WO2020203109A1 - 金属化フィルムおよびその製造方法 - Google Patents

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WO2020203109A1
WO2020203109A1 PCT/JP2020/010456 JP2020010456W WO2020203109A1 WO 2020203109 A1 WO2020203109 A1 WO 2020203109A1 JP 2020010456 W JP2020010456 W JP 2020010456W WO 2020203109 A1 WO2020203109 A1 WO 2020203109A1
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metal
metallized
metal film
metallized film
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PCT/JP2020/010456
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山田絵美
藤信男
都地輝明
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東レ株式会社
東レＫｐフィルム株式会社
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    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
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    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
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    • H05K9/0073—Shielding materials
    • H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding

Definitions

  • the present invention relates to an electromagnetic wave shielding film, a metallized film that can be used for the electromagnetic wave shielding film, and a method for producing the same.
  • smartphones and tablet-type information terminals have been required to have the ability to transmit a large amount of data at high speed, and it is necessary to use a high frequency signal in order to transmit a large amount of data at high speed.
  • an electromagnetic wave shield film having a shield layer and a conductive adhesive layer is used as a method of shielding the printed wiring board.
  • the conductive adhesive layer is superposed on the opening provided in the insulating layer covering the ground circuit of the printed wiring board, heated and pressed, and the opening is filled with the conductive adhesive.
  • the shield layer and the ground circuit of the printed wiring board are connected via the conductive adhesive, and the printed wiring board is shielded.
  • the shielded printed wiring board is exposed to a high temperature of about 270 ° C. in the reflow process in order to connect the printed wiring board and the electronic component.
  • the printed wiring board is heated to peel off the electronic component from the printed wiring board, and then the electronic component is pasted again. Called work may be done. Then, after the repair work, it is necessary to attach the electronic component to the printed wiring board, so that the electromagnetic wave shield film is exposed to a high temperature again in the reflow process (Patent Document 1).
  • the shield needs ground stability to reduce noise on the signal line, and is required to have low electrical resistance.
  • a metal film is used for the shield, it is necessary to use a low resistance metal (gold, silver, copper, etc.) and increase the film thickness.
  • gas may be generated from the adhesive layer of the electromagnetic wave shielding film, the insulating film of the printed wiring board, or the like, and the gas may be blocked by the metal film, which may cause a problem.
  • the base film of the printed wiring board is made of a highly hygroscopic resin such as polyimide, water vapor is generated from the base film by heating.
  • Patent Document 2 a method of forming a plurality of openings in the metal film and allowing volatile components to pass therethrough has been proposed (Patent Document 2).
  • the easily soluble component having high solubility in the etching solution (solvent) is dispersed in the metal film, the shape and size of the easily soluble component can be changed. If they are not aligned and uniformly dispersed, the film resistance of the metal film after forming the openings becomes non-uniform, and there is a risk of causing signal noise.
  • the etching rate of the etching solution changes depending on the frequency of use, it is necessary to manage the etching solution in order to form a stable opening, which causes the same difficulty and cost as the etching process used for wiring formation. To do.
  • a pretreatment step of uniformly and thinly etching the rolled copper foil and the electrolytic copper foil is also included, but in order to uniformly and thinly etch, it is very difficult to manage the dedicated device and the dedicated etching solution. It will be stricter and more costly.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to stably provide a metallized film capable of transmitting volatile components while having low electrical resistance and an electromagnetic wave shielding film using the same.
  • the present inventors have come to obtain a metallized film capable of transmitting volatile components while having low electrical resistance by controlling the crystal morphology by the vacuum evaporation method.
  • the present invention is a metallized film having a metal film composed of at least one metal layer on the side of at least one surface of the film, and the surface resistance of the metal film is 0.04 ⁇ / ⁇ or less.
  • the present invention relates to a metallized film having a water vapor permeability according to JIS K7129: 2008 of the metallized film of 3.5 g / (m 2 ⁇ day) or more at a temperature of 40 ° C. and a humidity of 90% RH.
  • the present invention also relates to a method for producing a metallized film, which is a method for producing a metallized film in which the metal film is formed by a vacuum vapor deposition method.
  • the present invention relates to an electromagnetic wave shielding film having an adhesive layer on the surface of one of the metallized films.
  • a metal film whose crystal morphology is controlled by roughening the surface of the film is formed by a vacuum vapor deposition method, and a metallized film capable of transmitting volatile components while having low electrical resistance and an electromagnetic wave shielding film using the same. Can be provided.
  • the metallized film 1 of the present invention has a metal film 301 on one or both surfaces of the film 101 (FIGS. 6 and 7).
  • the electromagnetic wave shielding film 2 has an adhesive layer 601 on the surface of one of the metal films 301 of the metallized film 1 (FIGS. 8 and 9).
  • the metal film according to the present invention is an aggregate of metal layers in which one layer or two or more layers containing a metal as a main component (hereinafter referred to as a metal layer) are laminated.
  • the main component means that it exceeds 50 atomic% when the whole layer is 100 atomic%.
  • the surface resistance of the metal film 301 in the present invention is preferably 0.04 ⁇ / ⁇ or less, more preferably 0.02 ⁇ / ⁇ or less.
  • the shield When transmitting a high frequency signal, the shield is required to shield the noise generated by the signal line and to have ground stability.
  • the electrical resistance of the shield is high, in addition to the decrease in the noise shielding rate, a voltage drop occurs due to the resistance, a potential is generated in the shield, which contributes to the transmission attenuation of the signal line.
  • the lower the surface resistance of the metal film is, the more preferable, and for a high frequency signal of 1 GHz or more, the surface resistance value is preferably 0.04 ⁇ / ⁇ or less, and more preferably 0.02 ⁇ / ⁇ or less.
  • the main component of the metal layer in the present invention is preferably any metal selected from the group consisting of copper, silver, and aluminum.
  • the main component referred to here refers to a component exceeding 35 atomic% when the entire layer is 100 atomic%. This is because the lower the electrical resistance is, the more desirable it is from the shielding characteristics and signal attenuation characteristics of the metal layer.
  • Gold can be used in terms of performance, but it is expensive in terms of cost and is not suitable for use as an electromagnetic wave shielding film.
  • the main component of the metal layer is preferably copper. From the viewpoint of reducing the surface resistance value to 0.04 ⁇ / ⁇ or less, the film thickness of the metal film is preferably 0.5 ⁇ m or more.
  • a nickel or titanium metal layer having a diameter of 1 nm or more may be formed on the surface layer by a vapor deposition method such as sputtering.
  • the main component of the metal layer is any metal selected from the group consisting of copper, silver, and aluminum, and when the metal film is composed of a plurality of metal layers, it is preferable.
  • the main component of each metal layer does not necessarily have to be any metal selected from the group consisting of copper, silver, and aluminum.
  • water vapor permeability conforming to 2008 temperature 40 ° C., is preferably a humidity 90% RH 3.5g / (m 2 ⁇ day) or more, 5.0g / (m 2 ⁇ Day) or more is more preferable.
  • the water vapor permeability is less than 3.5 g / (m 2 ⁇ day)
  • the volatile components containing water vapor are shielded by the metal film, and the volatile components are rapidly vaporized. As a result, there is a high possibility that the interlayer adhesion will be destroyed.
  • the water vapor transmittance of the metallized film 1 is 3.5 g / (m 2 ⁇ day) or more, the possibility that the interlayer adhesion is broken during solder reflow is low, and 5.0 g / (m 2 ⁇ day) or more. If so, it is even less likely to be destroyed.
  • the upper limit of water vapor permeability is about 1,000 g / (m 2 ⁇ day).
  • the vacuum vapor deposition method is preferably exemplified as a method for producing the metallized film 1 having a water vapor transmittance of 3.5 g / (m 2 ⁇ day) or more. It is known that the crystal structure of the metal layer formed by the sputtering method and the metal layer formed by the vacuum vapor deposition method depends on the film formation temperature. Generally, when the melting point of the metal is Tm and the film formation temperature is Td, and Td ⁇ 0.7 Tm, the metal layer to be filmed becomes columnar crystals. Since the melting point of copper is 1083 ° C., the copper layer has a columnar crystal structure when the film formation temperature is sufficiently lower than 758 ° C., which is 0.7 Tm.
  • the film formation temperature of the copper layer is considered to be almost the same as the temperature on the film, it was confirmed that the temperature on the film could be kept sufficiently low and the heat damage could be reduced because the copper layer was a columnar crystal. it can.
  • the crystal structure the cross-sectional area of the metal layer can be observed by using the EBSD (Electron Backscattered Diffraction) method. If the film does not shrink or deform due to heat during the formation of the metal layer, it is sufficiently cooled and the crystal structure becomes a columnar crystal structure. In the case of general vacuum vapor deposition, as shown in FIG.
  • the vapor-deposited metal is incident on the film 101 as a base material in the direction 201 perpendicular to the film 101 to form the metal film 301 on the film 101.
  • the crystal growth of the metal layer grows in columns in the direction 401 in the direction perpendicular to the film 101, and the metal film 301 becomes columnar crystals.
  • the columnar crystals grow thicker in the lateral direction, and the adjacent columnar crystals grow in close contact with each other, so that there are no gaps through which gas such as water vapor permeates, and the gas barrier property becomes higher. It ends up.
  • FIG. 2 there is a method called diagonal vapor deposition as shown in FIG. 2, in which the film that is the base material is vapor-deposited from an oblique direction.
  • the metal grows into columnar crystals in a direction 401 different from the vapor deposition direction, and the columnar crystals are difficult to grow in the lateral direction and are columnar. It has the characteristic that gaps are generated between crystals. If there are gaps between the columnar crystals of the metal layer, a film with low density and good gas permeability can be produced.
  • the columnar crystals do not spread laterally even if the metal film thickness is increased, there are gaps in the metal film, and the gas permeability is maintained even if the metal film thickness is increased.
  • the vapor deposition is performed at an angle of 60 to 80 °, so that the utilization efficiency of the material is lowered and the film forming speed of vacuum vapor deposition is significantly lowered.
  • the crystal orientations are aligned and there are gaps, it tends to be mechanically brittle.
  • the present invention as a method of maintaining the gas permeability of the metal film formed by this oblique vapor deposition and not lowering the film forming rate, unevenness is formed on the surface of the film as a base material, thereby forming a portion on the film surface.
  • unevenness is formed on the surface of the film as a base material, thereby forming a portion on the film surface.
  • the vapor-deposited metal is incident on the film 102, which is a base material having an uneven surface, in the vertical direction 201 to form the metal film 301 on the film 102.
  • the vapor deposition direction is slanted with respect to the film surface due to the unevenness of the film 201, the vapor deposition is oblique, and the metal begins to grow in columns in a direction different from the vapor deposition incident direction.
  • the vapor deposition incident direction is random at the film position, the columnar growth direction is random, and the columnar growth is inhibited by the contact between the adjacent crystals and the growth direction, and the columnar growth is intermittent and short. repeat. Since the lateral growth, which is a characteristic of oblique vapor deposition, is small, gaps are generated between the columnar crystals, and a metal film having excellent gas permeability can be produced. Further, since the crystal growth directions are not aligned with those of the general oblique vapor deposition as shown in FIG. 2, the film strength is not brittle.
  • the arithmetic average roughness Ra of the surface of the film on the side having the metal film is preferably 0.4 ⁇ m or more, and the ten-point average roughness Rz is preferably 2.5 ⁇ m or more.
  • Ra and Rz are parameters according to JISB0601: 1994. When the surface roughness Ra is 0.4 ⁇ m or more and Rz is 2.5 ⁇ m or more, the same effect as oblique vapor deposition is exhibited, and a metal film having good gas permeability can be produced.
  • the detailed conditions for measuring the average roughness will be described later in the examples, but the area of 500 ⁇ m ⁇ 500 ⁇ m is measured with a high-precision fine shape measuring machine Surfcoder ET4000A manufactured by Kosaka Laboratory Co., Ltd. using a stylus with a tip R2 ⁇ m. It shall be.
  • the root mean square slope R ⁇ q of the roughness curve on the surface of the film on the side having the metal film is preferably 0.18 or more. Further, the arithmetic mean inclination angle R ⁇ a of the roughness curve on the surface having the metal film is preferably 7.0 ° or more, more preferably 8.0 ° or more.
  • the root mean square slope R ⁇ q is a parameter based on JISB0601: 2001, and represents the root mean square of the local slope dZ / dX at the reference length.
  • the local inclination referred to here is a derivative of the roughness curve Z (x) indicating the cross-sectional roughness, and the differentiation basically uses the 7-point formula.
  • the arithmetic mean inclination angle R ⁇ a is obtained by obtaining the absolute value of the inclination of the line segment formed by the unevenness of the surface with respect to the reference length X of the roughness curve and averaging it.
  • the irregularities In order to obtain the same effect as oblique vapor deposition due to the surface irregularities of the film, it is preferable that the irregularities have a large inclination, because the crystal growth direction tends to be oblique.
  • the root mean square slope R ⁇ q is smaller than 0.18 or the arithmetic mean square slope R ⁇ a is smaller than 7.0 °, the change in the crystal growth direction due to unevenness is small, so the crystal tends to grow in the same direction and the crystal becomes large.
  • the mean square root inclination angle obtained by measuring with the above-mentioned laser microscope is also large.
  • the square root inclination angle of the roughness curve on the surface having the metal film is preferably 10.0 ° or more, and more preferably 12.0 ° or more.
  • the root mean square slope angle is the square root of the value obtained by obtaining the root mean square of the slope of the line segment formed by the unevenness of the surface with respect to the reference length X of the roughness curve.
  • FIG. 4 shows a thickness of 2.0 ⁇ m by copper deposition on a PET film having a film surface roughness Ra of 0.066 ⁇ m, Rz of 0.958 ⁇ m, an average inclination R ⁇ q of 0.02, and R ⁇ a of 0.69 °.
  • It is an image quality map (Image Quality (IQ) Map) of a cross section when a metal film (two layers of a 1 ⁇ m thick metal layer) is formed.
  • the image quality map is a grayscale display of the Image Quality (IQ) value, which is an index of the sharpness of the EBSD (Electron Backscattered Diffraction) pattern, and the dark areas are the presence of grain boundaries and surface distortion, or the surface. It means that the pattern is unclear due to contamination.
  • IQ Image Quality
  • FIG. 5 shows a metal film (1 ⁇ m) of 2.0 ⁇ m by copper deposition on a PET film having a film surface roughness Ra of 0.447 ⁇ m, Rz of 5.376 ⁇ m, an average inclination R ⁇ q of 0.29, and R ⁇ a of 8.07 °. It is an image quality map (Image Quality (IQ) Map) of a cross section when two thick metal layers are formed.
  • IQ Image Quality Map
  • the size of the particle size is important.
  • the average crystal grain size of the metal film 301 is preferably 50 nm or more and 200 nm or less, and more preferably 50 nm or more and 180 nm or less. If the average crystal grain size is less than 50 nm, the voids between the crystals become too large, and the surface resistance of the metal film may rise above the appropriate range.
  • the average crystal grain size exceeds 200 nm, the voids between the crystals become small and the gas permeability is lowered, so that the water vapor permeability of the metallized film 1 is 3.5 g / (m 2 ⁇ day) or more. There are things you can't do.
  • the average crystal grain size can be examined by using a transmission EBSD (Electron Backscattered Diffraction) method on the cross section of the metal film of the laminate.
  • the metal film 301 of the metallized film 1 of the present invention has a low electrical resistance, a large film thickness is preferable.
  • the film thickness of the metal film is preferably 3.0 ⁇ m or less.
  • An opening such as a pinhole in the metal film 301 is not preferable because it reduces the mechanical strength of the film and improves the electrical resistance (surface resistance) of the film. It is preferable that the opening having a size of 5 ⁇ m or more is less than 10 pieces / cm 2 and more preferably less than 1 piece / cm 2 .
  • the metal film is sufficiently thick with a copper film equivalent of 0.5 ⁇ m or more in normal vacuum deposition, and there are many openings such as pinholes. Does not occur. Unless the film surface is extremely dirty or the metal film is artificially formed with openings, the number of openings is rarely 10 / cm 2 or more.
  • the number of openings referred to here is a measurement of the number of pinholes of 5 ⁇ m or more visually in a dark room using a consumer photographic backlight as a light source.
  • the measurement shall be performed in an area of 10 cm 2 or more, and shall be converted into a number around 1 cm 2 .
  • the arithmetic average roughness Ra of the metal film surface is 0.5 ⁇ m or more, and the ten-point average roughness Rz is 3.5 ⁇ m or more.
  • the parameter definition and measurement method are the same as those for the above-mentioned film.
  • Ra is 0.5 ⁇ m or more and Rz is 3.5 ⁇ m or more, the same effect as oblique vapor deposition is exhibited due to the unevenness of the surface, and a metal film having good gas permeability is obtained.
  • Ra is less than 0.5 ⁇ m or Rz is less than 3.5 ⁇ m, the effect of the unevenness of the film is not sufficient in the process of forming the metal film, the crystals grow large and the gas permeability is low. It may be.
  • the root mean square slope R ⁇ q of the roughness curve on the surface of the metal film is preferably 0.10 or more, the arithmetic mean slope angle R ⁇ a is preferably 3.0 ° or more, and more preferably 7.0 ° or more.
  • the parameter definition and measurement method are the same as those for the above-mentioned film.
  • R ⁇ q is 0.10 or more or R ⁇ a is 3.0 ° or more, it is considered that the crystal size of the metal film becomes small due to the uneven inclination of the film and the water vapor permeability becomes high.
  • the mean square root inclination angle is also large as in the above-mentioned film.
  • the root mean square inclination angle of the roughness curve on the surface of the metal film is preferably 6.0 ° or more, more preferably 10.0 ° or more.
  • the film 101 used in the present invention is a thin film formed by molding a polymer such as a synthetic resin.
  • a polyester film such as a polyethylene terephthalate film or a polyethylene naphthalate film, a polyimide film, a polyphenylene sulfide film, a polypropylene film, or a polyether ether ketone film can be used.
