CN102214759A - 发光器件、发光器件封装以及照明系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种发光器件、发光器件封装以及照明系统。根据实施例的发光器件包括：导电支撑衬底；在导电支撑衬底上的第二导电半导体层；在第二导电半导体层上的有源层；在有源层上的第一导电半导体层，该第一导电半导体层包括GaN层、InGaN层以及选择性地去除GaN和InGaN层而形成的粗糙部；以及在第一导电半导体层上的电极层。

Description

发光器件、发光器件封装以及照明系统
技术领域
实施例涉及一种发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。
背景技术
发光二极管(LED)是将电流转换为光的半导体发光器件。
根据用于制造LED的半导体材料，可以改变从LED发射的光的波长。这是因为发射的光的波长根据半导体材料的带隙，即，价带电子和导带电子之间的能量差而进行变化。
LED能够产生具有高亮度的光，使得LED已经被广泛地用作用于显示装置、车辆或照明装置的光源。另外，通过采用荧光材料或组合具有各种颜色的LED，LED能够呈现出具有优秀的光效率的白光。
发明内容
实施例提供具有新颖结构的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。
实施例提供能够提高光提取效率的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。
实施例提供能够提高内量子效率的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。
根据实施例的发光器件包括：导电支撑衬底；第二导电半导体层，其在导电支撑衬底上；有源层，其在第二导电半导体层上；第一导电半导体层，其在有源层上，该第一导电半导体层包括GaN层、InGaN层以及选择性地去除GaN和InGaN层而形成的粗糙部；以及电极层，其在第一导电半导体层上。
根据实施例的发光器件封装包括：主体；第一和第二电极层，其在主体上；发光器件，其电连接到主体上的第一和第二电极层；以及模制构件，其在主体上包围发光器件，其中发光器件包括：导电支撑衬底；在导电支撑衬底上的第二导电半导体层；在第二导电半导体层上的有源层；在有源层上的第一导电半导体层，该第一导电半导体层包括GaN层、InGaN层以及选择性地去除GaN和InGaN层而形成的粗糙部；以及在第一导电半导体层上的电极层。
根据实施例的照明系统包括：板；以及发光模块，其包括在板上的发光器件，其中发光器件包括导电支撑衬底；在导电支撑衬底上的第二导电半导体层；在第二导电半导体层上的有源层；在有源层上的第一导电半导体层，该第一导电半导体层包括GaN层、InGaN层以及选择性地去除GaN和InGaN层而形成的粗糙部；以及在第一导电半导体层上的电极层。
实施例能够提供具有新颖结构的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。
实施例能够提供能提高光提取效率的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。
实施例能够提供能提高内量子效率的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。
附图说明
图1至图8是示出根据实施例的发光器件及其制造方法的截面图；
图9是示出根据实施例的具有发光器件的发光器件封装的截面图；
图10是示出根据实施例的包括发光器件封装的背光单元的分解透视图；以及
图11是示出根据实施例的包括发光器件封装的照明系统的透视图。
具体实施方式
在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一个衬底、另一个层(或膜)、另一个区域、另一个焊盘或另一个图案的“上”或“下”时，它能够“直接”或“间接”在另一个衬底、层(或膜)、区域、焊盘或图案上，或也可以存在一个或多个插入层。已经参考附图描述了这样的层的位置。
为了方便或清楚起见，附图中所示的每个层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性绘制。另外，元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。
在下文中，将会参考附图来详细地描述根据实施例的发光器件和制造发光器件的方法。
图1至图8是示出根据实施例的发光器件及其制造方法的截面图。
参考图1，第一GaN层21可以设置在衬底10上。衬底10可以包括蓝宝石(Al2O3)、Si、SiC、GaAs、ZnO以及MgO中的一个。例如，蓝宝石衬底可以用作衬底10。
第一GaN层21可以被掺杂有导电杂质。第一导电杂质可以包括诸如硅(Si)的n型杂质。例如，通过将TMGa气体、SiH4气体、氢气或氨气注入到腔室中，可以生长第一GaN层21。
根据实施例，第一GaN层21可以设置在衬底10上。然而，具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的化合物半导体层可以设置在衬底上。在这样的情况下，化合物半导体层可以包括从由InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN以及AlInN组成的组中选择的一种，并且可以被掺杂有诸如Si、Ge、Sn或C的n型掺杂物。
