WO2020250650A1 - めっき方法、めっき装置、プログラムを記憶する不揮発性の記憶媒体 - Google Patents

めっき方法、めっき装置、プログラムを記憶する不揮発性の記憶媒体 Download PDF

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WO2020250650A1
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plating
current
completed
current density
substrate
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PCT/JP2020/020492
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瑞樹 長井
▲高▼橋　直人
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株式会社荏原製作所
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    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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    • C25D21/10—Agitating of electrolytes; Moving of racks

Definitions

  • the present invention relates to a non-volatile storage medium for storing a plating method, a plating apparatus, and a program.
  • bumps that form wiring in fine wiring grooves, holes, or resist openings provided on the surface of a semiconductor wafer or the like, or electrically connect to a package electrode or the like on the surface of a semiconductor wafer or the like. Electrodes) are formed.
  • a method for forming such wiring and bumps for example, an electrolytic plating method, a vapor deposition method, a printing method, a ball bump method and the like are known. With the increase in the number of I / Os and the finer pitch of semiconductor chips in recent years, electroplating methods that can be miniaturized and have relatively stable performance have come to be widely used.
  • Patent Document 1 a device that performs double-sided plating as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2019-007075 (Patent Document 1) is known.
  • this plating apparatus it is possible to plate each surface by passing different currents from the first external connection portion and the second external connection portion of the substrate holder to the respective surfaces of the substrate.
  • Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2016-74975 (Patent Document 2), a second voltage in the forward direction is applied between the anode and the substrate before or after plating, and a current flows in the direction opposite to that at the time of plating. It is described that the copper plating film is prevented from melting.
  • the plating film on the one surface on which the plating is completed first is plated until the plating on the other surface is completed and the substrate is pulled up.
  • the plating apparatus of Patent Document 2 is not intended for double-sided plating. Further, even if the diode is provided to prevent the current from flowing in the reverse direction, the surface of the plating film may be corroded and the surface roughness may be increased due to the strong acid in the copper plating solution.
  • An object of the present invention is to solve at least a part of the above-mentioned problems.
  • a method for performing plating a step of preparing a substrate having different patterns on the first surface and the second surface, and the first surface and the second surface of the substrate.
  • a method is provided that comprises supplying a protection current with a current density lower than the second plating current density.
  • FIG. 1 shows an overall layout of the plating apparatus according to the present embodiment.
  • two cassette tables 12 on which a cassette 10 containing a substrate such as a semiconductor wafer is mounted, and positions such as orientation flats and notches of the substrates are positioned in predetermined directions.
  • An aligner 14 to be aligned, a substrate attachment / detachment portion 20 for attaching / detaching a substrate to / from a mounted substrate holder 18, and a spin dryer 16 for rotating and drying a substrate after plating at a high speed are provided.
  • a substrate transfer device 22 that transfers a substrate between these units, for example, a transfer robot, is arranged.
  • the substrate can be any substrate such as a semiconductor wafer, a printed circuit board, a liquid crystal substrate, or a MEMS.
  • the substrate may be circular, square (polygon), or any other shape.
  • a pattern is formed on the surface of the substrate.
  • the “pattern” refers to vias or trenches for forming wiring, bumps or rewiring, resist patterns for forming electrode pads, insulating film patterns, and the like.
  • the board attachment / detachment portion 20 includes a flat plate-shaped mounting plate 52 that can slide horizontally along the rail 50.
  • the substrate transfer device 22 delivers the substrate to one of the substrate holders 18 in a state where the two substrate holders 18 are horizontally mounted on the mounting plate 52 in parallel. After that, the substrate transfer device 22 slides the mounting plate 52 in the horizontal direction to deliver the substrate to the other substrate holder 18.
  • the plating apparatus 1 is provided with a stocker 24 for storing and temporarily placing the substrate holder 18, a pre-wet tank 26 for immersing the substrate in pure water, and an oxide film on the surface of the seed layer formed on the surface of the substrate.
  • a pre-soak tank 28 for removing etching a first water washing tank 30a for washing the surface of the substrate with pure water, a blow tank 32 for draining the substrate after cleaning, and the surface of the substrate with pure water or the like.
  • a second water washing tank 30b for washing with water and a plating tank 34 are arranged.
  • the arrangement of each unit is not limited to the one shown in the figure, and other configurations and arrangements can be adopted.
  • the plating tank 34 includes an overflow tank 36 and a plurality of plating cells 38 housed therein.
  • Each plating cell 38 houses a substrate holder 18 holding a substrate inside, and performs a plating process such as copper plating.
  • copper plating will be described, but the same plating apparatus 1 can be used for plating nickel, solder, silver, gold, and the like.
  • a paddle driving device 46 located inside each plating cell 38 and driving a paddle 61 (see FIG. 2) for stirring the plating solution is arranged.
  • the plating apparatus 1 is provided with a substrate holder transfer device 40 that conveys the substrate holder 18 together with the substrate W.
  • the substrate holder transfer device 40 is, for example, a linear motor type, and is located on the side of the substrate attachment / detachment portion 20 and each of the above tanks.
  • the board holder transfer device 40 has a first transporter 42 and a second transporter 44.
  • the first transporter 42 transports the substrate between the substrate attachment / detachment portion 20 and the stocker 24.
  • the second transporter 44 transports the substrate between the stocker 24, the pre-wet tank 26, the pre-soak tank 28, the flush tanks 30a and 30b, the blow tank 32, and the plating tank 34.
  • the transport route is an example, and each of the first transporter 42 and the second transporter 44 can adopt another transport route. Further, it is possible to provide only the first transporter 42 without providing the second transporter 44.
  • the control device 120 controls the substrate processing operation by controlling the operation of each part of the plating device described above.
  • the control device 120 has a memory 120A that stores various setting data and various programs, and a CPU 120B that executes a memory program.
  • the storage medium constituting the memory can include a volatile storage medium and / or a non-volatile storage medium.
  • the storage medium can include, for example, one or more of any storage media such as ROM, RAM, flash memory, hard disk, CD-ROM, DVD-ROM, flexible disk, and the like.
  • the program stored in the memory includes, for example, a program for controlling the plating process of the substrate and a program for controlling the transfer control of the substrate and the substrate holder.
  • control device 120 is configured to be communicable with a higher-level controller (not shown) that controls the plating device and other related devices in an integrated manner, and can exchange data with the database of the higher-level controller.
  • the control device 120 and / or another one or a plurality of control units may cooperate or independently control the operation of each part of the plating device.
  • the control device 120, the control device 39 (described later), and one or more other control units may configure at least a part of the functions realized by the program by hardware such as a sequencer and / or an ASIC.
  • FIG. 2 is a schematic view of the plating tank viewed from the side.
  • a portion of one plating cell 38 of the plating tank 34 is typically shown, and the overflow tank 36 is omitted.
  • the substrate holder 18 that holds the substrate W is carried into the plating cell 38 and immersed in the plating solution Q.
  • the substrate holder 18 has an opening that exposes both sides S1 and S2 of the substrate W, and is a substrate holder for double-sided plating for plating both sides S1 and S2 of the substrate W.
  • a resist pattern in which an opening is formed at a position where a plating film should be formed is formed on each of the surfaces S1 and S2 of the substrate W.
  • the surface S1 of the substrate W may be referred to as the front surface and the surface S2 as the back surface.
  • any of the surfaces S1 and S2 may be the front surface, and the surface S2 is the back surface and the surface S1.
  • the substrate holder 18 electrically connects the external connection terminal 18A electrically connected to the contact in contact with the seed layer (plating base) on the surface S1 of the substrate W and the contact in contact with the seed layer on the surface S2 of the substrate W. It is provided with a connected external connection terminal 18B.
  • the plating solution Q is a chemical solution for copper plating, for example, a copper sulfate solution.
  • the plating solution Q can also be a chemical solution for plating other metals.
  • a paddle 61, a regulation plate 63, and an anode 65 are arranged at positions on both sides of the substrate holder 18.
  • the paddle 61 is attached to the paddle shaft 62 and is arranged in the vicinity of the substrate W held by the substrate holder 18.
  • the paddle 61 reciprocates in parallel with the surface of the substrate W by reciprocating the paddle shaft 62 by the paddle driving device 46, and agitates the plating solution Q. By stirring the plating solution Q with the paddle 62, sufficient copper ions can be uniformly supplied to the surface of the substrate W.
  • the anode 65 is held and arranged in the anode holder 66.
  • the configuration including the anode 65 and the anode holder may be referred to as the anode unit 64.
  • the regulation plate 63 is an example of an electric field adjusting plate, which is arranged between the paddle 61 and the anode 65 to adjust the electric field / current flow between the substrate W and the anode 65.
  • a rectifier 71 is connected to the anode unit 64 on the surface S1 side and the substrate holder 18.
  • the rectifier 71 is a device (power supply device) including a rectifier circuit or a power supply circuit for converting an AC current into a DC current, and outputs a DC current corresponding to a set current value.
  • the external connection terminal 18A of the board holder 18 is connected to the negative electrode (low potential side) of the rectifier 71 via the wiring 71B.
  • the anode 65 is electrically connected to the wiring 71A from the positive electrode (high potential side) of the rectifier 71 via the wiring or the like arranged in the anode holder 66.
  • the rectifier 71 forms a current loop passing through the anode 65, the plating solution Q, and the surface S1 of the substrate W, and the rectifier 71 forms a plating current passing through the anode 65, the plating solution Q, and the surface S1 of the substrate W ( It is possible to supply a film forming current) and / or a protection current (described later).
  • a rectifier 72 is connected to the anode unit 64 on the surface S2 side and the substrate holder 18.
  • the rectifier 72 is a device (power supply device) including a rectifier circuit or a power supply circuit for converting an AC current into a DC current, and outputs a DC current corresponding to a set current value.
  • the external connection terminal 18B of the board holder 18 is connected to the negative electrode (low potential side) of the rectifier 72 via the wiring 72B.
  • the anode 65 is electrically connected to the wiring 72A from the high potential side of the rectifier 72 via the wiring or the like arranged in the anode holder 66.
  • the rectifier 72 forms a current loop passing through the anode 65, the plating solution Q, and the surface S2 of the substrate W, and the rectifier 72 forms a plating current passing through the anode 65, the plating solution Q, and the surface S2 of the substrate W ( It is possible to supply a film forming current) and a protection current (described later).
