TW202044977A - 金屬化薄膜及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明安定地提供一邊為低電阻一邊揮發成分可穿透之金屬化薄膜及使用其之電磁波屏蔽薄膜。將薄膜之表面粗化，以真空蒸鍍法形成結晶形態經控制的金屬膜，可提供一邊為低電阻一邊揮發成分可穿透之金屬化薄膜及使用其之電磁波屏蔽薄膜。

Description

金屬化薄膜及其製造方法
本發明關於電磁波屏蔽薄膜及可使用於電磁波屏蔽薄膜之金屬化薄膜及其製造方法。
近年來，對於智慧型手機或平板型資訊終端，要求高速傳送大容量的數據之性能，另外，為了高速傳送大容量的數據，必須使用高頻訊號。
然而，若使用高頻訊號，則電磁波雜訊會從設於印刷配線板的訊號電路產生，周邊機器變得容易誤動作。因此，為了防止該誤動作，重要的是將印刷配線板屏蔽以避免電磁波。
作為將印刷配線板屏蔽之方法，是使用具有屏蔽層與導電性接著劑層之電磁波屏蔽薄膜。
此等電磁波屏蔽薄膜係使導電性接著劑層與被覆印刷配線板的接地電路之絕緣層上所設置的開口部疊合，進行加熱加壓，將導電性接著劑填充於開口部。藉此，使屏蔽層與印刷配線板的接地電路透過導電性接著劑而連接，使印刷配線板經屏蔽。其後，為了連接印刷配線板與電子零件，經屏蔽的印刷配線板係在回焊步驟中暴露於270℃左右的高溫下。
又，將電子零件貼附於印刷配線板後，為了微修正電子零件的位置，會在加熱印刷配線板而將電子零件從印刷配線板剝離之後，進行再度貼附之被稱為修復的作業。然後，經過修復作業後，由於必須將電子零件貼附於印刷配線板，因此電磁波屏蔽薄膜係在回焊步驟中，再度暴露於高溫下(專利文獻1)。
另一方面，隨著傳送訊號高頻化，屏蔽係為了減少對於訊號線的雜訊而必須要有接地安定性，被要求為低電阻。屏蔽在使用金屬膜時，出現了使用低電阻的金屬(金、銀、銅等)且將膜厚增厚的必要性。此時，氣體從電磁波屏蔽薄膜的接著劑層或印刷配線板的絕緣薄膜等產生，該氣體因被金屬膜阻斷而發生問題。特別是當印刷配線板的基底薄膜係以聚醯亞胺等吸濕性高的樹脂形成時，水蒸氣因加熱而從基底薄膜產生。從接著劑層或絕緣薄膜或基底薄膜所產生的此等揮發成分，無法通過金屬膜，故會積留於金屬膜與接著劑層之間。因此，若於回焊步驟中進行急劇的加熱，則積留在金屬膜與接著劑層之間的揮發成分，有時會破壞金屬膜與接著劑層之層間密著。作為防止此不良狀況之方法，有提案在金屬膜中形成複數開口部使揮發成分通過之方法(專利文獻2)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1　國際公開第2017/111158號 專利文獻2　日本特許第6219383號公報
[發明所欲解決的課題]
如專利文獻2之形成開口部的金屬膜，由於要使蝕刻液(溶劑)的溶解性高之易溶解性成分分散於金屬膜中，因此若易溶解性成分的形狀或大小未一致而均勻地分散，則開口部形成後的金屬膜的膜電阻會變不均勻，有成為訊號雜訊的原因之危險性。又，蝕刻液係因使用頻率而蝕刻速率有所變化，因此為了形成安定的開口部，必須管理蝕刻液，會產生與使用於形成配線的蝕刻程序同等的難易度與成本。特別是於同文獻實施例記載中，雖亦包含將軋製銅箔及電解銅箔進行均勻且薄的蝕刻之前處理步驟，但是為了進行均勻且薄的蝕刻，專用裝置及專用蝕刻液的管理變得非常嚴格，成本更高。
本發明係鑒於上述問題而完成者，目的在於安定地提供一邊為低電阻一邊揮發成分可穿透之金屬化薄膜及使用其之電磁波屏蔽薄膜。 [解決課題的手段]
本發明者們係鑒於上述課題而專心致力地檢討，結果藉由以真空蒸鍍法控制結晶形態，可得到一邊為低電阻一邊揮發成分可穿透的金屬化薄膜。
即，本發明關於一種金屬化薄膜，其係在薄膜的至少一面之側，具有包含至少1層的金屬層之金屬膜的金屬化薄膜，其中前述金屬膜之表面電阻為0.04Ω/□以下，前述金屬化薄膜之依據JISK7129：2008的水蒸氣穿透度在溫度40℃、濕度90%RH下為3.5g/(m2 ・day)以上。
又，本發明關於一種金屬化薄膜之製造方法，其係以真空蒸鍍法，將前述金屬膜成膜。
再者，本發明關於一種電磁波屏蔽薄膜，其在前述金屬化薄膜的一側之金屬膜之表面，具有接著劑層。 [發明的效果]
於本發明中，將薄膜之表面粗化，藉此以真空蒸鍍法形成結晶形態經控制的金屬膜，可提供一邊為低電阻一邊揮發成分可穿透之金屬化薄膜及使用其之電磁波屏蔽薄膜。
[實施發明的形態]
以下，詳細說明本發明。
＜金屬化薄膜＞ 本發明之金屬化薄膜1係在薄膜101的一側或兩側之面，具有金屬膜301(圖6、圖7)。
＜電磁波屏蔽薄膜＞ 電磁波屏蔽薄膜2在金屬化薄膜1的一側之金屬膜301表面，具有接著劑層601(圖8、圖9)。
＜金屬膜＞ 本發明之金屬膜係積層有1層或2層以上以金屬為主成分的層(以下稱為金屬層)而成之金屬層的集合體。所謂主成分，就是指將層全體當作100原子%時，超過50原子%者。
本發明中的金屬膜301之表面電阻較佳為0.04Ω/□以下，更佳為0.02Ω/□以下。傳送高頻訊號時，屏蔽係將訊號線所產生的雜訊加以遮蔽，同時亦要求接地安定性。若屏蔽的電阻高，則雜訊的遮蔽率降低，此外還會引發電阻所造成的電壓下降，在屏蔽時產生電位，成為訊號線傳送衰減原因之一因。金屬膜之表面電阻愈低愈佳，於1GHz以上的高頻訊號時，表面電阻值較佳為0.04Ω/□以下，更佳為0.02Ω/□以下。電阻值愈低愈佳，但下限為10-5 Ω/□左右。
本發明中的金屬層之主成分較佳為選自包含銅、銀及鋁之群組中的任一種金屬。此處所稱主成分，就是指將層全體當作100原子%時，超過35原子%者。此係因為基於金屬層的屏蔽特性及訊號衰減特性而言，電阻愈低愈宜之緣故。性能上亦可採用金，但在成本面上昂貴，不適合作為電磁波屏蔽薄膜使用。若考慮成本與電阻，則金屬層的主成分較佳為銅。從表面電阻值設為0.04Ω/□以下之觀點來看，金屬膜之膜厚較佳為0.5μm以上。再者，若表面電阻在規定之範圍內，則一部分中包含氧化物、氮化物等亦無妨。又，以防銹為目的，亦可用濺鍍等之蒸鍍法在表層形成1nm以上的鎳或鈦的金屬層。再者，於本發明中，較佳為包含金屬層的主成分為選自包含銅、銀及鋁之群組中的任一種金屬之層，當金屬膜由複數的金屬層所構成時，每個全部的金屬層之主成分不一定必須為選自包含銅、銀及鋁之群組中的任一種金屬。
金屬化薄膜1之依據JISK7129：2008的水蒸氣穿透度在溫度40℃、濕度90%RH下較佳為3.5g/(m2 ・day)以上，更佳為5.0g/(m2 ・day)以上。水蒸氣穿透度小於3.5g/(m2 ・day)時，若在回焊步驟中進行急劇的加熱，則包含水蒸氣的揮發成分會被金屬膜所遮蔽，層間密著因揮發成分急劇地汽化而被破壞的可能性變高。金屬化薄膜1的水蒸氣穿透率若為3.5g/(m2 ・day)以上，則在回焊時層間密著被破壞的可能性變低，若為5.0g/(m2 ・day)以上，則被破壞的可能性變更低。再者，水蒸氣穿透度之上限為1,000g/(m2 ・day)左右。
作為水蒸氣穿透率設為3.5g/(m2 ・day)以上的金屬化薄膜1之製作方法，可較佳地例示真空蒸鍍法。已知以濺鍍法所形成的金屬層及以真空蒸鍍法所形成的金屬層之結晶構造係取決於成膜溫度。一般而言，將金屬的熔點當作Tm且將成膜溫度當作Td時，在Td＜0.7Tm時所成膜的金屬層會成為柱狀結晶。銅之熔點為1083℃，因此成膜溫度在比為0.7Tm的758℃還低很多時，銅層係呈柱狀結晶之構造。由於銅層的成膜溫度係與薄膜上的溫度大致相同，故藉由銅層為柱狀結晶，薄膜上的溫度可維持在充分低溫，可確認到可減少熱損傷。關於結晶構造，可使用EBSD(電子背向散射繞射，Electron Backscattered Diffraction)法觀測金屬層的剖面積。再者，於金屬層之成膜時薄膜未因熱而大幅收縮或變形之情況，其為經充分冷卻，且結晶構造成為柱狀結晶之構造。於一般的真空蒸鍍之情況，如圖1，蒸鍍金屬係在對於基材之薄膜101呈垂直方向201入射，在薄膜101上形成金屬膜301。此時，已知金屬層的結晶成長係在對於薄膜101呈垂直方向401方向而柱狀地成長，金屬膜301成為柱狀結晶。若隨著蒸鍍進展而膜厚變厚，則柱狀結晶會在橫向變粗地成長，且會因鄰接的柱狀結晶緻密相接地成長，而使水蒸氣等氣體穿透的間隙消失，阻氣性變高。
對此，有對於基材之薄膜從斜方向進行蒸鍍的如圖2之斜蒸鍍的手法。此係在使蒸鍍方向朝對於薄膜101呈斜方向201地使蒸鍍金屬入射時，金屬在不同於蒸鍍方向的方向401方向成長為柱狀結晶者，柱狀結晶不易朝橫向成長，有在柱狀結晶間產生間隙之特徵。若於金屬層的柱狀結晶之間存在間隙，則可製作低密度且透氣性良好的膜。又，根據本手法，則即使增大金屬膜厚，柱狀結晶也不會橫向擴展，因此於金屬膜中得以存在間隙，且即使金屬膜厚變大也得以維持透氣性。惟，一般的斜蒸鍍，由於是傾斜至60~80°為止而進行蒸鍍，故材料的利用效率低，真空蒸鍍的成膜速度會顯著地降低。又，由於結晶方位整齊而具有間隙，因此亦有機械上容易變脆弱之特徵。
