JPWO2017111158A1 - 電磁波シールドフィルム及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

電磁波シールドフィルム（１）は、ニッケルを主成分とする第１金属層（５）と、銅を主成分とする第２金属層（６）とにより構成されたシールド層（２）と、シールド層２の第２金属層（６）側の面に設けられた接着剤層３と、シールド層２の第１金属層側の面に設けられた保護層（４）とを備えている。第２金属層（６）の平均結晶粒径が５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。

Description

本開示は、電磁波シールドフィルム及びその製造方法に関する。

近年、スマートフォンやタブレット型情報端末には、大容量のデータを高速に伝送する性能が求められており、また、大容量のデータを高速伝送するためには高周波信号を用いる必要がある。しかし、高周波信号を用いると、プリント配線板に設けられた信号回路から電磁波ノイズが発生し、周辺機器が誤動作しやすくなる。そこで、このような誤動作を防止するために、プリント配線板を電磁波からシールドすることが重要となる。

プリント配線板をシールドする方法として、シールド層と導電性接着剤層とを有する電磁波シールドフィルムを使用することが検討されている（例えば、特許文献１〜３を参照）。

これら電磁波シールドフィルムは、導電性接着剤層を、プリント配線板のグランド回路を被覆する絶縁層に設けられた開口部と重ねあわせて、加熱加圧し、開口部に導電性接着剤を充填する。これにより、シールド層とプリント配線板のグランド回路とが、導電性接着剤を介して接続され、プリント配線板がシールドされる。その後、シールドされたプリント配線板は、プリント配線板と電子部品とを接続するために、リフロー工程において２７０℃程度の高温に曝される。

また、電子部品をプリント配線板に貼り付けた後、電子部品の位置を微修正するために、プリント配線板を加熱して電子部品をプリント配線板から剥がした後に、再度、貼り付ける、リペアと呼ばれる作業が行われる場合がある。そして、リペア作業を経た後、電子部品をプリント配線板に貼り付ける必要があるため、電磁波シールドフィルムは、リフロー工程において、再び、高温に曝されることになる。

特開２００４−０９５５６６号公報 ＷＯ２００６／０８８１２７号パンフレット ＷＯ２００９／０１９９６３号パンフレット

ここで、上記特許文献１〜３に記載の電磁波シールドフィルムにおいては、シールドプリント配線板を複数回のリフロー工程に曝すと、導電性接着剤層の流動および金属表面の酸化が生じて、シールドフィルムとプリント配線板との電気的な接続が低下し、結果として、シールド特性が低下するという問題があった。

そこで、本発明は、上記問題を鑑みてなされたものであり、複数回のリフロー工程に曝された場合であっても、プリント配線板との安定的な接続を維持することができる電磁波シールドフィルム、及びその製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の電磁波シールドフィルムは、ニッケルを主成分とする第１金属層と銅を主成分とする第２金属層とにより構成されたシールド層と、シールド層の第２金属層側に設けられた接着剤層と、シールド層の第１金属層側に設けられた保護層とを備え、第２金属層の平均結晶粒径が５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする。

本発明の電磁波シールドフィルムは、第２金属層の平均結晶粒径が５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるため、複数回のリフロー工程に曝されてもプリント配線板との接続を安定的に維持することができる。

本発明の実施形態に係る電磁波シールドフィルムの断面図である。 本発明の実施形態に係るシールドプリント配線板の断面図である。 実施例の耐リフロー性評価における電気抵抗値の測定方法を説明するための図である。

以下、本発明の電磁波シールドフィルムについて具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において、適宜変更して適用することができる。
＜電磁波シールドフィルム＞
図１に示すように、本発明の電磁波シールドフィルム１は、第１金属層５と第２金属層６とにより構成されたシールド層２と、シールド層２の第２金属層６側の面に設けられた接着剤層３と、シールド層２の第１金属層側の面に設けられた保護層４とを備えている。