  • polyethylene terephthalate film is more preferably used. These films may be used alone or in combination. Further, the film surface coated with a resin, an adhesive or the like may be used.
  • the thickness of the film 101 is preferably 10 ⁇ m or less, more preferably 6 ⁇ m or less, because it is better to be thin in consideration of gas permeability. However, if the film 101 is too thin, the strength of the film itself becomes weak, and wrinkles and the like occur in the steps of vapor deposition and bonding to the printed circuit board, making handling difficult. Therefore, as shown in FIG. 7, the film 101 may be formed on the carrier film 501 having the release layer, and the metal film 301 may be formed on the film 101 to produce the metallized film 1.
  • the carrier film 501 is not particularly limited, but a polyethylene terephthalate film is more preferably used. When the thickness of the carrier film is 25 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, it is easy to handle and preferable.
  • a film formed by coating a carrier film having a release layer with a resin can also be used.
  • a resin a thermoplastic resin composition, a thermosetting resin composition, an active energy ray-curable composition, or the like can be used.
  • the thermoplastic resin composition is not particularly limited, but is a styrene resin composition, a vinyl acetate resin composition, a polyester resin composition, a polyethylene resin composition, a polypropylene resin composition, an imide resin composition, or the like. Examples thereof include acrylic resin compositions.
  • the thermosetting resin composition is not particularly limited, but is a phenol-based resin composition, an epoxy-based resin composition, a urethane-based resin composition having an isocyanate group at the terminal, a urea-based resin having an isocyanate group at the terminal, and an isocyanate at the terminal.
  • a urethane urea-based resin having a group, a melamine-based resin composition, an alkyd-based resin composition, or the like can be used.
  • the active energy ray-curable composition is not particularly limited, and for example, a polymerizable compound having at least two (meth) acryloyloxy groups in the molecule can be used. These resins may be used alone or in combination of two or more.
  • urethane urea-based resin having an isocyanate group at the end or the end is from the viewpoint of improving the reflow resistance and preventing a decrease in the electrical connection between the electromagnetic wave shielding film 2 and the printed wiring board 3. It is preferable that the resin is a combination of a urethane urea resin having an isocyanate group and an epoxy resin.
  • the urethane-based resin having an isocyanate group at the terminal or the urethane urea-based resin having an isocyanate group at the terminal preferably has an acid value of 1 to 30 mgKOH / g, and more preferably has an acid value of 3 to 20 mgKOH / g. ..
  • two or more urethane resins or urethane urea resins having an acid value in the range of 1 to 30 mgKOH / g and having different acid values may be used in combination.
  • the acid value is 1 mgKOH / g or more, the reflow resistance of the electromagnetic wave shielding film is good, and when the acid value is 30 mgKOH / g or less, the bending resistance of the electromagnetic wave shielding film is good.
  • the acid value is measured according to JIS K0070: 1992.
  • the film 101 formed by coating a carrier film with a resin may be formed of a single material or may be formed of two or more kinds of materials.
  • the film 101 formed by coating a carrier film with a resin includes a curing accelerator, a tackifier, an antioxidant, a pigment, a dye, a plasticizer, an ultraviolet absorber, a defoaming agent, and a leveling agent, if necessary.
  • Filler, flame retardant, viscosity modifier, anti-blocking agent and the like may be included.
  • the film 101 formed by coating a carrier film with a resin may be a laminate of two or more layers having different physical properties such as material or hardness or elastic modulus.
  • the outer layer has a cushioning effect, so that the pressure applied to the metal film 301 in the step of heating and pressurizing the electromagnetic wave shielding film 2 onto the printed wiring board 3 is applied. Can be relaxed. Therefore, it is possible to prevent the metal film 301 from being destroyed by the step provided on the printed wiring board.
  • the thickness of the film 101 formed by coating the carrier film with the resin is not particularly limited and can be appropriately set as needed, but is preferably 1 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less, and 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less. More preferably, it is more preferably 4 ⁇ m or more and 6 ⁇ m or less.
  • the thickness of the film 101 formed by coating the carrier film with the resin is 1 ⁇ m or more, the adhesive layer 601 and the metal film 301 can be sufficiently protected.
  • the thickness of the film 101 formed by coating the carrier film with a resin is 20 ⁇ m or less, the flexibility of the electromagnetic wave shield film 2 can be ensured, and one electromagnetic wave is applied to a member that requires flexibility. It becomes easy to apply the shield film 2.
  • the surface of the film in contact with the metal film contains at least one resin selected from the group consisting of polyester, polyimide, polyphenylene sulfide, polypropylene, polyetheretherketone and epoxy resin.
  • the film 101 it is necessary to have excellent heat resistance in consideration of the solder reflow passability. Therefore, among these, it is more preferable to use polyimide, polyphenylene sulfide, polyetheretherketone, or epoxy resin.
  • the method of forming irregularities on the film surface is not particularly limited, but a method of forming irregularities on the film by blasting, a method of thinly applying a resin containing large particles such as a filler, and a method of forming irregularities with particles, and further. Can be applied to a method of kneading particles during film molding.
  • Blasting is a method of spraying fine particles such as an abrasive onto a film to give fine irregularities.
  • abrasive known materials such as ceramic beads and glass beads made of silica sand, alumina, zirconia, silica and the like, and dry ice grains can be used.
  • the method of spraying the abrasive is not particularly limited, such as shot blasting (centrifugal blasting) in which the abrasive is sprayed by centrifugal force, air blasting using compressed air, and wet blasting in which a slurry is sprayed at high pressure.
  • the type of resin is not particularly limited, but one mainly composed of an organic component is preferable in order to ensure the adhesion between the film and the resin layer.
  • the type of resin include polyester resin, polyurethane resin, acrylic resin, methacrylic resin, polyamide resin, polyethylene resin, polypropylene resin, polyvinyl chloride resin, polyvinylidene chloride resin, polystyrene resin, polyvinyl acetate resin and the like. Can be done. These resins may be used alone, or may be used as a copolymer or a mixture of two or more kinds. Of these, polyester resin, polyurethane resin, acrylic resin or methacrylic resin are preferable from the viewpoint of adhesion and particle dispersibility.
  • the shape of the particles used for forming the unevenness is, for example, a non-spherical shape such as a star shape, a flat shape, a diamond shape, a rectangular shape, a needle shape, a flat sugar shape, or an indefinite shape, or a spherical shape (the cross-sectional shape of the particle is surrounded by a curved surface). (Meaning what is) and the like. Further, the particles may be porous, non-porous or hollow, and particles having different particle shapes may be mixed.
  • the material of the particles may be either an organic compound or an inorganic compound, and is not particularly limited, and particles of different materials may be mixed and used.
  • a resin mainly composed of a crosslinked polymer component having a high melting point is preferable, and for example, a polyester resin, a polyamide resin particle such as benzoguanamine, a polyurethane resin, an acrylic resin, a methacrylic resin, etc.
  • examples thereof include polyamide resin, polyethylene resin, polypropylene resin, polyvinyl chloride resin, polyvinylidene chloride resin, polystyrene resin, polyvinyl acetate resin, fluororesin, silicone resin and the like.
  • resins may be used alone, or may be used as a copolymer or a mixture of two or more kinds.
  • inorganic compounds for example, calcium carbonate, magnesium carbonate, zinc carbonate, titanium oxide, zinc oxide, cerium oxide, magnesium oxide, barium sulfate, zinc sulfide, calcium phosphate, silica, alumina, mica, mica titanium, talc, clay , Kaolin, lithium fluoride, calcium fluoride and the like.
  • the thickness of the resin layer to be coated to form the unevenness is not particularly limited, but is preferably 0.05 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less. If the thickness is thinner than 0.05 ⁇ m, the resin layer may become uneven or particles may fall off. If the thickness is thicker than 5 ⁇ m, the resin layer may crack or the properties such as heat resistance of the film itself may be impaired. It may happen.
  • An anchor layer may be provided between the film 101 of the metallized film 1 of the present invention and the metal film 301. By providing the anchor layer, it is expected that the adhesion between the film and the metal film will be improved. As the anchor layer, it is preferable to form a metal anchor layer on the film 101 by a sputtering method. The sputtering method can reduce the thickness of the anchor layer, which is most suitable for electromagnetic wave shielding film applications that require thinner layers.
  • the anchor layer is preferably a metal layer containing any one or more selected from the group consisting of nickel, titanium, copper, and chromium.
  • the metal film 301 is copper, it is preferable to use copper, which is the same metal as the anchor layer, because it has less influence on the metal film 301.
  • the anchor layer can also serve as a buffer layer by selecting from nickel, titanium, chromium, etc., which are difficult to react with both the film 101 and the metal film 301.
  • the thickness of the anchor layer is preferably 5 nm or more and 30 nm or less, and more preferably 10 nm or more and 20 nm or less. If the thickness is less than 5 nm, sufficient adhesion may not be obtained. On the other hand, when the thickness exceeds 30 nm, the average crystal grain size of the anchor layer formed by the sputtering method becomes large, and depending on the type of metal, the metal film 301 formed on the anchor layer by vacuum vapor deposition has the crystal grain size of the anchor layer. Due to the influence of the size, the average crystal grain size of the metal film 301 also becomes large, which may make control difficult.
  • the thickness is preferably 10 nm or more, and the anchor layer is 20 nm or less in order to reduce the influence of crystal control of the metal film 301. It is preferable to have.
  • the electromagnetic wave shielding film of the present invention has an adhesive layer on the surface of one of the metal films of the metallized film of the present invention, and the adhesive layer will be described.
  • the adhesive layer 601 is not particularly limited as long as it can fix the electromagnetic wave shielding film 2 to the printed wiring board 3, but it is preferably a conductive adhesive layer having an adhesive resin composition and a conductive filler.
  • the adhesive resin composition is not particularly limited, but a styrene resin composition, a vinyl acetate resin composition, a polyester resin composition, a polyethylene resin composition, a polypropylene resin composition, an imide resin composition, Thermosetting resin composition such as amide resin composition or acrylic resin composition, or phenol resin composition, epoxy resin composition, urethane resin composition, melamine resin composition, or alkyd resin composition A thermosetting resin composition or the like can be used. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the adhesive layer 601 may contain, if necessary, a curing accelerator, a tackifier, an antioxidant, a pigment, a dye, a plasticizer, an ultraviolet absorber, a defoamer, a leveling agent, a filler, a flame retardant, and a flame retardant.
  • a viscosity modifier or the like may be contained.
  • the thickness of the adhesive layer 601 is not particularly limited and can be appropriately set as needed, but is preferably 3 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, and more preferably 4 ⁇ m or more and 7 ⁇ m or less.
  • the conductive filler is not particularly limited, but for example, a metal filler, a metal-coated resin filler, a carbon filler, and a mixture thereof can be used.
  • the metal filler include copper powder, silver powder, nickel powder, silver coat copper powder, gold-coated copper powder, silver-coated nickel powder, and gold-coated nickel powder. These metal powders can be obtained by an electrolytic method, an atomizing method, or reduction. It can be produced by the method.
  • the average particle size of the conductive filler is 3 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less in order to facilitate contact between the fillers.
  • examples of the shape of the conductive filler include a spherical shape, a flake shape, a dendritic shape, and a fibrous shape. Among these, at least one selected from the group consisting of silver powder, silver-coated copper powder, and copper powder is preferable from the viewpoint of connection resistance and cost.
  • the adhesive layer 601 contains a conductive filler, it can be an anisotropic conductive adhesive layer or an isotropic conductive adhesive layer.
  • the conductive filler When the conductive filler is an isotropic conductive adhesive layer, the conductive filler may be added in a range of more than 39% by weight and not more than 400% by weight with respect to the total amount of the adhesive layer 601. it can. Further, in the case of the anisotropic conductive adhesive layer, it can be added in the range of 3% by weight or more and 39% by weight or less with respect to the total amount of the adhesive layer 601. (Manufacturing method of metallized film) Next, an example of the method for producing the metallized film 1 of the present invention will be described.
  • the method for producing the metallized film 1 of the present invention is not particularly limited, but the production includes, for example, a step of preparing the film 101, a step of forming an anchor layer on the film 101 as needed, and a step of forming the metal film 301.
  • the method can be exemplified.
  • ⁇ Process of preparing film> When a film 101 obtained by molding a polymer such as a synthetic resin into a thin film is used, the surface on the side where the metal film 301 is formed is roughened.
  • the method of roughening is not particularly limited, and examples thereof include a method of sandblasting the film surface to make unevenness and a method of coating the surface with a coating material containing particles such as a filler to make unevenness.
  • Blasting is a method of spraying fine particles such as an abrasive onto a film to give fine irregularities.
  • abrasive known materials such as ceramic beads and glass beads made of silica sand, alumina, zirconia, silica and the like, and dry ice grains can be used.
  • the method of spraying the abrasive is not particularly limited, such as shot blasting (centrifugal blasting) in which the abrasive is sprayed by centrifugal force, air blasting using compressed air, and wet blasting in which a slurry is sprayed at high pressure.
  • the coating method is not particularly limited, and gravure coat, roll coat, die coat, spin coat, reverse coat, bar coat, screen coat, blade coat, air knife coat And various coating methods such as dip coating can be used.
  • a resin composition When using the film 101 formed by coating a resin on a carrier film, prepare a resin composition.
  • This resin composition can be prepared by adding an appropriate amount of a solvent and other compounding agents to the resin composition.
  • the solvent can be, for example, toluene, acetone, methyl ethyl ketone, methanol, ethanol, propanol, dimethylformamide and the like.
  • a cross-linking agent, a polymerization catalyst, a curing accelerator, a colorant and the like can be added. Further, particles such as silica can be added for the purpose of forming surface irregularities. Other compounding agents may be added as needed.
  • the prepared resin composition is applied to one side of the carrier film 501.
  • the method of applying the resin composition to one side of the carrier film 501 is not particularly limited, and known techniques such as lip coating, comma coating, gravure coating, and slot die coating can be applied.
  • the carrier film 501 is not particularly limited, and can be formed of, for example, a material such as a polyolefin-based, polyester-based, polyimide-based, or polyphenylene sulfide-based material.
  • a mold release agent layer may be provided between the carrier film 501 and the film 101 formed by coating the resin.
  • the film 101 formed by coating the resin is formed by heating and drying to remove the solvent.
  • the carrier film 501 can be peeled off from the film 101 formed by coating the resin, but the carrier film 501 is preferably peeled off after the electromagnetic wave shield film 2 is attached to the printed wiring board 3. In this way, the electromagnetic wave shielding film 2 can be protected by the supporting base material.
  • the surface of the film 101 formed by coating with resin is also roughened.
  • the method of roughening is not particularly limited, but a method of sandblasting the film surface to make unevenness (same as above) or a method of coating the surface with a coating material containing particles such as a filler to make unevenness (above). The same applies to).
  • an anchor layer forming process when forming an anchor layer on the surface of the film 101, specifically, the film is placed in a batch type vacuum vapor deposition apparatus (EBH-800 manufactured by ULVAC), a metal target having a size of 50 mm ⁇ 550 mm is used, and argon is used.
  • An anchor layer can be formed by adjusting the vacuum reach to 5 ⁇ 10 -1 Pa or less in a gas atmosphere and continuously applying a DC power source for a period of time to reach a predetermined metal film thickness.
  • the vacuum vapor deposition for forming the metal film 301 which is performed after sputtering, can be continuously processed without coming into contact with the atmosphere between sputtering and vapor deposition.
  • the metal film 301 is formed on the surface of the film 101 or the surface of the anchor layer. More specifically, after installing the film in a batch type vacuum vapor deposition apparatus (EBH-800 manufactured by ULVAC) and placing an amount of metal to the desired thickness on the vapor deposition boat, the vacuum achievement degree 9.0 ⁇ After evacuating to 10 -3 Pa or less, the evaporation boat can be heated to perform vacuum deposition. When the anchor layer is formed, the anchor layer formation and the metal film formation can be continuously processed so as not to come into contact with the atmosphere between sputtering and vapor deposition.
  • a batch type vacuum vapor deposition apparatus EH-800 manufactured by ULVAC
  • a metal film 301 is formed on one side of the film 101, but a metal film may be formed on both sides of the film 101 if necessary. However, when the metal film 301 is formed on both sides, it is necessary to roughen both sides of the film 101.
  • the electromagnetic wave shielding film of the present invention has an adhesive layer on the surface of one of the metallized films of the present invention, but the method for producing the electromagnetic wave shielding film 2 of the present invention is not particularly limited. ..
  • a production method in which the composition for the adhesive layer is applied to the surface of one of the metal films 301 of the metallized film 1 of the present invention and then the composition for the adhesive composition is cured to form the adhesive layer 601 is exemplified. it can.
  • the composition for the adhesive layer contains a resin composition and a solvent.
  • the resin composition is not particularly limited, but is a styrene resin composition, a vinyl acetate resin composition, a polyester resin composition, a polyethylene resin composition, a polypropylene resin composition, an imide resin composition, and an amide resin.
  • a composition, a thermoplastic resin composition such as an acrylic resin composition, or a phenolic resin composition, an epoxy resin composition, a urethane resin composition, a melamine resin composition, an alkyd resin composition, or the like. It can be a thermosetting resin composition or the like. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the solvent for example, toluene, acetone, methyl ethyl ketone, methanol, ethanol, propanol, dimethylformamide and the like can be used.
  • a curing accelerator, a tackifier, an antioxidant, a pigment, a dye, a plasticizer, an ultraviolet absorber, a defoamer, a leveling agent, a filler, and a flame retardant are added to the composition for the adhesive layer.
  • at least one of a viscosity modifier and the like may be contained.
  • the ratio of the resin composition in the composition for the adhesive layer may be appropriately set according to the thickness of the adhesive layer 601, the coating method, the liquid viscosity, and the like.
  • the method of applying the composition for the adhesive layer to the surface of the metal film 301 of the metallized film 1 is not particularly limited, and lip coating, comma coating, gravure coating, slot die coating or the like can be used.
  • the adhesive layer 601 is formed by heating and drying to remove the solvent. If necessary, a release film may be attached to the surface of the adhesive layer 601.
