WO2020204121A1 - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

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WO2020204121A1
WO2020204121A1 PCT/JP2020/015141 JP2020015141W WO2020204121A1 WO 2020204121 A1 WO2020204121 A1 WO 2020204121A1 JP 2020015141 W JP2020015141 W JP 2020015141W WO 2020204121 A1 WO2020204121 A1 WO 2020204121A1
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WO
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substrate
wafer
processing
ruthenium
recipe
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Application number
PCT/JP2020/015141
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French (fr)
Inventor
興司 香川
良典 西脇
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks

Definitions

  • This disclosure relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus.
  • the present disclosure provides a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of satisfactorily etching ruthenium or a ruthenium alloy.
  • the substrate processing method includes preparing a substrate on which a ruthenium film or a ruthenium alloy film is formed, determining the attributes of the substrate, and selecting a processing recipe according to the attributes of the substrate. , The substrate is treated with a treatment liquid based on the selected treatment recipe.
  • ruthenium or ruthenium alloy can be satisfactorily etched.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing system according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a side sectional view showing a schematic configuration of the processing unit (board processing apparatus) shown in FIG.
  • FIG. 3 is a flow chart showing a substrate processing method according to an embodiment.
  • FIG. 4 is a flow chart showing a substrate processing step when the first recipe is selected.
  • FIG. 5 is a flow chart showing a substrate processing step when the second recipe is selected.
  • FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to the present embodiment.
  • the X-axis, Y-axis, and Z-axis that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z-axis is defined as the vertically upward direction.
  • the substrate processing system 1 includes a loading / unloading station 2 and a processing station 3.
  • the loading / unloading station 2 and the processing station 3 are provided adjacent to each other.
  • the loading / unloading station 2 includes a carrier mounting section 11 and a transport section 12.
  • a plurality of carriers C for accommodating a plurality of wafers W in a horizontal state are mounted on the carrier mounting portion 11.
  • the transport section 12 is provided adjacent to the carrier mounting section 11, and includes a substrate transport device 13 and a delivery section 14 inside.
  • the substrate transfer device 13 includes a substrate holding mechanism for holding the wafer W. Further, the substrate transfer device 13 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can rotate around the vertical axis, and transfers the wafer W between the carrier C and the delivery portion 14 by using the substrate holding mechanism. Do.
  • the processing station 3 is provided adjacent to the transport unit 12.
  • the processing station 3 includes a transport unit 15 and a plurality of processing units 16.
  • the plurality of processing units 16 are provided side by side on both sides of the transport unit 15.
  • the transport unit 15 includes a substrate transport device 17 inside.
  • the substrate transfer device 17 includes a substrate holding mechanism for holding the wafer W. Further, the substrate transfer device 17 can move in the horizontal direction and the vertical direction and swivel around the vertical axis, and transfers the wafer W between the delivery unit 14 and the processing unit 16 by using the substrate holding mechanism. I do.
  • the processing unit 16 performs predetermined substrate processing on the wafer W transported by the substrate transport device 17.
  • the substrate processing system 1 includes a control device 4.
  • the control device 4 is, for example, a computer, and includes a control unit 18 and a storage unit 19.
  • the storage unit 19 stores programs that control various processes executed in the substrate processing system 1.
  • the control unit 18 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit 19.
  • Such a program may be recorded on a storage medium readable by a computer, and may be installed from the storage medium in the storage unit 19 of the control device 4.
  • Examples of storage media that can be read by a computer include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), and a memory card.
  • the substrate transfer device 13 of the loading / unloading station 2 takes out the wafer W from the carrier C mounted on the carrier mounting portion 11, and receives the taken out wafer W. Placed on Watanabe 14. The wafer W placed on the delivery section 14 is taken out from the delivery section 14 by the substrate transfer device 17 of the processing station 3 and carried into the processing unit 16.
  • the wafer W carried into the processing unit 16 is processed by the processing unit 16 and then carried out from the processing unit 16 by the substrate transfer device 17 and placed on the delivery unit 14. Then, the processed wafer W mounted on the delivery section 14 is returned to the carrier C of the carrier mounting section 11 by the substrate transfer device 13.
  • FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of the processing unit 16.
  • the processing unit 16 selectively removes the ruthenium film or the ruthenium alloy film by etching the wafer (substrate) W on which the ruthenium film or the ruthenium alloy film is formed on the surface.
  • the substrate treatment performed by the processing unit 16 includes at least an etching treatment, but may include a substrate treatment other than the etching treatment.
  • the processing unit 16 is arranged in the chamber 21, the substrate holding unit 22 for holding the wafer W, and the processing liquid supply unit 30 for supplying the processing liquid to the wafer W held in the substrate holding unit 22. And have. Further, the processing unit 16 is controlled by the control unit 18 of the control device 4 described above.
  • the substrate holding portion 22 has a rotating shaft 23 extending in the vertical direction in the chamber 21 and a turntable 24 attached to the upper end portion of the rotating shaft 23.
  • a chuck 25 for supporting the outer edge of the wafer W is provided on the outer peripheral portion of the upper surface of the turntable 24.
  • the rotary shaft 23 is rotationally driven by the drive unit 26.
  • the wafer W is supported by the chuck 25 and is horizontally held by the turntable 24 in a state slightly separated from the upper surface of the turntable 24.
  • the wafer W holding method by the substrate holding portion 22 is a so-called mechanical chuck type in which the outer edge portion of the wafer W is gripped by the movable chuck 25.
  • the present invention is not limited to this, and the holding method of the wafer W may be a so-called vacuum chuck type in which the back surface of the wafer W is vacuum-adsorbed.
  • the base end portion of the rotating shaft 23 is rotatably supported by the drive unit 26, and the tip end portion of the rotating shaft 23 horizontally supports the turntable 24.
  • the turntable 24 attached to the upper end of the rotating shaft 23 rotates, whereby the wafer W held on the turntable 24 while being supported by the chuck 25 rotates.
  • the processing liquid supply unit 30 supplies various processing liquids to the wafer W.
  • the treatment liquid supply unit 30 includes a moving body 31, a first etching liquid supply unit 41, a second etching liquid supply unit 42, a first chemical liquid supply unit 43, a second chemical liquid supply unit 44, and a first rinse liquid. It has a supply unit 45 and a second rinse liquid supply unit 46.
  • the moving body 31 is provided with nozzles 41a to 46a for discharging various processing liquids to the wafer W held by the substrate holding portion 22.
  • the moving body 31 is connected to the nozzle moving mechanism 32.
  • the nozzle moving mechanism 32 drives the moving body 31.
  • the nozzle moving mechanism 32 includes an arm 33 and a swivel elevating mechanism 34 that swivels and elevates the arm 33.
  • the nozzle moving mechanism 32 can move the moving body 31 between a position above the center of the wafer W held by the substrate holding portion 22 and a position above the peripheral edge of the wafer W, and further, a flat surface. It can be visually moved to a standby position outside the cup 37, which will be described later.
  • the first etching solution supply unit 41 supplies the first etching solution L1 to the wafer W held by the substrate holding unit 22.
  • the first etching solution supply unit 41 supplies a nozzle 41a that discharges the first etching solution L1 to the wafer W held by the substrate holding unit 22 and a first etching solution L1 that supplies the first etching solution L1 to the nozzle 41a.
  • It includes a source 41b.
  • the first etching solution L1 is stored in the tank of the first etching solution supply source 41b, and the nozzle 41a is provided with a flow rate regulator such as a valve 41c from the first etching solution supply source 41b.
  • the first etching solution L1 is supplied through the supply line 41d.
  • the second etching solution supply unit 42 supplies the second etching solution L2 to the wafer W held by the substrate holding unit 22.
  • the second etching solution supply unit 42 supplies a nozzle 42a that discharges the second etching solution L2 to the wafer W held by the substrate holding unit 22 and a second etching solution L2 that supplies the second etching solution L2 to the nozzle 42a.
  • the second etching solution L2 is stored in the tank of the second etching solution supply source 42b, and the nozzle 42a is provided with a flow rate regulator such as a valve 42c from the second etching solution supply source 42b.
  • the second etching solution L2 is supplied through the supply line 42d.
  • the first chemical solution supply unit 43 supplies the first chemical solution L3 to the wafer W held by the substrate holding unit 22.
  • the first chemical solution supply unit 43 has a nozzle 43a for discharging the first chemical solution L3 to the wafer W held by the substrate holding unit 22, and a first chemical solution supply source 43b for supplying the first chemical solution L3 to the nozzle 43a.
  • the first chemical solution L3 is stored in the tank of the first chemical solution supply source 43b, and the nozzle 43a is provided with a flow rate regulator such as a valve 43c from the first chemical solution supply source 43b.
  • the first chemical solution L3 is supplied through 43d.
  • the second chemical solution supply unit 44 supplies the second chemical solution L4 to the wafer W held by the substrate holding unit 22.
  • the second chemical supply unit 44 has a nozzle 44a for discharging the second chemical liquid L4 to the wafer W held by the substrate holding unit 22 and a second chemical liquid supply source 44b for supplying the second chemical liquid L4 to the nozzle 44a.