尽管在附图中未示出，但是缓冲层和未掺杂的GaN层可以设置在衬底10和第一GaN层21之间。
当第一GaN层21生长在衬底10上时，由于衬底10和第一GaN层21之间的晶格失配而导致可能出现位错91。位错91可以传播到稍后将生长的有源层。位错91可以引起泄漏电流，并且使内量子效率或发光器件的性能劣化。
参考图2，第一InGaN层31可以设置在第一GaN层21上。第一InGaN层31可以包括具有较少量的In的低摩尔InGaN层31。例如，第一InGaN层31满足InxGa1-xN(0.02≤x≤0.05)的组成式。第一InGaN层31减少通过第一GaN层21传播的位错91，从而提高半导体层的质量。第一InGaN层31可以生长在螺旋生长模式下，并且作为大量In的第一岛层31a可以部分地形成在第一InGaN层31中。
第一InGaN层31可以包括被掺杂有第一导电杂质的InGaN层。第一导电杂质可以包括诸如硅(Si)的n型杂质。例如，通过将TMGa气体、TMIn气体、SiH4气体、氢气或氨气注入到腔室中，可以生长第一InGaN层31。
参考图3，第二GaN层22可以设置在第一InGaN层31。通过使用与第一GaN层21的材料相同的材料，可以设置第二GaN层22。在第二GaN层22中，可能出现位错91，但是与第一GaN层21的位错相比较，可以减少位错91。
第二InGaN层32可以设置在第二GaN层22上。第二InGaN层32可以具有与第一InGaN层31的成分相同的成分。与第一InGaN层31相类似，第二岛层32a被部分地形成在第二InGaN层32中。
第三GaN层23可以设置在第二InGaN层32上。通过使用与第二GaN层22的材料相同的材料，可以设置第三GaN层23。在第三GaN层23中，可能出现位错91，但是与第二GaN层22的位错相比较，可以减少位错91。
第三InGaN层33可以设置在第三GaN层23上。第三InGaN层33可以具有与第二InGaN层32的成分相同的成分。与第二InGaN层32相类似，第三岛层33a被部分地形成在第三InGaN层33中。
第四GaN层24可以设置在第三InGaN层33上。通过使用与第三GaN层23的材料相同的材料，可以设置第四GaN层24。在第四GaN层24中，可能出现位错91，但是与第三GaN层23的位错相比较，可以减少位错91。
在根据实施例的发光器件中，GaN层21至24以及InGaN层31至33可以组成第一导电半导体层25。GaN层21至24以及InGaN层31至33可以包括诸如硅(Si)的n型杂质。
根据实施例，GaN层21至24与InGaN层31至33交替地堆叠，使得能够防止位错91的传播，同时提高在第一导电半导体层25上设置的半导体层的质量。
实施例示出包含四个GaN层21至24和三个InGaN层31至33的第一导电半导体层25。然而，GaN层和InGaN层的数目可以被改变。例如，第一导电半导体层25可以仅包括交替堆叠的第一GaN层21和第一InGaN层31或第一和第二GaN层21和22以及第一InGaN层31。另外，通过交替地堆叠至少五个GaN层和四个InGaN层，可以设置第一导电半导体层25。
有源层40可以设置在第一导电半导体层25上，并且第二导电半导体层50可以设置在有源层40上。
有源层40可以包括单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构以及量子点结构中的一个。通过使用III-V族半导体材料，有源层40可以具有阱/势垒层。例如，有源层40可以包括InGaN/GaN结构、InGaN/AlGaN结构以及InGaN/InGaN结构中的至少一个。势垒层可以包括具有比阱层的带隙能量高的带隙能量的材料，但是实施例不限于此。另外，例如，有源层40可以包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。
第二导电半导体层50可以包括被掺杂有第二导电杂质的GaN层。第二导电杂质包括诸如Mg的p型杂质。例如，通过将TMGa气体、(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2}气体、氢气以及氨气注入到腔室中，可以形成第二导电半导体层50。
参考图4，导电支撑衬底60可以设置在第二导电半导体层50上。导电支撑衬底60可以包括金属或半导体衬底。例如，导电支撑衬底60可以包括从由Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W以及被掺杂有杂质且包括Si、Ge、GaN、GaAs、ZnO、SiC或SiGe的载体晶片组成的组中选择的至少一种。通过镀方案或结合方案，可以形成导电支撑衬底60。尽管在附图中未示出，但是欧姆接触层和/或反射层可以设置在第二导电半导体层50和导电支撑衬底60之间。