  • the rectifiers 71 and 72 are controlled by the control device 39.
  • the control device 39 can control the rectifiers 71 and 72 according to the instruction from the control device 120 and / or in cooperation with the control device 120.
  • the rectifier 71 or 72 connected to the surface to be plated first may have a function of supplying a protective current. ..
  • the rectifiers 71 and 72 may be configured as individual devices or as a single device.
  • the rectifiers 71 and 72 include a power supply circuit that converts a DC voltage into a DC voltage in a predetermined voltage range, and are replaced with a device (power supply device) that outputs a DC current corresponding to a set current value. May be good.
  • the plating completion time points may differ between the surfaces S1 and S2.
  • the patterns of the surfaces S1 and S2 are different, it is preferable that the target plating film thickness of each surface is different and each surface is plated with a different plating current (density) and plating time.
  • plating on the other surface for example, surface S2
  • the plating current deposition current
  • the surface of the plating film on the surface S1 may be corroded by a plating solution having strong acidity (copper sulfate solution or the like), and the surface roughness of the plating film surface may increase.
  • a plating solution having strong acidity copper sulfate solution or the like
  • plating time it is possible to select the plating current (density) and plating time so that the plating on both sides is completed at the same time. In this case, what is the optimum processing condition for plating on each side? It's hard to be. Therefore, in the present embodiment, for the surface to which the plating is completed first, a minute protection current in the same direction as the film forming current during plating (Ip in FIG. 8) is used to protect the plating film after the plating is completed. ) Is flowed. This protection current suppresses the precipitation of additional metal on the plating film and the dissolution of the metal in the plating film into the plating solution.
  • the protection current Ip is the plating on the surface S1 / S2 where the plating is completed first during the waiting period from the completion of plating on the surface S1 / S2 (when the film formation current is stopped) to the time when the substrate is pulled up.
  • the current value is set so that corrosion of the film can be suppressed and further metal precipitation (additional plating) can be suppressed on the surfaces S1 / S2.
  • the protection current Ip is a current that is in the same direction as the current I1 that flows during plating (during film formation) of the surfaces S1 / S2 and has a magnitude of about 1/100 to 1/100 or less of the current I1. ..
  • the surface roughness of the plating film surface on the surface S1 of the substrate W that stands by in the plating solution after the film formation current is stopped is the aperture ratio of the surface S1 (the area where the plating film is formed with respect to the substrate area exposed from the substrate holder). Since it is affected by the size of the ratio), it is necessary to determine the size of the protection current according to the size of the aperture ratio.
  • an example of a method of determining the magnitude of the protection current according to the magnitude of the aperture ratio will be described with reference to FIGS. 3 and 4.
  • FIG. 3 is a graph showing the experimental results of measuring the relationship between the magnitude of the protection current and the surface roughness for each substrate having a different aperture ratio.
  • the surface roughness Ra (arithmetic mean roughness) of the plating film was measured by immersing the substrate on which the plating film was formed in the plating solution for a predetermined time and then pulling it up while passing a protective current.
  • FIG. 4 is a graph showing the relationship between the aperture ratio and the magnitude of the protection current that minimizes the surface roughness.
  • the horizontal axis represents the protection current density (magnitude of the protection current), and the vertical axis represents the surface roughness Ra.
  • the surface roughness is minimized at 0.015 A / dm 2 .
  • the surface roughness is measured in the same manner to obtain the protection current density that minimizes the surface roughness.
  • FIG. 4 shows the magnitude of the protection current density that minimizes the surface roughness Ra of the plating film for each aperture ratio OP based on the measurement results.
  • the magnitude of the protection current may be determined so that the surface roughness Ra is within the permissible range, not limited to the magnitude of the protection current that minimizes the surface roughness Ra.
  • a relational expression or table showing the relationship between the aperture ratio at which the surface roughness Ra is minimized and the magnitude of the protection current density is stored in the memory or the like of the control device 39 and / or 120, and the recipe or the like is used.
  • the protection current is determined by determining the protection current density from the above relational expression or table based on the set aperture ratio OP or the aperture ratio OP by the substrate information received from the host communication or the user interface or the image recognition of the pattern shape.
  • the magnitude of the protection current corresponding to the density can be set automatically.
  • Each rectifier is known to have an inherent mechanical error, and the control device 39 and / or 120 corrects the set current value output to the rectifier using the relational expression of the equation (1), and after the correction.
  • the set current value is output to the rectifier as the indicated current value.
  • (Indicated current value) a ⁇ (Set current value) + b (1)
  • a and b are current correction coefficients.
  • the set current values differ greatly between the film formation current and the protection current, so the output from the same rectifier will be accurate. It may be difficult to secure, and the plating film thickness varies during film formation, and / or the protection current is insufficient (corrosion occurs) or the protection current is excessive (plating film thickness abnormality due to additional plating). , Deterioration of uniformity) may occur. Therefore, it is preferable that the current correction coefficients a and b are set separately for the current usage range of the film forming current (FIG. 5A) and the current usage range of the protection current (FIG. 5B).
  • FIG. 5A is a graph showing a measurement example of the measured current value (actual current value) with respect to the indicated current value in the current usage range of the film forming current.
  • FIG. 5B is a graph showing a measurement example of the measured current value (actual current value) with respect to the indicated current value in the current usage range of the protection current.
  • FIG. 6 is a diagram showing an example of the set value of the current correction coefficient for each current range. From the measurement results shown in FIGS. 5A and 5B, the relationship between the measured current value (actual current value) and the indicated current value can be obtained. Since the set current value is determined according to the desired measured current value, in the measurement results shown in FIGS.
  • the measured current value is replaced with the set current value, and the set current value and the indicated current value are used.
  • the correction coefficients a and b of the equation (1) can be calculated. From the measurement results shown in FIGS. 5A and 5B, the current correction coefficients a and b are calculated as shown in FIG.
  • control device 39 or 120 corrects the set current value set by the recipe or the like to the indicated current value according to the above equations (2) and (3), and then outputs the indicated current value to the rectifier. Will output the actual current value corresponding to the desired set current value.
  • FIG. 7 is a database configuration example of the current correction coefficient.
  • the current correction coefficients a and b are obtained by experiments in advance for each current usage range of the film formation current and the protection current for each rectifier, and the above relational expression is obtained from the memory of the control device 39 and / or 120. And so on. Then, the control devices 120 and / or 39 use the rectifier and the relational expressions (equations (2) and (3)) according to the current usage range to correct the set current value to the indicated current value and correspond to the set current value. Output to the rectifier. As a result, when the film formation current and the protection current are output using a common rectifier, it is possible to output an appropriate indicated current value according to the current usage range, and the actual current value can be controlled accurately. it can.
  • FIG. 8 is a time chart of the protection current supply process.
  • FIG. 9 is a flowchart showing the protection current supply process. This process is performed by the control device 39 and / or 120. It should be noted that the control device 39, the control device 120, and / or another one or a plurality of control units may execute this process in cooperation or independently.
  • the upper graph shows the current flowing through the surface S1
  • the lower graph shows the current flowing through the surface S2.
  • the horizontal axis represents time and the vertical axis represents current.
  • step S11 plating on both sides S1 and S2 of the substrate W is started on the substrate W immersed in the plating solution of the plating tank 34 (time t1 in FIG. 8).
  • the control devices 39 and / or 120 set the indicated current value corrected by using the preset current correction coefficients a and b (Equation (2), FIG. 7) to each power supply device 71. It is output to 72, and the film forming currents I1 and I2 are output from the power supply devices 71 and 72, respectively.
  • the film forming currents I1 and I2 are displayed as constant values, but in reality, the film forming current values may change with time depending on the setting of the recipe.
  • step S12 it is determined whether or not the plating of one surface (surface S1 in this example) is completed. If the plating on any surface is not completed, the plating on both sides S1 and S2 is continued. When it is determined that the plating of one surface S1 is completed (time t2 in FIG. 8), the process proceeds to step S13.
  • the completion of plating is determined, for example, based on the passage of the plating time set in the recipe.
  • step S13 the protection current Ip set as described above is started to be output from the rectifier 71 to the surface S1 after the plating is completed (upper part of FIG. 8, time t2).
  • the control device 39 and / or 120 determines the protection current density by using the opening ratio OP acquired from the host communication or set in the recipe and the relational expression or table (FIG. 4) of the opening ratio and the protection current.
  • the protection current value Ip corresponding to the determined protection current density is obtained, and the protection current value Ip is used as the set current value and indicated using the above-mentioned current correction coefficients a and b (Equation (3), FIG. 7).
  • the current value is calculated, and the indicated current value is output to the corresponding rectifier 71.
  • the agitation of the plating solution Q by the paddle 61 on the surface S1 side is continued even during the protection current output after the plating is completed.
  • the protection current is output from the rectifier 72 to the surface S2 in the same manner as described above.
  • the protection current value on the surface S2 side can also be obtained in the same manner as on the surface S1 side. It is possible to determine which surface S1 or S2 is plated first based on the recipe data.
  • step S14 it is determined whether or not the plating of the other surface (surface S2 in this example) to be plated later is completed. If the plating of the surface S2 is not completed, the output of the protection current with respect to the surface S1 and the stirring by the paddle on the surface S1 side are continued. If the other surface to be plated later is the surface S1, it is determined whether or not the plating of the surface S1 is completed, and if it is not completed, the output of the protection current to the surface S2 and the surface S2 side. Continue stirring with the paddle. On the other hand, when it is determined that the plating of the other surface to be completed later is completed (time t3 in FIG. 8), the process proceeds to step S15.
  • step S15 the output of the protection current to the surface S1 for which plating has been completed is stopped (upper part of FIG. 8, time t3), and stirring by the paddle on the surface S1 side is stopped. If the surface that has been plated first is the surface S2, the output of the protection current to the surface S2 is stopped, and the agitation by the paddle on the surface S2 side is stopped. After that, the substrate W is pulled up from the plating tank 34.
  • Example 10A to 10D are images of the surface state of the plating film obtained by applying copper plating to a substrate having a resist pattern for 5 ⁇ m with a film forming current of 5 ASD and then immersing the copper plating in a plating solution for 1 hour.