  • the second chemical solution L4 is stored in the tank of the second chemical solution supply source 44b, and the nozzle 44a is provided with a flow rate regulator such as a valve 44c from the second chemical solution supply source 44b.
  • the second chemical solution L4 is supplied through 44d.
  • the first rinse liquid supply unit 45 supplies the first rinse liquid L5 to the wafer W held by the substrate holding unit 22.
  • the first rinse liquid supply unit 45 has a nozzle 45a that discharges the first rinse liquid L5 to the wafer W held by the substrate holding unit 22, and a first rinse liquid supply that supplies the first rinse liquid L5 to the nozzle 45a. It includes a source 45b.
  • the first rinse liquid L5 is stored in the tank of the first rinse liquid supply source 45b, and the nozzle 45a is provided with a flow rate regulator such as a valve 45c from the first rinse liquid supply source 45b.
  • the first rinse liquid L5 is supplied through the supply line 45d.
  • the second rinse liquid supply unit 46 supplies the second rinse liquid L6 to the wafer W held by the substrate holding unit 22.
  • the second rinse liquid supply unit 46 has a nozzle 46a that discharges the second rinse liquid L6 to the wafer W held by the substrate holding unit 22, and a second rinse liquid supply unit that supplies the second rinse liquid L6 to the nozzle 46a. It includes a source 46b.
  • the second rinse liquid L6 is stored in the tank of the second rinse liquid supply source 46b, and the nozzle 46a is provided with a flow rate regulator such as a valve 46c from the second rinse liquid supply source 46b.
  • the second rinse liquid L6 is supplied through the supply line 46d.
  • the first etching solution L1 and the second etching solution L2 are ruthenium etching treatment solutions capable of etching a ruthenium film or a ruthenium alloy film formed on the wafer W, respectively.
  • etching treatment solutions having different compositions are used.
  • the first etching solution L1 for example, a solution containing either sodium hypochlorite or cerium ammonium nitrate is used.
  • the second etching solution L2 for example, an ortho-periodic acid aqueous solution or a mixed solution of an ortho-periodic acid aqueous solution and ammonia water is used.
  • the first chemical solution L3 and the second chemical solution L4 are cleaning treatment solutions for cleaning and removing unnecessary metal components and the like formed on the wafer W, respectively.
  • cleaning treatment solutions having different compositions are used.
  • SPM sulfuric acid hydrogen peroxide
  • SC-1 a mixed solution of aqueous ammonia and aqueous hydrogen peroxide
  • the first rinse liquid L5 and the second rinse liquid L6 are rinse treatment liquids for rinsing the treatment liquid and the like on the wafer W, respectively.
  • pure water (DIW) at room temperature is used as the first rinse liquid L5.
  • second rinsing liquid L6 for example, pure water (Hot-DIW) having a high temperature (for example, 60 ° C. to 80 ° C.) is used.
  • a cup 37 is arranged around the substrate holding portion 22.
  • the cup 37 includes various treatment liquids (for example, first etching liquid L1, second etching liquid L2, first chemical liquid L3, second chemical liquid L4, first rinse liquid L5, second rinse liquid L6, etc.) scattered from the wafer W. ) Is received and discharged to the outside of the chamber 21.
  • the cup 37 is connected to an elevating mechanism 38 that drives the cup 37 in the vertical direction.
  • a recovery unit 60 for recovering ruthenium contained in the treatment liquid (in this case, the second etching liquid L2) discharged from the cup 37 is connected to the cup 37.
  • the recovery unit 60 includes a recovery tank 61, a pump 62, a switching valve 63, a circulation line 64, a filter 65, and a return line 66.
  • the recovery tank 61 temporarily stores the second etching solution L2 discharged from the cup 37.
  • a ruthenium scavenger for capturing ruthenium is charged into the recovery tank 61.
  • the pump 62 sends the second etching solution L2 from the recovery tank 61 to the switching valve 63 side.
  • the switching valve 63 includes, for example, an electromagnetic valve, and is controlled by the control unit 18 to switch the flow path of the second etching solution L2 sent from the pump 62 between the circulation line 64 and the return line 66. Send out.
  • the circulation line 64 circulates the second etching solution L2 around the recovery tank 61.
  • the filter 65 is provided in the middle of the circulation line 64, and collects ruthenium captured by the ruthenium scavenger contained in the second etching solution L2.
  • the return line 66 is a flow path connected to the switching valve 63 and returns the second etching solution L2 after the ruthenium is recovered to the tank of the second etching solution supply source 42b.
  • the recovery unit 60 can recover ruthenium contained in a specific type of treatment liquid (for example, the second etching liquid L2). On the other hand, it is difficult for the recovery unit 60 to recover ruthenium contained in a specific type of treatment liquid (for example, the first etching liquid L1).
  • the control unit 18 has an attribute determination unit 51, a recipe selection unit 52, and a collection availability determination unit 53.
  • the attribute determination unit 51 determines the attributes of the wafer W to be processed.
  • the attributes of the wafer W may include, for example, information about a ruthenium film or a ruthenium alloy film formed on the wafer W.
  • the components of the ruthenium film or ruthenium alloy film of the wafer W for example, Ru, RuW (N), etc.
  • the film forming method of the ruthenium film or ruthenium alloy film of the wafer W for example, CVD, PVD, etc.
  • the attribute determination unit 51 processes the attributes of the wafer W, for example, the wafer ID given to the wafer W, the process conditions (processing recipe) used for etching the wafer W, the processing lot to which the wafer W belongs, and the wafer W. The judgment may be made based on the device number of the etching device.
  • the recipe selection unit 52 selects a processing recipe according to the attributes of the wafer W determined by the attribute determination unit 51.
  • the processing recipe is stored in advance in the storage unit 19 (see FIG. 1) of the control device 4.
  • the wafer W to be processed is processed (etched) based on the processing recipe and control program selected by the recipe selection unit 52.
  • the processing recipe is data that defines in detail the processing conditions applied to the wafer W in each processing step.
  • the processing conditions defined in the processing recipe are diverse, such as wafer rotation speed, processing time, processing order, type and supply amount of processing liquid or gas, and nozzle position.
  • the recovery availability determination unit 53 determines whether or not the recovery unit 60 can recover ruthenium contained in the treatment liquid based on the processing recipe selected by the recipe selection unit 52. Specifically, the collection availability determination unit 53 determines the type of processing liquid used in the processing process based on the processing recipe selected by the recipe selection unit 52. In addition, the recovery availability determination unit 53 determines whether the type of the determined treatment liquid is suitable for recovery in the recovery unit 60. For example, when the treatment liquid discharged from the cup 37 is an ortho-periodic acid aqueous solution or a second etching liquid L2 containing a mixed liquid of an ortho-periodic acid aqueous solution and ammonia water, the recovery possibility determination unit 53 is a recovery unit.
  • the recovery unit 60 determines that ruthenium contained in the treatment liquid can be recovered. In this case, the recovery unit 60 recovers ruthenium contained in the treatment liquid discharged from the cup 37.
  • the recovery unit 60 processes the recovery possibility determination unit 53. It is judged that ruthenium contained in the liquid cannot be recovered. In this case, the treatment liquid discharged from the cup 37 does not pass through the recovery unit 60, and the recovery unit 60 does not recover ruthenium contained in the treatment liquid.
  • a wafer W on which a ruthenium film or a ruthenium alloy film is formed is prepared (step S1 in FIG. 3).
  • a ruthenium film or a ruthenium alloy film is formed on the wafer W in advance.
  • the method for forming the ruthenium film or the ruthenium alloy film may be, for example, a physical vapor deposition method (PVD) or a chemical vapor deposition method (CVD).
  • the attribute determination unit 51 determines the attributes of the wafer W to be processed (step S2 in FIG. 3).
  • the attributes of the wafer W include the components of the ruthenium film or the ruthenium alloy film (for example, Ru, RuW (N), etc.) and the method for forming the ruthenium film or the ruthenium alloy film (for example, CVD, PVD, etc.). May be included.
  • the attributes of the wafer W are, for example, the ID given to the wafer W (wafer ID), the process conditions (processing recipe) used for etching the wafer W, the processing lot to which the wafer W belongs, and the etching apparatus on which the wafer W is processed.
  • the attribute determination unit 51 determines the attribute based on the components of the ruthenium film or the ruthenium alloy film and the film forming method thereof.
  • the attributes of the film of the wafer W are (i) a Ru film formed by PVD, (ii) a Ru film formed by CVD, and (iii) a film formed by PVD. It is determined which of the RuW (N) films is used.
  • the recipe selection unit 52 selects a processing recipe according to the attributes of the wafer W determined by the attribute determination unit 51 (step S3 in FIG. 3). In this case, the recipe selection unit 52 selects the most suitable processing recipe for the etching process of the wafer W having the attribute from the plurality of processing recipes stored in advance according to the attribute of the ruthenium film or the ruthenium alloy film. As an example, when the attribute of the film of the wafer W is (i) a Ru film formed by PVD, the recipe selection unit 52 selects a first processing recipe for executing the process A described later.
  • the recipe selection unit 52 describes the process B described later. Select the second processing recipe to execute.
  • the processing liquid supply unit 30 of the processing unit 16 processes the wafer W with the processing liquid based on the selected processing recipe (step S4 in FIG. 3).