通过使用包括具有高反射率的Ag、Al、Cu以及Ni中的至少一种的金属，可以设置反射层。欧姆接触层可以包括透明的电极层。例如，欧姆接触层包括从由ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、AGZO(铝镓锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、IZON(IZO氮化物)、ZnO、IrOx、RuOx以及NiO组成的组中选择的至少一种。另外，欧姆接触层可以包括从由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf以及其选择性组合组成的组中选择的至少一种。
在导电支撑衬底60已经设置在第二导电半导体层50之后，衬底10可以被去除。例如，通过LLO(激光剥离)方案或蚀刻工艺，可以去除衬底10。
参考图5，当衬底10被去除时，与衬底10相邻的第一导电半导体层25的第一GaN层21可以被暴露。
如果未掺杂的GaN层设置在衬底10和第一GaN层21之间，未掺杂的GaN层可以被暴露。
参考图6和图7，通过使用蚀刻剂，可以蚀刻第一导电半导体层25。例如，蚀刻剂包括KOH、H3PO4以及K2S2O8中的至少一种。
当通过蚀刻工艺来蚀刻第一导电半导体层25时，粗糙部70形成在第一导电半导体层25上。这时，InGaN层相对于GaN层具有蚀刻选择性。具体地，在InGaN层上形成的岛层被容易地蚀刻，使得第一导电半导体层25的表面上的粗糙度增加。
另外，因为GaN层和InGaN层交替地堆叠在第一导电半导体层25中，所以蚀刻速率可以根据第一导电半导体层25的区域而变化，从而可以进一步增加表面粗糙度。
第一GaN层21和第一InGaN层31可以具有诸如位错91的缺陷，因为第一GaN层21和第一InGaN层31被生长成与衬底10相邻。通过蚀刻工艺，可以去除第一GaN层21和第一InGaN层31，因此具有高质量的第四GaN层24主要用作第一导电半导体层25。因此，能够增加发光器件的内量子效率。
参考图8，电极层80可以设置在第一导电半导体层25上。
以这种方式，能够制造根据实施例的发光器件。
详细地，如图8中所示，根据实施例的发光器件包括导电支撑衬底60、第二导电支撑衬底60上的第二导电半导体层50、第二导电半导体层50上的有源层40、有源层40上的第一导电半导体层25以及第一导电半导体层25上的电极层80。
导电支撑衬底60可以包括金属或半导体衬底。例如，导电支撑衬底60包括从由Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W以及被掺杂有杂质且包括Si、Ge、GaN、GaAs、ZnO、SiC或SiGe的载体晶片组成的组中选择的至少一种。
反射层和欧姆接触层可以设置在导电支撑衬底60和第二导电半导体层50之间。通过使用包括具有高反射率的Ag、Al、Cu以及Ni中的至少一种的金属，可以形成反射层。欧姆接触层可以包括透明的电极层。例如，欧姆接触层包括从由ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、AGZO(铝镓锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、IZON(IZO氮化物)、ZnO、IrOx、RuOx以及NiO组成的组中选择的至少一种。另外，欧姆接触层可以包括从由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf以及其选择性组合组成的组中选择的一种。没有必要要求有反射层和欧姆接触层，而是能够省略反射层和欧姆接触层中的至少一个。
第二导电半导体层50可以包括包含p型杂质的GaN基氮化物半导体层。有源层40是发光层，并且包括单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构以及量子点结构中的至少一个。
第一导电半导体层25可以包括包含n型杂质的GaN基氮化物半导体层。根据实施例，第一导电半导体层25包括InGaN层和GaN层。
参考图8，第一导电半导体层25包括第二GaN层22、第二InGaN层32、第三GaN层23、第三InGaN层33以及第四GaN层24。
粗糙部70形成在第一导电半导体层25的顶表面上。根据实施例，第一导电半导体层25包括交替堆叠的InGaN层和GaN层，并且粗糙部70被形成为第二GaN层22、第二InGaN层32、第三GaN层23、第三InGaN层33以及第四GaN层24被选择性地去除。
粗糙部70可以具有倾斜的表面，因此朝向上的方向部分地暴露第二GaN层22、第二InGaN层32、第三GaN层23、第三InGaN层33以及第四GaN层24。另外，因为多个粗糙部70被形成，同时彼此隔开，所以朝侧面的方向部分地暴露第二GaN层22、第二InGaN层32、第三GaN层23、第三InGaN层33以及第四GaN层24。
例如，可以朝向上的方向或侧面的方向暴露第一导电半导体层25的GaN层和InGaN层。另外，可以朝向上的方向或侧面的方向暴露第一导电半导体层25的多个GaN层和InGaN层。
因此，由于第一导电半导体层25的粗糙部而使从有源层40产生的光能够有效地提取到外部，从而能够提高发光器件的光提取效率。粗糙部70可以用作发光器件的光子晶体。
通过使用包括Au、Al以及Pt中的至少一种的金属，可以形成电极层80以有助于引线结合。电极层80与导电支撑构件60一起将电力提供给有源层40。