＜シールド層＞
シールド層２は、図1に示すように、保護層４の片面に設けられた第１金属層５と、第１金属層５の表面に設けられた第２金属層６とにより構成されている。

ここで、本実施形態においては、電磁波シールドフィルム１とプリント配線板との間の電気的な接続の低下を防止するとの観点から、第２金属層６の平均結晶粒径を５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下に制御することが必要であり、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下に制御することがより好ましい。表面酸化を抑制するには平均結晶粒径は小さいほうがよいが、成膜速度が遅くなることもあるため、真空蒸着法によって平均結晶粒径が５０ｎｍ以上となるように製膜することにより、安定して製造することができる。また、平均結晶粒径を２００ｎｍ以下にすることにより、第２金属層６の表面酸化防止効果が得られ、１５０ｎｍ以下にすることで、より高い効果が得られる。

第１金属層５と第２金属層６は、金属膜又は導電性粒子からなる導電膜等とすることができ、本実施形態においては、第１金属層５はニッケルを主成分としており、第２金属層６は銅を主成分としている。これは、真空蒸着法のみで保護層４上に銅膜を成膜すると、保護層４と銅膜の密着力が十分に確保できないため、密着力確保の目的で、保護層４上にスパッタリング法により下地層として第１金属層５を形成し、その上に銅を主成分とした第２金属層６を蒸着する方法がとられる。しかし、下地層である第１金属層５として銅をスパッタリング法で成膜すると、平均結晶粒径の大きいスパッタリング法で形成された銅の影響を受け、その上に真空蒸着で形成する第２金属層６の平均結晶粒径も大きくなってしまい制御が困難になる。そこで、第２金属層６への平均結晶粒径への影響が小さいニッケルを、第１金属層５としてスパッタリング法で成膜することが好ましい。

そして、このような構成のとき、第２金属層６の接着剤層３側の表面には安定した薄い酸化膜が形成されると推察される。また、この薄い酸化膜は高温環境においても保護膜として働き、酸化の進行を抑制すると考えられる。そのため、シールドプリント配線板を複数回のリフロー工程に曝した場合であっても、電磁波シールドフィルム１とプリント配線板との間の酸化膜の増加による電気的な接続の低下を防止することができる。従って、電磁波シールドフィルム１とプリント配線板との安定的な接続を維持することができる。

なお、ここで言う「平均結晶粒径」は、Ｘ線回折（ＲＩＧＡＫＵ Ｕｌｔｉｍａ ＩＶ）を用いて平均結晶粒径を測定した結果のことをいう。また、Ｘ線管球の電圧と電流：４０ｋＶ-４０ｍＡ、走査速度：２°／ｍｉｎ、発散スリット（ＤＳ）：２／３°、散乱スリット（ＳＳ）：２／３°、受光スリット（ＲＳ）：０．３ｍｍの測定条件で測定し、平均結晶粒径の測定には、第２金属層６の優先配向面である（１１１）回折線の半価幅（ＦＷＨＭ）からシェラー式を使って計算する。

また、本実施形態においては、第１金属層５の厚みＴ_１と、第２金属層６の厚みＴ_２との合計が、０．１０５μｍ以上３．０３μｍ以下（即ち、０．１０５μｍ≦Ｔ_１＋Ｔ_２≦３．０３μｍ）であることが好ましい。これは、０．１０５μｍ未満の場合は、電磁波シールドとしての性能が不十分であり、また、電磁波シールド性能の観点から第２金属層６の厚みは厚い方が好ましいが、３．０３μｍよりも大きい場合は、第２金属層６の平均結晶粒径が大きくなり過ぎてしまい、第２金属層６の表面酸化防止の効果が得られないという不都合が生じる場合があるためである。

また、本実施形態においては、第２金属層６の厚みＴ_２が０．１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましく、０．２μｍ以上１．５μｍ以下であることがより好ましい。０．１μｍ未満の場合は、電磁波シールド性能が不十分になるという不都合が生じる場合があるためである。また、０．１μｍ以上であっても、用途によっては電磁波シールド性能が不十分であり、電磁波シールド性能を向上させるとの観点から、第２金属層６の厚みは０．２μｍ以上が好ましい。また、３μｍよりも大きい場合は、第２金属層６の平均結晶粒径がさらに大きくなり過ぎてしまい、第２金属層６の表面酸化防止の効果が得られないという不都合が生じる場合があるためである。また、表面酸化防止の観点から、第２金属層６はより薄いことが好ましく、鉛フリー半田使用によりリフロー時の加熱条件がさらに厳しくなる場合には、第２金属層６の厚みは１．５μｍ以下であることがより好ましい。

