 광추출층은 요철 패턴을 포함하고, 상기 제1박막층은 상기 요철 패턴에 의해 외부로 노출될 수 있다.
상기 제1박막층은 AlN을 포함하고, 제2박막층은 AlGaN을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 제조방법은, 기판상에 복수 개의 박막층을 포함하는 광추출층을 형성하는 단계; 상기 광추출층상에 발광 구조물을 형성하는 단계; 상기 기판을 제거하는 단계; 및 상기 광추출층에 요철 패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 광추출층을 형성하는 단계는, 상기 기판상에 제3박막층, 제2박막층, 및 제1박막층을 순서대로 형성하고, 상기 제1박막층과 제3박막층의 Al 함량을 상기 제2박막층의 Al 함량보다 높게 형성한다.
상기 제2박막층의 두께는 상기 제1박막층의 두께보다 작을 수 있다.
상기 광추출층은 요철 패턴을 포함하고, 상기 제1박막층은 상기 요철 패턴에 의해 외부로 노출될 수 있다.
상기 제1박막층은 AlN을 포함하고, 제2박막층은 AlGaN을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 제조방법은, 기판상에 복수 개의 박막층을 포함하는 광추출층을 형성하는 단계; 상기 광추출층상에 발광 구조물을 형성하는 단계; 상기 기판을 제거하는 단계; 및 상기 광추출층에 요철 패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 광추출층을 형성하는 단계는, 상기 기판상에 제3박막층, 제2박막층, 및 제1박막층을 순서대로 형성하고, 상기 제1박막층과 제3박막층의 Al 함량을 상기 제2박막층의 Al 함량보다 높게 형성한다.
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실시 예는 수직형 자외선 발광소자를 제조할 수 있다.
또한, 광 추출 효율이 우수한 자외선 발광소자를 제조할 수 있다.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자의 개념도이고,
도 2는 광 추출 효율을 높이기 위한 광추출층의 굴절률을 설명하기 위한 도면이고,
도 3은 도 1의 광추출층의 변형예이고,
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 광 추출 효율을 높이기 위한 광추출층의 굴절률을 설명하기 위한 도면이고,
도 3은 도 1의 광추출층의 변형예이고,
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예를 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명 실시 예를 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 실시 예의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제 1, 제 2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 실시 예의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제 2 구성 요소는 제 1 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제 1 구성 요소도 제 2 구성 요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명 실시 예를 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
실시 예의 설명에 있어서, 어느 한 element가 다른 element의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자의 개념도이고, 도 2는 광 추출 효율을 높이기 위한 광추출층의 굴절률을 설명하기 위한 도면이고, 도 3은 도 1의 광추출층의 변형예이다.
도 1을 참고하면, 실시 예에 따른 발광소자는 발광 구조물(110), 및 발광 구조물(110)상에 배치되는 광추출층(160)을 포함한다.
광추출층(160)은 발광 구조물(110)에서 생성된 광을 외부로 방출하는 역할을 수행할 수 있다. 또한, 광추출층(160)은 발광 구조물(110)의 성장 단계에서 성장기판과 발광 구조물(110)의 격자 부정합을 완화할 수 있다.
광추출층(160)은 Al을 포함하는 제1박막층(161), 및 제1박막층(161)보다 Al 함량이 낮은 제2박막층(162)을 포함할 수 있다. 이러한 구조는 자외선 발광소자의 에피 성장에 유리할 수 있다.
제1박막층(161)은 발광 구조물(110) 상에 배치되고, AlN을 포함할 수 있다. AlN은 에너지 밴드갭이 6.2eV이상여서 성장기판을 분리하기 위한 레이저를 흡수하지 않을 수 있다. 제1박막층(161)은 Al의 함량이 약 53%이상일 수 있다.