本發明係著眼於在一邊維持此斜蒸鍍所成膜的金屬膜之透氣性一邊不使成膜速度降低之方法中，藉由在作為基材的薄膜之表面形成凹凸，而可於薄膜表面在所有的方向發生部分的斜蒸鍍，在結晶間確保間隙。如圖3，對於在表面具有凹凸的基材之薄膜102，朝垂直方向201使蒸鍍金屬入射，而在薄膜102上形成金屬膜301。此時，蒸鍍方向係因薄膜201的凹凸而對於薄膜表面呈傾斜，因此變成斜蒸鍍，金屬會朝向不同於蒸鍍入射方向的方向開始柱狀成長。惟，蒸鍍入射方向係因薄膜位置而變為不規則，故柱狀成長的方向係朝向不規則的方向，因為成長方向會與相鄰接的結晶接觸使得柱狀成長被阻礙，而重複進行斷續且短的柱狀成長。斜蒸鍍之特徵亦即朝向橫向的成長較小，因此在柱狀結晶間會產生間隙，可製作透氣性優異的金屬膜。又，其與如圖2之一般斜蒸鍍相比，結晶成長方位不整齊，故膜強度不脆弱。
薄膜的具有金屬膜之側的表面之算術平均粗糙度Ra較佳為0.4μm以上，十點平均粗糙度Rz較佳為2.5μm以上。Ra、Rz係依據JISB0601：1994之參數。表面粗糙度Ra為0.4μm以上且Rz為2.5μm以上時，展現與斜蒸鍍相同的效果，可生成透氣率良好的金屬膜。平均粗糙度測定之詳細條件係後述在實施例中，但其係以小坂研究所股份有限公司製高精度微細形狀測定機Surfcorder ET4000A，使用前端R2μm的觸針，測定500μm×500μm的面積而得者。
薄膜的具有金屬膜之側的表面之粗糙度曲線的均方根傾斜RΔq較佳為0.18以上。又，具有金屬膜之側的面之粗糙度曲線之算術平均傾斜角RΔa較佳為7.0°以上，更佳為8.0°以上。均方根傾斜RΔq係依據JISB0601：2001之參數，其表示基準長度的局部傾斜dZ/dX之均方根。此處所稱局部傾斜，就是將表示剖面粗糙度的粗糙度曲線Z(x)予以微分而得者，微分基本上是使用7點公式。另一方面，算術平均傾斜角RΔa係對於粗糙度曲線的基準長度X，求出表面的凹凸所形成的線段之斜率的絕對值，並將其平均而得者。為了藉由薄膜之表面凹凸而得到與斜蒸鍍同樣之效果，凹凸之傾斜大者其結晶的成長方向容易變傾斜而為較佳。若均方根傾斜RΔq小於0.18或算術平均傾斜角RΔa小於7.0°，則凹凸所造成的結晶成長方向之變化小，故結晶較容易在相同方向成長，結晶會變大地成長而變緻密，有透氣性降低之情況。測定條件之詳細係後述在實施例中，但其係以KEYENCE股份有限公司形狀測定雷射顯微鏡VK-9710(雷射光源波長408nm)，使用50倍的物鏡進行測定，使用在正交的2方向對長度200μm的線粗糙度進行測定而得之平均值。
再者，關於薄膜表面之傾斜，以上述雷射顯微鏡測定而得之均方根傾斜角亦大者為較佳。具有金屬膜之側的面之粗糙度曲線的均方根傾斜角較佳為10.0°以上，更佳為12.0°以上。再者，所謂均方根傾斜角，就是表示對於粗糙度曲線的基準長度X，求出表面之凹凸所形成的線段之斜率的均方，其值的平方根。
圖4係在薄膜表面的粗糙度Ra為0.066μm、Rz為0.958μm、平均傾斜RΔq為0.02、RΔa為0.69°之PET薄膜上以銅蒸鍍形成2.0μm厚度之金屬膜(1μm厚的金屬層2層)時之剖面的影像品質圖(Image Quality (IQ) Map)。影像品質圖係以灰階標度表示EBSD(電子背向散射繞射)圖案的鮮明度指標亦即Image Quality(IQ)值之圖，暗的部位意指因結晶粒界或表層畸變存在或者因表面污染而圖案不鮮明。藉由此影像品質圖，可辨別結晶的大小。圖4中沒有表面的凹凸，為平坦，故可辨別銅膜之結晶係成長為柱狀且大。圖5係在薄膜表面的粗糙度Ra為0.447μm、Rz為5.376μm、平均傾斜RΔq為0.29、RΔa為8.07°之PET薄膜上以銅蒸鍍形成2.0μm的金屬膜(1μm厚的金屬層2層)時之剖面的影像品質圖(Image Quality (IQ) Map)。圖5由於PET薄膜表面之凹凸大，看到許多之柱狀成長被阻礙的部分。柱狀結晶被阻礙的部分係在結晶間存在間隙，可推測透氣性為良好。
藉由用表面粗化所造成的局部斜蒸鍍使柱狀結晶之橫向方向的成長與高度方向的成長受到抑制，而可在結晶間產生空隙，生成透氣性良好的金屬膜，因此結晶粒徑之大小係重要的。金屬膜301之平均結晶粒徑較佳為50nm以上200nm以下，更佳為50nm以上180nm以下。平均結晶粒徑小於50nm時，結晶間之空隙會變得過大，金屬膜之表面電阻會比適當範圍更上升。另一方面，若平均結晶粒徑超過200nm，則結晶間的空隙會變小，透氣性會降低，無法確保金屬化薄膜1的水蒸氣穿透度為3.5g/(m2 ・day)以上。再者，平均結晶粒徑係可針對積層體的金屬膜剖面，使用穿透EBSD(電子背向散射繞射)法而進行調查。
本發明之金屬化薄膜1的金屬膜301係電阻低為更佳，因此膜厚大者為較佳，但以真空蒸鍍形成金屬膜時，若增大膜厚，則在蒸鍍時施加於基材之薄膜的熱量亦變大，有基材發生熱變形之虞。因此，金屬膜之膜厚較佳為3.0μm以下。
金屬膜301中針孔等之開口部，會使膜的機械強度降低，或使膜的電阻(表面電阻)升高，因此不佳。5μm以上的大小之開口部較佳為少於10個/cm2 ，更佳為少於1個/cm2 。惟，以真空蒸鍍製作表面電阻0.04Ω/□以下的金屬膜時，通常的真空蒸鍍在以銅膜換算為0.5μm以上時係為充分厚的金屬膜，針孔等之開口部產生不多。只要不極度污染薄膜表面，或不故意地在金屬膜形成開口部，則幾乎沒有開口部成為10個/cm2 以上者。
再者，此處所稱開口部之個數，就是在暗室中以民生用的照相用背光當作光源，以目視測定5μm以上的針孔之數量而得者。測定係在10cm2 以上之面積進行，換算成每1cm2 之數量。
金屬膜表面之算術平均粗糙度Ra較佳為0.5μm以上，十點平均粗糙度Rz較佳為3.5μm以上。參數之定義、測定方法係與上述薄膜同樣。Ra為0.5μm以上且Rz為3.5μm以上時，得以藉由表面之凹凸而展現與斜蒸鍍相同的效果，成為透氣率良好的金屬膜。若Ra小於0.5μm或Rz小於3.5μm，則在形成金屬膜之步驟中，薄膜的凹凸效果不充分，結晶係變大地成長而有透氣性變低之情況。
金屬膜之表面的粗糙度曲線之均方根傾斜RΔq較佳為0.10以上，算術平均傾斜角RΔa較佳為3.0°以上，更佳為7.0°以上。參數之定義、測定方法係與上述薄膜同樣。若RΔq為0.10以上，或RΔa為3.0°以上，則據認為金屬膜的結晶尺寸會因薄膜的凹凸傾斜而變小，水蒸氣穿透性會變高。另一方面，RΔq小於0.10或RΔa小於3.0°時，薄膜的凹凸傾斜之效果小，無法如斜蒸鍍之結晶成長，結晶尺寸變大而有透氣性降低之情況。
再者，關於金屬膜表面之傾斜，係與上述薄膜同樣，也是均方根傾斜角大者為較佳。金屬膜之表面的粗糙度曲線之均方根傾斜角較佳為6.0°以上，更佳為10.0°以上。
＜薄膜＞ 本發明所用之薄膜101係將合成樹脂等高分子進行成型為薄的膜狀而成者。薄膜101可使用例如聚對苯二甲酸乙二酯薄膜或聚萘二甲酸乙二酯薄膜等之聚酯薄膜、聚醯亞胺薄膜、聚苯硫薄膜、聚丙烯薄膜、聚醚醚酮薄膜。其中，更佳使用聚對苯二甲酸乙二酯薄膜。此等薄膜係可單獨使用，也可使用複合者。又，亦可使用在薄膜表面塗布有樹脂或黏著劑等而成者。
薄膜101之厚度若考慮透氣性則薄者較佳，因此較佳為10μm以下，更佳為6μm以下。惟，若薄膜101過薄，則薄膜本身的強度變弱，在蒸鍍或對於印刷基板的貼合步驟中會產生皺紋等，致使操作變困難。因此，如圖7，可在具有離型層的載體薄膜501上形成薄膜101，在其上形成金屬膜301而製作金屬化薄膜1。作為載體薄膜501，並沒有特別的限定，更佳使用聚對苯二甲酸乙二酯薄膜。載體薄膜之厚度只要為25μm以上100μm以下則操作容易而為較佳。
又，作為薄膜101，亦可使用塗布樹脂在具有離型層的載體薄膜而形成的薄膜。作為樹脂，可使用熱塑性樹脂組成物、熱硬化性樹脂組成物或活性能量線硬化性組成物等。熱塑性樹脂組成物係沒有特別的限定，可舉出苯乙烯系樹脂組成物、乙酸乙烯酯系樹脂組成物、聚酯系樹脂組成物、聚乙烯系樹脂組成物、聚丙烯系樹脂組成物、醯亞胺系樹脂組成物或丙烯酸系樹脂組成物等。熱硬化性樹脂組成物係沒有特別的限定，可使用酚系樹脂組成物、環氧系樹脂組成物、在末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯系樹脂組成物、在末端具有異氰酸酯基的脲系樹脂、在末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯脲系樹脂、三聚氰胺系樹脂組成物或醇酸系樹脂組成物等。又，作為活性能量線硬化性組成物，並沒有特別的限定，例如可使用在分子中具有至少2個(甲基)丙烯醯氧基的聚合性化合物等。此等樹脂係可單獨使用，也可併用2種以上。