  • the electromagnetic wave shield film 2 of the present embodiment can be used, for example, in the shield printed wiring board 4 shown in FIG.
  • the shield printed wiring board 4 includes a printed wiring board 3 and an electromagnetic wave shielding film 2.
  • the printed wiring board 3 includes a base layer 702, a printed circuit (ground circuit) 801 formed on the base layer 702, and an insulating adhesive layer 901 provided adjacent to the printed circuit 801 on the base layer 702. And an insulating coverlay 701 that is provided with an opening for exposing a part of the printed circuit 801 and is provided so as to cover the insulating adhesive layer 901.
  • the insulating layer of the printed wiring board 3 is formed by the insulating adhesive layer 901 and the coverlay 701.
  • the base layer 702, the insulating adhesive layer 901 and the coverlay 701 are not particularly limited and may be, for example, a resin film or the like, for example, polypropylene, crosslinked polyethylene, polyester, polybenzoimidazole, polyimide, polyimideamide, etc. It can be formed of a resin such as polyetherimide or polyphenylene sulfide.
  • the printed circuit 801 can be, for example, a copper wiring pattern formed on the base layer 702.
  • the electromagnetic wave shield film 2 is adhered to the printed wiring board 3 with the adhesive layer 601 on the coverlay 701 side.
  • the electromagnetic wave shield film 2 is placed on the printed wiring board 3 and pressurized while being heated by a press machine. A part of the adhesive layer 601 softened by heating flows into the opening formed in the coverlay 701 by pressurization. As a result, the metal film 301 and the ground circuit 801 of the printed wiring board 3 are connected via a conductive adhesive, and the metal film 301 and the ground circuit 801 are connected.
  • a film is installed in a batch type vacuum vapor deposition apparatus (EBH-800 manufactured by ULVAC), a nickel target of 50 mm ⁇ 550 mm size is used, and the vacuum reach is adjusted to 5 ⁇ 10 -1 Pa or less in an argon gas atmosphere, and DC.
  • the power supply was continuously applied for a time to reach a predetermined metal film thickness.
  • the vacuum vapor deposition performed after sputtering was continuously processed so that it would not come into contact with the atmosphere between sputtering and vapor deposition.
  • Measurement conditions X measurement length 500 ⁇ m, pitch 1 ⁇ m Y measurement length 500 ⁇ m, pitch 5 ⁇ m Measurement speed 0.1 mm / sec.
  • the surface inclination was measured using a laser microscope VK-9700 manufactured by KEYENCE CORPORATION, and analyzed using a shape analysis application VK-H1A1. The measurement was performed at three random locations, and the average of them was taken as the value of R ⁇ q and R ⁇ a.
  • Measurement conditions Objective lens 50x, zoom 1x Analysis conditions: Automatic noise removal: Noise detection area Normal Tilt correction: Surface tilt correction (automatic) Line roughness analysis Analysis length 200 ⁇ m Height smoothing: Simple average ⁇ 2.
  • the surface resistance was measured by the 4-terminal method.
  • the sample to be measured was cut to 100 mm ⁇ , the position of the center of the cut film was repeatedly measured three times, and the average value of the three times was taken as the measured value of surface resistance.
  • a simple low resistivity meter (Loresta EP MCP-T360 ASP probe manufactured by Mitsubishi Chemical Analytech Co., Ltd.) is used for measurement, and the unit is displayed as ⁇ / ⁇ .
  • the average grain size of the metal film was calculated using EBSD. First, the cross section of the metal film of the laminated body was cut out thinly, and the diffraction pattern was incorporated. In the obtained diffraction pattern, crystal particles are identified as the same grain when two or more measurement points within a specified azimuth angle difference of 5 ° or less exist consecutively, and the equivalent circle diameter (for each crystal grain) ( The diameter of a circle of the same area) was calculated. The value obtained by averaging the crystal grain sizes thus obtained according to the following formula was taken as the average crystal grain size. Wherein, N is the total number of particles, d i denotes the particle diameter of each particle (equivalent circle diameter).
  • the conditions for incorporating the diffraction pattern are as follows. Equipment used: Thermal field emission scanning electron microscope (TFE-SEM) JSM-6500F (manufactured by JEOL Ltd.) OIM Azimuth Analyzer DigiViewIV Slow Scan CCD Camera OIM Data Collection ver. 7. x OIM Analysis ver. 7. x Analytical conditions: Acceleration voltage 15kV Irradiation current 15nA Sample tilt -30 deg (permeation EBSD method) Surface measurement magnification 5,000 times Measurement field of view area 3 x 20 ⁇ m Interval 20 nm / step.
  • TFE-SEM Thermal field emission scanning electron microscope
  • JSM-6500F manufactured by JEOL Ltd.
  • the number of openings was measured visually in a dark room using a consumer photographic backlight as a light source and the number of pinholes of 5 ⁇ m or more. The measurement was performed on an area of 10 cm 2 or more, and converted into a number around 1 cm 2 .
  • the thickness of the metal layer was measured with a fluorescent X-ray film thickness meter (STI Nanotechnology, SFT9400).
  • the transmittance of the sputtered metal layer formed on the transparent PET film is measured with a transmissometer, and from the obtained value, Lambert-Beer's law
  • the film thickness was calculated from.
  • I 0 is the amount of light before passing through the thin film
  • I is the amount of light after passing through the thin film
  • ⁇ is the absorption coefficient
  • Z is the film thickness
  • k is the extinction coefficient
  • ⁇ is the wavelength.
  • I / I 0 as the transmittance
  • the extinction coefficient at a wavelength of 555 nm was 2.56 for titanium and 3.2588 for nickel, and was used as the film thickness of the sputtered metal layer as the anchor layer.
  • the water vapor permeability was measured by a method based on JIS K7129: 2008 (infrared ray). The measurement was carried out under the conditions of a temperature of 40 ° C. and a humidity of 90% RH using a water vapor transmittance measuring device (model name, PERMATRAN (registered trademark) W3 / 31) manufactured by MOCON, USA. The measurement was performed twice for each of the two test pieces, and the average value of a total of four measured values was taken as the value of the water vapor transmittance.
  • Reflow passability When a heat-resistant film was used, the reflow resistance of the produced shield-printed wiring board was evaluated as follows. As the conditions for reflow, lead-free solder was assumed, and a temperature profile was set so that the shield film on the shield printed wiring board was exposed to 265 ° C. for 1 second.
  • the proximity electric field and proximity magnetic field shielding performance of the metallized film alone was measured by the KEC method.
  • the measuring device uses a microwave / millimeter wave band evaluation system (E5071C ENA manufactured by Agent, network analyzer (9 kHz to 4.5 GHz)), and has electric field shield (proximity electric field shield performance) and magnetic field shield (proximity) at 1 GHz. Magnetic field shielding performance) was measured.
  • Example 1 ⁇ Manufacturing of metallized film> A 50 ⁇ m thick biaxially oriented polyethylene terephthalate film (manufactured by Toray Industries, Inc., “Lumirror®” type: S10) uses silica sand with an average particle size of 200 ⁇ m as an abrasive on one side, and is shot on a film 1 m away. After the treatment by the shot blasting method, the film was washed with water to obtain a surface-roughened film. The film surface roughness after surface roughness was Ra 0.87 ⁇ m and Rz 7.96 ⁇ m, and the unevenness inclination was R ⁇ q 0.56 and R ⁇ a 15.5 °.
  • nickel was deposited to a thickness of 5 nm on the surface on which the surface irregularities were formed by a magnetron sputtering method.
  • the condition was a sputtering output of 3.0 kW using a DC power supply.
  • copper was vacuum-deposited to a thickness of 2.0 ⁇ m by a vacuum-film deposition method.
  • the average crystal grain size of the copper metal film of the metallized film thus produced was 74 nm, the surface resistance was 0.0198 ⁇ / ⁇ , and the pinholes (number of openings) were 0.4 pieces / cm 2 .
  • the surface roughness of the metal film was Ra 1.05 ⁇ m and Rz 8.15 ⁇ m, and the inclination of the unevenness was R ⁇ q 0.70 and R ⁇ a 16.3 °.
  • the water vapor transmittance of the metallized film was 6.68 g / (m 2 ⁇ day), the electric field shielding property at 1 GHz was 80 dB, and the magnetic field shielded property at 1 GHz was 60 dB.
  • Example 2 ⁇ Manufacturing of metallized film> A 50 ⁇ m-thick biaxially oriented polyethylene terephthalate film (manufactured by Toray Industries, Inc., “Lumilar®” type: S10) was coated with a resin containing particles to prepare a film whose surface was roughened.
  • a resin containing particles acrylic resin "Acrydic (registered trademark)” WFL-908 manufactured by DIC Corporation and silica spherical fine particles "Sea Horster” KE-P30 (average particle diameter 0.3 ⁇ m) manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd. are used as resins. A dispersion of 15% by weight by weight was used.
  • Acrylic resin was applied with a Mayer bar and dried at 120 ° C. for 1 minute to obtain a surface uneven film as a layer having a thickness of 0.5 ⁇ m.
  • the surface roughness of the obtained surface roughened film was Ra 0.51 ⁇ m and Rz 3.36 ⁇ m, and the unevenness inclination was R ⁇ q 0.21 and R ⁇ a 7.3 °.
  • nickel was deposited on the film surface to a thickness of 5 nm by a magnetron sputtering method.
  • the condition was a sputtering output of 3.0 kW using a DC power supply.
  • copper was vacuum-deposited to a thickness of 1.0 ⁇ m by a vacuum-film deposition method.
  • the average crystal grain size of the copper metal film of the metallized film produced in this manner is 102 nm
  • the surface resistance of the metal film is 0.0280 ⁇ / ⁇
  • the pinholes (number of openings) are 0.5 / cm 2 . there were.
  • the surface roughness of the metal film was Ra 0.57 ⁇ m and Rz 4.92 ⁇ m, and the inclination of the unevenness was R ⁇ q 0.13 and R ⁇ a 4.6 °.
  • the water vapor transmittance of the metallized film was 3.54 g / (m 2 ⁇ day), the electric field shielding property at 1 GHz was 65 dB, and the magnetic field shielded property at 1 GHz was 51 dB.
  • Example 3 Manufacturing of metallized film> A metallized film was obtained under the same conditions as in Example 2 except that copper was vacuum-deposited to a thickness of 0.7 ⁇ m by a vacuum vapor deposition method.
  • the average crystal grain size of the copper metal film of the metallized film thus produced was 106 nm, the surface resistance was 0.0384 ⁇ / ⁇ , and the pinholes (number of openings) were 0.6 / cm 2 .
  • the surface roughness of the metal film was Ra 0.54 ⁇ m and Rz 4.28 ⁇ m, and the inclination of the unevenness was R ⁇ q 0.18 and R ⁇ a 6.1 °.
  • the water vapor transmittance of the metallized film was 3.76 g / (m 2 ⁇ day), the electric field shielding property at 1 GHz was 60 dB, and the magnetic field shielded property at 1 GHz was 49 dB.
  • Example 4 ⁇ Manufacturing of metallized film> A composition consisting of a bisphenol A type epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, jER1256) and a methyl ethyl ketone (solid content: 30 mass) using a PET film having a thickness of 60 ⁇ m and having a mold release treatment on the surface as a supporting base material. %) was applied and dried by heating to prepare an epoxy resin film having a thickness of 5 ⁇ m. The surface of the epoxy resin film was roughened by shot blasting and washing with water in the same manner as in Example 1. The film surface roughness after surface roughness was Ra 0.46 ⁇ m and Rz 2.57 ⁇ m, and the unevenness inclination was R ⁇ q 0.49 and R ⁇ a 13.4 °.
  • the above-mentioned film was installed in a batch-type vacuum vapor deposition apparatus (EBH-800 manufactured by ULVAC), and the degree of vacuum reached was adjusted to 5 ⁇ 10 -1 Pa or less in an argon gas atmosphere, and the magnetron sputtering method (DC) was performed. Power supply output: 3.0 kW), nickel having a thickness of 5 nm was formed as an anchor layer.
  • EH-800 batch-type vacuum vapor deposition apparatus manufactured by ULVAC
  • DC magnetron sputtering method
  • the surface roughness of the metal film was Ra 0.64 ⁇ m and Rz 3.61 ⁇ m, and the unevenness inclination was R ⁇ q 0.53 and R ⁇ a 14.7 °.
  • the water vapor transmittance of the metallized film was 10.96 g / (m 2 ⁇ day), the electric field shielding property at 1 GHz was 80 dB, and the magnetic field shielded property at 1 GHz was 61 dB.
  • the prepared electromagnetic wave shield film and the printed wiring board are superposed so that the adhesive layer of the electromagnetic wave shield film and the printed wiring board face each other, and heated using a press machine at 170 ° C. and 3.0 MPa for 1 minute. After the pressure was applied, the film was heated and pressurized at the same temperature and pressure for 3 minutes to prepare a shield printed wiring board.
  • the printed wiring board has two copper foil patterns extending in parallel at intervals from each other and an insulating layer (thickness: 25 ⁇ m) made of polyimide while covering the copper foil patterns.
  • the insulating layer has an insulating layer (thickness: 25 ⁇ m).
  • An opening (diameter: 1 mm) was provided to expose each copper foil pattern.
  • the adhesive layer of the electromagnetic wave shielding film and the printed wiring board were overlapped so that the opening was completely covered by the electromagnetic wave shielding film.
  • the PET film subjected to the mold release treatment was peeled off. The reflow passability of this shield printed wiring board was ⁇ .
  • Example 5 ⁇ Manufacturing of metallized film> A PET film having a thickness of 60 ⁇ m and having a mold release treatment on the surface was used as a supporting base material, and a PEEK film having a thickness of 5 ⁇ m was laminated on the PET film. The surface of the obtained PEEK film with a supporting base material was shot blasted and washed with water in the same manner as in Example 1 to roughen the surface. The film surface roughness after surface roughness was Ra 0.43 ⁇ m and Rz 2.51 ⁇ m, and the unevenness inclination was R ⁇ q 0.47 and R ⁇ a 12.6 °.
  • an anchor layer was formed on the surface of the roughened PEEK film.
  • the above-mentioned film is installed in a batch type vacuum vapor deposition apparatus (EBH-800 manufactured by ULVAC), and the vacuum reach is adjusted to 5 ⁇ 10 -1 Pa or less in an argon gas atmosphere, and the magnetron sputtering method (DC power output: With 3.0 kW), titanium having a thickness of 5 nm was formed as an anchor layer.
  • the surface roughness of the metal film was Ra 0.57 ⁇ m and Rz 3.59 ⁇ m, and the unevenness inclination was R ⁇ q 0.50 and R ⁇ a 13.5 °.
  • the water vapor transmittance of the metallized film was 9.77 g / (m 2 ⁇ day), the electric field shielding property at 1 GHz was 65 dB, and the magnetic field shielded property at 1 GHz was 50 dB.
  • a shield-printed wiring board was obtained by the same method as in Example 4 for manufacturing the electromagnetic wave shield film and manufacturing the shield-printed wiring board.
  • the reflow passability of this shield printed wiring board was ⁇ .
  • Example 6 ⁇ Manufacturing of metallized film>
  • a 50 ⁇ m-thick biaxially oriented polyethylene terephthalate film manufactured by Toray Industries, Inc., “Lumilar®” type: S10
  • the film surface roughness after surface roughness was Ra 0.87 ⁇ m and Rz 7.96 ⁇ m
  • the unevenness inclination was R ⁇ q 0.56 and R ⁇ a 15.5 °.
  • a metal film was formed on the surface of the film.
  • a batch-type vacuum vapor deposition apparatus (EBH-800 manufactured by ULVAC) and placing aluminum on the vapor deposition boat, evacuate until the vacuum reach reaches 9.0 x 10 -3 Pa or less.
  • the evaporation boat was heated to form a 2.0 ⁇ m metal film by vacuum deposition.
  • the average crystal grain size of the aluminum metal film of the metallized film thus produced was 91 nm, the surface resistance was 0.0379 ⁇ / ⁇ , and the pinholes (number of openings) were 0.5 per cm 2 .
  • the surface roughness of the metal film was Ra 1.1 ⁇ m and Rz 8.3 ⁇ m, and the inclination of the unevenness was R ⁇ q 0.72 and R ⁇ a 16.5 °.
  • the water vapor transmittance of the metallized film was 7.23 g / (m 2 ⁇ day), the electric field shielding property at 1 GHz was 60 dB, and the magnetic field shielded property at 1 GHz was 50 dB.
  • Example 7 One side of a 37.5 ⁇ m-thick polyimide film (“Kapton®” type: 150EN-A manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.) was shot blasted and washed with water in the same manner as in Example 1 to roughen the surface. did.
  • the film surface roughness after surface roughness was Ra 0.71 ⁇ m and Rz 7.39 ⁇ m, and the unevenness inclination was R ⁇ q 0.48 and R ⁇ a 13.7 °.
  • an anchor layer was formed on the surface of the roughened polyimide film.
  • the above-mentioned film is installed in a batch type vacuum vapor deposition apparatus (EBH-800 manufactured by ULVAC), and the vacuum reach is adjusted to 5 ⁇ 10 -1 Pa or less in an argon gas atmosphere, and the magnetron sputtering method (DC power output: With 3.0 kW), nickel having a thickness of 5 nm was formed as an anchor layer.
  • the surface roughness of the metal film was Ra 0.77 ⁇ m and Rz 7.69 ⁇ m, and the inclination of the unevenness was R ⁇ q 0.54 and R ⁇ a 14.8 °.
  • the water vapor transmittance of the metallized film was 8.92 g / (m 2 ⁇ day), the electric field shielding property at 1 GHz was 80 dB, and the magnetic field shielded property at 1 GHz was 60 dB.
  • a shield-printed wiring board was obtained by the same method as in Example 4 for manufacturing the electromagnetic wave shield film and manufacturing the shield-printed wiring board.
  • the reflow passability of this shield printed wiring board was ⁇ .
  • Example 8 One side of a 37.5 ⁇ m-thick polyimide film (“Kapton®” type: 150EN-A manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.) was shot blasted and washed with water in the same manner as in Example 1 to roughen the surface. did.