  • the recipe selection unit 52 selects the first processing recipe for executing the process A and the case where the second processing recipe for executing the process B is selected.
  • process A is selected when the film attribute of the wafer W is, for example, (i) a Ru film formed by PVD.
  • the wafer W is carried into the processing unit 16 (see FIG. 2) by the substrate transfer device 17, and is held by the substrate holding unit 22 (step S11 in FIG. 4).
  • the control device 4 controls the elevating mechanism 38 to lower the cup 37 to a predetermined position.
  • the control device 4 controls the substrate transfer device 17 to place the wafer W on the substrate holding unit 22.
  • the wafer W is horizontally held on the turntable 24 with its outer edge supported by the chuck 25.
  • the control device 4 starts the rotation of the wafer W by operating the drive unit 26.
  • the wafer W continues to rotate until the drying process described later is completed.
  • the wafer W held by the substrate holding portion 22 is etched (step S12 in FIG. 4).
  • the first etching solution L1 (a solution containing either sodium hypochlorite or cerium ammonium nitrate) is used as the etching solution.
  • the control device 4 controls the first etching solution supply unit 41 to position the nozzle 41a above the wafer W, and supplies the first etching solution L1 from the nozzle 41a to the wafer W.
  • the first etching solution L1 supplied to the wafer W spreads on the surface of the wafer W due to the centrifugal force accompanying the rotation of the wafer W.
  • the Ru film formed on the wafer W is selectively removed. That is, the Ru film is completely removed by the first etching solution L1, while the peripheral film that does not easily react with the first etching solution L1 remains without being removed.
  • the wafer W held by the substrate holding portion 22 is rinsed (step S13 in FIG. 4).
  • the control device 4 controls the first rinse liquid supply unit 45 to position the nozzle 45a above the wafer W.
  • the nozzle 45a supplies the first rinse liquid L5, which is, for example, pure water (DIW) at room temperature, to the wafer W.
  • the first rinse liquid L5 supplied to the wafer W spreads on the surface of the wafer W due to the centrifugal force accompanying the rotation of the wafer W.
  • the first etching solution L1 remaining on the wafer W and the reaction products during the etching process are washed away.
  • the first rinse liquid L5 scattered from the wafer W is discharged through the cup 37.
  • the control device 4 controls the first chemical solution supply unit 43 to position the nozzle 43a above the wafer W, and the first chemical solution L3 which is, for example, SPM (hydrosulfate hydrogen peroxide) from the nozzle 43a to the wafer W. Supply.
  • the first chemical solution L3 supplied to the wafer W spreads on the surface of the wafer W due to the centrifugal force accompanying the rotation of the wafer W. As a result, unnecessary metal components (cerium, sodium, etc.) contained in the first etching solution L1 adhering to the wafer W are removed from the wafer W.
  • the first chemical solution L3 scattered from the wafer W is discharged through the cup 37.
  • the wafer W held by the substrate holding portion 22 is rinsed (step S15 in FIG. 4).
  • the control device 4 controls the second rinse liquid supply unit 46 to position the nozzle 46a above the wafer W.
  • the nozzle 46a supplies the wafer W with, for example, a second rinse liquid L6 which is high-temperature pure water (Hot-DIW).
  • the second rinse liquid L6 supplied to the wafer W spreads on the surface of the wafer W due to the centrifugal force accompanying the rotation of the wafer W. As a result, the first chemical solution L3 remaining on the wafer W is washed away.
  • the second rinse liquid L6 scattered from the wafer W is discharged through the cup 37.
  • the control device 4 controls the second chemical solution supply unit 44 to position the nozzle 44a above the wafer W, and from the nozzle 44a to the wafer W, for example, SC-1 (ammonia water and hydrogen peroxide solution).
  • the second chemical solution L4 which is a mixed solution with and is supplied.
  • the second chemical solution L4 supplied to the wafer W spreads on the surface of the wafer W due to the centrifugal force accompanying the rotation of the wafer W. As a result, reaction by-products and the like adhering to the wafer W are removed from the wafer W.
  • the second chemical solution L4 scattered from the wafer W is discharged through the cup 37.
  • the second cleaning treatment step does not necessarily have to be provided.
  • the wafer W held by the substrate holding portion 22 is rinsed (step S17 in FIG. 4).
  • the control device 4 controls the first rinse liquid supply unit 45 to position the nozzle 45a above the wafer W.
  • the nozzle 45a supplies the first rinse liquid L5, which is, for example, pure water (DIW) at room temperature, to the wafer W.
  • the first rinse liquid L5 supplied to the wafer W spreads on the surface of the wafer W due to the centrifugal force accompanying the rotation of the wafer W.
  • the second chemical solution L4 and the like remaining on the wafer W are washed away.
  • the first rinse liquid L5 scattered from the wafer W is discharged through the cup 37.
  • the wafer W held by the substrate holding portion 22 is dried (step S18 in FIG. 4).
  • the control device 4 operates the drive unit 26 to increase the rotation speed of the wafer W and perform the shake-off drying process of the wafer W.
  • the first rinse liquid L5 remaining on the wafer W is washed away.
  • the first rinse liquid L5 scattered from the wafer W is discharged through the cup 37.
  • the wafer W may be dried using a drying liquid such as IPA.
  • the second processing recipe is when the attributes of the wafer W film are, for example, (ii) a Ru film formed by CVD or (iii) a RuW (N) film formed by PVD. Be selected.
  • the wafer W is carried into the processing unit 16 (see FIG. 2) by the substrate transfer device 17, and is held by the substrate holding unit 22 (step S21 in FIG. 5).
  • the control device 4 starts the rotation of the wafer W by operating the drive unit 26.
  • the wafer W continues to rotate until the drying process described later is completed.
  • the wafer W held by the substrate holding portion 22 is etched (step S22 in FIG. 5).
  • a second etching solution L2 (orthoperiodic acid aqueous solution or a mixture of orthoperiodic acid aqueous solution and ammonia water) is used as the etching solution.
  • the control device 4 controls the second etching solution supply unit 42 to position the nozzle 42a above the wafer W, and supplies the second etching solution L2 from the nozzle 42a to the wafer W.
  • the second etching solution L2 supplied to the wafer W spreads on the surface of the wafer W due to the centrifugal force accompanying the rotation of the wafer W.
  • the Ru film or the RuW (N) film formed on the wafer W is selectively removed. That is, the Ru film or the RuW (N) film is completely removed by the second etching solution L2, while the peripheral film that does not easily react with the second etching solution L2 remains without being removed.
  • the recovery unit 60 may recover the ruthenium contained in the second etching solution L2 discharged from the cup 37 (step S27 in FIG. 5).
  • the recovery availability determination unit 53 determines whether or not the recovery unit 60 can recover the ruthenium contained in the treatment liquid based on the processing recipe selected by the recipe selection unit 52.
  • the etching treatment liquid used in the treatment recipe for executing the process B is the second etching liquid L2 (orthoperiodic acid aqueous solution, or a mixture of orthoperiodic acid aqueous solution and ammonia water. It is judged to be liquid).
  • the recovery availability determination unit 53 determines that the second etching solution L2 can be recovered by the recovery unit 60.
  • the control device 4 controls the recovery unit 60 to recover the ruthenium contained in the treatment liquid discharged from the cup 37.
  • the recovery unit 60 temporarily stores the second etching solution L2 discharged from the cup 37 in the recovery tank 61.
  • a ruthenium scavenger for capturing ruthenium is charged into the recovery tank 61.
  • the switching valve 63 is switched to the circulation line 64 side.
  • the second etching solution L2 from the recovery tank 61 circulates in the circulation line 64 and is returned to the recovery tank 61 again.
  • the second etching solution L2 passes through a filter 65 provided in the middle of the circulation line 64, and the filter 65 recovers the ruthenium captured by the ruthenium scavenger contained in the second etching solution L2.
  • the switching valve 63 is switched to the return line 66 side. Subsequently, by driving the pump 62, the ruthenium-removed second etching solution L2 is returned to the tank of the second etching solution supply source 42b via the return line 66.
  • the wafer W held by the substrate holding portion 22 is rinsed (step S23 in FIG. 5).
  • the control device 4 controls the first rinse liquid supply unit 45 to position the nozzle 45a above the wafer W.
  • the nozzle 45a supplies the first rinse liquid L5, which is, for example, pure water (DIW) at room temperature, to the wafer W.
  • the first rinse liquid L5 supplied to the wafer W spreads on the surface of the wafer W due to the centrifugal force accompanying the rotation of the wafer W.
  • the second etching solution L2 remaining on the wafer W and the reaction products during the etching process are washed away.
  • the first rinse liquid L5 scattered from the wafer W is discharged through the cup 37.
  • the control device 4 controls the second chemical solution supply unit 44 to position the nozzle 44a above the wafer W, and from the nozzle 44a to the wafer W, for example, SC-1 (ammonia water and hydrogen peroxide solution).
  • the second chemical solution L4 which is a mixed solution with and is supplied.
  • the second chemical solution L4 supplied to the wafer W spreads on the surface of the wafer W due to the centrifugal force accompanying the rotation of the wafer W. As a result, reaction by-products and the like adhering to the wafer W are removed from the wafer W.