又，於此等之中，從提高耐回焊性以防止電磁波屏蔽薄膜2與印刷配線板3電連接的降低之觀點來看，較佳為在末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯脲系樹脂、或將在末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯脲系樹脂與環氧系樹脂併用之樹脂。在末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯系樹脂或在末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯脲系樹脂較佳為具有1~30mgKOH/g的酸價，更佳為具有3~20mgKOH/g的酸價。另外，亦可併用酸價為1~30mgKOH/g之範圍內且酸價不同的2種以上之胺基甲酸酯系樹脂或胺基甲酸酯脲系樹脂。若酸價為1mgKOH/g以上，則電磁波屏蔽薄膜的耐回焊性變良好，若30mgKOH/g以下，則電磁波屏蔽薄膜的耐彎曲性變良好。再者，酸價係依據JISK0070：1992測定。又，塗布樹脂在載體薄膜而形成的薄膜101，係可藉由單獨的材料形成，也可由2種以上的材料形成。
於塗布樹脂在載體薄膜而形成的薄膜101中，視需要可包含硬化促進劑、增黏劑、抗氧化劑、顏料、染料、可塑劑、紫外線吸收劑、消泡劑、調平劑、填充劑、難燃劑、黏度調節劑及防黏連劑等之至少1者。
塗布樹脂在載體薄膜而形成的薄膜101，可為材質或硬度或彈性模數等物性不同的2層以上之積層體。例如，若形成硬度低的外層與硬度高的內層之積層體，則外層具有緩衝效果，因此可於將電磁波屏蔽薄膜2加熱加壓至印刷配線板3的步驟中，緩和施加於金屬膜301的壓力。因此，可抑制金屬膜301因於印刷配線板所設置的階差而被破壞。
塗布樹脂在載體薄膜而形成的薄膜101之厚度係沒有特別的限定，可按照需要而適宜設定，較佳為1μm以上20μm以下，更佳為1μm以上10μm以下，再佳為4μm以上6μm以下。塗布樹脂在載體薄膜而形成的薄膜101之厚度只要是1μm以上，則可充分地保護接著劑層601及金屬膜301。又，塗布樹脂在載體薄膜而形成的薄膜101之厚度只要是20μm以下，則可確保電磁波屏蔽薄膜2的彎曲性，變得容易將1片的電磁波屏蔽薄膜2應用於要求彎曲性的構件。
如此地，在薄膜之與金屬膜相接側之面，較佳包括選自包含聚酯、聚醯亞胺、聚苯硫、聚丙烯、聚醚醚酮及環氧樹脂之群組中的至少1種樹脂。關於薄膜101，若考慮回焊通過性，則必須為耐熱性優異，因此於此等之中，更佳為使用聚醯亞胺、聚苯硫、聚醚醚酮、環氧樹脂。
作為在薄膜表面上製作凹凸之方法，並沒有特別的限定，可採用：以噴珠加工在薄膜上形成凹凸之方法；或將包含填料等大粒子的樹脂進行薄塗布，以粒子形成凹凸之方法；以及在薄膜成形時預先摻合粒子之方法等。
噴珠加工係將研磨材料等之微細粒子吹附至薄膜而賦予微細凹凸之方法。研磨材料係可使用矽砂或氧化鋁、氧化鋯、二氧化矽等所構成之陶瓷珠及玻璃珠、或乾冰粒等眾所周知者。吹附研磨材料之方法係將研磨材料以離心力吹附之噴砂(離心式噴珠)、使用壓縮空氣之空氣噴珠、製成漿體進行高壓噴霧之濕噴珠等，並沒有特別的限定。
將包含粒子的樹脂塗布而形成凹凸時，樹脂之種類係沒有特別的限定，為了確保薄膜與樹脂層之密著，較佳為以有機成分為主體者。作為樹脂之種類，例如可舉出聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸樹脂、聚醯胺樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂等。此等樹脂係可單獨使用，或者可使用2種以上的共聚物或混合物。其中，從密著性、粒子分散性之點來看，較佳為聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、丙烯酸樹脂或甲基丙烯酸樹脂。
用於形成凹凸的粒子之形狀，例如可舉出如星狀、扁平狀、菱形狀、長方狀、針狀、金平糖狀、不定形狀之非球形狀，或球狀(意指粒子的剖面形狀被曲面所包圍者)等。又，粒子可為多孔質、無孔質、中空質，再者亦可混合具有不同粒子形狀的粒子。
粒子之材質可為有機系化合物、無機系化合物之任一者，並沒有特別的限定，亦可混合不同材質的粒子而使用。作為粒子之材質，於有機系化合物之情況，較佳為以高熔點的交聯高分子成分為主體之樹脂，例如可舉出如聚酯樹脂、苯并胍胺之聚醯胺系樹脂粒子、聚胺基甲酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸樹脂、聚醯胺樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、氟系樹脂、矽氧樹脂等。此等樹脂係可單獨使用，或者也可使用2種以上的共聚物或混合物。於無機系化合物之情況，例如可舉出碳酸鈣、碳酸鎂、碳酸鋅、氧化鈦、氧化鋅、氧化鈰、氧化鎂、硫酸鋇、硫化鋅、磷酸鈣、二氧化矽、氧化鋁、雲母、雲母鈦、滑石、黏土、高嶺土、氟化鋰、氟化鈣等。
為了形成凹凸而塗布的樹脂層之厚度係沒有特別的限制，較佳為0.05μm以上5μm以下。若厚度比0.05μm薄，則有樹脂層變不均，或粒子脫落之情況，若厚度比5μm厚，則有樹脂層破裂，或損害薄膜本身的耐熱性等特性之情況。
＜錨固層＞ 於本發明之金屬化薄膜1的薄膜101與金屬膜301之間，亦可具有錨固層。藉由設置錨固層，可期待薄膜與金屬膜之密著力提升。作為錨固層，較佳為藉由濺鍍法在薄膜101上形成金屬的錨固層。濺鍍法可薄化錨固層厚度，最適合要求更薄膜化的電磁波屏蔽薄膜用途。
作為錨固層，較佳為包括選自包含鎳、鈦、銅及鉻之群組中任一者以上的金屬層。當金屬膜301為銅時，錨固層亦使用相同金屬的銅，雖對於金屬膜301的影響少而為較佳，但薄膜101為聚醯亞胺等之會使銅擴散的材料時，無法確保密著力。如此情況係可藉由從難以與薄膜101和金屬膜301之兩者反應的鎳、鈦、鉻等中選擇，而使錨固層亦具有作為緩衝層的角色。
錨固層之厚度較佳為5nm以上30nm以下，更佳為10nm以上20nm以下。若厚度小於5nm，則會得不到充分的密著力。另一方面，若厚度超過30nm，則以濺鍍法所形成的錨固層之平均結晶粒徑會變大，在其上以真空蒸鍍所形成的金屬膜301會依金屬之種類而受到錨固層的結晶粒徑之大小影響，使得金屬膜301之平均結晶粒徑亦變大，控制變困難。使錨固層亦具有作為不使薄膜101與金屬膜301直接接觸的緩衝層之角色時，較佳為10nm以上，而為了減少金屬膜301的結晶控制之影響，錨固層較佳為20nm以下。
＜接著劑層＞ 本發明之電磁波屏蔽薄膜，其在本發明之金屬化薄膜的一側之金屬膜之表面，具有接著劑層，茲說明接著劑層。接著劑層601只要能將電磁波屏蔽薄膜2固定於印刷配線板3，則沒有特別的限定，較佳設為具有接著性樹脂組成物與導電性填料之導電性接著劑層。
作為接著性樹脂組成物，並沒有特別的限定，可使用：苯乙烯系樹脂組成物、乙酸乙烯酯系樹脂組成物、聚酯系樹脂組成物、聚乙烯系樹脂組成物、聚丙烯系樹脂組成物、醯亞胺系樹脂組成物、醯胺系樹脂組成物、或者丙烯酸系樹脂組成物等之熱塑性樹脂組成物；或酚系樹脂組成物、環氧系樹脂組成物、胺基甲酸酯系樹脂組成物、三聚氰胺系樹脂組成物、或者醇酸系樹脂組成物等之熱硬化性樹脂組成物等。此等係可單獨使用，也可併用2種以上。
於接著劑層601中，視需要可包含硬化促進劑、增黏劑、抗氧化劑、顏料、染料、可塑劑、紫外線吸收劑、消泡劑、調平劑、填充劑、難燃劑及黏度調節劑等。
接著劑層601之厚度係沒有特別的限定，可按照需要而適宜設定，較佳為3μm以上10μm以下，更佳為4μm以上7μm以下。
作為導電性填料，並沒有特別的限定，例如可使用金屬填料、金屬被覆樹脂填料、碳填料及彼等之混合物。作為上述金屬填料，有銅粉、銀粉、鎳粉、覆銀銅粉、覆金銅粉、覆銀鎳粉、覆金鎳粉，此等金屬粉係可藉由電解法、霧化法、還原法進行製作。
又，特別是為了變得容易獲致填料彼此的接觸，較佳將導電性填料的平均粒徑設為3μm以上50μm以下。另外，作為導電性填料之形狀，可舉出球狀、薄片(flake)狀、樹枝狀、纖維狀等。於此等之中，從連接電阻、成本之觀點來看，較佳為選自包含銀粉、覆銀銅粉、銅粉之群組中的至少1者。