  • the film surface roughness after surface roughness was Ra 0.71 ⁇ m and Rz 7.39 ⁇ m, and the unevenness inclination was R ⁇ q 0.48 and R ⁇ a 13.7 °.
  • an anchor layer was formed on the surface of the roughened polyimide film.
  • the above-mentioned film is installed in a batch type vacuum vapor deposition apparatus (EBH-800 manufactured by ULVAC), and the vacuum reach is adjusted to 5 ⁇ 10 -1 Pa or less in an argon gas atmosphere, and the magnetron sputtering method (DC power output: With 3.0 kW), nickel having a thickness of 5 nm was formed as an anchor layer.
  • the surface roughness of the metal film was Ra 0.73 ⁇ m and Rz 7.52 ⁇ m, and the inclination of the unevenness was R ⁇ q 0.51 and R ⁇ a 14.2 °.
  • the water vapor transmittance of the metallized film was 10.33 g / (m 2 ⁇ day), the electric field shielding property at 1 GHz was 65 dB, and the magnetic field shielded property at 1 GHz was 51 dB.
  • a shield-printed wiring board was obtained by the same method as in Example 4 for manufacturing the electromagnetic wave shield film and manufacturing the shield-printed wiring board.
  • the reflow passability of this shield printed wiring board was ⁇ .
  • Example 9 One side of a 37.5 ⁇ m-thick polyimide film (“Kapton®” type: 150EN-A manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.) was shot blasted and washed with water in the same manner as in Example 1 to roughen the surface. did.
  • the film surface roughness after surface roughness was Ra 0.71 ⁇ m and Rz 7.39 ⁇ m, and the unevenness inclination was R ⁇ q 0.48 and R ⁇ a 13.7 °.
  • a metal film was formed on the surface of the film.
  • a batch-type vacuum vapor deposition apparatus (EBH-800 manufactured by ULVAC) and placing aluminum on the vapor deposition boat, evacuate until the vacuum reach reaches 9.0 x 10 -3 Pa or less.
  • the evaporation boat was heated to form a 2.0 ⁇ m metal film by vacuum deposition.
  • the average crystal grain size of the aluminum metal film of the metallized film thus produced was 94 nm, the surface resistance was 0.0363 ⁇ / ⁇ , and the pinholes (number of openings) were 0.5 per cm 2 .
  • the surface roughness of the metal film was Ra 0.91 ⁇ m and Rz 8.16 ⁇ m, and the inclination of the unevenness was R ⁇ q 0.67 and R ⁇ a 14.9 °.
  • the water vapor permeability of the metallized film was 9.61 g / (m 2 ⁇ day), the electric field shielding property at 1 GHz was 60 dB, and the magnetic field shielded property at 1 GHz was 50 dB.
  • a shield-printed wiring board was obtained by the same method as in Example 4 for manufacturing the electromagnetic wave shield film and manufacturing the shield-printed wiring board.
  • the reflow passability of this shield printed wiring board was ⁇ .
  • Example 1 ⁇ Manufacturing of metallized film> A metallized film was obtained under the same conditions as in Example 1 except that the surface of the film was not roughened by shot blasting.
  • the surface roughness of the film before metal lamination was Ra 0.03 ⁇ m and Rz 0.83 ⁇ m, and the unevenness inclination was R ⁇ q 0.02 and R ⁇ a 0.69 °.
  • the average crystal grain size of the copper metal film of the metallized film obtained by forming a metal film on the film surface is 263 nm, the surface resistance is 0.0102 ⁇ / ⁇ , and the pinhole (number of openings) is 0.1. It was 2 pieces / cm2.
  • the surface roughness of the metal film was Ra 0.06 ⁇ m and Rz 0.52 ⁇ m, and the unevenness was R ⁇ q 0.01 and R ⁇ a 0.41 °.
  • the metallized film had a water vapor transmittance of 0.06 g / (m 2 ⁇ day), an electric field shielding property of 86 dB at 1 GHz, and a magnetic field shield property of 64 dB at 1 GHz.
  • Comparative Example 2 ⁇ Manufacturing of metallized film> A metallized film was obtained under the same conditions as in Comparative Example 1 except that a 1.5 ⁇ m metal film was formed by vapor deposition of copper.
  • the surface roughness of the film before metal lamination was Ra 0.03 ⁇ m and Rz 0.83 ⁇ m, and the unevenness inclination was R ⁇ q 0.02 and R ⁇ a 0.69 °.
  • the average crystal grain size of the copper metal film of the metallized film obtained by forming a metal film on the film surface is 231 nm, the surface resistance is 0.0133 ⁇ / ⁇ , and the pinhole (number of openings) is 0.1. It was 2 pieces / cm2.
  • the surface roughness of the metal film was Ra 0.04 ⁇ m and Rz 0.62 ⁇ m, and the unevenness was R ⁇ q 0.02 and R ⁇ a 0.52 °.
  • the metallized film had a water vapor transmittance of 2.06 g / (m 2 ⁇ day), an electric field shielding property of 81 dB at 1 GHz, and a magnetic field shielded property of 60 dB at 1 GHz.
  • the surface roughness of the metal film was Ra 0.04 ⁇ m and Rz 0.76 ⁇ m, and the unevenness inclination was R ⁇ q 0.02 and R ⁇ a 0.59 °.
  • the water vapor transmittance of the metallized film was 2.93 g / (m 2 ⁇ day), the electric field shielding property at 1 GHz was 60 dB, and the magnetic field shielded property at 1 GHz was 50 dB.
  • Example 4 ⁇ Manufacturing of metallized film> A metallized film was obtained under the same conditions as in Example 4 except that the surface of the film was not roughened by shot blasting.
  • the surface roughness of the surface of the epoxy resin film before metal lamination was Ra 0.282 ⁇ m and Rz 2.02 ⁇ m, and the unevenness inclination was R ⁇ q 0.02 and R ⁇ a 0.63 °.
  • the average crystal grain size of the copper metal film of the metallized film obtained by forming a metal film on the surface of this epoxy resin film is 214 nm, the surface resistance is 0.0122 ⁇ / ⁇ , and the pinholes (number of openings) are It was 0.1 pieces / cm 2 .
  • the surface roughness of the metal film was Ra 0.31 ⁇ m and Rz 1.78 ⁇ m, and the inclination of the unevenness was R ⁇ q 0.01 and R ⁇ a 0.39 °.
  • the water vapor transmittance of the metallized film was 1.22 g / (m 2 ⁇ day), the electric field shielding property at 1 GHz was 86 dB, and the magnetic field shielded property at 1 GHz was 63 dB.
  • a shield-printed wiring board was obtained by the same method as in Example 4 for manufacturing the electromagnetic wave shield film and manufacturing the shield-printed wiring board.
  • the reflow passability of this shield printed wiring board was x.
  • Example 5 (Comparative Example 5) ⁇ Manufacturing of metallized film> A metallized film was obtained under the same conditions as in Example 6 except that the surface of the film was not roughened by shot blasting.
  • the surface roughness of the film before metal lamination was Ra 0.03 ⁇ m and Rz 0.83 ⁇ m, and the unevenness inclination was R ⁇ q 0.02 and R ⁇ a 0.69 °.
  • the metallized film obtained by forming a metal film on the surface of this film has an average crystal grain size of 272 nm, a surface resistance of 0.0371 ⁇ / ⁇ , and a pinhole (number of openings) of 0.1. It was 2 pieces / cm 2 .
  • the surface roughness of the metal film was Ra 0.05 ⁇ m and Rz 0.61 ⁇ m, and the inclination of the unevenness was R ⁇ q 0.01 and R ⁇ a 0.56 °.
  • the water vapor transmittance of the metallized film was 0.03 g / (m 2 ⁇ day), the electric field shielding property at 1 GHz was 60 dB, and the magnetic field shielded property at 1 GHz was 50 dB.
  • Example 6 (Comparative Example 6) ⁇ Manufacturing of metallized film> A metallized film was obtained under the same conditions as in Example 7 except that the surface of the film was not roughened by shot blasting.
  • the surface roughness of the polyimide film surface before metal lamination was Ra 0.028 ⁇ m and Rz 0.303 ⁇ m, and the unevenness inclination was R ⁇ q 0.02 and R ⁇ a 0.63 °.
  • the average crystal grain size of the copper metal film is 268 nm
  • the surface resistance is 0.0101 ⁇ / ⁇
  • the pinhole (number of openings) is 0. It was 1 piece / cm 2 .
  • the surface roughness of the metal film was Ra 0.03 ⁇ m and Rz 0.29 ⁇ m, and the inclination of the unevenness was R ⁇ q 0.02 and R ⁇ a 0.54 °.
  • the water vapor transmittance of the metallized film was 0.31 g / (m 2 ⁇ day), the electric field shielding property at 1 GHz was 86 dB, and the magnetic field shielded property at 1 GHz was 64 dB.
  • the metallized film obtained by forming a metal film on the surface of this polyimide film has an average crystal grain size of 264 nm, a surface resistance of 0.0369 ⁇ / ⁇ , and a pinhole (number of openings) of 0. It was 1 piece / cm 2 .
  • the surface roughness of the metal film was Ra 0.04 ⁇ m and Rz 0.40 ⁇ m, and the unevenness of the unevenness was R ⁇ q 0.01 and R ⁇ a 0.68 °.
  • the water vapor transmittance of the metallized film was 0.35 g / (m 2 ⁇ day), the electric field shielding property at 1 GHz was 60 dB, and the magnetic field shielded property at 1 GHz was 50 dB.
  • a shield-printed wiring board was obtained by the same method as in Example 4 for manufacturing the electromagnetic wave shield film and manufacturing the shield-printed wiring board.
  • the reflow passability of this shield printed wiring board was x.
  • Electromagnetic wave shield film Flexible printed wiring board (printed wiring board) 4 Shield printed wiring board 101, 102 Film 201 Deposited direction 301 Metal film 401 Deposited film Growth direction 501 Carrier film 601