  • the second chemical solution L4 scattered from the wafer W is discharged through the cup 37.
  • the second cleaning treatment step does not necessarily have to be provided.
  • the wafer W held by the substrate holding portion 22 is rinsed (step S25 in FIG. 5).
  • the control device 4 controls the first rinse liquid supply unit 45 to position the nozzle 45a above the wafer W.
  • the first rinse liquid L5 which is, for example, pure water (Hot-DIW) at room temperature, is supplied from the nozzle 45a to the wafer W.
  • the first rinse liquid L5 supplied to the wafer W spreads on the surface of the wafer W due to the centrifugal force accompanying the rotation of the wafer W.
  • the second chemical solution L4 and the like remaining on the wafer W are washed away.
  • the first rinse liquid L5 scattered from the wafer W is discharged through the cup 37. If the second cleaning treatment step is not provided, the second rinsing treatment step may not be provided.
  • the wafer W held by the substrate holding portion 22 is dried (step S26 in FIG. 5).
  • the control device 4 operates the drive unit 26 to increase the rotation speed of the wafer W and perform the shake-off drying process of the wafer W.
  • the first rinse liquid L5 remaining on the wafer W is washed away.
  • the first rinse liquid L5 scattered from the wafer W is discharged through the cup 37.
  • the wafer W may be dried using a drying liquid such as IPA.
  • the attribute determination unit 51 determines the attributes of the wafer W on which the ruthenium film or the ruthenium alloy film is formed, and the recipe selection unit 52 determines the attributes of the wafer W according to the attributes of the wafer W.
  • a processing recipe is selected.
  • the processing liquid supply unit 30 processes the wafer W with the processing liquid based on the selected processing recipe. This makes it possible to satisfactorily etch a ruthenium film or a ruthenium alloy film that is difficult to etch.
  • ruthenium is an extremely stable metal and is a poorly soluble material, so that it is difficult to be etched.
  • the present inventors have diligently studied the above-mentioned problems and found that ruthenium and ruthenium alloys have different dissolution conditions by the etching solution depending on the attributes. Specifically, it was found that the dissolution state of the ruthenium or ruthenium alloy film at the time of etching differs depending on the film composition as well as the film forming method of the film. For example, it has been found that even for the same Ru film, the appropriate etching process differs depending on whether the film forming method is, for example, CVD or PVD.
  • etching the wafer W on which the ruthenium film or the ruthenium alloy film is formed it is possible to perform appropriate etching by appropriately using the etching treatment process and the etching solution according to the attributes of the wafer W. It becomes.
  • a processing recipe is selected according to the attributes of the wafer W on which the ruthenium film or the ruthenium alloy film is formed (for example, the components of the ruthenium film or the ruthenium alloy film and the film forming method), and the selected processing recipe is used. Based on this, the wafer W is treated with the treatment liquid. This makes it possible to satisfactorily etch a ruthenium film or a ruthenium alloy film that is difficult to etch.
  • the recovery availability determination unit 53 determines whether or not the recovery unit 60 can recover ruthenium contained in the treatment liquid based on the selected processing recipe. As a result, when the recovery unit 60 can recover the ruthenium in the treatment liquid, the recovery unit 60 can recover the ruthenium contained in the treatment liquid and reuse the treatment liquid. On the other hand, when the recovery unit 60 cannot recover ruthenium in the treatment liquid, the discharged treatment liquid can be discarded without being reused without using the recovery unit 60.
  • the attributes of the wafer W determined by the attribute determination unit 51 include, but are limited to, the components of the ruthenium film or the ruthenium alloy film and the method of forming the ruthenium film or the ruthenium alloy film. is not.
  • attributes other than the above such as components of peripheral metals other than ruthenium contained in the wafer W, may be used.
  • the processing recipe selected by the recipe selection unit 52 the first processing recipe for executing the process A and the second processing recipe for executing the process B are exemplified, but the processing recipe is not limited to this. Absent.
  • the recipe selection unit 52 may select an appropriate processing recipe from a plurality of processing recipes of three or more.