由於接著劑層601含有導電性填料，而可成為異向導電性接著劑層或等向導電性接著劑層。
導電性填料之摻合量，於等向導電性接著劑層之情況中，相對於接著劑層601之全體量，可以在超過39重量%且400重量%以下之範圍內添加。又，於異向導電性接著劑層之情況中，相對於接著劑層601之全體量，可以在3重量%以上39重量%以下之範圍內添加。 (金屬化薄膜之製造方法) 接著，說明本發明之金屬化薄膜1之製造方法的一例。本發明之金屬化薄膜1之製造方法係沒有特別的限定，例如可例示具有以下步驟之製造方法：準備薄膜101之步驟；在薄膜101上視需要地形成錨固層之步驟；與形成金屬膜301之步驟。
＜準備薄膜之步驟＞ 使用將合成樹脂等高分子成型為薄膜狀的薄膜101時，將形成金屬膜301之側的表面予以粗化。粗化之方法係沒有特別的限定，可例示：對於薄膜表面施予噴砂等而賦予凹凸之方法；及將包含填料等粒子的塗覆材料被覆於表面而賦予凹凸之方法。
噴珠加工係將研磨材料等之微細粒子吹附至薄膜而賦予微細凹凸之方法。研磨材料可使用矽砂或氧化鋁、氧化鋯、二氧化矽等所構成的陶瓷珠及玻璃珠、或乾冰粒等眾所周知者。吹附研磨材料之方法係將研磨材料以離心力吹附之噴砂(離心式噴珠)、使用壓縮空氣之空氣噴珠、製成漿體進行高壓噴霧之濕噴珠等，並沒有特別的限定。
將包含粒子的樹脂塗布而形成凹凸時，塗布方法係沒有特別的限定，可使用凹版塗布、輥塗、模塗、旋塗、反向塗布、棒塗、網版塗布、刮刀塗布、氣刀塗布及浸塗等之各種塗布方法。
使用塗布樹脂在載體薄膜而形成的薄膜101時，係調製樹脂用組成物。此樹脂用組成物係可在樹脂組成物中適量添加溶劑及其它的摻合劑而調製。溶劑例如可為甲苯、丙酮、甲基乙基酮、甲醇、乙醇、丙醇及二甲基甲醯胺等。作為其它的摻合劑，可添加交聯劑或聚合用觸媒、硬化促進劑、及著色劑等。又，以形成表面凹凸為目的，亦可添加二氧化矽等之粒子。其它的摻合劑只要按照需添加即可。
接著，於載體薄膜501之單面，塗布所調製的樹脂用組成物。作為於載體薄膜501之單面塗布樹脂用組成物之方法，並沒有特別的限定，可採用唇塗、缺角輪塗布、凹版塗布、縫模塗布等眾所周知之技術。
載體薄膜501係沒有特別的限定，例如可藉由聚烯烴系、聚酯系、聚醯亞胺系、聚苯硫系等之材料來形成。再者，於載體薄膜501與塗布樹脂而形成的薄膜101之間，亦可設置離型劑層。
然後，塗布樹脂在載體薄膜501後，加熱乾燥而去除溶劑，藉此即可形成塗布樹脂而形成的薄膜101。再者，可從塗布樹脂而形成的薄膜101來剝離載體薄膜501，而較佳為在將電磁波屏蔽薄膜2貼附於印刷配線板3後進行載體薄膜501之剝離。若如此進行，則可藉由支撐基材來保護電磁波屏蔽薄膜2。
在其為塗布樹脂而形成的薄膜101時，亦將表面粗化。粗化之方法係沒有特別的限定，可例示：對於薄膜表面施予噴砂等而賦予凹凸之方法(與上述相同)；或將包含填料等粒子塗覆材料被覆於表面而賦予凹凸之方法(與上述相同)。
＜錨固層形成步驟＞ 接著，在薄膜101之表面形成錨固層時，具體而言，可將薄膜設置於分批式真空蒸鍍裝置(ULVAC製EBH-800)內，使用50mm×550mm尺寸的金屬靶，調整到於氬氣環境中真空到達度5×10-1 Pa以下，並以成為指定的金屬膜厚之時間連續地施加DC電源，藉此而形成錨固層。再者，關於在濺鍍後實施的形成金屬膜301之真空蒸鍍，係可連續地進行處理，在濺鍍與蒸鍍之間於不與大氣接觸下進行處理。
＜形成金屬膜之步驟＞ 接著，在薄膜101表面或錨固層表面上形成金屬膜301。更具體而言，可將薄膜設置於分批式真空蒸鍍裝置(ULVAC製EBH-800)內，於蒸鍍舟上載置成為目的厚度之量的金屬後，進行抽真空直到真空到達度9.0×10-3 Pa以下為止後，加熱蒸發舟而實施真空蒸鍍。再者，形成錨固層時，錨固層形成與金屬膜形成，係可連續地進行處理，以在濺鍍與蒸鍍之間不與大氣接觸的方式進行。
一般而言，是在薄膜101之單面形成金屬膜301，但視需要亦可在薄膜101之兩面形成金屬膜。惟，在兩面形成金屬膜301之情況，必須事先使薄膜101的兩面粗化。
(電磁波屏蔽薄膜之製造方法) 接著，說明本發明之電磁波屏蔽薄膜2之製造方法的一例。本發明之電磁波屏蔽薄膜在本發明之金屬化薄膜的一側之金屬膜之表面，具有接著劑層，但如此的本發明之電磁波屏蔽薄膜2之製造方法係沒有特別的限定。例如，可例示在本發明之金屬化薄膜1的一側之金屬膜301之表面上塗布接著劑層用組成物後，將接著劑組成用組成物硬化而形成接著劑層601之製造方法。
＜接著劑層形成步驟＞ 於本發明之金屬化薄膜1的金屬膜301之表面塗布接著劑層用組成物，而形成接著劑層601時，接著劑層用組成物包含樹脂組成物與溶劑。樹脂組成物係沒有特別的限定，可為：苯乙烯系樹脂組成物、乙酸乙烯酯系樹脂組成物、聚酯系樹脂組成物、聚乙烯系樹脂組成物、聚丙烯系樹脂組成物、醯亞胺系樹脂組成物、醯胺系樹脂組成物、或者丙烯酸系樹脂組成物等之熱塑性樹脂組成物；或酚系樹脂組成物、環氧系樹脂組成物、胺基甲酸酯系樹脂組成物、三聚氰胺系樹脂組成物、或著醇酸系樹脂組成物等之熱硬化性樹脂組成物等。此等係可單獨使用，也可併用2種以上。
溶劑例如可使用甲苯、丙酮、甲基乙基酮、甲醇、乙醇、丙醇及二甲基甲醯胺等。又，視需要可於接著劑層用組成物中包含硬化促進劑、增黏劑、抗氧化劑、顏料、染料、可塑劑、紫外線吸收劑、消泡劑、調平劑、填充劑、難燃劑及黏度調節劑等之至少1者。接著劑層用組成物中的樹脂組成物之比率，只要按照接著劑層601之厚度或塗布方法、液黏度等來適宜設定即可。
作為於金屬化薄膜1的金屬膜301之表面塗布接著劑層用組成物之方法，並沒有特別的限定，可使用唇塗、缺角輪塗布、凹版塗布或縫模塗布等。
然後，於本發明之金屬化薄膜1的金屬膜301之表面塗布接著劑層用組成物後，藉由加熱乾燥而去除溶劑，形成接著劑層601。再者，視需要亦可在接著劑層601之表面貼合離型薄膜。
(屏蔽印刷配線板) 本實施形態之電磁波屏蔽薄膜2可用於例如圖10所示之屏蔽印刷配線板4。此屏蔽印刷配線板4具備印刷配線板3與電磁波屏蔽薄膜2。
印刷配線板3具有：基底層702、形成於基底層702上的印刷電路(接地電路)801、鄰接於印刷電路801地設置於基底層702上的絕緣性接著劑層901、與形成有用於露出印刷電路801一部分之開口部且以覆蓋住絕緣性接著劑層901之方式所設置的絕緣性的覆蓋膜(coverlay)701。再者，藉由絕緣性接著劑層901與覆蓋膜701，可構成印刷配線板3之絕緣層。
基底層702、絕緣性接著劑層901及覆蓋膜701係沒有特別的限定，例如可為樹脂薄膜等，可藉由例如聚丙烯、交聯聚乙烯、聚酯、聚苯并咪唑、聚醯亞胺、聚醯亞胺醯胺、聚醚醯亞胺或聚苯硫等之樹脂來形成。印刷電路801例如可為在基底層702上所形成的銅配線圖案等。
再者，電磁波屏蔽薄膜2係以接著劑層601在覆蓋膜701側，而與印刷配線板3接著。
接著，說明屏蔽印刷配線板4之製造方法。於印刷配線板3上載置電磁波屏蔽薄膜2，以加壓機邊加熱邊加壓。因加熱而變柔軟的接著劑層601之一部分，因加壓而流入形成在覆蓋膜701的開口部。藉此，金屬膜301與印刷配線板3的接地電路801透過導電性接著劑而連接，使得金屬膜301與接地電路801連接。 [實施例]
以下，以實施例為基礎，說明本發明。再者，本發明係不限定於此等之實施例，可根據本發明之宗旨而將此等之實施例變形、變更，不將彼等從發明之範圍排除在外。
(磁控濺鍍) 將薄膜設置於分批式真空蒸鍍裝置(ULVAC製EBH-800)內，使用50mm×550mm尺寸的鎳靶，調整至於氬氣環境中真空到達度5×10-1 Pa以下，並以成為指定的金屬膜厚之時間連續地施加DC電源。
再者，關於濺鍍後實施的真空蒸鍍，係連續地進行處理，以在濺鍍與蒸鍍之間不與大氣接觸的方式進行。
(真空蒸鍍) 將薄膜設置於分批式真空蒸鍍裝置(ULVAC製EBH-800)內，於蒸鍍舟上載置成為目的厚度之量的銅後，進行抽真空直到真空到達度9.0×10-3 Pa以下為止後，加熱蒸發舟而實施真空蒸鍍。
(表面粗糙度之測定) 表面粗糙度係使用小坂研究所股份有限公司製的微細形狀測定機Surfcorder ET4000A，試料係固定於附屬的半圓柱狀的玻璃板，觸針係使用前端R2μm者。又，數據之解析係使用三次元表面粗糙度解析系統i-Face model TDA31。數據係在任意3處測定及採集，將彼等之平均當作Ra、Rz各自之值。
測定條件：X測定長　500μm、間距　1μm Y測定長　500μm、間距　5μm 測定速度　0.1mm/sec。