제1박막층(161)의 두께는 0.5㎛이상 1.5㎛이하일 수 있다. 제1박막층(161)의 두께가 0.5㎛이상 1.5㎛이하인 경우에는 성장기판과 발광 구조물(110) 사이의 격자 부정합을 완화하면서 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
제2박막층(162)은 제1박막층(161) 상에 배치되고, AlGaN을 포함할 수 있다. Al의 함량은 25%이상 50%이하일 수 있다. Al의 함량은 25%이상 50%이하인 경우 박막 스트레스로 인한 발광 구조물(110)의 크랙 발생을 억제하면서도 성장기판을 분리하기 위한 레이저를 유효하게 흡수하여 성장기판과 분리될 수 있다. 즉, 제2박막층(162)은 Al 함량은 상대적으로 작아 성장기판을 제거하기 위한 레이저를 흡수할 수 있다.
제2박막층(162)의 두께는 100nm이상 350nm이하일 수 있다. 제2박막층(162)의 두께가 100nm이상 350nm이하인 경우에는 성장기판 제거시 발광 구조물(110)의 손상을 방지하면서도 발광 구조물(110) 사이의 격자 부정합을 효과적으로 완화할 수 있다. 또한, 상대적으로 얇아 광 추출 효율에 기여할 수 있다.
광추출층(160)은 요철패턴(160a)을 포함할 수 있다. 요철패턴(160a)의 사이즈는 0.5㎛이하일 수 있다. 요철패턴(160a)의 형상은 특별히 제한되지 않는다.
광추출층(160)은 제1박막층(161)만을 포함할 수도 있다. 도 2를 참고하면 광추출층을 통과하여 외부로 출사되는 광의 입사각(θ1)은 하기 관계식 1을 만족할 수 있다.
[관계식 1]
여기서, 공기의 굴절률(n2)은 1.0이므로, 입사각(θ1)이 커지기 위해서는 광추출층(160)의 굴절률(n1)이 작아야 함을 알 수 있다. 일반적으로 AlGaN은 굴절률은 AlN의 굴절률보다 높으므로, AlN만으로 광추출층(160)을 형성하는 경우 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 3을 참고하면, 요철패턴(160a)의 피치(P)가 제2박막층(162)의 두께보다 작거나, 또는 요철패턴(160a)의 깊이(D)가 제2박막층(162)의 두께보다 클 수 있다. 따라서, 제2박막층(162)의 일부는 요철패턴(160a)에 의해 제거될 수도 있다.
즉, 제2박막층(162)은 연속적인 층을 이루지 않고 요철패턴(160a)의 상부에 부분적으로 잔존할 수 있다. 이러한 구성에 의하면, 제2박막층(162)이 일부 제거되어 광 추출 효율은 향상될 수 있다. 제1박막층(161)은 요철패턴(160a)에 의해 외부로 노출될 수도 있다.
요철패턴(160a)의 피치(P)가 제2박막층(162)의 두께보다 작고 요철패턴(160a)의 깊이(D)가 제2박막층(162)의 두께보다 큰 경우, 광 추출 효율은 더 향상될 수 있다.
다시 도 1을 참고하면, 발광 구조물(110)은 제1반도체층(111), 활성층(112), 및 제2반도체층(113)을 포함한다. 발광 구조물(110)의 발광 파장대는 제한이 없다. 일 예로 발광 구조물에서 방출되는 광은 자외선 파장대일 수도 있고, 가시광 파장대일 수도 있으며, 적외선 파장대일 수도 있다. 원하는 발광 파장대의 광을 생성하기 위해 각 층의 구성요소는 적절히 조절될 수 있다.
제1반도체층(111)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1반도체층(111)에 제1도펀트가 도핑될 수 있다. 제1반도체층(111)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 제1도펀트가 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트인 경우, 제1도펀트가 도핑된 제1반도체층(111)은 n형 반도체층일 수 있다.
실시 예의 발광소자가 자외선(UV), 심자외선(Deep UV) 또는 무분극 발광 소자일 경우, 제1반도체층(111)은 InAlGaN 및 AlGaN 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1반도체층(111)이 AlGaN인 경우 Al의 함량은 50% 이상일 수 있다. 즉, 제1반도체층(111)의 Al 함량은 제2박막층(162)의 Al 함량보다 높을 수 있다.