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Abstract

低い電気抵抗でありながら揮発成分を透過できる金属化フィルムとそれを用いた電磁波シールドフィルムを安定して提供する。フィルムの表面を粗化することで結晶形態をコントロールした金属膜を真空蒸着法にて形成し、低い電気抵抗でありながら揮発成分を透過できる金属化フィルムとそれを用いた電磁波シールドフィルムを提供する。

Description

金属化フィルムおよびその製造方法
　本発明は、電磁波シールドフィルムおよび、電磁波シールドフィルムに使用することができる金属化フィルムおよびその製造方法に関する。
　近年、スマートフォンやタブレット型情報端末には、大容量のデータを高速に伝送する性能が求められており、また、大容量のデータを高速伝送するためには高周波信号を用いる必要がある。
　しかし、高周波信号を用いると、プリント配線板に設けられた信号回路から電磁波ノイズが発生し、周辺機器が誤動作しやすくなる。そこで、このような誤動作を防止するために、プリント配線板を電磁波からシールドすることが重要となる。
　プリント配線板をシールドする方法として、シールド層と導電性接着剤層とを有する電磁波シールドフィルムが使用されている。
　これら電磁波シールドフィルムは、導電性接着剤層を、プリント配線板のグランド回路を被覆する絶縁層に設けられた開口部と重ねあわせて、加熱加圧し、開口部に導電性接着剤を充填する。これにより、シールド層とプリント配線板のグランド回路とが、導電性接着剤を介して接続され、プリント配線板がシールドされる。その後、シールドされたプリント配線板は、プリント配線板と電子部品とを接続するために、リフロー工程において２７０℃程度の高温に曝される。
　また、電子部品をプリント配線板に貼り付けた後、電子部品の位置を微修正するために、プリント配線板を加熱して電子部品をプリント配線板から剥がした後に、再度、貼り付ける、リペアと呼ばれる作業が行われる場合がある。そして、リペア作業を経た後、電子部品をプリント配線板に貼り付ける必要があるため、電磁波シールドフィルムは、リフロー工程において、再び、高温に曝されることになる（特許文献１）。
　一方、伝送信号が高周波化するに伴い、シールドは信号線へのノイズ低減のためグランド安定性が必要であり、低い電気抵抗であることが求められる。シールドに金属膜を使用する場合は低抵抗な金属（金、銀、銅など）を用い、かつ膜厚を厚くする必要性が出てきている。この場合、電磁波シールドフィルムの接着剤層やプリント配線板の絶縁フィルム等からガスが発生し、そのガスが金属膜で遮断されることで問題が発生することがある。特に、プリント配線板のベースフィルムがポリイミドなど吸湿性の高い樹脂で形成されている場合には、加熱によりベースフィルムから水蒸気が発生する。接着剤層や絶縁フィルムやベースフィルムから生じたこれらの揮発成分は、金属膜を通過することができないため、金属膜と接着剤層との間に溜まってしまう。そのため、はんだリフロー工程で急激な加熱を行うと、金属膜と接着剤層との間に溜まった揮発成分によって、金属膜と接着剤層との層間密着が破壊されてしまう場合がある。この不具合を防止する方法として、金属膜に複数の開口部を形成し、揮発成分を通過させる方法が提案されている（特許文献２）。
国際公開第２０１７／１１１１５８号 特許第６２１９３８３号公報
　特許文献２のような開口部を形成する金属膜は、エッチング液（溶媒）に対して溶解性の高い易溶解性成分を金属膜中に分散させるため、易溶解性成分の形状や大きさを揃えて均一に分散させないと開口部形成後の金属膜は膜抵抗が不均一になり、信号ノイズの原因になりえる危険性がある。また、エッチング液は使用頻度によりエッチングレートが変化するため、安定した開口部を形成するためにはエッチング液の管理が必要であり、配線形成に使用するエッチングプロセスと同等の難易度とコストが発生する。特に同文献実施例記載では圧延銅箔および電解銅箔を均一に薄くエッチングする前処理工程も含まれているが、均一に薄くエッチングするためには、専用装置および専用エッチング液の管理が非常に厳しくなり、よりコスト高となる。　
　本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、低い電気抵抗でありながら揮発成分を透過できる金属化フィルムとそれを用いた電磁波シールドフィルムを安定して提供することを目的とする。
　本発明者らは、上記の課題に鑑み鋭意検討した結果、真空蒸着法で結晶形態をコントロールすることで、低い電気抵抗でありながら揮発成分を透過できる金属化フィルムを得るに至った。
　すなわち、本発明は、フィルムの少なくとも一方の面の側に、少なくとも１層の金属層からなる金属膜を有する金属化フィルムであって、該金属膜の表面抵抗が０．０４Ω／□以下で、該金属化フィルムのＪＩＳＫ７１２９：２００８に準拠した水蒸気透過度が、温度４０℃、湿度９０％ＲＨで３．５ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以上である金属化フィルムに関する。
　また、本発明は、金属化フィルムの製造方法であって、前記金属膜を真空蒸着法にて成膜する金属化フィルムの製造方法に関する。
　さらに、本発明は、前記金属化フィルムの一方の金属膜の表面に、接着剤層を有する電磁波シールドフィルムに関する。
　本発明ではフィルムの表面を粗化することで結晶形態をコントロールした金属膜を真空蒸着法にて形成し、低い電気抵抗でありながら揮発成分を透過できる金属化フィルムとそれを用いた電磁波シールドフィルムを提供することが可能となる。
真空蒸着法による一般的な金属化フィルムの金属膜生成方法の断面模式図である。 真空蒸着法の斜め蒸着法を用いたときの金属化フィルムの金属膜生成方法の断面模式図である。 真空蒸着法による本発明の金属化フィルムの金属膜生成方法の断面模式図である。 平坦なＰＥＴフィルム上に銅蒸着で２．０μｍの厚さの金属膜（１μｍ厚の金属層を２層）を形成したときの断面のイメージクォリティマップである。 表面粗化されたＰＥＴフィルム上に銅蒸着で２．０μｍの厚さの金属膜（１μｍ厚の金属層を２層）を形成したときの断面のイメージクォリティマップである。 本発明の実施形態に係る金属化フィルムの断面図である。 本発明の実施形態に係る金属化フィルムの断面図である。 本発明の実施形態に係る電磁波シールドフィルムの断面図である。 本発明の実施形態に係る電磁波シールドフィルムの断面図である。 本発明の実施形態に係るシールドプリント配線板の断面図である。
　本発明について以下詳細に説明する。
　＜金属化フィルム＞　
　本発明の金属化フィルム１は、フィルム１０１の一方、もしくは両方の面に金属膜３０１を有する（図６、図７）。
　＜電磁波シールドフィルム＞
　電磁波シールドフィルム２は金属化フィルム１の一方の金属膜３０１表面に接着剤層６０１を有する（図８、図９）。
　＜金属膜＞
　本発明にかかる金属膜は、金属を主成分とする層（以下、金属層という）を１層または２層以上積層した金属層の集合体のことである。主成分とは、層全体を１００原子％としたとき、５０原子％を超えることをさす。
　本発明における金属膜３０１の表面抵抗は０．０４Ω／□以下が好ましく、０．０２Ω／□以下がより好ましい。高周波信号を伝送する場合、シールドは信号線の発生するノイズを遮蔽するとともに、グランド安定性が求められる。シールドの電気抵抗が高いとノイズの遮蔽率の低下に加えて、抵抗による電圧降下が発生し、シールドに電位が発生し、信号線の伝送減衰原因の一因となる。金属膜の表面抵抗は低いほど好ましく、１ＧＨｚ以上の高周波信号では、表面抵抗値は０．０４Ω／□以下であることが好ましく、０．０２Ω／□以下であることがより好ましい。抵抗値は低いほど好ましいが、下限としては、１０－５Ω／□程度である。
　本発明における金属層の主成分は、銅、銀、及びアルミニウムからなる群より選ばれるいずれかの金属であることが好ましい。ここでいう主成分とは、層全体を１００原子％としたとき、３５原子％を超えるものをさす。これは金属層のシールド特性および信号減衰特性から、電気抵抗が低いほど望ましいからである。性能的には金も採用できるが、コスト面で高価であり、電磁波シールドフィルムとして使用するには適さない。コストと電気抵抗を考慮すると金属層の主成分は銅であることが好ましい。表面抵抗値０．０４Ω／□以下にするという観点から、金属膜の膜厚は０．５μｍ以上であることが好ましい。なお、表面抵抗が規定の範囲内であれば、一部に酸化物、窒化物などを含んでいても構わない。また、防錆目的で、表層に１ｎｍ以上のニッケルもしくはチタンの金属層をスパッタリング等の蒸着法で形成しても構わない。なお、本発明においては、金属層の主成分が銅、銀、及びアルミニウムからなる群より選ばれるいずれかの金属である層を含むことが好ましく、金属膜が複数の金属層からなる場合に、各々全ての金属層の主成分が銅、銀、及びアルミニウムからなる群より選ばれるいずれかの金属である必要は必ずしもない。
　金属化フィルム１のＪＩＳＫ７１２９：２００８に準拠した水蒸気透過度は、温度４０℃、湿度９０％ＲＨで３．５ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以上であることが好ましく、５．０ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以上であることがさらに好ましい。水蒸気透過度が３．５ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）未満の場合、はんだリフロー工程で急激な加熱を行うと、水蒸気を含む揮発成分が金属膜で遮蔽されてしまい、揮発成分が急激に気化することで層間密着が破壊されてしまう可能性が高くなる。金属化フィルム１の水蒸気透過率が３．５ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以上であれば、はんだリフロー時に層間密着が破壊される可能性は低くなり、５．０ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以上であれば、破壊される可能性はさらに低くなる。なお、水蒸気透過度の上限としては、１，０００ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）程度である。
　水蒸気透過率を３．５ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以上とする金属化フィルム１を作製する方法としては真空蒸着法が好ましく例示される。スパッタリング法で形成された金属層および真空蒸着法で形成された金属層の結晶構造は成膜温度に依存することが知られている。一般的に金属の融点をＴｍ、成膜温度をＴｄとしたとき、Ｔｄ＜０．７Ｔｍのとき、成膜される金属層は柱状結晶となる。銅の融点は１０８３℃なので、成膜温度が０．７Ｔｍである７５８℃より十分低いと銅層は柱状結晶の構造をとる。銅層の成膜温度はフィルム上の温度とほぼ同じであると考えられるため、銅層が柱状結晶であることで、フィルム上の温度が十分低く維持でき、熱ダメージを少なくできたことを確認できる。結晶構造については、金属層の断面積をＥＢＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｅｄ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ） 法を用いて観測することが可能である。なお、金属層の成膜時にフィルムが熱により大きな収縮や変形がない場合は、十分冷却されており、結晶構造は柱状結晶の構造となる。一般的な真空蒸着の場合、図１のように基材であるフィルム１０１に対して垂直方向２０１に蒸着金属が入射して、フィルム１０１上に金属膜３０１を形成する。このとき金属層の結晶成長はフィルム１０１に対して垂直方向４０１方向に柱状に成長することが知られており、金属膜３０１は柱状結晶となる。蒸着が進むにつれて膜厚が厚くなると、柱状結晶は横方向に太く成長し、隣接する柱状結晶が緻密に接して成長するため、水蒸気などのガスを透過する隙間は無くなり、ガスバリア性は高くなってしまう。
　これに対して基材であるフィルムに対して斜め方向から蒸着する図２のような斜め蒸着という手法がある。これはフィルム１０１に対して蒸着方向を斜め方向２０１に蒸着金属を入射すると、蒸着方向とは異なる方向４０１方向に金属が柱状結晶に成長するもので、柱状結晶は横方向へ成長しにくく、柱状結晶間に隙間が発生する特徴がある。金属層の柱状結晶の間に隙間が存在すると、低密度でガス透過性の良い膜が作製できる。また、本手法によれば、金属膜厚を大きくしても柱状結晶が横に広がらないため、金属膜には隙間が存在し、ガス透過性は金属膜厚が大きくなっても維持される。ただ、一般的な斜め蒸着では６０～８０°まで傾けて蒸着するため、材料の利用効率が低下し、真空蒸着の成膜速度が著しく低下してしまう。また、結晶方位が揃って隙間があるため、機械的に脆くなりやすい特徴もある。
　本発明は、この斜め蒸着で成膜した金属膜のガス透過性を維持しつつ、成膜速度を低下させない方法として、基材としてのフィルムの表面に凹凸を形成することで、フィルム表面に部分的な斜め蒸着があらゆる方向で発生し、結晶間に隙間を確保できることに着眼した。図３のように表面に凹凸のある基材であるフィルム１０２に対し、垂直方向２０１に蒸着金属が入射して、フィルム１０２上に金属膜３０１を形成する。このとき、フィルム２０１の凹凸によりフィルム表面に対して蒸着方向が斜めになるため、斜め蒸着となり、蒸着入射方向と異なる方向へ金属が柱状成長し始める。ただし、蒸着入射方向はフィルム位置でランダムになるため、柱状成長する方向はランダムな方向を向いてしまい、隣接する結晶と成長方向が接触することで柱状成長が阻害され、断続的で短い柱状成長を繰り返す。斜め蒸着の特徴である横への成長は小さいため、柱状結晶間には隙間が発生し、ガス透過性の優れた金属膜が作製できる。また、図２のような一般的な斜め蒸着と比較して結晶成長方位は揃っていないため、膜強度は脆くはない。
　フィルムの、金属膜を有する側の表面の算術平均粗さＲａは、０．４μｍ以上、十点平均粗さＲｚは２．５μｍ以上であることが好ましい。Ｒａ、ＲｚはＪＩＳＢ０６０１：１９９４に準じたパラメーターである。表面粗さＲａが０．４μｍ以上、Ｒｚが２．５μｍ以上のときに、斜め蒸着と同じ効果が発現し、ガス透過率の良い金属膜を生成することができる。平均粗さ測定の詳細条件は実施例中に後述するが、株式会社小坂研究所製　高精度微細形状測定機サーフコーダＥＴ４０００Ａで、先端Ｒ２μｍの触針を用いて、５００μｍ×５００μｍの面積を測定するものとする。
　フィルムの、金属膜を有する側の表面における粗さ曲線の二乗平均平方根傾斜ＲΔｑは０．１８以上であることが好ましい。また、金属膜を有する側の面における粗さ曲線の算術平均傾斜角ＲΔａは７．０°以上が好ましく、８．０°以上がより好ましい。二乗平均平方根傾斜ＲΔｑはＪＩＳＢ０６０１：２００１に準拠したパラメーターで、基準長さにおける局部傾斜ｄＺ／ｄＸの二乗平均平方根を表したものである。ここでいう局部傾斜は、断面粗さを示す粗さ曲線Ｚ（ｘ）を微分したもので、微分は基本的に７点公式を用いるものとする。一方、算術平均傾斜角ＲΔａは、粗さ曲線の基準長さＸに対して、表面の凹凸が形成する線分の傾きの絶対値を求め、それを平均したものである。フィルムの表面凹凸によって斜め蒸着と同様の効果を得るためには、凹凸の傾斜が大きい方が、結晶の成長方向が斜めになりやすく好ましい。二乗平均平方根傾斜ＲΔｑが０．１８より小さかったり、算術平均傾斜角ＲΔａが７．０°より小さかったりすると、凹凸による結晶成長方向の変化が小さいため結晶が同一方向に成長しやすく、結晶が大きく成長して緻密になり、ガス透過性が低下する場合がある。測定条件の詳細は実施例中に後述するが、株式会社キーエンス　形状測定レーザマイクロスコープＶＫ－９７１０（レーザ光源波長４０８ｎｍ）で、対物レンズ５０倍を用いて測定し、長さ２００μｍの線粗さを直行する２方向で測定した平均値を用いることとする。
　なお、フィルム表面の傾斜については、上述のレーザマイクロスコープで測定して得られる二乗平均平方根傾斜角も大きい方が好ましい。金属膜を有する側の面における粗さ曲線の二乗平方根傾斜角は、１０．０°以上が好ましく、１２．０°以上がより好ましい。なお、二乗平均平方根傾斜角とは、粗さ曲線の基準長さＸに対して、表面の凹凸が形成する線分の傾きの二乗平均を求め、その値の平方根を表したものである。
　図４は、フィルム表面の粗さＲａが０．０６６μｍ、Ｒｚが０．９５８μｍ、平均傾斜ＲΔｑが０．０２、ＲΔａが０．６９°のＰＥＴフィルム上に銅蒸着で２．０μｍの厚さの金属膜（１μｍ厚の金属層を２層）を形成したときの断面のイメージクォリティマップ （Ｉｍａｇｅ　Ｑｕａｌｉｔｙ　（ＩＱ）　Ｍａｐ）である。イメージクォリティマップ はＥＢＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｅｄ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ） パタ－ンの鮮明さの指標であるＩｍａｇｅ　Ｑｕａｌｉｔｙ（ＩＱ）値をグレースケールで表示した図であり、暗い部位は結晶粒界や表層歪みの存在、あるいは表面汚染によりパタ－ンが不鮮明であることを意味している。このイメージクォリティマップにより結晶の大きさを判別できる。図４では表面の凹凸がなく、平坦であるため、銅膜の結晶が柱状で大きく成長していることが判別できる。図５はフィルム表面の粗さＲａが０．４４７μｍ、Ｒｚが５．３７６μｍ、平均傾斜ＲΔｑが０．２９、ＲΔａが８．０７°のＰＥＴフィルム上に銅蒸着で２．０μｍの金属膜（１μｍ厚の金属層を２層）を形成したときの断面のイメージクォリティマップ　（Ｉｍａｇｅ　Ｑｕａｌｉｔｙ　（ＩＱ）　Ｍａｐ）である。図５はＰＥＴフィルム表面の凹凸が大きいことで、柱状成長が阻害されている部分が多く確認される。柱状結晶が阻害されている部分は結晶間に隙間が存在し、ガス透過性が良いことが推測される。
　表面粗化による局所的な斜め蒸着で柱状結晶の横方向の成長と高さ方向の成長が抑制されることで結晶間に空隙が発生し、ガス透過性の良い金属膜が生成できるため、結晶粒径の大きさは重要である。金属膜３０１の平均結晶粒径は５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、５０ｎｍ以上１８０ｎｍ以下がより好ましい。平均結晶粒径が５０ｎｍ未満の場合は、結晶間の空隙が大きくなりすぎ、金属膜の表面抵抗が適正範囲よりも上昇してしまうことがある。一方、平均結晶粒径が２００ｎｍを超えると、結晶間の空隙が小さくなり、ガス透過性が低下してしまい、金属化フィルム１の水蒸気透過度３．５ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以上を確保できないことがある。なお、平均結晶粒径は、積層体の金属膜断面について、透過ＥＢＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｅｄ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）法を用いて調べることができる。
　本発明の金属化フィルム１の金属膜３０１は電気抵抗が低いことがより好ましいため、膜厚は大きい方が好ましいが、真空蒸着で金属膜を形成する場合は、膜厚を大きくすると蒸着時に基材であるフィルムにかかる熱量も大きくなり、基材に熱変形が生じてしまうおそれがある。そのため、金属膜の膜厚は３．０μｍ以下であることが好ましい。
　金属膜３０１にピンホール等の開口部は、膜の機械的強度を低下させたり、膜の電気抵抗（表面抵抗）が向上したりするため、好ましくない。５μｍ以上の大きさの開口部で１０個／ｃｍ２未満、さらには１個／ｃｍ２未満であることが好ましい。ただし、表面抵抗０．０４Ω／□以下の金属膜を真空蒸着で作製する場合、通常の真空蒸着では銅膜換算で０．５μｍ以上と十分厚い金属膜であり、ピンホールなどの開口部は多く発生しない。フィルム表面が極端に汚れていたり、金属膜に作為的に開口部を形成したりしない限り、開口部が１０個／ｃｍ２以上になることはほとんどない。
　なお、ここで言う開口部の個数とは、暗室中で民生用の写真用バックライトを光源にして目視で５μｍ以上のピンホールの数を測定したものである。測定は１０ｃｍ２以上の面積で行い、１ｃｍ２辺りの数に換算するものとする。
　金属膜表面の算術平均粗さＲａは０．５μｍ以上、十点平均粗さＲｚは３．５μｍ以上であることが好ましい。パラメーターの定義、測定方法は上述のフィルム同様である。Ｒａが０．５μｍ以上、Ｒｚが３．５μｍ以上の場合、表面の凹凸によって斜め蒸着と同じ効果が発現しており、ガス透過率の良い金属膜となる。Ｒａが０．５μｍ未満であったり、Ｒｚが３．５μｍ未満であったりすると、金属膜を形成する工程で、フィルムの凹凸の効果が十分でなく、結晶が大きく成長してガス透過性が低くなっている場合がある。