(表面傾斜之測定) 表面傾斜係使用KEYENCE股份有限公司製的雷射顯微鏡VK-9700進行測定，使用形狀解析應用程式VK-H1A1進行分析。測定係在任意3處進行，將彼等之平均當作RΔq、RΔa之值。
測定條件：物鏡50倍、縮放1倍 分析條件：自動雜訊去除：雜訊檢測區域　通常 傾斜修正：面傾斜修正(自動) 線粗糙度解析　解析長　200μm 高度平滑化：單純平均±2。
線粗糙度之輪廓係在所拍攝的影像中，於水平方向與垂直方向之各自中央，採集200μm長的剖面數據，將2個值之平均值當作該影像中的RΔq、RΔa。
(表面電阻之測定) 藉由4端子法，測定表面電阻。將所測定的樣品切割成100mm□，重複3次測定經切割的薄膜中央部之位置，將3次的平均值當作表面電阻的測定值。於測定中使用簡易型低電阻率計(三菱化學分析科技股份有限公司製Loresta EP MCP-T360 ASP探針)，單位係以Ω/□表示。
(平均結晶粒徑測定方法) 金屬膜之平均結晶粒徑係使用EBSD算出。首先，薄切出積層體的金屬膜剖面，輸入其繞射圖案。於所得之繞射圖案，將指定的方位角差5°以內之測定點連續2點以上存在之情況當作相同粒，辨別結晶粒子，對於其各個結晶粒，算出其圓相當直徑(相同面積的圓之直徑)。將如此所得之結晶粒徑依照下述式平均後的值當作平均結晶粒徑。式中，N表示粒子的總數，di 表示各個粒子的粒徑(圓相當直徑)。
Figure 02_image001
再者，輸入繞射圖案之條件係如以下。 使用裝置： 熱電場發射型掃描電子顯微鏡(TFE-SEM)JSM-6500F(日本電子公司製) OIM方位解析裝置DigiViewIV慢掃描CCD相機 OIM Data Collection ver.7.x OIM Analysis ver.7.x 分析條件：加速電壓　15kV 照射電流　15nA 試料傾斜　-30deg(穿透EBSD法) 表面測定倍率　5,000倍 測定視野區域　3×20μm 間隔　20nm/step。
(開口部個數之計測) 開口部之個數係在暗室中以民生用的照相用背光當作光源，以目視測定5μm以上的針孔之數量。測定係在10cm2 以上之面積進行，換算成每1cm2 之數量。
(銅層之厚度測定) 金屬層之厚度係以螢光X射線膜厚計(SSI奈米科技製SFT9400)進行測定。
(錨固層之厚度) 以穿透率計來測定在透明PET薄膜上所成膜的濺鍍金屬層之穿透率，並從所得之值，根據Lambert-Beer之定律算出膜厚。
Figure 02_image003
此處，I0 為薄膜通過前之光量，I為薄膜通過後之光量，α為吸光係數，Z為膜厚，k為消光係數，λ為波長。將I/I0 當作穿透率，波長555nm時的消光系數係在鈦採用2.56，在鎳採用3.2588之值，當作錨固層的濺鍍金屬層之膜厚。
(水蒸氣穿透度) 水蒸氣穿透度係以依據JISK7129：2008(紅外線)之方法進行測定。使用美國莫康(MOCON)公司製的水蒸氣穿透率穿透率測定裝置(機種名，PERMATRAN(註冊商標)W3/31)，於溫度40℃、濕度90%RH之條件下進行測定。測定係對於2片的試驗片各進行2次，將合計4個測定值的平均值當作水蒸氣穿透率之值。 (回焊通過性) 使用具有耐熱性的薄膜時，係用下述之要領來評價所製作的屏蔽印刷配線板之耐回焊性。作為回焊之條件，假定一無鉛焊料，並設定屏蔽印刷配線板中的屏蔽薄膜於265℃下暴露1秒的溫度輪廓(profile)。
然後，將屏蔽印刷配線板在上述輪廓之溫度條件下暴露3次後，目視確認是否層間密著被破壞而發生鼓起。將未發生鼓起者當作○，將發生鼓起者當作×。
(電場屏蔽性、磁場屏蔽性之評價) 對於金屬化薄膜單質，進行KEC法的近接電場、近接磁場屏蔽性能之測定。測定機器係使用微波・毫米波帶評價系統(Agilent公司製E5071C ENA、網路分析器(9kHz~4.5GHz))，測定1GHz時的電場屏蔽性(近接電場屏蔽性能)與磁場屏蔽性(近接磁場屏蔽性能)。
(實施例1) ＜金屬化薄膜之製造＞ 於厚度50μm的雙軸配向聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(東麗(股)製「Lumirror(註冊商標)」型：S10)之單面，使用平均粒徑200μm的矽砂研磨材料，對於距離1m的薄膜，以噴砂方式處理後，水洗而得到表面粗化的薄膜。表面粗化後的薄膜表面粗糙度為Ra 0.87μm、Rz 7.96μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.56、RΔa 15.5°。
接著，於形成有表面凹凸之表面，以磁控濺鍍法將鎳蒸鍍至5nm之厚度。條件係使用DC電源，濺鍍輸出為3.0kw。其後，藉由真空蒸鍍法將銅真空蒸鍍至2.0μm之厚度。如此所作成的金屬化薄膜之銅的金屬膜之平均結晶粒徑為74nm，表面電阻為0.0198Ω/□，針孔(開口部個數)為0.4個/cm2 。金屬膜之表面粗糙度為Ra 1.05μm、Rz 8.15μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.70、RΔa 16.3°。又，金屬化薄膜之水蒸氣穿透度為6.68g/(m2 ・day)，1GHz的電場屏蔽性為80dB，1GHz的磁場屏蔽性為60dB。
(實施例2) ＜金屬化薄膜之製造＞ 於厚度50μm的雙軸配向聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(東麗(股)製「Lumirror(註冊商標)」型：S10)，塗布包含粒子的樹脂，準備經表面粗化的薄膜。包含粒子的樹脂係使用在DIC股份有限公司製丙烯酸樹脂「Acrydic(註冊商標)」WFL-908中分散有樹脂重量比15重量%之量的日本觸媒股份有限公司製二氧化矽球狀微粒子「Seahostar」KE-P30(平均粒徑0.3μm)者。以馬亞棒塗布丙烯酸樹脂，在120℃乾燥1分鐘而成為厚度0.5μm之層，得到表面凹凸薄膜。所得的表面粗化薄膜之表面粗糙度為Ra 0.51μm、Rz 3.36μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.21、RΔa 7.3°。
接著，於薄膜表面，以磁控濺鍍法將鎳蒸鍍至5nm之厚度。條件係使用DC電源，濺鍍輸出為3.0kw。其後，藉由真空蒸鍍法將銅真空蒸鍍至1.0μm之厚度。如此所製作的金屬化薄膜之銅的金屬膜之平均結晶粒徑為102nm，金屬膜之表面電阻為0.0280Ω/□，針孔(開口部個數)為0.5個/cm2 。金屬膜之表面粗糙度為Ra 0.57μm、Rz 4.92μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.13、RΔa 4.6°。又，金屬化薄膜之水蒸氣穿透度為3.54g/(m2 ・day)，1GHz的電場屏蔽性為65dB，1GHz的磁場屏蔽性為51dB。
(實施例3) ＜金屬化薄膜之製造＞ 除了藉由真空蒸鍍法將銅真空蒸鍍至0.7μm之厚度以外，全部在與實施例2相同之條件下得到金屬化薄膜。如此所製作的金屬化薄膜之銅的金屬膜之平均結晶粒徑為106nm，表面電阻為0.0384Ω/□，針孔(開口部個數)為0.6個/cm2 。金屬膜之表面粗糙度為Ra 0.54μm、Rz 4.28μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.18、RΔa 6.1°。又，金屬化薄膜之水蒸氣穿透度為3.76g/(m2 ・day)，1GHz的電場屏蔽性為60dB，1GHz的磁場屏蔽性為49dB。
(實施例4) ＜金屬化薄膜之製造＞ 將厚度60μm且在表面施有離型處理的PET薄膜當作支撐基材，於其上塗佈雙酚A型環氧系樹脂(三菱化學(股)製jER1256)及甲基乙基酮所構成之組成物(固體成分量30質量%)，藉由加熱乾燥，而製作具有5μm之厚度的環氧系樹脂薄膜。於環氧系樹脂薄膜表面，與實施例1同樣地噴砂及水洗，而將表面粗化。表面粗化後的薄膜表面粗糙度為Ra 0.46μm、Rz 2.57μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.49、RΔa 13.4°。
接著，將前述薄膜設置於分批式真空蒸鍍裝置(ULVAC製EBH-800)內，於氬氣環境中，調整至真空到達度5×10-1 Pa以下，藉由磁控濺鍍法(DC電源輸出：3.0kW)，形成5nm之厚度的鎳作為錨固層。