활성층(112)은 제1반도체층(111)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 제2반도체층(113)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 만나는 층이다. 활성층(112)은 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성한다. 자외선 파장대의 광을 생성하기 위해 Al의 함량은 30% 이상일 수 있다.
활성층(112)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(Multi Quantum Well; MQW) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나의 구조를 가질 수 있으며, 활성층(112)의 구조는 이에 한정하지 않는다.
활성층(112)이 우물 구조로 형성되는 경우, 활성층(112)의 우물층/장벽층은 AlGaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 우물층은 장벽층의 밴드 갭보다 작은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
제2반도체층(113)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2반도체층(113)에 제2도펀트가 도핑될 수 있다. 제2반도체층(113)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질 또는 AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 선택된 물질로 형성될 수 있다. 제2도펀트가 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트인 경우, 제2도펀트가 도핑된 제2반도체층(113)은 p형 반도체층일 수 있다. 실시 예의 발광소자가 자외선 발광소자인 경우 제2반도체층은 InAlGaN 및 AlGaN 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이때, Al의 함량은 50%이상일 수 있다.
발광 구조물(110)은 n형 반도체층인 제1반도체층(111)과 p형 반도체층인 제2반도체층(113)을 포함하여 이루어지거나, p형 반도체층인 제1반도체층(111)과 n형 반도체층인 제2반도체층(113)을 포함하여 이루어질 수 있다.
또한, 발광 구조물(110)은 제2반도체층(113)과 활성층(112) 사이에 n형 또는 p형 반도체층이 더 형성된 구조일 수 있다. 즉, 실시 예의 발광 구조물(110)은 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나의 구조로 형성될 수 있는 것으로, 실시 예의 발광 구조물(110)은 n형 반도체층과 p형 반도체층을 포함하는 다양한 구조일 수 있다.
제1반도체층(111) 및 제2반도체층(113) 내의 불순물의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 발광 구조물(110)의 도핑 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
제1도전층(130)은 제1반도체층(111)과 전기적으로 연결된다. 구체적으로 제1도전층(130)은 복수 개의 관통전극(131) 및 오믹전극(132)을 포함할 수 있다. 관통전극(131)은 발광 구조물(110)에 형성된 비아홀에 배치될 수 있다. 제1도전층(130)은 하부에 배치된 도전성 기판(150)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제1도전층(130)은 투명 전도성 산화막(Tranparent Conductive Oxide; TCO)으로 형성될 수 있다. 투명 전도성 산화막은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx 및 NiO 등에서 선택될 수 있다.
제1도전층(130)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 등과 같은 불투명 금속을 포함할 수도 있다. 또한, 제1도전층(130)은 투명 전도성 산화막과 불투명 금속이 혼합된 하나 또는 복수 개의 층으로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.
제2도전층(120)은 제2반도체층(113)과 전기적으로 연결된다. 제2도전층(120)은 복수 개의 관통전극(131)의 사이 영역에 배치될 수 있다. 제2도전층(120)은 일 영역이 노출되어 전극패드(170)와 전기적으로 연결될 수 있다.
제2도전층(120)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 및 Hf 등과 같이 반사율이 높은 물질로 형성되거나, 상기 반사율이 높은 물질과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등과 같은 투명 전도성 물질이 혼합되어 형성될 수 있다.
제2도전층(120)은 오믹층(121)을 더 포함할 수 있다. 오믹층(121)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되지 않는다.
절연층(140)은 SiO2, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN, Ta2O5 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 절연층(140)은 관통전극(131)을 활성층(112), 및 제2반도체층(113)과 전기적으로 절연할 수 있다.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 4를 참고하면, 실시 예에 따른 발광소자 제조방법은, 성장기판상에 복수 개의 박막층을 포함하는 광추출층을 형성하는 단계, 광추출층상에 발광 구조물을 형성하는 단계, 성장기판을 제거하는 단계, 및 광추출층에 요철 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
도 4a를 참고하면, 광추출층을 형성하는 단계는, 먼저 성장기판(180)상에 제3박막층(163), 제2박막층(162), 및 제1박막층(161)을 순서대로 형성할 수 있다. 이때, 제1박막층(161)과 제3박막층(163)의 Al 함량은 제2박막층(162)의 Al 함량보다 높게 형성할 수 있다.