　金属膜の表面における粗さ曲線の二乗平均平方根傾斜ＲΔｑは０．１０以上、算術平均傾斜角ＲΔａは３．０°以上が好ましく、７．０°以上がより好ましい。パラメーターの定義、測定方法は上述のフィルムと同様である。ＲΔｑが０．１０以上であったり、ＲΔａが３．０°以上であったりすると、フィルムの凹凸傾斜によって金属膜の結晶サイズが小さくなって、水蒸気透過性が高くなると考えられる。一方、ＲΔｑが０．１０未満であったり、ＲΔａが３．０°未満であったりする場合は、フィルムの凹凸傾斜の効果が小さく、斜め蒸着のような結晶成長とならず、結晶サイズが大きくなってガス透過性が低下する場合がある。
　なお、金属膜表面の傾斜についても、上述のフィルム同様に二乗平均平方根傾斜角も大きい方が好ましい。金属膜の表面における粗さ曲線の二乗平方根傾斜角は、６．０°以上が好ましく、１０．０°以上がより好ましい。
　＜フィルム＞
　本発明で用いられるフィルム１０１とは、合成樹脂などの高分子を薄い膜状に成型したものである。フィルム１０１は、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルムやポリエチレンナフタレートフィルムといったポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエーテルエーテルケトンフィルムを用いることができる。このうちポリエチレンテレフタレートフィルムがより好ましく用いられる。これらのフィルムは単独で用いても構わないし、複合されたものを用いても構わない。またフィルム表面に樹脂や粘着剤等をコーティングしたものを用いても構わない。
　フィルム１０１の厚さは、ガス透過性を考慮すると薄い方がよいため、１０μｍ以下が好ましく、６μｍ以下であることがより好ましい。ただし、フィルム１０１が薄すぎるとフィルム自体の強度が弱くなり、蒸着やプリント基板への貼り合わせの工程でシワ等が発生して取り扱いが難しくなる。そのため、図７のように離型層を有するキャリアフィルム５０１上にフィルム１０１を形成し、その上に金属膜３０１を形成して金属化フィルム１を作製しても構わない。キャリアフィルム５０１としては特に限定されないが、ポリエチレンテレフタレートフィルムがより好ましく用いられる。キャリアフィルムの厚さも２５μｍ以上１００μｍ以下であれば、取り扱いやすく好ましい。
　また、フィルム１０１として、離型層を有するキャリアフィルムに樹脂をコーティングして形成したフィルムを用いることもできる。樹脂としては熱可塑性樹脂組成物、熱硬化性樹脂組成物、又は活性エネルギー線硬化性組成物等を用いることができる。熱可塑性樹脂組成物は、特に限定されないが、スチレン系樹脂組成物、酢酸ビニル系樹脂組成物、ポリエステル系樹脂組成物、ポリエチレン系樹脂組成物、ポリプロピレン系樹脂組成物、イミド系樹脂組成物、又はアクリル系樹脂組成物等が挙げられる。熱硬化性樹脂組成物は、特に限定されないが、フェノール系樹脂組成物、エポキシ系樹脂組成物、末端にイソシアネート基を有するウレタン系樹脂組成物、末端にイソシアネート基を有するウレア系樹脂、末端にイソシアネート基を有するウレタンウレア系樹脂、メラミン系樹脂組成物、又はアルキッド系樹脂組成物等を用いることができる。また、活性エネルギー線硬化性組成物としては、特に限定されないが、例えば、分子中に少なくとも２個の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する重合性化合物等を用いることができる。これらの樹脂は単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　また、これらの中でも、耐リフロー性を向上させて、電磁波シールドフィルム２とプリント配線板３との電気的な接続の低下を防止するとの観点から、末端にイソシアネート基を有するウレタンウレア系樹脂又は末端にイソシアネート基を有するウレタンウレア系樹脂とエポキシ系樹脂を併用した樹脂であることが好ましい。末端にイソシアネート基を有するウレタン系樹脂又は末端にイソシアネート基を有するウレタンウレア系樹脂は、１～３０ｍｇＫＯＨ／ｇの酸価を有することが好ましく、３～２０ｍｇＫＯＨ／ｇの酸価を有することがより好ましい。また、酸価が１～３０ｍｇＫＯＨ／ｇの範囲内で、かつ酸価が異なる２以上のウレタン系樹脂またはウレタンウレア系樹脂を併用してもよい。酸価が１ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であると電磁波シールドフィルムの耐リフロー性が良好となり、３０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であると電磁波シールドフィルムの耐屈曲性が良好となる。なお、酸価はＪＩＳＫ００７０：１９９２に準拠して測定される。また、キャリアフィルムに樹脂をコーティングして形成したフィルム１０１は、単独の材料により形成されていても、２種以上の材料から形成されていてもよい。
　キャリアフィルムに樹脂をコーティングして形成したフィルム１０１には、必要に応じて、硬化促進剤、粘着性付与剤、酸化防止剤、顔料、染料、可塑剤、紫外線吸収剤、消泡剤、レベリング剤、充填剤、難燃剤、粘度調節剤、及びブロッキング防止剤等の少なくとも１つが含まれていてもよい。
　キャリアフィルムに樹脂をコーティングして形成したフィルム１０１は、材質又は硬度若しくは弾性率等の物性が異なる２層以上の積層体であってもよい。例えば、硬度が低い外層と、硬度が高い内層との積層体とすれば、外層がクッション効果を有するため、電磁波シールドフィルム２をプリント配線板３に加熱加圧する工程において金属膜３０１に加わる圧力を緩和できる。このため、プリント配線板に設けられた段差によって金属膜３０１が破壊されることを抑制することができる。
　キャリアフィルムに樹脂をコーティングして形成したフィルム１０１の厚さは、特に限定されず、必要に応じて適宜設定することができるが、１μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上１０μｍ以下であることがより好ましく、４μｍ以上６μｍ以下であることがさらに好ましい。キャリアフィルムに樹脂をコーティングして形成したフィルム１０１の厚さが１μｍ以上であれば、接着剤層６０１及び金属膜３０１を充分に保護することができる。また、キャリアフィルムに樹脂をコーティングして形成したフィルム１０１の厚さが２０μｍ以下であれば、電磁波シールドフィルム２の屈曲性を確保することができ、屈曲性が要求される部材に１枚の電磁波シールドフィルム２を適用することが容易となる。
　このようなことから、フィルムの、金属膜と接する側の面に、ポリエステル、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリプロピレン 、ポリエーテルエーテルケトン及びエポキシ樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１つの樹脂を含むことが好ましい。フィルム１０１については、はんだリフロー通過性を考慮すると、耐熱性に優れることが必要であるため、これらの中でも、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、エポキシ樹脂を用いることが更に好ましい。
　フィルム表面に凹凸を作製する方法としては特に限定しないが、フィルムにブラスト加工で凹凸を形成する方法や、フィラーなどの大きな粒子を含んだ樹脂を薄く塗布し、粒子で凹凸を形成する方法、さらにはフィルム成形時に粒子を練りこんでおく方法などを適用できる。
　ブラスト加工は、研磨材等の微細な粒子をフィルムに吹き付けて微細凹凸を付与する方法である。研磨材は、珪砂やアルミナ、ジルコニア、シリカなどからなるセラミックビーズおよびガラスビーズ、やドライアイス粒など公知のものを使用できる。研磨材を吹き付ける方法は、研磨材を遠心力で吹き付けるショットブラスト（遠心式ブラスト）、圧縮空気を用いたエアーブラスト、スラリーにして高圧噴霧するウェットブラスト等、特に限定されない。
　粒子を含む樹脂を塗布して凹凸を形成する場合、樹脂の種類は特に限定されないが、フィルムと樹脂層の密着を確保するため、有機成分を主体とするものが好ましい。樹脂の種類としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂などを挙げることができる。これらの樹脂は単独で用いてもよく、あるいは２種以上の共重合体もしくは混合物としたものを用いてもよい。中でもポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂もしくはメタクリル樹脂が密着性、粒子分散性の点から好ましい。
　凹凸形成に使用する粒子の形状は、例えば、星状、扁平状、菱形状、直方状、針状、金平糖状、不定形状のような非球形状、また球状（粒子の断面形状が曲面で囲まれているものを意味する）等が挙げられる。また、粒子は多孔質、無孔質、中空質であっても良く、さらに異なる粒子形状を有する粒子を混合してもよい。
　粒子の材質は、有機系化合物、無機系化合物のいずれでもよく特に限定されるものではなく、異なる材質の粒子を混合して用いてもよい。粒子の材質としては、有機系化合物の場合は高融点である架橋高分子成分を主体とする樹脂が好ましく、例えばポリエステル樹脂、ベンゾグアナミンのようなポリアミド系樹脂粒子、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよく、あるいは２種以上の共重合体もしくは混合物としたものを用いてもよい。無機系化合物の場合は、例えば、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸亜鉛、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化セリウム、酸化マグネシウム、硫酸バリウム、硫化亜鉛、リン酸カルシウム、シリカ、アルミナ、マイカ、雲母チタン、タルク、クレー、カオリン、フッ化リチウム、フッ化カルシウム等が挙げられる。
　凹凸を形成するために塗工する樹脂層の厚みは特に制限されないが、好ましくは０．０５μｍ以上５μｍ以下である。厚みが０．０５μｍより薄いと、樹脂層がムラになったり、粒子が脱落したりする場合があり、厚みが５μｍより厚いと、樹脂層が割れたり、フィルム自体の耐熱性などの特性を損ねたりする場合がある。
　＜アンカー層＞
　本発明の金属化フィルム１のフィルム１０１と金属膜３０１との間には、アンカー層を有していても構わない。アンカー層を設けることにより、フィルムと金属膜の密着力向上が期待できる。アンカー層としてはフィルム１０１上にスパッタリング法により金属のアンカー層を形成することが好ましい。スパッタリング法ではアンカー層厚みを薄くすることが可能で、より薄膜化が要求される電磁波シールドフィルム用途では最適である。
　アンカー層としてはニッケル、チタン、銅、及びクロムからなる群より選ばれるいずれか１つ以上を含む金属層であることが好ましい。金属膜３０１が銅である場合、アンカー層も同じ金属である銅を用いることが、金属膜３０１への影響が少なく好ましいが、フィルム１０１がポリイミドなどの銅を拡散させてしまう材料である場合、密着力が確保できない。このような場合は、フィルム１０１と金属膜３０１の両方に反応しにくいニッケル、チタン、クロムなどから選択することで、アンカー層にバッファ層としての役割も持たせることができる。
　アンカー層の厚みは５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることが好ましく、更に１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることがより好ましい。厚みが５ｎｍ未満であると十分な密着力が得られないことがある。一方で、厚みが３０ｎｍを超えるとスパッタリング法で形成されたアンカー層の平均結晶粒径が大きくなり、金属の種類によってはその上に真空蒸着で形成する金属膜３０１がアンカー層の結晶粒径の大きさの影響を受け、金属膜３０１の平均結晶粒径も大きくなってしまい、制御が困難になることがある。アンカー層をフィルム１０１と金属膜３０１を直接接触させないバッファ層としての役割もたせる場合は、１０ｎｍ以上であることが好ましく、金属膜３０１の結晶制御の影響を少なくするためにはアンカー層は２０ｎｍ以下であること好ましい。　
　＜接着剤層＞
　本発明の電磁波シールドフィルムは、本発明の金属化フィルムの一方の金属膜の表面に、接着剤層を有するものであるが、接着剤層について説明する。接着剤層６０１は、電磁波シールドフィルム２をプリント配線板３に固定できるものであれば特に限定されないが、接着性樹脂組成物と導電性フィラーとを有する導電性接着剤層とすることが好ましい。
　接着性樹脂組成物としては、特に限定されないが、スチレン系樹脂組成物、酢酸ビニル系樹脂組成物、ポリエステル系樹脂組成物、ポリエチレン系樹脂組成物、ポリプロピレン系樹脂組成物、イミド系樹脂組成物、アミド系樹脂組成物、若しくはアクリル系樹脂組成物等の熱可塑性樹脂組成物、又はフェノール系樹脂組成物、エポキシ系樹脂組成物、ウレタン系樹脂組成物、メラミン系樹脂組成物、若しくはアルキッド系樹脂組成物等の熱硬化性樹脂組成物等を用いることができる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　接着剤層６０１には、必要に応じて、硬化促進剤、粘着性付与剤、酸化防止剤、顔料、染料、可塑剤、紫外線吸収剤、消泡剤、レベリング剤、充填剤、難燃剤、及び粘度調節剤等が含まれていてもよい。
　接着剤層６０１の厚みは、特に限定されず、必要に応じて適宜設定することができるが、３μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、４μｍ以上７μｍ以下がより好ましい。
　導電性フィラーとしては、特に限定されないが、例えば、金属フィラー、金属被覆樹脂フィラー、カーボンフィラー及びそれらの混合物を使用することができる。上記金属フィラーとしては、銅粉、銀粉、ニッケル粉、銀コ－ト銅粉、金コート銅粉、銀コートニッケル粉、金コートニッケル粉があり、これら金属粉は、電解法、アトマイズ法、還元法により作製することができる。
　また、特に、フィラー同士の接触を得やすくするために、導電性フィラーの平均粒子径を３μｍ以上５０μｍ以下とすることが好ましい。また、導電性フィラーの形状としては、球状、フレーク状、樹枝状、繊維状などが挙げられる。これらの中でも、接続抵抗、コストの観点から、銀粉、銀コート銅粉、銅粉からなる群より選択される少なくとも１つであることが好ましい。
　接着剤層６０１が導電性フィラーを含有することで、異方導電性接着剤層または等方導電性
接着剤層とすることができる。
　導電性フィラーの配合量は、等方導電性接着剤層である場合には、接着剤層６０１の全体量
に対して、３９重量％を超えて４００重量％以下の範囲内で添加することができる。また、異方導電性接着剤層である場合には、接着剤層６０１の全体量に対して、３重量％以上３９重量％以下の範囲で添加することができる。
（金属化フィルムの製造方法）
　次に、本発明の金属化フィルム１の製造方法の一例を説明する。本発明の金属化フィルム１の製造方法は特に限定されないが、例えばフィルム１０１を準備する工程と、フィルム１０１に必要に応じてアンカー層を形成する工程と金属膜３０１を形成する工程とを有する製造方法が例示できる。
　＜フィルムを準備する工程＞
　合成樹脂などの高分子を薄い膜状に成型したフィルム１０１を使用する場合、金属膜３０１を形成する側の表面を粗化する。粗化する方法は特に限定しないが、フィルム表面にサンドブラストなどを施して凹凸をつける方法とフィラーなどの粒子を含んだコート材を表面に被覆して凹凸をつける方法が例示できる。
　ブラスト加工は、研磨材等の微細な粒子をフィルムに吹き付けて微細凹凸を付与する方法である。研磨材は、珪砂やアルミナ、ジルコニア、シリカなどからなるセラミックビーズおよびガラスビーズ、やドライアイス粒など公知のものを使用できる。研磨材を吹き付ける方法は、研磨材を遠心力で吹き付けるショットブラスト（遠心式ブラスト）、圧縮空気を用いたエアーブラスト、スラリーにして高圧噴霧するウェットブラスト等、特に限定されない。
　粒子を含む樹脂を塗工して凹凸を形成する場合、塗工方法は特に限定されず、グラビアコート、ロールコート、ダイコート、スピンコート、リバースコート、バーコート、スクリーンコート、ブレードコート、エアーナイフコートおよびディップコートなどの各種塗布方法を用いることができる。
　キャリアフィルムに樹脂をコーティングして形成したフィルム１０１を用いる場合は樹脂用組成物を調製する。この樹脂用組成物は、樹脂組成物に、溶剤及びその他の配合剤を適量加えて調製することができる。溶剤は、例えば、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、プロパノール及びジメチルホルムアミド等とすることができる。その他の配合剤としては、架橋剤や重合用触媒、硬化促進剤、及び着色剤等を加えることができる。また、表面凹凸を形成する目的でシリカなどの粒子を加えることもできる。その他の配合剤は必要に応じて加えればよい。
　次に、キャリアフィルム５０１の片面に、調製した樹脂用組成物を塗布する。キャリアフィルム５０１の片面に樹脂用組成物を塗布する方法としては、特に限定されず、リップコーティング、コンマコーティング、グラビアコーティング、スロットダイコーティング等、公知の技術を適用することができる。
　キャリアフィルム５０１は、特に限定されず、例えば、ポリオレフィン系、ポリエステル系、ポリイミド系、ポリフェニレンサルファイド系等の材料により形成することができる。なお、キャリアフィルム５０１と樹脂をコーティングして形成したフィルム１０１との間に、離型剤層を設けてもよい。
　そして、キャリアフィルム５０１に樹脂をコーティングした後、加熱乾燥して溶剤を除去することにより、樹脂をコーティングして形成したフィルム１０１が形成される。なお、キャリアフィルム５０１は、樹脂をコーティングして形成したフィルム１０１から剥離することができるが、キャリアフィルム５０１の剥離は、電磁波シールドフィルム２をプリント配線板３に貼り付けた後に行うことが好ましい。このようにすれば、支持基材により電磁波シールドフィルム２を保護することができる。
　樹脂をコーティングして形成したフィルム１０１の場合も表面を粗化する。粗化する方法は特に限定しないが、フィルム表面にサンドブラストなどを施して凹凸をつける方法（上記に同じ）や、フィラーなどの粒子を含んだコート材を表面に被覆して凹凸をつける方法（上記に同じ）が例示できる。
　＜アンカー層形成工程＞
　次に、フィルム１０１の表面にアンカー層を形成する場合、具体的には、バッチ式真空蒸着装置（アルバック製　ＥＢＨ－８００）内にフィルムを設置し、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズの金属ターゲットを用い、アルゴンガス雰囲気中で真空到達度５×１０－１Ｐａ以下に調整して、ＤＣ電源を所定の金属膜厚になる時間、連続して印加することにより、アンカー層を形成することができる。なお、スパッタリング後に実施する金属膜３０１を形成する真空蒸着については、連続して処理を行い、スパッタリングと蒸着の間で大気と触れることなく処理できる。
　＜金属膜を形成する工程＞
　次に、フィルム１０１表面もしくはアンカー層表面に金属膜３０１を形成する。より具体的には、バッチ式真空蒸着装置（アルバック製　ＥＢＨ－８００）内にフィルムを設置し、蒸着ボート上に目的の厚みになる量の金属を載置した後に、真空到達度９．０×１０－３Ｐａ以下になるまで真空引きをしてから、蒸発ボートを加熱して真空蒸着を実施することができる。なお、アンカー層を形成する場合はアンカー層形成と金属膜形成は連続して処理を行い、スパッタリングと蒸着の間で大気と触れさせないようにできる。
　一般にはフィルム１０１の片面に金属膜３０１を形成するが、必要に応じてフィルム１０１の両面に金属膜を形成しても構わない。ただし、両面に金属膜３０１を形成する場合は、フィルム１０１の両面を粗化させておく必要がある。
　（電磁波シールドフィルムの製造方法）
　次に、本発明の電磁波シールドフィルム２の製造方法の一例を説明する。本発明の電磁波シールドフィルムは、本発明の金属化フィルムの一方の金属膜の表面に、接着剤層を有するものであるが、このような本発明の電磁波シールドフィルム２の製造方法は特に限定されない。例えば、本発明の金属化フィルム１の一方の金属膜３０１の表面に接着剤層用組成物を塗布した後、接着剤組成用組成物を硬化して接着剤層６０１を形成する製造方法が例示できる。
　＜接着剤層形成工程＞