隨後，於蒸鍍舟上載置銅後，進行抽真空直到真空到達度9.0×10-3 Pa以下為止，其後加熱蒸發舟，以真空蒸鍍形成2.0μm的銅金屬膜。再者，關於錨固層的形成與金屬膜的形成，係連續地進行處理，於濺鍍與蒸鍍之間不與大氣接觸。如此所製作的金屬化薄膜之銅的金屬膜之平均結晶粒徑為115nm，表面電阻為0.0144Ω/□，針孔(開口部個數)為0.4個/cm2 。金屬膜之表面粗糙度為Ra 0.64μm、Rz 3.61μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.53、RΔa 14.7°。又，金屬化薄膜之水蒸氣穿透度為10.96g/(m2 ・day)，1GHz的電場屏蔽性為80dB，1GHz的磁場屏蔽性為61dB。
本件由於是具有耐回焊性的環氧系樹脂薄膜，追加以下之評價。 ＜電磁波屏蔽薄膜之製造＞ 於金屬化薄膜的金屬膜之表面，塗布環氧系樹脂與平均粒徑為3μm的粒徑球狀之覆銀銅粉(摻合量50重量%)所構成的接著劑，形成具有5μm之厚度的接著劑層。
＜屏蔽印刷配線板之製作＞ 將所製作的電磁波屏蔽薄膜與印刷配線板，以電磁波屏蔽薄膜的接著劑層與印刷配線板呈對向之方式疊合，使用加壓機，在170℃、3.0MPa之條件下加熱加壓1分鐘後，於相同溫度及壓力下加熱加壓3分鐘，製作屏蔽印刷配線板。
再者，印刷配線板具有：互相保持間隔而平行延伸的2條銅箔圖案、與覆蓋銅箔圖案且為聚醯亞胺所構成之絕緣層(厚度：25μm)，於絕緣層設置有將各銅箔圖案露出的開口部(直徑：1mm)。又，此開口部係以被電磁波屏蔽薄膜所完全覆蓋之方式，使電磁波屏蔽薄膜的接著劑層與印刷配線板疊合。得到屏蔽印刷配線板後，將施有離型處理的PET薄膜予以剝離。此屏蔽印刷配線板之回焊通過性為○。
(實施例5) ＜金屬化薄膜之製造＞ 將厚度為60μm且在表面施有離型處理的PET薄膜當作支撐基材，於其上積層厚度5μm的PEEK薄膜。將所得之附支撐基材的PEEK薄膜表面，與實施例1同樣地噴砂及水洗而將表面粗化。表面粗化後的薄膜表面粗糙度為Ra 0.43μm、Rz 2.51μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.47、RΔa 12.6°。
接著，於經粗化的PEEK薄膜之表面上形成錨固層。將前述薄膜設置於分批式真空蒸鍍裝置(ULVAC製EBH-800)內，於氬氣環境中，調整至真空到達度5×10-1 Pa以下，藉由磁控濺鍍法(DC電源輸出：3.0kW)，形成5nm之厚度的鈦當作錨固層。
隨後，於蒸鍍舟上載置銅後，進行抽真空直到真空到達度9.0×10-3 Pa以下為止，其後加熱蒸發舟，以真空蒸鍍形成1.0μm的金屬膜。再者，關於錨固層的形成與金屬膜的形成，係連續地進行處理，於濺鍍與蒸鍍之間不與大氣接觸。如此所製作的金屬化薄膜之銅的金屬膜之平均結晶粒徑為128nm，表面電阻為0.0279Ω/□，針孔(開口部個數)為0.5個/cm2 。金屬膜之表面粗糙度為Ra 0.57μm、Rz 3.59μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.50、RΔa 13.5°。又，金屬化薄膜之水蒸氣穿透度為9.77g/(m2 ・day)，1GHz的電場屏蔽性為65dB，1GHz的磁場屏蔽性為50dB。
本件由於是具有耐回焊性的PEEK薄膜，與實施例4同樣地追加以下之評價。
＜電磁波屏蔽薄膜之製造＞　＜屏蔽印刷配線板之製作＞ 電磁波屏蔽薄膜之製造與屏蔽印刷配線板之製作係以與實施例4相同之方法，得到屏蔽印刷配線板。此屏蔽印刷配線板的回焊通過性為○。
(實施例6) ＜金屬化薄膜之製造＞ 將厚度50μm的雙軸配向聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(東麗(股)製「Lumirror(註冊商標)」型：S10)之單面，與實施例1同樣地噴砂及水洗而將表面粗化。表面粗化後的薄膜表面粗糙度為Ra 0.87μm、Rz 7.96μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.56、RΔa 15.5°。
接著，於薄膜之表面上形成金屬膜。將前述薄膜設置於分批式真空蒸鍍裝置(ULVAC製EBH-800)內，於蒸鍍舟上載置鋁後，進行抽真空直到真空到達度9.0×10-3 Pa以下為止，其後加熱蒸發舟，以真空蒸鍍形成2.0μm的金屬膜。如此所製作的金屬化薄膜之鋁的金屬膜之平均結晶粒徑為91nm，表面電阻為0.0379Ω/□，針孔(開口部個數)為0.5個/cm2 。金屬膜之表面粗糙度為Ra 1.1μm、Rz 8.3μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.72、RΔa 16.5°。又，金屬化薄膜之水蒸氣穿透度為7.23g/(m2 ・day)，1GHz的電場屏蔽性為60dB，1GHz的磁場屏蔽性為50dB。
(實施例7) 將厚度37.5μm的聚醯亞胺薄膜(東麗-杜邦(股)製「Kapton(註冊商標)」型：150EN-A)之單面，與實施例1同樣地噴砂及水洗而將表面粗化。表面粗化後的薄膜表面粗糙度為Ra 0.71μm、Rz 7.39μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.48、RΔa 13.7°。
接著，於經粗化的聚醯亞胺薄膜之表面上形成錨固層。將前述薄膜設置於分批式真空蒸鍍裝置(ULVAC製 EBH-800)內，於氬氣環境中，調整至真空到達度5×10-1 Pa以下，藉由磁控濺鍍法(DC電源輸出：3.0kW)，形成5nm之厚度的鎳當作錨固層。
隨後，於蒸鍍舟上載置銅後，進行抽真空直到真空到達度9.0×10-3 Pa以下為止，其後加熱蒸發舟，以真空蒸鍍形成2.0μm的金屬膜。再者，關於錨固層的形成與金屬膜的形成，係連續地進行處理，於濺鍍與蒸鍍之間不與大氣接觸。如此所製作的金屬化薄膜之銅的金屬膜之平均結晶粒徑為101nm，表面電阻為0.0159Ω/□，針孔(開口部個數)為0.4個/cm2 。金屬膜之表面粗糙度為Ra 0.77μm、Rz 7.69μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.54、RΔa 14.8°。又，金屬化薄膜之水蒸氣穿透度為8.92g/(m2 ・day)，1GHz的電場屏蔽性為80dB，1GHz的磁場屏蔽性為60dB。
本件由於是具有耐回焊性的聚醯亞胺薄膜，與實施例4同樣地追加以下之評價。
＜電磁波屏蔽薄膜之製造＞　＜屏蔽印刷配線板之製作＞ 電磁波屏蔽薄膜之製造與屏蔽印刷配線板之製作係以與實施例4相同之方法，得到屏蔽印刷配線板。此屏蔽印刷配線板的回焊通過性為○。
(實施例8) 將厚度37.5μm的聚醯亞胺薄膜(東麗-杜邦(股)製「Kapton(註冊商標)」型：150EN-A)之單面，與實施例1同樣地噴砂及水洗而將表面粗化。表面粗化後的薄膜表面粗糙度為Ra 0.71μm、Rz 7.39μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.48、RΔa 13.7°。
接著，於經粗化的聚醯亞胺薄膜之表面上形成錨固層。將前述薄膜設置於分批式真空蒸鍍裝置(ULVAC製 EBH-800)內，於氬氣環境中，調整至真空到達度5×10-1 Pa以下，藉由磁控濺鍍法(DC電源輸出：3.0kW)，形成5nm之厚度的鎳當作錨固層。
隨後，於蒸鍍舟上載置銅後，進行抽真空直到真空到達度9.0×10-3 Pa以下為止，其後加熱蒸發舟，以真空蒸鍍形成1.0μm的金屬膜。再者，關於錨固層的形成與金屬膜的形成，係連續地進行處理，於濺鍍與蒸鍍之間不與大氣接觸。如此所製作的金屬化薄膜之銅的金屬膜之平均結晶粒徑為96nm，表面電阻為0.0301Ω/□，針孔(開口部個數)為0.5個/cm2 。金屬膜之表面粗糙度為Ra 0.73μm、Rz 7.52μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.51、RΔa 14.2°。又，金屬化薄膜之水蒸氣穿透度為10.33g/(m2 ・day)，1GHz的電場屏蔽性為65dB，1GHz的磁場屏蔽性為51dB。
本件由於是具有耐回焊性的聚醯亞胺薄膜，與實施例4同樣地追加以下之評價。
＜電磁波屏蔽薄膜之製造＞　＜屏蔽印刷配線板之製作＞ 電磁波屏蔽薄膜之製造與屏蔽印刷配線板之製作係以與實施例4相同之方法，得到屏蔽印刷配線板。此屏蔽印刷配線板的回焊通過性為○。