图9是示出根据实施例的包括发光器件的发光器件封装200的截面图。
参考图9，发光器件封装200包括：主体150；第一和第二电极层210和220，该第一和第二电极层210和220形成在主体150上；发光器件100，该发光器件100设置在主体150上并且电连接到第一和第二电极层210和220；以及模制构件400，该模制构件400包围发光器件100。
主体150可以包括硅、合成树脂或金属材料。倾斜表面可以形成在发光器件100的周围。
第一和第二电极层210和220彼此电隔离，以将电力提供给发光器件100。另外，第一和第二电极层210和220反射从发光器件100发射的光以提高光效率并且将从发光器件100产生的热散发到外部。
可以采用图8中所示的发光器件作为发光器件100。发光器件100可以设置在主体150上或者第一或第二电极层210或220上。
通过布线300，发光器件100可以被电连接到第一电极层210和/或第二电极层220。根据实施例，两个布线300被采用。
模制构件400包围发光器件100，以保护发光器件100。另外，模制构件40可以包括荧光材料，以改变从发光器件100发射的光的波长。
根据实施例的发光器件封装200采用能够提高光提取效率和内量子效率的发光器件100，从而能够提高发光器件封装200的光效率。
根据实施例的多个发光器件或发光器件封装可以被排列在板上，并且包括导光板、棱镜片以及扩散片或荧光片的光学构件可以设置在从发光器件或发光器件封装发射出的光的光学路径上。发光器件或发光器件封装、基板以及光学构件可以用作背光单元或照明单元。例如，照明系统可以包括背光单元、照明单元、指示器、灯或街灯。
图10是示出根据实施例的包括发光器件封装的背光单元1100的分解透视图。图10中所示的背光单元1100是照明系统的示例并且实施例不限于此。
参考图10，背光单元1100可以包括底部框架1140、在底部框架1140中设置的导光构件1120以及在导光构件1120的一侧或底表面上设置的发光模块1110。另外，反射片1130可以设置在导光构件1120下方。
底部框架1140具有盒形形状，该盒形形状具有开口的顶表面，以在其中容纳导光构件1120、发光模块1110以及反射片1130。另外，底部框架1140可以包括金属材料或树脂材料，但本实施例不限于此。
发光模块1110可以包括基板300和在基板300上设置的多个发光器件封装200或多个发光器件100。发光器件100或发光器件封装200能够将光提供给导光构件1120。根据实施例，发光器件封装200设置在基板300上。
如图10中所示，发光模块1110设置在底部框架1140的至少一个内侧上，以将光提供给导光构件1120的至少一侧。
另外，发光模块1110能够设置在底部框架1140下方以向导光构件1120的底表面提供光。能够根据背光单元1100的设计，对该布置进行各种修改，并且实施例不限于此。
导光构件1120设置在底部框架1140中。导光构件1120将从发光模块1110发射的光转化为表面光以向显示面板引导表面光。
导光构件1120可以包括导光板。例如，通过使用诸如PMAA(聚甲基丙烯酸甲酯)的丙烯酸基树脂、PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PC(聚碳酸酯)、COC或PEN(聚萘二甲酸乙二酯)树脂，可以制造导光板。
光学片1150可以设置在导光构件1120上方。
光学片1150可以包括扩散片、聚光片、亮度增强片以及荧光片中的至少一个。例如，光学片1150具有扩散片、聚光片、亮度增强片以及荧光片的堆叠结构。在这样的情况下，扩散片1150使从发光模块1110发射出的光均匀地扩散，从而能够通过聚光片将扩散的光聚集在显示面板上。从聚光片输出的光被任意地偏振，并且亮度增强片增加从聚光片输出的光的偏振度。聚光片可以包括水平和/或竖直棱镜片。另外，亮度增强片可以包括双亮度增强膜，并且荧光片可以包括包含荧光材料的透射膜或透射板。
反射片1130能够设置在导光构件1120下方。反射片1130将通过导光构件1120的底表面发射的光向导光构件1120的出光表面反射。
反射片1130可以包括诸如PET、PC或PVC树脂的具有高反射率的树脂材料，但是本实施例不限于此。
图11是示出根据实施例的包括发光器件封装的照明单元1200的透视图。图11中所示的照明单元1200仅是一个示例并且实施例不限于此。
参考图11，照明单元1200包括壳体1210、在壳体1210中安装的发光模块1230以及在壳体1210中设置的用以接收来自于外部电源的电力的连接端子1220。
优选地，壳体1210包括具有优异的散热性的材料。例如，壳体1210包括金属材料或树脂材料。
发光模块1230可以包括板300以及在板300上设置的至少一个发光器件100或发光器件封装200。
板300包括印刷有电路图案的绝缘构件。例如，板300包括PCB(印刷电路板)、MC(金属芯)PCB、柔性PCB或陶瓷PCB。
另外，板300可以包括有效反射光的材料。板300的表面能够涂有诸如白色或银色的颜色，以有效地反射光。
至少一个发光器件100或发光器件封装200可以设置在板300上。每个发光器件封装200可以包括至少一个发光器件100。发光器件100可以包括发射具有红、绿、蓝或白色的光的有色LED以及发射UV(紫外线)光的UV LED。