　本発明の金属化フィルム１の金属膜３０１の表面に接着剤層用組成物を塗布して、接着剤層６０１を形成する場合、接着剤層用組成物は、樹脂組成物と溶剤とを含む。樹脂組成物は、特に限定されないが、スチレン系樹脂組成物、酢酸ビニル系樹脂組成物、ポリエステル系樹脂組成物、ポリエチレン系樹脂組成物、ポリプロピレン系樹脂組成物、イミド系樹脂組成物、アミド系樹脂組成物、若しくはアクリル系樹脂組成物等の熱可塑性樹脂組成物、又はフェノール系樹脂組成物、エポキシ系樹脂組成物、ウレタン系樹脂組成物、メラミン系樹脂組成物、若しくはアルキッド系樹脂組成物等の熱硬化性樹脂組成物等とすることができる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　溶剤は、例えば、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、プロパノール及びジメチルホルムアミド等を使用することができる。また、必要に応じて、接着剤層用組成物に硬化促進剤、粘着性付与剤、酸化防止剤、顔料、染料、可塑剤、紫外線吸収剤、消泡剤、レベリング剤、充填剤、難燃剤、及び粘度調節剤等の少なくとも１つが含まれていてもよい。接着剤層用組成物中における樹脂組成物の比率は、接着剤層６０１の厚みや、塗工方法、液粘度等に応じて適宜設定すればよい。
　金属化フィルム１の金属膜３０１の表面に接着剤層用組成物を塗布する方法としては、特に限定されず、リップコーティング、コンマコーティング、グラビアコーティング、又はスロットダイコーティング等を用いることができる。
　そして、本発明の金属化フィルム１の金属膜３０１の表面上に接着剤層用組成物を塗布した後、加熱乾燥して溶剤を除去することにより、接着剤層６０１を形成する。なお、必要に応じて、接着剤層６０１の表面に離型フィルムを貼り合わせてもよい。
　（シールドプリント配線板）
　本実施形態の電磁波シールドフィルム２は、例えば、図１０に示すシールドプリント配線
板４に用いることができる。このシールドプリント配線板４は、プリント配線板３と、電磁波シールドフィルム２と備えている。
　プリント配線板３は、ベース層７０２と、ベース層７０２上に形成されたプリント回路（グランド回路）８０１と、ベース層７０２上において、プリント回路８０１に隣接して設けられた絶縁性接着剤層９０１と、プリント回路８０１の一部を露出するための開口部が形成され、絶縁性接着剤層９０１を覆うように設けられた絶縁性のカバーレイ７０１とを有している。なお、絶縁性接着剤層９０１とカバーレイ７０１により、プリント配線板３の絶縁層が構成される。
　ベース層７０２、絶縁性接着剤層９０１及びカバーレイ７０１は、特に限定されず、例えば、樹脂フィルム等とすることができ、例えば、ポリプロピレン、架橋ポリエチレン、ポリエステル、ポリベンゾイミダゾール、ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリエーテルイミド、又はポリフェニレンサルファイド等の樹脂により形成することができる。プリント回路８０１は、例えば、ベース層７０２上に形成された銅配線パターン等とすることができる。
　なお、電磁波シールドフィルム２は、接着剤層６０１をカバーレイ７０１側にしてプリント配
線板３と接着されている。
　次に、シールドプリント配線板４の製造方法について説明する。プリント配線板３上に、電磁波シールドフィルム２を載置し、プレス機で加熱しつつ加圧する。加熱により柔らかくなった接着剤層６０１の一部は、加圧によりカバーレイ７０１に形成された開口部に流れ込む。これにより、金属膜３０１とプリント配線板３のグランド回路８０１とが、導電性接着剤を介して接続され、金属膜３０１とグランド回路８０１とが接続される。
　以下に、本発明を実施例に基づいて説明する。なお、本発明は、これらの実施例に限定されるものではなく、これらの実施例を本発明の趣旨に基づいて変形、変更することが可能であり、それらを発明の範囲から除外するものではない。
　（マグネトロンスパッタリング）
　バッチ式真空蒸着装置（アルバック製　ＥＢＨ－８００）内にフィルムを設置し、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのニッケルターゲットを用い、アルゴンガス雰囲気中で真空到達度５×１０－１Ｐａ以下に調整して、ＤＣ電源を所定の金属膜厚になる時間連続して印加した。
　なお、スパッタリング後に実施する真空蒸着については連続して処理を行い、スパッタリングと蒸着の間で大気と触れさせないようにした。
　（真空蒸着）
　バッチ式真空蒸着装置（アルバック製　ＥＢＨ－８００）内にフィルムを設置し、蒸着ボート上に銅を目的厚みになる量を載置した後に、真空到達度９.０×１０－３Ｐａ以下になるまで真空引きをしてから、蒸発ボートを加熱して真空蒸着を実施した。
　（表面粗さの測定）
　表面粗さは、株式会社小坂研究所製の微細形状測定機サーフコーダＥＴ４０００Ａを用いて、試料は付属のかまぼこ状のガラス板に固定し、触針は先端Ｒ２μｍのものを使用した。また、データの解析は、三次元表面粗さ解析システムｉ－Ｆａｃｅ　ｍｏｄｅｌ　ＴＤＡ３１を使用した。データは無作為に３か所測定して採取し、それらの平均をＲａ、Ｒｚそれぞれの値とした。
　測定条件：Ｘ測定長　５００μｍ、ピッチ　１μｍ
       　　Ｙ測定長　５００μｍ、ピッチ　５μｍ
       　　測定速度　０．１ｍｍ／ｓｅｃ。
　（表面傾斜の測定）
　表面傾斜は、キーエンス株式会社製のレーザマイクロスコープＶＫ－９７００を用いて測定し、形状解析アプリケーションＶＫ－Ｈ１Ａ１を用いて分析した。測定は無作為に３か所行い、それらの平均をＲΔｑ、ＲΔａの値とした。
　測定条件：対物レンズ５０倍、ズーム１倍
　分析条件：自動ノイズ除去：ノイズ検出領域　通常　
　　　　　　傾き補正：面傾き補正（自動）
　　　　　　線粗さ解析　解析長　２００μｍ
　　　　　　高さスムージング：単純平均±２。
　線粗さのプロファイルは、撮影した画像において、水平方向と垂直方向のそれぞれ中央で２００μｍ長の断面データを採取し、２つの値の平均値をその画像におけるＲΔｑ、ＲΔａとした。
　（表面抵抗の測定）
　４端子法により、表面抵抗を測定した。測定するサンプルを１００ｍｍ□にカットし、カットしたフィルム中央部の位置を3回繰り返し測定し、3回の平均値を表面抵抗の測定値とした。測定には簡易型低抵抗率計（株式会社三菱ケミカルアナリテック製　ロレスタＥＰ　ＭＣＰ-Ｔ３６０　ＡＳＰプローブ）を使い、単位はΩ／□と表示する。
　（平均結晶粒径測定方法）
　金属膜の平均結晶粒径は、ＥＢＳＤを用いて算出した。まず、積層体の金属膜断面を薄く切り出して、その回折パターンを取り込んだ。得られた回折パターンで、指定した方位角差５°以内の測定点が２点以上連続して存在する場合を同一粒として結晶粒子を識別し、その個々の結晶粒について、その円相当径（同一面積の円の直径）を算出した。こうして得られた結晶粒径を下記式に従って平均した値を平均結晶粒径とした。式中、Nは粒子の総数、diは個々の粒子の粒径（円相当径）を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
なお、回折パターンを取り込む条件は以下の通りである。
使用装置：
　熱電界放射型走査電子顕微鏡（ＴＦＥ－ＳＥＭ）ＪＳＭ－６５００Ｆ（日本電子社製）
　ＯＩＭ方位解析装置　ＤｉｇｉＶｉｅｗIV　スロースキャンＣＣＤカメラ
　　　　　　　　　　　ＯＩＭ　Ｄａｔａ　Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ　ｖｅｒ．７．ｘ
　　　　　　　　　　　ＯＩＭ　Ａｎａｌｙｓｉｓ　ｖｅｒ．７．ｘ
分析条件：加速電圧　１５ｋＶ
　　　　　照射電流　１５ｎＡ
　　　　　試料傾斜　－３０ｄｅｇ（透過ＥＢＳＤ法）
　　　　　表面測定倍率　５，０００倍
　　　　　測定視野領域　３×２０μｍ
　　　　　間隔　２０ｎｍ／ｓｔｅｐ。
　（開口部個数の計測）
　開口部の個数は、暗室中で民生用の写真用バックライトを光源にして目視で５μｍ以上のピンホールの数を測定した。測定は１０ｃｍ２以上の面積を行い、１ｃｍ２辺りの数に換算した。
　（銅層の厚み測定）
　金属層の厚みは蛍光Ｘ線膜厚計（エスエスアイ・ナノテクノロジー製、ＳＦＴ９４００）にて測定した。
　（アンカー層の厚み）
　透明ＰＥＴフィルムに成膜したスパッタ金属層の透過率を透過率計で測定し、得られた値からＬａｍｂｅｒｔ－Ｂｅｅｒの法則
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
から膜厚を算出した。ここでＩ０は薄膜通過前の光量、Ｉは薄膜通過後の光量、αは吸光係数、Ｚは膜厚、ｋは消衰係数、λは波長である。Ｉ／Ｉ０を透過率として波長５５５ｎｍのときの消衰係数をチタンは２．５６、ニッケルは３．２５８８の値を採用し、アンカー層であるスパッタ金属層の膜厚とした。
　（水蒸気透過度）
　水蒸気透過度は、ＪＩＳＫ７１２９：２００８（赤外線）に準拠した方法で測定した。米国、モコン（ＭＯＣＯＮ）社製の水蒸気透過率透過率測定装置（機種名、ＰＥＲＭＡＴＲＡＮ（登録商標）Ｗ３／３１）を使用して温度４０℃、湿度９０％ＲＨの条件で測定した。測定は２枚の試験片について２回ずつ行い、合計４つの測定値の平均値を水蒸気透過率の値とした。
（リフロー通過性）
　耐熱性のあるフィルムを使用した場合、作製したシールドプリント配線板の耐リフロー性を以下の要領で評価した。リフローの条件としては、鉛フリーハンダを想定し、シールドプリント配線板におけるシールドフィルムが２６５℃に１秒間曝されるような温度プロファイルを設定した。
　そして、シールドプリント配線板を、上記プロファイルの温度条件下で、３回曝した後、層間密着が破壊されて膨れが発生していないかを目視にて確認した。膨れが発生していないものを○、膨れ発生したものを×とした。
　（電界シールド性、磁場シールド性の評価）
　金属化フィルム単体をＫＥＣ法での近接電場、近接磁場シールド性能の測定をした。測定機器はマイクロ波・ミリ波帯評価システム（ Ａｇｉｌｅｎｔ社製　Ｅ５０７１Ｃ　ＥＮＡ、ネットワークアナライザ（９ｋＨｚ～４．５ＧＨｚ））を使用し、１ＧＨｚ時の電界シールド性（近接電場シールド性能）と磁界シールド性（近接磁場シールド性能）を測定した。
　（実施例１）
　＜金属化フィルムの製造＞
　厚さ５０μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、“ルミラー（登録商標）”タイプ：Ｓ１０）の片面に、研磨材として平均粒径２００μｍの珪砂を用い、１ｍ離れたフィルムにショットするショットブラスト方式で処理した後、水洗して表面粗化したフィルムを得た。表面粗化後のフィルム表面粗さはＲａ　０．８７μｍ、Ｒｚ　７．９６μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．５６、ＲΔａ　１５．５°であった。
　次に、表面凹凸を形成した表面にマグネトロンスパッタリング法でニッケルを５ｎｍの厚みに蒸着した。条件は、ＤＣ電源を用いてスパッタリング出力３.０ｋｗとした。その後、真空蒸着法によって銅を２．０μｍの厚みに真空蒸着した。このようにして作成した金属化フィルムの銅の金属膜の平均結晶粒径は７４ｎｍ、表面抵抗は０．０１９８Ω／□、ピンホール（開口部個数）は０．４個／ｃｍ２であった。金属膜の表面粗さはＲａ　１．０５μｍ、Ｒｚ　８．１５μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．７０、ＲΔａ　１６．３°であった。また、金属化フィルムの水蒸気透過度は６．６８ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）、１ＧＨｚでの電界シールド性は８０ｄＢ、１ＧＨｚでの磁界シールド性は６０ｄＢであった。
　（実施例２）
　＜金属化フィルムの製造＞
　厚さ５０μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、“ルミラー（登録商標）”タイプ：Ｓ１０）に粒子を含む樹脂を塗工して表面粗化したフィルムを準備した。粒子を含む樹脂は、ＤＩＣ株式会社製アクリル樹脂“アクリディック（登録商標）”ＷＦＬ－９０８に、株式会社日本触媒製シリカ球状微粒子“シーホースター”ＫＥ－Ｐ３０（平均粒子径０．３μｍ）を樹脂重量比１５重量％の量を分散させたものを用いた。アクリル樹脂をメイヤーバーで塗工し、１２０℃で１分間乾燥して厚み０．５μｍの層として、表面凹凸フィルムを得た。得られた表面粗化フィルムの表面粗さはＲａ　０．５１μｍ、Ｒｚ　３．３６μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．２１、ＲΔａ　７．３°であった。
　次に、フィルム表面にマグネトロンスパッタリング法でニッケルを５ｎｍの厚みに蒸着した。条件は、ＤＣ電源を用いてスパッタリング出力３.０ｋｗとした。その後、真空蒸着法によって銅を１．０μｍの厚みに真空蒸着した。このようにして作製した金属化フィルムの銅の金属膜の平均結晶粒径は１０２ｎｍ、金属膜の表面抵抗は０．０２８０Ω／□、ピンホール（開口部個数）は０．５個／ｃｍ２であった。金属膜の表面粗さはＲａ　０．５７μｍ、Ｒｚ　４．９２μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．１３、ＲΔａ　４．６°であった。また、金属化フィルムの水蒸気透過度は３．５４ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）、１ＧＨｚでの電界シールド性は６５ｄＢ、１ＧＨｚでの磁界シールド性は５１ｄＢであった。
　（実施例３）
　＜金属化フィルムの製造＞
　真空蒸着法によって銅を０．７μｍの厚みに真空蒸着した以外は全て実施例２と同じ条件で金属化フィルムを得た。このようにして作製した金属化フィルムの銅の金属膜の平均結晶粒径は１０６ｎｍ、表面抵抗は０．０３８４Ω／□、ピンホール（開口部個数）は０．６個／ｃｍ２であった。金属膜の表面粗さはＲａ　０．５４μｍ、Ｒｚ　４．２８μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．１８、ＲΔａ　６．１°であった。また、金属化フィルムの水蒸気透過度は３．７６ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）、１ＧＨｚでの電界シールド性は６０ｄＢ、１ＧＨｚでの磁界シールド性は４９ｄＢであった。
　（実施例４）
　＜金属化フィルムの製造＞
　厚さ６０μｍで表面に離型処理を施したＰＥＴフィルムを支持基材として、その上にビスフェノールＡ型エポキシ系樹脂（三菱化学（株）製、ｊＥＲ１２５６）及びメチルエチルケトンからなる組成物（固形分量３０質量％）を塗布し、加熱乾燥することによって、５μｍの厚みを有するエポキシ系樹脂フィルムを作製した。エポキシ系樹脂フィルム表面に実施例１と同様にショットブラスト及び水洗して表面を粗化した。表面粗化後のフィルム表面粗さはＲａ　０．４６μｍ、Ｒｚ　２．５７μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．４９、ＲΔａ　１３．４°であった。　
　次に、バッチ式真空蒸着装置（アルバック製　ＥＢＨ－８００）内に前述のフィルムを設置し、アルゴンガス雰囲気中で、真空到達度５×１０－１Ｐａ以下に調整して、マグネトロンスパッタリング法（ＤＣ電源出力：３．０ｋＷ）により、５ｎｍの厚みのニッケルをアンカー層として形成した。
　次に、蒸着ボート上に銅を載置した後に、真空到達度９.０×１０－３Ｐａ以下になるまで真空引きを行い、その後、蒸発ボートを加熱して真空蒸着で２．０μｍの銅金属膜を形成した。なお、アンカー層の形成と、金属膜の形成については連続して処理を行い、スパッタリングと蒸着の間で大気と触れさせないようにした。このように作製した金属化フィルムの銅の金属膜の平均結晶粒径は１１５ｎｍ、表面抵抗は０．０１４４Ω／□、ピンホール（開口部個数）は０．４個／ｃｍ２であった。金属膜の表面粗さはＲａ　０．６４μｍ、Ｒｚ　３．６１μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．５３、ＲΔａ　１４．７°であった。また、金属化フィルムの水蒸気透過度は１０．９６ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）、１ＧＨｚでの電界シールド性は８０ｄＢ、１ＧＨｚでの磁界シールド性は６１ｄＢであった。
　本件は耐リフロー性のあるエポキシ系樹脂フィルムであるため、以下の評価を追加した。
＜電磁波シールドフィルムの製造＞
　金属化フィルムの金属膜の表面に、エポキシ系樹脂と平均粒子径が３μｍの粒子径球状の銀
コート銅粉（配合量５０重量％）からなる接着剤を塗布して、５μｍの厚みを有する接着剤層を形成した。
　＜シールドプリント配線板の作製＞
　作製した電磁波シールドフィルムとプリント配線板とを、電磁波シールドフィルムの接着剤層とプリント配線板とが対向するように重ね合わせ、プレス機を用いて１７０℃、３．０ＭＰａの条件で１分間加熱加圧した後、同じ温度および圧力で３分間加熱加圧し、シールドプリント配線板を作製した。
　なお、プリント配線板は、互いに間隔をおいて平行に延びる２本の銅箔パターンと、銅箔パターンを覆うとともに、ポリイミドからなる絶縁層（厚み：２５μｍ）を有しており、絶縁層には、各銅箔パターンを露出する開口部（直径：１ｍｍ）を設けた。また、この開口部が電磁波シールドフィルムにより完全に覆われるように、電磁波シールドフィルムの接着剤層とプリント配線板とを重ね合わせた。シールドプリント配線板を得たあとで、離型処理を施したＰＥＴフィルムを剥離した。このシールドプリント配線板のリフロー通過性は〇であった。
　（実施例５）
　＜金属化フィルムの製造＞
　厚さが６０μｍで表面に離型処理を施したＰＥＴフィルムを支持基材として、その上に厚さ５μｍのＰＥＥＫフィルムをラミネートした。得られた支持基材付きのＰＥＥＫフィルム表面を実施例１と同様にショットブラスト及び水洗して表面を粗化した。表面粗化後のフィルム表面粗さはＲａ　０．４３μｍ、Ｒｚ　２．５１μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．４７、ＲΔａ　１２．６°であった。
　次に、粗化されたＰＥＥＫフィルムの表面にアンカー層を形成した。バッチ式真空蒸着装置（アルバック製　ＥＢＨ－８００）内に前述のフィルムを設置し、アルゴンガス雰囲気中で、真空到達度５×１０－１Ｐａ以下に調整して、マグネトロンスパッタリング法（ＤＣ電源出力：３．０ｋＷ）により、５ｎｍの厚みのチタンをアンカー層として形成した。
　次に、蒸着ボート上に銅を載置した後に、真空到達度９.０×１０－３Ｐａ以下になるまで真空引きを行い、その後、蒸発ボートを加熱して真空蒸着で１．０μｍの金属膜を形成した。なお、アンカー層の形成と、金属膜の形成については連続して処理を行い、スパッタリングと蒸着の間で大気と触れさせないようにした。このように作製した金属化フィルムの銅の金属膜の平均結晶粒径は１２８ｎｍ、表面抵抗は０．０２７９Ω／□、ピンホール（開口部個数）は０．５個／ｃｍ２であった。金属膜の表面粗さはＲａ　０．５７μｍ、Ｒｚ　３．５９μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．５０、ＲΔａ　１３．５°であった。また、金属化フィルムの水蒸気透過度は９．７７ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）、１ＧＨｚでの電界シールド性は６５ｄＢ、１ＧＨｚでの磁界シールド性は５０ｄＢであった。
　本件は耐リフロー性のあるＰＥＥＫフィルムであるため、実施例４同様に以下の評価を追加した。
　＜電磁波シールドフィルムの製造＞　＜シールドプリント配線板の作製＞
　電磁波シールドフィルムの製造とシールドプリント配線板の作製は実施例４と同じ方法で、シールドプリント配線板を得た。このシールドプリント配線板のリフロー通過性は〇であった。
　（実施例６）
　＜金属化フィルムの製造＞
　厚さ５０μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、“ルミラー（登録商標）”タイプ：Ｓ１０）の片面を、実施例１と同様にショットブラスト及び水洗して表面を粗化した。表面粗化後のフィルム表面粗さはＲａ　０．８７μｍ、Ｒｚ　７．９６μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．５６、ＲΔａ　１５．５°であった。