(實施例9) 將厚度37.5μm的聚醯亞胺薄膜(東麗-杜邦(股)製「Kapton(註冊商標)」型：150EN-A)之單面，與實施例1同樣地噴砂及水洗而將表面粗化。表面粗化後的薄膜表面粗糙度為Ra 0.71μm、Rz 7.39μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.48、RΔa 13.7°。
接著，於薄膜之表面上形成金屬膜。將前述薄膜設置於分批式真空蒸鍍裝置(ULVAC製 EBH-800)內，於蒸鍍舟上載置鋁後，進行抽真空直到真空到達度9.0×10-3 Pa以下為止，其後加熱蒸發舟，以真空蒸鍍形成2.0μm的金屬膜。如此所製作的金屬化薄膜之鋁的金屬膜之平均結晶粒徑為94nm，表面電阻為0.0363Ω/□，針孔(開口部個數)為0.5個/cm2 。金屬膜之表面粗糙度為Ra 0.91μm、Rz 8.16μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.67、RΔa 14.9°。又，金屬化薄膜之水蒸氣穿透度為9.61g/(m2 ・day)，1GHz的電場屏蔽性為60dB，1GHz的磁場屏蔽性為50dB。
本件由於是具有耐回焊性的聚醯亞胺薄膜，與實施例4同樣地追加以下之評價。
＜電磁波屏蔽薄膜之製造＞　＜屏蔽印刷配線板之製作＞ 電磁波屏蔽薄膜之製造與屏蔽印刷配線板之製作係以與實施例4相同之方法，得到屏蔽印刷配線板。此屏蔽印刷配線板的回焊通過性為○。
(比較例1) ＜金屬化薄膜之製造＞ 除了薄膜表面係不進行噴砂所致的粗化以外，全部在與實施例1相同之條件下得到金屬化薄膜。金屬積層前的薄膜之表面粗糙度為Ra 0.03μm、Rz 0.83μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.02、RΔa 0.69°。此於薄膜表面上形成金屬膜而得之金屬化薄膜之銅的金屬膜之平均結晶粒徑為263nm，表面電阻為0.0102Ω/□，針孔(開口部個數)為0.1個/cm2 。金屬膜之表面粗糙度為Ra 0.06μm、Rz 0.52μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.01、RΔa 0.41°。又，金屬化薄膜係水蒸氣穿透度0.06g/(m2 ・day)，1GHz的電場屏蔽性為86dB，1GHz的磁場屏蔽性為64dB。
(比較例2) ＜金屬化薄膜之製造＞ 除了以銅之蒸鍍形成1.5μm的金屬膜以外，全部在與實施例1相同之條件下得到金屬化薄膜。金屬積層前的薄膜之表面粗糙度為Ra 0.03μm、Rz 0.83μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.02、RΔa 0.69°。此於薄膜表面上形成金屬膜而得之金屬化薄膜之銅的金屬膜之平均結晶粒徑為231nm，表面電阻為0.0133Ω/□，針孔(開口部個數)為0.1個/cm2 。金屬膜之表面粗糙度為Ra 0.04μm、Rz 0.62μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.02、RΔa 0.52°。又，金屬化薄膜係水蒸氣穿透度2.06g/(m2 ・day)，1GHz的電場屏蔽性為81dB，1GHz的磁場屏蔽性為60dB。
(比較例3) ＜金屬化薄膜之製造＞ 除了以銅之蒸鍍形成0.5μm的金屬膜以外，全部在與比較例1相同之條件下得到金屬化薄膜。金屬積層前之表面粗糙度為Ra 0.03μm、Rz 0.83μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.02、RΔa 0.69°。此於薄膜表面上形成金屬膜而得之金屬化薄膜之銅的金屬膜之平均結晶粒徑為227nm，表面電阻為0.0389Ω/□，針孔(開口部個數)為0.5個/cm2 。金屬膜之表面粗糙度為Ra 0.04μm、Rz 0.76μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.02、RΔa 0.59°。又，金屬化薄膜之水蒸氣穿透度為2.93g/(m2 ・day)，1GHz的電場屏蔽性為60dB，1GHz的磁場屏蔽性為50dB。
(比較例4) ＜金屬化薄膜之製造＞ 除了薄膜表面係不進行噴砂所致的粗化以外，全部在與實施例4相同之條件下得到金屬化薄膜。金屬積層前的環氧系樹脂薄膜表面之表面粗糙度為Ra 0.282μm、Rz 2.02μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.02、RΔa 0.63°。此於環氧系樹脂薄膜表面上形成金屬膜而得之金屬化薄膜之銅的金屬膜之平均結晶粒徑為214nm，表面電阻為0.0122Ω/□，針孔(開口部個數)為0.1個/cm2 。金屬膜之表面粗糙度為Ra 0.31μm、Rz 1.78μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.01、RΔa 0.39°。又，金屬化薄膜之水蒸氣穿透度為1.22g/(m2 ・day)，1GHz的電場屏蔽性為86dB，1GHz的磁場屏蔽性為63dB。
本件由於是具有耐回焊性的環氧系樹脂薄膜，與實施例4同樣地追加以下之評價。
＜電磁波屏蔽薄膜之製造＞　＜屏蔽印刷配線板之製作＞ 電磁波屏蔽薄膜之製造與屏蔽印刷配線板之製作係以與實施例4相同之方法，得到屏蔽印刷配線板。此屏蔽印刷配線板的回焊通過性為×。
(比較例5) ＜金屬化薄膜之製造＞ 除了薄膜表面係不進行噴砂所致的粗化以外，全部在與實施例6相同之條件下得到金屬化薄膜。金屬積層前的薄膜之表面粗糙度為Ra 0.03μm、Rz 0.83μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.02、RΔa 0.69°。此於薄膜表面上形成金屬膜而得之金屬化薄膜之鋁的金屬膜之平均結晶粒徑為272nm，表面電阻為0.0371Ω/□，針孔(開口部個數)為0.1個/cm2 。金屬膜之表面粗糙度為Ra 0.05μm、Rz 0.61μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.01、RΔa 0.56°。又，金屬化薄膜之水蒸氣穿透度為0.03g/(m2 ・day)，1GHz的電場屏蔽性為60dB，1GHz的磁場屏蔽性為50dB。
(比較例6) ＜金屬化薄膜之製造＞ 除了薄膜表面係不進行噴砂所致的粗化以外，全部在與實施例7相同之條件下得到金屬化薄膜。金屬積層前的聚醯亞胺薄膜表面之表面粗糙度為Ra 0.028μm、Rz 0.303μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.02、RΔa 0.63°。此於聚醯亞胺薄膜表面上形成金屬膜而得之金屬化薄膜之銅的金屬膜之平均結晶粒徑為268nm，表面電阻為0.0101Ω/□，針孔(開口部個數)為0.1個/cm2 。金屬膜之表面粗糙度為Ra 0.03μm、Rz 0.29μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.02、RΔa 0.54°。又，金屬化薄膜之水蒸氣穿透度為0.31g/(m2 ・day)，1GHz的電場屏蔽性為86dB，1GHz的磁場屏蔽性為64dB。
本件由於是具有耐回焊性的聚醯亞胺薄膜，與實施例4同樣地追加以下之評價。
＜電磁波屏蔽薄膜之製造＞　＜屏蔽印刷配線板之製作＞ 電磁波屏蔽薄膜之製造與屏蔽印刷配線板之製作係以與實施例4相同之方法，得到屏蔽印刷配線板。此屏蔽印刷配線板的回焊通過性為×。 (比較例7) ＜金屬化薄膜之製造＞ 除了薄膜表面係不進行噴砂所致的粗化以外，全部在與實施例9相同之條件下得到金屬化薄膜。金屬積層前的聚醯亞胺薄膜表面之表面粗糙度為Ra 0.028μm、Rz 0.303μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.02、RΔa 0.63°。此於聚醯亞胺薄膜表面上形成金屬膜而得之金屬化薄膜之鋁的金屬膜之平均結晶粒徑為264nm，表面電阻為0.0369Ω/□，針孔(開口部個數)為0.1個/cm2 。金屬膜之表面粗糙度為Ra 0.04μm、Rz 0.40μm，凹凸的傾斜為RΔq 0.01、RΔa 0.68°。又，金屬化薄膜之水蒸氣穿透度為0.35g/(m2 ・day)，1GHz的電場屏蔽性為60dB，1GHz的磁場屏蔽性為50dB。
本件由於是具有耐回焊性的聚醯亞胺薄膜，與實施例4同樣地追加以下之評價。
＜電磁波屏蔽薄膜之製造＞　＜屏蔽印刷配線板之製作＞ 電磁波屏蔽薄膜之製造與屏蔽印刷配線板之製作係以與實施例4相同之方法，得到屏蔽印刷配線板。此屏蔽印刷配線板的回焊通過性為×。