  • FIG. 10A is a photographed image when a protective current is not passed during immersion in the plating solution, and it can be seen from this photographed image that the plating film 300 is corroded.
  • FIG. 10B is an image taken when a protective current having an appropriate current density is applied during immersion in the plating solution, and it can be seen from this photographed image that corrosion of the plating film 300 is prevented.
  • FIG. 10A is a photographed image when a protective current is not passed during immersion in the plating solution, and it can be seen from this photographed image that the plating film 300 is corroded.
  • FIG. 10B is an image taken when a protective current having an appropriate current density is applied during immersion in the plating solution, and it can be seen from this photographed image that corrosion
  • FIG. 10C is an image taken when an excessive protection current is applied during immersion in the plating solution, and it can be seen from this photographed image that the plating film 300 is corroded.
  • FIG. 10D is an image taken when an excessive protection current is applied during immersion in the plating solution, and from this photographed image, it can be seen that metal is deposited on the plating film 300 (additional plating is performed). I understand. From these results, it can be seen that by applying an appropriate protection current to the substrate surface that stands by in the plating solution, it is possible to prevent corrosion of the plating film while preventing additional plating.
  • the function related to outputting the protection current in the rectifier 71 or 72 on the side where plating is completed later is omitted. You may.
  • FIG. 11 is a schematic configuration diagram showing a connection example of the rectifier according to the second embodiment.
  • a common rectifier 71 (rectifier 72) is used to supply the film forming current and the protection current to the surface S1 (surface S2), but as shown in FIG. 11, for supplying the film forming current.
  • the rectifiers 73 and 74 for supplying the protection current may be provided, respectively.
  • a switch 81 as a switching device is provided in the middle of the wiring 71A between the positive electrode of the rectifier 71 and the anode 65, and as a switching device in the middle of the wiring 73A between the positive electrode of the rectifier 73 and the anode 65.
  • a switch 83 is provided.
  • a switch 82 as a switching device is provided in the middle of the wiring 72A between the positive electrode of the rectifier 72 and the anode 65, and a switch as a switching device is provided in the middle of the wiring 74A between the positive electrode of the rectifier 74 and the anode 65.
  • the switches 81 to 84 may be mechanical switches or semiconductor switches, respectively.
  • the switches 83 and 84 are opened, the switches S81 and 82 are closed, the rectifiers 71 and 72 and the anode 65 on the surfaces S1 and S2 are connected, respectively, and the surfaces S1 ,
  • the deposition current is supplied to the surfaces S1 and S2 from the anode 65 on the S2 side via the plating solution, respectively.
  • the switch 81 is opened, the switch 83 is closed, the rectifier 73 and the anode 65 on the surface S1 side are connected, and the plating solution is passed from the anode 65 on the surface S1 side.
  • a protective current is supplied to the front surface S1.
  • the switch 82 When the plating of the surface S2 is completed first, the switch 82 is opened, the switch 84 is closed, the rectifier 74 and the anode 65 on the surface S2 side are connected, and the plating solution is passed from the anode 65 on the surface S2 side. A protective current is supplied to the front surface S2. Since other configurations are the same as those in the above embodiment, the description thereof will be omitted. If the surface where plating is completed first is always oriented in the same direction in the plating tank, the rectifier 73 or 74 for the protection current on the side where plating is completed later and the related configuration (switching device, etc.) May be omitted.
  • the rectifier for the protection current is provided separately from the rectifier for the film formation current, a separate rectifier for the protection current is used to obtain a highly accurate protection current according to the range of use of the protection current. It is easy to control the output.
  • FIG. 12 is a schematic configuration diagram showing a connection example of the rectifier according to the third embodiment.
  • the rectifier 73 (74) for a single protection current can be switched to the surface S1 side and the surface S2 side for output.
  • one of the rectifiers 73 and 74 for the protection current in FIG. 11 is omitted.
  • FIG. 12 shows a case where the rectifier 74 is omitted and the rectifier 73 switches to the surface S1 side and the surface S2 side for output.
  • the positive electrode of the rectifier 73 and the anode 65 on the surface S2 side are connected by the wiring 73C, and the switch 83A as a switching device is provided in the middle of the wiring 73C.
  • the switch 83A may be a mechanical switch or a semiconductor switch.
  • the switches 83 and 83A When supplying a film forming current to the surfaces S1 and S2, the switches 83 and 83A are opened, the switches S81 and 82 are closed, the rectifiers 71 and 72 and the anode 65 on the surfaces S1 and S2 are connected, respectively, and the surfaces S1 , The deposition current is supplied to the surfaces S1 and S2 from the anode 65 on the S2 side via the plating solution, respectively.
  • the switch 81 is opened, the switch 83 is closed with the switch 83A open, the rectifier 73 and the anode 65 on the surface S1 side are connected, and the anode on the surface S1 side is connected.
  • a protective current is supplied from 65 to the surface S1 via the plating solution.
  • the switch 82 When the plating of the surface S2 is completed first, the switch 82 is opened, the switch 83A is closed with the switch 83 open, the rectifier 73 and the anode 65 on the surface S2 side are connected, and the anode on the surface S2 side is connected. A protective current is supplied from 65 to the surface S2 via the plating solution.
  • the protection current is applied to the surface for which plating is completed first from the rectifier 73 for a single protection current. Can be output.
  • the rectifier 73 for a single protection current can output the protection current to the surface to be plated first. it can. Therefore, the protection current can be output to any surface without preparing a rectifier for the protection current for each surface. As a result, when an individual rectifier for the protection current is used, the protection current can be output to any surface while suppressing the additional configuration.
  • the first embodiment is a method for performing plating, in which a step of preparing a substrate having different patterns on the first surface and the second surface and a step of preparing the first surface and the second surface of the substrate.
  • the first plating current density or the second plating current density supplied during plating to the surface on which the plating is completed first is supplied to the surface on which the plating is completed first.
  • a method is provided that comprises the step of supplying a protection current with a current density lower than the plating current density.
  • the protection current is a current whose purpose is to suppress corrosion of the plating material and further metal precipitation (additional plating) on the surface where plating is completed first, and the current (density) value of the protection current is this current.
  • the current (density) value is set within a range in which the object can be achieved and is small compared to the value of the film formation current (density).
  • the time when the plating is completed is the time when the film formation period of the target surface to be plated is completed, in other words, the time when it becomes necessary to stop further plating on the target surface to be plated.
  • the plating film thickness to be plated on the first surface and the second surface is different from each other.
  • the current density of the protection current is changed according to the aperture ratio of the surface on which the plating is completed first.
  • the corrosion suppression effect and / or the additional plating suppression effect due to the protection current changes according to the aperture ratio of the surface to be plated. Therefore, the plating quality can be more reliably maintained by changing the protection current to a more appropriate magnitude according to the aperture ratio so as to minimize or reduce the surface roughness of the plating film surface. As a result, it is possible to supply a more appropriate protection current according to the substrate specifications and minimize or reduce the surface roughness of the plating film.
  • the first plating current density or the second plating current density with respect to the first surface or the second surface on which the plating is completed first The current and the protection current for the first surface or the second surface for which the plating is completed first are supplied from the common power supply device, and the current for the first surface or the second surface for the common power supply device.
  • the set current value of the above and the set current value of the protection current are corrected by different current correction coefficients.
  • the set current value differs greatly between the plating current (deposition current) supplied during plating and the protection current supplied after plating is completed. Therefore, when the film formation current and the protection current are supplied by the same power supply device, the accuracy of the output current may not be sufficient. In this case, variations in the plating film thickness during film formation, insufficient protection current (corrosion generation) during corrosion protection by the plating solution, and excess protection current (abnormal plating film thickness due to additional plating and / or deterioration of uniformity) occur. there's a possibility that. Therefore, a desired actual current value can be output by correcting the indicated current value with different current correction coefficients in each of the current usage ranges of the film forming current and the protection current.
  • the current of the first plating current density or the second plating current density with respect to the first surface or the second surface where plating is completed first Is supplied from the first power supply device, and the protection current for the first surface or the second surface where plating is completed first is supplied from the second power supply device.
  • the protection current from the second power supply device depends on which of the first surface and the second surface finishes plating first.
  • the supply destination is switched between the first surface and the second surface of the substrate.
  • the protection current can be supplied from the single power supply device to the surface where the plating is completed first. Therefore, it is not necessary to provide a power supply device for the protection current on each surface, and the installation space and / or cost can be suppressed.
  • the surface in the step of supplying the protection current to the surface on which the plating is completed first, the surface is opposed to the surface on which the plating is completed first.
  • the plating solution is agitated by the paddles arranged in the above.
  • the smoothness of the plating film surface can be maintained by convection and homogenizing the plating solution by stirring the paddle and bringing the uniform plating solution into contact with the plating film surface.
  • the current density of the protection current is the first plating current density or the first plating current density supplied during plating to the surface on which the plating is completed first. It is 1/100 or less of the second plating current density.
  • the protection current (density) to 1/100 or less of the film formation current (density)
  • corrosion of the plating film surface is prevented while suppressing additional precipitation on the surface where plating is completed earlier. It can be suppressed.
  • the ninth aspect it is a device for performing plating, and includes a plating tank for plating a substrate and a control device for controlling plating in the plating tank, and the control device is provided.
  • Currents of the first plating current density and the second plating current density are supplied to the first surface and the second surface of the substrate, respectively, so that plating films are formed on the first surface and the second surface, respectively. It is configured, and after the plating of either the first surface or the second surface is completed first, the surface where the plating is completed first is being plated on the surface where the plating is completed first.
  • An apparatus is provided that is configured to supply a protection current with a current density lower than the first plating current density or the second plating current density to be supplied.
  • the control device is configured to change the current density of the protection current according to the aperture ratio of the surface on which plating is completed first.
  • the current of the first plating current density or the second plating current density with respect to the first surface or the second surface where the plating is completed first Further comprising a common power supply device for supplying the protection current to the first surface or the second surface to which the plating is completed first, the control device is the first surface or the said to the common power supply device.
  • the set current value of the current with respect to the second surface and the set current value of the protection current are corrected by different current correction coefficients.
  • the current of the first plating current density or the second plating current density is supplied to the first surface or the second surface where plating is completed first.