  • any one of a plurality of processing recipes (first processing recipe, second processing recipe) in which etching processing is performed using different etching solutions (first etching solution L1 and second etching solution L2).
  • first processing recipe second processing recipe
  • the recipe selection unit 52 may select one of the processing recipes from a plurality of processing recipes that perform different etching processes using the same etching solution.
  • the first etching solution L1 and the second etching solution L2 are used as the etching solution
  • the first etching solution L1 is a solution containing either sodium hypochlorite or cerium ammonium nitrate
  • the second etching solution L2 is an ortho-periodic acid aqueous solution or an ortho-periodic acid aqueous solution. It is a mixed solution with aqueous ammonia.
  • the present invention is not limited to this, and as the etching solution for etching the ruthenium film or the ruthenium alloy film, an etching solution containing an oxidizing agent such as periodic acid or an etching solution composed of cerium nitrate salt and nitric acid may be used. ..

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Abstract

基板処理方法は、ルテニウム膜又はルテニウム合金膜が形成された基板を準備することと、基板の属性を判定することと、基板の属性に応じて処理レシピを選択することと、選択された処理レシピに基づいて基板を処理液で処理することと、を備えている。

Description

基板処理方法及び基板処理装置
　本開示は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。
　従来から、半導体デバイスを製造する際の処理のーつとして、半導体ウエハ（以下ウエハという）等の基板の表面に形成された金属膜をエッチング液によりエッチングするウェットエッチング処理技術が知られている。また近年、ウエハの表面にルテニウム（Ｒｕ）又はルテニウム合金を使用することが検討されており、ルテニウム又はルテニウム合金をエッチングおよび洗浄することが求められている（例えば特許文献１を参照）。
国際公開第２０１６／０６８１８３号
　本開示は、ルテニウム又はルテニウム合金を良好にエッチングすることが可能な、基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
　一実施形態による基板処理方法は、ルテニウム膜又はルテニウム合金膜が形成された基板を準備することと、前記基板の属性を判定することと、前記基板の属性に応じて処理レシピを選択することと、選択された前記処理レシピに基づいて前記基板を処理液で処理することと、を備えている。
　本開示によれば、ルテニウム又はルテニウム合金を良好にエッチングすることができる。
図１は、一実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す平面図である。 図２は、図１に示す処理ユニット（基板処理装置）の概略構成を示す側断面図である。 図３は、一実施形態に係る基板処理方法を示すフロー図である。 図４は、第１レシピが選択された場合の基板処理工程を示すフロー図である。 図５は、第２レシピが選択された場合の基板処理工程を示すフロー図である。
　［基板処理システム］
　図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
　図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
　搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚のウエハＷを水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
　搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウエハＷを保持する基板保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、基板保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウエハＷの搬送を行う。
　処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
　搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウエハＷを保持する基板保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、基板保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウエハＷの搬送を行う。
　処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウエハＷに対して所定の基板処理を行う。
　また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
　なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
　上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウエハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
　処理ユニット１６へ搬入されたウエハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウエハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
　［処理ユニット］
　次に、処理ユニット（基板処理装置）１６の概略構成について図２を参照して説明する。図２は、処理ユニット１６の概略構成を示す図である。
　処理ユニット１６は、表面にルテニウム膜又はルテニウム合金膜が形成されたウエハ（基板）Ｗに対してエッチング処理を行うことにより、ルテニウム膜又はルテニウム合金膜を選択的に除去するものである。本実施形態において、処理ユニット１６が行う基板処理は、少なくともエッチング処理を含むが、エッチング処理以外の基板処理が含まれていてもよい。
　処理ユニット１６は、チャンバ２１と、チャンバ２１内に配置され、ウエハＷを保持する基板保持部２２と、基板保持部２２に保持されたウエハＷに対して処理液を供給する処理液供給部３０とを備えている。また、処理ユニット１６は、上述した制御装置４の制御部１８によって制御される。
　基板保持部２２は、チャンバ２１内において鉛直方向に延在する回転軸２３と、回転軸２３の上端部に取り付けられたターンテーブル２４とを有する。ターンテーブル２４の上面外周部には、ウエハＷの外縁部を支持するチャック２５が設けられている。回転軸２３は、駆動部２６によって回転駆動される。
　ウエハＷは、チャック２５に支持され、ターンテーブル２４の上面からわずかに離間した状態で、ターンテーブル２４に水平保持される。本実施形態において、基板保持部２２によるウエハＷの保持方式は、可動のチャック２５によってウエハＷの外縁部を把持するいわゆるメカニカルチャックタイプのものである。しかしながらこれに限らず、ウエハＷの保持方式は、ウエハＷの裏面を真空吸着するいわゆるバキュームチャックタイプのものであってもよい。
　回転軸２３の基端部は、駆動部２６により回転可能に支持され、回転軸２３の先端部は、ターンテーブル２４を水平に支持する。回転軸２３が回転すると、回転軸２３の上端部に取り付けられたターンテーブル２４が回転し、これにより、チャック２５に支持された状態でターンテーブル２４に保持されたウエハＷが回転する。
　処理液供給部３０は、ウエハＷに対して各種処理液を供給するものである。処理液供給部３０は、移動体３１と、第１エッチング液供給部４１と、第２エッチング液供給部４２と、第１薬液供給部４３と、第２薬液供給部４４と、第１リンス液供給部４５と、第２リンス液供給部４６とを有している。移動体３１には、基板保持部２２に保持されたウエハＷに対して、各種処理液を吐出するノズル４１ａ～４６ａが取り付けられている。
　移動体３１は、ノズル移動機構３２に連結されている。ノズル移動機構３２は、移動体３１を駆動する。ノズル移動機構３２は、アーム３３と、アーム３３を旋回及び昇降させる旋回昇降機構３４とを有する。ノズル移動機構３２は、移動体３１を、基板保持部２２に保持されたウエハＷの中心の上方の位置とウエハＷの周縁の上方の位置との間で移動させることができ、さらには、平面視で後述するカップ３７の外側にある待機位置まで移動させることができる。
　次に、第１エッチング液供給部４１、第２エッチング液供給部４２、第１薬液供給部４３、第２薬液供給部４４、第１リンス液供給部４５、及び第２リンス液供給部４６について説明する。
　第１エッチング液供給部４１は、基板保持部２２に保持されたウエハＷに対して、第１エッチング液Ｌ１を供給するものである。第１エッチング液供給部４１は、基板保持部２２に保持されたウエハＷに対して第１エッチング液Ｌ１を吐出するノズル４１ａと、ノズル４１ａに第１エッチング液Ｌ１を供給する第１エッチング液供給源４１ｂとを備える。第１エッチング液供給源４１ｂが有するタンクには、第１エッチング液Ｌ１が貯留されており、ノズル４１ａには、第１エッチング液供給源４１ｂから、バルブ４１ｃ等の流量調整器が介設された供給管路４１ｄを通じて、第１エッチング液Ｌ１が供給される。