[表1-1]
金屬膜
金屬種類 金屬厚 Ra Rz RΔq RΔa 表面電阻 平均 結晶粒徑 開口部 個數
- µm μm μm ° Ω/□ nm 個/cm2
實施例1 Cu 2 1.05 8.15 0.7 16.3 0.0198 74 0.4
實施例2 Cu 1 0.57 4.92 0.13 4.6 0.028 102 0.5
實施例3 Cu 0.7 0.54 4.28 0.18 6.1 0.0384 106 0.6
實施例4 Cu 2 0.64 3.61 0.53 14.7 0.0144 115 0.4
實施例5 Cu 1 0.57 3.59 0.50 13.5 0.0279 128 0.5
實施例6 Al 2 1.07 8.25 0.72 16.5 0.0379 91 0.5
實施例7 Cu 2 0.77 7.69 0.54 14.8 0.0159 101 0.4
實施例8 Cu 1 0.73 7.52 0.51 14.2 0.0301 96 0.5
實施例9 Al 2 0.91 8.16 0.67 14.9 0.0363 94 0.5
比較例1 Cu 2 0.06 0.52 0.01 0.41 0.0102 263 0.1
比較例2 Cu 1.5 0.04 0.62 0.02 0.52 0.0133 231 0.1
比較例3 Cu 0.5 0.04 0.76 0.02 0.59 0.0389 227 0.5
比較例4 Cu 2 0.31 1.78 0.01 0.39 0.0122 214 0.1
比較例5 Al 2 0.05 0.61 0.01 0.56 0.0371 272 0.1
比較例6 Cu 2 0.03 0.29 0.02 0.54 0.0101 268 0.1
比較例7 Al 2 0.04 0.40 0.01 0.68 0.0369 264 0.1
[表1-2]
錨固 薄膜 金屬化薄膜
金屬・厚 種類 厚度 Ra Rz RΔq RΔa 水蒸氣 穿透度 回焊 通過性 電場屏蔽性 1GHz 磁場屏蔽性 1GHz
nm - µm µm µm ° g/(m2 ･day) - dB dB
實施例1 Ni　5nm PET 50 0.872 7.96 0.56 15.5 6.68 未實施 80 60
實施例2 Ni　5nm PET 50 0.514 3.36 0.21 7.3 3.54 未實施 65 51
實施例3 Ni　5nm PET 50 0.514 3.36 0.21 7.3 3.76 未實施 60 49
實施例4 Ni　5nm 環氧 5 0.458 2.57 0.49 13.4 10.96 ○ 80 61
實施例5 Ti　5nm PEEK 5 0.430 2.51 0.47 12.6 9.77 ○ 65 50
實施例6 無 PET 50 0.872 7.96 0.56 15.5 7.23 未實施 60 50
實施例7 Ni　5nm 聚醯亞胺 37.5 0.714 7.39 0.48 13.7 8.92 ○ 80 60
實施例8 Ni　5nm 聚醯亞胺 37.5 0.714 7.39 0.48 13.7 10.33 ○ 65 51
實施例9 無 聚醯亞胺 37.5 0.714 7.39 0.48 13.7 9.61 ○ 60 50
比較例1 Ni　5nm PET 50 0.026 0.826 0.02 0.69 0.06 未實施 86 64
比較例2 Ni　5nm PET 50 0.026 0.826 0.02 0.69 2.06 未實施 81 60
比較例3 Ni　5nm PET 50 0.026 0.826 0.02 0.69 2.93 未實施 60 50
比較例4 Ni　5nm 環氧 5 0.282 2.02 0.02 0.63 1.22 × 86 63
比較例5 無 PET 50 0.026 0.826 0.02 0.69 0.03 未實施 60 50
比較例6 Ni　5nm 聚醯亞胺 37.5 0.028 0.303 0.02 0.63 0.31 × 86 64
比較例7 無 聚醯亞胺 37.5 0.028 0.303 0.02 0.63 0.35 × 60 50
1:金屬化薄膜 2:電磁波屏蔽薄膜 3:可撓性印刷配線板(印刷配線板) 4:屏蔽印刷配線板 101,102:薄膜 201:蒸鍍方向 301:金屬膜 401:蒸鍍膜成長方向 501:載體薄膜 601:接著劑層 701:覆蓋膜 702:基底層 801:印刷電路(接地電路) 901:絕緣性接著劑層
圖1係藉由真空蒸鍍法的一般金屬化薄膜之金屬膜生成方法的剖面示意圖。 圖2係使用真空蒸鍍法的斜蒸鍍法時之金屬化薄膜的金屬膜生成方法之剖面示意圖。 圖3係藉由真空蒸鍍法的本發明之金屬化薄膜之金屬膜生成方法的剖面示意圖。 圖4係於平坦的PET薄膜上，以銅蒸鍍形成2.0μm的厚度之金屬膜(1μm厚的金屬層2層)時的剖面之影像品質圖。 圖5係於經表面粗化的PET薄膜上，以銅蒸鍍形成2.0μm的厚度之金屬膜(1μm厚的金屬層2層)時的剖面之影像品質圖。 圖6係本發明之實施形態的金屬化薄膜之剖面圖。 圖7係本發明之實施形態的金屬化薄膜之剖面圖。 圖8係本發明之實施形態的電磁波屏蔽薄膜之剖面圖。 圖9係本發明之實施形態的電磁波屏蔽薄膜之剖面圖。 圖10係本發明之實施形態的屏蔽印刷配線板之剖面圖。
無。

Claims (22)

  1. 一種金屬化薄膜，其係在薄膜的至少一面之側，具有包含至少1層的金屬層之金屬膜的金屬化薄膜，其中 該金屬膜之表面電阻為0.04Ω/□以下， 該金屬化薄膜之依據JISK7129：2008的水蒸氣穿透度在溫度40℃、濕度90%RH下為3.5g/(m2 ・day)以上。
  2. 如請求項1之金屬化薄膜，其中該金屬膜之表面電阻為0.02Ω/□以下。
  3. 如請求項1或2之金屬化薄膜，其中具有該金屬膜之側的薄膜表面之均方根傾斜RΔq為0.18以上。
  4. 如請求項1至3中任一項之金屬化薄膜，其中具有該金屬膜之側的薄膜表面之算術平均傾斜角RΔa為7.0°以上。
  5. 如請求項1至4中任一項之金屬化薄膜，其中具有該金屬膜之側的薄膜表面之算術平均粗糙度Ra為0.4μm以上。
  6. 請求項1至5中任一項之金屬化薄膜，其中具有該金屬膜之側的薄膜表面之十點平均粗糙度Rz為2.5μm以上。
  7. 如請求項1至6中任一項之金屬化薄膜，其中該金屬膜之平均結晶粒徑為50nm以上200nm以下。
  8. 如請求項1至7中任一項之金屬化薄膜，其中該金屬層之主成分係選自包含銅、銀及鋁之群組中的至少1種金屬。
  9. 如請求項1至8中任一項之金屬化薄膜，其中該金屬膜之厚度為0.5μm以上3.0μm以下。
  10. 如請求項1至9中任一項之金屬化薄膜，其中該金屬膜表面之算術平均平方根傾斜RΔq為0.10以上。
  11. 如請求項1至10中任一項之金屬化薄膜，其中該金屬膜表面之算術平均傾斜角RΔa為3.0°以上。
  12. 如請求項1至11中任一項之金屬化薄膜，其中該金屬膜表面之算術平均粗糙度Ra為0.5μm以上。
  13. 如請求項1至12中任一項之金屬化薄膜，其中該金屬膜表面之十點平均粗糙度Rz為3.5μm以上。
  14. 如請求項1至13中任一項之金屬化薄膜，其中於該薄膜之與金屬膜相接側之面上，包括選自包含聚酯、聚醯亞胺、聚苯硫、聚丙烯、聚醚醚酮及環氧樹脂之群組中的至少1種樹脂。
  15. 如請求項1至14中任一項之金屬化薄膜，其中於該薄膜與該金屬膜之間，具有錨固層。
  16. 如請求項15之金屬化薄膜，其中該錨固層包括選自包含鎳、鈦、銅及鉻之群組中至少1者的金屬層。
  17. 如請求項15或16之金屬化薄膜，其中該錨固層係厚度為5nm以上30nm以下。
  18. 一種金屬化薄膜之製造方法，其係如請求項1至17中任一項之金屬化薄膜之製造方法，其中 以真空蒸鍍法，將該金屬膜成膜。
  19. 一種金屬化薄膜之製造方法，其係如請求項15至17中任一項之金屬化薄膜之製造方法，其中 以濺鍍法，將錨固層成膜， 以真空蒸鍍法，將該金屬膜成膜。
  20. 如請求項18或19之金屬化薄膜之製造方法，其中以斜蒸鍍將金屬膜成膜。
  21. 如請求項20之金屬化薄膜之製造方法，其中於該薄膜之表面上形成凹凸。
  22. 一種電磁波屏蔽薄膜，其在如請求項1至17中任一項之金屬化薄膜的一側之金屬膜之表面，具有接著劑層。
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