  • a first power supply device for this purpose and a second power supply device for supplying the protection current to the first surface or the second surface for which plating is completed first are further provided.
  • a switching device capable of switching the supply destination of the protection current from the second power supply device between the first surface and the second surface of the substrate is provided. Further prepare.
  • it is a non-volatile storage medium for storing a program for operating a computer to execute a control method of a device for plating, with respect to the first and second surfaces of a substrate.
  • It also provides a non-volatile storage medium for storing programs, including providing a protection current with a small current density.
  • Patent Document 1 JP-A-2019-007075
  • Patent Document 2 JP-A-2016-74975
  • Plating equipment 1 Plating equipment 12 Cassette table 14 Aligner 16 Spin dryer 20 Substrate attachment / detachment part 22 Substrate transfer device 24 Stocker 26 Pre-wet tank 28 Pre-soak tank 30a First water washing tank 30b Second water washing tank 32 Blow tank 34 Plating tank 38 Plating cell 36 Overflow tank 18 Board holder 18A, 18B External connection electrode 34 Plating tank 38 Plating cell 61 Paddle 62 Paddle shaft 63 Regulation plate 64 Anode unit 65 Anode 66 Anode holder 71, 72, 73, 74 Rectifier (power supply) 81, 82, 83, 83a, 84 switches

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Abstract

めっきを行うための方法であって、　第１面及び第２面が異なるパターンを有する基板を準備する工程と、　前記基板の前記第１面及び前記第２面に対して、それぞれ第１めっき電流密度及び第２めっき電流密度の電流を供給して、前記第１面及び前記第２面にそれぞれめっき膜を形成するめっき工程と、　前記第１面及び前記第２面の何れかの面のめっきが先に完了した後、前記めっきが先に完了した面に対して、前記めっきが先に完了した面にめっき中に供給する前記第１めっき電流密度又は前記第２めっき電流密度よりも小さい電流密度の保護電流を供給する工程と、を含む、方法。

Description

めっき方法、めっき装置、プログラムを記憶する不揮発性の記憶媒体
　本発明は、めっき方法、めっき装置、プログラムを記憶する不揮発性の記憶媒体に関する。
　従来、半導体ウェハ等の表面に設けられた微細な配線用溝、ホール、又はレジスト開口部に配線を形成したり、半導体ウェハ等の表面にパッケージの電極等と電気的に接続するバンプ（突起状電極）を形成したりすることが行われている。このような配線及びバンプを形成する方法として、例えば、電解めっき法、蒸着法、印刷法、ボールバンプ法等が知られている。近年の半導体チップのＩ／Ｏ数の増加、細ピッチ化に伴い、微細化が可能で性能が比較的安定している電解めっき法が多く用いられるようになってきている。
　電解めっき装置として、例えば、特開２０１９－００７０７５号公報（特許文献１）に記載されたような両面めっきを行うものが知られている。このめっき装置では、基板ホルダの第１外部接続部及び第２外部接続部から基板の各面に互いに異なる電流を流して各面をめっきすることが可能である。また、特開２０１６－７４９７５号公報（特許文献２）には、めっき前あるいはめっき終了後にアノード－基板間に順方向の第２の電圧を印加してめっき時とは逆方向の電流が流れることを防止し、銅めっき膜の溶解を防ぐことが記載されている。
特開２０１９－００７０７５号公報 特開２０１６－７４９７５号公報
　特許文献１のめっき装置では、基板の一方の面のめっきが完了した後、他方の面のめっきが完了して基板を引き上げるまでの間、先にめっきが完了した一方の面のめっき膜がめっき液との接触により腐食する問題がある。特許文献２のめっき装置は、両面めっきを対象としたものではない。また、ダイオードを設けることにより、逆方向の電流が流れることを防止したとしても、銅めっき液が強酸であることにより、めっき膜表面が腐食して表面粗さが増大するおそれがある。
　本発明の目的は、上述した課題の少なくとも一部を解決することである。
　本発明の一側面によれば、　めっきを行うための方法であって、　第１面及び第２面は異なるパターンを有する基板を準備する工程と、　前記基板の前記第１面及び前記第２面に対して、それぞれ第１めっき電流密度及び第２めっき電流密度の電流を供給して、前記第１面及び前記第２面にそれぞれめっき膜を形成するめっき工程と、　前記第１面及び前記第２面の何れかの面のめっきが先に完了した後、前記めっきが先に完了した面に対して、前記めっきが先に完了した面にめっき中に供給する前記第１めっき電流密度又は前記第２めっき電流密度よりも小さい電流密度の保護電流を供給する工程と、を含む、方法が提供される。
本実施形態に係るめっき装置の全体配置図である。 めっき槽を側方からみた模式図である。 開口率の異なる基板ごとに、保護電流の大きさと表面粗さとの関係を測定した実験結果を示すグラフである。 開口率と、表面粗さが最小となる保護電流の大きさとの関係を示すグラフである。 成膜電流の電流使用範囲における指示電流値に対する測定電流値（実電流値）の測定例を示すグラフである。 保護電流の電流使用範囲における指示電流値に対する測定電流値（実電流値）の測定例を示すグラフである。 電流範囲ごとの電流補正係数の設定値の例を示す図である。 電流補正係数のデータベース構成例である。 保護電流供給処理を示すタイムチャートである。 保護電流供給処理を示すフローチャートである。 めっき液中に基板を浸漬させた後のめっき膜表面状態（保護電流なしの場合）を示す撮影画像である。 めっき液中に基板を浸漬させた後のめっき膜表面状態（最適保護電流密度の場合）を示す撮影画像である。 めっき液中に基板を浸漬させた後のめっき膜表面状態（保護電流不足の場合）を示す撮影画像である。 めっき液中に基板を浸漬させた後のめっき膜表面状態（保護電流過剰の場合）を示す撮影画像である。 第２実施形態に係る整流器の接続例を示す概略構成図である。 第３実施形態に係る整流器の接続例を示す概略構成図である。
　以下、より詳細な実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一または相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
　（第１実施形態）
　図１は、本実施形態に係るめっき装置の全体配置図を示す。図１を参照すると、めっき装置１には、半導体ウェハ等の基板を収納したカセット１０を搭載する２台のカセットテーブル１２と、基板のオリフラ（オリエンテーションフラット）やノッチなどの位置を所定の方向に合わせるアライナ１４と、載置された基板ホルダ１８に対して基板の着脱を行う基板着脱部２０と、めっき処理後の基板を高速回転させて乾燥させるスピンドライヤ１６と、が備えられている。これらのユニットの略中央には、これらのユニット間で基板を搬送する、例えば搬送用ロボットである基板搬送装置２２が配置されている。基板は、半導体ウェハ、プリント基板、液晶基板、ＭＥＭＳ等の任意の基板であり得る。基板は、円形、角形（多角形）、その他任意の形状であってよい。基板の表面には、パターン（凹凸）が形成されている。「パターン」とは、配線を形成するためのビア又はトレンチ、あるいはバンプや再配線、電極パッドを形成するためのレジストパターン、絶縁膜のパターンなどのことを指す。
　基板着脱部２０は、レール５０に沿って水平方向にスライド可能な平板状の載置プレート５２を備えている。基板搬送装置２２は、２個の基板ホルダ１８が水平状態で並列に載置プレート５２に載置された状態で、一方の基板ホルダ１８と基板の受渡しを行う。その後、基板搬送装置２２は、載置プレート５２を水平方向にスライドさせて、他方の基板ホルダ１８と基板の受渡しを行う。
　また、めっき装置１には、基板ホルダ１８の保管及び仮置きを行うためのストッカ２４、基板を純水に浸漬させるためのプリウェット槽２６、基板の表面に形成したシード層表面の酸化膜をエッチング除去するためのプリソーク槽２８、基板の表面を純水等で水洗するための第１の水洗槽３０ａ、洗浄後の基板の水切りを行うためのブロー槽３２、基板の表面を純水等で水洗するための第２の水洗槽３０ｂ、及びめっき槽３４が配置されている。各ユニットの配置は図示のものに限定されず、他の構成及び配置を採用することができる。