また、本実施形態においては、第１金属層５の厚みＴ_１が５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることが好ましく、７ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることがより好ましい。これは、５ｎｍ未満の場合は、第１金属層５と保護層４との密着性が低下するという不都合が生じる場合があるからである。半田実装等で使用されるリフローにおいて、鉛フリー半田使用により加熱条件がさらに厳しくなる場合には、さらに密着力を安定させる必要があり、７ｎｍ以上であることが、より好ましい。また、３０ｎｍよりも大きい場合は、第１金属層５上に形成される第２金属層６の平均結晶粒径がさらに大きくなり、第２金属層６の表面酸化を防止する効果が得られないという不都合が生じる場合があるためである。表面酸化を防止するためには、第１金属層５の厚みＴ_１は薄いことが好ましく、半田実装等で使用されるリフローにおいて、鉛フリー半田使用により加熱条件がさらに厳しくなる場合には、１５ｎｍ以下であることが好ましい。

＜接着剤層＞
接着剤層３は、電磁波シールドフィルム１をプリント配線板に固定できるものであれば特に限定されないが、接着性樹脂組成物と導電性フィラーとを有する導電性接着剤層とすることが好ましい。

接着性樹脂組成物としては、特に限定されないが、スチレン系樹脂組成物、酢酸ビニル系樹脂組成物、ポリエステル系樹脂組成物、ポリエチレン系樹脂組成物、ポリプロピレン系樹脂組成物、イミド系樹脂組成物、アミド系樹脂組成物、若しくはアクリル系樹脂組成物等の熱可塑性樹脂組成物、又はフェノール系樹脂組成物、エポキシ系樹脂組成物、ウレタン系樹脂組成物、メラミン系樹脂組成物、若しくはアルキッド系樹脂組成物等の熱硬化性樹脂組成物等を用いることができる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

接着剤層３には、必要に応じて、硬化促進剤、粘着性付与剤、酸化防止剤、顔料、染料、可塑剤、紫外線吸収剤、消泡剤、レベリング剤、充填剤、難燃剤、及び粘度調節剤等の少なくとも１つが含まれていてもよい。

接着剤層３の厚さは、特に限定されず、必要に応じて適宜設定することができるが、３μｍ以上、好ましくは４μｍ以上、１０μｍ以下、好ましくは７μｍ以下とすることができる。

導電性フィラーとしては、特に限定されないが、例えば、金属フィラー、金属被覆樹脂フィラー、カーボンフィラー及びそれらの混合物を使用することができる。上記金属フィラーとしては、銅粉、銀粉、ニッケル粉、銀コ−ト銅粉、金コート銅粉、銀コートニッケル粉、金コートニッケル粉があり、これら金属粉は、電解法、アトマイズ法、還元法により作製することができる。

また、特に、フィラー同士の接触を得やすくするために、導電性フィラーの平均粒子径を３〜５０μｍとすることが好ましい。また、導電性フィラーの形状としては、球状、フレーク状、樹枝状、繊維状などが挙げられる。これらの中でも、接続抵抗、コストの観点から、銀粉、銀コート銅粉、銅粉からなる群より選択される少なくとも１であることが好ましい。

接着剤層３が導電性フィラーを含有することで、異方導電性接着剤層または等方導電性接着剤層とすることができる。

導電性フィラーの配合量は、等方導電性接着剤層である場合には、接着剤層３の全体量に対して、３９ｗｔ％を超えて４００ｗｔ％以下の範囲内で添加することができる。また、異方導電性接着剤層である場合には、接着剤層３の全体量に対して、３ｗｔ％〜３９ｗｔ％の範囲で添加することができる。

＜保護層＞
保護層４は、シールド層２を保護できる所定の機械的強度、耐薬品性及び耐熱性等を満たしていればよい。保護層４は、充分な絶縁性を有し、接着剤層３及びシールド層２を保護できれば特に限定されないが、例えば、熱可塑性樹脂組成物、熱硬化性樹脂組成物、又は活性エネルギー線硬化性組成物等を用いることができる。