구체적으로 제1박막층(161)과 제3박막층(163)은 Al 함량이 53%이상인 AlN일 수 있고, 제2박막층(162)은 Al 함량이 25%이상 50%이하인 AlGaN일 수 있다. 제1박막층(161)과 제3박막층(163)의 두께는 0.5㎛이상 1.5㎛이하일 수 있고, 제2박막층(162)의 두께는 100nm이상 350nm이하일 수 있다. 이러한 구성에 의하여 광추출층(160)은 성장기판(180)과 발광 구조물 사이의 격자 부정합을 완화하는 버퍼층으로 기능할 수 있다.
도 4b를 참고하면, 발광 구조물을 형상하는 단계는, 광추출층(160) 상에 제1반도체층(111), 활성층(112), 및 제2반도체층(113)을 순서대로 적층할 수 있다. 발광 구조물(110)의 형성방법에는 제한이 없다.
실시 예의 발광소자가 자외선 발광소자인 경우 발광 구조물(110)은 50%이상의 Al을 포함할 수 있다. 광추출층(160)이 버퍼층으로 기능하기 위해 제2박막층(162)의 Al 함량은 25%이상 50%이하일 수 있다. 제2박막층(162)의 Al 함량은 상대적으로 작으나, 제1박막층(161)과 제3박막층(163)의 Al 함량이 상대적으로 높아 효과적으로 격자 부정합이 완화될 수 있다. 이를 위해 제1박막층(161)과 제3박막층(163)의 두께는 제2박막층(162)의 두께보다 두꺼울 수 있다.
도 4c를 참고하면, 성장기판을 제거하는 단계는 성장기판(180) 측에서 레이저(L)를 조사하여 성장기판(180)을 분리할 수 있다. 레이저(L)는 제2박막층(162)이 흡수할 수 있는 파장대를 가질 수 있다. 일 예로, 레이저는 248nm 파장대를 갖는 KrF 레이저일 수 있다.
성장기판(180), 제1박막층(161) 및 제3박막층(163)은 에너지 밴드갭이 6.2eV이상이므로 레이저(L)를 흡수하지 않는다. 그러나, Al 함량이 낮은 제2박막층(162)은 레이저(L)를 흡수하여 Ga와 N이 분해된다. 따라서, 제3박막층(163)은 성장기판(180)과 함께 분리될 수 있다.
도 4d를 참고하면, 제2반도체층(113)상에 제2도전층(120)을 형성한 후 발광 구조물(110)의 제1반도체층(111) 일부까지 관통하는 비아홀을 복수 개 형성할 수 있다. 이후, 제1절연층(140)을 비아홀의 측면 및 제2도전층(120)상에 형성할 수 있다.
제1도전층(130)은 제1절연층(140)상에 형성될 수 있다. 제1도전층(130)은 제1절연층(140)에 의해 제2도전층(120)과 전기적으로 절연될 수 있다.
도 4e를 참고하면, 제1도전층(130)의 하부에 도전성 기판(150)을 형성하고, 메사 식각에 의해 노출된 제2전극층(120)상에는 전극패드(170)를 형성할 수 있다. 이때, 제2박막층(162)에는 불규칙 또는 규칙적인 요철패턴(160a)을 형성할 수 있다. 그러나, 광추출층(160)의 구조는 이에 한정되지 않고, 도 3에서 설명한 구조로 요철패턴을 형성할 수도 있다.
실시 예의 발광 소자는 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등의 광학 부재를 더 포함하여 이루어져 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또한, 실시 예의 발광 소자는 표시 장치, 조명 장치, 지시 장치에 더 적용될 수 있다.
이 때, 표시 장치는 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 광학 시트, 디스플레이 패널, 화상 신호 출력 회로 및 컬러 필터를 포함할 수 있다. 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.