　めっき槽３４は、オーバーフロー槽３６と、この内部に収納された複数のめっきセル３８とを備えている。各めっきセル３８は、基板を保持した基板ホルダ１８を内部に収納して、銅めっき等のめっき処理を行う。なお、この例では、銅めっきについて説明するが、ニッケルやはんだ、銀、金等のめっきにおいても同様のめっき装置１を用いることができる。また、オーバーフロー槽３６の側方には、各めっきセル３８の内部に位置しめっき液を攪拌するパドル６１（図２参照）を駆動するパドル駆動装置４６が配置されている。
　めっき装置１には、基板ホルダ１８を基板Ｗとともに搬送する基板ホルダ搬送装置４０が備えられている。基板ホルダ搬送装置４０は、例えばリニアモータ方式であり、基板着脱部２０及び上記各槽の側方に位置する。基板ホルダ搬送装置４０は、第１のトランスポータ４２及び第２のトランスポータ４４を有している。第１のトランスポータ４２は、基板着脱部２０とストッカ２４との間で基板を搬送する。第２のトランスポータ４４は、ストッカ２４、プリウェット槽２６、プリソーク槽２８、水洗槽３０ａ，３０ｂ、ブロー槽３２及びめっき槽３４との間で基板を搬送する。なお、上記搬送経路は、一例であり、第１のトランスポータ４２及び第２のトランスポータ４４の各々は、他の搬送経路を採用することも可能である。また、第２のトランスポータ４４を備えることなく、第１のトランスポータ４２のみを備えるようにしてもよい。
　制御装置１２０は、上述しためっき装置の各部の動作を制御することにより、基板処理動作を制御する。制御装置１２０は、各種の設定データ及び各種のプログラムを格納したメモリ１２０Ａと、メモリのプログラムを実行するＣＰＵ１２０Ｂと、を有する。メモリを構成する記憶媒体は、揮発性の記憶媒体及び／又は不揮発性の記憶媒体を含むことができる。記憶媒体は、例えば、ＲＯＭ、ＲＡＭ、フラッシュメモリ、ハードディスク、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ－ＲＯＭ、フレキシブルディスクなどの任意の記憶媒体の１又は複数を含むことができる。メモリが格納するプログラムは、例えば、基板のめっき処理を制御するプログラム、基板及び基板ホルダの搬送制御を制御するプログラムを含む。また、制御装置１２０は、めっき装置及びその他の関連装置を統括制御する図示しない上位コントローラと通信可能に構成され、上位コントローラが有するデータベースとの間でデータのやり取りをすることができる。なお、制御装置１２０、及び／又は、他の１又は複数の制御部が協働又は単独で、めっき装置の各部の動作を制御するようにしてもよい。制御装置１２０、制御装置３９（後述）及び他の１又は複数の制御部は、プログラムで実現される機能の少なくとも一部を、シーケンサ及び／又はＡＳＩＣ等のハードウェアで構成してもよい。
　図２は、めっき槽を側方からみた模式図である。同図では、説明の便宜上、めっき槽３４の１つのめっきセル３８の部分を代表的に示し、また、オーバーフロー槽３６を省略して示す。めっきセル３８には、基板Ｗを保持する基板ホルダ１８が搬入され、めっき液Ｑに浸漬される。ここでは、基板ホルダ１８は、基板Ｗの両面Ｓ１、Ｓ２を露出する開口部を有し、基板Ｗの両面Ｓ１、Ｓ２にめっきを施すための両面めっき用の基板ホルダである。基板Ｗの各面Ｓ１、Ｓ２には、めっき膜を形成すべき位置に開口が形成されたレジストパターンが形成されている。以下の説明では、説明の便宜上、基板Ｗの面Ｓ１を表面、面Ｓ２を裏面として言及する場合があるが、面Ｓ１、Ｓ２の何れが表面であってもよく、面Ｓ２が裏面、面Ｓ１が裏面であってもよい。基板ホルダ１８は、基板Ｗの面Ｓ１のシード層（めっき下地）に接触するコンタクトに電気的に接続された外部接続端子１８Ａと、基板Ｗの面Ｓ２のシード層に接触するコンタクトに電気的に接続された外部接続端子１８Ｂとを備えている。本実施形態では、めっき液Ｑは、銅めっき用の薬液であり、例えば、硫酸銅溶液である。他の例では、めっき液Ｑは、他の金属をめっきするための薬液とすることもできる。
　めっき槽３４には、基板ホルダ１８の両側となる位置において、パドル６１と、レギュレーションプレート６３と、アノード６５とが配置されている。パドル６１は、パドルシャフト６２に取り付けられ、基板ホルダ１８に保持された基板Ｗの近傍に配置されている。パドル６１は、パドル駆動装置４６によりパドルシャフト６２が往復移動されることにより基板Ｗの面に平行に往復移動を行い、めっき液Ｑを攪拌する。めっき液Ｑをパドル６２で攪拌することで、十分な銅イオンを基板Ｗの表面に均一に供給することができる。アノード６５は、アノードホルダ６６に保持されて配置されている。なお、アノード６５及びアノードホルダを備える構成をアノードユニット６４として言及する場合がある。レギュレーションプレート６３は、電場調整プレートの一例であり、パドル６１とアノード６５との間に配置され、基板Ｗとアノード６５との間の電場／電流の流れを調整する。
　面Ｓ１側のアノードユニット６４と基板ホルダ１８とには、整流器７１が接続されている。整流器７１は、交流電流を直流電流に変換するための整流回路又は電源回路を含む機器（電源装置）であり、設定された電流値に対応する直流電流を出力する。基板ホルダ１８の外部接続端子１８Ａは、配線７１Ｂを介して整流器７１の負極（低電位側）に接続されている。面Ｓ１側において、アノード６５は、アノードホルダ６６内に配置された配線等を介して、整流器７１の正極（高電位側）からの配線７１Ａと電気的に接続されている。面Ｓ１側において、整流器７１は、アノード６５、めっき液Ｑ、基板Ｗの面Ｓ１を通る電流ループを形成し、整流器７１は、アノード６５、めっき液Ｑ、基板Ｗの面Ｓ１を通るめっき電流（成膜電流）及び／又は保護電流（後述）を供給することが可能である。
　面Ｓ２側のアノードユニット６４と基板ホルダ１８とには、整流器７２が接続されている。整流器７２は、交流電流を直流電流に変換するための整流回路又は電源回路を含む装置（電源装置）であり、設定された電流値に対応する直流電流を出力する。基板ホルダ１８の外部接続端子１８Ｂは、配線７２Ｂを介して整流器７２の負極（低電位側）に接続されている。面Ｓ２側において、アノード６５は、アノードホルダ６６内に配置された配線等を介して、整流器７２の高電位側からの配線７２Ａと電気的に接続されている。面Ｓ２側において、整流器７２は、アノード６５、めっき液Ｑ、基板Ｗの面Ｓ２を通る電流ループを形成し、整流器７２は、アノード６５、めっき液Ｑ、基板Ｗの面Ｓ２を通るめっき電流（成膜電流）及び保護電流（後述）を供給することが可能である。
　整流器７１、７２は、制御装置３９によって制御される。制御装置３９は、制御装置１２０からの指示により及び／又は制御装置１２０と協働して、整流器７１、７２の制御を行うことができる。
　なお、先にめっき完了する面のめっき槽３４における向きが分かっている場合には、先にめっき完了する面に接続される整流器７１又は７２が保護電流を供給する機能を有していればよい。整流器７１、７２は、個別の装置として構成されてもよく、単一の装置として構成されてもよい。他の例では、整流器７１、７２は、直流電圧を所定電圧範囲の直流電圧に変換する電源回路を含み、設定された電流値に対応する直流電流を出力する機器（電源装置）に置き換えられてもよい。
　（保護電流）
　基板Ｗの面Ｓ１及びＳ２が異なるパターン（異なる形状、異なる深さ）を有する場合、面Ｓ１と面Ｓ２とでめっき完了時点が異なる場合がある。例えば、面Ｓ１と面Ｓ２のパターンが異なっている場合、各面の目標めっき膜厚が異なり、さらに各面を異なるめっき電流（密度）及びめっき時間でめっきすることが好ましい。このような場合に、先にめっきが完了した面（例えば面Ｓ１）は、この面へのめっき電流（成膜電流）が停止された状態で他方の面（例えば面Ｓ２）におけるめっきが完了し、基板Ｗがめっき液から引き上げられるまでの間、めっき液中において待機することになる。この待機期間中に、面Ｓ１のめっき膜表面が、強い酸性を有するめっき液（硫酸銅溶液等）で腐食され、めっき膜表面の表面粗さが大きくなるおそれがある。一方、腐食を防止するために、両面のめっきが同時に終了するようにめっき電流（密度）及びめっき時間を選択するという方法も考えられるが、この場合は各面におけるめっきに最適な処理条件とはなり難い。そこで、本実施形態では、先にめっきが完了する面に対して、そのめっき完了後に、めっき膜の保護のために、めっき中の成膜電流と同一方向の微小な保護電流（図８のＩｐ）を流す制御を行う。この保護電流により、めっき膜上に追加の金属が析出することを抑制しつつ、めっき膜の金属がめっき液中に溶け出すことを抑制する。
　（保護電流密度の設定例）
　保護電流Ｉｐは、先にめっきが完了する面Ｓ１／Ｓ２のめっき完了時（成膜電流停止時）から基板引き上げ時までの待機期間の間において、先にめっきが完了する面Ｓ１／Ｓ２のめっき膜の腐食を抑制し、且つ、その面Ｓ１／Ｓ２に更に金属が析出すること（追加めっき）を抑制することが可能な電流値とする。一例では、保護電流Ｉｐは、面Ｓ１／Ｓ２のめっき中（成膜中）に流す電流Ｉ１と同一方向で、かつ、電流Ｉ１の１／１００程度ないし１／１００以下の大きさの電流とする。
　成膜電流停止後にめっき液中で待機する基板Ｗの面Ｓ１におけるめっき膜表面の表面粗さは、その面Ｓ１の開口率（基板ホルダから露出される基板面積に対するめっき膜が形成される面積の割合）の大きさに影響を受けるため、開口率の大きさに応じて保護電流の大きさを決定する必要がある。以下、開口率の大きさに応じて、保護電流の大きさを決定する方法の例を図３及び図４を参照して説明する。
　図３は、開口率の異なる基板ごとに、保護電流の大きさと表面粗さとの関係を測定した実験結果を示すグラフである。この例では、保護電流を流しながら、めっき膜が形成された基板をめっき液中に所定時間浸漬させた後に引き上げて、めっき膜の表面粗さＲａ（算術平均粗さ）を測定した。図４は、開口率と、表面粗さが最小となる保護電流の大きさとの関係を示すグラフである。
　図３において、横軸は保護電流密度（保護電流の大きさ）を示し、縦軸は表面粗さＲａを示す。円形の測定点及び破線で示される曲線は、開口率ＯＰ＝２０％でめっき膜が形成された面における測定結果である。四角形の測定点及び実線で結ばれた曲線は、開口率ＯＰ＝１００％で形成されためっき膜が形成された面に対する測定結果である。図３より、ＯＰ＝２０％のめっき膜では、保護電流密度が約０．０２５５Ａ／ｄｍ２で表面粗さＲａが最小となり、ＯＰ＝１００％で形成されためっき膜では、保護電流密度が約０．０１５Ａ／ｄｍ２で表面粗さが最小となる。他の開口率ＯＰの値に対しても、同様に表面粗さを測定し、表面粗さが最小となる保護電流密度を求める。