熱可塑性樹脂組成物としては、特に限定されないが、スチレン系樹脂組成物、酢酸ビニル系樹脂組成物、ポリエステル系樹脂組成物、ポリエチレン系樹脂組成物、ポリプロピレン系樹脂組成物、イミド系樹脂組成物、又はアクリル系樹脂組成物等を用いることができる。熱硬化性樹脂組成物としては、特に限定されないが、フェノール系樹脂組成物、エポキシ系樹脂組成物、末端にイソシアネート基を有するウレタン系樹脂組成物、末端にイソシアネート基を有するウレア系樹脂、末端にイソシアネート基を有するウレタンウレア系樹脂、メラミン系樹脂組成物、又はアルキッド系樹脂組成物等を用いることができる。また、活性エネルギー線硬化性組成物としては、特に限定されないが、例えば、分子中に少なくとも２個の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する重合性化合物等を用いることができる。これらの樹脂は単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

また、これらの中でも、耐リフロー性を向上させて、電磁波シールドフィルム１とプリント配線板との電気的な接続の低下を防止するとの観点から、末端にイソシアネート基を有するウレタンウレア系樹脂又は末端にイソシアネート基を有するウレタンウレア系樹脂とエポキシ系樹脂を併用した樹脂であることが好ましい。また、末端にイソシアネート基を有するウレタン系樹脂又は末端にイソシアネート基を有するウレタンウレア系樹脂は、１〜３０ｍｇＫＯＨ／ｇの酸価を有することが好ましく、３〜２０ｍｇＫＯＨ／ｇの酸価を有することがより好ましい。また、酸価が１〜３０ｍｇＫＯＨ／ｇの範囲内で、かつ酸価が異なる２以上のウレタン系樹脂またはウレタンウレア系樹脂を併用してもよい。酸価が１ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であると電磁波シールドフィルムの耐リフロー性が良好となり、３０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であると電磁波シールドフィルムの耐屈曲性が良好となる。なお、酸価はＪＩＳ Ｋ ００７０−１９９２に準拠して測定される。また、保護層４は、単独の材料により形成されていても、２種以上の材料から形成されていてもよい。

保護層４には、必要に応じて、硬化促進剤、粘着性付与剤、酸化防止剤、顔料、染料、可塑剤、紫外線吸収剤、消泡剤、レベリング剤、充填剤、難燃剤、粘度調節剤、及びブロッキング防止剤等の少なくとも１つが含まれていてもよい。

保護層４は、材質又は硬度若しくは弾性率等の物性が異なる２層以上の積層体であってもよい。例えば、硬度が低い外層と、硬度が高い内層との積層体とすれば、外層がクッション効果を有するため、電磁波シールドフィルム１をプリント配線板に加熱加圧する工程においてシールド層２に加わる圧力を緩和できる。このため、プリント配線板に設けられた段差によってシールド層２が破壊されることを抑制することができる。

また、保護層４の厚さは、特に限定されず、必要に応じて適宜設定することができるが、１μｍ以上、好ましくは４μｍ以上、そして２０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下とすることができる。保護層４の厚さを１μｍ以上とすることにより接着剤層３及びシールド層２を充分に保護することができる。保護層４の厚さを２０μｍ以下とすることにより、電磁波シールドフィルム１の屈曲性を確保することができ、屈曲性が要求される部材へ、１枚の電磁波シールドフィルム１を適用することが容易となる。

（電磁波シールドフィルムの製造方法）
次に、本発明の電磁波シールドフィルム２の製造方法の一例を説明する。本発明の電磁波シールドフィルム２の製造方法は特に限定されないが、例えば、保護層４を形成する工程と、保護層４の表面に第１金属層５を形成する工程と、第１金属層５の保護層４とは反対側の表面に第２金属層６を形成する工程と、第２金属層６の第１金属層５とは反対側の表面に接着剤層用組成物を塗布した後、接着剤組成用組成物を硬化して接着剤層３を形成する工程とを有する製造方法が例示できる。

＜保護層形成工程＞
まず、保護層用組成物を調製する。この保護層用組成物は、樹脂組成物に、溶剤及びその他の配合剤を適量加えて調製することができる。溶剤は、例えば、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、プロパノール及びジメチルホルムアミド等とすることができる。その他の配合剤としては、架橋剤や重合用触媒、硬化促進剤、及び着色剤等を加えることができる。その他の配合剤は必要に応じて加えればよい。