반사판은 바텀 커버 상에 배치되고, 발광 모듈은 광을 방출한다. 도광판은 반사판의 전방에 배치되어 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하고, 광학 시트는 프리즘 시트 등을 포함하여 이루어져 도광판의 전방에 배치된다. 디스플레이 패널은 광학 시트 전방에 배치되고, 화상 신호 출력 회로는 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하며, 컬러 필터는 디스플레이 패널의 전방에 배치된다.
그리고, 조명 장치는 기판과 실시 예의 발광 소자를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열부 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 더욱이 조명 장치는, 램프, 해드 램프, 또는 가로등 등을 포함할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명 실시 예는 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 실시 예의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명 실시 예가 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
110: 발광 구조물
111: 제1반도체층
112: 활성층
113: 제2반도체층
160: 광추출층
160a: 요철 패턴
161: 제1박막층
162: 제2박막층
111: 제1반도체층
112: 활성층
113: 제2반도체층
160: 광추출층
160a: 요철 패턴
161: 제1박막층
162: 제2박막층
Claims (12)
- 제1반도체층, 상기 제1반도체층상에 배치되는 활성층, 및 상기 활성층상에 배치되는 제2반도체층을 포함하는 발광 구조물; 및
상기 발광 구조물상에 배치되는 광추출층;을 포함하고,
상기 광추출층은 Al을 포함하는 제1박막층, 및 상기 제1박막층보다 Al 함량이 낮은 제2박막층을 포함하고,
상기 제2박막층의 Al 함량은 25% 이상 50% 이하이고,
요철 패턴이 상기 제1박막층에 형성되고,
상기 제2박막층은 연속적인 층으로 형성되지 않고 상기 요철 패턴의 상부에 부분적으로 형성되는 발광소자.
- 제1항에 있어서,
상기 제2박막층의 두께는 상기 제1박막층의 두께보다 작은 발광소자.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 제1박막층은 AlN을 포함하고, 제2박막층은 AlGaN을 포함하는 발광소자. - 기판상에 복수 개의 박막층을 포함하는 광추출층을 형성하는 단계;
상기 광추출층상에 발광 구조물을 형성하는 단계;
상기 기판을 제거하는 단계; 및
상기 광추출층에 요철 패턴을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 광추출층을 형성하는 단계는,
상기 기판상에 제2박막층, 및 제1박막층을 순서대로 형성하고,
상기 제1박막층의 Al 함량을 상기 제2박막층의 Al 함량보다 높게 형성하고,
요철 패턴이 상기 제1박막층에 형성되고,
상기 제2박막층은 연속적인 층으로 형성되지 않고 상기 요철 패턴의 상부에 부분적으로 형성되고,
상기 요철 패턴의 피치는 상기 제2박막층의 두께보다 작고, 상기 요철 패턴의 깊이는 상기 제2박막층의 두께보다 큰 발광소자 제조방법.
- 삭제
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150096072A KR102371328B1 (ko) | 2015-07-06 | 2015-07-06 | 발광소자 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150096072A KR102371328B1 (ko) | 2015-07-06 | 2015-07-06 | 발광소자 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170005681A KR20170005681A (ko) | 2017-01-16 |
| KR102371328B1 true KR102371328B1 (ko) | 2022-03-07 |
Family
ID=57993601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150096072A KR102371328B1 (ko) | 2015-07-06 | 2015-07-06 | 발광소자 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102371328B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3989281A4 (en) * | 2019-06-21 | 2023-01-25 | LG Electronics Inc. | DISPLAY DEVICE USING A MICRO-LED AND METHOD FOR MAKING IT |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101880445B1 (ko) * | 2011-07-14 | 2018-07-24 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자 제조방법, 발광소자 패키지, 및 라이트 유닛 |
| KR102007401B1 (ko) * | 2012-06-26 | 2019-10-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| KR102066620B1 (ko) * | 2013-07-18 | 2020-01-16 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
-
2015
- 2015-07-06 KR KR1020150096072A patent/KR102371328B1/ko active IP Right Grant
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20170005681A (ko) | 2017-01-16 |
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| A201 | Request for examination | ||
| AMND | Amendment | ||
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