　第２エッチング液供給部４２は、基板保持部２２に保持されたウエハＷに対して、第２エッチング液Ｌ２を供給するものである。第２エッチング液供給部４２は、基板保持部２２に保持されたウエハＷに対して第２エッチング液Ｌ２を吐出するノズル４２ａと、ノズル４２ａに第２エッチング液Ｌ２を供給する第２エッチング液供給源４２ｂとを備える。第２エッチング液供給源４２ｂが有するタンクには、第２エッチング液Ｌ２が貯留されており、ノズル４２ａには、第２エッチング液供給源４２ｂから、バルブ４２ｃ等の流量調整器が介設された供給管路４２ｄを通じて、第２エッチング液Ｌ２が供給される。
　第１薬液供給部４３は、基板保持部２２に保持されたウエハＷに対して、第１薬液Ｌ３を供給するものである。第１薬液供給部４３は、基板保持部２２に保持されたウエハＷに対して第１薬液Ｌ３を吐出するノズル４３ａと、ノズル４３ａに第１薬液Ｌ３を供給する第１薬液供給源４３ｂとを備える。第１薬液供給源４３ｂが有するタンクには、第１薬液Ｌ３が貯留されており、ノズル４３ａには、第１薬液供給源４３ｂから、バルブ４３ｃ等の流量調整器が介設された供給管路４３ｄを通じて、第１薬液Ｌ３が供給される。
　第２薬液供給部４４は、基板保持部２２に保持されたウエハＷに対して、第２薬液Ｌ４を供給するものである。第２薬液供給部４４は、基板保持部２２に保持されたウエハＷに対して第２薬液Ｌ４を吐出するノズル４４ａと、ノズル４４ａに第２薬液Ｌ４を供給する第２薬液供給源４４ｂとを備える。第２薬液供給源４４ｂが有するタンクには、第２薬液Ｌ４が貯留されており、ノズル４４ａには、第２薬液供給源４４ｂから、バルブ４４ｃ等の流量調整器が介設された供給管路４４ｄを通じて、第２薬液Ｌ４が供給される。
　第１リンス液供給部４５は、基板保持部２２に保持されたウエハＷに対して、第１リンス液Ｌ５を供給するものである。第１リンス液供給部４５は、基板保持部２２に保持されたウエハＷに対して第１リンス液Ｌ５を吐出するノズル４５ａと、ノズル４５ａに第１リンス液Ｌ５を供給する第１リンス液供給源４５ｂとを備える。第１リンス液供給源４５ｂが有するタンクには、第１リンス液Ｌ５が貯留されており、ノズル４５ａには、第１リンス液供給源４５ｂから、バルブ４５ｃ等の流量調整器が介設された供給管路４５ｄを通じて、第１リンス液Ｌ５が供給される。
　第２リンス液供給部４６は、基板保持部２２に保持されたウエハＷに対して、第２リンス液Ｌ６を供給するものである。第２リンス液供給部４６は、基板保持部２２に保持されたウエハＷに対して第２リンス液Ｌ６を吐出するノズル４６ａと、ノズル４６ａに第２リンス液Ｌ６を供給する第２リンス液供給源４６ｂとを備える。第２リンス液供給源４６ｂが有するタンクには、第２リンス液Ｌ６が貯留されており、ノズル４６ａには、第２リンス液供給源４６ｂから、バルブ４６ｃ等の流量調整器が介設された供給管路４６ｄを通じて、第２リンス液Ｌ６が供給される。
　第１エッチング液Ｌ１及び第２エッチング液Ｌ２は、それぞれウエハＷ上に形成されたルテニウム膜又はルテニウム合金膜をエッチング可能なルテニウムエッチング処理液である。第１エッチング液Ｌ１及び第２エッチング液Ｌ２としては、互いに異なる組成からなるエッチング処理液が用いられる。本実施形態において、第１エッチング液Ｌ１としては、例えば次亜塩素酸ナトリウム及び硝酸セリウムアンモニウムのうちいずれか一方を含む溶液が用いられる。また、第２エッチング液Ｌ２としては、例えばオルト過ヨウ素酸水溶液、又はオルト過ヨウ素酸水溶液とアンモニア水との混合液が用いられる。
　第１薬液Ｌ３及び第２薬液Ｌ４は、それぞれウエハＷ上に形成された不要な金属成分等を洗浄除去する洗浄処理液である。第１薬液Ｌ３及び第２薬液Ｌ４としては、互いに異なる組成からなる洗浄処理液が用いられる。本実施形態において、第１薬液Ｌ３としては、例えばＳＰＭ（硫酸過水）が用いられる。また、第２薬液Ｌ４としては、例えばＳＣ－１（アンモニア水と過酸化水素水との混合溶液）が用いられる。
　第１リンス液Ｌ５及び第２リンス液Ｌ６は、それぞれウエハＷ上の処理液等をリンスするリンス処理液である。本実施形態において、第１リンス液Ｌ５としては、例えば常温の純水（ＤＩＷ）が用いられる。また、第２リンス液Ｌ６としては、例えば高温（例えば６０℃～８０℃）の純水（Ｈｏｔ－ＤＩＷ）が用いられる。
　基板保持部２２の周囲には、カップ３７が配置されている。カップ３７は、ウエハＷから飛散した各種処理液（例えば、第１エッチング液Ｌ１、第２エッチング液Ｌ２、第１薬液Ｌ３、第２薬液Ｌ４、第１リンス液Ｌ５、及び第２リンス液Ｌ６等）を受け止めてチャンバ２１の外方に排出する。カップ３７は、カップ３７を上下方向に駆動させる昇降機構３８に連結されている。
　カップ３７には、カップ３７から排出された処理液（この場合は第２エッチング液Ｌ２）に含まれるルテニウムを回収する回収ユニット６０が接続されている。回収ユニット６０は、回収タンク６１と、ポンプ６２と、切替弁６３と、循環ライン６４と、フィルタ６５と、戻りライン６６とを有している。回収タンク６１は、カップ３７から排出された第２エッチング液Ｌ２を一時的に貯留する。回収タンク６１には、ルテニウムを捕捉するルテニウム捕捉剤が投入されている。ポンプ６２は、回収タンク６１からの第２エッチング液Ｌ２を切替弁６３側に送液する。切替弁６３は、例えば電磁弁を含み、制御部１８によって制御されることにより、ポンプ６２から送られた第２エッチング液Ｌ２を、循環ライン６４と戻りライン６６との間で流路を切り換えて送り出す。循環ライン６４は、回収タンク６１の周囲で第２エッチング液Ｌ２を循環させる。フィルタ６５は、循環ライン６４の途中に設けられており、第２エッチング液Ｌ２に含まれるルテニウム捕捉剤に捕捉されたルテニウムを回収する。戻りライン６６は、切替弁６３に接続され、ルテニウムが回収された後の第２エッチング液Ｌ２を第２エッチング液供給源４２ｂのタンクに戻す流路である。なお、後述するように、回収ユニット６０は、特定の種類の処理液（例えば第２エッチング液Ｌ２）に含まれるルテニウムを回収することが可能である。一方、回収ユニット６０は、特定の種類の処理液（例えば第１エッチング液Ｌ１）に含まれるルテニウムを回収することは困難である。
　制御部１８は、属性判定部５１と、レシピ選択部５２と、回収可否判定部５３とを有している。
　本実施形態において、属性判定部５１は、処理対象となるウエハＷの属性を判定する。ウエハＷの属性としては、例えばウエハＷに形成されたルテニウム膜又はルテニウム合金膜に関する情報が含まれても良い。具体的には、当該ウエハＷのルテニウム膜又はルテニウム合金膜の成分（例えばＲｕ、ＲｕＷ（Ｎ）等）と、当該ウエハＷのルテニウム膜又はルテニウム合金膜の成膜方法（例えばＣＶＤ、ＰＶＤ等）とが含まれても良い。属性判定部５１は、ウエハＷの属性を、例えばウエハＷに付与されたウエハＩＤ、ウエハＷのエッチングに用いられたプロセス条件（処理レシピ）、ウエハＷが所属する処理ロット、ウエハＷが処理されたエッチング装置の装置番号等に基づいて判断しても良い。
　レシピ選択部５２は、属性判定部５１によって判定されたウエハＷの属性に応じて処理レシピを選択する。処理レシピは、制御装置４の記憶部１９（図１参照）に予め記憶されている。処理対象となるウエハＷは、レシピ選択部５２によって選択された処理レシピ及び制御プログラムに基づいて処理（エッチング処理）される。処理レシピとは、各処理工程において、ウエハＷに対して施される処理の条件を詳細に定義したデータである。処理レシピにおいて定義され処理条件は、ウエハ回転数、処理時間、処理順序、処理液や気体の種類及び供給量、ノズル位置等多岐にわたる。
　回収可否判定部５３は、レシピ選択部５２によって選択された処理レシピに基づいて、回収ユニット６０が処理液に含まれるルテニウムを回収可能か否か判断する。具体的には、回収可否判定部５３は、レシピ選択部５２によって選択された処理レシピに基づき、処理プロセスで用いられる処理液の種類を判別する。また、回収可否判定部５３は、判別した処理液の種類が回収ユニット６０での回収に適するかを判断する。例えば、カップ３７から排出される処理液がオルト過ヨウ素酸水溶液、又はオルト過ヨウ素酸水溶液とアンモニア水との混合液を含む第２エッチング液Ｌ２である場合、回収可否判定部５３は、回収ユニット６０が処理液に含まれるルテニウムを回収可能と判断する。この場合、回収ユニット６０は、カップ３７から排出された処理液に含まれるルテニウムを回収する。一方、例えば、カップ３７から排出される処理液が次亜塩素酸ナトリウム及び硝酸セリウムアンモニウムのうちいずれか一方を含む第１エッチング液Ｌ１である場合、回収可否判定部５３は、回収ユニット６０が処理液に含まれるルテニウムを回収不可能と判断する。この場合、カップ３７から排出された処理液は回収ユニット６０を経由せず、回収ユニット６０は処理液に含まれるルテニウムを回収しない。
　［基板処理方法］
　次に、本実施形態による基板処理方法について、図３乃至図５を参照して説明する。
　［ウエハ準備］
　はじめに、ルテニウム膜又はルテニウム合金膜が形成されたウエハＷを準備する（図３のステップＳ１）。このウエハＷには、予めルテニウム膜又はルテニウム合金膜が成膜されている。ルテニウム膜又はルテニウム合金膜の成膜法は、例えば物理蒸着法（ＰＶＤ：Physical Vapor Deposition）又は化学蒸着法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）等であっても良い。
　［ウエハ属性判定］
　次に、属性判定部５１は、処理対象となるウエハＷの属性を判定する（図３のステップＳ２）。上述したように、ウエハＷの属性としては、ルテニウム膜又はルテニウム合金膜の成分（例えばＲｕ、ＲｕＷ（Ｎ）等）と、ルテニウム膜又はルテニウム合金膜の成膜方法（例えばＣＶＤ、ＰＶＤ等）が含まれても良い。ウエハＷの属性は、例えばウエハＷに付与されたＩＤ（ウエハＩＤ）、ウエハＷのエッチングに用いられたプロセス条件（処理レシピ）、ウエハＷが所属する処理ロット、ウエハＷが処理されたエッチング装置の装置番号等に基づいて判断される。本実施形態において、属性判定部５１は、ルテニウム膜又はルテニウム合金膜の成分とその成膜方法とに基づいて属性を判定する。一例として、属性判定部５１は、ウエハＷの膜の属性が（ｉ）ＰＶＤによって製膜されたＲｕ膜、（ii）ＣＶＤによって製膜されたＲｕ膜、及び、（iii）ＰＶＤによって製膜されたＲｕＷ（Ｎ）膜のうち、いずれかであるかを判定する。
　［処理レシピ選択］
　次に、レシピ選択部５２は、属性判定部５１によって判定されたウエハＷの属性に応じて処理レシピを選択する（図３のステップＳ３）。この場合、レシピ選択部５２は、ルテニウム膜又はルテニウム合金膜の属性に応じて、予め記憶されている複数の処理レシピから当該属性をもつウエハＷのエッチング処理に最も適した処理レシピを選択する。一例として、レシピ選択部５２は、ウエハＷの膜の属性が（ｉ）ＰＶＤによって製膜されたＲｕ膜である場合、後述するプロセスＡを実行する第１処理レシピを選択する。また、レシピ選択部５２は、ウエハＷの膜の属性が（ii）ＣＶＤによって製膜されたＲｕ膜、又は（iii）ＰＶＤによって製膜されたＲｕＷ（Ｎ）膜である場合、後述するプロセスＢを実行する第２処理レシピを選択する。
　［ウエハ処理］