　図４は、それらの測定結果に基づいて、各開口率ＯＰに対して、めっき膜の表面粗さＲａが最小となる保護電流密度の大きさを図示したものである。同図より分かるように、表面粗さＲａを最小化するためには、開口率ＯＰが小さいほど保護電流密度を大きくする必要があり、開口率ＯＰが大きいほど、保護電流密度を小さくする必要がある。図４の曲線に示すような、表面粗さＲａが最小となる開口率と保護電流密度の大きさとの関係を示す関係式又はデータテーブルを予め実験により求め、メモリ等に記憶しておくことにより、複数種類の基板仕様に応じた保護電流の大きさの設定が可能になる。なお、表面粗さＲａが最小になる保護電流の大きさに限らず、表面粗さＲａが許容範囲となるように保護電流の大きさを決定してもよい。
　具体的には、表面粗さＲａが最小となる開口率と保護電流密度の大きさとの関係を示す関係式又はテーブルを制御装置３９及び／又は１２０のメモリ等に記憶しておき、レシピ等で設定された開口率ＯＰ、又は、上位通信又はユーザインターフェースから受け取った基板情報又はパターン形状の画像認識による開口率ＯＰに基づいて、上記関係式又はテーブルから保護電流密度を決定することにより、保護電流密度に対応する保護電流の大きさを自動的に設定することができる。
　（電流制御）
　各整流器は、固有の機械誤差を有することが知られており、制御装置３９及び／又は１２０において、整流器に出力する設定電流値を式（１）の関係式を用いて補正し、補正後の設定電流値を指示電流値として整流器に対して出力することが行われる。
　（指示電流値）＝ａ×（設定電流値）＋ｂ　　　　（１）
ここで、ａ、ｂは電流補正係数である。
　また、共通の整流器から成膜電流（めっき中）と保護電流（めっき後）とを出力する場合、成膜電流と保護電流とは設定電流値が大きく違うため、同じ整流器からの出力では精度を確保することが困難な場合があり、成膜時のめっき膜厚のばらつき、及び／又は、めっき液による腐食保護時の保護電流不足（腐食発生）又は保護電流過剰（追加めっきによるめっき膜厚異常、均一性悪化）が発生する可能性がある。そこで、電流補正係数ａ、ｂは、成膜電流の電流使用範囲（図５Ａ）と保護電流の電流使用範囲（図５Ｂ）とについて、別々に設定することが好ましい。
　図５Ａは、成膜電流の電流使用範囲における指示電流値に対する測定電流値（実電流値）の測定例を示すグラフである。図５Ｂは、保護電流の電流使用範囲における指示電流値に対する測定電流値（実電流値）の測定例を示すグラフである。図６は、電流範囲ごとの電流補正係数の設定値の例を示す図である。図５Ａ及び図５Ｂに示す測定結果から、測定電流値（実電流値）と指示電流値との関係を求めることができる。設定電流値は、所望の測定電流値に対応して決定されるものであるため、図５Ａ及び図５Ｂに示す測定結果において、測定電流値を設定電流値に置き換え、設定電流値と指示電流値との関係を算出し、これにより、式（１）の補正係数ａ，ｂを算出することができる。図５Ａ及び図５Ｂに示す測定結果から電流補正係数ａ，ｂは、図６に示すように算出される。算出された補正係数を用いて式（１）を表すと、以下のようになる。
＜成膜電流使用範囲＞
　（指示電流値）＝0.9998×（設定電流値）－0.0345　　　　（２）
＜保護電流使用範囲＞
　（指示電流値）＝0.9971×（設定電流値）－0.0105　　　　（３）
　つまり、制御装置３９又は１２０は、レシピ等により設定された設定電流値を、上記式（２）、（３）により指示電流値に補正した後に、指示電流値を整流器に出力することにより、整流器から所望の設定電流値に対応する実電流値が出力されることになる。
　図７は、電流補正係数のデータベース構成例である。電流補正係数ａ，ｂは、図７に示すように、整流器ごとに、成膜電流及び保護電流の各電流使用範囲について、予め実験により求め、上記関係式を制御装置３９及び／又は１２０のメモリ等に記憶させておく。そして、制御装置１２０及び／又は３９は、整流器及び電流使用範囲に応じた関係式（式（２）、式（３））を使用して、設定電流値を指示電流値に補正し、対応する整流器に出力する。これにより、共通の整流器を使用して成膜電流及び保護電流を出力する場合に、電流使用範囲に応じた適切な指示電流値を出力することができ、実電流値を精度よく制御することができる。
　（制御フロー）
　図８は、保護電流供給処理のタイムチャートである。図９は、保護電流供給処理を示すフローチャートである。この処理は、制御装置３９及び／又は１２０により実行される。なお、制御装置３９、制御装置１２０、及び／又は、他の１又は複数の制御部が協働又は単独で、この処理を実行するようにしてもよい。図８において、上段のグラフは面Ｓ１に流す電流を示し、下段のグラフは面Ｓ２に流す電流を示す。各グラフにおいて、横軸は時刻であり、縦軸は電流を示す。
　ステップＳ１１では、めっき槽３４のめっき液中に浸漬された基板Ｗに対して、基板Ｗの両面Ｓ１、Ｓ２のめっきを開始する（図８の時刻ｔ１）。このとき、制御装置３９及び／又は１２０は、予め設定された電流補正係数ａ，ｂ（式（２）、図７）を使用して設定電流値を補正した指示電流値を各電源装置７１、７２に出力し、各電源装置７１、７２からそれぞれ成膜電流Ｉ１、Ｉ２が出力される。なお、図８において、説明の便宜上成膜電流Ｉ１、Ｉ２は一定値で表示されているが、実際にはレシピの設定に応じて成膜電流の値は時間とともに変化する場合がある。
　ステップＳ１２では、一方の面（この例では、面Ｓ１）のめっきが完了したか否かを判定する。何れの面のめっきも完了していなければ、両面Ｓ１、Ｓ２に対するめっきを継続する。一方の面Ｓ１のめっきが完了した判定した場合（図８の時刻ｔ２）には、ステップＳ１３に移行する。めっきの完了は、例えば、レシピで設定されためっき時間の経過に基づいて判定される。
　ステップＳ１３では、めっき完了後の面Ｓ１に対して、上述のように設定された保護電流Ｉｐを整流器７１から出力することを開始する（図８の上段、時刻ｔ２）。このとき、制御装置３９及び／又は１２０は、上位通信から取得又はレシピで設定された開口率ＯＰと、開口率と保護電流の関係式又はテーブル（図４）を用いて保護電流密度を決定して、決定された保護電流密度に対応する保護電流値Ｉｐを求め、その保護電流値Ｉｐを設定電流値として上述の電流補正係数ａ，ｂ（式（３）、図７）を使用して指示電流値を算出し、対応する整流器７１に指示電流値を出力する。また、十分な平滑面を得るために、めっき完了後の保護電流出力中も、面Ｓ１側のパドル６１によるめっき液Ｑの攪拌を継続する。なお、面Ｓ２のめっきが先に完了する場合には、面Ｓ２に対して前記同様に整流器７２から保護電流を出力する。面Ｓ２側の保護電流値も、面Ｓ１側と同様に取得することができる。何れの面Ｓ１、Ｓ２のめっきが先に完了するかは、レシピのデータに基づいて判断することが可能である。
　ステップＳ１４では、後にめっき完了する他方の面（この例では、面Ｓ２）のめっきが完了したか否かを判定する。面Ｓ２のめっきが完了していなければ、面Ｓ１に対する保護電流の出力及び面Ｓ１側のパドルによる攪拌を継続する。なお、後にめっき完了する他方の面が面Ｓ１である場合には、面Ｓ１のめっきが完了したか否かを判定し、完了していなければ、面Ｓ２に対する保護電流の出力及び面Ｓ２側のパドルによる攪拌を継続する。一方、後にめっき完了する他方の面のめっきが完了したと判定した場合（図８の時刻ｔ３）には、ステップＳ１５に移行する。
　ステップＳ１５では、先にめっき完了した面Ｓ１に対する保護電流の出力を停止し（図８の上段、時刻ｔ３）、面Ｓ１側のパドルによる攪拌を停止する。なお、先にめっき完了した面が面Ｓ２である場合には、面Ｓ２に対する保護電流の出力を停止し、面Ｓ２側のパドルによる攪拌を停止する。その後、基板Ｗをめっき槽３４から引き上げる。
　（実施例）
　図１０Ａから図１０Ｄは、レジストパターンを有する基板上に銅めっきを成膜電流５ＡＳＤで５μｍ施した後、１時間めっき液中で浸漬させてめっき膜表面状態を撮像した画像である。図１０Ａは、めっき液浸漬中に保護電流を流さない場合の撮影画像であり、この撮影画像から、めっき膜３００が腐食されていることが分かる。図１０Ｂは、めっき液浸漬中に適切な電流密度の保護電流を流した場合の撮像画像であり、この撮影画像からめっき膜３００の腐食が防止されていることが分かる。図１０Ｃは、めっき液浸漬中に過少な保護電流を流した場合の撮像画像であり、この撮影画像からめっき膜３００が腐食されていることが分かる。図１０Ｄは、めっき液浸漬中に過剰な保護電流を流した場合の撮像画像であり、この撮影画像から、めっき膜３００上に金属が析出している（追加のめっきがなされている）ことが分かる。これらの結果から、めっき液中で待機する基板面に適切な保護電流を流すことにより、追加のめっきを防止しつつめっき膜の腐食を防止できることが分かる。
　なお、先にめっきが完了する面をめっき槽内で常に同じ方向に向ける場合には、後でめっきが完了する面の側の整流器７１又は７２における保護電流を出力することに関連する機能を省略してもよい。
　（第２実施形態）
　図１１は、第２実施形態に係る整流器の接続例を示す概略構成図である。上記実施形態では、共通の整流器７１（整流器７２）を用いて面Ｓ１（面Ｓ２）に対する成膜電流及び保護電流の供給を行ったが、図１１に示すように、成膜電流の供給のための整流器７１、７２とは別に、保護電流の供給のための整流器７３、７４をそれぞれ設けてもよい。この場合、整流器７１の正極とアノード６５との間の配線７１Ａの途中に、切替装置としてのスイッチ８１を設け、整流器７３の正極とアノード６５との間の配線７３Ａの途中に、切替装置としてのスイッチ８３を設ける。また、整流器７２の正極とアノード６５との間の配線７２Ａの途中に、切替装置としてのスイッチ８２を設け、整流器７４の正極とアノード６５との間の配線７４Ａの途中に、切替装置としてのスイッチ８４を設ける。スイッチ８１～８４は、それぞれ、機械的なスイッチであっても、半導体スイッチであってもよい。