　次に、フィルムの表面に金属膜を形成した。バッチ式真空蒸着装置（アルバック製　ＥＢＨ－８００）内に前述のフィルムを設置し、蒸着ボート上にアルミニウムを載置した後に、真空到達度９.０×１０－３Ｐａ以下になるまで真空引きを行い、その後、蒸発ボートを加熱して真空蒸着で２．０μｍの金属膜を形成した。このように作製した金属化フィルムのアルミニウムの金属膜の平均結晶粒径は９１ｎｍ、表面抵抗は０．０３７９Ω／□、ピンホール（開口部個数）は０．５個／ｃｍ２であった。金属膜の表面粗さはＲａ　１．１μｍ、Ｒｚ　８．３μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．７２、ＲΔａ　１６．５°であった。また、金属化フィルムの水蒸気透過度は７．２３ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）、１ＧＨｚでの電界シールド性は６０ｄＢ、１ＧＨｚでの磁界シールド性は５０ｄＢであった。
　（実施例７）
　厚さ３７．５μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン（株）製、“カプトン（登録商標）”タイプ：１５０ＥＮ－Ａ）の片面を、実施例１と同様にショットブラスト及び水洗して表面を粗化した。表面粗化後のフィルム表面粗さはＲａ　０．７１μｍ、Ｒｚ　７．３９μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．４８、ＲΔａ　１３．７°であった。
　次に、粗化されたポリイミドフィルムの表面にアンカー層を形成した。バッチ式真空蒸着装置（アルバック製　ＥＢＨ－８００）内に前述のフィルムを設置し、アルゴンガス雰囲気中で、真空到達度５×１０－１Ｐａ以下に調整して、マグネトロンスパッタリング法（ＤＣ電源出力：３．０ｋＷ）により、５ｎｍの厚みのニッケルをアンカー層として形成した。
　次に、蒸着ボート上に銅を載置した後に、真空到達度９.０×１０－３Ｐａ以下になるまで真空引きを行い、その後、蒸発ボートを加熱して真空蒸着で２．０μｍの金属膜を形成した。なお、アンカー層の形成と、金属膜の形成については連続して処理を行い、スパッタリングと蒸着の間で大気と触れさせないようにした。このように作製した金属化フィルムの銅の金属膜の平均結晶粒径は１０１ｎｍ、表面抵抗は０．０１５９Ω／□、ピンホール（開口部個数）は０．４個／ｃｍ２であった。金属膜の表面粗さはＲａ　０．７７μｍ、Ｒｚ　７．６９μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．５４、ＲΔａ　１４．８°であった。また、金属化フィルムの水蒸気透過度は８．９２ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）、１ＧＨｚでの電界シールド性は８０ｄＢ、１ＧＨｚでの磁界シールド性は６０ｄＢであった。
　本件は耐リフロー性のあるポリイミドフィルムであるため、実施例４同様に以下の評価を追加した。
　＜電磁波シールドフィルムの製造＞　＜シールドプリント配線板の作製＞
　電磁波シールドフィルムの製造とシールドプリント配線板の作製は実施例４と同じ方法で、シールドプリント配線板を得た。このシールドプリント配線板のリフロー通過性は〇であった。
　（実施例８）
　厚さ３７．５μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン（株）製、“カプトン（登録商標）”タイプ：１５０ＥＮ－Ａ）の片面を、実施例１と同様にショットブラスト及び水洗して表面を粗化した。表面粗化後のフィルム表面粗さはＲａ　０．７１μｍ、Ｒｚ　７．３９μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．４８、ＲΔａ　１３．７°であった。
　次に、粗化されたポリイミドフィルムの表面にアンカー層を形成した。バッチ式真空蒸着装置（アルバック製　ＥＢＨ－８００）内に前述のフィルムを設置し、アルゴンガス雰囲気中で、真空到達度５×１０－１Ｐａ以下に調整して、マグネトロンスパッタリング法（ＤＣ電源出力：３．０ｋＷ）により、５ｎｍの厚みのニッケルをアンカー層として形成した。
　次に、蒸着ボート上に銅を載置した後に、真空到達度９.０×１０－３Ｐａ以下になるまで真空引きを行い、その後、蒸発ボートを加熱して真空蒸着で１．０μｍの金属膜を形成した。なお、アンカー層の形成と、金属膜の形成については連続して処理を行い、スパッタリングと蒸着の間で大気と触れさせないようにした。このように作製した金属化フィルムの銅の金属膜の平均結晶粒径は９６ｎｍ、表面抵抗は０．０３０１Ω／□、ピンホール（開口部個数）は０．５個／ｃｍ２であった。金属膜の表面粗さはＲａ　０．７３μｍ、Ｒｚ　７．５２μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．５１、ＲΔａ　１４．２°であった。また、金属化フィルムの水蒸気透過度は１０．３３ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）、１ＧＨｚでの電界シールド性は６５ｄＢ、１ＧＨｚでの磁界シールド性は５１ｄＢであった。
　本件は耐リフロー性のあるポリイミドフィルムであるため、実施例４同様に以下の評価を追加した。
　＜電磁波シールドフィルムの製造＞　＜シールドプリント配線板の作製＞
　電磁波シールドフィルムの製造とシールドプリント配線板の作製は実施例４と同じ方法で、シールドプリント配線板を得た。このシールドプリント配線板のリフロー通過性は〇であった。
　（実施例９）
　厚さ３７．５μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン（株）製、“カプトン（登録商標）”タイプ：１５０ＥＮ－Ａ）の片面を、実施例１と同様にショットブラスト及び水洗して表面を粗化した。表面粗化後のフィルム表面粗さはＲａ　０．７１μｍ、Ｒｚ　７．３９μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．４８、ＲΔａ　１３．７°であった。
　次に、フィルムの表面に金属膜を形成した。バッチ式真空蒸着装置（アルバック製　ＥＢＨ－８００）内に前述のフィルムを設置し、蒸着ボート上にアルミニウムを載置した後に、真空到達度９.０×１０－３Ｐａ以下になるまで真空引きを行い、その後、蒸発ボートを加熱して真空蒸着で２．０μｍの金属膜を形成した。このように作製した金属化フィルムのアルミニウムの金属膜の平均結晶粒径は９４ｎｍ、表面抵抗は０．０３６３Ω／□、ピンホール（開口部個数）は０．５個／ｃｍ２であった。金属膜の表面粗さはＲａ　０．９１μｍ、Ｒｚ　８．１６μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．６７、ＲΔａ　１４．９°であった。また、金属化フィルムの水蒸気透過度は９．６１ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）、１ＧＨｚでの電界シールド性は６０ｄＢ、１ＧＨｚでの磁界シールド性は５０ｄＢであった。
　本件は耐リフロー性のあるポリイミドフィルムであるため、実施例４同様に以下の評価を追加した。
　＜電磁波シールドフィルムの製造＞　＜シールドプリント配線板の作製＞
　電磁波シールドフィルムの製造とシールドプリント配線板の作製は実施例４と同じ方法で、シールドプリント配線板を得た。このシールドプリント配線板のリフロー通過性は〇であった。
　（比較例１）
　＜金属化フィルムの製造＞
　フィルム表面は、ショットブラストによる粗化をしないこと以外は全て実施例１と同じ条件で金属化フィルムを得た。金属積層前のフィルムの表面粗さはＲａ　０．０３μｍ、Ｒｚ　０．８３μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．０２、ＲΔａ　０．６９°であった。このフィルム表面に金属膜を形成して得られた金属化フィルムの、銅の金属膜の平均結晶粒径は２６３ｎｍ、表面抵抗は０．０１０２Ω／□、ピンホール（開口部個数）は０．１個／ｃｍ２であった。金属膜の表面粗さはＲａ　０．０６μｍ、Ｒｚ　０．５２μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．０１、ＲΔａ　０．４１°であった。また、金属化フィルムは水蒸気透過度０．０６ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）、１ＧＨｚでの電界シールド性は８６ｄＢ、１ＧＨｚでの磁界シールド性は６４ｄＢであった。
　（比較例２）
　＜金属化フィルムの製造＞
　銅の蒸着にて１．５μｍの金属膜を形成した以外は全て比較例１と同じ条件で金属化フィルムを得た。金属積層前のフィルムの表面粗さはＲａ　０．０３μｍ、Ｒｚ　０．８３μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．０２、ＲΔａ　０．６９°であった。このフィルム表面に金属膜を形成して得られた金属化フィルムの、銅の金属膜の平均結晶粒径は２３１ｎｍ、表面抵抗は０．０１３３Ω／□、ピンホール（開口部個数）は０．１個／ｃｍ２であった。金属膜の表面粗さはＲａ　０．０４μｍ、Ｒｚ　０．６２μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．０２、ＲΔａ　０．５２°であった。また、金属化フィルムは水蒸気透過度２．０６ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）、１ＧＨｚでの電界シールド性は８１ｄＢ、１ＧＨｚでの磁界シールド性は６０ｄＢであった。
　（比較例３）
　＜金属化フィルムの製造＞
　銅の蒸着にて０．５μｍの金属膜を形成した以外は全て比較例１と同じ条件で金属化フィルムを得た。金属積層前の表面粗さはＲａ　０．０３μｍ、Ｒｚ　０．８３μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．０２、ＲΔａ　０．６９°であった。このフィルム表面に金属膜を形成して得られた金属化フィルムの銅の金属膜の平均結晶粒径は２２７ｎｍ、表面抵抗は０．０３８９Ω／□、ピンホール（開口部個数）は０．５個／ｃｍ２であった。金属膜の表面粗さはＲａ　０．０４μｍ、Ｒｚ　０．７６μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．０２、ＲΔａ　０．５９°であった。また、金属化フィルムの水蒸気透過度は２．９３ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）、１ＧＨｚでの電界シールド性は６０ｄＢ、１ＧＨｚでの磁界シールド性は５０ｄＢであった。
　（比較例４）
　＜金属化フィルムの製造＞
　フィルム表面はショットブラストによる粗化をしないこと以外は全て実施例４と同じ条件で金属化フィルムを得た。金属積層前のエポキシ系樹脂フィルム表面の表面粗さはＲａ　０．２８２μｍ、Ｒｚ　２．０２μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．０２、ＲΔａ　０．６３°であった。このエポキシ系樹脂フィルム表面に金属膜を形成して得られた金属化フィルムの、銅の金属膜の平均結晶粒径は２１４ｎｍ、表面抵抗は０．０１２２Ω／□、ピンホール（開口部個数）は０．１個／ｃｍ２であった。金属膜の表面粗さはＲａ　０．３１μｍ、Ｒｚ　１．７８μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．０１、ＲΔａ　０．３９°であった。また、金属化フィルムの水蒸気透過度は１．２２ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）、１ＧＨｚでの電界シールド性は８６ｄＢ、１ＧＨｚでの磁界シールド性は６３ｄＢであった。
　本件は耐リフロー性のあるエポキシ系樹脂フィルムであるため、実施例４と同様に以下の評価を追加した。
　＜電磁波シールドフィルムの製造＞　＜シールドプリント配線板の作製＞
　電磁波シールドフィルムの製造とシールドプリント配線板の作製は実施例４と同じ方法で、シールドプリント配線板を得た。このシールドプリント配線板のリフロー通過性は×であった。
　（比較例５）
　＜金属化フィルムの製造＞
　フィルム表面はショットブラストによる粗化をしないこと以外は全て実施例６と同じ条件で金属化フィルムを得た。金属積層前のフィルムの表面粗さはＲａ　０．０３μｍ、Ｒｚ　０．８３μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．０２、ＲΔａ　０．６９°であった。このフィルム表面に金属膜を形成してえられた金属化フィルムの、アルミニウムの金属膜の平均結晶粒径は２７２ｎｍ、表面抵抗は０．０３７１Ω／□、ピンホール（開口部個数）は０．１個／ｃｍ２であった。金属膜の表面粗さはＲａ　０．０５μｍ、Ｒｚ　０．６１μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．０１、ＲΔａ　０．５６°であった。また、金属化フィルムの水蒸気透過度は０．０３ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）、１ＧＨｚでの電界シールド性は６０ｄＢ、１ＧＨｚでの磁界シールド性は５０ｄＢであった。
　（比較例６）
　＜金属化フィルムの製造＞
　フィルム表面はショットブラストによる粗化をしないこと以外は全て実施例７と同じ条件で金属化フィルムを得た。金属積層前のポリイミドフィルム表面の表面粗さはＲａ　０．０２８μｍ、Ｒｚ　０．３０３μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．０２、ＲΔａ　０．６３°であった。このポリイミドフィルム表面に金属膜を形成して得られた金属化フィルムの、銅の金属膜の平均結晶粒径は２６８ｎｍ、表面抵抗は０．０１０１Ω／□、ピンホール（開口部個数）は０．１個／ｃｍ２であった。金属膜の表面粗さはＲａ　０．０３μｍ、Ｒｚ　０．２９μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．０２、ＲΔａ　０．５４°であった。また、金属化フィルムの水蒸気透過度は０．３１ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）、１ＧＨｚでの電界シールド性は８６ｄＢ、１ＧＨｚでの磁界シールド性は６４ｄＢであった。
　本件は耐リフロー性のあるポリイミドフィルムであるため、実施例４と同様に以下の評価を追加した。
　＜電磁波シールドフィルムの製造＞　＜シールドプリント配線板の作製＞
　電磁波シールドフィルムの製造とシールドプリント配線板の作製は実施例４と同じ方法で、シールドプリント配線板を得た。このシールドプリント配線板のリフロー通過性は×であった。
（比較例７）
　＜金属化フィルムの製造＞
　フィルム表面はショットブラストによる粗化をしないこと以外は全て実施例９と同じ条件で金属化フィルムを得た。金属積層前のポリイミドフィルム表面の表面粗さはＲａ　０．０２８μｍ、Ｒｚ　０．３０３μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．０２、ＲΔａ　０．６３°であった。このポリイミドフィルム表面に金属膜を形成して得られた金属化フィルムの、アルミニウムの金属膜の平均結晶粒径は２６４ｎｍ、表面抵抗は０．０３６９Ω／□、ピンホール（開口部個数）は０．１個／ｃｍ２であった。金属膜の表面粗さはＲａ　０．０４μｍ、Ｒｚ　０．４０μｍ、凹凸の傾斜はＲΔｑ　０．０１、ＲΔａ　０．６８°であった。また、金属化フィルムの水蒸気透過度は０．３５ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）、１ＧＨｚでの電界シールド性は６０ｄＢ、１ＧＨｚでの磁界シールド性は５０ｄＢであった。
　本件は耐リフロー性のあるポリイミドフィルムであるため、実施例４と同様に以下の評価を追加した。
　＜電磁波シールドフィルムの製造＞　＜シールドプリント配線板の作製＞
　電磁波シールドフィルムの製造とシールドプリント配線板の作製は実施例４と同じ方法で、シールドプリント配線板を得た。このシールドプリント配線板のリフロー通過性は×であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
１　金属化フィルム
２　電磁波シールドフィルム
３　フレキシブルプリント配線板（プリント配線板）
４　シールドプリント配線板
１０１、１０２　フィルム
２０１　蒸着方向
３０１　金属膜
４０１　蒸着膜成長方向
５０１　キャリアフィルム
６０１　接着剤層
７０１　カバーフィルム
７０２　ベース層
８０１　プリント回路（グランド回路）
９０１　絶縁性接着剤層

Claims (22)

  1. 　フィルムの少なくとも一方の面の側に、少なくとも１層の金属層からなる金属膜を有する金属化フィルムであって、
    　前記金属膜の表面抵抗が０．０４Ω／□以下で、
    　前記金属化フィルムのＪＩＳＫ７１２９：２００８に準拠した水蒸気透過度が、温度４０℃、湿度９０％ＲＨで３．５ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以上である、金属化フィルム。
  2. 　前記金属膜の表面抵抗が０．０２Ω／□以下である、請求項１に記載の金属化フィルム。
  3. 　前記金属膜を有する側のフィルム表面の二乗平均平方根傾斜ＲΔｑが０．１８以上である、請求項１または２に記載の金属化フィルム。
  4. 　前記金属膜を有する側のフィルム表面の算術平均傾斜角ＲΔａが７．０°以上である、請求項１から３のいずれかに記載の金属化フィルム。
  5. 　前記金属膜を有する側のフィルム表面の算術平均粗さＲａが０．４μｍ以上である、請求項１から４のいずれかに記載の金属化フィルム 。
  6. 　前記金属膜を有する側のフィルム表面の十点平均粗さＲｚが２．５μｍ以上である、請求項１から５のいずれかに記載の金属化フィルム 。
  7. 　前記金属膜の平均結晶粒径が５０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下である、請求項１から６のいずれかに記載の金属化フィルム。
  8. 　前記金属層の主成分が、銅、銀、及びアルミニウムからなる群より選ばれる少なくとも１つの金属である、請求項１から７のいずれかに記載の金属化フィルム。
  9. 　前記金属膜の厚みが０．５μｍ以上、３．０μｍ以下である、請求項１から８のいずれかに記載の金属化フィルム。
  10. 　前記金属膜表面の算術平均平方根傾斜ＲΔｑが０．１０以上である、請求項１から９のいずれかに記載の金属化フィルム。
  11. 　前記金属膜表面の算術平均傾斜角ＲΔａが３．０°以上である、請求項１から１０のいずれかに記載の金属化フィルム。
  12. 　前記金属膜表面の算術平均粗さＲａが０．５μｍ以上である、請求項１から１１のいずれかに記載の金属化フィルム。
  13. 　前記金属膜表面の十点平均粗さＲｚが３．５μｍ以上である、請求項１から１２のいずれかに記載の金属化フィルム。
  14. 　前記フィルムの、金属膜と接する側の面に、ポリエステル、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリプロピレン 、ポリエーテルエーテルケトン及びエポキシ樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１つの樹脂を含む、請求項１から１３のいずれかに記載の金属化フィルム。
  15. 　前記フィルムと前記金属膜との間に、アンカー層を有する、請求項１から１４のいずれかに記載の金属化フィルム。
  16. 　前記アンカー層が、ニッケル、チタン、銅及びクロムからなる群より選ばれる少なくとも１つを含む金属層である請求項１５に記載の金属化フィルム。
  17. 　前記アンカー層は、厚みが５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である、請求項１５または１６に記載の金属化フィルム。
  18. 　請求項１から１７のいずれかに記載の金属化フィルムの製造方法であって、
    　前記金属膜を、真空蒸着法にて成膜する、金属化フィルムの製造方法。
  19. 　請求項１５から１７のいずれかに記載の金属化フィルムの製造方法であって、
    　アンカー層をスパッタリング法にて成膜して、
    　前記金属膜を真空蒸着法にて成膜する、金属化フィルムの製造方法。
  20. 　金属膜を斜め蒸着で成膜する、請求項１８または１９に記載の金属化フィルムの製造方法。
  21. 　前記フィルムの表面に凹凸を形成する、請求項２０に記載の金属化フィルムの製造方法。
  22. 　請求項１から１７のいずれかに記載の金属化フィルムの一方の金属膜の表面に、接着剤層を有する電磁波シールドフィルム。
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