　続いて、処理ユニット１６の処理液供給部３０は、選択された処理レシピに基づいてウエハＷを処理液で処理する（図３のステップＳ４）。以下、レシピ選択部５２が、プロセスＡを実行する第１処理レシピを選択した場合と、プロセスＢを実行する第２処理レシピを選択した場合とのそれぞれについて、ウエハ処理の各工程について説明する。
　＜プロセスＡ＞
　まず、レシピ選択部５２がプロセスＡを実行する第１処理レシピを選択した場合について、図４を参照して説明する。上述したように、プロセスＡは、ウエハＷの膜の属性が例えば（ｉ）ＰＶＤによって製膜されたＲｕ膜である場合に選択される。
　［ウエハ搬入工程］
　まず、ウエハＷは、基板搬送装置１７により処理ユニット１６（図２参照）内に搬入され、基板保持部２２により保持される（図４のステップＳ１１）。この間、制御装置４は、昇降機構３８を制御して、カップ３７を所定位置まで降下させる。続いて、制御装置４は、基板搬送装置１７を制御して、基板保持部２２にウエハＷを載置する。ウエハＷは、その外縁部がチャック２５により支持された状態で、ターンテーブル２４上に水平保持される。次に、制御装置４は、駆動部２６を動作させることによりウエハＷが回転を開始する。ウエハＷは、後述の乾燥処理が終了するまで、ずっと回転し続ける。
　［エッチング処理工程］
　次に、基板保持部２２に保持されたウエハＷをエッチング処理する（図４のステップＳ１２）。本実施形態において、プロセスＡが選択された場合、エッチング液として第１エッチング液Ｌ１（次亜塩素酸ナトリウム及び硝酸セリウムアンモニウムのうちいずれか一方を含む溶液）が用いられる。このとき、制御装置４は、第１エッチング液供給部４１を制御して、ノズル４１ａをウエハＷの上方に位置させ、ノズル４１ａからウエハＷに対して第１エッチング液Ｌ１を供給する。ウエハＷに供給された第１エッチング液Ｌ１は、ウエハＷの回転に伴う遠心力によってウエハＷの表面に広がる。このようにウエハＷの表面に第１エッチング液Ｌ１を供給することにより、ウエハＷに形成されたＲｕ膜が選択的に除去される。すなわち、第１エッチング液Ｌ１により、Ｒｕ膜が全体にわたって除去される一方、第１エッチング液Ｌ１と反応しにくい周辺膜は、除去されることなく残存する。
　［第１リンス処理工程］
　続いて、基板保持部２２に保持されたウエハＷをリンス処理する（図４のステップＳ１３）。この際、制御装置４は、第１リンス液供給部４５を制御して、ノズル４５ａをウエハＷの上方に位置させる。続いて、ノズル４５ａからウエハＷに対して例えば常温の純水（ＤＩＷ）である第１リンス液Ｌ５を供給する。ウエハＷに供給された第１リンス液Ｌ５は、ウエハＷの回転に伴う遠心力によってウエハＷの表面に広がる。これにより、ウエハＷ上に残存する第１エッチング液Ｌ１およびエッチング処理時の反応生成物等が洗い流される。ウエハＷから飛散した第１リンス液Ｌ５は、カップ３７を介して排出される。
　［第１洗浄処理工程］
　次に、基板保持部２２に保持されたウエハＷを洗浄処理する（図４のステップＳ１４）。この間、制御装置４は、第１薬液供給部４３を制御して、ノズル４３ａをウエハＷの上方に位置させ、ノズル４３ａからウエハＷに対して例えばＳＰＭ（硫酸過水）である第１薬液Ｌ３を供給する。ウエハＷに供給された第１薬液Ｌ３は、ウエハＷの回転に伴う遠心力によってウエハＷの表面に広がる。これにより、ウエハＷに付着した第１エッチング液Ｌ１に含まれる不要な金属成分（セリウム、ナトリウム等）がウエハＷから除去される。ウエハＷから飛散した第１薬液Ｌ３は、カップ３７を介して排出される。
　［高温リンス処理工程］
　続いて、基板保持部２２に保持されたウエハＷをリンス処理する（図４のステップＳ１５）。この際、制御装置４は、第２リンス液供給部４６を制御して、ノズル４６ａをウエハＷの上方に位置させる。続いて、ノズル４６ａからウエハＷに対して例えば高温の純水（Ｈｏｔ－ＤＩＷ）である第２リンス液Ｌ６を供給する。ウエハＷに供給された第２リンス液Ｌ６は、ウエハＷの回転に伴う遠心力によってウエハＷの表面に広がる。これにより、ウエハＷ上に残存する第１薬液Ｌ３が洗い流される。ウエハＷから飛散した第２リンス液Ｌ６は、カップ３７を介して排出される。
　［第２洗浄処理工程］
　次いで、基板保持部２２に保持されたウエハＷが洗浄処理される（図４のステップＳ１６）。この際、制御装置４は、第２薬液供給部４４を制御して、ノズル４４ａをウエハＷの上方に位置させ、ノズル４４ａからウエハＷに対して例えばＳＣ－１（アンモニア水と過酸化水素水との混合溶液）である第２薬液Ｌ４を供給する。ウエハＷに供給された第２薬液Ｌ４は、ウエハＷの回転に伴う遠心力によってウエハＷの表面に広がる。これにより、ウエハＷに付着した反応副生成物等が、ウエハＷから除去される。ウエハＷから飛散した第２薬液Ｌ４は、カップ３７を介して排出される。なお、第２洗浄処理工程は、必ずしも設けられていなくても良い。
　［第２リンス処理工程］
　続いて、基板保持部２２に保持されたウエハＷをリンス処理する（図４のステップＳ１７）。この際、制御装置４は、第１リンス液供給部４５を制御して、ノズル４５ａをウエハＷの上方に位置させる。続いて、ノズル４５ａからウエハＷに対して例えば常温の純水（ＤＩＷ）である第１リンス液Ｌ５を供給する。ウエハＷに供給された第１リンス液Ｌ５は、ウエハＷの回転に伴う遠心力によってウエハＷの表面に広がる。これにより、ウエハＷ上に残存する第２薬液Ｌ４等が洗い流される。ウエハＷから飛散した第１リンス液Ｌ５は、カップ３７を介して排出される。
　［乾燥処理工程］
　その後、基板保持部２２に保持されたウエハＷを乾燥処理する（図４のステップＳ１８）。この際、制御装置４は、駆動部２６を動作させることにより、ウエハＷの回転数を増加させ、ウエハＷの振り切り乾燥処理を行う。これにより、ウエハＷ上に残存する第１リンス液Ｌ５が洗い流される。ウエハＷから飛散した第１リンス液Ｌ５は、カップ３７を介して排出される。なお、ウエハＷは、例えばＩＰＡ等の乾燥用液体を用いて乾燥処理されても良い。
　この乾燥処理が終了したら、ウエハＷの回転を停止する。これによりウエハＷに対する一連の処理が終了したことになる。その後、ウエハＷが基板搬送装置１７により処理ユニット１６から搬出される。
　＜プロセスＢ＞
　次に、レシピ選択部５２がプロセスＢを実行する第２処理レシピを選択した場合について、図５を参照して説明する。上述したように、第２処理レシピは、ウエハＷの膜の属性が例えば（ii）ＣＶＤによって製膜されたＲｕ膜、又は（iii）ＰＶＤによって製膜されたＲｕＷ（Ｎ）膜である場合に選択される。
　［ウエハ搬入工程］
　まず、プロセスＡの場合と同様に、ウエハＷは、基板搬送装置１７により処理ユニット１６（図２参照）内に搬入され、基板保持部２２により保持される（図５のステップＳ２１）。次に、制御装置４は、駆動部２６を動作させることによりウエハＷが回転を開始する。ウエハＷは、後述の乾燥処理が終了するまで、ずっと回転し続ける。
　［エッチング処理工程］
　次に、基板保持部２２に保持されたウエハＷをエッチング処理する（図５のステップＳ２２）。本実施形態において、プロセスＢが選択された場合、エッチング液として第２エッチング液Ｌ２（オルト過ヨウ素酸水溶液、又はオルト過ヨウ素酸水溶液とアンモニア水との混合液）が用いられる。このとき、制御装置４は、第２エッチング液供給部４２を制御して、ノズル４２ａをウエハＷの上方に位置させ、ノズル４２ａからウエハＷに対して第２エッチング液Ｌ２を供給する。ウエハＷに供給された第２エッチング液Ｌ２は、ウエハＷの回転に伴う遠心力によってウエハＷの表面に広がる。このようにウエハＷの表面に第２エッチング液Ｌ２を供給することにより、ウエハＷに形成されたＲｕ膜又はＲｕＷ（Ｎ）膜が選択的に除去される。すなわち、第２エッチング液Ｌ２により、Ｒｕ膜又はＲｕＷ（Ｎ）膜が全体にわたって除去される一方、第２エッチング液Ｌ２と反応しにくい周辺膜は、除去されることなく残存する。
　［ルテニウム回収工程］
　このようにウエハＷをエッチング処理する間、回収ユニット６０は、カップ３７から排出された第２エッチング液Ｌ２に含まれるルテニウムを回収しても良い（図５のステップＳ２７）。この場合、回収可否判定部５３は、レシピ選択部５２によって選択された処理レシピに基づいて、回収ユニット６０が処理液に含まれるルテニウムを回収可能か否か判断する。具体的には、回収可否判定部５３は、プロセスＢを実行する処理レシピで用いられるエッチング処理液が第２エッチング液Ｌ２（オルト過ヨウ素酸水溶液、又はオルト過ヨウ素酸水溶液とアンモニア水との混合液）であると判断する。また、回収可否判定部５３は、第２エッチング液Ｌ２を回収ユニット６０で回収可能と判断する。この場合、制御装置４は、回収ユニット６０を制御して、カップ３７から排出された処理液に含まれるルテニウムを回収する。
　この間、回収ユニット６０は、回収タンク６１にカップ３７から排出された第２エッチング液Ｌ２を一時的に貯留する。回収タンク６１には、ルテニウムを捕捉するルテニウム捕捉剤が投入されている。また切替弁６３は、循環ライン６４側に切り換えられている。続いて、ポンプ６２を駆動することにより、回収タンク６１からの第２エッチング液Ｌ２は循環ライン６４を循環し、再度回収タンク６１に戻される。この間、第２エッチング液Ｌ２は、循環ライン６４の途中に設けられたフィルタ６５を通過し、フィルタ６５は、第２エッチング液Ｌ２に含まれるルテニウム捕捉剤に捕捉されたルテニウムを回収する。ルテニウムの回収が完了した後、切替弁６３は、戻りライン６６側に切り換えられる。続いて、ポンプ６２を駆動することにより、ルテニウムが除去された第２エッチング液Ｌ２は、戻りライン６６を経由して、第２エッチング液供給源４２ｂのタンクに再び戻される。
　［第１リンス処理工程］
　続いて、基板保持部２２に保持されたウエハＷをリンス処理する（図５のステップＳ２３）。この際、制御装置４は、第１リンス液供給部４５を制御して、ノズル４５ａをウエハＷの上方に位置させる。続いて、ノズル４５ａからウエハＷに対して例えば常温の純水（ＤＩＷ）である第１リンス液Ｌ５を供給する。ウエハＷに供給された第１リンス液Ｌ５は、ウエハＷの回転に伴う遠心力によってウエハＷの表面に広がる。これにより、ウエハＷ上に残存する第２エッチング液Ｌ２およびエッチング処理時の反応生成物等が洗い流される。ウエハＷから飛散した第１リンス液Ｌ５は、カップ３７を介して排出される。
　［洗浄処理工程］
　次いで、基板保持部２２に保持されたウエハＷが洗浄処理される（図５のステップＳ２４）。この際、制御装置４は、第２薬液供給部４４を制御して、ノズル４４ａをウエハＷの上方に位置させ、ノズル４４ａからウエハＷに対して例えばＳＣ－１（アンモニア水と過酸化水素水との混合溶液）である第２薬液Ｌ４を供給する。ウエハＷに供給された第２薬液Ｌ４は、ウエハＷの回転に伴う遠心力によってウエハＷの表面に広がる。これにより、ウエハＷに付着した反応副生成物等が、ウエハＷから除去される。ウエハＷから飛散した第２薬液Ｌ４は、カップ３７を介して排出される。なお、第２洗浄処理工程は必ずしも設けられていなくても良い。
　［第２リンス処理工程］