　面Ｓ１、Ｓ２に成膜電流を供給する場合、スイッチ８３、８４を開放し、スイッチＳ８１、８２を閉じて、整流器７１、７２と面Ｓ１、Ｓ２側のアノード６５とをそれぞれ接続し、面Ｓ１、Ｓ２側のアノード６５からめっき液を介して、それぞれ面Ｓ１、Ｓ２に成膜電流を供給する。面Ｓ１のめっきが先に完了する場合には、スイッチ８１を開放し、スイッチ８３を閉じて、整流器７３と面Ｓ１側のアノード６５とを接続し、面Ｓ１側のアノード６５からめっき液を介して面Ｓ１に保護電流を供給する。面Ｓ２のめっきが先に完了する場合には、スイッチ８２を開放し、スイッチ８４を閉じて、整流器７４と面Ｓ２側のアノード６５とを接続し、面Ｓ２側のアノード６５からめっき液を介して面Ｓ２に保護電流を供給する。他の構成は、上記実施形態と同様であるので、説明を省略する。なお、先にめっきが完了する面をめっき槽内で常に同じ方向に向ける場合には、後でめっきが完了する面の側の保護電流用の整流器７３又は７４及び関連する構成（切替装置等）を省略してもよい。
　本実施形態によれば、保護電流用の整流器を成膜電流用の整流器とは別に設けるため、保護電流用の個別の整流器を用いて、保護電流の使用範囲に応じた精度の高い保護電流の出力制御を行うことが容易である。
　（第３実施形態）
　図１２は、第３実施形態に係る整流器の接続例を示す概略構成図である。本実施形態では、単一の保護電流用の整流器７３（７４）から面Ｓ１側及び面Ｓ２側に切り替えて出力できるように構成されている。これにより、図１１における保護電流用の整流器７３、７４の一方が省略されている。図１２では、整流器７４を省略して、整流器７３から面Ｓ１側及び面Ｓ２側に切り替えて出力する場合を示す。本実施形態では、整流器７３の正極と面Ｓ２側のアノード６５とを配線７３Ｃで接続し、配線７３Ｃの途中に切替装置としてのスイッチ８３Ａを設ける。スイッチ８３Ａは、機械的なスイッチであっても、半導体スイッチであってもよい。
　面Ｓ１、Ｓ２に成膜電流を供給する場合、スイッチ８３、８３Ａを開放し、スイッチＳ８１、８２を閉じて、整流器７１、７２と面Ｓ１、Ｓ２側のアノード６５とをそれぞれ接続し、面Ｓ１、Ｓ２側のアノード６５からめっき液を介して、それぞれ面Ｓ１、Ｓ２に成膜電流を供給する。面Ｓ１のめっきが先に完了する場合には、スイッチ８１を開放し、スイッチ８３Ａを開放したままスイッチ８３を閉じて、整流器７３と面Ｓ１側のアノード６５とを接続し、面Ｓ１側のアノード６５からめっき液を介して面Ｓ１に保護電流を供給する。面Ｓ２のめっきが先に完了する場合には、スイッチ８２を開放し、スイッチ８３を開放したままスイッチ８３Ａを閉じて、整流器７３と面Ｓ２側のアノード６５とを接続し、面Ｓ２側のアノード６５からめっき液を介して面Ｓ２に保護電流を供給する。
　本実施形態によれば、基板Ｗの面Ｓ１、Ｓ２の何れが先にめっき完了する場合であっても、単一の保護電流用の整流器７３から、先にめっき完了する面に対して保護電流を出力することができる。言い換えれば、先にめっきが完了する面がめっき槽内でどの向きに配置されても、単一の保護電流用の整流器７３から、先にめっき完了する面に対して保護電流を出力することができる。よって、保護電流用の整流器を各面ごとに準備することなく、何れの面にも保護電流を出力することができる。これにより、保護電流用の個別の整流器を使用する場合において、追加する構成を抑制しつつ、何れの面にも保護電流を出力することができる。
　（他の実施形態）
　（１）上記実施形態では、両面めっきの際に先にめっき完了した面に対して保護電流を出力する例を説明したが、両面めっき及び片面めっきの何れにおいても、めっき前や、装置トラブル（搬送機のトラブルなど）により、基板がめっき液に浸漬され続ける状況（非めっき時）において、パドルによりめっき液を攪拌しつつ、基板の両面又は片面に保護電流を出力することにより、基板面の腐食を抑制し、基板上のめっき膜の表面粗さ及び平滑性を維持するようにしてもよい。
　（２）上記実施形態では、銅めっきについて説明したが、他のめっきについても適用可能である。
　（３）上記実施形態では、両面めっきを例に挙げて説明したが上記構成を片面めっきに適用してもよい。
　上記実施形態から少なくとも以下の形態が把握される。
　第１形態によれば、　めっきを行うための方法であって、　第１面及び第２面が異なるパターンを有する基板を準備する工程と、　前記基板の前記第１面及び前記第２面に対して、それぞれ第１めっき電流密度及び第２めっき電流密度の電流を供給して、前記第１面及び前記第２面にそれぞれめっき膜を形成するめっき工程と、　前記第１面及び前記第２面の何れかの面のめっきが先に完了した後、前記めっきが先に完了した面に対して、前記めっきが先に完了した面にめっき中に供給する前記第１めっき電流密度又は前記第２めっき電流密度よりも小さい電流密度の保護電流を供給する工程と、を含む、方法が提供される。「パターン」とは、配線を形成するためのビア又はトレンチ、あるいはバンプや再配線、電極パッドを形成するためのレジストパターン、絶縁膜などのことを指す。保護電流は、めっきが先に完了した面におけるめっき材料の腐食及び更なる金属の析出（追加のめっき）を抑制することを目的とする電流であり、保護電流の電流（密度）値は、この目的を達成可能な範囲かつ成膜電流（密度）の値と比較して微小な電流（密度）値に設定される。めっきの完了時点は、対象とする被めっき面の成膜期間が終了した時点、言い換えれば、対象とする被めっき面において更なるめっきを停止する必要が生じた時点である。
　この形態によれば、基板の両面をめっきする場合に、先にめっきが完了した基板の面が、他方の面のめっきが完了するまでの間にめっき液により腐食されることを抑制することができ、基板の面の表面粗さが大きくなることを抑制できる。また、先にめっきが完了した基板の面におけるめっき材料の腐食及び更なる金属の析出を抑止するため、先にめっきが完了した基板の面の表面粗さが大きくなることを抑制でき、めっき品質を維持することができる。つまり、基板の各面におけるめっき完了時点が異なる場合にも、先にめっきが完了した基板の被めっき面における腐食及び追加めっきを抑制し、めっき膜の品質を維持することができる。
　第２形態によれば、第１形態の方法において、　前記第１面及び前記第２面に対してめっきすべきめっき膜厚が互いに異なる。
　この形態によれば、各面のめっき膜厚が異なることに起因して、何れかの面において先にめっきが完了する場合に、先にめっきが完了した基板の面が、めっき液により腐食されること及び追加めっきされることを抑制することができる。
　第３形態によれば、第１又は２形態の方法において、　前記めっきが先に完了する面の開口率に応じて前記保護電流の電流密度を変更する。
　保護電流による腐食抑制効果及び／又は追加めっき抑制効果は、被めっき面の開口率に応じて変化する。このため、めっき膜表面の表面粗さを最小化ないし低減するように、開口率に応じて保護電流をより適切な大きさに変更することにより、めっき品質をより確実に維持することができる。これにより、基板仕様に応じてより適切な保護電流を供給してめっき膜の表面粗さを最小化ないし低減することができる。
　第４形態によれば、第１乃至３形態の何れかの方法において、　前記めっきが先に完了する前記第１面又は前記第２面に対する前記第１めっき電流密度又は前記第２めっき電流密度の電流と、前記めっきが先に完了する前記第１面又は前記第２面に対する前記保護電流とを共通の電源装置から供給し、　前記共通の電源装置に対する前記第１面又は前記第２面に対する電流の設定電流値、および前記保護電流の設定電流値を、それぞれ、別の電流補正係数で補正する。
　めっき中に供給されるめっき電流（成膜電流）と、めっき完了後に供給される保護電流は、設定電流値が大きく違う。よって、成膜電流と保護電流とを同じ電源装置で供給する場合、出力電流の精度が十分でない可能性がある。この場合、成膜時のめっき膜厚のばらつき、めっき液による腐食保護時の保護電流不足（腐食発生）、保護電流過剰（追加めっきによるめっき膜厚異常、及び／又は、均一性悪化）が発生する可能性がある。そこで、成膜電流及び保護電流の電流使用範囲のそれぞれにおいて、指示電流値を別々の電流補正係数で補正することにより、所望の実電流値を出力することができる。これにより、より精度の高い成膜電流及び保護電流を同じ電源装置から出力することができる。また、同じ電源装置から成膜電流及び保護電流を出力するので、保護電流用の電源装置を別途設ける必要がないため、設置スペース及び／又はコストを低減し得る。
　第５形態によれば、第１乃至３形態の何れかの方法において、めっきが先に完了する前記第１面又は前記第２面に対する前記第１めっき電流密度又は前記第２めっき電流密度の電流を第１電源装置から供給し、めっきが先に完了する前記第１面又は前記第２面に対する前記保護電流を第２電源装置から供給する。
　この形態によれば、成膜電流及び保護電流の電流範囲に対応した個別の電源装置を選択することが可能であり、成膜電流及び保護電流を精度よく出力することができる。
　第６形態によれば、第５形態の方法において、前記第１面及び前記第２面のうち何れの面が先にめっき完了するかに応じて、前記第２電源装置からの前記保護電流の供給先を、前記基板の前記第１面と前記第２面との間で切り替える。
　この形態によれば、基板の種類、プロセスに応じて先にめっきが終了する面が変化した場合、めっき槽中で基板が置かれる向きが不明な場合や変更される場合においても、単一の電源装置の出力先を切り替えることにより、単一の電源装置から先にめっきが終了する面に保護電流を供給することができる。よって、各面ごとに保護電流用の電源装置を設ける必要がなく、設置スペース及び／又はコストを抑制し得る。
　第７形態によれば、第１乃至６形態の何れかの方法において、　前記めっきが先に完了した面に対して前記保護電流を供給する工程では、前記めっきが先に完了した面に対向して配置されたパドルによってめっき液を攪拌する。
　この形態によれば、パドルの攪拌によりめっき液を対流及び均一化し、均一なめっき液をめっき膜表面に接触させることにより、めっき膜表面の平滑性を維持することができる。
　第８形態によれば、第１乃至７形態の何れかの方法において、　前記保護電流の電流密度は、前記めっきが先に完了する面に対してめっき中に供給する前記第１めっき電流密度又は前記第２めっき電流密度の１／１００以下である。
　この形態によれば、保護電流（密度）を成膜電流（密度）の１／１００以下とすることにより、先にめっきが完了した面における追加の析出を抑制しつつ、めっき膜表面の腐食を抑制することができる。