发光模块1230可以不同地组合成提供各种颜色和亮度。例如，白光LED、红光LED以及绿光LED可以被组合成实现高显色指数(CRI)。另外，荧光片能够设置在从发光模块1230发射的光的路径中，以改变从发光模块1230发射的光的波长。例如，如果从发光模块1230发射的光具有蓝光的波长带，那么荧光片可以包括黄荧光材料。在这样的情况下，从发光模块1230发射的光通过荧光片，从而光被视为白光。
连接端子1220电连接至发光模块1230，以将电力提供给发光模块1230。参考图11，连接端子1220可以具有与外部电源插座螺纹耦接的形状，但是实施例不限于此。例如，可以以插入到外部电源的插头形式来制备连接端子1220，或通过布线将连接端子1220连接至外部电源。
根据如上所述的照明系统，导光构件、扩散片、聚光片、亮度增强片以及荧光片中的至少一个设置在从发光模块发射的光的路径中，从而能够实现想要的光学效果。
如上所述，照明系统包括根据实施例的发光器件，因此照明系统能够发射具有较少的颜色变化和高光效率的光。
在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中，在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时，认为结合实施例中的其他实施例实现这样的特征、结构或特性也是本领域技术人员所能够想到的。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域的技术人员可以想到多个其他修改和实施例，这将落入本发明原理的精神和范围内。更加具体地，在本公开、附图和所附权利要求的范围内的主题组合布置的组成部件和/或布置中，各种变化和修改是可能的。除了组成部件和/或布置中的变化和修改之外，对于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。

Claims (12)

1.一种发光器件，包括：
导电支撑衬底；
第二导电半导体层，所述第二导电半导体层在所述导电支撑衬底上；
有源层，所述有源层在所述第二导电半导体层上；
第一导电半导体层，所述第一导电半导体层在所述有源层上，所述第一导电半导体层包括GaN层、InGaN层以及选择性地去除所述GaN和InGaN层而形成的粗糙部；以及
电极层，所述电极层在所述第一导电半导体层上。
2.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括：
在所述导电支撑衬底和所述第二导电半导体层之间的反射层和欧姆接触层中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，
所述第一导电半导体层包括交替堆叠的多个GaN层和InGaN层。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，
朝向上的方向暴露所述GaN层的至少一部分和所述InGaN层的至少一部分。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，
通过所述粗糙部，朝侧面的方向暴露所述GaN层的至少一部分和所述InGaN层的至少一部分。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，
所述导电支撑衬底包括从由Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W以及被掺杂有杂质且包括Si、Ge、GaN、GaAs、ZnO、SiC或SiGe的载体晶片组成的组中选择的至少一种。
7.根据权利要求2所述的发光器件，其中，
所述反射层包括Ag、Al、Cu以及Ni中的至少一个。
8.根据权利要求2所述的发光器件，其中，
所述欧姆接触层包括从由ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、AGZO(铝镓锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、IZON(IZO氮化物)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf以及其选择性组合组成的组中选择的至少一种。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，
所述InGaN层满足组成式：InxGa1-xN(0.02≤x≤0.05)。
10.一种发光器件封装，包括：
主体；
第一和第二电极层，所述第一和第二电极层在所述主体上；
根据权利要求1至9中的任一项所述的发光器件，并且所述发光器件电连接到在所述主体上的第一和第二电极层；以及
模制构件，所述模制构件在所述主体上包围所述发光器件。
11.一种照明系统，包括：
板；以及
发光模块，所述发光模块包括根据权利要求1至9中的任一项所述的并且设置在所述板上的发光器件。
12.根据权利要求11所述的照明系统，进一步包括：
在从所述发光模块发射的光的路径上对准的导光构件、扩散片、聚光片、亮度增强片以及荧光片中的至少一个。
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