次に、支持基材の片面に、調製した保護層用組成物を塗布する。支持基材の片面に保護層用組成物を塗布する方法としては、特に限定されず、リップコーティング、コンマコーティング、グラビアコーティング、スロットダイコーティング等、公知の技術を採用することができる。

支持基材は、例えば、フィルム状とすることができる。支持基材は、特に限定されず、例えば、ポリオレフィン系、ポリエステル系、ポリイミド系、ポリフェニレンサルファイド系等の材料により形成することができる。なお、支持基材と保護層用組成物との間に、離型剤層を設けてもよい。

そして、支持基材に保護層用組成物を塗布した後、加熱乾燥して溶剤を除去することにより、保護層４が形成される。なお、支持基材は、保護層４から剥離することができるが、支持基材の剥離は、電磁波シールドフィルム１をプリント配線板に貼り付けた後に行うことができる。このようにすれば、支持基材により電磁波シールドフィルム１を保護することができる。

＜第１金属層形成工程＞
次に、保護層４の表面に第１金属層５を形成する。より具体的には、バッチ式真空蒸着装置（アルバック製 ＥＢＨ−８００）内にフィルムを設置し、５０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのニッケルターゲットを用い、アルゴンガス雰囲気中で真空到達度５×１０^−１Ｐａ以下に調整して、ＤＣ電源を所定の金属膜厚になる時間、連続して印加することにより、第１金属層５を形成することができる。なお、スパッタリング後に実施する第２金属層６を形成する真空蒸着については、連続して処理を行い、スパッタリングと蒸着の間で大気と触れさせないようにした。

ここで、本実施形態においては、第１金属層５をスパッタリング法で成膜すると、保護層４との十分な密着力を得ることができる。また、第１金属層５としてニッケルを用いることで、第２金属層６の平均結晶粒径を抑制して、第２金属層６の表面酸化を抑制することができる。

＜第２金属層形成工程＞
次に、第１金属層５の保護層４とは反対側の表面に第２金属層６を形成する。より具体的には、バッチ式真空蒸着装置（アルバック製 ＥＢＨ−８００）内にフィルムを設置し、蒸着ボート上に目的の厚さになる量の銅を載置した後に、真空到達度９．０×１０^−３Ｐａ以下になるまで真空引きをしてから、蒸発ボートを加熱して真空蒸着を実施した。なお、第１金属層５の形成と、第２金属層６の形成については連続して処理を行い、スパッタリングと蒸着の間で大気と触れさせないようにした。

ここで、本実施形態においては、平均結晶粒径が小さい第２金属層６を成膜する方法としては真空蒸着法が好ましい。スパッタリング法などでは金属結晶の成長速度が速く、平均結晶粒径を２００ｎｍ以下に制御することは困難であるため、第２金属層６を真空蒸着法により形成することが好ましい。

＜接着剤層形成工程＞
次に、第２金属層６の第１金属層５とは反対側の表面に接着剤層用組成物を塗布して、接着剤層３を形成する。ここで、接着剤層用組成物は、樹脂組成物と溶剤とを含む。樹脂組成物は、特に限定されないが、スチレン系樹脂組成物、酢酸ビニル系樹脂組成物、ポリエステル系樹脂組成物、ポリエチレン系樹脂組成物、ポリプロピレン系樹脂組成物、イミド系樹脂組成物、アミド系樹脂組成物、若しくはアクリル系樹脂組成物等の熱可塑性樹脂組成物、又はフェノール系樹脂組成物、エポキシ系樹脂組成物、ウレタン系樹脂組成物、メラミン系樹脂組成物、若しくはアルキッド系樹脂組成物等の熱硬化性樹脂組成物等とすることができる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

溶剤は、例えば、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、プロパノール及びジメチルホルムアミド等とすることができる。

また、必要に応じて、接着剤層用組成物に硬化促進剤、粘着性付与剤、酸化防止剤、顔料、染料、可塑剤、紫外線吸収剤、消泡剤、レベリング剤、充填剤、難燃剤、及び粘度調節剤等の少なくとも１つが含まれていてもよい。接着剤層用組成物中における樹脂組成物の比率は、接着剤層３の厚さ等に応じて適宜設定すればよい。