　続いて、基板保持部２２に保持されたウエハＷをリンス処理する（図５のステップＳ２５）。この際、制御装置４は、第１リンス液供給部４５を制御して、ノズル４５ａをウエハＷの上方に位置させる。続いて、ノズル４５ａからウエハＷに対して例えば常温の純水（Ｈｏｔ－ＤＩＷ）である第１リンス液Ｌ５を供給する。ウエハＷに供給された第１リンス液Ｌ５は、ウエハＷの回転に伴う遠心力によってウエハＷの表面に広がる。これにより、ウエハＷ上に残存する第２薬液Ｌ４等が洗い流される。ウエハＷから飛散した第１リンス液Ｌ５は、カップ３７を介して排出される。なお、第２洗浄処理工程が設けられていない場合、第２リンス処理工程は設けられていなくても良い。
　［乾燥処理工程］
　その後、基板保持部２２に保持されたウエハＷを乾燥処理する（図５のステップＳ２６）。この際、制御装置４は、駆動部２６を動作させることにより、ウエハＷの回転数を増加させ、ウエハＷの振り切り乾燥処理を行う。これにより、ウエハＷ上に残存する第１リンス液Ｌ５が洗い流される。ウエハＷから飛散した第１リンス液Ｌ５は、カップ３７を介して排出される。なお、ウエハＷは、例えばＩＰＡ等の乾燥用液体を用いて乾燥処理されても良い。
　この乾燥処理が終了したら、ウエハＷの回転を停止する。これによりウエハＷに対する一連の処理が終了したことになる。その後、ウエハＷが基板搬送装置１７により処理ユニット１６から搬出される。
　以上に説明したように、本実施形態によれば、属性判定部５１が、ルテニウム膜又はルテニウム合金膜が形成されたウエハＷの属性を判定し、レシピ選択部５２がウエハＷの属性に応じて処理レシピを選択される。そして、処理液供給部３０は、選択された処理レシピに基づいてウエハＷを処理液で処理する。これにより、エッチングしにくいルテニウム膜又はルテニウム合金膜を良好にエッチングすることができる。
　すなわち、一般にルテニウムは極めて安定した金属であり、難溶性材料であるため、エッチングされにくいことが知られている。これに対して本発明者らは、上記課題について鋭意検討したところ、ルテニウムやルテニウム合金は属性に応じてエッチング液による溶解状況が異なることを発見した。具体的には、ルテニウムやルテニウム合金の膜は、膜の成分のほか、膜の成膜方法によってもエッチング時の溶解状況が異なることが判明した。例えば、同じＲｕ膜であっても、成膜方法が例えばＣＶＤであるか、ＰＶＤであるかによって、適切なエッチングプロセスが異なることが判明した。したがって、ルテニウム膜又はルテニウム合金膜が形成されたウエハＷをエッチングする際には、ウエハＷの属性に応じて、エッチングの処理プロセスやエッチング液を適宜使い分けることにより、適切なエッチングを行うことが可能となる。本実施形態においては、ルテニウム膜又はルテニウム合金膜が形成されたウエハＷの属性（例えばルテニウム膜又はルテニウム合金膜の成分や成膜方法）に応じて処理レシピを選択し、選択された処理レシピに基づいてウエハＷを処理液で処理する。これにより、エッチングしにくいルテニウム膜又はルテニウム合金膜を良好にエッチングすることができる。
　また、本実施形態によれば、回収可否判定部５３は、選択された処理レシピに基づいて、回収ユニット６０が処理液に含まれるルテニウムを回収可能か否か判断する。これにより、処理液中のルテニウムを回収ユニット６０が回収可能な場合には、回収ユニット６０が処理液に含まれるルテニウムを回収し、処理液を再利用することができる。一方、処理液中のルテニウムを回収ユニット６０が回収不可能な場合には、回収ユニット６０を用いることなく、排出された処理液を再利用しないで廃棄することができる。
　上記実施形態において、属性判定部５１が判定するウエハＷの属性としては、ルテニウム膜又はルテニウム合金膜の成分と、ルテニウム膜又はルテニウム合金膜の成膜方法とを挙げたが、これに限られるものではない。ウエハＷの属性としては、ウエハＷに含まれるルテニウム以外の周辺金属の成分等、上記以外の属性を用いても良い。
　また上記実施形態において、レシピ選択部５２によって選択される処理レシピとして、プロセスＡを実行する第１処理レシピと、プロセスＢを実行する第２処理レシピとを例示したが、これに限られるものではない。レシピ選択部５２は、３つ以上の複数の処理レシピから適切な処理レシピを選択しても良い。
　また、上記実施形態において、互いに異なるエッチング液（第１エッチング液Ｌ１、第２エッチング液Ｌ２）を用いてエッチング処理を行う複数の処理レシピ（第１処理レシピ、第２処理レシピ）からいずれかの処理レシピが選択される場合を例にとって説明した。しかしながらこれに限らず、レシピ選択部５２は、同一のエッチング液を用いた互いに異なるエッチング処理を行う複数の処理レシピから、いずれかの処理レシピを選択しても良い。
　また上記実施形態において、エッチング液として、第１エッチング液Ｌ１と、第２エッチング液Ｌ２とを用いる場合を例にとって説明した。ここで、第１エッチング液Ｌ１は、次亜塩素酸ナトリウム及び硝酸セリウムアンモニウムのうちいずれか一方を含む溶液であり、第２エッチング液Ｌ２は、オルト過ヨウ素酸水溶液、又はオルト過ヨウ素酸水溶液とアンモニア水との混合液である。しかしながらこれに限らず、ルテニウム膜又はルテニウム合金膜をエッチングするエッチング液としては、過ヨウ素酸等の酸化剤を含有するエッチング液、又は、硝酸セリウム塩及び硝酸等からなるエッチング液を用いても良い。
　今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

Claims (10)

  1. 　ルテニウム膜又はルテニウム合金膜が形成された基板を準備することと、
    　前記基板の属性を判定することと、
    　前記基板の属性に応じて処理レシピを選択することと、
    　選択された前記処理レシピに基づいて前記基板を処理液で処理することと、を備えた基板処理方法。
  2. 　選択された前記処理レシピに基づいて、処理液に含まれるルテニウムを回収可能か否か判断することを更に備えた請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 　前記基板の属性は、前記ルテニウム膜又はルテニウム合金膜の成分と、前記ルテニウム膜又はルテニウム合金膜の成膜方法とを含む請求項１又は２に記載の基板処理方法。
  4. 　前記基板の属性に応じて、互いに異なるエッチング液を用いてエッチング処理を行う複数の処理レシピからいずれかの処理レシピが選択される請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  5. 　前記基板の属性に応じて、次亜塩素酸ナトリウム及び硝酸セリウムアンモニウムを含む溶液である第１エッチング液を用いてエッチング処理を行う第１処理レシピと、オルト過ヨウ素酸水溶液、又はオルト過ヨウ素酸水溶液とアンモニア水との混合液である第２エッチング液を用いてエッチング処理を行う第２処理レシピとのいずれかが選択される請求項４に記載の基板処理方法。
  6. 　ルテニウム膜又はルテニウム合金膜が形成された基板の属性を判定する属性判定部と、
    　　前記属性判定部によって判定された前記基板の属性に応じて処理レシピを選択するレシピ選択部と、
    　前記レシピ選択部によって選択された前記処理レシピに基づいて、前記基板に対して処理液を供給することにより、前記基板を処理する処理液供給部と、を備えた基板処理装置。
  7. 　処理液に含まれるルテニウムを回収する回収ユニットと、
    　選択された前記処理レシピに基づいて、前記回収ユニットが処理液に含まれるルテニウムを回収可能か否か判断する回収可否判定部と、を更に備えた請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 　前記基板の属性は、前記ルテニウム膜又はルテニウム合金膜の成分と、前記ルテニウム膜又はルテニウム合金膜の成膜方法とを含む、請求項６又は７に記載の基板処理装置。
  9. 　前記レシピ選択部は、前記基板の属性に応じて、互いに異なるエッチング液を用いてエッチング処理を行う複数の処理レシピからいずれかの処理レシピを選択する、請求項６乃至８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  10. 　前記レシピ選択部は、前記基板の属性に応じて、次亜塩素酸ナトリウム及び硝酸セリウムアンモニウムを含む溶液である第１エッチング液を用いてエッチング処理を行う第１処理レシピと、オルト過ヨウ素酸水溶液、又はオルト過ヨウ素酸水溶液とアンモニア水との混合液である第２エッチング液を用いてエッチング処理を行う第２処理レシピとのいずれかを選択する、請求項９に記載の基板処理装置。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001068463A (ja) * 1999-08-31 2001-03-16 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の量産方法
JP2001237389A (ja) * 2000-02-24 2001-08-31 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JP2006148149A (ja) * 2005-12-15 2006-06-08 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の量産方法
JP2010278386A (ja) * 2009-06-01 2010-12-09 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
WO2011074601A1 (ja) * 2009-12-17 2011-06-23 昭和電工株式会社 ルテニウム系金属のエッチング用組成物およびその調製方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001068463A (ja) * 1999-08-31 2001-03-16 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の量産方法
JP2001237389A (ja) * 2000-02-24 2001-08-31 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JP2006148149A (ja) * 2005-12-15 2006-06-08 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の量産方法
JP2010278386A (ja) * 2009-06-01 2010-12-09 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
WO2011074601A1 (ja) * 2009-12-17 2011-06-23 昭和電工株式会社 ルテニウム系金属のエッチング用組成物およびその調製方法

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