　第９形態によれば、　めっきを行うための装置であって、　基板に対してめっきを行うためのめっき槽と、　前記めっき槽におけるめっきを制御する制御装置と、を備え、　前記制御装置は、　前記基板の第１面及び第２面に対してそれぞれ第１めっき電流密度及び第２めっき電流密度の電流を供給して、前記第１面及び前記第２面にそれぞれめっき膜を形成するように構成され、　前記第１面及び前記第２面の何れかの面のめっきが先に完了した後、前記めっきが先に完了した面に対して、前記めっきが先に完了した面にめっき中に供給する前記第１めっき電流密度又は前記第２めっき電流密度よりも小さい電流密度の保護電流を供給するように構成されている、　装置が提供される。
　この形態によれば、第１形態と同様の作用効果を奏する。
　第１０形態によれば、第９形態の装置において、　前記制御装置は、めっきが先に完了する面の開口率に応じて前記保護電流の電流密度を変更するように構成されている。
　この形態によれば、第３形態と同様の作用効果を奏する。
　第１１形態によれば、第９又は１０形態の装置において、　前記めっきが先に完了する前記第１面又は前記第２面に対する前記第１めっき電流密度又は前記第２めっき電流密度の電流と、前記めっきが先に完了する前記第１面又は前記第２面に対する前記保護電流とを供給する共通の電源装置を更に備え、　前記制御装置は、前記共通の電源装置に対する、前記第１面又は前記第２面に対する電流の設定電流値、および前記保護電流の設定電流値を、それぞれ、別の電流補正係数で補正する。
　この形態によれば、第４形態と同様の作用効果を奏する。
　第１２形態によれば、第９又は１０形態の装置において、　めっきが先に完了する前記第１面又は前記第２面に対する前記第１めっき電流密度又は前記第２めっき電流密度の電流を供給するための第１電源装置と、　めっきが先に完了する前記第１面又は前記第２面に対する前記保護電流を供給するための第２電源装置と、を更に備える。
　この形態によれば、第５形態と同様の作用効果を奏する。
　第１３形態によれば、第１２形態の装置において、　前記第２電源装置からの前記保護電流の供給先を前記基板の前記第１面と前記第２面との間で切り替え可能な切替装置を更に備える。
　この形態によれば、第６形態と同様の作用効果を奏する。
　第１４形態によれば、　めっきをするための装置の制御方法を実行するようにコンピュータを動作させるプログラムを記憶する不揮発性の記憶媒体であって、　基板の第１面及び第２面に対してそれぞれ第１めっき電流密度及び第２めっき電流密度の電流を供給しつつ、前記第１面及び前記第２面にそれぞれめっき膜を形成すること、　前記第１面及び前記第２面の何れかの面のめっきが先に完了した後、前記めっきが先に完了した面に対して、前記めっきが先に完了した面にめっき中に供給する前記第１めっき電流密度又は前記第２めっき電流密度よりも小さい電流密度の保護電流を供給すること、を含むプログラムを記憶する不揮発性の記憶媒体を提供する。
　この形態によれば、第１形態と同様の作用効果を奏する。
　以上、いくつかの例に基づいて本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明には、その均等物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。
　本願は、２０１９年６月１４日出願の日本特許出願番号特願２０１９－１１１３３９号に基づく優先権を主張する。２０１９年６月１４日出願の日本特許出願番号特願２０１９－１１１３３９号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書を含む全ての開示内容は、参照により全体として本願に組み込まれる。　特開２０１９－００７０７５号公報（特許文献１）、特開２０１６－７４９７５号公報（特許文献２）の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書を含む全ての開示は、参照により全体として本願に組み込まれる。
　　１　めっき装置
　１２　カセットテーブル
　１４　アライナ
　１６　スピンドライヤ
　２０　基板着脱部
　２２　基板搬送装置
　２４　ストッカ
　２６　プリウェット槽
　２８　プリソーク槽
　３０ａ　第１の水洗槽
　３０ｂ　第２の水洗槽
　３２　ブロー槽
　３４　めっき槽
　３８　めっきセル
　３６　オーバーフロー槽
　１８　基板ホルダ
　１８Ａ、１８Ｂ　外部接続電極
　３４　めっき槽
　３８　めっきセル
　６１　パドル
　６２　パドルシャフト
　６３　レギュレーションプレート
　６４　アノードユニット
　６５　アノード
　６６　アノードホルダ
　７１、７２、７３、７４　整流器（電源装置）
　８１、８２、８３、８３ａ、８４　スイッチ

Claims (14)

  1. 　めっきを行うための方法であって、
    　第１面及び第２面が異なるパターンを有する基板を準備する工程と、
    　前記基板の前記第１面及び前記第２面に対して、それぞれ第１めっき電流密度及び第２めっき電流密度の電流を供給して、前記第１面及び前記第２面にそれぞれめっき膜を形成するめっき工程と、
    　前記第１面及び前記第２面の何れかの面のめっきが先に完了した後、前記めっきが先に完了した面に対して、前記めっきが先に完了した面にめっき中に供給する前記第１めっき電流密度又は前記第２めっき電流密度よりも小さい電流密度の保護電流を供給する工程と、
    を含む、方法。
  2. 　請求項１に記載の方法において、
    　前記第１面及び前記第２面に対してめっきすべきめっき膜厚が互いに異なる、方法。
  3. 　請求項１又は２に記載の方法において、
    　前記めっきが先に完了する面の開口率に応じて前記保護電流の電流密度を変更する、方法。
  4. 　請求項１乃至３の何れかに記載の方法において、
    　前記めっきが先に完了する前記第１面又は前記第２面に対する前記第１めっき電流密度又は前記第２めっき電流密度の電流と、前記めっきが先に完了する前記第１面又は前記第２面に対する前記保護電流とを共通の電源装置から供給し、
    　前記共通の電源装置に対する、前記第１面又は前記第２面に対する電流の設定電流値、および前記保護電流の設定電流値を、それぞれ、別の電流補正係数で補正する、方法。
  5. 　請求項１乃至３の何れかに記載の方法において、めっきが先に完了する前記第１面又は前記第２面に対する前記第１めっき電流密度又は前記第２めっき電流密度の電流を第１電源装置から供給し、めっきが先に完了する前記第１面又は前記第２面に対する前記保護電流を第２電源装置から供給する、方法。
  6. 　請求項５に記載の方法において、
    　前記第１面及び前記第２面のうち何れの面が先にめっき完了するかに応じて、前記第２電源装置からの前記保護電流の供給先を、前記基板の前記第１面と前記第２面との間で切り替える、方法。
  7. 　請求項１乃至６の何れかに記載の方法において、
    　前記保護電流を供給する工程では、前記めっきが先に完了した面に対向して配置されたパドルによってめっき液を攪拌する、方法。
  8. 　請求項１乃至７の何れかに記載の方法において、
    　前記保護電流の電流密度は、前記めっきが先に完了する面に対してめっき中に供給する前記第１めっき電流密度又は前記第２めっき電流密度の１／１００以下である、方法。
  9. 　めっきを行うための装置であって、
    　基板に対してめっきを行うためのめっき槽と、
    　前記めっき槽におけるめっきを制御する制御装置と、
    を備え、
    　前記制御装置は、
    　前記基板の第１面及び第２面に対してそれぞれ第１めっき電流密度及び第２めっき電流密度の電流を供給して、前記第１面及び前記第２面にそれぞれめっき膜を形成するように構成され、
    　前記第１面及び前記第２面の何れかの面のめっきが先に完了した後、前記めっきが先に完了した面に対して、前記めっきが先に完了した面にめっき中に供給する前記第１めっき電流密度又は前記第２めっき電流密度よりも小さい電流密度の保護電流を供給するように構成されている、
    　装置。
  10. 　請求項９に記載の装置において、
    　前記制御装置は、めっきが先に完了する面の開口率に応じて前記保護電流の電流密度を変更するように構成されている、装置。
  11. 　請求項９又は１０に記載の装置において、
    　前記めっきが先に完了する前記第１面又は前記第２面に対する前記第１めっき電流密度又は前記第２めっき電流密度の電流と、前記めっきが先に完了する前記第１面又は前記第２面に対する前記保護電流とを供給する共通の電源装置を更に備え、
    　前記制御装置は、前記共通の電源装置に対する、前記第１面又は前記第２面に対する電流の設定電流値、および前記保護電流の設定電流値を、それぞれ、別の電流補正係数で補正する、装置。
  12. 　請求項９又は１０に記載の装置において、
    　めっきが先に完了する前記第１面又は前記第２面に対する前記第１めっき電流密度又は前記第２めっき電流密度の電流を供給するための第１電源装置と、
    　めっきが先に完了する前記第１面又は前記第２面に対する前記保護電流を供給するための第２電源装置と、
    を更に備える、装置。
  13. 　請求項１２に記載の装置において、
    　前記第２電源装置からの前記保護電流の供給先を、前記基板の前記第１面と前記第２面との間で切り替え可能な切替装置を更に備える、方法。
  14. 　めっきをするための装置の制御方法を実行するようにコンピュータを動作させるプログラムを記憶する不揮発性の記憶媒体であって、
    　基板の第１面及び第２面に対してそれぞれ第１めっき電流密度及び第２めっき電流密度の電流を供給しつつ、前記第１面及び前記第２面にそれぞれめっき膜を形成すること、
    　前記第１面及び前記第２面の何れかの面のめっきが先に完了した後、前記めっきが先に完了した面に対して、前記めっきが先に完了した面にめっき中に供給する前記第１めっき電流密度又は前記第２めっき電流密度よりも小さい電流密度の保護電流を供給すること、
    を含むプログラムを記憶する不揮発性の記憶媒体。
     
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