第２金属層６上に接着剤層用組成物を塗布する方法としては、特に限定されず、リップコーティング、コンマコーティング、グラビアコーティング、又はスロットダイコーティング等を用いることができる。

そして、第２金属層６の上に接着剤層用組成物を塗布した後、加熱乾燥して溶剤を除去することにより、接着剤層３を形成する。なお、必要に応じて、接着剤層３の表面に離型フィルムを貼り合わせてもよい。

（シールドプリント配線板）
本実施形態の電磁波シールドフィルム１は、例えば、図２に示すシールドプリント配線板３０に用いることができる。このシールドプリント配線板３０は、プリント配線板２０と、電磁波シールドフィルム１と備えている。

プリント配線板２０は、ベース層１１と、ベース層１１上に形成されたプリント回路（グランド回路）１２と、ベース層１１上において、プリント回路１２に隣接して設けられた絶縁性接着剤層１３と、プリント回路１２の一部を露出するための開口部１５が形成され、絶縁性接着剤層１３を覆うように設けられた絶縁性のカバーレイ１４とを有している。なお、絶縁性接着剤層１３とカバーレイ１４により、プリント配線板２０の絶縁層が構成される。

ベース層１１、絶縁性接着剤層１３及びカバーレイ１４は、特に限定されず、例えば、樹脂フィルム等とすることができる。この場合、ポリプロピレン、架橋ポリエチレン、ポリエステル、ポリベンゾイミダゾール、ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリエーテルイミド、又はポリフェニレンサルファイド等の樹脂により形成することができる。プリント回路１２は、例えば、ベース層１１上に形成された銅配線パターン等とすることができる。

なお、電磁波シールドフィルム１は、接着剤層３をカバーレイ１４側にしてプリント配線板２０と接着されている。

次に、シールドプリント配線板３０の製造方法について説明する。プリント配線板２０上に、電磁波シールドフィルム１を載置し、プレス機で加熱しつつ加圧する。加熱により柔らかくなった接着剤層３の一部は、加圧によりカバーレイ１４に形成された開口部１５に流れ込む。これにより、シールド層２とプリント配線板２０のグランド回路１２とが、導電性接着剤を介して接続され、シールド層２とグランド回路１２とが接続される。

以下に、本発明を実施例に基づいて説明する。なお、本発明は、これらの実施例に限定されるものではなく、これらの実施例を本発明の趣旨に基づいて変形、変更することが可能であり、それらを発明の範囲から除外するものではない。

（実施例１）
＜電磁波シールドフィルムの製造＞
支持基材として、厚さが６０μｍで、表面に離型処理を施したＰＥＴフィルムを用いた。次に、支持基材の上に、ビスフェノールＡ型エポキシ系樹脂（三菱化学（株）製、ｊＥＲ１２５６）及びメチルエチルケトンからなる保護層用組成物（固形分量３０質量％）を塗布し、加熱乾燥することにより、５μｍの厚みを有する保護層付き支持基材を作製した。

次に、保護層の表面にシールド層を形成した。より具体的には、バッチ式真空蒸着装置（アルバック製 ＥＢＨ−８００）内に保護層付き支持基材を設置し、アルゴンガス雰囲気中で、真空到達度５×１０^−１Ｐａ以下に調整して、マグネトロンスパッタリング法（ＤＣ電源出力：３．０ｋＷ）により、ニッケルを５ｎｍの厚さに蒸着し、第１金属層を形成した。

次に、蒸着ボート上に銅を載置した後に、真空到達度９.０×１０^−３Ｐａ以下になるまで真空引きを行い、その後、蒸発ボートを加熱して真空蒸着を実施し、０．５μｍの第２金属層を形成した。なお、第１金属層の形成と、第２金属層の形成については連続して処理を行い、スパッタリングと蒸着の間で大気と触れさせないようにした。

次いで、シールド層の表面に、エポキシ系樹脂と平均粒子径が３μｍの粒子径球状の銀コート銅粉（配合量５０ｗｔ％）からなる接着剤を塗布して、５μｍの厚みを有する接着剤層を形成した。

＜シールドプリント配線板の作製＞
次に、作製した電磁波シールドフィルムとプリント配線板とを、電磁波シールドフィルムの接着剤層とプリント配線板とが対向するように重ね合わせ、プレス機を用いて１７０℃、３．０ＭＰａの条件で１分間加熱加圧した後、同じ温度および圧力で３分間加熱加圧し、支持基材を保護層から剥離して、シールドプリント配線板を作製した。

なお、プリント配線板は、互いに間隔をおいて平行に延びる２本の銅箔パターンと、銅箔パターンを覆うとともに、ポリイミドからなる絶縁層（厚み：２５μｍ）を有しており、絶縁層には、各銅箔パターンを露出する開口部（直径：１ｍｍ）を設けた。また、この開口部が電磁波シールドフィルムにより完全に覆われるように、電磁波シールドフィルムの接着剤層とプリント配線板とを重ね合わせた。

＜耐リフロー性評価＞
次に、作製したシールドプリント配線板の耐リフロー性の評価を行った。リフローの条件としては、鉛フリーハンダを想定し、シールドプリント配線板におけるシールドフィルムが２６５℃に１秒間曝されるような温度プロファイルを設定した。

そして、シールドプリント配線板を、上記プロファイルの温度条件下で、１〜５回曝した後、図３に示すように、プリント配線板４０に形成された２本の銅箔パターン４１間の電気抵抗値を抵抗計４２で測定し、銅箔パターン４１と電磁波シールドフィルム４３との接続性を評価した。

そして、上記リフロー工程を５回行い、各リフロー後の抵抗値の変化を評価した。以上の結果を表１に示す。

（実施例２）
第１金属層のニッケル膜厚を１０ｎｍに変更したこと以外は、実施例１と同様にして、電磁波シールドフィルム及びシールドプリント配線板を作製し、耐リフロー性評価を行った。以上の結果を表１に示す。

（実施例３）
第１金属層のニッケル膜厚を７ｎｍに変更したこと以外は、実施例１と同様にして、電磁波シールドフィルム及びシールドプリント配線板を作製し、耐リフロー性評価を行った。以上の結果を表１に示す。

（実施例４）
第１金属層のニッケル膜厚を３ｎｍに変更したこと以外は、実施例１と同様にして、電磁波シールドフィルム及びシールドプリント配線板を作製し、耐リフロー性評価を行った。以上の結果を表１に示す。

（比較例１）
第１金属層を形成する金属を銅に変更し、銅膜厚を１０ｎｍに変更したこと以外は、実施例１と同様にして、電磁波シールドフィルム及びシールドプリント配線板を作製し、耐リフロー性評価を行った。以上の結果を表１に示す。

表１に示すように、第２金属層の平均結晶粒径が５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である実施例１〜４においては、複数回のリフロー工程に曝された場合であっても、抵抗値の上昇が抑制されており、電磁波シールドフィルムとプリント配線板との間の電気的な接続が安定して維持されていることが判る。

１ 電磁波シールドフィルム
２ シールド層
３ 接着剤層
４ 保護層
５ 第１金属層
６ 第２金属層
１１ ベース層
１２ プリント回路（グランド回路）
１３ 絶縁性接着剤層
１４ カバーレイ
１５ 開口部
２０ プリント配線板
３０ プリント配線板

Claims (5)

1. ニッケルを主成分とする第１金属層と、銅を主成分とする第２金属層とにより構成されたシールド層と、
   前記シールド層の前記第２金属層側の面に設けられた接着剤層と、
   前記シールド層の前記第１金属層側の面に設けられた保護層と
   を備えた電磁波シールドフィルムであって、
   前記第２金属層の平均結晶粒径が５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする電磁波シールドフィルム。
2. 前記第１金属層の厚みと、前記第２金属層の厚みとの合計が、０．１０５μｍ以上３．０３μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の電磁波シールドフィルム。
3. 前記第２金属層の厚みが、０．１μｍ以上３μｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電磁波シールドフィルム。
4. 前記第１金属層の厚みが、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム。
5. ニッケルを主成分とする第１金属層と銅を主成分とする第２金属層とにより構成されたシールド層と、シールド層の前記第２金属層側に設けられた接着剤層と、シールド層の前記第１金属層側に設けられた保護層とを備えた電磁波シールドフィルムの製造方法であって、
   前記第１金属層がスパッタリング法により形成され、前記第２金属層が真空蒸着法により形成されることを特徴とする電磁波シールドフィルムの製造方法。

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